JP2016040657A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数のバルブの開閉動作を制御する制御部を備えた処理装置において、バルブの動作に関連する時間情報を用いてバルブの動作状態を精度よく把握できるようにする。
【解決手段】処理装置は、複数のガス供給路と、複数のガス供給路の開閉を行う複数のバルブと、複数のバルブの開閉動作を制御する制御部２００を備えている。制御部２００は、１つ以上の監視対象バルブの動作に関連する複数種類の時間情報を生成する時間情報生成部２０２と、複数種類の時間情報を監視する監視部２０３を有している。複数種類の時間情報は、監視対象バルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す開時間情報と、監視対象バルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す閉時間情報を含んでいる。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対して複数のガスを供給して成膜処理等を行う処理装置に関する。

半導体装置の製造過程では、半導体ウエハ等の被処理体に、成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理等の各種の処理が繰り返し行われる。半導体ウエハの表面に薄膜を形成する成膜処理としては、成膜装置の処理容器内に半導体ウエハを配置し、処理容器内に原料ガスを含むガスを導入して反応生成物を生じさせ、半導体ウエハの表面に該反応生成物の薄膜を堆積させるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による成膜処理が知られている。

また、近年では、原料ガスと反応ガスとを交互に処理容器内へ供給し、原子レベルもしくは分子レベルの厚さの薄膜を一層ずつ形成するＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法という成膜方法も知られている。このＡＬＤ法は、膜質が良好で、膜厚を精度よく制御できることから、微細化が進行する半導体装置の製造手法として注目を集めている。

ここで、ＡＬＤ法によるＴｉＮ膜の成膜処理の一例について説明する。この例では、以下の（１）〜（４）の一連の工程を繰り返し行うことによって、ＴｉＮ薄膜を繰り返し堆積させて、所望の膜厚のＴｉＮ膜を形成する。
（１）処理容器内へ原料ガスとして例えばＴｉＣｌ_４ガスを供給してＴｉＣｌ_４をウエハの表面に付着させる。
（２）処理容器内をＮ_２ガスにてパージすることにより残留した原料ガスを排除する。
（３）処理容器内へ反応ガスとして例えばＮＨ_３ガスを供給し、ウエハの表面に付着していた上記ＴｉＣｌ_４と反応させて、原子レベルもしくは分子レベルの厚さのＴｉＮ薄膜を形成する。
（４）処理容器内をＮ_２ガスにてパージすることによって残留ガスを排除する。

ＡＬＤ法による成膜処理では、上記のＴｉＮ膜の成膜例で示したように、原料ガスを含む複数のガスの供給と停止を短時間で間欠的に繰り返し行う必要がある。ＡＬＤ法による成膜処理を行う成膜装置であるＡＬＤ装置では、ガスの供給と停止は、制御部がガス供給レシピに基づき、処理容器内にガスを導くガス供給路に設けられた電磁バルブに信号を送り、このバルブを開閉させることによって行われる。

ＡＬＤ法による成膜処理の場合、ＣＶＤ法による成膜処理に比べて、バルブの１回の開時間および閉時間が短くなり、開閉頻度が極端に多くなる。そのため、ＡＬＤ装置では、ＣＶＤ法による成膜装置に比べて、バルブの故障やバルブの構成部品の劣化等の不具合が格段に生じやすくなる。

また、ＡＬＤ法を用いて良好な成膜処理を行うためには、複数のガスの切り替えを厳密に管理する必要がある。ＡＬＤ法による成膜処理において、もしも、複数のガス供給路に設けられた複数のバルブの開閉が制御部の指示通りに行われていないと、成膜不良が発生する可能性が高まる。従って、ＡＬＤ装置では、複数のバルブの異常の発生を未然に回避することが重要となる。しかし、ＡＬＤ装置では、バルブの切り替え速度が非常に速いため、既存の制御システムでは、バルブの開閉をリアルタイムでモニタし、バルブの動作状態を把握することが困難であるという問題があった。

特許文献１には、ＡＬＤ装置において、制御部が複数のバルブの開閉動作を指示する複数の指示信号や、複数のバルブの開閉動作を検出する複数のセンサの複数の検出信号に基づいて、複数のバルブの動作状態に関する種々の情報を作成し、この情報を監視して、複数のバルブの動作状態を把握する技術が記載されている。

特開２０１３−１６８１３１号公報

特許文献１には、複数のバルブの動作状態を把握するために監視する情報として、いくつかの時間情報が記載されている。いくつかの時間情報とは、具体的には、制御部がバルブに対して開動作を指示してからセンサによってバルブの開動作が検出されるまでの時間の情報、制御部がバルブに対して閉動作を指示してからセンサによってバルブの閉動作が検出されるまでの時間の情報、指示信号上でバルブが開状態にある時間の情報、および、センサの検出信号上でバルブが開状態にある時間の情報である。

しかし、特許文献１に記載された時間情報だけでは、複数のバルブの動作状態を精度よく把握できるとは限らなかった。また、特許文献１に記載された技術では、得られた時間情報を用いて、バルブの動作を調整することはできなかった。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、複数のバルブとそれらの開閉動作を制御する制御部とを備えた処理装置であって、バルブの動作に関連する時間情報を用いてバルブの動作状態を精度よく把握できるようにした処理装置を提供することにある。

本発明の第２の目的は、複数のバルブとそれらの開閉動作を制御する制御部とを備えた処理装置であって、バルブの動作に関連する時間情報を用いて、バルブの動作を調整できるようにした処理装置を提供することにある。

本発明の第１ないし第４の観点の処理装置は、被処理体を収容する処理容器と、被処理体の処理に使用される複数のガスを処理容器内に供給するための複数のガス供給路と、それぞれ複数のガス供給路の開閉を行う複数のバルブと、複数のバルブの開閉動作を制御する制御部とを備えている。本発明の第１ないし第４の観点の処理装置は、被処理体に対して、複数のガスを、互いに異なるタイミングで間欠的に繰り返し供給して成膜を行うＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置であってもよい。

本発明の第１の観点の処理装置では、複数のバルブのうちの１つ以上のバルブは、制御部が監視の対象とする監視対象バルブであり、制御部は、監視対象バルブの動作に関連する複数種類の時間情報を生成する時間情報生成部と、複数種類の時間情報を監視する監視部とを有している。複数種類の時間情報は、監視対象バルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す少なくとも１種類の開時間情報と、監視対象バルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す少なくとも１種類の閉時間情報とを含んでいる。

本発明の第１の観点の処理装置は、更に、監視対象バルブの開動作および閉動作を検出する１つ以上のセンサを備えていてもよい。この場合、監視対象バルブの開動作に関連する時刻は、センサによって監視対象バルブの開動作が検出された時刻であってもよい。また、監視対象バルブの閉動作に関連する時刻は、センサによって監視対象バルブの閉動作が検出された時刻であってもよい。

また、本発明の第１の観点の処理装置において、監視対象バルブの開動作に関連する時刻は、制御部が監視対象バルブに対して開動作を指示した時刻であってもよい。また、監視対象バルブの閉動作に関連する時刻は、制御部が監視対象バルブに対して閉動作を指示した時刻であってもよい。

本発明の第２および第３の観点の処理装置では、複数のバルブのうちの２つ以上のバルブは、制御部が監視の対象とする監視対象バルブであり、２つ以上の監視対象バルブは、第１のバルブと第２のバルブを含んでいる。制御部は、第１のバルブと第２のバルブの動作に関連する複数種類の時間情報を生成する時間情報生成部と、複数種類の時間情報を監視する監視部とを有している。

本発明の第２の観点の処理装置では、複数種類の時間情報は、第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第２のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類のインターバル時間情報と、第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第１のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類のインターバル時間情報とを含んでいる。

本発明の第３の観点の処理装置では、複数種類の時間情報は、第１のバルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類の開時間情報と、第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類の閉時間情報と、第２のバルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類の開時間情報と、第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類の閉時間情報と、第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第２のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類のインターバル時間情報と、第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第１のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類のインターバル時間情報とを含んでいる。

本発明の第２および第３の観点の処理装置は、更に、第１のバルブの開動作および閉動作を検出する第１のセンサと、第２のバルブの開動作および閉動作を検出する第２のセンサとを備えていてもよい。この場合、第１のバルブの開動作に関連する時刻は、第１のセンサによって第１のバルブの開動作が検出された時刻であってもよい。また、第１のバルブの閉動作に関連する時刻は、第１のセンサによって第１のバルブの閉動作が検出された時刻であってもよい。また、第２のバルブの開動作に関連する時刻は、第２のセンサによって第２のバルブの開動作が検出された時刻であってもよい。また、第２のバルブの閉動作に関連する時刻は、第２のセンサによって第２のバルブの閉動作が検出された時刻であってもよい。

また、本発明の第２および第３の観点の処理装置において、第１のバルブの開動作に関連する時刻は、制御部が第１のバルブに対して開動作を指示した時刻であってもよい。また、第１のバルブの閉動作に関連する時刻は、制御部が第１のバルブに対して閉動作を指示した時刻であってもよい。また、第２のバルブの開動作に関連する時刻は、制御部が第２のバルブに対して開動作を指示した時刻であってもよい。また、第２のバルブの閉動作に関連する時刻は、制御部が第２のバルブに対して閉動作を指示した時刻であってもよい。

本発明の第４の観点の処理装置は、更に、複数のバルブのうちの１つ以上のバルブである調整対象バルブの開動作および閉動作を検出する１つ以上のセンサを備えている。本発明の第４の観点の処理装置では、制御部は、調整対象バルブの動作に関連する少なくとも１種類の時間情報を生成する時間情報生成部と、タイミング調整部とを有している。少なくとも１種類の時間情報は、制御部が調整対象バルブに対して開動作を指示した時刻からセンサによって調整対象バルブの開動作が検出された時刻までの時間を表す少なくとも１種類の開遅延時間情報と、制御部が調整対象バルブに対して閉動作を指示した時刻からセンサによって調整対象バルブの閉動作が検出された時刻までの時間を表す少なくとも１種類の閉遅延時間情報のうちの少なくとも一方を含んでいる。タイミング調整部は、少なくとも１種類の開遅延時間情報と少なくとも１種類の閉遅延時間情報のうちの少なくとも一方を用いて、調整対象バルブに対して開動作を指示するタイミングと調整対象バルブに対して閉動作を指示するタイミングのうちの少なくとも一方を調整する。

本発明によれば、監視対象バルブの動作に関連する時間情報を用いて、監視対象バルブの動作状態を精度よく把握することが可能になるという効果を奏する。

また、本発明によれば、調整対象バルブの動作に関連する少なくとも時間情報を用いて、調整対象バルブの動作を調整することが可能になるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る処理装置の概略構成を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る処理装置を含む基板処理システムの制御系統の概略構成を示す説明図である。 図１および図２に示したモジュールコントローラの概略構成を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る処理装置の制御部の構成を示すブロック図である。 本発明の第１の実施の形態に係る処理装置の制御部の動作を示すフローチャートである。 本発明の第１の実施の形態における複数種類の時間情報の第１の例を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第１の実施の形態における複数種類の時間情報の第２の例を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第２の実施の形態における複数種類の時間情報の第１の例を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第２の実施の形態における複数種類の時間情報の第２の例を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第３の実施の形態における複数種類の時間情報の第１の例を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第３の実施の形態における複数種類の時間情報の第２の例を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第４の実施の形態に係る処理装置の制御部の構成を示すブロック図である。 本発明の第４の実施の形態における時間情報について説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第４の実施の形態に係る処理装置の制御部の動作を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

［第１の実施の形態］
＜成膜装置の構成例＞
まず、図１を参照して本発明の第１の実施の形態に係る処理装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る処理装置の概略構成を示す説明図である。図１には、本実施の形態に係る処理装置としての成膜装置１００を示している。成膜装置１００は、被処理体としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と記す。）Ｗに対して、複数のガスを、互いに異なるタイミングで間欠的に繰り返し供給して成膜を行うＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置として構成されている。この成膜装置１００は、処理部１０と、ウエハＷの処理に使用される複数のガスを供給するガス供給部２０と、処理部１０とガス供給部２０との間に設けられた集合バルブユニット８０と、成膜装置１００の複数の構成部の制御を行う制御部とを備えている。

処理部１０は、ウエハＷを収容する処理容器１１を有している。図１に示したように、処理容器１１は、天壁１１ａと、底壁１１ｂと、天壁１１ａと底壁１１ｂとを連結する側壁１１ｃとを含み、略円筒状に形成されている。また、処理容器１１は、気密に構成されている。処理容器１１は、底壁１１ｂに形成された排気口１１ｄを含んでいる。処理部１０は、更に、排気装置１７と、排気口１１ｄと排気装置１７とを接続する排気管１８とを有している。排気装置１７および排気管１８は、排気装置１７を作動させることにより、処理容器１１内を所定の真空度まで減圧することができるように構成されている。

処理部１０は、更に、処理容器１１の中においてウエハＷを水平に支持するためのサセプタ１４と、サセプタ１４を支持する円筒状の支持部材１５と、サセプタ１４に埋め込まれた図示しないヒータとを有している。このヒータは、ウエハＷを所定の温度に加熱するためのものである。

処理部１０は、更に、処理容器１１の天壁１１ａに設けられたガス導入部１２を有している。このガス導入部１２には、図示しないガス吐出孔が形成されている。

ガス供給部２０は、第１のガスを供給する第１のガス供給源３０と、第２のガスを供給する第２のガス供給源４０と、第３のガスを供給する第３のガス供給源５０と、第４のガスを供給する第４のガス供給源６０とを有している。図１には、一例として、ウエハＷの表面にＡＬＤ法によりＴｉＮ膜を形成する場合におけるガス供給部２０の構成を示している。この例では、第１のガスと第４のガスは、パージガスとして用いられるＮ_２ガスである。第２のガスは、反応ガスとして用いられるＮＨ_３ガスである。第３のガスは、原料ガスとして用いられるＴｉＣｌ_４ガスである。第３のガス供給源５０は、液体のＴｉＣｌ_４を気化させる図示しない気化器を有している。

集合バルブユニット８０は、配管３１，４１，５１，６１，１３を有している。配管３１の一端は、第１のガス供給源３０に接続されている。配管４１の一端は、第２のガス供給源４０に接続されている。配管５１の一端は、第３のガス供給源５０に接続されている。配管６１の一端は、第４のガス供給源６０に接続されている。配管３１，４１，５１，６１のそれぞれの他端は、配管１３の一端に接続されている。配管１３の他端は、ガス導入部１２に接続されている。

配管３１，１３およびガス導入部１２は、第１のガス（Ｎ_２ガス）を処理容器１１内に供給するための第１のガス供給路を構成する。配管４１，１３およびガス導入部１２は、第２のガス（ＮＨ_３ガス）を処理容器１１内に供給するための第２のガス供給路を構成する。配管５１，１３およびガス導入部１２は、第３のガス（ＴｉＣｌ_４ガス）を処理容器１１内に供給するための第３のガス供給路を構成する。配管６１，１３およびガス導入部１２は、第４のガス（Ｎ_２ガス）を処理容器１１内に供給するための第４のガス供給路を構成する。第１ないし第４のガス供給路は、本発明における「複数のガス供給路」に対応する。

集合バルブユニット８０は、更に、バルブ３３，４３，５３，６３と、流量制御のためのマスフローコントローラ（以下、ＭＦＣと記す。）３５，４５，５５，６５と、チャンババルブ３７，４７，５７，６７とを有している。配管３１には、バルブ３３、ＭＦＣ３５およびチャンババルブ３７が、第１のガス供給源３０側からこの順に設けられている。配管４１には、バルブ４３、ＭＦＣ４５およびチャンババルブ４７が、第２のガス供給源４０側からこの順に設けられている。配管５１には、バルブ５３、ＭＦＣ５５およびチャンババルブ５７が、第３のガス供給源５０側からこの順に設けられている。配管６１には、バルブ６３、ＭＦＣ６５およびチャンババルブ６７が、第４のガス供給源６０側からこの順に設けられている。

集合バルブユニット８０は、更に、配管４１においてＭＦＣ４５とチャンババルブ４７の間に設けられたバッファタンク４８と、バッファタンク４８に付設され、バッファタンク４８の内部の圧力を計測する圧力計４８Ａと、配管５１においてＭＦＣ５５とチャンババルブ５７の間に設けられたバッファタンク５８と、バッファタンク５８に付設され、バッファタンク５８の内部の圧力を計測する圧力計５８Ａとを有している。

チャンババルブ３７，４７，５７，６７は、それぞれ、配管３１，４１，５１，６１に設けられた複数の構成部のうち、処理容器１１に最も近接した位置に設けられた構成部である。チャンババルブ３７，４７，５７，６７は、それぞれ、第１ないし第４のガス供給路（配管３１，４１，５１，６１）の開閉を行うバルブである。チャンババルブ３７，４７，５７，６７を開放することによって、処理容器１１内への各ガスの導入が行われ、チャンババルブ３７，４７，５７，６７を閉じることによって、処理容器１１内への各ガスの導入が停止される。チャンババルブ３７，４７，５７，６７は、本発明における「複数のバルブ」に対応する。

チャンババルブ３７，４７，５７，６７は、いずれも高速での開閉が可能な電磁弁（ソレノイドバルブ）である。チャンババルブ３７，４７，５７，６７は、それぞれバルブ駆動部としてのソレノイド３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａを含んでいる。なお、図１では、説明の便宜上、ソレノイド３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａを、チャンババルブ３７，４７，５７，６７とは別に描いている。

集合バルブユニット８０は、更に、それぞれチャンババルブ３７，４７，５７，６７のセンサ部として用いられる４つのチャンババルブセンサ（以下、ＣＶセンサと記す。）３９，４９，５９，６９を有している。ＣＶセンサ３９，４９，５９，６９は、それぞれ、ソレノイド３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａによって駆動される各チャンババルブ３７，４７，５７，６７の開動作および閉動作を検出する。ＣＶセンサ３９，４９，５９，６９は、本発明における「少なくとも１つのセンサ」に対応する。

なお、ガス供給部２０は、更に、処理容器１１内をクリーニングするためのクリーニングガスを供給する他のガス供給源を有していてもよい。この場合、集合バルブユニット８０は、更に、この他のガス供給源と配管１３の一端とを接続する配管と、この配管に設けられたバルブ、ＭＦＣおよびチャンババルブ等を有していてもよい。

＜制御系統の構成例＞
次に、図１ないし図３を参照して、成膜装置１００を含む基板処理システムの制御系統の概要について説明する。図２は、成膜装置１００を含む基板処理システムの制御系統の概略構成を示す説明図である。図３は、図１および図２に示したモジュールコントローラの概略構成を示す説明図である。

図２は、成膜装置１００を含む基板処理システム（図示せず）における全体の制御や、基板処理システム内の成膜装置１００等の複数の処理装置の個々の制御を行う制御システム３００を示している。制御システム３００は、成膜装置１００が備える制御部を含んでいる。以下、制御システム３００によって制御される各構成部を、エンドデバイス７０１と言う。図１に示した成膜装置１００におけるエンドデバイス７０１としては、チャンババルブ３７，４７，５７，６７（ソレノイド３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａ）、ＭＦＣ３５，４５，５５，６５、ＣＶセンサ３９，４９，５９，６９、排気装置１７等が挙げられる。

図２に示したように、制御システム３００は、基板処理システム全体を制御する統括制御部であるＥＣ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３０１と、複数のモジュールコントローラ（Ｍｏｄｕｌｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ；以下、ＭＣと記す。）４０１と、ＥＣ３０１に接続されたユーザーインターフェース５０１と、ＥＣ３０１と各ＭＣ４０１とを接続するシステム内ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）５０３とを備えている。複数のＭＣ４０１は、基板処理システム内の成膜装置１００等の複数の処理装置の個々の制御を行うものである。

なお、図２には、制御システム３００のうち、成膜装置１００の制御に関連する部分を示している。図２に示したＭＣ４０１は、制御システム３００が備える複数のＭＣ４０１のうちの成膜装置１００用のＭＣ４０１である。成膜装置１００が備える制御部は、この成膜装置１００用のＭＣ４０１を含んでいる。成膜装置１００は、後述するように、成膜装置１００用のＭＣ４０１によって、処理容器１１内で所定の処理が行えるように制御される。

ユーザーインターフェース５０１は、工程管理者が基板処理システムを管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理システムの稼働状況を可視化して表示するディスプレイ、メカニカルスイッチ等を有している。

システム内ＬＡＮ５０３は、スイッチングハブ（ＨＵＢ）５０５を有している。このスイッチングハブ５０５は、ＥＣ３０１からの制御信号に応じて、ＥＣ３０１に接続されるＭＣ４０１を切り替える。

（ＥＣ）
図２に示したように、ＥＣ３０１は、ＣＰＵ（中央演算装置）３０３と、揮発性メモリとしてのＲＡＭ３０５と、記憶部としてのハードディスク装置（図２では、ＨＤＤと記す。）３０７とを有し、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体（以下、単に記憶媒体と記す。）５０７に対して情報を記録し、また記憶媒体５０７より情報を読み取ることができるように構成されている。基板処理システムの制御プログラムやウエハＷの処理方法に関するレシピは、例えば、記憶媒体５０７に格納された状態のものをハードディスク装置３０７にインストールすることによって利用することができる。記憶媒体５０７としては、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等を使用することができる。また、上記レシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用することも可能である。

ＥＣ３０１において、ＣＰＵ３０３は、ユーザーインターフェース５０１によって工程管理者等によって指定されたレシピを含むプログラム（ソフトウェア）を、ハードディスク装置３０７や記憶媒体５０７から読み出す。そして、読み出したプログラムは、ＥＣ３０１から各ＭＣ４０１に送信される。

また、ＥＣ３０１は、ＬＡＮ６０１を介して基板処理システムが設置されている工場全体の製造工程を管理するＭＥＳ（Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｅｘｅｃｕｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ）としてのホストコンピュータ６０３に接続されている。ホストコンピュータ６０３は、制御システム３００と連携して、工場における種々の工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム（図示せず）にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。

（ＭＣ）
複数のＭＣ４０１は、ＥＣ３０１によって統括されて制御される。なお、ＭＣ４０１は、基板処理システム内の複数の処理装置だけでなく、ロードロック室や、ローダーユニットに対応させて設けることが可能であり、これらもＥＣ３０１によって統括されて制御される。

以下、成膜装置１００用のＭＣ４０１を例にとって、ＭＣ４０１の構成について説明する。図３に示したように、ＭＣ４０１は、ＣＰＵ４０３と、ＲＡＭ等によって構成された揮発性メモリ部４０５と、Ｉ／Ｏ（入出力）情報記憶部として用いられる不揮発性メモリ部４０７と、Ｉ／Ｏ制御部４０９とを有している。不揮発性メモリ部４０７は、例えばＳＲＡＭ、ＭＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリによって構成されている。不揮発性メモリ部４０７には、成膜装置１００における種々の履歴情報、例えば、サセプタ１４に埋め込まれたヒータの交換時間や、排気装置１７の稼動時間等が保存される。また、不揮発性メモリ部４０７は、Ｉ／Ｏ情報記憶部としても機能する。後述するように、ＭＣ４０１は、ＭＣ４０１と各エンドデバイス７０１との間で取り交される各種のＩ／Ｏ情報（特に、後述するデジタル・アウトプット情報ＤＯおよびアナログ・アウトプット情報ＡＯ）を不揮発性メモリ部４０７に随時書き込んで保存できるように構成されている。

（Ｉ／Ｏモジュール）
制御システム３００は、更に、各ＭＣ４０１に対応する１つ以上のＩ／Ｏモジュール４１３と、各ＭＣ４０１とそれに対応する１つ以上のＩ／Ｏモジュール４１３とを接続するネットワーク４１１とを備えている。図２には、成膜装置１００用のＭＣ４０１に対応する複数のＩ／Ｏモジュール４１３を示している。ネットワーク４１１は、Ｉ／Ｏモジュール４１３毎に割り当てられた複数のチャンネルＣＨ０，ＣＨ１，ＣＨ２，…を有している。このネットワーク４１１は、ＧＨＯＳＴ（Ｇｅｎｅｒａｌ Ｈｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ Ｏｐｔｉｍｕｍ Ｓｃａｌａｂｌｅ Ｔｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ）と称されるＬＳＩ（大規模集積回路）を用いて実現されるネットワークであってもよい。成膜装置１００が備える制御部は、成膜装置１００用のＭＣ４０１の他に、成膜装置１００用のＭＣ４０１に対応する１つ以上のＩ／Ｏモジュール４１３を含んでいる。

成膜装置１００用のＭＣ４０１に対応する１つ以上のＩ／Ｏモジュール４１３は、成膜装置１００を構成する各エンドデバイス７０１への制御信号およびエンドデバイス７０１からの入力信号の伝達を行う。ＭＣ４０１のＩ／Ｏ制御部４０９は、Ｉ／Ｏモジュール４１３に種々の制御信号を送出したり、Ｉ／Ｏモジュール４１３から各エンドデバイス７０１に関するステータス情報等の信号を受け取ったりする。ＭＣ４０１による各エンドデバイス７０１の制御は、Ｉ／Ｏモジュール４１３を介して行われる。

（Ｉ／Ｏボード）
１つのＩ／Ｏモジュール４１３は、１つ以上のＩ／Ｏボード４１５を有している。Ｉ／Ｏボード４１５は、ＭＣ４０１の支配のもとで動作し、各エンドデバイス７０１を直接制御する下位の制御ユニットである。Ｉ／Ｏモジュール４１３におけるデジタル信号、アナログ信号およびシリアル信号の入出力の制御は、１つ以上のＩ／Ｏボード４１５において行われる。１つのＩ／Ｏボード４１５には、１つ以上のエンドデバイス７０１が接続されている。本実施の形態では、図２に示したように、１つのＩ／Ｏボード４１５に、複数のエンドデバイス７０１であるソレノイド３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａおよびＣＶセンサ３９，４９，５９，６９が接続されている。

１つのＩ／Ｏボード４１５において入出力される入出力情報は、デジタル・インプット情報ＤＩ、デジタル・アウトプット情報ＤＯ、アナログ・インプット情報ＡＩ、アナログ・アウトプット情報ＡＯの４種のうちの１種以上を含む。デジタル・インプット情報ＤＩは、制御系統の下位に位置する各エンドデバイス７０１から、制御系統の上位に位置するＭＣ４０１へインプットされるデジタル情報を含む。デジタル・アウトプット情報ＤＯは、ＭＣ４０１から各エンドデバイス７０１へアウトプットされるデジタル情報を含む。アナログ・インプット情報ＡＩは、各エンドデバイス７０１からＭＣ４０１へインプットされるアナログ的情報を含む。アナログ・アウトプット情報ＡＯは、ＭＣ４０１から各エンドデバイス７０１へアウトプットされるアナログ的情報を含む。なお、ここで言うアナログ的情報とは、アナログ値で表される性質を有する情報をデジタル化した情報を意味する。

デジタル・インプット情報ＤＩおよびアナログ・インプット情報ＡＩは、例えば各エンドデバイス７０１のステータスに関する情報を含む。デジタル・アウトプット情報ＤＯおよびアナログ・アウトプット情報ＡＯは、例えば各エンドデバイス７０１へのプロセス条件等に関する値の設定や指令（コマンド）を含む。デジタル情報としては、各チャンババルブ３７，４７，５７，６７（ソレノイド３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａ）の開閉、排気装置１７のＯＮ／ＯＦＦや排気系統におけるバルブ（図示せず）の開閉等の情報が例示される。また、アナログ的情報としては、サセプタ１４におけるヒータ（図示せず）の設定温度、ＭＦＣ３５，４５，５５，６５における設定流量等の情報が例示される。

１つのＩ／Ｏボード４１５において入出力される入出力情報は、上記の４種の情報ＤＩ，ＤＯ，ＡＩ，ＡＯのいずれか１つに分類される複数の情報を含むことができる。上記入出力情報は、アドレス部とデータ部を含んでいる。データ部は、例えば１６ビットで構成されている。この場合、データ部は、最大で１６ビットのデジタル情報、または、例えば１６進数で表したときに００００〜ＦＦＦＦの範囲内の数値で表されるアナログ的情報を含むことができる。アドレス部は、チャンネルを特定するためのチャンネル番号と、Ｉ／Ｏボード４１５を特定するためのノード番号と、データ部に格納された情報の内容の種類に応じたＩ／Ｏアドレスを含んでいる。従って、アドレス部の内容に基づいて、データ部に格納された情報が、どのチャンネルの、どのＩ／Ｏボード４１５の、どの内容の種類の情報であるかを特定することができる。

ここで、図２を参照して、ソレノイド３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａおよびＣＶセンサ３９，４９，５９，６９が接続されたＩ／Ｏボード４１５について更に詳しく説明する。このＩ／Ｏボード４１５において入出力される入出力情報には、それぞれチャンババルブ３７，４７，５７，６７に対して開閉動作を指示する指示信号を含む４つのデジタル・アウトプット情報（以下、指示情報と言う。）Ｖ１ＤＯ，Ｖ２ＤＯ，Ｖ３ＤＯ，Ｖ４ＤＯと、それぞれＣＶセンサ３９，４９，５９，６９によって検出されるチャンババルブ３７，４７，５７，６７の開閉動作の検出信号を含むデジタル・インプット情報（以下、検出情報と言う。）Ｓ１ＤＩ，Ｓ２ＤＩ，Ｓ３ＤＩ，Ｓ４ＤＩが含まれる。

指示情報Ｖ１ＤＯ〜Ｖ４ＤＯが含む指示信号は、Ｉ／Ｏボード４１５から、チャンババルブ３７，４７，５７，６７のソレノイド３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａに伝達される。また、ＣＶセンサ３９，４９，５９，６９の検出信号は、ＣＶセンサ３９，４９，５９，６９から、Ｉ／Ｏボード４１５に伝達され、ここで検出情報Ｓ１ＤＩ〜Ｓ４ＤＩに含められてＭＣ４０１に伝達される。

Ｉ／Ｏボード４１５は、例えば、ファームウェアによって構成が設定されたプログラマブルロジックデバイスによって実現される。プログラマブルロジックデバイスとしては、例えばＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）が用いられる。

＜制御部の構成例＞
次に、成膜装置１００が備える制御部のうち、チャンババルブ３７，４７，５７，６７の開閉動作の制御に関連する部分（以下、ガス供給制御部２００と言う。）の構成について説明する。ガス供給制御部２００は、成膜装置１００用のＭＣ４０１とＩ／Ｏボード４１５の少なくとも一方によって実現されている。ガス供給制御部２００は、チャンババルブ３７，４７，５７，６７の開閉動作を制御する。ガス供給制御部２００は、本発明における「制御部」に対応する。

以下、図４を参照して、ガス供給制御部２００の構成について詳しく説明する。図４は、ガス供給制御部２００の構成を示すブロック図である。ガス供給制御部２００は、バルブ制御部２０１と、時間情報生成部２０２と、監視部２０３とを有している。バルブ制御部２０１は、指示情報Ｖ１ＤＯ〜Ｖ４ＤＯを、時間情報生成部２０２を介して、それぞれチャンババルブ３７，４７，５７，６７に対して出力する。本実施の形態では、ガス供給制御部２００は、チャンババルブ３７，４７，５７，６７のうちの１つ以上のチャンババルブを監視の対象とする。以下、ガス供給制御部２００が監視の対象とする１つ以上のチャンババルブを監視対象バルブと呼ぶ。時間情報生成部２０２は、監視対象バルブの動作に関連する複数種類の時間情報を生成する。監視部２０３は、複数種類の時間情報を監視して、監視対象バルブの動作状態を監視する。時間情報生成部２０２と監視部２０３の動作については、後で詳しく説明する。

＜ＡＬＤ法による成膜処理＞
次に、図１に示した成膜装置１００によって実行されるＡＬＤ法による成膜処理について説明する。ＡＬＤ法による成膜処理では、ウエハＷは、処理容器１１内においてサセプタ１４に載置された状態で、図示しないヒータによって加熱される。この状態で、ウエハＷに対して、複数のガスを、互いに異なるタイミングで間欠的に繰り返し供給することによって、ウエハＷ表面に所定の薄膜が成膜される。

一例として、ＡＬＤ法によってＴｉＮ膜を形成する場合について説明する。この場合には、以下の（１）〜（８）の一連の工程を繰り返し行うことによって、ＴｉＮ薄膜を繰り返し堆積させて、所望の膜厚のＴｉＮ膜を形成する。なお、以下の一連の工程は、バルブ３３，４３，５３，６３が開放された状態で行われる。
（１）チャンババルブ５７を開放し、第３のガス供給源５０から処理容器１１内へ原料ガスとしてＴｉＣｌ_４ガスを供給して、ＴｉＣｌ_４をウエハＷの表面に付着させる。
（２）チャンババルブ５７を閉鎖し、ＴｉＣｌ_４ガスの供給を停止する。
（３）チャンババルブ６７を開放し、第４のガス供給源６０から処理容器１１内へＮ_２ガスを供給して、処理容器１１内をＮ_２ガスにてパージすることにより残留したＴｉＣｌ_４ガスを排除する。
（４）チャンババルブ６７を閉鎖し、Ｎ_２ガスの供給を停止する。
（５）チャンババルブ４７を開放し、第２のガス供給源４０から処理容器１１内へ反応ガスとしてＮＨ_３ガスを供給して、ウエハＷの表面に付着していた上記ＴｉＣｌ_４と反応させて、原子レベルもしくは分子レベルの厚さのＴｉＮ薄膜を形成する。
（６）チャンババルブ４７を閉鎖し、ＮＨ_３ガスの供給を停止する。
（７）チャンババルブ３７を開放し、第１のガス供給源３０から処理容器１１内へＮ_２ガスを供給して、処理容器１１内をＮ_２ガスにてパージすることにより残留したＮＨ_３ガスを排除する。
（８）チャンババルブ３７を閉鎖し、Ｎ_２ガスの供給を停止する。

＜制御部の動作＞
次に、上述の成膜処理におけるガス供給制御部２００の動作、特に、時間情報生成部２０２および監視部２０３の動作について説明する。前述のように、時間情報生成部２０２は、監視対象バルブの動作に関連する複数種類の時間情報を生成する。ここで、時間情報が表す時間が、第１の時刻から第２の時刻までの時間であるとすると、時間情報生成部２０２は、例えば、クロック信号をカウントしていて、第１の時刻を表すカウント値と第２の時刻を表すカウント値とを求め、これらのカウント値の差に基づいて時間情報を生成する。監視部２０３は、複数種類の時間情報を監視することによって、監視対象バルブの動作状態を把握する。

図５は、ガス供給制御部２００の動作を示すフローチャートである。上述の成膜処理では、まず、時間情報生成部２０２が、複数種類の時間情報を生成する（図５におけるステップＳ１）。次に、複数種類の時間情報を監視している監視部２０３が、設定範囲外の時間が発生したか否かを判定する（図５におけるステップＳ２）。設定範囲は、複数種類の時間情報毎に設定されている。設定範囲は、監視対象バルブが正常に動作している場合に、複数種類の時間情報毎に許容される時間の範囲である。設定範囲外の時間が発生した場合（Ｙｅｓ）には、監視部２０３は、監視対象バルブに異常があると判断し、バルブ制御部２０１に対して、成膜装置１００における成膜処理を中止するように指示する（図５におけるステップＳ３）。設定範囲外の時間が発生していない場合（Ｎｏ）には、ステップＳ１に戻り、ステップＳ１とステップＳ２が再度実行される。このようにして、前述の（１）〜（８）の一連の工程が行われている間、ガス供給制御部２００は、ステップＳ１とステップＳ２を繰り返し実行する。

本実施の形態では、時間情報生成部２０２が生成する複数種類の時間情報は、監視対象バルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す少なくとも１種類の開時間情報と、監視対象バルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す少なくとも１種類の閉時間情報とを含んでいる。

＜時間情報の第１の例＞
次に、図６のタイミングチャートを参照して、時間情報生成部２０２が生成する複数種類の時間情報の第１の例について説明する。第１の例は、２つのチャンババルブを監視対象バルブとした場合の例である。ここで、２つの監視対象バルブを、第１のバルブと第２のバルブと呼ぶ。第１のバルブと第２のバルブの組み合わせは、チャンババルブ３７，４７，５７，６７のうちの任意の２つの組み合わせでよい。

図６は、第１および第２のバルブに対応する２つの検出情報を示している。図６では、第１および第２のバルブに対応する検出情報を、それぞれ記号１ＳＤＩ，２ＳＤＩで表している。図６において、検出情報１ＳＤＩにおける立ち上がりと立ち下りは、それぞれ、第１のバルブに対応するＣＶセンサによって検出された第１のバルブの開動作のタイミングと閉動作のタイミングを表している。同様に、検出情報２ＳＤＩにおける立ち上がりと立ち下りは、それぞれ、第２のバルブに対応するＣＶセンサによって検出された第２のバルブの開動作のタイミングと閉動作のタイミングを表している。

また、図６では、検出情報１ＳＤＩにおける立ち上がり（第１のバルブの開動作）の時刻と立ち下り（第１のバルブの閉動作）の時刻を、それぞれ記号１ＳＡ，１ＳＢで表している。また、図６では、検出情報２ＳＤＩにおける立ち上がり（第２のバルブの開動作）の時刻と立ち下り（第２のバルブの閉動作）の時刻を、それぞれ記号２ＳＡ，２ＳＢで表している。図６から理解されるように、１つのチャンババルブは、開閉動作を繰り返すため、１つのチャンババルブの開動作または閉動作に関連する時刻は複数存在する。以下、チャンババルブの開動作に関連する時刻を開時刻とも言い、チャンババルブの閉動作に関連する時刻を閉時刻とも言う。

第１の例では、時間情報生成部２０２は、上記の４種類の時刻１ＳＡ，１ＳＢ，２ＳＡ，２ＳＢを用いて、複数種類の時間情報として、２種類の開時間情報１ＳＴａ，２ＳＴａと、２種類の閉時間情報１ＳＴｂ，２ＳＴｂを生成している。以下、これらの時間情報の内容と生成方法について詳しく説明する。

開時間情報１ＳＴａは、開時刻１ＳＡと閉時刻１ＳＢとを用いて生成される時間情報であって、第１のバルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。開時間情報１ＳＴａは、具体的には、検出情報１ＳＤＩ上で、第１のバルブが開状態にある時間を表している。

閉時間情報１ＳＴｂは、開時刻１ＳＡと閉時刻１ＳＢとを用いて生成される時間情報であって、第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。閉時間情報１ＳＴｂは、具体的には、検出情報１ＳＤＩ上で、第１のバルブが閉状態にある時間を表している。

開時間情報２ＳＴａは、開時刻２ＳＡと閉時刻２ＳＢとを用いて生成される時間情報であって、第２のバルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。開時間情報２ＳＴａは、具体的には、検出情報２ＳＤＩ上で、第２のバルブが開状態にある時間を表している。

閉時間情報２ＳＴｂは、開時刻２ＳＡと閉時刻２ＳＢとを用いて生成される時間情報であって、第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。閉時間情報２ＳＴｂは、具体的には、検出情報２ＳＤＩ上で、第２のバルブが閉状態にある時間を表している。

監視部２０３は、２種類の開時間情報１ＳＴａ，２ＳＴａと、２種類の閉時間情報１ＳＴｂ，２ＳＴｂとを監視することによって、第１および第２のバルブの動作状態を把握する。

なお、時間情報生成部２０２は、検出情報１ＳＤＩにおける開時刻１ＳＡおよび閉時刻１ＳＢと、検出情報２ＳＤＩにおける開時刻２ＳＡおよび閉時刻２ＳＢの代わりに、第１のバルブに対する指示情報における開時刻（開動作を指示した時刻）および閉時刻（閉動作を指示した時刻）と、第２のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、上記の時間情報１ＳＴａ，１ＳＴｂ，２ＳＴａ，２ＳＴｂの生成方法と同様の方法で、４種類の時間情報を生成してもよい。あるいは、時間情報生成部２０２は、上記の時間情報１ＳＴａ，１ＳＴｂ，２ＳＴａ，２ＳＴｂに加えて、第１のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻と、第２のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、他の４種類の時間情報を生成してもよい。

＜時間情報の第２の例＞
次に、図７のタイミングチャートを参照して、時間情報生成部２０２が生成する複数種類の時間情報の第２の例について説明する。第２の例は、３つのチャンババルブを監視対象バルブとした場合の例である。ここで、３つの監視対象バルブを、第１のバルブ、第２のバルブおよび第３のバルブと呼ぶ。第１ないし第３のバルブの組み合わせは、チャンババルブ３７，４７，５７，６７のうちの任意の３つの組み合わせでよい。

図７は、第１ないし第３のバルブに対応する３つの検出情報を示している。図７では、第１ないし第３のバルブに対応する検出情報を、それぞれ記号１ＳＤＩ，２ＳＤＩ，３ＳＤＩで表している。図７における検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩの表し方は、図６における検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩと同じである。図７において、検出情報３ＳＤＩにおける立ち上がりと立ち下りは、それぞれ、第３のバルブに対応するＣＶセンサによって検出された第３のバルブの開動作のタイミングと閉動作のタイミングを表している。

また、図７では、図６と同様に、検出情報１ＳＤＩにおける開時刻と閉時刻をそれぞれ記号１ＳＡ，１ＳＢで表し、検出情報２ＳＤＩにおける開時刻と閉時刻をそれぞれ記号２ＳＡ，２ＳＢで表している。また、図７では、検出情報３ＳＤＩにおける立ち上がり（第３のバルブの開動作）の時刻（開時刻）と立ち下り（第３のバルブの閉動作）の時刻（閉時刻）を、それぞれ記号３ＳＡ，３ＳＢで表している。

第２の例では、時間情報生成部２０２は、上記の６種類の時刻１ＳＡ，１ＳＢ，２ＳＡ，２ＳＢ，３ＳＡ，３ＳＢを用いて、複数種類の時間情報として、３種類の開時間情報１ＳＴａ，２ＳＴａ，３ＳＴａと、３種類の閉時間情報１ＳＴｂ，２ＳＴｂ，３ＳＴｂを生成している。このうち、時間情報１ＳＴａ，１ＳＴｂ，２ＳＴａ，２ＳＴｂの内容と生成方法は、第１の例と同じである。以下、他の時間情報３ＳＴａ，３ＳＴｂの内容と生成方法について詳しく説明する。

開時間情報３ＳＴａは、開時刻３ＳＡと閉時刻３ＳＢとを用いて生成される時間情報であって、第３のバルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。開時間情報３ＳＴａは、具体的には、検出情報３ＳＤＩ上で、第３のバルブが開状態にある時間を表している。

閉時間情報３ＳＴｂは、開時刻３ＳＡと閉時刻３ＳＢとを用いて生成される時間情報であって、第３のバルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。閉時間情報３ＳＴｂは、具体的には、検出情報３ＳＤＩ上で、第３のバルブが閉状態にある時間を表している。

監視部２０３は、上記の６種類の時間情報を監視することによって、第１ないし第３のバルブの動作状態を把握する。

なお、時間情報生成部２０２は、検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩ，３ＳＤＩにおける開時刻および閉時刻の代わりに、第１ないし第３のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、上記の６種類の時間情報の生成方法と同様の方法で、６種類の時間情報を生成してもよい。あるいは、時間情報生成部２０２は、上記の６種類の時間情報に加えて、第１ないし第３のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、他の６種類の時間情報を生成してもよい。

＜第１の実施の形態の効果＞
以上説明したように、成膜装置１００は、処理容器１１と、第１ないし第４のガス供給路と、それぞれ第１ないし第４のガス供給路の開閉を行う４つのチャンババルブ３７，４７，５７，６７と、それぞれチャンババルブ３７，４７，５７，６７の開動作および閉動作を検出する４つのＣＶセンサ３９，４９，５９，６９と、４つのチャンババルブ３７，４７，５７，６７の開閉動作を制御するガス供給制御部２００とを備えている。ガス供給制御部２００は、時間情報生成部２０２と、監視部２０３とを有している。本実施の形態では、時間情報生成部２０２によって、監視対象バルブの動作に関連する複数種類の時間情報として、監視対象バルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す少なくとも１種類の開時間情報と、監視対象バルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す少なくとも１種類の閉時間情報を生成する。本実施の形態によれば、これら開時間情報と閉時間情報を監視することにより、監視対象バルブの異常を検出することができる他に、監視対象バルブの動作のばらつき、具体的には開動作と閉動作のタイミングのばらつきを把握することが可能になる。

以上のことから、本実施の形態によれば、チャンババルブの動作に関連する複数種類の時間情報を用いてチャンババルブの動作状態を精度よく把握することが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、チャンババルブの異常の発生を未然に回避することが可能になり、その結果、成膜装置１００において良好な成膜処理を行うことが可能になる。

なお、本実施の形態における時間情報の第１および第２の例では、監視対象バルブの数が２つの場合と３つの場合の例について説明したが、本実施の形態では、監視対象バルブの数は、１つでもよいし、４つ以上でもよい。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。以下、本実施の形態における成膜装置１００が、第１の実施の形態と異なる点について説明する。本実施の形態では、チャンババルブ３７，４７，５７，６７のうちの２つ以上のチャンババルブが監視対象バルブである。２つ以上の監視対象バルブは、第１のバルブと第２のバルブを含んでいる。本実施の形態において、時間情報生成部２０２が生成する複数種類の時間情報は、第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第２のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類のインターバル時間情報と、第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第１のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類のインターバル時間情報とを含んでいる。

＜時間情報の第１の例＞
次に、図８のタイミングチャートを参照して、本実施の形態における時間情報生成部２０２が生成する複数種類の時間情報の第１の例について説明する。第１の例は、監視対象バルブが、第１のバルブと第２のバルブの２つのみである場合の例である。第１のバルブと第２のバルブの組み合わせは、チャンババルブ３７，４７，５７，６７のうちの任意の２つの組み合わせでよい。

図８は、第１および第２のバルブに対応する２つの検出情報を示している。図８では、第１および第２のバルブに対応する検出情報を、それぞれ記号１ＳＤＩ，２ＳＤＩで表している。図８における検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩの表し方は、図６における検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩと同じである。第１の例では、時間情報生成部２０２は、図８に示した４種類の時刻１ＳＡ，１ＳＢ，２ＳＡ，２ＳＢを用いて、複数種類の時間情報として、第１の種類のインターバル時間情報１２ＳＴｃと、第２の種類のインターバル時間情報２１ＳＴｃを生成している。以下、これらの時間情報の内容と生成方法について詳しく説明する。

インターバル時間情報１２ＳＴｃは、閉時刻１ＳＢと開時刻２ＳＡとを用いて生成される時間情報であって、第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第２のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。

インターバル時間情報２１ＳＴｃは、閉時刻２ＳＢと開時刻１ＳＡとを用いて生成される時間情報であって、第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第１のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。

監視部２０３は、第１の種類のインターバル時間情報１２ＳＴｃと、第２の種類のインターバル時間情報２１ＳＴｃとを監視することによって、第１および第２のバルブの動作状態を把握する。

なお、時間情報生成部２０２は、検出情報１ＳＤＩにおける開時刻１ＳＡおよび閉時刻１ＳＢと、検出情報２ＳＤＩにおける開時刻２ＳＡおよび閉時刻２ＳＢの代わりに、第１のバルブに対する指示情報における開時刻（開動作を指示した時刻）および閉時刻（閉動作を指示した時刻）と、第２のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、上記の時間情報１２ＳＴｃ，２１ＳＴｃの生成方法と同様の方法で、２種類のインターバル時間情報を生成してもよい。あるいは、時間情報生成部２０２は、上記の時間情報１２ＳＴｃ，２１ＳＴｃに加えて、第１のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻と、第２のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、他の２種類のインターバル時間情報を生成してもよい。

＜時間情報の第２の例＞
次に、図９のタイミングチャートを参照して、本実施の形態における時間情報生成部２０２が生成する複数種類の時間情報の第２の例について説明する。第２の例は、３つのチャンババルブを監視対象バルブとした場合の例である。ここで、３つの監視対象バルブを、第１のバルブ、第２のバルブおよび第３のバルブと呼ぶ。第１ないし第３のバルブの組み合わせは、チャンババルブ３７，４７，５７，６７のうちの任意の３つの組み合わせでよい。

図９は、第１ないし第３のバルブに対応する３つの検出情報を示している。図９では、第１ないし第３のバルブに対応する検出情報を、それぞれ記号１ＳＤＩ，２ＳＤＩ，３ＳＤＩで表している。図９における検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩ，３ＳＤＩの表し方は、図７における検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩ，３ＳＤＩと同じである。第２の例では、図９に示した６種類の時刻１ＳＡ，１ＳＢ，２ＳＡ，２ＳＢ，３ＳＡ，３ＳＢを用いて、複数種類の時間情報として、６種類のインターバル時間情報１２ＳＴｃ，２１ＳＴｃ，２３ＳＴｃ，３２ＳＴｃ，１３ＳＴｃ，３１ＳＴｃを生成している。このうち、インターバル時間情報１２ＳＴｃ，２１ＳＴｃの内容と生成方法は、第１の例と同じである。以下、他のインターバル時間情報２３ＳＴｃ，３２ＳＴｃ，１３ＳＴｃ，３１ＳＴｃの内容と生成方法について詳しく説明する。

インターバル時間情報２３ＳＴｃは、閉時刻２ＳＢと開時刻３ＳＡとを用いて生成される時間情報であって、第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第３のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。

インターバル時間情報３２ＳＴｃは、閉時刻３ＳＢと開時刻２ＳＡとを用いて生成される時間情報であって、第３のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第２のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。

インターバル時間情報１３ＳＴｃは、閉時刻１ＳＢと開時刻３ＳＡとを用いて生成される時間情報であって、第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第３のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。

インターバル時間情報３１ＳＴｃは、閉時刻３ＳＢと開時刻１ＳＡとを用いて生成される時間情報であって、第３のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第１のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す時間情報である。

監視部２０３は、上記の６種類のインターバル時間情報を監視することによって、第１ないし第３のバルブの動作状態を把握する。

なお、時間情報生成部２０２は、検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩ，３ＳＤＩにおける開時刻および閉時刻の代わりに、第１ないし第３のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、上記の６種類のインターバル時間情報の生成方法と同様の方法で、６種類のインターバル時間情報を生成してもよい。あるいは、時間情報生成部２０２は、上記の６種類のインターバル時間情報に加えて、第１ないし第３のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、他の６種類のインターバル時間情報を生成してもよい。

＜第２の実施の形態の効果＞
本実施の形態では、２つ以上の監視対象バルブの動作に関連する複数種類のインターバル時間情報を生成する。本実施の形態によれば、この複数種類のインターバル時間情報を監視することにより、２つ以上の監視対象バルブの異常を検出することができる他に、２つ以上の監視対象バルブの動作のタイミングの相互関係のばらつきを把握することが可能になる。

なお、本実施の形態における時間情報の第１および第２の例では、監視対象バルブの数が２つの場合と３つの場合の例について説明したが、本実施の形態では、監視対象バルブの数は、４つ以上でもよい。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。以下、本実施の形態における成膜装置１００が、第１の実施の形態と異なる点について説明する。本実施の形態では、チャンババルブ３７，４７，５７，６７のうちの２つ以上のチャンババルブが監視対象バルブである。２つ以上の監視対象バルブは、第１のバルブと第２のバルブを含んでいる。本実施の形態において、時間情報生成部２０２が生成する複数種類の時間情報は、第１のバルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類の開時間情報と、第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類の閉時間情報と、第２のバルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類の開時間情報と、第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類の閉時間情報と、第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第２のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類のインターバル時間情報と、第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の第１のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類のインターバル時間情報とを含んでいる。

＜時間情報の第１の例＞
次に、図１０のタイミングチャートを参照して、本実施の形態における時間情報生成部２０２が生成する複数種類の時間情報の第１の例について説明する。第１の例は、監視対象バルブが、第１のバルブと第２のバルブの２つのみである場合の例である。第１のバルブと第２のバルブの組み合わせは、チャンババルブ３７，４７，５７，６７のうちの任意の２つの組み合わせでよい。

図１０は、第１および第２のバルブに対応する２つの検出情報を示している。図１０では、第１および第２のバルブに対応する検出情報を、それぞれ記号１ＳＤＩ，２ＳＤＩで表している。図１０における検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩの表し方は、図６における検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩと同じである。第１の例では、時間情報生成部２０２は、図１０に示した４種類の時刻１ＳＡ，１ＳＢ，２ＳＡ，２ＳＢを用いて、複数種類の時間情報として、２種類の開時間情報１ＳＴａ，２ＳＴａと、２種類の閉時間情報１ＳＴｂ，２ＳＴｂと、第１の種類のインターバル時間情報１２ＳＴｃと、第２の種類のインターバル時間情報２１ＳＴｃとを生成している。このうち、時間情報１ＳＴａ，１ＳＴｂ，２ＳＴａ，２ＳＴｂの内容と生成方法は、第１の実施の形態における第１の例と同じである。また、インターバル時間情報１２ＳＴｃ，２１ＳＴｃの内容と生成方法は、第２の実施の形態における第１の例と同じである。

監視部２０３は、上記の６種類の時間情報１ＳＴａ，２ＳＴａ，１ＳＴｂ，２ＳＴｂ，１２ＳＴｃ，２１ＳＴｃを監視することによって、第１および第２のバルブの動作状態を把握する。

なお、時間情報生成部２０２は、検出情報１ＳＤＩにおける開時刻１ＳＡおよび閉時刻１ＳＢと、検出情報２ＳＤＩにおける開時刻２ＳＡおよび閉時刻２ＳＢの代わりに、第１のバルブに対する指示情報における開時刻（開動作を指示した時刻）および閉時刻（閉動作を指示した時刻）と、第２のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、上記の時間情報１ＳＴａ，１ＳＴｂ，２ＳＴａ，２ＳＴｂ，１２ＳＴｃ，２１ＳＴｃの生成方法と同様の方法で、６種類の時間情報を生成してもよい。あるいは、時間情報生成部２０２は、上記の時間情報１ＳＴａ，１ＳＴｂ，２ＳＴａ，２ＳＴｂ，１２ＳＴｃ，２１ＳＴｃに加えて、第１のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻と、第２のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、他の６種類の時間情報を生成してもよい。

＜時間情報の第２の例＞
次に、図１１のタイミングチャートを参照して、本実施の形態における時間情報生成部２０２が生成する複数種類の時間情報の第２の例について説明する。第２の例は、３つのチャンババルブを監視対象バルブとした場合の例である。ここで、３つの監視対象バルブを、第１のバルブ、第２のバルブおよび第３のバルブと呼ぶ。第１ないし第３のバルブの組み合わせは、チャンババルブ３７，４７，５７，６７のうちの任意の３つの組み合わせでよい。

図１１は、第１ないし第３のバルブに対応する３つの検出情報を示している。図１１では、第１ないし第３のバルブに対応する検出情報を、それぞれ記号１ＳＤＩ，２ＳＤＩ，３ＳＤＩで表している。図１１における検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩ，３ＳＤＩの表し方は、図７における検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩ，３ＳＤＩと同じである。第２の例では、図１１に示した６種類の時刻１ＳＡ，１ＳＢ，２ＳＡ，２ＳＢ，３ＳＡ，３ＳＢを用いて、複数種類の時間情報として、１２種類の時間情報１ＳＴａ，１ＳＴｂ，２ＳＴａ，２ＳＴｂ，３ＳＴａ，３ＳＴｂ，１２ＳＴｃ，２１ＳＴｃ，２３ＳＴｃ，３２ＳＴｃ，１３ＳＴｃ，３１ＳＴｃを生成している。このうち、時間情報１ＳＴａ，１ＳＴｂ，２ＳＴａ，２ＳＴｂ，３ＳＴａ，３ＳＴｂの内容と生成方法は、第１の実施の形態における第２の例と同じである。また、時間情報１２ＳＴｃ，２１ＳＴｃ，２３ＳＴｃ，３２ＳＴｃ，１３ＳＴｃ，３１ＳＴｃの内容と生成方法は、第２の実施の形態における第２の例と同じである。

監視部２０３は、上記の１２種類の時間情報を監視することによって、第１ないし第３のバルブの動作状態を把握する。

なお、時間情報生成部２０２は、検出情報１ＳＤＩ，２ＳＤＩ，３ＳＤＩにおける開時刻および閉時刻の代わりに、第１ないし第３のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、上記の１２種類の時間情報の生成方法と同様の方法で、１２種類の時間情報を生成してもよい。あるいは、時間情報生成部２０２は、上記の１２種類の時間情報に加えて、第１ないし第３のバルブに対する指示情報における開時刻および閉時刻を用いて、他の１２種類の時間情報を生成してもよい。

＜第３の実施の形態の効果＞
本実施の形態によれば、２つ以上の監視対象バルブの異常を検出することができる他に、２つ以上の監視対象バルブの開動作と閉動作のタイミングのばらつきと、２つ以上の監視対象バルブの動作のタイミングの相互関係のばらつきとを把握することが可能になる。

なお、本実施の形態における時間情報の第１および第２の例では、監視対象バルブの数が２つの場合と３つの場合の例について説明したが、本実施の形態では、監視対象バルブの数は、４つ以上でもよい。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。以下、本実施の形態における成膜装置１００が、第１の実施の形態と異なる点について説明する。始めに、図１２を参照して、本実施の形態におけるガス供給制御部２００の構成について説明する。図１２は、ガス供給制御部２００の構成を示すブロック図である。本実施の形態では、ガス供給制御部２００は、第１の実施の形態における監視部２０３の代わりに、タイミング調整部２０４を有している。本実施の形態では、チャンババルブ３７，４７，５７，６７のうちの１つ以上のチャンババルブを、後述する調整の対象となる調整対象バルブとする。本実施の形態における時間情報生成部２０２は、調整対象バルブの動作に関連する少なくとも１種類の時間情報を生成する。タイミング調整部２０４は、時間情報生成部２０２において生成された少なくとも１種類の時間情報を用いて、調整対象バルブに対して開動作を指示するタイミングと、調整対象バルブに対して閉動作を指示するタイミングのうちの少なくとも一方を調整する。

次に、図１３を参照して、本実施の形態における時間情報生成部２０２において生成される時間情報の一例について説明する。図１３は、調整対象バルブの動作を示すタイミングチャートである。図１３では、調整対象バルブに対応する調整前の指示情報を記号ＶＤＯで表し、調整対象バルブに対応する調整前の検出情報を記号ＳＤＩで表している。検出情報ＳＤＩは、調整対象バルブに対応するＣＶセンサの検出信号を含んでいる。図１３において、指示情報ＶＤＯにおける立ち上がりと立ち下りは、それぞれ、調整対象バルブに対する開動作の指示のタイミングと閉動作の指示のタイミングを表している。また、図１３において、検出情報ＳＤＩにおける立ち上がりと立ち下りは、それぞれ、調整対象バルブに対応するＣＶセンサによって検出された調整対象バルブの開動作のタイミングと閉動作のタイミングを表している。

また、図１３では、指示情報ＶＤＯにおける立ち上がりの時刻と立ち下りの時刻を、それぞれ記号ＶＡ，ＶＢで表し、検出情報ＳＤＩにおける立ち上がりの時刻と立ち下りの時刻を、それぞれ記号ＳＡ，ＳＢで表している。

本実施の形態では、時間情報生成部２０２は、指示情報ＶＤＯにおける開時刻ＶＡと検出情報ＳＤＩにおける開時刻ＳＡを用いて、調整対象バルブの開動作に関連する時間情報として開遅延時間情報を生成する。この開遅延時間情報は、ガス供給制御部２００が調整対象バルブに対して開動作を指示した時刻ＶＡから、調整対象バルブに対応するＣＶセンサによって調整対象バルブの開動作が検出された時刻ＳＡまでの時間Ｔ_ｏｎを表す。時間Ｔ_ｏｎは、簡単に言うと、調整対象バルブの開動作の遅延時間（タイムラグ）である。

また、時間情報生成部２０２は、指示情報ＶＤＯにおける閉時刻ＶＢと検出情報ＳＤＩにおける閉時刻ＳＢを用いて、調整対象バルブの閉動作に関連する時間情報として閉遅延時間情報を生成する。この閉遅延時間情報は、ガス供給制御部２００が調整対象バルブに対して閉動作を指示した時刻ＶＢから、調整対象バルブに対応するＣＶセンサによって調整対象バルブの閉動作が検出された時刻ＳＢまでの時間Ｔ_ｏｆｆを表す。時間Ｔ_ｏｆｆは、簡単に言うと、調整対象バルブの閉動作の遅延時間（タイムラグ）である。

調整対象バルブの開動作および閉動作の遅延時間（タイムラグ）は、調整対象バルブを通過するガスの圧力、調整対象バルブの累積動作回数、調整対象バルブの個体差等の種々の要因によって変動し得る。

次に、図１３および図１４を参照して、ガス供給制御部２００の動作について説明する。図１４は、第１の実施の形態で説明した成膜処理におけるガス供給制御部２００の動作を示すフローチャートである。成膜処理では、まず、時間情報生成部２０２が、調整対象バルブの開遅延時間情報と閉遅延時間情報を生成する（図１４におけるステップＳ１１）。

次に、時間情報生成部２０２は、開遅延時間情報から開補正時間情報を求め、閉遅延時間情報から閉補正時間を求める（図１４におけるステップＳ１２）。開補正時間は、調整対象バルブに対応するＣＶセンサによって調整対象バルブの開動作が検出される時刻を、ガス供給レシピにおいて設定された開動作の時刻に合わせるための時間である。閉補正時間は、調整対象バルブに対応するＣＶセンサによって調整対象バルブの閉動作が検出される時刻を、ガス供給レシピにおいて設定された閉動作の時刻に合わせるための時間である。図１３において、指示情報ＶＤＯにおける立ち上がりの時刻と立ち下りの時刻は、ガス供給レシピにおいて設定された調整対象バルブの開動作および閉動作の時刻でもある。従って、時間Ｔ_ｏｎは、調整対象バルブに関して、ガス供給レシピにおいて設定された開動作の時刻からＣＶセンサによって開動作が検出された時刻までの時間でもある。この場合、開補正時間は−Ｔ_ｏｎとなる。また、時間Ｔ_ｏｆｆは、調整対象バルブに関して、ガス供給レシピにおいて設定された閉動作の時刻からＣＶセンサによって閉動作が検出された時刻までの時間でもある。この場合、閉補正時間は−Ｔ_ｏｆｆとなる。

次に、タイミング調整部２０４は、開補正時間と閉補正時間を監視して、これらの時間が設定範囲内か否かを判定する（図１４におけるステップＳ１３）。タイミング調整部２０４は、開補正時間と閉補正時間が設定範囲内の場合（Ｙｅｓ）には、調整対象バルブに関して、開動作を指示するタイミングと閉動作を指示するタイミングを調整する（図１４におけるステップＳ１４）。具体的には、タイミング調整部２０４は、調整対象バルブに関して、開動作を指示するタイミング（時刻）を、ガス供給レシピにおいて設定されたタイミング（時刻）から開補正時間の分だけずらし、閉動作を指示するタイミング（時刻）を、ガス供給レシピにおいて設定されたタイミング（時刻）から閉補正時間の分だけずらすように、バルブ制御部２０１を制御する。

図１３では、タイミング調整部２０４によって調整された後の指示情報を記号ＶＤＯａで表し、指示情報ＶＤＯａに応じた検出情報を記号ＳＤＩａで表している。図１３に示した例では、指示情報ＶＤＯａは、調整前の指示情報ＶＤＯに比べて、開補正時間−Ｔ_ｏｎの分だけ早く開動作を実行し、閉補正時間−Ｔ_ｏｆｆの分だけ早く閉動作を実行するように、調整対象バルブに対して指示している。その結果、検出情報ＳＤＩａが表す開動作と閉動作のタイミング（時刻）は、それぞれ、ガス供給レシピにおいて設定された開動作および閉動作のタイミング（時刻）と一致している。

図１４におけるステップＳ１４を実行した場合には、その後ステップＳ１１に戻り、ステップＳ１１からステップＳ１３を再度実行する。

図１４におけるステップＳ１３において、開補正時間と閉補正時間が設定範囲外の場合（Ｎｏ）には、タイミング調整部２０４は、調整対象バルブに異常があると判断して、バルブ制御部２０１に対して、成膜装置１００における成膜処理を中止するように指示する（図１４におけるステップＳ１５）。

なお、図１４におけるステップＳ１４は、ステップＳ１１からステップＳ１３を複数回繰り返した後に実行してもよい。この場合には、複数回実行されるステップＳ１２で求められた複数の開補正時間の平均値を、ステップＳ１４を実行する際に使用する開補正時間とし、複数回実行されるステップＳ１２で求められた複数の閉補正時間の平均値を、ステップＳ１４を実行する際に使用する閉補正時間としてもよい。

以上説明したように、本実施の形態によれば、調整対象バルブを、ガス供給レシピによって設定されたタイミング（時刻）通りに動作させることが可能になる。このように、本実施の形態によれば、チャンババルブの動作に関連する時間情報を用いて、チャンババルブの動作を調整することが可能になる。

前述のように、調整対象バルブの開動作および閉動作の遅延時間（タイムラグ）は、種々の要因によって変動し得る。そのため、予め決められた開補正時間および閉補正時間を用いて調整対象バルブの動作を調整しても、調整対象バルブが、常に、ガス供給レシピによって設定されたタイミング（時刻）通りに動作するとは限らない。これに対し、本実施の形態では、調整対象バルブの実際の動作に関連する開遅延時間情報および閉遅延時間情報を得て、これらに基づいて求めた開補正時間および閉補正時間を用いて調整対象バルブの動作を調整する。そのため、本実施の形態によれば、調整対象バルブの開動作および閉動作の遅延時間（タイムラグ）が変動しても、ガス供給レシピによって設定されたタイミング（時刻）通りに動作するように、自動的に、調整対象バルブの動作を調整することが可能になる。

なお、本実施の形態では、少なくとも１種類の時間情報は、１つの以上の調整対象バルブに関する少なくとも１種類の開遅延時間情報と少なくとも１種類の閉遅延時間情報のうちの少なくとも一方を含んでいればよい。また、タイミング調整部２０４は、１つ以上の調整対象バルブに対して開動作を指示するタイミングと閉動作を指示するタイミングのうちの少なくとも一方を調整すればよい。

また、本実施の形態において、ガス供給制御部２００は、タイミング調整部２０４の他に、第１ないし第３の実施の形態のいずれかにおける監視部２０３を有していてもよい。そして、本実施の形態においても、第１ないし第３の実施の形態のいずれかと同様に、時間情報生成部２０２によって監視対象バルブの動作に関連する複数種類の時間情報を生成し、監視部２０３によって複数種類の時間情報を監視してもよい。

本実施の形態におけるその他の構成および作用は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明の処理装置は、ＡＬＤ装置に限らず、複数のガスを供給して成膜処理等を行う他の処理装置に適用することができる。また、本発明は、半導体ウエハに限らず、液晶表示装置、有機ＥＬディスプレイ、薄膜太陽電池パネル等に用いられる大型のガラス基板等を処理する処理装置にも適用することができる。

１０…処理部、１１…処理容器、２０…ガス供給部、３０，４０，５０，６０…ガス供給源、３１，４１，５１，６１…配管、３７，４７，５７，６７…チャンババルブ、３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａ…ソレノイド、３９，４９，５９，６９…ＣＶセンサ、８０…集合バルブユニット、１００…成膜装置、２００…ガス供給制御部、２０１…バルブ制御部、２０２…時間情報生成部、２０３…監視部、２０４…タイミング調整部、３００…制御装置、３０１…ＥＣ、４０１…モジュールコントローラ（ＭＣ）、４１３…Ｉ／Ｏモジュール、４１５…Ｉ／Ｏボード。

Claims (14)

1. 被処理体を収容する処理容器と、
   前記被処理体の処理に使用される複数のガスを前記処理容器内に供給するための複数のガス供給路と、
   それぞれ前記複数のガス供給路の開閉を行う複数のバルブと、
   前記複数のバルブの開閉動作を制御する制御部と
   を備えた処理装置であって、
   前記複数のバルブのうちの１つ以上のバルブは、前記制御部が監視の対象とする監視対象バルブであり、
   前記制御部は、前記監視対象バルブの動作に関連する複数種類の時間情報を生成する時間情報生成部と、前記複数種類の時間情報を監視する監視部とを有し、
   前記複数種類の時間情報は、前記監視対象バルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す少なくとも１種類の開時間情報と、前記監視対象バルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す少なくとも１種類の閉時間情報とを含むことを特徴とする処理装置。
2. 更に、前記監視対象バルブの開動作および閉動作を検出する１つ以上のセンサを備え、
   前記監視対象バルブの開動作に関連する時刻は、前記センサによって前記監視対象バルブの開動作が検出された時刻であり、
   前記監視対象バルブの閉動作に関連する時刻は、前記センサによって前記監視対象バルブの閉動作が検出された時刻であることを特徴とする請求項１記載の処理装置。
3. 前記監視対象バルブの開動作に関連する時刻は、前記制御部が前記監視対象バルブに対して開動作を指示した時刻であり、
   前記監視対象バルブの閉動作に関連する時刻は、前記制御部が前記監視対象バルブに対して閉動作を指示した時刻であることを特徴とする請求項１記載の処理装置。
4. 前記被処理体に対して、前記複数のガスを、互いに異なるタイミングで間欠的に繰り返し供給して成膜を行うＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の処理装置。
5. 被処理体を収容する処理容器と、
   前記被処理体の処理に使用される複数のガスを前記処理容器内に供給するための複数のガス供給路と、
   それぞれ前記複数のガス供給路の開閉を行う複数のバルブと、
   前記複数のバルブの開閉動作を制御する制御部と
   を備えた処理装置であって、
   前記複数のバルブのうちの２つ以上のバルブは、前記制御部が監視の対象とする監視対象バルブであり、
   前記２つ以上の監視対象バルブは、第１のバルブと第２のバルブを含み、
   前記制御部は、前記第１のバルブと第２のバルブの動作に関連する複数種類の時間情報を生成する時間情報生成部と、前記複数種類の時間情報を監視する監視部とを有し、
   前記複数種類の時間情報は、前記第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の前記第２のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類のインターバル時間情報と、前記第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の前記第１のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類のインターバル時間情報とを含むことを特徴とする処理装置。
6. 更に、前記第１のバルブの開動作および閉動作を検出する第１のセンサと、前記第２のバルブの開動作および閉動作を検出する第２のセンサとを備え、
   前記第１のバルブの開動作に関連する時刻は、前記第１のセンサによって前記第１のバルブの開動作が検出された時刻であり、
   前記第１のバルブの閉動作に関連する時刻は、前記第１のセンサによって前記第１のバルブの閉動作が検出された時刻であり、
   前記第２のバルブの開動作に関連する時刻は、前記第２のセンサによって前記第２のバルブの開動作が検出された時刻であり、
   前記第２のバルブの閉動作に関連する時刻は、前記第２のセンサによって前記第２のバルブの閉動作が検出された時刻であることを特徴とする請求項５記載の処理装置。
7. 前記第１のバルブの開動作に関連する時刻は、前記制御部が前記第１のバルブに対して開動作を指示した時刻であり、
   前記第１のバルブの閉動作に関連する時刻は、前記制御部が前記第１のバルブに対して閉動作を指示した時刻であり、
   前記第２のバルブの開動作に関連する時刻は、前記制御部が前記第２のバルブに対して開動作を指示した時刻であり、
   前記第２のバルブの閉動作に関連する時刻は、前記制御部が前記第２のバルブに対して閉動作を指示した時刻であることを特徴とする請求項５記載の処理装置。
8. 前記被処理体に対して、前記複数のガスを、互いに異なるタイミングで間欠的に繰り返し供給して成膜を行うＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置であることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の処理装置。
9. 被処理体を収容する処理容器と、
   前記被処理体の処理に使用される複数のガスを前記処理容器内に供給するための複数のガス供給路と、
   それぞれ前記複数のガス供給路の開閉を行う複数のバルブと、
   前記複数のバルブの開閉動作を制御する制御部と
   を備えた処理装置であって、
   前記複数のバルブのうちの２つ以上のバルブは、前記制御部が監視の対象とする監視対象バルブであり、
   前記２つ以上の監視対象バルブは、第１のバルブと第２のバルブを含み、
   前記制御部は、前記第１のバルブと第２のバルブの動作に関連する複数種類の時間情報を生成する時間情報生成部と、前記複数種類の時間情報を監視する監視部とを有し、
   前記複数種類の時間情報は、前記第１のバルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類の開時間情報と、前記第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類の閉時間情報と、前記第２のバルブの開動作に関連する時刻から次の閉動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類の開時間情報と、前記第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の開動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類の閉時間情報と、前記第１のバルブの閉動作に関連する時刻から次の前記第２のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第１の種類のインターバル時間情報と、前記第２のバルブの閉動作に関連する時刻から次の前記第１のバルブの開動作に関連する時刻までの時間を表す第２の種類のインターバル時間情報とを含むことを特徴とする処理装置。
10. 更に、前記第１のバルブの開動作および閉動作を検出する第１のセンサと、前記第２のバルブの開動作および閉動作を検出する第２のセンサとを備え、
    前記第１のバルブの開動作に関連する時刻は、前記第１のセンサによって前記第１のバルブの開動作が検出された時刻であり、
    前記第１のバルブの閉動作に関連する時刻は、前記第１のセンサによって前記第１のバルブの閉動作が検出された時刻であり、
    前記第２のバルブの開動作に関連する時刻は、前記第２のセンサによって前記第２のバルブの開動作が検出された時刻であり、
    前記第２のバルブの閉動作に関連する時刻は、前記第２のセンサによって前記第２のバルブの閉動作が検出された時刻であることを特徴とする請求項９記載の処理装置。
11. 前記第１のバルブの開動作に関連する時刻は、前記制御部が前記第１のバルブに対して開動作を指示した時刻であり、
    前記第１のバルブの閉動作に関連する時刻は、前記制御部が前記第１のバルブに対して閉動作を指示した時刻であり、
    前記第２のバルブの開動作に関連する時刻は、前記制御部が前記第２のバルブに対して開動作を指示した時刻であり、
    前記第２のバルブの閉動作に関連する時刻は、前記制御部が前記第２のバルブに対して閉動作を指示した時刻であることを特徴とする請求項９記載の処理装置。
12. 前記被処理体に対して、前記複数のガスを、互いに異なるタイミングで間欠的に繰り返し供給して成膜を行うＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置であることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の処理装置。
13. 被処理体を収容する処理容器と、
    前記被処理体の処理に使用される複数のガスを前記処理容器内に供給するための複数のガス供給路と、
    それぞれ前記複数のガス供給路の開閉を行う複数のバルブと、
    前記複数のバルブの開閉動作を制御する制御部と、
    前記複数のバルブのうちの１つ以上のバルブである調整対象バルブの開動作および閉動作を検出する１つ以上のセンサと
    を備えた処理装置であって、
    前記制御部は、前記調整対象バルブの動作に関連する少なくとも１種類の時間情報を生成する時間情報生成部と、タイミング調整部とを有し、
    前記少なくとも１種類の時間情報は、前記制御部が前記調整対象バルブに対して開動作を指示した時刻から前記センサによって前記調整対象バルブの開動作が検出された時刻までの時間を表す少なくとも１種類の開遅延時間情報と、前記制御部が前記調整対象バルブに対して閉動作を指示した時刻から前記センサによって前記調整対象バルブの閉動作が検出された時刻までの時間を表す少なくとも１種類の閉遅延時間情報のうちの少なくとも一方を含み、
    前記タイミング調整部は、前記少なくとも１種類の開遅延時間情報と前記少なくとも１種類の閉遅延時間情報のうちの前記少なくとも一方を用いて、前記調整対象バルブに対して開動作を指示するタイミングと前記調整対象バルブに対して閉動作を指示するタイミングのうちの少なくとも一方を調整することを特徴とする処理装置。
14. 前記被処理体に対して、前記複数のガスを、互いに異なるタイミングで間欠的に繰り返し供給して成膜を行うＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置であることを特徴とする請求項１３記載の処理装置。

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