TW201333544A - 光學用基材及發光裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係提供一種可降低光之繞射引起之色偏的光學用基材。該光學用基材(12)具有包含包括自基材主面向面外方向延伸之複數個凸部或凹部之點(31)之微細結構層，且該微細結構層於基材主面內之第1方向上具有以間距(Py)排列有複數個點之複數個點陣列，並於基材主面內之與第1方向正交之第2方向上具有以間距(Px)排列有複數個點之複數個點陣列，間距(Py)及間距(Px)均為不定間隔，且分別為奈米級。

Description

光學用基材及發光裝置

本發明係關於一種可應用於顯示器、照明等中使用之有機EL(Electroluminescent，電致發光元件)的光學用基材及使用其之發光裝置。

近年來，為了改善有機EL、螢光、LED(Light Emitting Diode，發光二極體)等發光裝置之發光效率，而對發光材料之改善、低電壓化及光提取效率之改善等進行研究。

作為改善光提取效率之方法，研究有發光裝置中之光散射層或低折射率層之導入等(專利文獻1、專利文獻2)。又，已知有一種利用光之繞射，使波導模態之光之行進方向在發光裝置面方向上偏光，藉此，提昇光提取效率之方法(專利文獻3)。進而，亦考量有如下技術，即，於發光裝置中之發光部附近設置金屬之週期點陣結構或微粒子之分散體，且藉由激發表面電漿子，而高效地將光提取至外部(專利文獻4、專利文獻5、非專利文獻1~非專利文獻5)。

金屬表面之傳播型表面電漿子係由入射至金屬等導電體表面之電磁波(可見光等)產生之自由電子之極化波於表面形成橫波之電場者。於存在於平坦之金屬表面之傳播型表面電漿子之情形時，由於傳播光之色散直線與電漿子之色散曲線不交叉，因此，傳播光無法直接激發電漿子。但，若於金屬表面具有週期點陣結構，則藉由點陣而布勒格反射之繞射波將與電漿子之極化曲線交叉，因此，入射之電 磁波與金屬表面之自由電子之極化波可形成共振狀態(非專利文獻6)。

此時，表面電漿子之波向量成為與光之波長相同程度之值，激子與光同調耦合而成為激子極化聲子。極化聲子係自由電子之極化波與電磁波藉由共振而交換能量之狀態。於週期點陣結構之間距或高度實質上固定時，即週期點陣結構之結晶性較高時，表面電漿子具有一個波向量，且與特定之入射角、頻率(波長)之光耦合，從而可觀察到所謂的表面電漿子共振引起之發光增強現象。

例如，於非專利文獻5中揭示有如下情形：為了感應有機發光裝置內之發光層中之光與表面電漿子之耦合，而藉由使用週期性波形之點陣結構來防止發出之光之橫向之穿透及導波，並且提昇該結構體之光輸出及效率。根據該方法，理論上可將有機EL發光裝置內之有機發光材料發出之光最大程度耦合93%為止。

又，於非專利文獻3中揭示有如下情形：藉由銀之週期結構而增強半導體量子井結構之紫外激發之藍色光之發光效率。又，於非專利文獻4中揭示有如下情形：藉由相同之銀之週期結構而增強LED之發光效率。

又，有機EL等發光裝置係採用由低折射率區域夾持高折射率區域之構成。由於發光部包含於高折射率區域內部，因此，發光部中進行發光之光成為波導模態，且封閉於高折射率區域內部，並且於波導過程中被吸收而衰減。因此，無法將光提取至裝置外部，從而導致光提取效率大幅 減少。

為了有效提昇光提取效率，而必需於進行發光之光衰減之前，提前擾亂波導模態。因此，揭示有一種於低折射率區域與高折射率區域之間形成中間折射率層，以改善光提取效率的方法(專利文獻6)。

然而，專利文獻6中記載之方法因無法擾亂全反射，故經全反射之光維持波導模態而衰減，因此，無法期待大幅改善光提取效率。另一方面，作為擾亂波導模態，改善光提取效率之例，揭示有一種藉由設置於基板附近之週期結構而提取由波導模態封閉之光作為繞射光的方法(專利文獻7)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2008-235605號公報

[專利文獻2]日本專利特表2004-513483號公報

[專利文獻3]日本專利特開2001-230069號公報

[專利文獻4]日本專利特開2004-31350號公報

[專利文獻5]日本專利特開2009-158478號公報

[專利文獻6]日本專利特開昭62-172691號公報

[專利文獻7]日本專利特表2010-533932號公報

[非專利文獻]

[非專利文獻1] Opt.Lett., 30, 2302 (2005) Enhancement of EL through a two-dimensional corrugated metal film by grating-induced surface plasmon cross coupling

[非專利文獻2] Appl.Phys.Lett., 93, 051106 (2008) Enhancement of surface plasmon-mediated radioactive energy transfer through a corrugated metal cathode in organic light-emitting devices

[非專利文獻3] Nature Mater., 3,601 (2004) Surface Plasmon enhanced light emitters based on InGaN quantum wells

[非專利文獻4] Appl.Phys.Lett., 77,15,2295 (2000) Optimization of the emission characteristics of LED by SP and surface waveguide mode

[非專利文獻5] Appl.Phys.Lett.,Vol.80,No.20, 3679 (2002)

[非專利文獻6]光奈米技術之基礎 Ohmsha公司P.35 (2003)

該等先前技術中，於來自將金屬之週期點陣結構導入發光部附近從而利用表面電漿子共振的發光裝置之光提取中，必需遍及裝置面整面地設置實質上均勻之週期點陣結構，又，其週期為使可見光之光繞射之尺寸，因此，存在若改變觀察方向則產生光之繞射引起之急劇之色偏之類的問題。

又，於利用基於週期結構之光之繞射擾亂波導模態的專利文獻2中記載之方法中，自發光裝置提取之光將產生基 於週期結構之光之繞射特有的眩光。此處，所謂眩光係指於特定角度下特定波長之光可觀察到點狀之亮點的的現象，其係伴有色偏之亮點狀之發光。

上述色偏及眩光對於顯示器或照明用發光裝置而言，成為致命之問題，即便作為裝置整體之光提取效率提昇，作為實用方面，亦難以採用。如此般，於利用繞射結構之情形時，光提取效率與色偏及眩光之發光特性成為相反。

本發明係鑒於如此方面而完成者，其目的在於提供一種可改善光提取效率且可抑制光之繞射引起之色偏及眩光的光學用基材及發光裝置。

本發明之光學用基材之特徵在於：其係至少包括陽極、陰極及發光層，且上述發光層具有一層以上之有機層的可應用於有機EL發光裝置者，且具有包含包括自基材主面在面外方向上延伸之複數個凸部或凹部之點的微細結構層，上述微細結構層係於上述基材主面內之第1方向上構成以間距Py排列有上述複數個點之複數個點陣列，另一方面，於上述基材主面內之與上述第1方向正交之第2方向上構成以間距Px排列有上述複數個點陣列之複數個點陣列，且上述間距Py及上述間距Px係任一者為奈米級之固定間隔，另一者為奈米級之不定間隔，或者均為奈米級之不定間隔。

於本發明之光學用基材中，較佳為，上述奈米級之不定間隔為變動幅度δ。

於本發明之光學用基材中，較佳為，不定間隔之上述間 距Py等於各點之中心間之距離，不定間隔之上述間距Px等於以上述間距Py排列有上述複數個點之複數個點陣列間距離，且上述間距Py及上述間距Px大於各點之直徑，於上述間距Py為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之上述點間之上述間距Pyn(3≦n≦2a或3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(1)之關係，並且於上述第1方向上排列至少1個以上由上述間距Py1~Pyn構成之點群，於上述間距Px為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之上述點間之上述間距Pxn(3≦n≦2a或3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(2)之關係，並且於上述第2方向上排列至少1個以上以上述間距Px1~Pxn構成之點陣列群。

Py1<Py2<Py3<...<Pya>...>Pyn (1)

Px1<Px2<Px3<...<Pxa>...>Pxn (2)

於本發明之光學用基材中，較佳為，不定間隔之上述間距Py等於各點之中心間之距離，不定間隔之上述間距Px等於以上述間距Py排列有上述複數個點之複數個點陣列間距離，且上述間距Py及上述間距Px大於各點之直徑，於上述間距Py為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之上述點間之上述間距Pyn(3≦n≦2a或3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式(1)之關係，並且於上述第1方向上，以上述間距Py1~Pyn構成之點群為重複排列有長週期單位Lyz之構成，且於上述間距Px為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之上述點間之上述間 距Pxn(3≦n≦2a或3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式(2)之關係，且於上述第2方向上，以上述間距Px1~Pxn構成之點陣列群為重複排列有長週期單位Lxz之構成。

於本發明之光學用基材中，較佳為，上述點之各個直徑對應於間距Py及/或間距Px進行增減，於上述間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點徑Dyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(3)之關係，並且於上述第1方向上排列至少1個以上以上述點徑Dy1~Dyn構成之點群，於上述間距Px為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點徑Dxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(4)之關係，並且於上述第2方向上排列至少1個以上以上述點徑Dx1~Dxn構成之點群。

Dy1<Dy2<Dy3<...<Dya>...>Dyn (3)

Dx1<Dx2<Dx3<...<Dxa>...>Dxn (4)

於本發明之光學用基材中，較佳為，上述點之各個直徑對應於間距Py及/或間距Px進行增減，於上述間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點徑Dyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式(3)之關係，並且於上述第1方向上以長週期單位Lyz重複排列以上述點徑Dy1~Dyn構成之點群，且於上述間距Px為不定間隔之情形時，構成至少鄰 接之4個以上m個以下之上述間距之點徑Dxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式(4)之關係，並且於上述第2方向上以長週期單位Lxz重複排列以上述點徑Dx1~Dxn構成之點群。

於本發明之光學用基材中，較佳為，上述點之各個高度對應於間距Py及/或間距Px進行增減，於上述間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點高度Hyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(5)之關係，並且於上述第1方向上排列至少1個以上以上述點高度Hy1~Hyn構成之點群，於上述間距Px為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點高度Hxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(6)之關係，並且於上述第2方向上排列至少1個以上以上述點徑Hx1~Hxn構成之點群。

Hy1<Hy2<Hy3<...<Hya>...>Hyn (5)

Hx1<Hx2<Hx3<...<Hxa>...>Hxn (6)

於本發明之光學用基材中，較佳為，上述點之各個高度對應於間距Py及/或間距Px進行增減，於上述間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點高度Hyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式(5)之關係，並且於上述第1方向上以長週期單位Lyz重複排列以上述點高度Hy1~Hyn構成之點群，且於上述間距Px為不定間隔之情形時，構成至 少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點高度Hxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式(6)之關係，並且於上述第2方向上以長週期單位Lxz重複排列以上述點高度Hx1~Hxn構成之點群。

本發明之光學用基材之特徵在於：其係至少包括陽極、陰極及發光層且上述發光層具有一層以上之有機層的可應用於有機EL發光裝置者，且具有包含包括自基材之主面在面外方向上延伸之複數個凸部或凹部之複數個點的微細結構層，上述微細結構層於上述基材之主面內之第1方向上構成以固定間隔之奈米級之間距Py排列有上述複數個點之點陣列，且於與上述第1方向正交之第2方向上以固定間隔之奈米級之間距Px並排設置該等點陣列，鄰接之第1點陣列及第2點陣列間之上述第1方向上之偏移量α1與上述第2點陣列及鄰接於上述第2點陣列之第3點陣列間之上述第1方向上之偏移量α2相互不同。

於本發明之光學用基材中，較佳為，上述偏移量α1與上述偏移量α2之差值不固定。

本發明之光學用基材之特徵在於：其係至少包括陽極、陰極及發光層且上述發光層具有一層以上之有機層的可應用於有機EL發光裝置者，且形成包含包括自上述基材之基材主面在面外方向上延伸之複數個凸部之線的微細結構層，並沿上述基材主面內之上述第1方向形成線結構，於上述基材主面內之與上述第1方向正交之第2方向上具有以 間距Px排列有上述複數條線之複數個線行，且上述間距Px為奈米級之不定間隔。

於本發明之光學用基材中，較佳為，上述不定間隔之上述間距Px大於上述線結構之凸部寬度，且至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距Pxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(7)之關係，且於上述第2方向上重複排列以上述間距Px1~Pxn構成之長週期Lz。

Py1<Py2<Py3<...<Pya>...>Pyn (7)

於本發明之光學用基材中，較佳為，上述間距Py及上述間距Px分別為100 nm以上、1000 nm以下。

於本發明之光學用基材中，較佳為，上述基材包含樹脂。

於本發明之光學用基材中，較佳為，於上述基材之表面被覆金屬膜。進而，亦較佳為，上述基材包含金屬。

於本發明之光學用基材中，較佳為，上述基材至少包括基材及構成上述微細結構層之材料，且構成上述微細結構層之材料之折射率與上述基材之折射率之差為0.15以下。

於本發明之光學用基材中，較佳為具有透明介電層，該透明介電層係設置於上述基材之微細結構層之上述點上或上述線上，且具有與上述微細結構層之包含上述複數個凸部或凹部之點或包含上述複數個凸部之線對應之形狀的微細凹凸結構，且將上述透明介電層之與具有上述微細凹凸結構之面為相反側之面平坦化。

本發明之有機EL裝置之特徵在於，具有至少一個上述光學用基材，且上述發光層係與上述光學用基材之微細結構層側之主面對向地配置。

以下對本發明之實施形態進行具體說明。

本實施形態之光學用基材之特徵在於具有微細結構層，該微細結構層包含包括自基材主面在面外方向上延伸之複數個凸部或凹部之點，且上述微細結構層於上述基材主面內之第1方向上，構成以間距Py排列有上述複數個點之複數個點陣列，另一方面，於上述基材主面內之與上述第1方向正交之第2方向上，構成以間距Px排列有上述複數個點陣列之複數個點陣列，且上述間距Py及上述間距Px係任一者為奈米級之固定間隔，另一者為奈米級之不定間隔，或者均為奈米級之不定間隔。

根據該構成，藉由於基材表面設置奈米級之凹凸，而於利用表面電漿子之情形時，發光效率提昇，同時奈米級之週期性紊亂，對於來自發光裝置之發光，可較強地呈現光散射性，提昇光提取效率。進而，奈米級之凹凸間隔以長週期平穩地變動，藉此，可緩和表面電漿子共振引起之光提取效率提昇中之色偏。

又，關於裝置內部之導光模態之光，亦因於基材表面設置奈米級之凹凸，故間距Px及間距Py中之兩者或任一者為不定間隔，因此，設置於基材表面之凹凸之奈米級之週期性紊亂，對於來自發光層之發光，可較強地呈現光散射 性。可藉由該光散射性，而擾亂導光模態，提昇光提取效率。進而，可藉由凹凸之奈米級之均勻性紊亂，而降低色偏，獲得更接近自然光之發光特性，從而可抑制眩光。

進而，由於間距Py及間距Px之兩者或任一者為不定間隔，因此，設置於光學用基材表面之凹凸之奈米級之週期性紊亂，對於來自發光裝置之發光，可較強地呈現光散射性。可藉由該光散射性，而解除導光模態，同時抑制色偏及眩光。

此處，於間距Py及間距Px均為不定間隔之情形時，可提昇週期性之紊亂引起之光散射效應及色偏降低效果。即，可有效擾亂波導模態，改善光提取效率，並且獲得更接近自然光之發光特性，對於眩光之抑制較為有效。亦於表面電漿子共振中，雖然發光效率提昇之效果降低，但可進一步提昇週期性之紊亂引起之光散射效應。

另一方面，間距Py或間距Px之任一者為不定間隔，另一者為固定間隔之情形係與間距Py及間距Px均為不定間隔之情形相比，週期性之紊亂減少，散射效應減少，因此，雖然接近自然光之發光特性降低，但繞射效應之光提取效率提昇。亦於表面電漿子共振中，與間距Py及間距Px均為不定間隔之情形相比，奈米級之凹凸間隔之均勻性進一步提昇。藉此，週期性之紊亂引起之色偏降低效果及光散射效應低下，但可提昇表面電漿子共振引起之光提取效率提昇效果。

將間距Py及間距Px兩者設為不定間隔抑或是將間距Py及 間距Px之任一者設為不定間隔，可根據應用本發明之光學用基材之發光裝置之發光特性及用途等進行各種選擇，製成最佳之結構。例如，於色偏相對地不易成為問題之普通照明用途之情形時，為了進一步提昇繞射之光提取效率提昇效果，而採用將間距Py或間距Px之任一者設為不定間隔之結構即可。相反地，於顏色特性或角度依存性易成為問題之顯示器用途之情形時，採用將間距Py及間距Px兩者設為不定間隔之結構即可。

又，例如於相對地不易產生表面電漿子共振引起之色偏之發光裝置之情形時，為了提昇表面電漿子共振引起之發光效率提昇效果，採用將間距Py或間距Px之任一者設為不定間隔之結構即可。又，於表面電漿子共振引起之色偏較大之發光裝置、或製造條件之情形時，為了提昇色偏降低效果，採用將間距Py及間距Px兩者設為不定間隔之結構即可。

以下，對本實施形態之光學用基材進行說明。所謂本發明之光學用基材係至少包括陽極、陰極及發光層，且發光層具有一層以上之有機層的可應用於有機EL發光裝置之光學用基材。再者，於本發明中，所謂間距係指間隔，但不一定表示固定間隔，固定間隔、不定間隔均包含在內。

首先，參照圖1，對本實施形態之光學用基材之構成進行說明。圖1係表示本實施形態之光學用基材1之一例的示意性立體圖。如圖1所示，光學用基材1大體上具有平板形狀，且包括基材11及設置於該基材11之一主面上之微細結 構層12。微細結構層12包含自基材11之主面突出至上方之複數個凸部13(凸部行13-1~13-N)。凸部13係自基材11之主面在面外方向延伸，且分別以特定之間隔而配置。

又，微細結構層12既可另行形成於基材11之主面上，或亦可直接加工基材11而形成。又，光學用基材1不僅可為平板形狀，亦可為膜形狀。

再者，於圖1中，雖然對微細結構層12之微細結構包含複數個凸部13之例進行表示，但並不限於此，微細結構層之微細結構亦可包含複數個凹部(參照圖2)。圖2係表示本實施形態之光學用基材1之另一例的立體示意圖。如圖2所示，光學用基材11a係大體上具有平板形狀，且包括基材11a及設置於該基材11a之一主面上之微細結構層12a。微細結構層12a包含自微細結構層12a之表面S朝向基材11a主面側凹陷之複數個凹部14(凹部行14-1~14-N)。凹部14係自基材11之主面在面外方向上延伸，且分別以特定之間隔而配置。

又，微細結構層12a既可另行形成於基材11a之主面上，或亦可直接加工基材11a而形成。又，光學用基材1不僅可為平板形狀，亦可為膜形狀。

以下，將構成光學用基材1、1a中之微細結構層12、12a之微細結構的凸部13或凹部14稱為「點」。

(微細結構層點排列)

圖3係光學用基材1之平面示意圖。如圖3所示，點(凸部13或凹部14)係於基材11主面內之D1方向上構成以不定間 隔Py(間距Py1、Py2、Py3、...)排列有複數個點之複數個點陣列(凸部行13-1~13-N或凹部行14-1~14-N)。又，各點陣列係於基材11主面內在與第1方向(D1方向)正交之第2方向(D2方向)上以不定間隔Px(間距Px1、Px2、Px3、...)配置。

又，於本實施形態之光學用基材中，較佳為，奈米級之不定間隔為變動幅度δ。具體而言，於圖3中，間距Py1、Py2、Py3為Pyav±δ之範圍。

將平均間距之示意圖示於圖4。此處，變動幅度δ係D1方向上之點13-1間之間距Py之標準偏差σ之3倍之值，且以將D1方向之間距Py計測100點以上而算出之值進行定義。 又，變動幅度δ較佳為小於平均間距Pyav。尤其若變動幅度δ為平均間距Pyav之1%以上50%以下之範圍，則複數個點13-1間之間距Py之大小成為適當之範圍，因此，可實現光散射性引起之發光效率提昇效果及色偏降低效果。若變動幅度δ進而為平均間距Pyav之5%以上30%以下之範圍，則不僅可獲得光散射性引起之光提取效率提昇效果及色偏降低效果，而且可進而獲得繞射引起之光提取效率提昇效果及表面電漿子共振引起之光提取效率提昇效果，故而更佳。

以上係關於D1方向之間距Py之描述，而關於D2方向之間距Px，可將Py與Px替換進行定義。

圖5係第1實施形態之光學用基材1之平面示意圖。如圖5所示，於凹凸結構12中，於基材本體11之屬於主面內的D1 方向上並排設置有複數個排列複數個點13而成之點陣列32-1~32-N。屬於各點陣列32-1~32-N之複數個點31係以相互不同之間距(Py1、Py2、Py3、...)不定間隔地排列。又，各點陣列32-1~32-N係於基材本體11主面內在與D1方向正交之D2方向上，以固定間隔之間距Px並排設置。

即，於第1實施形態之光學用基材1中，屬於各點陣列32-1~32-N之複數個點31於D1方向上以不定間隔Py1、Py2、Py3配置，並且各點陣列32-1~32-N於D2方向上以固定間隔Px設置。藉由該構成，而於自D2方向觀察基材本體11之情形時，配置於主面(圖1中之主面S)內之複數個點間之重複圖案之週期性降低。例如，基材本體11之主面S內之斜向之間距Pa、Pb成為不同之值。藉此，可提昇繞射效應及表面電漿子共振引起之光提取效率提昇效果。又，由於凹凸結構12之光散射性提昇，因此亦可期待色偏降低效果、及散射引起之波導模態之消除所導致之光提取效率提昇效果。

圖6係表示自D2方向觀察第1實施形態之光學用基材1時之複數個點之配置的示意圖，該第1實施形態之光學用基材1係於D2方向上具有以固定間隔之間距Px排列有上述複數個點之複數個點陣列，且於D1方向上以具有變動幅度δ之間距Py排列。圖6中，複數個點31分為屬於點陣列32-1者(圖中以實線表示)、屬於點陣列32-2者(圖中以單點虛線表示)、及屬於點陣列32-3者(圖中以兩點虛線表示)。屬於同一點陣列之複數個點31係於D1方向上以不定間隔Py1、 Py2、Py3配置。藉此，如圖6所示，複數個點31相互錯開且不規則地配置，可藉由配置紊亂而呈現光散射效應。

圖7係表示第1實施形態之光學用基材1中之構成凹凸結構12之複數個點31之配置(點圖案)之一例的示意圖。於圖7中，表示各點31之間距Py及間距Px大致相等且變動幅度δ為間距Pyav之20%之例。如圖7所示，可知即便各點陣列32-a、32-b以間距Px固定間隔地排列，D1方向上之點31間之間距Py亦無週期性。可藉由如此般複數個點31之存在，而提昇來自設置於光學用基材1上之有機EL之光提取效率提昇，進而，可藉由複數個點31之配置紊亂，而呈現光散射效應及色偏降低效果。

此處，對於以相互不同之間距Px不定間隔地配置的D2方向上之點陣列之配置例進行說明。圖8係表示D2方向上之點陣列之配置例的示意圖。如圖8所示，D2方向上之點陣列(圖8中DL)係每8行以特定之間隔(間距Px)配置，且重複配置有8行之點陣列。將包含該複數(z)個點陣列之單位稱為長週期單位Lxz(其中，z為正整數)。再者，對於以相互不同之間距Py不定間隔地配置之D1方向上之點，亦可使用長週期單位Lyz，與以下說明相同地進行配置。

不定間隔之間距Py係等於各點之中心間之距離，不定間隔之間距Px係等於以間距Py排列有複數個點之複數個點陣列間距離。又，間距Py及間距Px係大於各點之直徑。

較佳為，於間距Py為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之點間之間距Pyn(3≦n≦2a或 3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(1)之關係，並且於第1方向上，以間距Py1~Pyn構成之點群為重複排列有長週期單位Lyz之構成，且於間距Px為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之點間之上述間距Pxn(3≦n≦2a或3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(2)之關係，並且於第2方向上，以間距Px1~Pxn構成之點陣列群為重複排列有長週期單位Lxz之構成。

Py1<Py2<Py3<...<Pya>...>Pyn (1)

Px1<Px2<Px3<...<Pxa>...>Pxn (2)

圖8係表示長週期單位Lxz包含8行點陣列之情形、即m=8之情形。於該情形時，由於n=7、a=3，因此於長週期L1中，點陣列間之間距Pxn中下式之關係成立。

Px1<Px2<Px3>Px4>Px5>Px6>Px7

又，長週期單位Lxz中之間距Px係設定為以間距Px之最大值(Px(max))與最小值(Px(min))之差表示的最大相移δ滿足(Px(min))×0.01<δ<(Px(min))×0.66，較佳為滿足(Px(min))×0.02<δ<(Px(min))×0.5，更佳為滿足(Px(min))×0.1<δ<(Px(min))×0.4。

例如，於圖8所示之長週期單位L1中，各點陣列間之間距Pxn係以如下方式表示。

Px1=Px(min)

Px2=Px(min)+δa

Px3=Px(min)+δb=Px(max)

Px4=Px(min)+δc

Px5=Px(min)+δd

Px6=Px(min)+δe

Px7=Px(min)+δf

其中，δa至δf之值滿足Px(min)×0.01<(δa~δf)<Px(min)×0.5。鄰接之長週期單位L2亦為相同。

又，長週期單位Lxz或長週期單位Lyz中之z之最大值係設定為滿足4≦z≦1000，較佳為滿足4≦z≦100，更佳為滿足4≦z≦20。

再者，D1方向及D2方向上之長週期單位Lxz及Lyz無需彼此相同。

於本實施形態之光學用基材1中，較佳為，於D1方向上排列至少1個以上具有上述長週期單位Lyz之點群，且於D2方向上排列至少1個以上具有上述長週期單位Lxz之點群。

配置成間距Py之不定間隔之配置係定義為於上述說明之以相互不同之間距Px不定間隔地配置之第2方向上之點陣列之配置例中，將點陣列替換為點。

即，較佳為，於間距Py為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之上述點間之間距Pyn(3≦n≦2a或3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式(1)之關係，並且於第1方向上排列至少1個以上以間距Py1~Pyn構成之點群，於間距Px為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之點間之間距Pxn(3≦n≦2a或3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式 (2)之關係，並且於第2方向上排列至少1個以上以間距Px1~Pxn構成之點陣列群。

於第1實施形態之光學用基材1中，構成微細結構層12(12a)之微細結構之點既可於D1方向、D2方向上均以如上述說明之不定間隔之間距Px、Py配置(參照圖9)，亦可僅於D1方向、D2方向中之任一方向上以如上述說明之不定間隔之間距配置，於另一方向上以固定間隔之間距配置(參照圖10)。再者，於圖10中，D1方向上之點係以不定間隔配置，D2方向上之點陣列係以固定間隔配置。

進而，亦可設為鄰接之第1點陣列及第2點陣列間、或第1點陣列及第3點陣列一致之配置。(參照圖11、圖12、圖13、圖14)

於間距Py及間距Px中之任一者為固定間隔且另一者為不定間隔之情形時，與間距Py及間距Px均為不定間隔之情形相比，週期性之紊亂減少，散射效應減少，因此，雖然接近自然光之發光特性低下，但繞射效應引起之光提取效率提昇。即便於表面電漿子共振中，亦與間距Py及間距Px均為不定間隔之情形相比，奈米級之凹凸間隔之均勻性進一步提昇。藉此，雖然週期性之紊亂引起之色偏降低效果及光散射效應低下，但可提昇表面電漿子共振引起之光提取效率提昇效果。

另一方面，於間距Py及間距Px均為不定間隔之情形時，可提昇週期性之紊亂引起之光散射效應及色偏降低效果。即，可有效擾亂波導模態，改善光提取效率，並且可獲得 更接近自然光之發光特性，對於眩光之抑制較為有效。即便於表面電漿子共振中，雖然光提取效率提昇之效果降低，但亦可進一步提昇週期性之紊亂引起之光散射效應。

將間距Py及間距Px兩者設為不定間隔抑或是將間距Py或間距Px中之任一者設為不定間隔係可根據應用本發明之光學用基材之發光裝置之發光特性及用途等來進行各種選擇而製成最佳之結構。例如，於色偏相對地不易成為問題之普通照明用途之情形時，為了進一步提昇繞射引起之光提取效率提昇效果，採用將間距Py或間距Px中之任一者設為不定間隔之結構即可。相反地，於顏色特性或角度依存性易成為問題之顯示器用途之情形時，採用將間距Py及間距Px兩者設為不定間隔之結構即可。

又，例如於相對地難以產生表面電漿子共振引起之色偏的發光裝置之情形時，為了提昇表面電漿子共振引起之光提取效率提昇效果，採用將間距Py或間距Px中之任一者設為不定間隔之結構即可。又，於表面電漿子共振引起之色偏較大之發光裝置、或製造條件之情形時，為了提昇色偏降低效果，採用將間距Py及間距Px兩者設為不定間隔之結構即可。

又，於以固定間隔配置D1方向上之點間距離或D2方向上之點陣列間距離中之任一者之情形時，較佳為，不定間隔之間距相對於固定間隔之間距之比處於特定之範圍內。

此處，對以固定間隔Pyc配置D1方向上之點、以不定間隔Px配置D2方向上之點陣列之例進行說明。於該情形時， 不定間隔之間距Px相對於固定間隔之間距Pyc之比較佳為處於85%~100%之範圍內。若不定間隔之間距Px相對於固定間隔之間距Pyc之比為85%以上，則鄰接之點間之疊合變小，故而較佳。又，若不定間隔之間距Px相對於固定間隔之間距Pyc之比為100%以下，則構成點之凸部13之填充率提昇，故而較佳。再者，不定間隔之間距Px相對於固定間隔之間距Pyc之比更佳為處於90%~95%之範圍內。

又，若一個長週期單位Lxz或Lyz包含5個以上之點(若所屬之間距Px或Py為4個以上)，則有機EL發光裝置中產生之光之折射率之長週期之變動遠離奈米級，易於產生光散射，故而較佳。另一方面，為了獲得充分之光提取效率提昇效果，較佳為，長週期單位Lxz或Lyz包含1001個以下之點(所屬之間距Px或Py為1000以下)。

第1實施形態之光學用基材1(1a)係因滿足以上之微細結構層12(12a)之微細結構之關係，故光散射效應變得充分，且點(凸部13或凹部14)之間隔為奈米級，因此，呈現表面電漿子共振引起之光提取效率提昇效果。其結果，因奈米級之凹凸，表面電漿子共振及繞射效應引起之光提取效率提昇，同時奈米級之週期性變得紊亂，對於來自有機EL發光裝置之發光，可較強地呈現光散射性。進而，奈米級之凹凸間隔係藉由長週期變動而平穩地變動，因此，表面電漿子共振及繞射效應引起之光提取效率提昇中之色偏降低，從而可獲得更接近自然光之發光特性，且可抑制眩光。

又，如圖15所示，各點(凸部13或凹部14)之間隔係根據間距之大小而劃分區域(圖中13a~13c)。因此，各區域中受到激發之表面電漿子之激發波長不同，且其邊界平滑，因此，可於較廣之範圍內調整發光效率提昇之波長。各點(凸部13或凹部15)之間隔及長週期Lxz或Lyz之變動可任意調整，因此，可根據發光裝置之用途而適當調整發光波長。例如，若為照明用途，則可藉由選擇發光波長來選擇暖色系、自然色系及冷色等。

繼而，對構成本實施形態之光學用基材1之微細結構層12(12a)之微細結構之點形狀(凹凸結構)進行說明。若為可獲得本發明之效果之範圍，則凸部13及凹部14之形狀並無特別限定，可根據用途而適時變更。作為凸部13及凹部14之形狀，例如可使用柱形狀、孔形狀、圓錐形狀、角錐形狀及橢圓錘形狀、線與間隙結構等。又，亦可於該等結構之側面(內面)具有更微細之結構。

於光學用基材1中之微細結構層12(12a)之微細結構包含線與間隙結構之情形時，將線之長軸方向定義為第1方向。於排列於第1方向上之複數個線行中，鄰接之線之中央線間之最短距離相當於間距Px。換言之，於上述點形狀之說明中，使以間距Py排列於第1方向上之點陣列之間距Py漸近為零，將鄰接之點連接而成之狀態則相當於線與間隙結構中之線。

再者，本發明中之包含複數個凸部之線形狀係定義為線之長度與凸部寬度之比率(線長/凸部寬度)大於1者。即， 包含自長半徑/短半徑大於1之橢圓形狀直至遍及光學用基材1表面不間斷地相連之柵狀體。

作為構成線之形狀，設為遍及光學用基材1表面整面不間斷地相連之形狀抑或是設為於線長/凸部寬度大於1之範圍間斷之形狀可根據使用之用途而適當選擇。於不間斷地相連之形狀之情形時，藉由繞射而提取之光之方向之限定程度(各向異性)較強，繞射效應亦較大，因此，適於對色偏之要求較低之用途。另一方面，於在線長/凸部寬度大於1之範圍內間斷之形狀之情形時，線長越接近間距Px，則越能呈現光散射之效應，因此，可抑制色偏。因此，間斷之結構之情形適於對色偏抑制之要求較高之用途。

再者，線長/凸部寬度可根據用途而適當選擇，但較佳為1.5以上，更佳為2.5以上，最佳為5.0以上。

若間距Px為不定間隔，則可藉由線結構引起之繞射光而提取波導模態之光，並且發揮散射效應，從而可抑制眩光，故而較佳。

進而，與利用點形狀所說明之間距Px相同，間距Px可藉由兼具長週期Lxz而進一步發揮該效應。

於構成本實施形態之光學用基材1(1a)之微細結構層12(12a)之微細結構之點形狀(凹凸結構)中，較佳為，點之各個直徑對應於間距Py及/或間距Px進行增減。再者，於本發明中，所謂點之各個直徑對應於間距Py及/或間距Px進行增減係指隨著間距Py或間距Px増加，點之各個直徑増加或減少之任一情形。

以下，詳細說明對應於間距進行增減之點之直徑之例。

於本實施形態之光學用基材1(1a)中，較佳為，於間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之間距之點徑Dyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(3)之關係，並且於第1方向上排列至少1個以上以點徑Dy1~Dyn構成之點群，於間距Px為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之間距之點徑Dxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(4)之關係，並且於第2方向上排列至少1個以上以點徑Dx1~Dxn構成之點群。

Dy1<Dy2<Dy3<...<Dya>...>Dyn (3)

Dx1<Dx2<Dx3<...<Dxa>...>Dxn (4)

進而，於本實施形態之光學用基材中，較佳為，於間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之間距之點徑Dyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式(3)之關係，並且於第1方向上，以長週期單位Lyz重複排列以點徑Dy1~Dyn構成之點群，且於間距Px為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之間距之點徑Dxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式(4)之關係，並且於第2方向上以長週期單位Lxz重複排列以點徑Dx1~Dxn構成之點群。

圖16係表示長週期單位Lxz包含8行之點陣列構成之情形、即m=8之情形。於該情形時，由於n=7、a=3，因此於 長週期L1中，構成點陣列之各點之直徑Dxn中，上述式(4)之關係成立。

於圖16中，若鄰接之點間隔變寬，則點徑變小，若點間隔變窄，則點徑變大。進行增減之點徑之增減範圍若過大，則將與鄰接之點接觸，故而欠佳，若過小，則光提取效率低下，故而欠佳。對於相同長週期單位Lxz內之點之平均直徑而言，若為±20%以內，則光提取效率増加，故而較佳。

上述說明係關於若構成點之間距減少則點徑増加之例，但同樣，亦可為若構成點之間距減少則點徑相應地減少。 於任一情形時，較佳為，點徑之增減之長週期均與構成點之間距之增減之長週期一致。

藉由上述構成，相對於發射光之點之週期性之紊亂變大，有機EL發光裝置之光提取效率増加。

又，於構成本實施形態之光學用基材1(1a)之微細結構層12(12a)之微細結構之點形狀(凹凸結構)中，較佳為，各點之各個高度對應於間距Py及/或間距Px進行增減。

以下，詳細說明對應於間距而增減之點高度之例。

於本實施形態之光學用基材1(1a)中，較佳為，於間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之間距之點高度Hyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(5)之關係，並且於第1方向上排列至少1個以上以點高度Hy1~Hyn構成之點群，於間距Px為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上 m個以下之上述間距之點高度Hxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(6)之關係，並且於第2方向上排列至少1個以上以點徑Hx1~Hxn構成之點群。

Hy1<Hy2<Hy3<...<Hya>...>Hyn (5)

Hx1<Hx2<Hx3<...<Hxa>...>Hxn (6)

進而，於本實施形態之光學用基材1(1a)中，較佳為，於間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之間距之點高度Hyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式(5)之關係，並且於第1方向上以長週期單位Lyz重複排列以點高度Hy1~Hyn構成之點群，於間距Px為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之間距之點高度Hxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足上述式(6)之關係，並且於第2方向上以長週期單位Lxz重複排列以點高度Hx1~Hxn構成之點群。

圖17係表示長週期單位Lxz包含8行之點陣列之情形、即m=8之情形。於該情形時，由於n=7、a=3，因此，於長週期L1中，構成點陣列之各點之高度Hxn中，上述式(6)之關係成立。

於圖17中，若鄰接之點間隔變寬，則點高度變小，若點間隔變窄，則點高度變大。增減之點高度之增減範圍若過大，則該部分之光提取效率之不均變大，故而欠佳，若過小，則點高度之增減引起之光提取效率之提昇效果低下， 故而欠佳。對於相同長週期單位Lxz內之點之平均高度而言，若為±20%以內，則光提取效率均勻地増加，故而較佳。

藉由上述構成，相對於發射光之點之週期性之紊亂變大，有機EL發光裝置之光提取效率増加。

又，於本實施形態之光學用基材1(1a)中，較佳為，具有微細結構層12(12a)，該微細結構層12(12a)包含包括自基材11(11a)之主面在面外方向上延伸之複數個凸部13或凹部14之複數個點，且微細結構層12(12a)於基材11(11a)之主面內之第1方向上構成以固定間隔Py排列有複數個點之點陣列，且將該等點陣列以固定間隔之間距Px並排設置於與第1方向正交之第2方向上，鄰接之第1點陣列及第2點陣列間之第1方向上之偏移量α1與第2點陣列及鄰接於第2點陣列之第3點陣列間之第1方向上之偏移量α2相互不同。

根據該構成，首先，間距Py及間距Px均為固定間隔且具有週期結構，另一方面，各點陣列間之第1方向上之偏移量α1、α2相互不同，因此，構成微細結構層12(12a)之複數個點之配置之週期性紊亂，從而可產生光散射效應。

又，根據該構成，於微細結構層中，將以奈米級之固定間隔間距Px並排設置之複數個點陣列設置於基材之表面，故而，藉由繞射效應及表面電漿子共振，光提取效率提昇。

圖18係本發明之第2實施形態之光學用基材之平面示意圖。於第2實施形態之光學用基材60中，複數個點61於基 材本體之主面內之D1方向上以間距Py排列成固定間隔之間距Py，從而構成點陣列62-1~62-N。各點陣列62-1~62-N於基材本體之主面內，在與D1方向正交之D2方向上以固定間隔之間距Px並排設置。而且，以於相互鄰接之點陣列間在D1方向上產生偏移量α(位置差)之方式排列。

即，於第2實施形態之光學用基材60中，凹凸結構係設置為於D2方向上，鄰接之第1點陣列62-1及第2點陣列62-2之間之D1方向上之偏移量α1與第2點陣列62-2及鄰接於該第2點陣列62-2之第3點陣列62-3之間之偏移量α2相互不同。

藉由該構成，基材本體之主面內之斜向之複數個點61間之間距P1~間距P3變得不規則，重複圖案之週期性降低，因此，凹凸結構引起之光散射性進一步增強。

又，於第2實施形態之光學用基材60中，較佳為，偏移量α1與偏移量α2之差值不固定。藉由該構成，構成凹凸結構之複數個點62之配置之週期性、即重複圖案之週期性進一步降低，從而可進一步增強光散射性，因此，可提昇有機EL發光裝置之光提取效率，並且降低色偏，抑制眩光。

又，於第2實施形態之光學用基材60中，設置為間距Py及間距Px均成為固定間隔。因此，與在第1實施形態之光學用基材1中僅間距Px為固定間隔而D1方向之間距Py具有變動幅度δ而為不定間隔之情形相比，點60之間隔變小。藉此，雖然週期性之紊亂引起之光散射效應低下，但可藉由繞射效應及表面電漿子共振而提昇光提取效率。

又，雖然與間距Py為不定間隔之第1實施形態之光學用基材1相比，繞射效應或表面電漿子共振引起之光提取效應低下，但可進一步提昇複數個點61之配置之週期性之紊亂引起之光散射效應，從而可增加因消除波導模態而引起之光提取效率、以及抑制色偏、眩光。

於該情形時，較佳為，偏移量α1與偏移量α2之差值不固定。藉由該構成，光散射效應進一步提昇，因此，可消除波導模態，進一步提昇光提取效率，從而抑制色偏、眩光。

又，於上述本發明之第1及第2實施形態之光學用基材中，較佳為，間距Px及間距Py分別為100 nm以上1000 nm以下。若間距Px、Py處於該範圍內，則藉由於光學用基材1表面設置奈米級之凹凸，而於在光學用基材1上設置有機EL發光裝置之情形時，可藉由繞射效應及表面電漿子共振而提昇來自發光層之發光效率。藉由間距Px、Py為100 nm以上，有機EL發光裝置之光提取效率提昇，從而呈現表面電漿子共振引起之發光效率提昇之效果。又，藉由間距Px、Py為1000 nm以下，而呈現繞射效應及表面電漿子共振引起之發光效率之效果。

又，如上所述，於包含包括自基材之基材主面在面外方向上延伸之複數個凸部之線的微細結構層之情形時，即，於微細結構層12(12a)之微細結構包含線與間隙結構之情形時，較佳為，沿基材主面內之第1方向形成線結構，且於基材主面內之與第1方向正交之第2方向上，具有以間距Px 排列有複數條線之複數個線行，且間距Px為奈米級之不定間隔。

於該情形時，較佳為，不定間隔之間距Px大於線結構之凸部寬度，且至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距Pxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(7)之關係，並且於第2方向上重複排列以間距Px1~Pxn構成之長週期Lz。

Py1<Py2<Py3<...<Pya>...>Pyn (7)

繼而，說明藉由本實施形態之光學用基材，光提取效率提昇之原理。此處，以微細結構層12(12a)之微細結構為複數個點之情形進行說明。

如上所述，可藉由於光學用基材1上設置包含奈米級之凹凸(點)之微細結構層，而獲得如下四種效果：1)表面電漿子共振引起之光提取效率之改善；2)繞射效應引起之光提取效率之改善；3)因藉由光散射而消除波導模態引起之光提取效率之改善；4)抑制光散射引起之色偏及眩光之效果。

藉由重複排列包含複數個點之長週期單位Lxz，而於每一長週期單位Lxz中折射率產生變化，產生與使構成長週期單位Lxz之複數個點成為1單位進行重複之情形相同之效果。換言之，於與波長相同程度之複數個點之情形時，可利用平均折射率分佈來說明光之行為(有效介質近似(effective medium approximation))，因此，若計算空間之平均折射率分佈，則猶如長週期單位Lxz之複數個點以作 為1單位進行重複之方式作用於光。如此般，以長週期單位Lxz排列之複數個點發揮光散射效應。

又，藉由於光學用基材1表面設置奈米級之凹凸，而於凹凸之間隔引起經調諧之表面電漿子共振，從而可提昇自有機EL發光裝置中產生之光能之發光效率。或者，於凹凸之間隔中產生經調諧之繞射，從而可有效提取由導光模態封閉之發射光。

進而，於本實施形態之光學用基材中，點之各個直徑係相應於間距進行增減。空間之平均折射率分佈係依存於構成單位之體積分率而變化，因此，於長週期單位Lxz之複數個點中，若各點之體積變化，則僅此便使平均折射率分佈之變化變大，即便相同之長週期單位Lxz，光散射效應亦進一步提昇。於點間間距較窄之情形時，增大點之直徑，而於點間間距較寬之情形時，縮小點之直徑，藉此，該效果更為顯著。

進而，於本實施形態之光學用基材中，點之高度亦相應於點間間距進行增減。該情形亦與上述原因相同，若於點間間距較窄之情形時增大點高度，而於點間間距較寬之情形時縮小點高度，則長週期單位Lxz內之平均折射率分佈變大，從而使光散射效應增加。

進而，於重複地排列有包含複數個點之長週期單位Lxz之排列中，若根據間距，增減上述點之各個直徑及點之高度兩者，則由有效介質近似記述之折射率分佈之差進一步變大，故而較佳。於該情形時，若於點間間距較窄時增大 點之直徑及點之高度，於點間間距較寬時減小點之直徑及點之高度，則於空間之平均折射率分佈中，構成單位之體積分率之差變大，光散射效應進一步提昇，故而較佳。

可藉由如以上之光散射效應，而消除導光模態，提昇光提取效率。此外，可藉由凹凸之奈米級之均勻性紊亂，而降低色偏，獲得更接近自然光之發光特性，因此可抑制眩光。

(有機EL發光裝置之構成)

圖19係應用本實施形態之光學用基材1(1a)之有機EL發光裝置40之剖面示意圖。如圖19所示，有機EL發光裝置40具有至少1個光學用基材1(1a)，且發光層與光學用基材1(1a)之微細結構層12(12a)側之主面對向地配置。有機EL發光裝置40係包括依序積層於具有微細結構層12(12a)之光學用基材41(1、1a)上的發光部42、及透明導電膜層43(以ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)層為代表之TCO(Transparent Conductive Oxide，透明導電氧化物)層)。構成光學用基材41(1、1a)之材料並無限定，可使用介電質、半導體、金屬等材料。於有機EL發光裝置40中，亦可於與發光部42相接之透明導電膜層43之另一主面上設置光擴散性基材。於該情形時，光擴散性基材使來自發光部42之射出光及在光學用基材41(1、1a)上反射之光進行擴散，從而可進一步降低光之繞射引起之色偏。

此處，發光部42係藉由依序積層陰極(金屬電極)、電子注入層、電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層、電洞注入層 及陽極(透明導電膜層)而製作，且至少包括陰極、發光層及陽極之三層，且發光層設為1層以上之有機層。於該情形時，於光學用基材41(1、1a)表面以金屬面存在之情形時，亦可將光學用基材41(1、1a)作為陰極，且省略發光部42之陰極形成。關於電子注入層、電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層、電洞注入層，可一層兼具兩種以上之功能，亦可省略電洞傳輸層或電子傳輸層。必需存在發光層，作為電洞與電子相遇之場所。作為最簡單之系統，只要具有由陽極導電層與陰極導電層夾持之發光層即可。

如圖19所示，於將光學用基材41(1、1a)設為反射型之情形時，可藉由介電質、半導體或該等與金屬之組合來形成光學用基材41(1、1a)。

本發明之實施形態之發光部42係光學用基材41(1、1a)上製成之凹凸結構產生進行EL發光之光之繞射光，且與陰極之表面電漿子形成共振狀態。自有機EL發光裝置發出之光包括在光提取面之方向上行進者、及在無法提取之陰極之金屬面上行進者，但藉由陰極表面之金屬膜之凹凸而將光暫時地轉換為表面電漿子之能量，其後，作為高強度之放射光，自陰極表面朝向提取面側放射。自陰極表面放射之放射光係指向性較高，可提昇光之提取效率。出於該目的，陰極之材料宜為電子之遷移數較高且損耗較少之材料(功函數較低之材料)，因此，亦可選擇Ag、Au等，或使用與通常選擇之Al等之共蒸鍍(Al/Ag等)，但材料選擇並非必需限於該等。

於下表面發光型有機EL發光裝置之情形時，在光學用基材41(1、1a)上，首先形成陽極(透明導電膜)，繼而，依序積層電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極而完成。藉由該操作，光學用基材41(1、1a)之微細凹凸之形狀傳遞至陰極為止，使陰極形成表面電漿子共振狀態。為了傳遞形狀，各層之厚度必需極薄，而通常有機EL發光裝置各自之各層大致以20~100 nm左右而形成，故而並無問題。

圖20係應用本實施形態之光學用基材1(1a)之其他形態之有機EL發光裝置60之剖面示意圖。如圖20所示，有機EL發光裝置60係於具有微細結構層12(12a)之光學用基材61(1、1a)上介隔透明介電層62，形成透明導電膜層63，且於透明導電膜層63上積層發光部64。

此處，發光部64係藉由依序積層陽極(透明導電膜層)、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極(金屬電極)而製作，且至少包括陽極、發光層及陰極之三層，發光層係設為1層以上之有機層。由於形成透明導電膜層63，故而亦可省略發光部64之陽極形成。關於電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層，既可一層兼具二種以上之功能，亦可省略電洞傳輸層或電子傳輸層。必需存在發光層，作為電洞與電子相遇之場所。作為最簡單之系統，僅具有發光層及陰極即可。

本發明中使用之陽極、電洞注入層、電洞傳輸層、發光 層、電子傳輸層、電子注入層、陰極之製作方法並無特別限定，若以通常之下表面發光型有機EL發光裝置為例進行說明，則如下所述。即，陽極(透明導電膜層)及陰極藉由真空蒸鍍法或濺鍍法等而進行製作，電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子移動層、電子注入層藉由有機蒸鍍法或薄膜塗佈法而進行製作。

各層之積層係自靠近基材之層依序進行，故而，首先形成陽極(透明導電膜層)。於下表面發光型之有機EL發光裝置之情形時，陽極導電層必需透明，故而材質選擇ITO(Indium Tin Oxide)或ZnO(Zinc Oxide，氧化鋅)、ZTO(Zinc Tin Oxide，氧化鋅錫)等透明導電材料(TCO)。

繼而，作為孔注入、移動層，將芳香族胺化合物等成膜。α-NPD(N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-diMethylbenzidine，N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)-2,2'-二甲基聯苯胺)或CuPc(Copper phthalocyanine，酞箐藍)等芳香族胺化合物係游離電位及電洞傳輸特性較為合適，且電化學性性可逆，故而，作為電洞傳輸材料使用得最多。其次，將發光層積層。單獨用於發光層之材料可列舉作為螢光性色素化合物之BBA(2-[4-(Dibutylamino)-2-hydroxybenzoyl]benzoic acid，2-(4-二丁基胺基-2-羥基苯甲醯基)苯甲酸)或DTE(Dithioerythritol，二硫赤蘚醇)等，亦可於電洞或電子傳輸化合物中摻雜螢光性色素化合物。若使用磷光發光性材料取代螢光發光性材料，則理論轉換效率將提昇約25%至約100%，故而較佳。

繼而，將電子傳輸層積層。作為電子傳輸層，可使用二醇系(PBD(2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole，2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-二唑)等)、三唑系(TAZ(triazole))等。若使用金屬錯合物系(Alq3(8-Hydroxyquinoline aluminum salt，8-羥基喹啉鋁)等)物質，則可兼作電子傳輸層及發光層，較為方便。

最後，將陰極導電層積層。陰極導電層之材料係通常為一般於添加極少量之LiF或Li系化合物等後，將Al、Ag或Al/Ag合金等積層之方法。

於發光裝置60中，亦可於透明介電層62與透明導電膜層63之間設置未圖示之光擴散層。於該情形時，可進一步抑制色偏。

又，於發光裝置60中，亦可於與透明導電膜層63相接之發光部64之主面為相反側之主面上設置未圖示之光反射層。於該情形時，可提昇到達光學用基材61(1、1a)之光強度。

此處，對設置於本實施形態之光學用基材之表面之介電層進一步進行詳細說明。如圖21所示，本實施形態之光學用基材71(1、1a)亦可於微細結構層12(12a)之點面上具有透明導電膜層72，該透明導電膜層72具有與點形狀或線形狀相對應之形狀。進而，較佳為，將透明介電層72中之與微細結構層12(12a)為相反側之主面73平坦化。再者，所謂與點形狀或線形狀相對應之形狀係指透明介電層72所具有之點形狀或線形狀與微細結構層12(12a)所具有之點形狀或 線形狀存在於轉印形狀之關係。即，表示微細結構層12(12a)之微細結構由透明介電層72填充。

可藉由將透明介電層72中之與微細結構層12(12a)為相反側之主面73平坦化，而於用作有機EL發光裝置之情形時，抑制有機EL發光裝置之電流短路，從而提昇可靠性。平坦化之程度可結合使用之發光裝置之特性而適當選擇。例如，就抑制短路之觀點而言，較佳為Ra≦10 nm，更佳為Ra≦5 nm，進而較佳為Ra≦2 nm，最佳為Ra≦1 nm。再者，Ra可藉由原子力顯微鏡(AFM，Atomic Force Microscope)而測定，且計算Ra時之AFM測定之範圍以5 μm×5 μm進行測定。

圖22係適用本實施形態之光學用基材1(1a)之其他形態之有機EL發光裝置50之剖面示意圖。如圖22所示，有機EL發光裝置50係於發光部54上積層透明導電膜層53，且於透明導電膜層53上介隔透明介電層52貼附光學用基材51(1、1a)而構成。此時，光學用基材51(1、1a)中之透明介電層52側係以與透明導電膜層53相接之方式配置。即，光學用基材51(1、1a)中之基材11所露出之面係與發光部54相距最遠地進行配置。

於有機EL發光裝置50中，亦可於發光部54的與相接於透明導電膜層53之主面為相反側之主面上設置未圖示之光擴散層。於該情形時，可進一步抑制色偏。又，於發光裝置50中，亦可於發光部54之與相接於透明導電膜層53之主面為相反側之主面上，設置未圖示之光反射層。於該情形 時，可提昇到達光學用基材51(1、1a)之光強度。

再者，於圖22所示之有機EL發光裝置50之情形時，光學用基材51(1、1a)中之基材既可一直配置於有機EL發光裝置50上，亦可於將光學用基材51(1、1a)貼附於透明導電膜層53之後去除。進而，亦可於將光學用基材51(1、1a)貼附於透明導電膜層53上之後，將基材及微細結構層12(12a)去除。

(光學用基材之材料構成)

本發明之光學用基材1(1a)若為表面上具有週期性之點結構之基材，則無特別限定，可使用樹脂、介電質、半導體、金屬中之任一材料。

如圖19所示，於來自有機EL發光裝置之發射光反射至本發明之光學用基材41(1、1a)，自發光裝置進行發光之情形時，本發明之光學用基材41(1、1a)之表面必需至少包含金屬等反射性材料。於使用金屬作為光學用基材41(1、1a)之情形、及於光學用基材41(1、1a)上設置有有機EL發光裝置之情形時，容易獲得表面電漿子共振引起之光提取效應，故而較佳。

於該情形時，光學用基材41(1、1a)例如較佳為於具有包括介電質之點結構之光學用基材之表面上被覆金屬膜而形成。或者，藉由於介電質等之表面形成平坦之金屬膜，其後，將金屬膜實施圖案化等之方法而獲得，但製法並無特別限定。於光學用基材41(1、1a)包含樹脂基材之情形時，可藉由於具有點結構之樹脂基材上被覆金屬膜之方法而獲 得。

應用於光學用基材41(1、1a)之金屬可根據作為目標之波長而適當選擇。例如，於用於紫外光之發光裝置之情形時，較佳為，藉由電磁波之振動而使金屬之自由電子無法追蹤的頻率(電漿頻率)較高之鋁，於用於可見光範圍藍色~綠色、例如380 nm~650 nm區域之發光裝置之情形時，較佳為，使用於可見之全波長區域中呈現較高之反射率之銀或鋁，進而尤佳為使用介電常數之實部之絕對率較小之銀。於可見光範圍之紅色/例如580 nm~780 nm中，較佳為使用該波長帶中反射率較高之銀或金。

如圖20、圖22所示，於來自有機EL發光裝置之發射光穿透本發明之光學用基材1(1a)之發光裝置之構成之情形時，本發明之光學用基材1(1a)必需包含透光性之材料。

又，基材11(11a)與微細結構層12(12a)既可包含相同材料，亦可包含不同材料。若基材11(11a)與微細結構層(12a)包含不同材料，則可選擇各種各自要求之特性，故而較佳。

(基材11(11a)之材質)

作為基材11(11a)，可使用樹脂、介電質、半導體、金屬中之任一材料。例如，可使用：石英、玻璃、金屬、矽、陶瓷等無機基材、或樹脂基材等。作為樹脂基材，例如可使用：聚乙烯醇樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、環烯樹脂(COP，Cyclo Olefin Polymers)、交聯聚乙烯樹脂、聚氯乙烯樹 脂、聚氯乙烯共聚物樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯共聚物樹脂、聚芳酯樹脂、聚苯醚樹脂、改性聚苯醚樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚醚酮樹脂等非晶質熱塑性樹脂。又，作為樹脂基材，可使用：聚對苯二甲酸乙二酯(PET，Polyethylene Terephthalate)樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、芳香族聚酯樹脂、聚縮醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等結晶性熱塑性樹脂。進而，可使用丙烯酸系、環氧系、胺基甲酸酯系等紫外線(UV，Ultraviolet)硬化性樹脂或熱固性樹脂等。又，作為光學用基材41(51)，亦可使用將紫外線硬化性樹脂或熱固性樹脂與玻璃等無機基材、熱塑性樹脂、三乙酸酯樹脂等組合而成之複合基材。

若使用樹脂基材作為基材11(11a)，則可獲得可撓性且較輕之光學用基材1(1a)。又，可容易地應用於卷軸方式之製造方法等工業生產方面之優點較多。

(微細結構層12(12a)之材質)

如圖19所示，於來自有機EL發光裝置之發射光反射至本發明之光學用基材1(1a)，且自發光裝置發光之情形時，較佳為，至少微細結構層12(12a)為金屬等反射性材料。於使用金屬作為微細結構層12(12a)之情形、及於光學用基材1(1a)上設置有機EL發光裝置之情形時，容易獲得表面電漿子共振引起之光提取效應，故而較佳。又，於使用介電質等金屬以外之材料之情形時，由金屬膜被覆其表面。

於該情形時，應用於微細結構層12(12a)之金屬可根據作為目標之波長適當選擇。例如，於用於紫外光之發光裝置之情形時，較佳為，藉由電磁波之振動而使金屬之自由電子無法追蹤的頻率(電漿頻率)較高之鋁，且於用於可見光範圍藍色~綠色、例如380 nm~650 nm區域之發光裝置之情形時，較佳為，使用於可見光之全波長區域中呈現較高反射率之銀或鋁，進而尤佳為使用介電常數之實部之絕對率較小之銀。於可見光範圍之紅色、例如580 nm~780 nm中，較佳為使用該波長帶中之反射率較高之銀或金。

(作為透光性材料之微細結構層12(12a)之材質)

於來自有機EL發光裝置之發射光如圖20、圖22所示穿透本發明之光學用基材1(1a)之發光裝置之構成之情形時，本發明之光學用基材1(1a)必需包含如下透光性之材料。

進而，構成微細結構層12(12a)之材料的折射率與構成基材11(11a)之材料的折射率之差較佳為0.15以下。藉由使折射率差處於該範圍內，使自微細結構層12(12a)側向基材11(11a)側穿透之發射光在微細結構層12(12a)與基材11(11a)之界面之反射得以抑制，故而光提取效率提昇。就進一步發揮該效果之觀點而言，折射率差更佳為0.1以下。最佳為構成微細結構層12(12a)之材料之折射率與構成基材11(11a)之材料之折射率實質上相等或同等。

此處，所謂折射率實質上相等係包括界面中之反射具有對光提取效率不造成問題之程度的折射率差之情形。例如，於基材11(11a)之折射率為1.45之情形時，為實現作為 光提取效率不成為問題之0.1%以下之界面反射率，形成界面中之微細結構層12(12a)之材料的折射率必需為1.37以上1.54以下(折射率差為0.08~0.09以下左右)。因此，實質上相等之折射率包括上述範圍。再者，上述折射率同等之範圍係包括構成微細結構層12(12a)之材料的折射率與構成基材11(11a)之材料的折射率相同時(折射率差為0)之情形。

微細結構層12(12a)於直接加工基材11(11a)，形成微細結構層12(12a)之情形時，在微細結構層12(12a)與基材11(11a)之界面中，該等折射率實質上相等。另一方面，於在基材11(11a)上另行形成微細結構層12(12a)之情形時，較佳為選擇構成微細結構層12(12a)之材料的折射率於微細結構層12(12a)與基材11(11a)之界面中，該等折射率實質上相等之材料。於該情形時，構成微細結構層12(12a)之材料只要滿足上述折射率之範圍，則無特別限定，例如可使用各種公知樹脂有機樹脂、有機無機複合樹脂、無機前驅物、無機縮合物、金屬氧化物填料、金屬氧化物微粒子等，或者組合有該等之組合物。

構成微細結構層12(12a)之材料較佳為即便加熱處理後亦為光學透明。此處，加熱處理溫度較佳為150℃以上，更佳為200℃以上。加熱時間較佳為10分鐘以上。又，加熱環境較佳為低氧環境下(例如真空狀態、氮氣置換狀態等)。

作為適用於構成微細結構層12(12a)之材料之無機物，例如可包含溶膠凝膠材料或無機填料(無機微粒子)。可藉由 包含溶膠凝膠材料或無機填料(無機微粒子)，而於上述範圍內容易地調整折射率，且可抑制將本實施形態之光學用基材1用作發光裝置之情形時微細結構層12(12a)之劣化，故而較佳。構成微細結構層12(12a)之材料雖可如上所述包含溶膠凝膠材料或無機填料(無機微粒子)，但亦可僅由溶膠凝膠材料構成，亦可包含與有機樹脂(光聚合性樹脂或熱聚合性樹脂、熱塑性樹脂等)之有機無機混合材料，亦可僅由有機樹脂構成。尤其就微細結構層12(12a)之成形性、成形速度之觀點而言，較佳為包含光聚合性樹脂。

作為微細結構層12(12a)中所含之光聚合性基，可列舉丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、丙烯酸基、甲基丙烯酸基、乙烯基、環氧基、烯丙基、氧雜環丁基等。

又，作為微細結構層12(12a)中所含之金屬元素，較佳為選自由鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉻(Cr)、鋅(Zn)、錫(Sn)、硼(B)、銦(In)、鋁(Al)及矽(Si)所組成之群中之至少1種。尤佳為鈦(Ti)、鋯(Zr)、矽(Si)。

作為微細結構層12(12a)中所含之樹脂，可列舉光聚合性樹脂及熱聚合性樹脂兩者、或其中任一樹脂。例如，可列舉用作硬塗層材料之感光性樹脂，或奈米壓印微影法用途中使用之光聚合性樹脂及熱聚合性樹脂等。

形成微細結構層12(12a)之材料較佳為包含溶膠凝膠材料。藉由包含溶膠凝膠材料，微細結構層12(12a)之耐熱性提昇，故而較佳。作為溶膠凝膠材料，既可僅使用具有單 一金屬種之金屬烷氧化物，亦可併用具有不同金屬種之金屬烷氧化物，但較佳為含有具有金屬種M1(其中，M1為選自由Ti、Zr、Zn、Sn、Mg及In所組成之群中之至少1種金屬元素)之金屬烷氧化物、及具有金屬種Si之金屬烷氧化物中之至少兩種金屬烷氧化物。或者，亦可使用該等溶膠凝膠材料與公知之光聚合性樹脂之混合物。

就滿足上述折射率範圍之觀點而言，溶膠凝膠材料較佳為包含金屬種不同之至少兩種金屬烷氧化物。作為金屬種不同之至少兩種金屬烷氧化物之金屬種之組合，例如可列舉：Si與Ti、Si與Sn、Si與Zr、Si與Zn、Si與In、Si與Mg、Ti與Zr、Ti與Zn、Ti與Mg等。尤其於包含金屬種不同之兩種金屬烷氧化物且其中一種金屬烷氧化物之金屬種為Si之情形時，金屬種中具有Si之金屬烷氧化物之莫耳濃度(CSi)與具有Si以外之金屬種M1之金屬烷氧化物(CM1)之比率CM1/CSi較佳為0.2~15。就微細結構層12之成形性之觀點而言，CM1/CSi較佳為0.5~15，CM1/CSi更佳為5~8。

微細結構層12(12a)亦可為包含無機鏈段及有機鏈段之混合物。作為混合物，例如可列舉無機微粒子(無機填料)與可進行光聚合(或熱聚合)之樹脂之組合、無機前驅物與可進行光聚合(或熱聚合)之樹脂或有機聚合物與無機鏈段利用共價鍵鍵結而成之分子、與無機微粒子(無機填料)形成氫鍵之聚合物(PVP(Polyvinylpyrrolidone，聚乙烯吡咯啶酮)等)等。於使用溶膠凝膠材料作為無機前驅物之情形時，表示不僅包含含有矽烷偶合劑之溶膠凝膠材料，而且 包含可進行光聚合之樹脂。於混合物之情形時，例如可混合金屬烷氧化物、具有光聚合性基之矽烷偶合劑材料、自由基聚合系樹脂等。為了進一步提昇成形性，亦可於該等中添加聚矽氧。又，就提昇微細結構層12(12a)之成形性之觀點而言，溶膠凝膠材料部分亦可預先進行預縮合而預聚物化。就微細結構層12之成形性之觀點而言，包含矽烷偶合劑之金屬烷氧化物與光聚合性樹脂之混合比率較佳為3：7~7：3之範圍。更佳為3.5：6.5~6.5：3.5之範圍。用於混合物之樹脂只要可進行光聚合則無特別限定，可為自由基聚合系樹脂，亦可為陽離子聚合系樹脂。

作為構成微細結構層12(12a)之可進行光聚合之自由基聚合系樹脂，例如可使用作為(甲基)丙烯酸酯及光聚合起始劑之混合物之樹脂組合物。

作為(甲基)丙烯酸酯，若硬化後之玻璃轉移溫度為100℃以上，更佳為120℃以上，則無特別限定，但較佳為具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基之單體、具有乙烯基之單體、具有烯丙基之單體，更佳為具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基之單體。此處，硬化後之玻璃轉移溫度係指相對於使用之(甲基)丙烯酸酯之混合物之硬化物的玻璃轉移溫度。即，例如於使用(甲基)丙烯酸酯A、(甲基)丙烯酸酯B、(甲基)丙烯酸酯C之情形時，即便硬化後之(甲基)丙烯酸酯A、B、C之玻璃轉移溫度分別為60℃、100℃、120℃，只要該等混合物((甲基)丙烯酸酯A+(甲基)丙烯酸酯B+(甲基)丙烯酸酯C)之硬化後之玻璃轉移溫度為105℃，則採用 105℃作為玻璃轉移溫度。

作為聚合性單體，較佳為具有複數個聚合性基之多官能性單體，且聚合性基之數量方面，因聚合性優異，故較佳為1~6之整數。又，於混合使用兩種以上之聚合性單體之情形時，聚合性基之平均數較佳為2~5。於使用單一單體之情形時，為了增加聚合反應後之交聯點，獲得硬化物之物理穩定性(強度、耐熱性等)，較佳為聚合性基之數量為3以上之單體。又，於聚合性基之數量為1或2之單體之情形時，較佳為與聚合性數不同之單體一併地使用。尤其就折射率調整之觀點而言，較佳為具有苯乙烯部位(苯環部位)。

作為(甲基)丙烯酸酯單體之具體例，可列舉下述化合物。作為具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基之單體，可列舉：(甲基)丙烯酸、芳香族系之(甲基)丙烯酸酯[丙烯酸苯氧基乙酯、丙烯酸苄酯等]、烴系之(甲基)丙烯酸酯[丙烯酸硬脂醯基酯、丙烯酸月桂基酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸烯丙酯、1,3-丁二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯等]、包含醚性氧原子之烴系之(甲基)丙烯酸酯[丙烯酸乙氧基乙酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸縮水甘油酯、四氫呋喃基丙烯酸酯、二丙烯酸二乙二醇酯、二丙烯酸新戊二醇酯、二丙烯酸聚氧乙二醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯等]、包含官能基之烴系之(甲基)丙烯酸酯[丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2- 羥丙基酯、4-羥丁基乙烯基醚、N,N-二乙胺基丙烯酸乙酯、N,N-二甲胺基丙烯酸乙酯、N-乙烯基吡咯啶酮、二甲胺基甲基丙烯酸乙酯等]、聚矽氧系之丙烯酸酯等。此外可列舉：EO改性三(甲基)丙烯酸甘油酯、ECH改性三(甲基)丙烯酸甘油酯、PO改性三(甲基)丙烯酸甘油酯、季戊四醇三丙烯酸酯、EO改性磷酸三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、PO改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(丙烯醯氧基乙基)異氰尿酸酯、EO改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇羥基五(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)四(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇單乙基醚(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯基化異氰尿酸酯、1,3-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、EO改性二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯、ECH改性二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯、烯丙氧基聚乙二醇丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸1,9-壬二醇酯、EO改性雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、PO改性雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、改性雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、EO改性雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、ECH改性六氫鄰苯二甲酸二丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、羥基新戊酸 二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、EO改性二丙烯酸新戊二醇酯、PO改性二丙烯酸新戊二醇酯、己內酯改性羥基新戊酸酯新戊二醇、硬脂酸改性二(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、ECH改性二(甲基)丙烯酸丙二醇酯、ECH改性鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、聚(乙二醇-四亞甲基二醇)二(甲基)丙烯酸酯、聚(丙二醇-四亞甲基二醇)二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸四乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸三乙二醇酯、聚酯(二)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改性三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三甘油二(甲基)丙烯酸酯、EO改性三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙烯基伸乙脲、二乙烯基伸丙脲、丙烯酸2-乙基-2-丁基丙二醇酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基卡必醇酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、丙烯酸二聚物、(甲基)丙烯酸苄基酯、單(甲基)丙烯酸丁二醇酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟基酯、EO改性甲酚(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸乙酯、二丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基) 丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊氧基乙酯、(甲基)丙烯酸異肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲氧基二丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基三乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基三丙二醇酯、苯甲酸酯(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、(甲基)丙烯酸壬基苯氧基聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸壬基苯氧基聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸辛酯、對異丙苯基苯氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、ECH改性苯氧基丙烯酸酯、苯氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基六乙二醇酯、(甲基)丙烯酸苯氧基四乙二醇酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚乙二醇-聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸硬脂醯酯、EO改性琥珀酸(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸三溴苯酯、EO改性(甲基)丙烯酸三溴苯酯、(甲基)丙烯酸三(十二烷基)酯、異三聚氰酸EO改性二及三丙烯酸酯、ε-己內酯改性三(丙烯醯氧基乙基)異氰尿酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。作為具有烯丙基之單體，可列舉對異丙烯基苯酚，作為具有乙烯基之單體，可列舉苯乙烯、α-甲基苯乙烯、丙烯腈、乙烯基咔唑等。再者，所謂EO改性係指環氧乙烷改性，所謂ECH改性係指表氯醇改性，所謂PO改性係指環氧丙烷改性。又，例如，作為雙酚A系，亦可採用於雙酚A之兩端分別加成有平均各2莫耳之環氧丙烷及平均各6莫耳之環氧乙烷的聚伸烷基二醇之二甲基丙烯酸脂，或於雙 酚A之兩端分別加成有平均各5莫耳之環氧乙烷的聚乙二醇之二甲基丙烯酸脂(新中村化學工業股份有限公司製造之NK酯BPE-500)及於雙酚A之兩端分別加成有平均2莫耳之環氧乙烷的聚乙二醇之二甲基丙烯酸脂(新中村化學工業股份有限公司製造NK酯BPE-200)。例如可列舉：二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,4-環己二醇酯、二(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、二(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、2-二(對羥基苯基)丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸甘油酯、三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、聚氧基丙基三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、聚氧基乙基三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、五(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、三羥甲基丙烷三縮水甘油基醚三(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二縮水甘油基醚二(甲基)丙烯酸酯、β-羥丙基-β'-(丙烯醯氧基)鄰苯二甲酸丙酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸壬基苯氧基聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸壬基苯氧基聚伸烷基二醇酯、單(甲基)丙烯聚丙二醇酸酯等。作為胺基甲酸酯化合物，例如可列舉由六亞甲基二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、或2,2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯等二異氰酸酯化合物、與一分子中具有羥基及(甲基)丙烯基之化合物(丙烯酸2-羥基丙酯、單甲基丙烯酸寡丙二醇酯等)之反應而獲得之胺基甲酸酯化合物。具體而言，有六亞甲基二異氰酸酯與單甲基丙烯酸寡丙二醇酯(日本油脂股份有限公司製造，Blemmer PP1000)之反應物。

又，就調整折射率之觀點而言，亦可包含黏合劑樹脂。可藉由包含黏合劑樹脂，而調整折射率及提昇耐熱性，故而較佳。

黏合劑樹脂亦可為反應性黏合劑樹脂。就成形性之觀點而言，黏合劑樹脂之重量平均分子量較佳為5000~500000。為了進一步發揮上述效果，更佳為5000~100000，進而較佳為5000~60000。分散度(有時亦稱為分子量分佈)以下式之重量平均分子量與數量平均分子量之比表示。(分散度)=(重量平均分子量)/(數量平均分子量)。分散度可使用大致1~6左右者，較佳為1~4。再者，分子量係藉由日本分光股份有限公司製造之凝膠滲透層析儀(GPC，Gel Permeation Chromatography)(泵：Gulliver，PU-1580型，管柱：昭和電工股份有限公司製造之Shodex(註冊商標)(KF-807、KF-806M、KF-806M、KF-802.5)4根串列，移動層溶劑：四氫呋喃，使用聚苯乙烯標準試樣之校準曲線)而作為重量平均分子量(聚苯乙烯換算)求出。

作為黏合劑樹脂，並無特別限定，但例如可將藉由自下述兩種單體中分別使一種或一種以上之單體共聚合而獲得之樹脂用作黏合劑樹脂。

作為第1單體，例如可使用：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等(甲基)丙烯酸烷基酯，(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酸苄 酯、(甲基)丙烯酸甲氧基苄酯、(甲基)丙烯酸氯苄酯、(甲基)丙烯酸糠酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸甲苯酯、(甲基)丙烯酸萘酯等(甲基)丙烯酸芳酯，具有苯基之乙烯基化合物(例如苯乙烯)等。

較佳為，使用(甲基)丙烯酸苄酯或具有苯基之乙烯基化合物(例如苯乙烯)作為上述第2單體。(甲基)丙烯酸苄酯或具有苯基之乙烯基化合物(例如苯乙烯)較佳為於黏合劑用樹脂1分子中將10質量%~95質量%進行共聚合。尤其更佳為20質量%以上且90質量%以下。

作為光聚合起始材料，並無特別限定，較佳為於使用光學用基材1之環境中，實質上不吸收使用波長。光聚合起始劑係藉由光而引起自由基反應或離子反應者，且較佳為引起自由基反應之光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可列舉下述光聚合起始劑。

作為苯乙酮系之光聚合起始劑，可列舉：苯乙酮、對第三丁基三氯苯乙酮、氯苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、羥基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2'-苯基苯乙酮、2-胺基苯乙酮、二烷基胺基苯乙酮等。作為安息香系之光聚合起始劑，可列舉：苄基、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、苯偶醯二甲基縮酮等。作為二苯甲酮系之光聚合起始劑，可列舉：二苯甲酮系之光聚合起始劑， 可列舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、苯甲醯苯甲酸甲酯、鄰苯甲醯苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、羥基二苯甲酮、羥基丙基二苯甲酮、丙烯醯基二苯甲酮、4,4'-雙(二甲胺基)二苯甲酮、全氟二苯甲酮等。

作為9-氧硫系之光聚合起始劑，可列舉：9-氧硫 、2-氯9-氧硫、2-甲基9-氧硫、二乙基9-氧硫、二甲基9-氧硫等。

作為蒽醌系之光聚合起始劑，可列舉：2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、1-氯蒽醌、2-戊基蒽醌等。

作為縮酮系之光聚合起始劑，可列舉：苯乙酮二甲基縮酮、苯偶醯二甲基縮酮等。

作為其他光聚合起始劑，可列舉：α-醯基肟酯、苄基-(鄰乙氧羰基)-α-單肟、醯基氧化膦、乙醛酸酯、3-酮基香豆素、2-乙基蒽醌、樟腦醌、四甲基硫化甲硫碳醯胺、偶氮二異丁腈、苯甲醯基過氧化物、二烷基過氧化物、過氧化新戊酸第三丁酯等。包含氟原子之光聚合起始劑：全氟第三丁基過氧化物、全氟苯甲醯基過氧化物等公知慣用之光聚合起始劑可單獨或組合兩種以上使用。

作為市售之起始劑之例，可列舉：BASF Japan股份有限公司製造之「Irgacure(註冊商標)」(例如Irgacure 651、184、500、2959、127、754、907、369、379、379EG、819、1800、784、O26E01、O26E02)或「Darocur(註冊商標)」(例如Darocur 1173、MBF、TPO、4265)等。

構成微細結構層12之可進行光聚合之陽離子聚合系之樹 脂係指至少包含陽離子硬化性單體及光酸產生劑之組合物。所謂陽離子硬化性樹脂組合物中之陽離子硬化性單體係於陽離子聚合起始劑之存在下，例如可藉由進行UV照射或加熱等硬化處理而獲得硬化物之化合物。作為陽離子硬化性單體，可列舉：環氧化合物、氧雜環丁烷化合物及乙烯基醚化合物，作為環氧化合物，可列舉脂環式環氧化合物及縮水甘油基醚。該等中，脂環式環氧化合物係聚合起始速度提昇，氧雜環丁烷化合物具有聚合率之提昇效果，故而較佳為使用該兩者，而縮水甘油醚係使陽離子硬化性樹脂組合物之黏度降低，於塗佈性具有效果，故而較佳為使用其。更佳為，併用脂環式環氧化合物與氧雜環丁烷化合物，進而較佳為於脂環式環氧化合物與氧雜環丁烷化合物之重量比率為99：1~51：49之範圍內併用。

作為陽離子硬化性單體之具體例，可列舉以下者。作為脂環式環氧化合物，例如可列舉：3',4'-環氧環己甲酸-3,4-環氧環己基甲酯、3',4'-環氧-6'-甲基環己甲酸-3,4-環氧-6'-環己基甲酯、乙烯基環己烯一氧化物1,2-環氧-4-乙烯基環己烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷。

作為縮水甘油醚，例如可列舉：雙酚A縮水甘油醚、雙酚F縮水甘油醚、氫化雙酚A縮水甘油醚、氫化雙酚F縮水甘油醚、1,4-丁二醇縮水甘油醚、1,6-己二醇縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、縮水甘油基甲基丙烯酸酯、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基乙基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽 烷等。

作為氧雜環丁烷化合物，例如可列舉：3-乙基-3-(苯氧基甲基)氧雜環丁烷、二[1-乙基(3-氧雜環丁基)]甲醚、3-乙基-3烯丙氧基甲基氧雜環丁烷、3-乙基-3-(2-乙基己氧基甲基)氧雜環丁烷、3-乙基-3-{[3-(三乙氧基矽烷基)丙氧基]甲基}氧雜環丁烷等。

作為乙烯基醚，可列舉：2-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚、2-羥基丁基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、三乙二醇二乙烯基醚、環己烷二甲醇二乙烯基醚、1,4-丁二醇二乙烯基醚等。

光酸產生劑只要可藉由光照射而產生光酸，則無特別限定。例如可列舉鋶鹽、錪鹽等芳香族鎓鹽。作為光酸產生劑，例如可列舉：六氟銻酸鋶、苄基三苯基六氟磷酸鏻、苄基六氟磷酸吡錠、二苯基六氟磷酸錪、三苯基六氟磷酸鋶、安息香甲苯磺酸酯、Adeka Optomer sp-170(ADEKA公司製造)、Adeka Optomer sp-172(ADEKA公司製造)、WPAG-145(和光純藥工業公司製造)、WPAG-170(和光純藥工業公司製造)、WPAG-199(和光純藥工業公司製造)、WPAG-281(和光純藥工業公司製造)、WPAG-336(和光純藥工業公司製造)、WPAG-367(和光純藥工業公司製造)、CPI-100P(San-Apro公司製造)、CPI-101A(San-Apro公司製造)、CPI-200K(San-Apro公司製造)、CPI-210S(San-Apro公司製造)、DTS-102(Midori Kagaku公司製造)、TPS-TF(東洋合成工業公司製造)、DTBPI-PFBS(東洋合成工業 公司製造)等。

(透明介電層之材質)

亦可如圖21所示，於本實施形態之光學用基材之表面具有透明介電層72。

透明介電層72之折射率較佳為1.7以上2.4以下。藉此，可使用光學用基材71(1、1a)，更有效地提取有機EL發光裝置內部中成為波導模態而封閉於發光裝置內部之發射光。尤其於透明介電層72中之與微細結構層12(12a)為相反側之面73、與積層於面73上之層之界面中，較佳為，構成透明介電層72之材料之折射率與構成積層於面73上之層之材料之折射率實質上相等。尤其，積層於面73上之層若為透明導電膜，則呈現作為發光裝置之功能，故而較佳。藉由以上所述，透明介電層72之折射率可於上述範圍內，相應於使用之發光裝置之特性而適當選擇。

構成透明介電層72之材料亦可包含密度之波動(相分離)。尤其於存在50 nm~800 nm之密度波動之情形時，可於透明介電層72內部呈現散射效應，故而較佳。密度之波動可藉由構成透明介電層72之材料之相分離或於構成透明介電層72之材料中添加微粒子或填料等而達成。進而，於將該密度之波動作為折射率進行測定之情形時，若存在如折射率自透明介電層72之與微細結構層為相反側之面側(面73側)朝向微細結構面側減少之密度波動，則除了上述效果以外，亦可進一步抑制透明介電層與形成於透明介電層上之發光裝置之界面上的光之反射，故而較佳。作為上 述密度之波動，例如可列舉微粒子或填料之微粒子(填料)濃度梯度。

構成透明介電層72之材料只要滿足上述折射率範圍，則無特別限定，但可使用各種公知樹脂(有機物)、無機前驅物、無機縮合物、金屬氧化物填料、金屬氧化物微粒子等。就滿足上述折射率範圍、以及與微細結構層12(12a)為相反側之面73之平坦化及光學用基材71(1、1a)之耐環境性之觀點而言，構成透明介電層72之材料較佳為無機前驅物；無機縮合物；以及包含無機前驅物或無機縮合物及金屬填料、及無機前驅物或無機縮合物及有機物之有機無機混合物；或者包含無機前驅物或無機縮合物以及金屬填料及有機物之有機無機混合物。尤其，若於構成透明介電層之材料中包含選自由In、Sn、Ti、Zr、Zn及Mg所組成之群中的至少1種金屬元素，則滿足折射率之範圍之調整較為容易，故而較佳。

構成透明介電層72之材料較佳為即便於加熱處理後亦為光學透明。此處，加熱處理溫度較佳為150℃以上，更佳為200℃以上。加熱時間較佳為10分鐘以上。又，加熱環境較佳為低氧環境下(例如真空狀態、氮氣置換狀態等)。

再者，就折射率調整及耐環境性之觀點而言，有機無機混合材料中所含之有機物尤佳為熱聚合性樹脂、熱塑性樹脂、或者包含能與可進行光聚合之光聚合性基進行熱聚合之聚合性基中之兩者或任一者。又，較佳為具有與選自無機前驅物、無機縮合物及無機填料中之至少1種無機物形 成氫鍵之部位。

構成透明介電層72之材料中所含之無機物中，例如可包含溶膠凝膠材料。可藉由包含溶膠凝膠材料，而於上述範圍內容易地調整折射率，且可抑制將本實施形態之光學用基材71(1、1a)用作有機EL發光裝置時微細結構層12(12a)之劣化，故而較佳。構成微細結構層12(12a)之材料可如上所述包含溶膠凝膠材料，但亦可僅由溶膠凝膠材料構成，亦可於溶膠凝膠材料中含有金屬氧化物微粒子(填料)，又，亦可包含溶膠凝膠材料與有機樹脂之有機無機混合材料。

又，作為溶膠凝膠材料，不僅可使用單體(單分子)或二聚物，而且可使用局部硬化物(預聚物)。可藉由溶膠凝膠材料、尤其金屬烷氧化物局部縮合，而獲得金屬種經由氧元素而連結之預聚物。即，可藉由局部進行縮合，而製作分子量較大之預聚物。藉此，未反應之官能基數減少而變得高密度化。因此，可使折射率向更高方向變化。進而，因局部縮合，故未反應官能基減少且黏度上升、與水蒸氣等反應之官能基數減少，因此穩定性提昇。進而，透明介電層72之與微細結構層12(12a)為相反側之面73之平坦性提昇。

所謂溶膠凝膠材料係藉由熱或觸媒之作用而進行水解聚縮合從而硬化之化合物群。例如，包含金屬烷氧化物(金屬醇化物)、倍半矽氧烷化合物、金屬螯合化合物、鹵化金屬、鹵化矽烷、液狀玻璃、旋塗玻璃、矽烷偶合劑、或 該等之反應物、促進該等硬化之觸媒者。該等根據所需之物性既可單獨使用，亦可組合使用複數個。又，溶膠凝膠材料中亦可包含以聚矽氧為主之矽氧烷材料或反應抑制劑等。

就將折射率調整為較高之觀點及面73之平坦性之觀點而言，作為構成透明介電層72之材料之溶膠凝膠材料較佳為包含具有金屬種M1(其中，M1為選自由In、Sn、Ti、Zr、Zn及Mg所組成之群中之至少1種金屬元素)之金屬烷氧化物。進而，亦可含有具有該等金屬種M1之金屬烷氧化物及具有金屬種Si之金屬烷氧化物中之至少兩種金屬烷氧化物。可藉由包含具有金屬種M1之金屬烷氧化物，而調整折射率。又，藉由包含具有金屬種Si之金屬烷氧化物，構成透明介電層72之材料對於水蒸氣之穩定性提昇。可使用2成分以上之具有金屬種M1之金屬烷氧化物，亦可使用2成分以上之具有金屬種Si之金屬烷氧化物。又，不僅可使用具有金屬種M1之金屬烷氧化物及具有金屬種Si之金屬烷氧化物，而且可使用具有金屬種M2(其中，M2≠M1，且M2≠Si)之金屬烷氧化物。同樣地，亦可使用具有金屬種M3(其中，M3≠M2，M3≠M1，且M3≠Si)之金屬烷氧化物。

作為金屬種不同之兩種金屬烷氧化物之金屬種之組合，例如可列舉：Si與Ti、Si與Zr、Si與Zn、Si與Sn、Si與In、Si與Mg、Ti與Zr、Ti與Zn、Ti與Mg、In與Sn、Zn與Mg、Zn與Zr、Zn與Sn等。尤其於包含金屬種不同之兩種金屬烷氧化物，且一金屬烷氧化物之金屬種為Si之情形時，金屬 種中具有Si之金屬烷氧化物之莫耳濃度(CSi)與具有Si以外之金屬種M1之金屬烷氧化物(CM1)之比率CM1/CSi較佳為0.2~15。就微細結構層12之成形性之觀點而言，CM1/CSi較佳為0.5~15，CM1/CSi更佳為5~8。例如作為金屬種不同之3種金屬烷氧化物的金屬種之組合，可列舉：Si與Ti與Zn、Si與Ti與Mg、Si與Ti與Zr、Si與Ti與In、Si與Ti與Sn、Si與Zr與Zn、Si與Zr與In、Si與Zr與Mg、Si與In與Sn、Si與Zn與Sn、Ti與Zn與Zr、Ti與Zn與Mg、Zn與Mg與Zr等。

可藉由改變具有金屬種M1之金屬烷氧化物之莫耳濃度(CM1)與具有金屬種Si之金屬烷氧化物之莫耳濃度(CSi)之間之比，而改變原子間距離，其結果可改變折射率。CM1與CSi之間之比可於滿足0.2≦CM1/CSi≦25之範圍內進行選擇，因此，可靈活地改變折射率。此處，所謂具有金屬種Si之金屬烷氧化物之莫耳濃度(CSi)係指構成透明介電層71之材料中所含的具有金屬種Si之金屬烷氧化物之總濃度。

另一方面，所謂具有金屬種M1之金屬烷氧化物之莫耳濃度(CM1)係指構成透明介電層72之材料中所含的具有金屬種Si之金屬烷氧化物以外之所有具有金屬種之金屬烷氧化物之莫耳濃度之合計。例如，於具有金屬種Ti、金屬種Zr、金屬種Mg之金屬烷氧化物分別以CTi、CZr、CMg之莫耳濃度存在之情形時，CM1成為CTi+CZr+CMg。

就折射率可變性之觀點而言，金屬種M1較佳為選自由 In、Sn、Ti、Zr、Zn及Mg所組成之群中之至少1種。以操作性或發光元件之層構成之類觀點，選擇使用何種金屬種之金屬烷氧化物即可。

又，構成透明介電層之材料中亦可包含黏合劑聚合物、反應性稀釋材料及聚合起始材料。藉由包含該等，用於圖22所示之頂部發光型發光裝置時之貼合性提昇。作為黏合劑聚合物，可使用作為構成微細結構層12(12a)之一材料而記載之黏合劑樹脂。作為反應性稀釋材料，可使用作為構成微細結構層12(12a)之一材料而記載之可進行光聚合之自由基聚合系樹脂、可進行光聚合之陽離子聚合系樹脂或該等之混合物。作為聚合起始材料，可使用作為構成微細結構層12(12a)之一材料而記載之光聚合起始材料或光酸產生材料。

本實施形態之光學用基材1(1a)係微細凹凸結構之尺寸為奈米尺度，故而於製作使用有光學用基材1(1a)之有機EL發光裝置時，可容易地使透明介電層72與透明導電膜層之界面平坦化。

本發明之光學用基材1(1a)亦可於基材11(11a)與微細結構層12(12a)之界面位置、或基材11(11a)之與微細結構層12(12a)為相反側之面上設置障壁層。可藉由設置障壁層，而提昇將本發明之光學用基材1(1a)用於有機EL發光裝置時的有機EL發光裝置之可靠性，故而較佳。障壁層例如可由氧化矽、氮化矽等無機氧化物或無機氮化物、類鑽碳(DLC，Diamond-like carbon)等形成。阻氣層更佳為多 層。為發揮充分之阻氣性，阻氣層之厚度設為5 nm以上，更佳為10 nm以上，進而較佳為50 nm以上。反之若過厚，則亦產生阻氣層中出現龜裂等不良情況，故而阻氣層之厚度較佳為10 μm以下，進而較佳為1 μm以下。

(光擴散性基材)

又，亦可於使用本實施形態之光學用基材1(1a)之有機EL發光裝置中配置光擴散性基材。光擴散性基材可由具有光擴散功能之薄片(板狀體)或具有光擴散功能之膜形成。具體而言，作為光擴散性基材，可使用薄片或膜內分散有光擴散材者、於薄片或膜表面形成有具有光擴散性之結構者、組合擴散材與具有光擴散性之結構而成者等。考量發光裝置中適用之波長之指向性等而自該等中選用即可。

作為薄片或膜內分散有光擴散材之光擴散性基材之一例，可使用惠和股份有限公司製造之Olpas。作為於薄片或膜表面形成有具有光擴散性之結構之光擴散性基材之一例，可使用Luminit公司製造之LIGHT SHAPING DIFFUSER。

作為構成光擴散性基材之薄片或膜，可使用玻璃或樹脂等，但就加工性之優異程度或輕量等觀點而言，較佳為使用樹脂。又，作為光擴散材，可使用空氣等低折射率材料、氧化鈦等高折射率材料。

藉由減少光擴散性基材之界面反射，光之提取效率提昇，因此，較佳為使用黏著材料或接著劑貼附具有光擴散功能之薄片或膜。又，亦就阻氣性之觀點而言，較佳為， 製成藉由使用黏著材料或接著劑貼附具有光擴散功能之薄片或膜而不設置空氣層之構成。

繼而，對本發明之光學用基材1(1a)之製造方法進行說明。但以下所示之製造方法係為一例，光學用基材1(1a)之製造方法並不限定於此。

本實施形態之光學用基材1(1a)可藉由奈米壓印、EB(Electron Beam，電子束)繪圖、光微影法、干涉曝光等而製作。

圖23係表示光學用基材之製造方法之一例的說明圖。如圖23所示，曝光裝置400係藉由未圖示之輥握持部而握持被覆有光阻層之輥狀構件401，且包括旋轉控制部402、加工頭部403、移動機構部404及曝光控制部405。旋轉控制部402係以輥狀構件401之中心為軸，使輥狀構件401旋轉。加工頭部403係照射雷射光，將輥狀構件401之光阻層曝光。移動機構部404係使加工頭部403以控制速度沿著輥狀構件401之長軸方向移動。曝光控制部405係基於與旋轉控制部402使輥狀構件401之旋轉同步之基準信號，控制加工頭部403之雷射曝光之脈衝信號。

曝光裝置400對輥狀構件401之加工係藉由於使輥狀構件401旋轉之狀態下，自加工頭部403照射脈衝雷射而進行。加工頭部403係一面照射脈衝雷射，一面藉由移動機構部404而沿輥狀構件401之長軸方向移動。根據輥狀構件401之旋轉數及脈衝雷射之頻率，以任意之間距於旋轉方向上之輥狀構件401之外周面之光阻層上記錄圖案406。其成為 卷軸式奈米壓印模具之D1方向之間距Py。

進而，由於沿著輥狀構件401之長軸方向進行掃描，因此，當輥狀構件401自任意位置起旋轉1周時，則加工頭部403於長軸方向上產生偏移。其成為卷軸式奈米壓印模具之D2方向之間距Px。與輥狀構件401之周長相比，圖案406之間距Py、Px為奈米級，極其小，因此，可一面維持D1方向之間距Py，一面形成長軸方向上觀察時D1方向之偏移量不一致之行狀圖案。進而，如上所述，圖案406之間距Py、Px與輥狀構件401之周長相比極小，故而D1方向與D2方向實質上正交。

輥狀構件401係於形成為圓筒狀之構件中具有旋轉軸者，且作為材質，可使用金屬、碳芯、玻璃、石英等。由於輥狀構件401必需為可進行高旋轉之加工精度，故而材質較佳為金屬、碳芯等。進而，亦可僅進行雷射曝光之圓筒表面部由不同材料被覆。尤其於使用熱反應型光阻時，為了提昇隔熱效果，較佳為適用導熱率低於金屬之材料，可列舉玻璃、石英、氧化物、氮化物等。亦可將被覆於圓筒表面之層用作將下述光阻層作為光罩進行蝕刻之蝕刻層。

被覆輥狀構件401之光阻若為可由雷射光進行曝光者，則無特別限定，可使用光硬化型光阻、光放大型光阻、熱反應型光阻等。尤其熱反應型光阻可以比雷射光之波長小之波長形成圖案，故而較佳。

熱反應型光阻較佳為有機光阻或無機光阻。藉由該等光 阻而形成之光阻層可為單層結構，亦可為組合複數層光阻層而成之多層結構。再者，選擇何種光阻可根據步驟或要求加工精度等來適當變更。例如，於形成被覆輥狀構件401之光阻層時，可利用輥式塗佈機等塗佈有機光阻，因此步驟較為簡便。但，因塗佈於套筒上，故光阻之黏性存在限制，塗佈厚度精度或控制、或者多層塗佈較為困難。

作為有機光阻，如資訊機構(股份有限公司)出版之「最新光阻材料手冊」或工業調查會(股份有限公司)之「光聚合物手冊」中所示，可列舉：酚醛清漆樹脂或酚醛清漆樹脂與重氮基萘醌之混合物、甲基丙烯酸酯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯系樹脂、酚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚矽氧樹脂、聚酯系樹脂、環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂、乙烯系樹脂等。

另一方面，無機光阻較佳為藉由電阻加熱蒸鍍法或電子束濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法等氣相法等來設置被覆輥狀構件401之光阻層。該等方法通常為真空製程，故形成於套筒上將耗費工時，但可精度較佳地控制膜厚，又，易於積層多層。

無機光阻材料可藉由進行反應之溫度而進行各種選擇。例如，作為無機光阻材料，可列舉：Al、Si、P、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Se、In、Sn、Sb、Te、Pb、Bi、Ag、Au及該等之合金。又，無機光阻材料亦可使用Mg、Al、Si、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Se、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、In、 Sn、Sb、Te、Ba、Hf、Ta、W、Pt、Au、Pb、Bi、La、Ce、Sm、Gd、Tb、Dy之氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物、硫化物、硫氧化物、氟化物、氯化物或該等之混合物。

於使用熱反應型光阻材料作為被覆輥狀構件401之光阻之情形時，亦可於形成下述圖案之曝光前，實施以低於圖案形成時之溫度處理光阻之預加熱。可藉由追加預加熱，而提昇圖案形成時之圖案解析度。藉由預加熱而使圖案解析度提昇之機制之詳細情況尚不明確，但推測於利用熱反應型光阻材料之熱能形成光阻層之材料之變化基於複數個反應之情形時，藉由預加熱而使圖案形成時之反應以外事先結束，藉此，圖案形成反應變為單一，從而提昇圖案解析度。

作為對被覆輥狀構件401之光阻進行預加熱之方法，並無特別限制，可列舉對輥狀構件整體進行加熱之方法，或以相較利用雷射將輥狀構件401進行圖案化較低之輸出掃描輥表面整面，對光阻照射熱能的方法等。

若使用熱反應型光阻，作為被覆輥狀構件401之光阻，則於以基於與下述旋轉同步之基準信號進行相位調變之脈衝信號進行曝光之情形時，形成圖案之點之各個直徑對應於間距Py及/或間距Px進行增減，故而較佳。於使用熱反應型光阻之情形時，點之直徑對應於間距進行增減之明確機制尚不明確，但進行如下推測。

於熱反應型光阻之情形時，利用由照射部照射之雷射之 熱能形成光阻層之材料中產生變化，導致蝕刻特性進行變化，藉此，形成圖案。此時，進行照射之熱並未全部用於光阻層之變化，一部分進行畜熱且導熱至鄰接之區域。因此，鄰接之區域中之熱能除了照射能以外，且受到來自鄰接區域之傳熱能。於奈米級之圖案形成中，無法忽視該傳熱能之作用，傳熱之作用係與形成圖案之點間距離成反比，因此，其結果，所得之圖案直徑受到鄰接點間距離之影響。

此處，若點間距離藉由相位調變而改變，則每個點中，上述傳熱能之作用不同，若點間距離較寬，則傳熱能之作用變小，導致點徑變小，若點間距離較窄，則傳熱能之作用增大，導致點徑增大。

又，若使用熱反應型光阻，作為被覆輥狀構件401之光阻，且設置下述蝕刻層，控制圖案之加工深度，則與上述相同，於以基於與旋轉同步之基準信號進行相位調變之脈衝信號進行曝光之情形時，形成圖案之點之各個高度對應於間距Py及/或間距Px進行增減，故而較佳。於併用熱反應型光阻與蝕刻層之情形時，點之直徑對應於間距Px進行增減之機制尚不明確，但可根據上述之點徑對應於點間距離進行增減之情況進行說明。

即，於奈米級之圖案化中，存在蝕刻深度對應於點徑進行增減，且若點徑變寬則蝕刻深度變深，點徑變窄則蝕刻深度變淺之傾向。尤其蝕刻方法為乾式蝕刻時，較為明顯。可認為其原因在於，蝕刻劑之更換或蝕刻產物之脫離 未迅速進行。

如上所述，當使用熱反應型光阻時，點間距離較寬則點徑變小，點間距離較窄則點徑增大。由於存在蝕刻深度對應於點徑進行增減之傾向，因此，其結果，點間距離較寬則點深度變淺，點間距離較窄則點深度變深。

以上點間距離與點徑、點深度之增減之影響於平均間距減小時較為明顯。推測其原因在於上述傳熱能之影響增大。

於本發明中，可利用被覆輥狀構件401之光阻層，直接用作卷軸式奈米壓印模具，又，亦可藉由將光阻層作為光罩，對輥狀構件401之表面基材進行蝕刻來形成圖案。

可藉由於輥狀構件401上設置蝕刻層，而自由地控制圖案之加工深度，且，將熱反應光阻層之厚度選擇為最適合加工之膜厚。即，可藉由控制蝕刻層之厚度，而自由地控制加工深度。又，由於加工深度可利用蝕刻層來控制，故而熱反應型光阻層選擇曝光或顯影較為容易之膜厚即可。

進行曝光之加工頭部403中使用之雷射較佳為波長150 nm以上550 nm以下。又，就波長之小型化及獲得之容易性觀點而言，較佳為使用半導體雷射。半導體雷射之波長較佳為150 nm以上550 nm以下。其原因在於，於波長短於150 nm之情形時，雷射之輸出變小，難以將被覆輥狀構件401之光阻層曝光。另一方面，該原因在於，於波長長於550 nm之情形時，無法將雷射之點徑設為500 nm以下，從而難以形成較小之曝光部。

另一方面，為了形成點尺寸較小之曝光部，較佳為使用氣體雷射作為用於加工頭部403之雷射。尤其XeF、XeCl、KrF、ArF、F2之氣體雷射係波長較短為351 nm、308 nm、248 nm、193 nm、157 nm，可聚光為極小之點尺寸，故而較佳。

又，作為用於加工頭部403之雷射，可使用Nd：YAG雷射之2倍波、3倍波、4倍波。Nd：YAG雷射之2倍波、3倍波、4倍波之波長分別為532 nm、355 nm、266 nm，可獲得較小之點尺寸。

於藉由曝光而於輥狀構件401之表面上所設置之光阻層上形成微細圖案之情形時，輥狀構件401之旋轉位置精度極高，若首先以於焦點深度內具有構件表面之方式調整雷射之光學系統，則製造較為容易。然而，保持適合奈米壓印之程度之輥尺寸精度、旋轉精度極為困難。因此，較佳為，用於曝光之雷射由物鏡進行會聚，且以輥狀構件401表面於焦點深度之中不間斷地存在之方式進行自動聚焦。

旋轉控制部402若為具有使輥狀構件401以輥之中心為軸進行旋轉之功能的裝置，則無特別限制，例如較佳為轉軸馬達等。

作為使加工頭部403在輥狀構件401之長軸方向上移動之移動機構部404，只要可以經控制之速度移動加工頭部403，則無特別限制，可較佳地列舉線性伺服馬達等。

圖23所示之曝光裝置400係形成於輥狀構件401之表面上之曝光圖案藉由基於與旋轉控制部402之旋轉(例如轉軸馬 達之旋轉)同步之基準信號進行相位調變之脈衝信號而利用曝光控制部405控制曝光部之位置。作為基準信號，可使用與轉軸馬達之旋轉同步之來自編碼器之輸出脈衝。

基於與旋轉同步之基準信號進行相位調變之脈衝信號例如以如下方式控制。

使用圖24A~24C，對轉軸馬達之Z相信號與基準脈衝信號、調變脈衝信號之關係進行說明。以Z相信號為基準，其m倍(m>2之整數)頻率之脈衝信號為基準脈衝信號，n倍(m/n>k且k>1之整數)頻率之脈衝信號成為調變脈衝信號。基準脈衝信號、調變脈衝信號均為Z相信號之頻率之整數倍，因此，於輥狀構件401圍繞中心軸旋轉1周之時間內存在整數之脈衝信號。

繼而，使用圖25，對基準脈衝信號與調變脈衝信號、相位調變脈衝信號之關係進行說明。若以調變脈衝信號之波長使基準脈衝信號之相位週期性增減，則成為相位調變脈衝信號。例如，若以下式(8)表示基準脈衝頻率fY0，以下式(9)表示調變頻率fYL，則經頻率調變之調變脈衝信號fY以下式(10)表示。

又，如下式(11)所示，亦可藉由將基準脈衝頻率fY0加上自調變脈衝信號獲得之正弦波而獲得相位調變脈衝信號fY。

fY'=fY0+C'sin(t．fYL/fY0×2π) (11)

進而，可藉由將基準脈衝之脈衝波長LY0加上自調變脈衝信號之波長LYL獲得之正弦波而獲得相位調變脈衝信號之波長LY。

如圖25所示，所得之相位調變脈衝信號成為基準脈衝信號之脈衝間隔對應於調變脈衝信號之信號間隔週期性增減的信號。

又，於曝光裝置400中，亦可構成為不依賴經相位調變之脈衝信號，而使用固定頻率之基準脈衝信號，控制加工頭部403之雷射曝光之脈衝信號，使移動機構部404令加工頭部403移動之移動速度週期性增減。於該情形時，例如圖26所示，週期性增減加工頭部403之移動速度。圖26所示之移動速度為基準移動速度±σ之移動速度之例。該移動速度較佳為與輥狀構件401之旋轉同步，例如，以Z相信號中之速度成為圖26所示之速度之方式進行控制。

以上係利用週期性相位調變來控制圖案406之情形，但亦可利用非週期性且隨機之相位調變來形成圖案406。例如於D1方向上，由於間距Py與脈衝頻率成反比，因此，若以脈衝頻率中，最大相移達到1/10之方式進行隨機頻率調變，則間距Py具有間距Py之1/10之最大變動幅度δ1，從而可獲得間距Py隨機增減之圖案。

關於與旋轉同步之基準信號之控制頻度，可藉由輥每1周等複數次以上之頻度之基準信號來控制調變脈衝信號，亦可僅利用曝光初期設定之初始基準信號來控制。於僅利 用初始基準信號來控制之情形時，旋轉控制部402之旋轉數中產生調變時，曝光脈衝信號中將產生相位調變。其原因在於，由於為奈米級之旋轉控制，故即便旋轉控制部402之略微之電位變動，亦產生奈米級之間距變動，且將該間距變動進行累積。假設於500 nm間距之圖案間距之情形時，若輥外周長為250 mm，則需50萬次雷射曝光，即便每1萬次產生1 nm之偏移，亦達到50 nm之偏移。

即便為相同之間距、相同之長週期，亦可藉由基準信號之控制頻度之調整而製作圖9及圖11所示之配置之微細結構。於形成圖9所示之配置之微細結構之情形時，降低基準信號之控制頻度，於形成圖11所示之配置之微細結構之情形時，提昇基準信號之控制頻度。因此，於圖11所示之配置中，相應之點之第2方向之相位(位置)一致，而於圖9所示之配置中，相應之點之第2方向之相位(位置)產生偏移。圖10及圖12所示之配置之關係亦為相同。

進而，因相同原因，即便第1方向之間距Py、第2方向之間距Px分別為等間距，亦如圖18所示之第2實施形態之光學用基材60般，以D2方向上鄰接之第1點陣列62-1及第2點陣列62-2之間之D1方向上之偏移量α1與第2點陣列62-2及鄰接於該第2點陣列62-2之第三點陣列62-3之間之偏移量α2相互不同之方式進行設置，且偏移量α1與偏移量α2之差值不固定。

藉由該構成，基材本體之主面內之斜向之複數個點61間之間距P1~間距P3變得不規則，重複圖案之週期性降低， 故而，凹凸結構引起之光散射性進一步增強。

對藉由曝光裝置400而將設於表面之光阻層曝光之輥狀構件401進行顯影，並將經顯影之光阻層作為光罩，藉由乾式蝕刻而對蝕刻層進行蝕刻。於蝕刻後，若去除殘渣之光阻層，則可獲得卷軸式奈米壓印模具。

作為將以上述方式獲得之圖案406轉印至特定之基材，獲得本實施形態之光學用基材的方法，並無特別限定，例如，可藉由奈米壓印微影法而將圖案轉印至特定之基材表面，並將轉印圖案部分作為光罩，藉由乾式蝕刻來蝕刻基材，藉此，將圖案406轉印至基材。具體而言，將形成有圖案406之輥狀構件401用作圓筒型模具(卷軸式奈米壓印模具)。可於基材之表面側形成包含有機材料之光阻層，且將圓筒型模具擠壓至該光阻層，將圖案406轉印至光阻層後，藉由自表面側蝕刻光阻層及基材而於基材之表面側形成微細凹凸結構，製成本發明之光學用基材。

又，亦可列舉如下方法：不直接將圖案406自圓筒型模具(輥狀構件401)轉印至基材，而將圖案406暫時轉印至膜上，形成樹脂模後，藉由利用該樹脂模之奈米壓印微影法而於基材上形成圖案，獲得本實施形態之光學用基材。可藉由該方法，而提昇模具之利用效率，吸收基材之平坦性，因此，作為將圖案轉印至基材之方法，更佳為樹脂模之奈米壓印微影法。

作為將圖案406自圓筒型模具轉印至樹脂模之方法，並無特別限定，例如可適用直接奈米壓印法。作為直接奈米 壓印法，可列舉以下方法：一面以特定溫度進行加熱，一面將熱固性樹脂填充至圓筒型模具之圖案406中，且將圓筒型模具冷卻後，將已硬化之熱固性樹脂脫模進行轉印的熱奈米壓印法；或者，對填充至圓筒型模具之圖案406之光硬化性樹脂照射特定波長之光，使光硬化性樹脂硬化後，自圓筒型模具，將已硬化之光硬化性樹脂脫模進行轉印的光奈米壓印法。

由於圓筒型模具(輥狀構件401)係無縫之圓筒狀模具，故而尤其適於藉由卷軸式奈米壓印而連續轉印樹脂模。

又，亦可列舉如下方法：藉由電鑄而自轉印有圖案406之樹脂模製作電鑄模具，且藉由奈米壓印微影法而利用該電鑄模具形成圖案。形成電鑄模具之情形係於延長作為母模之圓筒型模具之壽命方面較佳，且亦於暫時形成電鑄模具之方式中，可吸收基材之平坦性，因此，進而較佳為形成樹脂模之方法。

進而，於樹脂模法中，由於重複轉印較為容易故而較佳。此處，所謂「重複轉印」係指如下情形中之任一者或兩者：(1)自具有凸凹圖案形狀之樹脂模(+)，製造複數個經轉印反轉之凹凸圖案轉印物；或者，(2)尤其於將硬化性樹脂組合物用作轉印劑之情形時，自樹脂模(+)獲得經反轉之轉印體(-)，繼而，將轉印體(-)作為樹脂模(-)，獲得經反轉轉印之轉印體(+)，且重複凸凹/凹凸/凸凹/凹凸/.../地進行圖案反轉轉印。

可藉由將如上述般獲得之圖案406轉印至基材，而獲得 本實施形態之光學用基材1(1a)。作為轉印方法並無特別限定，例如可列舉藉由奈米壓印微影法而利用樹脂將圖案轉印至基材表面，且將轉印圖案部分作為光罩，藉由乾式蝕刻來蝕刻基材，獲得具有圖案406之光學用基材1(1a)之方法；或者，藉由奈米壓印法而將圖案406之反轉結構轉印至基材表面之方法等。

(平板狀光學用基材1(1a)) <方法(1)>

利用上述任一方法自圓筒狀模具製作平板狀模具。繼而，將平板狀模具作為模具，將圖案406轉印至微細結構層12(12a)之原料，藉此，可獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

例如，於使用光硬化性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(11)~(14)而獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

(11)藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將光硬化性樹脂配置於平板狀模具之圖案406上。或者，藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將光硬化性樹脂配置於玻璃板或玻璃膜之類的無機基材、或透明耐熱性樹脂(透明聚醯亞胺等)上。

(12)利用基材與平板狀模具夾持上述光硬化性樹脂。

(13)自平板狀模具側或基材中之至少一者照射光，使光硬化性樹脂硬化。

(14)將基材與平板狀模具剝離。

再者，較佳為，於步驟(11)之前，對平板狀模具之圖案 406面進行脫模處理。又，為了提昇與光硬化性樹脂之密接性，步驟(12)中使用之基材亦可實施用以與光硬化性樹脂之化學鍵結、或浸透等物理結合的易接著塗佈(矽烷偶合處理等)、底塗處理、電暈處理、電漿處理、UV/臭氧處理、高能量線照射處理、表面粗化處理、多孔質化處理等。進而，亦可於低氧環境下進行步驟(13)中之光照射。亦可於所得之光學用基材1(1a)之圖案面上配置覆蓋膜。

於使用以PDMS(Polydimethyl siloxane，聚二甲基矽氧烷)為代表之熱固性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(21)~(24)而獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

(21)藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將熱固性樹脂配置於平板狀模具之圖案406上。

(22)將熱固性樹脂均質地調平。

(23)於加熱環境下去除溶劑，並且使熱固性樹脂硬化。

(24)將熱固性樹脂與平板狀模具剝離。

再者，較佳為，於步驟(21)之前，對平板狀模具之圖案406面進行脫模處理。又，亦可將所得之光學用基材1(1a)貼合於其他基材上。亦可於所得之光學用基材1(1a)之圖案面上配置覆蓋膜。

於使用熱塑性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(31)~(34)而獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

(31)將熱塑性樹脂夾持於平板狀模具與擠壓板之間。

(32)以熱塑性樹脂之Tg(Glass Temperature，玻璃化溫度)以上之溫度，施加壓力。

(33)冷卻至低於Tg之溫度為止。

(34)將熱塑性樹脂與平板狀模具剝離。

再者，較佳為，於步驟(31)之前，對平板狀模具之圖案406面進行脫模處理。又，亦可於步驟(31)之時間點，預先加熱平板狀模具或擠壓板中之至少任一者。又，步驟(32)之加熱係自平板狀模具或擠壓板中之至少一者進行加熱即可，較佳為，至少加熱平板狀模具側。又，亦可將所得之光學用基材1(1a)貼合於其他基材上。亦可於所得之光學用基材1(1a)之圖案面上配置覆蓋膜。

於使用以金屬烷氧化物為代表之無機前驅物之情形時，可藉由如下步驟(41)~(45)而獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

(41)藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將無機前驅物配置於平板狀模具之圖案406上。或者，藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將無機前驅物配置於包含PDMS或樹脂之基材上。

(42)促進無機前驅物之縮合。

(43)利用基材與平板狀模具夾持上述無機前驅物。

(44)進一步促進縮合，使無機前驅物硬化。

(45)將基材與平板狀模具剝離。

再者，即便不進行步驟(41)之對包含PDMS或樹脂之基材之塗佈，省略步驟(43)，而於步驟(45)中將無機前驅物之硬化物與平板狀模具剝離，亦可獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

再者，較佳為，於步驟(41)之前，對平板狀模具之圖案406面進行脫模處理。又，為了提昇與無機前驅物之密接性，步驟(41)中使用之基材亦可實施用以與無機前驅物進行化學鍵結、或浸透等物理結合的易接著塗佈(矽烷偶合處理等)、底塗處理、電暈處理、電漿處理、UV/臭氧處理、高能量線照射處理、表面粗化處理、及多孔質化處理等。亦可於所得之光學用基材1(1a)之圖案面上配置覆蓋膜。

<方法(2)>

自圓筒狀模具製作平板狀模具。繼而，將平板狀模具作為模具，將圖案406轉印至光硬化性樹脂、熱固性樹脂、無機前驅物、或熱塑性樹脂，且進行殘膜處理，將所得之圖案作為光罩，加工基材，藉此，可獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

例如，於使用光硬化性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(51)~(56)而獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

(51)藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將光硬化性樹脂配置於平板狀模具之圖案406上。或者，藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將光硬化性樹脂配置於玻璃板或玻璃膜之類的無機基材、或透明耐熱性樹脂(透明聚醯亞胺等)上。

(52)利用基材與平板狀模具夾持著上述光硬化性樹脂進行擠壓。

(53)自平板狀模具側或基材中之至少一者照射光，使光 硬化性樹脂硬化。

(54)將基材與平板狀模具剝離。

(55)將轉印形成於基材上之圖案之殘膜去除。

(56)將所得之圖案作為光罩，蝕刻基材。

再者，較佳為，於步驟(51)之前，對平板狀模具之圖案406面進行脫模處理。又，為了提昇與光硬化性樹脂之密接性，步驟(52)中使用之基材亦可實施用以與光硬化性樹脂之化學鍵結、或浸透等物理結合的易接著塗佈(矽烷偶合處理等)、底塗處理、電暈處理、電漿處理、UV/臭氧處理、高能量線照射處理、表面粗化處理、多孔質化處理等。

進而，亦可於低氧環境下進行步驟(53)中之光照射。又，步驟(55)之殘膜處理可藉由乾式蝕刻來進行，亦可藉由濕式蝕刻來進行，但就抑制底切之觀點而言，較佳為乾式蝕刻。進而，亦可於步驟(56)之後，追加去除光硬化性樹脂殘渣之蝕刻步驟。亦可於所得之光學用基材1(1a)之圖案面上配置覆蓋膜。

又，亦可藉由類似方法將熱固性樹脂或無機前驅物用於轉印材，獲得本實施形態之繞射下述基材。亦可於所得之光學用基材1(1a)之圖案面上配置覆蓋膜。

<方法(3)>

自圓筒狀模具製作平板狀模具。繼而，將平板狀模具作為模具，將圖案406轉印至光硬化性樹脂、熱固性樹脂、無機前驅物、或熱塑性樹脂，獲得具有與圖案406反轉之 結構之模具(G1)。可將所得之模具(G1)作為模板，再次將圖案轉印至微細結構層12(12a)之原料，或者藉由以Ni為代表之電鑄，獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

模具(G1)可使用方法(1)中所得之光學用基材1(1a)。

例如，於使用光硬化性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(61)~(64)而獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

(61)藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將光硬化性樹脂配置於模具(G1)之圖案406上。或者，藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將光硬化性樹脂配置於玻璃板或玻璃膜之類的無機基材、或透明耐熱性樹脂(透明聚醯亞胺等)上。

(62)利用基材與模具(G1)夾持上述光硬化性樹脂。

(63)自模具(G1)側或基材中之至少一者照射光，使光硬化性樹脂硬化。

(64)將基材與模具(G1)剝離。

較佳為，於步驟(61)之前，對模具(G1)之圖案406面進行脫模處理。或者，較佳為使構成模具(G1)之圖案之材料由含氟樹脂、含甲基之樹脂、以PDMS為代表之聚矽氧、或組合有該等之材料構成。進而，亦可於進行脫模處理之前，於模具(G1)之圖案面上形成包含金屬、金屬氧化物、或金屬及金屬氧化物之層。

又，為了提昇與光硬化性樹脂之密接性，步驟(62)中使用之基材亦可實施用以與光硬化性樹脂之化學鍵結、或浸透等物理結合的易接著塗佈(矽烷偶合處理等)、底塗處 理、電暈處理、電漿處理、UV/臭氧處理、高能量線照射處理、表面粗化處理、多孔質化處理等。進而，亦可於低氧環境下進行步驟(63)中之光照射。

於使用彎曲性較低之無機基材作為步驟(61)中使用之基材之情形時，模具(G1)較佳為具有彎曲性之構成者，且於使用彎曲性較高之膜基材作為步驟(61)中使用之基材之情形時，模具(G1)可使用彎曲性較低之構成者，亦可使用彎曲性較高者。亦可於所得之光學用基材1(1a)之圖案面上配置覆蓋膜。

於使用以PDMS為代表之熱固性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(71)~(74)而獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

(71)藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將熱固性樹脂配置於模具(G1)之圖案33上。

(72)將熱固性樹脂均質地調平。

(73)於加熱環境下去除溶劑，並使熱固性樹脂硬化。

(74)將熱固性樹脂與模具(G1)剝離。

再者，較佳為，於步驟(71)之前，對模具(G1)之圖案406面進行脫模處理。又，亦可將所得之光學用基材1(1a)貼合於其他基材上。作為模具(G1)，較佳為選定採用於熱硬化溫度下不變質之構成之模具。亦可於所得之光學用基材1(1a)之圖案面上配置覆蓋膜。

於使用熱塑性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(81)~(84)而獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

(81)將熱塑性樹脂夾持於模具(G1)與擠壓板之間。

(82)於熱塑性樹脂之Tg以上之溫度下施加壓力。

(83)冷卻至低於Tg之溫度為止。

(84)將熱塑性樹脂與模具(G1)剝離。

較佳為，於步驟(81)之前，對模具(G1)之圖案406面進行脫模處理。又，亦可於步驟(81)之時間點，預先加熱模具(G1)或擠壓板中之至少任一者。又，步驟(82)之加熱係自模具(G1)或擠壓板之至少一者進行加熱即可，較佳為至少加熱模具(G1)側。又，亦可將所得之光學用基材1(1a)貼合於其他基材上。作為模具(G1)，較佳為選定採用在步驟(82)中使用之加熱溫度下不變質之構成之模具。亦可於所得之光學用基材1(1a)之圖案面上配置覆蓋膜。

於使用以金屬烷氧化物為代表之無機前驅物之情形時，可藉由如下步驟(91)~(95)而獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

(91)藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將無機前驅物配置於模具(G1)之圖案406上。或者，藉由澆鑄或旋轉塗佈法、噴墨法等方法而將無機前驅物配置於包含PDMS或樹脂之基材上。

(92)促進無機前驅物之縮合。

(93)由基材與模具(G1)夾持上述無機前驅物。

(94)進一步促進縮合，使無機前驅物硬化。

(95)將基材與模具(G1)剝離。

即便不進行步驟(91)之對包含PDMS或樹脂之基材之塗佈，省略步驟(93)，而於步驟(95)中將無機前驅物之硬化 物與模具(G1)剝離，亦可獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

較佳為，於步驟(91)之前，對模具(G1)之圖案406面進行脫模處理。又，為了提昇與無機前驅物之密接性，步驟(91)中使用之基材亦可實施用以與無機前驅物之化學鍵結、或浸透等物理結合的易接著塗佈(矽烷偶合處理等)、底塗處理、電暈處理、電漿處理、UV/臭氧處理、高能量線照射處理、表面粗化處理、多孔質化處理等。

又以與(2)相同之方式，對使用光硬化性樹脂、熱固性樹脂、或無機前驅物所得之光學用基材1(1a)進行殘膜處理，繼而，藉由乾式蝕刻來加工基材，亦可獲得平板狀之光學用基材1(1a)。亦可於所得之光學用基材1(1a)之圖案面上配置覆蓋膜。

<方法(4)>

自圓筒狀模具製作平板狀模具。繼而，將平板狀模具作為模具，將圖案406轉印至光硬化性樹脂、熱固性樹脂、無機前驅物、或熱塑性樹脂，獲得具有與圖案406反轉之結構之模具(G1)。將所得之模具(G1)作為模具，再次將圖案轉印至光硬化性樹脂、熱固性樹脂、無機前驅物、或熱塑性樹脂，或藉由以Ni為代表之電鑄，而獲得具有與圖案406相同之結構之模具(G2)。將所得之模具(G2)作為模具，再次將圖案轉印至微細結構層12(12a)之原料，或藉由以Ni為代表之電鑄，便可獲得平板狀之光學用基材1(1a)。

可藉由方法(3)獲得模具(G1)。又，模具(G2)可使用方法(3)中所得之光學用基材1(1a)。平板狀之光學用基材1(1a) 可藉由於方法(3)中，將模具(G1)替換為模具(G2)而製作。

再者，於模具(G1)之圖案包含光硬化性樹脂(G1)，且模具(G2)之圖案亦包含光硬化性樹脂(G2)之情形時，較佳為，光硬化性樹脂(G1、G2)均為含氟光硬化性樹脂。可藉由為含氟光硬化性樹脂，而使氟成分向光硬化性樹脂(G1)之圖案部表面偏析。藉此，模具(G1)具有圖案部之脫模性，且亦可保證與基材之密接性，因此，可良好地獲得模具(G2)。此種模具(G1)或模具(G2)較佳為表面部之氟元素濃度(Es)大於構成圖案之樹脂中之平均氟元素濃度(Eb)。

藉由構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層中之平均氟元素濃度(Eb)與構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層之微細圖案表面部之氟元素濃度(Es)之比(Es/Eb)滿足1<Es/Eb≦30000，而進一步發揮上述效果，故而更佳。尤其隨著濃度比達到3≦Es/Eb≦1500、10≦Es/Eb≦100之範圍，脫模性進一步提昇，故而較佳。

再者，若於上述最大範圍(1<Es/Eb≦30000)中，為20≦Es/Eb≦200之範圍，則構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層表面部之氟元素濃度(Es)充分地高於樹脂層中之平均氟濃度(Eb)，從而有效地減少模具(G1)或/及模具(G2)表面之自由能，因此，與轉印材樹脂或構成光學用基材之材料之脫模性提昇。又，可藉由使構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層中之平均氟元素濃度(Eb)相對地低於構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層表面部之氟元素濃度(Es)，而提昇樹脂本身之強度，並且於基材附近較高地保持自由 能，因此，與基材之密接性提昇。

藉此，可獲得與基材之密接性優異、與轉印材或構成光學用基材1(1a)之材料之脫模性優異且可將奈米尺寸之凹凸形狀自樹脂重複轉印至樹脂的模具(G1)或/及模具(G2)，故而尤佳。又，若為26≦Es/Eb≦189之範圍，則可進一步降低構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層表面之自由能，使重複轉印性變得良好，故而較佳。進而，若為30≦Es/Eb≦160之範圍，則可減少構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層表面之自由能，並且維持樹脂之強度，從而進一步提昇重複轉印性，故而較佳，若為31≦Es/Eb≦155則更佳。若為46≦Es/Eb≦155，則可更進一步呈現上述效果，故而較佳。

所謂構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層之圖案面側區域係指例如自構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層之圖案面側表面朝向基材側於厚度方向上侵入大致1~10%之部分，或於厚度方向上侵入2 nm~20 nm之部分。

再者，構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層之圖案面側區域之氟元素濃度(Es)可藉由XPS(X-ray photoelectron spectroscopy，X射線光電子光譜法)法進行定量。由於XPS法之X射線之穿透長度為數nm而較淺，因此，適於Es值之定量。作為其他分析方法，亦可利用使用穿透式電子顯微鏡之能量分散型X射線分光法(TEM-EDX，Transmission electron microscope-Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy)，算出Es/Eb。

又，構成樹脂層之樹脂中之平均氟濃度(Eb)可根據饋入量進行計算，該樹脂層構成模具(G1)或/及模具(G2)。或者，可藉由氣相層析質譜分析儀(GC/MS，Gas chromatograph/Mass spectrometry)進行測定。例如，可藉由物理性剝離構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層，進行氣相層析質譜分析，而鑑定平均氟元素濃度。另一方面，即便藉由燒瓶燃燒法而將物理性剝離構成模具(G1)或/及模具(G2)之樹脂層所得之切片分解，繼而，進行離子層析分析，亦可鑑定樹脂中之平均氟元素濃度(Eb)。

<方法(5)>

自藉由方法(4)所得之模具(G2)進而製作模具(G3)，並且於方法(3)中將模具(G1)替換為模具(G3)，藉此，可製作平板狀之光學用基材1(1a)。同樣地，自模具(GN)製作模具(GN+1)，並且於方法(3)中將模具(G1)替換為模具(GN+1)，藉此，可製作光學用基材1(1a)。

(膜狀、捲筒狀光學用基材1(1a)) <方法(6)>

將藉由上述方法而製作之圓筒狀模具用作模板，將圖案406轉印至微細結構層12(12a)之原料，藉此，可獲得捲筒狀之光學用基材1(1a)。可藉由將圓筒狀模具作為模板，而利用卷軸式連續製程獲得光學用基材1(1a)。

例如，於使用光硬化性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(101)~(104)而獲得捲筒狀之光學用基材1(1a)。

(101)藉由凹版塗佈機、微凹版塗佈機、狹縫式塗佈、 噴墨等方法，而將光硬化性樹脂塗佈於PET膜、TAC(Triacetyl Cellulose，三乙酸纖維素)膜、玻璃膜、透明聚醯亞胺之類的膜基材上。

(102)繼而，利用膜基材與圓筒狀模具夾持上述光硬化性樹脂。

(103)其後，自圓筒狀模具側或基材之至少一者照射光，使光硬化性樹脂硬化。

(104)最後，將基材與圓筒狀模具剝離。

較佳為，於步驟(101)之前，對圓筒狀模具之圖案406面進行脫模處理。又，光硬化性樹脂之塗佈不僅可採用凹版塗佈機法或微凹版塗佈機法，而且可採用刮刀塗佈機、線棒塗佈機、氣刀塗佈機、浸塗機、缺角輪刀塗佈機、噴塗機、簾幕式塗佈機等。

為了提昇與光硬化性樹脂之密接性，步驟(102)中使用之膜基材亦可實施用以與光硬化性樹脂之化學鍵結、或浸透等物理結合的易接著塗佈(矽烷偶合處理等)、底塗處理、電暈處理、電漿處理、UV/臭氧處理、高能量線照射處理、表面粗化處理、多孔質化處理等。又，於夾持光硬化性樹脂時，較佳為，藉由夾輥而自膜基材之與塗佈有光硬化性樹脂之側為相反側之面進行加壓。

亦可於低氧環境下進行步驟(103)中之光照射。又，所得之光學用基材1(1a)亦可將覆蓋膜貼合於圖案面上進行捲取回收。

於使用以PDMS為代表之熱固性樹脂之情形時，可藉由 如下步驟(111)~(114)而獲得捲筒狀之光學用基材1(1a)。

(111)藉由凹版塗佈機、微凹版塗佈機、噴墨、狹縫式塗佈等方法，將熱固性樹脂塗佈於具有較熱固性樹脂之硬化溫度高之Tg之膜基材上。

(112)繼而，於加熱環境下去除溶劑。

(113)其後，將熱固性樹脂擠壓至圓筒狀模具之圖案面進行加熱。

(114)最後，自熱固性樹脂與圓筒狀模具進行剝離。

較佳為，於步驟(111)之前，對圓筒狀模具之圖案406面進行脫模處理。又，熱固性樹脂之塗佈不僅可採用凹版塗佈機法或微凹版塗佈機法，而且可採用刮刀塗佈機、線棒塗佈機、氣刀塗佈機、浸塗機、缺角輪刀塗佈機、噴塗機、簾幕式塗佈機等。

步驟(111)中使用之膜基材較佳為具有較熱固性樹脂之硬化溫度高之Tg。又，亦可實施用以與熱固性樹脂之化學鍵結、或浸透等物理結合的易接著塗佈(矽烷偶合處理等)、底塗處理、電暈處理、電漿處理、UV/臭氧處理、高能量線照射處理、表面粗化處理、多孔質化處理等。又，於夾持熱固性樹脂時，較佳為，藉由夾輥而自膜基材之與塗佈有熱固性樹脂之側為相反側之面進行加壓。又，所得之光學用基材1(1a)亦可將覆蓋膜貼合於圖案面上進行捲取回收。

於使用熱塑性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(121)~(124)而獲得捲筒狀之光學用基材1(1a)。

(121)使包含熱塑性樹脂之膜基材夾持於圓筒狀模具與擠壓輥之間。

(122)繼而，以熱塑性樹脂之Tg以上之溫度施加壓力。

(123)其後，冷卻至低於Tg之溫度為止。

(124)最後，將熱塑性樹脂膜與圓筒狀模具剝離。

較佳為，於步驟(121)之前，對圓筒狀模具之圖案406面進行脫模處理。又，亦可於步驟(121)之時間點，預先加熱圓筒狀模具或擠壓輥之至少任一者。

步驟(122)之加熱係自圓筒狀模具或擠壓輥之至少一者進行加熱即可，較佳為，至少加熱圓筒狀模具側。又，亦可將所得之光學用基材1(1a)貼合於其他基材上。

於使用以金屬烷氧化物為代表之無機前驅物之情形時，較佳為，使用混合有無機前驅物與光硬化性樹脂、熱固性樹脂、或者光硬化性樹脂與熱固性樹脂的轉印材。光學用基材1(1a)可藉由適用使用上述光硬化性樹脂之情形時、或使用熱固性樹脂之情形時之方法而獲得。又，所得之光學用基材1(1a)亦可將覆蓋膜貼合於圖案面上進行捲取回收。

再者，可由連續製程製造之光學用基材1(1a)用作用以獲得(1)~(5)之平板狀之光學用基材1(1a)之模具。可藉由切割由連續製程獲得之光學用基材1(1a)，而用作製造平板狀之光學用基材1(1a)之(1)~(5)之模具。

<方法(7)>

使用方法(6)，自圓筒狀模具獲得具有與圖案406反轉之結構之捲筒狀之模具(G1)。將所得之模具(G1)作為模板， 再次將圖案轉印至微細結構層12(12a)之原料，藉此，可利用連續製程獲得捲筒狀之光學用基材1(1a)。

可使用方法(6)中所得之光學用基材1(1a)作為模具(G1)。

例如，於使用光硬化性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(131)~(134)而於膜對膜之連續製程中獲得光學用基材1(1a)。

(131)藉由凹版塗佈機、微凹版塗佈機等方法，將光硬化性樹脂配置於模具(G1)之圖案406上。或者，藉由凹版塗佈機、微凹版塗佈機等方法而將光硬化性樹脂配置於玻璃膜或PET膜、TAC膜之類的膜狀之基材上。

(132)繼而，由基材與模具(G1)夾持上述光硬化性樹脂。

(133)其後，自模具(G1)側或基材之至少一者照射光，使光硬化性樹脂硬化。

(134)最後，將基材與模具(G1)剝離。

較佳為，於步驟(131)之前，對模具(G1)之圖案406面進行脫模處理。或者，較佳為使構成模具(G1)之圖案之材料由含氟樹脂、含甲基之樹脂、以PDMS為代表之聚矽氧、或組合有該等之材料構成。進而，亦可於進行脫模處理前，於模具(G1)之圖案面上形成包含金屬、金屬氧化物、或金屬及金屬氧化物之層。又，光硬化性樹脂之塗佈不僅可採用凹版塗佈機法或微凹版塗佈機法，而且可採用刮刀塗佈機、線棒塗佈機、氣刀塗佈機、浸塗機、缺角輪刀塗佈機、噴塗機、簾幕式塗佈機等。

為了提昇與光硬化性樹脂之密接性，步驟(132)中使用之基材亦可實施用以與光硬化性樹脂之化學鍵結、或浸透等物理結合的易接著塗佈(矽烷偶合處理等)、底塗處理、電暈處理、電漿處理、UV/臭氧處理、高能量線照射處理、表面粗化處理、多孔質化處理等。

亦可於低氧環境下進行步驟(133)中之光照射。又，於夾持光硬化性樹脂時，較佳為藉由夾輥而自膜基材之與塗佈有光硬化性樹脂之側為相反側之面進行加壓。又，亦可於低氧環境下進行步驟(133)中之光照射。又，所得之光學用基材1(1a)亦可將覆蓋膜貼合於圖案面上進行捲取回收。

於使用以PDMS為代表之熱固性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(141)~(144)而於膜對膜之連續製程中獲得光學用基材1(1a)。

(141)藉由凹版塗佈機、微凹版塗佈機等方法而將熱固性樹脂塗佈於模具(G1)之圖案406上，或者藉由凹版塗佈機、微凹版塗佈機等方法而將熱固性樹脂塗佈於膜基材上。

(142)繼而，於加熱環境下去除溶劑。

(143)其後，將熱固性樹脂擠壓於模具(G1)之圖案面上進行加熱。

(144)最後，自熱固性樹脂與模具(G1)進行剝離。

模具(G1)及膜基材較佳為具有較熱固性樹脂之硬化溫度高之Tg。又，較佳為，於步驟(141)之前，對模具(G1)之圖案406面進行脫模處理。或者，使較佳為構成模具(G1)之 圖案之材料由含氟樹脂、含甲基之樹脂、以PDMS為代表之聚矽氧、或組合有該等之材料構成。進而，亦可於進行脫模處理前，於模具(G1)之圖案面上形成包含金屬、金屬氧化物、或金屬及金屬氧化物之層。

熱固性樹脂之塗佈不僅可採用凹版塗佈機法或微凹版塗佈機法，而且可採用刮刀塗佈機、線棒塗佈機、氣刀塗佈機、浸塗機、缺角輪刀塗佈機、噴塗機、簾幕式塗佈機等。

步驟(141)中使用之膜基材較佳為具有較熱固性樹脂之硬化溫度高之Tg。又，亦可實施用以與熱固性樹脂之化學鍵結、或浸透等物理結合的易接著塗佈(矽烷偶合處理等)、底塗處理、電暈處理、電漿處理、UV/臭氧處理、高能量線照射處理、表面粗化處理、多孔質化處理等。又，於夾持熱固性樹脂時，較佳為藉由夾輥而自膜基材之與塗佈有熱固性樹脂之側為相反側之面進行加壓。又，所得之光學用基材1(1a)亦可將覆蓋膜貼合於圖案面上進行捲取回收。

於使用熱塑性樹脂之情形時，可藉由如下步驟(151)~(154)而於膜對膜之連續製程中獲得光學用基材1(1a)。

(151)使包含熱塑性樹脂之膜基材夾持於模具(G1)與擠壓輥之間。

(152)繼而，以熱塑性樹脂之Tg以上之溫度施加壓力。

(153)其後，冷卻至Tg以下之溫度為止。

(154)最後，將熱塑性樹脂膜與模具(G1)剝離。

模具(G1)較佳為具有較熱塑性樹脂之Tg高之Tg。又，較佳為，於步驟(151)之前，對模具(G1)之圖案406面進行脫模處理。或者，較佳為使構成模具(G1)之圖案之材料由含氟樹脂、含甲基之樹脂、以PDMS為代表之聚矽氧、或組合有該等之材料構成。進而，亦可於脫模處理之前，於模具(G1)之圖案面上形成包含金屬、金屬氧化物、或金屬及金屬氧化物之層。

亦可於步驟(151)之時間點，預先加熱模具(G1)或擠壓輥之至少任一者。又，步驟(152)之加熱係自模具(G1)或擠壓輥之至少一者進行加熱即可，較佳為至少加熱模具(G1)側。又，亦可將所得之光學用基材1(1a)貼合於其他基材上。又，所得之光學用基材1(1a)亦可將覆蓋膜貼合於圖案面上進行捲取回收。

於使用以金屬烷氧化物為代表之無機前驅物之情形時，較佳為，使用混合有無機前驅物與光硬化性樹脂、熱固性樹脂、或者光硬化性樹脂與熱固性樹脂之轉印材。光學用基材1(1a)可藉由適用使用有上述光硬化性樹脂之情形時或使用有熱固性樹脂之情形時之方法而獲得。又，所得之光學用基材1(1a)亦可將覆蓋膜貼合於圖案面上進行捲取回收。

再者，可將連續製程中製造之光學用基材1(1a)用作用以獲得(1)~(5)之平板狀之光學用基材1(1a)之模具。可藉由切割連續製程中所得之光學用基材1(1a)，而用作製造平板狀 之光學用基材1(1a)之(1)~(5)之模具。

又，將所得之捲筒狀之光學用基材1(1a)視為模具(G2)，將上述說明之模具(G1)替換為模具(G2)，藉此，進而可於卷軸式連續製程中獲得光學用基材1(1a)。即便將此處所得之光學用基材1(1a)(G3)視為上述說明之模具(G1)，亦可獲得光學用基材1(1a)。以相同之方式自模具(GN)製作模具(GN+1)，並將模具(GN+1)視為上述說明之模具(G1)，藉此，可獲得光學用基材1(1a)。

再者，於模具(GN)之圖案包含光硬化性樹脂(GN)，且模具(GN+1)之圖案亦包含光硬化性樹脂(GN+1)之情形時，較佳為，光硬化性樹脂(GN、GN+1)均為含氟光硬化性樹脂。可藉由為含氟光硬化性樹脂，而使氟成分向光硬化性樹脂(GN)之圖案部表面偏析。藉此，模具(GN)具有圖案部之脫模性，且亦可保證與基材之密接性，故而可良好地獲得模具(GN+1)。此種模具(GN)或模具(GN+1)較佳為表面部之氟元素濃度(Es)大於構成圖案之樹脂中之平均氟元素濃度(Eb)。

藉由構成模具(GN)或/及模具(GN+1)之樹脂層中之平均氟元素濃度(Eb)與構成模具(GN)或/及模具(N+1)之樹脂層之微細圖案表面部之氟元素濃度(Es)之比(Es/Eb)滿足1<Es/Eb≦30000，而進一步發揮上述效果，故而更佳。尤其隨著濃度比達到3≦Es/Eb≦1500、10≦Es/Eb≦100之範圍，脫模性進一步提昇，故而較佳。

再者，若於上述最大範圍(1<Es/Eb≦30000)中，為 20≦Es/Eb≦200之範圍，則構成模具(GN)或/及模具(GN+1)之樹脂層表面部之氟元素濃度(Es)充分地高於樹脂層中之平均氟濃度(Eb)，模具(GN)或/及模具(GN+1)表面之自由能有效地減少，故而與轉印材樹脂或構成光學用基材1(1a)之材料之脫模性提昇。又，藉由使構成模具(GN)或/及模具(GN+1)之樹脂層中之平均氟元素濃度(Eb)相對低於構成模具(GN)或/及模具(GN+1)之樹脂層表面部之氟元素濃度(Es)，而使樹脂本身之強度提昇，並且可於基材附近較高地保持自由能，因此，與基材之密接性提昇。藉此，可獲得與基材之密接性優異、與轉印材或構成光學用基材1(1a)之材料之脫模性優異且可將奈米尺寸之凹凸形狀自樹脂重複轉印至樹脂的模具(GN)或/及模具(GN+1)，故而尤佳。又，若為26≦Es/Eb≦189之範圍，則可進一步降低構成模具(GN)或/及模具(GN+1)之樹脂層表面之自由能，重複轉印性變得良好，故而較佳。進而，若為30≦Es/Eb≦160之範圍，則可減少構成模具(GN)或/及模具(GN+1)之樹脂層表面之自由能，並且維持樹脂之強度，從而重複轉印性進一步提昇，故而較佳，若為31≦Es/Eb≦155之範圍則更佳。若為46≦Es/Eb≦155之範圍，則可更進一步呈現上述效果，故而較佳。

所謂構成模具(GN)或/及模具(GN+1)之樹脂層之圖案面側區域係指例如自構成模具(GN)或/及模具(GN+1)之樹脂層之圖案面側表面朝向基材側於厚度方向上侵入大致1~10%之部分，或於厚度方向上侵入2 nm~20 nm之部分。 再者，構成模具(GN)或/及模具(GN+1)之樹脂層之圖案面側區域之氟元素濃度(Es)可藉由XPS法進行定量。由於XPS法之X射線之穿透長度為數nm而較淺，故適於Es值之定量。作為其他分析方法，亦可利用使用穿透式電子顯微鏡之能量分散型X射線分光法(TEM-EDX)，算出Es/Eb。 又，構成樹脂層之樹脂中之平均氟濃度(Eb)可根據饋入量進行計算，該樹脂層構成模具(GN)或/及模具(GN+1)。或者，可藉由氣相層析質譜分析儀(GC/MS)進行測定。例如，可藉由物理性剝離構成模具(GN)或/及模具(GN+1)之樹脂層，進行氣相層析質譜分析，而鑑定平均氟元素濃度。另一方面，亦可藉由燒瓶燃燒法而將物理性剝離構成模具(GN)或/及模具(GN+1)之樹脂層而得之切片進行分解，繼而進行離子層析分析，而鑑定樹脂中之平均氟元素濃度(Eb)。

<方法(8)>

藉由以Ni為代表之電鑄，而自圓筒狀模具將利用方法(6)或(7)製造之光學用基材1(1a)之圖案406轉印成形。將所得之Ni電鑄加工成圓筒狀，且視為方法(6)之圓筒狀模具，藉此，可利用卷軸式製程而獲得光學用基材1(1a)。再者，可藉由Ni電鑄模具不加工成圓筒狀而以平板狀使用，而用作用以獲得方法(1)~(5)之平板狀之光學用基材1(1a)之模具。

(光學用基材71)

繼而，對圖21所示之光學用基材71之製造方法進行說 明。

<方法(9)>

於方法(1)~方法(8)中所得之光學用基材1(1a)之微細凹凸結構面上，製作透明介電層72膜，藉此，可獲得光學用基材71。

於使用捲筒狀之光學用基材1(1a)作為光學用基材1(1a)之情形時，藉由凹版塗佈機、微凹版塗佈機、刮刀塗佈機、線棒塗佈機、氣刀塗佈機、浸塗機、缺角輪刀塗佈機、噴塗機、簾幕式塗佈機等而將透明介電層72之材料塗佈於光學用基材1(1a)之微細凹凸結構面上。繼而，去除溶劑，並且將透明介電層72材料調平(將透明介電層72之與微細結構層為相反側之面73平坦化)。其後，使透明介電層72材料硬化(反應)，藉此，可於連續製程中獲得光學用基材71。又，所得之光學用基材71亦可將覆蓋膜貼合於圖案面上進行捲取回收。

於使用平板狀之光學用基材1(1a)作為光學用基材1(1a)之情形時，藉由澆鑄法、狹縫式塗佈法、噴墨法、旋轉塗佈法等方法或該等之組合(例如，於進行澆鑄法、狹縫式塗佈法之後進行旋轉塗佈法)而將透明介電層72之材料塗佈於光學用基材1(1a)之微細凹凸結構面上。繼而，去除溶劑，並且將透明介電層72材料調平(將透明介電層72之與微細結構層為相反側之面73平坦化)。其後，使透明介電層72材料硬化(反應)，藉此，可批次地獲得光學用基材71。

<方法(10)>

可藉由如下步驟(161)~(167)而於連續製程中獲得光學用基材71。

(161)藉由澆鑄法、噴墨法、旋轉塗佈法、狹縫式塗佈法等方法或該等之組合(例如，於進行澆鑄法、狹縫式塗佈法之後進行旋轉塗佈法)，而將透明介電層72材料塗佈於以矽晶圓為代表之具有面精度之基材(S)上。

(162)繼而，將上述方法(1)~(9)中所得之光學用基材1(1a)之微細凹凸結構面側擠壓至透明介電層72材料。

(163)於使透明介電層72材料硬化後，剝離光學用基材1(1a)，藉此，將具有與光學用基材1(1a)之圖案反轉之形狀之透明介電層72形成於基材上。

(164)藉由澆鑄法、噴墨法、旋轉塗佈法等方法，而將微細結構層材料成膜於基材上。

(165)擠壓包括步驟(164)中所得之透明介電層72之圖案。

(166)使微細結構層材料硬化。

(167)最後，剝離基材(S)。

<方法(11)>

於步驟(161)及(162)中，亦可將透明介電層72材料塗佈於光學用基材1(1a)上，其後，擠壓矽晶圓等具有面精度之基材。作為具有面精度之基材，可列舉矽晶圓、或轉印有矽晶圓之鏡面之樹脂等。

再者，較佳為於基材(S)上設置脫模層。就轉印精度之 觀點而言，脫模層之厚度較佳為30 nm以下，且較佳為單分子層以上之厚度。就脫模性之觀點而言，更佳為2 nm以上，就轉印精度之觀點而言，更佳為20 nm以下。

構成脫模層之材料並無限定，但作為公知市售者，例如可列舉：ZONYL TC塗料(杜邦公司製造)、CYTOP CTL-107M(旭硝子公司製造)、CYTOP CTL-107A(旭硝子公司製造)、NOVEC EGC-1720(3M公司製造)、OPTOOL DSX(大金工業公司製造)、OPTOOL DACHP(大金工業公司製造)、DURASURF HD-2101Z(大金工業公司製造)、DURASURF HD 2100(大金工業公司製造)、DURASURF HD-1101Z(大金工業公司製造)、NEOS公司製造之「FTERGENT」(例如M系列：FTERGENT 251、FTERGENT 215M、FTERGENT 250、FTX-245M、FTX-290M；S系列：FTX-207S、FTX-211S、FTX-220S、FTX-230S；F系列：FTX-209F、FTX-213F、FTERGENT 222F、FTX-233F、FTERGENT 245F；G系列：FTERGENT 208G、FTX-218G、FTX-230G、FTS-240G；低聚物系列：FTERGENT 730FM、FTERGENT 730LM；FTERGENT P系列；FTERGENT 710FL；FTX-710HL等)，DIC公司製造之「MEGAFAC」(例如F-114、F-410、F-493、F-494、F-443、F-444、F-445、F-470、F-471、F-474、F-475、F-477、F-479、F-480SF、F-482、F-483、F-489、F-172D、F-178K、F-178RM、MCF-350SF等)、大金公司製造之「OPTOOL TM」(例如DSX、DAC、AES)、「FTONE TM」 (例如AT-100)、「ZEFFLE TM」(例如GH-701)、「UNIDYNE TM」、「DAIFREE TM」、「OPTOACE TM」、住友3M公司製造之「NOVEC EGC-1720」、Fluoro Technology公司製造之「FLUOROSARF」等聚矽氧系樹脂(二甲基聚矽氧系油KF96(信越有機矽公司製造)，作為改性聚矽氧之市售品，具體而言有：TSF 4421(GE TOSHIBA SILICONE公司製造)、XF 42-334(GE TOSHIBA SILICONE公司製造)、XF 42-B3629(GE TOSHIBA SILICONE公司製造)、XF 42-A3161(GE TOSHIBA SILICONE公司製造)、FZ-3720(東麗道康寧公司製造)、BY 16-839(東麗道康寧公司製造)、SF 8411(東麗道康寧公司製造)、FZ-3736(東麗道康寧公司製造)、BY 16-876(東麗道康寧公司製造)、SF 8421(東麗道康寧公司製造)、SF 8416(東麗道康寧公司製造)、SH 203(東麗道康寧公司製造)、SH 230(東麗道康寧公司製造)、SH 510(東麗道康寧公司製造)、SH 550(東麗道康寧公司製造)、SH 710(東麗道康寧公司製造)、SF 8419(東麗道康寧公司製造)、SF 8422(東麗道康寧公司製造)、BY 16系列(東麗道康寧公司製造)、FZ 3785(東麗道康寧公司製造)、KF-410(信越化學工業公司製造)、KF-412(信越化學工業公司製造)、KF-413(信越化學工業公司製造)、KF-414(信越化學工業公司製造)、KF-415(信越化學工業公司製造)、KF-351A(信越化學工業公司製造)、KF-4003(信越化學工業公司製造)、KF-4701(信越化學工業公司製造)、KF-4917(信越化學工業公司製造)、KF-7235B(信越化學工 業公司製造)、KR 213(信越化學工業公司製造)、KR 500(信越化學工業公司製造)、KF-9701(信越化學工業公司製造)、X21-5841(信越化學工業公司製造)、X-22-2000(信越化學工業公司製造)、X-22-3710(信越化學工業公司製造)、X-22-7322(信越化學工業公司製造)、X-22-1877(信越化學工業公司製造)、X-22-2516(信越化學工業公司製造)、PAM-E(信越化學工業公司製造))、烷烴系樹脂(形成烷基系單分子膜之SAMLAY等)。

尤其，就脫模性之觀點而言，構成脫模層之材料較佳為含甲基之材料、含聚矽氧之材料、含氟之材料。尤其若構成脫模層之材料為矽烷偶合劑或以PDMS為代表之聚矽氧系樹脂，則可容易地使脫模層之膜厚變薄，且可保持轉印精度，故而較佳。脫模層中使用之材料可單獨使用1種，亦可同時使用複數種。又，構成脫模層之材料較佳為對於水之接觸角為90度以上。此處，接觸角係指使用構成脫模層之材料製作固體膜(無微細圖案之膜)時之接觸角。

步驟(163)中之透明介電層72之硬化亦可藉由熱或光而促進硬化。又，亦可於所得之光學用基材71之圖案面上配置覆蓋膜。

<方法(12)>

可藉由如下步驟(171)~(173)而於連續製程中獲得光學用基材71。

(171)將透明介電層72材料塗佈於以矽晶圓為代表之具有面精度之基材(S)上。

(172)繼而，將上述方法(1)~(9)中所得之光學用基材1(1a)之微細凹凸結構面側擠壓至透明介電層72材料。

(173)於使透明介電層72材料硬化後，剝離光學用基材1(1a)。

再者，於步驟(171)及(172)中，亦可將透明介電層72材料塗佈於光學用基材1(1a)上，其後，擠壓矽晶圓等具有面精度之基材。作為具有面精度之基材，可列舉矽晶圓、或轉印有矽晶圓之鏡面之樹脂等。

較佳為，於基材(S)上設置脫模層。就轉印精度之觀點而言，脫模層厚度較佳為30 nm以下，且較佳為單分子層以上之厚度。就脫模性之觀點而言，更佳為2 nm以上，就轉印精度之觀點而言，更佳為20 nm以下。

構成脫模層之材料並無限定，作為公知市售者，例如可列舉：ZONYL TC塗料(杜邦公司製造)、CYTOP CTL-107M(旭硝子公司製造)、CYTOP CTL-107A(旭硝子公司製造)、NOVEC EGC-1720(3M公司製造)、OPTOOL DSX(大金工業公司製造)、OPTOOL DACHP(大金工業公司製造)、DURASURF HD-2101Z(大金工業公司製造)、DURASURF HD2100(大金工業公司製造)、DURASURF HD-1101Z(大金工業公司製造)、NEOS公司製造之「FTERGENT」(例如M系列：FTERGENT 251、FTERGENT 215M、FTERGENT 250、FTX-245M、FTX-290M；S系列：FTX-207S、FTX-211S、FTX-220S、FTX-230S；F系列：FTX-209F、FTX-213F、FTERGENT 222F、FTX-233F、FTERGENT 245F；G系列：FTERGENT 208G、FTX-218G、FTX-230G、FTS-240G；低聚物系列：FTERGENT 730FM、FTERGENT 730LM；FTERGENT P系列；FTERGENT 710FL；FTX-710HL等)、DIC公司製造之「MEGAFAC」(例如F-114、F-410、F-493、F-494、F-443、F-444、F-445、F-470、F-471、F-474、F-475、F-477、F-479、F-480SF、F-482、F-483、F-489、F-172D、F-178K、F-178RM、MCF-350SF等)、大金公司製造之「OPTOOL TM」(例如DSX、DAC、AES)、「FTONE TM」(例如AT-100)、「ZEFFLE TM」(例如GH-701)、「UNIDYNE TM」、「DAIFREE-TM」、「OPTOACE-TM」、住友3M公司製造之「NOVEC EGC-1720」、Fluoro Technology公司製造之「FLUOROSARF」等、聚矽氧系樹脂(二甲基聚矽氧系油KF 96(信越有機矽公司製造)，作為改性聚矽氧之市售品，具體而言有：TSF 4421(GE TOSHIBA SILICONE公司製造)、XF42-334(GE TOSHIBA SILICONE公司製造)、XF42-B 3629(GE TOSHIBA SILICONE公司製造)、XF42-A 3161(GE TOSHIBA SILICONE公司製造)、FZ-3720(東麗道康寧公司製造)、BY 16-839(東麗道康寧公司製造)、SF 8411(東麗道康寧公司製造)、FZ-3736(東麗道康寧公司製造)、BY 16-876(東麗道康寧公司製造)、SF 8421(東麗道康寧公司製造)、SF 8416(東麗道康寧公司製造)、SH 203(東麗道康寧公司製造)、SH 230(東麗道康寧公司製造)、SH 510(東麗道康寧公司製造)、SH 550(東麗道康寧 公司製造)、SH 710(東麗道康寧公司製造)、SF 8419(東麗道康寧公司製造)、SF 8422(東麗道康寧公司製造)、BY 16系列(東麗道康寧公司製造)、FZ 3785(東麗道康寧公司製造)、KF-410(信越化學工業公司製造)、KF-412(信越化學工業公司製造)、KF-413(信越化學工業公司製造)、KF-414(信越化學工業公司製造)、KF-415(信越化學工業公司製造)、KF-351A(信越化學工業公司製造)、KF-4003(信越化學工業公司製造)、KF-4701(信越化學工業公司製造)、KF-4917(信越化學工業公司製造)、KF-7235B(信越化學工業公司製造)、KR 213(信越化學工業公司製造)、KR 500(信越化學工業公司製造)、KF-9701(信越化學工業公司製造)、X21-5841(信越化學工業公司製造)、X-22-2000(信越化學工業公司製造)、X-22-3710(信越化學工業公司製造)、X-22-7322(信越化學工業公司製造)、X-22-1877(信越化學工業公司製造)、X-22-2516(信越化學工業公司製造)、PAM-E(信越化學工業公司製造))、烷烴系樹脂(形成烷基系單分子膜之SAMLAY等)。

尤其就脫模性之觀點而言，構成脫模層之材料較佳為含甲基之材料、含聚矽氧之材料、含氟之材料。尤其若構成脫模層之材料為矽烷偶合劑或以PDMS為代表之聚矽氧系樹脂，則可容易地使脫模層之膜厚變薄，且可保持轉印精度，故而較佳。脫模層中使用之材料可單獨使用1種，亦可同時使用複數種。又，構成脫模層之材料較佳為對於水之接觸角為90度以上。此處，接觸角係指使用構成脫模層 之材料製作固體膜(無微細圖案之膜)時之接觸角。

步驟(173)中之透明介電層72之硬化亦可藉由熱或光而促進硬化。又，亦可於所得之光學用基材71之圖案面上配置覆蓋膜。

(實施例)

以下，根據用以明確本發明之效果而進行之實施例，進一步詳細說明本發明。再者，下述實施形態中之材料、使用組成、處理步驟等係例示者，可適當變更而實施。此外，只要不脫離本發明之範圍，則可適當變更地實施。因此，本發明未受以下實施例任何限定。

[實施例1] (製作圓筒狀模具(樹脂模製作用鑄模之製作))

使用直徑80 mm、長度50 mm之圓筒型石英玻璃輥作為圓筒狀模具之基材。藉由下述方法，利用使用半導體脈衝雷射之直接繪圖微影法將微細結構(微細凹凸結構)形成於該圓筒型石英玻璃輥表面。

首先，藉由濺鍍法而將光阻層成膜於該石英玻璃表面之微細結構上。濺鍍法係使用CuO(含有8 atm%Si)作為靶(光阻層)，且以RF100 W之功率實施。成膜後之光阻層之膜厚為20 nm。一面以s=1.0 m/sec之線速度使以上述方式製作之圓筒狀模具旋轉，一面於以下條件下進行曝光。

曝光用半導體雷射波長：405 nm

曝光雷射功率：3.5 mW

D2方向間距Px：398 nm

相對於D2方向間距Px之變動幅度δ2：80 nm

變動幅度δ2之D2方向之長週期PxL：5 μm

D1方向間距Py：460 nm

相對於D1方向間距Py之變動幅度δ1：100 nm

變動幅度δ1之D1方向之長週期PyL：5 μm

以如下方式決定D1方向間距Py。

以轉軸馬達之Z相信號為基準，測定1周所需之時間T，且根據線速度s計算周長L，獲得下式(12)。

L=T×s (12)

將目標間距設為Py，以L/Py成為整數之方式加上目標間距Py之0.1%以下之值進行調整，藉由下式(13)獲得有效間距Py'。

L/Py'=m(m為整數) (13)

目標間距Py與有效間距Py'係嚴格而言為Py≠Py'，但由於L/Py≒107，因此Py/Py'≒10^-7，從而可視為實質上相等。同樣地，長週期PyL亦可以L/PyL成為整數之方式藉由下式(14)而獲得有效長週期PyL'。

L/PyL'=n(n為整數) (14)

亦於該情形時，嚴格而言PyL≠PyL'，但由於L/PyL≒10⁵，因此PyL/PyL'≒10^-5，從而亦可視為實質上相等。

繼而，藉由式(15)、式(16)而根據有效間距Py'算出基準脈衝頻率fy0、調變頻率fyL。

fy0=s/Py' (15)

fyL=s/PyL' (16)

最後，根據式(15)、式(16)，以式(17)之方式決定來自轉軸馬達之Z相信號之經過時間t中之脈衝頻率fy。

fy=fy0+δ1×sin(t×(fyL/fy0)×2π) (17)

以如下方式決定D2方向之軸進給速度。

以轉軸馬達之Z相信號為基準，測定1周所需之時間T，且根據D2方向間距Px，以下式(18)之方式決定軸向之基準進給速度Vx0。

Vx0=Px/T (18)

根據D2方向之長週期PxL，藉由下式(19)決定時刻t中之軸進給速度Vx，並進行掃描。

Vx=Vx0+Vδ2．sin(Px/PxL×t×2π)(19)

此處，Vδ2係D2方向之長週期PxL中之速度變動幅度，且藉由長週期PxL之間距變動幅度δ2、Px、Vx0而以下式(20)表示。

Vδ2=δ2×Vx0/Px (20)

繼而，將光阻層顯影。光阻層之顯影係使用0.03 Wt%之甘胺酸水溶液，於處理時間240秒之條件下實施。繼而，將已顯影之光阻層作為光罩，進行乾式蝕刻對蝕刻層之蝕刻。乾式蝕刻係使用SF₆作為蝕刻氣體，且以處理氣體壓力1 Pa、處理功率300 W、處理時間5分鐘之條件實施。繼而，利用pH值為1之鹽酸，於6分鐘之條件下僅將殘渣之光阻層自表面賦予有微細結構之圓筒狀模具中剝離，製作圓筒模具(轉印用模具)。

(樹脂模之製作)

對所得之圓筒狀之石英玻璃輥表面(轉印用模具)塗佈DURASURF HD-1101Z(大金化學工業公司製造)，並於60℃下加熱1小時後，於室溫下靜置24小時將其固定化。其後，利用DURASURF HD-ZV(大金化學工業公司製造)清洗3次，並實施脫模處理。

繼而，自所得之圓筒模具製作捲筒狀樹脂模。按照以重量份計10：100：5之比例，混合OPTOOL DAC HP(大金工業公司製造)、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(東亞合成公司製造M350)及Irgacure 184(Ciba公司製造)，製備光硬化性樹脂。繼而，藉由微凹版塗佈機(廉井精機公司製造)，以塗佈膜厚成為6 μm之方式將該光硬化性樹脂塗佈於PET膜(A4100，東洋紡公司製造：寬度300 mm、厚度100 μm)之易接著面上。

繼而，利用夾輥(0.1 MPa)對圓筒模具(圓筒狀模具)擠壓塗佈有光硬化性樹脂之PET膜，並於大氣下且溫度25℃、濕度60%下，以燈中心下之累積曝光量成為600 mJ/cm²之方式，使用UV曝光裝置(Fusion UV Systems．日本公司製造，H閥)照射紫外線，連續實施光硬化，獲得於表面反轉轉印有微細結構之捲筒狀透明樹脂模(長度200 m、寬度300 mm)。

藉由掃描型電子顯微鏡觀察樹脂模，結果發現剖面形狀為 400 nm±40 nm、h800 nm±80 nm之凸部由具有以下長週期結構之週期結構形成。

D2方向間距Px：398 nm

相對於D2方向間距Px之變動幅度δ2：80 nm

變動幅度δ2之D2方向之長週期PxL：5 μm

D1方向間距Py：460 nm

相對於D1方向間距Py之變動幅度δ1：100 nm

變動幅度δ1之D1方向之長週期PyL：5 μm

點徑與點高度之最大值可於與周圍之點間距離最窄之點上進行觀察，點徑與點高度之最小值可於與周圍之點間距離最寬之點上進行觀察，其間之點徑呈現與點間距離之變動幅度之調變相同之調變曲線。

(電子顯微鏡)

裝置：HITACHI s-5500

加速電壓：10 kV

MODE：Normal

(反轉樹脂模之製作)

繼而，按照以重量份計10：100：5之比例，混合OPTOOL DAC HP(大金工業公司製造)、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(東亞合成公司製造M350)及Irgacure 184(Ciba公司製造)，製備光硬化性樹脂。藉由微凹版塗佈機(廉井精機公司製造)，以塗佈膜厚成為2 μm之方式，將該光硬化性樹脂塗佈於PET膜(A4100，東洋紡公司製造：寬度300 mm、厚度100 μm)之易接著面上。

繼而，藉由夾輥(0.1 MPa)對上述捲筒狀樹脂模擠壓塗佈有光硬化性樹脂之PET膜，並於大氣下，且溫度25℃、濕 度60%下，以於燈中心下之累積曝光量成為600 mJ/cm²之方式，使用UV曝光裝置(Fusion UV Systems-日本公司製造，H閥)照射紫外線，連續實施光硬化，獲得於表面反轉轉印有微細結構之透明樹脂模片(長度200 mm、寬度300 mm)。

(有機EL元件之製作)

將上述透明樹脂模片作為光學用基材，製作有機EL元件。於形成有微細凹凸之面上依序積層緩衝層、陰極、電子傳輸層、電洞傳輸層、陰極。各層之材料及膜厚、成膜方法如下所述。

(1)緩衝層：SiO₂ 100 nm 真空蒸鍍

(2)陰極：Ag 40 nm 真空蒸鍍

(3)電子傳輸層：Tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3) 40 nm 真空蒸鍍

(4)電洞傳輸層：N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphtyl)-(1,1'-biphenyl)-(4,4'-diamine)(NPB) 60 nm 真空蒸鍍

(5)陽極：ITO 150 nm 濺鍍

[實施例2]

一面以s=1.0 m/sec之線速度，使以與實施例1相同之方式製作之圓筒狀模具旋轉，一面於以下條件下實施曝光。

曝光用半導體雷射波長：405 nm

曝光雷射功率：3.5 mW

D2方向間距Px：606 nm

相對於D2方向間距Px之變動幅度δ2：61 nm

變動幅度δ2之D2方向之長週期PxL：6 μm

D1方向間距Py：700 nm

相對於D1方向間距Py之變動幅度δ1：70 nm

變動幅度δ1之D1方向之長週期PyL：7 μm

繼而，以與實施例1相同之方式獲得反轉轉印有表面結構之捲筒狀透明樹脂模(長度200 m、寬度300 m)。使用該捲筒狀透明樹脂模，以與實施例1相同之方式製作有機EL元件(實施例2)。

[實施例3]

一面以s=1.0 m/sec之線速度，使以與實施例1相同之方式製作之圓筒狀模具旋轉，一面於以下條件下進行曝光。

曝光用半導體雷射波長：405 nm

曝光雷射功率：3.5 mW

D2方向間距Px：700 nm

D1方向間距Py：700 nm

間距Py之基準信號之控制僅設為初期。

繼而，以與實施例1相同之方式，獲得反轉轉印有表面結構之捲筒狀透明樹脂模(長度200 m、寬度300 m)。

藉由掃描型電子顯微鏡觀察已製作之捲筒狀透明樹脂模之表面。於D1方向上以設定之間距Py，行狀地排列有凸部，又，於D2方向上以特定之間距Px重複設置有該行狀之凸部。又，於D2方向上鄰接地排列之行狀之凸部間，偏移量α不規則。

使用該捲筒狀透明樹脂模，以與實施例1相同之方式， 製作有機EL元件(實施例3)。

[比較例1]

使用不具有週期結構之平滑之Ni板，以與實施例1完全相同之操作，於積層有平坦之UV硬化性樹脂之PET基材上製作有機EL元件(比較例1)。

[比較例2]

藉由與實施例1相同之製法，於直徑80 mm、長度50 mm之圓筒型石英玻璃輥表面形成微細結構。但，於以下條件下進行曝光。

曝光用半導體雷射波長：405 nm

曝光雷射功率：3.5 mW

D2方向間距Px：398 nm

D1方向間距Py：460 nm

繼而，以與實施例1相同之方法，自圓筒模具(圓筒狀模具)獲得於表面反轉轉印有微細結構之捲筒狀樹脂模(長度200 m、寬度300 mm)。藉由掃描型電子顯微鏡觀察樹脂模，結果發現剖面形狀為 400 nm、h800 nm之凸部由具有如下長週期結構之週期結構形成。

D2方向間距Px：398 nm

D1方向間距Py：460 nm

以與實施例1相同之方法，自上述捲筒狀樹脂模獲得於PET膜上反轉轉印有微細結構之透明樹脂模片(長度200 m、寬度300 mm)。

進而，使用上述透明樹脂模片，以與實施例1相同之層 結構，於形成有微細凹凸之面上依序積層緩衝層、陰極、電子傳輸層、電洞傳輸層、陰極，形成有機EL元件(比較例2)。

(發光特性)

藉由Konica Minolta製造之分光放射亮度計CS-2000測定實施例1~實施例3、比較例1、比較例2之有機EL元件之發光效率特性。將比較例1之發光強度設為1.0之強度比之結果示於下述表1。

(色偏之評價)

於使實施例1~實施例3、比較例1、比較例2之有機EL元件各自發光之狀態下，在試樣周圍罩上白色之圓筒形紙，目視觀察投影於紙上之像。

根據表1可知，實施例1~實施例3及比較例1之有機EL元件係整面之色調相同，相對於此，於比較例2之有機EL元件中，可在特定角度方向上觀察到類似虹之分光，產生有色偏。其原因在於，於比較例2之有機EL元件中，藉由因週期結構引起之繞射而發出之光被分離為每一個波長。另 一方面，實施例1之有機EL元件由於微細結構中並無特定週期結構，長週期結構引起之散射效應較強，故而未觀察到分光，從而未產生色偏。

[實施例4] (光學用基材1)

以50 cm長度切取以上述方式製作之反轉樹脂模。

繼而，藉由棒式塗佈法將材料1塗佈於寬度300 mm、長度600 mm之玻璃膜(折射率1.52)上。塗佈膜厚係設定為溶劑揮發後之固形物成分膜厚成為1000 nm。塗佈後，於室溫下靜置2分鐘，其後於80度之環境下靜置30秒。

繼而，於0.01 MPa之壓力下將所切取之反轉樹脂模之微細結構面側貼合於材料1面上，並於25℃、濕度50%之環境下靜置24小時。

最後，將反轉樹脂模剝離，獲得於玻璃膜上具有微細結構之光學用基材1。藉由電子顯微鏡觀察所得之結構，結果發現剖面形狀為 400 nm、h800 nm之凸部由具有如下長週期結構之週期結構形成。

D2方向間距Px：433 nm

相對於D2方向間距Px之變動幅度δ2：108 nm

變動幅度δ2之D2方向之長週期PxL：5000 nm

D1方向間距Py：500 nm

相對於D1方向間距Py之變動幅度δ1：125 nm

變動幅度δ1之D1方向之長週期PyL：5000 nm

(材料1)

材料1係藉由將TTB：3APTMS：SH710：I.184=39.5 g：39.5 g：19.7 g：1.34 g於25℃、濕度50%之環境下攪拌混合而製作。該材料1之折射率係波長460 nm下為1.513，且波長550 nm下為1.507。

(光學用基材2)

以UV-O3將4英吋之矽晶圓基材表面處理15分鐘。繼而，將Durasurf 1101Z進行旋轉塗佈製膜，並於25度、濕度50%之環境中靜置12小時。其後，使用Durasurf HD-ZV溶液進行3次旋轉塗佈清洗。

將光學用基材1於300℃之環境下加熱處理1小時。自然冷卻後，以獲得1000 nm之固形膜厚之方式，藉由棒式塗佈法將下述材料2塗佈於光學用基材1之微細結構面上。塗佈後，於25℃、濕度50%之環境下靜置5分鐘，進而於80℃下加熱30秒。

繼而，將塗佈有材料1之面於0.01 MPa之壓力下貼合於經表面處理之矽晶圓上。貼合後，於25℃、濕度50%之環境下靜置24小時。

最後，剝離矽晶圓，藉此獲得光學用基材2。光學用基材2之材料1面側之表面精度以Ra計為1 nm以下。所得之光學用基材2係於300℃之環境下加熱處理1小時。

(材料2)

材料2係藉由將TTB：DEDFS：TEOS：SH710=93.3 g：2.38 g：2.38 g：2.38 g於25℃、濕度50%之環境下攪拌混合，繼而一面於80℃之環境中攪拌，一面滴加由乙醇稀釋至1706 ul 之3.25%之水，且滴加後，攪拌6小時而製作。該材料2之折射率係波長460 nm下為1.893，其波長550 nm下為1.861。

(有機EL元件之製作)

使用藉由上述光學用基材1製作之光學用基材2，製作有機EL元件(實施例4)。於光學用基材2之包含材料1之硬化物之平坦化面上依序積層陽極、電洞傳輸層、電子傳輸層、陰極、緩衝層、陰極、電子傳輸層、電洞傳輸層、陰極。

各層之材料及膜厚、成膜方法如下所述。

．陽極：ITO 130 nm 濺鍍

．電洞傳輸層：N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphtyl)-(1,1'-biphenyl)-(4,4'-diamine)(NPB)60 nm 真空蒸鍍

．電子傳輸層：Tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)40 nm 真空蒸鍍

．陰極：Al 100 nm 真空蒸鍍

(比較例3~比較例5)

使用不同於本實施形態之光學用基材1、2之基材，藉由與上述相同之方法製作有機EL元件(比較例3~比較例5)。再者，比較例3之有機EL元件係使用在光學用基材1之製作中使用之玻璃基材(平坦基材)，比較例4之有機EL元件係使用形成有間距500 nm之微細結構之光學用基材1(其中，無微細結構之長週期變動)，比較例5之有機EL元件係使用形成有間距5000 nm之微細結構之光學用基材1(其中，無 微細結構之長週期變動)。

比較例3之有機EL元件係將光學用基材2變更為平坦基材，以與實施例4相同之方式製作。比較例4及比較例5之有機EL元件係於圓筒狀模具表面形成具有各個之間距之微細結構，且以與實施例4相同之方式進行製作。

以上述方式對實施例4、比較例3~比較例5之有機EL元件分析發光效率及眩光。其結果示於下述表2。再者，關於發光效率，將比較例3之有機EL元件中之平坦基材之情形設為1。關於眩光，將眩光經緩和之狀態設為○，將可觀察到眩光之狀態設為×。

根據表2可知，與不具有微細結構之有機EL元件之情形(比較例3)相比，使用具有微細結構之光學用基材之有機EL元件(比較例4、比較例5、實施例4)的發光效率提昇。尤其於微細結構尺寸係與微米級(比較例5)之情形相比，奈米級(比較例4、實施例4)之情形效率更佳。進而，使用兼具長週期變動之光學用基材的有機EL元件(實施例4)之效 率提昇最大。又，比較例4及比較例5之有機EL元件於觀視發光時可觀察到基於繞射之眩光，而實施例4之有機EL元件由於使用兼具長週期變動之光學用基材，故而可觀察到眩光緩和，且視認性提昇。

如此，根據本發明之光學用基材，可應用於光提取提昇用光學基材或電漿子多晶等，且可降低光之繞射引起之色偏。又，可提供一種使亮度提昇，且可降低光之繞射引起之色偏的發光裝置。因此，本發明之光學用基材及發光裝置係一方面抑制色偏一方面具有較高之發光效率，故可有效利用電力，從而可對節能較大地做出貢獻。

本發明並不限定於上述實施形態，可進行各種變更地實施。於上述實施形態中，隨附圖式中圖示之大小或形狀等並不限定於此，可於發揮本發明之效果之範圍內進行適當變更。此外，只要不脫離本發明之目的之範圍，則可適當變更地實施。

本申請案係基於2011年12月27日申請之日本專利特願2011-284820號及2012年2月7日申請之日本專利特願2012-024035號。該等之內容全部包含於本文中。

1、1a‧‧‧光學用基材

2、3、4、5、6、7、8、 9、10、11、12‧‧‧點陣列

12a‧‧‧微細結構層

13‧‧‧凸部

13-1、13-2、13-3、13-N‧‧‧凸部行

14‧‧‧凹部

14-1、14-2、14-3、14-N‧‧‧凹部行

15、16‧‧‧點陣列

31‧‧‧點

32-1、32-2、32-3‧‧‧點陣列

32-a、32-b‧‧‧點陣列

40‧‧‧有機EL發光裝置

41‧‧‧光學用基材

42‧‧‧發光部

43‧‧‧透明導電膜層

50‧‧‧有機EL發光裝置

51‧‧‧光學用基材

52‧‧‧透明介電層

53‧‧‧透明導電膜層

54‧‧‧發光部

60‧‧‧第2實施形態之光學用基材

61‧‧‧複數個點/光學用基材

62‧‧‧構成凹凸結構之複數個點/透 明介電層

62-1、62-2、62-3、62-N‧‧‧點陣列

63‧‧‧透明導電膜層

64‧‧‧發光部

71‧‧‧光學用基材

72‧‧‧透明介電層

73‧‧‧透明介電層72之與微細結 構層12(12a)為相反側之主 面

400‧‧‧曝光裝置

401‧‧‧輥狀構件

402‧‧‧旋轉控制部

403‧‧‧加工頭部

404‧‧‧移動機構部

405‧‧‧曝光控制部

406‧‧‧圖案

D1、D2、DL‧‧‧方向

Dx1~Dx16、Dxa、Dxn、Dy1、Dy2、Dy3、Dya、Dyn‧‧‧點徑

Es‧‧‧表面部之氟元素濃度

Eb‧‧‧構成圖案之樹脂中之平均氟元素濃度

fY0‧‧‧基準脈衝頻率

Fy1‧‧‧調變頻率

G1、G2、GN、(GN+1)‧‧‧模具

Hx1~Hx16、Hxa、Hxn‧‧‧點徑

Hy1、Hy2、Hy3、Hya、Hyn‧‧‧點高度

L1、L2、Lxz、Lyz‧‧‧長週期單位

LYL‧‧‧自調變脈衝信號之波長

LY0‧‧‧基準脈衝之脈衝波長

Lz‧‧‧長週期

P1、P2、P3、Px、 Px1~Px15、Pxa、Px(2a+1)、Pxn‧‧‧間距

PxL‧‧‧變動幅度δ2之D2方向之長週期

Px(max)‧‧‧間距Px之最大值

Px(min)‧‧‧間距Px之最小值

Py、Py1、Py2、Py3、Pya、Pyn‧‧‧間距

Pyc‧‧‧固定間隔之間距

Pyav‧‧‧平均間距

PyL‧‧‧變動幅度δ1之D1方向之長週期

S‧‧‧基材

T‧‧‧時間

Vx0‧‧‧軸向之基準進給速度

Vx‧‧‧時刻t時之軸進給速度Vx

α1‧‧‧鄰接之第1點陣列及第2點陣列間之上述第1方向上之偏移量

α2‧‧‧第2點陣列及鄰接於上述第2點陣列之第3點陣列間之上述第1方向上之偏移量

δ‧‧‧變動範圍

δ1‧‧‧相對於D1方向間距Py之變動幅度

δ2‧‧‧相對於D2方向間距Px之變動幅度

圖1係表示第1實施形態之光學用基材之一例的立體示意圖。

圖2係表示第1實施形態之光學用基材之另一例的立體示意圖。

圖3係第1實施形態之光學用基材之平面示意圖。

圖4係第1實施形態之光學用基材中之平均間距之概念圖。

圖5係第1實施形態之光學用基材之平面示意圖。

圖6係表示自D2方向觀察第1實施形態之光學用基材時之複數個點之配置的示意圖。

圖7係表示第1實施形態之光學用基材中之複數個點之配置之一例的示意圖。

圖8係表示第1實施形態之光學用基材中之D2方向上之點之配置例的示意圖。

圖9係表示第1實施形態之光學用基材中之複數個點之配置之一例的示意圖。

圖10係表示第1實施形態之光學用基材中之複數個點之配置之一例的示意圖。

圖11係表示第1實施形態之光學用基材中之複數個點之配置之一例的示意圖。

圖12係表示第1實施形態之光學用基材中之複數個點之配置之一例的示意圖。

圖13係表示第1實施形態之光學用基材中之複數個點之配置之一例的示意圖。

圖14係表示第1實施形態之光學用基材中之複數個點之配置之一例的示意圖。

圖15係表示第1實施形態之光學用基材中之複數個點之配置之一例的示意圖。

圖16係表示第1實施形態之光學用基材中之D2方向上之 具有不同點徑之點之配置例的示意圖。

圖17係表示第1實施形態之光學用基材中之D2方向上之具有不同點高度之點之配置例的示意圖。

圖18係第2實施形態之光學用基材之平面示意圖。

圖19係表示本發明之有機EL發光裝置之一例的剖面示意圖。

圖20係表示本發明之有機EL發光裝置之一例的剖面示意圖。

圖21係本發明之實施形態之光學用基材之剖面示意圖。

圖22係表示本發明之有機EL發光裝置之一例的剖面示意圖。

圖23係表示本發明之光學用基材之製造方法之一例的說明圖。

圖24係對本發明之光學用基材之製造方法中將轉軸馬達之Z相信號作為基準信號，設定基準脈衝信號、調變脈衝信號之一例進行說明的說明圖。

圖25係對本發明之光學用基材之製造方法中根據基準脈衝信號及調變脈衝信號設定相位調變脈衝信號之一例進行說明的說明圖。

圖26係對本發明之光學用基材之製造方法中的照射雷射光之加工頭部之移動速度之一例進行說明的說明圖。

12‧‧‧凹凸結構

31‧‧‧點

32-a‧‧‧點陣列

32-b‧‧‧點陣列

D1‧‧‧方向

D2‧‧‧方向

Px‧‧‧間距

Py‧‧‧間距

Claims (18)

1. 一種光學用基材，其特徵在於：其係至少包括陽極、陰極及發光層，且上述發光層具有一層以上之有機層的可應用於有機EL發光裝置者，且具有包含包括自基材主面在面外方向上延伸之複數個凸部或凹部之點的微細結構層，上述微細結構層係於上述基材主面內之第1方向上，構成以間距Py排列有上述複數個點之複數個點陣列，另一方面，於上述基材主面內之與上述第1方向正交之第2方向上，構成以間距Px排列有上述複數個點陣列之複數個點陣列，上述間距Py及上述間距Px係任一者為奈米級之固定間隔，另一者為奈米級之不定間隔，或者均為奈米級之不定間隔。
2. 如請求項1之光學用基材，其中上述奈米級之不定間隔為變動幅度δ。
3. 如請求項1之光學用基材，其中不定間隔之上述間距Py等於各點之中心間之距離，不定間隔之上述間距Px等於以上述間距Py排列有上述複數個點之複數個點陣列間距離，且上述間距Py及上述間距Px大於各點之直徑，於上述間距Py為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之上述點間之上述間距Pyn(3≦n≦2a或3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(1)之關係，並且於上述第1方向上排列至少1個以上以上述間距Py1~Pyn構成之點群， 於上述間距Px為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之上述點間之上述間距Pxn(3≦n≦2a或3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(2)之關係，並且於上述第2方向上排列至少1個以上以上述間距Px1~Pxn構成之點陣列群，Py1<Py2<Py3<...<Pya>...>Pyn (1) Px1<Px2<Px3<...<Pxa>...>Pxn (2)。
4. 如請求項1之光學用基材，其中不定間隔之上述間距Py等於各點之中心間之距離，不定間隔之上述間距Px等於以上述間距Py排列有上述複數個點之複數個點陣列間距離，且上述間距Py及上述間距Px大於各點之直徑，於上述間距Py為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之上述點間之上述間距Pyn(3≦n≦2a或3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(1)之關係，並且於上述第1方向上，以上述間距Py1~Pyn構成之點群為重複排列有長週期單位Lyz之構成，且於上述間距Px為不定間隔之情形時，至少鄰接之4個以上m個以下之上述點間之上述間距Pxn(3≦n≦2a或3≦n≦2a+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(2)之關係，並且於上述第2方向上，以上述間距Px1~Pxn構成之點陣列群為重複排列有長週期單位Lxz之構成，Py1<Py2<Py3<...<Pya>...>Pyn (1) Px1<Px2<Px3<...<Pxa>...>Pxn (2)。
5. 如請求項3之光學用基材，其中上述點之各個直徑係對 應於間距Py及/或間距Px進行增減，於上述間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點徑Dyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(3)之關係，並且於上述第1方向上排列至少1個以上之以上述點徑Dy1~Dyn構成之點群，於上述間距Px為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點徑Dxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(4)之關係，並且於上述第2方向上排列至少1個以上之以上述點徑Dx1~Dxn構成之點群，Dy1<Dy2<Dy3<...<Dya>...>Dyn (3) Dx1<Dx2<Dx3<...<Dxa>...>Dxn (4)。
6. 如請求項4之光學用基材，其中上述點之各個直徑係對應於間距Py及/或間距Px進行增減，於上述間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點徑Dyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(3)之關係，並且於上述第1方向上以長週期單位Lyz重複排列以上述點徑Dy1~Dyn構成之點群，且於上述間距Px為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點徑Dxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(4)之關係，並且於上述第2方向上以長週期單位Lxz重複 排列以上述點徑Dx1~Dxn構成之點群，Dy1<Dy2<Dy3<...<Dya>...>Dyn (3) Dx1<Dx2<Dx3<...<Dxa>...>Dxn (4)。
7. 如請求項5之光學用基材，其中上述點之各個高度係對應於間距Py及/或間距Px進行增減，於上述間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點高度Hyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(5)之關係，並且於上述第1方向上排列至少1個以上之以上述點高度Hy1~Hyn構成之點群，於上述間距Px為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點高度Hxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(6)之關係，並且於上述第2方向上排列至少1個以上之以上述點徑Hx1~Hxn構成之點群，Hy1<Hy2<Hy3<...<Hya>...>Hyn (5) Hx1<Hx2<Hx3<...<Hxa>...>Hxn (6)。
8. 如請求項6之光學用基材，其中上述點之各個高度係對應於間距Py及/或間距Px進行增減，於上述間距Py為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點高度Hyn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(5)之關係，並且於上述第1方向上以長週期單位Lyz重複排列以上述點高度Hy1~Hyn構成之點群，且 於上述間距Px為不定間隔之情形時，構成至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距之點高度Hxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(6)之關係，並且於上述第2方向上以長週期單位Lxz重複排列以上述點高度Hx1~Hxn構成之點群，Hy1<Hy2<Hy3<...<Hya>...>Hyn (5) Hx1<Hx2<Hx3<...<Hxa>...>Hxn (6)。
9. 一種光學用基材，其特徵在於：其係至少包括陽極、陰極及發光層且上述發光層具有一層以上之有機層的可應用於有機EL發光裝置者，且具有包含包括自基材之主面在面外方向上延伸之複數個凸部或凹部之複數個點的微細結構層，上述微細結構層於上述基材之主面內之第1方向上構成以固定間隔之奈米級之間距Py排列有上述複數個點之點陣列，且於與上述第1方向正交之第2方向上以固定間隔之奈米級之間距Px並排設置該等點陣列，鄰接之第1點陣列及第2點陣列間之上述第1方向上之偏移量α1與上述第2點陣列及鄰接於上述第2點陣列之第3點陣列間之上述第1方向上之偏移量α2相互不同。
10. 如請求項9之光學用基材，其中上述偏移量α1與上述偏移量α2之差值不固定。
11. 一種光學用基材，其特徵在於：其係至少包括陽極、陰極及發光層且上述發光層具有一層以上之有機層的可應用於有機EL發光裝置者，且 形成包含包括自上述基材之基材主面在面外方向上延伸之複數個凸部之線的微細結構層，並沿上述基材主面內之上述第1方向形成線結構，於上述基材主面內之與上述第1方向正交之第2方向上具有以間距Px排列有上述複數條線之複數個線行，且上述間距Px為奈米級之不定間隔。
12. 如請求項11之光學用基材，其中不定間隔之上述間距Px係大於上述線結構之凸部寬度，且至少鄰接之4個以上m個以下之上述間距Pxn(3≦n≦2a或3≦n≦2n+1，其中，m、a為正整數，n=m-1)滿足下述式(7)之關係，於上述第2方向上重複排列以上述間距Px1~Pxn構成之長週期Lz，Py1<Py2<Py3<...<Pya>...>Pyn (7)。
13. 如請求項1至12中任一項之光學用基材，其中上述基材係包含樹脂。
14. 如請求項1至12中任一項之光學用基材，其中上述基材至少包括基材及構成上述微細結構層之材料，且構成上述微細結構層之材料之折射率與上述基材之折射率之差為0.15以下。
15. 如請求項1至12中任一項之光學用基材，其中於上述基材之表面被覆金屬膜。
16. 如請求項1至12中任一項之光學用基材，其中上述基材係包含金屬。
17. 如請求項1至12中任一項之光學用基材，其中具有透明介電層，該透明介電層係設置於上述基材之微細結構層之上述點上或上述線上，且具有與上述微細結構層之包含上述複數個凸部或凹部之點或包含上述複數個凸部之線所對應之形狀的微細凹凸結構，且將上述透明介電層之與具有上述微細凹凸結構之面為相反側之面平坦化。
18. 一種有機EL裝置，其特徵在於：其係具有至少一個如請求項1至12中任一項之光學用基材者，且上述發光層係與上述光學用基材之微細結構層側之主面對向地配置。