JP2014229558A

JP2014229558A - 有機ｅｌデバイス

Info

Publication number: JP2014229558A
Application number: JP2013110156A
Authority: JP
Inventors: 綾高際; Aya Takagiwa; 布士人山口; Fujito Yamaguchi; 潤古池; Jun Furuike
Original assignee: Asahi Kasei E Materials Corp
Current assignee: Asahi Kasei Corp
Priority date: 2013-05-24
Filing date: 2013-05-24
Publication date: 2014-12-08

Abstract

【課題】角度依存性とカラーシフトが抑制され、特に広角にしたがって抑制される。また、寿命を長くすることができる。【解決手段】有機ＥＬデバイスにおいて、光抽出体（１００）は、互いに独立した複数の凸部（１０１ｂ）を含むナノオーダーの凹凸構造（１０１ａ）を備え、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層（１０１）と、第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層（１０２）と、第３の屈折率（ｎ３）を有する平坦化層（１０３）と、凹凸構造（１０１ａ）は所定の条件を満たし、第１〜第３の屈折率（ｎ１〜ｎ３）が式（５）〜（７）のいずれかを満たす。式（５）ｎ２＞ｎ３≧ｎ１且つ（ｎ２−ｎ３）≧０．１式（６）ｎ３＞ｎ２＞ｎ１且つ（ｎ３−ｎ２）≧０．１式（７）ｎ３≧ｎ１＞ｎ２且つ（ｎ１−ｎ２）≧０．１【選択図】図２

Description

本発明は、有機ＥＬデバイスに関する。

近年、有機ＥＬデバイスにおける発光効率を向上させるために、光取り出し効率の改善が検討されている。光取り出し効率を効果的に向上させるためには、発光した光が減衰される前に、導波モードを早期に乱す必要がある。そこで、光取り出し効率を改善するために、低屈折率領域と高屈折率領域との間に中間の屈折率層を形成する方法が提案されている。特許文献１，２に記載の方法では、導波モードを乱し、光取り出し効率を改善した例として、導波モードにより閉じ込められた光を、基板近傍に設けた周期構造により、回折光として取り出す方法が提案されている。

また、特許文献３に記載された有機ＥＬ素子においては、光取り出し効率を更に向上させるために、透明支持基板の有機ＥＬ素子の光の入射面となるべき面側に、第一の凹凸が表面に形成された第一凹凸層からなる回折格子を備えると共に、有機ＥＬ素子に用いる場合に透明支持基板の有機ＥＬ素子の光の出光面となるべき面側に、第二の凹凸が表面に形成された第二凹凸層からなるマイクロレンズを備える構造になっている。

特開２００４−２７３１２２号公報特表２０１０−５３３９３２号公報国際公開第２０１２／１４７７５９号パンフレット

しかし、特許文献１，２記載の方法では、周期構造に基づく光の回折を利用して導波モードを乱すため、有機ＥＬデバイスから取り出された光に、周期構造に基づく光の回折特有のギラツキが生じる。ここで、ギラツキとは、特定角度で特定波長の光が点状の輝点として観察される現象、即ち視野角依存性を指し、カラーシフトを伴った輝点状の発光である。

上述のカラーシフト及びギラツキは、ディスプレイ又は照明用の発光デバイスとしては致命的な問題であり、デバイス全体としての光取り出し効率は向上しても、実用としては採用し難い。このように、回折構造を利用した場合、光取り出し効率とカラーシフト及びギラツキの発光特性とは、相反するものであった。

また、特許文献３記載の方法では、第一凹凸層からなる回折格子上に電極、有機層等を蒸着させるため、凹凸の影響により電力集中が起こり、有機ＥＬデバイスの発光寿命が短いという問題があった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、光の回折に起因するカラーシフト及び視野角依存性を抑えることができ、また発光寿命が長い有機ＥＬデバイスを提供することを目的とする。

本発明の有機ＥＬデバイスは、一対の陽極及び陰極と、前記陽極及び前記陰極との間に配置された少なくとも一層の有機層を含む発光層と、前記陽極の前記発光層とは反対側に配置された光抽出体と、前記光抽出体の前記発光層とは反対側に配置された光学フィルムと、を具備し、前記光抽出体は、一主面に、互いに独立した複数の凸部又は凹部と、前記複数の凸部又は凹部の間をつなぐ連続した凹部又は凸部と、を含む凹凸構造を備え、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層と、前記凹凸構造の少なくとも一部上に設けられ、第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層と、前記凹凸構造層及び前記光抽出層を覆うようにして設けられ、第３の屈折率（ｎ３）を有する平坦化層と、を含み、前記凹凸構造層は、前記一主面内の第１方向において、前記複数の凸部又は凹部がピッチＰｙで配列された複数の凸部列又は凹部列を構成し、一方、前記第１方向に直交する第２方向において、前記複数の凸部又は凹部がピッチＰｘで配列された複数の凸部列又は凹部列を構成しており、前記ピッチＰｙ及び前記ピッチＰｘは、いずれか一方がナノオーダーからマイクロオーダーの一定間隔であり、他方がナノオーダーからマイクロオーダーの不定間隔であるか、又は、いずれもナノオーダーからマイクロオーダーの不定間隔であり、前記光抽出層は、前記凹凸構造の凸部上に設けられた第１の光抽出層を含み、前記凹凸構造は、凸部頂部平均位置Ｓｈと前記第１の光抽出層の凸部上界面平均位置Ｓｃｖとの間の距離Ｌｃｖが下記式（１）を満たし、凸部平均高さＨが下記式（２）を満たし、平均ピッチＰａｖが下記式（３）を満たし、且つ、前記距離Ｌｃｖ及び前記凸部平均高さＨが下記式（４）を満たし、前記第１の屈折率（ｎ１）、前記第２の屈折率（ｎ２）及び前記第３の屈折率（ｎ３）が下記式（５）〜（７）のいずれかを満たし、且つ、前記凹凸構造は、前記第１の光抽出層の前記凸部上界面平均位置Ｓｃｖと前記平坦化層の表面との間の平均距離Ｌｏｒが、下記式（８）を満たすことを特徴とする。
式（１）
０ｎｍ≦Ｌｃｖ≦５０００ｎｍ
式（２）
０ｎｍ≦Ｈ≦５０００ｎｍ
式（３）
５０ｎｍ≦Ｐａｖ≦１８０００ｎｍ
式（４）
１０ｎｍ≦Ｌｃｖ＋Ｈ≦５０００ｎｍ
式（５）
ｎ２＞ｎ３≧ｎ１且つ（ｎ２−ｎ３）≧０．１
式（６）
ｎ３＞ｎ２＞ｎ１且つ（ｎ３−ｎ２）≧０．１
式（７）
ｎ３≧ｎ１＞ｎ２且つ（ｎ１−ｎ２）≧０．１
式（８）
１０ｎｍ≦Ｌｏｒ≦５０００ｎｍ

本発明の有機ＥＬデバイスにおいては、前記光抽出層は、前記凹凸構造の凹部内に設けられた第２の光抽出層を含み、前記凹凸構造は、凸部頂部平均位置Ｓｈと前記第２の光抽出層の凹部内界面平均位置Ｓｃｃとの間の距離Ｌｃｃ及び凸部平均高さＨが下記式（９）を満たすことが好ましい。
式（９）
０．０Ｈ＜Ｌｃｃ＜１．０Ｈ

本発明の有機ＥＬデバイスにおいては、前記不定間隔が変動幅δであることが好ましい。

本発明の有機ＥＬデバイスにおいては、前記不定間隔の前記ピッチＰｙは前記複数の凸部又は凹部のそれぞれの中心間の距離に等しく、前記不定間隔の前記ピッチＰｘは前記複数の凸部又は凹部が前記ピッチＰｙで配列された前記複数の凸部列又は凹部列の間の距離に等しく、且つ、前記ピッチＰｙ及び前記ピッチＰｘは前記複数の凸部又は凹部の直径より大きく、前記ピッチＰｙが前記不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記複数の凸部又は凹部のピッチＰｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１０）の関係を満たすと共に、前記第１方向において、ピッチＰｘ１〜Ｐｘｎで構成される凸部列群又は凹部列群が少なくとも１個以上配列され、前記ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ドット間のピッチＰｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１１）の関係を満たすと共に、前記第２方向において、ピッチＰｘ１〜Ｐｘｎで構成される凸部列群又は凹部列群が少なくとも１個以上配列されることが好ましい。
式（１０）
Ｐｙ１＜Ｐｙ２＜Ｐｙ３＜…＜Ｐｙａ＞…＞Ｐｙｎ
式（１１）
Ｐｘ１＜Ｐｘ２＜Ｐｘ３＜…＜Ｐｘａ＞…＞Ｐｘｎ

本発明の有機ＥＬデバイスにおいては、前記不定間隔の前記ピッチＰｙは前記複数の凸部又は凹部の中心間の距離に等しく、前記不定間隔の前記ピッチＰｘは前記複数の凸部又は凹部が前記ピッチＰｙで配列された前記複数の凸部列又は凹部列の間の距離に等しく、且つ、前記ピッチＰｙ及び前記ピッチＰｘは各ドットの直径より大きく、前記ピッチＰｙが前記不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記複数の凸部又は凹部のピッチＰｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ，ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は下記式（１０）の関係を満たすと共に、前記第１方向において、ピッチＰｙ１〜Ｐｙｎで構成される凸部列群又は凹部列群が、長周期単位Ｌｙｚを繰り返し配列され、且つ、前記ピッチＰｘが前記不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記複数の凸部又は凹部のピッチＰｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１１）の関係を満たすと共に、前記第２方向において、ピッチＰｘ１〜Ｐｘｎで構成される凸部列群又は凹部列群が、長周期単位Ｌｘｚを繰り返し配列されることが好ましい。
式（１０）
Ｐｙ１＜Ｐｙ２＜Ｐｙ３＜…＜Ｐｙａ＞…＞Ｐｙｎ
式（１１）
Ｐｘ１＜Ｐｘ２＜Ｐｘ３＜…＜Ｐｘａ＞…＞Ｐｘｎ

本発明の有機ＥＬデバイスにおいては、前記複数の凸部又は凹部の各々の直径が、前記ピッチＰｙ及び／又は前記ピッチＰｘに対応して増減し、前記ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｙを構成する前記複数の凸部又は凹部の直径Ｄｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただしｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１２）の関係を満たすと共に、前記第１方向において直径Ｄｙ１〜Ｄｙｎで構成される凸部群又は凹部群が少なくとも１個以上配列され、且つ、前記ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｘを構成する前記複数の凸部又は凹部の直径Ｄｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１３）の関係を満たすと共に、前記第２方向において直径Ｄｘ１〜Ｄｘｎで構成される凸部群又は凹部群が少なくとも１個以上配列されることが好ましい。
（式１２）
Ｄｙ１＜Ｄｙ２＜Ｄｙ３＜…＜Ｄｙａ＞…＞Ｄｙｎ
（式１３）
Ｄｘ１＜Ｄｘ２＜Ｄｘ３＜…＜Ｄｘａ＞…＞Ｄｘｎ

本発明の有機ＥＬデバイスにおいては、前記複数の凸部又は凹部の各々の直径が、前記ピッチＰｙ及び／又は前記ピッチＰｘに対応して増減し、前記ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｙを構成する前記複数の凸部又は凹部の直径Ｄｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１２）の関係を満たすと共に、前記第１方向において、直径Ｄｙ１〜Ｄｙｎで構成される凸部群又は凹部群が長周期単位Ｌｙｚで繰り返し配列され、且つ、前記ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｘを構成する前記複数の凸部又は凹部の直径Ｄｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１３）の関係を満たすと共に、前記第２方向において直径Ｄｘ１〜Ｄｘｎで構成される凸部群又は凹部群が長周期単位Ｌｘｚで繰り返し配列されることが好ましい。
式（１２）
Ｄｙ１＜Ｄｙ２＜Ｄｙ３＜…＜Ｄｙａ＞…＞Ｄｙｎ
式（１３）
Ｄｘ１＜Ｄｘ２＜Ｄｘ３＜…＜Ｄｘａ＞…＞Ｄｘｎ

本発明の有機ＥＬデバイスにおいては、前記複数の凸部又は凹部の各々の高さが、前記ピッチＰｙ及び／又は前記ピッチＰｘに対応して増減し、前記ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｙを構成する前記複数の凸部又は凹部の高さＨｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１３）の関係を満たすと共に、前記第１方向において、高さＨｙ１〜Ｈｙｎで構成される複数の凸部群又は凹部群が少なくとも１個以上配列され、且つ、前記ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｘを構成する前記複数の凸部又は凹部の高さＨｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１４）の関係を満たすと共に、前記第２方向において、高さＨｘ１〜Ｈｘｎで構成される複数の凸部群又は凹部群が少なくとも１個以上配列されることが好ましい。
式（１３）
Ｈｙ１＜Ｈｙ２＜Ｈｙ３＜…＜Ｈｙａ＞…＞Ｈｙｎ
式（１４）
Ｈｘ１＜Ｈｘ２＜Ｈｘ３＜…＜Ｈｘａ＞…＞Ｈｘｎ

本発明の有機ＥＬデバイスにおいては、前記複数の凸部又は凹部の各々の高さが、前記ピッチＰｙ及び／又は前記ピッチＰｘに対応して増減し、前記ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｙを構成する前記複数の凸部又は凹部の高さＨｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１３）の関係を満たすと共に、前記第１方向において、高さＨｙ１〜Ｈｙｎで構成される複数の凸部群又は凹部群が長周期単位Ｌｙｚで繰り返し配列され、且つ、前記ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｘを構成する前記複数の凸部又は凹部の高さＨｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１４）の関係を満たすと共に、前記第２方向において、高さＨｘ１〜Ｈｘｎで構成される複数の凸部群又は凹部群が長周期単位Ｌｘｚで繰り返し配列されることが好ましい。
式（１３）
Ｈｙ１＜Ｈｙ２＜Ｈｙ３＜…＜Ｈｙａ＞…＞Ｈｙｎ
式（１４）
Ｈｘ１＜Ｈｘ２＜Ｈｘ３＜…＜Ｈｘａ＞…＞Ｈｘｎ

本発明の有機ＥＬデバイスにおいては、前記光学フィルムが、角錐形状、角錐台形、円錐形状、円錐台形状、屋根形状、半球形状若しくは半球形台形形状の突起物又は窪みを有することが好ましい。

本発明の有機ＥＬデバイスは、一対の陽極及び陰極と、前記陽極及び前記陰極との間に配置された少なくとも一層の有機層を含む発光層と、前記陽極の前記発光層とは反対側に配置された光抽出体と、前記光抽出体の前記発光層とは反対側に配置された光学フィルムと、を具備し、前記光抽出体は、一主面に、互いに独立した複数の凸部又は凹部と、前記複数の凸部又は凹部の間をつなぐ連続した凹部又は凸部と、を含む凹凸構造を備え、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層と、前記凹凸構造の少なくとも一部上に設けられ、第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層と、前記凹凸構造層及び前記光抽出層を覆うようにして設けられ、第３の屈折率（ｎ３）を有する平坦化層と、を含み、前記凹凸構造層は、前記一主面内の第１方向において前記複数の凸部又は凹部が一定間隔のナノオーダーのピッチＰｙで配列された複数の凸部列又は凹部列を構成し、且つ、前記複数の凸部列又は凹部列を前記第１方向に直交する第２方向に一定間隔のナノオーダーのピッチＰｘで並設し、前記複数の凸部列又は凹部列において、互いに隣接する第１の凸部列又は凹部列と第２の凸部列又は凹部列との間の前記第１方向におけるシフト量α１と、互いに隣接する前記第２の凸部列又は凹部列と第３の凸部列又は凹部列との間の前記第１方向におけるシフト量α２と、が互いに異なることを特徴とする。

この構成により、ピッチＰｙ及びピッチＰｘがともに一定間隔で、且つ、周期構造を有する一方、複数の凸部列又は凹部列の間の第１方向におけるシフト量α１，α２が互いに異なるので、凹凸構造を構成する複数の凸部又は凹部の配置に周期性が乱れ、光散乱硬化を生じさせることができる。また、ナノオーダーの一定間隔Ｐｘで並設された複数の凸部列又は凹部列により、回折効果と表面プラズモン共鳴により光取り出し効率が向上する。

本発明の有機ＥＬデバイスにおいては、前記シフト量α１と前記シフト量α２の差分が一定でないことが好ましい。

本発明の有機ＥＬデバイスは、上述の構成により、角度依存性とカラーシフトが抑制され、特に広角にしたがって抑制される。また、寿命を長くすることができる。

本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスを示す模式断面図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスを示す模式断面図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体を示す断面模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体の他の例を示す断面模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体の他の例を示す断面模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における内界面平均位置Ｓｃｃを説明するための説明図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体の他の例を示す断面模式図である。本実施の形態に係る光抽出体における第１の凹凸構造を備えた凹凸構造層を示す斜視模式図である。本実施の形態に係る光抽出体における第１の凹凸構造を備えた凹凸構造層を示す上面模式図である。本実施の形態に係る光抽出体における第２の凹凸構造を備えた凹凸構造層を示す斜視模式図である。本実施の形態に係る光抽出体における第２の凹凸構造を備えた凹凸構造層を示す上面模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体の凹凸構造を示す平面模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における平均ピッチＰａｖの概念図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層の一例を示す平面模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体において第２方向からみたときの複数のドットの配置を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層を構成する複数のドットの配置の一例を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体において第２方向からみたときの複数のドットの配置を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層を構成する複数のドットの配置の一例を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層を構成する複数のドットの配置の一例を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層を構成する複数のドットの配置の一例を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層を構成する複数のドットの配置の一例を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層を構成する複数のドットの配置の一例を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層を構成する複数のドットの配置の一例を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層を構成する複数のドットの配置の一例を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における第２方向における異なるドット径を有するドットの配置例を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における第２方向における異なるドット高さを有するドットの配置例を示す模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造を示す平面模式図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスを示す断面模式図である。本発明の有機ＥＬデバイスの実施例、比較例及び参考例の結果を示すグラフである。本発明の有機ＥＬデバイスの実施例、比較例及び参考例の結果を示すグラフである。

以下、本発明の一実施の形態（以下、「実施の形態」と略記する。）について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。

＜本発明の概要＞
本発明に係る有機ＥＬデバイスは、一対の陽極及び陰極と、前記陽極及び前記陰極との間に配置された少なくとも一層の有機層を含む発光層と、前記陽極の前記発光層とは反対側に配置された光抽出体と、前記光抽出体の前記発光層とは反対側に配置された光学フィルムと、を具備し、前記光抽出体は、一主面に、互いに独立した複数の凸部又は凹部と、前記複数の凸部又は凹部の間をつなぐ連続した凹部又は凸部と、を含む凹凸構造を備え、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層と、前記凹凸構造の少なくとも一部上に設けられ、第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層と、前記凹凸構造層及び前記光抽出層を覆うようにして設けられ、第３の屈折率（ｎ３）を有する平坦化層と、を含み、前記凹凸構造層は、前記一主面内の第１方向において、前記複数の凸部又は凹部がピッチＰｙで配列された複数の凸部列又は凹部列を構成し、一方、前記第１方向に直交する第２方向において、前記複数の凸部又は凹部がピッチＰｘで配列された複数の凸部列又は凹部列を構成しており、前記ピッチＰｙ及び前記ピッチＰｘは、いずれか一方がナノオーダーからマイクロオーダーの一定間隔であり、他方がナノオーダーからマイクロオーダーの不定間隔であるか、又は、いずれもナノオーダーからマイクロオーダーの不定間隔であり、前記光抽出層は、前記凹凸構造の凸部上に設けられた第１の光抽出層を含み、前記凹凸構造は、凸部頂部平均位置Ｓｈと前記第１の光抽出層の凸部上界面平均位置Ｓｃｖとの間の距離Ｌｃｖが下記式（１）を満たし、凸部平均高さＨが下記式（２）を満たし、平均ピッチＰａｖが下記式（３）を満たし、且つ、前記距離Ｌｃｖ及び前記凸部平均高さＨが下記式（４）を満たし、前記第１の屈折率（ｎ１）、前記第２の屈折率（ｎ２）及び前記第３の屈折率（ｎ３）が下記式（５）〜（７）のいずれかを満たし、且つ、前記凹凸構造は、前記第１の光抽出層の前記凸部上界面平均位置Ｓｃｖと前記平坦化層の表面との間の平均距離Ｌｏｒが、下記式（８）を満たすことを特徴とする。
式（１）
０ｎｍ≦Ｌｃｖ≦５０００ｎｍ
式（２）
０ｎｍ≦Ｈ≦５０００ｎｍ
式（３）
５０ｎｍ≦Ｐａｖ≦１８０００ｎｍ
式（４）
１０ｎｍ≦Ｌｃｖ＋Ｈ≦５０００ｎｍ
式（５）
ｎ２＞ｎ３≧ｎ１且つ（ｎ２−ｎ３）≧０．１
式（６）
ｎ３＞ｎ２＞ｎ１且つ（ｎ３−ｎ２）≧０．１
式（７）
ｎ３≧ｎ１＞ｎ２且つ（ｎ１−ｎ２）≧０．１
式（８）
１０ｎｍ≦Ｌｏｒ≦５０００ｎｍ

上述の構成により、光抽出体と光学フィルムとを組み合わせているので、導波モード及びガラスモードの光を空気モードに変換する割合が増加する。また、導波モード及びガラスモードの光を効率良く空気モードに変換できるため、光が熱に変わる量が減り、発熱を抑えることができる。この結果、有機発光材料の劣化を抑えることが可能になり、如いては寿命を長くすることができる。

また、角度依存性及びカラーシフトが抑制され、特に広角にしたがって抑制される。光抽出体と光学フィルムとを組み合わせることにより、片方のみ用いる場合よりも角度依存性及びカラーシフトが更に抑制される。特に顕著に表れるのが広角にしたがって抑制される。つまり広角（例えば、５０〜７０度）において、角度依存性及びカラーシフトが抑制されているため、どの角度から観察しても変化しないことを意味している。

上述の本発明に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体は、次のような構成（Ａ）〜（Ｄ）を含む。

まず、本発明に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体において、微細凹凸構造層は、前記一主面内の第１方向において、前記複数の凸部又は凹部がピッチＰｙで配列された複数の凸部列又は凹部列を構成し、一方、前記第１方向に直交する第２方向において、前記複数の凸部又は凹部がピッチＰｘで配列された複数の凸部列又は凹部列を構成しており、前記ピッチＰｙ及び前記ピッチＰｘは、いずれか一方がナノオーダーからマイクロオーダーの一定間隔であり、他方がナノオーダーからマイクロオーダーの不定間隔であるか、又は、いずれもナノオーダーからマイクロオーダーの不定間隔である（以下、構成Ａと呼ぶ）。

また、前記光抽出層は、前記凹凸構造の凸部上に設けられた第１の光抽出層を含み、前記凹凸構造は、凸部頂部平均位置Ｓｈと前記第１の光抽出層の凸部上界面平均位置Ｓｃｖとの間の距離Ｌｃｖが上記式（１）を満たし、凸部平均高さＨが上記式（２）を満たし、平均ピッチＰａｖが上記式（３）を満たし、且つ、前記距離Ｌｃｖ及び前記凸部平均高さＨが上記式（４）を満たす（以下、構成Ｂと呼ぶ）。

また、前記光抽出層を構成する複数の層の屈折率、即ち、前記第１の屈折率（ｎ１）、前記第２の屈折率（ｎ２）及び前記第３の屈折率（ｎ３）が上記式（５）〜（７）のいずれかを満たす（以下、構成Ｃと呼ぶ）。

また、前記凹凸構造は、前記第１の光抽出層の前記凸部上界面平均位置Ｓｃｖと前記平坦化層の表面との間の平均距離Ｌｏｒが、下記式（８）を満たす（以下、構成Ｄと呼ぶ）。

本発明は、上述のような構成（Ａ）〜（Ｄ）のすべてを備えていることで、以下のような効果を奏する。光抽出体を設けることにより、滲み出し光を抽出すると共に、臨界角内の発光光が光抽出体の内部において反射し、入光面へもどることが抑制される。光抽出体と光学フィルムを組み合わせることにより、導波モード及びガラスモードの光を空気モードに変換する割合が増加する。また、導波モード及びガラスモードの光を効率良く空気モードに変換できる。

＜有機ＥＬデバイスの概要＞
図１は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスを示す模式断面図である。本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス１は、一対の陽極１０及び陰極１１と、陽極１０及び陰極１１との間に配置された少なくとも一層の有機層を含む発光層１２と、陽極１０の発光層１２とは反対側に配置された光抽出体１００と、光抽出体１００の発光層１２とは反対側、及び、陰極１１の発光層１２とは反対側にぞれぞれ配置された支持基材１３，１４と、光抽出体１００側に配置された一方の支持基材１３の光抽出体１００とは反対側に配置された光学フィルム１５と、を具備する。支持基材１３，１４は、少なくとも一方があれば良い。また、両者は、同一のものであっても良いし、互いに異なる材料のものでも良い。

＜光抽出体の概要＞
図２及び図３は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体を示す断面模式図である。なお、以下の説明においては、図２及び図３に示す上方を、図１に示す有機ＥＬデバイス１の発光層１２から光抽出体１００への入光方向とし、図２及び図３に示す下方を光抽出体１００からの光の出向方向とする。また、光抽出体１００の上面を入光面１００ａとし、下面を出光面１００ｂとする。また、図２及び図３中、矢印Ａは入光する光を示す。

図２及び図３に示すように、光抽出体１００は、表面に凹凸構造１０１ａが設けられ、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層１０１と、この凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａの少なくとも一部上に設けられ、第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層１０２と、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａ及び光抽出層１０２を覆うように設けられ、第３の屈折率（ｎ３）を有する平坦化層１０３と、を含む。

光抽出体１００は、平坦化層１０３の上面、即ち入光面１００ａが陽極１０の表面に対面するように配置される。以下、陽極１０に代表される発光層面を単に陽極面と記載する。

光抽出体１００の入光面１００ａから光抽出体１００内に入光した有機ＥＬデバイス１の発光光は、凹凸構造層１０１の下面、即ち出光面１００ｂから出光する。出光面１００ｂは、図１に示す光学フィルム１５に対面するように配置される。

光抽出体１００の入光面１００ａより入光する光Ａは、有機ＥＬデバイス１の発光層１２より発光した発光光であり、大きく２つに分類することができる。第１に、陽極面に対して臨界角内の角度にて入光する発光光である（以下、「臨界角内の発光光」ともいう）。換言すれば、臨界角内の発光光は陽極面に対して全反射を生じない入射角にて入光する発光光である。第２に、有機ＥＬデバイス１の内部にて導波モードを形成した発光光が、陽極面にて反射する際に陽極面から入光面１００ａ側へと滲みだす滲み出し光（以下、単に「滲み出し光」ともいう）である。

有機ＥＬデバイス１の光取り出し効率を向上させるためには、臨界角内の発光光及び滲み出し光の双方を、光抽出体１００の出光面１００ｂより出光させる必要がある。即ち、光抽出体１００と光学フィルム１５を同時に使用し、有機ＥＬデバイス１を製造することで、本来、有機ＥＬデバイス１の外部へと取り出されない滲み出し光を抽出し光抽出体１００の出光面１００ｂより取り出すことが可能になると共に、臨界角内の発光光が光抽出体１００の内部において反射し光抽出体１００の入光面１００ａへと戻ることを抑制することができる。このため、有機ＥＬデバイス１の光取り出し効率を改善することができる。入光面１００ａより入光した臨界角内の発光光は、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａ、光抽出層１０２及び平坦化層１０３の各界面形状と、第１の屈折率（ｎ１）、第２の屈折率（ｎ２）及び第３の屈折率（ｎ３）の関係に基づき、光回折を生じ出光面１００ｂへと向かう。ここで、凹凸構造１０１ａの形状を基に上記界面形状は決定されるため、凹凸構造１０１ａの形状を所定の形状にすることで、臨界角度内の発光光の光抽出体１００内における反射を抑制し、効果的に出光面１００ｂへと導くことが可能となる。

一方、滲み出し光は、光抽出体１００の入光面１００ａと陽極面との界面より入光面１００ａ側へと滲み出し、平坦化層１０３の内部を伝搬し光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１へと到達する。伝搬された滲み出し光は、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａ、光抽出層１０２及び平坦化層１０３の各界面形状と、第１の屈折率（ｎ１）、第２の屈折率（ｎ２）及び第３の屈折率（ｎ３）の関係に基づき、光回折により抽出され、出光面１００ｂへと向かう。ここで、滲み出し光は、光抽出体の厚み方向に対する距離の指数関数的に減衰するため、光抽出層１０２及び凹凸構造１０１ａと入光面１００ａとの距離は、ナノスケールに小さくする必要がある。光抽出体１００においては、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａが所定の形状及び大きさを満たすことから、光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａと入光面１００ａとの距離を容易にナノスケールに薄くすることが可能となり、滲み出し光を抽出することが可能となる。

更に、光抽出体１００においては、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａの形状及び大きさが所定の範囲を満たすことから、凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂ上に位置する平坦化層１０３の表面位置と、凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ上に位置する平坦化層１０３の表面位置と、の差を小さくすること、即ち、入光面１００ａの表面精度を高く保つことができる。このため、有機ＥＬデバイス１における電流集中に主に起因した劣化を抑制することができ、有機ＥＬデバイス１の長期信頼性を向上させることが可能となる。

また、光抽出体１００においては、凹凸構造１０１ａは所定の構造を満たすことから、凹凸構造１０１ａに対する配列や形状の乱れを恣意的に容易に加えることが可能となる。このため、第１の屈折率（ｎ１）、第２の屈折率（ｎ２）、及び第３の屈折率（ｎ３）が所定の関係を満たすため、入光面１００ａより入光する滲み出し光及び臨界角内の発光光は、光抽出体１００内部において複数の乱れた界面を認識することが可能となる。即ち、凹凸構造１０１ａの配列により光抽出層１０２及び平坦化層１０３の配列を制限した場合であっても、滲みだし光及び臨界角内の発光光は、恰も異なる光回折現象を生じる複数の乱れた回折点群が存在するかのように振る舞うことが可能となる。よって、凹凸構造１つ１つといった微視的なスケールにおいては各界面位置に対応した光回折を生じることとなるが、これらの回折モードは複数のモードを含むこととなる。このため、数十マイクロメートル以上といった巨視的なスケールから見た場合、取り出される光は散乱性を奏すこととなり、カラーシフトを低減することも可能と考えられる。更に、臨界角内の発光光の反射を極力小さくするように凹凸構造１０１ａの大きさをより小さくした場合であっても、有効媒質近似的屈折率Ｎｅｍａの分布に応じた光散乱性として、滲み出し光を取り出すことが可能となる。

（凹凸構造）
凹凸構造１０１ａは、図２及び図３に示すように、凹凸構造層１０１の一主面に互いに離間して設けられた複数の凸部１０１ｂと、隣接する凸部１０１ｂの間をつなぐ連続した凹部１０１ｃと、を含む。

なお、図２及び図３示す凹凸構造１０１ａを、ドット状と表記する（後述する第１の凹凸構造１１０ａ（図８参照））。一方、凹凸構造層の一主面に互いに離間して設けられた複数の凹部と、隣接する凹部の間をつなぐ連続した凸部と、を含む凹凸構造を、ホール状（後述する第２の凹凸構造１２０ａ（図１０））と表記する。

（光抽出層）
光抽出層１０２は、凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂ上に設けられた第１の光抽出層１０２ａと、凹部１０１ｃ内に設けられた第２の光抽出層１０２ｂと、を含む。なお、光抽出層１０２は、必ずしも第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂの双方を有する必要はない。図４及び図５は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体の他の例を示す断面模式図である。例えば、光抽出層１０２は、図４Ａや図５に示すように、凸部１０１ｂ上の第１の光抽出層１０２ａのみを設けてもよく、図４Ｂに示すように、凹部１０１ｃ内に第２の光抽出層１０２ｂのみを設けてもよい。

また、光抽出層１０２が第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂの双方を有する場合には、図２及び図３に示したように、必ずしも第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂを分離して設ける必要はない。光抽出層１０２は、第２の光抽出層１０２ｂが凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内を完全に充填しないように設けるものであれば、第１の光抽出層１０２ａと第２の光抽出層１０２ｂとが連続するように設けてもよい。即ち、光抽出層１０２は、凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内から凸部１０１ｂの頂部に亘って第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂを連続的に設けてもよい。このような第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂが連続的に設けられる場合であっても、第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂにより形成される凹凸構造１０１ａにより滲み出し光を抽出できる。このような場合、第１の光抽出層１０２ａにより滲み出し光を抽出し、第１の光抽出層１０２ａと第２の光抽出層１０２ｂとの距離を大きくし臨界角内に発光光の反射を抑制すると好ましい。

（平坦化層）
平坦化層１０３は、滲み出し光を、凹凸構造１０１ａ及び光抽出層１０２へと伝搬する。光抽出層１０２は、平坦化層１０３により伝搬された滲み出し光を、光回折又は光回折及び光散乱現象により抽出する。凹凸構造１０１ａは、光抽出層１０２を支持すると共に、平坦化層１０３により伝搬された滲み出し光を、光回折又は光回折と光散乱現象により抽出する。

上記説明したように、本実施の形態に係る光抽出体１００においては、滲み出し光を光回折又は光回折及び光散乱により取り出すことが可能である。このような取り出し形式の違いは、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａの配列と、有機ＥＬデバイス１の発光光の波長により決定される。本明細書における光回折は、発光光の波長が凹凸構造の平均ピッチよりも同程度以下の場合に生じる光学現象を意味する。一方、光回折と光散乱は、発光光の波長が凹凸構造の平均ピッチよりも大きい場合に生じる光学現象を意味する。これは、入射光の波長が凹凸構造の平均ピッチよりも大きい場合、凹凸構造は入射光からみて平均化される有効媒質近似的作用に基づくものである。この場合、発光光からみて形成される有効媒質近似的屈折率Ｎｅｍａの分布及びコントラストに応じた光学現象を生じることとなり、該分布がランダム又は発光光よりも十分に大きければ光散乱現象を発現することとなり、該分布が発光光の波長と同程度以上であれば光回折現象を発現することとなる。

以上、光抽出体１００の効果を、ドット状の凹凸構造１０１ａを例に挙げて説明したが、ホール状の凹凸構造も同様である。

なお、以下の説明においては、特に断りのない限り、光回折という表現を代表して使用することとする。

（屈折率ｎ１〜ｎ３）
以下、光抽出体１００に基づいて説明する。また、以下においては、図２及び図３に示した凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂ上の第１の光抽出層１０２ａ及び凹部１０１ｃ内の第２の光抽出層１０２ｂの双方が設けられている場合を代表して説明するが、特に断りがない限り、図４Ａ及び図５に示すように、凸部１０１ｂ上にのみ第１の光抽出層１０２ａが設けられている場合や、図４Ｂに示すように、凹部１０１ｃ内にのみ第２の光抽出層１０２ｂが設けられている場合も同様である。

まず、光抽出体１００の第１の屈折率（ｎ１）〜第３の屈折率（ｎ３）について詳細に説明する。また、本明細書において、「屈折率が実質的に同等」とは、屈折率（ｎＡ）の媒質（Ａ）及び屈折率（ｎＢ）の媒質（Ｂ）の屈折率差の絶対値（｜ｎＡ−ｎＢ｜）が０．１より小さい場合であり、「屈折率が等しい」とは、屈折率（ｎＡ）の媒質（Ａ）及び屈折率（ｎＢ）の媒質（Ｂ）の屈折率差の絶対値（｜ｎＡ−ｎＢ｜）が０の場合である。

屈折率が実質的に同等である場合、屈折率（ｎＡ）を有する媒質（Ａ）と屈折率（ｎＢ）を有する媒質（Ｂ）との界面における光の反射は０．１％以下に抑えられ、光は、屈折率（ｎＡ）の媒質と屈折率（ｎＢ）の媒質との界面を略認識しなくなる。このため、屈折率差の絶対値（｜ｎＡ−ｎＢ｜）が０．１より小さい場合を屈折率が実質的に同等と定義する。なお、これらの屈折率差の絶対値（｜ｎＡ−ｎＢ｜）は、０．０７以下であることがより好ましい。この場合、各媒質（Ａ），（Ｂ）の界面における光の反射を０．０５％以下に抑えることができる。

３種類以上の媒質に対しても２種類の媒質の場合と同様に、屈折率差の絶対値が０．１より小さい場合を「屈折率が実質的に同等」とし、屈折率差が０の場合を「屈折率が等しい」とする。例えば、屈折率（ｎＡ）を有する媒質（Ａ）、屈折率（ｎＢ）を有する媒質（Ｂ）及び屈折率（ｎＣ）を有する媒質（Ｃ）がある場合、（｜ｎＡ−ｎＢ｜）、（｜ｎＡ−ｎＣ｜）及び（｜ｎＣ−ｎＢ｜）のすべての値が０．１より小さいときは、屈折率（ｎＡ）の媒質（Ａ）、屈折率（ｎＢ）の媒質（Ｂ）及び屈折率（ｎＣ）を有する媒質（Ｃ）は、互いに屈折率が実質的に同等な媒質として扱う。

また、本明細書において、「互いに屈折率が異なる状態」とは、屈折率差の絶対値が０．１以上の場合である。即ち、屈折率（ｎＡ）と屈折率（ｎＢ）とが互いに異なる状態とは、屈折率差の絶対値（｜ｎＡ−ｎＢ｜）が０．１以上の場合として定義する。

３種類以上の媒質に対しても２種類の媒質の場合と同様に屈折率差の絶対値が０．１以上の場合を互いに屈折率の異なる状態として扱う。例えば、屈折率（ｎＡ）を有する媒質（Ａ）、屈折率（ｎＢ）を有する媒質（Ｂ）及び屈折率（ｎＣ）を有する媒質（Ｃ）がある場合、（｜ｎＡ−ｎＢ｜）、（｜ｎＡ−ｎＣ｜）及び（｜ｎＣ−ｎＢ｜）のすべての値が０．１以上のときを、屈折率（ｎＡ）の媒質（Ａ）、屈折率（ｎＢ）の媒質（Ｂ）及び屈折率（ｎＣ）の媒質（Ｃ）は、互いに屈折率の異なる媒質として扱う。

光抽出体１００においては、第１の屈折率（ｎ１）〜第３の屈折率（ｎ３）が、下記式（５）〜下記式（７）に示す屈折率の関係式を満たす。
式（５）
ｎ２＞ｎ３≧ｎ１且つ（ｎ２−ｎ３）≧０．１
式（６）
ｎ３＞ｎ２＞ｎ１且つ（ｎ３−ｎ２）≧０．１
式（７）
ｎ３≧ｎ１＞ｎ２且つ（ｎ１−ｎ２）≧０．１

光抽出体１００においては、平坦化層１０３の表面（入光面１００ａ）と有機ＥＬデバイス１の陽極面の表面とが当接した際に、滲み出し光を、光抽出層１０２及び凹凸構造１０１ａにより光回折として抽出する。そして、抽出された滲み出し光は、光抽出層１０２及び凹凸構造１０１ａを介して出光面１００ｂから有機ＥＬデバイス１の外部へと取り出される。

このとき、第１の屈折率（ｎ１）〜第３の屈折率（ｎ３）が、上記式（５）の関係を満たす場合には、第２の屈折率と第１の屈折率と、の差が大きくなるため、有機ＥＬデバイス１の発光光からみた第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層１０２と第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層１０１との異質性が強まる。即ち、光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１は恰も異なる光回折現象を生じる回折点群を２つ重ねあわせたかのような機能を発現すると考えられる。このため、滲み出し光は異なる回折モードで取り出されることとなり散乱性を発現するため、導波モードは効果的に乱され光取り出し効率を向上させることが可能となる。このような第２の屈折率（ｎ２）が最も大きく、第２の屈折率（ｎ２）と第１の屈折率（ｎ１）との差が大きい状態、即ち光抽出作用の中心が第２の屈折率（ｎ２）を有す光抽出層１０２及び第１の屈折率（ｎ１）を有す凹凸構造層１０１である場合であっても、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａがドット状又はホール状であることにより、第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層１０２の光抽出体１００の面内方向における大きさを制限することができるため、光抽出層１０２における臨界角内の発光光に対する反射を抑制することが可能となり、光取り出し効率を大きく向上させることが可能と考えられる。

更に、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａ及び第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層１０２に乱れ（形状や配列）を加えた場合、発光光の波長が凹凸構造１０１ａの平均ピッチよりも十分に大きな場合であっても、有機ＥＬデバイス１の発光光からみた有効媒質近似的屈折率Ｎｅｍａの分布コントラストが大きくなり、有効媒質近似的屈折率Ｎｅｍａの分布に応じた光散乱性の程度が大きくなるため、カラーシフト改善の効果が大きいと推定される。一方、発光光の波長が凹凸構造１０１ａの平均ピッチ程度以上の場合、凹凸構造１つ１つといった微視的スケールにおける光回折モードの分散が大きくなり、数十マイクロメートル以上とった巨視的スケールにおける光散乱性がより強くなると考えられる。

更に、光抽出層１０２が第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂの双方を有する場合は、第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂ並びに凹凸構造１０１ａにより、相互に異なる回折モードにて滲み出し光を取り出すとも考えられる。このため、恰も異なる光回折現象を生じる３つの回折点群を重ね合わせたかのような機能が発現され、強い光散乱性が発現されると推定される。このような光散乱は、導波モードを乱す効果が大きいため、光取り出し効率をより向上させることが可能と考えられる。更に、凹凸構造の形状や配列に対し恣意的に乱れを加えた場合の乱れに起因した散乱性をより強くすることが可能となる。このため、回折光特有の所定角度への出向特性を満たさないため、カラーシフトは抑制され、より自然光に近い発光光を作ることが可能となる。そのため、使用者が有機ＥＬデバイス１を視認した際のギラツキを抑制することができる。

また、上記式（７）においては、第２の屈折率（ｎ２）と第３の屈折率（ｎ３）との差分値（ｎ２−ｎ３）が０．１以上を満たすので、有機ＥＬデバイス１の発光光から見た光抽出層１０２の異質性が高まる。即ち、滲み出し光は、平坦化層１０３と光抽出層１０２との界面において、第３の屈折率（ｎ３）と第２の屈折率（ｎ２）との屈折率差に基づく光回折が生じることとなるので、滲み出し光を効果的に抽出することが可能となる。特に、上記効果をよりいっそう発揮する観点から、第２の屈折率（ｎ２）と第３の屈折率（ｎ３）との差分値（ｎ２−ｎ３）は、０．１５以上であることが好ましく、０．２５であることがより好ましく、０．３以上であることが更に好ましい。

なお、上記式（５）においては、第１の屈折率（ｎ１）と第３の屈折率（ｎ３）との差分値（ｎ３−ｎ１）は特に限定されないが、（ｎ３−ｎ１）≧０を満たすことが好ましい。（ｎ３−ｎ１）≧０であれば、滲み出し光及び臨界角内の発光光の出光面１００ｂ側への透過を促進できる。また、式（５）を満たす範囲で（ｎ３−ｎ１）を大きくした場合、凹凸構造１０１ａによる滲み出し光の光回折による取り出し能を向上させることができると考えられる。なお、式（５）を満たす範囲で、第３の屈折率（ｎ３）が小さい場合、例えば第３の屈折率（ｎ３）が第１の屈折率（ｎ１）と同等か又は第１の屈折率（ｎ１）に漸近する場合であっても、後述する距離Ｌｏｒが所定の範囲を満たすため、滲み出し光は、平坦化層１０３内を伝播し、光抽出層１０２により抽出される。

上記式（５）を満たしつつ、第３の屈折率（ｎ３）を有機ＥＬデバイス１の陽極面を構成する層（本実施の形態では陽極１０）の屈折率、すなわち陽極面の屈折率（ｎｓｃ）に近づけることにより、臨界角内の発光光の割合を増加させることができる。即ち、導波モードを形成する発光光を減少させることが可能となる。また、第３の屈折率（ｎ３）と有機ＥＬデバイス１の陽極面の屈折率（ｎｓｃ）との差分値の絶対値（｜ｎ３−ｎｓｃ｜）は、平坦化層１０３と有機ＥＬデバイス１の陽極面との界面における反射を抑制する観点から、０．５以下であることが好ましい。また、差分値の絶対値（｜ｎ３−ｎｓｃ｜）は、発光層１２と平坦化層１０３との界面における発光光の全反射光量を小さくする観点から、０．３以下であることが好ましく、０．１５以下であることがより好ましく、実質的に同等な屈折率関係を満たす０．１未満であることが最も好ましい。

また、上記式（５）を満たしつつ、第３の屈折率（ｎ３）を第１の屈折率（ｎ１）に近づけることで、滲み出し光の抽出作用の中心を光取り出し層にすることが可能となる。この場合、第３の屈折率（ｎ３）と第２の屈折率（ｎ２）の差に基づく光回折により滲み出し光を抽出すると共に、臨界角内の発光光の平坦化層１０３と凹凸構造層１０１と、の界面における反射を小さくすることが可能となる。

また、上記式（５）を満たす範囲で凹凸構造層１０１の第１の屈折率（ｎ１）を小さくすることにより、光抽出層１０２及び凹凸構造１０１ａによる滲み出し光の取り出し効率がいっそう向上する。更に、導波モードを打破して取り出される光及び臨界角内の発光光の出光面１００ｂ側への透過を促進することができる。

更に、上記説明した原理により滲み出し光を取り出すと共に、臨界角内の発光光を出光面１００ｂへと導くため、平坦化層１０３を作る材料の選択性を大きくすることができる。このため、平坦化層１０３の表面、即ち入光面１００ａの面精度をより高く保つことが容易となるため、有機ＥＬデバイス１の長期信頼性を向上させることが可能となる。

また、第１の屈折率（ｎ１）〜第３の屈折率（ｎ３）が上記式（６）を満たすことにより、平坦化層１０３の表面（入光面１００ａ）と陽極面とが当接した際に、陽極面と平坦化層１０３との界面における全反射を小さくすることができる。即ち、導波モードを形成する発光光を減少させ、臨界角内の発光光を増加させることができる。更に、第３の屈折率（ｎ３）と第１の屈折率（ｎ１）との差を大きくできるため、有機ＥＬデバイス１の発光光からみた、平坦化層１０３と凹凸構造層１０１との異質性を強くすることができる。このため、平坦化層１０３の内部を伝搬した滲み出し光の、凹凸構造層１０１による取り出し効率が向上すると考えられる。更に、臨界角内の発光光の凹凸構造層１０１と平坦化層１０３との界面及び光抽出層１０２と平坦化層１０３との界面における反射を、ナノ構造特有の平均的（有効媒質的）作用及び第２の屈折率（ｎ２）による中間の屈折率作用により抑制することが可能となると考えられる。このため、入光面１００ａから平坦化層１０３内部へと進行した臨界角内の発光光は、効果的に光抽出体１００の出光面１００ｂへと到達し、有機ＥＬデバイス１の光取り出し効率が向上すると考えられる。このため、有機ＥＬデバイス１の陽極面と平坦化層１０３との界面から平坦化層１０３の内部へと導かれた滲み出し光が効果的に出光面１００ｂ側に到達し、有機ＥＬデバイス１からの光取り出し効率が向上する。

なお、滲み出し光は、光抽出層１０２及び凹凸構造１０１ａにより取り出される。このとき、光抽出層１０２による回折モードと、凹凸構造１０１ａによる回折モードとは異なるため、回折光特有の所定角度への出向特性は乱されることとなり、光散乱性が発現すると推定される。即ち、光抽出層１０２と凹凸構造１０１ａとは恰も異なる光回折現象を生じる２つの回折点群を重ねあわせたかのような機能を発現すると考えられる。

また、光抽出層１０２として、第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂを有する場合には、第１の光抽出層１０２ａ、第２の光抽出層１０２ｂ及び凹凸構造１０１ａにより、異なる回折モードにて滲み出し光を取り出すとも考えられる。このため、恰も異なる光回折現象を生じる３つの回折点群を重ねあわせたかのような機能が発現され、強い光散乱性を有すとも推定される。このような光散乱は導波モードを乱す効果が大きいため、光取り出し効率向上の効果が大きいと推定される。更に、凹凸構造１０１ａの形状や配列の乱れを制御することにより生じる散乱性をより強めることが可能となる。このため、取り出される発光光は、回折光特有の所定角度への出向特性を満たさないため、カラーシフトは抑制され、より自然光に近い発光光を作ることが可能となる。そのため、使用者が有機ＥＬデバイス１を視認した際のギラツキを抑制することができる。

上記式（６）においては、第３の屈折率（ｎ３）と第２の屈折率（ｎ２）との差分値（ｎ３−ｎ２）が０．１以上を満たすので、有機ＥＬデバイスの発光光からみた光抽出層１０２の異質性が高まる。即ち、滲み出し光は、平坦化層１０３と光抽出層１０２との界面において、光回折を生じることとなる。そのため、滲み出し光を効果的に光抽出層１０２により抽出することが可能となる。特に、上記効果をよりいっそう発揮する観点から、平坦化層１０３の屈折率（ｎ３）と光抽出層１０２の屈折率（ｎ２）との差分値（ｎ３−ｎ２）は、０．１５以上であることが好ましく、０．２５であることがより好ましく、０．３以上であることが最も好ましい。

一方で、差分値（ｎ３−ｎ２）が０．１以上の範囲において小さい値の場合であっても、第２の屈折率（ｎ２）と第１の屈折率（ｎ１）の差分値（ｎ２−ｎ１）が０．１以上の範囲において増加することで、有機ＥＬデバイス１の発光光から見た凹凸構造１０１ａの異質性が高まる。即ち、滲み出し光は、平坦化層１０３と凹凸構造１０１ａとの界面において、光回折を生じると考えられる。そのため、滲み出し光を効果的に抽出することが可能となる。本モードにより光取り出し効率を向上させる場合は、第２の屈折率（ｎ２）と第１の屈折率（ｎ１）の差分値（ｎ２−ｎ１）は、０．１５以上であることが好ましく、０．２５であることがより好ましく、０．３以上であることが最も好ましい。

上記式（６）を満たしつつ、第３の屈折率（ｎ３）を有機ＥＬデバイス１の陽極面の屈折率（ｎｓｃ）に近づけることで、臨界角内の発光光を増加させることができる。即ち、導波モードを形成する発光光を減少させることができる。平坦化層１０３と陽極面との界面における反射を抑制するという観点からは、第３の屈折率（ｎ３）と陽極面での屈折率（ｎｓｃ）との差分の絶対値（｜ｎ３−ｎｓｃ｜）は０．５以下であることが好ましい。この差分の絶対値は、陽極面と平坦化層１０３との界面における発光光の全反射光量を小さくする観点から、０．３以下であることが好ましく、０．１５以下であることがより好ましく、実質的に同等な屈折率関係を満たす０．１未満であることが最も好ましい。更に、この場合、第３の屈折率（ｎ３）と第２の屈折率（ｎ２）との差分が大きくなる傾向にあるため、光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１による滲み出し光の回折現象による取り出し効率が向上すると推定される。

一方、上記式（６）を満たす範囲で第１の屈折率（ｎ１）を小さくすることにより、抽出された滲み出し光及び臨界角内の発光光の光抽出体１００の出光面１００ｂへの透過を促進することができる。更に、凹凸構造層１０１と平坦化層１０３との界面及び光抽出層１０２と平坦化層１０３との界面における臨界角内の発光光の反射を、ナノ構造特有の平均的（有効媒質的）作用により抑制できると推定される。

第１の屈折率（ｎ１）〜第３の屈折率（ｎ３）が上記式（７）を満たすことにより、平坦化層１０３の上面、即ち入光面１００ａと有機ＥＬデバイス１の陽極面とが当接した際に、陽極面と平坦化層１０３との界面における全反射光量を小さくすることができる。更に、滲み出し光を光抽出層１０２及び凹凸構造１０１ａにより光回折として取り出すことが可能となる。このため、有機ＥＬデバイス１の内部で導波モードを形成していた発光光は、その滲み出し光が光抽出層１０２及び凹凸構造１０１ａによる光回折として抽出されるため、有機ＥＬデバイス１の外部へと光散乱性を奏し取り出される。更に、第３の屈折率（ｎ３）と第２の屈折率（ｎ２）との差を大きくできるため、有機ＥＬデバイス１の発光光からみた、平坦化層１０３と光抽出層１０２との異質性を強くすることができ、このため、陽極面と平坦化層１０３と、の界面より滲みだす滲み出し光の、光抽出層１０２による取り出し効率が向上すると考えられる。更に、凹凸構造の形状や配列に乱れを加えることにより光散乱性に対し上記原理を適用することができるため、光散乱性の程度を多くすることが可能となり、カラーシフトを効果的に低減することもできると考えられる。また、陽極面と平坦化層１０３との界面からの滲み出し光を、光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１によりそれぞれ異なる回折モードの回折現象として取り出すことが可能となり、光取り出し効率を改善することができると考えられる。

このとき、光抽出層１０２による回折モードと、凹凸構造層１０１による回折モードは異なるため、回折光特有の所定角度への出向特性は乱されることとなり、光散乱性が発現すると推定される。即ち、光抽出層１０２と凹凸構造１０１ａは恰も異なる光回折現象を生じる２つの回折点群を重ねあわせたかのような機能を発現すると考えられる。また、光抽出層１０２が第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂを有する場合には、第１の光抽出層１０２ａ、第２の光抽出層１０２ｂ及び凹凸構造１０１ａにより、異なる回折モードにて、滲み出し光を取り出すとも考えられる。このため、恰も異なる光回折現象を生じる３つの回折点群を重ねあわせたかのような機能が発現され、強い光散乱性を有すとも推定される。このような光散乱により取り出される発光光は、回折光特有の所定角度への出向特性を満たさないため、カラーシフトは抑制され、より自然光に近い発光光を作ることが可能となる。そのため、使用者が有機ＥＬデバイス１を視認した際のギラツキを抑制することができる。

第１の屈折率（ｎ１）と第２の屈折率（ｎ２）との差分値（ｎ１−ｎ２）は、０．１以上を満たすので、有機ＥＬデバイス１の発光光から見た、光抽出層１０２の異質性が高まる。即ち、滲み出し光は、平坦化層１０３と光抽出層１０２との界面において、光回折を生じることとなる。そのため、滲み出し光を効果的に光抽出層１０２及び凹凸構造１０１ａにより抽出することが可能となる。特に、上記効果をよりいっそう発揮する観点から、第１の屈折率（ｎ１）と第２の屈折率（ｎ２）との差分値（ｎ１−ｎ２）は、０．１５以上であることが好ましく、０．２５であることがより好ましく、０．３以上であることが最も好ましい。なお、差分値（ｎ１−ｎ２）を大きくする場合には、例えば、空気や不活性ガスに代表される気体や、多孔質ＳｉＯ_２等に代表される多孔質材料、イオン液体に代表される液体等を光抽出層１０２として用いることが挙げられる。

第１の屈折率（ｎ１）と第２の屈折率（ｎ３）との差分（ｎ３−ｎ１）は特に制限されず、（ｎ３−ｎ１）≧０を満たせばよい。（ｎ３−ｎ１）≧０であることにより、抽出された滲み出し光及び臨界角内の発光光の光抽出体１００の出光面１００ｂ側への透過を促進できる。

上記式（７）を満たす範囲で第３の屈折率（ｎ３）を有機ＥＬデバイス１の陽極面の屈折率（ｎｓｃ）に近づけることで、臨界角内の平坦化層１０３への透過光量を増加させることができる。特に、陽極面の屈折率（ｎｓｃ）と平坦化層１０３の屈折率（ｎ３）の差分の絶対値（｜ｎｓｃ―ｎ３｜）が０．５以下であることが好ましい。陽極面と平坦化層１０３との界面における発光光の全反射光量を小さくする観点から、差分の絶対値（｜ｎｓｃ―ｎ３｜）としては、０．３以下であることが好ましく、０．１５以下であることがより好ましく、実質的に同等な屈折率関係を満たす０．１より小さい場合が最も好ましい。

また、上記式（７）を満たす範囲で第１の屈折率（ｎ１）を小さくすることにより、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａによる回折による光取り出し効率が向上する。更に、抽出された滲み出し光及び臨界角内の発光光の光抽出体１００の出光面１００ｂ側への透過を促進することができる。

（光抽出層の多層構成）
光抽出体１００においては、第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層１０２は、２層以上の複数の層で構成してもよい。例えば、光抽出層１０２は、（屈折率（ｎα）を有する層／屈折率（ｎβ）を有する層）の２層で構成してもよく、屈折率（ｎα）を有する層上に屈折率（ｎβ）を有する層を順次積層した［屈折率（ｎα）を有する層／屈折率（ｎβ）を有する層］をｍ層（ｍ≧２）多層した構成してもよい。同様に、光抽出層１０２は、屈折率が相互に異なる３層以上の層で構成してもよい。

光抽出層１０２を相互に屈折率が異なる複数の層で構成する場合には、上記式（５）〜上記式（７）の第１の屈折率（ｎ１）と第２の屈折率（ｎ２）との関係においては、第１の光抽出層１０２ａに対しては、凹凸構造層１０１側に最も近い層（凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂの頂部に最も近い層）の屈折率を第２の屈折率（ｎ２）とし、第２の光抽出層１０２ｂに対しては、凹凸構造層１０１側に最も近い層（凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃの底部に最も近い層）の屈折率を第２の屈折率（ｎ２）とする。また、第３の屈折率（ｎ３）と第２の屈折率（ｎ２）との関係においては、第１の光抽出層１０２ａに対しても、第２の光抽出層１０２ｂに対しても、平坦化層１０３側に最も近い層の屈折率を第３の屈折率（ｎ３）とする。

例えば、光抽出体１００の平坦化層１０３側から凹凸構造層１０１側へ３層［屈折率（ｎα）の層／屈折率（ｎβ）の層／屈折率（ｎγ）の層］で光抽出層１０２を構成した場合、第１の屈折率（ｎ１）との関係においては、第２の屈折率（ｎ２）として少なくとも屈折率（ｎγ）を用いればよく、第３の屈折率（ｎ３）との関係においては、第２の屈折率（ｎ２）として少なくとも屈折率（ｎα）を用いればよい。即ち、屈折率（ｎβ）については、必ずしも第２の屈折率（ｎ２）として上記式（５）〜上記式（７）の関係を満たす必要はない。なお、複数の層で光抽出層１０２を構成する場合には、各層の屈折率の全てが上記式（５）〜上記式（７）を満たすことが最も好ましい。また、複数の層で光抽出層１０２を構成する場合の光抽出体１００の厚み方向における平均膜厚は、それぞれ５ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。

また、光抽出層１０２としては、上述した多層構造以外に相分離を含んだ構造であってもよい。この場合には、上記式（５）〜上記式（７）における屈折率（ｎ２）としては、光抽出層１０２に含まれる全ての相の屈折率の平均屈折率を用いる。例えば、光抽出層１０２としては、屈折率（ｎα）を有する相及び屈折率（ｎβ）を有する相の２相を含み、この２相が相分離している状態のものを用いてもよい。この場合、第２の屈折率（ｎ２）としては、屈折率（ｎα）及び屈折率（ｎβ）の平均を用いる。また、相分離サイズは、５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることが好ましい。

＜光抽出体の詳細＞
（凹凸構造）
次に、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａの構成について詳細に説明する。凹凸構造層１０１は、詳細については後述するように、凹凸構造層１０１の一主面内に属する第１方向に沿って延在する複数の凸部１０１ｂを有する。この複数の凸部１０１ｂは、図２に示した例では、凹凸構造層１０１の一主面内に属し、第１方向に直交する第２方向に沿って互いに所定の間隔を隔てて設けられている。凸部１０１ｂは、光抽出体１００の厚み方向に沿った断面視（直交方向に垂直な断面で見たとき）において、凹凸構造層１０１の一主面に対して垂直な方向に突出している。凸部１０１ｂ間には、凹部１０１ｃが連続して形成されている。この凸部１０１ｂ及び凹部１０１ｃにより凹凸構造１０１ａを構成している。

次に、光抽出体１００の凹凸構造１０１ａを説明する際に使用する用語について説明する。以下においては、図２、図３、図４Ａ、図４Ｂ及び図５に示した例に基づいて説明するが、特に断りがない限り、詳細については後述する第１の凹凸構造（図８）及び第２の凹凸構造（図１０）についても同様の用語を用いることとする。

（平均位置Ｓｈ、Ｓｄ）
図２、図３、図４Ａ、図４Ｂ及び図５に示す記号Ｓｈは、凸部１０１ｂの平均位置を意味する。平均位置Ｓｈは、各凸部１０１ｂの位置の面内平均の位置を意味する。平均位置Ｓｈは、１０点以上の凸部１０１ｂの平均により求めることが好ましい。

図２、図３、図４Ａ、図４Ｂ及び図５に示す記号Ｓｄは、凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃの平均位置を意味する。平均位置Ｓｄは、各凹部１０１ｃの位置の面内平均の位置である。平均位置Ｓｄは、１０点以上の凹部１０１ｃの平均により求めることが好ましい。

（平均高さ、平均深さＨ）
図２、図３、図４Ａ、図４Ｂ及び図５に示す記号Ｈは、凹凸構造１０１ａの平均高さ（深さ）を意味する。即ち、凹凸構造１０１ａの平均位置Ｓｄと平均位置Ｓｈとの間の最短距離である。平均高さ（深さ）Ｈは、滲み出し光を効果的に光抽出層１０２により取り出す観点から、０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であることが好ましい。更に、この滲み出し光の取り出し効率を向上させる観点から、５０ｎｍ以上であることがより好ましい。一方、上限値は、光抽出層１０２の物理的安定性を向上させ有機ＥＬデバイス１の長期信頼性を向上させる観点から、３０００ｎｍ以下であることが好ましく、２０００ｎｍ以下であることがより好ましい。また、臨界角内の発光光の反射を抑制する観点から、１５００ｎｍ以下であることが好ましく、１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、凹部１０１ｃ内部にのみ光抽出層１０２（第２の光抽出層１０２ｂ）が設けられる場合の平均高さ（深さ）も同様の効果から、上記範囲を満たすと好ましい。

なお、凸部１０１ｂ上にのみ光抽出層１０２（第１の光抽出層１０２ａ）が設けられる場合の平均高さ（深さ）Ｈは、滲み出し光を効果的に第１の光抽出層１０２ａにより取り出す観点及び第１の光抽出層１０２ａの物理的安定性の観点から、０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であることが好ましい。特に、滲み出し光に対する光回折作用を向上させる観点から、３０ｎｍ以上が好ましい。一方、上限値は、光抽出層１０２の物理的安定性を向上させ有機ＥＬデバイス１の長期信頼性を向上させる観点から、３０００ｎｍ以下であることが好ましく、２０００ｎｍ以下であることがより好ましく、１５００ｎｍ以下であることがより好ましい。

（内界面平均位置Ｓｃｃ）
図２、図３及び図４Ｂに示す記号Ｓｃｃは、凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内に設けられた第２の光抽出層１０２ｂと平坦化層１０３とが接触する界面の平均位置を意味する。内界面平均位置Ｓｃｃは、第２の光抽出層１０２ｂと平坦化層１０３との界面の面内平均の位置を意味する。内界面平均位置Ｓｃｃは、１０点以上の界面の平均により求めることが好ましい。

図６は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における内界面平均位置Ｓｃｃを説明するための説明図である。内界面平均位置Ｓｃｃは、第２の光抽出層１０２ｂと平坦化層１０３との界面が曲面を形成する場合であって、この曲面が下に凸の曲面を形成している場合には、第２の光抽出層１０２ｂの当該曲面の鉛直方向における最下点をもって求める。即ち、第２の光抽出層１０２ｂが凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃの内壁に部分的に付着している場合であっても、第２の光抽出層１０２ｂの最も低いところをもって内界面平均位置Ｓｃｃを求める（図６Ａ参照）。また、この曲面が上に凸の曲面を形成している場合には、第２の光抽出層１０２ｂの鉛直方向における最も高いところをもって内界面平均位置Ｓｃｃを求める（図６Ｂ参照）。

（距離Ｌｃｃ）
図２、図３、図４Ａ、図４Ｂ及び図５に示す記号Ｌｃｃは、頂部平均位置Ｓｈと内界面平均位置Ｓｃｃとの間の最短距離を意味する。即ち、凹凸構造１０１ａの平均高さ（深さ）Ｈから凸部１０１ｂ内の第２の光抽出層１０２ｂの鉛直方向における厚さを減じた値の平均値を意味する。

距離Ｌｃｃは下記式（９）を満たす。Ｌｃｃ＜１．０Ｈの範囲を満たすことにより、平坦化層１０３を伝搬された滲みだし光を、光抽出層１０２により効率的に抽出することができる。また、距離ＬｃｃがＬｃｃ＜０．０Ｈを満たす場合には、第２の光抽出層１０２ｂが凹部１０１ｃを全て充填し、凹凸構造１０１ａ上に第２の光抽出層１０２ｂの薄膜が形成されることを意味する。この場合、滲みだし光を抽出する際に、光回折の利用程度が大きく減少するのみならず、臨界角内の発光光の平坦化層１０３と光抽出層１０２との界面における反射が増加し、光取り出し効率が大きく減少する。そのため、Ｌｃｃの下限値は、０．０Ｈ＜Ｌｃｃであることが好ましい。
式（９）
０．０Ｈ＜Ｌｃｃ＜１．０Ｈ

上記効果をいっそう発揮する観点から、距離Ｌｃｃとしては、０．０Ｈ＜Ｌｃｃ≦０．６Ｈの範囲を満たすことが好ましく、０．０Ｈ＜Ｌｃｃ≦０．４Ｈの範囲を満たすことがより好ましく、０．０Ｈ＜Ｌｃｃ≦０．２Ｈの範囲を満たすことが更に好ましい。なお、Ｌｃｃは０に漸近してもよい。なお、凹部１０１ｃの内部にのみ光抽出層１０２（第２の光抽出層１０２ｂ）が設けられる場合であっても、上記Ｌｃｃの範囲を満たすことで、同様の効果を発現すると考えられる。

なお、図４Ａ及び図５に示すように、凸部１０１ｂ上にのみ光抽出層１０２（第１の光抽出層１０２ａ）が設けられる場合は、凹部１０１ｃ内部に第２の光抽出層１０２ｂが設けられない。このため、上記距離Ｌｃｃの定義を使用するとＬｃｃ＝１．０Ｈと表現できる。距離Ｌｃｃが凹凸構造１０１ａの平均高さ（深さ）Ｈの場合、平坦化層１０３は、凹凸構造１０１ａ及び凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂ上の第１の光抽出層１０２ａを覆うように設けられる。この場合でも、滲みだし光を効率的に凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂ上の第１の光抽出層１０２ａ及び凹凸構造１０１ａにより取り出すことが可能である。

凹凸構造１０１ａの高さにもよるが、距離Ｌｃｃの満たす範囲により、光抽出体１００を使用して光取り出し効率を向上させる原理が変化すると推定される。距離Ｌｃｃが小さくなればなるほど、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａと平坦化層１０３とが接する界面積は減少し、平坦化層１０３内部に含まれる凹凸構造１０１ａの体積が減少する。この場合、光抽出体１００内部に導かれた発光光から見ると、平坦化層１０３内部に含まれる凹凸構造１０１ａの体積がナノスケールで非常に小さくなるため、光の平均的作用（有効媒質近似）により、発光光は該体積を認識しづらくなる。即ち、滲み出し光は、平坦化層１０３により伝搬し、光抽出層１０２により抽出されると推定される。この場合、光抽出体１００において光抽出層１０２による光抽出能が相対的に凹凸構造層１０１による光抽出能より大きくなると推定される。このようなモードとしては、距離Ｌｃｃが概ねＬｃｃ≦０．２Ｈの範囲内であると考えられ、Ｌｃｃ≦０．１Ｈであるとこのようなモードがいっそう強まると考えられる。即ち、距離Ｌｃｃがこのような範囲を満たす場合には、光抽出体１００において光抽出層１０２がほぼ光抽出の機能を支配すると考えられる。

逆に、距離Ｌｃｃが大きくなればなるほど、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａと平坦化層１０３との界面積は増加し、平坦化層１０３内部に含まれる凹凸構造１０１ａの体積は増加する。更に、距離Ｌｃｃが大きくなることは、有機ＥＬデバイス１と平坦化層１０３との界面から凹部１０１ｃ内の第２の光抽出層１０２ｂまでの距離が大きくなることを意味する。滲み出し光は、光抽出体１００の厚み方向に対して距離の指数関数的に減少する。よって、この場合、滲みだし光は、平坦化層１０３により伝搬し、凹凸構造１０１ａ及び第１の光抽出層１０２ａにより優先的に抽出されると推定される。

また、距離Ｌｃｃが大きくなることは、有機ＥＬデバイス１及び平坦化層１０３の界面から凹部１０１ｃ内の第２の光抽出層１０２ｂまでの距離と該界面から凹凸構造１０１ａまでの距離との差が大きくなることを意味する。このため、凹凸構造１０１ａと第１の光抽出層１０２ａによる光回折モードは大きく異なることとなり、散乱の程度が向上すると考えられる。このようなモードとしては、距離Ｌｃｃが概ねＬｃｃ≧０．５Ｈの範囲内と推定される。即ち、距離Ｌｃｃがこのような範囲を満たす場合、光抽出体１００において凹凸構造層１０１がほぼ光抽出の機能を支配すると考えられる。なお、概ね０．５Ｈ≦Ｌｃｃ≦０．２Ｈの範囲においては、光抽出層１０２による光抽出と凹凸構造層１０１による光抽出の双方が発現すると推定される。

更に、凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内部に設けられる第２の光抽出層１０２ｂ及び平坦化層１０３の界面位置と頂部平均位置Ｓｈとの間の距離が±２５％以下の分布を持つと、第２の屈折率（ｎ２）の光抽出層１０２による光取り出しに大きく散乱性を付与することができると考えらえる。滲み出し光の光散乱性による取り出し向上程度を、回折によるそれよりも相対的に大きくできるため、カラーシフトを低減することが可能となり、より自然光に近い有機ＥＬデバイス１からの発光スペクトルを得ることができる。即ち、ギラツキが低下する。なお、凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内部に設けられる第２の光抽出層１０２ｂ及び平坦化層１０３の界面位置と頂部平均位置Ｓｈとの間の距離の平均値は距離Ｌｃｃに相当する。

（上界面平均位置Ｓｃｖ）
図２、図３、図４Ａ及び図５に示す記号Ｓｃｖは、上界面平均位置であり、凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂ上に設けられた第１の光抽出層１０２ａの頂面位置の面内平均の位置である。上界面平均位置Ｓｃｖは、１０点以上の平均値により求めることが好ましい。

また、第１の光抽出層１０２ａと平坦化層１０３との間の界面が曲面を形成する場合であって、この曲面が下に凸の曲面を形成する場合も、この曲面が上に凸の曲面を形成する場合も、第１の光抽出層１０２ａの厚みが最も厚い場所をもって上界面平均位置Ｓｃｖを求める。

（距離Ｌｃｖ）
図２、図３、図４Ａ及び図５に示す記号Ｌｃｖは、頂部平均位置Ｓｈと上界面平均位置Ｓｃｖとの間の最短距離を意味する。即ち、凸部１０１ｂ上に設けられた第１の光抽出層１０２ａの平均厚さを意味する。距離Ｌｃｖが０の場合、平坦化層１０３は、凹凸構造１０１ａ及び凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内の第２の光抽出層１０２ｂを覆うように設けられる。この場合でも、滲み出し光を凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内の第２の光抽出層１０２ｂ及び凹凸構造１０１ａにより取り出すことが可能である。

距離Ｌｃｖの上限値としては、凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂ上に設けられた第１の光抽出層１０２ａ及び凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内の第２の光抽出層１０２ｂの両方の光抽出効果を発揮する観点から、１．５Ｈであることが好ましい。上記効果をいっそう発揮する観点から、距離Ｌｃｖとしては、０．０Ｈ＜Ｌｃｖ≦１．０Ｈであることが好ましく、０．０Ｈ＜Ｌｃｖ≦０．４５Ｈであることがより好ましく、０．０Ｈ＜Ｌｃｖ≦０．３Ｈであることが最も好ましい。なお、図４Ｂに示すように、凹部１０１ｃ内部にのみ光抽出層１０２が設けられる場合（第２の光抽出層１０２ｂのみが設けられる場合）は、凸部１０１ｂ上部の光抽出層１０２（第１の光抽出層１０２ａ）は配置されないため、上記Ｌｃｖを用いると、Ｌｃｖ＝０．０Ｈと表現できる。

なお、光抽出層１０２が、凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内の第２の光抽出層１０２ｂを有さず、凸部１０１ｂ上の第１の光抽出層１０２ａのみを有する場合、第１の光抽出層１０２ａにより、滲み出し光を抽出することとなる。この場合には、第１の光抽出層１０２ａにより、滲み出し光を抽出する観点から、距離Ｌｃｖが０ｎｍ≦Ｌｃｖ≦５０００ｎｍ（式（１））を満たすことが好ましい。特に、３０００ｎｍ以下であることにより第１の光抽出層１０２ａの物理的安定性を向上させることが可能となり、有機ＥＬデバイス１の長期信頼性を向上させることが可能となる。また、２０００ｎｍ以下であれば、入光面１００ａの面精度をより向上させ、有機ＥＬデバイス１の長期信頼性を向上させることができるため好ましい。更に、臨界角内の発光光の反射を抑制する観点から１５００ｎｍ以下であることが好ましく、１０００ｎｍ以下であることが最も好ましい。一方、下限値は、第１の光抽出層１０２ａにより光取り出し効率を向上させる観点から、３０ｎｍ以上であると好ましく、５０ｎｍ以上であるとより好ましく、８０ｎｍ以上であると最も好ましい。

更に、光抽出層１０２が、凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内の第２の光抽出層１０２ｂを有さず、凸部１０１ｂ上の第１の光抽出層１０２ａのみを有する場合、平坦化層１０３の配置精度及び滲み出し光の伝搬特性の観点から、距離Ｌｃｖと凹凸構造１０１ａの平均高さ（深さ）Ｈとの和（Ｌｃｖ＋Ｈ）が、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下を満たすことが好ましい。上記効果をいっそう発揮する観点、及び第１の光抽出層１０２ａの物理的安定性の観点から、Ｌｃｖ＋Ｈは、１００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であると好ましく、１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であるとより好ましい。最も好ましくは、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。

凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂ上に設けられる第１の光抽出層１０２ａ及び平坦化層１０３の界面と凸部頂部平均位置Ｓｈとの間の距離は、±２５％以下の分布を持つと、第１の光抽出層１０２ａによる光取り出しに大きく散乱性を付与することができると考えられる。また、滲みだし光の光散乱性による取り出し向上程度を、回折によるそれよりも相対的に大きくできる。このため、カラーシフトを低減することが可能となり、より自然光に近い有機ＥＬデバイス１からの発光スペクトルを得ることができ、ギラツキが低下する。

凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂ上に設けられる第１の光抽出層１０２ａ及び平坦化層１０３の界面と凸部頂部平均位置Ｓｈとの間の距離の平均値は距離Ｌｃｖに相当する。

なお、凹部１０１ｃ内の第２の光抽出層１０２ｂ（平均高さ（深さ）Ｈから距離Ｌｃｃを引いた厚みを持つ光抽出層１０２）及び凸部１０１ｂ上の第１の光抽出層１０２ａ（有限の距離Ｌｃｖの厚みを持つ光抽出層１０２）は、連続していてもよい。例えば、光抽出層１０２は、凹凸構造層１０１と平坦化層１０３との界面が存在せず、平坦化層１０３が光抽出層１０２のみを覆うように設けてもよい。このような、平均高さ（深さ）Ｈから距離Ｌｃｃを引いた厚みを持つ第２の光抽出層１０２ｂと有限の距離Ｌｃｖの厚みを持つ第１の光抽出層１０２ａとが連続している場合であっても、距離Ｌｃｖ及び距離Ｌｃｃの定義及びそれらの満たす範囲は上記範囲を満たすものとする。このような第１の光抽出層と第２の光抽出層が連続する場合、臨界角内の発光光の反射を抑制する観点から、距離Ｌｃｃ０．１Ｈ以上であると好ましく、０．２Ｈ以上であるとより好ましく、０．３Ｈ以上であると最も好ましい。

（平均距離Ｌｏｒ）
図２、図３、図４Ａ、図４Ｂ及び図５に示す記号Ｌｏｒは、内界面平均位置Ｓｃｃと平坦化層１０３の上面（入光面１００ａ）との間の距離の平均値である。平均距離Ｌｏｒは、１０点以上の平均値により求めることが好ましい。なお、凸部１０１ｂ上にのみ光抽出層１０２（第１の光抽出層１０２ａ）が設けられる場合（図４Ａ及び図５）は、上界面平均位置Ｓｃｖと平坦化層１０３の上面（入光面１００ａ）との間の距離の平均値がＬｏｒである。なお、凹部１０１ｃ内にのみ光抽出層１０２（第２の光抽出層１０２ｂ）が設けられる場合（図４Ｂ）、内界面平均位置Ｓｃｃと平坦化層１０３の上面（入光面１００ａ）との間の距離の平均値がＬｏｒである。

平均距離Ｌｏｒは、滲み出し光を、光抽出層１０２及び凹凸構造１０１ａに効果的に伝搬するという観点から、（Ｌｃｃ＋Ｌｃｖ）≦Ｌｏｒ≦５５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。なお、凹部１０１ｃにのみ光抽出層１０２を設ける場合（第２の光抽出層１０２ｂのみを有する場合：図４Ｂ）、Ｌｃｃ≦Ｌｏｒ≦８００ｎｍを満たすことで同様の効果が得られる。

平均距離Ｌｏｒの下限値は、上記効果の観点から、（Ｌｃｃ＋Ｌｃｖ）以上であることが好ましい。光抽出体１００の作製時のハンドリングや、光抽出体１００を有機ＥＬデバイス１に適用する際の容易性又は有機ＥＬデバイス１の信頼性等の観点からは、１．１（Ｌｃｖ＋Ｌｃｃ）以上であることが好ましく、１．２（Ｌｃｖ＋Ｌｃｃ）以上であることがより好ましく、１．３（Ｌｃｖ＋Ｌｃｃ）以上であることが最も好ましい。一方で、滲み出し光の伝搬性の観点からＬｏｒは５０００ｎｍ以下であるとより好ましい。なお、凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内部にのみ光抽出層（第２の光抽出層１０２ｂ）が設けられる場合（図４Ｂ）は、上記説明においてＬｃｖ＝０と代入すればよい。

なお、凸部１０１ｂ上にのみ光抽出層１０２が設けられる場合（第１の光抽出層１０２ａのみが設けられる場合：図４Ａ及び図５）は、上界面平均位置Ｓｃｖと平坦化層１０３の上面との間の距離の平均値として定義されるＬｏｒは、１０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であると、滲み出し光を、第１の光抽出層１０２ａにより効果的に抽出できる。上記効果をいっそう発揮する観点から第１の光抽出層１０２ａのみが設けられる場合のＬｏｒは、１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であるとより好ましく、１０ｎｍ以上２０００ｎｍであると最も好ましい。

平均距離Ｌｏｒの上限値が、１５００ｎｍ以下であると、滲みだし光を、効果的に光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１に伝搬することができる。この上限値は、有機ＥＬデバイス１の発光層１２から発する光により適宜設計できる。例えば、上限値が波長λの発光光に対して０．８λ以下の値であれば、上記滲みだし光を光抽出層１０２まで効果的に伝搬できる。上限値は、０．６５λ以下であることがより好ましく、０．５５λ以下であることが更に好まし波長又は平均波長を上述したλとして設計することができる。上記観点から、滲み出し光が、平坦化層１０３内部を伝搬する際の減衰を抑制するためには、平坦化層１０３の厚さ≦５００ｎｍであることが好ましく、平坦化層１０３の厚さ≦３００ｎｍであることがより好ましく、平坦化層１０３の厚さ≦１５０ｎｍであることが最も好ましい。平均距離Ｌｏｒは、平坦化層１０３が小さい程、伝搬特性が向上するため好ましい。例えば、ＲＧＢの発光波長を有する有機ＥＬデバイス１の場合、最も短波長のＢ（青色の光）の波長を上記λとして考えても、Ｒ（赤色の光）、Ｇ（緑色の光）及びＢ（青色の光）の各波長の平均値をλとして設定してもよい。但し、当該界面からの滲み出しは、光抽出体１００の厚み方向に対し、距離の指数関数的に減少する。即ち、より短波長の発光光程早く減衰する。このため、例えば、上記説明したようにＲＧＢの発光波長を持つ有機ＥＬデバイスの場合、最も短波長の青色の光の波長をλとし、平均距離Ｌｏｒを設計することが好ましい。

上述した光抽出体１００において、凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂ上にのみ光抽出層１０２が設けられる（第１の光抽出層１０２ａのみが設けられる）場合（図４Ａ及び図５）には、上述した第１の屈折率（ｎ１）〜第３の屈折率（ｎ３）が上記式（５）〜（７）を満たし、平均距離Ｌｏｒが、下記式（８）の関係を満たすことが好ましい。この構成により、滲み出し光を、効果的に光抽出層１０２及び凹凸構造１０１ａに伝搬することができる。凹凸構造層１０１、光抽出層１０２、平坦化層１０３は上記屈折率の関係式を満たすため、効果的に伝搬された滲み出し光を抽出することが可能であり、これにより、第１の光抽出層１０２ａと平坦化層１０３の表面との間の距離が適度な範囲となるので、滲み出し光の伝搬特性が向上し、光取り出し効率が更に改善される。
式（８）
１０ｎｍ≦Ｌｏｒ≦５０００ｎｍ

また、上述した光抽出体１００において、凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃ内にのみ光抽出層１０２が設けられる（第２の光抽出層１０２ｂのみが設けられる）場合（図４Ｂ）には、上述した第１の屈折率（ｎ１）〜第３の屈折率（ｎ３）が上記式（５）〜（７）を満たし、平均距離Ｌｏｒ、及び距離Ｌｃｃが、下記式（ｉ）の関係を満たすことが好ましい。この構成により滲み出し光を、効果的に光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１に伝搬することができる。凹凸構造層１０１、光抽出層１０２、平坦化層１０３は上記屈折率の関係式を満たすため、効果的に伝搬された滲み出し光を抽出することが可能であり、これにより、第２の光抽出層１０２ｂと平坦化層１０３の表面との間の距離が適度な範囲となるので、滲み出し光の伝搬特性が向上し、光取り出し効率が更に改善される。
式（ｉ）
Ｌｃｃ≦Ｌｏｒ≦５５００ｎｍ

更に、上述した光抽出体１００において、凹凸構造１０１ａの凸部１０１ｂ上及び凹部１０１ｃ内の双方に光抽出層１０２が設けられる（第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂが設けられる）場合（図２及び図３）には、上述した第１の屈折率（ｎ１）〜第３の屈折率（ｎ３）が上記式（５）〜（７）を満たし、凹凸構造１０１ａは、平均距離Ｌｏｒ、距離Ｌｃｃ及び距離Ｌｃｖが、下記式（ｉｉ）の関係を満たすことが好ましい。この構成により、滲み出し光を、効果的に光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１に伝搬することができる。凹凸構造層１０１、光抽出層１０２、平坦化層１０３は上記屈折率の関係式を満たすため、効果的に伝搬された滲み出し光を抽出することが可能であり、これにより、第１の光抽出層１０２ａと平坦化層１０３の表面との間の距離が適度な範囲となると共に、第２の光抽出層１０２ｂと平坦化層１０３の表面との間の距離が適度な範囲となるので、滲み出し光の伝搬特性が向上し、光取り出し効率が更に改善される。
式（ｉｉ）
（Ｌｃｃ＋Ｌｃｖ）≦Ｌｏｒ≦５５０００ｎｍ

（光散乱性）
上記光抽出体１００においては、凹凸構造層１０１と光抽出層１０２とが実質的に異なる屈折率を有するので、光抽出層１０２による回折モードと凹凸構造層１０１による回折モードとは異なるものとなる。この結果、回折光特有の所定角度への出光特性は乱されることとなるので、光散乱性が発現すると推定される。即ち、光抽出層１０２と凹凸構造層１０１は恰も異なる光回折現象を生じる２つの回折点群を重ねあわせたかのような機能を発現すると考えられる。

また、第１の光抽出層１０２ａ及び第２の光抽出層１０２ｂの双方を有する場合には、第１の光抽出層１０２ａ、第２の光抽出層１０２ｂ及び凹凸構造層１０１により、相互に異なる回折モードにて滲み出し光を取り出すことが可能となる。このため、恰も異なる光回折現象を生じる３つの回折点群を重ねあわせたかのような機能が発現され、強い散乱性が発現されると推定される。

上記原理により、滲み出し光が、平坦化層１０３により効果的に凹凸構造１０１ａ及び光抽出層１０２へと伝搬され、伝搬された滲み出し光を光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１の光回折によって取り出すことが可能となるため、光取り出し効率が大きく向上する。更に、凹凸構造の形状や配列の乱れを制御した場合であっても、上記原理は成立する。即ち、凹凸構造１つ１つといった微視的スケールにおいては、凹凸構造の配列に応じた光回折により滲み出し光は取り出されることとなるが、取り出される際の回折モードが異なるため、数十マイクロメートル以上の巨視的スケールにおいては散乱性を奏すこととなる。したがって、回折光特有のカラーシフトを低減し、より自然光に近いギラツキの少ない光として、効果的に有機ＥＬデバイス１より取り出すことが可能となると考えらえる。

（屈折率の勾配）
光抽出体１００においては、凹凸構造層１０１は内部で屈折率の勾配を有していてもよい。ここでの屈折率の勾配とは、光抽出体１００の厚み方向への勾配である。屈折率の勾配としては、光抽出体１００の平坦化層１０３側の表面から凹凸構造層１０１の出光面１００ｂの表面に向けて減少してもよく、増加してもよい。特に、凹凸構造層１０１が、光抽出体１００の平坦化層１０３側の表面から凹凸構造層１０１の出光面１００ｂ側に屈折率が減少する屈折率の勾配を有することにより、光抽出体１００内部に導かれた発光光の凹凸構造層１０１の出光面１００ｂ側へ透過する透過光の割合が増加する。

屈折率の勾配は、微粒子やフィラーによる濃度勾配や、２種類以上の樹脂の密度差を利用した勾配により形成することができる。なお、屈折率の勾配は、発光光の波長の半分より小さいサイズの第１の屈折率（ｎ１）と異なる屈折率を有する層により形成されるものと定義する。そのため、発光光の波長をλと表記した場合、上記微粒子やフィラーのサイズ及び２種類以上の樹脂の密度斑サイズはλ／２より小さいものと定義する。

また、凹凸構造層１０１は、発光光の波長の半分（λ／２）以上８００ｎｍ以下の第１の屈折率（ｎ１）と実質的に異なる屈折率を有する相を含んでもよい。このような相を含むことにより、光抽出体１００内部へと導かれた発光光を、凹凸構造１０１ａの内部において散乱させることが可能となる。これにより、光抽出体１００を用いることによりカラーシフトを低減でき、より自然光に近い光を発する有機ＥＬデバイス１となる。このような相として例えば、微粒子やフィラーを添加した層が挙げられる。

光抽出体１００においては、平坦化層１０３は、平坦化層１０３の内部で屈折率の勾配を有していてもよい。ここでの屈折率の勾配とは、光抽出体１００の厚み方向への勾配である。屈折率の勾配としては、平坦化層１０３の入光面１００ａ側から凹凸構造層１０１へと減少してもよく、増加してもよい。特に、平坦化層１０３が入光面１００ａ側から凹凸構造層１０１側へと減少する濃度勾配を有することにより、平坦化層１０３と有機ＥＬデバイス１の陽極面との界面における全反射光量を小さくすることができる。更に、光抽出層１０２と平坦化層１０３との界面付近における光抽出層１０２の第２の屈折率（ｎ２）と平坦化層１０３の第３の屈折率（ｎ３）との差を大きく設けることが容易になる。このため、光抽出体１００内部へ導かれる光から見た光抽出層１０２の異質性が大きくなり、滲み出し光の光抽出層１０２による取り出し能が向上する。

屈折率の勾配は、微粒子やフィラーによる濃度勾配や、２種類以上の樹脂の密度差を利用した勾配等により形成することができる。なお、屈折率の勾配は、発光光の波長の半分より小さいサイズの第３の屈折率（ｎ３）と異なる屈折率を有する相により形成されるものと定義する。そのため、発光光の波長をλと表記した場合、上記微粒子やフィラーのサイズ及び２種類以上の樹脂の密度斑サイズはλ／２より小さいものと定義する。

（異なる屈折率を有する相）
また、平坦化層１０３は、発光光の波長の半分（λ／２）以上８００ｎｍ以下の第３の屈折率（ｎ３）と実質的に異なる屈折率を有する相を含んでもよい。このような相を含むことにより、滲み出し光の取り出しをより向上できると共に、光抽出体１００内部へと導かれた発光光に散乱性を付与することが可能となり、カラーシフトを低減し、より自然光に近いスペクトルを得ることが可能となる。このような相としては、例えば、微粒子やフィラーの添加した相等が挙げられる。この場合、発光光の波長の半分（λ／２）以上８００ｎｍ以下の第３の屈折率（ｎ３）と実質的に異なる屈折率を有する相の屈折率は、前記屈折率（ｎ３）よりも０．１以上大きいことが好ましく、０．２以上大きいとより好ましく、０．３以上大きいと最も好ましい。

（別の凹凸構造）
光抽出体１００においては、凹凸構造層１０１の出光面１００ｂ上に別の凹凸構造を設けてもよい。別の凹凸構造を設けることにより、別の凹凸構造の大きさと取り出される光の波長に応じた光学現象を発現することができる。別の凹凸構造の平均ピッチが数十マイクロメートル以上であることにより光散乱性を奏し、波長と同程度以上であることにより光回折性を奏し、波長以下であることにより有効媒質近似性を奏すこととなる。特に、光抽出体１００においては、凹凸構造層１０１の出光面１００ｂ上にナノスケールの凹凸構造を設けてもよい。凹凸構造のサイズがナノスケールであると、凹凸構造層１０１の出光面１００ｂにおける発光光の透過率が向上し、且つ外光の映り込みを低減することが可能となる。ナノスケールの凹凸構造としては、凹凸構造層１０１の出光面１００ｂ上に凹凸構造を形成してもよく、出光面１００ｂ上に別途凹凸構造層を設けてもよい。

また、凹凸構造層１０１の出光面１００ｂ上に新たに設ける凹凸構造の平均ピッチとしては、１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることが好ましい。特に平均ピッチが３００ｎｍ以下であると、光抽出体１００を具備した有機ＥＬデバイス１を使用者が使用した場合の光の映り込みを低減できる。

凹凸構造層１０１上に新たに設ける別の凹凸構造の構造形状としては、特に制限されないが、当該凹凸構造の表面に対する光の反射率が０．１５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。このような光学性能が得られる凹凸構造としては、例えば、六方配列にて複数の凸部が配列し、凸部の平均ピッチが２００ｎｍ程度であり、凸部底部の径が１８０ｎｍ程度であり、アスペクト比（凸部の高さ／凸部底部の径）が０．８〜２．５程度の凹凸構造が挙げられる。

また、マイクロスケールの別の凹凸構造を設けてもよい。特に、別の凹凸構造のサイズがマイクロスケールであると、出光する発光光の散乱性が向上し、より自然光に近い出光を得ることが可能となる。マイクロスケールの別の凹凸構造は、出光面１００ｂ上に設けてもよく、出光面１００ｂ上に凹凸構造層として別途新たに設けてもよい。特に、凹凸構造の平均ピッチが１μｍ以上５０μｍ以下であると好ましい。特に平均ピッチが２μｍ以上であると、有機ＥＬデバイス１を使用者が使用した（見た）場合の、ギラツキをより抑制できるため好ましい。

なお、凹凸構造層１０１の出光面１００ｂ上に凹凸構造層を別途新た設ける場合には、凹凸構造層１０１の出光面１００ｂと新たに設ける凹凸構造層との界面における発光光の反射及び外部からの光の反射を抑制する観点から、新たに設ける凹凸構造層の屈折率と、第１の屈折率（ｎ１）と、が実質的に同等であることが好ましい。

また、詳細については後述する凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａの形状や配列並びに後述する配列ＬＰ、配列α及び分布ＤＦを、それらの平均ピッチが上記範囲を満たす範囲において新たに設ける凹凸構造の形状や配列に用いることができる。また、新たに設ける凹凸構造層の代わりに、単層又は多層の反射防止層を成膜してもよい。特に、凹凸構造層１０１の第１の屈折率（ｎ１）と空気の屈折率との差、又は、凹凸構造層１０１の第１の屈折率（ｎ１）と有機ＥＬデバイス１に使用する封止材の屈折率との差が大きい場合（例えば、０．１以上）に有効である。上述の別の凹凸構造、新たに設ける凹凸構造層及び反射防止層を設けることにより、上記屈折率差が０．５以上や０．７以上といった非常に大きな場合においても、光抽出体１００から取り出される透過光強度を増加し、且つ、外光の反射を抑制することができる。

（支持基材）
図７は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体の他の例を示す断面模式図である。光抽出体１００においては、図７に示すように、凹凸構造層１０１の出光面１００ｂ上に第４の屈折率（ｎ４）を有する支持基材１０４を設けることが好ましい。支持基材１０４を設けることにより、光抽出体１００を製造する際のスループットが向上し、且つ、光抽出体１００を有機ＥＬデバイス１に適用する際の容易性も向上する。また、ガスバリア性や水蒸気バリア性といった機能を有する支持基材１０４を用いることにより、有機ＥＬデバイス１の長期信頼性が向上する。ここで、支持基材１０４としては、第４の屈折率（ｎ４）と凹凸構造層１０１の第１の屈折率（ｎ１）とが実質的に同等又は等しいものを用いることが好ましい。このような屈折率関係を満たす支持基材１０４を設けることにより、取り出された滲み出し光及び臨界角内の発光光は、凹凸構造層１０１と支持基材１０４との界面における反射の影響をうけることなく、効果的に光抽出体１００の支持基材１０４の出光面１００ｂ側から取り出される。

また、上記説明したのと同様の効果から、支持基材１０４の出光面上に、上記説明した出光面１００ｂ上に設けられる別の凹凸構造又は単層（多層）の反射防止膜を設けてもよい。

（光抽出層の配置）
光抽出体１００の光抽出層１０２は、凹部１０１ｃ内部にのみ配置されても（図４Ｂ）、凹部１０１ｃ及び凸部１０１ｂ上に配置（図２及び図３）されても、凸部１０１ｂ上にのみ配置（図４Ａ及び図５）されてもよい。凹部１０１ｃ内部及び凸部１０１ｂ上部に光抽出層１０２が設けられる構成（図２及び図３）により平坦化層１０３及び陽極面との界面と光抽出層１０２との間の距離に分布が生じるため、陽極面と平坦化層１０３との界面において導波モードを形成する発光光における当該界面から滲みだす滲み出し光を、凸部１０１ｂ上の第１の光抽出層１０２ａ、凹部１０１ｃ内の第２の光抽出層１０２ｂ及び凹凸構造１０１ａによる光回折で抽出することが可能となると考えられる。このとき、回折モードが相互に異なるものとなり、恰も異なる光回折現象を生じる３つの回折点群を重ねあわせたかのような機能が発現されることとなり、光散乱性が発現すると考えられる。光散乱性を利用した光抽出は効果が大きいため、光取り出し効率がより向上すると考えられる。更には、凹凸構造の形状や配列の乱れを制御した場合、乱れに応じた光散乱性の効果を強めることができる。このため、使用者が有機ＥＬデバイス１を視認した際のギラツキを抑制することができると考えられる。また、連続プロセスより光抽出体１００を製造することが可能となり、製造時のスループットが向上する。

凹部１０１ｃ内にのみ第２の光抽出層１０２ｂが設けられる構成（図４Ｂ）の場合、平坦化層１０３及び陽極面の界面と光抽出層１０２との間の距離と、平坦化層１０３及び発光層１２との界面と凹凸構造層１０１との間の距離が異なるため、滲み出し光を、凹部１０１ｃ内部の第２の光抽出層１０２ｂ及び凹凸構造１０１ａによる光回折で抽出することが可能となる。このとき、光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１は、屈折率が実質的に異なるので、回折モードが相互に異なるものとなり、恰も異なる光回折現象を生じる２つの回折点群を重ねあわせたかのような機能が発現されることとなり、光散乱性が発現すると考えられる。光散乱性を利用した光抽出は効果が大きいため、光取り出し効率がより向上すると考えられる。更には、凹凸構造の形状や配列の乱れを制御した場合、乱れに応じた光散乱性の効果を強めることができる。このため、使用者が有機ＥＬデバイス１を視認した際のギラツキを抑制することができると考えられる。更に、凹部１０１ｃ内部にのみ第２の光抽出層１０２ｂが設けられる構成の場合、光抽出層１０２は凹凸構造層１０１により周囲を支持されるため、物理的な安定性が向上する。

凸部１０１ｂ上にのみ第１の光抽出層１０２ａが設けられる場合（図４Ａ及び図５）は、平坦化層１０３及び陽極面の界面と光抽出層１０２との間の距離を小さくすることが容易になる。滲み出し光は、有機ＥＬデバイス１の厚み方向において距離の指数関数的に減衰するため、平坦化層１０３及び発光層１２の界面と光抽出層１０２との間の距離を小さくすることで、陽極面と平坦化層１０３との界面において導波モードを形成する発光光における当該界面から滲みだす滲み出し光をより効果的に抽出することが可能となると考えられる。また、連続プロセスより光抽出体１００を製造することが容易になり、製造時のスループットが向上する。

＜凹凸構造＞
次に、本実施の形態に係る光抽出体における凹凸構造層の凹凸構造の構成について詳細に説明する。凹凸構造はドット状又はホール状であればその配列や形状は、特に制限されず、有機ＥＬデバイス１の発光スペクトルや、有機ＥＬデバイス１の使用方法に応じて適宜選択できる。このような凹凸構造としては、以下の第１の実施の形態に示す第１の凹凸構造（図８）及び第２の実施の形態に示す第２の凹凸構造（図１０）が挙げられる。この第１の凹凸構造（図８）及び第２の凹凸構造（図１０）により、有機ＥＬデバイス１の陽極面と光抽出体１００の平坦化層１０３との界面から滲みだす発光光を、光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１により、効果的に散乱性を付与し取り出すことができる。

（第１の凹凸構造と第２の凹凸構造）
図８は、本実施の形態に係る光抽出体における第１の凹凸構造を備えた凹凸構造層を示す斜視模式図である。図９は、本実施の形態に係る光抽出体における第１の凹凸構造を備えた凹凸構造層を示す上面模式図である。凹凸構造層１１０が有する第１の凹凸構造１１０ａは、図２に示す凹凸構造１０１ａと同様に、ドット状である。

一方、図１０は、本実施の形態に係る光抽出体における第２の凹凸構造を備えた凹凸構造層を示す斜視模式図である。図１１は、本実施の形態に係る光抽出体における第２の凹凸構造を備えた凹凸構造層を示す上面模式図である。凹凸構造層１２０の第２の凹凸構造１２０ａは、第１の凹凸構造１１０ａを反転させた構造（図３参照）である。以下の説明では、第１の凹凸構造１１０ａについて説明するが、特に断りがない限り、第２の凹凸構造１２０ａを同時に説明するものとする。

図８に示すように、第１の凹凸構造１１０ａは、凹凸構造層１１０の一方の主面Ｓに対して垂直方向上方に向かって突出する独立した複数の凸部１１０ｂを含む。複数の凸部１１０ｂは、それぞれ所定の間隔をおいて配置されている。互いに隣接する凸部１１０ｂの間は、一主面Ｓに対して垂直方向下方に向かって陥没した凹部１１０ｃにより連続的につながっている。

第１の凹凸構造１１０ａにおいては、複数の凸部１１０ｂの形状が柱状体（錐状体）であり、凸部１１０ｂ間の凹部１１０ｃが連続性のある状態である。即ち、図２に示す光抽出体１００に凹凸構造層１１０を採用する場合、及び、図３に示す光抽出体１００が凹凸構造層１２０の第２の凹凸構造１２０ａを有する場合には、凹部１１０ｃ内の第２の光抽出層１０２ｂは、連続的な薄膜を形成する。そして、この第２の屈折率（ｎ２）を有する薄膜は、第１の屈折率（ｎ１）を有する複数の凹部１１０ｃ内に設けられる構造となる。

一方、凸部１０１ｂ上の第１の光抽出層１０２ａは、互いに独立した複数のドットを形成する。そして、この第２の屈折率（ｎ２）を有する複数の独立したドットは、第３の屈折率（ｎ３）を有する平坦化層１０３により、凸部１１０ｂと接する面以外の周囲を囲まれる構造となる。

凸部１１０ｂの形状としては、例えば、円錐、底面の円が歪んだ錐状体、円柱、三角錐、三角柱、四角錐、四角柱、底面の角の丸まった多角錐、底面の角の丸まった多角柱、多角錐又は多角柱、これらの側面が上に凸に又は下に凸に撓んだ形状、或いは、リング状又は２重リング状が挙げられる。

複数の凸部１１０ｂの平均ピッチとしては、有機ＥＬデバイス１からの滲み出し光の取り出し効率が向上させると共に、臨界角内の発光光の反射を抑制する観点、並びに、図２及び図３に示す平坦化層１０３の表面、即ち入光面１００ａの平坦性を向上させ有機ＥＬデバイス１の長期信頼性を向上させる観点から、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であることが好ましい。特に、滲み出し光を光回折により抽出し光取り出し効率を向上させる観点から、１００ｎｍ以上が好ましく、１５０ｎｍ以上がより好ましく、２００ｎｍ以上が最も好ましい。一方、上限値は、臨界角内の発光光の反射を抑制する観点から３０００ｎｍ以下であることが好ましく、２０００ｎｍ以下であることがより好ましい。更に、入光面１００ａの面精度を向上させ、有機ＥＬデバイス１の長期信頼性を向上させる観点から、１５００ｎｍ以下であることが好ましく、１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。

ここで、複数の凸部１１０ｂの平均ピッチとは、次のように定義される。ある凸部の中心とこの凸部に最近接する凸部の中心との間の中心間距離がピッチである。図９に示すように、ある凸部Ａ１から最も近くにある凸部Ｂ１を選択し、凸部Ａ１の中心と凸部Ｂ１の中心との距離Ｐ_Ａ１Ｂ１をピッチＰと定義する。しかし、この図８に示すように、複数の凸部１１０ｂが不均一に配置され、選択する凸部によりピッチが異なる場合は、選択されたそれぞれの凸部Ａ１，Ａ２…ＡＮに隣接する凸部Ｂ１，Ｂ２…ＢＮとの間のピッチＰ_Ａ１Ｂ１，Ｐ_Ａ２Ｂ２〜Ｐ_ＡＮＢＮをそれぞれ測定する。そして、それらの相加平均値を、複数の凸部１１０ｂの平均ピッチＰａｖと定義する。即ち、（Ｐ_Ａ１Ｂ１＋Ｐ_Ａ２Ｂ２＋…＋Ｐ_ＡＮＢＮ）／Ｎ＝Ｐと定義する。なお、上記相加平均値を求める際に選択する凸部の数Ｎが１０点以上であることが好ましい。なお、第１の凹凸構造１１０ａの凸部１１０ｂの構造配列（パターン）としては、後述する配列ＬＰ、配列α又は分布ＤＦのいずれも用いることができる。

第１の凹凸構造１１０ａがドット状であることにより、有機ＥＬデバイス１の長期信頼性を向上させることができる。図２に示すように平坦化層１０３を凹凸構造１０１ａ上に設ける場合も、接着層を介して凹凸構造１０１ａと陽極面とを接着する場合も、第１の凹凸構造１１０ａに対する平坦化層材料（接着層材料）の濡れ性が重要となる。例えば、平坦化層材料を第１の凹凸構造１１０ａ上に塗工した場合、凸部１１０ｂ上に位置する平坦化層材料は、頂部縁部におけるピン止め効果を平坦化層材料の薄膜内部に含むこととなり、頂部縁部における接触角は大きくなる。即ち、凸部１１０ｂ上に位置する平坦化層材料の接触角と、凹部１１０ｃ上に位置する平坦化層材料の接触角とは異なることとなり、凹凸構造１１０ａの凸部１１０ｂ上に位置する平坦化層材料のエネルギー的に安定な状態と、凹部１１０ｃ上に位置する平坦化層材料のエネルギー的に安定な状態は同一にならない。このため、凸部１１０ｂ上に位置する平坦化層表面位置と、凹部１１０ｃ上に位置する平坦化層表面位置と一致しないことがある。このような場合、平坦化層表面、即ち入光面１００ａの平坦性は減少し、このため有機ＥＬデバイス１の長期信頼性を減少させることとなる。第１の凹凸構造１１０ａがドット状であることにより、凸部１１０ｂ頂部の面積を減少させることができる。即ち、上記説明したピン止め効果による接触角度の向上が生じる場合であっても、該接触角に起因した平坦化層材料のエネルギー的に安定な体積はナノスケールに小さくなる。このため、凸部１１０ｂ上に位置する平坦化層材料と凹部１１０ｃ上に位置する平坦化層材料と、の間に存在するエネルギー勾配は小さくなり、平坦化層１０３の表面（入光面１００ａ）の精度を向上させることが可能となる。上記原理から、平坦化層１０３の表面（入光面１００ａ）の精度をより向上させるために、凸部１１０ｂ頂部の径は平均ピッチＰａｖの０．５倍以下であると好ましく、０．３倍以下であるとより好ましく、０．２倍以下であると最も好ましい。なお、第１の光抽出層１０２ａが設けられる場合は、上記説明した凸部１１０ｂを第１の光抽出層１０２ａと読み替えることができる。

更に、第１の凹凸構造１１０ａの凸部１１０ｂの頂部は、凸部１１０ｂの底部径よりも小さいと上記効果をより発揮できるため好ましい。このような凸部１１０ｂが傾斜を有する構造であることにより、ピン止めされた凸部１１０ｂ上に位置する平坦化層材料の接触角を小さくすることができる。即ち、凸部１１０ｂ頂部径が凸部１１０ｂ底部径よりも小さいことで、凸部１１０ｂ上に位置する平坦化層材料のエネルギー的に安定な体積をナノスケールに小さくできる。このため、凸部１１０ｂ上に位置する平坦化層材料と凹部１１０ｃ上に位置する平坦化層材料との間に存在するエネルギー勾配は小さくなり、平坦化層１０３の表面（入光面１００ａ）の精度を向上させることが可能となる。上記原理から、平坦化層１０３の表面（入光面１００ａ）の精度をより向上させるために、凸部１１０ｂの頂部の径は底部の径の２分の１以下であると好ましく、５分の１以下であるとより好ましく、１０分の１以下であると最も好ましい。なお、最も好ましくは、凸部１１０ｂの頂部と側面とが滑らかにつながっている場合、換言すれば凸部１１０ｂの頂部に平坦面がない場合である。なお、第１の光抽出層１０２ａが設けられる場合は、上記説明した凸部１１０ｂを第１の光抽出層１０２ａと読み替えることができる。

上記原理から、平坦化層１０３の表面（入光面１００ａ）の精度をより向上させるために、第１の凹凸構造１１０ａの充填率は、充填率が４５％以上であることが好ましく、５５％以上であることがより好ましい。更に、第１の凹凸構造１１０ａの凸部１１０ｂの面積をより大きくし、上記効果をより発揮する観点から、充填率は６５％以上であると好ましい。更に、第１の凹凸構造１１０ａの材料の選択性を向上させることが可能となるため、７０％以上が好ましく、７５％以上がより好ましく、８０％以上であれば最も好ましい。なお、充填率とは、単位面積中に含まれる第１の凹凸構造１１０ａの凸部１１０ｂの底部面積／単位面積×１００により求められる値である。なお、第１の光抽出層１０２ａが設けられる場合は、上記説明した凸部１１０ｂを第１の光抽出層１０２ａと読み替えることができる。

更に、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層１１０の第１の凹凸構造１１０ａがドット状であるため、第１の凹凸構造１１０ａに対し乱れ（配列や形状）を導入することが容易となる。凹凸構造の乱れについては後述する。このため、出光する光の散乱性は強まることとなり、カラーシフトは低減され、より自然光に近い出光を得ることができる。これは、発光光の波長が第１の凹凸構造１１０ａの平均ピッチＰａｖよりも十分に大きい場合は、有機ＥＬデバイス１の発光光からみた有効媒質近似的屈折率Ｎｅｍａの分布に対応する光散乱性のためと推定される。一方、発光光の波長が第１の凹凸構造１１０ａの平均ピッチＰａｖよりと同程度以下である場合は、凹凸構造１つ１つといった微視的スケールにおいて生じる光回折のモード数が増加し、且つ光回折モードに分散が含まれると考えられる。即ち、数十マイクロメートルといった巨視的スケールにおいては、複数の光回折モードの平均的光が観察されるためである。同様の理由から、第２の屈折率（ｎ２）を有す光抽出層１０２に対して乱れ（形状や配列）を導入することも容易であり、そのため、カラーシフトの抑制効果を発現できる。この結果、使用者が有機ＥＬデバイス１を視認した際のギラツキを抑制することもできる。

凹凸構造層１１０の第１の凹凸構造１１０ａとしては、上述した形状及び配列により、平坦化層１０３内部を伝搬する滲み出し光を光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１により抽出できるものであれば、特に制限はないため、六方配列、準六方配列、四方配列、準四方配列等を採用できる。また、第１の凹凸構造１１０ａの配列として、以下に説明する長周期又はシフト量αのいずれかを用いることにより、平坦化層１０３内部を伝搬する滲み出し光を抽出する際に、光散乱性をより強く発現させることが可能となるため、光取り出し効率が向上する。更に、凹凸構造の形状や配列の乱れを制御することにより発現する光散乱性を回折による光取り出しに対して相対的に強くできるため、カラーシフトは低減し、より自然光に近い有機ＥＬデバイス１とすることもできる。なお、以下に記載する長周期及びシフト量α示す構成は、光抽出層１０２の配列に用いることもできる。

（ドット配列）
図１２は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体の凹凸構造を示す平面模式図である。以下の説明においては、図８に示すようなドット状の第１の凹凸構造１１０ａにおける互いに独立した複数の凸部１１０ｂと、図１０に示すようなホール状の第２の凹凸構造１２０ａおける互いに独立した複数の凹部１１０ｃと、をまとめてドットと呼ぶ。図１２に示すように、ドット１３０は、第１方向Ｄ１において、複数のドット１３０が不定間隔Ｐｙ（ピッチＰｙ１，Ｐｙ２，Ｐｙ３，…）で配列された複数のドット列（凸部列又は凹部列）１３０−１〜１３０−Ｎを構成する。また、各ドット列１３０−１〜１３０−Ｎは、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２において、不定間隔Ｐｘ（ピッチＰｘ１，Ｐｘ２，Ｐｘ３，…）で配置されている。

また、本実施の形態の光抽出体１００において、ナノオーダーの不定間隔が変動幅δであることが好ましい。具体的には、図１２において、ピッチＰｙ１，Ｐｙ２，Ｐｙ３は、Ｐｙａｖ±δの範囲である。

図１３は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における平均ピッチＰａｖの概念図である。ここで、変動幅δは、第１方向Ｄ１におけるドット１３０間のピッチＰｙの標準偏差σの３倍の値であり、第１方向Ｄ１のピッチＰｙを１００点以上計測して算出される値で定義される。また、変動幅δは、平均ピッチＰｙａｖより小さいことが好ましい。変動幅δは、特に、平均ピッチＰｙａｖの１％以上５０％以下の範囲であると、複数のドット１３０間のピッチＰｙの大きさが適度な範囲となるので、光散乱性による発光効率向上効果とカラーシフト低減効果を実現できる。変動幅δは、更に、平均ピッチＰｙａｖの５％以上３０％以下の範囲であると、光散乱性よる光取り出し効率向上効果とカラーシフト低減効果に加え、更に、回折による光取り出し効率向上効果が共に得られるのでより好ましい。

以上は、第１方向Ｄ１のピッチＰｙについての記述であるが、第２方向Ｄ２のピッチＰｘについては、ＰｙをＰｘと読み替えて定義することができる。

（長周期）
図１４は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層の一例を示す平面模式図である。図１４に示すように、光抽出体１００の凹凸構造層１０１の主面内に属する第１方向Ｄ１において複数のドット１４０が配列されたドット列１４０−１〜１４０−Ｎを複数並設している。各ドット列１４０−１〜１４０−Ｎに属する複数のドット１４０は、互いに異なるピッチ（Ｐｙ１，Ｐｙ２，Ｐｙ３，・・・）で不定間隔に配列されている。また、各ドット列１４０−１〜１４０−Ｎは、主面内で第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２において、一定間隔のピッチＰｘで並設されている。

即ち、光抽出体１００においては、各ドット列１４０−１〜１４０−Ｎに属する複数のドット１４０が第１方向Ｄ１に不定間隔Ｐｙ１，Ｐｙ２，Ｐｙ３で配置されると共に、各ドット列１４０−１〜１４０−Ｎが第２方向Ｄ２に一定間隔Ｐｘで設けられている。この構成により、凹凸構造層１０１を第２方向Ｄ２から見た場合に、主面内に配設される複数のドット１４０間の繰り返しパターンの周期性が低減される。例えば、凹凸構造層１０１の主面内の斜め方向のピッチＰａ，Ｐｂが異なる値となる。これにより、回折効果による光取り出し効率向上効果を高めることができる。また、凹凸構造１０１ａによる光散乱性が向上するので、カラーシフト低減効果と散乱による導波モードの解消による光取り出し効率向上効果も期待できる。

図１５は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体において第２方向からみたときの複数のドットの配置を示す模式図である。図１５において、第２方向Ｄ２に複数のドット１４０が一定間隔のピッチＰｘで配列された複数のドット列１４０−１〜１４０−３を有し、第１方向Ｄ１において、変動幅δを有するピッチＰｙで配列されている光抽出体１００を第２方向Ｄ２からみた時の複数のドットの配置を示している。図１５中、複数のドット１４０は、ドット列１４０−１に属するもの（図中実線で示す）と、ドット列１４０−２に属するもの（図中一点破線で示す）と、ドット列１４０−３に属するもの（図中二点破線で示す）に分けられる。同一のドット列に属する複数のドット１４０が、第１方向Ｄ１に不定間隔Ｐｙ１，Ｐｙ２，Ｐｙ３で配置されている。これにより、図１５に示すように複数のドット１４０が互いにずれて不規則に配置され、配置が乱れることにより光散乱効果を発現させることができる。

図１６は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層を構成する複数のドットの配置の一例を示す模式図である。図１６に示す配置（ドットパターン）においては、各ドット１４０のピッチＰｙ及びピッチＰｘが略等しく、変動幅δがピッチＰｙａｖの２０％である例を示している。図１６に示すように、各ドット列１４０−ａ，１４０−ｂがピッチＰｘで一定間隔に並んでいても、第１方向Ｄ１におけるドット１４０間のピッチＰｙに周期性はないことがわかる。このように、複数のドット１４０の存在により、光抽出体１００上に設けた発光層１２からの光取り出し効率向上を高めることができ、更に、複数のドット１４０の配置が乱れることにより光散乱効果とカラーシフト低減効果を発現させることができる。

ここで、互いに異なるピッチＰｘで不定間隔に配置された第２方向Ｄ２におけるドット列の配置例について説明する。図１７は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体において第２方向からみたときの複数のドットの配置を示す模式図である。図１７に示すように、第２方向Ｄ２におけるドット列（図１７中ＤＬ）は、８列ずつ特定の間隔（ピッチＰｘ）で配置されており、且つ、８列のドット列が繰り返し配置されている。この複数（ｚ）のドット列で構成された単位を、長周期単位Ｌｘｚ（ただし、ｚは正の整数）と称する。なお、互いに異なるピッチＰｙで不定間隔に配置された第１方向Ｄ１におけるドットについても、長周期単位Ｌｙｚを使用し、以下の説明と同様に配置できる。

不定間隔のピッチＰｙは、各ドットの中心間の距離に等しく、不定間隔のピッチＰｘは、複数のドットがピッチＰｙで配列された複数のドット列間距離に等しい。また、ピッチＰｙ及びピッチＰｘは各ドットの直径より大きい。

ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下のドット間のピッチＰｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ，ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１０）の関係を満たすと共に、第１方向Ｄ１において、ピッチＰｙ１〜Ｐｙｎで構成されるドット群が、長周期単位Ｌｙｚを繰り返し配列した構成であり、且つ、ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下のドット間の前記ピッチＰｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１１）の関係を満たすと共に、第２方向Ｄ２において、ピッチＰｘ１〜Ｐｘｎで構成されるドット列群が、長周期単位Ｌｘｚを繰り返し配列した構成であることが好ましい。
式（１０）
Ｐｙ１＜Ｐｙ２＜Ｐｙ３＜…＜Ｐｙａ＞…＞Ｐｙｎ
式（１１）
Ｐｘ１＜Ｐｘ２＜Ｐｘ３＜…＜Ｐｘａ＞…＞Ｐｘｎ

図１７は、長周期単位Ｌｘｚが８列のドット列で構成される場合、即ち、ｍ＝８の場合を示している。この場合、ｎ＝７，ａ＝３となるため、長周期Ｌ１において、ドット列間のピッチＰｘｎには、次の式の関係が成り立っている。
Ｐｘ１＜Ｐｘ２＜Ｐｘ３＞Ｐｘ４＞Ｐｘ５＞Ｐｘ６＞Ｐｘ７

また、長周期単位ＬｘｚにおけるピッチＰｘは、ピッチＰｘの最大値（Ｐｘ（ｍａｘ））と、最小値（Ｐｘ（ｍｉｎ））との差で表される最大位相ずれδが、（Ｐｘ（ｍｉｎ））×０．０１＜δ＜（Ｐｘ（ｍｉｎ））×０．６６、好ましくは、（Ｐｘ（ｍｉｎ））×０．０２＜δ＜（Ｐｘ（ｍｉｎ））×０．５、より好ましくは、（Ｐｘ（ｍｉｎ））×０．１＜δ＜（Ｐｘ（ｍｉｎ））×０．４、を満たすよう設定されている。

例えば、図１７に示す長周期単位Ｌ１においては、各ドット列間のピッチＰｘｎは次のように表される。
Ｐｘ１＝Ｐｘ（ｍｉｎ）
Ｐｘ２＝Ｐｘ（ｍｉｎ）＋δａ
Ｐｘ３＝Ｐｘ（ｍｉｎ）＋δｂ＝Ｐｘ（ｍａｘ）
Ｐｘ４＝Ｐｘ（ｍｉｎ）＋δｃ
Ｐｘ５＝Ｐｘ（ｍｉｎ）＋δｄ
Ｐｘ６＝Ｐｘ（ｍｉｎ）＋δｅ
Ｐｘ７＝Ｐｘ（ｍｉｎ）＋δｆ
ただし、δａからδｆの値は、Ｐｘ（ｍｉｎ）×０．０１＜（δａ〜δｆ）＜Ｐｘ（ｍｉｎ）×０．５を満たす。隣接する長周期単位Ｌ２についても同様である。

また、長周期単位Ｌｘｚ、或いは長周期単位Ｌｙｚにおけるｚの最大値は、４≦ｚ≦１０００、好ましくは、４≦ｚ≦１００、より好ましくは、４≦ｚ≦２０、を満たすよう設定されている。

なお、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２における長周期単位Ｌｘｚ及びＬｙｚは互いに同一である必要はない。

本実施の形態に係る光抽出体１００において、第１方向Ｄ１においては、上記した長周期単位Ｌｙｚを有するドット列群が少なくとも１個以上配列され、第２方向Ｄ２においては、上記した長周期単位Ｌｘｚを有するドット列群が少なくとも１個以上配列されることが好ましい。

ピッチＰｙの不定間隔に配置された配置は、上記説明した互いに異なるピッチＰｘで不定間隔に配置された第２方向におけるドット列の配置例において、ドット列をドットと読み替えることで定義される。即ち、ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ドット間のピッチＰｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、上記式（１０）の関係を満たすと共に、第１方向において、ピッチＰｙ１〜Ｐｙｎで構成されるドット群が少なくとも１個以上配列され、ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下のドット間のピッチＰｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、上記式（１１）の関係を満たすと共に、第２方向において、ピッチＰｘ１〜Ｐｘｎで構成されるドット列群が少なくとも１個以上配列されることが好ましい。

図１８から図２４は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造層を構成する複数のドットの配置の一例を示す模式図である。光抽出体１００においては、凹凸構造１０１ａの微細構造を構成するドット１４０は、第１方向Ｄ１、第２方向Ｄ２ともに上記説明したような不定間隔のピッチＰｘ，Ｐｙで配置することもできるし（図１８参照）、第１方向Ｄ１、第２方向Ｄ２のいずれか一方のみを上記説明したような不定間隔のピッチで配置し、他方を一定間隔のピッチで配置することもできる（図１９参照）。なお、図１９においては、第１方向Ｄ１におけるドットが不定間隔で配置され、第２方向Ｄ２におけるドット列が一定間隔に配置されている。

更に、隣接する第１ドット列及び第２ドット列間、或いは第１ドット列及び第３ドット列がそろった配置とすることもできる（図２０、図２１、図２２及び図２３参照）。

ピッチＰｙ及びピッチＰｘのいずれか一方が一定間隔であり、他方が不定間隔である場合には、ピッチＰｙ及びピッチＰｘがともに不定間隔である場合に比べて、周期性の乱れが減少し、散乱効果が減少するため、自然光に近い発光特性は低下するが、回折効果による光取り出し効率が向上する。

一方、ピッチＰｙとピッチＰｘがともに不定間隔である場合には、周期性の乱れによる光散乱効果とカラーシフト低減効果を高めることができる。即ち、導波モードを効果的に乱し、光取り出し効率を改善すると共に、より自然光に近い発光特性を得ることが可能となり、ギラツキの抑制に効果的である。

ピッチＰｙとピッチＰｘの両方を不定間隔とするか、或いは、ピッチＰｙかピッチＰｘのいずれか一方を不定間隔とするかは、光抽出体１００を用いた有機ＥＬデバイス１の発光特性と用途等により種々選択し、最適な構造とすることができる。例えば、比較的カラーシフトが問題となりにくい、一般照明用途の場合は、回折による光取り出し効率向上効果をより高めるために、ピッチＰｙかピッチＰｘのいずれか一方を不定間隔とする構造を採用すればよい。逆に、色特性や角度依存性が問題となりやすいディスプレイ用途の場合は、ピッチＰｙとピッチＰｘの両方を不定間隔とする構造を採用すればよい。

また、第１方向Ｄ１におけるドット間距離又は第２方向Ｄ２におけるドット列間距離のいずれか一方が一定間隔で配置される場合には、一定間隔のピッチに対する不定間隔のピッチの比が、特定の範囲内にあることが好ましい。

ここで、第１方向Ｄ１におけるドットが一定間隔Ｐｙｃで配置され、第２方向Ｄ２におけるドット列が不定間隔Ｐｘで配置される例について説明する。この場合には、一定間隔のピッチＰｙｃに対する、不定間隔のピッチＰｘの比は、８５％〜１００％の範囲内にあることが好ましい。一定間隔のピッチＰｙｃに対する、不定間隔のピッチＰｘの比が８５％以上であれば、隣接するドット間の重なりが小さくなるため好ましい。また、一定間隔のピッチＰｙｃに対する、不定間隔のピッチＰｘの比が１００％以下であれば、ドットを構成する凸部の充填率が向上するため好ましい。なお、一定間隔のピッチＰｙｃに対する、不定間隔のピッチＰｘの比は、９０％〜９５％の範囲内にあることが、より好ましい。

また、１つの長周期単位Ｌｘｚ或いはＬｙｚは、５個以上のドットから構成されると（属するピッチＰｘ又はＰｙが４以上であると）、有機ＥＬデバイス１で発生した光の屈折率の長周期の変動が、ナノオーダーから遠ざかり、光散乱が生じやすくなるため好ましい。一方、十分な光取り出し効率向上効果を得るためには、長周期単位Ｌｘｚ或いはＬｙｚは、１００１個以下のドットから構成される（属するピッチＰｘ又はＰｙが１０００以下である）ことが好ましい。

光抽出体１００は、以上のような凹凸構造１０１ａの微細構造の関係を満足することにより、光散乱効果が十分となる。その結果、ナノオーダーの凹凸で回折効果による光取り出し効率が向上すると同時に、ナノオーダーの周期性が乱れることとなり、有機ＥＬデバイス１からの発光に対し、光散乱性を強く発現することができる。更に、ナノオーダーの凹凸間隔は長周期変動により穏やかに変動するため、回折効果による光取り出し効率向上におけるカラーシフトが低減され、より自然光に近い発光特性を得ることが可能となり、ギラツキを抑制することができる。

また、図２４に示す配置例では、凹凸構造１０１ａの各ドット１４０の間隔は、ピッチの大小により領域が分けられる（図中１４０ａ〜１４０ｃ）。そのため、各領域で励起される表面プラズモンの励起波長が異なり、且つ、その境界は滑らかであるので、発光効率が向上する波長を広い範囲で調整が可能である。各ドット１４０の間隔と長周期Ｌｘｚ或いはＬｙｚの変動は、任意に調整可能であるので、発光デバイスの用途により、適宜、発光波長を調整できる。例えば、照明用途であれば、発光波長を選択することにより、暖色系、自然色系、クール色等を選択できる。

（凹凸構造の形状）
続いて、本実施の形態に係る光抽出体１００の凹凸構造１０１ａの微細構造を構成する凹凸構造１０１ａの形状（ドット形状）について説明する。

本実施の形態に係る光抽出体１００の凹凸構造１０１ａの微細構造を構成する凹凸構造１０１ａの形状（ドット形状）においては、ドット１４０の各々の直径が、ピッチＰｙ及び／又はピッチＰｘに対応して増減することが好ましい。なお、本発明において、ドット１４０の各々の直径が、ピッチＰｙ及び／又はピッチＰｘに対応して増減するとは、ピッチＰｙ及びピッチＰｘの少なくともいずれか一方の増加にともなって、ドット１４０の各々の直径が増加する、或いは、減少する、のいずれかを指す。

以下、ピッチＰに対応して増減するドット１４０の直径の例について、詳細に説明する。本実施の形態に係る光抽出体１００において、ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下のピッチを構成するドット径Ｄｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１２）の関係を満たすと共に、第１方向において、ドット径Ｄｙ１〜Ｄｙｎで構成されるドット群が少なくとも１個以上配列され、ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下のピッチを構成するドット径Ｄｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１３）の関係を満たすと共に、第２方向において、ドット径Ｄｘ１〜Ｄｘｎで構成されるドット群が少なくとも１個以上配列されることが好ましい。
式（１２）
Ｄｙ１＜Ｄｙ２＜Ｄｙ３＜…＜Ｄｙａ＞…＞Ｄｙｎ
式（１３）
Ｄｘ１＜Ｄｘ２＜Ｄｘ３＜…＜Ｄｘａ＞…＞Ｄｘｎ

更に、本実施の形態に係る光抽出体１００においては、ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下のピッチを構成するドット径Ｄｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、上記式（１２）の関係を満たすと共に、第１方向において、ドット径Ｄｙ１〜Ｄｙｎで構成されるドット群が長周期単位Ｌｙｚで繰り返し配列され、且つ、ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下のピッチを構成するドット径Ｄｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、上記式（１３）の関係を満たすと共に、第２方向において、ドット径Ｄｘ１〜Ｄｘｎで構成されるドット群が長周期単位Ｌｘｚで繰り返し配列されることが好ましい。

図２５は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における第２方向における異なるドット径を有するドットの配置例を示す模式図である。図２５は、長周期単位Ｌｘｚが８列のドット列で構成される場合、即ち、ｍ＝８の場合を示している。この場合、ｎ＝７，ａ＝３となるため、長周期Ｌ１において、ドット列を構成する各ドットの径Ｄｘｎには、上記式（１３）の関係が成り立っている。

図２５においては、隣接するドット間隔（ピッチ）Ｐが広くなると、ドット径が小さくなり、ドット間隔Ｐが狭くなるとドット径が大きくなっている。増減するドット径の増減範囲は、大きすぎると隣接するドットと接するようになり好ましくなく、小さすぎると、光取り出し効率が低下するため好ましくない。同じ長周期単位Ｌｘｚ内における、ドットの平均径に対し、±２０％以内であると、光取り出し効率が増加し好ましい。

上記説明は、ドットを構成するピッチが減少すると、ドット径が増加する例についてであるが、同様に、ドットを構成するピッチが減少すると、それに対応してドット径が減少してもよい。いずれの場合でもドット径の増減の長周期は、ドットを構成するピッチの増減の長周期と一致することが好ましい。

上記構成により、発光光に対するドットによる周期性の乱れが大きくなり、有機ＥＬデバイス１における光取り出し効率が増加することとなる。

また、本実施の形態に係る光抽出体１００の凹凸構造１０１ａの微細構造を構成する凹凸構造１０１ａの形状（ドット形状）においては、各ドットの各々の高さが、ピッチＰｙ及び／又はピッチＰｘに対して増減することが好ましい。

以下、ピッチに対応して増減するドット高さの例について、詳細に説明する。本実施の形態に係る光抽出体１００において、ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下のピッチを構成するドット高さＨｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１４）の関係を満たすと共に、第１方向において、ドット高さＨｙ１〜Ｈｙｎで構成されるドット群が少なくとも１個以上配列され、ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチを構成するドット高さＨｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１５）の関係を満たすと共に、第２方向において、ドット高さＨｘ１〜Ｈｘｎで構成されるドット群が少なくとも１個以上配列されることが好ましい。
式（１４）
Ｈｙ１＜Ｈｙ２＜Ｈｙ３＜…＜Ｈｙａ＞…＞Ｈｙｎ
式（１５）
Ｈｘ１＜Ｈｘ２＜Ｈｘ３＜…＜Ｈｘａ＞…＞Ｈｘｎ

更に、本実施の形態に係る光抽出体１００においては、ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下のピッチを構成するドット高さＨｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、上記式（１４）の関係を満たすと共に、第１方向において、ドット高さＨｙ１〜Ｈｙｎで構成されるドット群が長周期単位Ｌｙｚで繰り返し配列され、ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下のピッチを構成するドット高さＨｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、上記式（１５）の関係を満たすと共に、且つ、第２方向において、ドット高さＨｘ１〜Ｈｘｎで構成されるドット群が長周期単位Ｌｘｚで繰り返し配列されることが好ましい。

図２６は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における第２方向における異なるドット高さを有するドットの配置例を示す模式図である。図２６は、長周期単位Ｌｘｚが８列のドット列で構成される場合、即ち、ｍ＝８の場合を示している。この場合、ｎ＝７，ａ＝３となるため、長周期Ｌ１において、ドット列を構成する各ドットの高さＨｘｎには、上記式（１５）の関係が成り立っている。

図２６においては、隣接するドット間隔（ピッチ）Ｐが広くなると、ドット高さが小さくなり、ドット間隔が狭くなるとドット高さＤＨが大きくなっている。増減するドット高さＤＨの増減範囲は、大きすぎるとその部分における光取り出し効率のムラが大きくなり好ましくなく、小さすぎると、ドット高さＤＨの増減による光取り出し効率の向上効果が低下するため好ましくない。同じ長周期単位Ｌｘｚ内における、ドットの平均高さに対し、±２０％以内であると、光取り出し効率がムラなく増加し好ましい。

（シフト量α）
また、本実施の形態に係る光抽出体１００において、光抽出体１００の主面から面外方向に延在する複数の凹凸構造１０１ａで構成される複数のドットを含む微細構造、即ち凹凸構造１０１ａを備え、凹凸構造１０１ａは、光抽出体１００の主面内の第１方向Ｄ１において複数のドットが一定間隔Ｐｙで配列されたドット列を構成し、且つ、これらのドット列を第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に一定間隔のピッチＰｘで並設し、隣接する第１ドット列と第２ドット列との間の第１方向Ｄ１におけるシフト量α１と、隣接する第２ドット列と第３ドット列との間の第１方向Ｄ１におけるシフト量α２と、が互いに異なることが好ましい。

この構成によれば、まず、ピッチＰｙ及びピッチＰｘがともに一定間隔で、且つ、周期構造を有する一方、各ドット列間の第１方向Ｄ１におけるシフト量α１，α２が互いに異なるので、凹凸構造１０１ａを構成する複数のドットの配置の周期性が乱れ、光散乱効果を生じさせることができる。

また、この構成によれば、凹凸構造１０１ａにおいて、ナノオーダーの一定間隔ピッチＰｘで並設された複数のドット列が支持基材の表面に設けられるので、回折効果と、表面プラズモン共鳴により光取り出し効率が向上する。

図２７は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスに用いられる光抽出体における凹凸構造を示す平面模式図である。図２７に示すように、光抽出体１００の凹凸構造１０１ａにおいて、複数のドット１５０は、基材本体の主面内の第１方向Ｄ１においてピッチＰｙで一定間隔のピッチＰｙに配列され、ドット列１５０−１〜１５０−Ｎを構成している。各ドット列１５０−１〜１５０−Ｎは、基材本体の主面内で第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に一定間隔のピッチＰｘで並設されている。そして、互いに隣接するドット列間に第１方向Ｄ１においてシフト量α（位置差）が生じるように配列されている。

即ち、凹凸構造１０１ａにおいては、第２方向Ｄ２において隣接する第１ドット列１５０−１及び第２ドット列１５０−２との間の第１方向Ｄ１におけるシフト量α１と、第２トッド列１５０−２及びこの第２ドット列１５０−２に隣接する第３ドット列１５０−３との間のシフト量α２と、が互いに異なるように設けられる。

この構成により、凹凸構造層１０１の主面内における斜め方向の複数のドット１５０間のピッチＰ１〜ピッチＰ３が不規則となり、繰り返しパターンの周期性が低減されるので、凹凸構造１０１ａによる光散乱性がより強まる。

また、この場合、シフト量α１とシフト量α２との差分が一定でないことが好ましい。この構成により、凹凸構造１０１ａを構成する複数のドット１５０の配置の周期性、即ち、繰り返しパターンの周期性がより低減され、更に光散乱性を強めることができるので、有機ＥＬデバイス１における光取り出し効率を向上させると共に、カラーシフトを低減し、ギラツキを抑制することができる。

また、凹凸構造１０１ａにおいて、ピッチＰｙ及びピッチＰｘが共に一定間隔となるように設けている。このため、上述のように、ピッチＰｘのみが一定間隔であり、第１方向Ｄ１のピッチＰｙが変動幅δを有して不定間隔である光抽出体１００に比べて、ドット１５０の間隔が小さくなる。これにより、周期性の乱れによる光散乱効果は低下するが、回折効果と表面プラズモン共鳴により光取り出し効率を向上させることができる。

また、ピッチＰｙが不定間隔である光抽出体１００と比較して、回折効果又は表面プラズモン共鳴による光取り出し効果は低下するが、複数のドット１５０の配置の周期性の乱れによる光散乱効果をより高めることができ、導波モードを解消することによる光取り出し効率の増加とカラーシフト、ギラツキを抑制することが可能である。

この場合、シフト量α１とシフト量α２の差分が一定でないことが好ましい。この構成により、光散乱効果が更に向上するので、導波モードを解消し光取り出し効率を更に高め、カラーシフト、ギラツキを抑制することが可能となる。

また、上述のように長周期又はシフト量αを適用した光抽出体１００において、ピッチＰｘ及びピッチＰｙは、それぞれ１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。ピッチＰｘ，Ｐｙがこの範囲内にあると、ナノオーダーの凹凸が光抽出体１００表面に設けられることにより、光抽出体１００上に有機ＥＬデバイス１を設けた場合に、回折子効果と表面プラズモン共鳴により、発光層からの発光効率を向上させることができる。ピッチＰｘ，Ｐｙは、１００ｎｍ以上であることにより、有機ＥＬデバイス１の光取り出し効率が向上し、表面プラズモン共鳴による発光効率向上の効果が現れる。また、ピッチＰｘ、Ｐｙが１０００ｎｍ以下であることにより、回折効果と表面プラズモン共鳴による発光効率の効果が現れる。

（光取り出し効率の向上）
続いて、本実施の形態に係る光抽出体１００により、光取り出し効率が向上する原理について説明する。

上述のように、光抽出体１００に、ナノオーダーのドットから構成される凹凸構造層１０１を設けることにより、１）表面プラズモン共鳴による光取り出し効率の改善、２）回折効果による光取り出し効率の改善、３）光散乱により導波モードを解消することによる光取り出し効率の改善、４）光散乱によるカラーシフト及びギラツキを抑制する効果、の４つの効果が得られる。

複数のドットから構成される長周期単位Ｌｘｚを繰り返し並べることにより、長周期単位Ｌｘｚごとに屈折率が変化し、長周期単位Ｌｘｚを構成する複数のドットが１単位となって繰り返された場合と同じ効果を生じることとなる。換言すると、波長と同程度の複数のドットの場合、平均的な屈折率分布で光の挙動を説明できるため（有効媒質近似）、空間の平均屈折率分布を計算すると、あたかも、長周期単位Ｌｘｚの複数のドットが１単位として繰り返されたように光に作用する。このように長周期単位Ｌｘｚで並べられた複数のドットは、光散乱効果を奏する。

また、ナノオーダーのドットが光抽出体１００の表面に設けられることにより、ドットの間隔に調和した表面プラズモン共鳴が起き、有機ＥＬデバイス１から発生した光エネルギーの発光効率を向上させることができる。或いは、ドットの間隔に調和した回折が生じ、導光モードにより閉じ込められた発光光を効果的に取り出すことができる。

更に、本実施の形態に係る光抽出体１００においては、ドットの各々の直径が、ピッチに応じて増減する。空間の平均屈折率分布は、構成単位の体積分率に依存し変化するため、長周期単位Ｌｘｚの複数のドットにおいて、各ドットの体積が変化するとそれだけ、平均屈折率分布の変化が大きくなり、同じ長周期単位Ｌｘｚでも、より光散乱効果が高まることとなる。この効果は、ドット間ピッチが狭い場合、ドットの直径を大きく、ドット間ピッチが広い場合、ドットの直径を小さくすることでより顕著となる。

更に、本実施の形態にかかる光抽出体１００においては、ドットの高さもドット間ピッチに応じて増減する。この場合も上記した理由と同様、ドット間ピッチが狭い場合、ドット高さを大きくし、ドット間ピッチが広い場合、ドット高さを小さくすると、長周期単位Ｌｘｚ内の平均屈折率分布が大きくなり、光散乱効果を増加させることになる。

更に、複数のドットから構成される長周期単位Ｌｘｚを繰り返し並べた配列において、上記したドットの各々の直径とドットの高さの両方を、ピッチに応じて増減させると、有効媒質近似により記述される屈折率分布の差が更に大きくなるため好ましい。この場合、ドット間ピッチが狭い場合、ドットの直径とドットの高さを大きくし、ドット間ピッチが広い場合、ドットの直径とドットの高さを小さくすると、空間の平均屈折率分布において、構成単位の体積分率の差が大きくなり、より光散乱効果が高まり好ましい。

以上のような光散乱効果により導光モードを解消し光取り出し効率を高めることが可能となる。これに加えて、凹凸構造１０１ａのナノオーダーでの均一性が乱れることによって、カラーシフトを低減し、より自然光に近い発光特性を得ることが可能となるため、ギラツキを抑制できる。

上記のような長周期又はシフト量αを適用することにより、取り出された光に散乱性を付与することができる。発光光の波長が凹凸構造１０１ａや光抽出層１０２の大きさよりも十分に大きい場合、凹凸構造１０１ａや光抽出層１０２は有効媒質近似により平均化され、有効媒質近似的屈折率Ｎｅｍａを有す薄膜として機能する。しかしながら、長周期又はシフト量αを有すことにより、有効媒質近似的屈折率Ｎｅｍａに分布を付与することが可能となると考えられる。このため、有効媒質近似的屈折率Ｎｅｍａの分布及びそのコントラストに応じた光学現象を新たに付与することが可能となり、取り出される光は散乱性を奏すこととなる。一方、発光光の波長が凹凸構造１０１ａや光抽出層１０２の大きさと同程度以下の場合、発光光は光回折により取り出されることとなる。ここで、長周期又はシフト量αを満たすことで、凹凸構造１つ１つといった微視的スケールにおける光回折のモード数が増加するため、数十マイクロメートルといった巨視的スケールからみた場合、複数の回折モードの平均的光を観察することができるため、散乱性を奏すと考えられる。

（凹凸構造層、光抽出層及び平坦化層の材質）
次に、本実施の形態に係る凹凸構造層１０１、光抽出層１０２及び平坦化層１０３の材質について説明する。なお、これらの層を作る材質は、上述した第１の屈折率（ｎ１）、第２の屈折率（ｎ２）及び第３の屈折率（ｎ３）が上記式（５）〜上記式（７）を満たすものであれば、特に限定されない。また、凹凸構造層１０１、光抽出層１０２及び平坦化層１０３を構成する材質は、消衰係数（ｋ）が０であることが好ましい。ｋ＝０であることにより、消衰係数を０にすることが可能となる。このため、光抽出体１００の入光面１００ａから光抽出体１００内に導かれた発光光が光抽出体１００の出光面１００ｂに透過するまでに、積層体内部にて吸収され減衰するのを抑制することができる。ここで、消衰係数ｋが０である場合とは、ｋ≦０．０１を満たす範囲と定義する。この範囲を満たすことで上記効果を得られるため好ましい。特に、各層における多重反射を抑制する観点からｋ≦０．００１であるとより好ましい。なお、ｋは小さい程好ましい。

また、上記式（５）〜上記式（７）及び消衰係数ｋの範囲を満たす凹凸構造層１０１、光抽出層１０２、及び平坦化層１０３を構成する材質としては、例えば、スパッタや蒸着が可能な透明誘電体、ガラス、石英、サファイア、無機前駆体の硬化体（例えば金属アルコキシドに代表されるゾルゲル反応により、加水分解・重縮合を生じ硬化する材料の硬化体）、樹脂（熱硬化性樹脂の硬化体、光重合性樹脂の硬化体、熱可塑性樹脂）、有機無機ハイブリッド分子の硬化体、透明誘電体微粒子、透明誘電体フィラーやこれらの混合物等が挙げられる。いずれの材質を使用するかは、有機ＥＬデバイス１の特性や使用環境、及び積層体の製造方法等を考慮して適宜選択することができる。特に、平坦化層１０３を構成する材料は吸水性の低い材料により構成されるか、又は、平坦化層１０３の露出する面上に吸水性の低い層を更に設けると、有機ＥＬデバイス１の長期信頼性が向上するため好ましい。

（機能層）
本実施の形態に係る光抽出体１００は、ガスバリア機能、水蒸気バリア機能、耐摩耗機能、防汚機能、疎水性機能、親水性機能、帯電防止機能、カラーフィルタ機能、カラーシフト機能、偏光修正機能、反射防止機能、光再指向機能、拡散機能、及び光学回転機能からなる群から選ばれた少なくとも１つの機能層を更に含んでもよい。これらの機能層を更に含むことにより、光抽出体１００を使用して作製された有機ＥＬデバイス１の機能が向上する。例えば、ガスバリア性や水蒸気バリア性を更に含むことにより、有機ＥＬデバイス１の発光部の寿命を延ばすことが可能となる。また、支持基材１０４の露出する面上に耐摩耗機能、防汚機能、疎水性機能、親水性機能、帯電防止機能等を更に含むことにより、有機ＥＬデバイス１に付着する汚れの量を低減すると共に、ふき取りが容易になる。また、支持基材１０４の露出する面上に反射防止機能を付加することで視認性が向上する。これらの機能を発現するための構成や材質は特に限定されず、有機ＥＬデバイス１の特性や用途に応じ、適宜選択することができる。

＜有機ＥＬデバイスの構成＞
図２８は、本実施の形態に係る有機ＥＬデバイスを示す断面模式図である。図２８に示す有機ＥＬデバイス１は、上述のように、２つの支持基材１３，１４を有する。陽極１０と一方の支持基材１３との間に光抽出体１００が配置されている。光抽出体１００側の支持基材１３に対して光学フィルム１５が貼り合わせてある。光抽出体１００を構成する材料に限定はなく、誘電体、半導体、金属等の材料を用いることができる。

また、発光部３０は、少なくとも、陰極１１、発光層１２及び陽極１０の３層で構成される。図２８では、発光部３０は、陰極（金属電極）１１、電子注入層３１、電子輸送層３２、発光層１２、ホール輸送層３３、ホール注入層３４及び陽極（透明導電膜層）１０を順次積層することで作製されている。発光層１２は１層以上の有機層とする。

光抽出体１００の表面に金属面が存在する場合は、光抽出体１００を陰極１１の代わりとし、発光部３０の陰極形成を省略してもよい。電子注入層３１、電子輸送層３２、発光層１２、ホール輸送層３３及びホール注入層３４については、一つの層が二つ以上の機能を兼ねてもよいし、ホール輸送層３３及び電子輸送層３２は省略してもよい。ホールと電子が出会う場所として発光層１２は必要である。最も単純な系としては、陽極１０と陰極１１に挟まれた発光層１２だけがあればよい。

図２８に示すように、光抽出体１００を反射型とする場合には、光抽出体１００を誘電体や半導体又はこれらと金属との組み合わせで形成することができる。

本発明で用いる陽極１０、ホール注入層３４、ホール輸送層３３、発光層１２、電子輸送層３２、電子注入層３１及び陰極１１の作製方法は特に限定しないが、一般的なボトムエミッション型有機ＥＬデバイスを例にとり説明すると以下のようになる。即ち、陽極１０及び陰極１１は真空蒸着法又はスパッタリング法等によって行い、ホール注入層３４、ホール輸送層３３、発光層１２、電子輸送層３２及び電子注入層３１は有機蒸着法又は薄膜塗工法によって行うことができる。

各層の積層は、一方の支持基材１３に近い層から順に行われるので、最初に陽極１０が形成される。ボトムエミッション型有機ＥＬデバイスの場合、陽極１０は透明であることが必要なので、材質は、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）やＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺＴＯ（ＺｉｎｃＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の透明導電材料（ＴＣＯ）が選択される。

次に、ホール注入層３４として、芳香族アミン化合物等を成膜する。α−ＮＰＤやＣｕＰｃ等の芳香族アミン化合物は、イオン化ポテンシャルとホール輸送特性が適切であり、電気化学的に可逆であるため、ホール輸送材料として最も多く使用される。

次に発光層１２を積層する。発光層１２に単独で用いられる材料は蛍光性色素化合物であるＢＢＡ（２，３−ビス｛４−［Ｎ，Ｎ−ジ（４−ビフェニリル）アミノ］やＤＴＥ（ジチエニルエテン）等が挙げられるが、ホールや電子輸送化合物に蛍光性色素化合物をドープしてもよい。蛍光発光性材料の置き換えで、りん光発光性材料を用いると、理論変換効率が約２５％から約１００％に向上するため好ましい。

次に、電子輸送層３２を積層する。電子輸送層３２としては、オキサジオール系（ＰＢＤ誘導体：２−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール誘導体等）、トリアゾール系（ＴＡＺ誘導体：（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール誘導体）等が使用される。金属錯体系（Ａｌｑ３等）の物質を用いると、電子輸送層３２と発光層１２を兼ねることができ有益である。

最後に陰極１１を積層する。陰極１１の材料は一般にＬｉＦやＬｉ系化合物等をごく少量付けた後、Ａｌ，Ａｇ等の金属やＡｌ／Ａｇ合金等の合金を積層する方法が一般的である。

本実施の形態に係る有機ＥＬデバイス１に用いられる光学フィルム１５は、凹凸形状が少なくともフィルム片面に存在しているものをいう。凹凸形状が存在するとは、例えば、角錐形状、角錐台形、円錐形状、円錐台形、屋根形状、半球形状若しくは半球台形形状の突起又は窪みを少なくとも１種類以上が形成されていることである。光学フィルム１５は、凹凸のない市販のフィルムに凹凸加工処理を施して製造しても構わないし、凹凸加工処理を施してなる市販の光学フィルムを購入して使用しても構わない。凹凸加工処理を施してなる光学フィルムとは、マイクロレンズアレイシート、プリズムシート又は光拡散板等である。このようなシート又は板の凹凸の表面は、例えば、１〜１００μｍの直径又は底面の円の直径を有する。

凹凸加工処理を施してなる光学フィルムの製造方法は特に限定されず、一例として、均一なシート又は板を金型等でプレスして表面成型加工を行うこと、液状樹脂を転写型表面に塗布して、ＵＶや熱で硬化させて成型することが可能である。更には、微粒子を分散したポリマー溶液を、微粒子の粒径より小さな乾燥厚で塗布することで、表面に凹凸形状を作製した拡散板を作製することができる。また、ポリマー溶融物に微粒子を錬込み、押し出し成型することで、表面や内部に光拡散機能を持たせた拡散板を作製することもできる。

このような光学フィルム１５としては、透明であれば使用でき、具体的な材料としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等が挙げられ、単独で、又は積層された状態で用いることができる。

光学フィルム１５には、例えば、ハードコート処理を行うことでキズが付き難い工夫を施すことが可能である。また、防汚性を付与することや、帯電防止性や紫外線吸収性を付与すること等も可能である。ハードコート処理や防汚性を付与すること、又は、帯電防止性や紫外線吸収性を付与することは、追加のフィルムの積層によって達成できる場合もある。

光学フィルム１５の屈折率は、空気の屈折率以上透明基板の屈折率以下であることが好ましい。ガラスモードから空気モードに変換させる光量が増加させる。好ましくは１．０≦光学フィルムの屈折率≦１．８、より好ましくは１．１≦光学フィルムの屈折率≦１．７、さらに好ましくは１．２≦光学フィルムの屈折率≦１．６であることが好ましい。

＜光抽出体の製造方法＞
本実施の形態に係る光抽出体１００の製造方法としては、上記式（５）〜上記式（７）の屈折率を満たす光抽出体１００が得られるものであれば特に限定されない。

凹凸構造の形状を制御して製造するという観点から、例えば、透明誘電体（ガラス、石英、サファイア、熱可塑性樹脂等）を直接加工する加工方法を用いた製造方法が挙げられる。

例えば、光学的に透明なガラスの表面のナノスケールでの加工方法としては、電子線描画、フォトリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ、熱ナノインプリント、自己組織化膜をマスクとしたリソグラフィ、微粒子をマスクとしたリソグラフィ等が挙げられる。熱ナノインプリントの場合、少なくとも凹凸構造（熱可塑性樹脂層）を表面に有するモールドを加熱し、その状態にてガラスに凹凸構造を押圧し、凹凸構造を転写することで、ガラスをリソグラフィ工程無しで加工することができる。

また、表面に凹凸構造を有するモールドの凹凸構造と基材（被エッチング材）との間にレジストを狭持し、熱ナノインプリントリソグラフィを適用する場合は、レジストのガラス転移点Ｔｇより高い温度にて押圧してＴｇより低い温度にてモールドを剥離する。光ナノインプリントリソグラフィを適用する場合は押圧状態にて光を照射した後にモールドを剥離する。得られた凹凸構造を表面に有するレジスト層／基材から構成される積層体に対し、レジスト層面側からレジスト層の残膜を除去（例えば、酸素を使用したドライエッチング）し、続いて、レジスト層をマスクとして基材をエッチングする方法が挙げられる。

一方、光学的に透明な凹凸構造層を光学的に透明な基材上に別途形成する方法としては、転写法（光ナノインプリント法、熱ナノインプリント法、室温ナノインプリント法等）が挙げられる。転写法としては、被転写材料を、凹凸構造を具備したモールドと基材との間に狭持し、モールドを剥離することで被転写材料表面に凹凸構造を形成する方法が挙げられる。この際に、上述した、無機前駆体（例えば金属アルコキシドに代表されるゾルゲル反応により、加水分解・重縮合を生じ硬化する材料）、樹脂（熱硬化性樹脂、光重合性樹脂、熱可塑性樹脂）、有機無機ハイブリッド分子や、これらの材料と透明誘電体微粒子又は透明誘電体フィラーの混合粒等を被転写材料として使用することができる。

続いて、図２に示す凹凸構造層１０１上に光抽出層１０２を配置する方法としては、例えば、光抽出層１０２を構成する材料（光抽出層材料）の希釈溶液を凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａが形成された面（凹凸構造面）上に塗工する方法や、スパッタや蒸着により成膜する方法が挙げられる。塗工方法としては、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、ブレードコート法、ワイヤーバーコート法、エアーナイフコート法、ディップコート法、コンマナイフコート法、スプレーコート法、カーテンコート、インクジェット法、スピンコート法、ダイコート法等を採用することができる。光抽出層材料を希釈し塗工した場合は、余剰な溶剤を除去すると好ましい。除去方法としては、加熱処理、減圧（真空）処理やこれらの組み合わせによる処理が挙げられる。

平坦化層１０３の成膜方法としては、例えば、平坦化層１０３を構成する材料（平坦化層材料）の希釈溶液を、充填材配置後の凹凸構造の残存ラフネス面に塗工する方法や、スパッタや蒸着により成膜する方法が挙げられる。塗工方法は、上述の光抽出層材料の場合と同様である。平坦化層材料を希釈し塗工した場合は、余剰な溶剤を除去すると好ましい。除去方法としては、加熱処理、減圧（真空）処理やこれらの組み合わせによる処理が挙げられる。

本実施の形態に係る光抽出体１００の製造方法においては、上記製造方法の中でも、少なくとも下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の工程をこの順に含む製造方法により製造されることが好ましい。特に、凹凸構造層１０１の凹部１０１ｃの内部のみ、又は凹凸構造層１０１の凹部１０１ｃの内部及び凸部１０１ｂの上部に光抽出層１０２を配置する際に有用である。これにより、各構成要素の制御性が向上すると共に、製造時のスループットが向上する。
（ｉ）凹凸構造層形成工程
第４の屈折率（ｎ４）を有する支持基材（図７中、１０４）の一主面上に転写法により第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層を形成する工程
（ｉｉ）光抽出層形成工程
凹凸構造層の凹凸構造上に、希釈された充填材料を塗工し、余分な溶剤を除去し光抽出層を配置する工程
（ｉｉｉ）平坦化層形成工程
光抽出層が設けられた凹凸構造層の凹凸構造上に、希釈された平坦化材料を塗工し、余分な溶剤を除去して凹凸構造層及び光抽出層上部を覆うように平坦化層を形成する工程

（ｉ）凹凸構造層形成工程
凹凸構造の転写方法としては、特に限定されず、被転写材により適宜選択できる。例えば、被転写材が光硬化性樹脂の場合、表面に凹凸構造を有するモールドの凹凸構造と支持基材との間に被転写材を狭持し、基材側又はモールド側のいずれか一方から光を照射して被転写材を硬化させた後、モールドを剥離することで凹凸構造を形成できる。この転写方法は、一般的に光ナノインプリントと称される。

照射する光の種類は特に限定されず、被転写材の特性に応じて適宜選択できる。照射する光の種類としては、例えば、Ｘ線、紫外光線、可視光線、赤外光線等等が挙げられる。これらの中でも、紫外光線を用いることにより、光ナノインプリントによる第１の屈折率（ｎ１）を有す凹凸構造の転写精度が向上する。紫外光線としては、特に、２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長域の紫外光線が好ましい。エネルギー線の線源としては、例えば、各種の放電灯、キセノンランプ、低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ発光素子、及びレーザを用いることができる。レーザとしては、例えば、紫外光ＬＥＤ、Ａｒガスレーザ、エキシマレーザ及び半導体レーザを用いることができる。積算光量は、転写精度が向上する観点から、５００ｍＪ／ｃｍ^２〜５０００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲であることが好ましく、８００ｍＪ／ｃｍ^２〜２５００ｍＪ／ｃｍ^２であることがより好ましい。なお、光を照射する場合は、二酸化炭素やペンタフルオロプロパンガスに代表される圧縮性ガス環境下や、窒素やアルゴンガス環境下や減圧（真空）下で行ってもよい。

また、エネルギー線の照射においては、複数の線源を使用し照射を行ってもよい。これにより、上述した積算光量の範囲を満たしやすくなり転写精度を向上させることができる。更に、２以上の線源において、波長帯域の異なる線源を含むことにより、第１の屈折率（ｎ１）を有す凹凸構造層１０１の転写精度及び安定性を向上させることができる。複数の線源を用いる照射方法としては、例えば、紫外線ＬＥＤを２台使用し、１台目の主波長をλｘとし、２台目の主波長をλｙｎｍにする（λｘ≠λｙ、λｘ＝３６５，３８５，３９５，４０５ｎｍ等、λｙ＝３６５，３８５，３９５，４０５ｎｍ等）方法や、発光スペクトルのシャープな紫外線ＬＥＤと広帯域の波長成分を含むメタルハライド光源や高圧水銀灯光源を併用する方法が挙げられる。

支持基材の形状としては、特に限定されない。例えば、平板状の基材であれば、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法等により基材の一主面上に被転写材料を成膜して被転写材料にモールドを貼合及び押圧することができる。この場合、モールドとしては、平板状モールドや、フィルム（リール）状モールドを用いることができ、転写精度の観点からフィルム（リール）状モールドであること好ましい。一方、支持基材がガラスフィルムや樹脂フィルムに代表されるフィルム（リール）状である場合、ロール・ツー・ロールプロセスを適用できるため、生産性が向上する。

例えば、被転写材が無機前駆体の場合、支持基材と表面に凹凸構造を有するモールドの凹凸構造との間に被転写材を狭持し、熱や光により被転写材を硬化させた後、モールドを剥離することで凹凸構造を形成可能である。特に、モールドを剥離した後に、加熱処理を行うことで、被転写材料の硬化を促進することができるため好ましい。更に、被転写材が無機前駆体中に光重合性官能基や光酸発生剤が含まれる場合、支持基材と表面に凹凸構造を有するモールドの凹凸構造との間に被転写材を狭持し、モールド側又は基材側から光を照射することで、被転写材の硬化速度を速めることが可能となり、転写精度及びスループット性を向上させることができる。このような無機前駆体を使用する場合、モールドとしては樹脂モールドを使用すると好ましい。これは、無機前駆体の硬化反応中に発生する成分を、樹脂モールドが吸収又は樹脂モールドを透過させ除去できるためである。例えば、光硬化性樹脂の硬化物から構成される樹脂モールドやポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）から構成される樹脂モールドを好適に使用できる。光硬化性樹脂としてはウレタン系樹脂を含むと好ましい。

なお、（ｉ）凹凸構造層形成工程の前に、支持基材の一主面上に接着層を形成する工程又は支持基材の一主面を親水化する工程を実施することが好ましい。これらの工程を実施することにより、上記被転写材の支持基材への密着性が向上し、それにより転写精度を向上させることが可能となる。

接着層としては、支持基材及び被転写材の双方に密着性があれば限定されず、数ｎｍ以上の薄膜から数ｎｍ以下の分子層まで採用できる。例えば、末端官能基変性のシランカップリング材蒸気に晒す方法や、末端官能基変性シランカップリング溶液に浸漬又はスピンコートすることにより単分子層膜を形成する方法等により、接着層を形成することができる。特に、接着層の厚さが数ｎｍ以上ある場合、接着層の材質は光学的に透明であると好ましい。単分子層に近い数ｎｍ以下の場合、接着層による光吸収や多重反射の効果は非常に小さくなるため、この場合の特性は特に限定されないが、光学的に透明であると好ましい。

なお、（ｉ）凹凸構造層形成工程の後（（ｉｉ）光抽出層形成工程の前）に凹凸構造を安定化させる工程を加えてもよい。ここで安定化とは、凹凸構造中に残る未反応の部位を減少させること、又は、凹凸構造層中に含まれる水分を除去することを意味する。前者の場合、被転写材の特性により安定化方法は適宜選択できるが、例えば、加熱処理やエネルギー線照射処理が挙げられる。加熱処理の温度としては、４０℃〜３００℃の範囲で適宜選択できる。また、エネルギー線照射処理の場合は、上記説明したエネルギー線を使用できる。なお、エネルギー線により安定化をはかる場合、減圧下や不活性ガス雰囲気下といった酸素の少ない環境下にて行うと、安定化の効果が大きくなるため好ましい。

（ｉｉ）光抽出層形成工程
光抽出層１０２の塗工方法としては、特に限定されず、上述のように、グラビアコート法等を用いることができる。塗工における光抽出層材料の希釈溶液の塗工膜厚（ｈｃ）と、光抽出層材料の希釈溶液の体積濃度（Ｃ）と、単位面積（Ｓｃ）の領域下に存在する凹凸構造の凹部体積（Ｖｃ）とが、Ｓｃ・ｈｃ・Ｃ＜Ｖｃを満たす塗工条件を設定し、塗工後に余剰な溶剤を除去することで光抽出層１０２を配置可能となる。溶剤除去方法は、特に限定されず加熱処理、減圧（真空）処理やこれらの組み合わせによる処理が挙げられる。特に、凹凸構造層１０１の凹部１０１ｃ内部にのみ光抽出層１０２を配置する場合は、凹凸構造層１０１の表面を疎水性にし、且つ、開口率を６５％以上に設定すると配置精度が向上する。ここで疎水性とは、凹凸構造層１０１の表面上における水の接触角が９０度より大きい状態と定義する。更に、光抽出層材料の原料溶液の希釈溶剤を水系（親水系）溶剤にすることで、凹凸構造層１０１の凹凸構造１０１ａの凹部１０１ｃの内部にのみ光抽出層１０２を配置する場合の、配置精度が向上する。

加熱処理の場合の温度及び時間は、特に限定はされず、光抽出層材料の希釈溶液を作製する際に使用する溶剤の蒸気圧や沸点等、及び塗工膜厚（ｈｃ）により適宜設定できる。加熱処理の条件としては、概ね、温度２０℃〜３００℃、時間３０秒〜１時間の範囲であると、光抽出層１０２の配置精度が高まるため好ましい。また、使用溶剤の沸点をＴｓとした時に、温度（Ｔ）がＴ＜Ｔｓを満たす溶剤除去工程（１）を含むと、光抽出層１０２の配置精度がより向上するため好ましく、Ｔ＜Ｔｓ／２を満たすことがより好ましい。更に、溶剤除去工程（１）の後に、Ｔ≒Ｔｓを満たす溶剤除去工程（２）を含むと、上記効果をいっそう発揮できるため好ましい。なお、Ｔ≒Ｔｓは、概ね、Ｔ＝Ｔｓ±２０％である。

例えば、支持基材として平板状基材を使用した場合であれば、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法等により凹凸構造層１０１の凹凸構造面上に光抽出層材料の希釈溶液を成膜し、余剰な溶剤を除去する工程を経ることができる。特に、スピンコート法の場合は低蒸気圧溶剤を使用することが好ましい。一方、支持基材がガラスフィルムや樹脂フィルムに代表されるフィルム（リール）状である場合、ロール・ツー・ロールプロセスを適用できるため、生産性が向上する。なお、（ｉｉ）光抽出層形成工程の前に、凹凸構造層１０１の凹凸構造面への処理を加えてもよい。処理としては、酸素プラズマ処理やＵＶ−Ｏ_３処理等が挙げられる。

なお、（ｉｉ）光抽出層形成工程の後（（ｉｉｉ）平坦化層形成工程の前）に安定化させる工程を加えてもよい。ここで安定化とは、凹凸構造層１０１及び光抽出層１０２に残る未反応の部位を減少させること、又は、凹凸構造層１０１及び光抽出層１０２中に含まれる水分を除去することを意味する。前者の場合、被転写材や光抽出層１０２の特性により適宜選択できるが、例えば、加熱処理やエネルギー線照射処理が挙げられる。加熱処理の温度としては、４０℃〜３００℃の範囲で適宜選択すると好ましく、エネルギー線照射処理の場合は上記説明したエネルギー線を使用できる。なお、エネルギー線により安定化をはかる場合、減圧下や不活性ガス雰囲気下といった酸素の少ない環境下にて行うと、安定化の効果が大きくなるため好ましい。

（ｉｉｉ）平坦化層形成工程
光抽出層１０２の配置された凹凸構造層１０１の凹凸構造面上に、希釈された平坦化層材料を塗工し、余分な溶剤を除去することで、凹凸構造層１０１及び光抽出層１０２の上部を覆う平坦化層１０３を形成することができる。塗工方法としては、上述のように、特に限定されず、グラビアコート法等を用いることができる。また、溶剤除去方法は、特に限定されず加熱処理、減圧（真空）処理やこれらの組み合わせによる処理が挙げられる。

加熱処理の場合の温度及び時間は、特に限定はされず、平坦化層材料の希釈溶液を作製する際に使用する溶剤の蒸気圧や沸点等、及び塗工膜厚により適宜設定できる。加熱処理の条件としては、平坦化層１０３の配置精度が高まる観点から、概ね温度２０℃〜３００℃、時間３０秒〜１時間の範囲であることが好ましい。

また、使用溶剤の沸点をＴｓとしたときに、温度（Ｔ）がＴ＜Ｔｓを満たす溶剤除去工程（１）を含むと、平坦化層１０３の配置精度がより向上するため好ましく、Ｔ＜Ｔｓ／２を満たすことがより好ましい。更に、溶剤除去工程（１）の後に、Ｔ≒Ｔｓを満たす溶剤除去工程（２）を含むと、上記効果をいっそう発揮できるため好ましい。なお、Ｔ≒Ｔｓは、概ね、Ｔ＝Ｔｓ±２０％である。例えば、光抽出体１００をボトムエミッション型有機ＥＬデバイスに適用する場合、平坦化層１０３の表面の面精度が要求されるため、使用する溶剤や加熱処理を適切に制御し、レべリング性を向上させると好ましい。その他にも、平坦化層１０３の露出する面を平坦化する方法として、平坦化層形成工程の後に、鏡面を表面に具備するウェハやリールを、平坦化層１０３の露出する面上に貼合及び押圧する方法が挙げられる。

例えば、支持基材として、平板状基材を使用した場合であれば、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法等により光抽出層１０２が配置された凹凸構造層１０１の残りの表面ラフネス面上に平坦化層材料の希釈溶液を成膜し、余剰な溶剤を除去する工程を経ることができる。特に、スピンコート法の場合は低蒸気圧溶剤を使用することが好ましい。一方、支持基材がガラスフィルムや樹脂フィルムに代表されるフィルム（リール）状である場合、ロール・ツー・ロールプロセスを適用できるため、生産性が向上する。

なお、（ｉｉｉ）平坦化層形成工程の前に、光抽出層１０２の配置された凹凸構造層１０１のラフネス面への処理を加えてもよい。このような処理としては、酸素プラズマ処理やＵＶ−Ｏ_３処理等が挙げられる。

なお、（ｉｉｉ）平坦化層形成工程の後に、鏡面を表面に具備するウェハやリールを、平坦化層１０３の露出する面上に貼合及び押圧する工程を経てもよい。この工程を経ることにより、平坦化層１０３の面精度を向上させることが可能となり、平坦化層１０３上に陽極（透明導電膜）１０等を配置する際の配置精度や、有機ＥＬデバイス１の信頼性が向上する。

また、（ｉｉｉ）平坦化層形成工程の後に安定化させる工程を加えてもよい。ここで安定化とは、凹凸構造層１０１、光抽出層１０２及び平坦化層１０３に残る未反応の部位を減少させること、又は、光抽出層１０２及び平坦化層１０３中に含まれる水分を除去することを意味する。前者の場合、被転写材、光抽出層１０２や平坦化層１０３の特性により適宜選択できるが、例えば、加熱処理やエネルギー線照射処理が挙げられる。加熱処理の温度としては、４０℃〜３００℃の範囲で適宜選択すると好ましく、エネルギー線照射処理の場合は、上記説明したエネルギー線を使用できる。なお、エネルギー線により安定化をはかる場合、減圧下や不活性ガス雰囲気下といった酸素の少ない環境下にて行うと、安定化の効果が大きくなるため好ましい。

平坦化の程度は、使用される有機ＥＬデバイス１の特性に合わせて適宜選択することができる。例えば、短絡を抑制するという観点から、Ｒａ≦１０ｎｍであることが好ましく、Ｒａ≦５ｎｍがより好ましく、Ｒａ≦２ｎｍが更に好ましく、最も好ましくはＲａ≦１ｎｍである。なお、Ｒａは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定可能であり、Ｒａを算出する際のＡＦＭ測定の範囲は、５μｍ×５μｍとして測定される。透明誘電体層における光学基材と反対側の主面が平坦化されていることにより、有機ＥＬデバイス１として使用した場合に、有機ＥＬデバイス１の電流短絡を抑制でき、信頼性の向上につながる。

ここでＲａとは、ＪＩＳＢ０６０１：２００１に記載されている算術平均粗さのことを言う。断面曲線の中心に線を引き、中心線によって得られた曲線上の総面積を長さＬで割った値のことを言う。

本実施の形態に係る光抽出体１００の別の製造方法においては、少なくとも下記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の工程をこの順に含む製造方法により製造されることが好ましい。特に、凹凸構造層１０１の凸部１０１ｃ上部にのみ光抽出層１０２を配置する場合に有益である。これにより、各構成要素の制御性が向上すると共に、製造時のスループットが向上する。
（Ｉ）リール状モールド形成工程
凹凸構造を表面に具備した円筒状マスターモールドの凹凸構造を、光転写法によりフィルム状基材表面へと連続的に転写し、凹凸構造を表面に具備したリール状モールドを得る工程
（ＩＩ）光抽出層充填工程
リール状モールドの凹凸構造面に対し、光抽出層の希釈溶液を塗工し、余分な溶剤を除去し、リール状モールドの凹部内部に光抽出層を配置する工程
（ＩＩＩ）光抽出層転写工程
光抽出層１０２が配置されたリール状モールドの凹凸構造面を、第４の屈折率（ｎ４）を有する支持基材（図７中、１０４）の表面上に、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層原料を介し貼合し、エネルギー線を照射した後に、リール状モールドを剥離し、積層体Ａ［（第４の屈折率（ｎ４）を有す支持基材）／（第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層１０１）／（凹凸構造層１０１の凸部１０１ｂの頂部上に設けられる第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層１０２）］を得る工程

（Ｉ）リール状モールド形成工程
リール状モールドの転写形成方法としては特に限定されないが、ロール・ツー・ロールで行うことが可能な光転写法を適用すると好ましい。光転写法としては例えば次の方法（連続プロセス）が挙げられる。
（Ｉ−１）：フィルム状基材上に光硬化性樹脂組成物を塗布する工程（樹脂を塗工する工程）
（Ｉ−２）：塗布した光硬化性樹脂組成物を、離型処理を施した円筒状マスターモールドに抱合せる工程（樹脂を鋳型に押圧する工程）
（Ｉ−３）：フィルム状基材側から光照射を行い、光硬化性樹脂組成物を光ラジカル重合させ硬化物を得る工程（樹脂を光硬化させる工程）
（Ｉ−４）：硬化物を円筒状マスターモールドから剥離し、マスターモールドのパタン形状の反転形状を具備した凹凸構造を得る工程（硬化物を鋳型から剥離する工程、リール状モールドＧ１を得る工程）

なお、（Ｉ−４）で得られたリール状モールドＧ１を鋳型として、リール状モールドＧ２を作製し、このリール状モールドＧ２を用いて（ＩＩ）光抽出層充填工程以降を行ってもよい。このようなリール状モールドＧ２は、例えば以下の工程（Ｉ−５）〜（Ｉ−８）により製造できる。
（Ｉ−５）：フィルム状基材上に光硬化性樹脂組成物を塗布する工程（樹脂を塗布する工程）
（Ｉ−６）：塗布した光硬化性樹脂組成物をリール状モールドＧ１に抱合せ押圧する工程（樹脂を鋳型に押圧する工程）
（Ｉ−７）：リール状モールドＧ１の基材側とリール状モールドＧ２の基材側の両方、又はいずれか一方から光照射を行い、光硬化性樹脂組成物を光ラジカル重合させ硬化物を得る工程（樹脂を光硬化させる工程）
（Ｉ−８）：硬化物をリール状モールドＧ１から剥離し、円筒状マスターモールドのパターン形状と同様の形状を具備した凹凸構造を得る工程（硬化物から鋳型を剥離する工程、リール状モールドＧ２を得る工程）

工程（Ｉ−１），（Ｉ−５）における塗工方法としては、ローラーコート法、バーコート法、ダイコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、インクジェット法、噴霧コート法、エアーナイフコート法、フローコート法、カーテンコート法等が適用できる。

工程（Ｉ）で作製される凹凸構造中に、塗工改善構造を含んでもよい。塗工改善構造は、所望の光抽出層１０２を作製するための基本構造を挟みこむように配置されており、塗工改善構造のピッチは、基本構造よりも大きいことが好ましい。特に、塗工改善構造中のピッチが、基本構造側から、フィルム端部へと、徐々に大きくなることが好ましい。

工程（Ｉ−３），（Ｉ−７）における光照射は、上述の（ｉ）凹凸構造層形成工程で説明したのと同様に行うことができる。

リール状モールドＧ１からリール状モールドＧ２を製造する要領で、リール状モールドＧ２からリール状モールドＧ３を、リール状モールドＧ３からリール状モールドＧ４を製造することができる。即ち、リール状モールドＧＮからリール状モールド（ＧＮ＋１）を作製し、モールド（ＧＮ＋１）を上記説明したリール状モールド（Ｇ１）に見立て、（２）光抽出層充填工程以降を行ってもよい。

なお、リール状モールド（ＧＮ）のパターンが光硬化性樹脂（ＧＮ）から構成されており、且つ、リール状モールド（ＧＮ＋１）のパターンも光硬化性樹脂（ＧＮ＋１）から構成される場合は、光硬化性樹脂（ＧＮ，ＧＮ＋１）共に、フッ素含有光硬化性樹脂であると好ましい。フッ素含有光硬化性樹脂であることにより、光硬化性樹脂（ＧＮ）のパターン部表面へとフッ素成分を偏析させることができる。これにより、リール状モールド（ＧＮ）は、パターン部の離型性を具備し、且つ、支持基材との密着性も担保することができるため、良好にリール状モールド（ＧＮ＋１）を得ることができる。このようなリール状モールド（ＧＮ）又はリール状モールド（ＧＮ＋１）は、表面部のフッ素元素濃度（Ｅｓ）が、パターンを構成する樹脂中の平均フッ素元素濃度（Ｅｂ）よりも大きいと好ましい。

リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層中の平均フッ素元素濃度（Ｅｂ）とリール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（Ｎ＋１）を構成する樹脂層の微細パターン表面部のフッ素元素濃度（Ｅｓ）との比（Ｅｓ／Ｅｂ）が１＜Ｅｓ／Ｅｂ≦３００００を満たすことで、上記効果をより発揮するためより好ましい。特に、３≦Ｅｓ／Ｅｂ≦１５００、１０≦Ｅｓ／Ｅｂ≦１００の範囲となるにしたがって、より離型性が向上するため好ましい。

なお、上記する最も広い範囲（１＜Ｅｓ／Ｅｂ≦３００００）の中にあって、２０≦Ｅｓ／Ｅｂ≦２００の範囲であれば、リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層表面部のフッ素元素濃度（Ｅｓ）が、樹脂層中の平均フッ素濃度（Ｅｂ）より十分高くなり、リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）表面の自由エネルギーが効果的に減少するので、転写材樹脂や、光抽出層及び凹凸構造層との離型性が向上する。また、リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層中の平均フッ素元素濃度（Ｅｂ）をリール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層表面部のフッ素元素濃度（Ｅｓ）に対して相対的に低くすることにより、樹脂自体の強度が向上すると共に、支持基材付近では、自由エネルギーを高く保つことができるので、支持基材との密着性が向上する。これにより、支持基材との密着性に優れ、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層１０１及び第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層１０２との離型性に優れ、しかも、ナノメートルサイズの凹凸形状を樹脂から樹脂へ繰り返し転写できるリール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を得ることができるので特に好ましい。また、２６≦Ｅｓ／Ｅｂ≦１８９の範囲であれば、リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層表面の自由エネルギーをより低くすることができ、繰り返し転写性が良好になるため好ましい。更に、３０≦Ｅｓ／Ｅｂ≦１６０の範囲であれば、リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層表面の自由エネルギーを減少させると共に、樹脂の強度を維持することができ、繰り返し転写性がより向上するため好ましく、３１≦Ｅｓ／Ｅｂ≦１５５であればより好ましい。４６≦Ｅｓ／Ｅｂ≦１５５であれば、上記効果をよりいっそう発現できるため好ましい。

リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層のパターン面側領域とは、例えば、リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層のパターン面側表面から、基材側に向かって、略１〜１０％厚み方向に侵入した部分、又は厚み方向に２ｎｍ〜２０ｎｍ侵入した部分を意味する。なお、リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層のパターン面側領域のフッ素元素濃度（Ｅｓ）は、ＸＰＳ法により定量できる。ＸＰＳ法のＸ線の浸入長は数ｎｍと浅いため、Ｅｓ値を定量する上で適している。他の解析方法として、透過型電子顕微鏡を使ったエネルギー分散型Ｘ線分光法（ＴＥＭ―ＥＤＸ）を用い、Ｅｓ／Ｅｂを算出することもできる。また、リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層を構成する樹脂中の平均フッ素濃度（Ｅｂ）は、仕込み量から計算することができる。又は、ガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ／ＭＳ）で測定することができる。例えば、リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層を物理的に剥離してガスクロマトグラフ質量分析にかけることで、平均フッ素元素濃度を同定することができる。一方、リール状モールド（ＧＮ）及び／又はリール状モールド（ＧＮ＋１）を構成する樹脂層を物理的に剥離した切片を、フラスコ燃焼法にて分解し、続いてイオンクロマトグラフ分析にかけることでも、樹脂中の平均フッ素元素濃度（Ｅｂ）を同定することができる。

なお、上記説明したＥｓ／Ｅｂの範囲をみたし効果を発揮する観点から、光硬化性樹脂組成物は、光重合性アクリルモノマー、フッ素含有（メタ）アクリレート及び光重合開始材を少なくとも含むと好ましい。フッ素含有（メタ）アクリレートは、下記化学式（１）で示されるフッ素含有ウレタン（メタ）アクリレートであると、樹脂中の平均フッ素元素濃度（Ｅｂ）を低くした状態で、効果的に樹脂層表面部のフッ素元素濃度（Ｅｓ）を高くでき、支持基材への接着性と離型性をいっそう効果的に発現できるため、より好ましい。このようなウレタン（メタ）アクリレートとしては、例えば、ダイキン工業社製の「オプツールＤＡＣ」を用いることができる。

（ＩＩ）光抽出層充填工程
上述の（ｉｉ）光抽出層充填工程と同様に行うことができる。

（ＩＩＩ）光抽出層転写工程
支持基材がフィルム状基材である場合は、支持基材の一主面上に第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層１０１の原料を塗工し、光抽出層１０２の配置されたフィルム状モールドの光抽出層面側と前記原料とを貼合すると共に、エネルギー線を照射し、続いて、フィルム状モールドを剥離することにより、上述の積層体Ａを連続的に製造することができる。

塗工方法としては、特に限定されず、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、ブレードコート法、ワイヤーバーコート法、エアーナイフコート法、ディップコート法、コンマナイフコート法、スプレーコート法、カーテンコート、インクジェット法、ダイコート法等を用いることができる。

支持基材が平板状基材の場合は、基材の一主面上に第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層１０１の原料を塗工し、光抽出層１０２の配置されたフィルム状モールドの光抽出層面側と前記原料とを半導体マウンターの原理の要領で貼合すると共に、エネルギー線を照射し、続いて、フィルム状モールドを剥離することにより、上述の積層体Ａを連続的に製造することができる。

塗工方法としては、特に限定されず、スピンコート法、インクジェット法等を用いることができる。

支持基材の一主面上に塗工する第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層１０１の原料が溶剤を含む場合は、貼合前に溶剤を除去してもよい。この場合、加熱処理が挙げらえる。温度及び時間は、特に限定はされず、溶剤の蒸気圧や沸点等、及び塗工膜厚により適宜設定できる。加熱処理の条件としては、概ね、温度２０℃〜３００℃、時間３０秒〜１時間の範囲であると、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層１０１の転写形成精度が高まるため好ましい。また、使用溶剤の沸点をＴｓとした時に、温度（Ｔ）がＴ＜Ｔｓを満たす溶剤除去工程（１）を含むと、塗工精度が向上するため好ましく、Ｔ＜Ｔｓ／２を満たすことがより好ましい。更に、溶剤除去工程（１）の後に、Ｔ≒Ｔｓを満たす溶剤除去工程（２）を含むと、上記効果をいっそう発揮できるため好ましい。なお、Ｔ≒Ｔｓは、概ね、Ｔ＝Ｔｓ±２０％である。

照射する光の種類は特に限定されず、被転写材の特性に応じて適宜選択できる。照射する光の種類としては、例えば、ＵＶ，ＩＲ，Ｘ線等が挙げられる。ＵＶの場合、その光源としては、ＵＶ−ＬＥＤ光源、メタルハライド光源、高圧水銀灯光源等を用いることができる。また、積算光量は、転写精度が向上する観点から、５００ｍＪ／ｃｍ^２〜３０００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲であることが好ましく、８００ｍＪ／ｃｍ^２〜２５００ｍＪ／ｃｍ^２であることがより好ましい。なお、光を照射する場合は、二酸化炭素やペンタフルオロプロパンガスに代表される圧縮性ガス環境下や、窒素やアルゴンガス環境下や減圧（真空）下で行ってもよい。

上述の（ＩＩＩ）光抽出層転写工程の前に、支持基材に前処理を施すことが好ましい。前処理としては、上述の（ｉ）凹凸構造形成工程で説明したのと同様に、接着層の形成及び親水化が挙げられる。

また、上述の（ＩＩＩ）光抽出層転写工程の後に、光抽出層１０２及び凹凸構造層１０１を覆うように第３の屈折率（ｎ３）を有する平坦化層１０３１を形成する（ＩＶ）平坦化層形成工程を経ることで、光抽出体１００を製造することができる。平坦化層形成工程は、上述の（ｉｉｉ）平坦化形成工程と同様に行うことができる。

なお、（ＩＶ）平坦化層形成工程の前に、光抽出層１０２が配置された凹凸構造層１０１のラフネス面への処理を加えてもよい。このような処理としては、酸素プラズマ処理やＵＶ−Ｏ_３処理等が挙げられる。

なお、（ＩＶ）平坦化層形成工程の後に、鏡面を表面に具備するウェハやリールを、平坦化層１０３の露出する面上に貼合及び押圧する工程を経てもよい。この工程を経ることにより、平坦化層１０３の面精度を向上させることが可能となり、平坦化層１０３上に陽極（透明導電膜）１０等を配置する際の配置精度や、有機ＥＬデバイス１の信頼性が向上する。特に、連続的に平坦な面を有す平坦化層１０３を得る観点から、平坦化層材料が光重合性物質であり、鏡面を表面に具備するウェハやリールを、平坦化層１０３の露出する面上に貼合及び押圧した状態で光照射を行い、平坦化層１０３を硬化させ、続いて、鏡面体を剥離する方法が好ましい。

なお、（ＩＶ）平坦化層形成工程の後に、上述の（ｉｉｉ）平坦化層形成工程と同様に、安定化させる工程を加えてもよい。また、平坦化層形成後に、吸水性の低い材料からなる薄膜を平坦化層１０３上に更に成膜してもよい。このような新たに設ける層の屈折率は、平坦化層の屈折率（ｎ３）と実質的に同等か等しいと好ましい。このような材料として、例えば、金属アルコキシドに代表されるゾルゲル材料は、スピンオングラス、及び、水素シルセスキオキサンが挙げられる。

＜光抽出体を用いた有機ＥＬデバイス＞
次に、上記光抽出体１００を用いた有機ＥＬデバイス１について説明する。有機ＥＬデバイス１の光取り出し方式としては、トップエミッション方式（以下、「トップエミッション型有機ＥＬデバイス」という）とボトムエミッション方式（以下、「ボトムエミッション型有機ＥＬデバイス」という）とがある。トップエミッション型有機ＥＬデバイスは、上記光抽出体１００の平坦化層１０３を陽極面上に貼合することで、光取り出しの向上した有機ＥＬデバイス１を得ることができる。ここで、有機ＥＬデバイス１の陽極面としては、ＩＴＯに代表される透明導電膜面が挙げられる。上述した平均距離Ｌｏｒの範囲を満たせば、効果を発揮できるため、平坦化層１０３の平坦性は高い程好ましいが、特に限定されない。また、貼合して使用するため、有機ＥＬデバイス１の陽極面と平坦化層１０３の密着性が高いことが好ましい。例えば、平坦化層材料が少なくとも、バインダー樹脂、反応性希釈材及び開始材を含むことで熱により圧着（貼合及び接着）することが可能となる。圧着後に、光や熱を加え開始材をアクティブにし、反応性希釈材料を反応させることにより、強固に接着することができる。

ボトムエミッション方式の場合、光抽出体１００の平坦化層１０３上に少なくとも陽極（透明導電層）１０と発光層１２とをこの順に設けることにより、光取り出し効率の改善された有機ＥＬデバイス１を製造することができる。この場合、有機ＥＬデバイス１の短絡を抑制して有機ＥＬデバイス１の信頼性を向上させるために、陽極１０の有機ＥＬデバイス１の積層方向に対する膜厚分布を小さくする必要がある。そのため、光抽出体１００の平坦化層１０３の表面は平滑な程好ましい。例えば、原子間力顕微鏡により求められるＲａ（５μｍ×５μｍ）を用いると、Ｒａは０ｎｍに近い程好ましいが、概ねＲａ≦１０ｎｍ以下が好ましく、Ｒａ≦５ｎｍ以下がより好ましく、Ｒａ≦２．５ｎｍ以下が最も好ましい。即ち、ボトムエミッション型有機ＥＬデバイスに、上記光抽出体１００を適用する場合には、平坦化層１０３の表面の平坦度を制御するために、平坦化層形成工程における溶剤乾燥時のレべリング制御や、平坦化層形成工程の後に、鏡面を表面に具備するウェハやリールを、平坦化層１０３の表面上に貼合及び押圧する工程等を経ると好ましい。

光抽出体１００の支持基材１０４の種類としては、特に限定されないが、光学的に透明な可撓性基材や光学的に透明な無機基材であることが好ましく、更にガラスに代表される水蒸気バリア性やガスバリア性を有す基材であるとより好ましい。上述したトップエミッション型有機ＥＬデバイスの製造に光抽出体１００を用いる場合、支持基材１０４としては、可撓性基材であると光抽出体１００の貼合性が向上する。更に、可撓性基材を使用することで、光抽出体１００の連続生産性が向上する。可撓性基材の材質は特に限定されないが、耐熱環境で使用する場合は、ガラス（ガラスフィルム）や透明ポリイミド等が挙げられ、それ以外の場合は、光学的に透明な樹脂フィルム、例えば、ＰＥＴ、ＴＡＣ、ＰＥＮ及びＣＯＰが挙げられる。なお、有機ＥＬデバイス１の長期信頼性を向上させるために、支持基材１０４としてガラス板やガラスフィルム、又は、ガラスフィルムと樹脂フィルムとの積層体を使用することもできる。

一方、ボトムエミッション型有機ＥＬデバイスに適用する場合は、光学的に透明な無機基材や耐熱性基材であると、光抽出体１００の平坦化層１０３の表面上への陽極（透明導電膜）１０３の配置が容易になる。その材質は特に限定されないが、例えば、ガラス、石英、水晶、サファイア及び透明ポリイミドが挙げられる。特に、連続生産性と長期信頼性の観点から、支持基材１０４としてガラス板やガラスフィルム、又は、ガラスフィルムと樹脂フィルムとの積層体を使用することもできる。

なお、上記「光学的に透明」とは、消衰係数（屈折率の虚数部）が０の場合と定義する。複素屈折率をＮとした時にＮ＝ｎ−ｉｋと表現できる。ここで、ｉは虚数でありｉ２＝−１を意味する。この時、ｎを屈折率（の実数部）、ｋを消衰係数（屈折率の虚数部）と称す。即ち、ｋ＝０の媒質を光学的に透明な媒質として定義する。なお、ｋは光の媒質への吸収を表す指標であり、吸収係数αとα＝４πｋ／λの関係を満たす。λは波長である。即ち、ｋ＝０であれば吸収係数は０となり、光の吸収が生じない媒質となる。ここで、ｋ＝０の場合とは、ｋが０．０１以下の場合と定義する。この範囲を満たすことで、光学的な透明性が向上するため好ましい。

以下、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。なお、本発明は、以下の実施例によって何ら制限されるものではない。

（円筒状モールドの作製）
円筒状モールドの基材としては、直径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍの円筒型の石英ガラスロールを用いた。この石英ガラスロール表面にレジスト層を成膜し、このレジスト層の表面に、半導体パルスレーザを用いた直接描画リソグラフィ法により凹凸構造を形成した。凹凸構造の種類は複数作製した。

まず、石英ガラスロールの表面に、スパッタリング法によりレジスト層を２０ｎｍ成膜した。スパッタリング法は、ターゲット（レジスト層）として、ＣｕＯ（８ａｔｍ％Ｓｉ含有）を用いて、ＲＦ１００Ｗの電力で実施した。次に、レジスト層が成膜された石英ガラスロールを線速度ｓ＝１．０ｍ／ｓｅｃで回転させながら、以下の条件で露光した。
露光用半導体レーザ波長：４０５ｎｍ
露光レーザパワー：３．５ｍＷ
Ｘ軸方向ピッチ（Ｐｘ）：６０６ｎｍ
Ｘ軸方向ピッチ（Ｐｘ）に対する変動幅δ２：６１ｎｍ
Ｙ軸方向ピッチ（Ｐｙ）：７００ｎｍ
Ｙ軸方向ピッチ（Ｐｙ）に対する変動幅δ１：７０ｎｍ

Ｙ軸方向ピッチ（Ｐｙ）は次のように決定される。スピンドルモーターのＺ相信号を基準に、１周に要する時間Ｔが測定され、線速度ｓから周長Ｌが計算され、下記式（Ａ）が得られる。
式（Ａ）
Ｌ＝Ｔ×ｓ

目標ピッチを（Ｐｙ）として、Ｌ／（Ｐｙ）が整数になるように目標ピッチ（Ｐｙ）の０．１％以下の値を足して調整し、実効ピッチ（Ｐｙ）’を下記式（Ｂ）によって得る。
式（Ｂ）
Ｌ／（Ｐｙ）’＝ｍ（ｍは整数）

目標ピッチ（Ｐｙ）と実効ピッチ（Ｐｙ）’とは、厳密には（Ｐｙ）≠（Ｐｙ）’であるが、Ｌ／（Ｐｙ）≒１０７であるので、（Ｐｙ）／（Ｐｙ）’≒１０−７となり、実質的に等しいものとして扱うことができる。同様に、長周期（Ｐｙ）Ｌも、Ｌ／（Ｐｙ）Ｌが整数になるように実効長周期（Ｐｙ）Ｌ’を下記式（Ｃ）によって得る。
式（Ｃ）
Ｌ／（Ｐｙ）Ｌ’＝ｎ（ｎは整数）

この場合も、厳密には（Ｐｙ）Ｌ≠（Ｐｙ）Ｌ’であるが、Ｌ／（Ｐｙ）Ｌ≒１０５であるので、（Ｐｙ）Ｌ／（Ｐｙ）Ｌ’≒１０−５となり、実質的に等しいものとして扱うことができる。

次に、実効ピッチ（Ｐｙ）’から、下記式（Ｄ），下記式（Ｅ）により、基準パルス周波数ｆｙ０、変調周波数ｆｙＬが算出される。
式（Ｄ）
ｆｙ０＝ｓ／（Ｐｙ）’
式（Ｅ）
ｆｙＬ＝ｓ／（Ｐｙ）Ｌ’

最後に、上記式（Ｄ）、上記式（Ｅ）から、スピンドルモーターのＺ相信号からの経過時間ｔにおけるパルス周波数ｆｙが、下記式（Ｆ）のように決定される。
式（Ｆ）
ｆｙ＝ｆｙ０＋δ１×ｓｉｎ（ｔ×（ｆｙＬ／ｆｙ０）×２π）

Ｘ軸方向の軸送り速度は次のように決定される。スピンドルモーターのＺ相信号を基準に、１周に要する時間Ｔが測定され、Ｘ軸方向ピッチ（Ｐｘ）から、軸方向の基準送り速度Ｖｘ０が下記式（Ｇ）のように決定される。
式（Ｇ）
Ｖｘ０＝（Ｐｘ）／Ｔ

Ｘ軸方向の長周期（Ｐｘ）Ｌから、時刻ｔにおける軸送り速度Ｖｘを下記式（Ｈ）で決定し、スキャンする。
式（Ｈ）
Ｖｘ＝Ｖｘ０＋Ｖδ２・ｓｉｎ（（Ｐｘ）／（Ｐｘ）Ｌ×ｔ×２π）

ここで、Ｖδ２は、ｘ軸方向の長周期（Ｐｘ）Ｌにおける速度変動幅であり、長周期（Ｐｘ）Ｌのピッチ変動幅δ２，（Ｐｘ）Ｌ，Ｖｘ０により、下記式（Ｉ）で示される。
式（Ｉ）
Ｖδ２＝δ２×Ｖｘ０／（Ｐｘ）Ｌ

上記操作により露光した後に、レジスト層を現像した。レジスト層の現像は、０．０３ｗｔ％のグリシン水溶液を用いて、処理時間２４０秒の条件で実施した。次に、現像したレジスト層をマスクとし、ドライエッチングにより石英ガラスのエッチングを行った。ドライエッチングは、エッチングガスとしてＳＦ_６を用い、処理ガス圧１Ｐａ、処理電力３００Ｗ、処理時間５分の条件で実施した。次に、表面に凹凸構造が付与された石英ガラスロールをｐＨ１の塩酸で６分間処理することにより、残渣のレジスト層のみを剥離して円筒状モールド（転写用モールド）を作製した。

（リール状モールドＧ１の作製）
得られた円筒状モールドに対し、デュラサーフＨＤ−１１０１Ｚ（ダイキン化学工業社製）を塗布し、６０℃で１時間加熱後、室温で２４時間静置、固定化した。その後、デュラサーフＨＤ−ＺＶ（ダイキン化学工業社製）で３回洗浄し、離型処理を施した。

次に、フッ素系添加材（ダイキン工業社製ＯＰＴＯＯＬＤＡＣＨＰ）、トリメチロールプロパン（ＥＯ変性）トリアクリレート（東亞合成社製Ｍ３５０）、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４）及び２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１（ＢＡＳＦ社製Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）３６９）を重量部で１５：１００：５．５：２．０の割合で混合して光硬化性樹脂を調製した。次に、この光硬化性樹脂をＰＥＴフィルム（Ａ４１００、東洋紡社製：幅３００ｍｍ、厚さ１００μｍ）の易接着面にマイクログラビアコーティング（廉井精機社製）により、塗布膜厚６μｍになるように塗布した。

次いで、円筒状モールドに対し、光硬化性樹脂を塗布したＰＥＴフィルムをニップロール（０．１ＭＰａ）で押し付け、大気下、温度２５℃、湿度６０％で、ランプ中心下での積算露光量が１０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、ＵＶ露光装置（フュージョンＵＶシステムズ・ジャパン社製、Ｈバルブ）を用いて紫外線を照射して連続的に光硬化を実施して、表面に凹凸構造が反転転写されたリール状モールドＧ１を得た。このリール状モールドＧ１は、長さ２００ｍ、幅３００ｍｍであった。

リール状モールドＧ１を下記走査型電子顕微鏡で観察したところ、断面形状がφ４５０ｎｍ、ｈ７００ｎｍの凸部が次の構造で形成されていた。
Ｘ軸方向ピッチ（Ｐｘ）：６０６ｎｍ
Ｘ軸方向ピッチ（Ｐｘ）に対する変動幅δ２：１０８ｎｍ
Ｙ軸方向ピッチ（Ｐｙ）：７００ｎｍ
Ｙ軸方向ピッチ（Ｐｙ）に対する変動幅δ１：１２５ｎｍ
（走査型電子顕微鏡）
装置；ＨＩＴＡＣＨＩｓ−５５００
加速電圧；１０ｋＶ
ＭＯＤＥ；Ｎｏｒｍａｌ

（リール状モールドＧ２の作製）
次に、ＰＥＴフィルム（Ａ４１００、東洋紡社製：幅３００ｍｍ、厚さ１００μｍ）の易接着面に、上記光硬化性樹脂をマイクログラビアコーティング（廉井精機社製）により、塗布膜厚２μｍになるように塗布した。

次に、上記リール状モールドＧ１に、光硬化性樹脂を塗布したＰＥＴフィルムをニップロール（０．１ＭＰａ）で押し付け、大気下、温度２５℃、湿度６０％で、ランプ中心下での積算露光量が１０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、ＵＶ露光装置（フュージョンＵＶシステムズ・ジャパン社製、Ｈバルブ）を用いて紫外線を照射して連続的に光硬化を実施して、表面に凹凸構造が反転転写されたリール状モールドＧ２を得た。このリール状モールドＧ２は、長さ２００ｍｍ、幅３００ｍｍであった。

リール状モールドＧ２を下記走査型電子顕微鏡で観察したところ、断面形状がφ４５０ｎｍ、凹部深さｈが７００ｎｍの凹部が形成されていた。
Ｘ軸方向ピッチ（Ｐｘ）：６０６ｎｍ
Ｘ軸方向ピッチ（Ｐｘ）に対する変動幅δ２：６１ｎｍ
Ｙ軸方向ピッチ（Ｐｙ）：７００ｎｍ
Ｙ軸方向ピッチ（Ｐｙ）に対する変動幅δ１：７０ｎｍ
（走査型電子顕微鏡）
装置；ＨＩＴＡＣＨＩｓ−５５００
加速電圧；１０ｋＶ
ＭＯＤＥ；Ｎｏｒｍａｌ

なお、得られたリール状モールドＧ１及びリール状モールドＧ２の凹凸構造面に対し下記のＸＰＳ測定を行い、表層フッ素元素濃度Ｅｓを求め、凹凸構造層を構成する樹脂中の平均フッ素元素濃度Ｅｂにて割り返すことで、Ｅｓ／Ｅｂを算出したところ、構造により値は変動したが、概ね、４０〜８０の間であった。

［フッ素元素濃度測定］
リール状樹脂モールドを約２ｍｍ四方の小片として切り出し、１ｍｍ×２ｍｍのスロット型のマスクを被せて下記条件でＸＰＳ測定に供した。
ＸＰＳ測定条件
使用機器；サーモフィッシャーＥＳＣＡＬＡＢ２５０
励起源；ｍｏｎｏ．ＡｌＫα １５ｋＶ×１０ｍＡ
分析サイズ；約１ｍｍ（形状は楕円）
取込領域
Ｓｕｒｖｅｙｓｃａｎ；０〜１，１００ｅＶ
Ｎａｒｒｏｗｓｃａｎ；Ｆ１ｓ，Ｃ１ｓ，Ｏ１ｓ，Ｎ１ｓ
Ｐａｓｓｅｎｅｒｇｙ
Ｓｕｒｖｅｙｓｃａｎ；１００ｅＶ
Ｎａｒｒｏｗｓｃａｎ；２０ｅＶ

＜実施例１＞
（凹凸構造層の作製）
上記リール状モールドＧ１を、５０ｃｍの長さに切り出した。次に、幅３００ｍｍ、長さ６００ｍｍのガラスフィルム（屈折率１．５２）上に、プロピレングリコールモノメチルエーテルにて希釈した下記材料（１）をバーコーティング法により塗工した。なお、ガラスフィルムの主面上は、アクリロキシ末端のシランカップリング材（３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン）にて、予め処理したものを使用した。塗工膜厚は溶剤揮発後の固形分膜厚が８００ｎｍになるように設定した。塗工後、室温下にて２分間静置し、切り出したリール状モールドＧ１の凹凸構造形成面側を、ガラス板の下記材料（１）を塗工した面に０．０１Ｍｐａの圧力下で貼合した。続いて、リール状モールドＧ１側から積算光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２のＵＶ光を照射し、１０５℃で２分加熱後に、リール状モールドＧ１を剥離した。剥離後、得られた凹凸構造層／基材から構成される積層体を、２００℃で３０分間真空下にて加熱した。
材料（１）…３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越シリコーン社製、ＫＭ−５１０３）：トリシクロデカンジメチルジアクリレート：フッ素系添加材（ダイキン工業社製ＯＰＴＯＯＬＤＡＣＨＰ）＝２０ｇ：８０ｇ：５ｇを混合し、８０℃の雰囲気下にて部分的に重縮合を行った材料１００重量部に、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４）を２重量部添加した材料。

（光抽出層の形成）
凹凸構造層／基材から構成される積層体の凹凸構造層の凹凸構造上に、下記材料（２）をプロピレングリコールモノメチルエーテルにて希釈し、バーコート法にて塗工した。ここでは、単位面積下の凹凸構造の体積が、単位面積当たりの固形分量よりも大きくなるように設定した。塗工後、２５℃、湿度５０％の環境下にて３分間静置し、更に８０℃で６０秒加熱した。その後、真空下、２００℃の雰囲気中で３０分間加熱処理した。本操作にて得られた積層体は、基材、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層及び第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層から構成される。
材料（２）…テトラ−ｎ−ブトキシジルコニウム：テトラエトキシシラン＝９０ｇ：１０ｇで混合し、２５℃、湿度５０％の環境下で撹拌した。続いて、３．２５％にエタノールで希釈した水を滴下し加水分解を促進した。その後、８０℃の雰囲気中にて重縮合を促進し、最後に真空引きすることで余剰なアルコールを除去した材料。

（平坦化層の形成）
４インチφのシリコンウェハ表面をＵＶ−Ｏ_３にて１５分間処理した。次に、Ｄｕｒａｓｕｒｆ１１０１Ｚをスピンコート製膜し、２５度、湿度５０％の雰囲気中で１２時間静置した。その後、ＤｕｒａｓｕｒｆＨＤ−ＺＶ溶液を用い、スピンコート洗浄を３回行った。

光抽出層が形成された凹凸構造層／基材の積層体の光抽出層上に、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びメチルイソブチルケトンにて希釈した上記材料（１）をバーコート法にて塗工した。塗工後、室温（２５℃）にて１分間静置し、その後８０℃にて３０秒加熱した。

次に、上記材料（１）の塗工された面上に、表面処理されたシリコンウェハの処理面を配置し、０．０１Ｍｐａの圧力で押圧すると共に、基材面側からＵＶ光を積算光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２になるように照射した。ＵＶ照射後、シリコンウェハを除去し、積層体を得た。

平坦化層の表面精度は、原子間力顕微鏡により５μｍ×５μｍの範囲を測定したところ、いずれの試料に対してもＲａとして５ｎｍ以下であった。実施例１で作製した光抽出体の構成を下記表１に示す

＜比較例１＞
凹凸構造層、光抽出層及び平坦化層を設けずに基材のみを光抽出体として使用した。その構成を下記表１に示す。

＜有機ＥＬデバイスの作製＞
実施例１及び比較例１に係る光抽出体を用いて下記の条件で有機ＥＬデバイスを作製し、作製した有機ＥＬデバイスについて評価した。

（ボトムエミッション型有機ＥＬデバイス）
光抽出体の平坦化層面上に、陽極、ホール輸送層、電子輸送層、陰極の順に積層してボトムエミッション型有機ＥＬデバイスを作製した。各層の材料、膜厚、及び成膜方法を以下に示す。
（１）陽極：ＩＴＯ１３０ｎｍスパッタリング
（２）ホール輸送層：Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（１−ｎａｐｈｔｙｌ）−（１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）−（４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）（ＮＰＢ）６０ｎｍ真空蒸着
（３）電子輸送層：Ｔｒｉｓ−（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（Ａｌｑ３）４０ｎｍ真空蒸着
（４）陰極：Ａｌ１００ｎｍ真空蒸着

下記表２に、実施例１及び比較例１の有機ＥＬデバイスの寿命を測定した結果を示す。表２中、ＬＴ５０とは、輝度が点灯初期から半分になった時の時間をいい、ＬＴ５０比とは、比較例１の値を基準とし、相対輝度のことである。電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２で駆動した時の評価である。

表２から明らかなように、比較例１（光抽出層なし）に比べ、実施例１（光抽出層あり）は１．３倍寿命が改善した。

（光学フィルム）
φ２９〜３５の半球レンズフィルムを使用した。光学フィルムの半球レンズの反対側に粘着シートを貼り付け、出光面のガラスに貼り合わせた。

半球レンズフィルムは、次のように作製をした。表面に凹部が形成されたマイクロレンズ用成形型（以下、金型と記す）に、未硬化のＵＶ硬化性樹脂を流し込み、そこにＰＥＴフィルムを押し当てた。このときにＰＥＴフィルムと未硬化のＵＶ硬化性樹脂とは接触をさせた。次にＵＶを照射してＵＶ硬化性樹脂を硬化させた。その後、金型からＰＥＴフィルムを剥がして、半球レンズフィルムを得た。

図２９及び図３０は、本発明の有機ＥＬデバイスの実施例、比較例及び参考例の結果を示すグラフである。図２９は、量測角度と標準輝度との関係を示す。また、図３０は、量測角度とｕｖ色度変化との関係とを示す。図２９及び図３０には、参考例１として光学フィルムを貼っていないことを除き実施例１と同様の構成からなる有機ＥＬデバイス、及び、参考例２として光学フィルムを貼っていないことを除き比較例１と同様の構成からなる有機ＥＬデバイスの結果を併せて示す。

ここで、標準輝度とは、量測角度を０度〜７０度まで測定した際に、１番輝度が高い位置を１とし、その他の値を１番高い値で換算したものである。

図２９及び図３０から明らかなように、実施例１と比較例１を比較すると、カラーシフトにおいて実施例１は低い値を示している。また、３０度以降高い角度において有効である。これは実施例１で用いた光抽出体と光学フィルムの相互作用により、カラーシフトが改善されていると考えられる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状等については、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。

本発明は、例えば、液晶ディスプレイや照明に利用される有機ＥＬデバイスに適用することができる。

１有機ＥＬデバイス
１０陽極
１１陰極
１２発光層
１５光学フィルム
１００光抽出体
１０１，１１０，１２０凹凸構造層
１０２光抽出層
１０３平坦化層
１３，１４，１０４支持基材
１３０，１４０，１５０ドット

Claims

一対の陽極及び陰極と、前記陽極及び前記陰極との間に配置された少なくとも一層の有機層を含む発光層と、前記陽極の前記発光層とは反対側に配置された光抽出体と、前記光抽出体の前記発光層とは反対側に配置された光学フィルムと、を具備し、
前記光抽出体は、一主面に、互いに独立した複数の凸部又は凹部と、前記複数の凸部又は凹部の間をつなぐ連続した凹部又は凸部と、を含む凹凸構造を備え、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層と、前記凹凸構造の少なくとも一部上に設けられ、第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層と、前記凹凸構造層及び前記光抽出層を覆うようにして設けられ、第３の屈折率（ｎ３）を有する平坦化層と、を含み、
前記凹凸構造層は、前記一主面内の第１方向において、前記複数の凸部又は凹部がピッチＰｙで配列された複数の凸部列又は凹部列を構成し、一方、前記第１方向に直交する第２方向において、前記複数の凸部又は凹部がピッチＰｘで配列された複数の凸部列又は凹部列を構成しており、
前記ピッチＰｙ及び前記ピッチＰｘは、いずれか一方がナノオーダーからマイクロオーダーの一定間隔であり、他方がナノオーダーからマイクロオーダーの不定間隔であるか、又は、いずれもナノオーダーからマイクロオーダーの不定間隔であり、
前記光抽出層は、前記凹凸構造の凸部上に設けられた第１の光抽出層を含み、
前記凹凸構造は、凸部頂部平均位置Ｓｈと前記第１の光抽出層の凸部上界面平均位置Ｓｃｖとの間の距離Ｌｃｖが下記式（１）を満たし、凸部平均高さＨが下記式（２）を満たし、平均ピッチＰａｖが下記式（３）を満たし、且つ、前記距離Ｌｃｖ及び前記凸部平均高さＨが下記式（４）を満たし、
式（１）
０ｎｍ≦Ｌｃｖ≦５０００ｎｍ
式（２）
０ｎｍ≦Ｈ≦５０００ｎｍ
式（３）
５０ｎｍ≦Ｐａｖ≦１８０００ｎｍ
式（４）
１０ｎｍ≦Ｌｃｖ＋Ｈ≦５０００ｎｍ
前記第１の屈折率（ｎ１）、前記第２の屈折率（ｎ２）及び前記第３の屈折率（ｎ３）が下記式（５）〜（７）のいずれかを満たし、且つ、
式（５）
ｎ２＞ｎ３≧ｎ１且つ（ｎ２−ｎ３）≧０．１
式（６）
ｎ３＞ｎ２＞ｎ１且つ（ｎ３−ｎ２）≧０．１
式（７）
ｎ３≧ｎ１＞ｎ２且つ（ｎ１−ｎ２）≧０．１
前記凹凸構造は、前記第１の光抽出層の前記凸部上界面平均位置Ｓｃｖと前記平坦化層の表面との間の平均距離Ｌｏｒが、下記式（８）を満たす
ことを特徴とする有機ＥＬデバイス。
式（８）
１０ｎｍ≦Ｌｏｒ≦５０００ｎｍ
前記光抽出層は、前記凹凸構造の凹部内に設けられた第２の光抽出層を含み、前記凹凸構造は、凸部頂部平均位置Ｓｈと前記第２の光抽出層の凹部内界面平均位置Ｓｃｃとの間の距離Ｌｃｃ及び凸部平均高さＨが下記式（９）を満たすことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬデバイス。
式（９）
０．０Ｈ＜Ｌｃｃ＜１．０Ｈ
前記不定間隔が変動幅δであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の有機ＥＬデバイス。
前記不定間隔の前記ピッチＰｙは前記複数の凸部又は凹部のそれぞれの中心間の距離に等しく、前記不定間隔の前記ピッチＰｘは前記複数の凸部又は凹部が前記ピッチＰｙで配列された前記複数の凸部列又は凹部列の間の距離に等しく、且つ、前記ピッチＰｙ及び前記ピッチＰｘは前記複数の凸部又は凹部の直径より大きく、
前記ピッチＰｙが前記不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記複数の凸部又は凹部のピッチＰｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１０）の関係を満たすと共に、前記第１方向において、ピッチＰｘ１〜Ｐｘｎで構成される凸部列群又は凹部列群が少なくとも１個以上配列され、
前記ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ドット間のピッチＰｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１１）の関係を満たすと共に、前記第２方向において、ピッチＰｘ１〜Ｐｘｎで構成される凸部列群又は凹部列群が少なくとも１個以上配列されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
式（１０）
Ｐｙ１＜Ｐｙ２＜Ｐｙ３＜…＜Ｐｙａ＞…＞Ｐｙｎ
式（１１）
Ｐｘ１＜Ｐｘ２＜Ｐｘ３＜…＜Ｐｘａ＞…＞Ｐｘｎ
前記不定間隔の前記ピッチＰｙは前記複数の凸部又は凹部の中心間の距離に等しく、前記不定間隔の前記ピッチＰｘは前記複数の凸部又は凹部が前記ピッチＰｙで配列された前記複数の凸部列又は凹部列の間の距離に等しく、且つ、前記ピッチＰｙ及び前記ピッチＰｘは各ドットの直径より大きく、
前記ピッチＰｙが前記不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記複数の凸部又は凹部のピッチＰｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ，ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は下記式（１０）の関係を満たすと共に、前記第１方向において、ピッチＰｙ１〜Ｐｙｎで構成される凸部列群又は凹部列群が、長周期単位Ｌｙｚを繰り返し配列され、且つ、
前記ピッチＰｘが前記不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記複数の凸部又は凹部のピッチＰｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ａ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１１）の関係を満たすと共に、前記第２方向において、ピッチＰｘ１〜Ｐｘｎで構成される凸部列群又は凹部列群が、長周期単位Ｌｘｚを繰り返し配列されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
式（１０）
Ｐｙ１＜Ｐｙ２＜Ｐｙ３＜…＜Ｐｙａ＞…＞Ｐｙｎ
式（１１）
Ｐｘ１＜Ｐｘ２＜Ｐｘ３＜…＜Ｐｘａ＞…＞Ｐｘｎ
前記複数の凸部又は凹部の各々の直径が、前記ピッチＰｙ及び／又は前記ピッチＰｘに対応して増減し、
前記ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｙを構成する前記複数の凸部又は凹部の直径Ｄｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただしｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１２）の関係を満たすと共に、前記第１方向において直径Ｄｙ１〜Ｄｙｎで構成される凸部群又は凹部群が少なくとも１個以上配列され、且つ、
前記ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｘを構成する前記複数の凸部又は凹部の直径Ｄｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１３）の関係を満たすと共に、前記第２方向において直径Ｄｘ１〜Ｄｘｎで構成される凸部群又は凹部群が少なくとも１個以上配列されることを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬデバイス。
（式１２）
Ｄｙ１＜Ｄｙ２＜Ｄｙ３＜…＜Ｄｙａ＞…＞Ｄｙｎ
（式１３）
Ｄｘ１＜Ｄｘ２＜Ｄｘ３＜…＜Ｄｘａ＞…＞Ｄｘｎ
前記複数の凸部又は凹部の各々の直径が、前記ピッチＰｙ及び／又は前記ピッチＰｘに対応して増減し、
前記ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｙを構成する前記複数の凸部又は凹部の直径Ｄｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１２）の関係を満たすと共に、前記第１方向において、直径Ｄｙ１〜Ｄｙｎで構成される凸部群又は凹部群が長周期単位Ｌｙｚで繰り返し配列され、且つ、
前記ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｘを構成する前記複数の凸部又は凹部の直径Ｄｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１３）の関係を満たすと共に、前記第２方向において直径Ｄｘ１〜Ｄｘｎで構成される凸部群又は凹部群が長周期単位Ｌｘｚで繰り返し配列されることを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬデバイス。
式（１２）
Ｄｙ１＜Ｄｙ２＜Ｄｙ３＜…＜Ｄｙａ＞…＞Ｄｙｎ
式（１３）
Ｄｘ１＜Ｄｘ２＜Ｄｘ３＜…＜Ｄｘａ＞…＞Ｄｘｎ
前記複数の凸部又は凹部の各々の高さが、前記ピッチＰｙ及び／又は前記ピッチＰｘに対応して増減し、
前記ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｙを構成する前記複数の凸部又は凹部の高さＨｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１３）の関係を満たすと共に、前記第１方向において、高さＨｙ１〜Ｈｙｎで構成される複数の凸部群又は凹部群が少なくとも１個以上配列され、且つ、
前記ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｘを構成する前記複数の凸部又は凹部の高さＨｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１４）の関係を満たすと共に、前記第２方向において、高さＨｘ１〜Ｈｘｎで構成される複数の凸部群又は凹部群が少なくとも１個以上配列されることを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬデバイス。
式（１３）
Ｈｙ１＜Ｈｙ２＜Ｈｙ３＜…＜Ｈｙａ＞…＞Ｈｙｎ
式（１４）
Ｈｘ１＜Ｈｘ２＜Ｈｘ３＜…＜Ｈｘａ＞…＞Ｈｘｎ
前記複数の凸部又は凹部の各々の高さが、前記ピッチＰｙ及び／又は前記ピッチＰｘに対応して増減し、
前記ピッチＰｙが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｙを構成する前記複数の凸部又は凹部の高さＨｙｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１３）の関係を満たすと共に、前記第１方向において、高さＨｙ１〜Ｈｙｎで構成される複数の凸部群又は凹部群が長周期単位Ｌｙｚで繰り返し配列され、且つ、
前記ピッチＰｘが不定間隔である場合には、少なくとも隣接する４個以上ｍ個以下の前記ピッチＰｘを構成する前記複数の凸部又は凹部の高さＨｘｎ（３≦ｎ≦２ａ又は３≦ｎ≦２ｎ＋１、ただし、ｍ、ａは正の整数であり、ｎ＝ｍ−１である）は、下記式（１４）の関係を満たすと共に、前記第２方向において、高さＨｘ１〜Ｈｘｎで構成される複数の凸部群又は凹部群が長周期単位Ｌｘｚで繰り返し配列されることを特徴とする請求項７記載の有機ＥＬデバイス。
式（１３）
Ｈｙ１＜Ｈｙ２＜Ｈｙ３＜…＜Ｈｙａ＞…＞Ｈｙｎ
式（１４）
Ｈｘ１＜Ｈｘ２＜Ｈｘ３＜…＜Ｈｘａ＞…＞Ｈｘｎ
前記光学フィルムが、角錐形状、角錐台形、円錐形状、円錐台形状、屋根形状、半球形状若しくは半球形台形形状の突起物又は窪みを有することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか記載の有機ＥＬデバイス。
一対の陽極及び陰極と、前記陽極及び前記陰極との間に配置された少なくとも一層の有機層を含む発光層と、前記陽極の前記発光層とは反対側に配置された光抽出体と、前記光抽出体の前記発光層とは反対側に配置された光学フィルムと、を具備し、
前記光抽出体は、一主面に、互いに独立した複数の凸部又は凹部と、前記複数の凸部又は凹部の間をつなぐ連続した凹部又は凸部と、を含む凹凸構造を備え、第１の屈折率（ｎ１）を有する凹凸構造層と、前記凹凸構造の少なくとも一部上に設けられ、第２の屈折率（ｎ２）を有する光抽出層と、前記凹凸構造層及び前記光抽出層を覆うようにして設けられ、第３の屈折率（ｎ３）を有する平坦化層と、を含み、
前記凹凸構造層は、前記一主面内の第１方向において前記複数の凸部又は凹部が一定間隔のナノオーダーのピッチＰｙで配列された複数の凸部列又は凹部列を構成し、且つ、前記複数の凸部列又は凹部列を前記第１方向に直交する第２方向に一定間隔のナノオーダーのピッチＰｘで並設し、前記複数の凸部列又は凹部列において、互いに隣接する第１の凸部列又は凹部列と第２の凸部列又は凹部列との間の前記第１方向におけるシフト量α１と、互いに隣接する前記第２の凸部列又は凹部列と第３の凸部列又は凹部列との間の前記第１方向におけるシフト量α２と、が互いに異なることを特徴とする有機ＥＬデバイス。
前記シフト量α１と前記シフト量α２の差分が一定でないことを特徴とする請求項１１記載の有機ＥＬデバイス。