TW201330345A - 有機發光裝置 - Google Patents

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Abstract

有機發光裝置包含基板；第一電極層與第二電極層，其係位於基板上且平行於基板並彼此相對；發光層，於第一電極層與第二電極層之間，其中發光層包含第一發光區域、第二發光區域及第三發光區域，其中發光層包含於第一發光區域、第二發光區域及第三發光區域中之第一共同發光層；於第一共同發光層與第二電極層之間之第二發光區域中之第二發光層；以及於第一共同發光層與第二電極層之間之第三發光區域中之第三發光層，且其中第一共同發光層包含第一主體、第一雜質以及p型雜質。

Description

有機發光裝置
相關申請案之交互參照
本申請案主張於西元2012年1月5日，向韓國智財局所提出之韓國專利申請案，其專利申請號為10-2012-0001552之優先權及效益，且其全部內容併於此處作為參照。
本發明係有關於一種有機發光裝置及其製造方法，且更特別的是，一種包含共同發光層之有機發光裝置及該有機發光裝置之製造方法。
有機發光裝置(OLEDs)為當施加電壓於其便發光之自發光裝置。有機發光裝置具有高亮度、良好的對比、廣視角、高反應速度以及低驅動電壓。有機發光裝置也可呈現多色影像。
有機發光裝置具有包含設置於陽極與陰極間之有機發光層結構。當於電壓施加通過電極時，電洞自陽極注入且電子從陰極注入於有機發光層。注入之電子與電洞經於有機發光層之鄰近分子中之電子交換，從而移動至相反電極。於某些分子中結合之電子-電洞對形成在高能激發態中之分子激子。分子激子發出單一波長的光便立刻回到低能之基態。
有機發光裝置包含複數個像素且每一像素包含紅色光發射區域、綠色光發射區域及藍色光發射區域。這種情況下，圖樣化製程可藉由形成藍色光發射層作為共同層而簡化。藉由形成發光層以具有主體與雜質結構，外部量子效率(quantum efficiency)係提升，且控制發射波長。
當作為共同層之藍色發光層包含主體(host)與雜質(dopant)時，電洞傳輸效率係被減弱。故此，本發明之實施例包含有機發光裝置，其包含共同發光層，從而提升電洞傳輸效率。
根據本發明之態樣，一種有機發光裝置，其包含基板；第一電極層第二電極層，其係形成於基板上且平行於基板，因而使第一電極層與第二電極層彼此相對；發光層，其係於第一電極層與第二電極層之間，其中發光層包含第一發光區域、第二發光區域及第三發光區域，其中發光層包含於第一發光區域、第二發光區域及第三發光區域中之第一共同發光層；於第一共同發光層與第二電極層之間之第二發光區域中之第二發光層；以及於第一共同發光層與第二電極層之間之第三發光區域中之第三發光層，且其中第一共同發光層包含第一主體、第一雜質以及p型雜質。
p型雜質之最低未佔有分子軌域(LUMO)能階與第一主體之最高佔有分子軌域(HOMO)能階之差可為約0.2電子伏特(eV)至約1.0電子伏特。
p型雜質可具有等於或少於5.5電子伏特之最低未佔有分子軌域能階。
P型雜質可包含2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基喹二甲烷(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7’,8,8’-tetracyanoquino dimethane, F4TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰基苯醌二甲烷(7,7',8,8'-tetracyanoquinodimethane, TCNQ)、苝-3,4,9,10-四羧酸-3,4,9,10-二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic- 3,4,9,10-dianhydride, PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷(1,3,2-dioxaborine)衍生物、氯化鐵(FeCl3)、氟化鐵(FeF3)或五氯化銻(SbCl5)。
p型雜質的量係以第一共同發光層之總重為基礎，為約0.5至3重量百分比。
第一發光區域可為藍色發光區域、第二發光區域可為紅色發光區域及第三發光區域可為綠色發光區域。第一共同發光層可為藍色共同發光層。
第一共同發光層可包含紅色共同發光層或綠色共同發光層。
有機發光裝置可更包含第一電極與發光層之間之電洞注入層或電洞傳輸層。有機發光裝置可更包含第二電極與發光層之間之電子注入層或電子傳輸層。
有機發光裝置可包含發光層與第二電極層之間之共振層。共振層可具有隨第一發光區域、第二發光區域及第三發光區域之共振距離而於第一發光區域、第二發光區域及第三發光區域變化之厚度。共振層可包含電子傳輸層。
第一電極層可為陽極，且第二電極層可為陰極。
本發明之上述及其他特徵與優點將藉由參閱與附圖相關聯之下列詳細描述而變得更加顯而易見，其中：
第1圖係根據本發明之實施例之有機發光裝置之截面示意圖；
第2圖係根據本發明之實施例之於藍色共同發光層中之主體、發光雜質及p型雜質之能階示意圖；以及
第3圖係比較範例1及2與比較例1至3之有機發光裝置之電洞電流密與電壓之比較示意圖。
下文中，本發明將藉由參閱附圖以解釋本發明之實施例而詳細描述。
第1圖係根據本發明之實施例之有機發光裝置100之截面示意圖。有機發光裝置100包含次像素區，其包含紅色光發射區域R、綠色光發射區域G及藍色光發射區域B。參考符號112表示定義次像素區域之絕緣層。
有機發光裝置100包含基板101、陽極111、電洞注入層121、電洞傳輸層122、發光層125R、125G及125B、電子傳輸層127、電子注入層128以及陰極131。
基板101可為用於現存有機發光裝置之任何基板。於一些實施例中，基板可為具有良好的機械強度、熱穩定性、透明度、表面光滑度、操作簡便及耐水性之玻璃基板或透明塑膠基板。基板101可由不透明材料形成，例如矽、不銹鋼或其相似物。
陽極111可由具有相對高的功函數之材料形成。陽極111可由透明導電性氧化物，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、摻鋁氧化鋅(Al-doped zinc oxide, AZO)、氧化銦(In2O3)或氧化錫(SnO2)形成，但不限於此。陽極111可由氣相沉積或濺鍍而形成。
電洞注入層121可由例如，像是銅酞花青(copper phthalocyanine)之酞花青化合物(phthalocyanine compound)、N,N’-二苯基-N,N’-雙-[4-(苯基-m-甲苯-胺基)-苯基]- 二苯基-4,4’-二胺(N,N’-diphenyl-N,N’-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4’-diamine, DNTPD)、4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine, m-MTDATA)、4,4’4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(4,4’4”-tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine, TDATA)、4,4’,4”-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}三苯基鞍(4,4’,4”-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine, 2T-NATA)、聚(3,4-乙烯基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/ poly(4-styrenesulfonate), PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二[烷]基苯磺酸(polyaniline/dodecylbenzenesulfonic acid, Pani/DBSA)、聚苯胺/樟腦磺酸(polyaniline/Camphor sulfonicacid, Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸) (polyaniline/poly(4-styrenesulfonate), PANI/PSS)或其相似物所形成，但不以此為限。


電洞注入層121可由各種方法之任一而形成，例如真空沉積、旋轉塗佈、澆鑄(casting)、藍牟耳沉積(Langmuir-Blodgett (LB) deposition)或其相似方法。
當電洞注入層121藉由真空沉積而形成，沉積條件可根據用來形成電洞注入層121之成分以及所需之電洞注入層121之結構與熱特性而變化。例如，沉積條件可包含沉積溫度約100℃至約500℃、真空壓力約10-8托(Torr)至10-3托以及沉積速率0.01埃/秒(A/sec)至約100埃/秒。
當電洞注入層121藉旋轉塗佈而形成時，塗佈條件可依用來形成電洞注入層121之成分以及所需之電洞注入層121之結構與熱特性而變化。例如，沉積條件可包含轉速約2000 (轉數/每分鐘)rpm至5000 rpm以及殘餘的溶劑可於塗佈後移除之熱處理溫度約80℃至約200℃。
電洞注入層121可具有約100埃至約10000埃之厚度，且於ㄧ些實施例中，可具有約100埃至約1000埃之厚度。當電洞注入層121之厚度係於這些範圍內時，電洞注入層121可實現令人滿意的電洞注入效率而不需實質上增加驅動電壓。
電洞傳輸層122可包含例如，如N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)之咔唑衍生物、聚乙烯基咔唑(polyvinyl carbazole)、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-二苯基]-4,4’-二胺(N,N’-bis(3-methylphenyl)-N,N’-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4’-diamine ,TPD)、4,4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基胺]聯苯(4,4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl, NPB)、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine, TCTA)、或其相似物，但不以此為限。
電洞傳輸層122可由各種方法之任一而形成，例如真空沉積、旋轉塗佈、澆鑄(casting)、藍牟耳沉積(Langmuir-Blodgett (LB) deposition)或其相似方法。當電洞傳輸層122由真空沉積或旋轉塗佈形成時，沉積條件或塗佈條件可隨用以形成電洞傳輸層122之成分而變化，但於一些實施例中，可與用以形成電洞注入層121之條件實質上相同。
電洞傳輸層122可具有約50埃至約1000埃之厚度，且於一些實施例中，電洞傳輸層122可具有約100埃至約800埃之厚度。當電洞傳輸層122之厚度係於這些範圍內時，電洞傳輸層122可具有令人滿意的電洞傳輸效率而不需實質上增加驅動電壓。
可選擇性地，電洞注入層121與電洞傳輸層122可由具有電洞注入與電洞傳輸之特性的功能層所取代。
發光層可包含紅色發光層125R、綠色發光層125G及藍色共同發光層125B。根據本實施例，藍色共同發光層125B係形成為橫跨紅色光發射區域R、綠色光發射區域G及藍色光發射區域B之電洞傳輸層122上之共同層。紅色發光層125R於紅色發光區域中圖樣化。綠色發光層125G於綠色發光區域中圖樣化。紅色發光層125R與綠色發光層125G沉積於藍色共同發光層125B上。
藍色共同發光層125B可包含藍色主體、藍色雜質與p型雜質。
藍色主體之非限制性範例包含三-(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)、4,4’-N-N’-雙咔唑基-聯苯(4,4’-N,N’-dicarbazole-biphenyl, CBP)、聚(正－乙烯基咔唑) (poly(n-vinylcarbazole), PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene, ADN)、TCTA、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene, TPBI)、第三丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl) anthracene, TBADN)、E3、聯苯乙烯伸芳基(distyrylarylene, DSA)或其相似物。

藍色雜質之非限制性範例包含F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴(ter-fluorene)、4,4’-雙(4-聯苯胺基苯乙烯基]二苯基(4,4’-bis(4-diphenylaminostyryl)biphenyl, DPAVBi)及2,5,8,11-四-三級基苝(2,5,8,11-tetra-t-butylperylene, TBPe)，其以下列化學式表示:


P型雜質可為於藍色主體產生電洞以增加藍色主體之電洞傳輸效率的材料。於藍色主體中產生電洞之P型雜質可具有接近於藍色主體之最高佔有分子軌域(HOMO)能階的最低未佔有分子軌域(LUMO)能階。例如，p型雜質之最低未佔有分子軌域能階與藍色主體之最高佔有分子軌域能階之差為約0.2電子伏特至約1.0電子伏特。p型雜質之最低未佔有分子軌域能階接近於藍色主體之最高佔有分子軌域或等於或小於5.5電子伏特(其小於藍色主體之最高佔有分子軌域能階)，且因此可具有良好的電子接受能力(electron accepting capacity)。
P型雜質之非限制性範例包含有機化合物例如2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基喹二甲烷(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7’,8,8’-tetracyanoquinodimethane, F4TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰基苯醌二甲烷(7,7’,8,8’-tetracyanoquinodimethane, TCNQ)、苝-3,4,9,10-四羧酸-3,4,9,10-二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic-3,4,9,10-dianhydride, PTCDA)或1,3,2-二氧雜硼烷(1,3,2-dioxaborine)衍生物，以及無機化合物如碘、氯化鐵(FeCl3)、氟化鐵(FeF3)，五氯化銻(SbCl5)、金屬氯化物或金屬氟化物。

第2圖係包含於根據本發明之實施例之藍色共同發光層125B之主體、發光雜質及p型雜質之能階示意圖。參閱第2圖，主體之最高佔有分子軌域能階係低於發光雜質(第一雜質)之最高佔有分子軌域能階，且因此具有主體之最高佔有分子軌域能階之電洞可輕易轉移至發光雜質之最高佔有分子軌域能階。因此，發光雜質可作為用於主體之電洞之陷阱(trap-site)。然而，由於存在具有低於主體之最高佔有分子軌域能階許多之最高佔有分子軌域能階之p型雜質(第二雜質)，以及具有相似於主體之最高佔有分子軌域能階之最低未佔有分子軌域能階之p型雜質，具有主體之最高佔有分子軌域能階之電子可轉移至p型雜質之最低未佔有分子軌域能階。因為具有主體之最高佔有分子軌域能階之電子可轉移至p型雜質之最低未佔有分子軌域能階，所以電洞可於主體之最高佔有分子軌域能階產生，從而增加主體的電洞傳輸效率。
根據本實施例，因為p型雜質增加了藍色主體的電洞傳輸效率，所以從陽極111注入且通過電洞注入層121與電洞傳輸層122之電洞可到達紅色發光層125R或綠色發光層125G以使電洞的速度不會於藍色共同發光層125B中降低。
紅色發光層125R可包含紅色主體與紅色雜質。如藍色主體，紅色主體的非限制性範例包含Alq3、CBP、PVK、ADN、TCTA、TPBI、TBADN、E3、DSA或其相似物。紅色雜質之非限制性範例包含PtOEP、Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)、Ir(piq)2(acac)、Ir(2-phq)2(acac)、 Ir(2-phq)3、Ir(flq)2(acac)、Ir(fliq)2(acac)、DCM、DCJTB及其相似物，其可以下列化學式表示。

綠色發光層125G可包含綠色主體與綠色雜質。與藍色主體相似，綠色主體之非限制性範例包含Alq3、CBP、PVK、ADN、TCTA、TPBI、TBADN、E3、DSA或其相似物。綠色雜質之非限制性範例包含三(2-苯基吡啶)銥(tris(2-phenylpyridine) iridium, Ir(ppy)3)、二(2-苯基吡啶)(乙醯丙酮)銥(III) (Bis(2-phenylpyridine)(Acetylacetonato)iridium(III), Ir(ppy)2(acac)、三(2-(4-甲苯)苯基吡啶]合銥(tris(2-(4-tolyl)phenylpiridine)iridium, Ir(mppy)3)、10-(2-苯並噻唑)-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H,11H-[1] 苯並吡喃[6,7,8-ij]-喹嗪-11-酮(10-(2-benzothiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7 -tetrahydro-1H,5H,11H-[1]benzopyrano[6,7,8-ij]-quinolizin-11-one, C545T)或其相似物。
紅色發光層125R、綠色發光層125G及藍色共同發光層125B可以真空沉積、旋轉塗佈、澆鑄、藍牟耳沉積或其相似方法而形成。當紅色發光層125R、綠色發光層125G或藍色共同發光層125B藉真空沉積或旋轉塗佈而形成時，沉積條件或塗佈條件可隨形成紅色發光層125R、綠色發光層125G或藍色共同發光層125B之成分而變化，但於某些實施例中，可實質上與用來形成電洞注入層的條件相同。為了形成包含主體與雜質之層，可使用共沉積法。
於各紅色發光層125R與綠色發光層125G中之雜質的量及於藍色共同發光層125B中雜質的量的範圍可為，以每一發光層之總重為基礎，為約0.01 wt%至約15 wt%，但不受限於此。藍色共同發光層125B中p型雜質的量的範圍可以藍色共同發光層125B之總重為基礎，為約0.5 wt%至約3 wt%。當包含於這範圍內時，p型雜質可於藍色主體中有效地產生電洞，從而增加藍色主體之電洞傳輸效率。
紅色發光層125R、綠色發光層125G及藍色共同發光層125B可各具有約100埃至約1000埃之厚度。
電子傳輸層127可為傳輸從陰極131注入每一發光層之電子之層且可包含已知材料，例如Alq3、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, BCP)、4,7-二苯基-1,10-啡啉(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline, Bphen)、3-(4-苯基)-4-苯基-5-第三丁基苯基-1,2,4-三唑(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole, TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole, NTAZ)、2-(4-聯苯)-5-(4-第三丁苯基)-1,3,4-噁二唑2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (tBu-PBD)、BAlq (參考下列化學式)、鈹雙(苯並喹啉-10-羥基) (beryllium bis(benzoquinolin-10-olate), Bebq2), ADN、下列化合物101、下列化合物102或其相似物，但不以此為限。

電子傳輸層127可由各種方法之任一而形成，例如真空沉積、旋轉塗佈、澆鑄、藍牟耳沉積或其相似方法。當電洞傳輸層122由真空沉積或旋轉塗佈形成時，沉積條件或塗佈條件可隨用以形成電子傳輸層127之成分而變化，但於一些實施例中，可與用以形成電洞注入層121之條件實質上相同。
電子傳輸層127可具有約100埃至約1000埃之厚度，例如約150埃至約500埃。當電子傳輸層127之厚度係於這些範圍內時，電子傳輸層127可具有令人滿意的電子傳輸效率而不需實質上增加驅動電壓。
電子傳輸層127可包含電子傳輸有機化合物與含金屬之材料。含金屬之材料可包含鋰複合物。鋰複合物之非限制範例包含喹啉鋰(lithium quinolate, LiQ)、下列化學式103或其相似物。
用於幫助電子從陰極131注入之電子注入層128可堆疊電子傳輸層127上。電子注入層128可由用以形成電子注入層之已知材料例如氟化鋰(LiF)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)、氧化鋇(BaO)或其相似物所形成，但不以此為限。電子注入層128之沉積條件可隨用以形成電子注入層128之成分而變化，但於一些實施例中，可實質上與用以形成電洞注入層121之條件相同。
電子注入層128可具有約1埃至約100埃之厚度，例如約3埃至90埃。當電子注入層128之厚度係於這些範圍內時，電子注入層128可具有令人滿意的電子注入能力而不用實質上增加驅動電壓。
可選擇性地，電子傳輸層127與電子注入層128可由具有電子傳輸與電子注入之特性的功能層所取代。
陰極131可由各具有低功函數之金屬、合金、導電成分或其混合物所形成。陰極131可藉形成例如鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)或其相似物之薄膜而形成為透射電極。可以進行各種修改，例如為了獲得頂部發光型有機發光裝置，透射電極可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或其相似物形成。
可選擇性地，有機發光裝置100可具有共振結構。為了與紅色發光區域R、綠色發光區域G及藍色發光區域B之共振距離相符，可使用共振層(未繪示)。共振層可由電子傳輸層127或電洞傳輸層122所形成以在各個紅色發光區域R、綠色發光區域G及藍色發光區域B具有不同厚度。或者是，共振層可形成為介於陽極111與陰極131間之獨立層。
至目前為止，已描述藍色發光層用來作為共同發光層之實施例。或者是，紅色發光層或綠色發光層可用來作為共同發光層。亦即，紅色發光層可形成作為電洞傳輸層上之共同發光層，且綠色發光層與藍色發光層可於紅色共同發光層上圖樣化。或者是，綠色發光層形成作為電洞傳輸層上之共同發光層，且紅色發光層與藍色發光層可於綠色共同發光層上圖樣化。
當紅色發光層用來作為共同發光層時，於上述實施例中，用於藍色發光層之p型雜質可用來作為於紅色發光層之第二雜質。相同地，當綠色發光層用來作為共同發光層時，p型雜質可用來作為於綠色發光層之第二雜質。因為p型雜質係用於共同發光層，所以電洞可於主體中產生，從而增加主體的電洞傳輸效率。
根據本發明之實施例之有機發光裝置已參閱如第1圖所示之有機發光裝置100而描述。然而，如果必要的話，可做各種變化，例如，如果必要的話，可形成紅色發光層125R與綠色發光層125G之任一，電洞阻擋層可形成於發光層與電子傳輸層127之間，電子阻擋層可形成於發光層與電洞傳輸層122之間或可從陰極依序形成層於基板上。
下列範例係僅為了繪示目的而呈現，而非限制本發明之範疇。
範例1
當陽極，15歐姆/平方公分(500埃)之康寧氧化銦錫玻璃基板，被裁成50公厘×50公厘×0.7公厘的大小、於異丙醇與純水中各以超音波清洗五分鐘，以及接著以紫外光與臭氧清潔30分鐘。MTDATA係真空沉積於氧化銦錫玻璃基板上以形成具有100埃厚度的電洞注入層。然後，發光層使用94 wt%之TBADN做為藍色主體、5 wt%之DPAVBi作為藍色雜質及1 wt%之F4TCNQ 作為p型雜質而形成具有400埃厚度之電洞注入層。鋁係真空沉積至發光層上以形成具有厚度1200埃之陰極，從而完成有機發光裝置之製造。
範例2
以範例1中相同方法製造有機發光裝置，除了將於發光層中TBADN: DPAVBi:F4TCNQ之重量比以93:5:2取代原94:5:1。
比較例1
以範例1中相同方法製造有機發光裝置，除了將於發光層中TBADN: DPAVBi:F4TCNQ之重量比以95:5:0取代原94:5:1。
比較例2
以範例1中相同方法製造有機發光裝置，除了將於發光層中TBADN: DPAVBi:F4TCNQ之重量比以92:5:3取代原94:5:1。
比較例3
以範例1中相同方法製造有機發光裝置，除了將於發光層中TBADN: DPAVBi:F4TCNQ之重量比以90:5:5取代原94:5:1。
表1總結範例1與範例2以及比較例1至3之有機發光裝置之結構。
表1

第3圖係範例1及2與比較例1至3之有機發光裝置之電洞電流密度比電壓之圖表。電洞電流密度係使用PR650光譜儀測量。
回到第3圖，範例1具有最高電流密度，接著是範例2(於下降順序)、比較例1、比較例2及比較例3。亦即，當F4TCNQ降至1 wt%與2 wt%(範例1與範例2)時，電流密度比F4TCNQ不下降時(比較例1)增加。當F4TCNQ降至3 wt%(比較例2)時，電流密度比F4TCNQ不下降時(比較例1)減少。當F4TCNQ降至5 wt%(比較例3)時，電流密度明顯地減少。可以認為當F4TCNQ的量增加時，作為發光雜質之具有DPAVBi之最高佔有分子軌域能階之電子很有可能轉移至F4TCNQ之最低未佔有分子軌域能階，以使F4TCNQ之最高佔有分子軌域能階充當TBADN之電洞的新陷阱。
共同發光層之電洞傳輸效率可藉由使用具有接近主體之最高佔有分子軌域能階之最低未佔有分子軌域能階之p型雜質而增加。
當本發明已參閱特定實施例而繪示及描述，其將為熟悉此技藝者了解的是，在不背離如以下申請專利範圍所定義之本發明之精神及範圍下，可對其進行形式及細節之各種變化。
125R．．．紅色發光層
125G．．．綠色發光層
125B．．．藍色共同發光層
R．．．紅色光發射區域
G．．．綠色光發射區域
B．．．藍色光發射區域
100．．．有機發光裝置
101．．．基板
111．．．陽極
112．．．絕緣層
121．．．電洞注入層
122．．．電洞傳輸層
127．．．電子傳輸層
128．．．電子注入層
131．．．陰極
125R．．．紅色發光層
125G．．．綠色發光層
125B．．．藍色共同發光層
R．．．紅色光發射區域
G．．．綠色光發射區域
B．．．藍色光發射區域
100．．．有機發光裝置
101．．．基板
111．．．陽極
112．．．絕緣層
121．．．電洞注入層
122．．．電洞傳輸層
127．．．電子傳輸層
128．．．電子注入層
131．．．陰極

Claims (20)

  1. 一種有機發光裝置，其包含：
    一基板；
    一第一電極層與一第二電極層，係於該基板上且平行於該基板，該第一電極層與該第二電極層彼此相對；
    一發光層，於該第一電極層與該第二電極層之間，
    其中該發光層包含一第一發光區域、一第二發光區域及一第三發光區域，
    其中該發光層包含於該第一發光區域、該第二發光區域及該第三發光區域中之一第一共同發光層；於該第一共同發光層與該第二電極層之間之該第二發光區域中之一第二發光層；及於該第一共同發光層與該第二電極層之間之該第三發光區域中之一第三發光層，以及
    其中該第一共同發光層包含一第一主體、一第一雜質及一p型雜質。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該p型雜質之一最低未佔有分子軌域(LUMO)能階與該第一主體之一最高佔有分子軌域(HOMO)能階之差為約0.2電子伏特至約1.0電子伏特。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該p型雜質具有等於或少於5.5電子伏特之一最低未佔有分子軌域能階。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該p型雜質包含2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基喹二甲烷(F4TCNQ)、7,7’,8,8’-四氰基苯醌二甲烷(TCNQ)、苝-3,4,9,10-四羧酸-3,4,9,10-二酐(PTCDA)、1,3,2-二氧雜硼烷衍生物、氯化鐵、氟化鐵或五氯化銻。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該p型雜質的量係以該第一共同發光層之總重為基礎，為約0.5至約3 wt%。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一發光區域係一藍色發光區域、該第二發光區域係一紅色發光區域以及該第三發光區域係一綠色發光區域。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光裝置，其中該第一共同發光層係一藍色共同發光層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光裝置，其中該第一雜質包含三-(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)、4,4’-N-N’-雙咔唑基-聯苯(CBP)、聚(正-乙烯基咔唑) (PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、TCTA、1,3,5-三-(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、第三丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、E3或聯苯乙烯伸芳基(DSA)。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光裝置，其中該第一雜質包含一藍色磷光雜質或一藍色螢光雜質。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光裝置，其中該第一雜質包含F2Irpic、（F2ppy）2Ir（tmd）、Ir（dfppz）3、三芴、4,4’-雙(4-聯苯胺基苯乙烯基)二苯基（DPAVBi）、或2,5,8,11-四-三級丁基苝（TBPe）。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光裝置，其中該第一共同發光層包含一紅色共同發光層或一綠色共同發光層。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，更包含於該第一電極層與該發光層之間之一電洞注入層或一電洞傳輸層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，更包含於該電洞注入層或該電洞傳輸層與該發光層之間之一電子阻擋層。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，更包含於該第二電極層與該發光層之間之一電子注入層或一電子傳輸層。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光裝置，更包含於該發光層與該電子傳輸層或該電子注入層之間之一電洞阻擋層。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，更包含於該發光層與該第二電極層之間之一共振層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光裝置，其中該共振層包含一電子傳輸層。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光裝置，其中該共振層具有根據該第一發光區域、該第二發光區域及該第三發光區域之共振距離而於該第一發光區域、該第二發光區域及該第三發光區域變化之厚度。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一電極層為一陽極，且該第二電極層為一陰極。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一電極層為一陰極，且該第二電極層為一陽極。
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