TW201330150A - 基板處理系統、基板運送方法、程式及電腦記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於，在基板處理系統中，降低搬送基板的負載；該基板處理系統，具有在曝光之前洗淨基板背面的功能。為達成上述之目的，本發明提供一種塗佈顯影處理系統，其中的介面站5包含：晶圓洗淨部141，其在晶圓搬入曝光裝置前，至少洗淨晶圓的背面；晶圓檢查部142，其在晶圓搬入曝光裝置前，就洗淨後的晶圓的背面，檢查該晶圓是否可進行曝光；以及搬送構件143，其在晶圓洗淨部141與晶圓檢查部142之間搬送晶圓W。晶圓洗淨部141、晶圓檢查部142以及搬送構件143，設置於框體140的內部。另外，在具有於曝光前進行基板背面洗淨功能的基板處理系統中，在不變更處理單元構造的情況下，縮小佔地面積。在包含處理站3與介面站5的塗佈顯影處理系統當中，介面站5包含：洗淨單元300，其在晶圓搬入曝光裝置之前洗淨晶圓的背面；檢查單元301，其檢查洗淨後的晶圓是否為可曝光的狀態；以及晶圓搬送機構120，其具有在洗淨單元300與檢查單元301之間搬送晶圓的手臂。洗淨單元300與檢查單元301，多段的設置在介面站5正面的上下方向上；晶圓搬送機構120，設置在與洗淨單元300以及檢查單元301相鄰連接的區域。

Description

基板處理系統、基板運送方法、程式及電腦記憶媒體
本發明係關於一種進行基板處理的基板處理系統、在基板處理系統中的基板處理方法、程式及電腦記憶媒體。
例如，在半導體裝置製造步驟中的光微影步驟，係依序進行在晶圓上塗佈光阻液以形成光阻膜的光阻塗佈處理、以既定的圖樣對光阻膜進行曝光的曝光處理以及對被曝光的光阻膜進行顯影的顯影處理等一連串的處理，以在晶圓上形成既定的光阻圖樣。該等一連串的處理，係使用塗佈顯影處理系統來進行，該塗佈顯影處理系統為搭載處理晶圓的各種處理單元與搬送晶圓的搬送單元等單元的基板處理系統。
例如圖27所示的塗佈顯影處理系統200，以往其整體包含：晶圓閘盒裝卸站201，其用以將晶圓閘盒C從外部搬入或搬出；處理站202，在其正面與背面設置了進行光阻塗佈處理、顯影處理以及熱處理等各種處理的複數處理單元；以及介面站203，其在曝光裝置A與處理站202之間進行晶圓的傳遞；該曝光裝置A設置於塗佈顯影處理系統200的外部。
另外，近年來形成於晶圓上的電路圖樣越來越細微化，故在曝光處理時的失焦邊限變得更嚴苛。因此，極力要求不能有粒子進入曝光裝置A。特別是晶圓背面的粒子逐漸成為問題。因此，在與曝光裝置A相鄰連接的介面 站203當中，為了盡可能地減少進入曝光裝置A的粒子，設置了在將晶圓搬入曝光裝置A之前洗淨晶圓背面以去除粒子的晶圓洗淨單元210，與檢查洗淨後之晶圓的晶圓檢査單元211。另外，在介面站203中，設置了在各單元210、211之間傳遞晶圓的傳遞單元212，及在該等的各單元210、211、212之間搬送晶圓的晶圓搬送裝置213等裝置(專利文獻1)。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2008-135583號公報
然而，如同上述的塗佈顯影處理系統200，在介面站203中設置所謂的晶圓洗淨單元210與晶圓檢査單元211等複數單元時，因為必須在各單元之間傳遞晶圓，故無法避免晶圓的搬送次數增加。
其結果，晶圓搬送裝置的控制變得複雜，而且，藉由晶圓搬送裝置所搬送的晶圓其移動距離亦變長，故晶圓搬送裝置的工作負荷亦變得較重。
有鑑於上述之問題，本發明的目的在於，在具有於曝光前進行基板背面洗淨功能的基板處理系統中，保持基板背面的清潔性，並且降低基板搬送的工作負荷。
另一方面，對於塗佈顯影處理系統，要求其縮小該塗佈顯影處理系統佔有無塵室地板面積比例之佔地面積。
為了要縮小佔地面積，必須將各處理單元小型化，並且縮小搬送晶圓所需要的空間。然而，對於處理單元的小型化，必須重新審視該處理單元的構造，其限制繁多。
有鑑於上述之問題，本發明之目的在於，在具有於曝光前進行基板背面洗淨功能的基板處理系統中，在不變更處理單元之構造的情況下，縮小其佔地面積。
為了達成上述之目的，本發明提供一種基板處理系統，其特徵為包含：處理站，其中設置了處理基板的複數處理單元；以及介面站，其在該處理站與設置於外部的曝光裝置之間進行基板的傳遞；該介面站包含：基板洗淨部，其在基板搬入該曝光裝置之前至少洗淨基板的背面；以及基板檢査部，其在基板搬入該曝光裝置前，至少就該洗淨後的基板的背面，檢查該基板可否進行曝光；該基板洗淨部與該基板檢査部配置於同一框體的內部，在該框體的內部中設置了在該基板洗淨部與該基板檢査部之間搬送基板的搬送構件。
若根據本發明，洗淨基板背面的基板洗淨部與檢查洗淨後之基板的基板檢査部被收納於同一框體的內部，更可藉由設置於框體內部的搬送構件，在此基板洗淨部與基板檢査部之間進行基板搬送。因此，在基板洗淨部與基板檢査部之間搬送基板時，不需要如同以往一般，例如，使用設置於框體外部的搬送裝置。其結果，可降低基板搬送的工作負荷。
在該介面站中，亦可設置乾燥單元，其去除附著在以該基板洗淨部洗淨之後的基板上的水分。
亦可包含基板搬送控制部，其中，若該基板檢査部的檢査結果，判定基板的狀態為可藉由該基板洗淨部的再次洗淨形成可進行曝光的狀態，則該基板搬送控制部，以將該基板再次搬送至該基板洗淨部的方式控制該搬送構件。
該基板搬送控制部，亦可以將再次搬入該基板洗淨部並且洗淨的基板 再次搬入基板檢査部的方式，控制該搬送構件。
在該介面站中，亦可設置溫度調整機構，其將在以該基板檢査部檢査之後並且在搬入該曝光裝置之前的基板調整至既定的溫度。
該溫度調整機構，亦可設置於該框體的內部。
在該介面站中，亦可設置緩衝待命部，其使以該基板檢査部檢査之後的基板暫時待命。
該緩衝待命部，亦可設置於該框體的內部。
該緩衝待命部，亦可使該檢査後的基板待命至該檢查後之基板的檢査結果判明為止。
在該框體的內部，亦可設置搬送構件洗淨機構，其洗淨該搬送構件。
該搬送構件洗淨機構，亦可由該基板洗淨部兼作之。
另外，為了達成該目的，本發明提供一種基板處理系統，其特徵為包含：處理站，其中設置了處理基板的複數的處理單元；以及介面站，其在該處理站與設置於外部的曝光裝置之間進行基板的傳遞；該介面站包含：洗淨單元，其在將基板搬入該曝光裝置之前，至少洗淨基板的背面；檢查單元，其在基板搬入該曝光裝置之前，至少就該洗淨後的基板的背面，檢查該基板可否進行曝光；以及基板搬送機構，其具備在該洗淨單元與該檢査單元之間搬送基板的手臂；該洗淨單元與該檢査單元，於上下方向上多段的設置在該介面站的正面側或是背面側之任一側；該基板搬送機構，設置在與沿上下方向上多段設置的該洗淨單元以及該檢査單元相隣連接的區域。
若根據本發明，洗淨單元與檢査單元，因為多段的設置於介面站的正面側或是背面側，且晶圓搬送機構設置於與洗淨單元以及檢査單元相鄰連接的區域，故可縮小介面站的正面側或是背面側，並可使介面站相較於以往，更加的小型化。因此，可在具有於曝光前進行晶圓W的背面洗淨的功能的基板處理系統當中，在不變更各處理單元的構造的情況下，縮小佔地面積。
亦可包含基板搬送控制部，其中，若該檢査單元的檢査結果，判定基板的狀態可藉由該洗淨單元的再次洗淨形成可進行曝光的狀態，則該基板搬送控制部以再次將該基板搬送至該洗淨單元的方式，控制該基板搬送機構。
該基板搬送控制部，亦可以將再次搬送至該洗淨單元且洗淨的基板再次搬送至檢査單元的方式，控制該基板搬送機構。
在該介面站中，亦可設置緩衝收納部，其暫時收納以該檢査單元檢査後的基板。
該基板搬送機構，亦可包含：第1搬送手臂，其將搬入該介面站的基板搬送至該洗淨單元；以及第2搬送手臂，其將以該洗淨單元洗淨之後的基板搬送至該檢査單元，更將以該檢査單元檢査之後的基板搬送至該緩衝收納部。
該基板搬送機構，亦可包含：第1搬送手臂，其將搬入該介面站的基板傳遞至該洗淨單元；第2搬送手臂，其將以該洗淨單元洗淨之後的基板傳遞至該檢査單元；以及第3搬送手臂，其將以該檢査單元檢査之後的基板搬送至該緩衝收納部。
該緩衝收納部，亦可收納該檢査後的基板至該檢査後之基板的檢査結果判明為止。
洗淨該基板搬送機構的搬送手臂的手臂洗淨機構，亦可設置在該介面站之中配置了該洗淨單元與該檢査單元的一側。
該手臂洗淨機構，亦可由該洗淨單元兼作之。
亦可包含溫度調整機構，其將在以該檢査單元檢査之後且搬入該曝光裝置之前的基板調整至既定的溫度。
該溫度調整機構，亦可設置於該檢査單元內。
本發明之另一態樣，係在基板處理系統當中的基板搬送方法，該基板處理系統包含：處理站，其中設置了處理基板的複數處理單元；以及介面站，其在該處理站與設置於外部的曝光裝置之間進行基板的傳遞；該介面站包含：基板洗淨部，其在基板搬入該曝光裝置之前，至少洗淨基板的背面；以及基板檢査部，其在基板搬入該曝光裝置之前，至少就該洗淨後的基板的背面，檢查該基板可否曝光；該基板洗淨部與該基板檢査部配置於同一框體的內部；在該基板洗淨部與該基板檢査部之間的基板的搬送，係藉由設置於該框體內部的搬送構件來進行。
在該介面站中，設置去除附著於基板上的水分的乾燥單元，以該基板洗淨部洗淨後的基板，亦可使用該乾燥單元進行乾燥。
在該基板檢査部的檢査結果，判定基板的狀態可藉由該基板洗淨部的再次洗淨形成可進行曝光的狀態時，亦可將該基板再次搬送至該基板洗淨部進行洗淨。
亦可將再次搬送至該基板洗淨部且洗淨的基板，再次搬送至基板檢査部。
亦可將在以該基板檢査部檢査之後且在搬入該曝光裝置之前的基板調整至既定的溫度。
該基板的溫度調整，亦可在該框體的內部進行。
亦可使以該基板檢査部檢査之後的基板，在設置於該介面站的緩衝待命部暫時的待命。
該緩衝待命部，亦可設置於該框體的內部。
亦可使該檢査後的基板，在使用該基板檢査部的檢査結果判明之前，停置於該緩衝待命部。
在該框體的內部中，亦可設置洗淨該搬送構件的搬送構件洗淨機構。
該搬送構件洗淨機構，亦可由該基板洗淨部兼作之。
本發明之另一態樣，係一種在基板處理系統中的基板搬送方法，該基板處理系統包含：處理站，其中設置了處理基板的複數的處理單元；介面站，其在該處理站與設置於外部的曝光裝置之間，進行基板的傳遞；該介面站包含：洗淨單元，其在基板搬入該曝光裝置之前至少洗淨基板的背面；檢查單元，其在基板搬入該曝光裝置之前，至少就該洗淨後的基板的背面，檢查該基板可否進行曝光；以及基板搬送機構，其在該洗淨單元與該檢査單元之間搬送基板；該洗淨單元與該檢査單元，在上下方向上多段的設置於該介面站的正面側或是背面側的任一側；該基板搬送機構，設置於與在上下方向上多段設置的該洗淨單元以及該檢査單元相鄰連接的區域；若該檢査單元的檢査結果，判定基板的狀態可藉由該洗淨單元的再次洗淨形成可進行曝光的狀態，則將該基板再次搬送至該洗淨單元。
亦可將再次搬送至該洗淨單元並且洗淨的基板，再次搬送至檢査單元 並且進行檢査。
在該介面站中，亦可設置緩衝收納部，其暫時收納以該檢査單元檢査之後的基板。
該基板搬送機構，亦可包含：第1搬送手臂，其將搬入該介面站的基板傳遞至該洗淨單元；以及第2搬送手臂，其將以該洗淨單元洗淨後的基板搬送至該檢査單元，更將以該檢査單元檢査後的基板搬送至該緩衝收納部。
該基板搬送機構，亦可包含：第1搬送手臂，其將搬入該介面站的基板傳遞至該洗淨單元；第2搬送手臂，其將以該洗淨單元洗淨後的基板傳遞至該檢査單元；以及第3搬送手臂，其將以該檢査單元檢査後的基板搬送至該緩衝收納部。
該檢査後的基板，亦可收納於該緩衝收納部直到該檢査單元的檢査結果判明為止。
洗淨該基板搬送機構之手臂的手臂洗淨機構，亦可設置於在該介面站之中配置了該洗淨單元與該檢査單元的一側。
該手臂洗淨機構，亦可由該洗淨單元兼作之。
亦可將在以該檢査單元檢査之後且在搬入該曝光裝置之前的基板調整至既定的溫度。
該基板的溫度調整，亦可在該檢査單元內進行。
本發明之再一態樣，係提供一種在控制裝置的電腦上運作的程式，該控制裝置控制該基板處理系統，以藉由基板處理系統來實行該基板搬送方法。
本發明之又一態樣，係提供一種可讀取的電腦記憶媒體，其儲存該程式。
若根據本發明，可在基板處理系統中，降低基板搬送的工作負荷，該基板處理系統，具備了在曝光之前進行基板的背面洗淨的功能。另外，可在基板處理系統中，在不變更處理單元的構造的情況下，縮小佔地面積，該基板處理系統，具有在曝光之前進行基板的背面洗淨的功能。
1‧‧‧塗佈顯影處理系統
2‧‧‧晶圓閘盒裝卸站
3‧‧‧處理站
4‧‧‧曝光裝置
5‧‧‧介面站
6‧‧‧控制裝置
10‧‧‧晶圓閘盒搬入出部
11‧‧‧晶圓搬送部
12‧‧‧晶圓閘盒載置台
13‧‧‧晶圓閘盒載置板
20‧‧‧搬送路徑
21‧‧‧晶圓搬送裝置
30‧‧‧下部反射防止膜形成單元
31‧‧‧光阻塗佈單元
32‧‧‧上部反射防止膜形成單元
33‧‧‧顯影處理單元
40‧‧‧熱處理單元
41‧‧‧附著單元
42‧‧‧周邊曝光單元
50~56‧‧‧傳遞單元
60~62‧‧‧傳遞單元
70‧‧‧晶圓搬送裝置
70a‧‧‧搬送手臂
80‧‧‧保持手臂
85‧‧‧晶圓搬送裝置
85a‧‧‧搬送手臂
90‧‧‧晶圓搬送裝置
90a‧‧‧搬送手臂
100‧‧‧洗淨檢査單元
101‧‧‧乾燥單元
110‧‧‧傳遞單元
111‧‧‧傳遞單元
112‧‧‧溫度調整單元
120‧‧‧晶圓搬送機構
121‧‧‧第1搬送手臂
122‧‧‧第2搬送手臂
123‧‧‧第3搬送手臂
125‧‧‧晶圓搬送控制部
130‧‧‧晶圓搬送裝置
130a‧‧‧搬送手臂
131‧‧‧晶圓搬送裝置
131a‧‧‧搬送手臂
132‧‧‧第3搬送手臂
133‧‧‧第4搬送手臂
135‧‧‧晶圓搬送控制部
140‧‧‧框體
141‧‧‧晶圓洗淨部
142‧‧‧晶圓檢査部
143‧‧‧搬送構件
143a‧‧‧搬送手臂
143b‧‧‧驅動機構
143c‧‧‧基台
143d‧‧‧搬送軌道
144‧‧‧待命載置台
150‧‧‧吸附墊
151‧‧‧旋轉夾頭
152‧‧‧刷
153‧‧‧框架
154‧‧‧上部杯體
154a‧‧‧開口部
160‧‧‧軸
161‧‧‧驅動機構
162‧‧‧升降銷
163‧‧‧支持體
163a‧‧‧洗淨液噴嘴
163b‧‧‧吹淨噴嘴
164‧‧‧驅動機構
165‧‧‧軌道
170‧‧‧排液管
171‧‧‧排氣管
180‧‧‧保持手臂
181 180a‧‧‧卡止部
180b‧‧‧可動保持部
181‧‧‧光源
182‧‧‧照相機
190‧‧‧處理容器
190a‧‧‧閘門
191‧‧‧保持部材
191a‧‧‧外圓周側的上端部
191b‧‧‧內圓周側的上端部
192‧‧‧軸
193‧‧‧升降機構
194‧‧‧排氣機構
195‧‧‧排氣管
196‧‧‧吹淨管
197‧‧‧氣體供給源
200‧‧‧習知塗佈顯影系統
201‧‧‧晶圓閘盒裝卸站
202‧‧‧處理站
203‧‧‧介面站
210‧‧‧晶圓洗淨單元
211‧‧‧晶圓檢査單元
212‧‧‧傳遞單元
213‧‧‧晶圓搬送裝置
400‧‧‧冷卻機構
300‧‧‧洗淨單元
301‧‧‧檢査單元
310‧‧‧傳遞單元
311‧‧‧緩衝單元
240‧‧‧吸附墊
241‧‧‧旋轉夾頭
242‧‧‧刷
243‧‧‧框體
244‧‧‧框架
245‧‧‧上部杯體
245a‧‧‧開口部
250‧‧‧軸
251‧‧‧驅動機構
252‧‧‧升降銷
253‧‧‧支持體
253a‧‧‧洗淨液噴嘴
253b‧‧‧吹淨噴嘴
254‧‧‧驅動機構
260‧‧‧排液管
261‧‧‧排氣管
270‧‧‧框體
270a‧‧‧開口部
271‧‧‧保持手臂
271a‧‧‧卡止部
271b‧‧‧可動保持部
272‧‧‧光源
273‧‧‧照相機
A‧‧‧曝光裝置
C‧‧‧晶圓閘盒
D‧‧‧晶圓搬送區域
F‧‧‧杯體
W‧‧‧晶圓
G1‧‧‧第1區塊
G2‧‧‧第2區塊
G3‧‧‧第3區塊
G4‧‧‧第4區塊
G5‧‧‧第5區塊
G6‧‧‧第6區塊
G7‧‧‧第7區塊
S1~S15‧‧‧步驟
【圖1】係概略表示關於本實施態樣之塗佈顯影處理系統的內部構造的俯視圖。
【圖2】係概略表示關於本實施態樣之塗佈顯影處理系統的正面側的內部構造的說明圖。
【圖3】係概略表示關於本實施態樣之塗佈顯影處理系統的背面側的內部構造的說明圖。
【圖4】係概略表示關於本實施態樣之介面站的構造的說明圖。
【圖5】係概略表示關於本實施態樣之介面站的構造的說明圖。
【圖6】係概略表示洗淨單元的構造的俯視圖。
【圖7】係概略表示洗淨檢査單元的構造的縱剖面圖。
【圖8】係概略表示洗淨檢査單元的晶圓洗淨部附近的構造的横剖面圖。
【圖9】係表示對晶圓洗淨部傳遞晶圓之態樣的說明圖。
【圖10】係表示對晶圓洗淨部傳遞晶圓之後的狀態的說明圖。
【圖11】係表示在晶圓洗淨部內晶圓在水平方向上移動之態樣的說明圖。
【圖12】係表示在晶圓洗淨部內晶圓在水平方向上移動之態樣的說明圖。
【圖13】係表示在晶圓洗淨部中，洗淨晶圓的周邊部之態樣的說明圖。
【圖14】係概略表示洗淨單元之構造的縱剖面圖。
【圖15】係表示對洗淨單元傳遞晶圓之態樣的說明圖。
【圖16】係表示對洗淨單元傳遞晶圓之後的狀態的說明圖。
【圖17】係表示在洗淨單元內晶圓在水平方向上移動之態樣的說明圖。
【圖18】係表示在洗淨單元內晶圓在水平方向上移動之態樣的說明圖。
【圖19】係表示在洗淨單元中，洗淨晶圓的周邊部之態樣的說明圖。
【圖20】係概略表示檢査單元的構造的縱剖面圖。
【圖21】係概略表示乾燥單元之構造的俯視圖。
【圖22】係概略表示乾燥單元之構造的縱剖面圖。
【圖23】係表示以塗佈顯影處理裝置所進行的晶圓處理的主要的步驟的流程圖。
【圖24】係表示以塗佈顯影處理裝置所進行的晶圓處理的主要的步驟的流程圖。
【圖25】係概略表示關於本實施態樣的洗淨檢査單元的構造的縱剖面圖。
【圖26】係概略表示關於另一實施態樣的洗淨檢査單元的構造的縱剖面圖。
【圖27】係概略表示習知的塗佈顯影處理系統之構造的說明圖。
以下，就本發明的實施態樣進行說明。圖1係概略表示當作本實施態樣相關之基板處理系統的塗佈顯影處理系統1的內部構造的說明圖。圖2以及圖3，係分別從正面側以及背面側概略的表示塗佈顯影處理系統1的內部構造的說明圖。
塗佈顯影處理系統1，如圖1所示，具有例如，由將收納了複數片晶圓W的晶圓閘盒C在其與外部之間搬入及搬出的晶圓閘盒裝卸站2、具備了在光微影處理中對晶圓W實施既定處理的複數的處理單元的處理站3以及與 曝光裝置4之間進行晶圓W的傳遞的介面站5所整體連接的構造。另外，塗佈顯影處理系統1，包含控制各種處理單元的控制裝置6。
晶圓閘盒裝卸站2，係由例如晶圓閘盒搬出入部10與晶圓搬送部11所構成。晶圓閘盒搬出入部10，設置於例如塗佈顯影處理系統1之Y方向的負方向(圖1的左邊方向)側的端部。在晶圓閘盒搬出入部10中，設置了晶圓閘盒載置台12。在晶圓閘盒載置台12之上，設置了例如4個晶圓閘盒載置板13。晶圓閘盒載置板13，以並排形成一列的方式設置於水平方向的X方向(圖1之上下方向)上。在該等的晶圓閘盒載置板13之上，在將晶圓閘盒相對於塗佈顯影處理系統1的外部搬出及搬入時，可載置晶圓閘盒C。
在晶圓搬送部11中，如圖1所示，在延伸於X方向上的搬送路徑20之上，設置了自由移動的晶圓搬送裝置21。晶圓搬送裝置21，亦在上下方向以及繞著垂直軸(θ方向)自由移動，可在各載置板13上的晶圓閘盒C與後述的處理站3的第3區塊G3的傳遞裝置之間搬送晶圓W。
在與晶圓閘盒裝卸站2相鄰連接的處理站3當中，設置了包含各種單元的複數區塊，例如，4個區塊G1、G2、G3、G4。在處理站3的正面側(圖1的X方向之負方向側)中，設置第1區塊G1，在處理站3的背面側(圖1的X方向之正方向側)中，設置第2區塊G2。另外，在處理站3的晶圓閘盒裝卸站2側(圖1的Y方向之負方向側)中，設置第3區塊G3，在處理站3的介面站5側(圖1的Y方向之正方向側)中，設置第4區塊G4。
例如，在第1區塊G1中，如圖2所示，從下方依序重疊4段複數的液體處理單元，分別為例如，在晶圓W的光阻膜的下層形成反射防止膜(以下稱為「下部反射防止膜」)的下部反射防止膜形成單元30、在晶圓W上塗佈光阻液以形成光阻膜的光阻塗佈單元31、在晶圓W的光阻膜上層形成反射防止膜(以下稱為「上部反射防止膜」)的上部反射防止膜形成單元32以及對晶圓W進行顯影處理的顯影處理單元33。
該等第1區塊G1的各處理單元30~33，在水平方向上具有在處理時收納晶圓W的複數杯體F，可使複數的晶圓W同時進行處理。
例如在第2區塊G2中，如圖3所示，在上下方向與水平方向上，並排設置進行晶圓W的熱處理的熱處理單元40、作為對晶圓W進行疏水化處理的疏水化處理裝置的附著單元41以及對晶圓W的外圓周部進行曝光的周邊曝光單元42。熱處理單元40，包含載置晶圓W且將其加熱的加熱板，以及載置晶圓W且將其冷卻的冷卻板，可進行加熱處理與冷卻處理二者。又，可任意的選擇熱處理單元40、附著單元41以及周邊曝光單元42的數量與配置。
例如，在第3區塊G3當中，從下方依序多段的設置複數的傳遞單元50、51、52、53、54、55、56。另外，在第4區塊G4當中，從下方依序多段的設置複數的傳遞單元60、61、62。
如圖1所示，被第1區塊G1~第4區塊G4所圍住的區域，形成晶圓搬送區域D。在晶圓搬送區域D中，配置了複數的例如3台的晶圓搬送裝置70。各晶圓搬送裝置70均為相同的構造。
晶圓搬送裝置70，包含例如，搬送手臂70a，該搬送手臂具有在Y方向、前後方向、θ方向以及上下方向上自由移動的構造。晶圓搬送裝置70(搬送手臂70a)，在晶圓搬送區域D內移動，可將晶圓W搬送至周圍的第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3以及第4區塊G4中的既定的單元。例如，如圖3所示，在上下方向配置了複數台的晶圓搬送裝置70、70、70，其可將晶圓W搬送至例如，各區塊G1~G4的相同程度之高度的既定單元。
另外，如圖3所示，在晶圓搬送區域D中，設置了在第3區塊G3與第4區塊G4之間，直線搬送晶圓W的穿梭搬送裝置80。
穿梭搬送裝置80，例如，在圖3的Y方向上直線的自由移動。穿梭搬送裝置80，可在支持晶圓W的狀態下，在Y方向上移動，並在第3區塊G3的傳 遞單元52與第4區塊G4的傳遞單元62之間搬送晶圓W。
如圖1所示，在與第3區塊G3之X方向的正方向側相鄰連接的區域中，設置了晶圓搬送裝置90。晶圓搬送裝置90，包含例如，在前後方向、θ方向以及上下方向上自由移動的搬送手臂90a。晶圓搬送裝置90，可在支持晶圓W的狀態下上下的移動，並將晶圓W搬送至第3區塊G3內的各傳遞單元。
在第4區塊G4的例如X方向的正方向側上，設置了晶圓搬送裝置85。晶圓搬送裝置85，包含例如，在前後方向、θ方向以及上下方向上自由移動的搬送手臂85a。晶圓搬送裝置85，可在支持晶圓W的狀態下上下的移動，並且將晶圓搬送至介面站5。
例如，在第5區塊G5中，如圖4所示，從上方依序多段的重疊設置了在晶圓W搬入曝光裝置4之前洗淨晶圓W的背面的洗淨單元300，以及在晶圓W搬入曝光裝置4之前，檢查以洗淨單元300洗淨後的晶圓W的背面是否為可以曝光裝置4進行曝光之狀態的檢査單元301。又，在本實施態樣中，例如，分別設置了4段的洗淨單元300以及2段的檢査單元301。又，圖4係概略表示，在從晶圓閘盒裝卸站2側觀察介面站5的情況中，介面站5的內部構造的側視圖。
在第6區塊G6中，在上下方向上多段的重疊設置了透過晶圓搬送裝置85進行與處理站3之間的晶圓W的傳遞的傳遞單元310、暫時收納以檢査單元301檢査之後的晶圓W的作為緩衝收納部的緩衝單元311以及在搬入曝光裝置4之前將檢査後的晶圓W調整至既定溫度的作為溫度調整機構的溫度調整單元112。更具體而言，在第6區塊G6的上部中，傳遞單元310與緩衝單元311，係以從上方依此順序反覆重疊3段的方式配置。在第6區塊G6的下部當中，傳遞單元310與溫度調整單元112，係以從上方依此順序反覆重疊2段的方式配置。溫度調整單元112，包含具有帕爾帖元件等溫度調整構件的溫度調整板，可將載置於該溫度調整板上的晶圓W調整至既定的溫度，例如將溫度調整至常溫。
在第5區塊G5與第6區塊G6之間，與第5區塊G5相鄰連接的區域中，設置了作為基板搬送機構的晶圓搬送機構120。晶圓搬送機構120，包含複數搬送手臂：第1搬送手臂121、第2搬送手臂122、第3搬送手臂123。各手臂121、122、123形成例如在前後方向、θ方向以及上下方向上自由移動的構造。藉此，各搬送手臂121、122、123，可在支持晶圓W的狀態下上下的移動，並且於各區塊G5、G6的各單元之間搬送晶圓W。又，在圖4中，雖繪製了當作晶圓搬送機構120的獨立移動的複數搬送手臂121、122、123，但亦可使用例如，在一隻搬送手臂上設置了複數的，例如，三隻保持晶圓W的夾鉗來代替複數的搬送手臂。
另外，藉由晶圓搬送機構120之晶圓W的搬送，係由晶圓搬送控制部125所控制，其當作圖1所示之控制裝置6的基板搬送控制部。晶圓搬送控制部125，以藉由第1搬送手臂121使晶圓W在洗淨單元300與傳遞單元310之間搬送的方式，控制晶圓搬送機構120。另外，晶圓搬送控制部125，以藉由第2搬送手臂122將以洗淨單元300洗淨後的晶圓W搬送至檢査單元301，再藉由第3搬送手臂123將以檢査單元301檢査後的晶圓W搬送至緩衝單元311的方式進行控制。另外，晶圓搬送控制部125，亦控制塗佈顯影處理系統1中，其他晶圓搬送裝置的動作。
在圖4當中，在與第6區塊G6相鄰連接的X方向之正方向側的區域中，在上下方向上設置了複數的晶圓搬送裝置130、131。晶圓搬送裝置130、131，分別包含例如，在前後方向、θ方向以及上下方向自由移動的搬送手臂130a、131a。搬送手臂130a，在支持晶圓W的狀態下上下的移動，並在第6區塊G6上部的傳遞單元310與緩衝晶圓閘盒311之間搬送晶圓W。另外，搬送手臂131a，在支持晶圓W的狀態下上下的移動，在第6區塊G6下部的各單元310、112之間以及各單元310、112與曝光裝置4之間搬送晶圓W。
接著，就洗淨單元300的構造進行說明。圖6係概略表示洗淨單元300之構造的俯視圖，圖14係概略表示洗淨單元300之構造的縱剖面圖。
洗淨單元300，包含：2個吸附墊240、240，其水平的吸附並且保持透過第1搬送手臂121所搬送的晶圓W；旋轉夾頭241，其水平的吸附並且保持從此吸附墊240所接收的晶圓W；刷242，其洗淨晶圓W的背面；以及框體243，其頂面形成開口。
如圖6所示，2個吸附墊240、240，為了可保持晶圓W的背面的周邊部，在俯視之下，係以夾旋轉夾頭241且大略平行的方式設置。各吸附墊240、240，藉由以驅動機構(圖中未顯示)在水平方向上以及上下方向上自由移動的框架244，支持其兩端部。
框架244的頂面，設置了上部杯體245。上部杯體245的頂面，形成其直徑較晶圓W的直徑更大的開口部245a，透過此開口部245a，在第1搬送手臂121與吸附墊240之間進行晶圓W的傳遞。
如圖14所示，旋轉夾頭241，透過軸250與驅動機構251連接，旋轉夾頭241，藉由此驅動機構251，形成自由旋轉以及自由升降的構造。
在旋轉夾頭241的周圍，設置了藉由升降機構(圖中未顯示)自由升降的升降銷252。
刷242，例如，由多數的塑膠纖維綑綁於圓柱狀上所構成，並由支持體253所支持。支持體253，與驅動機構254連接。驅動機構254與框體243連接，可在圖6的X方向上並且沿著框體243在水平方向上移動。因此，藉由使驅動機構254在X方向上移動，刷242可透過支持體253在圖6的X方向上移動。刷242，係藉由支持體253內建的的驅動機構(圖中未顯示)而形成自由旋轉的構造，並以其頂面壓附於晶圓W的背面之狀態旋轉，藉由使該刷242在晶圓W的背面滑動，便可去除附著於晶圓W背面的粒子。
另外，在支持體253的前端，設置了洗淨液噴嘴253a，其供給洗淨液以 沖洗以刷所去除的粒子；以及吹淨噴嘴253b，其供給用來使附著於洗淨後的晶圓W的背面的洗淨液乾燥的例如氮氣等氣體。
在框體243的底部，設置排液管260，其排出洗淨液；以及排氣管261，其在洗淨單元300內形成向下的氣流，並且將該氣流排出。
接著，就洗淨單元300中的晶圓W之洗淨進行說明。在洗淨晶圓W時，首先如圖15所示，藉由第1搬送手臂121將晶圓W搬送至上部杯體245的上方。接著，升降銷252上升，晶圓W被傳遞至升降銷252。此時，吸附墊240，其頂面在比刷242的頂面更高的位置待命，旋轉夾頭241，退避至比刷242的頂面更低的位置。之後，升降銷252下降，如圖16所示，晶圓W被傳遞至吸附墊240且保持於其上。
接著，如圖17所示，在以吸附墊240吸附並且保持晶圓W的狀態下，例如，以將刷242放置在對應於晶圓W背面之中央部的區域的方式，使框架244在水平方向上移動。之後，使吸附墊240下降，使晶圓W的背面壓附於刷242的頂面。
接著，若從洗淨液噴嘴253a供給洗淨液，同時，使刷242旋轉，則可洗淨晶圓W的背面的中央部。此時，藉由支持體253在圖6的X方向上來回移動、框架244在Y方向上來回移動，可毫無遺漏的洗淨晶圓W的背面的中央部。
若晶圓W背面的中央部的洗淨結束，如圖18所示，以使晶圓W的中心與旋轉夾頭241的中心在俯視之下為一致的方式，使框架244在水平方向上移動。接著，使旋轉夾頭241上升，使晶圓W從吸附墊240傳遞至旋轉夾頭241。
之後，如圖19所示，在將刷242壓附於晶圓W背面的狀態下使晶圓W旋轉，同時，透過支持體253使刷242在X方向上滑動，以洗淨晶圓W背面的周邊部。藉此，去除晶圓W背面整體的粒子。
若晶圓W背面的洗淨結束，則停止刷242的旋轉與洗淨液的供給，藉由使旋轉夾頭241以高速旋轉，使附著於晶圓W背面的洗淨液甩乾以使其乾燥。此時，亦同時進行藉由吹淨噴嘴253b的吹淨。
接著，若乾燥結束，以與搬送至洗淨單元300時相反的順序，將晶圓W傳遞至第2搬送手臂122。
接著，就檢査單元301的構造進行說明。圖20係概略表示檢査單元301之構造的縱剖面圖。
檢査單元301，包含框體270；框體270的內部包含：保持手臂271，其在晶圓W的至少背面向下方開放的狀態下，保持該晶圓W；光源272，其對保持於保持手臂271上的晶圓W背面，照射線狀的平行光線；以及照相機273，其拍攝照射至晶圓W背面的光線。保持手臂271，形成藉由驅動機構(圖中未顯示)在水平方向上自由移動之構造。
在保持手臂271的前端部分，形成往下方突出的卡止部271a，另外，保持手臂271的底面，設置了藉由圖中未顯示的驅動機構而在晶圓W的直徑方向上自由移動的可動保持部271b。保持手臂271，藉由此卡止部271a與可動保持部271b，可夾住透過框體270的開口部270a進入框體270內的第2搬送手臂122所傳遞的晶圓W，並將其保持在背面向下的狀態。
光源272在保持手臂271的下方，以對晶圓W的背面照射既定角度θ的光線的方式配置。照相機273，為了拍攝照射至晶圓W背面的光線之影像，在相對於晶圓W的背面以與光源272相同之既定角度θ傾斜的狀態下，配置於保持手臂271的下方。
光源272、照相機273，係藉由圖中未顯示的轉動機構，使照射角度以及拍攝角度形成可調整的狀態。藉此，對於無法以特定角度照射的光線來 觀察的粒子而言，可使用不同角度照射光線以進行觀察。
檢査單元301，在保持手臂271保持晶圓W的狀態下在水平方向上移動，藉由照相機273連續的拍攝照射至晶圓W背面的光線，便可拍攝到晶圓W的全部的背面。以照相機273所拍攝的影像被輸入控制裝置6，藉由控制裝置6，判定該晶圓W的背面的狀態，是否可以曝光裝置4進行曝光。又，在控制裝置6中，例如，根據附著於晶圓W背面的粒子數量與附著的範圍，或是粒子的高度與大小等條件，判定該晶圓W可否以曝光裝置4進行曝光。
控制裝置6，例如，係藉由包含CPU(Central Processing Unit；中央處理器)與記憶體等元件的電腦所構成。在此控制裝置6中，例如，將以塗佈顯影處理系統1的各種處理單元所進行之晶圓處理的內容與決定各晶圓W的搬送路徑的處理配方，當作程式記憶於例如記憶體中。藉由實行此程式，控制塗佈顯影處理系統1的各種處理單元的控制動作與藉由上述晶圓搬送控制部125的晶圓搬送機構120以及各晶圓搬送裝置的動作，以進行塗佈顯影處理系統1中晶圓W的各種處理與搬送控制。又，該程式被記錄於例如可電腦讀取的硬碟(HD；Hard Disk)、軟碟(FD；Flexible Disk)、光碟(CD；Compact Disk)、磁光碟(MO；Magneto-Optical Disk)以及記憶卡等可以電腦讀取的記憶媒體H，亦可從該記憶媒體H安裝至控制裝置6。
在如上述所構成的塗佈顯影處理系統1當中，進行例如以下所述的晶圓處理。圖23係表示相關的晶圓處理之主要步驟的實施例的流程圖。
在處理晶圓W時，首先，將收納了複數片之晶圓W的晶圓閘盒C載置於晶圓閘盒搬出入部10的既定的晶圓閘盒載置板13之上。之後，藉由晶圓搬送裝置21，依序取出晶圓閘盒C內的各晶圓W，搬送至處理站3的第3區塊G3的例如傳遞單元53。
接著，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至第2區塊G2的熱處理單元40，以調節其溫度(圖23之步驟S1)。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W 搬送至例如第1區塊G1的下部反射防止膜形成單元30，在晶圓W之上形成下部反射防止膜(圖23之步驟S2)。之後，晶圓W被搬送至第2區塊G2的熱處理單元40，進行加熱處理。之後，回到第3區塊G3的傳遞單元53。
接著，藉由晶圓搬送裝置90，將晶圓W搬送至相同的第3區塊G3的傳遞單元54。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至第2區塊G2的附著單元41，進行附著處理(圖23之步驟S3)。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至光阻塗佈單元31，在晶圓W之上形成光阻膜(圖23之步驟S4)。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至熱處理單元40，進行預烘烤處理(圖23之步驟S5)。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至第3區塊G3的傳遞單元55。
接著，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至上部反射防止膜形成單元32，以在晶圓W之上形成上部反射防止膜(圖23之步驟S6)。之後藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至熱處理單元40加熱以進行溫度調節。之後，晶圓W被搬送至周邊曝光單元42，進行周邊曝光處理(圖23之步驟S7)。
之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至第3區塊G3的傳遞單元56。
接著，藉由晶圓搬送裝置90，將晶圓W搬送至傳遞單元52，並藉由穿梭搬送裝置80搬送至第4區塊G4的傳遞單元62。
之後，藉由晶圓搬送裝置85，將晶圓W搬送至第6區塊G6的傳遞單元310。接著，藉由第1搬送手臂121，將晶圓W搬送至洗淨單元300，洗淨晶圓W的背面(圖13之步驟S8)。
藉由第2搬送手臂122，將已洗淨背面的晶圓W搬送至檢査單元301，檢查晶圓W的背面(圖23之步驟S9)。接著，藉由第3搬送手臂123，將晶圓W搬送至緩衝單元311，在以檢査單元301判明晶圓W的檢査結果之前，晶圓W被暫時收納於緩衝單元311。
若檢査單元301判明檢査結果，則晶圓搬送控制部125根據既定的規則，控制晶圓搬送機構120以進行晶圓W的搬送。也就是，若以檢査單元301所檢查的結果，判定晶圓W的狀態可以曝光裝置4進行曝光，則將晶圓W藉由第3搬送手臂123，搬送至溫度調整單元112，接著藉由搬送手臂131a，搬送至曝光裝置4。另外，若檢査的結果，判定晶圓W的狀態，為無法以曝光裝置4進行曝光，則停止該晶圓W的後續的處理，藉由第3搬送手臂123，搬送至傳遞單元310。之後，被停止後續處理的晶圓W，藉由晶圓搬送裝置85，被搬送至處理站3，接著回收至既定的晶圓閘盒載置板13的晶圓閘盒C(圖23之步驟S10)。又，作為在回收被判定為無法進行曝光的晶圓W時的路徑，可為例如，使用穿梭搬送裝置80的路徑，亦可為在第1區塊G1中，透過顯影處理單元33該段進行回收的路徑。使用顯影處理單元33該段，係因為在該顯影處理單元33該段當中曝光後之晶圓W的搬送方向，與被判定為無法曝光的晶圓W之搬送方向相同，為從曝光裝置4朝向晶圓閘盒裝卸站2側的方向，可在不干涉一般的晶圓W之搬送的情況下，搬送無法曝光的晶圓W。
另外，檢査的結果，若判定晶圓W的狀態，係雖現狀無法進行曝光，但以洗淨單元300進行再洗淨便可以曝光裝置4進行曝光的狀態的話，則將晶圓W藉由第3搬送手臂123再次搬送至洗淨單元300。接著，將以洗淨單元300再次洗淨的晶圓W，藉由第2搬送手臂122，再次搬送至檢査單元301。之後，若以檢査單元301判定為可進行曝光，則將晶圓W藉由第3搬送手臂123搬送至溫度調整單元112，接著藉由晶圓搬送裝置130搬送至曝光裝置4以進行曝光處理(圖23之步驟S11)。
藉由搬送手臂131a，將曝光處理後的晶圓W搬送至第6區塊G6的傳遞單元310。之後，藉由晶圓搬送裝置85，將晶圓W搬送至第4區塊G4的傳遞單元40。接著，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至熱處理單元40，進行曝光後的烘烤處理(圖23之步驟S12)。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至顯影處理單元33，進行顯影處理(圖23之步驟S13)。顯影結束後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至熱處理單元40，進行後烘烤處理(圖 23之步驟S14)。
之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至第3區塊G3的傳遞單元50，之後，藉由晶圓閘盒裝卸站2的晶圓搬送裝置21搬送至既定的晶圓閘盒載置板13上的晶圓閘盒C當中。如此，結束一連串的光微影步驟。
若根據以上的實施態樣，因為洗淨單元300與檢査單元301，多段的設置在介面站5的正面側，且晶圓搬送機構120設置在與洗淨單元300以及檢査單元301相鄰連接的區域，故可縮小介面站5的背面側，進而能夠使介面站5比以往更加小型化。因此，在具有於曝光前對晶圓W的背面進行洗淨的功能的塗佈顯影處理系統1當中，可在不變更各處理單元的構造的情況下，縮小佔地面積。
另外，因為可從介面站5的正面側接觸到洗淨單元300與檢査單元301兩者，故維修亦變得容易。更進一步，因為在介面站5的背面側未配置處理單元，故從背面側接觸到介面站5內之裝置亦變得容易，所以從此一態樣來看，維修亦變得容易。
另外，藉由在上下方向上多段的設置洗淨單元300與檢査單元301，便可使洗淨後的晶圓W與搬送手臂接觸的次數成為最小值。也就是，如同圖27所示的習知的塗佈顯影處理系統200，例如，在洗淨單元210與檢査單元211分開設置於塗佈顯影處理系統200的正面與背面的情況下，將晶圓W從洗淨單元210搬送至檢査單元211，首先必須從洗淨單元搬送至傳遞單元213，接著從傳遞單元213搬送至檢査單元211。此情況下，洗淨後的晶圓W的背面，至少與晶圓搬送裝置214接觸2次。相對於此，如同本實施態樣，若在上下方向配置洗淨單元300與檢査單元301，則不需要透過傳遞單元213，故可將晶圓W與晶圓搬送機構120接觸的次數控制在1次。結果，相較於以往，更可降低晶圓W的背面被附著於晶圓搬送機構120的粒子所污染的可能性。
另外，在以上的實施態樣當中，晶圓搬送機構120，包含第1搬送手臂121、第2搬送手臂122以及第3搬送手臂123，洗淨後的晶圓W，藉由各搬送手臂122、123，被搬送至檢査單元301以及緩衝單元311。在相關的情況中，可防止搬送洗淨後的晶圓W的各搬送手臂122、123被附著於晶圓W背面的粒子所污染。結果，可使各搬送手臂122、123保持清潔，並可在搬送洗淨後的晶圓W時，進一步降低晶圓W的背面被附著於各搬送手臂122、123的粒子所污染的可能性。又，並不一定要設置第3搬送手臂123，亦可在以洗淨單元300洗淨之後，藉由第2搬送手臂122將該晶圓W搬送至緩衝單元311。
另外，藉由在晶圓搬送機構120中，設置複數的搬送手臂121、122、123，可將各搬送手臂121、122、123的搬送步驟數平均化。藉此，管理晶圓W的搬送時間變得更容易。
又，根據檢査單元101的檢査結果，判定晶圓W的狀態，為例如無法以曝光裝置4進行曝光的情況中，第2搬送手臂122以及第3搬送手臂123，形成例如，搬送粒子附著於背面之狀態的晶圓W的情形。如此一來，附著於晶圓W的粒子可能附著在各搬送手臂122、123之上而污染接著被搬送的晶圓W的背面。因此，在以檢査單元301所檢査的結果，判定晶圓W的狀態為無法以曝光裝置4進行曝光，或是藉由再洗淨便可進行曝光的情況下，亦可在搬送該晶圓W之後，洗淨第2搬送手臂122以及第3搬送手臂123。相關的搬送手臂122、123的洗淨，亦可由例如洗淨單元300來進行。在此情況中，洗淨單元300的刷242為上下自由翻轉的構造，亦可藉由翻轉的刷242來洗淨進入洗淨單元300內的各搬送手臂122、123的頂面。另外，亦可將有別於洗淨單元300的其他的洗淨單元當作進行搬送手臂122、123的洗淨的手臂洗淨機構，設置於第5區塊G5或是第6區塊G6，亦可將搬送手臂122、123的洗淨機構設置於緩衝單元311。
在以上的實施態樣中，以檢査單元301檢查洗淨後的晶圓W的結果，若判定該晶圓W的狀態，係雖現狀無法進行曝光但藉由洗淨單元300的再洗淨便可進行曝光時，則晶圓搬送控制部125控制晶圓搬送機構120，將該晶圓 W再次搬送至洗淨單元300。此情況中，與停止被判定為無法曝光的全部的晶圓W之後續的處理而將其回收至晶圓閘盒C的習知的塗佈顯影處理系統200相比，可降低停止後續處理而被回收至晶圓閘盒C的晶圓W的數量。其結果，可提升藉由塗佈顯影處理系統1處理晶圓W的產率。
另外，因為設置了暫時收納以檢査單元301檢査之後的晶圓W的緩衝單元311，故可使檢査後的晶圓W，在藉由檢査單元301的檢査結果判明之前，於該緩衝單元311待命。假使，在檢査的結果並未判明的狀態下就搬送晶圓W的情況中，會產生根據後來判明的檢査結果而變更搬送中的晶圓W之搬送目的地的必要，則可能對晶圓W的搬送產生很大的影響。然而，藉由使檢査後的晶圓W在檢査結果判明之前於緩衝單元311待命，便可在確定搬送目的地之後才搬送晶圓W，故不會產生該等影響。
又，使以檢査單元301檢査後的晶圓W於緩衝單元311待命的時間，並非必須要到該晶圓W的檢査結果判明為止，亦可以比該時間更長的時間待命。例如，在緩衝單元311當中收納複數的檢査後的晶圓W時，在最先判明檢査結果的晶圓W其檢査結果為上述的「再洗淨」的情況中，有時會發生在此晶圓W以洗淨單元300再次洗淨的過程當中，收納於緩衝單元311的其他晶圓W的檢査結果有所判明的情形。在相關的情況中，若將已判明檢査結果的下一片晶圓W搬送至曝光裝置4側，則該晶圓W會超越再洗淨的晶圓W而被搬送至曝光裝置4。此情況下，例如，因為晶圓W被以與以批次為單位設定於處理配方中的晶圓W的搬送排程不同的順序搬送至曝光裝置4，故曝光裝置4可能會無法辨識此晶圓W而產生搬送錯誤。
因此，在如上述判定任意的晶圓W為「再洗淨」的情況中，在該晶圓W的再洗淨後再次以檢査單元301檢査並再次收納至緩衝單元311之後，到再洗淨的檢査結果判明為止，宜使下一片晶圓W於緩衝單元311待命。像這樣，藉由調整晶圓W在緩衝單元311中的待命時間，即使是「再洗淨」的情況，亦可以預先設定之既定的順序搬送晶圓W。又，緩衝單元311亦可形成例如多段地收納複數片晶圓W的構造。在相關的情況中，例如，緩衝單元 311內的晶圓W被判定為無法曝光時，在不影響以晶圓搬送機構120之晶圓搬送排程的時機之前，藉由將該晶圓W收納至緩衝單元311，便可在不影響搬送排程的情況下，回收晶圓W。另外，例如，在緩衝單元311中，亦可使例如複數片被判定為可進行曝光的晶圓W待命。相關的情況中，例如，在將被判定為「再洗淨」的晶圓W再次洗淨的期間，若將待命中的可進行曝光的晶圓W搬送至曝光裝置4，便可確保晶圓W持續被搬送至曝光裝置4，故可防止曝光裝置4形成等待的狀態。
又，在以上的實施態樣中，雖將檢査單元301配置於洗淨單元300的下方，相反的，亦可將洗淨單元300配置於檢査單元301的下方。
在以上的實施態樣當中，雖藉由溫度調整單元112，在晶圓W搬送至曝光裝置4之前進行晶圓W的溫度調整，亦可將例如，使檢査單元301內的氛圍調整至既定溫度的調溫機構設置於檢査單元301中，在以該檢査單元301檢查晶圓W的期間，進行該晶圓W的溫度調整。藉由這樣的方式，可縮短使用溫度調整單元112的處理時間與搬送至溫度調整單元112的搬送時間，故可提升塗佈顯影處理系統1的生產量。
圖5係概略表示從晶圓閘盒裝卸站2側所視的介面站5的內部構造的說明圖。如圖5所示，在介面站5當中，設置了包含各種單元的3個區塊G5、G6、G7。第5區塊G5，設置於介面站5的正面側(圖1的X方向之負方向側)。第6區塊G6，設置於例如介面站5的背面側(圖1的X方向之正方向側)。另外，第7區塊G7，設置於第5區塊G5與第6區塊G6之間的區域。
介面站5，設置了包含各種單元的2個區塊G5、G6。例如在介面站5的正面側(圖1的X方向之負方向側)，設置了第5區塊G5。第6區塊G6，設置於第5區塊G5的X方向的正方向側。
例如，在第5區塊G5中，如圖5所示，例如，在上下方向上配置了2台檢查搬入曝光裝置4之前的晶圓W的洗淨檢査單元100。關於洗淨檢査單元100 的具體構造容後敘述。
在第6區塊G6中，例如，在上下方向上配置了3台乾燥單元101，該乾燥單元101使附著於以洗淨檢査單元100洗淨以及檢査後的晶圓W的水分乾燥並且去除該水分。
在第7區塊G7中，在上下方向上複數的設置：傳遞單元110，其透過晶圓搬送裝置85與處理站3之間進行晶圓W的傳遞；傳遞單元111，其將以洗淨檢査單元100洗淨與檢査結束之後的晶圓W傳遞至乾燥單元101與曝光裝置4；以及溫度調整單元112，其作為將乾燥後的晶圓W在搬入曝光裝置4之前調整至既定的溫度的溫度調整機構。具體而言，在第7區塊G7的上部，傳遞單元110與傳遞單元111，係以從上方依此順序反覆重疊3段的方式配置。在第7區塊G7的下部，傳遞單元111與溫度調整單元112，係以從上方依此順序反覆重疊2段的方式配置。溫度調整單元112，具有包含了帕爾帖元件等溫度調整構件的溫度調整板，可將載置於該溫度調整板的晶圓W調整至既定的溫度，例如常溫。
在第5區塊G5與第7區塊G7之間，與第5區塊G5相鄰連接的區域中，設置了晶圓搬送機構120。晶圓搬送機構120具有複數的，例如，作為2隻搬送手臂的第1搬送手臂121與第2搬送手臂122。各搬送手臂121、122形成例如在前後方向、θ方向以及上下方向自由移動的構造。藉此，各搬送手臂121、122，可在支持晶圓W的狀態下上下的移動，並且在各區塊G5、G7的各單元之間搬送晶圓W。
在第6區塊G6與第7區塊G7之間的區域當中，設置了晶圓搬送裝置130。晶圓搬送裝置130，包含複數的，例如，當作2隻搬送手臂的第3搬送手臂132與第4搬送手臂133。各搬送手臂132、133形成例如在前後方向、θ方向以及上下方向上自由移動的構造。藉此，各搬送手臂132、133，可在支持晶圓W的狀態下上下的移動，以在第6區塊G6、第7區塊G7以及曝光裝置4之間搬送晶圓W。又，在圖5當中雖繪製了作為晶圓搬送機構120的獨立 移動的複數的搬送手臂121、122，但是亦可使用例如一隻搬送手臂上設置了複數的例如2隻保持晶圓的夾鉗，來代替複數的搬送手臂。就晶圓搬送裝置130而言，亦為相同的情況。
藉由晶圓搬送機構120、晶圓搬送裝置130之晶圓W的搬送，係由當作圖1所示的控制裝置6的基板搬送控制部之晶圓搬送控制部135所控制。晶圓搬送控制部135，以下述的方式控制晶圓搬送機構120：藉由晶圓搬送機構120的例如第1搬送手臂121，將從處理站3被搬送至傳遞單元110的晶圓W搬送至洗淨檢査單元100，藉由第2搬送手臂122，將以晶圓洗淨檢査單元100所洗淨以及檢査結束的晶圓W搬送至第7區塊G7的傳遞單元111。另外，晶圓搬送控制部135，以下述的方式控制晶圓搬送裝置130：藉由晶圓搬送裝置130的第3搬送手臂132，將以洗淨檢査單元100所洗淨後的晶圓W，從傳遞單元111搬送至乾燥單元101，以及從乾燥單元101搬送至溫度調整單元112，並藉由第4搬送手臂133，在溫度調整單元112、傳遞單元111與曝光裝置4之間搬送晶圓W。又，晶圓搬送控制部135，亦控制塗佈顯影處理系統1內的其他的晶圓搬送裝置與後述搬送構件143的動作。
接著，就洗淨檢査單元100的構造進行說明。圖7係概略表示洗淨檢査單元100的構造的縱剖面圖。
洗淨檢査單元100包含：框體140；晶圓洗淨部141，其當作洗淨晶圓W的背面的基板洗淨部；晶圓檢査部142，其作為在將晶圓W搬入曝光裝置4之前，檢査以晶圓洗淨部141洗淨之後的晶圓W的背面是否為可以曝光裝置4進行曝光的狀態的基板檢査部；以及搬送構件143，其在晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142之間搬送晶圓W。
晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142，在框體140內由下往上依此順序配置。另外，在晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142之間的區域，也就是，在晶圓洗淨部141的上方與晶圓檢査部142的下方，配置了待命載置台144，其作為緩衝待命部，使以晶圓檢査部142檢査後的晶圓W暫時待命。
晶圓洗淨部141，如圖8所示，包含：2個吸附墊150、150，其水平的吸附且保持晶圓W；旋轉夾頭151，其水平的吸附且保持從此吸附墊150、150所接收的晶圓W；以及刷152，其洗淨晶圓W的背面。
如圖8所示，2個吸附墊150、150，為了可保持晶圓W的背面的周邊部，在俯視之下，以夾旋轉夾頭151且大略平行的方式設置。各吸附墊150、150，藉由以驅動機構(圖中未顯示)在水平方向以及上下方向上自由移動的框架153來支持其兩端部。
框架153的頂面，設置了上部杯體154。上部杯體154的頂面，形成其直徑較晶圓W的直徑更大的開口部154a。開口部154a，形成在吸附墊150與例如第1搬送手臂121之間進行晶圓W的傳遞時，該晶圓W可通過此開口部154a的大小。
如圖7所示，旋轉夾頭151透過軸160與驅動機構161連接，旋轉夾頭151形成藉由此驅動機構161自由旋轉以及升降的構造。
在旋轉夾頭151的周圍，設置了複數的藉由升降機構(圖中未顯示)自由升降的升降銷162。
刷152，例如，係以多數的塑膠纖維綑綁成圓柱狀所構成，並藉由支持體163所支持。在支持體163中與刷152相反側的端部上，連接驅動機構164。驅動機構164，如圖8所示，沿著在X方向上延伸的軌道165，在水平方向上自由的移動。因此，藉由使驅動機構164沿著軌道在X方向上移動，便可透過支持體163使刷152在X方向上移動。刷152，藉由內建於支持體163的驅動機構(圖中未顯示)形成自由旋轉的構造。因此，使其在頂面壓附於晶圓W的背面的狀態下旋轉並使該刷152在晶圓W的背面滑動，便可去除附著於晶圓W背面的粒子。
另外，在支持體163的前端，設置了洗淨液噴嘴163a，其供給沖洗以刷152所去除的粒子的洗淨液；以及吹淨噴嘴163b，其供給為了使附著於洗淨後的晶圓W的背面的洗淨液乾燥的例如氮氣等氣體。
在框體140的底部，設置排液管170，其排出洗淨液；以及排氣管171，其使框體140的內部進行排氣，並朝向晶圓洗淨部141形成向下的氣流。
接著，就晶圓檢査部142的構造進行說明。
晶圓檢査部142，如圖7所示，包含：保持手臂180，其設置於晶圓洗淨部141的上方；光源181，其對晶圓W的背面照射線狀的平行光線；以及照相機182，其拍攝照射的光線。保持手臂180形成藉由驅動機構(圖中未顯示)在水平方向上自由移動的構造。
在保持手臂180的前端部上，形成往下方突出的卡止部180a。另外，保持手臂180的底面，設置可動保持部180b，其藉由圖中未顯示的驅動機構，在晶圓W的直徑方向上自由移動。保持手臂180，藉由此卡止部180a與可動保持部180b夾住晶圓W，可將該晶圓W保持在其背面朝向下方的狀態。
光源181，以在保持手臂180的下方，對晶圓W的背面以既定的角度θ照射光線的方式配置。照相機182，以拍攝照射到晶圓W背面的光線之影像的方式，配置於保持手臂180的下方，其相對於晶圓W的背面，呈現與光源181以相同的既定的角度θ傾斜的狀態。
光源181、照相機182可藉由圖中未顯示的轉動機構調整照射角度以及拍攝角度。藉此，對於無法使用特定角度所照射的光線來觀察的粒子，可使用不同的角度照射光線以進行觀察。
在晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142之間進行晶圓W之搬送的搬送構件143，例如，如圖7所示，設置於與晶圓洗淨部141以及晶圓檢査部142的Y方 向上之正方向側相鄰連接的區域。
搬送構件143，例如，如圖8所示，具備其前端分支成2隻的略U字形的搬送手臂143a。在搬送手臂143a的端部上，設置了使該搬送手臂143a在前後方向上移動的手臂驅動機構143b。手臂驅動機構143b，由基台143c所支持。
在基台143c當中，內建驅動機構(圖中未顯示)，其沿著在垂直方向上延伸設置的升降軌道143d，使該基台143c在θ方向以及上下方向上自由的移動。藉此，搬送手臂143a形成在前後方向、θ方向以及上下方向自由移動之構造，可在保持晶圓W的狀態下上下的移動，以在晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142之間搬送晶圓W。
在待命載置台144中，內建升降銷(圖中未顯示)，透過此升降銷，可在搬送手臂143a，與例如第2搬送手臂122之間，進行晶圓W的傳遞。
接著，就以晶圓洗淨檢査單元100所進行的晶圓W的洗淨與檢査進行說明。
在洗淨晶圓W時，首先如圖9所示，例如藉由第1搬送手臂121，將晶圓W搬送至上部杯體154的上方。接著，升降銷162上升，晶圓W被傳遞至升降銷162。此時，吸附墊150，其頂面在比刷152的頂面更高的位置待命，旋轉夾頭151則退避至比刷152的頂面更低的位置。之後，升降銷162下降，如圖10所示，晶圓W被傳遞至吸附墊150並保持於其上。
接著，如圖11所示，在以吸附墊150吸附並且保持晶圓W的狀態下，例如，刷152以位於對應晶圓W背面的中央部之區域的方式，使框架153在水平方向上移動。之後，藉由使吸附墊150下降，晶圓W的背面抵壓於刷152的頂面。
接著，在從洗淨液噴嘴163a供給洗淨液的同時，使刷152旋轉，以洗淨 晶圓W背面的中央部。此時，藉由支持體163在圖8的X方向上來回移動、框架153在Y方向上來回移動，便可毫無遺漏的洗淨晶圓W的背面的中央部。
若晶圓W背面的中央部的洗淨結束，如圖12所示，在以吸附墊150保持晶圓W的狀態下，以在俯視之下使晶圓W的中心與旋轉夾頭151的中心一致的方式，使框架153在水平方向上移動。接著，在使框架153下降的同時，使旋轉夾頭151上升，將晶圓W從吸附墊150傳遞至旋轉夾頭151。
之後，如圖13所示，在刷152抵壓於晶圓W的背面的狀態下，使晶圓W旋轉，同時，透過支持體163使刷在圖8的X方向上滑動，以洗淨晶圓W背面的周邊部。藉此，去除晶圓W背面全部的粒子。
若晶圓W背面的洗淨結束，則停止刷152的旋轉與從洗淨液噴嘴163a的洗淨液的供給。接著，藉由使旋轉夾頭151以高速進行旋轉，將附著於晶圓W背面的洗淨液甩乾。此時，亦同時藉由吹淨噴嘴163b進行吹淨。
接著，若甩乾結束，晶圓W，以與搬送至晶圓洗淨部141時相反的順序，此次傳遞至搬送構件143的搬送手臂143a。
接著，搬送手臂143a，在保持晶圓W的狀態下，上升至晶圓檢査部142，並移動至保持手臂180的下方，接著藉由保持手臂180的卡止部180a與可動保持部180b夾住晶圓W，使該晶圓W傳遞至保持手臂180。
若晶圓W傳遞至保持手臂180，則保持手臂180在保持晶圓W的狀態下，於水平方向上移動。在保持手臂180水平移動的期間，藉由光源181對晶圓W的背面照射線狀的平行光線，並藉由照相機182連續的拍攝照射於背面的光線。以照相機182所拍攝的影像，依序輸入控制裝置6。接著，若從晶圓W的一端部到另一端部的拍攝結束，則在晶圓檢査部142中的檢査結束。
若檢査結束，晶圓W再次被傳遞至搬送構件143，之後，傳遞至作為緩 衝待命部的待命載置台144。緩衝待命部亦可設置於洗淨檢査單元100的外部，例如，設置於第7區塊G7。
與上述動作同時進行，控制裝置6，根據以照相機182拍攝的影像資訊，判定被拍攝的晶圓W是否為可進行曝光的狀態。更具體而言，在控制裝置6中，例如，根據從所拍攝的影像資料計算出來的，例如附著於晶圓W背面的粒子數與附著的範圍，或是粒子的高度與大小等的資訊，判定晶圓W的狀態，係屬於可以曝光裝置4進行曝光的狀態、無法以曝光裝置4曝光的狀態，或是其現狀無法以曝光裝置4進行曝光，若以晶圓洗淨部141再次洗淨，則形成可以曝光裝置4進行曝光的狀態之3種狀態中的何種狀態。
若晶圓檢査部142的檢査結果判明，則晶圓搬送控制部135根據既定的規則控制晶圓W的搬送。也就是，若晶圓檢査部142的檢査結果，判定晶圓W的狀態可以曝光裝置4進行曝光，則藉由第2搬送手臂122將待命載置台144的晶圓W搬送至第7區塊G7的傳遞單元111。另外，若檢査的結果，判定晶圓W的狀態無法以曝光裝置4進行曝光，則停止該晶圓W後續的處理，藉由第1搬送手臂121搬送至傳遞單元110。又，藉由第1搬送手臂121來搬送被判定為無法以曝光裝置4進行曝光的晶圓W，係為了防止第2搬送手臂122因為保持被判定為無法進行曝光的晶圓W而被粒子所污染；該第2搬送手臂，搬送被判定為可進行曝光的晶圓W，換言之，背面為清潔狀態的晶圓W。
另外，若檢査的結果，判定晶圓W的狀態，為現狀無法進行曝光，但以晶圓洗淨部141再次洗淨便可以曝光裝置4進行曝光，則將待命載置台144的晶圓W，藉由搬送構件143再次搬送至晶圓洗淨部141。對於被再次搬送至晶圓洗淨部141的晶圓W，再次進行上述的洗淨以及檢査；再洗淨以及再檢査後的晶圓W，藉由第2搬送手臂122傳遞至傳遞單元111。
接著，就乾燥單元101的構造進行說明。圖21係概略表示乾燥單元101之構造的俯視圖；圖22係概略表示乾燥單元101的構造的縱剖面圖。
乾燥單元101包含：處理容器190，在其內部進行晶圓W的乾燥處理；保持構件191，其保持晶圓W背面的外圓周部；升降機構193，其使保持構件191透過軸192在上下方向上升降。
保持構件191，例如，如圖21所示，在俯視的情況下，形成略圓弧狀，其以同心圓狀複數的設置，在本實施態樣中，係以同心圓狀設置4個保持構件191。保持構件191，如圖22所示，具有外圓周側的上端部191a較內圓周側的上端部191b更高且略為U字形狀的剖面形狀。藉此，保持構件191的外圓周側，具有作為導引部的功能，其在內圓周側的上端部191b保持晶圓W時，防止晶圓W掉落。
在各保持構件191與晶圓搬送裝置130之間傳遞晶圓W時，例如，如圖21所示，使例如第3搬送手臂132從處理容器190的閘門190a進入。接著，以使保持於該第3搬送手臂132的晶圓W之中心部與複數的保持構件191的圓弧之中心一致的方式，使第3搬送手臂132移動。接著，在該狀態下，藉由升降機構193，使保持構件191上升。藉此，晶圓W從第3搬送手臂132傳遞至保持構件191。之後，搬送手臂132，退避至處理容器190的外部。又，在搬送手臂132與保持構件191之間的晶圓W的傳遞，例如，亦可以使第3搬送手臂132升降移動來代替保持構件191的升降移動。
在處理容器190的底部，設置了排氣管195，其與排氣機構194連接；以及吹淨管196，其將例如，氮氣，送入處理容器190中，以對容器190的內部進行吹淨。吹淨管196，與供給氮氣的氣體供給源197連接。
在以乾燥單元101進行晶圓W的乾燥處理時，首先，藉由第3搬送手臂132將晶圓W搬入處理容器190之中，接著將此晶圓W傳遞至保持構件191。之後，第3搬送手臂132退避至處理容器190之外，閘門190a關閉。接著，藉由排氣機構194，使處理容器190的內部減壓。藉此，使附著於晶圓W的水分蒸發，以進行晶圓W的乾燥處理。
若晶圓W的乾燥處理結束，藉由吹淨管196，進行處理容器190內部的吹淨與升壓。之後，開啟閘門190a，藉由第3搬送手臂132將晶圓W搬出乾燥單元101。
控制裝置6，係由包含了例如CPU與記憶體等元件的電腦所構成。在此控制裝置6之中，例如，將以塗佈顯影處理系統1的各種處理單元所進行的晶圓處理的內容與決定各晶圓W的搬送路徑的處理配方當作程式，並記錄於例如記憶體當中。藉由實行此程式，控制塗佈顯影處理系統1的各種處理單元的控制動作，以及控制藉由上述之晶圓搬送控制部135的各晶圓搬送裝置與洗淨檢査單元100的搬送構件143的動作，以進行在塗佈顯影處理系統1中的晶圓W的各種處理與搬送控制。又，該程式，記錄於例如，可以電腦讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)以及記憶卡等的可以電腦讀取的記憶媒體H，亦可為從該記憶媒體H安裝至控制裝置6的程式。
如上述之方式所構成的塗佈顯影處理系統1，進行例如，下述的晶圓處理。圖24係表示相關晶圓處理的主要的步驟之實施例的流程圖。
在處理晶圓W時，首先，將收納了複數片的晶圓W的晶圓閘盒C載置於晶圓閘盒搬出入部10的既定的晶圓閘盒載置板13上。之後，藉由晶圓搬送裝置21，依序取出晶圓閘盒C內的各晶圓W，搬送至處理站3的第3區塊G3的例如傳遞單元53。
接著，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至第2區塊G2的熱處理單元40，進行溫度調節(圖24之步驟S1)。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至例如第1區塊G1的下部反射防止膜形成單元30，在晶圓W上形成下部反射防止膜(圖24之步驟S2)。之後，晶圓W，被搬送至第2區塊G2的熱處理單元40，進行加熱處理。之後回到第3區塊G3的傳遞單元53。
接著，藉由晶圓搬送裝置90，將晶圓W搬送至相同的第3區塊G3的傳遞單元54。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至第2區塊G2的附著單 元41，進行附著處理(圖24之步驟S3)。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至光阻塗佈單元31，於晶圓W上形成光阻膜。(圖24之步驟S4)。
之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至熱處理單元40，進行預烘烤處理(圖24之步驟S5)。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至第3區塊G3的傳遞單元55。
接著，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至上部反射防止膜形成單元32，於晶圓W之上形成上部反射防止膜(圖24之步驟S6)。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至熱處理單元40，進行加熱、溫度調節。之後，晶圓W，被搬送至周邊曝光單元42，進行周邊曝光處理(圖24之步驟S7)。
之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至第3區塊G3的傳遞單元56。
接著，藉由晶圓搬送裝置90，將晶圓W搬送至傳遞單元52，藉由穿梭搬送裝置80，搬送至第4區塊G4的傳遞單元62。
之後，藉由晶圓搬送裝置85，將晶圓W搬送至第7區塊G7的傳遞單元110。接著，藉由晶圓搬送機構120的第1搬送手臂121，將晶圓W搬送至晶圓洗淨檢査單元100的晶圓洗淨部141，洗淨晶圓W的背面(圖24之步驟S8)。
背面已洗淨的晶圓W，藉由搬送構件143，被搬送至晶圓檢査部142，檢查晶圓W的背面(圖24之步驟S9)。接著，藉由搬送構件143，將晶圓W搬送至待命載置台144，並在晶圓檢査部142中的晶圓W的檢査結果判明之前，暫時載置於該待命載置台144。
若晶圓檢査部142中的檢査結果判明，則晶圓搬送控制部135根據檢査結果，進行晶圓W的搬送。也就是，若晶圓檢査部142中的檢査結果，判定晶圓W的狀態，為可以曝光裝置4進行曝光，則在待命載置台144上的晶圓W，藉由第2搬送手臂122被傳遞至第7區塊G7的傳遞單元111，接著，藉由 晶圓搬送裝置130的搬送手臂132，被搬送至乾燥單元101。
另外，若檢査的結果，判定晶圓W的狀態，為無法以曝光裝置4進行曝光，則停止對該晶圓W之後續的處理，藉由第1搬送手臂121將該晶圓搬送至傳遞單元110。之後，被停止後續處理的晶圓W，藉由晶圓搬送裝置85，被搬送至處理站3，接著回收至既定的晶圓閘盒載置板13的晶圓閘盒C當中(圖24之步驟S10)。又，作為在回收被判定為無法曝光的晶圓W時的路徑，可為使用例如穿梭搬送裝置80的路徑，亦可為透過在第1區塊G1中的顯影處理單元33該段進行回收的路徑。使用顯影處理單元33該段，係因為在該顯影處理單元33該段當中的曝光後的晶圓W的搬送方向，與被判定為無法曝光的晶圓W的搬送方向相同，均係從曝光裝置4朝向晶圓閘盒裝卸站2的方向，故可在不干涉一般的晶圓W搬送的情況下，搬送無法曝光的晶圓W。
另外，若檢査的結果，判定晶圓W的狀態，為現狀無法進行曝光，而是以晶圓洗淨部141再次洗淨才可以曝光裝置4進行曝光的狀態，則藉由搬送構件143，再次將該晶圓W搬送至晶圓洗淨部141。接著，以晶圓洗淨部141再次洗淨的晶圓W，藉由搬送構件143，再次被搬送至晶圓檢査部142。接著，若晶圓檢査部142的檢査結果，判定該晶圓W可進行曝光，則藉由第2搬送手臂122，將該晶圓W搬送至第7區塊G7的傳遞單元111。接著，藉由晶圓搬送裝置130的第3搬送手臂132，將該晶圓W搬送至乾燥單元101。
被搬送至傳遞單元111的晶圓W，接著藉由晶圓搬送裝置130的第3搬送手臂132，被搬送至乾燥單元101。被搬送至乾燥單元101的晶圓W，在乾燥單元101中進行乾燥處理(圖24之步驟S11)。
之後，藉由第3搬送手臂132，將晶圓W搬送至溫度調整單元112，接著，藉由第4搬送手臂133，搬送至曝光裝置4，進行曝光處理(圖24之步驟S12)。
藉由第4搬送手臂133，將已進行曝光處理的晶圓W搬送至第7區塊G7的傳遞單元110。之後，藉由晶圓搬送裝置85，將晶圓W搬送至第4區塊G4 的傳遞單元40。
接著，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至熱處理單元40，進行曝光後的烘烤處理(圖24之步驟S13)。之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至顯影處理單元33，進行顯影處理(圖24之步驟S14)。顯影結束後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至熱處理單元40，進行後烘烤處理(圖24之步驟S15)。
之後，藉由晶圓搬送裝置70，將晶圓W搬送至第3區塊G3的傳遞單元50，之後藉由晶圓閘盒裝卸站2的晶圓搬送裝置21，該晶圓W被搬送至既定的晶圓閘盒載置板13上的晶圓閘盒C。如此，結束一連串的光微影步驟。
若根據以上的實施態樣，洗淨晶圓W的背面的晶圓洗淨部141，與檢查洗淨後的晶圓W的晶圓檢査部142可收納至相同框體140的內部，更可藉由設置於框體140內部的搬送構件143來進行在此晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142之間的晶圓的搬送。因此，在晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142之間進行晶圓搬送時，不需要如同以往一般，例如，使用設置於框體140的外部的晶圓搬送機構120。其結果，可降低在塗佈顯影處理系統1中的晶圓搬送的負載。
在以上的實施態樣當中，在根據晶圓檢査部142檢查洗淨後的晶圓W的結果，判定該晶圓W的狀態，係雖現狀無法進行曝光，但藉由晶圓洗淨部141的再洗淨便可進行曝光之狀態時，則該晶圓W再次被搬送至晶圓洗淨部141。此情況下，與將被判定為無法曝光的全部的晶圓W，停止其後續的處理而回收至晶圓閘盒C的習知的塗佈顯影處理系統200相比，可降低終止後續的處理而回收至晶圓閘盒C的晶圓W的數量。其結果，可提升塗佈顯影處理系統1之晶圓W的處理的產率。
另外，以晶圓洗淨部141再洗淨之晶圓W的搬送，係藉由搬送構件143來進行。因此，在以洗淨檢査單元100進行晶圓W的再洗淨時，並不會增加 框體140外部的晶圓搬送裝置的負載。
另外，因為在框體140中，設置了使檢査後的晶圓W暫時待命的待命載置台144，故可使該檢査後的晶圓W，在檢査結果判明之前，暫時在該待命載置台144待命。假設，在檢査的結果尚未判明的狀態下，將晶圓W從洗淨檢査單元100搬出，則會產生根據之後所判明的檢査結果來變更搬送中的晶圓W的搬送目的地的必要，可能對晶圓W的搬送產生很大的影響。對此，如同本實施態樣，使檢査後的晶圓W在判明檢査結果之前於待命載置台144待命，便不需變更從洗淨檢査單元100搬出之後的晶圓W的搬送目的地。因此，根據此一技術特點，亦可防止搬送晶圓W的工作負荷增加。
又，使以晶圓檢査部142檢査後的晶圓W在待命載置台144待命的時間，不一定必須到該晶圓W的檢査結果判明為止，亦可以比該時間更長的時間待命。例如，若對於從第5區塊G5的最上部的洗淨檢査單元100到最下部的洗淨檢査單元100，依此順序，將從處理站3所搬送而來的晶圓W依序搬入，則例如在最先判明檢査結果的最上部的洗淨檢査單元100中的檢査結果為上述的「再洗淨」的情況下，在此晶圓W以晶圓洗淨部141再次洗淨期間，配置於最上部之下方的其他洗淨檢査單元100中的檢査結果可能會被判明。在相關的情況中，若將先判明檢査結果的該晶圓W搬送至曝光裝置4側，則此晶圓W會超越再洗淨中的晶圓W而被搬送至曝光裝置4。此情況下，例如，因為使用與以批次為單位設定於處理配方的晶圓W的搬送排程不同的順序將晶圓W搬送至曝光裝置4，故曝光裝置4可能會無法辨識此晶圓W而發生搬送錯誤。
因此，如上所述，在任意的晶圓W被判定為「再洗淨」的情況中，在該晶圓W的再洗淨之後，再次以晶圓檢査部142進行檢査，在再次載置於待命載置台144之後，於再檢査的檢査結果判明之前，宜使在其他洗淨檢査單元100中的檢査後的晶圓W於待命載置台144待命。像這樣，藉由調整晶圓W在待命載置台144待命的時間，即使是形成「再洗淨」的情況，亦可使晶圓W以預先設定的既定的順序搬送。又，待命載置台144，亦可形成例如在上 下方向上多段的設置，以使複數的晶圓可在洗淨檢査單元100內待命的構造。於相關的情況下，例如，當判定待命載置台144上的晶圓W無法進行曝光時，在不影響晶圓搬送機構120與搬送構件143的晶圓搬送排程的時序之前，使該晶圓W載置於待命載置台144之上，如是便可在不影響搬送排程的情況下，回收晶圓W。另外，例如在待命載置台144中，亦可預先使被判定為可曝光的晶圓W，例如，複數片的晶圓W待命。相關的情況中，由於若在使被判定為例如「再洗淨」的晶圓W再次洗淨的期間，將待命中的可進行曝光的晶圓W搬送至曝光裝置4的話，便可持續確保被搬送至曝光裝置4的晶圓W，故可防止曝光裝置4處於等待的狀態。
又，在以上的實施態樣中，雖在晶圓洗淨部141的上方配置晶圓檢査部142，相反的，亦可將晶圓洗淨部141配置於晶圓檢査部142上方。
在以上的實施態樣中，在洗淨以及檢査結束的晶圓W之中，因為以第1搬送手臂121來搬送被判定為無法以曝光裝置4進行曝光的晶圓W，並以第2搬送手臂122來搬送被判定為可進行曝光的晶圓W，故可防止第2搬送手臂122被附著於被判定為無法進行曝光的晶圓W上的粒子所污染。其結果，可使在接下來的步驟中所使用的各搬送手臂122、132、133與各單元保持為清潔的狀態。
另外，晶圓搬送機構120，藉由在晶圓搬送裝置130中設置複數的搬送手臂121、122、132、133，可使各搬送手臂121、122、132、133的搬送步驟數平均化。藉此，管理晶圓W的搬送時間變得容易。
又，在根據晶圓檢査部142的檢査的結果，判定晶圓W的狀態為，例如，無法以曝光裝置4進行曝光的情況中，形成以搬送構件143，搬送例如，背面附著粒子的狀態的晶圓W的情形。如此，附著於晶圓W的粒子可能附著在該搬送構件143上而污染接著搬送的晶圓W的背面。因此，若以晶圓檢査部142所檢査的結果，判定晶圓W的狀態為無法以曝光裝置4進行曝光，或是藉由再洗淨而可進行曝光的情況，亦可在搬送該晶圓W之後，洗淨搬送構 件143。
相關的搬送構件143的洗淨，例如，亦可以晶圓洗淨部141來進行。在相關的情況中，例如，亦可使搬送構件143形成上下自由翻轉的構造，並在該搬送構件143的保持晶圓W的面朝向底面的狀態下，藉由刷152進行洗淨。另外，亦可使刷152形成上下自由翻轉的構造，在洗淨搬送構件143時，使該刷152翻轉。
在以上的實施態樣當中，因為於介面站5設置乾燥單元101，而使在洗淨時附著於晶圓W的水分乾燥，故可將進入曝光裝置4的水分控制在最小限度。又，並不一定要設置乾燥單元101，可任意的選擇是否設置該裝置。
另外，因為僅在第6區塊G6設置乾燥單元101，故可確保例如，隨著乾燥單元101所附設的處理容器190與排氣機構194此等大型、重量很重的裝置之設置場所在背面側。
又，亦可將乾燥單元101配置於例如第5區塊G5以代替第6區塊G6。在相關的情況中，例如，宜將洗淨檢査單元100與乾燥單元101由上往下依此順序反覆設置。藉此，洗淨以及檢査結束的晶圓W，可不經由第7區塊G7，而是藉由例如，第2搬送手臂122，直接搬送至乾燥單元101。藉此，由於可將晶圓W與各搬送手臂的接觸次數控制在最小限度，故相較於以往，更可降低晶圓W的背面被粒子所污染的可能性。
另外，乾燥單元101，亦可設置於洗淨檢査單元100的內部。在相關的情況中，例如，宜以將乾燥單元101配置於框體140的內部，在以晶圓檢査部142進行檢査之後，將晶圓W搬送至乾燥單元101進行乾燥處理的方式，來代替將其配置於待命載置台144。藉此，由於在等待晶圓W的檢査結果時，可同時進行乾燥處理，故可提升晶圓處理的生產量。
以上的實施態樣中，雖藉由溫度調整單元112對搬送至曝光裝置4前的 晶圓W進行溫度調整，但是亦可在例如，洗淨檢査單元100的內部，進行晶圓W的溫度調整。相關的情況，如圖15所示，在洗淨檢査單元100的框體140的頂棚部當中，例如，設置冷卻框體140內的空氣的冷卻機構400，藉由此冷卻機構，將框體140內的氛圍調整至既定的溫度，以進行晶圓W的溫度調整。在冷卻機構400中，可使用例如，在內部使既定溫度的冷媒流通的散熱器等裝置。藉此，例如，可在晶圓W的檢査結束、晶圓W於待命載置台144待命時，進行該晶圓W的溫度調整。其結果，因為可縮短晶圓W的溫度調整所需要的時間，同時，不需將晶圓W搬送至溫度調整單元112，故可提升塗佈顯影處理系統1的生產量。另外，因為不需要溫度調整單元112，故可使介面站5小型化。
又，在以上的實施態樣當中，係就使用略U字形狀的元件當作搬送構件143的搬送手臂143a的情況進行說明，惟搬送手臂143a的形狀與種類並未被限制於相關的實施態樣，例如，亦可使用以非接觸的方式保持晶圓W的白努利夾頭等構件當作搬送手臂143a。
另外，亦可以例如，使晶圓檢査部142為上下翻轉的狀態，也就是在檢査部142中，以晶圓W的背面朝上的方式，來配置該檢査部142。此情況中，亦可以例如使搬送手臂143a在水平軸中心的上下方向上自由翻轉的方式，在搬送構件143中設置轉動機構(圖中未顯示)。在任何的情況當中，就框體140內的裝置配置與晶圓W的搬送而言，若為本領域之從業人員，可明確思及記載於專利申請範圍中之思想範疇內的各種變化實施例或是修正實施例，故可了解關於該等實施例亦當然屬於本發明之技術範圍。
又，在以上的實施態樣當中，晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142，雖在上下方向上配置於洗淨檢査單元100的框體140中，但是就晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142的配置而言，並不僅限於本實施態樣。例如，如圖26所示，亦可在框體140內，將晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142配置於水平方向上。在此情況中，在晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142之間的晶圓W的搬送，亦可藉由例如，在晶圓W保持於晶圓洗淨部141的吸附墊150的狀態下，使框 架153移動的方式來進行。接著，藉由光源181以及照相機182，來檢查保持於吸附墊150的晶圓W的背面。
另外，例如，在判明晶圓W背面的檢査結果之前，亦可藉由吸附墊150來保持晶圓W。如此一來，因為不需要將晶圓W搬送至待命載置台144，故不僅不需要待命載置台144，亦不需要搬送構件143。接著，於再洗淨時，使晶圓W在保持於吸附墊150的狀態下，移動至晶圓洗淨部141，在洗淨之後，以保持於吸附墊150上的狀態，再次移動至晶圓檢査部142。另外，在判斷可進行曝光或是無法進行曝光的情況中，將晶圓W傳遞至晶圓洗淨部141的升降銷162上，再藉由晶圓搬送機構120將該晶圓W搬出洗淨檢査單元100。在相關的情況中，框架153所支持的吸附墊150，具有當作本實施態樣之搬送構件的功能。
又，如圖7所示，在晶圓洗淨部141與晶圓檢査部142配置於上下方向的情況當中，亦可在例如，晶圓W保持於保持手臂180的狀態下，於判明晶圓W的檢査結果之前，使該晶圓W待命。
以上，雖參照添附的圖式，就本發明之較佳實施態樣進行說明，但本發明並不僅限於相關的實施例。若為本領域之從業人員，可明確思及記載於申請專利範圍之思想範疇中的各種變化實施例或是修正實施例，可了解關於該等實施例，亦當然屬於本發明之技術的範圍。本發明並不限於此實施例，而可採用各種態樣。本發明亦可應用於基板為晶圓以外的FPD(Flat Panel Display；平面顯示器)、用於光罩的倍縮遮罩等的其他的基板的情況中。
【產業利用性】
本發明，例如在對半導體晶圓等的基板進行洗淨處理時，有其用處。
100‧‧‧洗淨檢查單元
140‧‧‧框體
141‧‧‧晶圓洗淨部
142‧‧‧晶圓檢查部
143‧‧‧搬送構件
143a‧‧‧搬送手臂
143b‧‧‧驅動機構
143c‧‧‧基台
143d‧‧‧搬送軌道
144‧‧‧待命載置台
150‧‧‧吸附墊
151‧‧‧旋轉夾頭
152‧‧‧刷
154‧‧‧上部杯體
154a‧‧‧開口部
160‧‧‧軸
161‧‧‧驅動機構
162‧‧‧升降銷
163‧‧‧支持體
164‧‧‧驅動機構
165‧‧‧軌道
170‧‧‧排液管
171‧‧‧排氣管
180‧‧‧保持手臂
180a‧‧‧卡止部
180b‧‧‧可動保持部
181‧‧‧光源
182‧‧‧照相機

Claims (45)

  1. 一種基板處理系統，其特徵為包含：處理站，其設置了處理基板的複數處理單元；以及介面站，其在該處理站與設置於外部的曝光裝置之間進行基板的傳遞；該介面站包含：基板洗淨部，其在基板搬入該曝光裝置之前，至少洗淨基板的背面；以及基板檢査部，其在該基板搬入曝光裝置之前，至少就該洗淨後的基板的背面，檢查該基板可否進行曝光；該基板洗淨部與該基板檢査部，配置於同一框體的內部；在該框體的內部，設置了在該基板洗淨部與該基板檢査部之間搬送基板的搬送構件。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，在該介面站中設置乾燥單元，其去除附著於以該基板洗淨部洗淨之後的基板上的水分。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理系統，其中更包含：基板搬送控制部，若以該基板檢査部的檢査結果，判定基板的狀態，為藉由該基板洗淨部的再洗淨便可形成可進行曝光的狀態，則該基板搬送控制部，以將該基板再次搬送至該基板洗淨部的方式，控制該搬送構件。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理系統，其中，該基板搬送控制部，以將再次被搬送至該基板洗淨部且洗淨的基板，再次搬送至基板檢査部的方式，控制該基搬送構件。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理系統，其中，在該介面站中設置溫度調整機構，其將在以該基板檢査部檢査之後且在搬入該曝光裝置之前的基板調整至既定的溫度。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理系統，其中，該溫度調整機構設置於該框體的內部。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理系統，其中，在該介面站中設置緩衝待命部，其使在以該基板檢査部檢査之後的基板暫時待命。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理系統，其中，該緩衝待命部設置於該框體的內部。
  9. 如申請專利範圍第7項之基板處理系統，其中，該緩衝待命部，在該檢査後之基板的檢査結果判明之前，使該檢査後的基板待命。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理系統，其中，在該框體的內部設置搬送構件洗淨機構，其洗淨該搬送構件。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理系統，其中，該基板洗淨部兼作該搬送構件洗淨機構。
  12. 一種基板處理系統，其特徵為包含：處理站，其設置了處理基板的複數處理單元；以及介面站，其在該處理站與設置於外部的曝光裝置之間進行基板的傳遞；該介面站包含：洗淨單元，其在基板搬入該曝光裝置之前，至少洗淨基板的背面；檢查單元，其在該基板搬入該曝光裝置之前，至少就該洗淨後的基板的背面，檢查該基板可否進行曝光；以及基板搬送機構，其具有在該洗淨單元與該檢査單元之間搬送基板的手臂；該洗淨單元與該檢査單元，在上下方向上多段的設置於該介面站的正面側或是背面側的任一側；該基板搬送機構，設置於與在上下方向上多段設置的該洗淨單元以及該檢査單元相鄰連接的區域。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理系統，其中更包含：基板搬送控制部，若以該檢査單元所檢査的結果，判定基板的狀態，為藉由該洗淨單元的再洗淨便可形成可進行曝光的狀態，則該基板搬送控制部，以將該基板再次搬送至該洗淨單元的方式，控制該基板搬送機構。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理系統，其中，該基板搬送控制部，以將再次搬送至該洗淨單元並且洗淨的基板再次搬送至該檢査單元的方式，控制該基板搬送機構。
  15. 如申請專利範圍第13或14項之基板處理系統，其中， 在該介面站中設置了緩衝收納部，其暫時收納以該檢査單元檢査之後的基板。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理系統，其中，該基板搬送機構包含：第1搬送手臂，其將搬入該介面站的基板搬送至該洗淨單元；以及第2搬送手臂，其將以該洗淨單元洗淨之後的基板搬送至該檢査單元，更將以該檢査單元所檢査之後的基板搬送至該緩衝收納部。
  17. 如申請專利範圍第15項之基板處理系統，其中，該基板搬送機構包含：第1搬送手臂，其將搬入該介面站的基板傳遞至該洗淨單元；第2搬送手臂，其將以該洗淨單元洗淨後的基板傳遞至該檢査單元；以及第3搬送手臂，其將以該檢査單元檢査後的基板搬送至該緩衝收納部。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理系統，其中，該緩衝收納部，在該檢査後的基板之檢査結果判明之前，收納該檢査後的基板。
  19. 如申請專利範圍第18項之基板處理系統，其中，洗淨該基板搬送機構之搬送手臂的手臂洗淨機構，設置在該介面站中配置了該洗淨單元與該檢査單元的一側。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板處理系統，其中，該洗淨單元兼作該手臂洗淨機構。
  21. 如申請專利範圍第20項之基板處理系統，其中更包含：溫度調整機構，其將以該檢査單元檢査之後且在搬入該曝光裝置之前的基板調整至既定的溫度。
  22. 如申請專利範圍第21項之基板處理系統，其中，該溫度調整機構設置於該檢査單元內。
  23. 一種基板搬送方法，其為基板處理系統中的基板的搬送方法，該基板處理系統包含：處理站，其設置了處理基板的複數處理單元；以及介面站，其在該處理站與設置於外部的曝光裝置之間，進行基板的傳遞；該介面站包含： 基板洗淨部，其在基板搬入該曝光裝置之前至少洗淨基板的背面；以及基板檢査部，其在該基板搬入曝光裝置之前，至少就該洗淨後之基板的背面，檢査該基板可否進行曝光；該基板洗淨部與該基板檢査部，配置於同一框體的內部；在該基板洗淨部與該基板檢査部之間之基板的搬送，係藉由設置於該框體的內部的搬送構件所進行。
  24. 如申請專利範圍第23項之基板搬送方法，其中，在該介面站中設置乾燥單元，其去除附著於基板上的水分；以該基板洗淨部洗淨之後的基板，由該乾燥單元來進行乾燥。
  25. 如申請專利範圍第23或24項之基板搬送方法，其中，在以該基板檢査部所檢査的結果判定基板的狀態為藉由該基板洗淨部的再洗淨便可形成可進行曝光的狀態時，將該基板再次搬送至該基板洗淨部進行洗淨。
  26. 如申請專利範圍第25項之基板搬送方法，其中，將再次搬送至該基板洗淨部洗淨的基板，再次搬送至該基板檢査部。
  27. 如申請專利範圍第26項之基板搬送方法，其中，將在以該基板檢査部檢査之後且在搬入該曝光裝置之前的基板調整至既定的溫度。
  28. 如申請專利範圍第27項之基板搬送方法，其中，該基板的溫度調整在該框體的內部進行。
  29. 如申請專利範圍第28項之基板搬送方法，其中，使以該基板檢查部檢查後的基板，於設置在該介面站中的緩衝待命部暫時待命。
  30. 如申請專利範圍第29項之基板搬送方法，其中，該緩衝待命部設置於該框體的內部。
  31. 如申請專利範圍第29項之基板搬送方法，其中，使該檢査後的基板，在以該基板檢査部的檢査結果判明之前，停留在該緩衝待命部。
  32. 如申請專利範圍第31項之基板搬送方法，其中， 在該框體的內部，設置洗淨該搬送構件的搬送構件洗淨機構。
  33. 如申請專利範圍第32項之基板搬送方法，其中，該基板洗淨部兼作該搬送構件洗淨機構。
  34. 一種基板搬送方法，其為基板處理系統中的基板的搬送方法，該基板處理系統包含：處理站，其設置了處理基板的複數處理單元；以及介面站，其在該處理站與設置於外部的曝光裝置之間進行基板的傳遞；該介面站包含：洗淨單元，其在基板搬入該曝光裝置之前至少洗淨基板的背面；檢查單元，其在該基板搬入曝光裝置之前，至少就該洗淨後的基板的背面，檢查該基板可否進行曝光；以及基板搬送機構，其具備在該洗淨單元與該檢査單元之間搬送基板的手臂；該洗淨單元與該檢査單元，在上下方向上多段的設置於該介面站的正面側或是背面側之任一側；該基板搬送機構，設置在與在上下方向上多段設置的該洗淨單元以及該檢査單元相鄰連接的區域；若以該檢査單元的檢査結果，判定基板的狀態，為藉由該洗淨單元的再洗淨便可形成可進行曝光的狀態，則將該基板再次搬送至該洗淨單元。
  35. 如申請專利範圍第34項之基板搬送方法，其中，將再次搬送至該洗淨單元並且洗淨的基板，再次搬送至該檢査單元進行檢查。
  36. 如申請專利範圍第35項之基板搬送方法，其中，在該介面站中設置緩衝收納部，其暫時收納以該檢査單元所檢査之後的基板。
  37. 如申請專利範圍第36項之基板搬送方法，其中，該基板搬送機構包含：第1搬送手臂，其將搬入該介面站的基板傳遞至該洗淨單元；以及第2搬送手臂，其將以該洗淨單元所洗淨之後的基板搬送至該檢査單元，更將以該檢査單元所檢査之後的基板搬送至該緩衝收納部。
  38. 如申請專利範圍第36項之基板搬送方法，其中， 該基板搬送機構包含：第1搬送手臂，其將搬入該介面站的基板傳遞至該洗淨單元；第2搬送手臂，其將以該洗淨單元所洗淨之後的基板傳遞至該檢査單元；以及第3搬送手臂，其將以該檢査單元檢査之後的基板搬送至該緩衝收納部。
  39. 如申請專利範圍第38項之基板搬送方法，其中，該檢査後的基板，在以該檢査單元的檢査結果判明之前，收納於該緩衝收納部。
  40. 如申請專利範圍第39項之基板搬送方法，其中，洗淨該基板搬送機構之手臂的手臂洗淨機構，設置於該介面站中配置了該洗淨單元與該檢査單元的一側。
  41. 如申請專利範圍第40項之基板搬送方法，其中，該洗淨單元兼作該手臂洗淨機構。
  42. 如申請專利範圍第41項之基板搬送方法，其中，將在以該檢査單元檢査之後且在搬入該曝光裝置之前的基板調整至既定的溫度。
  43. 如申請專利範圍第42項之基板搬送方法，其中，該基板的溫度調整在該檢査單元內進行。
  44. 一種可讀取的電腦記憶媒體，其儲存了在控制裝置的電腦上運作的程式，該控制裝置控制基板處理系統，以藉由該基板處理系統來實行申請專利範圍第23至33項中任一項所記載之基板搬送方法。
  45. 一種可讀取的電腦記憶媒體，其儲存了在控制裝置的電腦上運作的程式，該控制裝置控制基板處理系統，以藉由該基板處理系統來實行申請專利範圍第34至43項中任一項所記載之基板搬送方法。
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