KR20130049747A - 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체 Download PDF

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마사히로 나까하라다
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아끼라 미야따
신이찌 하야시
스구루 에노끼다
쯔네나가 나까시마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

노광 전에 기판의 이면 세정을 행하는 기능을 구비한 기판 처리 시스템에 있어서, 기판 반송의 부하를 저감시키고 처리 유닛의 구성을 변경하는 일 없이 풋 프린트를 작게 한다. 도포 현상 처리 시스템의 인터페이스 스테이션(5)은 웨이퍼를 노광 장치에 반입하기 전에 적어도 웨이퍼의 이면을 세정하는 웨이퍼 세정부(141)와, 세정 후의 웨이퍼의 이면에 대해서, 당해 웨이퍼의 노광이 가능한지 여부를 노광 장치에 반입 전에 검사하는 웨이퍼 검사부(142)와, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 수단(143)을 갖고 있다. 웨이퍼 세정부(141), 웨이퍼 검사부(142) 및 반송 수단(143)은, 하우징(140)의 내부에 설치되어 있고 세정 유닛(100)과 검사 유닛(101)은 인터페이스 스테이션(5)의 정면측에, 상하 방향으로 다단으로 설치되고, 웨이퍼 반송 기구(120)는 세정 유닛(100) 및 검사 유닛(101)에 인접한 영역에 형성되어 있다.

Description

기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE TRANSFER METHOD AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 기판의 처리를 행하는 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템에 있어서의 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
예를 들어 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 웨이퍼 위에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴에 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등의 일련의 처리가 순차 행해져, 웨이퍼 위에 소정의 레지스트 패턴이 형성되어 있다. 이들 일련의 처리는, 웨이퍼를 처리하는 각종 처리 유닛이나 웨이퍼를 반송하는 반송 유닛 등을 탑재한 기판 처리 시스템인 도포 현상 처리 시스템에서 행해지고 있다.
예를 들어 도 27에 도시하는 바와 같이 도포 현상 처리 시스템(300)은, 종래, 외부로부터 카세트(C)를 반입출하기 위한 카세트 스테이션(301)과, 레지스트 도포 처리, 현상 처리 및 열처리 등의 각종 처리를 행하는 복수의 처리 유닛이 정면과 배면에 설치된 처리 스테이션(302)과, 도포 현상 처리 시스템(300)의 외부에 설치된 노광 장치(A)와 처리 스테이션(302) 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(303)을 일체로 구비하고 있다.
그런데 최근, 웨이퍼 위에 형성되는 회로 패턴의 미세화가 점점 진행되어, 노광 처리시의 디포커스 마진이 보다 엄격해지고 있다. 그에 수반하여, 노광 장치(A)에는 파티클을 최대한 반입하지 않는 것이 요구된다. 특히, 웨이퍼 이면의 파티클이 문제가 되고 있다. 그로 인해, 노광 장치(A)에 인접하는 인터페이스 스테이션(303)에는, 노광 장치(A)로의 파티클의 반입을 최대한 적게 하기 위해, 노광 장치(A)에 반송되기 전의 웨이퍼의 이면을 세정하여 파티클을 제거하는 웨이퍼 세정 유닛(310)이나, 세정 후의 웨이퍼를 검사하는 웨이퍼 검사 유닛(311)이 설치되어 있다. 또한, 인터페이스 스테이션(303)에는, 각 유닛(310, 311)의 사이에서 웨이퍼를 전달하기 위한 전달 유닛(312), 이들 각 유닛(310, 311, 312)의 사이에서 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 반송 기구(313) 등이 설치되어 있다(특허문헌 1).
일본 특허 출원 공개 제2008-135583호 공보
그런데, 상술한 도포 현상 처리 시스템(300)과 같이, 인터페이스 스테이션(303)에 웨이퍼 세정 유닛(310)이나 웨이퍼 검사 유닛(311) 등의 복수의 유닛이 설치되는 경우, 각 유닛간에서의 웨이퍼의 전달이 필요해지기 때문에, 웨이퍼의 반송 횟수의 증가를 피할 수 없다.
그 결과, 웨이퍼 반송 기구의 제어가 복잡한 것으로 되고, 또한, 웨이퍼 반송 기구에 의해 반송되는 웨이퍼의 이동 거리도 길어지므로, 웨이퍼 반송 기구의 부하도 높아져 버린다.
또한, 상기 도포 현상 처리 시스템에는, 당해 도포 현상 처리 시스템이 클린룸의 바닥 면적에 차지하는 비율인 풋 프린트를 작게 하는 것이 요구되고 있다.
풋 프린트를 작게 하기 위해서는, 각 처리 유닛을 소형화하거나, 웨이퍼의 반송에 필요로 하는 스페이스를 작게 하거나 할 필요가 있다. 그러나, 처리 유닛의 소형화에는, 당해 처리 유닛의 구성 그 자체를 다시 볼 필요가 있어 제약이 많다.
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 노광 전에 기판의 이면 세정을 행하는 기능을 구비한 기판 처리 시스템에 있어서, 기판의 이면의 청정성을 유지하면서 기판 반송의 부하를 저감시키고, 처리 유닛의 구성을 변경하는 일 없이 풋 프린트를 작게 하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 기판을 처리하는 복수의 처리 유닛이 설치된 처리 스테이션과, 상기 처리 스테이션과 외부에 설치된 노광 장치 사이에서 기판의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션을 구비한 기판 처리 시스템이며, 상기 인터페이스 스테이션은, 기판을 상기 노광 장치에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면을 세정하는 세정 유닛과, 적어도 상기 세정 후의 기판의 이면에 대해서, 당해 기판의 노광이 가능한지 여부를 상기 노광 장치에 반입하기 전에 검사하는 검사 유닛과, 상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛 사이에서 기판을 반송하는 아암을 구비한 기판 반송 기구를 갖고, 상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛은, 상기 인터페이스 스테이션의 정면측 또는 배면측 중 어느 하나의 측에, 상하 방향으로 다단으로 설치되고, 상기 기판 반송 기구는, 상하 방향으로 다단으로 설치된 상기 세정 유닛 및 상기 검사 유닛에 인접한 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 세정 유닛과 검사 유닛이, 인터페이스 스테이션의 정면측 또는 배면측에 다단으로 설치되고, 웨이퍼 반송 기구가 세정 유닛 및 검사 유닛에 인접한 영역에 형성되어 있으므로, 인터페이스 스테이션의 정면측 또는 배면측이 축소 가능하고, 인터페이스 스테이션을 종래보다도 소형화할 수 있다. 따라서, 노광 전에 웨이퍼(W)의 이면 세정을 행하는 기능을 구비한 기판 처리 시스템에 있어서, 각 처리 유닛의 구성을 변경하는 일 없이 풋 프린트를 작게 할 수 있다.
상기 검사 유닛에서의 검사 결과, 기판의 상태가, 상기 세정 유닛에서의 재세정에 의해 노광 가능한 상태로 된다고 판정되면, 당해 기판을 상기 세정 유닛에 다시 반송하도록, 상기 기판 반송 기구를 제어하는 기판 반송 제어부를 갖고 있어도 좋다.
상기 기판 반송 제어부는, 상기 세정 유닛에 다시 반송되어 세정된 기판을 다시 검사 유닛에 반송하도록 상기 기판 반송 기구를 제어해도 좋다.
상기 인터페이스 스테이션에는, 상기 검사 유닛에서 검사 후의 기판을 일시적으로 수용하는 버퍼 수용부가 설치되어 있어도 좋다.
상기 기판 반송 기구는, 상기 인터페이스 스테이션에 반입된 기판을 상기 세정 유닛에 반송하는 제1 반송 아암과, 상기 세정 유닛에서 세정한 후의 기판을 상기 검사 유닛에 반송하고, 또한 상기 검사 유닛에서 검사한 후의 기판을 상기 버퍼 수용부에 반송하는 제2 반송 아암을 구비하고 있어도 좋다.
상기 기판 반송 기구는, 상기 인터페이스 스테이션에 반입된 기판을 상기 세정 유닛에 전달하는 제1 반송 아암과, 상기 세정 유닛에서 세정한 후의 기판을 상기 검사 유닛에 전달하는 제2 반송 아암과, 상기 검사 유닛에서 검사한 후의 기판을 상기 버퍼 수용부에 반송하는 제3 반송 아암을 구비하고 있어도 좋다.
상기 버퍼 수용부는, 상기 검사 후의 기판의 검사 결과가 판명될 때까지 당해 검사 후의 기판을 수용해도 좋다.
상기 기판 반송 기구의 반송 아암을 세정하는 아암 세정 기구가, 상기 인터페이스 스테이션에 있어서의, 상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛이 배치되어 있는 측에 설치되어 있어도 좋다.
상기 아암 세정 기구는, 상기 세정 유닛이 겸용하고 있어도 좋다.
상기 검사 유닛에서 검사된 후이며 또한 상기 노광 장치에 반입 전의 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도 조정 기구를 갖고 있어도 좋다.
상기 온도 조정 기구는, 상기 검사 유닛 내에 설치되어 있어도 좋다.
다른 관점에 의한 본 발명은, 기판을 처리하는 복수의 처리 유닛이 설치된 처리 스테이션과, 상기 처리 스테이션과 외부에 설치된 노광 장치 사이에서 기판의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션을 구비한 기판 처리 시스템에 있어서의 기판의 반송 방법이며, 상기 인터페이스 스테이션은, 기판을 상기 노광 장치에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면을 세정하는 세정 유닛과, 적어도 상기 세정 후의 기판의 이면에 대해서, 당해 기판의 노광이 가능한지 여부를 상기 노광 장치에 반입하기 전에 검사하는 검사 유닛과, 상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛 사이에서 기판을 반송하는 아암을 구비한 기판 반송 기구를 갖고, 상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛은, 상기 인터페이스 스테이션의 정면측 또는 배면측 중 어느 하나의 측에, 상하 방향으로 다단으로 설치되고, 상기 기판 반송 기구는, 상하 방향으로 다단으로 설치된 상기 세정 유닛 및 상기 검사 유닛에 인접한 영역에 형성되고, 상기 검사 유닛에서의 검사 결과, 기판의 상태가, 상기 세정 유닛에서의 재세정에 의해 노광 가능한 상태로 된다고 판정되면, 당해 기판을 상기 세정 유닛에 다시 반송하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 세정 유닛에 다시 반송되어 세정된 기판을, 다시 검사 유닛에 반송하여 검사해도 좋다.
상기 인터페이스 스테이션에는, 상기 검사 유닛에서 검사 후의 기판을 일시적으로 수용하는 버퍼 수용부가 설치되어 있어도 좋다.
상기 기판 반송 기구는, 상기 인터페이스 스테이션에 반입된 기판을 상기 세정 유닛에 전달하는 제1 반송 아암과, 상기 세정 유닛에서 세정한 후의 기판을 상기 검사 유닛에 반송하고, 또한 상기 검사 유닛에서 검사한 후의 기판을 상기 버퍼 수용부에 반송하는 제2 반송 아암을 구비하고 있어도 좋다.
상기 기판 반송 기구는, 상기 인터페이스 스테이션에 반입된 기판을 상기 세정 유닛에 전달하는 제1 반송 아암과, 상기 세정 유닛에서 세정한 후의 기판을 상기 검사 유닛에 전달하는 제2 반송 아암과, 상기 검사 유닛에서 검사한 후의 기판을 상기 버퍼 수용부에 반송하는 제3 반송 아암을 구비하고 있어도 좋다.
상기 검사 후의 기판은, 상기 검사 유닛에서의 검사 결과가 판명될 때까지 상기 버퍼 수용부에 수용되어도 좋다.
상기 기판 반송 기구의 아암을 세정하는 아암 세정 기구가, 상기 인터페이스 스테이션에 있어서의, 상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛이 배치되어 있는 측에 설치되어 있어도 좋다.
상기 아암 세정 기구는, 상기 세정 유닛이 겸용하고도 좋다.
상기 검사 유닛에서 검사된 후이며 또한 상기 노광 장치에 반입 전의 기판을 소정의 온도로 조정해도 좋다.
상기 기판의 온도 조정은, 상기 검사 유닛 내에서 행해져도 좋다.
또 다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기 기판 반송 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키기 위해, 당해 기판 처리 시스템을 제어하는 제어 장치의 컴퓨터상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 노광 전에 기판의 이면 세정을 행하는 기능을 구비한 기판 처리 시스템에 있어서, 기판 반송의 부하를 저감 및 처리 유닛의 구성을 변경하는 일 없이 풋 프린트를 작게 할 수 있다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 2는 일 실시 형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 정면측의 내부 구성의 개략을 도시하는 설명도.
도 3은 일 실시 형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 배면측의 내부 구성의 개략을 도시하는 설명도.
도 4는 일 실시 형태에 따른 인터페이스 스테이션의 구성의 개략을 도시하는 설명도.
도 5는 세정 검사 유닛의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 6은 세정 검사 유닛의 웨이퍼 세정부 근방의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 7은 웨이퍼 세정부에 웨이퍼를 전달하는 모습을 도시하는 설명도.
도 8은 웨이퍼 세정부에 웨이퍼가 전달된 상태를 도시하는 설명도.
도 9는 웨이퍼 세정부 내에서 웨이퍼가 수평 방향으로 이동되는 모습을 도시하는 설명도.
도 10은 웨이퍼 세정부 내에서 웨이퍼가 수평 방향으로 이동되는 모습을 도시하는 설명도.
도 11은 웨이퍼 세정부에서 웨이퍼의 주연부가 세정되는 모습을 도시한 설명도.
도 12는 탈수 유닛의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 13은 탈수 유닛의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 14는 도포 현상 처리 장치에서 행해지는 웨이퍼 처리의 주된 공정을 도시하는 흐름도.
도 15는 일 실시 형태에 따른 세정 검사 유닛의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 16은 다른 실시 형태에 따른 세정 검사 유닛의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 17은 다른 실시 형태에 따른 인터페이스 스테이션의 구성의 개략을 도시하는 설명도.
도 18은 세정 유닛의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 19는 세정 유닛의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 20은 세정 유닛에 웨이퍼를 전달하는 모습을 도시하는 설명도.
도 21은 세정 유닛에 웨이퍼가 전달된 상태를 도시하는 설명도.
도 22는 세정 유닛 내에서 웨이퍼가 수평 방향으로 이동되는 모습을 도시하는 설명도.
도 23은 세정 유닛 내에서 웨이퍼가 수평 방향으로 이동되는 모습을 도시하는 설명도.
도 24는 세정 유닛에서 웨이퍼의 주연부가 세정되는 모습을 도시한 설명도.
도 25는 검사 유닛의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 26은 도포 현상 처리 장치에서 행해지는 웨이퍼 처리의 주된 공정을 도시하는 흐름도.
도 27은 종래의 도포 현상 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 설명도.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 1은, 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템으로서의 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시하는 설명도이다. 도 2 및 도 3은, 각각 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 정면측 및 배면측으로부터 도시하는 설명도이다.
도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시하는 바와 같이 예를 들어 외부와의 사이에서, 복수매의 웨이퍼(W)가 수용된 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 처리 중에서 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 처리 유닛을 복수 구비한 처리 스테이션(3)과, 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다. 또한, 도포 현상 처리 시스템(1)은, 각종 처리 유닛 등의 제어를 행하는 제어 장치(6)를 갖고 있다.
카세트 스테이션(2)은, 예를 들어 카세트 반입출부(10)와 웨이퍼 반송부(11)에 의해 구성되어 있다. 카세트 반입출부(10)는, 예를 들어 도포 현상 처리 시스템(1)의 Y 방향 마이너스 방향(도 1의 좌측 방향)측의 단부에 설치되어 있다. 카세트 반입출부(10)에는 카세트 적재대(12)가 설치되어 있다. 카세트 적재대(12) 위에는, 카세트 적재판(13)이 예를 들어 4개 설치되어 있다. 카세트 적재판(13)은, 수평 방향의 X 방향(도 1의 상하 방향)으로 일렬로 배열하여 설치되어 있다. 이들 카세트 적재판(13)에는 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입출할 때에, 카세트(C)를 적재할 수 있다.
웨이퍼 반송부(11)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(20) 위를 이동 가능한 웨이퍼 반송 기구(21)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(21)는 상하 방향 및 연직축 주위(θ 방향)로도 이동 가능하고, 각 적재판(13) 위의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제3 블록 G3의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
카세트 스테이션(2)에 인접하는 처리 스테이션(3)에는, 각종 유닛을 구비한 복수, 예를 들어 4개의 블록 G1, G2, G3, G4가 설치되어 있다. 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X 방향 마이너스 방향측)에는, 제1 블록 G1이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X 방향 플러스 방향측)에는, 제2 블록 G2가 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측(도 1의 Y 방향 마이너스 방향측)에는, 제3 블록 G3이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 인터페이스 스테이션(5)측(도 1의 Y 방향 플러스 방향측)에는, 제4 블록 G4가 설치되어 있다.
예를 들어 제1 블록 G1에는, 도 2에 도시하는 바와 같이 복수의 액 처리 유닛, 예를 들어 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 유닛(30), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 유닛(31), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 유닛(32), 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 유닛(33)이, 아래로부터 순서대로 4단으로 겹쳐져 있다.
이들 제1 블록 G1의 각 처리 유닛(30 내지 33)은, 처리시에 웨이퍼(W)를 수용하는 컵(F)을 수평 방향으로 복수 갖고, 복수의 웨이퍼(W)를 병행하여 처리할 수 있다.
예를 들어 제2 블록 G2에는, 도 3에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 유닛(40)이나, 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 소수화 처리 장치로서의 어드히젼 유닛(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 유닛(42)이 상하 방향과 수평 방향으로 배열하여 설치되어 있다. 열처리 유닛(40)은 웨이퍼(W)를 적재하여 가열하는 열판과, 웨이퍼(W)를 적재하여 냉각하는 냉각판을 갖고, 가열 처리와 냉각 처리의 양쪽을 행할 수 있다. 또한, 열처리 유닛(40), 어드히젼 유닛(41) 및 주변 노광 유닛(42)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.
예를 들어 제3 블록 G3에는, 복수의 전달 유닛(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)이 아래로부터 순서대로 다단으로 설치되어 있다. 또한, 제4 블록 G4에는, 복수의 전달 유닛(60, 61, 62)이 아래로부터 순서대로 다단으로 설치되어 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 제1 블록 G1 내지 제4 블록 G4에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들어 웨이퍼 반송 기구(70)가 복수, 예를 들어 3대 배치되어 있다. 각 웨이퍼 반송 기구(70)는 각각 동일한 구조이다.
웨이퍼 반송 기구(70)는, 예를 들어 Y 방향, 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(70)는 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하고, 주위의 제1 블록 G1, 제2 블록 G2, 제3 블록 G3 및 제4 블록 G4 내의 소정의 유닛에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 각 웨이퍼 반송 기구(70, 70, 70)는, 예를 들어 도 3에 도시하는 바와 같이 상하로 배치되고, 예를 들어 각 블록 G1 내지 G4의 동일한 정도 높이의 소정의 유닛에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제3 블록 G3과 제4 블록 G4 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다.
셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들어 도 3의 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 Y 방향으로 이동하고, 제3 블록 G3의 전달 유닛(52)과 제4 블록 G4의 전달 유닛(62) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 제3 블록 G3의 X 방향 플러스 방향측에 인접하는 영역에는, 웨이퍼 반송 기구(90)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(90)는, 예를 들어 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(90)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제3 블록 G3 내의 각 전달 유닛에 당해 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
제4 블록 G4의 예를 들어 X 방향 플러스 방향측에는, 웨이퍼 반송 기구(85)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(85)는, 예를 들어 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(85)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 인터페이스 스테이션(5)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 4는, 카세트 스테이션(2)측에서 본, 인터페이스 스테이션(5)의 내부 구성의 개략을 도시하는 설명도이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 인터페이스 스테이션(5)에는, 각종 유닛을 구비한 3개의 블록 G5, G6, G7이 설치되어 있다. 제1 블록 G5는, 인터페이스 스테이션(5)의 정면측(도 1의 X 방향 마이너스 방향측)에 설치되어 있다. 제6 블록 G6은, 예를 들어 인터페이스 스테이션(5)의 배면측(도 1의 X 방향 플러스 방향측)에 설치되어 있다. 또한, 제7 블록 G7은, 제5 블록 G5와 제6 블록 G6 사이의 영역에 형성되어 있다.
예를 들어 제5 블록 G5에는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 노광 장치(4)에 반입되기 전의 웨이퍼(W)를 검사하는 검사 유닛(100)이, 예를 들어 상하 방향으로 2대 배치되어 있다. 검사 유닛(100)의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
제6 블록 G6에는, 세정 검사 유닛(103)에서 세정 및 검사된 후의 웨이퍼(W)에 부착된 수분을 탈수하여 제거하는 탈수 유닛(104)이, 예를 들어 상하 방향으로 3대 배치되어 있다.
제7 블록 G7에는, 웨이퍼 반송 기구(85)를 통하여 처리 스테이션(3)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 유닛(110)과, 세정 검사 유닛(103)에서 세정과 검사를 종료한 후의 웨이퍼(W)를 탈수 유닛(104)이나 노광 장치(4)에 전달하기 위한 전달 유닛(110)과, 탈수 후의 웨이퍼(W)를 노광 장치(4)에 반입하기 전에 소정의 온도로 조정하는 온도 조정 기구로서의 온도 조정 유닛(112)이 상하 방향으로 복수 설치되어 있다. 구체적으로는, 제7 블록 G7의 상부에는, 전달 유닛(110)과 전달 유닛(110)이 위로부터 이 순서대로 교대로 3단씩 겹쳐서 배치되어 있다. 제7 블록 G7의 하부에는, 전달 유닛(110)과 온도 조정 유닛(112)이 위로부터 이 순서대로 교대로 2단씩 겹쳐서 배치되어 있다. 온도 조정 유닛(112)은 펠티에 소자 등의 온도 조정 부재를 구비한 온도 조정판을 갖고, 당해 온도 조정판에 적재된 웨이퍼(W)를 소정의 온도, 예를 들어 상온으로 온도 조정할 수 있다.
제5 블록 G5와 제7 블록 G7 사이이며, 제5 블록 G5에 인접한 영역에는, 웨이퍼 반송 기구(120)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(120)는 복수, 예를 들어 2개의 반송 아암으로서, 제1 반송 아암(121)과 제2 반송 아암(122)을 갖고 있다. 각 반송 아암(121, 122)은, 예를 들어 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 이에 의해 각 반송 아암(121, 122)은 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 각 블록 G5, G7의 각 유닛의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
제6 블록 G6과 제7 블록 G7 사이의 영역에는, 웨이퍼 반송 기구(130)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(130)는 복수, 예를 들어 2개의 반송 아암으로서, 제3 반송 아암(131)과 제4 반송 아암(132)을 갖고 있다. 각 반송 아암(131, 132)은, 예를 들어 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 이에 의해, 각 반송 아암(131, 132)은 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제6 블록 G6, 제7 블록 G7 및 노광 장치(4)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 또한, 도 4에서는, 웨이퍼 반송 기구(120)로서, 독립적으로 이동하는 복수의 반송 아암(121, 122)을 도시하고 있지만, 예를 들어 복수의 반송 아암 대신에, 하나의 반송 아암에 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 핀셋을 복수, 예를 들어 2개 설치한 것을 사용해도 좋다. 웨이퍼 반송 기구(130)에 대해서도 마찬가지이다.
웨이퍼 반송 기구(120, 130)에 의한 웨이퍼(W)의 반송은, 도 1에 도시한 제어 장치(6)의 기판 반송 제어부로서의 웨이퍼 반송 제어부(135)에 의해 제어된다. 웨이퍼 반송 제어부(135)는, 웨이퍼 반송 기구(120)의 예를 들어 제1 반송 아암(121)에 의해 처리 스테이션(3)으로부터 전달 유닛(110)에 반송된 웨이퍼(W)를 세정 검사 유닛(103)으로 반송하고, 제2 반송 아암(122)에 의해 웨이퍼 세정 검사부(100)에서 세정 및 검사를 종료한 웨이퍼(W)를 제7 블록 G7의 전달 유닛(110)에 반송하도록 웨이퍼 반송 기구(120)를 제어한다. 또한, 웨이퍼 반송 제어부(135)는, 웨이퍼 반송 기구(130)의 제3 반송 아암(131)에 의해, 세정 검사 유닛(103)에서 세정한 후의 웨이퍼(W)의, 전달 유닛(110)으로부터 탈수 유닛(104)으로의 반송 및 탈수 유닛(104)으로부터 온도 조정 유닛(112)으로의 반송을 행하고, 제4 반송 아암(132)에 의해, 온도 조정 유닛(112)과 전달 유닛(110)과 노광 장치(4) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 웨이퍼 반송 기구(130)를 제어한다. 또한, 웨이퍼 반송 제어부(135)는 도포 현상 처리 시스템(1) 내의 다른 웨이퍼 반송 기구나, 후술하는 반송 수단(143)의 동작의 제어도 행하고 있다.
다음으로, 세정 검사 유닛(103)의 구성에 대해서 설명한다. 도 5는 세정 검사 유닛(103)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
세정 검사 유닛(103)은, 하우징(140)과, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 기판 세정부로서의 웨이퍼 세정부(141)와, 웨이퍼 세정부(141)에서 세정된 후의 웨이퍼(W) 이면이 노광 장치(4)에서 노광 가능한 상태인지 여부를 노광 장치(4)에 반입하기 전에 검사하는, 기판 검사부로서의 웨이퍼 검사부(142)와, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 수단(143)을 갖고 있다.
웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142)는, 하우징(140) 내부에 아래로부터 위로 이 순서대로 배치되어 있다. 또한, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142) 사이의 영역, 즉, 웨이퍼 세정부(141)의 상방이며 웨이퍼 검사부(142)의 하방에는, 웨이퍼 검사부(142)에서 검사 후의 웨이퍼(W)를 일시적으로 대기시키는, 버퍼 대기부로서의, 대기 적재대(144)가 배치되어 있다.
웨이퍼 세정부(141)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 수평으로 흡착 유지하는 2개의 흡착 패드(150, 150)와, 이 흡착 패드(150, 150)로부터 수취한 웨이퍼(W)를 수평으로 흡착 유지하는 스핀 척(151)과, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 브러시(152)를 갖고 있다.
도 6에 도시되는 바와 같이, 2개의 흡착 패드(150, 150)는 웨이퍼(W) 이면의 주연부를 보유 지지할 수 있도록, 평면시에 있어서 스핀 척(151)을 사이에 두고 대략 평행하게 설치되어 있다. 각 흡착 패드(150, 150)는, 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 수평 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 프레임(153)에 의해 그 양단부가 지지되어 있다.
프레임(153)의 상면에는, 상부 컵(154)이 설치되어 있다. 상부 컵(154)의 상면에는, 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 직경의 개구부(154a)가 형성되어 있다. 개구부(154a)는, 흡착 패드(150)와 예를 들어 제1 반송 아암(121) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 때에, 당해 웨이퍼(W)가 이 개구부(154a)를 통과할 수 있는 크기로 형성되어 있다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 스핀 척(151)은 샤프트(160)를 통하여 구동 기구(161)에 접속되어 있고, 스핀 척(151)은, 이 구동 기구(161)에 의해 회전 및 승강 가능하게 구성되어 있다.
스핀 척(151)의 주위에는 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 승강 가능한 승강 핀(162)이 복수 설치되어 있다.
브러시(152)는, 예를 들어 다수의 플라스틱 섬유를 원기둥 형상으로 묶어서 구성되어 있고, 지지체(163)에 의해 지지되어 있다. 지지체(163)에 있어서의 브러시(152)와 반대측의 단부에는, 구동 기구(164)가 접속되어 있다. 구동 기구(164)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, X 방향으로 연신하는 레일(165)을 따라서 수평 방향으로 이동 가능하다. 따라서, 구동 기구(164)를 레일을 따라서 X 방향으로 이동시킴으로써, 지지체(163)를 통하여 브러시(152)를 X 방향으로 이동시킬 수 있다. 브러시(152)는 지지체(163)에 내장된 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 회전 가능하게 구성되어 있다. 따라서, 그 상면을 웨이퍼(W)의 이면에 압박한 상태로 회전시켜 당해 브러시(152)를 웨이퍼(W)의 이면에서 미끄럼 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클을 제거할 수 있다.
또한, 지지체(163)의 선단에는 브러시로 제거된 파티클을 씻어내는 세정액을 공급하는 세정액 노즐(163a)과, 세정 후에 웨이퍼(W)의 이면에 부착되어 있는 세정액을 건조시키기 위한, 예를 들어 질소 등의 기체를 공급하는 퍼지 노즐(163b)이 설치되어 있다.
하우징(140)의 저부에는, 세정액을 배출하는 드레인관(170)과, 하우징(140) 내부를 배기하여, 웨이퍼 세정부(141)를 향하여 하방향의 기류를 형성하는 배기관(171)이 설치되어 있다.
다음으로, 웨이퍼 검사부(142)의 구성에 대해서 설명한다.
웨이퍼 검사부(142)는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 세정부(141)의 상방에 설치된 보유 지지 아암(180)과, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 라인 형상의 평행 광선을 조사하는 광원(181)과, 조사된 광을 촬상하는 카메라(182)를 갖고 있다. 보유 지지 아암(180)은, 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
보유 지지 아암(180)의 선단부에는, 하방으로 돌출된 걸림부(180a)가 형성되어 있다. 또한, 보유 지지 아암(180)의 하면에는, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동 가능한 가동 보유 지지부(180b)가 설치되어 있다. 보유 지지 아암(180)은, 이 걸림부(180a)와 가동 보유 지지부(180b)에 의해 웨이퍼(W)를 끼워 넣고, 당해 웨이퍼(W)를 그 이면이 하방을 향한 상태로 보유 지지할 수 있다.
광원(181)은 보유 지지 아암(180)의 하방에, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 소정의 각도 θ로 광선을 조사하도록 배치되어 있다. 카메라(182)는 웨이퍼(W)의 이면에 조사된 광선의 화상을 촬상하도록, 보유 지지 아암(180)의 하방에, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 광원(181)과 마찬가지의 소정의 각도 θ 기울인 상태로 배치되어 있다.
광원(181), 카메라(182)는 도시하지 않은 회전 기구에 의해 조사 각도 및 촬상 각도가 조정 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 임의의 각도로 조사한 광선에서는 관찰할 수 없었던 파티클에 대하여, 다른 각도로 광선을 조사하여 관찰할 수 있다.
웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 반송 수단(143)은, 예를 들어 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142)의 Y 방향 플러스 방향측에 인접하는 영역에 형성되어 있다.
반송 수단(143)은, 예를 들어 도 6에 도시하는 바와 같이, 그 선단이 2개로 분기한 대략 U자 형상의 반송 아암(143a)을 구비하고 있다. 반송 아암(143a)의 단부에는, 당해 반송 아암(143a)을 전후 방향으로 이동시키는 아암 구동 기구(143b)가 설치되어 있다. 아암 구동 기구(143b)는 베이스(143c)에 의해 지지되어 있다.
베이스(143c)에는, 연직 방향으로 연신하여 설치된 승강 레일(143d)을 따라서 당해 베이스(143c)를 θ 방향 및 상하 방향으로 자유롭게 이동시키는 구동 기구(도시하지 않음)가 내장되어 있다. 이에 의해, 반송 아암(143a)은 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되고, 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
대기 적재대(144)에는 승강 핀(도시하지 않음)이 내장되고, 이 승강 핀을 통하여 반송 아암(143a)이나, 예를 들어 제2 반송 아암(122)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.
다음으로, 웨이퍼 세정 검사부(100)에서 행해지는 웨이퍼(W)의 세정과 검사에 대해서 설명한다.
웨이퍼(W)의 세정에 있어서는, 우선 도 7에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 반송 아암(121)에 의해 웨이퍼(W)가 상부 컵(154)의 상방에 반송된다. 계속해서, 승강 핀(162)이 상승하여, 웨이퍼(W)가 승강 핀(162)에 전달된다. 이때, 흡착 패드(150)는 그 상면이 브러시(152)의 상면보다도 높은 위치에서 대기하고, 스핀 척(151)은 브러시(152)의 상면보다 낮은 위치까지 퇴피하고 있다. 그 후, 승강 핀(162)이 하강하여, 도 8에 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 흡착 패드(150)에 전달되어 보유 지지된다.
계속해서, 도 9에 도시되는 바와 같이, 흡착 패드(150)로 웨이퍼(W)를 흡착 보유 지지한 상태에서, 예를 들어 브러시(152)가 웨이퍼(W) 이면의 중앙부에 대응하는 영역에 위치하도록 프레임(153)을 수평 방향으로 이동시킨다. 그 후, 흡착 패드(150)를 하강시킴으로써, 웨이퍼(W)의 이면이 브러시(152)의 상면에 압박된다.
계속해서, 세정액 노즐(163a)로부터 세정액을 공급하는 동시에 브러시(152)를 회전시켜, 웨이퍼(W) 이면의 중앙부가 세정된다. 이때, 지지체(163)가 도 6의 X 방향으로 왕복 이동하고, 프레임(153)이 Y 방향으로 왕복 이동함으로써, 웨이퍼(W) 이면의 중앙부가 빠짐없이 세정된다.
웨이퍼(W) 이면의 중앙부의 세정이 끝나면, 도 10에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 흡착 패드(150)로 보유 지지한 상태에서, 웨이퍼(W)의 중심과 스핀 척(151)의 중심이 평면시에 있어서 일치하도록 프레임(153)을 수평 방향으로 이동시킨다. 계속해서, 프레임(153)을 하강시키는 동시에 스핀 척(151)을 상승시켜, 웨이퍼(W)를 흡착 패드(150)로부터 스핀 척(151)에 전달한다.
그 후, 도 11에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면에 브러시(152)를 압박한 상태에서 웨이퍼(W)를 회전시키는 동시에, 지지체(163)를 통하여 브러시를 도 6의 X 방향으로 미끄럼 이동시킴으로써, 웨이퍼(W) 이면의 주연부가 세정된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면 전체의 파티클이 제거된다.
웨이퍼(W) 이면의 세정이 완료되면, 브러시(152)의 회전이나 세정액 노즐(163a)로부터 세정액의 공급이 정지된다. 계속해서, 스핀 척(151)을 고속으로 회전시킴으로써, 웨이퍼(W) 이면에 부착되어 있는 세정액이 제거되어 건조된다. 이때, 퍼지 노즐(163b)에 의한 퍼지도 병행하여 행해진다.
그리고, 제거 건조가 종료되면, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 세정부(141)에 반송되었을 때와는 반대의 순서로, 이번에는 반송 수단(143)의 반송 아암(143a)에 전달된다.
계속해서, 반송 아암(143a)이 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 웨이퍼 검사부(142)까지 상승하여 보유 지지 아암(180)의 하방으로 이동하고, 계속해서 보유 지지 아암(180)의 걸림부(180a)와 가동 보유 지지부(180b)에 의해 웨이퍼(W)가 끼워 넣어지고, 당해 웨이퍼(W)가 보유 지지 아암(180)에 전달된다.
보유 지지 아암(180)에 웨이퍼(W)가 전달되면, 보유 지지 아암(180)은 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 수평 방향으로 이동한다. 보유 지지 아암(180)이 수평 이동하는 동안에, 광원(181)에 의해 웨이퍼(W)의 이면에 라인 형상의 평행 광선이 조사되고, 이면에 조사된 광선은 카메라(182)에 의해 연속적으로 촬상된다. 카메라(182)에 의해 촬상된 화상은, 제어 장치(6)에 순차 입력된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 일단부로부터 타단부에 걸쳐서 촬상이 완료되면, 웨이퍼 검사부(142)에서의 검사가 종료된다.
검사가 종료되면, 웨이퍼(W)는 다시 반송 수단(143)에 전달되고, 그 후, 버퍼 대기부로서의 대기 적재대(144)에 전달된다.
버퍼 대기부는 세정 검사 유닛(103)의 외부, 예를 들어 제7 블록 G7에 설치되어 있어도 좋다.
그것과 병행하여 , 제어 장치(6)에서는, 카메라(182)에 의해 촬상된 화상 정보에 기초하여, 촬상된 웨이퍼(W)가 노광 가능한 상태인지 여부를 판정한다. 보다 구체적으로는, 제어 장치(6)에서는, 예를 들어 촬상된 화상 정보로부터 산출된, 예를 들어 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클의 수나 부착된 범위, 혹은 파티클의 높이나 크기 등의 정보에 기초하여, 웨이퍼(W)의 상태를, 노광 장치(4)에서 노광이 가능한 상태, 노광 장치(4)에서 노광이 불가능한 상태, 혹은 현상에서는 노광 장치(4)에서의 노광은 할 수 없지만, 웨이퍼 세정부(141)에서 다시 세정하면 노광 장치(4)에서의 노광이 가능해지는 상태의 3종류의 어느 하나에 속하는지를 판정한다.
웨이퍼 검사부(142)에서의 검사 결과가 판명되면, 웨이퍼 반송 제어부(135)는 소정의 룰에 기초하여 웨이퍼(W)의 반송을 제어한다. 즉, 웨이퍼 검사부(142)에서의 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가 노광 장치(4)에서 노광 가능하다고 판정되면, 대기 적재부(144)의 웨이퍼(W)는 제2 반송 아암(122)에 의해 제7 블록 G7의 전달 유닛(110)에 반송된다. 또한, 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가, 노광 장치(4)에서 노광 불가능하다고 판정되면, 당해 웨이퍼(W)의 이후의 처리를 중지하고, 제1 반송 아암(121)에 의해 전달 유닛(110)에 반송된다. 또한, 노광 장치(4)에서 노광 불가능하다고 판정된 웨이퍼(W)를 제1 반송 아암(121)에 의해 반송하는 것은, 노광 가능하다고 판정된 웨이퍼(W), 바꿔 말하면 이면이 청정한 상태의 웨이퍼(W)를 반송하는 제2 반송 아암(122)이, 노광 불가능하다고 판정된 웨이퍼(W)를 보유 지지함으로써, 파티클에 의해 오염되는 것을 방지하기 위해서이다.
또한, 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가, 현상에서는 노광할 수 없지만, 웨이퍼 세정부(141)에서 다시 세정함으로써 노광 장치(4)에서의 노광이 가능한 것이라고 판정되면, 대기 적재대(144)의 웨이퍼(W)는 반송 수단(143)에 의해 다시 웨이퍼 세정부(141)에 반송된다. 웨이퍼 세정부(141)에 다시 반송된 웨이퍼(W)에는, 상술한 세정 및 검사가 다시 행해지고, 재세정 및 재검사 후의 웨이퍼(W)는, 제2 반송 아암(122)에 의해 전달 유닛(110)에 반송된다.
다음으로, 탈수 유닛(104)의 구성에 대해서 설명한다. 도 12는, 탈수 유닛(104)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이고, 도 13은, 탈수 유닛(104)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
탈수 유닛(104)은, 내부에서 웨이퍼(W)를 탈수 처리하는 처리 용기(190)와, 웨이퍼(W) 이면의 외주부를 보유 지지하는 보유 지지 부재(191)와, 보유 지지 부재(191)를 샤프트(192)를 통하여 상하 방향으로 승강시키는 승강 기구(193)를 갖고 있다.
보유 지지 부재(191)는, 예를 들어 도 12에 도시하는 바와 같이, 평면시에 있어서 대략 원호 형상으로 형성되고, 동심원 형상으로 복수, 본 실시 형태에서는 동심원 형상으로 4개 설치되어 있다. 보유 지지 부재(191)는, 도 13에 도시하는 바와 같이, 외주측의 상단부(191a)가 내주측의 상단부(191b)보다 높게 된 대략 U자 형상의 단면 형상을 갖고 있다. 이에 의해, 보유 지지 부재(191)의 외주측은, 내주측의 상단부(191b)에 의해 웨이퍼(W)를 보유 지지하였을 때에 웨이퍼(W)가 탈락되는 것을 방지하는 가이드로서 기능한다.
각 보유 지지 부재(191)와, 웨이퍼 반송 기구(130) 사이의 웨이퍼(W)의 전달에 있어서는, 예를 들어 도 12에 도시하는 바와 같이, 처리 용기(190)의 셔터(190a)로부터 예를 들어 제3 반송 아암(131)을 진입시킨다. 계속해서, 당해 제3 반송 아암(131)에 의해 보유 지지하는 웨이퍼(W)의 중심부와 복수의 보유 지지 부재(191)의 원호의 중심이 일치하도록 제3 반송 아암(131)을 이동시킨다. 계속해서, 그 상태에서, 승강 기구(193)에 의해 보유 지지 부재(191)를 상승시킨다. 이에 의해, 제3 반송 아암(131)으로부터 보유 지지 부재(191)에 웨이퍼(W)가 전달된다. 그 후, 반송 아암(131)은 처리 용기(190)의 외부로 퇴피한다. 또한, 반송 아암(131)과 보유 지지 부재(191) 사이의 웨이퍼(W)의 전달은, 보유 지지 부재(191)의 승강 이동 대신에, 예를 들어 제3 반송 아암(131)을 승강 이동시켜 행해도 좋다.
처리 용기(190)의 저부에는, 배기 기구(194)에 접속된 배기관(195)과, 처리 용기(190) 내부에 예를 들어 질소 가스를 송입하여 처리 용기(190) 내부를 퍼지하는 퍼지관(196)이 설치되어 있다. 퍼지관(196)에는, 질소 가스를 공급하는 가스 공급원(197)이 접속되어 있다.
탈수 유닛(104)에서 웨이퍼(W)의 탈수 처리를 행할 때에는, 우선, 제3 반송 아암(131)에 의해 처리 용기(190) 내부에 웨이퍼(W)가 반입되고, 계속해서 이 웨이퍼(W)가 보유 지지 부재(191)에 전달된다. 그 후, 제3 반송 아암(131)이 처리 용기(190) 외부로 퇴피하고 셔터(190a)가 폐지된다. 계속해서, 배기 기구(194)에 의해 처리 용기(190) 내부가 감압된다. 이에 의해 웨이퍼(W)에 부착된 수분이 증발하여, 웨이퍼(W)의 탈수 처리가 행해진다.
웨이퍼(W)의 탈수 처리가 종료되면, 퍼지관(196)에 의해 처리 용기(190) 내부의 퍼지와 승압이 행해진다. 그 후, 셔터(190a)를 개방하고, 제3 반송 아암(131)에 의해 웨이퍼(W)가 탈수 유닛(104)으로부터 반출된다.
제어 장치(6)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되어 있다. 이 제어 장치(6)에는, 예를 들어 도포 현상 처리 시스템(1)의 각종 처리 유닛에서의 웨이퍼 처리의 내용이나 각 웨이퍼(W)의 반송 루트를 정한 처리 레시피가, 프로그램으로서 예를 들어 메모리에 기억되어 있다. 이 프로그램을 실행함으로써, 도포 현상 처리 시스템(1)의 각종 처리 유닛의 제어나, 상술한 웨이퍼 반송 제어부(135)에 의한 각 웨이퍼 반송 기구나 세정 검사 유닛(103)의 반송 수단(143)의 동작을 제어하고, 도포 현상 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 각종 처리나 반송 제어를 행한다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 데스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있었던 것이며, 그 기억 매체(H)로부터 제어 장치(6)에 인스톨된 것이어도 좋다.
이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)에서는, 예를 들어 다음과 같은 웨이퍼 처리가 행해진다. 도 14는, 이러한 웨이퍼 처리의 주된 공정의 예를 나타내는 흐름도이다.
웨이퍼(W)의 처리에 있어서는, 우선, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 카세트 반입출부(10)의 소정의 카세트 적재판(13)에 적재된다. 그 후, 웨이퍼 반송 기구(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 취출되고, 처리 스테이션(3)의 제3 블록 G3의 예를 들어 전달 유닛(53)에 반송된다.
다음에 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 제2 블록 G2의 열처리 유닛(40)에 반송되어, 온도 조절된다(도 14의 공정 S1). 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 예를 들어 제1 블록 G1의 하부 반사 방지막 형성 유닛(30)에 반송되어, 웨이퍼(W) 위에 하부 반사 방지막이 형성된다(도 14의 공정 S2). 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록 G2의 열처리 유닛(40)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 그 후 제3 블록 G3의 전달 유닛(53)으로 복귀된다.
다음에 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(90)에 의해 동일한 제3 블록 G3의 전달 유닛(54)에 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 제2 블록 G2의 어드히젼 유닛(41)에 반송되어, 어드히젼 처리된다(도 14의 공정 S3). 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 레지스트 도포 유닛(31)에 반송되어, 웨이퍼(W) 위에 레지스트막이 형성된다(도 14의 공정 S4).
그 후 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 프리 베이크 처리된다(도 14의 공정 S5). 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 제3 블록 G3의 전달 유닛(55)에 반송된다.
다음에 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 상부 반사 방지막 형성 유닛(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 위에 상부 반사 방지막이 형성된다(도 14의 공정 S6). 그 후 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 가열되고, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 주변 노광 유닛(42)에 반송되어, 주변 노광 처리된다(도 14의 공정 S7).
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 제3 블록 G3의 전달 유닛(56)에 반송된다.
다음에 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(90)에 의해 전달 유닛(52)에 반송되어, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제4 블록 G4의 전달 유닛(62)에 반송된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(85)에 의해 제7 블록 G7의 전달 유닛(110)에 반송된다. 다음에 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(120)의 제1 반송 아암(121)에 의해 세정 검사 유닛(103)의 웨이퍼 세정부(141)에 반송되어, 웨이퍼(W)의 이면이 세정된다(도 14의 공정 S8).
이면이 세정된 웨이퍼(W)는 반송 수단(143)에 의해 웨이퍼 검사부(142)에 반송되어, 웨이퍼(W)의 이면이 검사된다(도 14의 공정 S9). 다음에 웨이퍼(W)는 반송 수단(143)에 의해 대기 적재대(144)에 반송되어, 웨이퍼 검사부(142)에서의 웨이퍼(W)의 검사 결과가 판명될 때까지 일시적으로 당해 대기 적재대(144)에 적재된다.
웨이퍼 검사부(142)에서의 검사 결과가 판명되면, 웨이퍼 반송 제어부(135)는 검사 결과에 기초하여 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 즉, 웨이퍼 검사부(142)에서의 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가, 노광 장치(4)에서 노광 가능하다고 판정되면, 대기 적재대(144) 위의 웨이퍼(W)는, 제2 반송 아암(122)에 의해 제7 블록 G7의 전달 유닛(110)에 반송되고, 계속해서 웨이퍼 반송 기구(130)의 반송 아암(131)에 의해, 탈수 유닛(104)에 반송된다.
또한, 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가, 노광 장치(4)에서 노광 불가능하다고 판정되면, 당해 웨이퍼(W)에 있어서의 이후의 처리를 중지하고, 제1 반송 아암(121)에 의해 전달 유닛(110)에 반송한다. 그 후, 이후의 처리가 중지된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(85)에 의해 처리 스테이션(3)으로 반송되어, 계속해서 소정의 카세트 적재판(13)의 카세트(C)에 회수된다(도 14의 공정 S10). 또한, 노광 불가능하다고 판정된 웨이퍼(W)를 회수할 때의 루트로서는, 예를 들어 셔틀 반송 장치(80)를 사용하는 루트이어도 좋고, 제1 블록 G1에 있어서의 현상 처리 유닛(33)의 단을 통하여 회수하는 루트이어도 좋다. 현상 처리 유닛(33)의 단을 사용하는 것은, 당해 현상 처리 유닛(33)의 단에 있어서의 노광 후의 웨이퍼(W)의 반송 방향이, 노광 불가능하다고 판정된 웨이퍼(W)의 반송 방향과 마찬가지로, 노광 장치(4)로부터 카세트 스테이션(2)측 방향이고, 통상의 웨이퍼(W) 반송과 간섭하는 일 없이 노광 불가능한 웨이퍼(W)를 반송할 수 있기 때문이다.
또한, 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가, 현상에서는 노광할 수 없지만, 웨이퍼 세정부(141)에서 재세정함으로써 노광 장치(4)에서의 노광이 가능한 것이라고 판정되면, 반송 수단(143)에 의해 당해 웨이퍼(W)를 다시 웨이퍼 세정부(141)에 반송한다. 그리고, 웨이퍼 세정부(141)에서 다시 세정된 웨이퍼(W)는, 반송 수단(143)에 의해 다시 웨이퍼 검사부(142)에 반송된다. 그리고, 웨이퍼 검사부(142)에서의 검사 결과, 노광 가능하다고 판정되면, 당해 웨이퍼(W)는 제2 반송 아암(122)에 의해 제7 블록 G7의 전달 유닛(110)에 반송된다. 계속해서 웨이퍼 반송 기구(130)의 제3 반송 아암(131)에 의해, 탈수 유닛(104)에 반송된다.
전달 유닛(110)에 반송된 웨이퍼(W)는, 계속해서 웨이퍼 반송 기구(130)의 제3 반송 아암(131)에 의해, 탈수 유닛(104)에 반송된다. 탈수 유닛(104)에 반송된 웨이퍼(W)는, 탈수 유닛(104)에서 탈수 처리된다(도 14의 공정 S11).
그 후, 웨이퍼(W)는, 제3 반송 아암(131)에 의해 온도 조정 유닛(112)에 반송되고, 계속해서 제4 반송 아암(132)에 의해 노광 장치(4)에 반송되어 노광 처리된다(도 14의 공정 S12).
노광 처리된 웨이퍼(W)는 제4 반송 아암(132)에 의해 제7 블록 G7의 전달 유닛(110)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(85)에 의해 제4 블록 G4의 전달 유닛(40)에 반송된다.
계속해서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다(도 14의 공정 S13). 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 현상 처리 유닛(33)에 반송되어, 현상 처리된다(도 14의 공정 S14). 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 포스트 베이크 처리된다(도 14의 공정 S15).
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 제3 블록 G3의 전달 유닛(50)에 반송되고, 그 후 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 기구(21)에 의해 소정의 카세트 적재판(13)의 카세트(C)에 반송된다. 이렇게 하여, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.
이상의 실시 형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 웨이퍼 세정부(141)와, 세정 후의 웨이퍼(W)를 검사하는 웨이퍼 검사부(142)가 동일한 하우징(140)의 내부에 수용되고, 또한, 이 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142) 사이에서의 웨이퍼의 반송을, 하우징(140)의 내부에 설치된 반송 수단(143)에 의해 행할 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142) 사이에서 웨이퍼를 반송하는 데 있어서, 종래와 같이, 예를 들어 하우징(140)의 외부에 설치된 웨이퍼 반송 기구(120)를 사용할 필요가 없어진다. 그 결과, 도포 현상 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼 반송의 부하를 저감시킬 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 웨이퍼 검사부(142)에서 세정 후의 웨이퍼(W)를 검사한 결과, 당해 웨이퍼(W)의 상태가, 현상에서는 노광 불가능하지만 웨이퍼 세정부(141)에서의 재세정에 의해 노광이 가능한 것으로 판정된 경우, 당해 웨이퍼(W)를 다시 웨이퍼 세정부(141)에 반송한다. 이 경우, 노광 불가능하다고 판단된 모든 웨이퍼(W)에 대해서 이후의 처리를 중지하여 카세트(C)에 회수하였던 종래의 도포 현상 처리 시스템(300)과 비교하여, 이후의 처리를 중지하여 카세트(C)에 회수하는 웨이퍼(W)의 수를 저감할 수 있다. 그 결과, 도포 현상 처리 시스템(1)에 의한 웨이퍼(W) 처리의 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 웨이퍼 세정부(141)에서의 재세정에 수반하는 웨이퍼(W)의 반송은, 반송 수단(143)에 의해 행해진다. 따라서, 세정 검사 유닛(103)에서 웨이퍼(W)의 재세정을 행하는 데 있어서, 하우징(140) 외부의 웨이퍼 반송 기구의 부하가 증가하는 일은 없다.
또한, 하우징(140) 내부에, 검사 후의 웨이퍼(W)를 일시적으로 대기시키는 대기 적재대(144)가 설치되어 있으므로, 당해 검사 후의 웨이퍼(W)를, 검사 결과가 판명될 때까지 당해 대기 적재대(144)에 대기시킬 수 있다. 가령, 검사 결과가 판명되어 있지 않은 상태에서 웨이퍼(W)를 세정 검사 유닛(103)으로부터 반출하면, 그 후에 판명되는 검사 결과에 의해 반송 중 웨이퍼(W)의 반송처를 변경할 필요가 발생하여, 웨이퍼(W)의 반송에 큰 영향이 미칠 우려가 있다. 이에 대하여, 본 실시 형태와 같이, 검사 후의 웨이퍼(W)를 검사 결과가 판명될 때까지 대기 적재대(144)에 대기시킴으로써, 세정 검사 유닛(103)으로부터 반출된 후에 웨이퍼(W)의 반송처가 변경되는 일은 없다. 따라서, 이 점으로부터도, 웨이퍼(W)의 반송의 부하가 증가하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 웨이퍼 검사부(142)에서 검사한 후의 웨이퍼(W)를 대기 적재대(144)에 대기시키는 시간은, 반드시 당해 웨이퍼(W)의 검사 결과가 판명될 때까지라고 할 필요는 없으며, 그 이상의 시간 대기시켜도 좋다. 예를 들어, 제5 블록 G5의 최상부의 세정 검사 유닛(103)으로부터 최하부의 세정 검사 유닛(103)에 대하여 이 순서대로, 처리 스테이션(3)으로부터 반송된 웨이퍼(W)가 순차 반입된다고 하면, 예를 들어 가장 먼저 검사 결과가 판명되는 최상부의 세정 검사 유닛(103)에서의 검사 결과가 상술한 「재세정」이었던 경우, 이 웨이퍼(W)가 웨이퍼 세정부(141)에서 다시 세정되고 있는 중에, 최상부보다 하방에 배치된 다른 세정 검사 유닛(103)에 있어서의 검사 결과가 판명되는 경우가 있다. 이러한 경우에, 앞서 검사 결과가 판명된 당해 웨이퍼(W)를 노광 장치(4)측에 반송하면, 이 웨이퍼(W)는, 재세정되고 있는 웨이퍼(W)를 앞질러서 노광 장치(4)에 반송되게 된다. 그 경우, 예를 들어 로트 단위로 처리 레시피에 설정되어 있는 웨이퍼(W)의 반송 스케줄과 다른 순서로 웨이퍼(W)가 노광 장치(4)에 반송되므로, 노광 장치(4)가 이 웨이퍼(W)를 인식할 수 없어, 반송 에러가 발생할 가능성이 있다.
따라서, 상술한 바와 같이 임의의 웨이퍼(W)가 「재세정」이라고 판정된 경우에는, 당해 웨이퍼(W)의 재세정 후에 다시 웨이퍼 검사부(142)에서 검사하고, 다시 대기 적재대(144)에 적재 후에 재검사의 검사 결과가 판명될 때까지, 다른 세정 검사 유닛(103)에 있어서는 검사 후의 웨이퍼(W)를 대기 적재대(144)에서 대기시켜 두는 것이 바람직하다. 이와 같이, 대기 적재대(144)에서 웨이퍼(W)를 대기시키는 시간을 조정함으로써, 「재세정」으로 된 경우라도 웨이퍼(W)를 미리 정해진 소정의 순서로 반송할 수 있다. 또한, 대기 적재대(144)를, 예를 들어 상하 방향으로 다단으로 설치하고, 세정 검사 유닛(103) 내에 복수의 웨이퍼를 대기시킬 수 있는 구성이어도 좋다. 이러한 경우, 예를 들어 대기 적재대(144) 위의 웨이퍼(W)가 노광 불가능하다고 판정되었을 때에, 웨이퍼 반송 기구(120)나 반송 수단(143)에 의한 웨이퍼 반송의 스케줄에 영향이 미치지 않는 타이밍으로 될 때까지 당해 웨이퍼(W)를 대기 적재대(144) 위에 적재해 둠으로써, 반송 스케줄에 영향이 미치는 일 없이 웨이퍼(W)를 회수하는 것이 가능해진다. 또한, 예를 들어 대기 적재대(144)에, 노광 가능하다고 판정된 웨이퍼(W)를 예를 들어 복수매 대기시켜 두도록 해도 좋다. 이러한 경우, 예를 들어 「재세정」이라고 판정된 웨이퍼(W)를 다시 세정하는 동안에, 대기시키고 있던 노광 가능한 웨이퍼(W)를 노광 장치(4)에 반송하도록 하면, 항상 노광 장치(4)에 반송하는 웨이퍼(W)를 확보할 수 있으므로, 노광 장치(4)가 대기 상태로 되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 웨이퍼 세정부(141)의 상방에 웨이퍼 검사부(142)를 배치하고 있었지만, 그 반대로, 웨이퍼 세정부(141)를 웨이퍼 검사부(142) 상방에 배치해도 좋다.
이상의 실시 형태에서는, 세정 및 검사를 종료한 웨이퍼(W) 중, 노광 장치(4)에서 노광 불가능하다고 판정된 웨이퍼(W)를 제1 반송 아암(121)에 의해 반송하고, 노광 가능하다고 판정된 웨이퍼(W)를 제2 반송 아암(122)에 의해 반송하므로, 노광 불가능하다고 판정된 웨이퍼(W)에 부착된 파티클에 의해 제2 반송 아암(122)이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 하류의 공정에서 사용되는 각 반송 아암(122, 131, 132)이나 각 유닛을 청정하게 유지할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 기구(120, 130)에 복수의 반송 아암(121, 122, 131, 132)을 설치함으로써, 각 반송 아암(121, 122, 131, 132)에 의한 반송 공정수를 균등화할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 반송 시간 관리가 용이해진다.
또한, 웨이퍼 검사부(142)에 의한 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가, 예를 들어 노광 장치(4)에서의 노광이 불가능하다고 판정된 경우, 반송 수단(143)은, 예를 들어 이면에 파티클이 부착된 상태의 웨이퍼(W)를 반송하고 있었던 것으로 된다. 그렇다면, 웨이퍼(W)에 부착된 파티클이 당해 반송 수단(143)에 부착되어 버려, 다음에 반송하는 웨이퍼(W)의 이면을 오염시키게 될 우려가 있다. 따라서, 웨이퍼 검사부(142)에서의 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가 노광 장치(4)에서의 노광 불가능, 또는 재세정에 의해 노광 가능하다고 판정된 경우, 당해 웨이퍼(W)를 반송한 후에, 반송 수단(143)을 세정하도록 해도 좋다.
이러한 반송 수단(143)의 세정은, 예를 들어 웨이퍼 세정부(141)에서 행해도 좋다. 이러한 경우, 예를 들어 반송 수단(143)을 상하로 반전 가능하게 구성해 두고, 당해 반송 수단(143)의 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 면을 하면을 향한 상태에서, 브러시(152)에 의해 세정해도 좋다. 또한, 브러시(152)를 상하로 반전 가능하게 구성하고, 반송 수단(143) 세정시에 당해 브러시(152)를 반전시켜도 좋다.
이상의 실시 형태에서는, 인터페이스 스테이션(5)에 탈수 유닛(104)을 설치하고, 세정시에 웨이퍼(W)에 부착된 수분을 탈수하므로, 노광 장치(4)로의 수분의 반입을 최소한으로 억제할 수 있다. 또한, 탈수 유닛(102)은 반드시 설치할 필요는 없으며, 그 설치의 유무에 대해서는, 임의로 선택할 수 있다.
또한, 제6 블록 G6에 탈수 유닛(104)만을 설치하도록 하였으므로, 예를 들어 탈수 유닛(104)에 부수하여 설치되는 처리 용기(190)나 배기 기구(194) 등의 대형이고 중량이 큰 기기의 설치 장소를, 배면측에 확보할 수 있다.
또한, 탈수 유닛(104)을, 제6 블록 G6 대신에, 예를 들어 제5 블록 G5에 배치해도 좋다. 이러한 경우, 예를 들어, 세정 검사 유닛(103)과 탈수 유닛(104)을, 위로부터 아래로 이 순서대로 교대로 설치하는 것이 바람직하다.
그렇게 함으로써, 세정 및 검사를 종료한 웨이퍼(W)를, 제7 블록 G7을 경유하는 일 없이, 예를 들어 제2 반송 아암(122)에 의해 직접 탈수 유닛(104)에 반송할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)와 각 반송 아암이 접촉하는 횟수를 최소한으로 억제할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 이면이 파티클에 의해 오염될 가능성을, 종래보다도 저감할 수 있다.
또한, 탈수 유닛(104)을, 세정 검사 유닛(103)의 내부에 설치해도 좋다. 이러한 경우, 예를 들어 대기 적재대(144) 대신에 탈수 유닛(104)을 하우징(140)의 내부에 배치하고, 웨이퍼 검사부(142)에서 검사를 행한 후, 웨이퍼(W)를 탈수 유닛(104)에 반송하여 탈수 처리를 행하도록 하는 것이 바람직하다. 그렇게 함으로써, 웨이퍼(W)의 검사 결과를 기다리고 있는 동안에 병행하여 탈수 처리를 행할 수 있으므로, 웨이퍼 처리의 처리량이 향상된다.
이상의 실시 형태에서는, 노광 장치(4)에 반송하기 전의 웨이퍼(W)의 온도 조정을 온도 조정 유닛(112)에 의해 행하였지만, 웨이퍼(W)의 온도 조정을 예를 들어 세정 검사 유닛(103)의 내부에서 행해도 좋다. 이러한 경우, 예를 들어 도 15에 도시하는 바와 같이, 세정 검사 유닛(103)의 하우징(140)의 천장부에, 예를 들어 하우징(140) 내부의 공기를 냉각하는 냉각 기구(200)를 설치하고, 이 냉각 기구(200)에 의해 하우징(140) 내부의 분위기를 소정의 온도로 조정함으로써, 웨이퍼(W)의 온도 조정이 행해진다. 냉각 기구(200)에는, 예를 들어 내부에 소정의 온도의 냉매를 통수(通水)한 라디에이터 등을 사용할 수 있다. 이렇게 함으로써, 예를 들어 웨이퍼(W)의 검사를 종료하고, 대기 적재대(144)에서 웨이퍼(W)를 대기시키고 있는 동안에 당해 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 온도 조정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있는 동시에, 온도 조정 유닛(112)으로의 반송이 불필요해지므로, 도포 현상 처리 시스템(1)의 처리량을 향상시킬 수 있다. 또한, 온도 조정 유닛(112) 그 자체도 불필요해지므로, 인터페이스 스테이션(5)을 소형화할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 반송 수단(143)의 반송 아암(143a)으로서 대략 U자 형상의 것을 사용한 경우에 대해서 설명하였지만, 반송 아암(143a)의 형상이나 종류는 이러한 실시 형태에 한정되지 않고, 예를 들어, 반송 아암(143a)으로서, 웨이퍼(W)를 비접촉으로 보유 지지하는 베르누이 척 등을 사용해도 좋다.
또한, 예를 들어 웨이퍼 검사부(142) 그 자체를 상하 반전시킨 상태, 즉 검사부(142)에 있어서 웨이퍼(W)의 이면이 상방을 향하도록 당해 검사부(142)를 배치해도 좋다. 그 경우, 예를 들어 반송 아암(143a)을 수평축 중심에 상하 방향으로 반전 가능해지도록, 반송 수단(143)에 회전 기구(도시하지 않음)를 설치해도 좋다. 어떤 경우에 있어서도, 하우징(140) 내부에 있어서의 기기 배치나 웨이퍼(W)의 반송에 대해서는, 당업자라면 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142)는 세정 검사 유닛(103)의 하우징(140) 내부에, 상하 방향으로 배치되어 있었지만, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142)의 배치에 대해서도 본 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 도 16에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142)를 하우징(140) 내부에 수평 방향으로 배치해도 좋다. 그 경우, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142) 사이의 웨이퍼(W)의 반송은, 예를 들어 웨이퍼 세정부(141)의 흡착 패드(150)에 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 프레임(153)을 이동시킴으로써 행해도 좋다. 그리고, 흡착 패드(150)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 이면이, 광원(181) 및 카메라(182)에 의해 검사된다.
또한, 예를 들어 웨이퍼(W)의 이면의 검사 결과가 판명될 때까지, 웨이퍼(W)를 흡착 패드(150)에 의해 보유 지지하도록 해도 좋다. 그렇다면, 웨이퍼(W)를 대기 적재부(144)에 반송할 필요가 없기 때문에, 대기 적재부(144)뿐만 아니라, 반송 수단(143)도 불필요해진다. 그리고, 재세정시에는, 흡착 패드(150)에 보유 지지한 상태에서 웨이퍼(W)를 웨이퍼 세정부(141)까지 이동시키고, 세정 후는 흡착 패드(150)에 보유 지지한 상태에서 다시 웨이퍼 검사부(142)로 이동시킨다. 또한, 노광 가능 혹은 노광 불가능하다고 판단된 경우는, 웨이퍼 세정부(141)의 승강 핀(162)에 웨이퍼(W)를 전달하고, 웨이퍼 반송 기구(120)에 의해 세정 검사 유닛(103)으로부터 반출한다. 이러한 경우, 프레임(153)에 지지된 흡착 패드(150)가 본 실시 형태의 반송 수단으로서 기능한다.
또한, 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 세정부(141)와 웨이퍼 검사부(142)를 상하 방향으로 배치한 경우에 있어서도, 예를 들어 보유 지지 아암(180)에 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서, 웨이퍼(W)의 검사 결과가 판명될 때까지 당해 웨이퍼(W)를 대기시켜도 좋다.
이하, 본 발명의 다른 실시 형태에 대해서 설명한다. 인터페이스 스테이션(5)에는, 각종 유닛을 구비한 2개의 블록 G5, G6이 설치되어 있다. 예를 들어 인터페이스 스테이션(5)의 정면측(도 1의 X 방향 마이너스 방향측)에는, 제5 블록 G5가 설치되어 있다. 제6 블록 G6은, 제5 블록 G5의 X 방향 플러스 방향측에 설치되어 있다.
예를 들어 제5 블록 G5에는, 도 17에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 노광 장치(4)에 반입하기 전에 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 세정 유닛(100)과, 세정 유닛(100)에서 세정된 후의 웨이퍼(W)의 이면이, 노광 장치(4)에서 노광 가능한 상태인지 여부를 노광 장치(4)에 반입하기 전에 검사하는 검사 유닛(101)이, 위로부터 순서대로 다단으로 겹쳐서 설치되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 예를 들어 세정 유닛(100)이 4단, 검사 유닛(101)이 2단 각각 설치되어 있다. 또한, 도 17은, 카세트 스테이션(2)측으로부터 인터페이스 스테이션(5)을 본 경우의, 인터페이스 스테이션(5)의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도이다.
제6 블록 G6에는 웨이퍼 반송 기구(85)를 통하여 처리 스테이션(3)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 유닛(110)과, 검사 유닛(101)에서 검사한 후의 웨이퍼(W)를 일시적으로 수용하는, 버퍼 수용부로서의 버퍼 유닛(111)과, 검사 후의 웨이퍼(W)를 노광 장치(4)에 반입하기 전에 소정의 온도로 조정하는 온도 조정 기구로서의 온도 조정 유닛(112)이 상하 방향으로 다단으로 겹쳐서 설치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제6 블록 G6의 상부에는, 전달 유닛(110)과 버퍼 유닛(111)이 위로부터 이 순서대로 교대로 3단씩 겹쳐서 배치되어 있다. 제6 블록 G6의 하부에는, 전달 유닛(110)과 온도 조정 유닛(112)이 위로부터 이 순서대로 교대로 2단씩 겹쳐서 배치되어 있다. 온도 조정 유닛(112)은 펠티에 소자 등의 온도 조정 부재를 구비한 온도 조정판을 갖고, 당해 온도 조정판에 적재된 웨이퍼(W)를 소정의 온도, 예를 들어 상온으로 온도 조정할 수 있다.
제5 블록 G5와 제6 블록 G6 사이이며, 제5 블록 G5에 인접한 영역에는, 기판 반송 기구로서의 웨이퍼 반송 기구(120)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(120)는 복수의 반송 아암으로서, 제1 반송 아암(121), 제2 반송 아암(122), 제3 반송 아암(123)을 갖고 있다. 각 아암(121, 122, 123)은, 예를 들어 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 이에 의해 각 반송 아암(121, 122, 123)은 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 각 블록 G5, G6의 각 유닛의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 또한, 도 17에서는 웨이퍼 반송 기구(120)로서, 독립적으로 이동하는 복수의 반송 아암(121, 122, 123)을 도시하고 있지만, 예를 들어 복수의 반송 아암 대신에, 하나의 반송 아암에 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 핀셋을 복수, 예를 들어 3개 설치한 것을 사용해도 좋다.
또한, 웨이퍼 반송 기구(120)에 의한 웨이퍼(W)의 반송은, 도 1에 도시한 제어 장치(6)의 기판 반송 제어부로서의 웨이퍼 반송 제어부(125)에 의해 제어된다. 웨이퍼 반송 제어부(125)는, 제1 반송 아암(121)에 의해, 세정 유닛(100)과 전달 유닛(110) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 웨이퍼 반송 기구(120)를 제어한다. 또한, 웨이퍼 반송 제어부(125)는, 제2 반송 아암(122)에 의해, 세정 유닛(100)에서 세정한 후의 웨이퍼(W)를 검사 유닛(101)에 반송하고, 제3 반송 아암(123)에 의해, 검사 유닛(101)에서 검사한 후의 웨이퍼(W)를 버퍼 유닛(111)에 반송하도록 제어한다. 또한, 웨이퍼 반송 제어부(125)는 도포 현상 처리 시스템(1) 내의 다른 웨이퍼 반송 기구의 동작의 제어도 행하고 있다.
도 17에 있어서의, 제6 블록 G6에 인접한 X 방향 플러스 방향측의 영역에는, 복수의 웨이퍼 반송 기구(130, 131)가 상하 방향으로 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(130, 131)는, 예를 들어 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암(130a, 131a)을 각각 갖고 있다. 반송 아암(130a)은 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제6 블록 G6 상부의 전달 유닛(110)과 버퍼 카세트(111) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 또한, 반송 아암(131a)은 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제6 블록 G6 하부의 각 유닛(110, 112)의 사이 및 각 유닛(110, 112)과 노광 장치(4) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
다음으로, 세정 유닛(100)의 구성에 대해서 설명한다. 도 18은 세정 유닛(100)의 구성의 개략을 도시하는 평면도, 도 19는 세정 유닛(100)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
세정 유닛(100)은, 제1 반송 아암(121)을 통하여 반송된 웨이퍼(W)를 수평으로 흡착 유지하는 2개의 흡착 패드(150)와, 이 흡착 패드(150)로부터 수취한 웨이퍼(W)를 수평으로 흡착 유지하는 스핀 척(151)과, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 브러시(152)와, 상면이 개방된 하우징(140)을 갖고 있다.
도 18에 도시되는 바와 같이, 2개의 흡착 패드(150)는 웨이퍼(W) 이면의 주연부를 보유 지지할 수 있도록, 평면시에 있어서 스핀 척(151)을 사이에 두고 대략 평행하게 설치되어 있다. 각 흡착 패드(150)는, 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 수평 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 프레임(153)에 의해 그 양단부가 지지되어 있다.
프레임(153)의 상면에는, 상부 컵(145)이 설치되어 있다. 상부 컵(145)의 상면에는 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 직경의 개구부(145a)가 형성되어 있고, 이 개구부(145a)를 통하여 제1 반송 아암(121)과 흡착 패드(150) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다.
도 19에 도시하는 바와 같이, 스핀 척(151)은 샤프트(160)를 통하여 구동 기구(161)에 접속되어 있고, 스핀 척(151)은, 이 구동 기구(161)에 의해 회전 및 승강 가능하게 구성되어 있다.
스핀 척(151)의 주위에는 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 승강 가능한 승강 핀(162)이 설치되어 있다.
브러시(152)는, 예를 들어 다수의 플라스틱 섬유를 원기둥 형상으로 묶어서 구성되어 있고, 지지체(163)에 의해 지지되어 있다. 지지체(163)는 구동 기구(161)에 접속되어 있다. 구동 기구(161)는 하우징(140)에 접속되고, 도 18의 X 방향이며 또한 하우징(140)을 따라서 수평 방향으로 이동할 수 있다. 따라서, 구동 기구(161)를 X 방향으로 이동시킴으로써, 지지체(163)를 통하여 브러시(152)를 도 18의 X 방향으로 이동시킬 수 있다. 브러시(152)는, 지지체(163)에 내장된 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 회전 가능하게 구성되어 있고, 그 상면을 웨이퍼(W)의 이면에 압박한 상태로 회전시켜 당해 브러시(152)를 웨이퍼(W)의 이면에서 미끄럼 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클을 제거할 수 있다.
또한, 지지체(163)의 선단에는 브러시로 제거된 파티클을 씻어내는 세정액을 공급하는 세정액 노즐(153a)과, 세정 후에 웨이퍼(W)의 이면에 부착되어 있는 세정액을 건조시키기 위한, 예를 들어 질소 등의 기체를 공급하는 퍼지 노즐(153b)이 설치되어 있다.
하우징(140)의 저부에는, 세정액을 배출하는 드레인관(170)과, 세정 유닛(100) 내에 하방향의 기류를 형성하고, 또한 당해 기류를 배기하는 배기관(161)이 설치되어 있다.
다음으로, 세정 유닛(100)에 있어서의 웨이퍼(W)의 세정에 대해서 설명한다. 웨이퍼(W)의 세정에 있어서는, 우선 도 20에 도시하는 바와 같이, 제1 반송 아암(121)에 의해 웨이퍼(W)가 상부 컵(145)의 상방에 반송된다. 계속해서, 승강 핀(162)이 상승하여, 웨이퍼(W)가 승강 핀(162)에 전달된다. 이때, 흡착 패드(150)는 그 상면이 브러시(152)의 상면보다도 높은 위치에서 대기하고, 스핀 척(151)은 브러시(152)의 상면보다 낮은 위치까지 퇴피하고 있다. 그 후, 승강 핀(162)이 하강하여, 도 21에 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 흡착 패드(150)에 전달되어 보유 지지된다.
계속해서, 도 22에 도시되는 바와 같이, 흡착 패드(150)로 웨이퍼(W)를 흡착 보유 지지한 상태에서, 예를 들어 브러시(152)가 웨이퍼(W) 이면의 중앙부에 대응하는 영역에 위치하도록 프레임(153)을 수평 방향으로 이동시킨다. 그 후, 흡착 패드(150)를 하강시켜, 웨이퍼(W)의 이면이 브러시(152)의 상면에 압박된다.
계속해서, 세정액 노즐(153a)로부터 세정액을 공급하는 동시에 브러시(152)를 회전시켜, 웨이퍼(W) 이면의 중앙부가 세정된다. 이때, 지지체(163)가 도 18의 X 방향으로 왕복 이동하고, 프레임(153)이 Y 방향으로 왕복 이동함으로써, 웨이퍼(W) 이면의 중앙부가 빠짐없이 세정된다.
웨이퍼(W) 이면의 중앙부의 세정이 끝나면, 도 23에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중심과 스핀 척(151)의 중심이 평면시에 있어서 일치하도록 프레임(153)을 수평 방향으로 이동시킨다. 계속해서, 스핀 척(151)을 상승시켜, 웨이퍼(W)가 흡착 패드(150)로부터 스핀 척(151)에 전달된다.
그 후, 도 24에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면에 브러시(152)를 압박한 상태에서 웨이퍼(W)가 회전되는 동시에, 지지체(163)를 통하여 브러시를 X 방향으로 미끄럼 이동시킴으로써, 웨이퍼(W) 이면의 주연부가 세정된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면 전체의 파티클이 제거된다.
웨이퍼(W) 이면의 세정이 완료되면, 브러시(152)의 회전이나 세정액의 공급을 정지하고, 스핀 척(151)을 고속으로 회전시킴으로써, 웨이퍼(W) 이면에 부착되어 있는 세정액이 제거되어 건조된다. 이때, 퍼지 노즐(153b)에 의한 퍼지도 병행하여 행해진다.
그리고, 건조가 종료되면, 세정 유닛(100)에 반송되었을 때와는 반대의 순서로 웨이퍼(W)가 제2 반송 아암(122)에 전달된다.
다음으로, 검사 유닛(101)의 구성에 대해서 설명한다. 도 25는, 검사 유닛(101)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
검사 유닛(101)은 하우징(140)을 구비하고, 하우징(140)의 내부에는 웨이퍼(W)의 적어도 이면을 하방을 향하여 개방된 상태로 보유 지지하는 보유 지지 아암(171)과, 보유 지지 아암(171)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 라인 형상의 평행 광선을 조사하는 광원(172)과, 웨이퍼(W)의 이면에 조사된 광을 촬상하는 카메라(173)가 설치되어 있다. 보유 지지 아암(171)은, 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
보유 지지 아암(171)의 선단부에는, 하방으로 돌출된 걸림부(171a)가 형성되고, 또한, 보유 지지 아암(171)의 하면에는, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동 가능한 가동 보유 지지부(171b)가 설치되어 있다. 보유 지지 아암(171)은, 이 걸림부(171a)와 가동 보유 지지부(171b)에 의해, 하우징(140)의 개구부(170a)를 통하여 하우징(140) 내에 진입하는 제2 반송 아암(122)으로부터 전달되는 웨이퍼(W)를 끼워 넣고, 그 이면이 하방을 향한 상태로 웨이퍼(W)를 보유 지지할 수 있다.
광원(172)은 보유 지지 아암(171)의 하방에, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 소정의 각도 θ로 광선을 조사하도록 배치되어 있다. 카메라(173)는 웨이퍼(W)의 이면에 조사된 광선의 화상을 촬상하도록, 보유 지지 아암(171)의 하방에, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 광원(172)과 마찬가지의 소정의 각도 θ 기울인 상태로 배치되어 있다.
광원(172), 카메라(173)는 도시하지 않은 회전 기구에 의해 조사 각도 및 촬상 각도가 조정 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 임의의 각도로 조사한 광선에서는 관찰할 수 없었던 파티클에 대하여, 다른 각도로 광선을 조사하여 관찰할 수 있다.
검사 유닛(101)에서는, 보유 지지 아암(171)이 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 수평 방향으로 이동하고, 웨이퍼(W)의 이면에 조사된 광선을 카메라(173)에 의해 연속적으로 촬상함으로써 웨이퍼(W)의 이면의 전체가 촬상된다. 카메라(173)로 촬상된 화상은 제어 장치(6)에 입력되고, 제어 장치(6)에 의해 당해 웨이퍼(W)의 이면의 상태가, 노광 장치(4)에서의 노광이 가능한지 여부가 판정된다. 또한, 제어 장치(6)에서는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클의 수나 부착된 범위, 혹은 파티클의 높이나 크기 등에 기초하여 당해 웨이퍼(W)의 노광 장치(4)에서의 노광의 가부가 판정된다.
제어 장치(6)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되어 있다. 이 제어 장치(6)에는, 예를 들어 도포 현상 처리 시스템(1)의 각종 처리 유닛에서의 웨이퍼 처리의 내용이나 각 웨이퍼(W)의 반송 루트를 정한 처리 레시피가, 프로그램으로서 예를 들어 메모리에 기억되어 있다. 이 프로그램을 실행함으로써, 도포 현상 처리 시스템(1)의 각종 처리 유닛의 제어나 상술한 웨이퍼 반송 제어부(125)에 의한 웨이퍼 반송 기구(120) 및 각 웨이퍼 반송 기구의 동작을 제어하고, 도포 현상 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 각종 처리나 반송 제어를 행한다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 데스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있었던 것이며, 그 기억 매체(H)로부터 제어 장치(6)에 인스톨된 것이어도 좋다.
이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)에서는, 예를 들어 다음과 같은 웨이퍼 처리가 행해진다. 도 26은, 이러한 웨이퍼 처리의 주된 공정의 예를 나타내는 흐름도이다.
웨이퍼(W)의 처리에 있어서는, 우선, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 카세트 반입출부(10)의 소정의 카세트 적재판(13)에 적재된다. 그 후, 웨이퍼 반송 기구(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 취출되고, 처리 스테이션(3)의 제3 블록 G3의 예를 들어 전달 유닛(53)에 반송된다.
다음에 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 제2 블록 G2의 열처리 유닛(40)에 반송되어, 온도 조절된다(도 26의 공정 S1). 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 예를 들어 제1 블록 G1의 하부 반사 방지막 형성 유닛(30)에 반송되어, 웨이퍼(W) 위에 하부 반사 방지막이 형성된다(도 26의 공정 S2). 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록 G2의 열처리 유닛(40)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 그 후 제3 블록 G3의 전달 유닛(53)으로 복귀된다.
다음에 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(90)에 의해 동일한 제3 블록 G3의 전달 유닛(54)에 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 제2 블록 G2의 어드히젼 유닛(41)에 반송되어, 어드히젼 처리된다(도 26의 공정 S3). 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 레지스트 도포 유닛(31)에 반송되어, 웨이퍼(W) 위에 레지스트막이 형성된다(도 26의 공정 S4). 그 후 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 프리 베이크 처리된다(도 26의 공정 S5). 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 제3 블록 G3의 전달 유닛(55)에 반송된다.
다음에 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 상부 반사 방지막 형성 유닛(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 위에 상부 반사 방지막이 형성된다(도 26의 공정 S6). 그 후 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 가열되고, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 주변 노광 유닛(42)에 반송되어, 주변 노광 처리된다(도 26의 공정 S7).
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 제3 블록 G3의 전달 유닛(56)에 반송된다.
다음에 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(90)에 의해 전달 유닛(52)에 반송되어, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제4 블록 G4의 전달 유닛(62)에 반송된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(85)에 의해 제6 블록 G6의 전달 유닛(110)에 반송된다.
다음에 웨이퍼(W)는, 제1 반송 아암(121)에 의해 세정 유닛(100)에 반송되어, 웨이퍼(W)의 이면이 세정된다(도 26의 공정 S8).
이면이 세정된 웨이퍼(W)는, 제2 반송 아암(122)에 의해 검사 유닛(101)에 반송되어, 웨이퍼(W)의 이면이 검사된다(도 26의 공정 S9). 다음에 웨이퍼(W)는 제3 반송 아암(123)에 의해 버퍼 유닛(111)에 반송되어, 검사 유닛(101)에서의 웨이퍼(W)의 검사 결과가 판명될 때까지 일시적으로 버퍼 유닛(111)에 수용된다.
검사 유닛(101)에서의 검사 결과가 판명되면, 웨이퍼 반송 제어부(125)는 소정의 룰에 기초하여 웨이퍼 반송 기구(120)를 제어하여 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 즉, 검사 유닛(101)에서의 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가, 노광 장치(4)에서 노광 가능하다고 판정되면, 웨이퍼(W)를 제3 반송 아암(123)에 의해 온도 조정 유닛(112)에 반송하고, 계속해서 반송 아암(131a)에 의해 노광 장치(4)에 반송한다. 또한, 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가, 노광 장치(4)에서 노광 불가능하다고 판정되면, 당해 웨이퍼(W)의 이후의 처리를 중지하고, 제3 아암(123)에 의해 전달 유닛(110)에 반송한다. 그 후, 이후의 처리가 중지된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(85)에 의해 처리 스테이션(3)으로 반송되어, 계속해서 소정의 카세트 적재판(13)의 카세트(C)에 회수된다(도 26의 공정 S10). 또한, 노광 불가능하다고 판정된 웨이퍼(W)를 회수할 때의 루트로서는, 예를 들어 셔틀 반송 장치(80)를 사용하는 루트이어도 좋고, 제1 블록 G1에 있어서의 현상 처리 유닛(33)의 단을 통하여 회수하는 루트이어도 좋다. 현상 처리 유닛(33)의 단을 사용하는 것은, 당해 현상 처리 유닛(33)의 단에 있어서의 노광 후의 웨이퍼(W)의 반송 방향이, 노광 불가능하다고 판정된 웨이퍼(W)의 반송 방향과 마찬가지로, 노광 장치(4)로부터 카세트 스테이션(2)측 방향이고, 통상의 웨이퍼(W) 반송과 간섭하는 일 없이 노광 불가능한 웨이퍼(W)를 반송할 수 있기 때문이다.
또한, 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가, 현상에서는 노광할 수 없지만, 세정 유닛(100)에서 재세정함으로써 노광 장치(4)에서의 노광이 가능한 것이라고 판정되면, 웨이퍼(W)를 제3 반송 아암(123)에 의해 다시 세정 유닛(100)에 반송한다. 그리고, 세정 유닛(100)에서 다시 세정된 웨이퍼(W)는, 제2 반송 아암(122)에 의해 다시 검사 유닛(101)에 반송된다. 그 후, 검사 유닛(101)에서 노광 가능하다고 판정되면, 웨이퍼(W)는 제3 반송 아암(123)에 의해 온도 조정 유닛(112)에 반송되고, 계속해서 웨이퍼 반송 기구(130)에 의해 노광 장치(4)에 반송되어 노광 처리된다(도 26의 공정 S11).
노광 처리된 웨이퍼(W)는 반송 아암(131a)에 의해 제6 블록 G6의 전달 유닛(110)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(85)에 의해 제4 블록 G4의 전달 유닛(40)에 반송된다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다(도 26의 공정 S12). 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 현상 처리 유닛(33)에 반송되어, 현상 처리된다(도 26의 공정 S13). 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 포스트 베이크 처리된다(도 26의 공정 S14).
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(70)에 의해 제3 블록 G3의 전달 유닛(50)에 반송되고, 그 후 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 기구(21)에 의해 소정의 카세트 적재판(13)의 카세트(C)에 반송된다. 이렇게 하여, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.
이상의 실시 형태에 따르면, 세정 유닛(100)과 검사 유닛(101)이, 인터페이스 스테이션(5)의 정면측에 다단으로 설치되고, 웨이퍼 반송 기구(120)가 세정 유닛(100) 및 검사 유닛(101)에 인접한 영역에 형성되어 있으므로, 인터페이스 스테이션(5)의 배면측이 축소 가능하고, 인터페이스 스테이션(5)을 종래보다도 소형화할 수 있다. 따라서, 노광 전에 웨이퍼(W)의 이면 세정을 행하는 기능을 구비한 도포 현상 처리 시스템(1)에 있어서, 각 처리 유닛의 구성을 변경하는 일 없이 풋 프린트를 작게 할 수 있다.
또한, 인터페이스 스테이션(5)의 정면측으로부터 세정 유닛(100)과 검사 유닛(101)의 양쪽에 액세스할 수 있으므로, 메인터넌스도 용이해진다. 나아가서는, 인터페이스 스테이션(5)의 배면측에는 처리 유닛이 배치되어 있지 않기 때문에, 인터페이스 스테이션(5) 내의 기기로의 배면측으로부터의 액세스도 용이해지므로, 이 점으로부터도 메인터넌스가 용이해진다.
또한, 세정 유닛(100)과 검사 유닛(101)을 상하 방향으로 다단으로 설치함으로써, 세정 후의 웨이퍼(W)와 반송 아암의 접촉 횟수를 최소한으로 할 수 있다. 즉, 도 27에 도시되는 종래의 도포 현상 처리 시스템(300)과 같이, 예를 들어 세정 유닛(210)과 검사 유닛(211)이 도포 현상 처리 시스템(300)의 정면과 배면으로 나누어 설치되어 있는 경우, 세정 유닛(210)으로부터 검사 유닛(211)에 웨이퍼(W)를 반송하기 위해서는, 우선 세정 유닛으로부터 전달 유닛(213)에 반송하고, 계속해서 전달 유닛(213)으로부터 검사 유닛(211)에 반송할 필요가 있다. 이 경우, 세정 후의 웨이퍼(W)의 이면이, 웨이퍼 반송 기구(214)와 최저 2회 접촉한다. 그에 대하여, 본 실시 형태와 같이, 세정 유닛(100)과 검사 유닛(101)을 상하 방향으로 배치하면, 전달 유닛(213)을 개재할 필요가 없으므로, 웨이퍼(W)와 웨이퍼 반송 기구(120)의 접촉을 1회에 억제할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 이면이 웨이퍼 반송 기구(120)에 부착된 파티클에 의해 오염될 가능성이 종래보다도 저감할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에서는 웨이퍼 반송 기구(120)가, 제1 반송 아암(121), 제2 반송 아암(122) 및 제3 반송 아암(123)을 갖고, 세정 후의 웨이퍼(W)는 각 반송 아암(122, 123)에 의해 검사 유닛(101) 및 버퍼 유닛(111)에 반송된다. 이러한 경우, 세정 후의 웨이퍼(W)를 반송하는 각 반송 아암(122, 123)이 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클에 의해 오염되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 각 반송 아암(122, 123)을 청정하게 유지할 수 있고, 세정 후의 웨이퍼(W)를 반송할 때에, 웨이퍼(W)의 이면이 각 반송 아암(122, 123)에 부착된 파티클에 오염될 가능성을 더 저감할 수 있다. 또한, 제3 반송 아암(123)은 반드시 설치할 필요는 없으며, 세정 유닛(100)에서의 세정 후, 버퍼 유닛(111)까지의 반송을 제2 반송 아암(122)으로 행해도 좋다.
또한, 웨이퍼 반송 기구(120)에 복수의 반송 아암(121, 122, 123)을 설치함으로써, 각 반송 아암(121, 122, 123)에 의한 반송 공정수를 균등화할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 반송 시간 관리가 용이해진다.
또한, 검사 유닛(101)에 의한 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가, 예를 들어 노광 장치(4)에서의 노광이 불가능하다고 판정된 경우, 제2 반송 아암(122) 및 제3 반송 아암(123)은, 예를 들어 이면에 파티클이 부착된 상태의 웨이퍼(W)를 반송하고 있었던 것으로 된다. 그렇다면, 웨이퍼(W)에 부착된 파티클이 각 반송 아암(122, 123)에 부착되어 버려, 다음에 반송하는 웨이퍼(W)의 이면을 오염시키게 될 우려가 있다. 따라서, 검사 유닛(101)에서의 검사 결과, 웨이퍼(W)의 상태가 노광 장치(4)에서의 노광 불가능, 또는 재세정에 의해 노광 가능하다고 판정된 경우, 당해 웨이퍼(W)를 반송한 후에, 제2 반송 아암(122) 및 제3 반송 아암(123)을 세정해도 좋다. 이러한 반송 아암(122, 123)의 세정은, 예를 들어 세정 유닛(100)에 의해 행해도 좋다. 이러한 경우, 세정 유닛(100)의 브러시(152)를 상하로 반전 가능하게 구성해 두고, 세정 유닛(100) 내에 진입시킨 각 반송 아암(122, 123)의 상면을 반전시킨 브러시(152)에 의해 세정해도 좋다. 또한, 세정 유닛(100)과는 별도로, 반송 아암(122, 123)의 세정을 행하는 아암 세정 기구로서의 다른 세정 유닛을 제5 블록 G5 또는 제6 블록 G6에 설치해도 좋고, 버퍼 유닛(111)에 반송 아암(122, 123)의 세정 기구를 설치해도 좋다.
이상의 실시 형태에서는, 검사 유닛(101)에서 세정 후의 웨이퍼(W)를 검사한 결과, 당해 웨이퍼(W)의 상태가, 현상에서는 노광 불가능하지만 세정 유닛(100)에서의 재세정에 의해 노광이 가능한 것으로 판정된 경우, 웨이퍼 반송 제어부(125)가 웨이퍼 반송 기구(120)를 제어하여, 당해 웨이퍼(W)를 다시 세정 유닛(100)에 반송하고 있다. 이 경우, 노광 불가능하다고 판단된 모든 웨이퍼(W)에 대해서 이후의 처리를 중지하여 카세트(C)에 회수하였던 종래의 도포 현상 처리 시스템(300)과 비교하여, 이후의 처리를 중지하여 카세트(C)에 회수하는 웨이퍼(W)의 수를 저감할 수 있다. 그 결과, 도포 현상 처리 시스템(1)에 의한 웨이퍼(W) 처리의 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 검사 유닛(101)에서 검사한 후의 웨이퍼(W)를 일시적으로 수용하는 버퍼 유닛(111)이 설치되어 있으므로, 검사 후의 웨이퍼(W)를, 검사 유닛(101)에 의한 검사 결과가 판명될 때까지 당해 버퍼 유닛(111)에 대기시킬 수 있다. 가령, 검사 결과가 판명되어 있지 않은 상태에서 웨이퍼(W)를 반송한 경우, 그 후에 판명되는 검사 결과에 의해 반송 중 웨이퍼(W)의 반송처를 변경할 필요가 발생하여, 웨이퍼(W)의 반송에 큰 영향이 미칠 우려가 있다. 그러나, 검사 후의 웨이퍼(W)를 검사 결과가 판명될 때까지 버퍼 유닛(111)에 대기시킴으로써, 반송처가 확정되고 나서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있으므로, 그와 같은 영향이 발생하는 일은 없다.
또한, 검사 유닛(101)에서 검사한 후의 웨이퍼(W)를 버퍼 유닛(111)에 대기시키는 시간은, 반드시 당해 웨이퍼(W)의 검사 결과가 판명될 때까지라고 할 필요는 없으며, 그 이상의 시간 대기시켜도 좋다. 예를 들어, 버퍼 유닛(111)에 복수의 검사 후의 웨이퍼(W)가 수용되어 있을 때에, 가장 먼저 검사 결과가 판명되는 웨이퍼(W)의 검사 결과가, 상술한 「재세정」이었던 경우, 이 웨이퍼(W)가 세정 유닛(100)에서 다시 세정되는 과정으로, 버퍼 유닛(111)에 수용되어 있는 다른 웨이퍼(W)의 검사 결과가 판명되는 경우가 있다. 이러한 경우에, 검사 결과가 판명된 다음의 웨이퍼(W)를 노광 장치(4)측에 반송하면, 당해 웨이퍼(W)는, 재세정되는 웨이퍼(W)를 앞질러서 노광 장치(4)에 반송되게 된다. 그 경우, 예를 들어 로트 단위로 처리 레시피에 설정되어 있는 웨이퍼(W)의 반송 스케줄과 다른 순서로 웨이퍼(W)가 노광 장치(4)에 반송되므로, 노광 장치(4)가 이 웨이퍼(W)를 인식할 수 없어, 반송 에러가 발생할 가능성이 있다.
따라서, 상술한 바와 같이 임의의 웨이퍼(W)가 「재세정」이라고 판정된 경우에는, 당해 웨이퍼(W)의 재세정 후에 다시 검사 유닛(101)에서 검사하고, 다시 버퍼 유닛(111)에 수용 후에 재세정의 검사 결과가 판명될 때까지, 다음의 웨이퍼(W)를 버퍼 유닛(111)에서 대기시켜 두는 것이 바람직하다. 이와 같이, 버퍼 유닛(111)에서 웨이퍼(W)를 대기시키는 시간을 조정함으로써, 「재세정」으로 된 경우라도 웨이퍼(W)를 미리 정해진 소정의 순서로 반송할 수 있다. 또한, 버퍼 유닛(111)은, 복수의 웨이퍼(W)를, 예를 들어 다단으로 수용할 수 있는 구성이어도 좋다. 이러한 경우, 예를 들어 버퍼 유닛(111) 내의 웨이퍼(W)가 노광 불가능하다고 판정되었을 때에, 웨이퍼 반송 기구(120)에 의한 웨이퍼 반송의 스케줄에 영향이 미치지 않는 타이밍으로 될 때까지 당해 웨이퍼(W)를 버퍼 유닛(111)에 수용해 둠으로써, 반송 스케줄에 영향이 미치는 일 없이 웨이퍼(W)를 회수하는 것이 가능해진다. 또한, 예를 들어 버퍼 유닛(111)에, 노광 가능하다고 판정된 웨이퍼(W)를 예를 들어 복수매 대기시켜 두도록 해도 좋다. 이러한 경우, 예를 들어 「재세정」이라고 판정된 웨이퍼(W)를 다시 세정하는 동안에, 대기시키고 있던 노광 가능한 웨이퍼(W)를 노광 장치(4)에 반송하도록 하면, 항상 노광 장치(4)에 반송하는 웨이퍼(W)를 확보할 수 있으므로, 노광 장치(4)가 대기 상태로 되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 세정 유닛(100)의 하방에 검사 유닛(101)을 배치하고 있었지만, 그 반대로, 세정 유닛(100)을 검사 유닛(101)의 하방에 배치 해도 좋다.
이상의 실시 형태에서는, 온도 조정 유닛(112)에 의해 노광 장치(4)에 반송하기 전의 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하였지만, 예를 들어 검사 유닛(101) 내의 분위기를 소정의 온도로 조정하는 온도 조절 기구를 검사 유닛(101)에 설치하고, 당해 검사 유닛(101)에서 웨이퍼(W)를 검사하고 있는 동안에 당해 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하도록 해도 좋다. 이렇게 함으로써, 온도 조정 유닛(112)에서의 처리 시간이나 온도 조정 유닛(112)에서의 반송 시간을 단축할 수 있으므로, 도포 현상 처리 시스템(1)의 처리량을 향상시킬 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예로 한정되지 않는다. 당업자라면 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다. 본 발명은 이 예로 한정되지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여 세정 처리 및 처리를 행할 때에 유용하다.
1 : 도포 현상 처리 시스템
2 : 카세트 스테이션
3 : 처리 스테이션
4 : 노광 장치
5 : 인터페이스 스테이션
6 : 제어 장치
10 : 카세트 반입출부
11 : 웨이퍼 반송부
12 : 카세트 적재대
13 : 카세트 적재판
20 : 반송로
21 : 웨이퍼 반송 기구
30 : 하부 반사 방지막 형성 유닛
31 : 레지스트 도포 유닛
32 : 상부 반사 방지막 형성 유닛
33 : 현상 처리 유닛
40 : 열처리 유닛
41 : 어드히젼 유닛
42 : 주변 노광 유닛
50 내지 56 : 전달 유닛
60 내지 62 : 전달 유닛
70 : 웨이퍼 반송 기구
85 : 웨이퍼 반송 기구
90 : 웨이퍼 반송 기구
110 : 전달 유닛
112 : 온도 조정 유닛
120 : 웨이퍼 반송 기구
121 : 제1 반송 아암
122 : 제2 반송 아암
130 : 웨이퍼 반송 기구
C : 카세트
D : 웨이퍼 반송 영역
F : 컵
W : 웨이퍼

Claims (22)

  1. 기판을 처리하는 복수의 처리 유닛이 설치된 처리 스테이션과, 상기 처리 스테이션과 외부에 설치된 노광 장치 사이에서 기판의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션을 구비한 기판 처리 시스템이며,
    상기 인터페이스 스테이션은,
    기판을 상기 노광 장치에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면을 세정하는 세정 유닛과,
    적어도 상기 세정 후의 기판의 이면에 대해서, 당해 기판의 노광이 가능한지 여부를 상기 노광 장치에 반입하기 전에 검사하는 검사 유닛과,
    상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛 사이에서 기판을 반송하는 아암을 구비한 기판 반송 기구를 갖고,
    상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛은, 상기 인터페이스 스테이션의 정면측 또는 배면측 중 어느 하나의 측에, 상하 방향으로 다단으로 설치되고,
    상기 기판 반송 기구는, 상하 방향으로 다단으로 설치된 상기 세정 유닛 및 상기 검사 유닛에 인접한 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 검사 유닛에서의 검사 결과, 기판의 상태가, 상기 세정 유닛에서의 재세정에 의해 노광 가능한 상태로 된다고 판정되면, 당해 기판을 상기 세정 유닛에 다시 반송하도록, 상기 기판 반송 기구를 제어하는 기판 반송 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판 반송 제어부는, 상기 세정 유닛에 다시 반송되어 세정된 기판을 다시 검사 유닛에 반송하도록 상기 기판 반송 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 인터페이스 스테이션에는, 상기 검사 유닛에서 검사 후의 기판을 일시적으로 수용하는 버퍼 수용부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판 반송 기구는, 상기 인터페이스 스테이션에 반입된 기판을 상기 세정 유닛에 반송하는 제1 반송 아암과, 상기 세정 유닛에서 세정한 후의 기판을 상기 검사 유닛에 반송하고, 또한 상기 검사 유닛에서 검사한 후의 기판을 상기 버퍼 수용부에 반송하는 제2 반송 아암을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 기판 반송 기구는, 상기 인터페이스 스테이션에 반입된 기판을 상기 세정 유닛에 전달하는 제1 반송 아암과, 상기 세정 유닛에서 세정한 후의 기판을 상기 검사 유닛에 전달하는 제2 반송 아암과, 상기 검사 유닛에서 검사한 후의 기판을 상기 버퍼 수용부에 반송하는 제3 반송 아암을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 버퍼 수용부는, 상기 검사 후의 기판의 검사 결과가 판명될 때까지 당해 검사 후의 기판을 수용하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 반송 기구의 반송 아암을 세정하는 아암 세정 기구가, 상기 인터페이스 스테이션에 있어서의, 상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛이 배치되어 있는 측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 아암 세정 기구는, 상기 세정 유닛이 겸용하고 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검사 유닛에서 검사된 후이며 또한 상기 노광 장치에 반입 전의 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도 조정 기구를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 온도 조정 기구는, 상기 검사 유닛 내에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  12. 기판을 처리하는 복수의 처리 유닛이 설치된 처리 스테이션과, 상기 처리 스테이션과 외부에 설치된 노광 장치 사이에서 기판의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션을 구비한 기판 처리 시스템에 있어서의 기판의 반송 방법이며,
    상기 인터페이스 스테이션은,
    기판을 상기 노광 장치에 반입하기 전에 적어도 기판의 이면을 세정하는 세정 유닛과,
    적어도 상기 세정 후의 기판의 이면에 대해서, 당해 기판의 노광이 가능한지 여부를 상기 노광 장치에 반입하기 전에 검사하는 검사 유닛과,
    상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛 사이에서 기판을 반송하는 아암을 구비한 기판 반송 기구를 갖고,
    상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛은, 상기 인터페이스 스테이션의 정면측 또는 배면측 중 어느 하나의 측에, 상하 방향으로 다단으로 설치되고,
    상기 기판 반송 기구는, 상하 방향으로 다단으로 설치된 상기 세정 유닛 및 상기 검사 유닛에 인접한 영역에 형성되고,
    상기 검사 유닛에서의 검사 결과, 기판의 상태가, 상기 세정 유닛에서의 재세정에 의해 노광 가능한 상태로 된다고 판정되면, 당해 기판을 상기 세정 유닛에 다시 반송하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 세정 유닛에 다시 반송되어 세정된 기판을, 다시 검사 유닛에 반송하여 검사하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 인터페이스 스테이션에는, 상기 검사 유닛에서 검사 후의 기판을 일시적으로 수용하는 버퍼 수용부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 기판 반송 기구는, 상기 인터페이스 스테이션에 반입된 기판을 상기 세정 유닛에 전달하는 제1 반송 아암과, 상기 세정 유닛에서 세정한 후의 기판을 상기 검사 유닛에 반송하고, 또한 상기 검사 유닛에서 검사한 후의 기판을 상기 버퍼 수용부에 반송하는 제2 반송 아암을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 기판 반송 기구는, 상기 인터페이스 스테이션에 반입된 기판을 상기 세정 유닛에 전달하는 제1 반송 아암과, 상기 세정 유닛에서 세정한 후의 기판을 상기 검사 유닛에 전달하는 제2 반송 아암과, 상기 검사 유닛에서 검사한 후의 기판을 상기 버퍼 수용부에 반송하는 제3 반송 아암을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검사 후의 기판은, 상기 검사 유닛에서의 검사 결과가 판명될 때까지 상기 버퍼 수용부에 수용되는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  18. 제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 반송 기구의 아암을 세정하는 아암 세정 기구가, 상기 인터페이스 스테이션에 있어서의, 상기 세정 유닛과 상기 검사 유닛이 배치되어 있는 측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 아암 세정 기구는, 상기 세정 유닛이 겸용하고 있는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  20. 제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검사 유닛에서 검사된 후이며 또한 상기 노광 장치에 반입 전의 기판을 소정의 온도로 조정하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 기판의 온도 조정은, 상기 검사 유닛 내에서 행해지는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  22. 제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 기재된 기판 반송 방법을 기판 처리 시스템에 의해 실행시키기 위해, 당해 기판 처리 시스템을 제어하는 제어 장치의 컴퓨터상에서 동작하는, 프로그램을 저장한 판독 가능한, 컴퓨터 기억 매체.
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