TWI761895B - 微型電子元件轉移設備以及微型電子元件轉移方法 - Google Patents
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- TWI761895B TWI761895B TW109125053A TW109125053A TWI761895B TW I761895 B TWI761895 B TW I761895B TW 109125053 A TW109125053 A TW 109125053A TW 109125053 A TW109125053 A TW 109125053A TW I761895 B TWI761895 B TW I761895B
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 85
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 226
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 19
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- MPZNMEBSWMRGFG-UHFFFAOYSA-N bismuth indium Chemical compound [In].[Bi] MPZNMEBSWMRGFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
提出一種微型電子元件轉移設備，包括第一輸送部、第二輸送部以及光源裝置。第一輸送部被設置以輸出多個微型電子元件。第二輸送部包括第一滾動件以及基板，基板被配置於第一滾動件上，且藉由第一滾動件的滾動而移動。基板上設置有多個凸塊。光源裝置被設置以對這些凸塊照光以加熱，這些凸塊產生相變化。當這些微型電子元件自第一輸送部輸出，這些微型電子元件與第一輸送部的連接力小於這些微型電子元件與這些凸塊的連接力，這些微型電子元件分別與這些凸塊接合。一種微型電子元件轉移方法亦被提出。
Description
本發明是有關於一種元件轉移設備以及元件轉移方法，且特別是有關於一種微型電子元件轉移設備以及微型電子元件轉移方法。
製程上，經常需要藉由設備將所需要的微型元件轉移至目標基板上，並在基板上連接其他元件。例如，將微型發光二極體(Micro LED)巨量轉移設置於基板上，並與基板上事先設置的凸塊（bump）電性連接。現今可透過靜電力或磁力等超距力的方式，將載板上的微型發光二極體轉移至基板上。然而，透過上述方式所傳輸的微型發光二極體的數量因受限靜電頭或磁力頭大小，因此無法有效提升傳輸的效率，進而無法滿足巨量轉移的需求。且因電子元件已微縮至微米等級，不同次的轉移過程之間存在因設備本身移動誤差而更易造成的微型電子元件轉移誤差（轉移後的微型電子元件的設置位置誤差），因此亟需一種具備高效率以及高準確度的轉移設備及方法。
本發明提供一種微型電子元件轉移設備以及微型電子元件轉移方法，其轉移效率高，且轉移準確度良好。
根據本發明一實施例，提供一種微型電子元件轉移設備，包括第一輸送部、第二輸送部以及光源裝置。第一輸送部被設置以輸出多個微型電子元件。第二輸送部包括第一滾動件以及基板，基板被配置於第一滾動件上，且藉由第一滾動件的滾動而移動。基板上設置有多個凸塊。光源裝置被設置以對這些凸塊照光以加熱，這些凸塊產生相變化。當這些微型電子元件自第一輸送部輸出，這些微型電子元件與第一輸送部的連接力小於這些微型電子元件與這些凸塊的連接力，這些微型電子元件分別與這些凸塊接合。
根據本發明一實施例，提供一種微型電子元件轉移方法，包括：設置第一輸送部以輸出多個微型電子元件；將基板設置於第一滾動件上，且藉由第一滾動件的滾動而移動基板，基板上設置有多個凸塊；以光源裝置對這些凸塊照光以加熱，使這些凸塊產生相變化；以及當這些微型電子元件自第一輸送部輸出，這些微型電子元件與第一輸送部的連接力小於這些微型電子元件與這些凸塊的連接力，將這些微型電子元件分別接合這些凸塊，以將這些微型電子元件設置於基板上。
基於上述，本發明實施例提供的微型電子元件轉移設備以及微型電子元件轉移方法利用第一輸送部輸出多個微型電子元件、利用基板輸送多個凸塊、並利用光源加熱並使這些凸塊產生相變化，使得這些微型電子元件分別藉由這些凸塊設置於基板上，這些微型電子元件自第一輸送部轉移至基板的轉移效率高，且這些微型電子元件的轉移準確度（位置準確度）良好。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
參照圖1A，其繪示了依照本發明的第一實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。微型電子元件轉移設備100包括第一輸送部110、第二輸送部120以及光源裝置130。第一輸送部110被設置以輸出多個微型電子元件140。根據本發明一實施例，微型電子元件140可以是光電元件，例如是微型發光二極體或其他微型發光元件。在本實施例中，作為代表，僅繪示了單一個微型電子元件140自第一輸送部110輸出。根據本發明一實施例，第一輸送部110可以具備多個輸出孔，以同時輸出多個微型電子元件140。根據本發明另一實施例，第一輸送部110可以包括一輸送帶，輸送帶上設置有多個微型電子元件140，這些微型電子元件140可以批次脫離輸送帶，而自第一輸送部110輸出。
第二輸送部120包括滾動件121以及基板122，基板122被配置於滾動件121上，且藉由滾動件121的滾動而向右移動。具體地，滾動件121具有滾動件軸心121A，滾動件軸心121A不移動，且滾動件121相對於滾動件軸心121A而滾動（或轉動）。
基板122上設置有多個凸塊150，當以俯視方式觀看基板122時，其上所設置的多個凸塊150可以直線形式排列或矩陣形式排列。根據本發明一實施例，第一輸送部110可以具備多個輸出孔，基板122上的多個凸塊150以矩陣形式排列，且第一輸送部110的多個輸出孔與這個矩陣形式相對應。
光源裝置130被設置以對基板122上的凸塊150照光，以加熱並使凸塊150產生相變化，例如是使凸塊150軟化以利後續接合。在本實施例中，光源裝置130例如是一雷射裝置，利用了光源裝置130在空間上精準出光的特性，精準地對準所要加熱及軟化的凸塊150。除此之外，光源裝置130還可以利用分光鏡等光學元件，將其所產生的光束進行分光，以同時產生多條光束，並同時對多個凸塊150進行加熱。根據本發明一實施例，光源裝置130對凸塊150加熱至大於凸塊150的玻璃轉化溫度（glass transition temperature, T
g）小於凸塊150的熔點（T
m）的範圍內，以軟化凸塊150使凸塊150的相變化介於玻璃態至熔融液態之間，進入可塑態、高黏態或橡膠態，但是不加熱至大於凸塊150的熔點的溫度，以避免其溢流至其他的凸塊150，但是本發明不限於此。
當多個微型電子元件140自第一輸送部110輸出，基板122上已有一個或多個凸塊150受光源裝置130加熱而軟化，這些微型電子元件140與第一輸送部110的連接力小於這些微型電子元件140與凸塊150的連接力，因此第一輸送部110所輸出的這些微型電子元件140得以分別和已軟化的這些凸塊150相接合，而穩固地轉移設置於基板122上。除此之外，基板122隨著滾動件121的滾動而向右移動，使得光源裝置130得以對不同的凸塊150加熱，受熱後的凸塊150再進一步與第一輸送部110接續輸出的微型電子元件140相接合。
根據本實施例，微型電子元件轉移設備100利用第一輸送部110輸出多個微型電子元件140，並利用基板122輸送多個凸塊150，並使這些微型電子元件140接合這些凸塊150，而得以將這些微型電子元件140自第一輸送部110轉移至基板122上，因而達成了有效率的巨量轉移。除此之外，微型電子元件轉移設備100還利用光源裝置130在空間上精準出光的特性來精準地加熱並軟化凸塊150，使得微型電子元件140得以穩固地設置於基板122上，提升了巨量轉移的準確度。此處，基板122具體化為薄膜電晶體（Thin Film Transistor, TFT）基板。在其他的實施例中，接收基板122可以是玻璃基板、陶瓷基板、半導體（Semiconductor）基板、次黏著基台（Submount）、互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）電路基板、矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon, LCOS）基板或其他具有驅動單元的基板。凸塊150材質亦可為熔點低於攝氏溫度200度的金屬或是合金，例如銦、銦鉍合金、錫鉍合金、鉛錫合金、鋅錫合金等，但不以此為限，透過微型電子元件轉移設備100讓微型電子元件140電性連接於基板122而完成例如微型發光元件顯示器裝置(未繪示)。在其他的實施例中，基板122具體為一巨量轉移過程中的無線路載板，如是藍寶石基板或玻璃基板。凸塊150其材質為一有機材料，例如為一具有黏性的高分子聚合物，如環氧樹脂、聚醯亞胺、聚酯、聚氨酯、苯並環丁烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸酯及上述材料之組合。透過微型電子元件轉移設備100讓微型電子元件140暫時設置於基板122而為了後續的巨量轉移做準備。
在本實施例中，這些微型電子元件140中的每一個上還可以設置有導電接墊160，根據本發明一實施例，光源裝置130可以在微型電子元件140還未自第一輸送部110輸出時，對導電接墊160照光，以加熱並軟化導電接墊160，當微型電子元件140自第一輸送部110輸出，微型電子元件140則可以透過導電接墊160接合凸塊150。應當說明的是，上述以光源裝置130加熱並軟化導電接墊160的過程可以是同時對多個導電接墊160進行的，或是一次只加熱並軟化一個導電接墊160，具體的實施方式可以參照下面即將描述的第二實施例。根據本發明一實施例，光源裝置130對導電接墊160加熱至大於導電接墊160的玻璃轉化溫度（T
g）小於導電接墊160的熔點（T
m）的溫度範圍內，以軟化導電接墊160，使導電接墊160的相變化介於玻璃態至熔融液態之間，進入可塑態、高黏態或橡膠態，但是不加熱至大於導電接墊160的熔點的溫度，以避免其溢流，但是本發明不限於此。特別說明的是，導電接墊160可以做為微型電子元件140的電極160，如圖1B所示的導電接墊160配置於微型電子元件140的半導體層142上，此處微型電子元件140例如是一垂直式微型電子元件140。但也可以如圖1C所示，微型電子元件140例如是一水平式或覆晶式微型電子元件140，導電接墊至少有二個，包括第一導電接墊162和第二導電接墊164分別與覆晶式微型電子元件140的第一型半導體層(未繪示)和第二型半導體層(未繪示)電性連結。
第一輸送部110的各種實施方式將在下述的實施例中提出。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
參照圖2，其繪示了依照本發明的第二實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。微型電子元件轉移設備200包括第一輸送部210、第二輸送部120以及光源裝置130。第二實施例與第一實施例不同在於，第一輸送部210包括滾動件211以及載板212。其中載板212設置於滾動件211上，多個微型電子元件140設置於載板212上。滾動件211具有滾動件軸心211A且滾動件211相對於滾動件軸心211A而滾動（或轉動）。光源裝置130分別對多個微型電子元件140上的多個導電接墊160照光，以加熱並軟化這些導電接墊160，當這些微型電子元件140自載板212脫離，這些微型電子元件140分別透過這些導電接墊160接合基板122上的多個凸塊150，使得這些微型電子元件140得以穩固地設置於基板122上，並分別與這些凸塊150相連接。根據本發明一實施例，載板212可以包括光解離材料(未繪示)配置於載板212與微型電子元件140間，並且可以透過對載板212的局部照射紫外光或雷射光來降低載板212的這個局部與微型電子元件140間的黏附力，使得其上的微型電子元件140脫離載板212。使用光解離材料時，較佳可以使用一紫外光，避免光照過程中產生過熱情況影響微型電子元件140。
參照圖3A~圖3D，其繪示了依照本發明的第三實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。微型電子元件轉移設備300包括第一輸送部310、第二輸送部320以及光源裝置330。第一輸送部310包括滾動件311以及載板312，其中載板312是可撓的，且載板312隨著滾動件311的滾動來輸送多個微型電子元件340。根據本發明一實施例，載板312可以具體地以輸送帶來實現。在本實施例中，多個微型電子元件340中的每一個上還設置了連接墊370，這些微型電子元件340分別藉由其上的連接墊370而設置於載板312上。根據本發明一實施例，連接墊370可以包括有機材料，如環氧樹脂、聚醯亞胺、聚酯、聚氨酯、苯並環丁烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸酯及上述材料之組合，但是本發明不限於此。
第二輸送部320包括滾動件321以及基板322，其中基板322是可撓式基板，且基板322隨著滾動件321的滾動來輸送多個凸塊350。光源裝置330包括第一光源331以及第二光源332，其中第一光源331被設置以加熱並軟化基板322上的這些凸塊350，第二光源332則可被設置於第一輸送部310內，以加熱並使這些微型電子元件340上的連接墊370產生相變化。
如圖3A所示，第二光源332加熱並軟化連接墊370，同時，以第一光源331加熱並軟化基板322上對應的凸塊350，當微型電子元件340與凸塊350因滾動件311及滾動件321的滾動而彼此接觸時，微型電子元件340連同連接墊370與凸塊350之間的連接力大於微型電子元件340連同連接墊370與載板312之間的連接力，使得微型電子元件340接合凸塊350，而穩固地設置於基板322上。連接墊370可在相變化過程中殘留部分於載板312而不殘留於微型電子元件340上，或是後續於微型電子元件340接合凸塊350上時移除，在此並不為限。根據本發明一實施例，第二光源332將連接墊370加熱至大於連接墊370的熔點的溫度，使連接墊370變軟並至熔融液態，易於自載板312脫離，但是本發明不限於此。根據本發明一實施例，每一個微型電子元件340相對於設置有連接墊370的一側的相對側可以設置導電接墊，且微型電子元件340可以透過此導電接墊接合凸塊350。
在本實施例中，每一個連接墊370可以包括連接微型電子元件340的第一面370F，以及用來連接載板312的第二面370T，且第一面370F的面積大於第二面370T的面積，使得連接墊370接合時可以較容易自載板312脫離，且較易脫離微型電子元件340。在一實施例中，第二面370T以及第一面370F的面積比例為小於0.9，但是本發明不限於此，第一面370F以及第二面370T的面積可以是一樣大的。特別說明的是，第一面370F可以小於與微型電子元件340連接面340F的面積，在一實施例中，第二面370T以及第一面370F的面積比例為小於0.9，使得連接墊370可以較容易自微型電子元件340脫離。
接下來參照圖3B，其以俯視圖繪示基板322上的多個凸塊350的設置方式。如圖3B所示，這些凸塊350以矩陣的形式設置。根據本發明一實施例，微型電子元件轉移設備300中的載板312上的微型電子元件340也可以同樣的矩陣形式來設置，使得微型電子元件340與凸塊350得以對應接合。
參照圖3C，在本實施例中，凸塊350可以包括具有多種不同高度的凸塊350A、凸塊350B以及凸塊350C。具體而言，在一實施例中，可以將多個微型電子元件340分別接合基板322上最低的凸塊350C。接著再設置次低的凸塊350B於基板322上，並將另一光色的多個微型電子元件340分別接合基板322上第二低的凸塊350B上，最後再設置凸塊350A於基板322上，並將又一光色的多個微型電子元件340分別接合基板322上最高的凸塊350A上，避免接合多個光色的微型電子元件340時互相影響。上述的微型電子元件340皆分別透過第一輸送部310輸出至接合基板322上的凸塊350A、凸塊350B及凸塊350C，微型電子元件340可包括藍色微型發光二極體、綠色微型發光二極體、紅色微型發光二極體及其組合，但是本發明不以此為限。
參照圖3D，連接墊370也可以包括具有多種不同高度的連接墊370A、連接墊370B以及連接墊370C。具體而言，在一實施例中，可以將多個微型電子元件340設置於多個連接墊370A的第一面上分別接合基板322上的凸塊。接著將另一光色的多個微型電子元件340設置於次高的多個連接墊370B的第一面上分別接合基板322上的凸塊。最後將又一光色的多個微型電子元件340設置於最高的多個連接墊370C的第一面上分別接合基板322上的凸塊，避免接合多個光色的微型電子元件340時互相影響。上述的連接墊370C及微型電子元件340皆分別透過第一輸送部310輸出至接合基板322上的凸塊350，微型電子元件340可包括藍色微型發光二極體、綠色微型發光二極體、紅色微型發光二極體及其組合，但是本發明不以此為限。
參照圖4，其繪示了依照本發明的第四實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。微型電子元件轉移設備400包括第一輸送部410、第二輸送部420以及光源裝置430。第一輸送部410包括滾動件411以及載板412，其中載板412是可撓的，且載板412隨著滾動件411的滾動來輸送多個微型電子元件340。多個微型電子元件340中的每一個上還設置了連接墊470，這些微型電子元件340分別藉由其上的連接墊470而設置於載板412上。
第二輸送部420包括滾動件421以及可撓式基板422，基板422隨著滾動件421的滾動來輸送多個凸塊450。光源裝置430包括第一光源431以及第二光源432，其中第一光源431被設置以加熱並軟化基板422上的這些凸塊450，第二光源432則可被設置於第一輸送部410內，以加熱並軟化這些微型電子元件340上的連接墊470。
第二光源432加熱並軟化連接墊470，使得其所對應的微型電子元件340自載板412脫離，自載板412脫離的微型電子元件340再藉由重力朝可撓式基板422落下，並對應地接合基板422上的凸塊450，使得微型電子元件340得以穩固地設置於基板422上。透過重力的接合可以避免接觸時的壓力過大而損壞微型電子元件340。
參照圖5，其繪示了依照本發明的第五實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。微型電子元件轉移設備500包括第一輸送部510、第二輸送部520以及光源裝置130。第一輸送部510具有一腔室511以及至少一個出口512，腔室511內裝載了一流體，且多個微型電子元件340裝載在腔室511內，並藉由流體依序自出口512流出。
第二輸送部520包括滾動件521以及可撓式基板522，基板522隨著滾動件521的滾動來輸送多個凸塊550。光源裝置130被設置以加熱並軟化基板522上的這些凸塊550。根據本發明一實施例，微型電子元件轉移設備500可以進一步包括一附加光源裝置(未繪示)，此附加光源裝置被設置以加熱自出口512流出的微型電子元件340，以加速蒸發微型電子元件340上殘留的流體。
微型電子元件340自出口512流出後，藉由重力落下並接合基板522上的凸塊550，而得以穩固地設置於基板522上。根據本發明一實施例，多個凸塊550可以一矩陣形式設置在基板522上，第一輸送部510具有多個出口512，且這些出口512以同樣的矩陣形式設置，多個微型電子元件340自這些出口512輸出，並接合這些凸塊550，穩固地設置於基板522上。
參照圖6，其繪示了依照本發明的第六實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。微型電子元件轉移設備600包括第一輸送部610、第二輸送部620以及光源裝置130。第一輸送部610包括滾動件611、載板612以及紫外光裝置613，其中載板612是可撓的並包括光解離材料，光源裝置613被設置以對載板612的局部區域照光，例如是紫外光或是雷射光，以使載板612的這個局部區域發生解離反應，產生材料特性的轉變，使得這個局部區域與其上的微型電子元件340之間的黏附力下降。較佳可以使用一紫外光，避免光照過程中產生過熱情況影響微型電子元件340。
第二輸送部620包括滾動件621以及基板622，其中基板622是可撓式基板，且基板622隨著滾動件621的滾動來輸送多個凸塊650。光源裝置130被設置以加熱並軟化基板622上的這些凸塊650。
如圖6所示，當紫外光裝置613對載板612的局部區域照射紫外光，此局部區域上的微型電子元件340與載板612之間的黏附力下降。同時，以光源裝置130加熱並軟化基板622上對應的凸塊650，當微型電子元件340與凸塊650因滾動件611及滾動件621的滾動而彼此接觸時，微型電子元件340與凸塊650之間的黏附力大於微型電子元件340與載板612之間的黏附力，使得微型電子元件340接合凸塊650，而穩固地設置於基板622上。
參照圖7，其繪示了依照本發明的第七實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。微型電子元件轉移設備700包括第一輸送部710、第二輸送部720以及光源裝置730。第一輸送部710包括滾動件711、載板712，載板712隨著滾動件711的滾動來輸送這些微型電子元件340。在本實施例中，多個微型電子元件340中的每一個上還設置了連接墊770，這些微型電子元件340分別藉由其上的連接墊770而設置於載板712上。
第二輸送部720包括滾動件721、基板722、輸送帶723以及壓合件790，其中基板722是可撓式基板，輸送帶723將多個凸塊750輸送至基板722上，基板722隨著滾動件721的滾動來輸送這些凸塊750。光源裝置730包括第一光源731以及第二光源732，其中第一光源731被設置以加熱並軟化基板722上的這些凸塊750，第二光源732則可被設置於第一輸送部710內，以加熱並軟化這些微型電子元件340上的連接墊770。根據本發明一實施例，凸塊750可以由3D列印機產生，並設置於基板722上，但是本發明不限於此。
如圖7所示，第二光源732加熱並軟化連接墊770，同時，以第一光源731加熱並軟化基板722上對應的凸塊750，當微型電子元件340與凸塊750因滾動件711及滾動件721的滾動而彼此接觸時，微型電子元件340連同連接墊770與凸塊750之間的黏附力大於微型電子元件340連同連接墊770與載板712之間的黏附力，使得微型電子元件340連同連接墊770接合凸塊750，再以壓合件790壓合連接墊770、微型電子元件340以及凸塊750三者，使其穩固地設置於基板722上。根據本發明一實施例，壓合件790可以是一滾輪（roller），但是本發明不限於此。
參照圖8，其繪示了依照本發明的第三實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。微型電子元件轉移設備800包括第一輸送部810、第二輸送部820以及光源裝置830。第一輸送部810包括滾動件811以及載板812，其中載板812是可撓的，且載板812隨著滾動件811的滾動來輸送多個微型電子元件340。多個微型電子元件340中的每一個上還設置了連接墊870，這些微型電子元件340分別藉由其上的連接墊870而設置於載板812上。
第二輸送部820包括滾動件821以及基板822，其中基板822是可撓式基板，且基板822隨著滾動件821的滾動來輸送多個凸塊850。
應當注意的是，基板822上設置有黏著層823，且黏著層823覆蓋這些凸塊850。光源裝置830包括第一光源831以及第二光源832，其中第一光源831被設置以燒融與這些凸塊850對應的黏著層823的局部，以燒融出多個通孔823H，使得這些凸塊850中的每一個自這些通孔823H暴露出來，再進一步加熱並軟化暴露出來的凸塊850。第二光源832則可被設置於第一輸送部810內，以加熱並軟化這些微型電子元件340上的連接墊870。
如圖8所示，第二光源832加熱並軟化連接墊870，同時，以第一光源831燒融黏著層823的局部以產生通孔823H，並將凸塊850自此通孔823H暴露出來，再進一步加熱並軟化暴露出來的凸塊850。當微型電子元件340與凸塊850因滾動件811及滾動件821的滾動而彼此接觸時，微型電子元件340連同連接墊870與凸塊850之間的黏附力大於微型電子元件340連同連接墊870與載板812之間的黏附力，使得微型電子元件340連同連接墊870接合凸塊850，而穩固地設置於基板322上，其中通孔823H的寬度略大於所對應的微型電子元件340的寬度。除此之外，由於第一光源831僅燒融與凸塊850對應的黏著層823的局部，黏著層823的其餘部分並未被燒融，接合後的連接墊870、微型電子元件340以及凸塊850三者得以受黏著層823的其餘部分支撐而不歪斜，以更穩固地設置於基板822上。
參照圖9，其繪示依照本發明的第九實施例的微型電子元件轉移方法的流程圖。第九實施例的微型電子元件轉移方法900適用於上述任一實施例之微型電子元件轉移設備。下述的微型電子元件轉移方法900將配合參照圖1A的微型電子元件轉移設備100為例進行說明。
微型電子元件轉移方法900包括：設置第一輸送部110以輸出多個微型電子元件140（步驟S901）；將基板122設置於第一滾動件121上，藉由第一滾動件121的滾動而移動基板122，基板122上設置有多個凸塊150（步驟S902）；以光源裝置130對這些凸塊150照光，以加熱並軟化這些凸塊150（步驟S903）；以及當這些微型電子元件140自第一輸送部110輸出，將這些微型電子元件140分別接合這些凸塊150，以將這些微型電子元件140設置於基板122上（步驟S904）。微型電子元件轉移方法900的詳細步驟，可以參考上述各實施例的微型電子元件轉移設備的描述細節，在此不再重述。
綜上所述，本發明實施例提供的微型電子元件轉移設備以及微型電子元件轉移方法利用第一輸送部輸出多個微型電子元件、利用基板輸送多個凸塊、並利用光源加熱並軟化這些凸塊，使得這些微型電子元件分別藉由這些凸塊設置於基板上，這些微型電子元件自第一輸送部轉移至基板的轉移效率高，且這些微型電子元件的轉移準確度（位置準確度）良好。
100、200、300、400、500、600、700、800: 微型電子元件轉移設備
110、210、310、410、510、610、710、810:第一輸送部
120、320、420、520、620、720、820:第二輸送部
121、211、311、321、411、421、521、611、621、711、721、811、821:滾動件
121A、211A、321A、421A、521A、621A、721A、821A:滾動件軸心
122、322、422、522、622、722、822:基板
130、330、430、613、730、830:光源裝置
140、340:微型電子元件
142:半導體層
150、350、350A、350B、350C、450、550、650、750、850:凸塊
160、162、164:導電接墊
212、312、412、612、712、812:載板
331、332、431、432、731、732、831、832:光源
340F:連接面
370、370A、370B、370C、470、770、870:連接墊
370F:第一面
370T:第二面
723:輸送帶
790:壓合件
823:黏著層
823H:通孔
900: 微型電子元件轉移方法
S901、S902、S903、S904:步驟
圖1A是依照本發明的第一實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。
圖1B是依照本發明的一實施例的微型電子元件及導電接墊的示意圖。
圖1C是依照本發明的一實施例的微型電子元件及導電接墊的示意圖。
圖2是依照本發明的第二實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。
圖3A~圖3D是依照本發明的第三實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。
圖4是依照本發明的第四實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。
圖5是依照本發明的第五實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。
圖6是依照本發明的第六實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。
圖7是依照本發明的第七實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。
圖8是依照本發明的第八實施例的微型電子元件轉移設備的示意圖。
圖9是依照本發明的第九實施例的微型電子元件轉移方法的流程圖。
100:微型電子元件轉移設備
110:第一輸送部
120:第二輸送部
121:滾動件
121A:滾動件軸心
122:基板
130:光源裝置
140:微型電子元件
150:凸塊
160:導電接墊
Claims (18)
- 一種微型電子元件轉移設備，包括：一第一輸送部，設置以輸出多個微型電子元件；一第二輸送部，包括：一第一滾動件；以及一基板，配置於該第一滾動件上，且藉由該第一滾動件的滾動而移動，該基板上設置有多個凸塊；以及一光源裝置，設置以對該些凸塊照光以加熱，該些凸塊產生相變化；其中當該些微型電子元件自該第一輸送部輸出，該基板上至少一該凸塊受該光源裝置加熱而產生相變化，使至少一該微型電子元件與該第一輸送部的連接力小於該微型電子元件與產生相變化之該凸塊的連接力，且該微型電子元件分別與已產生相變化之該凸塊接合。
- 如請求項1所述的微型電子元件轉移設備，其中該些微型電子元件中的每一個上設置有一導電接墊，該光源裝置對該些導電接墊照光，以加熱並軟化該些導電接墊，當該些微型電子元件自該第一輸送部輸出，該些微型電子元件分別透過該些導電接墊接合該些凸塊。
- 如請求項1所述的微型電子元件轉移設備，其中該第一輸送部更包括一第二滾動件以及一載板，該些微型電子元件設 置於該載板上，該載板設置於該第二滾動件上，且藉由該第二滾動件的滾動輸送該些微型電子元件。
- 如請求項3所述的微型電子元件轉移設備，其中該些微型電子元件分別藉由多個連接墊設置於該載板上，且該光源裝置對該些連接墊照光以加熱，該些連接墊產生相變化，使該些微型電子元件自該第一輸送部輸出。
- 如請求項4所述的微型電子元件轉移設備，其中該些連接墊中的每一個包括連接該些微型電子元件中對應的一個的一第一面，以及連接該載板的一第二面，該第一面的面積大於該第二面的面積。
- 如請求項3所述的微型電子元件轉移設備，其中該載板更包括一光解離材料，該光源裝置對該載板照光，以使該些微型電子元件脫離該載板，並自該第一輸送部輸出。
- 如請求項1所述的微型電子元件轉移設備，其中該基板更包括一黏著層，設置於該基板及該些凸塊上，該光源裝置對該黏著層照光，以在該黏著層燒融出與該些凸塊對應的通孔。
- 如請求項1所述的微型電子元件轉移設備，其中該些凸塊具有多種高度。
- 如請求項1所述的微型電子元件轉移設備，其中該些凸塊的相變化介於玻璃態至熔融液態之間。
- 如請求項2所述的微型電子元件轉移設備，其中該些導電接墊的相變化介於玻璃態至熔融液態之間。
- 一種微型電子元件轉移方法，包括：設置一第一輸送部以輸出多個微型電子元件；將一基板設置於一第一滾動件上，且藉由該第一滾動件的滾動而移動該基板，該基板上設置有多個凸塊；以一光源裝置對該些凸塊照光以加熱，使該些凸塊產生相變化；以及當該些微型電子元件自該第一輸送部輸出，該基板上至少一該凸塊受該光源裝置加熱而產生相變化，將該些微型電子元件分別接合該些凸塊，使至少一該微型電子元件與該第一輸送部的連接力小於該微型電子元件與已產生相變化之該凸塊的連接力，以將該微型電子元件設置於該基板上。
- 如請求項11所述的微型電子元件轉移方法，更包括：在該些微型電子元件中的每一個上設置一導電接墊；以該光源裝置對該些導電接墊照光以加熱，使該些導電接墊產生相變化；以及當該些微型電子元件自該第一輸送部輸出，將該些導電接墊分別接合在該些微型電子元件以及該些凸塊之間。
- 如請求項11所述的微型電子元件轉移方法，更包括：設置一第二滾動件以及一載板，該些微型電子元件設置於該載板上；以及 將該載板設置於該第二滾動件上，且藉由該第二滾動件的滾動輸送該些微型電子元件。
- 如請求項13所述的微型電子元件轉移方法，更包括：在該些微型電子元件中的每一個上設置連接墊，該些微型電子元件分別藉由該些連接墊設置於該載板上；以及以該光源裝置對該些連接墊照光以加熱，使該些連接墊產生相變化，使該些微型電子元件自該第一輸送部輸出。
- 如請求項13所述的微型電子元件轉移方法，更包括：將該載板設置為包括一光解離材料；以及以該光源裝置對該載板照光，以使該些微型電子元件脫離該載板，並自該第一輸送部輸出。
- 如請求項11所述的微型電子元件轉移方法，更包括：在該基板及該些凸塊上設置一黏著層；以及以該光源裝置對該黏著層照光，以在該黏著層燒融出與該些凸塊對應的通孔。
- 如請求項11所述的微型電子元件轉移方法，更包括：以該光源裝置對該些凸塊加熱至大於該些凸塊的玻璃轉化溫度且小於該些凸塊的熔點溫度。
- 如請求項12所述的微型電子元件轉移方法，更包括：以該光源裝置對該些導電接墊加熱至大於該些導電接墊的玻璃轉化溫度且小於該些導電接墊的熔點溫度。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109125053A TWI761895B (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 微型電子元件轉移設備以及微型電子元件轉移方法 |
| US17/087,632 US11799052B2 (en) | 2020-07-24 | 2020-11-03 | Micro-electronic element transfer apparatus and micro-electronic element transfer method |
| US18/464,297 US20230420601A1 (en) | 2020-07-24 | 2023-09-11 | Micro-electronic element transfer method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109125053A TWI761895B (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 微型電子元件轉移設備以及微型電子元件轉移方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202205609A TW202205609A (zh) | 2022-02-01 |
| TWI761895B true TWI761895B (zh) | 2022-04-21 |
Family
ID=81323743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109125053A TWI761895B (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 微型電子元件轉移設備以及微型電子元件轉移方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11799052B2 (zh) |
| TW (1) | TWI761895B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102020001439B3 (de) * | 2020-02-21 | 2021-06-10 | Mühlbauer Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und Verfahren zum Übertragen elektronischer Bauteile von einem ersten zu einem zweiten Träger |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TW201841392A (zh) * | 2017-02-10 | 2018-11-16 | 南韓商流明斯有限公司 | 微發光二極體模組及其製造方法 |
| CN110534621A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-03 | 武汉大学 | 滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法 |
| TWI679681B (zh) * | 2017-11-02 | 2019-12-11 | 大陸商廈門市三安光電科技有限公司 | 微元件的封裝方法 |
| TW202021049A (zh) * | 2016-02-25 | 2020-06-01 | 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 | 有效率地微轉印微型裝置於大尺寸基板上 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3233022B2 (ja) | 1996-06-13 | 2001-11-26 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品接合方法 |
| JP3994681B2 (ja) | 2001-04-11 | 2007-10-24 | ソニー株式会社 | 素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法 |
| KR100960830B1 (ko) | 2008-06-19 | 2010-06-07 | 주식회사 두오텍 | 멀티 레일을 이용한 도포 장치 및 도포 방법 |
| US8361840B2 (en) | 2008-09-24 | 2013-01-29 | Eastman Kodak Company | Thermal barrier layer for integrated circuit manufacture |
| TWI524456B (zh) | 2011-11-04 | 2016-03-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板處理系統、基板運送方法、程式及電腦記憶媒體 |
| US20130342305A1 (en) | 2012-06-25 | 2013-12-26 | Jui-Chih Yen | Structure of positioning cover of miniature fuse device |
| US10224308B2 (en) | 2015-07-14 | 2019-03-05 | Goertek, Inc. | Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED |
| US10081175B2 (en) * | 2016-03-31 | 2018-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Auxiliary liquid, liquid set, image recording method and image recording apparatus |
| CN106313879B (zh) | 2016-08-10 | 2017-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 转印设备和转印方法 |
| CN107768487A (zh) | 2016-08-18 | 2018-03-06 | 新世纪光电股份有限公司 | 巨量转移电子元件的方法 |
| KR101800367B1 (ko) | 2016-08-24 | 2017-11-28 | 한국기계연구원 | 마이크로 소자 전사방법 및 마이크로 소자 전사방법으로 제조된 마이크로 소자 기판 |
| CN106876293B (zh) | 2017-02-21 | 2019-03-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管的转印装置 |
| CN107293625B (zh) | 2017-06-19 | 2019-02-22 | 南京大学 | AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件及其制备方法 |
| CN108231651B (zh) | 2017-12-26 | 2020-02-21 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微元件转移装置和转移方法 |
| US20190300289A1 (en) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printers with roll stamp(s) |
| CN108461439B (zh) | 2018-04-20 | 2020-03-31 | 同辉电子科技股份有限公司 | 一种Micro-LED芯片的制备及转移方法 |
| CN111276505B (zh) | 2018-12-05 | 2023-05-16 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示装置及其制作方法 |
| TWI790405B (zh) | 2019-06-21 | 2023-01-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 半導體材料基板、微型發光二極體面板及其製造方法 |
-
2020
- 2020-07-24 TW TW109125053A patent/TWI761895B/zh active
- 2020-11-03 US US17/087,632 patent/US11799052B2/en active Active
-
2023
- 2023-09-11 US US18/464,297 patent/US20230420601A1/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN110534621A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-03 | 武汉大学 | 滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230420601A1 (en) | 2023-12-28 |
| US11799052B2 (en) | 2023-10-24 |
| US20220029045A1 (en) | 2022-01-27 |
| TW202205609A (zh) | 2022-02-01 |
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