TW201328772A - 粉體攪拌裝置 - Google Patents

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Makoto Hongu
Nobutaka Manabe
Hitoshi Takebayashi
Junji Takada
Noriyuki Tanaka
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Toyo Tanso Co
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Abstract

本發明之粉體攪拌裝置包含反應容器及旋轉驅動裝置。反應容器具有圓筒形狀之外周壁及一對端面壁。於外周壁之一端及另一端分別設置端面壁。反應容器係以使外周壁之軸心平行於水平方向之方式配置於隔熱罩內。外周壁具有相對於其軸心旋轉對稱之內周面。於粉體處理時，在反應容器內收容粉體，反應容器藉由旋轉驅動裝置而繞著通過外周壁之軸心之旋轉軸旋轉。在該狀態下，向反應容器內供給處理氣體。又，將反應容器內之處理氣體排出。

Description

粉體攪拌裝置
本發明係關於一種攪拌粉體之粉體攪拌裝置。
自先前以來，使用氟氣等處理氣體進行粉體之處理。為提高處理效率，而要求使處理氣體與粉體高效地接觸。於專利文獻1所記載之氟化聚合物之製造方法中，使用氟化氣體進行粉狀之含氫聚合物之氟化處理。
上述氟化處理係於反應器內進行。反應器包含橫型之筒狀體、旋轉軸及複數個攪拌翼。旋轉軸係以平行於筒狀體延伸之方向且貫通筒狀體之內部之方式設置。複數個攪拌翼係於筒狀體之內部隔開固定之間隔而安裝於旋轉軸上。於橫型之筒狀體設置有氟氣供給口及氟氣排出口。
於氟化處理時，在筒狀體之內部收容含氫聚合物之粉體。在該狀態下，旋轉軸進行旋轉，從而複數個攪拌翼旋轉。此時，自氟氣供給口向筒狀體之內部供給氟氣，並且將筒狀體之內部大氣自氟氣排出口排出。藉此，藉由複數個攪拌翼於筒狀體之內部攪拌含氫聚合物之粉體，而與自氟氣供給口供給之氟氣進行反應。
於專利文獻2所記載之碳奈米構造體粉末之處理方法中，例如使用氟化氣體作為處理氣體(反應氣體)而進行碳奈米構造體粉末之處理。於此情形時，藉由自反應器之下段部通過過濾器將載氣供給至反應器內，而於反應器內形成載氣流向上方之流化區域。在該狀態下，自反應器之下 段部通過過濾器將處理氣體供給至反應器內。藉此，可於流化區域內使碳奈米構造體粉末與處理氣體接觸。
[專利文獻1]日本專利特開平9-309918號公報
[專利文獻2]日本專利特開2005-1980號公報
於上述專利文獻1所記載之反應器中，藉由在筒狀體之內部旋轉之複數個攪拌翼攪拌收容於筒狀體之內部之粉體。於此情形時，存在於筒狀體之內部粉體中之複數個攪拌翼未通過之部分之粉體未被攪拌。因此，無法對粉體整體均勻地進行氟化處理。
於上述反應器中，為對粉體整體進行攪拌，而考慮提高複數個攪拌翼之旋轉速度。然而，氟氣具有高反應性。因此，於使用此種處理氣體對粉體進行處理之情形時，若提高複數個攪拌翼之旋轉速度，則會因摩擦而導致產生靜電，從而易於產生粉塵爆炸現象。因此，難以將複數個攪拌翼之旋轉速度提高至可攪拌粉體整體之旋轉速度。
又，本發明者等人發現，於專利文獻2之處理方法中，碳奈米構造體粉末之一部分會固著於過濾器，從而固著於該過濾器之碳奈米構造體粉末與處理氣體過剩地進行反應。因此，上述處理方法中，難以均勻地對碳奈米構造體粉末整體進行處理。
本發明之目的在於提供一種可一面確保安全性一面均勻地對粉體進行處理之粉體攪拌裝置。
(1)按照本發明之一態樣之粉體攪拌裝置係以反應性之處理氣體對粉體進行處理者，且包括：反應容器，其具有相對於大致水平方向之軸旋轉對稱之內周面，並且設置為可繞著軸旋轉，且構成為可收容粉體；旋轉驅動部，其使反應容器繞著軸旋轉；氣體導入系統，其係用以將處理氣體導入至藉由旋轉驅動部而旋轉之反應容器內；以及氣體排出系統，其係用以排出藉由旋轉驅動部而旋轉之反應容器內之處理氣體。
該粉體攪拌裝置中，在反應容器內收容有粉體之狀態下，將處理氣體自氣體導入部導入至反應容器內。在該狀態下，旋轉驅動部使反應容器繞著大致水平方向之軸旋轉。藉此，藉由處理氣體對粉體進行處理。含有處理氣體之反應容器內之處理氣體係自氣體排出系統排出。
於此情形時，在反應容器內，位於內周面之最下部之粉體藉由內周面與該粉體之間產生之摩擦力而隨著反應容器之旋轉上升。上升之粉體中表層部之粉體以向內周面之最下部滑落之方式移動，並且剩餘之下層部之粉體進一步上升。其後，反應容器進一步旋轉，藉此使內周面與下層部之粉體之間產生之摩擦力變得小於作用於該粉體之重力。藉此，上升之下層部之粉體以向內周面之最下部滑落之方式移動。其結果，表層部之粉體與下層部之粉體調換。
藉由反覆進行此種動作，而於旋轉中之反應容器內均勻地攪拌粉體整體。藉此，無需提高反應容器之旋轉速度即 可使反應性之處理氣體有效地接觸於粉體之表面。其結果，可一面確保安全性一面有效且均勻地對粉體進行處理。
(2)本發明之粉體攪拌裝置亦可為更包括以自反應容器之內周面突出之方式設置之突出部者。
於此情形時，即便於在反應容器旋轉中粉體與內周面之間產生之摩擦力較小之情形時，亦可藉由突出部將粉體提昇至某個高度。藉此，於反應容器內反覆進行粉體之上升及落下。其結果，可更均勻地攪拌粉體整體。
(3)突出部亦可為以與軸平行地延伸並且朝向旋轉中心之方式配置之複數個板構件。
於此情形時，能以簡單之構成且以低成本更均勻地攪拌粉體整體。
(4)氣體排出系統亦可包含氣體排出管，該氣體排出管係自反應容器之外部插入至反應容器之內部，並且於反應容器之內部具有向上方開口之排出口。
於此情形時，藉由氣體排出管之排出口向上方開口，而使存在於反應容器內之下部之粉體難以流入至排出口。其結果，抑制粉體通過氣體排出管被排出。
(5)氣體排出管之一部分係以向上方延伸之方式設置，排出口係設置於向上方延伸之部分之上端，且本發明之粉體攪拌裝置亦可更包括以覆蓋氣體排出管之排出口之周圍及上方之方式而設置之粉體流入限制構件。
於此情形時，於氣體排出管之一部分與粉體流入限制構 件之間形成彎曲之氣體流入路徑。藉此，即便於粉體於反應容器內飛散之情形時，粉體亦難以流入至氣體排出管之排出口。其結果，防止粉體通過氣體排出管被排出。
(6)粉體攪拌裝置亦可更包括設置於軸上之固定構件，且反應容器設置為可對固定構件相對地旋轉，氣體導入系統及氣體排出系統亦可以貫通固定構件之方式設置。
於此情形時，於反應容器旋轉中固定構件不旋轉。因此，氣體導入系統及氣體排出系統之構成不會複雜化。其結果，實現構成簡單且低成本之粉體攪拌裝置。
根據本發明，可一面確保安全性一面均勻地對粉體進行處理。
<A>發明之實施形態
以下，一面參照圖式一面對本發明之一實施形態之粉體攪拌裝置進行說明。
(1)粉體處理裝置之整體構成
圖1係表示本發明之一實施形態之粉體處理裝置之構成的模式圖。如圖1所示，粉體處理裝置100a包括處理氣體產生裝置19、粉體攪拌裝置20、分離器(separator)21、吸引裝置22、吸附塔23及洗滌器(scrubber)24。
處理氣體產生裝置19包括氟氣產生源11、氮氣產生源12、氧氣產生源13及氣體混合器(gas mixer)14。氟氣產生源11、氮氣產生源12及氧氣產生源13分別通過配管而連接 於氣體混合器14。自氟氣產生源11、氮氣產生源12及氧氣產生源13分別以預先規定之流量對氣體混合器14供給氟氣、氮氣及氧氣。氣體混合器14藉由混合所供給之氟氣、氮氣及氧氣，而生成粉體之處理中所使用之處理氣體。
本實施形態中，粉體係能以氣體進行處理之有機物或無機物。例如，粉體為樹脂粉、陶瓷粉或金屬粉。更具體而言，粉體為包含聚酯樹脂、聚乙烯樹脂或丙烯酸系樹脂等之樹脂粉或顏料等。
又，本實施形態中，利用處理氣體之處理係使處理氣體接觸於粉體之表面從而使粉體之表面改質之表面處理(以下，稱為粉體處理)。於使用包含氟氣、氧氣及氮氣之處理氣體之情形時，可藉由對粉體之表面之官能基導入親水性之基而賦予親水性。又，於使用包含氟氣及氮氣之處理氣體之情形時，可藉由對粉體之表面附加氟而賦予拒水性。
粉體攪拌裝置20係經由配管L1而連接於處理氣體產生裝置19之氣體混合器14。通過配管L1對粉體攪拌裝置20供給藉由氣體混合器14而生成之處理氣體。粉體攪拌裝置20中，於下述反應容器100(圖2)內，藉由自氣體混合器14供給之處理氣體對粉體進行處理。關於粉體攪拌裝置20之構成之詳細情況及粉體處理中之粉體攪拌裝置20之動作，將於下文中進行敍述。
分離器21係經由配管L2而連接於粉體攪拌裝置20。藉由下述吸引裝置22進行動作，而將粉體處理中之粉體攪拌裝 置20之反應容器100(圖2)內之大氣作為排出氣體通過配管L2輸送至分離器21。於分離器21中，將自粉體攪拌裝置20輸送之塵埃(粉體)與排出氣體一併去除。
吸引裝置22係經由配管L3而連接於分離器21。又，吸附塔23係經由配管L4而連接於吸引裝置22。本例中，吸引裝置22為亁式真空泵(dry pump)。藉由使亁式真空泵進行動作，而如上所述般，粉體攪拌裝置20之反應容器100(圖2)內之大氣作為排出氣體通過配管L2、分離器21及配管L3、L4而輸送至吸附塔23。
於吸附塔23中填充有例如鹼石灰作為吸附劑。於自配管L4輸送之排出氣體中混入有腐蝕性較高之F2(氟)及HF(氟化氫)。該F2及HF由吸附塔23吸附，而自排出氣體中去除。
洗滌器24係經由配管L5而連接於吸附塔23。藉由吸附塔23而去除F2及HF後之排出氣體係通過配管L5被輸送至洗滌器24。洗滌器24利用水滴或水膜捕獲排出氣體所含之固體或液體之微粒子。去除微粒子後之排出氣體係通過配管L6被輸送至粉體處理裝置100a之外部。
(2)粉體攪拌裝置之構成
圖2係表示圖1之粉體攪拌裝置20之構成之立體圖。如圖2所示，粉體攪拌裝置20主要包含反應容器100、旋轉驅動裝置200、加熱冷卻裝置300、及隔熱罩400。
於隔熱罩400內設置有反應容器100、旋轉驅動裝置200及加熱冷卻裝置300。圖2中，以虛線表示隔熱罩400，以 實線表示隔熱罩400內之各構成要素。
如圖2所示，反應容器100具有圓筒形狀之外周壁110及一對端面壁111。於外周壁110之一端及另一端分別設置有具有圓盤形狀之端面壁111。反應容器100係以使外周壁110之軸心平行於水平方向之方式配置於隔熱罩400內。外周壁110具有相對於其軸心旋轉對稱之內周面110i(圖3)。
於反應容器100內形成有由外周壁110之內周面110i及一對端面壁111之內表面所包圍之處理空間S。於一對端面壁111中之一端面壁111上形成開口部111h，並且於該開口部111h設置可開關之門112。藉由打開門112，可於反應容器100內收容未處理之粉體，或自反應容器100內回收處理完畢之粉體。於粉體處理時，在反應容器100內收容有粉體之狀態下關閉門112。
於一端面壁111之中央部設置有配管支撐機構120a。配管L1係以貫通配管支撐機構120a之方式設置。於另一端面壁111之中央部設置有配管支撐機構120b。配管L2係以貫通配管支撐機構120b之方式設置。
配管支撐機構120a、120b係藉由未圖示之固定構件而固定於隔熱罩400。反應容器100係藉由旋轉驅動裝置200可繞著通過外周壁110之軸心之旋轉軸R1旋轉地受到支撐。又，反應容器100可相對於各配管支撐機構120a、120b相對地旋轉。配管支撐機構120a、120b之詳細情況將於下文中進行敍述。
旋轉驅動裝置200包含複數個(本例中為4個)輥210a、 210b、210c、210d、複數根(本例中為2根)動力傳遞軸211a、211b及複數個(本例中為2個)馬達220a、220b。複數個輥210a~210d分別具有圓筒形狀，且可沿圓周方向旋轉地由未圖示之台座支撐。
輥210a、210b係於一端面壁111之附近在外周壁110之圓周方向上隔開固定之間隔而排列，輥210c、210d係於另一端面壁111之附近在外周壁110之圓周方向上隔開固定之間隔而排列。又，輥210a、210c係於外周壁110之長度方向上隔開固定之間隔而排列，輥210b、210d係於外周壁110之長度方向上隔開固定之間隔而排列。以此方式，複數個輥210a~210d配置於反應容器100之下部。複數個輥210a~210d之外周面之一部分分別抵接於反應容器100之外周壁110之外周面。
一動力傳遞軸211a係以通過輥210a、210c之軸心之方式共通地安裝於輥210a、210c。動力傳遞軸211a連接於一馬達220a之旋轉軸。同樣地，另一動力傳遞軸211b係以通過輥210b、210d之軸心之方式共通地安裝於輥210b、210d。動力傳遞軸211b連接於另一馬達220b之旋轉軸。
藉由馬達220a、220b同時動作，而使動力傳遞軸211a、211b分別於單向旋轉。藉此，如圖2中以粗實線所示，複數個輥210a~210d同時於單向旋轉。其結果，如圖2中以粗單點鏈線所示，反應容器100於與複數個輥210a~210d之旋轉方向相反之方向旋轉。
於隔熱罩400內，以與反應容器100之外周壁110之一部 分對向之方式，設置有複數個(本例中為2個)加熱冷卻裝置300。加熱冷卻裝置300包含例如加熱器等加熱裝置及送風機等冷卻裝置。於粉體處理時，藉由使加熱裝置動作，而對反應容器100內之粉體及大氣進行加熱。或者，藉由使冷卻裝置進行動作，而將反應容器100內之粉體及大氣冷卻。
(3)反應容器之內部構造
圖3係圖2之粉體攪拌裝置20之A-A線剖面圖，圖4係模式性地表示沿著圖2之旋轉軸R1之粉體攪拌裝置20之縱剖面之圖。於圖3中省略了圖2之加熱冷卻裝置300及隔熱罩400之圖示，於圖4中省略了圖2之旋轉驅動裝置200、加熱冷卻裝置300及隔熱罩400之圖示。
如圖3所示，於反應容器100之外周壁110之內周面110i上，以相對於反應容器100之旋轉軸R1以等角度間隔且自外周壁110之內周面110i朝向旋轉軸R1突出之方式安裝有複數個板構件113。如圖4所示，各板構件113具有在反應容器100內自一端面壁111之內表面起與旋轉軸R1平行地延伸至另一端面壁111之內表面為止之帶形狀。
圖1之以貫通配管支撐機構120b之方式而設置之配管L2之一部分位於反應容器100內。如圖3及圖4所示，於反應容器100內之配管L2之前端部形成有用以排出反應容器100內之大氣之排出口L2a。配管L2之前端部附近係以排出口L2a朝向上方之方式彎曲。以覆蓋配管L2之排出口L2a之周圍及上方之方式設置有傘構件114。傘構件114具有下部開 口且上部閉塞之圓筒形狀。傘構件114係經由固定構件114a而固定於下述圖5之固定中空管130。
於此情形時，於配管L2之一部分與傘構件114之間形成彎曲之大氣流入路徑F。藉此，即便於粉體PA於反應容器100內飛散之情形時，飛散之粉體PA亦難以流入至配管L2之排出口L2a。其結果，防止粉體PA通過配管L2被排出，從而提高粉體PA之處理效率。
(4)配管支撐機構之構造
圖5(a)係圖2之配管支撐機構120a及其周邊構件之前視圖，圖5(b)係圖5(a)之B-B線處之配管支撐機構120a及其周邊構件之縱剖面圖。
如圖5(a)、(b)所示，配管支撐機構120a主要包含圓盤構件121及固定中空管130。於圓盤構件121之中央部以排成一行之方式形成有3個貫通孔122、123、124。固定中空管130具有圓筒形狀。又，固定中空管130具有閉塞該固定中空管130之一端之端面131。未圖示之固定中空管130之另一端開口。於固定中空管130之端面131形成有分別與圓盤構件121之貫通孔122、123、124相對應之配管保持孔132、螺孔133及溫度測定孔134。又，於固定中空管130之外周面之一部分形成有沿圓周方向延伸之環狀階差139。自端面131至階差139之間之固定中空管130之外徑小於自階差139至固定中空管130之另一端之外徑。
於安裝有配管支撐機構120a之端面壁111之中央部形成有用以安裝固定中空管130之管狀突出部140。管狀突出部 140係以自端面壁111之內表面朝向反應容器100之內側突出之方式形成。
於管狀突出部140之內周面，以沿著反應容器100之軸心排列之方式形成有複數個環狀槽部141、142、143。環狀槽部141係以朝向反應容器100之外側開口之方式形成。於環狀槽部141內嵌入防塵封件(dust sea1)152。以覆蓋防塵封件152之方式，於端面壁111之外表面安裝有環狀之板構件153。於環狀槽部142內安裝有O型圈(O-ring)151。於環狀槽部143內安裝有複數個軸承150。將固定中空管130插入至管狀突出部140。此時，防塵封件152之內周部及O型圈151之內周部與固定中空管130之外周部可互相滑動地抵接。又，複數個軸承150之內周面與固定中空管130之外周面抵接。藉此，反應容器100及固定中空管130可互相相對地旋轉。
在將固定中空管130插入至管狀突出部140之狀態下，圓盤構件121螺旋接合於固定中空管130之端面131。具體而言。螺釘N通過圓盤構件121之貫通孔123而安裝於固定中空管130之螺孔133。
此時，圓盤構件121之一部分抵接於螺旋接合於端面壁111之環狀之板構件153。又，固定中空管130之階差139抵接於軸承150之一部分。藉此，環狀之板構件153、管狀突出部140及複數個軸承150由圓盤構件121及固定中空管130之階差139於水平方向上夾持。藉此，包含圓盤構件121及固定中空管130之配管支撐機構120a可相對於端面壁111相 對旋轉地安裝。
配管L1係以通過圓盤構件121之貫通孔122及固定中空管130之配管保持孔132之方式安裝於配管支撐機構120a。又，溫度測定管THa係以通過圓盤構件121之貫通孔124及固定中空管130之溫度測定孔134之方式安裝於配管支撐機構120a。於溫度測定管THa中插入例如熱電偶等溫度感測器。於此情形時，可基於藉由溫度感測器檢測出之處理空間S內之溫度而控制圖2之加熱冷卻裝置300。
如上所述，於固定中空管130與管狀突出部140之間安裝有防塵封件152及O型圈151。藉此，在於端面壁111安裝有配管支撐機構120a之狀態下，反應容器100之外部空間與反應容器100之處理空間S由防塵封件152及O型圈151確實地遮斷。圖2之配管支撐機構120b具有與上述配管支撐機構120a相同之構造。
再者，如圖5(a)中以虛線所示，亦可於配管支撐機構120a形成用以安裝配管L2之貫通孔125。於此情形時，藉由在貫通孔125安裝圖1之配管L2，而無需於另一端面壁111安裝配管支撐機構120b。
(5)粉體處理時之動作
圖1之粉體處理裝置100a中，於進行粉體PA之處理之情形時，首先，於圖2之反應容器100內收容預先規定之量之粉體PA。
其次，將藉由圖1之處理氣體產生裝置19而產生之處理氣體通過配管L1引導至反應容器100內。同時，將反應容 器100內之大氣通過配管L2向分離器21排出。
在該狀態下，使圖2之旋轉驅動裝置200進行動作，藉此反應容器100以旋轉軸R1為中心以預先規定之旋轉速度旋轉。藉由使反應容器100旋轉，而攪拌反應容器100內所收容之粉體PA整體。藉此，對粉體PA整體進行處理。
其後，藉由經過預先規定之時間，而停止利用旋轉驅動裝置200之反應容器100之旋轉動作，並且停止向反應容器100內供給處理氣體。又，以氮氣等大氣置換反應容器100內之含有處理氣體之大氣，從而自反應容器100內取出處理後之粉體PA。
(6)效果
(6-1)本實施形態之粉體攪拌裝置20中，於粉體處理中位於反應容器100之內周面110i之最下部之粉體PA藉由內周面110i與該粉體PA之間產生之摩擦力，而隨著反應容器100之旋轉上升。
於反應容器100之外周壁110之內周面110i上安裝有複數個板構件113。因此，即便於在反應容器100之旋轉中粉體PA與內周面110i之間產生之摩擦力較小之情形時，亦可藉由複數個板構件113將粉體PA提昇至某一高度。
上升之粉體PA中之表層部之粉體以向內周面110i之最下部滑落之方式移動，並且剩餘之下層部之粉體PA進一步上升。其後，藉由使反應容器100進一步旋轉，從而內周面110i與下層部之粉體PA之間產生之摩擦力及板構件113之表面與下層部之粉體PA之間產生之摩擦力變得小於作用於 該粉體PA之重力。藉此，上升之下層部之粉體PA以向內周面110i之最下部滑落或落下之方式移動。其結果，表層部之粉體PA與下層部之粉體PA調換。
藉由反覆進行此種動作，而可於旋轉中之反應容器100內均勻地攪拌粉體PA整體。藉此，無需提高反應容器100之旋轉速度即可使反應性之處理氣體有效地接觸於粉體PA之表面。其結果，可一面確保安全性一面有效且均勻地對粉體PA進行處理。
(6-2)分別設置於一對端面壁111之中央部之配管支撐機構120a、120b固定於隔熱罩400。反應容器100係設置為可相對於配管支撐機構120a、120b相對地旋轉。配管L1、L2係以分別貫通配管支撐機構120a、120b之方式設置。於此情形時，於反應容器100旋轉中配管支撐機構120a、120b不旋轉。因此，配管L1、L2之構成不會複雜化。其結果，實現構成簡單且低成本之粉體攪拌裝置20。
(7)另一實施形態
(7-1)上述實施形態中，作為處理氣體，使用含有氟氣、氧氣及氮氣中之任一者之混合氣體，但並不限定於此，亦可使用其他處理氣體。例如，亦可使用包含氟氣及氮氣之混合氣體作為處理氣體。於此情形時，可藉由進行粉體PA之表面處理，而提高粉體PA之拒水性。又，只要防止發生粉塵爆炸，則處理氣體亦可不含氮氣。進而，亦可使用臭氧氣體等不含氟氣之處理氣體。如此，處理氣體可根據處理之種類進行選擇。
(7-2)上述實施形態中，於反應容器100之外周壁110之一端及另一端分別設置有具有圓盤形狀之端面壁111，但反應容器100之兩端之形狀並不限定於此。例如，亦可於外周壁110之一端及另一端分別設置具有底面部開放之圓錐形狀之端面壁。於此情形時，在粉體處理中，粉體PA之一部分在反應容器100內以於端面壁之內表面上滑動之方式移動。藉此，可於反應容器100內之端面壁附近更均勻地攪拌粉體PA。
(7-3)上述實施形態中，為於粉體處理中將粉體PA於反應容器100內提昇至某一高度，而於外周壁110之內周面110i上以相對於旋轉軸R1以等角度間隔且自外周壁110之內周面110i朝向旋轉軸R1突出之方式安裝有複數個板構件113。
並不限定於此，只要可將粉體PA提昇至某一高度，則複數個板構件113亦可不相對於旋轉軸R1以等角度間隔設置。
又，亦可代替於內周面110i上安裝複數個板構件113，而於內周面110i上安裝具有三角形狀之剖面之複數個構件。或者，亦可以自內周面110i朝向旋轉軸R1延伸之方式於內周面110i上分散配置剖面圓形狀、剖面三角形狀或剖面四邊形狀之複數個棒狀構件。
再者，上述實施形態中，複數個板構件113係以平行於旋轉軸R1之方式安裝於內周面110i上，但並不限定於此，複數個板構件113亦可以在彼此相鄰之各2個板構件113間 沿互不相同之方向延伸之方式安裝於內周面110i上。
(7-4)上述實施形態中，於配管L2之前端部形成有排出口L2a，且配管L2之前端部附近以使排出口L2a朝向上方之方式彎曲，但並不限定於此，亦可藉由在除配管L2之前端部以外之配管L2之上表面部分，以朝向上方之方式形成開口部，而將該開口部用作排出口L2a。
又，配管L2亦可具有複數個排出口L2a。例如，於除配管L2之前端部以外之配管L2之上表面部分，以朝向上方之方式形成複數個開口部。藉此，可將所形成之複數個開口部分別用作複數個排出口L2a。
上述實施形態中，傘構件114具有圓筒形狀，但傘構件114之形狀並不限定於此。例如，傘構件114亦可具有底面部開放之圓錐形狀。於此情形時，附著於傘構件114之上部之粉體PA以在傘構件114之上表面滑動之方式移動。藉此，可將於反應容器100內飛散之粉體PA順利地引導至反應容器100內之下部。
(7-5)上述實施形態中，藉由旋轉驅動裝置200之複數個輥210a~210d進行旋轉而使反應容器100旋轉，但用以使反應容器100旋轉之構成並不限定於該例。亦可代替藉由複數個輥210a~210d使反應容器100旋轉，而使用旋轉帶使反應容器100旋轉。
(8)技術內容之各構成要素與實施形態之各要素之對應關係
以下，對技術內容之各構成要素與實施形態之各要素之 對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述之例。
上述實施形態中，處理氣體為處理氣體之例，粉體攪拌裝置20為粉體攪拌裝置之例，反應容器100之軸心及旋轉軸R1為軸之例，內周面110i為內周面之例，反應容器100為反應容器之例，旋轉驅動裝置200為旋轉驅動部之例。
又，配管L1為氣體導入系統之例，配管L2為氣體排出系統之例，複數個板構件113為突出部及複數個板構件113之例，排出口L2a為排出口之例。
進而，配管L2為氣體排出管之例，傘構件114為粉體流入限制構件之例，配管支撐機構120a、120b為固定構件之例。
作為技術內容之各構成要素，亦可使用具有技術內容所記載之構成或功能之其他各種要素。
<B>參考形態
參考形態係關於使用處理氣體對粉體進行處理之粉體處理裝置。
[1]第1參考形態
以下，一面參照圖式，一面對第1參考形態之粉體處理裝置進行說明。
(1)粉體處理裝置之整體構成
圖6係表示第1參考形態之粉體處理裝置之內部構造之側視圖。如圖6所示，粉體處理裝置100b包含處理容器10、複數個彈簧30、複數個振動馬達40、軸50及上升搬送路徑60。處理容器10係由下部框體10a及上部框體10b構成。
下部框體10a具有4個側面部、底面部及上表面部。下部框體10a之上表面部之一部分開口。上部框體10b具有包含上表面部及周面部之圓筒狀。上部框體10b之底部開口。上部框體10b係以底部朝向下方向之狀態，以於上下方向上延伸之方式一體地設置於下部框體10a之上表面部。下部框體10a之內部空間與上部框體10b之內部空間互相連通，形成處理空間。
於下部框體10a之底面部之下表面側設置有複數個彈簧30。於下部框體10a之對向之2個側面部分別設置有振動馬達40。於處理容器10之內部以於上下方向上延伸之方式設置有圓柱狀之中心軸50。又，於處理容器10之內部設置有以中心軸50為中心描繪螺旋軌跡並且於上下方向上延伸之上升搬送路徑60。
於上部框體10b之周面部之下部設置有用以導入處理氣體之氣體導入部1。又，於上部框體10b之上表面部設置有用以排出處理氣體之氣體排出部2。於此情形時，可對粉體處理裝置100b之處理容器10連續地導入處理氣體，並且連續地排出處理氣體。藉此，可將以處理氣體進行處理時之處理容器10內之處理氣體之濃度保持為大致固定。其結果，可更均勻地對粉體進行處理。
於下部框體10a之1個側面部之下部，設置有用以對上升搬送路徑60供給粉體之粉體供給部3。上升搬送路徑60之一端(下端)與粉體供給部3連通。又，於上部框體10b之周面部之上部設置有用以回收在上升搬送路徑60中經處理之 粉體之粉體回收部4。上升搬送路徑60之另一端(上端)與粉體回收部4連通。向上升搬送路徑60供給粉體及自上升搬送路徑60回收粉體係藉由螺旋式進給機(screw feeder)或氣體輸送法進行。
於上升搬送路徑60中，藉由驅動複數個振動馬達40，而使複數個彈簧30伸縮且振動。藉此，自粉體供給部3供給之粉體以在傾斜之螺旋狀之上升搬送路徑60上上升之方式一面滑動一面被搬送。藉由以振動馬達40對上升搬送路徑60施加伴隨著上下位移之扭轉振動，而使粉體沿著上升搬送路徑60上升。作為以使粉體於該螺旋狀之上升搬送路徑60中上升之方式將其搬送之裝置，較佳地使用所謂的螺旋升降機(spiral elevator)。
自氣體導入部1供給處理氣體，且自氣體排出部2排出處理氣體，藉此處理氣體於粉體處理裝置100b之處理容器10之內部流通。所供給之粉體在自上升搬送路徑60之下部被搬送至上部期間藉由處理氣體予以處理。藉此，能以處理氣體處理粉體之表面。經以處理氣體進行處理之粉體自粉體回收部4被回收。自粉體回收部4之粉體之回收係藉由螺旋式進給機或氣體輸送法進行。又，含有氟氣之處理氣體係自氣體排出部2被排出，且利用未圖示之氣體處理設備使其無毒化。
本參考形態中，利用處理氣體即氟之處理係使處理氣體接觸於粉體之表面而使粉體之表面改質之表面處理。於使用含有氟氣、氧氣及氮氣之處理氣體作為處理氣體之情形 時，可藉由對粉體之表面之官能基導入親水性之基而賦予親水性。又，可藉由對粉體之表面附加氟而賦予拒水性。處理氣體並不限定於氟氣、氧氣及氮氣，可根據處理之種類進行選擇。
(2)上升搬送路徑之構成
圖7係圖6之上升搬送路徑60之A部之放大剖面圖。圖8係表示圖6之上升搬送路徑60之B部中之一例之平面圖。圖9係表示圖6之上升搬送路徑60之B部中之一例之放大剖面圖。
如圖9所示，上升搬送路徑60具有於上下方向上呈螺旋狀延伸之帶狀搬送部61、及沿著該帶狀搬送部61之兩側延伸之側面部62、63。帶狀搬送部61具有與粉體接觸之上表面(粉體接觸面)61a。側面部62、63為防止在帶狀搬送部61上移動之粉體落下之導軌。
如圖7所示，於上升搬送路徑60上以特定之間隔設置有四邊形之複數個高度限制構件64。如圖9所示，高度限制構件64具有分別與上升搬送路徑60之側面部62、63連接之側部64a、64b，並且具有與帶狀搬送部61對向之下端部64c。高度限制構件64之下端部64c係與上升搬送路徑60之帶狀搬送部61平行地配置。於下端部64c與上升搬送路徑60之帶狀搬送部61之間形成有間隙G。如圖8所示，高度限制構件64具有相對於上升搬送路徑60上之粉體之移動方向位於上游側之面64d。
在上升搬送路徑60內移動之粉體通過高度限制構件64之 下端部64c與上升搬送路徑60之帶狀搬送部61之間之間隙G。此處，於上升搬送路徑60之帶狀搬送部61上之粉體堆至高於高度限制構件64之下端部64c之位置之情形時，以高度限制構件64之下端部64c限制粉體之高度。
如圖8及圖9所示，側面部62及側部64a相對於帶狀搬送部61位於螺旋之內側，側面部63及側部64b相對於帶狀搬送部61位於螺旋之外側。面64d具有側部64a側之邊64e及側部64b側之邊64f。該面64d以使邊64e相對於垂直於螺旋之切線方向之方向W位於較邊64f更靠下游側之方式傾斜。圖8中，帶狀搬送部61上之箭頭之方向為粉體移動之方向，且為自上游向下游之方向。於圖8之例中，面64d係以相對於垂直於螺旋之切線方向之方向W具有傾斜角度θ之狀態進行設置。傾斜角度θ大於0°且小於90°。
在上升搬送路徑60內移動之粉體因離心力而易於偏向螺旋之外側。即便於此情形時，由於面64d以使高度限制構件64之內側之邊64e位於較外側之邊64f更下游之方式傾斜，故偏向邊64f側之粉體仍可沿著高度限制構件64之面64d被引導至邊64e側。藉此，以高度限制構件64之下端部64c高效地限制粉體之高度。
再者，高度限制構件64之傾斜角度θ係只要可限制通過之粉體之高度，則無特別限定。
又，於上升搬送路徑60上設置複數個高度限制構件64。複數個高度限制構件64較佳為以等間隔設置。藉此，進一步消除粉體之偏移。其結果，能以處理氣體更均勻地對粉 體進行處理。
圖10係表示於上升搬送路徑60中粉體發生偏移之狀態之剖面圖。於圖10之例中，水平設置上升搬送路徑60之帶狀搬送部61。於此情形時，粉體P係於因離心力而導致偏向位於上表面61a之螺旋之外側之部分的狀態下，於帶狀搬送部61上被搬送。如此於粉體P發生偏移之狀態下，上升搬送路徑60之側面部63側之粉體P較厚地堆積，從而存在於搬送中被埋在粉體P之內部而未露出至表面之部分。本參考形態中，於粉體通過高度限制構件64之下部之間隙G時，高度限制構件64限制發生偏移之粉體之高度，藉此使被埋在堆積之粉體P之內部而未露出至表面之部分於表面露出。藉此，粉體整體與處理氣體接觸。其結果，能以處理氣體更均勻地對粉體進行處理。
本參考形態中，如圖9所示，上表面61a亦可以使位於螺旋之內側之上表面61a之部分低於位於螺旋之外側之上表面61a之部分之方式傾斜。於此情形時，對在上升搬送路徑60內移動之粉體作用沿著因重力傾斜之上表面61a而欲向內側移動之力，並且作用因離心力而欲向外側移動之力。因此，緩和粉體因離心力而偏向上升搬送路徑60內之外側。藉此，以高度限制構件64之下端部64c高效地限制粉體之高度。其結果，能以處理氣體均勻地對粉體整體進行處理。
本參考形態中，如圖9所示，以使位於螺旋之內側之上表面61a之部分低於位於螺旋之外側之上表面61a之部分之 方式傾斜，但並不限定於此。如圖10所示，上表面61a亦可水平。即便於此情形時，亦可藉由高度限制構件64限制粉體之高度。
又，本參考形態中，高度限制構件64係以在其下端部64c與帶狀搬送部61之間設置有間隙G之狀態所設置之板狀構件。該下端部64c之形狀並無特別限定，既可為直線狀，亦可為波狀等。於下端部64c為直線狀之情形時，可使粉體平滑化。於下端部64c為波狀之情形時，可使粉體露出之面積增大，從而增加與處理氣體之接觸面積。
再者，時間會對使用處理氣體之處理產生較大影響。處理時間可藉由變更上升搬送路徑60上之粉體之移動速度而調整。又，處理時間亦可藉由變更粉體之搬送距離而調整。
本參考形態中，一面使處理氣體於粉體處理裝置100b之處理容器10內流通一面對粉體進行處理，但亦可以將處理氣體封入至處理容器10內之狀態對粉體進行處理。
本參考形態中，粉體處理裝置100b具有將粉體向上方搬送之上升搬送路徑60，但粉體處理裝置100b亦可代替上升搬送路徑60而具有將粉體向下方搬送之下降搬送路徑。
(3)效果
本參考形態中，於在上升搬送路徑60內移動之粉體通過高度限制構件64與帶狀搬送部61之間之間隙G時，藉由高度限制構件64限制粉體之高度。藉由限制該粉體之高度，而使被埋在堆積之粉體之內部之部分露出至表面。藉此， 粉體整體與處理氣體接觸。其結果，能以處理氣體連續且均勻地對粉體整體進行處理。
又，粉體在處理容器10內不會向空中散射，而於上升搬送路徑60之帶狀搬送部61上一面滑動一面被搬送。因此，處理粉體時產生之熱係通過上升搬送路徑60之帶狀搬送部61及側面部62、63被放出。藉此，防止粉體之表面被過度加熱。其結果，防止由熱導致之粉體之變質等，並且防止粉體之表面變焦。進而，可防止產生由粉體之散射及熱導致之粉體之粉塵爆炸現象。帶狀搬送部61上之與粉體之接觸面較佳為包含金屬。於此情形時，可通過帶狀搬送部61上之與粉體之接觸面將粉體之熱放出。藉此，可更均勻地對粉體進行處理。
[2]第2參考形態 (1)粉體處理裝置之整體構成
關於第2參考形態之粉體處理裝置100b，說明與第1參考形態之粉體處理裝置100b不同之方面。圖11係表示第2參考形態之粉體處理裝置100b之內部構造之側視圖。如圖11所示，本參考形態之粉體處理裝置100b更包含下降搬送路徑70。
下降搬送路徑70係以於處理容器10之內部，以中心軸50為中心於上升搬送路徑60之內側呈螺旋狀延伸之方式沿上下方向設置。上升搬送路徑60之上端與下降搬送路徑70之上端互相連接。下降搬送路徑70之螺旋纏繞方向與上升搬送路徑60之螺旋纏繞方向相反。粉體回收部4係設置於下 部框體10a之底面部，而並非設置於上部框體10b之周面部之上部。下降搬送路徑70之另一端與粉體回收部4連通。
下降搬送路徑70除螺旋纏繞方向以外，具有與圖7~圖9之上升搬送路徑60相同之構成。與上升搬送路徑60同樣地，於下降搬送路徑70設置有複數個高度限制構件64。
自粉體供給部3供給之粉體以在傾斜之螺旋狀上升搬送路徑60上上升之方式一面滑動一面移動。沿著上升搬送路徑60移動之粉體經由上升搬送路徑60之上端被引導至下降搬送路徑70之上端。其後，粉體以沿著下降搬送路徑70下降之方式一面滑落一面移動。
由於上升搬送路徑60之螺旋纏繞方向與下降搬送路徑70之螺旋纏繞方向彼此相反，故藉由利用振動馬達40賦予相同之振動，而使上升搬送路徑60內之粉體之移動方向與下降搬送路徑70內之粉體之移動方向彼此相反。藉此，可使粉體在處理容器10內於上下方向上往返移動。粉體係於往返移動中藉由處理氣體予以處理。經以處理氣體進行處理之粉體自粉體回收部4被回收。
(2)效果
本參考形態中，粉體不僅在上升搬送路徑60內移動時藉由處理氣體予以處理，而且在下降搬送路徑70內移動時亦藉由處理氣體予以處理。藉此，無需使處理容器10大型化即可延長粉體之處理時間。其結果，可使粉體處理裝置小型化。
又，於上升搬送路徑60及下降搬送路徑70設置有高度限 制構件64。因此，粉體在上升搬送路徑60移動時及在下降搬送路徑70移動時由高度限制構件64限制高度。藉此，可長時間地以處理氣體均勻地對粉體進行處理。
[3]第3參考形態
圖12係表示第3參考形態之粉體處理裝置100b之內部構造之側視圖。如圖12所示，上升搬送路徑60配置於下降搬送路徑70之內側，一般而言，由於重力作用，下降搬送路徑70內之粉體之移動速度較上升搬送路徑60內之粉體之移動速度快。於圖12之粉體處理裝置100b中，下降搬送路徑70長於上升搬送路徑60。藉此，可使下降搬送路徑70內之粉體之移動速度與上升搬送路徑60內之粉體之移動速度大致相等。
[4]其他參考形態
(1)第1參考形態之粉體處理裝置100b中，粉體在上升搬送路徑60內自下端朝向上端移動，但並不限定於此。亦可以使粉體自上端朝向下端移動之方式構成粉體搬送路徑。
(2)第2及第3參考形態之粉體處理裝置100b中，粉體於在上升搬送路徑60內自下端朝向上端移動後，在下降搬送路徑70內自上端朝向下端移動，但並不限定於此。亦可以使粉體在下降搬送路徑70內自上端朝向下端移動後，在上升搬送路徑60內自下端朝向上端移動之方式，連接上升搬送路徑60及下降搬送路徑70。
(3)第2及第3參考形態之粉體處理裝置100b中，下降搬 送路徑70之纏繞數與上升搬送路徑60之纏繞數相等，但並不限定於此。下降搬送路徑70之纏繞數亦可多於上升搬送路徑60之纏繞數。於此情形時，下降搬送路徑70之斜率變得小於上升搬送路徑60之斜率，並且下降搬送路徑70之長度變得長於上升搬送路徑60之長度。藉此，可使下降搬送路徑70內之粉體之移動速度與上升搬送路徑60內之粉體之移動速度大致相等。
[5]參考形態之綜合性概念
(1)根據參考形態之粉體處理裝置係以處理氣體對粉體進行處理者，且包括：粉體搬送路徑，其於上下方向上呈螺旋狀延伸，且具有用以供粉體移動之帶狀搬送部；粉體供給部，其用以對粉體搬送路徑供給粉體；振動賦予部，其藉由使粉體搬送路徑振動而使供給至粉體搬送路徑之粉體沿著帶狀搬送部移動；處理容器，其係於供給至粉體搬送路徑之粉體之移動中以處理氣體對其進行處理；粉體回收部，其回收經處理之粉體；以及至少一個高度限制構件，其限制在帶狀搬送部移動之粉體之高度。
該粉體處理裝置中，粉體搬送路徑於上下方向上呈螺旋狀延伸。粉體搬送路徑具有用以供粉體移動之帶狀搬送部。粉體係藉由粉體供給部而供給至粉體搬送路徑。粉體搬送路徑藉由振動賦予部而振動，藉此使供給至粉體搬送路徑之粉體沿著粉體搬送路徑移動。於粉體搬送路徑內移動之粉體成為在移動中因受到離心力而偏向螺旋之外側之狀態。於此種情形時，亦可藉由高度限制構件限制粉體之 高度。藉此，防止粉體在偏移之狀態下保持凝固進行移動。又，藉由高度限制構件攪拌粉體。因此，處理氣體變得容易接觸於粉體整體。其結果，能以處理氣體均勻地對粉體進行處理。
(2)高度限制構件亦可以如下方式配置，即，具有與帶狀搬送部對向之下端部，且於下端部與帶狀搬送部之間形成間隙。
於此情形時，在粉體搬送路徑內移動之粉體通過高度限制構件之下端部與粉體搬送路徑之帶狀搬送部之間之間隙。於粉體搬送路徑之帶狀搬送部上之粉體堆至高於高度限制構件之下端部之位置之情形時，以高度限制構件之下端部高效地限制粉體之高度。
(3)高度限制構件中之帶狀搬送部之螺旋之內側方向之側部亦可位於較螺旋之外側方向之側部更靠粉體之移動方向之下游側。
在粉體搬送路徑內移動之粉體因受到離心力而易於偏向螺旋之外側。於此情形時，由於高度限制構件中之帶狀搬送部之螺旋之內側方向之部分位於較螺旋之外側方向之部分更下游，故偏向螺旋之外側方向之部分之粉體亦會沿著高度限制構件之一面被引導至螺旋之內側方向之部分。藉此，以高度限制構件之下端部高效地限制粉體之高度。
(4)帶狀搬送部中之與粉體之接觸面亦可以使螺旋之內側低於螺旋之外側之方式傾斜。
於此情形時，對在帶狀搬送部中移動之粉體作用沿著因 重力傾斜之上表面而欲向內側移動之力，並且作用欲向外側移動之力。藉此，防止粉體因受到離心力而偏向粉體搬送路徑內之外側。其結果，以高度限制構件之下端部高效地限制粉體之高度。
(5)粉體搬送路徑包含第1搬送路徑與第2搬送路徑，該第1搬送路徑於上下方向上呈螺旋狀延伸，且具有用以供粉體移動之第1帶狀搬送部，該第2搬送路徑於上下方向上呈螺旋狀延伸，且具有用以供粉體移動之第2帶狀搬送部，第1及第2帶狀搬送部於一端互相連接，並且第2帶狀搬送部之螺旋纏繞方向亦可與第1帶狀搬送部之螺旋纏繞方向相反。
於此情形時，沿著第1帶狀搬送部移動之粉體經由第1帶狀搬送部之一端被引導至第2帶狀搬送部之一端。其後，粉體沿著第2帶狀搬送部移動。由於第1帶狀搬送部之螺旋纏繞方向與第2帶狀搬送部之螺旋纏繞方向彼此相反，故藉由利用振動賦予部賦予相同之振動，而使第1搬送路徑內之粉體之移動方向與第2搬送路徑內之粉體之移動方向彼此相反。藉此，可使粉體在處理容器內於上下方向上往返移動。
因此，粉體不僅於在第1帶狀搬送部移動時藉由處理氣體予以處理，而且於在第2帶狀搬送部移動時亦藉由處理氣體予以處理。藉此，無需使處理容器大型化即可延長粉體之處理時間。其結果，可使粉體處理裝置小型化。
(6)高度限制構件亦可以等間隔設置有複數個。於此情 形時，藉由複數個高度限制構件限制於第1搬送路徑及第2搬送路徑移動之粉體之高度。藉此，可長時間地以處理氣體均勻地對粉體進行處理。又，複數個高度限制構件係以等間隔設置。藉此，進一步消除粉體之偏移。其結果，能以處理氣體更均勻地對粉體進行處理。
(7)帶狀搬送部中之與粉體之接觸面亦可包含金屬。於此情形時，可通過帶狀搬送部中之與粉體之接觸面將粉體之熱放出。藉此，可更均勻地對粉體進行處理。
(8)處理容器亦可包含用以導入處理氣體之氣體導入部、及用以排出處理氣體之氣體排出部。
於此情形時，可對粉體處理裝置連續地導入處理氣體，並且連續地排出處理氣體。藉此，可將使用處理氣體進行處理時之處理容器內之處理氣體的濃度保持為大致固定。其結果，可更均勻地對粉體進行處理。
(9)處理氣體亦可含有氟氣。於此情形時，藉由以氟氣對粉體進行處理，而可對粉體之表面附加氟從而賦予拒水性。又，於使用含有氧氣及氟氣之處理氣體之情形時，於藉由氧氣及氟氣使粉體之表面上之分子末端之基變為-CF=O後，加水分解，藉此成為羧基等親水基。其結果，提高粉體之親水性。
[6]參考形態之綜合性概念之各構成要素與參考形態之各部之對應關係
以下，對綜合性概念之各構成要素與參考形態之各部之對應之例進行說明，但參考形態並不限定於下述之例。
粉體處理裝置100b為粉體處理裝置之例，處理容器10為處理容器之例，上升搬送路徑60及下降搬送路徑70為粉體搬送路徑之例，上升搬送路徑60為第1搬送路徑之例，下降搬送路徑70為第2搬送路徑之例。氣體導入部1為氣體導入部之例，氣體排出部2為氣體排出部之例，粉體供給部3為粉體供給部之例，粉體回收部4為粉體回收部之例，振動馬達40為振動賦予部之例。
高度限制構件64為高度限制構件之例，下端部64c為下端部之例。帶狀搬送部61為帶狀搬送部之例，或為第1及第2帶狀搬送部之例。上表面61a為接觸面之例，間隙G為間隙之例。
作為綜合性概念之各構成要素，亦可使用具有綜合性概念所記載之構成或功能之其他各種要素。
本參考形態可有效地利用於利用各種處理氣體之粉體之處理。
[7]參考形態之摘要
於處理容器內上升搬送路徑於上下方向上呈螺旋狀延伸。上升搬送路徑具有用以供粉體移動之帶狀搬送部。粉體係藉由粉體供給部而供給至上升搬送路徑。上升搬送路徑藉由振動馬達而振動，藉此使供給至上升搬送路徑之粉體沿著上升搬送路徑移動。藉由高度限制構件限制在上升搬送路徑內移動之粉體之高度並且攪拌粉體。於處理容器中，供給至上升搬送路徑之粉體於移動中由處理氣體對其進行處理。經處理之粉體由粉體回收部回收。
[產業上之可利用性]
本發明可利用於粉體之處理。
1‧‧‧氣體導入部
2‧‧‧氣體排出部
3‧‧‧粉體供給部
4‧‧‧粉體回收部
10‧‧‧處理容器
10a‧‧‧下部框體
10b‧‧‧上部框體
11‧‧‧氟氣產生源
12‧‧‧氮氣產生源
13‧‧‧氧氣產生源
14‧‧‧氣體混合器
19‧‧‧處理氣體產生裝置
20‧‧‧粉體攪拌裝置
21‧‧‧分離器
22‧‧‧吸引裝置
23‧‧‧吸附塔
24‧‧‧洗滌器
30‧‧‧彈簧
40‧‧‧振動馬達
50‧‧‧中心軸
60‧‧‧上升搬送路徑
61‧‧‧帶狀搬送部
61a‧‧‧上表面
62‧‧‧側面部
63‧‧‧側面部
64‧‧‧高度限制構件
64a‧‧‧側部
64b‧‧‧側部
64c‧‧‧下端部
64d‧‧‧高度限制構件64之面
64e‧‧‧側部64a側之邊
64f‧‧‧側部64b側之邊
70‧‧‧下降搬送路徑
100‧‧‧反應容器
100a‧‧‧粉體處理裝置
100b‧‧‧粉體處理裝置
110‧‧‧外周壁
110i‧‧‧內周面
111‧‧‧端面壁
111h‧‧‧開口部
112‧‧‧門
113‧‧‧板構件
114‧‧‧傘構件
114a‧‧‧固定構件
120a‧‧‧配管支撐機構
120b‧‧‧配管支撐機構
121‧‧‧圓盤構件
122‧‧‧貫通孔
123‧‧‧貫通孔
124‧‧‧貫通孔
125‧‧‧貫通孔
130‧‧‧固定中空管
131‧‧‧端面
132‧‧‧配管保持孔
133‧‧‧螺孔
134‧‧‧溫度測定孔
139‧‧‧階差
140‧‧‧管狀突出部
141‧‧‧環狀槽部
142‧‧‧環狀槽部
143‧‧‧環狀槽部
150‧‧‧軸承
151‧‧‧O型圈
152‧‧‧防塵封件
153‧‧‧環狀板構件
200‧‧‧旋轉驅動裝置
210a‧‧‧輥
210b‧‧‧輥
210c‧‧‧輥
210d‧‧‧輥
211a‧‧‧動力傳遞軸
211b‧‧‧動力傳遞軸
220a‧‧‧馬達
220b‧‧‧馬達
300‧‧‧加熱冷卻裝置
400‧‧‧隔熱罩
F‧‧‧流入路徑
G‧‧‧間隙
L1‧‧‧配管
L2‧‧‧配管
L2a‧‧‧排出口
L3‧‧‧配管
L4‧‧‧配管
L5‧‧‧配管
L6‧‧‧配管
N‧‧‧螺釘
P‧‧‧粉體
PA‧‧‧粉體
R1‧‧‧旋轉軸
S‧‧‧處理空間
THa‧‧‧溫度測定管
W‧‧‧方向
θ‧‧‧傾斜角度
圖1係表示本發明之一實施形態之粉體處理裝置之構成的模式圖。
圖2係表示圖1之粉體攪拌裝置之構成之立體圖。
圖3係圖2之粉體攪拌裝置之A-A線剖面圖。
圖4係模式性地表示沿著圖2之旋轉軸之粉體攪拌裝置之縱剖面之圖。
圖5(a)係圖2之配管支撐機構及其周邊構件之前視圖，圖5(b)係圖5(a)之B-B線處之配管支撐機構及其周邊構件之縱剖面圖。
圖6係表示第1參考形態之粉體處理裝置之內部構造之側視圖。
圖7係圖6之上升搬送路徑之A部之放大剖面圖。
圖8係表示圖6之上升搬送路徑之B部中之一例之平面圖。
圖9係表示圖6之上升搬送路徑之B部中之一例之放大剖面圖。
圖10係表示於上升搬送路徑中粉體發生偏移之狀態之剖面圖。
圖11係表示第2參考形態之粉體處理裝置之內部構造之側視圖。
圖12係表示第3參考形態之粉體處理裝置之內部構造之 側視圖。
20‧‧‧粉體攪拌裝置
100a‧‧‧粉體處理裝置
110‧‧‧外周壁
111‧‧‧端面壁
111h‧‧‧開口部
112‧‧‧門
120a‧‧‧配管支撐機構
120b‧‧‧配管支撐機構
200‧‧‧旋轉驅動裝置
210a‧‧‧輥
210b‧‧‧輥
210c‧‧‧輥
210d‧‧‧輥
211a‧‧‧動力傳遞軸
211b‧‧‧動力傳遞軸
220a‧‧‧馬達
220b‧‧‧馬達
300‧‧‧加熱冷卻裝置
400‧‧‧隔熱罩
L1‧‧‧配管
L2‧‧‧配管
R1‧‧‧旋轉軸
S‧‧‧處理空間

Claims (6)

  1. 一種粉體攪拌裝置，其係以反應性之處理氣體對粉體進行處理者，且包括：反應容器，其具有相對於大致水平方向之軸旋轉對稱之內周面，並且設置為可繞著上述軸旋轉，且構成為可收容粉體；旋轉驅動部，其使上述反應容器繞著上述軸旋轉；氣體導入系統，其係用以將處理氣體導入至藉由上述旋轉驅動部而旋轉之上述反應容器內；以及氣體排出系統，其係用以排出藉由上述旋轉驅動部而旋轉之上述反應容器內之處理氣體。
  2. 如請求項1之粉體攪拌裝置，其更包括以自上述反應容器之內周面突出之方式設置之突出部。
  3. 如請求項2之粉體攪拌裝置，其中上述突出部為以與上述軸平行地延伸並且朝向旋轉中心之方式配置之複數個板構件。
  4. 如請求項1至3中任一項之粉體攪拌裝置，其中上述氣體排出系統包含氣體排出管，該氣體排出管係自上述反應容器之外部插入至上述反應容器之內部，並且於上述反應容器之內部具有向上方開口之排出口。
  5. 如請求項4之粉體攪拌裝置，其中上述氣體排出管之一部分係以向上方延伸之方式設置；上述排出口設置於向上方延伸之部分之上端；且上述粉體攪拌裝置更包括以覆蓋上述氣體排出管之上 述排出口之周圍及上方之方式而設置之粉體流入限制構件。
  6. 如請求項1至3中任一項之粉體攪拌裝置，其更包括設置於上述軸上之固定構件；上述反應容器係設置為可對上述固定構件相對地旋轉；上述氣體導入系統及上述氣體排出系統係以貫通上述固定構件之方式設置。
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