TW201326473A - 用於製造矽塊的方法 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及一種用於通過使矽熔體固化來製造矽塊(9)的方法，所述方法包括以下步驟：提供具有基壁(2)和至少一個側壁(3)的用於接納矽熔體的容器(1)，將多個晶種(4)佈置在基壁(2)上，將矽(8)佈置在容器(1)中，使矽熔體在容器(1)中定向固化，其中晶種(4)在任何情形中都具有至少一個側面(6)和端面(7)並且在任何情形中都具有預定的軸向取向，並且其中兩個相鄰的晶種(4)的側面(6)在任何情形中都通過間隙(5)彼此相分隔。
Description
德國專利申請DE 10 2011 086 669的內容在此整體併入。
本發明涉及一種用於製造矽塊、尤其是光伏用矽塊的方法。本發明還涉及一種用於製造矽塊的設備。最後，本發明涉及一種矽塊。
為了製造矽塊，常常使矽以定向方式熔化和固化。在這一固化過程中形成的矽結構對以後從這些矽塊製成的太陽能電池的品質、尤其是效率有著決定性的影響。
從DE 2007/035756 A1、WO 2007/084936 A2和WO 2009/014957 A2獲知用於製造矽塊的方法。
持續需要開發這種方法。因此，本發明的一個目的是改進用於製造矽塊的方法。
這一目的通過一種用於通過使矽熔體固化來製造矽塊的方法實現--該方法包括以下步驟：a.提供用於接納矽熔體的容器，該容器具有i.基壁，和ii.至少一個側壁，
b.將多個平的晶種佈置在基壁上，i.其中，晶種在任何情形中都具有至少一個側面，並且ii.其中，晶種在任何情形中都具有帶預定的軸向取向的晶體結構，並且iii.其中，兩個相鄰的晶種的側面在任何情形中都以一間隙彼此相分隔，c.將液態矽佈置在晶種上，d.通過晶體生長來封閉晶種之間的所有間隙，e.使矽熔體在容器中定向固化。
本發明的核心在於將多個平的晶種瓦片佈置在模具的基部上，其中兩個相鄰的晶種的側面在任何情形中都以一間隙彼此相分隔。兩個相鄰的晶種瓦片之間的間隙在任何情形中都通過定向晶體生長來封閉。
根據本發明，用於封閉所述間隙的晶體生長至少部分地、優選主要為從晶種的側面進行的側向生長。
根據本發明，可通過晶種在晶基上的指定佈置，尤其通過具有特定取向的晶種的指定佈置，來改善矽塊的晶體結構。有利地，晶種是單晶晶種。這有利於大容積單晶區域的生長。晶種尤其由矽、優選由單晶矽製成。它們尤其可由根據該方法製造的矽塊鋸切得到。
尤其在具有高達100×100cm2的基面的大型模具的情形中，具有單晶材料的模具基部的完全覆蓋是非常昂貴的。此外，將晶種安置在模具基部上代表大的技術支出。此外，
具有這種大尺寸的晶種、尤其是單晶晶種的製造非常困難。然而，根據本發明，可能有利的是將多個晶種佈置在基壁上，兩個相鄰的晶種的側面在任何情形中都以一間隙彼此相分隔。晶種的數量尤其為兩個。然而，晶種的數量也可為三個、四個或更多個。晶種優選具有矩形截面。較大邊的長度在此尤其精確地對應於模具基壁的邊長。這具有優點：僅需在一個方向上彼此相靠地設定晶種。
原則上，也可設想晶種的其他截面形狀。已證實可藉以鋪鑲模具基面的形狀是有利的。
此外，根據本發明，通過晶種的軸向取向的定向選擇，可在矽熔體的結晶期間影響缺陷隨著晶體高度增加的蔓延、尤其是所述缺陷的側向蔓延。軸向取向在此意味著晶種在垂直於端面、即垂直於基壁的方向上的晶體取向。
軸向(100)-取向引起在晶體高度上的特別有利的缺陷發展。根據本發明，軸向(100)-取向引起在晶體高度上受缺陷影響的區域的特別小的側向蔓延。
側向取向表示晶種垂直於它們的側面的取向。側面在任何情形中都側向地限制兩個相鄰的晶種之間的間隙。它們傾斜地延伸，尤其垂直於基部延伸。互相相對的側面可互相平行地取向。然而，側面也可以兩個相鄰的晶種之間的間隙在模具基部的方向上漸縮的方式構成。該間隙尤其可為V形的。晶體生長可有利地受間隙和其取向的幾何構型影響。
結晶、尤其是在晶種的側面上(即間隙中)的生長可受晶
種的側向取向的定向選擇的影響。結果，尤其是受間隙內的缺陷影響的區域可減小為原始間隙面內盡可能小的區域。
根據本發明，已發現從(100)-取向和(111)-取向的組中選擇側向取向引起間隙中特別有利的晶體生長，尤其是缺陷特別低的晶體生長。
此外，已認識到晶界構型對間隙中的晶體生長有影響。根據一個有利實施例，因此規定晶種應該以它們在任何情形中都具有預定的晶界構型的方式佈置在基壁上。例如，這可以通過對稱操作例如特定晶種繞特定的結晶軸線以特定角度相對於相鄰的晶種旋轉來實現。
間隙中的晶體生長的缺陷越少，晶界構型的對稱性就越低。晶界構型可通過符合點陣的晶胞的體積VK與晶格的晶胞的體積VG的比例VK：VG來量化。尤其適用VK：VG 3，尤其是VK：VG 9，尤其是VK：VG 33。
可改善間隙中的側向晶體生長是因為兩個相鄰的晶種之間的間隙在矽佈置在容器中後但在矽熔體的固化前在任何情形中至少90%、尤其完全不存在固態矽。這可通過將矽晶片或晶盤佈置在晶種上來實現。矽晶片或晶盤在此以它們在任何情形中都覆蓋兩個晶種之間的間隙的方式佈置。保持間隙不存在固態矽還可以確保容器中的固態矽片的尺寸在任何情形中都大於最大間隙寬度。
為了用矽熔體填滿晶種之間的間隙，尤其規定使已佈置在晶種上的固態矽熔化。原則上，也可設想在矽佈置在
容器中前已經在單獨的容器中使矽熔化並且然後以矽熔體的形式向帶有晶種的容器供應矽。
該間隙的寬度在從0mm至50mm的範圍內，尤其在從0mm至10mm的範圍內。在0mm的間隙寬度的情形中，晶種在它們的側面的區域內互相鄰接。然而，可規定晶種之間應該留出寬度為至少1mm、尤其至少5mm、尤其至少10mm的間隙。這簡化了晶種在基壁上的佈置。此外，由此減少了需要作為晶種的矽的數量。
該間隙的深度T與寬度B之比優選至少為2，尤其至少為3，T：B2，尤其T：B3。在此情形中，深度T與寬度B的給定比例涉及結晶的開始。此時，晶種與起始狀態相比可能已經重新熔化高達75%。在起始狀態下，間隙的深度T與寬度B之比相應較大。這確保了通過從晶種的側面側向地進行的晶體生長而不是通過從坩堝基部軸向地進行的晶體生長在其遠離坩堝基部的一端以側向和軸向上的均勻晶體生長來封閉該間隙。
晶種優選以兩個晶種之間的間隙在任何情形中都在後續的鋸切線區域內延伸的方式佈置在容器的基壁上。結果，可增加關於缺陷蔓延的容限，因為一定比例的矽塊在後續鋸切過程中在任何情形中都在這一區域內被去除。晶種尤其以每個間隙在任何情形中都關於後續鋸切線對稱地延伸的方式佈置在容器的基壁上。後續鋸切線的位置和佈置能通過對容器尺寸的瞭解以及因此對要進行製造的矽塊和要從其鋸切的矽柱的尺寸的瞭解來預先容易地確定。
本發明的又一個目的在於提供具有改善特性的尤其用於光伏應用的矽塊。
這一目的可通過一種可通過根據本發明的方法來製造的矽塊來實現，該矽塊具有至少50×50cm2的截面並且在截面上的平均位錯密度最多為2.5×104/cm2，尤其最多1.5×104/cm2。根據本發明的矽塊具有截面上平均位錯密度特別低的大截面。
1‧‧‧模具
2‧‧‧基壁
3‧‧‧側壁
4‧‧‧晶種
5‧‧‧間隙
6‧‧‧側面
7‧‧‧端面
8‧‧‧矽片
9‧‧‧矽塊
10‧‧‧缺陷
B‧‧‧寬度
D‧‧‧厚度
T‧‧‧深度
b‧‧‧開口角度
本發明的更多特徵和細節從借助於附圖對多個實施例的描述顯現。
圖1示出了帶有晶種和矽片的容器在晶種和矽片熔化前的示意圖，
圖2示出了穿過矽塊的示例性截面圖，該矽塊在位於晶種之間的區域內具有錯位，
圖3示出了根據圖2的圖以用於圖示晶種取向的影響，
圖4示出了帶有半圓形間隙的對應於圖3的視圖以用於直接對比晶種的不同取向的影響，
圖5至圖8示出了根據圖2和3的在晶種上方的一高度處的截面的更多圖，
圖9至圖12示出了穿過矽塊的截面圖以圖示不同的晶界構型的影響，
圖13和圖14示出了根據圖9的圖，以圖示具有等同的晶界構型的晶種的軸向取向的影響，以及
圖15示出了晶種在模具的基壁上的佈置的示範圖。
圖2至14為鑲嵌圖，這些圖由大量單獨的圖像組成。這以背景的柵格化形式可視。
圖1示出了用作容器以接納矽熔體的模具1，該模具具有基壁2和四個側壁3。模具1可為塗覆有Si3N4的SiO2模具。
模具1具有矩形、尤其是正方形截面。它也可具有圓的、尤其是圓形的截面。在此情形中，它僅具有單個中空圓柱形側壁3。為了矽在模具1中熔化和定向(directed，受控的)固化，模具1佈置在具有溫度控制裝置的結晶室中。要瞭解結晶室的細節，例如參見DE 10 2005/013410 B4。
模具1的基壁2可具有超過30cm、尤其超過50cm、尤其超過70cm的尺寸。例如，它具有80×80cm2的尺寸。
多個晶種4佈置在模具1的基壁2上。相鄰的晶種4在任何情形中都以間隙5互相間隔開。晶種4尤其是平的。它們具有至少100cm2、尤其至少300cm2、尤其至少1000cm2、尤其至少3000cm2的面積。
間隙5在平行於基壁2的方向上具有寬度B。間隙5在垂直於基壁2的方向上具有深度T。間隙5的深度T由晶種4的厚度D限定。晶種4在起始狀態下的厚度D在從1mm至5cm的範圍內，尤其在從0.5cm至3cm的範圍內，尤其在從1cm至2cm的範圍內。
晶種4具有側面6和端面7。側面6在任何情形中都側向地限制間隙5。晶種4在任何情形中都以端面7之一擱置在模
具1的基壁2上。晶種4的端面7尤其佈置成平行於基壁2。晶種4的側面6傾斜地佈置，尤其佈置成垂直於基壁2。因此，間隙5尤其由兩個相鄰的晶種4的互相相對、平行的側面6側向地限制。間隙5也可具有隨著與基壁2間距的增大而增大或減小的寬度B。
晶種4具有矩形截面。晶種4的截面優選以較長邊精確地對應於基壁2的邊長的方式來選擇。在此情形中，可以以基壁2被晶種4覆蓋至少90%、尤其覆蓋至少95%、尤其覆蓋至少99%的方式將兩個晶種4精確地佈置在基壁2上。在此兩個晶種4之間精確地形成有間隙5。間隙5可平行於側壁3之一線性地延伸：晶種4具有至少10cm、尤其至少20cm、尤其至少30cm、尤其至少40cm的寬度。
基壁2上也可佈置有多於兩個晶種4。在多於兩個晶種4的情形中，形成有多個間隙5。在此情形中，晶種4優選以間隙5在任何情形中都相對於彼此平行和/或垂直的方式佈置。
原則上，可將具有任何期望截面的晶種佈置在模具1的基壁2上。晶種4的允許基壁2的鋪鑲的構型是有利的。晶種在任何情形中都可具有等同的截面。它們也可具有不同截面。正方形晶種4以棋盤圖案、即以規則的行和列佈置在基壁2上是特別有利的。
晶種4優選以兩個晶種4之間的間隙5在任何情形中都在後續鋸切線區域內延伸的方式佈置在模具的基壁2上。後續鋸切線尤其平行於側壁3中的至少一個延伸。圖15中示出
了晶種4的可能佈置。在此實施例中，晶種4以棋盤狀圖案、即以具有四行和四列的矩陣佈置在模具的基壁2上。晶種4在任何情形中都是正方形的。它們具有尤其至少與後續要進行製造的晶片的面積一樣大的截面。晶種的尺寸尤其略大於後續將從其進行製造的晶片，尤其比所述晶片大至少10%。晶種4尤其具有至少15cm、尤其至少17cm、尤其至少20cm、尤其至少22cm的邊長。晶種4在任何情形中都以間隙5彼此相分隔。間隙5在任何情形中都佈置在後續鋸切線的區域內。可選數量的晶種4也是可能的。晶種4也可具有與此不同的尺寸。然而，至少晶種4的較短邊優選至少與後續要進行製造的晶片的邊長一樣長，尤其為至少15.6cm，尤其為至少20cm。晶種4優選由矽製成。它們尤其由單晶矽製成。它們例如可通過鋸切提拉法晶體(Czochralski crystal)來製造。
晶種4具有預定的軸向取向。軸向取向在此意味著晶種4在垂直於端面7、即垂直於基壁2的方向上的晶體取向。根據本發明，已發現尤其(100)-取向作為軸向取向是有利的。軸向(100)-取向引起在垂直於模具1的基壁2的方向上特別小的缺陷發展。
間隙5在任何情形中都具有在從0mm至50mm的範圍內的寬度。在圖1所示的實施例中，間隙5的寬度為約1cm和約2cm。在此實施例中，間隙5的寬度B因此為至少1cm。在圖2所示的實施例中，間隙5的寬度為5mm和10mm。間隙5的深度T與寬度B之比在任何情形中都至少為2，T：B2，尤
其是T：B3。
晶種4具有預定的側向取向，即在垂直於晶種4的側面6的方向上的取向。已證實(100)-取向和(111)-取向作為側向取向是有利的。它們引起間隙5中從側面6進行的晶體生長，該晶體生長的缺陷特別低，特別是單晶體。
因此，晶種4尤其具有預定的取向對，即預定的軸向取向和預定的側向取向兩者。已證實取向對(100)/(100)和(100)/(111)(軸向取向/側向取向)是特別有利的。
下面將描述用於製造矽塊9的方法。首先提供模具1並且將晶種4佈置在其基壁2上。然後將矽片8即固態矽佈置在模具1中的晶種4上。相鄰的晶種4在任何情形中都以一個間隙5彼此相分隔。
矽片8首先以固體形式存在。它們具有一定直徑使得它們在每一期望的空間方向上的包絡線都具有大於間隙5的寬度B的尺寸。換言之，它們太大以致它們不能落入間隙5之一中。這使得間隙5在熔化過程前不存在矽，尤其不存在固態矽。間隙5在矽片8佈置在模具1中後但在矽熔體固化前在任何情形中至少90%不存在固態矽。
矽、尤其是矽片8然後在模具1中熔化。矽片8尤其從頂部熔化，即從它們遠離基壁2的邊進行熔化。要瞭解矽片8的熔化的細節，參見DE 10 2005/013410 B4。熔化的矽順著晶種4的側面6向下流動並且這裡在側向上結晶。因此發生側向晶種生長過程。結果，間隙5的寬度B減小。間隙5封閉。在矽片8的熔化期間，晶種4也可重新熔化(melt back，回
熔)。這可利於兩個相應的晶種4之間的間隙5中的單晶體生長。晶種4可以以高達75%它們的厚度重新熔化。晶種4有多少可重新熔化取決於它們的厚度D與間隙5的寬度B之比。晶種4最多以間隙5的深度T與寬度B之比為至少2、尤其至少3的程度重新熔化。
如果矽熔體與基壁2接觸，則可發生從基壁2進行的軸向晶體生長並且在任何情形中都從下方封閉間隙5。因此從側面6進行的側向生長與從基壁2進行的軸向生長之間可能發生競爭狀況。通過間隙5在再熔化過程後的上述深度T與寬度B之比(即，在晶種4的重新熔化狀態下，T：B2，尤其T：B3)來確保間隙5至少在它們遠離基壁2的一端通過從晶種4的側面6進行的側向晶體生長而封閉。
矽熔體然後在模具1中以定向方式固化。
根據本發明製造的矽塊9具有大截面和特別低的截面上的平均位錯密度。矽塊9的截面至少為50×50cm2，尤其至少70×70cm2，優選至少80×80cm2。截面上的平均位錯密度優選為最多2.5×104/cm2，尤其最多1.5×104/cm2。
下文將參考圖2至4描述晶種4的不同取向對矽塊9中的位錯密度的影響。在圖2所示的實施例中，晶種4具有軸向(111)-取向和側向(110)-取向。該圖示出了矽塊9在小於晶種4的厚度D的高度處的蝕刻截面。缺陷10、尤其是錯位在兩個間隙5中清晰可見。
在圖3--其在其他方面對應於圖2所示的實施例--所示的實施例中，晶種具有軸向(110)-取向和側向(111)-取
向。可定性地清楚看到間隙5的區域內的明顯減小的缺陷密度。圖3的中央的黑色區域基於樣品的斷裂點。
為了圖示晶種4的側向取向的影響，圖4中示出了穿過矽塊9的截面，晶種4之間的間隙5為半圓形環形。因此，不同方向對應於不同的側向取向，圖4中為了說明強調了其中一部分。如可定性地清楚看到，尤其側向(100)-取向和側向(111)-取向或相當於此的(11-1)-和(-11-1)-取向引起間隙5中的低缺陷、基本上單晶晶體生長。
圖5至8示出了矽塊9在晶種4上方的一高度處的截面。將晶種4的取向歸納在下表中：
圖中的圓圈表示在其中確定位錯密度的區域。
可以看到，軸向(100)-取向以及相同的側向取向，與(110)取向相比，具有明顯減小的缺陷發展。(111)-取向類似於(110)-取向(未示出)表現。在此實施例中，尤其對於至少5mm、尤其至少10mm的間隙5的寬度B，因此優選晶種4的軸向(100)-取向。對於側向取向，優選(100)-取向或(111)-取向。
一般而言，對於開口角度b--其描述沿著間隙5隨著
與模具1的基壁2的間距的增大缺陷所影響的區域的側向展開--而言，適用b(111)>b(110)>b(100)。在此情形中，b(xyz)根據晶種4的軸向取向提供了可統計地確定的開口角度b。
在一個有利實施例中，規定在將矽片8導入模具1前將晶片、尤其是矽晶片、尤其是多晶矽晶片或對應的晶盤安置在晶種4上。以兩個晶種4之間的間隙5在任何情形中都被它們覆蓋的方式將這些晶片佈置在晶種4上。因此，它們防止固態矽片8滲入間隙5中。
原則上，也可在引入模具1前熔化矽片8並以液體形式將它們供給至模具1。
根據本發明，還認識到可通過指定晶種4之間的特定晶界構型來影響晶體結構，尤其是矽塊9中的缺陷形成。這在小的間隙寬度、尤其在小於20mm、尤其小於10mm、尤其小於5mm、尤其小於1mm的間隙5的寬度B的情形中特別明顯/顯著，尤其是當晶種4被互相鄰接地放置時。可通過對稱操作、例如一個晶種4繞特定結晶軸線繞特定角度相對於相鄰的晶種4中的一個的旋轉來實現兩個相鄰的晶種4之間的特定晶界構型。在此多個對稱操作常常也是可能的，以便獲得相同的晶界構型。例如，通過繞<111>-軸線旋轉60°或通過繞<211>-軸線旋轉180°來獲得所謂的Σ3-晶界。
根據本發明發現，尤其以小於1cm、尤其小於3mm、尤其小於1mm的間隙5的寬度B指定特定的晶界構型是有利的。還發現，晶界構型對稱性越低，缺陷發展越小。然而，
完全一致的晶界(也稱為隨機晶界(random grain boundary))--其代表對稱性最低的情形--只能非常困難地以定向方式調節。根據本發明，因此規定以定向方式產生低對稱晶界。晶界的對稱特性可通過它們所謂的Σ值來量化。Σ值在此提供了符合點陣(coincidence lattice，共格點陣，重合點陣)的晶胞的體積與晶體點陣的晶胞的體積之比。Σ值越大，晶界的對稱性就越低。根據本發明，規定以適用以下的方式將相鄰的晶種4佈置在基壁2上：Σ3，尤其Σ9，尤其Σ33。
為了實現33的Σ值，例如可沿著特定結晶平面分離晶種4並且然後使一部分繞垂直於剖面的方向旋轉180°。在此，在該應用中有利的是選擇垂直於晶種表面的剖面，因為然後在旋轉後保持了原始晶種幾何形狀。例如，對於Σ=33的晶界構型，沿著{441}-平面，軸向(110)-取向晶種4可被分離並且然後使一部分繞<441>-軸線旋轉180°。晶種4的軸向取向在此實施例中尤其以這樣的方式來選擇：可通過使晶種4繞在晶種4的區域內延伸的軸線相對於相鄰、尤其是鄰接的晶種4旋轉180°來實現預定的晶界構型。
圖9至12中示出了不同晶界構型在晶種4的端面7上方約1cm的高度處對晶體結構的影響。下表中示出了對應的Σ值：
從圖9至12定性地變得清楚的是，根據晶界構型，產生間隙5中的缺陷區域的不同質性--其在晶體高度上蔓延。Σ=1引起不受控的錯位發展。Σ=3引起窄但清晰的多晶帶。Σ=9引起完美晶界和不受控的錯位巢(dislocation nest)的結合。Σ=33引起很窄而清晰的晶界。關於缺陷10在整個晶體高度上的側向蔓延的最佳變型為Σ=33-構型。接著為Σ=3-構型和Σ=9-構型。
圖13和14中示出了晶種4在相同的晶界構型Σ=1的不同軸向取向的效果。圖13中的晶種4在此具有軸向(111)取向。圖14中的晶種4具有(100)-取向。如上所述，軸向(100)-取向，與軸向(111)-取向相比，引起較小的錯位發展，尤其是受缺陷影響的區域的側向展開較小。
1‧‧‧模具
2‧‧‧基壁
3‧‧‧側壁
4‧‧‧晶種
5‧‧‧間隙
6‧‧‧側面
7‧‧‧端面
8‧‧‧矽片
B‧‧‧寬度
D‧‧‧厚度
T‧‧‧深度
Claims (14)
- 一種用於通過使矽熔體固化來製造矽塊(9)的方法，所述方法包括以下步驟：a.提供用於接納矽熔體的容器(1)，所述容器具有i.基壁(2)；和ii.至少一個側壁(3)，b.將多個平的晶種(4)佈置在所述基壁(2)上，i.其中，所述晶種(4)在任何情形中都具有至少一個側面(6)，並且ii.其中，所述晶種(4)在任何情形中都具有帶預定的軸向取向的晶體結構，並且iii.其中，兩個相鄰的晶種(4)的所述側面(6)在任何情形中都以一間隙(5)互相分隔，c.將液態矽(8)佈置在所述晶種(4)上，d.通過晶體生長來封閉所述晶種(4)之間的所有間隙(5)，e.所述矽熔體在所述容器(1)中的定向固化。
- 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其特微在於，所述晶種(4)具有作為所述軸向取向的選自(100)-取向和(110)-取向的取向。
- 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其特徵在於，所述晶種(4)以它們在任何情形中都具有選自(100)-取向和(111)-取向的預定側向取向的方式佈置在所述基壁上。
- 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其特徵在於，所 述晶種(4)以它們在任何情形中都具有預定的晶界構型的方式佈置在所述基壁上。
- 根據申請專利範圍第4項所述的方法，其特徵在於，所述晶種具有晶胞體積為VG的晶格並且所述晶界構型選擇成使得兩個相鄰晶種(4)的符合點陣的晶胞具有體積VK，其中適用：VK：VG 3。
- 根據申請專利範圍第5項所述的方法，其特徵在於，對於所述體積VG和所述體積VK之比，適用VK：VG 9。
- 根據申請專利範圍第5項所述的方法，其特徵在於，對於所述體積VG和所述體積VK之比，適用VK：VG 33。
- 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其特徵在於，所述矽(8)以這樣的方式佈置在所述容器(1)中：兩個相鄰的晶種(4)之間的間隙(5)在所述矽(8)佈置在所述容器(1)中後但在所述矽熔體(8)的固化前在任何情形中至少90%不存在固態矽。
- 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其特徵在於，所述間隙(5)具有在從0mm至50mm的範圍內的寬度(B)。
- 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其特徵在於，所述間隙(5)具有在從0mm至10mm的範圍內的寬度(B)。
- 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其特徵在於，所述間隙(5)具有寬度(B)和深度(T)，其中適用：T：B2。
- 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其特徵在於，所述晶種(4)以所述間隙(5)在任何情形中都在後續鋸切線的區域內在兩個晶種(4)之間延伸的方式佈置在所述容 器(1)的所述基壁(2)上。
- 一種可通過根據申請專利範圍第1項的方法製造的矽塊(9)，具有a.至少50×50cm2的截面，和b.最多2.5×104/cm2的截面上的平均位錯密度。
- 根據申請專利範圍第13項所述的矽塊(9)，其特徵在於，所述矽塊的截面上的平均位錯密度最多為1.5×104/cm2。
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