TW201326250A - 交聯型聚合物及使用其之有機電激發光元件 - Google Patents

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Akinori Yomogita
Hironori Kawakami
Masami Watanabe
Kiyoshi Ikeda
Masahiro Kawamura
Nobuhiro Yabunouchi
Tomoki Kato
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Idemitsu Kosan Co
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Abstract

一種含有下述式(A)及(B)表示之結構單元之聚合物：□□□[式(A)中，P為源自式(P)表示之化合物的基。L1表示連結基團。式(B)中，Q為源自式(Q)表示之化合物的基。L2表示連結基團。於式(B)中，c個Q及d個L2之中至少一個具有交聯性基]。

Description

交聯型聚合物及使用其之有機電激發光元件
本發明係關於一種交聯型聚合物及使用其之有機電激發光元件(有機EL元件)。
由於有機EL元件為自發光型，不存在視野角依賴性，且可實現面發光、薄型化，故而業界研究其於電視或行動電話等之顯示器或照明等中之應用。
有機EL元件具有以陰極與陽極夾持有機化合物之薄膜之構成。作為薄膜之形成方法，大致區分為蒸鍍法與塗佈法。蒸鍍法為主要使用低分子化合物，於真空中於基板上形成薄膜之方法，已實現製品化。另一方面，塗佈法為噴墨或印刷等使用溶液於基板上形成薄膜之方法，材料之利用效率較高，適合大面積化、高精細化，對今後之大畫面有機EL顯示器而言為不可缺少之方法。
使用低分子材料之真空蒸鍍法由於材料之利用效率極低，又，若進行大型化，則蔽蔭遮罩(shadow mask)之撓曲增大，故而難以對大型基板進行蒸鍍，其結果，存在難以製作使用大型之有機EL基板之顯示裝置之問題。又，製造成本亦增高。
另一方面，高分子系材料可藉由塗佈溶解於有機溶劑中之其溶液而形成均勻之膜，利用該特點，可使用由噴墨法或印刷法所代表之塗佈法。因此，可將材料之利用效率提高至接近100%。又，由於可容易地應對自小型基板至大 型基板之各種形狀之基板，故而可大幅削減元件之製造成本。
然而，通常塗佈法存在不適於積層型之元件、難以實現元件之高性能化之問題。
作為塗佈法不適於積層型之理由，可列舉於將層重疊時，會溶解之前已形成之膜之情況。具體而言，於塗佈積層型之有機發光元件中，電洞注入層及電洞傳輸層必須不溶於使發光層成膜時所使用之溶劑。
因此，於現狀中，利用塗佈法之有機EL元件大多限定於使用聚噻吩：聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)之水分散液將電洞注入層進行製膜，並使用甲苯等芳香族系有機溶劑將發光層進行製膜之二層結構者。其原因在於，由於PEDOT：PSS層不溶於甲苯，故而可製作該二層結構。
因此，例如無法適用於在電洞注入層上形成電洞傳輸層，進而形成發光層之情形。
於電洞注入層中，較多地使用如PEDOT/PSS所代表之水溶性或溶解於醇之材料。因此，電洞傳輸材料係於電洞注入層上使用甲苯、二甲苯、二烷、環己酮等水系或醇系以外之有機溶劑進行成膜而積層。
此處，提出有使用熱或光交聯型之聚合物作為電洞傳輸材料(參照專利文獻1)。然而，光交聯型之材料存在因光產生劣化而使電洞傳輸性、發光效率、元件壽命下降之問題，另一方面，熱交聯型之材料存在熱交聯後，有時會收縮或產生針孔之問題。
又，即便於熱交聯後不收縮之情形時，亦存在有時會溶解於發光層之積層中所使用之成膜用溶劑中之問題(參照專利文獻2-4)。
又，存在如下技術：使用使低分子化合物與可進行聚合之取代基鍵結而成之材料，將其塗佈後使其聚合，藉此降低於其他層之塗佈用溶劑中之溶解度，從而形成多層結構(例如參照專利文獻5)。然而，低分子化合物存在本身易於結晶化之傾向，故而有難以形成優質之薄膜之問題。
又，作為可用於塗佈型多層有機EL元件之電洞傳輸材料，揭示有於主鏈中導入有交聯基之聚合物。然而，該等材料若導入交聯基單元，則以3元系、多則以4元系構成，因而具有非常複雜之結構。因此，存在難以實現性能再現性之情形(專利文獻6、7、8)。又，亦揭示有末端導入有交聯基之材料，但由於藉由與可溶性單元相同之咔唑基進行共聚合，故而難以藉由導入複數個取代基對製膜性或密合性、進而電子物性等進行微調整。又，由於該材料係分子量2000~3000左右之低聚物材料，故而有未反應之交聯基對元件性能下降造成影響之虞(專利文獻9)。
[專利文獻1]日本特開2006-257196號公報
[專利文獻2]日本特開2008-63327號公報
[專利文獻3]日本特開2009-283509號公報
[專利文獻4]日本特開2011-82052號公報
[專利文獻5]日本特開2006-279007號公報
[專利文獻6]日本特開2011-153134號公報
[專利文獻7]日本特開2008-169367號公報
[專利文獻8]日本特開2009-196982號公報
[專利文獻9]日本特開2008-231419號公報
本發明之課題在於提供一種適於利用塗佈法之薄膜之形成、且適於作為電子設備用材料之交聯型聚合物。
本發明人等進行潛心研究，結果發現，具有源自咔唑或類似於咔唑之化合物之結構單元(下述之P及Q基)的交聯型聚合物可穩定且容易地形成優質之薄膜，又，利用基於熱等之交聯反應使溶解度產生變化，藉此可使該材料作為電子設備用材料較為有用，從而完成本發明(第一發明)。
又，本發明人等發現，下述之式(C)表示之聚合物作為電子設備用材料亦較為有用，從而完成本發明(第二發明)。
根據本發明，可提供以下之聚合物等。
1.一種聚合物，其含有下述式(A)及(B)表示之結構單元：
[式(A)中，P為源自下述式(P)表示之化合物的基；
(式中，A1各自獨立地為氮原子或CR2；X1為單鍵、O、S、CR2R3或NR2；R1~R3各自獨立地為氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10之環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代或未經取代之芳胺基或者芳矽基)；a為2~5之整數，(P)a表示a個上述(P)基連續鍵結；a個P各自獨立，又，P彼此之鍵結位置並無限定；L1表示連結基團；b為0~5之整數，於b為2以上之情形時，(L1)b表示b個L1連續鍵結；於該情形時，b個L1各自獨立，又，L1彼此鍵結之位置並無限定；於式(A)中，P與L1之鍵結位置並無限定；式(B)中，Q為源自下述式(Q)表示之化合物的基；
(式中，A2各自獨立地為氮原子或CR6；X2為單鍵、O、S、CR6R7或NR6；R5~R7各自獨立地為氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20的烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的 環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代或未經取代之芳胺基、芳矽基、或者交聯性基)；c為2~5之整數，(Q)c表示c個上述(Q)基連續鍵結；c個Q各自獨立，又，Q彼此之鍵結位置並無限定；L2各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20的伸烷基(alkylene)、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環伸烷基(cycloalkylene)、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳香族烴環基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的芳香族雜環基、經取代或未經取代之芳胺殘基、芳基亞矽基(arylsilylene)、或交聯性基；d為0~5之整數，於d為2以上之情形時，(L2)d表示d個L2連續鍵結；於該情形時，d個L2各自獨立，又，L2彼此鍵結之位置並無限定；於式(B)中，Q與L2之鍵結位置並無限定；於式(B)中，c個Q及d個L2之中至少一個具有交聯性基]。
2.如1之聚合物，其中，上述P或Q為經取代或未經取代之咔唑之殘基。
3.如2之聚合物，其中，於a個連續之經取代或未經取代之咔唑殘基中鄰接之咔唑殘基彼此之鍵結位置、或於c個連續之經取代或未經取代之咔唑殘基中鄰接之咔唑殘基彼此之鍵結位置各自為選自第3位置-第3'位置、第3位置-第2'位置、及第2位置-第2'位置中之一種。
4.如2或3之聚合物，其具有下述結構1及結構2中之至少一種結構：結構1：上述(P)a中之一個經取代或未經取代的咔唑殘基與L1之鍵結位置為該咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置；結構2：上述(Q)c中之一個經取代或未經取代的咔唑殘基與L2之鍵結位置為該咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置。
5.如2至4中任一項之聚合物，其具有下述結構3及結構4中之至少一種結構：結構3：上述(P)a中之一個經取代或未經取代的咔唑殘基與L2之鍵結位置為該咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置；結構4：上述(Q)c中之一個經取代或未經取代的咔唑殘基與L1之鍵結位置為該咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置。
6.如1至5中任一項之聚合物，其中，上述a或c各自為2或3。
7.如1至6中任一項之聚合物，以下述式(1)~(7)中之任一者表示：
(各式中，R1、R2、R5、R6、L1及L2與上述式(A)及(B)之R1、R2、R5、R6、L1及L2相同；m及n各自表示各結構單元於聚合物中所佔之含有率(莫耳比)，m為0.01~0.99，n為0.01~0.99，m+n=1；l為0或1)。
8.如7之聚合物，其係以下述式(8)~(25)中之任一者表示：
(各式中，R1、R2、R5、R6、L1及L2係與上述式(A)及(B)之R1、R2、R5、R6、L1及L2相同；m及n各自表示各結構單元於聚合物中所佔之含有率(莫耳比)，m為0.01~0.99，n為0.01~0.99，m+n=1)。
9.如7或8之聚合物，其中，以上述式(1)~(25)表示之各聚合物之R5的至少一個或R6的至少一個為交聯性基，L2並非交聯性基。
10.如1至9中任一項之聚合物，其中，上述交聯性基 係選自下述式(31)~(42)表示之基中之基：
11.如7或8之聚合物，其中，以上述式(1)~(21)表示之各聚合物之L2的至少一個為交聯性基，R5及R6並非交聯性基。
12.如11之聚合物，其中，上述交聯性基之L2係選自下述式(43)~(46)表示之基中的基：
(於式(45)及(46)中，o為1~10之整數)。
13.如7至12中任一項之聚合物，其中，上述式(1)~(25)表示之各聚合物之R1、R2、R5及R6之至少一個為選自下述式(51)~(55)表示之基中的基：
(式中，R11~R23各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20的烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳基、經取代或未經取代之碳數1~20的烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳氧基、經取代或未經取代之碳數7~40的芳烷基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代的胺基、經取代的矽基、鹵素原子、硝基、氰基或者羥基；a、c、d、f、g、及i各自獨立地為0~4之整數；b、e、h及j各自獨立地為0~3之整數；T1~T5各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~50的芳香族烴環基或者成環原子數3~30的芳香族雜環基)。
14.一種聚合物，其以下述式(C)表示：
(式中，P'為源自下述式(P')表示之化合物的基；L為連結基團；a為2~5之整數，(P')a表示a個P'連續鍵結；a個P'各自獨立，又，P'彼此之鍵結位置並無限定；b為0~5之整數，於b為2以上之情形時，(L)b表示b個L連續鍵結；於該情形時，b個L各自獨立，L彼此鍵結之位置並無限定；又，於b為0之情形時，L表示單鍵；於式(C)中，P'與L之各自的鍵結位置並無限定；m為重複單元；Y1及Y2各自獨立地為交聯性基)；
(式中，A各自獨立地為氮原子或-C(R)-；X為單鍵、-O-、-S-、-C(R)2-、或-N(R)-；R各自獨立地為氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20的烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代或未經取代的芳胺基、或者經取代或未經取代的芳矽基)。
15.如14之聚合物，其中，上述P'為經取代或未經取代之咔唑殘基。
16.如14或15之聚合物，其中，上述(P')a為a個連續鍵結之經取代或者未經取代的咔唑殘基，鄰接之咔唑殘基各自於第3位置-第3'位置、第3位置-第2'位置、或第2位置-第2'位置相互鍵結。
17.如14至16中任一項之聚合物，其中，上述(P')a為a個連續鍵結之經取代或未經取代的咔唑殘基，與L鍵結之咔唑殘基係於咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置與L鍵結。
18.如14至17中任一項之聚合物，其中，上述a為2或3。
19.如14至18中任一項之聚合物，以下述式(101)~(107)中之任一者表示：
(式中，R101~R119各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20的烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代 或未經取代的芳胺基、或者經取代或未經取代的芳矽基；I為0或1之整數；Y1、Y2、L及m與式(C)相同)。
20.如19之聚合物，其中，於上述式(101)~(107)中，R101及R102中之至少一個、R103~R105中之至少一個、R106及R107中之至少一個、R108~R110中之至少一個、R111~R113中之至少一個、R114~R116中之至少一個、以及R117~R119中之至少一個為選自下述式(51)~(55)表示之基中的基：
(式中，R11~R23各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20的烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳基、經取代或未經取代之碳數1~20的烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷氧基、經取代或未經取代之成 環碳數6~30的芳氧基、經取代或未經取代之碳數7~40的芳烷基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代的胺基、經取代的矽基、鹵素原子、硝基、氰基或羥基；a、c、d、f、g、及i各自獨立地為0~4之整數；b、e、h及j各自獨立地為0~3之整數；T1~T5各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~50的芳香族烴環基或者成環原子數3~30的芳香族雜環基)。
21.如14至20中任一項之聚合物，其中，Y1及Y2各自為選自下述式(31)~(42)表示之基中的基：
22.一種塗佈液，其含有上述1至21中任一項之聚合物及溶劑。
23.如22之塗佈液，其中，上述溶劑之至少一種為有機溶劑。
24.一種電子元件之製造方法，其使用上述22或23之 塗佈液進行濕式成膜。
25.如24之電子元件之製造方法，其中，上述電子元件為電場發光元件、光電轉換元件或電晶體。
26.如24或25之電子元件之製造方法，其中，上述電子元件為有機電激發光元件。
27.一種有機電激發光元件，其具有陽極、陰極、及於上述陽極與陰極之間包含發光層之一層以上的有機薄膜層，上述有機薄膜層之至少一層含有1至21中任一項之聚合物。
28.如27之有機電激發光元件，其中，上述有機薄膜層之至少一層為電洞注入層或電洞傳輸層。
29.如28之有機電激發光元件，其中，上述電洞注入層或電洞傳輸層係與發光層接觸。
30.如27至29中任一項之有機電激發光元件，其中，上述發光層係藉由濕式成膜法形成。
根據本發明，可提供一種適於利用塗佈法之薄膜之形成、且適於作為電子設備用材料之交聯型聚合物。
[第一發明]
本申請案之第一發明之聚合物的特徵在於：其含有下述式(A)及(B)所表示之結構單元。
於式(A)及(B)中，P及Q為源自咔唑或類似於咔唑之化合物之基，L1及L2為連結基團。上述式(A)之結構單元不具有交聯性基，上述式(B)之結構單元具有1個以上之交聯性基。本發明之聚合物藉由具有式(A)及(B)表示之結構單元，而使成膜後進行交聯所獲得之膜之表面平坦性增高。又，對塗佈所使用之有機溶劑之耐受性增高。
於上述式(A)中，P為源自下述式(P)所表示之化合物之基。
式(P)中，A1各自為氮原子或CR2。
X1為單鍵、O、S、CR2R3或NR2。
R1~R3各自獨立地為氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10之環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~30之雜芳基、或者經取代或未經取代之芳胺基。
式(P)中之R1~R3中之至少一個係與作為P或L1等之其他基鍵結之單鍵。
a為2~5之整數，較佳為2或3。(P)a表示a個上述(P)基連續鍵結。a個P各自獨立，又，P彼此之鍵結位置並無限定。
L1表示連結基團。L1較佳為各自獨立地為經取代或未 經取代之碳數1~20之伸烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10之環伸烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴環基、經取代或未經取代之成環原子數3~30之芳香族雜環基、經取代或未經取代之芳胺殘基、或者芳基亞矽基。又，L1為連結兩個以上之該等基而成之基。於該情形時，各基可相同亦可不同。
b為0~5之整數，於b為2以上之情形時，(L1)b表示b個L1連續鍵結。於該情形時，b個L1各自獨立，又，L1彼此鍵結之位置並無限定。
於式(A)中，P與L1之鍵結位置並無限定。
式(B)中，Q為源自以下述式(Q)表示之化合物之基。
式中，A2各自為氮原子或CR6。
X2為單鍵、O、S、CR6R7或NR6。
R5~R7各自獨立地為與上述R1~R3相同之基或交聯性基。
c為2~5之整數，較佳為2或3。(Q)c表示c個上述(Q)基連續鍵結。c個Q各自獨立，又，Q彼此之鍵結位置並無限定。
L2各自獨立地為與上述L1相同之基或交聯性基。
d為0~5之整數，於d為2以上之情形時，(L2)d表示 d個L2連續鍵結。於該情形時，d個L2各自獨立，又，L2彼此鍵結之位置並無限定。
於式(B)中，Q與L2之鍵結位置並無限定。
於式(B)中，c個Q及d個L2之中至少一個具有交聯性基。
本發明之聚合物只要具有上述結構單元(A)及(B)即可，亦可於不阻礙本發明之效果之範圍內具有其他結構單元、例如源自α-烯烴之結構單元。
較佳為結構單元(A)及(B)交替鍵結而成之聚合物。將結構單元(A)及(B)交替鍵結之例(AB)示於以下。下述例相當於-ABAB-。
-(P)a-(L1)b-(Q)c-(L2)d-(P)a-(L1)b-(Q)c-(L2)d- (AB)
於本發明中，較佳為上述P或Q基為經取代或者未經取代之咔唑殘基。
又，較佳為於a個連續之經取代或未經取代之咔唑殘基中鄰接之咔唑殘基彼此之鍵結位置、或者於c個連續之經取代或未經取代之咔唑殘基中鄰接之咔唑殘基彼此之鍵結位置各自為選自第3位置-第3'位置、第3位置-第2'位置、或第2位置-第2'位置中之一個之情形。作為例示，將兩個P之鍵結形態示於以下。
[第3位置-第3'位置]
[第3位置-第2'位置]
[第2位置-第2'位置]
又，較佳為具有下述結構1及結構2中之至少一種結構。
結構1：(P)a中之一個經取代或者未經取代之咔唑殘基與L1之鍵結位置為該咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置。
結構2：(Q)c中之一個經取代或者未經取代之咔唑殘基與L2之鍵結位置為該咔唑殘基之9位、第3位置或第2位置。
進而，較佳為具有下述結構3及結構4中之至少一種結構。
結構3：上述(P)a中之一個經取代或者未經取代之咔唑殘基與L2之鍵結位置為該咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置。
結構4：上述(Q)c中之一個經取代或者未經取代之咔唑殘基與L1之鍵結位置為該咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置。
作為上述例，將咔唑殘基與L1之鍵結位置示於以下。
[L1鍵結於P之第9位置]
[L1鍵結於P之第3位置]
[L1鍵結於P之第2位置]
又，較佳為上述R1~R3中之至少一個、及R5~R7中之至少一個為選自下述式(51)~(55)表示之基中之基。
式中，R11~R23各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10之環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之 成環碳數3~10之環烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基、經取代或未經取代之碳數7~40之芳烷基、經取代或未經取代之成環原子數3~30之雜芳基、經取代之胺基、經取代之矽基、鹵素原子、硝基、氰基或羥基。
a、c、d、f、g、及i各自獨立地為0~4之整數。
b、e、h及j各自獨立地為0~3之整數。
R17較佳為經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10之環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基、或經取代或未經取代之成環原子數3~30之雜芳基。
T1~T5各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~50之芳香族烴環基、或成環原子數3~30之芳香族雜環基。
以下，對上述式之各基之例進行說明。
再者，本申請案之「氫原子」亦包括氘原子及氚原子。 又，所謂「成環碳」，係指構成飽和環、不飽和環、或芳香環之碳原子，所謂「成環原子」，係指構成雜環(包含飽和環、不飽和環、及芳香環)之碳原子及雜原子。
作為經取代或未經取代之碳數1~20之烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥基乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3 -二羥基異丙基、2,3-二羥基-第三丁基、1,2,3-三羥基丙基等，較佳可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基。
又，作為L1及L2之伸烷基(烷烴殘基)，可列舉與上述烷基對應之殘基。
作為經取代或未經取代之成環碳數3~10之環烷基，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊基甲基、環己基甲基、環己基乙基、4-氟環己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、1-降莰基、2-降莰基等，較佳為環戊基、環己基。
又，作為L1及L2之環伸烷基(環烷烴殘基)，可列舉與上述環烷基對應之殘基。
作為經取代或未經取代之成環碳數6~50(較佳為6~30)之芳基(一價芳香族烴基)，可列舉：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、聯苯-2-基、聯苯-3-基、聯苯-4-基、對聯三苯-4-基、對聯三苯-3-基、對聯三苯-2-基、間聯三苯-4-基、間聯三苯-3-基、間聯三苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第三丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4'-甲基聯苯-4-基、4"-第三丁基-對聯三苯-4 -基、茀-1-基、茀-2-基、茀-3-基、茀-4-基等。
其中，較佳為苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、聯苯-2-基、聯苯-3-基、聯苯-4-基、對聯三苯-4-基、對聯三苯-3-基、對聯三苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、茀-2-基、茀-3-基，更佳為苯基、1-萘基、2-萘基、間甲苯基、對甲苯基、茀-2-基、茀-3-基。
作為芳香族烴環基之二價以上之基，可列舉藉由自上述芳基中去除氫原子而衍生之基。
作為經取代或未經取代之成環原子數3~30之雜芳基(一價芳香族雜環基)，可列舉：1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異吲哚基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、4-二苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹啉基、5-喹啉基、6-喹 啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-啡啶基、2-啡啶基、3-啡啶基、4-啡啶基、6-啡啶基、7-啡啶基、8-啡啶基、9-啡啶基、10-啡啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1,7-啡啉-2-基、1,7-啡啉-3-基、1,7-啡啉-4-基、1,7-啡啉-5-基、1,7-啡啉-6-基、1,7-啡啉-8-基、1,7-啡啉-9-基、1,7-啡啉-10-基、1,8-啡啉-2-基、1,8-啡啉-3-基、1,8-啡啉-4-基、1,8-啡啉-5-基、1,8-啡啉-6-基、1,8-啡啉-7-基、1,8-啡啉-9-基、1,8-啡啉-10-基、1,9-啡啉-2-基、1,9-啡啉-3-基、1,9-啡啉-4-基、1,9-啡啉-5-基、1,9-啡啉-6-基、1,9-啡啉-7-基、1,9-啡啉-8-基、1,9-啡啉-10-基、1,10-啡啉-2-基、1,10-啡啉-3-基、1,10-啡啉-4-基、1,10-啡啉-5-基、2,9-啡啉-1-基、2,9-啡啉-3-基、2,9-啡啉-4-基、2,9-啡啉-5-基、2,9-啡啉-6-基、2,9-啡啉-7-基、2,9-啡啉-8-基、2,9-啡啉-10-基、2,8-啡啉-1-基、2,8-啡啉-3-基、2,8-啡啉-4-基、2,8-啡啉-5-基、2,8-啡啉-6-基、2,8-啡啉-7-基、2,8-啡啉-9-基、2,8-啡啉-10-基、2,7-啡啉-1-基、2,7-啡啉-3-基、2,7-啡啉-4-基、2,7-啡啉-5-基、2,7-啡啉-6-基、2,7-啡啉-8-基、2,7-啡啉-9-基、2,7-啡啉-10-基、1-啡基、2-啡基、1-啡噻基、2-啡噻基、3-啡噻基、4-啡噻基、10-啡噻基、 1-啡基、2-啡基、3-啡基、4-啡基、10-啡基、2-唑基、4-唑基、5-唑基、2-二唑基、5-二唑基、3-呋吖基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-第三丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-第三丁基-1-吲哚基、4-第三丁基-1-吲哚基、2-第三丁基-3-吲哚基、4-第三丁基-3-吲哚基、2-苯并苯硫基、3-苯硫基、4-苯硫基、5-苯硫基、6-苯硫基、7-苯硫基、1-異苯硫基、3-異苯硫基、4-異苯硫基、5-異苯硫基、6-異苯硫基、7-異苯硫基、2-二苯并苯硫基、4-二苯并苯硫基等。
較佳為1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、2-二苯并呋喃基、4-二苯并呋喃基、2-二苯并苯硫基、4-二苯并苯硫基。
作為芳香族雜環基之二價以上之基，可列舉藉由自上述雜芳基中去除氫原子而衍生之基。
作為經取代之胺基，可列舉：經取代或未經取代之單烷基胺基或二烷基胺基、或經取代或未經取代之單芳胺基或二芳胺基。
作為烷基胺基或二烷基胺基，可列舉烷基部分係上述烷基者。
作為芳胺基，可列舉二芳胺基及烷基芳胺基。作為鍵結於氮原子之烷基及芳基之例，可列舉上述芳基及烷基。
又，作為L1及L2之芳胺殘基，可列舉三芳胺殘基及烷基芳胺殘基。作為鍵結於氮原子之烷基及芳基之例，可列舉上述芳基及烷基。
作為經取代之矽基，可列舉經烷基及/或芳基取代之矽基。作為鍵結於矽原子之烷基及芳基之例，可列舉上述芳基及烷基。再者，於矽基上進行取代之烷基可相同亦可不同。同樣地，於矽基上進行取代之芳基可相同亦可不同。
具體而言，作為三烷基矽基，可列舉：三甲基矽基、乙烯基二甲基矽基、三乙基矽基、三丙基矽基、丙基二甲基矽基、三丁基矽基、第三丁基二甲基矽基、三戊基矽基、三庚基矽基、三己基矽基等。較佳為三甲基矽基、三乙基矽基。
作為芳矽基，可列舉：烷基芳矽基或三芳矽基。作為三芳矽基，可列舉：三苯基矽基、三萘基矽基等。較佳為三苯基矽基。作為烷基芳矽基，可列舉：二甲基苯基矽基、二乙基苯基矽基、二苯基甲基矽基、乙基二苯基矽基等。較佳為二苯基甲基矽基、乙基二苯基矽基。
碳數1~20之烷氧基係表示為-OY，作為Y之例，可列舉上述烷基之例。烷氧基例如為甲氧基、乙氧基。
成環碳數3~10之環烷氧基係表示為-OY，作為Y之 例，可列舉上述環烷基之例。環烷氧基例如為環戊氧基、環己氧基。
成環碳數6~30之芳氧基係表示為-OY，作為Y之例，可列舉上述芳香族烴環之例。芳氧基例如為苯氧基。
碳數7~40之芳烷基係表示為-Y-Z，作為Y之例，可列舉與上述烷基之例對應的伸烷基之例，作為Z之例，可列舉上述芳基之例。芳烷基之芳基部分較佳為碳數為6~30。烷基部分較佳為碳數為1~10，尤佳為1~6。例如為苄基、苯基乙基、2-苯基丙烷-2-基。
作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子及溴原子，較佳為氟原子。
作為上述各基之取代基，各自獨立地為碳數1~20之直鏈狀或分支狀之烷基、碳數2~20之直鏈狀或分支狀之烯基、成環碳數3~20之環烷基、具有碳數1~20之烷基之三烷基矽基、具有成環碳數6~24之芳基之三芳矽基、具有碳數1~20之烷基及成環碳數6~24之芳基之烷基芳矽基、成環碳數6~24之芳基、成環原子數5~24之雜芳基、碳數1~20之烷氧基、鹵素原子或氰基。具體而言，可列舉：上述芳基、烷基、環烷基、三烷基矽基、三芳矽基、烷基芳矽基、雜芳基、烷氧基、鹵素原子或氰基。進而，該等基可具有同樣之取代基。
作為烯基，可列舉於上述烷基之分子內具有不飽和鍵之取代基。
於本發明中，交聯性基係指公知之不飽和雙鍵或環氧 基、氧雜環丁烷等藉由熱、光、酸、電子束等而具有「具有交聯性能之部分」之基。作為交聯性基，例如可列舉如下所述者。
於上述各式中，n表示0~10之整數。
RX表示氫原子、烷基或鹵素。作為烷基，可列舉碳數1~20者，尤佳為碳數1~4之烷基。
RY表示氫原子、烷基、胺基、芳基、鹵素原子、醯胺基或羰基。作為烷基，可列舉碳數1~20者，尤佳為碳數1~4之烷基。
具體而言，較佳為選自下述式(31)~(42)所表示之基中之基。
再者，交聯性基亦包含於上述L1及L2所例示之連結基團鍵結有上述交聯性基而成之基。其中，較佳為選自下述式(43)~(46)表示之基中之基。
(於式(45)及(46)中，o為1~10之整數)
本發明之聚合物較佳為以下述式(1)~(7)表示者。其中，較佳為以下述式(8)~(25)表示者。再者，於下述式中，為記載結構單元A與B之鍵結狀態、及於聚合物中所佔之含有率，出於方便而記載為嵌段共聚物，但並非僅表示嵌段共聚物。本發明之聚合物並不限定於嵌段共聚物，亦包括無規共聚物(例如-ABBABBBAAABA-等)等。
上述各式中，R1、R2、R5、R6、L1及L2係與上述式(A)及(B)之R1、R2、R5、R6、L1及L2相同。
m及n各自表示各結構單元於聚合物中所佔之含有率(莫耳比)，m為0.01~0.99，n為0.01~0.99，m+n=1。
I為0或1。
於本發明中，更佳為上述式(1)~(25)表示之各聚合物之R5之至少一個或R6之至少一個為交聯性基之聚合物。於該情形時，L2可為交聯性基，亦可所有L2均並非交 聯性基。
又，較佳為上述式(1)~(21)表示之各聚合物之L2的至少一個為交聯性基之聚合物。於該情形時，R5及R6可為交聯性基，亦可所有R5及R6均並非交聯性基。
又，較佳為式(1)~(25)表示之各聚合物之R1、R2、R5及R6的至少一個為選自上述式(51)~(55)表示之基中之基。
本發明之聚合物之分子量並無特別限制，包含自二聚物以上之低聚物至超高分子體。
聚合物以數量平均分子量(Mn)計，較佳為103~108，更佳為5×103~106。又，以重量平均分子量(Mw)計，較佳為103~108，更佳為5×103~106。又，Mw/Mn所表示之分子量分佈並無特別限制，較佳為10以下，進而較佳為3以下。
若聚合物之分子量過大，則於藉由凝膠化製作元件時無法進行均質之製膜。另一方面，若分子量過小，則存在難以控制溶解性之情形。
再者，數量平均分子量及重量平均分子量可使用尺寸排除層析法(SEC)，以標準聚苯乙烯進行校正而求出。
本發明之聚合物可藉由使與結構單元A及B之P、Q、L1及L2之各基對應之聚合性單體聚合而獲得。
聚合方法並無特別限定，較理想為藉由鈀觸媒使與上述各基對應之二鹵化物衍生物、與二硼酸衍生物或硼酸酯類衍生物進行偶合之鈴木聚合法。二鹵化物衍生物之鹵 素，比起Cl，更佳為Br或I。二鹵化物衍生物之偶合對象，比起硼酸，更佳為硼酸酯類衍生物。尤佳為硼酸酯類衍生物、二頻那醇酯衍生物、二-1,3-丙二醇衍生物。
於本發明之聚合物中，較佳為結構單元A與結構單元B之莫耳比各自為0.01~0.99。於該範圍內，只要以可獲得聚合物所要求之熱硬化性之方式調整即可。若具有熱交聯性基之結構單元B之含有率增高，則聚合物之交聯性亦增高。
進而較佳為結構單元A之莫耳比為0.85~0.99，尤佳為0.95~0.99。
以下，表示本發明之聚合物之具體例[化合物(1-1)~(196-18)]。然而，本發明之聚合物並不限定於該等。
再者，於以下之各表中，H為氫原子，H-1~H-18、H-29及H-30表示以下之基。m及n各自表示各結構單元於聚合物中所佔之含有率(莫耳比)，m為0.01~0.99，n為0.01~0.99，m+n=1。
又，與上述式(1)~(25)同樣地，於下述式中，為記載結構單元A與B之鍵結狀態、及於聚合物中所佔之含有率，出於方便而記載為嵌段共聚物，但並非僅表示嵌段共聚物。
[第二發明]
本發明之聚合物係下述式(C)表示者。
(式中，P'為源自下述式(P')表示之化合物之基；L為連結基團，較佳為各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20之伸烷基、經取代或未經取代之成環碳數3 ~10之環伸烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數3~30之芳香族雜環基、經取代或未經取代之芳胺殘基、或者經取代或未經取代之芳矽基；或者為連結兩個以上該等基而成之基；於該情形時，各基可相同亦可不同；a為2~5之整數，(P')a表示a個P'連續鍵結；a個P'各自獨立，又，P'彼此之鍵結位置並無限定；b為0~5之整數，於b為2以上之情形時，(L)b表示b個L連續鍵結；於該情形時，b個L各自獨立，L彼此鍵結之位置並無限定；又，於b為0之情形時，L表示單鍵；於式(C)中，P'與L之各自之鍵結位置並無限定；m為重複單元；Y1及Y2各自獨立地為交聯性基)
(式中，A各自獨立地為氮原子或-C(R)-；X為單鍵、-O-、-S-、-C(R)2-、或-N(R)-；R各自獨立地為氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10之環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~30之雜芳基、經取代或未經取代之芳胺基、或者經取代或未經取代之芳矽基)
本發明之聚合物係於主鏈中包含含氮環、且對該含氮 環之取代基導入數及取代位置之選擇性較廣者。另一方面，由於聚合物本身之分子量為數萬級別，故而容易硬化，交聯基不會對材料物性下降造成影響。又，根據其選擇性之廣泛性，可容易地調節所獲得之硬化膜之平坦性、密合性、及電子物性，且可提高聚合物本身之電洞注入性。
於式(C)中，P'較佳為經取代或未經取代之咔唑殘基，更佳為(P')a為a個連續鍵結之經取代或未經取代之咔唑殘基，鄰接之咔唑殘基各自於第3位置-第3'位置、第3位置-第2'位置、或第2位置-第2'位置相互鍵結；及/或與L鍵結之咔唑殘基係於咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置與L鍵結。
於上述中，所謂鄰接之咔唑殘基於第3位置-第3'位置鍵結，係指如下之情況：
所謂鄰接之咔唑殘基於第3位置-第2'位置鍵結，係指如下之情況：
所謂鄰接之咔唑殘基於第2位置-第2'位置鍵結，係 指如下之情況：
同樣地，於上述中，所謂與L鍵結之咔唑殘基於咔唑殘基之第9位置與L鍵結，係指如下之情況：
(於上述中，L與N間之R為氫原子，L鍵結於咔唑殘基之第9位置，藉此R成為單鍵)
所謂與L鍵結之咔唑殘基於咔唑殘基之第3位置與L鍵結，係指如下之情況：
所謂與L鍵結之咔唑殘基於咔唑殘基之第2位置與L鍵結，係指如下之情況：
於式(C)中，a較佳為2或3。
本發明之聚合物較佳為以下述式(101)~(107)中之任一者表示者。
(式中，R101~R119各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10之環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~30之雜芳基、經取代或未經取代之芳胺基、或者經取代或未經取代之芳矽基； I為0或1之整數； Y1、Y2、L及m係與式(C)同樣)
以上述式(101)~(107)表示之聚合物較佳為R101及R102中之至少一個、R103~R105中之至少一個、R106及R107中之至少一個、R108~R110中之至少一個、R111~R113中之至少一個、R114~R116中之至少一個、以及R117~R119中之至少一個為選自下述式(51)~(55)表示之基中之基。
包含咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架等之取代基可提高由本發明之聚合物構成的層與鄰接層之膜密合性。
(式中，R11~R23各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10之環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取 代之成環碳數3~10之環烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基、經取代或未經取代之碳數7~40之芳烷基、經取代或未經取代之成環原子數3~30之雜芳基、經取代之胺基、經取代之矽基、鹵素原子、硝基、氰基或羥基；a、c、d、f、g、及i各自獨立地為0~4之整數；b、e、h及j各自獨立地為0~3之整數；T1~T5各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~50之芳香族烴環基或成環原子數3~30之芳香族雜環基)
本發明之聚合物之Y1及Y2為交聯性基。
本發明之交聯性基廣泛包含公知之不飽和雙鍵或環氧基、氧雜環丁烷等藉由熱、光、酸、電子束等而具有「具有交聯性能之部分」之基，例如可列舉如下。
(式中，n為0~10之整數； RX各自表示氫原子、烷基或鹵素原子；作為烷基，可列舉碳數1~20之烷基，較佳為碳數1~4之烷基；RY各自為氫原子、烷基、胺基、芳基、鹵素原子、醯胺基或羰基；作為烷基，可列舉碳數1~20之烷基，較佳為碳數1~4之烷基)
Y1及Y2較佳為各自為下述式(31)~(42)表示之交聯性基。
以下，對本發明之聚合物之各取代基進行說明。
再者，本申請案之「氫原子」亦包含氘原子及氚原子。又，所謂「成環碳」，係指構成飽和環、不飽和環、或芳香環之碳原子，所謂「成環原子」，係指構成雜環(包含飽和環、不飽和環、及芳香環)之碳原子及雜原子。
作為經取代或未經取代之碳數1~20之烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥基乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3 -二羥基異丙基、2,3-二羥基-第三丁基、1,2,3-三羥基丙基等，較佳可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基。
作為伸烷基(烷烴殘基)，可列舉與上述烷基對應之殘基。
作為經取代或未經取代之成環碳數3~10之環烷基，可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊基甲基、環己基甲基、環己基乙基、4-氟環己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、1-降莰基、2-降莰基等，較佳為環戊基、環己基。
作為環伸烷基(環烷烴殘基)，可列舉與上述環烷基對應之殘基。
作為經取代或未經取代之成環碳數6~50(較佳為6~30)之芳基(一價芳香族烴基)，可列舉：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、聯苯-2-基、聯苯-3-基、聯苯-4-基、對聯三苯-4-基、對聯三苯-3-基、對聯三苯-2-基、間聯三苯-4-基、間聯三苯-3-基、間聯三苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第三丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4'-甲基聯苯-4-基、4"-第三丁基-對聯三苯-4 -基、茀-1-基、茀-2-基、茀-3-基、茀-4-基等。
該等之中，較佳為苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、聯苯-2-基、聯苯-3-基、聯苯-4-基、對聯三苯-4-基、對聯三苯-3-基、對聯三苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、茀-2-基、茀-3-基，更佳為苯基、1-萘基、2-萘基、間甲苯基、對甲苯基、茀-2-基、茀-3-基。
作為芳香族烴環基之二價以上之基，可列舉藉由自上述芳基中去除氫原子而衍生之基。
作為經取代或未經取代之成環原子數3~30之雜芳基(一價芳香族雜環基)，可列舉：1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異吲哚基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、4-二苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹啉基、5-喹啉基、6-喹 啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-啡啶基、2-啡啶基、3-啡啶基、4-啡啶基、6-啡啶基、7-啡啶基、8-啡啶基、9-啡啶基、10-啡啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1,7-啡啉-2-基、1,7-啡啉-3-基、1,7-啡啉-4-基、1,7-啡啉-5-基、1,7-啡啉-6-基、1,7-啡啉-8-基、1,7-啡啉-9-基、1,7-啡啉-10-基、1,8-啡啉-2-基、1,8-啡啉-3-基、1,8-啡啉-4-基、1,8-啡啉-5-基、1,8-啡啉-6-基、1,8-啡啉-7-基、1,8-啡啉-9-基、1,8-啡啉-10-基、1,9-啡啉-2-基、1,9-啡啉-3-基、1,9-啡啉-4-基、1,9-啡啉-5-基、1,9-啡啉-6-基、1,9-啡啉-7-基、1,9-啡啉-8-基、1,9-啡啉-10-基、1,10-啡啉-2-基、1,10-啡啉-3-基、1,10-啡啉-4-基、1,10-啡啉-5-基、2,9-啡啉-1-基、2,9-啡啉-3-基、2,9-啡啉-4-基、2,9-啡啉-5-基、2,9-啡啉-6-基、2,9-啡啉-7-基、2,9-啡啉-8-基、2,9-啡啉-10-基、2,8-啡啉-1-基、2,8-啡啉-3-基、2,8-啡啉-4-基、2,8-啡啉-5-基、2,8-啡啉-6-基、2,8-啡啉-7-基、2,8-啡啉-9-基、2,8-啡啉-10-基、2,7-啡啉-1-基、2,7-啡啉-3-基、2,7-啡啉-4-基、2,7-啡啉-5-基、2,7-啡啉-6-基、2,7-啡啉-8-基、2,7-啡啉-9-基、2,7-啡啉-10-基、1-啡基、2-啡基、1-啡噻基、2-啡噻基、3-啡噻基、4-啡噻基、10-啡噻基、 1-啡基、2-啡基、3-啡基、4-啡基、10-啡基、2-唑基、4-唑基、5-唑基、2-二唑基、5-二唑基、3-呋吖基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-第三丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-第三丁基-1-吲哚基、4-第三丁基-1-吲哚基、2-第三丁基-3-吲哚基、4-第三丁基-3-吲哚基、2-苯并苯硫基、3-苯硫基、4-苯硫基、5-苯硫基、6-苯硫基、7-苯硫基、1-異苯硫基、3-異苯硫基、4-異苯硫基、5-異苯硫基、6-異苯硫基、7-異苯硫基、2-二苯并苯硫基、4-二苯并苯硫基等。該等之中，較佳為1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、2-二苯并呋喃基、4-二苯并呋喃基、2-二苯并苯硫基、4-二苯并苯硫基。
作為芳香族雜環基之二價以上之基，可列舉藉由自上述雜芳基中去除氫原子而衍生之基。
作為經取代之胺基，可列舉：經取代或未經取代之單烷基胺基或二烷基胺基、或經取代或未經取代之單芳胺基或二芳胺基。
作為烷基胺基或二烷基胺基，可列舉烷基部分係上述 烷基者。
作為芳胺基，可列舉二芳胺基及烷基芳胺基。作為鍵結於氮原子之烷基及芳基之例，可列舉上述芳基及烷基。
又，作為芳胺殘基，可列舉三芳胺殘基及烷基芳胺殘基。作為鍵結於氮原子之烷基及芳基之例，可列舉上述芳基及烷基。
作為經取代之矽基，可列舉經烷基及/或芳基取代之矽基。作為鍵結於矽原子之烷基及芳基之例，可列舉上述芳基及烷基。再者，於矽基進行取代之烷基可相同亦可不同。同樣地，於矽基進行取代之芳基可相同亦可不同。
具體而言，作為三烷基矽基，可列舉：三甲基矽基、乙烯基二甲基矽基、三乙基矽基、三丙基矽基、丙基二甲基矽基、三丁基矽基、第三丁基二甲基矽基、三戊基矽基、三庚基矽基、三己基矽基等。較佳為三甲基矽基、三乙基矽基。
作為芳矽基，較佳為三芳矽基。作為該三芳矽基，可列舉：三苯基矽基、三萘基矽基等。較佳為三苯基矽基。
作為烷基芳矽基，可列舉：二甲基苯基矽基、二乙基苯基矽基、二苯基甲基矽基、乙基二苯基矽基等。較佳為二苯基甲基矽基、乙基二苯基矽基。
碳數1~20之烷氧基係表示為-OY，作為Y之例，可列舉上述烷基之例。烷氧基例如為甲氧基、乙氧基。
成環碳數3~10之環烷氧基係表示為-OY，作為Y之例，可列舉上述環烷基之例。環烷氧基例如為環戊氧基、 環己氧基。
成環碳數6~30之芳氧基係表示為-OY，作為Y之例，可列舉上述芳香族烴環之例。芳氧基例如為苯氧基。
碳數7~40之芳烷基係表示為-Y-Z，作為Y之例，可列舉與上述烷基之例對應的伸烷基之例，作為Z之例，可列舉上述芳基之例。芳烷基之芳基部分較佳為碳數為6~30。烷基部分較佳為碳數為1~10，尤佳為1~6。例如為苄基、苯基乙基、2-苯基丙烷-2-基。
作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子及溴原子，較佳為氟原子。
作為上述各基之取代基，各自獨立地為碳數1~20之直鏈狀或分支狀之烷基、碳數2~20之直鏈狀或分支狀之烯基、碳數3~20之環烷基、具有碳數1~20之烷基之三烷基矽基、具有成環碳數6~24之芳基之三芳矽基、具有碳數1~20之烷基與成環碳數6~24之芳基之烷基芳矽基、成環碳數6~24之芳基、成環原子數5~24之雜芳基、鹵素原子或氰基。具體而言，可列舉：上述芳基、烷基、環烷基、三烷基矽基、三芳矽基、烷基芳矽基、雜芳基、鹵素原子或氰基。進而，該等取代基可具有同樣之取代基。
作為烯基，可列舉於上述烷基之分子內具有不飽和鍵之取代基。
本發明之聚合物之分子量並無特別限制，包含二聚物以上之低聚物至超高分子體。
聚合物以數量平均分子量(Mn)計，較佳為103~108， 更佳為5×103~106。又，聚合物以重量平均分子量(Mw)計，較佳為103~108，更佳為5×103~106。又，以Mw/Mn表示之分子量分佈並無特別限制，較佳為10以下，進而較佳為3以下。
若聚合物之分子量過大，則於藉由凝膠化製作元件時無法進行均質之製膜。另一方面，若分子量過小，則存在難以控制溶解性之情形。
再者，數量平均分子量及重量平均分子量可使用尺寸排除層析法(SEC)，以標準聚苯乙烯進行校正而求出。
本發明之聚合物可藉由使各自與結構單元P、結構單元L及熱交聯性基對應之化合物聚合而獲得。尤其是由於本發明之聚合物係主鏈之含氮環與鍵結於該含氮環之連結基團之二元系，故而可容易地合成。又，通常，聚合物末端成為末端鹵素、硼酸、硼酸酯、胺基，且藉由苯基或聯苯胺基等進行取代處理，於本發明之聚合物中，由於末端經交聯基取代，故而可減少交聯基之導入量。
聚合方法並無特別限定，較理想為藉由鈀觸媒使與上述各基對應之二鹵化物衍生物與二硼酸衍生物或硼酸酯類衍生物進行偶合之鈴木聚合法。二鹵化物衍生物之鹵素比起Cl，更佳為Br或I。二鹵化物衍生物之偶合對象比起硼酸，更佳為硼酸酯類衍生物。尤佳為硼酸酯類衍生物、二頻那醇酯衍生物、二-1,3-丙二醇衍生物。
表示本發明之聚合物之具體例。再者，取代基H-1~H-18、交聯基H-29及H-30係表示與上述第一發明相 同之基。
將本發明之聚合物之具體例示於以下，但本發明之聚合物並不限定於下述具體例。再者，於表中之記載中，於R1與R2不同之情形時，任一者為R1或R2均可。
本發明之聚合物可藉由塗佈法形成薄膜。作為塗佈法，可較佳地使用濕式成膜法。具體而言，可應用凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及將該等與套版印刷法組合而成之印刷法、噴墨印刷法、分注器塗佈、旋轉塗佈法、棒式塗佈法、浸漬塗佈法、噴塗法、狹縫式塗佈法、輥式塗佈法、覆塗法、凹版輥式塗佈法、液面彎曲式塗佈法(meniscus coat)等。尤其是於需要微細之 圖案化之情形時，較佳為凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及將該等與套版印刷法組合而成之印刷法、噴墨印刷法、分注器塗佈等。又，亦可使用如下方法：藉由上述乾式或濕式成膜法，於轉印前驅基板使本聚合物成膜，其後藉由雷射光或熱壓機等轉印於作為對象之具有電極之配線基板上。利用該等方法之成膜可藉由本領域業者所周知之條件進行，其詳細情況予以省略。
塗佈法所使用之塗佈液包含本發明之聚合物與溶劑。塗佈液中之聚合物可溶解於溶劑中，亦可分散於溶劑中。
溶劑較佳為有機溶劑，作為該有機溶劑，例如可例示：氯仿、氯苯、氯甲苯、氯二甲苯、氯苯甲醚、二氯甲烷、二氯苯、二氯甲苯、二氯乙烷、三氯乙烷、三氯苯、三氯甲基苯、溴苯、二溴苯、溴苯甲醚等鹵素系溶劑，四氫呋喃、二烷、二氧雜環戊烷、唑、甲基苯并唑、苯并異唑、呋喃、呋呫、苯并呋喃、二氫苯并呋喃等醚系溶劑，乙基苯、二乙基苯、三乙基苯、三甲基苯、三甲氧基苯、丙基苯、異丙基苯、二異丙基苯、二丁基苯、戊基苯、二己基苯、環己基苯、四甲基苯、十二烷基苯、苄腈、苯乙酮、甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、甲苯甲酸乙酯、甲苯、乙基甲苯、甲氧基甲苯、二甲氧基甲苯、三甲氧基甲苯、異丙基甲苯、二甲苯、丁基二甲苯、異丙基二甲苯、苯甲醚、乙基苯甲醚、二甲基苯甲醚、三甲基苯甲醚、丙基苯甲醚、異丙基苯甲醚、丁基苯甲醚、甲基乙基苯甲醚、大茴香腦、大茴香醇、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙 酯、苯甲酸丁酯、二苯醚、丁基苯醚、苄基甲醚、苄基乙醚、亞甲基二羥基苯、甲基萘、四氫萘、苯胺、甲基苯胺、乙基苯胺、丁基苯胺、聯苯、甲基聯苯、異丙基聯苯等芳香族烴系溶劑，環己烷、甲基環己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正辛烷、正癸烷、十四烷、十氫萘、異丙基環己烷等脂肪族烴系溶劑，丙酮、甲基乙基酮、環己酮、苯乙酮等酮系溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸乙基賽路蘇、苯甲酸甲酯、乙酸苯基等酯系溶劑，乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇單乙醚、甘油、1,2-己二醇等多元醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇系溶劑，二甲基亞碸等亞碸系溶劑，N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺等醯胺系溶劑。又，該等有機溶劑可單獨使用或組合複數種而使用。
該等之中，就溶解性、成膜之均一性、黏度特性等觀點而言，較佳為至少包含甲苯、二甲苯、乙基苯、戊基苯、苯甲醚、4-甲氧基甲苯、2-甲氧基甲苯、1,2-二甲氧基苯、均三甲苯、四氫萘、環己基苯、2,3-二氫苯并呋喃、環己酮、甲基環己酮中之任一種以上。
又，於本成膜用之溶液中，視需要亦可添加黏度之調整劑、表面張力之調整劑、交聯反應之起始劑、交聯反應之觸媒。再者，黏度之調整劑、表面張力之調整劑、交聯反應之起始劑、交聯反應之觸媒較理想為選擇即便殘留於膜中亦不會對元件特性造成影響者，或可於成膜步驟中自 膜中去除者。
於本發明中，較佳為於溶劑中包含至少一種以上之聚合物，且分散或溶解聚合物而形成分散體或溶液者。
成膜後，利用真空或加熱進行乾燥而去除溶劑，藉此可形成聚合物之薄膜。藉由對該薄膜進行光照射或加熱(例如250℃左右)，使聚合物產生交聯，可使所獲得之膜完全不溶化。
再者，於薄膜形成時，可摻合磷系抗氧化劑等不影響有機EL元件之性能之抗氧化劑或聚合起始劑等反應起始劑。又，根據用途，亦可摻合其他化合物(例如下述之受體材料)等。
使聚合物產生交聯(聚合)而硬化之方法並無特別限定，例如可列舉：自由基聚合法、離子聚合法、活性聚合法、自由基活性聚合法、配位聚合法等。
作為自由基聚合法之起始劑，例如可列舉：偶氮化合物、過氧化物，較佳為偶氮雙異丁腈(AIBN)、偶氮雙異丁酸二酯衍生物、過氧化二苯甲醯(DBPO)。
作為陽離子聚合之起始劑，較佳為各種強酸(對甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸等)、路易斯酸。
又，亦可藉由光照射及/或熱處理而進行聚合。
本發明之聚合物可藉由塗佈法形成薄膜，所獲得之膜具有電洞傳輸性。因此，作為電子設備用材料較為有用。例如可用於電激發光元件、光電轉換元件或電晶體等電子元件。
尤其適於作為有機電激發光元件用材料、特別是於陽極與發光層間之電洞傳輸區域中使用之材料(電洞傳輸層、電洞注入層等)。
本發明之有機EL元件於陰極與陽極間夾持有至少包含發光層之一層以上之有機薄膜層。並且，有機薄膜層之至少一層含有本發明之聚合物。
於本發明中，較佳為於陽極與發光層間具有有機薄膜層，且該層為含有本發明之聚合物之有機薄膜層。作為形成於電洞傳輸區域之層，可列舉電洞傳輸層或電洞注入層等。
又，電洞注入層或電洞傳輸層較佳為與發光層接觸。於該情形時，繼電洞注入層或電洞傳輸層之後，可藉由濕式成膜法使發光層成膜。
於本發明中，更佳為含有上述聚合物作為電洞傳輸層及電洞注入層之至少一層之主成分。具體而言，於電洞傳輸層或電洞注入層中，本發明之聚合物之含量較佳為51~100重量%。
進而較佳為電洞傳輸層及電洞注入層之至少一層含有受體材料。尤佳為與陽極接觸之層含有受體材料。藉由含有受體材料，可增加電洞注入、傳輸層中之電洞密度，或提高電洞移動率，故而能降低所獲得之有機EL元件之驅動電壓，或提高載波平衡而實現長壽命化。
受體材料較佳為具有吸電子性之取代基或缺電子環之有機化合物。
作為吸電子性之取代基，例如可列舉：鹵素、CN-、羰基、芳基硼基等。
作為缺電子環，例如可列舉選自由2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-喹啉、3-喹啉、4-喹啉、2-咪唑、4-咪唑、3-吡唑、4-吡唑、噠、嘧啶、吡、啉、酞、喹唑啉、喹啉、3-(1,2,4-N)-三唑基、5-(1,2,4-N)-三唑基、5-四唑基、4-(1-O,3-N)-唑、5-(1-O,3-N)-唑、4-(1-S,3-N)-噻唑、5-(1-S,3-N)-噻唑、2-苯并唑、2-苯并噻唑、4-(1,2,3-N)-苯并三唑、及苯并咪唑構成之群中之化合物等，但未必限定於該等。
作為本發明之有機EL元件之代表性元件構成，可列舉下述(1)~(13)等之結構：
(1)陽極/發光層/陰極
(2)陽極/電洞注入層/發光層/陰極
(3)陽極/發光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/有機半導體層/發光層/陰極
(6)陽極/有機半導體層/電子障壁層/發光層/陰極
(7)陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極
(8)陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子注入層/陰極
(9)陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極
(10)陽極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極
(11)陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極
(12)陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/絕緣層/陰極
(13)陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子注入層/陰極。
該等之中，通常可較佳地使用(8)之構成，但並不限定於該等。
於本發明之有機EL元件中，含有本發明之聚合物之有機薄膜層以外之構成構件可使用公知者。例如，發光層較佳為含有苯乙烯基胺化合物、芳基胺化合物或熒蒽系化合物。
含有本發明之聚合物的有機薄膜層以外之形成可應用真空蒸鍍、濺鍍、電漿、離子電鍍等乾式成膜法或塗佈法、印刷法等濕式成膜法等公知之方法。
各層之膜厚並無特別限定，但必需設定為適當之膜厚。若膜厚過厚，則為獲得一定之光輸出，必需較大之施加電壓而會使效率變差。若膜厚過薄，則產生針孔等，即便施加電場亦無法獲得充分之發光亮度。通常之膜厚較佳為5 nm~10 μm之範圍，進而較佳為10 nm~0.2 μm之範圍。
於本發明之聚合物之不溶化後，進而積層上層之情形 時，亦可與上述同樣地使用乾式成膜法、濕式成膜法之任一種，尤其是可較佳地使用濕式成膜法。作為積層該上層之手段，可應用凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及將該等與套版印刷法組合而成之印刷法、噴墨印刷法、分注器塗佈、旋轉塗佈法、棒式塗佈法、浸漬塗佈法、噴塗法、狹縫式塗佈法、輥式塗佈法、覆塗法、凹版輥式塗佈法、液面彎曲式塗佈法等。
利用各種材料及層形成方法，形成陽極、發光層、視需要之電洞注入/傳輸層、及視需要之電子注入/傳輸層，進而形成陰極，藉此可製作有機EL元件。又，亦可以自陰極向陽極之與上述相反之順序製作有機EL元件。
[實施例] [第一發明] 實施例1
合成下述聚合物P1-1。
(1)單體M-1之合成
(a)中間物M-1-1之合成
於氮氣環境下，於附冷凝管之500 mL三口燒瓶中，於咔唑10.0 g(59.8 mmol)中加入N,N-二甲基甲醯胺(DMF)100 mL，藉由冰水浴冷卻至0℃。冷卻後，緩慢滴加使N-溴代丁二醯亞胺(NBS)10.6 g(59.8 mmol)溶解於DMF 100 mL中而成之溶液。滴加結束後，卸除冰水浴，恢復至室溫，並攪拌8小時。
將反應液滴入至水中而析出固體，藉由濾取而獲得析出物。藉由矽膠層析法(甲苯)將所獲得之粗產物純化，並將所獲得之固體減壓乾燥，結果獲得12.2 g(產率83%)之白色固體。
藉由1H-NMR光譜與場解吸質譜(以下，稱為FD-MS)分析，將所獲得之白色粉末鑑定為中間物M-1-1。
(b)中間物M-1-2之合成
於氮氣環境下，於附冷凝管之300 mL三口燒瓶中，於M-1-1 6.0 g(24.3 mmol)、碘苯5.4 g(26.7 mmol)、CuI 1.4 g(7.29 mmol)、反式-環己二胺(trans-cyclohexanediamine)0.8 g(7.29 mmol)、及磷酸鉀10.3 g(48.6 mmol)中添加二烷120 mL，一面使其回流8小時一面進行加熱。
反應結束後，於減壓去除之條件下去除溶劑。其後，添加二氯甲烷100 mL、水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下去除溶劑，藉由矽膠層析法(甲苯：己烷=1：10)將所獲得之粗產物純化。將所獲得之固體減壓乾燥，結果獲得6.7 g(產率85%)之白色固體。
藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，將所獲得之白色粉末鑑定為中間物M-1-2。
(c)中間物M-1-3之合成
於氮氣環境下，於附冷凝管之300 mL三口燒瓶中添加M-1-2 4.0 g(12.5 mmol)、硼酸三異丙酯2.8 g(15.0 mmol)、脫水四氫呋喃(THF)60 mL並進行攪拌，藉由甲醇/乾冰浴冷卻至-78℃。冷卻後，緩慢滴加正丁基鋰(1.61 M)38 mL(60.9 mmol)，滴加後於冷卻1小時之狀態下進行攪拌。繼而恢復至室溫，並攪拌7小時。反應結束後，滴加甲醇10 mL，進而滴加1 N HCl水溶液30 mL。添加二氯甲烷、水而萃取目標物，並提取有機層。於該有機層中 添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下去除溶劑，藉由管柱層析法進行單離，而獲得白色固體2.1 g(產率60%)。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，將所獲得之白色粉末鑑定為中間物M-1-3。
(d)中間物M-1-4之合成
於氮氣環境下，於附冷凝管之300 mL三口燒瓶中添加M-1-1 4 g(10.0 mmol)、M-1-3 3.7 g(10.0 mmol)、Pd(PPh3)4 0.2 g(0.2mol)、碳酸鈉2.1 g(20.0 mmol)、二甲醚(DME)40 mL、及水20 mL，其後使其回流，並加熱攪拌8小時。反應結束後，於減壓去除之條件下去除溶劑。其後，添加二氯甲烷100 mL、水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下去除溶劑，藉由矽膠層析法將所獲得之粗產物純化。將所獲得之固體減壓乾燥，結果獲得3.0 g(產率74%)之白色固體。
藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，將所獲得之白色粉末鑑定為中間物M-1-4。
(e)中間物M-1-5之合成
於氮氣環境下，於M-1-4 2.5 g(6.1 mmol)、4-(4-溴苯基)-二苯并呋喃2.0 g(6.1 mmol)、CuI 0.4 g(1.8 mmol)、反式-環己二胺(trans-cyclohexanediamine)0.2g(1.8mmole)、磷酸鉀2.6 g(12.2 mmol)中添加二烷30 mL，一面使其回流8小時一面進行加熱。
反應結束後，於減壓去除之條件下去除溶劑。其後， 添加二氯甲烷100 mL、水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下去除溶劑，藉由矽膠層析法將所獲得之粗產物純化。將所獲得之固體減壓乾燥，結果獲得2.8 g(產率70%)之白色固體。
藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，將所獲得之白色粉末鑑定為中間物M-1-5。
(f)M-1之合成
於氮氣環境下，於M-1-5 2.5 g(3.8 mmol)中加入DMF 40 mL，並藉由冰水浴冷卻至0℃。
冷卻後，緩慢滴加使N-溴代丁二醯亞胺1.4 g(8.0 mmol)溶解於DMF 40 mL中而成之溶液。滴加結束後，卸除冰水浴，恢復至室溫，並攪拌8小時。將反應液滴入至水中而析出固體，藉由抽吸過濾進行回收。
藉由矽膠層析法將所獲得之粗產物純化，並將所獲得之固體減壓乾燥，結果獲得2.5 g(產率80%)之白色固體。
藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，將所獲得之白色粉末鑑定為M-1。
(2)單體M-2之合成
(a)中間物M-2-1之合成
使用中間物M-1-4與4-溴-1,2-二氫苯并環丁烯，藉由與中間物M-1-2之合成同樣之方法進行合成。以產量5.6 g(產率86%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-2-1。
(b)M-2之合成
使用中間物M-2-1，藉由與中間物M-1之合成同樣之方法進行合成。以產量4.4 g(產率78%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-2。
(3)聚合物P1-1之合成
於氮氣環境下，於2,7-雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷-2-基)-9,9-二-正辛基茀4.1 g(6.2 mmol)、M-1 5.0 g(6.2 mmol)、M-2 0.2 g(0.3 mmol)、乙酸鈀[Pd(OAc)2]0.01 g(0.04 mmol)、三(鄰甲苯基)膦[P(o-Tol)3]0.06 g(0.2 mmol)、磷酸鉀6.6 g(30.9 mmol)中添加二烷50 mL、甲苯12 mL、水11 mL，一面使其回流16小時一面進行加熱。
反應結束後，於減壓去除之條件下去除溶劑。添加甲苯150 mL、水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下將溶劑濃縮，使該濃縮液通過矽膠而進行 過濾。於減壓下將所回收之溶液濃縮，並滴加至甲醇中而析出固體。濾取固體，並進行減壓乾燥。
於氮氣環境下，添加該粗產物與溴苯0.3 g(1.9 mmol)、Pd(OAc)2 0.03 g(0.04 mmol)、P(t-Bu)3 0.01 g(0.05 mmol)、磷酸鉀2.0 g(9.5 mmol)、甲苯50 mL，一面使其回流8小時一面進行加熱。繼而添加苯基硼酸0.2 g(1.9 mmol)，進而加熱8小時。
反應結束後，添加水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。使所回收之濾液通過矽膠而進行過濾。將所回收之溶液濃縮，添加二乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液，於80℃攪拌8小時。冷卻後，以水洗淨有機層，將所獲得之溶液滴加至甲醇中進行濾取，藉此獲得沈澱物。
藉由使該沈澱物溶解於甲苯中，並通過矽膠管柱而進行純化。將所獲得之溶液滴加至甲醇中，進行攪拌後濾取所獲得之沈澱物，並進行乾燥，藉此獲得聚合物P1-1 5.3 g。
P1-1之聚苯乙烯換算數量平均分子量為7.8×103，聚苯乙烯換算重量平均分子量為2.4×104。
再者，於本申請案中，分子量及分子量分佈係於下述條件下測定。
注入100 μl於THF 10 ml中溶解有試樣10 mg之溶液而進行。流速設為每分鐘1 ml，管柱溫度設定為40℃。尺寸排除層析(SEC)裝置係使用東梭(Tosoh)製造之HLC-8220。檢測器係使用示差折射率(RI)檢測器或紫外線 可見(UV)檢測器。管柱係使用東梭製造之TSK gel GMH-XL 2根及TSK gel G2000-XL 1根，標準試樣之聚苯乙烯係使用東梭製造之TSK標準聚苯乙烯。
實施例2
合成下述聚合物P1-2。
(1)單體M-3之合成
(a)中間物M-3-1之合成
除將NBS變更為N-碘代丁二醯亞胺(NIS)以外，藉由與中間物M-1-1之合成同樣之方法進行合成。以產量5.6 g(產率79%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD -MS分析，鑑定為M-3-1。
(b)中間物M-3-2之合成
除使用中間物M-3-1以外，藉由與中間物M-1-1之合成同樣之方法進行合成。以產量3.7 g(產率82%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-3-2。
(c)中間物M-3-3之合成
使用中間物M-3-2與中間物M-1-3，藉由與中間物M-1-4之合成同樣之方法進行合成。以產量5.2 g(產率76%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-3-3。
(d)M-3之合成
使用中間物M-3-3與1-溴-4-碘苯，藉由與中間物M-1-2之合成同樣之方法進行合成。以產量4.9 g(產率66%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-3。
(2)單體M-4之合成
(a)中間物M-4-1之合成
使用咔唑與溴苯并環丁烯，藉由與中間物M-1-2之合成同樣之方法進行合成。以產量7.9 g(產率90%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-4-1。
(b)中間物M-4-2之合成
使用中間物M-4-1，藉由與中間物M-1-1之合成同樣之方法進行合成。以產量6.8 g(產率77%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-4-2。
(c)中間物M-4-3之合成
使用中間物M-4-2，藉由與中間物M-1-3之合成同樣之方法進行合成。以產量5.5 g(產率75%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-4-3。
(d)中間物M-4-4之合成
使用中間物M-3-2與中間物M-4-3，藉由與中間物M-1-4之合成同樣之方法進行合成。以產量6.1 g(產率60%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析， 鑑定為M-4-4。
(e)M-4之合成
使用中間物M-4-4與1-溴-4-碘苯，藉由與中間物M-1-2之合成同樣之方法進行合成。以產量5.3 g(產率77%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-4。
(3)聚合物P1-2之合成
使用2,7-雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷-2-基)-9,9-二-正辛基茀、M-3及M-4，藉由與P1-1同樣之方法進行合成。以產量5.2 g獲得目標物。P1-2之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.2×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為3.5×104。
實施例3
合成下述聚合物P1-3。
(1)單體M-5之合成
(a)中間物M-5-1之合成
於氮氣氣流下，於4-溴-1,2-二氫苯并環丁烯18.3 g(100 mmol)中添加脫水THF 300 mL，冷卻至-78℃，滴加正丁基鋰己烷溶液(1.58 M)130 mL。攪拌1小時後，緩慢滴加1,6-二碘己烷16.5 mL，然後用1小時升溫至室溫，進而使其反應2小時。添加10%稀鹽酸溶液並進行攪拌，而萃取有機層。以飽和食鹽水洗淨後，用無水硫酸鎂加以乾燥，於過濾分離後進行濃縮。藉由矽膠層析法將所獲得之固體純化，並進行減壓乾燥，結果獲得12.6 g(產率37%)之無色液體。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-5-1。
(b)M-5之合成
於氮氣氣流下，於2,7-二溴茀12.5 g(38.6 mmol)中添加脫水THF 120 mL，冷卻至-78℃，滴加LDA己烷/THF溶液(1.11 M)77 mL。於攪拌1小時後，緩慢滴加溶解於脫水THF 60 mL中之M-5-1 21.7 g，用1小時升溫至室溫，進而使其反應2小時。
添加10%稀鹽酸溶液並進行攪拌，添加二氯甲烷，萃取目標物，並提取有機層。於該有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下去除溶劑，藉由管柱層析法進行單離，獲得白色固體12.2 g(產率45%)。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，將所獲得之白色粉末鑑定為M-5。
(2)單體M-6之合成
(a)中間物M-6-1之合成
使用2-溴-二苯并呋喃，藉由與中間物M-1-3之 合成同樣之方法進行合成。以產量6.1 g(產率63%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-6-1。
(b)中間物M-6-2之合成
於氮氣氣流下，加入9-H-咔唑10 g(59.8 mmol)，使其溶解於75 ml之氯仿中後，藉由冰水浴冷卻至0℃。繼而緩慢滴加使FeCl3 38.8 g(239.2 mmol)分散於60 ml左右之氯仿中而獲得之溶液。滴加後，恢復至室溫，攪拌24小時。將反應液滴加至大量之甲醇中，而析出固體。濾取固體而進行回收。其後，以大量之甲醇與水反覆洗淨，進行濾取而獲得固體7.8 g(產率82%)。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，將所獲得之白色粉末鑑定為M-6-2。
(c)中間物M-6-3之合成
使用中間物M-6-2，藉由與中間物M-2之合成同樣之方法進行合成。以產量4.1 g(產率56%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-6-3。
(d)M-6之合成
使用中間物M-6-1與中間物M-6-3，藉由與中間物M-1-4之合成同樣之方法進行合成。以產量3.4 g(產率48%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-6。
(3)聚合物P1-3之合成
於氮氣環境下，於9,9-二辛基-2,7-二溴茀5.8 g(10.0 mmol)、M-5 0.4 g(0.5 mmol)、M-6 7.0 g(10.5 mmol)、三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)[Pd2(dba)3]0.2 g(0.2 mmol)、P(t-Bu)3 0.06 g(0.3 mmol)、第三丁氧基鈉3.0 g(31.5 mmol)中添加二甲苯40 mL，一面使其回流20小時一面進行加熱。
反應結束後，於減壓去除之條件下去除溶劑。添加水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下將溶劑濃縮，使該濃縮液通過矽膠而進行過濾。於減壓下將所回收之溶液濃縮，並滴加至甲醇中而析出固體。藉由抽吸過濾回收固體，並進行減壓乾燥。
於氮氣環境下，於該粗產物與溴苯0.5 g(3.2 mmol)、Pd(OAc)2 0.04 g(0.2 mmol)、P(t-Bu)3 0.06 g(0.3 mmol)、磷酸鉀1.1 g(5.2 mmol)中添加甲苯40 mL，一面使其回流8小時一面進行加熱。繼而添加苯基硼酸0.4 g(3.2 mmol)，進而加熱8小時。
反應結束後，添加水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。使所回收之濾液通過矽膠而進行過濾。將所回收之溶液濃縮，添加二乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶 液，於80℃下攪拌2小時。冷卻後，以水洗淨有機層，將所獲得之溶液滴加至甲醇中，並進行濾取，藉此獲得沈澱物。
藉由使該沈澱物溶解於甲苯中，並通過矽膠管柱而進行純化。將所獲得之溶液滴加至甲醇中，進行攪拌後濾取所獲得之沈澱物，並進行乾燥，藉此獲得聚合物P1-3 7.3 g。p1-3之聚苯乙烯換算數量平均分子量為0.9×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為2.8×104。
實施例4
合成下述聚合物P1-4。
(1)單體M-7之合成
(a)中間物M-7-1之合成
使用9-苯基咔唑，藉由與M-2之合成同樣之方法進行合成。以產量2.9 g(產率73%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-7-1。
(b)中間物M-7-2之合成
使用咔唑與2-溴-二苯并呋喃，藉由與中間物M-1-2之合成同樣之方法進行合成。以產量4.0 g(產率68%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-7-2。
(c)中間物M-7-3之合成
使用中間物M-7-2，藉由與中間物M-1-1之合成同樣之方法進行合成。以產量3.2 g(產率59%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-7-3。
(d)中間物M-7-4之合成
使用中間物M-7-3，藉由與中間物M-1-3之合成同樣之方法進行合成。以產量5.4 g(產率66%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-7-4。
(e)中間物M-7-5之合成
使用中間物M-7-4與中間物M-7-1，藉由與中間物M-1-4之合成同樣之方法進行合成。以產量2.7 g(產率61%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-7-5。
(f)M-7之合成
使用中間物M-7-5，藉由與單體M-2之合成同樣之方法進行合成。以產量3.9 g(產率56%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-7。
(2)單體M-8之合成
(a)中間物M-8-1之合成
使用中間物M-4-1，藉由與單體M-2之合成同樣之方法進行合成。以產量5.3 g(產率85%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-8-1。
(b)中間物M-8-2之合成
使用中間物M-8-1與中間物M-7-4，藉由與中間物M-1-4之合成同樣之方法進行合成。以產量3.8 g(產率58%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-8-2。
(c)M-8之合成
使用中間物M-8-2，藉由與M-2之合成同樣之方法進行合成。以產量4.2 g(產率60%)獲得目標物。藉由1H -NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-8。
(3)聚合物P1-4之合成
使用2,7-雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷-2-基)-9,9-二-正辛基茀、M-7、M-8，藉由與P1-1同樣之方法進行合成。以產量3.3 g獲得目標物。聚合物P-4之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.8×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為4.0×104。
實施例5
合成下述聚合物P1-5。
(1)單體M-9之合成
(a)中間物M-9-1之合成
使用咔唑與3-溴-二苯并呋喃，且使用藉由與中間物M-1-2之合成同樣的方法合成之中間物M-9-0，藉由與中間物M-2之合成同樣之方法進行合成。以產量4.6 g(產率87%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-9-1。
(b)中間物M-9-2之合成
使用中間物M-9-1，藉由與中間物M-1-3之合成同樣之方法進行合成。以產量1.9 g(產率43%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-9-2。
(c)M-9之合成
使用中間物M-9-2，藉由與中間物M-1-4之合成同樣之方法進行合成。以產量3.5 g(產率56%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-9。
(2)聚合物P1-5之合成
使用2,7-二溴-9,9-二-正辛基茀、M-5、M-9，藉由與P1-3同樣之方法進行合成。以產量6.2 g獲得目標物。聚合物P-5之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.9×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為3.8×104。
實施例6
合成下述聚合物P1-6。
(1)單體M-10之合成
(a)中間物M-10-1之合成
使用中間物M-6-2，藉由與中間物M-1-1之合成同樣之方法進行合成。以產量3.5 g(產率66%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-10-1。
(b)M-10之合成
使用中間物M-10-1與中間物M-7-4，藉由與中間物M-1-4之合成同樣之方法進行合成。以產量4.9 g(產率72%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-10。
(2)單體M-11之合成
(a)中間物M-11-1之合成
使用中間物M-4-1，藉由與中間物M-1-1之合成同樣之方法進行合成。以產量3.9 g(產率70%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-11-1。
(b)中間物M-11-2之合成
使用中間物M-11-1，藉由與中間物M-1-3之合成同樣之方法進行合成。以產量4.4 g(產率52%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-11-1。
(c)M-11之合成
使用中間物M-10-1與中間物M-11-2，藉由與中間物M-1-4之合成同樣之方法進行合成。以產量2.3 g(產率67%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-11。
(3)聚合物P1-6之合成
使用2,7-二溴-9,9-二-正辛基茀、M-10、M-11，藉由與P-3同樣之方法進行合成。以產量4.6 g獲得目標物。聚合物P-6之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.5×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為3.3×104。
實施例7
合成下述聚合物P1-7。
(1)單體M-12之合成
(a)中間物M-12-1之合成
使用中間物M-7-3與中間物M-7-4，藉由與中間物M-1-4之合成同樣之方法進行合成。以產量3.6 g(產率82%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-12-1。
(b)中間物M-12-2之合成
使用中間物M-12-1，藉由與中間物M-1-1之合成同樣之方法進行合成。以產量3.5 g(產率66%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-12-2。
(c)中間物M-12-3之合成
使用中間物M-12-2，藉由與中間物M-1-3之合成同樣之方法進行合成。以產量4.1 g(產率62%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-12-3。
(d)使用中間物M-12-4之合成
使用中間物M-12-3與中間物M-3-2，藉由與中間物M-1-4之合成同樣之方法進行合成。以產量1.8 g(產率76%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-12-4。
(e)M-12之合成
使用中間物M-12-4與1-溴-4-碘苯，藉由與中間物M-1-2之合成同樣之方法進行合成。以產量2.7 g(產率70%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析， 鑑定為M-12。
(2)單體M-13之合成
於氮氣氣流下，加入M-5 3.7 g(5.3 mmol)、雙(頻那醇合)二硼4.1 g(31.8 mmol)、1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵-二氯化鈀(II)-二氯甲烷錯合物[PdCl2(dppf)．CH2Cl2]0.5 g(0.6 mmol)、乙酸鉀3.1 g(31.8 mmol)、脫水DMSO，於80℃使其回流反應28小時。冷卻後，添加水25 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下去除溶劑，藉由矽膠層析法將所獲得之粗產物純化。將所獲得之固體減壓乾燥，結果獲得2.7 g(產率64%)之白色固體。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-13。
(3)聚合物P1-7之合成
使用2,7-雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼 烷-2-基)-9,9-二-正辛基茀、M-12、M-13，藉由與P1-1同樣之方法進行合成。以產量5.5 g獲得目標物。聚合物P1-7之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.0×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為2.5×104。
實施例8
根據下述流程合成聚合物P1-8。
使用2,7-雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷-2-基)-9,9-二-正辛基茀、M-1、M-13，藉由與P1-1同樣之方法進行合成。以產量5.2 g獲得目標物。聚合物P1-8之聚苯乙烯換算數量平均分子量為3.8×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為1.6×104。
比較例1
根據下述流程合成聚合物P1-9。
(1)單體M-14之合成 (a)中間物M-14-1之合成
於氮氣環境下，於附冷凝管之300 mL三口燒瓶中，向二苯胺6.0 g(35.4 mmol)、溴苯并環丁烯6.5 g(35.4 mmol)、Pd(OAc)2 0.2 g(0.9 mmol)、P(t-Bu)3 0.3 g(1.4 mmol)、第三丁氧基鈉6.8 g(70.8 mmol)中添加甲苯100 mL，一面使其回流8小時一面進行加熱。
反應結束後，於減壓去除之條件下去除溶劑。其後，添加二氯甲烷100 mL、水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下去除溶劑，藉由矽膠層析法將所獲得之粗產物純化。將所獲得之固體減壓乾燥，結果獲得7.2 g(產率88%)之白色固體。
藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，將所獲得之白色 粉末鑑定為中間物M-14-1。
(b)M-14之合成
使用中間物M-14-1，藉由與中間物M-1-1之合成同樣之方法進行合成。以產量4.8 g(產率68%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-14。
(2)P1-9之合成
使用2,7-雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷-2-基)-9,9-二-正辛基茀、二(4-溴苯基)苯胺、M-14，藉由與P1-1同樣之方法進行合成。以產量5.6 g獲得目標物。聚合物P1-9之聚苯乙烯換算數量平均分子量為7.8×103，聚苯乙烯換算重量平均分子量為2.4×104。
比較例2
合成下述聚合物P1-10。
(1)單體M-16之合成
於氮氣環境下，於9,9-二辛基-2,7-二溴茀10.0 g (18.2 mmol)、苯胺1.7 g(18.2 mmol)、Pd2(dba)3 0.6 g(0.6 mmol)、(±)-2,2'-雙(二苯基膦基)-1,1'-聯萘(rac-BINAP)1.7 g(0.8 mmol)、第三丁氧基鈉5.0 g(72.8 mmol)中添加甲苯500 mL，一面使其回流16小時一面進行加熱。
反應結束後，於減壓去除之條件下去除溶劑。添加水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下去除溶劑，藉由矽膠層析法將所獲得之粗產物純化。將所獲得之固體減壓乾燥，結果獲得6.8 g(產率65%)之白色固體。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，將所獲得之白色粉末鑑定為中間物M-16。
(2)單體M-17之合成
(2)單體M-17之合成 (a)中間物M-17-1之合成
使用上述化合物，藉由與中間物M-1-4之合成同樣之方法進行合成。以產量7.8 g(產率68%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-17-1。
(b)M-17之合成
使用中間物M-17-1，藉由與M-16之合成同樣之方法進行合成。以產量5.8 g(產率63%)獲得目標物。藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，鑑定為M-17。
(3)聚合物P1-10之合成
使用4,4'-二溴聯苯、M-16、M-17，藉由與P1-3同樣之方法進行合成。以產量4.5 g獲得目標物。聚合物P1-10之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.3×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為3.6×104。
實施例9(有機EL元件製作與評價)
將25 mm×75 mm×1.1 mm厚之附ITO透明電極之玻璃基板(Geomatec公司製造)於異丙醇中進行5分鐘超音波洗淨後，進行30分鐘UV臭氧洗淨。於洗淨後之附透明電極之玻璃基板，藉由旋轉塗佈法，使電洞注入層所使用之聚二氧乙基噻吩、聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)之混合物以10 nm之膜厚成膜，從而形成電洞注入層(PSS為受體)。
繼而，藉由旋轉塗佈法，使實施例1中獲得之聚合物P1-1之二甲苯溶液(1.0重量%)以25 nm之膜厚成膜。繼而，於減壓下將其以120℃乾燥1小時，而形成電洞傳輸層。
進而，蒸鍍膜厚40 nm之下述化合物EM1而使其成膜。同時，以使EM1與D1之重量比成為95：5之方式蒸鍍下述具有苯乙烯基之胺化合物D1而作為發光分子，從而形成發光層。
於該膜上，藉由蒸鍍使下述Alq成膜為膜厚10 nm。該層係作為電子注入層而發揮作用。
其後，共蒸鍍作為還原性摻雜劑之Li(Li源：SAES Getter公司製造)與Alq，而形成Alq：Li膜(膜厚10 nm)作為電子注入層(陰極)。於該Alq：Li膜上蒸鍍金屬Al而形成金屬陰極，於氮氣中進行玻璃密封，從而製作有機EL元件。
於所製作之有機EL元件中流通電流而評價發光效率及壽命。將結果示於表197中。
實施例10
除使用下述芳基胺化合物D2代替具有苯乙烯基之胺化合物D1作為發光層之材料以外，以與實施例9同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表197中。
(Me為甲基)
比較例3
除使用比較例1中獲得之P1-9代替P1-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例9同樣之方式製作有機EL元件，將評價之結果示於表197中。
比較例4
除使用比較例2中獲得之P1-10代替P1-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例9同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表197中。
根據實施例9~10及比較例3~4之結果可知：使用本發明之雙咔唑聚合物之有機EL元件與使用芳香族胺衍生物之比較化合物之有機EL元件相比，於發光效率、壽命方面較優異。
實施例11(有機EL元件製作與評價)
將25 mm×75 mm×1.1 mm厚之附ITO透明電極之玻璃基板(Geomatec公司製造)於異丙醇中進行5分鐘超音波洗淨後，進行30分鐘UV臭氧洗淨。於洗淨後之附透明電極之玻璃基板，藉由旋轉塗佈法，使電洞注入層所使用之聚二氧乙基噻吩、聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)之混合物以10 nm之膜厚成膜，而形成電洞注入層(PSS為受體)。
繼而，藉由旋轉塗佈法，使實施例1中獲得之聚合物P1-1之二甲苯溶液(1.0重量%)以25 nm之膜厚成膜，並於230℃乾燥及熱硬化30分鐘，而形成電洞傳輸層。
繼而，藉由旋轉塗佈法，使以固形物成分重量比95：5混合有上述化合物EM1(主體)與上述具有苯乙烯基之胺化合物D1(摻雜劑)的二甲苯溶液(1.0重量%)以40 nm之膜厚成膜，並於150℃乾燥30分鐘，從而形成發光層。
於該膜上藉由蒸鍍使Alq成膜為膜厚10 nm。該層係作為電子注入層而發揮作用。其後，共蒸鍍作為還原性摻雜劑之Li(Li源：SAES Getter公司製造)與Alq，形成Alq：Li膜(膜厚10 nm)作為電子注入層(陰極)。於該Alq：Li膜上蒸鍍金屬Al而形成金屬陰極，於氮氣中進行玻璃密封，從而製作有機EL元件。
於所製作之有機EL元件中流通電流而評價性能。將結果示於表198中。
實施例12
除使用實施例2中獲得之聚合物P1-2代替P1-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例11同樣之方式製作有機 EL元件，並進行評價。將結果示於表198中。
實施例13
除使用實施例3中獲得之聚合物P1-3代替P1-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例11同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表198中。
實施例14
除使用實施例4中獲得之聚合物P1-4代替P1-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例11同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表198中。
實施例15
除使用實施例5中獲得之聚合物P1-5代替P1-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例11同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表198中。
實施例16
除使用實施例6中獲得之聚合物P1-6代替P1-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例11同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表198中。
實施例17
除使用實施例7中獲得之聚合物P1-7代替P1-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例11同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表198中。
實施例18
除使用實施例8中獲得之聚合物P1-8代替P1-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例11同樣之方式製作有機 EL元件，並進行評價。將結果示於表198中。
實施例19
除使用芳基胺化合物D2代替具有苯乙烯基之胺化合物D1作為發光層之材料以外，以與實施例11同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表198中。
比較例5
除使用比較例1中獲得之P1-9代替P1-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例11同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表198中。
比較例6
除使用比較例2中獲得之P1-10代替P1-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例11同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表198中。
根據實施例11~19及比較例5、6之結果可知：使用本發明之雙咔唑聚合物之有機EL元件與使用芳香族胺衍生物之比較化合物之有機EL元件相比，於發光效率、壽命方面較優異。
又，可確認：即便藉由濕式成膜形成電洞注入層、電洞傳輸層及發光層，亦可獲得優異之性能。
[第二發明] [聚合物之製造] 實施例21
根據下述合成流程，合成聚合物P2-1。
(1)交聯基M-20之合成
於實施例1中，除使用4-溴苯并環丁烯代替中間物M-1-2以外，實施與中間物M-1-3之合成同樣之反應，以產量5.8 g(產率78%)獲得目標物。
藉由1H-NMR光譜與FD-MS分析，將所獲得之目標物鑑定為M-2。
(2)聚合物P2-1之合成
於氮氣環境下，於2,7-雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷-2-基)-9,9-二-正辛基茀4.1 g(6.2 mmol)、以與實施例1(1)同樣之方式合成之M-1 5.0 g(6.2 mmol)、Pd(OAc)2 0.01 g(0.04 mmol)、P(o-Tol)3 0.06 g(0.2 mmol)、磷酸鉀6.6 g(30.9 mmol)中添加二烷50 mL、甲苯12 mL、水11 mL，一面使其回流16小時一面進行加熱。反應結束後，於減壓去除之條件下去除溶劑。添加甲苯150 mL、水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下將溶劑濃縮，使該濃縮液通過矽膠而進行過濾。於減壓下將所回收之溶液濃縮，並滴加至甲醇中而析出固體。濾取固體並進行減壓乾燥。
於氮氣環境下，添加該粗產物與4-溴苯并環丁烯0.3 g(1.7 mmol)、Pd(OAc)2 0.03 g(0.04 mmol)、P(t-Bu)3 0.01 g(0.05 mmol)、磷酸鉀2.0 g(9.5 mmol)、甲苯50 mL，一面使其回流8小時一面進行加熱。繼而添加M-20 0.3 g(1.9 mmol)，進而加熱8小時。反應結束後，添加水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。使所回收之濾液通過矽膠而進行過濾。將所回收之溶液濃縮，添加二乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液，於80℃攪拌8小時。冷卻後，以水洗淨有機層，將所獲得之溶液滴加至甲醇中，並進行濾取，藉此獲得沈澱物。
藉由使該沈澱物溶解於甲苯中，並通過矽膠管柱而進 行純化。將所獲得之溶液滴加至甲醇中，進行攪拌後濾取所獲得之沈澱物，並進行乾燥，藉此獲得聚合物P2-1 4.4 g。
聚合物P2-1之聚苯乙烯換算數量平均分子量為0.9×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為2.2×104。
再者，聚合物P2-1之聚苯乙烯換算數量平均分子量及聚苯乙烯換算重量平均分子量係使用尺寸排除層析法(SEC)而測定。測定係使作為試樣之10 mg之聚合物P2-1溶解於THF(四氫呋喃)10 ml中，將100 μl所獲得之溶液注入至SEC裝置中而進行。流速設為每分鐘1 ml，管柱溫度設定為40℃。
上述SEC裝置係使用東梭製造之HLC-8220。檢測器使用示差折射率(RI)檢測器或紫外線可見(UV)檢測器。管柱係使用東梭製造之TSK gel GMH-XL 2根及TSK gel G2000-XL 1根，標準試樣之聚苯乙烯係使用東梭製造之TSK標準聚苯乙烯。
實施例22
根據下述合成流程，合成聚合物P2-2。
除使用以與實施例2(1)同樣之方式合成之單體M-3代替單體M-1以外，實施與聚合物P2-1之合成同樣之反應，以產量3.8 g獲得聚合物P2-2。
聚合物P2-2之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.3×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為3.0×104。
實施例23
根據下述合成流程合成聚合物P2-3。
於氮氣環境下，於9,9-二辛基-2,7-二溴茀5.8 g(10.0 mmol)、以與實施例3(2)同樣之方式合成之M-67.0 g(10.5 mmol)、Pd2(dba)3 0.2 g(0.2 mmol)、PtBu3 0.06 g(0.3 mmol)、第三丁氧基鈉3.0 g(31.5 mmol)中添加二甲苯40 mL，一面使其回流20小時一面進行加熱。
反應結束後，於減壓去除之條件下去除溶劑。添加水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。於減壓下將溶劑濃縮，使該濃縮液通過矽膠而進行過濾。於減壓下將所回收之溶液濃縮，並滴加至甲醇中而析出固體。藉由 抽吸過濾回收固體，並進行減壓乾燥。
於氮氣環境下，於該粗產物與4-溴苯并環丁烯0.6 g(3.2 mmol)、Pd(OAc)2 0.04 g(0.2 mmol)、P(t-Bu)3 0.06 g(0.3 mmol)、磷酸鉀1.1 g(5.2 mmol)中添加甲苯40 mL，一面使其回流8小時一面進行加熱。繼而添加M-20 0.5 g(3.2 mmol)，進而加熱8小時。
反應結束後，添加水100 mL而萃取目標物，並提取有機層。於所提取之有機層中添加MgSO4進行乾燥，藉由過濾去除MgSO4。使所回收之濾液通過矽膠而進行過濾。將所回收之溶液濃縮，添加二乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液，於80℃攪拌2小時。冷卻後，以水洗淨有機層，將所獲得之溶液滴加至甲醇中，並進行濾取，藉此獲得沈澱物。
藉由使該沈澱物溶解於甲苯中，並通過矽膠管柱而進行純化。將所獲得之溶液滴加至甲醇中，進行攪拌後濾取所獲得之沈澱物，並進行乾燥，藉此獲得聚合物P2-3 6.3 g。
聚合物P2-3之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.2×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為3.1×104。
實施例24
根據下述合成流程合成聚合物P2-4。
除使用以與實施例4(1)同樣之方式合成之單體M-7代替單體M-1以外，實施與P2-1之合成同樣之反應，以產量2.8 g獲得聚合物P2-4。
聚合物P2-4之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.7×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為3.7×104。
實施例25
根據下述合成流程合成聚合物P2-5。
除使用以與實施例5(1)同樣之方式合成之單體M-9代替單體M-4以外，實施與聚合物P2-3之合成同樣之反應，以產量5.1 g獲得聚合物P2-5。
聚合物P2-5之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.6×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為3.9×104。
實施例26
根據下述合成流程，合成聚合物P2-6。
除使用以與實施例6(1)同樣之方式合成之單體M-10代替單體M-4以外，實施與聚合物P2-3之合成同樣之反應，以產量3.9 g獲得聚合物P2-6。
聚合物P2-6之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.5×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為3.6×104。
實施例27
根據下述合成流程，合成聚合物P2-7。
除使用以與實施例7(1)同樣之方式合成之單體M-12代替單體M-1以外，實施與聚合物P2-1之合成同樣之反應，以產量5.8 g獲得聚合物P2-7。
聚合物P2-7之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.4×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為3.1×104。
[有機EL元件之製造(塗佈+蒸鍍)與評價] 實施例28
將25 mm×75 mm×1.1 mm厚之附ITO透明電極之玻璃基板(Geomatec公司製造)於異丙醇中進行5分鐘超音波洗淨後，進行30分鐘UV臭氧洗淨。於洗淨後之附透明電極之玻璃基板，藉由旋轉塗佈法，使電洞注入層所使用之聚二氧乙基噻吩、聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)之混合物以10 nm之膜厚成膜，而形成電洞注入層。繼而，藉由旋轉塗佈法，使實施例21中獲得之聚合物P2-1之二甲苯溶液(1.0重量%)以25 nm之膜厚成膜。繼而，於減壓下將其以120℃乾燥1小時，而形成電洞傳輸層。進而，蒸鍍膜厚40 nm之化合物EM1而使其成膜。同時，以使EM1與D1之重量比成為95：5之方式蒸鍍具有苯乙烯基之胺化合物D1而作為發光分子，從而形成發光層。於該膜上藉由蒸鍍使Alq成膜為膜厚10 nm。該層係作為電子注入層而發揮作用。其後，共蒸鍍作為還原性摻雜劑之Li(Li源：SAES Getter公司製造)與Alq，而形成Alq：Li膜(膜厚10 nm)作為電子注入層(陰極)。於該Alq：Li膜上蒸鍍金屬Al而形成金屬陰極，於氮氣中進行玻璃密封，從而製作有機EL元件。
再者，化合物EM1、D1及Alq係與實施例9同樣。
對於所獲得之有機EL元件，評價其發光效率及發光壽命。將結果示於表199中。再者，關於發光壽命，以該實施例28之元件之壽命作為基準。
實施例29
除使用實施例10中使用之芳基胺化合物D2代替具有 苯乙烯基之胺化合物D1作為發光層材料以外，以與實施例28同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表199中。
比較例21
根據下述合成流程合成聚合物P2-8。
除使用依據慣例而獲得之化合物M-21代替中間物M-1以外，實施與聚合物P2-1之合成同樣之反應，以產量5.6 g獲得聚合物P2-8。
聚合物P2-8之聚苯乙烯換算數量平均分子量為7.8×103，聚苯乙烯換算重量平均分子量為2.4×104。
除使用聚合物P2-8代替聚合物P2-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例28同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表199中。
比較例22
根據下述合成流程合成聚合物P2-9。
除使用與比較例2(1)同樣地合成之單體M-16代替2,7-雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷-2-基)-9,9-二-正辛基茀，使用4,4'-二溴聯苯代替中間物M-1以外，實施與聚合物P2-1之合成同樣之反應，以產量2.8 g獲得聚合物P2-9。
所獲得之聚合物P2-9之聚苯乙烯換算數量平均分子量為1.1×104，聚苯乙烯換算重量平均分子量為3.5×104。
除使用聚合物P2-9代替聚合物P2-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例28同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表199中。
根據實施例28、29及比較例21、22之結果可知：使用有本發明之聚合物即雙咔唑聚合物的有機EL元件與使用芳香族胺衍生物即比較化合物的有機EL元件相比，於發光效率、壽命方面較優異。
[有機EL元件之製造(僅塗佈)與評價] 實施例30
將25 mm×75 mm×1.1 mm厚之附ITO透明電極之玻璃基板(Geomatec公司製造)於異丙醇中進行5分鐘超音波洗淨後，進行30分鐘UV臭氧洗淨。於洗淨後之附透明電極之玻璃基板，藉由旋轉塗佈法，使電洞注入層所使用之聚二氧乙基噻吩、聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)之混合物以10 nm之膜厚成膜，而形成電洞注入層。繼而，藉由旋轉塗佈法，使實施例21中獲得之聚合物P2-1之二甲苯溶液(1.0重量%)以25 nm之膜厚成膜，於230℃進行30分鐘乾燥及熱硬化，而形成電洞傳輸層。繼而，藉由旋轉塗佈法，使以固形物成分重量比95：5混合有化合物EM1(主體)與具有苯乙烯基之胺化合物D1(摻雜劑)的二甲苯溶液(1.0重量%)以40 nm之膜厚成膜，並於150℃乾燥30 分鐘，從而形成發光層。於該膜上藉由蒸鍍使Alq成膜為膜厚10 nm。該層係作為電子注入層而發揮作用。其後，共蒸鍍作為還原性摻雜劑之Li(Li源：SAES Getter公司製造)與Alq，而形成Alq：Li膜(膜厚10 nm)作為電子注入層(陰極)。於該Alq：Li膜上蒸鍍金屬Al而形成金屬陰極，於氮氣中進行玻璃密封，從而製作有機EL元件。
於所製作之有機EL元件中流通電流而評價性能。將評價之結果示於表200中。
實施例31
除使用實施例22中獲得之聚合物P2-2代替聚合物P2-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例30同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表200中。
實施例32
除使用實施例23中獲得之聚合物P2-3代替聚合物P2-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例30同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表200中。
實施例33
除使用實施例24中獲得之聚合物P2-4代替聚合物P2-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例30同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表200中。
實施例34
除使用實施例25中獲得之聚合物P2-5代替聚合物P2-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例30同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表200中。
實施例35
除使用實施例26中獲得之聚合物P2-6代替聚合物P2-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例30同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表200中。
實施例36
除使用實施例27中獲得之聚合物P2-7代替P2-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例30同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表200中。
實施例37
除使用芳基胺化合物D2代替具有苯乙烯基之胺化合物D1作為發光層之材料以外，以與實施例30同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表200中。
比較例23
除使用比較例21中獲得之聚合物P2-8代替聚合物P2-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例30同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表200中。
比較例24
除使用比較例22中獲得之聚合物P2-9代替聚合物P2-1作為電洞傳輸材料以外，以與實施例31同樣之方式製作有機EL元件，並進行評價。將結果示於表200中。
[產業上之可利用性]
本發明之聚合物作為電子設備用材料較為有用。尤其適於作為有機電激發光元件用材料、特別是於陽極與發光層間之電洞傳輸區域中使用之材料。
上述詳細地對本發明之實施形態及/或實施例進行了若干說明，但本領域業者可於實質上不脫離本發明之新穎之教導及效果之範圍內，容易地對作為該等例示之實施形態及/或實施例中進行大量變更。因此，該等大量變更包含於本發明之範圍內。
將該說明書所記載之文獻及本申請案之成為巴黎優先權之基礎的日本專利申請說明書之內容全部引用於本文中。

Claims (30)

  1. 一種聚合物，其含有下述式(A)及(B)表示之結構單元： [式(A)中，P為源自下述式(P)表示之化合物的基； (式中，A1各自獨立地為氮原子或CR2；X1為單鍵、O、S、CR2R3或NR2；R1~R3各自獨立地為氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20的烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代或未經取代之芳胺基或者芳矽基)；a為2~5之整數，(P)a表示a個該(P)基連續鍵結；a個P各自獨立，又，P彼此之鍵結位置並無限定；L1表示連結基團；b為0~5之整數，於b為2以上之情形時，(L1)b表示b個L1連續鍵結；於該情形時，b個L1各自獨立，又，L1彼此鍵結之位置並無限定；於式(A)中，P與L1之鍵結位置並無限定； 式(B)中，Q為源自下述式(Q)表示之化合物的基； (式中，A2各自獨立地為氮原子或CR6；X2為單鍵、O、S、CR6R7或NR6；R5~R7各自獨立地為氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20的烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代或未經取代之芳胺基、芳矽基、或者交聯性基)；c為2~5之整數，(Q)c表示c個該(Q)基連續鍵結；c個Q各自獨立，又，Q彼此之鍵結位置並無限定；L2各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20的伸烷基(alkylene)、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環伸烷基(cycloalkylene)、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳香族烴環基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的芳香族雜環基、經取代或未經取代的芳胺殘基、芳基亞矽基(arylsilylene)、或交聯性基；d為0~5之整數，於d為2以上之情形時，(L2)d表示d個L2連續鍵結；於該情形時，d個L2各自獨立，又，L2彼此鍵結之位置並無限定；於式(B)中，Q與L2之鍵結位置並無限定；於式(B)中，c個Q及d個L2之中至少一個具有交聯 性基]。
  2. 如申請專利範圍第1項之聚合物，其中，該P或Q為經取代或未經取代之咔唑之殘基。
  3. 如申請專利範圍第2項之聚合物，其中，於a個連續之經取代或未經取代的咔唑殘基中鄰接之咔唑殘基彼此之鍵結位置、或於c個連續之經取代或未經取代的咔唑殘基中鄰接之咔唑殘基彼此之鍵結位置各自為選自第3位置-第3'位置、第3位置-第2'位置、及第2位置-第2'位置中之一種。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之聚合物，其具有下述結構1及結構2中之至少一種結構：結構1：該(P)a中之一個經取代或未經取代的咔唑殘基與L1之鍵結位置為該咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置；結構2：該(Q)c中之一個經取代或未經取代的咔唑殘基與L2之鍵結位置為該咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之聚合物，其具有下述結構3及結構4中之至少一種結構：結構3：該(P)a中之一個經取代或未經取代的咔唑殘基與L2之鍵結位置為該咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置；結構4：該(Q)c中之一個經取代或者未經取代的咔唑殘基與L1之鍵結位置為該咔唑殘基之第9位置、第3位置或 第2位置。
  6. 如申請專利範圍第1項之聚合物，其中，該a或c各自為2或3。
  7. 如申請專利範圍第1項之聚合物，以下述式(1)~(7)中之任一者表示： (各式中，R1、R2、R5、R6、L1及L2與該式(A)及(B)之R1、R2、R5、R6、L1及L2相同；m及n各自表示各結構單元於聚合物中所佔之含有率(莫耳比)，m為0.01~0.99，n為0.01~0.99，m+n=1；I為0或1)。
  8. 如申請專利範圍第7項之聚合物，以下述式(8)~(25)中之任一者表示： (各式中，R1、R2、R5、R6、L1及L2與該式(A)及(B)之R1、R2、R5、R6、L1及L2相同；m及n各自表示各結構單元於聚合物中所佔之含有率(莫耳比)，m為0.01~0.99，n為0.01~0.99，m+n=1)。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之聚合物，其中，以該式(1)~(25)表示之各聚合物之R5的至少一個或R6的至少一個為交聯性基，L2並非交聯性基。
  10. 如申請專利範圍第1、7或8項之聚合物，其中，該交聯性基係選自下述式(31)~(42)表示之基中的基：
  11. 如申請專利範圍第7或8項之聚合物，其中，以該式(1)~(21)表示之各聚合物的L2之至少一個為交聯性基，R5及R6並非交聯性基。
  12. 如申請專利範圍第11項之聚合物，其中，該交聯性基之L2係選自下述式(43)~(46)表示之基中的基： (於式(45)及(46)中，o為1~10之整數)。
  13. 如申請專利範圍第7或8項之聚合物，其中，該式(1)~(25)表示之各聚合物的R1、R2、R5及R6之至少一個為選自下述式(51)~(55)表示之基中的基： (式中，R11~R23各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20的烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳基、經取代或未經取代之碳數1~20的烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳氧基、經取代或未經取代之碳數7~40的芳烷基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代的胺基、經取代的矽基、鹵素原子、硝基、氰基或者羥基；a、c、d、f、g及i各自獨立地為0~4之整數；b、e、h及j各自獨立地為0~3之整數；T1~T5各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~50的芳香族烴環基或者成環原子數3~30的芳香族雜環基)。
  14. 一種聚合物，其以下述式(C)表示： (式中，P'為源自下述式(P')表示之化合物的基；L為連結基團；a為2~5之整數，(P')a表示a個P'連續鍵結；a個P'各自獨立，又，P'彼此之鍵結位置並無限定；b為0~5之整數，於b為2以上之情形時，(L)b表示b個L連續鍵結；於該情形時，b個L各自獨立，L彼此鍵結之位置並無限定；又，於b為0之情形時，L表示單鍵；於式(C)中，P'與L之各自的鍵結位置並無限定；m為重複單元；Y1及Y2各自獨立地為交聯性基)； (式中，A各自獨立地為氮原子或-C(R)-；X為單鍵、-O-、-S-、-C(R)2-、或-N(R)-；R各自獨立地為氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20的烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代或未經取代的芳胺基、或者經取代或未經取代的芳矽基)。
  15. 如申請專利範圍第14項之聚合物，其中，該P'為經取代或未經取代之咔唑殘基。
  16. 如申請專利範圍第14或15項之聚合物，其中，該(P')a為a個連續鍵結之經取代或未經取代的咔唑殘基，鄰接之咔唑殘基各自於第3位置-第3'位置、第3位置-第2'位置、或第2位置-第2'位置相互鍵結。
  17. 如申請專利範圍第14或15項之聚合物，其中，該(P')a為a個連續鍵結之經取代或未經取代的咔唑殘基，與L鍵結之咔唑殘基於咔唑殘基之第9位置、第3位置或第2位置與L鍵結。
  18. 如申請專利範圍第14或15項之聚合物，其中，該a為2或3。
  19. 如申請專利範圍第14或15項之聚合物，以下述式(101)~(107)中之任一者表示： (式中，R101~R119各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20的烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代或未經取代的芳胺基、或者經取代或未經取代的芳矽基；I為0或1之整數； Y1、Y2、L及m與式(C)相同)。
  20. 如申請專利範圍第19項之聚合物，其中，於該式(101)~(107)中，R101及R102中之至少一個、R103~R105中之至少一個、R106及R107中之至少一個、R108~R110中之至少一個、R111~R113中之至少一個、R114~R116中之至少一個、以及R117~R119中之至少一個為選自下述式(51)~(55)表示之基中的基： (式中，R11~R23各自獨立地為經取代或未經取代之碳數1~20的烷基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳基、經取代或未經取代之碳數1~20的烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數3~10的環烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30的芳氧基、經取代或未經取代之碳數7~40的芳烷基、經取代或未經取代之成環原子數3~30的雜芳基、經取代的胺基、經取代的矽基、鹵素原子、硝基、氰 基或羥基；a、c、d、f、g及i各自獨立地為0~4之整數；b、e、h及j各自獨立地為0~3之整數；T1~T5各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~50的芳香族烴環基或者成環原子數3~30的芳香族雜環基)。
  21. 如申請專利範圍第14或15項之聚合物，其中，Y1及Y2各自為選自下述式(31)~(42)表示之基中的基：
  22. 一種塗佈液，其含有申請專利範圍第1至21項中任一項之聚合物及溶劑。
  23. 如申請專利範圍第22項之塗佈液，其中，該溶劑之至少一種為有機溶劑。
  24. 一種電子元件之製造方法，其使用申請專利範圍第22或23項之塗佈液進行濕式成膜。
  25. 如申請專利範圍第24項之電子元件之製造方法，其中，該電子元件為電場發光元件、光電轉換元件或電晶體。
  26. 如申請專利範圍第25項之電子元件之製造方法，其中，該電子元件為有機電激發光元件。
  27. 一種有機電激發光元件，其具有陽極、陰極、及於該陽極與陰極之間包含發光層之一層以上的有機薄膜層，該有機薄膜層中之至少一層含有申請專利範圍第1至21項中任一項之聚合物。
  28. 如申請專利範圍第27項之有機電激發光元件，其中，該有機薄膜層中之至少一層為電洞注入層或電洞傳輸層。
  29. 如申請專利範圍第28項之有機電激發光元件，其中，該電洞注入層或電洞傳輸層與發光層接觸。
  30. 如申請專利範圍第27項之有機電激發光元件，其中，該發光層係藉由濕式成膜法形成。
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