TW201322854A - 金屬覆蓋積層板、印刷佈線基板，半導體封裝，半導體裝置及金屬覆蓋積層板之製造方法 - Google Patents

金屬覆蓋積層板、印刷佈線基板，半導體封裝，半導體裝置及金屬覆蓋積層板之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明的金屬覆蓋積層板(100)係具備含有熱硬化性樹脂與填充材及纖維基材的絕緣層(101)，並在絕緣層(101)的雙面上設有金屬箔(103)。所以，本發明的金屬覆蓋積層板(100)係利用蝕刻除去雙面的金屬箔(103)後，當施行由(1)依105℃施行4小時的預熱處理、以及(2)依表面溫度260~265℃施行5秒的迴焊處理構成的加熱處理時，由下式(1)~(3)所計算出的尺寸變化率，係金屬覆蓋積層板(100)的縱向(105)與橫向(107)均為-0.080%以上且0%以下。A(%)=(預熱處理後尺寸-初期尺寸)/初期尺寸×100 (1)B(%)=(迴焊處理後尺寸-初期尺寸)/初期尺寸×100 (2)尺寸變化率(%)=B-A (3)另外，各階段的積層板尺寸係根據IPC-TM-650的2.4.39，在室溫中施行測定。

Description

金屬覆蓋積層板、印刷佈線基板，半導體封裝，半導體裝置及金屬覆蓋積層板之製造方法
本發明係關於金屬覆蓋積層板、印刷佈線基板、半導體封裝、半導體裝置及金屬覆蓋積層板之製造方法。
近年隨電子機器的高機能化與輕薄短小化的要求，正朝向電子零件的高密度集聚化、以及高密度安裝化演進，急遽朝該等電子機器所使用半導體裝置的小型化進展。
因而，安裝含有半導體元件之電子零件的印刷佈線基板亦有薄型化傾向，就印刷佈線基板的內層核心基板(以下亦簡稱「積層板」)，厚度約0.8mm者已成主流。
再者，最近使用由0.4mm以下核心基板的半導體封裝彼此間進行積層之封裝層疊(以下稱「POP」)，係搭載於行動機器(例如：行動電話、智慧手機、平板型PC等)上。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2007-50599號公報
依此若朝半導體裝置的小型化演進，習知負責半導體裝置剛性大部分的半導體元件、密封材厚度變為極薄，容易發生半導體裝置翹曲。又，因為構成構件的核心基板所佔比例變 為較大，因而核心基板的物性、行為會對半導體裝置的翹曲構成大幅影響。
另一方面，就從地球環境保護的觀點，隨焊錫無鉛化的演進，當焊錫球搭載於印刷佈線基板時、或半導體封裝安裝於母板時，所施行迴焊步驟的最高溫度呈非常高。一般較常使用無鉛焊錫的熔點約210度，因而在迴焊步驟中的最高溫度會成為超過260度的水準。
因而，加熱時，POP上下的半導體封裝，因為半導體元件、與搭載著半導體元件的印刷佈線基板間之熱膨脹差非常大，因而會有大幅翹曲的情況。
解決此種問題的手段，在專利文獻1(日本專利特開2007-50599號公報)中可撓性金屬覆蓋積層板之製造步驟，有記載：在熱積層時，將對含有熱可塑性聚醯亞胺的接著層所形成處之薄膜狀接合構件，施加的張力規定在0.3~1N/m範圍內。記載著若採取此種手段，即便薄膜狀接合構件的厚度薄至5~15μm以下，仍可獲得尺寸安定性優異的可撓性金屬覆蓋積層板。
本發明係有鑑於如上述問題而完成，提供減輕安裝時翹曲的金屬覆蓋積層板。
本發明者針對金屬覆蓋積層板發生翹曲的機制進行深入鑽研。結果發現藉由將金屬覆蓋積層板施行迴焊處理前後的 尺寸變化率規定於某範圍，便可減輕安裝時的金屬覆蓋積層板翹曲，遂完成本發明。
即，根據本發明所提供的金屬覆蓋積層板，係在含有熱硬化性樹脂、填充材及纖維基材的絕緣層雙面，具有金屬箔的金屬覆蓋積層板；其中，利用蝕刻去除雙面的金屬箔之後，當施行由：(1)依105℃施行4小時預熱處理；及(2)依表面溫度260~265℃施行5秒迴焊處理
構成的加熱處理時，根據IPC-TM-650的2.4.39所測定之室溫下的該積層板尺寸中，在將從上述蝕刻前起至上述預熱處理後的上述尺寸變化率設為A，將從上述蝕刻前起至上述迴焊處理後的上述尺寸變化率設為B時，由B-A所計算出的尺寸變化率係該金屬覆蓋積層板的縱向與橫向均為-0.080%以上且0%以下。
再者，根據本發明所提供的印刷佈線基板，係對上述金屬覆蓋積層板施行電路加工而成。
再者，根據本發明所提供的半導體封裝，係在上述印刷佈線基板上搭載著半導體元件。
再者，根據本發明所提供的半導體裝置係含有上述半導體封裝。
再者，根據本發明所提供的金屬覆蓋積層板之製造方法，係包括有：(A)使含有熱硬化性樹脂與填充材的樹脂組成物，含潤於纖維基材中的步驟；(B)利用加熱使上述熱硬化性樹脂半硬化，而獲得預浸體的步驟；以及(C)使金屬箔重疊於上述預浸體的雙面上，並施行加熱加壓的步驟；其中，上述(A)步驟中，對上述纖維基材所施加的張力係設為25N/m以上且350N/m以下。
根據本發明將可提供減輕安裝時翹曲的金屬覆蓋積層板。
上述目的、及其他目的、特徵及優點，依照以下所述較佳實施形態、及所附示的以下圖式便可更加明瞭。
以下，針對本發明實施形態使用圖式進行說明。另外，所有圖式中，就相同的構成要件便賦予共通的元件符號，並適當省略說明。又，圖式僅為概略圖而已，未必與實際的尺寸比率一致。
(金屬覆蓋積層板)
首先，針對本實施形態的金屬覆蓋積層板100之構造進行說明。圖1所示係本實施形態的金屬覆蓋積層板100之構成剖視圖。
金屬覆蓋積層板100係設置含有熱硬化性樹脂、填充材及纖維基材的絕緣層101，並在絕緣層101的雙面設有金屬箔103。
然後，金屬覆蓋積層板100經蝕刻而去除雙面的金屬箔103之後，當施行由(1)依105℃施行4小時的預熱處理、與(2)依表面溫度260~265℃施行5秒的迴焊處理構成的加熱處理時，從下式(1)~(3)所計算出的尺寸變化率係金屬覆蓋積層板100的縱向105與橫向107均為-0.080%以上且0%以下、較佳-0.070%以上且0%以下、更佳-0.060%以上且0%以下。
A(%)=(預熱處理後尺寸-初期尺寸)/初期尺寸×100 (1)
B(%)=(迴焊處理後尺寸-初期尺寸)/初期尺寸×100 (2)
尺寸變化率(%)=B-A (3)
各階段的積層板尺寸係根據IPC-TM-650的2.4.39，於室溫下進行測定。又，上式中的「初期尺寸」係表示蝕刻前的積層板尺寸。上式(1)中的「預熱處理後尺寸」係表示預熱處理後的積層板尺寸。上式(2)中的「迴焊處理後尺寸」係表示迴焊處理後的積層板尺寸。
此處，縱向105係指積層板100的搬送方向(所謂「MD」)， 橫向107係指積層板搬送方向的正交方向(所謂「TD」)。另外，預熱處理的溫度係環境溫度，迴焊處理的溫度係積層板表面的溫度。
在絕緣層雙面設有金屬箔的金屬覆蓋積層板，係經由多數製程而製造的複合材料，在其內部含有製造步驟中所生成的應變。
本發明者針對該內部應變的生成機制進行深入鑽研，結果發現在製造步驟中會因線膨脹係數不同的金屬箔，而導致絕緣層受約束，致使金屬覆蓋積層板內部囤積應變。
該在內部所生成的應變在金屬箔蝕刻後的迴焊處理時會一口氣被釋放，而引發積層板尺寸變化。所以，推測在迴焊步驟中特別會造成積層板翹曲情形。
所以，滿足上述尺寸變化率的本實施形態金屬覆蓋積層板100，係可減輕迴焊等加熱處理後的金屬覆蓋積層板100之翹曲。又，結果亦可減輕對金屬覆蓋積層板100施行電路加工而形成的印刷佈線基板、或半導體封裝200、半導體裝置300的翹曲。
再者，為能更有效獲得防止金屬覆蓋積層板100發生翹曲的效果，金屬覆蓋積層板100的縱向105與橫向107之尺寸變化率差絕對值，較佳係0%以上且0.03%以下、更佳係0%以上且0.02%以下。
縱向105與橫向107的尺寸變化率差絕對值，滿足上述範 圍的金屬覆蓋積層板100，在施行迴焊等加熱處理時的尺寸變化非等向性較小，因而可更加減輕安裝時的金屬覆蓋積層板100之翹曲。
再者，為能更有效獲得防止金屬覆蓋積層板100發生翹曲的效果，雖無特別限定，金屬覆蓋積層板100依動態黏彈性測定所獲得頻率1Hz下的玻璃轉移溫度，較佳係200℃以上、更佳係220℃以上。相關上限例如較佳係350℃以下。
金屬覆蓋積層板100係若依動態黏彈性測定所獲得頻率1Hz下的玻璃轉移溫度滿足上述範圍，則金屬覆蓋積層板100的剛性較高，可更加減輕安裝時的金屬覆蓋積層板100之翹曲。
再者，為能更有效獲得防止金屬覆蓋積層板100發生翹曲的效果，雖無特別限定，金屬覆蓋積層板100利用250℃下的動態黏彈性測定所獲得儲存彈性模數E'，較佳係5GPa以上、更佳係10GPa以上。雖針對上限值並無特別限定，但可設定為例如50GPa以下。
金屬覆蓋積層板100係若150℃下的儲存彈性模數E'滿足上述範圍，則金屬覆蓋積層板100的剛性較高，可更加減輕安裝時的金屬覆蓋積層板100之翹曲。
本實施形態的絕緣層101(金屬覆蓋積層板100扣掉金屬箔103的部分)厚度，較佳係0.025mm以上且0.6mm以下、更佳係0.04mm以上且0.4mm以下、特佳係0.04mm以上且 0.3mm以下、最佳係0.05mm以上且0.2mm以下。若絕緣層101的厚度在上述範圍內，機械強度與生產性均衡特別優異，可獲得適於薄型電路基板的金屬覆蓋積層板100。
本實施形態的絕緣層101在面方向之線膨脹係數，較佳係-11ppm/℃以上且11ppm/℃以下、更佳係-9ppm/℃以上且9ppm/℃以下、特佳係-7ppm/℃以上且7ppm/℃以下。若絕緣層101的線膨脹係數在上述範圍內，便可更有效地獲得已形成有佈線圖案的印刷佈線基板、搭載半導體元件的半導體封裝200之抑制翹曲、與提升溫度循環可靠度。又，可更有效地獲得與二次安裝半導體封裝200的半導體裝置300之母板間的溫度循環可靠度提升。
(金屬覆蓋積層板100之製造方法)
接著，針對本實施形態的金屬覆蓋積層板100之製造方法進行說明。金屬覆蓋積層板100係藉由對含有熱硬化性樹脂、填充材及纖維基材的預浸體施行加熱硬化而獲得。此處所使用的預浸體係薄片狀材料，介電特性、高溫多濕下的機械、電氣式耦接可靠度等各種特性均優異，頗適用於印刷佈線基板用金屬覆蓋積層板100的製造。
金屬覆蓋積層板100係如上述，經由多數製程而製造的複合材料，在其內部內含有製造步驟中所生成的應變。所以，推測在金屬箔蝕刻後的迴焊處理時，該應變會被釋放而引發尺寸變化。
本發明者發現在預浸體之製造中，利用使纖維基材含潤樹脂組成物的步驟，將纖維基材的張力調節於低壓，便緩和在金屬覆蓋積層板100內部所生成的應變，可獲得尺寸變化率滿足上述範圍的金屬覆蓋積層板100。
所以，本實施形態的預浸體係例如使經將張力調整為低壓的纖維基材，含潤著含有一或二以上熱硬化性樹脂及填充材的樹脂組成物，然後藉由使所含潤樹脂組成物半硬化便可獲得。
本實施形態中，使樹脂組成物含潤於纖維基材的方法，係在能將對纖維基材所施加張力調節成低壓之前提下，其於並無限定，可例如：(1)將具支撐基材之絕緣樹脂層積層於纖維基材上的方法；(2)將樹脂組成物溶解於溶劑中而製備樹脂清漆，再將樹脂清漆塗佈於纖維基材上的方法等。
該等之中，更佳係(1)將具支撐基材之絕緣樹脂層積層於纖維基材上的方法。因為將具支撐基材之絕緣樹脂層積層於纖維基材上的方法，可輕易將對纖維基材所施加張力調節於低壓，因而可更加降低在絕緣層101中囤積的應力。所以，可更加減輕安裝時的金屬覆蓋積層板100之翹曲。
特別係纖維基材的厚度在0.2mm以下時，較佳係(1)將具支撐基材之絕緣樹脂層積層於纖維基材上的方法。根據此方法，可自如地調節樹脂組成物對纖維基材的含潤量，俾可更加提升預浸體的成形性。另外，當將具支撐基材之絕緣樹脂 層積層於纖維基材上之時，更加係使用真空的積層裝置等。
以下，針對採用(1)將具支撐基材之絕緣樹脂層積層於纖維基材上的方法，執行預浸體之製造方法進行說明，亦針對金屬覆蓋積層板100的構成材料逐項說明。圖2所示係預浸體之製造方法的剖視圖。圖3所示係針對本實施形態的預浸體之製造方法所使用支撐基材13、絕緣樹脂層15a、15b、及纖維基材11，例示各自寬度方向尺寸的形態例概略圖。
採用(1)積層著具支撐基材之絕緣樹脂層方法的預浸體之製造方法，係包括有：(A)分別準備在支撐基材13的單面上形成含有熱硬化性樹脂與填充材之絕緣樹脂層15a的第一載體材料5a，與在支撐基材13的單面上形成含有熱硬化性樹脂與填充材之絕緣樹脂層15b的第二載體材料5b之步驟；(B)使第一載體材料5a的絕緣樹脂層15a側、與第二載體材料5b的絕緣樹脂層15b側，分別重疊於纖維基材11的雙面上，於減壓條件下施行該等的積層，而使絕緣樹脂層15a與絕緣樹脂層15b含潤於纖維基材中的步驟。
首先，針對上述(A)步驟進行說明。
在上述(A)步驟中，分別製造準備在支撐基材13的單面上形成含有熱硬化性樹脂與填充材之絕緣樹脂層15a的第一載體材料5a，與在支撐基材13的單面上形成含有熱硬化性樹脂與填充材之絕緣樹脂層15b的第二載體材料5b。第一載體材料5a與第二載體材料5b係在支撐基材13的單面側 上，分別由絕緣樹脂層15a與絕緣樹脂層15b形成薄層狀。絕緣樹脂層15a與絕緣樹脂層15b係可在支撐基材13的單面側形成既定厚度。
第一載體材料5a及第二載體材料5b之製造方法並無別的限定，可例如：使用間歇滾筒塗佈機、刀式塗佈機、模具塗佈機等各種塗佈機裝置，將樹脂組成物塗佈於支撐基材13上的方法；使用噴霧噴嘴等各種噴塗機裝置，將樹脂組成物塗佈於支撐基材13上的方法等。
該等之中，較佳係使用各種塗佈機裝置，將樹脂組成物塗佈於支撐基材13上的方法。藉此，可利用簡易的裝置，形成厚度精度優異的絕緣樹脂層15a、15b。
在支撐基材13上塗佈樹脂組成物之後，視需要可在常溫或加溫下使進行乾燥。藉此，當在製備樹脂組成物實有使用有機溶劑或分散介質等的情況，便可將實質地去除該等，俾消除絕緣樹脂層表面的沾黏性，成為處置性優異的第一載體材料5a、第二載體材料5b。
再者，在熱硬化性樹脂的硬化反應進行至中途，亦可調整後述(B)步驟或(C)步驟的絕緣樹脂層15a、15b之流動性。
上述在加溫下使乾燥的方法並無別的限定，最好使用使用熱風乾燥裝置、紅外線加熱裝置等施行連續式處理的方法。
本實施形態的第一載體材料5a、第二載體材料5b中，絕緣樹脂層15a、15b的厚度係可配合所使用纖維基材11的厚 度等再行適當設定。例如可設為1μm以上且100μm以下。
另外，該絕緣樹脂層15a、15b係可使用相同熱硬化性樹脂依單次或複數次塗佈形成，亦可使用不同熱硬化性樹脂依複數次塗佈形成。
依此在製造第一載體材料5a、第二載體材料5b之後，於有形成絕緣樹脂層15a、15b的上面側(即支撐基材13的對向面側)，為保護絕緣樹脂層表面，亦可重疊保護薄膜。
支撐基材13最好使用例如長條狀薄片形態物。支撐基材13的材質並無別的限定，最好使用例如：由聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚醯亞胺等熱可塑性樹脂所形成的熱可塑性樹脂薄膜、或由銅、銅合金、鋁、鋁合金、銀、銀合金等金屬所形成的金屬箔等等。
該等之中，形成熱可塑性樹脂薄膜的熱可塑性樹脂，就從耐熱性優異且廉價的觀點，較佳係聚對苯二甲酸乙二酯。
再者，形成金屬箔的金屬係就從導電性優異、利用蝕刻進行電路形成較為容易、且廉價的觀點，較佳為銅或銅合金。
當上述支撐基材13係使用熱可塑性樹脂薄膜薄片的情況，對絕緣樹脂層15a、15b所形成之面最好施行能剝離的處理。藉此，在預浸體製造時或製造後，可將絕緣樹脂層15a、15b、與支撐基材13輕易地予以分離。
該熱可塑性樹脂薄膜薄片的厚度，係可使用例如15μm以上且75μm以下。此情況，可使製造第一載體材料5a、第二 載體材料5b時的作業性呈良好。
若熱可塑性樹脂薄膜的厚度在上述下限值以上，便可充分確保製造第一載體材料5a、第二載體材料5b時的機械強度。又，若在上述上限值以下，便可提升第一載體材料5a、第二載體材料5b的生產性。
當支撐基材13係使用金屬箔時，亦可使用經對絕緣樹脂層15a、15b所形成之面施行能剝離處理者，亦可使用未施行此種處理、或經施行與絕緣樹脂層15a、15b間之密接性處理者。
當支撐基材13係使用經對絕緣樹脂層15a、15b所形成之面施行能剝離處理的金屬箔時，便可顯現出與使用上述熱可塑性樹脂薄膜的情況為同樣效果。
該金屬箔的厚度係例如1μm以上且70μm以下。藉此，可使製造第一載體材料5a、第二載體材料5b時的作業性呈良好。
若金屬箔的厚度在上述下限值以上，便可充分確保製造第一載體材料5a、第二載體材料5b時的機械強度。又，若厚度在上述上限值以下，便可提升第一載體材料5a、第二載體材料5b的生產性。
另外，當支撐基材係使用對熱可塑性樹脂薄膜、或絕緣樹脂層15a、15b所形成面施行能剝離處理的金屬箔時，絕緣樹脂層15a、15b所形成側的支撐基材13表面凹凸，最好盡 量小。藉此，當製造金屬覆蓋積層板100時，可提高絕緣層101的表面平滑性，因而在對絕緣層101表面施行粗化處理後，當利用金屬鍍敷等形成新導體層時，便可更輕易地加工形成細微電路。
另一方面，當支撐基材係使用未施行能剝離處理、或經施行與絕緣樹脂層15a、15b間之密接性處理的金屬箔時，於金屬覆蓋積層板100製造時，便可將該金屬箔直接使用為電路形成用的導體層(圖1的金屬箔103)。
此時，絕緣樹脂層15a、15b所形成側的支撐基材表面凹凸並無別的限定，可使用例如Ra：0.1μm以上且1.5μm以下。
此情況，可充分確保絕緣層101與金屬箔103間之密接性，且藉由對該金屬箔103施行蝕刻處理等，便可輕易地加工形成細微電路。
再者，該金屬箔103的厚度較佳係使用例如1μm以上且35μm以下。若該金屬箔103的厚度在上述下限值以上，便可充分確保製造第一載體材料5a、第二載體材料5b時的機械強度。又，若厚度在上述上限值以下，便可輕易地加工形成細微電路。
該金屬箔103係可使用為製造預浸體時所使用第一載體材料5a、第二載體材料5b中至少其中一者的支撐基材13，進行預浸體製造。
另外，該用途所使用的金屬箔103亦可使用由單一層所形成的金屬箔103，亦可使用由金屬箔103彼此間能剝離的2以上層構成之金屬箔103。例如可將密接於絕緣層側的第1金屬箔103、與在密接於絕緣層側之對向側呈能支撐第1金屬箔103的第2金屬箔103，依能剝離地接合之雙層構造金屬箔。
接著，針對上述(B)步驟進行說明。
上述(B)步驟中，使絕緣樹脂層已形成於支撐基材單面上的第一載體材料5a、第二載體材料5b之絕緣樹脂層側，分別重疊於纖維基材11的雙面，再於減壓條件下將該等予以積層。圖2所示係使第一載體材料5a、第二載體材料5b、與纖維基材11重疊時的一例。
預先製造將第一樹脂組成物塗佈於基材上的第一載體材料5a、以及將第二樹脂組成物塗佈於基材上的第二載體材料5b。接著，使用真空積層裝置60，於減壓下從纖維基材11的雙面重疊著第一載體材料5a與5b，視需要利用經加熱至樹脂組成物呈熔融的溫度以上之層壓輥61進行接合，使在基材上所塗佈的樹脂組成物含潤於纖維基材11中。
此處，藉由在減壓下施行接合，當第一載體材料5a、第二載體材料5b的絕緣樹脂層、與纖維基材11進行接合時，即便在纖維基材11的內部、或第一載體材料5a、第二載體材料5b的絕緣樹脂層、與纖維基材11間之接合部位有存在 非填充部分，仍可將其形成減壓孔隙或實質的真空孔隙。該減壓下的接合較佳係依7000Pa以下實施。更佳係3000Pa以下。藉此可提高顯現出上述效果。
在此種減壓下，將纖維基材11、與第一載體材料5a、第二載體材料5b進行接合的其他裝置，可舉例如真空箱裝置、真空貝克勒(becquerel)裝置等。
纖維基材11係可朝與第一載體材料5a、第二載體材料5b的搬送方向為相同方向進行連續式供應‧搬送，在寬度方向上具有尺寸。此處，所謂「寬度方向的尺寸」係指纖維基材11搬送方向的正交方向上之纖維基材11尺寸。此種纖維基材11最好使用例如長條狀薄片形態物。
將第一載體材料5a、第二載體材料5b、與纖維基材11進行積層時，最好加溫至絕緣樹脂層能熔融的溫度。藉此，可輕易地將第一載體材料5a、第二載體材料5b、與纖維基材11予以接合。又，藉由將絕緣樹脂層至少其中一部分熔融而使含潤於纖維基材11內部，便可輕易地獲得含潤性佳的預浸體。
此處，加溫的方法並無別的限定，最好採用例如施行接合時使用已加熱至既定溫度之層壓輥的方法等。
此處，加溫的溫度(以下亦稱「積層溫度」)，係依照形成絕緣樹脂層的樹脂種類與配方而有所差異，並無別的限定，較佳係形成絕緣樹脂層的樹脂軟化點+10℃以上之溫度、更 佳係軟化點+30℃以上。藉此，可將纖維基材11與絕緣樹脂層輕易地接合。又，可提高積層速度，並可更加提升金屬覆蓋積層板100的生產性。例如可依60℃以上且150℃以下實施。軟化點係可依例如動態黏彈性試驗的G'/G"尖峰溫度予以規定。
再者，積層時的積層速度較佳係0.5m/分以上且10m/分以下、更佳係1.0m/分以上且10m/分以下。若0.5m/分以上，便可充分積層，更若達1.0m/分以上，便可更加提升生產性。
再者，積層時施行加壓的其他方法並無別的限定，可採用例如油壓方式、氣壓方式、間隙壓力方式等能施加既定壓力的習知公知方式。
該等之中，較佳係實施不會對上述所接合物實質作用壓力的方法。根據該方法，因為在(B)步驟不會使樹脂成分過度流動，因而可效率佳製造具有所需絕緣層厚度、且在該絕緣層厚度具有高均勻性的預浸體。
再者，因為可將因樹脂成分的流動而作用於纖維基材11的應力形成最小極限，因而可使內部應變成為非常少。又，因為樹脂成分熔融時，實質不會有壓力作用，因而該步驟中實質不會發生壓痕不良。
因而，積層壓力並無別的限定，較佳係15N/cm2以上且250N/cm2以下範圍內、更佳係20N/cm2以上且100N/cm2以下範圍內。若在此範圍內，便可更加提升生產性，可更有效 率地獲得滿足上述尺寸變化率範圍的金屬覆蓋積層板100。
再者，在積層時，對纖維基材11所施加的張力最好盡可能降低至不會發生皺摺等外觀上不良情況的程度。具體係25N/m以上且350N/m以下的範圍內、更佳係35N/m以上且250N/m以下的範圍內、特佳係55N/m以上且150N/m以下的範圍內。藉由將張力設為上述範圍內，便可緩和在預浸體內部所生成的應變，結果可效率更佳地獲得滿足上述尺寸變化率範圍的金屬覆蓋積層板100。
再者，本實施形態中，於積層步驟之前，亦可施行對纖維基材11所施加張力的張力截斷(tension cut-off)步驟。藉此，可解除依低張力進行積層時所生成皺摺等外觀上不良情況。
張力截斷的方法並無別的限定，可使用例如夾輥、S字夾輥等已知的張力截斷法。又，張力截斷係藉由在積層前導入張力截斷裝置便可達成。藉由依照如上述例示方法施行張力截斷，便可在不會損及纖維基材11搬送性之情況下，無限制地減少張力。故，可更加抑制積層時所發生成為尺寸變化原因的應變生成。
本實施形態中，實施積層的手段具體構造並無別的限定，為使所獲得金屬覆蓋積層板100的外觀呈良好，亦可在加壓面與支撐基材11之間配置保護薄膜。
接著，針對各個寬度方向尺寸的關係，使用圖3(1)~(3)進行說明。圖3所示係針對本實施形態的預浸體之製造方法中 所使用支撐基材、絕緣樹脂層、及纖維基材，就各自寬度方向尺寸的形態例概略圖。
圖3(1)~(3)中，第一載體材料5a、第二載體材料5b係使用具有寬度方向尺寸較大於纖維基材11的支撐基材13，且具有寬度方向尺寸較大於纖維基材11的絕緣樹脂層15。此處，支撐基材13、絕緣樹脂層15a、15b、及纖維布的各自寬度方向尺寸關係，如圖3(1)所示。
該形態係在上述(B)步驟中，於纖維基材11的寬度方向尺寸內側區域(即寬度方向上，纖維基材11所存在區域)，可分別施行第一載體材料5a的絕緣樹脂層15a、與纖維基材11之接合，以及第二載體材料5b的絕緣樹脂層15b、與纖維基材11之接合。
再者，在纖維基材11的寬度方向尺寸外側區域(即無存在纖維基材11的區域)，可將第一載體材料5a的絕緣樹脂層15a面、與第二載體材料5b的絕緣樹脂層15b面施行直接接合。此狀態如圖3(2)所示。
然後，因為該等接合係在減壓下實施，因而即便纖維基材11的內部、或在第一載體材料5a、第二載體材料5b的絕緣樹脂層15a、15b、與纖維基材11間之接合面等處殘存有非填充部分，仍可將該等形成減壓孔隙或實質的真空孔隙，因而當在(B)步驟後的(C)步驟，依樹脂的熔融溫度以上溫度域施行加熱處理時，便可使其輕易地消失。然後，在(C)步驟 中，可防止空氣從寬度方向的周邊部侵入而形成新孔隙。此狀態如圖3(3)所示。
再者，第一載體材料5a、第二載體材料5b亦可使用具有寬度方向尺寸較大於纖維基材11的支撐基材13，且第一載體材料5a、第二載體材料5b中之其中一者(例如第一載體材料5a)係使用具有寬度方向尺寸較大於纖維基材11的絕緣樹脂層15a者，第二載體材料5b則使用具有寬度方向尺寸與纖維基材11相同的絕緣樹脂層15b者。
再者，第一載體材料5a、第二載體材料5b亦可使用具有寬度方向尺寸與纖維基材11相同之絕緣樹脂層15a、15b者。
在上述(B)步驟之後，亦可執行(C)使用熱風乾燥裝置62，依絕緣樹脂熔融溫度以上的溫度施行加熱處理的步驟。藉此，可幾乎消除在減壓下進行接合步驟時所生成的減壓孔隙等。
施行加熱處理的其他方法並無別的限定，例如可使用紅外線加熱裝置、加熱輥裝置、平板狀熱盤壓合裝置、熱循環加熱裝置、感應加熱裝置等，能依既定溫度加熱的習知公知加熱裝置實施。該等之中，較佳係對上述接合物實質不會作用壓力的實施方法。
使用熱風乾燥裝置、紅外線加熱裝置時，可實質不會對上述接合物作用壓力地實施。根據此方法，因為不會使樹脂成分過度流動，因而可更有效率地製造具有所需絕緣層厚度、 且在該絕緣層厚度具有高均勻性的預浸體。
再者，當使用加熱輥裝置、平板狀熱盤壓合裝置的情況，可依對上述接合物作用既定壓力實施。又，因為可將隨樹脂成分流動而作用於纖維基材的應力成為最小極限，因而可將內部應變成為非常少。
再者，樹脂成分熔融時，因為實質不會有壓力作用，因而可實質地消除該步驟中發生壓痕不良。
加熱溫度係依照形成樹脂層的樹脂種類與配合而有所差異，並無別的限定，較佳係設為所使用熱硬化性樹脂會熔融、且熱硬化性樹脂的硬化反應不會急遽進行的溫度域。
再者，加熱處理的時間係依照所使用熱硬化性樹脂的種類等而有所差異，並無別的限定，例如可實施1~10分鐘處理。
本實施形態的預浸體之製造方法中，於上述(B)步驟或(C)步驟後，視需要亦可施行連續捲取上述所獲得預浸體的步驟。藉此，因為可將預浸體形成捲筒形態，因而可提升使用預浸體進行金屬覆蓋積層板100等之製造時的處置作業性。
再者，上述方法以外的本實施形態預浸體之製造方法，可舉例如(2)將樹脂組成物溶解於溶劑中而製備樹脂清漆，在將樹脂清漆塗佈於纖維基材上的方法等。例如參考文獻1(日本專利特開2010-275337號公報)中段落0022~0041所記載方法。以下參照圖4進行具體說明。
藉由依通過屬於模具塗佈機之具備有第1塗佈裝置1a與 第2塗佈裝置1b的塗佈機間之方式搬送著纖維基材3，便在纖維基材3的雙面上於每單面上均分別塗佈著樹脂清漆4。第1塗佈裝置1a與第2塗佈裝置1b係可使用相同模具塗佈機、亦可使用不同的模具塗佈機。又，如圖5所示，第1塗佈裝置1a與第2塗佈裝置1b亦可使用輥塗機。又，塗佈間距離L與前端重複距離D係如圖4與圖5所示，最好具有一定距離，但亦可如圖6所示，未具有一定距離。
第1塗佈裝置1a與第2塗佈裝置1b分別具有塗佈前端部2，各個塗佈前端部2係朝纖維基材3的寬度方向呈細長形成。然後，屬於第1塗佈裝置1a之塗佈前端部的第1塗佈前端部2a，係朝纖維基材3其中一面突出，而屬於第2塗佈裝置1b之塗佈前端部的第2塗佈前端部2b，係朝纖維基材3另一面突出。藉此，在樹脂清漆4塗佈時，第1塗佈前端部2a會隔著樹脂清漆4接觸到纖維基材3其中一面，而第2塗佈前端部2b則隔著樹脂清漆4接觸到纖維基材3另一面。
從第1塗佈裝置1a與第2塗佈裝置1b所吐出的樹脂清漆4每單位時間吐出量，係可為相同、亦可為不同。藉由使樹脂清漆每單位時間的吐出量不同，便將所塗佈樹脂清漆4的厚度分開纖維基材3其中一面與另一面進行個別控制，俾可輕易地施行樹脂層的層厚調整。
利用乾燥機依既定溫度加熱，使所塗佈樹脂清漆4的溶 劑，且使樹脂組成物呈半硬化而製造預浸體。依此，藉由僅將必要樹脂量供應給纖維基材11，便可將對纖維基材11所作用的應力成為最小極限，俾緩和預浸體內部所生成的應變。
另外，(2)將樹脂組成物溶解於溶劑中而製備樹脂清漆，再將樹脂清漆塗佈於纖維基材的方法，就所使用材料與加工條件，較佳係使用根據上述採用(1)將具支撐基材之絕緣樹脂層進行積層方法的預浸體製造方法，所使用之材料與加工條件。
再者，樹脂清漆所使用的溶劑較佳係對樹脂組成物中的樹脂成分呈現良好溶解性，但在不致造成不良影響的範圍內亦可使用貧溶劑。呈現良好溶解性的溶劑可舉例如：丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、環己酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲亞碸、乙二醇、賽珞蘇系、卡必醇系等。
樹脂清漆的固形份並無別的限定，較佳係40質量%以上且80質量%以下、更佳係50質量%以上且65質量%以下。藉此，可更加提升樹脂清漆對纖維基材的含潤性。使纖維基材含潤樹脂組成物，再依既定溫度(例如80℃以上且200℃以下等)施行乾燥，便可獲得預浸體。
接著，針對使用依上述所獲得預浸體的金屬覆蓋積層板100之製造方法進行說明。使用預浸體的金屬覆蓋積層板100之製造方法並無別的限定，可例如下述。
從獲得預浸體上剝離支撐基材後，在預浸體外側的上下雙面或單面上重疊著金屬箔103，使用層壓機裝置或貝克勒裝置在高真空條件下將該等予以接合，或者直接便在預浸體外側的上下雙面或單面上重疊金屬箔。
接著，將在預浸體上重疊金屬箔者利用真空壓合機施行加熱、加壓、或者利用乾燥機施行加熱，藉此便可獲得金屬覆蓋積層板100。
金屬箔103的厚度係例如1μm以上且35μm以下。若該金屬箔103的厚度係在上述下限值以上，便可充分確保製造第一載體材料5a、第二載體材料5b時的機械強度。又，若厚度在上述上限值以下，便容易加工形成細微電路。
另外，當支撐基材係使用金屬箔時，亦可在未使支撐基材剝離之情況下，直接使用為金屬覆蓋積層板100。
構成金屬箔103的金屬可舉例如：銅、銅系合金、鋁、鋁系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、鋅、鋅系合金、鎳、鎳系合金、錫、錫系合金、鐵、鐵系合金、Kovar(商標名)、42合金、因瓦或超因瓦等Fe-Ni系合金、鎢、鉬等。又，亦可使用具載體之電解銅箔等。
(金屬覆蓋積層板之構成材料)
以下，針對製造金屬覆蓋積層板100時所使用的各材料進行詳細說明。
(熱硬化性樹脂)
熱硬化性樹脂並無別的限定，較佳係具有低線膨脹率與高彈性模數、且熱衝擊性可靠度優異者。
再者，熱硬化性樹脂依動態黏彈性測定所獲得頻率1Hz下的玻璃轉移溫度，較佳係160℃以上、更佳係200℃以上。藉由使用具有此種玻璃轉移溫度的樹脂組成物，便可獲得更加提升無鉛焊錫迴焊耐熱性的效果。又，相關熱硬化性樹脂依動態黏彈性測定所獲得頻率1Hz下的玻璃轉移溫度上限，並無別的限定，可設為350℃以下。
具體的熱硬化性樹脂可舉例如：酚酚醛樹脂、甲酚酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂等酚醛型酚樹脂；未改質的酚醛酚樹脂、或經桐油、亞麻仁油、核桃油等改質過的油改質酚醛酚樹脂等酚醛型酚樹脂等等酚樹脂；雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂；聯苯基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、芳伸烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等環氧樹脂；脲(尿素)樹脂、三聚氰胺樹脂等具三環的樹脂；不飽和聚酯樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、聚胺甲酸乙酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚矽氧樹脂、具苯并環的樹脂、 氰酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯環丁烯樹脂等等。
可單獨使用該等中之1種，亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上，亦可併用1種或2種以上、與該等的預聚物。
該等之中特佳係氰酸酯樹脂(包括氰酸酯樹脂的預聚物)。藉由使用氰酸酯樹脂，便可減小絕緣層101的線膨脹係數。又，藉由使用氰酸酯樹脂，便可提升絕緣層101的電氣特性(低介電常數、低介電損耗)、機械強度等。
氰酸酯樹脂係可使用例如：使鹵化氰化合物與酚類進行反應者、或視需要經利用加熱等方法施行預聚物化者等。具體可舉例如：酚醛型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂；由萘酚芳烷基型多元萘酚類、與鹵化氰進行反應而獲得的氰酸酯樹脂；雙環戊二烯型氰酸酯樹脂、聯苯基烷基型氰酸酯樹脂等等。該等之中較佳係酚醛型氰酸酯樹脂。藉由使用酚醛型氰酸酯樹脂，便會增加絕緣層101的交聯密度，提升絕緣層101的耐熱性。所以，可提升絕緣層101的難燃性。
該理由係例如酚醛型氰酸酯樹脂經硬化反應後會形成三環。又，可認為酚醛型氰酸酯樹脂在構造上的苯環比例較高，較容易碳化的緣故所致。又，即便將絕緣層101的厚度 設為0.6mm以下的情況，含有使酚醛型氰酸酯樹脂硬化而製得絕緣層101的金屬覆蓋積層板100，仍具有優異剛性。 特別係此種金屬覆蓋積層板100因為在加熱時的剛性優異，因而半導體元件安裝時的可靠度亦優異。
酚醛型氰酸酯樹脂係使用例如下述一般式(1)所示者：
一般式(1)所示酚醛型氰酸酯樹脂的平均重複單元n係任意整數。n的下限並無別的限定，較佳係1以上、更佳係2以上。若n在上述下限值以上，便可提升酚醛型氰酸酯樹脂的耐熱性，在加熱時能抑制低量物脫離、揮發。又，n的上限並無別的限定，較佳係10以下、更佳係7以下。若n在上述上限值以下，便可抑制熔融黏度變高，可抑制絕緣層101的成形性降低。
再者，氰酸酯樹脂亦頗適用下述一般式(II)所示萘酚型氰酸酯樹脂。下述一般式(II)所示萘酚型氰酸酯樹脂，係例如使由α-萘酚或β-萘酚等萘酚類、與對伸若二醇、α,α'-二甲氧基-對二甲苯、1,4-二(2-羥基-2-丙基)苯等進行反應而獲得的萘酚芳烷基樹脂，與氰酸進行縮合而獲得者。一般式(II)的n更佳係10以下。當n為10以下的情況，具有樹脂黏度 不會變高，且對纖維基材的含潤性良好，不會使當作金屬覆蓋積層板100時的性能降低之傾向。又，具有在合成時不易引發分子內聚合，提升水洗時的分液性，並能防止產量降低的傾向。
(式中，R係表示氫原子或甲基；n係表示1以上的整數。)
再者，氰酸酯樹脂亦頗適於使用下述一般式(III)所示雙環戊二烯型氰酸酯樹脂。下述一般式(III)所示雙環戊二烯型氰酸酯樹脂較佳係下述一般式(III)的n為0以上且8以下。當n在8以下的情況，具有樹脂黏度不會變高，且對纖維基材的含潤性良好，不會使當作金屬覆蓋積層板100時的性能降低之傾向。又，藉由使用雙環戊二烯型氰酸酯樹脂，可提升積層板的低吸濕性與耐藥性。
(n係表示0以上且8以下的整數。)
氰酸酯樹脂的重量平均分子量(Mw)下限並無別的限定，較佳係Mw500以上、更佳係Mw600以上。若Mw在上述 下限值以上，當製作樹脂層時可抑制發生沾黏性，俾可抑制樹脂層彼此間相接觸時發生相互附著、或樹脂轉印情形。又，Mw的上限並無別的限定，較佳係Mw4,500以下、更佳係Mw3,000以下。又，若Mw在上述上限值以下，便可抑制反應變快速，俾可抑制當作為印刷佈線基板時，發生成形不良、或導致層間剝離強度降低。
氰酸酯樹脂等的Mw係例如利用GPC(凝膠滲透色層分析儀、標準物質：聚苯乙烯換算)便可測定。
再者，雖無別的限定，氰酸酯樹脂係可單獨使用1種、亦可併用2種以上具有不同Mw者，亦可併用1種或2種以上、與該等的預聚物。
樹脂組成物中所含熱硬化性樹脂的含有量，係只要配合目的再行適當調整便可，其餘並無別的限定，相對於樹脂組成物整體，較佳係5質量%以上且90質量%以下、更佳係10質量%以上且80質量%以下、特佳係20質量%以上且50質量%以下。若熱硬化性樹脂含有量在上述下限值以上，便會提升樹脂組成物的操作性，使樹脂層的形成趨於容易。若熱硬化性樹脂的含有量在上述上限值以下，便會有絕緣層101的強度與難燃性獲提升、或絕緣層101的線膨脹係數降低而提升積層板翹曲減輕效果的情況。
熱硬化性樹脂係可使用氰酸酯樹脂(特別係酚醛型氰酸酯樹脂、萘酚型氰酸酯樹脂、雙環戊二烯型氰酸酯樹脂)，此 外亦可使用環氧樹脂(實質未含鹵原子)、亦可併用。環氧樹脂係可舉例如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂；聯苯基型環氧樹脂、伸苯二甲基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂等芳伸烷型環氧樹脂；萘酚型環氧樹脂、萘二醇型環氧樹脂、雙官能基至四官能基環氧型萘樹脂、萘醚型環氧樹脂、聯萘型環氧樹脂、萘芳烷基型環氧樹脂等萘型環氧樹脂；蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等。
環氧樹脂係可單獨使用該等中之1種、亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上、亦可併用1種或2種以上、與該等的預聚物。
該等環氧樹脂中特佳係芳伸烷型環氧樹脂。藉此可更加提升絕緣層101的吸濕焊錫耐熱性與難燃性。
所謂「芳伸烷型環氧樹脂」係指重複單元中具有一以上芳伸烷基的環氧樹脂。例如：伸苯二甲基型環氧樹脂、聯苯二亞甲基型環氧樹脂等。該等之中較佳係聯苯二亞甲基型環氧樹脂。聯苯二亞甲基型環氧樹脂可舉例如下述一般式(IV)所示：
上述一般式(IV)所示聯苯二亞甲基型環氧樹脂的平均重複單元n係任意整數。n的下限並無別的限定，較佳係1以上、更佳係2以上。若n在上述下限值以上，便可抑制聯苯二亞甲基型環氧樹脂的結晶化，因為提升對通用溶劑的溶解性，因而處置較為容易。n的上限並無別的限定，較佳係10以下、更佳係5以下。若n在上述上限值以下，便提升樹脂流動性，能抑制發生絕緣層101成形不良等情況。
除上述以外的環氧樹脂較佳係具有縮合環芳香族烴結構的酚醛型環氧樹脂。藉此，可更加提升絕緣層101的耐熱性、低熱膨脹性。
具有縮合環芳香族烴結構的酚醛型環氧樹脂係例如：萘、蒽、菲、稠四苯、、芘、聯伸三苯、及四吩(tetraphene)等，以及具有其他縮合環芳香族烴結構的酚醛型環氧樹脂。具有縮合環芳香族烴結構的酚醛型環氧樹脂，因為複數芳香環可呈規則性排列，因而低熱膨脹性優異。又，因為玻璃轉移溫度亦高，因而耐熱性優異。又，因為重複結構的分子量較大，因而相較於習知酚醛型環氧之下，難燃性較優異，藉由與氰酸酯樹脂組合，便可改善氰酸酯樹脂弱點的脆弱性。所以，藉由併用氰酸酯樹脂，便可更加提高樹脂層101的玻 璃轉移溫度，因而可提升因應無鉛的安裝可靠度。
具有縮合環芳香族烴結構的酚醛型環氧樹脂，係將由酚類化合物、與甲醛類化合物、及縮合環芳香族烴化合物進行合成的酚醛型酚樹脂，施行環氧化者。
酚類化合物並無別的限定，可例如：酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚等甲酚類；2,3-二甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、2,6-二甲酚、3,4-二甲酚、3,5-二甲酚等二甲酚類；2,3,5-三甲酚等三甲酚類；鄰乙酚、間乙酚、對乙酚等乙酚類；異丙酚、丁酚、第三丁酚等烷基酚類；鄰苯基酚、間苯基酚、對苯基酚、鄰苯二酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘等萘二醇類；間苯二酚、鄰苯二酚、氫醌、五倍子酚、氟甘胺酸(fluoroglucin)等多元酚類；烷基間苯二酚、烷基鄰苯二酚(alkylcatechol)、烷基氫醌等烷基多元酚類。該等之中，就從成本面與賦予分解反應的效果觀之，較佳係酚。
醛類化合物並無別的限定，可舉例如：甲醛、仲甲醛、三烷、乙醛、丙醛、聚縮醛、三氯乙醛、六亞甲基四胺、糠醛、乙二醛、正丁醛、己醛、烯丙醛、苯甲醛、巴豆醛、丙烯醛、四甲醛、苯乙醛、鄰甲苯甲醛、水楊醛、二羥基苯甲醛、三羥基苯甲醛、4-羥基-3-甲氧基醛并仲甲醛等。
縮合環芳香族烴化合物並無別的限定，可舉例如：甲氧基萘、丁氧基萘等萘衍生物；甲氧基蒽等蒽衍生物；甲氧基菲等菲衍生物；其他尚可例如：稠四苯衍生物、衍生物、芘 衍生物、衍生物聯伸三苯、四吩衍生物等。
具有縮合環芳香族烴結構的酚醛型環氧樹脂並無別的限定，可舉例如：甲氧基萘改質鄰甲酚酚醛環氧樹脂、丁氧基萘改質間/對甲酚酚醛環氧樹脂、及甲氧基萘改質酚醛環氧樹脂等。該等之中，較佳係具有依下式(V)所示縮合環芳香族烴結構的酚醛型環氧樹脂： (式中，Ar係縮合環芳香族烴基。R係可互為相同亦可不同，選自氫原子、碳數1以上且10以下的烴基、鹵元素、苯基、苄基等芳基、及含環氧丙基醚的有機基之中的基。n、p、及q係1以上的整數。p、q的值係每個重複單元係為相同、亦可為不同。)
(式(V)中的Ar係式(VI)中依(Ar1)~(Ar4)所示結構。式(VI) 中的R係可互為相同亦可不同，選自氫原子、碳數1以上且10以下的烴基、鹵元素、苯基、苄基等芳基、及含環氧丙基醚的有機基之中的基。)
再者，除上述以外的環氧樹脂較佳係萘酚型環氧樹脂、萘二醇型環氧樹脂、雙官能基至四官能基環氧型萘樹脂、萘醚型環氧樹脂等萘型環氧樹脂。藉此可更加提升絕緣層101的耐熱性、低熱膨脹性。
再者，相較於苯環之下，因為萘環的π-π堆疊效應(stacking effect)較高，因而特別係低熱膨脹性、低熱收縮性優異。又，因為屬多環結構，因而剛直效果較高，且玻璃轉移溫度特別高，所以迴焊前後的熱收縮變化較小。
萘酚型環氧樹脂可舉例如下述一般式(VII-1)所示，萘二醇型環氧樹脂可舉例如下式(VII-2)所示，雙官能基至四官能基環氧型萘樹脂可舉例如下式(VII-3)、(VII-4)、(VII-5)所示，萘醚型環氧樹脂可舉例如下述一般式(VII-6)所示： (n係表示平均1以上且6以下的數。R係表示環氧丙基、或碳數1以上且10以下的烴基。)
[化8] (式中，R1係表示氫原子或甲基。R2係表示各自獨立的氫原子、碳原子數1~4之烷基、芳烷基、萘基、或含環氧丙基醚基之萘基。o與m分別係表示0~2的整數，且o或m任一者為1以上。)
環氧樹脂含有量的下限並無別的限定，相對於樹脂組成物整體，較佳係1質量%以上、更佳係2質量%以上。若含有量達上述下限值以上，便可提升氰酸酯樹脂的反應性，提升所獲得製品的耐濕性。環氧樹脂含有量的上限並無別的限定，較佳係55質量%以下、更佳係40質量%以下。若含有量在上述上限值以下，便可更加提升絕緣層101的耐熱性。
環氧樹脂的重量平均分子量(Mw)下限並無別的限定，較佳係Mw500以上、更佳係Mw800以上。若Mw在上述下限值以上，便可抑制樹脂層出現沾黏性。Mw的上限並無別的限定，較佳係Mw20,000以下、更佳係Mw15,000以下。若Mw在上述上限值以下，於預浸體製作時，可提升樹脂組成物對纖維基材的含潤性，俾可獲得更均勻的製品。環氧樹脂的Mw係例如可使用GPC進行測定。
當熱硬化性樹脂係使用氰酸酯樹脂(特別係酚醛型氰酸酯樹脂、萘酚型氰酸酯樹脂、雙環戊二烯型氰酸酯樹脂)、環氧樹脂(芳伸烷型環氧樹脂，特別係聯苯二亞甲基型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴結構的酚醛型環氧樹脂、萘型環氧樹脂)時，較佳係更進一步使用酚樹脂。
酚樹脂係可舉例如：酚醛型酚樹脂、酚醛型酚樹脂、芳伸烷型酚樹脂等。酚樹脂係可單獨使用該等中之1種，亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上，亦可併用1種類或2種類以上、與該等的預聚物。該等之中，特佳係芳伸烷型 酚樹脂。藉此可更加提升金屬覆蓋積層板100的吸濕焊錫耐熱性。
芳伸烷型酚樹脂可舉例如：伸苯二甲基型酚樹脂、聯苯二亞甲基型酚樹脂等。聯苯二亞甲基型酚樹脂可舉例如下述一般式(VIII)所示：
上述一般式(VIII)所示聯苯二亞甲基型酚樹脂的重複單元n係任意整數。n的下限並無別的限定，較佳係1以上、更佳係2以上。若n達上述下限值以上，便可更加提升絕緣層101的耐熱性。又，重複單元n的上限並無別的限定，較佳係12以下、更佳係8以下。又，若n在上述上限值以下，便可提升與其他樹脂間之相溶性，俾提升樹脂組成物的作業性。
藉由前述氰酸酯樹脂(特別係酚醛型氰酸酯樹脂、萘酚型氰酸酯樹脂、雙環戊二烯型氰酸酯樹脂)、或環氧樹脂(芳伸烷型環氧樹脂，特別係聯苯二亞甲基型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴結構的酚醛型環氧樹脂、萘型環氧樹脂)、與芳伸烷型酚樹脂的組合，便可控制樹脂層的交聯密度，俾可輕易控制樹脂組成物的反應性。
酚樹脂含有量的下限並無別的限定，在樹脂組成物整體中 較佳係1質量%以上、更佳係5質量%以上。若酚樹脂含有量達上述下限值以上，便可提升絕緣層101的耐熱性。又，酚樹脂含有量的上限並無別的限定，在樹脂組成物整體中較佳係55質量%以下、更佳係40質量%以下。若酚樹脂含有量在上述上限值以下，便可提升絕緣層101的低熱膨脹特性。
酚樹脂的重量平均分子量(Mw)下限並無別的限定，較佳係Mw400以上、更佳係Mw500以上。若Mw在上述下限以上，便可抑制樹脂層發生沾黏性。又，酚樹脂的Mw上限並無別的限定，較佳係Mw18000以下、更佳係Mw15,000以下。若Mw在上述上限以下，於預浸體製作時，可提升樹脂組成物對纖維基材的含潤性，俾可獲得更均勻的製品。酚樹脂的Mw係例如可使用GPC進行測定。
再者，藉由使用氰酸酯樹脂(特別係酚醛型氰酸酯樹脂、萘酚型氰酸酯樹脂、雙環戊二烯型氰酸酯樹脂)、與酚樹脂(芳伸烷型酚樹脂，特別係聯苯二亞甲基型酚樹脂)、及環氧樹脂(芳伸烷型環氧樹脂，特別係聯苯二亞甲基型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴結構的酚醛型環氧樹脂、萘型環氧樹脂)之組合，進行基板(特別係印刷佈線基板)製作時，可獲得特別優異的尺寸安定性。
再者，樹脂組成物係可更進一步含有填充材。藉此，即便金屬覆蓋積層板100薄型化，仍可賦予更優異的機械強度。 又，可更加提升金屬覆蓋積層板100的低熱膨脹化。
(填充材)
填充材可舉例如：滑石、煅燒黏土、未煅燒黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽；氧化鈦、氧化鋁、水鋁土、二氧化矽、熔融二氧化矽等氧化物；碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽；氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物；硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽；硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽；氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等氮化物；鈦酸鍶、鈦酸鋇等鈦酸鹽等等。
填充材係可單獨使用該等中之1種、亦可併用2種以上。該等中較佳係二氧化矽，就從低熱膨脹性優異的觀點，較佳係熔融二氧化矽(特別係球狀熔融二氧化矽)。熔融二氧化矽的形狀係有破碎狀與球狀。為確保對纖維基材的含潤性，可採用為降低樹脂組成物熔融黏度而使用球狀二氧化矽等，配合目的而採取的使用方法。
填充材的平均粒徑下限並無別的限定，較佳係0.01μm以上、更佳係0.1μm以上。若填充材的粒徑在上述下限值以上，便可抑制清漆的黏度變高，俾可提升預浸體製作時的作業性。又，平均粒徑的上限並無別的限定，較佳係5.0μm以下、更佳係2.0μm以下。若填充材的粒徑在上述上限值以下，便可抑制清漆中的填充劑沉澱等現象，俾可獲得更均勻的絕緣層101。又，若內層基板的導體電路之L/S小於 20/20μm時，便可抑制對佈線間之絕緣性造成的影響。
填充材的平均粒徑係例如利用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(HORIBA製、LA-500)，依體積基準測定粒子的粒度分佈，並將中位直徑(D50)設為平均粒徑。
再者，填充材並無別的限定，可使用平均粒徑為單分散的填充材，亦可使用平均粒徑為多分散的填充材。又，亦可併用1種或2種以上的平均粒徑為單分散及/或多分散之填充材。
再者，本實施形態的樹脂組成物較佳係含有利用雷射繞射散射式粒度分佈測定法所測得體積基準粒度分佈中，中位直徑d50為100nm以下的奈米二氧化矽(特別係球狀奈米二氧化矽)。因為上述奈米二氧化矽可存在於粒徑較大的填充材間隙、與纖維基材的股束中，因而藉由含有奈米二氧化矽，便可更加提升填充材的填充性。
填充材的含有量並無別的限定，佔樹脂組成物整體中較佳係20質量%以上且80質量%以下、更佳係30質量%以上且75質量%以下。若含有量在上述範圍內，特別可將絕緣層101形成更低熱膨脹、低吸水。
再者，本實施形態所使用的樹脂組成物亦可摻合入橡膠成分，可使用例如橡膠粒子。橡膠粒子的較佳例係可舉例如：核殼型橡膠粒子、交聯丙烯腈-丁二烯橡膠粒子、交聯苯乙烯-丁二烯橡膠粒子、丙烯酸橡膠粒子、聚矽氧粒子等。
核殼型橡膠粒子係具有核層與殼層的橡膠粒子，例如外層殼層係由玻璃狀高分子構成，而內層核層係由橡膠狀高分子構成的雙層構造，或者外層殼層係由玻璃狀高分子構成，而中間層係由橡膠狀高分子構成，核層係由玻璃狀高分子構成的3層構造物等。玻璃狀高分子層係例如由甲基丙烯酸甲酯的聚合物等構成，橡膠狀高分子層係例如由丙烯酸丁酯聚合物(丁基橡膠)等構成。核殼型橡膠粒子的具體例可舉例如STAPHYLOID AC3832、AC3816N(商品名、Ganz Chemical公司製)、METABLEN KW-4426(商品名、三菱嫘縈公司製)。交聯丙烯腈-丁二烯橡膠(NBR)粒子的具體例可舉例如XER-91(平均粒徑0.5μm、JSR公司製)等。
交聯苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)粒子的具體例可舉例如XSK-500(平均粒徑0.5μm、JSR公司製)等。丙烯酸橡膠粒子的具體例可舉例如METABLEN W300A(平均粒徑0.1μm)、W450A(平均粒徑0.2μm)(三菱嫘縈公司製)等。
聚矽氧粒子係在由有機聚矽氧烷形成的橡膠彈性微粒子之前提下，其餘並無別的限定，例如由聚矽氧橡膠(有機聚矽氧烷交聯彈性體)構成的微粒子，以及由二次元交聯主體之聚矽氧構成的核心部，被三次元交聯型主體的聚矽氧所被覆之核殼構造粒子等。聚矽氧橡膠微粒子係可使用例如：KMP-605、KMP-600、KMP-597、KMP-594(信越化學公司製)；TORAYFIL® E-500、TORAYFIL® E-600(Toray‧Dow Corning公司製)等市售物。
橡膠粒子的含有量並無別的限定，合計上述填充材，相對於樹脂組成物整體，較佳係20質量%以上且80質量%以下、更佳係30質量%以上且75質量%以下。若含有量在此範圍內，便可使絕緣層101更加呈低吸水。
(其他的添加劑)
此外，視需要，在樹脂組成物中亦可適當調配入偶合劑、硬化促進劑、硬化劑、熱可塑性樹脂、有機填充材等添加劑。本實施形態所使用的樹脂組成物最好依使上述成分利用有機溶劑等予以溶解及/或分散的液狀形態使用。
藉由偶合劑的使用，便可提升熱硬化性樹脂與填充材間之界面的濕潤性，俾可使樹脂組成物能對纖維基材呈均勻著床。所以，藉由使用偶合劑，便可改良金屬覆蓋積層板100的耐熱性、特別係吸濕後的焊錫耐熱性。
偶合劑係只要屬於通常使用為偶合劑者便均可使用，具體較佳係使用從環氧矽烷偶合劑、陽離子矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑及聚矽氧油型偶合劑之中選擇1種以上的偶合劑。藉此，可提升熱硬化性樹脂與填充材間之界面的濕潤性，結果可更加提升絕緣層101的耐熱性。
偶合劑的含有量下限係依存於填充材的比表面積，其餘並無別的限定，相對於填充材100質量份，較佳係0.05質量份以上、更佳係0.1質量份以上。若偶合劑的含有量在上述 下限值以上，因為可充分被覆著填充材，因而可更加提升熱硬化性樹脂與填充材間之界面的濕潤性，結果可更加提升絕緣層101的耐熱性。又，偶合劑的含有量上限並無別的限定，較佳係3質量份以下、更佳係2質量份以下。若偶合劑的含有量在上述上限值以下，便可抑制偶合劑對熱硬化性樹脂的反應造成影響，俾可抑制所獲得金屬覆蓋積層板100的彎曲強度等降低。
硬化促進劑係可使用公知物。例如：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮酸鈷(II)、參乙醯丙酮酸鈷(III)等有機金屬鹽；三乙胺、三丁胺、二氮雜雙環[2,2,2]辛烷等三級胺類；2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基咪唑等咪唑類；酚、雙酚A、壬酚等酚化合物；醋酸、苯甲酸、水楊酸、對甲苯磺酸等有機酸；鎓鹽化合物、或該等的混合物等等。硬化促進劑係涵蓋該等中的衍生物在內可單獨使用1種，亦可併用涵蓋該等的衍生物在內之2種以上。
鎓鹽化合物並無別的限定，可使用例如下述一般式(IX)所示鎓鹽化合物： (式中，P係磷原子。R1、R2、R3及R4分別係表示取代或無取代之具芳香環或雜環的有機基、或取代或無取代之脂肪族基，可互為相同亦可不同。A-係表示分子內具有至少1個以上應被釋放出於分子外之質子，n(n≧1)價質子授體的陰離子、或其錯陰離子。)
硬化促進劑的含有量下限並無別的限定，較佳係佔樹脂組成物整體的0.005質量%以上、更佳係0.01質量%以上。若含有量在上述下限值以上，便可充分發揮促進硬化的效果。硬化促進劑的含有量上限並無別的限定，較佳係佔樹脂組成物整體的5質量%以下、更佳係2質量%以下。若含有量在上述上限值以下，便可更加提升預浸體的保存性。
樹脂組成物亦可併用：苯氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚伸苯醚樹脂、聚醚碸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等熱可塑性樹脂；苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物等聚苯乙烯系熱可塑性彈性體；聚烯烴系熱可塑性彈性體、聚醯胺系彈性體、聚酯系彈性體等熱可塑性彈性體；聚丁二烯、環氧改質聚丁二烯、丙烯酸改質聚丁二烯、甲基丙烯酸改質聚丁二烯等二烯系彈性體。
苯氧樹脂係可舉例如：具雙酚骨架的苯氧樹脂、具萘骨架的苯氧樹脂、具蒽骨架的苯氧樹脂、具聯苯基骨架的苯氧樹脂等。又，亦可使用具有複數種該等骨架之結構的苯氧樹脂。
該等之中，苯氧樹脂較佳係使用具有聯苯基骨架與雙酚S骨架的苯氧樹脂。藉此，利用聯苯基骨架所具有的剛直性，便可提高苯氧樹脂的玻璃轉移溫度，且利用雙酚S骨架的存在，便可提升苯氧樹脂與金屬間之密接性。結果，可達金屬覆蓋積層板100的耐熱性提升，且當製造印刷佈線基板時，可提升佈線層對積層板的密接性。又，苯氧樹脂較佳係使用具有雙酚A骨架與雙酚F骨架的苯氧樹脂。藉此，當印刷佈線基板製造時，可更加提升佈線層對積層板的密接性。
再者，較佳係使用具有下述一般式(X)所示雙酚苯乙酮結構的苯氧樹脂。
(式中，R1係可互為相同亦可不同，從氫原子、碳數1以上且10以下之烴基或鹵元素中選擇的基。R2係從氫原子、碳數1以上且10以下的烴基或鹵元素中選擇的基。R3係氫原子、或碳數1以上且10以下的烴基；m係0以上且5以下的整數。)
因為含雙酚苯乙酮結構的苯氧樹脂係具有龐大結構，因而溶劑溶解性、以及在與所摻合的熱硬化性樹脂成分間之相溶 性優異。又，若含有具雙酚苯乙酮結構的苯氧樹脂，便可形成低粗糙度且具有均勻粗面的絕緣層101，因而可更加提升金屬覆蓋積層板100的細微佈線形成性。
具雙酚苯乙酮結構的苯氧樹脂係可使環氧樹脂與酚樹脂，利用觸媒進行高分子量化的方法等公知方法進行合成。
具雙酚苯乙酮結構的苯氧樹脂係可含有一般式(X)的雙酚苯乙酮結構以外之結構，就其結構並無別的限定，可例如：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、聯苯基型、酚酚醛型、甲酚酚醛型結構等。該等之中，就從更加提升絕緣層101的玻璃轉移溫度觀點，較佳係含有聯苯基型結構。
含有雙酚苯乙酮結構的苯氧樹脂中，一般式(X)的雙酚苯乙酮結構含有量並無別的限定，較佳係5莫耳%以上且95莫耳%以下、更佳係10莫耳%以上且85莫耳%以下、特佳係15莫耳%以上且75莫耳%以下。若含有量在上述下限值以上，便可充分發揮提升絕緣層101之耐熱性、及印刷佈線基板之耐濕可靠度的效果。又，若含有量在上述上限值以下，便可提升苯氧樹脂的溶劑溶解性。
苯氧樹脂的重量平均分子量(Mw)並無別的限定，較佳係Mw5,000以上且100,000以下、更佳係10,000以上且70,000以下、特佳係20,000以上且50,000以下。若Mw在上述上限值以下，便可提升與其他樹脂間之相溶性、對溶劑的溶解性。若在上述下限值以上，便可提升製膜性，當使用於印刷 佈線基板之製造時，可抑制發生不良情況。
苯氧樹脂的含有量並無別的限定，較佳係除填充材外的樹脂組成物之0.5質量%以上且40質量%以下、更佳係1質量%以上且20質量%以下。若含有量在上述下限值以上，可抑制絕緣層101的機械強度降低、及與導體電路間之鍍敷密接性降低。若在上述上限值以下，便可抑制絕緣層101的熱膨脹率增加，使耐熱性降低。
再者，在樹脂組成物中，視需要亦可添加：顏料、染料、消泡劑、均塗劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、難燃劑、離子捕捉劑等上述成分以外的添加物。
顏料可舉例如高嶺土、合成氧化鐵紅、鎘黃、鎳鈦黃、鍶黃、含氫氧化鉻、氧化鉻、鋁酸鈷、合成群青藍等無機顏料；酞菁等多環顏料；偶氮顏料等。
染料可舉例如：異吲哚啉酮、異吲哚啉、喹啉黃、二苯并哌喃、二氧代吡咯并吡咯、苝、培利酮、蒽醌、靛、、喹吖酮、苯并咪唑酮、紫蒽酮(violanthrone)、酞菁、甲亞胺等。
(纖維基材)
纖維基材並無別的限定，可例如：以玻璃纖維布等玻璃纖維基材；聚苯并唑樹脂纖維、聚醯胺樹脂纖維、芳香族聚醯胺樹脂纖維、全芳香族聚醯胺樹脂纖維等聚醯胺系樹脂纖維；聚酯樹脂纖維、芳香族聚酯樹脂纖維、全芳香族聚酯樹 脂纖維等聚酯系樹脂纖維；聚醯亞胺樹脂纖維、氟樹脂纖維等為主成分構成的合成纖維基材；以牛皮紙、棉短絨紙、短毛纖與牛皮紙漿的混抄紙等為主成分的紙基材等有機纖維基材等等。該等之中，就從強度、吸水率的點，特佳係玻璃纖維基材。又，藉由使用玻璃纖維基材，便可更加減小絕緣層101的線膨脹係數。
本實施形態所使用的玻璃纖維基材，較佳係基重(每1m2的纖維基材重量)為4g/m2以上且150g/m2以下、更佳係8g/m2以上且110g/m2以下、特佳係12g/m2以上且60g/m2以下、最佳係12g/m2以上且30g/m2以下、最最佳係12g/m2以上且24g/m2以下。
若基重在上述上限值以下，便可提升玻璃纖維基材中的樹脂組成物含潤性，可抑制股束孔隙與絕緣可靠度降低。又，可使利用碳酸氣體、UV、準分子等雷射施行的貫穿孔形成趨於容易。又，若基重在上述下限值以上，便可提升玻璃纖維基材與預浸體的強度。結果，可提升操作性、或使預浸體的製作趨於容易、或抑制積層板的翹曲減輕效果降低。
上述玻璃纖維基材之中，較佳係線膨脹係數為6ppm以下的玻璃纖維基材、更佳係3.5ppm以下的玻璃纖維基材。藉由使用具有此種線膨脹係數的玻璃纖維基材，便可更加抑制本實施形態金屬覆蓋積層板100的翹曲。
再者，構成本實施形態所使用玻璃纖維基材的材料之拉伸 彈性模數，較佳係60GPa以上且100GPa以下、更佳係65GPa以上且92GPa以下、特佳係86GPa以上且92GPa以下。藉由使用具有此種拉伸彈性模數的纖維基材，便可有效地抑制例如因半導體安裝時的迴焊熱而造成佈線板的變形，因而可更加提升電子零件的耦接可靠度。
再者，本實施形態所使用的玻璃纖維基材，在1MHz下的介電常數較佳係3.8以上且7.0以下、更佳係3.8以上且6.8以下、特佳係3.8以上且5.5以下。藉由使用具有此種介電常數的玻璃纖維基材，便可更加減小金屬覆蓋積層板100的介電常數，所以金屬覆蓋積層板100頗適用於使用高速信號的半導體封裝。
具有如上述線膨脹係數、拉伸彈性模數及介電常數的玻璃纖維基材，最好使用例如含有從E玻璃、S玻璃、D玻璃、T玻璃、NE玻璃、石英玻璃、UN玻璃所構成群組中選擇至少一種的玻璃纖維基材。
纖維基材的厚度並無別的限定，較佳係5μm以上且150μm以下、更佳係10μm以上且100μm以下、特佳係12μm以上且60μm以下。藉由使用具有此種厚度的纖維基材，便可更加提升預浸體製造時的操作性，且可提升金屬覆蓋積層板100的翹曲減輕效果。
若纖維基材的厚度在上述上限值以下，便可提升纖維基材中的樹脂組成物含潤性，可抑制發生股束孔隙與絕緣可靠度 降低。又，可使利用碳酸氣體、UV、準分子等雷射施行的貫穿孔形成趨於容易。又，若纖維基材的厚度在上述下限值以上，便可提升纖維基材與預浸體的強度。結果，可提升操作性、或使預浸體的製作趨於容易、或抑制金屬覆蓋積層板100的翹曲減輕效果降低。
再者，纖維基材的使用片數並不僅限於一片，亦可由薄纖維基材複數片重疊使用。另外，當將纖維基材複數片重疊使用時，只要合計厚度滿足上述範圍便可。
再者，本實施形態的絕緣層101中所含纖維基材、與填充材之合計，較佳係55質量%以上且90質量%以下、更佳係70質量%以上且85質量%以下。若纖維基材與填充材的合計在上述範圍內，便可在取得樹脂對纖維基材的含潤性、成形性均衡之情況下，提高金屬覆蓋積層板100的剛性，因而可更加減輕安裝時的金屬覆蓋積層板100之翹曲。
(印刷佈線基板及半導體封裝)
接著，針對本實施形態的印刷佈線基板及半導體封裝200進行說明。
金屬覆蓋積層板100係可使用於如圖7所示的半導體封裝200。印刷佈線基板與半導體封裝200的製造方法並無別的限定，可例如以下的方法。
在金屬覆蓋積層板100中形成層間耦接用貫穿孔，並利用移除工法、半添加工法等製作佈線層。然後，視需要重複施 行積層著堆疊層(在圖7中未圖示)，再利用添加工法施行層間耦接及電路形成的步驟。然後，視需要積層著防焊層201，依照上述方法施行電路形成，便可獲得印刷佈線基板。此處，其中一部分或全部的堆疊層及防焊層201係可含有纖維基材、亦可未含有。
接著，在防焊層201全面上塗佈光阻之後，去除光阻其中一部分而使防焊層201其中一部分露出。另外，防焊層201亦可使用具有光阻機能的光阻劑。此情況，可省略光阻塗佈的步驟。接著，施行所露出防焊層201的除去，而形成開口部209。
接著，藉由施行迴焊處理，便使半導體元件203經由焊錫凸塊207，固接在屬於佈線圖案其中一部分的耦接端子205上。然後，將半導體元件203、焊錫凸塊207等利用密封材211施行密封，便可獲得如圖7所示半導體封裝200。
(半導體裝置)
接著，針對本實施形態的半導體裝置300進行說明。
半導體封裝200係可使用於圖8所示半導體裝置300。半導體裝置300的製造方法並無別的限定，可例如以下的方法。
首先，對所獲得半導體封裝200的防焊層201之開口部209供應焊錫膏，藉由施行迴焊處理而形成焊錫凸塊301。又，焊錫凸塊301係藉由將預先製作的焊錫球安裝於開口部 209中亦可形成。
接著，藉由將安裝基板303的耦接端子305、與焊錫凸塊301進行接合，而將半導體封裝200安裝於安裝基板303上，便獲得圖8所示半導體裝置300。
如以上所說明，根據本實施形態可提供減輕安裝時之翹曲的金屬覆蓋積層板100。特別係即便形成厚度較薄的金屬覆蓋積層板100時，仍可有效地抑制翹曲發生。然後，使用本實施形態金屬覆蓋積層板100的印刷佈線基板，便屬於翹曲、尺寸安定性等機械特性、成形性均優異。所以，本實施形態的金屬覆蓋積層板100頗適用於要求高密度化、高多層化的印刷佈線板等，講求可靠度的用途。
本實施形態的金屬覆蓋積層板100係在上述電路加工及後續的各項製程中均可減輕翹曲發生。又，本實施形態的半導體封裝200係不易發生翹曲與龜裂，可薄型化。所以，含有半導體封裝200的半導體裝置300可提升耦接可靠度。
以上，針對本發明實施形態進行敘述，惟該等均為本發明的例示而已，亦可採用上述以外的各種構成。例如本實施形態中，預浸體係粒式單層的情況，但亦可使用由預浸體二層以上積層者進行金屬覆蓋積層板100的製作。
亦可採取在本實施形態的金屬覆蓋積層板100上，更進一步積層著堆疊層的構造。
(實施例)
以下，針對本發明利用實施例與比較例進行說明，惟本發明並不僅侷限於該等。另外，實施例中，「份」在無特別聲明的前提下係表示「質量份」。又，各個厚度係依平均膜厚表示。
實施例及比較例中係使用以下原料。
環氧樹脂A：聯苯芳烷基型酚醛環氧樹脂(日本化藥公司製、NC-3000)
環氧樹脂B：聯苯芳烷基型環氧樹脂(日本化藥公司製、NC-3000FH)
環氧樹脂C：萘二醇二環氧丙基醚(DIC公司製、Epicron HP-4032D)
環氧樹脂D：萘醚型環氧樹脂(DIC公司製、Epicron HP-6000)
氰酸酯樹脂A：酚醛型氰酸酯樹脂(LONZA Japan公司製、PRIMASET ®PT-30)
氰酸酯樹脂B：一般式(II)所示對二甲苯改質萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂[萘酚芳烷基型酚樹脂(東都化成公司製、「SN-485衍生物」)、與氯化氰的反應物]
酚樹脂A：聯苯二亞甲基型酚樹脂(日本化藥公司製、GPH-103)
胺化合物：4,4'-二胺基二苯甲烷
雙順丁烯二醯亞胺化合物(K.I化成工業公司製、BMI-70)
苯氧樹脂A：含雙酚苯乙酮結構的苯氧樹脂(三菱化學公司製、YX-6954BH30)
填充材A：球狀二氧化矽(Admatechs公司製、SO-25R、平均粒徑0.5μm)
填充材B：球狀二氧化矽(Admatechs公司製、SO-31R、平均粒徑1.0μm)
填充材C：球狀二氧化矽(德山公司製、NSS-5N、平均粒徑75nm)
填充材D：水鋁土(Nabaltec公司製、AOH-30)
填充材E：聚矽氧粒子(信越化學工業公司製、KMP-600、平均粒徑5μm)
偶合劑A：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(GE TOSHIBA SILICONE公司製、A-187)
偶合劑B：N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製、KBM-573)
硬化促進劑A：屬於上述一般式(IX)的鎓鹽化合物之磷系觸媒(SUMITOMO BAKELITE公司製、C05-MB)
硬化促進劑B：辛酸鋅
(實施例)
採用以下的順序，製作本實施形態的金屬覆蓋積層板。
首先，針對預浸體的製造進行說明。所使用樹脂清漆的組成係如表1所示，所獲得預浸體1~16具有的各層厚度係如 表2所示。另外，表2、3所記載的「P1~P16」係指預浸體1~預浸體16，表2所記載的「Unitika」係指Unitika Glass Fiber公司製，所謂「日東紡」係指日東紡公司製。
(預浸體1) 1.樹脂組成物清漆1之製備
使環氧樹脂A的聯苯芳烷基型酚醛環氧樹脂(日本化藥公司製、NC-3000)11.0質量份、胺化合物的4,4'-二胺基二苯甲烷3.5質量份、以及雙順丁烯二醯亞胺化合物的雙-(3-乙基-5-甲基-4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷(K.I化成工業公司製、BMI-70)20.0質量份，溶解、分散於甲乙酮中。又，添加填充材A的球狀二氧化矽(Admatechs公司製、SO-25R、平均粒徑0.5μm)20.0質量份、填充材B的水鋁土(Nabaltec公司製、AOH-30)45.0質量份、及偶合劑A的γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(GE TOSHIBA SILICONE公司製、A-187)0.5質量份，使用高速攪拌裝置施行30分鐘攪拌，便製備得非揮發成分65質量%的樹脂組成物清漆1(樹脂清漆1)。
2.載體材料之製造
將樹脂清漆1使用模具塗佈機裝置，在屬於支撐基材的具載箔之極薄銅箔(三井金屬礦業公司製、Myclocin Ex、1.5μm)上，塗佈呈乾燥後的樹脂層厚度成為30μm狀態。接著，將其利用160℃乾燥裝置施行5分鐘乾燥，便獲得第一樹脂層 用之具銅箔樹脂薄片1A(載體材料1A)。
再者，將樹脂清漆1同樣地塗佈於具載箔之極薄銅箔(三井金屬礦業公司製、Myclocin Ex、1.5μm)上，使經乾燥後的樹脂層厚度成為30μm狀態，再利用160℃乾燥機施行5分鐘乾燥，便獲得第二樹脂層用之具銅箔樹脂薄片1B(載體材料1B)。
3.預浸體之製造 (預浸體1)
將第一樹脂層用的載體材料1A、及第二樹脂層用的載體材料1B，依樹脂層相對向於纖維基材的方式，配置於玻璃纖維基材(厚度91μm、日東紡公司製T玻璃織布、WTX-116E、IPC規格2116T、線膨脹係數：2.8ppm/℃)的雙面上，再利用圖2所示真空積層裝置及熱風乾燥裝置，使含潤樹脂組成物，便獲得經積層著銅箔的預浸體1。
具體而言，在玻璃纖維基材的雙面上，使載體材料A及載體材料B依位於玻璃纖維基材的寬度方向中心之方式分別重疊，再於較常壓減壓9.999×104Pa(約750Torr)以上的條件下，設定為積層速度2m/分、對玻璃纖維基材所施加張力140N/m，使用100℃層壓輥進行接合。
此處，在玻璃纖維基材的寬度方向尺寸之內側區域，使載體材料1A及載體材料1B的樹脂層分別接合於玻璃纖維基材的雙面側，且在玻璃纖維基材的寬度方向尺寸外側區域， 將載體材料1A及載體材料1B的樹脂層彼此間予以接合。
接著，將上述經接合物通過設定為120℃的橫搬送型熱風乾燥裝置內2分鐘，藉此便在未作用壓力的情況下施行加熱處理，而獲得預浸體1(P1)。
(預浸體2~7)
預浸體2~7係除將樹脂清漆的種類、第一與第二樹脂層的厚度、所使用玻璃纖維基材、積層速度、及對玻璃纖維基材所施加張力，改變為如表2所示之外，其餘均與預浸體1同樣地進行製造。
(預浸體8)
預浸體8係除支撐基材為使用PET薄膜(聚對苯二甲酸乙二酯、帝人杜邦薄膜公司製PUREX、厚度36μm)，且將樹脂清漆的種類、第一與第二樹脂層的厚度、所使用玻璃纖維基材、積層速度、及對玻璃纖維基材所施加張力，改變為如表2所示之外，其餘均與預浸體1同樣地進行製造。
(預浸體9)
預浸體9係使樹脂清漆4利用塗佈裝置含潤於玻璃纖維基材(厚度91μm、日東紡公司製T玻璃織布、WTX-116E、IPC規格2116T、線膨脹係數：2.8ppm/℃)中，並利用180℃加熱爐施行2分鐘乾燥，而製造厚度100μm的預浸體。另外，塗佈速度、對玻璃纖維基材所施加張力係依表2所示條件實施。
(預浸體10~11)
預浸體10~11係使樹脂清漆4利用塗佈裝置含潤於玻璃纖維基材(厚度43μm、日東紡公司製T玻璃織布、WTX-1078T、IPC規格1078T、線膨脹係數：2.8ppm/℃)中，並利用180℃加熱爐施行2分鐘乾燥，而製造厚度50μm的預浸體。另外，塗佈速度、對玻璃纖維基材所施加張力係依表2所示條件實施。
(預浸體12~13)
預浸體12~13係除將樹脂清漆4塗佈於PET薄膜(聚對苯二甲酸乙二酯、帝人杜邦薄膜公司製PUREX、厚度36μm)上，且將第一與第二樹脂層的厚度、所使用玻璃纖維基材、積層速度、及對玻璃纖維基材所施加張力，改變為如表2所示之外，其餘均與預浸體1同樣地進行製造。
(預浸體14)
預浸體14係將將樹脂清漆4同樣地塗佈於具載箔之極薄銅箔(三井金屬礦業公司製、Myclocin Ex、1.5μm)上，並將第一與第二樹脂層的厚度、所使用玻璃纖維基材、積層速度、及對玻璃纖維基材所施加張力，改變為如表2所示之外，其餘均與預浸體1同樣地進行製造。
(預浸體15)
預浸體15係使樹脂清漆4利用塗佈裝置含潤於玻璃纖維基材(厚度43μm、Unitika公司製E玻璃織布、E06E、IPC 規格1078、線膨脹係數：5.5ppm/℃)中，並利用180℃加熱爐施行2分鐘乾燥，而製造厚度50μm的預浸體。另外，塗佈速度、對玻璃纖維基材所施加張力係依表2所示條件實施。
(預浸體16)
預浸體16使樹脂清漆4利用塗佈裝置含潤於玻璃纖維基材(厚度91μm、Unitika公司製E玻璃織布、E10T、IPC規格2116、線膨脹係數：5.5ppm/℃)中，並利用180℃加熱爐施行2分鐘乾燥，而製造厚度100μm的預浸體。另外，塗佈速度、對玻璃纖維基材所施加張力係依表2所示條件實施。
(實施例1) 1.金屬覆蓋積層板之製造
將已積層著銅箔的預浸體1夾置於平滑金屬板中，依220℃、1.5MPa施行2小時的加熱加壓成形，獲得金屬覆蓋積層板。所獲得金屬覆蓋積層板的核層(由絕緣層所構成部分)厚度係0.10mm。
2.印刷佈線基板之製造
將依上述所獲得金屬覆蓋積層板使用為核心基板，在其雙面上利用半添加法形成細微電路圖案(殘銅率70%、L/S=25/25μm)而製成內層電路基板。在其雙面上，利用真空積層施行具銅箔樹脂薄片(載體材料1A)的積層後，再利用 熱風乾燥裝置依220℃施行60分鐘加熱硬化。接著，經剝離載箔後，利用碳酸雷射形成盲介層孔(非貫通孔)。接著，於介層孔內浸漬60℃膨潤液(Atotech Japan公司製、Swelling Dip Securiganth P)5分鐘，更浸漬80℃過錳酸鉀水溶液(Atotech Japan公司製、Concentrate Compact CP)10分鐘後，經中和後再施行粗化處理。
經脫脂、觸媒賦予、激活的步驟後，形成無電解鍍銅皮膜約0.5μm，便形成防電鍍層。接著，以無電解鍍銅皮膜為供電層使形成圖案電鍍銅20μm，再施行L/S=25/25μm的細微電路加工。接著，利用熱風乾燥裝置施行200℃、60分鐘退火處理後，利用快速蝕刻去除供電層。
接著，積層防焊層，再依使半導體元件搭載墊等露出的方式，利用碳酸雷射形成盲介層孔(非貫通孔)。
最後，從防焊層所露出的電路層上形成由無電解鍍鎳層3μm、與更在其上面的無電解鍍金層0.1μm所構成鍍敷層，將所獲得基板裁剪為50mm×50mm尺寸，便獲得半導體封裝用印刷佈線基板。
3.半導體封裝之製造
在半導體封裝用印刷佈線基板上，將具焊錫凸塊的半導體元件(TEG晶片、尺寸20mm×20mm、厚度725μm)，利用覆晶黏晶機裝置，依加熱壓接施行搭載。接著，利用IR迴焊爐將焊錫凸塊施行熔融接合後，填充液狀密封樹脂 (SUMITOMO BAKELITE公司製、CRP-X4800B)，藉由使該液狀密封樹脂硬化，便獲得半導體封裝。另外，液狀密封樹脂係依溫度150℃、120分鐘的條件硬化。又，半導體元件的焊錫凸塊係使用由Sn/Ag/Cu組成的無鉛焊錫形成者。
(實施例2~7、比較例3)
除改變預浸體的種類之外，其餘均與實施例1同樣地製造金屬覆蓋積層板與半導體封裝。
(實施例8、比較例1及2)
在將已積層著PET的預浸體雙面之PET薄膜，予以剝離之2片預浸體雙面上，重疊著極薄銅箔(三井金屬礦業公司製、Myclocin Ex、15μm)，依220℃、3.0MPa施行2小時的加熱加壓成形，而獲得金屬覆蓋積層板。所獲得金屬覆蓋積層板的核層(由絕緣層構成部分)厚度係0.10mm。除使用表2的載體材料之外，其餘均與實施例1同樣地製造半導體封裝。
(實施例9~11、比較例4及5)
在既定片數預浸體的雙面上重疊著極薄銅箔(三井金屬礦業公司製、Myclocin Ex、1.5μm)，依220℃、3.0MPa施行2小時的加熱加壓成形，獲得金屬覆蓋積層板。所獲得金屬覆蓋積層板的核層(由絕緣層構成部分)厚度係0.10mm。除使用表2的載體材料之外，其餘均與實施例1同樣地製造半導體封裝。
針對利用各實施例及比較例所獲得金屬覆蓋積層板及半導體封裝，施行下述各項評價。各項評價與評價方法係如下所示。所獲得結果係如表3所示。
(1)尺寸變化率
從實施例及比較例所製得金屬覆蓋積層板的中心附近裁剪270mm×350mm尺寸，根據IPC-TM-650的2.4.39測定室溫下的初期尺寸。
接著，利用蝕刻液(三氯化鐵溶液、35℃)去除銅箔。接著，使用加熱烤箱依105℃施行4小時的預熱處理後，再根據IPC-TM-650的2.4.39測定室溫下的預熱處理後尺寸。接著，使用熱風迴焊爐(田村製作所公司製、TAR-30-36LH)，對金屬覆蓋積層板依260~265℃施行5秒的迴焊處理。然後，冷卻至室溫，根據IPC-TM-650的2.4.39測定室溫下的迴焊處理後尺寸。從下式(1)~(3)計算出金屬覆蓋積層板的縱向與橫向尺寸變化率。
A(%)=(預熱處理後尺寸-初期尺寸)/初期尺寸×100 (1)
B(%)=(迴焊處理後尺寸-初期尺寸)/初期尺寸×100 (2)
尺寸變化率(%)=B-A (3)
(2)基板翹曲量
從實施例與比較例所製得金屬覆蓋積層板的中心附近裁剪270mm×350mm尺寸，利用蝕刻液剝離金屬箔後，依30mm間隔裁剪50mm×50mm尺寸，獲得合計12片的基板翹曲用 樣品。所獲得樣品的基板翹曲矽使用可變溫度雷射三次元測定機(LS200-MT100MT50：T-Tec公司製)，施行常溫(25℃)下的基板翹曲測定。
測定範圍係在48mm×48mm範圍內，由基板其中一面碰抵雷射而施行測定，將距雷射頭距離最遠處與最近處的差設為各片的翹曲量，並將各片的翹曲量平均設為基板翹曲量。
(3)導通試驗
針對依實施例與比較例所製作半導體封裝3個，使用飛針測試儀(1116X-YC HiTESTER：日置電機公司製)，經由焊錫凸塊，施行通過半導體元件與印刷佈線基板間的電路端子之導通測定，並設為初始值。接著，在60℃、60%吸濕條件下，施行40小時處理後，利用IR迴焊爐(尖峰溫度：260℃)施行3次處理，同樣地測定導通，將電阻值較初始值上升5%以上者，判定為安裝時斷線。此處，當在初始值時便發生斷線的情況，便判斷為電路製作上的不良情況，不予計數。另外，相關半導體封裝1個的測定地方係設為61處，合計測定183處。
各符號係如下所示：
◎：無出現斷線處。
○：斷線處為1%以上且未滿11%。
△：斷線處為11%以上且未滿51%。
×：斷線處達51%以上。
(4)溫度循環(TC)試驗
針對實施例與比較例所製作半導體封裝4個，在60℃、60%條件下施行40小時處理後，利用IR迴焊爐(尖峰溫度：260℃)施行3次處理，在大氣中依-55℃(15分)、125℃(15分)施行500循環處理。接著，使用超音波映像裝置(日立建機公司製、FS300)，觀察半導體元件、焊錫凸塊是否有出現異常。
◎半導體元件、焊錫凸塊均無出現異常。
○：半導體元件及/或焊錫凸塊其中一部分雖有出現龜裂，但實用上不會有問題。
△：半導體元件及/或焊錫凸塊其中一部分出現龜裂，實用上會有問題。
×：半導體元件、焊錫凸塊均出現龜裂，無法使用。
由表3中得知，實施例1~11相較於比較例2~5之下，尺寸變化率及基板翹曲量均獲減少。
藉此，得知實施例1~11的積層板相較於比較例2~5的積層板之下，基板翹曲已獲輕減。
再者，由表3中得知，比較例2~5所獲得半導體封裝係導通試驗中的斷線地方頗多，且溫度循環試驗中的半導體元件與焊錫凸塊發生龜裂情形增加，屬耦接可靠度差。另一方面，實施例1~11所獲得半導體封裝，在導通試驗中沒有(較少)出現斷線地方，且在溫度循環試驗中的半導體元件與焊 錫凸塊沒有或(或較少)發生龜裂，屬耦接可靠度優異。
本申請案係以2011年9月29日所提出申請的日本申請案特願2011-214674號為基礎主張優先權，其揭示的所有內容均爰引融入於本案中。
1a‧‧‧第1塗佈裝置
1b‧‧‧第2塗佈裝置
2‧‧‧塗佈前端部
2a‧‧‧第1塗佈前端部
2b‧‧‧第2塗佈前端部
3、11‧‧‧纖維基材
4‧‧‧樹脂清漆
5a‧‧‧第一載體材料
5b‧‧‧第二載體材料
13‧‧‧支撐基材
15a、15b‧‧‧絕緣樹脂層
60‧‧‧真空積層裝置
61‧‧‧層壓輥
62‧‧‧熱風乾燥裝置
100‧‧‧金屬覆蓋積層板
101‧‧‧絕緣層
103‧‧‧金屬箔
105‧‧‧縱向
107‧‧‧橫向
200‧‧‧半導體封裝
201‧‧‧防焊層
203‧‧‧半導體元件
205、305‧‧‧耦接端子
207‧‧‧焊錫凸塊
209‧‧‧開口部
211‧‧‧密封材
300‧‧‧半導體裝置
301‧‧‧焊錫凸塊
圖1係本實施形態的金屬覆蓋積層板構造一例剖視圖。
圖2係本實施形態的預浸體之製造方法一例剖視圖。
圖3係相關本實施形態的預浸體之製造方法所使用支撐基材、絕緣樹脂層、及纖維基材，各自寬度方向尺寸的形態例概略圖。
圖4係本實施形態的預浸體之製造方法一例剖視圖。
圖5係本實施形態的預浸體之製造方法一例剖視圖。
圖6係本實施形態的預浸體之製造方法一例剖視圖。
圖7係本實施形態的半導體封裝構造一例剖視圖。
圖8係本實施形態的半導體裝置構造一例剖視圖。
100‧‧‧金屬覆蓋積層板
101‧‧‧絕緣層
103‧‧‧金屬箔
105‧‧‧縱向
107‧‧‧橫向

Claims (15)

  1. 一種金屬覆蓋積層板，係在含有熱硬化性樹脂、填充材及纖維基材的絕緣層雙面，具有金屬箔者；其中，利用蝕刻去除雙面的金屬箔之後，當施行由：(1)依105℃施行4小時預熱處理；及(2)依表面溫度260~265℃施行5秒迴焊處理；構成的加熱處理時，根據IPC-TM-650的2.4.39所測定之室溫下的該積層板尺寸中，在將從上述蝕刻前起至上述預熱處理後的上述尺寸變化率設為A，將從上述蝕刻前起至上述迴焊處理後的上述尺寸變化率設為B時，由B-A所計算出的尺寸變化率係該金屬覆蓋積層板的縱向與橫向均為-0.080%以上且0%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之金屬覆蓋積層板，其中，該金屬覆蓋積層板的上述縱向與上述橫向之上述尺寸變化率差的絕對值，係0%以上且0.03%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之金屬覆蓋積層板，其中，上述絕緣層中所含的上述纖維基材與上述填充材之合計，係55質量%以上且80質量%以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之金屬覆蓋積層板，其中，該金 屬覆蓋積層板利用動態黏彈性測定獲得的玻璃轉移溫度，係200℃以上且350℃以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之金屬覆蓋積層板，其中，該積層板在250℃下依動態黏彈性測定所測得之儲存彈性模數E'，係5GPa以上且50GPa以下。
  6. 如申請專利範圍第1項之金屬覆蓋積層板，其中，上述纖維基材係含有從E玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、石英玻璃及T玻璃中選擇至少一種玻璃的玻璃纖維基材。
  7. 如申請專利範圍第6項之金屬覆蓋積層板，其中，構成上述玻璃纖維基材的材料之拉伸彈性模數，係60GPa以上且100GPa以下。
  8. 如申請專利範圍第6項之金屬覆蓋積層板，其中，上述玻璃纖維基材的線膨脹係數係3.5ppm/℃以下。
  9. 如申請專利範圍第1項之金屬覆蓋積層板，其中，上述絕緣層的厚度係0.6mm以下。
  10. 一種印刷佈線基板，係對申請專利範圍第1至9項中任一項之金屬覆蓋積層板施行電路加工而構成。
  11. 一種半導體封裝，係在申請專利範圍第10項之印刷佈線基板上，搭載著半導體元件。
  12. 一種半導體裝置，係含有申請專利範圍第11項之半導體封裝。
  13. 一種金屬覆蓋積層板之製造方法，係包括有： (A)使含有熱硬化性樹脂與填充材的樹脂組成物，含潤於纖維基材中的步驟；(B)利用加熱使上述熱硬化性樹脂半硬化，而獲得預浸體的步驟；以及(C)使金屬箔重疊於上述預浸體的雙面上，並施行加熱加壓的步驟；上述(A)步驟中，對上述纖維基材所施加的張力係設為25N/m以上且350N/m以下。
  14. 如申請專利範圍第13項之金屬覆蓋積層板之製造方法，其中，上述(A)步驟係包括有：(a1)分別準備在支撐基材單面上已形成含上述樹脂組成物之樹脂層的第一載體材料與第二載體材料之步驟；以及(a2)使上述第一載體材料的上述樹脂層側、與上述第二載體材料的上述樹脂層側分別重疊於上述纖維基材的雙面上，於減壓條件下，藉由施行上述第一載體材料、上述纖維基材、及上述第二載體材料的積層，而使上述樹脂層含潤於上述纖維基材中的步驟。
  15. 如申請專利範圍第14項之金屬覆蓋積層板之製造方法，其中，上述支撐基材係金屬箔。
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