TW201316481A - 用於選擇性地屏蔽一基板上之元件的電磁屏蔽結構 - Google Patents

用於選擇性地屏蔽一基板上之元件的電磁屏蔽結構 Download PDF

Info

Publication number
TW201316481A
TW201316481A TW101120845A TW101120845A TW201316481A TW 201316481 A TW201316481 A TW 201316481A TW 101120845 A TW101120845 A TW 101120845A TW 101120845 A TW101120845 A TW 101120845A TW 201316481 A TW201316481 A TW 201316481A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
components
test
metal foil
component
Prior art date
Application number
TW101120845A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI565023B (zh
Inventor
James H Foster
James W Bilanski
Amir Salehi
Ramamurthy Chandhrasekhar
Nicholas Unger Webb
Original Assignee
Apple Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apple Inc filed Critical Apple Inc
Publication of TW201316481A publication Critical patent/TW201316481A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI565023B publication Critical patent/TWI565023B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • H05K9/0026—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields integrally formed from metal sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • H05K9/003—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields made from non-conductive materials comprising an electro-conductive coating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • H05K9/0031—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields combining different shielding materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/0043—Casings being flexible containers, e.g. pouch, pocket, bag
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • H05K9/0032—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields having multiple parts, e.g. frames mating with lids
    • H05K9/0033—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields having multiple parts, e.g. frames mating with lids disposed on both PCB faces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0037—Housings with compartments containing a PCB, e.g. partitioning walls
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49004—Electrical device making including measuring or testing of device or component part
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

可使用電磁屏蔽結構屏蔽一基板上之電子元件。絕緣材料可用以提供結構支撐且幫助防止導電材料與該等元件之間的電短路。該等屏蔽結構可包括使用包圍選定元件之金屬柵欄或藉由射出模製塑膠形成之區室。可使用纏繞於該等元件及該基板上的金屬箔形成該等屏蔽結構。可使用測試柱或跡線測試電子元件以識別有故障之元件。該等測試柱或跡線可沈積於該基板上且可用以在測試設備與該等元件之間傳送測試信號。在成功測試後，可永久屏蔽該等測試柱。或者，可使用臨時屏蔽結構以允許在完全組裝一電子裝置前測試個別元件。

Description

用於選擇性地屏蔽一基板上之元件的電磁屏蔽結構
本發明大體係關於減輕射頻干擾，且更特定言之，係關於幫助將射頻電路與射頻干擾隔離之電磁屏蔽結構。
本申請案主張於2012年6月4日申請之美國專利申請案第13/488,382號及於2011年6月9日申請之美國專利申請案第61/495,348號的優先權，該等申請案特此被以引用的方式全部併入本文中。
諸如電腦、蜂巢式電話及其他裝置之電子裝置常常含有需要電磁屏蔽之電路。舉例而言，一些電子裝置包括易受射頻干擾之射頻收發器電路。電子裝置亦可包括記憶體及在正常操作期間使用時脈信號之其他元件。若未仔細，則來自一電路之信號可干擾另一電路之適當操作。舉例而言，落於射頻接收器之操作頻帶內的時脈信號或時脈信號諧波可引起對射頻收發器之不良干擾。
為了保護免受電磁干擾，諸如射頻收發器之電路通常圍封於金屬射頻(RF)屏蔽罩內。屏蔽罩之金屬阻擋射頻信號且幫助屏蔽經圍封之元件免受電磁干擾(EMI)。在典型組態中，積體電路元件在安裝於印刷電路板上後由RF屏蔽罩覆蓋。
將射頻屏蔽罩安裝至印刷電路板之習知配置可幫助減少電磁干擾，但可能不良地體積大。此可在諸如需要緊密屏蔽之情形的情形下限制射頻屏蔽罩配置之有效性。 因此將需要提供改良之射頻屏蔽結構。
電子裝置可包括安裝於一或多個基板上之電元件。該等電元件可在本文中有時被稱作電子元件。該等電元件可包括射頻收發器電路、時脈電路、處理器、特殊應用積體電路及其他電元件。上面安裝有該等元件之基板可為剛性印刷電路板、可撓性印刷電路板、塑膠載體或其他印刷電路基板。
該等電元件可對電磁干擾敏感且可具有產生對其他元件之電磁干擾的可能性。為了幫助保護該等元件免受電磁干擾，可電磁屏蔽一基板上的該等元件中之至少一者。電磁屏蔽結構可由絕緣材料及導電材料形成。該等屏蔽結構可將對電磁干擾敏感之元件與產生電磁干擾之元件隔離或與外部電磁干擾源隔離。
可使用諸如模製工具、切割工具、加熱工具及沈積工具之製造工具來形成屏蔽結構。可(例如)藉由使用雷射切割工具或其他切割工具圍繞元件形成區室來形成屏蔽結構。射出模製工具亦可用以圍繞選定元件形成區室。基板可形成有犧牲區以容納製造差異且允許製造工具夾緊該基板。稍後可移除一基板之該等犧牲區以幫助減小裝置之尺寸。
可圍繞選定元件形成焊料壁或金屬柵欄。導電漆、箔、金屬、金屬合金或其他導電材料可用以形成覆蓋該等元件之導電層。絕緣材料(例如，介電材料)可用以提供至該導電層之結構支撐且幫助防止該導電層與正被屏蔽之下伏元 件之間的電短路。該等絕緣材料可包括覆蓋該等元件之區室。
藉由一合配合置，可圍繞一基板纏繞導電箔以為該基板上之多個元件提供電磁屏蔽。可在該基板之一頂部表面及該基板之側壁上纏繞該導電箔。或者，可纏繞該導電箔以圍封該整個基板(例如，以在該基板之多個表面上形成元件時提供電磁屏蔽)。
具有區室之絕緣結構可由熱縮材料形成。該等絕緣結構可置放於該等元件上且經加熱使得該等區室收縮以配合該等元件。一導電層可接著沈積於該等絕緣結構上使得屏蔽該等元件免受電磁干擾。
可在用於電子元件之屏蔽結構的形成期間測試電子元件(例如，識別有故障之元件)。可將該等電子元件安裝至一基板上之金屬跡線。在該基板上形成之金屬測試跡線可耦接至該等電子元件且可在測試操作期間被曝露。在需要時，可在該等測試跡線上形成測試柱。可藉由使用測試設備(例如，測試器)經由該等測試跡線傳送及接收測試信號來執行測試操作。在成功測試後，可使用由絕緣材料及導電材料形成之額外屏蔽結構電磁屏蔽該等測試跡線。
可在測試期間使用臨時屏蔽結構。該等臨時屏蔽結構可為可調整的且允許在一電子裝置完全地組裝且具備永久電磁屏蔽結構前測試個別元件。舉例而言，可臨時地定位該等屏蔽結構以在測試操作期間屏蔽選定元件。可在測試完成後移除該等臨時屏蔽結構。
本發明之另外特徵，其性質及各種優勢將自隨附圖式及以下詳細描述更顯而易見。
本發明係關於用於電元件之屏蔽結構。屏蔽結構可包括射頻屏蔽結構及/或磁屏蔽結構。由屏蔽結構屏蔽之電元件可為諸如在射頻頻帶中操作的積體電路(例如，收發器積體電路、記憶體電路及具有在射頻頻帶中產生具有基諧波或諧波之信號的時脈之其他電路等)之元件。經屏蔽元件亦可包括由一或多個離散元件(諸如，電感器、電容器及電阻器、開關等)形成之電路。經屏蔽之電元件可為干擾源(產生射頻或磁信號干擾之元件)及/或受干擾者(對自外部源接收之干擾敏感的元件)。
屏蔽結構可幫助減少來自電磁信號之干擾且因此可有時被稱作電磁干擾(EMI)屏蔽結構。
可將電子元件安裝於電子裝置中之一或多個印刷電路板上。作為一實例，電子元件可為直接安裝至印刷電路板上之表面黏著技術(SMT)元件。印刷電路板可由諸如玻璃纖維填充之環氧樹脂(例如，FR4)之剛性印刷電路板材料、可撓性印刷電路(例如，由諸如聚醯亞胺之聚合物之可撓性薄片形成的印刷電路)及剛性撓曲電路(例如，含有剛性部分及可撓性部分兩者之印刷電路)形成。上面安裝有諸如積體電路元件及離散元件之元件的印刷電路板有時可被稱作主邏輯板。電子元件與印刷電路板有時可共同地被稱作已封裝元件。
可在電子裝置(諸如，桌上型電腦、膝上型電腦、建置於電腦監視器內之電腦、平板電腦、蜂巢式電話、媒體播放器、遊戲裝置、電視機上盒、音訊視訊設備、手持型裝置、諸如懸掛式及手錶裝置之小型裝置或其他電子設備)中使用具有經屏蔽元件之印刷電路板。
在圖1中展示可含有屏蔽結構之說明性電子裝置。如圖1中所展示，電子裝置10可包括外殼13。外殼13可由金屬、塑膠、諸如碳纖維材料之纖維複合材料、玻璃、陶瓷、其他材料或此等材料之組合形成。外殼13可由單件機械加工金屬(例如，使用單片型構造)形成或可由附著在一起之多個結構(諸如，內部外殼框、帶槽框或帶狀結構、外殼側壁、平坦外殼壁部件等)形成。
裝置10可包括安裝於外殼13內之印刷電路板14上之電子元件12。電子元件12可包括諸如通用處理單元之積體電路、特殊應用積體電路、諸如無線收發器之射頻元件、時脈產生及分佈電路或諸如離散元件之其他電子元件。印刷電路板14可為主邏輯板(MLB)或其他類型之邏輯板。
印刷電路板14及其相關聯之元件有時可在本文中被稱作已封裝元件。圖2為已封裝元件20之說明性方塊圖，該等已封裝元件20包括元件12、基板14、絕緣材料16及屏蔽材料18。可使用焊料或其他合適的安裝配置將元件12安裝於基板14(例如，印刷電路板)上。
電子元件12中之一些可對電磁干擾敏感。舉例而言，無線收發器元件可對來自系統時脈產生元件之射頻諧波敏 感。電子元件12中之一些可產生射頻信號干擾(例如，蜂巢式收發器可發射影響裝置10之其他元件的射頻信號)。其他元件可產生磁干擾(例如，電力管理系統中之電感器可產生磁場)。為了確保裝置10之元件適當地操作，可能需要將印刷電路板14上之元件12相互電磁屏蔽(例如，藉由用屏蔽結構覆蓋圖1之元件12)。
作為一實例，可能需要屏蔽無線通信積體電路以幫助確保系統雜訊(例如，來自時脈或其他雜訊源)不干擾適當接收器操作。亦可需要屏蔽音訊電路使得音訊電路不拾取來自裝置10上之另一電路的雜訊，或屏蔽記憶體電路及處理器元件使得其時脈不引起對其他元件之干擾。在一些情形下，可能需要屏蔽含有多個元件之群組(例如，當元件對來自外部源之電磁干擾敏感時)。
可使用屏蔽材料18及絕緣材料16形成屏蔽結構。屏蔽結構有時可被稱作電磁干擾(EMI)屏蔽結構。屏蔽材料18可包括導電材料，諸如銀漆、鉑漆、焊料、諸如銅或鋁之金屬、諸如鎳鐵合金之金屬合金、導電黏著劑或適合用於電磁屏蔽之其他材料。可在包括壁、柵欄、薄片或層、此等組態之組合或其他所要的組態之各種組態下形成屏蔽材料18。
絕緣材料16可用以幫助防止屏蔽材料18與基板14上之導電材料(例如，元件12之導電部分)之間的電短路。絕緣材料16可由環氧樹脂、包覆式雙料射出材料、底部填充材料、熱縮夾套、丙烯酸材料、介電材料、熱固性材料、熱 塑性塑膠、橡膠、塑膠或提供電絕緣之其他合乎需要的材料形成。絕緣材料16可用以形成包括用於基板上之選定元件之區室的組態。在需要時，絕緣材料16可用以形成為屏蔽材料18提供結構支撐之組態。
絕緣材料16可包括電絕緣及導熱之材料。舉例而言，絕緣材料16可包括導熱塑膠、環氧樹脂或其他導熱材料。導熱之絕緣材料16可用以汲取熱遠離元件12。舉例而言，射頻收發器可在正常操作期間變得不合乎需要地熱。在此情形下，可能需要自導熱之絕緣材料形成屏蔽結構以幫助保護射頻收發器免於過熱。
絕緣材料16及屏蔽材料18可用以形成選擇性地屏蔽安裝於基板14(例如，印刷電路板)上之元件12的屏蔽結構。圖3展示可用以自已封裝元件20中之絕緣材料16及屏蔽材料18形成屏蔽結構之製造工具30。
製造工具30可包括模製工具32、切割工具34、加熱工具36、沈積工具38及形成用於元件12之屏蔽結構所需要的其他工具。舉例而言，製造工具30可包括用於塗覆光阻遮罩之光微影工具及蝕刻工具(例如，使用蝕刻劑移除材料之化學蝕刻工具)。作為另一實例，製造工具30可包括用於印刷諸如屏蔽材料18或絕緣材料16之材料的網版印刷工具。
模製工具32可用以模製絕緣材料16以形成屏蔽結構。模製工具32可包括射出模製工具、燒結工具、基質模製工具、壓縮模製工具、轉注模製工具、擠壓模製工具及適合 用於將絕緣材料16模製至所要的組態內之其他工具。
切割工具34可包括鋸切工具、雷射切割工具、研磨工具、鑽孔工具、放電加工工具或適合用於切割絕緣材料16及屏蔽材料18之其他加工或切割工具。
加熱工具36可包括基於油之加熱工具、基於氣之加熱工具、基於電之加熱工具或適合用於加熱絕緣材料16及/或屏蔽材料18之任何其他加熱工具。在需要時，加熱工具36可用以將壓力施加至材料16或18。
沈積工具38可用以沈積絕緣材料16及/或屏蔽材料18。舉例而言，沈積工具38可用以藉由在基板14上之所要的位置處沈積絕緣材料16來形成絕緣結構。作為另一實例，沈積工具38可包括用於將絕緣材料16(例如，環氧樹脂)注入至射出模製工具內以形成屏蔽結構之工具。沈積工具38亦可包括薄膜沈積工具(例如，化學或物理沈積工具)或對於形成屏蔽結構理想之其他工具。
製造工具30可用以形成屏蔽易受電磁干擾之元件12的各別群組之屏蔽結構。每一群元件可包括一或多個元件12。如圖4之說明性配置中所展示，可使用絕緣材料16圍繞選定元件12形成區室。為了自絕緣材料16形成區室，切割工具34可用以形成分開選定元件12之通道106。沈積工具38可用以在絕緣材料16上形成屏蔽材料層18，該層幫助保護元件12免受不當電磁干擾。絕緣材料16可為屏蔽材料層提供結構支撐。
作為一實例，為了形成圖4之經屏蔽區室，首先可在基 板14上形成絕緣材料16之層(例如，可使用沈積工具38沈積絕緣層)。通道106可隨後使用雷射切割工具34切穿絕緣層16。導電跡線104可反射由雷射切割工具34發射之雷射(例如，跡線104可由幫助保護基板14免受雷射切割工具34之導電材料形成)。諸如銀漆層之導電層18可沈積於(例如，使用沈積工具38)絕緣層16及通道106上。可使用諸如噴塗、塗漆等之任何合適沈積技術來沈積導電層18。導電層18可與金屬跡線104及導電接地平面102電耦接以形成圍封每一區室且幫助保護元件12免受電磁干擾(例如，來自外部源或在不同區室之元件之間的電磁干擾)之導電結構。
圖5為可使用模製製程(例如，射出模製或轉注模製製程)形成區室110之說明性橫截面圖。區室110可包括圍封選定元件12(例如，對電磁干擾敏感之元件)之絕緣材料16。
諸如模製工具32之模製工具可用以形成界定區室110之形狀及位置的結構112。結構112可置放於耦接至接地平面102之導電跡線104上。結構112可具有孔114，可經由孔114將絕緣材料16注入至模製結構112內部之空間內。在射出製程後(例如，在注入且充分冷卻經加熱之絕緣材料16後)，可移除模製結構112。隨後可在絕緣區室110上形成一或多個屏蔽層(未圖示)(例如，使用沈積工具38)。屏蔽層可接觸跡線104且可與接地平面102相結合形成幫助保護區室110中之元件免受電磁干擾的屏蔽結構。
圖6為製造工具30之說明圖，製造工具30可用以經由射出模製形成圖5之屏蔽區室。如圖6中所展示，製造工具30可包括一上部夾持區段122(有時被稱作頂部槽)、一下部夾持區段124(有時被稱作底部槽)、注入工具126(有時被稱作罐)、加熱組件128、支撐結構130(有時被稱作閘插入物)。
已封裝元件20可置放於元件支撐結構130上且注入工具126可用以將絕緣材料(例如，熱塑性或熱固性材料)注入至頂部槽122與底部槽124之間的區中，如由箭頭127所展示。加熱組件128可用以藉由施加熱量熔融絕緣材料。可將頂部槽122與底部槽124夾持在一起以迫使絕緣材料16在已封裝元件20上形成所要的區室(例如，區室110)。
元件可置放於基板之邊緣處。在一些情形下，可有必要將元件置放於距基板之邊緣最小距離處。舉例而言，可為在製造期間維持基板之穩定性的夾持工具保留基板之在基板之邊緣處的一部分。圖7A為具有經保留之邊緣區的基板14之說明性橫截面圖。邊緣區可經界定為在虛線142右邊的基板區。基板14可包括接地平面102。
絕緣材料16之層可沈積於元件12及基板14上以形成屏蔽結構。在一些情形下，諸如用以沈積絕緣層16之沈積工具38的製造工具可具有相關聯之製造公差。考慮需要形成具有基板14及自元件12延伸至虛線140之絕緣材料16的已封裝元件之情形。在此情形下，可歸因於與沈積工具相關聯之製造公差而難以精確及準確地沈積絕緣材料16(例如，可形成不充分絕緣材料或過度區141)。
如圖7A中所展示，基板14可形成有過度區143(例如，上面可未形成有元件使得容納製造差異及為夾持工具保留之空間的區143)。過度區143有時可在本文中被稱作犧牲區，此係因為區143不必形成已封裝元件20且可被移除以幫助減小已封裝元件20之總的尺寸。為了容納製造公差，沈積工具可經組態以沈積延伸至虛線142之絕緣材料16。可基於沈積工具之公差度確定虛線142以幫助確保沈積工具不沈積不充分絕緣材料(例如，當絕緣層16未能延伸至虛線140時)。超過所要的邊界140之過度絕緣區可連同犧牲板區143一起移除。可使用諸如雷射切割工具或鋸切工具之切割工具34移除犧牲板區143。
圖7B為在移除過度基板143及絕緣材料141後的已封裝元件20之說明性橫截面圖。可沈積或纏繞屏蔽材料18之層以形成幫助保護位於已封裝元件20之周邊的元件12免受電磁干擾之屏蔽結構。屏蔽層18可在基板14之邊緣上延伸且覆蓋基板14之側以接觸接地平面102，藉此在屏蔽結構中形成圍封元件12。
諸如工具30之製造工具可用以使用諸如圖7A之區143的基板之犧牲區形成屏蔽結構。圖8為說明性步驟之流程圖，可執行該等說明性步驟以在基板之周邊處(例如，在主邏輯板之周邊處)形成屏蔽結構。在需要時，可與用於形成用於選擇性地屏蔽基板上之元件的區室之步驟相結合地執行圖8之步驟。
在步驟144中，可形成沿基板之周邊具有犧牲區之基 板。舉例而言，基板14可形成有位於基板14之邊緣處的犧牲區143。
在步驟145中，元件可置放於基板上。元件可包括使用表面黏著技術安裝之元件，且可包括積體電路(例如，形成於各別基板上之積體電路)、電阻器、電容器、電感器或適合於安裝於基板14上之其他元件。可鄰近於犧牲區安裝元件中之一或多者。
在步驟146中，諸如工具38之沈積工具可用以在基板上沈積絕緣材料。沈積工具可經組態以在一層中沈積充分延伸至基板之犧牲區內之絕緣材料(例如，以容納絕緣材料層之邊界的差異)。可形成絕緣層以圍封元件。在需要時，可形成具有諸如圖4之區室108或圖5之區室110的區室之絕緣層(例如，使用諸如雷射工具之切割工具或使用模製工具)。
在步驟147中，可移除基板之犧牲區。可使用切割工具34移除犧牲區。舉例而言，雷射切割工具可用以沿圖7A之虛線140切穿絕緣材料16及基板14以移除犧牲區143。藉由移除犧牲區，可曝露基板之邊緣(例如，可曝露基板之側壁)。
在步驟148中，可在絕緣層上形成屏蔽層以屏蔽下伏元件免受電磁干擾。可使用沈積工具38沈積屏蔽層。作為一實例，屏蔽層18可由沈積於絕緣層16之頂部及側上之導電材料形成，如圖7B中所展示。在此情形下，導電材料可延伸以覆蓋基板14之經曝露部分(例如，基板14之藉由移除 犧牲區曝露的側壁)。
可使用導電壁形成用於元件之屏蔽區室。可在元件12之間形成導電壁(例如，可在對射頻干擾敏感或產生電磁干擾之元件12之間形成壁)。在圖9之實例中，可藉由將元件12與電耦接至導電跡線104及導電接地平面102之導電壁150(例如，由焊料、金屬、金屬合金或其他導電材料形成之壁)分開來形成區室。隨後可沈積絕緣材料16(例如，包覆式雙料射出材料)以圍封元件12且接著可在絕緣材料16及導電壁150上沈積導電層152(例如，銀漆)。
可藉由圍繞選定元件12沈積導電柵欄形成屏蔽區室。在圖10之實例中，可在導電跡線104上形成導電柵欄160以包圍給定元件12(例如，不包圍在經屏蔽元件之右邊的元件12)。跡線104可電耦接至接地平面102(例如，經由形成於基板14中之導電通孔)。導電柵欄160可延伸至頁內以將元件12相互隔離。導電柵欄160可部分或完全包圍需要電磁屏蔽之選定元件。可使用導電黏著劑162(例如，由各向異性導電膜或漿料形成之導電黏著層)將導電層166(例如，金屬箔、導電板等)附著於柵欄160上。導電層166可充當射頻屏蔽層。
在需要時，可在導電層166下方形成可選絕緣層164(例如，可將絕緣層164附著至導電層166之底部表面)。絕緣層164可幫助確保元件12未電短接至導電層166。
在一合適實施例中，可在射頻屏蔽層166上形成(例如，沈積)磁屏蔽層168。磁屏蔽層168可由幫助使磁場遠離元 件12重定向之材料形成。作為一實例，屏蔽層168可由傾向於吸收磁場的諸如鎳鐵合金之金屬合金形成。
在射頻屏蔽層166上形成磁屏蔽層168的圖10之實例僅為說明性的。在另一合適實施例中，可在磁屏蔽層168上形成射頻屏蔽層166(例如，可互換兩個層)。在需要時，可形成屏蔽層166及168中之僅一者。舉例而言，在僅需要磁屏蔽之情形下，可省略射頻屏蔽層166。或者，若僅需要射頻屏蔽，則可省略磁屏蔽層168。
可藉由圍繞已封裝元件纏繞屏蔽層來形成用於元件之屏蔽結構。圖11A為可圍繞基板14上之元件12纏繞屏蔽層171之說明性橫截面圖。如圖11A中所展示，屏蔽層171可經由電耦接至接地平面102之焊接點172耦接至基板14之側壁。元件12可置放於基板14上。
可在元件12及基板14上纏繞由絕緣層173A及173B及屏蔽層171形成之屏蔽結構。屏蔽層171可插入於絕緣層173A與絕緣層173B之間。屏蔽層171可由射頻屏蔽層、磁屏蔽層或兩者(例如，形成於磁屏蔽層上的射頻屏蔽層)形成。作為一實例，屏蔽層171可由諸如金屬箔(例如，銅箔、鋁箔等)之可撓性導電箔形成。
屏蔽層171及絕緣層173A及173B可分開地纏繞於元件12及基板14上或可形成為纏繞於元件12及基板14上的纏繞結構。作為一實例，可經由黏著劑將屏蔽層171附著至絕緣層173A及173B以形成單一纏繞結構。
絕緣層173A及173B可用以電隔離屏蔽層171(例如，與元 件12或外部物件)。屏蔽層171可經由焊接點172電耦接至接地平面102以形成圍封元件12之屏蔽結構。屏蔽層171經由焊接點172耦接至接地平面102的圖11A之實例僅為說明性的。在需要時，屏蔽層171可經由焊料或諸如各向異性導電黏著劑(例如，導電膜或漿料)之導電黏著劑耦接至接地平面102。屏蔽結構可包括接地平面102及屏蔽層171。
在一些情形下，可能需要維持元件12與屏蔽層171之間的最小距離。舉例而言，在元件12中之一些附近的諸如層171之屏蔽層之存在可影響彼等元件之操作。諸如間隔塊174之間隔物可插入於元件12與屏蔽層171之間以確保在元件12與屏蔽層171之間維持足夠的距離，使得屏蔽層171之存在不干擾元件12之正常操作。間隔物174可由絕緣材料(例如，絕緣材料16)形成且可經形成以具有任何所要的形狀及尺寸。屏蔽層171及絕緣層173A及173B可在結構上由元件12及/或間隔物174支撐。
在需要時，屏蔽層171與基板14之間的區170可填充有絕緣材料。可與絕緣層173A相結合或代替絕緣層173A使用絕緣材料。作為一實例，絕緣材料可包括包覆式雙料射出或底部填充材料(例如，與射出模製相關聯之材料)。絕緣材料可用以使元件12與屏蔽層171絕緣且可代替絕緣層173A使用或除絕緣層173A之外亦加以使用。絕緣材料可充當對屏蔽層171之結構支撐。在一合適實施例中，絕緣材料可包括使熱量遠離元件12傳導之導熱材料(例如，絕緣材料可電絕緣及導熱)。
在一些情形下，元件可置放於基板之相對表面上。圖11B為在基板14之頂部與底部相對表面上形成元件12之說明性橫截面圖。在圖11B之實例中，可圍繞元件12及基板14之頂部及底部表面纏繞由層171、173A及173B形成之屏蔽結構，使得屏蔽結構形成屏蔽基板14之頂部表面上的元件之第一區室及屏蔽基板14之底部表面上的元件之第二區室。在需要時，間隔物174可用以幫助確保在元件12與屏蔽結構之間的足夠距離。
不必圍繞基板14之側纏繞圖11A之屏蔽結構。圖11C為可形成包括屏蔽層171、接點175及接地平面102之屏蔽結構之說明性橫截面圖。可在基板14之表面上形成接點175。接點175可由金屬跡線或其他導電材料形成。舉例而言，可在基板14上沈積金屬跡線。在此情形下，金屬跡線中之一些可形成用於元件之接點，而其他金屬跡線可形成接點175。屏蔽層171可經由焊料或導電黏著劑(未圖示)耦接至接點175。接點175可經由基板14耦接至接地平面102，使得元件12由屏蔽層171及接地平面14圍封。
圖12為說明性步驟之流程圖，可使用諸如工具30之製造工具執行該等說明性步驟以形成屏蔽基板上之元件(例如，免受磁及/或射頻干擾)的纏繞屏蔽結構。
在步驟176中，可形成已封裝元件。已封裝元件可包括置放於基板上之元件(例如，形成於各別基板上之積體電路元件或諸如電阻器、電容器等之離散元件)。元件可置放於基板之單一表面上或基板之相對表面上。基板可包括 充當用於基板上之元件的電接地路徑之接地平面。在需要時，基板可形成具有經由基板耦接至接地平面之接點(諸如，接點175)。
在步驟177中，可在選定元件上形成間隔物。舉例而言，間隔物174可置放於元件上，如圖11A及圖11B中所展示。可形成間隔物以幫助確保在選定元件與在步驟178期間形成之屏蔽結構之間的足夠間距。
在步驟178中，可圍繞已封裝元件纏繞屏蔽結構，使得屏蔽基板上之元件免受射頻及/或磁干擾。作為一實例，屏蔽結構可為圍繞已封裝元件纏繞且經由焊料或導電黏著劑耦接至基板之側壁的金屬箔(例如，如圖11A或圖11B中所展示)。作為另一實例，屏蔽結構可經由焊料或導電黏著劑耦接至在基板之表面上的接點(例如，如圖11C中所展示)。
可在將絕緣結構附著至已封裝元件20前形成用於元件12之絕緣結構。如圖13A中所展示，可預形成絕緣材料16且接著將其置放於基板14上元件12上。作為一實例，預模製材料可經加熱且部分固化模製成圍繞元件20之區室之所要的形狀。作為另一實例，由聚合熱縮材料形成之熱縮材料(例如，由聚合物形成之熱縮材料)可用以形成圍繞元件20之區室。熱縮材料之實例包括耐綸、聚氯乙烯(PVC)、橡膠或其他熱塑性材料。
絕緣材料可經形成以具有稍大於圍封元件12所必要之區室的區室。換言之，間隙182可分開絕緣材料16與元件 12。如圖13B中所展示，可重新形成絕緣材料16以填充間隙182(例如，藉由施加熱量及/或壓力以重新形成絕緣材料16之部分)。隨後可在絕緣材料16上形成屏蔽層(未圖示)以屏蔽元件12免受電磁干擾。舉例而言，可圍繞絕緣材料16纏繞金屬箔或可在絕緣材料16上沈積金屬漆。
在一合適實施例中，可圍繞選定元件形成區室，而不覆蓋其他元件。在圖13B之實例中，可形成覆蓋第一及第二元件同時使第三元件曝露之絕緣結構。在此情形下，可電磁屏蔽第一及第二元件而不屏蔽第三元件(例如，藉由在絕緣結構上沈積導電材料層，而不在曝露之元件上沈積導電材料)。
圖14為說明性步驟之流程圖，可使用製造工具執行該等說明性步驟以藉由重新形成絕緣結構來屏蔽基板上之元件。
在步驟183中，具有區室之絕緣結構可由絕緣材料形成(例如，使用模製工具32或其他製造工具)。絕緣材料可由可經由熱量及/或壓力重新形成之材料(例如，熱塑性材料)形成。可基於基板上之元件的位置及尺寸形成區室。每一區室可稍大於將由彼區室圍封之對應元件而形成。
在步驟184中，絕緣結構可置放於基板上使得基板上之元件由對應的區室圍封(例如，如圖13A中所展示)。
在步驟185中，可將熱量及/或壓力施加至絕緣結構使得重新形成絕緣結構以填充區室壁與元件之間的間隙(例如，如圖13B中所展示)。舉例而言，可使用加熱工具36將 熱量施加至絕緣結構。在一合適實施例中，絕緣結構可由回應於被加熱而收縮以配合元件之熱縮材料形成。可經由加熱將熱縮材料重組態成具有減小之尺寸的熱縮材料。
在步驟186中，可在絕緣結構上形成屏蔽層以屏蔽元件免受電磁干擾(例如，射頻及/或磁干擾)。可藉由用屏蔽結構纏繞基板等使用沈積工具38來形成屏蔽層。
在製造期間，可能需要在已用屏蔽結構永久覆蓋元件前測試諸如射頻元件之元件。舉例而言，可能需要在用絕緣且屏蔽材料覆蓋元件前執行對已焊接至印刷電路板之積體電路的測試。藉由在製造屏蔽結構之程序完成前測試元件，可保持再製或拋棄有缺陷元件之能力。
如圖15中所展示，基板14可置放於支撐結構189上以用於測試元件12。支撐結構189可用以在測試期間將基板14固持於穩定位置中。舉例而言，支撐結構189可包括用於在測試期間將基板14固持於適當位置之夾具。臨時屏蔽件18(例如，由電磁屏蔽材料形成)可置放於需要使用可調整定位結構187測試之元件12上。舉例而言，可調整定位結構187可包括可經控制以調整臨時屏蔽件18在三維空間中之位置的馬達及/或致動器。可使用測試設備(例如，計算設備)控制可調整定位結構187。在需要時，由可容易移除之絕緣材料形成的絕緣層(未圖示)可插入於臨時屏蔽件18與元件12之間且可幫助防止臨時屏蔽件18與元件12之間的電短路。
臨時屏蔽件18可包括由諸如鋼絲絨、導電聚合物或其他 導電且可壓縮材料之可壓縮材料形成的可壓縮部件190。基板14可包括可壓縮部件190可在測試期間耦接至之接點175。可壓縮部件190可幫助在測試期間保護接點175免於損壞。在測試期間，由臨時屏蔽件18、接點175及接地平面102形成之屏蔽結構可幫助保護基板14上之選定元件12免受電磁干擾。
在測試期間，測試設備188(例如，測試器)可用以經由路徑191與元件12通信。路徑191可包括用於在測試設備188與元件12之間傳送測試信號之纜線及探針。舉例而言，探針可用以在基板14之表面處接觸測試點。在此情形下，基板可包括將測試點耦接至元件12以在測試點與元件之間傳送測試信號的路徑。
測試設備188可藉由經由路徑191發送測試信號及自元件12接收測試信號來對元件執行測試。可執行測試以判定元件12是否正適當地操作。可調整定位結構可用以調整屏蔽件18之定位以在測試操作期間屏蔽選定元件免受電磁干擾。舉例而言，在第一測試操作期間，可屏蔽元件C1、C3及C4。在隨後測試操作期間，可調整定位結構可用以重新定位屏蔽件18以屏蔽諸如元件C2之其他元件。
圖16為說明性步驟之流程圖，可執行該等說明性步驟以臨時屏蔽基板上之元件。
在步驟192中，測試中之裝置(例如，上面已置放元件12之基板14)可置放於諸如支撐結構189的支撐結構上。
在步驟193中，可調整定位結構可用以定位臨時屏蔽結 構以圍封測試中之裝置上的選定元件。舉例而言，圖15之可調整定位結構187可用以調整臨時屏蔽件18之定位，使得可壓縮部件190耦接至基板14之接點175。
在步驟194中，諸如測試設備188之測試設備可用以執行測試中之裝置的測試。舉例而言，測試設備188可用以測試元件以判定測試中之裝置是否正適當地操作(例如，以判定基板14上之元件12是否正適當地操作)。在測試期間，臨時屏蔽結構可充當用於測試中之裝置之選定元件的射頻及/或磁屏蔽。在需要時，臨時屏蔽結構可經組態以屏蔽全部元件或元件之選定群組。
可藉由經由路徑195返回至步驟193執行需要臨時屏蔽結構之不同組態的隨後測試。舉例而言，可重新定位臨時屏蔽結構以在隨後測試期間屏蔽不同元件。若測試完成，則可執行步驟196之操作。
在步驟196中，可自測試中之裝置移除臨時屏蔽結構。舉例而言，可調整定位結構187可用以將臨時屏蔽件18遠離元件12重新定位。
在步驟197中，可自支撐結構移除測試中之裝置。若測試成功，則可執行步驟198之操作以形成充當用於測試中之裝置上的元件之射頻及/或磁屏蔽之永久屏蔽結構。在測試失敗之情況下(例如，若測試中之裝置的一或多個元件經識別為有缺陷)，可執行步驟199之操作。
在步驟199中，可再製或拋棄測試中之裝置。作為一實例，可再製測試中之裝置以替換有缺陷元件或在基板上再 製導引路徑或連接(例如，藉由重新焊接元件與基板之間的連接)。在此情形下，程序可經由可選路徑200返回至步驟192以測試再製的測試中之裝置。
可能需要在用於元件的屏蔽結構之形成期間測試基板上之元件(例如，在永久屏蔽結構之形成期間測試元件或元件與基板之間的連接中之故障)。圖17A至圖17H為步驟之說明圖，可執行該等步驟以形成用於已封裝元件20之屏蔽結構及在屏蔽結構之形成期間測試元件。
如圖17A中所展示，已封裝元件20可包括置於基板14上之元件12。可在基板14上形成測試點201(例如，藉由使用諸如沈積工具38之工具沈積銅或其他導電材料以形成接點)。測試點201可經由基板14中之路徑204電耦接至各別元件12。
可沈積絕緣層16以覆蓋元件12、測試點201及基板14，如圖17B中所展示。絕緣層16可包括任何所要的絕緣材料(例如，如結合圖2所描述)。諸如沈積工具38或模製工具32之工具可用以形成絕緣層16。
在隨後步驟中，可在絕緣層16上沈積導電材料18之層，如圖17C中所展示。可使用沈積工具38沈積導電層18。
接著可移除導電層18之在測試點201上的一部分，如由圖17D之箭頭206所展示。導電層18之經移除之部分的面積可稍大於下伏測試點201之面積。可使用諸如切割工具34之工具移除導電層18之部分。舉例而言，雷射切割工具可用以移除導電層18之部分。作為另一實例，可使用蝕刻工 具經由蝕刻移除導電層18之部分。
如由圖17E所展示，可移除絕緣層16之一部分以曝露測試點201，如由箭頭208所展示。可經由雷射切割、蝕刻、鑽孔等移除絕緣層16之部分。
在隨後步驟中，可使用測試探針210執行已封裝元件20之測試，如圖17F中所展示。可定位測試探針210以接觸測試點201。藉由移除導電層18之稍大於測試點201之面積的一部分(例如，如圖17D中所展示)，可插入測試探針以接觸測試點201，而不電短接至導電層18。測試探針210可用以經由測試點201及路徑204傳輸測試信號及自元件12接收測試信號。測試設備(未圖示)可耦接至測試探針210且可處理測試信號。
使用單一測試點201測試元件12的圖17F之實例僅為說明性的。在一合適實施例中，單一元件可經由各別路徑204耦接至多個測試點(例如，每一測試點可用以接收及傳輸用於元件之不同測試信號)。在此情形下，一或多個測試探針可用以使用測試點測試元件。在另一合適實施例中，多個元件12可耦接至不同測試點201。在此情形下，可分開來或並行地測試元件(例如，使用多個測試探針經由各別測試點201將測試信號發送至元件且接收測試信號)。在一或多個元件測試未通過之情況下，可拋棄裝置。
在已封裝元件20之測試完成(例如，回應於判定元件20正適當地操作)後，導電層18及絕緣層16之先前移除的區可填充有絕緣材料212，如圖17H中所展示。絕緣材料212 可包括諸如用以形成絕緣層16之絕緣材料之任何所要的絕緣材料，且可使用沈積工具38來沈積絕緣材料212。
如圖17H中所展示，可在絕緣材料212上沈積導電層214。導電層214可耦接至包圍測試點201之導電層18。導電層214可充當用於測試點201之電磁屏蔽。舉例而言，在正常操作期間，元件12可輻射來自測試點201之射頻信號。經輻射之射頻信號可受到導電層214阻擋。絕緣材料212可用以將層214與測試點201隔離(例如，使得測試點201未電短接至導電層214)。
作為一實例，測試點201可為形成於基板14之表面上的實質上圓形接點。在此情形下，絕緣材料212可形成覆蓋測試點201之圓柱形絕緣結構。在需要時，絕緣材料212可與絕緣層16及/或導電層18重疊。可沈積導電層214以覆蓋測試點201及絕緣材料212上的實質上圓形區域。導電層214與導電層18可相結合地用以在元件12上形成連續的導電材料層。
層18及214由導電材料形成的圖17H之實例僅為說明性的。在需要時，層18及212可由用於屏蔽元件12免受干擾之任何所要的射頻及/或磁屏蔽材料形成。
圖18為說明性步驟之流程圖，可執行該等說明性步驟以在用於基板上之元件的屏蔽結構之形成期間測試基板上之元件。
在步驟222中，可形成具有基板上之元件之已封裝元件。基板可包括耦接至元件之測試點(例如，如圖17A中所 展示)。
在步驟224中，可在基板上沈積絕緣層(例如，圖17B之絕緣層16)。絕緣層可由任何所要的絕緣材料形成，且可使用沈積工具38來沈積絕緣層。
在步驟226中，可在基板上沈積導電層(例如，圖17C之導電層18)。可藉由使用沈積工具38沈積導電材料來形成導電層。
在步驟228中，可移除導電層在測試點上的部分以曝露絕緣層16之下伏部分(例如，使用蝕刻工具或諸如雷射切割工具之切割工具34)。
在步驟230中，可移除絕緣層16之在步驟228期間曝露的部分使得測試點被曝露(例如，使用切割工具34)。
在步驟232中，經曝露之測試點可用以測試耦接至測試點之元件。舉例而言，測試設備可用以使用接觸測試點之探針將測試信號發送至元件及接收測試信號(例如，如圖17F中所展示)。回應於測試之成功完成，可執行步驟234之操作。回應於在測試期間識別故障，可在步驟238期間拋棄裝置。
在步驟234中，可用絕緣材料覆蓋測試點。舉例而言，沈積工具38可用以用絕緣材料212填充在步驟226及228期間移除的絕緣層16及導電區18之區(例如，如圖17G中所展示)。
在步驟236中，可用導電材料層覆蓋測試點上的絕緣材料以用於屏蔽測試點(例如，如圖17H中所展示)。可使用 沈積工具38來沈積導電材料層以形成覆蓋測試點之實質上圓形補片。
在一合適實施例中，已封裝元件可形成有用於測試元件之測試柱。圖19A至圖19F為步驟之說明圖，可執行該等步驟以形成具有測試柱之已封裝元件及使用測試柱測試已封裝元件。
如圖19A中所展示，已封裝元件20可在基板14上形成有元件12及測試柱242。基板14可包括經由路徑204耦接至各別元件12之測試點201(例如，由銅或其他導電材料形成之接點)。測試柱242可由導電材料形成且可耦接至測試點201。測試柱242可經由焊料或導電黏著劑(未圖示)耦接至測試點201。測試柱242可為實質上圓柱形或任何其他所要的形狀。
在隨後步驟中，可在基板14上沈積絕緣材料16之層，如圖19B中所展示。絕緣層16可包圍測試柱242而不覆蓋測試柱242。換言之，測試柱242之尖端部分243可保持曝露。
接著可將可移除頂蓋244置放於測試柱242上，如圖19C中所展示。可移除頂蓋244可按測試柱242之曝露之區域的形狀(例如，自俯視角度看來，實質上圓形)形成。可移除頂蓋244可接觸絕緣層16使得可移除頂蓋244圍封測試柱242之曝露之部分。可移除頂蓋244可由任何所要的材料(例如，絕緣材料)形成。
接著可在絕緣層18及可移除頂蓋244上沈積導電材料18之層，如圖19D中所展示(例如，使用沈積工具38)。
可移除頂蓋244隨後可連同導電層18之覆蓋可移除頂蓋244的部分一起移除，如圖19E中所展示。可藉由頂蓋244之移除曝露絕緣層16之區246。可移除頂蓋244之使用可幫助確保在導電測試柱242與導電層18之間的足夠間隔，使得測試柱242未電短接至導電層18。
測試柱242可用以執行經由接點201及路徑204耦接至測試柱242的各別元件12之測試。舉例而言，探針可經定位以接觸測試柱242且用以經由測試柱242將測試信號傳輸至各別元件12及接收測試信號。在需要時，耦接至基板14上之元件的多個測試柱可經形成且用於測試元件。
在隨後步驟中，可形成屏蔽測試柱242之屏蔽結構，如圖19F中所展示。屏蔽結構可包括與測試柱242及導電層18之相鄰區重疊的絕緣層250。與絕緣層250重疊之導電層248可耦接至導電層18之鄰近絕緣層250的區。導電層248可經由由諸如各向異性導電黏著劑之導電黏著劑材料形成的層252耦接至絕緣層250及導電層18。導電層248可由諸如屏蔽材料18之任何所要的屏蔽材料形成。
圖20為說明性步驟之流程圖，可執行該等說明性步驟以形成具有測試柱之已封裝元件及使用測試柱測試已封裝元件。
在步驟262中，可形成具有在基板之表面處之測試點(例如，諸如圖19A之測試點201之測試點)的已封裝元件。測試點可耦接至基板上之元件。
在步驟264中，測試柱可附著至測試點(例如，耦接至元 件的諸如圖19A之測試柱242之測試柱)。測試柱可在基板上方垂直地延伸且可經由焊料或其他形式之導電耦接(例如，導電黏著劑等)附著至測試點。
在步驟266中，可在基板上形成絕緣材料層(例如，圖19B之絕緣層16)。絕緣層可包圍測試柱而不覆蓋測試柱。
在步驟268中，可移除頂蓋可置放於測試柱上。舉例而言，每一可移除頂蓋可形成且置放於各別測試柱上，如圖19C中所展示。
在步驟270中，可使用沈積工具38沈積屏蔽層，如圖19D中所展示。可在基板及可移除頂蓋上沈積屏蔽層。屏蔽層可包括射頻屏蔽材料及/或磁屏蔽材料之一或多個層。
在步驟272中，可移除頂蓋可連同屏蔽層之覆蓋可移除頂蓋的部分一起移除(例如，如圖19E中所展示)。可藉由頂蓋之移除曝露絕緣層16之鄰近每一測試柱的部分。
在步驟274中，可使用測試柱執行元件之測試(例如，使用測試設備經由測試柱傳輸測試信號及自元件接收測試信號)。回應於成功測試，可在步驟276期間用屏蔽結構覆蓋測試柱(例如，各自由絕緣層250及導電層248形成之屏蔽結構，如圖19F中所展示)。回應於在測試期間一或多個元件之故障，可拋棄或在需要時再製已封裝元件。
可使用任何所要的電磁屏蔽結構選擇性地屏蔽基板上之電子元件(例如，可屏蔽一些元件而不屏蔽其他元件)。圖21為說明性步驟之流程圖，可執行該等說明性步驟以選擇性地屏蔽基板上之電子元件。
在步驟282中，可將諸如元件12之元件安裝於基板(例如，基板14或其他印刷電路板基板)上。
在步驟284中，可圍繞選定元件使用絕緣材料及屏蔽材料形成屏蔽結構。舉例而言，金屬柵欄可用以選擇性地屏蔽元件，如圖10中所展示。作為另一實例，射出模製可用以在選定元件上射出模製塑膠材料，如圖5中所展示。
根據一實施例，提供一種印刷電路板，其包括：一基板；一電子元件，其安裝至該基板；及一電磁屏蔽結構，其由纏繞於至少該電子元件上的金屬箔形成。
根據另一實施例，該金屬箔圍繞該電子元件及該基板纏繞。
根據另一實施例，該基板包括一頂部表面、一底部表面及複數個側壁。該金屬箔僅覆蓋該基板之該頂部表面及該複數個側壁。根據另一實施例，該基板包括一導電接地平面且該金屬箔在該複數個側壁之每一側壁處耦接至該導電接地平面。
根據另一實施例，該金屬箔使用焊料附著至該導電接地平面。
根據另一實施例，該印刷電路板進一步包括一插入於該電子元件與該金屬箔之間的間隔塊。
根據另一實施例，該金屬箔具有一頂部表面及一底部表面且該印刷電路板進一步包括一附著至該金屬箔之該底部表面之絕緣層。
根據另一實施例，該印刷電路板進一步包括一附著至該 金屬箔之該頂部表面之額外絕緣層。
根據另一實施例，該基板包括一導電接地平面且該印刷電路板進一步包括在該基板上之至少一金屬跡線。該金屬箔經由該金屬跡線耦接至該導電接地平面。
根據另一實施例，該金屬箔完全圍封該基板。
根據一實施例，提供一種用於形成電磁屏蔽結構之方法。該方法包括：將一電子元件安裝於一基板上；及在該電子元件及該基板上纏繞一金屬箔以形成一電磁屏蔽結構。
根據另一實施例，該方法進一步包括將該金屬箔附著至該基板之一側壁。
根據另一實施例，該基板包括一導電接地平面，且將該金屬箔附著至該基板之該側壁包括在該基板之該側壁處將該金屬箔焊接至該導電接地平面。
根據另一實施例，該方法進一步包括在該基板上沈積一絕緣材料。在該電子元件上纏繞該屏蔽結構包括在該絕緣材料上纏繞該屏蔽結構。
根據另一實施例，該方法進一步包括將一額外電子元件安裝於該基板上。在該電子元件及該基板上纏繞該金屬箔包括圍繞該電子元件及該基板纏繞該金屬箔使得該金屬箔完全圍封該電子元件、該額外電子元件及該基板。
根據另一實施例，該基板包括一導電接地平面，且該方法進一步包括在該基板上沈積經由該基板耦接至該導電接地平面之金屬跡線及將該金屬箔附著至該等金屬跡線。
根據另一實施例，該方法進一步包括在該基板上沈積一導熱材料。該金屬箔纏繞於該導熱材料上。
根據一實施例，提供用於電磁屏蔽一基板上之一電子元件之電磁屏蔽結構。該等電磁屏蔽結構包括：一熱縮絕緣結構，其由一聚合熱縮材料形成，該熱縮絕緣結構覆蓋該電子元件；及一在該熱縮絕緣結構上之導電塗層，其充當一電磁屏蔽件。
根據另一實施例，該聚合熱縮材料包括一熱塑性材料。
根據另一實施例，該導電塗層包括金屬漆。
根據另一實施例，該導電塗層包括一金屬箔。
根據另一實施例，該等電磁屏蔽結構進一步包括一額外電子元件，且該熱縮絕緣結構覆蓋該電子元件，而不覆蓋該額外電子元件。
根據另一實施例，該電子元件包括一射頻收發器。
根據一實施例，提供形成用於一基板上之電子元件的電磁屏蔽結構之方法。該方法包括：藉由模製工具形成具有對應於該基板上之電子元件的區室之一絕緣結構；及藉由加熱工具將熱量施加至該絕緣結構以重新形成該絕緣結構之該等區室，以圍封對應於該等區室之該等電子元件。
根據另一實施例，該方法包括藉由沈積工具在該絕緣結構上沈積一導電材料層。
根據另一實施例，形成該絕緣結構包括自一熱塑性材料形成該絕緣結構。
根據另一實施例，形成該絕緣結構包括自一熱縮材料形 成該絕緣結構，且將熱量施加至該絕緣結構以重新形成該絕緣結構之該等區室包括將熱量施加至該絕緣結構以使該絕緣結構之該等區室收縮，以圍封對應於該等區室之該等電子元件。
根據另一實施例，在該絕緣結構上沈積一導電材料層包括在該絕緣結構上沈積一銀漆層。
根據一實施例，提供一種用於形成用於已封裝元件之電磁屏蔽結構之方法。該方法包括：將一電子元件置放於一基板上鄰近於在該基板之一邊緣處的一犧牲區處；藉由沈積工具在該基板上沈積覆蓋該電子元件及該基板之該犧牲區的一絕緣材料層；及藉由切割工具移除該基板之該犧牲區。
根據另一實施例，該方法進一步包括在移除該基板之該犧牲區後藉由該等沈積工具在該基板上沈積覆蓋該電子元件之一導電材料層。
根據另一實施例，該基板包括一接地平面且在該基板上沈積該導電材料層包括在該基板上沈積該導電材料層使得該導電材料層在該基板之藉由移除該基板之該犧牲區而曝露的一邊緣處接觸該接地平面。
根據另一實施例，在該基板上沈積覆蓋該電子元件之該導電材料層包括在該基板上沈積覆蓋該電子元件之一導電漆層。
根據另一實施例，在該基板上沈積覆蓋該電子元件之該導電漆層包括在該基板上沈積覆蓋該電子元件之一銀漆 層。
根據另一實施例，該等切割工具包括雷射切割工具，且移除該基板之該犧牲區包括使用該等雷射切割工具移除該基板之該犧牲區。
根據一實施例，提供一種方法，其包括：將一電子元件及至少一測試柱安裝至一印刷電路基板上之金屬跡線使得該電子元件電耦接至該測試柱；沈積包圍該測試柱之一介電材料同時使該測試柱之一尖端部分曝露；及藉由一測試器電接觸該測試柱之該尖端部分以測試該電子元件。
根據另一實施例，該方法進一步包括在用該測試器成功測試該電子元件後，在該測試柱之該尖端部分上沈積一介電結構。
根據另一實施例，該方法進一步包括在該介電結構上沈積一導電補片。
根據另一實施例，該方法進一步包括在該測試柱之該尖端部分上沈積一屏蔽結構。該屏蔽結構包括一導電補片及一介電路徑。
根據另一實施例，該方法進一步包括：將一可移除頂蓋結構置放於該測試柱之該尖端部分上；及在該可移除頂蓋結構上沈積一導電層及沈積包圍該測試柱之該介電材料。
根據另一實施例，該方法進一步包括在於該可移除頂蓋結構上沈積該導電層及沈積包圍該測試柱之該介電材料後，移除該可移除頂蓋結構以曝露該測試柱之該尖端部分。
根據一實施例，提供一種印刷電路板，其包括：一基板；一電子元件，其安裝於該基板上；一金屬跡線，其耦接至該電子元件；一測試柱，其耦接至該跡線；及一介電材料，其覆蓋該等測試柱。
根據另一實施例，該印刷電路板進一步包括一包圍該測試柱之絕緣層及一覆蓋該絕緣層而不接觸該測試柱之導電層。該介電材料覆蓋該導電層之一部分。
根據另一實施例，該印刷電路板進一步包括一在覆蓋該測試柱之該介電材料上之導電補片。該導電補片電耦接至該導電層。
根據另一實施例，該印刷電路板進一步包括將該導電補片耦接至該介電材料及該導電層之一導電黏著劑材料。
根據一實施例，提供一種方法，其包括：將一電子元件安裝至一基板上之金屬跡線使得該電子元件電耦接至該等金屬跡線；沈積覆蓋該電子元件及該等金屬跡線之一介電層；在該介電層中形成一開口；及藉由一測試器經由該介電層中之該開口電接觸該等金屬跡線之一部分以測試該電子元件。
根據另一實施例，該方法進一步包括沈積覆蓋該介電層之一導電層及在該介電層中之該開口上的該導電層中形成一額外開口。
根據另一實施例，該方法進一步包括在成功測試該電子元件後，沈積一介電材料以覆蓋該介電層中之該開口。
根據另一實施例，該方法進一步包括在覆蓋該介電層中 之該開口且接觸該導電層的該介電材料上沈積一導電材料。
根據一實施例，提供一種用於測試一基板上之電子元件之方法。該方法包括：藉由可調整定位結構調整電磁屏蔽結構之位置以圍封該等電子元件中之至少一者；藉由測試設備，藉由將測試信號提供至該等電子元件執行測試操作；及在執行該等測試操作後，藉由該等可調整定位結構自該等電子元件中之該至少一者移除該等電磁屏蔽結構。
根據另一實施例，該方法進一步包括回應於成功測試該等電子元件，在該基板上形成用於該等電子元件之永久電磁屏蔽結構。
根據另一實施例，在該基板上形成永久電磁屏蔽結構包括形成屏蔽該基板上之一第一電子元件而不屏蔽該基板上之一第二電子元件的永久電磁屏蔽結構。
根據一實施例，提供一種形成一具有經屏蔽電路及未屏蔽電路之電系統之方法。該方法包括：將電子元件安裝於一印刷電路板基板上；在該印刷電路板基板上沈積覆蓋該等電子元件中之至少一第一者的介電材料；及用充當一電磁屏蔽件之一導電層塗佈該經沈積之介電材料。該導電層覆蓋該等電子元件中之至少該第一者，而不覆蓋該等電子元件中之一第二者。
根據另一實施例，沈積該介電材料包括在該第一電子元件上射出模製塑膠材料，而不在該第二電子元件上射出模製塑膠材料。
根據另一實施例，該方法進一步包括在該印刷電路板基板上形成包圍該第一電子元件之一金屬柵欄。
根據另一實施例，該方法進一步包括移除該印刷電路板基板之鄰近該第一電子元件的一犧牲區。
根據一實施例，提供一種印刷電路板，其包括：一基板；一電子元件，其安裝於該基板上；金屬柵欄結構，其安裝於該基板上，該等金屬柵欄結構包圍該電子元件；及一金屬箔蓋，其在該等金屬柵欄結構上。該金屬箔蓋及該等金屬柵欄結構經組態以形成用於該電子元件之一電磁屏蔽件。
根據另一實施例，該印刷電路板進一步包括沈積於該金屬箔蓋上之一鐵磁性材料。
根據另一實施例，該印刷電路板進一步包括將該金屬箔蓋耦接至該等金屬柵欄結構之一導電黏著劑。
根據另一實施例，該導電黏著劑包括一各向異性導電黏著劑。
前文僅說明本發明之原理，且可由熟習此項技術者在不脫離本發明之範疇及精神的情況下進行各種修改。可個別地或按任何組合來實施前述實施例。
10‧‧‧電子裝置
12‧‧‧電子元件
13‧‧‧外殼
14‧‧‧印刷電路板/基板
16‧‧‧絕緣材料/絕緣層
18‧‧‧屏蔽材料/臨時屏蔽件/導電層/導電區/屏蔽層
20‧‧‧已封裝元件
30‧‧‧製造工具
32‧‧‧模製工具
34‧‧‧切割工具
36‧‧‧加熱工具
38‧‧‧沈積工具
102‧‧‧導電接地平面
104‧‧‧導電跡線/金屬跡線
106‧‧‧通道
108‧‧‧區室
110‧‧‧區室/絕緣區室
112‧‧‧模製結構
114‧‧‧孔
122‧‧‧上部夾持區段/頂部槽
124‧‧‧下部夾持區段/底部槽
126‧‧‧注入工具
127‧‧‧箭頭
128‧‧‧加熱組件
130‧‧‧支撐結構
140‧‧‧虛線/邊界
141‧‧‧過度絕緣材料/過度區
142‧‧‧虛線
143‧‧‧犧牲板區/過度基板/過度區/犧牲區
150‧‧‧導電壁
152‧‧‧導電層
160‧‧‧導電柵欄
162‧‧‧導電黏著劑
164‧‧‧絕緣層
166‧‧‧導電層/射頻屏蔽層
168‧‧‧磁屏蔽層
170‧‧‧區
171‧‧‧屏蔽層
172‧‧‧焊接點
173A‧‧‧絕緣層
173B‧‧‧絕緣層
174‧‧‧間隔塊/間隔物
175‧‧‧接點
182‧‧‧間隙
187‧‧‧可調整定位結構
188‧‧‧測試設備
189‧‧‧支撐結構
190‧‧‧可壓縮部件
191‧‧‧路徑
195‧‧‧路徑
200‧‧‧可選路徑
201‧‧‧測試點/接點
204‧‧‧路徑
206‧‧‧箭頭
208‧‧‧箭頭
210‧‧‧測試探針
212‧‧‧絕緣材料
214‧‧‧導電層
242‧‧‧測試柱
243‧‧‧尖端部分
244‧‧‧可移除頂蓋
246‧‧‧區
248‧‧‧導電層
250‧‧‧絕緣層
252‧‧‧層
圖1為根據本發明之一實施例的說明性已封裝元件之透視圖，該等已封裝元件包括印刷電路板及在印刷電路板上之可藉由電磁屏蔽結構屏蔽之元件。
圖2為根據本發明之一實施例的已封裝元件之方塊圖。
圖3為根據本發明之一實施例的製造系統之方塊圖，在該製造系統中，製造工具可用以形成用於選擇性地屏蔽已封裝元件之屏蔽結構。
圖4為根據本發明之一實施例的經使用雷射切割工具形成以用於已封裝元件之屏蔽結構之橫截面圖。
圖5為根據本發明之一實施例的經使用射出模製形成以用於已封裝元件之屏蔽結構之橫截面圖。
圖6為根據本發明之一實施例的射出模製工具之橫截面圖，該射出模製工具可用以形成用於已封裝元件之屏蔽結構。
圖7A為根據本發明之一實施例的包括具有犧牲區之基板的已封裝元件之橫截面圖。
圖7B為根據本發明之一實施例的藉由移除基板之犧牲區形成的屏蔽結構之橫截面圖。
圖8為根據本發明之一實施例的說明性步驟之流程圖，可執行該等說明性步驟以藉由移除基板之犧牲區形成屏蔽結構。
圖9為根據本發明之一實施例的具有使用導電壁形成之屏蔽結構的已封裝元件之橫截面圖。
圖10為根據本發明之一實施例的具有使用導電柵欄形成之屏蔽結構的已封裝元件之橫截面圖。
圖11A為根據本發明之一實施例的具有由纏繞箔形成之屏蔽結構的已封裝元件之橫截面圖。
圖11B為根據本發明之一實施例的具有由纏繞箔形成之 屏蔽結構的已封裝元件之橫截面圖，該纏繞箔屏蔽形成於基板之相對表面上之元件。
圖11C為根據本發明之一實施例的具有使用纏繞箔形成於基板之單一表面上之屏蔽結構的已封裝元件之橫截面圖。
圖12為根據本發明之一實施例的說明性步驟之流程圖，可執行該等說明性步驟以使用纏繞箔在基板上形成屏蔽結構。
圖13A及圖13B為展示根據本發明之一實施例的說明性步驟之橫截面圖，該等說明性步驟涉及藉由將熱及/或壓力施加至絕緣結構形成屏蔽結構。
圖14為根據本發明之一實施例的說明性步驟之流程圖，可執行該等說明性步驟以藉由將熱及/或壓力施加至絕緣結構形成屏蔽結構。
圖15為根據本發明之一實施例的測試系統之說明圖，在該測試系統中可使用臨時屏蔽在測試期間屏蔽元件。
圖16為根據本發明之一實施例的說明性步驟之流程圖，該等說明性步驟涉及使用臨時屏蔽以在測試期間屏蔽元件。
圖17A至圖17H為展示根據本發明之一實施例的說明性步驟之橫截面側視圖，該等說明性步驟涉及形成具有測試點之已封裝元件及使用測試點測試已封裝元件。
圖18為根據根據本發明之一實施例的說明性步驟之流程圖，該等說明性步驟涉及形成具有測試點之已封裝元件及 使用測試點測試已封裝元件。
圖19A至圖19F為展示根據本發明之一實施例的說明性步驟之橫截面側視圖，該等說明性步驟涉及形成具有測試柱之已封裝元件及使用測試柱測試已封裝元件。
圖20為根據本發明之一實施例的說明性步驟之流程圖，該等說明性步驟涉及形成具有測試柱之已封裝元件及使用測試柱測試已封裝元件。
圖21為根據本發明之一實施例的說明性步驟之流程圖，該等說明性步驟涉及選擇性地屏蔽基板上之元件。
12‧‧‧電子元件
14‧‧‧印刷電路板/基板
16‧‧‧絕緣材料/絕緣層
18‧‧‧屏蔽材料/臨時屏蔽件/導電層/導電區/屏蔽層
20‧‧‧已封裝元件

Claims (20)

  1. 一種印刷電路板，其包含：一基板；一電子元件，其安裝至該基板；及一電磁屏蔽結構，其由纏繞於至少該電子元件上的金屬箔形成。
  2. 如請求項1之印刷電路板，其中該金屬箔圍繞該電子元件及該基板纏繞。
  3. 如請求項2之印刷電路板，其中該基板包括一頂部表面、一底部表面及複數個側壁，且其中該金屬箔僅覆蓋該基板之該頂部表面及該複數個側壁。
  4. 如請求項3之印刷電路板，其中該基板包括一導電接地平面，且其中該金屬箔在該複數個側壁之每一側壁處耦接至該導電接地平面。
  5. 如請求項4之印刷電路板，其中該金屬箔使用焊料附著至該導電接地平面。
  6. 如請求項2之印刷電路板，其進一步包含：一間隔塊，其插入於該電子元件與該金屬箔之間。
  7. 如請求項2之印刷電路板，其中該金屬箔具有一頂部表面及一底部表面，該印刷電路板進一步包含：一絕緣層，其附著至該金屬箔之該底部表面。
  8. 如請求項2之印刷電路板，其進一步包含：一額外絕緣層，其附著至該金屬箔之該頂部表面。
  9. 如請求項2之印刷電路板，其中該基板包括一導電接地 平面，且該印刷電路板進一步包含：在該基板上之至少一金屬跡線，其中該金屬箔經由該金屬跡線耦接至該導電接地平面。
  10. 如請求項2之印刷電路板，其中該金屬箔完全圍封該基板。
  11. 如請求項1之印刷電路板，其中該金屬箔包含銅箔。
  12. 如請求項1之印刷電路板，其中該金屬箔包含鋁箔。
  13. 一種用於形成電磁屏蔽結構之方法，該方法包含：將一電子元件安裝於一基板上；在該電子元件及該基板上纏繞一金屬箔以形成一電磁屏蔽結構。
  14. 如請求項13之方法，其進一步包含：將該金屬箔附著至該基板之一側壁。
  15. 如請求項14之方法，其中該基板包括一導電接地平面，且其中將該金屬箔附著至該基板之該側壁包含在該基板之該側壁處將該金屬箔焊接至該導電接地平面。
  16. 如請求項13之方法，其進一步包含：在該基板上沈積一絕緣材料，其中在該電子元件上纏繞該屏蔽結構包含在該絕緣材料上纏繞該屏蔽結構。
  17. 如請求項13之方法，其進一步包含：將一額外電子元件安裝於該基板上，其中在該電子元件及該基板上纏繞該金屬箔包含：圍繞該電子元件及該基板纏繞該金屬箔使得該金屬箔完全圍封該電子元件、該額外電子元件及該基板。
  18. 如請求項13之方法，其中該基板包括一導電接地平面，該方法進一步包含：在該基板上沈積經由該基板耦接至該導電接地平面之金屬跡線；及將該金屬箔附著至該等金屬跡線。
  19. 如請求項13之方法，其進一步包含：在該基板上沈積一導熱材料，其中該金屬箔纏繞於該導熱材料上。
  20. 如請求項13之方法，其中在該電子元件及該基板上纏繞該金屬箔以形成該電磁屏蔽結構包含在該電子元件及該基板上纏繞一銅箔。
TW101120845A 2011-06-09 2012-06-08 用於選擇性地屏蔽一基板上之元件的電磁屏蔽結構 TWI565023B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161495348P 2011-06-09 2011-06-09
US13/488,382 US9179538B2 (en) 2011-06-09 2012-06-04 Electromagnetic shielding structures for selectively shielding components on a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201316481A true TW201316481A (zh) 2013-04-16
TWI565023B TWI565023B (zh) 2017-01-01

Family

ID=46298701

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101120845A TWI565023B (zh) 2011-06-09 2012-06-08 用於選擇性地屏蔽一基板上之元件的電磁屏蔽結構
TW101150187A TW201316483A (zh) 2011-06-09 2012-06-08 用於選擇性地屏蔽一基板上之元件的電磁屏蔽結構

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101150187A TW201316483A (zh) 2011-06-09 2012-06-08 用於選擇性地屏蔽一基板上之元件的電磁屏蔽結構

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9179538B2 (zh)
JP (1) JP5884903B2 (zh)
KR (1) KR20140023381A (zh)
CN (1) CN103563493B (zh)
TW (2) TWI565023B (zh)
WO (1) WO2012170632A2 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI612638B (zh) * 2017-01-25 2018-01-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
TWI720066B (zh) * 2015-12-24 2021-03-01 美商英特爾公司 電子裝置封裝體及其製作方法
TWI836254B (zh) * 2020-12-18 2024-03-21 新加坡商星科金朋私人有限公司 使用帶尖端設計的預先形成的遮罩進行選擇性電磁干擾屏蔽

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102187751A (zh) * 2011-05-06 2011-09-14 华为终端有限公司 复合材料以及电子设备
TWI448224B (zh) 2012-09-24 2014-08-01 Universal Scient Ind Shanghai 電子模組以及其製造方法
US20140215805A1 (en) * 2013-02-03 2014-08-07 Qualcomm Incorporated Removable conformal radio frequency shields
US9419667B2 (en) 2013-04-16 2016-08-16 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods related to conformal coating implemented with surface mount devices
US9564937B2 (en) 2013-11-05 2017-02-07 Skyworks Solutions, Inc. Devices and methods related to packaging of radio-frequency devices on ceramic substrates
US9618564B2 (en) * 2014-01-27 2017-04-11 Apple Inc. Printed circuits with sacrificial test structures
US9281281B2 (en) * 2014-03-03 2016-03-08 Intel Corporation Integrated circuit component shielding
KR20160129007A (ko) * 2014-03-04 2016-11-08 엠씨10, 인크 전자 디바이스를 위한 다부분 유연성 봉지 하우징
US20170090532A1 (en) * 2014-03-14 2017-03-30 Kaneka Corporation Electronic terminal equipment and method for assembling same
US9627352B2 (en) 2014-05-12 2017-04-18 Skyworks Solutions, Inc. Devices and methods for processing singulated radio-frequency units
US20160057897A1 (en) * 2014-08-22 2016-02-25 Apple Inc. Shielding Can With Internal Magnetic Shielding Layer
CN204652865U (zh) * 2014-12-11 2015-09-16 中兴通讯股份有限公司 一种射频屏蔽盒体
US9224672B1 (en) 2014-12-17 2015-12-29 Microsoft Technology Licensing, Llc Thermal management of electronic components
US9635789B2 (en) * 2015-01-30 2017-04-25 Laird Technologies, Inc. Board level electromagnetic interference (EMI) shields with increased under-shield space
DE102015202316A1 (de) * 2015-02-10 2016-08-11 Robert Bosch Gmbh Gehäuse und Steuergerät mit einem Gehäuse
WO2016144039A1 (en) 2015-03-06 2016-09-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuit element package, manufacturing method thereof, and manufacturing apparatus thereof
US9576910B2 (en) * 2015-03-11 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor packaging structure and manufacturing method thereof
JP6394482B2 (ja) * 2015-04-28 2018-09-26 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 電子機器
CN107535078B (zh) * 2015-05-20 2020-03-31 株式会社村田制作所 高频模块
US10104806B2 (en) * 2015-09-04 2018-10-16 Toshiba Memory Corporation Semiconductor storage device
US10163808B2 (en) 2015-10-22 2018-12-25 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Module with embedded side shield structures and method of fabricating the same
US10134682B2 (en) * 2015-10-22 2018-11-20 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Circuit package with segmented external shield to provide internal shielding between electronic components
CN105711252B (zh) * 2016-02-01 2018-06-19 江汉大学 基于电磁兼容的印刷装置
US10548248B2 (en) * 2016-02-10 2020-01-28 Dell Products, Lp System and method of unified cooling solution in an IOT device
US10297998B2 (en) * 2016-02-18 2019-05-21 Autonetworks Technologies, Ltd. Electrical junction box
CN105592679B (zh) * 2016-03-09 2018-07-13 深圳市华星光电技术有限公司 Pcb固定结构及液晶显示装置
KR102615926B1 (ko) * 2016-04-08 2023-12-21 삼성전자주식회사 차폐 댐 조형용 노즐, 이를 이용하는 전자파 차폐구조 및 전자파 차폐구조의 제조방법
US10624248B2 (en) 2016-04-08 2020-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. EMI shielding structure and manufacturing method therefor
CN105764244B (zh) * 2016-04-19 2019-06-11 泰和电路科技（惠州）有限公司 线路板及其制造方法
ES2863777T3 (es) * 2016-04-28 2021-10-11 Teleste Oyj Disposición estructural para un dispositivo de campo CATV
US10477737B2 (en) 2016-05-04 2019-11-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Manufacturing method of a hollow shielding structure for circuit elements
US10236260B2 (en) 2016-06-30 2019-03-19 Nxp Usa, Inc. Shielded package with integrated antenna
US10477687B2 (en) 2016-08-04 2019-11-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Manufacturing method for EMI shielding structure
JP6672113B2 (ja) * 2016-09-09 2020-03-25 Ｔｏｗａ株式会社 電子回路装置及び電子回路装置の製造方法
JP6408540B2 (ja) 2016-12-01 2018-10-17 太陽誘電株式会社 無線モジュール及び無線モジュールの製造方法
JP6449837B2 (ja) * 2016-12-01 2019-01-09 太陽誘電株式会社 無線モジュール及び無線モジュールの製造方法
JP6597576B2 (ja) 2016-12-08 2019-10-30 株式会社村田製作所 インダクタ、および、ｄｃ−ｄｃコンバータ
KR102551657B1 (ko) 2016-12-12 2023-07-06 삼성전자주식회사 전자파 차폐구조 및 그 제조방법
EP3570651A4 (en) * 2017-01-11 2020-11-18 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. CIRCUIT BOARD, SHAPED LIGHT SENSITIVE ASSEMBLY AND MANUFACTURING METHOD FOR IT, PHOTOGRAPHY MODULE AND ELECTRONIC DEVICE
EP3571033B1 (de) * 2017-01-19 2020-12-23 Diehl AKO Stiftung & Co. KG Verfahren zum herstellen eines emv-abschirmgehäuses und emv-abschirmgehäuse
US11622275B2 (en) 2017-02-21 2023-04-04 Scorpion Security Products, Inc. Geo-radius based mobile device management
US10708785B2 (en) 2017-02-21 2020-07-07 Scorpion Security Products, Inc. Mobile device management system and method
US9901016B1 (en) * 2017-04-14 2018-02-20 Kinsus Interconnect Technology Corp. Electromagnetic-interference shielding device
EP3419155A1 (en) * 2017-06-22 2018-12-26 NPC Tech ApS Power converter with insulating material
US10594020B2 (en) 2017-07-19 2020-03-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device having antenna element and method for manufacturing the same
KR102373931B1 (ko) 2017-09-08 2022-03-14 삼성전자주식회사 전자파 차폐구조
KR102435019B1 (ko) 2017-12-15 2022-08-22 삼성전자주식회사 전자파 차폐구조를 포함하는 전자기기
KR102488875B1 (ko) 2018-01-30 2023-01-17 삼성전자주식회사 전자파 차폐구조 및 그 제조방법
WO2019164310A1 (en) 2018-02-21 2019-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device including shield member for shielding at least part of magnetic force generated by magnetic substance and connection portion including property of nonmagnetic substance connected to shield member
CN111972051A (zh) 2018-03-16 2020-11-20 华为技术有限公司 用于电磁干扰屏蔽的组件及方法
JP6795732B2 (ja) * 2018-04-26 2020-12-02 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 フレキシブルプリント配線板、フレキシブルプリント配線板の製造方法及び電子部材
US11304334B2 (en) * 2018-06-14 2022-04-12 Microsoft Technology Licensing, Llc Vapor chamber having an electromagnetic shielding layer and methods of manufacturing the same
KR102551803B1 (ko) * 2018-10-19 2023-07-06 삼성전자주식회사 배선을 따라 유전체가 채워질 수 있는 이격 공간을 갖도록 배치된 도전성 부재를 포함하는 전자 장치
US10910322B2 (en) 2018-12-14 2021-02-02 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Shielded semiconductor package with open terminal and methods of making
US10784210B2 (en) 2018-12-27 2020-09-22 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device with partial EMI shielding removal using laser ablation
US10985109B2 (en) * 2018-12-27 2021-04-20 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Shielded semiconductor packages with open terminals and methods of making via two-step process
US10694620B1 (en) * 2019-04-02 2020-06-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Method and apparatus for circuit board noise shielding and grounding
US11437328B2 (en) * 2019-05-16 2022-09-06 Qualcomm Incorporated Device thermal management
US11342276B2 (en) * 2019-05-24 2022-05-24 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
CN110213952A (zh) * 2019-05-28 2019-09-06 青岛歌尔微电子研究院有限公司 一种电磁屏蔽结构及其制造方法及电子设备
CN110673164B (zh) * 2019-09-16 2021-11-16 Tcl移动通信科技（宁波）有限公司 一种移动终端
FR3113217B1 (fr) * 2020-07-30 2022-10-28 Oledcomm Dispositif d’isolation intégré dans un équipement de communication optique sans fil
JP6881663B2 (ja) * 2020-08-25 2021-06-02 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 フレキシブルプリント配線板、フレキシブルプリント配線板の製造方法及び電子部材
US20210153340A1 (en) * 2020-12-18 2021-05-20 Intel Corporation Electromagnetic interference shielding enclosure with thermal conductivity
EP4060730A1 (en) 2021-03-18 2022-09-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Shielded electronic component

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US638820A (en) 1899-06-12 1899-12-12 Alfred James Swaab Flash-lamp.
US753796A (en) 1901-02-01 1904-03-01 Harold Jarvis Type-writing and tabulating machine.
US4717990A (en) 1986-05-30 1988-01-05 Motorola, Inc. Double-shielded housing for RF circuitry
EP0339763A3 (en) 1988-04-28 1990-04-25 Citizen Watch Co. Ltd. Ic card
US5189019A (en) 1990-04-23 1993-02-23 Merck & Co., Inc. Antistasin derived anticoagulant protein
JPH0479352A (ja) 1990-07-23 1992-03-12 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
FR2666190B1 (fr) 1990-08-24 1996-07-12 Thomson Csf Procede et dispositif d'encapsulation hermetique de composants electroniques.
AU1782392A (en) 1991-04-11 1992-11-17 Qube Corporation Foldable electrical component enclosures
US5177324A (en) 1991-08-19 1993-01-05 Motorola, Inc. In situ RF shield for printed circuit board
JPH0641198U (ja) * 1992-10-26 1994-05-31 松下電器産業株式会社 混成集積回路装置
JP3113508B2 (ja) 1994-06-27 2000-12-04 株式会社クボタ コンバイン
JP3127774B2 (ja) 1995-03-31 2001-01-29 セイコーエプソン株式会社 シールド材および液晶表示装置
US5600181A (en) 1995-05-24 1997-02-04 Lockheed Martin Corporation Hermetically sealed high density multi-chip package
US5987739A (en) 1996-02-05 1999-11-23 Micron Communications, Inc. Method of making a polymer based circuit
US5694300A (en) 1996-04-01 1997-12-02 Northrop Grumman Corporation Electromagnetically channelized microwave integrated circuit
US5689878A (en) 1996-04-17 1997-11-25 Lucent Technologies Inc. Method for protecting electronic circuit components
US6821821B2 (en) 1996-04-18 2004-11-23 Tessera, Inc. Methods for manufacturing resistors using a sacrificial layer
US5981043A (en) 1996-04-25 1999-11-09 Tatsuta Electric Wire And Cable Co., Ltd Electroconductive coating composition, a printed circuit board fabricated by using it and a flexible printed circuit assembly with electromagnetic shield
US5761053A (en) 1996-05-08 1998-06-02 W. L. Gore & Associates, Inc. Faraday cage
JPH10200288A (ja) * 1997-01-13 1998-07-31 Sony Corp 電磁シールド構造
US6738249B1 (en) 1997-04-08 2004-05-18 X2Y Attenuators, Llc Universal energy conditioning interposer with circuit architecture
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
JP2894325B2 (ja) 1997-06-25 1999-05-24 日本電気株式会社 電子回路のシールド構造
US6573028B1 (en) 1998-02-10 2003-06-03 Nissha Printing Co., Ltd. Base sheet for semiconductor module, method for manufacturing base sheet for semiconductor module, and semiconductor module
FR2799883B1 (fr) 1999-10-15 2003-05-30 Thomson Csf Procede d'encapsulation de composants electroniques
US6483719B1 (en) 2000-03-21 2002-11-19 Spraylat Corporation Conforming shielded form for electronic component assemblies
JP2001339016A (ja) 2000-05-30 2001-12-07 Alps Electric Co Ltd 面実装型電子回路ユニット
NL1016549C2 (nl) 2000-10-06 2002-04-10 Stork Screens Bv Werkwijze voor het vervaardigen van een tegen stoorstraling beschermde kaart met een gedrukte schakeling.
US6770518B2 (en) 2001-01-29 2004-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US6900383B2 (en) * 2001-03-19 2005-05-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Board-level EMI shield that adheres to and conforms with printed circuit board component and board surfaces
US6833313B2 (en) 2001-04-13 2004-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device by implanting rare gas ions
US7253032B2 (en) 2001-04-20 2007-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of flattening a crystallized semiconductor film surface by using a plate
US6455936B1 (en) 2001-05-14 2002-09-24 The Boeing Company Integrated circuit assembly having interposer with a compliant layer
US20030057544A1 (en) 2001-09-13 2003-03-27 Nathan Richard J. Integrated assembly protocol
JP3818156B2 (ja) 2002-01-17 2006-09-06 株式会社デンソー 電子装置
JP2003273571A (ja) 2002-03-18 2003-09-26 Fujitsu Ltd 素子間干渉電波シールド型高周波モジュール
US6977187B2 (en) 2002-06-19 2005-12-20 Foster-Miller, Inc. Chip package sealing method
US6659512B1 (en) 2002-07-18 2003-12-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Integrated circuit package employing flip-chip technology and method of assembly
AU2003265440A1 (en) 2002-08-14 2004-03-03 Honeywell International, Inc. Method and apparatus for reducing electromagnetic emissions from electronic circuits
JP4178880B2 (ja) 2002-08-29 2008-11-12 松下電器産業株式会社 モジュール部品
KR101032337B1 (ko) 2002-12-13 2011-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
JP2004297763A (ja) 2003-03-07 2004-10-21 Hitachi Ltd 周波数選択性シールド構造体とそれを有する電子機器
JP4090928B2 (ja) 2003-03-31 2008-05-28 信越ポリマー株式会社 シールドボックス
JP3734807B2 (ja) 2003-05-19 2006-01-11 Ｔｄｋ株式会社 電子部品モジュール
US6940010B2 (en) 2003-06-30 2005-09-06 Nokia Corporation Electromagnetic interference shield and method of making the same
JP4037810B2 (ja) 2003-09-05 2008-01-23 Ｎｅｃアクセステクニカ株式会社 小型無線装置及びその実装方法
JP2006100302A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Sharp Corp 高周波モジュールおよびその製造方法
JP4731191B2 (ja) 2005-03-28 2011-07-20 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7446265B2 (en) 2005-04-15 2008-11-04 Parker Hannifin Corporation Board level shielding module
DE602006012571D1 (de) 2005-04-21 2010-04-15 St Microelectronics Sa Vorrichtung zum Schutz einer elektronischen Schaltung
JP4725582B2 (ja) 2005-10-27 2011-07-13 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP4816647B2 (ja) * 2005-11-28 2011-11-16 株式会社村田製作所 回路モジュールの製造方法および回路モジュール
US7381906B2 (en) 2006-03-01 2008-06-03 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Shielding device
US7501587B2 (en) 2007-04-16 2009-03-10 Laird Technologies, Inc. Mounting clips for use with electromagnetic interference shielding and methods of using the same
US7898066B1 (en) 2007-05-25 2011-03-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having EMI shielding and method therefor
US7745910B1 (en) 2007-07-10 2010-06-29 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having RF shielding and method therefor
US7651889B2 (en) 2007-09-13 2010-01-26 Freescale Semiconductor, Inc. Electromagnetic shield formation for integrated circuit die package
US8022511B2 (en) 2008-02-05 2011-09-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US7989928B2 (en) 2008-02-05 2011-08-02 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8212339B2 (en) 2008-02-05 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
JP2009212446A (ja) 2008-03-06 2009-09-17 Smk Corp 電子部品筐体のシールド方法及びシールド部材
US8008753B1 (en) 2008-04-22 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. System and method to reduce shorting of radio frequency (RF) shielding
US7898376B2 (en) 2008-05-20 2011-03-01 Sercomm Corporation Transformer apparatus with shielding architecture and shielding method thereof
US7906371B2 (en) 2008-05-28 2011-03-15 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield
JP2009290141A (ja) 2008-05-30 2009-12-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュールおよびその製造方法、ならびに携帯機器
US20100110656A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8110902B2 (en) 2009-02-19 2012-02-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US20100246143A1 (en) * 2009-03-26 2010-09-30 Richard Hung Minh Dinh Electromagnetic Interference Shielding for Compact Electronic Devices
JP2011018873A (ja) 2009-05-22 2011-01-27 Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc 電磁シールド方法および電磁シールド用フィルム
US8212340B2 (en) 2009-07-13 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8093691B1 (en) 2009-07-14 2012-01-10 Amkor Technology, Inc. System and method for RF shielding of a semiconductor package
TWM378573U (en) 2009-09-15 2010-04-11 Microelectronics Tech Inc Low noise block converter
US8030750B2 (en) 2009-11-19 2011-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8654537B2 (en) 2010-12-01 2014-02-18 Apple Inc. Printed circuit board with integral radio-frequency shields
US8279625B2 (en) 2010-12-14 2012-10-02 Apple Inc. Printed circuit board radio-frequency shielding structures

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI720066B (zh) * 2015-12-24 2021-03-01 美商英特爾公司 電子裝置封裝體及其製作方法
TWI612638B (zh) * 2017-01-25 2018-01-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
TWI836254B (zh) * 2020-12-18 2024-03-21 新加坡商星科金朋私人有限公司 使用帶尖端設計的預先形成的遮罩進行選擇性電磁干擾屏蔽

Also Published As

Publication number Publication date
US20120320558A1 (en) 2012-12-20
JP5884903B2 (ja) 2016-03-15
WO2012170632A2 (en) 2012-12-13
CN103563493A (zh) 2014-02-05
TW201316483A (zh) 2013-04-16
JP2014516212A (ja) 2014-07-07
WO2012170632A3 (en) 2013-04-18
CN103563493B (zh) 2017-02-15
US9179538B2 (en) 2015-11-03
KR20140023381A (ko) 2014-02-26
TWI565023B (zh) 2017-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI565023B (zh) 用於選擇性地屏蔽一基板上之元件的電磁屏蔽結構
EP3120675B1 (en) Shielding structures for system-in-package assemblies in portable electronic devices
KR101976912B1 (ko) 휴대용 전자 디바이스의 시스템-인-패키지 어셈블리에 대한 열적 솔루션
US7752751B2 (en) System and method of forming a low profile conformal shield
US8748754B2 (en) System and method of forming a patterned conformal structure
KR101250677B1 (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
US10104817B1 (en) Electromagnetic-interference shielding device and method for manufacturing the same
KR20160120074A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2015141904A (ja) 電子回路モジュール及びその製造方法
KR101141443B1 (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
KR20130025594A (ko) 전자 부품 모듈의 제조 방법
TWI632844B (zh) Anti-electromagnetic interference shielding device and manufacturing method thereof
KR20130048991A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR20160030788A (ko) 인쇄회로기판