TW201312662A - 半導體封裝件及其製法 - Google Patents

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Abstract

一種半導體封裝件及其製法，該半導體封裝件包括：承載件；設置並電性連接於該承載件上之半導體晶片及第一金屬塊；包覆該第一金屬塊及半導體晶片之封裝膠體，並外露出該第一金屬塊頂面；形成於該封裝膠體表面之金屬膜；位於該封裝膠體外之天線，且與該第一金屬塊之間具有間隔；以及電性連接該第一金屬塊與天線之導電元件，藉此，使天線不局限在封裝膠體中，可靈活設計其尺寸，而用以屏蔽電磁波干擾的金屬膜係透過鍍覆技術形成者，可大幅降低成本。

Description

半導體封裝件及其製法
本發明係有關一種半導體封裝件及其製法，尤指一種具有天線之半導體封裝件及其製法。
具有無線通訊功能，例如藍芽、WiFi或無線區域網路之電子裝置，使得使用者可不受纜線的限制自由地於行動中使用該電子裝置，為使用行為上帶來極大便利。而天線是無線通訊技術的必要元件之一，因此，天線之配置即為一重要的課題。
請參閱第2圖，係為第7,945,231號美國專利所揭露之具有天線之半導體封裝件。該封裝件具有承載件20；設置於該承載件20上之半導體晶片21；封蓋該半導體晶片21且用於屏蔽電磁波干擾之金屬蓋體22；形成於金屬蓋體22內外，並包覆該半導體晶片21之封裝膠體23；該封裝膠體23中嵌埋有導電元件24；以及形成於該封裝膠體23頂面上並電性連接該導電元件24之天線25。然，是種半導體封裝件之金屬蓋體22埋設於封裝膠體23中，須具備一定剛性，故較耗費成本。再者，由於訊號頻率與天線的面積成反比，天線25形成於封裝膠體23表面上，亦受限於封裝膠體23之尺寸，故此種半導體封裝件具有難以靈活設計天線之問題。
因此，如何提供一種半導體封裝件及其製法，並得以靈活調整天線尺寸，便於組裝於終端產品，並降低成本，實為當前急需解決的問題。
為克服習知技術之種種缺失，本發明提供一種半導體封裝件，包括：承載件；設置並電性連接於該承載件上之第一金屬塊；設置並電性連接於該承載件上之半導體晶片；形成於該承載件上之封裝膠體，以包覆該第一金屬塊及半導體晶片，並外露出該第一金屬塊頂面；形成於該封裝膠體表面之金屬膜；位於該封裝膠體外之天線，且與該第一金屬塊之間具有間隔；以及電性連接該第一金屬塊與天線之導電元件。
本發明復提供一種半導體封裝件之製法，包括：於承載件上形成第一金屬塊及設置半導體晶片，並令該第一金屬塊及半導體晶片電性連接該承載件；於該承載件上形成封裝膠體，以包覆該第一金屬塊及半導體晶片，並外露出該第一金屬塊頂面；於該封裝膠體表面形成金屬膜；以及於該封裝膠體外部藉由導電元件電性連接該第一金屬塊與天線，俾使該天線與第一金屬塊之間具有間隔。
前述之半導體封裝件及其製法中，該導電元件為探針式連接器或導電膠。此外，該天線係可設於一外殼內側，且該外殼具有容置空間，以供遮蓋住該封裝膠體。
由上可知，本發明使天線設於封裝膠體外部並藉由導電元件電性連接嵌埋於封裝膠體中的第一金屬塊，使得天線可不局限在封裝膠體中，而可作靈活設計，例如可調整天線尺寸，再者，用以屏蔽電磁波干擾的金屬膜係透過鍍覆技術形成者，可大幅降低成本。
以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。
須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如“上”、“內”、“一”及“頂面”等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。
請參閱第1A至1D圖，係為本發明半導體封裝件製法之剖面示意圖。
如第1A及1B圖所示，提供一承載件10，接著，於該承載件10上形成複數金屬塊11及設置半導體晶片12，並令該金屬塊11及半導體晶片12電性連接該承載件10，其中，形成金屬塊11及設置半導體晶片12時並無特別的優先順序，且該金屬塊11可透過如電鍍的鍍覆技術形成或可直接植設金屬塊11。此外，該半導體晶片12係可為無線通訊晶片，又，該半導體晶片12係可以打線方式或覆晶方式電性連接該承載件10。再者，如第1B圖所示，於進行封膠步驟前，復可包括設置並電性連接被動元件13於該承載件10上，當然，並不限定設置被動元件13之順序。
如第1C圖所示，係接續第1B圖，於該承載件10上形成封裝膠體14，以包覆該金屬塊11、半導體晶片12及被動元件13，並外露出該金屬塊11頂面，再於該封裝膠體14表面透過鍍覆技術形成金屬膜15。此外，本發明之該複數金屬塊11包括第一金屬塊11a及第二金屬塊11b，該第一金屬塊11a係電性連接後續形成或設置之導電元件並與該金屬膜15電性隔離，且該第二金屬塊11b係與該金屬膜15電性連接，使金屬膜15得經由第二金屬塊11b連接至承載件10之接地線路。於其他實施例中，金屬膜15可直接連接承載件10之接地線路。
如第1D圖所示，於該封裝膠體14外部藉由導電元件16電性連接該第一金屬塊11a與天線17，俾使該天線17與第一金屬塊11a之間具有間隔，其中，該導電元件為探針式連接器。此外，復可包括將外殼18遮蓋住該封裝膠體14，例如該外殼18覆蓋於終端產品之電路板19上。該外殼18的容置空間係大於該封裝膠體14，以收納其中並留有間隔。
於本實施例中，該天線17係先設於外殼18內側，藉由將該外殼18遮蓋住該封裝膠體14時，該導電元件16將該天線17電性連接第一金屬塊11a，在此態樣中，該導電元件16以探針式連接器為佳。又，該探針式連接器的一端可連接在天線17或第一金屬塊11a上，在外殼18遮蓋住該封裝膠體14時，即可令探針式連接器與第一金屬塊11a接觸或與天線17接觸。
於另一實施例中，如第1D’圖所示，該天線17可藉由形成於該封裝膠體14外部的導電膠16’電性連接該第一金屬塊11a’並由例如環氧樹脂之黏膠14’固定該半導體封裝件，而該承載件10與電路板19之間則藉由探針式連接器16a提供電性連接。
據此，根據上述製法形成如第1D圖所示之半導體封裝件結構。本發明之半導體封裝件包括：承載件10；第一金屬塊11a，係設置並電性連接於該承載件10上；半導體晶片12，係設置並電性連接於該承載件10上；封裝膠體14，係形成於該承載件10上，以包覆該第一金屬塊11a及半導體晶片12，並外露出該第一金屬塊11a頂面；金屬膜15，係形成於該封裝膠體14表面；天線17，係位於該封裝膠體14外，且與該第一金屬塊11a之間具有間隔；以及導電元件16，係電性連接該第一金屬塊11a與天線17。
於前述之半導體封裝件中，該半導體晶片12係以打線方式或覆晶方式電性連接該承載件10。該半導體晶片12可為無線通訊晶片。又，本發明之半導體封裝件復可包括被動元件13，係設置並電性連接於該承載件10上。
所述之該導電元件16為探針式連接器或導電膠。
所述半導體封裝件復可包括外殼18，係具有容置空間，以供遮蓋該封裝膠體14，且該天線17係設於該外殼18內側。
前述之該第一金屬塊11a係電性連接該導電元件16並與該金屬膜15電性隔離。此外，復可包括第二金屬塊11b，且該第二金屬塊11b係與該金屬膜15電性連接。
綜上所述，本發明使天線設於封裝膠體外部並藉由導電元件電性連接嵌埋於封裝膠體中的金屬塊，使得天線可不局限在封裝膠體中，而可作靈活設計，例如可調整天線尺寸，再者，用以屏蔽電磁波干擾的金屬膜係透過鍍覆技術形成者，可大幅降低成本。此外，本發明利用探針式連接器作電性連接，更具有便於組設半導體封裝件至終端產品之電路板上的優點。
上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
10、20．．．承載件
11．．．金屬塊
11a．．．第一金屬塊
11b．．．第二金屬塊
12．．．半導體晶片
13．．．被動元件
14．．．封裝膠體
14’．．．黏膠
15．．．金屬膜
16．．．導電元件
16’．．．導電膠
16a．．．探針式連接器
17．．．天線
18．．．外殼
19．．．電路板
21．．．半導體晶片
22．．．金屬蓋體
23．．．封裝膠體
24．．．導電元件
25．．．天線
第1A至1D圖係為本發明半導體封裝件製法之剖面示意圖，其中，第1D’圖係顯示本發明半導體封裝件電性連接電路板的另一態樣的示意圖；以及
第2圖係為習知半導體封裝件之剖面示意圖。
10．．．承載件
11a．．．第一金屬塊
11b．．．第二金屬塊
12．．．半導體晶片
13．．．被動元件
14．．．封裝膠體
15．．．金屬膜
16．．．導電元件
17．．．天線
18．．．外殼
19．．．電路板

Claims (18)

  1. 一種半導體封裝件，包括：承載件；第一金屬塊，係設置並電性連接於該承載件上；半導體晶片，係設置並電性連接於該承載件上；封裝膠體，係形成於該承載件上，以包覆該第一金屬塊及半導體晶片，並外露出該第一金屬塊頂面；金屬膜，係形成於該封裝膠體表面；天線，係位於該封裝膠體外，且與該第一金屬塊之間具有間隔；以及導電元件，係電性連接該第一金屬塊與天線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中，該半導體晶片為無線通訊晶片。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，復包括被動元件，係設置並電性連接於該承載件上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中，該導電元件為探針式連接器或導電膠。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，復包括外殼，係具有容置空間，以供遮蓋該封裝膠體，且該天線係設於該外殼內側。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，復包括第二金屬塊，係設置並電性連接於該承載件上，並與該金屬膜電性連接。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中，該第一金屬塊係電性連接該導電元件並與該金屬膜電性隔離。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，復包括電路板以及電性連接該承載件與電路板之探針式連接器。
  9. 一種半導體封裝件之製法，包括：於承載件上形成第一金屬塊及設置半導體晶片，並令該第一金屬塊及半導體晶片電性連接該承載件；於該承載件上形成封裝膠體，以包覆該第一金屬塊及半導體晶片，並外露出該第一金屬塊頂面；於該封裝膠體表面形成金屬膜；以及於該封裝膠體外部藉由導電元件電性連接該第一金屬塊與天線，俾使該天線與第一金屬塊之間具有間隔。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件之製法，其中，該半導體晶片為無線通訊晶片。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件之製法，形成該封裝膠體前，復包括設置並電性連接被動元件於該承載件上。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件之製法，其中，該導電元件為探針式連接器或導電膠。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件之製法，其中，該天線係設於一外殼內側，且該外殼具有容置空間，以供遮蓋住該封裝膠體。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件之製法，係以電鍍或植接的方式形成該第一金屬塊。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件之製法，復包括於形成封裝膠體前，於該承載件上形成第二金屬塊，並令該第二金屬塊電性連接該承載件，且該第二金屬塊係與該金屬膜電性連接。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件之製法，其中，該第一金屬塊係電性連接該導電元件並與該金屬膜電性隔離。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件之製法，其中，係以鍍覆技術形成該金屬膜。
  18. 如申請專利範圍第9項所述之半導體封裝件之製法，復包括以探針式連接器電性連接該承載件與電路板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI640066B (zh) * 2017-11-03 2018-11-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI546928B (zh) * 2014-03-17 2016-08-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
TWI549359B (zh) * 2014-12-10 2016-09-11 矽品精密工業股份有限公司 電子組件
CN107887698B (zh) * 2016-09-29 2020-11-10 矽品精密工业股份有限公司 电子封装结构及其制法
US10163812B2 (en) * 2016-10-19 2018-12-25 Infineon Technologies Ag Device having substrate with conductive pillars
US10581141B2 (en) * 2016-10-21 2020-03-03 DISH Technologies L.L.C. RF antenna arrangement configured to be a part of a lid to an apparatus
CN109429423A (zh) * 2017-08-30 2019-03-05 中兴通讯股份有限公司 用于终端设备WiFi11ad电路的传输装置及其方法
CN109841597A (zh) * 2017-11-24 2019-06-04 讯芯电子科技（中山）有限公司 分区电磁屏蔽封装结构及制造方法
KR102689200B1 (ko) 2019-04-12 2024-07-29 삼성전자 주식회사 안테나 모듈 및 안테나 모듈을 포함하는 전자 장치
CN113782496A (zh) * 2020-06-10 2021-12-10 讯芯电子科技（中山）有限公司 半导体封装装置和半导体封装装置制造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100395918C (zh) * 2004-07-08 2008-06-18 财团法人工业技术研究院 天线暨散热金属片的装置与制造方法
DE102006007381A1 (de) * 2006-02-15 2007-08-23 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement für einen Ultraweitband-Standard in der Ultrahochfrequenz-Kommunikation und Verfahren zur Herstellung desselben
TWM334483U (en) * 2008-01-17 2008-06-11 En-Min Jow Semiconductor package with antenna
CN201194229Y (zh) * 2008-04-22 2009-02-11 卓恩民 整合天线的半导体封装件
KR20100015206A (ko) * 2008-08-04 2010-02-12 삼성전자주식회사 무선 테스트용 인터페이스 장치, 그것을 포함하는 반도체소자와 반도체 패키지 및 그것을 이용한 무선 테스트 방법
US8125061B2 (en) * 2009-09-03 2012-02-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and method of manufacturing the same
CN102044532A (zh) * 2010-09-16 2011-05-04 日月光半导体制造股份有限公司 无线通信模块及其制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI640066B (zh) * 2017-11-03 2018-11-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法

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CN103000617B (zh) 2015-12-09
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