CN103000617B - 半导体封装件及其制法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：承载件；设置并电性连接于该承载件上的半导体芯片及第一金属块；包覆该第一金属块及半导体芯片的封装胶体，并外露出该第一金属块顶面；形成于该封装胶体表面的金属膜；位于该封装胶体外的天线，且与该第一金属块之间具有间隔；以及电性连接该第一金属块与天线的导电组件，借此，使天线不局限在封装胶体中，可灵活设计其尺寸，而用于屏蔽电磁波干扰的金属膜是透过镀覆技术所形成，可大幅降低成本。

Description

半导体封装件及其制法
技术领域
本发明涉及一种半导体封装件及其制法，尤指一种具有天线的半导体封装件及其制法。
背景技术
具有无线通讯功能，例如蓝牙、WiFi或无线局域网络的电子装置，使得使用者可不受缆线的限制自由地于行动中使用该电子装置，为使用行为上带来极大便利。而天线是无线通讯技术的必要组件之一，因此，天线的配置即为一重要的课题。
请参阅图2，其为第7,945,231号美国专利所揭露的具有天线的半导体封装件。该封装件具有承载件20；设置于该承载件20上的半导体芯片21；封盖该半导体芯片21且用于屏蔽电磁波干扰的金属盖体22；形成于金属盖体22内外，并包覆该半导体芯片21的封装胶体23；该封装胶体23中嵌埋有导电组件24；以及形成于该封装胶体23顶面上并电性连接该导电组件24的天线25。然，半导体封装件的金属盖体22埋设于封装胶体23中，须具备一定刚性，故较耗费成本。此外，由于讯号频率与天线的面积成反比，天线25形成于封装胶体23表面上，也受限于封装胶体23的尺寸，故此种半导体封装件具有难以灵活设计天线的问题。
因此，如何提供一种半导体封装件及其制法，并得以灵活调整天线尺寸，便于组装于终端产品，并降低成本，实为当前急需解决的问题。
发明内容
为克服现有技术的种种缺失，本发明的主要目的在于提供一种半导体封装件及其制法，可灵活设计其尺寸。
本发明的另一目的在于提供一种半导体封装件及其制法，以大幅降低成本。
本发明所提供的半导体封装件包括：承载件；设置并电性连接于该承载件上的第一金属块；设置并电性连接于该承载件上的半导体芯片；形成于该承载件上的封装胶体，以包覆该第一金属块及半导体芯片，并外露出该第一金属块顶面；形成于该封装胶体表面的金属膜；位于该封装胶体外的天线，且与该第一金属块之间具有间隔；以及电性连接该第一金属块与天线的导电组件。
本发明还提供一种半导体封装件的制法，包括：于承载件上形成第一金属块及设置半导体芯片，并令该第一金属块及半导体芯片电性连接该承载件；于该承载件上形成封装胶体，以包覆该第一金属块及半导体芯片，并外露出该第一金属块顶面；于该封装胶体表面形成金属膜；以及于该封装胶体外部借由导电组件电性连接该第一金属块与天线，以使该天线与第一金属块之间具有间隔。
前述的半导体封装件及其制法中，该导电组件为探针式连接器或导电胶。此外，该天线可设于一外壳内侧，且该外壳具有容置空间，以供遮盖住该封装胶体。
由上可知，本发明使天线设于封装胶体外部并借由导电组件电性连接嵌埋于封装胶体中的第一金属块，使得天线可不局限在封装胶体中，而可作灵活设计，例如可调整天线尺寸，另外，用于屏蔽电磁波干扰的金属膜是透过镀覆技术所形成，可大幅降低成本。
附图说明
图1A至图1D为本发明半导体封装件制法的剖面示意图，其中，图1D’用于显示本发明半导体封装件电性连接电路板的另一实施例的示意图；以及
图2为现有半导体封装件的剖面示意图。
主要组件符号说明
10、20承载件
11金属块
11a第一金属块
11b第二金属块
12半导体芯片
13被动组件
14封装胶体
14’粘胶
15金属膜
16导电组件
16’导电胶
16a探针式连接器
17天线
18外壳
19电路板
21半导体芯片
22金属盖体
23封装胶体
24导电组件
25天线。
具体实施方式
以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。
须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用于配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用于限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“内”、“一”及“顶面”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用于限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，也当视为本发明可实施的范畴。
请参阅图1A至图1D，其为本发明半导体封装件制法的剖面示意图。
如图1A及图1B所示，提供一承载件10，接着，于该承载件10上形成多个金属块11及设置半导体芯片12，并令该金属块11及半导体芯片12电性连接该承载件10，其中，形成金属块11及设置半导体芯片12时并无特别的优先级，且该金属块11可透过如电镀的镀覆技术形成或可直接植设金属块11。此外，该半导体芯片12可为无线通讯芯片，又，该半导体芯片12可以打线方式或覆晶方式电性连接该承载件10。再者，如图1B所示，于进行封胶步骤前，还可包括设置并电性连接被动组件13于该承载件10上，当然，并不限定设置被动组件13的顺序。
如图1C所示，其接续图1B，于该承载件10上形成封装胶体14，以包覆该金属块11、半导体芯片12及被动组件13，并外露出该金属块11顶面，再于该封装胶体14表面透过镀覆技术形成金属膜15。此外，本发明的该多个金属块11包括第一金属块11a及第二金属块11b，该第一金属块11a电性连接后续形成或设置的导电组件并与该金属膜15电性隔离，且该第二金属块11b与该金属膜15电性连接，使金属膜15得经由第二金属块11b连接至承载件10的接地线路。于其它实施例中，金属膜15可直接连接承载件10的接地线路。
如图1D所示，于该封装胶体14外部借由导电组件16电性连接该第一金属块11a与天线17，以使该天线17与第一金属块11a之间具有间隔，其中，该导电组件为探针式连接器。此外，还可包括将外壳18遮盖住该封装胶体14，例如该外壳18覆盖于终端产品的电路板19上。该外壳18的容置空间大于该封装胶体14，以收纳其中并留有间隔。
于本实施例中，该天线17先设于外壳18内侧，借由将该外壳18遮盖住该封装胶体14时，该导电组件16将该天线17电性连接第一金属块11a，在此实施例中，该导电组件16以探针式连接器为佳。又，该探针式连接器的一端可连接在天线17或第一金属块11a上，在外壳18遮盖住该封装胶体14时，即可令探针式连接器与第一金属块11a接触或与天线17接触。
于另一实施例中，如图1D’所示，该天线17可借由形成于该封装胶体14外部的导电胶16’电性连接该第一金属块11a，并由例如环氧树脂的粘胶14’固定该半导体封装件，而该承载件10与电路板19之间则借由探针式连接器16a提供电性连接。
据此，根据上述制法形成如图1D所示的半导体封装件结构。本发明的半导体封装件包括：承载件10；第一金属块11a，其设置并电性连接于该承载件10上；半导体芯片12，其设置并电性连接于该承载件10上；封装胶体14，其形成于该承载件10上，以包覆该第一金属块11a及半导体芯片12，并外露出该第一金属块11a顶面；金属膜15，其形成于该封装胶体14表面；天线17，其位于该封装胶体14外，且与该第一金属块11a之间具有间隔；以及导电组件16，其电性连接该第一金属块11a与天线17。
于前述的半导体封装件中，该半导体芯片12是以打线方式或覆晶方式电性连接该承载件10。该半导体芯片12可为无线通讯芯片。又，本发明的半导体封装件还可包括被动组件13，其设置并电性连接于该承载件10上。
所述的该导电组件16为探针式连接器或导电胶。
所述半导体封装件还可包括外壳18，其具有容置空间，以供遮盖该封装胶体14，且该天线17设于该外壳18内侧。
前述的该第一金属块11a电性连接该导电组件16并与该金属膜15电性隔离。此外，还可包括第二金属块11b，且该第二金属块11b与该金属膜15电性连接。
综上所述，本发明使天线设于封装胶体外部并借由导电组件电性连接嵌埋于封装胶体中的金属块，使得天线可不局限在封装胶体中，而可作灵活设计，例如可调整天线尺寸，再者，用于屏蔽电磁波干扰的金属膜是透过镀覆技术所形成，可大幅降低成本。此外，本发明利用探针式连接器作电性连接，更具有便于组设半导体封装件至终端产品的电路板上的优点。
上述实施例仅用于例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。

Claims (16)

1.一种半导体封装件，包括：
承载件；
第一金属块，其设置并电性连接于该承载件上；
半导体芯片，其设置并电性连接于该承载件上；
封装胶体，其形成于该承载件上，以包覆该第一金属块及半导体芯片，并外露出该第一金属块顶面；
金属膜，其形成于该封装胶体表面；
天线，其位于该封装胶体外，且与该第一金属块之间具有间隔；以及
导电组件，其位于该封装胶体外，且电性连接该第一金属块与天线。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体芯片为无线通讯芯片。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该导电组件为探针式连接器或导电胶。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括外壳，其具有容置空间，以供遮盖该封装胶体，且该天线设于该外壳内侧。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括第二金属块，其设置并电性连接于该承载件上，并与该金属膜电性连接。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一金属块电性连接该导电组件并与该金属膜电性隔离。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括电路板以及电性连接该承载件与电路板的探针式连接器。
8.一种半导体封装件的制法，包括：
于承载件上形成第一金属块及设置半导体芯片，并令该第一金属块及半导体芯片电性连接该承载件；
于该承载件上形成封装胶体，以包覆该第一金属块及半导体芯片，并外露出该第一金属块顶面；
于该封装胶体表面形成金属膜；以及
于该封装胶体外部借由导电组件电性连接该第一金属块与天线，以使该天线与第一金属块之间具有间隔。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该半导体芯片为无线通讯芯片。
10.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该导电组件为探针式连接器或导电胶。
11.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该天线设于一外壳内侧，且该外壳具有容置空间，以供遮盖住该封装胶体。
12.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，是以电镀或植接的方式形成该第一金属块。
13.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于形成封装胶体前，于该承载件上形成第二金属块，并令该第二金属块电性连接该承载件，且该第二金属块与该金属膜电性连接。
14.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一金属块电性连接该导电组件并与该金属膜电性隔离。
15.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，是以镀覆技术形成该金属膜。
16.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括以探针式连接器电性连接该承载件与电路板。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI546928B (zh) * 2014-03-17 2016-08-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
TWI549359B (zh) * 2014-12-10 2016-09-11 矽品精密工業股份有限公司 電子組件
CN107887698B (zh) * 2016-09-29 2020-11-10 矽品精密工业股份有限公司 电子封装结构及其制法
US10163812B2 (en) * 2016-10-19 2018-12-25 Infineon Technologies Ag Device having substrate with conductive pillars
US10581141B2 (en) * 2016-10-21 2020-03-03 DISH Technologies L.L.C. RF antenna arrangement configured to be a part of a lid to an apparatus
CN109429423A (zh) * 2017-08-30 2019-03-05 中兴通讯股份有限公司 用于终端设备WiFi11ad电路的传输装置及其方法
TWI640066B (zh) * 2017-11-03 2018-11-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
CN109841597A (zh) * 2017-11-24 2019-06-04 讯芯电子科技（中山）有限公司 分区电磁屏蔽封装结构及制造方法
KR20200120352A (ko) * 2019-04-12 2020-10-21 삼성전자주식회사 안테나 모듈 및 안테나 모듈을 포함하는 전자 장치
CN113782496A (zh) * 2020-06-10 2021-12-10 讯芯电子科技（中山）有限公司 半导体封装装置和半导体封装装置制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1719660A (zh) * 2004-07-08 2006-01-11 财团法人工业技术研究院 天线暨散热金属片的装置与制造方法
CN201194229Y (zh) * 2008-04-22 2009-02-11 卓恩民 整合天线的半导体封装件
CN102044532A (zh) * 2010-09-16 2011-05-04 日月光半导体制造股份有限公司 无线通信模块及其制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006007381A1 (de) * 2006-02-15 2007-08-23 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement für einen Ultraweitband-Standard in der Ultrahochfrequenz-Kommunikation und Verfahren zur Herstellung desselben
TWM334483U (en) * 2008-01-17 2008-06-11 En-Min Jow Semiconductor package with antenna
KR20100015206A (ko) * 2008-08-04 2010-02-12 삼성전자주식회사 무선 테스트용 인터페이스 장치, 그것을 포함하는 반도체소자와 반도체 패키지 및 그것을 이용한 무선 테스트 방법
US8125061B2 (en) * 2009-09-03 2012-02-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and method of manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1719660A (zh) * 2004-07-08 2006-01-11 财团法人工业技术研究院 天线暨散热金属片的装置与制造方法
CN201194229Y (zh) * 2008-04-22 2009-02-11 卓恩民 整合天线的半导体封装件
CN102044532A (zh) * 2010-09-16 2011-05-04 日月光半导体制造股份有限公司 无线通信模块及其制造方法

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