TW201312279A - 正型光阻組成物及圖案形成方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供可提供高解像性及良好的圖案形狀之正型光阻組成物，以及使用該正型光阻組成物之形成保護膜並進行浸潤微影之圖案形成方法。一種正型光阻組成物，其特徵為包含：(A)樹脂，具有下述通式(1)及下述通式(2)表示之重複單元作為含酸不穩定基之重複單元且鹼溶解性由於酸而提高；(B)光酸產生劑；(C)以下述通式(3)表示之化合物；及(D)溶劑。□　□

Description

正型光阻組成物及圖案形成方法
本發明係關於正型光阻組成物、及使用該正型光阻組成物之圖案形成方法。
ArF浸潤微影中，有人提出使投影透鏡與晶圓間含浸水。193nm中水的折射率為1.44，即使使用NA1.0以上之透鏡也可形成圖案形案，且理論上NA可提升至1.35。解像力因應NA提高的分量而增大，藉由NA1.2以上之透鏡與強大之超解像技術的組合，顯示出45nm節點之可能性(非專利文獻1)。
該浸潤微影中，有人指出因為在光阻膜上存在水所導致的各種問題。例如，因為光阻材料中之光酸產生劑、藉由光照射產生的酸、作為淬滅劑而添加至光阻膜的胺化合物溶出至所接觸的水而導致(淋溶)之圖案形狀變化、對曝光裝置之投影透鏡的污染等問題。
為了避免上述問題，有在光阻膜上形成抑制淋溶的保護膜的方法。然而，雖然藉由保護膜可抑制淋溶，但出現造成圖案形狀或解像性劣化的問題。關於圖案形狀，發生頭部變成圓形的頂部損失(top loss)問題。
又，隨著對高解像性的要求變高，也追求各種微影特性之提升。其中，因為圖案形成時之製程餘裕(Process Margin)等的提升，而追求焦點深度(DOF)特性的提升。
【先前技術文獻】 【非專利文獻】
【非專利文獻1】Proc. SPIE Vol. 5040 p724
本發明係有鑑於上述情事而得者，其目的在於提供：解像性，尤其焦點深度(DOF)特性優異，且可提供良好的圖案形狀的正型光阻組成物、形成保護膜隔著水進行曝光之浸潤微影的圖案形成方法。
為解決上述問題，藉由本發明提供一種正型光阻組成物，其特徵為含有：(A)樹脂，具有以下述通式(1)及下述通式(2)表示之重複單元作為含酸不穩定基之重複單元且可鹼溶解性由於酸而提高、(B)光酸產生劑、(C)以下述通式(3)表示之化合物、及(D)溶劑。
(式中，R1表示碳數1~10之直鏈狀或分支狀的烷基。n表示1~3的整數。)
(式中，R2表示也可具有醚鍵及酯鍵之碳數10~20之直鏈狀或分支狀的烷基)
使用如此之本發明的正型光阻組成物，解像性優異，尤其，去除(溝槽圖案(trench pattern))性能及保留(孤立圖案(isolated pattern))性能之DOF特性提升。又，可形成可提供良好之圖案形狀的光阻膜。
又，前述(A)成分之樹脂宜更包含以下述通式(4)及/或下述通式(5)之重複單元。
如此，本發明之(A)成分之樹脂若更包含具有內酯環之上述通式(4)及/或上述通式(5)之重複單元，則光阻膜的密合性變得優異，可得到具有更好的形狀的光阻圖案。
又，前述(A)成分之樹脂，宜更包含以下述通式(6)表示之重複單元。
如此，前述(A)成分之樹脂若更包含具有羥基之以上述通式(6)表示之重複單元，則可抑制酸擴散得到良好的解像性。
又，前述(C)成分之含量，相對於該(A)成分的樹脂之含量100質量份，宜為0.5~10質量份。
若為如此之(C)成分的含量，可充分發揮上述本發明之效果，故較佳。
又，本發明中，提供一種圖案形成方法，其特徵為包含以下步驟：將正型光阻組成物塗佈至基板上，加熱處理形成光阻膜；於該光阻膜上設置保護膜；隔著水以波長180-250nm之高能量射線進行浸潤曝光； 利用鹼顯影液進行顯影；其中，該正型光阻組成物含有：(A)樹脂，具有以下述通式(1)及下述通式(2)表示之重複單元作為含酸不穩定基之重複單元且鹼溶解性由於酸而提高；(B)光酸產生劑；(C)以下述通式(3)表示之化合物；以及(D)溶劑。
(式中，R1表示碳數1~10之直鏈狀或分支狀的烷基。n表示1~3的整數。)
如此，使用上述之正型光阻組成物之本發明的圖案形成方法，可抑制習知之形成保護膜並進行浸潤曝光時可能發生之圖案 形狀的劣化及解像性之劣化。具體而言，可得到矩形性高的圖案形狀，又，焦點深度(DOF)優異，具體而言，溝槽圖案及孤立圖案之DOF特性優異。
又，前述(A)成分之樹脂宜更包含下述通式(4)及/或下述通式(5)之重複單元。
如此，本發明所使用之(A)成分的樹脂若更包含具有內酯環之上述通式(4)及/或上述通式(5)之重複單元，則光阻膜之密合性變得優異，所獲得之圖案形狀變得更佳。
又，前述(A)成分之樹脂宜更包含以下述通式(6)表示之重複單元。
如此，本發明之(A)成分之樹脂若更包含具有羥基之以上述通式(6)表示之重複單元，可控制酸擴散，得到良好的解像性。
又，前述(C)成分之化合物的含量，相對於該(A)成分的樹脂之含量100質量份宜定為0.5~10質量份。
若為如此之(C)成分的含量，可充分發揮上述本發明之效果，故較佳。
本發明之正型光阻組成物，解像性優異，尤其在孤立圖案、溝槽圖案的任一者皆可得到良好的DOF特性。又，本發明中，也可得到形成良好形狀之光阻圖案的效果。尤其，如此之正型光阻組成物，在形成保護膜、隔著水進行曝光之浸潤微影中非常有用。又，本發明之圖案形成方法，可抑制習知之形成保護膜並進行浸潤曝光時可能發生之圖案形狀劣化及解像性劣化。具體而言，可得到矩形性高的圖案形狀，又，焦點深度(DOF)優異，具體而言，溝槽圖案及孤立圖案之DOF特性優異。
【實施發明之最佳形態】
如上述，正在尋求一種正型光阻組成物，係：例如在形成有保護膜時也不會發生頂部損失等問題，可抑制圖案形狀及解像性、尤其焦點深度(DOF)特性之劣化。
本案發明人等，為達上述目的努力研究的結果發現特定之正型光阻組成物，在解像性及圖案形狀之矩形性方面優異，故在精密之細微加工方面可極有效地作為光阻材料，而完成本發明，其中，該特定之正型光阻組成物含有：樹脂(A)，以具有金剛烷環之酸不穩定基保護為溶解性基之羧酸的重複單元(後述通式(1)表示之重複單元)，及以特定之單環結構之酸不穩定基保護為溶解性基之羧酸的重複單元(後述通式(2)表示之重複單元)；後述通式(3)表示之化合物(C)；光酸產生劑(B)；溶劑(D)。
尤其發現：若使用本發明之正型光阻組成物，無論在孤立圖案、溝槽圖案中皆可得到良好的DOF特性。此外，「DOF」係指，在同一曝光量，焦點上下移動進行曝光時，在相對於目標尺寸之偏差為在特定範圍內之尺寸的情況可形成光阻圖案之聚焦深度的範圍，可獲得對遮罩圖案為忠實的光阻圖案的範圍，DOF越大越好。
本發明之正型光阻組成物，含有作為(A)成分之樹脂，該樹脂係具有以下述通式(1)及下述通式(2)表示之重複單元作為含不穩定基的重複單元且鹼溶解性由於酸而提高。
(式中，R1表示碳數1~10之直鏈狀或分支狀的烷基。n表示1~3的整數。)
(式中，R2表示也可具有醚鍵及酯鍵之碳數10~20之直鏈狀或分支狀的烷基)
為含酸不穩定基的重複單元之以上述通式(1)表示之重複單元，係以具有金剛烷環之酸不穩定基保護為溶解性基之羧酸的重複單元。藉由將該重複單元導入至(A)成分之鹼溶解性由於酸而提高之樹脂的構成要素，可得到高解像性。
為含酸不穩定基的重複單元之以上述通式(2)表示之重複單元，係以特定之單環之酸不穩定基保護為溶解性基之羧酸的重複單元。如此，藉由對(A)成分之鹼溶解性由於酸而提高之樹脂的構成要素，導入單環結構單元，可降低脂溶性，且，可提高光阻溶解對比，藉由與後述之(C)成分組合，可成為解像性、尤其在焦點深度(DOF)特性優異且可提供良好的圖案形狀的正型光阻組成物。
以上述通式(2)表示之重複單元中，尤佳為下述表示之重複單元。
本發明之正型光阻組成物所含之(A)成分的樹脂，除了以前述通式(1)表示之重複單元、及以前述通式(2)表示之重複單元以外，宜更包含具有羥基及/或內酯環之重複單元。如此，(A)成分之樹脂，藉由包含具有羥基及內酯環之重複單元，即使在細微圖案中也可得到充分的矩形性。
具有內酯環作為密合性基之重複單元，如下述。
尤其，較佳為下述通式(4)及/或下述通式(5)之重複單元。
又，具有羥基之重複單元，例如下述。
尤其，較佳為以下述通式(6)表示之重複單元。
本發明之正型光阻組成物中之(A)成分的樹脂，也可視需要含有以上述通式(1)及(2)表示之結構的重複單元、含有羥基及/或內酯環單元以外之重複單元，例如含羧基、氟烷基的單元。
然而，含羧基之重複單元的含有率，相對於總重複單元合計，較佳為10莫耳%以下。若為此範圍，並無圖案之矩形性受損、因為膨潤導致圖案倒塌耐性劣化之虞，有在溶解速度控制的點方面有效的情況。
又，也可包含有具有有橋環式結構的單元。
此單元的含有率，相對於總重複單元合計，添加未達10莫耳%時，因更確實地消除顯影時所發生之圖案倒塌，無LWR惡化之虞，故較佳。
此等含羧基或氟烷基之單元、具有有橋環式結構之單元的具體例，如以下所示，但不限於此等。
合成(A)成分之樹脂時，係將為必要重複單元之上述通式(1)及通式(2)表示之重複單元、為任意重複單元之以(4)~(6)表示之重複單元所對應之聚合性單體予以混合並添加起始劑及鏈移轉劑進行聚合。
關於構成本發明之正型光阻組成物中之(A)樹脂之各重複單元的組成比，當令以上述通式(1)式表示之重複單元之合計的含有率定為a莫耳%、以上述(2)式表示之重複單元之合計的含有率定為b莫耳%、含羥基之重複單元之合計的含有率定為c莫耳%、具有內酯環之重複單元的合計之含有率定為d莫耳%時，組成比較佳為滿足：a+b+c+d=100
0<a≦50
10≦b≦60
0≦c≦50
20≦d≦70
尤佳為滿足：a+b+c+d=100
0<a≦40
10≦b≦60
0≦c≦30
20≦d≦60。
關於本發明之正型光阻組成物中之(A)樹脂的分子量，若重量平均分子量(Mw)過小，容易溶解於水，若重量平均分子量過大則可能造成鹼溶解性的降低及可能成為旋塗時塗佈缺陷的原因。由此觀點來看，利用凝膠滲透層析(GPC)之聚苯乙烯換算之重量平均分子量宜為1,000~500,000、較佳為2,000~30,000。
本發明之正型光阻組成物含有光酸產生劑作為(B)成分。該光酸產生劑並無特別限定，可使用例如日本特開2011-95662號公報記載者。
又，適合用於本發明之正型光阻組成物之光酸產生劑，例如：鋶鹽、雙磺醯基重氮甲烷、N-磺醯氧基醯亞胺等。又，光酸產生劑可單獨使用1種，也可混合2種以上使用。
(B)成分之含量，相對於該(A)成分的樹脂之含量100質量份，較佳為0.5~25質量份。
本發明之正型光阻組成物中，含有以下述通式(3)表示之化合物作為(C)成分。
(式中，R2表示也可具有醚鍵及酯鍵之碳數10~20之直鏈狀或分支狀的烷基)。
尤其，作為(C)成分，R2較佳為碳數10~20之直鏈狀者，更佳為具有下述結構之化合物。
前述(C)成分之含量，相對於該(A)成分的樹脂之含量100質量份，較佳為0.5~10質量份。若為如此之(C)成分的含量，可充分發揮上述本發明之效果，故較佳。
本發明之正型光阻組成物，含有(D)成分作為溶劑。
(D)溶劑，只要是可溶解(A)成分之樹脂、(B)成分之光酸產生劑、(C)成分之化合物、其他添加劑等的任何有機溶劑皆可。藉由摻合有機溶劑，可提升例如光阻組成物對基板等的塗佈性。如此之有機溶劑，例如：環己酮、甲基-2-正戊酮等的酮類；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等的醇類；丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚等的醚類；丙二醇單甲醚醋酸酯、丙二醇單乙醚醋酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚醋酸酯等的酯類；γ-丁內酯等的內酯類，此等可1種單獨使用或2種以上混合使用，但並不限定於此等。本發明中，此等有機溶劑中又以使用光阻成分中之酸產生劑之溶解性最優異之二乙二醇二甲醚或1-乙氧基-2-丙醇、丙二醇單甲醚醋酸酯及此等之混合溶劑較佳。
(D)成分之溶劑之使用量，相對於正型光阻組成物中之基質樹脂100質量份，宜為200~5,000質量份、尤佳為400~4,000質量份。
又，也可於本發明之正型光阻組成物添加可由於酸分解而產生酸的化合物(酸增殖化合物)。關於此等化合物，可參考日本特開2009-269953號公報。
本發明之光阻組成物之酸增殖化合物的添加量，相對於光阻組成物中之基質樹脂100質量份為2質量份以下、較佳為1質量份以下。若為2質量份以下，並無酸擴散的控制變困難的疑慮、也無發生解像性劣化、圖案形狀劣化的疑慮，故較佳。
又，也可於本發明之正型光阻組成物添加由於有機酸衍生物或酸之作用而改變對鹼顯影液之溶解性之重量平均分子量3,000以下的化合物(溶解控制劑)，可與上述各成分同樣地參考記載於日本特開2009-269953號公報之化合物。藉由配合溶解控制劑，可進一步增加曝光部與未曝光部之溶解速度的差，進一步提升解像度。
也可於本發明之正型光阻組成物中添加有別於上述(C)成分之鹼性化合物。藉由配合鹼性化合物可進一步提升解像度。鹼性化合物，例如日本特開2008-111103號公報之段落(0146)~(0164)所記載之1級、2級、3級胺化合物、尤其具有羥基、醚、酯基、內酯環、氰基、磺酸酯基之胺化合物或日本特開2001-166476號公報記載之具有胺甲酸酯基化合物，添加量，相對於基質樹脂100質量份，宜為0~4質量份。
本發明之正型光阻組成物中可添加界面活性劑成分，界面活性劑成分，並無特別限定，例如可使用日本特開2008-1229338號記載之鹼可溶型界面活性劑。藉由添加界面活性劑，可更提升或控制光阻組成物之塗佈性。
又，界面活性劑可混合使用，其合計添加量，相對於光阻組成物之基質樹脂100質量份為0.001~20質量份、較佳為0.01~10質量份之範圍。
上述之正型光阻組成物，即使利用通常之圖案曝光、顯影等的微影技術(也包含多層光阻法)也可得到如上述之優異之解像性及圖案形狀，尤其，在於其上形成保護膜並隔著水進行曝光的浸潤微影非常有用。
本發明提供一種圖案形成方法，其特徵為，包含以下步驟：將正型光阻組成物塗佈至基板上，加熱處理形成光阻膜； 於該光阻膜上設置保護膜；隔著水以波長180-250nm之高能量射線進行浸潤曝光；利用鹼顯影液進行顯影；其中，該正型光阻組成物含有：(A)樹脂，具有以下述通式(1)及下述通式(2)表示之重複單元作為含酸不穩定基之重複單元且鹼溶解性由於酸而提高；(B)光酸產生劑；(C)以下述通式(3)表示之化合物；以及(D)溶劑。
(式中，R1表示碳數1~10之直鏈狀或分支狀的烷基。n表示1~3的整數。)
(式中，R2表示也可具有醚鍵及酯鍵之碳數10~20之直鏈狀或分支狀的烷基)。
以下，詳細說明本發明之圖案形成方法。
使用本發明之正型光阻組成物形成圖案時，可採用公知之微影技術。例如於積體電路製造用之基板(Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG，附有有機抗反射膜之基板等)或遮罩電路製造用的基板(Cr、CrO、CrON、MoSi等)藉由旋轉塗佈等的方法塗佈正型光阻組成物使膜厚成為0.05~2.0μm，將其在熱板上加熱處理(預烘烤)60~150℃、1~10分鐘、較佳為80~140℃、1~5分鐘形成光阻膜。
接著，於得到的光阻膜上設置不溶於水的保護膜。
上述不溶於水的保護膜係用以防止從光阻膜而來之溶出物、為了提升膜表面之滑水性，大致分為2種。1種為必須利用不溶解光阻膜之有機溶劑在鹼顯影前剝離之有機溶劑剝離型，另1種為對鹼性顯影液為可溶且於光阻膜可溶部除去同時將保護膜除去之鹼可溶型。
後者，較佳材料為：尤其不溶於水而溶解於鹼性顯影液之以具有1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇殘基的高分子化合物為基質，並溶解於碳數4以上之醇系溶劑、碳數8~12之醚系溶劑、及該等之混合溶劑的材料。又，也可為使上述之不溶於水而對於鹼性顯影液為可溶之界面活性劑溶解於碳數4以上之醇系溶劑、碳數8~12之醚系溶劑、或該等之混合溶媒的材料。
又，圖案形成方法之方法，可於光阻膜形成後，進行純水沖洗(postsoak)，藉此萃取來自膜表面之酸產生劑等，或進行微粒的流洗，也可於曝光後進行將膜上殘留之水除去的沖洗(postsoak)。
其次，將用以形成目的圖案之遮罩罩蓋於上述抗光阻膜上，在遮罩與基板間隔著水以遠紫外線、準分子雷射、X射線等波長180-250nm之高能量射線進行浸潤曝光(Immersion法)。宜以使曝 光量為1~200mJ/cm2、尤其為10~100mJ/cm2的方式進行照射。本發明之正型光阻組成物，最適於利用如此之波長180nm~250nm之遠紫外線或準分子雷射的微細圖案化。
接著，於熱板上以60~150℃、1~5分鐘、較佳為以80~140℃、1~3分鐘進行曝光後烘烤(post exposure bake，PEB)。進一步，使用0.1~5質量%、較佳為2~3質量%之四甲基氫氧化銨(TMAH)等的鹼水溶液的顯影液，以浸漬(dip)法、浸置(puddle)法、噴塗(spray)法等常法進行0.1~3分鐘，較佳為0.5~2分鐘顯影，在基板上形成目的圖案。
【實施例】
以下，表示實施例及比較例並具體說明本發明，但本發明不限於此等記載。
將構成用於本評價之樹脂的重複單元之組成比(莫耳比)與分子量(Mw)表示如表1。又，分子量(Mw)表示利用以聚苯乙烯換算之GPC測定的重量平均分子量。又，各重複單元之結構如表2所示。表1中之樹脂中，P01~P09相當於作為本發明之正型光阻組成物之必要成分的(A)樹脂。
(光阻組成物之調製)
接著，以下述表3中之配合比(質量份)，將上述樹脂、其他各種光酸產生劑、各種淬滅劑(鹼性化合物)溶解於溶劑，溶解後利用鐵氟龍(註冊商標)製濾器(孔徑0.2μm)過濾，調製成光阻組成物。表3中之酸產生劑、鹼性化合物之結構如表4所示。表4中之鹼中，Q1~Q5相當於本發明之正型光阻組成物之必要成分之(C)化合物。即，表3中之光阻組成物中，R01~R09、R17~R20為本發明之正型光阻組成物。R10~R16、R21~R25為比較光阻組成物。
又，表3中表示之溶劑如以下。
PGMEA：丙二醇單甲醚醋酸酯
CyHO：環己酮
(光阻保護膜之調製)
以如下述所示組成，將基質樹脂(TC用聚合物1、TC用聚合物2)、有機溶劑予以混合，於溶解後將此等以鐵氟龍(註冊商標)製濾器(孔徑0.2μm)過濾，調製成保護膜材料(TC-1、TC-2)。
[TC-1]
混合組成：以下述式表示之TC用聚合物1(100質量份)、有機溶劑1(2600質量份)、有機溶劑2(260質量份)
[TC-2]
混合組成：以下述式表示之TC用聚合物2(100質量份)、有機溶劑1(2600質量份)、有機溶劑2(260質量份)
TC聚合物(參考以下結構式)
TC用聚合物1(分子量7500)
TC用聚合物2(分子量8200)
有機溶劑1：異戊醚
有機溶劑2：2-甲基-1-丁醇
(評價方法：實施例1~13、比較例1~12)
於矽基板上塗佈抗反射膜溶液(日產化學工業(股)製、ARC-29A)並於200℃烘烤60秒製作而得的抗反射膜(100nm膜厚)基板上，旋轉塗佈光阻溶液(R01~R25)，使用熱板於100℃烘烤60秒，製作100nm膜厚之光阻膜。
進一步於其上，塗佈光阻保護膜材料(TC-1，TC-2)於100℃烘烤60秒形成50nm之保護膜。將其使用ArF準分子雷射掃描曝光機台(Nikon(股)製、NSR-S610C、NA=1.30、σ0.85，3/4輪帶照明、6%半階調相位偏移遮罩)曝光，於任意的溫度(記載於表5、6)實施60秒的烘烤(PEB)，以2.38質量%之四甲基氫氧化銨水溶液進行60秒顯影形成圖案。
光阻之評價，以70nm線/150nm節距之圖案作為對象，利用電子顯微鏡以最終線寬為45nm之曝光量定為最適曝光量(Eop、mJ/cm2)。以此時之圖案剖面結果作為圖案形狀進行比較。又，在上述最適曝光量，將焦點上下移動，求出上述之溝槽圖案以目標尺寸45nm±10%(即41nm-50nm)之尺寸進行解像之焦點的範圍，定為DOF1(nm)。該值越大，相對於焦點偏差之餘裕廣，可謂良好的性能。又，同時觀察65nm溝槽/160nm節距之圖案，以最終為45nm溝槽/160nm節距之曝光量，同樣地求出以目標尺寸45nm±10%(即41nm-50nm)之尺寸解像之焦點的範圍，定為DOF2(nm)。上述表所示之本發明之光阻組成物(R01~R09、R17~R20)之評價結果(實施例1~13)如表5所示。又，比較用光阻組成物(R10~R16、R21~R25)之評價結果(比較例1~12)如表6所示。
【表5】
根據表5、表6所表示的結果可知本發明之正型光阻組成物顯示出優異的圖案形狀與DOF特性。
又，本發明並不限於上述實施形態。上述實施形態為例示，具有與本發明之申請專利範圍所記載之技術思想實質相同的構成且可發揮同樣作用效果者，皆涵蓋於本發明之技術範疇。

Claims (8)

  1. 一種正型光阻組成物，其特徵為含有：(A)樹脂，具有以下述通式(1)及下述通式(2)表示之重複單元作為含酸不穩定基的重複單元且鹼溶解性由於酸而提高；(B)光酸產生劑；(C)以下述通式(3)表示之化合物；及(D)溶劑； (式中，R1表示碳數1~10之直鏈狀或分支狀的烷基；n表示1~3的整數)； (式中，R2表示也可具有醚鍵及酯鍵之碳數10~20之直鏈狀或分支狀的烷基)。
  2. 如申請專利範圍第1項之正型光阻組成物，其中，該(A)成分的樹脂更包含下述通式(4)及/或下述通式(5)之重複單元，
  3. 如申請專利範圍第1或2項之正型光阻組成物，其中，該(A)成分的樹脂更包含以下述通式(6)表示之重複單元，
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之正型光阻材料，其中，該(C)成分之含量，相對於該(A)成分的樹脂之含量100質量份，為0.5~10質量份。
  5. 一種圖案形成方法，其特徵為包含以下步驟：將正型光阻組成物塗佈至基板上，加熱處理形成光阻膜；於該光阻膜上設置保護膜； 隔著水以波長180-250nm之高能量射線進行浸潤曝光；使用鹼顯影液進行顯影；其中，該正型光阻組成物含有：(A)樹脂，具有以下述通式(1)及下述通式(2)表示之重複單元作為含酸不穩定基的重複單元且鹼溶解性由於酸而提高；(B)光酸產生劑；(C)以下述通式(3)表示之化合物；以及(D)溶劑； (式中，R1表示碳數1~10之直鏈狀或分支狀的烷基；n表示1~3的整數)； (式中，R2表示也可具有醚鍵及酯鍵之碳數10~20之直鏈狀或分支狀的烷基)。
  6. 如申請專利範圍第5項之圖案形成方法，其中，該(A)成分 的樹脂更包含下述通式(4)及/或下述通式(5)之重複單元，
  7. 如申請專利範圍第5或6項之圖案形成方法，其中，該(A)成分之樹脂更包含以下述通式(6)表示之重複單元，
  8. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之圖案形成方法，其中，該(C)成分之化合物的含量，相對於該(A)成分的樹脂之含量100質量份，為0.5~10質量份。
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