TW201546557A - 正型光阻組成物及圖案形成方法 - Google Patents

正型光阻組成物及圖案形成方法 Download PDF

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Kenji Funatsu
Akihiro Seki
Takeshi Sasami
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Shinetsu Chemical Co
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Abstract

本發明之目的為提供解析度，尤其是焦點深度(DOF)特性優良而且能賦予LWR(line width roughness)良好的圖案之正型光阻組成物。 本發明係提供一種正型光阻組成物，其特徵為含有：(A)具有將以下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重複單元作為含酸不安定基的重複單元，且鹼溶解性因酸而提高的樹脂、(B)光酸產生劑、(C)下述通式(3)所表示的化合物，及(D)溶劑。□□

Description

正型光阻組成物及圖案形成方法
本發明係關於正型光阻組成物及使用該正型光阻組成物之圖案形成方法。
在ArF浸潤式微影(immersion lithography)中，有人提出主張使水浸含於投影透鏡與晶圓之間。水在193nm的折射率為1.44，且即使使用NA1.0以上的透鏡亦可形成圖案，故理論上可將NA提昇到1.35。解像力隨著NA所提昇的量而提昇，NA1.2以上的透鏡與超解析技術(super-resolution)的組合顯示了45nm節點的可能性(非專利文獻1)。
在該浸潤式微影中，有人指出由於水存在於光阻膜上所造成的各種問題。例如，光阻材料中的光酸產生劑或由於光照射而產生的酸、作為淬滅劑而添加於光阻膜的胺化合物溶出在所接觸的水中(淋溶(leaching))而造成圖案形狀的變化、或對曝光裝置之投影透鏡造成污染等問題。
為了防止該問題而有在光阻膜上形成抑制淋溶的保護膜之方法。然而，雖藉由保護膜而抑制了淋溶，但是圖案形狀或解析度劣化的問題卻浮現出來。關於圖案形狀會發生頭部變圓之頂部損失(top loss)的問題。
又，隨著高解析度的要求更加提高，各種微影特性的提昇亦被要求。其中，在圖案形成時，為了製程寬容度(process margin)等的提昇，焦點深度(depth of focus；DOF)特性以及LWR(line width roughness)的提昇亦被要求。 【先前技術文獻】 【非專利文獻】
【非專利文獻1】Proc.   SPIE Vol.  5040  p724
【發明所欲解決之課題】
本發明係鑑於上述情事而成者，目的為提供解析度，尤其是焦點深度(DOF)特性優良且能賦予LWR(line width roughness)良好的圖案之正型光阻組成物。 又，目的為提供藉由使用本發明的正型光阻組成物之浸潤式微影的圖案形成方法。 【解決課題之手段】
為了解決上述問題，本發明係提供一種正型光阻組成物，其含有： (A)具有將以下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重複單元作為含酸不安定基的重複單元，且鹼溶解性因酸而提高的樹脂、 (B)光酸產生劑、 (C)下述通式(3)所表示的化合物，及 (D)溶劑。 【化1】(式中，R1 各別獨立地表示碳數1~10之直鏈狀或分支狀的烷基。n表示1~3的整數。) 【化2】(式中，R2 表示亦可具有醚鍵及酯鍵的碳數10~20之直鏈狀或分支狀的烷基。)
若使用如此之本發明的正型光阻組成物，解析度優良，尤其會提昇去除(溝槽圖案(trench pattern))性能或保留(孤立圖案)性能之焦點深度(DOF)特性。又，可形成能賦予LWR良好的圖案之光阻膜。
又此時，該(A)成分之樹脂宜為更包含下述結構式(4)及下述結構式(5)中之任一者或兩者的重複單元者。 【化3】
如此，本發明之(A)成分的樹脂若更包含具有內酯環之上述通式(4)及/或上述通式(5)的重複單元者，光阻膜會成為密合性優良的膜，且可得到具有更理想的形狀之光阻圖案。
又此時，該(C)成分的含量相對於100質量的該(A)成分之樹脂的含量，宜為0.5~10質量份。
只要是如此的(C)成分之含量，因為會充分地發揮上述本發明的效果，故較為理想。
又，本發明提供一種圖案形成方法，其包含： 將上述的正型光阻組成物塗佈於基板上，並加熱處理而形成光阻膜的步驟； 於該光阻膜上形成保護膜的步驟； 介隔水以波長180-250nm的高能射線進行浸潤曝光的步驟，及 使用鹼顯影液顯影的步驟。
如此，依照使用如上述之本發明的正型光阻組成物之本發明的圖案形成方法，可抑制以往形成保護膜而實施浸潤曝光時有可能產生的圖案形狀之劣化或解析度之劣化。具體而言，可得到矩形性高的圖案形狀，又，焦點深度(DOF)特性優良，具體而言，溝槽圖案、孤立圖案的DOF特性優良。 【發明之效果】
如上所述，若為本發明的正型光阻組成物，則解析度優良，尤其是孤立圖案、溝槽圖案之任一者中皆可獲得良好的焦點深度(DOF)特性。又，本發明中，亦可獲得形成LWR良好的光阻圖案之效果。尤其，如此的正型光阻組成物，於形成保護膜後介隔水而實施曝光的浸潤式微影中非常地有效益。 又，若為使用如此之本發明的正型光阻組成物之本發明的圖案形成方法，可抑制以往形成保護膜而實施浸潤曝光時有可能產生的圖案形狀之劣化或解析度之劣化。具體而言，可得到矩形性高的圖案形狀，又，焦點深度(DOF)特性優良，具體而言，溝槽圖案、孤立圖案的DOF特性優良。
如於上述，要求例如在形成保護膜時亦不會發生頂部損失等問題，且可抑制圖案形狀或解析度、尤其是焦點深度(DOF)特性的劣化之正型光阻組成物。
本案發明人等，為了達成上述目的而反覆深入研究的結果發現若是一種正型光阻組成物，其包含：(A)樹脂，係含有以具有金剛烷環之酸不安定基保護為溶解性基之羧酸的重複單元(後述通式(1)所表示的重複單元)，及以特定的單環結構之酸不安定基保護為溶解性基之羧酸的重複單元(後述通式(2)所表示的重複單元)、(C)後述通式(3)所表示的化合物、(B)光酸產生劑、(D)溶劑，因為解析度或圖案形狀之矩形性優良，故作為光阻材料而在精密的微細加工上極為有效益，乃至於完成本發明。
尤其發現，若使用本發明的正型光阻組成物，於孤立圖案、溝槽圖案之任一者中皆可獲得良好的焦點深度(DOF)特性。另外，「DOF」係指，在同一曝光量，將焦點上下移動而曝光時，在相對於目標尺寸之偏差為預定的範圍內之尺寸下可形成光阻圖案之焦點深度的範圍，亦即於遮罩圖案可獲得忠實的光阻圖案之範圍，DOF愈大愈佳。
亦即，本發明為一種正型光阻組成物，其含有： (A)具有將以下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重複單元作為含酸不安定基的重複單元，且鹼溶解性因酸而提高的樹脂、 (B)光酸產生劑、 (C)下述通式(3)所表示的化合物，及 (D)溶劑。 【化4】(式中，R1 各別獨立地表示碳數1~10之直鏈狀或分支狀的烷基。n表示1~3的整數。) 【化5】(式中，R2 表示亦可具有醚鍵及酯鍵的碳數10~20之直鏈狀或分支狀的烷基。)
以下，對於本發明詳細地說明，但本發明並非限定於該等者。
＜(A)成分＞ 本發明的的正型光阻組成物含有(A)成分作為基礎樹脂，(A)成分為具有以下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重複單元，且鹼溶解性因酸而提高的樹脂。 【化6】(式中，R1 各別獨立地表示碳數1~10之直鏈狀或分支狀的烷基。n表示1~3的整數。)
為含酸不安定基的重複單元之上述通式(1)所表示的重複單元，係以具有金剛烷環之酸不安定基保護為溶解性基之羧酸的重複單元。將該重複單元導入到(A)成分之鹼溶解性因酸而提高的樹脂之構成要素的話，可得到高解析度。
為含酸不安定基的重複單元之上述通式(2)所表示的重複單元，係以特定的單環結構之酸不安定基保護為溶解性基之羧酸的重複單元。如此地，因為對於(A)成分之鹼溶解性因酸而提高的樹脂之構成要素導入單環結構單元，會使脂溶性下降，且可提高光阻溶解對比，又藉由與後述(C)成分組合，成為解析度、尤其是焦點深度(DOF)特性優良且能賦予LWR良好的圖案之正型光阻組成物。
通式(1)、(2)中，R1 各別獨立地表示碳數1~10，理想為碳數1~4之直鏈狀或分支狀的烷基。n表示1~3的整數，理想為1或2。
作為通式(1)所表示的重複單元並無特別限制，但下述所表示的重複單元特佳。 【化7】
作為通式(2)所表示的重複單元並無特別限制，但下述所表示的重複單元特佳。 【化8】
本發明的正型光阻組成物所包含的(A)成分之樹脂，除了該通式(1)所表示的重複單元、及該通式(2)所表示的重複單元之外，更包含具有羥基及/或內酯環之重複單元較為理想。如此，(A)成分之樹脂因為含有具有羥基或內酯環的重複單元，於密合性提昇且在微細的圖案中仍可得到足夠的矩形性。
具有羥基作為密合性基之重複單元可列舉下述者，但並不限定於該等者。 【化9】
【化10】
具有內酯環作為密合性基之重複單元可列舉下述者，但並不限定於該等者。 【化11】
【化12】
該等之中，尤其含有下述結構式(4)及下述結構式(5)中之任一者或兩者之重複單元較為理想。 【化13】
本發明的正型光阻組成物中之(A)成分的樹脂，亦可因應需要含有上述通式(1)及(2)所表示的結構之重複單元、含有羥基及/或內酯環的單元以外的重複單元，可列舉例如含有羧基、氟烷基之單元。 此時，含有羧基之重複單元的含有率相對於總重複單元的合計宜為10莫耳%以下。若在該範圍內，則不必擔心會有圖案的矩形性受損，或因為膨潤而導致圖案崩塌耐性劣化，且在溶解速度控制的點為有效益的情況。 又，含有氟烷基之單元的含有率相對於總重複單元的合計宜為20莫耳%以下。
又，亦可包含更具有橋環結構的單元。 據認為該單元的含有率相對於總重複單元的合計，若添加未達10莫耳%，會更確實地排解在顯影時所產生的圖案崩塌，且不必擔心LWR惡化，故較為理想。
該等含有羧基或氟烷基的單元、具有橋環結構的單元之具體例如下所示，但並不限定於該等者。 【化14】
合成(A)成分的樹脂時，係將對應於必要的重複單元即通式(1)、(2)所表示的重複單元、或任意的重複單元即結構式(4)、(5)所表示的重複單元之聚合性單體予以混合，並添加起始劑或鏈轉移劑而實施聚合。
關於構成本發明的正型光阻組成物中之(A)樹脂的各重複單元之組成比，當令通式(1)式所表示的重複單元之合計含有率定義為a莫耳%，通式(2)所表示的重複單元之合計含有率定義為b莫耳%，具有羥基或內酯環的重複單元之合計含有率定義為c莫耳%時，滿足下式較為理想， a＋b＋c=100 0＜a≦50 10≦b≦60 20≦c≦70 尤其滿足下式的組成比特佳。 a＋b＋c=100 0＜a≦40 10≦b≦60 30≦c≦60
(A)成分之樹脂的分子量，藉由凝膠滲透層析(GPC)之聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)期望為1,000~500,000，較理想為8,000~10,000。若為如此的分子量，即可抑制因分子量過小而容易造成溶解於水中，或因分子量過大而成為鹼溶解性降低或旋塗時塗佈缺陷的原因。
＜(B)成分＞ 本發明的正型光阻組成物含有光酸產生劑作為(B)成分。做為該光酸產生劑並無特別限制，但可使用例如日本特開2011-95662號公報所記載者。 另外，作為本發明的正型光阻組成物所理想地使用之光酸產生劑，可列舉：鋶鹽、雙磺醯基重氮甲烷、N-磺醯氧基亞醯胺等。又，光酸產生劑可單獨使用1種，亦可將2種以上混合使用。 (B)成分的含量相對於100質量份的(A)成分之樹脂的含量，宜為0.5~25質量份。
＜(C)成分＞ 本發明的正型光阻組成物含有下述通式(3)所表示的化合物作為(C)成分。該(C)成分係成為對於由(B)成分之光酸產生劑產生之酸的淬滅劑之鹼性化合物。 【化15】(式中，R2 表示亦可具有醚鍵及酯鍵之碳數10~20之直鏈狀或分支狀的烷基。)
作為(C)成分，尤其R2 為碳數10~20之直鏈狀者較為理想，此外，具有下述結構之化合物更佳。 【化16】
(C)成分的含量相對於100質量份的(A)成分之樹脂的含量，宜為0.5~10質量份。若為如此的(C)成分之含量，可充分發揮上述本發明的效果，故較為理想。
＜(D)成分＞ 本發明的正型光阻組成物含有溶劑做為(D)成分。 作為(D)成分只要是可溶解(A)成分的樹脂、(B)成分的光酸產生劑、(C)成分的化合物、其他的添加劑等的有機溶劑者均可。藉由摻合有機溶劑，可提昇例如：光阻組成物之對基板等的塗佈性。
作為如此的有機溶劑可列舉：環己酮、甲基-2-正戊酮等酮類；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等醇類；丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚等醚類；丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸三級丁酯、丙酸三級丁酯、丙二醇單三級丁醚乙酸酯等酯類；γ-丁內酯等內酯類，該等可單獨1種或將2種以上混合使用，但並不限定於該等者。 在本發明之該等有機溶劑中，使用光阻成分中的酸發生劑之溶解性最優良的二乙二醇二甲醚或1-乙氧基-2-丙醇、丙二醇單甲醚乙酸酯、環己酮、及該等之混合溶劑較為理想。
(D)成分之溶劑的使用量相對於100質量份的(A)成分之樹脂的含量為200~5,000質量份，尤其400~4,000質量份較適合。
＜其他成分＞ 又，本發明的正型光阻組成物中亦可添加因酸而分解且產生酸的化合物(酸增殖化合物)。關於酸增殖化合物，可使用例如日本特開2009-269953號公報所記載者。 作為本發明的光阻組成物之酸增殖化合物的添加量，相對於100質量份的(A)成分之樹脂的含量為2質量份以下，較理想為1質量份以下。若在2質量份以下，則不必擔心酸擴散的控制變難，亦不必擔心造成解析度的劣化、圖案形狀的劣化，故較為理想。
又，本發明的正型光阻組成物中亦可添加因有機酸衍生物或酸的作用而改變對鹼顯影液的溶解性之重量平均分子量3,000以下的化合物(溶解控制劑)，可使用例如日本特開2009-269953號公報所記載者。 藉由摻合溶解控制劑，可進一步增加曝光部與未曝光部之溶解速度的差距，可使解像度進一步提昇。
又，本發明的正型光阻組成物中亦可添加與上述(C)成分不同之鹼性化合物。藉由摻合鹼性化合物，可使解像度進一步提昇。作為鹼性化合物可列舉日本特開2008-111103號公報之段落(0146)~(0164)所記載的1級、2級、3級胺化合物，尤其是具有羥基、醚、酯基、內酯環、氰基、磺酸酯基的胺化合物、或日本特開2001-166476號公報所記載之具有胺基甲酸酯基的化合物。作為如此的鹼性化合物之添加量，相對於100質量份的(A)成分之樹脂的含量宜為0~4質量份。
又，本發明的正型光阻組成物中可添加界面活性劑成分，作為界面活性劑成分並無特別限制，但可使用例如日本特開2008-111103號公報所記載的鹼可溶型界面活性劑。藉由添加界面活性劑可進一步提昇或控制光阻組成物的塗佈性。 又，亦可將界面活性劑混合使用，其合計添加量相對於100質量份的(A)成分之樹脂的含量為0.001~20質量份，在0.01~10質量份的範圍內較為理想。
如於上述，只要是本發明的正型光阻組成物，解析度優良，尤其是孤立圖案、溝槽圖案皆可得到良好的焦點深度(DOF)特性，又可形成LWR良好的光阻圖案。
本發明的正型光阻組成物即使藉由一般的圖案曝光、顯影等微影技術(亦包含多層光阻法等)亦可獲得如於上述之優良的解析度或圖案形狀，尤其在光阻膜上形成保護膜，並介隔水而實施曝光之浸潤式微影中非常地有效益。
於此，本發明提供一種圖案形成方法，其包含： 將上述本發明的正型光阻組成物塗佈於基板上，並加熱處理而形成光阻膜的步驟； 於該光阻膜上形成保護膜的步驟； 介隔水以波長180-250nm的高能射線進行浸潤曝光的步驟，及 使用鹼顯影液顯影的步驟。
以下對於本發明的圖案形成方法詳細敘述。 使用本發明的正型光阻組成物形成圖案可採用已知的微影技術實施。 例如，將本發明的正型光阻組成物以旋轉塗佈等方法塗佈於積體電路製造用的基板(Si、SiO2 、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、附有有機抗反射膜的基板等)，或遮罩電路製造用的基板(Cr、CrO、CrON、MoSi等)，使膜厚成為0.05~2.0μm，並將其於加熱板上進行60~150℃/1~10分鐘，較理想為80~140℃/1~5分鐘的加熱處理(預烘烤)，而於基板上形成光阻膜。
然後，在得到的光阻膜上形成保護膜。 保護膜為水不溶者，為了防止從光阻膜而來的溶出物，並提昇膜表面的滑水性而使用，大致分為2種。1種係在鹼顯影前必須藉由不溶解光阻膜的有機溶劑剝離的有機溶劑剝離型，另1種係可溶於鹼顯影液，在去除光阻膜可溶部的同時去除保護膜之鹼可溶型。
後者尤其是不溶於水而可溶於鹼顯影液之以具有1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇殘基的高分子化合物為基礎，且使其溶解於碳數4以上的醇系溶劑、碳數8~12的醚系溶劑、及該等之混合溶劑的材料較為理想。 又，亦可作為使上述不溶於水而可溶於鹼顯影液的界面活性劑溶解於碳數4以上的醇系溶劑、碳數8~12的醚系溶劑、或該等之混合溶劑的材料。
又，作為圖案形成方法手段，可在光阻膜形成後，藉由實施純水沖洗(postsoak)從膜表面實施酸發生劑等的萃取、或微粒的流洗，亦可在曝光後實施為了去除殘留於膜上的水的沖洗(postsoak)。
然後，將為了形成目的的圖案之遮罩罩在上述光阻膜上，並於遮罩與基板之間介隔水以遠紫外線、準分子雷射等波長180-250nm之高能射線進行浸潤曝光(Immersion法)。使照射的曝光量成為1~200mJ/cm2 較理想，尤其是成為10~100mJ/cm2 特佳。本發明的正型光阻組成物藉由如此的波長180nm-250nm之遠紫外線或準分子雷射於微細圖案化最適合。
然後，在加熱板上進行60~150℃/1~5分鐘，較理想為80~140℃/1~3分鐘之曝光後烘烤(Post-exposure bake，PEB)。此外，使用0.1~5質量%，較理想為2~3質量%之四甲基氫氧化銨(TMAH)等的鹼性水溶液之顯影液，進行0.1~3分鐘，較理想為0.5~2分鐘之藉由浸漬(dip)法、攪拌(puddle)法、噴灑(spray)法等一般的方法的顯影，而在基板上形成目的的圖案。
若為如上述之本發明的圖案形成方法，因為使用上述本發明的正型光阻組成物，可抑制以往形成保護膜而實施浸潤曝光時可能產生的圖案形狀之劣化或解析度之劣化。具體而言，可得到矩形性高的圖案形狀，又，焦點深度(DOF)特性優良，具體而言，溝槽圖案、孤立圖案的DOF特性優良。 【實施例】
以下，舉實施例及比較例而具體地說明本發明，但本發明並不限定於該等之記載。 構成本評估所使用的樹脂之重複單元的組成比(莫耳比)與分子量(Mw)如表1所示。另外，分子量(Mw)係表示以聚苯乙烯換算之使用GPC測量的重量平均分子量。又，各重複單元的結構如表2所示。 另外，表1中的樹脂之中P1~P7相當於本發明的正型光阻組成物之必要成分即(A)成分之樹脂。
【表1】
【表2】
(光阻組成物的製備) 然後，以下述表3及表4所示的摻合比(質量份)，將上述樹脂之外，各種光酸產生劑、各種淬滅劑(鹼性化合物) 溶解於溶劑中，並於溶解後使用鐵氟龍(註冊商標)製過濾器(孔徑0.2μm)過濾，製備成光阻組成物。另外，表3及表4中所示的溶劑如下所示。 PGMEA：丙二醇單甲醚乙酸酯 CyHO：環己酮
又，表3及表4中的光酸產生劑(PAG-1、PAG-2)、鹼性化合物(Q1~Q9)的結構如表5所示。另外，表5中的鹼性化合物之中，Q1~Q5相當於本發明的正型光阻組成物之必要成分即(C)成分的化合物。 亦即，表3及表4中的光阻組成物之中，R1~R7、R31~R36相當於本發明的正型光阻組成物。R8~R30為比較光阻組成物。
【表5】
(光阻保護膜的製備) 以下述所示的組成，將基礎樹脂(TC用聚合物1、TC用聚合物2)、有機溶劑混合，溶解後將該等以鐵氟龍(註冊商標)製過濾器(孔徑0.2μm)過濾，製備成保護膜材料(TC-1、TC-2)。另外，使用的有機溶劑如下所示。 有機溶劑1：異戊醚 有機溶劑2：2-甲基-1-丁醇
(TC-1) 混合組成：以下述式所示的TC用聚合物1(100質量份)、有機溶劑1(2,600質量份)、有機溶劑2(260質量份) TC用聚合物1(分子量：7,500) 【化17】
(TC-2) 混合組成：以下述式所示的TC用聚合物2(100質量份)、有機溶劑1(2,600質量份)、有機溶劑2(260質量份) TC用聚合物2(分子量：8,200) 【化18】
(評估方法：實施例1~13、比較例1~23) 於在矽基板上塗佈抗反射膜溶液(日產化學工業股份有限公司製、ARC-29A)，於200℃烘烤60秒鐘製作而得的抗反射膜(100nm膜厚)基板上，旋轉塗佈光阻溶液(R01~R36)，使用加熱板於100℃烘烤60秒鐘，形成100nm膜厚的光阻膜。 在於其上塗佈光阻保護膜材料(TC-1、TC-2)，於100℃烘烤60秒鐘形成50nm的保護膜。將其介隔水使用ArF準分子雷射掃描儀(Nikon股份有限公司製、NSR-S610C、NA=1.30、σ0.85、3/4輪帶照明、6%半階調相位偏移遮罩)進行浸潤曝光，於任意的溫度(表6、7所記載)施加60秒鐘的烘烤(PEB)，以2.38質量%的四甲基氫氧化銨水溶液實施60秒鐘的顯影，並形成圖案。
光阻的評估，係以50nm線/100nm節距的圖案作為對象，用電子顯微鏡以最終線寬為45nm的曝光量定義為最適曝光量(Eop，mJ/cm2 )。以此時的圖案粗糙度作為LWR進行比較。 又，於上述最適曝光量將焦點上下移動，求得上述溝槽圖案在目標尺寸為45nm±10%(亦即41nm-50nm)的尺寸解析之焦點的範圍，定義為DOF1(nm)。該值愈大，相對於焦點偏差的寬容度愈廣，可稱之為有良好的性能。 又，亦同時觀察65nm溝槽/160nm節距的圖案，以最終為45nm溝槽/160nm節距之曝光量，同樣地求得在目標尺寸為45nm±10%(亦即41nm-50nm)的尺寸所解析之焦點的範圍，定義為DOF2(nm)。上述表3及表4所示之本發明的光阻組成物(R1~R7、R31~R36)的評估結果(實施例1~13)如表6所示。又，上述表3及表4所示之比較用光阻組成物(R8~R30)的評估結果(比較例1~23)如表7所示。
如表6所示，使用本發明的正型光阻組成物(R1~R7、R31~R36)之實施例1~13，DOF1及DOF2為100~150，LWR為3.7~4.0，焦點深度(DOF)特性優良，LWR亦良好。 另一方面，如表7所示，使用不含(A)成分或(C)成分之正型光阻組成物(R8~R30)的比較例1~23，DOF1及DOF2為65~125，LWR為4.1~4.9，與實施例相比其焦點深度(DOF)特性、LWR不良。
由以上可明瞭，若為本發明的正型光阻組成物，在解析度，尤其是焦點深度(DOF)特性優良且可形成LWR良好的圖案。
另外，本發明並非限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，與本發明的專利請求範圍所記載之技術思想具有實質上相同的構成，達成同樣的作用效果者皆包含於本發明的技術範圍中。
無
無
無

Claims (4)

  1. 一種正型光阻組成物，其特徵為含有： (A)具有以下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重複單元作為含酸不安定基的重複單元，且鹼溶解性因酸而提高的樹脂； (B)光酸產生劑； (C)下述通式(3)所表示的化合物；及 (D)溶劑， 【化1】(式中，R1 各別獨立地表示碳數1~10之直鏈狀或分支狀的烷基；n表示1~3的整數) 【化2】(式中，R2 表示亦可具有醚鍵及酯鍵的碳數10~20之直鏈狀或分支狀的烷基)。
  2. 如申請專利範圍第1項之正型光阻組成物，其中，該(A)成分之樹脂更含有下述結構式(4)及下述結構式(5)的任一者或兩者之重複單元， 【化3】。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之正型光阻組成物，其中，該(C)成分的含量相對於100質量份該(A)成分的樹脂含量為0.5~10質量份。
  4. 一種圖案形成方法，包含 將如申請專利範圍第1至3項中任一項之正型光阻組成物塗佈於基板上並加熱處理而形成光阻膜的步驟； 於該光阻膜上形成保護膜的步驟； 介隔水而利用波長180-250nm之高能射線進行浸潤曝光的步驟；及 使用鹼顯影液顯影的步驟。
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