TW201309714A - 做為摻雜物之雜配位銥錯合物 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種具有苯基吡啶配位體及含二苯并之配位體的新穎磷光雜配位銥錯合物。在該等配位體之特定位置處之烷基取代產生具有改良OLED性質(包括飽和綠色發射)之化合物。
Description
本發明係關於適合於包含在OLED裝置中之雜配位銥錯合物。
所主張之發明係由、代表及/或聯合以下一或多方共同大學法人研究協定當事者而創製：密西根大學委員會(Regents of the University of Michigan)、普林斯頓大學(Princeton University)、南加州大學(University of Southern California)及環球顯示器公司(Universal Display Corporation)。該協定在所主張之發明創製之日及之前有效且所主張之發明係由於在該協定範疇內所進行之活動而創製。
出於多種原因，利用有機材料之光電裝置變得越來越為人所需。用於製造該等裝置之許多材料相對便宜，因此有機光電裝置具有優於無機裝置之成本優勢的潛力。此外，有機材料之固有性質(諸如其可撓性)可使其極適用於特定應用，諸如在可撓性基板上之製造。有機光電裝置之實例包括有機發光裝置(OLED)、有機光電晶體、有機光伏打電池及有機光偵測器。對於OLED，有機材料可具有勝過習知材料之效能優勢。舉例而言，有機發射層發光所處之波長一般可容易地用適當摻雜物來調節。
OLED利用薄有機膜，當跨越裝置施加電壓時，該等薄有機膜發射光。OLED正成為用於諸如平板顯示器、照明及背光之應用的越來越受關注之技術。美國專利第
5,844,363號、第6,303,238號及第5,707,745號中描述了若干種OLED材料及組態，該等專利係以全文引用的方式併入本文中。
磷光發射分子之一個應用為全色顯示器。關於該種顯示器之行業標準需要適合於發射特定色彩(稱為「飽和」色)之像素。詳言之，該等標準需要飽和紅色、綠色及藍色像素。可使用此項技術中熟知之CIE座標量測色彩。
綠光發射分子之一個實例為參(2-苯基吡啶)銥，以Ir(ppy)3表示，其具有以下結構：
在此圖及下文之圖中，吾等以直線描繪自氮至金屬(此處為Ir)之配位鍵(dative bond)。
如本文中所用之術語「有機」包括可用於製造有機光電裝置之聚合材料以及小分子有機材料。「小分子」係指不為聚合物之任何有機材料，且「小分子」實際上可能相當大。在一些情況下，小分子可包括重複單元。舉例而言，使用長鏈烷基作為取代基並不會將某一分子自「小分子」類別中排除。小分子亦可例如作為聚合物主鏈上之側基或作為主鏈之一部分併入聚合物中。小分子亦可充當樹枝狀聚合物之核心部分，該樹枝狀聚合物由一系列化學殼層組合於該核心部分上組成。樹枝狀聚合物之核心部分可為螢
光或磷光小分子發射體。樹枝狀聚合物可為「小分子」，且咸信目前用於OLED領域之所有樹枝狀聚合物均為小分子。
如本文中所用，「頂部」意謂離基板最遠，而「底部」意謂距基板最近。在將第一層描述為「安置於」第二層「上方」時，第一層係安置於離基板較遠處。除非指定第一層與第二層「接觸」，否則在第一層與第二層之間可能存在其他層。舉例而言，即使陰極與陽極之間存在各種有機層，陰極亦可被描述為「安置於」陽極「上方」。
如本文中所用，「溶液可加工」意謂能夠以溶液或懸浮液形式在液體介質中溶解、分散或輸送及/或自液體介質沈積。
當咸信配位體直接促成發射材料之光敏性質時，該配位體可稱為「光敏性」配位體。當咸信配位體並不促成發射材料之光敏性質時，該配位體可稱為「輔助性」配位體，但輔助性配位體可能改變光敏性配位體之性質。
如本文中所用且如熟習此項技術者通常所將瞭解，若第一能階較接近於真空能階，則第一「最高佔用分子軌域」(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)或「最低未佔用分子軌域」(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)之能階「大於」或「高於」第二HOMO或LUMO能階。由於游離電位(IP)經量測相對於真空能階為負能量，故較高HOMO能階對應於具有較小絕對值之IP(IP為較不負的負值(less negative))。類似地，較高LUMO能階對應於
具有較小絕對值之電子親和力(EA)(EA為較不負的負值)。在頂部為真空能階之習知能階圖上，一種材料之LUMO能階高於同一材料之HOMO能階。「較高」HOMO或LUMO能階呈現比「較低」HOMO或LUMO能階接近於該圖頂部。
如本文中所用且如熟習此項技術者通常所將瞭解，若第一功函數具有較高絕對值，則第一功函數「大於」或「高於」第二功函數。由於功函數通常經量測相對於真空能階為負數，故此意謂「較高」功函數為更負之負值(more negative)。在頂部為真空能階之習知能階圖上，「較高」功函數經圖示為在向下方向上離真空能階較遠。因此，HOMO及LUMO能階之定義遵循與功函數不同的慣例。
OLED之更多細節及上述定義可見於美國專利第7,279,704號中，其以全文引用的方式併入本文中。
在一個態樣中，提供一種具有下式之化合物：
。R1及R2視情況連接且R1及
R2中碳原子數之總和至少為2。R3、R4、R5、R6視情況連接，且Ra及Rb表示單取代、二取代、三取代或四取代。X係選自由BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、CRR'、SiRR'及GeRR'組成之群，且Ra、Rb、R、R'、R1、
R2、R3、R4、R5及R6獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合，且其中n為1或2。
在一個態樣中，n為2。在一個態樣中，X為O。在一個態樣中，R1為氫且R2為烷基。在另一態樣中，R1為烷基且R2為氫。在一個態樣中，R1及R2均為烷基。在一個態樣中，R1及R2含有一或多個氘原子。在另一態樣中，R1或R2獨立地選自由支鏈烷基、環狀烷基、雙環烷基及多環烷基組成之群。在一個態樣中，R1或R2為異丙基。
在一個態樣中，R1或R2含有一或多個氘原子。在一個態樣中，R3、R4、R5及R6獨立地選自由氫、氘、烷基、芳基及其組合組成之群。在另一態樣中，R3、R4、R5及R6中之至少一者包含支鏈烷基、環狀烷基、雙環烷基或多環烷基。在一個態樣中，R3、R4、R5或R6含有一或多個氘原子。
在一個態樣中，化合物係選自由以下組成之群：化合物53、化合物157至159、化合物165、化合物174、化合物175、化合物184至185、化合物314、化合物321、化合物625至628、化合物633、化合物643、化合物652至653及化合物1145至1146。
在一個態樣中，提供第一裝置。該第一裝置包含第一有機發光裝置，進一步包含一陽極、一陰極及一置於該陽極
與該陰極之間的有機層，該有機層包含具有下式之化合物：
。R1及R2視情況連接且R1及
R2中碳原子數之總和至少為2。R3、R4、R5、R6視情況連接且Ra及Rb表示單取代、二取代、三取代或四取代。X係選自由BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、CRR'、SiRR'及GeRR'組成之群，且Ra、Rb、R、R'、R1、R2、R3、R4、R5及R6獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合，且其中n為1或2。
在一個態樣中，第一裝置為消費型產品。在另一態樣中，第一裝置為有機發光裝置。在另一態樣中，第一裝置包含一照明面板。在一個態樣中，有機層為發射層且化合物為發射摻雜物。在另一態樣中，有機層為發射層且化合物為非發射摻雜物。
在一個態樣中，有機層進一步包含主體。在另一態樣中，該主體包含含有苯并稠合噻吩或苯并稠合呋喃之聯伸三苯，其中主體中之任何取代基為獨立地選自由以下組成
之群的未稠合之取代基：CnH2n+1、OCnH2n+1、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C≡CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1，或無取代，其中Ar1及Ar2獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯伸三苯、咔唑及其雜芳族類似物組成之群，且其中n為1至10。
在一個態樣中，主體具有下式：
在另一態樣中，主體係選自由以下組成之群：
及其組合。
在一個態樣中，主體為金屬錯合物。
一般而言，OLED包含至少一個有機層，其安置於陽極與陰極之間且與陽極及陰極電連接。當施加電流時，陽極向有機層中注入電洞且陰極向有機層中注入電子。所注入之電洞及電子各自朝帶相反電荷之電極遷移。當電子及電洞位於同一分子上時，形成「激子」，其為具有激發能態之定域電子-電洞對。當激子經由光發射機制弛豫時，發射光。在一些情況下，激子可定位於準分子或激發複合物(exciplex)上。亦可能出現諸如熱弛豫之非輻射機制，但通常認為其為不合需要的。
最初的OLED使用自單重態發光(「螢光」)之發射分子，如例如美國專利第4,769,292號中所揭示，該專利以全文引用的方式併入本文中。螢光發射通常在小於10奈秒(nanosecond)之時段內發生。
最近已說明具有自三重態發光(「磷光」)之發射材料的OLED。Baldo等人，「Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices」，Nature，第395卷，151-154,1998；(「Baldo-I」)及Baldo等人，「Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence」，Appl.Phys.Lett.，第75卷，第3期，4-6(1999)(「Baldo-II」)，該等參考文獻以全文引用的方式併入本文中。磷光更詳細地描述於美國專利第7,279,704號第5-6行，其以引用的方式併入本文中。
圖1展示有機發光裝置100。該等圖式未必按比例繪製。裝置100可包括基板110、陽極115、電洞注入層120、電洞傳輸層125、電子阻擋層130、發射層135、電洞阻擋層140、電子傳輸層145、電子注入層150、保護層155及陰極160。陰極160為具有第一導電層162及第二導電層164之複合陰極。裝置100可藉由依序沈積所述各層來製造。該等不同層之性質及功能以及例示性材料更詳細地描述於US 7,279,704第6-10行，其以引用的方式併入本文中。
可獲知此等層各自的更多實例。舉例而言，可撓且透明之基板-陽極組合揭示於美國專利第5,844,363號中，該專利以全文引用的方式併入。p摻雜之電洞傳輸層的實例為按50：1之莫耳比摻雜F4-TCNQ之m-MTDATA，如美國專利申請公開案第2003/0230980號中所揭示，該案以全文引用的方式併入。發射材料及主體材料之實例揭示於Thompson等人之美國專利第6,303,238號中，其以全文引用的方式併入。n摻雜之電子傳輸層的實例為按1：1之莫耳比摻雜Li之BPhen，如美國專利申請公開案第2003/0230980號中所揭示，該案以全文引用的方式併入。美國專利第5,703,436號及第5,707,745號(其以全文引用的方式併入)揭示陰極實例，包括具有金屬薄層之複合陰極，諸如上覆透明、導電、濺鍍沈積之ITO層的Mg：Ag。關於阻擋層之理論及使用更詳細地描述於美國專利第6,097,147號及美國專利申請公開案第2003/0230980號中，該等文獻以全文引用的方式併入。注入層之實例提供於美國專利申請公開案第
2004/0174116號中，該案以全文引用的方式併入。關於保護層之說明可見於美國專利申請公開案第2004/0174116號，該案以全文引用的方式併入。
圖2展示倒置式OLED 200。該裝置包括基板210、陰極215、發射層220、電洞傳輸層225及陽極230。裝置200可藉由依序沈積所述各層來製造。由於最常見之OLED組態具有安置於陽極上方之陰極，而裝置200中陰極215安置於陽極230下方，故裝置200可稱為「倒置式」OLED。與關於裝置100所描述類似之材料可用於裝置200之相應層中。圖2提供可如何自裝置100之結構中省去一些層之一個實例。
圖1及圖2中所示之簡單分層結構係作為非限制性實例提供，且應瞭解本發明之實施例可結合多種其他結構使用。所描述之具體材料及結構本質上為例示性的，且可使用其他材料及結構。可藉由以不同方式組合所述各個層來獲得功能性OLED，或可根據設計、效能及成本因素完全省去各層。亦可包括未具體描述之其他層。可使用除具體描述之彼等材料以外的材料。儘管本文中所提供之許多實例將各個層描述為包含單一材料，但應瞭解可使用材料之組合，諸如主體與摻雜物之混合物，或更一般的混合物。該等層亦可具有各個子層。本文中對各個層給出之名稱並不意欲具有嚴格限制性。舉例而言，在裝置200中，電洞傳輸層225傳輸電洞且注入電洞至發射層220中，且可描述為電洞傳輸層或電洞注入層。在一實施例中，OLED可描述
為：具有「有機層」，其置於陰極與陽極之間。此有機層可包含單一層，或可進一步包含由不同有機材料構成之多個層，如例如關於圖1及圖2所描述。
亦可使用未具體描述之結構及材料，諸如包含聚合材料之OLED(PLED)，諸如Friend等人之美國專利第5,247,190號中所揭示，該案以全文引用的方式併入。另舉例而言，可使用具有單一有機層之OLED。可堆疊OLED，如例如Forrest等人之美國專利第5,707,745號中所述，該案以全文引用的方式併入。OLED結構可與圖1及圖2中所示之簡單分層結構不同。舉例而言，基板可包括有角反射面以改良外部耦合，諸如Forrest等人之美國專利第6,091,195號中所述之台式結構(mesa structure)，及/或Bulovic等人之美國專利第5,834,893號中所述之坑形結構(pit structure)，該等專利以全文引用的方式併入。
除非另有說明，否則各種實施例之任何層均可藉由任何適合的方法來沈積。對於有機層，較佳方法包括熱蒸發法；噴墨法(ink-jet)，諸如美國專利第6,013,982號及第6,087,196號中所述，該等專利以全文引用的方式併入；有機氣相沈積(organic vapor phase deposition，OVPD)，諸如Forrest等人之美國專利第6,337,102號中所述，該案以全文引用的方式併入；及藉由有機蒸汽噴印(organic vapor jet printing，OVJP)進行之沈積，諸如美國專利申請案第10/233,470號中所述，該案以全文引用的方式併入。其他適合的沈積方法包括旋塗及其他基於溶液之方法。基於溶
液之方法較佳在氮氣或惰性氛圍中進行。對於其他層，較佳方法包括熱蒸發。較佳之圖案化方法包括經由光罩沈積、冷焊(諸如美國專利第6,294,398號及第6,468,819號中所述，該等專利以全文引用的方式併入)，及聯合諸如噴墨及OVJD之一些沈積方法的圖案化。亦可使用其他方法。欲沈積之材料可經改質以使其與特定沈積方法相容。舉例而言，可在小分子中使用分支或未分支且較佳含有至少3個碳之取代基(諸如烷基及芳基)以增強其經歷溶液加工的能力。可使用具有20或20個以上碳之取代基，且3-20個碳為較佳範圍。由於不對稱材料可具有較低之再結晶傾向，故具有不對稱結構之材料之溶液可加工性可優於具有對稱結構之彼等材料。樹枝狀聚合物取代基可用於增強小分子經歷溶液加工之能力。
根據本發明實施例製造之裝置可併入多種消費型產品中，包括平板顯示器、電腦監控器、電視、廣告牌、室內或室外照明燈及/或信號燈、抬頭顯示器(heads up display)、全透明顯示器、可撓性顯示器、雷射列印機、電話、行動電話、個人數位助理(PDA)、膝上型電腦、數位相機、攝錄影機、視野取景鏡、微型顯示器、交通工具、大面積牆壁、劇場或運動場螢幕，或標誌。可使用各種控制機制來控制根據本發明製造之裝置，包括被動型矩陣及主動型矩陣。許多裝置意欲在人類感覺舒適之溫度範圍內使用，諸如18℃至30℃，且更佳為室溫(20-25℃)。
本文所述之材料及結構可應用於除OLED以外之裝置。
舉例而言，其他光電裝置(諸如有機太陽能電池及有機光偵測器)可使用該等材料及結構。更一般而言，諸如有機電晶體之有機裝置可使用該等材料及結構。
術語鹵基、鹵素、烷基、環烷基、烯基、炔基、芳烷基、雜環基、芳基、芳族基及雜芳基在此項技術中為已知的，且如US 7,279,704第31-32行所定義，該案以引用的方式併入本文中。
在一個實施例中，提供具有下式之化合物：
。R1及R2視情況連接且R1及
R2中碳原子數之總和至少為2。因此，R1及R2均表示含有至少一個碳之取代基。若R1並不表示含有碳之取代基，則R2必須表示含有至少兩個碳之取代基，且反之亦然。R3、R4、R5、R6視情況連接，且Ra及Rb表示單取代、二取代、三取代或四取代。X係選自由BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、CRR'、SiRR'及GeRR'組成之群，且Ra、Rb、R、R'、R1、R2、R3、R4、R5及R6獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組
合，且其中n為1或2。
在一個實施例中，n為2。在一個實施例中，X為O。在一個實施例中，R1為氫且R2為烷基。在另一實施例中，R1為烷基且R2為氫。在一個實施例中，R1及R2為烷基。在另一實施例中，R1或R2獨立地選自由支鏈烷基、環狀烷基、雙環烷基及多環烷基組成之群。在一個實施例中，R1或R2為異丙基。在式I化合物中任一吡啶環之4位及5位的取代可產生當併入OLED裝置中時具有合意性質(諸如飽和綠色發射、高效率及長裝置壽命)之化合物。合併有此等化合物之裝置的光物理及裝置性質可藉由改變吡啶4位或5位處之取代基的性質而調節。在式I化合物中吡啶環上之4位為被R5或R1取代基佔據之位置，而5位為被R4或R2取代基佔據之位置。
如本文所用之含有以下結構之片段被稱為DBX基團，亦即二苯并X，其中X為本文所述之任何原子或基團。
在一個實施例中，R1或R2含有一或多個氘原子。在一個實施例中，R1及R2含有一或多個氘原子。在一個實施例中，R3、R4、R5及R6獨立地選自由氫、氘、烷基、芳基及其組合組成之群。在另一實施例中，R3、R4、R5及R6中之至少一者包含支鏈烷基、環狀烷基、雙環烷基或多環烷
基。在一個實施例中，R3、R4、R5或R6含有一或多個氘原子。不束縛於理論，因為碳-氘(C-D)鍵相對於碳-氫(C-H)鍵之鍵強度更大，所以認為氘之併入可改良化合物之穩定性。因此，不穩定的C-H鍵被替換為C-D鍵之化合物可預期有較高穩定性。不束縛於理論，咸信，在銥錯合物之配位體的烷基上併入氘原子，所得錯合物可具有更長的裝置壽命。
在一個實施例中，化合物係選自由以下組成之群：
在一個實施例中，式I化合物中之合適R1至R6基團包括表1中之取代基的組態。
在一個實施例中，提供第一裝置。該第一裝置包含第一有機發光裝置，進一步包含一陽極、一陰極及一置於該陽極與該陰極之間的有機層，該有機層包含具有下式之化合物：
。R1及R2視情況連接且R1及
R2中碳原子數之總和至少為2。R3、R4、R5、R6視情況連接且Ra及Rb表示單取代、二取代、三取代或四取代。X係選自由BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、CRR'、SiRR'及GeRR'組成之群，且Ra、Rb、R、R'、R1、R2、R3、R4、R5及R6獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合，且其中n為1或2。
在一個實施例中，第一裝置為消費型產品。在另一實施例中，第一裝置為有機發光裝置。在另一實施例中，第一裝置包含照明面板。在一個實施例中，有機層為發射層且化合物為發射摻雜物。在另一實施例中，有機層為發射層且化合物為非發射摻雜物。
在一個實施例中，有機層進一步包含主體。在另一實施例中，該主體包含含有苯并稠合噻吩或苯并稠合呋喃之聯伸三苯，其中主體中之任何取代基為獨立地選自由以下組成之群的未稠合之取代基：CnH2n+1、OCnH2n+1、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C≡CHCnH2n+1、
Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1，或無取代，其中Ar1及Ar2獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯伸三苯、咔唑及其雜芳族類似物組成之群，且其中n為1至10。
在一個實施例中，主體具有下式：
在另一實施例中，主體係選自由以下組成之群：
及其組合。
在一個實施例中，主體為金屬錯合物。
所有實例裝置均藉由高真空(<10-7托)熱蒸發(VTE)來製造。陽極電極為1200 Å之氧化銦錫(ITO)。陰極由10 Å之LiF接著為1,000 Å之Al組成。在製造後，所有裝置立即在氮氣手套箱中(<1 ppm之H2O及O2)用由環氧樹脂密封之玻璃蓋封裝，且將吸濕劑併入封裝內部。
裝置實例之有機堆疊依次由以下物質組成：自ITO表面開始，100 Å之化合物C，作為電洞注入層(HIL)；300 Å之4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(α-NPD)，作為電洞傳輸層(HTL)；300 Å之摻雜在化合物D中之本發明化合物，作為主體；及5重量百分比至15重量百分比之式I化合物，作為發射層(EML)；50 Å之化合物D，作為阻擋層(BL)；及400 Å之Alq(三-8-羥基喹啉鋁)，作為ETL。除了化合物A及化合物B在EML中用作發射體以外，化合物A及化合物B之比較實例類似於裝置實例製造。
來自彼等裝置之裝置結果及資料概括在表1中。如本文所用之NPD、Alq、化合物A、化合物B、化合物C及化合物D具有以下結構：
表3為裝置資料之概要。發光效率(LE)、外部量子效率(EQE)及功率效率(PE)係在1000尼特(nit)下量測，而壽命(LT80%)定義為在40 mA/cm2之恆定電流密度下裝置衰退至其初始亮度之80%所需的時間。
根據表3，在DBX-吡啶環之4位及5位上烷基取代之優勢為清楚的。相比於比較實例1，在DBX-吡啶環之4位或5位無取代的情況下，式I化合物更飽和(CIE×座標更小且λmax更短)且寬度經FWHM量測得知為相當的。在所有本發明化合物中，電壓較低且LE、PE及EQE值均較高。在化合物53、158、175、633及643之情況下，PE為比較實例1之至少兩倍。
相比於比較實例2(化合物B)，在DBX-吡啶環之4位處僅有一個碳取代(甲基)的情況下，化合物53、158、174、175、184、185及314具有基於更飽和色彩之CIE×座標，且化合物157、158、159、165、174、175、184、185、314、321及626均具有較短的λmax值。大部分式I化合物具
有比比較實例2窄的發射譜(如藉由FWHM量測)。化合物53、158、165、314、321、625、633及653均具有比比較實例2低的驅動電壓。大部分式I化合物具有比比較實例2大的LE、PE及EQE值。
本文中描述為適用於有機發光裝置中之特定層的材料可與該裝置中存在之多種其他材料組合使用。舉例而言，本文中揭示之發射摻雜物可與多種主體、傳輸層、阻擋層、注射層、電極及其他可存在之層結合使用。下文描述或提及之材料為可適用於與本文中揭示之化合物組合之材料的非限制性實例，且熟習此項技術者可容易地查閱文獻以鑑別其他可適用於組合之材料。
欲用於本發明之電洞注射/傳輸材料不受特別限制且可使用任何化合物，其限制條件為該化合物通常用作電洞注射/傳輸材料。該材料之實例包括(但不限於)：酞菁或卟啉衍生物；芳族胺衍生物；吲哚并咔唑衍生物；含有氟代烴之聚合物；具有傳導性摻雜物之聚合物；導電聚合物，諸如PEDOT/PSS；來源於化合物之自組合單體，諸如膦酸及矽烷衍生物；金屬氧化物衍生物，諸如MoOx；p型半導體有機化合物，諸如1,4,5,8,9,12-六氮雜三伸苯基六甲腈；金屬錯合物及可交聯化合物。
用於HIL或HTL中之芳族胺衍生物之實例包括(但不限於)以下通式結構：
Ar1至Ar9中之每一者係選自由芳族烴環狀化合物組成之群，諸如有苯、聯苯、聯三苯、聯伸三苯、萘、蒽、萉、菲、茀、芘、、苝、薁；由芳族雜環化合物組成之群，諸如有二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、氧二氮雜環己烯、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚嗪、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、啉、喹唑啉、喹喏啉、啶、酞嗪、喋啶、二苯并哌喃、吖啶、吩嗪、啡噻嗪、啡噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒酚并吡啶及硒酚并吡啶；及由2至10個環狀結構單元組成之群，該等環狀結構單元為選自芳族烴環狀基團及芳族雜環基團之相同類型或不同類型的基團且直接鍵結於彼此或經由氧原子、氮原子、硫原
子、矽原子、磷原子、硼原子、鏈結構單元及脂族環狀基團中之至少一者鍵結。其中各Ar進一步經選自由氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合組成之群的取代基取代。
在一個態樣中，Ar1至Ar9係獨立地選自由以下組成之群：
k為1至20之整數；X1至X8為C(包括CH)或N；Ar1具有與以上定義相同之基團。
用於HIL或HTL中之金屬錯合物之實例包括(但不限於)以下通式：
M為原子量大於40之金屬；(Y1-Y2)為雙牙配位體；Y1及Y2獨立地選自C、N、O、P及S；L為輔助配位體；m為1至可連接於金屬之配位體之最大數目的整數值；且m+n為可
連接於金屬之配位體之最大數目。
在一個態樣中，(Y1-Y2)為2-苯基吡啶衍生物。
在另一態樣中，(Y1-Y2)為碳烯配位體。
在另一態樣中，M係選自Ir、Pt、Os及Zn。
在另一態樣中，金屬錯合物具有小於約0.6 V之溶液態最小氧化電位(相對於Fc+/Fc電對)。
本發明之有機EL裝置之發光層較佳至少含有作為發光材料之金屬錯合物，且可含有使用金屬錯合物作為摻雜材料之主體材料。主體材料之實例不受特別限制，且可使用任何金屬錯合物或有機化合物，其限制條件為主體之三重態能量大於摻雜物之三重態能量。
用作主體之金屬錯合物之實例較佳具有以下通式：
M為金屬；(Y3-Y4)為雙牙配位體，Y3及Y4獨立地選自C、N、O、P及S；L為輔助性配位體；m為1至可連接至金屬之配位體之最大數目的整數值；且m+n為可連接於金屬之配位體之最大數目。
在一個態樣中，金屬錯合物為：
(O-N)為具有與O及N原子配位之金屬的雙牙配位體。
在另一態樣中，M係選自Ir及Pt。
在另一態樣中，(Y3-Y4)為碳烯配位體。
用作主體之有機化合物之實例係選自由芳族烴環狀化合物組成之群，諸如有苯、聯苯、聯三苯、聯伸三苯、萘、蒽、萉、菲、茀、芘、、苝、薁；由芳族雜環化合物組成之群，諸如有二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚嗪、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、啉、喹唑啉、喹喏啉、啶、酞嗪、喋啶、二苯并哌喃、吖啶、吩嗪、啡噻嗪、啡噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒酚并吡啶及硒酚并吡啶；及由2至10個環狀結構單元組成之群，該等環狀結構單元為選自芳族烴環狀基團及芳族雜環基團之相同類型或不同類型的基團且直接鍵結於彼此或經由氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、磷原子、硼原子、鏈結構單元及脂族環狀基團中之至少一者鍵結。其中各基團進一步經選自由氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、硫
基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合組成之群的取代基取代。
在一個態樣中，主體化合物在分子中含有以下基團中之至少一者：
R1至R7係獨立地選自由氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合組成之群，當其為芳基或雜芳基時，其具有與以上所提及之Ar類似之定義。
k為0至20之整數。
X1至X8係選自C(包括CH)或N。
可使用電洞阻擋層(HBL)來減少離開發射層之電洞及/或激子之數目。與缺乏阻擋層之類似裝置相比，裝置中存在該種阻擋層可產生實質上較高的效率。又，可使用阻擋層將發射限於OLED之所需區域。
在一個態樣中，用於HBL中之化合物含有上述用作主體之相同分子。
在另一態樣中，用於HBL中之化合物在分子中含有以下基團中之至少一者：
k為0至20之整數；L為輔助配位體，m為1至3之整數。
電子傳輸層(ETL)可包括能夠傳輸電子之材料。電子傳輸層可為純質(未經摻雜)或經摻雜。摻雜可用於增強傳導性。ETL材料之實例不受特別限制，且可使用任何金屬錯合物或有機化合物，其限制條件為其通常用於傳輸電子。
在一個態樣中，用於ETL中之化合物在分子中含有以下基團中之至少一者：
R1係選自由氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳基烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合組成之群，其具有與以上所提及之Ar類似之定義。
Ar1至Ar3具有與以上提及之Ar類似之定義。
k為0至20之整數。
X1至X8係選自C(包括CH)或N。
在另一態樣中，用於ETL中之金屬錯合物含有(但不限於)以下通式：
(O-N)或(N-N)為雙牙配位體，其具有與原子O、N或N、N配位之金屬；L為輔助性配位體；m為1至可連接至金屬之配位體之最大數目的整數值。
在用於OLED裝置之各層中的任何上述化合物中，氫原子可經部分或完全氘化。
除本文中揭示之材料外及/或與本文中揭示之材料組合，在OLED中可使用多種電洞注入材料、電洞傳輸材料、主體材料、摻雜材料、激子/電洞阻擋層材料、電子傳輸及電子注入材料。可與本文中揭示之材料組合用於OLED中的材料之非限制性實例列舉於以下表3中。表3列舉非限制性材料類別、各類別化合物之非限制性實例及揭
示該等材料之參考文獻。
貫穿此文件使用之化學縮寫如下：Cy為環己基；dba為二亞苄基丙酮；EtOAc為乙酸乙酯；DME為二甲氧基乙烷；dppe為1,2-雙(二苯膦基)乙烷；THF為四氫呋喃；DCM為二氯甲烷；S-Phos為二環己基(2',6'-二甲氧基-[1,1'-聯苯]-2-基)膦。
5-氯-2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)吡啶之合成：將二苯并[b,d]呋喃-4-基酸(9.5 g，44.8 mmol)、2,5-二氯吡啶(7.0 g，47.0 mmol)、Pd(PPh3)4(2.6 g，2.2 mmol)及碳酸鉀(18.6 g，134 mmol)添加至二甲氧基乙烷(75 mL)及水(75 mL)中。用氮氣使反應混合物脫氣，隨後加熱至回流隔夜。添加EtOAc及水，分離有機層且用3×50 mL二氯甲烷萃取水層且經硫酸鈉乾燥。在減壓下移除溶劑後，粗產物在矽膠上用二氯甲烷層析，得到11.7 g粗產物。使產物自己烷結晶，獲得9.5 g(76%)呈白色針狀之5-氯-2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)吡啶。產物經GC/MS確認。
2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-5-(丙-1-烯-2-基)吡啶之合成：將5-氯-2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)吡啶(9.5 g，34.0 mmol)、二環己基(2',6'-二甲氧基-[1,1'-聯苯]-2-基)膦(1.1 g，2.7 mmol)及單水合磷酸三鉀(23.5 g，102 mmol)添加至甲苯(200 mL)及水(20 mL)中，且用氮氣使反應混合物脫氣。添加Pd2(dba)3(0.622 g，0.679 mmol)及4,4,5,5-四甲基-2-(丙-1-烯-2-基)-1,3,2-二氧硼(7.7 mL，40.8 mmol)且加熱該反應混合物至回流隔夜。添加EtOAc及水，分離有機層且用3×50 mL二氯甲烷萃取水層且經硫酸鈉乾燥。在減壓下移除溶劑後，得到12.7 g琥珀油。將粗物質在二氧化矽上用9/1(v/v)之己烷/EtOAc層析，獲得7.5 g(77%)呈白色固體狀之2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-5-(丙-1-烯-2-基)吡啶。產物經GC/MS確認且無需進一步純化即加以使用。
2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-5-異丙基吡啶之合成：將2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-5-(丙-1-烯-2-基)吡啶(7.5 g，26.3
mmol)添加至含有EtOH(150 mL)之氫化器瓶中。藉由使氮氣起泡使該反應混合物脫氣10 min。將Pd/C(0.28 g，2.63 mmol)及Pt/C(0.26 g，1.3 mmol)添加至該反應混合物中。將該反應混合物置於Parr氫化器上1 h。在經緊密填充之Celite®床上過濾反應混合物且用二氯甲烷洗滌，得到7.5 g(99%)所需產物。產物經GC/MS及NMR確認。
5-氯-2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)吡啶之合成：將二苯并[b,d]呋喃-4-基酸(25 g，118 mmol)、2,4-二氯吡啶(19.2 g，130 mmol)、Pd(PPh3)4(4.1 g，3.5 mmol)及碳酸鉀(48.9 g，354 mmol)添加至二甲氧基乙烷(200 mL)及水(200 mL)中。用氮氣使反應混合物脫氣，隨後加熱至回流隔夜。添加EtOAc及水，分離有機層且用3×50 mL二氯甲烷萃取水層且經硫酸鈉乾燥。在減壓下移除溶劑後，粗產物在矽膠上用二氯甲烷層析，得到33.4 g粗產物。將產物自己烷結晶，獲得27.0 g(82%)呈白色針狀之4-氯-2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)吡啶。產物經GC/MS及NMR確認。
2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-(丙-1-烯-2-基)吡啶之合成：將4-氯-2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)吡啶(24.0 g，86.0 mmol)、二環己基(2',6'-二甲氧基-[1,1'-聯苯]-2-基)膦(2.8 g，6.9 mmol)及單水合磷酸三鉀(59.3 g，257 mmol)添加至甲苯(400 mL)及水(40 mL)中，且使該反應混合物脫氣。添加Pd2(dba)3(1.6 g，1.7 mmol)及4,4,5,5-四甲基-2-(丙-1-烯-2-基)-1,3,2-二氧硼(19.4 mL，103 mmol)且加熱該反應混合物至回流隔夜。添加EtOAc及水，分離有機層且用3×50 mL二氯甲烷萃取水層且經硫酸鈉乾燥。在減壓下移除溶劑後，得到33.0 g琥珀油。將粗物質在二氧化矽上用9/1(v/v)之DCM/EtOAc層析，獲得23.5 g(96%)呈白色固體狀之2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-(丙-1-烯-2-基)吡啶。產物經GC/MS確認且無需進一步純化即加以使用。
2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-異丙基吡啶之合成：將2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-5-(丙-1-烯-2-基)吡啶(8.0 g，28 mmol)添加至含有EtOH(150 mL)之氫化器瓶中。藉由使N2起泡來使該反應混合物脫氣10 min。將Pd/C(0.60 g，5.6 mmol)及Pt/C(0.55 g，2.8 mmol)添加至該反應混合物中。將該反應混合物置於Parr氫化器上1 h。在經緊密填充之
Celite®床上過濾該反應混合物且用二氯甲烷洗滌。在矽膠上用9/1(v/v)之己烷/EtOAc層析粗產物，得到7.2 g(96%)2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-異丙基吡啶。產物經GC/MS及NMR確認。
5-溴-2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-甲基吡啶之合成：將2,5-二溴-4-甲基吡啶(30 g，118 mmol)、二苯并[b,d]呋喃-4-基酸(25 g，118 mmol)、Pd(PPh3)4(1.4 g，1.18 mmol)及K2CO3(49 g，354 mmol)添加至具有二甲氧基乙烷(450 mL)及水(100 mL)之燒瓶中且用氮氣脫氣。加熱該反應混合物以回流15 h，隨後冷卻至室溫。添加EtOAc及水，分離有機層且用3×50 mL二氯甲烷萃取水層且經硫酸鈉乾燥。在減壓下移除溶劑後，在矽膠上用二氯甲烷層析該粗產物且獲得29.7 g粗產物。自己烷結晶該產物以獲得28.8 g(72%)純產物。產物經NMR及HPLC(99.3%純度)確認。
2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4,5-二甲基吡啶之合成：將5-
溴-2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-甲基吡啶(28.7 g，85 mmol)、二環己基(2',6'-二甲氧基-[1,1'-聯苯]-2-基)膦(1.394 g，3.39 mmol)及單水合磷酸鉀(58.6 g，255 mmol)添加至甲苯(500 mL)及水(50 mL)中，且脫氣20 min。添加三甲基硼氧雜環己烷(14.83 mL，106 mmol)及Pd2(dba)3(0.777 g，0.849 mmol)且加熱該反應混合物至回流隔夜。冷卻後，分離有機層且用3×50 mL EtOAc萃取水層，經硫酸鈉乾燥並蒸發。在矽膠上用8/2(v/v)之二氯甲烷/EtOAc之己烷溶液層析粗產物，獲得19.2 g灰白色固體，其自己烷再結晶，獲得16.8 g(83%)呈白色針狀物之產物。產物經NMR及HPLC(99.97%純度)確認。
2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-5-異丁基-4-甲基吡啶之合成：將5-溴-2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-甲基吡啶(13.0 g，38.3 mmol)、異丁基酸(11.7 g，115 mmol)、二環己基(2',6'-二甲氧基-[1,1'-聯苯]-2-基)膦(0.63 g，1.53 mmol)及單水合磷酸鉀(22.1 g，96 mmol)混合於水(10 mL)及甲苯(210 mL)中。系統經氮氣脫氣20 min且隨後添加Pd2(dba)3(0.35 g，0.38 mmol)，並使系統回流隔夜。冷卻至室溫後，該反應混合物經由一個小矽膠塞過濾且用二氯
甲烷溶離。濃縮濾液，接著自己烷結晶，獲得2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-5-異丁基-4-甲基吡啶(9.0 g，74%)。
5-氯-2-苯基吡啶之合成：將2,5-二氯吡啶(30 g，203 mmol)、苯基酸(24.72 g，203 mmol)及碳酸鉀(84 g，608 mmol)添加至二甲氧基乙烷(500 mL)與水(100 mL)中。反應混合物經氮氣脫氣20 min，且添加Pd(PPh3)4(2.3 g，2.0 mmol)並且使該反應混合物回流18 h。將反應物冷卻至室溫，移除水層並且藉由在真空下旋轉蒸發使二甲氧基乙烷濃縮至乾燥。將殘餘物溶解於DCM中並且通過矽膠塞，用DCM溶離。移除溶劑且在二氧化矽上用40/60(v/v)之DCM/己烷至50/50(v/v)之DCM/己烷層析粗產物，得到28 g(73%)呈白色固體狀之產物(HPLC純度：99.7%)。
5-乙基-2-苯基吡啶之合成：將5-氯-2-苯基吡啶(16 g，84 mmol)與Ni(dppe)Cl2(0.891 g，1.687 mmol)添加至300 mL THF中且用氮氣使反應混合物脫氣20 min，隨後冷卻至0℃。經60 min之時間逐滴添加溴化乙基鎂(169 mL，169
mmol)且再攪拌反應混合物3 h，隨後溫熱至室溫隔夜。使反應混合物再冷卻至0℃且用250 mL水淬滅，用EtOAc萃取且有機層經硫酸鈉乾燥並過濾。將粗物質在二氧化矽上用95/5之己烷/EtOAc層析，獲得2.9 g(19%)呈白色固體狀之5-乙基-2-苯基吡啶。
2-苯基-5-(丙-1-烯-2-基)吡啶之合成：向1 L圓底燒瓶中添加5-氯-2-苯基吡啶(10.15 g，53.5 mmol)、二環己基(2',6'-二甲氧基-[1,1'-聯苯]-2-基)膦(1.8 g，4.3 mmol)、單水合磷酸三鉀(37.0 g，161 mmol)以及甲苯(200 mL)與水(20 mL)。用氮氣使反應混合物脫氣20 min。添加4,4,5,5-四甲基-2-(丙-1-烯-2-基)-1,3,2-二氧硼(12.07 mL，64.2 mmol)及Pd2(dba)3(0.980 g，1.070 mmol)且將該反應混合物回流18 h。移除水層且濃縮有機層至乾燥。將粗產物在矽膠上用0-20% EtOAc之己烷溶液層析，得到11 g所需產物(HPLC純度：95%)。產物經GC/MS確認。
2-苯基-5-異丙基吡啶之合成：將2-苯基-5-(丙-1-烯-2-基)吡啶(11 g，56.3 mmol)添加至含有EtOH(150 mL)之氫化器瓶中。藉由使N2起泡來使該反應混合物脫氣10 min。將Pd/C(0.60 g，5.63 mmol)及Pt/C(0.55 g，2.82 mmol)添加至該反應混合物中。將反應混合物置於Parr氫化器上1.5 h。在經緊密填充之Celite®床上過濾該反應混合物且用二氯甲烷洗滌。在旋轉式汽化器上移除溶劑且經GC/MS確認完全轉化。使粗產物吸附在Celite®上以進行管柱層析。在矽膠上用10% EtOAc之己烷溶液層析粗產物，得到6 g(54%)2-苯基-5-異丙基吡啶(HPLC純度：100%)。產物經GC/MS確認。
4-氯-2-苯基吡啶之合成：向1 L圓底燒瓶中饋入2,4-二氯吡啶(30 g，203 mmol)、苯基酸(24.7 g，203 mmol)、碳酸鉀(84 g，608 mmol)、Pd(PPh3)4(2.3 g，2.0 mmol)、二甲氧基乙烷(500 mL)及水(150 mL)。使該混合物脫氣且加熱至回流20 h。冷卻後，用EtOAc萃取水層；合併有機部分且使該有機部分經歷管柱層析(SiO2，5% EtOAc於己烷中至10% EtOAc於己烷中)，獲得34 g(88%)4-氯-2-苯基吡啶。產物經GC/MS及NMR確認。
2-苯基-4-(丙-1-烯-2-基)吡啶之合成：將4-氯-2-苯基吡啶(14 g，73.8 mmol)與磷酸鉀(51.0 g，221 mmol)溶解於300 mL甲苯及30 mL水中。用氮氣吹掃反應物20分鐘，接著添加4,4,5,5-四甲基-2-(丙-1-烯-2-基)-1,3,2-二氧硼(16.65 mL，89 mmol)、Pd2(dba)3(1.35 g，1.48 mmol)及S-Phos(2.42 g，5.91 mmol)。使該反應物回流18 h。冷卻後，添加100 mL水，分離且水層用100 mL乙酸乙酯萃取兩次。有機層通過矽膠塞，用DCM溶離。蒸發溶劑後，將粗產物經歷管柱層析(SiO2，5% EtOAc於己烷中至10% EtOAc於己烷中)以獲得13.5 g(90%)2-苯基-4-(丙-1-烯-2-基)吡啶。
2-苯基-4-異丙基吡啶之合成：將2-苯基-4-(丙-1-烯-2-基)吡啶(13.5 g，69.1 mmol)添加至含有EtOH(150 mL)之氫化器瓶中。藉由用氮氣起泡使該反應混合物脫氣10 min。將Pd/C(0.736 g，6.9 mmol)及Pt/C(0.674 g，3.5 mmol)添加至該反應混合物中。將反應混合物置於Parr氫化器上2 h。
在經緊密填充之Celite®床上過濾該反應混合物且用二氯甲烷洗滌。在旋轉式汽化器上移除溶劑且經GC/MS確認完全轉化。使粗產物吸附在Celite®上以進行管柱層析。在矽膠上用10% EtOAc之己烷溶液層析粗產物，得到10 g(75%)2-苯基-4-異丙基吡啶(HPLC純度：99.8%)。產物經GC/MS確認。
5-甲基-2-苯基吡啶之合成：將2-溴-5-甲基吡啶(30 g，174 mmol)、苯基酸(25.5 g，209 mmol)、二環己基(2',6'-二甲氧基-[1,1'-聯苯]-2-基)膦(2.86 g，6.98 mmol)及單水合磷酸三鉀(120 g，523 mmol)添加至甲苯(600 mL)及水(60 mL)中。用氮氣使反應混合物脫氣20 min。添加Pd2(dba)3(3.19 g，3.49 mmol)且使該反應混合物回流18 h。冷卻後，分離有機層且用3×50 mL二氯甲烷萃取水層，經硫酸鈉乾燥並蒸發。在矽膠上用75/25(v/v)之己烷/EtOAc層析粗產物，接著在Kugelrohr裝置(150℃，100毫巴)上蒸餾以獲得26 g(88%)呈白色固體狀之5-甲基-2-苯基吡啶。產物經NMR及GC/MS確認。HPLC純度：99.2%。
4-甲基-2-苯基吡啶之合成：向1 L圓底燒瓶中饋入2-氯-4-甲基吡啶(25 g，196 mmol)、苯基酸(23.9 g，196 mmol)、碳酸鉀(81 g，588 mmol)、Pd(PPh3)4(2.3 g，1.9 mmol)、二甲氧基乙烷(500 mL)及水(150 mL)。用氮氣使反應混合物脫氣且將其加熱至回流22 h。冷卻後，用EtOAc萃取水層；合併有機部分且使該有機部分經歷管柱層析(SiO2，5% EtOAc於己烷中至10% EtOAc於己烷中)以獲得28 g(78%)4-甲基-2-苯基吡啶。產物經NMR及GC/MS確認。
4-乙基-2-苯基吡啶之合成：在-78℃下，向4-甲基-2-苯基吡啶(8 g，47.3 mmol)於無水THF(150 mL)中之溶液中逐滴添加二異丙胺基鋰(LDA)(30.7 mL，61.5 mmol)。在-78℃下攪拌此暗色溶液3 h，接著逐滴添加CH3I(4.1 mL，66.2 mmol)。使反應混合物緩慢升溫至室溫隔夜。添加氯化銨溶液及EtOAc且將反應物轉移至分液漏斗中。分離各層，用EtOAc洗滌水層兩次且將有機物與水合併一次。移除溶劑後，在矽膠上用9/1(v/v)之己烷/EtOAc層析粗產物以獲得5.5 g(63.5%)4-乙基-2-苯基吡啶。HPLC純度：99.0%。
4-甲基-2-苯基吡啶氯-橋聯二聚體之合成：在氮氣氛圍下，向500 mL圓底燒瓶中添加4-甲基-2-苯基吡啶(7 g，41 mmol)與氯化銥(III)水合物(4.86 g，13.79 mmol)以及2-乙氧基乙醇(90 mL)及水(30 mL)。所得反應混合物在130℃下回流18 h。過濾所得沈澱且用甲醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。乾燥所得產物以獲得7.5 g(90%)所需產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
5-甲基-2-苯基吡啶氯-橋聯二聚體之合成：在氮氣氛圍下，向500 mL圓底燒瓶中添加5-甲基-2-苯基吡啶(12 g，70.9 mmol)及氯化銥(III)水合物(7.1 g，20.3 mmol)以及2-乙氧基乙醇(100 mL)及水(33.3 mL)。所得反應混合物在130℃下回流18 h。過濾所得沈澱且用甲醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。乾燥所得產物以獲得11.0 g(96%)所需產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
2-苯基-5-異丙基吡啶氯-橋聯二聚體之合成：在氮氣氛圍下，向500 mL圓底燒瓶中添加5-異丙基-2-苯基吡啶(6.0 g，30.4 mmol)及氯化銥(III)水合物(3.6 g，10.1 mmol)以及2-乙氧基乙醇(100 mL)及水(33.3 mL)。所得反應混合物在130℃下回流18 h。過濾所得沈澱且用甲醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。乾燥所得產物以獲得7 g(100%)所需產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
2-苯基-4-異丙基吡啶氯-橋聯二聚體之合成：在氮氣氛圍下，向500 mL圓底燒瓶中添加4-異丙基-2-苯基吡啶(8.0 g，40.6 mmol)及氯化銥(III)水合物(7.4 g，20.3 mmol)以及2-乙氧基乙醇(90 mL)及水(30 mL)。所得反應混合物在130℃下回流18 h。過濾所得沈澱且用甲醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。乾燥所得產物以獲得6.1 g(95%)所需產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
4-乙基-2-苯基吡啶氯-橋聯二聚體之合成：在氮氣氛圍下，向500 mL圓底燒瓶中添加4-異丙基-2-苯基吡啶(5.5 g，30.0 mmol)及氯化銥(III)水合物(5.8，16.5 mmol)以及2-乙氧基乙醇(90 mL)及水(30 mL)。所得反應混合物在130℃下回流18 h。過濾所得沈澱且用甲醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。乾燥所得產物以獲得6.5 g(72%)所需產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
5-乙基-2-苯基吡啶氯-橋聯二聚體之合成：在氮氣氛圍下，向500 mL圓底燒瓶中添加5-乙基-2-苯基吡啶(2.9 g，15.7 mmol)及氯化銥(III)水合物(1.8 g，5.2 mmol)以及2-乙氧基乙醇(60 mL)及水(20 mL)。該反應混合物在130℃下回流18 h。過濾所得沈澱且用甲醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。乾燥所得產物以獲得2.45 g(89.3%)所需產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
5-甲基-2-苯基吡啶三氟甲烷磺酸銥鹽之合成：將銥二聚體(11 g，9.8 mmol)懸浮於600 mL二氯甲烷中。在一個單獨的燒瓶中，將三氟甲烷磺酸銀(I)(5.3 g，20.5 mmol)溶解於MeOH(300 mL)中且在室溫下，在連續攪拌之情況下，緩慢添加至二氯甲烷溶液中。在暗處攪拌該反應混合物隔夜。經由經緊密填充之Celite®床過濾反應混合物且在真空下移除溶劑以獲得15 g(100%)呈棕綠色固體狀之產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
4-甲基-2-苯基吡啶三氟甲烷磺酸銥鹽之合成：將銥二聚體(7.5 g，6.6 mmol)溶解於600 mL二氯甲烷中。在一個單獨的燒瓶中，將三氟甲烷磺酸銀(I)(3.5 g，13.8 mmol)溶解於MeOH(300 mL)中且在室溫下，在連續攪拌之情況下，將其緩慢添加至二氯甲烷溶液中。在暗處攪拌該反應混合物隔夜。經由經緊密填充之Celite®床過濾反應混合物
且在真空下移除溶劑以獲得10 g(100%)呈棕綠色固體狀之產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
2-苯基-5-異丙基吡啶三氟甲烷磺酸銥鹽之合成：將銥二聚體(5.3 g，4.3 mmol)溶解於500 mL二氯甲烷中。在一個單獨的燒瓶中，將三氟甲烷磺酸銀(I)(2.3 g，8.9 mmol)溶解於MeOH(250 mL)中且在室溫下，在連續攪拌之情況下，將其緩慢添加至二氯甲烷溶液中。在暗處攪拌該反應混合物隔夜。經由經緊密填充之Celite®床過濾反應混合物且在真空下移除溶劑以獲得6.9 g(100%)呈棕色固體狀之產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
2-苯基-4-異丙基吡啶三氟甲烷磺酸銥鹽之合成：將銥二聚體(6.2 g，4.94 mmol)溶解於500 mL二氯甲烷中。在一個單獨的燒瓶中，將三氟甲烷磺酸銀(I)(2.7 g，10.4
mmol)溶解於MeOH(250 mL)中且在室溫下，在連續攪拌之情況下，將其緩慢添加至二氯甲烷溶液中。在暗處攪拌該反應混合物隔夜。經由經緊密填充之Celite®床過濾反應混合物且在真空下移除溶劑以獲得7.8 g(100%)呈棕綠色固體狀之產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
4-乙基-2-苯基吡啶三氟甲烷磺酸銥鹽之合成：將銥二聚體(6.8 g，5.7 mmol)溶解於500 mL二氯甲烷中。在一個單獨的燒瓶中，將三氟甲烷磺酸銀(I)(3.2 g，12.5 mmol)溶解於MeOH(250 mL)中且在室溫下，在連續攪拌之情況下，將其緩慢添加至二氯甲烷溶液中。在暗處攪拌該反應混合物隔夜。經由經緊密填充之Celite®床過濾反應混合物且在真空下移除溶劑以獲得5.5 g(63%)呈棕綠色固體狀之產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
5-乙基-2-苯基吡啶三氟甲烷磺酸銥鹽之合成：將銥二聚
體(2.8 g，2.4 mmol)懸浮於500 mL二氯甲烷中。在一個單獨的燒瓶中，將三氟甲烷磺酸銀(I)(1.3 g，4.91 mmol)溶解於MeOH(250 mL)中且在室溫下，在連續攪拌之情況下，將其緩慢添加至二氯甲烷溶液中。在暗處攪拌該反應混合物隔夜。經由經緊密填充之Celite®床過濾反應混合物且在真空下移除溶劑以獲得3.6 g(100%)呈棕綠色固體狀之產物。該產物無需進一步純化即加以使用。
化合物53之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(3.5 g，4.9 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-5-異丙基吡啶(3.5 g，12.18 mmol)於EtOH(25 mL)及MeOH(25 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3 至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。在矽膠上用1/1(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到1.3 g(33%)呈黃色固體狀之化合物53。產物經HPLC(99.5%純度)及LC/MS確認。
化合物157之合成-在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.5 g，3.50 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4,5-二甲基吡啶(2.5 g，9.15 mmol)於EtOH(25 mL)及MeOH(25 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物回流24 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。移除溶劑至一半體積且藉由添加異丙醇使產物沈澱並在減壓下移除二氯甲烷。用異丙醇及己烷洗滌過濾材料以得到fac-異構體與mer-異構體之混合物，藉由LC/MS得知。在350 nm下，在DMSO中，將混合物在Rayonet中異構化為fac-異構體。在矽膠上用1/1(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到1.4 g(52%)呈黃色固體狀之化合物157。產物經HPLC(98.7%純度)及LC/MS確認。
化合物158之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.5 g，3.37 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4,5-二甲基吡啶(2.5 g，9.15 mmol)於EtOH(25 mL)及MeOH(25 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。移除溶劑至一半體積且藉由添加異丙醇使產物沈澱並在減壓下移除二氯甲烷。過濾材料用異丙醇與己烷洗滌並乾燥以得到2.7 g(100%)呈黃色固體狀之化合物158。產物經HPLC(99.4%純度)及LC/MS確認。
化合物159之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(3.0 g，4.04 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4,5-二甲基吡啶(3.0 g，10.98 mmol)於EtOH(30 mL)及MeOH(30 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。所需產物之溶解
度很差。使用大量溶劑來溶離產物。在矽膠上用1/1(v/v)之二氯甲烷/己烷且隨後用4/1之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到0.3 g呈黃色固體狀之產物。產物經HPLC(99.9%純度)及LC/MS確認。
化合物165之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.5 g，3.25 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4,5-二甲基吡啶(2.5 g，9.15 mmol)於EtOH(25 mL)及MeOH(25 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。移除溶劑至一半體積且藉由添加異丙醇使產物沈澱並在減壓下移除二氯甲烷。過濾材料用異丙醇及己烷洗滌且乾燥。在矽膠上用1/1(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到1.2 g(43%)呈黃色固體狀之化合物165。產物經HPLC(99.4%純度)及LC/MS確認。
化合物174之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(3.6 g，4.68 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4,5-二甲基吡啶(3.6 g，13.17 mmol)於EtOH(50 mL)及MeOH(50 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。在矽膠上用1/1(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到0.8 g呈黃色固體狀之產物，其經HPLC(98.6%純度)及LC/MS確認。
化合物175之合成：在氮氣氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.5 g，3.25 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4,5-二甲基吡啶(2.66 g，9.74 mmol)於EtOH(30 mL)及MeOH(30 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10
min。在小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。藉由HPLC，在矽膠上用2/3(v/v)之THF/己烷層析粗產物，得到0.8 g產物。藉由自1/3之DCM/己烷溶液中緩慢蒸發DCM使產物再結晶以得到0.6 g(22%)呈黃色結晶固體狀之產物。產物經HPLC(99.4%純度)及LC/MS確認。
化合物184之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(3.0 g，3.76 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4,5-二甲基吡啶(3.0 g，10.98 mmol)於EtOH(30 mL)及MeOH(30 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。在矽膠上用1/1(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到2.1 g(65%)呈黃色固體狀之產物。產物經HPLC(99.8%純度)及LC/MS確認。
化合物185之合成：在N2氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.8 g，3.51 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4,5-二甲基吡啶(2.880 g，10.53 mmol)於EtOH(30 mL)及MeOH(30 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。在矽膠上用2/3(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到2.1 g(69%)呈黃色固體狀之產物。產物經HPLC(99.9%純度)及LC/MS確認。
化合物314之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.5 g，3.37 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-5-異丁基-4-甲基吡啶(2.5 g，7.93 mmol)於EtOH(25 mL)及MeOH(25 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合
物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。移除溶劑至一半體積且藉由添加異丙醇使產物沈澱並在減壓下移除二氯甲烷。過濾材料用異丙醇與己烷洗滌並乾燥以得到3.0 g(100%)呈黃色固體狀之化合物314。產物經HPLC(99.6%純度)及LC/MS確認。
化合物321之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.2 g，2.86 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-5-異丁基-4-甲基吡啶(2.2 g，6.98 mmol)於EtOH(25 mL)及MeOH(25 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。移除溶劑至一半體積且藉由添加異丙醇使產物沈澱並在減壓下移除二氯甲烷。用異丙醇及己烷洗滌過濾材料。在矽膠上用1/1(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到1.6 g(50%)呈
黃色固體狀之化合物321。產物經HPLC(99.0%純度)及LC/MS確認。
化合物625之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.2 g，3.08 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-異丙基吡啶(2.2 g，7.66 mmol)於EtOH(25 mL)及MeOH(25 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。移除溶劑至一半體積且藉由添加異丙醇使產物沈澱並在減壓下移除二氯甲烷。過濾材料用異丙醇與己烷洗滌並乾燥以得到1.7 g(67%)呈黃色固體狀之化合物625。產物經HPLC(99.8%純度)及LC/MS確認。
化合物626之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.5 g，3.37 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-異丙基吡啶(2.5 g，8.70 mmol)於EtOH(25 mL)及MeOH(25 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。移除溶劑至一半體積且藉由添加異丙醇使產物沈澱並在減壓下移除二氯甲烷。過濾材料用異丙醇及己烷洗滌且乾燥。在矽膠上用1/1(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到2.5 g(89%)呈黃色固體狀之化合物626。產物經HPLC(99.4%純度)及LC/MS確認。
化合物627之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(3.0 g，4.0 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-異丙基吡啶(3.0 g，10.4 mmol)於EtOH(30 mL)及MeOH(30 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3
至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。在矽膠上用1/1(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到2.0 g(60%)呈黃色固體狀之化合物627。產物經HPLC(99.9%純度)及LC/MS確認。
化合物628之合成：在氮氣氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(3.0 g，4.0 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)4-異丙基吡啶(3.0 g，10.5 mmol)於EtOH(25 mL)及MeOH(25 mL)中之混合物回流24 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。在矽膠上用2/3(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到2.1 g(64%)呈黃色固體狀之產物。產物經HPLC(99.95%純度)及LC/MS確認。
化合物633之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.5 g，3.25 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-異丙基吡啶(2.5 g，8.70 mmol)於EtOH(25 mL)及MeOH(25 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。移除溶劑至一半體積且藉由添加異丙醇使產物沈澱並在減壓下移除二氯甲烷。過濾材料用異丙醇及己烷洗滌且乾燥。在矽膠上用1/1(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到1.6 g(59%)呈黃色固體狀之化合物633。產物經HPLC(99.7%純度)及LC/MS確認。
化合物643之合成：在氮氣氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.4 g，3.12 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)4-乙基吡啶(2.69 g，9.35 mmol)於EtOH(30 mL)及MeOH(30 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己
烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。在矽膠上用2/3(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到1.3 g(50%)呈黃色固體狀之產物。產物經HPLC(100%純度)及LC/MS確認。
化合物652之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(3.1 g，3.9 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-異丙基吡啶(3.1 g，10.9 mmol)於EtOH(30 mL)及MeOH(30 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。在矽膠上用1/1(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到2.1 g(62%)呈黃色固體狀之化合物652。產物經HPLC(99.9%純度)及LC/MS確認。
化合物653之合成：在氮氣氛圍下，將適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物(2.4 g，3.01 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)4-異丙基吡啶(3.0 g，9.02 mmol)於EtOH(30 mL)及MeOH(30 mL)中之混合物回流20 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。在矽膠上用2/3(v/v)之二氯甲烷/己烷層析粗產物，得到0.96 g(45%)呈黃色固體狀之產物。產物經HPLC(99.8%純度)及LC/MS確認。
2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-乙基-d 3 -吡啶之合成：在-78℃下，向2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-甲基吡啶(15.3 g，59.0 mmol)於無水THF(250 mL)中之溶液中逐滴添加二異丙胺基鋰(35.4 mL，70.8 mmol)。在-78℃下攪拌此暗色溶液2 h，接著逐滴添加CD3I(4.41 mL，70.8 mmol)。使反應混合物緩慢升溫至室溫隔夜。添加氯化銨溶液及EtOAc且將反應物轉移至分液漏斗中。分離各層，用EtOAc洗滌水層兩次且將有機物與水合併一次。移除溶劑後，在矽膠上用8/2(v/v)之己烷/EtOAc，接著用7/3之己烷/EtOAc層析粗產物以獲得14.5 g呈淡黃色固體狀之產物。自己烷再結
晶得到12.9 g(79%)2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-乙基-d 3 -吡啶。HPLC純度：99.4%。
2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-異丙基-d 6 -吡啶之合成：將2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-乙基-d 3 -吡啶溶解於無水THF(100 mL)中且冷卻至-78℃。逐滴添加二異丙胺基鋰(19.0 mL，38.0 mmol)且在-78℃下攪拌反應混合物2 h。逐滴添加CD3I且使反應混合物緩慢升溫至室溫隔夜。用MeOH、NH4Cl(水溶液)淬滅反應且添加EtOAc且將兩相混合物轉移至分液漏斗中。分離各層，用EtOAc洗滌水層兩次且將有機物與水合併。移除溶劑後，在矽膠上用8/2(v/v)之己烷/EtOAc層析粗產物以獲得6.4 g(86%)2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-異丙基-d 6 -吡啶。HPLC純度：99.2%。
化合物1145之合成：在惰性氛圍下，將適合的三氟甲烷
磺酸銥錯合物(3.5 g，4.9 mmol)與2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-d3-乙基吡啶(3.5 g，12.7 mmol)於EtOH(30 mL)及MeOH(30 mL)中之混合物回流20 h。將反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌Celite®/二氧化矽塞子以溶離產物。在矽膠上用二氯甲烷層析粗產物，得到1.8 g(47%)呈黃色固體狀之化合物1145。產物經HPLC(98.7%純度)及LC/MS確認。
化合物1146之合成：將2-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-4-異丙基-d 6 -吡啶與適合的三氟甲烷磺酸銥錯合物合併於乙醇(25 mL)及甲醇(25 mL)中且加熱至回流16 h。將該反應混合物冷卻至室溫，用乙醇稀釋，添加Celite®且將該混合物攪拌10 min。在玻璃料上之小矽膠塞上過濾該混合物且用乙醇(3至4次)及己烷(3至4次)洗滌。棄去濾液。隨後用二氯甲烷洗滌矽藻土/二氧化矽塞子以溶解產物。在矽膠上用50%-70%二氯甲烷之己烷溶液層析粗產物，接著昇華以得到1.7 g(43%)呈黃色固體狀之化合物1146。產物經HPLC(99.5%純度)及LC/MS確認。
應瞭解，本文中所述之各種實施例僅作為實例且不意欲限制本發明之範疇。舉例而言，在不背離本發明精神的情況下，本文中所述之許多材料及結構可經其他材料及結構取代。因此，如熟習此項技術者將顯而易見，所主張之本發明可包括對本文中所述之特定實例及較佳實施例所作之變更。應瞭解，有關本發明如何運作之各種理論不意欲具限制性。
100‧‧‧有機發光裝置
110‧‧‧基板
115‧‧‧陽極
120‧‧‧電洞注入層
125‧‧‧電洞傳輸層
130‧‧‧電子阻擋層
135‧‧‧發射層
140‧‧‧電洞阻擋層
145‧‧‧電子傳輸層
150‧‧‧電子注入層
155‧‧‧保護層
160‧‧‧陰極
162‧‧‧第一導電層
164‧‧‧第二導電層
200‧‧‧倒置式OLED
210‧‧‧基板
215‧‧‧陰極
220‧‧‧發射層
225‧‧‧電洞傳輸層
230‧‧‧陽極
圖1展示有機發光裝置。
圖2展示不具有獨立電子傳輸層之倒置式有機發光裝置。
圖3展示式I化合物。
Claims (25)
- 一種具有下式之化合物：
- 如請求項1之化合物，其中n為2。
- 如請求項1之化合物，其中X為O。
- 如請求項1之化合物，其中R1為氫且R2為烷基。
- 如請求項1之化合物，其中R1為烷基且R2為氫。
- 如請求項1之化合物，其中R1及R2為烷基。
- 如請求項1之化合物，其中R1或R2獨立地選自由支鏈烷基、環狀烷基、雙環烷基及多環烷基組成之群。
- 如請求項1之化合物，其中R1或R2為異丙基。
- 如請求項1之化合物，其中R1或R2含有一或多個氘原子。
- 如請求項1之化合物，其中R1及R2含有一或多個氘原子。
- 如請求項1之化合物，其中R3、R4、R5及R6獨立地選自由氫、氘、烷基、芳基及其組合組成之群。
- 如請求項1之化合物，其中R3、R4、R5及R6中之至少一者包含支鏈烷基、環狀烷基、雙環烷基或多環烷基。
- 如請求項1之化合物，其中R3、R4、R5或R6含有一或多個氘原子。
- 如請求項1之化合物，其中該化合物係選自由以下組成之群：
- 一種包含第一有機發光裝置之第一裝置，其進一步包含：一陽極；一陰極；及一置於該陽極與該陰極之間的有機層，該有機層包含具有下式之化合物：
- 如請求項15之第一裝置，其中該第一裝置為一消費型產品。
- 如請求項15之第一裝置，其中該第一裝置為一有機發光裝置。
- 如請求項15之第一裝置，其中該第一裝置包含一照明面板。
- 如請求項15之第一裝置，其中該有機層為一發射層且該化合物為發射摻雜物。
- 如請求項15之第一裝置，其中該有機層為一發射層且該化合物為非發射摻雜物。
- 如請求項15之第一裝置，其中該有機層進一步包含主體。
- 如請求項之21之第一裝置，其中該主體包含含有苯并稠 合噻吩或苯并稠合呋喃之聯伸三苯；其中該主體中之任何取代基為獨立地選自由以下組成之群的未稠合之取代基：CnH2n+1、OCnH2n+1、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C≡CHCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1，或無取代；其中n為1至10；及其中Ar1及Ar2獨立地選自由苯、聯苯、萘、聯伸三苯、咔唑及其雜芳族類似物組成之群。
- 如請求項22之第一裝置，其中該主體具有下式：
- 如請求項22之第一裝置，其中該主體係選自由以下組成之群：
- 如請求項21之第一裝置，其中該主體為金屬錯合物。
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