TW201306032A - 溫度感測器與記憶體裝置之使用 - Google Patents

溫度感測器與記憶體裝置之使用 Download PDF

Info

Publication number
TW201306032A
TW201306032A TW101137009A TW101137009A TW201306032A TW 201306032 A TW201306032 A TW 201306032A TW 101137009 A TW101137009 A TW 101137009A TW 101137009 A TW101137009 A TW 101137009A TW 201306032 A TW201306032 A TW 201306032A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
temperature
nvm
memory
data
voltage
Prior art date
Application number
TW101137009A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI562146B (en
Inventor
Anthony Fai
Nicholas C Seroff
Nir Jacob Wakrat
Original Assignee
Apple Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apple Inc filed Critical Apple Inc
Publication of TW201306032A publication Critical patent/TW201306032A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI562146B publication Critical patent/TWI562146B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
    • G11C11/5642—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/04—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

在一項實施方案中，一種用於執行記憶體操作之方法包括：在一記憶體裝置處接收對自一或多個非揮發性記憶體胞讀取資料的一請求；及擷取相關聯於該等非揮發性記憶體胞之所儲存之溫度資訊，其中該溫度資訊相關聯於大致在將該資料寫入至該等非揮發性記憶體胞時之一溫度。該方法可進一步包括藉由該記憶體裝置而自該等非揮發性記憶體胞讀取該資料。該方法亦可包括基於至少該所擷取之溫度資訊來處理該所讀取之資料；及提供該所處理之資料。

Description

溫度感測器與記憶體裝置之使用
本文件係關於使用溫度資訊來執行記憶體操作。
諸如快閃記憶體(例如，「反及」(NAND)快閃記憶體、「反或」(NOR)快閃記憶體)之各種類型之非揮發性記憶體(NVM)可用於大容量儲存器。舉例而言，消費型電子器件(例如，攜帶型媒體播放器)使用快閃記憶體來儲存資料，該資料包括音樂、視訊、影像及其他媒體或其他類型之資訊。
已結合諸如膝上型電腦系統之各種系統使用溫度感測器，以在此等系統中識別可對系統組件(如處理器)造成損壞之溫度條件。舉例而言，溫度感測器已置放於處理器中或周圍且用來識別可對處理器造成損壞之溫度條件及/或控制冷卻系統(例如，風扇)或系統操作(例如，處理器速度或活動等級)。
本文件大體而言描述與使用相關聯於NVM之溫度資訊來執行記憶體操作相關的技術。相關聯於NVM之溫度資訊可包括來自位於NVM中及周圍(例如，嵌入於NVM晶粒上)之溫度感測器之溫度量測值及/或來自相關聯於記憶體裝置之其他組件(例如，記憶體控制器、環境溫度感測器)之其他溫度感測器之溫度量測值。
溫度資訊可按照各種方式由記憶體裝置使用以執行記憶 體操作。舉例而言，可儲存指示將資料程式化至NVM時之該NVM之溫度的資訊且稍後用來選擇用於讀取所程式化之資料的適當技術。舉例而言，溫度資訊可用來調整用於自NVM讀取資料之一或多個電壓臨限值。在另一實例中，溫度資訊可用來對如何儲存資料作出調整(諸如，將資料冗餘地寫入至多個儲存位置而非單個儲存位置)。下文揭示與將溫度資訊用於記憶體操作相關的各種其他特徵。
在一項實施方案中，一種用於執行記憶體操作之方法包括：在一記憶體裝置處接收對自一或多個非揮發性記憶體胞讀取資料的一請求；及擷取相關聯於該等非揮發性記憶體胞之所儲存之溫度資訊，其中該溫度資訊相關聯於大致在將該資料寫入至該等非揮發性記憶體胞時之一溫度。該方法可進一步包括藉由該記憶體裝置而自該等非揮發性記憶體胞讀取該資料。該方法亦可包括基於至少該所擷取之溫度資訊來處理該所讀取之資料；及提供該所處理之資料。
在另一實施方案中，一種用於執行記憶體操作之方法包括：在一記憶體裝置處接收對將資料寫入至一或多個非揮發性記憶體胞的一請求；及藉由該記憶體裝置而自一或多個溫度感測器獲得指示相關聯於該等非揮發性記憶體胞之一當前溫度的溫度資訊。該方法亦可包括基於該溫度資訊來判定對一寫入操作作出之一調整。該方法可進一步包括使用基於該溫度資訊而對該寫入操作作出之該所判定之調整來將該資料寫入至該等非揮發性記憶體胞。
在另一實施方案中，一種記憶體裝置包括：一或多個非揮發性記憶體胞；及一或多個溫度感測器，該一或多個溫度感測器經組態以提供相關聯於該等非揮發性記憶體胞之溫度量測值。該裝置亦可包括一控制器，該控制器經組態以對該等非揮發性記憶體胞執行記憶體操作，其中基於由該等溫度感測器提供之該等溫度量測值而調整該等記憶體操作。
在另一實施方案中，一種系統包括：一或多個非揮發性記憶體胞；及一或多個溫度感測器，該一或多個溫度感測器經組態以提供相關聯於該等非揮發性記憶體胞之溫度量測值。該系統亦可包括一控制器，該控制器經組態以對該等非揮發性記憶體胞執行記憶體操作，其中基於由該等溫度感測器提供之該等溫度量測值而調整該等記憶體操作。
可實施本說明書中所描述之標的物之特定實施例以便實現以下優勢中之一或多個。儘管NVM之溫度發生改變，但仍可保留該NVM中所儲存之資料之完整性。在另一實例中，可藉由使用位於NVM中及周圍之溫度感測器來較準確地判定該NVM之溫度。在另一實例中，可基於NVM內之當前溫度條件來修改記憶體操作(例如，切換為冗餘地程式化資料)以便提高該NVM中所儲存之資料之完整性。
附圖及下文描述中陳述了一或多項實施例之細節。本發明之其他特徵、目標及優勢將自描述及圖式且自申請專利範圍而變得顯而易見。
可使用相關聯於NVM之溫度資訊來執行記憶體操作。溫度資訊可指示NVM之溫度。NVM之溫度資訊可用來調整對該NVM執行之記憶體操作。可自位於一記憶體裝置周圍之溫度感測器獲得溫度資訊，該等溫度感測器包括位於NVM中或周圍(例如，位於一「反及」快閃記憶體晶粒上)之溫度感測器。
NVM中所儲存之資料之完整性可受NVM之溫度的影響。舉例而言，自NVM讀取資料之準確性可隨著NVM之溫度升高而降低。舉例而言，一記憶體胞中之所儲存之電壓可隨著該NVM之溫度改變而向上或向下漂移。此情形可在將NVM中之所儲存之電壓轉譯為對應於所儲存之電壓之各種範圍的數位資料值時出現問題。舉例而言，「單位階記憶體胞」(SLC)儲存單個資料位元，其中第一電壓範圍對應於資料值「1」，且第二電壓範圍對應於資料值「0」。若歸因於該NVM之溫度改變，所儲存之電壓自該第一範圍漂移至該第二範圍，則可將來自該記憶體胞之資料值誤讀取為「0」而非「1」。
為了解決此等及其他問題，可獲得、儲存並使用NVM之溫度資訊以調整記憶體操作。可使用位於一記憶體裝置各處之各種溫度感測器來獲得NVM之溫度資訊，該等溫度感測器包括位於NVM自身中及周圍(例如，位於一NVM晶粒上)之溫度感測器。對於位於該NVM外之溫度感測器(例如，位於一記憶體控制器中之溫度感測器)而言，溫度特性可用來基於來自該NVM外之此等溫度感測器之量測值來 推斷該NVM之溫度。溫度特性映射來自位於一記憶體裝置中及/或位於該記憶體裝置外之一或多個溫度感測器(諸如，位於一記憶體控制器中之溫度感測器)之溫度量測值與該記憶體裝置之其他組件(諸如，NVM)之近似溫度之間的關係。
可在對NVM進行程式化時獲得該NVM之溫度資訊且用來調整該程式化操作。舉例而言，在程式化時或接近程式化時之記憶體胞之溫度資訊可用來調整一程式化操作之電壓臨限值，資料可冗餘地寫入至多個儲存位置，及/或記憶體胞可自SLC模式改變至「多位階記憶體胞」(MLC)模式(多個資料位元儲存於一記憶體胞中)或自MLC模式改變至SLC模式。
可儲存在程式化時或接近程式化時之NVM胞之溫度資訊且稍後用於執行該等NVM胞之讀取操作。舉例而言，回應於接收到自NVM讀取資料之命令，可擷取在程式化所請求之資料時的NVM之溫度並與該NVM之當前溫度比較。此比較可用來估計該NVM之電壓漂移且適當時調整用來讀取並解譯NVM中所儲存之資料值的電壓臨限值。此等及其他技術可用來提供NVM之各種改良，諸如NVM之改良之資料完整性。
圖1為描繪一實例系統100之圖式，該實例系統100包括一主機控制器102及經組態以使用溫度資訊來執行記憶體操作之一NVM封裝104。舉例而言，NVM封裝104可使用指示NVM之溫度的溫度資訊來按照適應於影響資料完整性 之溫度變化之方式將資料程式化至該NVM且自該NVM讀取資料主機控制器102及/或NVM封裝104可包括於諸如以下各者之各種主機裝置及/或系統(「主機」)中之任一者中：攜帶型媒體播放器、蜂巢式電話、口袋型個人電腦、個人數位助理(PDA)、桌上型電腦、膝上型電腦及/或平板型計算裝置(僅舉幾個可能實例)。
主機控制器102可包括一或多個處理器及/或微處理器，該一或多個處理器及/或微處理器經組態以基於軟體及/或韌體指令之執行而執行操作。另外及/或其他，主機控制器102可包括基於硬體之組件(諸如，ASIC)，該等基於硬體之組件經組態以執行各種操作。由主機控制器102執行之操作可包括自NVM封裝104之NVM擷取資料及/或將資料寫入至該NVM。舉例而言，主機控制器102可將對媒體檔案(例如，音訊檔案)之請求提供給NVM封裝104。由主機控制器102提供之此請求可包括對應於該媒體檔案之一或多個邏輯位址。
主機控制器102可包括一或多個溫度感測器106，該一或多個溫度感測器106位於主機控制器102中或周圍且提供主機控制器102之溫度量測值。舉例而言，溫度感測器106可提供可(由主機控制器102及/或主機系統之另一組件)用來判定主機控制器102是否正在主機控制器102之允許溫度範圍(例如，主機控制器102之預先設定之溫度規格)內操作的溫度量測值。
主機控制器102亦可自位於一主機系統中及周圍之一或 多個環境溫度感測器108獲得該主機系統之溫度量測值。舉例而言，環境溫度感測器108可定位於一主機系統之各種位置處(諸如，定位於板上及/或附於該主機系統之外殼)，且可由主機控制器102(或該主機系統之其他組件)用來判定該主機裝置外之溫度及/或該系統是否正在允許溫度範圍(例如，該主機系統之預先設定之溫度規格)內操作。
主機控制器102可經由主機通信通道110與NVM封裝104通信。主機控制器102與NVM封裝104之間的主機通信通道110可為固定(例如，固定通信通道)及/或可拆卸的(例如，通用串列匯流排(USB)埠)。與NVM封裝104之互動可包括將記憶體相關請求(諸如，對擷取NVM封裝104中所儲存之資料及/或將資料儲存於NVM封裝104中的請求)提供給NVM封裝104。主機控制器102亦可將自溫度感測器106至108獲得之溫度量測值及/或自未描繪之其他溫度感測器獲得之量測值提供給NVM封裝104以供NVM封裝104用來執行記憶體操作。
NVM封裝104可使用主機介面112及記憶體控制器114經由主機通信通道110與主機控制器102互動。如同主機控制器102，記憶體控制器114可包括一或多個處理器及/或微處理器116，該一或多個處理器及/或微處理器116經組態以基於軟體及/或韌體指令之執行而執行操作。另外及/或其他，記憶體控制器114可包括基於硬體之組件(諸如，ASIC)，該等基於硬體之組件經組態以執行各種操作。記 憶體控制器114可執行各種操作，包括由主機控制器102請求之記憶體操作。舉例而言，回應於接收到規定待擷取之媒體檔案之邏輯位址的請求，記憶體控制器114可識別一或多個對應實體位址(例如，識別晶粒、區塊及/或頁面之資訊)，使用所識別之實體位址擷取所請求之資料，且使用主機介面112經由主機通信通道110將所請求之資料傳輸至主機控制器102。
可由主機控制器102及記憶體控制器114單獨地或組合地執行各種記憶體管理功能，諸如，耗損平均。在記憶體控制器114經組態以執行至少一些記憶體管理功能之實施方案中，NVM封裝104可稱為「所管理之NVM」(或對於「反及」快閃記憶體而言，為「所管理之「反及」」)。此可為相對於「原始NVM」(或對於「反及」快閃記憶體而言，為「原始「反及」」)而言，在「原始NVM」中，NVM封裝104外之主機控制器102執行NVM封裝104之記憶體管理功能。
主機控制器102及NVM封裝104可為同一記憶體裝置之一部分。雖然可存在一些重疊，但主機控制器102及NVM封裝104可對記憶體裝置執行不同作用。舉例而言，主機控制器102可執行並提供記憶體裝置之面對使用者之功能性，諸如，執行操作以提供使用者介面(例如，圖形使用者介面、基於文字之使用者介面、音訊使用者介面)及對使用者輸入(例如，對播放特定媒體檔案之請求)作出回應。NVM封裝104可執行並提供記憶體裝置之基於記憶體 之功能性，諸如，實施來自主機控制器102之記憶體存取請求(例如，自邏輯定址轉換為實體定址)、執行記憶體管理操作，及/或執行錯誤校正操作。可共用此等作用中之一些，諸如，主機控制器102執行一些記憶體操作，諸如，記憶體管理操作。
在實例系統100中，將記憶體控制器114描繪為包括一或多個溫度感測器118、揮發性記憶體120及非揮發性記憶體122。溫度感測器118可位於記憶體控制器114中或周圍，且可提供記憶體控制器114之溫度量測值。此等溫度量測值可由記憶體控制器114及/或NVM封裝104之另一組件用來判定記憶體控制器114(或一或多個其他組件)是否正在允許溫度範圍內(例如，在記憶體控制器114之溫度規格內)操作。記憶體控制器114可使用來自溫度感測器118之溫度量測值來執行並調整NVM封裝104之記憶體操作，如下文更詳細描述。
揮發性記憶體120可為各種揮發性記憶體中之任一者，諸如，快取記憶體及隨機存取記憶體(RAM)。揮發性記憶體120可由記憶體控制器114用來執行記憶體操作(包括對記憶體操作作出的基於溫度之調整)，儲存正自NVM讀取及/或寫入至NVM之資料，且儲存相關聯於NVM之溫度資訊。
NVM 122可為各種類型之NVM中之任一者，且可儲存記憶體控制器114用來執行各種操作(包括對記憶體操作作出的基於溫度之調整)的指令124，如下文更詳細描述。NVM 122亦可儲存相關聯於NVM之後設資料126。該後設資料包括按照各種方式描述NVM封裝104之NVM內所儲存之資料的資訊。舉例而言，後設資料126可包括溫度資訊128，溫度資訊128指示在對一或多個記憶體胞(例如，記憶體胞之區塊)程式化時該等記憶體胞之溫度。溫度資訊128及/或後設資料126之其他部分可包括有關NVM封裝104之NVM之各種額外資訊，諸如，時戳資訊(例如，先前對記憶體胞程式化之時間)及/或耗損資訊(例如，指示已對NVM之各個部分程式化之次數的資訊)。可使用各種溫標中之任一者(諸如，華氏溫度、攝氏溫度、凱氏溫度及原始數位/類比溫度感測器輸出)來儲存溫度資訊128。
記憶體控制器114之NVM 122亦可包括溫度演算法130及/或記憶體溫度特性132。溫度演算法130為將NVM之溫度(或溫度之改變)(及可能其他輸入資料)映射至NVM中所儲存之位準或電荷之改變的演算法。舉例而言，溫度演算法130可將NVM記憶體胞中之電壓漂移之量及方向映射至NVM記憶體胞中之溫度改變。溫度演算法130可採用溫度資訊(例如，在程式化時之NVM之溫度、NVM之當前溫度、自程式化起逝去之時間)及其他所偵測之條件及/或後設資料作為輸入，且可尤其提供指示對記憶體操作作出之各種調整(例如，調整讀取及/或寫入電壓臨限值、自MLC模式改變至SLC模式，冗餘地程式化資料)之資訊作為輸出。
記憶體控制器114之NVM 122亦可包括記憶體溫度特性 132，記憶體溫度特性132可結合溫度演算法130來使用。記憶體溫度特性132可用來基於來自各種溫度感測器(諸如，溫度感測器106、108、118及其他)之溫度量測值來推斷NVM之一部分(例如，NVM晶粒、NVM頁面、NVM區塊、一或多個NVM胞)之溫度。該等記憶體溫度特性可將來自一或多個溫度感測器之溫度量測值映射至NVM之一部分之溫度。NVM之一部分的所推斷之溫度可儲存為後設資料(例如，溫度資訊128)及/或可用作溫度演算法130之輸入。在一些實施方案中，如下文將更詳細描述，溫度感測器可位於NVM中或周圍，且溫度特性可不需要用來推斷此NVM之溫度，實情為，來自此等溫度感測器之量測值可提供此NVM之溫度的足夠準確之指示。
記憶體控制器114使用共用內部匯流排134來存取多個記憶體晶粒136a至136n，該等記憶體晶粒136a至136n可為積體電路(IC)晶粒。雖然關於NVM封裝104僅描繪單個共用匯流排134，但NVM封裝可包括一個以上共用內部匯流排。每一內部匯流排可連接至多個(例如，2個、3個、4個、8個、32個等)記憶體晶粒，如多個記憶體晶粒136a至136n所描繪。記憶體晶粒136a至136n可實體上按照各種組態(例如，堆疊組態)來配置。記憶體晶粒136a至136n描繪為包括NVM 138a至138n。NVM 138a至138n可為各種不同類型之NVM中之任一者，諸如，基於浮動閘極或電荷捕獲技術之「反及」快閃記憶體、「反或」快閃記憶體、可抹除可程式化唯讀記憶體(EPROM)、電可抹除可程式化唯讀 記憶體(EEPROM)、鐵電RAM(FRAM)、磁阻RAM(MRAM)、相變記憶體(PCM)或其任何組合。在一些實施方案中，NVM 122可實施於記憶體晶粒136a至136n中之一或多個中。
NVM 138a至138n可組織(實體地及/或虛擬地)為NVM之一或多個子單元，諸如，區塊140及頁面142。如實例系統100中所描繪，區塊140各自包括多個頁面142。區塊140及/或頁面可對應於一起程式化、讀取及/或抹除之NVM 138a至138n之部分。舉例而言，對於「反及」快閃記憶體(NVM 138a至138n之一實例)而言，頁面142可對應於可一起(同時)讀取及/或程式化之記憶體胞之群組，且區塊140可對應於可一起抹除之頁面之群組。區塊140及頁面142之大小及組態可變化。舉例而言，區塊140中之每一者可包括任何數目之頁面(例如，32個頁面、64個頁面、數千個頁面)，且每一頁面可具有自幾位元組(例如，512個位元組)起的相關聯之儲存容量。將NVM 138a至138n以其他方式劃分為子單元亦為可能的。
記憶體晶粒136a至136n亦可各自包括位於NVM 138a至138n中或周圍之一或多個溫度感測器144a至144n。舉例而言，記憶體晶粒136a可包括一或多個溫度感測器，該一或多個溫度感測器包括在晶粒136a中、包括在晶粒136a上或在晶粒136a各處分隔開，且提供對應於NVM 138a至138n之溫度量測值。來自溫度感測器144a至144n之溫度量測值可經由記憶體晶粒136a至136n與記憶體控制器114之間的 內部匯流排134及/或一或多個其他內部通道(未描繪)而提供給記憶體控制器114。來自溫度感測器144a至144n之溫度量測值可用來判定NVM之一部分之溫度，其可按照各種方式使用，例如用來儲存溫度資訊128及/或調整記憶體操作(例如，程式化、讀取、抹除)之各種參數(例如，臨限電壓位準)。
溫度資訊128可包括指示記憶體晶粒136a至136n之各個部分(諸如，NVM 138a至138n、區塊140、頁面142及/或個別記憶體胞)之溫度的資料。舉例而言，若在NVM 138a之頁面中之一者的溫度為90℉(例如，如溫度感測器144a所指示)時對該頁面程式化，則記憶體控制器114可記錄此溫度資訊作為對應於所程式化之頁面之後設資料126。舉例而言，該所程式化之頁面之溫度資訊128可包括溫度(90℉)、該所程式化之頁面之識別符(例如，該頁面之實體位址、對應於該頁面之邏輯位址範圍)及/或對應於對該頁面程式化之時間的時戳。
NVM封裝104亦可包括一或多個溫度感測器146，該一或多個溫度感測器146為封裝104之一部分，而不具體相關聯於記憶體控制器114及/或記憶體晶粒136a至136n。該等溫度感測器146可相關聯於NVM封裝104之其他組件及/或可充當NVM封裝104之環境溫度感測器。如同來自未具體相關聯於NVM 138a至138n之其他溫度感測器(例如，環境溫度感測器108、溫度感測器106、溫度感測器118)之溫度量測值，來自溫度感測器146之溫度量測值可用來判定NVM 之一部分之溫度，其可按照各種方式使用，例如用來儲存溫度資訊128及/或調整記憶體操作(例如，程式化、讀取、抹除)之各種參數(例如，臨限電壓位準)。
NVM封裝104亦可包括錯誤校正引擎148(例如，錯誤校正碼引擎)，該錯誤校正引擎148校正自NVM 138a至138n讀取之資料中的錯誤。錯誤校正引擎148可實施於硬體及/或軟體中，且可為記憶體控制器114之一部分或與記憶體控制器114分離。錯誤校正引擎148可用來判定溫度演算法130是否正提供對用於解譯NVM 138a至138n中所偵測之電壓位準的電壓臨限值作出之準確的基於溫度之調整。記憶體控制器114可基於是否由錯誤校正引擎148偵測到錯誤而調整溫度演算法130。在一些實施方案中，錯誤校正引擎148(或獨立錯誤校正引擎)可用來執行其他類型之錯誤校正操作。
舉例而言，若在第一溫度下對NVM 138a之一頁面程式化且在第二溫度下讀取該頁面，則記憶體控制器114可基於溫度演算法130中之一或多個及第一溫度與第二溫度來調整用於將該頁面中所儲存之電壓位準解譯為數位資料值(例如，0、1)的電壓臨限值中之一或多個。錯誤校正引擎148可判定使用對該等電壓臨限值作出之調整來解譯該頁面中所儲存之電壓而產生的數位資料值中是否存在任何錯誤。若存在至少臨限數目之錯誤(例如，原始數目、百分比)及/或若存在不可校正之錯誤(例如，錯誤校正引擎148不能夠判定準確資料值的錯誤)，則記憶體控制器114可調 整用於讀取該頁面之溫度演算法130中之一或多個(例如，基於將資料程式化至該記憶體中之時間與自該記憶體讀取資料之時間之間的溫度變化而更改對所偵測之值作出之調整的量)，且接著可再次執行讀取及錯誤檢查操作以判定是否解決了所遭遇之錯誤。可反覆地執行溫度演算法130之此動態調整，直至解決了至少臨限數目之所偵測之錯誤為止及/或達到臨限數目之反覆為止。
雖然未描繪，但結合記憶體控制器114而描述之各種技術及/或組件可由主機控制器102執行及/或包括於主機控制器102中。舉例而言，後設資料126及/或溫度資訊128中之一些或全部可儲存於相關聯於主機控制器102之NVM中(未描繪)。在此實施方案中，主機控制器102可將相關聯於記憶體操作(例如，程式化、讀取、抹除)之相關溫度資訊提供給NVM封裝104及/或自NVM封裝104接收該相關溫度資訊。
圖2為描繪一實例系統200之圖式，該實例系統200包括一經組態以使用溫度資訊來執行記憶體操作之一記憶體裝置202。記憶體裝置202可為各種記憶體裝置中之任一者，諸如，攜帶型媒體播放器、蜂巢式電話、口袋型個人電腦、個人數位助理、桌上型電腦、膝上型電腦、平板型計算裝置及/或可抽換式/攜帶型儲存裝置(例如，快閃記憶卡、USB快閃記憶體磁碟)。
實例記憶體裝置202描繪為包括主機控制器204及NVM 206。主機控制器204可類似於上文關於圖1所描述之主機 控制器102。主機控制器204包括一或多個處理器208、揮發性記憶體210及一或多個溫度感測器211。處理器208可為各種處理器中之任一者，諸如，微處理器、中央處理單元(CPU)、圖形處理單元(GPU)或其任何組合。揮發性記憶體210可類似於上文關於圖1所描述之揮發性記憶體120。揮發性記憶體210可由處理器208用來執行各種操作，諸如，擷取及處理NVM 206中所儲存之資料。該等溫度感測器可類似於上文關於圖1所描述之溫度感測器106。
NVM 206可包括一或多個NVM封裝212a至212b。NVM封裝212a至212b可各自類似於上文關於圖1所描述之NVM封裝104。舉例而言，NVM封裝212a至212b可各自包括具有NVM之複數個記憶體晶粒(例如，記憶體晶粒136a至136n及NVM 138a至138n)及一或多個記憶體控制器(例如，記憶體控制器114)，該一或多個記憶體控制器經組態以使用相關聯於NVM封裝212a至212b之溫度資訊來執行記憶體操作。NVM封裝212a至212b中之每一者(單獨或結合彼此及/或主機控制器204)可收集、維護及使用溫度資訊來執行相關聯於每一各別封裝之記憶體操作。NVM 206可包括任何數目之NVM封裝(例如，2個、3個、4個、8個、16個等)。
如上文關於圖1所述，NVM之管理可由主機控制器204及/或NVM封裝212a至212b之控制器執行。舉例而言，主機控制器204可經組態以基於提供給主機控制器204及/或由主機控制器204儲存之溫度資訊來調整NVM封裝212a至212b 之操作(例如，自MLC模式切換至SLC模式)。在NVM封裝212a至212b之控制器控制記憶體管理操作(例如，錯誤校正、耗損平均等)之至少一部分的實施方案中，NVM封裝212a至212b可視為「所管理之」NVM。
記憶體裝置202亦可包括一或多個環境溫度感測器213。環境溫度感測器213可類似於上文關於圖1所描述之環境溫度感測器108。
系統200描繪為亦包括外部裝置214，該外部裝置214可採用通信方式連接(直接地及/或間接地)至記憶體裝置202。外部裝置214與記憶體裝置202之間的通信可包括在該兩個裝置之間傳輸資料及/或指令。外部裝置214可為各種電子裝置中之任一者，諸如，桌上型電腦、膝上型電腦及媒體計算裝置(例如，媒體伺服器、電視、立體音響系統)。記憶體裝置202可使用外部裝置介面216(例如，無線晶片、USB介面等)經由實體及/或無線連接而與外部裝置214通信。
舉例而言，在一項實例實施方案中，記憶體裝置202可為攜帶型媒體播放器且外部裝置214可為桌上型電腦，該桌上型電腦可經由實體連接(例如，USB電纜)彼此傳輸媒體檔案(例如，音訊檔案、視訊檔案等)。
圖3A至圖3B分別描繪在SLC及MLC模式中的記憶體胞之胞電壓與數位資料值之間的實例映射。如上文關於圖1所描述，溫度資訊可用來判定是否將記憶體胞在SLC模式與MLC模式之間切換。
圖3A描繪在SLC模式(每記憶體胞儲存一個資料位元)中操作之記憶體胞之實例數位資料值分佈300。在此實例中，電壓分佈曲線302表示數位值0，且電壓分佈曲線304表示數位值1。舉例而言，落入由電壓分佈曲線302限定之範圍中的自記憶體胞讀取之電壓將解譯為數位資料值0。電壓臨限值可用來判定分佈曲線302及304之界限。舉例而言，分佈曲線302可由下電壓臨限值(界定分佈曲線302之最小電壓)與上電壓臨限值(界定分佈曲線302之最大電壓)限定。
分佈曲線302與304之間的區域描繪為灰色空間306。落入灰色空間306內之電壓可解譯為具有不確定資料值，因此，各種技術(諸如，使用錯誤校正碼(ECC))可用來判定正確資料值。
圖3A中所描繪之實例記憶體胞中所儲存之電壓可回應於該記憶體胞之溫度的波動而漂移(改變)。電壓分佈曲線308及310描繪分別對應於電壓分佈曲線302及304之實例電壓漂移。舉例而言，最初落入分佈曲線304內之電壓值基於記憶體胞中之溫度改變(例如，升高之溫度、降低之溫度)而向上漂移，以使得此等電壓值現落入分佈曲線310內。此實例中之電壓漂移描繪為△V0(312)及△V1(314)。跨越記憶體胞中所儲存之電壓範圍，電壓漂移可為均勻及/或非均勻的。在此實例中，電壓漂移描繪為非均勻的，△V1(314)呈現為大於△V0(312)。除電壓分佈曲線移位之外，此實例中之灰色空間306亦漂移至灰色空間'316。
若鑒於基於溫度之電壓漂移，對應於分佈曲線302及304之電壓臨限值未調整為分別對應於(在臨限裕度內)分佈曲線308及310，則可誤解譯此實例記憶體胞內之所儲存之電壓位準。舉例而言，所儲存之電壓318可漂移至電壓320，且使用界定分佈曲線302及304之電壓臨限值，電壓320將解譯為不確定資料值。此不確定性可觸發各種操作(如，錯誤校正)，該等操作可消耗來自相關聯之處理器/微處理器(例如，處理器/微處理器316)之循環。然而，使用本文件中所描述之技術，對程式化時之溫度的認識、對讀取時之溫度之認識及/或在程式化電壓316時之溫度與在讀取電壓320時之溫度之比較可允許對應於分佈曲線302及304之電壓臨限值分別調整為對應於分佈曲線308及310。
圖3B描繪在MLC模式(每記憶體胞儲存一個以上資料位元)中操作之記憶體胞之實例數位資料值分佈350。在此實例中，該記憶體胞經組態以儲存4個資料位元，如電壓分佈曲線352至362所指示。MLC模式中之電壓分佈曲線352至362可小於如圖3中所描繪之SLC模式中之電壓分佈曲線302至304，相比在SLC模式中，在MLC模式中，少量的電壓漂移可較可能導致資料值被誤讀取。溫度資訊可用來判定何時在MLC模式與SLC模式之間切換。舉例而言，若偵測到在MLC模式中之記憶體胞之大的溫度改變且採用溫度改變作為輸入的對應溫度演算法(例如，溫度演算法130)提供指示該記憶體胞中所儲存之電壓可能漂移達至少一臨限量的輸出，則該記憶體胞可自MLC模式切換至SLC模式。
圖4為描繪實例記憶體溫度特性402至406之曲線圖400。如上文關於圖1及記憶體溫度特性132所描述，記憶體溫度特性402至406可用來基於來自位於NVM之一部分(例如，NVM晶粒、NVM區塊、NVM頁面)中、周圍及/或該部分外之溫度感測器的溫度量測值來推斷NVM之該部分的溫度。
舉例而言，溫度特性402可對應於溫度感測器146(其為NVM封裝104之一部分)且可用來基於來自溫度感測器146之溫度量測值來推斷NVM 138a至138n之溫度、NVM 138a至138n之間的不同溫度、或NVM 138a至138n之各子單元(諸如，區塊140及頁面142)之不同溫度。
可經由諸如分析使各種溫度感測器量測值與NVM溫度相關之實徵證據之各種技術來產生溫度特性402至406。按照可由用來基於在程式化時之溫度、在讀取時之溫度及/或在程式化時與在讀取時之間的溫差來解譯資料的溫度演算法模型化或另外表示的方式，每一NVM 138a至138n之行為可取決於所量測之溫度或所推斷之溫度而變化。
圖5為描繪用於基於溫度資訊而自一記憶體裝置讀取資料之一實例程序500的流程圖。該程序500可由各種記憶體裝置執行，諸如，上文關於圖1所描述之NVM封裝104及/或主機控制器102，及/或上文關於圖2所描述之記憶體裝置202。
在502，接收對自NVM讀取資料的一請求。舉例而言，主機控制器102可經由主機通信通道110將自NVM 138a至138n讀取資料之命令傳輸至NVM封裝104。此命令可包括 待自NVM 138a至138n讀取之一或多個邏輯位址，NVM封裝104可將該一或多個邏輯位址轉譯為NVM 138a至138n中之對應實體位址。
回應於接收到該請求，在504，擷取相關聯於該所請求之資料及該NVM的所儲存之溫度資訊。如上文關於圖1所描述，所儲存之溫度資訊可為描述最近將資料寫入至NVM之一或多個部分(例如，晶粒、區塊、頁面、記憶體胞)時或接近該寫入時的該NVM之該等部分之溫度的後設資料。舉例而言，記憶體控制器114可自溫度資訊128擷取相關聯於正儲存所請求之資料的NVM之部分的溫度資訊。
在506，可自一或多個溫度感測器接收該NVM之當前溫度資訊。舉例而言，若該所請求之資料儲存於NVM 138a中，則可自位於NVM 138a中或周圍之溫度感測器144a獲得溫度量測值。在另一實例中，可自諸如溫度感測器146(其為NVM封裝104之一部分)及/或環境溫度感測器108之其他溫度感測器獲得溫度量測值。可結合記憶體溫度特性(例如，記憶體溫度特性132)使用溫度量測值以自所接收之溫度量測值判定該NVM之當前溫度，該記憶體溫度特性將各種溫度感測器之溫度量測值映射至該NVM之部分的溫度值。
在508，可基於所儲存之溫度資訊及當前溫度資訊來調整用來解譯該NVM中所儲存之電壓位準的電壓臨限值。可使用將溫度改變映射至該NVM中之電壓漂移的一或多個溫度演算法(例如，溫度演算法130)來作出此等調整。
舉例而言，參看圖3A，一記憶體胞充電至電壓位準318，電壓位準318對應於在該記憶體胞處於第一溫度下時的資料值(如使用電壓分佈302及304所解譯)。隨著該記憶體胞改變溫度，所儲存之電壓位準318可向上漂移或向下漂移。如圖3A中之實例中所描繪，溫度之改變可使電壓318漂移至電壓320，電壓320處於灰色空間306中(當使用電壓分佈302及304時)。使記憶體胞中之溫度改變與記憶體胞內之電壓漂移之間的關係相關的一或多個溫度演算法可用來判定如何調整電壓分佈302及304之電壓臨限值以使得可適當地解譯該記憶體胞內所儲存之資料值。基於將此演算法應用於該記憶體胞之狀態(例如，在程式化時之先前溫度、在讀取時之當前溫度)，電壓臨限值可得以調整且可導致電壓分佈308及310。此等溫度演算法可採用各種資訊作出輸入，諸如，在程式化時的一記憶體胞之溫度、在讀取時的該記憶體胞之溫度、該兩個溫度之間的差、該記憶體胞之耗損(例如，程式化、抹除及讀取之次數)、記憶體胞之類型(例如，「反或」快閃記憶體胞、「反及」快閃記憶體胞)及/或相關聯於該記憶體胞之先前錯誤。
在510，可使用該等所調整之電壓臨限值來讀取該所請求之資料。舉例而言，參看圖3A，該等所調整之電壓臨限值(其可界定電壓分佈308及310之界限)可用來讀取並解譯所儲存之電壓320。
在512，可對該所讀取之資料執行一或多個錯誤檢查操作。舉例而言，NVM封裝104可使用錯誤校正引擎148來判 定在該所讀取之資料中是否存在任何錯誤。若判定已正確讀取該資料(514)，則在516，可由請求實體使用該所讀取之資料及/或將該所讀取之資料提供給該請求實體。舉例而言，若主機控制器102向NVM封裝104請求資料，則可將正確讀取之資料提供給主機控制器102。
若未正確讀取該資料(514)，則在520，可修改用來調整電壓臨限值之溫度演算法(例如，由不同演算法替換、調整界定溫度與電壓漂移之間的關係的係數)。藉由該所修改之演算法，可執行獲得該NVM之當前溫度(506)、調整該等電壓臨限值(508)、使用該等所調整之臨限值讀取該資料(510)及/或執行錯誤檢查操作(512)的另一反覆。此反覆程序可持續，直至在514正確讀取該所請求之資料(例如，在正確之臨限裕度內)為止及/或直至在518已達到臨限數目之反覆為止。對該等溫度演算法作出之此等反覆調整可允許該等溫度演算法動態地適應於該NVM中之改變(諸如，隨著時間流逝而發生的降級)。
若已達到臨限數目之反覆而尚未正確地識別該所儲存之資料值，則可在522報告及/記錄該錯誤。舉例而言，記憶體控制器114可記錄此錯誤作為相關聯於NVM 138a至138n之一或多個部分之後設資料126的一部分。在另一實例中，可回應於來自主機控制器102的對該資料之請求而將讀取錯誤提供給主機控制器102。
圖6為描繪用於基於溫度資訊而將資料寫入至一記憶體裝置之一實例程序600的流程圖。該程序600可由各種記憶 體裝置執行，諸如，上文關於圖1所描述之NVM封裝104及/或主機控制器102，及/或上文關於圖2所描述之記憶體裝置202。
在602，接收對將資料寫入至NVM的一請求。舉例而言，主機控制器102可經由主機通信通道110將寫入命令傳輸至NVM封裝104。
在604，獲得相關聯於將被寫入該所請求之資料的該NVM的溫度資訊。舉例而言，若記憶體控制器114判定在NVM 138a中存在足夠的可用儲存容量，則可獲得相關聯於NVM 138a之溫度資訊。舉例而言，可自溫度感測器144a及/或其他溫度感測器(如，NVM封裝104之溫度感測器146)接收溫度量測值。
在606，可判定是否基於該所獲得之溫度資訊來調整該所請求之寫入操作。可對該寫入操作作出各種調整。舉例而言，可基於該所獲得之溫度資訊來調整用來界定對應於資料值之電壓分佈的電壓臨限值。類似於上文關於圖5及步驟508所論述之調整，一或多個溫度演算法可用來判定對該等電壓臨限值作出之調整。
在另一實施例中，若該所獲得之溫度資訊高於臨限位準(或低於臨限位準)，則可將該資料冗餘地寫入至該NVM中之多個位置。舉例而言，若該NVM具有可潛在地導致該NVM之不準確程式化的高溫，則該資料可冗餘地寫入至該NVM之多個位置，以便改良可準確地對該等位置中之一或多個程式化的可能性。
在另一實例中，可基於所獲得之溫度而在SLC模式或MLC模式中寫入該資料。舉例而言，若該NVM之溫度高於MLC模式較不可靠之臨限位準，則可在SLC模式中寫入該資料。相比而言，若該NVM之溫度低於MLC程式化足夠可靠之臨限位準，則可在MLC模式中寫入該資料。
在另一實例中，可延遲該所請求之資料的程式化，直至將被寫入該資料的該NVM之溫度降低低於臨限位準及/或升高高於臨限位準為止。舉例而言，若該NVM之溫度過高以致於不可能正確地程式化資料，則可延遲該寫入操作，直至該溫度降低低於程式化準確性改良達可接受之程度的臨限位準為止。在另一實例中，可藉由調整諸如電流及/或時序的各種程式化參數而改變該所請求之資料的程式化。
在608，可使用該所調整之寫入操作而將該所請求之資料寫入至該NVM。在610，可儲存在程式化時的該NVM之溫度資訊。可稍後擷取此所儲存之溫度資訊且用於自所程式化之記憶體胞讀取資料，如上文關於圖5所描述。
本說明書中所描述之標的物及操作之實施例可實施於數位電子電路中，或電腦軟體、韌體或硬體(包括本說明書中所揭示之結構及其結構等效物)中，或其一或多者之組合中。本說明書中所描述之標的物之實施例可實施為編碼於電腦儲存媒體上以由資料處理設備執行或控制資料處理設備之操作的一或多個電腦程式(亦即，電腦程式指令之一或多個模組)。其他或另外，該等程式指令可編碼於人 工地產生之傳播信號(例如，機器產生之電信號、光學信號或電磁信號)上，其經產生以編碼用於傳輸至合適接收器設備以由資料處理設備執行的資訊。電腦儲存媒體可為以下各者或包括於以下各者中：電腦可讀儲存裝置、電腦可讀儲存基板、隨機或串列存取記憶體陣列或裝置，或其一或多者之組合。此外，雖然電腦儲存媒體並非傳播信號，但電腦儲存媒體可為編碼於人工地產生之傳播信號中的電腦程式指令之來源或目的地。電腦儲存媒體亦可為以下各者或包括於以下各者中：一或多個獨立實體組件或媒體(例如，多個CD、碟片或其他儲存裝置)。
本說明書中所描述之操作可實施為由資料儲存設備對儲存於一或多個電腦可讀儲存裝置上或自其他來源接收的資料執行的操作。
術語「資料處理設備」涵蓋用於處理資料的所有種類之設備、裝置及機器，例如，包括可程式化處理器、電腦、系統單晶片或前述各者的多個或組合。該設備可包括特殊用途邏輯電路，例如，FPGA(場可程式化閘陣列)或ASIC(特殊應用積體電路)。該設備除包括硬體外亦可包括產生用於所涉及之電腦程式之執行環境的程式碼，例如，構成處理器韌體、協定堆疊、資料庫管理系統、作業系統、跨平台執行階段環境、虛擬機，或其一或多者之組合的程式碼。該設備及該執行環境可實現各種不同計算模型基礎結構，諸如，網路服務、分散式計算基礎結構及網格式計算基礎結構。
電腦程式(亦稱為程式、軟體、軟體應用程式、指令碼或程式碼)可用任何形式之程式設計語言(包括編譯語言或解譯語言、宣告語言或程序性語言)來撰寫，且電腦程式可按照任何形式部署，包括部署為獨立程式或模組、組件、副常式、物件或適用於計算環境之其他單元。電腦程式可對應於檔案系統中之檔案，但無需如此。可將程式儲存於保持其他程式或資料(例如，儲存於標記語言文件中之一或多個指令碼)的檔案之部分中、儲存於專用於所涉及之程式之單一檔案中，或儲存於多個協調檔案(例如，儲存一或多個模組、子程式或程式碼之部分的檔案)中。電腦程式可經部署以在一個電腦上執行，或在位於一個地點或跨越多個地點而分散且由通信網路互連之多個電腦上執行。
本說明書中所描述之程序及邏輯流程可由一或多個可程式化處理器執行，該一或多個可程式化處理器執行一或多個電腦程式以藉由對輸入資料進行操作且產生輸出來執行動作。該等程序及邏輯流程亦可由以下各者執行且設備亦可實施為以下各者：特殊用途邏輯電路，例如，FPGA(場可程式化閘陣列)或ASIC(特殊應用積體電路)。
適於執行電腦程式之處理器包括(例如)：一般用途及特殊用途微處理器兩者，及任何種類之數位電腦之任何一或多個處理器。通常，處理器將自唯讀記憶體或隨機存取記憶體或唯讀記憶體及隨機存取記憶體兩者接收指令及資料。電腦之基本元件係用於根據指令執行動作之處理器及 用於儲存指令及資料之一或多個記憶體裝置。通常，電腦將亦包括用於儲存資料之一或多個大容量儲存裝置(例如，磁碟、磁光碟或光碟)，或電腦操作性地耦接以自該一或多個大容量儲存裝置接收資料或將資料傳送至該一或多個大容量儲存裝置，或接收及傳送資料。然而，電腦無需具有此等裝置。此外，電腦可嵌入於另一裝置中，例如，行動電話、個人數位助理(PDA)、行動音訊或視訊播放器、遊戲機、全球定位系統(GPS)接收器，或攜帶型儲存裝置(例如，通用串列匯流排(USB)隨身碟(flash drive))(僅舉幾例)。適合於儲存電腦程式指令及資料之裝置包括所有形式之非揮發性記憶體、媒體及記憶體裝置，包括(例如)：半導體記憶體裝置，例如，EPROM、EEPROM及快閃記憶體裝置；磁碟，例如，內部硬碟或可抽換式磁碟；磁光碟；及CD-ROM及DVD-ROM光碟。處理器及記憶體可由特殊用途邏輯電路補充或併入於特殊用途邏輯電路中。
類似地，雖然按特定次序在圖式中描繪了操作，但不應將此理解為需要按所展示之特定次序或按順序次序執行此等操作或執行所有所說明之操作來達成所要結果。在某些情況下，多任務及並行處理可為有利的。此外，不應將上述實施例中的各種系統組件之分離理解為在所有實施例中需要此分離，且應理解，所描述之程式組件及系統通常可在單一軟體產品中整合在一起或封裝至多個軟體產品內。
因此，已描述標的物之特定實施例。其他實施例在隨附 申請專利範圍之範疇內。此外，可使用用於使用溫度資訊來執行記憶體操作的其他機構。在一些情況下，申請專利範圍中所陳述之動作可按照不同次序執行且仍達成所要結果。另外，在隨附圖式中描繪之程序未必需要所展示之特定次序或順序次序來達成所要結果。在特定實施方案中，多任務及並行處理可為有利的。
100‧‧‧系統
102‧‧‧主機控制器
104‧‧‧NVM封裝
106‧‧‧溫度感測器
108‧‧‧環境溫度感測器
110‧‧‧主機通信通道
112‧‧‧主機介面
114‧‧‧記憶體控制器
116‧‧‧處理器及/或微處理器
118‧‧‧溫度感測器
120‧‧‧揮發性記憶體
122‧‧‧NVM
124‧‧‧指令
126‧‧‧後設資料
128‧‧‧溫度資訊
130‧‧‧溫度演算法
132‧‧‧記憶體溫度特性
134‧‧‧共用內部匯流排
136a‧‧‧記憶體晶粒
136n‧‧‧記憶體晶粒
138a‧‧‧NVM
138n‧‧‧NVM
140‧‧‧區塊
142‧‧‧頁面
144a‧‧‧溫度感測器
144n‧‧‧溫度感測器
146‧‧‧溫度感測器
148‧‧‧錯誤校正引擎
200‧‧‧系統
202‧‧‧記憶體裝置
204‧‧‧主機控制器
206‧‧‧NVM
208‧‧‧處理器
210‧‧‧揮發性記憶體
211‧‧‧溫度感測器
212a‧‧‧NVM封裝
212b‧‧‧NVM封裝
213‧‧‧環境溫度感測器
214‧‧‧外部裝置
216‧‧‧外部裝置介面
300‧‧‧數位資料值分佈
302‧‧‧電壓分佈曲線
304‧‧‧電壓分佈曲線
306‧‧‧灰色空間
308‧‧‧電壓分佈曲線
310‧‧‧電壓分佈曲線
312‧‧‧電壓漂移△V0
314‧‧‧電壓漂移△V1
316‧‧‧灰色空間'
318‧‧‧電壓
350‧‧‧數位資料值分佈
352‧‧‧電壓分佈曲線
354‧‧‧電壓分佈曲線
356‧‧‧電壓分佈曲線
358‧‧‧電壓分佈曲線
360‧‧‧電壓分佈曲線
362‧‧‧電壓分佈曲線
400‧‧‧曲線圖
402‧‧‧記憶體溫度特性
404‧‧‧記憶體溫度特性
406‧‧‧記憶體溫度特性
圖1為描繪一實例系統之圖式，該實例系統包括一主機控制器及經組態以使用溫度資訊來執行記憶體操作之一NVM封裝。
圖2為描繪一實例系統之圖式，該實例系統包括一經組態以使用溫度資訊來執行記憶體操作之一記憶體裝置。
圖3A至圖3B分別描繪在單位階記憶體胞及多位階記憶體胞模式中的記憶體胞之胞電壓與數位資料值之間的實例映射。
圖4為描繪實例記憶體溫度特性之曲線圖。
圖5為描繪用於基於溫度資訊而自一記憶體裝置讀取資料之一實例程序的流程圖。
圖6為描繪用於基於溫度資訊而將資料寫入至一記憶體裝置之一實例程序的流程圖。
各個圖式中之類似元件符號指示類似元件。
100‧‧‧系統
102‧‧‧主機控制器
104‧‧‧NVM封裝
106‧‧‧溫度感測器
108‧‧‧環境溫度感測器
110‧‧‧主機通信通道
112‧‧‧主機介面
114‧‧‧記憶體控制器
116‧‧‧處理器及/或微處理器
118‧‧‧溫度感測器
120‧‧‧揮發性記憶體
122‧‧‧NVM
124‧‧‧指令
126‧‧‧後設資料
128‧‧‧溫度資訊
130‧‧‧溫度演算法
132‧‧‧記憶體溫度特性
134‧‧‧共用內部匯流排
136a‧‧‧記憶體晶粒
136n‧‧‧記憶體晶粒
138a‧‧‧NVM
138n‧‧‧NVM
140‧‧‧區塊
142‧‧‧頁面
144a‧‧‧溫度感測器
144n‧‧‧溫度感測器
146‧‧‧溫度感測器
148‧‧‧錯誤校正引擎

Claims (1)

  1. 一種用於執行記憶體操作之方法，其包含：在一記憶體裝置處接收對自一或多個非揮發性記憶體胞讀取資料的一請求；擷取相關聯於該等非揮發性記憶體胞之所儲存之溫度資訊，其中該溫度資訊相關聯於大致在將該資料寫入至該等非揮發性記憶體胞時之一溫度；藉由該記憶體裝置而自該等非揮發性記憶體胞讀取該資料；基於至少該所擷取之溫度資訊而處理該所讀取之資料；及提供該所處理之資料。
TW101137009A 2011-03-02 2012-03-02 Using temperature sensors with a memory device TWI562146B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/038,860 US8472274B2 (en) 2011-03-02 2011-03-02 Using temperature sensors with a memory device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201306032A true TW201306032A (zh) 2013-02-01
TWI562146B TWI562146B (en) 2016-12-11

Family

ID=45851378

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101107038A TWI540575B (zh) 2011-03-02 2012-03-02 溫度感測器與記憶體裝置之使用
TW101137009A TWI562146B (en) 2011-03-02 2012-03-02 Using temperature sensors with a memory device

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101107038A TWI540575B (zh) 2011-03-02 2012-03-02 溫度感測器與記憶體裝置之使用

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8472274B2 (zh)
EP (1) EP2495728B1 (zh)
JP (1) JP2014509769A (zh)
KR (2) KR101394691B1 (zh)
CN (1) CN102682841B (zh)
HK (1) HK1175020A1 (zh)
TW (2) TWI540575B (zh)
WO (1) WO2012118732A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI493162B (zh) * 2014-09-12 2015-07-21 Jogtek Corp 無線溫度記錄器校正裝置及無線溫度記錄器校正系統
US9285278B2 (en) 2013-05-09 2016-03-15 Apple Inc. System and methods for thermal control using sensors on die
US9368226B2 (en) 2013-08-06 2016-06-14 Silicon Motion, Inc. Data storage device and method for restricting access thereof
US9513692B2 (en) 2013-09-18 2016-12-06 Intel Corporation Heterogenous memory access
TWI595492B (zh) * 2016-03-02 2017-08-11 群聯電子股份有限公司 資料傳輸方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置
TWI784408B (zh) * 2020-08-26 2022-11-21 日商鎧俠股份有限公司 半導體記憶裝置及半導體記憶裝置之動作方法

Families Citing this family (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8542537B2 (en) * 2011-04-29 2013-09-24 Spansion Llc Method and apparatus for temperature compensation for programming and erase distributions in a flash memory
KR101872297B1 (ko) * 2011-05-11 2018-07-02 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치
US8971123B2 (en) * 2012-01-13 2015-03-03 Sandisk Il Ltd Memory system temperature calibration
US8873323B2 (en) * 2012-08-16 2014-10-28 Transcend Information, Inc. Method of executing wear leveling in a flash memory device according to ambient temperature information and related flash memory device
US9355024B2 (en) * 2012-10-10 2016-05-31 Apple Inc. Systems and methods for nonvolatile memory performance throttling
JP2014098978A (ja) * 2012-11-13 2014-05-29 Sony Corp メモリ制御装置、メモリシステム、情報処理システムおよびメモリ制御方法
US9323499B2 (en) 2012-11-15 2016-04-26 Elwha Llc Random number generator functions in memory
US20140137119A1 (en) * 2012-11-15 2014-05-15 Elwha LLC, a limited liability corporation of the State of Delaware Multi-core processing in memory
US9442854B2 (en) 2012-11-15 2016-09-13 Elwha Llc Memory circuitry including computational circuitry for performing supplemental functions
US9582465B2 (en) 2012-11-15 2017-02-28 Elwha Llc Flexible processors and flexible memory
CN104346230B (zh) * 2013-07-29 2017-08-29 联想(北京)有限公司 一种存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片
US20150092488A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Yogesh Wakchaure Flash memory system endurance improvement using temperature based nand settings
US9535614B2 (en) * 2013-11-21 2017-01-03 Sandisk Technologies Llc Temperature based flash memory system maintenance
TWI517181B (zh) * 2013-12-20 2016-01-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料維護方法
US9959936B1 (en) * 2014-03-12 2018-05-01 Marvell International Ltd. Temperature-based memory access
US20150279472A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Intel Corporation Temperature compensation via modulation of bit line voltage during sensing
US9330790B2 (en) * 2014-04-25 2016-05-03 Seagate Technology Llc Temperature tracking to manage threshold voltages in a memory
KR102210964B1 (ko) * 2014-05-13 2021-02-03 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법, 그리고 스토리지 장치를 액세스하는 액세스 방법
US9652415B2 (en) 2014-07-09 2017-05-16 Sandisk Technologies Llc Atomic non-volatile memory data transfer
US9904621B2 (en) 2014-07-15 2018-02-27 Sandisk Technologies Llc Methods and systems for flash buffer sizing
US9645744B2 (en) 2014-07-22 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc Suspending and resuming non-volatile memory operations
US20160062656A1 (en) * 2014-08-28 2016-03-03 Freescale Semiconductor, Inc. Command Set Extension for Non-Volatile Memory
US9275741B1 (en) 2014-09-10 2016-03-01 Western Digital Technologies, Inc. Temperature compensation management in solid-state memory
US10078546B2 (en) * 2014-10-24 2018-09-18 Micron Technology, Inc. Temperature related error management
US9952978B2 (en) 2014-10-27 2018-04-24 Sandisk Technologies, Llc Method for improving mixed random performance in low queue depth workloads
US9753649B2 (en) 2014-10-27 2017-09-05 Sandisk Technologies Llc Tracking intermix of writes and un-map commands across power cycles
US9824007B2 (en) 2014-11-21 2017-11-21 Sandisk Technologies Llc Data integrity enhancement to protect against returning old versions of data
US9817752B2 (en) 2014-11-21 2017-11-14 Sandisk Technologies Llc Data integrity enhancement to protect against returning old versions of data
US9489146B2 (en) * 2014-12-09 2016-11-08 Sandisk Technologies Llc Memory system and method for selecting memory dies to perform memory access operations in based on memory die temperatures
KR102282947B1 (ko) * 2014-12-15 2021-07-30 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
US9644831B2 (en) * 2015-01-15 2017-05-09 Heraeus Noblelight America Llc Intelligent manifold assemblies for a light source, light sources including intelligent manifold assemblies, and methods of operating the same
KR102349422B1 (ko) 2015-01-28 2022-01-10 삼성전자 주식회사 메모리 컨트롤러의 동작 방법 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 반도체 저장장치
US9786356B2 (en) * 2015-01-30 2017-10-10 Qualcomm Incorporated Memory device with adaptive voltage scaling based on error information
US9653156B2 (en) * 2015-02-20 2017-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory controller, nonvolatile semiconductor memory device and memory system
US9647697B2 (en) 2015-03-16 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc Method and system for determining soft information offsets
KR102339779B1 (ko) 2015-04-06 2021-12-15 삼성전자주식회사 데이터 저장 장치, 이를 포함하는 데이터 처리 시스템, 및 상기 시스템의 작동 방법
US9652175B2 (en) 2015-04-09 2017-05-16 Sandisk Technologies Llc Locally generating and storing RAID stripe parity with single relative memory address for storing data segments and parity in multiple non-volatile memory portions
US9864545B2 (en) 2015-04-14 2018-01-09 Sandisk Technologies Llc Open erase block read automation
US10372529B2 (en) 2015-04-20 2019-08-06 Sandisk Technologies Llc Iterative soft information correction and decoding
US9778878B2 (en) 2015-04-22 2017-10-03 Sandisk Technologies Llc Method and system for limiting write command execution
US9870149B2 (en) 2015-07-08 2018-01-16 Sandisk Technologies Llc Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values
JP2017027541A (ja) * 2015-07-28 2017-02-02 株式会社東芝 半導体装置及び電子機器
JP2017027540A (ja) * 2015-07-28 2017-02-02 株式会社東芝 半導体装置及び電子機器
US9639128B2 (en) * 2015-08-04 2017-05-02 Qualcomm Incorporated System and method for thermoelectric memory temperature control
US9715939B2 (en) 2015-08-10 2017-07-25 Sandisk Technologies Llc Low read data storage management
US20170053714A1 (en) * 2015-08-19 2017-02-23 Micron Technology, Inc. Read voltage offset
US9983922B2 (en) 2015-09-28 2018-05-29 Western Digital Technologies, Inc. Memory die temperature adjustment based on aging condition
US9880752B2 (en) 2015-09-28 2018-01-30 Western Digital Technologies, Inc. Memory die temperature adjustment based on a power condition
US9875062B2 (en) 2015-09-28 2018-01-23 Western Digital Technologies, Inc. Memory die temperature adjustment based on aging condition
US9857999B2 (en) * 2015-11-09 2018-01-02 Western Digital Technologies, Inc. Data retention charge loss sensor
US10228990B2 (en) 2015-11-12 2019-03-12 Sandisk Technologies Llc Variable-term error metrics adjustment
US10126970B2 (en) 2015-12-11 2018-11-13 Sandisk Technologies Llc Paired metablocks in non-volatile storage device
US9837146B2 (en) * 2016-01-08 2017-12-05 Sandisk Technologies Llc Memory system temperature management
KR102528558B1 (ko) 2016-01-15 2023-05-04 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 호스트, 스토리지 시스템, 스토리지 장치의 전원 전압 수신 방법, 및 스토리지 시스템의 전원 전압 제공 방법
US10732856B2 (en) 2016-03-03 2020-08-04 Sandisk Technologies Llc Erase health metric to rank memory portions
US9996281B2 (en) 2016-03-04 2018-06-12 Western Digital Technologies, Inc. Temperature variation compensation
US10446242B2 (en) 2016-05-27 2019-10-15 Western Digital Technologies, Inc. Temperature variation compensation
US10564900B2 (en) 2016-03-04 2020-02-18 Western Digital Technologies, Inc. Temperature variation compensation
CN107179877B (zh) * 2016-03-09 2019-12-24 群联电子股份有限公司 数据传输方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置
US10019158B2 (en) 2016-03-15 2018-07-10 Toshiba Memory Corporation Determination of a read voltage to be applied to a page based on read voltages of other pages
US10115458B2 (en) * 2016-03-30 2018-10-30 Toshiba Memory Corporation Perform read or write on a non-volatile memory having a pending read or write based on temperature thereof
KR102647418B1 (ko) 2016-06-23 2024-03-13 에스케이하이닉스 주식회사 반도체장치 및 반도체시스템
US10481830B2 (en) 2016-07-25 2019-11-19 Sandisk Technologies Llc Selectively throttling host reads for read disturbs in non-volatile memory system
US10007311B2 (en) * 2016-08-15 2018-06-26 Sandisk Technologies Llc Adaptive temperature and memory parameter throttling
US10373656B2 (en) * 2016-09-26 2019-08-06 Toshiba Memory Corporation Memory system that carries out temperature-based access to a memory chip
US9811267B1 (en) 2016-10-14 2017-11-07 Sandisk Technologies Llc Non-volatile memory with intelligent temperature sensing and local throttling
US9971530B1 (en) * 2016-11-09 2018-05-15 Sandisk Technologies Llc Storage system and method for temperature throttling for block reading
CN108109660A (zh) * 2016-11-24 2018-06-01 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储单元的读取方法及装置
KR20180064617A (ko) 2016-12-05 2018-06-15 삼성전자주식회사 메모리의 온도에 따라 상이하게 동작하는 스토리지 장치
US10304559B2 (en) 2016-12-30 2019-05-28 Western Digital Technologies, Inc. Memory write verification using temperature compensation
US11069418B1 (en) 2016-12-30 2021-07-20 EMC IP Holding Company LLC Method and system for offline program/erase count estimation
US10255000B2 (en) * 2017-01-18 2019-04-09 Western Digital Technologies, Inc. Delayed data release after programming to reduce read errors in memory
JP6779816B2 (ja) 2017-03-21 2020-11-04 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP6779822B2 (ja) * 2017-03-24 2020-11-04 キオクシア株式会社 メモリシステム
US11016545B2 (en) * 2017-03-29 2021-05-25 Western Digital Technologies, Inc. Thermal throttling for memory devices
US10403366B1 (en) * 2017-04-28 2019-09-03 EMC IP Holding Company LLC Method and system for adapting solid state memory write parameters to satisfy performance goals based on degree of read errors
KR20180130872A (ko) * 2017-05-30 2018-12-10 에스케이하이닉스 주식회사 저장 장치 및 그 동작 방법
US10013194B1 (en) * 2017-06-02 2018-07-03 Western Digital Technologies, Inc. Handling thermal shutdown for memory devices
US20190050153A1 (en) * 2017-08-08 2019-02-14 Western Digital Technologies, Inc. Routing data blocks during thermal throttling
US10354732B2 (en) * 2017-08-30 2019-07-16 Micron Technology, Inc. NAND temperature data management
US10522229B2 (en) 2017-08-30 2019-12-31 Micron Technology, Inc. Secure erase for data corruption
US10545685B2 (en) 2017-08-30 2020-01-28 Micron Technology, Inc. SLC cache management
US10572388B2 (en) 2017-08-30 2020-02-25 Micron Technology, Inc. Managed NVM adaptive cache management
US10579288B2 (en) 2017-08-31 2020-03-03 Micron Technology, Inc. Prioritized security
US10096380B1 (en) 2017-08-31 2018-10-09 Micron Technology, Inc. Erase page check
US10360947B2 (en) * 2017-08-31 2019-07-23 Micron Technology, Inc. NAND cell encoding to improve data integrity
JP2019057194A (ja) 2017-09-22 2019-04-11 東芝メモリ株式会社 メモリシステム、及び不揮発性メモリの制御方法
KR20190036893A (ko) 2017-09-28 2019-04-05 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 그것의 제어 방법
US10802457B2 (en) 2017-10-23 2020-10-13 Schneider Electric USA, Inc. Centralized motor thermal memory management
KR102447602B1 (ko) 2017-10-25 2022-09-26 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 그 동적 가비지 컬렉션 방법
US10908832B2 (en) 2017-10-31 2021-02-02 Micron Technology, Inc. Common pool management
US10331377B2 (en) * 2017-11-01 2019-06-25 Micron Technology, Inc. NAND flash thermal alerting
US10521146B1 (en) 2017-11-09 2019-12-31 Micron Technology, Inc. UFS based idle time garbage collection management
KR20190064033A (ko) * 2017-11-30 2019-06-10 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 컨트롤러, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
CN108052414B (zh) * 2017-12-28 2021-09-17 湖南国科微电子股份有限公司 一种提升ssd工作温度范围的方法及系统
US10339983B1 (en) * 2017-12-29 2019-07-02 Micron Technology, Inc. Temperature-based memory operations
US10963340B2 (en) * 2018-01-24 2021-03-30 Micron Technology, Inc. Storing critical data at a memory system
JP2019164858A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 東芝メモリ株式会社 メモリシステム
TWI659311B (zh) * 2018-05-14 2019-05-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存系統以及非揮發式記憶體操作方法
US10636488B2 (en) * 2018-06-05 2020-04-28 Western Digital Technologies, Inc. Multi-sensing scan for cross-temperature mitigation
TWI686691B (zh) 2018-08-16 2020-03-01 緯穎科技服務股份有限公司 電子裝置及被動元件
KR102653147B1 (ko) * 2018-08-21 2024-04-02 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치, 반도체 메모리 모듈 및 불휘발성 메모리를 액세스하는 방법
JP7091203B2 (ja) * 2018-09-19 2022-06-27 キオクシア株式会社 メモリシステムおよび制御方法
JP7055084B2 (ja) * 2018-09-20 2022-04-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の制御方法
US10852953B2 (en) * 2018-10-25 2020-12-01 Micron Technology, Inc. Dynamic temperature compensation in a memory component
US11341048B2 (en) 2018-10-29 2022-05-24 Micron Technology, Inc. SLC cache allocation
JP2020077443A (ja) 2018-11-05 2020-05-21 キオクシア株式会社 メモリシステム
US11321008B2 (en) * 2018-11-15 2022-05-03 Micron Technology, Inc. Temperature-based memory management
CN109582248B (zh) * 2018-12-14 2022-02-22 深圳市硅格半导体有限公司 闪存数据的写入方法、装置及计算机可读存储介质
TWI797408B (zh) 2018-12-28 2023-04-01 美商美光科技公司 具有改善之跨溫度可靠度與讀取性能之記憶體
EP3903312A4 (en) * 2018-12-28 2022-08-24 Micron Technology, Inc. MEMORY WITH ENHANCED TEMPERATURE RELIABILITY AND CROSS READ PERFORMANCE
CN111415692B (zh) * 2019-01-04 2022-03-15 群联电子股份有限公司 解码方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置
KR20200095903A (ko) * 2019-02-01 2020-08-11 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 그것의 동작방법
US11150844B2 (en) 2019-02-21 2021-10-19 Micron Technology, Inc. Reflow endurance improvements in triple-level cell NAND flash
US11042208B2 (en) 2019-03-08 2021-06-22 Micron Technology, Inc. Thermal leveling
JP2020155167A (ja) 2019-03-19 2020-09-24 キオクシア株式会社 不揮発性メモリ
CN109992525A (zh) * 2019-04-01 2019-07-09 合肥沛睿微电子股份有限公司 快闪存储器控制器
US11017864B2 (en) * 2019-06-26 2021-05-25 Seagate Technology Llc Preemptive mitigation of cross-temperature effects in a non-volatile memory (NVM)
US10956064B2 (en) 2019-06-28 2021-03-23 Seagate Technology Llc Adjusting code rates to mitigate cross-temperature effects in a non-volatile memory (NVM)
US11416048B2 (en) * 2019-07-22 2022-08-16 Micron Technology, Inc. Using a thermoelectric component to improve memory sub-system performance
US11017850B2 (en) 2019-08-22 2021-05-25 Seagate Technology Llc Master set of read voltages for a non-volatile memory (NVM) to mitigate cross-temperature effects
JP7381269B2 (ja) 2019-09-20 2023-11-15 キオクシア株式会社 ストレージコントローラ、ストレージ装置及びストレージ装置の制御方法
US11435811B2 (en) * 2019-12-09 2022-09-06 Micron Technology, Inc. Memory device sensors
US11036413B1 (en) 2019-12-17 2021-06-15 Micron Technology, Inc. Memory sub-system temperature regulation
JP2021111427A (ja) * 2020-01-15 2021-08-02 キオクシア株式会社 記憶装置及びその制御方法
US11243711B2 (en) 2020-02-05 2022-02-08 Micron Technology, Inc. Controlling firmware storage density based on temperature detection
US11144452B2 (en) 2020-02-05 2021-10-12 Micron Technology, Inc. Temperature-based data storage processing
US11385984B2 (en) * 2020-02-24 2022-07-12 Western Digital Technologies, Inc. Variable read scan for solid-state storage device quality of service
US11188244B2 (en) * 2020-04-14 2021-11-30 Micron Technology, Inc. Adjusting trim settings to improve memory performance or reliability
US11467729B2 (en) 2020-06-29 2022-10-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Allocating memory and redirecting memory writes in a cloud computing system based on temperature of memory modules
US11886313B2 (en) * 2020-09-21 2024-01-30 Innogrit Technologies Co., Ltd. Temperature assisted NAND flash management
US11892928B2 (en) 2020-12-28 2024-02-06 Western Digital Technologies, Inc. Delayed thermal throttling and associated data routing techniques
US11681469B2 (en) * 2021-02-22 2023-06-20 Micron Technology, Inc. Storing and recovering critical data in a memory device
US11705203B2 (en) 2021-06-18 2023-07-18 Sandisk Technologies Llc Digital temperature compensation filtering
TWI780810B (zh) * 2021-07-08 2022-10-11 力晶積成電子製造股份有限公司 非揮發性記憶體裝置及其讀取驗證電壓的決定方法
CN113656216A (zh) * 2021-07-21 2021-11-16 深圳市宏旺微电子有限公司 一种闪存稳定性运行的方法及装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08339693A (ja) * 1995-06-15 1996-12-24 Nippondenso Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置
JP3549712B2 (ja) * 1997-07-01 2004-08-04 株式会社日立製作所 自動車用制御装置のメモリ書込み方法及び自動車用制御装置
JPH11297084A (ja) * 1998-04-08 1999-10-29 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2001006374A (ja) * 1999-06-17 2001-01-12 Hitachi Ltd 半導体記憶装置及びシステム
JP2002367382A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路書き換えシステム
US6791865B2 (en) 2002-09-03 2004-09-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory device capable of calibration and calibration methods therefor
US7129560B2 (en) 2003-03-31 2006-10-31 International Business Machines Corporation Thermal memory cell and memory device including the thermal memory cell
US20050041453A1 (en) 2003-08-22 2005-02-24 Brazis Paul W. Method and apparatus for reading and writing to solid-state memory
US7340366B2 (en) 2004-03-04 2008-03-04 Atmel Corporation Method and apparatus of temperature compensation for integrated circuit chip using on-chip sensor and computation means
US7957189B2 (en) 2004-07-26 2011-06-07 Sandisk Il Ltd. Drift compensation in a flash memory
US7260007B2 (en) * 2005-03-30 2007-08-21 Intel Corporation Temperature determination and communication for multiple devices of a memory module
US7184313B2 (en) 2005-06-17 2007-02-27 Saifun Semiconductors Ltd. Method circuit and system for compensating for temperature induced margin loss in non-volatile memory cells
US7954037B2 (en) * 2005-10-25 2011-05-31 Sandisk Il Ltd Method for recovering from errors in flash memory
JP4660353B2 (ja) * 2005-11-01 2011-03-30 株式会社東芝 記憶媒体再生装置
DE102005058438B4 (de) 2005-12-07 2008-09-11 Qimonda Ag Integrierter Halbleiterspeicher mit Ermittelung einer Chiptemperatur
US7702935B2 (en) 2006-01-25 2010-04-20 Apple Inc. Reporting flash memory operating voltages
JP4726696B2 (ja) * 2006-05-18 2011-07-20 ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 携帯電話端末及びデータ書き込み方法
US7342831B2 (en) 2006-06-16 2008-03-11 Sandisk Corporation System for operating non-volatile memory using temperature compensation of voltages of unselected word lines and select gates
JP2008123330A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2008196531A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Hitachi Ltd 自動変速機用制御装置の動作制御装置
US7743203B2 (en) 2007-05-11 2010-06-22 Spansion Llc Managing flash memory based upon usage history
US7773413B2 (en) 2007-10-08 2010-08-10 Anobit Technologies Ltd. Reliable data storage in analog memory cells in the presence of temperature variations
US7755946B2 (en) 2008-09-19 2010-07-13 Sandisk Corporation Data state-based temperature compensation during sensing in non-volatile memory
WO2010076826A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-08 Emanuele Confalonieri Temperature alert and low rate refresh for a non-volatile memory
JP2010198252A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Nec Corp 不揮発メモリ装置、不揮発メモリの書込み方法、及び不揮発メモリ書込みプログラム
US8213255B2 (en) 2010-02-19 2012-07-03 Sandisk Technologies Inc. Non-volatile storage with temperature compensation based on neighbor state information
US8248856B2 (en) * 2010-10-20 2012-08-21 Seagate Technology Llc Predictive read channel configuration
KR20120045197A (ko) 2010-10-29 2012-05-09 에스케이하이닉스 주식회사 온도에 의존하는 저장 매체를 포함하는 메모리 장치 및 그 구동방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9285278B2 (en) 2013-05-09 2016-03-15 Apple Inc. System and methods for thermal control using sensors on die
US9368226B2 (en) 2013-08-06 2016-06-14 Silicon Motion, Inc. Data storage device and method for restricting access thereof
US9513692B2 (en) 2013-09-18 2016-12-06 Intel Corporation Heterogenous memory access
TWI493162B (zh) * 2014-09-12 2015-07-21 Jogtek Corp 無線溫度記錄器校正裝置及無線溫度記錄器校正系統
TWI595492B (zh) * 2016-03-02 2017-08-11 群聯電子股份有限公司 資料傳輸方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置
US9875027B2 (en) 2016-03-02 2018-01-23 Phison Electronics Corp. Data transmitting method, memory control circuit unit and memory storage device
TWI784408B (zh) * 2020-08-26 2022-11-21 日商鎧俠股份有限公司 半導體記憶裝置及半導體記憶裝置之動作方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2495728A1 (en) 2012-09-05
US8472274B2 (en) 2013-06-25
CN102682841A (zh) 2012-09-19
KR20120100826A (ko) 2012-09-12
TW201303871A (zh) 2013-01-16
TWI562146B (en) 2016-12-11
KR20120100844A (ko) 2012-09-12
JP2014509769A (ja) 2014-04-21
KR101394691B1 (ko) 2014-05-14
TWI540575B (zh) 2016-07-01
HK1175020A1 (zh) 2013-06-21
US20120224425A1 (en) 2012-09-06
CN102682841B (zh) 2017-03-01
EP2495728B1 (en) 2016-04-27
WO2012118732A1 (en) 2012-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI540575B (zh) 溫度感測器與記憶體裝置之使用
US10210943B2 (en) End of life prediction based on memory wear
US9927986B2 (en) Data storage device with temperature sensor and temperature calibration circuitry and method of operating same
US10133506B2 (en) Systems and methods for managing non-volatile memory based on temperature
US20130145079A1 (en) Memory system and related wear-leveling method
WO2014058563A1 (en) Systems and methods for nonvolatile memory performance throttling
TW201405562A (zh) 用於快閃記憶體通道之快速追蹤
TW201732597A (zh) 資料儲存裝置和其操作方法
US10628082B2 (en) Data reading method and storage controller
JP2008090778A (ja) 不揮発性メモリ用メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、不揮発性メモリのメモリ制御方法
US11921629B1 (en) Method and device for data storage
TWI614756B (zh) 讀取電壓追蹤方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
WO2016105649A1 (en) Measuring memory wear and data retention individually based on cell voltage distributions
US20230141749A1 (en) Failure prediction method and device for a storage device
US11954020B2 (en) Memory adaptive temperature controlling method, storage device and control circuit unit
US20240160511A1 (en) Failure prediction apparatus and method for storage devices
US20230244402A1 (en) Storage device and operating method of storage device

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees