CN104346230B - 一种存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片，在存储芯片内设置有相互独立的第一存储块和第二存储块，第一存储块为只读模式，第二存储块用于存储用户数据，该方法包括：检测第一存储块内的误码率，并根据误码率计算第一存储块的数据保留时间；判断第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；如果是，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与数据保留时间相对应的门限电压值；根据查找到的门限电压值调节第二存储块读取数据时的门限电压。该方法实现了在超过标准擦写次数后，用户仍然可以从存储芯片内读取到符合纠错码ECC要求的数据，延长了存储芯片的使用寿命。

Description

一种存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片

技术领域

本申请涉及数据存储技术领域，特别是涉及一种存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片。

背景技术

TLC（Triple-Level Cell，三阶储存单元）可以在每个储存单元内储存3个信息比特，并且由于其储存容量变大，成本低廉许多，广泛用于低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

通过对现有技术研究，申请人发现：TLC在一次编程以后，会随着时间流逝发生数据保留（data retention），即会出现存储电荷泄露造成电压漂移，从而导致BER（Bit ErroRate，误码率）上升。这个特性成为影响TLC寿命的重要原因，举例来说，TLC的标称P/Ecycle即擦写次数为500次，那么小于这个阈值的话其放置一年后由于数据保留造成的BER可以在ECC（Error Correction Code，纠错码）的校验范围内，而大于这个阈值就则会超出ECC的校验范围，从而限制了TLC的使用寿命。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片，以实现提高存储芯片的使用寿命。

为了实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下：

一种存储芯片门限电压调节方法，在存储芯片内设置有相互独立的第一存储块和第二存储块，所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据，该方法包括：

检测所述第一存储块内的误码率，并根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；

判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；

如果是，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；

根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。

优选地，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：

判断所述误码率是否小于等于预设阈值，所述预设阈值小于所述第一存储块的最大误码率；

如果是，在预先设置的误码率和数据保留时间的关系表中查找与所述误码率相对应的数据保留时间。

优选地，其特征在于，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：

判断所述误码率是否大于等于所述最大误码率；

如果是，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述误码率最大值；

记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；

在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

优选地，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：

判断所述误码率是否位于所述预设阈值与所述最大误码率之间；

如果是，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述预设阈值；

记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；

在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

优选地，所述预设方式包括：

按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小。

一种存储芯片门限电压调节装置，在存储芯片内设置有相互独立的第一存储块和第二存储块，所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据，该装置包括：

误码率检测单元，用于检测所述第一存储块内的误码率；

数据保留时间计算单元，用于根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；

擦写次数判断单元，用于判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；

门限电压查找单元，用于当所述擦写次数判断单元的判断结果为是时，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；

第二存储块门限电压调节单元，用于根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。

优选地，所述数据保留时间计算单元包括：

第一误码率判断单元，用于判断所述误码率是否小于等于预设阈值，所述预设阈值小于所述第一存储块的最大误码率；

查找单元，用于当所述第一误码率判断单元的判断结果为是时，在预先设置的误码率和数据保留时间的关系表中查找与所述误码率相对应的数据保留时间。

优选地，所述数据保留时间计算单元还包括：

第二误码率判断单元，用于判断所述误码率是否大于等于所述最大误码率；

第一门限调节单元，用于当所述第二误码率判断单元的判断结果为是时，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述误码率最大值，所述预设方式包括：按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小；

记录单元，用于记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；

所述查找单元在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

优选地，所述数据保留时间计算单元还包括：

第三误码率判断单元，用于判断所述误码率是否位于所述预设阈值与所述最大误码率之间；

第二门限电压调节单元，用于当所述第三误码率判断单元的判断结果为是时，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述预设阈值，所述预设方式包括：按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小；

所述记录单元记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；

所述查找单元在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

优选地，进一步包括：与所述查找单元相连接的关系表存储单元，用于存储数据保留时间和门限电压值关系表、误码率和数据保留时间的关系表、门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中的一个或多个。

一种存储芯片，所述存储芯片包括：第一存储块、第二存储块和存储芯片门限电压调节装置，其中，

所述第一存储块和第二存储块相互独立，并且所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据；

所述存储芯片门限电压调节装置包括：

误码率检测单元，用于检测所述第一存储块内的误码率；

数据保留时间计算单元，用于根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；

擦写次数判断单元，用于判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；

门限电压查找单元，用于当所述擦写次数判断单元的判断结果为是时，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；

第二存储块门限电压调节单元，用于根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。

由以上技术方案可见，本申请实施例提供的该存储芯片门限电压调节方法、装置以及存储芯片，通过检测第一存储块内的误码率，就可以计算出第一存储块的数据保留时间，进而利用该数据保留时间，对超过擦写次数的第二存储块读取数据时的门限电压进行调节，以使得第二存储块的误码率位于纠错码ECC的校验范围内，实现了在超过标准擦写次数后，用户仍然可以从存储芯片内读取到符合纠错码ECC要求的数据，延长了存储芯片的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种存储芯片门限电压调节方法的流程示意图；

图2为本申请实施例提供的另一种存储芯片门限电压调节方法的流程示意图；

图3为本申请实施例提供的又一种存储芯片门限电压调节方法的流程示意图；

图4为本申请实施例提供的又一种存储芯片门限电压调节方法的流程示意图；

图5为本申请实施例提供的一种存储芯片门限电压调节装置的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的数据保留时间计算单元的一种结构示意图；

图7为本申请实施例提供的数据保留时间计算单元的另一种结构示意图；

图8为本申请实施例提供的数据保留时间计算单元的又一种结构示意图；

图9为本申请实施例提供的一种存储芯片的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

在本申请实施例中，存储芯片以TLC为例进行说明，通常，TLC在一次编程以后，会随着时间流逝发生数据保留（data retention），即会出现存储电荷泄露造成电压漂移，导致BER（Bit Erro Rate，误码率）上升，进而导致TLC寿命较短。而申请人通过实验研究发现，在进行数据读取时，调节门限电压，即存储块的电荷解码时的比较电压，可以将超过擦写次数存储块由于数据保留时间而带来的误码率降低到纠错码范围内，进而可以延长TLC的寿命。但由于通常存储块中不配置有电源，所以当掉电后就无法获知数据保留时间。

本申请中，将存储芯片分成相互独立的两部分：第一存储块和第二存储块，其中：第一存储块设置为只读模式，即只能在初始化时存储数据，而第二存储块用于存储用户数据，即用户只能在第二存储块内读写数据。通过上述设计，仅需对第一存储块内数据的误码率判断就可以确定第一存储块的数据保留时间，使得第一存储块作为一个参考标尺。

下面结合详细实施例对本申请提供的技术方案进行详细说明。

实施例一：

图1为本申请实施例提供的一种存储芯片门限电压调节方法的流程示意图。

如图1所示，该方法可以包括以下步骤：

S101：检测所述第一存储块内的误码率。

S102：根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间。

S103：判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数。

当判断结果为是时，进行S104。

S104：在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值。

S105：根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。

从上述方案可见，本申请实施例提供的该存储芯片门限电压调节方法，通过检测第一存储块内的误码率，就可以计算出第一存储块的数据保留时间，进而利用该数据保留时间，对超过擦写次数的第二存储块读取数据时的门限电压进行调节，以使得第二存储块的误码率位于纠错码ECC的校验范围内，实现了在超过标准擦写次数后，用户仍然可以从存储芯片内读取到符合纠错码ECC要求的数据，延长了存储芯片的使用寿命。

实施例二：

图2为本申请实施例提供的另一种存储芯片门限电压调节方法的流程示意图。

如图2所示，该方法可以包括以下步骤：

S201：检测所述第一存储块内的误码率。

在前一个实施例中，已经描述到第一存储块为只读模式，其内的数据进为初始化时存储的数据。

所以，当存储芯片开机后，首先读取第一存储块内的存储的数据，将读取到的数据与第一存储块初始存储的数据进行比较，即可检测到第一存储块内的误码率。

S202：判断所述误码率是否小于等于预设阈值。

这里对于存储块而言，超过其最大误码率即认为数据无法识别，但在实际应用中，通常为存储块设置一个安全的预设阈值，并且该预设阈值通常小于最大误码率，这样就可以避免误码率接近最大误码率。

当检测到的误码率小于等于预设阈值时，进行S203。

S203：在预先设置的误码率和数据保留时间的关系表中查找与所述误码率相对应的数据保留时间。

在本申请实施例中，可以事先通过多次实验的方式，多次记录误码率和与之对应的数据保留时间，进而得到误码率和数据保留时间的对应关系表。

这样，当检测得到误码率后，可以通过查表的方式查找到与之对应的数据保留时间。该数据保留时间是第一存储块断电后的数据保留时间，另外，由于第一存储块和第二存储块均位于存储芯片内，所以两者基本上同时通电，且同时断电，即在第一存储块断电后的数据保留时间与第二存储块断电后的数据保留时间大致相同。

S204：判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数。

当判断结果为是时，进行S205。

S205：在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值。

前已述及，在进行数据读取时，调节门限电压，即存储块的电荷解码时的比较电压，可以将超过擦写次数存储块由于数据保留时间而带来的误码率降低到纠错码范围内，进而可以延长存储芯片的寿命。

在本申请实施例中，可以事先通过多次实验的方式，预先记录得到数据保留时间和门限电压值的关系表。

S206：根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。

将第二存储块读取数据的门限电压调节到查找到的门限电压值，这样就使得第二存储块的误码率降低，以满足ECC的要求。

实施例三：

图3为本申请实施例提供的又一种存储芯片门限电压调节方法的流程示意图。

如图3所示，该方法可以包括以下步骤：

S301：检测所述第一存储块内的误码率。

在前一个实施例中，已经描述到第一存储块为只读模式，其内的数据进为初始化时存储的数据。

所以，当存储芯片开机后，首先读取第一存储块内的存储的数据，将读取到的数据与第一存储块初始存储的数据进行比较，即可检测到第一存储块内的误码率。

S302：判断所述误码率是否大于等于最大误码率。

这里对于存储块而言，超过其最大误码率即认为数据无法识别，但在实际应用中，通常为存储块设置一个安全的预设阈值，并且该预设阈值通常小于最大误码率，这样就可以避免误码率接近最大误码率。

而如果存储块的数据保留时间较长时，会出现误码率超过最大误码率的情况。所以，在本申请实施例中，需要将误码率与最大误码率进行比较。

当检测到的误码率大于等于最大误码率时，进行S303。

S303：按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压。

为了获知第一存储块的数据保留时间，需要将第一存储块的误码率降低到最大误码率范围内，所以需要对第一存储块的门限电压进行调节。

在本申请实施例中，预设方式可以为按照固定的幅度将第一存储块的门限电压调小，即将第一存储块的门限电压以不同档位的方式，向下调节。

另外，当调节第一存储块的门限电压后，需要返回到步骤S302，并且直至所述误码率小于所述误码率最大值后，进行步骤S304：

S304：记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率。

S305：在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

同样，门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表可以事先通过多次实验的方式获取。

S306：判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数。

当判断结果为是时，进行S307。

S307：在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值。

前已述及，在进行数据读取时，调节门限电压，即存储块的电荷解码时的比较电压，可以将超过擦写次数存储块由于数据保留时间而带来的误码率降低到纠错码范围内，进而可以延长存储芯片的寿命。

在本申请实施例中，可以事先通过多次实验的方式，预先记录得到数据保留时间和门限电压值的关系表。

S308：根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。

将第二存储块读取数据的门限电压调节到查找到的门限电压值，这样就使得第二存储块的误码率降低，以满足ECC的要求。

实施例四：

在上一实施例中，当误码率大于等于最大误码率时，通过调节第一存储块的门限电压以使得第一存储块的误码率降低到最大误码率范围内，而对于要求较高的存储块，误码率需要要求降低到预设阈值内，所以当判断误码率小于最大误码率或者将误码率降低到最大误码率范围内之后，还需要进一步将误码率降低到预设阈值范围内。

为此，如图4所示，为本申请实施例提供的又一种存储芯片门限电压调节方法的流程示意图。

图中，该方法可以包括以下步骤：

S401：检测所述第一存储块内的误码率。

S402：判断所述误码率是否位于预设阈值与最大误码率之间。

当检测到的误码率位于预设阈值与最大误码率之间时，进行S403。

S403：按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压。

为了获知第一存储块的数据保留时间，需要将第一存储块的误码率降低到最大误码率范围内，所以需要对第一存储块的门限电压进行调节。

在本申请实施例中，预设方式可以为按照固定的幅度将第一存储块的门限电压调小，即将第一存储块的门限电压以不同档位的方式，向下调节。

另外，当调节第一存储块的门限电压后，需要返回到步骤S402，并且直至所述误码率小于所述预设阈值后，进行步骤S404：

S404：记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率。

S405：在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

同样，门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表可以事先通过多次实验的方式获取。

S406：判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数。

当判断结果为是时，进行S407。

S407：在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值。

前已述及，在进行数据读取时，调节门限电压，即存储块的电荷解码时的比较电压，可以将超过擦写次数存储块由于数据保留时间而带来的误码率降低到纠错码范围内，进而可以延长存储芯片的寿命。

在本申请实施例中，可以事先通过多次实验的方式，预先记录得到数据保留时间和门限电压值的关系表。

S408：根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。

将第二存储块读取数据的门限电压调节到查找到的门限电压值，这样就使得第二存储块的误码率降低，以满足ECC的要求。

实施例五：

图5为本申请实施例提供的一种存储芯片门限电压调节装置的结构示意图。

如图5所示，图中，10为第一存储块，20为第二存储块，该存储芯片门限电压调节装置包括：误码率检测单元51、数据保留时间计算单元52、擦写次数判断单元53、门限电压查找单元54和第二存储块门限电压调节单元55，其中，误码率检测单元51与第一存储块10相连接，擦写次数判断单元53、第二存储块门限电压调节单元55分别与第二存储块20相连接。

误码率检测单元51与第一存储块10相连接，用于检测所述第一存储块内的误码率。误码率检测单元51在存储芯片开机后，首先读取第一存储块内的存储的数据，将读取到的数据与第一存储块初始存储的数据进行比较，即可检测到第一存储块内的误码率。

数据保留时间计算单元52，用于根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间。

擦写次数判断单元53与第二存储块20相连接，用于判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数。

当擦写次数判断单元53的判断结果为是时，门限电压查找单元54，用于在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值。

第二存储块门限电压调节单元55与第二存储块20相连接，用于根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。

由以上技术方案可见，本申请实施例提供的该存储芯片门限电压调节装置，通过检测第一存储块内的误码率，就可以计算出第一存储块的数据保留时间，进而利用该数据保留时间，对超过擦写次数的第二存储块读取数据时的门限电压进行调节，以使得第二存储块的误码率位于纠错码ECC的校验范围内，实现了在超过标准擦写次数后，用户仍然可以从存储芯片内读取到符合纠错码ECC要求的数据，延长了存储芯片的使用寿命。

实施例六：

图6为本申请实施例提供的数据保留时间计算单元的一种结构示意图。

如图6所示，在本申请实施例中，数据保留时间计算单元52可以包括：第一误码率判断单元521和查找单元522，其中，

第一误码率判断单元521接收误码率检测单元51检测第一存储块10得到的误码率，并且判断该误码率是否小于等于预设阈值。这里预设阈值小于第一存储块的最大误码率。

当第一误码率判断单元521的判断结果为是时，说明第一存储块10的误码率仍然满足ECC的要求。另外，在第一存储块10的误码率满足ECC的要求的情况下，可以预先设置误码率和数据保留时间的对应关系表。在本申请实施例中，可以事先通过多次实验的方式，多次记录误码率和与之对应的数据保留时间，进而得到误码率和数据保留时间的对应关系表。

查找单元522根据第一误码率判断单元521的判断结果，可以直接在预先设置的误码率和数据保留时间的对应关系表中查找与第一存储块的误码率相对应的数据保留时间。

从上述描述可以看到，当第一存储块10的断电时间较短时，此时第一存储块10的误码率仍未超出ECC的校验范围，那么利用上述查表的方法即可直接获取得到第一存储块10的数据保留时间，进而可以以该数据保留时间为依据，对第二存储块的读取门限电压进行调节。

实施例七：

在上述实施例中，由于第一存储块10的断电时间较短时，第一存储块10的误码率仍未超出ECC的校验范围。而对于第一存储块10的断电时间较长时，此时第一存储块10的误码率将会超出ECC的校验范围，即误码率将超过第一存储块10的最大误码率，但从数据上看，误码率等于最大误码率，那么就无法通过查表法得到第一存储块的数据保留时间。

为此，本申请实施例提供了另外一种数据保留时间计算单元，如图7所示，为本申请实施例提供的数据保留时间计算单元的另一种结构示意图，图中，数据保留时间计算单元52还包括：第二误码率判断单元523、第一门限调节单元524和记录单元525，其中，

第二误码率判断单元523用于判断所述误码率是否大于等于所述最大误码率。通常情况下，当第一存储块的误码率大于最大误码率，此时将第一存储块的误码率统一记录为最大误码率。

当第二误码率判断单元523的判断结果为是时，第一门限调节单元524用于按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述误码率最大值。

这里所说的预设方式可以包括：按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小，即按照相同的档位调小第一存储块的门限电压。

记录单元525用于记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率。

当记录得到调节后第一存储块的门限电压以及小于最大误码率的误码率后，查找单元522在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

实施例八：

从上述实施例六和实施例七来看，当第一存储块10的误码率小于预设阈值时，或者，误码率大于等于最大误码率时，均有相对应的方式获取数据保留时间，而对应误码率位于预设阈值与最大误码率之间时，并未有相关记载。

为此，本申请实施例提供了又一种数据保留时间计算单元，如图8所示，为本申请实施例提供的数据保留时间计算单元的另一种结构示意图，图中，数据保留时间计算单元52还包括：第三误码率判断单元526和第二门限调节单元527，其中，

第三误码率判断单元526用于判断所述误码率是否位于所述预设阈值与所述最大误码率之间。

当第三误码率判断单元526的判断结果为是时，第二门限调节单元527用于按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述误码率最大值。

这里所说的预设方式可以包括：按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小，即按照相同的档位调小第一存储块的门限电压。

记录单元525记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率。并且，查找单元522在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

此外，在本申请其他实施例中，如图8所示，该数据保留时间计算单元52还可以包括：关系表存储单元528。

关系表存储单元528与查找单元522相连接，用于存储数据保留时间和门限电压值关系表、误码率和数据保留时间的关系表、门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中的一个或多个，以方便查找单元522进行查找。

关系表存储单元528可以为数据库或表格等方式，也可以为具有物理结构的存储器等。

实施例九：

图9为本申请实施例提供的一种存储芯片的结构示意图。

如图9所示，该存储芯片包括：第一存储块10、第二存储块20和存储芯片门限电压调节装置30，其中，

第一存储块10和第二存储块20为存储芯片划分成的相互独立的两部分，第一存储块10和第二存储块20的存储区域小于等存储芯片的存储区域，即第一存储块10和第二存储块20可以是存储芯片的全部存储区域，也可以为存储芯片的部分存储区域。

另外，第一存储块设置10为只读模式，即只能在初始化时存储数据，而第二存储块20用于存储用户数据，即用户只能在第二存储块内读写数据。

通过上述设计，仅需对第一存储块10内数据的误码率判断就可以确定第一存储块20的数据保留时间，使得第一存储块10作为一个参考标尺。

存储芯片门限电压调节装置30包括：误码率检测单元51、数据保留时间计算单元52、擦写次数判断单元53、门限电压查找单元54和第二存储块门限电压调节单元55。

在本申请实施例中，关于存储芯片门限电压调节装置30的各组成部分之间的连接关系，以及各组成部分的详细功能，可以参见上述实施例五至实施例八的详细描述，在此不再赘述。

通过以上的实施方式的描述可知，本领域的技术人员可以清楚地了解到本申请可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的装置可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。

本申请可用于众多通用或专用的计算系统环境或配置中。例如：个人计算机、服务器计算机、手持设备或便携式设备、平板型设备、多处理器系统、基于微处理器的系统、置顶盒、可编程的消费电子设备、网络PC、小型计算机、大型计算机、包括以上任何系统或设备的分布式计算环境等等。

本申请可以在由计算机执行的计算机可执行指令的一般上下文中描述，例如程序模块。一般地，程序模块包括执行特定任务或实现特定抽象数据类型的例程、程序、对象、组件、数据结构等等。也可以在分布式计算环境中实践本申请，在这些分布式计算环境中，由通过通信网络而被连接的远程处理设备来执行任务。在分布式计算环境中，程序模块可以位于包括存储设备在内的本地和远程计算机存储介质中。

以上所述仅是本申请的优选实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (11)

1.一种存储芯片门限电压调节方法，其特征在于，在存储芯片内设置有相互独立的第一存储块和第二存储块，所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据，该方法包括：

检测所述第一存储块内的误码率，并根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；

判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；

如果是，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；

根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：

判断所述误码率是否小于等于预设阈值，所述预设阈值小于所述第一存储块的最大误码率；

如果是，在预先设置的误码率和数据保留时间的关系表中查找与所述误码率相对应的数据保留时间。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：

判断所述误码率是否大于等于所述最大误码率；

如果是，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述最大误码率；

记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；

在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间，包括：

判断所述误码率是否位于所述预设阈值与所述最大误码率之间；

如果是，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述预设阈值；

记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；

在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设方式包括：

按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小。

6.一种存储芯片门限电压调节装置，其特征在于，在存储芯片内设置有相互独立的第一存储块和第二存储块，所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据，该装置包括：

误码率检测单元，用于检测所述第一存储块内的误码率；

数据保留时间计算单元，用于根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；

擦写次数判断单元，用于判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；

门限电压查找单元，用于当所述擦写次数判断单元的判断结果为是时，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；

第二存储块门限电压调节单元，用于根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述数据保留时间计算单元包括：

第一误码率判断单元，用于判断所述误码率是否小于等于预设阈值，所述预设阈值小于所述第一存储块的最大误码率；

查找单元，用于当所述第一误码率判断单元的判断结果为是时，在预先设置的误码率和数据保留时间的关系表中查找与所述误码率相对应的数据保留时间。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述数据保留时间计算单元还包括：

第二误码率判断单元，用于判断所述误码率是否大于等于所述最大误码率；

第一门限调节单元，用于当所述第二误码率判断单元的判断结果为是时，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述最大误码率，所述预设方式包括：按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小；

记录单元，用于记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；

所述查找单元在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述数据保留时间计算单元还包括：

第三误码率判断单元，用于判断所述误码率是否位于所述预设阈值与所述最大误码率之间；

第二门限电压调节单元，用于当所述第三误码率判断单元的判断结果为是时，按照预设方式调节所述第一存储块的门限电压直至所述误码率小于所述预设阈值，所述预设方式包括：按照固定的幅度将所述第一存储块的门限电压调小；

所述记录单元记录调节后第一存储块的门限电压值和误码率；

所述查找单元在预先设置的门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中查找第一存储块的数据保留时间。

10.根据权利要求7-9任一项所述的装置，其特征在于，进一步包括：与所述查找单元相连接的关系表存储单元，用于存储数据保留时间和门限电压值关系表、误码率和数据保留时间的关系表、门限电压值、误码率和数据保留时间的关系表中的一个或多个。

11.一种存储芯片，其特征在于，所述存储芯片包括：第一存储块、第二存储块和存储芯片门限电压调节装置，其中，

所述第一存储块和第二存储块相互独立，并且所述第一存储块为只读模式，所述第二存储块用于存储用户数据；

所述存储芯片门限电压调节装置包括：

误码率检测单元，用于检测所述第一存储块内的误码率；

数据保留时间计算单元，用于根据所述误码率计算所述第一存储块的数据保留时间；

擦写次数判断单元，用于判断所述第二存储块的擦写次数是否等于预设擦写次数；

门限电压查找单元，用于当所述擦写次数判断单元的判断结果为是时，在预先设置的数据保留时间和门限电压值关系表中查找与所述数据保留时间相对应的门限电压值；

第二存储块门限电压调节单元，用于根据查找到的门限电压值调节所述第二存储块读取数据时的门限电压。