JP7381269B2 - ストレージコントローラ、ストレージ装置及びストレージ装置の制御方法 - Google Patents

ストレージコントローラ、ストレージ装置及びストレージ装置の制御方法 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、ストレージコントローラ、ストレージ装置及びストレージ装置の制御方法に関する。
ストレージ装置においては、搭載部品の保証温度範囲を超えないように、温度を監視する必要がある。このため、ストレージ装置の基板上に温度センサを設け、温度測定を行っていた。しかしながら、熱源と温度センサとの距離による測定誤差があった。
また、メモリチップに設けられた温度センサは、所定のデータアクセスコマンドが入力された時に温度を測定する構成を採っていた。したがって、温度測定のためにストレージ装置におけるデータアクセスを阻害してしまう虞があった。
特開２０１３－０５０８１８号公報
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ストレージ装置におけるデータアクセスを阻害することなく、温度測定の信頼性を向上させることが可能なストレージコントローラ、ストレージ装置及びストレージ装置の制御方法を提供することを目的とする。
実施形態のストレージコントローラは、不揮発性メモリ装置を備えたストレージ装置の制御を行うストレージコントローラにおいて、前記不揮発性メモリ装置は、温度センサと記憶部を備え、前記ストレージコントローラは、前記不揮発性メモリ装置に対し、第１コマンドを発行し、前記第１コマンドに対応する処理を実行させるとともに、前記温度センサによる温度計測を実行させ、前記温度計測により更新された温度計測値を前記記憶部に格納させ、最後の前記第１コマンドの発行からの経過時間を計測し、計測した前記経過時間が所定の経過時間を経過した場合に前記不揮発性メモリ装置に対し、前記第１コマンドとは異なる第２コマンドを発行し、前記温度センサによる温度測定を実行させ、前記温度計測により更新された温度測定値を前記記憶部に格納させ、所定のタイミング毎に、前記不揮発性メモリ装置に第３コマンドを発行し、前記記憶部に格納された前記温度計測値を当該ストレージコントローラに送信させる。
実施形態にかかるストレージ装置のハードウェア構成の一例を説明する図である。 実施形態にかかるストレージ装置の詳細な動作を説明するフローチャートである。 実施形態にかかるストレージ装置の具体的な動作を説明する図である。 実施形態にかかるストレージ装置の別の具体的な動作を説明する図である。
次に好適な実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、実施形態にかかるストレージ装置のハードウェア構成の一例を説明する図である。
ストレージ装置１０は、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、ワークステーション、またはサーバ装置等の情報処理装置として構成されたホスト装置４０にデータを読み書きするためにアクセスされる。ストレージ装置１０は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）である。
ストレージ装置１０は、コントローラ１１と、揮発性メモリ１２と、不揮発性メモリ１３と、を備えている。
コントローラ１１は、ストレージ装置１０全体を制御する。揮発性メモリ１２は、コントローラ１１のワークエリア等として機能する。不揮発性メモリ１３は、ホスト装置４０が実行するプログラムおよびデータ、並びに、ＭＰＵ２１が実行するプログラム等を記憶する。
次に、コントローラ１１の詳細な構成について説明する。コントローラ１１は、ＭＰＵ２１と、ホストインタフェース（ホストＩ／Ｆ）２２と、ウオッチドッグタイマユニット２３と、バッファ２４と、揮発性メモリコントローラ２５と、ＥＣＣ処理部２６と、不揮発性メモリコントローラ２７と、を備える。コントローラ１１の各要素は通信バス（アドレスバス＋データバス）２８を介して互いに接続されている。
ＭＰＵ２１は、受信した書き込みコマンドに対し、対応する物理アドレスが示すメモリチップ３１の記憶領域へデータの書き込みを行う。また、ＭＰＵ２１は、受信した読み出しコマンドに対し、メモリチップ３１の記憶領域から読み出したデータの出力を行う。
ホストインタフェース（ホストＩ／Ｆ）２２は、ストレージ装置１０とホスト装置４０との間の通信を行う。
ウオッチドッグタイマユニット２３は、不揮発性メモリ１３の温度測定が所定時間以上なされていない場合にタイムアウトとなるタイマを複数備える。
バッファ２４は、ホスト装置４０から受信したデータ、および、コントローラ１１を介してメモリチップ３１から読み出したデータを一時的に記憶する。バッファ２４は、各種データのバッファリングを行う。
揮発性メモリコントローラ２５は、揮発性メモリ１２の制御を行う。
ＥＣＣ処理部２６は、ＥＣＣ（Error Correcting Code）処理を行う。ＥＣＣ処理部２６は、ホスト装置４０からホストＩ／Ｆ２２を介して受信され、バッファ２４に一時記憶された書込データに対して、誤り訂正符号（ＥＣＣ）を付与する。ＥＣＣ処理部２６により誤り訂正符号が付与された書込データは、コントローラ１１を介して不揮発性メモリ１３に書き込まれる。
不揮発性メモリコントローラ２７は、不揮発性メモリ１３の制御を行う。
次に、不揮発性メモリ１３の詳細な構成について説明する。不揮発性メモリ１３は、並列動作可能な複数のメモリチップ３１を備えている。各メモリチップ３１は、温度センサ３２と、チップコントローラ３３と、を備えている。
温度センサ３２は、メモリチップ３１の温度を検出し温度検出信号を出力する。チップコントローラ３３は、所定のコマンド（主としてデータアクセスコマンド）が入力された場合に、温度センサ３２からの温度検出信号に基づいて、検出温度データとして更新する。チップコントローラ３３は、所定の温度読出コマンドに応じて検出温度データを出力する。チップコントローラ３３は、検出温度データを更新可能に記憶するＲＡＭ、フラッシュメモリ等の図示しないメモリを備えている。
次に、ストレージ装置１０が、受信したデータをメモリチップ３１に書き込む動作の概要を説明する。
ストレージ装置１０のコントローラ１１は、ホストＩ／Ｆ２２を介して、論理アドレスおよび書込データを含むデータアクセスコマンドとしての書込コマンドを受信すると、書込データをバッファ２４に一時的に記憶させる。バッファ２４に一時的に記憶された書込データは、ＥＣＣ処理部２６によって誤り訂正符号が付与される。誤り訂正符号が付与された書込データは、不揮発性メモリコントローラ２７を介して、論理アドレスに対応する物理アドレスが示すメモリチップ３１の記憶領域に書き込まれる。論理アドレスに対応する物理アドレスは、揮発性メモリ１２に記憶された図示しないアドレス変換テーブルを参照することで得られる。
次に、ストレージ装置１０のメモリチップ３１からデータを読み出す動作の概要を説明する。
ストレージ装置１０のコントローラ１１は、ホストＩ／Ｆ２２を介して、論理アドレスを含むデータアクセスコマンドとしての読出コマンドを受信すると、不揮発性メモリコントローラ２７を介して、論理アドレスに対応する物理アドレスが示すメモリチップ３１の記憶領域から読出データを読み出す。論理アドレスに対応する物理アドレスは、揮発性メモリ１２に記憶された図示しないアドレス変換テーブルを参照することで得られる。ストレージ装置１０のコントローラ１１は、読出データをバッファ２４に一時的に記憶させる。バッファ２４に一時的に記憶された読出データは、ＥＣＣ処理部２６によって、誤りがあるか否かが検査される。誤りがあった場合、ＥＣＣ処理部２６は、読出データに付与されている誤り訂正符号を用いて誤りを訂正し、誤り訂正符号を削除する。また、誤りが無かった場合、ＥＣＣ処理部２６は、読出データに付与されている誤り訂正符号を削除する。ＥＣＣ処理部２６は、誤り訂正符号が削除された読出データを、バッファ２４に一時的に記憶させる。コントローラ１１は、ホストＩ／Ｆ２２を介して、誤り訂正符号が削除された読出データを出力する。
なお、ＥＣＣ処理部２６は、図１に示すように、バスに接続された集積回路（ハードウェア回路）として実現するものとしているが、これに限定されるものではなく、ＣＰＵ６がプログラムを実行することによって実現されるものとしてもよい。
次に、実施形態にかかるストレージ装置１０の詳細な動作を説明する。図２は、実施形態にかかるストレージ装置１０の詳細な動作を説明するフローチャートである。ストレージ装置１０の起動時において、ウオッチドッグタイマユニット２３を構成している全てのタイマは、リスタートされるものとする。また、図２に示す処理は、割込タイマにより所定時間毎に繰り返して行われる処理である。
コントローラ１１のＭＰＵ２１は、現在時刻が温度読出タイミングであるか否かを判断する（Ｓ１１）。現在時刻が温度読出タイミングであるとは、前回の温度読出タイミングから所定時間が経過した時刻が現在時刻であるということである。前回の温度読出タイミングは、例えば、不揮発性メモリに記憶される。なお、ストレージ装置１０の起動時においては、例えば、ストレージ装置１０の起動時から所定時間が経過した時刻に初回の温度読出タイミングが設定される。
Ｓ１１の判断において、温度読出タイミングではない場合には（Ｓ１１；Ｎｏ）、ＭＰＵ２１は、ウオッチドッグタイマユニット２３にタイムアウトしたタイマが有るか否かを判断する（Ｓ１２）。
Ｓ１１の判断において、温度読出タイミングである場合には（Ｓ１１；Ｙｅｓ）、コントローラ１１のＭＰＵ２１は、温度読出コマンドをＮＡＮＤコントローラを介してメモリチップ３１に送出する（Ｓ１７）。そして、ＭＰＵ２１は、処理を終了する（終了）。温度読出コマンドを受信すると、メモリチップ３１のチップコントローラ３３は、温度センサ３２から検出温度データを読み出す。そして、メモリチップ３１のチップコントローラ３３は、コントローラ１１に検出温度データを送信する。
Ｓ１２の判断においてタイムアウトしたタイマがない場合には（Ｓ１２；Ｎｏ）、ＭＰＵ２１は、いずれかのメモリチップ３１に対し、前回の温度読出タイミングの後にアクセスコマンドとしての書込コマンド、読出コマンドあるいは消去コマンドのいずれかを発行したか否かを判断する（Ｓ１３）。なお、ストレージ装置１０の起動時から一度も温度読出タイミングが到来していない場合は、ストレージ装置１０の起動時から後にアクセスコマンドとしての書込コマンド、読出コマンドあるいは消去コマンドのいずれかを発行したか否かを判断する。
Ｓ１３の判断において、ＭＰＵ２１は、全てのメモリチップ３１に対してアクセスコマンドを発行していない場合には（Ｓ１３；Ｎｏ）、再び処理をＳ１１に移行する。
Ｓ１３の判断において、いずれかのメモリチップ３１に対し、アクセスコマンドを発行した場合には（Ｓ１３；Ｙｅｓ）、ＭＰＵ２１は、当該アクセスコマンドを受信した対応するメモリチップ３１に対応するタイマをリスタートする（Ｓ１４）。そして、ＭＰＵ２１は、処理を終了する（終了）。
Ｓ１２の判断においてタイムアウトしたタイマがある場合には（Ｓ１２；Ｙｅｓ）、ＭＰＵ２１は、当該タイマをリスタートさせる（Ｓ１５）。そして、ＭＰＵ２１は、当該タイマに対応する一つ又は複数のメモリチップ３１のチップコントローラ３３に対し、所定のコマンドとして、ダミーアクセスコマンドを発行する（Ｓ１６）。そして、ＭＰＵ２１は、処理を終了する（終了）。ダミーアクセスコマンドを受信した一つ又は複数のメモリチップ３１のチップコントローラ３３は、検出温度データを更新する。
したがって、全てのメモリチップ３１は、たとえアクセスコマンドを受信しなくても、少なくともタイマのタイムアウト時間内に一度は、検出温度データを更新する。
ここで、実施形態にかかるストレージ装置１０の具体的な動作について説明する。図３は、実施形態にかかるストレージ装置１０の具体的な動作を説明する図である。図３においては、ウオッチドッグタイマユニットを構成している一つのタイマのカウント値の増加をアナログ的に実線で表示している。縦軸はタイマカウント値、横軸は時間である。時刻ｔ４と時刻ｔ５の時間差は、タイマのタイムアウト時間には到っていないものとする。
以下の説明においては、ＭＰＵ２１が、アクセスコマンドとして、メモリチップ３１からデータを読み出すための読出コマンドＲ－Ｃ及びメモリチップ３１へデータを書き込むための書込コマンドＷ－Ｃを発行した場合について説明する。
図３に示すように、時刻ｔ１において、ＭＰＵ２１から読出コマンドＲ－Ｃが出力されると、不揮発性メモリコントローラ２７の制御下でメモリチップ３１のコントローラは、対応するデータを読み出して出力する。メモリチップ３１のコントローラは、温度センサに検出温度データを更新させる。
これと並行して、ＭＰＵ２１は、当該読出コマンドＲ－Ｃの対象となっているメモリチップ３１に対応するウオッチドッグタイマユニット２３のタイマをリスタートさせる。タイマがリスタートされると、タイマのカウント値は、０から始まり徐々に増加する。
そして、時刻ｔ２において、再びＭＰＵ２１から読出コマンドＲ－Ｃが出力されると、メモリチップ３１のコントローラは、温度センサに検出温度データを更新させる。ＭＰＵ２１は、当該読出コマンドＲ－Ｃの対象となっているメモリチップ３１に対応するウオッチドッグタイマユニット２３のタイマをリスタートさせる。時刻ｔ３及び時刻ｔ４においても同様である。
その後、時刻ｔ５において、ＭＰＵ２１から書込コマンドＷ－Ｃが出力される。不揮発性メモリコントローラ２７の制御下でメモリチップ３１のコントローラは、書込コマンドＷ－Ｃに対応するデータを書き込むとともに、温度センサに検出温度データを更新させる。
これと並行して、ＭＰＵ２１は、ウオッチドッグタイマユニット２３において、当該アクセスコマンドに対応するメモリチップ３１に対応するタイマをリスタートさせる。タイマがリスタートされると、タイマのカウント値は、０から始まり徐々に増加する。
その後、時刻ｔ６及び時刻ｔ７において、ＭＰＵ２１から書込コマンドＷ－Ｃが出力された場合にも、同様にデータの書き込み、検出温度データの更新及びタイマのリスタートがなされる。
図４は、実施形態にかかるストレージ装置１０の別の具体的な動作を説明する図である。図４は、ウオッチドッグタイマユニット２３の一つのタイマのカウント値の増加をアナログ的に実線で表示している。縦軸はタイマカウント値、横軸は時間である。図４に示すように、時刻ｔ１１において、ＭＰＵ２１から読出コマンドＲ－Ｃが出力されると、不揮発性メモリコントローラ２７の制御下でメモリチップ３１のコントローラは、対応するデータを読み出して出力する。メモリチップ３１のコントローラは、温度センサに検出温度データを更新させる。
これと並行して、ＭＰＵ２１は、当該読出コマンドＲ－Ｃの対象となっているメモリチップ３１に対応するタイマをリスタートさせる。タイマがリスタートされると、タイマのカウント値は、０から始まり徐々に増加する。
そして、時刻ｔ１２において、再びＭＰＵ２１から読出コマンドＲ－Ｃが出力されると、メモリチップ３１のチップコントローラ３３は、検出温度データを更新する。ＭＰＵ２１は、当該読出コマンドＲ－Ｃの対象となっているメモリチップ３１に対応するタイマをリスタートさせる。時刻ｔ１３においても同様である。
その後、時刻ｔ１４において、時刻ｔ１３においてリスタートさせたタイマがタイムアウトすると、当該タイマは、その旨をＭＰＵ２１に通知する。
通知を受けると、ＭＰＵ２１は、通知元のタイマをリスタートさせる。タイマがリスタートされると、タイマのカウント値は、０から始まり徐々に増加する。続いて、ＭＰＵ２１は、通知元のタイマに対応するメモリチップ３１のチップコントローラ３３に対し、ダミーアクセスコマンドとして、検出温度データ更新コマンドＴＤ－Ｃを出力する。
検出温度データ更新コマンドＴＤ－Ｃを受信すると、メモリチップ３１のチップコントローラ３３は、温度検出データを更新する。
これと並行して、ＭＰＵ２１は、当該メモリチップ３１に対応するタイマをリスタートさせる。タイマがリスタートされると、タイマのカウント値は、０から始まり徐々に増加する。
その後、時刻ｔ１５、及び時刻ｔ１６において、ＭＰＵ２１から書込コマンドＷ－Ｃが出力された場合には、データの書き込み、検出温度データの更新及びタイマのリスタートがなされる。
ＭＰＵ２１は、あるメモリチップ３１について、検出温度データの更新を含む前回のアクセスコマンドの発行から所定時間以上の時間（タイマに予め設定されたタイムアウト時間に相当する時間）が経過している場合には、検出温度データの更新をメモリチップ３１のチップコントローラ３３に行わせるためのダミーアクセスコマンドを当該メモリチップ３１に対して発行する。このため、少なくともウオッチドッグタイマに予め設定されたタイムアウト時間に相当する時間毎に、検出温度データが更新される。
なお、ＭＰＵ２１は、検出温度データの更新をメモリチップ３１のチップコントローラ３３に行わせるためのダミーアクセスコマンドの発行直後に、検出温度データの読み出しを行うコマンド（ＴＲ－Ｃ）を発行することで最新の検出温度データを取得することができる。読出コマンドＴＲ－Ｃは、データの書き込み、読み出し、消去等のアクセスコマンドとは、非同期に発行可能である。
実施形態にかかるストレージ装置１０によれば、メモリチップ３１が備えている温度センサの検出温度データの更新が、メモリチップ３１のデータアクセスを不必要に阻害することなく行える。また、実施形態にかかるストレージ装置１０によれば、少なくともタイマのタイムアウト時間内に一度は、検出温度データが更新される。このため、長期にわたって更新されないことによる検出温度データの信頼性の低下を招くことがない。
以上の説明においては、ストレージ装置１０のホストＩ／Ｆのインターフェース規格については詳細に述べなかったが、ＳＡＴＡ（Serial AT Attachment）、ＳＡＳ（Serial Attached SCSI）、またはＰＣＩｅ（Peripheral Component Interconnect Express）等のインターフェース規格を用いてホスト装置４０と接続することが可能である。この場合において、ストレージ装置１０は、論理アドレス（ＬＢＡ： Logical Block Address）を用いてデータをアクセスするブロックストレージであってもよく、または、イーサーネットで接続され、キーと呼ばれる任意長のデータに紐づけられた可変長のデータをアクセスするキーバリュードライブ（Key-Value Drive）であってもよい。
ストレージ装置１０は、例えば、データセンタ、クラウドシステム、または基幹システム等において、サーバ装置等のホストに接続されるＳＳＤとして用いられる。なお、ストレージ装置１０は、ＯＳ（Operating System）等のデータが記憶された情報処理装置（例えば、ホスト装置４０）に内蔵されたＳＳＤであってもよく、情報処理装置に外部から接続される外付け型のＳＳＤであってもよい。
また、実施形態にかかるコントローラ１１のＭＰＵ２１で実行されるプログラムは、例えば、インストール可能な形式または実行可能な形式のファイルで、メモリカード、ＳＳＤ（Solid State Drive）等の半導体記憶装置、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）等のコンピュータで読み取り可能な記憶媒体に記憶されて提供されてもよい。
また、実施形態にかかるコントローラ１１のＭＰＵ２１で実行されるプログラムは、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納され、ネットワーク経由でダウンロードされることにより提供されてもよい。また、実施形態にかかるＳＳＤコントローラ３のＣＰＵ６で実行されるプログラムは、インターネット等のネットワーク経由で提供または配布されてもよい。また、実施形態にかかるコントローラ１１のＭＰＵ２１で実行されるプログラムは、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等に予め組み込んで提供されてもよい。
また、実施形態にかかるコントローラ１１のＭＰＵ２１で実行されるプログラムは、ＭＰＵ２１で実行される各機能をコンピュータ上で実現させるためのモジュール構成となっている。実際のハードウェアとしては、ＣＰＵ６が記憶装置（ＤＲＡＭ５またはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ４）からプログラムを読み出して実行することによって、各機能がストレージ装置１上で実現される。
以上のように本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、および変更を行うことができる。この実施形態およびその変形は、発明の範囲および要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０ ストレージ装置
１１ コントローラ
１２ 揮発性メモリ
１３ 不揮発性メモリ
２１ ＭＰＵ
２２ ホストインタフェース（ホストＩ／Ｆ）
２３ ウオッチドッグタイマユニット
２４ バッファ
２５ 揮発性メモリコントローラ
２６ ＥＣＣ処理部
２７ 不揮発性メモリコントローラ
３１ メモリチップ
３２ 温度センサ
３３ チップコントローラ
４０ ホスト装置

Claims (6)

  1. 不揮発性メモリ装置を備えたストレージ装置の制御を行うストレージコントローラにおいて、
    前記不揮発性メモリ装置は、温度センサと記憶部を備え、
    前記ストレージコントローラは、前記不揮発性メモリ装置に対し、第１コマンドを発行し、前記第１コマンドに対応する処理を実行させるとともに、前記温度センサによる温度計測を実行させ、前記温度計測により更新された温度計測値を前記記憶部に格納させ、
    最後の前記第１コマンドの発行からの経過時間を計測し、
    計測した前記経過時間が所定の経過時間を経過した場合に前記不揮発性メモリ装置に対し、前記第１コマンドとは異なる第２コマンドを発行し、前記温度センサによる温度測定を実行させ、前記温度計測により更新された温度測定値を前記記憶部に格納させ、
    所定のタイミング毎に、前記不揮発性メモリ装置に第３コマンドを発行し、前記記憶部に格納された前記温度計測値を当該ストレージコントローラに送信させる、
    ストレージコントローラ。
  2. 温度センサ及び記憶部を有する不揮発性メモリ装置と、
    前記不揮発性メモリ装置に接続されたメモリコントローラと、
    を備えたストレージ装置であって、
    前記メモリコントローラは、第１コマンドを前記不揮発性メモリ装置に発行し、
    最後の前記第１コマンドの発行からの経過時間を計測し、
    前記経過時間が所定の経過時間に至った場合に、前記第１コマンドとは異なる第２コマンドを前記不揮発性メモリ装置に発行し、
    所定のタイミング毎に、不揮発性メモリ装置に第３コマンドを発行する、
    前記不揮発性メモリ装置は、前記第１コマンドに基づいて、前記第１コマンドに対応する処理を実行し、さらに前記温度センサによる温度計測を実行し、前記温度計測により更新された温度計測値を前記記憶部に格納し、
    前記第２コマンドに基づいて、前記温度センサによる温度計測を実行し、前記温度計測により更新された温度計測値を前記記憶部に格納し、
    前記第３コマンドに基づいて、前記メモリコントローラに前記記憶部に格納された温度計測値を送信する、
    ストレージ装置。
  3. 前記経過時間が所定時間となるとタイムアウトを通知するタイマ部を備え、
    前記ストレージ装置は、複数の記憶部を備え、
    前記タイマ部は、複数のタイマを有し、各前記タイマは、前記複数の記憶部毎に設けられ、
    前記メモリコントローラは、前記複数のタイマの何れかから前記タイムアウトが通知された場合に、当該タイマに対応する前記記憶部に対し、前記温度計測値を更新させるためのコマンドを発行する、
    請求項２記載のストレージ装置。
  4. 前記記憶部は、ＮＡＮＤフラッシュメモリとして構成されている、
    請求項２又は請求項３記載のストレージ装置。
  5. 前記第１コマンドは、データ書込、データ読出、データ消去を含むアクセスコマンドである、
    請求項４記載のストレージ装置。
  6. 不揮発性メモリ装置を備えたストレージ装置の制御方法であって、
    前記不揮発性メモリ装置は、温度センサと記憶部を備え、
    前記不揮発性メモリ装置に対し、第１コマンドを発行し、前記第１コマンドに対応する処理を実行させるとともに、前記温度センサによる温度計測を実行させ、前記温度計測により更新された温度計測値を前記記憶部に格納させ、
    最後の前記第１コマンドの発行からの経過時間を計測し、
    計測した前記経過時間が所定の経過時間を経過した場合に前記不揮発性メモリ装置に対し、前記第１コマンドとは異なる第２コマンドを発行し、前記温度センサによる温度測定を実行させ、前記温度計測により更新された温度測定値を前記記憶部に格納させ、
    所定のタイミング毎に、前記不揮発性メモリ装置に第３コマンドを発行し、前記記憶部に格納された前記温度計測値を、前記ストレージ装置の制御を行うストレージコントローラに送信させる、
    ストレージ装置の制御方法。
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