TW201301375A - 半導體裝置用薄膜以及半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半導體裝置用薄膜。在將所述半導體裝置用薄膜捲繞為捲筒狀時，可以抑制在接著薄膜上產生轉印痕跡。所述半導體裝置用薄膜為在切割薄膜上積層有接著薄膜的帶有切割片的接著薄膜以規定的間隔積層在覆蓋薄膜上的半導體裝置用薄膜。一種半導體裝置用薄膜，其為在切割薄膜上積層有接著薄膜的帶有切割片的接著薄膜以規定的間隔積層在覆蓋薄膜上的半導體裝置用薄膜，其特徵在於，23℃下接著薄膜的拉伸儲藏彈性係數Ea與23℃下覆蓋薄膜的拉伸儲藏彈性係數Eb的比Ea/Eb在0.001~50的範圍內。

Description

半導體裝置用薄膜以及半導體裝置
本發明有關於半導體裝置用薄膜、以及使用該半導體裝置用薄膜所製造的半導體裝置。
以往，在半導體裝置的製造過程中，在引線框和電極構件上固著半導體晶片時採用銀膠。所述固著處理通過在引線框的晶粒銲墊等上塗布膠狀接著劑，在其上搭載半導體晶片並使膠狀接著劑層固化來進行。
但是，膠狀接著劑由於其黏度行為或劣化等而在塗布量或塗布形狀等方面產生大的偏差。結果，所形成的膠狀接著劑厚度不均勻，因此半導體晶片的固著強度缺乏可靠性。即，在膠狀接著劑的塗布量不足時，半導體晶片與電極構件之間的固著強度降低，從而在後續的絲焊步驟中半導體晶片剝離。另一方面，在膠狀接著劑的塗布量過多時，膠狀接著劑會流延到半導體晶片上而產生特性不良，從而產率和可靠性下降。這樣的固著處理中的問題，伴隨半導體晶片的大型化變得特別顯著。因此，需要頻繁地進行膠狀接著劑的塗布量的控制，從而給作業性或生產率帶來問題。
在該膠狀接著劑的塗布步驟中，有將膠狀接著劑分別塗布到引線框和形成的晶片上的方法。但是，在該方法中，膠狀接著劑層難以均勻化，並且膠狀接著劑的塗布需要特殊裝置和長時間。因此，提出了切割薄膜、帶有切割片的接著薄膜，其在切割步驟中接著保持半導體晶圓，並且也提供安裝步驟所需的晶片固著用接著劑層(例如，參考專利文獻1)。
該帶有切割片的接著薄膜以可剝離的方式在支撐基材上設置有接著劑層，在該接著劑層的保持下對半導體晶圓進行切割後，拉伸支撐基材將所形成的晶片與接著劑層一起剝離，將其分別回收，並通過該接著劑層將其固著到引線框等被黏物上。
以往，由於受到製造步驟上的制約，帶有切割片的接著薄膜是分別製作切割薄膜和接著薄膜，然後將二者黏貼而製作的。因此，在各薄膜的製作步驟中，從防止產生鬆弛或捲繞偏移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，在利用輥進行運送時，在對各薄膜施加拉伸張力的同時對其進行製作。
這種帶有切割片的接著薄膜，在高溫、高濕的環境下放置、或者在施加有負荷的狀態下長期保存時，有時發生固化。結果，導致接著劑層的流動性和對半導體晶圓的保持力下降、切割後的剝離性下降。因此，多數情況下在-30℃~-10℃的冷凍狀態、或者-5℃~10℃的冷藏狀態下將帶有切割片的接著薄膜進行保存的同時進行運輸，由此可以長期保持薄膜特性。
考慮到對半導體晶片的黏貼及切割時對環狀框架(ring frame)的安裝等的作業性，作為上述的帶有切割片的接著薄膜，存在預先加工為待黏貼的半導體晶圓的形狀(例如圓形)的、實施了預切割加工的接著薄膜。
這樣的帶有切割片的接著薄膜，通過在基材層上積層有黏合劑層的切割薄膜上黏貼沖裁成圓形的接著薄膜後，將切割薄膜沖裁為與環狀框架對應的圓形而製造。由此，在切割半導體晶圓時，可以將環狀框架黏貼到切割薄膜的外周部，從而將帶有切割片的接著薄膜固定。
預切割加工後的帶有切割片的接著薄膜，在以規定的間隔黏貼到長尺寸的覆蓋薄膜上後，捲繞為捲筒狀，作為半導體裝置用薄膜進行運輸和保存。
先行技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開昭60-57642號公報
但是，在上述的半導體裝置用薄膜的情況下，積層有帶有切割片的接著薄膜的部分的厚度比未進行積層的部分的厚度厚。因此，特别是在捲繞數增大、捲繞時的張力增高的情況下，有於一個帶有切割片的接著薄膜上按壓有另一個帶有切割片的接著薄膜的邊緣，而將捲繞印跡轉印，從而接著薄膜的平滑性受到損害的情況。這樣的轉印痕跡，特別是在接著薄膜是以較柔軟的樹脂形成的情況、接著薄膜的厚度較厚的情況、以及半導體裝置用薄膜的捲繞數較多的情況等情況下顯著產生。而且，在將具有這樣的轉印痕跡而缺乏平滑性的接著薄膜黏貼到半導體晶圓上時，在半導體晶圓與接著薄膜之間會產生空隙(氣泡)。這樣的空隙在半導體晶圓加工時會產生缺陷，從而有可能使所製造的半導體裝置的產率降低。
因此，為了抑制上述轉印痕跡的產生，考慮了降低半導體裝置用薄膜的捲繞壓力的方法。但是，這樣的方法有可能會產生捲繞偏移，例如難以設置到膠帶安裝工具上等，從而在實際使用時造成障礙。
本發明鑒於上述問題而創立，其目的在於提供一種半導體裝置用薄膜，該半導體裝置用薄膜為，在切割薄膜上積層有接著薄膜的帶有切割片的接著薄膜以規定的間隔積層在覆蓋薄膜上而得到的半導體裝置用薄膜，在將該半導體裝置用薄膜捲繞為捲筒狀時，可以抑制在接著薄膜上產生轉印痕跡。
本發明人為了解決所述現有問題點，對半導體裝置用薄膜進行了研究。結果發現，通過控制構成半導體裝置用薄膜的接著薄膜的拉伸儲藏彈性係數和覆蓋薄膜的拉伸儲藏彈性係數，可以抑制在晶片接合薄膜上產生轉印痕跡，由此完成了本發明。
即，本發明的半導體裝置用薄膜，其為在切割薄膜上積層有接著薄膜的帶有切割片的接著薄膜以規定的間隔積層在覆蓋薄膜上而得到的半導體裝置用薄膜，其特徵在於，23℃下接著薄膜的拉伸儲藏彈性係數Ea與23℃下覆蓋薄膜的拉伸儲藏彈性係數Eb的比Ea/Eb在0.001~50的範圍內。
所述Ea/Eb的值越大，相對而言接著薄膜越硬，覆蓋薄膜越軟。另一方面，所述Ea/Eb的值越小，相對而言接著薄膜越軟，覆蓋薄膜越硬。根據所述構成，由於所述Ea/Eb為0.001以上，因此接著薄膜的硬度(拉伸儲藏彈性係數Ea)為一定水準以上。因此，可以抑制在構成帶有切割片的接著薄膜的接著薄膜上產生轉印痕跡。另外，由於所述Ea/Eb為0.001以上，接著薄膜的硬度(拉伸儲藏彈性係數Ea)為一定水準以上，因此接著薄膜的滑動性提高，從而在往覆蓋薄膜上黏貼時可以抑制產生褶皺。
另外，由於所述Ea/Eb為50以下，因此覆蓋薄膜的硬度(拉伸儲藏彈性係數Eb)為一定水準以上，另一方面，接著薄膜的硬度(拉伸儲藏彈性係數Ea)為一定水準以下。因此，可以提高覆蓋薄膜對接著薄膜的追隨性。另外，在往覆蓋薄膜上黏貼接著薄膜時可以抑制覆蓋薄膜產生折斷，可以防止損傷接著薄膜或者在薄膜間混入氣泡。結果，可以抑制覆蓋薄膜的薄膜翹起，或在半導體晶片的安裝時可以抑制接著薄膜與半導體晶片之間產生空隙。
這樣，根據所述構成，在捲繞為捲筒狀時，可以抑制在接著薄膜上產生轉印痕跡。另外，可以抑制覆蓋薄膜的薄膜翹起，或在半導體晶片的安裝時可以抑制接著薄膜與半導體晶片之間產生空隙(氣泡)。
關於所述構成，較佳為：在溫度23℃±2℃、剝離速度300mm/分鐘的條件下的T型剝離試驗中，所述接著薄膜與所述覆蓋薄膜之間的剝離力F1在0.025N/100mm~0.075N/100mm的範圍內，所述接著薄膜與所述切割薄膜之間的剝離力F2在0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內，並且所述F1與所述F2滿足F1<F2的關係。
半導體裝置用薄膜，從防止鬆弛或捲繞偏移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，在對切割薄膜或接著薄膜、覆蓋薄膜施加拉伸張力的同時進行製造。結果，半導體裝置用薄膜是在構成其的任意一個薄膜存在拉伸殘留應變的狀態下進行製造的。該拉伸殘留應變，例如在-30℃~-10℃的冷凍狀態、或者-5℃~10℃的低溫狀態下輸送或長時間保存的情況下，會在各薄膜中引起收縮。另外，由於各薄膜的物性不同，因此收縮的程度也不同。例如，切割薄膜在各薄膜中收縮程度最大，覆蓋薄膜的收縮程度最小。結果，在切割薄膜與接著薄膜間產生界面剝離，或者引起覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。
所述構成是，將接著薄膜與覆蓋薄膜之間的剝離力F1調節到0.025N/100mm~0.075N/100mm的範圍內，並且將接著薄膜與切割薄膜之間的剝離力F2調節到0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內，由此滿足F1<F2的關係的構成。如前所述，由於各薄膜中收縮是切割薄膜最大，因此通過使接著薄膜與切割薄膜之間的剝離力F2大於接著薄膜與覆蓋薄膜之間的剝離力F1，藉此抑制收縮率最大的切割薄膜的收縮，從而防止切割薄膜與接著薄膜之間的界面剝離、覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。另外，可以防止接著薄膜部分或全部轉印到覆蓋薄膜上。
所述構成中，較佳為所述接著薄膜含有重量平均分子量為30萬以上且150萬以下的熱塑性樹脂。通過將所述熱塑性樹脂的重量平均分子量設定為30萬以上，可以將23℃下接著薄膜的拉伸儲藏彈性係數Ea控制為合適的值。
所述構成中，較佳為所述接著薄膜含有使單體成分聚合而得到的熱塑性樹脂，所述單體成分含有含羧基單體。通過含有使含有含羧基單體的單體成分聚合而得到的熱塑性樹脂，可以將接著薄膜的拉伸儲藏彈性係數Ea控制為合適的值。
所述構成中，較佳為所述接著薄膜含有作為熱塑性樹脂的丙烯酸類樹脂，且所述丙烯酸類樹脂的玻璃轉化溫度為20℃以下。接著薄膜中所含的丙烯酸類樹脂的玻璃轉化溫度為20℃以下時，可以防止接著薄膜的流動性下降。另外，可以保持與半導體晶片的良好接著性。
所述構成中，較佳為23℃下接著薄膜的拉伸儲藏彈性係數Ea為5MPa~5000MPa。
所述構成中，較佳為23℃下覆蓋薄膜的拉伸儲藏彈性係數Eb為5MPa~5000MPa。
另外，本發明的半導體裝置是使用所述中記載的半導體裝置用薄膜製造而成。
以下對本實施方式的半導體裝置用薄膜進行說明。
圖1之(a)是表示本實施方式的半導體裝置用薄膜的概略的俯視圖，圖1之(b)是其局部剖面圖。半導體裝置用薄膜10具有帶有切割片的接著薄膜1以規定的間隔積層在覆蓋薄膜2上的構成。帶有切割片的接著薄膜1具有在切割薄膜11上積層有接著薄膜12的結構，且切割薄膜11是在基材13上積層有黏合劑層14的結構。
圖2是將圖1之(a)和圖1之(b)所示的半導體裝置用薄膜捲繞為捲筒狀的狀態下的局部剖面圖。如圖2所示，捲繞為捲筒狀的半導體裝置用薄膜10中，在積層有帶有切割片的接著薄膜1的部分與未積層的部分18間存在階差19。另外，覆蓋薄膜2上的多個帶有切割片的接著薄膜1在橫向上彼此邊錯開邊積層。因此，於一個帶有切割片的接著薄膜1上按壓有另一個帶有切割片的接著薄膜1的邊緣。
關於半導體裝置用薄膜10，23℃下接著薄膜12的拉伸儲藏彈性係數Ea與23℃下覆蓋薄膜2的拉伸儲藏彈性係數Eb的比Ea/Eb在0.001~50的範圍內。所述Ea/Eb較佳為0.01~30，更佳為0.1~10。所述Ea/Eb的值越大，相對地接著薄膜12越硬，且覆蓋薄膜2越軟。另一方面，所述Ea/Eb的值越小，相對地接著薄膜12越軟，且覆蓋薄膜2越硬。根據半導體裝置用薄膜10，由於所述Ea/Eb為0.001以上，因此接著薄膜12的硬度(拉伸儲藏彈性係數Ea)為一定水準以上。因此，可以抑制在構成帶有切割片的接著薄膜1的接著薄膜2上產生轉印痕跡。另外，根據半導體裝置用薄膜10，由於所述Ea/Eb為0.001以上，接著薄膜12的硬度(拉伸儲藏彈性係數Ea)為一定水準以上，因此接著薄膜12的滑動性提高，從而可以抑制在往覆蓋薄膜2上黏貼時產生褶皺。
另外，根據半導體裝置用薄膜10，由於所述Ea/Eb為50以下，因此覆蓋薄膜2的硬度(拉伸儲藏彈性係數Eb)為一定水準以上，另一方面，接著薄膜12的硬度(拉伸儲藏彈性係數Ea)為一定水準以下。因此，可以提高覆蓋薄膜2對接著薄膜12的追隨性。另外，可以抑制在往接著薄膜2上黏貼接著薄膜12時於覆蓋薄膜2產生折斷，並可以防止損傷接著薄膜12或者在薄膜間混入氣泡。結果，可以抑制覆蓋薄膜2的薄膜翹起，或在半導體晶圓的安裝時可以抑制接著薄膜12與半導體晶片之間產生空隙。
這樣，根據半導體裝置用薄膜10，在捲繞為捲筒狀時，可以抑制在接著薄膜12上產生轉印痕跡。另外，可以抑制覆蓋薄膜2的薄膜翹起，或在半導體晶片的安裝時可以抑制在接著薄膜12與半導體晶片之間產生空隙(氣泡)。
接著薄膜12與覆蓋薄膜2之間的剝離力F1小於接著薄膜12與切割薄膜11之間的剝離力F2。半導體裝置用薄膜10，從在其製造過程中防止產生鬆弛或捲繞偏移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，在對切割薄膜11、接著薄膜12和覆蓋薄膜2施加拉伸張力的同時進行積層而被製造。因此，各薄膜中存在拉伸殘留應變。該拉伸殘留應變例如在-30℃~-10℃的冷凍狀態、或者-5℃~10℃的低溫狀態下運輸或長時間保存的情況下，會在各薄膜中分別引起收縮。例如，切割薄膜的收縮程度最大，覆蓋薄膜的收縮程度最小。在此，本實施方式的半導體裝置用薄膜中，通過使所述剝離力F1和F2滿足F1<F2的關係，由此可以防止由於各薄膜間的收縮差異而引起的薄膜間的界面剝離或覆蓋薄膜2的薄膜翹起現象。另外，可以防止接著薄膜12的部分或全部轉印到覆蓋薄膜2上。
接著薄膜12與覆蓋薄膜2之間的剝離力F1較佳為在0.025N/100mm~0.075N/100mm的範圍內，更較佳為0.03N/100mm~0.06N/100mm的範圍內，特別較佳為0.035N/100mm~0.05N/100mm的範圍內。剝離力F1低於0.025N/100mm時，例如在-30℃~-10℃的冷凍狀態、或者-5℃~10℃的低溫狀態下運輸或長時間保存的情況下，接著薄膜12和覆蓋薄膜2以各不相同的收縮率收縮，藉此有時產生覆蓋薄膜2的薄膜翹起現象。另外，在半導體裝置用薄膜10等的運送中，有時產生褶皺或捲繞偏移、異物的混入。另外，在半導體晶圓的安裝時有時在接著薄膜12與半導體晶圓間產生空隙(氣泡)。另一方面，剝離力F1大於0.075N/100mm時，由於接著薄膜12與覆蓋薄膜2的密合性過強，因此在剝離覆蓋薄膜2或其收縮時，有時構成接著薄膜12的接著劑(詳細如後所述)部分或全部地進行轉印。另外，在接著薄膜12為熱固型的情況下，所述剝離力F1的值是指熱固化前的接著薄膜12與覆蓋薄膜2之間的剝離力。
另外，接著薄膜12與切割薄膜11之間的剝離力F2較佳為在0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內，更佳為0.1N/100mm~6N/100mm的範圍內，特佳為0.15N/100mm~0.4N/100mm的範圍內。剝離力F2為0.08N/100mm以上時，例如在-30℃~-10℃的冷凍狀態、或者-5℃~10℃的低溫狀態下運輸或長時間保存的情況下，可以防止切割薄膜11和接著薄膜12以各不相同的收縮率進行收縮，由此在切割薄膜11與接著薄膜12之間產生界面剝離。另外，可以防止在半導體裝置用薄膜10等的運送中產生褶皺或捲繞偏移、異物的混入、空隙。另外，可以防止在切割半導體晶片時產生晶片飛散或破裂。另一方面，剝離力F2為10N/100mm以下時，在拾取半導體晶片時，接著薄膜12與黏合劑層14之間的剝離性適當，可以良好地進行半導體晶片的拾取。另外，可以防止構成黏合劑層14的黏合劑(詳細如後所述)膠糊附著在帶有接著劑的半導體晶片上。另外，所述剝離力F2的數值範圍也包括，切割薄膜11中的黏合劑層為紫外線固化型並且預先通過照射紫外線進行了一定程度的固化的情況。另外，通過照射紫外線進行的黏合劑層的固化，可以在與接著薄膜12黏貼前進行，也可以在黏貼後進行。
所述剝離力F1和F2的值是在溫度23℃±2℃、剝離速度300mm/分鐘、夾盤間距100mm的條件下進行的T型剝離試驗(JIS K6854-3)的測定值。另外，作為拉伸試驗機，使用商品名“Autograph，AGS-H”(島津製作(股)所製造)。
切割薄膜11中的基材13，不僅是切割薄膜11、而且也是半導體裝置用薄膜10的強度母體。作為基材13，可以列舉例如：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚矽氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，黏合劑層14為紫外線固化型的情況下，作為基材13，較佳為所述例示的材料中具有紫外線透射性的材料。
另外，作為基材13的材料，可以列舉所述樹脂的交聯體等聚合物。所述塑膠薄膜可以不進行拉伸而使用，也可以根據需要進行單軸或雙軸拉伸處理後使用。利用通過拉伸處理等而獲得了熱收縮性的樹脂片，通過在切割後使該基材13進行熱收縮，可以減小黏合劑層14與接著薄膜12的接著面積，從而可以容易地回收半導體晶片。
為了提高與鄰接層的密合性、保持性等，基材13的表面可以實施慣用的表面處理，例如，鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學或物理處理、利用底塗劑(例如後述的黏合物質)的塗布處理。
基材13可以適當地選擇使用同種或不同種類的材料，根據需要也可以使用將幾種材料混合後的材料。另外，為了賦予基材13防靜電性能，可以在基材13上設置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度為約30~約500的導電物質的蒸鍍層。基材13可以是單層或者兩種以上的多層。
基材13的厚度沒有特別限制而可適當設定，一般為約5μm~約200μm。只要具有能夠耐受通過前述熱收縮而由接著薄膜12產生的張力的厚度，則沒有特別限制。
作為用於黏合劑層14的形成的黏合劑，沒有特別限制，例如，可以使用丙烯酸系黏合劑、橡膠系黏合劑等普通的壓敏黏合劑。作為所述壓敏黏合劑，從半導體晶圓或玻璃等避忌污染的電子部件利用超純水或醇等有機溶劑的清潔洗滌性等的觀點考慮，較佳為以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物的丙烯酸系黏合劑。
作為所述丙烯酸系聚合物，可以列舉例如：使用(甲基)丙烯酸烷酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數1~30、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷酯等)及(甲基)丙烯酸環烷酯(例如，環戊酯、環己酯等)的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸系聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發明的(甲基)全部表示相同的含義。
所述丙烯酸系聚合物，為了改善凝聚力、耐熱性等，根據需要可以含有與能夠與所述(甲基)丙烯酸烷酯或環烷酯共聚合的其他單體成分所對應的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺、丙烯醯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量較佳為全部單體成分的40重量%以下。
另外，所述丙烯酸系聚合物為了進行交聯根據需要也可以含有多官能單體等作為共聚合用單體成分。作為這樣的多官能單體，可以列舉例如：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體也可以使用一種或兩種以上。多官能單體的使用量從黏著特性等觀點考慮較佳為全部單體成分的30重量%以下。
所述丙烯酸系聚合物可以藉由將單一單體或兩種以上的單體混合物聚合而獲得。聚合可以溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式進行。從防止對潔淨被黏物的污染等觀點考慮，較佳為低分子量物質的含量少。從該點考慮，丙烯酸系聚合物的數量平均分子量較佳為約30萬以上，更佳為約40萬~約150萬。
另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸系聚合物等的數量平均分子量，所述黏合劑中也可以適當採用外部交聯劑。外部交聯方法的具體手段可以列舉：添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯劑等所謂的交聯劑並使其進行反應的方法。使用外部交聯劑時，其使用量根據與應進行交聯的基礎聚合物的平衡以及作為黏合劑的使用用途適當確定。一般而言，相對於所述基礎聚合物100重量份較佳為調配約5重量份以下，進一步較佳為調配0.1重量份~5重量份。另外，根據需要，在黏合劑中除所述成分以外也可以使用現有公知的各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。
黏合劑層14可以藉由紫外線固化型黏合劑而形成。紫外線固化型黏合劑通過照射紫外線使交聯度增大，從而可以容易地降低其黏合力，通過僅對黏合劑層14的與半導體晶片黏貼部分對應的部分照射紫外線，可以設置與其他部分的黏著力的差。
使所述黏著劑層14紫外線固化後的23℃下的拉伸彈性係數較佳為在1MPa~170MPa的範圍內，更佳為在5MPa~100MPa的範圍內。藉由將所述拉伸彈性係數調節到1MPa以上，可以保持良好的拾取性。另一方面，通過將拉伸彈性係數調節到170MPa以下，可以防止產生切割時的晶片飛散。另外，所述紫外線的照射較佳為例如以30mJ/cm2~1000mJ/cm2的紫外線照射累積光量進行。通過將紫外線照射累積光量設定為30mJ/cm2以上，可以使黏著劑層14充分固化，從而可以防止與接著薄膜12的過度密合。
結果，在拾取半導體時，可以顯示良好的拾取性。另外，可以防止黏著劑層14的黏著劑在拾取後附著(所謂的殘膠)在接著薄膜12上。另一方面，藉由將紫外線照射累積光量設定為1000mJ/cm2以下，可以防止黏著劑層14的黏著力的極度下降，由此可以防止由於在與接著薄膜12之間產生剝離而發生所安裝的半導體晶圓脫落的情況。另外，在切割半導體晶圓時，可以防止產生所形成的半導體晶片的晶片飛散。
所述黏著劑層的拉伸彈性係數的值藉由以下方法測定。即，將黏著劑層14切割為長30.0mm、寬10.0mm、截面積0.1mm2~0.5mm2的試樣。在測定溫度23℃、夾盤間距20mm、拉伸速度50mm/分鐘的條件下對該試樣沿MD方向進行拉伸試驗，測定該試樣伸長的變化量(mm)。由此，在所得的S-S(應變-強度)曲線中，在其初始上升部分畫切線，用該切線相當於100%的伸長時的拉伸強度除以截面積，將所得值作為黏著劑層的拉伸彈性係數。
在此，接著薄膜12是根據半導體晶圓的俯視圖中的形狀而僅在其黏貼部分形成的構成。因此，藉由按照接著薄膜12的形狀使紫外線固化型的黏著劑層14固化，由此可以容易地降低與半導體晶片黏貼部分對應的部分的黏著力。由於接著薄膜12黏貼在黏著力下降的所述部分，因此黏著劑層14的所述部分與接著薄膜12的界面具有在拾取時容易進行剝離的性質。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的黏著力。
如前所述，所述黏著劑層14的通過未固化的紫外線固化型黏著劑形成的所述部分與接著薄膜12黏著，從而可以確保切割時的保持力。如此一來，紫外線固化型黏著劑，可以以良好的接著-剝離平衡支撐用於將晶片狀半導體晶圓(半導體晶片等)固著到基板等被黏物上的接著薄膜12。僅在半導體晶片黏貼部分積層有接著薄膜12時，在未積層接著薄膜12的區域固定有晶圓環(wafer ring)。
紫外線固化型黏著劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等紫外線固化性官能基、並且顯示黏著性的黏著劑。作為紫外線固化型黏著劑，例如，可以例示在所述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等普通的壓敏黏著劑中調配有紫外線固化性單體成分或低聚物成分的添加型紫外線固化型黏著劑。
作為用於調配的紫外線固化性單體成分，可以列舉例如：胺基甲酸酯低聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性低聚物成分可以列舉聚胺酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100~約30000的範圍內是適當的。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的調配量可以根據所述黏著劑層的種類適當確定能夠使黏著劑層的黏著力下降的量。一般而言，相對於用於構成黏著劑的丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約5重量份~約500重量份，較佳為約40重量份~約150重量份。
另外，作為紫外線固化型黏著劑，除所述說明過的添加型的紫外線固化型黏著劑以外，還可以列舉：使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型的紫外線固化型黏著劑。內在型的紫外線固化型黏著劑，由於不需要含有或者多數不含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會在黏著劑中隨時間遷移，從而可以形成層結構穩定的黏著劑層，因而較佳。
所述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵並且具有黏著性的基礎聚合物。作為這樣的基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物為基本骨架的基礎聚合物。作為丙烯酸系聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示的丙烯酸系聚合物。
在所述丙烯酸系聚合物中引入碳-碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以採用各種方法，從分子設計方面而言在聚合物側鏈中引入碳-碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉：預先將具有官能基的單體與丙烯酸系聚合物共聚合後，使具有能夠與該官能基反應的官能基及碳-碳雙鍵的化合物在保持碳-碳雙鍵的紫外線固化性的情況下與所得共聚物進行縮合或加成反應的方法。
作為這些官能基的組合例，可以列舉：羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能基的組合中，從容易跟蹤反應的觀點考慮，較佳為羥基與異氰酸酯基的組合。另外，根據這些官能基的組合，只要是生成所述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的組合，則官能基可以在丙烯酸系聚合物和所述化合物的任意一個上，在所述的較佳組合中，丙烯酸系聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基的情況是適當的。此時，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如：甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚類化合物等共聚合而得到的丙烯酸系聚合物。
所述內在型的紫外線固化型黏著劑，可以單獨使用所述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，也可以在不損害特性的範圍內調配所述紫外線固化性單體成分或低聚物成分。紫外線固化性低聚物成分等通常相對於基礎聚合物100重量份在30重量份的範圍內，較佳為0重量份~10重量份的範圍。
在通過紫外線等進行固化時，所述紫外線固化型黏著劑中含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可以列舉例如：4-(2-羥基乙氧基)苯基-(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯苯醯二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯類化合物；1-苯酚-1,1-丙二酮-2-(鄰-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合起始劑的調配量相對於用於構成黏著劑的丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份例如為約0.05重量份~約20重量份。
所述紫外線固化型的黏著劑層14中，根據需要也可以含有經紫外線照射會著色的化合物。藉由在黏著劑層14中含有經紫外線照射會著色的化合物，可以僅使紫外線照射後的部分著色。由此，通過目視立即可以判斷黏著劑層14是否照射過紫外線，從而可以容易地識別半導體晶圓黏貼部分，並容易地進行半導體晶圓的黏貼。另外，通過光感測器等檢測半導體晶片時，其檢測精度提高，在半導體元件的拾取時不會產生誤操作。
經紫外線照射會著色的化合物，是在紫外線照射前為無色或淺色，經紫外線照射後變為有色的化合物。作為所述化合物的較佳具體例，可以列舉無色染料(leuco dye)。作為無色染料，可較佳地使用慣用的三苯基甲烷類、熒烷類、吩噻嗪類、金胺類、螺吡喃類的染料。具體而言，可以列舉：3-[N-(對甲苯胺基)]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-甲基胺基]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-乙基胺基]-7-苯胺基熒烷、3-二乙胺基-6-甲基-7-苯胺基熒烷、結晶紫內酯、4,4’,4”-三二甲胺基三苯基甲醇、4,4’,4”-三二甲胺基三苯基甲烷等。
作為較佳為與這些無色染料一起使用的顯色劑，可以列舉以往使用的酚-甲醛(phenol formaldehyde)樹脂的預聚物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等電子受體，另外，在使色調變化的情況下也可以組合使用各種公知的發色劑。
這樣的經紫外線照射會著色的化合物，可以溶解於有機溶劑等中後再添加到紫外線固化型接著劑中，也可以製成微粉末狀後添加到該接著劑中。該化合物的使用比例在黏著劑層14中期望為10重量%以下，較佳為0.01重量%~10重量%，進一步較佳為0.5重量%~5重量%。該化合物的比例超過10重量%時，照射到黏著劑層14上的紫外線被該化合物過度地吸收，因此黏著劑層14的與半導體晶圓黏貼部分對應的部分的固化變得不充分，有時黏著力不能充分下降。另一方面，為了充分地著色，較佳為將該化合物的比例設定為0.01重量%以上。
另外，藉由紫外線固化型黏著劑形成黏著劑層14時，可以使用將基材13的至少單面的、與半導體晶片黏貼部分對應的部分以外的部分的全部或者一部分進行遮光的基材，在該基材上形成紫外線固化型黏著劑層14後進行紫外線照射，使與半導體晶片黏貼部分對應的部分固化，從而可形成黏著力下降的所述部分。作為遮光材料，可以通過印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上製作能夠形成光罩的遮光材料。通過該製造方法，可以高效率地製造本發明的半導體裝置用薄膜10。
另外，照射紫外線時因氧而產生固化障礙時，較佳為通過任意方法從紫外線固化型黏著劑層14的表面隔絕氧(空氣)。可以列舉例如：用隔片將所述黏著劑層14的表面覆蓋的方法、或者在氮氣氣氛中進行紫外線照射的方法等。
黏著劑層14的厚度沒有特別限制，從兼具晶片切割面的缺損防止和接著薄膜的固定保持等方面考慮，較佳為約1μm~約50μm。更佳為2μm~30μm、進而佳為5μm~25μm。
接著薄膜12是具有接著功能的層，作為其構成材料，可以將熱塑性樹脂與熱固性樹脂組合使用，也可以單獨使用熱塑性樹脂。
接著薄膜12的拉伸儲藏彈性係數Ea較佳為在5MPa~5000MPa的範圍內，更佳為在100MPa~3000MPa的範圍內，進而佳為300MPa~2000MPa的範圍內。通過將接著薄膜12的拉伸儲藏彈性係數Ea調節到5MPa以上，可以更確實地抑制在接著薄膜12上產生轉印痕跡。另外，接著薄膜12的滑動性提高，從而在往覆蓋薄膜2上黏貼時可以更可靠地抑制產生褶皺。另外，藉由將接著薄膜12的拉伸儲藏彈性係數Ea調節到5000MPa以下，可以使與被安裝的半導體晶圓或要進行晶片接合的基板等的密合性良好。
另外，本發明中，接著薄膜的拉伸儲藏彈性係數Ea在接著薄膜為熱固性型的情況下是指熱固化前的拉伸儲藏彈性係數。
所述拉伸儲藏彈性係數的值，是通過以下測定方法測定的值。即，在經脫模處理後的剝離襯墊上塗布接著劑組成物的溶液並乾燥，形成厚度100μm的接著薄膜12。使用黏彈性測定裝置(Rheometric公司製造，型號：RSA-II)，測定該接著薄膜12的接著薄膜12的固化前的23℃下的拉伸儲藏彈性係數。更具體而言，將試樣尺寸設為長30.0mm×寬5.0mm×厚0.1mm，將測定試樣安裝到薄膜拉伸測定用夾具上，在-30℃~280℃的溫度範圍下在頻率1.0Hz、應變0.025%、升溫速度10℃/分鐘的條件下進行測定。
所述熱塑性樹脂的重量平均分子量較佳為30萬以上且150萬以下，更佳為35萬~100萬，進而佳為40萬~80萬。藉由將所述熱塑性樹脂的重量平均分子量調節為30萬以上，可以將23℃下接著薄膜的拉伸儲藏彈性係數Ea控制為合適的值。另外，所述熱塑性樹脂的重量平均分子量為30萬以上，較低分子量物質的含量少時，可以防止潔淨的被黏物的污染。另外，重量平均分子量是利用GPC(凝膠滲透層析法)測定，並進行聚苯乙烯換算而計算得到的值。
作為所述熱塑性樹脂，可以列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6,6等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別較佳為離子性雜質少、耐熱性高、能夠確保半導體裝置的可靠性的丙烯酸樹脂。
作為所述丙烯酸樹脂，沒有特別限制，可以列舉具有碳原子數30以下特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的一種或兩種以上作為成分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。
所述丙烯酸類樹脂的玻璃轉化溫度較佳為20℃以下，更較佳為-20℃~15℃，進一步較佳為-10℃~10℃。通過將所述丙烯酸類樹脂的玻璃轉化溫度調節到-20℃以上，可以抑制B階段狀態下接著薄膜12的黏性增大，從而可以保持良好的操作性。另外，可以防止切割時切割薄膜11的一部分熔融從而黏著劑附著到半導體晶片上。結果，可以保持半導體晶片的良好拾取性。另一方面，通過將所述丙烯酸類樹脂的玻璃轉化溫度調節到20℃以下，可以防止接著薄膜12的流動性下降。另外，也可以保持與半導體晶圓的良好的接著性。
作為玻璃轉化溫度為20℃以下的丙烯酸系樹脂，可以列舉例如：根上工業股份有限公司製造的Paracron W-197C(玻璃轉化溫度：18℃)、Nagasechemtex股份有限公司製造的SG-708-6(玻璃轉化溫度：6℃)、WS-023(玻璃轉化溫度：-5℃)、SG-80H(玻璃轉化溫度：7.5℃)、SG-P3(玻璃轉化溫度：15℃)等。丙烯酸系樹脂的玻璃轉化溫度由利用差示掃描熱分析儀(DSC)測定的最大吸熱峰時的溫度得到。具體而言，使用差示掃描熱分析儀(TA Instruments製造，“Q-2000”)，在比預測的試樣的玻璃化轉變溫度(預測溫度)高約50℃的溫度下將待測試樣加熱10分鐘，然後冷卻到比預測溫度低50℃的溫度進行預處理，然後，在氮氣氛下，以5℃/分鐘的升溫速度升溫並測定吸熱起始點溫度，將該溫度作為玻璃轉化溫度。
另外，作為形成所述聚合物的其他單體，沒有特別限制，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體等。其中，從將晶片接合薄膜的拉伸儲藏彈性係數Ea調節到合適的值的觀點考慮，較佳為含羧基單體。
作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚醛樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺酯樹脂、聚矽氧烷樹脂或熱固性聚醯亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。特別較佳為腐蝕半導體晶片的離子性雜質等的含量少的環氧樹脂。另外，作為環氧樹脂的固化劑，較佳為酚醛樹脂。
所述環氧樹脂，只要是通常作為接著劑組成物所使用的環氧樹脂則沒有特別限制，可以使用例如：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異三聚氰酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些環氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環氧樹脂中，特別較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂或四羥苯基乙烷型環氧樹脂。原因在於這些環氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性好，並且耐熱性等優良。
另外，所述酚醛樹脂作為所述環氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂、甲階酚醛樹脂型酚醛樹脂、聚對氧基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚醛樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中特別較佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。原因在於可以提高半導體裝置的連接可靠性。
所述環氧樹脂與酚醛樹脂的調配比例，例如以相對於所述環氧樹脂成分中的環氧基每1當量、酚醛樹脂中的羥基為0.5當量~2.0當量的比例進行調配是適當的。更適當的是0.8當量~1.2當量。即，原因在於：兩者的調配比例如果在所述範圍以外，則固化反應不能充分進行，環氧樹脂固化物的特性容易劣化。
另外，在本實施方式中，特佳為含有環氧樹脂、酚醛樹脂及丙烯酸類樹脂的接著薄膜12。這些樹脂由於離子性雜質少、耐熱性高，因此可以確保半導體晶片的可靠性。此時的調配比是，相對於丙烯酸樹脂100重量份，環氧樹脂與酚醛樹脂的混合量為10重量份~200重量份。
接著薄膜12中，根據需要可以使用熱固化催化劑作為接著薄膜12的構成材料。其調配比例為，相對於有機成分100重量份較佳為在0.1重量份~3.0重量份的範圍內，更佳為0.15重量份~2.0重量份的範圍內，特佳為0.2重量份~1.0重量份的範圍內。藉由將調配比例設定為0.1重量份以上，可以良好地表現熱固化後的接著力。另一方面，通過將調配比例設定為3.0重量份以下，可以抑制保存性下降。
作為所述熱固化催化劑，沒有特別限制，可以列舉例如：咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、三苯基硼烷系化合物、三鹵代硼烷系化合物等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
作為所述咪唑系化合物，可以列舉：2-甲基咪唑(商品名“2MZ”)、2-十一烷基咪唑(商品名“C11Z”)、2-十七烷基咪唑(商品名“C17Z”)、1,2-二甲基咪唑(商品名“1.2DMZ”)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名“2E4MZ”)、2-苯基咪唑(商品名“2PZ”)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名“2P4MZ”)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名“1B2MZ”)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名“1B2PZ”)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名“2MZ-CN”)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名“C11Z-CN”)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽(商品名“2PZCNS-PW”)、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名“2MZ-A”)、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名“C11Z-A”)、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名“2E4MZ-A”)、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪異三聚氰酸加成物(商品名“2MA-OK”)、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(商品名“2PHZ-PW”)、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑(商品名“2P4MHZ-PW”)等(均為四國化成股份有限公司製造)。
作為所述三苯基膦系化合物，沒有特別限制，可以列舉例如：三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有機膦、四苯基溴化鏻(商品名“TPP-PB”)、甲基三苯基鏻(商品名“TPP-MB”)、甲基三苯基氯化鏻(商品名“TPP-MC”)、甲氧基甲基三苯基鏻(商品名“TPP-MOC”)、苄基三苯基氯化鏻(商品名“TPP-ZC”)等(均為北興化學公司製造)。另外，作為所述三苯基膦系化合物，較佳為對環氧樹脂實質上顯示非溶解性的化合物。對環氧樹脂為非溶解性時，可以抑制熱固化過度進行。作為具有三苯基膦結構、並且對環氧樹脂實質上顯示非溶解性的熱固化催化劑，可以列舉例如：甲基三苯基鏻(商品名“TPP-MB”)等。另外，所述“非溶解性”，是指包含三苯基膦系化合物的熱固化催化劑在包含環氧樹脂的溶劑中為不溶性，更具體而言，是指在溫度10℃~40℃範圍內不溶解10重量%以上。
作為所述三苯基硼烷系化合物，沒有特別限制，可以列舉例如三(對甲基苯基)膦等。另外，作為三苯基硼烷系化合物，還包含具有三苯基膦結構的化合物。作為該具有三苯基膦結構及三苯基硼烷結構的化合物，沒有特別限制，可以列舉例如：四苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名“TPP-K”)、四苯基鏻四對甲苯基硼酸鹽(商品名“TPP-MK”)、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名“TPP-ZK”)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名“TPP-S”)等(均為北興化學公司製造)。
作為所述胺基類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如：單乙醇胺三氟硼酸鹽(Stella-chemifa股份有限公司製造)、二氰二醯胺(Nacalai股份有限公司製造)等。
作為所述三鹵代硼烷類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如三氯硼烷等。
本實施方式的接著薄膜12，為了預先進行某種程度的交聯，在製作時可以添加與聚合物的分子鏈末端的官能基等反應的多官能化合物作為交聯劑。由此，可以提高高溫下的接著特性，改善耐熱性。
作為所述交聯劑，可以使用現有公知的交聯劑。特別是更較佳為甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成產物等多異氰酸酯化合物。交聯劑的添加量相對於所述聚合物100重量份通常較佳為設定為0.05重量份~7重量份。交聯劑的量超過7重量份時，接著力下降，因此不較佳。另一方面，低於0.05重量份時，凝聚力不足，因此不較佳。另外，根據需要可以與這樣的多異氰酸酯化合物一起含有環氧樹脂等其他多官能化合物。
另外，接著薄膜12中根據其用途可以適當調配無機填充劑。無機填充劑的調配可以賦予導電性、提高導熱性、調節彈性係數等。作為所述無機填充劑，可以列舉例如：由二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類、鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、錫、錫、鋅、鈀、焊料等金屬或合金類、以及碳等構成的各種無機粉末。這些無機填充劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。其中，可以適當使用二氧化矽，特別是熔融二氧化矽。另外，無機填充劑的平均粒徑較佳為在0.01μm~80μm的範圍內。
所述無機填充劑的調配量，相對於有機成分100重量份較佳設定為0重量份~80重量份，更佳設定為0重量份~70重量份。
另外，接著薄膜12中根據需要可以適當調配其他添加劑。作為其他添加劑，可以列舉例如阻燃劑、矽烷偶合劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述矽烷偶合劑，可以列舉例如：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如：水滑石類、氫氧化鉍等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
接著薄膜12的厚度沒有特別限制，例如可以為約5μm~約100μm，較佳為約5μm~約70μm。
半導體裝置用薄膜10可以具有防靜電能力。由此，可以防止半導體裝置用薄膜的接著時及剝離時等產生靜電、或由此引起的半導體晶圓等帶電而破壞電路。防靜電能力的賦予可以通過在基材13、黏著劑層14或接著薄膜12中添加防靜電劑或導電性物質的方法、在基材13上設置包含電荷遷移絡合物或金屬膜等的導電層等適當的方式進行。作為這些方式，較佳為難以產生有可能使半導體晶片變質的雜質離子的方式。為了賦予導電性、提高導熱性而調配的導電性物質(導電填料)，可以列舉銀、鋁、金、銅、鎳、導電性合金等球形、針形、薄片狀金屬粉末、氧化鋁等金屬氧化物、非晶炭黑、石墨等。但是，所述接著薄膜12為非導電性，就不漏電的觀點考慮是較佳的。
接著薄膜12由覆蓋薄膜2保護。覆蓋薄膜2具有在供給實際應用之前作為保護接著薄膜12的保護材料的功能。覆蓋薄膜2在向帶有切割片的接著薄膜的接著薄膜12上黏貼半導體晶圓時剝離。作為覆蓋薄膜2，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，也可以使用由氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行了表面塗布的塑膠薄膜或紙等。
覆蓋薄膜2的拉伸儲藏彈性係數Eb較佳為在5MPa~5000MPa的範圍內，更佳為50MPa~4500MPa的範圍內，進而佳為100MPa~4000MPa的範圍內。通過將覆蓋薄膜2的拉伸儲藏彈性係數Eb調節到5MPa以上，可以進一步提高覆蓋薄膜2對接著薄膜12的追隨性。另外，通過將覆蓋薄膜2的拉伸儲藏彈性係數Eb調節到5000MPa以下，在往覆蓋薄膜2上黏貼接著薄膜12時可以抑制覆蓋薄膜2產生折斷，並可以防止損傷接著薄膜12或者在薄膜間混入氣泡。
覆蓋薄膜2的厚度，從作業性、運送性的觀點考慮，較佳為10μm~100μm，更佳為15μm~75μm，進而佳為25μm~50μm。
以下，對本實施方式的半導體裝置用薄膜10的製造方法進行說明。
本實施方式的半導體裝置用薄膜10的製造方法，包括：在基材13上形成黏著劑層14而製作切割薄膜11的步驟，在基材隔片22上形成接著薄膜12的步驟，將接著薄膜12依照待黏貼的半導體晶圓的形狀進行沖裁的步驟，將切割薄膜11的黏著劑層14與接著薄膜12作為黏貼面進行積層的步驟，將切割薄膜11沖裁為與環狀框架對應的圓形的步驟，藉由將接著薄膜12上的基材隔片22剝離而製作帶有切割片的接著薄膜1的步驟，以及在覆蓋薄膜2上以規定的間隔黏貼帶有切割片的接著薄膜1的步驟。
所述切割薄膜11的製作步驟，例如如下所述進行。首先，通過現有公知的製膜方法形成基材13。作為該製膜方法，可以例示例如：壓延製膜法、有機溶劑中的澆鑄法、密閉系中的吹塑擠出法、T形模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
然後，在基材13上塗布黏著劑組成物溶液形成塗膜後，在規定條件下將該塗膜乾燥(根據需要進行加熱交聯)，而形成黏著劑層14。作為塗布方法，沒有特別限製，可以列舉例如：輥塗、網版塗布、凹版塗布等。另外，乾燥條件可以根據塗膜的厚度或材料等適當設定。具體而言，例如，在乾燥溫度80℃~150℃、乾燥時間0.5分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，可以在第一隔片21上塗布黏著劑組成物形成塗膜後，在所述乾燥條件下使塗膜乾燥而形成黏著劑層14。之後，將黏著劑層14和第一隔片21一起黏貼到基材13上。由此，製作黏著劑層14由第一隔片21保護的切割薄膜11(參考圖3之(a))。製成的切割薄膜11，可以具有捲繞為捲筒狀的長尺寸的形態。此時，為了不在切割薄膜11上產生鬆弛或捲繞偏移、位置偏移等，較佳為在其長度方向或寬度方向上施加拉伸張力的同時進行捲繞。但是，由於施加拉伸張力，切割薄膜11在殘留有拉伸殘留應變的狀態下捲繞為捲筒狀。另外，在捲繞切割薄膜11時，通過施加所述拉伸張力有時可以將切割薄膜11拉伸，但是捲繞並不是以拉伸操作為目的。
作為黏著劑層14，在採用包含紫外線固化型黏著劑、並且預先進行了紫外線固化的黏著劑層的情況下，以下述方法形成。即，在基材13上塗布紫外線固化型的黏著劑組成物而形成塗膜後，在規定條件下使該塗膜乾燥(根據需要進行加熱交聯)，而形成黏著劑層。塗布方法、塗布條件、乾燥條件，可以與所述同樣地進行。另外，亦可以在第一隔片21上塗布紫外線固化型黏著劑組成物形成塗膜後，在所述乾燥條件下使塗膜乾燥而形成黏著劑層。之後，將黏著劑層轉印到基材13上。並且在規定條件下對黏著劑層照射紫外線。紫外線的照射條件沒有特別限制，通常累積光量較佳為在50mJ/cm2~800mJ/cm2的範圍內，更佳為100 mJ/cm2~500 mJ/cm2的範圍內。通過將累積光量調節到所述數值範圍內，可以將接著薄膜12與切割薄膜11之間的剝離力F2控制到0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內。紫外線的照射不足30mJ/cm2時，黏著劑層14的固化變得不充分，有時與接著薄膜12的剝離力變得過大。結果，與接著薄膜的密合性增大，導致拾取性下降。另外，拾取後，有時在接著薄膜上產生殘膠。另一方面，當累積光量超過1000mJ/cm2時，有時與接著薄膜12的剝離力變得過小。結果，有時在黏著劑層14與接著薄膜12之間產生界面剝離。結果，在切割半導體晶片時，有時產生晶片飛散。另外，有時對基材13造成熱損傷。另外，黏著劑層14的固化過度進行導致拉伸彈性係數過大，從而擴張性下降。另外，紫外線的照射可以在後述的與接著薄膜12的黏貼步驟後進行。此時，較佳為從基材13側進行紫外線照射。
接著薄膜12的製作步驟如下所述進行。即，將用於形成接著薄膜12的接著劑組成物溶液以達到規定厚度的方式塗布在基材隔片22上而形成塗膜。之後，在規定條件下使塗膜乾燥，而形成接著薄膜12。塗布方法沒有特別限制，可以列舉例如：輥塗、網版塗布、凹版塗布等。另外，乾燥條件可以根據塗膜的厚度或材料等適當設定。具體而言，例如，可以在乾燥溫度70℃~160℃、乾燥時間1分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，亦可以將黏著劑組成物塗布到第二隔片23上形成塗膜後，在所述乾燥條件下使塗膜乾燥而形成接著薄膜12。之後，將接著薄膜12與第二隔片23一起黏貼到基材隔片22上。由此，製成在基材隔片22上依次積層有接著薄膜12和第二隔片23的積層薄膜(參考圖3之(b))。該積層薄膜可以具有捲繞為捲筒狀的長尺寸的形態。此時，為了不在接著薄膜12上產生鬆弛或捲繞偏移、位置偏移等，較佳為在其長度方向或寬度方向上施加拉伸張力的同時進行捲繞。
然後，依照待黏貼的半導體晶片的形狀沖裁接著薄膜12，並黏貼到切割薄膜11上。由此，可以得到帶有切割片的接著薄膜1。即，從切割薄膜11上將第一隔片21剝離，並且從沖裁後的接著薄膜12上將第二隔片23剝離，以接著薄膜12與黏著劑層14為黏貼面的方式將二者黏貼(參考圖3之(c))。此時，對切割薄膜11或接著薄膜12中的至少任意一個施加拉伸張力至邊緣部的同時進行壓接。另外，在切割薄膜11為捲繞為捲筒狀的長尺寸的形態的情況下，較佳為儘量不在長度方向上對切割薄膜11施加拉伸張力的情況下進行運送。這是為了抑製薄膜的拉伸殘留應變。但是，從防止在切割薄膜11上產生鬆弛或捲繞偏移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，可以在10N~25N的範圍內施加拉伸張力。如果在該範圍內，則即使在切割薄膜11上殘留拉伸殘留應變，也可以防止在切割薄膜11與接著薄膜12之間產生界面剝離。
另外，切割薄膜11與接著薄膜12的黏貼，例如，可以通過壓接進行。此時，層壓溫度沒有特別限製，通常較佳為30℃~80℃，更佳為30℃~60℃，特佳為30℃~50℃。另外，線壓沒有特別限製，通常較佳為0.1kgf/cm~20kgf/cm，更佳為1kgf/cm~10kgf/cm。對於有機成分的玻璃轉化溫度在-20~50℃範圍內的接著薄膜12，將層壓溫度及/或線壓分別調節到所述數值範圍內，並與切割薄膜11黏貼，藉此可以將接著薄膜12與切割薄膜11之間的剝離力F2控制在0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內。在此，例如，藉由在所述範圍內升高層壓溫度，可以增大切割薄膜11與接著薄膜12之間的剝離力F2。另外，藉由在所述範圍內增大線壓，也可以增大剝離力F2。
然後，將接著薄膜12上的基材隔片22剝離，並在施加拉伸張力的同時黏貼覆蓋薄膜2。接著，以規定的間隔將切割薄膜11沖裁為與環狀框架對應的圓形。由此，製成經預切割的帶有切割片的接著薄膜1以規定的間隔積層在覆蓋薄膜2上的半導體裝置用薄膜10。
帶有切割片的接著薄膜1中的接著薄膜12往覆蓋薄膜2上的黏貼，較佳為通過壓接進行。此時，層壓溫度沒有特別限制，通常較佳為20℃~80℃，更較佳為20℃~60℃，特別較佳為20℃~50℃。另外，線壓沒有特別限制，通常較佳為0.1 kgf/cm~20kgf/cm，更較佳為0.2 kgf/cm~10kgf/cm。對於有機成分的玻璃轉化溫度在-20℃~50℃範圍內的接著薄膜12，將層壓溫度及/或線壓分別調節到所述範圍內，並與覆蓋薄膜2黏貼，可以將接著薄膜12與覆蓋薄膜2之間的剝離力F1控制到0.025N/100mm~0.075N/100mm的範圍內。在此，例如，藉由在所述範圍內升高層壓溫度，可以增大帶有切割片的接著薄膜1與覆蓋薄膜2之間的剝離力F1。另外，藉由在所述範圍內增大線壓，也可以增大剝離力F1。另外，較佳為儘量不在長度方向上對覆蓋薄膜2施加拉伸張力的情況下進行運送。這是為了抑制覆蓋薄膜2的拉伸殘留應變。但是，從防止在覆蓋薄膜2上產生鬆弛或捲繞偏移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，可以在10N~25N的範圍內施加拉伸張力。如果在該範圍內，則即使在覆蓋薄膜2上殘留拉伸殘留應變，也可以防止產生覆蓋薄膜2相對於帶有切割片的接著薄膜1的薄膜翹起現象。
另外，黏貼在切割薄膜11的黏著劑層14上的第一隔片21、接著薄膜12的基材隔片22、以及黏貼在該接著薄膜12上的第二隔片23，沒有特別限制，可以使用以往公知的經脫模處理後的薄膜。第一隔片21和第二隔片23分別具有作為保護材料的功能。另外，基材隔片22具有作為將接著薄膜12轉印到切割薄膜11的黏著劑層14上時的基材的功能。構成這些各薄膜的材料沒有特別限製，可以採用以往公知的材料。具體而言，可以列舉例如：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，或通過氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗布後的塑膠薄膜或紙等。
本發明的接著薄膜，可以作為晶片接合薄膜、或者倒裝晶片型半導體背面用薄膜使用。倒裝晶片型半導體背面用薄膜，用於在被黏物(例如，引線框或電路板等各種基板)上連接有倒裝晶片的半導體元件(例如，半導體晶片)的背面上形成。
實施例
以下，詳細地例示說明本發明的適當的實施例。但是，該實施例中記載的材料或調配量等只要沒有特別限定的記載，則不將本發明的範圍僅限於此。另外，“份”表示“重量份”。
(實例1)
<切割薄膜的黏著劑層的製作>
在具有冷凝管、氮氣引入管、溫度計和攪拌裝置的反應容器中，加入80份丙烯酸-2-乙基己酯(2EHA)、20份丙烯酸-2-羥基乙酯(HEA)、0.2份過氧化苯甲醯和60份甲苯，在氮氣流中在61℃下進行6小時聚合處理，得到重量平均分子量為80萬的丙烯酸系聚合物A。2EHA和HEA的莫耳比為100莫耳比20莫耳。重量平均分子量的測定如前所述。另外，重量平均分子量是通過GPC(凝膠滲透層析法)進行測定，並進行聚苯乙烯換算而計算得到的值。
在該丙烯酸系聚合物A中加入10份2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(以下稱為“MOI”)(相對於HEA為80莫耳%)，在空氣氣流中在50℃進行48小時加成反應處理，而得到丙烯酸系聚合物A’。
然後，相對於100份丙烯酸系聚合物A’加入5份異氰酸酯系交聯劑(商品名“Coronate L”，日本聚胺酯股份有限公司製造)和3份光聚合起始劑(商品名“Irgacure 651”，汽巴精化公司製造)，製作黏著劑溶液。
將所述製備的黏著劑溶液塗布於PET剝離襯墊(第一隔片)的經聚矽氧烷處理後的面上，在120℃加熱交聯2分鐘，形成厚度10μm的黏著劑層。然後，在該黏著劑層的表面黏貼厚度100μm的聚烯烴薄膜(基材)。之後，在50℃保存24小時。
另外，將所述PET剝離襯墊剝離，僅對相當於黏著劑層的半導體晶圓黏貼部分(直徑200mm的圓形)的部分(直徑220mm的圓形)直接照射紫外線。由此，製作本實例的切割薄膜。另外，照射條件如下所述。另外，藉由後述的方法測定黏著劑層的拉伸彈性係數，拉伸彈性係數為17.1MPa。
<紫外線照射條件>
紫外線(UV)照射裝置：高壓汞燈
紫外線照射累積光量：300mJ/cm2
輸出：72W
照射強度：200mW/cm2
<接著薄膜的製作>
相對於100份作為丙烯酸類樹脂的丙烯酸酯共聚物(丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯-丙烯腈-丙烯酸-甲基丙烯酸羥基乙酯共聚物)(Nagasechemtex股份有限公司製造，商品名“SG-708-6”，玻璃轉化溫度：6℃，重量平均分子量：80萬)，將熱固化催化劑(北興化學公司製造，商品名“TPP-K”)5份、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製造，商品名“EOCN-1027”)200份、酚醛樹脂(三井化學股份有限公司製造，商品名“milex XLC-3L”)200份和作為無機填充劑的球形二氧化矽(admatechs股份有限公司製造，商品名“SO-25R”，平均粒徑0.5μm)4000份溶解於甲基乙基酮中，調節濃度為58.0重量%，從而進行製備。
將該接著劑組成物溶液利用噴出式塗布機(Fountain coater)塗布到脫模處理薄膜(基材隔片)上而形成塗布層，對該塗布層直接噴射2分鐘150℃、10m/s的熱風使其乾燥。由此，在脫模處理薄膜上形成厚度25μm的接著薄膜。另外，作為脫模處理薄膜(基材隔片)，使用在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度50μm)上進行聚矽氧烷脫模處理得到的薄膜。
<帶有切割片的接著薄膜的製作>
然後，將所述接著薄膜切割為直徑230mm的圓形，並將所述切割薄膜的黏著劑層與切割為圓形的接著薄膜黏貼。黏貼使用夾輥，並在層壓溫度為50℃、線壓為3kgf/cm的黏貼條件下進行黏貼。另外，將接著薄膜上的基材隔片剝離，並黏貼經聚矽氧烷脫模處理的聚烯烴薄膜(厚度25μm)作為脫模處理薄膜(覆蓋薄膜)。此時，為了防止產生位置偏移、空隙(氣泡)等，使用張力調節輥(dancer roll)對覆蓋薄膜沿MD方向施加17N的拉伸張力，同時，不施加層壓溫度，以線壓2kgf/cm進行黏貼，製作帶有切割片的接著薄膜。
<半導體裝置用薄膜的製作>
另外，以接著薄膜為中心將切割薄膜沖裁為直徑270mm的圓形，由此得到以10mm的間隔黏貼有200片帶有切割片的接著薄膜的本實例的半導體裝置用薄膜。
(實例2)
<切割薄膜的製作>
本實例的切割薄膜，使用與所述實例1同樣的切割薄膜。
<接著薄膜的製作>
相對於100份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯系聚合物(根上工業股份有限公司製造，商品名“Paracro W-197CM”，Tg：18℃，重量平均分子量：40萬)，將異氰酸酯系交聯劑(日本聚胺酯股份有限公司製造，商品名“Coronate HX”)1份、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製造，商品名“EOCN-1027”)400份、酚醛樹脂(三井化學股份有限公司製造，商品名“milex XLC-LL”)400份和作為無機填充劑的球形二氧化矽(admatechs股份有限公司製造，商品名“SO-25R”，平均粒徑0.5μm)100份溶解於甲基乙基酮中，調節濃度為20.0重量%，從而進行製備。
<半導體裝置用薄膜的製作>
本實例2的半導體裝置用薄膜，使用所述接著薄膜，除此以外，與本實例1同樣地黏貼經聚矽氧烷脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度100μm)，由此製作半導體裝置用薄膜。
(比較例1)
在接著薄膜的製作中，將丙烯酸酯共聚物(丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯-丙烯腈-丙烯酸-甲基丙烯酸羥基乙酯共聚物)(Nagasechemtex股份有限公司製造，商品名“SG-708-6”，玻璃轉化溫度：6℃，重量平均分子量：80萬)的添加量增加10份，除此以外，與實例1同樣操作，製作本比較例的半導體裝置用薄膜。
(比較例2)
在接著薄膜的製作中，相對於100份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯系聚合物(根上工業股份有限公司製造，商品名“Paracro W-197C”，Tg：5℃，重量平均分子量：28萬)，將異氰酸酯類交聯劑(日本聚胺酯股份有限公司製造，商品名“Coronate HX”)1份、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製造，商品名“EOCN-1027”)400份、酚醛樹脂(三井化學股份有限公司製造，商品名“milex XLC-LL”)400份和作為無機填充劑的球形二氧化矽(admatechs股份有限公司製造，商品名“SO-25R”，平均粒徑0.5μm)100份溶解於甲基乙基酮中，調節濃度為15.0重量%，從而進行製備，除此以外，與實例2同樣操作，製作本比較例的半導體裝置用薄膜。
(黏著劑層的拉伸彈性係數)
所述黏著劑層的拉伸彈性係數的值，是通過以下測定方法得到的值。即，將黏著劑層14切割為長30.0mm、寬10.0mm、截面積0.1mm2~0.5mm2的試樣。在測定溫度23℃、夾盤間距20mm、拉伸速度50mm/分鐘的條件下對該試樣沿MD方向進行拉伸試驗，測定該試樣伸長的變化量(mm)。由此，在所得的S-S(應變-強度)曲線中，在其初始上升部分畫切線，用該切線相當於100%的伸長時的拉伸強度除以截面積，將所得值作為黏著劑層的拉伸彈性係數。
(23℃下接著薄膜的拉伸儲藏彈性係數Ea)
將各實例和比較例的接著劑組成物塗布到經脫模處理後的剝離襯墊上以達到100μm的方式而得到切割薄膜。對於該接著薄膜，使用黏彈性測定裝置(Rheometric公司製造，型號：RSA-II)，測定23℃下的拉伸彈性係數。更具體而言，將試樣尺寸設定為長30mm×寬5mm×厚0.1mm，將測定試樣安裝到薄膜拉伸測定用夾具上，在-30℃~280℃的溫度範圍下在頻率1.0Hz、應變0.025%、升溫速度10℃/分鐘的條件下進行測定。
(23℃下覆蓋薄膜的拉伸儲藏彈性係數Eb)
對於各實例和比較例的覆蓋薄膜，使用黏彈性測定裝置(Rheometric公司製造，型號：RSA-II)，測定23℃下的拉伸彈性係數。更具體而言，將試樣尺寸設定為長30mm×寬5mm，將測定試樣安裝到薄膜拉伸測定用夾具上，在-30℃~280℃的溫度範圍下在頻率1.0Hz、應變0.025%、升溫速度10℃/分鐘的條件下進行測定。
(剝離力的測定)
各實例及比較例所得到的半導體裝置用薄膜中接著薄膜與覆蓋薄膜之間的剝離力、以及切割薄膜與接著薄膜之間的剝離力的測定，在溫度23℃±2℃、相對濕度55 RH±5%RH、剝離速度300mm/分鐘的條件下進行T形剝離試驗(JIS K6854-3)。另外，作為拉伸試驗機，使用商品名“autograph AGS-H”(股份有限公司島津製作所製造)的拉伸試驗機。
(界面剝離及薄膜翹起的有無)
各實例及比較例所得到的半導體裝置用薄膜中薄膜翹起的確認，如下進行。即，將各半導體裝置用薄膜在溫度-30℃±2℃的冷庫中放置120小時。另外，在溫度23℃±2℃、相對濕度55Rh±5%Rh的環境下放置24小時。然後，確認半導體裝置用薄膜中各薄膜間有無界面剝離及薄膜翹起。評價標準是，通過目視未觀察到界面剝離或薄膜翹起的情況為○，觀察到的情況為×。
(安裝後空隙的有無)
各實例及比較例所得到的半導體裝置用薄膜空隙的有無，以如下的方式進行確認。即，從各半導體裝置用薄膜上將覆蓋薄膜分別剝離，在接著薄膜上進行半導體晶圓的安裝。半導體晶圓使用大小為8英寸、厚度75μm的半導體晶圓。半導體晶圓的安裝條件如下所述。
<黏貼條件>
黏貼裝置：ACC股份有限公司製造，商品名“RM-300”
黏貼速度計：20mm/秒
黏貼壓力：0.25MPa
黏貼溫度：60℃
接著，利用顯微鏡確認帶有切割片的接著薄膜與半導體晶圓的黏貼面上有無空隙(氣泡)。結果如下表1所示。
(拾取的評價)
從各半導體裝置用薄膜上分別將覆蓋薄膜剝離，在接著薄膜上進行半導體晶圓的安裝。半導體晶圓使用大小為8英寸、厚度75μm的半導體晶圓。半導體晶圓的安裝條件與所述同樣。
然後，根據下列條件進行半導體晶圓的切割，形成30個半導體晶片。另外，將半導體晶片與晶片接合薄膜一起進行拾取。拾取對30個半導體晶片(長5mm×寬5mm)進行，對無破損且成功拾取半導體晶片的情況進行計數，而計算出成功率。結果如下表1所示。拾取條件如下所述。
<切割條件>
切割方法：階段式切割(step-cut)
切割裝置：DISCO DFD-6361(商品名，DISCO股份有限公司製造)
切割速度：30mm/秒
切割刀片：Z1：DISCO公司製造“NBC-ZH203O-SE27HDD”
Z2：DISCO公司製造“NBC-ZH203O-SE27HBB”
切割刀片轉速：Z1：50,000rpm，Z2：50,000rpm
切割帶切入深度：25μm
晶圓晶片尺寸：5mm×5mm
<拾取條件>
拾取裝置：商品名“SPA-300”新川公司製造
針數量：5根
上推量：300μm
上推速度：10mm/秒
下拉量：3mm
(冷藏保存1個月後捲繞痕跡轉印造成的空隙有無的確認)
將各實例以及比較例所得到的半導體裝置用薄膜以2kg的捲繞張力捲繞為捲筒狀。並且，在該狀態下，在溫度5℃的冷藏庫內放置一個月。之後，回到室溫然後鬆開捲筒，使用第100片帶有切割片的接著薄膜，進行半導體晶圓的安裝，並目視確認有無空隙。半導體晶圓使用大小為8英寸、厚度75μm的半導體晶片。另外，黏貼條件與上述安裝後的空隙評價同樣。結果如表1所示。
另外，表1中的剝離力F1表示帶有切割片的接著薄膜與覆蓋薄膜之間的剝離力，剝離力F2表示切割薄膜與接著薄膜之間的剝離力。
(結果)
從表1的結果可以看出，實例1和2的半導體裝置用薄膜在剛安裝半導體晶圓後未確認到空隙。另外，在捲繞並冷藏保存一個月的情況下，未確認到由捲繞痕跡轉印造成的空隙。另外，拾取性也良好。相對於此，比較例1的半導體裝置用薄膜在剛安裝半導體晶圓後確認到有空隙。另外，也確認到有覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。另外，雖然拾取成功率為100%，但是，產生晶片飛散或碎片。另外，比較例2的半導體裝置用薄膜在剛安裝半導體晶圓後確認到有空隙。另外，在捲繞並冷藏保存一個月的情況下，確認到由捲繞痕跡轉印造成的空隙。另外，也確認到有覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。另外，由於切割薄膜與接著薄膜之間的密合性高，因此難以拾取，且半導體晶片產生破裂或缺損。
1．．．帶有切割片的接著薄膜
2．．．覆蓋薄膜
10．．．半導體裝置用薄膜
11．．．切割薄膜
12．．．接著薄膜
13．．．基材
14．．．黏著劑層
19．．．階差
21．．．第一隔片
22．．．基材隔片
23．．．第二隔片
圖1之(a)是表示本實施方式的半導體裝置用薄膜的概略的俯視圖，圖1之(b)為圖1之(a)的局部剖面圖。
圖2為將圖1之(a)和圖1之(b)所示的半導體裝置用薄膜捲繞為捲筒狀的狀態下的局部剖面圖。
圖3是用於說明所述半導體裝置用薄膜的製造過程的概略圖。
1．．．帶有切割片的接著薄膜
2．．．覆蓋薄膜
10．．．半導體裝置用薄膜
11．．．切割薄膜
12．．．接著薄膜
13．．．基材
14．．．黏著劑層
19．．．階差

Claims (8)

  1. 一種半導體裝置用薄膜，其為在切割薄膜上積層有接著薄膜的帶有切割片的接著薄膜以規定的間隔積層在覆蓋薄膜上的半導體裝置用薄膜，該半導體裝置用薄膜的特徵在於，23℃下接著薄膜的拉伸儲藏彈性係數Ea與23℃下覆蓋薄膜的拉伸儲藏彈性係數Eb的比Ea/Eb在0.001~50的範圍內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置用薄膜，其中，在溫度23℃±2℃、剝離速度300mm/分鐘的條件下的T型剝離試驗中，所述接著薄膜與所述覆蓋薄膜之間的剝離力F1在0.025N/100mm~0.075N/100mm的範圍內，所述接著薄膜與所述切割薄膜之間的剝離力F2在0.08N/100mm~10N/100mm的範圍內，並且所述F1與所述F2滿足F1<F2的關係。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置用薄膜，其中，所述接著薄膜含有重量平均分子量為30萬以上且150萬以下的熱塑性樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置用薄膜，其中，所述接著薄膜含有使單體成分聚合而得的熱塑性樹脂，所述單體成分含有含羧基單體。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置用薄膜，其中，所述接著薄膜含有作為所述熱塑性樹脂的丙烯酸樹脂，且所述丙烯酸樹脂的玻璃轉化溫度為20℃以下。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置用薄膜，其中，在23℃下所述接著薄膜的拉伸儲藏彈性係數Ea為5MPa~5000MPa。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置用薄膜，其中，在23℃下所述覆蓋薄膜的拉伸儲藏彈性係數Eb為5MPa~5000MPa。
  8. 一種半導體裝置，其使用如申請專利範圍第1項~第7項中任一項所述的半導體裝置用薄膜製造而成。
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