JP2015103581A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ダイボンドフィルムと被着体との間にボイドが生じたとしても、ボイドによる影響を低減させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有しており、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱硬化型ダイボンドフィルムを準備する工程と、熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、熱硬化型ダイボンドフィルムを、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件下において、加熱温度８０〜２００℃、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内で加熱することにより熱硬化させる熱硬化工程とを含む半導体装置の製造方法。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

近年、半導体装置のデータ処理の高速化が進むにつれて、半導体チップからの発熱量が多くなり、放熱性を持たせた半導体装置の設計の重要性が増している。熱は、半導体装置そのものに対してはもちろん、それを組み込んだ電子機器本体にもさまざまな悪影響を及ぼす。放熱のためのパッケージ対策としては様々な方法が考えられるが、もっとも重要なのがプリント基板やリードフレームなどの基板を介しての放熱である。

そこで従来、基板と半導体チップの接着には高熱伝導性を有する接着剤が使用される場合がある。従来この接着剤としては、接着剤の中でも比較的熱伝導率の高い銀ペーストが使用されている。

しかしながら、近年、スマートフォンやタブレットＰＣが普及し、高性能化することで、半導体装置の軽薄、短小化が進むにつれて銀ペーストでは半導体装置の組み立てが困難な状況が出てきている。

具体的には、スマートフォンやタブレットＰＣの用途にはチップ面積が小さく、薄い半導体チップを用いたパッケージが用いられる。しかしながら、このような半導体チップをペースト状の接着剤で接着しようとすると、半導体チップが薄いために半導体チップが割れてしまったり、半導体チップの回路面に接着剤が回り込んだり、半導体チップに傾きが発生するなど様々な製造上の問題が発生する。また、ペースト状の接着剤は接着させて硬化させるプロセス中でボイドを発生し易い。そのため、半導体チップと基板との間に発生したボイドが放熱の妨げになり、設計通りの熱伝導性（放熱性）を発現できないなどの不良の原因になる。

一方、従来、シート状のダイボンドフィルムが知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなダイボンドフィルムを使用すれば、チップの割れ、接着剤の回り込み、チップの傾きは抑制することができる。しかしながら、従来のダイボンドフィルムは、銀ペーストに比べて熱伝導性が低い点で改良の余地がある。

特開２００８−２１８５７１号公報

ダイボンドフィルムを高熱伝導性にするには、例えば、高熱伝導性の熱伝導性粒子を高充填に配合する必要がある。しかしながら、熱伝導性粒子を高充填にすることで各種特性においてデメリットが生じる場合がある。すなわち、半導体チップはプリント配線基板など、ある程度表面凹凸の大きいものに貼り合わせて使用されることが多いが、ダイボンドフィルムに熱伝導性粒子を高充填にした状態では、熱伝導性粒子と樹脂の相互作用によってダイボンドフィルムの粘度が高くなることで流動性が低下し、プリント配線基板などの基板の凹凸に十分に追従出来ないという問題が起こる。そして、ダイボンドフィルムが基板の凹凸に追従出来ない場合、ダイボンドフィルムと基板との間にボイドが生じる。ダイボンドフィルムと基板との間にボイドがあると、前述したように放熱性が低下する問題が起こる他、信頼性が低下し、リフロー工程で被着体との剥離が生じるなどの問題も起こり得るといった問題がある。

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、ダイボンドフィルムと被着体との間にボイドが生じたとしても、ボイドによる影響を低減させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置の製造方法について検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、ダイボンドフィルムと基板との間にボイドが生じたとしても、ボイドによる影響を低減させることが可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有しており、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱硬化型ダイボンドフィルムを準備する工程と、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件下において、加熱温度８０〜２００℃、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内で加熱することにより熱硬化させる熱硬化工程とを含むことを特徴とする。

前記構成によれば、熱硬化型ダイボンドフィルムは、熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有しており、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるため、高熱伝導性を有する。
また、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを熱硬化させる熱硬化工程は、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件下（加圧条件下）において行なわれる。従って、仮にダイボンド工程において、ダイボンドフィルムと被着体との間にボイドが生じたとしても、膨張させることなく樹脂中に分散させて見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響を低減させることができる。

前記構成において、前記熱伝導性粒子の平均粒径は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

前記熱伝導性粒子の平均粒径を１μｍ以上とすることにより、熱硬化型ダイボンドフィルムの被着体への濡れ性を確保して良好な接着性を発揮させることができ、１０μｍ以下とすることにより、熱伝導性粒子の添加による熱伝導性の向上効果をより良好なものとすることができる。

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有しており、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングシート上に積層されているダイシングシート付きダイボンドフィルムを準備する工程と、
前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムの熱硬化型ダイボンドフィルムと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
前記半導体チップを、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、前記半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件下において、加熱温度８０〜２００℃、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内で加熱することにより熱硬化させる熱硬化工程とを含むことを特徴とする。

前記構成によれば、熱硬化型ダイボンドフィルムは、熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有しており、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるため、高熱伝導性を有する。
また、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを熱硬化させる熱硬化工程は、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件下（加圧条件下）において行なわれる。従って、仮にダイボンド工程において、ダイボンドフィルムと被着体との間にボイドが生じたとしても、膨張させることなく樹脂中に分散させて見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響を低減させることができる。
また、ダイシングシート上に予め熱硬化型ダイボンドフィルムが積層されているため、ダイシングシートに熱硬化型ダイボンドフィルムを貼り付ける工程を省略することができる。

前記構成において、前記熱伝導性粒子の平均粒径は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

前記熱伝導性粒子の平均粒径を１μｍ以上とすることにより、熱硬化型ダイボンドフィルムの被着体への濡れ性を確保して良好な接着性を発揮させることができ、１０μｍ以下とすることにより、熱伝導性粒子の添加による熱伝導性の向上効果をより良好なものとすることができる。

本発明の一実施形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本発明の他の実施形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。

（ダイシングシート付きダイボンドフィルム）
本発明の一実施形態に係る熱硬化型ダイボンドフィルム（以下、「ダイボンドフィルム」ともいう）、及び、ダイシングシート付きダイボンドフィルムについて、以下に説明する。本実施形態に係るダイボンドフィルムは、以下に説明するダイシングシート付きダイボンドフィルムにおいて、ダイシングシートが貼り合わせられていない状態のものを挙げることができる。従って、以下では、ダイシングシート付きダイボンドフィルムについて説明し、ダイボンドフィルムについては、その中で説明することとする。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図２は、本発明の他の実施形態に係る他のダイシングシート付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。

図１に示すように、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０は、ダイシングシート１１上にダイボンドフィルム３が積層された構成を有する。ダイシングシート１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、ダイボンドフィルム３はその粘着剤層２上に設けられている。また本発明は、図２に示すダイシングシート付きダイボンドフィルム１２のように、ワーク貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３’を形成した構成であってもよい。

前記基材１は紫外線透過性を有し、かつダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。

粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは１０万以上、さらに好ましくは２０万〜３００万程度であり、特に好ましくは３０万〜１００万程度である。

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。

粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２のワーク貼り付け部分に対応する部分２ａのみを放射線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。

また、図２に示すダイボンドフィルム３’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付けられるため、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。なお、粘着剤層への放射線の照射は、ダイシング後であってかつピックアップ前に行ってもよい。

前述の通り、図１に示すダイシングシート付きダイボンドフィルム１０の粘着剤層２において、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着するためのダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシングシート付きダイボンドフィルム１１の粘着剤層２においては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の点で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。

前記放射線硬化型の粘着剤層２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。すなわち、図１に示すワーク貼り付け部分３ａに対応する部分２ａを着色することができる。従って、粘着剤層２に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分３ａを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体チップを検出する際に、その検出精度が高まり、半導体チップのピックアップ時に誤動作が生ずることがない。

放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。

これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、さらに、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。

この様な放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層２中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、さらに好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層２に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまうため、粘着剤層２の前記部分２ａの硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。

粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層２における前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射してもよい。

前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、支持基材１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、ワーク貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。

また、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１の少なくとも片面の、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を製造可能である。

なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。

粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、さらには５〜２５μｍが好ましい。

ダイボンドフィルム３、３’は、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、１．２Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるため、ダイボンドフィルム３、３’を用いて製造される半導体装置は、放熱性に優れる。なお、ダイボンドフィルム３、３’の熱伝導率は高いほど好ましいが、例えば、２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。
本発明において、「熱硬化後の熱伝導率」とは、１３０℃で１時間加熱し、続いて、１７５℃で５時間加熱した後の熱伝導率をいう。また、「熱硬化後のダイボンドフィルム」とは、熱硬化前の状態（ダイボンドフィルムを作成した後の状態）から完全に熱硬化が完了するまでに発生する反応熱量を１００％としたときに、「熱硬化後のダイボンドフィルム」の状態から完全に熱硬化が完了するまでに発生する反応熱量が５％以下となっているものをいう。なお、上記反応熱量は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られる値を用いる。

また、ダイボンドフィルム３、３’は、１３０℃における溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜６００Ｐａ・ｓの範囲内であることが好ましく、２５Ｐａ・ｓ〜６００Ｐａ・ｓの範囲内であること好ましく、５０Ｐａ・ｓ〜３００Ｐａ・ｓの範囲内であることがより好ましい。１３０℃における溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ〜６００Ｐａ・ｓの範囲内にあると、フィルムの形状を維持しつつも、比較的低粘度である。従って、プリント配線基板などの被着体の凹凸に十分に追従でき、ボイドの発生を抑制することができる。なお、本発明において、１３０℃における溶融粘度は、測定条件として、ずり速度を５（１／秒）とした値をいう。

ダイボンドフィルム３、３’は、熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有し、８０重量％以上含有することが好ましく、８５重量％以上含有することがより好ましい。また、前記熱伝導性粒子の含有量は、多いほどが好ましいが製膜性の観点から、例えば、９３重量％以下である。熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有すると、当該熱硬化型ダイボンドフィルムを用いて製造される半導体装置は、より放熱性に優れる。なお、熱伝導性粒子の熱伝導率は、Ｘ線構造解析によって得られた熱伝導性粒子の結晶構造から推定できる。

前記熱伝導性粒子は、アルミナ粒子（熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）、酸化亜鉛粒子（熱伝導率：５４Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化アルミニウム粒子（熱伝導率：１５０Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化ケイ素粒子（熱伝導率：２７Ｗ／ｍ・Ｋ）、炭化ケイ素粒子（熱伝導率：２００Ｗ／ｍ・Ｋ）、酸化マグネシウム粒子（熱伝導率：５９Ｗ／ｍ・Ｋ）、及び、窒化ホウ素粒子（熱伝導率：６０Ｗ／ｍ・Ｋ）からなる群より選択される少なくとも１種の粒子であることが好ましい。特にアルミナは高熱伝導率であり、分散性、入手容易性の点で好ましい。また、窒化ホウ素はさらに高い熱伝導率があることから、好適に用いることができる。

熱伝導性粒子は、シランカップリング剤により処理（前処理）されたものが好ましい。これにより、熱伝導性粒子の分散性が良好になり、熱伝導性粒子の高充填化が可能になる。

シランカップリング剤としては、ケイ素原子、加水分解性基及び有機官能基を含むものが好ましい。

加水分解性基は、ケイ素原子に結合している。

加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などが挙げられる。なかでも、加水分解速度が速く処理が容易という理由から、メトキシ基が好ましい。

シランカップリング剤中の加水分解性基の数は、熱伝導性粒子と架橋しつつシランカップリング剤同士で架橋することが可能で、熱伝導性粒子表面の架橋点が少なくても熱伝導性粒子全体をシランカップリング剤で表面処理できるという点から、好ましくは２〜３個、より好ましくは３個である。

有機官能基は、ケイ素原子に結合している。

有機官能基としては、例えば、アクリル基、メタクリル基、エポキシ基、フェニルアミノ基などを含むものが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂と反応性を有さず、処理を行った熱伝導性粒子の保存安定性が良好なことからアクリル基が好ましい。

なお、エポキシ基と反応性が高い官能基を有するとエポキシ樹脂と反応するため、保存安定性、流動性が低下する。流動性の低下を抑制するという点から、有機官能基としては、一級アミノ基、メルカプト基又はイソシアネート基を含まないものが好ましい。

シランカップリング剤中の有機官能基の数は、好ましくは１個である。ケイ素原子は結合を４つつくるため、有機官能基が多いと加水分解基の数が不足する。

シランカップリング剤は、ケイ素原子に結合するアルキル基をさらに含んでもよい。シランカップリング剤がアルキル基を含むことにより、メタクリル基よりも反応性を低くすることが可能で、急激な反応による表面処理の偏りを防ぐことができる。アルキル基としては、メチル基、ジメチル基などが挙げられる。なかでも、メチル基が好ましい。

シランカップリング剤として、具体的には、２−（３，４−エポキシシクロへキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。

シランカップリング剤により熱伝導性粒子を処理する方法としては特に限定されず、溶媒中で熱伝導性粒子とシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中で熱伝導性粒子とシランカップリング剤を処理させる乾式法などが挙げられる。

シランカップリング剤の処理量は特に限定されないが、熱伝導性粒子１００重量部に対して、シランカップリング剤を０．０５〜５重量部処理することが好ましい。

前記熱伝導性粒子の形状としては、特に限定されず、例えば、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、鱗片状のものを使用することができるが、分散性、充填率の向上の点で球状のものが好ましい。

前記熱伝導性粒子の平均粒径は、１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、２μｍ以上７μｍ以下がより好ましい。前記熱伝導性粒子の平均粒径を１μｍ以上とすることにより、熱硬化型ダイボンドフィルムの被着体への濡れ性を確保して良好な接着性を発揮させることができ、１０μｍ以下とすることにより、熱伝導性粒子の添加による熱伝導性の向上効果をより良好なものとすることができるからである。また、前記範囲の平均粒径により、熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さを薄くすることができ、ひいては半導体チップを高積層化することができると共に、熱硬化型ダイボンドフィルムから熱伝導性粒子が突き出すことによるチップクラックの発生を防止することができる。なお、熱伝導性粒子の平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。

また、前記熱伝導性粒子としては、平均粒子径の異なる２種以上の熱伝導性粒子を用いてもよい。平均粒径の異なる２種以上の熱伝導性粒子を用いることにより、充填率を向上させ易くすることができるからである。

ダイボンドフィルム３、３’の積層構造は特に限定されず、例えば接着剤層の単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。

ダイボンドフィルム３、３’は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などの樹脂成分を含むことが好ましい。

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
また、前記エポキシ樹脂は、常温で固形のものと、常温で固形のものとの２種類を併用して用いることができる。常温で固形のエポキシ樹脂に対して、常温で液状のエポキシ樹脂を加えることにより、フィルムを形成した際の脆弱性を改善することができ、作業性を向上させることができる。
なかでも、熱硬化型ダイボンドフィルムの１３０℃での溶融粘度を低下できる観点から、前記エポキシ樹脂のなかでも、軟化点が１００℃以下のものが好ましい。
なお、エポキシ樹脂の軟化点は、ＪＩＳ Ｋ ７２３４−１９８６に規定される環球法で測定できる。

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
なかでも、熱硬化型ダイボンドフィルムの１３０℃での溶融粘度を低下できる観点から、前記フェノール樹脂のなかでも、軟化点が１００℃以下のものが好ましい。
なお、フェノール樹脂の軟化点は、ＪＩＳ Ｋ ６９１０−２００７に規定される環球法で測定できる。

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体チップの信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

樹脂成分の含有量は、ダイボンドフィルム３、３’全体に対して、好ましくは７重量％以上である。樹脂成分の含有量は、ダイボンドフィルム３、３’全体に対して好ましくは２５重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１５重量％以下である。

樹脂成分（熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の合計量）における熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際にダイボンドフィルム３、３’が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、１３０℃における溶融粘度を低くするために、７５〜９９重量％の範囲内であることが好ましく、８５〜９８重量％の範囲内であることがより好ましい。

また、樹脂成分中の熱可塑性樹脂の配合割合としては、１３０℃における溶融粘度を低くするために、１〜２５重量％の範囲内であることが好ましく、２〜１５重量％の範囲内であることがより好ましい。

ダイボンドフィルム３、３’は硬化触媒を含むことが好ましい。これにより、エポキシ樹脂とフェノール樹脂等の硬化剤との熱硬化を促進できる。硬化触媒としては特に限定されないが、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）などのリン−ホウ素系硬化触媒が挙げられる（いずれも北興化学工業(株)製）。なかでも、潜在性に優れるため室温での保存安定性が良好であるという点から、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレートが好ましい。

硬化触媒の含有量は適宜設定できるが、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、０．１〜３重量部が好ましく、０．５〜２重量部がより好ましい。

本発明のダイボンドフィルム３、３’を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。

また、ダイボンドフィルム３、３’には、その用途に応じて前記熱伝導性粒子以外のフィラーを適宜配合することができる。前記フィラーの配合は、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられる。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、ほう酸アルミウィスカ、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

なお、ダイボンドフィルム３、３’には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

ダイボンドフィルム３、３’の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層による固定保持の両立性の観点から、１〜２００μｍが好ましく、より好ましくは３〜１００μｍ、さらに好ましくは５〜８０μｍである。

前記ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２は、基材１や粘着剤層、ダイボンドフィルムに対して、その接着時及び剥離時等における静電気の発生やそれによる半導体ウェハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止する目的で帯電防止機能を持たせることができる。帯電防止機能の付与は、基材１や粘着剤層２、ダイボンドフィルム３、３’に帯電防止剤や導電性物質の添加する方法、基材１への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設等、適宜な方式で行うことができる。これら方式は半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、導電性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。

前記ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２のダイボンドフィルム３、３’は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３、３’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、さらに、粘着剤層２にダイボンドフィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシングシート付きダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３、３’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。

本実施の形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２は、例えば、次の通りにして作製される。
まず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングシート１１が作製される。

ダイボンドフィルム３、３’は、例えば、次の通りにして作製される。
まず、ダイシングシート付きダイボンドフィルム３、３’の形成材料である接着剤組成物を作製する。当該接着剤組成物には、前述の通り、必要に応じて、熱可塑性樹脂と、熱可塑性樹脂と、熱伝導性粒子と、その他各種の添加剤等とが配合されている。通常、接着剤組成物は、溶媒に溶解させた溶液状態又は溶媒に分散させた分散液状態で用いられる（以下、溶液状態には分散液状態も含むこととする）。

次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚さとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。

続いて、ダイシングシート１１及び接着剤層からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２が得られる。

（半導体装置の製造方法）
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有しており、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱硬化型ダイボンドフィルムを準備する工程と、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件下において、加熱温度８０〜２００℃、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内で加熱することにより熱硬化させる熱硬化工程とを含む（以下、第１実施形態ともいう）。
また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有しており、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングシート上に積層されているダイシングシート付きダイボンドフィルムを準備する工程と、
前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムの熱硬化型ダイボンドフィルムと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
前記半導体チップを、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、前記半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程と
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件下において、加熱温度８０〜２００℃、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内で加熱することにより熱硬化させる熱硬化工程とを含むものでもある（以下、第２実施形態ともいう）。
第１実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法が、ダイシングシート付きダイボンドフィルムを用いているのに対して、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法では、ダイボンドフィルムを単体で用いている点で異なりその他の点で共通する。第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、ダイボンドフィルムを準備した後、これをダイシングシートと貼り合わせる工程を行なえば、その後は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様とすることができる。そこで、以下では、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明することとする。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、ダイシングシート付きダイボンドフィルムを準備する（準備する工程）。ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０、１２は、ダイボンドフィルム３、３’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図３を参照しながらダイシングシート付きダイボンドフィルム１０を用いた場合を例にして説明する。

まず、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０におけるダイボンドフィルム３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り合わせ工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば４０〜９０℃の範囲内であることが好ましい。

次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う（ダイシング工程）。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングの方法は特に限定されないが、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングシート付きダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。

次に、ダイシングシート付きダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離するために、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングシート付きダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。

ピックアップ条件としては、チッピング防止の点で、ニードル突き上げ速度を５〜１００ｍｍ／秒とすることが好ましく、５〜１０ｍｍ／秒とすることがより好ましい。

ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。なお、粘着剤層に予め紫外線照射し硬化させておき、この硬化した粘着剤層とダイボンドフィルムとを貼り合わせている場合は、ここでの紫外線照射は不要である。

次に、ピックアップした半導体チップ５を、被着体６上にダイボンドフィルム３を介して接着固定する（ダイボンド工程）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体チップをマウントし、半導体チップと電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。

次に、ダイボンドフィルム３は熱硬化型であるので、加熱硬化により、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる（熱硬化工程）。加熱温度は、８０〜２００℃、好ましくは１００〜１７５℃、より好ましくは１００〜１４０℃で行うことができる。また、加熱時間は、０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜３時間、より好ましくは０．２〜１時間で行うことができる。また、加熱硬化は、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件下（加圧条件下）にて行なう。前記圧力条件は、２〜１８ｋｇ／ｃｍ^２の範囲内が好ましく、５〜１５ｋｇ／ｃｍ^２の範囲内がより好ましい。加圧下での加熱硬化は、例えば、不活性ガスを充填したチャンバー内で行なうことができる。熱硬化工程が、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件下（加圧条件下）において行なわれるため、仮にダイボンド工程において、ダイボンドフィルムと被着体との間にボイドが生じたとしても、膨張させることなく樹脂中に分散させて見た目上消失させることができる。その結果、ボイドによる影響を低減させることができる。なお、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。

熱硬化後のダイボンドフィルム３の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程における超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。すなわち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体チップが動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。

次に、必要に応じて、図３に示すように、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３の熱硬化を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程でダイボンドフィルム３により半導体チップ５と被着体６とが固着することはない。

次に、必要に応じて、図３に示すように、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行うことができる。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。すなわち、本発明においては、後述する後硬化工程が行われない場合においても、本工程においてダイボンドフィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。また、本封止工程では、シート状の封止用シートに半導体チップ５を埋め込む方法（例えば、特開２０１３−７０２８号公報参照）を採用することもできる。

次に、必要に応じて加熱を行い、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる（後硬化工程）。封止工程においてダイボンドフィルム３が完全に熱硬化していない場合でも、本工程において封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３の完全な熱硬化が可能となる。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。

なお、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ダイボンド工程による仮固着の後、ダイボンドフィルム３の加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、さらに半導体チップ５を封止樹脂で封止して、当該封止樹脂を硬化（後硬化）させてもよい。この場合、ダイボンドフィルム３の仮固着時の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の仮固着時における剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程における超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。すなわち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体チップが動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。なお、仮固着とは、以降の工程において支障がないように、熱硬化型ダイボンドフィルムの硬化反応を完全に進行した状態に至らない程度で該ダイボンドフィルムを硬化させて（半硬化状態にして）半導体チップ５を固定した状態をいう。なお、ダイボンドフィルムの加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行う場合、上記後硬化させる工程は、本発明の熱硬化工程に相当する。

なお、本発明のダイシングシート付きダイボンドフィルムは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。このとき、半導体チップ間にダイボンドフィルムとスペーサとを積層させてもよく、スペーサを積層することなく、ダイボンドフィルムのみを半導体チップ間に積層させてもよく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、「部」とあるのは、「重量部」を意味する。

（実施例１）
＜熱硬化型ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｆ）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶解させ、粘度が室温で１５０ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、製品名：ＪＥＲ８２７（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、常温で液状（軟化点は２５℃以下））
９．５部
（ｂ）フェノール樹脂（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、明和化成社製、製品名：ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６７℃、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．）
９．５部
（ｃ）アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、製品名：テイサンレジンＳＧ−Ｐ３、重量平均分子量：８５万、ガラス転移温度：１２℃）
１部
（ｄ）硬化促進触媒（北興化学（株）製、製品名：ＴＰＰ−ＭＫ、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート）
０．２部
（ｅ）球状アルミナフィラーＡ（電気化学工業（株）製、製品名：ＤＡＷ−０５、平均粒径：５．１μｍ、比表面積：０．５ｍ^２／ｇ）
６０部
（ｆ）球状アルミナフィラーＢ（（株）アドマテックス製、製品名：ＡＯ８０２、平均粒径：０．７μｍ、比表面積：７．５ｍ^２／ｇ）
２０部

なお、球状アルミナフィラーＡ及び球状アルミナフィラーＢは、予め表面処理を行なった。表面処理は乾式法で行い、下記式で表される量（シランカップリング剤処理量）のシランカップリング剤で処理した。シランカップリング剤は信越化学のＫＢＭ５０３を用いた。
（シランカップリング剤処理量）＝（アルミナフィラーの重量（ｇ）×アルミナフィラーの比表面積（ｍ^２／ｇ））／シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ^２／ｇ）
シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ^２／ｇ）＝６．０２×１０^２３×１３×１０^−２０／シランカップリング剤の分子量

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＡを作製した。

（実施例２）
＜熱硬化型ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｆ）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶解させ、粘度が室温で１５０ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、製品名：ＪＥＲ８２７（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、常温で液状（軟化点は２５℃以下））
６．８部
（ｂ）フェノール樹脂（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、明和化成社製、製品名：ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６７℃、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．）
６．９部
（ｃ）アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、製品名：テイサンレジンＳＧ−Ｐ３、重量平均分子量：８５万、ガラス転移温度：１２℃）
２．３部
（ｄ）硬化促進触媒（北興化学（株）製、製品名：ＴＰＰ−ＭＫ、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート）
０．１５部
（ｅ）球状アルミナフィラーＡ（電気化学工業（株）製、製品名：ＤＡＷ−０５、平均粒径：５．１μｍ、比表面積：０．５ｍ^２／ｇ）
６０部
（ｆ）球状アルミナフィラーＢ（（株）アドマテックス製、製品名：ＡＯ８０２、平均粒径：０．７μｍ、比表面積：７．５ｍ^２／ｇ）
２５部

なお、球状アルミナフィラーＡ及び球状アルミナフィラーＢは、予め表面処理を行なった。表面処理は乾式法で行い、下記式で表される量（シランカップリング剤処理量）のシランカップリング剤で処理した。シランカップリング剤は信越化学のＫＢＭ５０３を用いた。
（シランカップリング剤処理量）＝（アルミナフィラーの重量（ｇ）×アルミナフィラーの比表面積（ｍ^２／ｇ））／シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ^２／ｇ）
シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ^２／ｇ）＝６．０２×１０^２３×１３×１０^−２０／シランカップリング剤の分子量

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＢを作製した。

（実施例３）
＜熱硬化型ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｆ）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶解させ、粘度が室温で１５０ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、製品名：ＪＥＲ８２７（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、常温で液状（軟化点は２５℃以下））
６部
（ｂ）フェノール樹脂（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、明和化成社製、製品名：ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６７℃、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．）
６部
（ｃ）アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、製品名：テイサンレジンＳＧ−Ｐ３、重量平均分子量：８５万、ガラス転移温度：１２℃）
３部
（ｄ）硬化促進触媒（北興化学（株）製、製品名：ＴＰＰ−ＭＫ、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート）
０．１５部
（ｅ）球状アルミナフィラーＡ（電気化学工業（株）製、製品名：ＤＡＷ−０５、平均粒径：５．１μｍ、比表面積：０．５ｍ^２／ｇ）
６０部
（ｆ）球状アルミナフィラーＢ（（株）アドマテックス製、製品名：ＡＯ８０２、平均粒径：０．７μｍ、比表面積：７．５ｍ^２／ｇ）
２５部

なお、球状アルミナフィラーＡ及び球状アルミナフィラーＢは、予め表面処理を行なった。表面処理は乾式法で行い、下記式で表される量（シランカップリング剤処理量）のシランカップリング剤で処理した。シランカップリング剤は信越化学のＫＢＭ５０３を用いた。
（シランカップリング剤処理量）＝（アルミナフィラーの重量（ｇ）×アルミナフィラーの比表面積（ｍ^２／ｇ））／シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ^２／ｇ）
シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ^２／ｇ）＝６．０２×１０^２３×１３×１０^−２０／シランカップリング剤の分子量

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＣを作製した。

（実施例４）
＜熱硬化型ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｆ）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶解させ、粘度が室温で１５０ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、製品名：ＪＥＲ８２７（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、常温で液状（軟化点は２５℃以下））
７．３部
（ｂ）フェノール樹脂（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、明和化成社製、製品名：ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６７℃、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．）
７．３部
（ｃ）アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、製品名：テイサンレジンＳＧ−Ｐ３、重量平均分子量：８５万、ガラス転移温度：１２℃）
０．４部
（ｄ）硬化促進触媒（北興化学（株）製、製品名：ＴＰＰ−ＭＫ、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート）
０．１５部
（ｅ）球状アルミナフィラーＡ（電気化学工業（株）製、製品名：ＤＡＷ−０５、平均粒径：５．１μｍ、比表面積：０．５ｍ^２／ｇ）
６０部
（ｆ）球状アルミナフィラーＢ（（株）アドマテックス製、製品名：ＡＯ８０２、平均粒径：０．７μｍ、比表面積：７．５ｍ^２／ｇ）
２５部

なお、球状アルミナフィラーＡ及び球状アルミナフィラーＢは、予め表面処理を行なった。表面処理は乾式法で行い、下記式で表される量（シランカップリング剤処理量）のシランカップリング剤で処理した。シランカップリング剤は信越化学のＫＢＭ５０３を用いた。
（シランカップリング剤処理量）＝（アルミナフィラーの重量（ｇ）×アルミナフィラーの比表面積（ｍ^２／ｇ））／シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ^２／ｇ）
シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ^２／ｇ）＝６．０２×１０^２３×１３×１０^−２０／シランカップリング剤の分子量

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＤを作製した。

（比較例１）
実施例２と同一のダイボンドフィルムを比較例１に係るダイボンドフィルムＥとして作成した。

なお、実施例、比較例に係るダイボンドフィルムにおけるフィラー全体（球状アルミナフィラーＡ及び球状アルミナフィラーＢ）の平均粒径、及び、フィラー全体の比表面積は、表１に示す通りである。また、ダイボンドフィルム全体に対するフィラーの充填量、樹脂成分中（熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の合計量中）の熱硬化性樹脂の割合、樹脂成分中（熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の合計量中）の熱可塑性樹脂の割合も合わせて表１に示した。

（１３０℃での溶融粘度の測定）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｅの熱硬化前の１３０℃における溶融粘度を測定した。測定にはレオメーター（ＨＡＡＫＥ社製、ＲＳ−１）を用いて、パラレルプレート法により行った。即ち、各ダイボンドフィルムＡ〜Ｃから０．１ｇを採取して試料とし、この試料を予め１３０℃に熱してあるプレートに仕込んだ。溶融粘度は測定開始から３００秒後の値とした。また、ずり速度を５（１／秒）、プレート間のギャップは０．１ｍｍとした。結果を下記表１に示す。

（熱伝導率の測定）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｅの熱硬化後の熱伝導率の測定を行なった。熱伝導率は下記の式から求めた。結果を表１に示す。なお、熱硬化後の熱伝導率とは、１３０℃で１時間加熱し、続いて、１７５℃で５時間加熱した後の熱伝導率である。
（熱伝導率）＝（熱拡散係数）×（比熱）×（比重）

＜熱拡散係数＞.
ダイボンドフィルムを１ｍｍ厚に積層したのち、直径１ｃｍの円形形状に打ち抜いた。次に、１３０℃で１時間加熱し、続いて、１７５℃で５時間加熱した。このサンプルを用いて、レーザーフラッシュ法熱測定装置装置（アルバック社製、ＴＣ−９０００）を用いて熱拡散係数を測定した。

＜比熱＞
ＤＳＣ（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ製、Ｑ−２０００）を用いてＪＩＳ−７１２３の規格に沿った測定方法によって求めた。

＜比重＞
電子天秤（（株）島津製作所製、ＡＥＬ−２００）を用いてアルキメデス法によって測定した。

（ボイド評価）
熱ラミネートを用いて、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＡ〜Ｅを、厚さ１００μｍのガラスチップに、１０ｍｍ×１０ｍｍの面積で貼りつけて、サンプルチップを作成した。
次に、サンプルチップをＢＧＡ基板（日本サーキット工業（株）社製、製品名：ＣＡ−ＢＧＡ（２）、表面十点平均粗さ（Ｒｚ）＝１１〜１３μｍ）に１３０℃、２ｋｇ、２秒間の条件でボンディングを行った。その後、実施例１〜４においては、加圧条件下で１３０℃で１時間加熱し、続いて、１７５℃で５時間加熱した。加熱硬化時の加圧は、具体的には、オーブン内に窒素ガスを５ｋｇ／ｃｍ^２で充てんすることで行った。また、比較例１においては、大気圧下で１３０℃で１時間加熱し、続いて、１７５℃で５時間加熱した。ボンディングしたサンプルチップのガラス面側から光学顕微鏡を用いて観察した。観察画像においてボイドが占める面積を二値化ソフト（ＷｉｎＲｏｏｆｖｅｒ．５．６）を用いて算出した。ボイドの占める面積がダイボンドフィルムの表面積に対して２０％未満であった場合を「○」、２０％以上であった場合を「×」として評価した。結果を表１に示す。

（吸湿リフロー試験）
熱ラミネートを用いて、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＡ〜Ｅを、厚さ５０μｍ、１０ｍｍ×１０ｍｍのシリコンチップに貼りつけて、ダイボンドフィルム付きのサンプルチップを作成した。次に、ダイボンドフィルム付きのサンプルチップを、ダイボンダー装置（株式会社新川製、ＳＰＡ−３００）を用いて、ＢＧＡ基板（日本サーキット工業（株）社製、製品名：ＣＡ−ＢＧＡ（２）、表面十点平均粗さ（Ｒｚ）＝１１〜１３μｍ）に１３０℃、２ｋｇ、２秒間の条件でボンディングを行った。その後、実施例１〜４においては、加圧条件下で１３０℃で１時間加熱し、続いて、１７５℃で５時間加熱した。加熱硬化時の加圧は、具体的には、オーブン内に窒素ガスを５ｋｇ／ｃｍ^２で充てんすることで行った。また、比較例１においては、大気圧下で１３０℃で１時間加熱し、続いて、１７５℃で５時間加熱した。
次に、封止樹脂（日立化成株式会社性、ＧＥ−１００）を用いて１７５℃で９０秒の条件でモールドを行い、その後、１７５℃で５時間の加熱を行って封止樹脂を硬化させた。
次に、シリコンチップが中心となるように、厚み０．７ｍｍ、１６ｍｍ×１６ｍｍのサイズに個片化し、８５℃、且つ、湿度６０％ＲＨの条件で１６８時間吸湿させた。
吸湿させたサンプルをＪＥＤＥＣ規格に従い、２６０℃で３０秒間、ＩＲリフローを行った。リフロー後のサンプルを超音波測定装置（株式会社日立パワーソリューションズ製、ＦｉｎｅＳＡＴ）で観察し、デラミ（ダイボンドフィルムとＢＧＡ基板との剥離）の有無を観察した。各実施例、比較例について９個ずつ評価を行い、一つでもデラミの見られた場合を「×」、１つもデラミが見られなかった場合を「○」として評価した。結果を表１に示す。

１ 基材
２ 粘着剤層
３、３’ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１０、１２ ダイシングシート付きダイボンドフィルム
１１ ダイシングシート

Claims (4)

1. 熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有しており、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱硬化型ダイボンドフィルムを準備する工程と、
   前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、
   前記熱硬化型ダイボンドフィルムを、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件下において、加熱温度８０〜２００℃、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内で加熱することにより熱硬化させる熱硬化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記熱伝導性粒子の平均粒径が、１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して７５重量％以上含有しており、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングシート上に積層されているダイシングシート付きダイボンドフィルムを準備する工程と、
   前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムの熱硬化型ダイボンドフィルムと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
   前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
   前記半導体チップを、前記ダイシングシート付きダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
   前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、前記半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程と
   前記熱硬化型ダイボンドフィルムを、圧力１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件下において、加熱温度８０〜２００℃、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内で加熱することにより熱硬化させる熱硬化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 前記熱伝導性粒子の平均粒径が、１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。

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