201247912 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關在基板上形成利用蒸鍍遮罩之成膜圖案 的蒸鍍膜之蒸鍍裝置以及蒸鍍方法。 【先前技術】 近年使用有機電激發光元件的有機EL顯示裝置作爲 取代CRT和LCD的顯示裝置備受注目。 該有機EL顯示裝置等的有機EL裝備，在基板積層 形成電極層與積層複數個有機層的發光層，更被覆形成密 封層的構成，利用自發光，與LCD相比，高速回應性優 ，且可實現高視角及高對比。 此種有機EL裝備，一般是利用真空蒸鍍法製造’在 真空室內對準基板與蒸鍍遮罩使其密接進行蒸鍍，利用該 蒸鍍遮罩在基板形成所要之成膜圖案的蒸鍍膜。 又，在此種有機EL裝備之製造中，隨著基板的大型 化，爲了得到所要的成膜圖案，蒸鍍遮罩也大型化，但因 該大型化使張力施加在蒸鍍遮罩的狀態下，必須熔接固定 在遮罩框而製作，因此大型之蒸鍍遮罩的製造並不容易’ 而且該張力不足的話，隨著遮罩大型化，會在遮罩中心產 生應變，蒸鍍遮罩與基板的密著度下降，考慮該些，因此 遮罩框變大型，爲了得到精度，肉厚化和重S增大變顯著 。又，遮罩框，爲了防止因熱膨脹之遮罩精度的下降，雖 使用線膨脹係數小的因剛（invar )材，但其價格昂貴。 -5- 201247912 像這樣，雖然隨著基板尺寸的大型化而要求蒸鍍遮罩 之大型化，但高精細之遮罩的大型化困難，即便可以製成 ，仍會因前記應變之問題而產生實用上種種的問題。 又，雖亦具有例如日本特表第20 1 0-5 1 1 784號等所揭 示，離間配設基板與蒸鍍遮罩，藉由產生與蒸發源具有指 向性之蒸發粒子的開口部高精度成膜有機發光層的方法， 但與前記蒸發源產生指向性的前記開口部是做成一體構造 ，對於從開口部產生蒸發粒子，是成爲將前記一體構造加 熱至高溫的構成，因此成爲經由蒸鍍遮罩接受來自蒸發源 的輻射熱，並沒有將蒸鍍中之遮罩溫度保持一定的效果， 無法防止因蒸鍍遮罩之熱膨脹的成膜圖案之位置精度的下 降。 亦即，因爲蒸鍍遮罩變高溫並因熱膨脹伸長，所以遮 罩開口部本身及遮罩開口部之間距間的距離伸長，以蒸鍍 遮罩形成的基板上之成膜圖案本身的精度和成膜圖案的配 線精度下降。 進而，基板與蒸鍍遮罩雖是離間配設並相對移動的構 成，縱使小的蒸鍍遮罩仍可在寬廣範圍使所要的成膜圖案 蒸鍍在大型基板，但由於基板與蒸鍍遮罩是離間，因此該 蒸鍍遮罩的溫度愈發無法上昇，蒸鍍遮罩如前述會產生因 該溫度上昇的熱變形和應變，蒸鍍精度明顯變差。 像目前這樣，使基板與蒸鍍遮罩密著重合而蒸鍍的情 形下，射向蒸鍍遮罩的輻射熱會逃向基板散熱。 可是，如果基板與蒸鍍遮罩依然是以離間狀態使基板 -6 - 201247912 相對移動之構成的話，如前述，蒸鑛遮罩的溫度上昇顯著 ，產生因該熱膨脹的應變，成膜圖案的位置精度明顯變差 0 〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕 〔專利文獻1〕日本特表第2010-511784號公報 【發明內容】 〔發明槪要〕 〔發明欲解決之課題〕 本發明是解決此類的各種問題，其目的是提供一種縱 使隨著基板的大型化，不使蒸鍍遮罩同等大型化，比基板 更小形的蒸鍍遮罩，仍可使基板在離間狀態做相對移動， 在寬廣範圍蒸鍍利用蒸鍍遮罩的成膜圖案的蒸鍍膜，且仍 然保持離間狀態使其相對移，構造也很簡單，能效率良好 且快速的蒸鍍，而且縱使蒸鑛遮罩仍然保持離間狀態還是 可在蒸發源與蒸鍍遮罩之間設置限制用開口部，限制蒸發 粒子的飛散方向，不讓來自相鄰或離間之位置的蒸發口部 的蒸發粒子通過，防止成膜圖案的重疊，並且使蒸鍍遮罩 接觸並附設在具有設有該限制用開口部之飛散限制部的遮 罩架的構成，且在該遮罩架或蒸鍍遮罩的至少一方設置保 持蒸鍍遮罩之溫度的溫度控制機構，該遮罩架不僅作爲飛 散限制部，還會抑制從蒸發源射入的熱，且發揮抑制蒸鍍 遮罩之溫度上昇的溫度保持機能，該蒸鍍遮罩的溫度保持 201247912 —定，藉此防此因蒸鍍遮罩之熱的應變，一面使基板與蒸 鍍遮罩以離間狀態做相對移動的構成，一面進行高精度蒸 鍍之蒸鍍裝置以及蒸鍍方法。 特別是在有機EL裝備之製造時，其目的在於提供一 種可對應基板的大型化，有機發光層的蒸鍍亦能精度良好 施行，還可防止因遮罩接觸的基板、蒸鍍遮罩、蒸鍍膜的 損傷，針對比基板還小的蒸鍍遮罩，實現更高精度之蒸鍍 的有機EL裝備製造用之蒸鍍裝置以及蒸鍍方法。 〔用以解決課題之手段〕 · 參照所附圖面說明本發明之要旨。 有關一種蒸鍍裝置，在將從蒸發源1蒸發的成膜材料 ，介設著蒸鍍遮罩2的遮罩開口部3堆積在基板4上，並 且構成利用該蒸鍍遮罩2決定的成膜圖案的蒸鍍膜，形成 在基板4上的蒸鍍裝置中，其特徵爲：在前記蒸發源1與 對向狀態配設在該蒸發源1的前記基板4之間，配設限制 從前記蒸發源1蒸發的前記成膜材料之蒸發粒子的飛散方 向之具有設置限制用開口部5的飛散限制部之遮罩架6， 使得與前記基板4離間狀態配設的前記蒸鍍遮罩2接合附 設在該遮罩架6，在該遮罩架6或蒸鍍遮罩2的至少一方 具備保持蒸鍍遮罩2之溫度的溫度控制機構9，將前記基 板4，對著附設前記蒸鍍遮罩2的前記遮罩架6及前記蒸 發源1，構成依然與前記蒸鍍遮罩2保持離間狀態自如的 相對移動，藉由該相對移動在比前記蒸鍍遮罩2更寬廣的 -8 - 201247912 範圍’構成在基板4上形成有利用該蒸鍍遮罩2決定的成 膜圖案之蒸鍍膜。 又’有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鑛裝置，其 特徵爲：在作爲減壓環境氣的蒸鍍室7內，配設：收容前 記成膜材料的前記蒸發源1 ;和設有使得從該蒸發源1之 蒸發口部8所蒸發的前記成膜材料之蒸發粒子通過的前記 遮罩開口部3之前記蒸鍍遮罩2，且複數並設前記蒸發口 部8 ;在定位於與前記蒸鍍遮罩2爲離間狀態的基板4， 使得從前記複數個蒸發口部8所飛散的蒸發粒子通過前記 遮罩開口部3並堆積，且利用蒸鍍遮罩2決定之成膜圖案 的蒸鍍膜被形成在前記基板4所構成；在該蒸發源1和與 該蒸發源1對向狀態配設的前記基板4之間，配設具有設 置前記飛散限制用開口部5之前記飛散限制部的前記遮罩 6，該前記飛散限制部是設有不讓來自相鄰或離間之位置 的蒸發口部8之蒸發粒子通過的限制用開口部5，使得與 前記基板4離間狀態配設的前記蒸鍍遮罩2接合附設在該 遮罩架6，且在該遮罩架6或前記蒸鍍遮罩2的至少一方 設有用來抑制蒸鍍遮罩2之溫度上昇且將溫度保持一定的 前記溫度控制機構9 ’使前記基板4，對著附設前記蒸鍍 遮罩2的前記遮罩架6及前記蒸發源丨，仍與該蒸鍍遮罩 2保持離間狀態進行相對移動，使前記蒸鍍遮罩2的前記 成膜圖案的蒸鍍膜連續不斷的朝著該相對移動方向移動， 縱使比前記基板4還小的前記蒸鍍遮罩2仍可在寬廣範圍 形成蒸鍍膜的方式所構成。 - 9 - 201247912 又，有關申請專利範圍第2項所記載的蒸鍍裝置，其 特徵爲：在對著前記基板4之相對移動方向正交的橫方向 並設複數個前記蒸發源1的前記蒸發口部8,並且沿著前 記橫方向複數並設設置在前記遮罩架6的前記飛散限制部 的前記限制用開口部5，從前記各蒸發口部8蒸發的蒸發 粒子，只會通過對向的前記限制用開口部5，進而介設著 與該限制用開口部5對向的前記蒸鍍遮罩2的前記遮罩開 口部3，在前記基板4上形成前記成膜圖案的蒸鍍膜，且 構成以來自相鄰或分離之位置的前記蒸發口部8的蒸發粒 子被附著捕捉的方式，利用前記限制用開口部5限制前記 蒸發粒子的飛散方向。 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置，其 特徵爲：在前記遮罩架6的前記基板4側的端部，附設前 記蒸鍍遮罩2。 又，有關申請專利範圍第4項所記載的蒸鍍裝置，其 特徵爲：在前記遮罩架6的前記基板4側的端部，賦予前 記蒸鍍遮罩2張力而舖設。 又，有關申請專利範圍第5項所記載的蒸鍍裝置，其 特徵爲：前記遮罩架6，是賦予前記基板4的相對移動方 向張力來舖設前記蒸鍍遮罩2。 又，有關申請專範圍第1項所記載的蒸鍍遮罩，其特 徵爲：前記蒸鍍遮罩2,是朝著與前記基板之相對移動方 向正交的橫方向做複數片分割的構成，將該已分割的蒸鍍 遮罩2，朝著前記橫方向以並設狀態附設在前記遮罩架6 -10- 201247912 又，有關申請專範圍第1項所記載的蒸鍍遮罩， 徵爲：將前記蒸發源1的前記蒸發口部8以複數並設 前記基板4之相對移動方向正交的橫方向，在該每一 複數個的蒸發口部8，分別以對向狀態覆蓋具有設置 限制開口部5之前記飛散限制部的前記遮罩架6的各 用開口部5的方式，將前記蒸鍍遮罩2附設在遮罩架 前記基板4側的端部。 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置 特徵爲：在前記遮罩架6的前記限制用開口部5間， 朝著前記基板4的相對移動方向延伸的肋部24，在該 24的前記基板4側前端面，設置支承且接合設置在前 限制用開口部5的前記蒸鍍遮罩2的遮罩安裝支承面 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置 特徵爲：前記遮罩架6，是朝著前記基板4的相對移 向延伸，將前記蒸鍍遮罩2舖設在遮罩架6之際，爲 止因賦予蒸鍍遮罩2之張力的遮罩架6變形，將提昇 之方向的遮罩架6之剛性的肋部2 4，設置在前記限制 口部5間的構成。 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置 特徵爲：前記溫度控制機構9，是在前記遮罩架6的 限制用開口部5的周圍或該限制用開口部5間，設置 熱交換而受溫度控制的媒體流通的媒體路徑12或前 導管2 2的構成。 其特 在與 個或 前記 限制 6之 ，其 設置 肋部 記各 23 « ，其 動方 了防 舖設 用開 ，其 目IJ g己 進行 記熱 -11 - 201247912 又’有關申請專利範圍第1 1項所記載的蒸鍍裝置， 其特徵爲：目ij記溫度控制機構9 ’是在前記限制用開口部 5的周圍或該限制用開口部5間，在前記遮罩架6內設置 使媒體流通的前記媒體路徑12或前記熱導管22所構成， 且複數段設置在與前記基板4和前記蒸發源1之對向方向 的構成》 又’有關申請專利範圍第12項所記載的蒸鍍裝置， 其特徵爲：前記溫度控制機構9，是在前記遮罩架6內具 備·則蒸發源1側被溫度控制部9 A與前記基板4側被 溫度控制部9 B ’在各被溫度控制部9 A、9 B內裝分別獨立 使媒體流通的前記媒體路徑12或分別獨立的前記熱導管 22的構成^ 又，有關申請專利範圍第1 1項所記載的蒸鍍裝置， 其特徵爲：前記溫度控制機構9，是以在前記媒體路徑12 內部或前記熱導管22內部產生的溫度梯度，在設置於前 記對向方向的各段彼此不同的方向產生的方式，來配置前 記媒體路徑12或前記熱導管22所構成。 又，有關申請專利範圍第9項所記載之蒸鍍裝置，其 特徵爲：前記溫度控制機構9，是將前記媒體路徑1 2或前 記熱導管22配設在前記肋24內所構成。 又，有關申請專利範圍第15項所記載的蒸鍍裝置， 其特徵爲：前記溫度控制機構9，是以配設在前記肋部24 內的前記媒體路徑12內部或前記熱導管22內部產生的溫 度梯度，在相鄰之前記肋部24間互不相同的方向所產生 -12- 201247912 地’配置前記媒體路徑12或前記熱導管22所構成。 又’有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鑛裝置，其 特徵爲：前記遮罩架6，是將前記限制用開口部5的形狀 ’形成前記蒸發源1側的開口面積比前記基板4側的開口 面積小的形狀。 又，有關申請專利範圍第13項所記載的蒸鍍裝置， 其特徵爲：在前記遮罩架6的前記限制用開口部5間，設 置前記獨立的蒸發源1側被溫度控制部9A與前記基板4 側被溫度控制部9B，將前記蒸發源1側被溫度控制部9A 的前記媒體路徑12的媒體流量或與媒體的接觸面積，或 者前記熱導管22的數量或熱導管22的斷面積，比前記基 板4側被溫度控制部9B更爲増大，提高該蒸發源1側被 溫度控制部9A的溫度控制能力。 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置，其 特徵爲：在前記蒸鍍遮罩2的前記基板4側的表面，配設 在前記遮罩開口部3的周圍或該遮罩開口部3間做熱交換 ，使溫度控制的媒體流通的媒體路徑12或前記熱導管22 ，在前記蒸銨遮罩2設置前記溫度控制機構9。 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置，其 特徵爲：前記蒸發源1的前記蒸發口部8，是形成朝著前 記基板4的相對移動方向增長，且朝著與此正交的橫方向 寬度狹小的縫隙狀。 又，有關申請專利範圍第2〇項所記載的蒸鍍裝置， 其特徵爲：以前記基板4與前記蒸鏟遮罩2爲離間狀態來 -13- 201247912 蒸鍍，且利用該蒸鍍遮罩2之成膜圖案的蒸鍍膜形成在基 板4之際，該蒸鍍膜之側端傾斜部分的陰影SH，以下記 之式來表示前記基板與前記蒸鍍遮罩的間隙爲G、前記蒸 發口部之前記橫方向的開口寬度爲 Φχ、與該蒸發口部和 前記蒸鍍遮罩的距離爲TS，且以該陰影SH未達到與鄰接 之蒸鍍膜之間隔PP的方式，來構成縮小設定前記蒸發口 部8的前記開口寬度Φ X，加大設定前記間隙G。 【數1】 記
SH= φ xXG/TS<PP 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍遮罩，其 特徵爲：複數並設在與前記基板4之相對移動方向正交的 橫方向之前記蒸發口部8的全部或其一部分，是設置在一 個前記蒸發源1的構成，利用加熱前記成膜材料的蒸發粒 子發生部26;和使得由該蒸發粒子發生部26所發生的前 記蒸發粒子擴散且使壓力均一化的橫長擴散部27來構成 前記蒸發源1，在該橫長擴散部27朝前記橫方向複數並設 形成前記蒸發口部8。 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置，其 特徵爲：在與前記基板4之相對移動方向正交的橫方向複 數並設前記蒸發源1的前記蒸發口部8，且在向著前記蒸 發源1的前記基板4側突出的蒸發口部形成用突出部28 的前端部設置各蒸發口部8，在該蒸發口部形成用突出部 -14- 201247912 28的周圍或該蒸發口部形成用突出部28間’配設遮斷 記蒸發源1之熱的熱遮斷部1 9。 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置， 特徵爲：前記蒸鍍遮罩2的前記遮罩開口部3，是複數 設在與前記基板1之前記相對移動方向正交的橫方向之 成，該各遮罩開口部3，是形成朝前記相對移動方向增 的縫隙狀，或者在前記相對移動方向複數並設開口部， 且將該相對移動方向的合計開口長，設定成與前記限制 開口部5的中央部相比，朝前記橫方向遠離那樣的增長 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置， 特徵爲：將與決定蒸鍍在前記基板4之成膜圖案的前記 鍍遮罩2之遮罩開口部3的前記基板4之相對移動方向 交的橫方向之形成間距，設定成前記蒸鍍膜之成膜圖案 間距，僅比前記基板與前記蒸鍍遮罩2之間隙G、和前 基板4與前記蒸發源1之距離之中，至少對應於任一個 大小的不同份量還狹小，且將與前記蒸鍍遮罩2之遮罩 口部的前記基板4之相對移動方向正交的橫方向之開口 寸，設定成前記蒸鍍膜之成膜圖案的圖案寬度，僅比前 間隙G、前記距離、前記蒸發源之前記蒸發口部的前記 方向的開口寬度Φ X之中，至少對應於任一個之大小的 同份量還寬大。 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置， 特徵爲：前記遮罩架6，是以可對著蒸鍍裝置拆裝的方 ’與前記溫度控制機構9介設著連結部25連接。 刖 其 並 構 長 並 用 〇 其 蒸 正 的 記 之 開 尺 記 橫 不 其 式 -15- 201247912 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置，其 特徵爲：具備：用來洗淨附著在前記遮罩架6或附設在遮 罩架6之前記蒸鍍遮罩2的至少一方之成膜材料的洗淨機 構。 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置，其 特徵爲：具備：用來回收附著在前記遮罩架6或附設在遮 罩架6之前記蒸鍍遮罩2的至少一方之成膜材料的材料回 收機構17。 又，有關申請專利範圍第1項所記載的蒸鍍裝置，其 特徵爲：在前記基板4與前記蒸鍍遮罩2之間，配設第二 蒸鍍遮罩10。 又，有關申請專利範圍第29項所記載的蒸鍍裝置， 其特徵爲：前記第二蒸鍍遮罩10的第二遮罩開口部11與 位在比該第二蒸鍍遮罩10更靠近前記蒸發源1側的前記 蒸鍍遮罩2之前記遮罩開口部3相比，至少與前記基板4 之前記相對移動方向正交的橫方向之開口圖案是設成相同 圖案’並且開口部形成間距是對應於與前記基板4之距離 不同而相異的形成間距，開口部寬度是設成相同或寬度狹 小0 又’有關申請專利範圍第29項所記載的蒸鍍裝置， 其特徵爲：前記第二蒸鍍遮罩〗〇，是利用線膨脹係數比位 在比此更靠近前記蒸發源〗側的前記蒸鍍遮罩2大的材料 所形成。 又’有關申請專利範圍第1項所記載之蒸鍍裝置，其 -16- 201247912 特徵爲：前記成膜材料爲有機材料。 又，有關一種蒸鍍方法，其特徵爲：使用前記申請專 利範圍第1項至第3 2項之任一項所記載的蒸鍍裝置，在 前記基板4上形成利用前記蒸鍍遮罩2決定的成膜圖案的 蒸鏟膜。 〔發明效果〕 本發明如上述所構成，縱使隨著基板的大型化，不使 蒸鍍遮罩同等大型化，比基板更小形的蒸鍍遮罩，仍可使 基板在離間狀態做相對移動，在寬廣範圍蒸鍍利用蒸鍍遮 罩的成膜圖案的蒸鍍膜，且仍然保持離間狀態使其相對移 ，構造也很簡單，能效率良好且快速的蒸鍍，而且縱使蒸 鑛遮罩仍然保持離間狀態還是可在蒸發源與蒸鍍遮罩之間 設置限制用開口部，限制蒸發粒子的飛散方向，不讓來自 相鄰或離間之位置的蒸發口部的蒸發粒子通過，防止成膜 圖案的重疊，並且使蒸鍍遮罩接觸並附設在具有設有該限 制用開口部之飛散限制部的遮罩架的構成，且在該遮罩架 或蒸鍍遮罩的至少一方設置保持蒸鍍遮罩之溫度的溫度控 制機構，該遮罩架不僅作爲飛散限制部，還會抑制從蒸發 源射入的熱，且發揮抑制蒸鍍遮罩之溫度上昇的溫度保持 機能，該蒸鍍遮罩的溫度保持一定，藉此防此因蒸鍍遮罩 之熱的應變，一面使基板與蒸鍍遮罩以離間狀態做相對移 動的構成，一面進行高精度蒸鍍之蒸鍍裝置以及蒸鑛方法 -17- 201247912 特別是在有機EL裝備之製造時，可對應基板的大型 化，有機發光層的蒸鍍亦能精度良好施行，還可防止因遮 罩接觸的基板、蒸鍍遮罩、蒸鍍膜的損傷，且能利用比基 板還小的蒸鍍遮罩，實現高精度之蒸鍍的有機EL裝備製 造用之蒸鍍裝置以及蒸鍍方法。 又，於申請專利範圍第2項、第3項所記載的發明中 ，是進一步良好的發揮本發明的作用、效果，成爲實用性 更優的蒸鍍裝置。 又，於申請專利範圍第4項、第5項所記載的發明中 ，因爲將蒸鍍遮罩利用最遠離蒸發源的基板側的端部附設 在遮罩架，所以能更加抑制來自蒸發源之輻射熱的射入， 且賦予蒸鍍遮罩的張力，會因遮罩架的溫度保持機能而穩 定的維持。 又，於申請專利範圍第6項所記載的發明中，因爲對 蒸鍍遮罩賦予基板之相對移動方向的張力，所以蒸鍍遮罩 沒有撓性，就沒有因撓性而產生的成膜誤差。 又，於申請專利範圍第7項所記載的發明中，因爲縱 使是分割成複數片的小蒸鍍遮罩仍可成膜在大型的基板， 因此蒸鍍遮罩的製作很容易。 又，於申請專利範圍第8項所記載的發明中，因爲爲 了根據每個蒸發口部的膜厚分佈特性，在該每個蒸鍍領域 達到均一化，構成可並設個別設定遮罩開口部的蒸鍍遮罩 ，或個別替換該些蒸鍍遮罩等實用性更優。 又，於申請專利範圍第9項、第1 0項所記載的發明 -18- 201247912 中，因爲利用朝基板的相對移動方向延伸而設的肋部，防 止因蒸鍍遮罩之張力的遮罩架變形，並且可維持蒸鍍遮罩 的張力，且設置遮罩安裝支承面，就能強固的施行對蒸鍍 遮罩之遮罩架的支承、接合。 又，於申請專利範圍第11項所記載的發明中，能夠 很容易的在蒸鍍遮罩或成爲傳導該蒸鍍遮罩之熱的部位的 遮罩架設置溫度控制機構，將蒸鍍遮罩保持在一定的溫度 ，來抑制該蒸鍍遮罩的熱膨脹，蒸鍍成高精度的成膜圖案 就很容易實現。 又，於申請專利範圍第1 2項至第1 9項所記載的發明 中，將蒸鍍遮罩保持在一定溫度的溫度保持機能更爲提高 ’且例如還可提高多量附著蒸發粒子之蒸發源側的遮罩架 之溫度保持機能。 亦即，例如複數段設置在遮罩架的被溫度控制部之中 ’利用蒸發源側的被溫度控制部來吸收由蒸發源來的熱， 更利用基板側（蒸鍍遮罩側）的被溫度控制部來吸收熱， 可將蒸鑛遮罩的溫度保持一定，前記溫度保持機能更爲提 局。 又，更在申請專利範圍第1 4項所記載的發明中，例 如在下段側，從蒸發源向著遮罩側的方向產生溫度梯度， 在上段側’從蒸鍍遮罩向著蒸發源側的方向產生溫度梯度 的情形下’縱使來自蒸發源之高溫的輻射熱會射入到遮罩 架下段仍可更進一步抑制該下段部的溫度上昇，在上段側 ，從蒸鍍遮罩向著蒸發源側的方向產生溫度梯度，縱使來 -19- 201247912 自蒸發源之高溫的輻射熱射入到蒸鍍遮罩仍可更進一步抑 制該蒸鍍遮罩的溫度上昇。 又，於申請專利範圍第15項所記載的發明中，縱使 來自蒸發源之高溫的輻射熱射入到肋部仍可抑制該肋部的 溫度上昇，且可抑制附設在遮罩架端部的蒸鍍遮罩之熱膨 脹。 又，於申請專利範圍第1 6項所記載的發明中，因爲 縱使來自蒸發源之高溫的輻射熱射入到肋部和遮罩架，仍 可使得在遮罩架內的的溫度分佈均一化，所以可更加抑制 蒸鍍遮罩的溫度上昇，還可更加抑制附設在遮罩架端部的 蒸鍍遮罩之熱膨脹。 又，於申請專利範圍第1 7項所記載的發明中，因爲 將遮罩架之限制用開口部的形狀，形成蒸發源側之開口面 積比基板側之開口面積還小的形狀，所以能在限制用開口 部的蒸發源側，更多量的捕捉由蒸發源所蒸發的成膜材料 之蒸發粒子，就能減低附著在限制用開口部之基板側，亦 即蒸鍍遮罩的成膜材料，且能令蒸鍍遮罩的更換循環長時 間化，並且更換遮罩架後所附著的成膜材料之回收變容易 〇 又，於申請專利範圍第1 9項所記載的發明中，由於 溫度控制蒸鍍遮罩本體，因此效率佳，且例如更在前記遮 罩架設置溫度控制機構，溫度保持機能更爲提昇，並且因 爲可利用基板與蒸鍍遮罩之離間部分（間隙）設置構成溫 度控制機構之一部分的媒體路徑和熱導管，所以能確保媒 -20- 201247912 體路徑和熱導管之設計的自由度。 又，於申請專利範圍第2〇項所記載的發明中，蒸發 源之蒸發口部的開口寬度狹小，可進一步抑制經由基板與 蒸鍍遮罩之間隙產生（連該間隙之大小、與蒸發源之距離 也會改變）的前記成膜圖案之陰影（蒸鍍膜之側端傾斜部 分的超出量），且將蒸發口部的開口長朝著相對移動方向 增長，就能提高蒸發速率。 尤其在申請專利範圍第21項所記載的發明中，蒸發 口部的開口寬度狹小，例如依序成膜RGB的情形下，可 防止到達鄰接之蒸鍍膜（鄰接畫素）那樣的陰影產生，而 且如此一來，蒸發口部的開口寬度狹小’而基板與蒸鍍遮 罩的間隙增大，擴大前述之限制用開口間的遮罩安裝支承 面，或者在蒸鍍遮罩本體設置溫度控制機構等成爲更優的 蒸鍍裝置。 又，於申請專利範圍第22項所記載的發明中’由於 作爲一個蒸發源並設複數個蒸發口部的構成’因此可在一 個蒸發源進行蒸發粒子的發生量和噴出壓力等的調整和控 制，尤其在蒸發源設置橫長擴散部’於此並設複數個蒸發 口部，達到壓力的均一化，且達到在並設的複數個蒸發口 部間的壓力之均一化。 又’於申請專利範圍第2 3項所記載的發明中’在蒸 發源例如朝著前記橫長擴散部（向著基板側）突設蒸發Π 部形成用突出部，在該各突出部的前端部設置前記蒸發口 部的構成，將來自蒸發口部以外的加熱範圍亦即蒸發源的 -21 - 201247912 高熱範圍之輻射熱，例如可利用冷卻構件等之熱遮斷部（ 作爲設於蒸發源之溫度控制部的機能）遮斷，因此可更加 抑制蒸鍍遮罩的溫度上昇，將蒸鍍遮罩的溫度保持一定。 又，於申請專利範圍第24項所記載的發明中，雖然 形成利用基板的相對移動並藉由蒸鍍遮罩的遮罩開口部之 橫方向的排列所決定的成膜圖案之蒸鍍膜，但該蒸鍍遮罩 的遮罩開口部，是將朝基板之相對移動方向增長的合計開 口長，朝橫方向遠離限制用開口部的中央部（例如與蒸發 口部對向的位置）那樣的增長設定，所以雖然蒸發速率以 遠離橫方向那樣變低，但對應於此，開口長增層，膜厚就 能均勻。 又，於申請專利範圍第25項所記載的發明中，將遮 罩開口部的前記橫方向之形成間距，設定成比蒸鍍在基板 上的成膜圖案之成膜間距，僅基板與蒸鍍遮罩之間隙、和 基板與蒸發源之距離之中，至少對應於任一個之大小的不 同份fi還狹小，且將遮罩開口部的前記橫方向之開口尺寸 ，設定成比成膜圖案的圖案寬度，僅前記間隙、前記距離 、前記蒸發源之前記蒸發口部的前記橫方向的開口寬度之 中，至少對應於任一個之大小的不同份量還寬大，所以縱 使基板與蒸鍍遮罩爲離間，成且於該等之間具有間隙，成 膜圖案的位置仍不會偏移，或者成膜圖案的寬度不會偏移 ，就能高精度進行成膜圖案的形成精度。 又，在申請專利範圍第26項所記載的發明中，介設 著連結部與蒸鍍裝置連接，例如很容易在遮罩架之交換時 -22- 201247912 ’施行與溫度控制機構的分離和再連接。 又，在申請專利範圍第27項所記載的發明中，藉由 具備洗淨裝置，將附著在遮罩架或蒸鍍遮罩的成膜材料， 在蒸鏟裝置內洗淨，就很容易再利用遮罩架和蒸鍍遮罩。 又，在申請專利範圍第28項所記載的發明中，藉由 具備材料回收機構，來回收材料就能再利用，例如更如申 請專利範圍第1 7項所記載的發明，遮罩架的形狀爲加大 蒸發源側（以難以附著在限制用開口部內面的方式來增大 蒸發源側端部），例如更如申請專利範圍第1 8項所記載 的發明，提高蒸發源側的溫度控制部的被溫度保持機能， 使材料附著於該遮罩架的蒸發源側端部，回收更簡易。 又，於申請專利範圍第29項所記載的發明中，因爲 設置第二蒸鍍遮罩，來抑制從前記蒸發源射入輻射熱之外 1還可利用第二蒸鍍遮罩成膜，所以可一邊抑制第二蒸鍍 遮罩之溫度上昇、一邊施行更高精度的蒸鍍。 又，於申請專利範圍第3 0項所記載的發明中，是形 成可更確實的防止陰影，還可實現施行高精度蒸鍍的第二 蒸鍍遮罩之蒸鏟裝置。 又，於申請專利範圍第3 1項所記載的發明中，是形 成因爲蒸鑛遮罩和具有飛散限制部的遮罩架（該飛散限制 部設有接觸於此的限制用開口部）能夠利用設置於此的溫 度控制機構來抑制蒸鍍遮罩的溫度上昇，將溫度保持一定 ，所以設置在該蒸鍍遮罩與基板之間的第二蒸鍍遮罩，因 溫度上昇更難，故可利用線膨脹係數大的材料形成，例如 -23- 201247912 可利用電鑄形成，形成更高精細的遮罩開口，藉此施行更 高精度之蒸鍍的蒸鍍裝置。 又，於申請專利範圍第32項所記載的發明中，是形 成有機材料的蒸鍍裝置，實用性更優。又，於申請專利範 圍第33項所記載的發明中，是形成發揮前記作用、效果 之優異的蒸鍍方法·。 【實施方式】 最佳考量的本發明之實施形態，根據圖面表示本發明 之作用並做簡單說明。 於第1圖中，從蒸發源1蒸發的成膜材料，是通過作 爲飛散限制部所構成的遮罩架6的限制用開口部，並且隔 著蒸鍍遮罩2的遮罩開口部3堆積在基板4上，利用該蒸 鍍遮罩2決定的成膜圖案的蒸鍍膜是形成在基板4上。 此時，以離間狀態配設前記基板4和前記蒸鍍遮罩2 ，對著前記蒸鍍遮罩2和前記蒸發源1依然保持該離間狀 態相對移動自如地構成該基板4,使該基板4相對移動， 藉此在比蒸鍍遮罩2本身更寬廣的範圍，利用該蒸鍍遮罩 2決定的成膜圖案之蒸鍍膜形成在基板4上。 又，在該蒸鍍遮罩2與蒸發源1之間，設置具有飛散 限制部的遮罩架6，該飛散限制部設有用來限制從蒸發源 1所蒸發之成膜材料的蒸發粒子之飛散方向的前記限制用 開口部5，利用限制用開口部5不讓來自相鄰或離間之位 置的蒸發口部8的蒸發粒子通過，縱使蒸鍍遮罩2與基板 -24- 201247912 4均爲離間狀態仍可防止成膜圖案的重疊。 又進而形成使蒸鍍遮罩2接合附設在構成該飛散限制 部的遮罩架6的構成，因爲在該遮罩架6或蒸鏟遮罩2的 至少一方設有保持蒸鍍遮罩2之溫度的溫度控制機構9, 所以從前記蒸發源1射入的熱受到抑制，且遮罩架6和蒸 鍍遮罩2的溫度上昇會受到抑制，而且縱使蒸鍍遮罩2與 基板4爲離間狀態仍可與該遮罩架6接觸，蒸鍍遮罩2的 熱會逃向遮罩架6，而且因爲在該遮罩架6或蒸鍍遮罩2 設有溫度控制機構9,所以將蒸鏟遮罩2保持在一定溫度 的溫度保持機能提昇。 因而，具有該飛散限制部的遮罩架6，實現蒸鍍粒子 之飛散方向的限制機能的同時也實現了溫度保持機能，能 抑制蒸鍍遮罩2的溫度上昇，將蒸鍍遮罩2保持在一定的 溫度，蒸鍍遮罩2因熱之應變也就難以產生》 因而，使基板4，對著蒸鍍遮罩2、附設該蒸鍍遮罩2 的遮罩架6及蒸發源1，依然保持與該蒸鍍遮罩2的離間 狀態進行相移動，朝著該相對移動方向持續藉由蒸鍍遮罩 2之前記成膜圖案的蒸鑛膜，縱使比基板4更小的蒸鍍遮 罩2仍可在廣範圍形成蒸鍍膜，且從相鄰或離間之位置的 蒸發口部8射入之成膜圖案的重疊、因熱之應變等也受到 充分的抑制，成爲可施行高精度之蒸鍍的蒸鍍裝置。 〔實施例1〕 針對本發明之具體的實施例根據圖面做說明。 -25- 201247912 本實施例是針對將從蒸發源1所蒸發的成膜材料（例 如供有機EL設備製造的有機材料），隔著蒸鍍遮罩2的 遮開口部3堆積在基板4上’利用該蒸鍍遮罩2決定的成 膜圖案之蒸鍍膜形成在基板4上所構成的蒸鍍裝置，以離 間狀態配設基板4和蒸鍍遮罩2，使該基板4，對著蒸鍍 遮罩2 '作爲設有限制用開口部5的飛散限制部所構成的 遮罩架6及蒸發源1’依然保持與蒸鍍遮罩2的離間狀態 相對移動自如地構成’藉由該相對移動在比蒸鍍遮罩2更 寬廣的範圍，利用該蒸鍍遮罩2決定的成膜圖案的蒸鍍膜 形成在基板4上所構成。 又，在該蒸膜遮罩2與蒸發源1之間，設置構成飛散 限制部的遮罩架6，該飛散限制部設有用來限制從複數並 設的蒸發源1之蒸發口部8所蒸發之成膜材料的蒸發粒子 之飛散方向的限制用開口部5，形成限制飛散角度大的前 記蒸發粒子，不讓來自相鄰或離間之位置的蒸發口部8的 蒸發粒子通過。 亦即，作爲藉由從複數個蒸發口部8的蒸發粒子所蒸 鍍的構成，是一面確保蒸發速率一面蒸鍍到大面積的基板 4，並且利用限制用開口部5防止從相鄰或離間之位置的 蒸發口部8之射入，縱使蒸鍍遮罩2與基板4爲離間狀態 仍可防止成膜圖案之重®。 又進而使蒸鍍遮罩2接合附設在構成該飛散限制部的 遮罩架6之構成，在該遮罩架6或蒸鍍遮罩2的至少一方 ，設置控制成保持蒸鍍遮罩2之溫度的溫度控制部9,縱 -26- 201247912 使蒸鍍遮罩2與基板4爲離間狀態仍可與該遮罩架6接合 ，構成使熱往遮罩架6傳導，該遮罩架6實現了蒸鍍粒子 之飛散方向的限制機能的同時也實現了溫度保持機能，並 構成抑制蒸鍍遮罩2的溫度上昇，將蒸鍍遮罩2保持在一 定的溫度。 又，如此一來，因形成使蒸鍍遮罩2接合於遮罩架6 的構成而釋放熱，蒸鍍遮罩2並未與基板4重合接觸，縱 使依然爲離間狀態進行蒸鍍的構成，該蒸鍍遮罩2的溫度 上昇仍可被充分抑制，還可更進一步提高因直接設置在前 記遮罩架6和蒸鑛遮罩2的溫度控制機構9的溫度保持機 能，可將溫度控制成使蒸鍍遮罩2保持在一定的溫度，因 此難以在蒸鍍遮罩2產生因熱的應變，保持成膜圖案的精 度，施行該位置精度高的蒸鏟。 因而，使基板4，對著附設蒸鍍遮罩2的遮罩架6( 遮罩元件）及蒸發源1，依然保持與該蒸鍍遮罩2的離間 狀態進行相對移動，朝著該相對移動方向持續蒸鍍遮罩2 之前記成膜圖案的蒸鍍膜，縱使比該基板4更小的蒸鍍遮 罩2仍可在廣範圍形成蒸鍍膜，且成爲可施行該成膜圖案 之位置精度高的高精度之蒸鍍優的蒸鍍裝置。 若進一步說明的話’具體上，是在作爲減壓環境氣的 蒸鍍室7內（例如真空室7內），配設：收容前記成膜材 料（例如相當於有機EL設備之製造的有機材料）的前記 蒸發源1;和設有使得從複數並設該蒸發源1之蒸發口部 8所蒸發的前記成膜材料之蒸發粒子通過的遮罩開口部3 -27- 201247912 的前記蒸鍍遮罩2 ;在定位於與該蒸鍍遮罩2爲離間狀態 的基板4，使得從前記複數個蒸發口部8所飛散的蒸發粒 子通過前記遮罩開口部3並堆積，且利用蒸鍍遮罩2決定 之成膜圖案的蒸鍍膜被形成該基板4上所構成；且配設構 成設有限制用開口部5的飛散限制部之遮罩架6，該飛散 限制部是設有形成不讓來自相鄰或離間該基板4與蒸發源 1之間之位置的蒸發口部8之蒸發粒子通過的限制用開口 部5，使得與基板4離間狀態配設的前記蒸鍍遮罩2接合 附設在該遮罩架6，且在該遮罩架6設有吸收來自蒸發源 1的熱’並保持蒸鍍遮罩2之溫度的前記溫度抑制機構9 〇 換言之，本實施例，像這樣爲了使基板4和蒸鍍遮罩 2以離間狀態相對移動進行蒸鍍，在與基板4之相對移動 方向正交的橫方向設置複數個蒸發口部8，該蒸發口部8 之中，將從相鄰或離間之位置的蒸發口部8之射入的成膜 圖案之重疊利用各限制用開口部5來限制（附著捕捉）防 止，而且基板4和蒸鍍遮罩5以離間狀態進行蒸鍍，利用 該蒸鍍遮罩2的成膜圖案之蒸鍍膜形成在基板4時，雖然 該蒸鍍膜的兩側端傾斜部分產生陰影S Η，但該陰影S Η會 配合基板4與蒸鍍遮罩2的間隙G、與蒸發口部8的距離 TS等之諸條件而變化。在本實施例中，各蒸發口部8以 開口寬度 Φ X爲窄幅來抑制該陰影SH (超出量），而且 蒸發口部8的開口長是朝著相對移動方向增長來提高蒸發 速率。 -28- 201247912 具體上，如第17圖所示’蒸鍵膜之兩側端部的傾斜 部分之陰影SH，若基板4與蒸鍍遮罩2的間隙爲G、蒸 發口部8之前記橫方向的開口寬度爲Φχ、與該蒸發口部 8和蒸鍍遮罩2的距離爲TS，以下記之式來表示，且以該 陰影SH未達到與相鄰之蒸鍍膜之間隔ΡΡ的方式，構成縮 小設定蒸發口部8的開口寬度φ X，加大設定間隙g。 【數2】 記 S Η= φ X X G/T S < Ρ Ρ 在本實施例中，例如有關有機EL顯示裝置的製造， 雖是依序蒸鍍發光層的RGB，但有關此情形的RGB是各 別使用蒸鍍遮罩2來成膜。例如：蒸鍍畫素R的場合，畫 素GB雖是利用蒸鍍遮罩4隱藏，但如本實施例，基板4 和蒸鍍遮罩2是離間的情形下，有必要設定成雖會產生蒸 鍍膜之兩端傾斜部分的陰影S Η，但該陰影S Η不會到達鄰 接畫素（SH<PP)。 該陰影SH，是配合基板4與蒸鍍遮罩2的間隙G、 至蒸發口部8與蒸鍍遮罩2的距離TS、蒸發口部8之開 口寬度Φ X的條件而變化。如第1 7圖所示，以陰影SH是 以前記之式表示，未達到與鄰接的蒸鍍膜之間隔PP的方 式’縮小設定蒸發口部8的開口寬度φ X，加大設定間隙 G所形成。 具體上’陰影SH設定在0.03mm以下，且以TS爲 -29- 201247912 100~300mm、φχ爲0.5〜3mm設定的話，間隙G就能確保 爲1 m m以上。 例如：T S爲1 0 0 m m ' φ X爲3 m m的話，G則爲1 m m ，且如果TS爲100mm、φχ縮小到〇.6mm的話，就能確 保G爲5mm。而且，如果TS爲300mm、φ X爲3mm、G 爲1 m m的話，就能將S Η縮小到〇 · 〇 1 m m，也可以對應更 高精細的成膜圖案。 如此一來’利用基板4和蒸鍍遮罩2之間隙G爲1mm 以上，如後所述，可在蒸鍍遮罩2本體設置媒體路12和 熱導管22，如後所述，也可在遮罩架6的肋部24擴大形 成遮罩安裝支承面23，或配設後述的第二蒸鍍遮罩10。 又在本實施例中’若加大蒸發源1與基板4的距離， 會招致裝置的大型化，材料效率也很差，而且蒸鍍速率也 會下降，如前所述，在橫方向並設多數個蒸發口部8，各 別使得蒸鍍遮罩2相對而將在一個蒸發口部8的蒸鍍範圍 變窄，射入角就不會變大，並且縱使複數個蒸發口部8的 蒸鍍仍可利用限制用開口部5來防止成膜圖案的重疊，且 與蒸發源1的距離也沒那樣大的構成。 又，如此一來，射入角不會變大，藉此蒸鍍速率會從 與蒸發口部8對向的位置朝左右離間那樣的降低，防止膜 厚減少。又如果射入角很大的話，對於基板4與蒸鍍遮罩 2的間隙G之變動，成膜圖案之變化的蒸鍍位置之變化量 變大，亦即基板4之平面度和蒸鍍遮罩2之平面度的誤差 ，因熱之應變等而產生的話，該間隙G產生變動，由於因 -30- 201247912 此之誤差變大，因此射入角不會變大，可抑制該蒸鍍位置 之誤差的變化量，施行精度高的蒸鍍。 又在本實施例中，更如前述，有關陰影SH是形成各 蒸發口部8爲寬度狹小的縫隙狀開口部，並縮小橫方向的 開口寬度 ΦΧ，就不會產生到達鄰接之蒸鍍膜（鄰接畫素 )那樣的陰影SH。 又在本實施例中，如前所述，雖然在橫方向並設寬度 狹小的蒸發口部8，且在此相對向配設設有各別對應之遮 罩開口部3的蒸鍍遮罩2，在該蒸鍍遮罩2與蒸發源1之 間設置前記限制用開口部5，僅讓來自在此相對向之蒸發 口部8的蒸發粒子通過，不讓來自鄰接或離間之位置的蒸 發口部8的蒸發粒子通過地附著捕捉，防止成膜圖案的重 疊，但在本實施例中，像這樣對著各蒸發口部8，各別使 得限制用開口部5對應到一個或複數個的每一個蒸發口部 8，就像對應該限制用開口部5地附設蒸鍍遮罩2。 若更具體說明的話，本實施例中，在真空室7內配設 蒸發源1、附設蒸鍍遮罩2的遮罩架6(遮罩元件）及基 板4，利用減壓用幫浦1 3將該真空室7內減壓，利用定位 機構14做基板4與附設在遮罩架6的蒸鍍遮罩2的定位 ，使基板4對著該蒸鑛遮罩2做相對移動（水平搬送）而 蒸鍍的構成。 將該基板4與蒸鍍遮罩2定位的定位機構14，是例如 利用攝影機捕捉分別設在基板4與蒸鍵遮罩2的定位記號 來做畫像判斷，此乃爲了定位，構成利用移動調整機構朝 -31 - 201247912 X ' Υ、0方向做微調使其定位’而且縱使爲大型基板’ 爲了不讓基板4產生應變’具備：使得利用平坦面來吸附 基板中央部的基板吸附部移動而水平搬送大型之基板4的 相對移動用之搬送機構15的構成》當然可讓任一者移動 ，縱使上下關係逆轉，成爲縱形配置亦可。 因而，在本實施例中，連大型基板4也能夠很容易搬 送的直線方式，雖是在橫方向大致與基板4 一致’但在移 動方向對著寬度狹小的小型蒸鍍遮罩2，將大型的基板4 以離間狀態定位後，仍然保持該離間狀態利用搬送機構1 5 使基板4水平搬送而蒸鍍的構成。 因而，縱使基板尺寸爲G6、G8的大型基板，因爲蒸 鍍遮罩2並非爲大尺寸，所以不但如此連製作都不難，且 由於未與基板4接觸，因此微粒的問題和基板4、蒸鍍遮 罩2或蒸鍍膜之損傷的問題也難以產生，就能得到高品質 的成膜。 又在本實施例中，雖然可以並設複數個蒸發源1也可 以並設各蒸發口部8,但是在一個橫長的蒸發源1並設複 數個蒸發口部8的構成，且多數並設在該橫方向的蒸發口 部8，是設置在一個前記蒸發源1的構成，且利用加熱前 記成膜材料的蒸發粒子發生部26 ;和使得從該蒸發粒子發 生部26所發生的前記蒸發粒子擴散而令壓力均一化的橫 長擴散部27來構成前記蒸發源1，在該橫長擴散部27朝 著前記橫方向複數並設形成前記蒸發口部8。若進一步說 明的話’例如設置利用自動坩鍋交換機構1 8交換自如的 -32- 201247912 將成膜材料收納到蒸發粒子發生部26 (坩鍋26 ) ’且使 得在該坩鍋26加熱而蒸發的蒸發粒子暫時停留而令壓力 均一化的橫長形之前記橫長擴散部27，在該橫長擴散部 27的上部朝著相對移動方向增長且與此正交的橫方向，如 前所述，多數沿著橫方向並設寬度狹小的縫隙狀開口部， 且多數並設前記蒸發口部8。 然後在複數並設該蒸發口部8的橫方向，也複數並設 前記限制用開口部5，從前記各蒸發口部' 8所蒸發的蒸發 粒子，只會通過對向的前記限制用開口部5，進而介設著 與該限制用開口部5對向的前記蒸鍍遮罩2的前記遮罩開 口部3，在前記基板4上形成前記成膜圖案的蒸鑛膜，且 以來自相鄰或離間之位置的前記蒸發口部8的蒸發粒子是 附著捕捉在作爲該飛散限制部所構成的遮罩架6，構成利 用前記限制用開口部5來限制前記蒸發粒子的飛散方向。 因而’在蒸發源1設置橫長擴散部27，且於此並設複 數個蒸發口部8，達到壓力的均一化，進而達到膜厚的均 —-化。 若進一步說明的話，雖然可以對一個限制用開口部5 ’配置在其中央位置（之下方），使其對向配設一個蒸發 口部8 ’也可以對一個限制用開口部5，以該限制用開口 部5的中央部爲邊界，對向配設兩個蒸發口部8的構成， 但在本實施例中，如前所述，對著橫向排列的每一個蒸發 口部8 ’使其一個個對應限制用開口部5來並設的構成， 雖然來自相鄰的左右偏移之蒸發口部8的蒸發粒子也會通 -33- 201247912 過分別對應於該些的限制用開口部5，但並不會通過相鄰 的限制用開口部5被附著捕捉。亦即，設定該限制用開口 部5的並設間隔' 開口徑、開口深度，來自一個蒸發口部 8的蒸發粒子只會通過其對向的限制用開口部5，構成來 自左右相鄰之蒸發口部8的蒸發粒子不會通過該限制用開 口部5，會確實的防止成膜圖案之重疊。 又，本實施例之前記蒸鍍遮罩2的前記遮罩開口部3 ，如第15圖、第16圖所示，多數個並設在與前記基板4 之前記相對移動方向正交的橫方向之構成，該各個遮罩開 口部3，是形成朝著前記相對移動方向增長的縫隙狀，或 者在前記相對移動方向複數並設開口部，並且比橫方向之 開口長還要長的形成該相對移動方向的合計開口長。 亦即，蒸鍍遮罩2之各列的遮罩開口部3，可以形成 朝相對移動方向增長的縫隙狀開口部，爲了提高蒸鍍遮罩 2的剛性，該遮罩開口部3，也可以使得朝相對移動方向 增長的縫隙孔或小孔等的小開口部散佈在此方向，擴大確 保合計開口長（總合開口面積）。 如第18圖所示，與決定蒸鍍在基板4之成膜圖案的 蒸鍍遮罩2之遮罩開口部3的前記基板4之相對移動方向 正交的橫方向之形成間距，比起前記蒸鍍膜之成膜圖案的 間距，僅僅只有基板4與蒸鍍遮罩2之間隙G的大小以及 對應於至蒸發源1與蒸鑛遮罩2止之距離TS的大小之不 同份量做縮小設定。 具體上，如第18圖所示，自相對向於蒸發源開口中 -34- 201247912 心的遮罩位置起至遮罩開口中心止之距離MPx，是成爲自 相對向於蒸發源開口中心的基板4位置起的成膜圖案中心 止之距離Px乘以α / ( 1 + α )的份量（此時a =TS/G )縮 小。 因而，例如TS爲lOOxnm、G爲1mm的話，α爲100 、α/(1+α)約爲0.99。因而，例如Ρχ爲10mm的話， MPx爲9.9mm、MPx爲比Px還小的値》 亦即，由於基板4與蒸鍍遮罩2爲離間，因此對應於 基板4與蒸鍍遮罩2之間隙G的大小以及至蒸發源1與蒸 鍍遮罩2止的距離TS的大小，通過蒸鍍遮罩2的遮罩開 口部3，堆積在基板4上的蒸鍍膜之位置，雖朝横方向偏 移，但考慮此偏移量，將蒸鍍遮罩2的開口間距，設定的 比成膜圖案間距還要狹小’就能形成成膜圖案位置精度_ 的蒸鍍膜。 又，同樣的，如第19圖所示，蒸鍍遮罩開口寬度Mx ，爲蒸發口部8的開口寬度Φ X比遮罩開口寬度還要小的 情形下，僅僅只有基板4與蒸鍍遮罩2之間隙G的大小以 及對應於至蒸發源1與蒸鍍遮罩2止之距離1^的大小之 不同份量擴大。具體上’遮罩開口寬度Mx是以（φχ + αΡ/ (l+α))表示（此時 a=TS/G)。 例如蒸鍍圖案寬度p爲〇.1 mm、TS爲1 00mm、φ x爲 1mm的情形下，遮罩開口寬度Mx，係爲G在3mm約爲 0.126mm、G在5mm約爲0.143mm，變得比蒸鍍圖案寬度 還寬。 -35- 201247912 進而’在本實施例中’如第15圖、第16圖所示，蒸 鍍遮罩2的開口縫隙是設定成從中央部朝橫方向離間那樣 的增長，並且設定成縱使離開中央部，蒸鍍速度下降，膜 厚分佈仍然很均勻。 例如，如第20圖、第21圖所示，若與前記基板4的 相對移動方向正交之橫方向的某一位置X的蒸發粒子的飛 散角度爲0，在X之位置’餘弦定律（cos0 )乘以對稱 函數η的近似分佈’亦考量前記基板4之相對移動方向（ Υ軸方向）的膜厚分佈’前記蒸鍍遮罩2之遮罩開口部3 的形成長是設定成以中央部爲界，左右對稱的改變長度。 具體上’蒸發源口部的尺寸，例如蒸發源開口寬度 ψχ爲1mm、蒸發源縫隙長爲60mm，若與基板4之 相對移動方向正交的橫方向之膜厚分佈，爲近似於cos 0 之20次方的分佈，即爲第21圖所示的膜厚分佈。若對蒸 發粒子之蒸鍍遮罩2的射入角變大的話，因爲前述之誤差 的影ϋ變大，所以使用於成膜至膜厚變薄到中心之8成的 位置的話，即爲-30〜+ 30之60mm以一個噴嘴來成膜的成 膜有效範圍。在相對向於蒸發源開口中心的遮罩位置之基 板4的相對移動方向之形成長爲100 mm的話，在成膜有 效範圍之兩端的- 30、+30之位置的蒸鍍遮罩開口長約爲 1 4 6mm，如第2 1圖所示，開口長是自中心遠離兩端那樣 呈左右對稱的增長。 又，本實施例之限制用開口部5是蒸發口部8側之開 口面積小且往蒸鍍遮罩2側前行那樣擴大的形狀，換言之 -36- 201247912 ，蒸發口部8側開口面積小的倒角錐梯狀，蒸發粒子附著 在該限制用開口部5之蒸發口部8側的端面（遮罩架6的 端面）’且形成儘量附著在限制用開口部5的內面，構成 附著在該遮罩架6之蒸發粒子（成膜材料）的剝離回收變 容易。 又’該各限制用開口部5與蒸發口部8太靠近的話， 所附著的蒸發粒子具有妨礙蒸鍍之虞，在離間的情形下， 來自鄰接之蒸發口部8的蒸發粒子附著在限制用開口部5 內面的量増加，且如前所述，回收變容易。因此如第13 圖所示，限制用開口部5與蒸發口部8隔著距離提高限制 機能，並且爲了不讓來自鄰接之蒸發口部8的蒸發粒子， 射入到限制用開口部5內面’附著在遮罩架6的端部面， 因此亦可在各蒸發口部8與各限制用開口部5的各個之間 設置遮蔽部2 1。 又，在本實施例中，使前記蒸鍍遮罩2接觸並附設在 構成設有該限制用開口部5之飛散限制部的遮罩架6，並 且在該飛散限制部6或蒸鍍遮罩2的至少一方配備保持該 蒸鍍遮罩2之溫度的溫度控制機構9，該遮罩架6不僅作 爲飛散限制部，還會抑制從蒸發源1射入的熱，且傳導蒸 鍍遮罩2的熱，又進而發揮吸收熱之溫度保持機能，就能 使得蒸鍍遮罩2的溫度保持一定，防止因蒸鍍遮罩2之熱 產生應變，一面使基板4與蒸鍍遮罩2以離間狀態做相對 移動的構成、一面構成施行高精度的蒸鍍。 亦即，抑制從前記蒸發源1射入的熱，且抑制遮罩架 -37- 201247912 6和蒸鍍遮罩2的溫度上昇，並且縱使蒸鍍遮罩2與基板 4爲離間狀態，仍然與該遮罩架6接觸，讓蒸鍍遮罩2的 熱往遮罩架6傳導’而且因爲在該遮罩架6或者蒸鍍遮罩 2設有溫度控制機構9，所以構成使得蒸鍍遮罩2保持在 一定之溫度的溫度保持機能提昇。 因而，構成該飛散限制部的遮罩架6，實現蒸鍍粒子 之飛散方向的限制機能的同時也實現了溫度保持機能，能 抑制蒸鍍遮罩2的溫度上昇，將蒸鍍遮罩2保持在一定的 溫度，因熱之蒸鍍遮罩2的應變也就難以產生，就能蒸鍍 成膜圖案之位置精度高的蒸鑛膜。 具體上在本實施例中，將隔著間隔並設前述之形狀的 前記限制用開口部5的塊狀基體部的兩端部形成平坦面， 以前記限制用開口部5之開口端周邊部爲平坦面的形狀形 成遮罩架6，在該基板4側的端部之平坦面附設蒸鍍遮罩 2，形成蒸發粒子附著在相反側之蒸發源1側的端部之平 坦面的附著面。形成使得各自獨立的媒體在該遮罩架6的 塊狀基體部之上下流通，在此進行熱交換進行溫度控制的 媒體路12或者更將熱導管22分別設置在限制用開口部5 的周圍以及限制用開口部5間，並以吸收熱且抑制溫度上 昇，將蒸鍍遮罩2之溫度保持一定地進行溫度控制的溫度 制御機構9設置在該遮罩架6內的構成。 若更具體的說明，先針對使蒸鍍遮罩2接觸附設在該 遮罩架6的構成做說明，在本實施例中’以遮罩架6作爲 遮罩框，覆蓋前記限制用開口部5 ’如前所述’作爲該遮 -38- 201247912 罩架6之基板4側的端部之平坦面，亦即，前記飛散限部 制6的前記限制用開口部5間以及周圍之基板4側端部的 平坦面而形成遮罩安裝支承面23，在該遮罩安裝支承面 23支承接合前記蒸鍍遮罩2之周邊部等的構成，且提高蒸 鍍遮罩2之平面度，亦不會產生因熱之應變地賦予遮罩開 口部3之長度方向的相對移動方向張力，而將蒸銨遮罩2 重疊在該遮罩安裝支承面23做點焊熔接等固定所鋪設的 構成。 在本實施例中，如第22圖所示，在遮罩架6之端部 面的周邊部形成十分寬大的平坦面而設置前記遮罩安裝支 承面2 3，並且限制用開口部5間也形成平坦面，亦在該限 制用開口部5間設置遮罩安裝支承面23。因爲蒸鍍遮罩2 之遮罩開口部3的間隔（配列間距），具有前記RGB畫 素之各色的蒸鍍膜間隔（構成各畫素之蒸鍍膜與其間之間 隔），所以例如在相對向於各限制用開口部5之蒸鍍遮罩 2的端部所鄰接的遮罩開口部3彼此之間隔也像這樣具有 某種程度的餘裕，所以位在該遮罩開口部3間的限制用開 口部5間也利用該餘裕間隔而設置後述的肋部2 4，且以該 前端面爲平坦面，在該限制用開口部5間也形成前記遮罩 安裝支承面23的構成。 若更進一步說明，雖然該遮罩架6,是朝著前記基板 4之相對移動方向賦予張力來舖設前記蒸鍍遮罩2之藉此 具有該張力以上之剛性的構成，但如前所述，將前記基板 4之相對移動方向爲長度方向，支承前記蒸鍍遮罩2之前 -39- 201247912 記肋部24，設置在前記限制用開口部5間的構成’提高 該方向的剛性，因此，在該限制用開口部5間的前記肋部 24之前記基板4側前端面，也設置支承蒸鍍遮罩2且接合 的遮罩安裝支承面23的構成。 亦即，在本實施例中，在遮罩架6設置朝著基板4之 相對移動方向延伸的肋部24，該肋部24，具有使其與蒸 鍍遮罩2接觸而附設的遮罩安裝支承面23，提高蒸鎞遮罩 2的溫度保持機能。該遮罩安裝支承面23，是基板4與蒸 鍍遮罩2爲離間，可確保廣度。 例如，如第22圖所示，在基板4與蒸鍍遮罩2爲密 著之構成的遮罩安裝支承面23，是使用供RGB畫素蒸鍍 之蒸鍍膜間隔PP與蒸鍍圖案寬P，以2P + 3PP表示。在本 K施例中，如該第22圖所示，具有間隙G，從與蒸發源1 相對向的基板4中心觀看，產生蒸鍍圖案之最端的位置與 蒸鍍遮罩2之遮罩開口部3之最端的位置之差A。A以G (Ρχ + Ρ/2- φ x/2 ) / ( TS + G )表示，遮罩安裝支承面 23, 與基板4和蒸鍍遮罩2的情形做比較，變寬2A份量。 若更具體說明的話，例如蒸鍍圖案寬P爲0.1mm、蒸 鍍膜間隔PP爲〇.〇5mm之情形下，基板4與蒸鍍遮罩2爲 密著之情形下的遮罩安裝支承面23爲0.35mm。可是，本 责施例的基板4與蒸鍍遮罩2爲離間狀態的情形下，例如 ，TS爲200mm、Φχ爲1mm、Ρχ爲30mm的話，遮罩安 裝支承面23是G爲1mm約0.64mm、G爲5mm約1.79mm ，重疊蒸鍍遮罩2就能充分確保點焊熔接的面積。 -40- 201247912 因而，該遮罩架6是提高作爲遮罩框的剛性，也可賦 予蒸鍍遮罩2充分的張力來舖設。 亦即，如前所述，由於設置遮罩安裝支承面23並於 此重疊蒸鍍遮罩2做舖設，因此特別是像這樣賦予張力來 舖設的情形下，附設張度（利用支承接合的重疊固定強度 )很強固且穩定，’實用性極優。 又，本實施例的蒸鍍遮罩2,是朝著與基板4之相對 移動方向正交的橫方向做複數片分割的構成，亦可爲將該 已分割的蒸鍍遮罩2，朝著該橫方向以並設狀態附設在前 記遮罩架6的構成。此情形下，雖然是形成使蒸鍍遮罩2 的端部彼此突合而並設，但在前記遮罩架6之肋部24的 前端面的遮罩安裝支承面23上，分別熔接密閉成不讓蒸 發粒子通過，並且構成使蒸鍍遮罩2的熱傳導。 因而，縱使是小的蒸鍍遮罩2仍可對應大型化，而且 例如爲了根據每個蒸發口部8的膜厚分佈特性，在該每個 領域達到膜厚的均一化，構成可並設個別設定遮罩開口部 3的蒸鍍遮罩2,或個別替換該些蒸鍍遮罩2等實用性更 優。 接著，若更進一步針對溫度控制機構9做說明，在本 實施例中，蒸鍍遮罩2是利用構成飛散限制部的遮罩架6 遮熱，並且往蒸鍍遮罩2的熱是朝向接觸這的該遮罩架6 傳導，且因爲在該遮罩架6利用以前記媒體路12和熱導 管22等構成的溫度控制機構9吸收熱，所以縱使蒸鍍遮 罩2與基板4爲離間也能充分抑制蒸鍍遮罩2的溫度上昇 -41 - 201247912 ’將蒸鍍遮罩2的溫度保持一定，因熱的應變變得難以產 生，就能施行成膜圖案之位置精度高的蒸鍍》 該溫度控制機構9 ’如前所述，在前記限制用開口部 5的周圍或該限制用開口部5間’形成使煤體流通的前記 媒體路徑12或前記熱導管22在前記遮罩架6內，複數段 設置在與前記基板2和前記蒸發源1的對向方向的構成。 亦即，例如設置從流通設置在該遮罩架6的媒體路徑12 的媒體奪取熱而產生溫度控制的熱交換部20 ( 20A、20B 、20D) ’利用在該遮罩架6內流通的媒體，吸收來自蒸 發源1的熱，由該媒體利用該熱交換部20奪取熱產生溫 度控制’以蒸鍍遮罩2的溫度控制成一定地複數段獨立的 設置在遮罩架6內。 更進一步說明，在本實施例中，在遮罩架6內具備： 前記蒸發源1側被溫度控制部9A和前記基板4側被溫度 控制部9B，使媒體分別獨立流通到各被溫度控制部9A、 9B的前記媒體路徑12 ( 12A、12B )或分別獨立的前記熱 導管22，成爲內裝在遮罩架6內，具體上是內裝在第6圖 所示的環狀部6A及肋部24的構成，更使得該蒸發源1側 被溫度控制部9A的前記媒體路徑12A的媒體流量或與媒 體的接觸面積，或者前記熱導管22的數量或熱導管22的 斷面積，比前記基板4側被溫度控制部9B的媒體路徑 1 2B更爲增大，且提高該蒸發源1側被溫度控制部9a的 溫度控制機能。 亦即，複數段設置在遮罩架6的被溫度控制部9A、 -42- 201247912 9 B之中，利用蒸發源1側的被溫度控制部9 A來吸收由蒸 發源來的熱，更利用基板4側（蒸鍍遮罩2側）的被溫度 控制部9B來吸收熱，將蒸鍍遮罩2的溫度保持一定，溫 度保持機能更爲提高。 又，將遮罩架6成爲如前述的形狀，亦即限制用開口 部5間之容量形成像蒸發源1側那樣大的形狀，將蒸發源 1側之被溫度控制部9A的媒體路徑12A之媒體接觸面積 成爲比基板4側的被溫度控制部9 B還大，提高熱吸收能 力，使蒸發粒子附著在該蒸發源1側，並且靠近該蒸發源 1 (輻射熱大）而在該附著量多的蒸發源1側充分的吸收 熱，然後更利用基板4側的被溫度控制部9B來吸收熱產 生溫度控制，使蒸鍍遮罩2之溫度保持成一定的溫度保持 機能提昇。 該溫度控制機構9 ( 9A、9B )，如前所述，水冷式的 情形下，將使冷卻水流通的媒體路徑12(12A、12B)， 圍繞在遮罩架6內，構成利用熱交換部20 ( 20 A、20B ) 產生冷卻，且同樣的圍繞熱導管22,構成冷卻其端部亦可 ，但在本實施例中，有關蒸發源1側的被溫度控制部9A 是兩者皆施行。 又，尤其如第1圖及第7圖所示，在前記媒體路徑12 ，在水冷式的情形下，在媒體路徑1 2 A內兩段的形成：將 冷卻水導入到蒸發源1側被溫度控制部9 A之媒體路徑 1 2 A的媒體流入路徑1 2 A 1 ;和從相同媒體路徑1 2 A排出 冷卻水的媒體流出路徑1 2A2，該些媒體流入路徑1 2A 1與 -43- 201247912 媒體流出路徑1 2A2 ’是在蒸發源1側被溫度控制部9A的 熱交換部20A’介設著連結部25A連接，同樣的，基板4 側被溫度控制部9B之媒體路徑！ 2B的媒體流入路徑1 2B 1 與媒體流出路徑12B2也是兩段的形成在媒體路徑12B內 ’在基板4側被溫度控制部9B的熱交換部20B，介設著 連結部25B連接。 而且’例如：水冷式的情形下，是使得由各熱交換部 20A、20B控制在一定溫度的冷卻水，從各媒體流入路 1 2 A 1、1 2B 1流入到遮罩架6的各媒體路徑1 2A、1 2B，利 用各媒體路徑12A、12B將經由來自蒸發源1之輻射熱使 溫度上昇的冷卻水從各媒體流出路徑12A2、12B2排出， 使其再度往前記熱交換部20A、20B循環來控制遮罩架6 的溫度，具有使蒸鍍遮罩2之温度保持成一定的溫度保持 機能。 如此一來，在與蒸發源1和基板4之對向方向，在遮 罩架6內設置由二段獨立的前記被溫度控制部9A、9B所 成的溫度控制機構9，且在與由該獨立的各被溫度限制部 9A、9B之各媒體路徑12A、12B的媒體奪取熱的前記各熱 交換部2 0A、2 0B連接的各媒體路徑12A、12B之各媒體 流入路徑12A1、12B1與媒體流出路徑12A2、12B2設置 連結部25 A、25B，例如水冷式的情形下，形成在使冷卻 水流通的媒體路徑1 2A、1 2B拆裝自如的連結該連結部 25A、25B的構成，在各個連結部25A、25B內裝有圖未表 示的逆止閥，成爲在拆下遮罩架6之際，冷卻水不會從各 -44- 201247912 連結部25A、25B漏出。又在本實施例中，在蒸發源1側 的被溫度控制部9A更如前所述也內裝熱導管22，且如第 6圖所示，用來冷卻該熱導管22的管端部和該冷卻裝置 22A是形成拆裝自如。此乃由於成膜中蒸發粒子會持續附 著在蒸鍍遮罩2和遮罩架6，若長時間使用的話，成膜圖 案有受影響之虞，因此，在真空室7介設著圖未表示的閘 閥且並設交換用室16，形成從真空室7取出自如的構成附 設蒸鍍遮罩2的遮罩架6。又，在前記交換用室16，具備 附蒸鍍遮罩2的遮罩架6的洗淨機構，除去所附著的成膜 材料予以廢棄，或者使得附著在蒸鍍遮罩2及遮罩架6的 成膜材料剝離，利用材料回收機構7回收前記成膜材料予 以再利用，並且爲了除去殘留在成膜材料剝離後的附蒸鍍 遮罩2的遮罩架6之表面的成膜材料和顆粒也可以進行洗 淨。洗淨後之附蒸鍍遮罩2的遮罩架6也可以返回到蒸鍍 裝置做使用，也可以更換新的附蒸鍍遮罩2的遮罩架6, 先前的遮罩架6亦可備爲下次更換的庫存。 又，在本實施例中，將上記之遮罩架6內的二段獨立 之前記被溫度控制部9A、9B的各媒體路徑12A、12B之 各媒體流入路徑12A1、12B1及媒體流出路徑12A2、12B2 和被溫度限制部9A的熱導管22，如第6圖至第9圖所示 ’於內裝在肋部24內之情形下，於肋部24設置導入冷卻 水的肋部流入口 241、241、241以及從肋部24排出冷卻 水的肋部流出口 242、242、242之位置或，從連結部25 A (2 5 B )側觀看被溫度限制部9A之熱導管2 2的方向，以 -45- 201247912 第奇數號的肋部24A、24A、24A與第偶數號的肋部24B 、24B、24B而改變，從連結部25A ( 25B )側觀看時的肋 部24之溫度梯度之方向，是例如在第6圖以箭頭T所示 ，形成交互。藉此，因爲遮罩架6的溫度分佈更爲均勻化 ，所以因熱的遮罩架6之應變變得難以產生，因接合在遮 罩架6之蒸鍍遮罩2的熱之變形也受到抑制，因此連此情 形也可提高成膜圖案的位置精度。 又，上記之遮罩架6內之二段獨立的前記被溫度控制 部9A、9B的各媒體路徑12A、12B的上記之溫度梯度的 形成，或者在蒸發源1側被溫度控制部9A的媒體路徑 12A，爲了成爲從蒸發源1側向著基板4側的溫度梯度， 也可將媒體流入路徑12A1和媒體流出路徑12A2的配置 成爲與第7圖至第9圖所示之配置相反的配置，藉此就有 效抑制接近曝露於來自蒸發源1之高溫的輻射熱之遮罩架 6的蒸發源之部位的溫度上昇。 如此一來，遮罩架6的溫度梯度和溫度分佈，就能配 合各種目的各自做變更。 又，在前記蒸鍍遮罩2的前記基板4側的表面、前記 遮罩開口部3的周圍或該遮罩開口部3間，可以作爲前記 媒體路徑12而配設媒體流通管12C，也可以配設前記熱 導管22C。 又，亦可在蒸鍍遮罩2設置沿著與此相接之前記蒸鍍 遮罩2的溫度控制部9C，或在蒸鍍遮罩2設置前記溫度 控制機構9的構成，此情形下，由於蒸鍍遮罩2本體進行 -46 - 201247912 溫度控制因此效率良好，溫度保持機能更爲提昇，還可利 用設置在基板4和蒸鍍遮罩2之離間部分的間隙》 又’遮罩架6是採用金屬或陶瓷等之無機材料或塗佈 於此的材料，構成熱吸收效率及強度提昇。 又’在本實施例中，將朝橫方向並設的各蒸發口部8 ’設置於突出形成在前記蒸發源1的前記橫長擴張部27 的蒸發口部形成用突出部28的前端部，在該蒸發口部形 成用突出部28的周圍或該蒸發口部形成用突出部28間， 配設遮斷蒸發源1之熱的熱遮斷部19。 因而’於突設在蒸發源1之橫長擴散部27的前記各 蒸發口形成用突出部28的前端部設置前記蒸發口部8的 構成，就能提高蒸發决度和材料使用效率，在該突出部28 的前端部設置蒸發口部8，就能將蒸發口部8以外的加熱 範圍亦即來自蒸發源1之高熱部分的輻射熱，如前所述利 用熱遮斷部19遮斷’因此成爲可更進一步提高蒸鍍遮罩2 之冷卻效率的優異蒸鏟裝置。 雖然該熱遮斷部19，只要遮斷熱即可，但在本實施例 中採用冷卻板，與前記遮罩架6同樣地內裝供給媒體的媒 體路徑，且設置冷卻該之熱交換部20D，使其作爲設置在 蒸發源1的被溫度控制部9D的機能，提高熱遮蔽效果。 又雖然本實施例的蒸發源1，如前所述於橫長擴張部 27突設用來形成各蒸發口部8的蒸發口部形成用突出部 28，且在在該上端面各自設置蒸發口 8，但在橫長擴張部 27設置橫方向寬度寬廣但相對移動方向狹窄的偏平突出部 -47- 201247912 ’並在該上端面多數個並設蒸發口部8亦可。 再者，蒸鍍遮罩2只要能作成與相對移動方向正交的 方向爲長的形成盒矩形狀者，即可如上述予以分割形成。 〔實施例2〕 又，第二0施例中，如第23圖所示，在前記基板4 與前記蒸鍍遮罩2之間，配設第二蒸鍍遮罩10。 該第二蒸鍍遮罩10的第二遮罩開口部11，是最後決 定前記成膜圖案的排列，與位在比該第二蒸鍍遮罩1〇更 靠近前記蒸發源1側的前記蒸鍍遮罩2之前記遮罩開口部 3相比，至少與前記基板4之前記相對移動方向正交的橫 方向之開口圖案是設成相同圖案，並且開口部形成間距是 對應於與前記基板4之距離不同而相異的形成間距，而且 爲了不妨礙第二蒸鍍遮罩10，第一蒸鍍遮罩2的各開口部 寬度是設成相同或寬度大的。 有關相對移動方向的排列，如前所述，爲了確保蒸發 速率形成縫隙狀，或使其散佈的縱列狀，雖未必非爲相同 開口形狀，但至少橫方向的開口圖案爲相同圖案。可是， 開口部形成間距是對應於與前記基板4之距離不同而相異 的形成間距，開口寬度是設成相同或寬度狹小。 因而，在本實施例中，設置第二蒸鍍遮罩1〇就能極 力抑制因成爲第一之前記蒸鍍遮罩2的陰影SH，還可將 該第二蒸鍍遮罩1〇的溫度保持一定，就能施行更高精度 的蒸鍍。 -48- 201247912 亦即，除了可將第一蒸鍍遮罩2本體和設置在附設該 蒸鍍遮罩2的遮罩架6的蒸鍍遮罩2的溫度兩者都保持一 定之外’因爲利用進一步設置在該第一蒸鍍遮罩2與基板 4之間的該第二蒸鍍遮罩1〇來形成最後所決定的成膜圖案 的蒸鍍膜’所以該第二蒸鍍遮罩10溫度上昇變更難。因 而’該第二蒸鑛遮罩1〇比起第一蒸鍍遮罩2，可利用線膨 脹係數大的材料形成，因而例如可利用電鑄形成，就能形 成更高精細的遮罩開口部1 1，而且張力比較小且佳等施行 更高精度的蒸鍍。 再者，若使第二蒸鍍遮罩10密著於基板4而成膜的 話，當然可以依照第二蒸鍍遮罩10的開口圖案完成精度 良好的成膜》 又，在本實施例中，在該第一蒸鍍遮罩2本體也設置 溫度控制機構9，可進一步抑制該蒸鍍遮罩2的溫度上昇 ，因而，在本實施例中，進而第二蒸鍍遮罩10的溫度上 昇也能更充份的抑制。 又，將沿著該溫度控制機構9之蒸鍍遮罩所設的溫度 控制部9C的媒體路徑1 2配設在前記蒸鍍遮罩2的前記遮 罩開口部3間。 因而，前記基板4與前記蒸鍍遮罩2仍爲離間狀態做 蒸鍍的構成，且可利用該離間空間。又，亦可形成在遮罩 開口部3的周圍配設熱導管22的構成。 再者，本發明並不限於實施例1、2，各構成要件之具 體的構成得以做適當設計。 -49- 201247912 【圖式簡單說明】 第1圖是將本實施例之要部加以剖面的槪略說明前視 圖。 第2圖是將本實施例之要部加以剖面的說明前視圖。 第3圖是將本贲施例之要部加以剖面的說明側視圖。 第4圖是本實施例之要部的說明立體圖》 第5圖是本實施例之說明分解立體圖》 第6圖是表示本實施例之溫度控制機構的第4圖之 A-A線剖面圖》 第7圖是表示本實施例之溫度控制機構的第4圖之B-B線剖面圖。 第8圖是表示本實施例之溫度控制機構的第4圖之C-C線剖面圖》 第9圖是表示本實施例之溫度控制機構的第4圖之 D-D線剖面圖。 第10圖是表示亦設置在本實施例之蒸鍍遮罩的溫度 控制機構之說明俯視圖。 第11圖是表示亦設置在本實施例之蒸鍍遮罩的溫度 控制機構之說明正剖面圖》 第12圖是表示設置在本實施例之蒸銨遮罩的溫度控 制機構之另一例的說明前視圖。 第13圖是本實施例之要部的放大說明前視圖。 第14圖是本實施例之蒸發源的說明立體圖。 -50- 201247912 第15圖是本實施例之蒸鑛遮罩的放大說明俯視圖。 第16圖是本實施例之蒸鍍遮罩的另一例之放大說明 俯視圖。 第17圖是表示可將本實施例之蒸發源的蒸發口部之 開口寬度變窄抑制蒸鍍膜的陰影，並可藉此加大間隙的說 明圖。 第18圖是表示本實施例之蒸鍍遮罩的遮罩開口部之 橫方向的配列間距至少比成膜間距窄的說明圖° 第19圖是表示本實施例之蒸鍍遮罩的遮罩開口部之 橫方向的開口尺寸至少比成膜圖案的圖案寬度還寬的說明 圖。 第20圖是表示本實施例之蒸鍍速率是從中央部朝橫 方向偏移那樣的減低之說明圖》 第21圖是表示本實施例之膜厚分佈根據餘弦定律分 佈並對應於此將遮罩開口部的形成長度，從中央部朝橫方 向遠離那樣的增長，做修正設定的曲線圖。 第22圖是表示可將本實施例之遮罩架的限制用開口 部間的肋部之遮罩安裝支承面擴大的說明圖。 第23圖是將第二實施例（說置第二蒸鍍遮罩的實施 例）之要部的槪略說明前視圖。 【主要元件符號說明】 1 :蒸發源 2 :蒸鍍遮罩 -51 · 201247912 3 :遮罩開口部 4 :基板 5 :限制用開口部 6 :遮罩架 7 :蒸鍍室（真空室） 8 :蒸發口部 9 :溫度控制機構 9A、9B、9D:被溫度控制部 10 :第二蒸鍍遮罩 1 1 :第二遮罩開口部 12、12A、12B:媒體路徑 1 2 A 1、1 2 B 1 :媒體流入路徑 12A2、12B2 :媒體流出路徑 1 3 :減壓用幫浦 15 :搬送機構 16 :交換用室 17 :材料回收機構 18 =自動坩鍋交換機構 19 :熱遮斷部 20、20A、20B、20D ：熱交換部 2 1 :遮蔽部 22 :熱導管 23 :遮罩安裝支承面 24 :肋部 -52- 201247912 25、25A、25B:連結部 26 :蒸發粒子發生部（坩鍋） 27 :橫長擴散部 28 :蒸發口部形成用突出部 -53-