TW201246235A - Electroconductive particles and anisotropic conductive material using same - Google Patents

Description

201246235 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種用於電極間之連接之導電性粒子及 使用其之異向性導電材料。本申請案係以20H年2月4日 於曰本提出申凊之日本專利申請編號特願2〇11 — 〇2245丨為 基礎而主張優先權纟，將該中請案藉由參照而援用於本申 請案中。 【先前技術】 先前’異向性導電膜（ACF : Anis〇tr〇pic FUm)被用於使半導體等零件安裝於印刷基板上。例如，於 LCD ( Liqind Crysta丨Display，液晶顯示器）面板之製造中， 用於將控制像素之驅動IC ( Integrated ，積體電路） 接合於玻璃基板上’即所謂之玻璃覆晶基板（COG，Chip on

Glass )等中。作為分散於異向性導電膜中之導電性粒子， 已知有於樹脂粒子之周圍實施無電鍍Ni，並於其外周實施 有鑛A u者。 近年來，IZO ( Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅）、非晶 ITO ( Indium Tin Oxide，氧化銦錫）等穿透度較高且表面平 滑之配線材已為人所用。因此，若為藉由金屬鍍敷而被膜 之硬度較低之導電性粒子’有時導電性粒子未沒入配線材 中而無法獲得良好之連接可靠性。另一方面，若利用藉由 濺鍍等真空蒸鍍法而被膜有金屬之硬度較高之導電性粒 子’則可期待連接可靠性之提高。 然而，於如專利文獻1、2所記載之導電性粒子般藉由 201246235 濺鍍而使金屬直接積層於樹脂粒子表面上者中，樹脂核粒 子表面與濺鍍金屬表面之密接性較差，尤其是於使用具有 表面平滑性之配線材之情形時，連接可靠性會惡化。 又，於專利文獻3中，記載有將金屬粒子用作母材粒 子，並使濺鍍金屬積層於金屬粒子表面上之導電性粒子， 但金屬粒子與樹脂粒子相比，粒度分佈較廣，故而難以對 應於細節距之電路。 [專利文獻1 ]日本特開平9 _〗4344丨號公報 [專利文獻2]日本特開2〇〇7_ 103222號公報 [專利文獻3]日本特開2008 — 308537號公報 【發明内容】 本發明係鑒於此種先前之實際情況而提出者，其提供 一種提高微細電路中之連接可靠性之導電性粒子及使用其 之異向性導電材料。 本件發明人等進灯了努力研究，結果發現：藉由於樹 脂粒子表面上被覆無電鑛金屬而提高與樹脂粒子表面之密 接性，藉由將最外層設為金屬濺鍍層而可獲得良好之連接 即 子、被 層之除 ’本發明之導電性粒子之特徵在於：其具有樹脂粒 覆上述樹脂粒子表面之無電鍍金屬層、及形成最外 Au以外之金屬淹鑛層。 之特徵在於：其具備黏 之導電性粒子，並且上· 上述樹脂粒子表面之無 又’本發明之異向性導電材料 合劑樹脂 '分散於上述黏合劑樹脂 述導電性粒子具有樹脂粒子、被覆 4 201246235 電鑛金屬層、及形成最外層之除Aujx外之金 二’本發明之連接結構體之特徵在於：第i電子零件 、電子零件係藉由具有樹脂粒子、被覆上述樹脂粒子 衣面之無電鍍金屬層、 ㈣Μ ㈣及$成最外層之除Au以外之金屬濺 鍍層的導電性粒子而電連接。 分散有導ί發明之連接方法之特徵在於：將於黏合劑樹脂 ^粒子的異向性導電膜貼附於第〗電子 將第2電子零件預配置於上述異向性導電膜上， =述第2電子零件上藉由加熱推壓裝置進行推屋，使上 述第1電子零件之端子盥 甘士 上述第2電子零件之端子連接， 其中，上述導電性粒子具有 * ^ ^ ^ 有衬月曰粒子、被覆上述樹脂粒子 表面之無電鍍金屬層、 鍍層。 及形成最外層之除Au以外之金屬濺 根據本發明，藉由於樹 ^ ^ 而棱尚與樹脂粒子表面之密接 母 '洛_ m m热 接眭，藉由將最外層設為金屬 錢錢層而即便於使用例如Iz 蘭 ΤηΗ· Τ. η · 軸—〇Xide)、非晶 ITO ( Ind_ Tm 〇xlde )等表 丁月之細郎距之配線材之情 形時，亦可獲得較高之連接 價 易形成氧化膜之金屬配線之情 、使用今 r眘你m 深之滑形時，亦可獲得相同之效果。 【實施方式】 以下，一面參照圖式一 形態詳細地進行說明。 _順序對本發明之實施 1. 導電性粒子 2. 異向性導電材料 201246235 3.連接結構體 4.實施例 1.导電性粒子> 例示作為本發明$ 1聊 工…“ t 導電性粒子係具有樹脂相 子、覆樹月曰粒子表面之無電鍍金屬層、形成最外層之吟 '以外之金屬機鑛層者。再者，亦可於無損本發明之目的 2二於破覆樹脂粒子表面之無電鍍金屬層與形成最 屬㈣層之間設置無電錄金屬層或金屬濺錢層。 圖1係表示本實施形態之導電性粒子之-例之剖面 圖。該導電性粒子具有樹脂粒子η、被覆樹脂粒子u表面 之無電鏟金屬層12、及被覆無電鑛金屬層〗2之金屬濺錄層 13 〇 樹脂粒子U為導電性粒子之母材（核）粒？，可使用 不於構裝時產生破壞、溶解、流動、分解、碳化等變化者。 作為此種樹脂粒子U，例如可列舉：以乙烯、丙稀、苯乙 稀等的（甲基）丙稀酸醋類為代表之單官能乙稀基化合物 與鄰苯二曱酸二烯丙酯、苯偏三酸三烯丙酯、三聚氰酸三 烯丙酯、二乙烯苯、二（甲基）丙烯酸酯、三（甲基）丙 烯酸酯類等多官能乙烯基化合物的共聚物、硬化性聚胺子 酸乙酿樹脂、硬化環氧樹脂、酚樹脂、苯并胍胺 (benzoguanamine )樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺' 聚醯亞 胺、聚矽氧樹脂、氟樹脂、聚酯、聚苯硫樹脂、聚苯醚 (polypheny丨ene ether)等。尤為理想之樹脂粒子丨丨係根據 熱壓時之彈性模數、破壞強度等物性而選定，為聚苯乙稀 6 201246235 樹脂、丙稀酸酿樹脂、苯并胍胺樹 物與多官能乙綿基化合物之共聚物。 &〔稀基化合 樹脂粒子u之平均粒徑無特別限定，較 若平均粒徑未達，則例 ”、、2〇以 聚而難以形成單粒子。另一方面，若平f夺容易凝 則有超過作為異向性導電材 立仏超過2〇” ’ 之範圍之情況。再者，樹脂粒子:::::^ 之5。個基材微粒子測定粒徑，並將對隨機選擇 者。 肝°亥等進行算術平均而得 無電錄金屬層12係藉由無電鑛而由CUCo'Au、 Ά所構成之一種或數種之金屬層。作為較佳之益電鑛 金屬層12，可使用與樹脂粒 鑛川層。 子11表面之密接性良好之無電 無電鍍金屬|12之厚度較佳為2〇〜2〇〇nm。若厚度未 達2〇 ’則無法獲得與樹脂粒子U表面之密接性。另一 方面’若厚度超過· nm，則導電性粒子自身凝聚而無法 適用於細節距之電路連接中。 金屬濺鑛層η係藉由濺錢法而由Ni、Ru、w、pd、ir、 。、一卜㈣或含該等中之-種以上之合金所構成 之金屬層作為濺鑛法，可廣泛利用三極濺鐘法、磁控錢 鍵法、RF (间頻）濺錢法、反應性賤鍵法、其他公知之濺 鍍法。又’只要可於金屬濺鍍層13中獲得特定之硬度，則 亦可使用真空蒸鑛、雷射剝触（laser abrasion)、及利用化 學氣相成長等通常之氣相成長法之皮膜形成法。 201246235 金屬減鑛層13之維氏硬度（Hv)較佳為4q〜·。若 維氏硬度（Hv)未達4〇,則對配線之沒人較少而無法獲得 良好之連接電阻。另一方面，若維氏硬度（Ην)超過5〇〇, 則會缺乏皮膜延展性而產生㈣剝離，無法獲得良好之連 接電阻。再者’維氏硬度可藉由mz2244所規定之維氏硬 度試驗法而測定。 金屬濺鍍層13之厚度較佳為5〜2〇〇 nm。若厚度未達 5 nm ’則無法均勻地生成皮膜’故而無法獲得良好之連接 電阻另方面，若厚度超過200 nm，則有產生粒子凝聚 之比例變尚而絕緣性降低之虞。若考慮利用濺鍍之製造成 本，則更佳之金屬濺鍍層n之厚度為5〜3〇 nm。 由於此種導電性粒子使用樹脂粒子丨丨作為母材粒子， 故而與金屬粒子相比粒度分佈狹窄，亦可對應於細節距化 之配線。又，由於利用無電鍍金屬層12被覆樹脂粒子i 1 表面，故而與樹脂粒子n表面之密接性提高，又，亦可提 咼金屬濺鍍層13之密接性。進而，由於形成有金屬濺鍍層 13作為最外層，故可使導電性粒子沒入配線中，即便於使 用例如 IZ0 ( Indium Zinc Oxide)、非晶 ITO ( Indium Tin Oxide )等表面平滑之細節距之配線材之情形時，亦可獲得 較南之連接可靠性。進而，即便於使用容易形成氧化膜之 金屬配線之情形時，亦可獲得相同之效果。 < 2.異向性導電材料> 例示作為本發明之具體例之異向性導電材料係使上述 導電性粒子分散於黏合劑樹脂中而成者。 8 201246235 作為點合劑樹脂之接著性 a ^ Λ 材枓，可列舉：環氧樹脂、 盼树月曰、異氰酸酯樹脂、 槲浐^ 苯氧基 档U曰、萜烯樹脂、松香 _ 聚丙烯酸樹脂、苯乙烯一丁 一稀系橡膠、丙烯腈—丁-熵 .^. 烯橡膝、氟橡膠、聚乙烯樹脂、 乙稀基树脂、聚丁烯樹脂、 4 # 聚丁一烯樹知、聚苯乙烯樹脂、 t碳酉夂S旨樹脂、聚胺甲酸 ^ ^ ,i+ ^ ^ 文乙酉日树月日、離子聚合物樹脂、聚 縮酸·树脂專敎硬化地 寻…硬幻生樹月曰或熱塑性樹脂，該等可單獨使 用，亦可組合兩種以上而使用。 硬化㈣’較佳為含有膜形成樹脂、熱 硬化性樹脂、及硬化劑。 膜形成樹脂相當於平均公； 十枸刀子量為10000以上之高分子 f樹月日’就膜形成性之觀點而言，較佳為刪〇〜8_〇左 =均分子量。作為膜形成樹脂，可列舉：苯氧基樹脂、 ::胺甲酸乙醋樹脂、聚酿樹脂、聚胺甲酸乙醋樹脂、丙 脂、„亞胺樹脂、丁裕樹脂等各種樹脂，該等可 早獨使用’亦可組合兩種 &1土 裡以上而使用。就膜形成狀態、連 接可罪性等觀點而言，哕耸 。玄專中可較佳使用苯氧基樹脂。 L…、硬化性樹脂，可單獨使用環氧樹脂、於常溫下 :有流動性之液狀環氧樹脂等，亦可混合兩種以上而使

用環氧樹脂’例示有：雙…環氧樹脂、雙齡F 笙氧樹月曰⑲醛清漆型環氧樹脂、或橡膠、胺曱酸乙酯 寺各種改質環氧樹脂，料可單獨使用，亦可混合兩種以 t 4吏用又，作為液狀環氧樹脂，可使用雙酚型環氧樹 月曰、奈型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、苯紛盼搭清漆型環 201246235 =樹知、一苯乙烯型環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、 苯齡芳垸基型環氧樹脂、萘酴型環氧樹脂、二環戊二稀型 環氧樹脂、三苯基甲院型環氧樹脂等，該等可單獨使用， 亦可混合兩種以上而使用。 硬化劑並無特別限制，可視目的而適當選擇，例如可 使用藉由加熱而活化之潛伏性硬化劑、藉由加熱而產生游 離自由基之潛伏性硬化劑等。作為藉由加熱而活化之潛伏 拴硬化劑’例如可列舉：多⑯、咪唑等陰離子系硬化劑或 銃鹽等陽離子系硬化劑等。 作為其他添加組成物，較佳為添加矽烷偶合劑。作為 石夕院偶合劑’可使用：環氧系、胺基系，巯基一硫化物系、 膝基系等。於該等巾，於本實施形態中可較佳使用環氧系 矽烷偶合劑。藉此，可提高有機材料與無機材料之界面上 之接著性。又，亦可添加無機填充料。作為無機填充料， 可使用二氧化矽 '滑石 '氧化鈦、碳酸鈣、氧化鎂等，無 機填充料之種類並無特別限定。可藉由無機填充料之含量 而控制流動性並提高粒子捕捉率。又，為了緩和接合體之 應力，亦可適當使用橡膠成分等。又，於摻合該等黏合劑 樹脂之各成分時，可較佳使用甲笨、乙酸乙酯、或該等之 混合溶劑。 於製作異向性導電膜之情形時，使用棒式塗佈機、塗 怖裝置等’將摻合有各成分之黏合劑樹脂之組成物塗佈於 剝離基材上，並使用熱烘箱、加熱乾燥裝置等使剝離基材 上之組成物乾燥’藉此獲得特定厚度之異向性導電膜。剝 10 201246235 離基材由將例如聚矽氧等剝離劑塗佈於PET( p〇ly Ethy丨ene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯）、〇pp ( 〇riented Polypropylene，延伸聚丙稀）、pMp( p〇ly_ 4— methylpentene -1，聚 4-曱基戊烯·_ ! )、PTFE( p〇lytetraflu〇r〇ethylene， 聚四氟乙烯）等上而成之積層結構所構成，防止異向性導 電膜之乾燥’並且維持該等之形狀。 < 3·連接結構體> 例示作為本發明之具體例之連接結構體係將第1電子 零件與第2電子零件藉由上述導電性粒子電連接而成者。 作為第1電子零件，可列舉形成有細節距凸塊之IC (Integrated Circuit )，作為第2電子零件，例如可列舉IZ〇 (Indium Zinc Oxide)、非晶 IT0 ( Indium Tin 〇xid〇 等表 面平滑之細節距之配線材。 本實施形態中之導電性粒子可較佳用於接合此種細節 距化之1C與配線材。本實施形態中之導電性粒子由於利用 無電鑛金屬層12被覆樹脂粒子η表面，故而可提高與樹脂 粒子11表面之密接性，又’亦可提高金屬濺鍍層13之密接 性。又’由於形成有金屬濺鍍層13作為最外層，故而可使 導電性粒子沒入配線中’即便於使用例如IZ〇 ( Indium Zine Oxide )、非晶ITO ( Indium Tin Oxide )等表面平滑之細節 距之配線材之情形時，亦可獲得較高之連接可靠性。進而， 即便於使用容易形成氧化膜之金屬配線之情形時，亦可獲 得相同之效果。 繼而，對使用上述異向性導電材料之電子零件之連接 201246235 明。本實施形態中之電子零件之連接方法如上 層、及形脂粒子、被覆樹脂粒子表面之無電鐘金屬 夕層之除Au以外之金屬_層之導電性粒子 分散於黏合劑樹脂中而成的異向性導電膜貼附於第丨電子 零件之端子上，將第2電子零件預配置於異向性導電膜上， 自第2電子零件上藉由加熱推壓裝置進行推壓，使第i電 子零件之端子與第2電子零件之端子連接。藉此，可獲得 第1電子零件之端子與第2電子零件之端子經由導電性粒 子連接之連接體。 本實施形態中之電子零件之連接方法由於使異向性導 電膜中含有利用無電鍍金屬層被覆樹脂粒子表面之導電性 粒子’故可使導電性粒子沒入配線中，即便於使用例如IZ〇 (Indium Zinc Oxide)、非晶 ITO ( Indium Tin Oxide)等表 面平滑之細節距之配線材之情形時，亦可獲得較高之連接 可靠性。進而，即便於使用容易形成氧化膜之金屬配線之 情形時，亦可獲得相同之效果。 [實施例] < 4.實施例> 以下，對本發明之實施例進行說明，但本發明並不限 定於該等實施例β 首先，於樹脂粒子上依序形成第1金屬層及第2金屬 層，製作實施例1〜10及比較例1〜7之導電性粒子。對各 導電性粒子測定第1金屬層之厚度、第2金屬層之厚度、 及第2金屬層之維氏硬度（Ην)。 12 201246235 繼而，使用實施例1〜10及比較例丨〜7之導電性粒子 製作異向性導電膜M吏用各異向性導電膜使Ic (Integrated

Clrcult)與形成有配線圖案之玻璃基板接合，獲得構裝體β 並且，對各構裝體測定連接電阻，評價連接可靠性。 金屬層之厚度測定、金屬層之硬度測定、異向性導電 膜之製作、構裝體之製作、及連接電阻之測定係以如下方 式進行。 [金屬層之厚度測定] 使導電性粒子分散於環氧接著劑中並硬化，利用研磨 機（Marumoto Struers公司製造）切削出粒子剖面。利用 SEM ( Scannmg Electron Micr〇sc〇pe，掃描電子顯微鏡） (Keyence公司製造，VE_88〇〇)觀察該粒子剖面，測定 第1金屬層之厚度及第2金屬層之厚度。 [金屬層之硬度測定] 於玻璃基板上將第2金屬層之金屬藉由〇(：磁控濺鍍法 成膜。藉由維氏硬度試驗機（Mitut〇y〇公司製造，hm_ 125)，依照JIS Z2244對該金屬濺鍍層進行測定，將其設為 第2金属層之維氏硬度（Hv)。再者，該維氏硬度（h'v)係 將試驗負荷設為Kgf單位而算出。 [異向性導電膜之製作] 摻合作為膜形成樹脂之苯氧基樹脂（商品名；ρκΗΗ， Phenoxy Associates公司製造）25質量份、作為熱硬化性樹 脂之萘型二官能環氧樹脂（商品名：Hp4〇32D , dic公司製 造）10質量份、咪。坐系硬化劑（HP394丨，Asahi Kasei 13 201246235

Chemicals股份有限公司製造）33質量份、環氧系矽烷偶合 劑（商 〇〇 名 A 1 87，Momentive Performance Materials 股 份有限公司）2質量份、及導電性粒子3〇質量份，製備樹 月曰組成物。使用棒式塗佈機將該樹脂組成物塗佈於經剝離 處理之PET上’並於7〇〇c之供箱中乾燥5分鐘，製作厚度 為20〆m之異向性導電膜。導電性粒子係以下述實施例1 〜10及比較例1〜7之方式分別製作。 [構裝體之製作] 使用異向性導電膜，進行IC ( i 8 mmx2〇 mm，t= 0.5 mm，鑛 Au 凸塊（Au-plated bump) 30"mx85/zm’ h=15

Vm)與於玻璃基板上圖案化有IT〇( Indium Tin 〇xide )膜 之厚度為0.7 mm的ITO配線板或於玻璃基板上圖案化有 IZO (Indium Zinc Oxide)膜之厚度為 〇_7 mm 的 ΙΖ〇 配線 板之接合。 將異向性導電膜切割為特定寬度並貼附於ΙΤ〇配線板 或ΙΖΟ配線板上。將1C預固定於其上後’使用被覆有厚度 為5〇em之鐵弗龍（Teflon，商標）作為緩衝材之加熱工具， 於200°C — 60 MPa—5 sec之接合條件下進行接合，完成構 裝體。 [連接電阻之測定] 對於構裝體，測定初始（Initial)之電阻與溫度為85 °C、濕度為㈣RH、500小時之TH試驗（Themai Humidhy Test，溫度濕度試驗）後之電阻。測定係使用數位萬用表 (Digital multimeter 7555 ’橫河電機公司製造）藉由四端 14 201246235 子法而測定流通i mA電流時之連接電阻。 [二乙烯笨系樹脂粒子之製作] 於乙烯本、笨乙烯、曱基丙烯酸丁酯之混合比經調 整之溶液中添加過氧化苯甲醢作為聚合起始劑，—面高速 =勻授拌面加熱而進行聚合反應，藉此獲得微粒子分散 液。藉由對上述微粒子分散液進行過濾並減壓乾燥而獲得 即為微粒子之凝聚體之塊體。進而，#由將上述塊體粉碎 而獲得平均粒徑為3.〇 ”之二乙稀苯㈣脂粒子。 [實施例1 ] 藉由DC磁控濺鍍法，於對樹脂粒子實施有無電鍍％ (第1金屬層）之平均粒徑為3仁m之鍍N丨樹脂粒子之表 面上形成Ni濺鍍層（第2金屬層）。鍍Ni樹脂粒子係以如 下方式製作。藉由浸潰法使鈀觸媒擔載於以上述方式合成 之平均粒徑為3/zm之二乙烯苯系樹脂粒子5g上，使用由 硫酸鎳六水合物、次亞磷酸鈉、檸檬酸鈉、三乙醇胺及硝 酉文釓所製備之無電鍍鎳液（pH值為12，鍍敷液溫為5〇。〇) 對該樹脂粒子進行無電鍍鎳，製作於表面形成有鍍犯層（第 1金屬層）t導電性粒子。對上述所製成之於表面形成有鍵 Nl層（第1金屬層）之導電性粒子，使用自製之Dc磁控 錢鍍裝置，於真空度為h5 Pa、氬氣流量為15 Q咖、錢 鑛輸出為1W/cm2下，於第！金屬層之表面上形成第2金 屬層。一面將保持粒子之容器藉由溫度為25t之冷媒進行 冷部，一面於第1金屬層之表面上形成第2金屬層。 第1金屬層之厚度為100nm,第2金屬層之厚度為15 201246235 nm。又，第2金屬層之維氏硬度（Hv)為5〇〜7〇。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使Ic與汀〇配線 板接合，結果初始電阻為〇.1Ω，ΤΗ試驗後之電阻為〇 5Ω。 又，使用含該導電性粒子之異向性導電膜使…與ιζ〇配線 板接合，結果初始電阻為Ω’ ΤΗ試驗後之電阻為 Ώ。將該等測定結果示於表 [實施例2] 藉由DC磁控濺链法，於與對樹脂例子實施有無電锻 (第1金屬層）之實施例！相同之平均粒徑為之鍵 Ni樹脂粒子之表面上形成⑸濺鍍層（第2金屬層）。 第1金屬層之厚度為100nm，第2金屬層之厚度為w 咖。又’第2金屬層之維氏硬度（以）為鳩〜_。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使1(：與ιτ〇配線 板接合，結果初始電阻為〇·1Ω，ΤΗ試驗後之電阻為“… 又，使用含該導電性粒子之異向性導電膜使1(：與助配線 板接合’結果初始電阻為G lil，THS驗後之電阻為4 Μ。 將該等測定結果示於表i。 [實施例3] :由DC仙濺鍍法’於與對樹脂粒子實施有無電鍍 :(,1金屬層）之實施例丨相同之平均粒經為3…鍵 W脂粒子之表面上形成Ru減鍍層（第2金屬層）。 第1金屬層之厚度為1〇0,第2金屬層之厚度為15 nm。又，第2金屬層維氏硬度（Hv)為遍〜彻。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使K：與IT〇配線 201246235 p且為0.4 Ω。 與ΙΖΟ配線 ί1 且為 4.2 Ω » 板接合，結果初始電阻為O.i Ω，TH試驗後之電 又，使用含該導電性粒子之異向性導電膜使Ic 板接合，結果初始電阻為〇.丨Ω，ΤΗ試驗後之電 將該等結果示於表1。 [貫施例4] 藉由DC肖控濺鍍法，於與對樹脂粒子實施有鉦電鍍 叫第i金屬層）之實施例i相同之平均粒經為之锻 A樹脂粒子之表面上形成以濺鍍層（第2金屬層）。 第1金屬層之厚度為100 nm，第2金屬層之厚度為5 nm。又’第2金屬層之維氏硬度（Hv)為⑽〜彻。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使1C與IT0配線 板接合’結果初始電阻為〇·1ω，Τη試驗後之電阻為！… ^ ’使用含該導電性粒子之異向性導電膜使ic與㈣配線 板接合’結果初始電阻為〇.1Ω，驗後之電阻為8 5Ω。 將該等結果示於表1。 [實施例5] 藉自DC磁控滅鑛法，於與對樹脂粒子實施有無電鍵 “第i金屬層）之實施例i相同之平均粒徑為—之鑛 樹脂粒子之表面上形成RU—Co趟鑛層（第2金屬層）。 第1金屬層之厚度為100nm，第2金屬層之厚度為Η 咖。又，第2金屬層之維氏硬度（Hv)為35〇〜45〇。 使用3 4導電ϋ粒子之異向性導電膜使與1了〇配線 接合，結果初始電阻為W时Η試驗後之電阻為〇.5Ω。 又’使用含該導電性粒子之異向性導電膜使_ιζ〇配線 201246235 板接合’結果初始電阻為〇·1Ω，ΤΗ試驗後之電阻為3.2Ω。 將該等結果示於表1。 [實施例6] 藉由DC 4控濺鍍法，於與對樹脂粒子實施有無電鍍 川（第i金屬層）之實施例i相同之平均粒徑為之鍵 N!樹脂粒子之表面上形成w濺鍍層（第2金屬層）。 第1金屬層之厚度為100nm，第2金屬層之厚度為15 nm。又，第2金屬層之維氏硬度（Hv)m伽。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使1C與IT0配線 板接合’結果初始電阻為〇1Ω’ΤΗ試驗後之電阻為^ Μ。 又’使用含該導電性粒子之異向性導電膜使1C與ΙΖ0配線 板接合’結果初始電阻為〇.2 Ω，ΤΗ試驗後之電阻為1〇 8 Ω。將該等結果示於表1。 [實施例7] 藉由DC磁控濺鍍法，於與對樹脂粒子實施有無電鍍 仏（第1金屬層）之實施例！相同之平均粒徑為以爪之鑛 Ni樹脂粒子之表面上形成pd濺鍍層（第2金屬層又 第1金厲層之厚度為l00nm，第2金屬層之厚度為 ⑽。又，第2金屬層之維氏硬度（Hv)為4〇〜6〇。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使1(：與ιτ〇配線 板接合，結果初始電阻為〇·1Ω，ΤΗ試驗後之電阻為〇 6ω。 又，使用含該導電性粒子之異向性導電膜使IC與ιζ〇配線 板接合’結果初始f阻為（Μ Ω，ΤΗ試驗後之電ρ且為以 Ω。將該等結果示於表1。 · 18 201246235 [實施例8] 藉由DC㈣賤錄法，力與對樹脂粒子實施有無電链 N i (第1金屬層）之實施例1相同之平均粒徑為 3 " m之鍵

Ni樹脂粒子之表面上形成卜濺鍍層（第2金屬層 第1金屬層之厚度為1〇〇 nm ’第2金屬 ㈣。又，第2金屬層之維氏硬度（Hv)U〇〇〜Z為1 使用含該導電性粒子之異向μ遵_愈胳 心共冋往導電膜使1C與ΙΤΟ配線 板接合’結果初始電阻為〇 · 1 Ω，ΤΗ續給抬★ + 上 η $驗傻之電阻為0.4 Ω。 又’使用含該導電性粒子之異向，降道_带胳τ ^ 共问性導電膜使1C與ΙΖΟ配線 板接合，結果初始電阻為〇. 1 q，ΤΗ 4 §&·他λ Λ 1Η成驗後之電阻為4_4 Ω。 將該等結果示於表1。 [實施例9] 藉由DC磁控濺鍍法，於與對樹脂粒子實施有無電鍍 Ni (第1金屬層）之實施例i相同之平均粒徑為—之鍍 Ni樹脂粒子之表面上形成c〇濺鍍層（第2金屬層）。 第1金屬層之厚度為l〇0nm，第2金屬層之厚度為15 nm。又，第2金屬層之維氏硬度（Hv)為1〇〇〜15〇。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使⑴與ιτ〇配線 板接合，結果初始電阻為0·1Ω，ΤΗ試驗後之電阻為〇.5Ω。 又’使用含該導電性粒子之異向性導電膜使…與ιζ〇配線 板接合，結果初始電阻為0·1Ω，ΤΗ試驗後之電阻為、6Ω。 將該等結果示於表1。 [實施例10] 藉由DC磁控濺鍍法，於與對樹脂粒子實施有無電鍍 19 201246235 '第金屬層）之實施例1相同之平均粒徑為3" m之鍍 Nl樹脂粒子之表面上形成M。錢層（第2金屬層）。 第1金屬層之厚度為100nm，第2金屬層之厚度為15 nm。又’第2金屬層之維氏硬度（Hv)為i5〇〜2〇〇。 使用含邊導電性粒子之異向性導電膜使IC與ιτ〇配線 板接合，結果初始電阻為〇丨Ω，ΤΗ試驗後之電阻為〇 6 Ω。 又’使用含S玄導電性粒子之異向性導電膜使IC與ΙΖ〇配線 板接合，結果初始電阻為0.1 Ω，ΤΗ試驗後之電阻為5.8 Ω。 將該等結果示於表1。 20 201246235 1實施例ίο 1 無電鍍Ni Mo滅鑛 〇 ο ι 〇 ν〇 ο C) 00 1實施例9 1 無電鍍Ni Co濺鍍 〇 〇 100〜150 d «ο ο d 1實施例8 I 無電鍍Ni [r濺鍍 〇 W-) 300〜400 ο 对 ο d |實施例7 I Pd濺鍍 〇 un 40 〜60 ο νο ο ο 00 oi <Ν |實施例6 I 無電鍍 Ni W濺鍍 〇 300〜400 ο vq f—< <Ν Ο 00 ο 實施例5 無電鍍Ni Ru —Co渡鍵 〇 350〜450 ο Ο Ο (Ν ΓΟ 實施例4 無電鍍Ni Ru濺鍍 〇 300〜400 ο - ο 00 實施例3 無電鍍Ni Ru濺鍍 〇 〇 300〜400 ο 寸 Ο ο (Ν 寸· 實施例2 無電鍍Ni Ru濺鍍 〇 300〜400 ο 寸 ο ο — 實施例1 無電鍍Ni Ni濺鍍 〇 〇 ? ο ο ο 第1金屬層 第2金屬層 第1金屬層之厚度（nm) 第2金屬層之厚度（nm) 第2金屬層之硬度（Ην) 初始（Ω) 85°C85%RH 初始（Ω) 85〇C85%RH ΙΤΟ 配線 ΙΖΟ 配線 201246235 [比較例1 ] 藉由無電鍍法，於與對樹脂粒子實施有無電鍍Ni (第 1金屬層）之實施例1相同之平均粒徑為3ym之鍍Ni樹脂 粒子之表面上形成無電鍍Au層（第2金屬層）。 第1金屬層之厚度為1〇〇 nm，第2金屬層之厚度為15 nm。又，第2金屬層之維氏硬度（Hv)為1〇〜30。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使IC與ΙΤ〇配線 板接合，結果初始電阻為〇」卩，丁11試驗後之電阻為3 〇卩。 又，使用含該導電性粒子之異向性導電膜使1(：與ΙΖ〇配線 板接合，結果初始電阻為4.4 Ω，ΤΗ試驗後之電阻為229 〇 Ω。將該等結果示於表2。 [比較例2] 藉由無電鍍法，於與對樹脂粒子實施有無電鍍川（第 1金屬層）之實施例1相同之平均粒徑為3/zm之鍍犯樹脂 粒子之表面上形成無電鍍Ni_p層（第2金屬層）。 第1金屬層之厚度為100nm，第2金厲層之厚度為15 ⑽。又’第2金属層之維氏硬度（Hv)為1〇〜3〇。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使IC與ιτ〇配線 板接合，結果初始電阻為〇·1Ω，ΤΗ試驗後之電阻為4」ω。 又’使用含該導電性粒子之異向性導電膜使IC與ιζ〇配線 板接合，結果初始電阻為〇 2 Ω’ ΤΗ試驗後之電阻為34 2 Ω。將該等結果示於表2。 [比較例3] 使用與對樹月曰粒子實施有無電鍍Ni (第i金屬層）之 22 201246235 實施例1相同之平均粒徑為3^m之鍍Ni樹脂粒子且不 形成第2金屬層。 第1金屬層之厚度為100 nm。又，第！金屬 硬度（Hv)為10〜30。 3 ' 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使Ic與ιτ〇配線 板，合，結果初始電阻為〇.1^，丁11試驗後之電阻為4 ιω。 又，使用含該導電性粒子之異向性導電膜使1(：與ιζ〇配線 板接合，結果初始電阻為〇·2 Ω，ΤΗ試驗後之電阻為34 2 Ω。將該等結果示於表2 » [比較例4] 藉由DC磁控濺鍍法，於平均粒徑為3“m之二乙烯苯 系樹脂粒子之表面上形成Ni濺鍍層（第i金屬層），且不 形成第2金屬層。 第1金屬層之厚度為100 nm。又，第（金屬層之維氏 硬度（Hv )為50〜70。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使IC與ιτ〇配線 板接合，結果初始電阻為〇」Ω，ΤΗ試驗後之電阻為5 8Ω。 又，使用含該導電性粒子之異向性導電膜使IC與ιζ〇配線 板接合，結果初始電阻為〇.2Ω, 丁11試驗後之電阻為1〇8 〇 Ω。將該等結果示於表2。 [比較例5] 藉由DC磁控濺錢法，於平均粒徑為3"m之二乙稀苯 系樹脂粒子之表面上形# Ni濺錢層（帛1金屬層），進而 藉由DC磁控濺鍍法形成川濺鍍層（第2金屬層八 23 201246235 第1金屬層之厚度為100 nm，第2金屬層之厚度為15 nm。又，第1金屬層之維氏硬度（HV)為5〇〜7〇。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使IC與ΙΤ〇配線 板接合，結果初始電阻為ο·ιω，τη試驗後之電阻為5 8Ω。 又，使用含該導電性粒子之異向性導電膜使IC與ΙΖ〇配線 板接合，結果初始電阻為0.2Ω，ΤΗ試驗後之電阻為1〇8.〇 Ω。將該等結果示於表2。 [比較例6 ] 藉由DC磁控濺鍍法，於平均粒徑為3 “ m之二乙烯苯 系樹脂粒子之表面上形成Ni濺鍍層（第i金屬層），並藉 由無電鍍法於Ni濺鍍層之表面上形成無電鍍川層（第2 金屬層）。 第1金屬層之厚度為15 nm，第2金屬層之厚度為1〇〇 nm。又，第1金屬層之維氏硬度（Hv)為丨〇〜3〇。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使丨c與〗τ 〇配線 板接合’結果初始電阻為〇.1Ω，ΤΗ試驗後之電阻為6 7Ω。 又，使用含該導電性粒子之異向性導電膜使IC與ιζ〇配線 板接合’結果初始電阻為〇·2 Ω，四試驗後之電阻為⑴ Ω。將該等結果示於表2。 [比較例7] 藉由DC磁控濺鍍法，於與對樹脂粒子實施有無電鍍 Ni (第i金屬層）之實施例i相同之平均粒徑為3口之鍵 Ni樹脂粒子之表面上形成Au濺鍍層（第2金屬層 第1金屬層之厚度為⑽nm，第2金屬層之厚度為】5 24 201246235 nm。又’第1金屬層之維氏硬度（Ην)為10〜2〇。 使用含該導電性粒子之異向性導電膜使IC與IT〇配線 板接合，結果初始電阻為〇.丨Ω，ΤΗ試驗後之電阻為2 5 Ω。 又’使用含該導電性粒子之異向性導電膜使IC與ΙΖ〇配線 板接合，結果初始電阻為4.2 Ω，ΤΗ試驗後之電阻為219.0 Ω。將該等結果示於表2中。 [表2] 比較例 1 比較例 2 比較例 3 比較例 4 比較例 5 比較例 6 比較例 7 第1金屬層 無電鍍 Ni 無電鍍 Ni 無電鍍 Ni Ni濺鍍 Ni濺鍍 Ni濺鍍 無電鍍 Ni 第2金屬層 無電鍍_ Au 無電鍍 Ni —P 無 無 Ni濺鍍 無電鍍 Ni Au錢 魅 第1金屬層之厚度（nm) 100 100 100 100 100 r 15 1〇〇 第2金屬層之厚度（nm) 15 15 / / 15 100 1 s 第2食 ]0〜30 10 〜30 10 〜30 50 〜70 50 〜70 10 〜30 連接 可靠 性 ITO 配線 子刀始（) 0.1 0,1 0.1 0.1 0.1 0.1 0 1 〇5 C 85%RH 3.0 4.1 4.1 5.8 5.8 6.7 2.5 IZO 配線 4.4 0.2 0.2 0.2 0.2 0 2 4.2 85 °C 85%RH 229.0 34.2 34.2 108.0 108.0 67.8 219.0 比較表1與表2可知：無論單獨或使無電鍍金屬層積 層，均無法獲得對ιζο配線板良好之連接可靠性（比較例i 〜3 )。又，無論單獨或使金屬濺鍍層積層，均無法獲得對 IZO配線板良好之連接可靠性（比較例4、5 )。又，即便於 將第1金屬層設為金屬濺鍍層、將第2金屬層設為無電鍍 金屬層之情形時，亦無法獲得f"z〇配線板良好之連接‘ 靠性（比較例6)。又’即便於將第i金屬層設為無電錄金 屬層、將第2金屬層設為Au濺鍍層之情形時，亦無法獲得 25 201246235 對IZO配線板良好之連接可靠性（比較例7 ) β 另一方面，如實施例i〜丨〇中所示，藉由將第1金屬 層設為無電鍍金屬層’將第2金屬層設為Ni濺鍍層、RU 濺鍍層、Ru — Co濺鍍層、w濺鍍層、Pd濺鍍層、Ir濺鍍層、 Co濺鍍層、:Mo濺鍍層中之任一者，可獲得良好之連接可靠 性。又，如實施例1〜1 〇中所示，於第2金屬層之維氏硬 度（Hv )為40以上之情形時，可獲得良好之連接可靠性’ 尤其疋於、·隹氏硬度（Ην )為3〇〇以上之情形時，可獲得對 ΙΖ〇配線板良好之連接可靠性。又，如實施例2〜4中所干 般’於金屬義層之厚度為5〜3Qnm之情 好之連接可靠性。 』艾于民 【圖式簡單說明】 子之剖面圖 圖1係表示本實施形態之導電性粒 【主要元件符號說明】 11 樹脂粒子 12無電鍍金屬層 13 金屬濺鍍層 26

Claims (1)

1. 201246235 七、申請專利範圍： 1 · 一種導電性粒子，其具有： 樹脂粒子， 被覆該樹脂粒子表面之無電鑛金屬層，及 形成最外層之除Au以外之金屬濺鍍層。 2. 如申請專利範圍第丨項之導電性粒子，其中，該金屬 濺鍍層由 Ni、Ru、W、Pd、Ir、c〇、M〇、丁丨:絀、或含 該等中一種以上之合金構成。 3. 如申請專利範圍第…項之導電性粒子，其中，該 無電鍵金屬層為無電鍍Ni層。 4. 如申請專利範圍第…項之導電性粒子，其中，該 金屬濺鑛層之維氏硬度（Hv)為4〇〜5〇〇。 5. 如申請專利範圍第3項導 守电性拉子，其中，該金屬 濺鍍層之維氏硬度（HV)為4〇〜5〇〇。 6. 如申請專利範圍第1或2項之導電性粒子，其中，該 金屬濺鍍層之厚度為5〜200llm。 人 7·如申請專利範圍第3項之導電性粒子，其中 濺鍍層之厚度為5〜200 nm。 8. 如申請專利範圍第4項之導電性粒子，其中，該金屬 濺鍍層之厚度為5〜2〇〇 屬 9. -種異向性導電材料’其具備勒合劑樹 該黏合劑樹脂之導電性粒子； 刀散於 該導電性粒子且右槲护私 八有樹知粒子、被覆該樹脂粒子 無電鍍金屬層、及形成最外層 之 戒卜層之除^以外之金屬_^ 27 201246235 1 ο. —種連接結構體 粒子表面之無電鑛金屬層 屬濺鍍層的導電性粒子而 電連接。 藉由具有樹脂粒子、被覆該樹脂 、及形成最外層之除Au以外之金 將第】t子零相第2 f子零件 子的異向性练雷瞄# …—曰刀敢有導電性4 性導電膜貼附於第〗電子零件之端子上； 第2電子零件預配置於該異向性導電膜上； 使=2 件上藉由加熱推壓裝置進行推壓； 接，"1 f子零件之端子與該帛2 t子零件之端子岛 其中 表面之無 鍍層。 ^導電性粒子具有樹脂粒子、被覆該樹脂粒子 錄金屬層 '及形成最外層之除Au以外之金屬職 28