TW201239068A - Phosphor, method for manufacturing the same, and light-emitting device - Google Patents
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201239068 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有複合氮氧化物的母體結晶且在紫 外線至藍色光的波長區域激發而發光之螢光體、其製造 方法及使用該螢光體之發光裝置。 【先前技術】 作為取代習知之具有硫化物系母體的螢光體及具有 氧化物母體的螢光體例如碎氧鹽螢光體、磷氧鹽螢光體 、鋁氧鹽螢光體，有提案矽鋁氮氧化物（Si A10N)螢光體（ 專利文獻1至3) ’其化學穩定性高且具有作為耐熱構造 材料之周知的氮化物系母體。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1 國際公開第2006/093298號小冊 專利文獻2 國際公開第2007/037059號小冊 專利文獻3 國際公開第2007/10563 1號小冊 非專利文獻 非專利文獻 1 Acta Crystallographica Section B-Structural Science, vol. 65, 567-575, Part 5(0CT 2009) 【發明内容】 [發明所欲解決之課題] 本發明的目的在提供一種發光強度較習知螢光體高 的螢光體、其製造方法及使用該螢光體之高亮度的發光 裝置。 -4 - 201239068 [用以解決課題之手段] 本發明提供一種螢光體，其係以一般式： MeaRebSicAldNeOf(其中，Me可為以Sr為必要元素且含 有選自Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y及La之一種以上 的元素，Re可為以Eu為必要元素且含有Mn、Ce、Tb 、Yb及Sm之一種以上的元素）表示之螢光體， 將組成比a、b、c、d、e及f設成 a= 1 -x ' b = x、 c=(2+2p)x(l-y)、 d=(2+2p)xy 、 e=(l+4p)x(l-z)、 f=(l+4p)xz 時， 參數p、x、y及z為 1.620 < p < 1.635 ' 0.005 < x < 0.300、 0.200 < y< 0.250、 0.070 < z< 0.110。 組成比c、d、e及f較佳為 0.250 < d/c< 0.320 > 0.080 < f/e < 0.2 00。
Me較佳為僅包含Sr。
Re較佳為僅包含Eu。 p較佳為1.625。 201239068 前述螢光體較佳為藉由波長300nm以上500nrn以下 的光激發’且在波長495nm以上530nm以下具有發光波 峰波長。 前述螢光體係以（MehxRexM2X)m(M2X4)n表示的結 晶構造模型記述。在此，m與n係滿足1.620 < n/m < 1 .635 之關係的整數值，Me可為以Sr為必要元素且含有選自 Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y及La之一種以上的元素 ’ Re可為以Eu為必要元素且含有選自Mn、Ce、Tb、 Yb及Sm之一種以上的元素’ M可為選自Si、Ge、A1 及Ga之一種以上的元素，χ可為選自氧與氮之一種以上 的元素。 本發明之其他觀點係一種螢光體的製造方法，其係 用以製造前述螢光體，該螢光體的製造方法具有.： 混合原料之混合步驟；和燒結混合步驟後的混合物 之燒結步驟； 原料係由 (1) M e之氮化物、碳化物、氫化物、石夕化物、碳氧 鹽或氧化物（其中，Me可為以Sr為必要元素且含有選自 Na、Li、Mg、Ca、Ba、Sc、Y及La之一種以上的元素） 之一種或複數種； (2) Re之氮化物、氫化物、碳化物、鹵化物或氧化物 (其中’Re可為以Ευ為必要元素且含有選自Mn、Ce、 Tb、Yb及Sm之一種以上的元素）之一種或複數種； (3) Si氮化物、3丨氧化物、以氮氧化物或以金屬的 一種或複數種；及 -6 - 201239068 (4)A1氮化物、A1氧化物、μ氮氧化物或μ 一種或複數種。 此螢光體之製造方法的燒結步驟較佳係在 以上的環境壓力下以16〇(rc以上2〇〇〇。〇以下進 之燒結步驟。 該螢光體的製造方法較佳為設置將燒結步驟 光體以1200。(：以上19〇〇它以下進行退火處理的 驟。 較佳為使在前述燒結步驟獲得的螢光體包含 步驟的原料中。 本發明之其他觀點係具備發光元件與前述螢 發光裝置，且係螢光體為前述螢光體的發光裝置 發光裝置除了使用前述螢光體外，亦可使用 上之發光波峰波長比前述螢光體的發光波峰波長 螢光體* 舍光元件較佳為具有340nm以上500nm以下 之無機發光元件或有機發光元件的任一者。 發光元件較佳為LED元件。 發光裝置較佳為液晶TV用背光源、投影機 裝置、照明裝置或信號裝置。 [發明的功效] 本發明的螢光體相較於習知的螢光體具有更 度。根據本發明之螢光體的製造方法，可製造較 螢光體具有更高亮度的螢光體。本發明的發光裝 有更高亮度的發光裝置。 金屬的 O.IMPa 行燒結 後的螢 退火步 於混合 光體的 〇 一種以 更長的 的發光 的光源 向的免 習知的 置係具 201239068 【實施方式】 [用以實施發明的形態] 本發明係一種螢光體 其係以
MeaRebSicAldNeOf(其中，μ户 7 达Me可為以Sr為必| _ 有選自Na、Li、Mg、Ca 〇 0 要7^素且八6 La、Ba、Sc、γ 及 l 及含 的元素，Re可為以Eu為 3之一種以 q乂胥兀素且含有 < 、Tb、Yb及Sm之一種以上 選自Mn、Ce 將組成比a、b、c、d、e及 先體， 設成 a
X b = x c=(2+2p)x(1-y)、 d=(2+2p)xy > e=(l+4p)x(l-z)、 f=(l+4p)xz 時， 參數P、x、y及z為 1.620 < p < 1.635、 0.005 < x < 0.300、 0.200 < y< 0.250、 0.070 < z < 0.1 l〇。
ρχ, PQ 、b、c、d、e及f乘以正的不疋素的比， 仗％、数值所得者亦 的組成式。本發明巾，由於係規格化成a+b=i，=相同 有某組成式的材料是否在本發明的範圍，係、可使用 化成a+b 1之a、b、c、d、e及f的組成比來判斷。 201239068 p 為 1.620<p<l.635，較佳為 1.622 <Ρ<1·630，更 佳為ρ=1·625。當ρ値低於KQo或高於！ 635時會助 長目標組成物以外的第二相的形成等，而導致色純度劣 化、發光強度降低。 組成比c、d、e及f較佳為， 0.250 < d/c < 0.320 > 0.080 < f/e < 0.200 〇 本發明之實施形態的螢光體中，X係Re之發光離子 的原子比例。若發光離子的比例小，便無法得到充足的 發光強度，另一方面，若發光離子的比例大，便會產生 因鄰接之發光離子彼此所產生之激發能量的再吸收效應 之被稱為濃度猝滅（c〇ncentrati〇n quenching)的現象，因 而無法獲得充足的發光強度。X為0·00 5<χ<0·3〇，更佳 為 〇.〇 1 < X < 0.25。 本發明的螢光體中’ y表示結晶構造中之以元素與 A1元素的比率’Z表示結晶中之N元素與〇元素的比率 。使用參數y及p、與2及p決定一般式的組成比c、d 、e、f，而導出d/C及f/e。y與z為了將結晶中的電荷 保持中性而具有自由度為1的關係，所以若賦予參數p 與y或p與z ’則可設計所有的組成比c、d、e及f。以 將 d/c 及 f/e 設成 〇 25〇< d/c< 0.3 20、0.080 < f/e < 0,200 較佳’設成 0.255 < d/c < 0.3 10、0.085 < f/e < 0.190 更佳 。當d/c及f/e低於下限値時，會助長目標組成物以外之 第一相的形成等’而導致色純度降低、發光強度降低。 201239068 作為用以保持電荷中性的組成設計，y與Z具有z = { 2y(p+l) + 4p-7/(4p+l) }的關係。
Me以僅包含Sr較佳。
Re以僅包含Eu較佳。 p以1.6 1 5較佳。 上述螢光體較佳為藉由波長300nm以上500nm以下 的激發光而發出具有波長495nm以上530nm以下之發光 波峰波長的螢光。 上述螢光體係以（Me^xRexMzXKlVhXdn表示之結 晶構造模型記述。此處，m與η係滿足1.620 < n/m < 1.635 的整數值，Me可為以Sl·為必要元素且含有選自Na、Li 、Mg、Ca、Ba、Sc、Y及La之一種以上的元素，Re可 為以Eu為必要元素且含有選自Μη、Ce、Tb、Yb及Sm 之一種以上的元素，河可為選自Si、Ge、Al及Ga之一 種以上的元素’ X可為選自氧與氮之一種以上的元素。 另外’具有P = n/m的關係。 前述之螢光體較佳為以在結晶的單元晶胞中含有m 個（Mei-xRexM2X)構造與η個（Μ2χ4)構造之結晶構造模型 記述者。 m及n由於是決定包含於結晶模型之單元晶胞中之 各自的構造數，所以是決定單元晶胞的總量的數值，但 在該結晶模型中m與η必須滿足有限的整數值及其組合 ’為了得到所期望的螢光體，較佳為至少在L62〇<n/m < 1.6 3 5的範圍。 .201239068 其次，說明本發明之螢光體的製造方法β 本發明之螢光體的製造方法中，具有混合原料的混 合步驟、和燒結混合步驟後之混合物的燒結步驟， 原料係由： (1 )Me之氮化物、碳化物 '氫化物、矽化物、碳氧 鹽或氧化物（其中，Me可為以Sr為必要元素且含有選自
Na、U、Mg、Ca、Ba、Sc、¥及La之一種以上的元素） 的一種或複數種； (2) Re之氮化物、氫化物、碳化物鹵化物或氧化物 (其中，Re可為以Eu為必要元素且含有選自Mn、Ce、 Tb Yb及Sm之-種以上的元素)的一種或複數種； (3) Si氮化物、Si氧化物、以氮氧化物或以金屬的 一種或複數種；以及 (4)A1氮化物、A〗惠於队 氧化物、A1氮氧化物或A1金屬的 一種或複數種所構成。
作為原料方面，亦可在上述原料中 =1:方面’㈣金屬…物、驗土族金屬的J 加助& ^ ’較佳為相對於螢光體原料1GC)wt%添 加助熔劑0.01〜20wt%。
Me 可為以 n D 為必要疋素且使用選自Na、Li、Mg 、Ca、Ba、Sc、γ ；3 τ — g ^ τ . ^ ς t及“之一種以上的元素。Me雖可為 除了包含Sr以外叆白人.西 還包3選自Mg、Ca及Ba之一種以上 的兀素，但是較佳盔盘— ? 上 平乂佳為僅包含Sr的情形。
Re雖可為以 、Yb及Sm之一 的情形。
Eu為必要元素且包含選自Mn、ce、Tb 種以上的元素，但是較佳為僅包含Eu 201239068 〇. 11VIP a 以 進行燒結之 此螢光體的製造方法的燒結步驟係以在 上的環境壓力下以1 6 0 〇 °c以上2 0 〇 0 °c以下 燒結步驟較佳。 此螢光體的製造方法中，較佳為設置將焯蛀 的螢光體以120CTC以上190(^以下進行驟後 少舟赚。 人I理之退 較佳為在混合步驟的原料中含有在前述焊彡士 得的螢光體。 步驟獲 本發明的其他觀點為具備發光元件、 的發光裝置。 *月』述螢光體 用 —種以 更長的 發光裝置除了使用前述螢光體外，亦可使 上之發光波峰波長比前述螢光體的發光波峰波 螢光體。 作為相較於前述螢光體所發出的螢光具有更長波長 之發光波峰波長的螢光體，係有：0 -SiAl〇N : Eu、YAG :Ce、《 -SiAlON : Eu、（Li、Ca)(A1、Si)2(N、〇)3 : Ce 、（Ca Sr、Ba)2Si5N8: Eu、SrAlSi4N7: Eu 及（Ca、Sr)AlSiN3 :Eu。 七光元件較佳為具有340nm以上500nm以下之發光 的’…機發光元件或有機發光元件的任一者。 發光元件係以LED元件較佳。 發光裝置係以液晶TV用背光源、投影機的光源裝 置、照明裝置或信號裝置較佳。 本發明之實施形態的螢光體，其特徵在於以 (Mei-xRexM2X)m(M2X4)n表示的結晶構造模型記述β在此 -12- 201239068 ’ Me可為以Sr為必要元素且包含選自Na、Li、Mg、Ca 、Ba、Sc、Y及La之一種以上的元素，Re可為以Eu為 必要元素且包含選自Μη、Ce、Tb、Yb及Sm之一種以 上的元素。Μ為選自Si、Ge、Al及（}3之一種以上的元 素，X為選自氧與氮之一種以上的元素。即便為相同元 素之組合的螢光體’如係未能由上述構造模型表示的螢 光體’會助長目標組成以外之第二相的形成，而導致發 光強度降低。 本發明之實施形態的螢光體，特別是在發光由Eu 離子產生的情況’相較於習知的螢光體，藉由波長3〇〇 nm 以上500nm以下的激發光’發出在波長495nm以上 530nm以下的範圍具有發光波峰波長之發光強度高的藍 綠色〜綠色的螢光。 [實施例] 以下，參照比較例’詳細說明本發明的實施例。 說明實施例1及2的螢光體。 原料粉末係使用氮化矽粉末（Si3N4)、氮化鋁粉末 (A1N)、氧化鋁（AhO3)、氧化鳃粉末（SrO)、氮化锶粉末 (Sr3N2)及氧化銪粉末（Eu203)。 在 '一般式MeaRebSicAldNeOf中’表1所不的p、X、 y、z ’ a、b、d/c及f/e係設成表1所示的設計組成。 表1所示的比較例1至5中，p與實施例1及2同 樣為p=l .625，而d/c或f/e低於下限値，又，比較例6 中，ρ=1·625，而d/c或f/e高於上限値。 -13- 201239068 表1 設計糸 1成比 P X y Z a b d / c f /β 比較例1 1.625 0.014 0.095 0.000 0.986 0.014 0.11 0.00 比較例2 1.625 0.014 0.119 0.017 0.986 0.014 0.14 0.02 比較例3 1.625 0.014 0.143 0.033 0. 986 0.014 0.17 0.03 比較例4 1.625 0.014 0.167 0.050 0.986 0.014 0.20 0.05 比較例5 1.625 0.014 0.190 0.067 0.986 0.014 0.24 0.07 實施例1 1.625 0.014 0. 214 0.083 0.986 0.014 0.27 0.09 實施例2 1.625 0.014 0.238 0.100 0.986 0.014 0.31 0.11 比較例6 1.625 0.014 0. 286 0.133 0.986 0.014 0.40 1 0.15 上述原料粉末係在内部充填有惰性氣體的手套式操 作箱（glove box)中，以表2所示的各質量比秤重’使用 瑪瑙研缽與研缽進行30分鐘的乾式混合。Me僅設為Sr ，Re僅設為Eu。 表2 秤重 (g) ------ SrO Sr3N2 Si3N4 AIN ΑΙΑ Ε〇2〇3 比較例1 0.000 0.561 1.304 0.120 0.000 0.014 比較例2 0.068 〇. 498 1.270 0.150 0.000 0.014 比較例3 0. 144 0.427 1.235 0.180 0.000 0.014 比較例4 0.220 0.356 1.200 0.210 0.000 0.014 比較例5 啻施你Ν 0. 296 〇. 284 1.166 0.240 0.000 0.014 0.371 0.213 1.131 0.270 0.000 0.014 0.447 0.142 1.096 0.300 0.000 0.014 比較例6 0.599 0-000 ------- 1.027 ^ 0.360 0.000 0.014 接著，將藉由乾式混合得 硼（BN)製坩禍。 到的混合粉末充填於氮化 將充填有混合粉末的氮化 電爐是使用以碳纖維成形體作 熱方式之電爐。 硼製坩堝設置於電爐， 為隔熱材之石墨加熱器 該 加 -14-
S 201239068 燒結係以下述方式進行：首先藉由擴散泵將電爐的 加熱框體内設成真空，以每分鐘2(rc的速度從室溫升溫 至1000C ’在成為i〇〇〇c的時間點，以i 〇MPa的氮氣 充填加熱框體，以每小時⑺它加熱至丨9〇〇。〇，在 C下保持兩小時。 使用碼瑙研缽與缽棒將上述方式獲得的燒結物粉碎 ，而得到所期望之螢光體粉末（實施例丨及2、比較例i 至8)。 其-人，使用螢光分光光度計，測定所獲得之螢光體 粉末（實施例1及2、比較例丨至6)的發光光譜及激發光 譜。圖1顯示實施例丨及2之發光及激發光譜的測定結 果，圖2顯示比較例丨至5之發光及激發光譜的測定結 果，圖3顯不比較例6之發光及激發光譜的測定結果。 發光光谱係激發波長450nm的測定結果。將由該發光光 5酱獲彳于的發光波峰波長與發光強度連同上述燒結條件一 起顯示於表3發光波峰強度由於其值會因測定裝置間 的誤差、存在於測定裝置之光源的搖晃、測定條件等而 改變，故以相對於作為基準之螢光體的相對值的方式 記載於表3。 表3 容器 燒結f 邊結溫度 (°〇 時間 (hour) 〇 壓力 (MPa) 波峰贼 (nm) β〇〇 發光特性 波峰強度 (%) 比«例1 BN坩堝 1900 比較例2 比較例3 BN坩堝 8N坩堝 1900 19ΩΩ c 2 0.9 0,9 KiCL 498 97 97 有 比較例4 比較例5 BN坩堝 BN坩堝 1900 ΐοπη 2 2 0.9 0.9 497 497 123 134 有 實施例1 實施例2 BN坩堝 BN· 1900 1900 2 2 0 0.9 0.9 497 497 Λ07 141 195 ICO 有 無 比較例6 BN坩塌" 1900 2 — u. y 0.9 488 l do 101 無 rw •15- 201239068 針對由表1至表3導出的結果進行詳細說明。 所得到的前述燒結物其發光波峰波長及發光強度會 依設計組成比而改變。本發明的實施例1及2中，發光 波锋波長是在497nm以上530nm的範圍，具有單—的發 光形狀且發光強度高。一方面’在d/c或f/e的値低於本 發明之下限値的比較例1至5中，如圖2所示，在5 5 〇 n m 以上700nm以下的範圍觀測到由第二相構成之幅度廣的 發光，而且發光強度也比實施例1及2低。另一方面， 於設計組成之d/c或f/e的值大於本發明之上限值的比較 例6中，未存在明確的第二相發光。但是，發光波峰波 長移位至4 8 8 nm之短波長側’發光形狀也在短波長側與 長波長側呈裙擺狀。且發光強度亦比實施例1及2的發 光強度低。 表4係針對實施例1及2 ’顯示由設計組成及化學 分析得到的組成比a、b、d/c及f/e。任一者均在本發明 所特定的範圍内。其中，f/e相較於設計組成是高的數值 。f係表示螢光體中理想的氧比’但由於在分析中係無區 別地求得螢光體的晶格中所含的氧、原料或燒結中的環 境所含的氧、經由空氣中的水分等而吸附於螢光體粒子 的表面的氧，所以會有顯示出相較於設計値是高的値之 情形。 表4 設計組成 分析 組成 a b d/c f/e a b d/c f/β 實施例1 0.986 0.014 0.27 0.09 0.986 0.014 0.26 0.15 實施例2 0.986 0.014 0.31 0.11 0.986 0.014 0.30 I 0.18 -16- 201239068 圖4係實施例1之勞光體之粉末χ線繞射圖形的測 定結果。圖5、6及7分別為比較例2、4及6的粉末χ 線繞射圖形。實施例i為本發明之f光體所具有之特徵 的圖形’相對地，比較例2、4及6為與本發明之螢光體 不同的圖形。
針對χ線繞射的測定結果，以由 (Me^RexMzXWMA4)"構成的結晶構造作為初始模型 ，依據非專利文獻1的方法，進行Rietveld分析，經收 歛後，確認本結晶為以p=l.625(m = 8、n=13、p = n/mW (Mei-xRexM2X)m(M2X4)n所示之結晶構造模型記述者。 設溫度30 C的發光強度為丨〇，將實施例i及2之 發光強度之溫度依存性的結果顯示於圖8。激發波長為 450nm。即便使溫度上升至15〇。〇 ，發光強度亦為 0.75(75%)以上，是伴隨溫度上升所致之猝滅（以““丨⑼ )小的螢光體。在使用電力·光轉換原理的發光元件中， 無助於發光的電能由於大部分會被轉換成熱，所以點亮 驅動中的發光元件實際上會成為相當高的溫度。因此， 本發明的登光體即便在高溫下，發光強度的降低也小， 所以非常適合用於與發光元件組合的發光裝置。 【圖式簡單說明] 圖1為顯示本發明之實施例丨及2之螢光體的發光 及激發光譜之圖。 圖2為顯示比較例丨至5之螢光體的發光及激發光 言普之圖。 201239068 圖3為顯示比較例6之螢光體的發光及激發光譜之 圖。 圖4為顯示本發明的實施例1之螢光體的粉末X線 繞射圖形之圖。 圖5為顯示比較例2之螢光體的粉末X線繞射圖形 之圖。 圖6為顯示比較例4之螢光體的粉末X線繞射圖形 之圖。 圖7為顯示比較例6之螢光體的粉末X線繞射圖形 之圖。 圖8為顯示本發明的實施例1及2之螢光體的發光 強度的溫度依存性之圖。 【主要元件符號說明】 無。 -18-
Claims (1)
- 201239068 七、申請專利範圍： 1. 一種螢光體，其係以一般式：MeaRebSicAldNeOf(其中 ，Me可為以Sr為必要元素且含有選自Na、Li、Mg、 Ca、Ba、Sc、Y及La之一種以上的元素，Re可為以 Eu為必要元素且含有Mn、Ce、Tb、Yb及Sm之一種 以上的元素）表示之螢光體， 將組成th· a、b、c、d、e及f設成 a= 1 -x ' b = x ' c = (2 + 2p)x( 1 -y) ' d = (2 + 2p)xy ' e = ( 1 +4p)x(1-z)、 f=(l+4p)xz 時， 參數p、x、y及z為 1.620 < p< 1.635、 0.005 < x < 0.300、 0.200 < y < 0.250 ' 0.070 < z< 0.110。 2. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中 組成比c、d、e及f為 0.250 < d/c < 0.320 ' 0·080 < f/e< 0.200。 3 .如申請專利範圍第1項之螢光體，其中 Me僅包含Sr。 -19- 201239068 4. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中 Re僅包含Eu。 5. 如申請專利範圍第1項之螢光體，其中 p = 1.6 2 5 〇 6. 如申印專利範圍第i項之螢光體其係藉由波長 以上5〇〇nm以下的光激發，且在波長495nm以上53〇nm 以下具有發光波峰波長。 7. 如申請專利範圍第丨項之螢光體，其係以 (Mei_xRexM2X)m(M2X4)n表示之結晶構造模型記述（其 中，爪與n係滿足的整數值，Me 可為以Sr為必要元素且含有選自^、u、、^、 Ba、Sc、Y及La之一種以上的元素，Re可為以 必要元素且含有選自Mn、Ce、Tb、Yb& %之—種: 上的元素，Μ可為選自^、^、八丨及以之—種以二 的兀素’ X可為選自氧與氮之一種以上的元素）。 8一種營光體的製造方法，其係用以製造申請專利範圍 第1項的螢光體，該螢光體的製造方法具有： 混合原料之混合步驟、和燒結混合步驟後入 物之燒結步驟； Λ α 原料係由： (1)以Me表示之元素的氮化物、碳化物、 、石夕化物、碳氧鹽或氧化物(其中，Me可為以 要元素且含有選自Na、u、Mg、Ca、Ba、〜、γ、必 La之一種以上的元素）之—種或複數種； 及 -20. 201239068 ⑺以Re表示之元素的氮化物、氫化物 鹵化物或氧化物（其中，Re可為以Eu為2毋 巧必要亓去日入 有選自Mn、Ce、Tb、Yb及Sm之一種以， 、込 -種或複數種； “上的元素）之 、si氧化物、Si氮氧化物或si金屬 及 ' A1氧化物、A1氮氧仆机士 乳乳化物或A1金屬 (3) Si氮化物 的一種或複數種； (4) A1氮化物 的一種或複數種。 9. 如申請專利範圍第8項之螢光體的製造方法 ， 結步驟係在o.1MPa以上的環境壓力下卩: 20 00°C以下進行燒結之燒結步驟。 10. 如申請專利範圍第8項之螢光體的製造方 將燒結步驟後的螢光體以1200t以上19 丹「有 退火處理的退火步驟。 以下進订 n.如Λ請專利範圍第8項之螢光體的製造方法，其㈣ 在刚述燒結步驟獲得的螢光體包 ' 中。 租匕3 π混合步驟的原料 12. —種發光裝置，其係具備： 之勞=?件、和申請專利範圍第…”任-項 13·如申請專利範圍第12項之發光裝置，其 二種以上之發光波蜂波長比申請專利範圍第丨至;： 任-項之螢光體的發光波峰波長更長 如申請專利範圍第12項 元件係具有34〇nm以上5〇〇η ； /、中刖述發先 元件或有機發光元件的任下的發光之無機發光 •21- 201239068 1 5 .如申請專利範圍第1 2項之發光裝置，其中發光裝置 係液晶TV用背光源、投影機的光源裝置、照明裝置或 信號裝置。
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| JP6040500B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2016-12-07 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
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