TW201231559A - Encapsulation material and electronic device including the same - Google Patents

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Sang-Ran Koh
Yong-Kook Kim
Woo-Han Kim
Ha-Neul Kim
Chi-Won An
Sung-Hwan Cha
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Cheil Ind Inc
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Description

201231559 六、發明說明: c發明戶斤屬之技術領域3 相關申請的引用 本申請要求在2010年12月31日在韓國智慧財產權局提 交的韓國專利申請第10-2010-0140559號的優先權和權益, 通過參考將其全部内容併入本文中。 發明領域 本發明公開了一種封裝材料及包含封裝材料的電子器件。 C先前技身标】 發明背景 發光元件如發光二極體(LED)、有機發光器件 (OLED)、光致發光(PL)器件等已經多樣地應用於家用電動 裝置、照明裝置、顯示裝置、各種自動裝置等中。發光元 件可以顯示發光材料的固有顏色如發光區域中的藍色、紅 色和綠色’或者通過將顯示不同顏色的發光區域結合而顯 示白色。 攻種發光元件可以通常包含具有包裝或封裝結構的封 哀劑(encapsulant)。這種封裝劑由包含透明樹脂的封裝材料 形成,所述透明樹脂能夠在外部地傳送由發光區域發射的 光。 同時’所述封裝劑可以包含顯示預定顏色的填光質。 在這種情況下,Μ質從由發光區域發射的光接收能量, 並通過發射;皮長H域比&發光㈣發射的光更長的光而顯 示預定顏色。 6 201231559 然而,在封裝劑的加工期間,碟光質可能由 與透明樹脂之間的密度差異而不能均 :广貝 2種情況下,顏色均勻性和發光特性可能劣化因 可能樹Μ光質的不均勻分佈而在預定位置中顯 不‘”、頦色巧染(c〇l〇rstain)或者顯示不同的顏色。 【發^月内容】 發明概要 本發明的一個具體實施例提供了能夠改進顏色均勻性 和發光特性的封裝材料。 本發明的另-個具體實施例提供了包括由所述封裝材 料製備的封裝劑的電子器件。 t 根據-個具體實施例,提供了一種封裝材料,所述封 裝材料包含透明樹脂、似質、以及密度控制劑,所述透 明樹脂包含第一聚石夕氧坑和第二聚矽氧烷,所述第—聚石夕 氧烷在其末端(terminal end)包含與矽鍵合的氫(Si H),所述 第二矽氧烷在其末端包含與矽鍵合的烯基基團(Si_v〇,其 中所述密度控制劑以相對於所述磷光質重量為15至1〇倍 的重量被包括。 所述密度控制劑可以具有比所述第一聚矽氧烷和所述 第二聚石夕氧院更高的密度。 所述密度控制劑可以包括矽石(silica)、金屬氧化物或 它們的組合。 戶斤述金屬氧化物可以包括氧化鈦、氧化辞、氧化紹或 它們的.組合。 201231559 所述封裝材料還可以包含分散助劑(dispersion aid)。 所述分散助劑可以包括矽烷類化合物(silanebased compound)、(曱基)丙烯酸類化合物((meth)acryl based compound)或它們的組合。 所述分散助劑可以包括三甲氧基矽烷、縮水甘油基氧 基丙基三甲氧基矽烷、巯丙基三甲氧基矽烷、環氧基環己 基乙基二曱氧基矽烷、三曱氧基(7_辛烯4基)矽烷、氧雜雙 環([4,1.0]庚-3-基)乙基石夕烧(〇xabiCyCi〇 ([4.1.0]hept-3-yl)ethylsilane)、甲基三甲氧基矽烷、苯基三 曱氧基石夕烧、乙烯基三甲氧基石夕烧、稀丙基三甲氧基石夕烧、 (曱基)丙烯酸3-(三曱氧基甲矽烷基)丙基酯 (3-(trimethoxysilyl)pr〇pyl(meth)acrylate)或它們的組合。 基於所述封裝材料的總重量,所述分散助劑可以以約 O.Olwt%至約5wt%的量存在。 所述第一聚石夕氧烧可以由下列化學式1表示。 [化學式1] (RiR2R3Si〇1/2)M1(R4R5si〇2/2)D1(R6Si03/2)T1(Si〇4/2)Qi 在化學式1中, R!至R6各自獨立地為氫、取代或未取代的C1至C30烷 基基團、取代或未取代的C3至C30環烷基基團、取代或未 取代的C6至C30芳基基團、取代或未取代的C7至C30芳烷基 基團、取代或未取代的(:1至〇30雜烷基基團、取代或未取 代的C2至C30雜環烷基基團、取代或未取代的C2至C30炔基 201231559 基團、取代或未取代的(:1至〇30烷氧基基團、取代或未取 代的C1至C30羰基基團、經基基團或它們的組合’
Ri至R6中的至少—個包含氫, 〇<Μ1〈卜 〇SDl<a,0ST1<1,OsQlc 卜且 M1+D1+T1+Q1 = 1。 所述第二聚矽氧烷可以由下列化學式2表示。 [化學式2] (R7R8R9Si〇|/2)M2(R|〇R| |Si〇2/2)D2(Rl2Si〇3/2)T2(Si〇4/2)Q2 在化學式2中, R7至Ri2各自獨立地為取代或未取代的C1至C30烷基基 團、取代或未取代的C3至C30環烷基基團、取代或未取代 的C6至C30芳基基團、取代或未取代的匸7至匸30芳烷基基 團、取代或未取代的C1至C30雜烷基基團、取代或未取代 的C2至C30雜環烷基基團、取代或未取代的C2至C30烯基基 團、取代或未取代的C2至C30炔基基團 '取代或未取代的 C1至C30烷氧基基團、取代或未取代的ci至C30幾基基團、 羥基基團或它們的組合, R7至Ri2中的至少一個包含取代或未取代的C2至C3〇烯 基基團, 0<M2〈卜 0$D2<1,(ΚΓ2〈卜,且 M2+D2+T2+Q2=l 〇 所述第一聚石夕氧院存在的量可以小於所述透明樹脂總 重量的約50wt% ’而所述第;聚矽氧烷存在的量可以大於 所述透明樹脂總重量的約50wt%。 6 201231559 根據另一個具體實施例,提供了包括通過將上述封裝 材料固化而製備的封裝層的電子器件。 所述電子器件可以包括顯示波長區域比所述磷光質更 短的顏色的發光區域。 所述電子器件可以通過將由所述發光區和所述磷光質 發射的顏色結合而顯示白色。 所述電子器件可以包括發光二極體和有機發光器件。 所述電子器件還可以具有改進的顏色特性和發光特性 並同時不影響所述封裝材料的物理特性。 圖式簡單說明 第1圖是根據一個具體實施例的發光二極體的示意性橫截面 圖。 I:實施方式3 較佳實施例之詳細說明 在下文中將對本發明的示例性具體實施例進行詳細說 明。然而,這些具體實施例僅是示例性的且不限制本發明。 本領域技術人員應當理解,可以在均不背離本發明的精神 和範圍的情況下,以各種不同的方式對所述具體實施例進 行修改。 如本文中所使用的,當沒有另外提供其他定義時,術 語“取代的”是指利用選自由下述組成的組中的至少一種取 代基代替化合物中的氫而取代:鹵素(F、Br、Cl或I)、羥基 基團、烷氧基基團、硝基基團、氰基基團、氨基基團、疊 氮基基團、脒基基團、肼基基團、亞肼基基團(hydrazono 201231559 group)、羰基基團、氨基甲醯基基團、硫醇基、酯基團、叛 基基團或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、烷基基團、 C2至C20烯基基團、C2至C20炔基基團、C6至C30芳基基 團、C7至C30芳烷基基團、C1至C30烷氧基基團、C1至C20 雜烷基基團、C3至C20雜芳烷基基團、C3至C30環烷基基 團、C3至C15環烯基基團、C6至C15環炔基基團、C3至C30 雜環烧基基團、以及它們的組合。 如本文中所使用的,當沒有另外提供其他定義時,詞 頭“雜”是指包含選自N、Ο、S和P的1至3個雜原子。 在下文中,對根據一個具體實施例的封裝材料進行描 述0 根據一個具體實施例的封裝材料包含透明樹脂、磷光 質、以及密度控制劑,所述透明樹脂包含第一聚矽氧烷和 第二聚矽氧烷,所述第一聚矽氧烷在其末端具有與矽鍵合 的氫(Si-H)’所述第二矽氧烷在其末端具有與矽鍵合的烯基 基團(Si-Vi)。 所述第一聚矽氧烷可以由下列化學式1表示。 [化學式1]
(R1R2R3Si〇1/2)M1(R4R5Si〇2/2)Dl(R6Si〇3/2)Tl(Si〇4/2)QI 在化學式1中,
Ri至R6各自獨立地為氫、取代或未取代的C1至C30烧 基基團、取代或未取代的C3至C30環烷基基團、取代或未 取代的C6至C30芳基基團、取代或未取代的C7至C30芳烷基 基團、取代或未取代的C1至C30雜烷基基團、取代或未取 8 201231559 代的C2至C30雜環院基基團、取代或未取代的C2至C30炔基 基團、取代或未取代的C1至C30坑氧基基團、取代或未取 代的C1至C30羰基基團、羥基基團或它們的組合, R,至R6中的至少一個包含氫, 0<M1<1,0SD1<1,OSTlcl,,且 M1+D1+T1+Q1 = 1。
Mi.、D1、T1和Q1各自表示摩爾比。 所述第一聚矽氧烷平均每個分子在端部具有至少兩個 石夕-氫鍵(Si-H)並具有與所述發原子鍵合的芳基基團。 所述第-聚石夕氧院可以通過使由下列化學式^表示的 單體以及至少自由下恤學式ib、下列化學式咏 下列化學式Id表示的單體料共聚而獲得。 [化學式la]
4 X
2 R
[化學式lb] r4
I X5-Si-X6
I «5 ύ 9 201231559 [化學式lc] I6 X7—Si—Xg X8 [化學式Id] I." X1。一气丨一X丨2 X 13 在化學式la至中, R|至R6各自獨立地為氫、取代或未取代的Cl至C30烷 基基團、取代或未取代的C3至C30環烷基基團、取代或未 取代的C6至C30芳基基團、取代或未取代的c7至C30芳烷基 基團、取代或未取代的€1至〇30雜烷基基團、取代或未取 代的C2至〇30雜枝烧基基團、取代或未取代的C2至C30块基 基團、取代或未取代的C1至C30烷氧基基團、取代或未取 代的C1至C30羰基基團、羥基基團或它們的組合,
Ri至R6中的至少一個包含氫,且 Χι至Xi3各自獨立地為C1至C6院氧基基團、經基基團、 画素、羧基基團或它們的組合。 可替換地,所述第一聚矽氧烧可以通過由化學式1a、 化學式lb、化學式“和化學式ld表示的至少一種單體和 201231559 HRaRbSi-0-Si-RcRdH反應而獲得。在這裡,Ra、Rb、Rc、以 及化可以各自獨立為取代或未取代的Cl至C30烷基基團、 取代或未取代的C3至C30環烷基基團、取代或未取代的C6 至C30芳基基團、取代或未取代的C7至C30芳烷基基團、取 代或未取代的C1至C30雜烷基基團、取代或未取代的C2至 C30雜環烷基基團、取代或未取代的C2至C30炔基基團、取 代或未取代的C1至C30烷氧基基團、取代或未取代的C1至 C30羰基基團、羥基基團或它們的組合。乂|至乂13可以各自 獨立地為C1至C6烷氧基基團、羥基基團、鹵素、羧基基團、 或它們的組合。 所述第一聚矽氧烷可以具有約l〇〇g/mol至約 30000g/mo卜具體地約l〇〇g/m〇i至約i〇〇〇〇g/m〇i的重均分 子量® 所述第一聚矽氧烷可以以小於透明樹脂總重量的約 50wt% ’具體地為透明樹脂總重量的約iwt%至約35wt%的 量存在。 所述第二聚矽氧烷可以由下列化學式2表示。 [化學式2] (R7R8R9Si〇l/2)M2(Rl〇R"Si〇2/2)D2(Rl2Si〇3/2)T2(Si〇4/2)Q2 在化學式2中, R7至Ri2各自獨立地為取代或未取代的C1至C30烷基基 團、取代或未取代的C3至C3〇環烷基基團、取代或未取代 的C6至^30芳基基團、取代或未取代的C7至C30芳烷基基 團、取代或未取代的C1至C30雜烷基基團、取代或未取代 11 201231559 的C2至C30雜環烷基基團、取代或未取代的C2至C30烯基基 團、取代或未取代的C2至C30炔基基團、取代或未取代的 C1至C30烷氧基基團、取代或未取代的C1至C30羰基基團、 羥基基團或它們的組合, R7至Ri2中的至少一個包含取代或未取代的C2至C30烯 基基團, 0<M2<1 ’ 〇$D2<l,〇$T2<l,〇$Q2<l,且 M2+D2+T2+Q2=i。 M2、D2、T2和Q2各自表示摩爾比。 所述第二聚矽氧烷平均每個分子可以包含兩個以上與 矽鍵合的烯基基團(Si_Vi)。 所述第二聚石夕氧垸可以通過使由下列化學式2a表示的 單體以及至少-種選自由下列化學式2b、下列化學式2(:和 下列化學式2d表示的單體發生共聚而獲得。 [化學式2a] I.7
Si~~R8 r9 [化學式2b]
I
Xig_Si—X16 Rn 12 201231559 [化學式2c]
I
XirSi—X1g
L
[化學式2d]
I X2rS|i〜X22 在化學式2a至2d中, R7至各自獨立地為取代或未取代的Cl至C30烷基基 團、取代或未取代的C3至C30環烷基基團、取代或未取代 的C6至C30芳基基團、取代或未取代的〇至(:30芳烷基基 團、取代或未取代的C1至C30雜烷基基團、取代或未取代 的C2至C30雜環院基基團、取代或未取代的匚2至C30烯基基 團、取代或未取代的C2至C30炔基基團、取代或未取代的 C1至C30烧氧基基團、取代或未取代的C1至C30羰基基團、 羥基基團或它們的組合, 心至Ri2中的至少一個包含取代或未取代的C2至C30烯 基基團,且 13 201231559
Xl4至X23各自獨立地為Cl至C6烷氧基基團、羥基基 團、鹵素、羧基基團或它們的組合。 可替換地’所述第二聚矽氧烷可以通過由化學式2a、 化學式2b、化學式2c和化學式2d表示的至少一種單體和 ViReRfSi 〇 反應而獲得。在這裡,心、心、Rg 以及Rh可以各自獨立為取代或未取代的C1至c3〇烷基基 團、取代或未取代的C3至C30環烷基基團、取代或未取代 的C6至C30芳基基團、取代或未取代的C7至C30芳烷基基 團、取代或未取代的C1至C30雜烷基基團、取代或未取代 的C2至C30雜環烷基基團、取代或未取代的C2至C30炔基基 圑、取代或未取代的(:1至(:3〇烷氧基基團、取代或未取代 的C1至C30羰基基團、羥基基團或它們的組合。^至父^可 以各自獨立地為C1至C6烧氧基基團、經基基團、鹵素、竣 基基團、或它們的組合。 所述第二聚矽氧烷可以具有約100g/m〇l至約 3000〇g/m〇卜具體地約100g/mol至約i〇〇〇〇g/m〇i的重均分 子量。 所述第二聚矽氧烷可以以大於透明樹脂總重量的約 50wt% ’具體地為透明樹脂總重量的約65wt%至約99wt%的 量存在。 在第一聚矽氧烷在其末端包含與矽鍵合的氫(Si-H)和 第二聚矽氧烷在其末端包含與矽鍵合的烯基基團(Si_vi)的 情況下’可以控制透明樹脂的交聯和固化的程度。 14 201231559 構光質包含受光刺激且獨自發射固有波長範圍的光的 材料。所i«光質在其廣泛含義内包含量子點如半導體單曰 所《光質可以為例如藍色璃光質、綠 曰曰 色刪謝咖嶋。 的光=可㈣勒發光二極體巾_光區域提供 以顯干波,發光區域可 以顯不波長區域比由磷光質顯示的 如,當碟光質顯干紅色時,^⑼更短的顏色。例 於紅色的光色:r 一波長_ 2電子器件可以通過將由發光區域和磷域發射的 =二!顯示白色。例如,當發光區域提供藍光且麟光 負工㈣光質和綠色磷光質時,電子器件可以通過將 藍色、紅色和綠色結合而表示白色。 所述密度控制劑可以控制包含第一 :=,光質之間的密度差異並有二 先貝句勻地分散到透明樹脂中。 特別地,關於固化前的液_ =第^錢,的物刪__約。::至 ,·勺.μ度,而魏質具有範圍從約Μ至4的密度。 因此,逯明樹脂和磷光質具有密度差異 質可能不能均勻地分散在透明樹脂中。換言之1光^ 少的填光質,社要,1女, „ 、、° Ί魏的顏色均勻性和顏色再現性。 15 201231559 另外’由於«質不均勻地分佈在透明樹脂中,所以發光 特性如亮度可能劣化。 根據該具體實施例,所述密度控制劑具有比第—聚矽 氧烧和第二聚石夕氧烧更高的密度,且因此增強了第—聚 石夕氧烧和第二的低密度並”具有減高密度的 磷光質均勻地分佈在透明樹脂中。 所述密度控制劑可以由例如石夕石、金屬氧化物或它們 的組合製成。所述金屬氧化物可以包括例如氧化鈦、氧化 鋅、氧化鋁或它們的組合。 的讀控制劑的量可以因包含第-聚錢境和 第-聚妙魏的透明樹脂Μ光密度差異 同,且相對於磷光質«例如為約也約】〇倍。 ==述範_包含密度控制劑時,密度控制劑可以 分佈在脂料光f之間的密度並說明將填光質均句地 透明樹^樹月日中。因此密度控制财以提高填光質在 一光特性。 戶八封裝材料還可以包含分散助劑。 表面mr劑可以從親水性到疏水性對密度控制劑的 所址、因此可以改變密度控制#1的分散能力。 化合物二=:::合物'(_烯酸類 基内基三作、縮水甘油基氧 基己基三甲氧:矽烷、巯丙基三曱氣基矽烷、環氧基環己 〜2=三甲氧基(7,-触、氧雜雙 基)乙基魏、曱基三甲氧基㈣、苯基三甲 201231559 氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、烯丙基三曱氧基矽烷、(甲 基)丙烯酸3-(三曱氧基甲石夕烷基)丙基酯或它們的組合。 基於封裝材料的總重量,所述分散助劑可以以0.01 wt% 至5wt%的量被包括。當在所述範圍内包含分散助劑時,所 述分散助劑可以有助於將密度控制劑均勻地分散在聚矽氧 烧樹脂中。 所述封裝材料還可以包含石夕氫化催化劑(hydrosilation catalyst) 〇 所述矽氫化催化劑可以促進第一聚矽氧烷和第二聚矽 氧烧之間的矽氫化反應。例如,所述矽氫化催化劑可以包 括鉑、铑、鈀、釕、銀或它們的組合。 基於透明樹脂組合物的總量,所述石夕氫化催化劑可以 以約O.lppm至約lOOOppm的量被包括。 除了上述成分之外,所述封裝材料還可以包含助黏劑 (adhesion promoter) ’且所述助黏劑可以包括例如環氧丙氧 基丙基三甲氧基矽烧(glycidoxypropyltrimethoxysilane)、乙 稀基三乙氧基梦烧、環氧丙氧基丙基三乙氧基石夕烧等。 將所述封裝材料固化並可以將所述封裝材料用作電子 器件的封裝劑。所述電子器件可以包括例如發光二極體和 有機發光器件。 在下文中’作為使用所述封裝材料的電子器件的實 例’參照第1圖對根據具體實施例的發光二極體進行描述。 第1圖是根據一個具體實施例的發光二極體的示意性 橫截面圖。 17 201231559 參考第1圖’發光二極體包括模具110 ;佈置在所述模 具110内部中的引線架(lead frame)120 ;安裝在所述引線架 120上的發光二極體晶片(light emitting diode chip) 140 ;連 接所述引線架120和所述發光二極體晶片i4〇的接合線 (bonding wire)150 ;覆蓋所述發光二極體晶片140的封裝劑 200。 所述封裝劑200通過將上述封裝材料固化而形成,且所 述封裝劑200包含含有第一聚矽氧烷和第二聚矽氧烷的透 明樹脂180以及填光質190。 所述磷光質190可以通過由作為發光區域的所述發光 二極體晶片140提供的光,而發射預定波長區域的顏色的 光。在這裡,所述發光二極體晶片140可以顯示比由所述磷 光夤190顯不的顏色更短波長區域的顏色。例如,當所述磷 光質190顯示紅色時,所述發光二極體晶片ι4〇可以提供藍 色或綠色的光’所述藍色或綠色是比紅色具有更短波長區 域的顏色。 另外,可以通過將由所述發光二極體晶片14〇發射的顏 色和由所述磷光質190發射的顏色結合而顯示白色。例 田所述發光一極體晶片14〇發射藍色的光且所述碟光質 190包含紅色碟光質和綠色磷光質時發光二極體可以為通 &藍色紅色和綠色而顯示白色的白色發光二極體。 下列貫施例更詳細地說明了本發明。然而,它們是本 發月的示例性具體實施例且不是限制性的。 第一聚矽氧烷的合成 。 201231559 以5 . 5的重量比混合水和曱苯以製備混合溶劑。將】kg 混合溶劑加入到3頸燒瓶中,並在2小日夺内向其中以逐滴方 式加入作為單體的159.39g二苯基二氯矽烷和4〇2g四甲基 二石夕氧烧,同時將驗婦在饥下。當以逐滴方式添加 完成時,在赃下對混合物進行加熱並回流以進行縮聚反 應持續3小時。將所得反應物冷卻至室溫,並除去其中的水 層,從而製得其中聚合物溶解在甲苯中的溶液。用水對所 述聚合物減騎减赠衫相產㈣。然後,在減 壓下對中和的聚合物溶液進行魏以除去甲苯,從而製得 液體聚矽氧烷。 通過凝膠滲透色譜法對聚矽氧烷的分子量進行測量, 結果,換算為聚苯乙稀所述聚魏烧具有35Gg/mGl的分子 量,且使用H-NMR、Si-NMR和元素分析儀馨定出所述聚石夕 氧烧具有化學式1·Α的結構。在這裡,^表示甲基基團, Ph表示苯基基團,si表示石夕,以及η表示氫。 [化學式1-Α] (Me2HSi02/2)〇.66(Ph2Si02/2)〇.33 第二聚矽氧烷的合成 將lkg通過以5 · 5的重量比混合水和曱苯而製備的混合 溶劑放入到3頸燒瓶中,然後使其在23t下靜置。隨後,在 25t下將作為單體的372g苯基甲基二甲氣基械、_二 乙烯基四曱基二矽氧烷和18g MW與其進行混合。在9〇<)(:下 對混合物進行加熱並回流以進行縮聚反應持續3小時。將所 得反應物冷卻至室溫,並除去其中的水層,從而製得其中 201231559 聚合物溶解在甲苯中的溶液。用水對所述聚合物溶液進行 清洗以除去反應副產物氣。隨後,在減壓下對中和的聚合 物溶液進行蒸館以除去甲苯並獲得液體聚碎氧烷。 通過凝膠滲透色譜法對獲得的聚矽氧烷的分子量進行 測量’換算為&苯乙;j# ’所ϋ聚石夕氧烧具有6〇〇〇g/m〇1的分 子里’且使用H-NMR、S卜NMR和&素分析儀鑒定出所述聚 矽氧烷具有由化學式2-A表示的結構,在這裡,Me表示甲 基基團,Ph表示苯基基團,Vi表示乙稀基基目,以及^表 [化學式2-A]
Ph I ,Si—ΟΙ Me
Me -Si—^ 1 I Me
Me 〆—Si—0· Je 封裝材料的製備 實施例1 的由上述化學式表示的第—聚石夕氧产、 〜%的由上述化學式2_A表示的第二以m錢化 2.G(Un_e Ltd.)(反應溶液具 =:=:_化_,約為磷】 垸、第二聚錢^ W(基於份的第—聚石夕氧 劑的乙稀基三甲二=密度㈣_總量)的作為分散助 聚石合,並且基於⑽重量份的第— 氧從、叹密度控㈣的總量,向其 20 201231559 中添加0.3重量份的鱗光質。然後,在真空中從戶斤述混合物 中除去泡沫,從而製得液體封裝材料。 實施例2 將30.3wt%的由上述化學式1-A表示的第—聚石夕氧烧、 68.7wt%的由上述化學式2-A表示的第二聚石夕氧院、石夕氫化 催化劑Pt-CS 2.0(Unicore Ltd.)(反應溶液具有外叫的朽濃 度)、lwt%的作為密度控制劑的氧化鋁(A12〇3)(約為碟光質 的3.33倍)以及0重量份(基於1〇〇重量份的第一聚石夕氧烧、第 二聚矽氧烷、以及密度控制劑的總量)的作為分散助劑的乙 烯基三曱氧基矽烷混合,並且基於100重量份的第一聚矽氧 烷、第二聚矽氧烷、以及密度控制劑的總量’向其中添加 0.3重量份的礙光質。然後,在真空中從所述混合物中除去 泡沫,從而製得液體封裝材料。 實施例3 將30.3wt%的由上述化學式1-A表示的第一聚矽氧烷、 68.7wt%的由上述化學式2-A表示的第二聚矽氧烷、矽氫化 催化劑Pt-CS 2.0(Unicore Ltd.)(反應溶液具有5ppm的Pt濃 度)、1重量份(基於100重量份的第一聚矽氧烷、第二聚矽氧 烷、以及密度控制劑的總量)的作為密度控制劑的氧化鋁 (Al2〇3,)(約為鱗光質的3.33倍)以及lwt%的作為分散助劑的 乙烯基三曱氧基矽烷混合,並且基於1〇〇重量份的第一聚矽 氧烷、第二聚矽氧烷、以及密度控制劑的總量’向其中添 加0.3重量份的磷光質。然後,在真空中從所述混合物中除 ό 去泡沫,從而製得液體封裝材料。 21 201231559 實施例4 將30wt%的由上述化學式1-A表示的第一聚石夕氧产 68wt%的由上述化學式2_A表示的第二聚錢院1氣^催 化劑Pt-CS 2.0(Unic〇re Ltd·)(反應溶液具有邛口爪的巧濃 度)、2wt%的作為密度控制劑的氧化鋁(a12〇3)(約為峨光\ 的6.67倍)以及〇重量份(基於100重量份的第—聚矽氣烷j 二聚矽氧烷、以及密度控制劑的總量)的作為分散助劑的乙 烯基三甲氧基石夕烧混合,並且基於1〇〇重量份的第一聚石夕S 烷、第二聚矽氧烷、以及密度控制劑的總量,向其中添加 〇.3重量份_光質。然後,在真空中從所述混合物中除^ 泡沐’從而製得液體封裝材料。 實施例5 將28wt%的由上述化學式1-A表示的第—聚石夕氧炫 t%的由上述化學式2·Α表㈣第二料魏、石夕氮: 化劑Pt-CS 2.〇(Un謙e Ltd.)(反應溶液具有5_的? 度)、2祕的作為密度控制劑的氧化紹(Ai2〇3)(約為填失 的6.67倍)以及1重量份(基於刚重量份㈣氧炫、 -聚石夕氧及密度㈣_總量)的作為分散助劑& 稀基三甲氧基⑪m,並且基於励重量份的第一聚句 悦、第二聚錢貌、以及密度控制胸總量,向其中対 2重量份的料質。然後,在真空中從所奴合物中阳 束,從而製得液體封裝材料。 實施例6 22 201231559 將2,8wt%的由上述化學式i_A表示的第一聚矽氧境、 69wt%的由上述化學式2-A表示的第二聚矽氧烷、矽氫化催 化劑Pt-CS 2.0(Unicore Ltd.)(反應溶液具有5ρρηι的朽濃 度)、3wt%的作為密度控制劑的氧化鋁(A12〇3)(約為磷光質 的10倍)以及0重量份(基於1〇〇重量份的第一聚矽氧烷、第_ 聚矽氧烷、以及密度控制劑的總量)的作為分散助劑的乙烯 基三甲氧基矽烧混合,並且基於1〇〇重量份的第—聚石夕氣 烷、第二聚矽氧烷、以及密度控制劑的總量,向其中添力 0_3重量份的磷光質。然後,在真空中從所述混合物中除去 泡沫,從而製得液體封裝材料。 實施例7 將28wt%的由上述化學式ι-a表示的第—聚砂氧广 69wt%的由上述化學式2-A表示的第二聚矽氧規、 & /氧化催 化劑Pt-CS 2.0(Unicore Ltd.)(反應溶液具有5ppm的 度)、3wt%的作為密度控制劑的氧化鋁(a12〇3)(約為鱗光農 的10倍)以及1重量份(基於100重量份的第一聚矽氧俨*舄 聚矽氧烷、以及密度控制劑的總量)的作為分散助劑的]〜 基三甲氧基矽烧混合,並且基於100重量份的第一、7烯 xiy 逾 烷、第二聚矽氧烷、以及密度控制劑的蚋量, 乳 ^ 问其中沬 0.3重量份的磷光質。然後,在真空中從所述混人 、、加 泡沫,從而製得液體封裝材料》 除去 比較例1 將30wt%的由上述化學式1-A表示的第—聚石— 70wt%的由上述化學式2-A表示的第二聚石夕氧燒、、燒、 以及矽氫 23 201231559 化催化劑Pt-CS 2.0(Unicore Ltd.X反應溶液具有5ppm的pt 濃度)混合’並且基於100重量份的第一聚矽氧烷、第二聚 矽氧烷、以及密度控制劑的總量,向其中添加0.3重量份的 磷光質。然後’在真空中從所述混合物中除去泡沐,從而 製得液體封裝材料。 評估-1 使用阿貝折射率儀(Abbe refractive index meter)在D線 5 89n m波長下測量根據實施例丨至7和比較例i的封裝材料的 折射率。 測量結果如表1中所示 (表1)
如表1中所示,根據實施例1至7的封裝材料具有與根據 比較例1的封裝材料相似的折射率。因此,密度控制劑和分 散控制劑對根據實關1至7的封糾料的折射率沒有影響。 評估·2 θ 使用注射器(syringe inject〇r)將根據實施例i至7和比較 例1的封裝材料注射到包含發光二極體晶片的模具中。
Ik後’在150 C下進行熱固化持續2小時以形成封裝層。 對封裝層的顏色均勻性和光效率進行測量。 顏色均勻性基於彩色座標中如值範圍而測f。當假定 由使用根據雜例1製備的封裝㈣的發光4體發射的 顏色的彩色座標•中的X值範圍^(參考)時,相對地表示由使 24 201231559 用根據實施例1至7製備的封裝材料的發光二極體發射的顏 色的彩色座標中的X值範圍。隨著顏色均勻性越來越小,顯 示了窄範圍的X值’即相似的顏色。因此,顏色均勻性高。 使用分光輻射譜儀測量了光效率。當假定使用比較例i 的封裝材料的發光二極體的光效率為100%(參考)時,相對 地表示分別使用根據實施例1至7的封裝材料的發光二極體 的光效率。 測量結果如表2中所示。 (表2) 實施例1 實施例i 實施例3 實施例4 實把例5 Ψ 4si\ f. 顏色Ϊ^ΙΓΪΓ 0.90 100.5 0.90 100.6 0.80 102.1 0.90 101.0 0.71 1〇5Τ~ 0.95 ^106.0 ^ 貫施例7 0.73 ΊοδΤΡ 比較例1 1(參考) Ίοο(參考) 表2示出了,與使用根據比較例丨製備的封裝材料的發 光二極體相比’使用根據實施例丨至7製備的封裝材料的發 光二極體具有更優異的顏色均自性和更高的光效率。 另外’根據實施例7的包括高含量的密度控制劑以及分 散助劑的封裝㈣具有約7G%的轉色座標區域(顏色餘 區域),由此’與根據比較例1的封襄材料相比,1且有大 大改進的顏色均勻性和料了超過編的光效率。因此, =體實施例的封切料具有大大改進的顏色均勻性 本發明進行了描述,==的示例性具體實施例對 的具體實施例,而是相ΓΓ 明不限於所公開 r m 6^1 ’本發明旨在覆蓋在所附申請專 〜圍的精砷和範_包括的各種修改和等價設置。 25 201231559 I:圖式簡單說明3 第1圖是根據一個具體實施例的發光二極體的示意性橫 截面圖。 【主要元件符號說明 180…樹脂 190.. 肩光質 200.. .封裝層 110.. .模具 120.. .引線架 140.. .發光二極體晶片 150.. .接合線 26

Claims (1)

  1. 201231559 七、申請專利範園: 1. 一種封裝材料’包含: 透明樹脂’所述透明樹脂包含: 第一聚矽氧烷,在所述第一聚矽氧烷的末端包 含與;s夕鍵合的氫(si_H) ’和 第二聚矽氧烷,在所述第二聚矽氧烷的末端包 含與矽鍵合的烯基基團(Si-Vi); 磷光質;以及 密度控制劑, 其中,所述密度控制劑相對於所述磷光質的重量以 1.5至1〇倍被包括。 2·根據申請專利範圍第1項所述的封裝材料,其中,所述 密度控制劑具有比所述第一聚矽氧烷和所述第二聚矽 氧烷更高的密度。 3_根據申請專利範圍第丨項所述的封裝材料,其中,所述 密度控制劑包括石夕石、金屬氧化物或它們的組合。 4.根據申請專利範圍第3項所述的封裝材料,其中,所述 金屬氧化物包括氧化鈦、氧化辞、氧化鋁或它們的組合。 5·根據申請專利範圍第1項所述的封裳材料,還包含分散 助劑。 6.根據巾請專利範圍第5項所述的封料料,其中,所述 分散助劑包細_化合物、(甲基)丙烯酸類化合物或 它們的組合。 27 201231559 7. 根據申請專利範圍第6項所述的封裝材料, 其中,所述 刀放助劑包括三甲氧基⑦烧、縮水甘油基氧基丙基三甲 氧基矽烷'巯丙基三甲氧基矽烷、環氧基環己基乙基三 甲氧基矽烷、三曱氧基(7-辛烯-1-基)矽烷、氧雜雙環 ([4.10]庚-3-基)乙基石夕烧、甲基三甲氧基石夕烧、苯基三 甲氧基石夕烧、乙烯基三甲氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽 烷、(甲基)丙烯酸3-(三甲氧基矽烷基)丙基酯或它們的組 合0 8. 根據申請專利範圍第6項所述的封裝材料,其中,基於 所述封裝材料的總量,所述分散助劑以約O.Olwt%至約 5wt%的量被包括。 9. 根據申請專利範圍第1項所述的封裝材料,其中,所述 第一聚矽氧烷由下列化學式1表示: [化學式1] (R,R2R3Si0'/2)Mi(R4R5Si02/2)D1(R6Si〇3/2)Ti(Si〇4/2)Q, 其中,在化學式1中, Ri至R6各自獨立地為氫、取代或未取代的C1至C30 烷基基團、取代或未取代的C3至C30環烷基基團、取代 或未取代的C6至C30芳基基團、取代或未取代的C7至 C30芳烷基基團、取代或未取代的C1至C30雜烷基基 團、取代或未取代的C2至C30雜環烷基基團、取代或未 取代的C2至C30炔基基團、取代或未取代的C1至C30烷 氧基基團、取代或未取代的C1至C30羰基基團、羥基基· 0 團或它們的組合, 28 201231559 Ri至R6中的至少一個包括氫, 0<M1<1,0$D1<1,〇sTl<l,〇SQ1<:1,且 Μ1+D1+T1+Q1 = 1 〇 10.根據申請專利範圍第1項所述的封裝材料’其中,所述 第二聚矽氧烷由下列化學式2表示·· [化學式2] (R7R8R9SiO|/2)M2(Rl〇RnSi〇2/2)D2(Rl2Si〇3/2)T2(Si04/2)Q2 其中,在化學式2中, R7至R12各自獨立地為取代或未取代的C1至C30烷 基基團、取代或未取代的C3至C30環烷基基團、取代或 未取代的C6至C30芳基基團、取代或未取代的C7至C30 芳烷基基團、取代或未取代的C1至C30雜烷基基團、取 代或未取代的C2至C30雜環烷基基團、取代或未取代的 C2至C30烯基基團、取代或未取代的C2至C30炔基基 團、取代或未取代的C1至C30烷氧基基團、取代或未取 代的C1至C30羰基基團、羥基基團或它們的組合, ^至心2中的至少一個包括取代或未取代的C2至 C30烯基基團, 0<M2〈卜 〇$D2〈卜 〇sT2<l,〇$Q2〈卜且 M2+D2+T2+Q2=l 〇 11 ·根據申s青專利範圍第1項所述的封褒材料,其中,所述 第 I石夕氧烧包括的量小於所述透明樹脂總重量的約 .50wt%,而所述第二聚矽氧烷包括的量大於所述透明樹 脂總重量的約50wt%。 29 201231559 12·一種電子器件,包括通過將根據申請專利範圍第1項所 述的封裝材料固化而製備的封裝層。 13·根據申請專利範圍第12項所述的電子器件,其中,所述 電子器件包括顯示具有比所述磷光質更短波長區域的 顏色的發光區域。 K根據申請專利範圍第13項所述的電子器件,所述電子器 件通過將由所述發光區域和所述磷光質發射的顏色結 合而顯示白色。 根據申請專利範圍第12項所述的電子器件,所述電子器 件是發光二極體和有機發光器件。 30
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9905738B2 (en) 2014-03-11 2018-02-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for encapsulant and encapsulant and electronic device

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101336831B1 (ko) * 2012-02-01 2013-12-04 주식회사 엘엠에스 양자점를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 장치
WO2014017887A1 (ko) * 2012-07-27 2014-01-30 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
CN103633226B (zh) * 2012-08-21 2016-12-21 广州市晶鑫光电科技有限公司 荧光粉胶体制备方法及相应的发光二极管封装方法
DE102012215792A1 (de) 2012-09-06 2014-03-06 Zumtobel Lighting Gmbh Elektrooptisches Bauelement mit Quantendot-Struktur
US9657143B2 (en) 2012-12-26 2017-05-23 Cheil Industries, Inc. Curable polysiloxane composition for optical device and encapsulant and optical device
TW201438179A (zh) * 2013-03-18 2014-10-01 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件、其製法及用於該半導體封裝件之封裝材
KR20150066969A (ko) * 2013-12-09 2015-06-17 제일모직주식회사 봉지재 조성물, 봉지재, 및 전자 소자
CN104130585A (zh) * 2014-08-12 2014-11-05 铜陵国鑫光源技术开发有限公司 一种led封装用的高折射率有机硅材料
KR101641430B1 (ko) * 2014-10-31 2016-07-20 희성금속 주식회사 실록산 중합체 및 이를 포함하는 수지 조성물
DE102015101748A1 (de) 2015-02-06 2016-08-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement mit einem Werkstoff umfassend Epoxysilan-modifiziertes Polyorganosiloxan
KR20180034937A (ko) * 2016-09-28 2018-04-05 모멘티브퍼포먼스머티리얼스코리아 주식회사 유기 전자 소자 봉지재용 조성물 및 이를 이용하여 형성된 봉지재
WO2020028889A1 (en) * 2018-08-03 2020-02-06 Boards Of Regents Of The University Of Texas System Methods and compositions for enhanced dispersion of phosphor in a polymeric matrix

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207077B1 (en) * 2000-02-18 2001-03-27 Orion 21 A.D. Pty Ltd Luminescent gel coats and moldable resins
JP2002050797A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Toshiba Corp 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法
JP2005064233A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 波長変換型led
JP4908736B2 (ja) * 2003-10-01 2012-04-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
US8258502B2 (en) * 2006-02-24 2012-09-04 Dow Corning Corporation Light emitting device encapsulated with silicones and curable silicone compositions for preparing the silicones
TWI428396B (zh) * 2006-06-14 2014-03-01 Shinetsu Chemical Co 填充磷光體之可固化聚矽氧樹脂組成物及其固化產物
JP5202822B2 (ja) * 2006-06-23 2013-06-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP5305452B2 (ja) * 2009-06-12 2013-10-02 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用樹脂組成物
CN101787254B (zh) * 2009-10-23 2012-07-04 中外合资江苏稳润光电有限公司 一种白光led胶水的制备方法
CN101719533B (zh) * 2009-11-27 2015-12-09 晶能光电(江西)有限公司 含有荧光粉的数码管及其制造方法
JP5549568B2 (ja) * 2009-12-15 2014-07-16 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用樹脂組成物及び当該組成物で封止した光半導体装置
CN102639643B (zh) * 2010-03-31 2013-06-12 积水化学工业株式会社 光半导体装置用密封剂及光半导体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9905738B2 (en) 2014-03-11 2018-02-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for encapsulant and encapsulant and electronic device
TWI620796B (zh) * 2014-03-11 2018-04-11 三星Sdi股份有限公司 封裝劑的組成物、封裝劑-螢光體混合組成物、封裝劑和電子裝置

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