TW201227820A - Wafer splitting apparatus and wafer splitting process - Google Patents
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Description
201227820 LE100506 35497twf.doc/I 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種晶圓劈裂裝置及晶圓劈裂製 程，且特別是有關於一種可節省製程時間之晶圓劈裂裝置 及晶圓劈裂製程。 【先前技術】 發光二極體（Light-Emitting Diode)屬於半導體元件， 其發光晶片之材料主要使用m-v族化學元素之化合物，例 如磷化鎵（GaP)、氮化鎵（GaN)或砷化鎵（GaAs)，而其發 光原理是將電能轉換為光能。詳細而言，發光二極體藉由 對化合物半導體施加電流，以透過電子與電洞的結合而將 月以光的形式釋出。由於發光二極體的發光現象不是藉 由加熱發光或放電發光，因此發光二極體的壽命長達十萬 ^時以上、。此外，發光二極體更具有反應速度快、體積小、 省電低料、③可靠度、適合量產等優點，所以發光二 極體應用的顧十分敍，如大型看板、號絲 機、掃描器、傳真機> Iβ I ' 手 _寻具機之先源以及千面燈具等，而近年來更 有發展為室内主要照明的趨勢。 木炅 的各晶片製造流程中，有—步驟是將晶圓中 而，在習知^形成多侧立料光"滅晶片。然 進行劈是使用/:刀刀之刀具-刀-刀地 尺寸較大，#欲t此1糾當鱗。制是當晶圓的 疋奴劈裂之晶片區數量較多時，此製程所耗 201227820
LEI 00506 35497twf.doc/I 實 費的時間及㈣生絲本衫在訂。因此，如何開發出 -種可有效節省劈·程時_ : 為研發者所減解決的問題之—。 【發明内容】 ^眚提供—種晶圓劈裂裝置’其可縮短劈裂晶圓所 化費的時間。 本毛月提ί、種晶圓劈裂製程，此晶圓劈裂掣程所從 費的時間較短。 ㈤ 本發明之-實施例提出—種 成複數個獨立的晶粒二 〈刀體以及至少—震動擊槌。劈裂刀體配置 第13矣面_ 具有面向晶圓的第-表面，其中在通過 〜之所有第一表面的延伸方 ，一 均橫跨晶圓之晶片區中沾门上第表面 震動擊槌之Η日*中的數劈裂刀體配置於晶圓與 裂刀體，^㈣動擊槌適於以朝向晶圓的方向敲擊劈 晶粒。 動體朝向晶圓運動，以將晶片區劈裂成 裂製例提出一種晶圓劈裂製程，此晶圓劈 聚純包括下列步驟。提供 晶片區。利用至少一m _其中曰曰圓具有複數個 刀體，以帶動钟卵朝向日日日圓的方向敲擊劈裂 裂成複數伽體朝向晶圓運動’並將這些晶片區劈 二表面，且在通:J粒矣其中劈裂刀體具有面向晶圓的第 通過第—表面的中心之所有第-表面的延伸
201227820 i-jiiwjuo 35497twf.doc/I ^美於:述表跨晶圓之這些晶片區令的複數個。 面在通過第-表面的中心之所有第-表二=上Ϊ 橫跨晶圓之晶片區中的^丄伸向均 ㈣77㈣Λ匕 因此，本發明之實施例之 极义而有^〜晶^上的多個晶片區劈裂成複數個晶 粒而有效㈣曰曰粒的製程時間，進而使得本發明之實施 例之晶粒的製作成本可有效降低。 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 第一實施例 圖1為本發明之第一實施例之晶圓劈裂裝置示意圖。 請參照圖1，本實施例之晶圓劈裂裝置1〇〇適於將晶圓11〇 中的複數個晶片區R劈裂成複數個獨立的晶粒1 12。本實 施例之晶圓劈裂裝置100可包括劈裂刀體12〇以及至少一 震動擊槌130。在本實施例中，劈裂刀體12〇配置於晶圓 11〇的一側，且具有面向晶圓110的第一表面12〇a。此劈 裂刀體120在通過其第一表面i2〇a的中心C之所有第一 表面120a的延伸方向上，第一表面i2〇a均橫跨晶圓12〇 之晶片區R中的複數個。 舉例而言’如圖1所繪示，劈裂刀體12〇在通過其第 一表面120a的中心c之第一表面120a的延伸方向D1上， 弟一表面120a橫跨晶圓11 〇之晶片區r中的6個。劈裂
201227820 LE100506 35497twf.doc/I 刀體120在通過其第一表面120a的中心C之有第—表面 120a的延伸方向D2上’第一表面12〇a橫跨晶圓11〇之晶 片區R中的6個。類似地，劈裂刀體120在通過其第一表 面120a中心C之第一表面120a的其他延伸方向上，第一 表面120a均橫跨晶圓11〇之晶片區r中的η個，其中n 為大於專於2之整數。換言之，在本實施例中，劈裂刀體 120之第一表面i2〇a可覆蓋整個晶圓11〇中的所有晶片區 R。然，本發明不限於此，在其他實施例中，劈裂刀體12〇 之第一表面120a亦可至少覆蓋晶圓U〇中呈矩陣排列的4 個晶片區R。 圖2為朝相對第一表面12〇a之第二表面12%看去之 本發明第一實施例之刀刃上視示意圖。請同時參照圖1及 圖2，本發明之第一實施例之晶圓劈裂裝置ι〇〇更包括複 數個刀刃140，這些刀刃140設於第一表面i2〇a上，其中 田方裂刀體I20朝向晶圓11〇運動時，這些刀刃140敲擊 在片區尺的父界處。更詳細地說，在本實施例中，這些 140可呈網格狀’例如為圖2中所示。值得一提的是， 菖f裂刀體朝向晶圓運動110時，這些刀刃14〇敲擊 區^的所有邊緣線L上。如此一來，當刀刃140敲 區R曰所有邊緣線L時’晶81 110中所有的晶片 * ^ _人被劈裂成多個獨立的晶粒112。換言之，透過 日曰粒11之晶圓劈裂裝4 1 〇 〇可同時劈裂完成多個獨立的 曰曰'、 ，而不需像習知技術中需透過多次的劈裂動作， 才可完成多個獨立的晶粒 112。
201227820 LE100506 35497twf.doc/I 圖3為本發明之另一實施例之晶圓劈裂裝置示意圖。 圖4為本發明之另一實施例之刀刃上視示意圖。請參照圖 3及圖4，本發明之另一實施例之之晶圓劈裂裝置1〇〇，與 第一實施例之晶圓劈裂裝置100類似，惟本發明之另一實 施例之刀刃140’與第一實施例之刀刀14〇不同。本發明之 另一實施例之刀刀140,呈點狀，且當劈裂刀體12〇朝向晶 圓110運動時，這些刀刃140’敲擊在晶片區R的所有邊緣 線L之交叉點Q上。舉例而言，本發明之另一實施例之刀 刀140’可包括圓桿142及圓盤144，其中圓桿142之一端 142a設於第一表面120a上’圓桿142之另一端丨杨與圓 盤144連接。值得一提的是，當劈裂刀體12〇朝向晶圓 運動時，圓盤144敲擊在晶片區R的所有邊緣線L之交叉 點Q上’例如為圖4中所示。當上述之刀刀14〇，敲擊在晶 片區R的所有邊緣線L之交叉點Q上時，晶圓丨丨〇中所= 的晶片區R亦會一次被劈裂成多個獨立的晶粒112。換言 之，透過上述之晶圓劈裂裝置1〇〇,亦可同時劈裂完成多^ 獨立的晶粒112,而節省了許多製作晶粒112的時間與成 本。當然，在其他實施例中，刀刃14〇’亦可僅包括圓桿 142 ’僅包括圓桿142之刀刃140’和同時包括圓桿142及 圓盤144之刀刀140,具有相同之功能。 圖5為本發明之又一實施例之晶圓劈裂褒置，，示 意圖。圖6為本發明之又一實施例之刀刀上視示意圖。請 參照圖5及圖6,本發明之又一實施例之晶圓劈裂裝置 100’’與第一實施例之晶圓劈裂裝置1〇〇類似，惟本發明之 201227820
LE100506 35497twf.doc/I 又一實施例之刀刃140，，與第一實施例之刀刀l4〇 發明之又一實施例之刀刃14〇，，呈十字形，且當。本 120朝向晶圓110運動時，這些刀刃14〇，，敲擊在曰體 的所有邊緣線L之交又點q上。舉例而言，本^ = 實施例之刀刃140，，可包括第一部146及第二部148 :
部146及第二部148交又且相連接，其中第一部 二部148例如夾一直角，而使得由第一部146及第二邱、 所構成之刀刃14CT被與晶B UG平行之剖面所^ 48 呈十字形。值得-提的是，當劈裂刀體12G朝向晶圓HO 運動時，此十字形戴面敲擊在晶片區R的所有邊緣線乙之 交叉點Q上。當上述之刀刃14〇，，敲擊在晶片區R的所^ 邊緣線L之交叉點Q上時，晶圓11〇中所有的晶片區r 亦會一次被劈裂成多個獨立的晶粒112。換言之，透過上 述之晶圓劈裂裝置100’’亦可同時劈裂完成多個獨立的晶 粒112，而節省了許多製作晶粒112的時間與成本。阳 在本實施例中’劈裂刀體120配置於晶圓11〇與震動 擊槌130之間’且震動擊槌130適於以朝向晶圓110的方 向敲擊劈裂刀體120，以使劈裂刀體120朝向晶圓110運 動’以將晶片區R劈裂成晶粒112。在本實施例中，震動 擊槌130的數量例如為複數個（圖中是以兩個震動擊槌13〇 為例），劈裂刀體120具有朝向這些震動擊槌130的第二表 面120b，且這些震動擊槌130適於實質上同時且分散地敲 擊在第二表面120b上。 圖7A至圖7C為本實施例之晶圓劈裂製程示意圖。請 201227820
LE100506 35497twf.doc/I 、、參照® 7A至！I 7C’本實施例之晶圓劈裂製程可包括 下述製程。請參照圖7A，首先，提供晶圓11〇，其中晶圓 ⑽具有複數個晶片區R。舉例而言，在本實施例中，晶 :區R例如是以陣列的方式排列在晶圓ιι〇上，且各晶片 區R的邊緣實質上與相鄰晶片區&的邊緣相連接。 晴參照® 7B及圖7C，接著，利用震動擊槌13〇以朝 =圓U〇的方向敲擊劈裂刀體跡以帶動劈裂刀體12〇 月。BB圓11〇 it動’並將晶片區尺劈裂成複數個獨立的晶 =12。更進一步地說，在本實施例中，震動擊槌⑽的 數置例如為複數個（®中是以兩個震動擊极130為例），劈 裂f體120具有朝向震動擊槌13㈣第二表面12%，且利 用这些震動擊M 13G以朝向晶圓11G的方向敲擊劈裂刀體 驟包括使·震動雜l3G實質上同時且分散地 ηπ ^ 一表面麗t。值得一提的是，當這些震動擊槌 同時且均勻分散地敲擊在第二表面12〇b時，劈裂刀體 UO劈裂晶圓ho成複數個獨立晶粒丨I?的效果更佳。 值特別注意的是，在本實施例中，當劈裂刀體^ 向晶圓110運動時，刀刀140是敲擊在晶片區R的交界處。 舉例而言，若刀77 140是呈網格狀，財劈裂刀體12〇朝 ^圓110運動時，這些刀刀14〇是敲擊在晶片區尺的所 ^線L上。如此一來，當刀刃140敲擊在晶片區r的 斤有邊緣線L時，晶圓110中所有的晶片1 R會同時被 裂成多個獨立的晶粒112，而使得製作晶粒 成本有效賴。 201227820
LE100506 35497twf.doc/I 然，本發明不限於此，在本發明另一實施例中， 140’可呈點狀，則當劈裂刀體12〇朝向晶圓1ι〇運^刃 這些刀刃140,敲擊在晶片區R的所有邊緣線L之交叉 上。如此一來，當刀刃140,敲擊在晶片區R的所 L之交又點Q時，晶圓110中所有的晶片區玟亦會同時被 劈裂成多個獨立的晶粒112，而使得製作晶粒112之時^ 與成本亦可有效地縮減。 φ 在本發明再一實施例中，刀刃140”可呈十字形，則當 劈裂刀體120朝向晶圓11〇運動時，這些刀刃14〇，，是敲^ 在晶片區R的所有邊緣線L之交叉點Q上。同樣地，當刀 刃140’’敲擊在晶片區r的所有邊緣線[之交又點q時， 晶圓110中所有的晶片區r亦會同時被劈裂成多個獨立的 晶粒112，而亦可使得製作晶粒112之時間與成本有效地 縮減。 另外’在本實施例之晶圓劈裂製程中，晶圓11〇具有 朝向劈裂刀體12〇的第一晶圓表面110a及背對劈裂刀體 鲁 120之第二晶圓表面ll〇b，本實施例之晶圓劈裂製程可進 一步包括下述製程。請參照圖8，此製程為在利用震動擊 槌130以朝向晶圓11〇的方向敲擊劈裂刀體120之前，利 用雷射沿著晶片區R的邊緣線L在第二晶圓表面110b蝕 刻出複數道凹痕Η。值得一提的是，與複數道凹痕Η重疊 之邊緣線L即為刀刃ΐ4〇(或刀刃14〇’或刀刃140’’)欲敲擊 晶圓110之處，因此當刀刃14〇(或刀刃140,或刀刃MO，，) 敲擊晶圓110上之邊緣線L時，這些凹痕Η可有效地幫助 201227820
LE100506 35497twf.d〇c/I 刀刀14〇(或刀刀140,或刀刃H〇，，)將晶圓110劈裂為複數 個獨立的晶粒112。然，本發明不限於此，在其他實施例 中，亦可利用雷射沿著晶片區R的邊緣線1在第一晶圓表 面11〇a钱刻出複數道凹痕。這些在第一晶圓表面110&之 凹痕亦可有效地幫助刀刃140(或刀刃140,或刀刃140，，)將 晶圓11〇劈裂為複數個獨立的晶粒112。 第一貫施例 圖9為本發明之第二實施例之晶圓劈裂裝置之示意 圖。請參照圖9,本實施例之晶圓劈裂裝置100A與第一實 施例之晶圓劈裂裝置1〇〇類似，兩者相同之處便不再重 述’以下僅就兩者相異之處做說明。 本實施例之晶圓劈裂裝置100A適於將晶圓11〇中的 複數個晶片區R劈裂成複數個獨立的晶粒112。本實施之 晶圓劈裂裝置100A可包括劈裂刀體120以及至少一震動 擊槌130。本實施例之劈裂刀體12〇配置於晶圓11()的一 側’且具有面向晶圓11〇的第一表面12〇a，其中在通過第 一表面120a的中心（未繪示)之所有第一表面i2〇a的延伸 方向上’第一表面120a均橫跨晶圓11〇之晶片區r中的 複數個。舉例而言’本實施例之劈裂刀體12〇例如為一覆 盖整個晶圓110之平板。 在本實施例中，劈裂刀體120配置於晶圓110與至少 一震動擊槌130之間，且震動擊槌130適於以朝向晶圓U〇 的方向敲擊劈裂刀體120,以使劈裂刀體120朝向晶圓U〇 12 201227820
LE100506 35497twf.doc/I 運動，以將晶片區R劈裂成晶粒112。本實施例之晶圓劈 裂裝置100A更包括晶圓承載器150，此晶圓承載器15〇 是用以承載晶圓110的，其中晶圓11〇適於配置在晶圓承 載器150與劈裂刀體120之間。 值得特別注意的是’此晶圓承載器15〇上設有複數個 微凸起152，晶圓11〇配置於這些微凸起152上，且當劈 裂刀體120朝向晶圓11〇運動時’第一表面i2〇a整面撞擊 • 晶圓承載器150，且這些微凸起152向晶片區R的交界處 施力，以使晶片區R被劈裂成晶粒112。舉例而言，本實 施例中’這些微凸起152之位置可與晶片區r所有邊緣線 L(未緣示)之交叉點Q對齊。這樣一來，當劈裂刀體12〇 朝向晶圓110運動時’這些微凸起152便會向交叉點Q施 力’以使晶片區R劈裂成晶粒112。這樣一來，當這些微 凸起152敲擊在父叉點Q時，晶圓11〇中所有的晶片區r 會一次被劈裂成多個獨立的晶粒112。換言之，透過本實 施例之晶圓劈裂裝置100A亦可同時劈裂完成多個獨立的 鲁 晶粒112，而不需像習知技術中需透過多次的劈裂動作， 才可完成多個獨立的晶粒112。 圖10A至圖10C為本實施例之晶圓劈裂製程示意圖。 "月依序參A?、圖10A至圖10C ’本實施例之晶圓劈裂製程可 包括下述製程。請參照圖1〇Α，首先，提供晶圓11〇，其 中晶圓110具有複數個晶片區R。請參照圖1〇B及圖1〇c， 接著，利用至少-震動擊槌130以朝向晶Η 11〇的方向敲 擊劈裂刀體120,以帶動劈裂刀體12〇朝向晶圓11〇運動，
201227820 Ltiuu5u6 35497twf.doc/I 並將晶片區R劈裂成複數_立的晶粒112。 本實施例之晶圓劈裂製程更包括在利用震動擊挺 以朝向晶圓11G的方向敲擊劈裂刀體12〇之前，將晶圓 放置於晶18承載器15G上。更進—步地說，將晶圓⑽ 置於晶圓承載H上15G的步驟包括將晶圓nG配置於這此 微凸起152上(如圖l〇A中所示），且當劈裂刀體12 : 晶圓ho運動時’第-表面12Ga整面撞擊晶圓承二 150(如圖10B中所示）’且這些微凸起152向晶片區尺的^ 界處施力，而使晶片區R被劈裂成晶粒112。如此一來， 當第-表面120a整面撞擊晶圓承載器15〇時，晶圓⑽ 中所有的晶片區R-次地被劈裂成多侧立的晶粒ιΐ2， 而使得製作晶粒112的時間與成本可有效地縮減。 值得-提的是，在晶圓11Q放置於晶圓承載器15〇上 之後，震動擊槌130以朝向晶圓11〇的方向敲擊劈裂刀體 120之前，可在晶圓110之朝向劈裂刀體12〇之第一晶圓 表面110a上配置之保護膜’然後再使劈裂刀體12〇朝向晶 圓110運動。此保護膜可保護晶11〇，而使得第一表面 120a整面撞擊晶圓承載器14〇時，晶圓n〇之第—晶圓表 面110a較不易受損。 综上所述，由於本發明之實施例之劈裂刀體上有多個 刀刃，且當劈裂刀體劈向晶圓時，這些刀刀與晶片區交界 處的位置對應。因此，劈裂刀體可同時把晶圓上的多個晶 片區劈裂成複數個晶粒。如此—來，便可省去許多製作晶 粒的時間，進而將晶粒的製作成本有效降低。 201227820
LE100506 35497twf.doc/I 另外，由本發明之實施例之晶圓承載器上有多個微凸 起’且當劈裂刀體劈向晶圓時’這些微凸起與晶片區交界 處的位置對應。因此，當劈裂刀體撞擊晶圓承載器14〇時， 這些微凸起可同時把晶圓上的多個晶片區劈裂成複數個晶 粒。如此一來，亦可省去許多製作晶粒的時間，而使得本 實施例之晶粒的製作成本可有效降低。 雖然本發明已以實施例揭露如上’然其並非用以限定 g 本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，故本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明第一實施例之晶圓劈裂裝置示意圖。 圖2為本發明第一實施例之刀刃上視示意圖。 圖3、圖5為本發明一實施例之晶圓劈裂裝置示意圖。 圖4、圖6為本發明一實施例之刀刀上視示意圖。 • 圖7A至圖7C為本發明第一實施例之晶圓劈裂製程示 意圖。 圖8示出本發明第一實施例之晶圓劈裂製程中的其中 一步驟。 圖9為本發明之第二實施例之晶圓劈裂裝置之示意 圖。 圖10A至圖l〇C為本發明之第二實施例之晶圓劈裂製 程示意圖。 15 ：3 201227820
LbIUU>U0 35497twf.doc/I 【主要元件符號說明】 100、100’、100’’、100A :晶圓劈裂裝置 110 ·晶圓 112 :晶粒 120 :劈裂刀體 120a :第一表面 120b :第二表面 130 :震動擊槌 140、140’、140” ：刀刃 142 :圓桿 142a、142b :圓桿之一端 144 :圓盤 146 :第一部 148 :第二部 150 :晶圓承載器 152 :微凸起
Dl、D2 :第一表面的延伸方向 L :邊緣線 Q :交叉點 C:第一表面的中心 R _晶片區
16
Claims (1)
- 201227820 LE100506 35497twf.doc/I 七、申請專利範圍： 1. 一種晶圓劈裂裝置，適於將一晶圓中的複數個晶 片區劈裂成複數個獨立的晶粒，該晶圓劈裂裝置包括： 一劈裂刀體，配置於該晶圓的一側，且具有面向該晶 圓的一第一表面，其中在通過該第一表面的中心之所有該 第一表面的延伸方向上，該第一表面均橫跨該晶圓之該些 晶片區中的複數個；以及 至少一震動擊槌，其中該劈裂刀體配置於該晶圓與該 震動擊槌之間，且該震動擊槌適於以朝向該晶圓的方向敲 擊該劈裂刀體，以使該劈裂刀體朝向該晶圓運動，以將該 些晶片區劈裂成該些晶粒。 2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓劈裂裝置，更 包括複數個刀刃，設於該第一表面上，其中當該劈裂刀體 朝向該晶圓運動時，該些刀刃敲擊在該些晶片區的交界處。 3. 如申請專利範圍第2項所述之晶圓劈裂裝置，其 中該些刀刃呈網格狀，且當該劈裂刀體朝向該晶圓運動 時，該些刀刃敲擊在該些晶片區的所有邊緣線上。 4. 如申請專利範圍第2項所述之晶圓劈裂裝置，其 中該些刀刃呈點狀，且當該劈裂刀體朝向該晶圓運動時， 該些刀刃敲擊在該些晶片區的所有邊緣線之交叉點上。 5. 如申請專利範圍第2項所述之晶圓劈裂裝置，其 中每一該刀刃呈十字形，且當該劈裂刀體朝向該晶圓運動 時，該些刀刃敲擊在該些晶片區的所有邊緣線之交叉點上。 6. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓劈裂裝置，更 17 201227820 LE100506 35497twf.doc/I 包括一晶圓承載器，用以承載該晶圓，其中該晶圓適於配 置在該晶圓承載器與該劈裂刀體之間。 7. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓劈裂裝置，其 中該晶圓承載器上設有複數個微凸起，該晶圓配置於該些 微凸起上，且當該劈裂刀體朝向該晶圓運動時，該第一表 面整面撞擊該晶圓承載器，且該些微凸起向該些晶片區的 交界處施力，以使該些晶片區被劈裂成該些晶粒。 8. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓劈裂裝置，其 中該至少一震動擊槌為複數個震動擊槌，該劈裂刀體具有 一朝向該震動擊槌的第二表面，且該些震動擊槌適於實質 上同時且分散地敲擊在該第二表面上。 9. 一種晶圓劈裂製程，包括： 提供一晶圓，其中該晶圓具有複數個晶片區；以及 利用至少一震動擊槌以朝向該晶圓的方向敲擊一劈 裂刀體，以帶動該劈裂刀體朝向該晶圓運動，並將該些晶 片區劈裂成複數個獨立的晶粒，其中該劈裂刀體具有面向 該晶圓的一第一表面，且在通過該第一表面的中心之所有 該第一表面的延伸方向上，該第一表面均橫跨該晶圓之該 些晶片區中的複數個。 10. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓劈裂製程，其 中該劈裂刀體的該第一表面上設有複數個刀刃，且當該劈 裂刀體朝向該晶圓運動時，該些刀刃敲擊在該些晶片區的 交界處。 11. 如申請專利範圍第10項所述之晶圓劈裂製程，其 18 201227820 LE100506 35497twf.doc/I 中該些刀刃呈網格狀，且當該劈裂刀體朝向該晶圓運動 時，該些刀刃敲擊在該些晶片區的所有邊緣線上。 12. 如申請專利範圍第10項所述之晶圓劈裂製程，其 中該些刀刃呈點狀，且當該劈裂刀體朝向該晶圓運動時， 該些刀刃敲擊在該些晶片區的所有邊緣線之交叉點上。 13. 如申請專利範圍第10項所述之晶圓劈裂製程，其 中每一該刀刃呈十字形，且當該劈裂刀體朝向該晶圓運動 時，該些刀刃敲擊在該些晶片區的所有邊緣線之交叉點上。 14. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓劈裂製程，更 包括： 在利用該震動擊槌以朝向該晶圓的方向敲擊該劈裂 刀體之前，將該晶圓放置於一晶圓承載器上。 15. 如申請專利範圍第14項所述之晶圓劈裂製程，其 中該晶圓承載器上設有複數個微凸起，將該晶圓放置於該 晶圓承載器上的步驟包括將該晶圓配置於該些微凸起上， 且當該劈裂刀體朝向該晶圓運動時，該第一表面整面撞擊 該晶圓承載益*且該些微凸起向該些晶片區的父界處施 力，以使該些晶片區被劈裂成該些晶粒。 16. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓劈裂製程，其 中該晶圓具有朝向該劈裂刀體的一第一晶圓表面及背對該 劈裂刀體之一第二晶圓表面，且該晶圓劈裂製程更包括： 在利用該震動擊槌以朝向該晶圓的方向敲擊該劈裂 刀體之前，利用雷射沿著該些晶片區的邊緣線在該第二晶 圓表面上钱刻出複數道凹痕。 19 201227820 LE100506 35497twf.doc/I 17.如申請專利範圍第9項所述之晶圓劈裂製程，其 中該至少一震動擊槌為複數個震動擊槌，該劈裂刀體具有 一朝向該震動擊槌的第二表面，且利用該些震動擊槌以朝 向該晶圓的方向敲擊該劈裂刀體的步驟包括使該些震動擊 槌實質上同時且分散地敲擊在該第二表面上。20
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