CN105280529B - 分段式劈裂刀装置 - Google Patents
分段式劈裂刀装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105280529B CN105280529B CN201510590848.9A CN201510590848A CN105280529B CN 105280529 B CN105280529 B CN 105280529B CN 201510590848 A CN201510590848 A CN 201510590848A CN 105280529 B CN105280529 B CN 105280529B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- splitting
- knife
- segmented
- splitting knife
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种分段式劈裂刀装置，包括：至少两把劈裂刀、至少两个控制器；控制器与劈裂刀一一对应，每一把劈裂刀与每一个控制器连接；每一把劈裂刀的中心在一条水平线上。本发明提供的分段式劈裂刀装置，能够降低裂片过程中晶粒出现双胞或崩边等问题，提高发光二极管芯片的制作质量。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管制造领域，尤其涉及一种分段式劈裂刀装置。
背景技术
在发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)芯片的制作流程中，裂片工艺是关系到成品最终良率的关键一步，其中，裂片工艺指的是依靠裂片机将整片芯片晶圆(Chipe On Wafer，简称COW)圆片劈裂分割成独立个体的晶粒，相连晶粒之间彼此分开从而形成芯粒。
一般来说，在裂片过程中，裂片机中劈裂刀的劈裂深度决定是否能将整片COW圆片的晶粒劈裂分开。目前，裂片机中劈裂刀在劈裂整片COW圆片时，根据COW圆片的厚度来设置劈裂刀的劈裂深度和速度，使用一把劈裂刀进行裂片，然而，这样在劈裂过程中，COW圆片的每个区域受力大小都是相同的，COW圆片中晶粒厚度与预设厚度相同的晶粒被分开，而厚度误差较大如比预设厚度低10微米(um)的晶粒则连在一起形成双胞，如果加大劈裂深度进行补劈，会使水平方向上整行晶粒受到的压力都增大，会产生更多的崩边、崩角、裂伤发光区的现象；厚度比预设厚度高10um以上的则会出现大面积崩边、崩角的不良品。
因此，采用目前的劈裂刀在劈裂整片COW圆片时，由于COW圆片区域性厚度不一致，在裂片过程中出现双胞或崩边等问题，造成出现双胞或崩边等不良产品，降低了发光二极管芯片的制作质量。
发明内容
本发明提供一种分段式劈裂刀装置，能够降低裂片过程中晶粒出现双胞或崩边等问题，提高发光二极管芯片的制作质量。
本发明提供的分段式劈裂刀装置，包括：至少两把劈裂刀、至少两个控制器；
控制器与劈裂刀一一对应，每一把劈裂刀与每一个控制器连接；
每一把劈裂刀的中心在一条水平线上。
本发明提供的分段式劈裂刀装置，由至少两把劈裂刀组成，每把劈裂刀的参数由单独的控制器根据待劈裂圆片的厚度分区域设定，使在劈裂过程中待劈裂圆片厚度不同的区域受力大小不同，提高劈裂刀装置裂片的精准度，从而降低裂片过程中晶粒出现双胞或崩边等问题，可以使劈裂的产品良率提高5％-10％左右，从而提高发光二极管芯片的制作质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一提供的分段式劈裂刀装置结构示意图；
图2为本发明实施例二提供的分段式劈裂刀装置结构示意图；
图3为本发明实施例一提供的COW圆片坐标系建立示意图。
附图标记说明：
1：劈裂刀；
2：螺丝；
3：固定板；
4：击锤。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例一提供的分段式劈裂刀装置结构示意图。如图1所示，本发明实施例提供的分段式劈裂刀装置，包括：至少两把劈裂刀1、至少两个控制器(未示出)。
控制器与劈裂刀1一一对应，每一把劈裂刀1与每一个控制器连接。
具体的，分段式劈裂刀装置由至少两把劈裂刀1组成，每一把劈裂刀1水平对齐安装在分段式劈裂装置上，每一把劈裂刀1由若干个螺丝2固定在分段式劈裂装置上，比如图1中每一把劈裂刀1由五个螺丝2固定在分段式劈裂装置上。劈裂刀1可以采用长方体劈裂刀，但不仅限于长方体劈裂刀，本发明实施例在此不进行限定和赘述。
每一把劈裂刀1的中心在一条水平线上。
需要说明的是，安装好的至少两把劈裂刀1原点位置垂直方向高度误差应在3微米(um)以下。
具体的，在实际应用中，将分段式劈裂刀装置安装在固定板3上，固定板3可以上下移动，从而带动分段式劈裂刀装置可上下运动劈裂待劈裂圆片。
本发明实施例提供的分段式劈裂刀装置，由至少两把劈裂刀1组成，每把劈裂刀1的参数由单独的控制器根据待劈裂圆片的厚度分区域设定，使在劈裂过程中待劈裂圆片厚度不同的区域受力大小不同，提高劈裂刀装置裂片的精准度，从而降低裂片过程中晶粒出现双胞或崩边等问题，可以使劈裂的产品良率提高5％-10％左右，从而提高发光二极管芯片的制作质量。
可选的，每一把劈裂刀1对应设置有不同的劈裂参数。
其中，劈裂参数包括：劈裂刀1的劈裂深度和劈裂速度。
可选的，劈裂刀1对应的劈裂参数根据待劈裂圆片的厚度分区域设定。
具体的，每把劈裂刀1的参数由单独的控制器根据待劈裂圆片的厚度分区域设定，即每把劈裂刀1纵向高度根据待劈裂圆片的实际厚度设定。
可选的，控制器控制劈裂刀1同时劈裂。
或者，每一个控制器控制每一把劈裂刀1单独劈裂。
具体的，若正常裂片后发现COW圆片因厚度偏薄导致裂片未能将晶粒分开后，按照未裂开区域选择补劈区域，控制器根据未劈开的区域选择是否控制劈裂刀1作业。举例来说，图2为本发明实施例二提供的分段式劈裂刀装置结构示意图，如图2所示，以三把劈裂刀1的分段式劈裂刀装置为例，从左到右依次称为：左边劈裂刀、中间劈裂刀和右边劈裂刀。若只有左边区域未裂开，在劈裂刀作业方式中选择左边劈裂刀单独作业，在显微镜下测量晶粒厚度后根据厚度设置劈裂深度，左边劈裂刀的控制器控制左边劈裂刀单独劈裂。若右边区域和中间区域都未裂开，在劈裂刀作业方式中可单独选择中间劈裂刀单独作业，此时，中间劈裂刀的控制器控制中间劈裂刀单独作业；或者选择右边劈裂刀单独作业，此时，右边劈裂刀的控制器控制右边劈裂刀单独作业；或者选择右边劈裂刀和中间劈裂刀同时作业，此时，右边劈裂刀的控制器和左边劈裂刀的控制器同时分别控制右边劈裂刀和左边劈裂刀。需要说明的是，当劈裂刀单独作用时，其他劈裂刀在劈裂刀原位，举例来说，当左边劈裂刀单独作业时，中间劈裂刀和右边劈裂刀在劈裂刀原位。
可选的，还包括：至少两个击锤4。
击锤4与劈裂刀1一一对应，每一把劈裂刀1上配备一个击锤4。
具体的，在实际作业时可根据实际情况选择是否采用击锤4敲击模式，每把劈裂刀1配备有单独的击锤4，且击锤4的敲击力可以根据待劈裂圆片的厚度进行单独设定，击锤4能增大待劈裂COW圆片所受压力，使晶粒更容易分开。
需要说明的是，本发明实施例中每一把劈裂刀1并不仅限于配备一个击锤4，也可以一把劈裂刀1配备两个击锤4，或者三个击锤4，具体每一把劈裂刀1配备的击锤4的个数依据实际情况而定，本发明实施例在此不进行限定和赘述。
本发明实施例提供的分段式劈裂刀装置，由至少两把劈裂刀1组成，每把劈裂刀1的参数由单独的控制器根据待劈裂圆片的厚度分区域设定，使在劈裂过程中待劈裂圆片厚度不同的区域受力大小不同，提高劈裂刀装置裂片的精准度，从而降低晶粒相连、崩边、漏电等影响，可以使劈裂的产品良率提高5％-10％左右，从而提高发光二极管芯片的制作质量。同时，每把劈裂刀1配备有单独的击锤4，且击锤4的敲击力可以根据待劈裂圆片的厚度进行单独设定，击锤4能增大待劈裂COW圆片所受压力，使晶粒更容易分开。
下面以一种具体规格为例，详细说明本实施例提供的分段式劈裂刀装置的工作过程：
以2寸COW圆片为例，图3为本发明实施例一提供的COW圆片坐标系建立示意图，如图3所示。以COW圆片平边为基点建立坐标系，并定义X方向所有切割道的集合为为A面，Y方向所有切割道的集合为B面。若Y方向中间薄两边厚，即劈裂A面时所有刀数两边较厚，劈裂B面时COW圆片前面刀和末尾刀较厚，中间区域正常，且厚度差d大于5微米小于10微米(5um<d<10um)。
对劈裂刀的参数设置为：若基准片厚为120um，中间厚度为120um-125um，两边厚度在125um-130um之间。设劈裂刀对基准片厚为120um的COW圆片的基准裂片深度为37.900毫米(mm)，劈裂刀下降速度为30毫米/秒(mm/s)，击锤敲击时间为0.06秒(s)，那么设置COW圆片厚度在125um-130um之间区域B面裂片参数为裂片深度37.890mm，劈裂刀下降速度30mm/s，击锤敲击时间为0.06s。A面裂片参数为：前置刀和后置刀裂片深度37.890mm，劈裂刀下降速度30mm/s，击锤敲击时间为0.06s，中间刀数裂片参数为裂片深度为37.900mm，劈裂刀下降速度为30mm/s，击锤敲击时间为0.06s。
下面以另一种具体规格为例，详细说明本实施例提供的分段式劈裂装置的工作过程：
以2寸COW圆片为例，参见图3，如图3所示，以COW圆片平边为基点建立坐标系，并定义X方向所有切割道的集合为为A面，Y方向有切割道的集合为B面。若Y方向中间厚两边薄，即劈裂A面时所有刀数上边和下边较薄，劈裂B面时COW圆片左边和右边较薄，中间区域正常，且厚度差d大于5微米小于10微米(5um<d<10um)。
对劈裂刀的参数设置为：若基准片厚为120um，中间厚度为120um-125um，两边厚度在115um-110um之间。设劈裂刀对基准片厚为120um的COW圆片的基准裂片深度为37.900mm，劈裂刀下降速度为30mm/s，击锤敲击时间为0.06s，那么设置COW圆片厚度在115um-110um的两边区域B面裂片参数为裂片深度37.910mm，劈裂刀下降速度30mm/s,击锤敲击时间为0.06s。A面裂片参数为：前置刀和后置刀裂片深度37.910mm，劈裂刀下降速度30mm/s，击锤敲击时间为0.06s，中间刀数部分裂片参数为裂片深度为37.900mm，劈裂刀下降速度为30mm/s，击锤敲击时间为0.06s。
下面以又一种具体规格为例，详细说明本实施例提供的球形劈裂装置的工作过程：
以2寸COW圆片为例，参见图3，如图3所示，以COW圆片平边为基点建立坐标系，并定义X方向所有切割道的集合为为A面，Y方向有切割道的集合为B面。若X方向中间薄两边厚，即劈裂B面时所有刀数两边较薄，劈裂A面时COW圆片前面刀和末尾刀较薄，中间区域正常，且厚度差d大于10微米小于20微米(10um<d<20um)。
若基准片厚为120um，中间厚度为120um-125um，两边厚度在110um以下。设劈裂刀对基准片厚为120um的COW圆片的基准裂片深度为37.900mm，劈裂刀下降速度为30mm/s，击锤敲击时间为0.06s，那么设置COW圆片厚度在110um-100um的两边区域A面裂片参数为裂片深度37.920mm，劈裂刀下降速度35mm/s，击锤敲击时间为0.10s。B面裂片参数为：前置刀和后置刀裂片深度37.920mm，裂片速度30mm/s，击锤敲击时间为0.10s，中间刀数部分裂片参数为裂片深度为37.900mm，裂片速度为30mm/s，击锤敲击时间为0.06s。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (2)
1.一种分段式劈裂刀装置，其特征在于，包括：至少两把劈裂刀、至少两个控制器；
所述控制器与所述劈裂刀一一对应，每一把所述劈裂刀与每一个所述控制器连接；
每一把所述劈裂刀的中心在一条水平线上；
其中，每一把所述劈裂刀对应设置有不同的劈裂参数；
其中，所述劈裂参数包括：所述劈裂刀的劈裂深度和劈裂速度；
其中，所述劈裂刀对应的劈裂参数根据待劈裂圆片的厚度分区域设定；
每一个所述控制器控制每一把所述劈裂刀单独劈裂，其中，当所述至少两把劈裂刀中其中一把所述劈裂刀劈裂时，其它所述劈裂刀在劈裂刀原位。
2.根据权利要求1所述的分段式劈裂刀装置，其特征在于，还包括：至少两个击锤；
所述击锤与所述劈裂刀一一对应，每一把所述劈裂刀上配备一个所述击锤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510590848.9A CN105280529B (zh) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 分段式劈裂刀装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510590848.9A CN105280529B (zh) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 分段式劈裂刀装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105280529A CN105280529A (zh) | 2016-01-27 |
| CN105280529B true CN105280529B (zh) | 2018-06-19 |
Family
ID=55149325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510590848.9A Active CN105280529B (zh) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 分段式劈裂刀装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105280529B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201788953U (zh) * | 2010-08-11 | 2011-04-06 | 廖连亨 | 晶圆劈裂刀具装置 |
| CN102709171A (zh) * | 2012-05-31 | 2012-10-03 | 东莞洲磊电子有限公司 | GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201227820A (en) * | 2010-12-27 | 2012-07-01 | Lextar Electronics Corp | Wafer splitting apparatus and wafer splitting process |
-
2015
- 2015-09-14 CN CN201510590848.9A patent/CN105280529B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201788953U (zh) * | 2010-08-11 | 2011-04-06 | 廖连亨 | 晶圆劈裂刀具装置 |
| CN102709171A (zh) * | 2012-05-31 | 2012-10-03 | 东莞洲磊电子有限公司 | GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105280529A (zh) | 2016-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI413622B (zh) | And a scribing device for forming a brittle material substrate | |
| CN110216389A (zh) | 一种晶圆的激光加工方法及系统 | |
| US6576870B2 (en) | Apparatus with double laser beams for cutting two bonded glass substrates and method thereof | |
| CN103739191A (zh) | 切割吸尘装置及切割方法 | |
| CN106458693A (zh) | 用于在柔性薄玻璃中切割多个半径的方法和设备 | |
| WO2014048004A1 (zh) | 无接触激光切割石英玻璃制品的方法及其装置 | |
| JPWO2011002089A1 (ja) | 脆性材料基板の割断方法及び割断装置並びにその割断方法により得られる車両用窓ガラス | |
| CN102095732B (zh) | 旋转型零件表面质量检测系统 | |
| JP2008115067A (ja) | フラットパネルディスプレィ薄板の割断方法 | |
| CN100482398C (zh) | 激光切割装置与方法 | |
| CN103344224B (zh) | 一种激光线光源组件 | |
| CN105280529B (zh) | 分段式劈裂刀装置 | |
| CN207606400U (zh) | 一种燃料电池双极板的激光雕刻控制系统 | |
| CN203804424U (zh) | 玻璃盖片激光划片装置 | |
| CN105826255B (zh) | 一种led晶圆劈裂方法 | |
| JP5197692B2 (ja) | 硬質脆性板のブレーク装置 | |
| CN202846021U (zh) | 一种镭雕加工装置 | |
| CN203831227U (zh) | 一种用于快速研磨抛光的工装盘 | |
| CN1994712A (zh) | 晶圆及其切割方法 | |
| CN103640079A (zh) | 陶瓷坯件的机械切削装置 | |
| CN100445013C (zh) | 激光切割方法 | |
| CN204366550U (zh) | 一种用于多向装夹边框工件的专用夹具 | |
| CN101234850B (zh) | 玻璃基板的激光切割方法 | |
| CN202916545U (zh) | 一种液晶显示模组装配设备 | |
| CN102284792B (zh) | 在半导体器件芯片玻璃钝化膜上划切的装置的使用方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |