CN102543708A - 晶圆劈裂装置及晶圆劈裂制程 - Google Patents
晶圆劈裂装置及晶圆劈裂制程 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102543708A CN102543708A CN2011104141698A CN201110414169A CN102543708A CN 102543708 A CN102543708 A CN 102543708A CN 2011104141698 A CN2011104141698 A CN 2011104141698A CN 201110414169 A CN201110414169 A CN 201110414169A CN 102543708 A CN102543708 A CN 102543708A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- splitting
- cutter hub
- those
- chip region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 157
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000000904 thermoluminescence Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0041—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing the workpiece being brought into contact with a suitably shaped rigid body which remains stationary during breaking
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
- B28D5/0023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rectilinearly
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
一种晶圆劈裂装置及晶圆劈裂制程，晶圆劈裂装置适于将晶圆中的多个芯片区劈裂成多个独立的晶粒。此晶圆劈裂装置包括劈裂刀体以及至少一振动击槌。劈裂刀体配置于晶圆的一侧，且具有面向晶圆的第一表面，其中在通过第一表面的中心的所有第一表面的延伸方向上，第一表面均横跨晶圆的芯片区中的多个。劈裂刀体配置于晶圆与振动击槌之间，且振动击槌适于以朝向晶圆的方向敲击劈裂刀体，以使劈裂刀体朝向晶圆运动，以将芯片区劈裂成晶粒。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶圆劈裂装置及晶圆劈裂制程，尤其涉及关于一种可节省制程时间的晶圆劈裂装置及晶圆劈裂制程。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode)属于半导体组件，其发光芯片的材料主要使用III-V族化学元素的化合物，例如磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN)或砷化镓(GaAs)，而其发光原理是将电能转换为光能。详细而言，发光二极管藉由对化合物半导体施加电流，以通过电子与电洞的结合而将能量以光的形式释出。由于发光二极管的发光现象不是藉由加热发光或放电发光，因此发光二极管的寿命长达十万小时以上。此外，发光二极管还具有反应速度快、体积小、省电、低污染、高可靠度、适合量产等优点，所以发光二极管应用的领域十分广泛，如大型看板、交通号志灯、手机、扫描仪、传真机的光源以及平面灯具等，而近年来还有发展为室内主要照明的趋势。
在发光二极管芯片制造流程中，有一步骤是将晶圆中的各个芯片区分离以形成多个独立的发光二极管芯片。然而，在现有技术中，多是使用单一刀刃的刀具一刀一刀地进行劈裂动作，而使得此制程相当耗时。特别是当晶圆的尺寸较大，或是欲劈裂的芯片区数量较多时，此制程所耗费的时间及机台生产成本更不在话下。因此，如何开发出一种可有效节省劈裂制程时间的晶圆劈裂装置及制程，实为研发者所极欲解决的问题之一。
发明内容
本发明提供一种晶圆劈裂装置，其可缩短劈裂晶圆所花费的时间。
本发明提供一种晶圆劈裂制程，此晶圆劈裂制程所花费的时间较短。
本发明的一实施例提出一种晶圆劈裂装置适于将晶圆中的多个芯片区劈裂成多个独立的晶粒。此晶圆劈裂装置包括劈裂刀体以及至少一振动击槌。劈裂刀体配置于晶圆的一侧，且具有面向晶圆的第一表面，其中在通过第一表面的中心的所有第一表面的延伸方向上，第一表面均横跨晶圆的芯片区中的多个。劈裂刀体配置于晶圆与振动击槌之间，且振动击槌适于以朝向晶圆的方向敲击劈裂刀体，以使劈裂刀体朝向晶圆运动，以将芯片区劈裂成晶粒。
本发明的一实施例提出一种晶圆劈裂制程，此晶圆劈裂制程包括下列步骤。提供一晶圆，其中晶圆具有多个芯片区。利用至少一振动击槌以朝向晶圆的方向敲击劈裂刀体，以带动劈裂刀体朝向晶圆运动，并将这些芯片区劈裂成多个独立的晶粒，其中劈裂刀体具有面向晶圆的第一表面，且在通过第一表面的中心的所有第一表面的延伸方向上，第一表面均横跨晶圆的这些芯片区中的多个。
基于上述，由于本发明的实施例的劈裂刀体的第一表面在通过第一表面的中心的所有第一表面的延伸方向上均横跨晶圆的芯片区中的多个。因此，本发明的实施例的劈裂刀体可同时将晶圆上的多个芯片区劈裂成多个晶粒，而有效节省晶粒的制程时间，进而使得本发明的实施例的晶粒的制作成本可有效降低。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明第一实施例的晶圆劈裂装置示意图。
图2为本发明第一实施例的刀刃上视示意图。
图3、图5为本发明一实施例的晶圆劈裂装置示意图。
图4、图6为本发明一实施例的刀刃上视示意图。
图7A至图7C为本发明第一实施例的晶圆劈裂制程示意图。
图8示出本发明第一实施例的晶圆劈裂制程中的其中一步骤。
图9为本发明的第二实施例的晶圆劈裂装置的示意图。
图10A至图10C为本发明的第二实施例的晶圆劈裂制程示意图。
附图标记：
100、100’、100”、100A：晶圆劈裂装置
110：晶圆
112：晶粒
120：劈裂刀体
120a：第一表面
120b：第二表面
130：振动击槌
140、140’、140”：刀刃
142：圆杆
142a、142b：圆杆的一端
144：圆盘
146：第一部
148：第二部
150：晶圆承载器
152：微凸起
D1、D2：第一表面的延伸方向
L：边缘线
Q：交叉点
C：第一表面的中心
R：芯片区
具体实施方式
第一实施例
图1为本发明的第一实施例的晶圆劈裂装置示意图。请参照图1，本实施例的晶圆劈裂装置100适于将晶圆110中的多个芯片区R劈裂成多个独立的晶粒112。本实施例的晶圆劈裂装置100可包括劈裂刀体120以及至少一振动击槌130。在本实施例中，劈裂刀体120配置于晶圆110的一侧，且具有面向晶圆110的第一表面120a。此劈裂刀体120在通过其第一表面120a的中心C的所有第一表面120a的延伸方向上，第一表面120a均横跨晶圆110的芯片区R中的多个。
举例而言，如图1所显示，劈裂刀体120在通过其第一表面120a的中心C的第一表面120a的延伸方向D1上，第一表面120a横跨晶圆110的芯片区R中的6个。劈裂刀体120在通过其第一表面120a的中心C的有第一表面120a的延伸方向D2上，第一表面120a横跨晶圆110的芯片区R中的6个。类似地，劈裂刀体120在通过其第一表面120a中心C的第一表面120a的其它延伸方向上，第一表面120a均横跨晶圆110的芯片区R中的n个，其中n为大于等于2的整数。换言之，在本实施例中，劈裂刀体120的第一表面120a可覆盖整个晶圆110中的所有芯片区R。然，本发明不限于此，在其它实施例中，劈裂刀体120的第一表面120a亦可至少覆盖晶圆110中呈矩阵排列的4个芯片区R。
图2为朝相对第一表面120a的第二表面120b看去的本发明第一实施例的刀刃上视示意图。请同时参照图1及图2，本发明的第一实施例的晶圆劈裂装置100还包括多个刀刃140，这些刀刃140设于第一表面120a上，其中当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，这些刀刃140敲击在芯片区R的交界处。更详细地说，在本实施例中，这些刀刃140可呈网格状，例如为图2中所示。值得一提的是，当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，这些刀刃140敲击在芯片区R的所有边缘线L上。如此一来，当刀刃140敲击在芯片区R的所有边缘线L时，晶圆110中所有的芯片区R会一次被劈裂成多个独立的晶粒112。换言之，通过本实施例的晶圆劈裂装置100可同时劈裂完成多个独立的晶粒112，而不需像现有技术中需通过多次的劈裂动作，才可完成多个独立的晶粒112。
图3为本发明的另一实施例的晶圆劈裂装置示意图。图4为本发明的另一实施例的刀刃上视示意图。请参照图3及图4，本发明的另一实施例的晶圆劈裂装置100’与第一实施例的晶圆劈裂装置100类似，惟本发明的另一实施例的刀刃140’与第一实施例的刀刃140不同。本发明的另一实施例的刀刃140’呈点状，且当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，这些刀刃140’敲击在芯片区R的所有边缘线L的交叉点Q上。举例而言，本发明的另一实施例的刀刃140’可包括圆杆142及圆盘144，其中圆杆142的一端142a设于第一表面120a上，圆杆142的另一端142b与圆盘144连接。值得一提的是，当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，圆盘144敲击在芯片区R的所有边缘线L的交叉点Q上，例如为图4中所示。当上述的刀刃140’敲击在芯片区R的所有边缘线L的交叉点Q上时，晶圆110中所有的芯片区R亦会一次被劈裂成多个独立的晶粒112。换言之，通过上述的晶圆劈裂装置100’亦可同时劈裂完成多个独立的晶粒112，而节省了许多制作晶粒112的时间与成本。当然，在其它实施例中，刀刃140’亦可仅包括圆杆142，仅包括圆杆142的刀刃140’和同时包括圆杆142及圆盘144的刀刃140’具有相同的功能。
图5为本发明的又一实施例的晶圆劈裂装置100”示意图。图6为本发明的又一实施例的刀刃上视示意图。请参照图5及图6，本发明的又一实施例的晶圆劈裂装置100”与第一实施例的晶圆劈裂装置100类似，惟本发明的又一实施例的刀刃140”与第一实施例的刀刃140不同。本发明的又一实施例的刀刃140”呈十字形，且当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，这些刀刃140”敲击在芯片区R的所有边缘线L的交叉点Q上。举例而言，本发明的又一实施例的刀刃140”可包括第一部146及第二部148。第一部146及第二部148交叉且相连接，其中第一部146与第二部148例如夹一直角，而使得由第一部146及第二部148所构成的刀刃140”被与晶圆110平行的剖面所剖的截面呈十字形。值得一提的是，当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，此十字形截面敲击在芯片区R的所有边缘线L的交叉点Q上。当上述的刀刃140”敲击在芯片区R的所有边缘线L的交叉点Q上时，晶圆110中所有的芯片区R亦会一次被劈裂成多个独立的晶粒112。换言之，通过上述的晶圆劈裂装置100”亦可同时劈裂完成多个独立的晶粒112，而节省了许多制作晶粒112的时间与成本。
在本实施例中，劈裂刀体120配置于晶圆110与振动击槌130之间，且振动击槌130适于以朝向晶圆110的方向敲击劈裂刀体120，以使劈裂刀体120朝向晶圆110运动，以将芯片区R劈裂成晶粒112。在本实施例中，振动击槌130的数量例如为多个(图中是以两个振动击槌130为例)，劈裂刀体120具有朝向这些振动击槌130的第二表面120b，且这些振动击槌130适于实质上同时且分散地敲击在第二表面120b上。
图7A至图7C为本实施例的晶圆劈裂制程示意图。请依序参照图7A至图7C，本实施例的晶圆劈裂制程可包括下述制程。请参照图7A，首先，提供晶圆110，其中晶圆110具有多个芯片区R。举例而言，在本实施例中，芯片区R例如是以数组的方式排列在晶圆110上，且各芯片区R的边缘实质上与相邻芯片区R的边缘相连接。
请参照图7B及图7C，接着，利用振动击槌130以朝向晶圆110的方向敲击劈裂刀体120，以带动劈裂刀体120朝向晶圆110运动，并将芯片区R劈裂成多个独立的晶粒112。更进一步地说，在本实施例中，振动击槌130的数量例如为多个(图中是以两个振动击槌130为例)，劈裂刀体120具有朝向振动击槌130的第二表面120b，且利用这些振动击槌130以朝向晶圆110的方向敲击劈裂刀体120的步骤包括使这些振动击槌130实质上同时且分散地敲击在第二表面120b上。值得一提的是，当这些振动击槌130同时且均匀分散地敲击在第二表面120b时，劈裂刀体120劈裂晶圆110成多个独立晶粒112的效果更佳。
值特别注意的是，在本实施例中，当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，刀刃140是敲击在芯片区R的交界处。举例而言，若刀刃140是呈网格状，则当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，这些刀刃140是敲击在芯片区R的所有边缘线L上。如此一来，当刀刃140敲击在芯片区R的所有边缘线L时，晶圆110中所有的芯片区R会同时被劈裂成多个独立的晶粒112，而使得制作晶粒112的时间与成本有效缩减。
然，本发明不限于此，在本发明另一实施例中，刀刃140’可呈点状，则当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，这些刀刃140’敲击在芯片区R的所有边缘线L的交叉点Q上。如此一来，当刀刃140’敲击在芯片区R的所有边缘线L的交叉点Q时，晶圆110中所有的芯片区R亦会同时被劈裂成多个独立的晶粒112，而使得制作晶粒112的时间与成本亦可有效地缩减。
在本发明再一实施例中，刀刃140”可呈十字形，则当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，这些刀刃140”是敲击在芯片区R的所有边缘线L的交叉点Q上。同样地，当刀刃140”敲击在芯片区R的所有边缘线L的交叉点Q时，晶圆110中所有的芯片区R亦会同时被劈裂成多个独立的晶粒112，而亦可使得制作晶粒112的时间与成本有效地缩减。
另外，在本实施例的晶圆劈裂制程中，晶圆110具有朝向劈裂刀体120的第一晶圆表面110a及背对劈裂刀体120的第二晶圆表面110b，本实施例的晶圆劈裂制程可进一步包括下述制程。请参照图8，此制程为在利用振动击槌130以朝向晶圆110的方向敲击劈裂刀体120之前，利用激光沿着芯片区R的边缘线L在第二晶圆表面110b蚀刻出多道凹痕H。值得一提的是，与多道凹痕H重叠的边缘线L即为刀刃140(或刀刃140’或刀刃140”)欲敲击晶圆110之处，因此当刀刃140(或刀刃140’或刀刃140”)敲击晶圆110上的边缘线L时，这些凹痕H可有效地帮助刀刃140(或刀刃140’或刀刃140”)将晶圆110劈裂为多个独立的晶粒112。然，本发明不限于此，在其它实施例中，亦可利用激光沿着芯片区R的边缘线L在第一晶圆表面110a蚀刻出多道凹痕。这些在第一晶圆表面110a的凹痕亦可有效地帮助刀刃140(或刀刃140’或刀刃140”)将晶圆110劈裂为多个独立的晶粒112。
第二实施例
图9为本发明的第二实施例的晶圆劈裂装置的示意图。请参照图9，本实施例的晶圆劈裂装置100A与第一实施例的晶圆劈裂装置100类似，两者相同之处便不再重述，以下仅就两者相异之处做说明。
本实施例的晶圆劈裂装置100A适于将晶圆110中的多个芯片区R劈裂成多个独立的晶粒112。本实施的晶圆劈裂装置100A可包括劈裂刀体120以及至少一振动击槌130。本实施例的劈裂刀体120配置于晶圆110的一侧，且具有面向晶圆110的第一表面120a，其中在通过第一表面120a的中心(未显示)的所有第一表面120a的延伸方向上，第一表面120a均横跨晶圆110的芯片区R中的多个。举例而言，本实施例的劈裂刀体120例如为一覆盖整个晶圆110的平板。
在本实施例中，劈裂刀体120配置于晶圆110与至少一振动击槌130之间，且振动击槌130适于以朝向晶圆110的方向敲击劈裂刀体120，以使劈裂刀体120朝向晶圆110运动，以将芯片区R劈裂成晶粒112。本实施例的晶圆劈裂装置100A还包括晶圆承载器150，此晶圆承载器150是用以承载晶圆110的，其中晶圆110适于配置在晶圆承载器150与劈裂刀体120之间。
值得特别注意的是，此晶圆承载器150上设有多个微凸起152，晶圆110配置于这些微凸起152上，且当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，第一表面120a整面撞击晶圆承载器150，且这些微凸起152向芯片区R的交界处施力，以使芯片区R被劈裂成晶粒112。举例而言，本实施例中，这些微凸起152的位置可与芯片区R所有边缘线L(未显示)的交叉点Q对齐。这样一来，当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，这些微凸起152便会向交叉点Q施力，以使芯片区R劈裂成晶粒112。这样一来，当这些微凸起152敲击在交叉点Q时，晶圆110中所有的芯片区R会一次被劈裂成多个独立的晶粒112。换言之，通过本实施例的晶圆劈裂装置100A亦可同时劈裂完成多个独立的晶粒112，而不需像现有技术中需通过多次的劈裂动作，才可完成多个独立的晶粒112。
图10A至图10C为本实施例的晶圆劈裂制程示意图。请依序参照图10A至图10C，本实施例的晶圆劈裂制程可包括下述制程。请参照图10A，首先，提供晶圆110，其中晶圆110具有多个芯片区R。请参照图10B及图10C，接着，利用至少一振动击槌130以朝向晶圆110的方向敲击劈裂刀体120，以带动劈裂刀体120朝向晶圆110运动，并将芯片区R劈裂成多个独立的晶粒112。
本实施例的晶圆劈裂制程还包括在利用振动击槌130以朝向晶圆110的方向敲击劈裂刀体120之前，将晶圆110放置于晶圆承载器150上。更进一步地说，将晶圆110放置于晶圆承载器150上的步骤包括将晶圆110配置于这些微凸起152上(如图10A中所示)，且当劈裂刀体120朝向晶圆110运动时，第一表面120a整面撞击晶圆承载器150(如图10B中所示)，且这些微凸起152向芯片区R的交界处施力，而使芯片区R被劈裂成晶粒112。如此一来，当第一表面120a整面撞击晶圆承载器150时，晶圆110中所有的芯片区R一次地被劈裂成多个独立的晶粒112，而使得制作晶粒112的时间与成本可有效地缩减。
值得一提的是，在晶圆110放置于晶圆承载器150上之后，振动击槌130以朝向晶圆110的方向敲击劈裂刀体120之前，可在晶圆110的朝向劈裂刀体120的第一晶圆表面110a上配置的保护膜，然后再使劈裂刀体120朝向晶圆110运动。此保护膜可保护晶圆110，而使得第一表面120a整面撞击晶圆承载器150时，晶圆110的第一晶圆表面110a较不易受损。
综上所述，由于本发明的实施例的劈裂刀体上有多个刀刃，且当劈裂刀体劈向晶圆时，这些刀刃与芯片区交界处的位置对应。因此，劈裂刀体可同时把晶圆上的多个芯片区劈裂成多个晶粒。如此一来，便可省去许多制作晶粒的时间，进而将晶粒的制作成本有效降低。
另外，由本发明的实施例的晶圆承载器上有多个微凸起，且当劈裂刀体劈向晶圆时，这些微凸起与芯片区交界处的位置对应。因此，当劈裂刀体撞击晶圆承载器150时，这些微凸起可同时把晶圆上的多个芯片区劈裂成多个晶粒。如此一来，亦可省去许多制作晶粒的时间，而使得本实施例的晶粒的制作成本可有效降低。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的普通技术人员，当可作些许更动与润饰，而不脱离本发明的精神和范围。
Claims (17)
1.一种晶圆劈裂装置，适于将一晶圆中的多个芯片区劈裂成多个独立的晶粒，该晶圆劈裂装置包括：
一劈裂刀体，配置于该晶圆的一侧，且具有面向该晶圆的一第一表面，其中在通过该第一表面的中心的所有该第一表面的延伸方向上，该第一表面均横跨该晶圆的该些芯片区中的多个；以及
至少一振动击槌，其中该劈裂刀体配置于该晶圆与该振动击槌之间，且该振动击槌适于以朝向该晶圆的方向敲击该劈裂刀体，以使该劈裂刀体朝向该晶圆运动，以将该些芯片区劈裂成该些晶粒。
2.根据权利要求1所述的晶圆劈裂装置，其中还包括多个刀刃，设于该第一表面上，其中当该劈裂刀体朝向该晶圆运动时，该些刀刃敲击在该些芯片区的交界处。
3.根据权利要求2所述的晶圆劈裂装置，其中该些刀刃呈网格状，且当该劈裂刀体朝向该晶圆运动时，该些刀刃敲击在该些芯片区的所有边缘在线。
4.根据权利要求2所述的晶圆劈裂装置，其中该些刀刃呈点状，且当该劈裂刀体朝向该晶圆运动时，该些刀刃敲击在该些芯片区的所有边缘线的交叉点上。
5.根据权利要求2所述的晶圆劈裂装置，其中每一该刀刃呈十字形，且当该劈裂刀体朝向该晶圆运动时，该些刀刃敲击在该些芯片区的所有边缘线的交叉点上。
6.根据权利要求1所述的晶圆劈裂装置，其中还包括一晶圆承载器，用以承载该晶圆，其中该晶圆适于配置在该晶圆承载器与该劈裂刀体之间。
7.根据权利要求6所述的晶圆劈裂装置，其中该晶圆承载器上设有多个微凸起，该晶圆配置于该些微凸起上，且当该劈裂刀体朝向该晶圆运动时，该第一表面整面撞击该晶圆承载器，且该些微凸起向该些芯片区的交界处施力，以使该些芯片区被劈裂成该些晶粒。
8.根据权利要求1所述的晶圆劈裂装置，其中该至少一振动击槌为多个振动击槌，该劈裂刀体具有一朝向该振动击槌的第二表面，且该些振动击槌适于同时且分散地敲击在该第二表面上。
9.一种晶圆劈裂制程，包括：
提供一晶圆，其中该晶圆具有多个芯片区；以及
利用至少一振动击槌以朝向该晶圆的方向敲击一劈裂刀体，以带动该劈裂刀体朝向该晶圆运动，并将该些芯片区劈裂成多个独立的晶粒，其中该劈裂刀体具有面向该晶圆的一第一表面，且在通过该第一表面的中心的所有该第一表面的延伸方向上，该第一表面均横跨该晶圆的该些芯片区中的多个。
10.根据权利要求9所述的晶圆劈裂制程，其中该劈裂刀体的该第一表面上设有多个刀刃，且当该劈裂刀体朝向该晶圆运动时，该些刀刃敲击在该些芯片区的交界处。
11.根据权利要求10所述的晶圆劈裂制程，其中该些刀刃呈网格状，且当该劈裂刀体朝向该晶圆运动时，该些刀刃敲击在该些芯片区的所有边缘在线。
12.根据权利要求10所述的晶圆劈裂制程，其中该些刀刃呈点状，且当该劈裂刀体朝向该晶圆运动时，该些刀刃敲击在该些芯片区的所有边缘线的交叉点上。
13.根据权利要求10所述的晶圆劈裂制程，其中每一该刀刃呈十字形，且当该劈裂刀体朝向该晶圆运动时，该些刀刃敲击在该些芯片区的所有边缘线的交叉点上。
14.根据权利要求9所述的晶圆劈裂制程，其中还包括：
在利用该振动击槌以朝向该晶圆的方向敲击该劈裂刀体之前，将该晶圆放置于一晶圆承载器上。
15.根据权利要求14所述的晶圆劈裂制程，其中该晶圆承载器上设有多个微凸起，将该晶圆放置于该晶圆承载器上的步骤包括将该晶圆配置于该些微凸起上，且当该劈裂刀体朝向该晶圆运动时，该第一表面整面撞击该晶圆承载器，且该些微凸起向该些芯片区的交界处施力，以使该些芯片区被劈裂成该些晶粒。
16.根据权利要求9所述的晶圆劈裂制程，其中该晶圆具有朝向该劈裂刀体的一第一晶圆表面及背对该劈裂刀体的一第二晶圆表面，且该晶圆劈裂制程还包括：
在利用该振动击槌以朝向该晶圆的方向敲击该劈裂刀体之前，利用激光沿着该些芯片区的边缘线在该第二晶圆表面上蚀刻出多道凹痕。
17.根据权利要求9所述的晶圆劈裂制程，其中该至少一振动击槌为多个振动击槌，该劈裂刀体具有一朝向该振动击槌的第二表面，且利用该些振动击槌以朝向该晶圆的方向敲击该劈裂刀体的步骤包括使该些振动击槌同时且分散地敲击在该第二表面上。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW099146138A TW201227820A (en) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | Wafer splitting apparatus and wafer splitting process |
| TW099146138 | 2010-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102543708A true CN102543708A (zh) | 2012-07-04 |
Family
ID=46315190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011104141698A Pending CN102543708A (zh) | 2010-12-27 | 2011-12-13 | 晶圆劈裂装置及晶圆劈裂制程 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120160227A1 (zh) |
| CN (1) | CN102543708A (zh) |
| TW (1) | TW201227820A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102751400A (zh) * | 2012-07-18 | 2012-10-24 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种含金属背镀的半导体原件的切割方法 |
| CN105826255A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-08-03 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种led晶圆劈裂方法 |
| CN105895748A (zh) * | 2015-02-17 | 2016-08-24 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103235371B (zh) * | 2013-04-23 | 2015-02-04 | 安徽白鹭电子科技有限公司 | 一种一体化的微小陶瓷光纤导向槽制造方法 |
| CN105280529B (zh) * | 2015-09-14 | 2018-06-19 | 圆融光电科技股份有限公司 | 分段式劈裂刀装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140469A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Wafer cracking process |
| JPS5437468A (en) * | 1977-08-29 | 1979-03-19 | Toshiba Corp | Breaking device for semiconductor wafer |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2774194A (en) * | 1954-11-08 | 1956-12-18 | Charles J Thatcher | Ultrasonic tools |
| US3790051A (en) * | 1971-09-07 | 1974-02-05 | Radiant Energy Systems | Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller |
| US4653680A (en) * | 1985-04-25 | 1987-03-31 | Regan Barrie F | Apparatus for breaking semiconductor wafers and the like |
| JP2005222989A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| US20070298529A1 (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-27 | Toyoda Gosei, Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices |
-
2010
- 2010-12-27 TW TW099146138A patent/TW201227820A/zh unknown
-
2011
- 2011-03-09 US US13/043,476 patent/US20120160227A1/en not_active Abandoned
- 2011-12-13 CN CN2011104141698A patent/CN102543708A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140469A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Wafer cracking process |
| JPS5437468A (en) * | 1977-08-29 | 1979-03-19 | Toshiba Corp | Breaking device for semiconductor wafer |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102751400A (zh) * | 2012-07-18 | 2012-10-24 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种含金属背镀的半导体原件的切割方法 |
| CN105895748A (zh) * | 2015-02-17 | 2016-08-24 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| US10177272B2 (en) | 2015-07-23 | 2019-01-08 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting diode and a method for manufacturing the same |
| CN105826255A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-08-03 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种led晶圆劈裂方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120160227A1 (en) | 2012-06-28 |
| TW201227820A (en) | 2012-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102543708A (zh) | 晶圆劈裂装置及晶圆劈裂制程 | |
| EP3961706A1 (en) | Illumination device | |
| US9279567B2 (en) | Lens having total reflective side surfaces and light source module with same | |
| CN104885235A (zh) | 用于侧发射的具有成形的生长衬底的led | |
| CN107863425B (zh) | 一种具有高反射电极的led芯片及其制作方法 | |
| US10224315B2 (en) | Light source device having light-emitting diode chips of varying thickness | |
| CN104698682A (zh) | 一种模组及液晶显示装置 | |
| CN101329047B (zh) | 光源模块及液晶显示器 | |
| EP1819202A3 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| CN102263179A (zh) | 发光二极管、背光模块及液晶显示装置 | |
| CN109638120A (zh) | 一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法 | |
| US20120075882A1 (en) | Light emitting diode module | |
| CN110649140A (zh) | 一种显示芯片的加工方法及双层晶圆板 | |
| US20140177246A1 (en) | Led die, method for manufacturing the led die and automobile lamp having the led die | |
| CN101520166A (zh) | 光学元件及其制造方法 | |
| KR20130021933A (ko) | 반사시트 제조방법 및 광원 모듈 제조방법 | |
| US7688599B2 (en) | Lead frame module for manufacturing light emitting diodes | |
| CN110299436B (zh) | 一种倒装发光二极管芯片及其制作方法 | |
| US20160069534A1 (en) | Lens having through hole and lighting module | |
| CN203659913U (zh) | 一种新型结构的发光二极管 | |
| CN102693970A (zh) | 发光二极管装置 | |
| US10193041B1 (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
| CN102593308A (zh) | 发光二极管封装结构 | |
| JP2009010060A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| US7619259B2 (en) | Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120704 |