TW201219583A

TW201219583A - Method for producing sputtering target, and sputtering target

Info

Publication number: TW201219583A
Application number: TW100127989A
Authority: TW
Inventors: Atsushi Saito
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2010-08-05
Filing date: 2011-08-05
Publication date: 2012-05-16
Also published as: WO2012017659A1; CN102959122A; JP2012052227A

Description

201219583 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種用以形成IGZO膜之濺鍍靶的製造方法及濺鍍靶。【先前技術】近年，伴隨照片或動畫的高畫質化，記錄於光記錄媒體等之時的數位數據增大，尋求記錄媒體之高容量化，就高記錄容量之光記錄媒體而言已販賣藉二層記錄方式具有 50GB的容量之藍光碟片（Blu-ray Disc)(註冊商標）。此藍光碟片（註冊商標）係期望今後亦更進一步高容量化 ’正盛行記錄層之多層化所得到的高容量化之硏究。構成藍光碟片（註冊商標）之介電體保護膜用的材料係成膜速度快’對於4 0 5 n m之波長的光必須爲衰退係數小的材料。如此之材料已知有於ZSSO ( ZnS-Si02 )或ZSSO 添加導電性物質者.、ITO (添加Sn02之In2〇3 ) 、IZO ( In2〇3-ZnO ) 、AZO (添加 Al2〇3 之 ZnO ) 、GZO (添加

Ga2〇3 之 ZnO )等。 ZSSO系之材料係若成膜於金屬膜之鄰，有硫黃腐蝕金屬之問題。因此’於金屬膜與ZSSO膜之間必須設有防止硫移動之界面層。又，ITO、IZO、AZO、GZ0係無腐触之問題’但任一者均於濺鍍靶製作時，必須有混合、造粒、成形、燒成之多數的步驟。近年’就顯不寬能隙（Wide-bandgap)之氧化物半導 -5- 201219583 體而言，著眼IGZO (由in2〇3、Ga203、ZnO所構成之複合氧化物），期待應用於TFT (Thin Film Transistor)。由此IGZO所構成之濺鍍靶係可直流磁旋濺鍍，可期待高的成膜速度。又，從其能隙之寬度，對於405 nm之波長的光亦衰退係數小，亦期待作爲構成高記錄容量之光記錄媒體的膜。此IGZO之濺鍍靶的製造方法以往係如記載於專利文獻 1〜6，上述其他之材料同樣地，必須有所謂混合、造粒、成形、燒成、或混合、造粒、锻燒、粉碎、成形、燒成之步驟。〔先前技術文獻〕〔專利文獻〕〔專利文獻1〕特開2 0 0 8 - 2 8 0 2 1 6號公報〔專利文獻2〕特開2008-2 1 4697號公報〔專利文獻3〕特開2007-223 849號公報〔專利文獻4〕特開2008- 1 63442號公報〔專利文獻5〕特開2008- 1 6344 1號公報〔專利文獻6〕特開2008- 144246號公報【發明內容】〔發明之槪要〕〔發明欲解決之課題〕於上述習知之技術中係殘留以下之課題。亦即，在上述習知之IGZO的濺鍍靶製作法中，必須有所謂混合、造粒、成形、燒成、或混合、造粒、锻燒、粉 -6- 201219583 碎、成形、燒成之步驟，有生產性差之問題。又，以上述習知之製法所製作之IGZO的濺鏟靶係以燒結所產生之粒成長大’高密度燒結體之平均結晶粒徑亦有接近1 〇 μηι，故亦有易成爲結核（nodule)或異常放電之原因的不佳情形。另外’在熱壓等之加壓燒結中雖可省去成形之步驟，但IGZO係若使原料以l〇〇〇°C以上之高溫進行熱壓，受熱壓中之還原作用’濺鍍耙之構成成分之金屬In或金屬Ga有溶出之問題。又，未達1 000 °C時有無法得到高的密度之燒結體的問題。本發明係有鑑於前述之課題者，目的在於提供一種無金屬溶出並可簡化製造步驟，可得到高密度的IGZO之濺鍍靶的製造方法。〔用以解決課題之手段〕本發明人等係硏究有關IGZO之濺鍍靶後，發現藉由預先調整原料之ln203、Ga203、ZnO之比表面積，可以熱壓等之加壓燒結製作高密度的IGZO的濺鍍靶。因此，本發明係從上述見識可得到者，爲解決前述課題，採用以下之構成。亦即，本發明之濺鍍靶之製造方法，其係具有：混合In2〇3粉與Ga203粉與ZnO粉而製作混合粉末之步驟、及加壓燒結該混合粉末之步驟；其特徵係使前述Ιη203粉之比表面積爲A ( m2/g )，使前述Ga203粉之比表面積爲B ( m2/g )，使前述ZnO粉之比表面積爲C ( m2/g)時，使各比表面積設定於10SAS30、13SBS30、 201219583 C2 5且A/C2 2、B/C2 2之範圍’使前述混合粉末之金屬成分組成比以原子比計設定成1n : Ga : Zn = 1 : 1 : x ( 〇.8 ^ X ^ 5 )。在此濺鍍靶之製造方法中，係藉由使In2〇3粉之比表面積爲A ( m2/g )，使Ga2〇3粉之比表面積爲B ( m2/g )，使ZnO粉之比表面積爲C ( m2/g )時，使各比表面積設定於 10SAS30、13SBS30、C25 且 A/C22、B/C22 之範圍，使混合粉末之金屬成分組成比以原子比計設定成In: Ga ：Zn = 1： 1： X(〇.8^X^5)，不須CIP(冷間靜水壓加壓）等之成形，可縮短步驟，同時並可藉由原料粉末之比表面積的控制而得到無金屬溶出之高密度的濺鍍靶。繼而，依本發明之製法所得到之濺鍍靶係其比電阻値爲1 X 1 〇_2 Ω · cm以下，且結晶粒徑較習知製法更非常細小，即使在高的電力密度異常放電亦少，且安定而可進行直流磁旋濺鍍。又，在A<10、B<13、C<5之範圍中，於粒子間產生之空孔大，燒結時很難除去空孔，故未提高標靶之密度，而在3 0<A、30<B2範圍中，因一次粒子太小，故易產生凝集’成爲粗大空孔或不均的原因。又，在A/C<2、B/C<2、 Χ<〇·8的範圍中，燒結時，金屬從標靶溶出。在5<X之範圍中’所得到之膜形成介電體保護膜而無法滿足必要的特性〇本發明之濺鍍靶其特徵係依上述本發明之製造方法所製作 201219583 本發明之濺鍍靶，其特徵係含有In、Ga及Zn之複合氧化物，由藉X線繞射觀察到歸屬於前述複合氧化物之繞射譜峰，同時並未觀察到歸屬於金屬In之繞射譜峰的燒結體所構成，比電阻値爲1x10_2Ω · cm以下，燒結體之組織的平均粒徑爲Ιμιη以下。亦即此等之濺鍍靶係依上述本發明之製造方法所製作者，且含有In、Ga及Ζη之複合氧化物，由藉X線繞射觀察到歸屬於前述複合氧化物之繞射譜峰，同時並未觀察到歸屬於金屬In之繞射譜峰的燒結體所構成，比電阻値爲1 X 10_2Ω · cm以下，燒結體之組織的平均粒徑爲Ιμιη以下，故可具有緻密的組織而以高的成膜速度且安定之濺鏟，同時並可形成良好的IGZO膜作爲構成高記錄容量的光記錄媒體之膜。尤其，在以往的技術中係具有很難製作之平均粒徑爲Ιμιη以下之組織。尤其，可進一步降低異常放電。又，上述平均粒徑宜爲0.5 μιη以下。又，本發明之濺鑛靶其特徵係維氏硬度爲480以上。此濺鍍靶中係維氏硬度爲48 0以上，故可有效地抑制濺鍍時產生之結核。〔發明之效果〕若依本發明，可發揮以下之效果。亦即，若依本發明之濺鎪靶的製造方法，使各原料粉末的比表面積設定於上述條件，同時並使成分組成比設定於上述範圍，可縮短製造步驟而提昇生產性，同時並可得 -9- 201219583 到無金屬溶出之高密度的濺鍍靶。因此，使用依本發明之製造方法所得到的濺鍍靶，以直流磁旋濺鍍高的成膜速度，可使IGZO膜安定而成膜，適宜製作構成高記錄容量之光記錄媒體的介電體保護膜的濺鏟靶。〔用以實施發明之形態〕以下，說明本發明之濺鍍靶的製造方法之一實施形態〇本實施形態的濺鍍靶之製造方法係製作用以使IGZO膜以濺鍍成膜所使用的濺鍍靶之方法，具有：混合Ιη203粉與Ga203粉與ZnO粉而製作混合粉末之步驟：與加壓燒結該混合粉末之步驟。在本實施形態之製造方法中係使上述Ιη203粉之比表面積爲A ( m2/g)，使上述Ga203粉之比表面積爲B ( m2/g )，使上述ZnO粉之比表面積爲C ( m2/g )時，使各比表面積設定於 10SAS30、13SBS30、C25 且 A/C22、B/C2 2之範圍，進一步使混合粉末之金屬成分組成比以原子比計設定成 In: Ga: Zn = 1: 1: X(0.8SXS5)。若詳述有關上述製法之一例，例如，首先使氧化銦（化學式：Ιη203、純度：3N、比表面積：10m2/g )、氧化鎵（化學式：Ga203、純度：4N、比表面積：17 m2/g)、氧化鋅（化學式：ZnO、純度：3N、比表面積：5 m2/g ) 之各原料粉末秤量成含有金屬的比率爲In: Ga: Zn = 1 : 1 -10- 201219583 ：X ( 0.8 ^ X ^ 5 )(原子比）。又，比表面積係依BET法算出。將此秤量之原料粉末與其3倍量（重量比）的氧化锆球（直徑5mm)置入於聚乙嫌製容器中，以球磨機裝置濕式混合1 8小時。又，於此時之溶劑中係使用例如醇。然後，乾燥所得到之混合粉末後，施加於例如網目：5 0 0 μπι之篩，以900〜1 200 °C、1〜10小時、100〜600Kgf/cm2之壓力在真空或惰性氣體環境中進行熱壓，形成濺鍍靶。例如，以1 000〜1 100°C、3小時、3 5 0Kgf/cm2之壓力進行真空熱壓，得到濺鍍靶。如此所製作之濺鍍靶，係含有In、Ga及Zn之複合氧化物，由藉X線繞射觀察到歸屬於前述複合氧化物之繞射譜峰，同時並未觀察到歸屬於金屬In之繞射譜峰的燒結體所構成，比電阻値爲1x1 〇_2Ω · cm以下，燒結體之組織的平均粒徑爲Ιμιη以下。又，組織之平均粒徑係從藉EBSP (電子後方散射繞射像法）測定所得到之Image Quality Map之圖像，使用JIS H050 1之切割法而算出者。此濺鍍靶係維氏硬度（Hv)爲480以上。

如此地在本實施形態之濺鍍靶之製造方法中，係藉由使Ιη203粉之比表面積爲A，使Ga203粉之比表面積爲Β ’ 使ZnO粉之比表面積爲C時，使各比表面積設定於A210 、B g 1 3、C $ 5且A/C 2 2、B/C 2 2之範圍，使混合粉末之金屬成分組成比以原子比計設定成In : Ga : Zn = 1 : 1 : X -11 - 201219583 (0.8 S 5 )，不須CIP (冷間靜水壓加壓）等之成形，可縮短步驟，同時並可藉由原料粉末之比表面積的控制而得到無金屬溶出之高密度的濺鍍靶。繼而，依本實施形態之製法所得到之濺鍍靶係其比電阻値爲1χ10_2Ω · cm以下，且結晶粒徑較習知製法更非常細小，即使在高的電力密度，異常放電亦少，且安定而可進行直流磁旋濺鍍。亦即在此濺鍍靶中，係含有In、Ga及Zn之複合氧化物，由藉X線繞射觀察到歸屬於前述複合氧化物之繞射譜峰，同時並未觀察到歸屬於金屬I η之繞射譜峰的燒結體所構成，比電阻値爲lxl(T2 Ω · cm以下，燒結體之組織的平均粒徑爲1 μιη以下，故具有緻密的組織而以高的成膜速度且安定之濺鍍，同時並可形成良好的IGZO膜作爲構成高記錄容量的光記錄媒體之膜。尤其，具有以往很難製作之平均粒徑爲Ιμηι以下之組織，故可進一步降低異常放電。又，在此濺鍍靶係維氏硬度爲480以上，故可有效地抑制濺鍍時產生之結核。【實施方式】〔實施例〕對於依據上述本實施形態而實際製作之濺鍍靶的實施例，說明進行評估的結果。又，就比較例而言，以超出上述本實施形態之原料粉末的比表面積的設定範圍之條件製作濺鏟靶’同時並就習知例而言，以c IP成型後’以氧環境進行燒成而燒結以製 -12- 201219583 作濺鍍靶，此等亦同樣地進行評估。〔實施例1〕使氧化銦（化學式：Ιη203、純度：3N、比表面積： 10m2/g )、氧化鎵（化學式：Ga203、純度：4N、比表面積：17 m2/g)、氧化鋅（化學式：ZnO、純度：3N、比表面積：5 m2/g )之各原料粉末秤量成含有金屬的比率爲In :Ga : Zn = 1 : 1 : 1 (原子比）。將此秤量之原料粉末與其3倍量（重量比）的氧化锆球（直徑5mm)置入於聚乙烯製容器中，以球磨機裝置濕式混合1 8小時。又，於此時之溶劑中係使用醇。然後，乾燥所得到之混合粉末後，施加於例如網目：5 0 0 μιη之篩，以1 050 °C、3小時、350Kgf/cm2之壓力進行真空熱壓，得到實施例1之濺鍍靶。 [實施例2〜4、比較例1〜8] 除變更各原料粉末之比表面積與熱壓之溫度以外，其餘係與實施例1同樣做，而得實施例2〜4、比較例1〜8之濺鍍靶。 <評估> 對於各實施例、比較例之濺鍍靶，確認熱壓後之金屬溶出的有無，求出相對密度。相對密度係以理論密度除燒結體之體積密度，算出。 -13- 201219583 金屬溶出之有無係X線繞射測定之結果，確認是否可看到金屬之繞射譜峰。X線繞射之測定條件係如以下般。試料之準備：試料係以SiC-Paper ( grit 180 )濕式硏磨 '乾燥之後，作爲測定試料。裝置：理學電氣公司製（RINT-Ultima/PC) 管球：C u

管電壓：40kV

管電流：4 0 m A 掃描範圍（2 0 ) : 5°~90°。狹縫大小：發散（DS) 2/3度、散射（SS) 2/3度、受光（RS) :0.8mm 測定步幅寬：2 0爲0.0 2度掃描速度：每分鐘2度試料台旋轉速度：30rpm 將評估之結果表示於表1。又，將實施例1之濺鍍靶的 X線繞射測定結果表示於圖2中，將比較例1之濺鍍靶的X 線繞射測定結果表示於圖1中。【表1】 b 峩面 8Ϊ (m2/ ι) A/C B/C 贿度 (°C) 金屬溶出相對密度 (%) Α0η2Ο3) B(Ge203) C(ZnO) 宵施例1 10 17 5 2.0 3.4 1050 無 96 貿涵2 10 13 5 2.0 2.6 1050 無 95 讶施例3 10 17 5 2.0 3.4 1000 無 Θ2 實施例4 25 25 5 5.0 5.0 1050 無 94 6 5 5 t.2 1.0 1050 有 71 fc較她 10 9 5 2.0 1.8 1050 有 75 比鲛例3 10 17 15 0.7 1.1 1050 有 92 比砀例4 10 17 1 10.0 17.0 1050 無 88 比gfc 6 13 5 1.2 2.6 1050 有 72 tt較制6 10 9 15 0.7 0.6 1050 有 76 Jt較例7 35 25 5 7.0 5.0 1050 無 87 25 35 5 5.0 70 1050 無 87 -14- 201219583 從表1，使原料粉末之比表面積爲本發明預定的範圍內，可得到無金屬溶出之高密度的濺鍍靶。又’如圖2所示般，在實施例1之濺鍍靶中係看不到金屬溶出，而只確認出歸屬於InGaZn〇4之繞射譜峰。另外，Ιη203及Ga2〇3之比表面積小的比較例1之濺鍍靶係相對密度低（7 1 % )，金屬會溶出。在比較例1之濺鍍靶中係如圖1所示般’確認出分別歸屬於 InGaZn〇4( PDF (powder diffraction file) No.38-1104 )、金屬 In ( PDF No.05-0642 ) 、ZnGa204 ( PDF No.3 8- 1240 )之繞射譜峰。依此X線繞射測定結果，認爲若生成ZnGa204，Ιη203 以高溫還原，成爲金屬溶出之原因。

Ga203之比表面積小的比較例2之濺鍍靶，亦相對密度低（75% )，金屬溶出。

ZnO之比表面積大，A/C及B/C小之比較例3的濺鍍靶係相對密度高（92% )，但金屬溶出。如此地，可知若 Ιη203與Ga203之比表面積大，ZnO之比表面積亦大，生成 ZnGa2〇4而金屬In溶出。在ZnO之比表面積小的比較例4之濺鍍靶中係從X線繞射測定結果只確認出歸屬於InGaZn04之繞射譜峰，看不到金屬之溶出，但相對密度低（8 8 % )。如此地，可知若 ZnO之比表面積太小於本發明之設定，無法得到高密度之濺鍍靶。 -15- 201219583 [實施例5〜9、比較例9、1 0 ] 其次，說明評估有關濺鍍靶之成分組成比的範圍之結果。變更各原料粉末之調配比以外，其餘係與實施例1同樣做法而得到實施例5〜9、比較例9、1 0之濺鍍靶。此等之濺鍍靶的評估結果表示於表2中。【表2】 _組成比（mol) 金届細相對密度 (%) In Ga Ζη 窗施例1 1 1 1 無 96 實施#!15 1 1 0.8 無 94 實施例6 1 1 2 無 95 實施例7 1 1 3 無 96 實施例8 1 1 4 無 98 實施例9 1 5 無 95 比較例9 1 1 0.6 有 95 比較例10 1 1 0.7 有 94 Ζη少，相對地In、Ga之比率多，比較例9、10之濺鍍靶係雖有高密度，但金屬溶出。然而，組成比爲本發明特定之範圍內的實施例1、5〜9 之濺鍍靶中係看不到金屬溶出而爲高密度。從此等之結果可知，使原料之比爲In : Ga : Zn=l : 1 ：X ( 0.8^ 5 )，可得到無金屬溶出之高密度的濺鍍靶 [習知例1、2] 繼而，說明以CIP (冷間靜水壓）進行成形之習知技術進行比較之結果。 -16- 201219583 首先，就習知例1而言，使氧化銦（純度：3 N、比表面積：10m2/g)、氧化鎵（純度：4N、比表面積：9 m2/g )、氧化鋅（純度：3N、比表面積：5 m2/g )之各原料粉末秤量成含有金屬的比率爲In: Ga: Zn = 1: 1: 1 (原子比）。將此坪量之粉末與其3倍量（重量比）的氧化銷球 (直徑5mm)置入於聚乙烯製容器中，以球磨機裝置粉碎至混合粉末的比表面積至成分爲10m2/g。又，於溶劑使用醇。使如此做法所得到之混合粉末急速乾燥，造粒後，以 CIP (冷間靜水壓）成形，以1 4 0 0 °c、4小時、2升/分鐘之氧環境中燒成而形成濺鍍靶。將如此做法所得到之習知例 1的濺鍍靶之X線繞射測定結果表示於圖3中。從圖2及圖3可知，在實施例1及習知例1之任一者的製造方法中，確認出歸屬於InGaZn04之繞射譜峰。但，在習知例1之濺鍍靶中係如圖3所示般，繞射譜峰之強度比依配向，與PDF No.38-1 1 04之InGaZn04非常相異。又，繞射譜峰之半寬値亦變小。認爲此係結晶充分成長。另外，實施例1之濺鍍靶的強度比係非常近似於PDF No.38-1104之 InGaZn〇4。又，除使成分組成爲In : Ga : Zn=l : 1 : 3 (原子比）以外，其餘係與習知例1同樣做法，得到習知例2之濺鍍靶。將習知例2之濺鍍靶的X線繞射測定結果表示於圖4中’ 同時將實施例7之濺鍍靶的X線繞射測定結果表示於圖5中。即使在習知例2與實施例7之比較中，與習知例1與實施 -17- 201219583 例1時同樣地，可看到強度比之差異。 < EBSP測定> 從依習知例1之濺鍍靶的EBSP (電子後方散射繞射像法）測定所得到之Image Quality Map的圖像，使用JIS HO 5 1 0之切割法而算出組織之平均粒徑。其結果，習知例1 之濺鍍靶中的組織的平均粒徑爲9.4 μηι。然而·，從依實施例1之濺鍍靶的EBSP測定所得到之 Image Quality Map的圖像，使用JIS H0510之切割法而算出組織之平均粒徑。其結果’實施例1之濺鍍靶中的組織的平均粒徑爲〇 _ 4 2 μιη。如此地，可知相較於習知例1，實施例1之濺鍍靶係組織大幅地緻密化。 <電阻値、硬度、異常放電次數及產生龜裂電力> 硏究習知例及實施例1、7、9之濺鍍靶的電阻値、維氏硬度、濺鍍時之異常放電次數及產生龜裂電力之結果，表示於以下之表3中。又’習知例3係只改變組成’其他之條件係與習知例1同樣地設定者。又，硏究異常放電次數時，亦同時地硏究有關結核發生之有無。

又，電阻値係使用三菱化學製電阻測定器Loresta GP 而測定。維氏硬度係使用明石製作所製微小硬度計MVG-G3而測定。異常放電次數係以6·52 w/cm2之電力濺鍍1小時時之 -18- 201219583 異常放電次數。產生龜裂電力之測定係濺鍍10分鐘後之標靶龜裂的有無以1.63〜13.0 4 w/cm2之範圍確認。將上述濺鍍之條件表示於以下。又，標靶係於銅製之墊片使用銦而接合。標耙大小：直徑125mmx厚5mm 電源：直流電源濺鍍氣體：Ar 氣體流量：50sccm 氣體之全壓：〇.4Pa 【表3】紹成比(mol) 製造方法相對密度 (%) 電阻値 (Q*cm) 維氏密度異常放電次數產生龜裂電力 (W/wn2) In Ga Zn 習知例I 1 1 1 CIP+燒成 97 8.2X10-3 354 25 9.78 實施例1 1 1 1 HP 96 9.5X10-4 724 1 無龜裂習知例2 1 1 3 CIP+燒成 90 1.8x10-2 265 53 8.15 實施例7 1 1 3 HP 96 1.4x10-3 534 2 無龜裂習知例3 1 1 5 CIP+燒成 95 5.6X10-2 221 51 8.15 實施例9 1 1 5 HP 97 4.2X10-3 480 2 無龜裂從此，可知以本發明特定之製造方法所製作之實施例 1、7、9的濺鍍靶係相較於習知例1 ~3之濺鍍靶爲低阻抗，同時並顯示高的維氏硬度。尤其，在實施例1、7之濺鍍靶中係顯示習知例約2倍之維氏硬度。又，實施例1、7、9的濺鍍靶係相較於習知例1〜3之濺鍍靶，異常放電次數非常少，習知例1 ~3以產生龜裂電力之測定全部產生龜裂，但在實施例1、7、9中係全部未產生龜裂。又，習知例係任一者濺鍍時可看到結核之發生，但任 -19- 201219583 一者之實施例均於濺鍍時幾乎看不到結核之發生。 <成膜試驗> 其次，說明使用實施例1之濺鍍靶而實際形成IGZO膜進行評估的結果。將實施例1之濺鍍靶加工成直徑125mm X厚5 mm，於銅製之墊片使用銦而接合，進行成膜試驗。首先，使氬氣48.5sccm、與氧氣1.5sccm以一定之流量供給，使氣體的全壓爲〇.4Pa，使用直流電壓而投入1.63 W/cm2之電力而實施。即使進行濺鍍10分鐘，均看不到異常放電。此時之成膜速度爲1.0 nm/sec。又，將電力變更成13.04 W/cm2，以更嚴苛的條件進行濺鍍10分鐘，亦看不到異常放電。此時之成膜速度爲 7.4nm/sec 〇又，以成膜速度l.Onm/sec的條件於無鹼玻璃基板上成膜50nm。以分光楕圓偏光儀測定對於405nm波長之折射率與衰退係數後，折射率n = 2.12，衰退係數爲K = 0.003。如此地，使用實施例1之濺鍍靶所得到之膜係作爲保護膜而顯示充分的衰退係數。又，本發明之技術範圍係不限定於上述實施形態及上述實施例，在不超出本發明之意旨的範圍中可加入各種之變更。例如，在上述實施形態及上述實施例中係藉由熱壓而進行加熱燒結，但就其他之方法採用HIP法（熱間等方加 -20- 201219583 壓式燒結法）等亦無妨。【圖式簡單說明】圖1係在本發明之濺鍍靶的製造方法之比較例中，表示所製作之濺鑛靶的X線繞射（XRD )結果之圖表。圖2係在本發明之濺鍍靶的製造方法之實施例中，表示所製作之濺鍍靶的X線繞射（XRD )結果之圖表。圖3係在本發明之濺鍍靶的製造方法之習知例中，表示所製作之濺鍍靶的X線繞射（XRD )結果之圖表。圖4係在本發明之濺鍍靶的製造方法之習知例中，表示所製作之濺鍍靶的X線繞射（XRD )結果之圖表。圖5係在本發明之濺鍍靶的製造方法之實施例中，表示所製作之濺鍍靶的X線繞射（XRD )結果之圖表。 -21 -

Claims

201219583 七、申請專利範圍： 1. 一種濺鍍靶之製造方法，其特徵係具有：混合Ιη203 粉與Ga203粉與ZnO粉而製作混合粉末之步驟；加壓燒結該混合粉末之步驟；其特徵係使前述Ιη203粉之比表面積爲A ( m2/g )，使前述Ga203粉之比表面積爲B ( m2/g )，使前述ZnO粉之比表面積爲C(m2/g)時，使各比表面積設定於1〇‘Α$30、 13SBS30、C25且A/C22、B/C22之範圍，使前述混合粉末之金屬成分組成比以原子比計設定成In : Ga : Zn = 1 :1:X(0.8SXS5)。 2 · —種濺鍍靶，其特徵係依申請專利範圍第1項之製造方法製作。 3. —種濺鍍耙，其特徵係含有In、Ga及Zn之複合氧化物，由藉X線繞射觀察到歸屬於前述複合氧化物之繞射譜峰，同時並未觀察到歸屬於金屬I η之繞射譜峰的燒結體所構成，比電阻値爲1 X W2 Ω · c m以下，燒結體之組織的平均粒徑爲1 μΐΏ以下。 4. 如申請專利範圍第3項之濺鍍靶，其係維氏（ Vickers )硬度爲4 8 0以上。 -22-