201213955 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明，係有關於採用橫電場驅動方式之液晶顯示裝 置及其製造方法，以及液晶顯示裝置用電極基板。 【先前技術】 從先前起，便提案有各種之在液晶顯示裝置中的驅動 方式，但是，近年來，係提案有：對於基板而使液晶分子 在水平配向狀態下來做切換之橫向電場效應（IP S )方式 模式或者是邊緣電場效應（FFS )模式之類的橫電場驅動 方式，並且被實用化。 在採用此種橫電場驅動方式之液晶顯示裝置中，係在 被形成有薄膜電晶體（TFT )等之驅動元件的基底基板 上，例如形成由丙烯酸樹脂所成之有機保護膜而將其之表 面平坦化，並在此有機絕緣膜上形成共通電極或圖元電極 等。作爲具體性之構造，係存在有：在被平坦化後的有機 保護膜上，形成特定形狀之共通電極，並將此共通電極之 表面，藉由例如由氮化矽等所成之無機絕緣膜來作覆蓋， 再於此無機絕緣膜上形成圖元電極者。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2010-72527號公報 【發明內容】 -5- 201213955 [發明所欲解決之課題] 當如此這般而將被形成在有機保護膜上的共通電極作 覆蓋而形成無機絕緣膜的情況時，無機絕緣膜，係成爲從 共通電極上而涵蓋有機保護膜之表面地來連續性地形成。 而，在此種構成中，會有被形成在有機保護膜之表面上的 無機絕緣膜產生剝離的情況之問題。關於其原因，係得知 了，是因爲例如在形成由氮化矽所成之無機絕緣膜時，在 此無機絕緣膜之有機保護膜側的表面上形成有氧化膜之 故。亦即是，係得知了 ：會由於無機絕緣膜和被形成於其 表面上之氧化膜間的應力差，而在無機絕緣膜和氧化膜間 的介面處產生剝離。 而，本案發明者，在反覆進行了努力硏究之後，其結 果，係發現了：此氧化膜，係爲由於從有機保護膜所放出 之氣體成分的影響所形成者。 本發明，係爲有鑑於此種事態而進行者，其目的，係 在於提供一種能夠對於被形成在有機保護膜之表面上的無 機絕緣膜之剝離作抑制的液晶顯示裝置及其製造方法，以 及液晶顯示裝置用電極基板。 [用以解決課題之手段] 本發明之液晶顯不裝置’係具備有挾持著液晶而作對 向配置之一對的基板，該液晶顯示裝置，其特徵爲：前述 一對的基板中之其中一方的基板，係具備有：被設置在前 述液晶側之面的圖元區域處之薄膜電晶體；和至少於其之 -6 - 201213955 上層處而具備有覆蓋前述薄膜電晶體之由丙烯酸系樹脂所 成的有機保護膜之保護絕緣膜：和被形成在該有機保護膜 上之共通電極；和由無機絕緣材料所成，並覆蓋前述共通 電極地被作設置之無機絕緣膜；和被形成在前述無機絕緣 膜上之圖元電極，前述無機絕緣膜，係由包含有氧之矽化 合物所形成。 於此，作爲本發明之理想實施形態，係可列舉出：前 述包含有氧之砂化合物，係爲SiOx或者是SiON。 本發明之液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝 置，係具備有挾持著液晶而作對向配置之一對的基板，該 液晶顯示裝置，其特徵爲：前述一對的基板中之其中一方 的基板，係具備有：被設置在前述液晶側之面的圖元區域 處之薄膜電晶體；和至少於其之上層處而具備有覆蓋前述 薄膜電晶體之由丙烯酸系樹脂所成的有機保護膜之保護絕 緣膜；和被形成在該有機保護膜上之共通電極；和由無機 絕緣材料所成，並覆蓋前述共通電極地被作設置之無機絕 緣膜；和被形成在前述無機絕緣膜上之圖元電極，該液晶 顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具備有：無機絕緣膜形 成工程，係在覆蓋前述薄膜電晶體地而形成前述有機保護 膜，並接著形成共通電極之後，一面導入包含有矽以及氧 之成膜氣體，一面形成前述無機絕緣膜。 於此，較理想，在前述無機絕緣膜形成工程中，基板 溫度係爲1 5 0〜2 5 0 °C。此係因爲，若成爲此範圍，則能 夠更加對於膜之剝離作抑制之故。 201213955 本發明之液晶顯示裝置用電極基板，係具備有：被設 置在液晶側之面的圖元區域處之薄膜電晶體；和至少於其 之上層處而具備有覆蓋前述薄膜電晶體之由丙烯酸系樹脂 所成的有機保護膜之保護絕緣膜；和被形成在該有機保護 膜上之共通電極；和由無機絕緣材料所成，並覆蓋前述共 通電極地被作設置之無機絕緣膜；和被形成在前述無機絕 緣膜上之圖元電極，該液晶顯示裝置用電極基板，其特徵 爲：前述無機絕緣膜，係由包含有氧之矽化合物所形成。 [發明之效果] 若依據本發明，則能夠對於被形成在有機保護膜之表 面上的無機絕緣膜之剝離有效地作抑制。故而，係能夠將 液晶顯示裝置之信賴性或耐久性提昇。 【實施方式】 以下，針對本發明之其中一種實施形態，參考圖面而 作說明。 如圖1中所示一般，本發明之液晶顯示裝置I，係具 備有：如同後述一般地被形成有圖元電極或薄膜電晶體 (TFT)等之電極基板1、和被與此電極基板1相對向地 作配置並且被形成有彩色濾光片或者是黑矩陣之濾光基板 2。未圖示之液晶層，係經由此些之電極基板1和濾光基 板2而被作挾持。另外，液晶層，係藉由在濾光基板2之 周邊部而被塗布爲環狀的未圖示之密封材，而被作固定， • 8 - 201213955 並構成爲被密封在電極基板1和濾光基板2之間。又’在 電極基板1之外側（與液晶層相反側），係被設置有背光 3。在電極基板1和背光3之間，以及濾光基板2之外側 (與液晶層相反側），係分別被設置有偏光板4。 於此，在電極基板1處，被輸入有閘極訊號之閘極線 11，係以特定間隔而被設置有複數根。又，在電極基板1 處，在與閘極線11之延伸設置方向略正交的方向上而延 伸並且被輸入有資料訊號之源極線12，係被並排設置有 複數根。亦即是，各閘極線1 1，係延伸存在於圖1中之X 方向上，並在y方向上相互分離地被作並排設置。又，各 源極線12，係延伸存在於圖1中之y方向上，並在X方 向上相互分離地被作並排設置。而，藉由此些之閘極線 1 1和源極線1 2所包圍的略矩形狀之區域，係分別構成顯 示圖元（圖元區域）。亦即是，圖元區域，係在電極基板 1上以矩陣狀而作配置。在各圖元區域處，係被設置有作 爲開關元件而起作用之薄膜電晶體（TFT ) Tr，並且係被 設置有透過此薄膜電晶體Tr而被施加有電壓並且在液晶 層處而使電場產生之圖元電極P。 另外，各閘極線1 1以及各源極線1 2，係在其中一端 處而超越未圖示之密封材地作延伸存在，並被與未圖示之 驅動1C的各輸出端子作連接。 以下，使用圖2，針對被設置在電極基板1處之各圖 元區域的電極構造作詳細說明。如圖2中所示一般，構成 電極基板1之基底基板21，係由周知之絕緣性基板（例 -9 - 201213955 如玻璃基板等）所成，在基底基板21之表面上，係被形 成有用以對於從基底基板21所朝向薄膜電晶體Tr之Na (鈉）或者是K (鉀）等之離子的擴散作抑制之擴散防止 層22。作爲擴散防止層22，係可使用在氮化矽層上形成 有氧化矽層所成之層積構造膜。 而，薄膜電晶體Tr，係被形成在此擴散防止層22 上。具體而言，首先，係在擴散防止層22上，形成例如 由多晶矽等之多結晶半導體所成的半導體層23。在半導 體層23之上層處，係覆蓋半導體層23地而被形成有閘極 絕緣膜24 »在閘極絕緣膜24上，係在與半導體層23相 對向之位置處而被形成有閘極電極31。閘極電極31，係 經由上述之閘極線1 1所構成（參考圖1 )。閘極絕緣膜 24，係爲了確保此閘極電極3 1和半導體層23之間的絕緣 性所設置者。進而，在閘極電極3 1上，係覆蓋閘極電極 3 1地而被形成有層間絕緣膜2 5。 在此層間絕緣膜25上之與半導體層23相對向的區域 處，係被形成有汲極電極32以及源極電極33。源極電極 33，係經由上述之源極線12所構成（參考圖1)。源極 電極3 3以及汲極電極3 2，係被埋入至配線孔5 1中。配 線孔5 1，係在圖2中之閘極電極31的兩外側處，貫通層 間絕緣膜25以及閘極絕緣膜24地被設置。被埋入至配線 孔5 1中之源極電極3 3以及汲極電極3 2，係分別被與半 導體層23作連接。另外，雖省略圖示，但是，在半導體 層23之挾持閘極電極31的兩側處，係存在著被摻雜有磷 -10- 201213955 或者是硼之摻雜層’源極電極33以及汲極電極32，實際 上係被與此摻雜層作連接。 亦即是，經由此些之閘極電極31、源極電極33以及 汲極電極32還有半導體層23，而構成液晶顯示裝置I中 之作爲各圖元之開關元件而起作用的薄膜電晶體Tr。 進而，在構成薄膜電晶體之源極電極33以及汲極電 極32上，係被形成有由無機保護膜26和有機保護膜27 所成並對於電晶體作保護之保護絕緣膜。無機保護膜 26，例如係由氮化矽所成，有機保護膜27，係由丙烯酸 系樹脂所成。另外，有機保護膜27，不僅是對於薄膜電 晶體Tr作保護，而亦發揮有將電極基板1之表面平坦化 的功能。 在此有機保護膜27上，係被設置著施加有在全部之 圖元區域而爲共通的基準電壓之共通電極41。此共通電 極41，係在有機保護膜27上而被圖案化爲特定之形狀。 亦即是，共通電極41，係並非爲被形成在有機保護膜27 之全面上，有機保護膜27之表面的一部分係露出。在共 通電極41上，係被設置有身爲無機絕緣膜之電容絕緣膜 42，並進而在電容絕緣膜42上，被設置有例如梳齒狀之 圖元電極43 (圖1中之P)。電容絕緣膜42，係具備有 光透過性，並將共通電極41完全作覆蓋地而作設置。亦 即是，電容絕緣膜42,係從共通電極41上起而一直連續 性地被設置至有機保護膜27之表面處。 另外，在本實施形態中，被圖元電極43和共通電極 -11 - 201213955 41所挾持之電容絕緣膜42，係成爲作爲電容器來起作 用。藉由此’係成爲不需要另外設置用以作爲電容器之電 極。 此些之共通電極41以及圖元電極43，係經由透明導 電材料所形成。作爲透明導電材料，在本實施形態中，係 使用ITO，但是’係並非被限定爲ITO，亦可使用周知之 透明導電膜，例如使用氧化鋅系透明導電膜等。 又，在電容絕緣膜42以及保護絕緣膜28處，係被形 成有將該些作貫通並且使汲極電極32之表面作露出的 TFT接觸孔52»而，圖元電極43，係在此TFT接觸孔52 中亦被連續性地形成，並在TFT連接孔52內而與汲極電 極3 2作連接。 在此種構成之液晶顯示裝置I中，若是在閘極電極 3 1處被輸入有薄膜電晶體Tr之閘極訊號，則資料訊號係 透過源極電極33以及汲極電極32而被傳輸至圖元電極 43處。而後，經由因應於資料訊號而在圖元電極43和共 通電極41之間所產生的電場（橫電場），來使液晶分子 之配列方向改變。 另外，如同上述一般，電容絕緣膜42，係一直連續 性地被設置至有機保護膜27之表面處，但是，由於有機 保護膜27上之電容絕緣膜42係容易剝離，因此，有需要 對此作抑制。電容絕緣膜剝離之原因，可以想見，係在 於，在形成電容絕緣膜時，有機保護膜27中的例如碳酸 等中所包含之氧會析出，並會由於該氧而形成氧化膜，而 -12- 201213955 該氧化膜與電容絕緣膜之間的應力係爲相異之故。 因此，在本發明中，電容絕緣膜42，係設爲由包含 有氧之矽化合物所成者。藉由形成此種由包含有氧之矽化 合物所成的膜，就算是例如從有機保護膜27而擴散有 氧，亦由於電容絕緣膜42本身即已包含有氧，因此，並 不會形成性質相異之2個膜，而並不會發生起因於應力之 差異所造成的剝離。亦即是，在先前技術中，雖會由於氧 之擴散，而在電容絕緣膜42中形成包含有氧之層和並不 包含有氧之層，而在此2層間產生起因於應力之差異所發 生的電容絕緣膜之剝離，但是，在本實施形態中，就算是 氧作了擴散，電容絕緣膜42亦仍係成爲1個的膜，而能 夠對於此種剝離作抑制。作爲此種電容絕緣膜42，係可 列舉出SiON膜或者是SiOx膜。 本實施形態中之電容絕緣膜42，係如同下述一般而 形成。 在基底基板21上，形成擴散防止層22〜有機保護膜 27，之後，形成成爲共通電極41之共通電極膜。之後， 將共通電極膜圖案化爲特定之形狀，而形成共通電極 41 〇 接著，在共通電極41上，形成由包含有氧之矽化合 物所成的電容絕緣膜42。作爲成膜方法，係可列舉出： 將包含有氧和矽之成膜氣體導入至成膜室內，並藉由化學 氣相成長法來進行成膜。作爲在化學氣相成長法中所使用 之成膜裝置，係可列舉出周知之CVD成膜裝置，但是’ -13- 201213955 在本實施形態中，係使用：使被載置有基板之平板成爲第 1電極，並且一面在其與身爲和此第1電極相對向之平行 平板電極的第2電極之間施加高頻’ 一面導入成膜氣體， 而進行成膜之高頻CVD裝置，來進行成膜。 成膜氣體，係爲至少包含有矽以及氧者，而亦可將2 種以上的氣體作導入。在本實施形態中，係將包含矽之氣 體以及包含氧之氣體分別作導入。作爲包含矽之氣體，係 可列舉出單矽烷（SiH4 )、四乙氧矽烷（TEOS )等。 又，作爲包含氧之氣體，係可列舉出氧（〇2)氣、二氧化 氮（N20 )氣體。另外，當將二氧化氮氣體使用在成膜氣 體中的情況時，在所得到之膜中，係成爲更進而包含有 氮。 又，亦可進而作爲成膜氣體而導入包含有氮之氣體》 作爲包含氮之氣體，係可列舉出氨（NH3)氣、氮（n2 ) 氣體。進而，在成膜氣體中，係亦可作爲稀釋氣體而包含 有氬（Ar)氣、氦（He)氣。 當作爲電容絕緣膜42而形成SiON膜的情況時，作 爲成膜氣體，係將包含氧之氣體和包含矽之氣體以及包含 氮之氣體導入至成膜室中。作爲成膜條件，係以滿足以下 之條件爲理想。 基板溫度：150〜250 °C，較理想爲180〜230 °C。 成膜室內壓力：100〜350Pa未滿
RF功率：0.5〜5.0KW (基板電力密度：0·07〜0.75W -14- 201213955 第1電極-第2電極間距離（略一致於基板與第2電 極距離）：10〜30mm
SiH4 氣體：1〇〇 〜800sccm NH3 氣體：〇〜3 000sccm N2 氣體：3000 〜20000sccm N20氣體：較0更多，5000sCCm以下 又，當形成SiOx膜的情況時，較理想，係以下述之 條件來進行成膜。 基板溫度：150〜250 °C，較理想爲180〜230 °C。 成膜室內壓力：1〇〇〜3 50Pa未滿
RF功率：0.5〜5.0KW (基板電力密度：0.07〜0.75W / cm2 ) 平行平板電極間距離：10〜30mm SiH4 氣體：1 00〜800sccm N2O 氣體'· 5000 〜20000sccm Ar 氣體：0〜20000sccm 更進而，當並不使用SiH4氣體而是使用TEOS來形 成SiOx膜的情況時，較理想，係以下述之條件來進行成 膜。 基板溫度：1 5 0〜2 5 0 °C，較理想爲1 8 0〜2 3 0 °C。 成膜室內壓力：100〜3 5 0Pa未滿 RF功率：0.5〜5.0KW (基板電力密度：〇·〇7〜0.75W / cm2 ) 平行平板電極間距離：10〜30mm -15- 201213955 TEOS * 50~ 500sccm 〇2 氣體：1000 〜25000sccm 針對上述各成膜條件，於以下作說明。 若是基板溫度超過各上述範圍，則會超過有機保護膜 27之耐熱溫度，又，若是基板溫度低於各上述範圍，則 化學反應之速度會降低，膜的緻密性係會降低。故而，係 以將基板溫度設爲上述範圍內爲理想。 若是成膜室內壓力落在各上述範圍之外，則膜厚分佈 會降低，又，在成膜室內之放電狀態會成爲不安定。故 而，係以將成膜室內壓力設爲上述範圍內爲理想。 若是施加超過各上述範圍之RF功率，則會有對於有 機保護膜27以及共通電極41而造成損傷的情況，又，若 是施加較各上述範圍更低之RF功率，則成膜速度係會降 低，並且化學氣相反應性亦會降低，因此所得到之膜的絕 緣性、阻障性會降低。故而，係以將RF功率設爲上述範 圍內爲理想。 若是平行平板電極間距離超過各上述範圍，則膜厚分 佈會降低。又，若是平行平板電極間距離較各上述範圍更 近，則會有對於有機保護膜27以及共通電極41而造成損 傷的情況。故而，係以將平行平板電極間距離設爲上述範 圍內爲理想。 當導入SiH4氣體的情況時，若是SiH4氣體流量超過 各上述範圍，則膜中之矽濃度係增加’膜的透過率會減 少，並且絕緣耐性會降低。又’若是SiH4氣體較各上述 16- 201213955 範圍更少，則成膜速度會降低。故而，係以將SiH4氣體 流量設爲上述範圍內爲理想。 當導入TEOS的情況時，若是TEOS流量超過各上述 範圍，則其之與含有氧之氣體中的氧之反應係並不會充分 進行，而絕緣耐性係降低。另一方面，若是將TEOS導入 較各上述範圍而更少，則成膜速度會降低。故而，係以將 TEOS流量設爲上述範圍內爲理想》 在導入含有氮之氣體（NH3氣體或者是N2氣體）的 情況時，若是含有氮之氣體的流量超過各上述範圍，則氮 量會過多，而使緻密性降低，並且，其與氧化膜間之應力 會變大。又，若是含有氮之氣體的流量低於各上述範圍， 則氮含有量會過少，光透過性係降低。又，當導入N2氣 體的情況時，若是導入低於上述範圍之量，則絕緣耐性會 降低。故而，係以設爲上述範圍內爲理想。 若是包含有氧之氣體（N2〇氣體、〇2氣體）的流量 超過各上述範圍，則成膜速度係降低。特別是，若是02 氣體流量超過上述範圍，則會將基底層灰化，並造成損 傷。又，若是包含有氧之氣體的流量低於各上述範圍，則 氧量係會不足，而無法成膜由包含有所期望之氧的矽化合 物所成之膜’並起因於此而無法對於電容絕緣膜之剝離作 抑制。故而，係以設爲上述範圍內爲理想。 又，當導入Ar氣體的情況時，若是Ar氣體流量超過 上述範圍，則成膜速度會降低，而使生產性降低，並且， 會將共通電極41作濺鍍。另一方面，若是Αγ氣體流量低 -17- 201213955 於上述範圍，則膜厚分佈係降低。故而，係以設爲上述範 圍內爲理想。 [實施例] 以下，藉由實施例，針對本實施形態之液晶顯示裝置 作更詳細之說明。 對於在薄膜電晶體Tr上形成了無機保護膜26之基底 基板，藉由旋轉塗布法而塗布感光丙烯酸樹脂，並藉由曝 光機而進行曝光，來顯像成所期望之接觸孔圖案，而形成 由厚度2# m之丙烯酸系樹脂所成的有機保護膜27。接 著，作爲共通電極，藉由濺鍍法來製作厚度O.l^m之 ITO膜，之後，以使其成爲所期望之形狀的方式來進行圖 案化，而得到共通電極4 1。 接著，藉由表1中所示之條件而形成了電容絕緣膜 42。之後，藉由蝕刻來製作TFT接觸孔52，並以厚度〇.1 V m來形成作爲圖元電極43之ITO膜，而得到電極基板 1。對於在所得到的電極基板1處之電容絕緣膜4 2的剝離 作了調查。將其結果配合表1而作展示。 同樣的，藉由表1中所記載之條件，而製作實施例2 〜2 1 ’並對於電容絕緣膜42之剝離作了調查。將其結果 配合表1而作展示。 另外’在電容絕緣膜42之剝離的結果中，◎係代表 並無法確認到剝離的狀態’〇係代表幾乎沒有剝離，並且 作爲裝置並不會有問題之狀態，△係代表雖然產生有一部 -18- 201213955 分之剝離，但是作爲裝置並不會有問題之狀態，X係代表 產生有剝離（作爲裝置並不會有問題）的狀態。 (比較例） 作爲比較例，以表1之比較例1中所記載之條件而製 作了並不包含氧之電容絕緣膜，除此之外，藉由與實施例 1相同之條件而製作了電極基板。 -19" 201213955 剝離 < 〇 ◎ ◎ ◎ 〇 < < 〇 ◎ ◎ ◎ Ο < <1 Ο ◎ ◎ ◎ Ο < X 成膜時間1 (sec) 8 04 ο 8 o s 8 CM 1 〇 8 8 CSI § § S § s s s s 3 s § s s s Ar (seem) 15000 15000 '15000 I_ I 15000 I 15000 L15000 15000 〇2 (seem) 10000 10000 10000 10000 10000 1 10000 10000 ! n2o (seem) 1_ ；10000 j 10000 10000 10000 10000 10000 10000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 0 ! n2 (seem) 1_ 10000 10000 I _I | 10000] 10000 ； 10000 10000 ； 10000 i _I 10000 ! NH3 (seem) 1_ 1 I 1 震 I 震 5000 2000 ! TEOS (seem) ο s 0 另 I I 1 8 CO S1H4 (seem) i 1 0 1 1 8 CO g CO 〇 ίο 0 s 1 § § § i 電極間 距離 (mm) s s s 8 a 8 a a s s 8 8 a s a a 8 a RF功率 (KW) CO CO CO CO CO CO CO CO ¢0 CO CO CO CO CO CO CO CD CO CO CO CO CO 壓力 (Pa) i I I § 1 I i 1 1 1 i 0 a 8 CM 1 8 CM 〇 s i § 1 § I 基板酿 (°C) 7— s 1— § 1 1 § s CM s § 1 1 s CM S CM •r* s s 1 1 1 1 1 m 卿 m SiOxMTEOS 系） SiOxMTEOS SiOxSiCTEOS ?g) SiOxMTEOS 系） SiOxMTEOS SiOx^CTEOS^) SiOxMTEOS 系） SiOxSKSiH,^) SiOxiEsH 系） SiOxMSiH* 系） 「SiOxJKSH 系） 丨 SiOxMSH 系） s ! ω SiOxMSiH^S) SON膜 SiON 膜 aON膜 SiON 膜 SiON 膜 SiON 膜 SiON 膜 SiNx膜 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 實施例14 實施例15 實施例16 實施例17 實施例18 實施例19 實施例20 實施例21 比較例1 -20- 201213955 如同表1中所記載—般’當形成了作爲比較例1之由 SiN所成之膜的情況時，雖然能夠作爲裝置來使用，但是 係產生有剝離。 又，如同表1中所記載一般，當將包含有氧之膜作爲 電容絕緣膜42而形成了的情況時，在所有例子中均相較 於比較例1的情況而更加對於剝離作了抑制。特別是，當 將基板溫度設爲了 150〜250 °C的情況時，係幾乎不會確 認到剝離，並且’當將基板溫度設爲了 1 8 〇〜2 3 0 °C的情 況時，係並未產生有剝離。 如同以上所述一般，作爲電容絕緣膜42，藉由形成 由包含有氧之砂化合物所成之絕緣膜，係能夠對於電容絕 緣膜42之剝離作抑制。 本發明之實施型態，係並不被限定於上述之實施型 態。例如，關於所導入之成膜氣體等，係並不被限定於上 述之氣體。 [產業上之利用可能性] 本發明，係有關於液晶顯示裝置及其製造方法以及液 晶顯不裝置用電極基板，而能夠利用在液晶顯示裝置之製 造產業的領域中。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]對於其中一種實施形態之液晶顯示裝置的槪略 構成作展示之圖。 -21 - 201213955 [圖2]對於其中一種實施形態之液晶顯示裝置的圖元 區域之槪略構成作展示之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :電極基板 2 :濾光基板 3 :背光 4 :偏光板 1 1 :閘極線 1 2 :源極線 2 1 :基底基板 2 2 :擴散防止層 23 :半導體層 24 :閘極絕緣膜 2 5 :層間絕緣膜 26 :無機保護膜 27 :有機保護膜 28 :保護絕緣膜 3 1 :閘極電極 3 2 :汲極電極 3 3 :源極電極 4 1 :共通電極 42 :電容絕緣膜 4 3 :圖兀電極 -22- 201213955 5 1 :配線孔 52 : TFT接觸孔 Tr :薄膜電晶體