TW201213140A - Thermally releasable sheet-integrated film for semiconductor back surface, method of collecting semiconductor element, and method of producing semiconductor device - Google Patents

Thermally releasable sheet-integrated film for semiconductor back surface, method of collecting semiconductor element, and method of producing semiconductor device Download PDF

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TW201213140A
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Naohide Takamoto
Goji Shiga
Fumiteru Asai
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Nitto Denko Corp
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Description

201213140 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種具備半導體背面用膜的結合有熱脫離 片之半導體背面用膜。該半導體背面用膜係用於保護諸如 • 半導體晶片之半導體元件背面、提高其背面強度及其類似 、 目的。本發明亦關於一種收集半導體元件之方法及一種製 造半導體裝置之方法’各使用該結合有熱脫離片之半導體 背面用膜。 【先前技術】 最近，半導體裝置及其封裝已愈來愈需要薄化及小型 化。因此，已廣泛利用藉助於覆晶接合（nip chip b〇nding) 將諸如半導體晶片之半導體元件安裝（覆晶式連接）於基板 上的覆晶型半導體裝置作為半導體裝置及其封裝。在此覆 曰曰式連接中，半導體晶片係以該半導體晶片之電路面與基 板之電極形成面相對的形式固著於基板上。在此種半導體 裝置或其類似裝置中，可能存在半導體晶片背面用保護膜 保護以防止半導體晶片損壞的情況或其類似情況（參見專 利文件1至1 〇)。 然而’為了用保護膜保護半導體晶片背面，應增添將保 • 護膜附著於由切晶步驟所獲得之半導體晶片背面的新步 驟m起㈣數目增加及製造成本上升及其類似現 象。為了降低製造成本，已開發出一種結合有切晶帶之半 導體月面用膜。該結合有切晶帶之半導體背面用膜包含在 基底材料上提供有壓敏性黏著層之切晶帶及提供於該切晶 157761.doc 201213140 帶之該壓敏性黏著層上的覆晶型半導體背面用膜。在製造 半導體裝置時，以下文方式使用此結合有切晶帶之半導體 背面用膜。首先，將半導體晶圓附著於該結合有切晶帶之 半導體背面用膜的半導體背面用膜上。接著將所得半導體 晶圓切成半導體元件。在使各半導體元件隨半導體背面用 膜一起自切晶帶之壓敏性黏著層釋放且加以拾取之後，將 半導體元件覆晶式連接於諸如基板之黏附體上。以此方式 可獲得覆晶型半導體裝置。 專利文件 1 : JP-A-2008-166451 專利文件 2: JP-A-2008-006386 專利文件 3 : JP-A-2007-261035 專利文件4 : JP-A-2007-250970 專利文件 5 : JP-A-2007-158026 專利文件 6 : JP-A-2004-221169 專利文件 7: JP-A-2004-214288 專利文件 8 : JP-A-2004-142430 專利文件 9: JP-A-2004-072108 專利文件 10 : JP-A-2004-0635 51 然而，在上述結合有切晶帶之半導體背面用膜的情況 下’當壓敏性黏著層與半導體背面用膜之間的緊密黏著性 較高時，拾取半導體元件會變得困難，且在極端情況下’ 有時候會引起製造損耗。 【發明内容】 考慮到上述問題，構成本發明。本發明之一個目標為提 157761.doc ⑧ 201213140 供-種當將半導體元件隨半導體f面用膜—起拾取時有利 於半導體元件自半導體背面用膜釋放且從而可在製造半導 體裝置時提高製造良率及製造效率的結合有熱脫離片之半 導體背面用-種收集半導體元件之方法；&一種製造 半導體裝置之方法。 為了解決上述問題，本發明人已進行了研究。結果發現 可藉由採用以下構造來克服該問題，從而達成本發明。 亦即，本發明提供一種結合有熱脫離片之半導體背面用 膜（下文中可稱為「結合型半導體背面用膜」），其包含： 包含基底材料層及壓敏性黏著層之壓敏性黏著片，及形成 於該壓敏性黏著片之該壓敏性黏著層上的半導體背面用 膜，其中該壓敏性黏著片為熱脫離性壓敏性黏著片，其自 該半導體背面用膜剝離之力在加熱時減小。 虽使用結合型半導體背面用膜時，由於壓敏性黏著片為 熱脫離性壓敏性黏著片（在下文中其將稱作「熱脫離 片」）’其自半導體背面用膜剝離之力在加熱時減小，因 此僅在拾取半導體元件之前加熱結合型半導體背面用膜便 可使熱脫離片與半導體背面用膜之間產生可剝離性，從而 達成良好的拾取特性。另外，剝離力減小可僅藉由簡單處 理（亦即，加熱）來達成，以便減低製造半導體裝置之製造 成本或繁瑣步驟。 壓敏性黏著層較佳包括熱膨脹層，其含有可在加熱時膨 脹之熱膨脹微球體。藉由使用此種構造，例如在拾取半導 體元件時使用此種構造，熱膨脹微球體僅因加熱而膨脹， 157761.doc 201213140 從而使得壓敏性黏著層之表面不平坦。由此形成之不平坦 性具有使壓敏性黏著層與半導體背面用膜分離的作用且兩 者之間的緊密黏著性（剝離力）降低。結果，可達成良好的 可剝離性。如本文所用之術語「壓敏性黏著層」意謂涵蓋 僅由熱膨脹層構成之壓敏性黏著層的概念。 壓敏性黏著層較佳進一步包括形成於熱膨脹層上及形成 於熱膨脹層與半導體背面用膜之間的非熱膨脹性黏附層。 使用此種構造可防止在熱膨脹微球體因加熱而膨脹時所產 生之微污染物（諸如氣體或有機物）轉移於半導體背面用膜 上而污染該半導體背面用膜^若製造半導體裝置時不移除 來源於熱膨脹微球體、轉移於半導體背面用膜且存留於其 上之污染物，則半導體元件背面（半導體背面用膜表面）外 觀或雷射可標記性有時會變差。使用上述結合型半導體背 面用膜可防止來源於熱膨脹層之污染物轉移於半導體背面 用膜上，因此可防止半導體元件背面外觀或雷射可標記性 變差。 當熱膨脹微球體之熱膨脹起始溫度為1〇〇1或大於l〇(rc 時，可防止熱膨脹微球體發生不希望有之膨脹現象（此現 象不然將會在製造半導體裝置時之拾取步驟之前由於施加 於結合有熱脫離片之半導體背面用膜的熱而發生），從而 有助於半導體裝置之有效製造。 當熱膨脹微球體顯示5倍或大於5倍之體積膨脹時，可顯 著降低熱脫離片之壓敏性黏著層與半導體背面用膜之間的 緊密黏著性，以進一步增強可釋放性及進一步改良拾取特 157761.doc ⑧ 201213140 性。 塵敏性黏著片庫交^去；佳__丰+ # a 佳進一步在基底材科層與熱膨脹層之間 包㈣膠狀有機彈性層。具有橡膠狀有機彈性層之壓敏性 著片可進v增強熱膨脹層在受熱時之膨服可控制性。 另外，其可使熱膨張層沿厚度方向而非表面方向耗，而 形成具有極佳均一厚度的膨脹層 甚至在熱膨脹層膨脹之 因此可防止壓敏性 後，橡膠狀有機彈性層接納不平坦性 黏者層脫離基底材料。 本發明亦提供—種收集半導體元件之方法，其包含：將 半導體晶圓附著於上述結合有熱脫離片之半導體背面用膜 的半導體背面用膜上；切割該半導體晶圓以形成半導體元 件；加熱該結合有熱脫離片之半導體背面用膜；及使該半 導體元件隨該半導體背面用膜一起自該熱脫離片之該麼敏 性黏著層釋放。 因此’在切割半導體晶圓時❹結合有熱脫離片之半導 體背面用膜作為固著半導體晶圓的構件因切晶時該膜牢固 地附著於半導體晶圓而能夠對半導體晶圓實現準確無誤的 切割，且同時’由於在收集半導體元件時剝離力因：熱、而 降低，因此可容易地使壓敏性黏著片與半導體背面用膜分 離。因此可容易又有效地收集經由將半導體晶圓分成半^ 體元件所獲得的半導體元件。 本發明此外提供一種製造半導體裝置之方法，其包含將 利用上述半導體元件收集方法所收集之半導體元件覆晶式 連接於黏附體上。 I57761.doc 201213140 在製造方法中’將結合有熱脫離片之半導體背面用膜附 著於半導體晶圓背面，因此不需要單獨附著半導體背面用 膜之步驟（附著半導體背面用膜之步驟）。另外，由於結合 有熱脫離片之半導體背面用膜之加熱步驟可改良壓敏性黏 著片與半導體背面用膜之間的可釋放性，因此可容易地拾 取半導體元件。此外’在切割半導體晶圓或拾取利用切割 所獲得之半導體元件時，半導體晶圓或半導體元件之背面 係用半導體背面用膜保護，因此可防止其損壞或其類似現 象。因此，可在提高製造良率的同時製造覆晶型半導體裝 置。 本發明之結合有熱脫離片之半導體背面用膜具備能夠僅 藉由在半導體元件拾取步驟之前加熱該結合有熱脫離片之 半導體背面用膜而降低壓敏性黏著片與半導體背面用膜之 間的剝離力的熱脫離片，因此其可呈現良好的拾取特性且 提高製造效率。此外，由於作為切晶帶之壓敏性黏著片與 覆晶型半導體背面用膜係整體地形成，因此可提供結合型 半導體背面用膜用於將半導體晶圓切成個別半導體元件之 切晶步驟及隨後執行的拾取步驟。因此不需要單獨附著半 導體背面用膜之步驟（附著半導體背面用膜之步驟）。此 外’在切晶步驟或隨後執行的拾取步驟中，附著於半導體 晶圓背面或經由切晶所形成之半導體元件背面的半導體背 面用膜保護半導體晶圓或半導體元件且抑制或防止該元件 損壞。 在使半導體元件接合於基板或其類似物之後，覆晶型半 157761.doc 201213140 導體背面賴可呈現其保護半導體元件背面之功能。 此外，根據本發明之半導體元件收集方法及半導體裝置 製造方法，因為結合有熱脫離片之半導體背面用膜附著於 半導體晶圓背面，所以不需要單獨附著半導體背面用膜之 步驟。另夕卜’在拾取半導體元件時，僅藉由熱處理便可改 良壓敏性黏著片自半導體背面用膜之可釋放性，以使得半 導體元件與半導體背面用膜可以結合型形式來收集而無需 提供另-步驟。此外，在切割半導體晶圓或拾取經由切晶 所獲得之半導體元件時，可防Α用半導體背面用膜保護之 半導體晶圓或半導體元件之背面發生損壞或其類似現象。 因此’可在提高製造良率的同時有效製造覆晶型半導 置。 【實施方式】 接著將參考圖i及圖2描述本發明之實施例，但本發明不 揭限於或不受限於此等實施例。圖】為顯示本發明實施例 之結合有熱脫離片之半導體背面用膜的一個實例之橫截面 示意圖且圖2為顯示本發明實施例之結合有熱脫離片之半 導體背面用膜的另—實例之橫戴面示意圖。順便提及，在 其中所示之圖式十，不需要說明的部分可省略且有些部分 可被放大、縮小或以其類似方式顯示以便於說明。 (結合有熱脫離片之半導體背面用膜） 如圖1中所示，結合有熱脫離片之半導體背面用m(下 文中有時亦稱為「結合有熱脫離片之半導體背面保, 膜」、「具有熱脫離片之半導體背面用膜」或「具有熱脫離 157761.doc 201213140 片之半導體背面保護膜」）包括含有基底材料31及提供於 基底材料31上之壓敏性黏著層32的壓敏性黏著片3，及提 供於壓敏性黏著層32上之覆晶型半導體背面用膜2(下文中 有時稱為「半導體背面用膜」或「半導體背面保護 膜」結合有熱脫離片之半導體背面用膜丨使用熱脫離性 壓敏性黏著片（熱脫離片）作為壓敏性黏著片3，其介於壓敏 性黏著層32與半導體背面用膜2之間的剝離力因加熱而降 低。在本發明實施例之結合型半導體背面用膜丨中，如下 文所具體描述，壓敏性黏著層32具有含有可因加熱而膨脹 之熱膨脹微球體的熱膨脹層32a及形成於熱膨脹層32&上之 非熱膨脹性黏附層32b。 如圖1中所說明，本發明之結合有熱脫離片之半導體背 面用膜可能僅在熱脫離片3之黏附層32b的對應於半導體晶 圓附著部分之部分33上具有半導體背面用膜2，但亦可能 在黏附層32b整個表面上具有半導體背面用膜2,或可能在 大於半導體晶圓附著部分33、但小於黏附層32b整個表面 之部分上具有半導體背面用膜。半導體背面用膜2之表面 (欲附著於晶圓背面之側上的膜表面）可用隔離物或其類似 物保護直至該膜附著於晶圓背面為止。 (半導體背面用膜） 半導體背面用膜2具有膜形狀。半導體背面用膜2在結合 有熱脫離片之半導體背面用膜作為產品之實施例中通常呈 未固::狀態(包括半固化狀態)，且在結合有熱脫離片之半 導體背面用膜附著於半導體晶圓之後被熱固化（詳情如下 I57761.doc 201213140 所述）。本文中，半導體背面用膜可為單層或由複數個層 構成的層壓膜。 本發明實施例之半導體背面用膜2可使用樹脂組合物形 成。其較佳由含有熱塑性樹脂及熱固性樹脂之樹脂組合物 構成。含有熱固性樹脂之半導體背面用膜可有效呈現黏著 層之功能。此外，樹脂組合物可含有熱固化加速催化劑。 樹脂組合物可由不含熱固性樹脂之熱塑性樹脂組合物構成 或可由不含熱塑性樹脂之熱固性樹脂組合物構成。 熱塑性樹脂之實例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯 橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙 烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚 碳酸醋樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂（諸如6_耐 綸及6,6-耐綸）、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、飽和聚酯樹 脂（諸如PET(聚對苯二甲酸乙二酯）或ρΒΤ(聚對苯二曱酸丁 二酯））、聚醯胺·醯亞胺樹脂或氟樹脂。熱塑性樹脂可單獨 使用或可組合使用兩種或兩種以上。在此等熱塑性樹脂 中’離子雜質含S少、耐熱性高且能夠保證半導體元件之 可罪性的丙婦酸系樹脂特別較佳。 丙烯酸系樹脂不受特別限制’且其實例包括含有一種或 兩種或兩種以上具有直鏈或分支鏈烷基之丙烯酸酯或曱基 丙稀酉文自日作為組力的聚合物，該烧基具有個或少於3〇個 奴原子’較佳為4至18個碳原子，更佳為6至1〇個碳原子， 尤其為8或9個碳原子。亦即，在本發明中，丙烯酸系樹脂 八有亦包括f基1¾ 系樹脂的廣泛含義。烧基實例包括 157761.doc • 11 · 201213140 甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁 基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異 辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷 基（月桂基）、十三烷基、十四烷基、硬脂基（stearyl)及十 八烧基（octadecyl)。 此外，用於形成丙烯酸系樹脂之其他單體（除丙烯酸或 甲基丙烯酸之烷基酯以外的單體’其中該烷基為具有3〇個 或少於3 0個碳原子之烧基）不受特別限制，且其實例包括 含羧基之單體’諸如丙烯酸、曱基丙烯酸、丙烯酸羧乙 酯、丙烯酸缓戊醋、衣康酸（itaconic acid)、順丁稀二酸、 反丁烯二酸及丁烯酸；酸酐單體’諸如順丁烯二酸酐及衣 康酸酐；含羥基之單體，諸如（甲基）丙烯酸2·羥基乙酯、 (曱基）丙稀酸2 -經基丙醋、（曱基）丙稀酸4 -經基丁 g旨、（甲 基）丙稀酸6-經基己酯、（甲基）丙稀酸8-經基辛酯、（子基） 丙稀酸10-經基癸酯、（曱基）丙稀酸12-經基月桂酯及曱基 丙稀酸4-經基甲基環己酿；含橫酸基之單體，諸如苯乙稀 磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基）丙烯醯胺基-2-甲基丙烷磺 酸、（曱基）丙烯酿胺基丙烧續酸、（曱基）丙稀酸績丙酯及 (甲基）丙稀醯氧基萘磺酸；及含磷酸基團之單體，諸如磷 酸2-羥乙基丙烯醯酯。就此而言，（甲基）丙烯酸意謂丙烯 酸及/或甲基丙烯酸，（曱基）丙烯酸酯意謂丙烯酸酯及/或 甲基丙稀酸酯，（甲基）丙婦醯基（(meth)acryl)意謂丙稀酿 基及/或甲基丙烯醯基等，其適用於整個說明書中。 此外’除環氧樹脂及酌·樹脂以外，熱固性樹脂之實例亦 157761.doc 12- 201213140 包括胺基樹脂、不飽和聚s|樹脂、聚胺以㈣樹脂、聚 石夕氧樹脂及熱固性聚醯亞胺樹脂。熱固性樹脂可單獨使用 或可組合使用兩種或兩種以上。作為熱固性樹脂，僅含有 少量會腐財導體元件之離子雜質的環氧樹脂為適合的。 此外，酚樹脂適合用作環氧樹脂之固化劑。 環氧樹脂不受特別限制，且舉例而言，可使用雙官能環 氧树知或多g忐5哀氧樹脂，諸如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F ^環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、 氫化雙酴A型環氧樹脂、雙齡AF型環氧樹脂、聯苯型環氧 樹脂、萘型環氧樹脂、第型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環 氧樹脂、鄰甲_搭清漆型環氧樹脂、參經基苯基甲烧型 環氧樹脂及四苯酚乙烷型環氡樹脂’或諸如乙内醯脲型環 氧樹脂、參縮水甘油基異氰尿酸酯型環氧樹脂或縮水甘油 胺型環氧樹脂之環氧樹脂。 作為環氧樹脂，在上文舉例說明之彼等環氧樹脂中，較 佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、參羥基苯基 曱烷型環氧樹脂及四苯酚乙烷型環氧樹脂。此原因在於此 等環氧樹脂與作為固化劑之酚樹脂具有高反應性且耐熱性 及其類似性質優良。 此外，上述酚樹脂充當環氧樹脂之固化劑，且其實例包 括酚醛清漆型酚樹脂，諸如苯酚清漆型酚醛樹脂、笨酚芳 烷基樹脂、曱酚清漆型酚醛樹脂、第三丁基苯酚清漆型酚 越树知及壬基苯紛清漆型盼酸·樹脂；曱階型（resol type)紛 樹脂；及聚氧苯乙烯，諸如聚對氧笨乙烯。酚樹脂可單獨 157761.doc •13· 201213140 使用或可組合使用兩種或兩種以上。在此等酚樹脂中，苯 紛清漆型紛路樹脂及苯酚芳烷基樹脂特別較佳。此原因在 於可提高半導體裝置之連接可靠性。 環氧樹脂與酚樹脂之混合比例較佳應例如使得酚樹脂中 之經基以環氧樹脂組分中之環氧基當量數計為0.5當量至 2·〇當量。其更佳為〇8當量至ι 2當量。亦即，當該混合比 例超出該範圍時，固化反應不能充分進行，且環氧樹脂固 化產物之特性傾向於變差。 乂半導體走面用膜中之全部樹脂組分計，熱固性樹脂之 3量較佳為40重量％至90重量％，更佳為50重量％至9〇重 置/〇甚至更佳為60重量％至90重量％。若該含量為至少 4〇重量％，則熱固性收縮率可容易地控制為至少2體積％。 在覆晶安裝時，不使用成形樹脂囊封整個半導體封裝，而 般用稱為側填滿材料之囊封樹脂僅對黏附體與半導體元 件之間的凸塊連接部分進行囊封。若半導體背面用膜含有 上述量之樹脂’則該膜可在使囊封樹脂熱固化期間被完全 熱固化，且該膜可穩固地黏著且固著於半導體元件背面而 得到不會發生膜剝離的覆晶型半導體裝置。另一方面，若 該含量為至多90重量％，則該膜可具有撓性。 不受特別限定，熱固化加速催化劑可自已知的熱固化加 速催化劑中作適當選擇。一或多種熱固化加速催化劑在此 處可單獨或組合使用。作為熱固化加速催化劑，例如可使 用基於胺之固化加速催化劑、基於磷之固化加速催化劑、 基於咪唑之固化加速催化劑、基於硼之固化加速催化劑或 •14· I5776I.doc ⑧ 201213140 基於磷硼之固化加速催化劑。 半導體背面用膜特別宜由含有環氧樹脂及㈣樹脂之樹 脂^合物或由含有環氧樹脂、i系樹脂及丙烯酸系樹脂之 樹脂組合物形成。由於此等樹脂僅含有少量的離子雜質且 具有高耐熱性，因此可保證半導體元件之可靠性。 7重要的是’半導體背面用膜2對半導體晶圓背面（無電路 形成面）〃有黏著性（緊密黏著性）。舉例而言，在半導體背 面用膜2由含有環氧樹脂作為熱固性樹脂組分之樹脂組合 物形成的清況下’為使半導體背面用膜2預先固化至某種 权度，較佳在其製備時添加能夠與聚合物分子鏈末端之官 能基或其類似基團反應的多冑能化合物作為交聯齊4。因此 可增強高溫下之黏著特性且提高該膜之耐熱性。 半導體f面用膜對半導體晶圓之黏著力（听，18〇。剝 離角，300 mm/min之剝離速率）較佳在〇5 n/2〇 至b 獅義範圍内’更佳在0.7驗〇_至1〇職職範圍 内。若黏著力為至少0.5 N/2〇 _，則可使該膜以極佳黏 者性黏著於半導體晶圓及半導體元件且不存在膜膨膜或其 類似的黏著失效現象。另外，在切割半導體晶圓時，可防 止晶片飛出（flying _)。另—方面，若黏著力為至多Μ N/20 mm，則有利於自熱脫離片剝離。 交聯劑不受特別限制且可使用已知交聯劑。特定而士 例如，不僅可提及基於異氰酸酯之交聯劑、基於環氧美 父聯劍、〔基於三聚氰胺之交聯劑及基於過氧化物之:之 劑’而且可提及基於脲之交聯劑、基於金 ：：聯 ▽風 < 交聯 I5776l.doc 201213140 劑、基於金屬螯合物之交聯劑、基於金屬鹽之交聯劑、基 於碳化二亞胺之交聯劑、基於噁唑琳之交聯劑、基於氮丙 咬之交聯劑、基於胺之交聯劑及其類似物。作為交聯劑， 基於異氰酸酯之交聯劑或基於環氧基之交聯劑為適合的。 交聯劑可單獨使用或可組合使用兩種或兩種以上。 基於異氰酸酯之交聯劑實例包括低碳脂族多異氰酸酯， 諸如二異氰酸1，2-乙二酯、二異氰酸丨，4_丁二酯及二異氰酸 1，6·己二酯；脂環族多異氰酸酯，諸如二異氰酸環戊二 酉曰一異氰®文環己一酉曰、異氟爾酮二異氰酸醋（isophorone diisocyanate)、氫化二異氰酸伸甲苯酯及氫化二異氰酸伸 二曱苯酯；及芳族多異氰酸酯，諸如二異氰酸2,4_伸甲苯 酯、二異氰酸2,6-伸曱苯酯、4,4，_二苯基曱烷二異氰酸酯 及二異氰酸伸二甲苯酯。另外，亦使用三羥曱基丙烷/二 異氰酸伸曱苯酯三聚物加合物[商標「CqlonATE L」’ Nippon Polyurethane Industry Co” Ltd•製造]、三羥甲基丙 烧/二異氰酸己二酯三聚物加合物[商標「colonate HL」，Nippon Polyurethane industry c〇 , ud 製造]及其類 似物。此外，基於環氧基之交聯劑實例包括N，N，N，,N,_四 縮水甘油基-間二甲笨二胺、二縮水甘油基苯胺、丨，3_雙 (N，N-縮水甘油基胺基曱基）環己烷、丨，6-己二醇二縮水甘 油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙 二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二 縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油 醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚 '脫水 157761.doc 201213140 山梨糖醇聚縮水甘油醚、三羥曱基丙烷聚縮水甘油醚、己 二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘 油基-參（2-羥乙基）異氰尿酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚及 雙盼-S-二縮水甘油醚以及分子中具有兩個或兩個以上環 氧基的基於環氧基之樹脂。 交聯劑用量不受特別限制且可依據交聯程度作適當選 擇。特定而言’較佳地’以100重量份之聚合物組分（特定 言之，在分子鏈末端具有官能基之聚合物）計，交聯劑用 量通常為7重量份或小於7重量份（例如〇 05重量份至7重量 份）。以100重量份之聚合物組分計，當交聯劑用量大於7 重量份時，黏著力降低，因此此情況不佳。自提高内聚力 之觀點來看，以100重量份之聚合物組分計，交聯劑用量 較佳為〇·〇5重量份或大於0.05重量份。 在本發明中’亦可藉由用電子束、1;乂光或其類似物照 射而不使用交聯劑或聯合使用交聯劑來進行交聯處理。 半導體背面用膜較佳經著色。因此可顯現極佳的雷射標 記特性及極佳的外觀特性，且可使半導體裝置具有增值的 外觀特性。如上所述，由於經著色之半導體背面用膜具有 極佳的標記特性，因此可藉由利用多種標記法（諸如印刷 方法及雷射標記法）中的任一種方法經由半導體背面用膜 進行標記以向半導體元件或使用半導體元件之半導體裝置 之無電路側之面上賦予各種資訊，諸如文字資訊及圖形資 汛。特定言之’藉由控制著色之顏色，可觀察到由標記所 賦予之資訊（例如文字資訊及圖形資訊）具有極佳可見度。 157761.doc •17- 201213140 此外’當半導體背面用膜經著色時，熱脫離片與半導體背 面用膜彼此間可容易辨別，以便可增強可加工性及其類似 性質°此外’例如’作為半導體裝置，可藉由利用不同顏 色來對其產品分類。在半導體背面用膜經著色之情況（該 膜既非無色、亦非透明的情況）下，由著色所顯示之顏色 不受特別限制，但例如較佳為深色，諸如黑色、藍色或紅 色’且黑色尤其適合。 在本發明實施例中，深色基本上意謂具有60或小於60(0 至60)、較佳為50或小於50(0至50)且更佳為40或小於40(0 至40)之L*(以L*a*b*色空間定義）的深色。 此外，黑色基本上意謂具有35或小於35(0至35)、較佳 為30或小於3〇(〇至30)且更佳為25或小於25(0至25)之L*(以 L*a*b*色空間定義）的基於黑色之顏色。就此而言，在黑 色中，以L*a*b*色空間定義之a*及b*各自可根據L*之值作 適當選擇。舉例而言，a*與b*均在-10至10範圍内較佳， 在-5至5範圍内更佳，且在-3至3範圍内（尤其為〇或約0)進 一步較佳。 在本發明實施例中，以L*a*b*色空間定義之L*、a*及b* 可藉由用色差計（商標「CR-200」色差計，Minolta Ltd製 造）量測來測定。L*a*b*色空間為國際照明委員會 (Commission Internationale de 1'Eclairage; CIE)於 1976年 所推薦的色空間且意謂稱為CIE1976(L*a*b*)色空間之色 空間。此外，L*a*b*色空間係依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards)於JIS Z8729 中定義。 157761.doc -18- ⑧ 201213140 在著色半導體背面用膜時，可根據目標顏色使用著色 劑。作為此種著色劑’宜使用各種深色著色劑，諸如黑色 著色劑、藍色著色劑及紅色著色劑，且黑色著色劑更適 合。著色劑可為顏料及染料中之任一者。著色劑可單獨使 用或可組合使用兩種或兩種以上。就此而言，作為染料， 可使用任何形式之染料’諸如酸性染料、反應性染料、直 接染料、分散染料及陽離子染料。此外，亦就顏料而言， 其形式不受特別限制且可在已知顏料中作適當選擇及加以 使用。 特定而言，當使用染料作為著色劑時’染料變成因溶解 而均勻或幾乎均勻地分散於半導體背面用膜中之狀態，以 便可容易製造具有均勻或幾乎均勻的顏色密度之半導體背 面用膜（因此可容易製造相應的結合有熱脫離片之半導體 背面用膜）。因此，當使用染料作為著色劑時，結合有熱 脫離片之半導體背面用膜中的半導體背面用膜可具有均勻 或幾乎均勻的顏色密度且可增強標記特性及外觀特性。 黑色著色劑不受特別限制且例如宜選自無機黑色著色顏 料及黑色著色染料。此外’黑色著色劑可為著色劑混合 物，其中將青色著色劑（藍綠色著色劑）、洋紅色著色劑（紫 紅色著色劑）及黃色著色劑混合。黑色著色劑可單獨使用 或可組合使用兩種或兩種以上。當然’黑色著色劑可與除 黑色以外之顏色的著色劑組合使用。 黑色著色劑之特定實例包括碳黑（諸如爐法碳黑、槽法 石反黑、乙炔碳黑、熱碳黑或燈碳黑）、石墨、氧化銅、一 157761.doc 19 201213140 氧化錳、偶氮型顏料（諸如甲亞胺偶氮黑）、苯胺黑、茈 黑欽黑、彳匕青黑、活性炭、鐵氧體（諸如非磁性鐵氧體 或磁性鐵氧體）、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、 鉻錯合物、複合氧化物型黑色顏料及蒽醌型有機黑色顏 料。 ’ 在本發明中，作為黑色著色劑，亦可使用黑色著色染 料，諸如CI·溶劑黑3、CI.溶劑黑7、CI_溶劑黑22、CI.溶劑 黑27、CI.溶劑黑29、CI_溶劑黑34、CI.溶劑黑43、CI·溶劑 黑70、CI.直接黑17、CI.直接黑19、CI直接黑22、CI直接 黑32、CI.直接黑38、CI.直接黑51、CI_直接黑71、CI.酸性 黑1、CI.酸性黑2、CI.酸性黑24、CI_酸性黑26、CI.酸性黑 3 1、CI.酸性黑48、CI.酸性黑52、CI.酸性黑1〇7、CI.酸性 黑109、CI.酸性黑11 〇、ci.酸性黑119、CI.酸性黑154及CI. 分散黑1、CI.分散黑3、CI.分散黑10、CI.分散黑24 ;黑色 著色顏料，諸如CI.顏料黑1、ci·顏料黑7 ;及其類似物。 作為此等黑色著色劑，例如可市購商標「〇il Black BY」、商標「Oil Black BS」、商標「Oil Black HBB」、商 標「Oil Black 803」、商標「〇il Black 860」、商標「〇ii Black 5970」、商標「〇ii Black 5906」、商標「Oil Biack 5905」（Orient Chemical Industries Co.，Ltd.製造）及其類似 物。 除黑色著色劑以外之著色劑實例包括青色著色劑、洋紅 色著色劑及黃色著色劑。青色著色劑之實例包括青色著色 染料’諸如CI.溶劑藍25、36、60、70、93、95 ; CI.酸性 157761.doc 201213140 藍6及45 ’月色著色顏料，諸如CI,顏料藍j、2、3、15、 15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、i6、17、17:1、 18、22、25、56、60、63、65、66 ; C.I.堯藥 4、60 ;及 C.I.顏料綠h 此外’在洋紅色著色劑中，洋紅色著色染料之實例包括 C.1.溶劑紅 1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、 63、81、82、83、84、100、109、in、121、122 ; C.I.分 散紅9 ; C·!·溶劑紫8、13、14、21、27 ; C.I.分散紫 1 ; C.I.驗性紅 1、2、9、12、13、14、15、π、18、22、23、 24、27、29、32、34、35、36、37、38、39、40 ; C·1.鹼 性紫 1、3、7、1〇、14、15、21、25、26、27及 28。 在洋紅色著色劑中，洋紅色著色顏料之實例包括C.I.顏 料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、1〇、η、12、13、 14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、 37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、48:3、48:4、 49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、 57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、64、64:1、67、 68、81、83、87、88、89、90、92、l〇i、1〇4、105、 106、108、112、114、122、123、139、144、146、147、 149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、 176 、 177 、 178 、 179 、 184 、 185 、 187 、 190 、 193 、 202 、 206、207、209、219、222、224、238、245 ; CI.顏料紫 3、9、19、23、3 1、32、33、36、38、43、50 ; CI. ϋ 紅 1 、 2 、 10 、 13 、 15 、 23 、 29及35 ° -21 - 157761.doc 201213140 此外’黃色著色劑之實例包括黃色著色染料，諸如CI. 溶劑黃 19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、 112及162;黃色著色顏料，諸如（：1.顏料橙31、43;(：1.顏 料黃1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、13、14、15、 16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、 74、75、81、83、93、94、95、97、98、1〇〇、1〇1、 104 、 108 、 109 、 110 、 113 、 114 、 116 、 117 、 120 、 128 、 129 、 133 、 138 、 139 、 147 、 150 、 151 、 153 、 154 、 155 、 156、167、172、173、180、185、195 ; CI.甍黃 1、3 及 20 *> 各種著色劑（諸如青色著色劑、洋紅色著色劑及黃色著 色劑）分別可單獨使用或可組合使用兩種或兩種以上。就 此而言，在使用兩種或兩種以上多種著色劑（諸如青色著 色劑、洋紅色著色劑及黃色著色劑）的情況下，此等著色 劑之混合比（或摻合比）不受特別限制且可根據各種著色劑 之種類、目標顏色及其類似因素作適當選擇。 在半導體背面用膜2經著色的情況下，著色形式不受特 別限制。半導體背面用膜可例如為添加有著色劑之單層膜 狀物品。此外’該膜可為層壓膜，其中至少將由至少一種 熱固性樹脂形成之樹脂層與著色劑層疊壓在一起。就此而 言，在半導體背面用膜2為樹脂層與著色劑層之層壓膜的 情況下’呈層壓形式之半導體背面用膜2較佳具有樹脂層/ 著色劑層/樹脂層之層壓形式。在此情況下，著色劑層兩 側之兩個樹脂層可為具有相同組成之樹脂層或可為具有不 157761.doc -22· ⑧ 201213140 同組成之樹脂層。 可根據需要在半導體背面用膜2中適當地換合其他添加 劑。其他添加劑之實例包括增量劑、抗老化劑、抗氧化劑 及界面活性劑，此外包括填充劑、阻燃劑、矽烷偶合劑及 離子捕獲劑。 填充劑可為無機填充劑及有機填充劑中之任一者，但較 佳為無機填充劑。將其他填充劑（諸如無機填充劑）併入其 中可向半導體背面用臈賦予導電性，可提高該膜之導熱性 及可控制該膜之彈性。半導體背面用膜2可具導電性或無 導電性。無機填充劑包括各種無機粉末，例如陶瓷，諸如 二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鈹；金 屬’諸如紹、銅、銀、金、錄、絡、錯、錫、辞、纪、焊 料，其合金及其他碳。一或多種此等填充劑在此處可單獨 使用或組合使用。作為填充劑，較佳為二氧化矽，更佳為 嫁融二氧化石夕。無機填充劑之平均粒徑較佳在0.1 μηι至80 圍内。在本說明書中，無機填充劑之平均粒徑係用 雷射繞射粒徑分析儀測定。 X 100重量知之有機樹脂組分計’填充劑(尤其為無機填 充劑）摻合量較佳Λ sn击β ^ . 、 曰 平住马80重罝份或小於80重量份（〇重量份至8〇 重量伤）’更佳為〇重量份至7〇重量份。 阻燃劑之實例々乜_於& β 二乳化銻、五氧化二銻及溴化環氧樹 脂0阻燃劑可單猶你田斗、π ζ Α 苟使用或可組合使用兩種或兩種以上。石夕
烧偶合劑之實例包衽R 匕括β-(3,4-^氧基環己基）乙基三甲氧基 石夕烧、γ-縮水甘油氡其 孔I丙基二甲礼基矽烷及γ_縮水甘油氧 157761.doc •23· 201213140 基丙基曱基二乙氧基矽烷。矽烷偶合劑可單獨使用或可組 合使用兩種或兩種以上。離子捕獲劑之實例包括水滑石 (hydrotalcite)及氫氧化鉍。離子捕獲劑可單獨使用或可組 合使用兩種或兩種以上。 半導體背面用膜2可例如藉由利用常用方法來形成，該 方法包括將熱固性樹脂（諸如環氧樹脂）及需要時使用之熱 塑性樹脂（諸如丙烯酸系樹脂）及視情況選用之溶劑及其他 添加劑混合以製備樹脂組合物，隨後使其形成膜狀層。特 定而言，作為半導體背面用膜之膜狀層（黏著層）可例如藉 由以下方法形成·包括將樹脂組合物施加於熱脫離片之壓 敏性黏著層32上的方法；包括將樹脂組合物施加於適當隔 離物（諸如釋放紙）上以形成樹脂層（或黏著層）及接著將其 轉移（轉錄）至壓敏性黏著層32上的方法；或其類似方法。 就此而言，樹脂組合物可為溶液或分散液。 順便提及，在半導體背面用膜2由含有熱固性樹脂（諸如 環氧樹脂）之樹脂組合物形成的情況下，半導體背面用膜 在該膜施加於半導體晶圓之前的階段呈熱固性樹脂未固化 或部分固化之狀態。在此情況下，在其施加於半導體晶圓 (特定而言，通常在覆晶接合步驟中固化囊封材料時）之 後，半導體背面用膜中之熱固性樹脂完全固化或幾乎完全 固化。 如上所述’由於半導體背面用膜即使#該膜含有熱固性 樹脂時亦呈熱固性樹脂未固化或部分固化之狀態，因此半 導體背面用膜之凝膠分率不受特別限制，但例如宜選自Μ 157761.doc
•24- 201213140 重量％或小於5 0重量％(〇至5 0重量。/。）之範圍且較佳為3 〇重 量％或小於30重量❶/。（〇至30重量％)且特別較佳為1〇重量0/〇 或小於10重量％(〇至10重量％卜半導體背面用膜之凝膠分 率可利用以下量測方法量測。 〈凝膠分率量測方法> 自半導體背面用膜2獲取約0.1 g樣品且準確稱重（樣品重 量）’且在將樣品包裹於網孔型薄片中之後，在室溫下於 約50 mL甲苯中浸潰1週。隨後，自甲苯中取出溶劑不溶性 物質（網孔型薄片之内含物）且在13〇〇c下乾燥約2小時，將 乾燥之後的溶劑不溶性物質稱重（浸潰且乾燥之後的重 量），接著根據以下表達式（a)計算凝膠分率（重量％)。 凝膠分率（重量％)=[(浸潰且乾燥之後的重量）/(樣品重 量）]X100 (a) 半導體背面用膜之凝膠分率可利用樹脂組分之種類及含 量以及交聯劑之種類及含量以及此外的加熱溫度'加熱時 間及其類似因素加以控制。 在本發明中，在半導體背面用膜為由含有熱固性樹脂 (諸如環氧樹脂）之樹脂組合物形成之膜狀物品的情況下， 可有效顯現對半導體晶圓之緊密黏著性。 I貝便提及，由於在半導體晶圓之切晶步驟中使用切割水 (cutting water) ’因此半導體背面用膜吸收水分而具有正常 狀：之水分含量或在有些情況下具有大於正常狀態之水分 含量。當在仍維持此種高水分含量下執行覆晶接合時，水 157761.doc -25· 201213140 π保留於半導體背面用膜與半導體晶圓或其所加工主體 (.導體)之間的點著界面處’且在有些情況下產生隆起。 因此’藉由將半導體背面用膜建構成其各表面上均提供有 透濕性高之核讀料的組態，水汽可擴散且從而可避免此 種問題。根據此種觀點’可使用半導體背面用膜形成於核 心材料之—個表面或兩個表面上的多層狀結構作為半導體 背面用膜。核心材料之實例包括膜(例如聚醯亞胺膜、聚 酉旨膜、聚對苯二甲酸乙二醋膜、聚萘二甲酸乙二醋膜、聚 碳酸醋膜等)、經玻璃纖維或塑膠非編織纖維強化之樹脂 基板、矽基板及玻璃基板。 半導體月面用膜2之厚度（在層壓膜情況下為總厚度 受特別限制’但例如宜選自約2帅至綱叩之範圍。^ 外，該厚度較佳為約4叫至16〇 μιη，更佳為約6 _至1〇 μιη ’且特別為約1〇 μιη至80 μηι。 在23°C下處於未固化狀態之半導體背面用膜2之拉伸儲 能彈性模數較佳為i GPa或大於工Gpa(例如！ 〇]^至5〇 GPa) ’更佳為2 GPa或大於2 GPa，且3 GPa或大於3 GPa特 別適合。當拉伸儲能彈性模數為！ Gpa或大於i ^以時，可 在將半導體晶片隨半導體背面用膜2 一起自熱脫離片之壓 敏性黏著層32剝離之後將半導體背面用膜2置放於支撐物 上且進行運輸及其類似操作時，有效抑制或防止半導體背 面用膜附著於支撐物。就此而言，支撐物為例如載帶中的 頂膠帶、底膠帶及其類似物。在半導體背面用膜2係由含 有熱固性樹脂之樹脂組合物形成的情況下，如上所述，熱 157761.doc ⑧ -26- 201213140 固性樹脂一般處於未固化或部分固化狀態，因此半導體背 面用膜在23eC下的拉伸儲能彈性模數為在23<t下處於熱固 性樹脂未固化或部分固化之狀態下的拉伸儲能彈性模數。 此處，半導體背面用膜2可為單層或其中層壓複數個層 的層壓膜。在層壓膜情況下，呈未固化狀態之整個層壓膜 的拉伸儲犯彈性模數足以為i Gpa或大於1 Gpa(例如丄Gpa 至50 GPa)。此外，處於未固化狀態之半導體背面用膜之 拉伸儲忐彈性模數（23°C )可藉由適當地設定樹脂組分（熱塑 性樹脂及/或熱固性樹脂）之種類及含量或填充劑（諸如二氧 化矽填充劑）之種類及含量來控制。在半導體背面用膜2為 其中層壓複數個層之層壓膜的情況下（在半導體背面用膜 具有層壓層形式的情況下），關於層壓層形式，可例如舉 由a曰圓黏著層與雷射標記層構成之層壓形式為例說明。此 外，在晶圓黏著層與雷射標記層之間，可提供其他層（中 間層、光屏蔽層、加強層、著色層、基底材料層、電磁波 屏蔽層、導熱層、壓敏性黏著層等就此而言，晶圓黏 著層為對晶圓顯現極佳的緊密黏著性（黏著特性）之層及與 晶圓背面接觸之層。另一方面，雷射標記層為顯現極佳的 雷射標記特性之層及在半導體晶片背面上作雷射標記時使 用之層。 拉伸儲能彈性模數係如下測定··製備處於未固化狀態之 半導體背面用膜2而不層壓於壓敏性黏著片（熱脫離片）3 上，且在10 mm樣品寬度、22.5 mm樣品長度、〇 2 mm樣 品厚度、1 Hz頻率及1(TC/分鐘之溫度升高速率的條件下， 157761.doc -27· 201213140 在氮氣氛圍下’在規定溫度（23。〇下使用由Rheometrics Co Ltd.製造之動態黏彈性量測設備「s〇Iid Anaiyzer rS A2」 量測拉伸模式下的彈性模數，且將所測彈性模數視為所得 拉伸儲能彈性模數值。 半導體背面用膜2較佳在其與面向熱脫離片之表面相對 的表面上用隔離物（釋放襯墊）（未示出）保護。該隔離物起 作為保護材料保護半導體背面用膜直至其實際使用之作 用。在結合有熱脫離片之半導體背面用膜1的 者 將半導體背面用膜2轉移於熱脫離片3之基底材料31上的壓 敏性黏著層32(或黏附層32b)上時，亦可使用隔離物作為支 撐基底材料。當將半導體晶圓附著於半導體背面用膜上 時，釋放隔離物。隔離物之可用實例包括聚乙烯膜、聚丙 烯膜，以及塑膠膜（諸如聚對苯二甲酸乙二酯）及紙，其表 面塗有釋放劑，諸如基於氟之釋放劑或基於丙烯酸長鏈烷 酯之釋放劑。順便提及，隔離物可使用習知的方法形成。 隔離物之厚度或其類似方面不受特別限制。 此m光在半導體背面用中之透光率（可見光透 射率，波長·· 380 nm至750 nm)不受特別限制，但例如較 佳在20%或小於20%(0至2〇%)範圍内，更佳在ι〇%或小於 跳(〇至⑽）範圍内，且特別較佳在5〇/〇或小於5%(〇至5%) 範圍内。當半導體背面用膜2具有超過2〇%之可見光透射 率時，擔心光透射可能會不利地影響半導體元件。可見光 f㈣W可利用半導體f面用膜2樹脂組分之種類及含 量、著色劑（諸如顏料或染料）之種類及含量、無機填充劑 157761.doc -28- 201213140 之含量及其類似因素加以控制。 半導體背面用膜2之可見光透射率（％)可如下測定。亦 即，製備自身厚度（平均厚度）為20 μπι之半導體背面用膜 2。接著，用具有380至750 nm波長之可見光，以規定強度 [設備：可見光產生設備，由Shimadzu Corporation製造[商 標「ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETER」]]照射半導 體背面用膜2，且量測透射可見光之強度。此外，可基於 可見光透過半導體背面用膜2之前與之後的強度變化來測 定可見光透射率（％)。就此而言，亦可根據厚度不為20 μπι 之半導體背面用膜2之可見光透射率值（％;波長：380 nm 至750 nm)得出具有20 μιη厚度之半導體背面用膜2之可見 光透射率（％ ;波長：3 80 nm至750 nm)。在本發明中，可 見光透射率（％)係在半導體背面用膜2具有20 μπι厚度的情 況下測定，但本發明之半導體背面用膜不限於具有20 μιη 厚度之半導體背面用膜。 在本發明中，自可見度之角度看，雷射印刷之後較佳具 有較高對比度。在本發明中，基於藉助於「CV-5000」（商 標；KEYENCE CORPORATION產品）所量測之經處理部分 之亮度及未處理部分之亮度，可根據下式測定對比度： 對比度=[(經處理部分之亮度-未處理部分之亮度）/(經處 理部分之亮度）]χ100(°/〇) 自雷射處理部分之可見度之角度看，雷射印刷之後的對 比度較佳為20%或大於20%，更佳為25%或大於25°/。（特別 157761.doc •29- 201213140 較佳為30%) » 半導體裝置製造方法包括將基板及半導體元件或安裝於 基板上之元件安裝於稱為「母板」之主基板上的步驟。此 安裝步驟中之電極連接方法係在回焊步驟（其中熱處理通 常在約23 0°C至280°C下進行）中執行。為了在回焊步驟之 後維持可見度水準或雷射印刷性，回焊步驟中之對比度降 低率較佳為1 5%或小於1 5%。為使雷射印刷部分保持良好 可見度水準’該降低率更佳為10%或小於1〇%(特別較佳為 5%或小於5°/〇)。 此外，作為半導體背面用膜2，具有較低水分吸收度之 膜更佳。特定而言，水分吸收度較佳為丨重量％或小於i重 量％且更佳為0.8重量％或小於〇.8重量％。藉由將水分吸收 度調節為1重量％或小於i重量％，可提高雷射標記特性。 此外，例如，可在回焊步驟中抑制或防止半導體背面用膜 2與半導體元件之間產生空隙。水分吸收度為根據使半導 體背面用膜2在85。(：溫度及85% RH濕度之氛圍下搁置168 小時之前與之後的重量變化計算而得的值。在半導體背面 用膜2係由含有熱固性樹脂之樹脂組合物形成的情況下， 水分吸收度意謂在使熱固化後之膜在85β(：溫度及85% 濕度之氛圍下擱置168小時時所獲得的值。此外，可調節 水分吸收度，例如藉由改變無機填充劑之添加量來調節水 分吸收度。 此外，作為半導體背面用膜2，具有較小比率之揮發物 的膜更佳。特定而纟’半導體背面用膜2在熱處理後的重 157761.doc ⑧ -30- 201213140
況下， 之條件 少開裂產±的無機物來調節重4降低率。在半導體 膜2由含有熱固性樹脂組分之樹脂組合物形成的情 重量降低率為在25〇 c溫度及1小時加熱時間之條 下加熱熱固化後之半導體背面用膜時所獲得的值 (熱脫離性壓敏性黏著片） 如圖1中所說明， 結合型半導體背面用膜之熱脫離性壓 敏性黏著片3(亦即熱脫離片）包括基底材料31及形成於其上 之壓敏性黏著層32。本發明實施例之壓敏性黏著層32包括 含有可在受熱時膨脹之熱膨脹微球體的熱膨脹層32a及形 成於熱膨脹層32a上之非熱膨脹性黏附層32b。 (熱膨脹層） 熱膨脹層32a含有可在受熱時膨脹之熱膨脹微球體。當 熱膨脹層32a因熱膨脹微球體膨脹而變得不平坦時，黏附 層亦變得不平坦且從而降低對半導體背面用膜2之黏著 力。在所需時間對已附著於半導體背面用膜之熱脫離片熱 膨脹層作熱處理能夠實現容易地使熱脫離片與半導體背面 用膜分離。 熱膨脹層32a可例如以熱膨脹微球體與黏合劑之混合層 157761.doc •31· 201213140 形式形成n午熱膨脹微球體受熱發泡及，或膨脹的範 圍内，作為黏合劑，可使用任何適當的黏合劑，諸如聚合 物或壤。特定而言’儘可能不限制熱膨脹微球體發泡及/ 或膨脹之黏σ劑為較佳。考慮到對熱膨脹微球體熱膨服之 可控制性或其對經由黏附層對半導體背面用膜之壓敏黏著 !·生（諸如黏著力）之可控制性，壓敏性黏著劑作為黏合劑特 別較佳。 (壓敏性黏著層） 壓敏性黏著層32係由壓敏性黏著劑構成且具有黏著性。 壓㈣黏著劑不受特別限制且可根據需要自已知的壓敏性 黏著劑中作選擇。自對加熱前經由壓敏性黏著層對半導體 背面用膜之足夠黏著力之可控制性與因加熱而引起之黏著 力降低之間平衡的角度看，使用在正常溫度至15(TC之溫 度範圍内具有50,000至i〇,0〇〇 〇〇〇 dyn/cm2之動態彈性模數 的聚合物作為基礎聚合物之壓敏性黏著劑為較佳，但不限 於此® 具體而言，作為壓敏性黏著劑，例如，具有上述特性之 彼等磨敏性黏著劑宜選自已知壓敏性黏著劑，諸如丙稀酸 系壓敏性黏著劑、基於橡膠之壓敏性黏著劑、基於乙烯基 烷基醚之壓敏性黏著劑、基於聚矽氧之壓敏性黏著劑、基 於聚酯之壓敏性黏著劑、基於聚醯胺之壓敏性黏著劑、基 於胺基f酸酯之壓敏性黏著劑、基於氟之壓敏性黏著劑、 基於苯乙烯-二烯嵌段共聚物之壓敏性黏著劑及藉由向上 述壓敏性黏著劑尹併入具有不高於2〇〇t：i熔點之熱熔性 157761.doc ⑧ -32· 201213140 樹脂所製備的潛變特性改良之壓敏性黏著劑（參見例如jP- A-56-61468 、 JP-A-61-174857 、 JP-A-63-17981 、 JP-Α - 56- 13040’該等專利以引用的方式併入本文中），且用於本文 中。作為壓敏性黏著劑’此處亦可使用輻射可固化壓敏性 黏著劑（或能量射線可固化壓敏性黏著劑）。一或多種此等 壓敏性黏著劑在此處可單獨使用或組合使用。就此而言， 輻射線之實例包括X射線、紫外線及電子射線。 作為壓敏性黏著劑，本文中較佳使用丙烯酸系壓敏性黏 著劑及基於橡膠之壓敏性黏著劑，且更佳為丙烯酸系壓敏 性黏著劑。丙烯酸系壓敏性黏著劑之實例包括包含以一或 多種（甲基）丙烯酸烷酯作為單體組分之丙烯酸系聚合物（均 聚物或共聚物）作為基礎聚合物的彼等黏著劑。 用於丙烯酸系壓敏性黏著劑之（曱基）丙烯酸烷酯包括例 如（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（曱基）丙烯酸丙 酯、（曱基）丙烯酸異丙醋、（曱基）丙烯酸丁醋、（甲基）丙烯 酸異丁酯、（曱基）丙烯酸第二丁酯、（曱基）丙烯酸第三丁 酯 '(甲基）丙烯酸戊酯、（曱基）丙烯酸己酯、（曱基）丙烯酸 庚酯、（曱基）丙烯酸辛醋、（甲基）丙烯酸2_乙基己醋、（曱 基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸異壬 酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（曱基）丙烯酸異癸酯、（曱基）丙烯 酸十一烷酯、（曱基）丙烯酸十二烷酯、（甲基）丙烯酸十三 烷酯、（甲基）丙烯酸十四烷酯、（曱基）丙烯酸十五烷酯、 (甲基）丙烯酸十六烷醋、（曱基）丙烯酸十七烷醋、（甲基）丙 烯酸十八烷酷、（甲基）丙烯酸十九烷醋、（甲基）丙烯酸二 157761.doc -33- 201213140 十燒酯等。作為（甲基）丙烯酸烷酯’較佳為烷基具有4至18 個碳原子之（甲基）丙烯酸烷酯。在（甲基）丙烯酸烷酯中， 烧基可為直鏈或分支鏈。 有需要時’丙浠酸系聚合物可含有對應於可與上述（子 基）丙烯酸烷酯共聚之任何其他單體組分（可共聚單體組分） 的單元’以便提高其内聚力、耐熱性及可交聯性。 可共聚單體組分包括例如： 含羧基之單體，諸如（曱基）丙烯酸（丙烯酸、曱基丙稀 酸）、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、順丁烯二 酸、反丁烯二酸、巴豆酸； 含酸酐基團之單體，諸如順丁烯二酸酐、衣康酸酐； 含經基之單體’諸如（曱基）丙烯酸羥乙酯、（曱基）丙烯 酸經丙酯、（曱基）丙烯酸羥丁酯、（甲基）丙烯酸羥己酯、 (甲基）丙烯酸羥辛酯、（曱基）丙烯酸羥癸酯、（曱基）丙烯酸 經基月桂酯、甲基丙烯酸（4-羥基曱基環己基）甲酯； 含磺酸基之單體’諸如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_ (曱基）丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、（甲基）丙烯醯胺·丙烷磺 酸、（曱基）丙烯酸磺丙酯、（甲基）丙烯醯氧基萘磺酸； 含磷酸基之單體，諸如丙烯醯基磷酸2_羥乙酯； (N上經取代之）醯胺單體，諸如（甲基）丙烯醯胺、N，N_: 曱基（曱基）丙烯醯胺、N-丁基（曱基）丙烯醯胺、N-羥甲基 (甲基）丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷（曱基）丙烯醯胺； (曱基）丙烯酸胺基烷酯單體，諸如（曱基）丙烯酸胺基乙 醋、（曱基）丙烯酸N，N-二曱基胺基乙酯、（曱基）丙烯酸第 157761.doc 34 ⑧ 201213140 二丁基胺基乙自旨； (甲基）丙烯酸烷氧基烷酯單體，諸如（曱基）丙烯酸甲氧 基乙酯、（甲基）丙烯酸乙氧基乙酯； 氰基丙烯酸酯單體，諸如丙烯腈、曱基丙烯腈； 含環氧基之丙烯酸系單體，諸如（曱基）丙烯酸縮水甘油 基醋； 本乙稀單體，諸如苯乙浠、α_曱基苯乙稀； 乙烯酯單體，諸如乙酸乙稀酯、丙酸乙稀酯； 浠經單體，諸如異戍二稀、丁二稀、異丁浠； 乙稀喊單體，諸如乙烯醚； 含氮单體’諸如Ν-乙烯基°tb 各唆酮、甲基乙稀基。比洛咬 酮、乙烯吡啶、乙烯哌啶酮、乙烯嘧啶、乙烯哌嗪、乙烯 吡嗪、乙烯吡咯、乙烯咪唑、乙烯噁唑、乙烯嗎啉、N_乙 烯曱醯胺、N-乙烯己内醯胺； 順丁烯二醯亞胺單體，諸如N-環己基順丁烯二醯亞胺、 N-異丙基順丁烯二醯亞胺、N-月桂基順丁婦二醯亞胺、N-苯基順丁烯二醯亞胺； 衣康醯亞胺單體，諸如N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康 醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙 基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、N-月桂基衣康 酿亞胺； 丁二醯亞胺單體，諸如N-(曱基）丙烯醯氡基亞甲基丁二 醯亞胺、N-(甲基）丙烯醯基-6-氧基六亞曱基丁二醯亞胺、 N-(曱基）丙烯醯基-8-氧基八亞曱基丁二醯亞胺； 157761.doc -35- 201213140 乙醇酸丙烯醯酯單體，諸如聚乙二醇（甲基）丙婦酸酯、 聚丙二醇（曱基）丙烯酸酯、曱氧基乙二醇（甲基）丙烯酸 醋、甲氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯； 具有雜環' 鹵原子、矽原子或其類似者之丙烯酸酯單 體’諸如（甲基）丙烯酸四氫σ夫嚼甲基酯、氟（甲基）丙稀酸 醋、聚矽氧（甲基）丙烯酸酯； 多官能單體，諸如己二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二 醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊 二醇二（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三 羥甲基丙烷二（曱基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸 酯、二季戊四醇六（曱基）丙烯酸酯、環氧基丙烯酸酯、聚 酯丙烯酸酯、胺基曱酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二（甲 基）丙烯酸丁酯、二（甲基）丙烯酸己酯等。 或多種此等可共聚單體組分在此處可單獨使用或組合 使用》 此等可共聚單體之用量較佳為所用全部單體組分之4〇 /〇或小於40 wt /〇。在含羧基之單體的情況下由於其羧 基與半導體背©用膜2中的環氧樹脂之環氧基之間發生反 應1此壓敏性黏著層32與半導时面用膜2之間的邊界 面4失’由此可能引起其之間的可釋放性變差。因此，含 缓基之單體的用量較佳為所有單體組分之州，位不大於 所有單體組分之3 Wt%。料，含經基之單體或含縮水甘 油基之單體亦與環氧樹脂之環氧基反應，因此亦可控制其 用量，如同在含致基之單體的情況下。在此等單體組分 157761.doc ⑧ -36 - 201213140 中’本發明之壓敏性單體32較佳不含丙烯酸。丙烯酸可在 半導體背面用膜2中經歷質量擴散而使壓敏性黏著層32與 半導體背面用膜2之間的邊界面消除且因此引起可釋放性 變差 丙烯酸系聚合物較佳不含多官能單體作為共聚合之單體 組分。若不含多官能單體，則半導體背面用膜中不會發生 多官能單體之質量擴散且因此可防止拾取特性變差，否則 會因壓敏性黏著層32與半導體背面用膜2之間的邊界面消 失而發生拾取特性變差。 若使用輪射可固化壓敏性黏著劑（或能量射線可固化壓 敏性黏著劑）作為壓敏性黏著劑，則輻射可固化壓敏性黏 著劑（組合物）之實例包括藉由向丙烯酸系壓敏性黏著劑中 添加輕射可固化單體組分或寡聚物組分所獲得的加成型輻 射可固化壓敏性黏著劑。丙烯酸系壓敏性黏著劑使用丙烯 酸系聚合物作為其基礎聚合物且自用超純水或有機溶劑 (諸如酒精）清潔及洗滌需避污染的半導體晶圓之效能的角 度來看，其為較佳。此輻射可固化壓敏性黏著劑之交聯及 固化與剝離力因加熱而降低一起用於進一步降低對半導體 背面用膜之黏著力。 欲添加之輕射可固化單體組分之實例包括胺基曱酸酯寡 聚物、胺基曱酸酯（甲基）丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三（甲 基）丙烯酸酯、四羥曱基曱烷四（曱基）丙烯酸酯、季戊四醇 二（曱基）丙稀酸酯、季戊四醇四（甲基）丙稀酸酯、二季戊 四醇單羥基五（曱基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（曱基）丙烯 157761.doc -37- 201213140 酸酯及1，4-丁二醇二（曱基）丙烯酸酯。輻射可固化寡聚物 組分之實例包括各種寡聚物，諸如胺基甲酸酯、聚醚、聚 酯、聚碳酸酯及聚丁二烯寡聚物。具有約1〇0至30,000範 圍内之分子量的寡聚物為較佳。視壓敏性黏著層之類型而 定’輻射可固化單體或寡聚物組分之用量可根據需要確定 為能夠降低壓敏性黏著層之黏著性的量。以1 〇〇重量份之 構成壓敏性黏著劑之基礎聚合物（諸如丙烯酸系聚合物） 計’其一般為例如約5重量份至500重量份，較佳為約40重 量份至150重量份。 除如上文所述之加成型輻射可固化壓敏性黏著劑外，輻 射可固化壓敏性黏著劑亦包括包涵型（内部型）輻射可固化 壓敏性黏著劑，其以在側鏈、主鏈或主鏈末端具有自由基 反應性碳碳雙鍵之聚合物作為其基礎聚合物。此包涵型輻 射可固化壓敏性黏著劑較佳，因為其無需含有低分子量組 分’諸如募聚物組分’或在很多情況下不含低分子量組 分’因此其中寡聚物組分不會隨著時間推移而轉移，且因 此能夠形成具有穩定層狀結構之壓敏性黏著層。 作為具有自由基反應性碳碳雙鍵之基礎聚合物，可使用 具有自由基反應性碳碳雙鍵且進一步具有黏著性的聚合物 而無任何特別限制。此基礎聚合物較佳為具有丙烯酸系聚 α物作為其基本架構的聚合物。作為基本架構之丙婦酸系 聚合物實例包括上文舉例說明的丙烯酸系聚合物。 將自由基反應性碳碳雙鍵引入丙稀酸系聚合物内的方法 不艾特別限制且可使用各種方法。自分子設計之角度看， 157761.doc •38· 201213140 將自由基反應性碳碳雙鍵引入聚合物側鏈内較容易。例如 如下引入：使含羥基之單體與丙烯酸系聚合物預先共聚 合，接著使所得共聚物與具有可與上述羥基反應之異氰酸 酯基及自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物發生縮合 或加成反應，同時保持自由基反應性碳碳雙鍵之輻射可固 化性。具有異氰酸酯基及自由基反應性碳_碳鍵的異氰酸 酯化合物之實例包括上文舉例說明的彼等物。丙烯酸系聚 合物實例包括由上文舉例說明之含羥基單體或基於醚之化 合物（諸如2-羥基乙基乙烯醚、4_羥基丁基乙烯醚或二乙二 醇單乙烯醚）共聚合所得的共聚物。 作為包涵型輻射可固化壓敏性黏著劑，可單獨使用上述 具有自由基反應性碳碳雙鍵的基礎聚合物（特定而言，丙 烯酸系聚合物）。上述輻射可固化單體組分或寡聚物·組分 可併入基礎聚合物中而不會使基礎聚合物之特性變差。以 100重量份之基礎聚合物計，輻射可固化寡聚物組分或其 類似物之用量通常為約5重量份至500重量份，較佳為約4〇 重量份至150重量份。 當為了固化而使輻射可固化壓敏性黏著劑暴露於紫外線 或其類似射線時，其含有光聚合引發劑。光聚合引發劑之 貫例包括基於α-酮醇之化合物，諸如4-(2-經基乙氧基）苯 基（2-备基-2-丙基）酮、α-經基-α，α'-二曱基笨乙酮、2-曱 基-2-經基苯丙酮及丨_羥基環己基苯基酮；基於苯乙酮之化 合物’諸如甲氧基苯乙酮、2,2-二曱氧基-2-苯基苯乙酮、 2,2-二乙氧基苯乙酮及2_曱基“吖扣（甲硫基）_苯基]_2_嗎啉 157761.doc -39- 201213140 基丙烷-ι ;基於安息香醚（benzoin ethe〇之化合物，諸如安 息香乙醚、安息香異丙醚及大茴香偶姻甲基醚Onisoin methyl ether);基於縮酮之化合物，諸如苯f基二甲基縮 酮；基於芳族磺醯氯之化合物，諸如2-萘磺醯氯；基於光 活性將之化合物，諸如1-苯基酮-1,1-丙二酮-2-(鄰-乙氧鑛 基）肟；基於二苯甲酮之化合物，諸如二苯甲酮、苯曱醯 苯甲酸及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮；基於噻噸酮 (thioxanthone)之化合物，諸如"塞"頓鲷、2-氯嗔嘲酮、2-曱 基嗟嘲嗣、2,4-二曱基嗟°頓酮、異丙基嗟嘲酬、2,4-二氯 噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮及2,4-二異丙基噻噸酮；樟腦 醌（camphor quinone);鹵代酮；醯基膦氧化物 (acylphosphonoxide);及醯基膦酸酯。以1〇〇重量份之構成 壓敏性黏著劑或其類似物之由丙烯酸系聚合物製成的基礎 聚合物計，光聚合引發劑之用量為例如約〇 〇5重量份至2〇 重量份。 幸δ射可固化壓敏性黏著劑之其他實例包括Jp_A_6〇_ 196956(以引用的方式併入本文中）中所揭示的彼等物諸
物、光可聚口化合物(諸如含環氧基之烷氧基矽烷)及光聚 合引發劑（諸如艘基化合物、有機硫化物、過氧化物、胺 過氧化物、胺 或錯鹽化合物）。
可固化壓敏性黏著層32之表 礼抑制固化’則較佳阻斷輻射 面與氧氣（空氣）接觸。阻斷方 157761.doc 201213140 法之實例包括用隔離物覆蓋壓敏性黏著層32之除對應於半 導體背面用膜2附著部分之部分33外的部分之方法：在氮 氣氛圍中使該層暴露於諸如紫外線之輻射的方法。 在本發明中，壓敏性黏著層32在無損於本發明之優點的 範圍内可含有各種添加劑（例如增黏性樹脂、著色劑、增 稠劑、增量劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、 界面活性劑、交聯劑等）。 交聯劑不受特別限制且可使用已知交聯劑。特定而言， 作為交聯劑’不僅可提及基於異氰酸酯之交聯劑、基於環 氧基之交聯劑、基於三聚氰胺之交聯劑及基於過氧化物之 交聯劑，而且可提及基於脲之交聯劑、基於金屬醇鹽之交 聯劑、基於金屬螯合物之交聯劑、基於金屬鹽之交聯劑、 基於碳化二亞胺之交聯劑、基於。惡π坐淋之交聯劑、基於氮 丙°定之交聯劑、基於胺之交聯劑及其類似物，且基於異氰 酸醋之交聯劑及基於環氧基之交聯劑為適合的。交聯劑可 單獨使用或可組合使用兩種或兩種以上。順便提及，交聯 劑用量不受特別限制。 基於異氰酸酯之交聯劑實例包括低碳脂族多異氰酸酯， 諸如二異氰酸1,2-乙二酯、二異氰酸1,4-丁二酯及二異氰酸 1，6_己一醋；脂環族多異氰酸醋，諸如二異氰酸環戊二 酯、二異氰酸環己二酯、異氟爾酮二異氰酸酯、氫化二異 氰酸伸甲苯酯及氫化二異氰酸伸二甲苯酯；及芳族多異氰 酸酉旨’諸如二異氰酸2,4-伸甲苯酯、二異氰酸2,6-伸甲苯 醋、4,4’·二笨基曱烷二異氰酸酯及二異氰酸伸二曱苯酯。 157761.doc -41 · 201213140 另外，亦使用三羥甲基丙烷/二異氰酸伸甲苯酯三聚物加 合物[商標「COLONATE L」’ Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.製造]、三羥甲基丙烷/二異氰酸己二酯三聚物加合 物[商才示 COLONATE HL j > Nippon Polyurethane Industry Cο.，Ltd.製造]及其類似物。此外，基於環氧基之交聯劑實 例包括N，N，N'，N'-四縮水甘油基-間二曱苯二胺、二縮水甘 油基苯胺、1,3-雙（N，N-縮水甘油基胺基曱基）環己烷、i，6_ 己一醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油喊、乙二醇二 縮水甘油驗、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油 醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油鱗、甘 油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水 甘油醚、脫水山梨糖醇聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮 水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二曱酸二縮水甘油 酯、.二縮水甘油基-參（2-羥乙基）異氰尿酸酯、間苯二酚二 縮水甘油醚及雙酚-S-二縮水甘油醚以及分子中具有兩個 或兩個以上環氧基的基於環氧基之樹脂。 丙烯酸系聚合物可含有具有自由基反應性碳碳雙鍵之異 氰酸酯化合物以便暴露於輻射時促進交聯且從而提高拾取 特性。異氰酸酯化合物之實例包括異氰酸甲基丙烯醯基 酯、異氰酸2-曱基丙烯醯氧基乙基酯、異氰酸2_丙烯醯氧 基乙基i曰及異氰酸間-異丙稀基_α，α_二甲基苯甲基醋。 當使用交聯劑時，其用量係根據需要，依據欲交聯之基 礎聚合物餘量且此外依據作為壓敏性黏著劑之預定用途來 確定。以1 00重量份之基礎聚合物計，交聯劑用量—般為 157761.doc •42· 201213140 約20重量份或小於2〇重量份，更佳為〇丨至丨〇重量份。 可經由用電子射線或紫外線照射而不使用本發明之交聨 劑或聯合使用本發明之交聯劑而使壓敏性黏著層發生交 聯。 壓敏性黏著層32可例如藉由利用常用方法來形成，該方 法包括將壓敏性黏著劑與視情況選用之溶劑及其他添加劑 /¾ u及接著使混合物成形為片狀層。特定而言，例如，可 提及包括在基底材料3 1上施加含有壓敏性黏著劑及視情況 選用之;谷劑及其他添加劑之混合物的方法；包括在適當隔 離物（諸如釋放紙）上施加上述混合物以形成壓敏性黏著層 32及接著將其轉移（轉錄）至基底材料31上的方法；或其類 似方法》 (熱膨脹微球體） 欲併入熱膨脹層中之熱膨脹微球體為例如藉由在由外殼 成形物質製成之外殼令囊封容易氣化且呈現熱膨脹之物質 所獲得的微囊。呈現熱膨脹之物質實例包括容易氣化之物 質’諸如異丁烷、丙烷及戊烷。外殼成形物質之實例包括 熱溶融物質型及熱膨脹破裂型物質，諸如偏二氯乙烯-丙 婦腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚曱基丙烯酸 甲醋、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯及聚砜。熱膨脹物質係例 如藉由凝聚方法或界面聚合方法而囊封於外殼中。 使用熱膨脹微球體可穩定地抑制加熱所引起之半導體背 面用膜受污染度增加。不呈微囊形式之發泡劑或其類似物 不能如此有效地抑制污染度增加，原因大概是其引起壓敏 157761.doc -43- 201213140 性黏著層之内聚失效。考慮到加熱容易降低黏著性(詳言 之，穩定達成黏著性降低），較佳為膨脹破裂或結束之前 持續顯示至少5倍、更佳為至少7倍、特別較佳為至少聰 之體積膨脹的熱膨脹微球體。 熱膨脹微球體之平均粒徑可根據需要確定。其通常為 ΙΟΟμιη或小於100吨，更佳為8〇 μιη或小於8〇_，特別較 佳為1 μΓη至50 μη^但粒徑不限於此❶順便提及，作為熱 膨脹微球體，可使用市售產品，諸如「matsum〇t〇 MICROSPHERE」（商標；MatsumotoYushi-Seiyaku產品）。 熱膨脹微球體用量可根據需要，依據熱膨脹層之體積膨 脹率或黏著性降低率來確定^若熱膨脹層係由如上文所述 之黏合劑或黏著劑構成，則以1〇〇重量份之基礎聚合物 計，熱膨脹微球體用量通常為丨重量份至15〇重量份，較佳 為10重量伤至130重量份，特別較佳為25重量份至1〇〇重量 份。 熱膨脹層例如可如下形成：藉由在必要時使用溶劑將諸 如熱膨脹微球體及黏合劑之組分混合，接著利用適當方法 (諸如塗覆方法）將所得混合物展佈成片狀層。 熱膨服層厚度可根據需要，依據黏著性降低程度來確 定。若其厚度太小’則該層表面因熱膨脹微球體之形狀而 ’羞得不平坦且提供於其上的黏附層亦具有不平坦表面，從 而防止呈現足夠黏著性或在熱處理時引起位於熱膨脹層上 之黏附層之内聚失效而增加半導體背面用膜受污染度。另 一方面’若厚度太大’則黏著性因熱變形不夠而不能充分 157761.doc ⑧ • 44 - 201213140 降低。自防止此等現象之角度看，該厚度較佳為3〇〇㈣或 小於3〇〇Pm，更佳為2至2〇〇卜111，特別較佳為5至15(^出。 (基底材料） 當形成熱膨脹層…時，用基底材料31支撐熱膨服層 32a，如圖中所說明。此種支撐形式有利，其原因在於用 基底材料支撐且強化熱膨脹層及此外之黏附層可提高熱脫 離性壓敏性黏著片之操作簡易性且可有效執行與半導體背 面用膜之附著及加熱後自其的釋放。 基底材料31較佳具有輻射線透射特性。作為基底材料 31，例如可使用適合的薄材料，例如基於紙之基底材料， 諸如，4，基於纖維之基底材料，諸如織物、非編織織物、 氈及網，基於金屬之基底材料，諸如金屬箔及金屬板；塑 膠基底材料，諸如塑膠膜及塑膠片；基於橡膠之基底材 料，諸如橡膠片；發泡體，諸如發泡片；及其層壓物[特 定言之，基於塑膠之材料與其他基底材料之層壓物、塑膠 膜（或薄片）彼此之層壓物等]。在本發明中，作為基底材 料，宜使用塑膠基底材料，諸如塑膠膜及塑膠片。此等塑 膠材料之原材料之實例包括烯烴樹脂，諸如聚乙烯（pE)、 聚丙烯（PP)及乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分之 共聚物，諸如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA)、離子鍵共聚 物樹脂（ionomer resin)、乙烯_(曱基）丙烯酸共聚物及乙烯· (甲基）丙烯酸酯(無規、交替）共聚物；聚酯，諸如聚對笨 二甲酸乙二酯（PET)、聚萘二甲酸乙二酯（PEN)及聚對苯二 曱酸丁二酯（PBT);丙烯酸系樹脂；聚氣乙烯（pvc);聚胺 157761.doc -45· 201213140 基甲酸酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚（PPS);基於醯胺之樹 脂’諸如聚醯胺（对綸）及全芳族聚醯胺（芳族聚醯胺）；聚 喊驗嗣（PEEK);聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚偏二氣乙烯； ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物）；基於纖維素之樹 脂；聚矽氧樹脂；及氟化樹脂❶其中，就加熱後之操作特 性而言，在熱膨脹層之熱處理溫度下不熔融之具有極佳耐 熱性的彼等物較佳。 另外’用於基底材料31之材料包括聚合物，諸如上述樹 脂之交聯材料。塑膠膜可在不拉伸的情況下使用或必要時 可在單軸或雙軸拉伸處理後使用。根據藉由拉伸處理或其 類似處理賦予熱收縮特性之樹脂片，切晶後，基底材料3 i 熱收縮減小了壓敏性黏著層32與半導體背面用膜2之間的 黏著面積，且從而可有利於半導體晶片之回收。在用輻射 線或其類似射線處理黏附層的情況下，可使用可透過此射 線之基板。 作為基底材料31，宜選擇且使用相同種類或不同種類的 材料，且必要時可摻合且使用數種材料。此外，為賦予基 底材料31抗靜電能力，可在基底材料31上形成具有約川至 500埃（angstrom)厚度且由金屬、其合金或氧化物構成之導 電物質之氣相沈積層基底材料31可為單層或其兩層或兩 層以上之多層。 基底材料31之厚度（在層壓層情況下為總厚度）不受本 限制且可根據強度、撓性、預定使用目的及其類似因清 適當選擇。舉例而言，該厚度-般為1，GGG μιη或小於u 15776l.doc ⑧ •46- 201213140 μπι(例如i卜爪至^⑼μιη)，較佳為1〇 μιηι5〇〇 ，進一 步較佳為20 »^至300 μιη，且特別較佳為約3〇 0〇1至2〇〇 μιη，但不限於此。 順便提及，基底材料31在無損於本發明之優點及其類似 方面的範圍内可含有各種添加劑（著色劑、填充劑、增塑 劑、抗老化劑、抗氧化劑 '界面活性劑、阻燃劑等）。 作為支撐基底材料之形式之一的薄片可利用適當方法形 成，例如對基底材料進行上述展佈操作以直接在基底材料 上女置熱膨脹層，或類似地在隔離物上提供熱膨脹層且將 熱膨脹層轉移及附著於基底材料。 隔離物可以如下形式獲得：表面經適當釋放劑（諸如基 於聚矽氧之試劑、基於長鏈烷基之試劑、或含氟試劑或硫 化鉬）處理的基底材料；由含氟聚合物（諸如聚四氟乙烯、 聚氣二氟乙烯、乙烯基多氟化物、亞乙烯基多氟化物、四 氟乙烯六氟丙烯共聚物、或氣三氟乙烯偏二氟乙烯）構成 的低黏著性基底材料；或由非極性聚合物（諸如聚乙烯、 聚丙烯或α-烯烴）構成的低黏著性基底材料。隔離物亦可 用作用於支撐熱膨脹層之基底材料。 對熱膨脹材料之黏著力極佳的基底材料可例如藉由以下 方法獲得：使用由高極性聚合物（諸如聚酯）構成之膜的方 法或使用鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露 或電離輻射處理對基底材料進行適當處理（諸如化學或物 理表面氧化處理）的方法。 種向基底材料提供底塗層之方法亦可有效地提高基底 157761.doc -47- 201213140 材料與熱膨脹層之間的黏著力。可在基底材料與熱膨脹層 之間提供一或多個中間層。中間層可具有類似於為提高黏 著力所提供之底塗層的適當目的。 除底塗層外之中間層之實例包括賦予良好變形性之層、 提高黏著力之層、有利於熱處理以便降低黏著力之層及提 高在加熱後自半導體背面用膜釋放之能力的層。 自賦予變形性或提高加熱後可釋放性之角度看，較佳提 供主要由合成橡膠或合成樹脂構成之橡膠狀有機彈性層μ 作為中間I，如圖2中所說I此種橡膠狀有機彈性層具 有各種功能，諸如增強對熱膨脹層受熱時之膨脹之可控制 性的功能及使熱膨脹層受熱時沿厚度方向而非沿平面方向 膨脹以形成具有極佳均一厚度之膨脹層且從而有利於半導 體背面用膜2自熱脫離片3釋放的功能。 -'入，日 体吵狀畀機彈性層厚度通 為500 μηι或小於500 μιη，更佳為3 ^ 又1£两j Pm至3 00 μιη，特別較 為5 μιη至150 μηι，但不限於此等厚度。 合成橡膠或合成樹脂之實例包括合成橡膠，諸如猜橡 膠、二稀橡膠及丙婦酸系橡膠；熱塑性彈性體，諸如聚婦 烴彈性體及聚S旨彈性體；及具有橡膠彈性之合成樹脂，諸 如乙烯-乙酸乙稀醋共聚物、聚胺基甲酸醋、聚丁二稀及 軟質聚氣乙稀。本發明亦可使用實質上硬f (諸如聚氯乙 烯）、但藉由與混配劑（諸如增塑劑或軟化劑）組合使用而賦 予橡膠彈性的聚合物。 橡膠狀有機彈性層可由主要 由上述形成材料構成之黏性 157761.doc ⑧ •48- 201213140 物質製成或由主要由此種組分構成之發泡膜製成。橡膠狀 有機彈〖生層可根據需要藉由例如將形成材料溶液施加於基 底材料上或將由該形成材料構成之膜附著於基底材料來形 成。自上述效果及其類似效果之角度看，較佳為在與黏附 層相對之熱膨脹層一側層壓橡膠狀有機彈性層。順便提 及，當用輻射或其類似射線處理黏附層時，需要中間層可 透過輻射或其類似射線。 (黏附層） 在本發明實施例中，黏附層係提供於熱膨脹層上以便在 熱脫離片附著於半導體背面用膜及藉由加熱進行降低黏著 力之處理時防止半導體背面用膜上之污染物（尤其微污染 物）增加。 就污染程度而言，在附著於半導體矽晶圓之熱脫離性壓 敏性黏著片藉由暴露於輻射而固化且接著受熱釋放之後， 半導體矽晶圓之表面有機污染物量AC為5〇或小於，較 佳為30或小於30 ’更佳為1〇或小於1〇，甚至更佳為5或小 於5〇表面有機污染物量C/Si較佳為2 5或小於2·5，更佳為 或j於1.0甚至更佳為0.5或小於0.5。表面有機污染物 量△(：及表面有機污染物量C/Si可使用化學分析用X射線電 子光谱法（ESCA)量測。 根據所要黏附特性（諸如對半導體背面用膜之黏著力）， 黏附層可使用適當壓敏性黏著劑製備。其種類不受特別限 制。可使用在熱膨脹層之段落中舉例說明的任—種壓敏性 #占著劑及已知產品。儘可能小程度地限制熱膨脹層熱變形 157761.doc •49· 201213140 的彼等物較佳。 其中’較佳為含有適當交聯劑之壓敏性黏著劑，適當交 聯劑由以下構成：例如基於多官能異氰酸酯之交聯劑，諸 如一異氛酸伸曱苯酯、二異氰酸三羥甲基丙烷伸甲苯酯或 二異氰酸二苯基曱酯；基於環氧基之交聯劑，諸如聚乙二 醇一縮水甘油醚、二縮水甘油醚或三羥曱基丙烷三縮水甘 油醚，基於二聚氰胺之樹脂交聯劑，諸如烷基醚化三聚氰 胺化合物、基於金屬鹽之交聯劑；基於金屬螯合物之交聯 劑、基於胺基之交聯劑、基於過氧化物之交聯劑或矽烷偶 合劑。 自減少半導體背面用膜污染的角度看，此種壓敏性黏著 劑較佳含有較小比例的低分子量分子。在壓敏性黏著劑 中，具有ιοο,οοο或小於100,000分子量之分子比例較佳為 15/。或小於15%，更佳為1〇%或小於1〇%，甚至更佳為 或小於5〇/〇。在輻射可固化壓敏性黏著劑之輻射固化後， 在非熱膨脹性黏附層中，具有1〇〇 〇〇〇或小於1〇〇,〇〇〇分子 量之分子比例為15%或小於15。/。，較佳為丨〇%或小於丨〇%， 更佳為5 %或小於5 % ^壓敏性黏著劑之分子量及低分子量 分子之比例係根據使用凝膠滲透層析法依據聚苯乙烯標準 所獲得之值確定》 作為降低壓敏性黏著劑中之低分子量分子比例的方法， 可使用以下方法，但該方法不限於以下方法。 (1)向非溶劑或不良溶劑（諸如庚烷（脂族烴））中添加由聚 合或其類似方式所獲得的丙烯酸系聚合物或其類似物，隨 157761.doc -50- 201213140 後攪拌。聚合物中之低分子物質因而溶於庚烷中，而聚合 物中之高分子物質沈澱。重複此項操作而獲得含有小比例 之低分子量分子的丙烯酸系聚合物。 (2) 普通的自由基聚合因大分子量分佈而不可避免製得 含有南比例之低分子量分子的聚合物。然而，活性自由基 聚合或陰離子聚合能夠製得具有小分子量分佈之聚合物， 因此可獲得含有小比例之低分子量分子的聚合物。 (3) 在普通的自由基聚合中，在初始階段中製備具有大 分子量之聚合物，而在最後階段中製備具有小分子量之聚 合物。因此可藉由使用具有80.5%至97°/。之聚合率的聚合 物作為壓敏性黏著劑之聚合物來獲得含有小比例之低分子 量分子的壓敏性黏著劑。 殘餘單體可使用上述庚烷或其類似物移除或可藉由在乾 燥時施加高熱而蒸發。 當熱脫離片不具備黏附層時，自防止半導體背面用膜因 熱膨脹層而受污染之角度看，構成熱膨脹層之壓敏性黏著 劑之分子量較佳設定在上述範圍内。 用於形成黏附層之壓敏性黏著劑可含有適當添加劑，諸 如增塑劑、填充劑、界面活性劑、抗氧化劑或增黏劑，如 上文所述。當將此種添加劑轉移至半導體背面用膜如在需 要如上文所述之低污染的情況下成問題時，壓敏性黏著劑 卻可為不含添加劑之組合物。 黏附層可使用適當方法形成，例如藉由將呈液體形式之 壓敏性黏著㈣加於熱耗層上或將於關物上以類^方 157761.doc •51- 201213140 式形成的黏附層轉移及附著於熱膨脹層，黏附層厚度可根 據需要，依據壓敏性黏著片之預定用途或黏著力因加熱而 降低之程度來確定。 一般而言，若黏附層太薄，則加熱時之黏著力不足或内 聚失效易使得熱膨服層不平坦。另一方面，若黏附層太 厚，則其不容易與由加熱所形成之熱膨脹層不平坦度貼 合。考慮到防止在熱變形時内聚失效、防止附著於半導體 背面用膜之污染量增加、與熱膨脹層不平坦度之貼合性及 降低或減小對半導體背面用膜之黏著力，黏附層厚度較佳 為20 μιη或小於20 μηι，更佳為(^丨至…μιη，特別較佳為1 至 5 μιη 〇 不受特別限定，壓敏性黏著層32厚度（在提供黏附層的 情況下，熱膨脹層厚度與黏附層厚度之總厚度）為例如5 μιη 至 300 μπι(較佳為 5 μm至20o μηι，更佳為 5 4111至15〇 μιη，甚至更佳為7 μιη至1 〇〇 μιη)左右。當壓敏性黏著層32 之厚度屬於上述範圍時，則該層可呈現適合的壓敏性黏著 力。壓敏性黏著層32可為單層或多層。 熱脫離層3之壓敏性黏著層32對覆晶型半導體背面用膜2 的黏著力（在提供黏附層的情況下，為黏附層32b之黏著 力）(23C，180度剝離角，300 mm/min之剝離速率）較佳在 0.02 N/20爪爪至⑺N/2〇 mm範圍内，更佳在〇 〇5 n/2〇 mm 至5 N/20 mm範圍内。若黏著力為至少〇 〇2 n/2〇 mm，則 可在切割半導體晶圓時防止半導體晶片衝出。另一方面， 若黏著力為至多1〇 N/20 mm，則其有利於在拾取半導體晶 157761.doc •52- 201213140 片時將其剝離，且防止壓敏性黏著劑殘留。 順便提及，在本發明中，可使結合有熱脫離片之半導體 背面用膜1具有抗靜電功能。由於此组態，因此可防止因 黏著時及剝離其時產生靜電能量或因靜電能量使半導體晶 圓或其類似物帶電而引起的電路擊穿。賦予抗靜電功能^ 利用適當方式進行，諸如向基底材料31、壓敏性黏著層^ 及半導體背面用膜2中添加抗靜電劑或導電物質的方法， 或在基底材料31上提供由電荷轉移複合物、金屬膜❹類 似物構成之導電層的方法。作為此等方法，較佳為很難產 生可能纽變半導體晶圓纟質之雜質離子的方法 導電性、提高導熱性之目的及其類似目的而摻合之導電物 質(導電性填充劑)的實例包括銀、鋁、金、鋼、鎳、導電 合金或其類似金屬之球狀、針狀或片狀金屬粉末；金屬氧 化物，諸如氧化!呂；非晶形碳黑，及石墨。然而，自無漏 電現象之角度看’半導體背面用膜2較佳無導電性。 此外，結合有熱脫離片之半導體背面用m可以置捲植 成捲筒的形式形成，或可以片（膜）層麗在—㈣形式: 成。舉例Μ，在該膜具有捲繞成捲筒之形式的情況下， 根據需要以用隔離物保護半導體背面用膜2與熱脫離片3之 詹壓物的狀態將該膜捲繞成捲筒，藉以該膜可製備為呈捲 繞成捲筒之狀態或形式的結合有熱脫離片之半導體背面用 膜1。就此而t，呈捲繞成捲筒之狀態或形式的結合有执 :離片之半導體背面用⑴可由基底材料31、形成於基底 材料31之-個表面上的壓敏性黏著層32、形成㈣敏性黏 157761.doc •53· 201213140 著層32上之半導體背面用膜2及形成於基底材料31之另一 表面上的可釋放處理層（背面處理層）建構而成。 順便提及，結合有熱脫離片之半導體背面用膜1之厚度 (半導體背面用膜之厚度與包括基底材料31及壓敏性黏著 層32之熱脫離片之厚度的總厚度）可例如選自8 μηι至1,500 μπι範圍’且其較佳為2〇叫至咖μιη，更佳為η _至_ 且特別較佳為47 μιη至330 μ„ι。 +就此而言，在結合有熱脫離片之半導體背面用膜丨中， 藉由控制半導體背面用膜2之厚度與熱脫離片3之壓敏性黎 著層32之厚度的比率或半導體背面用膜&厚度與熱脫離 片之厚度（基底材料31與壓敏性黏著層32之總厚度）的比 率’可改良切晶步驟中的切晶特性、拾取步驟中的拾取特 Γ及其類似特性’且可自半導體晶圓之切晶步驟至半導體 覆晶接合步驟有效使用結合有熱脫離片之半導體背 面用膜1 » 由:吏It發明之結合有熱脫離片之半導體背面用膜能夠彳 微：：：力且由於此降低處理而抑制污染物(幻 確定黏著特徵，諸如=力純據以 盾之功#者力。因此可進行為具有㈣Μ 眉之功此（亦即，在例如自 體元件之拾取步驟的.程序^ 圓 步驟至半笔 於半$ # π s a以強黏著力將熱脫離片附毫 化牛導體为面用臈的功能， 甲 可釋放性的功㈤所 •低黏著力以促i| 鴻的處理。同時，在勤基业能丁挪 放半導體背面用膜眸i ^ , 在站者狀態下釋 Μ用膜時可減少對該膜的污染。 157761.doc -54, 201213140 降低熱脫離片之剝離力不僅可藉由如上所述形成含有熱 膨脹微球體之熱膨脹層來達成，而且可使用經由壓敏性黏 著層之熱固化降低剝離力的方式。熱固化可藉由將反應性 官能基（諸如環氧基或羧基）預先併入壓敏性黏著劑中、隨 後藉由加熱發生交聯來進行。 (熱釋放方法） 用於降低熱脫離性壓敏性黏著片之黏著力的熱處理可利 用適當加熱方式（諸如熱板、熱空氣乾燥器或近紅外燈）進 行。熱處理條件可根據各種因素確定，諸如附著面積因半 導體月面用膜之表面狀態而發生的減小、或熱膨脹微球體 之種類、基底材料或黏附體之耐熱性、熱容量、加熱方式 或其類似因素。 加熱條件視半導體背面用膜之類型或面積而定，但加熱 溫度比熱膨脹微球體之膨脹起始溫度高至少5〇β(：較佳。加 熱通常在1〇〇至250。(：溫度下進行5至90秒（使用熱板或其類 似物）或1至15分鐘（使用熱空氣乾燥器）。加熱條件不限於 此。上述條件下之熱處理通常引起熱膨脹微球體膨脹及/ 或發泡而使熱膨脹層之表面不平坦且從而使㈣層之表面 不平坦，導致對半導體背面用膜之黏著力變差或降低。 使用此種熱脫離片能夠使例如具有3〇 μηι厚度之八吋矽 晶圓在3秒内釋放。黏附物可同時被釋放或佈置於壓敏性 黏著層上的各部件可逐一被熱釋放。 (結合有熱脫離片之半導體背面用膜製造方法） 使用圖1中所不之結合有熱脫離片之半導體背面用膜1作 157761.doc -55· 201213140 為一實例來描述本發明實施例之結合有熱脫離片之半導體 责面用膜定製造方法。首先，可利用習知的膜形成方法形 成基底材料31。膜形成方法之實例包括壓光膜形成方法、 有機溶劑鑄造方法、緊密密封系統膨脹擠出方法、T形模 擠出方法、共擠出方法及乾燥層壓方法。 接著’將壓敏性黏著劑組合物施加於基底材料3丨上，隨 後進行乾燥（必要時進行熱交聯）而形成壓敏性黏著層Μ。 當壓敏性黏著層包括熱膨脹層及黏附層時，可如下形成黏 附層：將含有熱膨脹微球體之壓敏性黏著劑組合物施加於 基底材料上且將前述者乾燥而獲得熱膨脹層，接著將不含 有熱膨脹微球體之壓敏性黏著劑組合物施加於所得熱膨脹 層上且將其乾燥。施加係經由輥式塗佈（roll coating)、絲 周塗佈（screen coating)、凹版塗佈（gravure coating)或其類 似方式進行。可藉由將壓敏性黏著劑組合物直接施加於基 底材料31上而在基底材料31上形成壓敏性黏著層32。或 者，在可將壓敏性黏著劑組合物施加於表面已進行釋放處 理之釋放紙或其類似物上而形成壓敏性黏著層32之後，可 將壓敏性黏著層32轉移至基底材料31上。因此製備在基底 材料31上具有壓敏性黏著層32之熱脫離片3。 另一方面，將用於形成半導體背面用膜2之形成材料施 加於釋放片上以形成在乾燥之後具有預定厚度的塗層，接 著在預定條件下乾燥（在必需熱固化之情況下，視情況加 熱，且乾燥）以形成塗層。將該塗層轉移至壓敏性黏著層 32上’從而在壓敏性黏著層32上形成半導體背面用膜2。 I57761.doc ⑧ •56· 201213140 亦可藉由將㈣形成半導體背面用膜2之形成材料直接施 加於塵敏性黏著層32上且接著將其在預定條件下乾燥（在
需要熱固化的情況下，視情況將发* M 馆，兄將其加熱，且將其乾燥）而 在壓敏性黏著層32上形成半導體昔；田时 取千导骽背面用膜2。根據上述方 法，可獲得本發明之結合有執脫離 淘热脱離片之半導體背面用膜 1。在形成半導體背面用膜2時需要熱固化的情況下，重要 的是使熱固化進行至塗層可部分固化的程度，但較佳不使 塗層熱固化。 本發明之結合有熱脫離片之半導體背面用則可在製造 半導體裝置（包括覆晶式連接步驟）時作適當使用。亦即， 本發明之結合有熱脫離片之半導體背面用m係在製造覆 晶安裝型半導體裝置時使用且從而製造呈結合有熱脫離片 =半導體背面用膜1之半導體f面用膜2附著於半導體晶片 背面之狀態或形式的覆晶安裝型半導體裝置。因此，本發 月之、，、。CT有熱脫離片之半導體背面用膜1可用於覆晶安裝 里半導體裝置(呈半導體晶片藉由覆晶接合方法固著於黏 附體（諸如基板）之狀態或形式的半導體裝置）。 如同在結合有熱脫離片之半導體背面用膜1中，半導體 责面用膜2亦可用於覆晶安裝型半導體裝置(呈半導體晶片 以覆晶接合方法固著於黏附體（諸如基板或其類似物）之狀 態或形式的半導體裝置 (半導體晶圓） 半導體晶圓不受特別限制，只要其為已知或常用的半導 體曰曰圓即可’且可在由各種材料製成的半導體晶圓中作適 157761.doc -57· 201213140 當選擇且加以使用。在本發明中，宜使用矽晶圓作為半導 體晶圓。 (半導體元件收集方法及半導體裝置製造方法） 接著將參考圖3A至圖3D描述本發明實施例之半導體元 件收集方法及半導體裝置製造方法。圖3八至圖3D為顯示 在使用結合有熱脫離片之半導體背面用膜丨時製造半導體 裝置之方法的橫截面示意圖。 本發明之半導體元件收集方法包括將半導體晶圓附著於 作為結合有熱脫離片之半導體背面用膜之一部分的半導體 背面用膜上的步驟；將半導體晶圓切成個別半導體元件的 步驟；加熱結合有熱脫離片之半導體背面用膜的步驟；及 將半導體元件隨半導體背面用膜一起自熱脫離片之壓敏性 黏著層釋放的步驟。本發明之半導體裝置製造方法包括將 利用半導體元件收集方法所收集之半導體元件覆晶式連接 於黏附體上的步驟。此意謂半導體元件收集方法相當於半 導體裝置製造方法之_連串步驟的—部分，因此接著將在 包括說明收集方法的同時說明製造方法。 (安裝步驟） 首先，如圖3A中所示，宜剝離視情況提供於結合有熱脫 離片之半導體背面用膜1之半導體背面用膜2上的隔離物， 且將半導體晶圓4附著於半導體背面用膜2上以藉由黏著及 固持加以固著(安裝步驟)。此時’半導體背面用膜2呈未固 化狀態(包括半固化狀態)。此外，將結合有熱脫離片之半 導體者面用膜1附著於半導體晶圓4之背面。半導體晶圓4 15776l.doc ⑧ •58· 201213140 之背面意謂與電路面相對的面(亦稱作非電路面' 非電極 形成面等）。附著方法不受特別限制，但壓力接合方法較 佳。歷力接合通常在用加壓構件（諸如㈣）加壓下進行。 (切晶步驟） 接著’如圖3B中所示，切割半導體㈣〇由此將半導 體晶圓4切成規定大小且個別化（形成小塊）以製造半導體晶 月(半導體元件)5。舉例而言，根據標準方法自半導體晶圓曰 4之電路面-側進行切晶。此外，該步驟可採用例如稱為 全切（fuU-CUt)之切割方法’其形成達到結合有熱脫離片之 +導體背面用膜1的切口。用於該步驟中的切晶設備不受 特別限制’且可使用習知的設備。此外，由於半導體晶圓 4被具有半導體背面用膜之結合有熱脫離片之半導體背面 用膜1黏著且固荖，闵士， 者0此可抑制晶片開裂及晶片飛出，而 且亦可抑制半導體晶圓4損壞。就此而言，當半導體背面 用膜2係由含有環氧樹 面抑制或防止黏著劑自丰成時’可在切割 者以+導體背面用膜之黏著層擠出，即 使在藉由切晶I 4:77 ill η主-λ- χ.1 太」時亦然。因此，可抑制或防止切割面 之拾取。土）且攸而可進一步方便地執行下文所提及 叮t展開、。合有熱脫離片之半導體背面用膜1的情況下， 形外環及省免 背面用膜1向下通過切晶環的環 背面用 仫小於該外環且支撐結合有熱脫離片之半導俨 责面用膜的内瑷。士# 门心千等體 由於展開步驟，因此可防止相鄰半導體 157761.doc -59· 201213140 晶片在下文所述及之拾取步驟中因彼此接觸而損壞。 (加熱步驟） 接著對結合有熱脫離片之半導體背面用膜i進行轨處理 以降低熱脫離片與半導體f㈣膜之間㈣離力。加執方 法已描述於熱脫離片之段落中，因此此處省略有關立 明〇 八 (拾取步驟） 為收集黏著且固著於結合有熱脫離片之半導體背面用膜 1之半導體晶片5 ’如圖3C中所示執行半導體晶片5之拾 取’以將半導體晶片5隨半導體背面用膜2一起自熱脫離片 3剝離。在半導體裝置製造方法中，由於在拾取步驟之前 所執行的加好财熱麟片與半導时面用膜之間的剝 離力減小，因此可平穩地調整半導體晶片5。拾取方法不 受特別限制，且可㈣習知的各種方f舉例而言，可提 及的-種方法包括用針自結合有熱脫離片之半導體背面用 膜1之基底材料31-側上推各半導體晶片5及用拾取設備拾 取所推起之半導體晶片5。就此而言，所拾取之半導體晶 片5之背面用半導體背面用膜2保護。 (覆晶式連接步驟） ，所拾_取之半導體晶片5藉由覆晶接合方法（覆晶安裝方 法）固著於黏附體6(諸如基板）上，如圖3D中所示。特定而 =根據吊見方式，以半導體晶片5之電路面（亦稱作正 面電路圖案形成面、電極形成面等）與黏附體6相對的形 式使半導體晶片5EJ著於黏附體卜舉例^言，使在半導體 157761.doc 201213140 晶片5之電路面一側所形成的凸塊5 1與附著於黏附體6之連 接墊的結合用導電材料61(諸如焊料）接觸，且使導電材料 61在加壓下熔融’藉此可保證半導體晶片5與黏附體6之間 的電連接且可使半導體晶片5固著於黏附體6(覆晶接合步 驟）。在此情形下，半導體晶片5與黏附體6之間形成間隙 且間隙之間的距離通常為約3〇 μιη至3〇〇 pm。就此而言， 在覆晶接合（覆晶式連接）半導體晶片5於黏附體6之後，重 要的是洗滌半導體晶片5與黏附體6之相對面及間隙，接著 將囊封材料（諸如囊封樹脂）填入間隙以進行囊封。 作為黏附體6,可使用各種基板，諸如引線框架及電路 板（諸如佈線電路板）。基板材料不受特別限制且可提及陶 瓷基板及塑膠基板。塑膠基板之實例包括環氧樹脂基板、 雙順丁婦一醯亞胺三唤基板及聚醯亞胺基板。 在覆晶接合步驟中，凸塊材料及導電材料不受特別限制 且其實例包括焊料（合金），諸如基於錫-鉛之金屬材料、基 於錫-銀之金屬材料、基於錫-銀·鋼之金屬材料、基於錫_ 辞之金屬材料及基於錫_辞_鉍之金屬材料，以及基於金之 金屬材料及基於鋼之金屬材料。 順便提及，在覆晶接合步射，使導電材料熔融以使半 導體晶片5之電路面一側上的凸塊與黏附體6表面上之導電 材料連接。導電材料熔融溫度通常為約26(TC(例如25〇t 至300 C )。藉由由環氧樹脂或其類似物形成半導體背面用 膜’可使本發明之結合有熱脫離片之半導體背面用膜具有 旎夠在覆晶接合步驟中耐受高溫的耐熱性。 15776I.doc •61 · 201213140 在該步驟中，絲/土 & 佳為洗滌半導體晶片5與黏附體6之間的 相對面（電極形成面、 攻面）及間隙。在洗滌時所用之洗滌液不受 特別限制且其竇你丨—& + l括有機洗滌液及水性洗滌液。本發明 之結合有熱脫離片之半導體背面用膜令的半導體背面用膜 八有十對洗務液的耐溶劑性且實質上不溶於此等洗務液 中。因此，如卜路、+. 斤迹’可使用各種洗滌液作為洗滌液且可 利用：需要任何特別洗滌液之任何習知方法實現洗滌。 μ執行囊封步驟以囊封覆晶接合型半導體晶片5與 黏附體6之間的間隙。囊封步驟係使用囊封樹脂執行。此 情形下之囊封條件不受特別限制，但囊封樹脂之固化通常 在175°C下進行60秒至90秒。然而，在本發明中，不限於 此’固化可例如在165U185t之溫度下進行數分鐘。藉 由此步驟中之熱處理，不僅使囊封樹脂熱固化，而且亦同 時使半導體背面用膜2熱固化。因此，利用熱固化程序可 使囊封樹月曰與半導體背面用膜2均固化且收縮。因此可經 半導體奇面用膜2之固化收縮來抵消或緩和半導體晶片$ 因囊封樹脂固化收縮而受到的應力。此外，半導體背面用 膜2—在該步驟中可完全或幾乎完全被熱固化且可以極佳的 緊^黏著性附著於半導體元件背面。此外，本發明之半導 f背面用膜2即使該膜呈未固化狀態時亦可在囊封步驟中 隨囊封材料-起被熱固化，因此不需要新增添熱固化 體背面用膜2之步驟。 囊封樹脂不受特別限制’只要該材料為具有絕緣特性之 樹脂(絕緣樹脂)即可’且可在諸如囊封樹脂之已知囊封材 157761.doc • 62- 201213140 料申作適當選擇且加以使用。囊封樹脂較佳為具有彈性之 絕緣樹脂。囊封樹脂之實例包括含有環氧樹脂之樹脂組合 物。作為環氧樹脂，可提及上文舉例說明的環氧樹脂。此 卜由έ有環氧樹脂之樹脂組合物構成的囊封樹脂可含有 除裱氧樹脂以外之熱固性樹脂（諸如酚樹脂），或除環氧樹 脂以外，亦含有熱塑性樹脂。順便提及，亦可使用酚樹脂 作為％氧樹脂之固化劑，且作為此種酚樹脂，可提及上文 舉例說明的酚樹脂。 根據使用結合有熱脫離片之半導體背面用膜丨製造的半 導體裝置（覆晶安裝型半導體裝置），將半導體背面用膜附 著於半導體晶片背面，且因此可施加具有極佳可見度的雷 射標記。特定而言，即使當標記法為雷射標記法時，亦可 施加具有極佳對比率的雷射標記，且可以良好可見度觀察 到藉由雷射標記所施加之各種資訊（例如文字資訊及圖形 資訊）。在雷射標記時，可使用已知的雷射標記設備。此 外，作為雷射，可使用各種雷射，諸如氣體雷射、固態雷 射及液體雷射。特定而言，作為氣體雷射，可使用任何已 知的氣體雷射而無特別限制，但二氧化碳雷射（c〇2雷射） 及準分子雷射（ArF雷射、KrF雷射、XeCl雷射、xeF雷射 等）為適合的。作為固態雷射，可使用任何已知的固態雷 射而無特別限制，但YAG雷射（諸如Nd:YAG雷射）及γν〇4 雷射為適合的^ 由於使用本發明之結合有熱脫離片之半導體背面用膜或 半導體背面用膜所製得的半導體裝置為藉由覆晶安裝方法 157761.doc -63· 201213140 所安裝而成的半導體裝置，因此該裝置與藉由晶粒接合安 裝方法所安裝而成的半導體裝置相比具有薄化且小型化之 形狀。因此，該等半導體裝置宜用作各種電子裝置及電子 部件或其材料及構件。特定而言，作為使用本發明之覆晶 安裝型半導體裝置的電子裝置，可提及所謂的「行動電 活」及「PHS」、小型化電腦[例如所謂的「pDAj (手持型 終端）、所謂的「筆記型個人電腦」、所謂的「迷你筆記型 電腦_ B〇〇k)(商標）」及所謂的「穿戴式電腦」等]^、具 :整合「行動電話」與電腦之形式的小型化電子裝置、所 明的「數位攝影機（Digital Camera)(商標）」、所謂的「數 位視訊攝影機」、小型化電視機、小型化遊戲機、小型化 數位音訊播放器、所謂的「電子記事本」、所謂的「電子 字典」、用於所謂「電子書」的電子裝置終端、行動電子 =(便：式電子裝置)，諸如小型化數位型手錶，及其類 型二：了可提及除行動袭置外的電子裝置(靜態 機、謂的「桌上個人電腦」、薄型電視 機s己錄及複製用的電子裝置（硬磾 1更磲。己錄态、DVD播放器 專）投〜儀、微型機及其類似物。另外，電子部件或用 置及電子部件的材料及構件不 =括;「於所謂「咖」㈣件及用於各種記憶裝置= 件（所明5己憶體」、硬碟等）。 實例 下文將說明性詳述本發明之較佳 限於以下竇如队 貫例。然而，本發明不 貫例’除非該等實例超出本發明主旨。此外，除 157761.doc ⑧ 64· 201213140 非另有說明，否則各實例中之份數以重量為基準。 <製備半導體背面用膜> 藉由將以下物質溶於甲基乙基酮中來製備具有23.6 wt% 之固體含量濃度的黏著劑組合物溶液：1〇0份以丙烯酸乙 醋-丙烯酸甲酯作為主要組分之丙烯酸酯聚合物（商標
Paracron W-197CM」；Negami Chemical Industries 產 品）、113份環氧樹脂（商標r Epic〇at ι〇〇4」；JEr產品）、 121伤紛系樹脂（商標「Miiex xlc-3L」； Mitsui Chemicals 產品）、246份球形二氧化矽（商標「s〇_25R」；Admatechs 產品）及 3份染料（商標「〇IL BLACK BS」；Orient Chemical Industries產品）。 將由此製得之黏著劑組合物溶液施加於已進行聚矽氧釋 放處理之作為釋放襯墊（隔離物）且由具有5〇 ^爪厚度之聚 對苯二甲酸乙二酯膜構成的膜上，隨後在13〇。〇下乾燥2分 鐘而製得具有20 μιη厚度（平均厚度）之半導體背面用膜χ。 <製備熱脫離片> (製備實例1) 向配備有溫度計、攪拌器、氮氣入口管及回流冷凝器且 具有500 m!之内部容量的三頸燒瓶型反應器中饋入藉由將 50份丙烯酸正丁酯、5〇份丙烯酸2_乙基己酯、5份丙 酸、（M份2,2，-偶氮二異丁猜及2〇〇份乙酸乙酿混合（ 200 g總量）所獲得的混合物❶攪拌所得混合物，同時彳丨入 氮氣持續約1小時以用氮氣淨化反應器内部的空氣。接= 使反應器内部溫度變為58t且在維持該條件的同時進^ 15776I.doc -65· 201213140 合反應持續約4小時而獲得丙烯酸系共聚物A。 將藉由添加2份基於異氰酸酯之交聯劑至含有i00份由此 獲得之丙稀酸系共聚物A的乙酸乙酯溶液中所獲得的丙稀 酸系壓敏性黏著劑與35份熱膨脹微球體（商標 「MICROSPHERE F-50D」；Matsumoto Yushi-Seiyaku產品） 混合。將所得混合物施加於具有5 0 μιη厚度之PET膜之一 側上，隨後乾燥而獲得具有40 μιη厚度之熱膨脹層。在熱 膨脹層上提供具有3 μιη厚度之抗污染黏附層而獲得熱脫離 性壓敏性黏著片》 抗污染黏附層係用以下方式製備。首先，向配備有溫度 計、攪拌器、氮氣入口管及回流冷凝器且具有5〇〇 ml之内 部容量的三頸燒瓶型反應器中饋入藉由將5〇份丙稀酸正丁 酯、50份丙浠酸乙酯、5份丙稀酸、0.1份2,2，-偶氮二異丁 腈及200份乙酸乙醋混合（得到2〇〇 g總量）所獲得的混合 物。攪拌所得混合物，同時引入氮氣持續約1小時以用氮 氣淨化反應器内部的空氣》接著使反應器内部溫度變為 57°C且在維持該條件的同時進行聚合反應持續約5小時而 獲得丙烯酸系共聚物B。將藉由添加3份基於環氧基之交聯 劑至含有100份由此獲得之丙烯酸系共聚物3的乙酸乙酯溶 液中所獲得的丙烯酸系壓敏性黏著劑施加於隔離物上，隨 後乾燥而形成膜。將所得膜轉移且附著於熱膨脹層而在其 上提供黏附層》 (製備實例2) 以與製備貫例1類似的方式在具有5〇 厚度之pet膜之 157761.doc ⑧ 201213140 一側上形成熱膨脹層。在所得熱膨脹層上提供具有2 μπι厚 度之抗污染型輻射可固化黏附層而獲得熱脫離性壓敏性黏 著片。藉由將經由混合丙烯酸系共聚物Β與100份胺基甲酸 酉旨丙烯酸酯、3份基於異氰酸酯之交聯劑及3份光聚合引發 劑所獲得之丙烯酸系壓敏性黏著劑施加於隔離物上、乾燥 所得膜且接著將其轉移及附著於熱膨脹層來提供抗污染型 輻射可固化黏附層。 (製備實例3) 如下製備熱脫離性壓敏性黏著片：在具有 PET膜之一側上形成4〇 μπι厚之類似於製備實例i中所製備 之熱膨脹層’在該熱膨脹層上提供藉由將1 〇〇份丙稀酸系 聚合物C與3份基於異氰酸酯之交聯劑之混合物施加於熱膨 脹層上所獲得的3 μιη厚之抗污染黏附層，隨後乾燥，且接 著用已進行釋放處理之PET膜（50 μπι)覆蓋所得黏附層。 上述丙烯酸系共聚物C係用以下方式製備。向配備有溫 度计、攪拌器、氮氣入口管及回流冷凝器且具有5〇〇 Μ之 内部體積的三頸燒瓶型反應器中饋入藉由將崎丙稀酸 乙基己醋、20份丙稀酸基嗎啦、3份丙烯酸、〇1份2,2，•偶 氮二異丁腈及200份乙酸乙s旨混合（得到· g總量）所獲得 的混合物。㈣所得混合物，同時向其巾引人氮氣持續約 1小時以用氮氣淨化反應器中的空氣。接著使反應器内部 溫度變為抓且在維持該條件的同時進行聚合反應持續約 7小時。將由此獲得之丘聚你、灭 札 4物添加至1L庚烷中且攪拌混合 物。移除溶劑，但不移除沈澱物， 五從而移除低分子量部 157761.doc •67· 201213140 分。為了移除低分子量部分，類似步驟再執行兩次。接著 添加乙酸乙酯以溶解其中的沈澱物而得到2〇〇 g之總量。 由此製得丙烯酸系共聚物c。 (製備實例4) 藉由使用PET基底材料（5〇 μηι)以類似於製備實例i之方 式形成熱膨脹層且在該熱膨脹層上提供具有5 #111厚度之抗 污染輻射可固化黏附層來製備熱脫離性壓敏性黏著片。 抗污染輻射可固化黏附層係用以下方式製備。首先，向 配備有溫度s十、授拌器、氮氣入口管及回流冷凝器且具有 500 ml之内部體積的三頸燒瓶型反應器中饋入藉由將1〇〇 份由100份丙烯酸丁酯及2份丙烯酸羥基乙酯構成之丙烯酸 系聚合物D與1份異氣酸甲基丙稀醯氧基伸乙醋、〇·ι份 2,2 -偶氮二異丁腈及200份乙酸乙酯混合（得到2〇〇 g總量）. 所獲得的混合物。撥摔所得混合物，同時向其中引入氮氣 持續約1小時以用氮氣淨化反應器中的空氣。接著使反應 器内部溫度變為5 8 °C且在維持該條件的同時進行聚合反應 持續約5小時而獲得丙烯酸系共聚物D。 將藉由混合所得丙稀酸系共聚物D與100份胺基甲酸g旨丙 稀酸醋、3份基於異氰酸醋之交聯劑及3份光聚合引發劑所 獲得之丙稀酸系壓敏性黏著劑施加於隔離物上且加以乾 燥。接著將由此形成之膜轉移且附著於熱膨脹層。以此方 式製得黏附層。 (製備實例5) 以類似於製備實例1的方式獲得熱脫離性壓敏性黏著 157761.doc • 68 · ⑧ 201213140 片’例外之處為不在熱膨脹層上提供黏附層。 (比較性製備實例1) 以類似於製備實例1的方式製備壓敏性黏著片，例外之 處為使用不與熱膨脹微球體混合之丙烯酸系壓敏性黏著劑 A形成簡單黏附層且在所得黏附層上未提供另一黏附層。 <製備結合有熱脫離片之半導體背面用膜> (實例1至5及比較實例1) 藉由使用層壓機將半導體背面用膜χ附著於各製備實例 及比較性製備實例中所獲得之熱脫離片之壓敏性黏著層上 而製得結合有熱脫離片之半導體背面用膜。層壓機係在以 下條件下使用： (層壓機條件） 層壓機：「LPA330/450」 層壓機溫度：40°C 層壓機速度：1600 mm/min (評估方法：晶片收集率） 將晶圓安裝於各實例及比較實例中所製備之結合有熱脫 離片之半導體背面用膜上。在對晶圓進行切割及熱處理之 後’評估拾取特性且測定附著有半導體背面用狀所得石夕 晶片之收集率（N=2〇)。順便提及，對於實例2及實例4，將 藉由切割安裝於結合有熱脫離片之半導體f面用膜上之晶 圓所獲得的W暴露於紫外線且接著進行減^拾取晶 片且評估晶片收集率。結果顯示於表丨中。 特疋而吕，用以下方式收集晶片。首先，對半導體晶圓 157761.doc •69· 201213140 (具有8吋直徑及〇.6 mm厚度，矽鏡面晶圓）進行背面研磨 處理’且使用具有〇·2 mm厚之鏡面晶圓作為工件。在自名士 合有熱脫離片之半導體背面用膜釋放隔離物之後，藉由使 用輥壓接合法將鏡面晶圓（工件）在7〇r下接合於半導體背 面用膜上。接著切割晶圓。切晶以全切式切晶方式進行， 以使得晶圓被切成1 〇 mm2之晶片大小。接著進行熱處理以 使熱膨脹微球體膨脹。最後，收集具有半導體背面用膜之 半導體晶片。在實例2及4中，在切晶之後，但在熱處理之 前藉由暴露於紫外線來進行固化處理。半導體晶圓之研磨 條件、接合條件、切晶條件、紫外線暴露條件、加熱條件 及拾取條件如下文所述》 (半導體晶圓之研磨條件） 研磨機：「DFG-8560」（商標；DISCO Corporation產品） 半導體晶圓：8对直徑（自0.6 mm厚度背面研磨至0.2 mm) (接合條件） 安裝機：「MA-3000III」（商標；Nitto Seiki產品） 安裝速度：10mm/min 安裝壓力：0.15 MPa 安裝時級溫：70°C (切晶條件） 切晶鋸：「DFD-6361」（商標；DISCO Corp〇rati〇n產品） 切晶環：「2-8-1」（DISCO Corporation產品） 切晶速率·· 30 mm/sec 切晶刀片 I57761.doc -70- ⑧ 201213140
Zl :「203O-SE 27HCDD」（商標；DISCO Corporation產品） Z2 :「203O-SE 27HCBB」（商標；DISCO Corporation產品） 切晶刀片轉速·
Zl ： 40,000 rpm Z2 : 45,000 rpm 切割系統：步進式切割 晶圓晶片大小.10.0 mm (紫外線照射條件） 紫外線（UV)照射器：高壓汞燈 UV累積光量：500 mJ/cm2 輸出：75 W 照射強度：150 mW/cm2 (加熱條件） 加熱溫度：180°C 加熱時間：30秒 (半導體晶圓拾取條件） 拾取設備：商標「SPA-3 00」； Shinkawasha產品 拾取針數目：9 針上推速度·· 30mm/s 針上推量：500 μιη 拾取時間：1秒 熱脫離片之膨脹量：3 mm (評估方法：評估△(：及C/Si) 為了得知半導體背面用膜因來源於壓敏性黏著層之有機 157761.doc -71 - 201213140 物及其類似物而引起之污染程度，使用化學分析用x射線 電子光譜法（ESCA)評估有機物及其類似物之黏著程度。然 而半導體背面用膜係由有機聚合物組分構成，因此不能容 易地债測到有機物量之變化，即使藉由直接量測半導體背 面用膜之表面上之量亦如此，因此料導體晶圓（而非半 導體背©用膜）附著於熱脫㈣且使用有機物及其類似物 與半導體晶圓表面之黏著程度作為半導體背面用膜之污染 程度之指標。 特定而言，如下進行評估。將各實例及比較實例中所獲 得之（熱脫離性）壓敏性黏著片附著於4吋鏡面拋光型矽晶 圓。在將所得晶圓擱置丨小時之後，根據晶片收集率評估 中所執行之熱處理程序對其進行熱處理。接著在23艽、 180°剝離角及300 mm/min之拉速下自矽晶圓釋放壓敏性黏 著片。使用ESCA儀器量測由此釋放之矽晶圓之表面的表 面碳比率ci(%)且同時亦量測表面Si比率Si(%)。獨立地使 用ESCA設備測定4吋鏡面拋光型矽晶圓之表面的表面碳比 率C2(%)。根據下式計算△(：及C/Si〇結果顯.示於表！中。 △c=(表面碳比率C1(%))_(表面碳比率C2(%)) C/Si=(表面碳比率Cl(%))/(表面Si比率Si(%)) (ESCA量測條件） ESCA(XPS)儀器：「5400」（商標；ULVAC-PHI，INC.產品） X射線源：MgKa 15 kV(300 W) (表面粗縫度Ra評估方法） 根據JIS B0601 ’使用非接觸三維粗糙度儀（商標 157761.doc -/«4 - 201213140 NT3300」；Veeco lnstruments產品）量測加熱後之熱脫離 片之壓敏性黏著層的表面粗糙度（Ra)e量測條件為5〇倍功 率。所得數據經由中值濾波器處理。各熱脫離片對其°5個 不同位點作分析且對數據取平均值而得到薄片之表面粗糙 度（Ra)。結果顯示於表i中。 表1
如自表1顯而易見，實例中所獲得的結合有熱脫離片之 半導體背面用膜各自呈現100%之晶片收集率，因此具有 良好的拾取特性。另一方面，由不含熱膨脹微球體之壓敏 性薄片構成的比較實例1之膜呈現低至15〇/〇之晶片收集 率已推疋發生此現象的原因為壓敏性薄片與半導體背面 用膜之間的剝離力太強而無法拾取半導體元件。在上面未 提供有黏附層的實例5之膜中，與在熱膨脹層上提供有抗 污染黏附層的實例1至4之膜相比，熱膨脹微球體受熱膨脹 之後的Δ<：及C/Si以及熱脫離片之表面粗糙度Ra較高，此表 明為了抑制半導體背面用膜之污染及不平坦性，較佳提供 15776I.doc •73- 201213140 不可膨脹的黏附層。此外’在實例2及4中使用uv可固化 壓敏性黏著層所獲得之膜的表面粗糙度Ra稍小於實例1及3 中所獲得之膜的表面粗糙度，此表明當需要半導體背面用 膜進一步具有平坦度時，較佳使用UV可固化壓敏性黏著 層。 雖然已參考特定實施例詳細描述了本發明，但熟習此項 技術者應顯而易知在不偏離本發明之範的情況下可作出 各種變更及修改。 本申請案係基於2010年7月29日申請的日本專利申請案 第2010-170919號，該案之全部内容以引用的方式併入本 文中。 【圖式簡單說明】 圖1為顯示本發明之結合有熱脫離片之半導體背面用膜 的一個實例之橫截面示意圖。 圖2為顯示本發明之結合有熱脫離片之半導體背面用膜 的另一實例之橫截面示意圖。 圖3A至圖3D為顯示使用本發明之結合有熱脫離片之半 導體背面用膜製造半導體裝置之方法之—個實例的橫截面 示意圖。 【主要元件符號說明】 1 結合有熱脫離片之半導體背面用膜 2 半導體背面用膜 3 壓敏性黏著片（熱脫離片） 4 半導體晶圓 157761.doc 201213140 5 半導體晶片 6 黏附體 31 基底材料 32 壓敏性黏著層 32a 熱膨脹層 32b 黏附層 33 對應於半導體晶圓附著部分之部分 51 形成於半導體晶片5之電路面一側的凸塊 61 附著於黏附體6之連接墊的接合用導電材料 157761.doc -75-

Claims (1)

  1. 201213140 七、申請專利範園： 1. 一種結合有熱脫離片之半導體背面用膜，其包含： 包含基底材料層及壓敏性黏著層之壓敏性黏著片，及 形成於該壓敏性黏著片之該壓敏性黏著層上的半導體 、 背面用膜， • 其中該壓敏性黏著片為熱脫離性壓敏性黏著片，其自 該半導體背面用膜剝離之力在加熱時減小。 2. 如請求項1之結合有熱脫離片之半導體背面用膜，其中 該麼敏性黏S|包含熱膨脹層，其含有可在加熱時膨脹 之熱膨脹微球體。 3·如請求項2之結合有熱脫離片之半導體背面用膜，其中 该壓敏性黏著層進一步包含形成於該熱膨脹層上及形成 於該半導體背面用膜與該熱膨脹層之間的非熱膨脹性黏 附層。 4.如請求項2之結合有熱脫離片之半導體背面用膜，其中 该等熱膨脹微球體具有l〇(rc或大於1〇(rc之熱膨脹起始 溫度。 5·如請求項2之結合有熱脫離片之半導體背面用膜，其中 忒等熱膨脹微球體顯示5倍或大於5倍之體積膨脹。 .6.如凊求項2之結合有熱脫離片之半導體背面用膜，其中 該壓敏性黏著片進一步在該基底材料層與該熱膨脹層之 間包含橡膠狀有機彈性層。 7. —種收集半導體元件之方法，其包含： 將半導體晶圓附著於如請求項！之結合有熱脫離片之 157761.doc 201213140 半導體背面用膜的該半導體背面用膜上； 切割該半導體晶圓以形成半導體元件； 加熱該結合有熱脫離片之半導體背面用膜；及 使該半導體元件隨該半導體背面用膜一起自該熱脫離 片之該壓敏性黏著層釋放。 8. 其包含將利用如請求項7 集的半導體元件覆晶式連 一種製造半導體裝置之方法， 之收集半導體元件之方法所收 接於黏附體上。 157761.doc
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