TW201211595A

TW201211595A - Optical film, polarizer and image display device

Info

Publication number: TW201211595A
Application number: TW100120412A
Authority: TW
Inventors: Yuta Takahashi; Hisato Nagase
Original assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2010-06-10
Filing date: 2011-06-10
Publication date: 2012-03-16
Also published as: US20130093992A1; JP2012018395A; WO2011155616A1; JP5728298B2; KR20130090778A; KR101672574B1; CN102933994A; US8896774B2

Description

201211595 f -----pif 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明是有關於一種實質上具有1/4波長的位相差的光學膜，且特別是有關於一種使用上述之光學膜的液晶顯示裝置或3D顯示裝置。【先前技術】入/4板具有非常多的用途，且已被使用於反射型 LCD、半透過型LCD、發光強度提高膜（luminance enhancement film)、光碟用讀寫頭(pickup)或PS轉換元件中。在上述中，目前所使用的大部分的λ/4板為因延伸聚合物膜而被發現光學非等向性的位相差板。聚合物膜的遲相軸方向相當於一般薄片狀(sheet)或捲狀(roll)膜的縱方向或檢方向’且在薄片或滾筒的斜對角方向具有遲相軸的聚合物臈是非常困難製造的。使用位相差板時大多相對於偏光板的透過軸’以位相差板的遲相軸既不平行也不正交於透過軸的角度而被配置。另外，2枚以上的位相差板的遲相軸與偏光板的透過軸，也各別以既不平行也不正交的角度被配置的情況較多。通常，由於偏光板的透過軸為相對捲狀膜的長邊方向的正交方向，因此為了使位相差板與偏光板貼合，有必要切割各別的膜，以使所得到的膜片（chip) 成為給定的角度的方式進行貼合。在以膜片的貼合來製造位相差板與偏光板的積層體時，則黏著劑的塗佈製程，或膜片二刀割或膜片的貼合製程是有必要的，然製程的處理繁雜谷易發生因轴偏差(shaft misalignment)所導致的品質 4 201211595 ^plf 低、產率降低、成本增加，且也易發生異物的混入。另外， f聚合物膜中，三次元方向的折射率非等向性的發現，會父到如延伸倍率、溫度、延伸速度、聚合物的分子量等種種條件下的影響。根據上述’要精密地控制聚合物膜的光學非等向性是困難的。為了解決這樣的問題，因此提出了一種位相板，在捲狀膜上塗佈含有圓盤狀液晶化合物或棒狀液晶化合物的塗佈液，並藉由在所給定的方向上配向而發現光學非等向性，且相對捲狀膜既不平行也不正交的角度中具有遲相軸的位相差板(專利文獻1、2)。另外，揭示了一種位相差板，以圓盤狀液晶化合物的圓盤面為相對膜面實質上成為垂直的方式使配向固定化(專利文獻3、4、5、6、7)。此外，雖然位相差板的用途也被提出作為在有機

EL(Orgamc Electro-Luminescence，OEL)、觸控面板、3D 顯示裝置等中的最前面所使用的構造。但是，先前的位相差板會有容易損傷而強度不足、外光的反射強度高、耐光性弱、容易沾附污垢而難以去掉等的問題，因而不適合在最前面使用。 σ [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1:日本專利特開2〇〇1_4837號公報專利文獻2 :日本專利特開2〇〇4_53841號公報專利文獻3 :曰本專利特開平9-292522號公報專利文獻4.曰本專利特開2〇〇〇_5631〇號公報 201211595f 曰本專利特開2000-104073號公報曰本專利特開2000-105316號公報曰本專利特開2007-108732號公報專利文獻5 專利文獻6 專利文獻7 【發明内容】本發明為有鑑於前述的諸問題，而提供—種具有可用 ^為λ/4板之特定的絲特性、能以高生產性製作、且可提供於3D顯示性能優異的顯示裝置之光學膜。另外，本發明的另一課題為，-邊解決前述課題’一邊可生產性良好的提供具有於顯示裝置的最前面中所使用之物理性能、抗反射性優異、耐紐優異之3D顯示裝置。〔1〕種光學膜，其具有至少一層的光學非等向性層（optically anisotropic layer)，且在可見光領域的任意波長的面内的延遲(retardation)Re為80〜200 nm，以下述數學式所表示的Nz值為〇.1〜0.9，而在波長45〇 nm、55〇 nm、 650 nm的面内的延遲分別作為Re45〇、Re55〇、Re65〇時，

Re450/Re550 為 1·18 以下，Re65〇/Re550 為 0.93 以上。 Νζ=0·5 + Rth/Re ( Rth :在與所測定Re的波長同一波長的厚度方向的延遲）。〔2〕前述〔1〕所述之光學膜，其中在支撐體上設置有前述光學非等向性層，而前述光學非等向性層含有至少一種的液晶性化合物。〔3〕前述〔2〕所述之光學膜，其中前述液晶性合物為圓盤狀(discotic)液晶性化合物，前述圓盤狀液晶性化合物為以相對前述光學非等向性層平面實質上成為垂直的方 6 201211595. joi / jpif 式，使配向狀態固定化。〔4〕前述〔3〕所述之光學膜，其中前述光學非等向性層為由含有一般式⑴所表示的圓盤狀液晶性化合物的至少一種的組成物所形成。 [化1]

Hv 上述一般式⑴中，Y11、Y12及Y13分別獨立表示為可取代的次甲基(methane group)或氮原子； L1、L2及L3分別獨立表示為單鍵或二價的連結基； Η1、H2及H3分別獨立表示為一般式(Ι-A): [化2] 一般式（I 一 A)

(前述一般式(I_A)中，YA1及YA2分別獨立表示為可 201211595 KJ~f / «/L· 有取代基的次甲基或氮原子； XA表示為氧原子、硫原子、亞甲基(methylene group) 或亞胺基(iminogroup); *表示為與上述一般式(I)中的L1〜L3側鍵結的位置； * *表示為與上述一般式(I)中的R1〜R3侧鍵結的位置。）或一般式(I-B): [化3] —般式（I 一B)

(前述一般式(I_B)中，YB1及YB2分別獨立表示為可有取代基的次甲基或氮原子； XB表示為氧原子、硫原子、亞曱基或亞胺基； *表示為與上述一般式⑺中的Li〜L3側鍵結的位置； **表不為與上述一般式⑴中的Ri〜R3側鍵結的位置。） R1、R2及R3分別獨立為下述一般式(I_R): —般式（I —R) ni~L22 — L2 3—Q1 氺一（一L21~-Q2) δ 201211595 ， u υ~τ / ϋΐϊ (一般式(I-R)中， *表示為與上述一般式(I)中的H1〜H3側鍵結的位置； L21表示為單鍵或二價的連結基；Q2表示為有至少1 種類的環狀結構的二價基； nl表示為0〜4的整數； L22 表示為 * * -0-、* * -0-C0-、* * -C0-0-、* * -O-CO-0-、* *-S-、* *-N(R101)-、* *-S02-、* *-CH2-、 * * 或** -C三C-， R1g1表示為碳數1〜5的烷基， **表示為與Q2側鍵結的位置； L23 表示為-0-、-S-、-C(=0)-、-S02-、-NH-、-CH2-、 -CH=CH-及-OC-，以及選自由其所組合的群組的二價的連結基； Q1表示為聚合性基或氫原子。）。〔5〕前述〔2〕所述之光學膜，其中前述光學非等向性層為由含有一般式（II)所表示的吼啶鏽化合物 (pyridinium compound)的至少一種的組成物所形成。 [化4] -般式（I I ) z2lJ.Y23_L24]_Y22_L23_

R22 上述一般式(II)中，L23及L24分別為二價的連結基； 201211595. R22為氫原子、無取代胺基，或碳原子數的取代胺基；X為陰離子；Y22及Y23分別為包括作為部分結構之可取代的5員環或6員環的2價的連結基；zZ1表示為選自由鹵素取代苯基、硝基取代苯基、氰基取代苯基、以碳原子數1〜25的烷基所取代的苯基、以碳原子數1〜25的烷氧基所取代的苯基、碳原子數丨〜25的烷基、碳原子數2〜 25的炔基、碳原子數丨〜25的烷氧基、碳原子數2〜乃的烷氧羰基、碳原子數7〜26的芳氧羰基及碳原子數7〜26 的芳羰基氧基所組成的群組的一價的基；？為丨〜⑺的數；以及m為1或2。〔6〕前述〔2〕所述之光學膜，其中前述光學非等向性層為在長形的支撐體上連續地形成的層，前述光學非等向性層的遲相軸與前述支撐體的長邊之間的角度為5〜85<5 〇〔7〕前述〔6〕所述之光學膜，其中前述光學非等向性層為對設置在前述支撐體上的配向膜進行摩擦處理後所

形成的層，前述光學非等向性層的遲相軸與摩擦方向之間的角度實質上為90。。 B

〔8〕前述〔6〕所述之光學膜，其中前述光學非等向性層為對設置在前述支撐體上的配向膜進行摩擦處理後所形成的層，前述光學非等向性層的遲相軸與摩擦方向之的角度實質上為0。。 B 〔9〕一種光學膜，包括：在前述〔1〕所述之光學膜的至少其中一側的面上，直接或經由其他層而層積有硬塗 201211595 . »/〇-Γ / «/L^ll 層。〔10^ -種光學膜’包括：在前述⑴所述之光學膜的至少/、+-烟面上’直接或經由其他層，層積有作為抗反射層功能的至少一層的光學干涉層。〔11〕-種光學膜，包括：在前述⑴所述之光學 ΐ二ίΐίΐ由其他層，依序層積有硬塗層以及作為抗反射層功I的至少一層的光學干涉層。〔12|、前述㈤〕所述之光學膜，其帽述絲干涉二1^至〉、—層為低折射率層，而前述低折射率層為配置在最表面側。〔13〕前述〔10〕所述之光學獏，其中前述光學干涉層為中折射⑽、高折射率層、低騎層’而前述低折射率層為配置在最表面側。㈣賴一〔14〕前述〔2〕所述之光學膜，其中前述支撐體、光學非等向性層、硬塗層及光學干涉層中的至少任一的一層包括紫外線吸收劑。〔15〕一種偏光板’包括··前述〔〗〕〜〔14〕的任一所述之光學膜與偏光膜均是以長形的狀態被連續地層積。〔16〕一種偏光板，包括：以前述〔1〕〜〔14〕的任所述之光學膜、偏光膜、光學補償膜的順序，均是以長形的狀態被連續地層積。〔17〕一種影像顯示裝置’包括：在最前面配置有前述〔1〕〜〔14〕的任一所述之光學膜。 11 201211595. 〇〇*t/jpif 〔18〕月_】述〔17〕所述之影像顯干駐罢像顯示裝置為立體影像顯示裝置。、〃刚述影述〔二==置’包括—置有前述心二=裝置，包括:在最前面配置有前〔21〕前述〔19〕或〔20〕所述之影像顯中前述影像顯示裝置為立體影像顯示裝置裝置’其異的，犧自⑽认_錄理性能優 ;乍=2。而且’在本發明’可提供能以高生產性Ϊ -有優異之顯示性能的3D顯示裝置。【實施方式】以下，對於本發明進行詳細地說明。再者，在本實施形態的說明中，所謂「平行」或「正 ^是指精確角度小於±5。的範圍内。與精確角度的誤差較 1圭為小於4 ’更佳為小於3。。另外’關於角度，「+」是指順時鐘方向，而「_」是指逆時鐘方向。此外，「遲相軸」是指折射率成為最大時的方向，而且折射率的測定波長只要沒有特別的敘述，其為在可見光區（又=550 nm)的值。另外，在本實施形態的說明中所謂的「偏光板」，只要沒有特別的敘述，其用以指包括長形的偏光板，以及被裁剪為組裝入顯示裝置的大小的偏光板的兩者。再者，此 12 201211595 f

t I l)1I 處所說的「裁剪」也包括作為「打穿除去」以及「切割取出」等者。此外，在本實施形態的說明，使用「偏光膜」與「偏光板」以做區別，其中「偏光板」是指於「偏光膜」的至少單邊具有保護此偏光膜之透明保護膜的積層體。另外，本實施形態的說明中所謂的「分子對稱軸」為在分子具有旋轉對稱軸時所指的這個對稱軸，而不是以精確意思要求為分子的旋轉對稱性。一般而言，在圓盤狀 (discotic)液晶性化合物中’分子對稱軸為與貫穿圓盤面的中心且相對於圓盤面而垂直的轴一致，而在棒狀液晶性化合物中，分子對稱軸為與分子的長軸一致。此外’在本說明書中，Re(又）、Rth(；l)各別表示為在波長λ下的面内的延遲(retardati〇n)以及厚度方向的延遲。Re( λ)為，在K0BRA 21ADH或WR(王子計測機器股份有限公司製造）中，將波長λ nm的光入射至膜法線方向而測定。在測定波長λ nm的選擇時，可以手動交換波長選擇;慮光片，或者是以程式等變換測定值，以進行測定。在所測定的膜以1軸或2軸的折射率橢圓體所表示的情況下，可藉由以下的方法算出Rth(A”再者，上述的測定方法於後述的光學非等向性層（〇ptically anis〇tr〇pic layer)中的圓盤狀液晶分子的配向膜侧的平均傾斜角、其相反側的平均傾斜角的測定中，也部分被利用。 Μι(λ)為’前述Re(x)將相對面内之遲相轴(由K〇BRA 21 ADH或WR進行判斷)作為傾斜軸(旋轉轴)(在沒有遲相轴時’將膜面内之任意方向作為旋轉袖)的膜法線方向，從 201211595 法線方向單侧以H)度間距至5G。，自其各別的傾斜之方向入射波長λ rnn的光，共計測定6點，並根據上述所測定的延遲值與平均折射#的錢值及所輸人_厚值，由 KOBRA21ADH或WR而算出。在上述中，當膜為自法線方向將面内之遲相軸作輕雜、且具有在某—傾延遲的值成為零之方向時，將比上述的傾斜肖度大之角度的延遲錢更其符縣請後，纟KQBRA2iadh、或而算出。再者，可將遲相軸作為傾斜軸(旋轉軸X在沒有遲相軸時’將膜面内之域方向作為旋轉軸），自任音的傾斜的2方向以測定延遲值，並根據上述的齡平均ς 率的假設值，及所輸人的膜厚值，彻以下的式(III)而算出Rth。 ^ I数1】 __ ____ rtf x {ni cos(sin “(如(〉)a n«» ’’ 式(A) 另外’上述的Re(0)表示為自法線方向傾斜角产0 方向中的延遲值。此外，在式(A)中，狀表示為面：相軸方向的折射率，ny表示為面内中正交ηχ之方向射率，ηζ表示為正交⑽及町之方向的折射率。d表示膜厚。

Rth=((nx + ny)/2-nz)xd —般式(III) 在所測定的膜無法以1軸或2轴的折射率_體表現 2〇1211595if ，即一般所說沒有光學軸(optic axis)的膜時，利用以下的方法來算出RthO)。ΪΙΛ(λ)為，前述Ι^(λ)將面内之遲相軸( 由KOBRA 21ADH或WR進行判斷)作為傾斜軸(旋轉軸），相對於膜法線方向以10度間距從-50°至+50。，自其各別的傾斜之方向入射波長ληιη的光’共計測定11點，並根據上述所測定的延遲值與平均折射率的假設值，及所輸入的膜厚值，由K0BRA21ADH或WR而算出。另外，在上述的測定中，平均折射率的假設值可使用聚合物手冊(JOHN WILEY & SONS，INC)中各種光學膜的目錄的值。對於平均折射率的值為未知者’可用阿貝折射計(abbe refract〇rneter)進行測定。主要光學膜的平均折射率的值如以下所示例：醯化纖維素(cellulose aCylate)(l.48)、環烯烴聚合物(cycloolefin polymer)(1.52)、聚碳酸酯加加的⑽的挪59)、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethylmethacrylate)(1.49)、聚苯乙烯 (p〇lystyrene)(1.59)。利用輸入這些平均折射率之假設值盥膜厚丄由KOBRA 21ADH或算出ηχ、ny、nz，並利用二述所算出之nx、ny、取進一步由Nz=(则z)/(nx_ny)而算出 (傾斜角的測定）光學⑽物/絲液驗化合物的曰中直接且正確地測定光學非等向性層的性傾斜細盤狀液晶性化合物或棒狀液晶的角;非等向性層的界面之間、角）及另一側的面的傾斜角是有困 15 201211595 難的。因此，在本說明書中，01及0 2為用以下的方法算出。本方法雖並非正確地表現本發明的實際的配向狀態’ 但為有效地表示光學膜的某些部分的光學特性的相對關係的方法。在本方法中，為了使算出容易，其假設下述的2點，作為在光學非等向性層的2個界面中之傾斜角。 1. 假設光學非等向性層為以包含圓盤狀液晶性化合物或棒狀液晶性化合物的層所構成的多層體。而且，進一步假設’其所構成的最小單位的層(假設圓盤狀液晶性化合物或棒狀液晶性化合物的傾斜角為在前述的層内一樣)為光學上的一轴。 2. 假設各層的傾斜角為沿光學非等向性層的厚度方向以一次函數單調的進行變化。具體的算出法如下述。 (1)在各層的傾斜角為在沿光學非等向性層的厚度方向以一次函數單調的進行變化的面内，改變對光學非等向性層的測;t光的人射角，以3個以上的測定角來測定延遲值 ^為了使測及計算可簡便地進行，較佳為，相對光學非等向性層的法線方向為〇。’以_4()。、Qe、+4()。的3個的測定角來測疋延遲值。如上述的測定，可以k〇bra_21adh及 K〇BRA-WR(王子計㈣股份有限公賴造）、透過型的糖圓計AEP-100(島津製作所股份有限公司製造）、聰〇及 M250(日本分光股份有限公司製造）、ΑΒκΐ〇Α(·〇ρτ股份有限公司製造)來進行。 16 201211595. ^o-T/Jpif (2)在上述的模型中，各層的正常光的折射率為η〇、非正常光的折射率為ne(ne在全部的各層為相同值，η〇也是同樣的）’以及多層體的整體厚度為d。而且，以假設各層的傾斜方向與各層的一軸的光軸方向為一致為基礎，以使光學非等向性層的延遲值的角度依存性的計算與測定值一致的方式，使光學非等向性層的其中一侧的面的傾斜角0工及另一側的面的傾斜角02作為變數進行擬合(fitting)，以算出01及02。因此’ no及ne可使用文獻值、目錄的值等的已知的值。值為未知時，可使用阿貝折射計來進行測定。光學非等向性層的厚度則可藉由光學干涉膜厚計、掃描式電子顯微鏡的剖面照等，以進行測定。以下，詳細地說明在本發明的光學膜、偏光板、影像顯示裝置的製作中所利用的種種材料以及製造方法。 [光學膜] 本發明的光學膜為具有至少一層的光學非等向性層的光學膜，在可見光領域的任意波長的面内的延遲為8〇〜 200 nm，以下述式所表示的Nz值為0.1〜〇.9，而在波長450 nm、550 nm、650 nm的面内的延遲分別為Re45〇、Re550 、Re650時，Re450/Re550為 1.18以下，Re650/Re550為0.93 以上。

Nz=0.5 + Rth/Re (Rth :在與測定Re的波長同一波長的厚度方向的延遲）。在本說明書中’可見光領域能夠以波長550 nm為代表 17 201211595. *7〇-T t ^pif

O 本發明的光學臈較佳為包含具有藉由構成材料的分子的配向所發現的折射率非等向性的光學非等向性層。關於此光學非等向性層的構成材料，並無特別的限制f其可為由含有液晶性化合物的組成物所形成，且顯示藉由此液晶性化合物的分子的配向所發現的光學非等向性的層，也可為具有延伸聚合物膜且使财的高分子被配向所^現的光學非等向性的層，亦可為具有S者的層。光學非等向性層較佳為包含至少-層的由含有液晶性化合物的組成物所形成的層，或包含聚合物膜，更佳為包含上述之兩者。在為聚合物膜與由含有液晶性化合物的組成物所形成的光學非等向性層之積層體的情況，可以是聚合物膜進行延伸而發現光學非等向性的層，也可以是不延伸而接近等向性的層。本發明的光學膜的面内延遲(Re550)較佳為100〜175 nm，更佳為n〇〜165nm，更較佳為12〇〜ΐ55η^。厚度方向的延遲較佳為-400〜260 nm，更佳為-200〜 160 nm ’更較佳為-90〜80 nm。

Nz較佳為0.2〜0.8，更佳為0.3〜〇.7。學膜為由含有液晶性化合物的組成物所形成的光學非等向性層與聚合物膜之積層體而形成時，可利用控制各別的光學料向性’關整至職望的Nz。

Re45〇/Re55G較佳為1·18以下，而Re65G/Re550較佳為 0.93以上。在如以上的範圍，則可得到光的波長依存性小 201211595 ^ i / ^pif 且作為λ/4板功能的光學膜。 [含液晶性化合物的光學非等向性層] 本發明的光學膜較佳為，在支樓體上設置有光學非等向性層’而此光學非等向性層含有至少一種的液晶性化合物。關於在本發明的光學膜所具有的光學非等向性層的形成中，所使用之液晶性化合物的種類，其並無特別的限制。例如，可使用在液晶狀態的向列配向下形成低分子液晶性化合物後，藉由光交聯或熱交聯進行固定化而得到的光學非等向性層。或者是’使用在液晶狀態的向列配向下形成高分子液晶性化合物後，藉由冷卻進行固定化此配向而知到的光學非等向性層。再者，在本發明中，即使是於光學非等向性層使用液晶性化合物的情況，光學非等向性層為藉由聚合此液晶性化合物等所固定所形成的層，而成為層後，已經沒有顯示液晶性的必要。聚合性液晶性化合物可以疋多官能性聚合性液晶，也可以是單官能性聚合性液晶性化合物。另外，液晶性化合物可以是圓盤狀液晶性化合物，也可以是棒狀液晶性化合物。在刖述光學非等向性層中，液晶化合物的分子較佳為在垂直配向、水平配向、混成(hybrid)及傾斜配向中的任一的配向狀態下被固定化。為了製作視野角依存性對稱的位相差板，較佳為圓盤狀液晶性化合物的圓盤面相對於臈面（光學非等向性層平面)實質上垂直，或是棒狀液晶性化合物的長軸相對於臈面(光學非等向性層平面)實質上水平。在 201211595 , 本發明的光學膜中，更佳為圓盤狀液晶性化合物是以相對於刖述光學非等向性層平面實質上成為垂真的方式，而使配向狀態固定化。所謂圓盤狀液晶性化合物為實質上垂直是指，膜面（光學非等向性層平面)與圓盤狀液晶性化合物的圓盤面之間的角度的平均值在70。〜9〇。的範圍内。此角度更佳為80 。〜90°，更較佳為85。〜90。。所謂棒狀液晶性化合物為實質上水平是指，膜面(光學非等向性層平面）與棒狀液晶性化合物的分子長軸 (director)之間的角度的平均值在〇。〜2〇。的範圍内。此角度更佳為0°〜10。，更較佳為〇。〜5。。在製作混成配向液晶化合物的分子、視野角依存性為非對稱的光學補償膜時，液晶化合物的分子長軸的平均傾斜角較佳為5〜85。，更佳為1〇〜8〇。，更較佳為15。〜75。〇前述光學膜較佳為包含含有液晶性化合物的光學非等向性層，但此光學非等向性層可以只由一層形成，也可以疋一層以上的光學非專向性層的積層體。前述光學非等向性層可將塗佈液在支撐體上進行塗佈而形成，其中塗佈液包含棒狀液晶性化合物或圓盤狀液晶性化合物等的液晶性化合物，以及根據要求之後述聚合起始劑或配向控制劑或其他的添加劑。較佳為，在支撐體上形成配向膜，然後在此配向膜表面上塗佈前述塗佈液，以形成前述光學非等向性層。 20 [圓盤狀液晶性化合物] 在本發明中’較佳為於前述光學膜所具有的光學非等向性層的形成中’使用圓盤狀液晶性化合物。圓盤狀液晶性化合物被§己載在各式各樣的文獻(C Destrade等人之

Mol. Crysr. Liq. Cryst. ’ 第 71卷，第 111 頁（1981);曰本化學協會編著’季刊化學總論No. 22，液晶的化學，第5章，第 10早第2卽（ 1994) ; B. Kohne等人之Angew. Chem. Soc. Chem. Comm.，第 1794頁（1985) ; J. Zhang等人之J. Am. Chem. Soc. ’第116卷，第2655頁（1994))中。關於圓盤狀液晶性化合物的聚合’在日本專利特開平8_27284號公報中有記載。圓盤狀液晶性化合物較佳為以使藉由聚合而可固定的方式而具有聚合性基。舉例而言’在圓盤狀液晶性化合物的圓盤狀核(core)上，可有與作為取代基的聚合性基鍵結之結構’然而一旦在圓盤狀核上直接鍵結聚合性基，則在聚合反應中保持配向狀態會變的困難。因此，圓盤狀液晶性化合物較佳為在圓盤狀核與聚合性基之間具有連結基的結構。亦即是，具有聚合性基的圓盤狀液晶性化合物較佳為以下述式所表示之化合物。 D (-L-P)n 上述式中，D為圓盤狀核，L為二價的連結基，p為聚合性基’ η為1〜12的整數。前述式中的圓盤狀核(D)、二價的連結基(L)及聚合性基(Ρ)的較佳具體例分別為日本專利特開2001-4837號公報中記載的(D1)〜(D15)、（L1)〜(L25) 21 201211595. JUT / ..pif 、（PI)〜(P18) ’而且此專利公報中記載㈣容較佳為使用於本發明。再者’液晶性化合物的圓盤狀向列（discotic nematic)液晶相-固相轉移溫度，較佳為3〇〜細 30〜17(TC。尺住马下述-般式(I)所表示的圓盤狀液晶性化合物，由於面内延遲的波長分散性低、能發現高面内延遲、而且不使用特殊的配向膜或添加劑也可達成在高平均傾斜角均句性的優異的垂直配向，其較佳可利用於光學非等向性層的形成。而且，合有上述液晶性化合物的塗佈液黏度有變的比較低的傾向，由塗佈性良好的觀點來看也較佳。 (ι)-ι 一般式α)所表示的圓盤狀液晶化合物 [化5] —般式（I)

\丫12 Η3 R〆上述一般式(I)中，γ11、Υ12及Υ13分別獨立表示為可取代的次甲基(methine group)或氮原子。 Y11、Y12及Y13為次甲基時，次曱基的氫原子也可用取代基來置換。次甲基也可具有的取代基’其較佳的示例可列舉，烧基(alkyl group)、炫氧基(alkoxy group)、芳氧其 22

(aryloxy group)、醯基（acyl group)、燒氧幾基（alkoxycarbonyl group)、醯氧基(acyloxy group)、醯胺基(acylamino group) 、烧氧数胺基(alkoxycarbonylamino group)、院硫基(alkylthio group)、芳氧硫基(arylthio group)、鹵素(halogen)原子及氰基(cyano group)。在這些的取代基中’更佳為烷基、烷氧基、烷氧羰基、醯氧基、i素原子及氰基，更較佳為碳數丄〜12的烷基、碳數1〜12的烷氧基、碳數2〜12的烷氧羰基、碳數2〜12的醢氧基、鹵素原子及氰基。 Υ13更，為，意的次甲基，次甲基是無取代者為更佳。在化合物的合成的容易性及成本的方面，γΐΐ、Y!2及 \、^2及L3分別獨立表示為單鍵或二價的連結基。 L、L及1^3為二價的連結基時，較佳分別獨立為，

L1、L2及 L3 ’最佳為氫原子。中之一仏的環狀基是指’具有至少1種類的環狀結構的二價的連結基(以下， #為5昌援、Α吕I理+。β ’稱為環狀基）。環狀基較

201211595 〜·〜pif =環_〇以職ring)，雜環較佳的示例列舉為吼口定環香族核及_。再者，本發财之二價的環狀基更佳為由狀結構(但是包含取代基)所成為的二價的連結基( 从下相同）。 μ Ll、L^L3所麵的二價的環狀基巾，具有苯環的環狀=以1，4-伸苯基(i，4_phenylene gr〇up)為較佳，具有蔡環的辰狀基以萘-1，5-二基(naphthalene-1，5-diyl group)及萘 -2’6·二基(naphthalene-2,6-diyl group)為較佳。具有環己烷環的環狀基較佳為1,4-伸環己基(1，4_cycl〇hexylene gn)up) 。具有吼咬環的環狀基以吡啶_2,5_二基 group)為較佳。具有嘧啶環的環狀基以嘧啶·2,5二基 (pyrimidine-2,5-diyl group)為較佳。 L1、L2及L3所表示的二價的環狀基也可以具有取代基。上述的取代基包含，鹵素原子(較佳為氟原子、氯原子) 、氰基、硝基(nitro group)、碳原子數1〜16的烷基、碳原子數2〜16的烯基、碳原子數2〜16的炔基、以碳原子數1 〜16的i素取代烷基、碳原子數丨〜16的烷氧基、碳原子數 2〜16的醯基、碳原子數1〜16的烷硫基、碳原子數2〜16 的醯氧基、碳原子數2〜16的烷氧羰基、胺曱醯基 (carbamoyl group)、以碳原子數2〜16的烷基取代的胺曱醯基及碳原子數2〜16的醯胺基。 L1、L2及L3以單鍵、* -0-CO-、* -CO-0-、* -CH=CH-、木-OC-、*-二價的環狀基-、*-〇_c〇-二價的環狀基- 24 201211595 , 、*-C〇-〇-二價的環狀基·、二價的環狀基_、* : · j的環狀基… 價的環狀基-co-o-、n: 1衣狀基-ac〇-、*-二僧的芦此* 一仏的核狀基_CH=CH-以及* _ - 〇 ^ ^ *-ch=ch：學狀美w H_ 一價的環狀基-以及* «二價的 ;:=佳以：。在此，*表示為-般式⑴ 及Y之6員環側鍵結的位置。叫==基H,、H、3分別獨立表示為-般式 [化6] 一般式（I-A)

上述一般式(Ι-A)中’YA1及YA2分別獨立表示為可有取代基的次曱基或氮原子；XA表示為氧原子、硫原子、亞甲基(methylene group)或亞胺基(imino group) ; *表示為與上述一般式(I)中的L1〜L3側鍵結的位置；**表示為與上述一般式Φ中的R1〜R3侧鍵結的位置。 [化7] 25 201211595 .

上述一般式(I-B)中，YB1及YB2分別獨立取代基的次曱基或氮原子；XB表示為氧原子、硫原有亞甲基或亞胺基，·*表示為與上述—般式②中的l、 = =:**表示為與上述-般式⑴中一般式中，R1、R2及卿立表示為下述的一 —般式（I—R) η 1 —L 2 2_l 2 3 _q ! (~L21—Q2)

一般式(I-R)中’ *表示為與一般式(I)中的Hl〜鍵結的位置； W L21表示為單鍵或二價的連結基。L·21為二價的連έ士美時，較佳為-〇-、_s_、_c(=0)_、视8_、_ch=ch及=基以及選自由其所組合的群組的二價的連結基。上述R8為碳原子數1〜7的烷基或氫原子，較佳為碳原子數！〜4的烷基或虱原子’更佳為甲基、乙基或氫原子’最佳為氫原子。 L21 較佳為單鍵、* * *-〇CO-、* * *-CCM3-、* 氺*-CH=CH-及* * *-〇C-(在此，* * *表示為一般式 26 201211595 ㈣Γ表ΤΓ有二—為單鍵。 V衣不為有至少丨芯其如上述的環狀基較佳為有5:=二價基(環狀诚基，更料有Μ = 7員環的的環狀基。上述環狀基更較佳為有鈿口％，但是比起縮合環，其，狀、，，》構也可以是基上包含的環還可以是芳香族環。而且，在環狀 -。其中，芳香族環較佳的二 (anthracene ring)及菲環(phenanthrene&，:¾、蔥環舉為環己炫環’雜環較佳的示例列二= 上述Q2中，具有苯環的環狀基以丨，3_ 基為較佳’具有萘環的環狀基以萘从圭具有環己烧環的環狀基較佳為丨，4-伸環己基。且^ 咬環的環狀基以η岭2,5_二基為較佳。具有錢環的環狀基以嘧啶-2,5-二基為較佳。特別是，以1，4-伸苯基、萘_2 6 一基及1，4-伸環己基為較佳。 ' 在Q2中’具有5員環的環狀基以ι，2,4-噁二唑·2,5_二基 (l，2,4,oxadiazole-2,5-diyl group)、1，3,4-°惡二唾_2,5-二美、 1，2,4-嘆二唾-2,5-二基（1，2,4-thiadiazole-2,5-diyl gr〇Up)、 1，3,4-嘆二(》坐-2,5-二基為較佳。 Q2也可以具有取代基。上述的取代基的示例包含，齒素原子(氟原子、氣原子、溴原子、硤原子）、氰基、蝴，基 27 20121 l_595lf 、碳原子數1〜16的烧基、碳原子數2〜16的烯基、碳原子數2〜16的炔基、以碳原子數1〜16的齒素取代的燒基、碳原子數1〜16的烧氧基、碳原子數2〜16的醯基、碳原子數1 〜16的烧硫基、碳原子數2〜丨6的醯氧基、碳原子數2〜16 的烷氧羰基、胺甲醯基、碳原子數2〜16的烷基取代胺曱醯基及碳原子數2〜16的醯胺基。在上述的取代基中’較佳為鹵素原子、氰基、碳·原子數1〜6的烧基、以碳原子數1〜6 的鹵素取代的烧基，更佳為鹵素原子、碳原子數1〜4的烧基、以碳原子數1〜4的鹵素取代的烷基，更較佳為鹵素原子、碳原子數1〜3的烧基、三氟曱基(trifluoromethyl group) ο nl表示為0〜4的整數。nl較佳為1〜3的整數，更佳為 1或2。 L22表示為 * *-0-、* *-0-CO-、* *-C0-0-、* * O-CO-O-、* *-S·、* *-N(R101)-、* *-S02·、* 氺-CH2-、 * *-CH=CH-或* *-C=C-，R1G1表示為碳數1〜5的烷基，* *表示為與Q2側鍵結的位置。 L22較佳為**-0-、*本-0-C0-、氺本-C0-0-、木本 -O-CO-O-、* * -CH2-、* * -CH=CH-、* * -C=C-，更佳為木氺-〇-、木木-〇_C〇-、* * -O-CO-O·、* 本-(：Η2-。在 L22為含有氫原子的基時，此氫原子也可用取代基來取代。上述的取代基的較佳示例為，鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1〜6的院基、以碳原子數1〜6的鹵素取代的烷基、碳原子數1〜6的烧氧基、碳原子數2〜6的醯基、碳原子 28 201211595 . t */pit 數1〜6的烷硫基、碳原子數2〜6的醯氧基、碳原子數2 〜6的院氧幾基、胺曱醯基、以碳原子數2〜6的烧基取代的胺甲醯基及碳原子數2〜6的醯胺基，更佳為鹵素原子、碳原子數1〜6的烷基。 L<23 表不為-〇-、-S-、-C(=0)-、-S〇2·、_NH·、-CH:·、 -CH=CH-及-C=C-，以及選自由其所組合的群組的二價的連結基。在此，-NH-、-CH2-、-CH=CH-的氫原子，也可用取代基來取代。上述的取代基的較佳示例列舉為鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1〜6的烧基、以碳原子數1〜 6的函素取代的烷基、碳原子數1〜6的烷氧基、碳原子數 2〜6的醯基、碳原子數1〜6的烧硫基、碳原子數2〜6的醯氧基、碳原子數2〜6的烷氧羰基、胺曱醯基、以碳原子數2〜6的烷基取代的胺曱醯基及碳原子數2〜6的醯胺基’更佳為鹵素原子、碳原子數1〜6的烧基。藉由取代為上述的取代基’在由本發明的液晶性化合物調製液晶性組成物時’相對所使用的溶劑，其溶解度可被提高。 L 較佳為-〇-、-C(=〇)_、-CH2-、_CH=CHj_〇C-，以及選自由其所組合的群組。L23較佳為含有丨〜如個碳原子’更佳為含有2〜14個碳原子。而且，L23較佳為含有j 〜16個-CH2-’更佳為含有2〜12個-CH2-。 Q表示為聚合性基或氫原子。在如光學補償膜此種位相差的大小較佳不會因熱變化者的光學膜等中，使用本發明之液晶性化合物的情況下，Ql較佳為聚合性基。聚合性基較佳為加歧合縣(含㈤縣合性基)細合聚合性基 29 201211595., jo-t / *;pll 。亦即是，聚合性基較佳為，能進 [化8] Η h2c^c^ H h3c'c,c、 H c2Hs、ciSP, H ch3 h2c#c、 Cl ^ H ΗΆ ch3 h2c^h、 H N HzC-^CH、 —SH —OH —nh2 聚合反應的官能基。以下為聚人性成聚合反應或縮合 _ …i的示例。 Η n-CaH7 / _/ '〇H d/%OH /N=C=°

而且’聚合性基特佳為能進行加成聚合反應的官能基。如上述的聚合性基’其較佳為聚合性乙烯系不飽和基或開環聚合性基。聚合性乙烯系不飽和基的例子列舉如下述的式(M-1) 〜(M-6)。 [化9] 201211595

上述式(M-3)、（M-4)中，R表示為氳原子或烷基，而較佳為氫原子或曱基。上述式(M-1)〜(M-6)中，較佳為(M-1)或(M-2)，更佳為(M-1)。開環聚合性基較佳為環狀醚基，更佳為環氧基或環丁氧基(oxetanyl group)。前述一般式(I)的化合物中，較佳為以下述一般式(Γ) 所表示的化合物。 [化 10] -般式（I，）

上述一般式(Γ)中，Y11、Y12及Y13分別獨立表示為可 31 201211595 有取代基的次曱基或氮原子，較佳為可有取代基的次甲基，更佳為次甲基是無取代的。 & R"、R12及R13分別獨立表示為下述一般式(〗，_A)、下述一般式(Γ-Β)或下述一般式(I’-C)。在為了使固有雙折射 (intrinsic birefringence)的波長分散性小的情況時，較佳為一般式(Γ-A)或一般式(Γ-C) ’更佳為一般式(Γ_Α)。Rll : R12及R13是以Rn=R12=R13為較佳。 [化 11] —般式（I · - A)

上述一般式(Γ-A)中，A11、A12、a13、A14、A15及A16 分別獨1立表示為也可有取代基的次曱基或氮原子。 A11及A12較佳為至少其中一個為氮原子，更佳為兩個都是氮原子。 A、A14、A15及A16較佳為至少其中3個是也可有取代基的次甲基’更佳為均是也可有取代基的次甲基。而且，上述之次甲基較佳為無取代的。在A11、A12、A13、A14、A15及A16是也可有取代基的次甲基的情況’取代基的例子包含’鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子）、氰基、硝基、碳原子數1〜16的烷 32 201211595 jut t 基、碳原子數2〜16的烯基、碳原子數2〜16的炔基、以碳原子數1〜16的i素取代的烷基、碳原子數1〜16的烷氧基、碳原子數2〜16的醯基、碳原子數1〜16的烧硫基、碳原子數2〜16的醯氧基、破原子數2〜16的烧氧羰基、胺曱醯基、碳原子數2〜16的烧基取代胺曱醢基及碳原子數2〜16 的醯胺基。在上述的取代基中’較佳為函素原子、氰基、碳原子數1〜6的烷基、以碳原子數1〜6的j素取代的烷基 ’更佳為鹵素原子、碳原子數1〜4的燒基、以碳原子數1 〜4的鹵素取代的烷基，更較佳為鹵素原子、碳原子數丨〜3 的烷基、三氟甲基。氧原子 X1表示為氧原子、硫原子、亞甲基或亞胺基，較佳為 [化 12]

33 201211595. 基的次曱基，較佳為均是也可有取代基的次曱基。而且，上述之次甲基較佳為無取代的。在A21、A22、A23、A24、A25及A26是也可有取代基的次曱基的情況’取代基的例子包含’鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子）、氰基、硝基、碳原子數1〜16的烷基、碳原子數2〜16的稀基、碳原子數2〜16的炔基、以碳原子數1〜16的S素取代的烷基、碳原子數1〜16的烷氧基、碳原子數2〜16的醯基、碳原子數1〜16的烷硫基、碳原子數2〜16的醯氧基、碳原子數2〜16的烧氧羰基、胺曱醯基、碳原子數2〜16的烷基取代胺曱醢基及碳原子數2〜16 的醯胺基。在上述的取代基中，較佳為鹵素原子、氰基、碳原子數1〜6的烧基、以碳原子數1〜6的iS素取代的烧基，更佳為鹵素原子、碳原子數1〜4的烷基、以碳原子數1 〜4的齒素取代的烷基，更較佳為鹵素原子、碳原子數1〜3 的烷基、三氟甲基。 X2表示為氧原子、硫原子、亞曱基或亞胺基，較佳為氧原子。 [化 13] -般式（I，一c>

34 201211595. / jpif 前述一般式(Γ-C)中，A31、A32、A33、A34、A35及A36 分別獨立表示為也可有取代基的次甲基或氮原子。

λ 31 D Α及Α較佳為至少其中一個為氮原子，更佳為兩個都是氮原子。 A33、A34、A35及A36較佳為至少其中3個是也可有取代基的次甲基，較佳為均是也可有取代基的次曱基。而且，上述之次曱基較佳為無取代的。在A31、A32、A33、A34、A35及A36是也可有取代基的次甲基的情況’次甲基為也可有取代基。取代基的例子包含 ’鹵素原子(氣原子、氯原子、溴原子、碘原子）、氰基、硝基、碳原子數1〜16的烷基、碳原子數2〜16的烯基、碳原子數2〜16的快基、以碳原子數1〜16的齒素取代的烧基、碳原子數1〜16的烷氧基、碳原子數2〜16的醯基、碳原子數1〜16的烷硫基、碳原子數2〜16的醯氧基、碳原子數2 〜16的烷氧羰基、胺甲醯基、碳原子數2〜16的烷基取代胺曱醯基及碳原子數2〜16的醯胺基。在上述的取代基中，較佳為鹵素原子、氰基、碳原子數1〜6的烷基、以碳原子數1 〜6的鹵素所取代的烧基，更佳為鹵素原子、碳原子數1〜4 的烷基、以碳原子數1〜4的i素取代的烷基，更較佳為鹵素原子、碳原子數1〜3的烷基、三氟曱基。 X3表示為氧原子、硫原子、亞甲基或亞胺基’較佳為氧原子。一般式(Γ-a)中的L11、一般式(Γ-Β)中的L21、一般式 (I’-C)中的 L31 分別獨立表示為-〇-、-C(=0)-、-0-C0·、 35 201211595. -CO-O-、-O-CO-O-、-s_、-NH-、-S〇2-、-CH2-、-CH=CH- 或-〇C-。另外’較佳為 _〇_、_c(=〇)_、〇-C〇·、_c〇〇_ 、-O-CO-O-、_CH2-、-CH=CH-、-OC- ’ 更佳為-〇-、_0_(^0_ 、-CO-O-、-O-CO-O-、_〇C_。特別是，小的固有雙折射的波長分散性疋可期待的，一般式(I，_A)中的L11以_〇_、 -CO-0-、-OC-為特佳’而在其中’以_c〇_〇_在較高溫下可發現圓盤狀向列相為較佳。上述的基為含有氫原子的基時，此氫原子也可用取代基來置換。上述的取代基的較佳示例為鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數丨〜6的烷基、以碳原子數1〜6的_素取代的烷基、碳原子數丨〜6的烷氧基、碳原子數2〜6的醯基、碳原子數1〜6的烷硫基、碳原子數2〜6的醯氧基、碳原子數2〜6的烷氧羰基、胺曱醯基、以碳原子數2〜6的烷基取代的胺甲醯基及碳原子數2〜6的酿胺基’更佳為齒素原子、碳原子數1〜6的烧基。一般式(Γ-A)中的L12、一般式(Γ-Β)中的L22、一般式 (I’-C)中的 L32分別獨立表示為-〇-、-S-、-C(=0)-、-S02-、 -NH-、-CH2·、-CH=CH-及-OC-，以及選自由其所組合的群組的二價的連結基。在此，-NH-、-CH2-、-CH=CH-的氫原子，也可用取代基來取代。上述的取代基的較佳示例為鹵素原子、氰基、硝基、經基(hydroxyl group)、缓基(carboxyl group)、碳原子數1〜6的烷基、以碳原子數1〜6的鹵素取代的烧基、破原子數1〜6的院氧基、碳原子數2〜6的醯基、碳原子數1〜6的烷硫基、碳原子數2〜6的醯氧基、碳原子數2〜6的烷氧羰基、胺甲醯基、以碳原子數2〜6的烷基 36 201211595. 取代的胺曱醯基及碳原子數2〜6的醯胺基，更佳為南音原子、經基、碳原子數卜6的絲，更較佳為Ϊ =素, 基、乙基。、, L 、L 2、L32較佳分別獨立為_〇_、-C(=〇)_、{氏-、 -CH=CH-及-〇c_，以及選自由其所組合的群組。 τ 12 τ 22 _ 、L較佳分別獨立為碳原子數1〜2〇，更佳為碳原子數2〜14。而且，碳原子數2〜14為較佳，有丨〜“ 個-CHr為更佳，有2〜12個-CH2-為更較佳。構成L12、L22、l32的碳數，使液晶的相轉移溫度與化合物的溶劑的溶解性受到影響。一般而言，碳數越多則由圓盤狀向列相(ND相）向等向性液體的轉移溫度有降低的傾向。而且，對溶劑的溶解性通常為碳數越多則有提高的傾向。一般式(Γ-A)中的Q11、一般式(Γ_Β)中的q21、一般式 (I’^C)中21的卩31分別獨立表示為聚合性基或氫原子。而且， Q11、Q21、Q31較佳為聚合性基。聚合性基較佳為加成聚合性基(含開環聚合性基)或縮合聚合性基。亦即是，聚合性基較佳為能進行加成聚合反應或縮合聚合反應的官能基。有關以下之聚合性基的例子，其與±述_，而較佳二也與上述同樣。一般式(I)所表示的化合物的具體例列舉為，日本專利特開2009-97002號公報[0038]〜[0069]記載的化合物，或以下的化合物’但本發明並不限定於此。 37 201211595.

[化 14] Ο

R= R= R= R= R= R= R= R· R= R=，^Y^ R= R= *^/v>v^v〇h R= R= /s^COOH R= R= /\X^X〇〇H R=

38 201211595.

[化 15]

39 201211595. OOH/^pif [化 16]

40 201211595. jon/jpif [化Π]

41 201211595. ^QH/Dpif [化 18]

201211595. JOT / jpif [化 19]

43 201211595. jo^i·/jpif [化 20]

44 201211595.

[化 21]

45 201211595 [化 22]

46 pif 201211595 [化 23]

ο

47 201211595 if [化 24]

R=/\^Y^

48 201211595〆 [化 25]

201211595 if [化 26]

50 201211595,』 [化 27]

51 201211595〆 [化 28]

52

201211595 , JU

[化 29]

53 201211595^ [化 30]

Ra

只一\.一 N

Re 以聯伸三苯(triphenylene)化合物作為波長分散小的圓盤狀液晶性化合物’其列舉日本專利特開2007-108732號公報的段落[0062]〜[0067]記載的化合物等，但本發明並不限定於此。 [棒狀液晶性化合物] 在本發明中，於前述光學膜所具有的光學非等向性層的形成中，也可使用棒狀液晶性化合物。棒狀液晶性化合 54 201211595,if 物是以次甲基偶氮類(azomethine)、氧偶氮類(azoxy)、氰基聯苯類(cyano-biphenyl)、氰苯基醋類(cyanophenyl ester)、苯曱酸醋類（benzoate)、環己烧叛酸苯基g旨類 (cyclohexanecarboxylic acid phenyl ester)、氰苯基環已烧類、氰基取代苯基嘧啶類、烷氧基取代苯基嘧啶類、苯基二惡烧類(phenyl dioxane)、二苯乙炔類(tolan)及烯基環己基苯曱腈類(alkenyl cyclohexyl benzonitrile)為較佳被使用。而且，不只有如以上的低分子液晶性化合物，也可以使用高分子液晶性化合物。棒狀液晶性化合物更佳為利用聚合而固定配向。在液晶性化合物中，適合使用具有利用活性光線或電子線、熱等而可產生聚合或交聯反應的部分結構者。上述之部分結構的個數較佳為1〜6個，更佳為1〜3個。聚合性棒狀液晶性化合物可使用，在Makromol. Chem.，190 卷 ’ 2255 頁（1989年）、Advanced Materials 5卷，107 頁（1993 年）、美國專利第4683327號說明書、同5622648號說明書、同5770107號說明書、國際公開W〇95/22586號公報、同 95/24455號公報、同97/00600號公報、同98/23580號公報、同98/52905號公報、日本專利特開平1-272551號公報、同 6-16616號公報、同7-110469號公報、同11-80081號公報及特開2001-328973號公報等中記載的化合物。光學非等向性層形成用組成物中之液晶性化合物的含有量的較佳範圍，相對組成物的總固體量(為塗佈液時，為相對去除溶劑後的組成物)’較佳為50質量％(質量百分比 )或50質量％以上，更佳為6〇〜99 8質量％，更佳為7〇〜99 $ 55 201211595〆質量％。 [垂直配向促進劑] 在形成前述光學非等向性層時，為了使液晶性化合物的分子被均勻的垂直配向，較佳為使用能控制配向膜界面側及空氣界面側中的液晶性化合物垂直地配向的配向控制劑。為了上述的目的，較佳為於配向膜上使用下述組成物以形成光學非等向性層。其中上述組成物同時含有：因排除體積效果、靜電的效果或表面能量效果帶來液晶性化合物垂直地被配向的作用的化合物，與液晶性化合物。另外，有關空氣界面側的配向控制，較佳為使用下述組成物以形成光學非等向性層。其中上述組成物同時含有：在液晶性化合物的配向時不均勻分佈的集中於空氣界面、且因上述之排除體積效果、靜電的效果或表面能量效果能來液晶性化合物垂直地被配向的作用的化合物，與液晶性化合物。此種在配向膜界面侧促進液晶性化合物的分子垂直地被配向的化合物（配向膜界面側垂直配向劑），其適合使用吡咬鏽衍生物。作為在空氣界面側促進液晶性化合物的分子垂直地被配向的化合物（空氣界面側垂直配向劑），此化合物促進集中在空氣界面側的不均勻分佈，其適合使用含有氟脂肪族基(fluoroaliphatic group)與，羧基(-COOH)、續酸基(sulfo group)(-S〇3H)、膦醯氧基(phosphonoxy group) { -〇P(=0)(OH)2}及選自由其之鹽類所組成之群組的丨種以上的親水性基的化合物。另外，藉由摻配上述的那些化合物 ’例如，在調製作為塗佈液的液晶性組成物時，此塗佈液 56 201211595 的塗佈性被改善，塗佈不均(uneven)、縮孔(cratering)的發生被抑制。以下，對於垂直配向劑進行詳細地說明。 [配向膜界面侧垂直配向劑] 在本發明中能使用的配向膜界面側垂直配向劑，以一般式(II)所表示的吡啶鏽衍生物(吡啶鏽鹽)適合被使用。藉由在前述液晶性組成物中，添加此。比咬鏽衍生物的至少工種，可使圓盤狀液晶性化合物的分子在配向膜附近實質上垂直地被配向。 [化 31] -般式（I I)

上述一般式(II)中，L23及L24分別表示為二價的連結基〇

L23 較佳為單鍵、-〇-、-0-CO-、-C0_0-、、 -CH=CH-、-CH=N_、-N=CH-、_Ν=Ν·、-O-AL-O-、 -O-AL-O-CO- 、 -O-AL-CO-O- 、 -CO-O-AL-O-、 -CO-O-AL-O-CO- ' -CO-O-AL-CO-O- λ -O-CO-AL-O、 -O-CO-AL-O-CO-或-O-CO-AL-CO-O- ’ AL為碳原子數w 10 的伸烷基(alkylene group)。L23較佳為單鍵、-〇_、_〇_AL_a 、-O-AL-O-CO- ' -O-AL-CO-O- > -CO-O-AL-O--CO-O-AL-O-CO- ' -CO-O-AL-CO-O- > -O-CO-AL-O 57 201211595jif 〇 CO-AL-O-CO-^-O-CO-AL-CO-O- * ’最佳為-〇-。 _ L24較佳為’ L4較佳為單鍵、-Ο-、-O-CO-、_caa、 c C_ -CH-CH-、-CH=N-、-N=CH_或-N=N-，更佳為_0_匸〇- 或-co-o-。„1為2以上時，多數個L24更佳是交替為〇-C〇_ 及-C0-0· 〇 R22為氫原子、無取代胺基，或碳原子數i〜25的取代胺基。 22 R為二烷基取代胺基時，也可2個烷基相互鍵結形成含氮雜環。上述所形成之含氮雜環較佳為5員環或6員環。 R22更佳為氫原子、無取代胺基，或碳原子數2〜12的二烷基取代私基，更佳為氫原子、無取代胺基，或碳原子數2 〜8的二娱*基取代胺基。r22為無取代胺基及取代胺基時，較佳為吡啶鑌環的第四位置可被取代。 X為陰離子。 X較佳為一價的陰離子。陰離子的示例列舉為，陰離子的示例為鹵素陰離子(halogen anion)(例如，氟離子、氯離子、漠離子、碘離子等）、磺酸離子(sulfonate ί〇η)(例如 ’甲烧靖酸離子、二氟甲烧續酸離子(trif[uoromethane sulfonic acid ion)、曱基硫酸離子、對甲苯續酸離子 (p-toluenesulfonic acid ion)、對氯苯磺酸離子 (p-chlorobenzenesulfonic acid ion)、間苯二續酸離子 (1,3-benzenedisulfonic acid ion)、1，5-萘二續酸離子 (l，5-naphthalenedisulfonic acid ion)、2,6-萘二續酸離子等） 58 201211595.f 、硫酸離子(sulfate i〇n)、碳酸離子、硝酸離子、硫氰酸離子(thi〇cyanic acid ion)、過氣酸離子(perchl〇ric 扣记 i〇n)、四氟硼酸離子(tetrafluoroboric acid ion)、苦味酸離子(ρϋ acid ion)、醋酸離子(acetic acid i〇n)、曱酸離子(f〇rmic add ion)、二氟醋酸離子、填酸離子(沖〇叩^〇也acid i〇n)(例如 ’ /、氟鱗酸離子(hexafluorophosphoric acid ion))、經離子等。X較佳為i素陰離子、磺酸離子、羥離子。 xt"22 Y及Y分別為具有作為部分結構之5員環或6員環的 2價的連結基。前述5員環或6員環也可有取代基。較佳為，γ22及γ23 中的至少1個為具有作為部分結構之有取代基的5員環或6 員環的2價的連結基。γ22及γ23較佳分別獨立為，也可有作為部分結構之有取代基的6員環的2價的連結基。6員環包含脂肪族環、芳香族環(苯環)及雜環。6員脂肪族環的示例包含環己烧環、環己稀環(CyCl〇hexene ring)及環己二稀環 (cyclohexadiene ring)。6員雜環的示例包含呱喃環(pyran ring)、一惡烧環、二嘆烧環(dithiane ring)、喧稀環(thiine ring)、π比β疋j衣、派咬環⑼卩把出狀如吕)、β惡唤環(〇xazine如幻、嗎淋環(morpholine ring)、嘆嗓環(thiazine ring)、塔肼環 (pyridazine ring)、鳴咬環、n比嗓環(pyrazine ring)、娘唤環 (piperazine ring)及二嗪環(triazhe ring)。在6員環上也可縮合其他6員環或5員環。取代基的示例為包含鹵素原子、氰基、碳原子數 12的烷基及碳原子數1〜丨2的烷氧基。烷基及烷氧基也可以 59 201211595pif 碳原子數2〜12的醯基或碳原子數2〜12的醮氧基取代。取代基較佳為碳原子數1〜12(更佳為1〜6，更佳為1〜3)的烧基。取代基也可為2以上，例如，在γ22及γ23為伸苯基時， 1〜4的礙原子也可以碳原子數1〜12(更佳為1〜6，更佳為1 〜3)的烧基取代。再者’ m為1或2，較佳為2。m為2時，多數個的γ23及 L24相互可為相同，也可為相異。 Z21為選自由函素取代苯基、硝基取代苯基、氰基取代苯基、以碳原子數1〜25的烷基所取代的苯基、以碳原子數 1〜25的烷氧基取代的苯基、碳原子數丨〜25的烷基、碳原子數2〜25的炔基、碳原子數1〜25的烷氧基、碳原子數2 〜25的烷氧羰基、碳原子數7〜26的芳氧羰基 (aryloxycarbonyl group)及碳原子數7〜26的芳羰基氧基 (arylcarbonyloxy group)所組成的群組之一價的基。 m為2時’ Z21較佳為氰基、碳原子數丨〜25的烷基或碳原子數1〜25的烷氧基’更佳為碳原子數4〜20的烷氧基。 m為1時’ Z21較佳為碳原子數7〜25的烷基、碳原子數 7〜25的烷氧基、碳原子數7〜25的醯基取代烷基、碳原子數7〜25的醯基取代烷氧基、碳原子數7〜12的醯氧基取代烷基或碳原子數7〜25的醯氧基取代烷氧基。醯基表示為-CO-R-，醢氧基表示為-O-CO-R。R為脂肪族基(烧基、取代烧基、稀基、取代稀基、炔基、取代块基)或芳香族基(芳基(aryl group)、取代芳基）。R較佳為脂肪族基，更佳為烷基或烯基。 201211595^ p為1〜10的整數。p特佳為1或2。CpH2p是指也可有分支(branch)結構的鏈狀伸烷基。CpH#較佳為直鏈狀伸烧基 (-(ch2)p_)。土以前述式σι)所表示的化合物中’較佳為以下述一般式 (ΙΓ)所表示的化合物。 [化 32] ~般式（I I，) Ζ21

ί?3

R22 式(II )中’與式(II)相同符號則為相同的意義，而1車交佳範圍也相同。L25為與L24定義相同’其較佳範圍也^目同 ° L及£25較佳為-0-C0-或-C0-0- ’而較佳L24為_〇_c〇-且 L25 為-C0-0-。 R23、R24及R25分別為碳原子數1〜12(更佳為丨〜6，更較佳為1〜3)的烷基。η23表示為〇〜4，η24表示為丨〜4，及 1125表示為0〜4。灯23及Π25為〇時’ η24較佳為1〜4(更佳為1〜 3)。一般式(II)所表示的化合物的具體例，為列舉在日本專利特開2006-113500號公報說明書中[〇〇58]〜[〇〇61]中記載的化合物。其他以一般式(II)所表示的化合物的具體例為列舉下 201211595〆述化合物。但是，下述式中省略陰離子(x_)。 [化 33]

62 201211595^ [化 34]

och3 以下，顯示一般式(ΙΓ)所表示的化合物的具體例。但是，下述式中省略陰離子(χ_)。 63 201211595〆 [化 35] (I 1-10)

〇(CH2)2-n

(11-14)

64 201211595 f [化 36] (11-16)

65 201211595 , [化 37] (I 1-2 2)

CsHitO

φ 〇(CH2)2-N； ;α-ο Θ 0(0^)2-

66 201211595』 [化 38] (I Γ-27)

一般式(II)的吡啶鏽衍生物為將一般的吡啶環經烷基化(孟蘇金反應(menshutkin reaction))而獲得。前述光學非等向性層形成用組成物中之前述〇比啶鏽衍生物的含有量的較佳範圍，根據其用途而不同，但在前述組成物(作為塗佈液而調製時，為去除溶劑後成物Η，較佳為_5〜8質量％，更佳為請〜5質量％。 [空氣界面側垂直配向劑] 滅、If㈣聚合物(π)或-般式(ΠΙ)所表㈣含氟化合物為適合地使用以當作本發明中之空氣界_垂直配向劑 67 201211595“f 氟系聚合物為包含衍生自含氟脂肪族基單體的重單元與一般式（IIA)所表示的重複單元之共聚物 (copolymer)。 [化 39] 一般式（I IA)

在上述式(IIA)中’R1、分棚立表示為氮原子或取代基。Q表示為羧基(-COOH)或其鹽、磺酸基(s〇或其鹽、膦醯氧基{-〇P(=〇)(〇H)2}或其鹽。L表示為3 自下述的連結基群的任意的基，或其中的2個以上的组合形成的2價的連結基。 V σ (連結基群）單鍵、-0-、-CO-、-NRb-(Rb表示為氫原子、烧基、芳基或芳烷基(aralkyl group))、-S-、-S〇2_、4(=0)(0^0)-(^ 表示為烧基、芳基或芳烷基）、伸燒基及伸芳基(arylene group)。以下述一般式(III)所表示的的含氟化合物。 (III) CRO) m—L〇- (W) η 68 201211595 •ίδ 分〇pif 上述式(III)中，R0表示為烷基、在末端有CF3基的烷基或在末端有CF2H基的烧基’ m表示為1以上的整數。多數個的R可為相同，也可為相異，但至少1個表示為在末端有CF3基或CFe基的烧基。L0表示為(m+n)價的連結基， w表示為羧基(_C00H)或其鹽、磺酸基(_s〇3H)或其鹽、膦醯氧基{-0Ρ(=0)(0Η)2}或其鹽。η表示為1以上的整數。首先，對於氟系聚合物進行說明。本發明中能使用之氟系聚合物的特徵為，含有氟脂肪族基，與缓基(-C00H)、續酸基(sulfo group)(-S03H)、膦醯氧基(phosphonoxy group) {-0Ρ(=0)(0Η)2}及選自由其之鹽類所組成之群組的1種以上的親水性基的化合物。聚合物的種類記載在「改訂高分子合成的化學」（大津隆行著，發行.化學同人股份有限公司’ 1968)第1〜4頁中，例如列舉聚稀烴類(polyolefin)、聚酯類、聚酿胺類(polyamide)、聚醢亞胺類(polyimide)、聚胺曱酸酯類(polyurethane)、聚碳酸酯類(polycarbonate)、聚礙類(polysulfone)、聚碳酸醋類 (polycarbonate)、聚鍵類(polyether)、聚縮酸類(polyacetal) 、聚綱類(polyketone)、聚苯醚類(polyphenylene oxide)、聚苯硫醚類(polyphenylene sulfide)、聚芳g旨類(polyarylate)、聚四氟乙烯類(poly-tetrafluoroethene ’ PTFE)、聚二氟亞乙烯類(polyvinylidene fluoride)、纖维素衍生物(cellulose, derivative)等。前述氟系聚合物較佳為聚稀烴類。前述氟系聚合物為在支鏈有氟脂肪族基的聚合物。前 69 201211595. it氟月曰肪族基較佳為碳數卜12，更佳為6〜1〇。脂肪族基可^鍵狀也可為環狀，在鏈狀的情況下’可為直鏈狀也可為为支鏈狀。纟中，較佳為直鏈狀的碳數6〜1〇的脂肪族基。關於藉由氟原子取代的程度並沒有特別限制，但較佳為脂肪族基中的50%以上的氫原子以氟原子取代，更佳為 60%以上被取代。氟脂肪族基通過酯鍵結、醯胺鍵結、醢亞胺鍵結、胺甲酸酯鍵結、脲(urea)鍵結、喊鍵結、硫趟 (thioether)鍵結、芳香族環等，而包含在與聚合物主鏈鍵結的支鏈中。氟脂肪族基的一個是由利用短鏈聚合法 (telomerization method)(也稱為短鍵法(telomer method))或低聚合法(oligomerization method)(也稱為低聚法(oligomer method))所製造的氟脂肪族化合物而導出者。關於上述的氟脂肪族基的製造法，例如，在「氟化合物的合成與機能」（主編：石川延男’發行：CMC股份有限公司，1987)的第 117 〜118 頁’或「Chemistry of organic Fluorine Compounds II」（Monograph 187, Ed by Milos Hudlicky and Attila E. Pavlath，American Chemical Society 1995)的第 747 〜752頁中所記載。短鏈聚合法為以碘化物等的鏈轉移常數大的烧基鹵化物(alkylhalide)作為短鏈調聚劑(telogen)，進行聚四氟乙烯(tetrafluoroethylene)等的含氟乙烯基化合物的自由基聚合(radical polymerization)，以合成短鏈聚合物的方法(在Scheme-1中顯示其例子）。 [化 40] 201211595 384/5pif

Schemel R—丨…，一~^如七1 所得到之末端碘化短鏈聚合物通常施以例如是如同「 Scheme2」此種的適當的末端化學修飾’使之導向氟脂肪族化合物。這些化合物可視需要，變換爲更加所期望的單體結構’以在含氟脂肪族基聚合物的製造中所使用。 [化 41]

Scherae2 R-^CPjCfJUi 一

本發明中，於能使用的氟聚合物的製造中，能利用的單體的具體例為記載在曰本專利特開2006·113500公報段落[0075]〜[0081 ]中的化合物等，但本發明絲毫不受這此具體例所限制。 -般式(ΙΙΑ)中’ R^R2⑽分別獨立表示為氫原子或 71 201211595 選自由下述中示例的取代基群的取代基。 (取代基群）包含：烷基(較佳為碳數1〜20、更佳為碳數丨〜12、特佳為碳數1〜8的絲’例如甲基、乙基、異丙基扣。㈣yi group)、第三丁基(tert_butyl _ρ)、正辛基(n 〇ctyi 群卿) 、正癸基(n-decyl group)、正十六基(n_hexadecyl_ 抑叩）、環丙基05^1〇扒〇吖1砰〇叩）、環戊基(()穴1〇1)61^1双〇叩）、環己基(cyclohexyl group)等）、烯基(較佳為碳數2〜2〇、更佳為碳數2〜12、特佳為碳數2〜8的烯基，例如乙烯基、芳基丁烯基(2-butenyl group)、3·戊稀基(3_pentenyl gr〇up) 4)、炔基(較佳為碳數2〜20、更佳為碳數2〜i2、特佳為碳數2〜8的炔基，例如炔丙基(pr〇pargylgr〇up)、3戊炔基 (3-Pentynyl group)等）、芳基(較佳為碳數6〜3〇、更佳為碳數6〜20、特佳為碳數6〜12的芳基，例如苯基、對甲苯基、萘基等）、芳烷基(較佳為碳數7〜3〇、更佳為碳數7〜2〇、特佳為碳數7〜12的芳烷基，例如苄基(benzylgr〇up)、苯乙基(phenethyl group)、3-苯丙基(3_phenylpr〇pyl gr〇up)等）、取代或無取代的胺基(較佳為碳數〇〜2〇、更佳為碳數〇〜10、特佳為碳數〇〜6的胺基’例如無取代胺基、甲胺基 (methylamino group)、二甲胺基、二乙胺基、苯胺基(anmn〇 group)等）、烧氧基(較佳為碳數1〜2〇、更佳為碳數1〜16、特佳為石反數1〜10的院乳基，例如甲氧基(meth〇Xyl组〇叩）、乙氧基(ethoxy group)、丁氧基(but〇xy gr0Up)等）、烧氧幾基(較 72 201211595 / ^；pll 佳為奴數2〜20、更佳為碳數2〜16、特佳為碳數2〜1〇的烷氧羰基，例如曱氧羰基、乙氧羰基等）、醯氧基(較佳為碳數2〜20、更佳為碳數2〜16、特佳為碳數2〜10的醯氧基，例如乙^醯氧基(acetoxy gr〇up)、笨甲醯氧基(benz〇yl〇xy group)等）、醯胺基(較佳為碳數2〜2〇、更佳為碳數2〜16 、特佳為^炭數2〜1〇的醯胺基，例如乙醯胺基(acetylamin〇 gr〇Up)、苯曱醯胺基(benz〇ylamino group)等）、烷氧羰胺基( 較佳為碳數2〜20、更佳為碳數2〜16、特佳為碳數2〜12 ^烧氧幾絲’例如f氧Μ絲等）、芳胺基(較佳為碳數7〜20、更佳為碳數7〜16、特佳為碳數7〜12的芳氧羰胺基，例如苯氧羰胺基(phenyi〇xycarb〇nyl amin〇 gr〇up)等）、％醯胺基(sulfonylamino group)(較佳為碳數1〜2〇、更佳為碳數1〜16、特佳為碳數卜12的俩胺基，例如甲俩胺基、苯磺醯胺基等）、胺磺醯基(sulfam〇ylgr〇up)(較佳為碳數〇〜20、更佳為碳數G〜16、特佳為碳數〇〜12的胺續醯基，例如胺磺醢基、甲胺磺醯基、二甲胺磺醯基、苯胺磺醯基等）、胺甲醯基(較佳為碳數丨〜加、更佳為碳數丨〜16 、特佳為碳數1〜12的胺甲醯基’例如無取代的胺曱酿基、甲胺甲醯基、二乙胺甲醯基、苯胺甲醯基等）、烷硫基(較佳為碳數1〜2〇、更佳為碳數！〜16、特佳為碳數1〜12的烷硫基，例如甲硫基、乙硫基等）、芳硫基（較^為碳數6〜2。、更佳為魏6〜16、特佳為碳數6二的芳硫基，例如苯硫基(pheny〗thi〇 gr〇up)等）、磺醯美 (sulfonyl group)(較佳為碳數卜加、更佳為碳數丨〜^、‘ 73 201211595 ^δ^/Dpif 佳為碳數1〜12的磺醯基，例如甲磺醯基(mesylgr〇up)、甲苯磺醯基(tosyl group)等）、亞磺醢基(suifinyl group)(較佳為碳數1〜20、更佳為碳數1〜16、特佳為碳數丨〜12的亞磺醯基’例如甲亞續醯基(methanesulfinyl group)、苯亞續醯基 (benzenesulfinyl group)等）、醢腺基(ureide group)(較佳為碳數1〜20、更佳為碳數1〜16、特佳為碳數卜12的醯脲基，例如無取代的醯脲基、曱醯脲基、苯醯脲基等）、磷酸醯胺基(phosphoric acid amide group)(較佳為碳數 1 〜20、更佳為碳數1〜16、特佳為碳數1〜π的磷酸醯胺基，例如二乙磷酉文醢胺基、本鱗酸醯胺基等）、經基(hydroxy group)、氫硫基(mercapto group)、函素原子(例如氟原子、氣原子、溴原子、碘原子）、氰基、磺酸基、羧基、硝基、羥胺酸基 (hydroxamic acid group)、亞續酸基(suifino groUp)、肼基 (hydrazinogroup)、亞胺基、雜環基(較佳為碳數丨〜扣、更佳為碳數1〜12的雜環基，例如具有氮原子、氧原子、硫原子專的雜原子之雜環基’例如味唾基(imidazolyl group)、 0比咬基(pyridyl group)、唾琳基(quinolyl group)、吱喃基 (furyl group)、哌啶基(piperidyl group)、嗎啉基(morpholino group)、苯并〇惡唾基(benzoxazolyl group)、苯并咪嗤基 (benzimidazolyl group)、苯并嗟唾基(benzthiazolyl group) 等）、矽基(silyl group)(較佳為碳數3〜4〇、更佳為碳數3〜 30、特佳為3〜24的矽基，例如三曱石夕基、三苯矽基等）。上述的這些取代基更可用這些取代基所取代。而且，在有2 個以上的取代基的情況下’其可相同也可相異。另外，在 74 201211595 384/5pif 可月b的情況下，也可形成相互鍵結的環。 R及R較佳么別獨立為氫原子、烧基、鹵素原子 (例如氟原子、氯原子、漠原子、峨原子等），或較佳為以後述-L-Q所表示的基’更佳為氫原子、碳數丨〜6的烷基、氯原子、以-L-Q所表示的基，特佳為氫原子、碳數〗〜4的烷基，最佳為氫原子、碳數丨〜2的烷基。上述的烷基的具體例為甲基、乙基、正丙基、正丁基、第二丁基(卿㈣ group)等。上述的烷基也可具有適當的取代基。上述的取代，，如是鹵素原子、芳基、雜環基、烷氧基(alk〇xyl gr〇up) 、芳氧基、烷硫基、芳硫基、醯基、羥基、醢氧基、胺基、烷氧羰基、醯胺基、氧羰基、胺甲醯基、磺醯基、胺磺酿基、續醯胺基(sulfonamide group)、硫醯基(suifuryl gr〇up) 、羧基等。再者，烷基的碳數不包含取代基的碳原子。以下’關於其他的基的碳數也是同樣的。 L表示選自上述連結基群的2價的連結基，或上述的2 個以上的組合所形成的2價的連結基。上述連結基群中， -NRb-的Rb表示為氫原子、烷基、芳基或芳烷基，較佳為氫原子或烷基。另外，-P〇(〇Rc)_的RC表示為烷基、芳基或芳烷基，較佳為烷基。Rb及Rc表示為烷基、芳基或芳烷基時的碳數與於「取代基群」中說明者相同。L較佳為包含單鍵、-0-、-CO-、-NRb-、-S-、-S02-、伸烷基或伸芳基，特佳為包含_03_、-0-、-NRb-、伸烷基或伸芳基。乙為包含伸烷基時，伸烷基的碳數較佳為1〜10，更佳為丨〜8，特佳為 1〜6。特佳的伸烷基的具體例，列舉亞曱基、伸乙基 75 201211595. joH/jpif (ethylene)、三亞曱基(trimethylene)、四伸丁基(tetrabutylene) 、六亞曱基(hexamethylene)等。L為包含伸芳基時，伸芳基的碳數較佳為6〜24 ’更佳為6〜18，特佳為6〜12。特佳的伸芳基的具體例，列舉伸苯基、萘基等。L為包含組合伸烧基與伸芳基所得到的2價的連結基（即伸芳烧基 (aralkylenegroup》時，伸芳烷基的碳數較佳為7〜34，更佳為7〜26，特佳為7〜16。特佳的伸芳院基的具體例，列舉伸苯曱基（phenylenemethylene group)、伸苯乙基 (phenyleneethylene group)、亞曱伸苯基(methylenephenylene group)。上述列舉之作為L的基，也可有適當的取代基。此種的取代基’可列舉與先前R1〜R3中列舉之作為取代基的取代基同樣者。以下中，L的具體的結構可列舉，在曰本專利特開2006-113500公報的段落[〇〇9〇]〜[〇〇91 ]中記載的結構等’但本發明絲毫不受這些具體例所限制。前述一般式(IIA)中’ Q表示為羧基、羧基的鹽(例如鋰鹽(lithium salt)、納鹽(sodium salt)、卸鹽(potassium salt)、銨鹽(ammonium salt)(銨、四甲胺(tetramethylammonium)、一甲基-2-M 乙基知(trimethyl-2-hydroxyethyl ammonium)、四丁銨（tetrabutylammonium)、三甲基苄基銨（trimethyl benzyl ammonium)、二曱基苯基銨（dimethyl phenyl ammonium)等）、n比咬鏘鹽(pyridinium sait)等）、續 g曼基、績酸基的鹽(形成鹽的陽離子的例子為與在上述敌基中記載者相同）、膦醯氧基、膦醯氧基的鹽(形成鹽的陽離子的例子為與在上述羧基中記載者相同）。其中，更佳為羧基、磺 76 201211595. 酸基=氧1騎hosphogroup)，特佳為縣或續酸基。重複聚ΐ物可包含以前述—般式(πα)所表示的 ^述，單元以外的其他的重卜複以則述其他的重複單元並無制的限制，其較佳的不例為能由通常的自由絲合反應的單體赌生的重複^兀。以下，例舉衍生其他的重複單元的單體的具體例。前述氟系聚合物可含有選自由下述單體群的丨種、2種以上的單體而衍生的重複單元。單體群 ⑴烯烴類(alkene) 乙烯（ethylene)、丙烯(propylene)、1-丁浠、異丁烯 (isobutene)、1-己烯（1-hexene)、1-十二烯（i_dodecen)、1- 十八烯（1-octadecene)、1-二十烯（l-eicosene)、六氟丙烯 (hexafluoropropene)、偏二氟乙烯(vinylidene fluoride)、三氟氣乙稀（(：111〇1>〇^1打11〇1>〇61;11)^1^)、3,3,3,-三氟丙稀 (3,3,3，-trifluoropropylene)、四氟乙烯(tetrafluoroethylene)、氯乙烯(vinyl chloride)、偏二氣乙稀(vinylidene chloride)等 (2)二烯類(diene) 1，3-丁二烯(l，3-butadiene)、異戊二稀(isoprene)、1,3-戊二烯（l，3-pentadiene) 、2-乙基-1，3- 丁二烯 (2-ethyl-1,3-butadiene) 、2-正丙基-1，3- 丁二烯 (2-n-propyl-1，3- butadiene)、2,3-二甲基-1，3-丁二浠 77 201211595 j〇*t / jpif (2,3-dimethyl-1,3-butadiene)、2-曱基-1，3-戊二烯 (2-methyl-l，3-pentadiene) 、 1-苯基-1，3- 丁二稀 (1 -phenyl-1,3-butadiene) 、1-a-萘基-1，3- 丁二烯 (1 -α-naphthyl-1,3-butadiene) > l-β-萘基-1，3- 丁二稀 (1 - β-naphthyl-1,3 -butadiene) 、 2-氯-1,3_ 丁二烯 (2-chloro-l ,3-butadiene) 、 1-漠-1，3- 丁二烯 (1-bromo-l，3-butadiene)、1-氣丁二烯（1-chlorobutadiene)、 2-氟·1，3-丁二烯(2-fluoro-l，3-butadiene)、2,3-二氣-1，3-丁二稀（2，3-dichloro-l，3-butadiene)、1，1,2-三氣-1，3- 丁二烯 (l，l，2-trichloro-l，3-butadiene)及 2-氰-1，3- 丁二稀 (2-cyano-l,3-butadiene) 、1，4·二乙烯基環己烷 (l，4-divinylcyclohexane)等； (3)α，β-不飽和緩酸的衍生物 (3a)烧基丙烯酸I旨類(alkyl acrylate) 曱基丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯、正丙基丙烯酸酯、異丙基丙烯酸酯、正丁基丙稀酸酯、異丁基丙烯酸酯、第二丁基丙烯酸酯、第三丁基丙烯酸酯、戊基丙烯酸酯(amyl acrylate)、正己基丙烯酸酯、環己基丙烯酸酯、2_乙基己基丙烯酸酯、正辛基丙烯酸酯、第三辛基丙烯酸酯、十二基丙烯酸酯(dodecyl acrylate)、苯基丙烯酸酯、苄基丙烯酸^ 、2-氣乙基丙烯酸酯、2-溴乙基丙烯酸酯、4_氯丁基丙^ 酸醋、2·氰基乙基丙烯_旨、2·乙醯氧乙基丙烯酸酿、甲氧节基丙稀酸g旨、2-氣環己基丙烯酸酉旨、咬喃甲基丙歸酸酯（totoyl acrylate)、四氫呋喃曱基丙烯酸酯 78 201211595. joh/jpif (tetrahydrofurfuryl acrylate)、2-曱氧基乙基丙烯酸酯、ω_ 曱氧基聚乙一醇丙晞酸醋（聚氧乙烯(p〇lyOXyethyiene)的增加莫耳數：n=2至1〇〇者）、3-曱氧基丁基丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、2-丁氧基乙基丙烯酸酯、2-(2-丁氧基乙氧基）乙基丙烯酸醋、1-溴-2-曱氧基乙基丙烯酸g旨、1,1_二乳-2-乙氧基乙基丙婦酸醋、環氧丙基丙烯酸g旨（glycidyl acrylate)等）； (3b)烧基曱基丙稀酸酉旨類(aikyl methacrylate) 甲基甲基丙烯酸酯、乙基甲基丙烯酸酯、正丙基甲基丙烯酸酯、異丙基曱基丙烯酸酯、正丁基曱基丙烯酸酯、異丁基曱基丙烯酸酯、第二丁基曱基丙烯酸酯、第三丁基曱基丙烯酸酯、戊基曱基丙烯酸酯、正己基曱基丙烯酸酯、環己基甲基丙烯酸酯、2-乙基己基甲基丙烯酸酯、正辛基曱基丙烯酸醋、曱基丙稀酸十八醋(stearyi methacrylate)、苄基甲基丙烯酸酯、苯基曱基丙烯酸酯、烯丙基曱基丙稀酸酯(allyl methacrylate)、呋喃曱基曱基丙烯酸酯、四氫呋喃曱基曱基丙稀酸醋、曱苯紛基曱基丙稀酸酉旨 methacrylate)、萘基曱基丙烯酸酯、2·甲氧基乙基曱基丙婦酸酯、3-曱氧基丁基曱基丙稀酸酯、ω_曱氧基聚乙二醇曱基丙烯酸酯(聚氧乙烯(p〇lyOXyethylene)的增加莫耳數：η=2 至100者）、2-乙醯氧基乙基甲基丙烯酸酯、2-乙氧基乙基甲基丙烯酸酯、2-丁氧基乙基曱基丙烯酸酯、2_(2_丁氧基乙氧基）乙基甲基丙烯酸酯、環氧丙基曱基丙稀酸酯、3_ 79 201211595. 三曱氧基石夕基丙基曱基丙烯酸g旨、稀丙基甲基丙烯酸醋、 2·異氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯等； (3c)不飽和多價缓酸的二酯類順丁烯二酸二曱醋(dimethyl maleate)、順丁烯二酸二丁酯（dibutyl maleate)、亞曱基丁二酸二曱酯（dimethyl itaconate)、亞甲基丁二酸二丁g旨(dibutyl itaconate)、巴豆酸丁酯（dibutyl crotonate)、巴豆酸十二酯（dihexyl crotonate)、反丁烯二酸二乙g旨（diethyl fumarate)、反丁烯二酸二甲醋 (dimethyl fumarate)等； (3d)a、β-不飽和叛酸的醯胺類凡1^-二曱基丙烯醯胺(>^，]^-(1丨11161:11丫1&(^>^1111(16)、风]^-二乙基丙烯醯胺(Ν,Ν-diethylacrylamide)、Ν-正丙基丙稀酿胺(N-n-propylacrylamide)、Ν-第三丁基丙烯醢胺(Ν- tert butyl acrylamide)、N-第三辛基曱基丙烯醯胺(N-tert octyl methacrylamide)、環己基丙烯醯胺、N-苯基丙烯醯胺、 Ν-(2·乙醢乙醯氧乙基）丙烯醯胺 (N-(2-acetoacetoxyethyl)acrylamide)、Ν-苄基丙烯醯胺、Ν-丙稀醢嗎琳（N-acryloyl morpholine)、二丙酮丙稀醢胺 (diacetone acrylamide)、N-曱基順丁烯二亞醯胺(N-methyl maleimide)等； (4)不飽和腈類丙烯腈（acrylonitrile)、曱基丙烯腈(methacrylonitrile) 等； (5)苯乙烯及其衍生物 201211595. 本乙烯、乙稀基曱苯(vinylt〇hiene)、乙基苯乙烯、對第二丁基本乙烯、對乙烯基苯甲酸曱酯、α_曱基苯乙烯、對氣甲基苯乙烯、乙烯基萘、對曱氧基苯乙烯、對羥甲基苯乙烯、對乙醯氧基苯乙烯等； ⑹乙稀基醋類(vinylester) 乙酸乙烯酯（vinyl acetate)、丙酸乙烯酯（vinyl propionate)、丁酸乙烯酯(vinyi butyrate)、異丁酸乙烯酯 (vinyl isobutyr^te)、乙稀基苯曱醋(vinyi benzoate)、柳酸乙烯醋(vinyl salicylate)、氣乙酸乙烯酯(vinyi chl〇roacetate)、曱氧基乙酸乙烯酯、苯基乙酸乙烯酯等； (7) 乙烯基醚類(vinyl ether) 曱基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、正丙基乙烯基醚、異丙基乙稀基醚、正丁基乙烯基縫、異丁基乙稀基醚、第三丁基乙烯基醚、正戊基乙烯基醚、正己基乙烯基醚、正辛基乙烯基醚、正十二基乙烯基醚、正二十基乙烯基醚、2_ 乙基己基乙烯基醚、環己基乙烯基醚、氟丁基乙烯基醚、 II丁氧基乙基乙浠基趟等；以及 (8) 其他的聚合性單體 N-乙稀基吼σ各烧_ (N—vinyipyj^iidone)、曱基乙稀基酉同(methyl vinyl ketone)、苯基乙烯基酮(phenyl vinyl ketone)、曱氧乙基乙烯基酮(methoxyetliyl vinyl ketone)、2-乙烯基噁唑啉（2-vinyl oxazoline)、2-異丙基噁唑啉（2-isopropenyl oxazoline)等。刖述氟系l合物中’氟脂肪族基含有聚合物的量較佳 81 201211595 384/3pif 為此聚合物的結構單體總量的5質量％以上，更佳為丨〇質量 %以上，更佳為30質量％以上。在前述氟系聚合物中，前述一般式(IIA)所表示的重複單元的量較佳為此氟聚合物的結構單體總量的0.5質量％以上，更佳為丨〜加質量％，更，佳為1〜10質量％。上述的質量百分比因為根據所使用的單體的分子量容易使較佳範圍的數值變動，所以以聚合物的每一單位質量的官能基莫耳數表示者，能正確地規^一般式(IIA)所表示的重複單元的含有量。使用上述的表示内容時，前述氟系聚合物中所含有的親水性基(一般式(ΠΑ) 中的Q)的較佳量為〇·1 mm〇l/g〜10 mm〇1/g，更佳量為〇2 mmol/g〜8 mmol/g。本發明中所使用之前述氟系聚合物的質量平均分子量，較佳為1，〇〇〇,〇〇〇以下，更佳為500，_以下，更較佳為 100,000以下。質量平均分子量為可使用凝膠滲透層析法 (Gel Permeation Chromatography，GPC)以測定作為聚苯乙烯(PS)換算的值。 .人刖述氟系聚合物的聚合方法，並沒有特別的限制，其例如可採用利用乙烯基的陽離子聚合或自由基聚合，或ς 是陰離子聚合等的聚合方法，其中以自由基聚合可廣泛地被利用的方面而為特佳。自由基聚合的聚合起始劑為可使用自由基熱聚合起始劑或自由基光聚合起始劑等的習知的化合物，但特別是，較佳為使用自由基熱聚合起始劑。在此，自由基熱聚合起始劑為，藉由在分解溫度以上進行加熱而產生自由基的化合物。如上述之自由基熱聚合起始劑 82 201211595(if ，例如過氧化二醯基(diacyl peroxide)(過氧化醯基、過氧化本甲醯基等）、過氧化酮(過氧化甲乙酮、過氧化環己酮等 )、氫過氧化物(hydroperoxide)(過氧化氫、氫過氧化第三丁基、虱過氧化異丙苯(Cumenehydroperoxide)等）、過氧化二烷基(dialkyl peroxide)(過氧化二第三丁基、過氧化二異丙苯基（dicumyl Peroxide)、過氧化二月桂醯（dilaur〇yl peroxide)等）、過氧化酯類(per〇xyester)(第三丁基過氧化乙酯、第三丁基過氧化三甲基乙酯等）、偶氮(az〇)系化合物（偶氮雙異丁腈（azobisisobutyronitrile)、偶氮雙異戊猜 (aZ〇biSiS〇valeronitrile)等）、過氧硫酸鹽類(p_lfate)(過^ 硫酸銨、過氧硫酸鈉、過氧硫酸鉀等）。如上述之自由基熱聚合起始劑，可以1種單獨使用，或以2種以上組合使 a自由絲合綠’並沒有制的限制，其可採取乳化聚合法（emulsion polymerizati〇n meth〇d)、懸浮聚合法 (suspension polymerizati〇n meth〇d)、塊狀 g 合法二^ P〇lymenzation method)、溶液聚合法 Ρ:=_〇η触㈣等。關於典型的自由基聚合方法之浴液U ’進一步具體地進行說明。之概要也是同樣的，其詳細可例如「高分子科法為了進仃溶液聚合，而有使用有機溶溶劑可在不損壞本發明的目的、效果的範圍内任。這些的有機溶^ 擇赋的範圍的值的有機溶劑，較佳為可均句地 83 201211595 0QH/〇pif 成分的有機溶劑。較佳的有機溶劑的示例為，異丙醇 (isopropanol)、丁醇(butanol)等的醇類⑻cohol);二丁醚 (dibutyl ether)、乙一醇一曱基&I (ethylene glycol dimethyl ether)、四氫呋喃、二惡烷等的醚類；丙酮、曱基乙基酮、甲基異丁基i同、ί衣己酮專的g同類；乙酸乙酯(ethyi acetate) 、乙酸丁酯(butyl acetate)、乙酸戊酯(amyl acetate)、7 _丁内酯（7 -butyrolactone)等的酯類；苯、甲苯、二甲苯(xylene) 等的芳香族烴類。再者，這些的有機溶劑可以丨種單獨使用，或以2種以上組合使用。而且，由單體或產生的聚合物的溶解性的觀點而言，也可使用上述有機溶劑與水合併使用的水混合有機溶劑。另外，溶液聚合條件並沒有特別的限制，例如較佳為在50〜200°C的溫度範圍内，進行1〇分鐘〜30小時的加熱。而且’為了不使所發生的自由基去活化，當然是在溶液聚合中’且較佳為在溶液聚合開始前，進行鈍性氣體沖洗 (purge)。鈍性氣體為以普通氮氣適合使用。為了以較佳的分子量範圍而得到前述氟系聚合物，使用鍵轉移劑的自由基聚合法特別有效。鍵轉移劑可使用硫醇類(mercaptan)(例如，辛硫醇、癸硫醇、十二基硫醇、第三十二基硫醇、十八硫醇（octadecyl mercaptan)、硫紛 (thiophenol)、對壬基硫酚(p-nonyHhiophenol)等）、聚齒化烷基（polyhalogenated alkyl)(例如，四氣化碳（carb〇n tetrachloride)、氯仿（chloroform)、1,1，1-三氣乙烷 (l，l，l-trichloroethane)、1，1，1-三溴辛烷（ijj-tribromo 84 201211595. joh/jpif octane)等)、低活性單體類(α甲笨乙烯(㈣咖卿麗)、 ^乙烯L_methylsty_dime⑽的任__，較佳為碳數4〜16的硫_。因為鏈轉移_活性或單體的組合、聚a條件等會產生顯著的影響，目此這些的鏈轉移劑的使用量被精密地控制’但其通常為相對使用的單體的總單體數之0.01 mole/。（莫耳百分比）〜5〇 m〇祕較佳為咖抓〜30 m〇le%，特佳為〇.〇8 mole%〜25 mole%。這些的鏈轉移劑’可以與在聚合過程巾應控制聚合度對象的單體同時地存在於系統内，而關於其添加方法則並不特別地限制承上述，可〉谷解在單體中然後再添加，也可與單體分開而進行添加。再者，為了固定化圓盤狀液晶性化合物的配向狀態，本發明的聚合物較佳為具有作為取代基之聚合性基者〇作為氟㈣合物之本發明巾較佳使用的氟脂肪族基含有共聚物的具體例，可列舉在日本料制2__113500 公報的段落[G11G]〜[0114]中記載的化合物，但本發明絲毫不受這些具體例所限制。本發明中所使用的氟系聚合物，可以習知慣用的方法進行製造I例如，在包含具有之制舉的氟脂肪族基的單體、具有驗結性基的單料的有機溶财，添加廣泛使用的自由基聚合起始劑，利用聚合來製造。另外，根據情況，更可添加其他的加絲合性不飽和化合物，然後與上述相同的方法進行製造。因應各單體的聚合性，在反/應容 85 201211595 jpif 器中，-邊滴入單體與起始劑一邊進行聚合的滴入聚合法等，也可有效地得到均勻組成的聚合物。組成物中之前述氟系聚合物的含有量的較佳範圍根據其用途而不同，而在使用於光學非等向性層的形成的情況下，組成物(為塗佈液時，為去除溶劑後的組成物）中較佳為0.005〜8質量％，更佳為0·01〜5質量％，更較佳為〇〇5 3質量°/〇。則述氟系聚合物的添加量在小於〇質量％時效果不充足’而比8質量％多時，則塗膜的乾燥無法充分地被進行，且在光學膜的性能(例如，延遲的均勻性等)上會帶來不好的影響。接下來，對於式(III)所表示之含氟化合物進行說明。〇式(ΙΠ)中，R0為當作是氟化合物的疏水性基的功能。以R所表示的烷基為取代或無取代的烷基，其可為直鏈狀也可為分支鏈狀，較佳為碳數1〜2〇的烷基，更佳為4〜16 的烧基，特佳為6〜16的燒基。上述的取代基可適用後述的取代基群D之例示的取代基的任一。以Ro所表示之在末端有CFS基的烧基’較佳為碳數1〜2〇的院基，更佳為4〜16 的烷基，特佳為4〜8的烷基。前述在末端有(：173基的烷基為烷基中所含有的氫原子的一部份或全部是以氟原子所取代的烷基。烷基中的氫原子的50%以上是以氟原子所取代者為較佳，60%以上被取代者為更佳，而7〇%以上被取代者為特佳。另外，殘留的氫原子也可藉由後述的取代基群 D之例示的取代基所取代。以R〇所表示之在末端有CF2H基的烷基，較佳為碳數1〜2〇的烧基，更佳為4〜16的烷基， 86 201211595 jiS40pif 特佳為4〜8的烷基。前述在末端有Cf2h基的烷基為，烷基中所含有的氫原子的一部份或全部是以氟原子所取代的烷基。烷基中的氫原子的50%以上是以氟原子所取代者為較佳，60%以上被取代者為更佳，而7〇%以上被取代者為特佳。另外，殘留的氫原子也可藉由後述的取代基群D之例示的取代基所取代。以下，表示以r〇所表示之在末端有CF3 基的烷基’或在末端有CF2H基的烷基的例子。 R1 :n_CsFi7 — R 2 : η — C β F 1 3 ~ R 3 : η — C 4 F 9 — R4:n —CeFir— (CH2) 2 — R5:n-C6Fi3-(CH2)2- R6:n—C4F9— (CH2) 2 — R7 : H- (CF 2) 8- R8 : H- (CF2) ©- R9 : H- (CF 2) 4- R10 :H- (CF2) b- (CH2)- R 1 1 : H- (CF2) e- (CH2)- R12:H- (CF2) 4- (CH2)- 式(III)中’以L〇所表示為(m+n)價的連結基，較佳為選自由伸烧基、伸烯基(alkenylene group)、芳香族基、雜環基、-c〇·、_NR-(R為碳原子數1〜5的烷基或氫原子）、_〇_ 、-S-、-SO-、-S〇2_所組成之群組的至少2個所組合的連結基。、° 式(III)中’ W表示為羧基(_c〇OH)或其鹽、續酸基 (-S〇3H)或其鹽、膦醯氧基卜0P(=0)(0H)2}或其鹽。…的較佳範圍為與一般式(ΠΑ)中的Q相同。 87 201211595. jpif 前述式(III)所表示的含氟化合物之中，較佳為以下述式(III)-a或式(III)-b所表示的化合物。 [化 42] 一般式(IH)-a Ο

Ο 式(III)-a中，R4及R5各自表示為烷基、在末端有CF3基的烷基，或在末端有CF2IL&的烷基，但FU及R5沒有同時為烷基。各自表示為氫原子、羧基(-COOH)或其鹽、磺酸基(-S03H)或其鹽、膦醯氧基{-〇P(=〇)(〇H)2}或其鹽 ’或者是具有作為取代基的羧基、磺酸基、膦醯氧基的烷基、烧氧基或烧胺基(alkylamino group)，但Wi及沒有同時為氫原子。式（I I I) 一 b (R6~L2-·) m2 (A r 1) —W 3 式(III)-b中，R6表示為烷基、在末端有Cf3基的烷基，或在末端有CF2H基的烷基，m2表示為1以上的整數，而多數個的R6可相同也可相異，但至少一個表示為在末端有 88 201211595 、 CF3基或CF2H基的烧基。L2表示為伸烧基、芳香族基、_c〇_ 、-NR-(R為碳原子數1〜5的烷基或氫原子）、_〇_、_s_、_sa 、_S〇2_ ’及選自其所組成之群組的二價的連結基，而多數個的L2可相同也可相異。八^表示為芳香族烴環或芳香族雜環，W3表示為羧基(-COOH)或其鹽、磺酸基(_S〇3H)或其鹽、膦醯氧基{-0Ρ(=0)(0Η)2}或其鹽，或者是具有作為取代基的羧基、磺酸基、膦醯氧基的烷基、烷氧基或烧胺基〇首先，對於前述式(III)-a進行說明。 R_4及R_5為與前述式(III)中的R0定義相同，而其較佳範圍也相同。WAW2所表示的缓基(-COOH)或其鹽、續酸基 (-S〇3H)或其鹽、膦醯氧基{-〇P(=0)(OH)2}或其鹽與前述式(in)中的w定義相同而其較佳範圍也相同。當作以Wi& W2所表示的具有作為取代基之羧基、磺酸基、膦醯氧基的烷基，其可為直鏈狀也可為分支鏈狀，較佳為碳數丨〜加的烷基，更佳為1〜8的烷基，特佳為1〜3的烷基。前述具有作為取代基之敌基、績酸基、膦醯氧基的烧基可以具有至少一個的羧基、磺酸基或膦醯氧基，而羧基、磺酸基、膦醯氧基為與前述式(111)中的貿所表示的羧基、磺酸基、膦醯氧基定義相同，且較佳範圍也相同。前述具有作為取代基之羧基、磺酸基、膦醯氧基的烷基可藉由上述以外的取代基所取代，而此取代基可適用後述的取代基群D之例示的取代基的任一。Wl&Wz所表示的具有作為取代基之羧基、磺酸基、膦醯氧基的烷氧基，其可為直鏈狀也可為 89 201211595 38475pif 分支鏈狀’較佳為碳數卜㈤的烧氧基，更佳為卜8的燒氧基’特佳為1〜4的燒氧基。前述具有作為取代基之缓基、績酸基、膦醯氧基的焼氧基可以具有至少一個的幾基、續酸基或膦轉基’峨基、雜基、麵氧基為與前述式 (III)中的w所表示㈣基、確酸基、膦醯氧基定義相同，且較佳圍也相同。前述具有作為取代基之叛基、續酸基、膦醯氧基的絲基可藉由上軌外的取代基所取代而此取代基可適用後述的取代基群D之例示的取代基的任一。以W〗&W2所表示的具有作為取代基之羧基、磺酸基、膦醯氧基的烧胺基’其可為直鍵狀也可為分支鏈狀，較佳為碳數1〜20的烷胺基，更佳為丨〜8的烷胺基，特佳為丨〜4 的烷胺基。前述具有羧基、磺酸基、膦醯氧基的烷胺基可以具有至少一個的羧基、磺酸基或膦醯氧基，而羧基、磺酸基、膦醯氧基為與前述式(111)中的w所表示的羧基、磺酸基、膦醯氧基定義相同，且較佳範圍也相同。前述具有羧基、磺酸基、膦醯氧基的烷胺基可藉由上述以外的取代基所取代，而此取代基可適用後述的取代基群D之例示的取代基的任一。

Wi及W2特佳分別為氫原子或(CH2)nS〇3M(n表示為〇或1。）。Μ表示為陽離子，在分子内電荷成為〇的情況時，也可沒有Μ。Μ所表示的陽離子較佳為適用，例如質子偶離子(protonium ion)、鹼金屬離子(經離子(lithium i〇n)、鈉離子(sodium ion)、鉀離子(potassium ion)等）、鹼土族金屬離子(鋇離子(barium ion)、鈣離子(calcium i〇j^)、銨離子 90 (ammonium ion)等。其中’特佳為質子偶離子、裡離子、鈉離子、鉀離子、鍵離子。接下來，對於前述式(III)_b進行說明。 R6為與前述式(III)中的R0定義相同，而其較佳範圍也相同。h較佳表示為碳數丨〜12的伸烷基、碳數6〜12的芳香族基、-CO…NR-、-0-、-s-、-SO-、_S〇2_，及由其所組合而成的總碳數〇〜40的連結基(R為氫原子或取代基），特佳表示為碳數1〜8的伸烷基、苯基、_C0_、_NR_、氧基或烷胺基與前述式(Ir[)_a中w (-COOH)或其鹽、磺酸基(_奶、-S-、-S〇2_ ’及由其所組合而成的總碳數〇〜2〇的連結基 :ΑΓι較佳表示為碳數6〜12的芳香族烴環特佳表示為苯環或萘環。Ws所表示的羧基(_C〇〇H)或其鹽、磺酸基 (:so3h)或其鹽、膦醯氧基{·〇ρ(=〇)(〇Ιί)2}或其鹽，或者 j有作為取代基_基、侦基、膦醯氧基的烧基、院

W3較佳為羧基(-COOH)或其

例如質子偶離子、鹼金屬離 [)、鹼土族金屬離子(鋇離子 201211595 jMOpif 、辦離子等）、銨離子等。其中，特佳為質子偶離子、子、鈉離子、钟離子、銨離子。在本說明書中，取代基群D包含：烧基(較佳為碳數丄〜20、更佳為碳數i〜12、特佳為碳數丨〜8的烷基，例如基、t基、異丙基、第三丁基、正辛基、正癸基、正十六基、枝丙基、環戊基、環己基等）、烯基(較佳為碳數2〜加、更佳為碳數2〜12、特佳為碳數2〜8的烯基，、埽丙基、2-丁烯基、域烯基等）、炔基齡為碳數j 2〇、更佳為碳數2〜12、特佳為碳數2〜8的炔基，例如块基、3_戊快基等）、芳基(較佳為碳數6〜3〇、更佳為碳數6 〜如、特佳為碳數6〜12的芳基，例如苯基、對甲笨基、萘基等）、取代或無取代的胺基(較佳為碳數〇〜2〇、更佳數0〜10、特佳為碳數〇〜6的胺基，例如無取代胺基、甲ς ^(methy^ group) ^ (dibenzylamino group)等）、烷氧基(較佳為碳數1〜20、更佳為碳數丨〜12、碳數1〜8的燒氧基，例如甲氧基、乙氧基、丁氧基关氧基(較佳為碳數6〜20、更佳為碳數6〜16、特佳為碳數6 二12的芳氧基，例如苯氧基、2•萘氧基等）、醯基(較佳為碳數1〜20、更佳為碳數卜16、特佳為碳數卜㈣酿基，例如乙醯基、苯甲醯基、甲醯基(fQnnyl gn)up)、三甲^ 醯基(pivaloyl group)等）、烷氧羰基(較佳為碳數2〜2〇二佳為碳數2〜16、特佳為碳數2〜1()的燒氧縣，例如幾基、乙氧幾基等）、芳氧幾基(較佳為碳數7〜2〇、更佳為 92 201211595〆碳數7〜16、特佳為碳數7〜10的芳氧羰基，例如苯氧羰基等）、醯氧基(較佳為碳數2〜20、更佳為碳數2〜16、特佳為石反數2〜1G的醯氧基’例如乙醯氧基、苯甲自緣基等）、酿胺基(較佳為礙數2〜20、更佳為碳數2〜16、特佳為碳數2〜10的醯胺基，例如乙醯胺基、苯曱醯胺基等）、烷氧幾胺基(較佳為石炭數2〜20、更佳為碳數2〜16、特佳為碳數2〜12的烷氧羰胺基，例如甲氧羰胺基等）、芳氧羰胺基( 較佳為碳數7〜2G、更佳為碳數7〜16、特佳為碳數7〜12 的芳氧㈣L苯倾絲等）、俩絲(較佳為碳數1〜20、更佳為碳數、特佳為碳數卜12的續醯胺基，例如曱雜絲、苯伽絲等）、胺獅基(較佳為碳數0〜20、更佳為碳數〇〜16、特佳為碳數〇〜12的胺續酿基 ’例如胺雜基、甲料醯基、二甲胺雜基、苯胺續酿基等)、胺甲醯基(較佳為碳數1〜2〇、更佳為碳數1〜μ、特佳為碳數1〜12的胺甲醯基，例如無取代的胺甲酿基、甲胺甲酿基、二乙胺甲醯基、苯胺甲醯基等）、烷硫基(較佳為碳數1〜2〇、更佳為碳數丨〜16、特佳為碳數1〜12的烷硫基，例如甲硫基、乙硫基等）、芳氧硫基（較佳為碳數6〜20、更佳為碳數6〜16、特佳為碳數6〜12 的芳氧硫基’例如苯硫基等）、續酿基(較佳為碳數1〜如、更佳為碳數1〜16、特佳為魏卜⑽績醯基，例如甲橫醯基、甲苯績醯基等）、亞續醯基(較佳為礙數丨〜扣、更佳為碳數1〜16、特佳為碳數卜12的亞續醢基，例如甲亞續醯基、苯亞磺醢基等）、醯脲基(較佳為碳數丨〜2〇、更佳為 93 201211595 反數1 16、特佳為石反數1〜12的酿腺基，例如無取代的酿脲基、曱醯脲基、苯醯脲基等）、磷酸醯胺基(較佳為碳數j 〜20、更佳為碳數丨〜16、特佳為碳數丨〜12的磷酸醯胺基，例如二乙磷酸醯胺基、苯磷酸醯胺基等）、羥基、氫硫基、鹵=原子(例如氟原子、氣原子、溴原子、碘原子）、氰基、磺酸基、羧基、硝基、羥胺酸基、亞磺酸基、肼基、 ^胺基、雜環基(較佳為碳數丨〜如、更佳為碳數丨〜12的雜裱基，例如具有氮原子、氧原子、硫原子等的雜原子之雜環基，例如咪唑基、吼啶基、喹啉基、呋喃基、哌啶基、嗎啉基、笨并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基等）、矽基 (較佳為碳數3〜4〇、更佳為碳數3〜3〇、特佳為3〜24的石夕基，例如三甲矽基、三苯矽基等）。上述的這些取代基更可用這些取代絲代。而且，在有2_上的取代基的情況下 ’其可相同也可相異。另外，在可能的情況下，也可相互鍵結形成環。再者為了固疋化圓盤狀液晶性化合物的配向狀態，本發明的含氟化合物較佳為具有作為取代基之聚合性^者〇本發明中使用之式(III)所表示的含氟化合物的具體例可列舉在日本專利特開2〇〇6_1135〇〇公報的段落[〇136卜 [0140]中5己載的化合物，但本發明絲毫不受這些具體例所限制。組成物巾之前述含氟化合物的含有量雜佳範圍根 ”用途而不同，而在光學非等向性層的形成甲所使用的 94 201211595. j〇*t/jpif f月況下，在組成物(為塗佈液時，為去除溶劑後的組成物）中較佳為0.005〜8質量％，更佳為〇〇1〜5質量％ ,更較佳為0.05〜3質量％。 [聚合性起始劑] 已配向（較佳為垂直配向）的液晶性化合物維持配向狀態而進行固定° IU定化較佳為藉由在液晶性化合物中所導入的聚合性基(P)的聚合反應而實施。聚合反應包含，使用熱聚合起始劑的熱聚合反應，以及使用光聚合起始劑的光聚合反應。其中，較佳為光聚合反應。光聚合起始劑的例子中包含，α-羰基化合物(美國專利2367661號、同2367670 號的各說明書記載）、醇酮醚(acyloin ether)(美國專利 2448828號說明書記載）、α_烴取代芳香族醇酮化合物(美國專利2722512號說明書記載）、多核苯酿 quinone)化合物(美國專利3〇46127號、同2951758號的各說明書§己載）、三芳基p米唾二聚體(triaryi imidazole dimer)與對胺苯酮(p-aminophenyl ketone)的組合(美國專利3 549367號說明書記載)、β丫咬(acridine)及吩唤(phenazine)化合物（日本專利特開昭60-105667、美國專利4239850號說明書記載) 及噁二唑化合物(美國專利4212970號說明書記載）。光聚合起始劑的使用量較佳為塗佈液的固體量的〇.01 〜20質量％’更佳為〇.5〜5質量％。用於圓盤狀液晶性分子的聚合的光照射，較佳為使用紫外線。照射能量較佳為2〇 mJ/cm2〜50 J/cm2，更佳為 100〜800 mJ/cm2。為了促進光聚合反應，也可在加熱條件下實施光照射。 95 yir 201211595

光學非等向性層的厚度較佳為〇 i〜l〇 μιη，最佳為0.3〜5 μηι。 gm，更佳為ο.〗 [光學非等向性層的其他的添加劑] 上述的液晶性化合物同時與可塑劑、界面活性合性單體等合併錢，則可使塗頌的均勻性、臈的強度、液晶性化合物的配向性等被提高。這些的材料較佳為= 有與液晶性化合物的相溶性，且不會阻礙配向。聚合性單體可_自由絲合性或_子聚合性的化合物。另外，較佳為多官能性自由基聚合性單體，且較佳為與含有上述聚合性基的液晶化合物具有#聚合性。例如’曰本專利特開2002_296423號公報說明書中的段落號碼 [0018]〜[0020]記載者。上述化合物的添加量為，相對圓盤狀液晶性分子通常是1〜5〇質量％的範圍，較佳為5〜3〇質量％的範圍。界面活性劑為列舉先前習知的化合物，但特別較佳的疋氟系化合物。具體而言’例如曰本專利特開2〇〇133〇725 號公報的段落號碼[0028]〜[〇〇56]記載的化合物、日本專利特開2005-62673號公報的段落號碼[0069]〜[〇丨26]記載的化合物。與液晶性化合物同時使用的聚合物，較佳為可使塗佈液增黏者。聚合物的例子可列舉纖維素酯(ceUul〇se ester) 。纖維素酯的較佳例子為列舉日本專利特開2〇〇(M 552工6 號公報說明書中的段落號碼[〇178]記載者。為了不阻礙液晶性化合物的配向’上述聚合物的添加量相對液晶性分子 96 201211595、較佳是0.1〜10質量％的範圍，更佳是〇卜8質量％的範圍〇液晶性化合物的圓盤狀向列液晶相__轉移溫度，較佳為70〜3001 ’更佳為70〜170°C。 [塗佈溶劑] 在塗佈液的調製中所使用的溶劑，較佳為使用有機溶劑。有機溶劑的例子包含，醯胺(例如，N，N_二曱基甲醯胺 (N，N-dimethylformamide))、亞砜(sulfoxide)(例如，二甲亞石風(dimethyl sulfoxide))、雜環化合物(例如，吡咬）、烴(例如’本、己烧）、烧基鹵化物（例如，氯仿、二氯甲烧 (dichloromethane))、酯（例如，乙酸乙酯、乙酸丁酯）、酮（例如’丙酮、甲基乙基酮）、醚(例如，四氫α夫喃、1，2_二曱氧乙烷(l，2-dimethoxyethane))。其中，較佳為烷基鹵化物及酮。另外，也可合併使用二種類以上的有機溶劑。 [塗佈方法] 塗佈液的塗佈為可藉由習知的方法(例如，線棒式塗佈法（wire bar coating method)、擠壓式塗佈法（extrusi〇n coating method)、直接凹版印刷式塗佈法(direct gravure coating method)、反向凹版印刷式塗佈法(reverse gravure coating method)、模具式塗佈法(die coating method))實施。其中’在形成前述光學非等向性層時，較佳為利用線棒式塗佈法進行塗佈。線棒的旋轉數較佳為滿足下述數學式。〇.6<(Wx(R+2r)x^/V<1.4 [W :線棒的旋轉數(rpm)，r :棒的芯的直徑(m)，r :線的 97 201211595 JOH/opif 直徑(m) ’ V :支撲體的運送速度(m/min)] (Wx(R+2r)x〇/V的範圍較佳為0.7〜1.3，更佳為0.8 〜1.2。在前述光學非等向性層的形成中，較佳為使用模具式塗佈法’特別較佳是利用斜板式塗佈器(slide c〇ater)或狹縫模具式塗佈器(slot die coater)的塗佈方法。 [配向膜] 本發明中，較佳為在配向膜的表面塗佈前述組成物，然後使液晶性化合物的分子被配向。為了使配向膜具有規定液晶性化合物的配向方向的功能，因此較佳為利用本發明的較佳態樣以加以實現。但是，如果液晶性化合物配向後其配向狀態被固定的話，用於達成其作用的配向膜，則並不一定是本發明的構成要素所必須者。亦即是，僅將配向狀態被固定的配向膜上的光學非向性層轉印在偏光層或支撐體上，也能製作本發明的偏光板。配向膜可用有機化合物(較佳為聚合物）的摩擦處理、無機化合物的傾斜蒸鍍（〇blique evap〇rati〇n)、有微槽 (microgroove)的層的形成，或者是如藉由Langmui^

Blodgett法(LB膜)之有機化合物(例如，〇•二十三酸、二十八基甲基錄氯化物、硬脂酸曱醋）的累積的方法來設置。而且，亦已知有利用電場的給予、磁場的給予或光照射來產生配向功能的配向膜。配向膜較佳為利用聚合物的處理來形成。 μ 在聚合物的例子中，例如包含日本專利特開平 98 201211595 if 8-338913號公報說明書中段落號碼[0022]記載的甲基丙烯酸酯系共聚物、苯乙烯系共聚物、聚烯烴、聚乙烯醇及改質聚乙烯醇、聚（N-羥曱基丙烯醯胺 )(poly(N-methylolacrylamide))、聚酯、聚醯亞胺、乙酸乙烯醋共聚物、缓曱基纖維素(carboxy methyl cellulose)、聚碳酸醋。石夕虎偶合劑(silane coupling agent)可作為聚合物來使用。水溶性聚合物(例如，聚(N-羥曱基丙烯醯胺）、羧曱基纖維素、明膠(gelatine)、聚乙烯醇、改質聚乙烯醇、）為較佳’明膠、聚乙烯醇及改質聚乙烯醇為更佳，而聚乙烯醇及改質聚乙烯醇為最佳。聚乙烯醇的皂化度較佳為70〜1〇〇%，更佳為80〜 100%。聚乙烯醇的聚合度較佳為1〇〇〜5〇〇〇。在前述配向膜中’較佳為在主鏈鍵結具有交聯性官能基(例如’雙鍵)的支鏈，或者是將具有使液晶性分子配向的功能的交聯性官能基導入支鏈。配向膜中所使用的聚合物為，可使用本身能交聯的聚合物，或者是藉由交聯劑而使之交聯的聚合物的任一，也可以使用多數個上述的組合〇具有交聯性官能基的支鏈在配向膜聚合物的主鏈鍵結’或者是將交聯性官能基導入具有使液晶性分子配向的功能的支鏈’則配向膜的聚合物與在光學非等向性層所含有的多官能單體可共聚合。上述的結果，不僅是在多官能單體與多g能單體之間，而在配向膜聚合物與配向膜聚合物之間、多官能單體與配向膜聚合物之間也可以共價鍵強 99 201211595. 固地鍵結。因此，利用在配向膜聚合物中導入交聯性官能基’能夠顯著地改善光學補償片的強度。配向膜聚合物的交聯性官能基為與多官能單體同樣地’其較佳是含有聚合性基。具體而言，例如是日本專利特開2000-155216號公報說明書中段落號碼[〇〇8〇]〜叫⑽] 記載者。配向膜聚合物除了上述交聯性官能基外，也可使用交聯劑使之交聯。交聯劑為包含，醛(aldehyde)、Ν_·甲基化合物、二惡烷衍生物、藉由活化羧基而作用的化合物、活性乙烯基化合物、活性齒素化合物、異噁唑(is〇xaz〇le)及二醛澱粉(dialdehyde starch)。具體而言，例如列舉日本專利特開2002-62426號公報說明書中的段落號碼[⑻23]〜 [0024]5己載的化合物等。其中，較佳為反應活性高的醛，特別是戊二齡(glutaraldehydej。交聯劑的添加量相對於聚合物，較佳是〇1〜2〇質量％，更佳是G.5〜15質量％。在配向膜中殘存之未反應的交聯° 劑的量，較佳為1.0質量％以下，更佳為〇5質量％以下。利用如上述的調節，配向膜即使在液晶顯示裝置中長期使用 ’或在高溫高濕的環境下長時間放置，也可得到不會有網狀敵紋(reticulation)發生之充分的耐久性。配向膜基本上是在透明支撑體上塗佈含有作為配向膜形成材料之上述聚合物、交聯劑及添加劑的溶液後，進行加熱乾燥(進行交聯），藉由摩擦處理，以形成之。交聯反應如前述，在透明支撑體上塗佈後，於任意的時候料 100 201211595 〜·〜pif 進仃。在使用如聚乙烯醇的水溶性聚佳為有消泡作用的有機配向膜材料甲曱醇較佳為根據上述，則可醇)與水的混合溶劑。上述的比率以質量〇 : 100〜99 : 1，更佳為〇 : 1〇〇〜91 : 9 抑制泡的發生，且配向膜甚至是光學非等二-層= 的缺陷明顯地減少在配向膜形成時所湘的塗佈方法較佳為旋轉式塗佈法(spin coating method)、浸潰式塗佈法(dip⑺此 method)、淋幕式塗佈法(curtain c〇ating meth〇d)、擠壓式塗佈法(extrusion coating method)、桿式塗佈法(r〇d 咖㈣瓜她⑽或滚筒式塗佈法^丨⑺也叫^^广特佳為桿式塗佈法。另外，乾燥後的膜厚較佳為〇丨至⑺μπ^加埶乾燥為可在20°C〜110°C下進行。然而，為了充分地形成‘交聯較佳為60°C〜100°C，特別地較佳為8〇。(：〜1〇〇。(3。乾燥時間為可在1分鐘〜36小時進行，但較佳為丨分鐘〜3〇分鐘。 pH也較佳為設定在所使用交聯劑的最適化值，於使用戊二醛的情況下，較佳為pH4.5〜5.5。配向膜較佳為設置在透明支撐體上。如上述一樣交聯聚合物層之後，藉由摩擦處理其表面’即可得到配向膜。前述摩擦處理為適用LCD的液晶配向處理製程所廣泛採用的處理方法。亦即是，能使用藉由用紙或紗布、纖維亶€ (felt)、橡膠(gum)或尼龍(nylon)、聚酯纖維等，在一定方向摩擦配向膜的表面，而能得到配向的方法❶一般而言，是藉由使用長度及寬度均一的纖維平均地植毛的布等， 101 201211595. jpif 藉由進行數回左右的摩擦而實施。在配向膜的摩擦處理面塗佈前述組成物，然後使液晶性化合物的分子配向。之後，視需要使配向膜聚合物與光學非等向性層所含有的多官能單體反應，或者是使用交聯劑使配向膜聚合物交聯，而形成前述光學非等向性層。配向膜的膜厚較佳為在0.1〜10 μπι的範圍。在本發明的光學膜中，光學非等向性層為在支撐體上所設置的配向膜進行摩擦處理後所形成的層，較佳為此光學非等向性層的遲相軸與摩擦方向之間的角度實質上為9〇 °(遲相軸與摩擦滾輪的旋轉軸之間的角度實質上為〇。）。另外’在本發明的光學膜中，光學非等向性層為在支撐體上所設置的配向膜進行摩擦處理後所形成的層，較佳為此光學非等向性層的遲相軸與摩擦方向之間的角度實質上為0°(遲相軸與摩擦滾輪的旋轉軸之間的角度實質上為 90。）。 [支撐體] 本發明的光學膜也可具有包括聚合物膜的支撐體，其中支撐體用以支撐含有液晶性化合物的組成物所形成的光學非等向性層。可使用光學非等向性小的聚合物膜，也可使用藉由延伸處理等而發現光學非等向性的聚合物膜。另外，支撐體較佳為光透過率是8〇%以上。在支撐體的面内的延遲(Re)較佳為〇〜3〇nm，更佳為〇〜20 nm ’最佳為0〜10 nm。另外’此支撐體的厚度方向的延遲(Rth)較佳為_1〇〇〇 nm〜3〇〇 nm，較佳為_5〇〇〜 102 201211595〆 200 nm，最佳為-300 nm〜150 nm。支撐體的光學非等向性較佳為’根據與在其上所設置的光學非等向性層的組合而進行選擇，根據其組合可控制光學膜的Nz值。在聚合物的例中’可列舉醯化纖維素膜(例如，纖維素三乙酸S旨膜(cellulose triacetate film)(折射率1.48)、纖維素二乙酸醋膜(cellulose diacetate film)、醋酸丁酸纖維素膜 (cellulose acetate butyrate film)、醋酸丙酸纖維素膜 (cellulose acetate propionate film))、聚對苯二曱酸乙二醋膜 (polyethylene terephthalate film)、聚醚砜膜(p〇lyethersulfone film)、聚丙烯醯系樹脂膜、聚胺曱酸酯系樹脂膜、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚砜膜、聚醚膜、聚甲基戊烯膜 (polymethylpentene film)、聚醚酮膜(polyether ketone film) 、（曱基）丙烯酸酯腈膜聚烯烴((meth)aeryl nitrile film polyolefin)、具有脂環式結構的聚合物(降莰烯(n〇rb〇rnene) 系樹脂(ARTON :商品名，JSR公司製造、非晶質聚烯烴 (ZEONEX :商品名，日本ZE〇N&司製造))等。其中，較佳為二醋酸纖維素(triacetyl cellulose)、聚對苯二曱酸乙二酉曰、具有知％式結構的聚合物，特佳為三醋酸纖維素。聚合物膜較佳為利用溶劑流延法（s〇lvem casting method)而形成。透明支撐體的厚度通常可使用乃μιη〜 1000 μπι左右者，但較佳為25 μιη〜25〇 μπι，更佳為3〇〜90 μιη。為了改善透明支频與在其上所設置的層(接著層、垂直配向層或光學非等向性層)的接著，可在透明支樓體上實施表面處理(例如，輝光放電處理(glow discharge 103 201211595 、 treatment)、電暈放電處理(c〇r〇na discharge treatment)、紫外線(UV)處理、火焰處理(flame treatment))。在透明支樓體上也可设置接著層（底塗層）。另外，為了賦予透明支撐體或長形的透明支撐體在運送製程的滑動性，並防止於捲繞後的裡面與表面的貼附，因此較佳為使用在支撐體的一側塗佈以固體量重量比5%〜4〇%混合平均粒徑1〇〜1〇〇 ^ 左右的無機粒子的聚合物層，或與支撐體之藉由共流延 (co-casting)所形成者。々再者，於上述中，雖已說明了在支撐體上設置有光學非等向性層之層積體結構的光學膜，但本發明並不限定於亡述的態樣’光學非等向性層為#然可以由延伸聚合物膜，獨k成’也可以僅有由含有液晶性化合物的組成物所形 f之液晶糾變成。前述延伸聚合_驗佳例子與具有 j光學膜的支撐體的較佳例子定義相同。另外，液晶膜 ^佳例子也與具有前述光學朗光學料向性層的較佳例子定義相同。 :述光學難料以長形陳態連續地製作。而且， =相，長邊方向’遲相軸為在既科行也*正交的方二’光學膜中所包含的光學非等向性層的至少一 i非等二生屛Ϊ膜的長邊之間的角度較佳為5〜85。。在光向柯風二:由液晶性化合物所形成的情況下，光學非等等向度可用摩擦的角度來調整。在光學非由延伸方_整^理的聚合物_形成的航下，可藉申方6調麵相_歧。姆長賴的長邊方向， 104 201211595. JOT / 冲if 光學非等向性層的遲相軸為既不平行也不正交的後述圓偏光板或橢圓偏光板的製造中，則能與，X二膜利用捲軸(roll to roll)貼合，且能製造貼合^轴== 確度高、生產性高的圓偏光板或橢圓偏光板。二… (光學膜的層構造）本發明的光學膜為可視目的而設置單功能層。較佳的態樣可列舉，在光學非等向層上層(hard coat layer)的態樣、在光學非等向層上芦^ f 層的祕、在光學非等向層上層積硬塗層然^盆二声積抗反射層的態樣等。上述之抗反射層之至少-層以上的層所形成的層。貝序等所❸十低折有塗設合折射率高的高折射率層=較佳為組抗反射層。構造例為自下側斤射率層以構成層的2層，或折射率不同的3層以崎射率二:高折射率層折射率低的層) :也可提案層積更多的佳為在硬塗層上具有中折射率声成生相素，較的順序，例如在日本專利Hat率層/低折射率層利特開平8-11_丨號公報、、公報、日本專報、日本專利特開平細開平购咖號公州6遽公報、日本專利特開平 105 201211595., -/«jt t «/pit 2〇〇〇-1117G6號公報等中記载的構造。另外，在各層中也可、’«予’、他的功％如作為防污染性的低折射率層、抗靜電性的高折射率層、抗靜電性的硬塗層者(例如，日本專利日本料_平·勘陶虎層構ilirtir具有硬塗層或抗反射層的光學膜的具體 •光學非專向性層/石更塗層 •光學非等向性層/低折射率層二光^非等向性層/防眩層(anti_gIare layer)/低折光學非荨向性層/硬塗層/低折射率層光 •光學非等向性層/硬塗層/防眩層/低折射率層 •光學非等向性層/硬塗層/高折射率層/低折^率声率ί學非等向性層/硬塗層/中折射率層/高折射率低折射 •光學非等向性層/硬㈣/防崎/高 •光學非等祕層/_層/高騎特/低 =學非等向性層/賊層/中折射率層/高折射率層^低折射在上述的各構造中，較佳為在光形成硬塗層、防眩層、抗反射層等的功能声厂層上直接以將包含光學非等向性層的光學臈，與另外在 106 201211595, 置有硬塗層、防眩層、抗反射層等的層之^學膜進行層積〇 _在光學膜上，硬塗層及至少-層的光學干涉層直接或經由^他層’料樣_序所層積的光學膜為較佳。前述光學干涉層中的至少-層為低折射率層，此低折射率層更佳為被配置在最表面侧。前述光學干涉層為以中折射率層、高折射率層、低折這樣的順序所層積的層，此低折射率層更佳為被配置在最表面侧0 支撐體、光學非等向性層、硬塗層及光學干涉層的至少任一的層較佳為含有紫外線吸收劑。曰本發明的光學膜的較佳態樣的一個為具有自光學非等向性層湖始依序以巾折射率層、高騎率層及低折射率層所層積的抗反射層。較佳為，在此中折射率層的 55〇 rnn中的折射率為m.65，此中折射率層的厚度為 50.0 rnn〜70.0 nm，在此高折射率層的波長55〇 nm中的射率為1/70〜1/74 ’此高折射率層的厚度為90.0nm〜ll5 〇職’在此低折射率層的波長55〇 nm中的折射率為U3〜 1.38，此低折射率層的厚度為幻〇咖〜％〇 nm。在上述構造中’在以下所表示之構造⑴或構造(2)為特構造0):中折射率層的波長550nm中之折射率為i 〜1.64,中折射率層的厚度為55 〇nm〜65 〇nm，在高折率層的波長550 nm中的折射率為i 7〇〜174，高折射率層 107 •lb 201211595 pif 的厚度為105.0 nm〜115.0 nm，在低折射率層的波長55〇 nm中的折射率為⑶〜⑶，低折射率層的厚度為㈣胍〜95·〇ηιη的抗反射層。構造(2广中折射率層的波長55〇nm中之折射率為16〇二1.65,中折射率層的厚度為55〇nm〜65〇nm，在高折射率=的波長550 nm中的折射率為L70〜174，高折射率層的厚度為则細〜刚如心在低折射率層的波長例咖中的折射率為1.33〜1.38，低折射率層的厚度為85〇 nm〜 95-0nm的抗反射層。藉由使各層的折射率與厚度在上述範圍内，所以反射色的變動可較小。構造(1)為可控制使反射色的變動小，且 :使反射率特別低的構造，因此特別較佳。另外，比起構造(1)，構造(2)為可控制使反射率的變動更加小的構造，而因為相對膜厚變動在财久性(robustness)方面優異，因此特別較佳。 .〜此外，在本發明中，較佳為相對於設計波長λ(=55〇ηιη •能見度為最高波長區的代表），上述中折射率層、上述高率層、上述低折射率層分別滿足下式(I)、下式(H)、下式(I) λ/4χ〇.68<Π!(1ι<λ/4χ0.74 式(II) λ/2χ〇.66<η2(12<λ/2χΟ·72 式(III) λ/4χ0.84<η3(13<λ/4χ0.92 (其中，前述式⑴、式(II)、式(ΙΙΙ)中，ηι為中折射率層的折射率’山為中折射率層的層厚(_，〜為高折射率層 108

201211595 、 w w . · »〇 jJII 的折射率’ d2為高折射率層的層厚(nm)，n3為低折射率層的折射率，d3為低折射率層的層厚(nm)，η3<ηι<η2)。在滿足上述式(I)、式(II)、式(III)的情況下，因為反射率變低且可抑制反射色的變化，所以為較佳。而且，根據上述，在指紋或皮脂等的油脂成分附著之時，因為色調的變化少、污染變的不易被看見，所以為較佳。相對於在波長380 nm至780 nm的領域中之CIE標準光源D65的5度入射光，正反射光的色調較佳為CIE1976L*a 色空間的a*、b*值分別是〇9木$8且_1〇9*^〇的範圍内，而且在上述的色調變動範圍内，由於各層中的任意的層的層厚於2.5%變動時的色差八£在下述式(5)的範圍’而反射色的中性良好，因此每-録品在反射色無差異，且指紋或皮脂等的油脂成分附著於表面時污垢變的不明顯。使用含有具聚合性不飽和基的氟防污劑及含氟多官成丙烯酸_低折射率層，與上述層構造離合，則可使付即使在多層干涉麟造上，油墨(Magie商標)或指紋、皮脂等的油脂成分也不㈣著，即使瞒也容胃擦拭且變的不明顯。式(5):

△E={ (L * -L *，)2 + (a * *，)2 + 作 * 七 *，)2} 1/2幻（L 心以’^’為設計犋厚時的反射光的色調）另外，設置在影像顯示襄置的情況，藉由鏡面反射率的平均值為0.5%以下，而可_地減健光，所以為較佳 Λ 109 201211595 38475pif 鏡面反射率以及色調的測定為在分光光度計“V_55〇，’( 曰本分光股份有限公司製造)上安裝轉換器“ARV_474”，於 380〜780 nm的波長領域中’測定於入射角θ(θ=5〜45。、5 。間隔)的出射角-Θ的鏡面反射率，然後算出450〜650 nm的平均反射率，即可評價抗反射性。而且，由所測定的反射光谱’算出表示相對CIE標準光源D65的各入射角的入射光之正反射光的色調的CIEl976L*a*b*色間的L*值、a* 值、b*值，即可評價反射光的色調。各層的折射率的測定可將各層的塗佈液以3〜5 μιη的厚度塗佈在玻璃板上，然後於多波長阿貝折射計 DR-M2(ATAGO股份有限公司製造)進行測定。在本發明中，採用使用「DR-M2 , M4用干涉濾光片546(e)nm料號： RE_3523」的濾光片來測定的折射率，以作為波長550 nm 的折射率。各層的膜厚為可藉由以利用光干涉之反射分光膜厚计FE_3000’’(大緣電子股份有限公司製造）」或TEM( ^透型電子顯微鏡)觀察橫切面而進行測定。亦可藉反射分，膜厚計隨膜厚同時測定折射率，但是為了增加膜厚之測疋準確度，其最理想為使用以不同方式測定的各層折射率。，無法測定各層的折射率的情況，則最理想為藉由tem 測定膜厚。在此情況，最理想為測定10處以上的膜厚，並使用其平均後的值。、本發明的光學臈較佳的製造時的型態是將膜捲成捲，的型態。在此情;兄，為了得到反射色的色調的中性，在薄膜層的各層中，以任意的丨⑽㈣長的範圍之層厚的平均 110 201211595)if 值d(平均值）、最小值d(最小值）、及最大值d(最大值)作為參數，利用下述式(6)算出的層厚分布的值，較佳為5%以下，更佳為4%以下，更佳為3%以下，又更佳為2.5%以丁，特佳為2%以下。式⑹：（最大値d-最小値d)xl00/平均値d (硬塗層）在本發明的光學膜中，為了給予膜的物理性強度，可直接或經由其他層於光學膜的至少其中一侧的面上設置硬塗層。於本發明中，也可不設置硬塗層，但設置有硬塗層者之船筆硬度试驗專的耐擦傷性方面變強，因此較佳。較佳的是’在硬塗層上設置低折射率層，更佳的是，在硬塗層與低折射率層之間設置中折射率層、高折射率層以構成抗反射層。硬塗層也可以是由二層以上層積而構成。為了得到抗反射性的膜的光學設計，所以本發明中的硬塗層的折射率較佳為在1.48〜2.00的範圍，更佳為148 〜1.70。本發明中，因為在硬塗層上的低折射率層有至少1 層，所以折射率比上述的範圍小則抗反射性會降低，而比上述的範圍大則反射光的色調會有變強傾向。從給予膜充分的耐久性、耐衝擊性的觀點看來，硬塗層的膜厚通常為〇.5μιη〜5〇μιη左右，較佳為1 μπι〜2〇μιη ’更佳為5 μπι〜2〇 μυι。

硬塗層的強度以鉛筆硬度試驗較佳為Η以上，更佳為 2Η以上’最佳為3Η以上。而且，以在JIS Κ5400之TABER 111 201211595 i»4/5pif 磨耗試驗’試驗前後的試驗片的磨耗量越小為較佳。硬塗層較佳為藉由電離放射線硬化性化合物的交聯反應或聚合反應而形成。例如，可在透明支樓體上塗佈包含電離放射線硬化性的多官能單體或多官能低聚合物的塗佈組成物，然後藉由多官能單體或多官能低聚合物的交聯反應或聚合反應而形成。電離放射線硬化性的多官能單體或多官能低聚合物的官能基’較佳為光、電子線、放射線聚合性的物質，其中較佳為光聚合性官能基。光聚合性官能基可列舉（曱基）丙烯醯基、乙烯基、苯乙烯基(styryl group)、烯丙基等的不飽和聚合性官能基等，其中較佳為( 甲基）丙烯醯基。具體而言，可較佳使用前述(具有聚合性飽和基的多官能單體)所列舉的化合物。基於給予内部散射性之目的，在硬塗層中可含有平均粒徑1·0 μιη〜1〇.〇 μιη、較佳為15 μιη〜7 〇的消光 (matte)粒子，其例如無機化合物或數脂粒子。基於控制硬塗層的折射率的目的，在硬塗層的黏結劑中可加入鐘折料單體或無雜子’或者是喊。無機 ^子除了控制折射率的效果之外，也有控制交聯反應所致 —fi收縮的效果。本發明中，在硬㈣形成後，前述多官能單體及/或高折射率單料聚合而產生的聚合體中包含分散的無機粒子而稱為黏結劑。 - (防眩層）為了在膜中給予因表面散射的防眩性、與較佳是為了提高膜的硬度、耐擦傷性的硬塗性之目的，而形成=層了 112 201211595 有關防眩層記載在曰本專利特開2〇〇9·9865 段_78]〜_9]中，而在本發明中也有同樣的^報的在本發明的光學膜的至少其令一側的面上接或經由其他層，層積作為抗反射層功能的至少―居^ 學干涉層。 θ [高折射率層以及中折射率層] 高折射率層的折射率較佳為如前述的1.70〜174,串佳為1.71〜1.73。巾折鱗層的折射率以成為低折射率声的折射率與高騎率層的折料之間雜的方錢行調^ 。中折射率層的折射率較佳為1·6〇〜1.64,更佳為h61〜 1.63。與同折射率層以及中折射率層的形成方法是可藉由化學氣相沈積(Chemical vapor dep〇sid〇n，CVD)法或物理氣相沈積(physical vapordep〇siti〇n，pVD)法特別是物理氣相 f積法的—種之真空驗法或雜法，可賴無機物氧化物的透明_，但較佳為_全濕式⑽·_)塗饰方法。由於上述中折射率層除了使折射率與上述高折射率曰不同以外，可使用同樣的材料做同樣地調整，因此以下特別對於高折射率層進行說明。 &上述兩折射率層較佳為，塗佈含有無機微粒子、具有以上的聚合性基的硬化性化合物（以下，也有稱做「劑」„的情況）、溶劑以及聚合祕綱塗佈組成物，將 4劑乾燥後’藉由加熱、電離放射線照射或兩方式的併用 113 201211595 來進行硬化而形成者。使用硬化性化合物或起始劑的情況時’在塗佈後利用藉由熱及/或電離放射線的聚合反應使硬化性化合物硬化’而可形成耐傷性或密封性優異的中折射率層或高折射率層。 (無機微粒子）上述無機微粒子較佳為含有金屬的氧化物的無機微粒子，更佳為含有選自鈦(Ti)、锆(Zr)、銦⑽、鋅(Zn)、錫(Sn)、鋁(A1)及銻(sb)的至少1種的金屬的氧化物的無機微粒子。另外，為了幫助在層(A)中導入的導電性高分子所發現的抗靜電性，巾折射率層及高折射率層巾的至少任一也可含有導電性的無機微粒子。從折射率的觀點來看’無機微粒子較佳為二氧化錯 (zirconium oxlde)的微好。另外，從導電性的觀點則較佳為使用Sb、In、Sn中的至少i種類的金屬氧化物作為以'么

組成之群組的一個金屬氧化物。另外，能夠藉由變化無機微粒子的量以調折射率。層中的無嫱嫩ifev工ΛΑ、1> k ~ 〇作為主成分的情，而2〜40 nm為更較佳由分散女定性、表面的以調整至所定的

114 201211595, w-r f ^pll 因此而較佳為…較佳以二氧化錯作為主成分的無最佳為2.00〜2.20 〇射率居、if粒子的添加量為根據添加的層而不同，於中折㈣率層__體量較佳是如,質量二率層為相對高折射率層整體的固體 %，更佳為5G〜85質量％，更較佳_〜_量％。〇質里昭片财—歧躲或1子顯微鏡 1來測疋。無機微粒子的比表面積較，更佳為20〜2(W/g，最佳為3G〜15Gm2/g。〇〇4 =散液或塗佈液中，無機微粒子為了取得分與黏結劑的親和性、鍵結性高，也可進行如i ==劑等的化學性表面處理。另外，偶，叙η 偶合劑較佳為使用烧氧基金屬化合物(例如灵ϊti ^β其中’藉由具有丙_基或甲二的石夕院偶合劑的處理為特別有效。無機微粒子、予性表面處理劑、溶劑、觸媒及分散物的安定二本專利特開2006-17870號公報的[0058]〜剛3]中所記戰i 〇 j微粒子的分散可使时散機進行分散。分散，子包含’砂研磨機(例如’安裝針㈣的玻珠研磨機）、间速葉片研磨機、印石研磨機、滾筒研磨機、磨碎機及膠 115 201211595. / ^pif 體研磨機。其中，砂研磨機及高速葉片研磨機為特佳。另外，也可實施預先分散處理。在預先分散處理所使用的分散機的例子包含，球研磨機、三滾筒研磨機、攪拌機 (kneader)及擠壓機(extruder) 〇無機粒子較佳為在分散介質中盡可能地使之微細化，其質量平均徑為10〜120 nm ’較佳為20〜1〇〇 nm，更佳為30〜90 nm，難為3G〜80 nm。藉由使無機微粒子微細化至200nm以下，可形成無損透明性的高折射率層以及折射率層。 (硬化性化合物）硬化性化合物較佳為聚合性化合物，而聚合性化合物較佳為使用電離放射線硬化性的多官能單體或多合物。這些的化合物中的官能基，較佳為光、電^低^ 射線聚合性的物質，其中較佳為光聚合性官能基。人性官能基可列舉(甲基)丙稀醯基、乙稀基、苯乙稀基^ 丙基等的不飽和聚合性官能基等，其中較佳為（曱基)丙稀醢基。體的具體官能單體) 具有光聚合性官能基的光聚合性多官能單例，可適宜地使用在(具有聚合性不飽和基的多中所述的化合物。在高折射率層巾’於前義成分(無機難子、硬化性化合物、聚合起始劑、光敏化_以外，可添加界面活性劑、抗靜電劑、偶合劑、增黏劑、防止著色劑顏料、染料）、消泡劑，均染劑(leveling啊）、難燃/( 116 201211595 J84/5pif 紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、接著給予劑、聚合禁止劑、抗氧化劑、表面改質劑、導電性的金屬微粒子等。本發明中所使用的高折射率層及中折射率層較佳在如上述之於分散介質中分散無機微粒子的分散液中加入於基質形成時所必要雜結劑前驅體的硬化性化合物° 例如’前述的電離放射線硬化性料官能單體或多官聚合物等）、光聚合起始劑等以作為高折射率層及中折射率層形成用的塗佈組成物，然後在透明支樓率層及中折射率層形成用的塗佈組成物，之後藉化合物的交聯反應或聚合反應使之硬化而形成。而且’祕為層的塗佈同時或塗佈後，使高折射率声及折射率層的黏結劑與分散劑進行交聯反應或聚合反應 :如上述所製作高折射率層及中折射率層的黏結劑，例: 上述之較佳的分散劑、電離放射線硬 2官能低聚合物進行交聯或聚合反應，而成二：陰離子性基的形式。而且，高折射率層：散::二:陰離子性基有維持無機微粒子的分妒二二二父聯或聚合結構在黏結射給予皮膜形成 ^物理㈣U有無機微粒子的高折射率層及中折射率層的物理強度、耐化學性、耐候性。聚合層的形成中，硬化性化合物的交聯反應或境ΐ實濃度10 vol%(體積百分比）以下的環藉由在氧濃度10 v〇l%以下的率層，可改良高折射率層的物理強度、耐化學性、:候性 117 201211595 38475pif ’更加地可改良高折料層與鄰接高折射率層的 f。較佳為，藉由在氧濃度6 v()1%以下的環境中^硬化性 ^的或聚合反應以形成’更佳為氧濃度* Μ% ^特佳為氧濃度2 vol%以下，最佳為氧漠度i仰脱以下0 且ηΐΐΐ/折射率層為使用與高折射率層同樣的材料且同樣的方式，而可獲得。具體而言’中折射率層、高折射率層式_膜厚與折射率的方式，選擇:子乂: 類、樹脂的義並同時決定其配合比率、決定主要組成。在為了形成上述全部的層的塗佈組成物中，可使用與低折射率層用組成物同樣的溶劑。一 [低折射率層] 本發明中的低折射率層，其折射率較佳為i 3〇〜147 。多層薄膜干涉型的抗反射膜（中折射率層/高折射率層/低斤射率層）的情況的低折射率層的折射率最理想為133〜給更理想為1.35〜1.37。在上述範圍内可抑制反射率，碰f膜強度’因此為較佳。低折射率層的形成方法也是可，由化學氣相沈積(CVD)法或物理氣相沈積(pvD)法，特別氣沈積法的-種之真空蒸錢法或濺鑛法，可使用 :、機物氧化物的透明薄膜，但較佳為使用利用低折射率層用组成物並藉由全濕式塗佈的方法。低折射率層的霧度較佳為3%以下，更佳為2%以下，最佳為1%以下。 118 201211595 J84/3pif 到低折射率層為止所形成的抗反射膜的強度以500 g 荷重的鉛筆硬度試驗，其較佳為H以上，更佳為211以上，最佳為3H以上。另外，為了改良抗反射膜的防污性能，相對表面的水之接觸角健為95。社，更佳為1〇2。社。制地，接觸角為105以上時，則因相對指紋的防污性能可顯著地變好，所特別較佳。另外，水的接觸角為102。以上，且表面自由成為25 dyne/cm以下為更佳，23 dyne/cm以下為特佳，2〇 dyne/cm以下為更佳。最佳為水的接觸角為1〇5、上，且表面自由能為20 dyne/cm以下。 (低折射率層的形成）低折射率層較佳為，塗佈已被溶解或分散的具有聚合性不飽和基的含氟防污劑、具有聚合性不飽和基^含氟二聚物、無機微粒子、含有其他所期望的任意成分之塗佈組成物的同時，或者是在塗佈·乾燥後利用藉由進行電離放射線照射(例如，光照射、電子線電子束照射等）或加熱的交聯反應或聚合反應，來進行硬化而形成。 … 特別是，低折射率層為藉由電離放射線硬化性的化人物的交聯反應或聚合反應所形成的情況時，交聯反應或& 合反應較佳為在氧濃度是10 VOl%以下的環境中實施。藉由在氧濃度是1 vol%以下的環境而形成，可得到物二耐化學性優異的最外層。又、較佳為氧濃度是0.5 vol%以下，更佳為氧濃声θ 〇 t V〇l%以下’特佳縫濃度是0.()5 VGl%町，最麵H度 119 201211595 38475pif 是0.02 vol%以下。在氧濃度1 vol%以下的手法，其較佳為以別的氣體來置換大氣(氮濃度約79 vol%，氧濃度約21 vol%)，特佳為以氮氣進行置換(氮氣沖洗）。 (紫外線吸收劑）紫外線吸收劑為可發現紫外線吸收性者，其可使用習知的物質的任一。如上述的紫外線吸收劑中，為了得到紫外線吸收性高、於電子影像顯示裝置中所使用的紫外線吸收能(紫外線遮蔽能）’較佳為苯并三β坐系(benzotriazole)或羥苯基三嗪系(hydroxyphenyltriazine)的紫外線吸收劑。另外’為了增廣紫外線的吸收寬度(absorption width)，可合併使用2種以上的最大吸收波長之不同的紫外線吸收劑。苯并三唑系（benzotriazole)紫外線吸收劑可列舉， 2-[2’-羥基-5’-(甲基丙烯醯基氧甲基)苯基]-2H-苯并三唑、 2-[2’-羥基-5’·(甲基丙烯醯基氧乙基)苯基]-2H-苯并三唑、 2-[2’-羥基-5’-(曱基丙烯醯基氧丙基)苯基]-2H-笨并三唑、 2-[2’-羥基-5’-(曱基丙烯醯基氧己基)苯基]-2H-苯并三唑、 2-[2’-羥基-3’-第三丁基_5，-(甲基丙烯醯基氧乙基）苯基 ]-2H-苯并三唑、2-[2，-羥基-第三丁基-3，-(曱基丙烯醯基氧乙基)苯基]-2H-苯并三唾、2-[2’·經基-5’-(甲基丙稀醯基氧乙基)苯基]-5-氣基-2H-苯并三坐、2-[2’-經基-5’-(曱基丙稀酿基氧乙基)苯基]-5-甲氧基-2H-苯并三嗤、2-[2，-經基-5，-( 甲基丙烯醯基氧乙基)苯基]-5-氰基-2H-苯并三唑、2-[2，-羥基_5’-(甲基丙烯醯基氧乙基)苯基]_5·第三丁基_2^苯并三 120 201211595. jo*t / *；pif 唑、2-[2’-羥基-5’-(曱基丙烯醯基氧乙基)苯基硝美苯并三唾、2·(2，-經基-5，-第三丁基笨基)_肌笨并三^装丙酸-Η2Η-苯并三唾-2_基)-5-(1，1 -二甲基乙基)冰㈣ -，C7〜9-分支直鏈烷基酯、2_(2Η·苯并三唑_2基)4 6 ^ 曱基-1-笨乙基)酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)_6_(u甲基’^•奸乙基)-4-(1，1，3,3-四曱基丁基)紛等。羥苯基三嗪系紫外線吸收劑可列舉，羥美3 十一基基丙基)氧基]-2-經基苯基]·4,6-雙(2,4_二甲美〇笑 )-1，3,5-三嗪、2-[4-(2-經基_3_十三基氧基丙基)氧基] 苯基]-4,6-雙(2,4二曱基苯基)_ι，3,5-三嗪、2_[4_[(2·經基 -3-(2’-乙基）己基)氧基]_2_羥基苯基^^卜雙仏乍二甲基苯基)-1，3,5-三嗪、2,4-雙(2-羥基-4-丁氧基苯基)_6_(2,4雙_丁氧基笨基)-1，3,5-二嗪、2-(2-二經基_4-[1-辛氧基羰基乙囊美 ]苯基)-4,6-雙(4-苯基笨基)_ι，3,5-三嗪、2,2，，4,4，_四經基二笨基酮、2,2’-一經基-4,4’-二曱氧基二苯基晒、2,2，_二經基 -4-曱氧基二苯基酮、2,4-二羥基二苯基酮、2_羥基_4_乙醯氧基乙氧基一本基酿I、2-經基-4-曱氧基二苯基_、2,2，_二羥基-4-曱氧基二苯基酮、2,2’-二羥基_4,4，_二曱氧基二苯基酮、2-經基-4-正辛氧基-二苯基酮、2,2，_二羥基_4,4，-二曱氧基-5,5’-二磺酸二苯基酮· 2鈉鹽等。紫外線吸收劑的含有量取決於所要求的紫外線透過率或紫外線吸收劑的吸光度，相對前述紫外線硬化型樹脂 100質量份，通常是20質量份以下，較佳為1〜20質量份。在紫外線吸收劑的含有量較20質量份多的情況下，硬化性 121 201211595 W I，-/plf 組成物的紫外線所致的硬化性有降低傾向的同時，則硬塗膜10的可見光線透過率也恐會降低。一方面，在較丨質量份少的情況下，則硬塗膜10的紫外線吸收性會變的無法充分發揮。 · [偏光板] 收軸本發明的偏光板為具有上述光學膜與偏光膜。偏光膜也可使用_偏光膜、使用雙色性染料的染料系偏光膜或多烯系(polyene)偏光膜的任一。㈣偏光膜以及染料系偏光膜為錢-般的聚乙_系朗行製造M絲膜的吸收軸為相當於膜的延伸方向。因此，在縱方向(運送方向)延伸的偏光難有平行於錢方向的吸妹，在龄向(運送方向與垂直方向)延伸的偏光膜具有垂直於長邊方向的吸、偏光膜-般具有保護膜。在發明中，上述光學膜可為偏光膜的㈣蘭魏。在層積上述光賴财卜的偏光膜時’較佳為使用光學的等向性高的纖維素醋膜以作為保護膜。本發明的偏光板的較佳製造方法為包含，上述光學膜與偏光膜分取長形的狀態連續地層積的製程。此長形的偏光膜為合於所使㈣影像顯示裝置的螢幕的大小，然後裁f。本發_偏光板較佳為將前述絲膜與偏光膜均疋以長形的狀態連續地層積者。藉由^直線偏域作為偏光麵與上述光學膜组口 ’則可ν生紐的製造料圓偏光板或橢圓偏光板功能 122 201211595. j〇-t/^pif 之偏光膜-體型的光學膜。上述的圓偏光板或橢圓偏光板，可使用於提高液晶顯示裝置的對比或擴大視野角，可用作為有機EL顯示裝置的抗反射膜，與膽固醇液晶膜層積可用作為發光強度提高膜’可用作為3D顯示裝置的視角改善膜，而有多數的用途。 ° 、“本發明的偏光板在偏光膜的其中一側的面上層積上述光學獏’而在偏光膜的另一側的面上也可更加地層積具有光學非等向性的光學補償膜。以由觀測者侧依序是本發明，光學膜、偏光臈、光學補償膜、液晶晶胞而配置，或者以由月光源側依序是本發明的光學膜、偏光膜、光學補償膜、液晶晶胞而配置，則此光學補償膜可作為液晶顯示裝置的對比或視野角的補償膜之功能，而本發明的光學膜為在偏光膜的外侧(觀測者側或背光源側)所使用的膜之功能。、本發明的偏光板較佳為以前述光學膜、偏光膜、光學補償膜之順序’均是以長形的狀態連續地層積的偏光板。 ^本發明的影像顯示裝置較佳為在最前面配置前述光學膜或偏光板的影像顯示裝置，更佳為立體影像顯示裝置〇 [液晶顯示裝置] 本發明的液晶顯示裝置只要是至少有前述偏光板，其構成並沒有特別的限制，其可以是反射型、半透過型、i 液S日顯示裝置等的任—。—般而言，液晶顯示裝置由偏光板、液晶晶胞，以及視需要的位相差板、反射層、光 123 201211595 38475pif 擴1、背光源、前光源、光控制膜、導光板、棱鏡片、彩色滤光>{等的元件所構成。在本發財，上述光學膜較佳為使用於顯示裝置的外側及/或背光_ y外，本發明的偏光板的使用位置並無制的關，而且其使用位置可在1處也可在多數處。液晶晶胞並無特別的限制，其可使用在具備電極的i的透板挾持液晶層者等的一般液晶晶胞。構成液晶晶胞的前述透明基板只要能夠使構成液晶層之顯不液晶性的材料被配向於特定的配向方向者則無特別的限制。鍾Μ，可錢基板本身是具有使液晶^ 向的性質之透明基板，或者是，基板本妓缺配向能、但其上设置有具有使液晶配向的性質之配向膜等的透明基板等的任一。另外，液晶晶胞的電極可使用習知的物質。通常，可没置在透明基板接觸液晶層的面上，使用具有配向膜的基板時，可設置在基板與配向膜之間。形成前述液晶層之顯示液晶性的材料，並無特別的限制，其列舉可構成各種的液晶晶胞之通常的各種低分子液晶性化合物、高分子液晶性化合物及其之混合物。此外，在不損壞上述中之液曰a性的範圍’也可添加色素或旋光劑(chirai agent)、非液晶性化合物等。除了前述電極基板及液晶層，前述液晶晶胞也可具備作為後面敘述之各種的方式的液晶晶胞所必要的各種構成要素。刖述液晶晶胞的方式可列舉扭轉向列（Twisted Nematic，TN)方式、超扭轉向列（SuperTwisted Nematic ， STN)方式、電控制雙折射(Electrically Controlled Biref 124 201211595 38475pif ringence，ECB)方式、面内切換(In-Planeswitching，IPS) 方式、垂直排列(Vertical Alignment，VA)方式、多域垂直排歹|J(Multidomain Vertical Alignment，MVA)方式、圖案化垂直排列(Patterned Verti cal Alignment，PVA)方式、光學補償雙折射(Optically Compensated Birefringence，OCB)方式、混成排列向列(Hybrid Aligned Nematic，HAN)方式、軸向對稱排列微胞(Axially Symmetric Aligned Microcell， ASM)方式、半色調灰階方式、區域分割方式，或者是利用鐵電性液晶(ferroelectric liquid crystal)、反鐵電性液晶之顯示方式等的各種的方式。另外，液晶晶胞的驅動方式並無特別的限制’其為STN-LCD等中所使用之被動式矩陣方式、及使用薄膜電晶體(Thin FilmTransistor，TFT)電極、薄膜二極體(Thin Film Diode ’ TFD)電極等之主動電極的主動式矩陣方式、電漿定址(plasma address)方式等的任一的驅動方式。亦可以不使用彩色濾光片之場序(fieW sequential) 方式。本發明中的偏光板較佳為使用於反射型、半透過型及透過型液晶顯示裝置。另外，本發明中的偏光板也可較佳使用以與膽固醇液晶膜組合而作為發光強度提高膜。反射型液晶顯示裝置為具有以反射板、液晶晶胞及偏光板這樣的順序層積的構成。位相差板為配置在反射板與偏光膜之間（反射板與液晶晶胞之間或液晶晶胞與偏光膜之間）。反射膜也可是液晶晶胞與基板共有。半透過反射型液晶顯示裝置至少具備電液晶晶胞、配置於比液晶晶胞靠近觀察者 125 201211595f JU-T / ypli 側的偏光板、配置於前述偏光板與前述液晶晶胞之間的至少1牧的位相差板，及由觀察者所見配置於比前述液晶層更後方的半透過反射層，而且由觀察者所見於比前述半透過反射層更後方具有至少1枚的位相差板與偏光板。在上述類型的液晶顯示裝置中，可利用設置背光源而能使用反射模組與透過模組兩者。液晶晶胞較佳為VA模組、OCB模組、IPS模組或tn模組。 VA模組的液晶晶胞為，於電壓無施加時，其棒狀液晶性分子為實質地垂直配向。在VA模組的液晶晶胞中，包 3 (1)在電壓無施加時棒狀液晶性分子實質地垂直配向、而電壓施加時實質地平行的配向之狹義的VA模組的液晶晶胞（日本專利特開平2-17625號公報記載），更包含(2)為了擴大視野角’多域化VA模組(MVA模組的）的液晶模組(sn)97 ,Digest of tech. Papers(預稿集)28(1997)845記載）、（3)在電壓無施加時棒狀液晶性分子實質地垂直配向、而電壓施加時為扭轉多域配向模組(n_ASM模組)的液晶晶胞（日本液晶討論會的預稿集58〜59(1998)記載），及(4)SURVAIVAL模組的液晶晶胞(在LCD international 98發表）。 OCB模組的液晶晶胞為’棒狀液晶性分子在液晶晶胞的上部與下部實質地於逆方向（對稱地)配向之彎曲配向模組的液晶晶胞。使用彎曲配向模組的液晶晶胞的液晶顯示裝置為於美國專利4583825號、同5410422號的各說明書中所揭示。因為棒狀液晶性分子在液晶晶胞的上部與下部對 126 201211595 38475pif 稱地配向，所以彎曲配向模組的液晶晶胞具有自我光學補償功能。因此’上述的液晶模組被稱為光學補償彎曲 (Optically Compensatory Bend ’ OCB)模組。弯曲配向模組的液晶顯示裝置有應答速度快之優點。 IPS模組的液晶晶胞為，棒狀液晶分子是相對基板實質地平行配向，藉由於基板面中施加平行的電場，而液晶分子於平面地進行應答。IPS模組為於電場無施加狀態時則成為黑顯示’上下一對的偏光板的透過軸為正交。使用光學補償片，減低在斜方向的黑顯示時的漏光，以改良視野角的方法為，在日本專利特開平10_54982號公報、日本專矛J特開平11-202323號公報、曰本專利特開平9_292522號公報、日本專利特開平U_l33408號公報、日本專利特開& 11-305217號公報、日本專利特開平1〇_3〇7291號公報所揭示。 TN模組的液晶晶胞為，於電壓無施加時，棒狀液晶性分子是實質地水平配向’而且是在6〇至12〇。的扭轉配向。 TN模組的液晶晶胞最多被利用於作為彩色τρτ液晶顯示裝置’其在多數的文獻中有記載。本發明的偏光板較佳為與本發明的光學膜、偏光臈、光學補償膜層積而形成。此光學補償膜較佳為具有作為液晶顯示裝置的對比或視野角的補償層的功能。此光學補償臈可使用藉由延伸f合物膜並液晶性化合物配向而發現光學非等向性者。此光學補償膜較佳為視所使用的液晶顯示裝置的模組或所配置的位置，以控制三次元方向的折射率 127 201211595 38475pif 非等向性。三次元方向的折射率非等向性為可藉由液晶性化合物的分子形狀或配向狀態進行控制，亦可藉由當作支撐體使用之具有光學非等向性的聚合物膜進行控制，亦可以是上述之組合來進行控制。月’J述光學補償膜的較佳態樣的一個為包含液晶性化合物，較佳使用圓盤狀液晶化合物或棒狀液晶化合物。液晶性化合物的配向狀態較佳為垂直配向、水平配向、混成配向、傾斜配向、扭轉配向、螺旋配向的任一。所謂圓盤狀液晶化合物的垂直配向是指圓盤狀液晶化合物的圓盤面相對膜平面實質地垂直（分子對稱軸為與膜平面實質地平行)。相對膜平面的此圓盤面的平均傾斜角較佳為70〜90。，更佳為75〜90。，最佳為8〇〜9〇。。所謂圓盤狀液晶化合物的水平配向是指圓盤狀液晶化合物的圓盤面相對膜平面實質地平行(分子對稱軸為與膜平面實質㈣直）。相對膜平面的關盤面的平均傾斜角較佳為0〜20，更佳為〇〜15。，最佳為〇〜10。。所謂棒狀液晶性化合物的垂直配向是指棒狀液晶性化合物的長轴(分子對稱軸)相對膜平面實質地垂直。相對膜平面的此長軸的平均傾斜角較佳為7〇〜9〇。，更佳為〜90° ’最佳為8〇〜9〇。。所明棒狀液晶性化合物的水平配向是指棒狀液晶性化合物的長軸(分子對稱軸)相對臈平面實質地水平。相對膜平面的此長軸的平均傾斜角較佳為0〜20。，更佳為0〜15 ° ’最佳為0〜1〇。。 128 201211595 38475pif 刖述光學補償膜包含已垂直配向之圓盤狀液晶性化合物，或者是已垂直配向之棒狀液晶性化合物的時候，此光學非等向性層可適合錢作為lps模組㈣液晶顯示裝置的視野角補償膜。在作為IP S模組液晶顯示裝置的視野角補償膜使用的情況，圓盤狀液晶性化合物垂直配向之光學非等向性層的面内的延遲較佳為50〜200mn，更佳為60〜180nm，最佳為70〜160 nm。另外，此光學非等向性層的厚度方向的延遲較佳為-100〜-25 rnn，更佳為_9〇〜_3〇 nm，最佳為_80 〜-35 nm。而且，亦可包含透明支撐體。此支撐體的面内的延遲較佳為0〜20nm，更佳為0〜10nm，最佳為〇〜511111 。另外，此支撐體的厚度方向的延遲較佳為2〇〜12()11111，更佳為40〜100 nm。在作為IPS模組液晶顯示裴置的視野角補償膜使用的情況，棒狀液晶性化合物垂直配向之光學非等向性層的面内的延遲較佳為0〜10 nm，更佳為〇〜5 nm，最佳為〇〜3 nm。另外，此光學非等向性層的厚度方向的延遲較佳為 -400〜-80 rnn，更佳為·360〜·1〇〇 nm，最佳為_32〇〜_12〇 nm。而且，亦可包含透明支撐體。此支撐體的面内的延遲較佳為20〜150 nm，更佳為3〇〜130 nm，最佳為4〇〜n〇 nm。另外，此支撐體的厚度方向的延遲較佳為1〇〇〜3〇〇 ’更佳為120〜280 nm，最佳為14〇〜260 nm。前述光學補償膜包含已水平配向之圓盤狀液晶性化合物，或者是已水平配向之棒狀液晶性化合物的時候，此 129 201211595 光學非等向㈣稍合使神為VA難等躲晶顯置的視野角補償膜。在作為VA模減晶顯示裝置的視野錢償臈使用的清況圓盤狀液晶性化合物水平配向之光學非等向性層的面内的延遲較佳為〇〜10 nm ’更佳為〇〜5 nm。另外，此光學非等向性層的厚度方向的延遲較佳為30〜遍nm，更佳為40〜200nm。而且，亦可包含透明支樓體。此支撐體的面内的延遲較佳為〇〜4〇 nm，更佳為〇〜2〇 nm。另外，此支標體的厚度方向的延遲較佳為〇〜2〇〇腿，更佳為加〜150 nm。在作為VA模組液晶顯示裝置的視野角補償膜使用的情況’棒狀液晶性化合物水平配向之光學非等向性層的面内的延遲較佳為60〜140nm，更佳為8〇〜12〇nm。另外，此光學非等向性層的厚度方向的延遲較佳為3()〜7〇胍，更佳為40〜6G nm。而且’亦可包含透明支舰。此支樓體的面内的延遲較佳為〇〜2〇nm,更佳為〇〜l〇nm。另外，此支撐體的厚度方向的延遲較佳為_3〇〜3〇賊，更佳 -20〜20 nm。前述光學補償膜包含圓盤狀液晶性化合物，且此圓盤狀液晶性化合物的圓盤面相對膜平面傾斜並進行配向的時候，此光學非等向性層可適合使用作為TN模組、⑽模組 ECB模、、且Η AN模組專的液晶顯示裝置的視野角補償膜。在光學非等向性層的厚度方向，圓盤狀液晶性化合物可用實質地-樣的角度進行傾斜配向，也可以是傾斜角度不 130 201211595 38475pif 同的混成配向，但更佳為混成配向。在作為™模組、〇CB模組、ECB模組、HAN模組等的液晶顯示裝置的視野_償膜使用的情況，包含圓盤狀液晶性化合物之光學非等向性層的面内的延遲較佳為〇〜5〇 nm，更佳為15〜45nm，最佳為2〇〜4〇nm。而且，亦可包含透明支撐體。此支撐體的面内的延遲較佳為〇〜6〇nm，更佳為0〜50 nm。另外，此支撐體的厚度方向的延遲較佳為40〜3GGnm，更佳為6G〜2G0nm。【實例】以下列舉實例及比較例以更具體地說明本發明之特徵。以下的實例中所表示的材料、使用量、比例、處理内容、處理步驟等可在不背離本發明之精神内進行適當地變更。因此，本發明的範圍不應限於由以下所表示的具體例所解釋者。 ~ [實例1] <支撐體(醋酸纖維素膜T1)的製作> 在混合槽中投入下述的組成物，一邊加熱一邊擾掉，使各成分溶解，以調製醋酸纖維素溶液。 (醋酸纖維素溶液組成） 100質量份 7·8質量份 3.9質量份 336質量份乙醯化度60.7〜61.1%的醋酸纖維素填酸三苯醋(triphenyl phosphate)(可塑劑）二苯基磷酸聯苯i旨(biphenyl diphenyl phosphate)(可塑劑）二氣曱烧(methylene chloride)(第 1 溶劑） 131 201211595 ^δΗ/Dpif 容劑） 29ft# n質量份旦ρ於另外的混合槽中，投入下述的延遲上昇劑(Α)16質二厂7氣甲烧92質量份及曱醇8質量份，一邊加熱一邊擾皙曰以周製延遲上昇劑溶液。然後，在醋酸纖維素溶液474 中，混合延遲上昇劑溶液25質量份，並充分地攪拌以《•周’摻雜物。延遲上昇_添加量，相對於醋酸纖維素 100質量份，為60質量份。 [化 43] 延遲上昇劑(A)

將所得到的摻雜物，使用帶拉伸機(band stretching machine)進行流延。在帶(band)上的膜面溫度由4(rc開始，以70C的溫風進行1分鐘的乾燥，自帶起以14〇它的乾燥風進行膜的10分鐘的乾燥，以製作殘留溶劑量〇3質量％的醋酸纖維素膜T1。所得到的長形的醋酸纖維素膜耵的寬為149〇mm，厚 132 201211595 度為80 μιη。另外，550 nm中的面内延遲(Re)為8 nm，而厚度方向的延遲(Rth)為78 nm。《含液晶性化合物的光學非等向性層的形成》 (鹼皂化處理）將醯化纖維素膜T1通過溫度6〇°c的電感加熱滚輪，在膜表面溫度昇溫至40°C後’於膜的單面使用棒式塗佈器以塗佈量14 ml/m2塗佈下述中所示之組成的鹼溶液’在加熱至110。(：的NORITAKE股份有限公司製造的蒸汽遠紅外加熱器的下方，進行10秒鐘的運送。接著，使用相同的棒式塗佈器，塗佈3 ml/m2的純水。繼之，在重複進行3次的藉由喷注式(fountain)塗佈器的水洗與藉由氣刀的脫水後，於 7〇°C的乾燥區運送1〇秒鐘並進行乾燥，以製作經鹼皂化處理的醯化纖維素膜。 (驗溶液組成） 4.7質量份 15.8質量份 63.7質量份 1.0質量份 14.8質量份氫氧化鉀水異丙醇

： C14H29〇(CH2CH2O)20H 丙二醇 (配向膜的形成）在如上述之經皂化處理的長形的醋酸纖維素膜上，以 ^的線棒連續地塗佈下述的組成的配向膜塗佈液。然後，用60 C的溫風進行6〇秒鐘的乾燥，而且利用勘。c的溫進行120秒的乾燥。 133 201211595 38475pif 配向膜塗佈液的組成下述的改質聚乙烯醇 10質量份水 371質量份曱醇 119質量份戊二醛 0.5質量份光聚合起始劑(IRGACURE2959，Ciba· Japan 公司製造） 0.3質量份改質聚乙烯醇 [化 44] ch3 〇H OOOCHi OCONHCH2CH2OCOC=CH2 (含圓盤狀液晶性化合物的光學非等向性層的形成）在上述製作的配向膜上施以連續地摩擦處理。此時，長形的膜的長邊方向與運送方向為平行，相對膜長邊方向，摩擦滾輪的旋轉軸為順時鐘45。的方向。在上述製作的配向膜上，以#2.7的線棒連續地塗佈下述的組成的含有圓盤狀液晶化合物的塗佈液A。膜的運送速度(V)為36 m/min。為了塗佈液的溶劑的乾燥及圓盤狀液晶化合物的配向熟成，以80¾的溫風進行9〇秒鐘的加熱。接著，在80C下進行UV照射，以固定化液晶化合物的配向，形成光學非等向性層，而得到光學膜汧。光學膜扒的光 134 201211595 384/5pif 學非等向性層的膜厚為1.0 μιη。光學非等向性層塗佈液(Α)的組成_ 下述的圓盤狀液晶化合物光聚合起始劑(IRGACURE907，Ciba · Japan 公司製造）增感劑(Kayacure DETX，日本化藥股份有限公司製造）下述的吡啶鏽鹽下述的氟系聚合物(FP1) 曱基乙基酮_ [化 45] 圓盤狀液晶化合物 100質量份 3質量份 1質量份 1質量份 0.4質量份 252質量份

[化 46] 吡啶鏽鹽

[化 47] 135 201211595. jo-γ / ^pif 氟系聚合物(FPl)

<fn5 »ch2-c—- OH CHj CiHj > 0 0 0 a/b/c=20/20/60 wt% Mw=16, 製作的光學膜的評價結果表示於表2中。再者，遲相轴方向與摩擦方向之間的角度為90。。亦即是，相對支撐體的長邊方向，遲相軸為順時鐘45。的方向。另外，使用玻璃作為基板來取代用作為支撐體的醋酸纖維素膜，以形成含有圓盤狀液晶化合物的層，然後使用艮〇611八21 ADH測定 Re(0)、Re(4〇)及Re(_4〇)，而其分別為 142 3 nm ' 128.9 nm ^128.7 nm。由上述的結果，相對於膜面，圓盤狀液晶性分子的圓盤面之平均傾斜角為9〇。，而確認圓盤狀液晶為相對膜面垂直地配向。 [實例2] 在上述實例1的光學膜F1的製作中，除了相對膜的長邊方向，摩擦滾輪的旋轉軸為逆時鐘45。的方向，於塗佈含圓盤狀液晶化合物的塗佈液A後的加熱溫度訂為丨坑，之後以100C進行UV照射之外，以同樣的方式製作光學膜F2 〇與摩擦 136 201211595 38475pif 方向，遲相軸為順時鐘45°的方向。與實例旧樣地，於膜面，圓盤狀液晶性分子的圓盤面之平均傾斜角為9〇。 ’而確認圓盤狀液晶為相對膜面垂直地配向。 [實例3] 在上述實例1的醋酸纖維素膜耵的製作中，除改變臈 _厚以外’以同樣的方式製作麟纖維素釘2。醋酸纖維素膜T2的厚度為60 μπι，550 nm中的Re為6 nm，尺也為⑽ nm 〇與實例1同樣地，對醋酸纖維素膜Τ2的表面進行皂化處理，而且設置配向膜。在製作的配向膜上施以連續地摩擦處理。此時’長形的膜的長邊方向與運送方向為平行，相對膜長邊方向，摩擦滾輪的旋轉軸為逆時鐘45。的方向。在上述製作的配向膜上’以#2.7的線棒連續地塗佈下述的組成的含有圓盤狀液晶化合物的塗佈液(Β)^膜的運送速度(V)為3 6 m/min。為了塗佈液的溶劑的乾燥及圓盤狀液晶化合物的配向熟成，以120。(：的溫風進行90秒鐘的加熱。接著，在80°C下進行UV照射，以固定化液晶化合物的配向 ’形成光學非等向性層，而得到光學膜F3。光學膜F3的光學非等向性層的膜厚為1.0 μιη。光學非等向性層塗佈液(Β)的組成__ 下述的圓盤狀液晶化合物 100質量份光聚合起始劑(IRGACURE907，Ciba · Japan 3質量份公司製造）增感劑(KayacureDETX，日本化藥股份有限 1質量份 137 201211595 38475pif 公司製造） 1質量份 0.4質量份 252質量份下述的吡啶鑌鹽下述的氟系聚合物(FP2) 甲基乙基酮 [化 48] 圓盤狀液晶化合物

[化 49] 吡啶鏽鹽

CbHi7〇 ^ -〇-s〇3 ,〇H3 [化 50] 氟系聚合物(FP2)

COOH

COOiCsHeOeH

COOCH2CH2(CF2)$F a/b/c=5/55/40 Mw=15000 138 201211595 38475pif 製作的光學膜的評價結果表示於表與摩擦方向之_肢為〇。。亦即是，“遲相軸方向方向，遲相轴為順時鐘45。的方向。與實例消^:的，邊膜面，圓盤狀液晶性分子的圓盤面之平均傾斜^ 〇。目對確§忍圓盤狀液晶為相對膜面垂直地配向。,、而 [比較例1] (醋酸纖維素溶液的調製）在混合槽中投入下述的組成物，進行授拌，並溶成分，以調製醋酸纖維素溶液A。醋酸纖維素溶液A的組成__ 乙醯取代^2·94的^酸纖維素二氣甲__〇做$ (消光劑溶液的調製） ~~~ -- 將平均粒徑16 nm的二氧化矽粒子(AER〇SlIj R272 , 日本AEROSIL股份有限公司製造)2〇質量份、甲醇8〇份進行30分鐘的充分麟混合，以成為二氧切粒子分= 液。上述的分散液與下述的組成物一起投入分散機中^ t授拌3。分鐘以上，並溶解各成分，關製、;肖光劑溶液而光劑溶液組/合平均粒徑16 nn^二氧化矽粒子分散液^ 3~ :氣甲烧(第1溶劑）如質;：甲醇(第2溶劑) 3,f^； 139 201211595 38475pif 醋酸纖維素溶液A 10.3質量份 (添加劑溶液的調製）在混合槽中投入下述的組成物，一使各成分溶解，以調製醋酸纖維素溶液添加劑溶液組成邊加熱一邊攪拌， 0 下述的光學的非等向性降低劑 49.3質量份下述的波長分散調整劑 4.9質量份二氣甲烷(第1溶劑） 58.4質量份甲醇(第2溶劑） 8.7質量份醋酸纖維素溶液A 12.8質量份光學的非等向性降低劑 [化 51]

波長分散調整劑 [化 52]

140 201211595 3^475pif 將上述醋酸纖維素溶液A 94.6質量份、消光劑1.3質量份、添加劑溶液4·1質量份分別過濾後進行混合，然後使用帶流延機(band casting machine)進行流延。於上述組成中，相對於醋酸纖維素，降低光學的非等向性的化合物與波長分散劑之質量比分別為12%、1.2%。藉由殘留溶劑量3〇% 將膜由帶上剝除，於140。(：乾燥40分鐘，以製造厚度80μιη 的長形的醋酸纖維素膜Τ3。所得到的膜Τ3的550 nm中的面内延遲(Re)為1 nm(遲相軸為與膜長邊方向垂直的方向），而厚度方向的延遲(尺也) 為-1 nm 〇與實例1同樣地，對醋酸纖維素膜T3的表面進行皂化處理，而且設置配向膜。在製作的配向膜上施以連續地摩擦處理。此時，長形的膜的長邊方向與運送方向為平行，相對膜長邊方向’摩擦滾輪的旋轉軸為逆時鐘45。的方向。在上述製作的配向膜上’以#4.0的線棒連續地塗佈下述組成的含有圓盤狀液晶化合物的塗佈液(C)。膜的運送速度(V)為2 0 m/min。為了塗佈液的溶劑的乾燥及圓盤狀液晶化合物的配向熟成，以KKTC的溫風進行3〇秒鐘的加熱，而且以130 C的溫風進行90秒鐘的加熱。接著，藉由uv照射，以固定化液晶化合物的配向，形成光學非等向性層，而得到光學膜FH1。光學膜FH1的光學非等向性層的膜厚為 1.8 μιη。光學非等向性層塗佈液(C)的組成 91質量份下述的圓盤狀液晶化合物 201211595 環氧乙烷改質三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 (V#360，大阪有機化學股份有限公司製造）光聚合起始劑(IRGACURE907，Ciba-Geigy 公司製造）增感劑(Kayacure DETX，曰本化藥股份有限公司製造）下述的°比啶鑌鹽下述的氟系聚合物(FP2) 乙基酮____ 圓盤狀液晶化合物 [化 53] 9質量份 3質量份 1質量份 0.5質量份 0.4質量份 195質量份

0比啶钂鹽 [化 53] θα

[比較例2] 142 201211595 JOH/Jpif 在以比較例1所製作的膜T3的上方的配向膜及光學非等向性層，以得到光學膜FH、2。 ’ 細結果表示於表2中。遲相軸方向二τ屈“：又為0。亦即是，相對支撐體的長邊方向，遲相軸為順時鐘45。的方向。與實例丨同樣地，相對於膜面’圓盤狀液晶性分子的圓盤面之平均傾斜角為％。，而確認圓盤狀液晶為相對膜面垂直地配向。 [比較例3] 將實例1中記載的醋酸纖維素摻雜物，使用帶拉伸機進行流延。在帶上的膜面溫度由40〇c開始，進行丨分鐘的乾燥’剝下後’以140°C的乾燥風，使用拉幅機(tenter)在寬度方向拉伸15%。之後，利用35乞的乾燥風進行2〇分鐘的乾燥，以製作殘留溶劑量0.3質量°/〇的醋酸纖維素膜丁4。所得到的醋酸纖維素膜T4的厚度為80 μπι。另外，膜T4的550 nm 中的面内延遲(Re)為10 nm，而厚度方向的延遲(1^}1)為13〇 nm ° 與實例1同樣地，對醋酸纖維素膜T4的表面進行皂化處理’而且設置配向膜。在製作的配向膜上施以連續地摩擦處理。此時，長形的膜的長邊方向與運送方向為平行，相對膜長邊方向，摩擦滾輪的旋轉轴為逆時鐘45。的方向。與實例3同樣地，使用含圓盤狀液晶化合物的塗佈液 (B)，形成光學非等向性層。以得到光學膜FH3。 [比較例4] 於實例1中，以使利用KOBRA21 ADH所測定的Re(〇) 143 201211595 值為100 nm的方式，變更含圓盤狀液晶化合物的塗佈液(A) 的塗佈量’與實例2同樣地，於光學膜T4的上方形成配向膜及光學非等向層’以得到光學膜FH4。光學膜FH4的光學非等向層的膜厚為0.74 μπι。 [比較例5] 於實例1中’以使利用KOBRA21 ADH所測定的Re(0) 值為80 nm的方式，變更含圓盤狀液晶化合物的塗佈液(A) 的塗佈量，與實例2同樣地，於光學膜丁4的上方形成配向膜及光學非等向層’以得到光學膜FH5。光學膜FH5的光學非等向層的膜厚為0.59 μιη。 [比較例6] 於實例1中，以使利用KOBRA21 ADH所測定的以(0) 值為21〇nm的方式’變更含圓盤狀液晶化合物的塗佈液(Α 非ί = 2同樣地’於光學膜T4的上方形成配向 =先子非等向層’以得到光學膜。光學膜觸的光予非等向層的膜厚為丨6μιη。製作的光學膜的評價結果表示於表2中。遲相轴與摩擦方向之間的角产為Ω。。t β 方6Α肖度為G亦卩疋’相對支㈣的長邊 1 順時鐘45。的方向。與實例1同樣地，相對 ;、’圓餘液晶性分子的圓盤面而確認圓盤狀液晶為相對膜面垂直地配向斜角為〇 [貫例4] (硬塗層用塗伟液A的調製）在混合槽中投入下述組成物，進行_，以作為硬塗 144 201211595. 層塗佈液A。然後’相對於曱基乙基酮900質量份，添加環己酮100質量份、部分己内酯改質的多官能丙烯酸酯 (DPCA-20 ’曰本化藥股份有限公司製造)750質量份、二氧化矽溶膠(MIBK-ST，日產化學工業股份有限公司製造)2〇〇質量份、光聚合起始劑(IRGACURE 184，Ciba · Specialty • Chemicals股份有限公司製造)50質量份，並攪拌。接著 ’以孔徑0.4 μιη的聚丙烯製過濾器來過濾’以調製硬塗層用的塗佈液Α。 (中空二氧化矽粒子分散液的調製）在中空二氧化矽粒子微粒子溶膠(異丙醇矽溶膠，觸媒化成工業股份有限公司製造CS60-IPA，平均粒徑60 nm，殼(shell)厚度1〇 nm，二氧化矽濃度2〇質量❶/❶，二氧化矽粒子的折射率1.31)500質量份中，加入丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(acryloyloxy propyl trimethoxysilane)30質量份及一異丙氧基链乙基乙酿（diisopropoxy aluminum ethyl acetate)1.51質量份並混合後，再加入離子交換水9質量份。然後’在60。(：下反應8小時後冷卻至室溫，並添加乙醯丙酮 (acetylacetone)1.8質量份，而得到分散液。之後，以使矽的含有率大略成為固定的方式一邊添加環己酮、一邊藉由在壓力300 C下減壓蒸餾，藉此進行溶劑取代，最後利用濃度調整以得到固體量濃度18.2質量％的分散液S。繼之，以氣相層析法分析所得到的分散液的IpA殘存量，其為〇5%以下。 (低折射率層用塗佈液的調製） 145 201211595 38475pif 混合如下述之各成分，在mek(曱基乙基_)中進行☆ 解，以製作固體量5質量％的低折射率層用塗佈液。仃溶 15質量份 7質量份低折射率層塗佈液的組成下述的全氟稀烴(perf]uor0 0lefln)共聚物 DPHA(一季戍四醇五丙稀酸醋 (dipentaerythritol pentaacrylate)與二季戊四醇六丙稀酸醋(Dipentaerythritol hexaacrylate)的混合物，日本化藥股份有限公司製作） DEFENSA MCF_323(氟系界面活性劑，大日本5質量份油墨化學工業股份有限公司製作） 2〇質量份 5〇質量份下述的含氟聚合性化合物中空二氧化矽粒子分散液S(固體量濃度18.2質量％) IRGACURE127(光聚合起始劑’ Ciba · Japan 3質量份公司製造） [化 55] 全氟稀烴共聚物

Ο d(CH2)a〇ficH:CH2 M.W, 50000 上述結構式中，50 : 50表示為莫耳比。 [化 56] 146 201211595. jot / jpif 含氟聚合性化合物

(硬塗層的形成）在以上述實例3製作之光學膜F3的光學非等向性層所形成的面的上方’使用凹版印刷式塗佈器，以塗佈前述硬塗層用塗佈液人。然後，在100°c下進行乾燥後，以使氧濃度為1.0 vol%以下的環境的方式，一邊進行氮氣沖洗，一邊使用160 W/cm的氣冷金屬鹵素燈(EYE GRAPHICS股份有限公司製造），照射照度400 mW/cm2、照射量150 mJ/cm2 的紫外線，以硬化塗佈層，而形成厚度12口〇1的硬塗層A。 (低折射率層的形成）在硬塗層A的上方，使用凹版印刷式塗佈器，以塗佈上述的低折射率層用塗佈液。然後，以使乾燥條件是9(rc 、30秒’紫外線硬化條件是氧濃度〇1 v〇1%以下的環境的方式，一邊進行氮氣沖洗，一邊使用240 W/cm的氣冷金屬函素燈(EYE GRAPHICS股份有限公司製造），以進行照度 600mW/cm2、照射量6〇〇mJ/cm2的照射量。低折射率層'二折射率為1.36 ’膜厚為9〇 nm。 147 201211595 384/5pif 如以上’製作於光學膜F3的上方層積硬塗層A及低折射率層之光學膜F4。 [實例5] (硬塗層用塗佈液B的調製）在混合槽中投入下述組成物，並攪拌，以作為硬塗層塗佈液B。然後，相對於曱基乙基酮9〇〇質量份，添加環己酮100質量份、部分己内酯改質的多官能丙烯酸酯 (DPCA-20，曰本化藥股份有限公司製造y/50質量份、二氧化石夕溶膠(MIBK-ST，日產化學工業股份有限公司製造)2〇〇質量份、光聚合起始劑(IRGACURE 819，Ciba · Japan股份有限公司製造)50質量份、下述的苯并三唑系紫外線吸收劑 (TINUVIN 384-2，Ciba · Japan股份有限公司製造)100質量份’並攪拌。接著’以孔徑〇.4卜111的聚丙烯製過濾器來過 /慮’以調製硬塗層用的塗佈液B。紫外線吸收劑 [化 57]

(硬塗層及低折射率層的形成）在上述實例4中，除了改變硬塗層用塗佈液A而使用硬塗層用塗佈液B以外，進行同樣的方式，製作於光學膜 148 201211595 J84〇pif 的上方層積硬塗層B及低折射率層之光學膜F5。 [實例6] (中折射率層用塗佈液的調製）八適宜混合含磷氧化錫(PT〇)分散液(觸媒化成工業股知有限公司製造ELC〇M JX_1〇〇lpTV，以及二季戊四醇，丙烯酸酯與二季戍四醇六丙烯酸酯的混合物(DpHA)，以言f已調整折射率之中折射率層用塗佈液。 (南折射率層用塗佈液的調製）在含Zr〇2微粒子硬塗劑(DeS〇lite Z74〇4[折射率丨72，固體量濃度：60質量％，二氧化錯微粒子含量：7〇質量％( 相對固體量）’二氧化賴粒子的平均粒子徑，溶劑組成：甲基異丁細甲基乙基酮鲁观股份有限公司製造])15.7質量份巾，添加甲基乙基酮61 9質量份、甲基異丁細3.4質量份、環己_u質量份，域拌。接著，以孔徑0.4 μιη的聚丙稀製過濾器來過濾，以調製率層用塗佈液。 (硬塗層、中折射率層、高折射率層及低折射率層的形成）與上述實例5同樣地’在光學膜F3的上方層積硬塗層β 。之後’在上述的硬塗層_上方’塗佈上述的中折射率層用塗佈液。然後，以使乾燥條件是9〇t、3〇秒硬化條件是氧濃度1.G減叮的環躺方式，—邊進行氮氣沖洗，-邊使㈣〇 W/em的氣冷金屬 GRAPHICS股份有限公司製造），以進行照度300 Jw 、照射量磁射量。中折射率層的折射率為^说 149 201211595 jot/jpif ’膜厚為60 nm 繼之，在所形成的中折射率層的上方，塗佈上述的高紫外線硬化條件是氧濃度Μ — —'，&啊、3〇秒’ :ϋί!用塗佈液:然後，以使乾燥條件是：邊進行氮氣沖洗，-邊使用24G w/em ^ =，HICS股份有限公司製造)，以燈的照射量。高折射率層的折射 ν〇ι%以下的環境的方式，【40 W/cm的 graphics股份有限公司製造），率為1.72，膜厚為no nm ° 接著，、在所形成的高折射率層的上方，進行同樣的方式’以形成低折射率層。 ^以上’於光學網的上方，製作以硬塗層B、中折高折解層及低折射率層赌_序所層積之光 [實例7] (醯化纖維素膜T5的製作） (醮化纖維素溶液Α· 1的調製）在混合槽中投入下述的組成物，一邊進行加熱一邊授拌，使各成分轉’⑽製醯化纖維素麵A]。乙感取代度為以ASTM D-817-91作標準進行測b黏度平均聚合度為藉由宇田等人的極限黏度法丨宇田和夫、齊藤秀夫「，維學會tt'」，第18卷第m，第1G5〜12G頁(1962年)}進行測定。醯化纖維素溶液A -1的組成醯化纖維素溶液（乙醯取代度2.86，黏度平均1〇〇質量份 150 201211595 J84/5pif 聚合度310) 12質量份 384質量份 69質量份 9質量份縮聚合酯P-8(下述表1中所示的二羧酸與二醇的聚合物）二氯曱烷曱醇丁醇聚縮合酯P-8 表1 二羧酸二醇芳香脂肪二羧酸脂肪二醇比脂肪末端數平族二羧酸族二羧酸比 (mol%) 族二醇 (mol%) 族二醇平均碳數均分子量對苯二曱酸丁二酸 5/95 乙二醇 100 2.0 乙醯酯殘基 1000 (消光劑分散液B-1的調製) 在分散機中投入下述的組成物，並進行授拌使各成分溶解，以調製消光劑分散液B-1。消光劑分散液B-1的組成二氧化矽粒子分散液(平均粒徑16 nm) 10.0質量份 72.8質量份 3.9質量份 “AEROSILR792”，日本AEROSIL股份有限公司製造二氯曱烷曱醇 151 201211595 , ντ / «/pit 丁醉 n 貝 ιτ” 10.3質量份醯化纖維素溶液A-1 (紫外線吸收劑溶液CM的調製）紫外線吸收劑溶液的組成 ^U1 0 Φ 4sk xsU ,ΙΛ- steJ ____ 一、息1卜的'昆合槽中投入下述的組成物-邊進行加熱、=、Ί各成分溶解，二氯曱烷甲醇丁醇醯化纖維素溶液A_ 1 [化 58] -1) 4.0質量份 '2) 8·〇質量份 ~3) 8.0質量份 55.7質量份 10質量份 u質量份 12.9質量份 152 201211595 (UV-1)

OH

(UV-2) (UV-3) (醯化纖維素膜T5的製作）在醯化纖維素Α·1 94.6質量份、消光細而成的混合物中加入紫外線吸收劑溶液c ·丨，、質置份收劑溶液C-1為相對於每一醯化纖維素丨〇〇質量、篡外線吸吸收劑（下述UV-2)及紫外線吸收劑（下述1^_3^八’紫3外線質量份、紫外線吸收劑(下述购)是0 2質量份 P-8為12質量份’且—邊進行加熱—邊攪拌使各成分以調製摻雜物。錢，在3G°C下加溫所制的摻雜:，並通過流延模具(giesser)，於有直徑3111的筒的鏡面不鏽鋼支撐體上進行流延。接著，將支撐體的表面溫度設定在_5C>c ’塗佈寬度設為1470 mm。將流延部整體的空間溫度設定 153 201211595 在15 C纟机延部之終點前5〇cm，將流延及旋轉之纖維素酉曰臈自筒上剝除後’然後以針板拉幅機夾住膜兩端。剛剝除後之醯化纖維素腹板的殘餘溶劑量為7〇%，及酿化纖維素腹板的膜面溫度為5。〇。將以針板拉幅機所保持的醯化纖維素腹板，運送至乾燥區中。在起初的乾燥中，吹送机的乾燥風。繼而在11〇 °C進行麟5分鐘，然後妇机進行乾獅分鐘，在即將捲起前切，腹板的兩端(各為全寬的叫後，以在兩端之寬 10mm、高度5〇μιη進行加工(壓花)後，將腹板捲成3〇〇〇m 的捲狀。如上述所得到的透明膜的寬度為145 m，因而製備厚度40 μηι的醯化纖維素膜丁5。另外，膜丁5的55〇 nm中的面内延遲(Re)為2 nm，而厚度方向的延遲(沿⑴為仞nm 〇與實例1同樣地，對醯化纖維素膜T5的表面進行皂化處理，而且设置配向膜。在製作的配向膜上施以連續地摩擦處理。此時，長形的膜的長邊方向與運送方向為平行，相對膜長邊方向，摩擦滾輪的旋轉軸為逆時鐘45。的方向。如在實例1中，以使利用KOBRA21 ADH所測定的 Re(0)值為125 nm的方式，變更含圓盤狀液晶化合物的塗佈液(A)的塗佈量，與實例2同樣地，於光學膜T5的上方形成配向膜及光學非等向層，以得到光學膜F7。 [實例8] (醯化纖維素臈Τ6的製作） (醯化纖維素溶液Α_2的調製） 154 201211595 ^84/Dpif 在混合槽中投入下述的組成物，一邊進行加熱一邊攪拌，使各成分溶解，以調製醯化纖維素溶液A_2。醯化纖維素溶液A2的組成 1〇〇質量份 9質量份 3質量份 384質量份 69質量份 9質量份醯化纖維素溶液（乙醯取代度2.86，黏度平均聚合度310) 糖酯1 糖酯2 二氯曱烷曱醇丁醇 [化 59] 糖酯1 :平均酯取代率71%

[化 60] 糖酯2 :肀均酯取代率1〇0%(單一化合物) 201211595 »/ ^pif

OR

(醯化纖維素臈丁6的製作）、在實例7的醯化纖維素膜T5的製作中，除了使用醯化纖維素溶液Α_2代替使用醯化纖維素溶液Α-1以外，與實例 7= 行同樣的方式，使用在醯化纖維素Α_294 6質量份、消光劑Β-1 1.3質量份而成的混合物中加入紫外線吸收劑溶液所調製的摻雜物，其中紫外線吸收劑溶液C1為相對於每一醯化纖維素1〇〇質量份，紫外線吸收劑(uv_2)及紫外線吸收劑(UV-3)分別是〇.4質量份、紫外線吸收劑是〇·2質量份、糖酯1是9質量份、糖酯2是3質量份，以製作醯化纖維素膜T6。醯化纖維素膜T6的寬度為145111，厚度4〇 μιη’在550nm中的面内延遲(Re)為2nm，而厚度方向的延遲(Rth)為 40 nm。與實例7同樣地’對醋酸纖維素膜T6的表面進行皂化處理’形成配向膜’並對配向膜施以摩擦處理，以形成光學非荨向性層’而得到光學膜F8。 [比較例7] 使用TD80UL(富士軟片股份有限公司製造），以作為光 156 201211595. 學膜。 <光學膜的評價> (光學非等向性的測定）使用KOBRA-21ADH (王子計測器股份有限公司製造) ’以測定光學非等向性。以多數的波長來測定延遲，並使用柯西公式(Cauchy’s formula)進行擬合，以求得Re450、. Re550、Re650。另外’由法線方向測定之延遲以(〇)，以及測定此裝置檢出之遲相軸作為旋轉軸而膜傾斜±4〇。時的延遲Re(±40) ’以求得Rth。 (鉛筆硬度）以JIS K5400為標準’進行鉛筆硬度試驗。在溫度25 C、濕度60%RH進行膜的2小時濕度調整後，使用瓜S6006 中規定的試驗用鉛筆，以進行評價。3H以上的情況為〇，小於3H的情況為x。 (鋼絲絨耐擦傷性）使用摩擦試驗機，利用以下的條件進行擦拭試驗，而可作為耐擦傷性的指標。

評價環境條件·· 25。(：、60%RH 擦拭材：將鋼絲絨（日本steelwool股份有限公司製造，等級NO. 〇〇〇〇)試料與接觸的試驗的擦拭先端部分(1 cmxl cm))捲起，以帶固定。移動距離(單程）·· 13cm 擦拭速度：13 cm/sec 何重·· 500 g/cm2 157 201211595. 先端部分接觸面積：1 cmxl cm 擦拭回數：來回10次於擦拭結束的試料的内側塗上黑油墨，以反射光進行目測觀察，以評價擦拭部分的損傷。 ◎:即使非常注意深入地觀察，也幾乎沒看見損傷。〇：注意深入地觀察也僅看見微弱的損傷。 X :即使不注意深入地觀察，也可看見損傷。 (抗反射性）在分光光度計V-550(日本分光股份有限公司製造)上女裝轉換器ARV-474 ’於380〜780 nm的波長領域中，測定於入射角5。的出射角5度的鏡面反射率，然後算出450〜65〇 nm的平均反射率，即可評價抗反射性。反射率小於1%的情況為©，1〜2%的情況為〇，大於2%的情況為χ。 (耐光性）使用耐光性試驗裝置(超速氙耐候試驗機s χ丨2 〇型（耐長期使用氙燈）、SUGA試驗機股份有限公司製造），在放射照度為100±25 W/m2(波長310〜400 nm)、試驗槽内溫声為 35±5°C、黑板溫度為50±5°C、相對濕度為65±15%的條依據JISK 5600-7-5實施耐光性試驗25小時前後，調杳光學膜的光學非等向性(Re550)的變化。變化率是1〇%以内的情況為〇，大於ίο%的情況為><。對於光學膜打〜1?4與1；1111〜 FH6為由内外任何的方向的光照射，光學非等向性'為大地減少。另一方面，F5與F6為由低折射率層側進行光照射，則光學非等向性的變化率小。？7與烈為由支榜體側進行光 158 201211595 JO^/Dpif 照射，則光學非等向性的變化率小。 (偏光板的製作）對上述製作之長形的光學膜(1?1〜1?8、17111〜17116)與長形的TD80UL(富士軟片股份有限公司製造)之支撐體表面，進行鹼皂化處理。在1.5 1S[的氫氧化納水溶液中於55。〇下次潰2分鐘’並在室溫的水洗浴槽中洗淨，於3〇。〇下使用〇.工 N的硫酸進行中和。然後，再次在室溫的水洗浴槽中洗淨 ’且以i〇〇C的溫風進行乾燥。接下來，在峨水溶液中將厚度80卜111的滾輪狀聚乙婦醇膜連續地延伸至5倍，並進行乾燥，以得到厚度2〇卜以的長形的偏光膜。然後，以聚乙烯醇(kuraray股份有限公司製造PVA-117H)3%水溶液作為接著劑，並準備前述之經驗皂化的各膜與同樣之經驗皂化的長形的VA用位相差膜（富士軟片股份有限公司製造’在550 nm中之Re/Rth=50/125)，以使上述之經皂化的面成為偏光膜侧的方式，夾著偏光膜而貼合，而製作光學膜與VA用位相差膜成為偏光膜的保護膜之長形的偏光板。此時光學膜的遲相軸與偏光子的透過軸之間的角度成為45度。 (構裝） TV :取下SAMSUNG股份有限公司製造 UN46C7000(3D-TV)的觀測側的偏光板，經由黏著劑貼合上述製作的偏光板的VA用位相差膜與液晶(l〇晶胞，以製作立體顯示裝置。 LC快門鏡片：取下SAMSUNG股份有限公司製造 159 201211595. / jpif SSG-2100AB(LC快門鏡片）的與眼睛為相反侧（面板側）的偏光板，然後在此經由黏著劑貼合上述製作的光學膜(與貼合於TV侧之偏光板所包含的光學膜相同的膜)的支樓體侧 ’以製作LC快門鏡片。因此，在鏡片中所貼合的光學膜的遲相軸與貼合於TV的偏光板所包含的光學膜的遲相車由為正交。 (顯示裝置的評價：3D顯示性能）在有螢光燈的房間中’於面板面的照度約為100 lux 的環境下，帶上上述製作的LC快門鏡片，以鑑賞犯影像。含本發明的光學膜F1〜F6的3D-TV由臉部傾斜來看的時候或由斜對角方向來看的時候的干擾(重疊影像)幾乎沒有，顯示色調的變化也幾乎沒有。特別是沁接近〇 5的光學膜為優異。含比較例的FH1〜FH6的3D-TV與含本發明的光學臈的情況相比，干擾或顯示色調的變化較大。再者，不含本發明及比較例的光學膜的情況，臉部只要稍微傾斜，就可明顯地看見干擾。 ,◎:臉部傾斜來看時或由斜對角方向來看時的干擾幾乎沒有’顯示色調的變化也幾乎沒有。〇：臉部傾斜來看的時候或由斜對角方向來看的時候干擾或顯示色調的變化不會被注意的程度。 △•臉部傾斜來看的時候或由斜對肖方向來看的時候，干擾或顯示色調的變化可被觀察到。、 X.臉部只要稍微傾斜，就可明顯地看見干擾。 160 201211595

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S 201211595. OOH / jpif 【圖式簡單說明】圖1是本發明之光學膜之一例的剖面模式圖。圖2是本發明之偏光板之一例的剖面模式圖。【主要元件符號說明】無 162

Claims

201211595 ^5^/Dpif 七、申請專利範圍： 1. 一種光學膜，包括：至少一層的光學非等向性層，且在可見光領域的任意波長的面内的延遲Re為80〜200 nm，以下述數學式所表示的Nz值為0.1〜0.9，而在波長 450 nm、550 nm、650 nm的面内的延遲分別為Re450、 Re550、Re650 時 ’ Re450/Re550 為 1.18 以下，Re650/Re550 為0.93以上， Νζ=0·5 + Rth/Re ( Rth :厚度方向的延遲）。 2. 如申請專利範圍第1項所述之光學膜，其中在支撐體上設置有前述光學非等向性層，而前述光學非等向性層包括至少一種的液晶性化合物。 3. 如申請專利範圍第2項所述之光學膜，其中前述液晶性合物為圓盤狀液晶性化合物，前述圓盤狀液晶性化合物以相對前述光學非等向性層平面實質上垂直的方式，使配向狀態固定化。 4. 如申請專利範圍第3項所述之光學膜，其中前述光學非等向性層為由包括一般式(I)所表示的圓盤狀液晶性化合物的至少一種的組成物所形成， [化1] 163 201211595. / jpif

上述一般式⑴中，Y11、Y12及Y13分別獨立表示為可取代的次甲基或氮原子； L1、L2及L3分別獨立表示為單鍵或二價的連結基； Η1、H2及H3分別獨立表示為一般式(Ι-A): [化2] 一般式（I - A)

(上述一般式(Ι-A)中，YA1及YA2分別獨立表示為可有取代基的次甲基或氮原子； XA表示為氧原子、硫原子、亞曱基或亞胺基； *表示為與上述一般式(I)中的L1〜L3側鍵結的位置； * *表示為與上述一般式(I)中的R1〜R3側鍵結的位置；）或一般式(I-B): 164 201211595 [化3] —般式（I—B)

(上述一般式(I-B)中，YB1及YB2分別獨立表示為可有取代基的次甲基或氮原子； XB表示為氧原子、硫原子、亞曱基或亞胺基； *表示為與上述一般式(I)中的L1〜L3側鍵結的位置； * *表示為與上述一般式(I)中的R1〜R3側鍵結的位置；） R1、R2及R3分別獨立為下述一般式(Ι-R): —般式（I —R) 氺一（_ L21— Q 2) η 1_ L 2 2 — L 2 3一Q1 (一般式(Ι-R)中， *表示為與上述一般式(I)中的Η1〜Η3側鍵結的位置; L21表示為單鍵或二價的連結基；Q2表示為有至少1 種類的環狀結構的二價基； nl表示為0〜4的整數； L22 表示為 * * -0-、* * -0-C0-、* * -C0-0-、* * 165 201211595 ^δΗ/Dpif -O-CO-O-、* *各、* *_N(R101)-、* *-S〇2-、* *-CH2-、氺氺-CH=CH-或木本-C^C-， R G1表示為碳數1〜5的院基， * *表示為與Q2側鍵結的位置； L23 表示為·〇_、_S-、-C(=〇)、_s〇2_、-NH_、CH2、 -CH-CH-及-〇C- ’以及選自由其所組合的群組的二價的連結基； Q1表示為聚合性基或氫原子）^ 5.如申請專利範圍第2項所述之光學膜，其中前述光學非等向性層為由包括一般式(π)所表示的11比啶鏽化合物的至少一種的組成物所形成， [化4] -般式（I I)

R22 π上述一般式(Π)中，L23及L24分別為二價的連結基； R22為氫原子、無取代胺基，或碳原子數i〜2〇的取代胺基；X為陰離子·，Y22及Y23分別為包括作為部分結構之可取代的5員環或6員環的2價的連結基；z21表示為選自由 i素取代苯基、硝基取代苯基、氰基取代苯基、以碳原子數1〜25的烧基取代的苯基、以碳原子數丨〜25的烧氧基取代的苯基、碳原子數1〜25的烧基、碳原子數2〜25的 166 201211595 快基、碳原子數1〜25的烷氧基、碳原子數2〜25的烷氧羰基、碳原子數7〜26的芳氧羰基及碳原子數7〜26的芳羰基氧基所組成的群組的一價的基；p為1〜10的數；以及m為1或2。 6. 如申請專利範圍第2項所述之光學膜，其中前述光學非等向性層為在長形的支撐體上連續地形成的層，前述光學非等向性層的遲相軸與前述支撐體的長邊之間的角度為 5 〜85。。 7. 如申請專利範圍第6項所述之光學膜，其中前述光學非等向性層為對設置在前述支撐體上的配向膜進行摩擦處理後所形成的層，前述光學非等向性層的遲相軸與摩擦方向之間的角度實質上為90。。 8. 如申請專利範圍第6項所述之光學膜，其中前述光學非等向性層為對設置在前述支撐體上的配向膜進行摩擦處理後所形成的層，前述光學非等向性層的遲相軸與摩擦方向之間的角度實質上為0。。 9. 一種光學膜，包括：在如申請專利範圍第丨項所述之光學膜的至少其中一侧的面上，直接或經由其他層而層積硬塗層。 10. —種光學膜，包括：在如申請專利範圍第1項所述之光學膜的至少其中一側的面上，直接或經由其他層而層積作為抗反射層功能的至少一層的光學干涉層。 11. 一種光學膜，包括：在如申請專利範圍第丨項所述之光學臈上，直接或經由其他層依序層積硬塗層以及作為 167 201211595 06^/〇pi{ 抗反射層功能的至少一層的光學干涉層。 12. 如申請專利範圍第10項所述之光學膜，其中前述光學干涉層中的至少一層為低折射率層，且前述低折射率層為配置在最表面侧。 13. 如申請專利範圍第1〇項所述之光學膜，其中前述光學干涉層為中折射率層、高折射率層、低折射率層所依序層積的層，且别述低折射率層為配置在最表面側。 14·如申請專利範圍第2項所述之光學臈，其ψ前述支撐體、光學非等向性層、硬塗層及光學干涉層中的至少任一的一層包括紫外線吸收劑。 15.—種偏光板，其中如申請專利範圍第丨項至第14 項任一項所述之光學膜與偏光膜，均是以長形的狀態連續地層積。 16·—種偏光板，其中以如申請專利範圍第丨項至第 14項任一項所述之光學膜、偏光膜、光學補償膜的順序，均是以長形的狀態連續地層積。 17. —種影像顯示裝置，包括：在最前面配置有如申請專利範圍第1項至第14項任一項所述之光學獏。 18. 如申請專利範圍第π項所述之影像顯示裝置，其中前述影像顯示裝置為立體影像顯示裝置。 19. 一種衫像顯不裝置，包括.在最前面配置有如申請專利範圍第15項所述之偏光板。 20. —種影像顯示裝置，包括：在最前面配置有如申請專利範圍第16項所述之偏光板。 168 201211595. 36½/Dplf 21.如申請專利範圍第19項或第20項所述之影像顯示裝置，其中前述影像顯示裝置為立體影像顯示裝置。 169