TW201206578A - Drying method for surface structure body - Google Patents
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Description
201206578 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在製造表面具有精細結構之結構體之 過程中用於表面結構的乾燥方法,該結構體諸如半導體裝 置、諸如微機電系統(MEMS)之整合裝置及其類似物。 【先前技術】 諸如水及其類似物之清洗及加工沖洗液體稱為清洗液 體’其在製造表面上具有精細結構之結構體,諸如半導體 裝置、整合裝置及其類似物之過程中使用。此等清洗液體 用於自表面結構移除污染物。然而,清洗液體經截留在表 面結構之不規則圖案中且由於乾燥時清洗液體自身之表面 張力’存在諸如圖案崩塌(collapsing)或變得附著之問題。 為了解決此等問題’曰本未審查專利申請案第h〇4_ 242930號例如描述一種乾燥方法,其中在使沈積於經加工 產品上之小滴冷卻且冷凍後,使此等冷凍小滴在真空中昇 華。另外’曰本未審查專利申請案第H06—224116號描述一 種抗㈣開發方法’其中在用沖洗液體洗務晶圓表面之 後,使该沖洗液體冷凍且在真空中昇華以乾燥該等表面。 此等乾燥方法解決了歸因於表面張力之圖案崩塌或變得 附著之問冑’因為清洗㈣之狀態直接由固體變成氣體。 “然而,就曰本未審查專利申請案第11〇4_24293〇號而言, 田使沈積於表面結構體上之液體固化時,言玄液體係藉由將 -皿氮氣弓丨入置放經加工產品之加工室中而固化。但因為 氣為用於固化之氣體,所以由於固化費時而存在問題。 157346.doc 201206578 就曰本未審查專利申請案第H06-224116號而言,使用固 定平台冷卻晶圓且冷凍沖洗液體,但使用此方法一次僅 可加工一個晶圓,由此會產生關於生產率之問題。另外, 使用此方法,必需使用包含具有加熱/冷卻功能之多個平 口之裝置來同時加工多個晶圓,由此會產生需要大規模設 備之問題。 【發明内容】 本發明設法解決習知技術之問題,諸如以上提及之問 題,且可由第二液體使沈積於表面結構體上之第一液體快 速固化且亦可同時乾燥多個表面結構體。 本發明提供一種用於上面沈積有第一液體之表面結構體 的乾燥方法,其包括以下步驟:將該表面結構體之表面結 構部分置放於在某一溫度下為液體之第二液體中,該溫度 低於該第一液體之固化點;使該第一液體在該第二液體中 固化;在該第一液體呈固化狀態時自該表面結構部分移除 該第二液體;及使該固化第一液體昇華。 根據本發明之一態樣,在用具有例如強清洗力及/或強 沖洗力之第一液體清洗表面結構體之後,由第二液體使沈 積於表面結構體上之第一液體固化。因此,第—液體可快 速固化。此外,因為可由第一液體及第二液體加工多個表 面結構體’因此便於同時乾燥多個表面結構體。 【實施方式】 以下描述中闡述本發明之一實施例之詳情。然而,本發 明不限於所述特定實施例。 157346.doc 201206578 本發明之乾燥方法適用於具有精細表面結構之表面結構 體諸如半導體裝置、整合裝置及其類似物。儘管不受特 另/盱制但本發明可尤其較佳用於具有約數十微米或數十 Μ米以下之精細表面結構的結構體。 田用第液體加工表面結構體時,該第一液體可用於例 冲洗濕式钮刻及犧牲層(sacrifice layer)#刻表 面Ί或其類似物。此種液體之實例包括水溶性液體,諸 氰水過氧化虱水溶液、鹽酸、>5肖酸、硫酸、氫氟 酉夂氫氧化卸水溶液、氫氧化納水溶液、氩氧化四甲録及 其類似物;醇’諸如甲冑、乙醇、異丙醇及其類似物;及 酮,諸如丙酮及其類似物。#及之液體可單獨或以兩種或 兩種以上液體之混合物形式使用。 添加劑,諸如界面活性劑、螯合劑、黏度調整劑、氧化 劑、還原劑、防#劑、表面改質劑及其類似物可添加至第 一液體中以達成改良清洗性質、乾燥性質及其類似性質之 目的《在用第一液體清洗、蝕刻或以其他方式加工表面結 構體之後,將上面沈積有第一液體之表面結構體置放於第 二液體令。表面結構體較佳在表面結構因第一液體而開始 崩塌及/或變得附著之前置放於第二液體中。 第二液體在低於第一液體之固化點或昇華點之溫度下為 液體。第三液體之固化點可比第—液體之固化點或昇華點 低至少10度。若低至少WC,則第一液體之固化可更高效 地進行。 第一液體相對於第二液體之溶解度可為〇質量。/。至丨質量 157346.doc 201206578 〇/〇 °若溶解度超過i質量%,則將出現問題,即在自上面沈 積有第一液體之表面結構體浸潰於第二液體中時起至完成 冷/東之時間内第一液體將由第二液體置換。溶解度為例如 使用卡費雪滴定型測濕計(Karl Fischer titrati0n_type moisture meter)量測之值 β 對於第二液體,可使用在25°C下具有1 kPa或1 kPa以上 之蒸氣壓之液體。若蒸氣壓小於1 kPa,則自表面結構部 分移除第二液體之步驟將需要過多時間。 可用作第二液體之液體之實例包括基於氟之溶劑,諸如 氫氟趟(HFE)、氫氟碳化物(HFC)、氫氣氟碳化物 (HCFC)、全氟碳化物(PFC)及其類似物;基於烴之溶劑, 諸如甲苯、二曱苯、己烷、戊烷及其類似物;及基於二醇 醋之溶劑’諸如丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)及其類似 物。 圖1為示意性展示第一液體之相圖之圖式。因為第一液 體係由冷第二液體固化,故第一液體可比使用冷氣體時更 快固化。 當將表面結構體置放於第二液體中時,可在使第二液體 之溫度降低至低於第一液體之固化點或昇華點之溫度之後 置放表面結構體’或可在將表面結構體置放於第二液體中 之後降低第二液體之溫度。 如圖1之(11)中所示,表面結構體短時間留在冷第二液體 中’且在第一液體固化之後’在第一液體呈固化狀態時自 表面結構部分移除第二液體0表面張力低於第一液體之液 157346.doc 201206578 體可用作第二μ _丄 —液體。猎由使用具有低表面張力之液體,可 防止表面結構之不規則圖案崩塌或變得附著。 田使用在大氣壓力下不昇華之液體(諸如水或其類似物) 為第液體時,如圖k(12)中所示,在移除第二液體之 前或之後降低置放有以上提及之表面結構體之系統的壓 力。接著,進—步降低壓力(13)或升高溫度(13·)以使第一 液體昇華且自表面結構移除第一液體。 因為在昇華步驟期間不存在液體表面張力之概念,所以 無精細表面結構部分崩塌或變得附著之問題。 實例 以下基於貫例描述本發明,但本發明不受此等實例限 制。 實例1 於聚矽氧基板(22)上使用聚矽氧二氧化物來產生具有圖 2結構中所示之懸臂樑(21)的晶片。使用電子顯微鏡(VE_ 9800,由Keyence Corporation製造)來確認在初始狀態中, 所有長度之襟皆不崩塌亦不附著。 向玻璃燒杯中填充超純水(第一液體)且將晶片浸潰在超 純水中10分鐘。在自超純水移出晶片之後即刻將晶片浸潰 在填充有冷卻至-20°C之HFE(NovecTM HFE-7100,由 Sumitomo 3M Limited製造;第二液體)之另一玻璃燒杯中3 分鐘且冷凍超純水。將真空容器(Kan'i真空烘箱KVO-300,由 AS ONE Corporation 製造)與旋轉泵(PD-52,由 ULVAC,Inc.製造)連接且產生真空環境。在自HFE移出上 157346.doc 201206578 面沈積有冰之晶片之後即刻將晶片置放於此真空環境中且 使其靜置2小時。檢查與真空設備連接之真空計之顯示且 確認壓力為-0.1 MPa »在目視確認沈積於晶片上之冰已消 失之後,自真空設備移出晶片。 使用掃描電子顯微鏡(VE-9800,由Keyence Corporation 製造;SEM)來觀測晶片之圖案且確認懸臂樑(21)未附著於 基板(22)。 實例2 除使用不同 HFE(AE-3000,由 Asahi Glass Co.,Ltd.製造) 作為第二液體以外,表面結構體根據與實例1中所述相同 之條件加以乾燥。無懸臂樑(21)附著於基板(22)。 實例3 除使用不同 HFE(Novec™ HFE-7200 ’ 由 Sumitomo 3M Limited製造)作為第二液體以外,表面結構體根據與實例1 中所述相同之條件加以乾燥。無懸臂樑(21)附著於基板 (22)。 實例4 除使用 HFC(VertrelTM XF,由Du Pont-Mitsui Fluorochemicals Company,Ltd製造)作為第二液體以外,表面結構體根據與 實例1中所述相同之條件加以乾燥。無懸臂樑(21)附著於基 板(22)。 實例5 除使用曱苯(特級’由 Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製造)替代HFE作為第二液體以外,表面結構體根據與 I57346.doc 201206578 實例1中所述相同之條件加以乾燥。無懸臂樑(21)附著於基 板(22)。 比較實例1 除將晶片置放於-20°c冷凍器中1小時且在自超純水移除 晶片之後即刻冷凍超純水以外,進行與實例1中相同之程 序。經確認懸臂樑(21)未附著於基板(22),但冷凍超純水 耗時1小時。 比較實例2
進行與實例1中相同之程序,直至將晶片浸潰在超純水 中10分鐘之時間點。在自超純水移除晶片之後,將晶片保 持在室溫(25°C)下30分鐘以進行風乾。如實例1中使用SEM 來觀測圖案且經確認.所有9個懸臂樑(21)皆附著於基板 (22)。 參照實例1 進行以下實驗以確認氣相及液相水之固化速度差異。 製備25 mmxlO mm尺寸之熱氧化膜(厚度=1〇〇 nm)的聚 矽氧樣品且浸潰於蒸餾水中。自蒸餾水移除聚矽氧樣品, 浸潰於冷卻至-2〇°C之HFE(Novec™ HFE-7100,由 Sumitomo 3M Limited製造)中,且量測沈積於聚矽氧樣品 上之蒸餾水固化所需的時間。自浸潰至固化耗時5〇秒。目 視確足固化疋否已發生或未發生。因為水在快速固化時會 變白,所以當所有水皆已變白時確定固化完全。 參照實例2 在如參照實例1中將聚矽氧樣品浸潰於蒸餾水中之後, 157346.doc 201206578 量測沈積於聚矽氣 ασ 之蒸顧水在_2〇°C之、、田疮·ττ m儿 所需的時間。自引 之-度下固化 至-20 C % i兄令至固化耗時 固化進行之情況下,一邱八节鉋p 刀鐘。在 邠刀蒸餾水在固化之前經乾燥,因 此插作處於不利於防止精細結構崩塌或變得附著之方向 【圖式簡單說明】 圖1為與本發明之一實施例相關之第一液體的相圖;及 圖2為懸臂樑結構之示意圖。 【主要元件符號說明】 21 懸臂樑 157346.doc • 10-
Claims (1)
- 201206578 七、申請專利範圍: 1. 種用於上面沈積有第一液體之声而έ士槐ja* 體之表面,,、°構體的乾燥方 /ir其包含以下步驟: 結構體之表面結構部分置放於在某一溫度下 ·”、體之第二液體中’該溫度低於該第_ 點; 使該第一液體在該第二液體中固化; 在液體呈固化狀態時自該表面結構部分移除該 第一液體;及 使該固化第一液體昇華。 2. 如請求項1之用於表面結構 肢〈牝岛方法,其中該第一 液體相對於該第二液體之溶解度為〇質量質量I 3. 如請未項“戈2之用於表面結構體之乾燥方法,其 二液體之固化點比該第一液體:^ 1()它。 < u化點或汁華點低至少 4. 如請求項1至3中任一項之用% 項之用於表面結構體之乾燥方法, 其中該第二液體在25〇c下 Γ〈瘵虱屋為1 kPa. j kPa# 上。 5.如請求項1至任一頊之玥认主^ ”項之用於表面結構體之乾燥方法, 其t該第二液體為基於氟之溶劑。 157346.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010153070A JP5643007B2 (ja) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | 表面構造体の乾燥方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201206578A true TW201206578A (en) | 2012-02-16 |
Family
ID=45441745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100123551A TW201206578A (en) | 2010-07-05 | 2011-07-04 | Drying method for surface structure body |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5643007B2 (zh) |
TW (1) | TW201206578A (zh) |
WO (1) | WO2012006139A2 (zh) |
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US10766054B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-09-08 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP7198618B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2023-01-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
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JPS62169420A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 表面処理方法および装置 |
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-
2010
- 2010-07-05 JP JP2010153070A patent/JP5643007B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-29 WO PCT/US2011/042300 patent/WO2012006139A2/en active Application Filing
- 2011-07-04 TW TW100123551A patent/TW201206578A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012006139A2 (en) | 2012-01-12 |
JP2012015450A (ja) | 2012-01-19 |
WO2012006139A3 (en) | 2012-04-26 |
JP5643007B2 (ja) | 2014-12-17 |
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