TW201606072A - 供乾燥半導體圖案之用的置換溶液，及乾燥半導體圖案的方法 - Google Patents

供乾燥半導體圖案之用的置換溶液，及乾燥半導體圖案的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201606072A
TW201606072A TW104118888A TW104118888A TW201606072A TW 201606072 A TW201606072 A TW 201606072A TW 104118888 A TW104118888 A TW 104118888A TW 104118888 A TW104118888 A TW 104118888A TW 201606072 A TW201606072 A TW 201606072A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
drying
semiconductor pattern
solution
boiling point
replacement
Prior art date
Application number
TW104118888A
Other languages
English (en)
Inventor
菊地秀明
松本剛德
伊藤未希
Original Assignee
杜邦三井氟化合物股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 杜邦三井氟化合物股份有限公司 filed Critical 杜邦三井氟化合物股份有限公司
Publication of TW201606072A publication Critical patent/TW201606072A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明的目的係提供用於乾燥半導體圖案的置換溶液，及用於乾燥半導體圖案之方法，其等可在半導體製造過程中的磨邊完成後之清洗過程後的乾燥期間，避免有高深寬比的複雜半導體圖案之損壞。 本發明提供用於乾燥半導體圖案的置換溶液與方法，包含與異丙醇完全互溶的氫氟醚及/或氫氟碳，前述氫氟醚及/或氫氟碳具有70℃或更高的沸點，且當加熱至低於沸點的溫度時，於大氣條件下具有10mN/m或更低之表面張力。

Description

供乾燥半導體圖案之用的置換溶液，及乾燥半導體圖案的方法
本發明係關於用於乾燥半導體圖案的置換溶液，及用於乾燥半導體圖案的方法，其可避免半導體圖案的損壞(breakdown)。
近年來，半導體元件的微型化進展顯著，且因此有以高深寬比(high aspect ratio)形塑複雜半導體圖案的需求。
半導體圖案在半導體製造過程中，藉由平版印刷步驟與蝕刻步驟在半導體晶圓上形塑而成，但有高深寬比的複雜半導體圖案，該圖案有可能會在蝕刻步驟完成後的清洗(washing)過程後，當進行乾燥時損壞。
蝕刻步驟後，化學溶液會用於晶圓表面，以移除蝕刻溶液及蝕刻殘留物。使用以水為基底的沖洗劑沖洗掉(沖洗)該化學溶液，該以水為基底的沖洗劑諸如純水或類似物，接著乾燥通常藉由以異丙醇(此後亦稱為「IPA」)及類似物置換停留在晶圓表面之以水為基底的沖洗劑來進行，該等異丙醇及類似物具有低表面張力，且可與以水為基底的沖洗劑互溶。然而，因為近年來在半導體 圖案微型化上的進展，類似於直接乾燥水份的情況，由於表面張力，當使用IPA或類似物時，有導致半導體圖案損壞的擔憂。
為了避免半導體圖案的損壞，用零表面張力的超臨界液體進行置換的乾燥方法為人所知，但是這個方法的問題在於所使用的設備昂貴且不適合大量生產，且如果水氣(moisture)或類似物進入到已達超臨界環境的腔室，圖案的損壞無法避免(專利文件1)。
另一方面，一方法為人所知，其中防水保護膜形成於半導體晶圓表面上，以避免乾燥時的圖案損壞，但這個方法的問題在於形成防水保護膜之部分表面處理劑變成殘留物，且造成半導體圖案的缺陷(專利文件2)。(造成這種類型半導體元件缺陷的超細異物材料通常稱為粒子。)
此外，一方法亦為人所知，其使用包括含有氟化合物與以氟為基底的界面活性劑的溶劑之溶劑組成做為對沖洗劑之置換溶液，但這個方法的問題在於殘留組成物形成粒子，且不是充分的解決方案方法(專利文件3)。
【先前技術文件】 技術文件
專利文件1：日本未審查專利申請2011-187570
專利文件2：國際公開第No.2012/002346號
專利文件3：專利#4442324
本發明的目的係提供用於乾燥半導體圖案的置換溶液，及用於乾燥半導體圖案之方法，其等可在沖洗過程後的乾燥期間避免有高深寬比的複雜半導體圖案之損壞。
經努力研究的結果，本發明人發現前述的目的可藉由在沖洗半導體晶圓後的乾燥時，以異丙醇(IPA)置換以水為基底的沖洗劑(諸如純水或類似物)來達成，且接著以特定氫氟醚(以下亦稱為「HFE」)及/或氫氟碳(以下亦稱為「HFC」)進行IPA之置換，因而實現本發明。
換言之，本發明包括以下幾點。
1.一種用於乾燥半導體圖案的置換溶液，其進行異丙醇之置換，其包含氫氟醚及/或氫氟碳，其中前述氫氟醚及/或氫氟碳於異丙醇中可完全互溶，具有70℃或更高之沸點，且當加熱至該沸點以下的溫度時，於大氣條件下的表面張力為10mN/m或更低。
2.如1之置換溶液，其中該沸點為83℃或更高。
3.如1或2之置換溶液，其中該氫氟醚係甲氧基全氟庚烯。
4.如1或2之置換溶液，其中該氫氟碳係十三氟辛烷(tridecafluorooctane)。
5.如4之置換溶液，其中該十三氟辛烷為1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,-十三氟辛烷。
6.一種乾燥半導體圖案之方法，包含：在清洗該半導體圖案後沖洗，接著以異丙醇進行該沖洗劑的置換，接著以如1至5的置換溶液進行置換，且接著熱乾燥。
7.如6之乾燥半導體圖案之方法，其中乾燥係藉由加熱至70℃或更高進行。
當沖洗半導體晶圓後乾燥時，以本發明則半導體晶圓可經乾燥而不造成複雜半導體圖案的損壞。再者，可避免乾燥後粒子的發生。
本發明在下文詳細說明。
在本發明的置換溶液中，作為置換溶液的氫氟醚(HFE)及/或氫氟碳(HFC)係於IPA中可完全互溶。用於置換的溶液IPA可有效地被移除，因為該置換溶液於IPA中可完全互溶。於本發明中，可完全互溶意味二液體皆係可互溶，且在任何組成比率都沒有相分離(phase separation)。
在本發明的置換溶液中，HFE/HFC具有70℃之沸點。其中，如果HFE/HFC之沸點為83℃或更高(高於IPA的沸點)，HFE/HFC不會先於殘留的IPA蒸發，因此可避免HFE/HFC置換後IPA濃度上升。此外，由於置換溶液的沸點上升，乾燥可在更高的 溫度進行，且置換溶液的表面張力會更低。此外，在更高的溫度，殘留沖洗劑(主要是水)及IPA的潛熱會更低，乾燥效率會改善，且乾燥時間會縮短。因此，HFE/HFC的沸點較佳地為83℃或更高，更佳地為100℃或更高，甚至更佳地為105℃或更高，且特別佳地為110℃或更高。
用本發明的置換溶液，HFE/HFC在大氣條件下可達到10mN/m或更低的表面張力。表面張力可用多種類型的方法測量，諸如Wilhelmy法或最大氣泡壓力法(maximum bubble pressure method)、或類似方法、或可由方程式所計算。表面張力隨著溫度上升而降低，且被稱為Brock-Bird方程式的下列方程式為精確表達溫度依存度的方程式。用本發明，HFE/HFC的表面張力藉由Brock-Bird方程式計算。
σ：表面張力(mN/m)
Pc：臨界壓力(MPa)
Tc：臨界溫度(K)
T：溫度(K)
Tr：溫度對臨界溫度的比率，Tr=T/Tc
Tbr：沸點(Tb)對臨界溫度的比率，Tbr=Tb/Tc
在本發明的置換溶液中，HFE/HFC較佳地可以溶解微量的水氣。因此，由於使圖案更複雜而無法被IPA沖洗完全移除的微量之水氣可被移除。水氣溶解度較佳地是使得在25℃時可溶解50ppm的水氣。
用本發明的置換溶液，HFE/HFC較佳地具有低全球暖化潛勢(global warming potential,GWP)。具體而言，GWP係100或更低，更佳地為50或更低，且特別佳地為10或更低。再者，臭氧耗乏係數(ozone depletion coefficient)較佳地為零。
用本發明的置換溶液，HFE/HFC可經個別使用，或二種或多種類型可被組合使用。
被用於本發明的置換溶液的HFC可為飽和或不飽和，且係僅包含3至9個碳原子的化合物，較佳地係4至8個碳原子，亦包含氟及氫原子。HFC的具體實例包括1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟辛烷、1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-十氟戊烷、1,1,1,3,3-五氟丁烷、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷、1H-全氟庚烷、1,1,1,3,3-五氟丙烷、六氟丁烯、及類似物，較佳地為十三氟辛烷，且特別佳地為沸點為114.7℃的1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟辛烷。
一個適合使用的HFC實例係由Asahi Glass Co.,Ltd所生產的Asahiklin(註冊商標)AC-6000。
被用於本發明的置換溶液的HFE可為飽和或不飽和，且係有醚鍵及僅包含3至9個碳原子的化合物，較佳地是4至 8個碳原子，亦包含氫、氟、及氧原子。HFE的具體實例包括1,1,1-三氟乙基-1,1,2,2-四氟乙基醚、九氟丁基甲基醚、甲氧全氟庚烯、及類似物，但沸點110.5℃且GWP為5的甲氧基全氟庚烯係較佳，但是上述之各種同分異構物或混合物亦係可接受。
適合使用的HFC之實例包括由Mitsui Dupont Fluorochemical Co.,Ltd所生產的Vertrel(註冊商標)Suprion；及由Sumitomo 3M所生產的NoVec(註冊商標)7200、Novec(註冊商標)7500、及Novec(註冊商標)7600。
再者，在本發明的置換溶液中，HFC/HFE較佳地不與另一溶劑(諸如IPA)混合使用，以避免增加表面張力與水氣含量，但小量的有機溶劑可被混入以調整乾燥溫度。混入的有機溶劑實例包括烴類、氯化烴類、醇、酮、酯，及上述之混合物。烴類實例包括戊烷、己烷、庚烷，及類似物；氯化烴類之實例包括二氯乙烯及類似物；醇之實例包括甲醇、乙醇、丙醇，及類似物；酮之實例包括丙酮、甲基異丁基酮，及類似物；及酯之實例包括乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丁酯、甲氧基乙酸丁酯、賽珞蘇乙酸酯(Cellosolve acetate)、乙酸戊酯、正乙酸丙酯、乙酸異丙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯，及類似物。混入的有機溶劑可適當地設定為不超過5質量%的範圍。
對根據本發明的用於乾燥半導體圖案的置換溶液與方法，半導體圖案的乾燥是指藉由加熱乾燥，該加熱乾燥係在正常的半導體製造過程中，於蝕刻步驟後之提供化學溶液至晶圓表面後 沖洗掉該化學溶劑之後進行。沖洗過程使用正常純水作為沖洗劑，但是包含添加劑(諸如界面活性劑或類似物)的水溶液也可被使用。沖洗之後，沖洗劑(諸如純水或類似物)被IPA置換，且接著被由HFC/HFE所製成的置換溶液所置換。沖洗過程、IPA置換、及HFC/HFE置換步驟皆可藉由所屬技術領域中具有通常知識者所普遍習知的方法進行，但是這些方法的實例包括把半導體晶圓浸入溶液的方法、或像淋浴(shower)般滴落溶液的方法，及類似方法。
根據本發明之在以HFC/HFE所製成的置換溶液置換後的藉由加熱的乾燥，可藉由所屬技術領域中具有通常知識者所普遍習知的方法進行，但是加熱溫度較佳地為70℃或更高、更佳地為80℃或更高、甚至更佳地為90℃或更高、且特別佳地為100℃或更高。
實例 實例1
透過Brock-Bird方程式所計算的表面溫度為10mN/m的溫度，已為於表1中所顯示的化合物(皆與IPA完全互溶)計算，表1中所顯示的化合物為氫氟醚或氫氟碳(HFC)中任一者。
結果示於表2。
工業應用的可能性
本發明的置換溶液含有氫氟醚(HFE)及/或氫氟碳(HFC)，在半導體晶圓的沖洗過程後的乾燥時，被置換異丙醇(IPA)所使用，該異丙醇已置換以水為基底的沖洗劑(諸如純水或類似 物)，且因此與IPA相較，在乾燥溫度的表面張力可大幅降低，而因此能夠避免損壞有高深寬比的複雜半導體圖案，且如此本發明可適合被用於半導體製造過程。

Claims (7)

  1. 一種用於乾燥半導體圖案的置換溶液，其進行異丙醇之置換，其包含氫氟醚及/或氫氟碳；其中前述氫氟醚及/或氫氟碳於異丙醇中可完全互溶，具有70℃或更高之沸點，且當加熱至該沸點以下的溫度時，於大氣條件下的表面張力為10mN/m或更低。
  2. 如請求項1之置換溶液，其中該沸點為83℃或更高。
  3. 如請求項1或2之置換溶液，其中該氫氟醚係甲氧基全氟庚烯。
  4. 如請求項1或2之置換溶液，其中該氫氟碳係十三氟辛烷(tridecafluorooctane)。
  5. 如請求項4之置換溶液，其中該十三氟辛烷為1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,-十三氟辛烷。
  6. 一種乾燥半導體圖案之方法，包含：在清洗該半導體圖案後沖洗，接著以異丙醇進行該沖洗劑的置換，接著以如請求項1至請求項5中任一項所述的置換溶液進行置換，且接著熱乾燥。
  7. 如請求項6之乾燥半導體圖案之方法，其中乾燥係藉由加熱至70℃或更高進行。
TW104118888A 2014-06-11 2015-06-11 供乾燥半導體圖案之用的置換溶液，及乾燥半導體圖案的方法 TW201606072A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014120112A JP6674186B2 (ja) 2014-06-11 2014-06-11 半導体パターン乾燥用置換液および半導体パターン乾燥方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201606072A true TW201606072A (zh) 2016-02-16

Family

ID=54147242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104118888A TW201606072A (zh) 2014-06-11 2015-06-11 供乾燥半導體圖案之用的置換溶液，及乾燥半導體圖案的方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20170117164A1 (zh)
EP (1) EP3155657A1 (zh)
JP (1) JP6674186B2 (zh)
KR (1) KR20170015362A (zh)
CN (1) CN106575089A (zh)
SG (1) SG11201610360VA (zh)
TW (1) TW201606072A (zh)
WO (1) WO2015189697A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI645030B (zh) * 2016-05-24 2018-12-21 斯庫林集團股份有限公司 Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI651295B (zh) * 2016-12-26 2019-02-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TWI679679B (zh) * 2017-07-27 2019-12-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法、基板處理液及基板處理裝置
US10720342B2 (en) 2016-12-26 2020-07-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6536994B2 (ja) * 2015-08-18 2019-07-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN107924832B (zh) * 2015-08-18 2022-04-08 株式会社斯库林集团 基板处理方法及基板处理装置
JP6642868B2 (ja) * 2015-08-18 2020-02-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10867814B2 (en) 2016-02-15 2020-12-15 Tokyo Electron Limited Liquid processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
TWI736579B (zh) * 2016-02-15 2021-08-21 日商東京威力科創股份有限公司 液體處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
KR102008566B1 (ko) 2016-05-24 2019-08-07 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10971354B2 (en) 2016-07-15 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Drying high aspect ratio features
TWI767920B (zh) * 2016-07-15 2022-06-21 美商應用材料股份有限公司 乾燥高深寬比特徵
KR102028970B1 (ko) * 2016-10-26 2019-10-07 동우 화인켐 주식회사 금속산화물 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 컬러필터 및 화상 표시 장치
US10546762B2 (en) * 2016-11-18 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Drying high aspect ratio features
JP6963166B2 (ja) * 2017-04-17 2021-11-05 セントラル硝子株式会社 ウェハの表面処理方法及び該方法に用いる組成物
JP7116534B2 (ja) * 2017-09-21 2022-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6953255B2 (ja) * 2017-09-21 2021-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US20210102146A1 (en) * 2018-05-03 2021-04-08 The Chemours Company Fc, Llc Ternary and quaternary azeotrope and azeotrope-like compositions comprising perfluoroheptene

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1206326A1 (en) * 1999-06-29 2002-05-22 L-Tech Corporation Chemical film cleaning and drying
JP4442324B2 (ja) 2004-05-28 2010-03-31 旭硝子株式会社 溶剤組成物、およびレジストの現像方法
KR20080108510A (ko) * 2006-04-05 2008-12-15 아사히 가라스 가부시키가이샤 디바이스 기판의 세정 방법
JP4886544B2 (ja) * 2007-02-09 2012-02-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2009164214A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Toshiba Corp 微細構造体の処理方法、微細構造体の処理システムおよび電子デバイスの製造方法
JP5048587B2 (ja) * 2008-05-22 2012-10-17 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 フッ素化合物による洗浄方法
WO2009142281A1 (ja) * 2008-05-22 2009-11-26 旭硝子株式会社 フッ素化合物による洗浄方法
JP2010050143A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5506461B2 (ja) 2010-03-05 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 超臨界処理装置及び超臨界処理方法
JP2012002346A (ja) 2010-05-19 2012-01-05 Toto Ltd 湯水混合栓
JP2013034931A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Asahi Glass Co Ltd 水切り乾燥方法
JP2013170256A (ja) * 2012-02-22 2013-09-02 Du Pont Mitsui Fluorochem Co Ltd リンス剤およびリンス方法
JP2013169531A (ja) * 2012-02-22 2013-09-02 Du Pont Mitsui Fluorochem Co Ltd 付着水除去用溶剤組成物及び付着水除去方法
SG11201609312PA (en) * 2014-05-13 2016-12-29 Chemours Co Fc Llc Compositions of methyl perfluoroheptene ethers, 1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-decafluoropentane and trans-1,2-dichloroethylene and uses thereof

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI645030B (zh) * 2016-05-24 2018-12-21 斯庫林集團股份有限公司 Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI651295B (zh) * 2016-12-26 2019-02-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
US10720342B2 (en) 2016-12-26 2020-07-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
TWI679679B (zh) * 2017-07-27 2019-12-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法、基板處理液及基板處理裝置
US11574821B2 (en) 2017-07-27 2023-02-07 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating method, substrate treating liquid and substrate treating apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP6674186B2 (ja) 2020-04-01
JP2015233108A (ja) 2015-12-24
WO2015189697A1 (en) 2015-12-17
US20170117164A1 (en) 2017-04-27
EP3155657A1 (en) 2017-04-19
SG11201610360VA (en) 2017-01-27
KR20170015362A (ko) 2017-02-08
CN106575089A (zh) 2017-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201606072A (zh) 供乾燥半導體圖案之用的置換溶液，及乾燥半導體圖案的方法
JP4393268B2 (ja) 微細構造体の乾燥方法
TWI702287B (zh) 甲基全氟庚烯醚、１,１,１,２,２,３,４,５,５,５-十氟戊烷、及反-１,２-二氯乙烯組合物及其用途
TWI729985B (zh) 甲基全氟庚烯醚及反-1,2-二氯乙烯之三元組合物及其用途
TWI564284B (zh) 甲基全氟庚烯醚與反二氯乙烯之共沸及類共沸組成物及其用途
EP2280916B1 (en) Compositions of hydrochlorofluoroolefins
JP6005702B2 (ja) 半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置
EP1268734A1 (en) Fluorinated solvent compositions containing ozone
JPWO2005079943A1 (ja) 水切り方法および水切り装置
JP7108466B2 (ja) 非共沸性洗浄用組成物
JP2011139004A (ja) 基板の洗浄方法
JP2009518857A (ja) その場でフッ化物イオンを発生する組成物およびその使用
JP5048587B2 (ja) フッ素化合物による洗浄方法
JP6010894B2 (ja) 洗浄乾燥剤およびそれを用いた基板の洗浄乾燥方法
JP2013034931A (ja) 水切り乾燥方法
JP6204270B2 (ja) 物品の加工方法
KR102680608B1 (ko) 메틸 퍼플루오로헵텐 에테르 및 트랜스-1,2-다이클로로에틸렌의 3원 조성물, 및 그의 용도
JP2020041085A (ja) 溶剤組成物、水切り方法およびフラックスの洗浄方法
JP2017092286A (ja) 基板の処理方法及びその方法に用いる溶剤
JP2005305372A (ja) 被洗浄物の水切り方法
JP2006077041A (ja) 共沸様組成物