TW201128740A - Substrate for mounting element and process for its production - Google Patents

Substrate for mounting element and process for its production Download PDF

Info

Publication number
TW201128740A
TW201128740A TW099141210A TW99141210A TW201128740A TW 201128740 A TW201128740 A TW 201128740A TW 099141210 A TW099141210 A TW 099141210A TW 99141210 A TW99141210 A TW 99141210A TW 201128740 A TW201128740 A TW 201128740A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
conductor layer
thick conductor
ceramic
mounting
Prior art date
Application number
TW099141210A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuyoshi Nakayama
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2010203104A external-priority patent/JP5464107B2/ja
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of TW201128740A publication Critical patent/TW201128740A/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
    • B24C3/32—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks
    • B24C3/322—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks for electrical components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C7/00—Equipment for feeding abrasive material; Controlling the flowability, constitution, or other physical characteristics of abrasive blasts
    • B24C7/0007—Equipment for feeding abrasive material; Controlling the flowability, constitution, or other physical characteristics of abrasive blasts the abrasive material being fed in a liquid carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H05K3/246—Reinforcing conductive paste, ink or powder patterns by other methods, e.g. by plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
    • H05K1/113—Via provided in pad; Pad over filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0347—Overplating, e.g. for reinforcing conductors or bumps; Plating over filled vias
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/09472—Recessed pad for surface mounting; Recessed electrode of component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

201128740 六、發明說明： c發明戶斤屬之技術領域3 技術領域 本發明係有關於一種用於安裝元件之基體及其製造方 法，特別是有關於一種抗硫化性極佳之用於安裝元件之基 體，其中形成在該基體表面上之一厚導體層之表面平面度 良好，及一種用於製造該基體之方法。 【先前技術3 背景技術 近年來，隨著發光二極體（以下稱為LED)元件之高亮度 及白化的趨勢，使用LED元件之發光裝置已被用來作為行 動電話或液晶電視或液晶顯示器之背光，一般照明等等。 因此，LED元件之周邊組件亦必須具有更高性能。例如， 使用由一樹脂材料製成者作為用於安裝LED元件之一基 體。但是，伴隨著LED元件之更高亮度，此一樹脂基體可 能被熱或光破壞。因此，已有對使用由如一無機絕緣材料 製成之一基體進行研究。 此種無機絕緣材料，舉例而言可以是一如氧化銘或氮 化鋁之陶瓷，或是玻璃與如氧化鋁之陶瓷粉末之複合材料 的低溫共燒陶瓷(L T C C)。L T C C是經常在低於一般陶瓷用之 燒成溫度之約800至1，000°C之溫度被燒成者且藉由積層一 預定數目之由玻璃及陶瓷粉末（例如氧化鋁粉末或氧化锆 粉末)製成的生胚片，藉由熱壓將其等整合在一起，接著進 行燒成來製備。與一樹脂基體比較，由此種無機絕緣材料 201128740 製成之無機絕緣基體具有對抗熱或光之較高耐用性且因此 作為用於安裝—LED元件之基體是可預期的。 在一無機絕緣基體之表面上，形成有一厚導體層，其 係藉印刷主要由例如銀(Ag)或銅(Cu)構成之一導體金屬構 成之一糊’接著進行燒成來製備。而且，在此等厚導體層 之間’特別是將連接至該元件之多數端子部份（電極)係進行 錄(Nl)錢敷及金(Au)鍍敷之積層鍍敷(Ni/Au鍍敷），以保持 線結合性質，黏合強度及耐氣候性。藉該Ni/Au鍍敷，賦予 抗硫化性’以防止因該厚導體層與在空氣等中之硫(S)成分 反應而產生變色。 然而，近年來，用以安裝LED元件等之一基體需要具 有抗硫化性，且由於該等線結合部份需要習知鍍敷厚度(3 至5μηι之鑛Νι厚度/0.1至〇.3μιη之鐘Au厚度），已存在一問題 係.在依據JIS-C-60068-2-43之硫化測試中，在該鍍鎳Ni/Au 部份觀察到顏色變黑，目此無法通频硫化測試。 藉本發明人所進行之研究，已發現到該鍍鎳Ni/Au部份 之變色可歸因於由於-顧丨層暴露於該表面而形成硫化 鎳。即，-Ag或其等類似物之厚導體具有晶界孔隙空間或 表面不平，且即使形成—賴層，在其表面上仍有不平， 且即使施加Au織作為最上層，如果其無法完全覆蓋該鑛 Ni層’作為職Au層之—底層的該伽層亦將會暴露在該 表面上。而且，此種暴露之鍍Ni層與硫⑻成分將會反應而 形成黑色之硫化鎳。 迄今，作為用以防止連接端子部份之此種硫化（變色） 4 201128740 之技術，已知的是藉由在該鍍沌層上施加如矽氧樹脂之一 保護塗層的方法；藉由糊印刷而不是錄來形成—厚如層 之方法；或增加該锻Au層之厚度的方法。此外，特別是在 LTCC基體之情況下，已經知道—方法，其中令欲使用作為 一導體以構成該厚導體層之Ag粉末的粒度為小以改善燒 結性質，藉此減少晶界。 ϋ而形成一厚Au層或增加該鐘au層之厚度的方法存 在問通疋製造成本大幅增加。此外，在該LTCC基體之情 況下，存在一問題是如果該燒結性質藉由減少該粉末之 粒度而改善，則因燒成而收縮之時間將不會與該基體符 合，因此該基體可能會產生捲曲。 此外，作為用以處理形成在LTCC基體上之導體層之表 面，以改善鍍敷性質的技術，已提出一種方法，其中在一 鍍敷步驟之前，LTCC基體之表面進行濕式喷砂處理，且暴 露在該導體層之表面上的玻璃被移除(例如，專利文獻1)。 但是，藉由此方法，不可能藉由移除該厚導體(Ag)層 之晶界孔隙空間或表面不平而增加該抗硫化性。即，雖然 專利文獻1未詳細揭露用於該濕式喷砂處理之條件，但是用 以移除玻璃之喷砂處理係用以藉噴砂在短時間内破壞及移 除玻璃作為一硬物質者。在用於達成此目的之喷砂處理條 件下，難以填充在該導體(Ag)粒子之間的空間。而且，難 以移除该厚導體(Ag)層之表面不平，藉此使該層表面平面 化（平滑化）至可以利用具有一通常厚度之鍍AU層完全覆蓋 其之程度。 201128740 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本專利第4,089,902 【發明内容】 發明揭示 發明欲達成之目的 本發明已可作成解決上述問題，且本發明之一目的是 提供一種具有抗硫化性之用於安裝元件之基體，該抗硫化 性係藉由增加形成在一無機絕緣基體上之一厚導體層表面 的平面度而改善。 用以達成該目的之手段 本發明之用於安裝元件之基體包含由一無機絕緣材料 製成之一無機絕緣基體，形成在該無機絕緣基體上且由主 要由銀(Ag)或銅(Cu)構成之一金屬製成的一厚導體層，及形 成在該厚導體層上之一鍍導電金屬層，其中該厚導體層藉 由濕式喷砂處理使其表面被平面化且具有一至多〇.〇2μιη之 表面粗糙度Ra。 在本發明之用於安裝元件之基體中，該無機絕緣基體 可以是一低溫共燒陶瓷基體。另外，該無機絕緣基體可以 是一陶瓷基體。而且，該陶瓷基體可包含作為主成分之氧 化紹或氮化铭。此外，該導電鍵金屬層最好是一锻鎳(Ni)/ 金(Au)層。 本發明之用以製造一用於安裝元件之基體之方法包含 在由一無機絕緣材料製成之一無機絕緣基體之一表面上， 201128740 形成具有由主要由銀(Ag)或銅（Cu)構成之一金屬製成之一 厚導體層的一設有厚導體層基體之一步驟；對該厚導體層 施加濕式喷砂處理以使該厚導體層之表面平面化至一至多 0.02μιη之表面粗糙度Ra之一步驟；及在具有藉由該濕式喷 砂處理被平面化之表面之厚導體層上形成一鍍鎳（Ni)/金 (Au)層之一步驟。 在本發明之用以製造一用於安裝元件之基體之方法 中，上述形成一設有厚導體層基體之步驟包含：將主要由 銀(Ag)或銅（Cu)構成之一金屬糊印刷在由包含一玻璃粉末 及一陶瓷粉末之一玻璃陶瓷組成製成之一基體之一表面 上，以形成一導體圖案之一步驟；及燒成具有該已形成導 體圖案之該基體以燒結該玻璃陶瓷組成及燒成該金屬糊， 以藉此形成由主要由銀(Ag)或銅（Cu)構成之一金屬製成之 該厚導體層之一步驟。此外，上述形成一設有厚導體層基 體之步驟包含：燒成包含一陶瓷粉末及一燒結助劑之一陶 瓷組成以獲得一陶瓷基體之一步驟；將主要由銀(Ag)或銅 (C u)構成之一金屬糊印刷在該陶瓷基體之一表面上以形成 一導體圖案之一步驟；及再燒成具有該已形成導體圖案之 該陶瓷基體，以由該金屬糊形成由主要由銀(Ag)或銅（Cu) 構成之一金屬製成之該厚導體層之一步驟。 而且，較佳的是欲用於該濕式喷砂處理之一磨料是具 有一25至150μηι之粒度之一陶瓷粉末，且一介質是水。此 外，依據該磨料及該水之總量，該磨料之混合比率最好是 20至60體積％。另外，在上述濕式喷砂處理中，較佳的是 201128740 包含該磨料及該水之一喷砂液體是從由碳化硼製成之喷嘴 之直徑8mm的喷注孔喷出，且該壓力是1.2至1.8kg/cm2。 此外，在本發明中，該表面粗糙度Ra係由JIS B0601(1994)，3“定義算術平均粗糙度之定義及表示 (Definition and Representation of Defined Arithmetic Mean Roughness)”表示者。在本發明中，該表面粗糙度Ra係藉由 SURFCOM l4〇OD(機器名，由Tokyo Seimitsu公司製造）測 量。 發明之效果 依據本發明，形成在該無機絕緣基體之表面上之由如 銀(Ag)或銅(Cu)之一金屬製成的該厚導體層藉由該濕式喷 砂處理被平面化（平滑化），且在該等厚導體(Ag)粒子之間的 空間被填充且該表面粗糙度Ra被調整成為至多0·02μηι，因 此該鍍敷性質是良好的，且即使藉由具有一通常厚度之链 Au層’該厚導體表面亦可以完全被覆蓋。因此，可以獲得 抗硫化性極佳之一用於安裝元件之基體。 圖式簡單說明 第1圖是顯示本發明之用於安裝元件之基體之一實例 的橫截面圖。 第2圖是顯示本發明之用於安裝元件之基體之另—實 例的橫截面圖。 第3圖是顯示本發明之用於安裝元件之基體之第三實 例的橫截面圖。 第4圖是顯示本發明之用於安裝元件之基體之第四實 8 201128740 例的橫截面圖。 I：實施方式】 實施發明之最佳形態 兄明本發明之實施例。第1與2圖分別是 本發明之詩安裝元件之基伽之触面圖，用於安裝元 件之基體10具有由—無機絕緣材料製成之—無機絕緣基體 卜且一主要表面（在圖式中之上表面）是-安裝表面la，如 D兀件之凡件（半導體元件）將被安裝在該安褒表面h 上。該無機絕緣基體1可以是由包含-玻璃粉末及-喊粉 末之玻离喊組成之_燒結產物製成的—低溫共燒陶究 基體(LTCC基體），或由主要由氧化紹或氮化銘構成之一燒 結產物製成的―㈣基體。此外，該無機絕緣基體！之形 狀、厚度、尺寸等沒有特別之限制。另外，該無機絕緣基 體1可以是具有如第1圖所示之扁平形式者，或具有-形狀 使得Hlb/D 4基體之周緣設置以在一凹孔内形成一安 裝表面la者’如第2圖所示。 用以構成該無機絕緣基體i之無機絕緣材料之原料組 成、^等燒成條件等將在以下提出之製造方法中說明。 在該無機絕緣基體丨之安裝表面“上，形成一厚導體層 2 ’該厚導體層2是將電氣連接至-元件(如-LED元件)之一 連接端子（電極）。該厚導體層2是由主要由銀(Ag)或銅(Cu) 構成之一導體金屬製成，且如以下所述地，藉由如網版印 刷而印刷—導體金屬糊，接著進行燒成來形成。該厚導體 層2形成在與該安裝表面la相同之平面上，在此，當該無機 201128740 矣巴緣基體1疋一LTCC基體時，如第3與4圖所示’ 一凹部ic 可形成在該安裝表面la上，且該厚導體層2可形成在該凹部 中之底面上。 該厚導體層2使其表面藉由濕式噴砂處理被平面化或 平滑化（以下稱為平面化）且具有-至多㈣2μπι之表面粗縫 度Ra。此外，在該具有被平面化之表面之厚導體層2上形 成一鍍Ni/Au層3以具有包含一鍍鎳(Ni)層及一鍍金(Au)層 形成於其上之一積層結構，且該厚導體層2八 被覆蓋成沒有一空間。如果該厚導體層2之表面粗糙二 超過0.02μηι’藉由該鍍Ni/Au層3完全覆蓋該厚導體層2之表 面會變得困難，且該抗硫化性會變成不足。該厚導體層3之 表面粗糙度Ra以至多Ο.ΟΙμηι更佳。 又，在一非安裝表面Id上，一厚導體層2可形成為一外 連接端子（電極），且該非安裝表面Id是在與該無機絕緣基體 1之安裝表面la相對之側上的一主要表面。在此結構中，形 成在該非安裝表面Id上之厚導體層2的表面亦較佳地以與 形成在該安裝表面la上之厚導體層2相同之方式藉濕式喷 砂處理被平面化。即’形成在該非安裝表面ld上之厚導體 層2亦較佳地藉濕式喷砂處理被平面化，以具有一至多 0.02μηι之表面粗糙度Ra，且具有一結構：—鏟见/如層3形 成於其上，以完全覆蓋該厚導體層2之表面成沒有空間。在 此，在第1至4圖中，符號4表示一通路導體，其電氣連接在 該安裝表面1 a上之一元件連接端子及在該非安裝表面1 d上 之一外連接端子。 10 201128740 在本發明之用於安裝元件之基體ίο中，形成在該無機 絕緣基體1之表面上之由如銀(Ag)或銅（Cu)之一金屬製成的 該厚導體層2藉由該濕式噴砂處理被平面化至一至多 0·02μπι之表面粗糙度Ra’且該鍍Ni/Au層3形成於其上，以 完全覆蓋該厚導體層2之表面成沒有空間，因此在硫化測試 中將不會發生變色，且抗硫化性極佳。 在本發明之該等用於安裝元件之基體丨之間，具有__ LTCC基體之用於安裝元件之基體1可如下所製造。 <具有LTCC基體之用於安裝元件之基體的製造> [玻璃陶瓷生胚片之形成] 首先，形成一玻璃陶瓷生胚片。此生胚片係藉由添加 一黏結劑’且依情況需要’添加塑化劑，一溶劑等至包人 一玻璃粉末及一陶瓷粉末（以下稱為一用於LTCC之陶瓷粉 末)之一玻璃陶瓷組成，以製備一漿液，並藉由如刮刀法將 3亥漿液形成為一片，接著進行乾燥來形成。 該玻璃粉末不必受限，但具有至少55〇〇c且至多7〇〇〇c 之玻璃轉移溫度(Tg)者是較佳的。如果該玻璃轉移溫度(Tg) 低於550〇C，則後述之黏結劑燒除可能會是困難的，且如果 八超過7〇〇。匚，則收縮起始溫度會變高，且尺寸精度可能會 降低。 作為該玻璃粉末，例如，使用包含57至65莫耳％之 叫、处18莫耳％之秘、9至23莫耳％之^〇、⑴莫 =°。之Al2〇3’及總共〇 5至6莫耳。/。之選自⑽及叫〇之至少 一者° _粉末之50%粒度(D5。)以至2叫為佳 ，如果 201128740 玻璃粉末之小於0.5μηι，則該破璃粉末可能會黏結在一 起，且不僅處理會Μ難’使其均勻地分散亦會變困難。 另-方面’如果仏。超過2陣，則可能會發生玻璃燒結溫度 增加或燒結失敗。在此，在本說明書中，該粒度是藉由雷 射繞射散射法之粒度分析器獲得的i。作為一雷射_散 射法之粒度分㈣，使用-雷射繞射粒度分㈣（商標名： SALD2100’ 由 shimadzu公司製造）。 —作為用於LTCC之喊粉末，可使用一般已被用來製造 :LTCC基體者。舉例而言，可以適當地使用如—氧化銘粉 ’―氧化騎H氧化轉末與—氧化結粉末之一 成合H聽末之D一至少W至多⑽為佳。 '亥玻璃粉末與陶免粉末係諸如摻合及混合 質為30質量％增量％，且鮮聽末賴％ 〇質量％，以獲得-玻璃陶竟組成 3組，且如繼，㈣=7 洛劑等，以獲得—·。 歸酸劑，可以適當地使用如聚㈣谓或一丙 鄰笨二曰广為該塑化劑，可以使用如鄰苯二甲醆丁二醋， -m辛二s旨或鄰苯二甲酸了以旨。 劑’可以使用如甲苯，_甲笑… 卜作仏 機溶劑n f本或頂之1麵或醇類有 亦可使用一分散劑或一調平劑。 之玻璃喊生胚片藉由使用—衝壓切割模或 定位=2割成一預定尺寸，且在同時，藉由在多數預 置衝壓形成用於層間連接之通孔。 12 201128740 [金屬糊之印刷] 、Λ玻离陶1生胚片之表面上，藉如網版印刷之一方 法印刷一導體金屬糊’以形成一未經燒成之導體圖案。此 外’導體金屬姆充在上關於層間連接之通孔中，以 成未、成之層間連接部份。舉例而言，該導體金屬 糊可為一㈣加如乙基纖維素之—載體，j_依情況需要， 添加’合鈉等至主要由例如銀(Ag)或銅(Cu)構成之—金屬 粕末X形成—糊而製備者。作為該金屬粉末，較佳地使 用銀(Ag)粉末、一銀與把之混合粉末，或一銀與銷之混 合粉末。在此，在該導體金屬與該基體之間的黏合強度可 以藉由包含在該玻璃陶瓷生胚片中之玻璃組分來確保且 較佳的是使用沒有加入玻料之一金屬糊，以不增加該導體 金屬之電阻（阻抗值）。 [玻璃陶瓷生胚片之積層及燒成] 具有已形成之未經燒成導體圖案之多數生胚片被上下 疊置同時調整其位置且藉加熱及加壓整合在一起，接著在 一 500°C至600°C之溫度進行加熱，以藉由分解及移除如包 含在該玻璃陶瓷生胚片中之一樹脂的一黏結劑實施黏結劑 燒除。然後，在一800。(：至1〇〇〇。(：之溫度再實施加熱’以燒 成構成該玻璃陶瓷生胚片之玻璃陶瓷組成。藉由此燒成， 形成在該玻璃陶瓷基體之内侧及在表面（前與後表面）上之 金屬糊被同時燒成，以形成由主要由銀(Ag)或銅(Cu)構成之 一金屬製成的一厚導體層。 [濕式噴砂處理] 13 201128740 形成在4LTCC基體之表面上的厚導體層進行濕式喷 石）處理。即’藉由混合—磨料(喷砂材料)與—液體介質（如 水)來製備之-喷砂液體在高壓下被噴(吹)至該厚導體層。 藉由此濕式喷砂處理，在料導體粒子之_空間被填 充，使得該厚導體層之表面被平面化。藉由調整該磨料之 粒度，該噴砂㈣之喷砂力（壓力），處理時間等在該處理 後該厚導體層之表面粗糙度（Ra)可以被調整成至多 0·02μηι。 作為該磨料，舉例而言，可使用如氧化鋁或氧化锆之 一陶瓷粉末。為了增加喷砂效率，較佳的是使用一氧化鋁 粉末之一粉狀粉末。該磨料之粒度最好在一25至15〇)：^之 範圍内，如果該磨料之粒度小於25pm，則該磨料可能會進 入諸如用以切割該LTCC基體之一溝槽中且構成可能會破 壞元件之女裝的一外來物質。另一方面，如果該磨料之 粒度超過150μηι，則在為一元件之一安裝部份之一凹孔之 壁表面附近有效地喷砂該厚導體層變得困難。該磨料之 50%粒度(Dfo)以在一 80μιη至ΙΟΟμιη之範圍内較佳，更佳的 D50是 90μπι。 該磨料（喷砂材料）與該液體介質（如水）之混合比率係 使得依據磨蝕液體之總量，該磨料將是20至60體積％。如 果該磨料之混合比率小於20體積％，則該濕式喷砂效率可 能會非常低且使該厚導體層之表面充分地平面化變得困 難。另一方面’如果該磨料之混合比率超過6〇體積％，則 該噴砂液體之黏度將會變得太高，因此該喷砂效率更會降 201128740 低。最佳之混合比率係使得該磨料是40體積％且該水是60 體積％。 此外，用以喷注以此比率混合之噴砂液體之流速（喷砂 力）以1.2至1.8kg/cm2為佳。如果該喷砂液體之喷砂力小於 1.2kg/cm2，則可觀察到移除暴露在該厚導體層之表面上之 玻璃的效果，但是實施充分平面化使得該厚導體層之表面 粗糙度Ra變成至多〇·〇2μηι變得困難。因此，賦予良好抗硫 化性變得困難。如果該噴砂液體之喷砂力超過l.8kg/cm2， 則為一喷砂材料之一氧化鋁粉末可能會沈積在該厚導體層 之表面上，因此用以使該表面平面化之效果將會變小。 在該濕式噴砂步驟中，可以採用由設置在該運送表面 上方大約5cm之一喷注孔’朝被一帶式輸送機連續地運送之 LTCC基體之厚導體層喷注該喷砂液體的一方法。該輸送機 之運送速度以被調整成1至1.5公尺/分鐘為佳。如果該運送 速度小於1公尺/分鐘’則為該噴砂材料之一氧化鋁粉末可 月b會沈積在S亥厚導體層上’因此用以使該表面平面化之效 果將會變小。如果該運送速度超過1.5公尺/分鐘，則喷砂效 果將會變小’且實施用以防止抗硫化性之充分平面化變得 困難。 [鍍敷步驟] 在藉由該濕式喷砂處理被平面化至一至多0·02μηι之表 面粗糙度Ra的厚導體層上’實施Ni鍍敷且接著實施Au鍍 敷，以形成一鍍Ni/Au層。該鍍Ni層藉由諸如使用—錄石黃酸 浴之電鑛而形成一5至ΙΟμηι之厚度。該鍍Au層可藉由諸如 15 201128740 使用一金氰化鉀浴之電錢而形成一 0.2至0·5,之厚度。 在先前之步驟中’作為下層之該厚導體層係進行濕式 喷砂處理，以填充在t亥導體(例如Ag)粒子之間的空間，藉 此使4等不平平滑化且該表面被平面化至一至多Q 帅之 表面粗縫度Ra ’且因此，該厚導體層可以藉由具有上述厚 度之该鑛Ni/Au層完全被覆蓋。目此，缝關未暴露，且 抗硫化性極佳，並且在依據JIS C 6〇〇68 2 43之硫化測試 中，可以在該鍍Au膜之表面上獲得沒有由於硫化鎳之沈積 產生之一黑色缺陷的一錄Au膜。 以下，將制肋製造用於安裝具有—喊基體之元 件之基體1的方法。 <用於安裝具有陶瓷基體之元件之基體的製造> [陶瓷生胚片之形成] 首先，形成一陶瓷生胚片。此生胚片可以藉由添加— 黏結劑及，依情況需要，添加一塑化劑，一溶劑等至包含 一陶瓷粉末及一燒結助劑之一陶瓷組成，以製備—漿液， 並藉由諸如刮刀法而將該漿液形成為一片，接著進行乾燥 來形成。 作為該陶竞粉末’可使用一氧化銘粉末或一氮化姑粉 末。陶瓷粉末之50%粒度(Dm)以〇.5μιη至2μιη為佳，如果陶 瓷粉末之D5G小於0·5μηι，則該玻璃粉末可能會黏結在— 起，且不僅處理會變困難，使它均勻地分散亦會變困難。 另一方面，如果D50超過2μ»η ’則燒結不足可能會發生。 作為該燒結助劑，可使用一般已被用來製造一陶瓷基 16 201128740 體者。例如，可以適當地使用Si〇2與一鹼土金屬氧化物， 或一稀土元素氧化物（特別是主要由Y203構成之一 Y203型 肋劑）之一混合物。燒結助劑之D5〇以至少0.5μηι且至多4μηι 為佳。 此陶竞粉末與燒結助劑係諸如被摻合及混合，使得該 陶瓷粉末將成為8 0質量％至9 9質量％，且該燒結助劑將成為 1質量。/。至20質量。/。，以獲得一陶瓷組成，且為了得到此陶 兗組成，添加一黏結劑及，且依情況需要，添加一塑化劑， 一溶劑等，以獲得一漿液。 作為該黏結劑，可以適當地使用如聚乙烯丁醛或一丙 烯酸樹脂。作為該塑化劑，可以使用如鄰苯二甲酸丁二酯， 鄰苯二甲酸辛二酯或鄰苯二甲酸丁苄酯。此外，作為該溶 劑，可以使用如曱苯，二曱苯或丁醇之一芳香族或醇類有 機溶劑。又，亦可使用一分散劑或一調平劑。 如此形成之陶曼生胚片藉由使用一衝壓切割模或一衝 壓機被切割成一預定尺寸，且在同時，藉由在多數預定位 置衝壓可形成用於層間連接之通孔。 [陶瓷生胚片之燒成] 在一 500°C至600°C之溫度加熱未經燒成之陶瓷生胚 片，以藉由分解及移除如包含在該生胚片中之一樹脂的一 黏結劑實施黏結劑燒除。在積層未經燒成之陶瓷生胚片之 情形下，多數陶瓷生胚片被上下疊置同時調整其位置且藉 加熱及加壓整合在一起，且接著實施上述黏結劑燒除。然 後，在一 1，100至2,200°C之溫度下再實施加熱，以燒成構成 17 201128740 該陶瓷生胚片之陶瓷組成’進而獲得一陶瓷基體。 [金屬糊之印刷] 在該陶瓷基體之表面上，藉如網版印刷之一方法印刷 一導體金屬糊，以形成一未經燒成之導體圖案。此外，— 導體金屬糊填充在上述用於層間連接之通孔中，以形成多 數未經燒成之層間連接部份。作為該導體金屬糊，使用藉 添加如乙基纖維素之一載體，且依情況需要，添加—溶劑 等至主要由例如銀(Ag)或銅（Cu)構成之一金屬粉末，以形成 一糊而製備者。作為該金屬粉末’舉例而言，可較佳地使 用一銀(Ag)粉末，一銀與鈀之混合粉末，或一銀與鉑之混 合粉末。此外’為了充分確保在該導體金屬與該陶竞基體 之間的黏合強度，可使用具有加入少量玻料之一金屬糊。 [金屬糊之燒成（再燒成)] 在一 500至1，000°C之溫度加熱具有被印刷在其上之金 屬糊的陶瓷基體，以燒成形成在該陶瓷基體之内側(在通孔 中）及在表面（則與後表面）上之金屬糊，以藉此形成由主要 由銀(Ag)或銅(Cu)構成之一金屬製成的一厚導體層。 [濕式喷砂處理] 形成在該陶瓷基體之表面上的厚導體層進行濕式喷砂 處理。即，藉由混合一磨料(喷砂材料)與一液體介質（如水) 來製備之一喷砂液體在高壓下被喷(吹)至該厚導體層。藉由 此濕式喷砂處理，在該等導體粒子之間的空間被填充以使 該厚導體層之表面平面化（平滑化）。藉由調整該磨料之粒 度、該喷砂液體之喷砂力（壓力）、處理時間等，在該處理後 201128740 該厚導體層之表面粗糙度(Ra)可以被調整成至多〇 〇2^m。 在該濕式喷砂處理中之磨料之種類及粒度,該磨 料與該液體介質（如水)之混合比率，用以喷注該噴砂液體之 流速（喷砂力），該基體之運送速度等的細節與在具有該 LTCC基體之用於安裝元件之基體的製造中所述者相同，且 在此省略其等的說明。 [鍍敷步驟] 在藉由該濕式喷砂處理被平面化至一至多〇 〇2^m之表 面粗糙度Ra的厚導體層上，實施Ni鍍敷且接著實施八口鍍 敷，以形成一鍍Ni/Au層。該鍍Ni層藉由諸如使用—鎳磺酸 浴之電鍍而形成一 5至ΙΟμιη之厚度。該鍍Au層可藉由諸如 使用一金吼化钟洛之電鑛而形成一 〇.2至〇.50111之厚产。 在先前之步驟中，作為下層之該厚導體層係進行濕式 喷砂處理，以填充在該導體(例如Ag)粒子之間的空間，騎 此使該等不平平滑化且該表面被平面化至一至多〇 〇2口爪之 表面粗糙度Ra，且因此，該厚導體層可以藉由具有上述厚 度之該鑛Ni/Au層完全被覆蓋。因此，該鍵Ni層未暴露，且 抗硫化性極佳’並且在依據JIS c_60068_2-43之硫化測^ 中，可以在該鍍Au膜之表面上獲得沒有由於硫化鎳之沈積 產生之一黑色缺陷的一鍍Au膜。 實例 以下，本發明將參照實例說明。但是，應了解的是本 發明無論如何均不受限於此等實例。 實例1 19 201128740 製備設有一LTCC基體之具有如第1圖所示之一構造的 一用於安裝元件之基體10。 首先’製備用以製備該用於安裝元件之基體1〇之供主 體用之一玻璃陶瓷生胚片。在製備時，摻合及混合原料使 得Si02變成60.4莫耳％，b203 15.6莫耳％，Al2〇3 6莫耳％， CaO 15莫耳％，κ2〇 1莫耳％及Na20 2莫耳％，且此原料混 合物被放在一鉑坩堝中且在丨/⑻％經過6〇分鐘後被熔化。 接著，模鑄及冷卻此熔融狀態玻璃。藉由氧化鋁製成之一 球磨機研磨此玻璃40個小時，以獲得一供基體主體用之玻 璃粉末。在此，在研磨時使用乙醇作為溶劑。 摻合及混合40質量％之此供主體用之玻璃粉末及60質 量％之一氧化鋁粉末(商標名：AL-45H，由ShowaDenkoK.K. 製造）’以製備一玻璃陶瓷組成。將15g之一有機溶劑（質量 比率4 : 2 : 2 : 1之曱苯、二甲苯、2_丙醇與2丁醇之一混合 物）’ 2.5g之一塑化劑（鄰苯二甲酸二_2_乙基己酯），5g之聚 乙稀丁醛（商標名：PVK#3000K，由 DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA製造)作為一黏結劑及一分 散劑（商標名：BYK180,由BYKJapanKK製造)摻合及混合 至50g之玻璃陶瓷組成，以製備一漿液。 此聚液藉一刮刀法施加在一PET膜上且被乾操，以製備 在燒成後具有一〇.15mm厚度之一供主體用生胚陶瓷片。 另一方面’以一90 : 10之質量比率摻合一導電粉末（商 標名：S400-2 ’由Daiken Chemical公司製造)及作為一載體 之乙基纖維素且分散在作為一溶劑之α-松脂醇中，使得固 20 201128740
體含量將是87質量％。接著，在-:£研料進行揉人H 時，且進-步藉-個三觀磨機進行三次分散，以製備°_金 屬糊。 孟 具有-0.3_直徑之多數通孔藉由_衝壓機形成在該 供主體用之生胚喊生肢片中在對應於通路導體之多數位 置且藉-網版印刷法以上迷金屬糊填充，以形成多數未經 燒成通路導體糊層’且在同時，形成一未經燒成厚導㉒層 以獲得具有—厚導體層之—供主體用之玻 如上所述般獲得之具有—厚導體層之該供主體用之玻 璃陶曼生胚片在550。(：被保持5小時，以實施黏結劑燒除且 進-步在87G°C被保持3G分鐘，以實施燒成，進而製備供測 試之-用於安裝元件之基體1G。在所獲得之驗安裝元件 之基體10中，對應於符號2之厚導體層在以下條件下進行濕 式喷砂。 ' 該磨料（喷砂材料）與該液體介質（如水）之混合比率係 使知依據全部磨蝕液體，該磨料是4〇體積％。此外，藉由 5周整用以噴注以此種比率混合之喷砂液體之流速（嘴砂力） 成為1.5kg/cm2 ’該噴砂液體由設置在該運送表面上方5邮 之一喷注孔’朝被一帶式輸送機連續地運送之厚導體層噴 注。該厚導體層之表面粗糙度Ra因此被作成為〇·〇1μιη，在 此’该帶式輸送機之運送速度被調整成12公尺/分鐘。 在所獲得之厚導體層之表面上，藉由使用一鎳磺酸浴 之電鍍形成具有—厚度7μηι之一鍍Ni膜，且藉由使用—金 氰化卸洛之電鑛形成具有一厚度0·3μηι之一鍍Au膜。如此 21 201128740 獲得之用於安裝元件之基體丨0被依據JIS C 6〇〇68_2_43之 一硫化測試暴露100小時，藉此由於硫化鎳之沈積產生之— 黑色缺陷不形成在該鍵Au膜之表面上。 實例2 製備設有陶瓷基體之具有如第丨圖所示之一構造的— 用於安裝元件之基體10。
首先，製備用以製備該用於安裝元件之基體10之供主 體用之一陶瓷生胚片。在製備時，摻合及混合96質量0/〇之 一氧化铭粉末（商標名：AL_45H，由Showa Denko K.K.製造) 及4質量％之一燒結助劑（含有65·8質量％之Si〇2及34 2質量 %2MgO的一滑石粉），以製備一陶瓷組成。將丨5g之一有機 溶劑（質量比率4 :2:2:1之甲苯、二甲苯、2_丙醇與2 丁醇 之一混合物）、2.5g之一塑化劑（鄰苯二曱酸二_2_乙基己 酯）、5g之聚乙烯丁醛（商標名：PVK#3〇〇〇K，由DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA製造)作為一黏結 劑及一分散劑（商標名：BYK180，由BYK Japan KK製造） 摻合及混合至50g之此陶瓷組成，以製備一漿液。 此漿液藉一刮刀法施加在一PET膜上，接著進行乾燥β 製備在燒成後具有一 lmm厚度之一供主體用陶瓷生胚片。 然後，具有一〇.3mm直徑之多數通孔藉由一衝壓機形成在 對應於通路導體之多數位置。 接著’此供主體用之陶瓷生胚片在550〇C被保持5小 時’以實施黏結劑燒除且進一步在1,500。(：被保持60分鐘， 以實施燒成，進而製備由氧化鋁製成之基體(氧化鋁基體）。 22 201128740 另一方面’以一90: 10之質量比率摻合一導電粉末（商 標名：S400-2,由DaikenChemica丨公司製造）及作為—載體 之乙基纖維素，且分散在作為一溶劑之α-松脂醇中使得固 體3里將尺87質量％。接著，在一瓷研砵中進行揉合丨小 夺且進步藉一個三輥磨機進行三次分散，以製備—金 屬糊。 在°亥氧化鋁基體之表面上及該等通孔中，藉由一網版 印刷法填充該金屬糊，以形成多數未經燒成通孔導體糊 層’且在同時，形成—未經燒成厚導縣，以獲得具有一 厚導體層之一陶瓷基體。 、接^具有一厚導體層之此陶瓷基體在870°C被保持3〇 刀’童藉此製備供測試之_用於安裝元件之基體。 在此用於安裝元件之基體10中，對應於符號2之厚導體 層在以下條件下進行濕式噴砂處理。 m π贾兮材料）與該液體介質（如水）之混合比率被 調1成使件依據全部磨#液體，該磨料是娜積％。此外， 藉由H、有—8mm之孔直m由碳化石朋之—嘴嘴對以此 =二之喷砂液體施加_1.5kg/em2之壓力’該噴石少液體 又。玄運适表面上方5cm之—喷注孔，朝被—帶式輸送 ==之厚導體層噴注。該厚導體層之表面粗· 被調整紅2::^ 在該厚導體層之表面 成7μηι之 上，藉由在一鎳續酸浴中電鍵形 軌膜’且在其表面上，藉由在—金氰化鉀浴 23 201128740 中電鑛形成具有一厚度〇.3μηι之一鍍Au膜。如此獲得之用 於安裝元件之基體10在依據JIS C-60068-2-43之一硫化測 試中暴露1〇〇小時，藉此由於硫化鎳之沈積產生之—黑色缺 陷將不形成在該鍍Au膜之表面上。 在前述中，已說明了本發明之實施例，但是可了解的 是本發明無論如何不限於此，且在申請專利範圍所揭露之 一範圍内可實施各種變化。 2〇1〇年1月29日申請之日本專利申請案第2〇1〇_018925 號及201〇年9月10日申請之日本專利申請案第2〇1〇2〇31〇4 號之包括說明書、申請專利範圍、圖式及概要的全部揭露 内容全部在此併入作為參考。 【圖式簡單說明】 第1圖是顯示本發明之用於安裝元件之基體之一實例 的橫截面圖。 第2圖是顯示本發明之用於安裝元件之基體之另一實 例的橫截面圖。 第3圖是顯示本發明之用於安裝元件之基體之第三實 例的橫截面圖。 第4圖是顯示本發明之用於安裝元件之基體之第四實 例的橫截面圖。 lc...凹部 Id··.非安褒表面 2…厚導體層 【主要元件符號說明】 i...無機絕緣基體 la...安裝表面 lb_..側壁 24 201128740 3.. .厚導體層；鑛Ni/Au層 10...基體 4.. .通路導體 25

Claims (1)

  1. 201128740 七、申請專利範圍： 1. 一種用於安裝元件之基體，其包含： 一無機絕緣基體，其由一無機絕緣材料所製成； 一厚導體層，其形成在該無機絕緣基體上且由主要 為銀（Ag)或銅（Cu)所構成之一金屬所製成；及 一導電性金屬鍍敷層，其形成在該厚導體層上，其 中該厚導體層藉由濕式喷砂處理使其表面被平面化且 具有一至多為0.02μηι之表面粗糖度Ra。 2. 如申請專利範圍第1項之用於安裝元件之基體，其中該 無機絕緣基體是一低溫共燒陶瓷基體。 3. 如申請專利範圍第1項之用於安裝元件之基體，其中該 無機絕緣基體是一陶瓷基體。 4. 如申請專利範圍第3項之用於安裝元件之基體，其中該 陶瓷基體包含作為主成分之氧化鋁或氮化鋁。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之用於安裝元件之 基體，其中該導電性金屬鍍敷層是一鎳(Ni)/金(Au)鍍敷 層。 6. —種用以製造一用於安裝元件之基體之方法，其包含： 在由一無機絕緣材料所製成之一無機絕緣基體之 一表面上形成一設有厚導體層之基體之一步驟，該厚導 體層係由主要為銀（Ag)或銅（Cu)所構成之一金屬所製 成者； 對該厚導體層施加濕式喷砂處理以使該厚導體層 之表面平面化至一至多為0·02μιη之表面粗糙度Ra之一 26 201128740 步驟；及 在具有藉由該濕式噴砂處理被平面化之表面之該 厚導體層上形成一鎳(Ni)/金(Au)鍍敷層之一步驟。 7.如申請專利範圍第6項之用以製造一用於安裝元件之基 體之方法，其中該形成一設有厚導體層之基體之步驟包 含： 將主要為銀（Ag)或銅（Cu)所構成之一金屬糊印刷 在由包含一玻璃粉末及一陶瓷粉末之一玻璃陶瓷組成 物所製成之一基體之一表面上，以形成一導體圖案之一 步驟；及 燒成具有該已形成導體圖案之該基體以燒結該玻 璃陶瓷組成物並燒成該金屬糊，以便藉此形成由主要為 銀（Ag)或銅（cu)所構成之一金屬所製成之該厚導體層 之一步驟。 &如申請專利範圍第6項之用以製造一用於安裝元件之基 體之方法，其中該形成一設有厚導體層之基體之步驟包 含： 燒成包含一陶瓷粉末及—燒結助劑之一陶瓷組成 物以獲得一陶瓷基體之一步驟； 將主要為銀（Ag)或銅（Cu)所構成之一金屬糊印刷 在。亥陶瓷基體之一表面上以形成一導體圖案之一步 驟；及 再燒成具有該已形成導體圖案之該陶瓷基體以自 該金屬糊形成該厚導體層之一步驟，該厚導體層係由主 27 201128740 要為銀（Ag)或銅（Cu)所構成之一金屬所製成者。 9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之用以製造一用於 安裝元件之基體之方法，其中欲用於該濕式喷砂處理之 一磨料是具有一從25至150μηι之粒度之一陶瓷粉末，且 一介質是水。 10. 如申請專利範圍第9項之用以製造一用於安裝元件之基 體之方法，其中依據該磨料及水之總量，該磨料之混合 比率是從20至60體積％。 11. 如申請專利範圍第9或10項之用以製造一用於安裝元件 之基體之方法，其中在該濕式喷砂處理中，包含該磨料 及水之一喷砂液體之喷砂力是從1.2至1.8kg/cm2。 28
TW099141210A 2010-01-29 2010-11-29 Substrate for mounting element and process for its production TW201128740A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010018925 2010-01-29
JP2010203104A JP5464107B2 (ja) 2010-09-10 2010-09-10 素子搭載用基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201128740A true TW201128740A (en) 2011-08-16

Family

ID=43513932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099141210A TW201128740A (en) 2010-01-29 2010-11-29 Substrate for mounting element and process for its production

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20110186336A1 (zh)
EP (1) EP2355140A1 (zh)
KR (1) KR20110089051A (zh)
CN (1) CN102143654A (zh)
TW (1) TW201128740A (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102143654A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 旭硝子株式会社 元件搭载用基板及其制造方法
JP5693940B2 (ja) * 2010-12-13 2015-04-01 株式会社トクヤマ セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法
US9997353B1 (en) * 2010-12-24 2018-06-12 Ananda H. Kumar Silicon composite substrates
KR101214734B1 (ko) * 2011-08-05 2012-12-21 삼성전기주식회사 박막 전극 세라믹 기판 및 이의 제조방법
CN102501557B (zh) * 2011-10-26 2015-02-11 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 Ltcc叠片方法
JP6101629B2 (ja) * 2011-10-31 2017-03-22 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、及び、発光装置の製造方法
CN102569603B (zh) * 2012-01-13 2013-08-14 张家港东能电子科技有限公司 一种led陶瓷基板及其制作方法
JP6293995B2 (ja) 2012-03-23 2018-03-14 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用パッケージ及びその製造方法、並びに発光素子パッケージ
JP5778654B2 (ja) * 2012-12-19 2015-09-16 日本特殊陶業株式会社 セラミック基板及びその製造方法
US9351400B1 (en) * 2013-02-21 2016-05-24 Apple Inc. Electrical connections between conductive contacts
US9532450B2 (en) 2013-03-12 2016-12-27 Apple Inc. Lowering the sheet resistance of a conductive layer
US9659851B2 (en) 2014-02-07 2017-05-23 Marvell World Trade Ltd. Method and apparatus for improving the reliability of a connection to a via in a substrate
CN106063388B (zh) * 2014-02-24 2018-10-26 株式会社村田制作所 电子装置
CN105357892B (zh) * 2015-10-29 2018-10-19 广州兴森快捷电路科技有限公司 印制线路板及其制作方法
US10297498B2 (en) * 2016-12-07 2019-05-21 Dongguan China Advanced Ceramic Technology Co., Ltd. Method for preparing ceramic package substrate with copper-plated dam
WO2020022352A1 (ja) 2018-07-27 2020-01-30 株式会社村田製作所 セラミック積層基板、モジュールおよびセラミック積層基板の製造方法
CN109590816A (zh) * 2018-12-25 2019-04-09 广东劲胜智能集团股份有限公司 一种陶瓷手机中框抛光方法
WO2020261993A1 (ja) * 2019-06-27 2020-12-30 京セラ株式会社 電子装置及び電子装置の製造方法
CN112004325A (zh) * 2020-09-07 2020-11-27 中国振华集团云科电子有限公司 一种多层异质熟瓷结构薄膜元器件及电路板制备方法
CN112074106A (zh) * 2020-09-07 2020-12-11 中国振华集团云科电子有限公司 一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法
CN115073005B (zh) * 2022-07-21 2022-11-08 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 一种抗沉淀型ltcc绝缘介质浆料

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01313969A (ja) * 1988-06-13 1989-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2767645B2 (ja) * 1990-03-07 1998-06-18 富士通株式会社 多層配線基板の製造方法
US6835898B2 (en) * 1993-11-16 2004-12-28 Formfactor, Inc. Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures
JP2003253454A (ja) 2002-02-28 2003-09-10 Murata Mfg Co Ltd 電子部品のめっき方法、及び電子部品
JP2004063811A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Kyocera Corp 配線基板およびその製造方法
JP4089902B2 (ja) * 2004-03-31 2008-05-28 Ｔｄｋ株式会社 低温焼成セラミック基板の製造方法
JP3779306B2 (ja) 2004-06-14 2006-05-24 イビデン株式会社 セラミックス基板及びセラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法
JP4605446B2 (ja) * 2004-09-08 2011-01-05 日立化成工業株式会社 多層配線基板、半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージ、並びにそれらの製造方法
JP2006093493A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Cmk Corp 部品内蔵型プリント配線板及びその製造方法
JP3816508B2 (ja) * 2004-11-04 2006-08-30 三井金属鉱業株式会社 キャパシタ層形成材及びそのキャパシタ層形成材を用いて得られる内蔵キャパシタ層を備えたプリント配線板
JP4609074B2 (ja) * 2005-01-13 2011-01-12 日立化成工業株式会社 配線板及び配線板の製造方法
US7241510B2 (en) * 2005-05-27 2007-07-10 Motorola, Inc. Peelable circuit board foil
JP2008034828A (ja) * 2006-06-30 2008-02-14 Ngk Spark Plug Co Ltd Ｉｃ検査用治具に用いる多層セラミック基板及び多層セラミック基板の製造方法
JP5286893B2 (ja) * 2007-04-27 2013-09-11 日立化成株式会社 接続端子、接続端子を用いた半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP4706690B2 (ja) * 2007-11-05 2011-06-22 パナソニック電工株式会社 回路基板及びその製造方法
WO2009113380A1 (ja) * 2008-03-14 2009-09-17 株式会社村田製作所 電極平滑化方法、セラミック基板の製造方法およびセラミック基板
JP5247274B2 (ja) 2008-07-14 2013-07-24 三菱レイヨン株式会社 加工糸と同加工糸からなる織編物
JP2010203104A (ja) 2009-03-02 2010-09-16 Toto Ltd 水栓装置
CN102143654A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 旭硝子株式会社 元件搭载用基板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110089051A (ko) 2011-08-04
US9504166B2 (en) 2016-11-22
EP2355140A1 (en) 2011-08-10
US20140201993A1 (en) 2014-07-24
US20110186336A1 (en) 2011-08-04
CN102143654A (zh) 2011-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201128740A (en) Substrate for mounting element and process for its production
JP5140275B2 (ja) 発光素子搭載用セラミックス基板およびその製造方法
JP5668730B2 (ja) 発光素子搭載基板および発光装置
CN102738363B (zh) 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法
KR100865701B1 (ko) 발광 소자 수납용 패키지 및 발광 소자 수납용 패키지의제조 방법
WO2012015015A1 (ja) ガラスセラミックス組成物、発光素子用基板、および発光装置
TW201623862A (zh) 半透明氧化鋁燈絲及製造其之帶鑄方法
CN1183815C (zh) 玻璃陶瓷多层基板的制造方法
TW201232653A (en) Connected substrate, method of manufacturing thereof, element substrate, and light-emitting apparatus
JP2013197236A (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP5716417B2 (ja) 素子搭載用基板の製造方法
WO2003101166A1 (fr) Pastille frittee a base de nitrure d'aluminium comportant une couche metallisee et procede de preparation associe
TW201240026A (en) Substrate on which element is to be mounted, and process for production thereof
JP2012060004A (ja) 素子搭載用基板およびその製造方法
TW200927701A (en) Process for producing ceramic molded product
JP2001319967A (ja) セラミック基板の製造方法
JPWO2019107430A1 (ja) 回路基板およびこれを備える発光装置
JP2014072282A (ja) 連結基板、発光素子用基板及び発光装置
JP2013135140A (ja) グリーンシートとセラミック多層基板およびセラミック多層基板の製造方法
JP2014060446A (ja) 素子搭載用基板
KR101292040B1 (ko) 저온동시소성세라믹스 기판의 제조방법
JP5675389B2 (ja) プローブカード用配線基板およびプローブカード
TW202137599A (zh) 連結基板及使用其之元件基板之製造方法
JP4762711B2 (ja) セラミック焼結体及び配線基板
WO2017154339A1 (ja) 接続基板の製造方法