TW201117425A - III-nitride semiconductor light-emitting device - Google Patents

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201117425 六、發明說明： 【發明所屬技術領域】 本發明關於三族氮化物半導體發光裝置，特別是關於 具有電流分散（current spreading)作用的電極結構之三 族氮化物半導體發光裝置。 在此，三族氮化物半導體發光裝置表示一種藉由電子 和電洞再結合（recombination)而產生光的三族II化物半 導體發光裝置。三族氮化物半導體由含有 Al(x)Ga(y)In(l-x-y)N(0^x^ 1 5 O^y^l » O^x+y^l) 的化合物所形成。此外，三族氮化物半導體發光裝置可表 示如：用於發紅色光的GaAs-基底三族氮化物半導體發光 裝置等。 【先前技術】 本節提供之本發明相關背景資訊不當然是習知技術。 第1圖為習知之三族氮化物半導體發光裝置的例子之 視圖。三族氮化物半導體發光裝置包括：基板10、形成於 基板10上的緩衝層20、形成於緩衝層20上的η型三族氮 化物半導體層30、形成於η型三族氮化物半導體層30上 的活性層40、形成於活性層40上的ρ型三族氮化物半導 體層50、形成於ρ型三族氮化物半導體層50上的ρ側電 極60、形成於ρ側電極60上的ρ側接合塾70、形成於藉 由台面刻钱（mesa-etching)p型三族氮化物半導體層50及 活性層40而露出之η型三族氮化物半導體層30上的η側 電極80、及保護膜90。 3 94936 201117425 關於基板10，可使用GaN基底基板作為同質基板 (homo-substrate)，且可使用藍寶石基板、SiC基板或Si 基板作為異質基板（hetero-substrate)。然而，可使甩任 何一種三族氮化物半導體層能成長於其上的基板。若使用 SiC基板’則η侧電極80可形成於SiC基板侧。 通常是藉由金屬有機化學蒸鍍法（M0CVD)的方式將三 族氮化物半導體層形成於基板10上。 緩衝層20係為了克服異質基板1〇和三族氮化物半導 體之間晶格常數及熱膨脹係數的差異。在第5, 122, 845號 美國專利中描述一種在38(TC至80(TC下，於藍寶石基板上 形成厚度為100 A至500 A的A1N緩衝層的技術，在第 5, 290, 393號美國專利中描述一種在200°C至900°C下，於 藍寶石基板上形成厚度為10 A至5000 A的 Al(x)Ga(l-x)N(0Sx<l)緩衝層之技術，以及在美國專利 公開案第2006/154454號中描述一種在600°C至990¾下形 成SiC緩衝層（晶種層），並在其上形成 <χ$1)層的技術。在形成η型三族氮化物半導體層30之 前’應先形成無摻雜（undoped)的GaN層為佳。可將其視為 緩衝層20或η型三族氮化物半導體層30的一部份。 關於η型氮化物半導體層30，在至少有η側電極80 形成於其中的區域（η型接觸層）摻入摻雜物。η型接觸層應 由摻雜有Si的GaN形成較佳。在美國專利第5, 733, 796 號中描述一種在目標摻雜濃度下，藉由調整Si和其他來源 材料的混合比例，以摻雜n型接觸層的技術。 4 94936 201117425 藉由電子和電洞再結合而產生光量子（light quanta) 的活性層40,最常由In(x)Ga(l-x)N(0<x$l)所製成’且 由單一量子井（quantum we 11)層或多重量子井層所構成。 p型三族氮化物半導體層50摻入適當的摻雜物例如： 鎮，藉由活化程序（activation process)提供p型導電性 (conductivity)。在第5, 247, 533號美國專利中描述一種 藉由電子束照射而活化p型三族氮化物半導體的技術，美 國專利第5, 306, 662號描述一種藉由以超過400°C之退火 (annealing)，活化p型三族氮化物半導體層的技術，並且 在美國專利公開案第2006/157714號中描述一種在無活化 程序下形成具有p型導電性的p型氮化物半導體層的技 術’藉由使用氨（ammonia)及聯胺基底（hydrazine-based) 來源材料作為氮前驅物，以形成P型氮化物半導體層。 提供p側電極60使電流平順地供給至整個P型三族氮 化物半導體層50。第5, 563, 422號美國專利中描述一種技 術有關形成幾乎覆蓋整個p型三族氮化物半導體層50的表 面’並與其歐姆接觸（ohmic contact)之由Ni和Au所製成 的透光性電極’且在第6, 515, 306號美國專利中描述一種 在p型三族氮化物半導體層上形成η型超晶格 (superlattice)層，並在其上形成由氧化銦錫（ΙΤ〇)所製成 之透光性電極的技術。 同時’可形成夠厚的ρ側電極60，使光不會通過而是 朝基板10反射。此技術稱為覆晶（flip chip)技術。在第 6’ 194’ 743號美國專利中描述一種有關電極結構之技術， 5 94936 201117425 該結構包括具有厚度超過2〇nm的Ag層、覆蓋Ag層的擴散 障壁（diffusion barrier)層、及覆蓋擴散障壁層且由Au 及A1所製成的連接（bonding)層。 提供p侧接合墊70及η側電極80用以供應電流及外 部導線連接（external wire- bonding)。在第 5, 563, 422 號美國專利中描述一種使用Ti及A1形成η側電極的技術。 保護膜90由Si〇2製成且為可省略的。 同時，η型三族氮化物半導體層30或p型三族氮化物 半導體層50可由單層或是多層所構成。近來，引進一種製 造垂直型發光裝置的技術，係藉由雷射蝕刻或是濕式姓刻 將基板10從三族氮化物半導體層上分離。 第2圖為美國專利第5, 563, 422號中一個電極結構實 例之視圖，其描述一種藉由在發光裝置相對之對角、線角落 的部分配置ρ側接合墊70和η側電極80，以改善電流分 佈的技術。 第3圖為美國專利第6, 307,218號中一個電極_構實 例之視圖，其描述一種藉由在ρ側接合墊71.知 11和η側電極 81之間以規律的間隔提供分支電極91，因著發光^置傾向 具有大面積，以改善電流分佈的技術。 然而，具上述電極結構的發光裝置有電流可能^集中在 靠近P側接合墊71或11側電極81之區域{^的問#。 【發明内容】 (發明欲解決之課題） 在稍後本發明的較佳實施態樣中，描述藉由本發明解 94936 6 201117425 決該等問題。 (解決課題之方法） 本節提供本發明一般性概要，但並非包括本發明全部 的範圍或全部的特徵。 根據本發明的一個實施態樣，其係提供一種藉由電子 和電洞再結合而產生光的三族氮化物半導體發光裝置，此 三族氮化物半導體發光裝置包括：供應電流使電子和電洞 再結合的第一電極和第二電極；延伸自第一電極的第一分 支電極；及延伸自第二電極的第二分支電極，至少一部份 的第二分支電極的厚度與第一分支電極的厚度相異。 (發明之功效） 將在稍後本發明的較佳實施態樣中，描述本發明之功 效。 【實施方式】 藉由參考所附圖示詳細說明本發明。 在下列本發明的說明中，將會省略與習知技術類似或 相同的重複敘述。 第4圖為本發明三族氮化物半導體發光裝置所提供之 電極結構之一實例的視圖。本發明之三族氮化物半導體發 光裝置中的電極結構包括：電極110和120，以及各自延 伸出的分支電極113和123。 電極110和120包括：與三族氮化物半導體發光裝置 中η型三族氮化物半導體層或p型三族氮化物半導體層其 中一者電性連接的第一電極110,以及與另一者電性連接 7 94936 201117425 的第二電極120。 在此實例中，第一電極110和第二電極12〇各可提供 作為P側接合墊或η側接合墊。 由下將可知分支電極113和123各可提供為單一分支 電極。在此’於下列的敘述中，則將假設提供複數個分支 電極 113a、113b、113c、123a 及 123b。 亦即分支電極113和123包括：複數個延伸自第一電 極的113的第一分支電極113a、U3b及n3c，及複數個 延伸自第二電極的第二分支電極12如及123b。 此外，在此實例中，提供至少兩個彼此厚度相異的分 支電極113和123。 其目的欲使流經各分支電極113和123的電流強度相 異。 因此，可防止電流在第一電極11〇和第二電極12〇之 間不均勻地分散而集中在某些區域的現象，如：電流分佈 變得不均勻的問題。 接著更詳細地加以描述。 “在此實例中，第一電極110和第二電極120提供於發 光裝置的外面部分並圍繞著發光裝置的中央部份形成對 稱。 在延伸自第一電極110的第一分支電極113a、113b、 113c备中，第一分支電極113a配置在第一區域，第一 分支電極11.3b配置在第二區域以，第-分支電極⑽配 置在第三區域R3。 94936 8 201117425 在K申自第一電極120的第二分支電極123a、123b 當中’第二分支電極123a配置在第一分支電極㈣和第 一 /刀支電極113b之間，第二分支電極12北配置在地第一 分支電極113b和第一分支電極113c之間。 既然如此，考量到第一電極11〇和第二電極的配置， 其及刀支電極112和113的配置，相較於第二區域R2和第 三區域R3’電流較集中於位在連接第一電極11〇和第二電 極120之假想直線上的第一區域R1，而第二區域r2則較 第三區域R3更為集中。 為了預防上述的問題，在此實例中，第二分支電極 123a厚度T2設定成大於第一分支電極U3a的厚度π，且 第一分支電極113b的厚度T3設定成大於第二分支電極 123a的厚度T2。 此外，分支電極距離發光裝置中央越遠，其厚度越厚。 換言之，第4圖中分支電極的厚度滿足‘Τ1<Τ2<Τ3<Τ4 <T5’ 。 因此，流過配置在電流相對少的區域之分支電極的電 流強度，相較於流過配置在電流相對集中的區域之分支電 極的電流強度變得較強，能減緩或預防電流的集中。 同時，在此實例中，由於在第一分支電極113a、U3b 和113c及在第二分支電極123a和123b之間產生電流流 動，第一分支電極113a、113b和113c及在第二分支電極 123a和123b在發光裝置中央朝外的方向上，應一個接一 個交錯地排列，因此電流密度能更均勻的分佈。 94936 9 201117425 此外，在此實例中，由於第一電極110和第二電極120 位在連接第一電極110和第二電極120的假想直線可通過 發光裝置中央的位置上，圍繞著假想直線配置成對稱的第 一分支電極113a、113b和113c及第二分支電極123a和 123b可具有相同的厚度。因此，在設計第一和第二分支電 極的厚度時可變得較為簡單。 再者，在此實例中，第一電極110和第二電極120的 形狀並不限於第4圖中的圓形，可為橢圓、多邊形等。 在此實例中，分支電極的厚度ΤΙ、T2和T3為藉由發 光裝置的尺寸和形狀、分支電極的分佈外形、電極的位置 和形狀的試驗所取決之數值。 換言之，藉由流經電流強度增加的區域之試驗來減少 分支電極的厚度可達成本發明的目的。 同時，在此實例中，分支電極之間的間距可設成規律 的。然而，具有相對高電流密度的第一區域R1之間距設定 成大於具有相對低電流密度的第二區域R2之間距為佳。 第5圖為本發明三族氮化物半導體發光裝置提供之電 極結構之另一實例的視圖。當本實例之電極結構相似於上 之電極結構時，兩者之差異在於第一電極210和第二電 極220中至少一者為兩個或更多個相互連接的多迴路電極 (split elect rode )211和212，並供應分離的電流。 供應電流的接合導線偶合各多迴路電極211和212。 因此，供應流過一接合導線之的電流係分別供應流過 複數個接合導線，因此可穩定其供應。 10 94936 201117425 特別是，由於在發光裝置此範圍的增加造成驅動發光 裝置的電流強度增加。既然如此，多迴路電極即有效用。 . 此外，在此實例中，關於分支電極213和223的厚度， . 以和上述相同的原則，配置在具有相對高電流密度區域的 分支電極之厚度，設定咸小於配置在具有相對低電流密度 區域的分支電極之厚度。 又，第一電極210和第二電極220以位在連接第一電 極210和第二電極220之假想直線能通過發光裝置中央的 位置上為佳。 第6圖為本發明三族氮化物半導體發光裝置的電極結 構之又一實例的視圖。當根據本實例的電極結構相似於上 述之電極結構時’兩者之差異在於第一電極310和第二電 極320中至少一者為兩個或更多個彼此分開的多迴路電極 311及312 ’並供應分離的電流。 如同稍早之討論’由於在發光裝置此範圍的增加造成 驅動發光裝置的電流強度增加。此驅動電流係分別地供應 以穩定電流供應。 此外’各多迴路電極311和312彼此分開以達到電流 欲度的均勻化.。 再者，在此實例中，關於分支電極313和323的厚度， 配置在具有相對高電流密度之區域的分支電極之厚度設定 成小於配置在具有相對低電流密度之區域的分支電極之厚 度。 第7圖為本發明三族氮化物半導體發光裝置所提供之 11 94936 201117425 電極結構之其他實例的視圖。當本實例之電極結構相似於 上述之電極結構時，兩者之差異在於第一分支電極、 413b和413c及第二分支電極423a和423b中至少一者為 在縱向有厚度改變。 考量到一分支電極在各別部分根據其位置具有不同的 電流密度，因此藉由各別部分具有不同的厚度，欲減緩或 防止電流密度的差異。 ' 亦即，在形成一分支電極的各別部分當中位在具有 相對高電流密度區域的部分之厚度設定成小於位在具 對低電流密度區域的部分之厚度。 八 =第8圖至第10圖’當;二分支電極的某些部分或 第一分支電極的某些部分圍繞第一電極41〇 $第二電極 =二Γ電極140和某些部分的第二分支電極42北之 和川第一電極和某些部分的第一分支電極413b -問間’會產生相對高電流密度。為了解決或減缓此 以、bi 一分支電極或第二分支電極中某些部分的厚度 :和以設定成小於其他部分的厚度—和… 將描述本發明的各種具體型態。 同厚^體發光裝置，包括複數個具有不 J刀叉電極。其可改善電流的集中。 縱向化物半導體發光裝置，包括具有厚度在 m—、刀一支電極。其可減缓或防止電流的集中。 數伽夕、—種三族氮化物半導體發光裝置，包括藉由連接游 夕题路電極所形成的電極，以便複數個接^導線連接 94936 12 201117425 於其上，連同具體實施型態和（2)。即使在任一多迴路 電極當中有導線連接故障，依然可改善電流的集中。 • (4)一種三族氮化物半導體發光裝置’包括藉由複數個 . 彼此分開的多迴路電極所形成的電極，連同具體實施型態 (1)和（2)。在大面積的發光裝置中可改善電流密度的均勻 性0 根據本發明的三族氮化物半導體發光裝置，使在不同 分支電極之間的電流密度均勻，如此使得發光裝置整體的 電流密度能均勻。 根據本發明的三族氮化物半導體發光裝置，使在圍繞 分支電極所產生之電流密度均勻，如此使得發光裝置整體 的電流密度能均勻。 根據本發明的三族氮化物半導體發光裝置，即使任一 多迴路電極導線連接故障，依然可改善電流的集中。 根據本發明的三族氮化物半導體發光裝置，可改善大 面積發光裝置中大驅動電流所引起之電流密度的不均。 【圖式簡單說明】 第1圖為習知三族氮化物半導體發光裝置實例之視圖。 第2圖為第5, 563, 422號美國專利中所描述之電極沾 構實例之視圖。 … 第3圖為第6,307, 218號美國專利中所描述之 結構實例之視圖。 第4圖為本發明三族氮化物半導體發光裝置所提供之 電極結構之一實例的視圖。 94936 13 201117425 第5圖為本發明三族氮化物半導體發光裝置所提供之 電極結構另〜實例的視圖。 第6圖為本發明三族氮化物半導體發光裝置所提供之 電極結構又〜實例的視圖。 第7圖為本發明三族氮化物半導體發光裝置所提供之 電極結構其他實例的視圖。 第8圖至第1〇圖為第7圖中A、B及C部分的放大視 圖。 【主要元件符號說明】 10 基板 20 緩衝層 30 η型三族氮化物半導體層 40 活性層 50 Ρ型三族氮化物半導體層 60 Ρ側電極 70、71 ρ侧接合墊 80、81 η側電極 90 保護膜 9卜 113、123、213、223、323、413、423 分支電極 110、210、310、410 第一電極 113a、113b、113c、213a、213b、213c、413a、413b、413c 第一分支電極 120、220、323a、323b、320、420 第二電極 123a、123b、223a、223b、423a、423b 第二分支電極 211、212、311、312、411、412 多迴路電極 A、B、C部分 R卜R2、R3 區域 Π、T2、T3、T4、T5、a卜 a2、b卜 b2、c卜 c2 厚度 14 94936

Claims (1)

1. 201117425 七、申請專利範圍： 1.:種藉由電子和電洞再結合而產生光的三族氮化物半 導體發光裝置，包括： 供應電子和電洞再結合之電流 電極 電極； 延伸自該第-電極的第—分支電極； 延伸自該第二電極的第二分支電極，該第二分支電 ?縣的厚度與該第""分支電極的厚度相異。 枯。月專利乾圍第1項所述之三族氮化物半導體發光 ^ ’、中該第一分支電極的厚度在其縱向為相同， 且與該第-分支電極的厚度相異。 申π專利第2項所述之三族氮化物半導體發光 ^置’其中’配置於具有相對低電流密度的第二區域之 ^刀支電極的厚度大於配置於具有相對高電流密度的 區域之該分支電極的厚度，該發光裝置產生的電流 欲度通過該第-電極和第二電極。 4.如申s青專利範圍第9丄 弟2項所述之三族氮化物半導體發光 ^置其中，該第一電極和第二電極，從該發光裝置中 、朝外的方向一個接一個交錯地排列。 ^申專利乾圍第3項所述之三族氮化物半導體發光 ^置，其中，該第一電極和第二電極各以單一電極提 :且位在連結該第1極至第二電極的假想直線會通 過發光裝置中央部份的位置。 如申明專利祀圍第3項所述之三族氮化物半導體發光 15 94936 201117425 裝置，其中，該第一電極和第二電極之至少一者為兩個 或更多個相互連接的多迴路電極並供應分離的電流，且 位在連結第一電極至第二電極的假想直線會通過發光 裝置中央部份的位置。 7. 如申請專利範圍第3項所述之三族氮化物半導體發光 裝置，其中，該第一電極和第二電極之至少一者為兩個 或更多個間隔給定距離的多迴路電極，並藉由該第一分 支電極或第二分支電極連接。 8. 如申請專利範圍第1項所述之三族氮化物半導體發光 裝置，其中，該第二分支電極在其縱向有厚度的變化。 9. 如申請專利範圍第8項所述之三族氮化物半導體發光 裝置，其中，鄰接於該第一電極之該第二分支電極的一 部份或鄰接於該第二電極之該第一分支電極的一部 份，相較於該對應之分支電極的其他部分具有較薄的厚 度。 10. 如申請專利範圍第8項所述之三族氮化物半導體發光 裝置，其中，該第一電極和第二電極之至少一者為兩個 或更多個彼此分開的多迴路電極，且鄰接於各多迴路電 極之該分支電極之一部份，相較於其他部分的分支電極 具有較薄的厚度。 16 94936