JP2012070016A - 窒化物系半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の窒化物系半導体素子は、表面12がm面から1°以上5°以下の角度で傾斜したp型半導体領域を有する半導体積層構造20と、p型半導体領域上に設けられた電極30とを備える。p型半導体領域は、AlxInyGazN(x+y+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)層26から形成されている。電極30は、Zn層32を含み、Zn層32は、半導体積層構造20におけるp型半導体領域の表面に接触している。
【選択図】図3
Description
の研究は盛んに行われ、青色発光ダイオード(LED)、緑色LED、ならびに、GaN系半導体を材料とする半導体レーザも実用化されている。
の結晶では、図1に示すGaの一部がAlおよび/またはInに置換され得る。
[0001]方向に延びており、この方向は「c軸」と呼ばれる。c軸に垂直な面(plane)は「c面」または「(0001)面」と呼ばれている。なお、「c軸」および「c面」は、それぞれ、「C軸」および「C面」と表記される場合もある。
ため、「c面」は「極性面」とも呼ばれている。分極の結果、活性層におけるInGaNの量子井戸にはc軸方向に沿ってピエゾ電界が発生する。このようなピエゾ電界が活性層に発生すると、活性層内における電子およびホールの分布に位置ずれが生じるため、キャリアの量子閉じ込めシュタルク効果により、内部量子効率が低下し、半導体レーザであれば、しきい値電流の増大が引き起こされ、LEDであれば、消費電力の増大や発光効率の低下が引き起こされる。また、注入キャリア密度の上昇と共にピエゾ電界のスクリーニングが起こり、発光波長の変化も生じる。
+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)半導体から形成される。
b+c=1,a≧0,b≧0,c≧0)を含む活性層を有し、前記活性層は光を発する。
+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)半導体からなる。
+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)半導体からなる。
+b+c=1,a≧0,b≧0,c≧0)を含む活性層24と、AldGaeN層(d+e=1,d≧0,e≧0)26とを含んでいる。AldGaeN層26は、活性層24を基準にして表面12の側とは反対の側に位置している。ここで、活性層24は、窒化物系半導体発光素子100における電子注入領域である。
)22が形成されている。本実施形態のAluGavInwN層22は、第1導電型(n型
)のAluGavInwN層22である。また、活性層24とAldGaeN層26との間に
、アンドープのGaN層を設けてもよい。
aeN層26に接するZn層32と、Zn層32の上に存在する金属層34とから構成さ
れている。Zn層32の上部は、Zn-Pt合金層61Aから構成されている。
(例えば、厚さ0.2〜2μm)22の一部に、電極40(n型電極)が形成されている。図示した例では、半導体積層構造20のうち電極40が形成される領域は、n型のAluGavInwN層22の一部が露出するように凹部42が形成されている。その凹部42
にて露出したn型のAluGavInwN層22の表面に電極40が設けられている。電極
40は、例えば、Ti層とAl層とPt層との積層構造から構成されており、電極40の厚さは、例えば、100〜200nmである。
を形成し、さらに、p+−GaNからなるコンタクト層上に、Zn層32を形成すること
も可能である。なお、GaNからなるコンタクト層を、AldGaeN層26とは別の層で
あると考える代わりに、AldGaeN層26の一部であると考えることもできる。
を示すグラフである。Pd/Pt電極としては、p型のm面GaN層上に厚さ40nmのPd層と、厚さ35nmのPt層とを堆積した後、500℃で10分間、窒素雰囲気中で熱処理を行うことによって形成した電極(m面GaN(Pd/Pt))を用いた。Zn/Pt電極としては、p型のm面GaN層上に厚さ7nmのZn層と、厚さ75nmのPt層とを堆積した後、500℃で10分間、窒素雰囲気中で熱処理を行なうことによって形成した電極(m面GaN(Zn/Pt))を用いた。本願に開示している全ての実験例では、Zn層およびPt層を通常の電子ビーム蒸着法によって堆積した。
ンタクト抵抗をR(Ω)とすると、R=Rc/Sの関係が成立する。比例定数のRcは、固有コンタクト抵抗と称され、コンタクト面積Sが1cm2のときのコンタクト抵抗Rに
相当する。すなわち、固有コンタクト抵抗の大きさは、コンタクト面積Sに依存せず、コンタクト特性を評価するための指標となる。以下、「固有コンタクト抵抗」を「コンタクト抵抗」と略記する場合がある。
干高いコンタクト抵抗が得られることが開示されている。一方、接触面がm面の場合には、Znを含む電極は、Pd/Pt電極より顕著に低いコンタクト抵抗を示すことが開示さ
れている。この結果から、Zn/Pt電極を用いた本発明でも同様の傾向を示すと推測される。
電流−電圧特性からはショットキー電圧が現れておらず、Zn/Pt電極はp型のm面GaN層とほぼオーミックコンタクトを形成することがわかった。ショットキー電圧の消失は、発光ダイオードやレーザダイオード等のデバイス動作電圧を低減する上で非常に重要である。
0℃以下の温度範囲であることがさらに好ましい。450℃以上600℃以下がより好適な熱処理温度である。
≧0,w≧0)22とが形成されている。この例では、m面GaN系基板10は、n型GaN基板(例えば、厚さ100μm)であり、AluGavInwN層22は、n型GaN
層(例えば、厚さ2μm)である。AluGavInwN層22の上には活性層24が形成
されている。言い換えると、m面GaN系基板10の上には、少なくとも活性層24を含む半導体積層構造20が形成されている。
)のGaN層(不図示)が形成されている。さらに、p+−GaNからなるコンタクト層
上には、Zn層32が形成されており、その上に金属層34が形成されている。このZn層32と金属層34の積層構造が電極(p型電極)30となる。
リセス)42が形成されており、凹部42の底面に位置するAluGavInwN層22に
は、電極(n型電極)40が形成されている。凹部42の大きさは、例えば、幅(または径)20μmであり、深さは1μmである。電極40は、例えば、Ti層とAl層とPt層(例えば、厚さはそれぞれ、5nm、100nm、10nm)の積層構造から成る電極である。
Deposition)法により結晶層を順次形成していく。
24は、厚さ9nmのGa0.9In0.1N井戸層と、厚さ9nmのGaNバリア層が交互に積層された厚さ81nmのGaInN/GaN多重量子井戸(MQW)構造を有している。Ga0.9In0.1N井戸層を形成する際には、Inの取り込みを行うために、成長温度を800℃に下げることが好ましい。
して、例えば、TMG、NH3、TMA、TMIおよびp型不純物としてCp2Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)を供給することにより、厚さ70nmのp−Al0.14Ga0.86Nを形成する。
給する。
部に位置するn型電極形成領域の上に、電極40として、Ti/Pt層を形成する。
板10のみを除去してもよいし、GaN系基板10およびAluGavInwN層22の一
部だけを選択的に除去してもよい。もちろん、GaN系基板10、AluGavInwN層
22を除去せずに残してもよい。以上の工程により、本実施形態の窒化物系半導体発光素子100が形成される。
く、勿論、種々の改変が可能である。
体からなる場合に前述の優れた効果を発揮する。このようなコンタクト抵抗低減の効果は、当然に、LED以外の発光素子(半導体レーザ)や、発光素子以外のデバイス(例えばトランジスタや受光素子)においても得ることが可能である。
図9は、本実施形態の窒化物系半導体発光素子100aを示す断面図である。m面から1°以上の角度で傾斜した面を主面とするp型半導体領域を形成するため、本実施形態に係る窒化物系半導体発光素子100aは、m面から1°以上の角度で傾斜した面を主面とするGaN系基板10aを用いている。主面がm面から1°以上の角度で傾斜している基板は、一般に「オフ基板」と称される。オフ基板は、単結晶インゴットから基板をスライスし、基板の表面を研磨する工程で、意図的にm面から特定方位に傾斜した面を主面とするように作製され得る。このGaN系基板10a上に、半導体積層構造20aを形成する。図9に示すAluGavInwN層22a、活性層24aおよびAldGaeN層26aは
主面がm面から1°以上の角度で傾斜している。これは傾斜した基板の主面上に、各種半導体層が積層されると、これらの半導体層の表面(主面)もm面から傾斜するからである。GaN系基板10aの代わりに、例えば、m面から特定方向に傾斜した面を表面とするサファイア基板やSiC基板を用いてもよい。また、本実施形態の構成においては、半導体積層構造20aのうち、少なくとも電極30aと接触するp型半導体領域の表面がm面から1°以上の角度で傾斜していればよい。
向いている。図10(b)は、m面の法線、+c軸方向、およびa軸方向の相互関係を示す斜視図である。m面の法線は、[10−10]方向に平行であり、図10(b)に示されるように、+c軸方向およびa軸方向の両方に垂直である。
化ガリウム系化合物半導体層の表面(主面)をm面から1°以上の角度で傾斜している場合であっても、p型電極に接触する面は多数のm面領域が露出しているため、コンタクト抵抗は傾斜角に依存しないものと考えられる。
12、12a 基板の表面(m面)
20、20a 半導体積層構造
22、22a AluGavInwN層
24、24a 活性層
26、26a AldGaeN層
30、30A、30B、30C p型電極
32 Zn層
34 金属層(Pt層)
40、40a n型電極
42、42a 凹部
61A、61C Zn-Pt合金層
100、100a 窒化物系半導体発光素子
200 波長を変換する蛍光体が分散された樹脂層
220 支持部材
240 反射部材
Claims (23)
- p型GaN系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、
前記p型GaN系半導体領域の主面上に形成された電極と
を備え、
前記p型GaN系半導体領域における前記主面の法線とm面の法線とが形成する角度が1°以上5°以下であり、
前記電極は、前記p型GaN系半導体領域の前記主面に接触したZn層を含む、窒化物系半導体素子。 - 前記p型GaN系半導体領域は、AlxInyGazN(x+y+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)半導体から形成される、請求項1に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記電極は、前記Zn層と、前記Zn層の上に形成された金属層とを含み、
前記金属層は、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属からなる、請求項1または2に記載の窒化物系半導体素子。 - 前記窒化物系半導体積層構造は、
AlaInbGacN層(a+b+c=1,a≧0,b≧0,c≧0)を含む活性層を有し、前記活性層は光を発する、請求項1、2または3に記載の窒化物系半導体素子。 - 前記p型GaN系半導体領域は、p型コンタクト層である、請求項1から4の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。
- 前記Zn層の厚さは前記金属層の厚さ以下である、請求項3に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記窒化物系半導体積層構造を支持する半導体基板を有している、請求項1から6の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。
- 前記Zn層の少なくとも一部が合金化している、請求項1から7の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。
- 前記Zn層はアイランド状である請求項1から8の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。
- 前記Zn層は、Znと、MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属との合金から形成されている、請求項1から9の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。
- 前記電極は、前記Zn層のみから構成され、
前記Zn層は、Znと、MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属との合金から形成されている、請求項10に記載の窒化物系半導体素子。 - 窒化物系半導体発光素子と、
前記窒化物系半導体発光素子から放射された光の波長を変換する蛍光物質を含む波長変換部と
を備える光源であって、
前記窒化物系半導体発光素子は、
p型GaN系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、
前記p型GaN系半導体領域の主面上に形成された電極と
を備え、
前記p型GaN系半導体領域における前記主面の法線とm面の法線とが形成する角度が1°以上5°以下であり、
前記電極は、前記p型GaN系半導体領域の前記主面に接触したZn層を含む、光源。 - 前記p型GaN系半導体領域は、AlxInyGazN(x+y+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)半導体からなる、請求項12に記載の光源。
- 前記Zn層の少なくとも一部が合金化している、請求項12または13に記載の光源。
- 基板を用意する工程(a)と、
主面の法線とm面の法線とが形成する角度が1°以上5°以下であるp型GaN系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造を前記基板上に形成する工程(b)と、
前記窒化物系半導体積層構造の前記p型GaN系半導体領域の前記主面上に電極を形成する工程(c)と
を含み、
前記工程(c)は、
前記p型GaN系半導体領域の前記主面上に、Zn層を形成する工程を含む、窒化物系半導体素子の製造方法。 - 前記p型GaN系半導体領域は、AlxInyGazN(x+y+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)半導体からなる、請求項15に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
- 前記工程(c)は、
前記Zn層を形成した後に、MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属からなる金属層を形成する工程を含む、請求項15または16に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。 - 前記工程(c)において、前記Zn層を加熱処理する工程を実行する、請求項15、16または17に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
- 前記加熱処理は、400℃以上650℃以下の温度で実行される、請求項18に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
- 前記加熱処理は、450℃以上600℃以下の温度で実行される、請求項19に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
- 前記工程(b)を実行した後において、前記基板を除去する工程を含む、請求項15から20の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
- 前記Zn層の少なくとも一部が合金化している、請求項15から21の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
- 前記工程(c)は、
前記Zn層を形成した後に、Pt,MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属からなる金属層を形成する工程を含む、請求項15または16に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
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