TW201104856A - Solid-state imaging device, camera, electronic apparatus, and method for manufacturing solid-state imaging device - Google Patents

Solid-state imaging device, camera, electronic apparatus, and method for manufacturing solid-state imaging device Download PDF

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Description

201104856 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於固體攝像裝置、攝相機、電子機器、 及固體攝像裝置之製造方法。 【先前技術】 數位視訊攝影機、數位靜態相機等之攝相機,係含有 固體攝像裝置。例如,作爲固體攝像裝置,係有CCD( Charge Coupled Device)型影像感測器。 例如,CCD型影像感測器中,複數像素被在水平方向 和垂直方向上配置成矩陣狀的攝像領域,是被設在基板的 面。該攝像領域中,將被攝體像的光線加以受光而生成訊 號電荷用的光電轉換部,是以對應於複數像素的方式而被 複數形成。例如,光二極體係被形成來作爲該光電轉換部 。在光電轉換部的上方,設有微透鏡,而被構成爲,透過 該微透鏡而入射的光是被光電轉換部所受光。 然後,在攝像領域中在垂直方向上排列的複數光電轉 換部的列之間,設有垂直傳輸暫存器部。垂直傳輸暫存器 部,係對垂直傳輸通道領域隔著閘極絕緣膜而面對地設置 複數傳輸電極,藉由電荷讀出部而被從光電轉換部中所讀 出之訊號電荷,是往垂直方向傳輸。然後,藉由該垂直傳 輸暫存器部而每1水平掃描線(1行像素)地所被傳輸的訊 號電荷,是被水平傳輸暫存器部逐次往水平方向傳輸’由 輸出部加以輸出之構成(例如參照專利文獻1)。 -5- 201104856 又,爲了防止漏光(smear)等不良情形的發生,在攝像 領域中係設置有金屬遮光膜,以將入射至垂直傳輸暫存器 部的光予以遮光。 於上記的固體攝像裝置中,有時會產生一種被稱作曜 光(flare)或鬼影(ghost)的假訊號。例如,藉由金屬遮光膜 等之反射膜,入射光會被亂反射,而入射至光電轉換部時 ,就會產生假訊號。 爲了防止該假訊號的產生,而提出了在金屬遮光膜的 上方,再設置了一種稱作〇CB(On Chip Black)的黑色之彩 色光阻圖案層,當作遮光膜(例如參照專利文獻2、專利文 獻3)。 又,在上記光電轉換部的上方,設有彩色濾光片,而 構成爲,被該彩色濾光片所著色的光,是被光電轉換部所 受光。彩色濾光片係例如含有3原色的著色層,3原色的 著色層係以Bayer排列的方式而被排列。又,在彩色濾光 片的上方,設有微透鏡,而構成爲,被該微透鏡所聚光的 光,是透過彩色濾光片,入射至光電轉換部(例如參照專 利文獻1 )。 除此之外,還有提出在光電轉換部和微透鏡之間,配 置層內透鏡。層內透鏡,係爲了有效將透過On Chip Lenz 所入射的光,照射至光電轉換部,而被設置(例如參照專 利文獻2、專利文獻3)。 又,在上記的固體攝像裝置中,爲了將入射光中的可 見光以外的紅外線加以遮斷,而設有紅外線截斷濾光片。 -6- 201104856 紅外線截斷濾光片,係大致分成彩色玻璃濾鏡等之光 吸收型、和使用無機干涉多層膜的光反射型。 圖2係紅外線截斷濾光片的分光穿透特性之圖示。於 圖2中,虛線係表示光吸收型的情形,實線係表示光反射 型的情形。 如圖2的虛線所示,在光吸收型的情形中,係吸收紅 外線’藉此而截斷紅外線,但對於該紅外線所對應之截斷 波長範圍以外之波長範圍的光,仍會吸收甚多。相對於此 ’如圖2的實線所示,在使用了無機干涉多層膜的光反射 型中,截斷波長範圍以外之波長範圍的光,是幾乎不會穿 透。具體而言,相較於光吸收型,光反射型的紅色成分的 光是較多地透過。 因此,在固體攝像裝置中,爲了提升感度,使用無機 干涉多層膜的光反射型紅外線截斷濾光片,是可被理想適 用(例如參照專利文獻4)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2002-359363號公報 [專利文獻2]曰本特開2007-324481號公報 [專利文獻3]日本特開2004-356503號公報 [專利文獻1]日本特開2001-267543號公報 [專利文獻2]日本特開2004-304148號公報 [專利文獻3 ]日本特開平丨丨_丨〇 3 〇 3 7號公報 [專利文獻4]曰本特開2005-109196號公報 201104856 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 然而,在上記中,會因爲線寬的參差之發生等,導致 OCB膜難以形成所望形狀之情形。因此,有可能會因爲此 種OCB膜,導致入射至光電轉換部的光被散亂,導致攝 像影像的影像品質降低。 圖1係固體攝像裝置1 J的要部剖面圖。 如圖1所示,在固體攝像裝置1J中,OCB膜43 J是 被圖案加工成順錐狀之情形。 這是因爲,將含有黑色色素的負片型光阻膜進行圖案 加工成OCB膜43J的曝光處理的實施之際,有時候曝光 光線會被位於其下層的金屬遮光膜4U所反射。因此,圖 案加工成順錐狀的情況下,在OCB膜43J中有時會發生 線寬的參差,所以如上記的不良情況有時候會明顯化。 如此,因爲難以將OCB膜43J這類光阻圖案層形成 爲所望的圖案,所以有時會發生影像品質的降低。 因此,本發明係提供一種,可將光阻圖案層形成爲所 望的圖案,並且可提升影像品質的固體攝像裝置、攝相機 、及其製造方法。 固體攝像裝置,係被要求了胞格尺寸(像素尺寸)的微 細化。因此,當胞格尺寸微細化時,隨著顏色而輸出(分 光輸出)會有所不同,而會有彩色攝像影像的影像品質降 低之情形。 -8- 201104856 圖3係圖示了,針對入射至固體攝像裝置的平行光, 透過微透鏡、彩色濾光片、層內透鏡而傳達的樣子,實施 波動模擬的結果圖。於圖3中,(a)係爲綠色光的情形, (b)係爲紅色光的情形。圖3中,越明亮表示光的強度越高 〇 如圖3所示,在微細之胞格尺寸的固體攝像裝置中, 長波長的紅色光(圖3(b)),係比波長短於紅色光的綠色光( 圖3(a)),容易受到繞射或散射的影響。因此,紅色光係 比綠色光更難以確實聚光在光二極體的受光面,而有感度 特性劣化之情形。這對於藍色光而言,因此是比紅色光更 短波長,所以可說是同樣會如此。 爲了改善該不良情形,考慮將上述的層內透鏡之構造 ,作適宜地調整而設置。 圖4係表示,於固體攝像裝置中的分光輸出。於圖4 中係圖示了,紅色成分的輸出Vr、綠色成分之分光輸出 Vg、藍色成分之分光輸出Vb。 此處,各色的像素係分別設置同一形狀的層內透鏡, 可提升紅色的分光輸出Vr。然而,如圖4所示,紅色成 分的輸出Vr,相較於其他顏色的分光輸出Vg、Vb,是顯 著較高。 此情況下,於相機系統中,必須要進行調整以取得白 平衡,但如上述當紅色感度顯著較高時,該調整會有困難 。因此,會有攝像影像的影像品質降低的情形。 又,起因於上述使用無機千涉多層膜之光反射型的紅 -9 - 201104856 外線截斷濾光片,有時候會在彩色攝像影像中發生鬼影, 導致影像品質降低。具體而言,透過各部的入射光會反射 ,而回到光反射型的紅外線截斷濾光片時,有時候該光線 會再度被紅外線截斷濾光片反射,入射至別的像素,因此 會在攝像影像中產生鬼影。 尤其是,3原色的著色光當中,波長較長的紅色光是 與其他著色光不同,會被光反射型的紅外線截斷濾光片所 反射,因此該不良情形的發生會顯在化。 又,至於紅色光以外的綠色光或藍色光,也有時候會 被紅外線截斷濾光片以外的構件所反射,入射至別的像素 ,因此同樣會有在攝像影像中產生鬼影之情形。 如此,在固體攝像元件、及含固體攝像元件的攝相機 等之電子機器中,隨著像素的微細化,有時會有攝像影像 的影像品質降低之情形。 因此,本發明係提供一種,可提升攝像影像之影像品 質的固體攝像裝置、電子機器、固體攝像裝置之製造方法 [用以解決課題之手段] 本發明之固體攝像裝置之製造方法,係具有:固體攝 像裝置製造工程,係製造固體攝像裝置,其係爲,將光線 於受光面進行受光以生成訊號電荷的光電轉換部,是被設 置在基板上;前記固體攝像裝置製造工程係含有:金屬遮 光膜形成工程,係於前記基板之上方,在前記受光面所對 -10- 201104856 應之領域以外的領域’形成金屬遮光膜;和光反射膜形成 工程’係在前記金屬遮光膜的上方,形成用來反射光線的 光反射膜;和光阻圖案層形成工程,係針對被成膜在前記 光反射膜之上方的負片型光阻膜,實施曝光處理後,實施 現像處理’以從前記光阻膜來形成光阻圖案層;於前記光 反射膜形成工程中’係形成前記光反射膜,以使得:前記 光反射膜是含有對應於前記光阻圖案層之圖案形狀的形狀 ’並在前記光阻圖案層形成工程中的前記曝光處理之實施 時,會使曝光光線反射至前記光阻膜。 本發明之攝相機之製造方法,係具有:固體攝像裝置 製造工程,係製造固體攝像裝置,其係爲,將光線於受光 面進行受光以生成訊號電荷的光電轉換部,是被設置在基 板上;前記固體攝像裝置製造工程係含有:金屬遮光膜形 成工程’係於前記基板之上方,在前記受光面所對應之領 域以外的領域,形成金屬遮光膜;和光反射膜形成工程, 係在前記金屬遮光膜的上方,形成用來反射光線的光反射 膜;和光阻圖案層形成工程,係針對被成膜在前記光反射 膜之上方的負片型光阻膜,實施曝光處理後,實施現像處 理’以從前記光阻膜來形成光阻圖案層;於前記光反射膜 形成工程中,係形成前記光反射膜,以使得:前記光反射 膜是含有對應於前記光阻圖案層之圖案形狀的形狀,並在 前記光阻圖案層形成工程中的前記曝光處理之實施時,會 使曝光光線反射至前記光阻膜。 本發明之固體攝像裝置,係含有:光電轉換部,係被 -11 - 201104856 設在基板,以受光面將光線予以受光而生成訊號電荷;和 金屬遮光膜,係被形成在前記基板之上方而在前記受光面 所對應之領域以外的領域;和光反射膜,係被形成在前記 金屬遮光膜的上方;和光阻圖案層,係被形成在前記光反 射膜的上方;前記光阻圖案層,係藉由針對被成膜在前記 光反射膜之上方的負片型光阻膜,實施曝光處理後,實施 現像處理,而被形成;前記光反射膜係含有對應於前記光 阻圖案層之圖案形狀的形狀,並且是被形成爲,在前記曝 光處理的實施時,該當光反射膜會使曝光光線反射至前記 光阻膜。 本發明之攝相機,係含有:光電轉換部,係被設在基 板,以受光面將光線予以受光而生成訊號電荷;和金屬遮 光膜,係被形成在前記基板之上方而在前記受光面所對應 之領域以外的領域;和光反射膜,係被形成在前記金屬遮 光膜的上方;和光阻圖案層,係被形成在前記光反射膜的 上方;前記光阻圖案層,係藉由針對被成膜在前記光反射 膜之上方的負片型光阻膜,實施曝光處理後,實施現像處 理,而被形成;前記光反射膜係含有對應於前記光阻圖案 層之圖案形狀的形狀,並且是被形成爲,在前記曝光處理 的實施時,該當光反射膜會使曝光光線反射至前記光阻膜 0 於本發明中,係形成光反射膜,使其含有對應於所形 成之光阻圖案層之圖案形狀的形狀。在光阻圖案層形成工 程中的曝光處理實施之際,曝光光線係藉由光反射膜而被 -12- 201104856 反射至負片型光阻膜。因此’在顯影處理後,光阻圖案層 就會形成所望之圖案。 本發明之固體攝像裝置,係具有:光電轉換部,係被 設在基板的攝像領域中,以受光面將入射光予以受光而生 成訊號電荷;和彩色濾光片,係於前記基板的攝像領域中 被設在前記受光面的上方,被構成爲,將前記入射光予以 著色而透射至前記受光面;前記彩色濾光片,係含有黑色 色素。 本發明之固體攝像裝置,係具有:光電轉換部,係被 設在基板的攝像領域中,以受光面將入射光予以受光而生 成訊號電荷;和彩色濾光片,係被設在前記基板的攝像領 域中,被構成爲,將前記入射光予以著色而透射至前記受 光面;和黑色色素含有層,係被設在前記基板的攝像領域 中,含有黑色色素;前記黑色色素含有層係被設在前記受 光面的上方,且被構成爲,讓前記入射光往前記受光面透 射。 本發明之電子機器,係具有:光電轉換部,係被設在 基板的攝像領域中,以受光面將入射光予以受光而生成訊 號電荷;和彩色濾光片,係於前記基板的攝像領域中被設 在前記受光面的上方,被構成爲,將前記入射光予以著色 而透射至前記受光面;前記彩色濾光片,係含有黑色色素 〇 本發明之電子機器,係具有:光電轉換部,係被設在 基板的攝像領域中,以受光面將入射光予以受光而生成訊 -13- 201104856 號電荷;和彩色濾光片,係於前記基板的攝像領域 在前記受光面的上方,被構成爲,將前記入射光予 而透射至前記受光面;前記彩色濾光片,係與前記 之間,設置有含有黑色色素的黑色色素含有層。 本發明之固體攝像裝置之製造方法,係具有: 換部形成工程,係將以受光面將入射光予以受光而 號電荷用的光電轉換部,設置在基板的攝像領域中 色濾光片形成工程,係將用以把前記入射光予以著 前記受光面透射用的彩色濾光片,設在在前記基板 領域中的前記受光面的上方;於前記彩色濾光片形 中,係以含有黑色色素的方式,來形成前記彩色濾 本發明之固體攝像裝置之製造方法,係具有: 換部形成工程,係將以受光面將入射光予以受光而 號電荷用的光電轉換部,設置在基板的攝像領域中 色濾光片形成工程,係將用以把前記入射光予以著 前記受光面透射用的彩色濾光片,設在在前記基板 領域中的前記受光面的上方;和黑色色素含有層形 ’係在前記受光面的上方,形成含有黑色色素的黑 含有層。 於本發明中,是在受光面的上方設置含黑色色 ,以調整入射至受光面的光量。 [發明效果] 若依據本發明,則可提供一種,可將光阻圖案 中被設 以著色 受光面 光電轉 生成訊 :和彩 色而往 的攝像 成工程 电片。 光電轉 生成訊 :和彩 色而往 的攝像 成工程 色色素 素的層 層形成 -14- 201104856 爲所望的圖案’並且可提升影像品質的固體攝像裝置、攝 相機、及其製造方法。 若依據本發明’則可提供一種,可提升攝像影像之影 像品質的固體攝像裝置、電子機器、固體攝像裝置之製造 方法。 【實施方式】 以下,參照圖面來說明本發明的實施形態。 此外,說明是按照以下順序來進行。 1.實施形態1 2 ·實施形態2(有設置曝光光線吸收膜之情形) 3. 實施形態3(在光反射膜上直接設置OCB膜之情形) 4. 其他 < 1 .實施形態1〉 〔裝置構成〕 (1)全體構成 圖5係本發明所述之實施形態1中’固體攝像裝置1 的全體構造之槪略的平面圖。 1, lb, lc係固體攝像裝置、21係光二極體、22係電 荷讀出通道領域、23係電荷傳輸通道領域、24係通道截 止領域、31係第1傳輸電極、32係第2傳輸電極、41係 金屬遮光膜、42係光反射膜、43係〇CB膜、45係層內透 鏡、51係曝光光線吸收層、151係彩色濾光片、151B, -15- 201104856 151Bc係藍色濾光片層、151G,151Gc係綠色濾光片層、 1 5 1 K係黑色色素含有層、1 5 1 R, 1 5 1 Rb係紅色濾光片層、 61係微透鏡、101係基板、200係相機、201係光學系、 202係紅外線截斷濾光片' 203係驅動電路、2〇4係訊號處 理電路、FT係平坦化膜、Gx係閘極絕緣膜、Η係曝光光 線、ΗΤ係水平傳輸暫存器部、JA係受光領域、JS係受光 面、ΚΚ係開口、OUT係輸出部、Ρ係光電轉換部、ΡΑ係 攝像領域、PM係光罩、PR係光阻膜、RO係電荷讀出部 、SB係遮光部、SS係元件分離部、VT係垂直傳輸暫存器 部、HT1係平坦化膜、HT2係平坦化膜、JS係受光面、 PA係攝像領域、Sz係絕緣膜。 如圖5所示’固體攝像裝置1係例如爲交錯線方式的 C C D型影像感測器,係於攝像領域p a中進行攝像。 該攝像領域PA中,係如圖5所示,形成有光電轉換 部P、電荷讀出部RO、垂直傳輸暫存器部VT。 光電轉換部P ’係如圖5所示,是在攝像領域PA中 複數設置’分別於水平方向X和垂直方向y上,排列成矩 陣狀而配置。然後’在該複數光電轉換部ρ的周圍,爲了 使各光電轉換部P之間作分離’而設置有元件分離部SS 。然後,光電轉換部P係被構成爲,於受光領域JA中, 將被攝體像的光予以受光而進行光電轉換,以生成訊號電 荷。 電荷δ賣出部RO是被構成爲’如圖5所示,於攝像領 域ΡΑ中’對應於複數光電轉換部ρ而複數設置,並將該 -16- 201104856 光電轉換部p所生成的訊號電荷,讀出至垂直傳輸暫存器 部ντ。 垂直傳輸暫存器部VT,係如圖5所示,於攝像領域 PA中,對應於垂直方向y上排列之複數光電轉換部p,而 在垂直方向y上延展。又,垂直傳輸暫存器部VT係被配 置在,在垂直方向y上複數排列之光電轉換部P的列之間 。垂直傳輸暫存器部VT,係在攝像領域PA中被複數設置 ,複數垂直傳輸暫存器部VT,係對應於在水平方向X上 排列之複數光電轉換部P的每一者,而排列在水平方向X 上。該垂直傳輸暫存器部VT,係爲所謂的垂直傳輸CCD ,係透過電荷讀出部RO,從光電轉換部P讀出訊號電荷 ,並將該訊號電荷往垂直方向y依序傳輸。關於細節將於 後述,但垂直傳輸暫存器部VT,係有複數傳輸電極(未圖 示)在垂直方向y上排列設置,對該垂直方向上排列的傳 輸電極,依序供給例如4相的驅動脈衝訊號,藉此而實施 該訊號電荷的傳輸。 遮光部SB,係如圖5所示’於攝像領域PA中’以覆 蓋住攝像領域PA全體的方式而被設置,但光電轉換部P 的受光領域JA所對應之部分’係設有開口 KK。此外’關 於遮光部SB,係爲了圖示上的方便,在圖5中係用虛線 表示。 然後,在攝像領域P A的下端部中’如圖5所示’配 置有水平傳輸暫存器部HT。該水平傳輸暫存器部HT’係 朝水平方向X延展,複數垂直傳輸暫存器部ντ之每一者 -17- 201104856 ,係將已經往垂直方向y傳輸的訊號電荷,逐次朝水平方 向X加以傳輸。亦即,水平傳輸暫存器部HT,係爲所謂 的水平傳輸CCD,是藉由例如2相的驅動脈衝訊號而被驅 動,會實施每1水平掃描線(1行像素)被傳輸來的訊號電 荷之傳輸。 然後,如圖5所示,在水平傳輸暫存器部HT的左端 部,係形成有輸出部OUT,該輸出部OUT,係藉由水平傳 輸暫存器部HT,將水平傳輸過來的訊號電荷轉換成電壓 ,成爲類比影像訊號而輸出。 (2)詳細構成 說明上記固體攝像裝置1的詳細構成。 圖6、圖7係本發明所述之實施形態1中,固體攝像 裝置1之要部的圖示。此處,圖6和圖7係分別表示主要 部之剖面。圖6係圖5的X1-X2部分的放大圖示,圖7係 圖5的Y1-Y2部分的放大圖示。 固體攝像裝置1,係如圖6及圖7所示,含有基板 101。基板101係例如是η型的矽半導體基板,在基板101 的內部,係設置有光二極體21、電荷讀出通道領域22、 電荷傳輸通道領域23、通道截止領域24。 然後,在基板1〇1的表面中,如圖6及圖7所示,設 置有第1傳輸電極31、第2傳輸電極32、金屬遮光膜41 、光反射膜42、OCB膜43。 依序說明構成固體攝像裝置1的各部。 -18- 201104856 光二極體21,係如圖6、圖7所示,是以對應於光電 轉換部P的方式,被設置在基板101。該光二極體21係 被構成爲,如圖6、圖7所示,將光以受光面JS進行受光 ,進行光電轉換以生成訊號電荷。 具體而言,光二極體21,係於基板101之內部,被設 在位於表面側的部分。雖然圖示省略,但光二極體21,係 例如在形成在基板101內的P型半導體阱領域(P)(未圖示) 上,依序形成η型半導體領域(η)(未圖示)和p型半導體領 域(ρ + )(未圖示),而被構成。 此處,η型半導體領域(η),係作爲訊號電荷累積領域 而發揮機能。然後,Ρ型半導體領域(Ρ + ),係作爲電洞累 積領域而發揮機能,是被構成爲,用來在屬於訊號電荷累 積領域的η型半導體領域(η)中抑制暗電流的產生。 此外,在光二極體21上,係還隔著層間絕緣膜Sz2, Sz3而設置有平坦化膜FT,雖然圖示省略,但在該平坦化 膜FT上,係配置有彩色濾光片(未圖示)和微透鏡(未圖示) 。因此,光二極體21係將依序透過微透鏡(未圖示)和彩色 濾光片(未圖示)而入射的光,於受光面JS上進行受光。 電荷讀出通道領域22,係如圖6所示,是對應於電荷 讀出部RO而被設置,是被構成爲,將光二極體21中所生 成的訊號電荷予以讀出。 具體而言,電荷讀出通道領域22,係如圖6所示,在 位於基板1 〇 1之內部表面側的部分,相鄰於光二極體21 而被設置。 19· 201104856 此處’電荷讀出通道領域22,係於水平方向5{上,被 配置在光二極體2 1的左側。例如,電荷讀出通道領域22 ,係以P型半導體領域而被構成。 電荷傳輸通道領域23,係如圖6所示,是對應於垂直 傳輸暫存器部VT而設置,是被構成爲,將已被電荷讀出 部RO從光二極體21所讀出之訊號電荷,以電荷傳輸通道 領域23加以傳輸。 具體而言,電荷傳輸通道領域23,係如圖6所示,在 位於基板1 〇 1之內部表面側的部分,相鄰於電荷讀出通道 領域22而設置。 此處,電荷傳輸通道領域23,係於水平方向X上,被 配置在電荷讀出通道領域2 2的左側。例如,電荷傳輸通 道領域2 3,係藉由在基板1 01內部的p型半導體阱領域 (P)(未圖示)上,設置η型半導體領域(η)(未圖示)而被構成 〇 通道截止領域24,係如圖6及圖7所示,是以對應於 光電轉換部SS的方式而被設置。 具體而言,通道截止領域24,係如圖6及圖7所示, 被設置在位於基板101之內部表面側的部分。 此處,通道截止領域24,係於水平方向X上,如圖6 所示,位在電荷讀出通道領域22的左側,且介隔在電荷 讀出通道領域22、和配置在相鄰列的光二極體2 1之間而 設置。然後,於垂直方向y上,如圖7所示,通道截止領 域24係被設置在,在垂直方向y上排列的2個光二極體 -20- 201104856 2 1之間》 該通道截止領域24’係例如,在基板ι〇1內部的p型 半導體阱領域(p)(未圖示)上,設置p型半導體領域(p + )(未 圖示)而被構成’係形成電位障壁以防止訊號電位的進出 〇 第1傳輸電極3 1、第2傳輸電極3 2係分別如圖6及 圖7所示’在基板101的表面,隔著閘極絕緣膜Gx而面 對設置。第1傳輸電極31、第2傳輸電極32係均由導電 性材料所形成。例如,第1傳輸電極3 1、第2傳輸電極 3 2係分別使用多晶砂等之導電材料所構成,例如被設置在 ’由矽氧化膜所形成的閘極絕緣膜Gx上。 雖然圖示省略,但第1傳輸電極31、第2傳輸電極 32係分別在基板1〇1的上面,含有朝X方向延展的部分, 且於垂直方向y上複數交互排列配置。 此處,如圖6所示,於X方向上排列的像素之間,例 如,僅設置第1傳輸電極31。然後,如圖7所示,於y方 向上排列的像素之間,例如,在第2傳輸電極3 2上,第1 傳輸電極31是隔著絕緣膜Szl而層積般地設置。 金屬遮光膜41,係如圖6所示,在基板101的表面上 ’被形成在電荷讀出通道領域22及電荷傳輸通道領域23 之上方,係將入射至電荷讀出通道領域22及電荷傳輸通 道領域23的光,予以遮光。又,金屬遮光膜41,係如圖 6及圖7所示,以覆蓋第1傳輸電極31和第2傳輸電極 32之至少一方的方式而被設置。 -21 - 201104856 此處,金屬遮光膜41係被形成在,於基板101之上 方,受光面】S對應領域以外的領域。金屬遮光膜41,係 均由會將光線予以遮光的遮光材料所形成。例如,金屬遮 光膜4 1係使用鎢、鋁等金屬材料所形成。 此外,藉由金屬遮光膜41,構成了圖5所示的遮光部 SB ° 光反射膜42,係如圖6及圖7所示,是在基板1 01的 表面上,被形成在金屬遮光膜41之上方。該光反射膜42 ,係對應於OCB膜43的圖案形狀而被形成。 關於細節將於後述,但光反射膜42,係在從含有黑色 色素之負片型光阻膜(未圖示)進行圖案加工成OCB膜43 的曝光處理之實施時,被形成爲會使曝光光線反射至光阻 膜。例如,金屬遮光膜41係使用鎢、鋁等金屬材料所形 成。 OCB膜43,係爲黑色的彩色光阻圖案層,如圖6及 圖7所示,是被形成在光反射膜42的上方。 細節雖然於後述,但該ΟCB膜43,係藉由針對被成 膜在光反射膜42之上方的負片型光阻膜(未圖示),實施曝 光處理後,實施顯影處理,而被形成。 (3)相機 圖8係本發明所述之實施形態1中,相機200之構成 的構成圖。 如圖8所示’相機200’係含有上述的固體攝像裝置 -22- 201104856 1以外,還具有光學系201、驅動電路203、訊號處理電路 204 = 光學系2 0 1,係例如含有光學透鏡,係使被攝體像被 成像至固體攝像裝置1的攝像面。 驅動電路203,係將各種驅動訊號,輸出至固體攝像 裝置1和訊號處理電路204,以驅動固體攝像裝置1和訊 號處理電路204。 訊號處理電路204,係針對從固體攝像裝置1所輸出 的原始資料(Raw Data),實施訊號處理,以生成關於被攝 體像的數位影像。 〔製造方法〕 以下說明,製造上記固體攝像裝置1的製造方法。 圖9〜圖1 4係本發明所述之實施形態1中,固體攝像 裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 此處,圖9、圖1 1、圖1 3,係和圖6同樣地,是圖5 的X 1 -X2部分的對應部分之放大的剖面圖。然後,圖10 、圖12、圖14,係和圖3同樣地,是圖5的Y1-Y2部分 的對應部分之放大的剖面圖。 (1)光反射膜42之形成 首先,如圖9和圖10所示,形成光反射膜42。 此處,在早於光反射膜42的形成之前,如圖9及圖 1〇所示,將光二極體21、電荷讀出通道領域22、電荷傳 23- 201104856 輸通道領域23、通道截止領域24,設在基板101。例如, 使用離子佈植法,將雜質導入至基板101,以形成各部。 其後’例如’藉由熱氧化法,在基板1 〇 1的全面設置矽氧 化膜,以形成閘極絕緣膜Gx。 然後,如圖9及圖1 0所示,將第1傳輸電極3 1、和 第2傳輸電極32,形成在基板101的表面上。具體而言, 是在基板101的表面,隔著閘極絕緣膜Gx而面對的方式 ,以導電性材料來形成第1傳輸電極31、第2傳輸電極 32。例如,將以CVD法將多晶矽膜(未圖示)成膜後,藉由 光微影技術,將該多晶矽膜進行圖案加工,以形成第1傳 輸電極31和第2傳輸電極32。 然後,如圖9及圖I 0所示,將金屬遮光膜41,設在 基板101的表面上。具體而言,在第1傳輸電極31和第2 傳輸電極32之至少一方的上方,在受光面JS對應領域以 外的領域,形成金屬遮光膜41。例如,藉由濺鍍法,將鎢 膜予以成膜後,將該鎢膜藉由光微影技術而進行圖案加工 ,以形成金屬遮光膜41。其後,以覆蓋住金屬遮光膜41 的方式,用會讓光線穿透的穿透材料,形成層間絕緣膜 Sz2 ° 在如上記形成各部後,如圖9及圖1 〇所示,實施光 反射膜42的形成。 此處,係於基板1 0 1的表面上,以位於金屬遮光膜4 1 之上方的方式,形成光反射膜42。 於本實施形態中,是以對應於在本工程之後所實施的 -24- 201104856 工程中所形成的OCB膜43的圖案形狀,來形成光反射膜 42。然後,在後面的工程中,在從含有黑色色素之負片型 光阻膜(未圖示)進行圖案加工成OCB膜43的曝光處理之 實施時,以使得該曝光光線會反射至光阻膜的方式,形成 光反射膜42。 在該光反射膜42的形成時,是以使得上述曝光處理 實施時所使用的紫外線等之非可見光,能夠以高於可見光 的比率而被反射的方式,來形成光反射膜42,較爲理想》 例如,藉由濺鍍法,將鎢膜予以成膜後,將該鎢膜藉 由光微影技術而進行圖案加工,以形成光反射膜42» 例如,使得膜厚係爲50nm〜200nm,而形成該光反射 膜42。 (2)光阻膜PR之形成 接著,如圖1 1和圖1 2所示,形成光阻膜PR。 此處,係如圖Π及圖1 2所示’是以將覆蓋光反射膜 42而以透光材料所形成之層間絕緣膜Sz3的表面加以覆蓋 的方式,形成光阻膜PR。 於本實施形態中,是將含有黑色色素和負片型光阻樹 脂的塗佈液,塗佈在層間絕緣膜Sz3之表面,以形成光阻 膜PR。 (3)曝光處理的實施 接著,如圖13和圖14所示,實施曝光處理。 25- 201104856 此處’如圖13和圖14所不’是使用了,曝光光線η 所穿透的透光口是對應於上述OCB膜43(參照圖6、圖7) 的圖案形狀的方式而被形成.爲遮罩圖案的光罩ΡΜ,來實 施該曝光處理。亦即,在光阻膜PR中形成OCB膜43的 部分’照射曝光光線。例如’使用紫外線來作爲曝光光線 。此外’在圖13、圖14中,於光罩ΡΜ中將曝光光線予 以遮光的部分,是以黑色表示。 (4)OCB膜43之形成 接著,如圖6和圖7所示,形成OCB膜43。 此處,係如圖6及圖7所示,在光反射膜42的上方 ,形成OCB膜43。 具體而言,藉由針對如上記實施曝光處理過的光阻膜 PR,實施顯影處理,以從光阻膜PR形成OCB膜43。亦 即,藉由顯影處理的實施,將光阻膜P R中未被照射曝光 光線的部分加以去除,以形成OCB膜43。 然後,將平坦化膜FT形成在基板101之表面後,設 置其他的部分,就完成了固體攝像裝置1。 [總結] 如以上,在本實施形態中,係於光阻膜PR,在OCB 膜43形成部分的下方,設置有光反射膜42。在上記的曝 光處理實施時,被位於光阻膜PR下方之金屬遮光膜41所 反射的曝光光線,係被光反射膜4 2的下面所遮光(參照圖 -26- 201104856 13 、圖 14)。 因此,可防止被形成爲如圖1 9所示的順錐狀的OCB 膜43。 又,在本實施形態中,係如上述,光反射膜42是對 應於OCB膜43的圖案形狀而被形成。從光阻膜PR之上 方所入射的曝光光線,係被光反射膜42的上面所反射(參 照圖13、圖14)。 因此,可減少曝光量,因此可抑制金屬遮光膜4 1所 造成的曝光光線之反射所致之不良情形的發生。 因此,本實施形態,係可將OCB膜43以所望線寬的 圖案來加以形成,可防止攝像之際所入射之光線發生散亂 〇 因此,本實施形態,係可將像是OCB膜43的光阻圖 案層,形成爲所望的圖案,因此可提升攝像影像的影像品 質。 < 2 .實施形態2 > 〔裝置構成等〕 圖1 5、圖1 6係本發明所述之實施形態2中,固體攝 像裝置lb之要部的圖示。 此處,圖1 5和圖1 6係分別表示主要部之剖面。圖1 5 係相當於圖5的X1-X2部分的部分放大圖示,圖16係相 當於圖5的Y1-Y2部分的部分放大圖示。 如圖1 5、圖16所示,在本實施形態中,固體攝像裝 -27- 201104856 置1 b係被形成有曝光光線吸收層5 1。除了這點以及其關 連的點以外,本實施形態係和實施形態1同樣。因此,關 於重複部分則是省略p載。 曝光光線吸收層51,係如圖15、圖16所示,是在基 板101的上方,介隔在金屬遮光膜41與光反射膜42之間 而被設置。亦即,雖然省略圖不,但曝光光線吸收層5 1 的形成,係在金屬遮光膜41的形成實施之後,且在光反 射膜42的形成實施之前|會被實施。 該曝光光線吸收層51,係被形成用來吸收,上述 OCB膜43形成時的曝光處理之實施中所使用的曝光光線 。例如,有TiO粒子分散其中的聚醯亞胺膜,是被形成來 作爲曝光光線吸收層5 1。本實施形態中,曝光光線吸收層 51係也是在基板101的上方,以覆蓋著受光面JS對應領 域的方式,而被形成。 然後,以覆蓋該曝光光線吸收層5 1的方式設置層間 絕緣膜Sz,在該層間絕緣膜Sz上,和實施形態1同樣地 ,形成光反射膜42等之各部。 [總結] 如以上,於本實施形態中,曝光光線吸收層5 1是以 介隔在金屬遮光膜41和光反射膜42之間的方式而被設置 。將光阻膜PR予以圖案加工成OCB膜43所需的曝光處 理之實施中,曝光光線,係在光阻膜P R的下方,被曝光 光線吸收層5 1所吸收。 -28- 201104856 因此,因爲可以抑制曝光光線入射至金屬遮光膜41 側,所以可理想防止形成順錐形狀的0 C B膜4 3 ° 因此,本實施形態,係可將像是〇CB膜43的光阻圖 案層,形成爲所望的圖案’因此可提升攝像影像的影像品 質。 < 3.實施形態3 > 〔裝置構成等〕 圖1 7、圖1 8係本發明所述之實施形態3中,固體攝 像裝置lc之要部的圖示。 此處,圖1 7和圖1 8係分別表示主要部之剖面。圖1 7 係相當於圖5的X1-X2部分的部分放大圖示,圖1 8係相 當於圖5的Y1-Y2部分的部分放大圖示。 如圖1 7、圖1 8所示,在本實施形態中,固體攝像裝 置lc係在光反射膜42和OCB膜43之間,未形成有層間 絕緣膜Sz3。除了這點以及其關連的點以外,本實施形態 係和實施形態1同樣。因此,關於重複部分則是省略記載 〇 如圖17、圖18所示,OCB膜43,係以直接接觸於光 .反射膜42之上面的方式而被形成。 亦即,雖然圖示省略,但被圖案加工成OCB膜43的 光阻膜(未圖示)的形成時,是以直接接觸於光反射膜42的 方式,而將負片型光阻膜予以成膜。然後,和實施形態1 的情況同樣地,跟對該光阻膜依序實施曝光處理和顯影處 -29- 201104856 理,以形成OCB膜43。 [總結] 如以上,在本實施形態中’係將〇CB膜43以直接接 觸於光反射膜42之上面的方式而形成。從被圖案加工成 OCB膜43的光阻膜(未圖示)的上方所入射的曝光光線, 係藉由光反射膜42的上面’沒有其他膜介隔存在地,直 接被反射。 因此,本實施形態,係藉由位於其下方的金屬遮光膜 4 1,就可有效抑制因爲曝光光線反射所造成的不良情形。 因此,本實施形態,係可將像是OCB膜43的光阻圖 案層,形成爲所望的圖案,因此可提升攝像影像的影像品 質。 < 4.其他〉 本發明的實施之際,並非限定於上記實施形態,可採 用各種的變形例。 例如’在上記的實施形態中,雖然針對適用於CCD 型影像感測器的情形加以說明,但並非限定於此。例如, 可適用於CMOS型影像感測器等各種影像感測器。 又’在上記的實施形態中,雖然針對屬於光阻圖案層 的〇CB膜的圖案形狀、和光反射膜是完全對應的方式來 設置光反射膜的情形加以說明,但並非限定於此。例如, 亦可僅對應其一部分,來構成各部。 -30- 201104856 具體而言,亦可爲,例如,於CMOS型影像感測 ,係將以會反射光線的金屬材料所形成的「配線」的 分,當作本發明的「光反射膜」來使用。 如此,亦可將影像感測器中使用光反射材料所形 部分,兼用作爲本發明的「光反射膜」。 又,於上記的實施形態中,雖然針對將OCB膜 光阻圖案層而設在金屬反射膜上的情形加以說明,但 限定於此。在形成其他的光阻圖案層時,也能適用本 〇 此外,在上記的實施形態中,固體攝像裝置1, 1丨 ,係相當於本發明的固體攝像裝置。又,在上記的實 態中,電荷讀出通道領域22,係相當於本發明的電荷 通道領域。又,在上記的實施形態中,電荷傳輸通道 23,係相當於本發明的電荷傳輸通道領域。又,在上 實施形態中,金屬遮光膜4 1,係相當於本發明的金屬 膜。又,在上記的實施形態中,光反射膜42,係相當 發明的光反射膜。又,在上記的實施形態中,OCB ® ,係相當於本發明的光阻圖案層。又,在上記的實施 中,曝光光線吸收層5 1,係相當於本發明的曝光光線 層。又,在上記的實施形態中,基板1 〇 1,係相當於 明的基板。又,在上記的實施形態中,相機200,係 於本發明的攝相機。又,在上記的實施形態中,曝光 Η,係相當於本發明的曝光光線。又,在上記的實施 中,受光面JS,係相當於本發明的受光面。又,在上 器中 —部 成的 當作 並非 發明 ),1 c 施形 讀出 領域 記的 遮光 於本 I 43 形態 吸收 本發 相當 光線 形態 記的 -31 - 201104856 實施形態中’光電轉換部p,係相當於本發明的光電轉換 部。又’在上記的實施形態中,光阻膜PR,係相當於本 發明的光阻膜。又,在上記的實施形態中,電荷讀出部 RO,係相當於本發明的電荷讀出部。又,在上記的實施形 態中,垂直傳輸暫存器部VT,係相當於本發明的傳輸暫 存器部。 [實施方式] 以下,參照圖面來說明本發明的實施形態。 此外,說明是按照以下順序來進行。 1 .實施形態4(使紅色濾光片中含有黑色色素之情形) 2. 實施形態5(在紅色濾光片之下設置黑色色素含有層 之情形) 3. 實施形態6(使3原色的濾光片各自含有黑色色素之 情形) 4. 其他 < 1.實施形態4> 〔裝置構成〕 (1)相機全體構成 圖8係本發明所述之實施形態4中’相機200之構成 的構成圖。 如圖8所示,相機200,係具有固體攝像裝置1、光 學系201、紅外線截斷濾鏡202、驅動電路203、訊號處理 -32- 201104856 電路204 。 固體攝像裝置1係被構成爲’將透過光學系201及紅 外線截斷濾鏡202而入射的入射光(被攝體像)Η ’以攝像 面PS進行受光,生成訊號電荷。關於固體攝像裝置1的 詳細構成,將於後述。 光學系201,係例如含有複數光學透鏡,係使入射光 Η成像至固體攝像裝置1的攝像面PS。 紅外線截斷濾鏡202,係被配置在光學系20 1和固體 攝像裝置1之間,會將入射光Η中所含之紅外線成分予以 截斷,然後往固體攝像裝置1的攝像面PS出射。 於本實施形態中,紅外線截斷濾鏡202係爲所謂的干 涉濾鏡,是由反射型的無機干涉多層膜所構成。 驅動電路203,係將各種驅動訊號’輸出至固體攝像 裝置1和訊號處理電路204,以驅動固體攝像裝置1和訊 號處理電路204。 訊號處理電路204,係針對從固體攝像裝置1所輸出 的原始資料(Raw Data),實施訊號處理,以生成關於被攝 體像的數位影像。 (2)固體攝像裝置的全體構造 圖1 9係本發明所述之實施形態4中,固體攝像裝置1 的全體構造之槪略的平面圖。 如圖1 9所示,固體攝像裝置1係例如爲交錯線方式 的CCD型影像感測器,係於攝像領域PA中,針對被攝體 -33- 201104856 像’進行攝像。該攝像領域P A中,係如圖2所示 有光電轉換部P、電荷讀出部RO、垂直傳輸暫存器 〇 光電轉換部P,係如圖1 9所示,是在攝像領域 複數設置’分別於水平方向X和垂直方向y上分別 亦即’將被攝體像予以攝像的複數像素,是被排列 狀而配置。然後,在該複數光電轉換部P的周圍, 各光電轉換部P之間作分離,而設置有元件分離音1; 然後’光電轉換部P係被構成爲,於受光面JS中 攝體像的光予以受光而進行光電轉換,以生成訊號f 電荷讀出部RO是被構成爲,如圖19所示,於 域PA中,對應於複數光電轉換部p而複數設置, 光電轉換部P所生成的訊號電荷,讀出至垂直傳輸 部VT。 垂直傳輸暫存器部VT,係如圖19所示,於攝 PA中,對應於垂直方向y上排列之複數光電轉換部 在垂直方向y上延展。又,垂直傳輸暫存器部ντ 置在,在垂直方向y上複數排列之光電轉換部P的 。垂直傳輸暫存器部ντ,係在攝像領域PA中被複 ,複數垂直傳輸暫存器部ντ,係對應於在水平方[ΐ 排列之複數光電轉換部Ρ的每一者,而排列在水平 上。該垂直傳輸暫存器部VT,係爲所謂的垂直傳奉 ,係將已被電荷讀出部RO從光電轉換部Ρ中所讀 號電荷,往垂直方向y依序傳輸。關於細節將於後 ,形成 部ντ PA中 排列。 成矩陣 爲了使 ;SS » ,將被 3荷。 攝像領 並將該 暫存器 像領域 P,而 係被配 列之間 數設置 0 X上 方向X If CCD 出之訊 述,但 -34- 201104856 垂直傳輸暫存器部VT,係有複數傳輸電極(未圖示)在垂直 方向y上排列設置,對該垂直y方向上排列的傳輸電極’ 供給例如4相的驅動脈衝訊號,藉此而實施該訊號電荷的 傳輸。 然後,在攝像領域p A的下端部中,如圖1 9所示’配 置有水平傳輸暫存器部HT。該水平傳輸暫存器部HT,係 朝水平方向X延展,複數垂直傳輸暫存器部VT之每一者 ,係將已經往垂直方向y傳輸的訊號電荷,逐次朝水平方 向X加以傳輸。亦即,水平傳輸暫存器部HT,係爲所謂 的水平傳輸C C D,是藉由例如2相的驅動脈衝訊號而被驅 動,會實施每1水平掃描線(1行像素)被傳輸來的訊號電 荷之傳輸。 然後,如圖19所示,在水平傳輸暫存器部HT的左端 部,係形成有輸出部OUT,該輸出部OUT,係藉由水平傳 輸暫存器部HT,將水平傳輸過來的訊號電荷轉換成電壓 ,成爲影像訊號而輸出。 此外,上記的攝像領域PA,係相當於圖8所示的攝 像面P S。 (3)固體攝像裝置的詳細構成 說明上記固體攝像裝置1的詳細構成。 圖2 0係本發明所述之實施形態4中,固體攝像裝置1 之要部的圖示。此處,圖20係圖示了主要部的剖面,是 將圖19的XI 1-X21部分予以放大圖示》 -35- 201104856 固體攝像裝置1,係如圖20所示,含有基板ίο〗。基 板101係例如是η型的矽半導體基板,在該基板1〇1的內 部’係設置有光二極體21、電荷讀出通道領域22、電荷 傳輸通道領域23、通道截止領域24。 然後’在基板101的表面中,如圖20所示,設置有 31、金屬遮光膜41、層內透鏡45'彩色濾光片151、微透 鏡61。 依序說明構成固體攝像裝置1的各部。 光二極體21,係如圖20所示,是以對應於光電轉換 部Ρ的方式,被設置在蕋板101。該光二極體21係被構 成爲,以受光面〗S將光線進行受光,並進行光電轉換以 生成訊號電荷。 具體而言,光二極體21,係於基板101之內部,被設 在位於表面側的部分。雖然圖示省略,但光二極體2 1,係 例如在形成在基板1〇1內的Ρ型半導體阱領域(Ρ)(未圖示) 上,依序形成η型半導體領域(n)(未圖示)和ρ型半導體領 域(p + )(未圖不),而被構成。 此處,n型半導體領域(n),係作爲訊號電荷累積領域 而發揮機能。然後,Ρ型半導體領域(Ρ + )’係作爲電洞累 積領域而發揮機能,是被構成爲’用來在屬於訊號電荷累 積領域的η型半導體領域(η)中抑制暗電流的產生。 於光二極體21中,在受光面JS的上方,係以透光性 材料,設置了層內透鏡45、彩色瀘光片151、微透鏡61 等。因此,光二極體21,係將依序透過這些各部而入射的 -36- 201104856 光Η,於受光面JS上進行受光,並生成訊號電荷。 電荷讀出通道領域22,係如圖20所示,是對應於電 荷讀出部RO而被設置,是被構成爲,將光二極體21中所 生成的訊號電荷予以讀出。 具體而言,電荷讀出通道領域22,係如圖20所示, 在位於基板101之內部表面側的部分,相鄰於光二極體21 而被設置。 此處,電荷讀出通道領域22,係於水平方向X上,被 配置在光二極體2 1的左側。例如,電荷讀出通道領域22 ,係以P型半導體領域而被構成。 電荷傳輸通道領域23,係如圖20所示,是對應於垂 直傳輸暫存器部VT而設置,是被構成爲,將已被電荷讀 出部RO從光二極體21所讀出之訊號電荷,以電荷傳輸通 道領域23加以傳輸。 具體而言,電荷傳輸通道領域23,係如圖20所示, 在位於基板1 〇 1之內部表面側的部分,相鄰於電荷讀出通 道領域22而設置。 此處,電荷傳輸通道領域23,係於水平方向X上,被 配置在電荷讀出通道領域22的左側。例如,電荷傳輸通 道領域23,係藉由在基板1 〇 1內部的p型半導體阱領域 (P)(未圖示)上,設置η型半導體領域(η)(未圖示)而被構成 〇 通道截止領域24,係如圖20所示,是以對應於元件 分離部SS的方式而被設置。 -37- 201104856 具體而言,通道截止領域24,係如圖20所示,被設 置在位於基板1 〇 1之內部表面側的部分。 此處,通道截止領域24,係於水平方向X上,如圖 1 9所示,位在電荷讀出通道領域22的左側,且介隔在電 荷讀出通道領域22、和配置在相鄰列的光二極體2 1之間 而設置。除此之外,還以對應於垂直方向y上排列的2個 光二極體21之間的元件分離部SS的方式,設置了通道截 止領域2 4 (參照圖1 9)。 該通道截止領域24,係例如,在基板1〇1內部的p型 半導體阱領域(P)(未圖示)上,設置P型半導體領域(P + )(未 圖示)而被構成,係形成電位障壁以防止訊號電位的進出 0 傳輸電極31,係如圖20所示,是在基板101的表面 ’隔著閘極絕緣膜Gx而面對設置。傳輸電極31,係由導 電性材料所形成。例如,傳輸電極31係使用多晶矽等之 導電材料所構成’例如被設置在,由矽氧化膜所形成的閘 極絕緣膜Gx上。 金屬遮光膜41,係如圖20所示,在基板1〇1的表面 上’被形成在電荷讀出通道領域22及電荷傳輸通道領域 23之上方’係將入射至電荷讀出通道領域22及電荷傳輸 通道領域23的光’予以遮光◊又,金屬遮光膜41,係如 圖20所示,是隔著絕緣膜Sz,以覆蓋著傳輸電極3 1的方 式而被設置。 此處’金屬遮光膜41係被形成在,於基板ι〇1之上 -38- 201104856 方,受光面】S對應領域以外的領域。金屬遮光膜41,係 均由會將光線予以遮光的遮光材料所形成。例如,金屬遮 光膜41係使用鎢、鋁等金屬材料所形成。 層內透鏡45,係如圖20所示,是在基板1〇1的面的 上方,對應於受光面JS而設置。層內透鏡45,係以對應 於攝像領域P A中所被排列的複數光電轉換部P的方式, 而以複數、同一形狀而被排列。 此處,層內透鏡45係爲,從受光面JS往彩色濾光片 1 5 1側的方向上,中心形成得比邊緣還厚的凸型透鏡,被 構成爲,會使入射光Η往受光面JS的中心聚光。例如, 層內透鏡45係被形成爲,平面形狀是呈矩形。 彩色濾光片151,係如圖20所示,是在基板101的面 的上方,隔著層內透鏡45,面對於受光面JS而設置。彩 色濾光片151係被設在,用來使層內透鏡45之表面平坦 化的平坦化膜ΗΤ1的上面。該彩色濾光片151,係以對應 於攝像領域Ρ Α中所被排列的複數光電轉換部Ρ的方式’ 而被複數排列。 此處,彩色濾光片1 5 1係被構成爲’將入射光Η予以 著色然後往受光面透過。 圖2 1係本發明所述之實施形態4中,彩色濾光片1 5 1 的圖示。此處’圖21係圖不了平面圖。 如圖21所示,彩色濾光片151,係除了含有圖20所 示的綠色濾光片層1 5 1 G和紅色濾光片層1 5 1 R以外’還含 有藍色濾光片層151B’分別是對應於各光電轉換部P而 -39- 201104856 設置。 具體而言,如圖21所示,構成彩色濾光片151的綠 色濾光片層151G和紅色濾光片層151R和藍色濾光片層 1 5 1 B,分別是例如以Bayer排列的方式作排列配置。 於彩色濾光片151中,綠色濾光片層151G’係將入 射光Η著色成綠色。亦即,綠色濾光片層1 5 1 G係被構成 爲,會將光線著色成,比紅色濾光片層151R所著色的紅 色光還要短波長的綠色光。具體而言’綠色濾光片層 151G,係使用綠色的著色色素和光阻樹脂而形成,是被構 成爲,在綠色(例如波長500〜565nm)的波長帶中具有高透 光率。 於彩色濾光片1 5 1中,紅色濾光片層1 5 1 R,係將入 射光Η著色成紅色。亦即,紅色濾光片層1 5 1 R係被構成 爲,會將光線著色成,比綠色濾光片層1 5 1 G所著色的綠 色光還要長波長的紅色光》具體而言,紅色濾光片層 151R,係使用紅色的著色色素和光阻樹脂而形成,是被構 成爲,在紅色(例如波長625〜740iun)的波長帶中具有高透 光率。 於彩色濾光片151中,藍色濾光片層151B,係將入 射光Η著色成藍色。亦即,藍色濾光片層151B係被構成 爲,會將光線著色成,比紅色濾光片層1 5 1 R所著色的紅 色光及綠色濾光片層151G所著色的綠色光還要短波長的 藍色光。具體而言,藍色濾光片層151Β,係使用藍色的 著色色素和光阻樹脂而形成,是被構成爲,在藍色(例如 -40 - 201104856 波長45 0〜48 5 nm)的波長帶中具有高透光率。 各層1 5 1 R,1 5 1 G,1 5 1 B,係例如,使用含有相應於各 色的色素、分散樹脂、光聚合起始劑、多官能基光聚合性 化合物、溶劑、其他添加劑的塗佈液來進行塗佈並乾燥後 ,藉由光微影技術進行圖案加工而形成。 於本實施形態中,紅色濾光片層1 5 1 R係爲,含有比 其他綠色濾光片層151G及藍色濾光片層151B還多的黑色 色素,以調整往受光面JS投下的光量。具體而言,紅色 濾光片層151R係含有黑色色素,其他的綠色濾光片層 151G及藍色濾光片層151B則是不含有黑色色素而被形成 〇 於上記中,作爲黑色色素,係可使用例如下記的黑色 顏料(Carbon Black)。該黑色色素,係於全體固形分中, 含有1〜1 0質量%,較爲理想。
Cancarb公司製:
Carbon Black Thermax N990、N 9 91、N907、N 9 08 ' N990 、 N991 、 N90b8 等。 ASAHI CARBON CO.,LTD.製:
Carbon Black 旭#80、旭#70、旭#70L、旭 F-200、旭 #66、旭 #66HN、旭 #60H、旭 #60U、旭 #60、旭 #55、旭 #50H、旭 #51、旭 #50U ' 旭 #50、旭 #35、旭 #15、Asahi Thermal。
Degussa公司製:
ColorBlack Fw200 、 ColorBlack Fw2 、 ColorBlack -41 - 201104856
Fw2V、ColorBlack Fwl、ColorBlack Fwl8、ColorB lack S 1 70 ' ColorBlack S160、SpecialBlack6、SpecialBlack5、 SpecialBlack4 ' SpecialBlack4A、PrintexU、PrintexV、 Printexl40U、Printexl40V 等 三菱化學製:
Carbon Black#2700B 、 #2650 、 #2600 、 #2450B 、
#2400、#2350、#2300 ' #2200、#1 000、#990、#980、 #970 ' #960 ' #950 、 #900 、 #850 、 #750B 、 #650B 、 MCF88 、#650、MA600、MA7、ΜA8、MA 1 1、MA 1 00、ΜA220、 IL30B、IL31B、IL7B、ILUB、IL52B、#4000、#4010、 #55 、 #52 、 #50 、 #47 、 #45 、 #44 、 #40 、 #33 、 #32 ' #30 、 #20 、 #10 、 #5 、 CF9 、 #3050 、 #3150 、 #3250 、 #3750 、 #3 95 0 ' DIABLACK A、 DIABLACK N220M、 DIABLACK N234、DIABLACK I、DIABLACK LI 、DIABLACK II、 DIABLACK N3 39 、DIABLACK SH 、 DIABLACK SHA、 DIABLACK LH ' DIABLACK H DIABLACK HA 、 DIABLACK SF、 DIABLACK N550M 、DIABLACK E 、 DIABLACK G 、 DIABLACK R 、 DIABLACK N760M 、 DIABLACK LP 等 又,紅色濾光片層1 5 1 R所使用的色素,例如,可使 用恵醌(anthraquinone)系顏料、苑(perylene)系顏料、 diketopyrrolopyrrole系顏料。具體而言,蒽醌系顏料係可 使用例如C_ I. Pigment red 177。又,茈系顏料係可使用 例如 C. I. Pigment red 155、C. I. Pigment red 224» 又, -42- 201104856 diketopyrrolopynole 系顏料係可使用例如 c. L Pigment red 254。又,亦可使用這些和雙偶氮(disaz〇)系黃色顏料 、異吲哚(isoindoline)系黃色顔料、喹諾酞酮 (quinophthalone)系黃色顏料、或茈系紅色顏料的混合物。 該色素’係於全體固形分中,含有30質量%以上,較爲理 想。 又’作爲分散樹脂係可使用,例如,使含有羧基的樹 脂和含有縮水基的不飽和化合物所反應而成的樹脂。其他 還可使用’含羥基的(甲基)丙烯酸酯系化合物所聚合而成 的樹脂、(甲基)丙烯酸-2-乙基異氰酸酯等之樹脂。該分散 樹脂’係當假設上記色素爲1 〇 〇質量部時,則在分散時使 用20質量部以上,較爲理想。 又’作爲光聚合起始劑係可使用,例如,三嗪(triazine) 系化合物、烷胺(alkyl amino)化合物,肟(oxime)系化合物 、並咪唑(biimidazole)化合物。該光聚合起始劑,係於全 體固形分中,含有5〜2 5質量%,較爲理想。 又’作爲多官能基光聚合性化合物係可使用,例如, 具有酸性官能基、及/或alkyleneoxy鏈的多官能基光聚 合性化合物。該多官能基光聚合性化合物,係於全體固形 分中’含有2〜1 5質量%,較爲理想。 又’作爲溶劑,例如,係可將下記化合物單獨或是混 合使用。該溶劑,係於全體中,含有25〜95質量%,較爲 理想。 3-乙氧基丙酸甲酯、3_乙氧基丙酸乙酯、乙酸甘醇酯 -43- 201104856 '乳酸乙酯、二乙二醇二甲醚、醋酸丁酯、3 -甲氧 甲酯、庚酮、環己酮、乙基卡必醇醋酸酯、丁基 醋酸酯、丙二醇甲醚和丙二醇單醚醋酸酯 又,作爲其他的添加劑,係亦可添加增感·劑, 光聚合起始劑的自由基產生效率。又,亦可添加矽 系的界面活性劑等,以提升塗佈特性。 微透鏡61,係如圖2 0所示,是在基板1 〇 1的 方,隔著平坦化膜HT2,而被設置在彩色濾光片1: 方。微透鏡61,係以對應於攝像領域PA中所被排 數光電轉換部P的方式,而以複數、同一形狀而被 此處,微透鏡61係爲,從受光面JS往彩色 1 5 1側的方向上,中心形成得比邊緣還厚的凸型透 構成爲,會使入射光Η往受光面JS的中心聚光而适 例如,微透鏡61係被形成爲,平面形狀是呈 然後,於本實施形態中,微透鏡61係被構成爲, 過上述由反射型無機干涉多層膜所構成之紅外線截 2〇2(參照圖8)的入射光Η,往受光面JS的中心聚 射。 〔製造方法〕 以下說明,製造上記固體攝像裝置1的製造方: 圖22〜圖26係本發明所述之實施形態4中, 像裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的 此處,圖22〜圖26,係和圖20同樣地’是圖19Ε 基丙酸 卡必醇 以提升 系或氟 面的上 5 1的上 列的複 配置。 濾光片 鏡,被 !過。 矩形。 將穿透 斷濾鏡 光而透 固體攝 圖示。 勺 XI 1 - -44- 201104856 X2 1部分的對應部分之放大圖示。 (1)層內透鏡4 5之形成 首先,如圖22所示,形成層內透鏡45。 在早於層內透鏡45的形成之前,如圖22所示,將 二極體21、電荷讀出通道領域22、電荷傳輸通道領域 、通道截止領域24,設在基板101。例如,使用離子佈 法,將雜質導入至基板1 〇 1,以形成各部。其後,例如 藉由熱氧化法,在基板101的全面設置矽氧化膜,以形 閘極絕緣膜Gx。 然後,如圖22所示,將傳輸電極3 1等各部,形成 基板101的表面上。例如,將以CVD法將多晶矽膜(未 示)成膜後,藉由光微影技術,將該多晶矽膜進行圖案 工,以形成傳輸電極31。然後,以覆蓋傳輸電極31的 式,例如以PSG膜來形成絕緣膜Sz。然後,例如,藉 濺鍍法,將鎢膜予以成膜後,將該鎢膜藉由光微影技術 進行圖案加工,以形成金屬遮光膜41。 此後,如圖22所示,以覆蓋上述各部的方式,在 板101的表面,設置層內透鏡45。 此處,如圖22所示,是將層內透鏡45形成爲,從 光面JS往彩色濾光片1 5 1側的方向上,中心比邊緣還 的凸型透鏡。 例如,以 CVD(Chemical Vapor Deposition)法,將 漿氮化矽膜(折射率1.9〜2.0)進行成膜後,將該電漿氮 光 23 植 > 成 在 圖 加 方 由 而 基 受 厚 電 化 -45- 201104856 矽膜予以加工,以形成層內透鏡45。 (2) 平坦化膜HT1之形成 接著,如圖23所示,形成平坦化膜HT1 » 此處,爲了使層內透鏡1 25所形成的表面凹凸平坦化 ,而設置平坦化膜HT1。 具體而言,是將熱硬化性樹脂,在層內透鏡45的上 面藉由旋塗法進行成膜後,實施熱硬化處理,以形成平坦 化膜Η T 1。 例如,可以使用折射率低於層內透鏡4 5材料的熱硬 化性丙烯酸系樹脂(折射率1 · 5〜1 . 5 5左右)。其他,在丙 烯酸系樹脂中含有氟的材料、或在矽氧烷系樹脂中含有氟 的材料、在丙烯酸系樹脂中含有氟然後將中空氧化矽微粒 作爲添加物而分散在其中的材料、甚至在矽氧烷系樹脂中 含有氟然後再將中空氧化矽微粒作爲添加物而分散在其中 的材料,都可理想採用。藉由在矽氧烷樹脂中含有氟,或 是在樹脂中分散有中空氧化矽,就可使該材料的折射率降 低(1 .3〜1.45程度),可獲得光焦度較強的層內透鏡構造。 -46- 1 綠色濾光片層151G之形成 接著,如圖24所示,形成用來構成彩色濾光片151 的綠色濾光片層151G。 2 此處,如圖24所示,在平坦化膜ΗΤ1的表面上,設 置綠色濾光片層1 5 1 G。 201104856 具體而言,將含有爲了獲得綠色分光特性的色素和感 光性樹脂的塗佈液,以旋塗法進行塗佈,將光阻膜(未圖 示)予以成膜。 其後,在實施了預烤處理後,對該光阻膜進行圖案加 工,以形成綠色濾光片層1 5 1 G。 例如,使用i線縮小曝光機,對光阻膜轉印圖案像而 實施圖案曝光處理。其後,將有機鹼水溶液(四甲基氫氧 化銨中添加非離子系界面活性劑而成者等)當作顯影液使 用,針對實施過圖案曝光處理的光阻膜,實施顯影處理。 然後,進行後烤處理,形成綠色濾光片層1 5 1 G。 (4)紅色濾光片層15 1R之形成 接著,如圖25所示,形成用來構成彩色濾光片151 的紅色濾光片層151R。 此處,如圖25所示,在平坦化膜HT1的表面上,設 置紅色濾光片層1 5 1 R。 具體而言,將含有紅色色素和感光性樹脂的塗佈液, 以旋塗法進行塗佈,將光阻膜(未圖示)予以成膜。 於本實施形態中,如上述,除了紅色色素以外,還更 在上記塗佈液中,含有黑色色素,來形成該光阻膜(未圖 示)。 其後,在實施了預烤處理後,對該光阻膜進行圖案加 工,以形成紅色濾光片層1 5 1 R。 例如,使用i線縮小曝光機,對光阻膜轉印圖案像而 -47- 201104856 實施圖案曝光處理。其後,將有機鹼水溶液(四甲基氫氧 化銨中添加非離子系界面活性劑而成者等)當作顯影液使 用’針對實施過圖案曝光處理的光阻膜,實施顯影處理。 然後’進行後烤處理,形成紅色濾光片層1 5 1 R。 其後’雖然省略圖示,但將藍色濾光片層1 5 1 B設在 平坦化膜HT1的表面上,完成由3原色所成之彩色濾光片 15 1 = (5 )平坦化膜Η T 2之形成 接著,如圖26所示,在彩色濾光片151上,形成平 坦化膜Η Τ 2。 此處,是以覆蓋於彩色濾光片1 5 1的上面而使其平坦 化的方式,而設置平坦化膜ΗΤ2。 具體而言,是將熱硬化性樹脂,在彩色濾光片151的 上面藉由旋塗法進行成膜後,實施熱硬化處理,以形成平 坦化膜Η Τ 2。 (6)微透鏡61之形成 接著,如圖20所示,在平坦化膜ΗΤ2的上面,形成 微透鏡6 1。 此處,如圖20所示,是將微透鏡61設置成,從受光 面JS往彩色濾光片1 5 1側的方向上,中心被形成得比邊 緣還厚的凸型透鏡。 例如,將正片型的光阻膜(未圖示)成膜在平坦化膜 -48- 201104856 HT2的上面後’進行加工,以形成微透鏡6 1。 具體而言,使用聚苯乙烯作爲基底樹脂,使用鄰疊氮 萘醌(diazonaphthoquinone)作爲感光劑,將正片型的光阻 膜,以旋塗法而成膜之,實施預烤處理。然後,使用i線 縮小曝光機’將圖案像照射至該正片型光阻膜,實施曝光 處理。其後,針對實施過曝光處理的光阻膜,實施顯影處 理。在此顯影處理中,例如,是將有機鹼水溶液(在四甲 基氫氧化銨中添加非離子系界面活性劑而成者等)作爲顯 影液使用。然後,進行脫色以消除可見光中短波長領域之 光吸收’而全面照射紫外線。其後,以熱軟化點以上的溫 度,對光阻膜實施熱處理。藉此,完成了微透鏡61。 [總結] 如以上所述,在本實施形態中,將入射光Η予以著色 而往受光面透射用的彩色濾光片151,是被設置在受光面 JS的上方(參照圖20)。此處,於彩色濾光片151中,紅色 濾光片層1 5 1 R係爲,將入射光Η著色成波長比綠和藍還 長之色彩的紅色用的濾光片,且含有黑色色素。另一方面 ,綠色濾光片層151G及藍色濾光片層151Β係不含有黑色 色素。因此,本實施形態係因爲降低紅色成分的輸出,使 各色的分光輸出同等,所以色彩重現性佳,可提升攝像影 像的影像品質。 關於該作用、效果,以下係具體說明。 圖27係本發明所述之實施形態4中,紅色濾光片層 -49- 201104856 151R之分光穿透特性的圖示。於圖27中,橫軸係爲波長 (nm),縱軸係爲穿透率(%)。此處係圖示了,像素尺寸係 爲1.55 μπι □的交錯線型CCD的分光特性。又,圖27中, 實線係表示本實施形態的情形,是含有黑色色素的情形。 另一方面,虛線係表示異於本實施形態,是不含黑色色素 的情形。具體而言,以實線所表示的分光特性,係相對於 虛線所示,在爲了獲得分光特性所需之全體固形分,添加 了 5.1重量%的黑色色素(碳黑)時的情形。因此,膜厚, 在實線時係爲〇 . 7 3 5 μπι,在虛線時係爲0.7 μπι。 圖28係本發明所述之實施形態4中,固體攝像裝置1 之分光輸出的圖示。於圖28中係圖示了,紅色成分的輸 出Vr、綠色成分之分光輸出Vg、藍色成分之分光輸出Vb 〇 如圖27所示,因爲紅色濾光片層1 5 1 R係含有黑色色 素(實線),所以相較於不含有黑色色素的情形(虛線),穿 透率是較爲降低》 具體而言,不含有黑色色素的情形(虛線),紅色波長 範圍中的平均穿透率是9 7 · 5 %。相對於此’如本實施形態 ,含有黑色色素的紅色濾光片層1 5 1 R(實線),紅色波長範 圍中的平均穿透率是80.2%。 因此,如圖28所示,可降低紅色成分的輸出Vr。亦 即,本實施形態是在彩色濾光片中含有黑色色素’以使各 色的分光輸出成爲同等。 藉此,於本實施形態中,上述白平衡的調整可變得容 -50- 201104856 易’可提升紅色的色分離性,因此色彩重現性佳。 因此,本實施形態係可提升攝像影像的影像品質。 又,於本實施形態中,是爲了截斷入射光Η的紅外線 成分然後才往微透鏡61透射,而設置了由反射型的無機 干涉多層膜所構成之紅外線截斷濾鏡202 (參照圖8)。 此情況下,如上述,有時會產生鬼影現象,降低攝像 影像的影像品質。 圖29至圖32係用來說明鬼影現象的圖。圖29係於 固體攝像裝置中,和本實施形態不同,對不含有黑色色素 的紅色濾光片層1 5 1 Rc的部分所入射的入射光Η的舉動, 以模式性加以圖示。又,圖3 0、圖3 2係圖示了入射至固 體攝像裝置1的光的分光特性。又,圖31係圖示了紅外 線截斷濾鏡202的反射特性。 如圖29所示,入射光Η係首先入射至紅外線截斷濾 鏡202。然後,藉由紅外線截斷濾鏡202,長波長成分的 光IR係被反射,紅外線係被截斷。 接著,如圖29所示,穿透過紅外線截斷濾鏡202的 穿透光Ha,係透過微透鏡61、紅色濾光片層151 Rc等之 構件,而入射至光二極體21。然後,在光二極體21中, 進行光電轉換。 此時,會有未進行光電轉換而反射的成分存在,該反 射光Hb,係如圖29所示,會返回至紅色濾光片層151RC 、微透鏡6 1等。 接著,該反射光Hb,係如圖29所示,成爲像素之排 -51 - 201104856 列間隙所致之繞射光’而返回至紅外線截斷濾鏡202 °此 處,反射光H b,係具備如圖3 0所示的分光特性’而入射 至紅外線截斷濾鏡202。 接著,反射光Hb,係如圖29所示,被紅外線截斷濾 鏡202所反射。紅外線截斷濾鏡202 ’係具備如圖3 1所示 的反射特性。因此,被紅外線截斷濾鏡202所反射的反射 光He,係具備如圖32所示的分光特性,而會再度入射至 紅色濾光片層1 5 1 Re、微透鏡6 1等構件。 然後,如圖3 2所示,含紅色成分的反射光H c ’會入 射至光二極體21,進行光電轉換。 在圖32中雖然沒有圖示,但綠色成分的光,係幾乎 沒有被紅外線截斷濾鏡2〇2所反射,而是穿透過紅外線截 斷濾鏡202(參照圖31)。又,藍色成分的光,係如圖31所 示,其一部分(400〜420 nm之範圍)的光是被反射,但因爲 成組透鏡等,導致入射的時點上就有許多衰減。 因此,有時會因爲紅色成分的光而導致鬼影現象發生 ,降低攝像影像的影像品質。 可是,在本實施形態中,如上述,紅色濾光片層 151R係含有黑色色素。因此,可抑制鬼影的發生。
圖3 3係本發明所述之實施形態4中,用來說明鬼影 現象的發生受到抑制的圖。於圖33中,和圖32相同地, 圖示已被紅外線截斷濾鏡202所反射的反射光(在圖29中 係爲He)的分光特性。在圖3 3中,虛線係表示本實施形態 的情形,實線是表示在本實施形態的紅色濾光片層1 5 1 R -52- 201104856 中不含黑色色素的情形。 如圖33所示,在本實施形態中,因爲使紅色濾光片 層1 51R中含有黑色顏料,所以被紅外線截斷濾鏡202所 反射的反射光(圖29的He),係被紅色濾光片層151R所吸 收,其光量係降低。具體而言,由圖形的積分値可知,可 降低4 0 %左右的光量。 因此,本實施形態係可抑制鬼影的發生,可提升攝像 影像的影像品質。 < 2.實施形態5> 〔裝置構成〕 圖3 4係本發明所述之實施形態5中,固體攝像裝置 lb之要部的圖示。此處,圖34係圖示了主要部的剖面, 是將圖19的XII-X2 1部分予以放大圖示》 如圖34所示,在本實施形態中,固體攝像裝置lb係 爲,紅色濾光片層1 5 1 Rb是和實施形態4不同。又,相對 於實施形態1,而還又設置了黑色色素含有層151K。除了 這點以及其關連的點以外,本實施形態係和實施形態4同 樣。因此,關於重複部分則是省略記載。 紅色濾光片層1 5 1 Rb,係和實施形態4的情況不同, 是不含有黑色顔料。除了這點以外,其餘均和實施形態4 的情況相同地而被形成。 黑色色素含有層151K,係如圖34所示,被設在平坦 化膜HT1的上面。黑色色素含有層151K,係於基板101 -53- 201104856 的攝像領域PA中,介隔在光二極體21的受光面、和紅色 濾光片層151 Rb之間,而被設置。黑色色素含有層151K ,係含有黑色色素。然後,黑色色素含有層151K’係被 設在受光面JS的上方,是被構成爲’讓入射光Η往受光 面J S透射。 圖3 5係本發明所述之實施形態5中,黑色色素含有 層151Κ的放大圖。此處,圖35係表示黑色色素含有層 151Κ的上面》 如圖35(a)所示,黑色色素含有層151Κ,係在沿著基 板101的面(xy面)的方向上,被形成爲平面形狀是呈正方 形,且其邊是沿著水平方向X與垂直方向y而配置。 其他,亦可爲,如圖35(b)〜(d)所不,將黑色色素含 有層1 5 1 K,形成各種平面形狀。 例如,如圖35(b)所示,亦可將黑色色素含有層151K 形成爲,圖35(a)所示正方形的平面形狀之一半的矩形形 狀。又,如圖35(c)所示,亦可將黑色色素含有層151K形 成爲,在正方形的平面形狀中,在其4角配置等腰三角形 ,其內部是開口的形狀。又,如圖35(d)所示’亦可將黑 色色素含有層151K形成爲,平面形狀是正方形,其邊是 沿著對水平方向X和垂直方向y分別傾斜45°角度之方向 而配置。又,黑色色素含有層151K的形狀亦可是圖35所 示以外的形狀,只要讓被微透鏡所聚光之光束的一部分能 夠通過黑色色素含有層151K即可。 -54- 201104856 〔製造方法〕 以下說明,製造上記固體攝像裝置lb的製造方法。 圖3 6〜圖3 9係本發明所述之實施形態5中,固體攝 像裝置lb之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示 。此處,圖36〜圖39,係和圖34同樣地,是圖19的 XI 1-X21部分的對應部分的剖面之放大圖示,將各工程中 所設置的要部,依照圖3 6〜圖3 9的順序而圖示。 (1)黑色色素含有層151K之形成 首先,如圖36所示,形成黑色色素含有層151K。 在早於該黑色色素含有層151K的形成之前,如上述 的實施形態4中所示,形成層內透鏡45、平坦化膜HT1( 參照圖2 2、圖2 3)。 其後,如圖36所示,在平坦化膜HT1的上面,設置 黑色色素含有層151K。 此處,於平坦化膜HT1上,以對應於紅色減光片層 151R之形成領域的方式,設置黑色色素含有層151K。 具體而言,將含有黑色色素和感光性樹脂的塗佈液, 以旋塗法進行塗佈,將光阻膜(未圖示)予以成膜。 其後,在實施了預烤處理後,對該光阻膜進行圖案加 工,以形成黑色色素含有層151K。 例如,使用 SK-9000C(FUJIFILM Electronic Materials Co., Ltd.製),將光阻膜予以成膜。例如,使得膜厚爲〇.〇4μιη 而實施該成膜。此處,針對SK-9000C,是將丙二醇甲醚 -55- 201104856 醋酸酯、和丙二醇單甲醚以9:1的比率作稀釋,調整成 能獲得相同膜厚。然後,例如,使用i線縮小曝光機,針 對該光阻膜,實施用來轉印圖案像的圖案曝光處理。其後 ,將有機鹼水溶液(四甲基氫氧化敍中添加非離子系界面 活性劑而成者等)當作顯影液使用,針對實施過圖案曝光 處理的光阻膜,實施顯影處理。然後,進行後烤處理,形 成黑色色素含有層151K。 此外,黑色色素含有層151K的膜厚,理想係爲 0.2 μιη以下,更理想係爲0.1 μηι以下。又,亦可適宜調整 黑色色素的含有量,使膜厚最佳化。 (2) 綠色濾光片層151G之形成 接著,如圖3 7所示,形成用來構成彩色濾光片151 的綠色濾光片層151G。 此處,如圖37所示,在平坦化膜ΗΤ1的表面上,設 置綠色濾光片層151G。 具體而言,和實施形態4同樣地,將含有綠色色素和 感光性樹脂的塗佈液,以旋塗法進行塗佈,將光阻膜(未 圖示)予以成膜。其後,在實施了預烤處理後,對該光阻 膜進行圖案加工,以形成綠色濾光片層1 5 1 G。 (3) 紅色濾光片層151Rb之形成 接著,如圖3 8所示,形成用來構成彩色濾光片151 的紅色濾光片層151Rb -56- 201104856 此處,如圖38所示,在平坦化膜HT1上所被設置之 黑色色素含有層151K的表面上,設置紅色濾光片層 151Rb 。 具體而言,和實施形態4同樣地,將含有紅色色素和 感光性樹脂的塗佈液,以旋塗法進行塗佈,將光阻膜(未 圖示)予以成膜。於本實施形態中,係除了紅色色素以外 ,在上記塗佈液中是不含有黑色色素,來形成該光阻膜( 未圖不)。 其後,在實施了預烤處理後,對該光阻膜進行圖案加 工,以形成紅色濾光片層151 Rb。 其後,雖然省略圖示,但和實施形態4同樣地’將藍 色濾光片層151B設在平坦化膜HT1的表面上,完成由3 原色所成之彩色濾光片151。 (4)平坦化膜HT2之形成 接著,如圖39所示,在彩色濾光片151上’形成平 坦化膜HT2。 此處,是以覆蓋於彩色濾光片151的上面而使其平坦 化的方式,而設置平坦化膜HT2。 具體而言,是將熱硬化性樹脂’在彩色濾光片1 5 1的 上面藉由旋塗法進行成膜後,實施熱硬化處理’以形成平 坦化膜Η T 2。 (5)微透鏡61之形成 -57- 201104856 接著,如圖34所示,在平坦化膜HT2的上面,形成 微透鏡61。 此處,如圖3 4所示,和實施形態4同樣地’將微透 鏡61設置成凸型透鏡。 [總結] 如以上,在本實施形態中,係設置了含有黑色色素的 黑色色素含有層151K。黑色色素含有層151K,係於受光 面JS的上方,介隔在紅色濾光片層151 Rb和受光面JS之 間,是被構成爲,讓從紅色濾光片層1 5 1 Rb所入射的入射 光Η,往受光面JS透射。 圖40係本發明所述之實施形態5中,黑色色素含有 層151Κ之分光特性的圖示。於圖40中’橫軸係爲波長 (nm),縱軸係爲穿透率(%)。 如圖40所示,黑色色素含有層151K,係含有可見光 線的波長領域,係被形成爲’在40〇〜7 5 0nm左右的波長 範圍中,透光率係爲75〜88%。又’黑色色素含有層 151K係被形成爲,隨著波長越長,透光率會越大。 因此,於本實施形態中,不含黑色色素的紅色濾光片 層151 Rb,和黑色色素含有層151K兩者重疊時的分光特 性,係和實施形態4中以圖2 7所圖示者爲相同的分光特 性。 藉此,本實施形態係和實施形態4同樣地,上述白平 衡的調整可變得容易,可提升紅色的色分離性’因此色彩 -58- 201104856 重現性佳。 又,本實施形態,係可抑制鬼影的發生° 因此,本實施形態係可提升攝像影像的影像品質。 < 3.實施形態6> 〔裝置構成等〕 圖4 1係本發明所述之實施形態6中,固體攝像裝置 lc之要部的圖示。圖41係爲彩色濾光片151的平面圖。 如圖4 1所示,在本實施形態中’固體攝像裝置1 c係 爲,構成彩色濾光片151的綠色濾光片層151Gc和藍色濾 光片層1 5 1 B c,是和實施形態4不同。除了這點以及其關 連的點以外,本實施形態係和實施形態4同樣。因此’關 於重複部分則是省略記載。 如圖41所示,彩色濾光片1 5 1,係和實施形態4同樣 地,含有紅色濾光片層151R、綠色濾光片層151Gc、藍色 濾光片層151Bc的3原色之著色濾光片。 然後,紅色濾光片層151R、綠色濾光片層151Gc、藍 色濾光片層1 5 1 B c,係分別如圖4 1所示,例如以B ayer排 列的方式作排列配置。 構成彩色濾光片1S1的紅色濾光片層151R,係和實 施形態4同樣地形成,是被形成爲含有黑色色素。 除此以外,構成彩色濾光片151的綠色濾光片層 1 5 1 G c、藍色濾光片層1 5 1 B c ’係分別和實施形態4不同 ,是被形成爲含有黑色色素。 -59- 201104856 在本實施形態中,紅色濾光片層1 5 1 R、綠色濾光片 層151Gc、藍色濾光片層151BC之每一者係被形成爲,黑 色色素是含有相同的量。 於上記中,作爲黑色色素,係可使用實施形態4所列 出的黑色顏料(Carbon Black)。該黑色色素,係於全體固 形分中,含有1〜1 〇質量%,較爲理想。 [總結] 如以上,在本實施形態的彩色濾光片1 5 1中,除了紅 色濾光片層151R以外,綠色濾光片層151GC和藍色濾光 片層151Bc也分別含有黑色色素。因此,除了實施形態4 的效果外,當像素尺寸是比較大時(例如2.0 μιη□以上), 則如下記所示,可抑制綠色成分及藍色成分的光所造成的 鬼影現象之發生。 圖42係用來說明本發明所述之實施形態6中,起因 於綠色成分光的鬼影現象的發生受到抑制之樣子的圖。 如圖42所示,入射光Η係首先入射至紅外線截斷濾 鏡202。然後,藉由紅外線截斷濾鏡202,長波長成分的 光IR係被反射,紅外線係被截斷。 接著,如圖42所示,穿透過紅外線截斷濾鏡202的 穿透光Ha,係透過微透鏡61'綠色濾光片層151Gc等之 構件,而入射至光二極體21。然後,在光二極體21中, 進行光電轉換。 此時’會有未進行光電轉換而反射的成分存在,該反 -60- 201104856 射光Hb,係如圖42所示,會返回至綠色濾光片層151 、微透鏡6 1等。 接著,該反射光Hb,係如圖42所示,朝各個方向 進,而返回至紅外線截斷濾鏡202。 接著,反射光Hb,係如圖42所示,穿透過紅外線 斷濾鏡202。亦即,因爲紅外線截斷濾鏡202是具備圖 所示的反射特性,所以反射光Hb係不被紅外線截斷濾 2〇2反射,大多穿透,而入射至光學系201。 接著,反射光Hb,係如圖42所示,被光學系201 表面所反射。然後,光學系20 1的表面所反射的反射 He,係再度入射至綠色濾光片層151Gc、微透鏡61等 件。 然後,如圖42所示,含綠色成分的反射光He,會 射至光二極體21,進行光電轉換。 雖然未圖示,但與含綠色成分的反射光He同樣地 有時候,藍色成分的光也是其中一部分會被光學系20 1 反射,該反射光會入射至光二極體21,而被進行光電轉 〇 因此,有時會因爲綠色成分及藍色成分的光而導致 影現象發生,降低攝像影像的影像品質。 可是,在本實施形態中,係如上述,和實施形態4 紅色濾光片層151R同樣地,綠色濾光片層151Gc和藍 濾光片層151Bc也分別含有黑色色素。因此,在本實施 態中,分別藉由綠色濾光片層1 5 1 G c和藍色濾光片
Gc 刖 截 3 1 鏡 的 光 構 入 所 換 鬼 的 色 形 層 -61 - 201104856 151Bc,被光學系201所反射的反射光(圖42的He),其光 量就會降低。 因此,本實施形態係可抑制起因於綠色成分及藍色成 分之光的鬼影現象之發生,可提升攝像影像的影像品質》 又,同時,在本實施形態中,因爲綠色濾光片層 1 5 1 Gc和藍色濾光片層1 5 1 Be分別都含有黑色色素,所以 可降低應抑制之波長領域(若是藍色則爲48 5nm以上,若 是綠色則爲400〜500nm、565nm以上)的「分光浮動」。 藉此,可提升色彩分離性等,因此可提升攝像影像的影像 品質。 此外,在本實施形態中雖然例示了,關於紅色濾光片 層151R、綠色濾光片層151Gc、藍色濾光片層151Bc分 別含有相同比例的相同黑色色素,但並非限定於此。紅色 濾光片層151R、綠色濾光片層151 Gc、藍色濾光片層 1 5 1 Be之間,亦可以彼此不同的比例來含有黑色色素。例 如,當紅色成分的輸出是比其他顏色成分之輸出還大時, 或當紅色所致之鬼影的發生較爲顯著時,則使紅色濾光片 層151R的黑色色素含有比率多過綠色濾光片層151 Gc及 藍色濾光片層1 5 1 Be,較爲理想。 又,將實施形態5所示的黑色色素含有層151K,分 別對應於紅色濾光片層、綠色濾光片層、藍色濾光片層的 方式而設置的情況下,仍可獲得和本實施形態同樣的作用 .效果。 -62- 201104856 < 4 .其他> 本發明的實施之際,並非限定於上記實施形態,可採 用各種的變形例。 例如,在上記的實施形態中,雖然針對在平坦化膜 Η T2上形成微透鏡6 1的情形加以說明,但並非限定於此 。例如,除了上記以外,亦可不在彩色濾光片1 5 1上設置 平坦化膜ΗΤ2,而形成微透鏡6 1。此情況下,係可對彩色 濾光片151的表面,直接地平坦地塗佈微透鏡材質膜。然 後,在該微透鏡材質膜上,將光阻膜圖案加工成矩形形狀 而設置之。其後,針對該光阻膜,進行熱軟化點以上的熱 處理,成爲透鏡形狀。然後,使用該透鏡形狀的光阻遮罩 ,針對基底的微透鏡材質膜,實施乾式蝕刻處理,以形成 微透鏡6 1即可。 又,例如,在上記的實施形態中,雖然針對適用於 C CD型影像感測器的情形加以說明,但並非限定於此。例 如,可適用於CMOS型影像感測器等各種影像感測器。 又,關於層內透鏡45的構造,係不限定於上記的實 施形態所示之構造。除了上凸透鏡以外,亦可設計成凹透 鏡等各式各樣的透鏡形狀。 又,於上記實施形態中,雖然例示了,將黑色色素含 有層151K設置在受光面JS、和紅色濾光片層151Rb等彩 色濾光片1 5 1之間的情形,但並非限定於此。亦可在彩色 濾光片1 5 1的上方,設置黑色色素含有層1 5 1 K。此情況 下,亦可構成爲,例如,藉由使微透鏡中含有黑色色素, -63- 201104856 就可使該微透鏡成爲黑色色素含有層而發揮機能。 又,亦可以覆蓋微透鏡之表面的方式,來設置黑色色 素含有層。此情況下,亦可爲,例如,使折射率低於微透 鏡的樹脂材料(例如含氟樹脂)中含有黑色色素,將所如此 構成的黑色色素含有層,以使得微透鏡61之表面變成平 坦的方式而加以設置。 又,除此以外,亦可將含有鈦黑或石墨黑的層,當作 黑色色素含有層而設置。若爲石墨黑,則例如藉由公知的 微影法,就可形成圖案。 又,在上記的實施形態中,雖然對攝相機適用本發明 來說明,但並非限定於此。亦可對於掃描器、複印機等這 類具備固體攝像裝置的其他電子機器,適用本發明。 此外,在上記的實施形態中,固體攝像裝置1,lb, lc ,係相當於本發明的固體攝像裝置。又,在上記的實施形 態中,層內透鏡45,係相當於本發明的層內透鏡。又,在 上記的實施形態中,彩色濾光片1 5 1,係相當於本發明的 彩色濾光片。又,在上記的實施形態中,藍色濾光片層 151B、151BC,係相當於本發明的第3之著色層。又,在 上記的實施形態中,綠色濾光片層1 5 1 G、1 5 1 G c,係相當 於本發明的第2之著色層。又,在上記的實施形態中,紅 色濾光片層151R、151 Rb,係相當於本發明的第1之著色 層。又,在上記的實施形態中,黑色色素含有層151K, 係相當於本發明的黑色色素含有層。又,在上記的實施形 態中,微透鏡61,係相當於本發明的微透鏡。又,在上記 -64- 201104856 的實施形態中,基板1 〇 1,係相當於本發明的基板。又, 在上記的實施形態中,相機200,係相當於本發明的電子 機器。又,在上記的實施形態中,紅外線截斷濾光片202 ,係祖當於本發明的截斷濾光片。又,在上記的實施形態 中,受光面JS,係相當於本發明的受光面。又,在上記的 實施形態中,光電轉換部P,係相當於本發明的光電轉換 部。又,在上記的實施形態中,攝像領域P A,係相當於 本發明的攝像領域。 【圖式簡單說明】 [圖1]圖1係固體攝像裝置1J的要部剖面圖。 [圖2]圖2係紅外線截斷濾光片的分光特性之圖示。 [圖3]圖3係圖示了,針對入射至固體攝像裝置的平行 光,透過微透鏡、彩色濾光片、層內透鏡而傳達的樣子, 實施波動模擬的結果圖。 [圖4]圖4係表示,於固體攝像裝置中的分光輸出。 [圖5]圖5係本發明所述之實施形態1中,固體攝像 裝置1的全體構造之槪略的平面圖。 [圖6]圖6係本發明所述之實施形態1中,固體攝像 裝置1之要部的圖示。 [圖7]圖7係本發明所述之實施形態1中,固體攝像 裝置1之要部的圖示。 [圖8 ]圖8係本發明所述之實施形態1、4中,相機 200之構成的構成圖。 -65- 201104856 [圖9]圖9係本發明所述之實施形態1中,固體攝像 裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 [圖10]圖10係本發明所述之實施形態1中,固體攝 像裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 [圖11]圖11係本發明所述之實施形態1中,固體攝 像裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 [圖12]圖12係本發明所述之實施形態1中,固體攝 像裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 [圖1 3 ]圖1 3係本發明所述之實施形態1中,固體攝 像裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 [圖14]圖14係本發明所述之實施形態1中,固體攝 像裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 [圖1 5 ]圖1 5係本發明所述之實施形態2中,固體攝 像裝置lb之要部的圖示。 [圖16]圖16係本發明所述之實施形態2中,固體攝 像裝置lb之要部的圖示。 [圖17]圖17係本發明所述之實施形態3中,固體攝 像裝置lc之要部的圖示。 [圖18]圖18係本發明所述之實施形態3中,固體攝 像裝置lc之要部的圖示。 [圖19]圖19係本發明所述之實施形態4中,固體攝 像裝置1的全體構造之槪略的平面圖。 [圖20]圖20係本發明所述之實施形態4中,固體攝 像裝置1之要部的圖示。 -66 - 201104856 [圖21]圖21係本發明所述之實施形態4中,彩色濾 光片51的圖示。 [圖22]圖22係本發明所述之實施形態4中,固體攝 像裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 [圖23]圖23係本發明所述之實施形態4中,固體攝 像裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 [圖24]圖24係本發明所述之實施形態4中,固體攝 像裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 [圖25]圖25係本發明所述之實施形態4中,固體攝 像裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 [圖26]圖26係本發明所述之實施形態4中,固體攝 像裝置1之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示。 [圖27]圖27係本發明所述之實施形態4中,紅色濾 光片層51R之分光穿透特性的圖示。 [圖2 8 ]圖2 8係本發明所述之實施形態4中,固體攝 像裝置1之分光輸出的圖示。 [圖29]圖29係用來說明鬼影現象的圖。 [圖3 0]圖30係用來說明鬼影現象的圖。 [圖31]圖31係用來說明鬼影現象的圖。 [圖3 2]圖32係用來說明鬼影現象的圖。 [圖3 3 ]圖3 3係本發明所述之實施形態4中,用來說 明鬼影現象的發生受到抑制的圖。 [圖34]圖34係本發明所述之實施形態5中,固體攝 像裝置lb之要部的圖示。 -67- 201104856 [圖3 5 ]圖3 5係本發明所述之實施形態5中,黑色色 素含有層51K的放大圖。 [圖36]圖36係本發明所述之實施形態5中,固體攝 像裝置lb之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示 〇 [圖37]圖37係本發明所述之實施形態5中,固體攝 像裝置lb之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示 〇 [圖38]圖38係本發明所述之實施形態5中,固體攝 像裝置lb之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖示 〇 [圖39]圖39係本發明所述之實施形態5中,固體攝 像裝置lb之製造方法之各工程中所被設置之要部的圖不 〇 [圖40]圖40係本發明所述之實施形態4中’黑色色 素含有層51K的分光特性的圖示。 [圖4 1 ]圖4 1係本發明所述之實施形態6中’固體攝 像裝置lc之要部的圖示。 [圖42]圖42係本發明所述之實施形態6中’用來說 明鬼影現象的發生受到抑制之樣子的圖。 【主要元件符號說明】 llc,1J :固體攝像裝置 21 :光二極體 -68 - 201104856 22 :電荷讀出通道領域 23 :電荷傳輸通道領域 24 :通道截止領域 3 1 :第1傳輸電極 32 :第2傳輸電極 41,41〗:金屬遮光膜 42 :光反射膜 43, 43J ·· OCB 膜 45 :層內透鏡 5 1 :曝光光線吸收層 6 1 :微透鏡 1 〇 1 :基板 1 5 1 :彩色濾光片 151B,151BC:藍色濾光片層 15 1G, 15 lGc :綠色濾光片層 151K:黑色色素含有層 151R, 151Rb,151RC:紅色濾光片層 200 :相機 201 :光學系 202 :紅外線截斷濾鏡 2 0 3 :驅動電路 204 :訊號處理電路 FT :平坦化膜 Gx :閘極絕緣膜 -69 - 201104856 Η :曝光光線 ΗΤ :水平傳輸暫存器部 ΗΤ1,ΗΤ2:平坦化膜 JA :受光領域 JS :受光面 ΚΚ :開口 OUT :輸出部 P :光電轉換部 PA :攝像領域 PM :光罩 PR :光阻膜 RO :電荷讀出部 SB :遮光部 S S :元件分離部
Sz,Szl,Sz2, Sz3 :層間絕緣膜
Vb:藍色成分之分光輸出
Vg:綠色成分之分光輸出
Vr :紅色成分之分光輸出 VT:垂直傳輸暫存器部 -70-

Claims (1)

  1. 201104856 七、申請專利範圍: 種固體攝像裝置之製造方法,其特徵爲, 具有:固體攝像裝置製造工程,係製造固體攝像裝置 ’其係爲’將光線於受光面進行受光以生成訊號電荷的光 電轉換部’是被設置在基板上; 前記固體攝像裝置製造工程係含有: 金屬遮光膜形成工程,係於前記基板之上方,在前記 受光面所對應之領域以外的領域,形成金屬遮光膜;和 光反射膜形成工程,係在前記金屬遮光膜的上方,形 成用來反射光線的光反射膜;和 光阻圖案層形成工程,係針對被成膜在前記光反射膜 之上方的負片型光阻膜,實施曝光處理後,實施現像處理 ,以從前記光阻膜來形成光阻圖案層: 於前記光反射膜形成工程中,係 形成前記光反射膜,以使得:前記光反射膜是含有對 應於前記光阻圖案層之圖案形狀的形狀’並在前記光阻圖 案層形成工程中的前記曝光處理之實施時’會使曝光光線 反射至前記光阻膜。 2.如申請專利範圍第1項所記載之固體攝像裝置之製 造方法,其中’ 前記固體攝像裝置製造工程係含有: 電荷讀出部形成工程’係在前記基板形成電荷讀出部 ,其係以電荷讀出通道領域’將前記光電轉換部所生成之 訊號電荷予以讀出:和 -71 - 201104856 傳輸暫存器部形成工程,係在前記基板形成傳輸暫存 器部,其係以電荷傳輸通道領域,來傳輸已經藉由前記電 荷讀出部而從前記光電轉換部中所讀出之訊號電荷; 於前記金屬遮光膜形成工程中,係在前記電荷讀出通 道領域及前記電荷傳輸通道領域之上方,形成前記金屬遮 光膜,以將入射至前記電荷讀出通道領域及前記電荷傳輸 通道領域的光線予以遮光。 3 ·如申請專利範圍第2項所記載之固體攝像裝置之製 造方法,其中, 於前記光阻圖案層形成工程中,係形成黑色的彩色光 阻圖案層,來作爲前記光阻圖案層。 4.如申請專利範圍第3項所記載之固體攝像裝置之製 造方法,其中, 於前記光阻圖案層形成工程中,係以直接接觸於前記 光反射膜的方式,而將前記負片型光阻膜予以成膜。 5 .如申請專利範圍第3項所記載之固體攝像裝置之製 造方法,其中, 前記固體攝像裝置製造工程係具有: 曝光光線吸收層形成工程,係形成曝光光線吸收層, 其係用以吸收,前記光阻圖案層形成工程中的前記曝光處 理之實施時的曝光光線; 前記曝光光線吸收層形成工程,係在前記金屬遮光膜 形成工程的實施後,且前記光反射膜形成工程的實施前, 以在前記基板之上方而介隔存在於前記金屬遮光膜與前記 -72- 201104856 光反射 6. 具 ,其係 電轉換 前 金 受光面 光 成用來 光 之上方 ,以從 於 形 應於前 案層形 反射至 7. 含 光 光而生 金 光面所 膜之間的方式,形成前記曝光光線吸收層》 一種攝相機之製造方法,其特徵爲, 有:固體攝像裝置製造工程,係製造固體攝像裝置 爲’將光線於受光面進行受光以生成訊號電荷的光 部,是被設置在基板上; 記固體攝像裝置製造工程係含有: 屬遮光膜形成工程,係於前記基板之上方,在前記 所對應之領域以外的領域,形成金屬遮光膜;和 反射膜形成工程,係在前記金屬遮光膜的上方,形 反射光線的光反射膜;和 阻圖案層形成工程,係針對被成膜在前記光反射膜 的負片型光阻膜,實施曝光處理後,實施現像處理 前記光阻膜來形成光阻圖案層; 前記光反射膜形成工程中,係 成前記光反射膜,以使得:前記光反射膜是含有對 記光阻圖案層之圖案形狀的形狀,並在前記光阻圖 成工程中的前記曝光處理之實施時,會使曝光光線 前記光阻膜。 一種固體攝像裝置,其特徵爲, 有: 電轉換部,係被設在基板,以受光面將光線予以受 成訊號電荷;和 屬遮光膜,係被形成在前記基板之上方而在前記受 對應之領域以外的領域;和 -73- 201104856 光反射膜,係被形成在前記金屬遮光膜的上方;和 光阻圖案層,係被形成在前記光反射膜的上方; 前記光阻圖案層,係藉由針對被成膜在前記光反射膜 之上方的負片型光阻膜,實施曝光處理後,實施現像處理 ,而被形成: 前記光反射膜係含有對應於前記光阻圖案層之圖案形 狀的形狀,並且是被形成爲,在前記曝光處理的實施時, 該當光反射膜會使曝光光線反射至前記光阻膜。 8. —種攝相機,其特徵爲, 含有: 光電轉換部,係被設在基板,以受光面將光線予以受 光而生成訊號電荷;和 金屬遮光膜,係被形成在前記基板之上方而在前記受 光面所對應之領域以外的領域;和 光反射膜’係被形成在前記金屬遮光膜的上方;和 光阻圖案層’係被形成在前記光反射膜的上方; 前記光阻圖案層,係藉由針對被成膜在前記光反射膜 之上方的負片型光阻膜,實施曝光處理後,實施現像處理 ,而被形成; 前記光反射膜係含有對應於前記光阻圖案層之圖案形 狀的形狀,並且是被形成爲,在前記曝光處理的實施時, 該當光反射膜會使曝光光線反射至前記光阻膜。 9. 一種固體攝像裝置,其特徵爲, 具有: -74- 201104856 光電轉換部,係被設在基板的攝像領域中,以受光面 將入射光予以受光而生成訊號電荷;和 彩色濾光片,係於前記基板的攝像領域中被設在前記 受光面的上方,被構成爲,將前記入射光予以著色而透射 至前記受光面; 前記彩色濾光片,係含有黑色色素。 1 〇.如申請專利範圍第9項所記載之固體攝像裝置, 其中, 前記光電轉換部,係於前記攝像領域中被複數排列; 前記彩色濾光片,係至少含有: 第1著色層,係用以將前記入射光,著色成第1色彩 :和 第2著色層,係用以將前記入射光,著色成與前記第 1色彩不同之色彩、且爲波長短於前記第1色彩的第2色 彩; 前記第1著色層和前記第2著色層之每一者係被排列 成,在前記攝像領域中對應於前記複數光電轉換部: 前記第1著色層係被形成爲,前記黑色色素是比前記 第2著色層含有得更多。 11. 一種固體攝像裝置,其特徵爲, 具有: 光電轉換部,係被設在基板的攝像領域中,以受光面 將入射光予以受光而生成訊號電荷;和 彩色濾光片,係被設在前記基板的攝像領域中,被構 -75- 201104856 成爲,將前記入射光予以著色而透射至前記受光面;和 黑色色素含有層,係被設在前記基板的攝像領域中, 含有黑色色素; 前記黑色色素含有層係被設在前記受光面的上方,且 被構成爲,讓前記入射光透射至前記受光面。 12. —種電子機器,其特徵爲, 具有: 光電轉換部,係被設在基板的攝像領域中,以受光面 將入射光予以受光而生成訊號電荷;和 彩色濾光片,係於前記基板的攝像領域中被設在前記 受光面的上方,被構成爲,將前記入射光予以著色而透射 至前記受光面; 前記彩色濾光片,係含有黑色色素。 13. —種電子機器,其特徵爲, 具有: 光電轉換部,係被設在基板的攝像領域中,以受光面 將入射光予以受光而生成訊號電荷;和 彩色濾光片,係於前記基板的攝像領域中被設在前記 受光面的上方,被構成爲,將前記入射光予以著色而透射 至前記受光面; 前記彩色濾光片,係與前記受光面之間,設置有含有 黑色色素的黑色色素含有層。 14. —種固體攝像裝置之製造方法,其特徵爲, 具有: ' -76- 201104856 光電轉換部形成工程’係將以受光面將入射光予以受 光而生成訊號電荷用的光電轉換部,設置在基板的攝像領 域中;和 彩色濾光片形成工程,係將用以把前記入射光予以著 色而往前記受光面透射用的彩色濾光片,設在在前記基板 的攝像領域中的前記受光面的上方; 於前記彩色濾光片形成工程中,係以含有黑色色素的 方式,來形成前記彩色濾光片。 15. —種固體攝像裝置之製造方法,其特徵爲, 含有: 光電轉換部形成工程,係將以受光面將入射光予以受 光而生成訊號電荷用的光電轉換部,設置在基板的攝像領 域中;和 彩色濾光片形成工程,係將用以把前記入射光予以著 色而往前記受光面透射用的彩色濾光片,設在在前記基板 的攝像領域中的前記受光面的上方;和 黑色色素含有層形成工程,係在前記受光面的上方, 形成含有黑色色素的黑色色素含有層。 -77-
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