TW201103172A - Light emitting device with phosphor wavelength conversion - Google Patents
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Description
201103172 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有磷光體波長轉換之發光裝置,且特定 吕之(雖然非專門)指基於一個或多個發光二極體(led)之 白光產生裝置。本發明之其他實施例關注用於一般照明應 用之高發射強度(即’ 2 50流明之光發射強度或μ w之輸入 功率)白色發光裝置的封裝配置。 本申請案主張2009年I2月16曰Yi-Qun Li等人申請之名為 「具有磷光體波長轉換之發光裝置(Light Emitting Device with Phosphor Wavelength Conversion)」之美國非臨時專 利申清案第12/639,688號的優先權利。此申請案亦主張 2008年12月31日Yi-Qun U等人之美國臨時申請案第 61/141,948號的優先權,該案之說明書及圖式以引用的方 式併入本文中。 【先前技術】 白色發光LED(「白色LED」)係一種相對新近之創新且 提供出現全新一代之能效照明系統的可能性。據預測由於 白色LED之長操作壽命(可能數十萬個小時)及在低功率消 耗方面之高效率,其等可替代燈絲(白熾)、螢光及小型螢 光光源。直到開發出在電磁光譜之藍色/紫外線部分中發 射之LED,才使得開發基於LED之白色光源變得切實可 行。如所教示的,例如在美國專利第us 5,998,925號中, 白色LED包含一種或多種磷光體材料,即光致發光材 料,該等材料吸收由LED發射之部分輻射,且再發射一不 145644.doc 201103172
收並與由4光體發射之光組合之藍力之部分提供 對人眼呈現為近乎白色之光。
案第US 2009/0294780號中描述一種基於一 _导利申請公開 LED之發光裝置 的實例,該發光裝置可由一高電壓(110/22〇v)交流電(ac) 供應器來操作,且如圖〗所示意性地顯示。參照圖丨,裝置 10包括一陶瓷封裝12,諸如一低溫共燒陶瓷(LTCC),其具 有九個圓形凹部(空腔)14之一陣列(圖丨顯示配置成3列乘3 打之正方形陣列的九個凹部之一陣列),在該陣列中各個 凹部14經組態以容罝一各自LED晶片16,通常為一氮化鎵 為主之藍色發光LED晶片。凹部14之壁係傾斜的,且可包 合諸如銀或鋁之一金屬化層之一反射表面17,使得各個凹 部14包括用於增加來自該裝置之光發射的一反射杯。封裝 12係一多層結構’且併入經組態以一所要組態(例如,用 於自整流配置之一串聯串或一電橋組態)互連該等LED晶片 16之導電跡線18的一圖案。導電跡線18經組態使得其等之 一部分延伸進入凹部中以在凹部14之底層上提供用於電連 接至一各自之LED晶片16之一對電極接點20。在封裝12之 一底面上’提供用於將裝置10電連接至一 AC電源之一個 或多個焊接墊22。焊接墊22係藉由導電通孔24而連接至導 電跡線18。各個LED晶片16係安裝成使用導熱黏著劑(諸如 145644.doc 201103172 載入銀之環氧樹脂)或藉由焊接而與該凹部之底層熱傳 遞。LED晶片16上之電極26、28係藉由接合線3〇、^而連 接至該凹口底層上之一各自電極接點2〇。各個凹部"以一 透明聚合物材料34完全填充(密封),諸如載入有粉末狀破 光體材料之聚石夕氧。 現有發光裝置,尤其是意欲用於—般照明且需要約5〇〇 至600流明或更高之高強度輸出(即,約65瓦至8瓦之輸入 功率)的白色發光裝置’存在如下問題:磷光體材料隨時 間之熱降解可導致由該裝置發射之光的相關色溫(cct)及/ 或強度明顯變化。本發明者進一步瞭解到在該裝置之操作 期間填光體材料對水的吸收亦可明顯影響填光體材料之效 能且因此影響該裝置之效能。水吸收對光致發光之影響隨 磷光體組合物而改變,且對於可較容易形成水溶性化合物 之矽酸鹽為主的磷光體材料,該影響較顯著。初始測試表 明即使當磷光體材料囊封於聚合物黏結劑(諸如聚矽氧)中 時,仍可發生水吸收;且對於具有正矽酸鹽磷光體之一裝 置,在25 C之一溫度下在濕度環境(即,28〇%相對濕度)中 操作200小時以上,可發生光發射降低約1〇%。如同磷光 體降解,水之存在亦可影響其他封裝材料,舉例而言,諸 如囊封聚合物材料之透明性、反射表面之反射性及LED晶 片之效能。 【發明内容】 本實施例因致力於提供一種發光裝置而產生,該發光裝 置至;>、邛分克服已知配置之限制,且特定言之(雖然非專 145644.doc 201103172 指)減少具有之50流明之輸出發射強度(即,^瓦之輸入功 率)的裝置之磷光體降解。更特定言之,本發明尋求消除 或至少部分減少利用矽酸鹽為主之磷光體材料的發光裝置 之水吸收。 本發明之實施例係關於一種發光裝置,在該發光裝置 中,一個或多個發光二極體(LED)及磷光體材料係容置於 一水密(較佳為空氣/氣體密封)外殼中。較佳地,該一種或 多種磷光體材料係提供於該外殼遠離該等LED(通常約〇 2 毫米至1毫米之最小距離)的—内表面上。將該(該等)led 及磷光體材料併入一水密性/氣密性(密閉式密封)外殼中防 止該(該等)磷光體材料因自環境^攝取水而降解。此外, 當該(該等)磷光體材料遠離該等LED而提供,而非與該等 LED熱接觸時,此可減少該磷光體材料之熱降解。 根據本發明,提供一種發光裝置,其包括:一導熱基 板,至少一發光二極體(LED),其係安裝成與該基板之一 表面熱傳遞,且可操作以發射在一第一波長範圍内具有一 主波長的激發光;一外殼,其係附接至該基板,且經組態 使該外设與基板一起界定完全封閉該至少一發光二極體 之一體積,該外殼包括透光之至少一部分;及至少一磷光 體材料,其係設於該外殼在該體積内之一内表面上,該磷 光體材料可操作以吸收該激發光之至少一部分且發射在 一第二波長範圍内具有一主波長的光,且其中該外殼係附 接至該基板使得該體積實質上係水密。在此專利說明書 中,「水密」意指能夠防止水或水蒸氣通過。有利的是該 145644.doc 201103172 外《接至該基板使得該體積實質上呈线/氣體密封。 為達成所要之發射強度,該裝置可包括安裝成與該基板 之該表面熱傳遞之複數個LED,且該外殼經組態使得該外 殼與基板-起界定完全封閉該複數個led之一體積。本發 明之裝置在-般照明中找到特定應用,其中發射產物通常 將為在色彩上呈現為白色之光且由第一及第二波長範圍之 光組成。對於一般照明應用,該裝置具有至少5〇流明之強 度的發射產物,較佳為至少100流明,更佳為至少25〇流 明,且甚至更佳為至少5〇〇流明》因此對於現有LED,諸 如基於氮化鎵(GaN)之LED,該至少一LED或複數個]具 有一瓦或更高之輸入功率,且較佳為具有約十瓦及更高之 輸入功率。 在一配置中,該體積可至少部分以一透光(透明)導熱材 料來填充’諸如凝膠、礦物油或導熱聚合物。此一材料可 幫助由LED產生之熱量的消耗。較佳地,透光材料具有與 LED及碌光體材料之折射率儘可能接近之折射率,以藉由 提供.一定程度之折射率匹配而增加來自該等led之光發 射。實務上’該透光材料之折射率係y 2。 或者’當該外殼係氣密時,該體積可以諸如氮氣、氖 氣、氬氣 '氪氣或氙氣之乾燥氣體來填充。此一配置確保 該(該等)磷光體材料被維持在一乾燥惰性蒙氣中,藉此降 低該(該等)填光體材料及/或其他封裝材料之氧化及/或還 原可能性。 該外殼可藉由使用金/鍺(Au/Ge)、金/錫(Au/Sn)或其他 145644.doc 201103172 錫合金之焊接、使用銅、銅/鎢(Cu/w)或鐵鎳(Fe/Ni)合金 之銅焊或使用諸如載入金屬之環氧樹脂的黏著劑而附接至 該基板以形成一水密/氣密。 在—配置中,該外殼之透光部分包括在該外殼中之一開 口,該開口由附接至該外殼之一窗覆蓋。該窗藉由例如焊 接、壓縮密封或使用諸如載入金屬之環氧樹脂的黏著劑而 附接至該外殼以形成一水密,較佳為空氣/氣體密封。通 常,該窗包括:諸如氧化矽玻璃、石英玻璃之玻璃,或諸 如透明氧化鋁(Al2〇3)之透光無機材料。設想該窗可包括諸 如聚碳酸酯或丙烯酸之聚合物材料,其中需要該外殼係水 密而非空氣/氣體密封。 或者,该外殼可包括:諸如氧化石夕玻璃、石英玻璃之透 光材料,或諸如透明氧化鋁(Abo3)之透光無機材料。當該 裝置水密時,該外殼材料可包括諸如聚碳酸酯或丙烯酸之 聚合物材料。由透光材料製作而成之外殼提供最少化水密/ 氣密密封之數量的優點。在一配置中,該外殼包括一實質 上半球形之殼體。 為幫助散熱,該外殼可包括諸如金屬之一導熱材料,該 導熱材料較佳為具有低熱膨脹係數,諸如lnvar®鎳鐵合 金。或者,該外殼可包括諸如鋁或銅之其他金屬及/或合 金、或導熱聚合物或導熱陶瓷。在一配置中,該外殼可包 括實質上呈抛物面型反射體。 —般而言,該(該等)磷光體材料係藉由旋塗、刮刀塗 敷薄帶成型(taPe-casting)、喷鍍、喷墨印刷或藉由其他 145644.doc 201103172 2積技術,以實質上均勾之厚度層的形式設於該外殼之該 县光Ρ刀(例如®)上。對於激發光促成最終發射產物(無論 考x射產物為白色或其他色彩)及增加發射強度之裝 ^等)磷光體材料層可包含至少一無磷光體材料之 區域)。無鱗光體材料之該(該等)區域作為-窗,該 ®合口午电射激發光及經光致發光產生之第二波長範圍之光 兩者為在„亥裝置之整個發光表面積上(即,該外殼之透 光部分)達成均勻之發射色彩及/或色溫,麟光體材料層包 括以規則圖案或陣列形式實質上均勻地分佈於該發光表面 上的複數個無鱗光體材料之區域。該鱗光體材料圖案係藉 由網版印刷-種或多種磷光體材料與-適合黏結劑(諸如 NAZDAR之清晰網版印刷墨液97〇〇)之混合物而合宜地沈 積於該外殼上。或者,該磷光體材料圖案可藉由其他沈積 法而產生’諸如喷墨印刷、平版印刷或凹版印刷。 該基板可包括任何導熱材料,諸如印刷電路板(PCB)、 金屬核心印刷電路板(MCPCB)、陶瓷電路板或導熱陶瓷, 諸如低溫共燒陶瓷(LTCC)或氧化鋁。 根據本發明之另一態樣,提供一種白色發光褒置,其包 括:一導熱基板;複數個發光二極體,其等安裝成與該基 板之一表面熱傳遞’且可操作以發射在一第一波長範圍内 具有一主波長的激發光;一外殼,其係附接至該基板,且 經組態使得該外殼與基板一起界定完全封閉該複數個發光 二極體之一體積,該外殼包括係透光之至少一部分;及至 少一磷光體材料,其係設於該外殼在該體積内之—内表面 145644.doc 201103172 上,該磷光體可操作以吸收該激發光之至少一部分,且發 射一第二波長範圍之光,其中該裝置之發射產物包括該等 第一及第二波長範圍之光且在色彩上呈現白色;且其中該 外殼係附接至該基板使得該體積至少水密,且其中該裝置 之發射產物強度為至少5 0流明。 雖然較佳係遠離(即,實體分離自)該(該等)LED地提供 該(該等)磷光體材料,但可設想有利的係將併入該(該等) 磷光體材料之LED(即,在LED晶片之表面上提供磷光體之 LED)容置於一水密性/氣密性封閉件中。根據本發明又另 一態樣,提供一種發光裝置,其包括:一導熱基板;至少 一發光二極體,其併入一磷光體材料且安裝成與該基板之 一表面熱傳遞;及一外殼,其係附接至該基板,且經組態 使得該外殼與基板一起界定完全封閉該至少一發光二極體 之一體積,該外殼包括係透光之至少一部分;且其中該外 殼係附接至該基板使得該體積至少水密。 【實施方式】 為更好地理解本發明,現將參照附圖僅經由實例描述根 據本發明之實施例的發光裝置。 在本6兒明書各處’相似參考數字係用於表示相似部分。 現將參照附圖之圖2及圖3來描述根據本發明之第一實施 例的發光裝置50。s亥裝置50經組態以產生具有例如2700 κ 之特定相關色溫(CCT)及之250流明(即,y瓦輸入功率)而 較佳為d〇〇至6〇〇流明(即26瓦輸入功率)之發射強度的白 光。該裴置意欲用於一般之照明應用,諸如取代白熾、榮 145644.doc -11 - 201103172 光或冷陰極螢光光源。應瞭解本發明之裝置並不限於此類 應用、發射色彩或發射強度。 參照圖2及圖3,裝置50包括一導熱基板52 ’舉例而言, 諸如一金屬核心印刷電路板(MCPCB); —封裝LED陣列 54 ; —中空金屬外殼(罐; 一透光(透明)窗58 ;及在該 窗58上之一種或多種磷光體材料6〇之一層。已知mcpcb 通常用於安裝諸電組件,該等電組件產生大量熱(即,d 瓦),且具有一分層結構,其包括一導熱基座62(通常為諸 如鋁(A1)之金屬)、及非導電/導熱介電材料64與導電跡線 66(通常由銅(Cu)製成)之交替層。介電層64非常薄使得其 等可將來自女裝於該等電跡線上之諸組件的熱傳導至該基 座62。導電跡線66經組態以界定用於提供電力至lED陣列 54的一電路。如圖2所最佳見到,導電跡線之 一上表面(即,與鋁基座62相對之面)上界定:一導熱安裝 塾68,其係用於女裝led陣列54 ;兩個接觸塾7〇、72,其 等^女裝墊68之相對邊緣安置,以用於電連接至陣列 54; —環形安裝墊74,其係用於安裝環繞安裝墊68及接觸 墊70、72之外殼56 ;及一對電極接觸墊%、78,豆等係定 位於環形安裝塾68之外部,用於將裝置50連接至-電源。 電極接觸墊76、78係藉由通過環形安裝㈣下方之一各自 埋入導電跡線8〇、82而電連接至接觸墊70、72之各自者 (圖 3)。 在圖2及圖3之例示性實施例中,封裝咖陣列54包括封 裝於-種類型之陶究封裝(見圖D中的若干以藍色發光 145644.doc -12- 201103172
InGaN/GaN(氮化銦鎵/氮化鎵)為主之LED晶片83之一陣 列,舉例而言,如2〇〇9年12月3日公開之共同待審中之美 國專利申凊公開案第US 2009/0294780號中所描述,該案 . 之說明書及圖式以引用的方式併入本文中。該陶瓷封裝可 為具有若干圓形凹口(空腔)之—陣列的一低溫共燒陶瓷 (LTCC),在该陣列中各個凹口經組態以容置一各自[ED晶 片83。該等凹口之壁係傾斜的,且可包含諸如銀或銘之一 金屬化層之一光反射表面17,使得各個凹口包括用於增加 來自該裝置之光發射的-反射杯。應注意LED陣列54未將 碟光體材料併入該等凹口中。僅為說明之目的,led陣列 54顯示為包括九個LED晶片83之_正方形陣列,雖然在實 務上其通常包括更多LED晶片以達成所要之發射強度。例 如’對於110V之操作,裝置5〇可包含一個或多個LED陣列 54’各個LED陣列54含四十五個串聯連接之& _哪晶 片83 ’使得各個陣列具有約2 9瓦之輸入功率及約,流明 之光強度輸出。各個LED晶片83係可操作以產生在一第一 波長範圍内(例如,藍色約4〇〇奈米至48〇奈米)具有主波長 人丨的光,該光提供用於激發磷光體材料6〇之激發能量(輻 • 射)’且鑑於此功能,由led陣列54所產生之光在下文中將 稱為激發光(輻射)。LED陣列54係一表面安裝封裝,且具 有沿其基座之相對邊緣延伸之一對電極塾料、%。咖陣 列54係安裝成在一導熱材⑽(諸如散熱化合物)之幫助下 與熱安裝塾68熱傳遞,且電極塾84、⑹系藉由例如焊㈣ 而電連接至電極墊7〇、72之對應一者。 145644.doc -13- 201103172 金屬外殼(罐)56經組態使得當其安裝於mCPCB 52上 時,其元全圍繞及封閉封裝LED陣列54。如所繪示,外殼 56—般呈圓筒形,且在—端具有界定用於將外殼兄附接至 %形女裝墊74之環形腳座的一向外(徑向)延伸凸緣(唇 緣)90 ’且在相反端具有用於附接該窗58之一向内延伸唇 緣(凸緣)92。外殼56較佳為由具有高導熱性及低熱膨脹性 之金屬製成,舉例而言,諸如Invar®錄鐵合金。在替代性 實施例中,其可包括銅(Cu)或銅合金。環形安裝墊74之形 狀及尺寸經組態以相對應於環形凸緣9〇之底面積,且外殼 56係藉由利用金/鍺(Au/Ge)、金/錫(Au/Sn)或其他錫合金 焊料將凸緣90焊接94至安裝墊74而附接至MCPCB 52。如 下文將進一步描述,焊料接合處94形成外殼56與1^(:1>(:8 52之間的水密、較佳為空氣/氣體密封(密閉式密封),且防 止水進入裝置中。在本專利說明書之背景中,「密閉式」 密封意指實質上水密或氣密之密封。 窗58包括一防水/防氣材料,其對由LED晶片^產生之光 及由磷光體材料60產生之光致發光實質上呈透射性(透 明)。通常該材料可包括諸如氧化矽玻璃或石英玻璃之玻 璃,或諸如透明氧化鋁(ΑΙΑ3)之透光無機材料。如所繪 示,窗58可包括經組態以裝配於外殼兄中的一平坦圓盤。 窗5 8係藉由一密封件9 6 (諸如焊料接合處)而附接至唇緣9 2 之内表面,該密封件96形成外殼56與窗58之間的水密、較 佳為空氣/氣體密封' 密閉式密封且防止水進入裝置中。 密封件96可包括:一焊料接合處,舉例而言,諸如金/鍺 145644.doc -14· 201103172 (Au/Ge)、金/錫(Au/Sn)或其他錫合金;一銅焊接合處,使 用例如銅、銅/鎢(Cu/W)或鐵鎳(Fe/Ni)合金;或一黏著接 口處,諸如載入金屬之環氧樹脂或聚矽氧材料。該窗可包 . 3促進與金屬外殼之接合處的一金屬化層。應瞭解 MCPCB 52、外殼56及窗58 一起界定完全封閉led陣列μ 及填光體材料60之-水(濕氣)密(較佳為空氣/氣體密封)體 積(封閉件或空腔)98。 通常為粉末形式之磷光體材料6〇係以預選定比例與諸如 聚合物材料之透光(透明)黏結劑材料徹底混合,舉例而 言,該聚合物材料諸如熱固化或1;¥固化聚矽氧、熱固化 或uv固化環氧樹脂材料、適合之溶劑或諸如nazdar _〇網版印刷墨液之清晰墨液。適合之聚石夕氧材料的實例 為GE之聚梦氧RTV615。鱗光體載人聚合物黏結劑之重量 比通常在每100份中含35份至95份之間,#精確載入量取 決於該裝置之發射產物的所需CCTe鱗光體/聚合物係沈積 於窗58之面上,以在該窗之整個表面上形成一實質上均句 厚度之層。取決於黏結劑材料,磷光體/聚合物⑽可藉 由旋塗、到刀塗敷(即,使用到板或撓性刀片)、薄帶^ . &、噴鍍、喷墨印刷或藉由熟習此項技術者所瞭解之其他 . 相關沈積技術而施加至晶圓。磷光體/聚合物層6〇通常為 在約10微米至約500微米、較佳為約1〇微米至約ι〇〇微米之 範圍内的厚度。如同在磷光體載入聚合物之重量情況下, 磷光體/聚合物層60之厚度將取決於由裝置產生之光的目 標 CCT。 145644.doc 15 201103172 本發明之發光裝置適於配合無機或有機磷光體兩者使 用’無機磷光體之實例係一般組合物為A3Si(0,D)5或 A2Si(0,D)4之矽酸鹽為主的磷光體,其中Si為矽,〇為氧, A包括锶(Sr)、鋇(Ba)、鎂(Mg)或鈣(Ca),且D包括氣 (C1)、氟(F)、氮(N)或硫(S)。吾人之共同待審中之美國專 利申請公開案第US 2007/0〇29526 A1號及美國專利 US 7,311,85 8 B2、US 7,5 75,697 B2 及 US 7,601,276 B2(均 讓予Intematix Corporation)中揭示石夕酸鹽為主之構光體的 實例,其各者之内容以引用的方式併入本文中。 如118 7,575,697 82中所教示,一種銪(丑112+)活化之石夕酸 鹽為主之綠色磷光體具有一般化學式阶,八1)办丨,八2)(〇,八3:)2+5^112+, 其中八〗為2+陽離子、1 +與3 +陽離子之組合之至少一者,舉 例而言,諸如Mg、Ca、Ba、鋅(Zn)、鈉(Na)、鋰(Li)、鉍 (Bi)、紀(Y)或鈽(Ce) ; μ為疒、π或5+陽離子,舉例而 言,諸如硼(B)、鋁(A1)、鎵(Ga)、碳(C)、鍺(Ge)、:^或磷 (P),而A3為1-、2-或3·陰離子,舉例而言,諸如F、C1、漠 (Br)、N或S。書寫該化學式以指示Al陽離子取代Sr,^陽 離子取代Si,且As陽離子取代氧。x之值為! 5與2 5之間的 整數或非整數。 US 7,311,85 8 B2揭示一種矽酸鹽為主之黃綠色磷光體, 其具有化學式A2Si04:Eu2+ D,其中A為包括Sr、Ca、Ba、 Mg、Zn或鎘(Cd)之二價金屬的至少一者,且D為包括f、 Cl Br、碘⑴、p、s及N之摻雜劑。摻雜劑D可以自約 0.01莫耳至2〇莫耳百分比之範圍的量存在於磷光體中,且 145644.doc • 16- 201103172 該摻雜劑之至少一些替代氧陰離子,以併入該磷光體之晶 格中。該磷光體可包括(Sn-x-yBaJV^SiOwEuhD,其中Μ 包括 Ca、Mg、Ζη 或 Cd,且其中 OSxSl 及 OSySl。 US 7,601,276 B2教示一種二相矽酸鹽為主之碟光體,其 具有其中晶體結構實質上相同於(Ml)2Si04之晶體結構的 ' 第一相;及其中晶體結構實質上相同於(M2)3Si05之晶體 結構的第二相,其中Ml與M2各包括Sr、Ba、Mg、Ca或 Zn。至少一相係經二價銪(Eu2+)活化,且該等相之至少一 者含有摻雜劑D,D包括F、Cl、Br、S或N。據信該等摻雜 劑原子之至少一些係定位於主矽酸鹽晶體之氧原子晶格位 點上。 頒予Cheng等人之US 2007/0029526 A1揭示一種石夕酸鹽 為主之橙色磷光體’其具有化學式(Sri_xMx)yEUzSi05,其 中Μ為包括Ba、Mg、Ca或Zn之二價金屬之至少一者; 0<x<0.5 ; 2.6<y<3.3且0.001<z<0.5。該磷光體經組態以發 射具有大於約565奈米之峰值發射波長的可見光。 該磷光體亦可包括一種鋁酸鹽為主之材料,如吾人之共 同待審中之美國專利申請公開案第US 2006/0158090 A1號 . 及美國專利US 7,39〇,437 B2 (亦讓予lntematix c〇rp〇rati〇n) 所教示,或一種石夕酸铭磷光體,如共同待審由之申請案 υ8 2〇〇8/〇111472 Α1中所教示,其各者之内容以引用的方 式併入本文中。
頒予Wang等人之US 2006/〇158〇9〇 A1教示一種鋁酸鹽為 主之綠色磷光體,其化學式為Mi_xEUxAly〇[i+3y/2],其中M 145644.doc _ |7 201103172 為包括 Ba、Sr、Ca、Mg、Μη、Zn、Cu、Cd、Sm 或铥 (Tm)之一價金屬之至少一者,且其中〇.1<χ<〇.9及 〇-5SyS12。 US 7,390,437 B2揭示一種鋁酸鹽為主之藍色磷光體,其 具有化學式(Mi-xEuxhiMgzAlyOp+ww,其中Μ為二價金屬 Ba或Sr之至少一者。在一組合物中,該磷光體經組態以吸 收自約280奈米至420奈米之波長範圍的輻射,且發射具有 自約420奈米至560奈米之波長範圍的可見光,且 0.05<x<0.5 或 0.2<x<0.5 ; 3SySl2及0.8^51.2 » 該磷光體可 進一步摻雜有鹵素摻雜物H,諸如Cl、Br或I,且可為一般 組合物。 頒予Liu等人之US 2008/011 1472 A1教示一種矽酸鋁橙紅 色磷光體,其混合二價陽離子與三價陽離子,一般化學式 為(Sri.x-yMxTy)3-mEum(Sii.zAlz)〇5,其中 Μ為選自 Ba、Mg或 Ca之至少一二價金屬且其量之範圍為〇sd4 ; τ為選自 Y、鑭(La)、Ce、镨(Pr)、鈥(Nd)、鉅(Pm)、釤(Sm)、釓 (Gd)、铽(Tb)、鋼(Dy)、鈥(Ho)、_(Er)、Tm、镱(Yt)、 錄(Lu)、钍(Th)、鎖(Pa)或鈾(U)之一三價金屬且其量範圍 為 0Sy£0.4;且 z及 m在 OSzSO.2 及 0.00lSmS0.5之範圍内。 該磷光體經組態使得齒素駐留於矽酸鹽晶體内之氧晶格位 點上。 該雖光體亦可包括氮化物為主之紅色鱗光體材料,如 2008年5月19日申請之吾人之共同待審中名為「氮化矽酸鹽 為主之紅色鱗光體(Nitridosilicate-based red phosphors)」 I45644.doc -18- 201103172 之美國臨時專利申請案第61/054 399號及2〇〇8年12月15曰 申請之名為「氮化物為主之紅色磷光體(Nhride_based red phosphors)」之61/122,569中所教示,其各者之内容以引用 的方式併入本文中。61/〇54,399及61/122,569教示氮化物為 主之紅色碌光體’其具有化學式MmMaMbD3wN_m__^Zx, 其中 1\/11„為選自鈹(Be)、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd 或汞 (Hg)之一二價元素;Ma為選自 B、A1、Ga、In、Y、Se、 P、As、La、Sm、銻(Sb)或Bi之一三價元素;Mb為選自 C、Si、Ge、錫(Sn)、Ni、铪(Hf)、鉬(Mo)、鎢(W) ' Cr、 Pb、Ti或錯(Zr)之一四價元素;D為選自F、Cb价或!中選 出之鹵素,Z為Eu、Ce、Μη、Tb或Sm之一活化劑;且n係 量為 O.Ol^nSl.5、0.019U.5、o.ohby 5、〇 〇〇〇1^^〇 6 及O.OOOl^z^O.5之氮。該磷光體經組態以發射具有大於64〇 奈米之發射峰值波長的可見光。 應瞭解磷光體材料並不限於本文所述之實例,且可包括 任何磷光體材料,包含有機磷光體材料或無機磷光體材料 兩者,舉例而言,諸如氮化物及/或硫酸鹽磷光體材料、 氮氧化物及氧硫酸鹽磷光體或石榴石材料(YAG)。本發明 之裝置尤其適於其效能受攝取水影響的磷光體材料,舉例 而言’諸如矽酸鹽為主之鱗光體材料。 如本文所述’ MCPCB 52、外殼56及窗58一起界定一水 (濕氣)密、較佳為空氣/氣體密封之體積(空腔)98,在該體 積98中容置LED陣列54及磷光體材料6〇。外殼%經組態使 得磷光體60離LED晶片83之發光表面通常為〇·2毫米至 145644.doc •19· 201103172 米之最小距離。相比於磷光體材料通常設於LED晶片之表 面上的已知裝置,分離磷光體材料60與LED晶片83提供諸 多優點,即:由於填光體材料係設於較大表面積上,因此 所產生之光的CCT及/或色相較一致;及由於填光體材料係 遠離(分離自)LED晶片而定位,因此鱗光體材料之熱降解 減少。 為改良熱量傳導遠離LED晶片83,及/或改良來自LED晶 片之光發射,可設想以一透光材料1 〇〇來填充或至少部分 填充體積(空腔)98。例如,當空腔98呈空氣/氣體密封時, 其可以諸如氮氣、二氧化氮或惰性氣體(諸如氖氣、氬氣 或氪氣)之乾燥氣體來填充。以乾燥氣體填充空腔98之優 點在於磷光體材料60被維持在一乾燥惰性蒙氣中,此可設 想為藉由防止攝取水及/或氧氣而減少構光體材料之降 解。
或者,空腔98可以諸如礦物油或透光凝膠之透光液體來 填充。有利的是選擇液體/凝膠使其折射率儘可實現地接 近LED晶片83及磷光體材料之折射率。例如,InGaN/GaN LED晶片之折射率為n約24至2 5,而高折射率聚矽氧具有 η約1.2至1.5之折射率。因此,實務上凝膠/液體較佳為具 有21.2之折射率》包含透光凝膠/液體可藉由提供一定程度 之折射率匹配而增加來自LED晶片83之光發射。進—步設 想以透光固體來填充空腔98,諸如聚合物材料,如聚矽氧 或環氧材料。再者’該材料較佳為具有乂2之折射率。為 便於製作’空腔98可透過外殼56中之一開口(未顯示)而以 145644.doc -20· 201103172 選定材料來填充,其後該開口可藉由例如焊接而密封。 參照圖4,其顯示根據本發明之第二實施例之一發光裝 置50的一示意性截面圖,其中一單一透光蓋套1〇2係用於 替代外设/窗56/58總成。蓋套1 〇2較佳為包括諸如氧化矽玻 璃或石英玻璃之玻璃,或諸如透明氧化鋁(Al2〇3)之透光無 機材料。該(該等)磷光體材料60提供為蓋套1〇2之内表面上 的一均勻層。可至少在蓋套1〇2之基座上提供包括例如銅 (Cu)、錄(Ni)及鉻(Cr)之一金屬化層1〇4,以使蓋套1〇2可 被焊接94或以其他方式附接至安裝墊74。使用單一玻璃蓋 套構件102之優點在於僅需與基板52之一單一密封件94。 圖5係根據本發明之第三實施例之一發光裝置5 〇的一示 意性截面圖。在此實施例中,玻璃蓋套構件丨〇2包括一實 吳上呈半球形(穹頂形)之殼體。為最大化來自裝置之光 發射,可在蓋套構件102之自該蓋套之基座延伸之内表面 上提供一金屬1 〇6。如圖5所示,個別led晶片83係安裝成 與MCPCB 52直接熱傳遞,而非與LED之封裝陣列熱傳 遞’即為一晶片直接封裝(COB)式配置。 圖6顯示根據本發明之第四實施例之一發光裝置5〇的一 示意性截面圖,其中外殼56經組態為抛物面型反射體之形 式,且其形式一般為圓盤形。如同在其他實施例中,外殼 56係附接至]^(:1>(:^(基板)52以形成一水密、較佳為空氣/ 氣體密封。在所繪示之實施例中,窗58係藉由一壓縮接合 處1〇8而附接至該外殼之前開口。為幫助散熱,外殼“較 佳為由導熱材料製作而成,諸如具有低熱膨脹性之金屬。 145644.doc • 21 · 201103172 該外殼之内表面較佳為包含高反射性金屬(諸如銀、鉻或 鋁)之一金屬化層110。對於激發光(λι)作用至最終發射產 物(無論最終發射產物為白色或另一色彩)之裝置,為增加 其光發射,磷光體60可包含無磷光體材料之窗區域(面 積)112之一圖案(陣列)。窗區域112作為一開口,其容許發 射激發光及光致發光所產生之光兩者。由於填光體光致發 光之等向性本質,此意味著磷光體將以一方向發射其輻射 之約百分之五十回至空腔98中。此光將被該反射性外殼之 内表面朝向玻璃窗58反射回。由於窗區域112對激發光 及由磷光體材料產生之光(λ2)兩者呈透射性(透明),故窗 區域112可增加裝置50之總發射強度❶為在該裝置之整個 發光表面積(即,窗58)上達成均勻之發射色彩及/或色溫, 窗區域112係以一規則圖案之形式(舉例而言,諸如若干圓 形窗區域之一正方形陣列,或若干線形窗區域之一格柵) 均勻地分佈於該發光表面上。該磷光體材料圖案係藉由網 版印刷一種或多種磷光體材料與一適合黏結劑(諸如Nadar 之清晰網版印刷墨液9700)之混合物而合宜地沈積於該窗 58上。或者,該磷光體材料圖案可藉由其他沈積法而產 生’諸如噴墨印刷、平版印刷或凹版印刷。 圖7係根據本發明之第五實施例之一發光裝置5〇的一示 意性戴面圖。在此實施例中且如同圖5之實施例,玻璃蓋 套構件1〇2為一大體上呈半球形(弯頂形)殼體。如圖7所 不,一個單一瓦(即,250流明之輸出強度)LED晶片83係安 裝成與導熱基板52直接熱傳遞’而非與LED陣列熱傳遞。 145644.doc -22· 201103172 該導熱基板包括—gn α.» P屈〗電路板,該印刷電路板由諸如FR_ 4(難燃劑4)之一電絕绦进 緣載體11〇與若干導電銅跡線66之一圖 案組成。由於FR_4孫―+ , 係—電絕緣體且因此為一不良導熱體, 因此可使用右干電鍍通孔114之一圖案以提供安裝墊Μ與 土板之外表面(如圖所示為下表面)上的對應墊11 6之間的 導熱路徑。
雖然較佳係遠離(即,實體分離自)LED晶片地提供碟光 體材料,但可设想對於該(該等)磷光體材料係設於該(該 等)LEDaa片之表面上的裝置來㉟,將該(該等晶片及 磷,體材料容置於—水密/氣密、密閉式密封的封閉件中 可疋有利的。圖8係根據本發明之第六實施例之一發光裝 置5 0的示意性截面圖’其中鱗光體材料⑼係併入封裝 LED陣列54中。在此實施例中,若干LED晶片83之一陣列 係合置於陶瓷封裝54中,而磷光體材料6〇係提供為與 LED晶片直接接觸之—囊封體。封裝54係安裝於一McpcB 52上。如同在其他實施例中,外殼56係附接至該基板以形 成一水密、較佳為空氣/氣體密封。 應瞭解本發明並不限於所述之例示性實施例,且可在本 發明之範内作出若干變動。例如,本發明之裝置可用於 產生任何色彩及/或色相之光,其包含如下配置:所有激 發光係由該(該等)磷光體材料吸收,且發射產物僅由光致 發光所產生之光組成。此外,為產生所要色彩及/或色 溫’可設想使用兩種或兩種以上磷光體材料之混合物。 雖然本發明係關於具有高發射強度(通常$ 5〇流明)之裝 I45644.doc -23- 201103172 置,但其同樣可應用於較低功率之裝置,雖然對於除特定 應用外之此類裝置,經密閉式密封之封裝的成本可能並〇 合理。此外’本發明可應用於封裝個別led晶片或含複數 個LED晶片之晶圓。此外,導熱基板可包括其他形式,舉 例而言,諸如導熱陶瓷基板(如氧化鋁(Α^Ο3))或低溫共燒 陶瓷。 【圖式簡單說明】 圖1係如先前所述之具有磷光體波長轉換之一已知高功 率AC白色發光裝置的一示意性截面圖; 圖2係根據本發明之第一實施例之一發光裝置的一部分 分解示意性透視圖; 圖3係圖2之發光裝置經由線「A-A」之一示意性截面 圖; 圖4係根據本發明之第二實施例之一發光裝置的一示意 性截面圖; 圖5係根據本發明之第三實施例之一發光裝置的一示意 性截面圖; 圖6係根據本發明之第四實施例之一發光裝置的_示意 性截面圖; 圖7係根據本發明之第五實施例之一發光裝置的一示意 性截面圖;及 圖8係根據本發明之第六實施例之一發光裝置的一示意 性戴面圖。 【主要元件符號說明】 145644.doc -24· 裝置 陶瓷封裝 凹部 LED晶片 反射表面 導電跡線 電極接點 焊接墊 導電通孔 電極 電極 接合線 接合線 聚合物材料 發光裝置 導熱基板 LED陣列 中空金屬外殼 透光(透明)窗 磷光體材料 導熱基座/鋁基座 介電層/非導電導熱介電材料 導電跡線 導熱安裝墊 -25- 201103172 70 接觸墊 72 接觸墊 74 環形安裝墊 76 電極接觸墊 78 電極接觸墊 80 導電跡線 82 導電跡線 83 LED晶片 84 電極墊 86 電極墊 88 導熱材料 89 焊接 90 向外環形凸緣/唇緣 92 向内環形凸緣/唇緣 94 焊接/焊料接合處 96 密封件 98 體積/空腔 100 透光材料 102 蓋套 104 金屬化層 106 金属化層 108 壓縮接合處 110 金屬化層/電絕緣載體 112 窗區域 145644.doc -26- 201103172 114 116 墊 電鍍通孔 145644.doc •27·
Claims (1)
- 201103172 七、申請專利範圍: 1. 一種發光裝置,其包括:一導熱基板;至少一發光二極 體,其係安裝成與該基板之一表面熱傳遞,且可操作以 發射在一第一波長範圍内具有一主波長的激發光;一外 殼,其係附接至該基板,且經組態使得該外殼與基板一 • 起界定完全封閉該至少一發光二極體之一體積,該外殼 包括透光之至少一部分;及至少一磷光體材料,其係設 於該外殼在該體積内之一内表面上,該磷光體可操作以 吸收該激發光之至少-部分,且發射在—第二波長範圍 内具有一线長的光;且其中t玄夕卜殼係附接至該基板使 得該體積係至少水密。 2. 如明求項1之裝置,其中該|置之一發射產物包括該等 第一及第二波長範圍之光’且在色彩上呈現白色。 3. 如吻求項1之裝置,且其包括安裝成與該基板之一表面 熱傳遞之複數個發光二極體,且其中該外殼經組態使得 «玄外成與基板-起界定完全封閉該複數個發光二極體之 一體積。 4. 如吻求項i之裝置’其中該裝置具有選自由下列各項組 . 成之群組之強度的-發射產物··至少50流明、至少1〇〇 流明、至少25〇流明、及至少5〇〇流明。 5. 如請求項1之裝琶,复;铥 ^ ., 、 進一步包括以一透光導熱材料來 至少部分填充該體積。 〇月求項5之裝置’其中該透光導熱材料係選自由下列 各項組成之群組:一凝膠、-礦物油及-導熱聚合物。 I45644.doc 201103172 7·如請求項丨之裝置,其中該外殼係附接至該基板使得該 體積實質上係氣密。 8. 如凊求項7之裝置,且其進一步包括以選自由下列各項 組成之群組之一氣體來填充該體積:氮氣、氖氣、氬 氣、氣氣、及氣氣。 9. 如請求項丨之裝置,其中該外殼係藉由選自由下列各項 組成之群組之一方法而附接至該基板:焊接、銅焊、黏 著劑、及載入金屬之環氧樹脂。 1 〇. 士明求項1之裝置,其中該外殼透光之該部分包括一開 口’該開口由附接至該外殼之一窗覆蓋。 11.如請求項10之裝置,其中該窗係藉由選自由下列各項組 成之群組之一方法而附接至該外殼:焊接、一黏著劑及 一壓縮密封。 12·如明求項11之裝置,其中該窗係選自由下列各項組成之 群’’·且.破璃、氧化妙玻璃、一石英玻璃、透明氧化紹、 一聚合物材料、一聚碳酸酯、及一丙烯酸。 13. 如請求項12之裝置,其中該外殼包括選自由下列各項組 成之群組的一導熱材料:一金屬、一殷鋼合金、鋁、 銅、—導熱聚合物、及一導熱陶瓷。 14. 如請求項i之裝置,其中該外殼包括一實質上抛物面型 反射體。 15. 如請求項丨之裝置,其中該外殼包括一透光之材料。 16·如請求項15之裝置,其中該外殼係選自由下列各項組成 之群組:破璃、氧化矽玻璃、石英玻璃、透明氧化紹、 145644.doc 201103172 一聚合物材料、一聚碳酸酯、及一丙稀酸。 士明求項15之裝置,其中該外殼包括一半球形殼體。 18_如4求項1之裝置,其中該基板係選自由下列各項組成 之群.、’且· 一印刷電路板、一金屬核心印刷電路板、一陶 瓷電路板、一導熱陶瓷、一低溫共燒陶瓷、及氧化鋁。 19·如請求項丨之裝置’其中自該至少一發光二極體之該發 光表面至該至少一碌光體材料之一最小距離係在自0.2毫 米至1毫米之範圍内。 2〇_如請求項丨之裝置,纟㈣光體材料係—⑦酸鹽為主 之材料。 21. —種白色發光裝置,其包括: (a) ~導熱基板; (b) 複數個發光二極體’其等安裝成與該基板之一表面 熱傳遞,且可操作以發射在_第_波長範圍内具有一主 波長的激發光; ⑷-外殼’其係、附接至該基板且經組態使得該外殼與 基板一起界定完全封閉該複數個發光二極體之一體積Y 該外殼包括係透光之至少一部分;及 (d)至少-磷光體材料,其係設於該外殼在該體積内之 -内表面上’該磷光體可操作以吸收該激發光之至少一 部分,且發射在-第二波長範圍内具有_主波長的光, 其中該裝置之該發射產物包括該等第—及第二波長範圍 之光且在色彩上呈現白色,·且 其中該外殼係附接至該基板使得該體積係至少水密, 145644.doc 201103172 且其中該裝置之該發射產物強度為至少5 0流明。 22. 如請求項21之裝置,其中該裝置具有選自由下列各項組 成之群組之強度的一發射產物:至少100流明、至少25〇 流明及至少500流明。 23. —種發光裝置,其包括: (a) —導熱基板; (b) 至少一發光二極體,其併入一磷光體材料且安裝成 與該基板之一表面熱傳遞;及 (c) 一外殼,其係附接至該基板且經組態使得該外殼與 基板一起界定完全封閉該至少一發光二極體之一體積, 該外殼包括透光之至少一部分;且 其中該外殼係附接至該基板使得該體積至少水密。 145644.doc
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---|---|
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---|---|---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI476968B (zh) * | 2011-10-11 | 2015-03-11 | Lite On Electronics Guangzhou | 發光裝置 |
TWI495168B (zh) * | 2011-06-16 | 2015-08-01 | Nitto Denko Corp | 螢光接著片材、附螢光體層之發光二極體元件、發光二極體裝置及其等之製造方法 |
TWI596416B (zh) * | 2014-12-26 | 2017-08-21 | Ns Mat Inc | Wavelength conversion member and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100181582A1 (en) * | 2009-01-22 | 2010-07-22 | Intematix Corporation | Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof |
US9316387B1 (en) * | 2009-02-05 | 2016-04-19 | Mark S. Olsson | LED lighting devices with enhanced heat dissipation |
US8541931B2 (en) * | 2009-03-17 | 2013-09-24 | Intematix Corporation | LED based lamp including reflective hood to reduce variation in illuminance |
EP2402648A1 (en) * | 2010-07-01 | 2012-01-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | TL retrofit LED module outside sealed glass tube |
CN102313189A (zh) * | 2010-07-02 | 2012-01-11 | 艾迪光电(杭州)有限公司 | 一种发光二极管灯具 |
US8534901B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-09-17 | Teledyne Reynolds, Inc. | Collimating waveguide apparatus and method |
WO2012042428A2 (en) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting arrangement |
CN102420221A (zh) * | 2010-09-28 | 2012-04-18 | 盈胜科技股份有限公司 | 气密型多层式阵列型发光二极管 |
US9140429B2 (en) | 2010-10-14 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Optical element edge treatment for lighting device |
KR101240328B1 (ko) * | 2010-10-15 | 2013-03-11 | 심현섭 | 엘이디 조명 램프 |
US10158057B2 (en) * | 2010-10-28 | 2018-12-18 | Corning Incorporated | LED lighting devices |
TWI592465B (zh) * | 2010-11-22 | 2017-07-21 | Ube Industries | Silicate phosphor and light-emitting device having high light-emitting property and moisture resistance |
CN103649617B (zh) * | 2010-12-15 | 2017-02-08 | 伊利诺斯工具制品有限公司 | 用于发光二极管的散热器/连接器系统 |
US20120153311A1 (en) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Intematix Corporation | Low-cost solid-state based light emitting devices with photoluminescent wavelength conversion and their method of manufacture |
JP2012174941A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Panasonic Corp | 発光装置 |
CN102683563A (zh) * | 2011-03-10 | 2012-09-19 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 发光芯片导线架 |
US8608328B2 (en) | 2011-05-06 | 2013-12-17 | Teledyne Technologies Incorporated | Light source with secondary emitter conversion element |
WO2013009724A2 (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Reliabulb, Llc | Led bulb with overlapping shell to compensate for thermal expansion |
CN103050602B (zh) * | 2011-10-11 | 2016-04-06 | 光宝电子(广州)有限公司 | 发光装置 |
US20130094177A1 (en) * | 2011-10-13 | 2013-04-18 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with improved thermal conductive characteristics for remote wavelength conversion |
US8964401B2 (en) * | 2011-10-14 | 2015-02-24 | Sunpower Corporation | Electrical insulator casing |
DE102012200327B4 (de) * | 2012-01-11 | 2022-01-05 | Osram Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
EP2823226B1 (en) * | 2012-03-08 | 2017-05-10 | Philips Lighting Holding B.V. | Light emitting device and method for manufacturing a light emitting device |
WO2013159664A1 (zh) * | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Qian Zhiqiang | 一种白光led发光装置及制备方法 |
WO2013175356A1 (en) * | 2012-05-24 | 2013-11-28 | Koninklijke Philips N.V. | Illumination device |
JP6061072B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2017-01-18 | 東芝ライテック株式会社 | 照明器具 |
US8740411B2 (en) * | 2012-10-01 | 2014-06-03 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Plastic leaded chip carrier with diagonally oriented light sources for fine-pitched display |
CN103775860A (zh) * | 2012-10-25 | 2014-05-07 | 欧司朗股份有限公司 | Led发光模块及灯具 |
KR20140070045A (ko) * | 2012-11-30 | 2014-06-10 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
US10439107B2 (en) * | 2013-02-05 | 2019-10-08 | Cree, Inc. | Chip with integrated phosphor |
WO2014122626A1 (en) * | 2013-02-11 | 2014-08-14 | Koninklijke Philips N.V. | Led module with hermetic seal of wavelength conversion material |
KR102043322B1 (ko) * | 2013-02-12 | 2019-11-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN103117278A (zh) * | 2013-02-22 | 2013-05-22 | 浙江名创光电科技有限公司 | 一种集成封装的led光源器件 |
JP5963001B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2016-08-03 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置 |
JP2014212202A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | シーシーエス株式会社 | 回路板 |
JP2016540256A (ja) * | 2013-09-11 | 2016-12-22 | ヘレウス ノーブルライト アメリカ エルエルシー | 多数の小型エミッタを具備する大面積高一様性uv供給源 |
JP6249699B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2017-12-20 | シチズン時計株式会社 | Led発光装置 |
JP2015065344A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 東芝ライテック株式会社 | 発光モジュールおよび照明装置 |
JP6252302B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2017-12-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
DE102014108362B4 (de) * | 2014-06-13 | 2022-05-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung mehrerer optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement |
JP6748072B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2020-08-26 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 包囲された環境内の量子ドット |
EP3064166B1 (de) * | 2015-03-06 | 2018-07-04 | Schott AG | Hermetisch abgedichtete led-leuchte sowie verfahren zur herstellung einer hermetisch abgedichteten led-leuchte |
US10066160B2 (en) | 2015-05-01 | 2018-09-04 | Intematix Corporation | Solid-state white light generating lighting arrangements including photoluminescence wavelength conversion components |
EP3091275B1 (en) * | 2015-05-08 | 2018-02-14 | OSRAM GmbH | A method of assembling lighting devices and corresponding device |
WO2016186667A1 (en) * | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Starlite Led Inc. | Led module and related fabrication methods |
KR102374172B1 (ko) * | 2015-08-19 | 2022-03-15 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 방수 모듈 |
CN106848031A (zh) * | 2015-12-04 | 2017-06-13 | 财团法人工业技术研究院 | 紫外光发光二极管的封装结构 |
CN110931622A (zh) * | 2016-03-14 | 2020-03-27 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
JP6743488B2 (ja) * | 2016-05-27 | 2020-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置及びプロジェクター |
PL3270369T3 (pl) * | 2016-07-11 | 2020-11-16 | B1 Led Videoboard Ug | Podzespół z wieloma diodami led i kartą graficzną |
JP6880725B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TWM544122U (zh) * | 2017-03-27 | 2017-06-21 | Excellence Opto Inc | 單一晶圓上產生不同發光顏色的發光二極體 |
CN110476261A (zh) | 2017-04-06 | 2019-11-19 | 日本碍子株式会社 | 光学部件以及透明体 |
CN109728149A (zh) * | 2017-10-30 | 2019-05-07 | 深圳莱特光电股份有限公司 | 抗外源干扰的一体式红外led封装结构及其制备方法 |
KR101984102B1 (ko) | 2017-11-03 | 2019-05-30 | 엘지전자 주식회사 | 형광체 모듈 |
CN107887371A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-06 | 江西新月光电有限公司 | 便于控制光效果的led接线结构 |
US10770097B2 (en) * | 2017-12-22 | 2020-09-08 | Seagate Technology Llc | Element heater with back plane reflectors |
US20190206752A1 (en) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit packages with cavities and methods of manufacturing the same |
DE102018203694B4 (de) * | 2018-03-12 | 2021-12-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bestrahlungseinheit mit Pumpstrahlungsquelle und Konversionselement |
JP6848931B2 (ja) | 2018-04-23 | 2021-03-24 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
JP6939690B2 (ja) | 2018-04-23 | 2021-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
DE102018120989A1 (de) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | Alfred Pracht Lichttechnik Gmbh | Leuchte |
JP7161100B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
EP3949685B1 (en) * | 2019-03-28 | 2022-07-20 | Signify Holding B.V. | Multi-layer pcb stack for color mixing |
IT201900004827A1 (it) * | 2019-04-01 | 2020-10-01 | Stmicroelectronics Malta Ltd | Dispositivo elettronico e procedimento di fabbricazione corrispondente |
JP7295426B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
FR3103059A1 (fr) * | 2019-11-07 | 2021-05-14 | Appleton Grp Llc | Arrangement a del |
JP7500317B2 (ja) | 2020-07-22 | 2024-06-17 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
Family Cites Families (103)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3290255A (en) * | 1963-09-30 | 1966-12-06 | Gen Electric | White electroluminescent phosphor |
US3593055A (en) * | 1969-04-16 | 1971-07-13 | Bell Telephone Labor Inc | Electro-luminescent device |
US3676668A (en) * | 1969-12-29 | 1972-07-11 | Gen Electric | Solid state lamp assembly |
US3691482A (en) * | 1970-01-19 | 1972-09-12 | Bell Telephone Labor Inc | Display system |
GB1311361A (en) * | 1970-02-19 | 1973-03-28 | Ilford Ltd | Electrophotographic material |
US4104076A (en) * | 1970-03-17 | 1978-08-01 | Saint-Gobain Industries | Manufacture of novel grey and bronze glasses |
US3670193A (en) * | 1970-05-14 | 1972-06-13 | Duro Test Corp | Electric lamps producing energy in the visible and ultra-violet ranges |
NL7017716A (zh) * | 1970-12-04 | 1972-06-06 | ||
JPS5026433B1 (zh) * | 1970-12-21 | 1975-09-01 | ||
BE786323A (fr) * | 1971-07-16 | 1973-01-15 | Eastman Kodak Co | Ecran renforcateur et produit radiographique le |
JPS48102585A (zh) * | 1972-04-04 | 1973-12-22 | ||
US3932881A (en) * | 1972-09-05 | 1976-01-13 | Nippon Electric Co., Inc. | Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components |
US4081764A (en) * | 1972-10-12 | 1978-03-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Zinc oxide light emitting diode |
US3819973A (en) * | 1972-11-02 | 1974-06-25 | A Hosford | Electroluminescent filament |
US3849707A (en) * | 1973-03-07 | 1974-11-19 | Ibm | PLANAR GaN ELECTROLUMINESCENT DEVICE |
US3819974A (en) * | 1973-03-12 | 1974-06-25 | D Stevenson | Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode |
DE2314051C3 (de) * | 1973-03-21 | 1978-03-09 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
NL164697C (nl) * | 1973-10-05 | 1981-01-15 | Philips Nv | Lagedrukkwikdampontladingslamp. |
DE2509047C3 (de) * | 1975-03-01 | 1980-07-10 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Kunststoffgehäuse für eine Lumineszenzdiode |
US4176294A (en) * | 1975-10-03 | 1979-11-27 | Westinghouse Electric Corp. | Method and device for efficiently generating white light with good rendition of illuminated objects |
US4176299A (en) * | 1975-10-03 | 1979-11-27 | Westinghouse Electric Corp. | Method for efficiently generating white light with good color rendition of illuminated objects |
DE2634264A1 (de) * | 1976-07-30 | 1978-02-02 | Licentia Gmbh | Halbleiter-lumineszenzbauelement |
US4211955A (en) * | 1978-03-02 | 1980-07-08 | Ray Stephen W | Solid state lamp |
US4315192A (en) * | 1979-12-31 | 1982-02-09 | Westinghouse Electric Corp. | Fluorescent lamp using high performance phosphor blend which is protected from color shifts by a very thin overcoat of stable phosphor of similar chromaticity |
US4305019A (en) * | 1979-12-31 | 1981-12-08 | Westinghouse Electric Corp. | Warm-white fluorescent lamp having good efficacy and color rendering and using special phosphor blend as separate undercoat |
JPS57174847A (en) * | 1981-04-22 | 1982-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | Fluorescent discharge lamp |
US4443532A (en) * | 1981-07-29 | 1984-04-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Induced crystallographic modification of aromatic compounds |
US4667036A (en) * | 1983-08-27 | 1987-05-19 | Basf Aktiengesellschaft | Concentration of light over a particular area, and novel perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid diimides |
US4573766A (en) * | 1983-12-19 | 1986-03-04 | Cordis Corporation | LED Staggered back lighting panel for LCD module |
JPS60147743A (ja) * | 1984-01-11 | 1985-08-03 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
US4772885A (en) * | 1984-11-22 | 1988-09-20 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid crystal color display device |
US4638214A (en) * | 1985-03-25 | 1987-01-20 | General Electric Company | Fluorescent lamp containing aluminate phosphor |
JPH086086B2 (ja) * | 1985-09-30 | 1996-01-24 | 株式会社リコー | 白色エレクトロルミネツセンス素子 |
US4845223A (en) * | 1985-12-19 | 1989-07-04 | Basf Aktiengesellschaft | Fluorescent aryloxy-substituted perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid diimides |
FR2597851B1 (fr) * | 1986-04-29 | 1990-10-26 | Centre Nat Rech Scient | Nouveaux borates mixtes a base de terres rares, leur preparation et leur application comme luminophores |
US4859539A (en) * | 1987-03-23 | 1989-08-22 | Eastman Kodak Company | Optically brightened polyolefin coated paper support |
DE3740280A1 (de) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von n,n'-dimethyl-perylen-3,4,9,10-tetracarbonsaeurediimid in hochdeckender pigmentform |
US4915478A (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low power liquid crystal display backlight |
US4918497A (en) * | 1988-12-14 | 1990-04-17 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
US5126214A (en) * | 1989-03-15 | 1992-06-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Electroluminescent element |
US4992704A (en) * | 1989-04-17 | 1991-02-12 | Basic Electronics, Inc. | Variable color light emitting diode |
DE3926564A1 (de) * | 1989-08-11 | 1991-02-14 | Hoechst Ag | Neue pigmentzubereitungen auf basis von perylenverbindungen |
DE4006396A1 (de) * | 1990-03-01 | 1991-09-05 | Bayer Ag | Fluoreszierend eingefaerbte polymeremulsionen |
US5210051A (en) * | 1990-03-27 | 1993-05-11 | Cree Research, Inc. | High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride |
US5077161A (en) * | 1990-05-31 | 1991-12-31 | Xerox Corporation | Imaging members with bichromophoric bisazo perylene photoconductive materials |
GB9022343D0 (en) * | 1990-10-15 | 1990-11-28 | Emi Plc Thorn | Improvements in or relating to light sources |
JP2593960B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1997-03-26 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子とその製造方法 |
US5166761A (en) * | 1991-04-01 | 1992-11-24 | Midwest Research Institute | Tunnel junction multiple wavelength light-emitting diodes |
JP2666228B2 (ja) * | 1991-10-30 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
US5143433A (en) * | 1991-11-01 | 1992-09-01 | Litton Systems Canada Limited | Night vision backlighting system for liquid crystal displays |
DK0616625T3 (da) * | 1991-11-12 | 1997-09-15 | Eastman Chem Co | Koncentrater af fluorescerende pigmenter. |
GB9124444D0 (en) * | 1991-11-18 | 1992-01-08 | Black Box Vision Limited | Display device |
US5208462A (en) * | 1991-12-19 | 1993-05-04 | Allied-Signal Inc. | Wide bandwidth solid state optical source |
US5211467A (en) * | 1992-01-07 | 1993-05-18 | Rockwell International Corporation | Fluorescent lighting system |
JPH05304318A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-11-16 | Rohm Co Ltd | 発光素子アレイ基板 |
US6137217A (en) * | 1992-08-28 | 2000-10-24 | Gte Products Corporation | Fluorescent lamp with improved phosphor blend |
US5578839A (en) * | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
JP2809951B2 (ja) * | 1992-12-17 | 1998-10-15 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置とその製造方法 |
US5518808A (en) * | 1992-12-18 | 1996-05-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles |
US5869199A (en) * | 1993-03-26 | 1999-02-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Organic electroluminescent elements comprising triazoles |
US5557168A (en) * | 1993-04-02 | 1996-09-17 | Okaya Electric Industries Co., Ltd. | Gas-discharging type display device and a method of manufacturing |
WO1994025504A1 (de) * | 1993-05-04 | 1994-11-10 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Tetraaroxyperylen-3,4,9,10-tetracarbonsäurepolyimide |
US5405709A (en) * | 1993-09-13 | 1995-04-11 | Eastman Kodak Company | White light emitting internal junction organic electroluminescent device |
JPH0784252A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
EP0647730B1 (en) * | 1993-10-08 | 2002-09-11 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | GaN single crystal |
US5679152A (en) * | 1994-01-27 | 1997-10-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of making a single crystals Ga*N article |
JP2596709B2 (ja) * | 1994-04-06 | 1997-04-02 | 都築 省吾 | 半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置 |
US5771039A (en) * | 1994-06-06 | 1998-06-23 | Ditzik; Richard J. | Direct view display device integration techniques |
US5777350A (en) * | 1994-12-02 | 1998-07-07 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device |
US5660461A (en) * | 1994-12-08 | 1997-08-26 | Quantum Devices, Inc. | Arrays of optoelectronic devices and method of making same |
US5583349A (en) * | 1995-11-02 | 1996-12-10 | Motorola | Full color light emitting diode display |
US6600175B1 (en) * | 1996-03-26 | 2003-07-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
US5962971A (en) * | 1997-08-29 | 1999-10-05 | Chen; Hsing | LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights |
US6340824B1 (en) * | 1997-09-01 | 2002-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
US5959316A (en) * | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
US6504301B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-01-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes |
JP5110744B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2012-12-26 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光装置及びその製造方法 |
US6576488B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-06-10 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor |
US6642652B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-11-04 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Phosphor-converted light emitting device |
ES2378067T3 (es) | 2002-05-08 | 2012-04-04 | Phoseon Technology, Inc. | Fuente de luz de estado sólido de alta eficacia y métodos de uso y fabricación |
JP2004071771A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
US7224000B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lumination, Llc | Light emitting diode component |
AU2003270052B2 (en) * | 2002-08-30 | 2009-02-19 | Gelcore Llc | Phosphor-coated LED with improved efficiency |
EP2264798B1 (en) * | 2003-04-30 | 2020-10-14 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
US6869812B1 (en) * | 2003-05-13 | 2005-03-22 | Heng Liu | High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode |
US7575697B2 (en) | 2004-08-04 | 2009-08-18 | Intematix Corporation | Silicate-based green phosphors |
US7311858B2 (en) | 2004-08-04 | 2007-12-25 | Intematix Corporation | Silicate-based yellow-green phosphors |
US7390437B2 (en) | 2004-08-04 | 2008-06-24 | Intematix Corporation | Aluminate-based blue phosphors |
US7601276B2 (en) | 2004-08-04 | 2009-10-13 | Intematix Corporation | Two-phase silicate-based yellow phosphor |
JP4747726B2 (ja) | 2004-09-09 | 2011-08-17 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP4661147B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2011-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
US7541728B2 (en) | 2005-01-14 | 2009-06-02 | Intematix Corporation | Display device with aluminate-based green phosphors |
US20070114562A1 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Gelcore, Llc | Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications |
KR100927154B1 (ko) | 2005-08-03 | 2009-11-18 | 인터매틱스 코포레이션 | 실리케이트계 오렌지 형광체 |
JP2007049019A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Koha Co Ltd | 発光装置 |
SE530632C2 (sv) * | 2005-09-19 | 2008-07-22 | Claes Olofsson | Oljeupptagare och förfarande för uppsamling av en blandning/emulsion och avskiljning av vatten från olja |
US7488097B2 (en) | 2006-02-21 | 2009-02-10 | Cml Innovative Technologies, Inc. | LED lamp module |
US8596819B2 (en) | 2006-05-31 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | Lighting device and method of lighting |
US20080029720A1 (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
US7648650B2 (en) | 2006-11-10 | 2010-01-19 | Intematix Corporation | Aluminum-silicate based orange-red phosphors with mixed divalent and trivalent cations |
CN101232061B (zh) * | 2007-01-22 | 2013-04-03 | 长春藤控股有限公司 | 发光源封装 |
US8461613B2 (en) | 2008-05-27 | 2013-06-11 | Interlight Optotech Corporation | Light emitting device |
-
2009
- 2009-12-16 US US12/639,688 patent/US8390193B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-23 JP JP2011544516A patent/JP2012514347A/ja active Pending
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-
2013
- 2013-03-04 US US13/784,683 patent/US20140021495A1/en not_active Abandoned
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI495168B (zh) * | 2011-06-16 | 2015-08-01 | Nitto Denko Corp | 螢光接著片材、附螢光體層之發光二極體元件、發光二極體裝置及其等之製造方法 |
TWI476968B (zh) * | 2011-10-11 | 2015-03-11 | Lite On Electronics Guangzhou | 發光裝置 |
TWI596416B (zh) * | 2014-12-26 | 2017-08-21 | Ns Mat Inc | Wavelength conversion member and method of manufacturing the same |
TWI644155B (zh) * | 2014-12-26 | 2018-12-11 | Ns材料股份有限公司 | 波長轉換構件及其製造方法 |
TWI684817B (zh) * | 2014-12-26 | 2020-02-11 | 日商Ns材料股份有限公司 | 波長轉換構件及其製造方法 |
TWI696876B (zh) * | 2014-12-26 | 2020-06-21 | 日商Ns材料股份有限公司 | 波長轉換構件及其製造方法 |
TWI711868B (zh) * | 2014-12-26 | 2020-12-01 | 日商Ns材料股份有限公司 | 波長轉換構件及其製造方法 |
US11316082B2 (en) | 2014-12-26 | 2022-04-26 | Ns Materials Inc. | Wavelength converting member and method of producing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2376831A4 (en) | 2012-10-03 |
CN102272517A (zh) | 2011-12-07 |
EP2376831A1 (en) | 2011-10-19 |
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US20140021495A1 (en) | 2014-01-23 |
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