TW201041864A - Organic electroluminescent element - Google Patents

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TW201041864A
TW201041864A TW099110157A TW99110157A TW201041864A TW 201041864 A TW201041864 A TW 201041864A TW 099110157 A TW099110157 A TW 099110157A TW 99110157 A TW99110157 A TW 99110157A TW 201041864 A TW201041864 A TW 201041864A
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Inventor
Nobuhiro Yabunouchi
Takashi Arakane
Kazuki Nishimura
Chishio Hosokawa
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co
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Description

201041864 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種於電洞傳輸層中使用特定之化合物 . 之有機電致發光元件（以下，有時稱為「有機el (electroluminescence，電致發光）元件」）。 ' 【先前技術】 使用有機物質之有機EL元件有望用作固體發光型之廉價 ❹之大面積全彩顯示元件，而正在進行大量開發。通常有機 EL元件包含發光層及夾著該層之一對的對向電極。發光係 如下現象.若對兩電極間施加電場，則自陰極側注入電 子，自陽極側注入電洞，進而，該電子於發光層與電洞再 結合，生成激發狀態，當激發狀態恢復至基態時，將能量 以光之形式而釋放_。 已知有各種形態之有機EL元件’其中，例如提出有如下 之有機EL元件：其使用含有具有嘆吩結構之特定取代基的 Q 芳香族胺衍生物或具有二芳基胺基所鍵結之咔唑骨架的芳 香族胺衍生物作為電洞注入材料或電洞傳輸材料（例如彔 照專利文獻1、2)。 ' 先前技術文獻 » 專利文獻 專利文獻 1 : W02008-023759 專利文獻 2 : WO2008-062636 【發明内容】 發明所欲解決之問題 147068.doc 201041864 然而，於如上所述之有機EL元件中，古μ + 結構不同之分子有上述材料中分子 導致驅動電壓上升。冑未順⑸地進行之情形，有時 由於以上問題，本發明之曰从+ 下降、並且壽命較長+ ，在於提供一種使驅動電壓 立且可命較長、貫用性優異之有機EL元件。 解決問題之技術手段 本發明者等為達成上述 的而反覆努力研究 現，藉由使用具有特定之研九結果發 傳輸声材料曰你 K構之化合物作為第！電洞 得叛層材科、且使用具有二苯 香族胺衍生物作;^ 2Φ、， 構及Μ結構之芳 電子接爲:：: 輸層材料，或者使用特定之 子接又性化合物、且使用 構之芳香族胺衍生物本:夫南結構及味嗤結 φ ± 為第電洞傳輸材料，可製造驅動 電壓較低、壽命較县彳古」表拉驅動 可卩杈長之有機EL兀件，從而完 即，本申請案第一發明係一種右 月 徵在於·其係包含陽極、 八特 险搞夕„ 士 及设置於上述陽極與上述 陰極之間之有機薄膜層者； 上述有機薄臈層具有含右φ 《 声…… 體材料及發光材料之發光 : 置於較上述發光層更靠上述陽極側之電洞傳輪 及^電洞傳輪層自上述陽極起依序具有第工電洞傳輸 ^所表2電洞傳輸層’上述第1電洞傳輸層含有由下述通式 U)所表不之化合物，卜t笙 m… 上述弟2電洞傳輸層含有由下述通式 (2)所表不之化合物： [化1] I47068.doc 201041864
(式中，Μ表示經取代或未經取代之成環碳數1〇〜4〇之伸芳 基，Ari〜Ar4表示經取代或未經取代之成環碳數6〜60之芳 基或者成環原子數6~60之雜芳基）； [化2]
(式中，Ar^Ao中至少一者為由下述通式（3)所表示之基， ΑΓ5〜ΑΓ7中並非通式（3)之基為由下述通式⑷或者（5)所表示 之基、或者經取代或未經取代之碳數6〜4〇之芳基： [化 3] ^
(式中L2表不單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸方基’ ^可具有之取代基為碳數之直鍵狀或 分支狀烧基、成環碳數3〜1〇之環烧基、碳數Μ之三烧基 料基、成環碳數18〜3G之三芳基㈣基、碳數8〜15之炫 基方基錢基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、幽素原子或者氰基； 分別獨立為經取代或未經取代之碳數H〇之直鏈 147068.doc 201041864 狀或分支狀烧基、經取代或未經取代之成環碳數3〜1〇之環 烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、經 取代或未經取代之成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、經取 代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之 成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜16之 芳基、_素原子或者氰基；鄰接之複數個心及尺2可相互鍵 結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基；a及b分別獨立 表示0〜4之整數）； [化4]
(式中，L3表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基’ L3可具有之取代基為碳數卜1〇之直鏈狀或 分支狀烧基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜10之三烷基 矽烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷 基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； c及d分別獨立表示〇〜4之整數； R3及R4分別獨立表示經取代或未經取代之碳數i 〜10之直 鍵狀或分支狀烧基、經取代或未經取代之成環碳數3〜丨〇之 環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜10之三烷基矽烷基、 經取代或未經取代之成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷基、經 147068.doc 201041864 取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分 之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜14 之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個尺3及r4可相互 鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基）； [化5]
(式中’ L4表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基’ I#可具有之取代基為碳數卜1〇之直鏈狀或 分支狀烷基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜10之三烷基 矽烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷 基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； 〇 ArS表示經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基，Ar8 可具有之取代基為碳數1〜10之直鏈狀或分支狀烷基、成環 碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、成環碳數 18〜30之二芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基 邓刀之成％碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳基、鹵素原 子或者氰基； e表示〇〜3之整數，f表示0〜4之整數； 5及R0刀別獨立表示經取代或未經取代之碳數1〜1 〇之直 147068.doc 201041864 鏈狀或分支狀炫基、經取代或未經取代之成環碳數3〜丨〇之 環烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、 經取代或未經取代之成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷基、經 取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分 之成壞碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜i 4 之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個115及116可相互 鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基））。 又，本申請案第二發明係一種有機電致發光元件，其特 徵在於.其係包含陽極、陰極、及設置於上述陽極與上述f) 陰極之間之有機薄膜層者； 上述有機薄膜層具有含有主體材料及發光材料之發光 層及叹置於較上述發光層更靠上述陽極側之電洞傳輸 層上述電洞傳輸層自上述陽極起依序具有含有電子接受 f生化口物之層及第丄電洞傳輸層，上述電子接受性化合物 係由下述通式（1G)所表示’上述第旧洞傳輸層含有由上述 通式（2)所表示之化合物：
[化 6] Q
(10) [上述通式（10)中，r7〜r1 软A ^ 別獨立表示氰基、-conh2、 叛基、或-C〇〇Rn f丨3 2 R9及Ri◦、或R11乂“數1〜20之炫基)，或者R7及R8、 一 R相互鍵結而表示由-CO-0-CO-所示之 147068.doc 201041864 基]。 七月之有機ELtl件可合適地傳輸電荷，因此亦可應用 構成全彩顯示器所需要之紅色、綠色、藍色之任-像素 二有機EL元件’可期待使發光層中所含有之主體材料與發 ^ A材料以外之材料共通化。藉此而期待降低元件之製造成 本。 發明之效果 Ο I據本發明’可提供-種使is動電壓下降、並且壽命較 長、實用性優異之有機EL元件。 【實施方式】 本申晴案第一發明之有機EL元件係包含陽極、陰極、及 又置於上述陽極與上述陰極之間之有機薄膜層而成。有機 薄膜層具有含有主體材料及發光材料之發光層，且具有設 置於較上述發光層更靠陽極側之電洞傳輸層。並且，電洞 傳輸層自上述陽極起依序具有第1電洞傳輸層及第2電洞傳 Ο 輸層’上述第1電洞傳輸層含有由下述通式（1)所表示之化 合物’上述第2電洞傳輸層含有由下述通式（2)所表示之化 合物： [化7]
147068.doc 1 2 (式中’ Li表示經取代或未經取代之成環碳數1 〇〜4〇之伸芳 201041864 基，Ar广At*表示經取代或未經取代之成環碳數6〜6〇之芳 基或者成環原子數6〜60之雜芳基）； [化8]
(2) (式中’ Aq〜A”中至少一者為由下述通式（3)所表示之基，
Ars Ar?中並非通式（3)之基為由下述通式（4)或者（5)所表示 之基、或者經取代或未經取代之碳數6〜4〇之芳基：） [化9]
(式中，L2表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基’ L2可具有之取代基為碳數丨〜⑺之直鏈狀或 分支狀烷基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基 矽烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷 基芳基石夕烧基（芳基部分之成環碳數為6〜丨4)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基；
Ri及R2分別獨立為經取代或未經取代之碳數丨〜⑺之直鏈 狀或分支狀院基、經取代或未經取代之成環碳數3〜1〇之環 烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、經 取代或未經取代之成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、經取 代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之 I47068.doc •10· 201041864 成數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜16之 芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個Ri及R2可相互鍵 、、σ而形成形成環之飽和或不飽和之2價基；&及b分別獨立 表示0〜4之整數）； [化 10]
(式中’ La表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基，L3可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀或 为支狀烷基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基 石夕烧基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷 基芳基石夕烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； c及d分別獨立表示〇〜4之整數； R3及R4分別獨立表示經取代或未經取代之礙數丨〜1〇之直 鍵狀或分支狀烧基、經取代或未經取代之成環碳數3〜1〇之 壞烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、 經取代或未經取代之成環碳數1 8〜3〇之三芳基矽烷基、經 取代或未經取代之碳數8〜1 5之烷基芳基矽烷基（芳基部分 之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數 之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個r3&r4可相互 鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基）； 147068.doc -11 - 201041864 [化 11]
(式中，U表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基’乙4可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀或 分支狀烷基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜10之三烷基 石夕烧基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烧 基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6~ 14之芳基、鹵素原子或者氰基；
Ars表示經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基，Αγ8 可具有之取代基為碳數1〜10之直鏈狀或分支狀烷基、成環 碳數3〜10之環烧基、碳數3〜1〇之三烧基碎烧基、成環碳數 18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基 部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳基、鹵素原 子或者氰基； e表示0〜3之整數，f表示〇〜4之整數； R5及R6分別獨立表示經取代或未經取代之碳數丨〜⑺之直 鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數3〜1〇之 環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基碎烷基、 經取代或未經取代之成環碳數18〜30之三芳基石夕烷基、經 取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分 147068.doc -12« 201041864 之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜14 之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個心及心可相互 鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基））。 於上述通式（3)中之La、上述通式（5)中之L4為伸芳基之 情形時，抑制由上述通式（2)所表示之化合物之電子密度的 上升，IP(Ionization Potentia卜游離電位）變大，故容易降 低兀件之電壓，因此較好。進而，若二苯并呋喃結構或咔 〇 °坐結構經由伸芳基與氮原子鍵結，則大多情況下胺不易被 氧化而化合物變穩定，容易延長元件之壽命。又於上述 通式（5)中之L4為伸芳基之情形時，化合物變穩定，因此容 易合成。 又，於上述通式（5)中L4之伸芳基係由下述通式（8)所表 示之情形時，抑制胺化合物之電子密度之提高，其結果π 變大，對發光層之電洞注入性提高，可期待元件之電壓下 降。特別於由上述通式⑺所表示之化合物具有由上述通式 〇 所表不之含二笨并呋喃結構之基、與由上述通式及/ 或（5)所表示之含咔唑結構之基之情形時，較好的是通式 (4)、（5)中之L3及L4分別獨立由下述通式（8)所表示： [化 12]
(8) [R及R分別獨立表示碳數卜1〇之直鏈狀或分支狀烷 基、成％碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、 147068.doc •13· 201041864 成^炭數18〜3〇之三芳基石夕貌基、碳數8〜15之炫基芳基石夕 炫基(芳基部分之成環碳數為6，、成環碳數6〜16之芳 基、鹵素原子或者减。鄰接之複數個r1i及Ri2可鍵結而 形成飽和或不飽和之環； k及1分別獨立為0〜4之整數]。 由上述式⑴及（2)所表示之化合物均具有電洞注入、傳 輸性，因此可合適地用作電洞傳輸層。 述式⑴及（2)所表不之化合物均係親和能階 較小。因此，若使用該等化合物形成接合於發光層之電洞 傳輸層，則發揮優異之電子阻擋性。 而且，由上述式⑴及⑺所表示之化合物均具有較高之 電子耐性，因此有機EL元件之壽命亦W由於電子阻擔時 之電子集中而下降。 本申請案第-發明之有機EL元件係使用此種由上述式 ⑴及⑺所表示之化合物形成電洞傳輸層，因此可將電子 封閉在發光層中並且將電洞注人至發光層中，從而可提高 電荷之再結合機率而獲得高效率之發光。高性能化無論營 光、磷光均有效果，對磷光特別有效果。 又’於電子阻擋時，電子於發光層與㈣傳輸層之界面 集中，但由於上述式⑴及⑺所表示之化合物之電子耐性 較高，因此發光壽命不易下降。 又，由上述式（1)及（2)所表示之化合物係Af較小而電子 不易進入，而有阻擋向陽極側之移動之傾向。 進而，於相對於由上述式⑴所表示之化合物而具有更 147068.doc 14- 201041864 …耐性之由上述式⑺所表示的化 此可使元件整體的壽命變長。 Τ丨且棕電子，藉 由上述式⑺所表示之化合物為單胺… 呋喃基，Eg大於由上述式 ’、 /、有一本开 1八（1)所表不之化合物。 常Af小於由上述式〇)所表示之化合 發光層向陽極側移動。於磷 不易使電子自 崎常較小，更不易使電m層中，發光層以較大故 ❹ 〇 顯。 勿蚀側移動，上述效果明 又，藉由二苯并呋喃之立體性體積而具有拉長與鄰接之 第1電洞傳輸層的分子之距離的立體性效果。藉此，可於 第2電洞傳輸層與第1電洞傳輸層之界面阻擋載體。藉此， 於相對於由上述式⑴所表示之化合“具 之由上述式(2)所表示的化合物中阻擋自陰極側移動而來之 電子，藉此可使元件整體之壽命變長。 再者，所謂親和能階…(電子親和力），係指對材料之分 :提供-個電子時所釋放或者吸收之能量，將釋放之情形 定義為正，吸收之情形定義為負。 親和能階Af係藉由游離電位㈣光學能隙Eg⑻以如下 方式規定：
Af=Ip-Eg(S)。 此處，游離電位Ip係指自各材料之化合物除去電子而形 成離子所需之能量，例如係利用紫外線光電子分光分析裝 置（AC-3 ’理研（股）儀器）測定出之值。 光學能隙Eg(S)係指傳導能級與價電子能級之差，例如 147068.doc 201041864 係將各材料之甲苯稀薄溶液之吸收光譜的長波長側切線與 基線（吸收零）之交點的波長值換算成能量而求出。 進而’由上述式（1)、（2)所表示之化合物係玻璃轉移溫 度（Tg)較高，耐熱性優異。特別是若導入分子量較大之取 代基’則可提高電洞傳輸層之耐熱性。 此處，先别被用作形成電洞傳輸層之材料之α_Νρβ(例如 參照美國專利2006-0088728號公報）係以為！^^以下，因 此耐熱性不足。 相對於此’於本發明中，藉由採用Tg較高之由上述式Ο ⑴、（2)所表示之化合物’可提高有機此元件之耐熱性。 又，於美國專利2006_〇〇88728號公報之發明中，使用銅 酿菁化合物形成電洞注入層。 =，銅錯合物於可見區域具有吸收，因此若厚膜化則 一-色而人佳又，銅錯合物係非晶性較低，結晶性較 尚’因此難以厚膜化，於構築元件構成之方面限制較多。 相對於此，由上述式（1) 域並無較大吸收，非日日二尸Γ日不之化合物於可見區 厚化。 B較π，、，、α晶性較低，因此適於膜 稽此 採用由上述式（1)、m 之有播1) (2)所表不之化合物的本發明 之有機EL兀件可構築各種元件構成。 所謂本發明之有機電致 設置於較發光層更靠， 之電洞傳輸層，係指 洞之作用。 側’發揮自陽極向發光層注入電 本發明之有機電致發# 中之第1電洞傳輸層及第2電 147068.doc -16. 201041864 洞傳輸層係分別作為將電洞注入至發光層的電洞傳輸層而 發揮作用之層，將設置於陽極側者稱為第1電洞傳輸層， 將設置於發光層側者稱為第2電洞傳輸層。 通常，為自陽極以較低之電壓將電洞注入至發光層之 HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital ’ 最高佔用分 子軌域）’而設置複數個電洞傳輸層，以自位於陽極側之 电洞傳輸層至位於發光層側之電洞傳輸層使其能階 0逐漸接近於發光層之HOMO能階之方式選定材料。 又已知，為增大發光層中之電子與電洞之再結合機率， 而選擇與發光層接觸之電洞傳輸層之親和能階較小的材 料二藉此可將來自陰極側之電子封閉在發光層中，從而可 提高發光效率及延長壽命。 為此，較好的是第1電洞傳輸層之游離電位小於第2電洞 傳輸層之游離電位。進而，其差較好的是！.〇eV以下，更 好的是0.4 eV以下。 ❹ 人’权好的是第1電 ，· < nr卞别/苺 -，V此厂白q、W兴丹接蜩 之發光層之親和能階。進而’其差較好的是"π以下， 更好的是0.4 eV以下。 ,上述第1電，同傳輸層較好的是成為1〇〜細㈣之膜厚之情 形，更好的是成為15〜15G nm之膜厚之情形，特別好的是 成為20〜1〇〇 nm之膜厚之_识 _ 一 a 料之清形°又’上述第2電洞傳輸層較 好的疋成為Π)〜_nm之膜厚之情形，更好的是成為 :5〜'Ο"11之膜厚之情形，特別好的是成為削。—之膜 厚之情形。 147068.doc -17· 201041864 作為本發明之有機電致發光元件，較好的是上述通式 ⑷及通式⑺中一及一分別獨立為伸苯基、聯苯二基、聯 三苯二基、伸萘基或者菲二基者。 土 本發明之有機EL元件於第1<f洞傳輸層中含有由上述通 式⑴所表示之化合物，但該化合物之游離電位較大，因此 電洞容易向第2電洞傳輸層移動，而使所獲得之有機队元 件之電壓變低。 由上述通式（1)所表示之化合物較好的是進而滿足下述 (2)〜(6)。 (2) 由上述通式（1)所表示之化合物相對於^為非對稱。 與相對於Ll為對稱之化合物相比，分子間之相互作用更 小，因此抑制結晶化，提高有機EL元件之製造良率。又， 非晶性優異，因此與鄰接之ITCKindium tin oxide，氧化銦 錫）或有機層之界面的接著性提高’使元件變穩定。 (3) 於上述通式（1)中，L!為聯苯二基。 於注入有電洞之陽離子狀態下，具有電氣穩定之醌結 構’對於氧化具有優異之穩定性。 (4) 上述通式U)之Ar〗〜八1*4分別獨立為經取代或未經取代 之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代 之聯二苯基、經取代或未經取代之菲基，或者係由下述通 式（6)所表示： [化 13] 147068.doc •18· 201041864
(式中’ L5表示經取代或未經取代之成環碳數6〜5〇之伸芳 基，L5可具有之取代基為碳數1〜10之直鏈狀或分支狀烷 基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜10之三烷基矽烷基、 成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽 烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳 基、鹵素原子或者氰基；
Arp表不經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基， 可具有之取代基為碳數丨〜⑺之直鏈狀或分支狀烷基、成環 碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、成環碳數 18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基 部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳基、鹵素原 子或者氰基； q g表示1或者2 ; R7表示經取代或未經取代之碳數丨〜⑺之直鏈狀或分支狀 炫基、經取代或未經取代之成環碳數3〜1〇之環烷基、經取 代或未經取代之碳數3〜10之三烷基矽烷基、經取代或未經 取代之成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、經取代或未經取 代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為 6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基、齒素 原子或者氰基。複數個R7可相互鍵結而形成形成環之飽和 或不飽和之2價基）。 147068.doc -19- 201041864 由上述通式（6)所表示之結構由於孤立電子對與之相 互作用而與ΙΤΟ之接著性優異，因此電洞注入性良好，並 且不易受到ΙΤΟ之性狀的影響，可具有穩定之元件性能。 (5) 上述通式（1)之An〜Ar4分別獨立為經取代或未經取代 之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代 之聯三苯基、或者經取代或未經取代之菲基。 苯基、聯苯基、聯三苯基、菲基係對於氧化及還原具有 優異之穩定性的取代基群，適合作為鍵結於胺之取代基。 (6) 上述通式（1,)之Ari〜Ar4中至少一者係由上述通式（6)所 表示。 該胺單元具有立體阻礙性，故分子間之相互作用較小， 因此可抑制結晶化，提高有機EL元件之製造良率。又，含 有具有二苯并呋喃結構之芳基及具有咔唑結構之芳基的胺 化α物係Eg杈大，可有效阻擋來自發光層之電子，因此提 向效率’並且抑制向電洞傳輸層之電子注入，因此有延長 壽命之效果’特別是藉由與藍色發光元件組合而可獲得明 顯之長壽命效果。 由上述通式（2)所表示之化合物較好的是進而滿足下述 ⑺〜(25)。 (7) 於上述通式（2)中，Ar5〜Ar7中至少一者係由上述通式 (4)或者（5)所表示之基。 (8) 於上述通式（2)中，Ar5〜Ar7中至少一者係由上述通式 (4)所表示之基。 一般S忍為’藉由咔唑之N原子與胺之N原子的相互作用 147068.doc -20- 201041864 而改善咔唑之對於還原之不穩定性 此較好。 。其結果壽命變長，因 (9)於上述通式（2)中，Αγ5〜旭7中 (5)所表示之基。
An中至少一者係由上述通式 (10)於上述通式（2)中，Ar5〜Ar7中 (7)所表示。
Ar5〜Ar7中至少一者係由下述通式 該胺單元具有立體阻礙性，故分子間之相互作用較
高，有延長所獲得之有機£1元件之壽命的效果，特別是藉 由與藍色發光元件組合而可獲得明顯之長壽命效果： [化 14]
(式中 R8〜R1 〇分別獨立為經取代或未經取代之碳數1〜1 〇 之直鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數 3〜10之環烧基、經取代或未經取代之碳數3〜10之三烷基矽 烧基、經取代或未經取代之成環碳數18〜3 0之三芳基碎烧 基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳 基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳 數6〜16之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個R8~R10 可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基；h、i 及j分別獨立表示〇〜4之整數）。 147068.doc -21 - 201041864 ⑴）於上述通式（2)中，Ar5〜-中至少兩者係由上述通式 ?所表不’於ΑΓ5〜ΑΓ7中兩者係由通式(3)所表示之情形 時本兩個由通式⑺所表示之基並不相同，又，於_〜Α” :者為由通式⑺所表示之基之情形時，三個由 表示之基不相同。 =^少2種具有二苯并Μ結構之芳基之胺衍生物可 之製：良:對：生^此可抑制結晶化’提高有機EL元件 又、，含有具有二苯并呋喃結構之芳基之胺化 口物係Eg較大，可有效阻擋來自發光層之電子 :::且:制向電洞傳輸層之電子注入，因此 I:效:別是藉由與藍色發光元件組合而可獲得明顯 又’-般認為Ip變小而容易將電洞直接注人至 摻雜劑中’其結果電壓變小，因此較好。 (12)於上述通式（2)中，仏係由上述通 ⑴）於上述通式（Wm上述通^所表:干。，a 及^為、經取代或未經取代之破數㈣之芳基。表不“ (14)於上述通式（2)巾，μ係由上述通式（3) _ :=式(3)所表示，為經取代或未經取二: (15) 於上述通式（2)中，μ係由上述通式 及Ar7係由上述通式（4)所表示。 表不’紅 (16) 於上述通式（2)巾，仏係由上述通式 係由上述通式（3)所表*，Air7#由上述通式（4)所表二 147068.doc -22- 201041864 (】7)於上述通式（2)中，Ars係由上述通式（ 及A1·7係由上述通式⑺所表示。 所表示，AG (IS)於上述通式（2)尹，A。係由上述通式〇)戶 係由上述通式（3)所表示，A”係由上述通式（5)戶示Ar0 (I9)於上述通式（2)中，A。係由上述通式（3)戶示 及Ah係由上述通式（7)所表示。 斤表不，Ah (20) 於上述通式（2)中， 係由上述通式（3)所表示 (21) 於上述通式（2)中， 係由上述通式（4)所表示 (22) 於上述通式（2)中， 係由上述通式（4)所表示 (23) 於上述通式（2)中， 係由上述通式（4)所表示 6〜40之芳基。 Ο Μ係由上述通式（3)所表示，仏 ，ΑΓ7係由上述通式⑺所表示。 ΑΓ5係由上述通式（3)所表示，Ar6 ，Ar7係由上述通式(5)所表示。 ΑΓ5係由上述通式(3)所表示，ΑΓ6 ’ 係由上述通式（乃所表示。 ΑΓ5係由上述通式（3)所表示，Ar6 ，Ar7為經取代或未經取代之碳數 〇 (24)於上述通式（2)中， 係由上述通式（5)所表示 6〜40之芳基。
Ars係由上述通式（3)所表示，ΑΓ6 ’ Ah為經取代或未經取代之碳數 (25)於上述通式（2)中， 係由上述通式（7)所表示 6〜40之芳基。 ΑΓ5係由上述通式（3)所表示，Are ,A。為經取代或未經取代之碳數 於上述通式⑴〜⑺中，作為W〜Ri。所表*之經取代或 未經取代之院基的具體例，可列舉：甲基、乙基、丙基、 "丙^正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊 147068.doc -23- 201041864 基、正己基、正庚基'正辛基、羥基曱基、i_羥基乙基、 2-羥基乙基、2-羥基異丁基、丨，2_二羥基乙基、丨，3_二羥基 異丙基、2,3-二羥基-第三丁基、三羥基丙基等，較 好的是曱基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第 二丁基、第三丁基。 於上述通式（1)〜(7)中，作為由Ri〜Ri〇所表 示之經取代或 未經取代之環烷基的具體例，例如可列舉：環丙基、環丁 基、環戊基、環己基、環戊基甲基、環己基甲基、環己基 乙基、4-氟裱己基、丨_金剛烷基、2_金剛烷基、卜降宿 基、2-降宿基等，較好的是環戊基、環己基。 於上述通式（1)〜(7)中’作為由Ri〜Ri〇所表示之三烷基矽 烷基的具體例，例如可列舉：三甲基矽烷基、乙烯基二甲 基矽烷基、二乙基矽烷基、三丙基矽烷基丙基二曱基矽 烷基、三丁基矽烷基、第三丁基二曱基矽烷基、三戊基矽 烷基、三庚基矽烷基、三己基矽烷基等，較好的是三甲基 石夕烧基、二乙基珍燒基。石夕烧基上取代之烧基可相同亦可 不同。 於上述通式(1)〜(7)中’作為由n。所表示之三芳基矽 烧基的具體例’例如可列舉：三苯基找基、三萘基石夕炫 基 '二恩基石夕院&等’車交好的是三苯基妙烧&。碎烷基上 取代之芳基可相同亦可不同。 於上述通式⑴〜⑺中’作為由。所表示之燒基芳基 矽烷基的具體例，例如可列舉：^曱基苯基矽烷基、二乙 基苯基矽烷基、二丙基苯基矽烷基、二丁基苯基矽烷基、 147068.doc -24- 201041864 〇 二戊基苯基矽烷基、二庚基苯基矽烷基、二己基苯基矽烷 基、二甲基萘基矽烷基、二丙基萘基矽烷基、二丁基萘基 矽烷基、二戊基萘基矽烷基、二庚基萘基矽烷基、二己基 萘基矽烷基、二甲基蒽基矽烷基、二乙基蒽基矽烷基、二 丙基蒽基矽烷基、二丁基蒽基矽烷基、二戊基蒽基矽烷 基、二庚基蒽基矽烷基、二己基蒽基矽烷基、二苯基甲基 等，較好的是二甲基苯基矽烷基、二乙基苯基矽烷基、二 苯基曱基。 於上述通式（1)〜(7)中，作為由Rl〜Rl〇及Ar丨〜Ar9所表示之 芳基的具體例，例如可列舉：笨基、2_曱基苯基、3_甲基 苯基、4-曱基苯基、4-乙基苯基 '聯苯基、4_甲基聯苯 基、4-乙基聯苯基、4_環己基聯苯基、蒽基、稠四苯基、 聯二苯基、三聯苯基、3,5_二氣苯基、萘基、5_甲基萘 基、菲基、疾基、苯并菲基、聯三苯基、苯并蒽基、苯并 筷基、稠五苯基、起基、五苯基、芘基、筷基、苐基、 9,9-一甲基苐基、茚基、苊丙二烯合第基、茈基等， 較好的是苯基、聯苯基、萘基。 於上述通式（1)〜⑺中，由Rl〜Ri。所表示之_素原子的具 體例為氟、氯、溴。 於上述通式⑴〜⑺中，作為“A所表示之成環石炭數 6〜50之伸芳基的具體例’可列舉使上述芳基為2價基者。 作為上述可具有取代基之各基的取代基，可列舉：碳數 1〜1〇之直鏈狀或分支狀烷基、成環碳數3,之環烷基、碳 數3〜10之二烷基矽烷基、成環碳數之三芳基矽烷 147068.doc -25- 201041864 基、碳數8~15之炫基芳基碎烧基（芳基部分之成環碳數為 6〜I4)、成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子等。 作為上述各基可具有之取代基之碳數丨〜⑺的直鏈狀或分 支狀烷基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽 烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基 芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14 之方基' #素原'子的具體例’可列舉與作為。之具體 例而列舉者相同者。 丁出由上述通式(1)所表示之化合物之具體例 但並不限定於該等： [化 15]
147068.doc -26 - 201041864 [化 16]
[化 17]
Λ Λ >1 Λ Λ Λ
147068.doc -27- 201041864 [化 18]
❹ 147068.doc -28- 201041864
147068.doc -29- 201041864 [化 20]
147068.doc -30· 201041864 [化 21]
以下’示出由上述通式（2)所表示之化合物之具體例， 但並不限定於該等： 147068.doc -31 201041864 [化 22]
147068.doc 32 201041864 [化 23]
·33· 147068.doc 201041864
147068.doc • 34· 201041864 [化 25]
147068.doc -35- 201041864 [化 26]
147068.doc -36- 201041864 [化 27]
14706B.doc •37- 201041864 [化 28]
Ο
❹
147068.doc -38- 201041864 [化 29]
147068.doc •39- 201041864 [化 30]
❹ 147068.doc -40- 201041864 [化 31]
〇 l 147068.doc -41 - 201041864 [化 32]
147068.doc -42- 201041864[化 33]
147068.doc -43 - 201041864 [化 34]
147068.doc -44- 201041864
147068.doc -45- 201041864 [化 36]
147068.doc -46- 201041864 [化 37]
Ο
又，電洞傳輸層中所含由上述通式（1)、（2)所表示之化 合物並不限定於一種。即，第丨電洞傳輸層可含有由上述 通式（1)所表示之化合物中之複數種，第2電洞傳輪層可人 有由上述通式（2)所表示之化合物中之複數種。 147068.doc .47- 201041864 第r電本同m，上述電洞傳輸層自上述陽極側起依序具有 有i上m層及第2電㈣輸層’上述第1電洞傳輸層含 有由上述通式（1)所表示之胺基 層含有由上述通式⑺所表示之化合^。述第2電洞傳輸 氮=::，由上述通式⑴所表示之化合物較好的是 氮原子數為4以下，且分子量為30G以上、测以下。 根據此種構忐，某蚀卩主丁 3丨 稃定之_ s 1起熱分解，可獲得^較高而 穩疋㈣°即’可利用蒸鍍法形成薄膜。 此：’若分子量小於3。〇’則下降而薄膜缺乏穩定◎ 性，因此欠佳。另一方面，+ 右刀子量超過1500，則容易產 生由瘵鍍時之熱引起之分解，因此欠佳。 作為由上述通式⑴所表示之化合物， 地使用高分子材料’該情形時可較好地使用塗布 關於分子量之上限，可無限制地使用。 較好的疋，本發明之有機電致發光元件滿足下述 (26)〜(34) 。 ^ ^ ⑽上述電洞傳輸層接合於上述發光層。 具體而言，較好的菩μ、+ 迷弟2電洞傳輸層接合於上述 光層。 χ ⑼上述發光材料為含有選自…、。”〜、以、
Re、Au中之金屬之金屬錯合物。 於使用此種金屬錯合物作為發光材料之情形時，發光之 量子產率較高，可進—步提高發Μ件之外部量子效率。 特別好的是銀錯合物、蛾錯合物、始錯合物更好的^ 147068.doc _48· 201041864 银錯合物及鈾錯合物’最好的是鄰位金屬化銀錯合物。 (28)於上述發光材料中，中心金屬原子與配位基中所含 碳原子為鄰位金屬鍵結。 根據此種構成，< 進步長1南發光之量子產率。 作為鄰位金屬化#屬錯合物，例如較好的是以下所示之 銥錯合物： [化 38] ㈣ ㈣ ㈣
(K-7)
147068.doc -49· 201041864 [化 39] (Κ-10) (ΚΜ«)
[化 40] «ΊΒ)
(Μ7)
τη
(1-18)
(29)上述主體材料之激發三重態能隙為2.0 以上、3.2 eV以下。 根據此種構成，可實現向發光材料之有效之能量移動。 此處’激發三重態能隙Eg(T)例如可根據發光光譜以如 147068.doc • 50· 201041864 下方式規定。 即，將測定對象之材料以1〇 pmol/L溶解於ΕΡΑ溶劑（以 谷積比計，二乙醚：異戊烷：乙醇=5:5:2)中，製成磷光測 定用試料。 並且，將磷光測定用試料放入石英池中，冷卻至77 Κ， 照射激發光，測定發射出之磷光之波長。 對所獲得之磷光光譜之短波長側的上升晝切線，將該切 〇 線與基線之交點之波長值換算成能量，並將所獲得之值作 為激發三重態能隙Eg(T)。 再者，測定可使用市售之測定裝置F 45〇〇(曰立製造）。 (3〇)於上述陰極與上述有機薄膜層之界面區域添加有還 原性摻雜劑。 作為還原性摻雜劑，可列舉：選自驗金屬、驗金屬錯合 物、鹼金屬化合物、鹼土金屬、鹼土金屬錯合物、鹼土金 屬化合物、稀土金屬、稀土金屬錯合物、及稀土金屬化合 〇 物等中之至少一種。 作為驗金屬，可列舉Na(功函數：2 36 eV)、κ(功函數： ^ eV)、Rb(功函數：2.16 eV)、Cs(功函數：1.95 eV) 等’特別好的是功函數為2.9 eV以下者。該等中較好的是 K ' Rb、Cs，更好的是Rb或者Cs，最好的是Cs。 作為鹼土金屬，可列舉Ca(功函數·· 2 9 ev)、功函 數.2.〇〜2·5 eV)、Ba(功函數：2.52 eV)等，特別好的是功 函數為2.9 eV以下者。 作為稀土金屬’可列舉Sc、Y、Ce、Tb、外等，特別好 147068.doc •51· 201041864 的是功函數為2.9 eV以下者。 以上金屬之還原能力特別高，藉由相對少量地添加至電 子注入區域中，彳提高有機EL元件之發光亮度或延長壽 命。 作為鹼金屬化合物，可列舉：ho、ho、Μ等鹼金 屬氧化物，LiF、NaF' CsF、KF等驗金屬函化物等，較好 的是LiF、u2o、NaF之鹼金屬氧化物或者驗金屬i化物。 作為鹼土金屬化合物，可列舉33〇、Sr〇、Ca〇及將該等 混合而成之BaxSri-x〇(0<x<1)、或 Β^ΐχ〇(〇<χ<ι)等較❹ 好的是BaO、SrO、Ca〇。 九 作為稀土金屬化合物，可列舉Μ、吨、Sc〇3、 AO3、以203、GdF3、TbF3 等，較好的是 YbF3、、
TbF3 。 3 tF馮蛻金屬錯合物 一 -V口仍、稀土
物，只要為分別含有驗金屬離子、驗土金屬離子 :離I:::少一種作為金屬離子者，則無特別限々 羥本基7唑、羥苯基噻唑、羥基二芳基噚二唑 基嚷二嗤、經苯基_、經苯基苯并味 唾、麵基氣H比咬、㈣、駄菁：二: 稀、β-二酮類、甲亞胺類、及該等之 “ 定於該等。 τ生物專’但並3 作為還原性摻雜劑之添加形態， 成為層狀或島狀 作為形成方法， 較好的是於界面區㈣ 較好的是利用電阻加熱 147068.doc -52- 201041864 蒸鍍法蒸鐘還原性接雜劑， 之發光材料或雷工、、+ 呼蒸鍍作為形成界面區域 還原摻雜劑之方法。入材料^有機物，而於有機物中分散 物：還原性摻雜.二==濃度，以莫耳比計為有機 於將還原性摻雜劑形成 $:好的是5:1〜Μ。 Ο Ο 機層之發光材料或電子、、主增狀之b形時，將作為界面有 加熱蒸鍍法單獨基铲材科形成為層狀後，藉由電阻 〇.1〜15nm之層。 劑較好的是形成厚度為 於將還原性摻雜劑形成為島狀 機層之發光材料或電子注入材料形將作為界面有 加熱蒸鍵法單獨蒸鑛還原推;狀後，错由電阻 〇.〇5〜1 nm之島。 知好的是形成厚度為 又，作為本發明之有機EL元件中之 雜劑之比例’較好的是以莫耳 ：原性摻 劑別七，更好的是2:1〜1:2。 纟刀·還原性掺雜 (31)於上述發光層與上述陰極之間具有電子注人声 述電子注人層含有含氮環衍生物作為主成分。《，上 lbf’所謂「作為主成分」係指電子注人層中含有至+ 5〇質量％以上之含氮環衍生物。 夕 ::電子注入層中所使用之電子傳輪材料，較好的是使 子内含有1個以上之雜原子之芳香族雜環化合物，特 別好的是含氮環衍生物。 特 者作為含純衍生物’例如較好的是由下述式㈧所表示 147068.doc •53- 201041864 [化 41]
式（A)中，r2〜R7分別獨立為氫原子、鹵素原子、氧基、 胺基、或者碳數1〜40之煙基，該等可經取代。 作為i素原子之例，可列舉氟、氯等。又，作為可經取 代之胺基之例，可列舉：烷基胺基、芳基胺基、芳烷基胺 基及與上述胺基相同者。 作為碳數1〜40之烴基，可列舉：經取代或未經取代之烷 基、烯基 '環烷基、烷氧基、芳基、雜環基、芳烷基、芳 氧基、烷氧基羰基等。作為烷基、烯基、環烷基、烷氧 基方基、雜環基、务烧基、芳氧基之例，可列舉與上述 相同者’烧氧基羰基係表示作-COOY，，作為γ，之例，可列 舉與上述烷基相同者。 Μ為Is (A1)、鎵（Ga)或銦（In)，較好的是紹（Ai)。 上述式（A)之L係由下述式（A，）或者（A")所表示之基： 147068.doc 54· 201041864 [化 42] ❹ ❹
(Α· (Α·* ) 式（Α，）中，Ml分別獨立為氯原子或者經取代或未經 取代之碳數丨〜觀烴基，相鄰之基可形成環狀結構。 式（A )中，R R分別獨立為氣原子或者經取代戒 未經取代之碳數1〜4G之«，相鄰之基可形成環狀結構。 作為通式（A，）及（A”）之R8~R12及Rl3〜R27所表示之碳數 卜40的烴基，可列舉與上述尺^之具體例相同者。 又’作為⑽及妒〜〜鄰之基形成環狀結構之情 形時的2價基’可列舉··四亞甲基、五亞甲基、 基、二苯基甲燒-2,2，_二基、二苯基乙炫_3,3、二基： 基丙烧-4,4'-二基等。 以下示出 之具體例， 由通式(A)所表示之含氮環之金屬螯合錯合物 但並不限定於該等例示化合物： 147068.doc -55- 201041864 [化 43]
147068.doc 56- 201041864 [化 44]
147068.doc 57- 201041864
作為電子注入層之主成分即含氮環衍生物，含氮5員環 衍生物亦較好，作為含氮5員環，可列舉味β坐環、三。坐 環、四α坐環、崎二唾環、α塞二α坐環、崎三。坐環、°塞三。坐環 等，作為含氮5員環衍生物，為苯并咪唑環、苯并三唑 環、°比咬并11米。坐環、。密σ定并'^ σ坐環、塔_并β米吐環，特別 好的是由下述式（Β)所表示之化合物： 147068.doc -58- 201041864 [化 46]
...(B) 式（B)中，LB表示 ：·價以上之連結基，例如可列舉碳、 石夕、氮、棚、氧、硫、金屬（例如鋇、鈹）、芳基、芳香族 雜環等，該等中較好的是碳原子、氮原子、矽原子、硼原 子、氧原子、硫原子、芳基、芳香族雜環基，更好的是碳 〇原子、矽原子、芳基、芳香族雜環基。 LB之芳基及芳香族雜環基可具有取代基，作為取代基， 較好的是烷基、烯基、炔基、芳基、胺基、烷氧基、芳氧 基、醯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、醯氧基、醯基胺 基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺基、磺醯基胺基、胺 石黃醯基、胺曱酿基、烧硫基、芳硫基、石黃醯基、鹵素原 子、氰基、芳香族雜環基，更好的是烷基、芳基、烷氧 基、芳氧基、鹵素原子、氰基、芳香族雜環基，更好的是 〇 烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、芳香族雜環基，特別好的 是烷基、芳基、烷氧基、芳香族雜環基。 作為lb之具體例，可列舉下示者： 147068.doc 59- 201041864 [化 47] +十+人人又
ΐ ί Q ^ Q -ά. ~*〇-
式(Β)中之χΒ2表示_〇_、各或 脂肪 :煙基'芳基或雜環基。 表不虱原子 rB2之脂肪族烴基為直鏈 坶刀支或者環狀烷基（較好的疋 更好的是碳數1〜12、特別好的是碳數卜s之炫 基’例如可列舉甲I、乙基、異丙基、第三丁基、正辛 基、正癸基、正十六烧基、環丙基、環戊基、環己基 等）、烯基（較好的是碳數2〜20、更好的是碳數2〜η、特別 好的是碳數2〜8之烯基，例如可列舉乙烯基、烯丙基' 2 丁烯基、3-戊烯基等）、炔基（較好的是碳數2〜2〇、更好的 是碳數2〜12、特別好的是碳數2〜8之炔基，例如可列舉块 147068.doc •60- 201041864 丙基β2、Μ块基等），較好的是貌基。 的:碳lit:,:環或:合環，較好的是碳數6〜3〇、更好 基、2~甲A笨A #的疋碳數6〜12之芳基’例如可列舉苯 夷、……、”基苯基、各甲基苯基、”氧基苯 V:虱:基苯基、五氣苯基、蔡基、2-蔡基等。 Ο
G 更好的3“基為單環或者縮合環’較好的是碳數1〜20、 是含〜12、更好的是碳數2〜1〇之雜環基，較好的 芳香於原子、硫原子、砸原子令之至少一個之 l %基。作為該雜環基之例，例如 D、W味琳、W料二 7塞唑啉、噻唑、噻二唑、噚唑嚇、# :y等二唾、啥琳、異啥琳、㈣、萘唆、啥啊、㈣ 苯并：：、t咬、°丫咬、啡琳、吩。井、四唾、苯并咪唾、 γ 、本并噻唑、苯并三唑、四氮茚、咔唑'氮呼 專’較好的是咬喃…塞吩、口比咬”比_、嗜咬十井、三 井、萘咬、噎号琳、啥唾琳，更好的是咬 、噻吩、吡啶、喹啉，進而更好的是喹啉。 由RB2所表示之脂肪族烴基、芳基及雜環基可具有取代 基’作為取代基，與作為由上述lb所表示之基之取代基所 列舉者相同，又，較好取代基亦相同。 作為RB2 ’較好的是脂肪族煙基、芳基或者雜環基，更 好的是脂肪族烴基(較好的是碳數6〜30、更好的是碳數 6务進而更好的是碳數6〜12者）或者芳基，更好的是脂 147068.doc -61 - 201041864 肪族煙基（較好的是碳數㈣ 的是碳數2〜10者）。 于的是碳數1〜12、更好 作為χΒ2，較好的是-0-、=N_rB2， 別好的是=N_RB2。 ，更好的是=N-RB2，特 炉2表示形成芳香族環所需之 香族環可為芳香族烴 *戶斤形成之芳 ^ 方苷族雜環之紅 t ^ 例，例如可列舉：笨環、$ —者’作為具體 環、三，環、^環、本^井環…密咬環、噠_ 環、呼咕产g 南環、、石西吩環、蹄吩 衣味唾環…塞哇環、硒口坐環、碎 。 唑環、吡唑環等，售一唑核、呷二 , 的疋本環 '吡啶環、吡畊環、嘧啶 核、噠畊環，更好的是苯環 开衣密疋 的|ρ ^ ^疋王衣、。比畊環，進而更好 勺疋本％、吡〇疋％，特別好的是吡啶環。 由ZB2所形成之芳香族環 产，7目士 進步與其他環形成縮合 八有取代基。作為取代基，與作為由上述LV斤表干 之基之取代基所列舉者相同，較好的^基、稀基 基 '芳基、胺基、烧氧基、芳氧基、醯基、烧氧基㈣、、 芳=基幾基、醢氧基、醯基胺基、烧氧基艘基胺基、芳氧 基羰基胺基、磺醯基胺基、胺磺醯基、胺甲醯基、烷硫 基、芳硫基、磺醯基、_素原子、氰基、雜環基，更好= 是烧基、芳基、烧氧基、芳氧基、齒素原子、氰基、雜環 基’進而更好的是烷基、芳基、烷氧基、芳氧基 '芳香^ 雜環基’特別好的是烧基、芳基、院氧基、芳香族雜二: 基。 长 g 2 ,, η 為1〜4之整數，較好的是2〜3。 147068.doc -62. 201041864 由上述式（B)所表示之含氮5員環衍生物中，更好的是由 下述式（B’）所表示之化合物： [化 48]
式（B')中，RB71、rB72b DB73、 R 及R 分別與上述式（B)中之Rb2相 同，又，較好範圍亦相同。 π、π及zB73分別與上述式⑻中之zB2相同，又，較 好範圍亦相同。 L 及LB73分別表示連結基，彳列舉使上述式⑻ 中之LB之例為二價者，較好的是單鍵、二價芳香族烴環 基、二價芳香族雜環基、及包含該等之組合之連結基更 〇好的是單鍵。I/”、L、lb73可具有取代基，作為取代 基，與作為i述式（B)中由Lb所表示之基之取代基所列舉 者相同’又，較好取代基亦相同。 γ表示氮原子、1，3,5_苯三基或者2,4,6-三啡三基。^5-苯三基可於2,4,6-位上具有取代基，作為取代基’例如可 列舉烷基、芳香族烴環基、_素原子等。 ^以下示出由上述式（B)或者上述式（Βι)所表示之含氮5員 環衍生物之具體例，但並不限定於該等例示化合物： 147068.doc • 63 · 201041864 [化 49] (Β-5) ςίξ〇<ύ
CXKK：0
147068.doc -64- 201041864 [化 50] <β-9)
作為構成電子注入層及電子傳輸層之化合物，亦可列舉 具有如下結構之化合物等，該結構係將缺電子性含氮$員 環或缺電子性含氮6員環骨架與經取代或者未經取代之。 木月架、經取代或者未經取代之咔唑骨架、 ，之—骨架組合而成。又，作為合=者未 性3乳5病或缺電子性含氮6貞環#架， 、電子 嘧啶、吡啼、二啡— ；舉.吡啶、 -井、三唑"号二唑、吡唑、咪唑、喹气 147068.doc -65- 201041864 啉、吡咯骨架及該等相互縮合而成之苯并咪唑、咪唑吡啶 等分子骨架。該等組合中較好的是可列舉：吡啶、嘧啶、 °比11井、三p井骨架與°卡。坐、°引°朵、氮雜叶。坐、啥崎琳骨架。 上述骨架可經取代亦可未經取代。 以下示出電子傳輸性化合物之具體例： [化 51]
147068.doc -66· 201041864 [化 52]
特別是於本發明之有機EL元件中，作為上述含氮五員衍 生物，較好的是由下述式（21)〜(23)之任一者所表示之苯并 咪唑衍生物：
147068.doc •67- 201041864 (式（21)〜(23)中’汐' 22及23分別獨立為氮原子或者碳原 子； R21及R22分別獨立為經取代或未經取代之碳數6〜5〇之芳 基、經取代或未經取代之碳數3〜5〇之雜芳基 '碳數卜2〇之 烷基、鹵素原子經取代之碳數卜加之烷基或碳數丨〜汕之烷 氧基； v為0〜5之整數，於¥為2以上之整數時，複數個rS1可相 互相同亦可不同，又，鄰接之複數個rZ1彼此可相互鍵結 而形成經取代或未經取代之芳香族烴環；
Ar21為經取代或未經取代之碳數6〜5〇之芳基或者經取代 或未經取代之碳數3〜50之雜芳基； 為SL原子*反數1〜2 〇之烧基、經鹵素原子取代之碳 數1〜20之絲、碳數卜⑽之絲基、經取代或未經取代之碳 數6〜5〇之芳基或者經取代或未經取代之碳數3〜50之雜芳基； 其中，Ar21、Ar22中之任一個為經取代或未經取代之碳 數10〜50之縮合環基或者經取代或未經取代之成環原子數 9〜50之雜縮合環基；
Ar23為經取代或未經取代之碳數6〜5〇之伸芳基或者經取 代或未經取代之碳數3〜50之伸雜芳基； L/21、T 22 23 及L分別獨立為單鍵、經取代或未經取代之碳 數6〜5〇之㈣基、經取代或未經取代之成環原子數9〜50之 雜縮口 ％基或者經取代或未經取代之伸第基）。 、下不出由上述式（21)〜（23)所表示之含氮5員環衍生物 之具體例，但並不限定於該等例示化合物： 147068.doc *68· 201041864 [化 54]
147068.doc -69- 201041864 [化 55]
電子注入層及電 述材料之單層結構傳輸層可為包含1種或者2種以上之上 複數層之多層結構亦可為包含相同成分或者異種成分之 基。 。該等較好的是缺π電子性含氮雜環 作為上述雷1 除上述含氮環衍 之絕緣體或者半 ’則可有效防止 .... 子注入層之構成成分， 生物之外，較好的 ^ 疋使用作為無機化合物 &右電子〉主入層包含絕緣體或半導體 電流线漏，提高電子注入性。 147068.doc -70- 201041864 作為此種絕緣體，較好的是使用選自由鹼金屬硫屬化 物、鹼土金屬硫屬化物、鹼金屬齒化物及鹼土金屬函化物 所組成之群中之至少一種金屬化合物。若電子注入層包含 S亥等鹼金屬硫屬化物等，則可進一步提高電子注入性，就 該方面而言較好。具體而言，作為較好之鹼金屬硫屬化 物，例如可列舉U2〇、K2〇、NazS、仏如及他2〇，作為 較好之鹼土金屬硫屬化物，例如可列舉Ca〇、仏〇、Sr〇、 Ο
e 、BaS及CaSe。又，作為較好之鹼金屬鹵化物，例如 可列和卜他卜仏…卜⑽及㈣^又叫乍為較 好之鹼土金屬鹵化物，例如可列舉、Bai^、、 MgFjBeF2等氟化物，或氟化物以外之_化物。 又，作為半導體，可列舉：含有Ba、Ca、Sr、Yb、 A卜 Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、、外及 h 中之至 少-種元素之氧化物’氮化物或者氮氧化物等的單獨一種 或者兩種以上之組合。χ ’構成電子注人層之無機化合物 較好的是微晶或者非晶f絕緣性薄膜。若電子注入層包含 該等絕緣㈣膜，則形成更均質之薄膜，因此可減少暗點 等像素缺陷。再者，作為此種無機化合物，可列舉上述鹼 金屬硫屬化物、鹼土金屬硫屬化物、鹼金屬卣化物及鹼土 金屬齒化物等。 又 好0 本發明中之電子注 入層含有上述還原性摻雜劑亦較 二=金::::材料較好的是發光之極大波*為 147068.doc 201041864 發光波長較短之發光材料通常係激發三重態能隙較大。 此處，於如美國專利2006-0088728號公報中記載之有機 EL元件所示般使用a_NPD形成電洞傳輸層之情形時，由於 a-NPD之激發三重態能隙為2·5 eV以下，因此有電洞傳輪 層之二重態能隙小於發光材料之激發三重態能隙之情形。 於該情形時’發光層之激發三重態能量洩漏至鄰接之電 洞傳輸層，無助於發光而失去活性，因此有可能使發光致 率下降。 相對於此，於本發明中，使用激發三重態能隙大於0 NPD之上述式（1)〜(5)之化合物形成第丨電洞傳輸層、第2電 洞傳輸層，因此於採用發光波長較短之發光材料之情形時 亦可維持較高之發光效率。 02)將電子接受性物質接合於上述電洞傳輸層。 根據此種構成’藉由下述專财記載之效果而實現低電 壓驅動及高效率發光。 作為添加至或接合於本發明之第1電洞傳輸層或第2電洞 傳輪層之電子接受性物質，除 〇 π 切貝 除日本專利公報第3614405 號二571 977號或美國專利4,78〇,536中記載之六氮雜聯伸 二本仿生物等之外，亦可較好地使用Ρ型Si、_SiC等無 機化合物，氧化鉬等電子拉爲 电于接又性無機氧化物，TCNQ衍生 物等電子接受性有機化合物等。 本發明之電洞傳輸層較好的是於第旧洞傳輸層之更靠 %極側具有含有電子接受性化合物之層。 作為電子接受性化合物， 了較好地使用由下述通式（10) M7068.doc •72· 201041864 或（11)所表示者： [化 56]
Ο [上述通式⑽中，R7〜Rl2分㈣立表示氰基、·CON%、 叛9基、或-C〇〇Rl3 (Rl3為碳數1〜2G之烧基），或者RW、 及R或R及汉12相互鍵結而表示由-co-0-co-所示之 基]。 是碳數基，可列舉直鏈、分支或者環狀者，較好的 厌 、更好的是碳數1〜8者，具體而言可列舉 基、乙基、正丙基、里曱 -"丙基、正丁基、第二丁基、第二Τ 基、正己基、正委1 一^丁 _ 辛基、正癸基、正十六烷基、環丙基、产 戊基、環己基等： ^ [化 57] (11) 為成環碳數6〜24之縮合環 arl及ar2彼此可分別相同亦 '或成環 可不同， [上述通式（11)中，Ar 原子數6〜24之雜環； 為下述式⑴或（ii): 147068.doc •73· 201041864 [化 58] X1 ό 9 X* (i) (fi) 為由下述式（a)〜(g) {式中，x1及x2可相互相同亦可不同 所表示之二價基中之任一者： [化 59]
① (8) (式中，R〜R24可分別相互相同亦可不同，為氫原子、經 取代或未經取代之碳數1〜20之氟烷基、經取代或未經取代 之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之碳數6〜5〇之芳基 或者經取代或未經取代之成環原子數3〜5〇之雜環基，r22 與R23可相互鍵結而形成環）}。 通式（1 1 )中之R1〜R4可分別相互相同亦可不同，為氫原 子、經取代或未經取代之碳數^20之烷基、經取代或未經 取代之碳數6〜50之芳基 '經取代或未經取代之成環原子數 3〜50之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數丨〜2〇 之氟烧基、經取代或未經取代之碳數^20之烷氧基、經 取代或未經取代之碳數1〜20之氟烷氧基、經取代或未經 取代之碳數6〜50之芳氧基、或者氰基。R1〜R4中相鄰者 147068.doc -74- 201041864 可相互鍵結而形成環。Υ〗〜Υ4可相互相同亦可不同，為 N=、_CH=或C(R5)= ’ R5為經取代或未經取代之破數wo 之烷基、經取代或未經取代之碳數6〜50之芳基、經取代或 未經取代之成環原子數3〜5〇之雜環基、鹵素原子、經取代 或未經取代之碳數丨〜別之氟烷基、經取代或未經取代之碳 數1〜20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數卜2〇之氟烷氧 基、經取代或未經取代之碳數6〜50之芳氧基、或者氰基]。 0 圖1表示本發明之有機EL元件之一實施態樣的概略構 成。 有機EL元件丨包括透明基板2、陽極3、陰極4、以及配置 於陽極3與陰極4之間之發光層5。於發光層5與陽極3之 間，設有自陽極3側起依序具有第丨電洞傳輸層61及第2電 洞傳輸層62之電洞傳輸層6，於發光層5與陰極4之間設有 電子注入、傳輸層7。 第1電洞傳輸層61含有由上述通式（1)所表示之化合物， 〇第2電洞傳輸層62含有由上述通式（2)所表示之化合物。 此處，第1電洞傳輸層61、第2電洞傳輸層62中所含之由 上述通式（1)及（2)所表示之化合物並不限定於一種。即， 第1電洞傳輪層61可含有由上述通式⑴所表示之化合物中 之複數種，第2電洞傳輸層62可含有由上述通式（2)所表示 之化合物中之複數種。 第1電洞傳輸層中之由上述通式（1)所表示之化合物的含 量較好的是90質量％以上。又’第2電洞傳輸層中之由上 述通式（2)所表示之化合物的含量較好的是90質量％以上。 147068.doc -75- 201041864 .於本發明尹，有機EL元件之陽極發揮將電洞注入至電祠 注入層或電洞傳輸層中之作用，有效果的是具有45 eV^ 上之功函數。作為本發明中所使用之陽極材料之具體例， 可應用氧化銦錫合金（IT0)、氧化錫（NESA)、金、4銀、 銘、鋼等。又，作為陰極，以將電子注入至電子注入 發先層中為目的，較好的是功函數較小之材料。陰極材料 並無特別限定’具體可使用銦、鋁、鎂、鎂-銦合金、鎂_ 鋁合金、鋁·'鋰合金、鋁-銃-鋰合金、鎂-銀合金等。 本發明之有機EL元件之各層的形成方法並無特別限定。 :如可藉由先前公知之真空蒸鑛法、分子束蒸鑛法 二beam epitaxy ’分子束蟲晶）法）或者溶解 、命、文之次潰法、旋塗法、澆鑄法、棒塗法、輥塗法 塗布法而形成。 朴本發明之有機虹元件之各層的膜厚並無特別限制，通常 右臈厚過薄則容易產生針 生針孔4缺陷，相反若過厚則需要施 °乂间之電壓而效率變差’因此通常較好的是數η 範圍。 | 再者，本發明之有機虹元件並不限定於圖】所示之構 A?Xi 例如’可於第i電洞傳輸層與陽極3之間設有電洞注入 層。 t，同傳輸層6為第丨電洞傳輸層61與第2電 62之雙層結構。 進而，可於發光層5盥 電子注入·傳輸層7之間具備電洞 147068.doc -76- 201041864 障壁層。 鉻J JS电’同障壁層’可將電洞封閉在發光層5中，而提高 ' 5申之I電荷之再結合機率，從而提高發光效率。 外本中4案第二發明之有機EL元件係包含陽極、陰極、及 °又置於上述陽極與上述陰極之間之有機薄膜層者； 上述有機薄膜層具有含有主體材料及發光材料之發光 層及叹置於較上述發光層更靠上述陽極側之電洞傳輸 ❹層’上述電祠傳輸層自上述陽極起依序具有含有電子接受 性化合物之層及第1電洞傳輸層，上述電子接受性化合物 係由上达通式（1G)所表示，上述第1電洞傳輸層含有由上述 通式（2)所表示之化合物。 本申請案第二發明之有機EL元件的其他構成與本申請案 第一發明之有機EL元件相同。 實施例 以下，藉由實施例具體地說明本發明，但本發明並不限 Q 定於該等。 [實施例1-1] 對25 mmx75 mmxl.l mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇t實施5分鐘之超音波清洗後，進 行30分鐘之UV臭氧清洗。 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍 裝置之基板托架上，首先於形成有透明電極線之側之面 上，以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 為4 0 nm之下述化合物XI作為第1電洞傳輸層。 147068.doc -77- 201041864 繼第1電洞僖4 _L、 ，輸層之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為20 nm之下述化合物Yl-1 (Af: 2.48 eV、Eg(S): 3_12eV Ipi6〇ev)作為第2電洞傳輸層。 進而於及第2電洞傳輸層上，藉由電阻加熱以膜厚為 40 nm而共蒸鍍作為主體材料之化合物hi、作為磷光發光 材料之化合物m。化合物⑴之濃度為7 5%。該共蒸鍍膜 作為發光層而發揮作用。 進而於'亥發光層上藉由電阻加熱而共蒸鑛膜厚為10 nm之化合物HB。該膜作為電洞障壁層而發揮作用。 ◎ 而且，繼該電洞障壁層成膜後，形成膜厚為3〇 nm之化 合物ET1膜。s亥ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 然後，以0.1埃/min之成膜速度、i nm之膜厚將[汗成膜 而作為電子注入性電極（陰極）。於該UF膜上蒸鍍金屬A1， 形成膜厚為80 nm之金屬陰極，而製作有機EL元件： [化 60]
H1
HB
ET1 D1 147068.doc -78- 201041864 [化 61]
Yl-l
於實施例W中，Af、Eg⑻、Ip係分別 行測定。Af(親和能階）： 所不般進 藉由游離電位Ip與光學能隙Eg(s)#如下方式規定.
Af=Ip-Eg(S)。
Eg(S)(光學能隙）： 〇 將材料之曱苯稀薄溶液之吸收光譜的長波長侧切線與基 線（吸收零）之交點的波長值換算成能量而求出。
Ip(游離電位）： 係自化合物除去電子而形成離子所需之能量，係利用紫 外線光電子分光分析裝置（AC_3，理研（股）儀器）測定出之 值0 [實施例1-2] 除於實施例1·1中使用Y1-2作為第2電洞傳輸層以外，以 與實施例1 -1相同之方式製作有機EL元件。 147068.doc •79· 201041864 [實施例1-3] 除於實施例1-1中使用YM (Af; 2 45 eV、Eg(s):爻17 eV、Ip: 5.62 eV、Eg(T): 2·63 ev)作為第2電洞傳輪層以 外，以與實施例1-1相同之方式製作有機EL元件。 再者，Af、Eg(S)及Ip係以與實施例卜丨相同之方式測 定，Eg(T)係以如下方式測定。
Eg(T)(三重態能隙）： 根據磷光發光光譜測定。 將材料以1 0 μηιοΙ/L溶解於epa溶劑（以容積比計為二乙 醚··異戊烷.乙醇=5:5:2)中，製成磷光測定用試料。將該 填光測定用試料放入至石英池中，冷卻至77 K ’照射激發 光，測定發射出之磷光之波長。 對所獲得之磷光光譜之短波長側的上升畫切線，將該切 線與基線之交點之波長值換算成能量，並將所獲得之值設 為激發三重態能隙Eg(T)。 再者，測定係使用市售之測定裝置F_45〇〇(日立製造）。 [實施例1-4] 除於實施例1 -1中使用Y1 -4作為第2電洞傳輸層以外’以 與實施例1 -1相同之方式製作有機EL元件。 [實施例1-5] 除於實施例1-1中使用Y1-5作為第2電洞傳輸層以外’以 與實施例1 -1相同之方式製作有機EL元件。 [實施例1-6] 除於實施例1-1中使用Y1-6作為第2電洞傳輸層以外，以 147068.doc •80- 201041864 與實施例1-1相同之方式製作有機EL元件。 [比較例1-1] 除於實施例 1-1 中使用 zi_l (Af: 2.43 eV、Eg(S): 3.21 eV) 作為第2電洞傳輸層以外，以與實施例丨_丨相同之方式製作 有機EL元件。 '[比較例1·2] 除於實施例1-1中使用Zl_2作為第2電洞傳輸層以外，以 與實施例卜1相同之方式製作有機ΕΙ^元件。 U [比較例1-3] 除於實施例1-1中使用Ζ1-3作為第2電洞傳輸層以外，以 與實施例1-1相同之方式製作有機EL元件： [化 62]
[有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機El元件之初期亮度20000 cd/m2時的半衰壽命示於下述表1。 147068.doc -81 - 201041864 [表i] 表1 第1電洞 傳輸層 第2電洞 傳輸層 初期亮度 (cd/m2) 半哀胥命 (hr) 實施例1-1 XI Υ1-1 20000 610 實施例1-2 XI Υ1-2 20000 600 實施例1-3 XI Υ1-3 20000 550 實施例1-4 XI Υ1-4 20000 700 實施例1-5 XI Υ1-5 20000 620 實施例1-6 XI Υ1-6 20000 700 比較例1-1 XI Ζ1-1 20000 100 比較例1-2 XI Ζ1-2 20000 20 比較例1-3 XI Ζ1-3 20000 290 [實施例1-7] 除於實施例1-1中使用X2作為第1電洞傳輸層以外，以與 實施例1·1相同之方式製作有機EL元件：
[實施例1-8〜1-12] 除於實施例1-7中使用表2中記載之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與實施例1-7相同之方式製作有機EL元件。 [比較例1-4] 除於實施例1 -1中使用Χ2作為第1電洞傳輸層、使用Ζ1 -1 147068.doc -82- 201041864 作為第2電洞傳輸層以外，以與實施例1-1相同之方式製作 有機EL元件。 [比較例1-5及1-6] 除於比較例1-4中使用表2中記載之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與比較例1-4相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機EL元件之初期亮度20000 cd/m2時的半衰壽命示於下述表2。
[表2] 表2 第1電洞 傳輸層 第2電洞 傳輸層 初期亮度 (cd/m2) 半衰壽命 (hr) 實施例1-7 X2 Y1-1 20000 600 實施例1-8 X2 Y1-2 20000 580 實施例1-9 X2 Y1-3 20000 500 實施例1-10 X2 Y1-4 20000 680 實施例1-11 X2 Y1-5 20000 590 實施例1-12 X2 Y1-6 20000 690 比較例1-4 X2 Z1-1 20000 50 比較例1-5 X2 Z1-2 20000 20 比較例1-6 X2 Z1-3 20000 30 [實施例1-13] 除於實施例1-1中使用X3作為第1電洞傳輸層以外，以與 實施例1-1相同之方式製作有機EL元件： 147068.doc 83- 201041864 [化 64]
X3
[貫施例I-I4〜i-18J 除於實施例中*用表3中t己载之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與實施例1_13相同之方式製作有機el元件。 [比較例1-7] 除於實施例Μ中使用X3作為第i電洞傳輸層、使用π】 作為第2電洞傳輸層以外，以鱼實摊彳 ，、頁％例1-1相同之方式製 有機EL元件。 [tb 較例 1 -8及 1 -9] 除於比較例1 - 7中使用矣+ i 便用表3中記載之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與比較例丨_7 f 7相同之方式製作有機eL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作 > 々丄 cd/m2B4^^# * yv 有機虹元件之初期亮度20001
Cd/m時的+哀哥命示於下述表3。 147068.doc •84- 201041864 [表3] 表3 第1電洞 傳輸層 第2電洞 傳輸層 初期亮度 (cd/m2) 半衰壽命 (hr) 實施例1-13 X3 Y1-1 20000 630 實施例1-14 X3 Y1-2 20000 620 實施例1-15 X3 Y1-3 20000 590 實施例1-16 X3 Y1-4 20000 700 實施例1-17 X3 Y1-5 20000 640 實施例1-18 X3 Y1-6 20000 700 比較例1-7 X3 Z1-1 20000 130 比較例1-8 X3 Z1-2 20000 50 比較例1-9 X3 Z1-3 20000 320 如表1〜3所示，使用本發明之特定之化合物形成第1電洞 傳輸層、第2電洞傳輸層之實施例1-1〜1-18的有機EL元件 與比較例1-1〜1-9的有機EL元件相比，獲得了元件壽命延 長之效果。 可知，使用Y1-4、Y卜6作為第2電洞傳輸層之元件與使 用Y1-3之元件相比，壽命更長。 進而可知，使用XI、X3作為第1電洞傳輸層之元件與使 用X2之元件相比，壽命更長。 [實施例2-1] 對25 mmx75 mmxl. 1 mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇中實施5分鐘之超音波清洗後，進 行30分鐘之UV臭氧清洗。 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍 裝置之基板托架上，首先，於形成有透明電極線之側之面 147068.doc -85- 201041864 上，以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 為60 nm之化合物X1作為第1電洞傳輸層。 繼第1電洞傳輸層之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為2 0 nm之化合物γ 1 -1作為第2電丨同傳輸層。 進而，於該第2電洞傳輸層上藉由電阻加熱以4〇 nm之膜 厚共蒸鍍作為主體材料之化合物H2、作為螢光發光材料之 化合物D2。化合物D2之濃度為5%。該共蒸鍍膜作為發光 層而發揮作用。 進而，繼該發光層膜後，以2〇 nm之膜厚形成化合物 ET1。該ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 然後，以0.1埃/min之成膜速度、i nm之膜厚將UF成膜 而作為電子注入性電極（陰極）。於該UF膜上蒸鐘金屬ai， 形成膜厚為100 nm之金屬陰極，而製作有機EL元件： [化 65]
[實施例2-2〜2-6] 除於實施例2-丄中使用表4中記載之材料作為第2f洞傳 輸層以外，以與實施例2]相同之方式製作有機仙元件。 [比較例2-1] 除於實施例W中使用Zl]作為第2電洞傳輸層以外，以 與貫施例2-1相同之方式製作有機el元件。 147068.doc -86 - 201041864 [比較例2-2及2-3] 载之材料作為第2電洞傳 方式製作有機EL元件。 EL元件之初期亮度5000 除於比較例2 -1中使用表4中記 輸層以外，以與比較例2-1相同之 [有機EL·元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機 cd/m2時的半衰壽命示於下述表4 [表4] 表4 第1電洞 傳輸層 實施例2-1 XI 實施例2-2 XI 實施例2-3 XI 實施例2-4 XI " 實施例2-5 XI 貪施例2-6 XI 比較例2-1 XI ~~' 比較例2-2 XI 比較例2-3 Γχι Ο Ο
[實施例2-7] 除於實施例Μ令使用X2作為第1電洞傳輸層以外，以愈 貫施例2_1相同之方式製作有機EL元件。 [實施例2-8〜2-12] 除於實施例2-7中使用妾^ 表中5己载之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與實施例2_7相 祁问之方式製作有機EL·元件。 [比較例2-4] 除於實施例2 -1中播用γ 〇 & & & 1 , 作為第1電洞傳輸層、使用Z1 -1 147068.doc •87. 201041864 作為第2電洞傳輸層以外，以與實施例2_丨相同之方式製作 有機EL元件。 [比較例2-5及2-6] 除於比較例2-4中使用表5中記載之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與比較例2-4相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機El开杜—. π风1^疋件之初期亮度5000 cd/m2時的半衰壽命示於下述表$。 [表5] 表5 實施例2-7 第1電洞 傳輸層 X2 苐2電洞 傳輪層 初期亮度 (cd/m2) 半哀哥命 (hr) 實施例2-8 X2 Yl-l Yl-2 — 5000 700 ~ 實施例2-9 "X2 Yl-3 —~ *>uu〇 ~---- 680 實施例2-10 ~X2 ' "YL·? 5000 - 600 ~ 實施例2-11 X2 — ~YU5 ~~ -------- 770 實施例2-12 X2 — Yl-6 — 5000 - 670 比較例2-4 X2 ~ ~ZM~~ 3U00 - 770 比較例2-5 X2 zu? - 5〇〇〇 ----- 50 比較例2-6 X2 ~~ ------ ζνβ ~~ 5000 -_ 50 —— ------1 5000 ~~~--- 220 [實施例2-13] 洞傳輸層以外，以 與 除於實施例Μ中使用幻作為第lt
實一施例2 _ 1相同之方式製作有機E L元件 [實施例2-14〜2-1 8J 除於實施例2-13中使用表 輸層以外’以與實施 ° #料作為第
相@之方式製作有機EI 147068.doc •88· 201041864 [比較例2-7] 除於實施例2-1中使用X3作為第1電洞傳輸層、使用Z1-1 作為第2電洞傳輸層以外，以與實施例2-1相同之方式製作 有機EL元件。 [比較例2-8及2-9] 除於比較例2-7中使用表6中記載之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與比較例2-7相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機EL元件之初期亮度5000 cd/m2時的半衰壽命示於下述表6。 [表6] 表6 第1電洞 傳輸層 第2電洞 傳輸層 初期亮度 (cd/m2) 半衰壽命 (hr) 實施例2-13 X3 Y1-1 5000 760 實施例2-14 X3 Y1-2 5000 730 實施例2-15 X3 Y1-3 5000 640 實施例2-16 X3 Y1-4 5000 840 實施例2-17 X3 Y1-5 5000 720 實施例2-18 X3 Y1-6 5000 850 比較例2-7 X3 Z1-1 5000 280 比較例2-8 X3 Z1-2 5000 120 比較例2-9 X3 Z1-3 5000 370 如表4〜6所示，使用本發明之特定之化合物形成第1電洞 傳輸層、第2電洞傳輸層之實施例2-1〜2-18的有機EL元件 與比較例2-1 ~2-9的有機EL元件相比，獲得了元件壽命延 長之效果。 147068.doc -89- 201041864 可知，使用Yl-4、Υ1·6作為第2電洞傳輸層之元件與使 用Υ1-3之元件相比，壽命更長。 進而可知，使用XI、Χ3作為第1電洞傳輸層之元件與使 用Χ2之元件相比，壽命更長。 [實施例3-1] 對25 mmx75 mmxl.l mm厚之附有ΙΤΟ透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇中實施5分鐘之超音波清洗後，進 行30分鐘之UV臭氧清洗。 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍f) 裝置之基板托架上，首先，於形成有透明電極線之側之面 上，以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 為5 nm之下述化合物C1作為電子接受性物質。 知電子接受性物質之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為35 nm之化合物XI作為第！電洞傳輸層。 繼第1電洞傳輸層之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為20 nm之化合物Y1 -1作為第2電洞傳輸層。 進而，於該第2電洞傳輸層上藉由電阻加熱以4〇 nm之膜€1 厚共蒸鍍作為主體材料之化合物H1、作為磷光發光材料之 化合物D1。化合物01之濃度為7·5%。該共蒸鍍膜作為發 光層而發揮作用。 進而’於該發光層上藉由電阻加㉟而共蒸鑛膜厚為1〇 nm之化合物ΗΒ。該膜作為電洞障壁層而發揮作用。 而且，繼該電洞障壁層成膜後，形成膜厚為30 nm之化 合物ET1。該ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 I47068.doc • 90· 201041864 然後，以0.1埃/min之成膜速度、1 nm之膜厚將LiF成膜 而作為電子注入性電極（陰極）。於該LiF膜上蒸鍍金屬A1， 形成膜厚為80 nm之金屬陰極，而製作有機el元件： [化 66]
[實施例3-2、3-3] 除於實k例3_1中使用表7中記載之材料作為第丄電洞傳 輸層以外，以與實施例3]相同之方式製作有機机元件。 [實施例3-4] 以 除於實施例Μ中使用Υ1_4作為第2電洞傳輸層以外 與實施例3·1相同之方式製作有機EL元件。
[實施例3-5及3-6] 除於實施例3-4中使用表7中 輸層以外，以與實施例3_4相同 [實施例3-7] 記载之材料作為第1電洞傳 之方式製作有機EL元件。
Yl-6作為第2電洞傳輸層以外 製作有機EL元件。 以 除於實施例3 -1中使用 與實施例3 -1相同之方式 [實施例3-8及3-9；] 除於實施例3-7中使用表7中 輸層以外，以與實施例3-7相同 °己載之材料作為第1電洞傳 之方式製作有機EL元件。 147068.doc
-9K 201041864 [比較例3-1] 除於實施例3-1中使用Z1-3作為第2電洞傳輸層以外，以 與實施例3-1相同之方式製作有機EL元件。 [比較例3-2及3-3] 除於比較例3-1中使用表7中記載之材料作為第1電洞傳 輸層以外，以與比較例3 -1相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機EL元件之初期亮度20000 ed/m2時的半衰壽命示於下述表7。 [表7] 表7 第1電洞傳 輸層 第2電洞傳 輸層 初期受度 (cd/m2) 半衰壽命 (hr) 實施例3-1 XI Y1-1 20000 600 實施例3-2 X2 Y1-1 20000 600 實施例3-3 X3 Y1-1 20000 620 實施例3-4 XI Y1-4 20000 690 實施例3-5 X2 Y1-4 20000 670 實施例3-6 X3 Y1-4 20000 700 實施例3-7 XI Y1-6 20000 690 實施例3-8 X2 Y1-6 20000 680 實施例3-9 X3 Y1-6 20000 710 比較例3-1 XI Z1-3 20000 290 比較例3-2 X2 Z1-3 20000 30 比較例3-3 X3 Z1-3 20000 320 [實施例4-1] 對25 mmx75 mmx 1 · 1 mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇中實施5分鐘之超音波清洗後，進 147068.doc •92- 201041864 行30分鐘之UV臭氧清洗。 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍛 裝置之基板托架上，首先，於形成有透明電極線之側之面 上’以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 為5 nm之化合物C1作為電子接受性物質。 繼電子接受性物質之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為5 5 nm之化合物X1作為第1電洞傳輸層。 〇 繼第1電洞傳輸層之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為20 nm之化合物Y1-1作為第2電洞傳輸層。 進而’於該第2電洞傳輸層上藉由電阻加熱以4〇 nm之膜 厚共洛鑛作為主體材料之化合物H2、作為螢光發光材料之 化合物D2。化合物D2之濃度為5°/。。該共蒸鍍膜作為發光 層而發揮作用。 進而’繼該發光層膜後’形成膜厚為2〇 ηπι之化合物 ET1。該ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 〇 然後，以〇·1埃/min之成膜速度、1 nm之膜厚將LiF成膜 而作為電子注入性電極（陰極）。於該LiF膜上蒸鍍金屬A1， 形成膜厚為100 nm之金屬陰極，而製作有機el元件。 [實施例4-2及4-3] 除於實施例4-1中使用表8中記載之材料作為第丨電洞傳 輸層以外，以與實施例4-1相同之方式製作有機EL元件。 [實施例4-4] 除於實施例4-i中使用YU4作為第2電洞傳輸層以外，以 與實施例4-1相同之方式製作有機el元件。 147068.doc -93· 201041864 [實施例4-5及4-6] 除於實施例4-4中使用表8 輸層以外，以與實施例4-4相 [實施例4-7] 中記載之材料作為第1電洞傳 同之方式製作有機EL元件。 為第2電洞傳輸層 機EL元件。 以外，以 除於實施例4-1中使用γ1-4作 與實施例4-1相同之方式製作有 [實施例4-8及4-9]
除於實施例4-7中使用表8中 輸層以外，以與實施例4-7相同 [比較例4-1] 記載之材料作為第1電洞傳 之方式製作有機EL元件。 為第2電洞傳輸層以外， 機EL元件。 以 除於實施例4-1中使用ζ 1 -3作 與實施例4-1相同之方式製作有 [比較例4-2及4-3] 除於比較例4]中使用表8中記載之材料料第1洞傳 輪層以外’以與比較例3]相同之方式製作有姐元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價]
將以如上方式製作之各有機E L元件之初期亮度5 〇 〇 c cd/m時的半衣壽命示於下述表$。 147068.doc -94« 201041864 [表8] 表8 第1電洞 傳輸層 第2電洞 傳輪層 初期亮度 (cd/m2) 半哀壽命 (hr) 實施例4-1 XI Y1-1 5000 740 實施例4-2 X2 Y1-1 5000 700 實施例4-3 X3 Y1-1 5000 740 實施例4-4 XI Y1-4 5000 820 實施例4-5 X2 Y1-4 5000 750 實施例4-6 X3 Y1-4 5000 880 實施例4-7 XI Y1-6 5000 790 實施例4-8 X2 Y1-6 5000 770 實施例4-9 X3 Y1-6 5000 850 比較例4-1 XI Z1-3 5000 320 比較例4-2 X2 Z1-3 5000 200 比較例4-3 X3 Z1-3 5000 350 如表7、8所示，使用本發明之特定之化合物形成第1電 洞傳輸層、第2電洞傳輸層之實施例3-1〜4-9的有機EL元件 與比較例3-1〜4-3的有機EL元件相比，獲得了元件壽命延 長之效果。 Ο 可知，使用Yl-4、Y1-6作為第2電洞傳輸層之元件與使 用Y1-1之元件相比，壽命更長。 進而可知，使用XI、X3作為第1電洞傳輸層之元件與使 用X2之元件相比，壽命更長。 [實施例5-1] 對25 mmx75 mmx 1.1 mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇中實施5分鐘之超音波清洗後，進 行30分鐘之UV臭氧清洗。 147068.doc -95- 201041864 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸錄 裝置之基板托架上’首先，於形成有透明電極線之側之面 上’以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 為5 nm之化合物c 1作為電子接受性物質。 繼電子接受性物質之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為55nm之化合物Y1-7作為第1電洞傳輸層。 進而，於該第1電洞傳輸層上藉由電阻加熱以4〇 nm之膜 厚共蒸鍍作為主體材料之化合物H1、作為磷光發光材料之 化合物D1。化合物D1之濃度為75%。該共蒸鍍膜作為發❹ 光層而發揮作用。 進而，於該發光層上藉由電阻加熱而共蒸鍍膜厚為ι〇 nm之化合物HB。該膜作為電洞障壁層而發揮作用。 而且，繼電洞障壁層成膜後，形成膜厚為3〇 nm之化合 物ET1。該ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 然後，以0.1埃/min之成膜速度、1 nm之膜厚將UF成膜 而作為電子注人性電極（陰極）。於該UF膜上蒸鑛金屬"， 形成膜厚為80nm之金屬陰極，而製作有機虹元件： 〇 [化 67]
147068.doc -96 201041864 [實施例5-2及5-3] 除於實施例5-1中使用表9中記載之材料作為第1電洞傳 輸層以外，以與實施例5-1相同之方式，製作有機EL元 件。 [比較例5-1] 除於實施例5-1中使用Z1-3作為第1電洞傳輸層以外，以 與實施例5-1相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機EL元件之10 mA/cm2下的驅 動電壓、初期亮度20000 cd/m2時的半衰壽命示於下述表 9 〇 [表9] 表9 第1電洞傳輸層 驅動電壓(V) 半农舞命(hr) 實施例5-1 Y1-7 4.9 650 實施例i-2 Y1-8 4.8 620 實施例5-3 Y1-9 4.7 620 比較例6-1 Z1-3 6.0 880 [實施例6-1] 對25 mmx75 mmxl.l mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇中實施5分鐘之超音波清洗後，進 行3 0分鐘之UV臭氧清洗。 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鑛 裝置之基板托架上，首先’於形成有透明電極線之側之面 上’以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 147068.doc •97- 201041864 為5 run之化合物CH^為電子接受性物質。 繼電子接受性物質之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為75 nm之化合物Y1-7作為第！電洞傳輸層。 進而，於該第1電洞傳輸層上藉由電阻加熱以4〇 nm之膜 厚共蒸鍍作為主體材料之化合物H2、作為螢光發光材料之 化合物D2。化合物⑴之濃度為5%。該共蒸錢膜作為發光 層而發揮作用。 進而，繼該發光層膜後，形成膜厚為2〇 nm2化合物 ET1。該ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 *、、、:後，以0.1埃/min之成膜速度、i nm之膜厚將LiF成膜 而作為電子注入性電極（陰極）。於該UF膜上蒸鍍金屬ai， 形成膜厚為100 nm之金屬陰極，而製作有機EL元件。 [實施例6-2及6-3] 除於實施例6-1中使用表1〇中記载之材料作為第丨電洞傳 輸層以外，以與實施例6_丨相同之方式製作有機EL元件。 [比較例6-1] 除於實施例6-1中使用Z1_3作為第！電洞傳輸層以外，以 與實施例6-1相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機EL元件之1〇 mA/cm2下的驅 動電壓、初期亮度5000 Cd/m2時的半衰壽命示於下述表 10。 、 147068.doc 98· 201041864 [表 ίο] 表1 ο 第1電洞傳輸層 ~ ~ 驅動電壓(V) 半衰壽命(hr) 實施例6-1 Y1-7 4.3 700 貫施例6-2 Ϋ1-8 4.2 1 ---------— 670 ~~ 貫施例6-3 Ϋ1-9 4.0 670 t匕牧例6-1 1—.— Z1-3 6.5 370 如表9、10所示，使用本發明之特定之化合物形成含電 子接文性物質之層及第i電洞傳輸層之實施例5-1〜6_3的有 〇 機EL兀件與比較例5-1〜6-1的有機£1^元件相比，獲得了驅 動電壓下降、元件壽命延長之效果。 產業上之可利用性 如以上詳細說明般，本發明之有機EL元件與先前者相比 較效率更咼、壽命更長，因此作為實用性較高之有機EL元 件極其有用。 【圖式簡單說明】
圖1係表示本發明之有機EL元件之一實施態樣之概略構 成的圖。 【主要元件符號說明】 1 有機EL元件 2 基板 3 陽極 4 陰極 發光層 電洞傳輸層 147068.doc -99- 201041864 7 電子注入、傳輸層 10 有機薄膜層 61 第1電洞傳輸層 62 第2電洞傳輸層 147068.doc -100·

Claims (1)

  1. 201041864 七、申請專利範圍： 1· 一種有機電致發光元件，其特徵在於：其係包含陽極、 陰極、及設置於上述陽極與上述陰極之間之有機薄膜層 者； 上述有機薄膜層具有含有主體材料及發光材料之發光 層及B又置於較上述發光層更靠上述陽極側之電洞傳輸 層，上述電洞傳輸層自上述陽極起依序具有第丨電洞傳 輸層及第2電洞傳輸層，上述第丨電洞傳輸層含有由下述 通式⑴所表示之化合物，上述第2電洞傳輸層含有由下 述通式（2)所表示之化合物： [化1]
    I '
    Afe 〉Αγ7 Ark
    者經取代或未經取狀碳數6〜40之芳基： 147068.doc 201041864 [化3] ]»5 糾’ (R*)b ⑶ (式中’ 示單鍵或者經取代或未經取代之成環礙數 6〜50之伸芳基’ L2可具有之取代基為碳數卜^之直鍵狀 或分支狀烷基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜1〇之三 烷基矽烷基、成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷基、碳數 8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； Ri及R_2为別獨立為經取代或未經取代之碳數1〜1 〇之直 鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數3〜ι〇 之環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷 基 '經取代或未經取代之成環碳數18〜30之三芳基矽烷 基經取代或未經取代之碳數8〜1 5之烷基芳基矽烷基（芳 基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳◎ 數6 16之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個&及 R2可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基；a 及b分別獨立表示〇〜4之整數）； [化4]
    ⑷ 147068.doc 201041864 (式中L3表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6 50之伸芳基’ L3可具有之取代基為碳數1〜1G之直鏈狀 或分支狀烷基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜ι〇之三 烷基矽烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數 8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； c及d分別獨立表示〇〜4之整數； 心及尺4分別獨立表示經取代或未經取代之碳數〗〜〗〇之 〇 直鏈狀或分支狀烧基、經取代或未經取代之成環碳數 3〜10之環烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基 石夕烧基、經取代或未經取代之成環碳數丨8〜3 〇之三芳基 石夕烧基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷 基（芳基部分之成環礙數為6~ 14)、經取代或未經取代之 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數 個R3及R4可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2 〇 價基)； [化5]
    (5) (式中，l4表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基，。可具有之取代基為碳數1〜10之直鏈狀 147068.doc 201041864 或分支狀烷基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三 炫基碎炫基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數 8~15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； Ars表示經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基， Ars可具有之取代基為碳數ι〜1〇之直鏈狀或分支狀烷基、 成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、成 環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽 烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳 基、鹵素原子或者氰基； e表示0〜3之整數，f表示〇〜4之整數； R5及R6分別獨立表示經取代或未經取代之碳數丨〜1〇之 直鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數 3〜10之環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基 石夕烧基、經取代或未經取代之成環碳數18〜3G之三芳基 i 矽烷基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷 基(5基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之 成壤奴數6〜14之芳基、_素原子或者氰基；鄰接之複數 個可相互鍵結㈣成形成環之鮮以飽和之2 價基））。 2 ·如請求項1之有機電致路 - 微運致七先π件，其中由上述通式⑴所 表不之化合物相對於L丨為非對稱。 3.如請求項1或2之有機雷勒雜上_ 电致^忐兀*件，其中於上述通式 中，h為聯苯二基。 147068.doc 201041864 4.如請求項1至3中任一項之有機電致發光元件，其中上述 通式（1)之Ari〜An分別獨立為經取代或未經取代之苯 基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之 聯三笨基、經取代或未經取代之菲基、或者係由下述通 式（6)所表示： [化6]
    (8) (式中，Ls表示經取代或未經取代之成環碳數6〜5〇之伸芳 基，Ls可具有之取代基為碳數丨〜⑺之直鏈狀或分支狀烷 基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷 基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基 芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； Ah表示經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基， Ah可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀或分支狀烷基、 成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、成 %石反數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽 烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳 基、鹵素原子或者氰基； g表不1或2 ; r7表示經取代或未經取代之碳數卜⑺之直鏈狀或分支 147068.doc 201041864 狀烧基、經取代或未經取代之成環碳數3〜10之環烷基、 經取代或未經取代之碳數3〜10之三烷基矽烷基、經取代 或未經取代之成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷基、經取代 或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成 環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳 基、齒素原子或者氰基；複數個I可相互鍵結而形成形 成環之飽和或不飽和之2價基）。 5.如請求項1至4中任一項之有機電致發光元件，其中上述 通式（1)之ArrAr4分別獨立為經取代或未經取代之苯〇 基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之 聯三苯基、或者經取代或未經取代之菲基。 6·如請求項1至5中任一項之有機電致發光元件，其中上述 通式（1)之Ari〜Ai·4中至少一者係由下述通式（6)所表示： [化7]
    (式中’ L5表不經取代或未經取代之成環碳數6〜5〇之伸芳 基’ Ls可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀或分支狀烷 基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷 基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基 芳基石夕烧基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； A1·9表示經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基， 147068.doc 201041864 Ah可具有之取代基為碳數丨〜⑺之直鏈狀或分支狀烷基、 成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜10之三烷基矽烷基、成 環碳數18~30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽 烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳 基、鹵素原子或者氰基； g表示1或2 ; b表示經取代或未經取代之碳數丨〜⑺之直鏈狀或分支 0 狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數3〜10之環烷基、 經取代或未經取代之碳數3〜10之三烷基矽烷基、經取代 或未經取代之成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷基、經取代 或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成 環碳數為6〜14 )、經取代或未經取代之成環碳數6〜丨4之芳 基、鹵素原子或者氰基；複數個I可相互鍵結而形成形 成環之飽和或不飽和之2價基）。 7.如請求項丨至6中任一項之有機電致發光元件，其中於上 〇 述通式（2)中’ Ar5〜Ar7中至少一者為由上述通式（4)或（5) 所表示之基。 β月求項7之有機電致發光元件，其中於上述通式（2) 中，ΑΓΡΑ”中至少一者為由上述通式（4)所表示之基。 月求項7之有機電致發光元件，其中於上述通式（2) 中1斛5〜Ar?中至少一者為由上述通式（5)所表示之基。 10.如印求項丨至6中任一項之有機電致發光元件，其中於上 述通式（2)中，Ar5〜Ar7中至少一者係由下述通式（7)所表 示： 147068.doc 201041864 [化8] (式中’ Rs〜R1Q分別獨立為經取代或未經取代之碳數丨〜⑺ 之直鍵狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數 3 10之％烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基 石夕院基、經取代或未經取代之成環碳數1 8〜30之三芳基 石夕烧基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷 基（芳基部分之成環碳數為6〜丨4)、經取代或未經取代之 成％奴數6〜16之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數 個〜Rig可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價 基，h、1及j分別獨立表示〇〜4之整數）。 11·如明求項1至10中任一項之有機電致發光元件其中於 上述通式（2)中，Ar5〜Αγ7中至少兩者係由上述通式⑺所 表示，於—中兩者得、由通式（3)所表示之情形時， 兩個由通式(3)所表示之基並不相同，又，於Αι·5~Αι·7三 j通式（3)所表不之基之情形時，三個由通式（2)所 表示之基並不相同。 .月长項1至11中任一項之有機電致發光元件其中於 上述通式（2)中，ΑΓ5係由上述通式⑺所表示。、 13.:請f項12之有機電致發光元件，其中於上述通式(2) ^&7為經取代或未經取代之碳數㈣ 如…12之有機電致發光元件，其令於上述通式⑺ M7068.doc 201041864 中1 2 3 4 5 6係由上述通式（3)所表示，Ar7為經取代或未經取 代之碳數6〜40之芳基。 15. 如請求項12之有機電致發光元件，其中於上述通式⑺ 中’ Ah及A1·7係由上述通式⑷所表示。 件，其中於上述通式（2) ，Ary係由上述通式（4)所 16.如請求項12之有機電致發光元 中，Ah係由上述通式（3)所表示 表示。 17. 如請求項12之有機電致發 Ο 丄 尤兀件，其中於上述通式（2) 中，Ah及A1·7係由上述通式（5)所表示。 18. 如請求項12之有機電致發杜” . / 几件’其中於上述通式（2) 中，Aw係由上述通式（3)所表 表示。 係由上述通式（5)所 21 如請求項12之有機電致發光 中’ Ah係由上述通式（4)所表 表示。 〜件’其中於上述通式（2) 不’ Ar?係由上述通式所 &件’其中於上述通式（2) 不’ Αι*7係由上述通式所 22.如請求項12之有機電致發光 中’ Ah係由上述通式（4)所表 表示。 23. 如請求項12之有機電致發光元件 其中於上述通式（2) 147068.doc 1 9.如丨請求項1 2之有機電致發光 2 ψ , Ar ^ Δ , L 件’其中於上述通式（2) 3 中Ar6及Ar·；係由上述通式（7)所表_ 4 20.如請求項12之有機電致發光元不。 5 〇 中，化係由上述通式（3)所表示’其#於上述通式⑺ 6 表示。 、’ 係由上述通式（7)所 201041864 中，Are係由上述通式（4)所表示，Ar?為經取代或未經取 代之碳數6〜40之芳基。 24. 如請求項12之有機電致發光元件，其中於上述通式（2) 中’ Ar0係由上述通式⑺所表示，—為經取代或未經取 代之碳數6〜40之芳基。 25. 如請求項12之有機電致發光元件，其中於上述通式（2) 中，Ah係由上述通式（7)所表示，Ar?為經取代或未經取 代之碳數6〜40之芳基。 26. 如請求項1至25中任一項之有機電致發光元件其中上 述電洞傳輸層於第1電洞傳輸層之更靠陽極側，具有含 有電子接受性化合物之層。 27. 如請求項26之有機電致發光元件，其中上述電子接受性 化合物係由下述通式（i 〇)所表示： [化9] b [上述通式⑽中，R7〜Rl2分別獨立表示氰基、麵2、 缓基、或_COOr13(R13為碳數1〜20之烷基），或者…及 R R及R、或尺"及Rl2相互鍵結而表示由⑶〇_C〇_ 所示之基]。 28. 如請求項26之有機電致發光元件，其中上述電子接受性 化合物係由下述通式（11)所表示： 147068.doc •10- 201041864 I；化 10J (11) 【丄4通式（j】）中，ay盔 環原子數6〜24之雜環、rl:二數6〜:4:縮合環、或成 同，為下述式⑴或（ii): “目互可分別相同亦可不 [化 11]
    ⑴
    (H) 為由下述式 G {式中，X1及X2可相互相同亦可不同 (a)〜(g)所表示之二價基之任—者·· [化 12]
    (e) (式中’R2、R、互可分別相同亦可不同，為氫原子、 經取代或未經取代之碳數丨〜別之氟貌基、經取代或未經 取代之碳數1〜2G之炫基、經取代或未經取代之碳數㈣ 之芳基、或者經取代或未經取代之成環原子數為3〜之 雜環基，R22與R23可相互鍵結而形成環）}; 147068.doc -11- 201041864 通式（11)中之R1〜R4相互可分別相同亦可不同，為氫原 子、經取代或未經取代之碳數丨〜汕之烷基、經取代或未 經取代之碳數6〜50之芳基、經取代或未經取代之成環原 子數為3〜50之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之 碳數1〜20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數丨~2〇之烷 氧基、經取代或未經取代之碳數丨〜⑽之氟烷氧基、經取 代或未經取代之碳數6〜50之芳氧基、或者氰基；Ri〜R4 中相互鄰接者可相互鍵結而形成環；γ1〜γ4相互可相同 亦可不同，為-N=、-CH=、或C(r5)=，R5為經取代或未❹ 、’、二取代之奴數1〜2 〇之院基、經取代或未經取代之破數 6 50之芳基、經取代或未經取代之成環原子數3〜之雜 環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數卜別之氟烷 基、經取代或未經取代之碳數卜汕之烷氧基、經取代或 未經取代之碳數丨〜⑼之氟烷氧基、經取代或未經取代之 碳數6〜50之芳氧基、或者氰基]。 29. -種有機電致發光元件，其特徵在於：其係包含陽極、 陰極、及設置於上述陽極與上述陰極之間的有機薄膜層Q 者； S 上述有機薄膜層具有含有主體材料及發光材料之發光 層、及設置於較上述發光層更靠上述陽極側之電洞傳輸 層，上述電洞傳輸層自上述陽極起依序具有含有電子接 受性化合物之層及第1電洞傳輸層，上述電子接受性化 口物係由下述通式（1〇)所表示’上述第巧洞傳輸層含有 由下述通式（2)所表示之化合物： 147068.doc 12- (10) 201041864 [化 13]
    [上述通式（10)中，R7〜Rl2分別獨立表示氰基、_c〇NH2、 竣8基、或-COOR13 (R13為碳數丨〜2〇之烷基），或者R7及 ¢) R、R及1^0、或R11及R12相互鍵結而表示由_co_0_co_ 所示之基]; [化 14]
    (2) (式中Ar5 Ar7中至少一者為由下述通式（3)所表示之
    基Ar5 Ar7中並非通式⑺之基為由下述通式⑷或⑺所 表示之基、或者經取代或未經取代之碳數6〜4〇之芳基： [化 15] -
    (式中k表7F單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 之伸芳基L2可具有之取代基為碳數1〜10之直鏈狀 或分支狀院基 '成環碳數3心之環炫基、碳數3〜H)之三 147068.doc •13. 201041864 烧基石m成環碳數18〜3G之三芳基㈣基、碳數 8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； Ri及R2刀別獨立為經取代或未經取代之破數1〜1 〇之直 鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數3〜ι〇 之環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷 基、經取代或未經取代之成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷 基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳 基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳 數6〜16之芳基、_素原子或者氰基；鄰接之複數個心及 R2可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基；丑 及b分別獨立表示〇〜4之整數）； [化 16]
    (式中’ L3表示單鍵或者經取代或未經取代之成環破數 6〜50之伸芳基，L3可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀 或分支狀烧基、成環碳數3〜1〇之環院基、碳數3〜1〇之三 烧基碎烧基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數 8〜15之烧基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； 147068.doc -14- 201041864 C及d分別獨立表示〇〜4之整數； R3及R4分別獨立表示經取代或未經取代之碳數1〜10之 直鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數 3〜10之環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基 矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數18~30之三芳基 石夕烧基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷 基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數 個R·3及R_4可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2 價基）； [化 17]
    (式中，L4表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基，L4可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀 或分支狀烧基、成環碳數3〜1〇之環燒基、碳數3〜丨〇之三 烷基矽烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數 8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為 6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； Ars表不經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基， Ars可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀或分支狀烷基、 147068.doc 201041864 成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、成 環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽 烧基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳 基、鹵素原子或者氰基； e表示0〜3之整數，f表示〇〜4之整數； R5及Re分別獨立表示經取代或未經取代之礙數丨〜丨〇之 直鍵狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數 3〜10之環烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基 石夕烧基、經取代或未經取代之成環碳數1 8〜3〇之三芳基 矽烷基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷 基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之 成裱奴數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數 個Rs及Re可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2 價基））。 30. 如請求項⑴今中任一項之有機電致發光元件，其中上 述電洞傳輸層接合於上述發光層。 31. 如請求❸錢中任一項之有機電致發光元件，其中上 述發光材料為含有選自Ir、Pt、〇s、Cu、Ru、Re、A_ 之金屬之金屬錯合物化合物。 32·如請求項1至31中任_項 之有機電致發光元件 其中於 上述發光材料中 係鄰位金屬鍵結 中心金屬原子與配位基中所含碳原子 …i从设7TQ 7L 1千，男 述主體材料之激發三重態能隙為2 〇 ev以上、3·2 -16- 147068.doc 201041864 下。 34.如請求項1至33中任一項之有機電致發光元件’其令於 上述陰極與上述有機薄膜層之界面區域添加有還原性摻 雜劑。 35.如請求項1至34中任一項之有機電致發光元件，其係於 上述發光層與上述陰極之間具有電子 、 /八層，上述電早 注入層含有含氮環衍生物作為主成分。 丁
    147068.doc -17·
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