TW201041864A - Organic electroluminescent element - Google Patents

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TW201041864A
TW201041864A TW099110157A TW99110157A TW201041864A TW 201041864 A TW201041864 A TW 201041864A TW 099110157 A TW099110157 A TW 099110157A TW 99110157 A TW99110157 A TW 99110157A TW 201041864 A TW201041864 A TW 201041864A
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Inventor
Nobuhiro Yabunouchi
Takashi Arakane
Kazuki Nishimura
Chishio Hosokawa
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co
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Description

201041864 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種於電洞傳輸層中使用特定之化合物 . 之有機電致發光元件（以下，有時稱為「有機el (electroluminescence，電致發光）元件」）。 ' 【先前技術】 使用有機物質之有機EL元件有望用作固體發光型之廉價 ❹之大面積全彩顯示元件，而正在進行大量開發。通常有機 EL元件包含發光層及夾著該層之一對的對向電極。發光係 如下現象.若對兩電極間施加電場，則自陰極側注入電 子，自陽極側注入電洞，進而，該電子於發光層與電洞再 結合，生成激發狀態，當激發狀態恢復至基態時，將能量 以光之形式而釋放_。 已知有各種形態之有機EL元件’其中，例如提出有如下 之有機EL元件：其使用含有具有嘆吩結構之特定取代基的 Q 芳香族胺衍生物或具有二芳基胺基所鍵結之咔唑骨架的芳 香族胺衍生物作為電洞注入材料或電洞傳輸材料（例如彔 照專利文獻1、2)。 ' 先前技術文獻 » 專利文獻 專利文獻 1 : W02008-023759 專利文獻 2 : WO2008-062636 【發明内容】 發明所欲解決之問題 147068.doc 201041864 然而，於如上所述之有機EL元件中，古μ + 結構不同之分子有上述材料中分子 導致驅動電壓上升。冑未順⑸地進行之情形，有時 由於以上問題，本發明之曰从+ 下降、並且壽命較長+ ，在於提供一種使驅動電壓 立且可命較長、貫用性優異之有機EL元件。 解決問題之技術手段 本發明者等為達成上述 的而反覆努力研究 現，藉由使用具有特定之研九結果發 傳輸声材料曰你 K構之化合物作為第！電洞 得叛層材科、且使用具有二苯 香族胺衍生物作;^ 2Φ、， 構及Μ結構之芳 電子接爲:：: 輸層材料，或者使用特定之 子接又性化合物、且使用 構之芳香族胺衍生物本:夫南結構及味嗤結 φ ± 為第電洞傳輸材料，可製造驅動 電壓較低、壽命較县彳古」表拉驅動 可卩杈長之有機EL兀件，從而完 即，本申請案第一發明係一種右 月 徵在於·其係包含陽極、 八特 险搞夕„ 士 及设置於上述陽極與上述 陰極之間之有機薄膜層者； 上述有機薄臈層具有含右φ 《 声…… 體材料及發光材料之發光 : 置於較上述發光層更靠上述陽極側之電洞傳輪 及^電洞傳輪層自上述陽極起依序具有第工電洞傳輸 ^所表2電洞傳輸層’上述第1電洞傳輸層含有由下述通式 U)所表不之化合物，卜t笙 m… 上述弟2電洞傳輸層含有由下述通式 (2)所表不之化合物： [化1] I47068.doc 201041864
(式中，Μ表示經取代或未經取代之成環碳數1〇〜4〇之伸芳 基，Ari〜Ar4表示經取代或未經取代之成環碳數6〜60之芳 基或者成環原子數6~60之雜芳基）； [化2]
(式中，Ar^Ao中至少一者為由下述通式（3)所表示之基， ΑΓ5〜ΑΓ7中並非通式（3)之基為由下述通式⑷或者（5)所表示 之基、或者經取代或未經取代之碳數6〜4〇之芳基： [化 3] ^
(式中L2表不單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸方基’ ^可具有之取代基為碳數之直鍵狀或 分支狀烧基、成環碳數3〜1〇之環烧基、碳數Μ之三烧基 料基、成環碳數18〜3G之三芳基㈣基、碳數8〜15之炫 基方基錢基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、幽素原子或者氰基； 分別獨立為經取代或未經取代之碳數H〇之直鏈 147068.doc 201041864 狀或分支狀烧基、經取代或未經取代之成環碳數3〜1〇之環 烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、經 取代或未經取代之成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、經取 代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之 成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜16之 芳基、_素原子或者氰基；鄰接之複數個心及尺2可相互鍵 結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基；a及b分別獨立 表示0〜4之整數）； [化4]
(式中，L3表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基’ L3可具有之取代基為碳數卜1〇之直鏈狀或 分支狀烧基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜10之三烷基 矽烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷 基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； c及d分別獨立表示〇〜4之整數； R3及R4分別獨立表示經取代或未經取代之碳數i 〜10之直 鍵狀或分支狀烧基、經取代或未經取代之成環碳數3〜丨〇之 環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜10之三烷基矽烷基、 經取代或未經取代之成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷基、經 147068.doc 201041864 取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分 之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜14 之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個尺3及r4可相互 鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基）； [化5]
(式中’ L4表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基’ I#可具有之取代基為碳數卜1〇之直鏈狀或 分支狀烷基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜10之三烷基 矽烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷 基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； 〇 ArS表示經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基，Ar8 可具有之取代基為碳數1〜10之直鏈狀或分支狀烷基、成環 碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、成環碳數 18〜30之二芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基 邓刀之成％碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳基、鹵素原 子或者氰基； e表示〇〜3之整數，f表示0〜4之整數； 5及R0刀別獨立表示經取代或未經取代之碳數1〜1 〇之直 147068.doc 201041864 鏈狀或分支狀炫基、經取代或未經取代之成環碳數3〜丨〇之 環烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、 經取代或未經取代之成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷基、經 取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分 之成壞碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜i 4 之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個115及116可相互 鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基））。 又，本申請案第二發明係一種有機電致發光元件，其特 徵在於.其係包含陽極、陰極、及設置於上述陽極與上述f) 陰極之間之有機薄膜層者； 上述有機薄膜層具有含有主體材料及發光材料之發光 層及叹置於較上述發光層更靠上述陽極側之電洞傳輸 層上述電洞傳輸層自上述陽極起依序具有含有電子接受 f生化口物之層及第丄電洞傳輸層，上述電子接受性化合物 係由下述通式（1G)所表示’上述第旧洞傳輸層含有由上述 通式（2)所表示之化合物：
[化 6] Q
(10) [上述通式（10)中，r7〜r1 软A ^ 別獨立表示氰基、-conh2、 叛基、或-C〇〇Rn f丨3 2 R9及Ri◦、或R11乂“數1〜20之炫基)，或者R7及R8、 一 R相互鍵結而表示由-CO-0-CO-所示之 147068.doc 201041864 基]。 七月之有機ELtl件可合適地傳輸電荷，因此亦可應用 構成全彩顯示器所需要之紅色、綠色、藍色之任-像素 二有機EL元件’可期待使發光層中所含有之主體材料與發 ^ A材料以外之材料共通化。藉此而期待降低元件之製造成 本。 發明之效果 Ο I據本發明’可提供-種使is動電壓下降、並且壽命較 長、實用性優異之有機EL元件。 【實施方式】 本申晴案第一發明之有機EL元件係包含陽極、陰極、及 又置於上述陽極與上述陰極之間之有機薄膜層而成。有機 薄膜層具有含有主體材料及發光材料之發光層，且具有設 置於較上述發光層更靠陽極側之電洞傳輸層。並且，電洞 傳輸層自上述陽極起依序具有第1電洞傳輸層及第2電洞傳 Ο 輸層’上述第1電洞傳輸層含有由下述通式（1)所表示之化 合物’上述第2電洞傳輸層含有由下述通式（2)所表示之化 合物： [化7]
147068.doc 1 2 (式中’ Li表示經取代或未經取代之成環碳數1 〇〜4〇之伸芳 201041864 基，Ar广At*表示經取代或未經取代之成環碳數6〜6〇之芳 基或者成環原子數6〜60之雜芳基）； [化8]
(2) (式中’ Aq〜A”中至少一者為由下述通式（3)所表示之基，
Ars Ar?中並非通式（3)之基為由下述通式（4)或者（5)所表示 之基、或者經取代或未經取代之碳數6〜4〇之芳基：） [化9]
(式中，L2表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基’ L2可具有之取代基為碳數丨〜⑺之直鏈狀或 分支狀烷基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基 矽烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷 基芳基石夕烧基（芳基部分之成環碳數為6〜丨4)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基；
Ri及R2分別獨立為經取代或未經取代之碳數丨〜⑺之直鏈 狀或分支狀院基、經取代或未經取代之成環碳數3〜1〇之環 烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、經 取代或未經取代之成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、經取 代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之 I47068.doc •10· 201041864 成數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜16之 芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個Ri及R2可相互鍵 、、σ而形成形成環之飽和或不飽和之2價基；&及b分別獨立 表示0〜4之整數）； [化 10]
(式中’ La表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基，L3可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀或 为支狀烷基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基 石夕烧基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷 基芳基石夕烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； c及d分別獨立表示〇〜4之整數； R3及R4分別獨立表示經取代或未經取代之礙數丨〜1〇之直 鍵狀或分支狀烧基、經取代或未經取代之成環碳數3〜1〇之 壞烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、 經取代或未經取代之成環碳數1 8〜3〇之三芳基矽烷基、經 取代或未經取代之碳數8〜1 5之烷基芳基矽烷基（芳基部分 之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數 之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個r3&r4可相互 鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基）； 147068.doc -11 - 201041864 [化 11]
(式中，U表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基’乙4可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀或 分支狀烷基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜10之三烷基 石夕烧基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烧 基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6~ 14之芳基、鹵素原子或者氰基；
Ars表示經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基，Αγ8 可具有之取代基為碳數1〜10之直鏈狀或分支狀烷基、成環 碳數3〜10之環烧基、碳數3〜1〇之三烧基碎烧基、成環碳數 18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基 部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳基、鹵素原 子或者氰基； e表示0〜3之整數，f表示〇〜4之整數； R5及R6分別獨立表示經取代或未經取代之碳數丨〜⑺之直 鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數3〜1〇之 環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基碎烷基、 經取代或未經取代之成環碳數18〜30之三芳基石夕烷基、經 取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分 147068.doc -12« 201041864 之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜14 之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個心及心可相互 鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基））。 於上述通式（3)中之La、上述通式（5)中之L4為伸芳基之 情形時，抑制由上述通式（2)所表示之化合物之電子密度的 上升，IP(Ionization Potentia卜游離電位）變大，故容易降 低兀件之電壓，因此較好。進而，若二苯并呋喃結構或咔 〇 °坐結構經由伸芳基與氮原子鍵結，則大多情況下胺不易被 氧化而化合物變穩定，容易延長元件之壽命。又於上述 通式（5)中之L4為伸芳基之情形時，化合物變穩定，因此容 易合成。 又，於上述通式（5)中L4之伸芳基係由下述通式（8)所表 示之情形時，抑制胺化合物之電子密度之提高，其結果π 變大，對發光層之電洞注入性提高，可期待元件之電壓下 降。特別於由上述通式⑺所表示之化合物具有由上述通式 〇 所表不之含二笨并呋喃結構之基、與由上述通式及/ 或（5)所表示之含咔唑結構之基之情形時，較好的是通式 (4)、（5)中之L3及L4分別獨立由下述通式（8)所表示： [化 12]
(8) [R及R分別獨立表示碳數卜1〇之直鏈狀或分支狀烷 基、成％碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、 147068.doc •13· 201041864 成^炭數18〜3〇之三芳基石夕貌基、碳數8〜15之炫基芳基石夕 炫基(芳基部分之成環碳數為6，、成環碳數6〜16之芳 基、鹵素原子或者减。鄰接之複數個r1i及Ri2可鍵結而 形成飽和或不飽和之環； k及1分別獨立為0〜4之整數]。 由上述式⑴及（2)所表示之化合物均具有電洞注入、傳 輸性，因此可合適地用作電洞傳輸層。 述式⑴及（2)所表不之化合物均係親和能階 較小。因此，若使用該等化合物形成接合於發光層之電洞 傳輸層，則發揮優異之電子阻擋性。 而且，由上述式⑴及⑺所表示之化合物均具有較高之 電子耐性，因此有機EL元件之壽命亦W由於電子阻擔時 之電子集中而下降。 本申請案第-發明之有機EL元件係使用此種由上述式 ⑴及⑺所表示之化合物形成電洞傳輸層，因此可將電子 封閉在發光層中並且將電洞注人至發光層中，從而可提高 電荷之再結合機率而獲得高效率之發光。高性能化無論營 光、磷光均有效果，對磷光特別有效果。 又’於電子阻擋時，電子於發光層與㈣傳輸層之界面 集中，但由於上述式⑴及⑺所表示之化合物之電子耐性 較高，因此發光壽命不易下降。 又，由上述式（1)及（2)所表示之化合物係Af較小而電子 不易進入，而有阻擋向陽極側之移動之傾向。 進而，於相對於由上述式⑴所表示之化合物而具有更 147068.doc 14- 201041864 …耐性之由上述式⑺所表示的化 此可使元件整體的壽命變長。 Τ丨且棕電子，藉 由上述式⑺所表示之化合物為單胺… 呋喃基，Eg大於由上述式 ’、 /、有一本开 1八（1)所表不之化合物。 常Af小於由上述式〇)所表示之化合 發光層向陽極側移動。於磷 不易使電子自 崎常較小，更不易使電m層中，發光層以較大故 ❹ 〇 顯。 勿蚀側移動，上述效果明 又，藉由二苯并呋喃之立體性體積而具有拉長與鄰接之 第1電洞傳輸層的分子之距離的立體性效果。藉此，可於 第2電洞傳輸層與第1電洞傳輸層之界面阻擋載體。藉此， 於相對於由上述式⑴所表示之化合“具 之由上述式(2)所表示的化合物中阻擋自陰極側移動而來之 電子，藉此可使元件整體之壽命變長。 再者，所謂親和能階…(電子親和力），係指對材料之分 :提供-個電子時所釋放或者吸收之能量，將釋放之情形 定義為正，吸收之情形定義為負。 親和能階Af係藉由游離電位㈣光學能隙Eg⑻以如下 方式規定：
Af=Ip-Eg(S)。 此處，游離電位Ip係指自各材料之化合物除去電子而形 成離子所需之能量，例如係利用紫外線光電子分光分析裝 置（AC-3 ’理研（股）儀器）測定出之值。 光學能隙Eg(S)係指傳導能級與價電子能級之差，例如 147068.doc 201041864 係將各材料之甲苯稀薄溶液之吸收光譜的長波長側切線與 基線（吸收零）之交點的波長值換算成能量而求出。 進而’由上述式（1)、（2)所表示之化合物係玻璃轉移溫 度（Tg)較高，耐熱性優異。特別是若導入分子量較大之取 代基’則可提高電洞傳輸層之耐熱性。 此處，先别被用作形成電洞傳輸層之材料之α_Νρβ(例如 參照美國專利2006-0088728號公報）係以為！^^以下，因 此耐熱性不足。 相對於此’於本發明中，藉由採用Tg較高之由上述式Ο ⑴、（2)所表示之化合物’可提高有機此元件之耐熱性。 又，於美國專利2006_〇〇88728號公報之發明中，使用銅 酿菁化合物形成電洞注入層。 =，銅錯合物於可見區域具有吸收，因此若厚膜化則 一-色而人佳又，銅錯合物係非晶性較低，結晶性較 尚’因此難以厚膜化，於構築元件構成之方面限制較多。 相對於此，由上述式（1) 域並無較大吸收，非日日二尸Γ日不之化合物於可見區 厚化。 B較π，、，、α晶性較低，因此適於膜 稽此 採用由上述式（1)、m 之有播1) (2)所表不之化合物的本發明 之有機EL兀件可構築各種元件構成。 所謂本發明之有機電致 設置於較發光層更靠， 之電洞傳輸層，係指 洞之作用。 側’發揮自陽極向發光層注入電 本發明之有機電致發# 中之第1電洞傳輸層及第2電 147068.doc -16. 201041864 洞傳輸層係分別作為將電洞注入至發光層的電洞傳輸層而 發揮作用之層，將設置於陽極側者稱為第1電洞傳輸層， 將設置於發光層側者稱為第2電洞傳輸層。 通常，為自陽極以較低之電壓將電洞注入至發光層之 HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital ’ 最高佔用分 子軌域）’而設置複數個電洞傳輸層，以自位於陽極側之 电洞傳輸層至位於發光層側之電洞傳輸層使其能階 0逐漸接近於發光層之HOMO能階之方式選定材料。 又已知，為增大發光層中之電子與電洞之再結合機率， 而選擇與發光層接觸之電洞傳輸層之親和能階較小的材 料二藉此可將來自陰極側之電子封閉在發光層中，從而可 提高發光效率及延長壽命。 為此，較好的是第1電洞傳輸層之游離電位小於第2電洞 傳輸層之游離電位。進而，其差較好的是！.〇eV以下，更 好的是0.4 eV以下。 ❹ 人’权好的是第1電 ，· < nr卞别/苺 -，V此厂白q、W兴丹接蜩 之發光層之親和能階。進而’其差較好的是"π以下， 更好的是0.4 eV以下。 ,上述第1電，同傳輸層較好的是成為1〇〜細㈣之膜厚之情 形，更好的是成為15〜15G nm之膜厚之情形，特別好的是 成為20〜1〇〇 nm之膜厚之_识 _ 一 a 料之清形°又’上述第2電洞傳輸層較 好的疋成為Π)〜_nm之膜厚之情形，更好的是成為 :5〜'Ο"11之膜厚之情形，特別好的是成為削。—之膜 厚之情形。 147068.doc -17· 201041864 作為本發明之有機電致發光元件，較好的是上述通式 ⑷及通式⑺中一及一分別獨立為伸苯基、聯苯二基、聯 三苯二基、伸萘基或者菲二基者。 土 本發明之有機EL元件於第1<f洞傳輸層中含有由上述通 式⑴所表示之化合物，但該化合物之游離電位較大，因此 電洞容易向第2電洞傳輸層移動，而使所獲得之有機队元 件之電壓變低。 由上述通式（1)所表示之化合物較好的是進而滿足下述 (2)〜(6)。 (2) 由上述通式（1)所表示之化合物相對於^為非對稱。 與相對於Ll為對稱之化合物相比，分子間之相互作用更 小，因此抑制結晶化，提高有機EL元件之製造良率。又， 非晶性優異，因此與鄰接之ITCKindium tin oxide，氧化銦 錫）或有機層之界面的接著性提高’使元件變穩定。 (3) 於上述通式（1)中，L!為聯苯二基。 於注入有電洞之陽離子狀態下，具有電氣穩定之醌結 構’對於氧化具有優異之穩定性。 (4) 上述通式U)之Ar〗〜八1*4分別獨立為經取代或未經取代 之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代 之聯二苯基、經取代或未經取代之菲基，或者係由下述通 式（6)所表示： [化 13] 147068.doc •18· 201041864
(式中’ L5表示經取代或未經取代之成環碳數6〜5〇之伸芳 基，L5可具有之取代基為碳數1〜10之直鏈狀或分支狀烷 基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜10之三烷基矽烷基、 成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽 烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳 基、鹵素原子或者氰基；
Arp表不經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基， 可具有之取代基為碳數丨〜⑺之直鏈狀或分支狀烷基、成環 碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、成環碳數 18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基 部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳基、鹵素原 子或者氰基； q g表示1或者2 ; R7表示經取代或未經取代之碳數丨〜⑺之直鏈狀或分支狀 炫基、經取代或未經取代之成環碳數3〜1〇之環烷基、經取 代或未經取代之碳數3〜10之三烷基矽烷基、經取代或未經 取代之成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、經取代或未經取 代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為 6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基、齒素 原子或者氰基。複數個R7可相互鍵結而形成形成環之飽和 或不飽和之2價基）。 147068.doc -19- 201041864 由上述通式（6)所表示之結構由於孤立電子對與之相 互作用而與ΙΤΟ之接著性優異，因此電洞注入性良好，並 且不易受到ΙΤΟ之性狀的影響，可具有穩定之元件性能。 (5) 上述通式（1)之An〜Ar4分別獨立為經取代或未經取代 之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代 之聯三苯基、或者經取代或未經取代之菲基。 苯基、聯苯基、聯三苯基、菲基係對於氧化及還原具有 優異之穩定性的取代基群，適合作為鍵結於胺之取代基。 (6) 上述通式（1,)之Ari〜Ar4中至少一者係由上述通式（6)所 表示。 該胺單元具有立體阻礙性，故分子間之相互作用較小， 因此可抑制結晶化，提高有機EL元件之製造良率。又，含 有具有二苯并呋喃結構之芳基及具有咔唑結構之芳基的胺 化α物係Eg杈大，可有效阻擋來自發光層之電子，因此提 向效率’並且抑制向電洞傳輸層之電子注入，因此有延長 壽命之效果’特別是藉由與藍色發光元件組合而可獲得明 顯之長壽命效果。 由上述通式（2)所表示之化合物較好的是進而滿足下述 ⑺〜(25)。 (7) 於上述通式（2)中，Ar5〜Ar7中至少一者係由上述通式 (4)或者（5)所表示之基。 (8) 於上述通式（2)中，Ar5〜Ar7中至少一者係由上述通式 (4)所表示之基。 一般S忍為’藉由咔唑之N原子與胺之N原子的相互作用 147068.doc -20- 201041864 而改善咔唑之對於還原之不穩定性 此較好。 。其結果壽命變長，因 (9)於上述通式（2)中，Αγ5〜旭7中 (5)所表示之基。
An中至少一者係由上述通式 (10)於上述通式（2)中，Ar5〜Ar7中 (7)所表示。
Ar5〜Ar7中至少一者係由下述通式 該胺單元具有立體阻礙性，故分子間之相互作用較
高，有延長所獲得之有機£1元件之壽命的效果，特別是藉 由與藍色發光元件組合而可獲得明顯之長壽命效果： [化 14]
(式中 R8〜R1 〇分別獨立為經取代或未經取代之碳數1〜1 〇 之直鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數 3〜10之環烧基、經取代或未經取代之碳數3〜10之三烷基矽 烧基、經取代或未經取代之成環碳數18〜3 0之三芳基碎烧 基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳 基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳 數6〜16之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個R8~R10 可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基；h、i 及j分別獨立表示〇〜4之整數）。 147068.doc -21 - 201041864 ⑴）於上述通式（2)中，Ar5〜-中至少兩者係由上述通式 ?所表不’於ΑΓ5〜ΑΓ7中兩者係由通式(3)所表示之情形 時本兩個由通式⑺所表示之基並不相同，又，於_〜Α” :者為由通式⑺所表示之基之情形時，三個由 表示之基不相同。 =^少2種具有二苯并Μ結構之芳基之胺衍生物可 之製：良:對：生^此可抑制結晶化’提高有機EL元件 又、，含有具有二苯并呋喃結構之芳基之胺化 口物係Eg較大，可有效阻擋來自發光層之電子 :::且:制向電洞傳輸層之電子注入，因此 I:效:別是藉由與藍色發光元件組合而可獲得明顯 又’-般認為Ip變小而容易將電洞直接注人至 摻雜劑中’其結果電壓變小，因此較好。 (12)於上述通式（2)中，仏係由上述通 ⑴）於上述通式（Wm上述通^所表:干。，a 及^為、經取代或未經取代之破數㈣之芳基。表不“ (14)於上述通式（2)巾，μ係由上述通式（3) _ :=式(3)所表示，為經取代或未經取二: (15) 於上述通式（2)中，μ係由上述通式 及Ar7係由上述通式（4)所表示。 表不’紅 (16) 於上述通式（2)巾，仏係由上述通式 係由上述通式（3)所表*，Air7#由上述通式（4)所表二 147068.doc -22- 201041864 (】7)於上述通式（2)中，Ars係由上述通式（ 及A1·7係由上述通式⑺所表示。 所表示，AG (IS)於上述通式（2)尹，A。係由上述通式〇)戶 係由上述通式（3)所表示，A”係由上述通式（5)戶示Ar0 (I9)於上述通式（2)中，A。係由上述通式（3)戶示 及Ah係由上述通式（7)所表示。 斤表不，Ah (20) 於上述通式（2)中， 係由上述通式（3)所表示 (21) 於上述通式（2)中， 係由上述通式（4)所表示 (22) 於上述通式（2)中， 係由上述通式（4)所表示 (23) 於上述通式（2)中， 係由上述通式（4)所表示 6〜40之芳基。 Ο Μ係由上述通式（3)所表示，仏 ，ΑΓ7係由上述通式⑺所表示。 ΑΓ5係由上述通式（3)所表示，Ar6 ，Ar7係由上述通式(5)所表示。 ΑΓ5係由上述通式(3)所表示，ΑΓ6 ’ 係由上述通式（乃所表示。 ΑΓ5係由上述通式（3)所表示，Ar6 ，Ar7為經取代或未經取代之碳數 〇 (24)於上述通式（2)中， 係由上述通式（5)所表示 6〜40之芳基。
Ars係由上述通式（3)所表示，ΑΓ6 ’ Ah為經取代或未經取代之碳數 (25)於上述通式（2)中， 係由上述通式（7)所表示 6〜40之芳基。 ΑΓ5係由上述通式（3)所表示，Are ,A。為經取代或未經取代之碳數 於上述通式⑴〜⑺中，作為W〜Ri。所表*之經取代或 未經取代之院基的具體例，可列舉：甲基、乙基、丙基、 "丙^正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊 147068.doc -23- 201041864 基、正己基、正庚基'正辛基、羥基曱基、i_羥基乙基、 2-羥基乙基、2-羥基異丁基、丨，2_二羥基乙基、丨，3_二羥基 異丙基、2,3-二羥基-第三丁基、三羥基丙基等，較 好的是曱基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第 二丁基、第三丁基。 於上述通式（1)〜(7)中，作為由Ri〜Ri〇所表 示之經取代或 未經取代之環烷基的具體例，例如可列舉：環丙基、環丁 基、環戊基、環己基、環戊基甲基、環己基甲基、環己基 乙基、4-氟裱己基、丨_金剛烷基、2_金剛烷基、卜降宿 基、2-降宿基等，較好的是環戊基、環己基。 於上述通式（1)〜(7)中’作為由Ri〜Ri〇所表示之三烷基矽 烷基的具體例，例如可列舉：三甲基矽烷基、乙烯基二甲 基矽烷基、二乙基矽烷基、三丙基矽烷基丙基二曱基矽 烷基、三丁基矽烷基、第三丁基二曱基矽烷基、三戊基矽 烷基、三庚基矽烷基、三己基矽烷基等，較好的是三甲基 石夕烧基、二乙基珍燒基。石夕烧基上取代之烧基可相同亦可 不同。 於上述通式(1)〜(7)中’作為由n。所表示之三芳基矽 烧基的具體例’例如可列舉：三苯基找基、三萘基石夕炫 基 '二恩基石夕院&等’車交好的是三苯基妙烧&。碎烷基上 取代之芳基可相同亦可不同。 於上述通式⑴〜⑺中’作為由。所表示之燒基芳基 矽烷基的具體例，例如可列舉：^曱基苯基矽烷基、二乙 基苯基矽烷基、二丙基苯基矽烷基、二丁基苯基矽烷基、 147068.doc -24- 201041864 〇 二戊基苯基矽烷基、二庚基苯基矽烷基、二己基苯基矽烷 基、二甲基萘基矽烷基、二丙基萘基矽烷基、二丁基萘基 矽烷基、二戊基萘基矽烷基、二庚基萘基矽烷基、二己基 萘基矽烷基、二甲基蒽基矽烷基、二乙基蒽基矽烷基、二 丙基蒽基矽烷基、二丁基蒽基矽烷基、二戊基蒽基矽烷 基、二庚基蒽基矽烷基、二己基蒽基矽烷基、二苯基甲基 等，較好的是二甲基苯基矽烷基、二乙基苯基矽烷基、二 苯基曱基。 於上述通式（1)〜(7)中，作為由Rl〜Rl〇及Ar丨〜Ar9所表示之 芳基的具體例，例如可列舉：笨基、2_曱基苯基、3_甲基 苯基、4-曱基苯基、4-乙基苯基 '聯苯基、4_甲基聯苯 基、4-乙基聯苯基、4_環己基聯苯基、蒽基、稠四苯基、 聯二苯基、三聯苯基、3,5_二氣苯基、萘基、5_甲基萘 基、菲基、疾基、苯并菲基、聯三苯基、苯并蒽基、苯并 筷基、稠五苯基、起基、五苯基、芘基、筷基、苐基、 9,9-一甲基苐基、茚基、苊丙二烯合第基、茈基等， 較好的是苯基、聯苯基、萘基。 於上述通式（1)〜⑺中，由Rl〜Ri。所表示之_素原子的具 體例為氟、氯、溴。 於上述通式⑴〜⑺中，作為“A所表示之成環石炭數 6〜50之伸芳基的具體例’可列舉使上述芳基為2價基者。 作為上述可具有取代基之各基的取代基，可列舉：碳數 1〜1〇之直鏈狀或分支狀烷基、成環碳數3,之環烷基、碳 數3〜10之二烷基矽烷基、成環碳數之三芳基矽烷 147068.doc -25- 201041864 基、碳數8~15之炫基芳基碎烧基（芳基部分之成環碳數為 6〜I4)、成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子等。 作為上述各基可具有之取代基之碳數丨〜⑺的直鏈狀或分 支狀烷基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽 烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基 芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14 之方基' #素原'子的具體例’可列舉與作為。之具體 例而列舉者相同者。 丁出由上述通式(1)所表示之化合物之具體例 但並不限定於該等： [化 15]
147068.doc -26 - 201041864 [化 16]
[化 17]
Λ Λ >1 Λ Λ Λ
147068.doc -27- 201041864 [化 18]
❹ 147068.doc -28- 201041864
147068.doc -29- 201041864 [化 20]
147068.doc -30· 201041864 [化 21]
以下’示出由上述通式（2)所表示之化合物之具體例， 但並不限定於該等： 147068.doc -31 201041864 [化 22]
147068.doc 32 201041864 [化 23]
·33· 147068.doc 201041864
147068.doc • 34· 201041864 [化 25]
147068.doc -35- 201041864 [化 26]
147068.doc -36- 201041864 [化 27]
14706B.doc •37- 201041864 [化 28]
Ο
❹
147068.doc -38- 201041864 [化 29]
147068.doc •39- 201041864 [化 30]
❹ 147068.doc -40- 201041864 [化 31]
〇 l 147068.doc -41 - 201041864 [化 32]
147068.doc -42- 201041864[化 33]
147068.doc -43 - 201041864 [化 34]
147068.doc -44- 201041864
147068.doc -45- 201041864 [化 36]
147068.doc -46- 201041864 [化 37]
Ο
又，電洞傳輸層中所含由上述通式（1)、（2)所表示之化 合物並不限定於一種。即，第丨電洞傳輸層可含有由上述 通式（1)所表示之化合物中之複數種，第2電洞傳輪層可人 有由上述通式（2)所表示之化合物中之複數種。 147068.doc .47- 201041864 第r電本同m，上述電洞傳輸層自上述陽極側起依序具有 有i上m層及第2電㈣輸層’上述第1電洞傳輸層含 有由上述通式（1)所表示之胺基 層含有由上述通式⑺所表示之化合^。述第2電洞傳輸 氮=::，由上述通式⑴所表示之化合物較好的是 氮原子數為4以下，且分子量為30G以上、测以下。 根據此種構忐，某蚀卩主丁 3丨 稃定之_ s 1起熱分解，可獲得^較高而 穩疋㈣°即’可利用蒸鍍法形成薄膜。 此：’若分子量小於3。〇’則下降而薄膜缺乏穩定◎ 性，因此欠佳。另一方面，+ 右刀子量超過1500，則容易產 生由瘵鍍時之熱引起之分解，因此欠佳。 作為由上述通式⑴所表示之化合物， 地使用高分子材料’該情形時可較好地使用塗布 關於分子量之上限，可無限制地使用。 較好的疋，本發明之有機電致發光元件滿足下述 (26)〜(34) 。 ^ ^ ⑽上述電洞傳輸層接合於上述發光層。 具體而言，較好的菩μ、+ 迷弟2電洞傳輸層接合於上述 光層。 χ ⑼上述發光材料為含有選自…、。”〜、以、
Re、Au中之金屬之金屬錯合物。 於使用此種金屬錯合物作為發光材料之情形時，發光之 量子產率較高，可進—步提高發Μ件之外部量子效率。 特別好的是銀錯合物、蛾錯合物、始錯合物更好的^ 147068.doc _48· 201041864 银錯合物及鈾錯合物’最好的是鄰位金屬化銀錯合物。 (28)於上述發光材料中，中心金屬原子與配位基中所含 碳原子為鄰位金屬鍵結。 根據此種構成，< 進步長1南發光之量子產率。 作為鄰位金屬化#屬錯合物，例如較好的是以下所示之 銥錯合物： [化 38] ㈣ ㈣ ㈣
(K-7)
147068.doc -49· 201041864 [化 39] (Κ-10) (ΚΜ«)
[化 40] «ΊΒ)
(Μ7)
τη
(1-18)
(29)上述主體材料之激發三重態能隙為2.0 以上、3.2 eV以下。 根據此種構成，可實現向發光材料之有效之能量移動。 此處’激發三重態能隙Eg(T)例如可根據發光光譜以如 147068.doc • 50· 201041864 下方式規定。 即，將測定對象之材料以1〇 pmol/L溶解於ΕΡΑ溶劑（以 谷積比計，二乙醚：異戊烷：乙醇=5:5:2)中，製成磷光測 定用試料。 並且，將磷光測定用試料放入石英池中，冷卻至77 Κ， 照射激發光，測定發射出之磷光之波長。 對所獲得之磷光光譜之短波長側的上升晝切線，將該切 〇 線與基線之交點之波長值換算成能量，並將所獲得之值作 為激發三重態能隙Eg(T)。 再者，測定可使用市售之測定裝置F 45〇〇(曰立製造）。 (3〇)於上述陰極與上述有機薄膜層之界面區域添加有還 原性摻雜劑。 作為還原性摻雜劑，可列舉：選自驗金屬、驗金屬錯合 物、鹼金屬化合物、鹼土金屬、鹼土金屬錯合物、鹼土金 屬化合物、稀土金屬、稀土金屬錯合物、及稀土金屬化合 〇 物等中之至少一種。 作為驗金屬，可列舉Na(功函數：2 36 eV)、κ(功函數： ^ eV)、Rb(功函數：2.16 eV)、Cs(功函數：1.95 eV) 等’特別好的是功函數為2.9 eV以下者。該等中較好的是 K ' Rb、Cs，更好的是Rb或者Cs，最好的是Cs。 作為鹼土金屬，可列舉Ca(功函數·· 2 9 ev)、功函 數.2.〇〜2·5 eV)、Ba(功函數：2.52 eV)等，特別好的是功 函數為2.9 eV以下者。 作為稀土金屬’可列舉Sc、Y、Ce、Tb、外等，特別好 147068.doc •51· 201041864 的是功函數為2.9 eV以下者。 以上金屬之還原能力特別高，藉由相對少量地添加至電 子注入區域中，彳提高有機EL元件之發光亮度或延長壽 命。 作為鹼金屬化合物，可列舉：ho、ho、Μ等鹼金 屬氧化物，LiF、NaF' CsF、KF等驗金屬函化物等，較好 的是LiF、u2o、NaF之鹼金屬氧化物或者驗金屬i化物。 作為鹼土金屬化合物，可列舉33〇、Sr〇、Ca〇及將該等 混合而成之BaxSri-x〇(0<x<1)、或 Β^ΐχ〇(〇<χ<ι)等較❹ 好的是BaO、SrO、Ca〇。 九 作為稀土金屬化合物，可列舉Μ、吨、Sc〇3、 AO3、以203、GdF3、TbF3 等，較好的是 YbF3、、
TbF3 。 3 tF馮蛻金屬錯合物 一 -V口仍、稀土
物，只要為分別含有驗金屬離子、驗土金屬離子 :離I:::少一種作為金屬離子者，則無特別限々 羥本基7唑、羥苯基噻唑、羥基二芳基噚二唑 基嚷二嗤、經苯基_、經苯基苯并味 唾、麵基氣H比咬、㈣、駄菁：二: 稀、β-二酮類、甲亞胺類、及該等之 “ 定於該等。 τ生物專’但並3 作為還原性摻雜劑之添加形態， 成為層狀或島狀 作為形成方法， 較好的是於界面區㈣ 較好的是利用電阻加熱 147068.doc -52- 201041864 蒸鍍法蒸鐘還原性接雜劑， 之發光材料或雷工、、+ 呼蒸鍍作為形成界面區域 還原摻雜劑之方法。入材料^有機物，而於有機物中分散 物：還原性摻雜.二==濃度，以莫耳比計為有機 於將還原性摻雜劑形成 $:好的是5:1〜Μ。 Ο Ο 機層之發光材料或電子、、主增狀之b形時，將作為界面有 加熱蒸鍍法單獨基铲材科形成為層狀後，藉由電阻 〇.1〜15nm之層。 劑較好的是形成厚度為 於將還原性摻雜劑形成為島狀 機層之發光材料或電子注入材料形將作為界面有 加熱蒸鍵法單獨蒸鑛還原推;狀後，错由電阻 〇.〇5〜1 nm之島。 知好的是形成厚度為 又，作為本發明之有機EL元件中之 雜劑之比例’較好的是以莫耳 ：原性摻 劑別七，更好的是2:1〜1:2。 纟刀·還原性掺雜 (31)於上述發光層與上述陰極之間具有電子注人声 述電子注人層含有含氮環衍生物作為主成分。《，上 lbf’所謂「作為主成分」係指電子注人層中含有至+ 5〇質量％以上之含氮環衍生物。 夕 ::電子注入層中所使用之電子傳輪材料，較好的是使 子内含有1個以上之雜原子之芳香族雜環化合物，特 別好的是含氮環衍生物。 特 者作為含純衍生物’例如較好的是由下述式㈧所表示 147068.doc •53- 201041864 [化 41]
式（A)中，r2〜R7分別獨立為氫原子、鹵素原子、氧基、 胺基、或者碳數1〜40之煙基，該等可經取代。 作為i素原子之例，可列舉氟、氯等。又，作為可經取 代之胺基之例，可列舉：烷基胺基、芳基胺基、芳烷基胺 基及與上述胺基相同者。 作為碳數1〜40之烴基，可列舉：經取代或未經取代之烷 基、烯基 '環烷基、烷氧基、芳基、雜環基、芳烷基、芳 氧基、烷氧基羰基等。作為烷基、烯基、環烷基、烷氧 基方基、雜環基、务烧基、芳氧基之例，可列舉與上述 相同者’烧氧基羰基係表示作-COOY，，作為γ，之例，可列 舉與上述烷基相同者。 Μ為Is (A1)、鎵（Ga)或銦（In)，較好的是紹（Ai)。 上述式（A)之L係由下述式（A，）或者（A")所表示之基： 147068.doc 54· 201041864 [化 42] ❹ ❹
(Α· (Α·* ) 式（Α，）中，Ml分別獨立為氯原子或者經取代或未經 取代之碳數丨〜觀烴基，相鄰之基可形成環狀結構。 式（A )中，R R分別獨立為氣原子或者經取代戒 未經取代之碳數1〜4G之«，相鄰之基可形成環狀結構。 作為通式（A，）及（A”）之R8~R12及Rl3〜R27所表示之碳數 卜40的烴基，可列舉與上述尺^之具體例相同者。 又’作為⑽及妒〜〜鄰之基形成環狀結構之情 形時的2價基’可列舉··四亞甲基、五亞甲基、 基、二苯基甲燒-2,2，_二基、二苯基乙炫_3,3、二基： 基丙烧-4,4'-二基等。 以下示出 之具體例， 由通式(A)所表示之含氮環之金屬螯合錯合物 但並不限定於該等例示化合物： 147068.doc -55- 201041864 [化 43]
147068.doc 56- 201041864 [化 44]
147068.doc 57- 201041864
作為電子注入層之主成分即含氮環衍生物，含氮5員環 衍生物亦較好，作為含氮5員環，可列舉味β坐環、三。坐 環、四α坐環、崎二唾環、α塞二α坐環、崎三。坐環、°塞三。坐環 等，作為含氮5員環衍生物，為苯并咪唑環、苯并三唑 環、°比咬并11米。坐環、。密σ定并'^ σ坐環、塔_并β米吐環，特別 好的是由下述式（Β)所表示之化合物： 147068.doc -58- 201041864 [化 46]
...(B) 式（B)中，LB表示 ：·價以上之連結基，例如可列舉碳、 石夕、氮、棚、氧、硫、金屬（例如鋇、鈹）、芳基、芳香族 雜環等，該等中較好的是碳原子、氮原子、矽原子、硼原 子、氧原子、硫原子、芳基、芳香族雜環基，更好的是碳 〇原子、矽原子、芳基、芳香族雜環基。 LB之芳基及芳香族雜環基可具有取代基，作為取代基， 較好的是烷基、烯基、炔基、芳基、胺基、烷氧基、芳氧 基、醯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、醯氧基、醯基胺 基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺基、磺醯基胺基、胺 石黃醯基、胺曱酿基、烧硫基、芳硫基、石黃醯基、鹵素原 子、氰基、芳香族雜環基，更好的是烷基、芳基、烷氧 基、芳氧基、鹵素原子、氰基、芳香族雜環基，更好的是 〇 烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、芳香族雜環基，特別好的 是烷基、芳基、烷氧基、芳香族雜環基。 作為lb之具體例，可列舉下示者： 147068.doc 59- 201041864 [化 47] +十+人人又
ΐ ί Q ^ Q -ά. ~*〇-
式(Β)中之χΒ2表示_〇_、各或 脂肪 :煙基'芳基或雜環基。 表不虱原子 rB2之脂肪族烴基為直鏈 坶刀支或者環狀烷基（較好的疋 更好的是碳數1〜12、特別好的是碳數卜s之炫 基’例如可列舉甲I、乙基、異丙基、第三丁基、正辛 基、正癸基、正十六烧基、環丙基、環戊基、環己基 等）、烯基（較好的是碳數2〜20、更好的是碳數2〜η、特別 好的是碳數2〜8之烯基，例如可列舉乙烯基、烯丙基' 2 丁烯基、3-戊烯基等）、炔基（較好的是碳數2〜2〇、更好的 是碳數2〜12、特別好的是碳數2〜8之炔基，例如可列舉块 147068.doc •60- 201041864 丙基β2、Μ块基等），較好的是貌基。 的:碳lit:,:環或:合環，較好的是碳數6〜3〇、更好 基、2~甲A笨A #的疋碳數6〜12之芳基’例如可列舉苯 夷、……、”基苯基、各甲基苯基、”氧基苯 V:虱:基苯基、五氣苯基、蔡基、2-蔡基等。 Ο
G 更好的3“基為單環或者縮合環’較好的是碳數1〜20、 是含〜12、更好的是碳數2〜1〇之雜環基，較好的 芳香於原子、硫原子、砸原子令之至少一個之 l %基。作為該雜環基之例，例如 D、W味琳、W料二 7塞唑啉、噻唑、噻二唑、噚唑嚇、# :y等二唾、啥琳、異啥琳、㈣、萘唆、啥啊、㈣ 苯并：：、t咬、°丫咬、啡琳、吩。井、四唾、苯并咪唾、 γ 、本并噻唑、苯并三唑、四氮茚、咔唑'氮呼 專’較好的是咬喃…塞吩、口比咬”比_、嗜咬十井、三 井、萘咬、噎号琳、啥唾琳，更好的是咬 、噻吩、吡啶、喹啉，進而更好的是喹啉。 由RB2所表示之脂肪族烴基、芳基及雜環基可具有取代 基’作為取代基，與作為由上述lb所表示之基之取代基所 列舉者相同，又，較好取代基亦相同。 作為RB2 ’較好的是脂肪族煙基、芳基或者雜環基，更 好的是脂肪族烴基(較好的是碳數6〜30、更好的是碳數 6务進而更好的是碳數6〜12者）或者芳基，更好的是脂 147068.doc -61 - 201041864 肪族煙基（較好的是碳數㈣ 的是碳數2〜10者）。 于的是碳數1〜12、更好 作為χΒ2，較好的是-0-、=N_rB2， 別好的是=N_RB2。 ，更好的是=N-RB2，特 炉2表示形成芳香族環所需之 香族環可為芳香族烴 *戶斤形成之芳 ^ 方苷族雜環之紅 t ^ 例，例如可列舉：笨環、$ —者’作為具體 環、三，環、^環、本^井環…密咬環、噠_ 環、呼咕产g 南環、、石西吩環、蹄吩 衣味唾環…塞哇環、硒口坐環、碎 。 唑環、吡唑環等，售一唑核、呷二 , 的疋本環 '吡啶環、吡畊環、嘧啶 核、噠畊環，更好的是苯環 开衣密疋 的|ρ ^ ^疋王衣、。比畊環，進而更好 勺疋本％、吡〇疋％，特別好的是吡啶環。 由ZB2所形成之芳香族環 产，7目士 進步與其他環形成縮合 八有取代基。作為取代基，與作為由上述LV斤表干 之基之取代基所列舉者相同，較好的^基、稀基 基 '芳基、胺基、烧氧基、芳氧基、醯基、烧氧基㈣、、 芳=基幾基、醢氧基、醯基胺基、烧氧基艘基胺基、芳氧 基羰基胺基、磺醯基胺基、胺磺醯基、胺甲醯基、烷硫 基、芳硫基、磺醯基、_素原子、氰基、雜環基，更好= 是烧基、芳基、烧氧基、芳氧基、齒素原子、氰基、雜環 基’進而更好的是烷基、芳基、烷氧基、芳氧基 '芳香^ 雜環基’特別好的是烧基、芳基、院氧基、芳香族雜二: 基。 长 g 2 ,, η 為1〜4之整數，較好的是2〜3。 147068.doc -62. 201041864 由上述式（B)所表示之含氮5員環衍生物中，更好的是由 下述式（B’）所表示之化合物： [化 48]
式（B')中，RB71、rB72b DB73、 R 及R 分別與上述式（B)中之Rb2相 同，又，較好範圍亦相同。 π、π及zB73分別與上述式⑻中之zB2相同，又，較 好範圍亦相同。 L 及LB73分別表示連結基，彳列舉使上述式⑻ 中之LB之例為二價者，較好的是單鍵、二價芳香族烴環 基、二價芳香族雜環基、及包含該等之組合之連結基更 〇好的是單鍵。I/”、L、lb73可具有取代基，作為取代 基，與作為i述式（B)中由Lb所表示之基之取代基所列舉 者相同’又，較好取代基亦相同。 γ表示氮原子、1，3,5_苯三基或者2,4,6-三啡三基。^5-苯三基可於2,4,6-位上具有取代基，作為取代基’例如可 列舉烷基、芳香族烴環基、_素原子等。 ^以下示出由上述式（B)或者上述式（Βι)所表示之含氮5員 環衍生物之具體例，但並不限定於該等例示化合物： 147068.doc • 63 · 201041864 [化 49] (Β-5) ςίξ〇<ύ
CXKK：0
147068.doc -64- 201041864 [化 50] <β-9)
作為構成電子注入層及電子傳輸層之化合物，亦可列舉 具有如下結構之化合物等，該結構係將缺電子性含氮$員 環或缺電子性含氮6員環骨架與經取代或者未經取代之。 木月架、經取代或者未經取代之咔唑骨架、 ，之—骨架組合而成。又，作為合=者未 性3乳5病或缺電子性含氮6貞環#架， 、電子 嘧啶、吡啼、二啡— ；舉.吡啶、 -井、三唑"号二唑、吡唑、咪唑、喹气 147068.doc -65- 201041864 啉、吡咯骨架及該等相互縮合而成之苯并咪唑、咪唑吡啶 等分子骨架。該等組合中較好的是可列舉：吡啶、嘧啶、 °比11井、三p井骨架與°卡。坐、°引°朵、氮雜叶。坐、啥崎琳骨架。 上述骨架可經取代亦可未經取代。 以下示出電子傳輸性化合物之具體例： [化 51]
147068.doc -66· 201041864 [化 52]
特別是於本發明之有機EL元件中，作為上述含氮五員衍 生物，較好的是由下述式（21)〜(23)之任一者所表示之苯并 咪唑衍生物：
147068.doc •67- 201041864 (式（21)〜(23)中’汐' 22及23分別獨立為氮原子或者碳原 子； R21及R22分別獨立為經取代或未經取代之碳數6〜5〇之芳 基、經取代或未經取代之碳數3〜5〇之雜芳基 '碳數卜2〇之 烷基、鹵素原子經取代之碳數卜加之烷基或碳數丨〜汕之烷 氧基； v為0〜5之整數，於¥為2以上之整數時，複數個rS1可相 互相同亦可不同，又，鄰接之複數個rZ1彼此可相互鍵結 而形成經取代或未經取代之芳香族烴環；
Ar21為經取代或未經取代之碳數6〜5〇之芳基或者經取代 或未經取代之碳數3〜50之雜芳基； 為SL原子*反數1〜2 〇之烧基、經鹵素原子取代之碳 數1〜20之絲、碳數卜⑽之絲基、經取代或未經取代之碳 數6〜5〇之芳基或者經取代或未經取代之碳數3〜50之雜芳基； 其中，Ar21、Ar22中之任一個為經取代或未經取代之碳 數10〜50之縮合環基或者經取代或未經取代之成環原子數 9〜50之雜縮合環基；
Ar23為經取代或未經取代之碳數6〜5〇之伸芳基或者經取 代或未經取代之碳數3〜50之伸雜芳基； L/21、T 22 23 及L分別獨立為單鍵、經取代或未經取代之碳 數6〜5〇之㈣基、經取代或未經取代之成環原子數9〜50之 雜縮口 ％基或者經取代或未經取代之伸第基）。 、下不出由上述式（21)〜（23)所表示之含氮5員環衍生物 之具體例，但並不限定於該等例示化合物： 147068.doc *68· 201041864 [化 54]
147068.doc -69- 201041864 [化 55]
電子注入層及電 述材料之單層結構傳輸層可為包含1種或者2種以上之上 複數層之多層結構亦可為包含相同成分或者異種成分之 基。 。該等較好的是缺π電子性含氮雜環 作為上述雷1 除上述含氮環衍 之絕緣體或者半 ’則可有效防止 .... 子注入層之構成成分， 生物之外，較好的 ^ 疋使用作為無機化合物 &右電子〉主入層包含絕緣體或半導體 電流线漏，提高電子注入性。 147068.doc -70- 201041864 作為此種絕緣體，較好的是使用選自由鹼金屬硫屬化 物、鹼土金屬硫屬化物、鹼金屬齒化物及鹼土金屬函化物 所組成之群中之至少一種金屬化合物。若電子注入層包含 S亥等鹼金屬硫屬化物等，則可進一步提高電子注入性，就 該方面而言較好。具體而言，作為較好之鹼金屬硫屬化 物，例如可列舉U2〇、K2〇、NazS、仏如及他2〇，作為 較好之鹼土金屬硫屬化物，例如可列舉Ca〇、仏〇、Sr〇、 Ο
e 、BaS及CaSe。又，作為較好之鹼金屬鹵化物，例如 可列和卜他卜仏…卜⑽及㈣^又叫乍為較 好之鹼土金屬鹵化物，例如可列舉、Bai^、、 MgFjBeF2等氟化物，或氟化物以外之_化物。 又，作為半導體，可列舉：含有Ba、Ca、Sr、Yb、 A卜 Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、、外及 h 中之至 少-種元素之氧化物’氮化物或者氮氧化物等的單獨一種 或者兩種以上之組合。χ ’構成電子注人層之無機化合物 較好的是微晶或者非晶f絕緣性薄膜。若電子注入層包含 該等絕緣㈣膜，則形成更均質之薄膜，因此可減少暗點 等像素缺陷。再者，作為此種無機化合物，可列舉上述鹼 金屬硫屬化物、鹼土金屬硫屬化物、鹼金屬卣化物及鹼土 金屬齒化物等。 又 好0 本發明中之電子注 入層含有上述還原性摻雜劑亦較 二=金::::材料較好的是發光之極大波*為 147068.doc 201041864 發光波長較短之發光材料通常係激發三重態能隙較大。 此處，於如美國專利2006-0088728號公報中記載之有機 EL元件所示般使用a_NPD形成電洞傳輸層之情形時，由於 a-NPD之激發三重態能隙為2·5 eV以下，因此有電洞傳輪 層之二重態能隙小於發光材料之激發三重態能隙之情形。 於該情形時’發光層之激發三重態能量洩漏至鄰接之電 洞傳輸層，無助於發光而失去活性，因此有可能使發光致 率下降。 相對於此，於本發明中，使用激發三重態能隙大於0 NPD之上述式（1)〜(5)之化合物形成第丨電洞傳輸層、第2電 洞傳輸層，因此於採用發光波長較短之發光材料之情形時 亦可維持較高之發光效率。 02)將電子接受性物質接合於上述電洞傳輸層。 根據此種構成’藉由下述專财記載之效果而實現低電 壓驅動及高效率發光。 作為添加至或接合於本發明之第1電洞傳輸層或第2電洞 傳輪層之電子接受性物質，除 〇 π 切貝 除日本專利公報第3614405 號二571 977號或美國專利4,78〇,536中記載之六氮雜聯伸 二本仿生物等之外，亦可較好地使用Ρ型Si、_SiC等無 機化合物，氧化鉬等電子拉爲 电于接又性無機氧化物，TCNQ衍生 物等電子接受性有機化合物等。 本發明之電洞傳輸層較好的是於第旧洞傳輸層之更靠 %極側具有含有電子接受性化合物之層。 作為電子接受性化合物， 了較好地使用由下述通式（10) M7068.doc •72· 201041864 或（11)所表示者： [化 56]
Ο [上述通式⑽中，R7〜Rl2分㈣立表示氰基、·CON%、 叛9基、或-C〇〇Rl3 (Rl3為碳數1〜2G之烧基），或者RW、 及R或R及汉12相互鍵結而表示由-co-0-co-所示之 基]。 是碳數基，可列舉直鏈、分支或者環狀者，較好的 厌 、更好的是碳數1〜8者，具體而言可列舉 基、乙基、正丙基、里曱 -"丙基、正丁基、第二丁基、第二Τ 基、正己基、正委1 一^丁 _ 辛基、正癸基、正十六烷基、環丙基、产 戊基、環己基等： ^ [化 57] (11) 為成環碳數6〜24之縮合環 arl及ar2彼此可分別相同亦 '或成環 可不同， [上述通式（11)中，Ar 原子數6〜24之雜環； 為下述式⑴或（ii): 147068.doc •73· 201041864 [化 58] X1 ό 9 X* (i) (fi) 為由下述式（a)〜(g) {式中，x1及x2可相互相同亦可不同 所表示之二價基中之任一者： [化 59]
① (8) (式中，R〜R24可分別相互相同亦可不同，為氫原子、經 取代或未經取代之碳數1〜20之氟烷基、經取代或未經取代 之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之碳數6〜5〇之芳基 或者經取代或未經取代之成環原子數3〜5〇之雜環基，r22 與R23可相互鍵結而形成環）}。 通式（1 1 )中之R1〜R4可分別相互相同亦可不同，為氫原 子、經取代或未經取代之碳數^20之烷基、經取代或未經 取代之碳數6〜50之芳基 '經取代或未經取代之成環原子數 3〜50之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數丨〜2〇 之氟烧基、經取代或未經取代之碳數^20之烷氧基、經 取代或未經取代之碳數1〜20之氟烷氧基、經取代或未經 取代之碳數6〜50之芳氧基、或者氰基。R1〜R4中相鄰者 147068.doc -74- 201041864 可相互鍵結而形成環。Υ〗〜Υ4可相互相同亦可不同，為 N=、_CH=或C(R5)= ’ R5為經取代或未經取代之破數wo 之烷基、經取代或未經取代之碳數6〜50之芳基、經取代或 未經取代之成環原子數3〜5〇之雜環基、鹵素原子、經取代 或未經取代之碳數丨〜別之氟烷基、經取代或未經取代之碳 數1〜20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數卜2〇之氟烷氧 基、經取代或未經取代之碳數6〜50之芳氧基、或者氰基]。 0 圖1表示本發明之有機EL元件之一實施態樣的概略構 成。 有機EL元件丨包括透明基板2、陽極3、陰極4、以及配置 於陽極3與陰極4之間之發光層5。於發光層5與陽極3之 間，設有自陽極3側起依序具有第丨電洞傳輸層61及第2電 洞傳輸層62之電洞傳輸層6，於發光層5與陰極4之間設有 電子注入、傳輸層7。 第1電洞傳輸層61含有由上述通式（1)所表示之化合物， 〇第2電洞傳輸層62含有由上述通式（2)所表示之化合物。 此處，第1電洞傳輸層61、第2電洞傳輸層62中所含之由 上述通式（1)及（2)所表示之化合物並不限定於一種。即， 第1電洞傳輪層61可含有由上述通式⑴所表示之化合物中 之複數種，第2電洞傳輸層62可含有由上述通式（2)所表示 之化合物中之複數種。 第1電洞傳輸層中之由上述通式（1)所表示之化合物的含 量較好的是90質量％以上。又’第2電洞傳輸層中之由上 述通式（2)所表示之化合物的含量較好的是90質量％以上。 147068.doc -75- 201041864 .於本發明尹，有機EL元件之陽極發揮將電洞注入至電祠 注入層或電洞傳輸層中之作用，有效果的是具有45 eV^ 上之功函數。作為本發明中所使用之陽極材料之具體例， 可應用氧化銦錫合金（IT0)、氧化錫（NESA)、金、4銀、 銘、鋼等。又，作為陰極，以將電子注入至電子注入 發先層中為目的，較好的是功函數較小之材料。陰極材料 並無特別限定’具體可使用銦、鋁、鎂、鎂-銦合金、鎂_ 鋁合金、鋁·'鋰合金、鋁-銃-鋰合金、鎂-銀合金等。 本發明之有機EL元件之各層的形成方法並無特別限定。 :如可藉由先前公知之真空蒸鑛法、分子束蒸鑛法 二beam epitaxy ’分子束蟲晶）法）或者溶解 、命、文之次潰法、旋塗法、澆鑄法、棒塗法、輥塗法 塗布法而形成。 朴本發明之有機虹元件之各層的膜厚並無特別限制，通常 右臈厚過薄則容易產生針 生針孔4缺陷，相反若過厚則需要施 °乂间之電壓而效率變差’因此通常較好的是數η 範圍。 | 再者，本發明之有機虹元件並不限定於圖】所示之構 A?Xi 例如’可於第i電洞傳輸層與陽極3之間設有電洞注入 層。 t，同傳輸層6為第丨電洞傳輸層61與第2電 62之雙層結構。 進而，可於發光層5盥 電子注入·傳輸層7之間具備電洞 147068.doc -76- 201041864 障壁層。 鉻J JS电’同障壁層’可將電洞封閉在發光層5中，而提高 ' 5申之I電荷之再結合機率，從而提高發光效率。 外本中4案第二發明之有機EL元件係包含陽極、陰極、及 °又置於上述陽極與上述陰極之間之有機薄膜層者； 上述有機薄膜層具有含有主體材料及發光材料之發光 層及叹置於較上述發光層更靠上述陽極側之電洞傳輸 ❹層’上述電祠傳輸層自上述陽極起依序具有含有電子接受 性化合物之層及第1電洞傳輸層，上述電子接受性化合物 係由上达通式（1G)所表示，上述第1電洞傳輸層含有由上述 通式（2)所表示之化合物。 本申請案第二發明之有機EL元件的其他構成與本申請案 第一發明之有機EL元件相同。 實施例 以下，藉由實施例具體地說明本發明，但本發明並不限 Q 定於該等。 [實施例1-1] 對25 mmx75 mmxl.l mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇t實施5分鐘之超音波清洗後，進 行30分鐘之UV臭氧清洗。 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍 裝置之基板托架上，首先於形成有透明電極線之側之面 上，以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 為4 0 nm之下述化合物XI作為第1電洞傳輸層。 147068.doc -77- 201041864 繼第1電洞僖4 _L、 ，輸層之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為20 nm之下述化合物Yl-1 (Af: 2.48 eV、Eg(S): 3_12eV Ipi6〇ev)作為第2電洞傳輸層。 進而於及第2電洞傳輸層上，藉由電阻加熱以膜厚為 40 nm而共蒸鍍作為主體材料之化合物hi、作為磷光發光 材料之化合物m。化合物⑴之濃度為7 5%。該共蒸鍍膜 作為發光層而發揮作用。 進而於'亥發光層上藉由電阻加熱而共蒸鑛膜厚為10 nm之化合物HB。該膜作為電洞障壁層而發揮作用。 ◎ 而且，繼該電洞障壁層成膜後，形成膜厚為3〇 nm之化 合物ET1膜。s亥ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 然後，以0.1埃/min之成膜速度、i nm之膜厚將[汗成膜 而作為電子注入性電極（陰極）。於該UF膜上蒸鍍金屬A1， 形成膜厚為80 nm之金屬陰極，而製作有機EL元件： [化 60]
H1
HB
ET1 D1 147068.doc -78- 201041864 [化 61]
Yl-l
於實施例W中，Af、Eg⑻、Ip係分別 行測定。Af(親和能階）： 所不般進 藉由游離電位Ip與光學能隙Eg(s)#如下方式規定.
Af=Ip-Eg(S)。
Eg(S)(光學能隙）： 〇 將材料之曱苯稀薄溶液之吸收光譜的長波長侧切線與基 線（吸收零）之交點的波長值換算成能量而求出。
Ip(游離電位）： 係自化合物除去電子而形成離子所需之能量，係利用紫 外線光電子分光分析裝置（AC_3，理研（股）儀器）測定出之 值0 [實施例1-2] 除於實施例1·1中使用Y1-2作為第2電洞傳輸層以外，以 與實施例1 -1相同之方式製作有機EL元件。 147068.doc •79· 201041864 [實施例1-3] 除於實施例1-1中使用YM (Af; 2 45 eV、Eg(s):爻17 eV、Ip: 5.62 eV、Eg(T): 2·63 ev)作為第2電洞傳輪層以 外，以與實施例1-1相同之方式製作有機EL元件。 再者，Af、Eg(S)及Ip係以與實施例卜丨相同之方式測 定，Eg(T)係以如下方式測定。
Eg(T)(三重態能隙）： 根據磷光發光光譜測定。 將材料以1 0 μηιοΙ/L溶解於epa溶劑（以容積比計為二乙 醚··異戊烷.乙醇=5:5:2)中，製成磷光測定用試料。將該 填光測定用試料放入至石英池中，冷卻至77 K ’照射激發 光，測定發射出之磷光之波長。 對所獲得之磷光光譜之短波長側的上升畫切線，將該切 線與基線之交點之波長值換算成能量，並將所獲得之值設 為激發三重態能隙Eg(T)。 再者，測定係使用市售之測定裝置F_45〇〇(日立製造）。 [實施例1-4] 除於實施例1 -1中使用Y1 -4作為第2電洞傳輸層以外’以 與實施例1 -1相同之方式製作有機EL元件。 [實施例1-5] 除於實施例1-1中使用Y1-5作為第2電洞傳輸層以外’以 與實施例1 -1相同之方式製作有機EL元件。 [實施例1-6] 除於實施例1-1中使用Y1-6作為第2電洞傳輸層以外，以 147068.doc •80- 201041864 與實施例1-1相同之方式製作有機EL元件。 [比較例1-1] 除於實施例 1-1 中使用 zi_l (Af: 2.43 eV、Eg(S): 3.21 eV) 作為第2電洞傳輸層以外，以與實施例丨_丨相同之方式製作 有機EL元件。 '[比較例1·2] 除於實施例1-1中使用Zl_2作為第2電洞傳輸層以外，以 與實施例卜1相同之方式製作有機ΕΙ^元件。 U [比較例1-3] 除於實施例1-1中使用Ζ1-3作為第2電洞傳輸層以外，以 與實施例1-1相同之方式製作有機EL元件： [化 62]
[有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機El元件之初期亮度20000 cd/m2時的半衰壽命示於下述表1。 147068.doc -81 - 201041864 [表i] 表1 第1電洞 傳輸層 第2電洞 傳輸層 初期亮度 (cd/m2) 半哀胥命 (hr) 實施例1-1 XI Υ1-1 20000 610 實施例1-2 XI Υ1-2 20000 600 實施例1-3 XI Υ1-3 20000 550 實施例1-4 XI Υ1-4 20000 700 實施例1-5 XI Υ1-5 20000 620 實施例1-6 XI Υ1-6 20000 700 比較例1-1 XI Ζ1-1 20000 100 比較例1-2 XI Ζ1-2 20000 20 比較例1-3 XI Ζ1-3 20000 290 [實施例1-7] 除於實施例1-1中使用X2作為第1電洞傳輸層以外，以與 實施例1·1相同之方式製作有機EL元件：
[實施例1-8〜1-12] 除於實施例1-7中使用表2中記載之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與實施例1-7相同之方式製作有機EL元件。 [比較例1-4] 除於實施例1 -1中使用Χ2作為第1電洞傳輸層、使用Ζ1 -1 147068.doc -82- 201041864 作為第2電洞傳輸層以外，以與實施例1-1相同之方式製作 有機EL元件。 [比較例1-5及1-6] 除於比較例1-4中使用表2中記載之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與比較例1-4相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機EL元件之初期亮度20000 cd/m2時的半衰壽命示於下述表2。
[表2] 表2 第1電洞 傳輸層 第2電洞 傳輸層 初期亮度 (cd/m2) 半衰壽命 (hr) 實施例1-7 X2 Y1-1 20000 600 實施例1-8 X2 Y1-2 20000 580 實施例1-9 X2 Y1-3 20000 500 實施例1-10 X2 Y1-4 20000 680 實施例1-11 X2 Y1-5 20000 590 實施例1-12 X2 Y1-6 20000 690 比較例1-4 X2 Z1-1 20000 50 比較例1-5 X2 Z1-2 20000 20 比較例1-6 X2 Z1-3 20000 30 [實施例1-13] 除於實施例1-1中使用X3作為第1電洞傳輸層以外，以與 實施例1-1相同之方式製作有機EL元件： 147068.doc 83- 201041864 [化 64]
X3
[貫施例I-I4〜i-18J 除於實施例中*用表3中t己载之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與實施例1_13相同之方式製作有機el元件。 [比較例1-7] 除於實施例Μ中使用X3作為第i電洞傳輸層、使用π】 作為第2電洞傳輸層以外，以鱼實摊彳 ，、頁％例1-1相同之方式製 有機EL元件。 [tb 較例 1 -8及 1 -9] 除於比較例1 - 7中使用矣+ i 便用表3中記載之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與比較例丨_7 f 7相同之方式製作有機eL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作 > 々丄 cd/m2B4^^# * yv 有機虹元件之初期亮度20001
Cd/m時的+哀哥命示於下述表3。 147068.doc •84- 201041864 [表3] 表3 第1電洞 傳輸層 第2電洞 傳輸層 初期亮度 (cd/m2) 半衰壽命 (hr) 實施例1-13 X3 Y1-1 20000 630 實施例1-14 X3 Y1-2 20000 620 實施例1-15 X3 Y1-3 20000 590 實施例1-16 X3 Y1-4 20000 700 實施例1-17 X3 Y1-5 20000 640 實施例1-18 X3 Y1-6 20000 700 比較例1-7 X3 Z1-1 20000 130 比較例1-8 X3 Z1-2 20000 50 比較例1-9 X3 Z1-3 20000 320 如表1〜3所示，使用本發明之特定之化合物形成第1電洞 傳輸層、第2電洞傳輸層之實施例1-1〜1-18的有機EL元件 與比較例1-1〜1-9的有機EL元件相比，獲得了元件壽命延 長之效果。 可知，使用Y1-4、Y卜6作為第2電洞傳輸層之元件與使 用Y1-3之元件相比，壽命更長。 進而可知，使用XI、X3作為第1電洞傳輸層之元件與使 用X2之元件相比，壽命更長。 [實施例2-1] 對25 mmx75 mmxl. 1 mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇中實施5分鐘之超音波清洗後，進 行30分鐘之UV臭氧清洗。 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍 裝置之基板托架上，首先，於形成有透明電極線之側之面 147068.doc -85- 201041864 上，以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 為60 nm之化合物X1作為第1電洞傳輸層。 繼第1電洞傳輸層之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為2 0 nm之化合物γ 1 -1作為第2電丨同傳輸層。 進而，於該第2電洞傳輸層上藉由電阻加熱以4〇 nm之膜 厚共蒸鍍作為主體材料之化合物H2、作為螢光發光材料之 化合物D2。化合物D2之濃度為5%。該共蒸鍍膜作為發光 層而發揮作用。 進而，繼該發光層膜後，以2〇 nm之膜厚形成化合物 ET1。該ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 然後，以0.1埃/min之成膜速度、i nm之膜厚將UF成膜 而作為電子注入性電極（陰極）。於該UF膜上蒸鐘金屬ai， 形成膜厚為100 nm之金屬陰極，而製作有機EL元件： [化 65]
[實施例2-2〜2-6] 除於實施例2-丄中使用表4中記載之材料作為第2f洞傳 輸層以外，以與實施例2]相同之方式製作有機仙元件。 [比較例2-1] 除於實施例W中使用Zl]作為第2電洞傳輸層以外，以 與貫施例2-1相同之方式製作有機el元件。 147068.doc -86 - 201041864 [比較例2-2及2-3] 载之材料作為第2電洞傳 方式製作有機EL元件。 EL元件之初期亮度5000 除於比較例2 -1中使用表4中記 輸層以外，以與比較例2-1相同之 [有機EL·元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機 cd/m2時的半衰壽命示於下述表4 [表4] 表4 第1電洞 傳輸層 實施例2-1 XI 實施例2-2 XI 實施例2-3 XI 實施例2-4 XI " 實施例2-5 XI 貪施例2-6 XI 比較例2-1 XI ~~' 比較例2-2 XI 比較例2-3 Γχι Ο Ο
[實施例2-7] 除於實施例Μ令使用X2作為第1電洞傳輸層以外，以愈 貫施例2_1相同之方式製作有機EL元件。 [實施例2-8〜2-12] 除於實施例2-7中使用妾^ 表中5己载之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與實施例2_7相 祁问之方式製作有機EL·元件。 [比較例2-4] 除於實施例2 -1中播用γ 〇 & & & 1 , 作為第1電洞傳輸層、使用Z1 -1 147068.doc •87. 201041864 作為第2電洞傳輸層以外，以與實施例2_丨相同之方式製作 有機EL元件。 [比較例2-5及2-6] 除於比較例2-4中使用表5中記載之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與比較例2-4相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機El开杜—. π风1^疋件之初期亮度5000 cd/m2時的半衰壽命示於下述表$。 [表5] 表5 實施例2-7 第1電洞 傳輸層 X2 苐2電洞 傳輪層 初期亮度 (cd/m2) 半哀哥命 (hr) 實施例2-8 X2 Yl-l Yl-2 — 5000 700 ~ 實施例2-9 "X2 Yl-3 —~ *>uu〇 ~---- 680 實施例2-10 ~X2 ' "YL·? 5000 - 600 ~ 實施例2-11 X2 — ~YU5 ~~ -------- 770 實施例2-12 X2 — Yl-6 — 5000 - 670 比較例2-4 X2 ~ ~ZM~~ 3U00 - 770 比較例2-5 X2 zu? - 5〇〇〇 ----- 50 比較例2-6 X2 ~~ ------ ζνβ ~~ 5000 -_ 50 —— ------1 5000 ~~~--- 220 [實施例2-13] 洞傳輸層以外，以 與 除於實施例Μ中使用幻作為第lt
實一施例2 _ 1相同之方式製作有機E L元件 [實施例2-14〜2-1 8J 除於實施例2-13中使用表 輸層以外’以與實施 ° #料作為第
相@之方式製作有機EI 147068.doc •88· 201041864 [比較例2-7] 除於實施例2-1中使用X3作為第1電洞傳輸層、使用Z1-1 作為第2電洞傳輸層以外，以與實施例2-1相同之方式製作 有機EL元件。 [比較例2-8及2-9] 除於比較例2-7中使用表6中記載之材料作為第2電洞傳 輸層以外，以與比較例2-7相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機EL元件之初期亮度5000 cd/m2時的半衰壽命示於下述表6。 [表6] 表6 第1電洞 傳輸層 第2電洞 傳輸層 初期亮度 (cd/m2) 半衰壽命 (hr) 實施例2-13 X3 Y1-1 5000 760 實施例2-14 X3 Y1-2 5000 730 實施例2-15 X3 Y1-3 5000 640 實施例2-16 X3 Y1-4 5000 840 實施例2-17 X3 Y1-5 5000 720 實施例2-18 X3 Y1-6 5000 850 比較例2-7 X3 Z1-1 5000 280 比較例2-8 X3 Z1-2 5000 120 比較例2-9 X3 Z1-3 5000 370 如表4〜6所示，使用本發明之特定之化合物形成第1電洞 傳輸層、第2電洞傳輸層之實施例2-1〜2-18的有機EL元件 與比較例2-1 ~2-9的有機EL元件相比，獲得了元件壽命延 長之效果。 147068.doc -89- 201041864 可知，使用Yl-4、Υ1·6作為第2電洞傳輸層之元件與使 用Υ1-3之元件相比，壽命更長。 進而可知，使用XI、Χ3作為第1電洞傳輸層之元件與使 用Χ2之元件相比，壽命更長。 [實施例3-1] 對25 mmx75 mmxl.l mm厚之附有ΙΤΟ透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇中實施5分鐘之超音波清洗後，進 行30分鐘之UV臭氧清洗。 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍f) 裝置之基板托架上，首先，於形成有透明電極線之側之面 上，以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 為5 nm之下述化合物C1作為電子接受性物質。 知電子接受性物質之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為35 nm之化合物XI作為第！電洞傳輸層。 繼第1電洞傳輸層之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為20 nm之化合物Y1 -1作為第2電洞傳輸層。 進而，於該第2電洞傳輸層上藉由電阻加熱以4〇 nm之膜€1 厚共蒸鍍作為主體材料之化合物H1、作為磷光發光材料之 化合物D1。化合物01之濃度為7·5%。該共蒸鍍膜作為發 光層而發揮作用。 進而’於該發光層上藉由電阻加㉟而共蒸鑛膜厚為1〇 nm之化合物ΗΒ。該膜作為電洞障壁層而發揮作用。 而且，繼該電洞障壁層成膜後，形成膜厚為30 nm之化 合物ET1。該ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 I47068.doc • 90· 201041864 然後，以0.1埃/min之成膜速度、1 nm之膜厚將LiF成膜 而作為電子注入性電極（陰極）。於該LiF膜上蒸鍍金屬A1， 形成膜厚為80 nm之金屬陰極，而製作有機el元件： [化 66]
[實施例3-2、3-3] 除於實k例3_1中使用表7中記載之材料作為第丄電洞傳 輸層以外，以與實施例3]相同之方式製作有機机元件。 [實施例3-4] 以 除於實施例Μ中使用Υ1_4作為第2電洞傳輸層以外 與實施例3·1相同之方式製作有機EL元件。
[實施例3-5及3-6] 除於實施例3-4中使用表7中 輸層以外，以與實施例3_4相同 [實施例3-7] 記载之材料作為第1電洞傳 之方式製作有機EL元件。
Yl-6作為第2電洞傳輸層以外 製作有機EL元件。 以 除於實施例3 -1中使用 與實施例3 -1相同之方式 [實施例3-8及3-9；] 除於實施例3-7中使用表7中 輸層以外，以與實施例3-7相同 °己載之材料作為第1電洞傳 之方式製作有機EL元件。 147068.doc
-9K 201041864 [比較例3-1] 除於實施例3-1中使用Z1-3作為第2電洞傳輸層以外，以 與實施例3-1相同之方式製作有機EL元件。 [比較例3-2及3-3] 除於比較例3-1中使用表7中記載之材料作為第1電洞傳 輸層以外，以與比較例3 -1相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機EL元件之初期亮度20000 ed/m2時的半衰壽命示於下述表7。 [表7] 表7 第1電洞傳 輸層 第2電洞傳 輸層 初期受度 (cd/m2) 半衰壽命 (hr) 實施例3-1 XI Y1-1 20000 600 實施例3-2 X2 Y1-1 20000 600 實施例3-3 X3 Y1-1 20000 620 實施例3-4 XI Y1-4 20000 690 實施例3-5 X2 Y1-4 20000 670 實施例3-6 X3 Y1-4 20000 700 實施例3-7 XI Y1-6 20000 690 實施例3-8 X2 Y1-6 20000 680 實施例3-9 X3 Y1-6 20000 710 比較例3-1 XI Z1-3 20000 290 比較例3-2 X2 Z1-3 20000 30 比較例3-3 X3 Z1-3 20000 320 [實施例4-1] 對25 mmx75 mmx 1 · 1 mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇中實施5分鐘之超音波清洗後，進 147068.doc •92- 201041864 行30分鐘之UV臭氧清洗。 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍛 裝置之基板托架上，首先，於形成有透明電極線之側之面 上’以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 為5 nm之化合物C1作為電子接受性物質。 繼電子接受性物質之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為5 5 nm之化合物X1作為第1電洞傳輸層。 〇 繼第1電洞傳輸層之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為20 nm之化合物Y1-1作為第2電洞傳輸層。 進而’於該第2電洞傳輸層上藉由電阻加熱以4〇 nm之膜 厚共洛鑛作為主體材料之化合物H2、作為螢光發光材料之 化合物D2。化合物D2之濃度為5°/。。該共蒸鍍膜作為發光 層而發揮作用。 進而’繼該發光層膜後’形成膜厚為2〇 ηπι之化合物 ET1。該ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 〇 然後，以〇·1埃/min之成膜速度、1 nm之膜厚將LiF成膜 而作為電子注入性電極（陰極）。於該LiF膜上蒸鍍金屬A1， 形成膜厚為100 nm之金屬陰極，而製作有機el元件。 [實施例4-2及4-3] 除於實施例4-1中使用表8中記載之材料作為第丨電洞傳 輸層以外，以與實施例4-1相同之方式製作有機EL元件。 [實施例4-4] 除於實施例4-i中使用YU4作為第2電洞傳輸層以外，以 與實施例4-1相同之方式製作有機el元件。 147068.doc -93· 201041864 [實施例4-5及4-6] 除於實施例4-4中使用表8 輸層以外，以與實施例4-4相 [實施例4-7] 中記載之材料作為第1電洞傳 同之方式製作有機EL元件。 為第2電洞傳輸層 機EL元件。 以外，以 除於實施例4-1中使用γ1-4作 與實施例4-1相同之方式製作有 [實施例4-8及4-9]
除於實施例4-7中使用表8中 輸層以外，以與實施例4-7相同 [比較例4-1] 記載之材料作為第1電洞傳 之方式製作有機EL元件。 為第2電洞傳輸層以外， 機EL元件。 以 除於實施例4-1中使用ζ 1 -3作 與實施例4-1相同之方式製作有 [比較例4-2及4-3] 除於比較例4]中使用表8中記載之材料料第1洞傳 輪層以外’以與比較例3]相同之方式製作有姐元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價]
將以如上方式製作之各有機E L元件之初期亮度5 〇 〇 c cd/m時的半衣壽命示於下述表$。 147068.doc -94« 201041864 [表8] 表8 第1電洞 傳輸層 第2電洞 傳輪層 初期亮度 (cd/m2) 半哀壽命 (hr) 實施例4-1 XI Y1-1 5000 740 實施例4-2 X2 Y1-1 5000 700 實施例4-3 X3 Y1-1 5000 740 實施例4-4 XI Y1-4 5000 820 實施例4-5 X2 Y1-4 5000 750 實施例4-6 X3 Y1-4 5000 880 實施例4-7 XI Y1-6 5000 790 實施例4-8 X2 Y1-6 5000 770 實施例4-9 X3 Y1-6 5000 850 比較例4-1 XI Z1-3 5000 320 比較例4-2 X2 Z1-3 5000 200 比較例4-3 X3 Z1-3 5000 350 如表7、8所示，使用本發明之特定之化合物形成第1電 洞傳輸層、第2電洞傳輸層之實施例3-1〜4-9的有機EL元件 與比較例3-1〜4-3的有機EL元件相比，獲得了元件壽命延 長之效果。 Ο 可知，使用Yl-4、Y1-6作為第2電洞傳輸層之元件與使 用Y1-1之元件相比，壽命更長。 進而可知，使用XI、X3作為第1電洞傳輸層之元件與使 用X2之元件相比，壽命更長。 [實施例5-1] 對25 mmx75 mmx 1.1 mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇中實施5分鐘之超音波清洗後，進 行30分鐘之UV臭氧清洗。 147068.doc -95- 201041864 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸錄 裝置之基板托架上’首先，於形成有透明電極線之側之面 上’以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 為5 nm之化合物c 1作為電子接受性物質。 繼電子接受性物質之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為55nm之化合物Y1-7作為第1電洞傳輸層。 進而，於該第1電洞傳輸層上藉由電阻加熱以4〇 nm之膜 厚共蒸鍍作為主體材料之化合物H1、作為磷光發光材料之 化合物D1。化合物D1之濃度為75%。該共蒸鍍膜作為發❹ 光層而發揮作用。 進而，於該發光層上藉由電阻加熱而共蒸鍍膜厚為ι〇 nm之化合物HB。該膜作為電洞障壁層而發揮作用。 而且，繼電洞障壁層成膜後，形成膜厚為3〇 nm之化合 物ET1。該ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 然後，以0.1埃/min之成膜速度、1 nm之膜厚將UF成膜 而作為電子注人性電極（陰極）。於該UF膜上蒸鑛金屬"， 形成膜厚為80nm之金屬陰極，而製作有機虹元件： 〇 [化 67]
147068.doc -96 201041864 [實施例5-2及5-3] 除於實施例5-1中使用表9中記載之材料作為第1電洞傳 輸層以外，以與實施例5-1相同之方式，製作有機EL元 件。 [比較例5-1] 除於實施例5-1中使用Z1-3作為第1電洞傳輸層以外，以 與實施例5-1相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機EL元件之10 mA/cm2下的驅 動電壓、初期亮度20000 cd/m2時的半衰壽命示於下述表 9 〇 [表9] 表9 第1電洞傳輸層 驅動電壓(V) 半农舞命(hr) 實施例5-1 Y1-7 4.9 650 實施例i-2 Y1-8 4.8 620 實施例5-3 Y1-9 4.7 620 比較例6-1 Z1-3 6.0 880 [實施例6-1] 對25 mmx75 mmxl.l mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基 板（旭硝子製造）於異丙醇中實施5分鐘之超音波清洗後，進 行3 0分鐘之UV臭氧清洗。 將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鑛 裝置之基板托架上，首先’於形成有透明電極線之側之面 上’以覆蓋上述透明電極之方式藉由電阻加熱而形成膜厚 147068.doc •97- 201041864 為5 run之化合物CH^為電子接受性物質。 繼電子接受性物質之成膜後，於該膜上藉由電阻加熱而 形成膜厚為75 nm之化合物Y1-7作為第！電洞傳輸層。 進而，於該第1電洞傳輸層上藉由電阻加熱以4〇 nm之膜 厚共蒸鍍作為主體材料之化合物H2、作為螢光發光材料之 化合物D2。化合物⑴之濃度為5%。該共蒸錢膜作為發光 層而發揮作用。 進而，繼該發光層膜後，形成膜厚為2〇 nm2化合物 ET1。該ET1膜作為電子傳輸層而發揮作用。 *、、、:後，以0.1埃/min之成膜速度、i nm之膜厚將LiF成膜 而作為電子注入性電極（陰極）。於該UF膜上蒸鍍金屬ai， 形成膜厚為100 nm之金屬陰極，而製作有機EL元件。 [實施例6-2及6-3] 除於實施例6-1中使用表1〇中記载之材料作為第丨電洞傳 輸層以外，以與實施例6_丨相同之方式製作有機EL元件。 [比較例6-1] 除於實施例6-1中使用Z1_3作為第！電洞傳輸層以外，以 與實施例6-1相同之方式製作有機EL元件。 [有機EL元件之特性、壽命評價] 將以如上方式製作之各有機EL元件之1〇 mA/cm2下的驅 動電壓、初期亮度5000 Cd/m2時的半衰壽命示於下述表 10。 、 147068.doc 98· 201041864 [表 ίο] 表1 ο 第1電洞傳輸層 ~ ~ 驅動電壓(V) 半衰壽命(hr) 實施例6-1 Y1-7 4.3 700 貫施例6-2 Ϋ1-8 4.2 1 ---------— 670 ~~ 貫施例6-3 Ϋ1-9 4.0 670 t匕牧例6-1 1—.— Z1-3 6.5 370 如表9、10所示，使用本發明之特定之化合物形成含電 子接文性物質之層及第i電洞傳輸層之實施例5-1〜6_3的有 〇 機EL兀件與比較例5-1〜6-1的有機£1^元件相比，獲得了驅 動電壓下降、元件壽命延長之效果。 產業上之可利用性 如以上詳細說明般，本發明之有機EL元件與先前者相比 較效率更咼、壽命更長，因此作為實用性較高之有機EL元 件極其有用。 【圖式簡單說明】
圖1係表示本發明之有機EL元件之一實施態樣之概略構 成的圖。 【主要元件符號說明】 1 有機EL元件 2 基板 3 陽極 4 陰極 發光層 電洞傳輸層 147068.doc -99- 201041864 7 電子注入、傳輸層 10 有機薄膜層 61 第1電洞傳輸層 62 第2電洞傳輸層 147068.doc -100·

Claims (1)

  1. 201041864 七、申請專利範圍： 1· 一種有機電致發光元件，其特徵在於：其係包含陽極、 陰極、及設置於上述陽極與上述陰極之間之有機薄膜層 者； 上述有機薄膜層具有含有主體材料及發光材料之發光 層及B又置於較上述發光層更靠上述陽極側之電洞傳輸 層，上述電洞傳輸層自上述陽極起依序具有第丨電洞傳 輸層及第2電洞傳輸層，上述第丨電洞傳輸層含有由下述 通式⑴所表示之化合物，上述第2電洞傳輸層含有由下 述通式（2)所表示之化合物： [化1]
    I '
    Afe 〉Αγ7 Ark
    者經取代或未經取狀碳數6〜40之芳基： 147068.doc 201041864 [化3] ]»5 糾’ (R*)b ⑶ (式中’ 示單鍵或者經取代或未經取代之成環礙數 6〜50之伸芳基’ L2可具有之取代基為碳數卜^之直鍵狀 或分支狀烷基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜1〇之三 烷基矽烷基、成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷基、碳數 8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； Ri及R_2为別獨立為經取代或未經取代之碳數1〜1 〇之直 鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數3〜ι〇 之環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷 基 '經取代或未經取代之成環碳數18〜30之三芳基矽烷 基經取代或未經取代之碳數8〜1 5之烷基芳基矽烷基（芳 基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳◎ 數6 16之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數個&及 R2可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基；a 及b分別獨立表示〇〜4之整數）； [化4]
    ⑷ 147068.doc 201041864 (式中L3表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6 50之伸芳基’ L3可具有之取代基為碳數1〜1G之直鏈狀 或分支狀烷基、成環碳數3〜1〇之環烷基、碳數3〜ι〇之三 烷基矽烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數 8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； c及d分別獨立表示〇〜4之整數； 心及尺4分別獨立表示經取代或未經取代之碳數〗〜〗〇之 〇 直鏈狀或分支狀烧基、經取代或未經取代之成環碳數 3〜10之環烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基 石夕烧基、經取代或未經取代之成環碳數丨8〜3 〇之三芳基 石夕烧基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷 基（芳基部分之成環礙數為6~ 14)、經取代或未經取代之 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數 個R3及R4可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2 〇 價基)； [化5]
    (5) (式中，l4表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基，。可具有之取代基為碳數1〜10之直鏈狀 147068.doc 201041864 或分支狀烷基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三 炫基碎炫基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數 8~15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； Ars表示經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基， Ars可具有之取代基為碳數ι〜1〇之直鏈狀或分支狀烷基、 成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、成 環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽 烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳 基、鹵素原子或者氰基； e表示0〜3之整數，f表示〇〜4之整數； R5及R6分別獨立表示經取代或未經取代之碳數丨〜1〇之 直鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數 3〜10之環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基 石夕烧基、經取代或未經取代之成環碳數18〜3G之三芳基 i 矽烷基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷 基(5基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之 成壤奴數6〜14之芳基、_素原子或者氰基；鄰接之複數 個可相互鍵結㈣成形成環之鮮以飽和之2 價基））。 2 ·如請求項1之有機電致路 - 微運致七先π件，其中由上述通式⑴所 表不之化合物相對於L丨為非對稱。 3.如請求項1或2之有機雷勒雜上_ 电致^忐兀*件，其中於上述通式 中，h為聯苯二基。 147068.doc 201041864 4.如請求項1至3中任一項之有機電致發光元件，其中上述 通式（1)之Ari〜An分別獨立為經取代或未經取代之苯 基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之 聯三笨基、經取代或未經取代之菲基、或者係由下述通 式（6)所表示： [化6]
    (8) (式中，Ls表示經取代或未經取代之成環碳數6〜5〇之伸芳 基，Ls可具有之取代基為碳數丨〜⑺之直鏈狀或分支狀烷 基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷 基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基 芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； Ah表示經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基， Ah可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀或分支狀烷基、 成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、成 %石反數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽 烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳 基、鹵素原子或者氰基； g表不1或2 ; r7表示經取代或未經取代之碳數卜⑺之直鏈狀或分支 147068.doc 201041864 狀烧基、經取代或未經取代之成環碳數3〜10之環烷基、 經取代或未經取代之碳數3〜10之三烷基矽烷基、經取代 或未經取代之成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷基、經取代 或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成 環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳 基、齒素原子或者氰基；複數個I可相互鍵結而形成形 成環之飽和或不飽和之2價基）。 5.如請求項1至4中任一項之有機電致發光元件，其中上述 通式（1)之ArrAr4分別獨立為經取代或未經取代之苯〇 基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之 聯三苯基、或者經取代或未經取代之菲基。 6·如請求項1至5中任一項之有機電致發光元件，其中上述 通式（1)之Ari〜Ai·4中至少一者係由下述通式（6)所表示： [化7]
    (式中’ L5表不經取代或未經取代之成環碳數6〜5〇之伸芳 基’ Ls可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀或分支狀烷 基、成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷 基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基 芳基石夕烧基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數 6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； A1·9表示經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基， 147068.doc 201041864 Ah可具有之取代基為碳數丨〜⑺之直鏈狀或分支狀烷基、 成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜10之三烷基矽烷基、成 環碳數18~30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽 烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳 基、鹵素原子或者氰基； g表示1或2 ; b表示經取代或未經取代之碳數丨〜⑺之直鏈狀或分支 0 狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數3〜10之環烷基、 經取代或未經取代之碳數3〜10之三烷基矽烷基、經取代 或未經取代之成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷基、經取代 或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成 環碳數為6〜14 )、經取代或未經取代之成環碳數6〜丨4之芳 基、鹵素原子或者氰基；複數個I可相互鍵結而形成形 成環之飽和或不飽和之2價基）。 7.如請求項丨至6中任一項之有機電致發光元件，其中於上 〇 述通式（2)中’ Ar5〜Ar7中至少一者為由上述通式（4)或（5) 所表示之基。 β月求項7之有機電致發光元件，其中於上述通式（2) 中，ΑΓΡΑ”中至少一者為由上述通式（4)所表示之基。 月求項7之有機電致發光元件，其中於上述通式（2) 中1斛5〜Ar?中至少一者為由上述通式（5)所表示之基。 10.如印求項丨至6中任一項之有機電致發光元件，其中於上 述通式（2)中，Ar5〜Ar7中至少一者係由下述通式（7)所表 示： 147068.doc 201041864 [化8] (式中’ Rs〜R1Q分別獨立為經取代或未經取代之碳數丨〜⑺ 之直鍵狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數 3 10之％烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基 石夕院基、經取代或未經取代之成環碳數1 8〜30之三芳基 石夕烧基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷 基（芳基部分之成環碳數為6〜丨4)、經取代或未經取代之 成％奴數6〜16之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數 個〜Rig可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價 基，h、1及j分別獨立表示〇〜4之整數）。 11·如明求項1至10中任一項之有機電致發光元件其中於 上述通式（2)中，Ar5〜Αγ7中至少兩者係由上述通式⑺所 表示，於—中兩者得、由通式（3)所表示之情形時， 兩個由通式(3)所表示之基並不相同，又，於Αι·5~Αι·7三 j通式（3)所表不之基之情形時，三個由通式（2)所 表示之基並不相同。 .月长項1至11中任一項之有機電致發光元件其中於 上述通式（2)中，ΑΓ5係由上述通式⑺所表示。、 13.:請f項12之有機電致發光元件，其中於上述通式(2) ^&7為經取代或未經取代之碳數㈣ 如…12之有機電致發光元件，其令於上述通式⑺ M7068.doc 201041864 中1 2 3 4 5 6係由上述通式（3)所表示，Ar7為經取代或未經取 代之碳數6〜40之芳基。 15. 如請求項12之有機電致發光元件，其中於上述通式⑺ 中’ Ah及A1·7係由上述通式⑷所表示。 件，其中於上述通式（2) ，Ary係由上述通式（4)所 16.如請求項12之有機電致發光元 中，Ah係由上述通式（3)所表示 表示。 17. 如請求項12之有機電致發 Ο 丄 尤兀件，其中於上述通式（2) 中，Ah及A1·7係由上述通式（5)所表示。 18. 如請求項12之有機電致發杜” . / 几件’其中於上述通式（2) 中，Aw係由上述通式（3)所表 表示。 係由上述通式（5)所 21 如請求項12之有機電致發光 中’ Ah係由上述通式（4)所表 表示。 〜件’其中於上述通式（2) 不’ Ar?係由上述通式所 &件’其中於上述通式（2) 不’ Αι*7係由上述通式所 22.如請求項12之有機電致發光 中’ Ah係由上述通式（4)所表 表示。 23. 如請求項12之有機電致發光元件 其中於上述通式（2) 147068.doc 1 9.如丨請求項1 2之有機電致發光 2 ψ , Ar ^ Δ , L 件’其中於上述通式（2) 3 中Ar6及Ar·；係由上述通式（7)所表_ 4 20.如請求項12之有機電致發光元不。 5 〇 中，化係由上述通式（3)所表示’其#於上述通式⑺ 6 表示。 、’ 係由上述通式（7)所 201041864 中，Are係由上述通式（4)所表示，Ar?為經取代或未經取 代之碳數6〜40之芳基。 24. 如請求項12之有機電致發光元件，其中於上述通式（2) 中’ Ar0係由上述通式⑺所表示，—為經取代或未經取 代之碳數6〜40之芳基。 25. 如請求項12之有機電致發光元件，其中於上述通式（2) 中，Ah係由上述通式（7)所表示，Ar?為經取代或未經取 代之碳數6〜40之芳基。 26. 如請求項1至25中任一項之有機電致發光元件其中上 述電洞傳輸層於第1電洞傳輸層之更靠陽極側，具有含 有電子接受性化合物之層。 27. 如請求項26之有機電致發光元件，其中上述電子接受性 化合物係由下述通式（i 〇)所表示： [化9] b [上述通式⑽中，R7〜Rl2分別獨立表示氰基、麵2、 缓基、或_COOr13(R13為碳數1〜20之烷基），或者…及 R R及R、或尺"及Rl2相互鍵結而表示由⑶〇_C〇_ 所示之基]。 28. 如請求項26之有機電致發光元件，其中上述電子接受性 化合物係由下述通式（11)所表示： 147068.doc •10- 201041864 I；化 10J (11) 【丄4通式（j】）中，ay盔 環原子數6〜24之雜環、rl:二數6〜:4:縮合環、或成 同，為下述式⑴或（ii): “目互可分別相同亦可不 [化 11]
    ⑴
    (H) 為由下述式 G {式中，X1及X2可相互相同亦可不同 (a)〜(g)所表示之二價基之任—者·· [化 12]
    (e) (式中’R2、R、互可分別相同亦可不同，為氫原子、 經取代或未經取代之碳數丨〜別之氟貌基、經取代或未經 取代之碳數1〜2G之炫基、經取代或未經取代之碳數㈣ 之芳基、或者經取代或未經取代之成環原子數為3〜之 雜環基，R22與R23可相互鍵結而形成環）}; 147068.doc -11- 201041864 通式（11)中之R1〜R4相互可分別相同亦可不同，為氫原 子、經取代或未經取代之碳數丨〜汕之烷基、經取代或未 經取代之碳數6〜50之芳基、經取代或未經取代之成環原 子數為3〜50之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之 碳數1〜20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數丨~2〇之烷 氧基、經取代或未經取代之碳數丨〜⑽之氟烷氧基、經取 代或未經取代之碳數6〜50之芳氧基、或者氰基；Ri〜R4 中相互鄰接者可相互鍵結而形成環；γ1〜γ4相互可相同 亦可不同，為-N=、-CH=、或C(r5)=，R5為經取代或未❹ 、’、二取代之奴數1〜2 〇之院基、經取代或未經取代之破數 6 50之芳基、經取代或未經取代之成環原子數3〜之雜 環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數卜別之氟烷 基、經取代或未經取代之碳數卜汕之烷氧基、經取代或 未經取代之碳數丨〜⑼之氟烷氧基、經取代或未經取代之 碳數6〜50之芳氧基、或者氰基]。 29. -種有機電致發光元件，其特徵在於：其係包含陽極、 陰極、及設置於上述陽極與上述陰極之間的有機薄膜層Q 者； S 上述有機薄膜層具有含有主體材料及發光材料之發光 層、及設置於較上述發光層更靠上述陽極側之電洞傳輸 層，上述電洞傳輸層自上述陽極起依序具有含有電子接 受性化合物之層及第1電洞傳輸層，上述電子接受性化 口物係由下述通式（1〇)所表示’上述第巧洞傳輸層含有 由下述通式（2)所表示之化合物： 147068.doc 12- (10) 201041864 [化 13]
    [上述通式（10)中，R7〜Rl2分別獨立表示氰基、_c〇NH2、 竣8基、或-COOR13 (R13為碳數丨〜2〇之烷基），或者R7及 ¢) R、R及1^0、或R11及R12相互鍵結而表示由_co_0_co_ 所示之基]; [化 14]
    (2) (式中Ar5 Ar7中至少一者為由下述通式（3)所表示之
    基Ar5 Ar7中並非通式⑺之基為由下述通式⑷或⑺所 表示之基、或者經取代或未經取代之碳數6〜4〇之芳基： [化 15] -
    (式中k表7F單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 之伸芳基L2可具有之取代基為碳數1〜10之直鏈狀 或分支狀院基 '成環碳數3心之環炫基、碳數3〜H)之三 147068.doc •13. 201041864 烧基石m成環碳數18〜3G之三芳基㈣基、碳數 8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； Ri及R2刀別獨立為經取代或未經取代之破數1〜1 〇之直 鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數3〜ι〇 之環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基矽烷 基、經取代或未經取代之成環碳數18〜3〇之三芳基矽烷 基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷基（芳 基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之成環碳 數6〜16之芳基、_素原子或者氰基；鄰接之複數個心及 R2可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2價基；丑 及b分別獨立表示〇〜4之整數）； [化 16]
    (式中’ L3表示單鍵或者經取代或未經取代之成環破數 6〜50之伸芳基，L3可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀 或分支狀烧基、成環碳數3〜1〇之環院基、碳數3〜1〇之三 烧基碎烧基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數 8〜15之烧基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； 147068.doc -14- 201041864 C及d分別獨立表示〇〜4之整數； R3及R4分別獨立表示經取代或未經取代之碳數1〜10之 直鏈狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數 3〜10之環烷基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基 矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數18~30之三芳基 石夕烧基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷 基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數 個R·3及R_4可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2 價基）； [化 17]
    (式中，L4表示單鍵或者經取代或未經取代之成環碳數 6〜50之伸芳基，L4可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀 或分支狀烧基、成環碳數3〜1〇之環燒基、碳數3〜丨〇之三 烷基矽烷基、成環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數 8〜15之烷基芳基矽烷基（芳基部分之成環碳數為 6〜14)、 成環碳數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基； Ars表不經取代或未經取代之成環碳數6〜14之芳基， Ars可具有之取代基為碳數卜⑺之直鏈狀或分支狀烷基、 147068.doc 201041864 成環碳數3〜10之環烷基、碳數3〜1〇之三烷基矽烷基、成 環碳數18〜30之三芳基矽烷基、碳數8〜15之烷基芳基矽 烧基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、成環碳數6〜14之芳 基、鹵素原子或者氰基； e表示0〜3之整數，f表示〇〜4之整數； R5及Re分別獨立表示經取代或未經取代之礙數丨〜丨〇之 直鍵狀或分支狀烷基、經取代或未經取代之成環碳數 3〜10之環烧基、經取代或未經取代之碳數3〜1〇之三烷基 石夕烧基、經取代或未經取代之成環碳數1 8〜3〇之三芳基 矽烷基、經取代或未經取代之碳數8〜15之烷基芳基矽烷 基（芳基部分之成環碳數為6〜14)、經取代或未經取代之 成裱奴數6〜14之芳基、鹵素原子或者氰基；鄰接之複數 個Rs及Re可相互鍵結而形成形成環之飽和或不飽和之2 價基））。 30. 如請求項⑴今中任一項之有機電致發光元件，其中上 述電洞傳輸層接合於上述發光層。 31. 如請求❸錢中任一項之有機電致發光元件，其中上 述發光材料為含有選自Ir、Pt、〇s、Cu、Ru、Re、A_ 之金屬之金屬錯合物化合物。 32·如請求項1至31中任_項 之有機電致發光元件 其中於 上述發光材料中 係鄰位金屬鍵結 中心金屬原子與配位基中所含碳原子 …i从设7TQ 7L 1千，男 述主體材料之激發三重態能隙為2 〇 ev以上、3·2 -16- 147068.doc 201041864 下。 34.如請求項1至33中任一項之有機電致發光元件’其令於 上述陰極與上述有機薄膜層之界面區域添加有還原性摻 雜劑。 35.如請求項1至34中任一項之有機電致發光元件，其係於 上述發光層與上述陰極之間具有電子 、 /八層，上述電早 注入層含有含氮環衍生物作為主成分。 丁
    147068.doc -17·
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108137500A (zh) * 2015-10-06 2018-06-08 出光兴产株式会社 化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子器件

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102229736B1 (ko) * 2009-08-27 2021-03-18 미쯔비시 케미컬 주식회사 모노아민 화합물, 전하 수송 재료, 전하 수송막용 조성물, 유기 전계 발광 소자, 유기 ｅｌ 표시 장치 및 유기 ｅｌ 조명
KR20120066076A (ko) * 2009-11-16 2012-06-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
JP2011139044A (ja) * 2009-12-01 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
EP2421064B1 (en) * 2010-08-18 2018-07-04 Cheil Industries Inc. Compound for organic optoelectronic device, organic light emmiting diode including the same and display including the light emmiting diode
TWI545175B (zh) * 2010-12-17 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 有機化合物，發光元件，發光裝置，電子裝置，以及照明裝置
WO2013080696A1 (ja) * 2011-11-29 2013-06-06 コニカミノルタ株式会社 有機ｅｌ素子
EP2816025B1 (en) 2012-02-10 2018-12-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd Aromatic amine derivative, organic electroluminescent element and electronic device
WO2013118812A1 (ja) * 2012-02-10 2013-08-15 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2013129836A1 (ko) * 2012-02-27 2013-09-06 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
JP6088161B2 (ja) * 2012-06-29 2017-03-01 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014034795A1 (ja) 2012-08-31 2014-03-06 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体およびこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US9966539B2 (en) 2012-08-31 2018-05-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP2014110313A (ja) 2012-11-30 2014-06-12 Samsung Display Co Ltd 有機電界発光素子用正孔輸送材料及びそれを用いた有機電界発光素子
KR101684979B1 (ko) * 2012-12-31 2016-12-09 제일모직 주식회사 유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치
KR102255202B1 (ko) * 2013-05-29 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2015020348A1 (ko) * 2013-08-05 2015-02-12 덕산하이메탈(주) 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102231935B1 (ko) 2013-08-05 2021-03-25 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20150098181A (ko) * 2014-02-17 2015-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 일렉트로루미네센스 소자
WO2015182887A1 (ko) * 2014-05-30 2015-12-03 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
JP6584058B2 (ja) 2014-09-25 2019-10-02 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
JP6468800B2 (ja) * 2014-10-29 2019-02-13 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6506534B2 (ja) 2014-11-07 2019-04-24 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
JP2016100364A (ja) 2014-11-18 2016-05-30 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2016111535A1 (ko) * 2015-01-05 2016-07-14 코닝정밀소재 주식회사 탠덤형 유기발광소자
KR101759294B1 (ko) 2015-01-05 2017-07-18 코닝정밀소재 주식회사 탠덤형 유기발광소자
JP6600495B2 (ja) 2015-06-17 2019-10-30 三星ディスプレイ株式會社 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
JP6804201B2 (ja) * 2015-06-17 2020-12-23 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． モノアミン誘導体、及び有機電界発光素子
US20200290986A1 (en) * 2015-06-17 2020-09-17 Samsung Display Co., Ltd. Mono amine derivatives and organic electroluminescent device including the same
KR102560940B1 (ko) 2015-06-17 2023-08-01 삼성디스플레이 주식회사 모노 아민 유도체 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP6661289B2 (ja) * 2015-07-08 2020-03-11 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102441556B1 (ko) 2015-09-11 2022-09-08 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102516053B1 (ko) 2015-10-22 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102637121B1 (ko) * 2016-12-29 2024-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 표시 장치
JP2020093979A (ja) * 2017-03-08 2020-06-18 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
KR20200034584A (ko) * 2018-09-21 2020-03-31 주식회사 동진쎄미켐 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP2022037253A (ja) * 2018-11-07 2022-03-09 出光興産株式会社 化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US20240090319A1 (en) * 2019-10-04 2024-03-14 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. Organic electroluminescent element and electronic device
US11903310B2 (en) 2019-11-05 2024-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and method of manufacturing the same
CN112430225B (zh) * 2020-10-30 2022-05-17 陕西莱特光电材料股份有限公司 含氮化合物、电子元件和电子装置
JP2024112327A (ja) * 2021-04-26 2024-08-21 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5112601B2 (ja) * 2003-10-07 2013-01-09 三井化学株式会社 複素環化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子
EP2011790B1 (en) * 2006-04-26 2016-06-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative, and organic electroluminescence element using the same
JP5298460B2 (ja) * 2006-06-08 2013-09-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP2008021687A (ja) * 2006-07-10 2008-01-31 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子
KR20090040896A (ko) * 2006-08-23 2009-04-27 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 이들을 이용한 유기 전기발광 소자
WO2008120626A1 (ja) * 2007-04-03 2008-10-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 発光素子
JP5115061B2 (ja) * 2007-07-09 2013-01-09 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR20100032888A (ko) * 2007-07-10 2010-03-26 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자용 재료 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
JP5289979B2 (ja) * 2007-07-18 2013-09-11 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2177516A4 (en) * 2007-08-06 2013-03-27 Idemitsu Kosan Co AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THE SAME
US8106391B2 (en) * 2007-09-28 2012-01-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL device
EP2213662B1 (en) * 2007-11-30 2012-04-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Azaindenofluorenedione derivative, organic electroluminescent device material, and organic electroluminescent device
US8614010B2 (en) * 2008-11-25 2013-12-24 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Aromatic amine derivative, and organic electroluminescent element
KR20130021350A (ko) * 2010-05-24 2013-03-05 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네선스 소자

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108137500A (zh) * 2015-10-06 2018-06-08 出光兴产株式会社 化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子器件

Also Published As

Publication number Publication date
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