TW201008953A - Process for production of alkyl tin alkoxide compound, and process for production of carbonate ester using the compound - Google Patents

Process for production of alkyl tin alkoxide compound, and process for production of carbonate ester using the compound Download PDF

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Nobuhisa Miyake
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Description

201008953 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於作為製造酯及碳酸酯時所使用之觸媒的二 烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷 化合物之製造,以及使用該二烷基錫二烷氧化物化合物及/ 或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物之酯及碳酸酯之製造。 【先前技術】 二烧基錫二炫氧化物化合物或四烧基二烧氧基二錫氧烧 化合物可非常有效地用作酯合成觸媒、碳酸酯合成觸媒、 酯交換反應觸媒、聚矽氧聚合物或聚胺酯硬化觸媒等觸 媒。其中’碳酸酯係不僅可用作用以提高辛烷價之汽油添 加劑、用以減少排氣中之微粒之柴油燃料添加劑等添加 劑,亦可用作合成聚碳酸酯或聚胺酯、醫藥/農藥等有機 化合物時之烷基化劑、羰基化劑、溶劑等,或用作鋰電池 之電解液、潤滑油原料、鍋爐配管之防銹用脫氧劑之原料 等。二烷基錫二烷氧化物化合物或四烷基二烷氧基二錫氧 烷化合物作為該合成觸媒尤其受到矚目。例如,專利文獻 1中揭示有:使包含二烷基錫二烷氧化物之有機金屬化合 物與二氧化碳進行反應而形成加成物,再將該加成物熱分 解來製造碳酸酯之製造方法。 作為二烧基錫二燒氧化物化合物或四烧基二院氧基二錫 氧烧化合物之製造方法,已知有各種方法。 例如’專利文獻2中揭示有:使二烷基氡化錫與醇進行 脫水反應’自反應液去除包含所產生之水之低沸成分的方 134987.doc 201008953 法。該反應推測為下述式(丨)及(2)所示之伴隨脫水之逐次 平衡反應,為了以高產率獲得二烷基錫二烷氧化物,而一 面將由各脫水反應所生成之水排出至反應體系之外,一面 進行製&並且,由於係能量上不利之反應,因此需要高 溫(例如為18(TC)下長時間反應’而存在下述情形:由於高 > 皿下之長時間加熱’而發生產物即二烧基錫二院氧化物化 合物或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物之熱變性反應。
又’由於二烷基錫化合物為固體,故而存在會對藉由連續 製程進行製造時之操作帶來障礙的情形。 [化1]
。R、 2 Sn=0 + 2R'〇h K
OR· 、s<RI、 OR, + H2〇
(式中: R及R·分別獨立表示烷基。) •[化 2]
OR, OR' R OR. Sn( r/ OR' + h2〇 (2) (式中: R及R'分別獨立表示烷基。) 一氣化錫與丁氧 之方法。該反應 又’非專利文獻1中揭示有:使二乙基 化納進行反應,來製造二乙基二丁氧化錫 134987.doc 201008953 中’由於作為副產物之氣化鈉生成為固體,故而反應後之 液體成為漿料狀,而存在實施錫化合物之純化等時在操作 方面有困難的情形。 另一方面’專利文獻3中記載有:再生碳酸酯之製造步 驟中所生成之錫觸媒的失活體組合物,將其再次用作製造 碳酸醋時之觸媒的方法。該再生方法係下述方法:使碳酸 醋之製造步驟中所生成之包含二烷基錫烷氧化物化合物之 失活體之組合物與酸及/或酸酐進行反應而製造化合物, 對該化合物進行熱處理,藉此製造出二烷基錫化合物,進 而將该二烧基錫化合物再生成二烷基錫烷氧化物化合物。 [專利文獻1]國際公開第2003/055840號 [專利文獻2]美國專利第5545600號說明書 [專利文獻3]國際公開第2008/044575號 [非專利文獻 l]journal 〇f Chemical Society,第 740 頁, 1964 年 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而’將二烷基錫化合物再生成二烷基錫二烷氧化物化 合物之步驟係使二烷基錫化合物與鹼性水溶液進行反應, 而獲知含有二烧基氧化錫之組合物’使該組合物與醇進行 反應’再將包含所產生之水之成分自反應液中去除的方 法’但該方法伴隨上述式(丨)及式(2)所表示之脫水反應, 故而存在伴隨有上述之二烷基錫二烷氧化物化合物或四烷 基一烧氧基二錫氧烧化合物之熱變性反應的情形。進而, 134987.doc 201008953 β 該步驟中,由於二烷基氧化錫為固體,故而存在液體之操 作步驟與固體之操作步驟混在一起,而在工業實施上有困 難的情形。 如以上所述,開發出一種不使用固體狀態之化合物,而 簡便地製造二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四垸基二烧 氧基二錫氧烷化合物之技術,仍係目前尚未解決之問題。 因此,本發明之目的在於提供一種不使用固體之錫化合 物’而製造二院基錫烧氧化物化合物之方法。本發明之另 _ 一目的在於提供一種將所製造之二烷基錫烷氧化物化合物 用於製造碳酸酯之方法。 [解決問題之技術手段] 本發明者針對上述課題而反覆潛心研究,結果發現:藉 由使特定之二烧基錫化合物及/或四烧基二錫氧烧化合物 與碳酸酯及/或醇進行反應,來製造二烷基錫烷氧化物化 〇物及/或四烧基二烧氧基二錫氧院化合物之方法可解決 ❹ 上述課題,從而完成本發明。 即,本發明係下述各項: π]—種製造方法,其係在無觸媒存在下,使選自由下述卩 及π)所組成之群中的至少一種烷基錫化合物: 0具有一個錫原子,且具有兩個Sn_Ri(Ri表示烷基)鍵與 兩個Sn-OX鍵(OX基係〇χ之共軛酸即h〇x係pKa為〇以上、 6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)之二烷基錫化合物, η)具有一個Sn-0-Sn鍵’且各個錫原子具有兩個Sn-R1鍵 與一個Sn-ΟΧ鍵(0X基係〇χ之共輛酸即Ηοχ係pKa為〇以 134987.doc 201008953 上、6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)的四烷基二錫氧烷化合 物,與 R2OCOOR2(R2表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或Y_CH2_ 基(式中,Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或 不飽和伸烧醚基))所表示之碳酸酯及/或 R2OH(R2表示與上述R2相同之基團)所表示之醇進行反 應, 而製造XOR2所表示之化合物,與 具有一個錫原子,且具有兩個Sn-R1鍵與兩個Sn_〇R2鍵 之二烷基錫二烷氧化物化合物及/或 具有一個Sn-O-Sn鍵,且各個錫原子具有兩個Sn_Ri鍵與 一個Sn-OR2鍵的四烷基二烷氧基二錫氡烷化合物。 [2] 如[1]之製造方法’其中該碳酸醋R2〇c〇〇R2及/或該醇 R OH中’ R為直鍵狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴基、 或飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基。 [3] 如[1]或[2]之製造方法,其中該碳酸二烷基酯 R2OCOOR2及/或該醇R2〇H中,R2為直鏈狀或支鏈狀之碳 數為1〜8之烷基。 [4] 如[1]至[3]中任一項之製造方法,其中該二烷基錫化合 物係下述式(3)所表示之化合物, [化3] 134987.doc 201008953
(式中: R刀别獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷基; 〇表示氧原子; OX及οχ係〇χι及〇χ2之共軛酸即Η〇χΐ&Η〇χ2係pKa 為0以上、1 2 3 4.5以下之布忍斯特酸的OX1及OX2 ; a及b分別為〇〜2之整數,a+b=2)。 [5]如[1]至[4]中任一項之製造方法,其中該四烷基二錫氧 烷化合物係下述式(4)所表示之化合物, [化4] R1
134987.doc -9- 1 ' (式中: φ Rl分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷基; 2 〇表示氧原子; OX3及OX4係OX3及〇X4之共輛酸即Η〇χ3及Η〇χ4係pKa 為0以上、6.8以下之布忍斯特酸的οχ3及〇χ4)。 3 如[1]至[5]中任一項之製造方法,其中〇χ基為醯氧基。 4 如[1]至[6]中任一項之製造方法,其係使該二烷基錫化 5 合物及/或四燒基—錫乳院化合物、與碳酸醋及/或醇之反 應在20°C以上、250。(:以下之溫度下實施。 201008953 [8]如[1]之製造方法,其中該二烷基錫二烷氧化物化合物 係下述式(5)所表示之化合物, [化5] OR2 R1 —si—-OR2 r1 (5) (式中: R1分別獨立表示源自二烷基錫化合物及/或四烷基二錫 氧烧化合物的直鏈狀或支鏈狀之碳數為卜12之烷基; 2 R分別獨立表示源自碳酸酯及/或醇的,直鏈狀或支鍵 狀之飽和或不飽和之烴基、飽和或不飽和之具有環狀烴取 代基之烴基、或Υ-CH2·基(式中,Y表示烷基聚伸烷基、芳 香族基、或環狀飽和或不飽和伸烷醚基))。 [9]如[1]至[8]中任一項之製造方法,其中該四烧基二燒氧 基一錫氧烧化合物係下述式(6)所表示之化合物, [化6] OR2 R1
Ri -Sn--〇——Jn—R1 R1 OR2 (6) (式中: R刀別獨立表示源自一院基錫化合物及/或四烧基二錫 氧烷化合物的直鏈狀或支鏈狀之碳數為丨〜12之烧基; R刀別獨立表示源自碳酸醋及/或醇的,直鍵狀或支鍵 狀之飽和或不飽和之烴基、飽和或不飽和之具有環狀烴取 134987.doc -10· 201008953 代基之烴基、或y_CH2_基(式中,γ表示烷基聚伸烷基芳 香族基、或環狀飽和或不飽和伸院醚基))。 [10]如[1]至[9]中任一項之製造方法,其中該二烷基錫化合 物及/或該四烷基二錫氧烷化合物係藉由包括以下步驟 (1)〜(2)之方法所製造的化合物, 步驟(1): 藉由選自由具有一個錫原子且具有兩個Sn_Ri鍵與兩個 Sn-OR鍵之二烷基錫二烷氧化物化合物及/或具有一個Sn_ O-Sn鍵且各個錫原子具有兩個Sn_Ri鍵與一個Sn_〇R2鍵的 四烧基一烧氧基二錫氧炫化合物所組成之群中之至少一種 烧基錫烧氧化物之烷基歧化反應(鍵結於錫上之尺!基之數 量為2個即為二烧基錫烧氧化物化合物之情形時,在2分子 間進行歧化’鍵結於錫上之Ri基之數量為4個即為四烷基 二燒氧基二錫氧烷化合物時,在分子内及/或分子間進行 歧化’由此轉化為具有一個Sn_Ri鍵之單烷基錫烷氧化物 化合物與具有三個Sn-R1鍵之三烷基錫烷氧化物化合物的 反應)生成包含單烷基錫烷氧化物化合物與三烷基錫烷氧 化物化合物之烷基錫組合物, 使該烷基錫組合物與通式1^〇乂(?尺&為0以上、6.8以下之 布忍斯特酸)所表示之酸及/或通式χ〇χ(〇χ基係〇χ之共輛 酸即ΗΟΧ係pKa為0以上、6.8以下之布忍斯特酸的ΟΧ基)所 表示之酸酐進行反應’而製造具有源自該酸及/或該酸酐 之基團(0X基)的有機錫化合物之混合物的步驟; 步驟(2): 134987.doc 201008953 對該步驟(1)中所獲得之該有機錫化合物之混合物進行 加熱處理’進行烧基再分配反應,而由該烧基錫組合物中 之該單烷基錫烷氧化物化合物與三烷基錫烷氧化物化合 物,獲得 選自i)具有一個錫原子且上述—個錫原子具有兩個Sn_ R^R1表示烷基)鍵與兩個Sn-ΟΧ鍵(0χ基係〇χ之共輛酸即 HOX係pKa為0以上、6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)的二烷 基錫化合物、 Π)具有一個Sn-0-Sn鍵且各個錫原子具有兩個Sn_Rl鍵與 _ 一個Sn-OX鍵(OX基係〇χ之共軛酸即Η〇χ係pKa為〇以上、 6.8以下之布忍斯特酸的OX基)的四烷基二錫氧烷化合物之 群中的至少一種烷基錫化合物的步驟; 其中,直接鍵結在該二烷基錫化合物、該四烷基二錫氧 烷化合物、該二烷基錫二烷氧化物化合物、該四烷基二烷 氧基二錫氧烷化合物、該單烷基錫烷氧化物化合物、該三 烷基錫烷氧化物化合物之錫上之…為相同之烷基。 [11]如[10]之製造方法,其中該烷基錫組合物係依序進行_ 下述步驟(a)〜步驟(C)所獲得之製造碳酸醋之過程中所生成 之基錫組合物, 步驟(a) ·使下述通式(7)所表示之二烷基錫二烷氧化物 與二氧化碳加以反應’而獲得包含碳酸醋與下述通式(8)所 表不之四烧基二院氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氧基 二錫氧院與二氧化碳之結合體的反應液之步驟; [化7] 134987.doc •12· 201008953 OR2 R1 -Sn—-〇R2 R1 (7) (式中: R1分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烧基’ R2分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之煙 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或Y-CH2· 基(式中’ Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或 籲 不飽和伸烷醚基))。 [化8] OR2 R1 R1 -Sn-〇-Jn—R1 R1 OR2 (8) (式中: R1表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為!〜12之烷基; • R表示直鍵狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴基、飽和或 不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或Y_CH2_* (式中,γ 表不烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或不飽和伸烷 醚基)); 步驟(b):藉由蒸餾自該反應液中分離碳酸酯,而獲得 包含該四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氧基 二錫氧烷與二氧化碳之結合體的殘留液之步驟; 步驟⑷:使㈣留液與下述通式(9)所表k醇加以反 應’去除所產生之副產物水’再生二燒基錫二燒氧化物, 134987.doc -13- 201008953 而將該二烷基錫二烷氧化物用作步驟(a)之二烷基錫二烷氧 化物的步驟, [化9]
WOH (9) (式中:
W表示直鍵狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴基、飽和或 不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或Y_CH2_基(式中,Y 表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或不飽和伸烷 醚基))。 [12] 如[11]之製造方法,其係在如[u]之步驟(b)及/或步驟 (c)後實施進行如[10]之方法之步驟:由製造該碳酸酯之過 程所生成之烷基錫組合物,再生二烷基錫二烷氧化物及/ 或四烷基二烷氧基二錫氧烷; 並將再生之一烧基錫二烧氧化物及/或四烧基二院氧基 二錫氧烷 用作步驟(a)之二烷基錫二烷氧化物, 與步驟(b)之殘留液混合而用作步驟(c)之原料。 [13] —種碳酸酯之製造方法,其在如π]之方法中進而包括 下述步驟(Α)〜步驟(Β): 步驟(Α):使如請求項丨之二烷基錫二烷氧化物化合物及/ 或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物與二氧化碳進行反應, 而獲得包含碳酸酯與四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物及/ 或該四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物與二氧化碳之結合體 134987.doc -14· 201008953 的反應液之步驟; 步驟(B):藉由蒸餾自該反應液中分離碳酸酯,而獲得 包含四烧基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氧基二 錫氧烷與二氧化碳之結合體的殘留液之步驟。 [14] 一種碳酸酯之製造方法,其在如[13]之方法中進而包 括下述步驟(C) ’且將該步驟(C)所製造之烷基錫化合物用 作如[1]之烷基錫化合物; 步驟(C):使該步驟(B)之殘留液與通式H〇X(pKa為0以 上、6.8以下之布忍斯特酸)所表示之酸及/或通式χ〇χ(〇χ 基係ΟΧ之共輛酸即ΗΟΧ係pKa為0以上、6.8以下之布忍斯 特酸的OX基)所表示之酸酐進行反應,而製造選自下述 i)、ii)之群中的至少一種烧基錫化合物之步驟; i)具有一個錫原子,且具有兩個Sn_Ri(Ri表示烷基)鍵與 兩個Sn-ΟΧ鍵(〇χ基係OX之共軛酸即H〇Xs pK# 〇以上、 6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)之二烷基錫化合物, U)具有一個Sn-0-Sn鍵,且各個錫原子具有兩個Sn_Ri鍵 與一個Sn-OX鍵(OX基係0X之共軛酸即Η〇χ係pKa為〇以 上、6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)之四烷基二錫氧烷化合 物。 Π5]如[1]之製造方法,其中該二烷基錫化合物及/或該四 烷基二錫氧烷化合物係藉由包括以下步驟⑴〜步驟(ΠΙ)之 方法所製造的化合物: 步驟(I):使下述通式(10)所表示之二烷基錫二烷氧化物 與二氧化碳進行反應,而獲得包含碳酸酯與下述通式(11) 134987.doc 201008953 所表示之四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氧 基二錫氧烷與二氧化碳之結合體的反應液之步驟; [化 10] OR2 R1 -si-〇R2 R1 (10) (式中: R分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為丨〜12之烷基; R分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或y_CH2- 基(式中’ Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或 不飽和伸燒醚基))^ [化 11] OR2 R1 R1 Sn-〇—Jn—R1 R1 〇R2 (11) (式中: R1分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為i〜12之烷基; 2 R分別獨立表示直鍵狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或y_ch2-基(式中,Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或 不飽和伸烧醚基))。 步驟(II):藉由蒸餾自該反應液中分離碳酸酯,而獲得 包含該四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氧基 134987.doc -16 - 201008953 二錫氧烧與二氧化碳之結合體的殘留液之步驟; 步驟(III):使該步驟(Π)之殘留液與通式H〇x(pKa為〇以 上、0.8以下之布忍斯特酸)所表示之酸及/或通式χ〇χ(〇χ 基係ΟΧ之共扼酸即ΗΟΧ係pKa為0以上、6.8以下之布忍斯 特酸的OX基)所表示之酸酐進行反應,而製造具有源自該 酸及/或該酸酐之基團(〇χ基),且以下述式(12)表示之二烷 氧基錫化合物及/或以下述式(13)表示之四烷基二錫氧烷化 合物之步驟; [化 12]
OX R1 -Sn-οχ R1 (12) (式中: R1分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為卜12之烷基; Ο表示氧原子; OX表示OX之共軛酸即HOX係pKa為0以上、6.8以下之布 忍斯特酸的OX基)。 [化 13] 〇X R1 R1 -Sn--〇___Jn—R1 R1 OX (13) (式中: R1分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為卜12之烷基; Ο表示氧原子; 134987.doc -17- 201008953 OX表示OX之共軛酸即HOX係pKa為0以上、6·8以下之布 忍斯特酸的ΟΧ基)。 [16] 如[1]至[15]中任一項之製造方法,其中該烷基Rl為碳 數為1〜8之直鍵烧基。 [17] 如[16]之製造方法,其中該烷基R1為正丁基或正辛 基。 [18] 如[10]、[14]、[15]中任一項之製造方法,其中該酸 HOX係羧酸。 [19] 如[18]之製造方法,其中該羧酸係選自由乙酸、丙 酸、順丁烯二酸所組成之群中之羧酸。 [20] 如[10]、[14]、[15]中任一項之製造方法,其中該酸射: XOX係選自由乙酸針、丙酸肝、順丁稀二酸酐所組成之群 中之酸酐。 [發明之效果] 根據本發明,可不使用固體之錫化合物,而簡便地將二 烷基錫化合物及/或四烷基二錫氧烷化合物轉化成二烷基 錫烧氧化物化合物及/或四烧基二烧氧基二錫氧院化合 物。可將該二烷基錫烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧 基二錫氧烷化合物用作碳酸酯之製造用觸媒。又,藉由製 造碳酸酯時所使用之二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四 烷基二烷氧基二錫氧烷化合物之烷基歧化反應而生成單烷 基錫烷氧化物化合物與四烷基錫烷氧化物,由該單烷基錫 烷氧化物化合物與四烷基錫烷氧化物可製造出作為有用成 分之二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二 134987.doc -18- 201008953 錫氧烷化合物,可再使用於碳酸醋之製造,因此在工業領 域非常有用。 【實施方式】 以下,就用以實施本發明之形態(以下稱作「本實施形 態、」)加以詳細說明。㈣,本發明並$限於以下之實施 形態,可在其主旨之範圍内實施各種變形。 本實施形態之製造方法係如下之方法:在無觸媒存在 下,使 ^ 選自由下述iWi)所組成之群中的至少-種院基錫化合 物· i)具有一個錫原子’且具有兩個811_尺1(尺1表示烧基)鍵與 兩個Sn-OX鍵(〇χ基係0χ之共軛酸即Η〇χ係ρΚ&為〇以上、 6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)之二烷基錫化合物, 11)具有一個Sn-0-Sn鍵,且各個錫原子具有兩個Sn-R1鍵 與一個Sn-OX鍵(〇χ基係〇χ之共軛酸即Ηοχ係pKa為〇以 φ 上、6.8以下之布忍斯特酸的OX基)的四烷基二錫氧烷化合 物,與 R2OCOOR2(R2表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 • 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或y-ch2- , 基(式中’ Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或 不飽和伸烷醚基))所表示之碳酸酯及/或 R2OH(R2表示與上述R2相同之基團)所表示之醇進行反 應, 而製造XOR2所表示之化合物,與 134987.doc -19- 201008953 具有個錫原子,且具有兩個Sn-R1鍵與兩個Sn_OR2鍵 之二烧基錫一貌氧化物化合物及/或 具有個811-0-811鍵,且各個錫原子具有兩個Sn_Ri鍵與 一個Sn-OR2鍵的四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物。 <二烧基錫化合物> 首先,就屬於i)之二烷基錫化合物加以說明。 該二烷基錫化合物係下述式(14)所表示之化合物。 [化 14] ?Xa ⑩ R1 -Sn-〇x2b 丄1 (14) (式中: R,分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烧基; 〇表示氧原子; OX及OX係OX及〇X2之共耗酸即Η〇χ1及肋χ2係pKa 為〇以上、6.8以下之布忍斯特酸的οχ〗及〇χ2 ; a及b分別為〇〜2之整數,a+b=2) _ 作為上述式(14)中之r1的例子,可列舉:甲基、乙基、 丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、己基 (各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各 異構物)、癸基(各異構物)、十二烧基(各異構物)等構成該’ 基團之故原子數為選自卜12之整數中之數字的脂肪族烴基 之烷基。較好的是構成該基團之碳原子數為選自1〜8之整 數中之數字的直鏈狀或支鏈狀之烧基”亦可使用構成該基 134987.doc •20- 201008953 團之碳原子數在以上所示之範圍以外之炫基的二燒基錫化 σ物’但存在流動性變差,或有損生產性n考慮到 在工業生產時容易獲得,更好的是正丁基、正辛基。 關2於上述式(14)中之οχΐ及〇χ2 ,若其共概酸即Η〇χ1& 110又為布忍斯特酸,且該共軛酸之口^^為〇以上、68以 了 ’則無❹m制,較好的是選自㈣氧基、芳氧基所組 成之群中的至種取代基,且其共輛酸之响為〇以上、 6.8以下者。更好的是構成該基團之碳原子數為選自〇〜12 之4·數中之數字的基團。作為如此之基團的具體例,可列 舉·乙酿氧基、丙酿氧基、丁酿氧基、戍酿氧基、月桂酿 氧基等由直鏈狀或支鏈狀之飽和烧基、幾基及氧原子所構 成之酿氧基;苯氧基、甲基苯氧基(各異構物)、乙基苯氧 基(各異構物)、丙基苯氧基(各異構物)、丁基苯氧基(各異 構物)、戊基苯氧基(各異構物)、己基苯氧基(各異構物)、 二甲基苯氧基(各異構物)、甲基乙基苯氧基(各異構物)、 馨?基丙基4:氧基(各異構物)、甲基丁基苯氧基(各異構 物曱基戊基苯氧基(各異構物)、二乙基苯氧基(各異構 物)、乙基丙基苯氧基(各異構物)、乙基丁基苯氧基(各異 構物)、二丙基笨氧基(各異構物)、三曱基苯氧基(各異構 物)、二甲基乙基苯氧基(各異構物)、二甲基丙基笨氧基 (各異構物)、二甲基丁基苯氧基(各異構物)、甲基乙基丙 等甲基二甲基苯氧基、三乙基苯氧基(各異構物) 作為上述式(14)所表示之二燒基錫化合物的具體例,可 134987.doc -21- 201008953 列舉:二甲基-二乙醯氧基 構物)、-甲其 1基錫-甲基·二丙酿氧基錫(各異 構物)—子基_二丁酿氧基錫(各異構物)、二甲 氧基錫(各異構物)、二甲 , 土 一戊醯 二丁其… 甲基--月桂酿氧基錫(各異構物)、 一丁基-一乙醯虱基錫(各異構物二 r各異椹腩、-τ* 〗基丙醯氧基錫 異構物)、一丁基·二丁醯氧基錫(各異 戊醢氧基錫(各異構物)、二 A _ —』丞_一 _ 一丁基·一月桂醯氧基錫(各異構 物)一辛基-二乙醢氧基錫(各異構物)、二辛基 基錫(各異構物)、二辛臬——r m » ά … 辛基_ 一丁醯氧基錫(各異構物)、二辛 基-戊酿氧基錫(各異構物)、辛 _ 辛基月桂醯氧基錫(各異 構物)等二烷基·二醯氧基錫;二甲基二苯氧基錫、二甲 基_二⑽苯氧基)錫(各異構物)、二甲基二(乙基苯氧基) 錫(各異構物)、二甲基-二(丙基苯氧基)錫(各異構物)、二 甲基-二(丁基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基 ❿ 基)錫(各異構物)、二甲基二(己基苯氧基)錫(各異構物)、 一甲基-雙(二甲基苯氧基)錫(各異構物)、二曱基-二(甲基 乙基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基_二(甲基丙基苯氧基)錫 (各異構物)、二甲基·二(甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、 一曱基-二(甲基戊基苯氧基)錫(各異構物卜二曱基-雙(二 乙基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基_二(乙基丙基苯氧基)錫 (各異構物)、"甲基-二(乙基丁基苯氧基)錫(各異構物)、 二曱基-二(二丙基苯氧基)錫(各異構物)、二曱基-二(三曱 基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基·雙(二甲基乙基$氧基)錫 (各異構物)、二甲基_雙(二甲基丙基苯氧基)錫(各異構 物)、二甲基-雙(二甲基丁基笨氧基)錫(各異構物)、二甲 134987.doc -22- 201008953 ❹ 基-二(甲基乙基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二^基二(乙 基一甲基本氧基)錫(各異構物)、二甲基-二(三乙基苯氧基) 錫(各異構物)、二丁基-二苯氧基錫(各異構物)、二丁基_二 (甲基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(乙基苯氧基)錫(各 異構物)、二丁基-二(丙基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基_ 二(丁基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基·二(戊基苯氧基)錫 (各異構物)、二丁基-二(己基苯氧基)錫(各異構物)、二丁 基-雙(一甲基本氧基)錫(各異構物)、二丁基_二(甲基乙基 苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(甲基丙基苯氧基)錫(各 異構物)、二丁基_二(甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二丁 基-二基戊基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基雙(二乙基 苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(乙基丙基苯氧基)錫(各 異構物)、二丁基-二(乙基丁基苯氧基)錫(各異構物卜二丁 基-二(二丙基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基二(三甲基苯 氧基)錫(各異構物)、二丁基_雙(二甲基乙基苯氧基)錫(各 異構物)、二丁基_雙(二f基丙基苯氧基)錫(各異構物卜二 丁基-雙(二甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(甲 基乙基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二了基二(乙基二甲基 苯氧基)錫(各異構物)、二丁基_二(三乙基苯氧基)錫(各異 構物)、二辛基-二苯氧基錫(各異構物)、二辛基-二(甲基苯 氧基)錫(各異構物)、二辛基_二(乙基笨氧基)錫(各異構 物L、二辛基_二(丙基苯敦基)锡(各異構物)、·=*辛基二(丁 基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_二(戊基苯氧基)錫(各異 構物)、r辛基·二(己基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基-雙 134987.doc •23- 201008953 (二甲基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基二(甲基乙基苯氧 基)錫(各異構物)、二辛基_二(甲基丙基苯氧基)錫(各異構 物)、二辛基-二(甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_ 二(甲基戊基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_雙(二乙基苯氧 基)錫(各異構物)、二辛基_二(乙基丙基苯氧基)錫(各異構 物)、二辛基-二(乙基丁基笨氧基)錫(各異構物)、二辛基_ 二(二丙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_二(三甲基苯氧 基)錫(各異構物)、二辛基·雙(二甲基乙基苯氧基)錫(各異 構物)、二辛基雙(二甲基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛 基-雙(二曱基丁基苯氧基)錫(各異構物)、三辛基·二(甲基 乙基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基二(乙基二甲基二 氧基)錫(各異構物)、二辛基.二(三乙基苯氧基)錫(各異構 物)等烷基-二芳氧基錫等。 <四烷基二錫氧烷化合物> 其次,就屬於⑴之四院基二錫氧烧化合物加以說明。 該四烧基二錫氧烧化合物係下述式(15)所表示之化合 物。 [化 15]
(式中: R1
OX4 0—— 05) R分別獨立表示直鍵狀或支鏈狀之碳數為卜 〇表示氧原子; 烷基 134987.doc 201008953 ox及OX4係⑽及〇χ4之共輕酸即Η〇χ3及肋X4係— 為0以上、6.8以下之布忍斯特酸的ΟΧ3及ΟΧ4。) 為述式(15)中之R1的例子,可列舉:甲基、乙基、 土 (各異構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、己基 (各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各 異構物)、癸基(各異構物)、十二烷基(各異構物)等構成該 基團之竣原子數為選自卜12之整數中之數字的脂肪族煙基 • t烷基。較好的是構成該基團之碳原子數為選自1〜8之整 數中之數子的直鍵狀或支鏈狀之院基。亦可使用構成該基 團之碳原子數在以上所示範圍以外之院基的四烧基二錫氧 烧化合物’但存在流動性變差,或有損生產性之情形。考 慮到在工業生產時容易獲得,更好的是正丁基、正辛基。 關,上述式⑽中之〇χ3及〇χ4,若其共輛酸即h‘及 Η〇Χ4為布忍斯特酸,且該共輛酸之pKa為〇以上、68以 下,則無特別限制,較好的是選自由酿氧基、芳氧基所組 ❹力之群中的至少-種取代基,且其共輕酸之pKa為㈣上、 6.8以下者。更好的是構成該基團之碳原子數為選自〇〜η 之整數中之數字的基團。作為如此之基團的具體例,可列 . 舉:乙酿氧基、丙酿氧基、丁酿氧基、戊酿氧基、月桂酿 • 氧基等由直鏈狀或支鏈狀之飽和院基、幾基及氧原子所構 成之酿氧基;苯氧基、甲基苯氧基(各異構物)、乙基苯氧 基(各異構物)、丙基苯氧基(各異構物)、丁基苯氧基(各異 構物)、戊基苯氧基(各異構物)、己基苯氧基(各異構物)、、 二甲基苯氧基(各異構物)、甲基乙基苯氧基(各異構物)、 134987.doc -25· 201008953 甲基丙基苯氧基(各異構物)、甲基丁基苯氧基(各異構 物)、甲基戊基苯氧基(各異構物)、二乙基苯氧基(各異構 物)、乙基丙基苯氧基(各異構物)、乙基丁基苯氧基(各異 構物)、二丙基苯氧基(各異構物)、三甲基苯氧基(各異構 物)、二甲基乙基苯氧基(各異構物)、二甲基丙基苯氧基 (各異構物)、二曱基丁基苯氧基(各異構物)、曱基乙基丙 基苯氧基、甲基二甲基苯氧基、三乙基苯氧基(各異構物) 等芳氧基等。 作為上述式(15)所表示之化合物的具體例,可列舉:_ 1,1,3,3-四甲基- i,3-一乙醯氧基二錫氧院、in 3_四甲基_ 丄,3-二丙醯氧基二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四甲基-n 一丁醯氧基二錫氧烷(各異構物)、四甲基_13-二戊 醯氧基二錫氧烷(各異構物)、u,3,3_四甲基_1>3_二月桂醯 氧基二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四丁基二乙醯氧基 二錫氧烷(各異構物)、i山3,3_四丁基],3_二丙醯氧基二錫 氧燒(各異構物)、U,3,3·四丁基],3_二丁醯氧基二錫氧烷 (各異構物)、丨,1,3,3-四丁基-1,3-二戊醯氧基二錫氧烷(各〇 異構物)、1,1,3,3-四丁基π二月桂醯氧基二錫氧燒(各異 物)1’1,3,3-四辛基·ι,3·二乙醯氧基二錫氧燒(各異構 物)、1’1,3’3-四辛基-υ-二丙醯氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基+3-二丁醯氧基二錫氧烷(各異構. 物)、1,1,3,3-四辛基-u-二戊醯氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3·四辛基#二月桂醯氧基二錫氧烧(各異構 物)等1,1,3,3-四烧基],3_二醯氧基二錫氧燒;i i 3 3四甲 134987.doc -26- 201008953 1,1,3,3-四甲基-13·二(甲基苯 1,1,3,3-四甲基乙基笨 1,1,3,3-四甲基“,弘二^丙基苯 1,1,3,3-四甲基丁基苯 基-1,3-二苯氧基二錫氧貌、 氧基)二錫氧烷(各異構物)、 氧基)_一錫氧烧(各異構物)、 氧基)二錫氧院(各異構物)、
氧基)二錫氧烷(各異構物)、四甲基_153_二(戊基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、四甲基―丨^-二(己基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、u,3,3_四甲基〇-雙(二甲基 苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四曱基_13-二(甲基 乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四甲基u-二 (甲基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四曱基_ 1,3-二(甲基丁基笨氧基)二錫氧烷(各異構物)、^丄弘四 甲基1,3-一(甲基戊基苯氧基)二錫氧燒(各異構物)、 1,1,3,3-四甲基+3-雙(二乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四曱基-i,3-二(乙基丙基苯氧基)二錫氧烷(各 異構物)、1,1,3,3-四甲基-L3-二(乙基丁基苯氧基)二錫氧 烷(各異構物)、丨,^,%四甲基(二丙基苯氧基)二錫 乳烧(各異構物)、1,1,3,3_四曱基二(三甲基苯氧基)二 錫氧烷(各異構物)、四甲基_1,3_雙(二甲基乙基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、113,3 —四甲基_1,3_雙(二甲基 丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四曱基-u —雙 (一甲基丁基苯氧基)二錫氧炫(各異構物)、1,1,3,3-四甲基_ 1,3 一(甲基乙基丙基苯氧基)二錫氧燒(各異構物)、 1’1,3,3-四甲基_13_二(乙基二甲基笨氧基)二錫氧烷(各異 構物)、U,3,3-四甲基-1,3-二(三乙基苯氧基)二錫氧烧(各 134987.doc 27· 201008953 異構物)、1,1,3,3-四丁基―丨,%二苯氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四丁基心—工(甲基苯氧基)二錫氧烷(各異構 ),,’3四丁基-1,3-二(乙基苯氧基)二錫氧烧(各異構 物)、1,1,3,3-四丁基-^―二(丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 ),,’3四丁基-1,3_二(丁基苯氧基)二錫氧院(各異構 ),,’3四丁基-1,3-二(戊基苯氧基)二錫氧燒(各異構 ),,’3四丁基-1,3-二(己基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、四丁基+3·雙(二甲基苯氧基)二錫氧烧(各異 構物)、1,1,3,3-四丁基.π二(甲基乙基苯氧基)二錫氧燒 (各異構物)、U,3,3·四丁基-1,3·二(甲基丙基苯氧基)二錫 氧烧(各異構物)、U,3,3_四丁基_1,3·二(甲基了基苯氧基) 二錫氧院(各異構物)、^3—四丁基],二(甲基戊基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、i山3,3•四丁基-〗,3雙(二乙基 苯氧基)一錫氧烷(各異構物)、四丁基二(乙基 丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四丁基_ι,3·二 (乙基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四丁基_ 1,3-二(二丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)' 四丁 基-ι,3-二(三甲基苯氧基)二錫氧烷(各異構物弘四 丁基-1,3-雙(二甲基乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四丁基-1,3-雙(二甲基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異 構物)、1,1,3,3-四丁基-1,3·雙(二曱基丁基苯氧基)二錫氧 烷(各異構物)、1,1,3,3-四丁基_丨,3_二(甲基乙基丙基笨氧 基)二錫氧炫(各異構物)、1,1,3,3-四丁基·ι,3·二(乙基二甲 基苯氧基)二錫氧烧(各異構物)、1,1,3,3 -四丁基 •28-
134987.doc 201008953 苯氧基二錫氧烷(各異構物) 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、u 3 贫备-仰长•… T巫 1,1,3,3-四辛基_153_二(甲基 1,1,3,3-四辛基-Ι3·二(乙基 1,1,3,3-四辛基_Μ·二(丙基 Μ,3,3·四辛基 _1,3-二(丁基 1,1,3,3-四辛基d,、二(戊基 U,3,3·四辛基_1,3-二(己基 ,1,3,3_四辛基_1,3_雙(二甲 參 基苯氧基)二錫氧烧(各異構物)、1,1,3,3-四辛基],3_二一(甲 基乙基苯氧基)二踢氧院(各異構物)、u,3,3_四辛基Γ13_ 二(甲基丙基苯氧基)二錫氧烧(各異構物)、四土辛基_ 1,3_二(甲基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、Μ』二 辛基二(甲基戊基苯氧基)二錫氧垸(各異構物)、 U,3,3-四辛基少弘雙(二乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基{3-二(乙基丙基苯氧基)二錫氧燒(各 異構物)、1,1,3,3·四辛基·M•二(乙基丁基苯氧基)二錫氧 烧(各異構物)、U,3,3·四辛基W·二(二丙基苯氧基錫 氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四辛基w·二(三甲基苯氧基)二 錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3·四辛基_13雙(二甲基乙基苯 氧基)一錫氧垸(各異構物)、1,1,3,3_四辛基_1,3_雙(二甲基 丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、H3,%四辛基_13_雙 (一甲基丁基本氧基)一錫氧烧(各異構物)、1,1,3,3-四辛基_ 1,3-二(甲基乙基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1’1,3,3-四辛基_ι,3-二(乙基二曱基苯氧基)二錫氧烷(各異 134987.doc -29· 201008953 構物)、1,1,3,3-四辛基-1,3-二(三乙基苯氧基)二錫氧烷(各 異構物)等1,1,3,3-四烷基-1,3-二芳氧基二錫氧烷。 已知,有機錫化合物一般容易形成締合結構,例如二烷 基錫二烷氧化物形成二聚物結構而存在,或四烷基二烷氧 基二錫氧烷形成由2分子或3分子締合而成之梯狀結構而存 在。即使如此之締合狀態發生變化時,從業者一般亦以單 體結構來表示化合物。 <碳酸5旨> 本實施形態中所使用之碳酸酯並無特別限制,可較好地 ❿ 使用下述式(16)所表示之碳酸酯。 [化 16] R OCOOR2 (16) (式中: R2分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或y_CH2_ ❿ 基(式中,y表不烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或 不飽和伸烷醚基))。 作為上述式(16)所表示之碳酸酯,r2可為脂肪族烴基、 亦2可為芳香族烴基,構成碳酸酯之R2基上鍵結有〇H基之 ROH結構之經基化合物的酸性較低時,易於以r2〇x之形 式脫離g此上述R2中,與氧鍵結之碳較好 甲基結構。作為該^可列舉:甲基、乙基、:基= 構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、己基(各異構 134987.doc -30· 201008953 ❹ 物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各異構 物)、癸基(各異構物)、十二烷基(各異構物)' 十六烷基(各 異構物)、十八烷基(各異構物)等烷基;環戊基、環己基、 環庚基、環辛基(各異構物)、甲基環戊基、甲基環己基、 甲基%庚基、甲基環辛基(各異構物)、乙基環戊基、乙基 環己基、乙基環庚基、乙基環辛基(各異構物)、丙基環戍 基、丙基環己基、丙基環庚基、丙基環辛基(各異構物)、 環戊基甲基、環己基甲基、環庚基甲基、環辛基甲基(各 異構物)、環戊基乙基、環己基乙基、環庚基乙基、環辛 基乙基(各異構物)、環戊基丙基、環己基丙基、環庚基丙 基、環辛基丙基(各異構物)等環燒基;環戍基甲基、環戍 基乙基、環己基甲基、環己基乙基等具有環狀煙取代基之 烴基;苯基甲基、苯基乙基、甲笨基甲基、甲苯基乙基 (各’、構物)—甲苯基甲基(各異構物)、二甲苯基乙基(各 異構物)等經芳基取代之烴基;曱氧基甲基、甲氧基乙 基、甲氧基丙基(各異構物)、甲氧基丁基(各異構物)、甲 氧基戊基(各異構物)、甲氧基$基(各異構物)、乙氧基甲 基、乙氧基乙基、乙氧基丙基(各異構物)、乙氧基丁基(各 異構物)、乙t基戊基(各異構物)、〔氧基己基(各異構 物)、聚氧乙烯基等聚氧料基。該等中,考慮到流動性 及反應後之分離,更好的是上述式⑽中碳數為卜8 之碳酸醋。最好的是煙W為選自燒基、環燒基中之基團 的碳酸醋。作為上述式⑽所表示之碳酸醋的具體例,可 列舉:碳酸二甲醋、碳酸二乙醋、碳酸二丙醋(各異構 134987.doc -31 · 201008953 物)、碳醆二丁酯(各 酸二己叫異構物)=二戊醋(各異構物)、碳 酯(各異構物)等碳酸賴。—庚醋(各異構物)、碳酸二辛 <醇> 作為本實施形態之醇並益 所表示之醇。 ‘、,、特靠制,可列舉下述式(17) [化 17] (17) r2〇h (式中: R2具有與上述式⑽十之r2相同之定義 作為上述式Π7)所表示之醇,r2 為芳香族烴基,其中較心日肪族k基、亦可 、 的疋R係為選自烷基、環烷基中 =的酵。作為㈣,可列舉:甲基、乙基、丙基(各 ^ )、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、己基(各異構 參 )、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各異構物、 癸基(各異構物)、十二院基(各異構物)、十六烧基(各異構 物)、十八烧基(各異構物)等炫基;環戊基、環己基、環庚 基、環辛基(各異構物)、甲基環戊基、f基環己基、甲基 環庚基、甲基環辛基(各異構物)、乙基環戊基、乙基環己 基、乙基環庚基、乙基環辛基(各異構物)、丙基環戊基、 丙基環己基、丙基環庚基、丙基環辛基(各異構物)、環戊 基甲基、環己基甲基、環庚基甲基、環辛基甲基(各異構 物)、環戊基乙基、環己基乙基、環庚基乙基、環辛基乙 基(各異構物)、環戊基丙基、環己基丙基、環庚基丙基、 134987.doc •32· 201008953 環辛基丙基(各異構物)等環烧基。該等中,更好的是上述 式(17)中,碳數為卜8之院基的醇。作為該醇的具體 例,可列舉:甲醇、乙醇、丙酵(各異構物)、丁醇(各異構 物)、戊醇(各異構物)、[醇(各異構物)、庚醇(各異構 物)、辛醇(各異構物)等醇。 又’本發明之其他形態中’可使用下述式(18)所表示之 酵。 [化 18]
WOH (18) (式中: W表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴基、飽和或 不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或Y_CH2_基(式中,γ 表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或不飽和伸烧 醚基))。 式(18)所表示之醇並無限制,可使用上述式(17)所例示 • 之醇。作為較好的例子,亦可適當使用作為上述式(17)之 較好的例子而例示的醇。如下所述,為了使與水之分離變 得容易’更好的是常壓下之沸點高於水的醇,作為如此之 醇的例子’可列舉:正丁醇、3-甲基丙醇、戊醇(各異構 物)、己醇(各異構物)、庚醇(各異構物)、辛醇(各異構 物)。 <二炫基錫化合物及/或四烧基二錫氧燒化合物、與碳酸酯 之反應> 134987.doc •33- 201008953 其久’對本實施形態中之二烧基錫化合物及/或四统基 二錫氧烧化合物、與碳酸酯之反應進行說明。 對於該反應,二烧基錫化合物及/或四燒基二錫氧院化 合物、與碳酸酯之反應中,關於該等化合物之組成比,二 烷基錫化合物及/或四烷基二錫氧烷化合物、與碳酸6旨之 化學計量比較好的是1 : 〇·1〜1 : 100。為了提高反應速 度、快速結束反應,較好的是使用大量過剩之碳酸酯,但 若使用過多量之碳酸酯,則需使用過大之反應器,因此較 好的是以1 : 0.3-1 : 50 ’更好的是以1 : 1〜1 : 30之範圍的 組成比實施反應。 反應溫度根據所使用之反應劑之種類或組成比而有所不 同,較好的是20°C〜250°C之溫度範圍。為了儘早結束反 應’較好的是在高溫下實施反應,但存在下述情形:若在 過高溫度下實施反應,則會引起反應原料即二烷基錫化合 物及/或四烷基二錫氧烷化合物、及/或、反應產物即二烷 基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷化 合物之熱變性反應等,使得該反應之目標化合物之產率降 低’因此更好的是在30°C〜230°C之溫度範圍,更好的是在 50°C〜200°C之溫度範圍内實施反應。又,該反應中無需使 用觸媒。 該反應中無需使用溶媒,但為了提高流動性、或使反應 操作變得容易,亦可使用溶媒。可使用之溶媒,若為不與 反應原料即二烷基錫化合物及/或四烷基二錫氧烷化合 物、及碳酸酯、或反應產物即二烷基錫二烷氧化物化合物 134987.doc -34- 201008953 及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物發生反應者,則可 為任何溶媒。作為該溶媒,例如可列舉:碳數為μ之直 鍵狀、分支狀、環狀之烴;包含碳數為4以之直鍵狀、分 支狀、環狀之烴的醚類;碳數為1〜16之直鏈狀、分支狀、 環狀之函代烴類等。具體而言,可使用:選自戊烧(各異 構物)、[烧(各異構物)、庚燒(各異構物)、辛烧(各異構 物)、壬烧(各異構物)、癸燒(各異構物)、+六烧(各異構 參 物)、環己烧、環庚烧、環辛烧、苯、甲苯、二甲苯(各異 構物)、乙苯等中之鏈狀、環狀之烴;選自乙醚、丙謎(各 異構物)、頂(各異構物)、[醚(各異構物)、辛醚(各異構 物)、苯醚等中之醚類;選自二氯甲烷、氯仿、四氯化 碳、氯苯、四虱乙烷、二氯苯(異構物)等中之鹵代烴類。 又,該反應中’使用過剩量之碳酸醋時,亦可將剩餘之碳 酸醋用作溶媒。該等溶媒可單獨使用,亦可以兩種以上之 混合物之形式使用。 除了溶媒以外,無需添加添加劑,但為了調整流動性、 或調整反應速度,亦可添加添加劍。可使用之添加劑只要 為不會對反應m良影響者,則可無限制地添加。作為 如此之添加劑,可列舉路易斯酸性之化合物、路易斯鹼性 之化合物。例如,可使用SnF2、*SnBr2等化合物。 實施該反應之壓力並無特別限制,可在減壓、大氣壓、 加壓之任一條件下進行,當一面將該反應之反應產物即二 烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷 化合物、及/或、下述之XOR2所表示之化合物之一部分或 I34987.doc •35· 201008953 全部自反應系中去除,一面實施該反應時,較好的是在減 壓下進行。在減壓下實施反應時,較好的是在1〇 pa〜1 MPa之範圍内實施,更好的是在i kpa〜〇.5 MPa之範圍内實 施。又’該反應較好的是在氬氣、氖氣、氮氣等惰性氣體 之環境下進行,該等惰性氣體可較好地使用利用脫水管柱 等而經乾燥之狀態者。 實施該反應之反應時間(連續法中為滯留時間)根據該反 應中所使用之化合物或反應器、溫度或壓力而有所不同, 並無特別限制’較好的是在〇 · 〇 1〜3 0小時之範圍内,更好 ® 的是在0.1〜20小時之範圍内實施反應。又,確認已生成所 需量之二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基 一錫氧烧化合物後,亦可結束反應。反應之進行可藉由如 下方法加以確認:對反應器内之反應液進行抽樣,藉由 n9Sn-NMR或氣相層析法等方法,對二烷基錫二烷氧化物 化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物之生成量進 行分析等。例如,二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷 基一烷氧基二錫氧烷化合物,相對於二烷基錫化合物及/ @ 或四烷基二錫氧烷化合物之莫耳數,若生成1〇%以上則可 結束反應,亦可繼續反應,直至該值達到9〇%以上後再結 束反應。 又,二烧基錫化合物及/或四烧基二錫氧燒化合物、與 ' 碳酸醋R2〇C〇〇R2之反應中,亦生成下述之職2所表示之 化合物時’亦可藉由氣相層析法或液相層析法等公知方法 對該等化合物進行定量,並在確認生成所需量後結束反 134987.doc -36· 201008953 應。 本貫施形態之各反應中所使用之反應器並無特別限制, 可使用公知之反應器。例如可適當組合使用擾拌槽、加壓 式攪拌槽、減壓式攪拌槽、塔型反應器、蒸餾塔、填充 塔、薄膜蒸餾器等先前公知之反應器。反應器之材質亦無 特別限制,可使用公知之材質。例如亦可使用玻璃製、不 鏽鋼製、碳鋼製、赫史特合金製、或對基材施加玻璃襯裡 而成者、或塗佈鐵氟龍(Teflon)(註冊商標)者。存在由酸所 ❹ 引起之腐餘會因步驟或條件而變得顯著的情況,因此於該 情形時,亦可適當選用玻璃製或施加玻璃襯裡、塗佈鐵氟 龍(Teflon)(註冊商標)者’或選用赫史特合金製反應器。 <二院基錫化合物及/或四烧基二錫氧烧化合物、與醇之反 應> 其次,對本實施形態之二烷基錫化合物及/或四烷基二 錫氧烧化合物、與醇之反應進行說明。 對於該反應,二烧基錫化合物及/或四烧基二錫氧烧化 9 合物、與醇之反應中,關於該等化合物之組成比,二烷基 錫化合物及/或四烷基二錫氧烷化合物、與醇之化學計量 ’ 比較好的是1 : 0.1〜1 : 100。為了提高反應速度、快速結 . 束反應,較好的是使用大量過剩之醇,但若使用過多量之 醇’則需使用過大之反應器,因此較好的是以1: 〇.3~1 : 50,更好的是以1 : 1~1 : 30之範圍之組成比實施反應。 反應溫度根據所使用之反應劑的種類或組成比而有所不 同,較好的是2(TC ~250°c之溫度範圍。為了儘早結束反 134987.doc -37- 201008953 應,較好的是在高溫下實施反應,但存在下述情形:若在 過高溫度下實施反應,則會引起反應原料即二烷基錫化合 物及/或四院基一錫氧烧化合物、及/或、反應產物即二烧 基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烧化 合物之熱變性反應等,使得該反應之目標化合物之產率降 低,因此更好的是在30。(:~230。(:之溫度範圍,更好的是在 50°C〜20‘0°C之溫度範圍内實施反應。又,該反應中無需使 用觸媒。 該反應中無需使用溶媒,但為了提高流動性、或使反應 操作變得容易,亦可使用溶媒。可使用之溶媒,若為不與 反應原料即二烷基錫化合物及/或四燒基二錫氧烷化合 物、及碳酸酯、或反應產物即二烷基錫二烷氧化物化合物 及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物發生反應者’則亦 了為任何洛媒。作為该溶媒,例如可列舉··碳數為5〜16之 直鏈狀刀支狀、環狀之烴,包含碳數為4〜16之直鏈狀、 分支狀、環狀之烴之醚類;碳數為卜16之直鏈狀、分支 狀、環狀之鹵代烴類等。具體而言,可使用選自戍烷(各 異構物)、己烷(各異構物)、庚烷(各異構物)、辛烷(各異構 物)、壬烷(各異構物)、癸烷(各異構物)、十六烷(各異構 物)、環己垸、環庚烧、環辛燒、苯、甲笨、二甲苯(各異 構物)、乙基苯等中的鏈狀、環狀之烴;選自乙醚、丙峻 仏異構物τ醚(各異構物^(各異構物)、辛縫(各 異構物)、苯_中的_ ;選自二氣甲院、氣仿、四氣 化碳氣苯、四氣乙烷、二氣苯(異構物)等中的鹵代烴 134987.doc -38- 201008953 之醇時,亦可將剩餘之 ’亦可以兩種以上之混 類。又,該反應中,當使用過剩量 醇用作溶媒。該等溶媒可單獨使用 合物之形式使用。
除了溶媒以外,無需添加添加劑’但為了調整流動性、 或調整反應速度,亦可添加添加劑。可使用之添加劑若為 不會對反應造成不良影響者,則可無限㈣添加叫乍為該 添加劑,可列舉路易斯酸性之化合物、路易斯㈣之化合 物。例如,可使用SnF2、或SnBr2等化合物。 實施該反應之壓力並無特別限制,亦可在減壓、大氣 壓、加壓之任-條件下進行,當一面將該反應之反應產物 即二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫 氧烷化合物、及/或、下述之X0R2所表示之化合物、及/ 或所產生之副產物水之一部分或全部自反應系中去除, 一面實施該反應時,較好的是在減壓下進行。在減壓下實 施反應時’較好的是在10 MPa之範圍内實施,更好 的是在1 kPa〜0.5 MPa之範圍内實施。又,該反應較好的是 在氬氣、氖氣、氮氣等惰性氣體之環境下進行,該等惰性 氣體可較好地使用利用脫水管柱等而經乾燥之狀態者。 實施該反應之反應時間(連續法中為滞留時間)根據該反 應中所使用之化合物或反應器、溫度或壓力而有所不同, 並無特別限制,較好的是在0·01〜30小時之範圍内,更好 的是在0·1〜20小時之範圍内實施反應。又,在確認已生成 所需量之二烧基錫二焼氧化物化合物及/或四院基二燒氧 基二錫氧烷化合物後,亦可結束反應。反應之進行可藉由 134987.doc -39- 201008953 下述方法加以確認:對反應器内之反應液進行抽樣,藉由
Sn-NMR或氣相層析法等方法,對二烷基錫二烷氧化物 化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物之生成量進 行分析等。例如,二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷 基二烷氧基二錫氧烷化合物,相對於二烷基錫化合物及/ 或四烷基二錫氧烷化合物之莫耳數,若生成1〇%以上則可 結束反應,亦可繼續反應,直至該值達到9〇%以上後再結 束反應。 又,二烷基錫化合物及/或四烷基二錫氧烷化合物與 醇RAH之反應中,,亦±成下述之咖2所表示之化合物 時,亦可藉由氣相層析法或液相層析法等公知方法對該等 化合物進行定量,確認生成所需量後,結束反應。或者亦 可採用如下之方式:該反應不僅生成職2所表示之化合 物,亦生成副產物水,例如利用卡氏水分計等對該水之生 成量進行定量,並在確財成與生成所需量之目標化合物 相對應之水後’再結束反應。 本實施形態之各反應中所使用之反應器並無特別限制, 可使用公知之反應器。例如可適當組合使用攪拌槽、加壓 式授掉槽、減壓錢拌槽、塔型反應器、㈣塔、填充 塔、薄膜蒸德器等先前公知之反應器。反應器之材質亦無 特別限制,可使用公知之材質。例如亦可使用玻璃製、不 2鋼製、錢製、敎特合金製、或對歸施加玻璃概裡 、或塗佈鐵氟龍(Teflon)(註冊商標)者。存在由酸所引起 之腐姓會因步驟或條件而變得顯著的情況,因此於該情形 134987.doc 201008953 時’亦可適當選用玻璃製或施加玻璃概裡、塗佈鐵氟龍 (Teflon)(註冊商標)者,或選用赫史特合金製反應器。 以上所示^--烧基錫二烧氧化物化合物及/或四院基二 烧氧基二錫氧烷化合物之製造中,二烷基錫化合物及/或 四烷基二錫氧烷化合物與碳酸酯之反應、二烷基錫化合物 及/或四烧基二錫氧烧化合物與醇之反應中,可僅實施其 中之任一反應,亦可同時實施。 < 一院基錫二燒氧化物化合物> 對藉由上述製造方法所生成之二烷基錫二烷氧化物化合 物進行說明。 該二烧基錫二烷氧化物化合物係具有一個錫原子,且具 有兩個Sn-R1鍵與兩個Sn_OR2鍵之化合物,具體而言,係 下述式(19)所表示之化合物。 [化 19]
R1 OR2 Sn-or2 (19) (式中 R分別獨立表示源自二烷基錫化合物及/或四烷基二錫 氧烧1化合物的直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷基; R分別獨立表示源自碳酸酯及/或醇之烴基。) 作為上述式(19)所表示之化合物的具體例,可列舉:二 甲基-二甲氧基錫、二甲基-二乙氧基錫、二甲基_二丙氧基 錫(各異構物)、二甲基_二丁氧基錫(各異構物)、二曱基_二 134987.doc -41 - 201008953 戍氧基錫(各異構物)、二曱基_二己氧基錫(各異構物)、二 甲基-二庚氧基錫(各異構物)、二甲基_二辛氧基錫(各異構 物)、二甲基-二苯氧基錫、二甲基二(甲基苯氧基)錫(各異 構物)、r甲基·二(乙基苯氧基)錫、二甲基,二甲基苯氧 基)錫(各異構物)、二甲基_二(苯基甲氧基)錫、二甲基-二 鲁 ❿ #基乙氧基_各異構二曱基·二(甲基苯基甲氧幻 錫(各異構物)、二丁基·二甲氧基錫(各異構物)、二丁基_二 乙氧基錫(各異構物)、二丁基.二丙氧基錫(各異構物)、二 丁基-二丁氧基錫(各異構物)、二丁基-二戊氧基錫(各異構 物)、二丁基-二己氧基錫(各異構物)、二丁基·二庚氧基錫 (各異構物)、二丁基-二辛氧基錫(各異構物)、二丁基-二苯 氧基錫(各異構物)、二丁基_二(甲基苯氧基)锡(各異構 物)、二丁基-二(乙基苯氧基)錫(各異構物)、三丁基雙(二 甲基·苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(苯基甲氧基)錫Γ 一丁基-二(苯基乙氧基)錫(各異構物)、:丁基·二(甲芙笨 基甲氧基)錫(各異構物)、二辛基-二甲氧基錫、二辛基二 乙氧基錫、二辛基-二丙氧基錫(各異構物)、二辛基-二丁 氧基錫(各異構物)'二辛基·二戊氧基錫(各異構物)、二辛 基-一己氧基錫(各異構物)、二辛基_二庚氧基錫(各異構 物)、二辛基-二辛氧基踢(各異構物)、二辛基-二苯氧基錫 (各異構物)、二辛基-二(甲基笨氧基)錫(各異構物)、二辛 基-一(乙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_雙(二甲基-苯氧 :)錫(各異構物)、一辛基-二(苯基甲氧基)錫(各異構物)、 二辛基-二(苯基乙氧基)錫(各異構物)' 二辛基二(甲基苯 134987.doc -42- 201008953 基甲氧基)錫(各異構物)等。 <四燒基二烷氧基二錫氡烷化合物> 對藉由上述製造方法所生成之四烷基二烷氧基二錫氧烷 化合物進行說明。 該四燒基二烧氧基二錫氧烷化合物係具有一個Sn_〇_Sn 鍵且各個錫原子具有兩個Sn-R1鍵與一個Sn-OR2鍵的四 烷基一烷氧基二錫氧烷化合物。具體而言係下述式(2〇) 所表示之化合物。 [化 20] OR2 R1 r1 Sn-0 Sn—R1 R1 OR2 (20) (式中: R1分別獨立表示源自四烷基二錫氧烷化合物及/或二烷 基錫化合物的直鏈狀或支鏈狀之碳數為丨〜12之烷基; r2分別獨立表示源自碳酸酯及/或醇之烷基。) 作為上述式(20)所表示之化合物的具體例,可列舉: 1,1,3’3-四曱基·ι,3_二乙氧基二錫氧烷、u,3,3·四曱基_ 二丙氧基二錫氧烷(各異構物)、四甲基_丨,3_二 丁氧基二錫氧烧(各異構物)、lj,3,3·四〒基_丨,3_二戊氧基 二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四甲基己氧基二錫氧 烷(各異構物)、1,1,3,3-四甲基-1,3-二庚氧基二錫氧烷(各 異構物)、1,1,3,3-四甲基_i,3_二辛氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四曱基-1,3_二(苯氧基)二錫氧烷、u,3,3_四 134987.doc -43· 201008953 曱基-ι,3_二(甲基笨氧基)二錫氧烷、四曱基^^雙 (二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、i四曱基-n 二(乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、1^,3-四甲基_丨,3· 二(苯基曱氧基)二錫氧烷、〗,^弘四曱基_丨,3二(苯基乙 氧基)二錫氧烷(各異構物)、H33·四甲基_丨,3_二(曱基苯 基甲氧基)二錫氧烷(各異構物)、四丁基丨,^二乙 氧基二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四丁基-1,3-二丙氧基二 錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3_四丁基_13_二丁氧基二錫氧烷 (各異構物)、u,3,3_四丁基_13_二戊氧基二錫氧烷(各異 構物)、1,1,3,3-四丁基二己氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四丁基·1,3_二庚氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3四丁基-L3·二辛氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3四丁基_ι,3_二(苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四丁基^3·二(甲基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)' 1,1,3,3-四丁基'3-雙(二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、U,3,3-四了基二(乙基苯氧基)二錫氧烧(各異構 物)、U,3,3_四丁基{[二(苯基曱氧基)二踢氧烧(各異構 物)1’1,3,3-四了基-1,3-二(苯基乙氧基)二錫氧烷(各異構 物)、U,3,3-四丁基],3_二(曱基苯基甲氧基)二錫氧烧(各 異構物)、1,!,3,3_四辛基],3·二乙氧基二錫氧烧(各異構 物)1 四辛基-1,3·二丙氧基二錫氧烷(各異構物)、 1’1,3,3-四辛基十弘二丁氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基十弘二戊氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基-13·二己氧基二錫氧烷(各異構物)、 134987.doc -44- 201008953 1,1,3,3-四辛基-U3-二庚氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1’3,3-四辛基-1,3-二辛氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基-U3-二(苯氧基)二錫氧烷(各異構物卜 1’1’3’3-四辛基+3-二(甲基苯氧基)二錫氧燒(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基-1,3-雙(二曱基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基-1,3_二(乙基苯氧基)二錫氧烧(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基-1,3-二(苯基曱氧基)二錫氧燒(各異構
物)、1,1,3,3_四辛基-1,3-二(苯基乙氧基)二錫氧烧(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基二(曱基苯基曱氧基)二錫氧烷(各 異構物)等。 如上文所述,已知有機錫化合物一般容易形成締合結 構,例如存在二烷基錫二烷氧化物化合物形成二聚物結構 而存在,或者四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物形成由2分 子或3分子締合而成之梯狀結構而存在的情況,但即使該 締合狀態發生變化,從業者一般亦以單體結構來表示化= 物。 <化合物xor2> 又,藉由上述製造方法,除了可生成二烷基錫二烷氧化 物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物以外,亦 可生成下述式(21)所表示之化合物。 [化 21] XOR2 (21) (式中: X表示源自二烧基錫化合物及/或四院基二錫氧烧化合物 134987.doc •45· 201008953 之基團; R表示源自碳酸醋及/或醇之燒基; 〇表示氧原子。) 上述式(21)中,OX基係源自反應中所使用之二烷基錫化 合物及/或四烧基二錫氧烷化合物之基團,當使用上述式 (14)所表示之二烷基錫化合物時,〇χ基係源自〇χ基1、〇χ 基2之基團’當使用上述式(15)所表示之四烷基二錫氧烷化 合物時’ OX基係源自〇χ基3、〇χ基4之基團。 述式(21)中’ R基係源自反應中所使 又 及/或醇,當使用R2OCO〇R2所表示之碳酸酯時,係源自構 成該碳酸酯之R2基的基團,當使用尺2〇11所表示之醇時, 係源自構成該醇之R2基的基團。 具體而言,當OX基為醯氧基時,上述式(21)所表示之化 合物為酯化合物,例如相當於下述化合物:乙酸乙酯、乙 酸丙酯(各異構物)、乙酸丁酯(各異構物)、乙酸戊酯(各異 構物)、乙酸己醋(各異構物)、乙酸庚醋(各異構物)、乙酸 辛Μ各異構物)、丙酸乙酯、丙酸丙酯(各異構物广丙酸 丁醋(各異構物)、丙酸戊_(各異構物)、丙酸己酿(各異構 物)、丙酸庚醋(各異構物)、丙酸辛醋(各異構物)、丁酸乙 酯、丁酸丙醋(各異構物)、丁酸丁酯(各異構物)、丁酸戊 醋(各異構物)、丁酸己醋(各異構物)、丁酸庚醋(各異構 物卜丁酸蝴各異構物)、戊酸⑽、戊酸 = 異構)、戍酸庚酿(各異構物)、戊酸辛各異構 134987.doc -46- 201008953 物)、月桂酸乙酯、月桂酸丙酯(各異構物)、月桂酸丁酯 (各異構物)、月桂酸戊酯(各異構物)、月桂酸己酯(各異構 物)、月桂酸庚酯(各異構物)、月桂酸辛酯(各異構物)等。 藉由以上所示之方法,可利用二烷基錫化合物及/或四 烷基二錫氧烷化合物,來製造二烷基錫二烷氧化物化合物 及/或四烧基一烧乳基二錫氧院化合物。此時,可藉由二 烷基錫化合物及/或四烷基二錫氧烷化合物、與碳酸酯及/ 或醇之反應,直接製造所需之二烷基錫二烷氧化物化合物 及/或四烧基二烷氡基二錫氧烷化合物;亦可使二烷基錫 化合物及/或四烧基二錫氧烧化合物與第丨碳酸酯及/或第】 醇進行反應,來製造第1二烷基錫二烷氧化物化合物及/或 第1四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物,接著使第丨二烷基錫 二烷氧化物化合物及/或第丨四烷基二烷氧基二錫氧烷化合 物與第2碳酸酯及/或第2醇進行反應,來製造所需之第2二 烷基錫二烷氧化物化合物及/或第2四烷基二烷氧基二錫氧 烧化合物。 以上之說明中,對本實施形態中之使烷基錫化合物與碳 酸醋及/或醇進行反應,而製造XOR2所表示之化合物與二 炫基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧燒 化合物之方法進行了說明。再者’將實施該製造方法之步 驟定義為步驟(Z)。該製造方法可較好地用於使用有二貌 基錫二院氧化物化合物之碳酸酯之製造方法中。以下,對 組合有該製造方法之碳酸酯之製造方法進行說明。 <二烧基錫化合物/四烷基二錫氧烷化合物之製造方法> 134987.doc • 47- 201008953 上述之本實施形態之二烷基錫化合物及四烷基二錫氧燒 化合物’較好的是使用藉由以下所說明之步驟(丨)及步驟 (2)方法所製造之二烷基錫化合物及四烷基二錫氧烷化合 物。 步驟(1):藉由選自由具有一個錫原子且具有兩個Sn_Ri 鍵與兩個Sn-OR2鍵之二烷基錫二烷氧化物化合物、及/或 具有一個Sn-O-Sn鍵且各個錫原子具有兩個Sn_Ri鍵與一個 Sn-OR2鍵之四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物所組成之群中 之至少一種烧基錫烧氧化物之烧基歧化反應(鍵結於錫上 之R基之數量為2個即為二院基錫炫氧化物化合物之情形 時’在2分子間進行歧化,鍵結於錫上之Ri基之數量為4個 即為四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物時,在分子内及/或 分子間進行歧化’由此轉化為具有一個Sn_Ri鍵之單烷基 錫烷氧化物化合物與具有三個Sn-R1鍵之三烷基錫烷氧化 物化合物的反應),而生成包含單烷基錫烷氧化物化合物 與三烷基錫烷氧化物化合物之烷基錫組合物,使該烷基錫 組合物與 通式HOX(pKa為〇以上、6.8以下之布忍斯特酸)所表示之 酸、及/或通式XOX(〇X基係〇χ之共軛酸即HOX係pKa為〇 以上、6.8以下之布忍斯特酸的οχ基)所表示之酸酐進行反 應’而製造具有源自該酸及/或該酸酐之基團(〇χ基)的有 機錫化合物之混合物的步驟; 步驟(2):對步驟(1)中所獲得之該有機錫化合物之混合 物進行加熱處理’進行烷基再分配反應,並由該烷基錫組 134987.doc -48- 201008953 合物中之該單烧基錫烧氧化物化合物與三燒基錫烧氧化物 化合物,獲得 選自i)具有一個錫原子,且上述一個錫原子具有兩個Sn_ R^R1表示烷基)鍵與兩個Sn_ox鍵(ox基係OX之共軛酸即 HOX係pKa為0以上、6.8以下之布忍斯特酸的〇Χ基)之二烧 基踢化合物;及 Π)具有一個Sn-O-Sn鍵,且各個錫原子具有兩個Sn-R1鍵 與一個Sn_0X鍵(〇χ基係〇χ之共軛酸即HOX係pKa為〇以 上、6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)之四烷基二錫氧烷化合 物之群中之至少一種烷基錫化合物的步驟。 <烷基歧化反應> 首先,對上述步驟(1)之「炫基錫烧氧化物化合物之燒 基歧化反應」進行說明。 此處所謂烷基錫烷氧化物化合物,係指上述中所說明之 二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧 烷化合物,具體而言,係指下述式(22)所表示之二烷基錫 化合物及/或下述式(23)所表示之四烷基二烷氧基二錫氧燒 化合物。 [化 22] OR2 R1 -Sn-OR2 R1 (22) (式中: R1分別獨立表示源自二烧基錫化合物及/或四烧基二錫 134987.doc -49· 201008953 氧烧化合物的直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷基; r2分別獨立表示源自碳酸酯及/或醇之烴基。) [化 23] OR2 R1 R1
Sn-〇-Sn—R1 (23) L 12 R1 OR2 (式中 ❹ R1分別獨立表示源自四烷基二錫氧烷化合物及/或二烷 基錫化合物的直鏈狀或支鏈狀之碳數為丨〜12之烷基; R表示源自碳酸酯及/或醇之烷基。) 作為上述式(22)所表示之化合物的具體例,可列舉:二 曱基-二甲氧基錫、二甲基_二乙氧基錫、二曱基二丙氧基 錫(各異構物)、二甲基-二丁氧基錫(各異構物)、二甲基二 戊氧基錫(各異構物)、二曱基_二己氧基錫(各異構物)、二 甲基·二庚氧基錫(各異構物)、二曱基-二辛氧基錫(各異構 物)、二甲基-二苯氧基錫、二甲基·二(甲基苯氧基)錫(各異 構物)、三甲基-二(乙基苯氧基)錫、二甲基雙(二甲基苯氧 基)錫(各異構物)、二子基_二(苯基甲氧基)錫二甲基二 (苯基乙氧基)錫(各異構物)、二甲基二(甲基苯基甲氧幻 錫(各異構物)、二丁基-二甲氧基錫(各異構物)、二丁基-二 乙氧基錫(各異構物)、二丁基•二丙氧基錫(各異構物)、二 丁基二丁氧基錫(各異構物)、二丁基-二戊氧基錫(各異構 物)、二丁基-二己氧基錫(各異構物)、二丁基二庚氧基錫 (各異構物)、二路二辛氧基錫(各異構物)、二丁基二苯 134987.doc -50- 201008953 氧基錫(各異構物)、二丁甚-r m « 一 再初)一丁基_—(甲基苯氧基)錫(各異構 乙氧基錫 辛基-二丙氧基錫(各異構物)、二 物)一丁基-_(乙基苯氧基)錫(各異構物卜二丁基雙(二 甲基-苯氧基)錫(各異構物)、二丁基_二(苯基f氧基)錫、 一丁基-二(苯基乙氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(甲基苯 基甲氧基)錫(各異構物)、二辛基_二甲氧基錫、二辛基_二 辛基-二丁 氧基·異構物)、二辛基_二戊氧基錫(各異構物)、二辛 基-二己氧基錫(各異構物)、二辛某-电备# μ • - 一庚軋基錫(各異構 (各異::I 異構物)、二辛基二苯氧基錫 Α )、一辛基-二(甲基苯氧基)錫(各異構物)、二辛 二:(乙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基-雙(二甲基-苯氧 =各異構物)、二辛基-二(苯基甲氧基)錫(各異構物)、 -辛基-一(本基乙氧基)錫(各異構物)、二辛基-二( 基甲氧基)錫(各異構物)等。 作為上述式(23)所表示之化合物的具體例可列舉. # ϋ,3,3·四//_1,3·"乙氧基:錫氧统、U,3,3·四甲基_ ,-—丙氧基二錫氧垸(各異構物)、U,3,3-四甲基_ • 丁氧基二錫氧烧(各異構物〜从四甲基 氧: 二錫氧烧(各異構物)、U,3,3_ 土 燒(各異構物)、U,3,3-四甲基_13 1氣—/乳基二錫氧 異構物)、U,3,3-四甲基…=氧:二錫氧貌(各 物)、U,3,3-四甲基仏二:苯:^氧基二錫氧別各異構 甲基二(甲基苯氧基)二錫氧院、I 基:,: (二甲基苯氧基)二锡氧燒(各異構物…,3-二 134987.doc -51- 201008953 二(乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、M,3,3四甲基i,% 二(苯基甲氧基)二錫氧烷、四甲基2,3二(苯美乙 氧基)二錫氧烷(各異構物)、四甲基_丨,3二(甲基苯 基甲氧基)二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四丁基'3·^乙 氧基二錫氧院(各異構物)、u,3,3•四丁基·U ’ ^ 錫氧燒(各異構物)、 ί各里椹舲、 丞^ —丁氧基二錫氧烷 (各異構物)、u,3,3 構物# 戊巩基-錫虱烷(各異 物)、丨133,, 丁土 _1,3-二己氧基二錫氧烷(各異構 )山3,3-四丁基二庚氧基二錫氧燒(各異構物)、 ,,’四丁基-1,3-二辛氧基二錫氧烷(各異構物)、 上,1,*^,·^"" |Ί 1 _ _,_二(苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 ,,四了基-1,3·二(甲基笨氧基)二錫氧烧(各異構物 1,1,3,3 -四丁 且, 丁基-1,3-雙(二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異構 ,四丁基-1,3·二(乙基苯氧基)二錫氧垸(各異構 ,四丁基_1,3-二(苯基甲氧基)二錫氧烷(各異構 ,四丁基_1,3_二(苯基乙氧基)二錫氧烧(各異構 ^接:’以少四丁基十夂二⑽苯基甲氧基仁錫氧烷仏 異構物^ ,,:3,3-四辛基4,3-二乙氧基二錫氧烷(各異構 )’1’3’3_四辛基-1,3-二丙氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1’3,3-四辛基·13•二丁氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四妄盆 1 ^ 节基-1,3-二戊氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1ί3,3-四 -貧 节丞-1,3-二己氧基二錫氧烷(各異構物)、 四奈龙,. _ 节丞-1,3-二庚氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛其,, ^ 节基-1,3-二辛氧基二錫氧烷(各異構物)、 134987.doc •52· 201008953 U,3,3-四辛基4,3-二(笨氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基“,3-二(甲基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 U,3,3-四辛基13-雙(二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3_四辛基-1,3-二(乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、U,3,3-四辛基-1,3-二(苯基曱氧基)二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基-1,3-二(苯基乙氧基)二錫氧烷(各異構 物)1,1,3,3 -四辛基-1,3- 一(曱基苯基甲氧基)二錫氧烧(各 異構物)等。 如上文所述,已知有機錫化合物一般容易形成締合結 構’例如存在二烷基錫二烷氧化物化合物形成二聚物結構 而存在’或四烧基二院氧基二錫氧烧化合物形成由2分子 或3分子締合而成之梯狀結構而存在的情況,但即使該締 合狀態變化,從業者一般亦以單體結構來表示化合物。 上述步驟(1)之「院基錫烧氧化物化合物之院基歧化反 應」係指下述反應:當鍵結於錫上之2個Ri基(Rl表示烧基) 之數置為2即為·一烧基錫一烧氧化物化合物時,在2分子間 進行歧化,當R1基之數量為4即為四烧基二烧氧基二錫氧 燒化合物時,在分子内及/或分子間進行歧化,由此轉化 為具有一個Sn-R1鍵之單烷基錫烷氧化物化合物、與具有 二個Sn-R1鍵之三烷基錫烷氧化物化合物。 例如可推測:當為四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物時, 會產生下述式(24)所示之烷基歧化反應;當為二烷基錫二 燒氧化物化合物時,會產生下述式(25)所示之烷基歧化反 應0 134987.doc •53- 201008953 [化 24]
OR' OR, 2 OR, OR'
(2 4) (2 5) (式中: R及R分別獨立表示直鏈狀或分支狀之碳數為卜以之烷 基。) 關於該烷基歧化反應中之所有產物,難以鑑定其結構, 但產物之至少一種為下述所示之三烷基錫烷氧化物化合 物。例如,該烷基歧化反應中,下述式(26)所表示之三烷 基錫烷氧化物化合物,相對於二烷基錫二烷氧化物化合物 及/或四院基二烷氧基二錫氧烷化合物之減少量,以化學 計量比計大致生成一半左右之情況較多。本實施形態中之 二烧基錫院氧化物化合物具有三個Sn_Ri鍵,該烷基Ri係 源自二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二 錫氧烧化合物之烧基。 [化 25] (式中
(26) R分別獨立表示源自二烷基錫二烷氧化物化合物及/或 134987.doc •54- 201008953 四烧基一烧氧基二錫氧炫化合物之炫基; 2 R表示源自二烧基錫二院氧化物化合物及/或四燒基一 烧氧基二錫氧烧化合物之烧基。) 作為上述式(26)所表示之三烷基錫烷氧化物化合物的例 子,可列舉:三甲基-曱氧基錫、三曱基_乙氧基錫、三甲 基-丙氧基錫(各異構物)、三曱基-丁氧基錫(各異構物)、三 • 曱基-戊氧基錫(各異構物)、三甲基-己氧基錫(各異構物)、 二甲基-庚氧基錫(各異構物)、三甲基-辛氧基錫(各異構 ❹ 物)、丁基-二曱基-曱氧基錫(各異構物)、丁基_二曱基-乙 氧基錫(各異構物)、丁基-二甲基_丙氧基錫(各異構物卜丁 基-二甲基-丁氧基錫(各異構物)、丁基_二甲基_戊氧基錫 (各異構物)、丁基·二曱基-己氧基錫(各異構物)、丁基-二 甲基-庚氧基錫(各異構物)、丁基-二甲基_辛氧基錫(各異構 物)、丁基-二曱基·壬氧基錫(各異構物)、丁基二甲基癸 氧基錫(各異構物)、二丁基_f基_甲氧基錫、二丁基-甲基'_ ❹乙氧基錫(各異構物)、二丁基-甲基-丙氧基錫(各異構物)、 一丁基-甲基-丁氧基錫(各異構物)、二丁基甲基·戊氧基錫 - (各異構物)、二丁基-甲基-己氧基錫(各異構物)、二丁基_ - 甲基-庚氧基錫(各異構物)、二丁基-甲基-辛氧基錫(各異構 物)、丁基-二乙基-甲氧基錫(各異構物)、丁基-二乙基-乙 氧基錫(各異構物)、丁基_二乙基_丙氧基錫(各異構物)、丁 基-二乙基-丁氧基錫(各異構物)、丁基_二乙基_戊氧基錫 (各異構物)、丁基-二乙基-己氧基錫(各異構物)、丁基__ 乙基-庚氧基錫(各異構物)、丁基_二乙基_辛氧基錫(各 I34987.doc •55· 201008953 物)、二丁基-乙基-甲氧基錫(各異構物)、二丁基·乙基-乙 氧基錫(各異構物)、二丁基_乙基_丙氧基錫(各異構物)、二 丁基-乙基-丁氧基錫(各異構物)、二丁基_乙基_戊氧基錫 (各異構物)、二丁基_乙基_己氧基錫(各異構物)、二丁基_ 乙基-庚氧基錫(各異構物)、三丁基_乙基_辛氧基錫(各異構 物)、丁基-二丙基-甲氧基錫(各異構物)、丁基·二丙基-乙 氧基錫(各異構物)、丁基.二丙基-丙氧基錫(各異構物)、丁 基-二丙基-丁氧基錫(各異構物)、丁基_二丙基·戊氧基錫 (各異構物)、丁基-二丙基_己氧基錫(各異構物卜丁基-二 丙基-庚氧基錫(各異構物)、丁基·二丙基辛氧基錫(各⑽ 物)、二丁基·丙基-甲氧基錫(各異構物)、二丁基丙基乙 氧基錫(各異構物)、二丁基_丙基_丙氧基錫(各異構物)土、二 Γ各基異=丁氧基錫(各異構物)、二丁基·丙基'戊氧基踢 、冓物)、一丁基-丙基-己氧基錫(各異構物)、二丁 Λ 2基-庚氧基錫(各異構物)、二丁基_丙基_辛氧基锡(各異土構 物)、二丁基-甲氧基錫、三丁基·乙氧基錫、 基錫(各異構物)、三丁基丁氧基錫(各異構物二:基丙: 乳基錫(各異構物)、三丁基-己氧基錫(各異構物)、三丁農 庚乳基錫(各異構物)、三丁基·辛氧基錫(各 土 二甲基-甲氧基錫(各異構物)、辛 、基- 構物)、辛Α -甲h “ 氧基錫(各異 辛土 一甲基-丙氧基錫(各異構物)
丁氧基錫(各異構物)、辛基·二甲基.戍氧 土-H 辛基·二甲基·己氧基錫(各異構物)、辛基-二甲基二構物)、 (各異構物)、辛基-二甲基_辛氧基錫(各異構物)、辛:: I34987.doc -56 - 201008953 甲基壬氧基錫(各異構物)、辛基·二甲基-癸氧基錫(各異構 物)、二辛基-甲基-甲氧基錫(各異構物)、二辛基-甲基-乙 氧基錫(各異構物)、二辛基-甲基-丙氧基錫(各異構物)土、二 辛基-曱基-丁氧基錫(各異構物)、二辛基_甲基-戊氧基 (各異構物)、二辛基.甲基_己氧基錫(各異構物)、二辛芙 基=基錫(各異_、二辛基-甲基-辛_各異; )辛基-一乙基-甲氧基錫(各異構物)、辛基_二乙基-乙 氧基錫(各異構物)、辛基-二乙基丙氧基錫(各異構物)土、辛 广各 氧基錫(各異構物)、辛基-二乙基-戍氧基錫 、)、辛基-二乙基-己氧基錫(各異構物)、辛基_二 乙基-庚氧基錫(各異構物)' 辛基_二乙基_辛氧基錫(各異: 物)、二辛基-乙基-甲氧基錫(各異構物)、二辛基乙基·乙 氧基錫(各異構物)、二辛基-乙基_丙氧基錫(各異構物)、二 Γ各基異=:丁氧基錫(各異構物)、二辛基乙基-戊氧基: 構物)、一辛基-乙基-己氧基錫(各異構物)、二辛基 乙基.庚氧基錫(各異構物)、二辛基·乙基_辛氧基錫(各異構 物)' 辛基·二丙基·甲氧基锡(各異構物)、辛基-二丙基-乙 氧基錫(各異構物)、辛基_二丙基-丙氧基錫(各異構物)、辛 基-二丙基·丁氧基錫(各異構物)、辛基-二丙基-戊氧基錫 (各異構物)、辛基-二丙基_己氧基錫(各異構物)、辛基-二 丙基-庚氧基錫(各異構物)、辛基-二丙基_辛氧基錫(各異構 物)、一辛基-丙基-甲氧基錫(各異構物)、二辛基-丙基-乙 氧基錫(各異構物)、二辛基_丙基-丙氧基⑽異_、二 辛基-丙基.丁氧基錫(各異構物)、二辛基_丙基·戊氧基錫 134987.doc -57- 201008953 (各異構物)'二辛基_丙基·己氧基錫(各異構物)、二辛 丙基-庚氧基錫(各異構物)、^辛基_丙基_辛氧基錫(各異構 物)、辛基-二丁基-甲氧基錫(各異構物)、辛基_二丁美乙 氧基錫(各異構物)、辛基-二丁基_丙氧基錫(各異構物二: 基一丁基-丁氧基錫(各異構物)、辛基·二丁基_戊氧 (各異構物)、辛基-二丁基-己氧基錫(各異構物)、辛基·二 丁基-庚氧基錫(各異構物)、辛基二丁基辛氧基錫(各異構 物)、二辛基-丁基_甲氧基錫(各異構物)'二辛基丁基乙 氧基錫(各異構物)、二辛基_丁基丙氧基錫(各異構物)、二 辛基-丁基-丁氧基錫(各異構物)、二辛基丁基戊氧基錫 (各異構物)、二辛基-丁基_己氧基錫(各異構物)、二辛基· 丁基-庚氧基錫(各異構物)、二辛基-丁基_辛氧基錫(各異構 物)一辛基-甲氧基錫(各異構物)、三辛基-乙氧基錫、三 辛基-丙氧基錫(各異構物)、三辛基_丁氧基錫(各異構物)、 三辛基-戊氧基錫(各異構物)、三辛基_己氧基錫(各異構 物)、三辛基-庚氧基錫(各異構物)、三辛基·辛氧基錫(各異 構物)等三烷基-烷氧基錫。 ' 如上述所示,由於烷基歧化反應中生成三烷基錫烷氧化 物化合物,因此若考慮到烷基之平衡,則推測如上述式 (22)及/或上述式(23)中所示,在生成上述三烷基錫烷氧化 物化合物之同時,會生成具有一個811_;^鍵之單烷基錫烷 氧化物化合物。作為該單烷基錫烷氧化物化合物,可例 示:曱基-曱氧基錫氧化物、甲基-乙氧基錫氧化物、曱基_ 丙氧基錫氧化物(各異構物)、甲基_丁氧基錫氧化物(各異 134987.doc -58 - 201008953 構物)、甲基-戊氧基錫氧化物(各異構物)、甲基己氧基锡 =化物(各異構物)、甲基_庚氧基錫氧化物(各異構物卜甲 ^辛氧基錫氧化物(各異構物)、丁基_甲氧基錫氧 異構物)、丁基-乙氧基錫氧化物(各異構物)、丁基-丙氧A 錫氧化物(各異構物)、丁基丁氧基錫氧化物(各異構物): 丁基-戊氧基錫氧化物(各異構物)、丁基_己氧基錫氧化物 (各異構物)、丁基庚氧基錫氧化物(各異構物)、丁基_ ❿ ❹ 基錫氧化物(各異構物)、辛基·甲氧基錫氧化物(各異構 物”辛基-乙氧基錫氧化物(各異構物)、辛基丙氧基錫氧 化物(各異構物)、辛基-丁氧基錫氧化物(各異構物)、辛基 戊氧基錫氧化物(各異構物)、辛基·己氧基錫氧化物(各異 構物)、辛基-庚氧基錫氧化物(各異構物)、辛基-辛氧基錫 氧化物(各異構物)等單烧基燒氧基錫氧化物;甲基·三甲氧 基錫、甲基-三乙氧基錫、甲基_三丙氧基錫(各異構物)、 曱基-二丁乳基錫(各異構物)、甲基_三戊氧基錫(各異構 物)、甲基-三己氧基錫(各異構物)、甲基_三庚氧基錫(各異 構物)、甲基-三辛氧基錫(各異構物)、丁基-三f氧基錫(各 異構物)、丁基-三乙氧基錫(各異構物)、丁基_三丙氧基錫 (各異構物)、丁基-三丁氧基錫(各異構物)、丁基·三戊氧基 錫(各異構物)、丁基-三己氧基錫(各異構物)、丁基·三庚氧 基錫(各異構物)、丁基_三辛氧基錫(各異構物)、辛基-三甲 氧基錫(各異構物)、辛基-三乙氧基錫(各異構物)、辛基二 丙氧基錫(各異構物)、辛基-三丁氧基錫(各異構物)、辛基-_ 三戊氧基錫(各異構物)、辛基-三己氧基錫(各異構物)、辛 134987.doc -59· 201008953 基-三庚氧基錫(各異構物)、辛基_三辛氧基錫(各異構物)等 單烷基-三烷氧基錫等。 關於該單烷基錫烷氧化物化合物,難以鑑定其結構,但 除了上述之「具有一個Sn-R1鍵」以外,可藉由mSnNMR 中之化學位移來確定其特徵。即,具有下述特徵:藉由二 烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷 化合物之烷基歧化反應所生成的化合物之至少一種為單烷 基錫烷氧化物化合物,該單烷基錫烷氧化物化合物在氘化 氣仿溶液中藉由n9Sn-NMR進行分析時,以四甲基錫為基 準,檢測出在-220〜-610 ppm中顯示出化學位移之錫原 子。 即’該烧基歧化反應所產生之產物係具有三個Sn_Rl鍵 之二烧基錫院氧化物化合物、及具有一個Sn_Ri鍵之單烧 基錫烷氧化物化合物,且該單烷基錫烷氧化物化合物含有 在;ίΐΐ化氣仿溶液中藉由n9Sn-NMR進行分析時,以四甲基 錫為基準,在-220〜-610 ppm中顯示出化學位移的踢原 子。本實施形態中,將包含該等三烷基錫烷氧化物化合物 及單烧基錫烷氧化物化合物之組合物稱作「烷基錫組合 物j。 上述式(22)所表示之二烷基錫二烷氧化物化合物及/或上 述式(2 3)所表示之四烧基二焼氧基二錫氧院化合物,在較 多情形時具有在氘化氣仿溶液中,藉由119Sn-NMR進行分 析時’以四甲基錫為基準’在200〜-200 ppm中顯示出化學 位移的錫原子’並且二烷基錫二垸氧化物化合物及/或四 134987.doc -60· 201008953 烷基二烷氧基二錫氧烷化合物之烷基歧化反應之結果為, 檢測出上述在-220 ppm〜-610 ppm之範圍内顯示出化學位 移之錫原子。在多數情況下,由烷基歧化反應所生成之產 物在該-220…610 ppm之範圍内具有複數個訊號,因此推 測烷基歧化反應所產生之產物中,不僅含有式(24)及/或式 (25)所例示之單烷基烷氧基錫氧化物、單烷基錫三烷氧基 錫’較多情形時亦含有其他結構。如此,由烧基歧化反應 所生成之產物係由結構不明之化合物所組成,但該等結構 不明之化合物包含於步驟(1)中所使用之烷基錫組合物中並 無問題。又,烷基錫組合物含有二烷基錫二烷氧化物化合 物及/或四烧基一烧氧基二錫氧烧化合物亦無問題。 可推測.二烧基錫二烧氧化物化合物及/或四烧基二院 氧基二錫氧烧化合物在燒基歧化反應中所生成的產物亦容 易形成上述例以外之結構。進而,藉由形成二錫氧烷骨 架’亦可生成包含在錫上鍵結有2個烷基之單元、與在錫 上鍵結有2以外之整數個烷基之單元的化合物。將由烷基 歧化反應所生成之產物的推測結構與上述例一併示於如 下。 [化 26] R13—Sn-OR2 R13—Sn~0一Sn-R13 Ri R2〇-Sn-〇R2 OR2
134987.doc -6U 201008953 OR2 OR2 OR2 R1-Sn^a 、I 1 Sn-R1 R1-Jn〆。 OR2 OR2 OR2 R1 OR2 R1 R1-Sn/〇、sn-Ri pi J/〇 R’一Sn OR2 OR2 OR2 \ Sn-R13 、Sn-R1, (27) (式中: R1分別獨立表示源自二烷基錫二烷氧化物化合物及/或 四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物之烷基; R2分別獨立表示源自二烷基錫二烷氧化物化合物及/或 四院基一炫·氧基二錫氧烧化合物之院基。) 如上述所示’本實施形態之烷基錫組合物係包含三烷基 錫烧氧化物化合物與單烷基錫烷氧化物化合物之組合物, 但可為僅包含三烷基錫烷氧化物化合物與單烷基錫烷氧化 物化合物之組合物’亦可包含四烧基二院氧基二錫氡烧化 合物及/或一烧基錫二炫1氧化物化合物。又,亦可含有上 述由烧基歧化反應所生成之產物。 本實施形態中可較好地使用的烷基錫組合物係如下之組 合物:相對於該烧基錫組合物中所含有之所有錫原子的莫 耳數,以莫耳表示烷基錫組合物中之鍵結於錫原子上之 院基個數為2以外之化合物的含量,而含有1〇 m〇i%以上, 較好的是含有30 mol%以上,更好的是含有5〇m〇1%以上之 燒基錫組合物。 該烷基錫組合物根據情況有時亦包含二烷基錫二烷氧化 物化合物、四烧基二烧氧基二錫氧院化合物、四烧基錫、 134987.doc •62- 201008953 六烷基二錫氧烷、氧化錫(Sn02)等,並且可在不違反本發 明之主旨的程度下含有該等化合物。 又,亦可使用自烷基錫組合物將包含三烷基錫烷氧化物 化合物之組合物、與包含單烷基錫烷氧化物化合物之組合 物分離而成的組合物。作為該分離方法,可使用各種公知 之方法。例如可使用選自蒸餾分離、萃取分離、膜分離中 之至少一種方法’其中可較好地使用蒸餾分離之方法。 步驟(1)係下述步驟:使上述烷基錫組合物與通式Ηοχ (pKa為0以上、6.8以下之布忍斯特酸)所表示之酸、及/或 通式XOX(OX基係OX之共軛酸即HOX係pKa為0以上、6.8 以下之布忍斯特酸的OX基)所表示之酸酐進行反應,而製 造具有源自該酸及/或該酸酐之基團(OX基)的有機錫化合 物之混合物。 步驟(1)中’作為通式HOX所表示之酸,可較好地使用 有機酸。作為有機酸’可例示:緩酸、續酸、苯紛等,較 好的是使用羧酸。作為羧酸’例如可列舉:甲酸、乙酸、 丙酸、正丁酸、異丁酸、戊酸、異戊酸、2_甲基丁酸、三 甲基乙酸、己酸、異己酸、2-乙基丁酸、2,2_二甲基丁 酸、庚酸(各異構物)、辛酸(各異構物)、壬酸(各異構物)、 癸酸(各異構物)、十一烷酸(各異構物)、十二烷酸(各異構 物)、十四烷酸(各異構物)、十六烷酸(各異構物)、丙烯 酸、丁烯酸、異丁烯酸、乙烯基乙酸、曱基丙烯酸、當歸 酸、順至酸、烯丙基乙酸、十一烯酸(各異構物)等飽和或 不飽和脂肪族單叛酸化合物;乙二酸、丙二酸、 134987.doc •63· 201008953 戊二酸、己二酸、庚二酸(各異構物)、辛二酸(各異構 物)、壬二酸(各異構物)、癸二酸(各異構物)、順丁稀二 酸、反丁烯二酸、甲基順丁烯二酸、甲基反丁烯二酸、戊 烯二酸(各異構物)、亞甲基丁二酸、烯丙基丙二酸等飽和 或不餘和脂肪族二羧酸·,1,2,3-丙烷三甲酸、υ,%丙烯三 曱酸、2,3-二甲基丁烷4,2,3-三甲酸等飽和或不飽和脂肪 族三羧酸化合物;苯曱酸、甲基苯曱酸(各異構物)、乙基 苯曱酸(各異構物)、丙基苯甲酸(各異構物)、二甲基苯曱 酸(各異構物)、三甲基苯曱酸(各異構物)等芳香族單羧酸 化0物,鄰本一甲酸、間苯二曱酸、對苯二甲酸、甲基間 本甲酸(各異構物)等芳香族二緩酸化合物;ι,2,3_苯三甲 酸、1,2,4-苯三甲酸、l53,5•苯三甲酸等芳香族三羧酸化合 物等。該等緩酸中,可較好地使用飽和單繞酸。更好的是 使用標準沸點為3〇〇t以下之飽和單羧酸,更好的是使用 標=彿點為25代以下之飽和單叛酸。所謂標準彿點如 ❿ 化學大辭典(共立出版股份有限公司、2003年1()月i日發行) 之記載所示,係指在1個氣壓下之沸點。具體而言,可較 好地使用乙酸、 丙酸正丁酸、異丁酸、戊酸、異戊酸、 2-甲基丁酸、三甲基乙酸、己酸。 又,步驟(1)中,作為通式χ〇χ所表示之酸軒,可列 酸酐6酸酐、丁酸酐、異丁酸酐、戊酸酐、異戊 酸軒丁 —酸軒、順了烯二㈣、丙二酸軒、戊二酸針等 脂肪族肝;苯甲酸肝、鄰苯二甲酸奸、均笨四甲酸針等芳 香族酸肝°該等中’較好的是使用標準沸點為3G(TC以下 134987.doc -64 - 201008953 之酸酐,由於反應後可容易地去除過剩之酸酐,故而更好 的是使用標準沸點為200。(:以下之酸酐。進而,就可容易 地將所產生之副產物羧酸酯等排出至系統外,並且在工業 上可容易地獲得方面而言,較好的是順丁烯二酸酐、乙酸 針。 該等酸及酸酐可單獨使用,亦可混合使用複數種,使用 酸時,使烷基錫組合物與酸進行反應時,會生成水之情形 較多。為了去除該水,亦可進行蒸餾分離或膜分離,或使 ^ 用脫水劑。又,作為脫水劑,較好的是組合使用酸酐者。 進而’僅使用酸酐時’烷基錫組合物與乙酸酐之反應中不 生成水之情形較多,因此僅使用酸酐之方法亦較好。 對步驟(1)中之反應進行說明。 考慮到步驟(1)中之反應速度或最終有機錫化合物之混 合物(後文加以詳細說明)之產率,酸及/或酸酐之使用量相 對於烷基錫組合物中所含有之錫原子,以化學計量比計, Φ 較好的是使用ο·1〜50倍之範圍;若考慮到反應器之大小、 或反應速度,更好的是使用0.5〜20倍之範圍。酸及/或酸酐 之使用量以化學計量比計而少於0.1時,存在難以進行反 應之情形;相反,以化學計量比計,即使使用大於5〇倍 時’不會影響該步驟中之反應速度或最終有機錫化合物之 產率的情況亦較多。 步驟(1)之反應較好的是在-20eC以上、300°C以下之反應 皿度下實施’更好的是在-1 〇°C以上、25(TC以下之反應溫 度下實施’為了提高反應速度,反應溫度較好的是高溫, 134987.doc -65- 201008953 但另一方面,亦存在高溫下會引起分解等(例如,鍵結於 錫上之烷基脫離為烷烴或烯烴之反應)不良反應的情況, 亦會導致產率降低,因此更好的是在ot:以上、23〇它以下 之反應溫度下實施反應。又,步驟(1)之反應較好的是在氬 氣、氖氣、氮氣等惰性氣體之環境下進行。 步驟(1)中無需使用溶媒,但為了提高流動性、或使反 應操作變得容易、或在反應中生成水時將該水有效地排出 至反應體系外,亦可使用溶媒。作為該溶媒,例如可列 舉:碳數為5〜16之直鏈狀、分支狀、環狀之烴;包含碳數 為4〜16之直鏈狀、分支狀、環狀之烴的醚類;碳數為卜“ 之直鏈狀、分支狀、環狀之鹵代烴類等。具體而言,可使 用選自戊烷(各異構物)、己烷(各異構物)、庚烷(各異構 物)、辛烷(各異構物)、壬烷(各異構物)、癸烷(各異構 物)、十六烷(各異構物)、環己烷、環庚烷、環辛烷、苯、 甲本、一甲本(各異構物)、乙基苯等中的鍵狀、環狀之 烴;選自乙醚、丙醚(各異構物)、丁醚(各異構物)、己醚 (各異構物)、辛謎(各異構物)、苯醚等中的醚類;選自二 氯甲烷、氣仿、四氯化碳、氣苯、四氣乙烷、二氣苯(異 構物)等中的鹵代烴類。該等溶媒可單獨使用,亦可以兩 種以上之混合物之形式使用。 如下所述’步驟(2)之烷基再分配反應係平衡反應,根 據平衡反應之一般性質’較好的是以高濃度(例如,相對 於烷基錫組合物之所有錫原子之莫耳數,將單烷基錫烷氧 化物化合物及三烧基錫烧氧化物化合物之含量以莫耳%表 134987.doc •66· 201008953 不,而含有10 mol%以上,較好的是含有3〇 m〇1%以上更 好的是含有50 mol%以上的烷基錫組合物)使用將單烷基錫 烷氧化物化合物及三烷基錫烷氧化物化合物蓄積及/或濃 縮而成的烷基錫組合物,進行步驟(1)之反應,而進行步驟 (2)之烧基再分配反應。 <自烷基錫組合物中分離三烷基錫烷氧化物化合物之情形> 在實施步驟(1)之前,亦可自烷基錫組合物中分離包含 二烷基錫烷氧化物化合物之組合物、與包含單烷基錫烷氧 化物化合物之組合物。再者,自烧基錫組合物中分離包含 二烷基錫烷氧化物化合物之組合物、與包含單烷基錫烷氧 化物化合物之組合物時,可使各個組合物在不同溫度條件 下與酸及/或酸酐進行反應。 該分離可使用蒸餾分離、晶析、膜分離、過濾、溶媒萃 取等各種公知方法,較好的是藉由蒸餾分離實施分離。 <未反應物、副產物之去除> 步驟(1)中所獲得之有機錫化合物之混合物,亦可直接 用作步驟(2)之原料;亦可將未反應之酸及/或酸酐、及/或 由反應所生成之不含有錫原子之有機化合物等去除後,再 用作步驟(2)之原料。較好的是將未反應之酸及/或酸肝去 除後再用作步驟(2)之原料。其原因在於:若不去除未反應 之酸及/或酸酐而進行步驟(2),則產生下述之脫烷基反應 之情形較多,而所生成之二烷基錫化合物及/或四烷基二 錫氧烷化合物之產量會因該脫烷基反應而降低。作為未反 應之酸及/或酸酐、及/或由反應所生成之不含有錫原子之 134987.doc •67- 201008953 有機化合物之去除方法,可使用過濾、蒸餾分離、膜分 離、晶析、溶媒萃取等公知方法。 又,在該步驟(1)及/或去除未反應之酸及/或酸酐之操作 中’存在同時產生下述之脫烷基反應的情況,但若在本實 施形態之主旨的範圍内則無妨。 進而,在步驟(1)中,存在生成包含錫原子之固體狀化 合物的情況。本發明者等人經研究後發現:例如使烷基錫 組合物與乙酸進行反應時,存在根據烷基錫組合物所含有 之化合物或反應條件等,而生成具有昇華性之白色固體的 情況。根據NMR(nUclear magnetic res〇nance,核磁共掁) 分析等的結果推測該白色固體為2價之二乙醯氧基錫對 於該化合物,可自步驟(1)中所獲得之混合物中去除後再進 行步驟(2),亦可不去除該化合物而進行步驟(2)。 又,根據该步驟(1)之反應條件,存在於該步驟〇)中除 了生成具有源自該酸及/或該酸酐之基(〇χ基)之有機錫化 合物之混合物以外,亦生成源自烷基錫組合物所含有之烷 氧基之醇的情況,較好的是將該醇分離回收。所回收之醇 可用作本實施形態之其他步驟中之醇(例如,式(17)、式 (18)、式(36)之醇)。作為將該醇分離回收之方法,可使用 蒸館分離、膜分離等公知方法’較好的是蒸餾分離。 使酸及/或酸酐與烷基錫組合物進行反應後,利用蒸餾 將所生成之副產物醇分離回收的溫度,較好的是 0C〜100C之範圍,更好的是(TC〜8(rc之範圍。在高溫下 存在引起分解、或酸與醇之脫水縮合反應的情況,而存在 134987.doc •68- 201008953 所回收之醇之產率降低的情況;在低溫下,存在有機錫化 合物成為固體而導致流動性惡化的情況,因此更好的是在 20。(:〜60°C之範圍内實施反應。壓力根據所使用之化合物 之種類或反應溫度等而有所不同,較好的是在1 Pa〜1 MPa 之範圍内實施反應,更好的是在1〇 pa〜1〇 kpa之範圍内實 施反應。若壓力較鬲,則存在將醇蒸館分離之時間變長, 引起酸與酵之脫水縮合反應的情況,而存在所回收之醇之 產率降低的情況,因此更好的是在丨〇 Pbi kPa之範圍内實 β 施反應。 藉由蒸餾將醇回收之操作,亦可在酸及/或酸酐與烷基 錫組合物之反應操作結束後進行,亦可和酸及/或酸酐與 烧基錫組合物之反應同時進行。 酸及/或酸酐與⑨基錫、组合物之反應、、及醇之分離回收 中所使用之反應器並無特別限制,可使用公知之反應器。 例如可適當組合使用授拌槽、加壓式㈣槽、減壓式授掉 眷槽4型反應器、蒸館塔、填充塔、薄膜蒸德器等先前公 知之反應器。反應器之材質亦無特別限制,可使用公知之 材質。例如可使用玻璃製、不鏽鋼製、碳鋼製、赫史特合 金製、或對基材施加玻璃襯裡而成者、或塗佈鐵氟龍 (Teflon)(註冊商標)者。亦存在由酸所引起之錢因步驟或 條件而變得顯著的情況,因此於該情形時,亦可適當選用 玻璃製或施加玻墙雜Ϊ細 ... 裡、塗佈鐵氟龍(Teflon)(註冊商標) 者,或選用赫史特合金製反應器。 <有機錫化合物> 134987.doc -69- 201008953 此處,對由Jt. /-is 7驟(1)之反應所生成之有機錫化合物之混 合物進行說明。 本實施形皞Φ 4 「丄 /1甲之「有機錫化合物」係指由步驟(1)之反 應所生成之具有源自該酸及/或酸酐之基團(OX基)的有機 錫化合物。如上述所示,步驟(1)之原料即烷基錫化合物含 有上述式(25)所表示之三烷基錫烷氧化物化合物,利用該 二烧基錫烧氧化物化合物’藉由步驟(1)之反應,來生成具 有3個Sn_Rl鍵(Rl表示烷基)且具有一個Sn-OX鍵(OX表示源 自酸及/或酸酐之基)之化合物。具體而言,係下述式(28) 所表示之化合物。 [化 27] ox (式中
R>V (28) R1分別獨立表示烷基; X表示源自酸及/或酸酐之基團; 0表不氧原子。) 另一方面’利用上述單烷基錫烷氧化物化合物,藉由步 驟(1)之反應’來生成具有一個Sn-R1鍵且具有1〜3個Sn-OX 基之化合物。如上文所述:單烷基錫烷氧化物化合物具有 在氘化氣仿溶液中藉由119Sn-NMR進行分析時,以四曱基 錫為基準而在200〜-200 ppm中顯示出化學位移的錫原子, 難以對該等化合物之結構加以完全鏗定。因此,對於由該 等單烧基錫烧氧化物化合物所生成之化合物,亦難以鐘定 134987.doc -70^ 201008953 全部結構。然而,單烧基錫烧氧化物化合物、與酸及/或 酸酐之反應,較多情形主要係1)將單烷基錫烷氧化物化合 物之Sn-OR2鍵之R2〇基取代為XO基之反應、及2) sn_〇-Sn 所表示之二錫氧烧鍵裂解而生成Sn-OX鍵之反應組合而成 的反應之情形較多,並且生成下述式(29)所表示之化合物 之情形較多。 [化 28]
(式中: R1分別獨立表示烷基, X表不源自酸及/或酸酐之基團; Ο表示氧原子。) 又’如上述所示’推測由二烷基錫二烷氧化物化合物及/ 或四烧基一燒氧基二錫氧烧化合物之烧基歧化反應所生成 之產物具有各種結構’作為由烷基歧化反應所生成之產 物’推測為上述式(27)所表示之結構之化合物。亦推測該 等如上述式(27)之化合物在步驟(1)中與酸及/或酸酐進行 反應,例如進行下述式(30)所表示之反應。 [化 29] 134987.doc -71- 201008953 R13—Sn-〇R2# 驟⑴._ r13—sn-OX R13—Sn-〇-Sn-Ri3 .步驟 C〇 _ 2 r、—Sn_ox R13—Sn-0—Sn-R1,步驟(0 R13—Sn-0—Sn~R1 R1Ή:0)· OR2 '
亦存在不發生反應之情況 步驟CO (3〇) *Sn—〇-OR2 y 步驟α)
R1 I XO-Sn-OX I OX
Ri
OX OX 2 务十 Rl_sl,sln_Rl ix
OX (式中: R1及R2與式(27)中之定義相同 〇表示氧原子。) <步驟(2)> 其次’對步驟(2)進行說明。 步驟(2)係如下之步驟:對步驟〇)中所獲得之該有機錫 化合物之混合物進行加熱處理,進行烷基再分配反應,利 用該烷基錫組合物中之該單烷基錫烷氧化物化合物與三烷 基錫烧氧化物化合物, 獲得選自i)具有一個錫原子,且上述一個錫原子具有兩 個Sn-R (R1表不烷基)鍵與兩個Sn_〇x鍵⑴χ基係〇χ之共軛 酸即HOX係pKa為〇以上、6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)之 二院基錫化合物,及 Π)具有一個Sn-〇-Sn鍵,且各個錫原子具有兩個“-…鍵 與一個Sn-OX鍵(0X基係OX之共軛酸即Η〇χ係?1^為〇以 134987.doc -72- 201008953 上6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)之四烷基二錫氧烷化合 物之群中的至少一種烷基錫化合物。 此處之烷基再分配反應,係指使鍵結於丨個錫原子上之 燒基數量為2以上之不同的兩種以上的有機錫化合物進行 反應,使鍵結於1個錫原子上之烷基數量平均化之反應, 該烷基再分配反應係平衡反應。詳細反應機理不明,推測 為.如下述式(31)所示,藉由鍵結於丨個錫原子上之烷基為 3個之有機錫化合物、與鍵結於〖個錫原子上之烷基為“固 之有機錫化合物的反應,而生成鍵結於〗個錫原子上之烷 基為2個之有機錫化合物。 [化 30] R1
R1 2 R1-Sn-〇X OX (31) R1
R~S|n~R1 + XO-Sn-OX OX OX (式中:
Rl分別獨立表示烷基, x表示源自酸及/或酸酐之基團; 〇表示氧原子。) 該烷基再分配反應係藉由對鍵結於丨個錫原子上之烷基 數量為2以上之不同的兩種以上之有機錫化合物之混合物 進行加熱處理而進行。 該加熱處理較好的是在2(rc〜300t之溫度範圍内進行, 欲快速反應時、或欲獲得更高之二烷基體(具有2個_ 134987.doc •73- 201008953 鍵之錫化合物)之遭度時’為了使平衡偏向右側,反應溫 度較高時較為有利,更好的是贼〜赋,為了提高反應 速度,較好的是加熱處理溫度為高溫,但另一方面,亦存 在於…皿下亦引起分解等不良反應的情況,而導致產率降 低,因此更好的是在8(rc 〜26〇<t之溫度範圍内進行加熱處 理。低於2(TC之較低溫度時,存在反應時間變長之情況; 南於300°C時’存在由於分解等有機錫化合物之改質,而 導致二烷基錫化合物之產率降低之情況。反應時間根據所 使用之化合物、或加熱處理溫度而有所不同,宜為 0.001 50小時’較好的是〇 〇1〜1〇小時;若考慮到工業生產 性’則以反應時間達到0.W小時之方式來設定反應溫度 等而進行。可藉由n9Sn_NMR等確認獲得所需之二烷基錫 化合物後結束反應。如下述所示,推測本實施形態之烧基 再分配反應為平衡反應’為了以高於反應系之濃度來獲得 鍵結於1個錫原子上之烷基為2個之錫化合物,可根據不同 溫度來測定所使用之化合物的平衡濃度,並在生成系之濃 度尚於反應系的溫度區域内實施反應,或藉由下述方法來 轉換取代基,以使生成系中的二烷基錫化合物濃度增高。 又,在高溫(例如,150。(:以上)下進行加熱處理時,存在反 應後冷卻需要時間及二烧基錫化合物之產帛降低的情況。 其原因在於.反應系在冷卻過程中接近低溫下之平衡濃 度,因此較好的是在高溫下加熱處理後迅速進行冷卻。反 應液之冷卻方法可較好地使用公知方法,例如可較好地使 用利用鹽水之方法、或向壓力低於加熱處理槽之反應器中 134987.doc •74- 201008953 急速冷卻之方法等。 該烷基再分配反應可在金屬齒化物觸媒存在下亦可在 無觸媒存在下進行。作為金屬ώ化物觸媒之例子,可列 舉:氣化錫(π)、氯化汞(11)、氯化錯(11)、氣化果(11)、氣 化鉛(II)、氟化錫(Π)、碘化錫(11)、碘化鉛(ΪΙ)碘化汞 (II)、漠化錫(II)、漠化汞(„)、漢化紹(11)等,該等金屬齒 化物可單獨使用’亦可以兩種以上之混合物之形式使用。 該等金屬齒化物相對於熱處理中所使用之溶液可在01 重量%〜1〇重量。/〇之範圍内適當使用。 該燒基再分配反應中無需使用溶媒,但為了提高流動 性、或使反應操作變得容易’亦可使用溶I作為該溶 媒:例如可列舉:碳數為5〜16之直鍵狀、分支狀、環狀之 烴’包含碳數為4〜16之直鏈狀、分支狀、環狀之煙㈣ 類,碳數為1〜16之直鏈狀、分支狀、環狀之#代烴類等。 你而口可使用選自戊烧(各異構物)、己燒(各異構 =、庚燒(各異構物)、辛烧(各異構物)、壬炫(各異構 院、:垸(各異構物)' 十六炫(各異構物)' 環己炫、環庚 、元本甲本、—甲苯(各異構物)、乙基苯等中 異構物、、環狀之烴’選自乙醚、丙醚(各異構物)、丁醚(各 ㈣1自㈣(各異構物)、辛醚(各異構物)'笨喊等中的 烷、二二一氣甲烷、氣仿、四氯化碳、氣苯、四氣乙 用,:(異構物)#t的自代烴類。該等溶媒可單獨使 戈兩種以上之混合物之形式使用。為了提高流動 或使反應操作變得容易、或在反應中生成水時將該水 134987.doc •75- 201008953 有效地排出至反應㈣外,亦可使㈣媒。作為該溶媒, 例如可列舉··碳數為5〜16之直鏈狀、分支狀、環狀之煙,· 包含碳數為4〜16之直鏈狀、分支狀、環狀之烴之醚類;碳 數為1〜16之直鍵⑯、分支狀、環狀之齒代烴類等。具體而 言,可使用選自戊烷(各異構物)、己烷(各異構物)、、庚烷 (各異構物)、辛烷(各異構物)、壬烷(各異構物)、癸烷 異構物)、十六烷(各異構物)、環己烷、環庚烷、環辛烷、 苯、甲苯、二甲苯(各異構物)、乙基苯等中的鏈狀、環狀 之烴;選自乙醚、丙醚(各異構物)、丁醚(各異構物)、己 醚(各異構物)、辛醚(各異構物)、苯醚等中的醚類;選自 二氣甲烷、氣仿、四氯化碳、氣苯、四氣乙烷、二氣苯 (異構物)等中的_代烴類。該等溶媒可單獨使用,亦可以 兩種以上之混合物之形式使用。 又,在步驟(2)中,亦可同時產生下述之脫烷基反應。 如上所述,推測該烷基再分配反應為平衡反應。本發明 者等人經潛心研究,結果發現:該烷基再分配反應依賴於 鍵結於錫原子上之取代基及/或實施該烷基再分配反應之 溫度。若對鍵結於錫原子上之取代基進行說明,例如關於 鍵結於錫原子上之烷基(例如,上述式(3〗)中相當於基Rl) 以外之基團(例如,上述式(31)中相當於οχ基),該基團之 共軛酸的pKa為0〜6.8時,較多情形時平衡偏向生成系;相 反’該基團之共輛*酸的pKa為6_8〜25時,較多情形時平衡 偏向反應系。另外發現·共輛酸之pKa為0〜6,8時,溫度越 高,平衡越偏向生成系側。 134987.doc •76· 201008953 即,一般上述式(24)、(25)中之OR2基的pKa大於6.8,在 步驟(1)中將OR2基轉化成〇χ基,藉此可在步驟(2)中產生 烷基再分配反應。 上文中使用了「脫烧基反應」一詞,所謂脫烧基反應’ 係指使具有至少一個Sn-R1鍵(R1表示烷基)之化合物、與 HOX所表示之酸及/或XOX所表示之酸酐(OX基係OX之共 輕酸即HOX係pKa為0以上、6,8以下之布忍斯特酸的OX基) 進行反應,使鍵結於錫原子上之烷基脫離,而生成在 錫原子上鍵結有源自酸及/或酸酐之〇χ基的,具有Sn_〇x 鍵之有機錫化合物。脫烷基反應之詳細反應機理尚不明 確’推測為:例如下述式(32)所示,藉由三烷基錫化合物 與酸HOX之反應,生成具有Sn_〇x鍵之化合物。 [化 31]
R1 R1-Sn-〇X OX (32) R1
R1-Sn-R1 + HOX OX
(式中: R1分別獨立表示烷基; X表示源自酸及/或酸酐之基團; 〇表示氧原子。) 又,例如亦存在如下之情形:如下述式(33)所示,藉由 三烷基錫烷氧化物化合物與酸H0X之反應,同時產生如上 述之脫烷基反應、與三烷基錫烷氧化物化合物之烷氧基之 取代反應。 134987.doc -77- (33) 201008953 [化 32] R1 R1-Sn-〇X I ox R1
R1-Sn-R1 + 2 HOX I 2 OR2 (式中 R1分別獨立表示烷基; R2表示烷基; X表示源自酸及/或酸酐之基團; 〇表示氧原子。) 存在根據反應條件’而在步驟(1)及步驟(2)中引起以上 所示之脫烷基反應之情形。然而,存在下述情形:在脫烷 基反應中經脫附之烷基較多情形時不會再與錫原子鍵結, 因此使得步驟(2)之烷基再分配反應中之二烷基錫化合物及/ 或四烷基二錫氧烷化合物之產率降低,因此作為步驟(丨)及 步驟(2)之反應條件’較好的是設定不易產生脫烷基反應之 條件。 藉由將以上所說明之步驟(1)〜步驟(2)、及步驟(z)加以 組合,例如可產生如下之方法:將由二烷基錫二烷氧化物 化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物之烷基歧化 反應所生成之單烷基錫烷氧化物化合物及三烷基錫烷氧化 物化合物,再生為二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷 基二烧氧基二錫氧燒化合物(參照圖〇。 <烧基錫組合物之製造方法> 對上述步驟(1)中之烷基錫組合物之製造方法進行說 134987.doc -78- 201008953 明。 該烧基錫組合物若為包含& μ 3早烷基錫烷氧化物化合物與三 烧基錫院氧化物化合物之、a 之烷基錫組合物,則並無特別限 制’較好的是依序進行下诚舟聰r、止 下这步驟(a)〜步驟(C)而獲得的在製 造碳酸酯之過程中所生成之烷基錫組合物。 步驟⑷:使下述通式(3例表*之二燒基錫二烧氧化物 與二氧化碳進行反應,獲得包含碳酸醋與下述通式⑼所
表示之四&基二烧氧基二錫氧炫及/或該四烧基二烧氧基 二錫氧烷與二氧化碳之結合體的反應液之步驟; [化 33] OR2 R1 -Sn-〇R2 R1 (34) (式中: R1分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為丨〜12之烷基; R2分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或y_Ch2_ 基(式中’ Y表示院基聚伸燒基、芳香族基、或環狀飽和或 不飽和伸烧醚基))。 [化 34] 〇R2 R1 R1 -Sn-〇-Jn—R1 (35) L 12 R1 OR2 (式中: 134987.doc -79- 201008953 R1分別獨立表示直鍵狀或支鏈狀之;ε炭數為1~12之烧基’ R2分別獨立表示直鍵狀或支鏈狀之飽和或不飽和之煙 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之煙基、或Y-CH2· 基(式中,Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或 不飽和伸烧趟基))。 步驟(b):藉由蒸餾自該反應液中分離礙酸酯’獲得包 含四院基二烧氧基二錫氧烧及/或該四院基二炫氧基二錫 氧烧與二氧化碳之結合體的殘留液之步驟; 步驟(c) ··使該殘留液與下述通式(36)所表示之醇進行反 春 應’藉由蒸餾去除產生之副產物水,再生二烷基錫二烷氧 化物’並將該二烷基錫二烷氧化物用作步驟(a)之二烷基錫 二炫氧化物的步驟。 [化 35] (式中: R表不直鏈狀或支鏈狀之碳數為2〜8之烷基)。 首先’對步驟(a)進行說明。 _ 作為步驟(a)中所使用之上述式(34)中之Rl的例子,可列 舉:甲基、乙基、丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戊 基(各異構物)、己基(各異構物)、庚基(各異構物)、辛基 (各異構物)、壬基(各異構物)、癸基(各異構物)、十二烧基 (各異構物)等構成s亥基團之碳原子數為選自丨〜12之整數中 之數字的作為脂肪族烴基之燒基。較好的是構成該基團之 碳原子數為選自1〜8之整數中之數字的直鏈狀或支鍵狀之 134987.doc -80· 201008953 烷基。亦可使用構成該基團之碳原子數為以上所示之範圍 以外之烷基的二垸基錫化合物,但存在流動性變差,或有 損生產性的情況。考慮到在工業生產時容易獲得 是正丁基、正辛基。 的 作為上述式(34)中之R2基的例子,可列舉:甲基、 基、丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)乙 己基(各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基 (各異構物)、癸基(各異構物)、十二燒基(各異構物)等、^ 成該基團之碳原子數為選自卜12之整數中之數字的作為脂 肪族烴基的焼基。較好的是構成該基團之碳原子數為選自曰 2〜8之整數中之數字的直鏈狀或支鍵狀之烧基。因此,作 為上述式(34)中之〇R2基,較好的是甲氧基、乙氧基、丙 氧基(各異構物)、丁氧基(各異構物)、戊氧基(各異構土物)、 己氧基(各異構物)、庚氧基(各異構物)、辛氧基(各異構 物)、壬氧基(各異構物)、癸氧基(各異構物)、十二烷氧= (各異構物)等烷氧基’更好的是乙氧基、丙氧基J異: 物)、丁氧基(各異構物)、戊氧基(各異構物)、己氧基(各異 構物)、庚氧基(各異構物)、辛氧基(各異構物)。 異 作為上述式(34)所表示之二烧基錫二燒氧化物的 例,可列舉··二甲基-二甲氧基錫、二甲基_二乙氧基錫、 一甲基·二丙氧基錫(各異構物)、二甲基_二丁氧基錫(各異 構物)、二甲基·二戊氧基錫(各異構物)、二甲基二己氧美 錫(各異構物)、二甲基-二庚氧基錫(各異構物)、二甲^基 辛氧基錫(各異構物)、二丁基-二甲氧基錫(各異構物广、二 134987.doc • 81 - 201008953 丁基-一乙乳基錫(各異構物)、二丁基二丙氧基錫( 物)、二丁基-二丁氧基錫(各異構物)、二丁基 美 A異構物)、二丁基_二己氧基錫(各異構物)、二了基氧:錯 氧基錫(各異構物)、二丁基二辛氧基錫(各異構物二:: 基-二曱氧基錫、二辛基-二乙氧基錫、二辛基-二丙氧基錫 (各異構物)、二辛基-二丁氧基錫(各異構物卜二辛基-二戊 氧基錫(各異構物)、二辛基二己氧基錫(各異構物卜二辛 基-二錢基錫(各異構物)、二辛基_二辛氧基錫(各異物 等。 如上文所述,已知有機錫化合物一般容易形成缔合結 構’例如存在二烷基錫二烷氧化物化合物形成二聚物結構 而存在,或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物形成由2分子 或3刀子締合而成之梯狀結構而存在的情況,但即使該締 合狀態變化,從業者一般亦以單體結構來表示化合物。 步驟(a)中所使用之二烷基錫二烷氧化物之製造方法並無 特別限制,可較好地使用已經揭示之二烷基錫二烷氧化物 之製造方法(WO 2005/111049等)。其係利用二烷基氧化錫 與醇來製造一烧基錫二烧氧化物之步驟。以下,對該製造 方法進行說明。 作為醇,可較好地使用:曱醇、乙醇、丙醇(各異構 物)、丁醇(各異構物)、戊醇(各異構物)、己醇(各異構 物)、庚醇(各異構物)、辛醇(各異構物)、壬醇(各異構 物)、癸醇(各異構物)等醇、構成該醇之碳原子數為選自 1〜12之整數中之數字的醇。更好的是乙醇、丙醇(各異構 134987.doc -82 - 201008953 物)、丁醇(各異構物)、戊醇(各異構物)、己醇(各異構 物)、庚醇(各異構物)、辛醇(各異構物)等構成該醇之碳原 子數為選自2〜8之整數中之數字的醇。 二烷基錫二烧氧化物之製造中所使用之二烷基氧化錫可 使用下述式(37)所表示之二烷基氡化錫。 [化 36]
冬1_。 ❹4 h 響(式中: w分別獨立表示直鍵狀或分支狀之碳數為H2之烧基) 作為上述式(37)中之R1的例子,可列舉:甲基、乙基、 丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、己基 (各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各 異構物)、癸基(各異構物)、十一烷基(各異構物)、十二烷 基(各異構物)等碳數為1〜12之脂肪族烴基之烷基。更好的 ❹ 是碳數為1〜8之直鏈狀或支鏈狀之飽和烷基,更好的是正 丁基、正辛基。 使醇與一燒基氧化錫進行脫水反應,一面將所生成之水 排出至反應體系外,一面獲得四烷基二烷氧基二錫氧烷及 /或一烷基錫二烷氧化物。實施該反應之溫度例如為 80〜180°C之範圍’為了將所生成之水蒸餾排出至反應體系 外’雖亦取決於反應壓力,但反應溫度較好的是 1〇〇 C〜180'°C ;為了提高反應速度,較好的是反應溫度為 同溫’但另一方面,亦存在於高溫下亦產生分解等不良反 134987.doc -83- 201008953 應的情況,而導致產率降低,因此更好的*1〇(rc〜16〇^ 之範圍。反應壓力係可將所生成之水排出至反應體系外之 壓力,雖然亦取決於反應溫度,但宜在20〜lxl〇6Pa下進行 反應。脫水反應之反應時間並無特別限制,通常為 0.001〜50小時,較好的是0 01〜10小時,更好的是〇丨〜2小 時。若可獲得含有所需量之二烷基錫二烷氧化物之組合 物,則亦可結束反應。反應之進行可藉由測定排出至系統 外之水量而得知,亦可採用對反應液進行抽樣並利用
Sn-NMR之方法得知。 含有一烧基錫二烧氧化物之組合物主要含有二烧基錫二 烷氧化物與四烷基二烷氧基二錫氧烷,以將兩者合併之莫 耳%來表示該組合物所含有之四烷基二烷氧基二錫氧貌與 二烷基錫二烷氧化物之莫耳比率,在確認獲得莫耳比率在 0 : 100〜80 : 20之範圍内的組合物,更好的是在1〇: 90〜70 : 30之範圍内的組合物後,結束反應。所使用之醇 可直接在共存之狀態下使用’亦可視情況將醇蒸餾去除後 再使用。由於具有可縮小其他步驟之反應器的優點,因此 較好的是儘可能地去除醇◊去除方法較好的是公知之蒸顧 去除,又’蒸餾中所使用之蒸餾器可使用公知之蒸餾設 備。作為較好的蒸餾裝置’由於可以短時間加以去除,因 此可較好地使用薄膜蒸餾裝置。脫水反應之反應器之形式 並無特別限制,可使用公知之槽狀、塔狀之反應器。含水 之低彿點反應混合物’可藉由蒸餾而以氣體狀自反應器排 出,並所製造之包含二烷基錫二烷氧化物之高沸點反應混 134987.doc -84- 201008953 合物自反應器下部以液狀排出。作為該反應器,例如可使 用·使用包含授拌槽、多級授拌槽、蒸館塔、多級蒸館 塔、多管式反應器、連續多級蒸餾塔、填充塔、薄膜蒸發 裔、内部具備支持體之反應器、$制循環反應器、落膜蒸 發盗、滴落蒸發器、細流相反應器、泡罩塔中之任意者的 反應器之方式,及將該等組合之方式等公知之各種方法。 '就可有效地使平衡向生成系側移動方面而言,較好的是使 用塔狀反應器之方法,X,較好的是可使所形成之水迅速 移動至氣相之氣-液接觸面積較大的結構。亦可利用使用 有多官式反應器、多級蒸餾塔、填充有填充劑之填充塔的 連續法,但由於本步驟中所使用之二烷基氧化錫通常為固 體狀,因此最好的是首先在槽狀反應器中實施反應,繼而 在塔型反應器中提高二烷基錫二烷氧化物之含量之方法。 反應器及管線之材質只要不會造成不良影響,則亦可採用 公知之任何材質’而SUS3〇4或SUS316、SUS316L等較為 φ 廉價,可較好地使用。視需要亦可附加流量計、溫度計等 測量儀器,再沸器 '栗、冷凝器等公知之加工裝置,加熱 亦可利用蒸汽、加熱器等公知方法,冷卻亦可使用自然冷 卻、冷卻水、鹽水等公知方法。 再者,以上述製造方法所獲得之含有二烷基錫二烷氧化 物之組合物主要含有二烧基錫二院氧化物與四院基二烧氧 基二錫氧烷’且四烷基二烷氧基二錫氧烷係上述式(35)所 表示之化合物。 作為上述式(3 5)中之R1的例子,可列舉:甲基、乙基、 134987.doc • 85 · 201008953 丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、己基 (各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各 異構物)、癸基(各異構物)、十一烷基(各異構物)、十二烷 基(各異構物)等碳數為卜12之脂肪族烴基之烧基。更好的 是碳數為1〜8之錢㈣支鏈狀之鮮㈣,更好的是正 丁基、正辛基。 作為上述式(35)所表示之化合物的具體例,可列舉: U,3,3-四甲基十3-二乙氧基二錫氧烷、1,1,3,3·四曱基_ 以·二丙氧基二錫氧烷(各異構物)、匕以义四甲基十%二 丁氧基二錫氧烧(各異構物)、u,3,3•四甲基],3二戊氧基 二锡氧燒(各異構物卜1,1,3,3·四甲基],3·:己氧基二錫氧 ^異_' U’3,%四甲基丄3_二庚氧基二錫氧院(各
異構物四甲A 土 ,3一辛氧基二錫氧烷(各異構 、U,3,3-四丁基十夂二乙氧基二錫氧烷(各異構物广 ^3-四丁基二丙氧基二錫氧烷(各異構物广 U,3,3_四丁基十3-二丁氧基二錫氧烷(各異構物)、 1山3,3-四丁基二戊氧基二錫氧烷(各異構物)、 1山3,3-四丁基-Μ·二己氧基二錫氧烷(各異構物厂 U,3,3-四丁基'3-二庚氧基二錫氧烷(各異構物)、 U,3,3·四丁基_1,3·二辛氧基二錫氧烷(各異構物)、 U,3,3·四辛基_1,3_二乙氧基二錫氧烷(各異構物)、 :’Μ’3·四辛基w·二丙氧基二錫氧烷(各異構物)、 /,3,3·四辛基_1,3·二丁氧基二錫氧燒(各異構物)、 ,四辛基1’3-_戊氧基二錫氧烷(各異構物)、 134987.doc 201008953 1,1,3’3-四辛基-l,3-一己氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基-ΐ,3·二庚氧基二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基-1,3-二辛氧基二錫氧烷(各異構物)等。 如上文所述,已知有機錫化合物一般易於形成締合結 構,例如存在二院基錫二烧氧化物化合物形成二聚物結構 而存在’或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物形成由2分子 或3分子締合而成之梯狀結構而存在的情況,但即使該缔 合狀態變化,業者一般亦以單體結構來表示化合物。 步驟(a)係下述步驟:使上述式(34)所表示之二烷基錫二 烷氧化物與二氧化碳進行反應,獲得包含碳酸酯、與上述 式(35)所表示之四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二 烷氧基二錫氧烷與二氧化碳之結合體的反應液。 本步驟可較好地使用已揭示之碳酸酯之製造方法(w〇 03/055840、WO 04/014840等)。 本步驟中所使用之二烷基錫二烷氧化物存在下述兩種情 开藉由上述之二垸基氧化錫與醇之反應而製造之二烧基 錫二烷氧化物之情形,及連續製造時在下述之步驟(c)中所 再生之二烷基錫二烷氧化物之情形,又,亦存在由下述之 再生二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二 錫氧烧之步驟中供給之情形。 步驟(a)中,首先,使上述二烷基錫二烷氧化物中吸收氣 體狀二氧化碳,而使其進行化學反應,獲得包含二烷基錫 二烧氧化物與二氧化碳之結合體之混合物。 進行該化學反應時,可使該二烷基錫二烷氧化物製成液 134987.doc •87· 201008953 狀、或利用溶媒等製成.液狀後再進行反應。為了製成液 狀,可較好地使用藉由加熱而製成液狀之方法,又,亦可 利用溶媒等製成液狀。使之反應的壓力取決於使之反應的 溫度,較好的是常壓〜1 MPa之範圍,更好的是常壓〜〇 6 MPa之犯圍。該反應溫度亦取決於反應壓力較好的是 -40 C〜80 C之範圍,若考慮到輸送時之流動性,更好的是 Ot〜80°C,最好的範圍為常溫(例如2〇〇c)〜8〇t:。關於反 應時間,可在數秒〜1〇〇小時之範圍内實施反應,若考慮到 生產性等,較好的是數分鐘〜i 〇小時。反應器可使用公知 之槽型反應器、塔型反應器。又,亦可組合使用複數個反 應器。反應係二氧化碳氣體(氣體)與含有二烷基錫二烷氧 化物之組合物(液體)之反應,因此為了有效地進行反應, 較好的是增大氣液界面,而增大氣體與液體之接觸面積。 增大該氣液界面而進行反應之方法可利用公知之知識見 解,例如採用槽型反應器時,較好的是提高攪拌速度、或 在液中產生氣泡之方法;採用塔型反應器時,較好的是利 用填充塔、或利用層板塔之方法。作為該塔型反應器的例 子,例如可利用:使用泡罩塔板、多孔板塔板、浮閥塔 板、逆流塔板等塔板之層板塔式反應器,或填充有拉西 環、勒辛環、鮑爾環、貝爾鞍形填料、矩鞍環填料、狄克 松填料、網鞍填料、螺旋填料、Sulzer填料、孔板波紋填 料(Mellapak)等各種填充物之填充塔式反應器等。反應器 及管線之材質若不會造成不良影響,則可採用公知之任何 反應器及管線,SUS304或SUS316、SUS316L等較為廉 134987.doc -88- 201008953 價,可較好地使用。視需要亦可附加流量計、溫度計等測 量儀器,再沸器、泵、冷凝器等公知之加工裝置,加熱亦 可利用蒸汽、加熱器等公知方法,冷卻亦可使用自然冷 卻、冷卻水、鹽水等公知方法。由於反應通常為發熱反 應,因此亦可冷卻,或亦可藉由反應器之散熱而加以冷 卻。或者,為了使碳酸酯化反應同時進行,亦可進行加 熱。反應器之冷卻、加熱可採用利用套管之方法、利用内 部線圈之方法等公知方法。亦可將供給至反應器之二氧化 碳氣體與含有二烷基錫二烷氧化物之組合物分別向反應器 供給,亦可在向反應器供給之前加以混合。亦可自反應器 之複數個部分進行供給。反應之結束例如可藉由,丨、。 NMR分析來決定。 其次,利用上述所獲得之二烷基錫二烷氧化物與二氧化 碳之結合體,藉由以下方法,獲得包含碳酸酯之反應液。 反應條件為liot〜20(TC之範圍,為了提高反應速度, φ 較好的是反應溫度為高溫,但另一方面,亦存在於高溫下 亦引起分解等不良反應的情況,而導致產率降低,因此較 好的是120°C〜180°C之範圍,(U小時〜10小時之範圍,反 應壓力為1.5 MPa〜20 MPa,較好的是2.0 MPa〜10 MPa之範 圍。若在反應器中生成了所需之碳酸酯,則亦可結束反 應。反應之進行可藉由如下之方法確認:對反應器内之反 應液進行抽樣,藉由〗H-NMR或氣相層析法等方法,對生 成之碳酸酯進行分析等。例如,相對於二烷基錫二烷氧化 物化〇物及/或一烧基錫二燒氧化物與二氧化碳之結合體 134987.doc -89- 201008953 中所包含之二烷基錫二烷氧化物化合物及/或二烷基錫二 烷氧化物與二氧化碳之結合體之莫耳數,若生成10%以上 則可結束反應’欲增加碳酸酯之產量時,可繼續反應直至 該值達到90〇/〇以上後再結束反應。反應器可使用公知之反 應器,可較好地併用塔型反應器、槽型反應器。反應器及 官線之材質若不會造成不良影響,則亦可採用公知之任何 反應器及管線’ SUS304或SUS316、SUS316L等較為廉 價’可較好地使用。視需要亦可附加流量計、溫度計等測 量儀器’再沸器、泵、冷凝器等公知之加工裝置,加熱亦 可利用蒸汽、加熱器等公知方法,冷卻亦可使用自然冷 卻、冷卻水、鹽水等公知方法。 其次’對步驟(b)進行說明。本步驟係下述步驟:自步 驟(a)中所獲得之包含碳酸酯之反應液 中分離碳酸酯,獲得 包含四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或四烷基二烷氧基二錫 氧烷與一氧化碳之結合體之殘留液。分離方法可適當使用 公知之方法或裝置。較好的方法是藉由蒸餾之方法。 對自步驟(a)所轉移之反應液分批或半分批、或連續地蒸 餾而獲得碳酸酯與殘留液。較好的蒸餾方法為如下之方 法將該反應液供給至蒸餾器,將碳酸酯作為氣相成分而 自蒸館器上部分離至系統外,將殘留液作為液狀成分而自 、'館器底σ卩排出。本步驟之溫度雖取決於該碳酸醋之沸點 或^力,亦可為常溫(例如20。〇〜200。(:之範圍,由於存在 下引起殘留液中之錫化合物之改質之情形、或碳酸 S曰因逐^及^1 $ μ 減y之情形’因此較好的是常溫(例如 134987.doc 201008953 20 C )〜150°C之範圍^壓力雖取決於碳酸酯之種類、或實 施溫度,通常在常壓〜減壓條件下進行,若考慮到生產 性,更好的是100 Pa〜80 KPa之範圍,最好的範圍是1〇〇 Pa〜5〇 KPa。關於時間’可在〇 〇1小時〜1〇小時之範圍内實 施’若在高溫下長時間實施,亦存在該反應液所包含之錫 化合物發生改質之情形、或碳酸酯因逆反應而減少之情 形,因此較好的是0.01小時〜0.5小時之範圍,最好的是 0.01小時〜0.3小時之範圍。蒸餾器可使用公知之蒸餾器, 亦可較好地使用塔型蒸餾器、槽型蒸餾器,亦可將複數種 組合使用。更好的蒸餾器係薄膜蒸發器、薄膜蒸餾器,最 好的是具備蒸餾塔之薄膜蒸發器、薄膜蒸餾器。蒸餾器及 管線之材質若不會造成不良影響,則亦可為公知之任何反 應器及管線,SUS304或SUS316、SUS316L等較為廉價, 可較好地使用。視需要亦可附加流量計、溫度計等測量儀 器,再沸器、泵、冷凝器等公知之加工裝置,加熱亦可利 用蒸汽、加熱器等公知方法,冷卻亦可使用自然冷卻、冷 卻水、鹽水等公知方法。 以上所說明之步驟(a)及步驟(b)中,使用有二烷基錫二 烷氧化物與二氧化碳之結合體、四烷基二烷氧基二錫氧烷 與一氧化兔之結合禮之術語’以下對該等加以說明。 此處所述之一娱*基錫一烧氧化物與二氧化碳之結合體係 指將二院基錫二烧氧化物之院氧基部分的一部分或全部取 代(或變化)為碳酸醋鍵而成的結構。關於四烧基二燒氧基 二錫氧烷與二氧化碳之結合體,亦同樣係將四烷基二烷氧 134987.doc -91 - 201008953 基二錫氧烷之烷氧基部分的一部分或全部取代(或變化)為 碳酸酯鍵而成的結構。 進而,關於本實施形態之二烷基錫二烷氧化物與二氧化 礙之結合體、及四烧基二烧氧基二錫氧烧與二氧化碳之結 合體,以下舉例進行說明。如上述所示,二烷基錫二烷氧 化物與二氧化碳之結合體係指將上述二烷基錫二烷氧化物 之烷氧基部分的一部分或全部取代(或轉化)為上述碳酸酯 鍵而成的結構。對於此種與二氧化碳之結合體之鍵的存 在,可組合119Sn-NMR或13C-NMR、iH-NMR、X射線結構 解析等,藉由公知方法來確認,但二烷基錫二烷氧化物與 二氧化碳之結合體之結構為複雜結構之情形較多,利用目 前分析技術無法鑑定之情形亦較多,而本實施形態之二烷 基錫二烷氧化物與二氧化碳之結合體並不限定於下述結構 例。四烷基二烷氧基二錫氧烷與二氧化碳之結合體之結 構,亦同樣為複雜結構之情形較多,利用目前分析技術無 法鑑定之情形亦較多,而本實施形態之四烷基二烷氧基二 錫氧烷與二氧化碳之結合體並不限定於下述結構例。 作為對應於上述式(34)所表示之二烷基錫二烷氧化物的 二烷基錫二烷氧化物與二氧化碳之結合體的例子,可列舉 下述式(38)、(39)、(40)所代表之結構式。再者,該等化合 物可為單體,亦可為締合體,亦可為多聚體、聚合物。 [化 37] 134987.doc -92- 201008953 R1 Ο R1—Sn—〇-^\〇_〇r2 OR2
(38) (39) (式中:
Rl分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為卜12之院基, r2分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或Y_CH2- 基(式中,Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或 不飽和伸垸醚基))。 -V β /嗎π丄遴式所表示之 烷的四烷基二烷氧基二錫氧 ' 氣 旱,i $丨斑 /、一氧化碳之結人髀以 子,可列舉下述式⑷)、(42 。口體合 者,該等化合物可為單體、亦二)所代表之結構式。 體、聚合物。 為締合體,亦可為多 [化 38]
201008953
(43) (式中: R1分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之炫•基, R分別獨立表示直鍵狀或支鏈狀之飽和或不館和之經 · 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或Y-CH2· 基(式中’ Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或 不飽和伸燒謎基))。 φ 上述式(38)至(43)中所示之結合體的Ri及R2的例子如上 述所示’作為該種與二氧化碳之結合體的例子,可列舉: 甲氧基基碳酸酯基_二丁基_錫、乙氧基-乙基碳酸酯基_ 一丁基-錫、丙氧基_丙基碳酸酯基_二丁基·錫(各異構物)、 丁氧基丁基碳酸酯基·二丁基·錫(各異構物卜戊氧基-戊基 碳酸醋基·二丁基_錫(各異構物)、己氧基_己基碳酸醋基-二 丁基錫(各異構物)、庚氧基_庚基碳酸酯基-二丁基-錫(各 八構物)、节氧基·节基碳酸醋基_二丁基·錫 碳酸酯基_ -奈某锯r备丫礼丞T基 —辛基錫、乙氧基·乙基碳酸醋基_二辛基錫、 丙氧基-丙基碳酸醋基_二辛基_錫(各異 =二辛基-錫(各異構物)、戊氧基·戊基碳:丁: 辛基-踢(各異構物)、己氧基_己基碳酸醋基·二辛基錫(各 134987.doc •94· 201008953 異構物)、庚氧基-庚基碳酸酯基-二辛基-錫(各異構物)、苄 氧基-节基碳酸醋基-二辛基-錫等烷氧基_烷基碳酸酯基_二 烷基-錫、芳烷氧基-芳烷基碳酸酯基-二烷基_錫;或丨_甲 氧基-3-甲基碳酸酯基,3_四丁基-二錫氧烧、卜乙氧 基-3-乙基碳酸酯基-^^四丁基-二錫氧烷〜^丙氧基· 3-丙基碳酸酯基·ι,ι,3,3_四丁基_二錫氧烷(各異構物)、卜 丁氧基-3-丁基碳酸酯基四丁基_二錫氧烷(各異構 物)、卜戊氧基-3-戊基碳酸酯基四丁基-二錫氧烷 (各異構物)、1-己氧基·3_己基碳酸醋基_ι,ι,3,3_四丁基_二 錫氧烷(各異構物)、1-庚氧基_3_庚基碳酸酯基四 丁基-二錫氧烷(各異構物)、苄氧基-3-苄基碳酸酯基_ 1,1,3,3-四丁基-二錫氧烷、丨·甲氧基甲基碳酸酯基_ 1,1,3,3四辛基-一錫氧烷、乙氧基_3_乙基碳酸酯基一 1’1,3,3-四辛基-二錫氧烷、丙氧基丙基碳酸酯基_
1’1,3,3-四辛基-二錫氧烷(各異構物)、^ 丁氧基_3_ 丁基碳 酸酯基-1,1,3,3-四辛基-二錫氧烷(各異構物)、^戊氧基·^ 戊基碳酸酯基-1,1,3,3_四辛基·二錫氧烷(各異構物卜卜己 氧基-3-己基碳酸酯基3 3_辛基 , 甲丞—錫氧烷(各異構 物)、1-庚氧基-3-庚基碳酸酯基^弘四 _ ^ ( r " 一 錫取i ’元、(各異構物)、1-节氧基_3_节基碳酸醋基·丨山]弘四辛 基-二錫氧烷等1-烷氧基_3_烷基碳酸酯基_丨 , ,义,)’ j -四基- 一錫氧烷、1-芳烷氧基-3_芳烷基碳酸酯基 _ Λ Α 1, J,j -四烧基 _ 等。可採用單獨選自上述群中者,亦可採 上述群中之混合物。 134987.doc -95- 201008953 式(38)至(43)所表示之與二氧化碳之結合體中,較好的 疋R1為選自正丁基、正辛基之中者。 如上述所不’烷基錫組合物含有四烷基錫烷氧化物化合 物單烷基錫烷氧化物化合物,但存在生成該等與二氧化 碳之結合體之情形。 例如’將上述式(26)所表示之三烷基錫烷氧化物化合物 與一氧化碳之結合體的例子示於下述式(44)。 [化 39] R1 R1—Sn—〇 〇—r2
T (44) (式中: R分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷基; R刀別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或y_ch2- 基(式中,Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或 不飽和伸烷醚基))。 上述式(44)所表示之結合體的R1、R2的例子如上述所 不’作為該種與二氧化碳之結合體的例子,可列舉:三丁 基-甲基碳酸酯基_錫、三丁基-乙基碳酸酯基_錫、三丁基、 丙基碳酸酯基-錫(各異構物)、三丁基-丁基碳酸酯基·錫(各 異構物)、三丁基-戊基碳酸酯基-錫(各異構物)、三丁基-已 基碳酸酸基-锡(各異構物)、三丁基_庚基碳酸酯基錫、= B4987.doc 201008953 丁基-苄基碳酸酯基-錫、三辛基_甲基碳酸酯基-錫、三辛 基-乙基碳酸酯基•錫、三辛基_丙基碳酸酯基-錫(各異構 物)、三辛基-丁基碳酸酯基-錫(各異構物)、三辛基_戊基碳 酸酯基-錫(各異構物)、三辛基-己基碳酸酯基_錫(各異構 物)、二辛基-庚基碳酸酯基-錫(各異構物)、三辛基_苄基碳 酸醋基-錫等三烧基-烧基碳酸酯基-錫或三烧基-芳烧基破 酸醋基-錫等。可採用單獨選自上述群中者,亦可採用選 自上述群中之混合物。 又’上述式(27)所表示之單院基錫烧氧化物化合物與二 氧化碳之結合體的結構例,可列舉為下述式(45)、(46)、 (47)。式(45)、(46)、(47)所表示之化合物之二氧化碳結合 體容易形成多種結構,並不限定於下述式(45)、(46)、 (47) 〇 [化 40]
(45) (46) 134987.doc •97- 201008953 ο R2、
Ο ο ο-0、 Ό- -R2 R1——Sn: 'Sn—R1 丨、OR2 R1 (47) (式中
Rl分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷基; R2分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 基、餘和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或y_ch2- 基(式中,Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或 不飽和伸烷醚基))。 φ 作為該種單烧基錫烧氧化物化合物與二氧化碳之結合體 的例子,可列舉:丁基-甲氡基-二·甲基碳酸酯基_錫、丁 基·乙氧基-二_乙基碳酸醋基_錫、丁基_丙氧基_二_丙基碳 酸醋基-錫(各異構物)、丁基_ 丁氧基_二_ 丁基碳酸酯基-錫 (各異構物)、丁基-戊氧基_二戍基碳酸酯基-錫(各異構 物)、丁基-己氧基-二-己基碳酸酯基_錫(各異構物广丁基_ 庚氧基·二-庚基碳酸酯基-錫(各異構物)、丁基-节氧基_二_ 节基碳酸醋基·錫、辛基-甲氧基_二曱基碳酸醋基錫、辛 基-乙氧基-二·乙基碳酸醋基-錫、辛基_丙氧基二·丙基碳 酸醋基-錫(各異構物)、辛基_ 丁氧基·二丁基碳酸醋基·錫 異構物)、辛基_戊氧基戊基碳酸自旨基錫(各異構 134987.doc -98. 201008953 物)、辛基-己氧基-二-己基碳酸酯基·錫(各異構物)、辛基_ 庚氧基-二-庚基碳酸酯基_錫(各異構物)、辛基-苄氧基_二_ 节基碳酸酯基-錫等烷基-烷氧基_二_烷基碳酸酯基_錫或烷 基-方烷氧基-二-芳烷基碳酸酯基_錫;丁基_甲基碳酸酯基_ 錫氧化物、丁基_乙基碳酸酯基_錫氧化物、丁基-丙基碳酸 酯基·錫氧化物(各異構物)、丁基-丁基碳酸酯基-錫氧化物 (各異構物)、丁基-戊基碳酸酯基_錫氧化物(各異構物)、丁 基-己基碳酸酯基-錫氧化物(各異構物)、丁基_庚基碳酸酯 基-錫氧化物(各異構物)、丁基-苄基碳酸酯基錫氧化物、 辛基-甲基碳酸酯基-錫氧化物、辛基_乙基碳酸酯基_錫氧 化物、辛基-丙基碳酸酯基-錫氧化物(各異構物卜辛基-丁 基碳酸酯基-錫氧化物(各異構物)、辛基_戊基碳酸酯基-錫 氧化物(各異構物)、辛基-己基碳酸酯基_錫氧化物(各異構 物)、辛基-庚基碳酸酯基-錫氧化物(各異構物)、辛基-苄美 碳酸酯基-錫氧化物等烷基·烷基碳酸酯基_錫氧化物或烷 基烧基碳酸醋基-錫氧化物;1,1,3_三丁基_丨3__甲笑 碳酸酯基-3 -甲氧基-二錫氧烷、i,i,3_三丁基_丨,3二-乙基 碳酸酯基-3-乙氧基-二錫氧烷、i,i,3_三丁基^,夂二-丙基 碳酸酯基-3-丙氧基-二錫氧烷(各異構物)、^,夂三丁美 1,3-二-丁基碳酸酯基_3_丁氧基-二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3-二丁基-l,3-二-戊基碳酸酯基-3-戊氧基-二錫氧炫(各 異構物)、1,1,3-二丁基-1,3 - 一 _己基碳酸醋基-3 -己氧基_ _ 錫氧烷(各異構物)、1,1,3-三丁基-1,3 ·二-庚基碳酸酯基_3_ 庚氧基-二錫氧烷(各異構物)、1,1,3-三丁基“,^二.节基碳 134987.doc -99- 201008953 酸酯基-3-苄氧基-二錫氧烷、m,3_三辛基],3二曱基碳 酸酯基-3-甲氧基-二錫氧烷、u,3_三辛基],3•二-乙基碳 酸醋基-3-乙氧基-二錫氧院、U1,3_三辛基],3二-丙基碳 酸酯基-3-丙氧基-二錫氧烷(各異構物)、u,3_三辛基— I 3· 二-丁基碳酸酯基-3-丁氧基-二錫氡烷(各異構物)、^,弘三 辛基-1,3-二-戊基碳酸酯基_3_戊氧基-二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3-三辛基-以-二·己基碳酸醋基_3己氧基_二錫氧 烧(各異構物)、1,1,3-三辛基-13-二·庚基碳酸酯基_3-庚氧 基-二錫氧烷(各異構物)、三辛基“少二―节基碳酸酯 基-3-节氧基-二錫氧烷等三烷基_二_烷基碳酸酯基_烷氧基_ 一錫氧烷或三烷基·二芳烷基碳酸酯基_芳烷氧基-二錫氧烷 等。可採用單獨選自上述群中者,亦可採用選自上述群中 之混合物。 最好的例子為:(正丁基二(正丁基碳酸酯基正丁氧 基)-錫、(正丁基)-二(正戊基碳酸酯基)_(正戊氧基)錫、 (正丁基)-雙(3 -甲基丁基碳酸酯基)_(3_甲基丁氧基)_錫、 (正丁基)-二-(正己基碳酸酯基)_(正己氧基)_錫、(正丁基)· 雙-(2-乙基丁基碳酸酯基)_(2_乙基丁氧基)_錫、(正辛基)_ 二(正丁基碳酸酯基)-(正丁氧基)_錫、(正辛基)_二(正戊基 碳酸酯基)-(正戊氧基)_錫、(正辛基)_二_(正己基碳酸酯 基Η正己氧基)-錫、(正辛基)_雙(3_甲基丁基碳酸酯基)_(3_ 甲基丁氧基)-錫、(正辛基)_雙_(2_乙基丁基碳酸酯基)_(2_ 乙基丁氧基)-錫、(正丁基(正丁基碳酸酯基)·錫氧化物、 (正丁基Η正戊基碳酸酯基)-錫氧化物、(正丁基)-(3-甲基 134987.doc -100- 201008953 y基碳酸s旨基)_錫氧化物、(正丁基)·(正己基碳酸醋基)_錫 乳化物、(正丁基)_(2_乙基丁基碳酸醋基錫氧化物、(正 辛基Η正丁基碳酸醋基)_錫氧化物、(正辛基)_(正戍基碳 酸醋基)-錫氧化物、(正辛基Η正己基碳酸g旨基)_錫氧化 . *、(正辛基)-(3-甲基丁基碳酸醋基)_錫氧化*、(正辛基)· (2-乙基丁基碳酸醋基)_錫氧化物、u,3_三_(正丁基 二(正丁基碳酸酯基)_3_(正丁氧基)_二錫氧烷、u,3_三-(正丁基)·1,3-二(正戊基碳酸酯基)-3-(正戊氧基)_二錫氧 烷' 1,1,3-三(正丁基)^3-雙(3_甲基丁基碳酸酯基 甲基丁氧基)-二錫氧垸' 正丁基)_13_二_(正己基 碳酸酯基)-3-(正己氧基)·二錫氧烷、丨•三(正丁基卜 I,3,3-雙_(2_乙基丁基碳酸醋基)_3_(2_乙基丁氧基)_二錫氧 烷、1,1,3-三-(正辛基)^3-二(正丁基碳酸酯基)3(正丁氧 基)-二錫氧烷、1,1,3-三-(正辛基二(正戊基碳酸酯 基)-3-(正戊氧基)-二錫氧烷、丨丄^三气正辛基卜丨’夂雙^ φ 甲基丁基碳酸酯基)-3_(3-甲基丁氧基)-二錫氧烷、u,3_ 二-(正辛基)-l,3-二-(正己基碳酸酯基)_3_(正己氧基)_二锡 氧烷、1,1,3-二-(正辛基乙基丁基碳酸酯基)_夂 (2-乙基丁氧基)-二錫氧烷。 上述二烧基錫二燒氧化物、四燒基二烧氧基二錫氧燒、 三烷基錫烷氧化物化合物、單烷基錫烷氧化物化合物與二 氧化碳之結合體可分別為混合物,亦可單獨物,亦可相互 配位、締合。一般而言,烷基錫烷氧化物容易交換配位 基’難以鑑定結構’或除上述以外亦存在經配位、締合之 134987.doc 101 - 201008953 包含二氧化碳之結合體的可能性。但是,只是利用目前之 解析技術無法鑑定其結構,故而基於上述烷基、烷氧基、 厌酸s日基之規疋的一烧基錫二统氧化物、四貌基二烧氧基 一錫氧烷、三烷基錫烷氧化物化合物、單烷基錫烷氧化物 化σ物與—氧化碳之結合體可用於本實施形態中。 其次,對步驟⑷進行說明。本步驟⑷係下述步驟:使 步驟(b)中所獲得之殘留液與上述式(36)所表示之醇進行反 應’藉由蒸館而去除所產生之副產物水,再生二烧基錫二— 烷氧化物,並將該二烷基錫二烷氧化物用作步驟(a)之二烷 〇 基錫-燒氧化物。 作為上述式(36)所表示之醇,可較好地使用甲醇、乙 醇、丙醇(各異構物)、丁醇(各異構物)、戊醇(各異構物)、 己醇(各異構物)、庚醇(各異構物)、辛醇(各異構物)、壬醇 (各異構物)、癸醇(各異構物)等醇、構成該醇之碳原子數 為選自1〜12之整數中之數字㈣。更好的是乙醇、丙醇 (各異構物)、丁醇(各異構物)、戊醇(各異構物)、己醇(各 異構物庚醇(各異構物)、辛醇(各異構物),更好的是使 用與上述二烷基錫二烷氧化物之製造中所使用之醇相同的 醇〇 藉由蒸館而去除該反應中所產生之副產物水的條件,較 好的是在與上述製造二烧基錫二炫氧化物時之水之蒸館相 2的條件下實施。若獲得W量的4絲二燒氧化 物,則亦可結束反應。反應之進行,可藉由測定 至系統外之水量而得知,亦可藉由對反應液進行抽樣 134987.doc 201008953 並進行119Sn-NMR之方法而得知。為了在步驟(a)中使用含 有該二烷基錫二烷氧化物之組合物,係於確認獲得含有二 烧基錫一烧氧化物之組合物中所含有之四烧基二统氧基二 錫氧烷與二烷基錫二烷氧化物之莫耳比率,以將兩者合併 之莫耳%表示,在〇 : 100〜80 : 2〇之範圍的組合物,更好 的是在10 : 90〜70 : 30之範圍的組合物後,結束反應。所 使用之醇可直接在共存之狀態下使用,亦可視情況將醇蒸 餾去除後再使用。由於具有可縮小其他步驟之反應器的優 點,因此較好的是儘可能地去除醇。去除方法較好的是公 知之蒸餾去除,又,蒸餾中所使用之蒸餾器可使用公知之 蒸館设備。作為較好之蒸館裝置,由於可在短時間内進行 去除,因此可較好地使用薄膜蒸餾裝置。 本步驟(c)與藉由二烷基氧化錫與醇之反應來製造二烷基 錫二烷氧化物的製造步驟不同,不使用通常為固體之二烷 基氧化錫,故而受反應器之限制較少。即,脫水反應之反 應器之形式並無特別限制,可使用公知之槽狀、塔狀之反 應器。含水之低沸點反應混合物可藉由蒸餾而以氣體狀自 反應器排出,而包含所製造之二烷基錫二烷氧化物及/或 四烷基二烷氧基二錫氧烷之高沸點反應混合物可自反應器 下部以液狀排出。作為該反應器,例如可使用:使用包含 攪拌槽、多級攪拌槽、蒸餾塔、多級蒸餾塔、多管式反應 器、連續多級蒸餾塔、填充塔、薄膜蒸發器、内部具備支 持體之反應器、強制循環反應器、落膜蒸發器、滴落蒸發 器、細流相反應器、泡罩塔中之任意者的反應器之方式, B4987.doc •103· 201008953 及將該等組合之方式等公知之各種方法。就有效地使平衡 移動至生成系側方面而言,較好的是使用塔狀之反應器之 方法,又,較好的是使所形成之水迅速移動至氣相之氣_ 液接觸面積較大之結構。尤好的是使用有多管式反應器、 多級蒸餾塔、填充有填充劑之填充塔的連續法。反應器及 管線之材質若不會造成不良影響,則亦可為公知之任何反 應器及管線,SUS304或SUS316、SUS316L等較為廉價, 可較好地使用。視需要亦可附加流量計、溫度計等測量儀 器’再沸器、泵、冷凝器等公知之加工裝置,加熱亦可利 用蒸汽、加熱器等公知方法,冷卻亦可使用自然冷卻、冷 卻水、鹽水等公知方法。 以上例示了使用有二烷基錫二烷氧化物之碳酸酯之製造 例’且該碳酸酯之製造過程中生成單烷基錫烷氧化物化合 物與三烷基錫烷氧化物化合物。該單烷基錫烷氧化物化合 物及該三烷基錫烷氧化物化合物存在下述情形:在反覆進 行上述碳酸醋之製造中,會逐漸蓄積在反應系内,而導致 反應速度降低,或碳酸酯之產率降低。因此,較好的是: 自反應系中排出包含單烷基錫烷氧化物化合物及三烷基錫 烧氧化物化合物之烷基錫組合物之一部分,用作上述步驟 (1)之烧基錫組合物,藉由步驟(2)而獲得烧基錫化合物, 藉由該烷基錫化合物、與碳酸酯及/或醇之反應,再生二 烷基錫二烷氧化物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷。該二 烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷 之再生較好的是在上述步驟(b)及/或步驟(c)後實施,將所 134987.doc -104- 201008953 再生之二烧基錫二烧氧化物及/或四烷基二烷氧基二錫氧 烷與步驟(a)之二烷基錫二烷氧化物、及/或、步驟(b)之殘 留液混合,而用作步驟(c)之原料。 圖2係表示用以說明將碳酸酯之製造方法與本實施形態 之二炫基錫化合物之製造方法組合而成的經改良之碳酸酯 之製造方法之流程圖。如上述所示,將自碳酸酯之製造方 法之步驟(b)及/或步驟(c)所排出之烷基錫組合物之一部分 或全部用作步驟(1)之原料。經由步驟(丨)〜步驟(2)及步驟 ❿ (Z)而獲得之二烷基錫二烷氧化物及/或四烷基二烷氧基二 錫氧烷,可用作步驟(a)之二烷基錫二烷氧化物,亦可與步 驟(b)之殘留液混合而作為步驟(c)之原料。碳酸酯之製造 中’由二烧基錫二烷氧化物及/或四烷基二烷氧基二錫氧 烧之烧基歧化反應所生成之單烷基錫烷氧化物化合物及三 烷基錫烷氧化物化合物,無作為用以製造碳酸酯之觸媒的 /舌性’需要作為所謂失活體而排出至反應體系外,且必須 φ 將排出至反應體系外的失活體廢棄。若利用本實施形態之 方法之經改良之碳酸酯之製造方法,則具有下述優點:可 將單烷基錫烷氧化物及三烷基錫烷氧化物再生為二烷基錫 二烷氧化物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷,可再次用作 碳酸酯製造用觸媒,因此可絕對地減少廢棄物之生成量。 如以上說明所示,本實施形態之二烷基錫二烷氧化物化 合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物之製造方法(步 驟(z)) ’具有作為由該碳酸酯之製造步驟中所生成之單烷 基錫烷氧化物化合物及/或三烷基錫二烷氧化物再生二烷 134987.doc 201008953 基錫二烷氧化物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷之步驟中 之一個步驟之側面,與其不同的是,該製造方法係將藉由 本實施形態之方法所製造之二烷基錫二烷氧化物化合物及/ 或四貌基二烷氧基二錫氧烷化合物作為原料,並實施下述 步驟(A)〜步驟(B)之碳酸酯之製造方法,且具有與上述方 法不同之碳酸酯之製造方法中之步驟之一的側面。 步驟(A):使藉由本實施形態之製造方法所製造之二院 基錫二院氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烧化 合物、與二氧化碳進行反應,獲得包含碳酸酯、及四烧基 二院氧基二錫氧烧化合物及/或該四炫基二院氧基二錫氧 烧化合物與二氧化碳之結合體的反應液之步驟; 步驟(B):藉由蒸餾自該反應液中分離碳酸酯,獲得& 含四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氧基二錫 氧烷與二氧化碳之結合體的殘留液之步驟。 步驟(A)除了代替二烷基錫二烷氧化物而使用步驟(z)所 製造之二烷基錫二烷氧化物化合物以外,係與上述步驟(a) 相同之步驟’可藉由以下所示之方法來實施。作為步驟 (Z)所製造之二烧基錫二烷氧化物化合物,例如可使用圖1 及2所例示之流程表中步驟(Z)所製造之二烷基錫二烷氧化 物化合物,亦可使用下述之使用步驟(C)所獲得之院基錫 化合物來實施步驟(Z)而製造之二烷基錫二烷氧化物化合 物。 步驟(A)中,首先使步驟(Z)所製造之二烷基錫二烷氧化 物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物吸收氣體 134987.doc -106 · 201008953 狀之二氧化碳,使其進行化學反應,獲得包含二烷基錫二 烧乳化物化合物與二氧化碳之結合體之混合物。 進行该化學反應時,可將該二烷基錫二烷氧化物化合物 製成液狀,或利用溶媒等製成液狀後進行反應。為了製成 液狀,較好地可使用藉由加熱而製成液狀之方法,又,亦 可利用溶媒等而製成液狀。反應壓力雖取決於反應溫度, 但較好的是常壓〜1 MPa之範圍,更好的是常壓〜〇 6 Mpai 範圍。該反應溫度亦取決於反應壓力,較好的是 _ -4〇°C〜80°C之範圍,若考慮到輸送時之流動性,更好的是 〇°C〜80°C,最好的範圍為常溫(例如2〇。〇〜8(rc。反應時 間亦可在數秒〜100小時之範圍内實施,若考慮到生產性 等,較好的是數分鐘〜1〇小時。反應器可使用公知之槽型 反應器、塔型反應器。又,亦可組合複數個反應器來使 用反應係一氧化碳氣趙(氣體)與含有二燒基錫二烧氧化 物化合物之組合物(液體)之反應,因此為了有效地進行反 φ 應肖#的疋增大氣液卩面、冑大氣體與液體之接觸面 積。增大該氣液界面而進行反應之方法可藉由公知之知識 見解,例如採用槽型反應器時,較好的是提高授掉速度, 或在液體中產生氣泡之方法;採用塔型反應器時,較好的 是利用填充塔、或利用層板塔之方法。作為該塔型反應器 的例子,例如可利用:使用有泡罩塔板、多孔板塔板、浮 ㈣板、逆流塔板等塔板之層板塔方式者,或填充有拉西 環、勒辛環、鲍爾環、貝爾鞍形填料、矩鞍環填料、狄克 松填料、網鞍填料、螺旋填料、Sulzer填料、孔板波紋填 I34987.doc 201008953 料等各種填充物之填充塔方式者等。反應器及管線之材質 若不會造成不良影響,則亦可為公知之任何反應器及管 線’ SUS304或SUS316、SUS316L等較為廉價,可較好地 使用。視需要亦可附加流量計、溫度計等測量儀器,再沸 器、泵、冷凝器等公知之加工裝置,加熱亦可利用蒸汽、 加熱器等公知方法,冷卻亦可使用自然冷卻、冷卻水、鹽 水等公知方法。由於反應通常為發熱反應,因此亦可冷 卻’或亦可藉由反應器之散熱而加以冷卻。或者,若為了 使碳酸醋化反應同時進行,亦可進行加熱。反應器之冷 卻、加熱可使用利用套管之方法、利用内部線圈之方法等 公知方法。亦可將供給至反應器之二氧化碳氣體與含有二 烷基錫二烷氧化物化合物之組合物分別向反應器供給,亦 可在向反應器供給之前加以混合。亦可自反應器之複數個 部位進行供給。反應之結束例如可藉由u9Sn_NMR分析來 決定。 其次’利用上述所獲得之二烷基錫二烷氧化物化合物與 二氧化碳之結合體,藉由以下方法,獲得包含碳酸酯之反 應液。 反應條件為11 (TC〜20(TC之範圍,為了提高反應速度, 較好的疋反應溫度為高溫,但另一方面,亦存在於高溫下 亦引起分解等不良反應的情況,而導致產率降低,因此較 好的是120 c〜1801之範圍,01小時〜10小時之範圍,反 應壓力為1.5 MPa〜20 MPa,較好的是2.0 MPa〜10 MPa之範 圍。若在反應器中生成所需之碳酸酯,則亦可結束反應。 134987.doc 201008953 反應之進行可藉由如下之方法來確認:對反應器内之反應 液進行抽樣,藉由ih_nmr或氣相層析法等方法,對生成 之碳酸酯進行分析等。例如,相對於二烧基錫二烧氧化物 化合物及/或二烷基錫二烷氧化物化合物與二氧化碳之結 纟體之莫耳數,若生成1()%以上則可結束反應欲增加碳 酸醋之產量時,可繼續反應直至該值達到9〇%以上後再結 束反應。反應器可使用公知之反應器,可較好地併用塔型 &應器、槽型反應器。反應器及管線之材質若不會造成不 良影響,則亦可為公知之任何反應器及管線,sus3〇4或 SUS316、SUS316L等較為廉價,可較好地使用。視需要亦 可附加流量計、溫度計等測量儀器,再沸器、泵、冷凝器 等公知之加工裝置,加熱亦可利用蒸汽、加熱器等公知方 法,冷卻亦可使用自然冷卻、冷卻水、鹽水等公知方法。 其次,對步驟(B)加以說明。本步驟係下述步驟:自步 驟(A)中所獲得之包含碳酸酯之反應液中分離碳酸酯,獲 參 得包含四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物及/或四烷基二烷 氧基二錫氧烷化合物與二氧化碳之結合體之殘留液。分離 方法可適當使用公知之方法或裝置。較好的方法是藉由蒸 餾之方法。 ' 對自步驟(A)所轉移之反應液分批或半分批、或連續地 蒸餾,獲得碳酸酯與殘留液。較好的蒸餾方法係下述方 法:將該反應液供給至蒸餾器,將碳酸酯作為氣相成分而 自蒸餾器上部分離至系統外,將殘留液作為液狀成分而自 蒸餾器底部排出。本步驟之溫度雖取決於該碳酸酯之沸點 134987.doc -109- 201008953 或壓力,但可為常溫(例如2〇°C)〜200°C之範圍,由於在高 溫下會產生殘留液中之錫化合物發生改質之情形、或碳酸 酯因逆反應而減少之情形,目此較好的是常溫(例如 20 C)〜150。。之範圍。壓力亦取決於碳酸酯之種類、或實 施溫度,但通常在常壓〜減壓條件下進行,若考慮到生產 性,更好的是100 Pa〜8〇 KPa之範圍,最好的範圍是1〇〇 Pa〜5〇 KPa。關於時間,可在〇〇1小時〜1〇小時之範圍内實 施,若在高溫下長時間實⑯,亦存在減應液所包含之錫 化合物發生改質之情形、或碳酸酯因逆反應而減少之情 形,因此較好的是〇.01小時〜0·5小時之範圍,最好的是 〇.〇1小時〜0.3小時之範圍。蒸餾器可使用公知之蒸餾器, 亦可較好地使用塔型蒸餾器、槽型蒸餾器,亦可將複數種 組合使用。更好的蒸餾器係薄膜蒸發器、薄膜蒸餾器,最 好的是具備蒸餾塔之薄膜蒸發器、薄膜蒸餾器。蒸餾器及 管線之材質若不會造成不良影響,則亦可為公知之任何反 應器及管線,SUS304或SUS316、SUS316L等較為廉價, 可較好地使用。視需要亦可附加流量計、溫度計等測量儀 器,再沸器、泵、冷凝器等公知之加工裝置,加熱亦可利 用蒸汽、加熱器等公知方法,冷卻亦可使用自然冷卻、冷 卻水、鹽水等公知方法。 進而,本實施形態中,亦可在上述步驟卜步驟(Β)中 附加下述步驟(C)’可將該步驟(c)所製造之烷基錫化合物 用作步驟(Ζ)之烷基錫化合物。 步驟(C):使步驟(Β)之殘留液與通式Η〇χ(ρκ&為0以 134987.doc -110. 201008953 上、6.8以下之布忍斯特酸)所表示之酸及/或通式xox(〇x 基係〇X之共軛酸即HOX係pKa為0以上、6.8以下之布忍斯 特酸的OX基)所表示之酸酐進行反應,而製造選自下述 0、η)之群中的至少一種烷基錫化合物的步驟; 0具有一個錫原子,且具有兩個Sn_Ri(Ri表示烷基。)鍵 與兩個Sn-〇X鍵(OX基係OX之共軛酸即HOX係pKa為0以 上、6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)之二烷基錫化合物, U)具有一個Sn-〇-Sn鍵,且各個錫原子具有兩個Sn-R1鍵 與一個Sn_〇X鍵(〇X基係OX之共軛酸即HOX係pKa為0以 上、6·8以下之布忍斯特酸的OX基)之四烷基二錫氧烷化合 物。 該步驟(C)係與上文中所說明之步驟(1)類似,可藉由以 下方法實施。 步驟(C)中’作為通式HOX所表示之酸,可較好地使用 有機酸作為該酸。作為有機酸,可例示:羧酸 '磺酸、苯 ❹ 盼等較好的是使用缓酸。作為叛酸,例如可列舉:曱 酸、乙酸、丙酸、正丁酸、異丁酸、戊酸、異戊酸、2_甲 基丁酸、三甲基乙酸、己酸、異己酸、2·乙基丁酸、2,2_ 一曱基丁酸、庚酸(各異構物)、辛酸(各異構物)、壬酸(各 /、構物)、癸酸(各異構物)、--烧酸(各異構物)、十二烧 酸(各異構物)、十四烷酸(各異構物)、十六烷酸(各.異構 物)、丙烯酸、丁烯酸、異丁烯酸、乙烯基乙酸、曱基丙 稀酸、當歸酸、順芷酸、稀丙基乙酸、十一婦酸(各異構 物)等飽和或不飽和脂肪族單羧酸化合物;乙二酸、丙二 134987.doc • 111 - 201008953 =、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸(各異構物)、辛二 酸(各異構物)、壬二酸(各里構物 丁略 }夂一酸(各異構物)、順 甲基順丁婦二酸、甲基反丁缚二 、戊稀二酸(各異構物)、亞甲基丁二酸,丙基丙二酸 飽和或不飽和脂肪族二羧酸;ls2,3_M三甲酸、12,3_
烯甲酸2,3-一甲基丁烷^3-三甲酸等飽和或不飽 和脂肪族三叛酸化合物;苯甲酸、甲基笨甲酸(各異構 物)乙基苯曱酸(各異構物)、丙基苯甲酸(各異構物)、二 甲基苯甲酸(各異構物)、2甲基苯甲酸(各異構物)等芳香 族單羧酸化合物;鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲 酸、曱基間苯二甲酸(各異構物)等芳香族二叛酸化合物; 1’2’3笨二曱酸、苯三曱酸、苯三甲酸等芳香 知二羧酸化合物等。該等羧酸中,較好的是使用飽和單羧 酸。更好的是使用標準沸點為3〇〇t>c以下之飽和單羧酸,
更好的疋使用標準彿點為2 5 〇。匚以下之飽和單緩酸。標準 '弗點如化學大辭典(共立出版股份有限公司、2003年1〇月1 曰發行)中之記載所示,係指在丨個氣壓下之沸點。具體而 。,可較好地使用乙酸、丙酸、正丁酸、異丁酸、戊酸、 異戊酸、2-甲基丁酸、三甲基乙酸、己酸。 又’步驟(C)中,作為通式χοχ所表示之酸酐,可列 舉.乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐、異丁酸酐、戊酸酐、異戊 酸軒、丁 —酸酐、順丁稀二酸酐、丙二酸酐、戊二酸酐等 脂肪族酐;苯甲酸酐、鄰苯二甲酸酐、均苯四子酸酐等芳 香族酸酐。該等中,較好的是使用標準沸點為3〇〇。〇以下 134987.doc •112- 201008953 之酸酐,由於反應後可容易地去除過剩之酸酐,因此更好 的是使用標準沸點為20CTC以下之酸酐。進而,就容易將 生成之副產物羧酸酯等排出至反應體系外,在工業上可容 易獲得方面而言,較好的是順丁稀二酸酐、乙酸酐。 該等酸及酸酐可單獨使用,亦可將複數種混合使用,在 使用酸時,例如使四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物與酸進 行反應時,生成水之情形較多。為了去除該水,亦可進行 蒸餾分離或膜分離,或使用脫水劑。又,作為脫水劑,較 β 好的疋組合使用酸酐者。進而,在僅使用酸酐時,例如四 烷基二烷氧基二錫氧烷化合物與乙酸酐之反應中不生成水 之情形較多,因此亦較好的是僅使用酸酐之方法。 考慮到步驟(C)中之反應速度或最終二烷基錫化合物之 產率,酸及/或酸酐之使用量相對於步驟中所獲得之殘 留物中所含有之錫原子’以化學計量比表示,較好的是使 用0.1〜50倍之範圍’若考慮到反應器之大小、或反應速 ❷度’更好1是使敎5〜20倍之範圍。酸及/或酸酐之使用量 以化學计量比表示而少於〇 i時,存在難以進行反應之情 形’相反’以化學計量比表示即使使用大於50倍時,亦不 會對該步驟中之反應速度或最終二烷基錫化合物之產率產 生影響之情形較多。 步驟(C)之反應較好的是在-20°C以上、300。(:以下之反 應溫度下實施,更好的是在-10°C以上、250〇C以下之反應 溫度下實施’為了提高反應速度,較好的是反應溫度為高 溫’但另一方面,亦存在於高溫下亦引起分解等不良反應 134987.doc • 113- 201008953 之情形,而導致產率降低,因此更好的是在〇。〇以上、 230°C以下之反應溫度下實施。又,步驟(c)之反應較好的 是在氬氣、氖氣、氮氣等惰性氣體之環境下進行。 步驟(C)中無需使用溶媒,但為了提高流動性、使反應 操作變得容易、或在反應中生成水時將該水有效地排出至 反應體系外,亦可使用溶媒。作為該溶媒,例如可列舉: 碳數為5〜16之直鏈狀、分支狀、環狀之烴;包含碳數為 4〜16之直鏈狀、分支狀、環狀之烴之醚類;碳數為丨〜“之 直鏈狀、分支狀、環狀之齒代烴類等。具體而言,可使用 選自戊烷(各異構物)、己烷(各異構物)、庚烷(各異構物)、 辛垸(各異構物)、壬烷(各異構物)、癸烷(各異構物)、十六 院(各異構物)、環己烧、環庚院、環辛燒、苯、甲苯、二 甲苯(各異構物)、乙基笨等中的鏈狀、環狀之烴;選自乙 ^、㈣(各異構物)、頂(各異構物)、己趟(各異構物)、 (各異構物)、苯謎等中的_類;選自二氣甲烷、氣 氣化碳、氯苯、四氣乙燒、二氣苯(異構物)等中的 :代烴類。該等溶媒可單獨使用,亦可以兩種 物之形式使用。 口 :步驟⑹所製造之烧基錫化合物係選自下述式( '、之—燒基錫化人物、下、十/ 又 烷化Μ 式(49)所表*之㈣基二錫氡 ,化合物之群中的至少-種燒基錫化合物。 氧 [化 41] 〇X1a R1 -S9 — 〇χ2κ R1 134987.doc (48) 201008953 (式中: t R分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷基; 0表示氧原子; 0X及0x2係OX1及ox2之共輛酸即HOX1及HOX2係pKa 為0以上' 6,8以下之布忍斯特酸的〇χι及〇χ2 ; a及b分別為〇〜2之整數,a+b=2) [化 42] 〇x3 R1 _ 〇1 I | Φ R S|J-。-Sn—R1 (49) R1 OX4 (式中: R为別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷基; 〇表示氧原子; 〇X及〇χ4係0χ3及OX4之共扼酸即HOX3及HOX4係pKa 為0以上、6.8以下之布忍斯特酸的〇χ3及〇χ4)。 作為上述式(48)中之Ri的例子,可列舉:甲基、乙基、 參丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、己基 (各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各 異構物)' 癸基(各異構物)、十二烧基(各異構物)等構成該 基團之碳原子數為選自卜12之整數中之數字的脂肪族煙基 之烷基。較好的是構成該基團之碳原子數為選自丨〜8之整 數中之數子的直鍵狀或支鏈狀之垸基。亦可使用構成該基 團之碳原子數為以上所示之範圍以外之烧基之二烧基錫化 合物,但存在流動性變差,或有損生產性的情況。考慮到 134987.doc -115. 201008953 在工業生產時容易獲得,更好的是正丁基、正辛基。 關於上述式(48)中之oxi&OX2,若其共軛酸即Η〇χ1& ΗΟΧ為布忍斯特酸且該共輕酸之為〇以上、6 8以下, 則並無特別限制,較好的是選自由醯氧基、芳氧基所組成 之群中的至少一種取代基,且其共軛酸之}?1(;:3為〇以上、 6.8以下者。更好的是構成該基團之碳原子數為選自〇〜-之整數中之數字的基團。作為該基的具體例,可列舉:乙 ' 酿氧基丙醯氧基、丁醯氧基、戊醯氧基、月桂酿氧基等 由直鍵狀或支鍵狀之飽和院基、幾基及氧原子所構成之酿@ 氧基;苯氧基、甲基苯氧基(各異構物)、乙基苯氧基(各異 構物)、丙基苯氧基(各異構物)、丁基苯氧基(各異構物)、 戊基苯氧基(各異構物)、己基笨氧基(各異構物)、二甲基 苯氧基(各異構物)、甲基乙基苯氧基(各異構物)、甲基丙 基苯氧基(各異構物)、曱基丁基苯氧基(各異構物)、曱基 戊基苯氧基(各異構物)、二乙基苯氧基(各異構物)、乙基 丙基苯氧基(各異構物)、乙基丁基苯氧基(各異構物)、二 丙基苯氧基(各異構物)、三曱基苯氧基(各異構物)、二甲❿ 基乙基苯氧基(各異構物)、二甲基丙基苯氧基(各異構 物)、二甲基丁基苯氧基(各異構物)、甲基乙基丙基苯氧. 基、曱基二曱基笨氧基、三乙基苯氧基(各異構物)等芳氧: 作為上述式(48)所表示之二炫基錫化合物的具體例,可 列舉:二一甲基·二乙酿氧基錫、二甲基_二丙醯氧基錫(各異 構物)甲基—丁酿氧基錫(各異構物)、二曱基_二成酿 134987.doc -116- 201008953 乳基錫(各異構物)、二甲基-二月桂酿氧基锡(各異構物)、 乙醯氧基錫(各異構物)、二丁基-二丙醢氧基錫 (各異構物)、二丁基-二丁酿氧基錫(各異構物)、二丁基-二 2酿乳基錫(各異構物)、二丁基_二月桂酿氧基錫(各異構 物)、二辛基-二乙酿氧基錫(各異構物)、二辛基·二丙醯氧 基錫(各異構物)、-— 一辛基-二丁酿氧基錫(各異構物)、二辛 基-戊醯氧基錫(各異槿物1 -立# 物)一辛基-二月桂醯氧基錫(各異 構物)等二烷基-二醯氧基錫;二甲基_二苯氧基錫、二甲 基-二(甲基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基-二(乙基苯氧基) 錫(各異構物)、二甲基_二(丙基苯氧基)錫(各異構物)、二 甲基一(丁基笨氧基)錫(各異構物)、二甲基-二(戊基苯氧 基)錫(各異構物)、二甲基.二(己基苯氧基)錫(各異構物)、 一甲基-雙(一曱基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基-二(甲基 乙基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基_二(曱基丙基苯氧細 (各異構物一甲基_二(甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、 二甲基-二(甲基戊基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基-雙(二 乙基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基.二(乙基丙基苯氧基)錫 (各異構物)—甲基-二(乙基丁基苯氧基)錫(各異構物)、 二曱基-二(二丙基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基-二(三曱 基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基-雙(二甲基乙基苯氧基)錫 (各異構物)、二甲基-雙(二甲基丙基苯氧基)錫(各異構 物)、二甲基-雙(二甲基丁基苯氧基)锡(各異構物)、二甲 基-二(甲基乙基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基·二(乙 基二甲基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基_二(三乙基苯氧基) 134987.doc •117· 201008953 參 ❹ 錫(各異構物)、二丁基·二苯氧基錫(各異構物)、二丁基-二 (甲基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(乙基苯氧基)錫(各 異構物)、一丁基-二(丙基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基_ 二(丁基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基_二(戊基苯氧基)錫 (各異構物)、二丁基-二(己基苯氧基)錫(各異構物)、二丁 基-雙(一曱基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(甲基乙基 苯氧基)錫(各異構物)、二丁基_二(甲基丙基苯氧基)錫(各 異構物)、一丁基-二(甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二丁 基一(甲基戊基本氧基)錫(各異構物)、二丁基_雙(二乙基 苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(乙基丙基苯氧基)錫(各 異構物)、二丁基-二(乙基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二丁 基-二(二丙基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基二(三甲基苯 氧基)錫(各異構物)、二丁基-雙(二甲基乙基苯氧基)錫(各 異構物)、一丁基-雙(二甲基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二 丁基-雙(二甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基二(甲 基乙基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基二(乙基二▼基 苯氧基)錫(各異構物)、二丁基,二(三乙基苯氧基)錫(各異 構物)、二辛基_二苯氧基錫(各異構物)、二辛基·二(甲基苯 氧基)錫(各異構物)、二辛基_二(乙基苯氧基)錫(各異構 物)、二辛基-二(丙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基-二(丁 基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_二(戍基苯氧基)錫(各異 構物)、二辛基_二(己基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基-雙 (二甲基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基二基乙基苯氧 基)錫(各異構物)、二辛基_二(甲基丙基苯氧基)錫(各異構 134987.doc -118- 201008953 物)、二辛基-二(甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基. 二(甲基戊基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基-雙(二乙基笨氧 基)錫(各異構物)、二辛基_二(乙基丙基苯氧基)錫(各異構 物)、二辛基_二(乙基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_ 二(二丙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_二(三甲基苯氧 基)錫(各異構物)、二辛基-雙(二甲基乙基苯氧基)錫(各異 構物)、二辛基-雙(二甲基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛 基-雙(二子基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基-二(甲基 ❹&基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基-二(乙基二甲基: 氧基)踢(各異構物)、二辛基·二(三乙基苯氧基)锡(各異構 物)等烷基-二芳氧基錫等。 作為上述式(49)中之Ri的例子,可列舉:甲基、乙基、 丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、I基 (各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各 異構物)、癸基(各異構物)、十二烧基(各異構物)等構成該 參錢之碳原子數為選自卜12之整數中之數字的脂肪族煙基 之烷基。較好的是構成該基團之碳原子數為選自1〜8之整 數中之數字的直鏈狀或支鏈狀之烧基。亦可使用構成該基 團之碳原子數為以上所示範圍以外之烧基之四烧基二錫氧 烷化口物’但存在流動性變差’或有損生產性的情況。考 慮到在工業生產時容易獲得,更好的是正丁基、正辛基。 述式(49)中之〇χ3及〇χ4若其共輛酸即Η〇χ3及為 布斯特&、且該共輊酸之pKa為0以上、6.8以下,則並 無特別限制,較好的是選自由酿氧基 '芳氧基所組成之群 134987.doc -119- 201008953 中的至少一種取代基,且其共軛酸之pKa為〇以上、6.8以 下者。更好的是構成該基團之碳原子數為選自〇〜12之整數 中之數字的基。作為該基的具體例’可列舉:乙醯氧基、 丙醯氧基、丁醯氧基、戊醢氧基、月桂酿氧基等由直鍵狀 或支鏈狀之飽和烧基、幾基及氧原子所構成之酿氧基;苯 氧基、甲基苯氧基(各異構物)、乙基苯氧基(各異構物广 丙基苯氧基(各異構物)、丁基苯氧基(各異構物)、戊基苯 氧基(各異構物)、己基苯氧基(各異構物)、二甲基苯氧基 (各異構物)、曱基乙基苯氧基(各異構物广甲基丙基苯氧❹ 基(各異構物)、曱基丁基苯氧基(各異構物)、甲基戊基苯 氧基(各異構物)、二乙基苯氧基(各異構物)、乙基丙基苯 氧基(各異構物)、乙基丁基苯氧基(各異構物)、二丙基苯 氧基(各異構物)、三甲基苯氧基(各異構物)、二甲基乙基 苯氧基(各異構物)、二曱基丙基苯氧基(各異構物)、二曱 基丁基苯氧基(各異構物)、甲基乙基丙基笨氧基、甲基二 甲基苯氧基、三乙基苯氧基(各異構物)等芳氧基等。 作為上述式(49)所表示之化合物的具體例,可列舉:❹ 1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙醯氧基二錫氧烷、113,3_四子基_ ι,3-二丙醯氧基二錫氧烷(各異構物)、四甲基-丨,^ 二丁醯氧基二錫氧烷(各異構物)、四甲基二戊 . 醯氧基二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3_四曱基·-二月桂醯 ’ 氧基二錫氧烷(各異構物)、LL3,%四丁基d,%二乙醯氧基 二錫氧烷(各異構物)、四丁基],3_二丙醯氧基二錫 氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四丁基_1,3_二丁醯氧基二錫氧烷 134987.doc •120· 201008953 ❹ 氧基)二錫氧烷(各異構物) 氧基)一锡氧院(各異構物) 氧基)一錫氧院(各異構物) 氧基)一錫乳烧(各異構物) 氧基)一踢乳院(各異構物) 氧基)二錫氧烧(各異構物) (各異構物)、1,1,3,3-四丁基二戊醯氧基二錫氧烷(各 異構物)、1,1,3,3-四丁基-1,3-二月桂醯氧基二錫氧烷(各異 構物)、1,1,3,3-四辛基-1,3-二乙醯氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基- I,3·二丙醯氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基-1,3-二丁醯氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基-1,3·二戊醯氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基-1,3-二月桂醯氧基二錫氧烷(各異構 物)等1,1,3,3-四烷基-1,3-二醯氧基二錫氧烷;Μ,3,3_四曱 基-1,3-二苯氧基二錫氧烷、l四曱基-^3•二(甲基笨 1,1,3,3-四甲基_ι,3_二(乙基苯 1,1,3,3-四甲基4,3 —二(丙基笨 1,1,3,3-四甲基 _1,3_二(丁基笨 U,3,3-四甲基+3·二(戊基笨 U,3,3·四甲基」,3-二(己基笨 •四甲基-1,3 -雙(二曱茂 苯氧基)一錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四甲基-丨’3·二(甲基 四 乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3·四甲基],二 (甲基丙基笨氧基)二錫氧烷(各異構物)、川二^四甲基_ …二(甲基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、U,3,3: 甲基·1,3·—(甲基戊基苯氧基)二錫氧烧(各異構物)、 ,,3’3 E9f基_1,3_雙(二乙基苯氧基)二錫氧烧(各異構 物)U’3’3-四甲基_1,3-二(乙基丙基苯氧基)二錫氧燒(各 異構物)、U,3,3·四甲基-1,3-二(乙基丁基苯氧基)二錫氧 烧(各異構物)、U,3,3·四甲基-以-二(二丙基苯氧基)二踢 134987.doc 121· 201008953
氧烷(各異構物)、四甲基“,^二(三曱基苯氧基)二 錫氧烷(各異構物)、m3—四甲基_153_雙(二甲基乙美苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、四甲基二曱基 丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四甲基4,3-雙 (二甲基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、1^3-四曱基_ 1,3-二(甲基乙基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3’3-四曱基二(乙基二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異 構物)、1,1,3,3-四甲基{3-二(三乙基苯氧基)二錫氧燒(各 異構物)、1,1,3,3-四丁基-Μ —二苯氧基二錫氧烷(各異構 物)、U,3,3-四了基.仏二(甲基苯氧基)二錫氧貌(各異構 物)、1,1,3,3-四丁基'3-二(乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四丁基_1,3_二(丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四丁基-u-二(丁基笨氧基)二錫氧烧(各異構 物)、1,1,3,3-四了基{3.二(戊基苯氧基)二錫氧烧(各異構 物)、1,1,3,3-四丁基二(己基苯氧基)二錫氧炫(各異構 物)、1,M,3-四丁基+3-雙(二甲基苯氧基)二錫氧烧(各異 構物)、1,1,3,3-四丁基{3-二(甲基乙基苯氧基)二錫氧燒 (各異構物)、U,3,3-四丁基+3·二(甲基丙基苯氧基)二錫 氧烧(各異構物)、U’3’3-四丁基+3.二(甲基丁基苯氧基) 二錫氧烷(各異構物)、…少四丁基汔弘二(甲基戊基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、^弘四丁基·丨,3-雙(二乙基 苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、1133四丁基_13二(乙^ 丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四丁基_ι,3_二 (乙基丁基苯氧基)二錫氧貌(各異構物)、ι ΐ33·四丁基_ 134987.doc -122- 201008953 1’3-二(二丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四丁 基-1,3-二(三f基苯氧基)二錫氧院(各異構物)、ι山3,3_四 丁基_1,3_雙(二甲基乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1’1’3’3 E9 丁基ή (二甲基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異 構物)、1,1,3,3-四丁基],3.雙(二f基丁基苯氧基)二錫氧 烷(各異構物)、以从四丁基十^二(甲基乙基丙基苯氧 基)二錫氧烷(各異構物)、Μ,3,3·四丁基_1>3_二(乙基二甲 基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、u,3,3四丁基4,3-二(三 參 6基苯氧基)二錫氧院(各異構物)、1,1,3,3-四辛基_1,3_二 苯氧基二錫氧烷(各異構物)、1133四辛基_13二(甲基 苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、Μ,3,3•四辛基丨,3_二(乙基 苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、L四辛基_13二(丙基 苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、mi四辛基_丨,3二(丁基 苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、丨,^,、四辛基U二(戊基 苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、.m3四辛基_丨,3_二(己基 φ 苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四辛基雙(二甲 基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四辛基_丨,3二(甲 基乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四辛基_1,3_ 二(曱基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、M,3,3•四辛基_ ι,3-二(甲基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四 辛基-1,3-二(曱基戊基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基-1,3-雙(二乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基-1,3-二(乙基丙基苯氧基)二錫氧烷(各 異構物)、1,1,3,3-四辛基·ι,3-二(乙基丁基苯氧基)二錫氧 134987.doc •123· 201008953 烧(各異構物)、1,1,3,3_四辛基_丨,3_二(二丙基苯氧基)二錫 氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四辛基-1,3-二(三甲基苯氧基)二 錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四辛基-i,3-雙(二甲基乙基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3_四辛基_丨,3_雙(二甲基 丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、M,3,3_四辛基^弘雙 (二甲基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、i,13,3_四辛基_ 1,3-二(甲基乙基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基二(乙基二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異 構物)、1,1,3,3-四辛基-1,3-二(三乙基苯氧基)二錫氧烷(各 異構物)等1,1,3,3-四烷基-1,3-二芳氧基二錫氧烷。 已知’有機錫化合物一般容易形成締合結構,例如存在 二院基錫二烷氧化物形成二聚物結構而存在,或四烷基二 烧氧基二錫氧烷形成由2分子或3分子締合而成之梯狀結構 而存在的情況。即使該締合狀態發生變化,從業者一般亦 以單體結構來表示化合物。 圖3係表示用以說明將上文中所說明之步驟(A卜步驟 及步驟(Z)組合而成的碳酸酯之製造方法之流程圖。 進而,作為上述圖3中所示之碳酸酯之新造方法之其他 方法,對下述方法進行說明:藉由包含下述步驟(丨)〜步驟 (III)之方法來製造_一烧基錫化合物及/或四烧基二踢氧烧化 合物’使用該二烷基錫化合物及/或四烷基二錫氧烷化合 物來進行步驟(Z)。 步驟(I):使下述通式(50)所表示之二烷基錫二烷氧化物 與二氧化碳進行反應’獲得包含碳酸酯、及下述通式(51) 134987.doc •124· 201008953 表之四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氧 基一錫氣烷與二氧化碳之結合體的反應液之步驟; [化 43] R1 〜sA、 I -OR2 (式中: (50) Rl分别镯 r2分别镯 [化 44] 立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為丨〜丨2之烷基 立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為2〜8之烷基) OR2 R1 ~~-sL I R1 | —〇-Sn一R1 R1 (式中: | OR2 (51) R分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之破數為丨〜丨2之烷基; 參 R2分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為2〜8之烷基)。 步驟(Π):藉由蒸餾自該反應液中分離碳酸酯,獲得包 含四炫*基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氧基二錫 氧烧與二氧化碳之結合體的殘留液之步驟; 步驟(III):使該步驟(II)之殘留液、與通式H〇X(pKa為0 以上、6.8以下之布忍斯特酸)所表示之酸及/或通式 XOX(OX基係OX之共扼酸即HOX係pKa為0以上、6.8以下 之布忍斯特酸的OX基)所表示之酸酐進行反應,製造具有 134987.doc •125· 201008953 源自該酸及/或該酸酐之基團(OX基)的下述式(52)所表示 二烷氧基錫化合物及/或下述式(53)所表示之四烷基二 烧化合物之步驟。 [化 45]
OX
R1 -si-OX R1 (52) (式中: R1分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為丨〜12之烷基; 〇表示氧原子; OX表示OX之共軛酸即HOX係pKa為〇以上、6 8以下之布 忍斯特酸的OX基)。 [化 46] 〇x R1 R1 -Sn-〇-Jn一R1
L I R οχ (53) (式中: R为別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為〗〜ΐ2之烷基; 〇表示氧原子; 〇x表示οχ之共軛酸即Η〇χ係pKa為〇以上、6 8以下之布 忍斯特酸的OX基)。 首先,對以上所示之化合物進行說明。 作為上述式(50)中之R1的例子,可列舉:甲基乙基、 丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、己基 134987.doc 201008953 (各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各 異構物)、癸基(各異構物)、十三絲(各異構物)等構成該 基團之炭原子數為選自1〜12之整數中之數字的脂肪族烴基 之烷基。較好的是構成該基團之碳原子數為選自1〜8之整 數子的直鏈狀或支鏈狀之烧基。亦可使用構成該基 團之碳原子數為以上所示之範圍以外之燒基之二垸基錫化 合物’但存在流動性變差,&有損生產性的情況。考慮到 在工業生產時容易獲得,更好的是正丁基、正辛基。
作為上述式(5〇)中之R2的例子,可列舉:甲基、乙基、 丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、己基 (各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物^壬基(各 異構物)、癸基(各異構物)、十二烧基(各異構物)等構成該 基團之碳原子數為選自1〜12之整數中之數字的脂肪族烴基 之烷基。較好的是構成該基團之碳原子數為選自2〜8之整 數中之數字的直鏈狀或支鏈狀之烧基。因此,作為上述式 ⑽中之W基’較好的是甲氧基、乙氧基、丙氧基(各異 構物)、丁氧基(各異構物)、戊氧基(各異構物)、己氧基(各 異構物)、庚氧基(各異構物)、辛氧基(各異構物)、壬氧基 (各異構物)、癸氧基(各異構物)、十二烧氧基(各異構物)等 烧氧基,更好的是乙氧基、丙氧基(各異構物)、了氧基(各 異構物)、戊氧基(各異構物)、己氧基(各異構物)、庚土氧基 (各異構物)、辛氧基(各異構物)。 作為上述式(50)所表 ,1、〜 〜A…啊的具篮 例’可列舉·二甲基·二甲蓋某 T氧基錫、一甲基-二乙氧基錫 134987.doc -127- 201008953 二甲基-二丙氧基錫(各異構物)、二甲基_二了氧基錫(各異 構物)、一曱基-二戊氧基錫(各異構物)、二曱基_二己氧基 錫(各異構物)、二甲基-二庚氧基錫(各異構物)、二甲基-二 辛氧基錫(各異構物)、二丁基·二曱氧基錫(各異構物)、二 丁基·二乙氧基錫(各異構物)、二丁基·二丙氧基錫(各異構 物)、二丁基-二丁氧基錫(各異構物)、二丁基二戊氧基錫 (各異構物)、二丁基-二己氧基錫(各異構物)、二丁基-二庚 氧基錫(各異構物)、二丁基-二辛氧基錫(各異構物)、二辛 基-二曱氧基錫、二辛基_二乙氧基錫、二辛基二丙氧基錫 t各異構物)、二辛基-二丁氧基錫(各異構物)、二辛基-二戊 乳基錫(各異構物)、二辛基_二己氧基錫(各異構物广二辛 A庚氧基錫(各異構物)、二辛基_二辛氧基錫(各異構物) 等。 作為上述式(5丨)中之Ri的例子,可列舉:甲基乙基、 丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戍基(各異構物)、己基 (各異構物)庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各 異構物)、癸基(各異構物)、十二烧基(各異構物)等構成該 基團之碳原子數為選自卜12之整數中之數字的脂肪族煙基 之烷基。較好的是構成該基團之碳原子數為選自1〜8之整 數中之數字的直鍵狀或支鏈狀之烧基。亦可使用構成該基 團之碳原子數為以上所示範圍以外之烷基之四烷基二錫氧 院化合物’但存在流動性變差,或有損生產性的情況。考 慮到在工業生產時容易獲得,更好的是正丁基正辛基。 關於上述式(51)中之〇χ3及〇χ4,若其共軛酸即Η〇χ3及 134987.doc 201008953 臓4為布㈣特酸且該共輛酸之PKa為0以上、68以下, 則並無特別限制,較好的是選自由酿氧基、芳氧基所组成 之群中的至少-種取代基,且其共輛酸之此為〇以上、 6.8以下者。更好的是構成該基團之碳原子數為選自〇〜12 之整數中之數字的基。作為該基的具體例,可列舉:乙酿 氧基、丙酿氧基、丁酿氧基、戍酿氧基、月桂酿氧基等由 直鏈狀或支鏈狀之飽和燒基、幾基及氧原子所構成之酿氧 基,苯氧基、甲基苯氧基(各異構物)、乙基苯氧基(各異構 物丙基苯氧基(各異構物)、丁基苯氧基(各異構物)、戊 基苯氧基(各異構物)、己基苯氧基(各異構物)、二甲基笨 氧基(各異構物)、曱基乙基苯氧基(各異構物)、甲基^基 苯氧基(各異構物)、甲基丁基苯氧基(各異構物)、?基^ 基^基(各異構物)、二乙基苯氧基(各異構物)、乙基丙 基苯氧基(各異構物)、乙基丁基苯氧基(各異構物)、二丙 基苯氧基(各異構物)、三甲基苯氧基(各異構物卜二甲基 乙基苯氧基(各異構物)、二曱基丙基苯氧基(各異構物卜 二甲基丁基苯氧基(各異構物)、甲基乙基丙基苯氧基、甲 基二甲基苯氧基、三乙基苯氧基(各異構物)等芳氧基等。 作為上述式(51)所表示之化合物的具體例,可列舉: 1,1,3,3-四甲基-a二乙醯氧基二錫氧烷、四甲基· 1,3_二丙醢氧基二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四甲基],3· 二丁醯氧基二錫氧烷(各異構物)、u,3,3_四甲基·1,3_二戊 酿氧基二錫氧燒(各異構物)、四甲基_1>3_二月桂酿 氧基二錫氧貌(各異構物)、1,1’3,3-四了基_;ι,3_二乙酿氧基 134987.doc •129- 201008953 錫氧燒(各異構物)、Μ,3,3.四丁基十3_二丙酿氧基二錫 氧烷(各異構物)、Μ,3,3·四丁基-Μ-二丁醯氧基二錫氧烷 (各異構物)、…义四丁基],3_二戊酿氧基二錫氧烷(: 異構物)、1,1,3’3-四丁基-l,3-二月桂醯氧基二錫氧烷(各異 構物)、1,1,3,3-四辛基-以-二乙醯氧基二錫 ❿ 物卜一辛一丙酿氧基二錫氧燒(各= 物)、1,1,3,3-四辛基-U3-二丁醯氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,I,3,3-四辛基^3-二戊醯氧基二錫氧垸(各異構 物)、1,1,3,3-四辛基-!,3_二月_氧基二錫氧炫(各異構 物)等1,1,3,3-四烷基_1,3-二醯氧基二錫氧烷;四甲 基-1,3-二苯氧基二錫氧烷、113 3四甲基、ΐ 3·二(甲基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、M,3,3四甲基_丨,3•二(乙基笨 氧基)二錫氧烷(各異構物)、U 3,3四甲基],%二⑺基笨 氧基)二錫氧烷(各異構物)、四甲基二(丁基笨 氧基)二錫氧烷(各異構物)、U,3,3-四甲基二(戊基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、mi四甲基_〗,3二(己基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、四甲基-雙(二子基 苯氧基)二錫氧炫(各異構物)、1,1,3,3-四甲基'3.二(甲i 乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、u,3,3•四甲基-^-二 (甲基丙基苯氧基)二錫氧燒(各異構物)、m)·四甲基— 1’3-二(甲基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、以从四 甲土 1,3 一(甲基戊基笨氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3·四甲基-i’3·雙(二乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)1’1’3’3 ra甲基_ι’3-二(乙基丙基笨氧基)二錫氧烧(各 134987.doc -130. 201008953 物) 物) 物) 物) 物) 異構物)、1,1,3,3-四甲基-u-二(乙基丁基苯氧基)二錫氡 烷(各異構物)、1,1,3,3-四甲基-u-二(二丙基苯氧基)二錫 氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四甲基二(三曱基苯氧基)二 錫氧烧(各異構物)、1,1,3,3-四甲基- i,3-雙(二甲基乙基笨 氧基)二錫氧烷(各異構物)、四甲基“,弘雙丨二曱基 丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、m3四甲基_i,3•雙 (二甲基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、113,3_四曱基· 1,3-二(甲基乙基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1’1,3,3-四曱基-1,3_二(乙基二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異 構物)、1,1,3,3-四甲基二(三乙基苯氧基)二錫氧烷(各 異構物)、1,1,3,3-四丁基二苯氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四丁基_1,3_二(甲基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四了基二(乙基苯氧基)二錫氧燒(各異構 1,1,3,3-四丁基4,3-二(丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 1,1,3,3-四丁基-丨口-二(丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構 1,1’3’3-四丁基-丨,^二(戊基苯氧基)二錫氧烷(各異構 1,1,3,3-四丁基二(己基苯氧基)二錫氧烷(各異構 1,1,3,3·四丁基_;ι,3_雙(二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異 構物)、四丁基+3-二(甲基乙基苯氧基)二錫氧燒 (各異構物)、l5l,3,3-四丁基二(甲基丙基苯氧基)二錫 氧烷(各異構物)、“1,3,3·四丁基-1,3-二(甲基丁基苯氧基) 二錫氧燒(各異構物)、u,3,3_四丁m二(甲基戊基笨 氧基)二錫氧烷(各異構物)、μ,3,3·四丁基],3_雙(二乙基 苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、1山3,3·四丁基二(乙^ 134987.doc -131 - 201008953 丙基苯氧基)二錫氧炫(各異構物)、U,3,3-四丁基十3_二 (乙基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、丨,…四丁基 以二丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、U,3,3_四丁 基-1,3-一(二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、Μ) 3·四 丁基*雙(二甲基乙基苯氧基)二錫氧燒(各異構物)、 ❹ ’ ’3’3四丁基_1>3_雙(二甲基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異 構物)、U,3,3^ 丁基],3·雙(二甲基丁基苯氧基)二錫氧 院(各異構物四丁基],3_二(甲基乙基丙基苯氧 基)二錫氧院(各異構物)、u,33_四丁基^-二(乙基二甲 基苯氧基)二錫氧烧(各異構物)、i山3,3_四丁m(三 乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、…,弘四辛基 1’1,3,3-四辛基_1>3_二(乙基 1,1’3,3-四辛基-I%二(丙基 1’1,3,3_四辛基_1,3_二(丁基 U,3,3-四辛基_i,3·二(戊基 1,1,3,3-四辛基-丨,3_二(己基 1’1,3,3 -四辛基-1,3 -雙(二甲 苯氧基二錫氧烷(各異構物)、u,3,3_四辛基“,3二(甲: 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 土 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 笨氧基)二錫氧烷(各異構物) Θ 苯氧基)二錫氧烧(各異構物) 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、1^3-四辛基 基乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、U3,3_四辛基_丨,3· 二(甲基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、113 3四辛基_ 1,3_二(甲基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、,弘四 辛基-1,3· 一(曱基戊基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基^3-雙(二乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 134987.doc •132· 201008953 物)、1,1,3,3-四辛基-1,3_二(乙基丙基苯氧基)二錫氧烷(各 異構物)、1’1,3,3-四辛基_丨,3_二(乙基丁基苯氧基)二錫氧 烷(各異構物)、1,1,3,3-四辛基-u-二(二丙基苯氧基)二錫 氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四辛基二(三甲基苯氧基)二 錫氧烷(各異構物)、四辛基_153_雙(二甲基乙基笨 氧基)二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四辛基-1,3-雙(二甲基 丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四辛基•雙 (二曱基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四辛基_ —(甲基乙基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基二(乙基二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異 ㈣卜1’1’3’3_四辛基+3·二(三乙基苯氧基)二錫氧烧(各 異構物)等1,1,3,3-四燒基-仏二芳氧基二錫氧烷。 已知,有機錫化合物一般容易形成締合結構,例如存在 二烷基錫二烷氧化物形成二聚物結構而存在,或四烷基二 燒氧基-踢氧烧形成由2分子或3分子締合而成之梯狀結構 而存在的情況。即使該締合狀態發生變化,從業者一般亦 以單體結構來表示化合物。 關於上述式(52)所表示之二烷基錫化合物及上述式(53) 所表示之四燒基二錫氧燒化合物,在下文中進行說明。 其次,對各步驟進行說明。 :驟⑴係下述步驟:使上述式(5〇)所表示之二烷基錫二 院乳化物與二氧化碳進行反應,獲得包含碳酸酯、及上述 」)表示之四燒基二燒氧基二錫氧院及/或四烧基二烧 氧基二錫氧燒與二氧化碳之結合體的反應液。 134987.doc -133- 201008953 該步驟(I)與上述步驟(a)類似’可藉由相同之方法來實 施。 步驟(I)中所使用之二烷基錫二烷氧化物可藉由上述中所 說明之方法來製造,本步驟中所使用之二烷基錫二烷氧化 物,亦可適當使用由二烷基氧化錫與醇之反應所製造之二 烷基錫二烷氧化物。將其製造方法示於如下。 作為醇,可較好地使用曱醇、乙醇、丙醇(各異構物卜 丁醇(各異構物)、&醇(各異構物)、〔醇(各異構物)、庚醇 (各異構物)、辛醇(各異構物)、壬醇(各異構物)、癸醇(各 異構物)等構成該醇之碳原子數為選自1〜12之整數中之數 子的醇。更好的是乙醇、丙醇(各異構物)、丁醇(各異構 物)、戊醇(各異構物)、己醇(各異構物)、庚醇(各異構 物)辛醇(各異構物)等構成該醇之碳原子數為選自2〜8之 整數中之數字的醇。 二烷基錫二烷氧化物之製造中所使用之二垸基氧化錫, 可使用下述式(54)所表示之二烷基氧化錫。 [化 47] (54) (式中: 2別獨立表不直鏈狀或分支狀之碳數為W之统基)。 丙各上異Γ(54)中之R,的例子,可列舉:甲 物)、丁基(各異構物)、戍基(各異構物)、己基 I34987.doc 201008953 (各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各 異構物)、癸基(各異構物)、十一烷基(各異構物)、十二烷 基(各異構物)等碳數為卜12之脂肪族烴基之烷基。更好的 疋碳數為1〜8之直鏈狀或支鏈狀之飽和烷基,更好的是正 丁基、正辛基。 使醇與二烷基氧化錫進行脫水反應,一面將所生成之水 排出至反應體系外,一面獲得四烷基二烷氧基二錫氧烷及/ 或二烷基錫二烷氧化物。實施該反應之溫度例如為 ⑩ 80〜180 C之範圍,為了將所生成之水蒸德排出至反應體系 外,雖然亦取決於反應壓力,但實施該反應之溫度較好的 疋100 C〜180°c,為了提高反應速度,較好的是反應溫度 為高溫,但另一方面,亦存在於高溫下亦引起分解等不良 反應的情況,而導致產率降低,因此更好的是 100°C〜160°c之範圍。反應壓力係可將所生成之水排出至 反應體系外之壓力,雖亦取決於反應溫度,但宜在 ❿ 20〜lxl〇6Pa下進行反應。脫水反應之反應時間並無特別限 制,通常為0.001〜50小時,較好的是〇〇1〜1〇小時,更好的 是〇·1〜2小時。若可獲得含有所需量之二烷基錫二烷氧化 物之組合物,則亦結束反應。反應之進行,可藉由測定排 出至系統外之水量而得知,亦可藉由對反應液進行抽樣並 進行119Sn-NMR之方法而得知。 含有二烷基錫二烷氧化物之組合物主要含有二烷基錫二 烷氧化物與四烷基二烷氧基二錫氧烷’在確認獲得該組合 物所含有之四烷基二烷氧基二錫氧烷與二烷基錫二烷氧化 134987.doc -135. 201008953 物之莫耳比率’以將兩者合併之莫耳。/。表示,在〇: 100〜80 : 20之範圍内的組合物,更好的是10 : 9〇〜7〇 : 3〇 之範圍之組合物後’結束反應。所使用之醇可直接在共存 之狀態下使用,亦可視情況將醇蒸餾去除後再使用。由於 具有可減小其他步驟之反應器之優點,因此較好的是儘可 能地去除醇。去除方法較好的是公知之蒸餾去除,又,蒸 顧中所使用之蒸餾器可使用公知之蒸餾設備。作為較好之 蒸餾裝置’由於可以短時間加以去除,因此可較好地使用 薄膜蒸餾裝置。脫水反應之反應器之形式並無特別限制, 可使用公知之槽狀、塔狀之反應器。含水之低沸點反應混 合物可藉由蒸館而以氣體狀自反應器排出,並將包含所製 造之二烷基錫二烷氧化物之高沸點反應混合物自反應器下 部以液狀排出。作為該反應器,例如可使用:使用包含攪 拌槽、多級攪拌槽、蒸館塔、多級蒸餾塔、多管式反應 器、連續多級蒸餾塔、填充塔、薄膜蒸發器、内部具備支 持體之反應器、強制循環反應器、落膜蒸發器、滴落蒸發 器、細流相反應器、泡罩塔之任意者的反應器之方式,及 將該等組合之方式等公知之各種方法。就可有效地使平衡 移動至生成系侧方面而言,較好的是使用塔狀之反應器之 方法,又,較好的是使所形成之水迅速移動至氣相之氣_ 液接觸面積較大之結構。亦可利用使用有多管式反應器' 多級蒸餾塔、填充有填充劑之填充塔之連續法,但由於本 步驟中所使用之二烷基氧化錫通常為固體狀,因此最好的 疋首先在槽狀反應器中實施反應,繼而在塔型反應器中提 134987.doc -136- 201008953 高二烧基錫二烧氧化物之含1的方法。反應器及管線之材 質若不會造成不良影響’則亦可為公知之任何反應器及管 線’ SUS304或SUS316、SUS316L等較為廉價,可較好地 使用。視需要亦可附加流量計、溫度計等測量儀器,再沸 器、泵、冷凝器等公知之加工裝置,加熱亦可利用蒸汽、 加熱器等公知方法,冷卻亦可使用自然冷卻、冷卻水、鹽 水等公知方法。 在步驟(I)中,使二烷基錫二烷氧化物吸收氣體狀二氧化 ® 碳,使其進行化學反應,獲得包含二烷基錫二烷氧化物與 二氧化碳之結合體的混合物。 進行該化學反應時,可將該二烷基錫二烷氧化物製成液 狀’或利用溶媒等製成液狀後進行反應。為了製成液狀, 較好的疋使用藉由加熱而製成液狀之方法,又,亦可利用 溶媒等而製成液狀。反應壓力雖取決於反應溫度,但較好 的是常壓〜1 MPa之範圍,更好的是常壓〜〇.6 MPa之範圍。 該反應溫度雖亦取決於反應壓力,但較好的是_40°C ~8(TC 之範圍’若考慮到輸送時之流動性,更好的是〇〇C〜8〇乞, 最好的範圍是常溫(例如2〇。〇)〜80°C。關於反應時間,可 在數秒〜100小時之範圍内實施,若考慮到生產性等,較好 的是數分鐘〜10小時。反應器可使用公知之槽型反應器、 塔型反應器。又,亦可將複數個反應器組合使用。反應係 二氧化碳氣體(氣體)與含有二烷基錫二烷氧化物之組合物 (液體)之反應,因此為了有效地進行反應,較好的是增大 氣液界面,而增大氣體與液體之接觸面積。增大該氣液界 134987.doc •137- 201008953 面而進行反應之方法,可囍ώ八 藉由公知之知識見解,例如採用 槽型反應器時,較好的是据离撙 j疋捉间攪拌速度、或在液體中產生 氣泡之方法;採用塔型反應器時,較好的是利用填充塔、 或利用層板塔之方法。作為料型反應㈣例子例如可 利用:使时料塔板、多孔板塔板、浮料板、逆流塔 板等塔板之層板塔方式者,或填充有拉西環、勒辛環、鮑 爾環、貝爾鞍形填料、矩鞍環填料、狄克松填料、網鞍填 料、螺旋填料、Sulzer填料、孔板波紋填料等各種填充物 之填充塔方式者等。反應器及管線之材質若不會造成不良 影響,則亦可為公知之任何反應器及管線,sus3〇4或 SUS316、SUS316L等較為廉價,可較好地使用。視需要亦 可附加流量計、溫度計等測量❹,再沸器、纟、冷凝器 等公知之加工裝置,加熱亦可利用蒸汽、加熱器等公知方 法冷卻亦可使用自然冷卻、冷卻水、鹽水等公知方法。 由於反應通常為發熱反應,因此可進行冷卻,或亦可藉由 反應器之散熱來進行冷卻。或者,若為了使碳酸酯化反應 同時進行,亦可進行加熱。反應器之冷卻、加熱可使用利 用套管之方法、利用内部線圈之方法等公知方法。可將供 給至反應器之二氧化碳氣體與含有二烷基錫二烷氧化物之 組合物分別供給至反應器’亦可在供給至反應器之前加以 混合。亦可自反應器之複數個部位進行供給。反應之結 束’例如可藉由119Sn-NMR分析來決定。 其次’利用上述所獲得之二烷基錫二烷氧化物與二氧化 碳之結合體’藉由以下方法,獲得包含碳酸酯之反應液。 134987.doc •138· 201008953 反應條件為110°C ~20〇°C之誌Λ L之耗圍,為了提高反應速度, 較好的是反應溫度為高溫,但另—方面,亦存在於高溫下 亦引起分解等不良反應的情況,而導致產率降低,因此較 好的是㈣^贼之範圍^小時〜叫時之範^反 應壓力為1.5 MPa〜20 MPa,較好的是2 〇 Μρ&〜ι〇 Mpa之範 圍。若在反應器中生成所需之碳酸醋,則亦可結束反應。 反應之進行可藉由如下之方法來確認:對反應器内之反應 液進行抽樣,利用iH-NMR或氣相層析法等方法,對生成 瘳 Μ㈣進行分析等。例如,相對於二烧基錫二烧氧化物 化合物及/或二烷基錫二烷氧化物與二氧化碳之結合體之 莫耳數,若生成10%以上則可結束反應,欲增加碳酸酯之 產量時,可繼續反應直至該值達到90%以上後再結束反 應。反應器可使用公知之反應器,可較好地併用塔型反應 器、槽型反應器。反應器及管線之材質若不會造成不良影 響,則亦可為公知之任何反應器及管線,SUS304或 ❹ 8聰16、SUS316L等較為廉價,可較好地使用。視需要亦 可附加流量計、溫度計等測量儀器,再沸器、泵、冷凝器 等公知之加工裝置,加熱亦可利用蒸汽、加熱器等公知方 法,冷卻亦可使用自然冷卻、冷卻水、鹽水等公知方法。 對下一步驟(Π)進行說明。本步驟(11)係與上文中所說明 之步驟(b)類似之步驟,可藉由相同之方法來實施。 步驟(II)係下述步驟:自步驟⑴中所獲得之包含碳酸酯 之反應液中分離碳酸酯,獲得包含四烧基二烧氧基二錫氧 烧及/或四烧基二院氧基二錫氧炫與二氧化碳之結合體的 134987.doc -139- 201008953 殘留液。分離方法可適當使用公知之方法或裝置。較好的 方法是藉由蒸館之方法。 對自步驟(a)所轉移之反應液分批或半分批、或連續地蒸 餾,而獲得碳酸酯與殘留液。較好的蒸餾方法係下述方 法:將該反應液供給至蒸餾器,將碳酸酯作為氣相成分而 自蒸餾器上部分離至系統外,並將殘留液作為液狀成分而 ,- 自蒸餾器底部排出。本步驟之溫度雖取決於該碳酸醋^弗 . 點或壓力,但可為常溫(例如2〇°c )〜2〇〇°c之範圍,由於在 高溫下存在殘留液中之錫化合物發生改質之情形、或碳酸❿ 酯因逆反應而減少之情形,因此較好的是常溫(例如 20 C )〜150 C之範圍。壓力雖亦取決於碳酸酯之種類或 實施溫度,通常在常壓〜減壓條件下進行,若考慮到生產 性,更好的是100 Pa〜80 KPa之範圍,最好的範圍是1〇〇 Pa〜50 KPa。關於時間,可在〇_〇1小時〜1〇小時之範圍内實 施,若在高溫下長時間實施,亦存在該反應液所包含之錫 化〇物發生改質之情形、或碳酸酯因逆反應而減少之情 形,因此較好的是0.01小時〜0.5小時之範圍,最好的是鬱 0.01小時〜0.3小時之範圍。蒸餾器可使用公知之蒸餾器, 亦可較好地使用塔型蒸餾器、槽型蒸餾器,亦可將複數種 . 組合使用。更好的蒸餾器係薄膜蒸發器、薄膜蒸餾器,最 . 好的是具備蒸餾塔之薄膜蒸發器、薄膜蒸餾器。蒸餾器及 管線之材質若不會造成不良影響,則亦可為公知之任何反 應器及管線’ SUS304或SUS316、SUS316L等較為廉價, 可較好地使用。視需要亦可附加流量計、溫度計等測量儀 134987.doc .140· 201008953 用基,弗@纟、冷凝器等公知之加工裝置’加熱亦可利 μ'加熱器等公知方法,冷卻亦可使用自然冷卻、a 卻水、鹽水等公知方法。 v 下-步驟(III)係與上述所示之步驟(c)類似之步驟, 施相同之方法。
該步驟(III)中,作為通式Η〇χ所表示之酸,可較好地使 用+有機酸作為該酸。作為有機酸,可例示:㈣、續酸、 苯酚等,較好的是使用羧酸。作為羧酸,例如可列舉:甲 酸、乙酸、丙酸、正丁酸、異丁酸、纽、異戊酸、2_甲 基丁酸、三甲基乙酸、己酸、異己酸、2_乙基丁酸、2,2_ 二曱基丁酸、庚酸(各異構物)、辛酸(各異構物)、壬酸(各 異構物)、癸酸(各異構物)、十一烷酸(各異構物)、十二烷 酸(各異構物)、十四烷酸(各異構物)、十六烷酸(各異構 物)、丙烯酸、丁烯酸、異丁烯酸、乙烯基乙酸、曱基丙 烯酸、當歸酸、順芷酸、烯丙基乙酸、十—烯酸(各異構 物)等飽和或不飽和脂肪族單羧酸化合物;乙二酸、丙二 酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸(各異構物)、辛二 酸(各異構物)、壬二酸(各異構物)、癸二酸(各異構物)、順 丁烯二酸、反丁烯二酸、甲基順丁烯二酸、曱基反丁烯二 酸、戊烯二酸(各異構物)、亞曱基丁二酸、烯丙基丙二酸 等飽和或不飽和脂肪族二羧酸;1,2,3-丙烷三甲酸、〖,2,3-丙烯三甲酸、2,3-二曱基丁烷-1,2,3-三曱酸等飽和或不飽 和脂肪族三羧酸化合物;苯甲酸、甲基笨甲酸(各異構 物)、乙基苯甲酸(各異構物)、丙基苯甲酸(各異構物)、二 134987.d〇c -141· 201008953 甲基苯甲酸(各異構物)、三甲基苯曱酸(各異構物)等芳香 族單羧酸化合物;鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲 酸、甲基間苯二甲酸(各異構物)等芳香族二羧酸化合物; i’2,3苯一甲酸、丨,2,4_苯三甲酸、丨,3,5·苯三甲酸等芳香 族三羧酸化合物等。該等羧酸中,較好的是使用飽和單羧 酸更好的是使用標準沸點為300。(:以下之飽和單羧酸, 更好的是使用標準沸點為25〇t以下之飽和單羧酸。標準 沸點如化學大辭典(共立出版股份有限公司、2003年10月1 日發行)中之記載所示,係指在丨個氣壓下之彿點。具體而 言,可較好地使用乙酸、丙酸、正丁酸、異丁酸、戊酸、 異戊酸、2_甲基丁酸、三曱基乙酸、己酸。 又
芡驟(m)中,作為通式χ〇χ所表示之酸酐,可歹 舉:乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐、異丁酸酐、戊酸酐、異/ 酸肝、丁二料、順m丙二酸酐、戊二酸肝考 脂肪族酐;苯甲酸軒、鄰苯二甲酸肝、均苯四甲酸酐等突 香族酸酐。該等中’較好的是使用標準沸點為贿以1 鲁
酸酐由於反應後,可容易地去除過剩之酸酐,因此J 好的是使用標準沸點為2_以下之酸軒。進而,就可笔 易地將生成之副產物羧酸酯等排出至反應體系外、在工含 上可容易地獲得方面而言,較好的是順丁缚二酸針、乙画 酐。 該等酸及酸酐可單獨制,亦可混合複數種進行使用, 使用酸時,例如使四m氧基二錫氧燒化合物與酸進 打反應時,生成水之情形較多了去除該水,亦可進行 134987.doc •142- 201008953 蒸餾分離或膜分離,或使用脫水劑。又,作為脫水劑,較 好的是組合使用酸酐者。進而,僅使用酸酐時,例如四烷 基二烷氧基二錫氧烷化合物與乙酸酐之反應中不生成水之 情形較多,因此較好的是僅使用酸酐之方法。 考慮到步驟(III)中之反應速度或最終二烷基錫化合物之 產率,酸及/或酸酐之使用量,相對於步驟(π)甲所獲得之 殘留物中所含有之錫原子’以化學計量比表示,較好的是 使用0.1〜50倍之範圍,若考慮到反應器之大小、或反應速 ® 度,更好的是使用〇.5〜20倍之範圍。酸及/或酸酐之使用量 以化學計量比表示而少於〇.i時,存在難以進行反應之情 形,相反,以化學計量比表示即使使用大於50倍時,亦不 會對該步驟中之反應速度或最終二烷基錫化合物之產率產 生影響之情形較多。 步驟(III)之反應較好的是在_2(rc以上、3〇〇t以下之反 應溫度下實施,更好的是在_1(rc以上、250t以下之反應 參 溫度下實施,為了提高反應速度,較好的是反應溫度為高 溫,但另一方面,亦存在於高溫下會引起分解等不良反應 之情形,而導致產率降低,因此更好的是在0£>c以上、 23〇^C以下之反應溫度下實施。又’步驟(ΙΠ)之反應較好 的是在氬氣、氖氣、氮氣等惰性氣體之環境下進行。 步驟(III)中無需使用溶媒,但為了提高流動性、或使反 應操作變得容易、或在反應中生成水時將該水有效地排出 至反應體系外’亦可使用溶媒。作為該溶媒,例如可列 舉:碳數為5〜16之直鏈狀、分支狀、環狀之烴;包含碳數 134987.doc •143· 201008953 為4〜16之直鏈狀、分支狀、環狀之烴之醚類;碳數為丨〜^ 之直鏈狀、分支狀、環狀之鹵代烴類等。具體而言,可使 用選自戊烷(各異構物)、己烷(各異構物)、庚烷(各異構 物)、辛院(各異構物)、壬烷(各異構物)、癸烷(各異構 物)、十六烧(各異構物)、環己烷、環庚烷、環辛烷、苯、 甲苯、一甲苯(各異構物)、乙基苯等中的鍵狀、環狀之 烴;選自乙醚、丙醚(各異構物)、丁醚(各異構物)、己醚 (各異構物)、辛^|(各異構物)、苯謎等中的_類·,選自二 氣甲烷、氣仿、四氣化碳、氣苯、四氯乙烷、二氣苯(異❹ 構物)等中的鹵代烴類。該等溶媒可單獨使用,亦可以兩 種以上之混合物之形式使用。 該步驟(III)所製造之烷基錫化合物係選自下述式(52)所 表示之二烷基錫化合物、下述式(53)所表示之四烷基二錫 氧烧化合物之群中的至少一種烷基錫化合物。 [化 48] ox1.
(52)
I (式中 R1 ——Sn ——〇X2b R1 R分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷基; 0表示氧原子; 0X及0x2係OX1及OX2之共軛酸即HOX1及HOX2係pKa 為〇以上、6.8以下之布忍斯特酸的οχι及〇χ2 ; a及b分別為〇〜2之整數,a+b=2) [化 49] 134987.doc -144- (53) 201008953 〇x3 R1 , I ι R -Sn-O--Sn—R1 R1 OX4 (式中: R刀別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為丨〜12之烷基; 〇表示氧原子; ❼ OX及OX係οχ3及〇χ4之共輕酸即恥又3及Η〇χ4係pKa 為〇以上、6.8以下之布忍斯特酸的οχ3及of)。 作為上述式(52)中之R1的例子,可列舉:甲基、乙基、 丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、己基 (各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各 異構物)、癸基(各異構物)、十二烷基(各異構物)等構成該 基團之碳原子數為選自卜12之整數中之數字的脂肪族煙基 之烷基較好的是構成該基團之碳原子數為選自i〜8之整 φ 之數子的直鍵狀或支鏈狀之烷基。亦可使用構成該基 團之碳原子數為以上所示之範圍以外之烷基之二烷基錫化 合物,但存在流動性變差,或有損生產性之情形。考慮到 在工業生產時容易獲得,更好的是正丁基、正辛基。 關广上述式(52)中之0χΙ及0χ2,若其共輛酸即HOX1及 Η〇Χ為布忍斯特酸,且該共輛酸之pKa為0以上、6.8以 下,則並無特別限制,較好的是選自由醯氧基、芳氧基所 成之群中的至少一種取代基,且其共軛酸之pKa為〇以 6_8以下者。更好的是構成該基團之碳原子數為選自 134987.doc •145· 201008953 〇〜12之整數中之數字的基團。作為該基的具體例,可列 舉:乙醯氧基、丙醢氧基、丁酿氧基、戊酿氧基、月㈣ 氧基等由直鍵狀或支鏈狀之飽和燒基、幾基及氧原子所構 成之醯氧基;苯氧基、甲基苯氧基(各異構物)、乙基笨氧 基(各異構物)、丙基苯氧基(各異構物)、丁基苯氧基(各異 構物)、戊基笨氧基(各異構物)、己基苯氧基(各異構物)、 二甲基苯氧基(各異構物)、甲基乙基苯氧基(各異構物)、 甲基丙基苯氧基(各異構物)、甲基丁基苯氧基(各異構 物)、甲基戊基苯氧基(各異構物)、二乙基苯氧基(各異構 物)、乙基丙基苯氧基(各異構物)、乙基丁基苯氧基(各異 2物、):二丙基苯氧基(各異構物)、三甲基苯氧基(各異構 、一甲基乙基苯氧基(各異構物)'二甲基丙基苯氧基 (各異構物)、二甲基丁基苯氧基(各異構物)、甲基乙基丙 基本氧基、甲基二甲基苯氧= 等芳氧基等。 -乙基本氧基(各異構物) ❿ :為上述式(52)所表示之二燒基錫化合物的具體例,可 '二甲基_二丙酿氧基錫(各異 =二 醮氧基錫(各異構物)、二甲基-二戊酿 一丁I —月桂醯氧基錫(各異構物)、 Γ各^物二)乙酿1錫(各異構物)、二丁基-二丙酿氧基錫 (各異構物)、二丁基-二丁醯氧基 戊酿氧基錫(各異構…、二 構物)—丁基-一 物)、-在1 —月桂酿氧基錫(各異構 ==乙酿氧基錫(各異構物)、二辛基-二丙醯氧 踢(各異構物)、二辛基·二丁酿氧基锡(各異構物)、二辛 134987.doc -146- 201008953 ❹ 基-戊醯氧基錫(各異構物)、二辛基_二月桂醯氧基錫(各異 構物)等二烷基-二醯氧基錫;二甲基_二苯氧基錫、二甲 基-二(甲基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基_二(乙基苯氧基) 錫(各異構物)、二甲基-二(丙基苯氧基)錫(各異構物)、二 甲基-一(丁基苯氧基)錫(各異構物二二 賴各異構物)'二甲基-二(己基笨氧基)錫(各(異戍構土^ 二甲基-雙(二甲基苯氧基)錫(各異構物)、二曱基-二(甲基 乙基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基_二(甲基丙基苯氧基)錫 (各異構物)、二甲基二(甲基丁基笨氧基)錫(各異構物)、 二甲基-二(甲基戊基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基-雙(二 乙基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基_二(乙基丙基苯氧基)錫 (各異構物)、二甲基-二(乙基丁基苯氧基)錫(各異構物)、 二甲基-二(二丙基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基二(三甲 基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基·雙(二甲基乙基苯氧基)錫 (各異構物)、二甲基·雙(二甲基丙基苯氧基⑷各異構 物)、二甲基-雙(二甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二甲 基-二(甲&乙基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二甲基二(乙 基二甲基苯氧基)錫(各異構物)' 二甲基·二(三乙基苯氧基) 錫(各異構物)匕丁基_二苯氧基錫(各異構物)、二丁基-二 (甲基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(乙基苯氧基)錫(各 異構物)、二丁基-二(丙基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基_ 二(丁基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基_二(戊基笨氧基)錫 (各異構物)、二丁基-二(己基苯氧基)錫(各異構物)、二丁 基-雙(二曱基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(甲基乙基 134987.doc -147- 201008953 苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(曱基丙基苯氧基)錫(各 異構物)—丁基_二(甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二丁 基-二(甲基戊基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基雙(二乙基 苯氧基)錫(各異構物)、二丁基_二(乙基丙基苯氧基)錫(各 異構物)、一丁基-二(乙基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二丁 基-二(二丙基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(三甲基苯 氧基)錫(各異構物)、二丁基_雙(二甲基乙基苯氧基)錫(各 異構物)、二丁基-雙(二甲基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二 丁基-雙(二曱基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基-二(甲❿ 基乙基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二丁基·二(乙基二甲基 苯氧基)錫(各異構物)、二丁基_二(三乙基苯氧基)錫(各異 構物)、二辛基-二苯氧基錫(各異構物)、二辛基_二(甲基苯 氧基)錫(各異構物)、二辛基_二(乙基苯氧基)錫(各異構 物)、二辛基·二(丙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基二(丁 基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_二(戊基笨氧基)錫(各異 構物)、二辛基-二(己基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基-雙 (二甲基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_二(甲基乙基苯氧_ 基)錫(各異構物)、二辛基-二(甲基丙基苯氧基)錫(各異構 物)、二辛基·二(甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_ . 二(甲基戊基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_雙(二乙基苯氧 · 基)錫(各異構物)、二辛基-二(乙基丙基苯氧基)錫(各異構 · 物)、二辛基-二(乙基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_ 二(二丙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基_二(三甲基苯氧 基)錫(各異構物)、二辛基-雙(二甲基乙基苯氧基)錫(各異 134987.doc •148· 201008953 構物)、—辛基-雙(二甲基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛 基又(一甲基丁基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基-二(甲基 乙基丙基苯氧基)錫(各異構物)、二辛基-二(乙基二甲基苯 乳基)錫(各異構物)、二辛基-二(三乙基苯氧基)錫(各異構 物)等烷基-二芳氧基錫等。 作為上述式(53)中之R1的例子,可列舉:甲基、乙基、 丙基(各異構物)、丁基(各異構物)、戊基(各異構物)、己基 (各異構物)、庚基(各異構物)、辛基(各異構物)、壬基(各 異構物)、癸基(各異構物)' 十二垸基(各異構物)等構成該 基團之碳原子數為選自卜12之整數中之數字的脂肪族煙基 之烷基。較好的是構成該基團之碳原子數為選自1〜8之整 數中之數字的直鏈狀或支鏈狀之院基。亦可使用構成該基 團之碳原子數為以上所示範圍以外之燒基之四燒基二錫氧 烷化合物,但存在流動性變差,或有損生產性之情形❶考 慮到在工業生產時容易獲得,更好的是正丁基、正辛基。 參 關4於上述式(53)中之OX3及OX4,若其共軛酸即ΗΟΧ3及 Η〇χ4為布忍斯特酸,且該共輛酸之pKa為〇以上、68以 下,則並無特別限制,較好的是選自由醯氧基、芳氧基所 組成之群中的至少—種取代基’且其共輕酸之PKa為^以 上6.8以下者。更好的是構成該基團之碳原子數為選自 〇〜12之整數中之數字的基團。作為該基的具體例,可列 舉··乙酿氧基、丙醯氧基、丁酿氧基、戊酿氧基、月桂酿 氧基等由直鏈狀或支鏈狀之飽和燒基、幾基及氧原子所構 成之醯氧基;苯氧基、甲基苯氧基(各異構物)、乙基苯氧 134987.doc -149- 201008953 基(各異構物)、丙基苯氧基(各異構物)、丁基苯氧基(各異 構物)、戊基苯氧基(各異構物)、己基苯氧基(各異構物)、 二曱基苯氧基(各異構物)、甲基乙基苯氧基(各異構物)、 曱基丙基苯氧基(各異構物)、曱基丁基苯氧基(各異構 物)、曱基戊基苯氧基(各異構物)、二乙基苯氧基(各異構 物)、乙基丙基苯氧基(各異構物)、乙基丁基苯氧基(各異 構物)、二丙基苯氧基(各異構物)、三曱基苯氧基(各異構 物)、二甲基乙基苯氧基(各異構物)、二甲基丙基苯氧基 (各異構物)、二曱基丁基苯氧基(各異構物)、甲基乙基丙 基苯氧基、甲基二甲基苯氧基、三乙基苯氧基(各異構物) 等芳氧基等。 作為上述式(53)所表示之化合物的具體例,可列舉: 1,1,3,3-四甲基+3·二乙醯氧基二錫氧烷、四甲基_ 1,3_二丙醯氧基二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四甲基 二丁酿氧基二錫氧燒(各異構物)、1,1,3,3_四甲基+3.二戊 醯氧基二錫氧烧(各#構物)、u,3,3.四f^,3二月桂酿 氧基二錫氧烷(各異構物)、】,M,3-四丁基“,二乙醯氧基 二錫氧烷(各異構物)、u,3,3_四丁基•二丙醯氧基二錫 氧院(各異構物)、四丁基],3_二了酿氧基二錫氧院 (各異構物)、U,3,3-四丁基{3·二戊醯氧基二錫氧燒(各 異構物)1,1,3’3-四丁基-以-二月桂醯氧基二錫氧烷(各昱 構物卜1,1,3,3·四辛基],3-二乙酿氧基二錫氧烧(各異構 物)l1,3’3·四辛基_1,3-二丙醯氧基二錫氧烷(各異構 物)^^四辛基-丨义二丁醯氧基二錫氧烷^各異構 134987.doc 201008953 物)、 物)、 1,1,3,3_四辛基-1,3-二戊醯氧基二錫氧烷(各異構 1,1,3,3-四辛基-1,3-二月桂醯氧基二錫氧烷(各異構 物)等1,1,3,3-四烷基-1,3-二醯氧基二錫氡烷;四甲 基-1,3-二苯氧基二錫氧烷、1,1,3,3-四曱基_13_二(曱基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四甲基-丨’夂二(乙某苯 氧基)二錫氧烧(各異構物)、1,1,3,3-四曱基丙基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四曱基“,、二^丁某苯
氧基)二錫氧烷(各異構物)、1,1,3,3-四曱基二(戊芙苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、四曱基_丨,3二(己基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、l5l,3,3_四甲基],3•雙(二甲基 笨氧基)二錫氧烧(各異構物)、1,13,3-四甲基q 3二(曱基 乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、M,3,3_四甲基4,3-二 (甲基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、1133•四曱基_ 1,3-二(曱基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、^二^四 甲基-1’3-二(甲基戊基笨氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四曱基-1,3-雙(二乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四曱基« ’一(乙基丙基本氧基)二錫氧烧(各 異構物)、^3,3-四甲基],3_二(乙基丁基苯氧基)二锡氧 坑(各異構物)、1’1,3,3·四甲基·13·二(二丙基苯氧基)二錫 氧院(各異構物卜1,1,3,3·四甲基],3·二(三甲基苯氧基)二 錫氧烧(各異構物)、U,3,3-四甲基-1,3-雙(二曱基乙基苯 氧基)二錫氧院(各異構物)、U,3,3-四甲基雙(二甲基 丙基苯氧基)二錫氧炫(各異構物)、1,1,3,3-四曱基+3.雙 (-甲基丁基本氧基)二錫氧燒(各異構物)、mi四甲基_ 134987.doc -151 - 201008953 Μ-二(甲基乙基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1’1’3’3_四甲基_u·二(乙基二甲基苯氣基)二锡氧烧(各異 構物)、1,1,3,3-四甲基],3_二(三乙基苯氧基)二錫氧烷(各 異構物)、1,1,3,3-四丁基-is·二笨氧基二錫氧烷(各異構 物)、1,1,3,3-四丁基二(曱基笨氧基)二锡氧烧(各異構 ),,’3四丁基^1,3-二(乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構 )5 四丁基·1,3_一(丙基苯氧基)二錫氧烧(各異構 物)、U,3,3-四丁基汄^二(丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構 ),,,四丁基-1,3-一(戊基苯氧基)二錫氧烷(各異構 物)、1’1,3,3-四丁基·ΐ53_二(己基苯氧基)二錫氧烧(各異構 物)、1,1,3,3-四丁基ή(二甲基苯氧基)二錫氧烧(各異 構物)、U’3’3-四丁基_】,3_二(甲基乙基苯氧基)二錫氧烷 (各異構物)、ι,ΐ53,3·四丁基_13二(甲基丙基苯氧基)二錫 氧烷(各異構物)、u,3,3-四丁基-π二(甲基丁基苯氧基) 二錫氧烧(各異構物)、⑽四丁基基戍基苯 氧基)二錫氧烷(各異構物)、M,3,3_ra 丁基·丨,3-雙(二乙基 苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、u,3,3·四丁基_i,3二(乙= 丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四丁基I,%二 (乙基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、1^3四丁基_ 1,3-二(二丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、u,3,3•四丁 基-ι,3-—(二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、m3·四 丁基-1,3·雙(二甲基乙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四丁基-1,3-雙(二甲基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異 構物)、1,1,3,3-四丁基·ι,3_雙(二f基丁基苯氧基)二錫氧 -152· 134987.doc 201008953 炫(各異構物)、1,1,3,3·四丁其_丨 基)二錫氧烷(各異構物)、u,3,3:四基乙基丙基苯氧 基苯氧基)二錫氧烷(各異構物 ^ 乙基二甲 } m3-四丁基·1 3-二 f = 1,1,3,3-四辛基_13_二(甲基 1,1,3,3_四辛基-1,3-二(乙基 M’3,3-四辛基。,夂二(丙基 M’3,3-四辛基 _13_二(丁基 1,1,3,3-四辛基_13_二(戊基 ,1,3,3-四辛基_ι,3_二(己基 =氧基)二錫氧燒(各異構物)、u,3,3四辛 本氧基二錫氧烷(各異構物) 笨氧基)二錫氧燒(各異構物) 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 二基)二錫氧烷(各異構物)‘,……四卞丞十3 苯氧基)二錫氧烷(各異構物) 甘从匕 上’1,3,3·四辛基-1,3-雙(二甲 :本氧基)二錫氧燒(各異構物)、U,3,3-四辛基+3.二(甲 :乙基苯氧基)二錫氧燒(各異構物)、m3.四辛基_】,3_ -(甲基丙基苯氧基)二錫氧院(各異構物)、m3.四辛基_ 二3_二(甲基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、U,3,3-四 基-1,3-二(甲基戊基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 ’’ ’3四辛基-1,3-雙(二乙基苯氧基)二錫氧烧(各異構 ),1,3,3四辛基(乙基丙基苯氧基)二踢氧燒(各 -構物)、1,1,3,3-四辛基(乙基丁基苯氧基)二錫氧 烧(各異構物)、mi四辛基―以-二(二丙基苯氧基)二錫 氧燒(各異構物)、i山3,3_四辛基(三甲基苯氧幻二 ,氧院(各異構物)、Μ,3,3·四辛基-1,3·雙(二甲基乙基苯 氧基)一錫氧烷(各異構物)、mi四辛基—13-雙(二甲基 丙基苯氧基)二錫氧燒(各異構物)、UA3·四辛基H雙 134987.doc -153- 201008953 (二甲基丁基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、四辛基_ 13-二(甲基乙基丙基苯氧基)二錫氧烷(各異構物)、 1,1,3,3-四辛基汔弘二(乙基二甲基苯氧基)二錫氧烷(各異 構物)、1,1,3,3-四辛基乙基苯氧基)二錫氧烷(各 異構物)等1,1,3,3·四烷基_;ι,3_二芳氧基二錫氧烷。 已知,有機錫化合物一般容易形成締合結構,例如存在 二烷基錫二烷氧化物形成二聚物結構而存在,或四烷基二 烷氧基一錫氧烷形成2分子或3分子締合而成之梯狀結構而 存在的情況。即使該締合狀態發生變化,從業者一般亦以 單體結構來表示化合物。 將實施上述步驟(I)〜步驟(111)而獲得之二烷基錫化合物 及/或四烧基二錫氧烧化合物用作步驟(Z)之二烷基錫化合 物及/或四炫基二錫氧烧化合物,藉此可製造二烧基錫二 院氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物, 且該二烧基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二 錫氧院化合物可較好地用作上述步驟⑴之二烷基錫二烷氧 化物。圖4係表示說明將上述步驟(1)〜步驟(ΠΙ)及步驟(z) 進行組合而成之碳酸酯之新造方法之流程圖。 本實施形態之二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基 二炫氧基二錫氧烷化合物之製造方法(步驟(z))係下述一種 製造方法:藉由使二烷基錫化合物及/或四烷基二錫氧烷 化合物、與酸及/或酸酐進行反應,而不使用固體之錫化 合物’可製造二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基二 烷氧基二錫氧烷化合物,因此比先前之方法更簡便。 134987.doc -154- 201008953 又,如上述所示’藉由在步驟(z)中組合各種步驟,可 將步驟(z)用作新的碳酸酯之製造步驟之一部分。該等新 的碳酸酯之製造方法包括將該碳酸酯之製造方法中所生成 之失去碳酸酯合成之觸媒活性之單烷基錫烷氧化物化合物 及三烷基錫烷氧化物化合物再生為二烷基錫二烷氧化物化 合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物的步驟,因此 可解決碳酸酯製造步驟中之成本及廢棄物之問題。因此, 本實施形態之製造方法在產業上非常重要。 ❿ 實施例 以下藉由實施例及比較例更加具體地說明本實施形態, 但本實施形態並不僅限於該等實施例。 再者’本實施形態所使用之分析方法如下所述。 <分析方法> 1) NMR分析方法 裝置: 日本電子(股)公司製JNM-A400 FT-NMR系統 H、 c及119Sn-NMR分析樣品之製備
所獲得之溶液作為NMR分析樣品。 (2)定量分析法 (1) JH、 正曲線,基於該校正曲 對各標準物質實施分析而製作校正曲線 線來實施分析樣品溶液之定量分析。 2)氣相層析分析法 134987.doc •155- 201008953 裝置:曰本島津公司製GC-2010 管柱·美國 Agilent Technologies公司製 DB-1 長度30 m、内徑0.250 mm、膜厚i.oo μη 管柱溫度:在5(TC下保持5分鐘後,以1〇°c/分鐘之升溫 速度升溫至200。(:
在200°C下保持5分鐘後,以l〇°c /分鐘之升 溫速度升溫至3 〇 〇。匚 檢測器:FID (1) 氣相層析法分析樣品 稱取約0.05 g的樣品,添加丙酮(日本和光純藥工業公司 製,脫水)約1 g,及作為内標物之甲苯(日本和光純藥工業 公司製,脫水)約0.02 g,將該等均勻地混合,並將所獲得 之溶液作為氣相層析法分析之樣品。 (2) 定量分析法 對各標準物質實施分析而製作校正曲線,依據該校正曲 線來實施分析樣品溶液之定量分析。 3)電感耦合型電漿質譜法 裝置:日本精工(Seik〇)電子公司製,spQ8〇〇〇 (1) 電感耦合型電漿質譜分析樣品 利用稀硫酸使約G.15g試料灰化後,溶於㈣酸中。 (2) 定量分析法 對各標準物質實施分析而製作校正曲線,基㈣校正曲 線來實施分析樣品溶液之定量分析。 [參考例1 ]碳酸雙(3 _甲基丁基)酯之製造 134987.doc -156- 201008953 步驟(A-1):二烷基錫觸媒之製造 在容積5000 mL之茄型燒瓶中,投入二丁基氧化錫(曰本 三共有機合成公司製)627 g(2.7 mol)及3-甲基-1-丁醇(日本 Kuraray公司製)2000 g(22.7 mol)。將該燒瓶安裝在連接有 附帶溫度調節器之油浴(日本增田理化工業公司製,〇bh_ 24)、真空泵(曰本ULVAC公司製,G-.50A)及真空控制器 (曰本岡野製作所公司製,VC-10S)之蒸發器(曰本柴田公 司製’ R-144)上。蒸發器之沖洗閥出口係與常壓下流通之 氮氣的管線相連接。關閉蒸發器之沖洗閥而進行系統内的 減壓後,緩慢打開沖洗閥向系統内通入氮氣,而恢復至常 壓。將油浴溫度設定為約145。〇,將該燒瓶浸潰於該油浴 中並開始旋轉蒸發器。以打開蒸發器之沖洗閥之狀態,在 大氣Μ氮氣下加熱約40分鐘後,開始蒸餾含水之3_曱基 丁醇。將該狀態保持7小時後,關閉沖洗閥,緩慢地對系 統内進行減壓,在系統内之壓力為74〜35 kPa之狀態下, 對過剩之3-甲基-i_丁醇進行蒸餾。不再產生餾份後,自油 浴取出該燒瓶。將該燒瓶冷卻至室溫(25。〇)附近後,自油 >合取出該燒航’緩慢打開沖洗閥將系統内之壓力恢復至大 氣壓。該燒瓶中獲得1173 g之反應液。根據u9Sn、》H、 C-NMR之分析結果可確認··相對於二丁基氧化錫,以 99%之產率獲得113 3四正丁基-13雙甲基丁氧基)·二 錫氧烧。重複相同操作12次,獲得合計10345 g之1,1,3,3· 四正丁基-1,3-雙(3·甲基丁氧基)_二錫氧烷。 步驟(A-2):碳酸酯之製造及烷基錫組合物之回收 134987.doc •157- 201008953 利用圖5所示之連續製造裝置,製造碳酸酯。在填充有 填充物 Metal Gauze CY(瑞士 Sulzer Chemtech Ltd.製)之内 徑151 mm、有效長度5040 mm之塔型反應器102中,自輸 送管線4以4388 g/hr供給上述所製造之丨山),^四丁基_i,3_ 雙(3-曱基丁氧基)二錫氧烷,自輸送管線2以14953 g/hr供 給在蒸餾塔101中純化之3_曱基·丁醇(日本Kuraray公司 製)。利用加熱器及再沸器112對該反應器内1〇2進行調 整,以使液溫度達到160。(:,並利用壓力調節閥進行調整 以使壓力達到約120 kPa-G。該反應器内之滯留時間約為 17分鐘。自反應器上部經由輸送管線6以15〇37 g/hr將含水 之3-曱基-1-丁醇,及經由供給管線1α 825 §/1^將3_甲基-卜 丁醇(日本Kuraray公司製),輸送至填充有填充物Metai Gauze CY(瑞士 Sulzer Chemtech Ltd.公司製)且具備再沸器 111及冷凝器121的蒸餾塔101中,來進行蒸餾純化。在蒸 餾塔101之上部,利用冷凝器121高濃度之含水餾份冷凝, 並自回收管線3將其回收。經由位於蒸餾塔1〇1之下部之輸 送管線2將經純化之3_甲基小丁醇輸送至塔型反應器而。 自塔型反應器102之下部獲得包含二正丁基_雙(3_曱基丁氧 基)錫與四正了基],3-雙(3_甲基丁氧基)二錫氧烧 之組合物(以下稱作觸媒組合物),經由輸送管線5供給至薄 膜蒸發裝置103(日本神鋼環境SOLUTi〇n公司製)。在薄膜 蒸發裝置1〇3中將3·甲基小丁醇蒸餾去除,經由冷凝器 123、輸it管線8及輸送管線4返回至塔型反應器自薄 膜蒸發裝置Η)3之下部,經由輸送管線7輪送觸媒組合物, 134987.doc •158· 201008953 以二正丁基-雙(3-曱基丁氧基)錫與1133四丁基_13雙 (3-甲基丁氧基)-二錫氧烷之流量達到約513〇岁^之方式進 行調節,供給至尚壓爸1 〇4。自輸送管線9以973 g/hr向高 壓爸供給二氧化碳’將高壓釜内壓維持在4 MPa-G。將高 壓釜中之溫度設定為120。(:,將滯留時間調整為約4小時, 進行二氧化碳與觸媒組合物之反應,而獲得包含碳酸雙(3_ 甲基丁基)酯之反應液。經由輸送管線1〇與調節閥將該反 應液轉移至除碳槽105中’去除殘存二氧化碳,自輸送管 ❹ 線11回收二氧化碳。其後,經由輸送管線12將該反應液轉 移至約142°C、約0.5 kPa之薄膜蒸發裝置106(日本神鋼環 境SOLUTION公司製),以四正丁基·13_雙(3_甲基 丁氧基)-二錫氧烷之流量達到約4388 g/hr之方式進行調 節、供給,而獲得包含碳酸雙(3_甲基丁基)酯之餾份,另 一方面經由輸送管線13與輸送管線4 ’以1,1,3,3-四丁基_ 1 ’3-雙(3-曱基丁氧基)_二錫氧烧之流量達到約4388 之 ❹ 方式進行調節,使蒸發殘渣在塔型反應器102中循環。經 由冷凝器126及輸送管線14將包含碳酸雙(3 _甲基丁基)酯之 館伤’以959 g/hr供給至填充有填充物Metal Gauze CY(瑞 士 Sulzer Chemtech Ltd.公司製)且具備再沸器117及冷凝器 127之蒸餾塔107中,進行蒸餾純化後,自回收管線15以 944 g/hr獲得99 wt%之碳酸雙(3-甲基丁基)酯。 [參考例2]碳酸雙(2-乙基丁基)酯之製造 步驟(B-1):二烧基錫化合物觸媒之製造 在容積5000 mL之茄型燒瓶中,投入二正辛基錫氧化物 134987.doc -159- 201008953 (日本二共有機合成公司製)893 g(2.48 mol)及2-乙基-1-丁 醇2403 g(23.6 mol)。將該燒瓶安裝在連接有附帶溫度調節 器之油浴、真空泵及真空控制器之蒸發器上。蒸發器之沖 洗閥出口係與常壓下流通之氮氣的管線相連接。關閉蒸發 1§之沖洗閥而進行系統内之減壓後,緩慢打開沖洗閥向系 統内通入氮氣’而恢復至常壓。將油浴溫度設定為約 165它’將該燒瓶浸潰於該油浴中並開始旋轉蒸發器。以 打開蒸發器之沖洗閥之狀態,在大氣壓氮氣下加熱約4〇分 鐘後’開始蒸館含水之2-乙基-1 - 丁醇。將該狀態保持7小 時後,關閉沖洗閥,緩慢地對系統内進行減壓,以系統内 之壓力達到74〜25 kPa之狀態,對過剩之2-乙基-1-丁醇進 行蒸顧。不再產生餾份後,自油浴取出該燒瓶。將該燒疏 冷卻至室溫(25°C )附近後,自油浴取出該燒瓶,緩慢打開 沖洗閥而將系統内之壓力恢復至大氣壓。在該燒瓶中獲得 反應液1114 g。根據1丨9Sn、iH、i3C_NMR^分析結果可確 認:相對於二正辛基錫氧化物,以99%之產率獲得1,1,3,3 _ 四正辛基-1,3·雙(2-乙基丁氧基)-二錫氧烷。重複相同操作 12次’獲得合計13380 g之1,1,3,3-四正辛基-ΐ,3_雙(2-乙基 丁氧基)-二錫氧烷。 步驟(B-2):碳酸醋之製造及烧基錫組合物之回收 在圖5所示之連續製造裝置中’製造碳酸酯。向填充有 填充物Metal Gauze CY之内徑151 mm、有效長度5040 mm 之塔型反應器102中,自輸送管線4以6074 g/hr供給上述所 製造之1,1,3,3-四正辛基-1,3-雙(2-乙基丁氧基)二錫氧烷, 134987.doc .160- 201008953 自輪送管線2以12260 g/hr供給在蒸餾塔1〇1中經純化之2 乙基-1-丁醇。利用加熱器及再沸器112調整該反應器内 102,以使液溫度達到16(rc,並利用壓力調節閥進行調 整,以使壓力達到約120 kPa_G。該反應器内之滞留時間 、力為17刀鐘。自反應器上部經由輸送管線6以丨輸 送包含水之2-乙基-1-丁醇,及經由供給管線丨以958 g/hr輸 送2乙基丁醇,至填充有填充物CY且具備 再沸器111及冷凝器121之蒸餾塔101中,並進行蒸餾純 化。在蒸餾塔101之上部,利用冷凝器121使高濃度之包含 水之餾份冷凝,並自回收管線3進行回收。經純化之2_乙 基-1-丁醇經由位於蒸館塔101之下部之輸送管線2,而輸送 至塔型反應器102。自塔型反應器1〇2之下部獲得包含二正 辛基-雙(2-乙基丁氧基)錫與!山3 3_四正辛基—丨,3•雙(2_乙 基丁氧基)二錫氧烷之組合物(以下稱作觸媒組合物”經由 輸送管線5供給至薄膜蒸發裝置1〇3。在薄膜蒸發裝置103 φ 中將2_乙基丁醇蒸餾去除,經由冷凝器123、輸送管 線8及輸送管線4返回至塔型反應器⑽。自薄膜蒸發裝置 103之下部,經由輸送管線7輸送觸媒組合物,以二正辛 基雙(2_乙基丁氧基)錫與i,l,3,3-四正辛基_ι,3_雙(2-乙基 丁氧基)一錫氧烷之流量達到約6945 之方式進行調 即,而將其供給至高壓釜1〇4。自輸送管線9以973 gZk向 咼壓釜供給二氧化碳,將高壓蚤内壓維持在4 MPa-G。將 间壓釜中之溫度設定為丨2〇它,將滯留時間調整為約4小 夺進行一氧化碳與觸媒組合物之反應,而獲得包含碳酸 134987.doc -161 - 201008953 雙(2-乙基丁基)S旨之反應液。經由輸送管線i()與調節間將 該反應液轉移至除碳槽1()5中,去除殘存二氧化碳,自輸 送管線U回收二氧化碳。其後,經由輸送管線⑽該反應 液轉移至約142。〇、約〇_5 kPa之薄膜蒸發裝置1〇6中以 1,1,3,3·四正辛基_1,3_雙(2·乙基丁氧基)二錫氧烧之流量達 到約6074 g/hr之方式進行調節、供給,而獲得包含碳酸雙 (2-乙基丁基)酯之餾份,另一方面經由輸送管線13與輸送 管線4,以1,1,3,3-四正辛基雙(2_乙基丁氧基)二錫氧 烷之流量達到約6074 g/hr之方式進行調節,而使蒸發殘渣 在塔型反應器102中循環。將包含碳酸雙(2_乙基丁基)酷之 餾份經由冷凝器126及輸送管線14,以959 g/hr供給至填充 有填充物Metal Gauze CY且具備再沸器117及冷凝器127之 蒸館塔107中,進行蒸館純化後,自回收管線16以1〇75 g/hr獲得99 wt%之碳酸雙(2-乙基丁基)酯。 [參考例3]碳酸二(正丁基)酯之製造 步驟(C-1):四烷基二烷氧基二錫氧烷之製造 在容積3000 mL之茄型燒瓶中,投入二正丁基錫氧化物 692 g(2.78 mol)及1-丁酵(曰本和光純藥工業公司製)2〇〇〇 g (27 mol)。將投入有白色漿料狀之該混合物之燒瓶安裝在 連接有附帶溫度調節器之油浴、真空泵及真空控制器的蒸 發器上。蒸發器之沖洗閥出口係與常壓下流通之氮氣的管 線相連接。關閉蒸發器之沖洗閥而進行系統内的減壓後, 緩慢打開沖洗閥向系統内通入氮氣,並恢復至常壓。將油 浴溫度設定為126。(:,將該燒瓶浸潰於該油浴中並開始旋 134987.doc •162· 201008953 轉蒸發器。以打開蒸發器之沖洗閥之狀態,在常壓下進行 約30分鐘之旋轉攪拌與加熱後,混合液沸騰,開始蒸餾低 沸成分。將該狀態保持8小時後,關閉沖洗閥,緩慢地對 系統内進行減壓,以系統内之壓力達到76〜54 kpa之狀 態,蒸餾殘存低沸成分。不再生成低沸成分後,自油浴取 出該燒瓶。反應液為透明液體。其後,自油浴取出該燒 瓶,緩慢打開沖洗閥而將系統内壓力恢復至常壓。在該燒 瓶中獲得反應液952 g»藉由"9Sn、1]H、13c_NMR進行分 ❹ 析可知,反應液為i,l,3,3_E9正丁基-1,3-二(丁氧基)_二錫 氧烷,以二正丁基錫氧化物基準計,產率為99%。重複相 同操作12次,獲得合計11488 gims四正丁基·丨,3-二 (丁乳基)-二锡氧燒。 步驟(C-2):碳酸醋之製造 在圖5所不之連續製造裝置中,製造碳酸酯。向填充有 填充物Mellapak 750γ之内徑151 mm,有效長度5〇4〇 mm φ 之塔型反應器,自供給管線4以4201 g/hr供給步驟1中所製 、 ,,,3四丁基_ι,3_ 一( 丁乳基)-二錫氧烧,自供給管 良X 24717 g/hr供給在蒸館塔中經純化之丁醇,至 塔型反應器102中。利用加熱器及再沸器112對該反應器内 進行調整’以使液溫度達到i 6〇〇C,並利用塵力調節間進 行調整α使壓力達到約25〇 kPa_G。該反應器内之滞留 時門約為1 〇为鐘。自反應器上部經由輸送管線6以24715 ⑽輸送包含水之h 丁醇,及經由供給管線W 824 g/hr輸 送丁醇至填充有填充物Metal Gauze CY且具備再沸器 1349874ος •163- 201008953 111及冷凝器121之蒸餾塔101中,而進行蒸餾純化。在蒸 餾塔101之上部,利用冷凝器121使高濃度之含水餾份冷 凝,並自輸送管線3進行回收。經由位於蒸餾塔1〇1之下部 之輸送管線2,輸送經純化之i_ 丁醇。自塔型反應器】”之 下部獲得包含二丁基二丁氧化錫與m3·四正丁基H 二(丁氧基)-二錫氧烷之組合物(以下稱作觸媒組合物),經 由輸送管線5供給至薄膜蒸發裝置103。在薄膜蒸發裝置 103中,將1-丁醇蒸餾去除,經由冷凝器123、輸送管線8 及輸送管線4返回至塔型反應器10卜自薄膜蒸發裝置ι〇3❿ 之下部’經由輸送管線7輸送觸媒組合物,以二丁基二丁 氧化錫與1,1,3,3-四正丁基二(丁氧基)_二錫氧烷之活 性成分之流量達到約4812 g/hr之方式進行調節,而供給至 高壓釜104。經由供給管線9以973 g/hr向高壓釜供給二氧 化碳,將高壓釜内壓維持在4 MPa-G。將高壓蚤中之溫度 設定為120。(:,將滯留時間設定為約4小時,進行二氧化碳 與觸媒組合物之反應,而獲得包含碳酸二丁酯之反應液。 經由輸送管線ίο與調節閥將該反應液轉移至除碳槽1〇5 _ 中,去除殘存二氧化碳,自輸送管線u回收二氧化碳。其 後,經由輸送管線12將該反應液輸送至i4(rc、約14让〜 之薄膜蒸發裝置106中,以1,1,3,3-四正丁基十3_二(丁氧 基二錫氧烷之流量達到約4201 g/匕之方式進行調節、供 給’而獲得包含碳酸二丁醋之館份’另一方面經由輸送管 線13與輸送管線4,以四正丁基+3•二(丁氧基)_二 錫氧烷流量達到約4201 g/hr之方式進行調節,而使蒸發殘 134987.doc •164- 201008953 渣在塔型反應器102中循環。經由冷凝器126及輸送管線14 將包含碳酸二丁酯之餾份,以830 g/hr供給至填充有填充 物Metal Gauze CY且具備再沸器117及冷凝器127之蒸館塔 107中,並進行蒸德純化後,自輸送管線16以814 g/hr獲得 99 wt%之碳酸雙(3-甲基丁基)酯。 [實施例1] 在大氣壓氮氣環境下,向容積2 L之茄型燒瓶中投入二 乙酸二正丁基錫(美國Aldrich公司製)240 g、及參考例j之 β 步驟(Α-2)中所製造之碳酸雙(3-曱基丁基)酯692 g,在該燒 瓶上安裝戴氏冷卻器與三通旋塞。將該燒瓶浸漬於加熱至 150C之油浴中’一面授掉内容物一面加熱5小時。將該燒 瓶女裝在連接有附帶溫度調郎器之油浴、真空泵及真空_ 制器的旋轉蒸發器上。旋轉蒸發器之沖洗閥出口係與大氣 壓下流通之氮氣管線相連接。將系統内置換為氮氣後,將 油浴溫度設定為150°C ’將該燒瓶浸潰於該油浴中並開始 旋轉蒸發器之旋轉。以打開旋轉蒸發器之沖洗閥之狀陳, 在大氣壓氮氣下進行約7小時之低沸成分之蒸餾去除,繼 而緩慢地對系統内進行減壓,以系統内壓力達到% • kPa〜10 kPa之狀態,對殘存低沸成分進行蒸餾去除。不再 蒸餾出低沸成分後,自油浴取出該燒瓶並將其冷卻。在該 燒瓶中獲得殘留液287 g。根據1Η、13C、"9Sn_NMR之分 析結果可知,該燒瓶中之殘留液係含有92 〇 wt%之二
1 J 基-雙(3-甲基丁氧基)錫的溶液。 另一方面,低沸成分回收了 598 g。藉由氣相層析法分 134987.doc -165- 201008953 析該低沸成分時,該低沸成分含有約28 wt%之乙酸異戊 醋。 [實施例2] 代替二乙酸二正丁基錫而使用1,1,3,3-四正丁基3__ 乙醯氧基二錫氧烷(美國Aldrich公司製)3 10 g,代替後酸雙 (3-曱基丁基)醋而使用碳酸二(正丁基)醋900 g,除此以 外,進行與實施例1相同之方法,獲得殘留液399 g。該殘 留液含有93.4 wt%的二正丁基-二(正丁氧基)錫。又,低彿 成分含有29.4 wt%的乙酸丁酯。 [實施例3] 代替二乙酸二正丁基錫而使用二月桂酸二正丁基錫(美 國Aldrich公司製)290 g,代替碳酸雙(3 -曱基丁基)酯而使 用碳酸二乙酯(美國Aldrich公司製)326 g,將油浴溫度設為 1 30°C,除此以外’進行與實施例1相同之方法,獲得殘留 液165 g。該殘留液含有83.5 wt%的二正丁基-二乙基錫。 又,低沸成分含有47.3 wt%的月桂酸乙酯。 [實施例4] 代替二乙酸二正丁基錫而使用二月桂酸二正丁基錫300 g,代替碳酸雙(3-曱基丁基)酯而使用碳酸二曱酯(美國 Aldrich公司製)343 g,將油浴溫度設為90°C,進行20小時 加熱,除此以外,進行與實施例1相同之方法,獲得殘留 液206 g。該殘留液含有40.8 wt%的二正丁基-二甲基錫。 又,低沸成分含有3 0 wt%的月桂酸甲酯。 [實施例5] 134987.doc -166- 201008953 使用二乙酸二正丁基錫135 g,且代替碳酸雙(3-甲基丁 基)醋而使用碳酸二苯酯(美國Aldrich公司製)494 g ’除此 以外’進行與實施例1相同之方法,獲得殘留液丨62 ^。該 殘留液含有95.4wt%的二正丁基·二苯基錫。又,低沸成分 含有23 wt%的乙酸苯酯。 [實施例6] 在大氣壓氮氣環境下,向容積2 L之茄型燒瓶内投入二 乙酸二正丁基錫221 g、及2-乙基_1_丁醇(日本和光純藥工 Ο 業公司製,特級)515 g,將該燒瓶安裝在連接有附帶溫度 調節器之油浴、真空泵及真空控制器之旋轉蒸發器上。旋 轉蒸發器之沖洗閥出口係與大氣壓下流通之氮氣管線相連 接。將系統内置換為氮氣後’將油浴溫度設定為14〇。匚, 將該燒瓶浸潰於該油浴中並開始旋轉蒸發器之旋轉。以打 開旋轉蒸發器之沖洗閥之狀態,在大氣壓氮氣下進行約7 小時低沸成分之蒸餾去除,繼而緩慢地對系統内進行減 參 壓,以系統内壓力達到76 kPa〜10 kPa之狀態,對殘存低沸 成分進行蒸餾去除。不再蒸餾出低沸成分後,自油浴取出 • 該燒瓶並將其冷卻。在該燒瓶中獲得殘留液274 g。根據 ; lH、13c、119sn_NMR之分析結果可知,該燒瓶中之殘留液 係含有96.0 wt。/◦的二正丁基-雙(2_乙基丁氧基)錫之溶液。 另一方面,低沸成分回收了 563 g。藉由氣相層析法分 析該低沸成分時,該低沸成分含有約3〇 9 wt%的乙酸_2_乙 基丁酯。 [實施例7] 134987.doc -167· 201008953 使用二乙酸二正丁基錫255 g,且代替2-乙基-1-丁醇而 使用3_甲基丁醇(日本東京化成公司製)961 g,除此以 外’進行與實施例6相同之方法而獲得殘留液306 g。該殘 留液含有92.7 wt%的二正丁基_雙(3_甲基丁氧基)錫。又, 低/弗成分含有18.0 wt%的乙酸異戊酯。 [實施例8] 代替二乙酸二正丁基錫而使用込^弘四正丁基_丨,3_二 乙酿氧基二錫氧烷322 g,代替2_乙基-1· 丁醇而使用正丁 醇1034 g ’除此以外,進行與實施例6相同之方法而獲得 殘留液424 g。該殘留液含有77 3 wt%的二正丁基二(正丁 氧基)錫、及19.9 wt%的1,1,3,3-四正丁基-ΐ,3·二(正丁氧 基)一錫氧烧。又’低沸成分含有17.2 wt%的乙酸丁醋。 [實施例9] 代替二乙酸二正丁基錫而使用二月桂酸二正丁基錫341 g’代替2-乙基-1-丁醇而使用曱醇(美國Aldrich公司製)363 g,除此以外’進行與實施例6相同之方法,獲得殘留液 206 g。該殘留液含有59.5 wt%的二正丁基-二甲氧基錫、 及3 8 · 1 wt%的二月桂酸二正丁基錫。又,低沸成分含有 34.8 wt%的月桂酸曱酯。 [實施例1〇] 使用二乙酸二正丁基錫320 g,且代替2_乙基-丁醇而 使用苯酚(日本和光純藥工業公司製,核酸萃取用)1029 g,除此以外’進行與實施例6相同之方法,獲得殘留液 389 g。該殘留液含有95.3 wt%的二正丁基·二苯氧基錫。 134987.doc -168- 201008953 又’低彿成分含有22 wt%的乙酸苯醋。 [實施例11] 在大氣壓氮氣環境下,向容積2 L之茄型燒瓶中投入二 乙酸二正丁基錫289 g、及碳酸雙(2-乙基丁基)酯1〇24 g, 將該燒瓶安裝在連接有附帶溫度調節器之油浴、真空果及 真空控制器之旋轉蒸發器上。旋轉蒸發器之沖洗閥出口係 與大氣壓下流通之氮氣管線相連接。將系統内置換為氮氣 後’將油浴溫度設定為280°C,將該燒瓶浸潰於該油浴中 ® 而開始旋轉蒸發器之旋轉。以打開旋轉蒸發器之沖洗閥之 狀態,在大氣壓氮氣下進行約7小時低沸成分之蒸餾去 除,繼而緩慢地對系統内進行減壓,以系統内壓力達到76 kPa〜10 kPa之狀態,對殘存低沸成分進行蒸餾去除。不再 蒸德出低沸成分後,自油浴取出該燒瓶並將其冷卻。在該 燒瓶中獲得殘留液365 g。根據1Η、13C、"9Sn-NMR之分 析結果可知,該燒瓶中之殘留液係含有79 7 wt%的二正丁 基-雙(2 -乙基丁氧基)錫、及7.6 wt%的三正丁基_(2_乙芙丁 氧基)錫之溶液。 另一方面,低沸成分回收了 888 g。藉由氣相層析法分 析該低沸成分時’該低沸成分含有約25.2 wt%的乙酸_2-乙 基丁酯。 [實施例12] 使用·一乙酸·一正丁基錫310 g’且使用3-曱基丁醇934 g ’將油浴溫度設為3 0 °C ’除此以外,進行與實施例11相 同之方法’獲得殘留液356 g。該殘留液含有53.5 wt%的二 134987.doc -169- 201008953 正丁基-雙(3-甲基丁基)錫。又 的乙酸異戊酯。 低沸成分含有約i 2 wt% [實施例13] 步驟(13-1):二烷基錫觸媒之製造 向容積5000 mL之茄型燒瓶中,投入二正辛基錫氧化 (曰本三共有機合成公司製)972 g(2 7 m〇1)&3甲基丁物 2100 g(23.9m斗將該燒瓶安裝在連接有附帶溫度調2 之油浴、真空泵及真空控制器之蒸發器上。蒸發器之沖洗 閥出口係與常壓下流通之氮氣的管線相連接。關閉蒸發器 之沖洗閥而進行系統内的減壓後,緩慢打開沖洗閥向系統 内通入氮氣,而恢復至常壓。將油浴溫度設定為約 145°C ’將該燒瓶浸潰於該油浴中並開始旋轉蒸發器。以 打開蒸發器之沖洗閥之狀態,在大氣壓氮氣下加熱約4〇分 鐘後,開始蒸餾含水之3 -甲基-1 - 丁醇。將該狀態保持7小 時後’關閉沖洗閥’緩慢地對系統内進行減壓,在系統内 之壓力達到74〜35 kPa之狀態下,對過剩之3_甲基_丨_ 丁醇 進行蒸顧。不再產生餾份後,自油浴取出該燒瓶。將該燒 瓶冷卻至室溫(25 °C )附近後,自油浴取出該燒瓶,緩慢打 開沖洗閥而將系統内之壓力恢復至大氣壓。在該燒瓶中獲 得反應液1176 g。根據"9sn、4、13C-NMR之分析結果可 確認:相對於二正辛基錫氧化物,以99%之產率獲得 1,1,3,3 -四正辛基- i,3-雙(3 -甲基丁氧基)_二錫氧烧。重複 相同操作12次,獲得合計14120 g之1,1,3,3-四正辛基-1,3-雙(3-甲基丁氧基)·二錫氧烷。 134987.doc • 170· 201008953 步驟(13-2):碳酸酯之製造及烷基錫組合物之回收 在圖5所示之連續製造裝置中,製造碳酸酯。向填充有 填充物Metal Gauze CY之内徑151 mm、有效長度5040 mm 之塔型反應器102中,自輸送管線4以5887 g/hr供給上述中 所製造之1,1,3,3-四正辛基-1,3-雙(3-曱基丁氧基)二錫氧 烷,自輸送管線2以14953 g/hr供給在蒸餾塔101中經純化 之3-甲基-1-丁醇。利用加熱器及再沸器U2調整該反應器 内102 ’以使液溫度達到160〇c,並利用壓力調節閥進行調 整’以使壓力達到約120 kPa-G。該反應器内之滯留時間 約為17分鐘。自反應器上部經由輸送管線6以15〇37 g/匕輸 送含水之3-曱基-1-丁醇,及經由供給管線1以824 g/hr輸送 3-甲基-1-丁醇至填充有填充物Metai 〇叫找CY且具備再沸 器111及冷凝器121的蒸餾塔1〇1中,並進行蒸餾純化。在 蒸餾塔101之上部,利用冷凝器121使高濃度之包含水之餾 伤冷凝,並自回收管線3進行回收。經由位於蒸餾塔之 下邛之輸送管線2將經純化之3_甲基小丁醇輸送至塔型反 〜'器02自塔型反應器102之下部獲得包含二正辛基-雙 (3-甲基丁氧基)錫與四正辛基·^-雙(3甲基丁氧 土)二踢氧炫之組合物(以下稱作觸媒組合物),經由輸送管 線5供給至薄膜蒸發裝置⑻。在薄膜蒸發裝置⑼中,將 甲基-1-丁醇蒸餾去除, 逆其绐丄由冷凝器123、輸送管線8及輸 送e線4返回至塔型反靡 邻,麵… !反應斋102。自薄膜蒸發裝置103之下 邛,經由輸送管線7輸送觸 其丁备#、 σ物,以二正辛基-雙(3_甲 土 乳基)錫與1,13 3- 辛基-1,3~雙(3·甲基丁氧基)二 134987.doc • 171 - 201008953 錫氧烷之流量達到約6627 g/hri方式進行調節,而供給至 高麼蚤104。自輸送管線9以973 g/hr向高磨蚤供給二氧化 碳,將高廢爸内磨維持在4 MPa_G。將高塵釜中之溫度設 定為12(TC ’將滯留時間調整為約4小時,進行二氧化碳與 觸媒組合物之反應,而獲得包含碳酸雙(3_甲基丁基)酯之 反應液。經由輸送管線10與調節閥將該反應液轉移至除碳 槽105中’去除殘存二氧化碳’自輸送管線^回收二氧化 碳。其後,經由輸送管線12將該反應液轉移至約142它、 約0.5 kPa之薄膜蒸發裝置106中,以1133·四正辛基_13_❿ 雙(3-甲基丁氧基)二錫氧烷之流量達到約5887 之方式 進行調節、供給,而獲得包含碳酸雙(3_甲基丁基)酯之餾 份,另一方面經由輸送管線13與輸送管線4,以ιΐ33四 正辛基-1,3-雙(3_甲基丁氧基)二錫氧烷之流量達到約5887 g/hr之方式進行調節,而使蒸發殘渣在塔型反應器ι〇2中循 環。經由冷凝器126及輸送管線14將包含碳酸雙(3_甲基丁 基)醋之餾份,以959 g/hr供給至填充有填充物Metal cy且具備再沸器117及冷凝器127之蒸餾塔1〇7中,而進行⑩ 蒸餾純化後,自回收管線15以944 g/hr獲得99 m%之碳酸 雙(3-曱基丁基)酯。藉由119sn、iH、nc_NMR對輸送管線 13之烷基錫烷氧化物觸媒組合物進行分析後可知該烷基 · 錫烷氧化物觸媒組合物包含H3,%四正辛基_13雙(3曱 ‘ 基丁氧基)二錫氧烷,不包含二正辛基_雙(3甲基丁氧基) 錫。將上述連續運轉約240小時後,自排出管線16以18 g/hr排出觸媒組合物,另一方面自供給管線”以18呂/心供 134987.doc -172- 201008953 給上述方法中所製造iU,3,3_四正辛基·丨^雙^·曱基丁 氧基)二錫氧烷,自排出管線16排出包含1,1,3,3-四正辛基_ 1,3雙(3甲基丁氧基)一錫氧院之烧基錫組合物居。藉 由U9Sn-NMR進行分析後可知,該烷基錫組合物除了包含 約60 wt〇/。之1,1,3,3_四正辛基_153_雙(3_甲基丁氧基)二錫氧 炫以外,亦可見三正辛基.甲基丁氧基)錫及在_24〇〜__ ppm中之1,1,3,3-四正辛基+3^(3-甲基丁氧基)二錫氧烷 之失活成分的複數個NMR位移。 β 步驟:13·3):包含i,1,3,四正辛基],3-雙(3-甲基丁氧基) 二錫氧烷之烷基錫組合物的取代基交換反應 在氣氣環境下’將步驟(13_2)中所獲得之包含u,3,3_w 正辛基-1,3-雙(3-甲基丁氧基)二錫氧烷之烷基錫組合物35〇 g投入1 L茄型燒瓶中,其次添加乙酸(日本和光純藥工業 公司製,特級)95 g與乙酸酐(日本和光純藥工業公司製, 特級)325 g’在25C下授拌1小時。在該燒瓶上安裝與館液 ❹接受器相連接之附帶回流冷卻器之分儀頭、及溫度計,對 該燒瓶内進行真空-氮氣置換後,將該燒瓶浸潰於加熱至 5〇°C之油浴中。緩慢地對容器内進行減壓,將剩餘之乙酸 及乙fee酐等蒸館去除,而獲得館出物。對該餾出物進行氣 相層析法分析後可知,該餾出物含有乙酸、乙酸酐、3甲 基-1-丁醇。該燒瓶内獲得殘留物368 g。對殘留物進行咕 及119Sn-NMR測定後可知,該殘留物係三正辛基乙醯氧基 錫、一正辛基二乙醯氡基錫、及含有在n9Sn_NMR中在 -240〜-605 ppm下顯示出複數個化學位移之錫原子的有機 134987.doc •173- 201008953 錫化合物之混合物。該混合物中,三正辛基乙醯氧基錫為 27.9 wt%,二正辛基二乙醯氧基錫為5〇 〇 wt〇/〇。 步驟(13-4):烷基再分配反應 在氮氣環境下,將步驟(13-3)中所獲得之混合物365 g投 入500 mL金屬製壓力容器(日本耐壓琐子工業公司製, TSV-N2型)中。將該金屬製壓力容器浸潰於加熱至2001之 油浴中,加熱3小時。將該耐壓反應容器冷卻至室溫附近 後’回收反應液。對反應液進行ιΗ及mSn_NMR測定後玎 知’该反應液係含有二正辛基二乙醯氧基錫、三正辛基乙 瘳 醯氧基錫的有機錫化合物之混合物,且二正辛基_二乙醯 氧基錫為94.0 wt% ’三正辛基乙醯氧基錫約為3 wt%。 步驟(13-5):二烧基錫化合物之烧氧基化 將步驟(13-4)中所獲得之混合物363 g、及3-甲基-1-丁酵 366 g投入2L的4 口燒瓶中。在該燒瓶上安裝與餾液接受器 相連接之附帶回流冷卻器之分餾頭、及溫度計,對該燒瓶 内進行真空-氮氣置換後,將該燒瓶浸潰於加熱至14〇。匸之 油浴中。用約5小時一面攪拌一面加熱後,將系統内逐漸〇 減麼’將低沸成分蒸餾去除,在該燒瓶中獲得殘留物41〇 g。對該殘留物進行1η及ii9Sn_NMR測定後可知,該殘留物 係含有二正辛基-雙(3_甲基丁氧基)錫、三正辛基_(3_甲基 * 丁氧基)錫之有機錫化合物之混合物,二正辛基·雙(3-甲基 丁氧基)錫為93.3 wt%、三正辛基_(3_甲基丁氧基)錫為約 3 · 1 wt%。 另一方面,低沸成分回收了 453 g’該低沸成分含有45 134987.doc -174- 201008953 wt%的乙酸異戊酯。 [實施例14] 步驟(14_1):三正辛基(3-甲基丁氧基)錫之分離 將藉由與實施例13之步驟(13_2)相同之方法而獲得之包 含1,1,3,3-四正辛基-13-雙(3_甲基丁氧基)二錫氧烷之烷基 錫組合物180 g投入500 mL茄型燒瓶中,在該燒瓶上安裝 e
二通旋塞、填充有螺旋填料Νο·3之長度為45 cm之蒸餾管 柱及與館液接受器相連接之附帶回流冷卻器之分餾頭、及 溫度計,對容器内進行真空-氮氣置換。使容器内處於大 氣塵氮氣下’將該燒瓶浸潰於加熱至約23〇〇c之油浴中。 約20分鐘後’當該燒瓶之内容物的溫度達到約21 Ot後, 緩慢地對容器内進行減壓,回收餾出之成分。最終,當容 器内之壓力達到約〇·01 kPa時結束蒸餾。對餾出液及燒瓶 内之殘存物進行4及⑴Sn_NMR測定。餾出液為三正辛基 (3甲基丁氧基)錫。燒瓶内之殘存物係含有的 1,1丨’丨^3-四正辛基Μ —雙(3·曱基丁氧基)_二錫氧烷、含有 在Sn-NMR中纟.240〜-605 ppm下顯示出複數個化學位移 之錫原子之有機錫化合物之混合物。所獲得之餾出液為 33.2 g,燒瓶内的殘存物為146 8 ^ 步驟(14-2):取代基交換反應 將步驟(M-d中所獲得之三正辛基(3_甲基丁氧基)錫321 g投入谓型燒瓶中’其次添加乙酸酐27々,在抑 下撥摔1小時。在該嫁你t〜壯也 燒瓶上t裝與餾液接受器相連接之附 帶回流冷卻器之分德通 a . 貝、及度計,對該燒瓶内進行真 134987.doc •175· 201008953 空-氮氣置換後,將該燒瓶浸潰於加熱至50°C之油浴中。 緩慢地對容器内進行減壓,將剩餘之乙酸酐等蒸餾去除, 該燒瓶内獲得殘留物30.5 g。對殘留物進行士及11^!!··!^!!^ 測定後可知’該殘留物係三正辛基乙醯氧基錫。 另一方面,將步驟(14-1)中所獲得之含有73 5 wt〇/〇之 1,1,3,3-四正辛基-1,3-雙(3-甲基丁氧基)_二錫氧烧的殘存 物145 g投入500 mL金屬製壓力容器中,其次添加乙酸酐 180.6 g,進行攪拌。將該金屬製壓力容器浸潰於加熱至
200°C之油浴中,加熱3小時。將該金屬製壓力容器冷卻至 室溫(約25°C)附近後,將内容物移至5〇〇 mL茄型燒瓶中。 在該燒瓶上安裝與餾液接受器相連接之附帶回流冷卻器之 分餾頭、及溫度計,對該燒瓶内進行真空_氮氣置換後, 將該燒瓶浸潰於加熱至5(TC之油浴中。緩慢地對容器内3 仃減Μ ’冑乙酸異戊6旨與剩餘之乙酸奸蒸館去除,該燒并 内獲得殘留物155 g。對殘留物進行士及、姻尺測定相 可知,該殘留物係含有二正辛基二乙酿氧基錫與正辛基工
乙醯氧基錫之混合物,該混合物中之二正辛基二乙㈣違 踢為78.wm,正辛基三乙酿氧基錫為213⑽。將制 合物與上述所獲得之三正辛基乙酿氧基㈣合,作為下一 步驟(14-3)之原料。 步驟(14-3):烷基再分配反應 除了在氮氣環境下,代替步驟r 八管乂驟(13_3)中所獲得之混合物 而使用步驟(14-2)中所獲得之現人 把。物183 g以外,進行與實 施例1之步驟(13-4)相同之方法, 回收反應液。對反應液進 134987.doc •176- 201008953 行1Η及119Sn-NMR測定後可知,該反應液係含有二正辛基 二乙醯氧基錫與正辛基三乙酿氧基錫之混合物,該混合物 中之—£辛基·一乙醯氧基錫為94.5 wt %。 步驟(14-4):二炫基錫化合物之烧氧基化 代替步驟(13-4)中所獲得之混合物而使用步驟(丨4_3)中所 獲得之混合物182 g,且使用3_甲基_丨_丁醇213 g,除此以 外,進行與實施例13之步驟(13_5)相同之方法,而獲得殘 留物210 g。對該殘留物進行ιΗ及msn-NMR測定後可知, ❹ 該殘留物含有91 wt%之二正辛基·雙(3_曱基丁氧基)錫。另 一方面,回收低沸成分239 g,該低沸成分含有42.2 wt%的 乙酸異戊酯。 [實施例15] 步驟(15-1):二烷基錫觸媒之製造 向谷積為5000 mL之茄型燒瓶中,投入二正辛基錫氧化 物(曰本二共有機合成公司製)893 g(2.48 mol)及2-乙基_1_ 丁醇2403 g(23.6 m〇l)。將該燒瓶安裝在連接有附帶溫度調 節器之油浴、真空泵及真空控制器的蒸發器上。蒸發器之 沖洗閥出口係與常壓下流通之氮氣的管線相連接。關閉蒸 發器之沖洗閥而進行系統内的減壓後,緩慢打開沖洗閥向 系統内通入氮氣,而恢復至常壓。將油浴溫度設定為約 165°C ’將該燒瓶浸潰於該油浴中並開始旋轉蒸發器。以 打開蒸發器之沖洗閥之狀態,在大氣壓氮氣下加熱約4〇分 鐘後’開始蒸餾含水之2-乙基-1 - 丁醇。將該狀態保持7小 時後’關閉沖洗閥,緩慢地對系統内進行減壓,以系統内 134987.doc .177 - 201008953 之壓力達到74〜25 kPa之狀態,對過剩之2-乙基-1-丁醇進 行蒸餾。不再產生餾份後,自油浴取出該燒瓶。將該燒瓶 冷卻至室溫(25°C )附近後,自油浴取出該燒瓶,緩慢打開 沖洗閥而將系統内的壓力恢復為大氣壓。在該燒瓶中獲得 反應液1114 g。根據"9Sn、〗H、i3C-NMR之分析結果可確 認:相對於二正辛基錫氧化物,以99%之產率獲得1,1,3,3_ 四正辛基-1,3-雙(2-乙基丁氧基)-二錫氧烧。重複相同操作 12次’獲得合計13380 gim%四正辛基」,%雙(2_乙基 丁氧基)-二錫氧烧。 步驟(15-2):碳酸酯之製造及烷基錫組合物之回收 在圖5所示之連續製造裝置中,製造碳酸酯。向填充有 填充物Metal Gauze CY之内徑151 mm、有效長度5040 mm 之塔型反應器102中,自輸送管線4以6074 g/hr供給上述中 所製造之1,1,3,3-四正辛基-1,3-雙(2·乙基丁氧基)二錫氧 烧,自輸送管線2以12260 g/hr供給在蒸餾塔1 〇 1中經純化 之2-乙基-1-丁醇。利用加熱器及再沸器112調整該反應器 内102,以使液溫度達到16〇°c,並利用壓力調節閥進行調 整’以使壓力達到約120 kPa-G。該反應器内之滯留時間 約為17分鐘。自反應器上部經由輸送管線6以12344岁匕輸 送包含水之2-乙基-1-丁醇,及經由供給管線丨而以958 g/hr 輸送2-乙基-1-丁醇至填充有填充物Metal Gauze CY且具備 再沸器111及冷凝器121之蒸餾塔1〇1中,而進行蒸館純 化。在蒸餾塔101之上部,利用冷凝器121使高濃度之包含 水之德份冷凝,並自回收管線3進行回收。經由位於蒸館 134987.doc -178. 201008953 塔101之下部之輸送管線2將經純化之2_乙基_丨_ 丁醇輸送至 塔型反應器102。自塔型反應器1〇2之下部獲得包含二正辛 基-雙(2-乙基丁氧基)錫與1,;1,3,3_四正辛基乙基 丁氧基)二錫氧烷之組合物(以下稱作觸媒組合物),經由輸 送管線5將其供給至薄膜蒸發裝置1〇3。在薄膜蒸發裝置 103中,將2-乙基-1-丁醇蒸餾去除,經由冷凝器123、輸送 管線8及輸送管線4返回至塔型反應器1〇2。自薄膜蒸發裝 置103之下部,經由輸送管線7輸送觸媒組合物,以二正辛 ❹基雙(2·乙基丁氧基)錫與1,1,3,3-四正辛H,3_雙(2_乙基 丁氧基)二錫氧烷之流量達到約6945 g/hr之方式進行調 節,而供給至高壓釜104〇自輸送管線9以973 g/hr向高壓 釜供給二氧化碳,將高壓釜内壓維持在4 MPa_G ^將高壓 釜中之溫度設定為120。(:,將滞留時間調整為約4小時,進 行二氧化碳與觸媒組合物之反應,而獲得包含碳酸雙(2_乙 基丁基)酯之反應液。經由輸送管線1〇與調節閥將該反應 粵液轉移至除碳槽105中,去除殘存二氧化碳,自輸送管線 11回收二氧化碳。其後,經由輸送管線12將該反應液轉移 至約142°C、約0.5 kPa之薄膜蒸發裝置1〇6中,以1133_ 四正辛基山3-雙(2_乙基丁氧基)二錫氧烧之流量達到約 6074 g/hr之方式進行調節、供給,而獲得包含碳酸雙(2_乙 基丁基)酯之餾份,另一方面經由輸送管線13與輸送管線 4,以1,1,3,3-四正辛基汔弘雙^•乙基丁氧基)二錫氧烷之 流量達到約6G74 g/hi·之方式進行調節,而使蒸發殘逢在塔 型反應器102中循環。經由冷凝器126及輸送管線14將包含 134987.doc •179- 201008953 碳酸雙(2-乙基丁基)酯之餾份,以959 g/hr供給至填充有填 充物Metal Gauze CY且具備再沸器117及冷凝器127之蒸館 塔107中’進行蒸餾純化後,自回收管線15以1075 g/hr獲 得99 wt%之碳酸雙(2-乙基丁基)醋。藉由U9Sn、】H、13C_ NMR對輸送管線13之觸媒組合物進行分析後可知,該觸媒 組合物包含1,1,3,3_四正辛基_1,3_雙(2_乙基丁氧基)二錫氧 烷’不包含二正辛基-雙(2-乙基丁氧基)錫。將上述連續運 轉約220小時後,自排出管線16以18 g/hr排出觸媒組合 物’另一方面自供給管線17以18 g/hr供給上述方法中所製 造之1,1,3,3-四正辛基-1,3_雙(2-乙基丁氧基)二錫氧烷,自 排出管線16排出包含ι,ι,3,3-四正辛基-1,3-雙(2-乙基丁氧 基)二錫氧烷之烷基錫組合物180 g。藉由119sn-NMR進行 分析後可知,該烧基錫組合物除了包含約55 wt%之 1,1’3,3-四正辛基-丨,3_雙(2-乙基丁氧基)二錫氧烷以外,亦 可見三正辛基(2-乙基丁氧基)錫及在_240〜-605 ppm下之 M,3,3-四正辛基4,3-雙(2_乙基丁氧基)二錫氧烷之失活成 分的複數個NMR位移。 步驟(15-3):包含1,1,3,3-四正辛基-1,3-雙(2-乙基丁氧基) 二錫氧烷之烷基錫組合物之取代基交換反應 代替步驟(13-2) t所獲得之烷基錫組合物而使用步驟 (15_2)中所獲得之包含1,1,3,3-四正辛基-1,3-雙(2-乙基丁氧 基)二錫氧烷之烷基錫組合物195 g,且使用乙酸酐220 g (不使用乙酸),除此以外,進行與實施例13之步驟(133) 相同之方法,而獲得三正辛基乙醯氧基錫、二正辛基二乙 134987.doc -180- 201008953 醯氧基錫、及含有在119Sn-NMR中在-240〜-605 ppm下顯示 出複數個化學位移之錫原子的有機錫化合物之混合物198 g。該混合物中,三正辛基乙醯氧基錫為25.1 wt%,二正 辛基二乙酿氧基錫為54.9 wt %。 步驟(15-4):烷基再分配反應 在氮氣環境下’代替步驟(13-3)中所獲得之混合物而使 用步驟(15-3)中所獲得之混合物196 g,除此以外,進行與 實施例1之步驟(13-4)相同之方法回收反應液。對反應液進 行1Η及119Sn-NMR測定後可知,該反應液係含有二正辛基 二乙醯氧基錫與正辛基三乙醯氧基錫之混合物,該混合物 中之一正辛基一乙酿氧基錫為96.3 wt%。 步驟(15-5):二烧基錫化合物之烧氧基化 代替步驟(13-4)中所獲得之混合物而使用步驟(15·4)中所 獲得之混合物195 g,且代替3_曱基丁醇而使用2_乙基_ 1-丁醇258 g,除此以外,進行與實施例13之步驟(13_5)相 同之方法’而獲得殘留物232 g。對該殘留物進行1η及 119Sn-NMR測定後可知,該殘留物含有95 7 wt%的二正辛 基-雙(2-乙基丁氧基)錫。 [實施例16] 步驟(16-1):取代基交換反應 使用如圖6之裝置進行反應。 將藉由與實施例13之步驟(13_2)相同之方法所獲得之失 活體組合物貯藏在貯藏槽201中。自貯藏槽201經由管線21 而向具備蒸餾塔之攪拌槽2〇4中投入失活體組合物427 134987.doc • 181 - 201008953 kg。將該攪拌槽204加熱約為4〇t,自貯藏槽202經由管線 22而將乙酸0.93 kg投入攪拌槽204中。攪拌約1小時後,將 攪拌槽204之系統内減壓至約〇 13 kpa,將攪拌槽2〇4大約 加熱至80 C,進行低沸成分之蒸餾,自管線24回收低沸成 分0.94 kg。繼而,利用氮氣將該攪拌槽2〇4内之壓力恢復 至大氣壓,加熱至約10(TC,自貯藏槽2〇3經由管線23而投 入乙酸酐1.87 kg。攪拌約3小時後’將攪拌槽2〇4内減壓至 約1 kPa,將該攪拌槽204加熱至約12〇〇c,將未反應之乙 酸針等低沸成分進行蒸館,自管線24回收低沸成分約176 kg。攪拌槽204中獲得殘留物。對該殘留物進行抽樣,藉 由Sn、H-NMR進行分析後可知,該殘留物含有45 2
Wt%的二乙酸二正辛基錫、及25.4 wt%的乙酸三正辛基 錫。 步驟(16-2):烷基再分配反應 繼續使用圖6之裝置進行反應。 利用氮氣將包含殘留物之攪拌槽2〇4調整至大氣壓,加 熱至約200 C,並攪拌約2小時。對攪拌槽2〇4中所獲得之 殘留物進行抽樣,藉由⑴“、1h_nmr進行分析後可知’ 忒殘留物含有90.2 wt%的二乙酸二正辛基錫、約〇 5 wt%的 乙酸一正辛基锡。繼而’經由管線25,將該殘留物進料至 加熱至約200eC、將系統内減壓至約〇·26 kpa之薄膜蒸發裝 置205中,進行蒸餾分離。經由管線27而用冷凝器冷凝 氣相成分,回收至攪拌槽2〇8中。將另一液相成分經由管 線26而回收至貯藏槽2〇6中。藉由Μ%、1h_nmr對回收至 134987.doc •182- 201008953 援样槽208中之化合物進行分析後可知,該殘留物含有 98.4 wt°/。的二乙酸二正辛基錫、及約〇 3 wt%的乙酸三正辛 基錫。另一方面’回收至貯藏槽2〇6中之液相成分為〇 28 kg °經由管線20將該液相成分轉移至貯藏槽2〇1中,再用 作步驟(16-1)之原料。 步驟(16-3):二烷基錫化合物之烷氧基化 自貯藏槽210經由管線3〇,向具備蒸餾塔之攪拌槽2〇8中 投入正丙醇(日本和光純藥工業公司製,脫水)15 33 kg。 β 將攪拌槽208在經密封之狀態下加熱至約1〇〇。(:,並反應約 40小時後,自管線28蒸餾回收未反應之正丙醇。該蒸餾成 分為15.3 3 kg,含有86.8 wt%的正丙醇、11.2 wt%的乙酸 丙酯。 繼而’自貯藏槽211經由管線31向攪拌槽208中投入3-曱 基-1-丁醇3.74 kg。將攪拌槽208加熱至約130。(:,攪拌約3 小時後’對攪拌槽208進行系統内減壓’自管線28回收包 ^ 含未反應之3 -曱基_1· 丁醇等的低沸成分。回收3.28 kg的該 低沸成分,且該低沸成分中含有69 5 wt%的3_曱基·丨_ 丁 醇、30.5 wt%的正丙醇。 經由管線29將該攪拌槽208中所獲得之殘留物回收至貯 藏槽209中。對該回收物進行抽樣,藉由mSn、1h_nmr進 行分析後可知,該回收物含有97.1 wt%的二正辛基_雙(3_ 曱基丁氧基)錫。 [實施例17] 步驟(17-1):取代基交換反應 134987.doc -183- 201008953 使用如圖6之裝置進行反應。 藉由”實把例13之步驟(13_2)相同之方法所獲得的包 1 ,1,3’3·四正辛基],3·雙(3_甲基丁氧基)二錫氧垸之炫基 錫組合物貯藏在貯藏槽201中。自貯藏槽2Q1經由管線_ 具備蒸餘塔之攪拌槽204中投入包含U’3’3-四正辛基妙 雙(3-甲基丁氧基)二錫氧烷之烷基錫組合物4 % kg,代替 乙酸而使用丙酸(日本和光純藥公司製)i23 kg,且代 替乙酸^使用丙_2.54 kg’除此以外,進行與實施例 16之步驟(16-1)相同之方法,對未反應之丙酸肝等低沸成 分進仃蒸餾,而自管線24回收低沸成分約2.37 kg。對該低 沸成分進行氣相層析法分析後可知,該低沸成分含有丙 酸、丙酸酐、3-曱基-1-丁醇。攪拌槽2〇4中獲得殘留物。 對該殘留物進行抽樣,藉由u9Sn、iH_NMR進行分析後可 知,該殘留物含有46.8 wt。/。的二正辛基_二(丙醯氧基)錫、 及25.3 wt%的三正辛基-(丙醯氧基)錫。 步驟(17-2):院基再分配反應 繼續使用圖6之裝置進行反應。 除了將薄膜蒸發裝置205之壓力調整為約0.13 kPa以外, 進行與實施例16之步驟(16-2)相同之方法,在授拌槽2〇 8中 獲得含有98.5 wt%的二正辛基-二(丙醯氧基)錫、及約〇4 wt%的三正辛基-丙醯氧基錫之混合物。另一方面,在貯藏 槽206中回收液相成分0.31 kg,經由管線20將該液相成分 轉移至貯藏槽201中’再用作步驟(17-1)之原料。 步驟(17-3):二烷基錫化合物之烷氧基化 134987.doc •184· 201008953 代替正丙醇而使用乙酵(曰本和光純藥工業公司製,脫 水)12.73 kg,將攪拌槽208加熱至約80°C,進行約80小時 反應,除此以外,進行與實施例16之步驟(16-3)相同之方 法,自管線28蒸德回收未反應之乙醇。該蒸館成分為 13.21 kg,含有83·7 wt°/0的乙醇、及13_9 wt%的丙酸乙 酯。 繼而,將3-曱基-1-丁醇3·99 kg投入擾拌槽208中,進行 與實施例16之步驟(16-3)相同之方法,自管線28回收包含 未反應之3 -甲基-1-丁酵等之低彿成分β該低濟成分為3.% kg,該低沸成分中含有74.5 wt%的3-曱基-1-丁醇、及25 5 wt%的乙醇。 經由管線29將該攪拌槽208中所獲得之殘留物回收至貯 藏槽209中。對該回收物進行抽樣,藉由n9Sn、巾…厘汉進 行分析後可知,該回收物含有97.9 wt%的二正辛基_雙(3_ 曱基丁氧基)錫。 [實施例18] 步驟(18-1):取代基交換反應 使用圖6之裝置進行反應。 代替藉由與實施例13之步驟(13_2)相同之方法所獲得的 包含1,1,3,3-四正辛基屮弘雙(”基丁氧基)二錫氧烷之烷 基錫組合物,而將藉由與實施例15之步驟(15_2)相同之方 法所獲得的包含以从四正辛基〇雙(2_乙基丁氧基)二 1氧燒之烧基錫組合物貯藏在貯藏槽洲中。自貯藏槽2〇ι 經由管線21向具備蒸館塔之授摔槽綱中投人包含^^ 134987.doc -185- 201008953 四正辛基-1,3-雙(2-乙基丁氧基)二錫氧烷之垸基錫組合物 3.95 kg ’使用乙酸〇_83 kg、乙酸酐1.68 kg,除此以外, 進行與實施例16之步驟(16-1)相同之方法,對未反應之乙 酸酐等低沸成分進行蒸館’自管線24回收低沸成分約1.59 kg °對該低沸成分進行氣相層析法分析後可知,該低沸成 分含有乙酸、乙酸針、2-乙基-1-丁醇。授摔槽2〇4中獲得 殘留物。對該殘留物進行抽樣,藉由"9Sn、ih_nmr進行 分析後可知’該殘留物含有44.8 wt%的二乙酸二正辛基 錫、及25.2 wt%的乙酸三正辛基錫。 步驟(18-2):院基再分配反應 繼續使用如圖6之裝置進行反應。 進行與實施例16之步驟(16-2)相同之方法,攪拌槽2〇8中 獲得含有98·9 wt%的二乙酸二正辛基錫之混合物。另一方 面,貯藏槽206中回收液相成分〇·24 kg,經由管線2〇將該 液相成分轉移至貯藏槽201中,而用作步驟(丨^彡之原料。 步驟(18-3):二院基錫化合物之炫氧基化 除了代替正丙醇而使用乙醇1〇.75 kg,且將攪拌槽2〇8加 熱至約80。(:並進行約1 50小時之反應以外,進行與實施例 16之步驟(16-3)相同之方法,自管線28蒸餾回收未反應之 乙醇。該蒸餾成分為10.94 kg,含有85.2 wt%的乙醇、及 12.2 wt%的乙酸乙酯。 繼而,代替3-曱基-1-丁醇而將2_乙基丁醇3 91 “投 入攪拌槽208中,進行與實施例16之步驟(163)相同之方 法,自管線28回收包含未反應之2·乙基_丨_丁醇等之低沸成 134987.doc • 186 · 201008953 分。該低沸成分為3.29 kg,該低沸成分中含有72.3 wt%的 2-乙基-1-丁醇、及21.3 wt0/。的乙醇。 將該攪拌槽208中所獲得之殘留物經由管線29回收至貯 藏槽209中》對該回收物進行抽樣,藉由ii9Sn、iH_NN1R進 行分析後可知,該回收物含有97.4 wt%的二正辛基-雙(2-乙基丁氧基)錫。 [實施例19] 步驟(19-1):取代基交換反應 使用如圖6之裝置進行反應。 代替藉由與實施例13之步驟(13-2)相同之方法而獲得之 包含1,1,3,3-四正辛基-1,3-雙(3-甲基丁氧基)二錫氧烷之烷 基錫組合物’將藉由與參考例3之步驟(3_2)相同之方法而 獲得之包含1,1,3,3-四正丁基-1,3-二丁氧基二錫氧烷之燒 基錫組合物貯藏在貯藏槽201中。自貯藏槽2〇1經由管線21 而向具備蒸餾塔之攪拌槽2〇4中投入包含^弘四正丁基 1’3 - — 丁氧基二錫氧烧之烧基錫組合物5.41 kg,並且代替 乙酸而使用己酸3.21 kg,代替乙酸酐而使用己酸酐6 81 kg ’除此以外,進行與實施例16之步驟(16_1}相同之方 法,對未反應之己酸肝荨低彿成分進行蒸館,自管線24 口 收低沸成分約6.29 kg。對該低沸成分進行氣相層析法分析 後可知,該低沸成分含有己酸、己酸酐、正丁醇。授掉槽 204中獲得殘留物。對該殘留物進行柚樣,藉由"9 ! n、Η- NMR進行分析後可知,該殘留物含有47 3 wt%的二正丁 基-二丙酿氧基錫、及20_7 wt%的三正丁基-丙醯氧基锡。 134987.doc -187- 201008953 步驟(19-2):烷基再分配反應 繼續使用如圖6之裝置進行反應。 進行與實施例16之步驟(16-2)相同之方法,在攪拌槽208 中獲得含有90.2 wt%的二正丁基-二丙醯氧基錫之混合物。 另一方面,在貯藏槽206中回收液相成分0.46 kg,經由管 線20將該液相成分轉移至貯藏槽201中,而用作步驟ο、。 之原料。 步驟(19-3):二烷基錫化合物之烷氧基化 代替正丙醇而使用正丁醇32.57 kg ’將攪拌槽2〇8加熱至 約12 0 C,進行約8 0小時之反應,除此以外,進行與實施 例16之步驟(16_3)相同之方法,自管線28蒸餾回收未反應 之正丁醇。該蒸餾成分為33.97 kg ’含有83.8 wt%的正丁 醇、及14.7 wt%的己酸丁醋。 將該攪拌槽208中所獲得之殘留物經由管線29而回收至 貯藏槽209中。對該回收物進行抽樣,藉由mSn、1h_nmr 進行分析後可知,該回收物含有761 wt%的二正丁基-二 (正T氧基)錫、及10·9 wt%的三正丁基_(正丁氧基)錫。 [實施例20] 步驟(2(M):取代基交換反應 使用圖6之裝置進行反應。 同之方法所獲得的
四正丁基-1,3-二 代替藉由與實施例13之步驟(丨3_2)相 包含1,〗,3,3-四 基錫組合物, 匀相同之方法所 丁氧基二錫氧燒之炫 獲得的包含1,1,3,3_四正丁某 134987.doc 201008953 基錫組合物貯藏在貯藏槽201中。自貯藏槽2〇1經由管線以 向具備蒸餾塔之攪拌槽204中投入包含丨,^,%四正丁基_ 1,3-二丁氧基二錫氧烷之烷基錫組合物又4〗kg,並且代替 乙酸而使用己酸3.21 kg ’代替乙酸酐而使用己酸酐6 81 kg,除此以外,進行與實施例16之步驟(丨卜”相同之方 法,對未反應之己酸酐等低沸成分進行蒸餾,而自管線24 : 回收低沸成分約6.29 4。對該低沸成分進行氣相層析法分 析後可知,該低沸成分含有己酸、己酸酐、正丁醇。攪拌 ⑩ 槽204中獲得殘留物。對該殘留物進行抽樣,藉由n9Sn、 W-NMR進行分析後可知’該殘留物含有47 3 wt%的二正 丁基-一丙酿氧基錫、及20.7 wt%的三正丁基·丙酿氧基 錫。 步驟(20-2):烷基再分配反應 繼續使用如圖6之裝置進行反應。 進行與實施例16之步驟(16-2)相同之方法,在授拌槽2〇8 中獲得含有90.2 wt%的二正丁基-二丙醯氧基錫之混合物。 另一方面,在貯藏槽206中回收液相成分0.46 kg,經由管 線20將該液相成分轉移至貯藏槽201中,而用作步驟(Μ」) 之原料。 步驟(20-3):二烷基錫化合物之烷氧基化 代替正丙醇而使用正丁醇32.57 kg’將攪拌槽2〇8加熱至 約120°C,進行約8〇小時之反應,除此以外,進行與實施 例16之步驟(16_3)相同之方法,自管線28蒸餾回收未反應 之正丁醇。該蒸德成分為33.97 kg ’含有83.8 wt%的正丁 134987.doc •189- 201008953 醇、及14.7 wt%的己酸丁酯。 *將該授拌槽208中所獲得之殘留物經由管線洲收至貯 藏槽209中。對該回收物進行抽樣,藉由⑴如、 行分析後可知,該回收物含有76」wt%的二正丁基二(正 丁氧基)錫、及10.9 wt%的三正丁基_(正丁氧基)錫。 [實施例21] 步驟(21-1):使用再生之二烷基錫二烷氧化物化合物來製 造碳酸醋 在實施例15之步驟(15_2)中,自排出管線16以18 g/hr排 出烷基錫烷氧化物觸媒組合物,另一方面自供給管線17以 18 g/hr供給實施例18之步驟(18_3)中所獲得之含有97 * wt/D的一正辛基_雙(2_乙基丁氧基)錫之混合物。將再生之 一正辛基-雙(2-乙基丁氧基)錫經由管線4供給至塔型反應 器1〇2。藉由與實施例15之步驟(15_2)相同之方法來進行運 轉,自管線15以約1075 g/hr回收99 wt°/〇的碳酸雙(2-乙基 丁基)Sg。峻酸雙(2-乙基丁基)酯之回收量在使用所再生之 二正辛基-雙(2-乙基丁氧基)錫之前後並無變化。 [實施例22] 步驟(22-1):碳酸酯之製造 藉由如圖7所示之連續製造裝置而製造碳酸酯。 經由管線41,以6944 g/hr將實施例16之步驟(16-3)中所 獲得之含有97.1 wt%的二正辛基-雙(3_甲基丁氧基)錫之混 合物進料至高壓釜4〇1中。自管線42以1390 g/Hr將二氧化 碳供給至該高壓蚤中,將高壓爸内壓維持在4 MPa-G。將 134987.doc -190- 201008953 高虔爸中之溫度設定為120°C,將滯留時間調整為約4小 時’進行二氧化碳與二正辛基-雙(3-曱基丁氧基)錫之反 應’而獲得包含碳酸雙(3_甲基丁基)酯之反應液。經由管 線43與調節閥以7253 g/hr將該反應液轉移至除碳槽402 中’去除殘存之二氧化碳,自管線44回收二氧化碳。其 後’經由管線45將該反應液轉移至約142°C、約0.5 kPa之 薄膜蒸發裝置403中’而獲得包含碳酸雙(3_曱基丁基)酯之 儀份。經由冷凝器405及管線47將包含碳酸雙(3 -曱基丁基) 酉曰之館份供給至填充有填充物Metal Gauze CY且具備再沸 器408及冷凝器407的蒸销塔406中,而進行蒸顧純化。自 管線49以1351 g/hr獲得99 wt%之碳酸雙(3-甲基丁基)酯。 另一方面,經由管線46以約58990 g/Hr將利用薄膜蒸發裝 置4 03所分離之液相成分回收至貯藏槽404中。對該液相成 为進行抽樣,藉由119Sn、h-NMR進行分析後可知,該液 相成分係含有約98 wt%的1,1,3,3 -四正辛基_1,3 -雙(3 -甲基 丁氧基)二錫氧烧的混合物。 步驟(22-2):取代基交換反應 經由管線53 ’將步驟(22-1)中回收至貯藏槽4〇4中之液相 成分向具備蒸镏塔之授拌槽405中進料4. Π kg。將該授摔 槽405加熱至約40°C,自管線55將乙酸丨.18 kg投入至授拌 槽405中。攪拌約1小時後,將攪拌槽4〇5之系統内減壓至 約0.13 kPa,將攪拌槽405加熱至約8(rc,進行低沸成分之 蒸館’自管線5 5回收低沸成分〇 · 9 8 kg。繼而,利用氮氣將 該攪拌槽405内之壓力恢復至大氣壓,加熱至約i〇(rc,並 134987.doc •191- 201008953 經由管線55投入乙酸肝1.67 kg。擾掉約3小時後,.將搜竹 槽405内減壓至約1 kPa,並將該攪拌槽405加熱至約 120°C ’對未反應之乙酸酐等低沸成分進行蒸餾,自管線 5 5回收低沸成分約1 · 8 2 k g。對該低彿成分進行氣相層析法 分析後可知’該低沸成分含有乙酸、乙酸酐、3-曱基丁 醇。攪拌槽405中獲得殘留物。對該殘留物進行抽樣,藉 由119Sn、iH-NMR進行分析後可知,該殘留物含有9〇 7 wt%的二乙酸二正辛基錫。 步驟(22-3):二烷基錫化合物之烷氧基化 在具備蒸餾塔之攪拌槽405中,自管線55投入正丙醇 14.56 kg。以將攪拌槽405密封之狀態,加熱至約100〇c、 進行約40小時反應後’自管線55蒸餾回收未反應之正丙 醇。該蒸館成分為14.56 kg,含有86.9 wt%的正丙醇、及 11 ·2 wt%的乙酸丙酯。 繼而,自管線55向攪拌槽405中投入3-甲基-1-丁醇3.55 kg。將攪拌槽405加熱至約130。(:,攪拌約3小時後,對擾 拌槽405進行系統内減壓,自管線55回收包含未反應之3_ 甲基-1 - 丁醇等之低沸成分。回收3.11 kg的該低沸成分, 該低沸成分中含有69.5 wt%的3-甲基-1-丁醇、及30.5 wt% 的正丙醇。 經由管線56將該攪拌槽405中所獲得之殘留物回收至貯 藏槽406中。對該回收物進行抽樣,藉由119Sn、W-NMR進 行分析後可知,該回收物含有96.0 wt%的二正辛基-雙(3-曱基丁氧基)錫。 134987.doc -192- 201008953 步驟(22-4):碳酸酯之製造 代替實施例16之步驟(16-3)中所獲得之含有97.1 wt%的 二正辛基-雙(3·甲基丁氧基)錫之混合物’而使用步驟(22_ 3)中所獲得之含有二正辛基-雙(3_甲基丁氧基)錫之回收 物’除此以外,實施與步驟(21-1)相同之方法,自管線49 以1350 g/hr獲得99 wt%之碳酸雙(3-甲基丁基)酯。 [實施例23] 步驟(23-1):碳酸酯之製造 利用如圖7所示之連續製造裝置而製造碳酸酯。 經由管線41,以7318 g/hr將實施例18之步驟(18-3)中所 獲得之含有97.4 wt%的二正辛基-雙(2_乙基丁氧基)錫之混 合物進料至高壓釜401。自管線42以973 g/hr將二氧化碳供 給至該高壓釜,將高壓釜内壓維持在4 MPa-G。將高壓爸 中之溫度設定為12〇°C,將滯留時間調整為約4小時,進行 二氧化碳與二正辛基-雙(2_乙基丁氧基)錫之反應,而獲得 包含碳酸雙(2-乙基丁基)酯之反應液。經由管線43與調節 閥以8188 g/hr將該反應液轉移至除碳槽4〇2中,去除殘存 之二氧化碳,自管線44回收二氧化碳.其後,將該反應液 經由管線45而轉移至約150°C、約0.5 kPa之薄膜蒸發裝置 4〇3中,而獲得包含碳酸雙(2_乙基丁基)酯之餾份。將包含 碳酸雙(2-乙基丁基)酯之餾份經由冷凝器4〇5及管線47供給 至填充有填充物Metal Gauze CY且具備再沸器4〇8及冷凝 器407的蒸德塔406中,而進行蒸館純化。自管線49以ι35丄 g/hr獲得99 wt%的碳酸雙(2_乙基丁基)酯。另一方面,經 134987.doc -193- 201008953 由s線46以約6074 g/hr將利用薄膜蒸發裝置4〇3所分離之 液相=分回收至貯藏槽4〇4中。對該液相成分進行抽樣, 藉由Sn、H-NMR進行分析後可知,該液相成分係含有 約98 wt%的U,3,3_四正辛基.以雙⑺乙基丁氧基)二錫氧 烧之混合物。 步驟(23-2):取代基交換反應 代替步驟(21-1)中回收至貯藏槽4〇4中之液相成分,而將 步驟(23-1)中回收至貯藏槽4〇4中之液相成分進料2 〇4 kg, 並且使用乙酸0·55 kg,使用乙酸酐〇 78 kg,除此以外,進 行與實施例22之步驟(22-2)相同之方法,自管線55回收低 沸成分約0.86 kg。對該低沸成分進行氣相層析法分析後可 知’該低沸成分含有乙酸、乙酸酐、2_乙基-丨_ 丁醇。搜拌 槽405中獲得殘留物。對該殘留物進行抽樣,藉由"、打、 W-NMR進行分析後可知,該殘留物含有88丨wt〇/〇的二乙 酸^正辛基錫。 步驟(23-3):二烷基錫化合物之烷氧基化 除了代替正丙醇而使用乙醇5.28 kg以外,進行與實施例 22之步驟(22-3)相同之方法,自管線55回收蒸餾成分5.38 kg。該蒸餾成分含有85.3 wt%的乙醇、及12·3 wt°/〇的乙酸 乙酯。 繼而’除了代替3 -甲基-1-丁醇而使用2 -乙基-1-丁醇1.92 kg以外,進行與實施例22之步驟(22-3)相同之方法,回收 低沸成分1.52 kg。經由管線56將該攪拌槽405中所獲得之 殘留物回收至貯藏槽406中。對該回收物進行抽樣,藉由 134987.doc -194- 201008953 H NMR進行分析後可知,該回收物含有96.5 wt% 的二正辛基-雙(2-乙基丁氧基)錫。 步驟(23-4):碳酸酯之製造 代替實施例16之步驟(16_3)中所獲得之含有97 4 wt%的 一正辛基-雙(2·乙基丁氧基)錫之混合物,而使用步驟(23_ 3)中所獲得之含有二正辛基_雙(2_乙基丁氧基)錫之回收 物,除此以外,實施與步驟相同之方法,自管線49 以1350 g/hr獲得99 wt%的碳酸雙(2-乙基丁基)酯。 Φ [實施例24] 步驟(24_ 1):碳酸醋之製造 利用如圖7所示之連續製造裝置而製造碳酸酯。 經由管線41,以6666 g/hr將實施例19之步驟(19-3)中所 獲得之含有76.1 wt%的二正丁基-二(正丁氧基)錫之混合物 進料至高壓爸401中。自管線42以970 g/hr向該高壓釜供給 一乳化碳’將南壓爸内壓維持在4 MPa-G。將高壓爸中之 溫度設定為120°C ’將滯留時間調整為約4小時,並進行二 ® 氧化碳與二正丁基-二(正丁氡基)錫之反應,而獲得包含碳 酸二(正丁基)酯之反應液。經由管線43與調節閥,以7722 g/hr將該反應液轉移至除碳槽402中,去除殘存之二氧化 碳,自管線44回收二氧化碳。其後,將該反應液經由管線 45而轉移至約150°C、約0.5 kPa之薄膜蒸發裝置403中,而 獲得包含破酸二(正丁基)酯之館份。經由冷凝器405及管線 47將包含碳酸二(正丁基)S旨之館份供給至填充有填充物 Metal Gauze CY且具備再沸器408及冷凝器407的蒸館塔 134987.doc -195- 201008953 406中’而進行蒸餾純化。自管線49以1165 g/hr獲得99 wt%的碳酸二(正丁基)酯。另一方面,經由管線46將利用 薄膜蒸發裝置403所分離之液相成分回收至貯藏槽404中。 對該液相成分進行抽樣,藉由"9Sn、^-NMR進行分析後 可知’該液相成分係含有約77 wt%的1,1,3,3-四正丁基· 1,3 - —(正丁氧基)二錫氧烧的混合物。 步驟(24_2):取代基交換反應 代替步驟(21-1)中回收至貯藏槽404中之液相成分,而將 步驟(24-1)中回收至貯藏槽404中之液相成分進料4 〇6 kg, 並且代替乙酸而使用己酸2.55 kg,代替乙酸酐而使用己酸 酐4.99 kg,除此以外,進行與實施例22之步驟(22_2)相同 之方法,自管線55回收低沸成分約4.74 kg。對該低沸成分 進行氣相層析法分析後可知,該低沸成分含有己酸、己酸 肝、正丁醇。攪拌槽405中獲得殘留物。對該殘留物進行 抽樣,藉由1〗9Sn、i-NMR進行分析後可知,該殘留物含 有56.4 wt%的二正丁基·二丙醯氧基錫。 步驟(24-3):二烷基錫化合物之烷氧基化 除了代替正丙醇而使用正丁醇24.59 kg以外,進行與實 施例22之步驟(22-3)相同之方法,自管線55回收蒸餾成分 25.51 kg。該蒸餾成分含有83 7 wt%的正丁醇 '及14 8 wt%的己酸丁酯。另一方面,經由管線%將該攪拌槽 中所獲得之殘留物回收至貯藏槽406中。對該回收物進行 抽樣,藉由119Sn、】H-NMR進行分析後可知,該回收物含 有77.2 wt%的二正丁基-二(正丁氧基)錫。 134987.doc -196- 201008953 步驟(24-4):碳酸酯之製造 代替實施例16之步驟(16-3)中所獲得之含有二正丁基_二 (正丁氧基)錫之混合物,而使用步驟(24-3)中所獲得之含 有二正丁基-二(正丁氡基)錫之回收物,除此以外,實施與 步驟(24-1)相同之方法,自管線49以U65 g/hr獲得99加% 之碳酸二(正丁基)酯。 [實施例25] 步驟(25-1):二烷基錫觸媒之製造 除了使用二正辛基錫氧化物890 g及2 -乙基-1-丁醇2803 g 以外,進行與實施例15之步驟(15-1)相同之方法,獲得含 有1,1,3,3-四正辛基·ι,3-雙(2-乙基丁氧基)·二錫氧烷之溶 液。相對於一正辛基錫氧化物,以99%之產率獲得1,1,3,3· 四正辛基-1,3-雙(2-乙基丁氧基)-二錫氧烷。重複相同操作 12次’合計獲得ι,ι,3,3-四正辛基-ΐ,3-雙(2-乙基丁氧基)_ 二錫氧烷13400 g。 步驟(25_2):碳酸醋之製造 利用如圖8所示之連續製造裝置而製造碳酸酯。向填充 有填充物Metal Gauze CY之内徑151 mm、有效長度5040 mm之塔型反應器604中,自管線60以6074 g/hr供給上述中 所製造之1,1,3,3-四正辛基-1,3-雙(2-乙基丁氧基)二錫氧 烷,自管線62以12260 g/hr供給蒸餾塔601中所純化之2-乙 基-1-丁醇。利用加熱器及再沸器605對該反應器内604進 行’以使液溫度達到16〇。(:,利用壓力調節閥進行調整, 以使壓力達到約120 kPa-G。自反應器上部,經由管線64 134987.doc • 197· 201008953 以12344 g/hr輸送含水之2-乙基-1-丁醇,及經由管線61以 958 g/hr輸送2-乙基-1-丁醇至填充有填充物Metal CY且具備再沸器603及冷凝器602的蒸餾塔6〇1中,而進行 蒸餾純化。在蒸餾塔601之上部,藉由冷凝器6〇2使高濃度 之含水餘份冷凝’並自管線63進行回收。經由位於蒸餾塔 601之下部之官線62將經純化之2-乙基_丨·丁醇輸送至塔型 反應盗604中。自塔型反應器604之下部,獲得包含二正辛 基-雙(2-乙基丁氧基)錫與l,i,3,3-四正辛基—丨一-雙^·乙基 丁氧基)二錫氧烷之烷基錫烷氧化物觸媒組合物,並經由 管線65將其供給至薄膜蒸發裝置6〇6中。在薄膜蒸發裝置 606中蒸餾去除2-乙基-1-丁醇。自薄膜蒸發裝置6〇6之下部 經由管線66輸送烷基錫烷氧化物觸媒組合物,以二正辛 基-雙(2·乙基丁氧基)錫與M,3,3_四正辛基^弘雙^-乙基 丁氧基)二錫氧烷之流量達到約6945 g/hr之方式進行調 節,而供給至高壓釜608中。自管線69以973 g/hr向高壓釜 供給二氧化碳,將高壓爸内壓維持在4 MPa_G。將高壓釜 中之溫度設定為12()^:,將滞留時間調整為約4小時,進行 二氧化碳與烷基錫烷氧化物觸媒組合物之反應,而獲得包 含碳酸雙(2-乙基丁基)醋之反應液。經由管線川與調節閥 將該反應液轉移至除碳槽6〇9中,去除殘存二氧化碳自 管線71回收:氧化碳。其後,經由管線⑽該反應液轉移 至約142。。、約0‘5 kPa之薄膜蒸發裝置61〇中以113 3_ 四正辛基-1,3-雙(2-乙基丁氧基)二錫氧烷之流量達到約 6074 g/hr之方式進行調節、供給,而獲得包含碳酸雙乙 134987.doc -198· 201008953 基丁基)醋之餾份,另一方面經由管線73將蒸發殘渣回收 至貯藏槽615中。該回收成分為丨,^〗-四正辛基-l,3-雙(2-乙基丁氧基)二锡氧烷。經由冷凝器611及管線74以959 g/hr將包含碳酸雙(2-乙基丁基)酯之餾份供給至填充有填 充物Metal Gauze CY且具備再沸器613及冷凝器612的蒸餾 塔614中’而進行蒸餾純化後,自管線75以1〇75 g/hr獲得 99 wt%的碳酸雙(2-乙基丁基)酯。 步驟(25-3):取代基交換反應 經由管線76,將步驟(25-2)中回收至貯藏槽61 5中之蒸發 殘渣向具備蒸餾塔之攪拌槽616中進料3· 16 kg。將該攪拌 槽61 6加熱至約40。(:,自管線77將乙酸1.03 kg投入攪拌槽 6 16中。攪拌約1小時後,將攪拌槽616之系統内減壓至約 〇·13 kPa,將攪拌槽616加熱至約80°C ’並進行低沸成分之 蒸餾,自管線79回收低沸成分0.85 kg。對該低沸成分進行 氣相層析法分析後可知,該低沸成分含有乙酸、2-甲基-1 -丁醇。繼而,利用氮氣將該授拌槽616内之壓力恢復至大 氣壓,加熱至約l〇〇°C,經由管線77投入乙酸酐1.46 kg。 授拌約3小時後,將攪拌槽616内減壓至約1 kPa,將該搜 拌槽616加熱至約120〇C,對未反應之乙酸酐等低沸成分進 行蒸餾,自管線79回收低沸成分約1.59 kg。在攪拌槽616 中獲得殘留物。對該殘留物進行抽樣,藉由H9Sn、 NMR進行分析後可知’該殘留物含有9〇 5 wt%的二乙酸二 正辛基踢。 步驟(25-4):二烷基錫化合物之烷氧基化 134987.doc -199- 201008953 自管線77向具備蒸餾塔之攪拌槽616中投入正丙醇13 73 kg。將授拌槽405以經密封之狀態加熱至約i〇(rc,並進行 約40小時之反應後,自管線79蒸館回收未反應之正丙醇。 該蒸餾成分為13.73 kg,含有87.8 wt%的正丙醇、及1〇 4 wt°/〇的乙酸丙酯。 繼而’自管線77向攪拌槽616中投入2_乙基-丨_丁醇3 u kg。將攪拌槽616加熱至約13〇。(:,攪拌約3小時後,對授 拌槽616進行系統内減壓’自管線79回收包含未反應之弘 曱基-1 - 丁醇等的低沸成分。回收2.80 kg的該低沸成分, 該低沸成分中含有70.1 wt%的2-乙基-1-丁醇、及28.9 wt0/。 的正丙醇。 經由管線78將該授拌槽616中所獲得之殘留物回收至貯 藏槽617中。對該回收物進行抽樣,藉由mSn、士…河尺進 行分析後可知,該回收物含有97.0 wt%的二正辛基-雙(2-乙基丁氧基)錫。 步驟(25_5):碳酸醋之製造 代替步驟(25-1)中所獲得之含有^弘四正辛基雙 (2-乙基丁氧基)二錫氧烷之混合物,而使用步驟(25_句中所 獲得之含有二正辛基-雙(2-乙基丁氧基)錫之回收物,除此 以外’實施與步驟(24-1)相同之方法,自管線75以1075 g/hr獲得99wt%的碳酸雙(2_乙基丁基)酯。 [實施例26] 步驟(26-1):二烧基錫觸媒之製造 除了使用二正辛基錫氧化物963 g及3-曱基-1-丁醇2120 g 134987.doc -200- 201008953 以外,進行與實施例13之步驟(13_1}相同之方法而獲得 反應液1120 g。根據mSn、lH、分析結果可確 認.相對於二正辛基錫氧化物,以99%之產率獲得m]· 四正辛基-1,3-雙(3-曱基丁氧基)_二錫氧烷。重複相同操作 12次,獲得合計13990 g。 步驟(26-2):碳酸酯之製造 利用如圖8所示之連續製造裝置而製造碳酸酯。 代替1,1,3,3-四正辛基乙基丁氧基)二錫氧烷而 ® 使用步驟(26_1)中所獲得之1,1,3,3-四正辛基-1,3-雙(3-甲基 丁氧基)-二錫氧烷並自管線60進行供給,且代替2胃乙基-N 丁醇而使用3-曱基-i_ 丁醇,除此以外,進行與實施例以之 步驟(24-2)相同之方法,自管線75以94〇 g/hr獲得99〜以之 碳酸雙(3 -甲基丁基)酯。另一方面,經由管線73將薄膜蒸 發裝置610中之蒸發殘渣貯藏在貯藏槽615中。該蒸發殘渣 係1,1,3,3-四正辛基_ι,3_雙(3_甲基丁氧基)二錫氧烷。 步驟(26-3):取代基交換反應 參 經由管線76 ’將步驟(26-2)中回收至貯藏槽615中之蒸發 殘〉查向具備黑·館塔之擾拌槽616中進料2.8 6 kg,並且代替 -乙酸而使用丙酸1.00 kg,代替乙酸酐而使用丙酸酐147 kg,除此以外,進行與實施例24之步驟(24-3)相同之方 法’在攪拌槽616中獲得殘留物。對該殘留物進行抽樣, 藉由119Sn、W-NMR進行分析後可知,該殘留物含有9〇 2 wt%的二正辛基-二丙醯氧基錫。 步驟(26-4) ··二烧基錫化合物之燒氧基化 134987.doc •201 · 201008953 除了代替正丙醇而使用乙醇7.78 kg以外,進行與實施例 24之步驟(24-4)相同之方法,自管線79進行蒸餾回收。該 蒸餾成分為8.07 kg,含有83.0 wt%的乙醇、及14 〇 wt%的 丙酸乙醋。 繼而’代替2-乙基-1-丁醇而使用3-曱基丁酵2.44 kg ’自管線79回收包含未反應之3-甲基-1-丁醇等之低沸成 分。回收2.05 kg的該低沸成分,該低沸成分中含有72 2 wt%的3-曱基-1-丁醇、及24.9 wt%的乙醇。 經由管線78將該攪拌槽616中所獲得之殘留物回收至貯 藏槽617中。對該回收物進行抽樣,藉由"9Sn、士…厘尺進 行分析後可知,該回收物含有9 5 · 0 wt%的二正辛基-雙(3_ 甲基丁氧基)錫。 步驟(26-5):碳酸酯之製造 代替步驟(26-1)中所獲得之含有1,1,3,3-四正辛基-l,3-雙 (2-乙基丁氧基)二錫氧烷之混合物,而使用步驟(26-4)中所 獲得之含有二正辛基-雙(3-甲基丁氧基)錫之回收物,除此 以外,實施與步驟(26-1)相同之方法,自管線75以940 g/hr 獲得99wt°/〇之碳酸雙(3_曱基丁基)酯。 [實施例27] 步驟(27-1):包含ΐ5ΐ,3,3·四正丁基-1,3-雙(3-甲基丁氧基) 一錫氧烧之烧基錫組合物之回收 在參考例1之步驟(Α-2)中,連續運轉約230小時後,自 排出管線16以18 g/hr排出包含1,1,3,3-四正丁基-1,3-雙(3-甲基丁氧基)二錫氧院之炫基錫組合物,另一方面自供給 134987.doc -202- 201008953 管線17以18 g/hr供給參考例丄之步驟(A_1}中所製造之 1,1,3,3-四正丁基-1,3-雙(3-曱基丁氧基)二錫氧烷。藉由 119Sn-NMR之分析後可知,除包含約5〇 wt%之込丨^^-四正 丁基-1,3-雙(3-甲基丁氧基)二錫氧烷以外,可見三正丁基 (3 -甲基丁乳基)錫及在_ 240605 ppm中的1,1,3,3-四正丁 基-1,3-雙(3-甲基丁氧基)二錫氧烷之失活成分的複數個 NMR位移。 步驟(27-2):取代基交換反應 使用圖6之裝置進行反應。 代替藉由與實施例13之步驟(13-2)相同之方法而獲得之 包含1,1,3,3-四正丁基-i,3-雙(3-甲基丁氧基)二錫氧烷之烷 基錫組合物,而將藉由與步驟(2Ί)相同之方法而獲得之 包含1,1,3,3-四正丁基_1,3_雙(3_曱基丁氧基)二錫氧烷之烷 基錫組合物貯藏在貯藏槽201中。自貯藏槽201經由管線21 向具備蒸餾塔之攪拌槽204中投入包含1,1,3,3-四正丁基-1,3-雙(3-曱基丁氧基)二錫氧烷之烷基錫組合物5 96 kg, 且使用乙酸1 _66 kg、乙酸酐3.24 kg,除此以外,進行與實 施例16之步驟(16_υ相同之方法,對未反應之乙酸酐等低 彿成分進行蒸餾,自管線24回收低沸成分約3.〇8 kge授拌 槽204中獲得殘留物。對該殘留物進行抽樣,藉由 H-NMR進行分析後可知’該殘留物含有46.1 wt°/〇的二乙 酸二正丁基錫、及23.0 wt%的乙酸三正丁基錫。 步驟(27-3):烷基再分配反應 繼續使用如圖6之裝置進行反應。 134987.doc •203· 201008953 進行與實施例16之步驟(16-2)相同之方法,在授拌槽2〇8 中獲得含有87.7 wt%的二乙酸二正丁基錫之混合物。另一 方面,貯藏槽206中回收液相成分0.44 kg,經由管線20將 該液相成分轉移至貯藏槽201中,再用作步驟(27_2)之原 料。 步驟(27-4):二烷基錫化合物之烷氧基化 代替正丙醇而使用碳酸雙(3-曱基丁基)酯n 89 kg,將授 拌槽208加熱至約80 C ’進行約1 50小時反應,除此以外, 進行與實施例16之步驟(16-3)相同之方法,自管線28蒸顧 回收未反應之碳酸雙(3 -曱基丁基)。該蒸館成分為I].I? kg,含有67.4 wt〇/〇的碳酸雙(3·甲基丁基)酯、及42 3 wt% 的乙酸異戊酯。 將該撲拌槽208中所獲得之殘留物經由管線29回收至貯 藏槽209中。對該回收物進行抽樣,藉由"9Sn、1h_nmr進 行分析後可知,該回收物含有98.4 wt%的二正丁基_雙(3_ 甲基丁氧基)錫。 [實施例28] 步驟(28-1):包含1,1,3,3-四正丁基d,%雙(2_乙基丁氧基) 二錫氧烧之烧基錫組合物之回收 在參考例2之步驟(B-2)中,連續運轉約21〇小時後,自 排出管線16以18 g/hr排出包含込^,、四正丁基“,、雙(2_ 乙基丁乳基)一錫氧烧之烧基錫組合物’另一方面自供终 管線17以18 g/hr供給參考例丨之步驟(Bq)中所製造之 1,1,3,3-四正丁基-1,3-雙(2-乙基丁氧基)二錫氧烷。藉由 134987.doc •204- 201008953 119Sn-NMR進行分析後可知,除包含約5〇 wt%的四 正丁基-1,3-雙(2_乙基丁氧基)二錫氧烷以外,可見三正丁 基(2乙基丁乳基)锡及在_24〇〜_605 ppm中之1,1,3,3-四正丁 基-1,3-雙(2-乙基丁氧基)二錫氧烷之失活成分的複數個 NMR位移。 步驟(28_2):取代基交換反應 使用如圖6之裝置進行反應。 代替藉由與實施例13之步驟(13_2)相同之方法所獲得的 β 包含1,1,3,3-四正辛基-1,3-雙(3-曱基丁氧基)二錫氧烷之烷 基錫組合物,將藉由與步驟(28-1)相同之方法所獲得的包 含U,3,3-四正丁基乙基丁氧基)二錫氧烷之烷基 錫組合物貯藏在貯藏槽201中。自貯藏槽2〇1經由管線21向 具備瘵餾塔之攪拌槽204中投入失活體組合物4·42 kg,並 且代替乙酸而使用丙酸丨.43 kg,代替乙酸酐而使用丙酸酐 2.94 kg,除此以外,進行與實施例16之步驟(丨心丨)相同之 φ 方法,對未反應之乙酸酐等低沸成分進行蒸餾,自管線24 回收低沸成分約2.75 kg。攪拌槽204中獲得殘留物。對該 殘留物進行抽樣,藉由n9Sn、lH_NMR進行分析後可知, 該殘留物含有45.3 Wt%的二正丁基·二丙醯氧基錫、及218 wt%的三正丁基-丙醯氧基錫。 步驟(28-3):烧基再分配反應 繼續使用如圖6之裝置進行反應。 進行與實施例16之步驟(16-2)相同之方法,在攪拌槽2〇8 中獲得含有88.4 Wt%的二正丁基二丙酿氧基錫之混合物。 134987.doc -205- 201008953 另一方面,在貯藏槽206中回收液相成分0.32 kg,經由管 線20將該液相成分轉移至貯藏槽201中,而用作步驟(28_2) 之原料。 步驟(28-4):二烷基錫化合物之烷氧基化 代替正丙醇而使用碳酸雙(2-乙基丁基)酯23.30 kg,將攪 拌槽208加熱至約80。(: ’進行約1 50小時之反應,除此以 外’進行與實施例16之步驟(16-3)相同之方法,自管線28 蒸館回收未反應之碳酸雙(2-乙基丁基)酯。該蒸餾成分為 18.29 kg ’含有79.2 wt°/。的碳酸雙(2-乙基丁基)醋、及16.3 wt°/〇的丙酸(2-乙基丁基)。 將該搜拌槽208中所獲得之殘留物經由管線29回收至貯 藏槽209中。對該回收物進行抽樣,藉由mSn、ih_nmr進 行分析後可知,該回收物含有98.4 wt%的二正丁基-雙(2_ 乙基丁氧基)錫。 [實施例29] 步驟(29-1):取代基交換反應 使用圖6之裝置進行反應。 代替藉由與實施例13之步驟(13_2)相同之方法所獲得的 包含1,1,3,3-四正辛基-l,3-雙(3-曱基丁氧基)二錫氧烷之烷 基錫組合物,而將藉由與實施例丨5之步驟(丨5_2)相同之方 法所獲得的包含l,i,3,3-四正辛基雙(2_乙基丁氧基)二 錫氧烷之烷基錫組合物貯藏在貯藏槽2〇1中。自貯藏槽2〇1 經由管線21向具備蒸餾塔之攪拌槽204中投入包含 四正辛基-1,3-雙(2-乙基丁氧基)二錫氧烷之烷基錫組合物 134987.doc -206· 201008953 3.95 kg ’並且使用乙酸〇99 kg、乙酸酐2· 19 kg,除此以 外’進行與實施例18之步驟(18_1}相同之方法,對未反應 之乙酸酐等低沸成分進行蒸餾,自管線24回收低沸成分約 2·09 kg。攪拌槽204中獲得殘留物。對該殘留物進行抽 樣’藉由119Sn、h-NMR進行分析後可知,該殘留物含有 49_1 wt%的二乙酸二正辛基錫、及25 5 wt%的乙酸三正辛 基錫。 步驟(29-2):烷基再分配反應
繼續使用如圖6之裝置進行反應。 進行與實施例16之步驟(16_2)相同之方法,在攪拌槽2〇8 中獲得含有89.8 wt%的二乙酸二正辛基錫之混合物。另一 方面在貯藏槽2〇6中回收液相成分kg,經由管線2 〇 將該液相成分轉移至貯藏槽2〇1中,而用作步驟(29_丨)之原 料。 步驟(29-3):二烷基錫化合物之烷氧基化 代替正丙醇而使用乙醇14 85 kg,將攪拌槽2〇8加熱至約 8〇t,進行約150小時之反應,除此以外,進行與實施例 16之步驟(16_3)相同之方法,自管線28蒸館回收未反應之 乙醇。該蒸館成分為15.08 kg,含有87 4 wt%的乙醇、及 1〇·4 wt%的乙酸乙酯。 將該攪拌槽208中所獲得之殘留物經由管線”回收至貯 藏槽209中。對該回收物進行抽樣 行分析後可知,該回收物含有91.1 基錫。 ,藉由 119Sn、ill-NMR進 wt%的二正辛基_二乙氧 134987.doc -207- 201008953 步驟(29·4):碳酸酯之製造 利用如圖7所示之連續製造裝置而製造碳酸酯。 經由管線41,以5073 g/hr將步驟(29_3)中所獲得之含有 wt%的二正辛基-二乙氧基錫之混合物進料至高1釜 4〇1中。自管線42以973 g/hr將二氧化碳供給至該高壓釜, 將高壓蚤内壓維持在4 MPa-G。將高壓釜中之溫度設定為 120C,將滯留時間調整為約4小時,進行二氧化碳與二正 辛基-二乙氧基錫之反應,而獲得包含碳酸二乙酯之反應 液。經由管線43與調節閥以6129 g/hr將該反應液轉移至除 碳槽402中,去除殘存之二氧化碳,自管線料回收二氧化 碳。其後,將該反應液經由管線45轉移至約15(rc、約〇 5 kPa之薄膜蒸發裝置403中,而獲得包含碳酸二乙酯之餾 伤。經由冷凝器405及管線47’將包含碳酸二乙醋之館份 供給至填充有填充物Metal Gauze CY且具備再沸器408及 冷凝器407的蒸餾塔406中,而進行蒸餾純化。自管線49以 1165 g/hr獲得99 wt%的碳酸二乙酯。另一方面,經由管線 Μ將利用薄膜蒸發裝置4〇3所分離之液相成分回收至貯藏 槽404中。對該液相成分進行抽樣,藉由mSn、士小厘汉進 行分析後可知,該液相成分係含有約98 wt%的l,l,3,3-四 正辛基-1,3 -二乙氧基-二錫氧院之混合物。 [比較例1] 步驟(1-1):取代基交換反應 在氮氣環境下,向1 L茄型燒瓶中投入藉由與實施例13 之步驟(13-2)相同之方法所獲得的包含四正辛基_ 134987.doc -208- 201008953 1,3-雙(3-曱基丁氧基)二錫氧烷之烷基錫組合物39〇经,其 次添加乙酸106 g與乙酸酐361 g,在25。(:下攪拌1小時。在 該燒瓶上安裝與館液接受器相連接之附帶回流冷卻器之分 餾頭、及溫度計,對該燒瓶内進行真空_氮氣置換後,將 該燒瓶浸潰於加熱至50。(:之油浴中。緩慢地對容器内進行 減壓,將剩餘之乙酸及乙酸酐等蒸餾去除,該燒瓶内獲得 殘留物410 g。對殘留物進行ιΗ及"9Sn_NMR測定後可知, 該殘留物係三正辛基乙醯氧基錫、二正辛基二乙醯氧基 ® 錫、及含有在〗19Sn-NMR中在-240〜-605 ppm下顯示出複數 個化學位移之錫原子的有機錫化合物之混合物。該混合物 中,二正辛基乙酿氧基錫為27.9 wt%,二正辛基二乙酿氧 基錫為49.9 wt%。 步驟(1-2):燒基再分配反應 在氮氣環境下’向500 mL金屬製壓力容器中投入步驟(1_ 2)中所獲得之混合物408 g。將該金屬製壓力容器浸潰於加 熱至200°C之油浴中,加熱3小時。將該耐壓反應容器冷卻 至室溫附近後’回收反應液。對反應液進行及119sn-NMR測定後可知’該反應液係含有二正辛基二乙醯氧基 錫、三正辛基乙醯氧基錫之有機錫化合物之混合物,二正 辛基-二乙酿氧基錫為91.5 wt% ’三正辛基乙酿氧基錫為約 5 wt%。 步驟(1-3):二烷基錫化合物之烷氧基化 向容積1 L之茄型燒瓶中投入步驟(1-2)中所獲得之混合 物405 g,並將燒瓶浸潰於加熱至50之油浴中。一面授 134987.doc •209- 201008953 掉内容物,-面添加(M mol/L氫氧化卸水溶液(和光純藥 工業公司製)500 mL,結果產生白色沈澱。利用渡紙過渡 混合液,並以80。(:乾燥過濾殘渣後,回收3〇2 §之白色固 體。該白色固體為二辛基氧化錫。 將該白色固體扇成3_甲基]•丁醇1836 g投入容心L 之祐型燒觀中。將該燒瓶安裝在連接有附帶溫度調節器之 油/谷真二泵及真二控制器之旋轉蒸發器上。旋轉蒸發器 之沖洗閥出口係與大氣麼下流通之氣氣管線相連接。將系 統内置換為氮氣後,將油浴溫度設定為146t:,將該燒瓶 浸潰於該油浴中並開始旋轉蒸發器之旋轉。在打開旋轉蒸 發器之沖洗閥的狀態下’在大氣壓氮氣下進行約7小時之 低沸成分之蒸餾去除,繼而緩慢地對系統内進行減壓,以 系統内壓力為76 kPa〜30 kPa之狀態,對殘存低沸成分進行 蒸餾去除。不再蒸餾出低沸成分後,自油浴取出該燒瓶並 將其冷卻。該燒瓶中獲得殘留液366 g。根據]H、、
Sn-NMR之分析結果可知,該燒瓶中之殘留液中所含有 之1,1,3,3-四正辛基'u-雙(3·甲基丁氧基)二錫氧燒為% 4 wt% 〇 在該步驟(1-3)中,不使步驟(1_2)申所獲得之二正辛基_ 二乙醯氧基錫與3_甲基_丨_ 丁醇直接反應,而使二正辛基一 二乙醯氧基錫與鹼性水溶液(氫氧化鉀水溶液)進行反應, 生成二辛基氧化錫後,再使該二辛基氧化錫與3甲基_丨_ 丁 醇進行反應,而獲得1,1,3,3_四正辛基·丨’弘雙丨弘甲基丁氧 基)二錫氧烷,該二辛基氧化錫為固體,必須進行藉由過 134987.doc •210· 201008953 遽來回收固體之操作,因此工業實施時操作繁璃。 [比較例2] 步驟(II-1):四(二甲基胺基)錫與碳酸酯之反應 在大氣壓氮氣環境下,向容積2 L之茄型燒瓶中投入四 (二甲基胺基)錫(美國Gelest公司製)290 g、及參考例j之步 驟(A-2)中所製造之碳酸雙(3_曱基丁基)酯1〇1〇 g,在該燒 瓶上安裝戴氏冷卻器與三通旋塞。將該燒瓶浸潰於加熱至 150°C之油浴中,一面攪拌内容物一面加熱5小時。將該燒 瓶安裝在連接有附帶溫度調節器之油浴、真空泵及真空控 制器的旋轉蒸發器上。旋轉蒸發器之沖洗閥出口係與大氣 壓下流通之氮氣管線相連接。將系統内置換為氮氣後,將 油浴溫度設定為150°C ’將該燒瓶浸潰於該油浴中並開始 旋轉蒸發器之旋轉。在打開旋轉蒸發器之沖洗閥的狀態 下’在大氣壓氮氣下進行約7小時低沸成分之蒸餾去除, 繼而緩慢地對系統内進行減壓,以系統内壓力為76 kPa〜10 kPa之狀態,對殘存低沸成分進行蒸餾去除。不再 蒸餾出低沸成分後’自油浴取出該燒瓶並將其冷卻。該燒 瓶中獲得殘留液292 g。根據1Η、13C、"9Sn-NMR之分析 結果可知’該燒瓶中之殘留液係含有98.0 wt%的四(二甲基 胺基)錫之溶液,未獲得錫烧氧化物。 [比較例3 ] 步驟(ΠΙ-l):四(二曱基胺基)錫與醇之反應 在大氣壓氮氣環境下’向容積2 L之茄型燒瓶中投入四 (二甲基胺基)錫285 g、及3-甲基·ι_丁醇1320 g,在該燒瓶 134987.doc •211· 201008953 上安裝戴氏冷部器與三通旋塞。將該燒瓶浸潰於加熱至 之油洛中,一面撲拌内容物一面加熱5小時。將該燒 瓶安裝在連接有附帶溫度調節器之油浴、真空泵及真空控 制器的旋轉蒸發II上。旋轉蒸發器之沖洗閥出。係與大氣 壓下流通之氮氣管線相連接。將系統内置換為氮氣後,將 油洽溫度設定為15(TC,將該燒瓶浸潰於該油浴中並開始 旋轉蒸發H之旋轉。在打開旋轉蒸發器之沖洗閥的狀態 下’在大氣壓t氣下S行約7小時低沸成分之蒸館去除, 繼而緩慢地對系統内進行減壓,以系統内壓力為% kPa〜10 kPa之狀態,對殘存低沸成分進行蒸餾去除。不再 蒸餾出低沸成分後,自油浴取出該燒瓶並將其冷卻。該燒 瓶中獲得殘留液288 g。根據iH、13C、mSn_NMR之分析 結果可知,該燒瓶中之殘留液係含有98 〇 wt%的四(二甲基 胺基)錫之溶液,未獲得錫烷氧化物。 [產業上之可利用性] 本實施形態之二烷基錫二烷氧化物化合物及/或四烷基 二烷氧基二錫氧烷化合物之製造方法(步驟係可藉由使 二垸基錫化合物及/或四烷基二錫氧烷化合物、與酸及/或 酸酐進行反應,不使用固體之錫化合物,而製造二烷基錫 二烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烧化合 物,因此較先前之方法更為簡便。 又,如上述所示,藉由在步驟(z)中組合各種步驟,可 將步驟(Z)用作新的碳酸酯之製造步驟之一部分。該等新 的碳酸酯之製造方法包括將該碳酸酯之製造方法中所生成 134987.doc -212· 201008953 之失去合成碳酸酯之觸媒活性的單烷基錫烷氧化物化合物 及三烷基錫烷氧化物化合物再生為二烷基錫二烷氧化物化 合物及/或四院基一院氧基二錫氡院化合物之步驟,因此 可解決碳酸酯製造步驟中之成本及廢棄物之問題。因此, 本發明在產業上極為重要。 【圖式簡單說明】 圖1係表示用以說明本實施形態中之將藉由二烧基錫二 烷氧化物化合物及/或四烷基二烷氧基二錫氧院化合物之 ⑩ 烧基歧化反應所生成之早燒基錫院氧化物化合物及三烧基 錫烷氧化物化合物,再生為二烷基錫二烷氧化物化合物及/ 或四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物之流程圖; 圖2係表示用以說明將碳酸酯之製造方法與本實施形態 之二烧基錫化合物之製造方法組合而成的經改良之碳酸醋 之製造方法之流程圖; 圖3係表示用以說明將本實施形態中之步驟(A)〜步驟(C) 及步驟(Z)組合而成的碳酸酯之製造方法之流程圖; 〇 ’ 圖4係表示用以說明將本實施形態中之步驟(I)〜步驟(III) 及步驟(Z)組合而成的碳酸酯之製造方法之流程圖; 圖5係表示顯示實施例中之碳酸酯之製造裝置之概念 圃, 圖6係表示顯示實施例中之二烷基錫二烷氧化物及/或四 烷基二烷氧基二錫氧烷之製造裝置之概念圖; 圖7係表示顯示實施例中之碳酸醋以及二烷基錫二烷氧 化物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烧之製造裝置之概念 134987.doc -213- 201008953 圖;及 圖8係表示顯示實施例中之碳酸酯以及二烷基錫二烷氧 化物及/或四烷基二烷氧基二錫氧烷之製造裝置之概念 圖。 【主要元件符號說明】 1、2、3、4、5、 6、 7、 8、 9、 10、 11 、 12 、 13 、 14 、 15 、 16 、 17 管線 101 、 107 蒸餾塔 102 塔型反應器 103 ' 106 薄膜蒸發裝置 104 高壓釜 105 除碳槽 111 、 112 、 117 再沸器 121 ' 123、126 ' 127 (圖6) 冷凝器 20 、 21 、 22 、 23 、 24 、 25 、 26 、 27 、 28 、 29 、 30 、 31 管線 201 ' 202 ' 203 ' 206 ' 209 ' 210 ' 211 貯藏槽 204 ' 208 具備蒸餾塔之攪拌槽 134987.doc -214- 201008953
205 薄膜蒸發裝 置 207 冷凝器 (圖7) 41、 42 ' 43 、44、 管線 45、 46 ' 47 、48、 49 ' 50、 51 、52、 53 ' 54、 55 、56 401 高壓釜 402 除碳槽 403 薄膜蒸發裝 置 404 ' 409 貯藏槽 405 ' 407 冷凝器 406 蒸餾塔 408 再沸器 (圖8) 61、 62、 63 、64、 管線 65、 66 ' 67 、68、 69、 70 ' 71 、72、 73 ' 74、 75 '16、 77 ' 78 ' 79 601 、614 蒸餾塔 602 > 607 611 、 612 冷凝器 603 、605 613 再沸器 604 塔型反應器 134987.doc •215· 201008953 606 ' 610 薄膜蒸發裝置 608 高壓釜 609 除碳槽 615 、 617 貯藏槽 616 具備蒸餾塔之攪拌槽 134987.doc -216-

Claims (1)

  1. 201008953 七、申請專利範圍: 1· 一種製造方法,其係在無觸媒存在下,使 選自由下述1)及11)所組成之群中的至少一種烷基錫化 合物: i)具有一個錫原子,且具有兩個Sn_Rl(Ri表示烷基) 鍵、與兩個Sn-OX鍵(〇χ基係〇χ之共軛酸即Η〇χ係pKa 為〇以上、6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)之二烷基錫化 合物, ® 11)具有一個Sn-O-Sn鍵,且各個錫原子具有兩個Sn_Ri 鍵與一個Sn-OX鍵(οχ基係ox之共軛酸即Η〇χ係pKa為〇 以上、6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)的四烷基二錫氧烷 化合物,與 R2OCO〇R2(R2表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之 煙基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或γ_ CIV基(式中,γ表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀 飽和或不飽和伸烷醚基))所表示之碳酸酯及/或 ^ R oh(r2表示與上述R2相同之基團)所表示之醇進行反 應, 而製造XOR2所表示之化合物,與 具有一個錫原子’且具有兩個Sn-R1鍵與兩個Sn-OR2 鍵之二垸基錫二烷氧化物化合物及/或 具有一個Sn-〇-Sn鍵,且各個錫原子具有兩個Sn-R1鍵 與一個Sn-OR2鍵的四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物。 2·如請求項1之製造方法,其中該碳酸酯r2〇c〇〇r2及/或 134987.doc 201008953 該醇R2〇H中,R2為直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之煨 基、或飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基。 3. 如請求項2之製造方法,其中該碳酸二烷基酯r2〇c〇〇B·2 及/或該醇R2〇H中’ R2為直鏈狀或支鏈狀之碳數為卜8之 燒基。 4. 如請求項1之製造方法,其中該二烷基錫化合物係下述 式(1)所表示之化合物, [化1] 〇X1a r1--Sn-0X2b R1 (1) (式中: Rl分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為卜;^之烷 基; 〇表示氧原子; OX1及OX2係〇χΐ及ox2之共軛酸即HOX1及HOX2係pKa 為〇以上、6.8以下之布忍斯特酸的〇χ丨及〇χ2 ; a及b分別為〇〜2之整數,a+b=2)。 5·如請求項1之製造方法,其中該四烷基二錫氧烷化合物 係下述式(2)所表示之化合物, [化2] R1
    R1 0"—Sn·—Ri όχ4 (2) 134987.doc 201008953 (式中: Rl分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷 基; 〇表示氧原子; 〇X3及OX4係OX3及OX4之共軛酸即HOX3及HOX4係pKa 為〇以上、6.8以下之布忍斯特酸的OX3及OX4)。 6. 如請求項1之製造方法,其中OX基為醮氧基。 7. 如請求項1之製造方法,其中該二烷基錫化合物及/或四 炫基二錫氧烷化合物、與碳酸酯及/或醇之反應係在2〇°C 以上、25〇。〇以下之溫度實施。 8. 如請求項丨之製造方法,其中該二烷基錫二烷氧化物化 合物係下述式(3)所表示之化合物, [化3] OR2 R1 --Sn-or2 i1 (3) (式中: R1分別獨立表示源自二烷基錫化合物及/或四烷基二錫 氧烧化合物的直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷基; R2分別獨立表示源自碳酸酯及/或醇的直鏈狀或支鏈狀 之飽和或不飽和之烴基、飽和或不飽和之具有環狀烴取 代基之烴基、或Y-CH2基(式中,γ表示烷基聚伸烷基、 芳香族基、或環狀飽和或不飽和伸烷醚基))。 9.如請求項1之製造方法,其中該四烷基二烷氧基二錫氧 134987.doc 201008953 院化合物係下述式(4)所表示之化合物 [化4] 〇R2 R1 R1 -Sn-0-Jn一R1 R1 OR2 (4) (式中: R1分別獨立表示源自二烷基錫化合物及/或四烷基二錫 氧焼化合物的直鏈狀或支鏈狀之碳數為丨〜12之烷基; R分別獨立表示源自碳酸酯及/或醇的直鏈狀或支鏈狀 之飽和或不飽和之烴基、飽和或不飽和之具有環狀烴取 代基之烴基、或Y_CH2-基(式中,γ表示烷基聚伸烷基、 芳香族基、或環狀飽和或不飽和伸烷醚基))。 ίο. 如請求項1之製造方法,其中該二烷基錫化合物及/或該 四垸基二錫氧烷化合物係藉由包括以下步驟(1)〜(2)之方 法所製造的化合物, 步驟(1): 藉由選自由具有一個錫原子且具有兩個Sn_Ri鍵與兩個 Sn-OR鍵之二烷基錫二烷氧化物化合物及/或具有一個 Sn-0-Sn鍵且各個錫原子具有兩個Sn_Ri鍵與一個Sn_〇R2 鍵的四烧基二烷氧基二錫氧烷化合物所組成之群中之至 少一種烷基錫烷氧化物之烷基歧化反應(鍵結於錫上之尺! 基之數量為2個即為二烷基錫烷氧化物化合物之情形 時’在2分子間進行歧化’鍵結於錫上之R1基之數量為4 個即為四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物時,在分子内及/ 134987.doc 201008953 或分子間進行歧化,由此轉化為具有一個Sn-R1鍵之單烷 基錫烷氧化物化合物與具有三個Sn-R1鍵之三烷基錫烷氧 化物化合物的反應)生成包含單烷基錫烷氧化物化合物與 三烧基錫烧氧化物化合物之烧基錫組合物, 使該烷基錫組合物與 通式HOX(pKa為0以上、6.8以下之布忍斯特酸)所表示 之酸及/或通式XOX(OX基係OX之共輛酸即HOX係pKa為 0以上、6.8以下之布忍斯特酸的OX基)所表示之酸酐進 參 行反應,而製造具有源自該酸及/或該酸酐之基團(OX基) 的有機錫化合物之混合物之步驟; 步驟(2): 對該步驟(1)中所獲得之該有機錫化合物之混合物進行 加熱處理,進行炫基再分配反應,而由該烧基錫組合物 中之該單烷基錫烷氧化物化合物與三烷基錫烷氧化物化 合物,獲得 選自i)具有一個錫原子且上述一個錫原子具有兩個Sn-® R^R1表示烷基)鍵與兩個Sn-OX鍵(OX基係OX之共軛酸 即HOX係pKa為0以上、6.8以下之布忍斯特酸的OX基)之 二烷基錫化合物、 ii)具有一個Sn-0-Sn鍵且各個錫原子具有兩個Sn-R1鍵 與一個Sn-OX鍵(OX基係OX之共軛酸即HOX係pKa為0以 上、6.8以下之布忍斯特酸的OX基)的四烷基二錫氧烷化 合物之群中之至少一種烷基錫化合物之步驟; 其中,直接鍵結在該二烷基錫化合物、該四烷基二錫 134987.doc 201008953 氧烷化合物、該二烷基錫二烷氧化物化合物、該四烷基 二烷氧基二錫氧烷化合物、該單烷基錫烷氧化物化合 物、該二炫基錫炫氧化物化合物之錫上之R1為相同之院 基。 11 ·如請求項10之製造方法,其中該烷基錫組合物係依序進 行下述步驟(a)〜步驟(c)所獲得之製造碳酸酯之過程中所 生成之烷基錫組合物, 步驟(a) ··使下述通式(5)所表示之二烷基錫二垸氧化 物與二氧化碳加以反應,而獲得包含碳酸酯與下述通式 (6)所表示之四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二 烷氧基二錫氧烷與二氧化碳之結合體的反應液之步驟; [化5] OR2 R1 -Sn-OR2 丄1 (5) (式中: R1分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為卜以之烷 基; & R2分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或Y CH2·基(式中,γ表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀 飽和或不飽和伸燒趟基)) [化6] 134987.doc -6 - 201008953 OR2 Ri R1 Sn-0 Sn—R1 R1 OR2 (6) (式中: R表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜丨2之院基; R2表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴基、飽和 或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或y_ch2_*(式 中,Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或不 飽和伸烧醚基)); 步驟(b):藉由蒸餾自該反應液中分離碳酸酯,而獲得 包含該四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氧基 一錫軋烧與一氧化碳之結合體的殘留液之步驟; 步驟(c):使該殘留液與下述通式(7)所表示之醇加以 反應,去除所產生之副產物水,再生二烷基錫二烷氧化 物,而將該二烧基錫二烧氧化物用作步驟(a)之二烧基錫 二烷氧化物的步驟; [化7] WOH (7) (式中: W表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴基、飽和 或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或Y_CH2·基(式 中,Y表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀飽和或不 飽和伸烷醚基))。 12 ·如請求項11之製造方法,其係在如請求項1 i之步驟(b)及/ 134987.doc 201008953 或步驟(C)後實施進行如請求項1〇之方法 < v鄉:由製造 該碳酸酯之過程所生成之烷基錫組合物, 丹生一院基錫 二院氧化物及/或四烷基二烷氧基二錫氧燒; 並將所再生之二烷基錫二烷氧化物及/或四烷基二烷氧 基二錫氧烷 用作步驟(a)之二烷基錫二烷氧化物, 與步驟(b)之殘留液混合而用作步驟((〇之原料。 13. —種碳酸酯之製造方法,其在如請求項〗之方法中進而 包括下述步驟(A)〜步驟(B): 步驟(A):使如請求項1之二烷基錫二烷氧化物化合物 及/或四烧基一烧氧基二錫.氧烧化合物與二氧化碳進行反 應’而獲得包含碳酸酯與四烧基二烧氧基二錫氧烧化合 物及/或該四烷基二烷氧基二錫氧烷化合物與二氧化碳之 結合體的反應液之步驟; 步驟(B):藉由蒸餾自該反應液中分離峻酸酯,而獲得 包含四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氧基二 錫氧烷與二氧化碳之結合體的殘留液之步驟。 14. 一種碳酸酯之製造方法,其在如請求項13之方法中進而 包括下述步驟(C),且將該步驟(C)所製造之烷基錫化合 物用作如請求項1之烷基錫化合物; 步驟(C):使該步驟(B)之殘留液與通式HOX(pKa為0以 上、6.8以下之布忍斯特酸)所表示之酸及/或通式 XOX(OX基係OX之共軛酸即HOX係pKa為〇以上、6.8以 下之布忍斯特酸的OX基)所表示之酸酐進行反應,而製 134987.doc 201008953 ’ 造選自下述〇、⑴之群中的至少一種烷基錫化合物之步 驟; 〇具有一個錫原子,且具有兩個811_尺1(111表示烷基)鍵 與兩個Sn-ΟΧ鍵(〇χ基係〇χ之共軛酸即Η〇:χ^ pKa為〇以 上、6_8以下之布忍斯特酸的〇χ基)之二烷基錫化合物, ⑴具有一個Sn-0-Sn鍵’且各個錫原子具有兩個Sn_Ri 鍵與一個Sn-OX鍵(OX基係〇χ之共軛酸即H〇x係pKa為〇 以上、6.8以下之布忍斯特酸的〇χ基)的四烷基二錫氧烷 〇 化合物。 15·如請求項1之製造方法,其中該二烷基錫化合物及/或該 四烧基二錫氧烷化合物係藉由包括以下步驟(I)〜步驟 (III)之方法所製造的化合物: 步驟(I):使下述通式(8)所表示之二烷基錫二烷氧化物 與二氧化碳進行反應’而獲得包含碳酸酯與下述通式(9) 所表示之四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氧 基一錫氧燒與二氧化碳之結合體的反應液之步驟; • HbS] OR2 R1 -Sn-〜〇r2 R1 (8) (式中: R1分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為卜12之烷 基; R2分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 134987.doc -9- 201008953 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之释基、或γ_ CHZ-基(式中,Υ表示烷基聚伸烷基、芳香族基、或環狀 飽和或不飽和伸烷醚基)) [化9] OR2 R1 | | R1 -Sn-Ο-Sn——R1 R1 OR2 (9) (式中: R1分別獨立表示直鏈狀或支鍵狀之碳數為l〜12之烷 基; R2分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烴 基、飽和或不飽和之具有環狀烴取代基之烴基、或γ_ CH2_基(式中,Υ表示燒基聚伸烧基、芳香族基、或環狀 飽和或不飽和伸烷醚基)) 步驟(II):藉由蒸餾自該反應液中分離碳酸酯,而獲 得包含該四烷基二烷氧基二錫氧烷及/或該四烷基二烷氡 基二錫氧烷與二氧化碳之結合體的殘留液之步驟; 步驟(III):使該步驟(II)之殘留液與通式H〇X(pKa為0 以上、6.8以下之布忍斯特酸)所表示之酸、及/或通式 又〇又(〇又基係〇乂之共軛酸即11〇又係?1^為0以上、6.8以 下之布忍斯特酸的OX基)所表示之酸酐進行反應,而製 造具有源自該酸及/或該酸針之基團(OX基),且以下述式 (10)表示之二烷氧基錫化合物及/或以下述式(u)表示之 四烷基二錫氧烷化合物之步驟; 134987.doc -10- 201008953 [化 ίο] ox B1 I R Sn ox R1 (10) (式中: R1分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀之碳數為1〜12之烷 基; 0〇表示氧原子; OX表示OX之共輛酸即HOX係pKa為0以上、6.8以下之 布忍斯特酸的〇χ基) [化 11] OX R1 R1 —-Sn-—〇——Jn—R1 R1 όχ (11) (式中: • Rl分別獨立表示直鏈狀或 支鏈狀之碳數為1〜12之烷 基; 〇表示氧原子; OX表示OX之共軛酸即HOX係pKa為〇以上、6.8以下之 布忍斯特酸的〇χ基)。 16.如請求们至15中任―項之製造方法,其中該院基^為 碳數為1〜8之直鏈烷基。 17.如請求項16之製造方法,其中該烷基…為正丁基或正辛 134987.doc 201008953 基。 18.如請求項10、丨4、15中任一項之製造方法’其中該酸 HOX係羧酸。 I9·如請求項18之製造方法’其中該羧酸係選自由乙酸、丙 酸、順丁烯二酸所組成之群中之羧酸。 2〇.如請求項10、14、I5中任一項之製造方法,其中該酸肝 XOX係選自由乙酸酐、丙酸酐、順丁烯二酸軒所組成 群中之酸酐。 134987.doc -12-
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