TW201001075A - Structure having insulating coating film, method for producing the same, positive photosensitive resin composition and electronic device - Google Patents
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Description
201001075 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有絕緣性被膜之構造物及其製造方法 ’正型感光性樹脂組成物及電子零件。更詳言之,本發明 係關於具有電絕緣性、熱衝擊性優異之均勻絕緣性被膜之 構造物及其製造方法,可形成絕緣性被膜且解像性優異之 正型感光性樹脂組成物,及電子零件。 【先前技術】 過去,將貫通孔(through-hole)用之孔、導孔洞( via-hole )內壁面及基板兩面上形成金屬導體層之絕緣基 板浸漬於黏度20〜2 00mPa. s、表面張力30mN/m以下, 且搖變性(thixotropy)値在1.0〜3.0之感光性光阻液中, 藉由上拉,至少於貫通孔之內壁面上形成絕緣性被膜之方 法已經被揭示(參照專利文獻1 )。藉由將金屬銅等充塡 於該貫通孔內,可形成貫通電極。 另外,非專利文獻1中揭示上下貫通之矽晶粒與將金 屬銅充塡於貫通孔中形成之貫通電極。該製造方法具備有 藉由乾鈾刻於5夕晶圓上形成深孔之步驟,藉由CVD法在 孔內壁上形成Si02膜之步驟,藉由電解銅電鍍以金屬銅 塡滿孔內之步驟,自晶圓之背側進行硏磨之步驟等。 專利文獻1 :特開2 0 0 5 - 1 5 8 9 0 7號公報 非專利文獻1 :富坂學等之「DENSO Technical Review」 Vol. 6 No.2 (2001) p78 〜84 201001075 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 以專利文獻1中揭示之感光性樹脂組成物可於貫通孔 用之內壁面上形成被膜,但若不僅於貫通孔,也在開口部 之面積小的微細孔(以下稱爲「孔部」)之內壁面上形成 被膜,則組成物產生沉降,而有使孔部被組成物充塡之問 題。 另外,於貫通孔之內壁面上形成之絕緣性被膜要求有 電絕緣性優異,且在高溫、高濕下不會出現絕緣性膜龜裂 ,且耐衝擊優異。 另外,用以形成上述絕緣性被膜之樹脂組成物被要求 解像性優異。 本發明之目的係提供一種具有電絕緣性、熱衝擊性均 優異之均勻絕緣被膜之構造物及其製造方法,可形成絕緣 性被膜且解像性優異之正型感光性樹脂組成物,以及電子 零件。 [解決課題之手段] 本發明者針對前述問題點積極硏究之結果,發現使用 具有優異製膜性之組成物,可製造具有電絕緣性、熱衝擊 性均優異之均勻絕緣性被膜之構造物及其製造方法,可形 成該絕緣性被膜且解像性優異之正型感光性樹脂組成物, 及電子零件’而完成本發明。 -6- 201001075 本發明係如下。 [1] 一種具有絕緣性被膜之構造物之製造方法,其特 徵爲具備下列步驟: 於具有開口部面積爲25〜ΙΟ,ΟΟΟ/zm2,深度爲1〇~200 且長寬比(aspect ratio)爲1~1〇之孔部之基板上塗 佈溶劑之溶劑塗佈步驟, 將含有下列所示(A )〜(D)之正型感光性樹脂組成 物’以使該正型感光性樹脂組成物與上述孔部內之上述溶 劑接觸之方式,塗佈於上述基板上之樹脂組成物塗佈步驟 ,及 使塗膜乾燥,於孔部之內壁面及底面之中之至少該內 壁面上形成含上述樹脂成分之被膜之步驟, 使於上述基板表面上形成之被膜之特定區域曝光,且 使用鹼性溶液進行處理,使形成於孔部內壁面之被膜殘留 之表底面側被膜去除之步驟,及 加熱殘留於上述孔部內壁面上之被膜之加熱硬化步驟 (A) 鹼可溶性樹脂、 (B) 醌二疊氮化合物、 (C )無機粒子、 (D )溶劑。 [2] 如上述[1]所述之具有絕緣性被膜之構造物之製 造方法,其中上述正型感光性樹脂組成物更含有,(E ) 含有具有經烷基醚化之胺基之化合物(E 1 )及脂肪族聚縮 201001075 水甘油醚(E2 )之交聯劑。
[3] 如上述[1]或[2]所述之具有絕緣性被膜之構造物 之製造方法,其中上述正型感光性樹脂組成物更含有(F )交聯聚合物粒子。 [4] 一種具備如上述[1]至[3]中任一項所述之具有絕 緣性被膜之貫通孔之構造物之製造方法,其更具備自具有 上述絕緣性被膜之構造物中不具有上述孔部之面硏磨基板 使該孔部成爲貫通孔之硏磨步驟。 [5] —種具有絕緣性被膜之構造物,其特徵爲係由上 述[1]至[4]中任一項所述之方法獲得。 [6] 一種電子零件,其特徵爲,具備含有構造物與電 極部的構件,所述構造物爲具備含有以上述[4]所述之方 法獲得之具有絕緣性被膜之貫通孔,所述電極部爲於該構 造物之至少貫通孔內充塡導電材料而成。 [7] —種正型感光性樹脂組成物,其爲於具備下列步 驟之具有絕緣性被膜之構造之製造方法中所使用之正型感 光性樹脂組成物: 於具有開口部面積爲25〜1〇,〇〇〇;/ m2,深度爲1〇〜200 M m且長寬比爲1 ~ 1 0之孔部之基板上塗佈溶劑之溶劑塗 佈步驟 將正型感光性樹脂組成物以使該正型感光性樹脂組成 物與上述孔部內之上述溶劑接觸之方式,塗佈於上述基板 上之樹脂組成物塗佈步驟,及 使塗膜乾燥’於孔部之內壁面及底面之至少該內壁面 ~ 8 * 201001075 上形成含上述樹脂成分之被膜之步驟, 使於上述基板之表面上形成之被膜之特定區域曝光, 且使用鹼性溶液處理,使形成於上述孔部內壁面之被膜殘 留之表底面側被膜去除之步驟,及 加熱殘留於上述孔部內壁面上之被膜之加熱硬化步驟 該正型感光性樹脂組成物之特徵爲含有: (A )鹼可溶性樹脂,(B )醌二疊氮化合物,(C ) 無機粒子,及(D )溶劑。 [8] 如上述[7]所述之正型感光性樹脂組成物,其更 含有(E )含具有經烷基醚化胺基之化合物(E 1 )及脂肪 族聚縮水甘油醚(E2 )之交聯劑。 [9] 如上述[7]或[8]所述之正型感光性樹脂組成物, 其更含有(F)交聯聚合物粒子。 [發明效果] 依據本發明之具有絕緣性被膜之構造物之製造方法, 使用特定之正型感光性樹脂組成物,可於基板之孔部內壁 面上有效率地形成電絕緣性、龜裂耐性均優異之均勻絕緣 性被膜,可輕易地獲得具有絕緣性被膜之構造物。又’以 所得構造物之絕緣性被膜成爲內壁藉由於貫通孔內充塡金 屬銅等,可輕易地形成貫通電極。又,亦適用於多孔質膜 之改質。 依據本發明之電子零件,適用於CPU、記憶體、呈像 201001075 感測器等之半導體裝置之安裝中。 本發明之正型感光性樹脂組成物可在具有解像性優異 、絕緣性被膜之構造物之製造方法中良好地形成該絕緣性 被膜。 【實施方式】 以下詳細說明本發明。又’本說明書中’ 「(甲基) 丙烯酸」意指丙烯酸及甲基丙烯酸’ 「(甲基)丙烯酸酯 」意指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。 1 ·具有絕緣性被膜之構造物之製造方法 本發明之具有絕緣性被膜之構造物之製造方法之特徵 爲具備有下列步驟:於具有開口部面積爲25〜1 0,000 //m2 ’深度爲10〜200# m且長寬比爲1〜10之孔部之基板上塗 佈溶劑之溶劑塗佈步驟,使正型感光性樹脂組成物以使上 述基板上塗佈該正型感光性樹脂組成物與上述孔部內之上 述溶劑接觸之方式,塗佈於上述基板上之樹脂組成物塗佈 步驟,及使塗膜乾燥,於孔部之內壁面及底面之至少該內 壁面上形成含上述樹脂成分之被膜之步驟,使於上述基板 表面上形成之被膜之特定區域曝光,且使用鹼性溶液處理 ’使於上述孔部之內壁面上殘留有形成之被膜之表底面側 被膜去除之步驟,及加熱殘留於上述孔部內壁面上之被膜 之加熱硬化步驟。 本發明所用基板之構成材料舉例爲矽、各種金屬、各 -10 - 201001075 種金屬濺鍍膜、氧化鋁' 玻璃環氧樹脂、紙苯g 。該基板之厚度通吊爲100〜1,〇〇〇# m。 上述基板11具有如圖1之剖面圖中所示之 之至少一面側上’自表面以縱向方向於內部形戽 面積爲25〜1 0,000 // m2 ’較好爲1 〇〇〜丨〇,〇〇〇 # m 250~7,000y m2 ’且深度爲1〇〜200// m,較好爲 ,更好爲50〜ΙΟΟμηι之孔部ill。 該孔部之形狀及數量並沒有特別限制,另夕彳 部之形狀可爲柱狀(參照圖1 ( a ))、正錐狀 (b )) '逆錐狀(參照圖1 ( c ))等,其橫苗 可爲圓形、橢圓形、多角形等。又,孔部爲複_ ,各孔部之大小及深度可不同,且相鄰在一起之 隔(長度)並無特別限制。 至於上述孔部形狀,較好橫剖面形狀爲四角 形或長方形)之柱狀或正錐狀。 上述孔部其橫剖面形狀爲四角形之柱狀時, 四角形中之長寬比(孔部之深度與孔部底面之一 )通常爲1〜10,較好爲1〜5,更好爲1〜4。 以下使用圖2及圖3針對各步驟加以說明。 (I )溶劑塗佈步驟 上述溶劑塗佈步驟爲於上述基板上塗佈溶劑 若具體說明,將溶劑塗佈於基板1 1上時’ 通常如圖2 ( b )般,充塡於設置於基板1 1上5 >、玻璃等 在基板1 1 ,之開口部 2,更好爲 3 0~ 1 2 Ομπι ,上述孔 :參照圖1 面形狀亦 個之情況 孔部之間 形(正方 縱剖面之 邊長之比 之步驟。 溶劑1 1 3 孔部U1 -11 - 201001075 內部。又’丨谷劑亦可同樣潤濕基板1 1表面。 至於上述溶劑’舉例爲乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇 單乙醚乙酸酯等乙二醇單烷醚乙酸酯類;丙二醇單甲醚、 丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚 '丙二醇單丁醚等丙二醇單 烷醚類;丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丙醚、 丙二醇二丁醚等丙二醇二烷醚類;丙二醇單甲醚乙酸酯、 丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單丁 醚乙酸酯等丙二醇單烷醚乙酸酯類;乙基溶纖素、丁基溶 纖素等溶纖素類;丁基卡必醇等卡必醇類;乳酸甲酯、乳 酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸異丙酯等乳酸酯類;乙酸乙酯 、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、 乙酸正戊酯、乙酸異戊酯、丙酸異丙酯、丙酸正丁酯、丙 酸異丁酯等脂肪族羧酸酯類;3 -甲氧基丙酸甲酯、3 -甲氧 基丙酸乙酯、3 -乙氧基丙酸甲酯、3 -乙氧基丙酸乙酯、丙 酮酸甲酯、丙酮酸乙酯等其他酯類;甲苯、二甲苯等芳香 族烴類:2 -庚酮、3 -庚酮、4 -庚酮、環己酮等酮類;Ν_ = 甲基甲醯胺、Ν -甲基乙醯胺、Ν,Ν -二甲基乙醯胺、Ν -甲基 吡咯Π定酮等醯胺類;7-丁內醋等內酯類。該等可單獨使 用一種,亦可組合兩種以上使用。 另外,該溶劑塗佈步驟中’於基板上塗布上述溶劑之 方法並沒有特別限制,舉例爲噴佈法、旋塗法等塗佈法, 浸漬法等。 又’藉由塗佈溶劑’使溶劑充塡於上述孔部內時之溶 劑充塡率並沒有特別限制。 -12 - 201001075 (II)樹脂組成物塗佈步驟 上述樹脂組成物塗佈步驟係使特定之樹脂組成物,以 使該樹脂組成物與上述孔部內之上述溶劑接觸之方式,塗 佈於上述基板上形成塗膜之步驟。又,關於上述特定樹脂 組成物將於後述說明其細節。 上述樹脂組成物塗佈步驟中,將具有特定物性之樹脂 組成物塗佈於上述基板之方法只要是可使該樹脂組成物與 上述孔部內之溶劑接觸之塗佈方法就沒有特別限制,舉例 爲旋塗法,噴佈法、塗佈棒塗步法等。該等中以旋塗法較 佳。 又,上述樹脂組成物塗佈步驟中,考慮樹脂組成物之 固體成分濃度、黏度等,較好藉由後續進行之乾燥步驟, 使於上述基板表面上形成之被膜厚度落入0.1〜10 y m之範 圍內形成塗膜。 上述樹脂組成物之塗佈步驟中,塗佈樹脂組成物時’ 在基板1 1表面上形成均勻塗膜1 1 5,且於孔部內部,收 容有油上述溶劑塗佈步驟中所充塡溶劑與樹脂組成物所組 成之混合物1 1 6 (參照圖2 ( c ))。 (ΙΠ )形成被膜之步驟 形成上述被膜之步驟爲使由上述樹脂組成物塗佈步驟 形成之塗膜乾燥,且在該孔部內壁面U7及底面之至 少該內壁面上形成含上述樹脂成分之被膜之步驟 -13- 201001075 ,亦即僅去除塗膜中所含溶劑之步驟。 乾燥溫度可考慮上述溶劑塗佈步驟中充塡之溶劑之沸 點’或上述溶劑塗佈步驟中充塡之溶劑與樹脂組成物所組 成之混合物1 1 6中所含混合溶劑之沸點做選擇。 又,乾燥條件並沒有特別限制’可在一定溫度下進行 ,亦可在升溫或降溫下進行’亦可組合該等進行。又,關 於壓力亦可在大氣壓下進行’亦可在真空中進行。另外, 氛圍氣體等亦無特別限制。 由形成上述被膜之步驟’去除溶劑,在至少包含孔部 內壁面之基板表面上形成由樹脂組成物之固體成分所組成 之均勻被膜(參照圖2(d))。圖2(d)中所示之貼附 被膜之基板1具備有具有孔部之基板1 1,於基板1 1之孔 部以外之全部表面上形成之被膜119,於孔部之內壁面上 形成之被膜1 1 7,及於孔部底面形成之被膜1 1 8。該等被 膜通常形成連續相,但亦有僅被膜1 1 7及1 1 8形成連續相 之情況。另外,對於各被膜之厚度,被膜1 1 9之厚度、孔 部內壁面之被膜117厚度及孔部底面之被膜118厚度通常 不相同’但隨著樹脂組成物之種類、固體成分濃度、黏度 等,亦有使孔部內壁面之被膜1 1 7厚度及孔部底面之被膜 1 1 8之厚度成爲相同或幾乎相同之情況。 (IV )表底面側之被膜去除步驟 上述表底面側之被膜去除步驟係將上述基板Η之表 面上形成之被膜119及上述基板1丨之上述孔部之底面形 -14- 201001075 成之被膜118去除,殘留在上述孔部之內壁面上形成之被 膜11 7之步驟。 首先,對圖3 ( a )中所示之貼附被膜之基板1自上 方照射紫外線、可見光線、遠紫外線、X射線、電子束等 ’使於上述基板11之表面上形成之被膜119及上述基板 1 1之孔邰底面上形成之被膜1 1 8曝光。此時,於上述孔 部之內壁面上形成之被膜117並未曝光。 曝光量係依使用之光源、被膜厚度等適當選擇,但例 如相對於厚度5 ~ 5 0 # m左右之被膜,自高壓水銀燈照射 紫外線時,較佳之曝光量爲1,000〜20,〇〇〇J/m2左右。 圖3(b)中所示之被膜曝光部128及129由於成爲 鹼可溶性,因此藉由使用鹼性溶液處理,可殘留下於上述 孔部之內壁面上形成之被膜117。 上述鹼性溶液可使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、氫氧 化四甲基銨、膽鹼等之水溶液,或於該水溶液中適量的添 加甲醇、乙醇等水溶性有機溶劑、界面活性劑等而成之溶 液等。 以鹼性溶液處理後,經由水洗及乾燥可獲得僅在孔部 之內壁面上具有被膜117之基板(參照圖3(c))。 (V )加熱硬化步驟 上述加熱硬化步驟爲將殘留於上述孔部內壁面上之被 膜1 1 7加熱之步驟,經由該歩驟使被膜1 1 7作爲硬化膜 2 1 7,可獲得具有絕緣性被膜之構造物2 (參照圖3(d) -15- 201001075 加熱方法並沒有特別限制,但通常在1 0 0〜2 5 0 °c範圍 之溫度下進行30分鐘至10小時較好。亦可在一定條件下 加熱’亦可以多階段加熱。加熱裝置可使用烘箱、紅外線 爐等。 如圖3 ( d )所示之具有絕緣性被膜之構造物2爲具 備有具有孔部之基板11及在該基板之孔部內壁面上形成 之硬化膜2 1 7。 又’本發明中具有絕緣性被膜之構造物之製造方法, 在上述加熱硬化步驟之後,可額外的具備自上述基板1 1 之沒有孔部之面硏磨,使孔部成爲貫通孔2 2之硏磨步驟 (參照圖3(e))。藉由該步驟,可獲得具有絕緣性被 膜之貫通孔構造物。 此時之硏磨方法並沒有特別限制,可使用化學機械硏 磨法等。 圖3 ( e )中所示之具有絕緣膜之構造物2 ’具備有具 有貫通孔22之基板1 1及於該貫通孔22之內壁面上形成 之硬化膜2 1 7。 2 .電子零件 本發明之電子零件係藉由上述本發明之構造物之製造 方法獲得’其特徵爲具備有含具有絕緣性被膜之構造物( 具有於內壁形成絕緣性被膜之貫通孔之構造物)與於該構 造物之至少貫通孔內充塡導電材料而成之電極部(導電材 -16- 201001075 料充塡部)之構件。 本發明之電子零件可爲具備有如圖3(e)所 造物2’,及包含該構造物2,之至少貫通孔內之電 導電材料充塡部)3丨丨之構件3 (參照圖4 ( g ) ) ^ 針對上述構件3加以說明。 構成上述構件3之上述電極部3 1 1之形成材料 材料)係使用選自銅、銀、鎢、鉬、鈦、釕、金、 及含該等之合金者。 上述電極部311,如圖4(g)所示,其表面部 基板11之平滑表面更突出之凸狀,亦可與基板11 平面。又,上述電極部311之表面可爲平滑面’亦 糙面。 利用圖4說明圖4 ( g )中所示之構件3之製 之一例。 首先,準備圖3 (d)中所示之具有絕緣性被 造物2 (參照圖4 ( a ))。對該構造物2之具有孔 的表面進行Cu濺射等,在包含孔部之內表面之整 物2表面上形成厚度10〜2 OOnm之銅膜(薄片層) 23b (參照圖4 ( b ))。隨後,藉印刷於孔部之內 外之銅膜23a表面上形成絕緣性光阻被膜24 (參P爲 c ))。接著,使用硫酸銅水溶液等對孔內進行Cu 電鍍(參照圖4(d))。隨後,利用既定之剝離 使絕緣性光阻被膜24剝離(參照圖4 ( e ))。接 由使用稀硫酸 '稀鹽酸蝕刻,去除基板1 1之表面 示之構 極部( 旨。 (導電 錫、鋁 可爲比 成爲同 可爲粗 造方法 膜之構 部之側 個構造 23a及 表面以 圖4 ( 之充塡 液等, 著,藉 上形成 -17- 201001075 之銅膜2 3 a (參照圖4 ( f))。接著, 行硏磨直至充塡於孔部中之金屬銅露出 g)所示之具備由金屬銅充塡部311所 構件3。 具備上述貫通電極之構件亦可成爲 3 ’。該構件3 ’具備具有貫通表背面且在 性被膜2 1 7之貫通孔中充塡有導電材料 3 1 1之基板1 1,與至少被覆該導電材料 露出面(圖面之下方側露出面)之電極 圖5之構件3’可藉由具備有在圖 3之導電材料充塡部3 1 1之下方側露出1 側)上形成電極墊之電極墊形成步驟之 墊形成步驟之具體方法舉例爲電鍍、導 其他製造方法敘述於後。 又,圖6所示之構件3 ”爲使用圖 件3或圖5中所示之構件3 ’之例。 該構件3 ”爲使用在金屬銅充塡部 及3 1 1 b之下側露出面(圖面之下方側 置電極墊313a及313b之上側構件31 塡部(貫通電極)321a及321b之下側 方側露出面)上分別配置電極墊3 2 3 a 5 3 2,將上側構件3 1之電極墊3 1 3 a表面 金屬銅充塡部(貫通電極)321a表面 件3 1之電極墊3 1 3 b表面與下側構件: 從基板1 1背面進 爲止,獲得圖4 ( 構成之貫通電極之 圖5中所示之構件 內壁面上形成絕緣 之導電材料充塡部 充塡部3 1 1之下側 墊料3 1 3。 4 ( g )所示之構件 5 (圖4 ( g )之下 方法製造。該電極 電糊料之塗佈等。 4 ( g )中所示之構 (貫通電極)3 1 la 露出面)上分別配 ’以及在金屬銅充 露出面(圖面之下 I 3 23b之下側構件 丨與下側構件3 2之 接合,且將上側構 >2之金屬銅充塡部 -18- 201001075 (貫通電極)321b表面接合而成之複合構件。上側 3 1及下側構件3 2之界面上配置絕緣層3 4 (參照圖6 電極墊313a及金屬銅充塡部(貫通電極)321a等之 方法並沒有特別限制,舉例爲例如熱壓著(邊加熱邊 )等方法。 本發明之電子零件可爲配置圖4(g)所示之構件 圖5所示之構件3 ’,圖6所示之構件3 ”等而成者。 ’圖7之電子零件4爲圖6所示之構件3”之電極墊 及323b,及中介插件41係透過配置於該中介插件l 表面上之兩個擋塊42而導通接續,進而,可爲在中 件4 1之下方側配置與其他構件等導通接續之擋塊43 者。 本發明之電子零件爲含有上述構件3、3’及3”等 合體,例如,可爲成爲具備其他基板、層間絕緣膜、 電極等其他構件之複合體(電路基板、半導體裝置、 益% )。 又,圖5所示之構件3 ’可藉由具備下列步驟之 製造:使用預先形成導電材層313之孔部底面爲導電 3 1 3之複合基板,在以圖3 ( a ) ~ ( c )之步驟獲得之 2’(圖3 ( d ))之貫通孔開口部下側(圖3 ( a )之 )具有導電材層 313之孔部上,藉由圖 4(b)〜(ί 步驟充塡導電材料之步驟。 另外,可利用圖8(a)中所示之具有凹部之層 板’使用本發明之具有絕緣性被膜之構造物之製造方 構件 )0 接合 加壓 3, 例如 3 23 a 1之 介插 而成 之複 其他 感測 方法 材層 構件 下側 )之 合基 法製 -19- 201001075 造。 圖8 ( a )所示之層合基板6係由矽、各種金屬、各 種金屬濺鍍膜、氧化鋁、玻璃環氧樹脂、紙苯酚、玻璃等 所構成,且由一面至另一面具備有具有柱狀(參照圖1( a ))、正錐狀(參照圖1 ( b )、逆錐狀(參照圖1 ( c ) )等貫通孔之基板61,與充塞上述貫通孔之配置於基板 61之一面側之導電材層63。該層合基板6可具有藉由導 電材層63充塞貫通孔一方之凹部。又,該層合基板6爲 由不具有貫通孔之平板狀基板及導電材層構成之層合體之 自該平板狀基板之表面以使導電材層貫通之方式經切削加 工獲得者。 據此,上述基板61之厚度較好爲10〜200/zm,更好 爲30〜120#m,又更好爲50〜100/zm,凹部之開口部面積 、剖面形狀等,與上述本發明之具有絕緣性被膜之構造物 之製造方法同樣,藉由使用該方法可製造圖8(e)所示 之構件3 ’,亦即圖5所示之構件3 ’。 簡單說明圖8 ( e )所示之構件3 ’之製造方法。首先 ,於構成層合基板6之基板6 1表面上塗佈溶劑(溶劑塗 佈步驟),隨後,藉由塗佈具有如上述搖變性之樹脂組成 物(樹脂組成物塗佈步驟)形成塗膜。接著,使基板61 表面之由樹脂組成物構成之塗膜及凹部內之混合物乾燥, 去除溶劑,於基板6 1之表面、凹部之內壁面、及導電材 層6 3之凹部側表面上形成被膜(分別爲6 2 1、6 2 2及6 2 3 ),獲得貼附被膜之基板7 (參照圖8 ( b ))。 -20- 201001075 隨後’依據樹脂組成物之種類,使用上述本發明之具 有絕緣性被膜之構造物之製造方法,獲得在凹部內壁面上 具有絕緣性被膜625之層合構造物8 (參照圖8 ( c ))。 接者’以使凹部未貫通之方式,藉由蝕刻導電材層 63之一部份等而去除並形成電極墊635 (參照圖8(d) )’且於凹部充塡選自銅、銀、鎢、鉅、鈦、釕、金、錫 、鋁及含該等之合金之導電材料,藉此獲得圖8(6)所 示之具備具有貫通表背且在內壁面上形成絕緣性被膜625 之貫通孔之充塡導電材料之導電材料充塡部66之基板61 ’與至少被覆該導電材料充塡部66之下方側露出面(圖 8 ( e )之下側)之電極墊6 3 5之構件3,。 據此,使用利用圖8 ( a )所示之層合基板6獲得之 構件3’,亦可構成本發明之電子零件。 3 .正型感光性樹脂組成物 本發明之正型感光性樹脂組成物爲含有(A )驗^ _ 性樹脂、(B )醌二疊氮化合物、(C )無機粒子及(〇 ) 溶劑者。 (3 -1 )鹼可溶性樹脂(A ) 鹼可溶性樹脂舉例爲例如選自具有酚性羥基之樹脂( 以下稱爲「樹脂(A1 )」):使用具有酚性羥基之單體 與含(甲基)丙烯酸酯之單體獲得之共聚物(以下稱爲「 樹脂(A2 )」):具有羧基之樹脂(以下稱爲「樹脂( -21 - 201001075 A3 )」)等之樹脂等。 上述樹脂(A 1 )可使用例如使酚類與醛類在 在下經縮合獲得之酚醛清漆樹脂。 至於酚類舉例爲酚、鄰-甲酚、間-甲酚、對_ 鄰-乙基苯酚、間-乙基苯酚、對-乙基苯酚、鄰-丁 、間-丁基苯酚、對-丁基苯酚、2,3-二甲酚、2,4-、2,5-二甲酚、2,6-二甲酚、3,4-二甲酚、3,5-二 2,3,5 -三甲基苯酚、3,4,5 -三甲基苯酚、兒茶酚、間 、連苯三酚、α-萘酚、;3-萘酚等。 醛類舉例爲甲醛、三聚甲醛、乙醛、苯甲醛等 上述酚醛清漆樹脂舉例爲酚/甲醛縮合之酚醛 脂、甲酚/甲醛縮合之酚醛清漆樹脂、酚-萘酚/甲醛 酚醛清漆樹脂等。該等可單獨使用一種,亦可組合 上使用。 至於上述酚醛清漆樹脂以外之樹脂(A 1 )舉 羥基苯乙烯、羥基苯乙烯與其他單體((甲基)丙 (甲基)丙烯酸酯除外)之共聚物、聚異丙烯酚、 酣與其他單體((甲基)丙稀酸及(甲基)丙稀酸 )之共聚物、酣/二甲苯二醇之縮合樹脂、甲酣/二 醇縮合樹脂、酚/二環戊二烧縮合樹脂等。該等可 用一種’亦可組合兩種以上使用。 上述樹脂(A2 )爲使用含有具有酚性羥基之 與(甲基)丙烯酸酯,且不含(甲基)丙烯酸等具 之單體獲得之共聚物。 觸媒存 甲酚、 基苯酚 二甲酚 甲酚、 苯二酚 〇 清漆樹 縮合之 兩種以 例爲聚 烯酸及 異丙烯 酯除外 甲苯二 單獨使 單體, 有羧基 -22 - 201001075 具有酣性羥基之單體舉例爲對-羥基苯乙烯、間-羥基 苯乙烯、鄰-羥基苯乙烯 '對-異丙烯基酚、間-異丙烯基 酚、鄰-異丙烯基酚等。 另外’(甲基)丙烯酸酯舉例爲(甲基)丙烯酸甲酯 、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基 )丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙 稀酸桌二丁醋、(甲基)丙;I:希酸環己酯、(甲基)丙稀酸 2 -甲基環己酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄 酯等(甲基)丙烯酸烷酯等。又,該等(甲基)丙烯酸烷 酯中之烷基之氫原子亦可以羥基取代。 上述樹脂(A2)形成時,除具有酣性經基之單體及 (甲基)丙烯酸酯以外,亦可使用具有聚合性不飽和鍵之 化合物作爲其他單體。 至於其他單體舉例爲苯乙嫌、α -甲基苯乙嫌、鄰-甲 基苯乙烯 '間-甲基苯乙烯、對-甲基苯乙烯、乙基苯乙烯 、乙烯基二甲苯、鄰-甲氧基苯乙烯、間-甲氧基苯乙烯、 對-甲氧基苯乙烯等芳香族乙烯化合物;順丁烯二酸酐、 檸康酸酐等之不飽和酸酐;上述不飽和羧酸之酯;(甲基 )丙烯腈、順丁烯二腈、反丁烯二腈、甲基反丁烯二腈、 甲基順丁烯二腈、衣康腈等不飽合腈;(甲基)丙烯醯胺 、巴豆醯胺、順丁烯二醯胺、反丁烯二醯胺、甲基反丁烯 二醯胺、甲基順丁烯二醯胺、衣康醯胺等不飽和醯胺;順 丁烯二醯亞胺、Ν-苯基順丁烯二醯亞胺、Ν-環己基順丁烯 二醯亞胺等不飽和醯亞胺;(甲基)丙烯醇等不飽和醇; -23- 201001075 N-乙烯基苯胺、乙烯基亞乙烯、N-乙烯基-ε-己內醯胺、 Ν-乙烯基吡咯啶酮、Ν_乙烯基咪唑、Ν-乙烯基咔唑等。該 等可單獨使用一種,亦可組合兩種以上使用。 上述樹脂(A3)可爲均聚物,亦可爲共聚物,通常 爲使用包含具有羧基之化合物(以下稱爲「單體(m)」 )之單體獲得之聚合物。 上述單體(m)舉例爲(甲基)丙烯酸、順丁烯二酸 、反丁烯二酸、巴豆酸、甲基反丁烯二酸、甲基順丁烯二 酸、衣康酸、4 -乙烯基苯甲酸等不飽和羧酸或不飽和二羧 酸;不飽和二羧酸之單酯等。該等可單獨使用一種,亦可 組合兩種以上使用。 至於上述樹脂(A3 ),例示如下。 [1 ]使用單體(m )與具有酚性羥基之單體獲得之共 聚物 [2] 使用單體(m )與具有酚性羥基之單體,及(甲 基)丙烯酸酯獲得之共聚物 [3] 使用單體(m )、具有酚性羥基之單體、芳香族 乙烯基化合物、及(甲基)丙烯酸酯獲得之共聚物 [4] 使用單體(m)、芳香族乙烯基化合物、及(甲 基)丙烯酸酯獲得之共聚物 [5] 使用單體(m)、芳香族乙烯基化合物、及共軛 二烯烴獲得之共聚物 [6] 使用單體(m)、(甲基)丙烯酸酯、及共轭二 烯烴獲得之共聚物 -24- 201001075 [7]使用單體(m)、(甲基)丙烯酸酯、及脂肪酸 乙烯化合物獲得之共聚物。 又,上述樣態中’具有酚性經基之單體、(甲基)丙 烯酸酯及芳香族乙烯化合物可使用上述例示者。 另外,共軛二烯烴舉例爲1,3 -丁二烯、異戊間二烯、 1,4-二甲基丁二烯等。 脂肪酸乙烯酯化合物舉例爲乙酸乙烯酯、巴豆酸乙烯 酯等。 上述驗可溶性樹脂(A)可爲含單獨一種聚合物者, 亦可爲含兩種以上之組合者。本發明中以含具有酚性羥基 之樹脂較佳,尤其,以使用酚醛清漆樹脂及羥基苯乙烯獲 得之共聚物較佳。 上述鹼可溶性樹脂(A)之重量平均分子量可藉GPC (凝膠滲透層析儀)測定,較好爲2 000以上,更好爲 2000〜5〇00〇左右。在該範圍內時,所得硬化膜之機械物 性、耐熱性及電絕緣性優異。 上述鹼可溶性樹脂(A )之含有比例以正型感光性樹 脂組成物中所含固體成分作爲1 0 0質量%時,較好爲 20〜90質量% ’更好爲20〜80質量%,又更好爲30〜70質 量%。該含有比例在上述範圍內時,鹼溶解性優異且所得 硬化膜之機械物性、耐熱性及電絕緣性亦優異。 又’本發明中’鹼可溶性樹脂(A)之鹼溶解性不足 之情況下,可倂用上述鹼可溶性樹脂(A )以外之酚性低 分子化合物。 -25 - 201001075 至於上述酚性低分子化合物舉例爲例如4,4,_二經基 二苯基甲院' 4,4’-二羥基二苯基醚、參(4-經基苯基)甲 烷、1,1_雙(4-羥基苯基)-1-苯基乙烷、參(‘經基苯基 )乙烷、I,3-雙[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯、n 雙[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯、4,6-雙[1.(4-羥基 苯基)-1-甲基乙基]-1,3-二經基苯、1,1-雙(4 -經基苯基 )-l-[4[l-(4 -羥基苯基)-卜甲基乙基]苯基]乙烷、 1,1,2,2-四(4-羥基苯基)乙烷等。該等可單獨使用—種 ’亦可組合兩種以上使用。 上述酚性低分子化合物之含有比例以上述鹼可溶性樹 脂(A)作爲1〇〇質量份時,較好爲1〜20質量份,更好 爲2〜1 5質量份,又更好爲3〜1 0質量份。該含有比例在上 述範圍內時,可在不損及硬化物之耐熱性之下提高鹼溶解 性。 (3-2 )醌二疊氮化合物(B ) 上述醌二疊氮化合物(B)爲酚化合物之1,2-萘醍-2-二疊氮-5-磺酸酯或1,2-萘醌-2-二疊氮-4-磺酸酯。 上述酚化合物只要是具有至少一個酚性羥基之化合物 即可而無特別限制’且較好爲以下述通式(1 ) ~ ( 5 )表 示之化合物。 -26- (1)201001075 [化1]
x4 Xs x6 x7 X3 X8 [式中,X1〜x1()可分別彼此相同亦可不同,爲氫原子、碳 數1〜4之烷基、碳數1〜4之烷氧基或羥基。又,X1〜X5中 之至少一個爲羥基。又,A爲單鍵、0、S、CH2、 c(ch3)2、c(cf3)2、c = o 或 so2]。 [化2]
-27 - 201001075 [化3]
[式中,X25〜X39可分別彼此相同亦可不同,爲氫原子、碳 數1〜4之烷基 '碳數1〜4之烷氧基或羥基。又,X25〜X29 中之至少一個及X3()〜X34中之至少一個爲羥基。又,R5爲 氫原子或碳數1〜4之烷基]。 [化4]
[式中,X4()〜X58可分別彼此相同亦可不同,爲氫原子、碳 數1〜4之烷基、碳數1〜4之烷氧基或羥基。又,X4()〜X44 -28- 201001075 中之至 亦可不同,爲 中之至少一個、中之至少一個及 少一個爲羥基。又,R6〜R8可分別彼此相同 氫原子或碳數1〜4之j:完基j [化5]
X65 X66 (5) [式中,X5 9〜X72可分別彼此相同亦可不同, 數1〜4之烷基、碳數卜4之烷氧基或羥基 中之至少一個及X63〜X67中之至少一個爲羥 上述酚化合物舉例爲4,4,-二羥基二苯 二羥基二苯基醚、2,3,4 -三羥基二苯甲酮、 基二苯甲酮、2,3,4,2’,4’-五羥基二苯甲酮、 基)甲烷、參(4-羥基苯基)乙烷、υ-雙 )-1-苯基乙烷、1,3-雙[1-(4-羥基苯基)-、1,4-雙[1-(4-羥基苯基)-卜甲基乙基]苯 4 -經基苯基)-I -甲基乙基]-1,3 - 一翔基苯、 基苯基)-卜[4-[1-(4 -羥基苯基)-1-甲基乙 等。該等可單獨使用一種’亦可組合兩種以 爲氫原子、碳 。又,X59〜X62 基]。 基甲烷、4,4’-2,3,4,4’-四羥 參(4-羥基苯 (4-羥基苯基 1-甲基乙基]苯 、4,6-雙[1-( 1,1-雙(4-羥 ι基]苯基]乙烷 上使用。 -29- 201001075 據此,醌二疊氮化合物(B)可單獨使用一 該等酚化合物之至少一種與1 ,2-萘醌二疊氮-1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸反應獲得之酯化物等,亦 種以上使用。 上述醌二疊氮化合物(B )之含有比例,以 溶性樹脂(A )作爲1 00質量份時,較好爲1 份,更好爲1〇〜50質量份,又更好爲15〜50質量 有比例在上述範圍內時,可使曝光部、未曝光部 差異變大,使鹼溶解性優異。 (3-3 )無機粒子(C ) 上述無機粒子(C)舉例爲氧化矽(膠體氧 相氧化矽、玻璃等)、氧化鋁、氧化鈦、氧化銷 、氧化鋅、氧化銅、氧化鈴、氧化銘、氧化錫、 氧化鎂等。 上述無機粒子之表面亦可藉由官能基等修飾 上述鹼可溶性樹脂(A )之親和性或相溶性等。 又,上述無機粒子之形狀並無特別限制,可 橢圓形狀、扁平狀、棒狀、纖維狀等。 上述無機粒子之平均粒徑爲 1〜5〇〇nm 5〜200nm ’更好爲1〇〜l〇〇nm。該無機粒子之平 上述範圍內時,對放射線之透明性、鹼溶解性等 上述無機粒子可單獨使用一種,亦可組合兩 用。 種使選自 4-磺酸或 可組合兩 上述鹼可 1 00質量 份。該含 之溶解度 化砂、氣 、氧化铈 氧化銦、 以提阔與 爲球狀、 1較好爲 均粒徑在 優異。 種以上使 -30- 201001075 至於上述無機粒子,就易於控制搖變性而言,以 矽較佳。尤其,以部份經疏水處理之氧化矽(以下稱 疏水化氧化矽」)較佳。 其中,上述疏水化氧化矽之製法例示於下。 將甲醇加於水系氧化矽凝膠中,使用超過濾機將 置換成甲醇。隨後,添加三甲基甲氧基矽烷或六甲基 胺烷等疏水化劑及丙二醇單甲基醚,餾除甲醇,可獲 望之疏水化氧化矽。 上述疏水化氧化矽之疏水化率以2 0〜8 0 %較佳, 爲30〜70%,又更好爲40〜70%。該疏水化率爲20〜 時,由於可使疏水化氧化矽對溶劑之分散性及與上述 之相溶性變好,進而展現上述樹脂組成物之搖變性故 佳。 又,上述樹脂組成物中之氧化矽之疏水化率爲藉 0.1 N氫氧化鈉水溶液之中和滴定法測定疏水化前及 化後之氧化矽表面之矽烷醇基數,由下式求得之値。
疏水化率(%)=(疏水化後之矽烷醇基數/疏水化 矽烷醇基數)xlOO 又,上述氧化矽爲疏水化氧化矽時之平均粒 1〜100nm較佳,更好爲 5〜80nm,又更好爲 10〜50nm 平均粒徑爲1〜l〇〇nm時,可獲得對於曝光之光足夠 明性,及足夠之鹼溶解性等。 氧化 爲Γ 溶劑 二矽 得期 更好 80% 樹脂 而較 由以 疏水 前之 徑爲 。該 之透 -31 - 201001075 大 法 由 以 含 爲 脂 好 例 上 (C 成 60 更 20 且 鹽 又’該平均粒徑係使用光散亂流動分布測定裝置( 塚電子公司製造,型號「LPA-3000」),依循—般方 稀釋氧化砂粒子分散液並測定之値。又,其平均粒徑可 氧化砂粒子之分散條件加以控制。 另外’上述疏水化氧化砂中之銷含量較好在1 p p m 下’更好在〇.5ppm以下,又更好在O.lppm以下。該鈉 量在1 P P m以下時,可使所得樹脂組成物中之鈉含量成 1 ppm以下。 又,疏水化氧化矽中之鈉含量可藉由原子吸光計 PERKIN ELMER製,型號「Z5 1 00」)等測定。 上述無機粒子(C )之含有比例以上述鹼可溶性樹 (A)作爲100質量份時,較好爲1〇〜200質量份,更 爲50〜200質量份,又更好爲70〜150質量份。該含有比 在上述範圍內時,具有適當之搖變性,可在孔部內壁面 形成均勻之被膜。 又’在含有上述疏水化氧化矽作爲上述無機粒子 )時’疏水化氧化矽之含有比例以樹脂組成物中之固體 份全部做爲100質量%時,較好超過20質量%,且在 質量%以下,更好在30質量%以上、60質量%以下, 好在30質量%以上、50質量%以下。該含有比例超過 質量%時且爲60質量%以下時,可獲得充分搖變性, 可在孔部內壁面上形成均勻之被膜。 又’該樹脂組成物亦可含有碳酸鈣、碳酸鎂等碳酸 ;硫酸鋇、硫酸鉀等硫酸鹽;磷酸鈣、磷酸鎂等磷酸鹽 -32- 201001075 碳化物、氮化物等其他無機粒子。 (3-4 )溶劑(D ) 構成上述樹脂組成物之溶劑(D )並沒有特別限制, 可使用上述具有絕緣性被膜之構造物之製造方法中之溶劑 塗佈步驟中例示者。 又,該溶劑(D )可與上述溶劑塗佈步驟中使用之溶 劑相同,亦可不同。 上述溶劑之含有比例較好使用令樹脂組成物之固體成 分濃度通常成爲5〜80質量%,較好爲10-60質量%,更 好爲25 ~6 0質量%者。 (3-5 )交聯劑(E) 本發明中之正型感光性樹脂組成物除上述(A ) ~ ( D )成份以外,亦可含有交聯劑(E )。 至於上述交聯劑(E)舉例爲包含具有烷基醚化之胺 基之化合物(E1)與脂肪族聚縮水甘油醚(E2)者。 上述具有烷基醚化胺基之化合物(E1)可使用(聚) 羥甲基三聚氰胺、(聚)羥甲基甘醇脲、(聚)羥甲基苯 并胍胺、(聚)羥甲基脲等氮化合物中之活性羥甲基( ch2oh基)之全部或部分(至少兩個)經烷基醚化之化 合物。其中,構成烷基醚之烷基舉例爲甲基、乙基、丁基 等。複數之烷基可彼此相同’亦可彼此不同。另外’未經 烷基醚化之羥甲基可於一分子內自我縮合’亦可二分子間 -33- 201001075 縮合,結果,亦可形成寡聚物成份。具體而言,舉例爲六 甲氧基甲基三聚氰胺、六丁氧基甲基三聚氰胺、四甲氧基 甲基甘醇脲、四丁氧基甲基甘醇脲等。 又,該等可單獨使用一種,亦可組合兩種以上使用。 上述脂肪族聚縮水甘油醚(E2 )舉例爲例如季戊四醇 縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘 油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙烯/聚乙二醇二縮水甘 油醚、丙烯/聚丙二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘 油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、三 羥甲基丙烷三縮水甘油醚等。 又,該等可單獨使用一種,亦可組合兩種以上使用。 又,上述交聯劑(E )除上述(E 1 )及(E2 )以外, 亦包含含有環氧基之化合物、具有醛基之酚化合物、具有 經甲基之化合物、含有環硫乙院(thiirane)環之化合 物、含有氧雜環丁烷之化合物、含有異氰酸酯基之化合物 (包含經嵌段化者)等。 上述含有環氧基之化合物舉例爲例如酚酚醛清漆型環 氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、參 酚型環氧樹脂、四酚型環氧樹脂、酚-二甲苯型環氧樹脂 、萘酚-二甲苯型環氧樹脂、酚-萘酚型環氧樹脂、酚-二 環戊二烯型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、芳香族環氧樹脂 、脂肪族環氧樹脂、環氧基環己烯樹脂等。 又,該等含有環氧基之化合物可單獨使用一種,亦可 組合兩種以上使用。 -34 - 201001075 另外,上述具有醛基之酚化合物舉例爲例如鄰-羥基 苯甲醛等。 上述具有羥甲基之酚化合物舉例爲例如2,6-雙(羥基 甲基)-對-甲酣等。 上述交聯劑(E )之含有比例,以上述鹼可溶性樹脂 (A )作爲1 〇 〇質量份時,較好爲1 ~ 1 〇 0質量份,更好爲 10〜75質量份,又更好爲10〜50質量份。該含有比例在上 述範圍內時,鹼溶解性優異且所得硬化膜之機械物性、耐 熱性及電絕緣性亦優異。 另外,以上述交聯劑(E )作爲1 〇 0質量份時,具有 經烷基醚化之胺基之化合物(E 1 )及脂肪族聚縮水甘油醚 (E 2 )之合計含有比例以2 5〜1 0 0質量份較佳,更好爲 50〜100質量份,又更好爲75~1〇〇質量份。 (3-6 )交聯聚合物粒子(F ) 本發明中之正型感光性樹脂組成物除上述(A )〜(E )成份以外,亦可含有交聯聚合物粒子(F )。 上述交聯聚合物粒子(F)可使用具有兩個以上之聚 合性不飽和鍵之交聯性化合物(以下稱爲「交聯性單體」 )之單體之均聚物或共聚物。 上述交聯性單體舉例爲二乙烯基苯、對苯二甲酸二燦 丙酯、二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、二(甲基)丙稀酸丙 二醇酯、三(甲基)丙烯酸三羥基丙酯、三(甲基)丙稀 酸季戊四醇酯、二(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、二(甲基 -35- 201001075 )丙烯酸聚丙二醇酯等。該等中以二乙烯基苯較佳。 又,該等可單獨使用一種,亦可組合兩種以上使用。 上述交聯聚合物粒子爲共聚物時,與上述交聯性單體 聚合之其他單體並沒有特別限制’但可使用具有羥基、羧 基、腈基、醯胺基、胺基、環氧基等一種以上官能基之不 飽和化合物;胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯;芳香族乙烯 化合物;(甲基)丙烯酸酯;二烯化合物等。又,該等可 單獨使用一種’亦可組合兩種以上使用。 上述交聯聚合物粒子較好爲由上述交聯性單體與具有 羥基之不飽和化合物及/或具有羧基之不飽和化合物所組 成之共聚物(f1),以及由上述交聯性單體與具有羥基之 不飽和化合物及/或具有羧基之不飽和化合物與其他單體 所組成之共聚物(f2 ),尤其,以共聚物(f2 )較佳。 具有羥基之不飽和化合物舉例爲(甲基)丙烯酸羥基 乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁 酯等。 具有羧基之不飽和化合物舉例爲(甲基)丙烯酸、衣 康酸、琥珀酸- /3-(甲基)丙烯氧基乙酯、順丁烯二酸- /3-(甲基)丙烯氧基乙酯、反丁烯二酸甲基)丙 烯氧基乙酯、六氫苯二甲酸-沒-(甲基)丙烯氧基乙酯等 〇 上述共聚物(f2 )之形成所用之其他單體中,具有腈 基之不飽和化合物舉例爲(甲基)丙烯腈、α -氯丙烯腈 、α -氯甲基丙烯腈、α·甲氧基丙烯腈、α -乙氧基丙烯 -36- 201001075 腈、巴豆酸腈、桂皮酸腈、衣康酸二腈、順丁烯二酸二腈 、反丁烯二酸二腈等。 具有醯胺基之不飽和化合物舉例爲(甲基)丙嫌醯胺 、二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N’-亞甲基雙(甲基)丙 烯醯胺、Ν,Ν’·伸乙基雙(甲基)丙烯醯胺、Ν,Ν,-六亞甲 基雙(甲基)丙烯醯胺、Ν -羥基甲基(甲基)丙烯酿胺、 Ν- ( 2-羥基乙基)(甲基)丙烯醯胺、Ν,Ν-雙(2-羥基乙 基)(甲基)丙烯醯胺、巴豆酸醯胺、桂皮酸醯胺等。 具有胺基之不飽和化合物舉例爲二甲胺基(甲基)丙 烯酸酯、二乙胺基(甲基)丙烯酸酯等。 具有環氧基之不飽和化合物舉例爲例如縮水甘油基( 甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯基縮水甘油醚、雙酌A 之二縮水甘油醚、二醇之二縮水甘油醚等與(甲基)丙烯 酸、(甲基)丙烯酸羥基烷酯等反應獲得之環氧基(甲基 )丙烯酸酯等。 胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯舉例爲(甲基)丙稀酸 羥基烷酯與聚異氰酸酯反應獲得之化合物等。 芳香族乙燃基化合物舉例爲苯乙嫌、α -甲基苯乙嫌 、鄰-甲氧基苯乙烯、對-羥基苯乙基、對-異丙基酚等。 至於(甲基)丙烯酸酯舉例爲(甲基)丙烯酸甲酯、 (甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙 烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯 、(甲基)丙稀酸聚乙一醇醋、(甲基)丙燒酸聚丙二醇 酯等。 -37- 201001075 另外,二烯化合物舉例爲丁二烯、異戊間二烯、二甲 基丁二烯、氯丁二烯、1,3 -戊二烯等。 上述交聯聚合物粒子由共聚物(f2 )組成時’由交聯 性單體所組成之單位量(f 2 1 )、由具有羥基之不飽和化 合物所組成之單位及/或由具有羧基之不飽和化合物所組 成之單位之合計量(f22 ),以及由其他單體所組成之單 位量(f 2 3 ),以構成共聚物(f 2 )之單位量之合計,亦 即,(f 2 1 ) 、 ( f 2 2 )及(f 2 3 )之總和作爲1 〇 〇莫耳% 時,較好分別爲0.1〜10莫耳%、5〜50莫耳%及40〜94.9 莫耳%,更好爲0.5〜7莫耳%、6〜4 5莫耳%及48〜93.5莫 耳%,又更好爲卜5莫耳%、7〜40莫耳%及55〜92莫耳 %。各單位量之比例在上述範圍時,可成爲形狀安定性及 與鹼可溶性樹脂之相溶性優異之交聯聚合物粒子。 且,上述交聯聚合物粒子可爲橡膠亦可爲樹脂,其玻 璃轉移溫度(Tg )並沒有特別限制。較佳之Tg爲20°C以 下,更好爲1 〇 °C以下,又更好爲0 °C以下。又,下限通常 爲-7 0 °C以上。 上述交聯聚合物粒子爲粒狀,其平均粒徑較好爲 30〜lOOnm,更好爲 40〜90nm,又更好爲 50〜80nm。上述 交聯聚合物粒子之平均粒徑在上述範圍時,與鹼可溶性樹 脂之相溶性、鹼溶解性等均優異。又,上述所謂的平均粒 徑係使用光散亂流動分布測定裝置「LPA-3 000」(大塚 電子公司製造),依循一般方法稀釋交聯聚合物粒子之分 散液並測定之値。 -38- 201001075 上述交聯聚合物粒子(F )之含有比例,以上述鹼可 溶性樹脂(A )作爲1 0 〇質量份時,較好爲1〜1 0 〇質量份 ,更好爲5〜80質量份,又更好爲5〜50質量份。該含有比 例在上述範圍內時,所得硬化膜之耐熱衝擊性等優異。 (3 - 7 )其他添加劑 本發明中之正型感光性樹脂組成物除上述(A )〜(F )成份以外,亦可含有其他添加劑。 上述其他添加劑可舉例爲密著助劑、界面活性劑等。 至於上述密著助劑較好使用官能性矽烷偶合劑。舉例 爲例如,具有羧基、甲基丙烯醯基、異氰酸酯基、環氧基 等反應性取代基之矽烷偶合劑。具體而言舉例爲三甲氧基 矽烷基苯甲酸酯、7-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷 、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、r-異 氰酸酯丙基三乙氧基矽烷、r-縮水甘油氧基丙基三甲氧 基矽烷、/3 - ( 3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、 1,3,5-N-參(三甲氧基矽烷基丙基)異脲氰酸酯等。該等 可單獨使用一種,亦可組合兩種以上使用。 上述密著助劑之含有比例以上述鹼可溶性樹脂(A ) 作爲100質量份時,較好爲0.5〜10質量份,更好爲0.5〜5 質量份。該含有比例在上述範圍時,使樹脂組成物硬化而 成之硬化物對基材之密著性提升。 上述界面活性劑可使用 BM化學公司製造之「81^-1000」、「BM-1100」;大日本油墨化學工業(股)製造 -39- 201001075 之「MEGAFAC F142D」、「MEGAFAC F172」、1 MEGAFACF173」、「MEGAFAC F183」;住友 3M (股 )製造之「FLUORAD FC-1 3 5」、「F L U O R A D F C - 1 7 0 C」 、「FLUORAD FC-430」、「FLUORAD FC-431」;旭硝 子(股)製造之「SURFLON S-1 1 2」、「SURFLON S-113 」、「SURFLON S-141」、「SURFLON S-145」;東麗道 康寧矽氧(股)製造之「SH-28PA」、「SH-190」、「 SH-193」、「SZ-603 2」、「SF-8428」;NEOS 公司製造 之「NBX-1 5」等氟系界面活性劑;日本油脂(股)製造 之「NONION S-6」、「NONION 0-4」、「PRONON 20 1 」、「PRONON 204」;花王(股)製造之「Emulgen A -60」、「Emulgen A-90」、「Emulgen A-500」等非離子 系界面活性劑等。該等可單獨使用一種,亦可組合兩種以 上使用。 上述界面活性劑之含有比例以上述鹼可溶性樹脂(A )作爲1 〇〇質量份時,通常以5質量份以下較佳。 (3-8 )樹脂組成物之黏度 另外,本發明中之正型感光性樹脂組成物其於剪斷速 度6rpm下之黏度VI (mPa· s)與於剪斷速度60rpm下 之黏度V2 ( mPa . s )之比(V1/V2 )較好爲1 .1以上,更 好爲1.1〜10_0,又更好爲1.2~8_0,最好爲1_3~5.0之範圍 。該比(V 1 /V2 )在上述範圍時,相對於孔部內壁面及底 面之至少內壁面之製膜性優異,可獲得均句之被膜。 -40 - 201001075 又’上述樹脂組成物之固體成分濃度較好爲5〜8 0質 墓%,更好爲2〇~6〇質量%。 又’上述樹脂組成物之固體成分濃度爲5〜80質量% 之範圍時之黏度VI較好爲10〜l〇,〇〇〇mPa_ s,更好爲 20〜7,000 mPa_ s,又更好爲50~5,000mPa. s。該黏度在 上述範圍內時,對於孔部之內壁面及底面之至少內壁面之 製膜性優異,可獲得更均勻之被膜。 上述樹脂組成物,如上述,其於剪斷速度6rpm之黏 度VI (mPa· s)與於剪斷速度60rpm之黏度V2(mPa. s )之比(V1/V2)較好爲1.1以上。又,爲了獲得更均勻 之被膜,上述樹脂組成物其於剪斷速度l.5rpm之黏度V3 (mPa · s )與於剪斷速度600rpm之黏度V4(mPa· s) 之比(V3/V4 )較好爲 2.0以上。較佳之比(V3/V4 )爲 2.0〜80,更好爲2.0〜50,最好爲3.0~50。 上述黏度係在溫度25 °C下’於剪斷速度自lrpm上升 至1,0 0 0 r p m爲止所測定之値。 實施例 以下列舉實施例更具體說明本發明。但,本發明並不 受該等實施例之任何限制。 [1 ]實施例1 (1 )樹脂組成物之調製 將1 〇 〇質量份之鹼可溶性樹脂(A )[酚樹脂(商品名 -41 - 201001075 「SUMILITE RESINS-20」,住友 BAKE LITE 公司製造) 、3 0質量份之交聯劑(E 1 )[三聚氰胺交聯劑(商品名「 CYMEL 300」,三井CYTEK公司製造)]、10質量份之 交聯劑(E2)[(商品名「DENACOL EX-610U」,Nagase ChemteX公司製造)]、100質量份之無機粒子(C)[氧化 矽粒子(商品名「PL-2L- PGME」,扶桑化學公司製造’ 平均粒徑:10〜20nm’鈉含量:0.02ppm)]、及20質量份 之作爲醌二叠氮化物(B)之1,1-雙(4-羥基苯基)-l-[4-[1-(4 -羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基]乙烷與1,2-萘醌二 疊氮-5 -磺酸之2.0莫耳縮合物,以使固體成分濃度成爲 47質量%之方式分散於溶劑(D)[乳酸乙酯及甲基乙基 酮之混合溶劑(混合比60/40 )]中,獲得樹脂組成物。 (2 )被膜之形成 於表面上具有開口部形狀爲正方形(80//mx80//m) 、深度l〇〇#m及底面形狀爲正方形(60//mx60/zm)之 正錐狀之孔部之直徑15〇nm及厚度500#111之矽基板(參 照圖9 )上,旋轉塗佈(1,〇 〇 〇 r p m,3秒鐘)作爲溶劑之 丙二醇單甲基乙酸酯,使該溶劑充塡於孔部中(參照圖1 (b ))。 隨後,以兩階段旋轉塗佈(第一階段:3 0 0 r p m,1 0 秒,第二階段:600rpm,20秒)上述獲得之樹脂組成物 ,於包含孔部內之溶劑表面之矽基板之表面上形成塗膜。 接著,將貼附塗膜之砂基板靜置於溫度1 1 0 °c之加熱 -42 - 201001075 板上3分鐘,使溶劑揮發’於砂基板之表面及孔部內壁面 及底面上形成被膜,獲得貼附被膜之矽基板(參照圖2 ( d ))。圖1 0中,顯示由電子顯微鏡所得之剖面照相。測 定被膜之厚度,內壁面爲9.0#m’底面爲5.8#m (參照 表1 )。以目視觀察該孔部內表面之被膜形成性爲均勻。 [2]實施例2〜5及比較例卜4 (1 )樹脂組成物之調製(實施例2 ) 如表1所示,藉由使(A )鹼可溶性樹脂(A·〗)1 00 質量份、(B)醌二疊氮化合物(B-1) 20質量份、(C) 無機粒子(C-1) 質量份、(E)交聯劑(E_1) 20質量 份及(E-2) 10質量份、(F)交聯聚合物粒子(F-1) 15 質量份、(G)密著助劑(G_1) 2·5質量份及(H)界面 活性劑(H-1 ) 0」質量份’以使固體成分濃度成爲47質 量%之方式溶解於(D)溶劑(D-1) 210質量份中’調製 樹脂組成物。 (2 )樹脂組成物之調製(實施例3〜5及比較例1〜4 ) 如實施例2般,如表1中所示,藉由使(A)鹼可溶 性樹脂、(B )醌二疊氮化合物、(〇無機粒子、(E ) 交聯劑、(ρ )交聯聚合物粒子、(G )密著助劑及(Η ) 界面活性劑,以使固體成分濃度成爲47質量%之方式溶 解於(D )溶劑中,調製各樹脂組成物。 -43- 201001075
溶劑 循類/份) D-1/210 D-1/210 D-1/210 D-1/210 \ D-1/210 D-1/210 D-1/210 D-1/210 g 界面活性劑 循類/份) j Η-1/0.1 1 H-1/0.1 1 H-l/0.1 1 H-l/0.1 i- H-l/0.1 H-l/0.1 H-l/0.1 H-l/0.1 o 密著助劑 循類/份) G-l/2.5 G-l/2.5 G-l/2.5 I G-l/2.5 1 G-l/2.5 1 G-l/2.5 1 G-l/2.5 G-l/2.5 g 交聯聚合物粒子 (種類/份) F-l/15 F-l/15 F-l/15 F-l/15 1 F-l/15 F-l/15 F-l/15 F-l/15 g 交聯劑 權類/份) E-l/20 E-2/10 E-l/20 E-2/10 E-l/20 E-2/20 E-l/20 E-2/10 E-l/20 E-2/10 E-l/20 E-2/10 E-l/20 > 無機粒子 循類/份) C-l/70 C-l/50 C-l/70 C-l/70 1 C-l/70 1_ 1 C-l/70 C-l/70 g 醌二疊氮化合物 (種類/份) B-l/20 B-l/20 B-l/20 B-l/20 1 B-l/20 B-l/20 B-l/20 /—S < 鹼可溶性樹脂 循類/份) A-l/100 A-l/100 A-l/100 A-l/100 A-l/100 1_ A-l/100 A-l/100 A-l/100 CN 寸 1' H 寸 201001075 又,表1中所述之組成如下。 < (A )鹼可溶性樹脂> A-1 :由間-甲酚/對-甲酚=60/40 (莫耳比)所組成之 甲酚酚醛清漆樹脂,換算成聚苯乙烯之重量平均分子量( Mw ) =6500。 < (Β )醌二疊氮化合物> B-l: 1,1-雙(4-羥基苯基)-1-[4-[1-(4-羥基苯基 )-1-甲基乙基]苯基]乙烷與1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸之2.0 莫耳縮合物 < (C )無機粒子(氧化矽)> C_1 :商品名「QUOTRON PL-2L」(扶桑化學工業製 造’疏水化處理物(疏水化率:5 0 % ),平均粒徑: 20nm,納含量:0.0 2 p pm ) < (D )溶劑> D-1 :丙二醇單甲基醚乙酸酯 < (E )交聯劑> E-1 ··六甲氧基甲基三聚氰胺(三和化學製,商品名 「NIC ARACC M W-3 90」) Ε·2 : Nagase ChemteX 製,商品名「DEN AC OL ΕΧ- -45- 201001075
6 10U < (F )交聯聚合物粒子> F-1: 丁二烯/苯乙烯/甲基丙烯酸羥基丁酯/甲基丙烯 酸/二乙烯基苯=48/24/20/6/2 (質量% )(平均粒徑: 70nm,Tg = -35〇C) < (G )密著助劑> G-i : r -縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(曰本 UNICA製,商品名「A-187」) < (Η )界面活性劑(平流劑)> Η-1:商品名「FTX-218」 (NEOS 製) 又,上述(C)無機粒子(氧化矽)中之各疏水化率 爲如下述測定之値。 <疏水化率> 首先,將3 0克氯化鈉溶解於1 5 〇毫升氧化砂之〗〇 % 水分散液,且以1Ν鹽酸調整成ρΗ4。接著,滴加〇.1Ν氫 氧化鈉水溶液直至Ρ Η 9爲止。接者’以下式求得氧化砂 表面之矽烷醇基數。 A = (ax〇. 1 xN)/(W X S) [其中’ A爲矽烷醇基數(個/ nm2) ’ a爲〇.1N氫氧化鈉 -46 - 201001075 水谷易之滴加量(L) ,N爲亞佛加厥數(Avogadro’s)
Number (個/莫耳)’W爲氧化砂重量(克),S爲氧化 矽之BET面積(nm2/克)。 據此,分別求得疏水化前及疏水化後之氧化矽之矽烷 醇基數,且由下式計算氧化矽之疏水化率。 疏水化率(% )=(疏水化後之矽烷醇基數/疏水化前 之矽烷醇基數)X 1 0 0 [3]樹脂組成物之評價 依據下列方法評價上述實施例2~5及比較例1〜4之各 樹脂組成物,其結果列示於表2。 (1 )被膜形成性 於表面上具有開口部形狀爲正方形(80/2mx80/2m) '深度l〇〇//m及底面形狀爲正方形(60//mx60//m)之 正錐狀之孔部(參照圖1(b))之直徑150nm及厚度 500 v m之段差Si基板上旋轉塗佈(1,00 Or pm,3秒鐘) 作爲溶劑之丙二醇單甲基乙酸酯,使該溶劑充塡於孔部中 (參照圖 2(b))。隨後,以旋轉塗佈(第一階段: 300rpm,1 0秒,第二階段:6 00rpm,20秒)樹脂組成物 ,於包含孔部內之溶劑表面之段差Si基板之表面上形成 塗膜。接著,將貼附塗膜之S i基板靜置於溫度1 1 0 °C之加 熱板上3分鐘,使溶劑揮發,於S i基板之表面及孔部內 -47- 201001075 壁面及底面上形成被膜,獲得貼附被膜之矽基板[參照圖 2(d)]。 接著,以電子顯微鏡觀察孔部之剖面形狀,以下列基 準評價被膜形成性。 〇:由被膜完全被覆表面開口部之肩,於孔部內壁面 及底面之被膜膜厚略成一定之情況(參照圖1 1 ) △:由被膜完全被覆表面開口部之肩,但於孔部之內 壁面及底面之膜厚並非略成一定之情況(參照圖1 2 ) X:被膜未完全被覆表面開口部之肩之情況,或完全 埋入孔部之情況(參照圖1 3 ) (2 )熱衝擊性(龜裂耐性) 如圖14及圖15所示,於在基板92上之具有圖形狀 之銅箔9 1之熱衝擊性評價用基材9上塗佈樹脂組成物, 且使用加熱板在1 1 〇 °C下加熱5分鐘,製作於銅箔9 1上具 有厚度1 〇 V m之樹脂塗膜之基材。隨後,使用對流式烘 箱在1 90°C下加熱1小時,使樹脂塗膜硬化,獲得硬化膜 。以冷熱衝擊試驗器(TABAI ESPEC公司製造,型號「 TSA-40L」’以-65°C〜150°C/30分鐘作爲一循環對該基材 進行耐性試驗。經該處理後,以2 0 0倍倍率之顯微鏡觀察 ,且每100循環觀察至硬化膜龜裂等缺陷出現之循環數。 (3 )電絕緣性(體積電阻率) 以旋轉塗佈器(型號「1H-360S」,MIKASA公司製 -48 - 201001075 造)將樹脂組成物塗佈於suS基板上。隨後,使用加熱 板在110 °c下加熱3分鐘’形成膜厚1〇#m之均勻薄膜。 接著,使用對流式烘箱在1 7 0它下加熱2小時,獲得試驗 片(絕緣層)。使用高度加速壽命試驗裝置(TABAI ESPEC公司製造),在溫度:121 °C,濕度:1〇〇%,壓力 :2.1氣壓之條件下處理所得之試驗片1 6 8小時。測定處裡 前後之層間體積電阻率(Ω · cm )作爲電絕緣性之指標。 (4 )解像性 於6英吋之矽晶圓上旋轉塗佈樹脂組成物,且使用加 熱板在110°C下加熱5分鐘,製作10//111厚度之均句樹脂 塗膜。隨後,使用對準曝光機(Aligner ) ( Suss
Microtec公司製造,型號「ΜΑ-1 5 0」),透過圖型光罩 ’以使自筒壓水銀燈發射之紫外線於波長3 5 0 n m之曝光 量爲6〇0〇J/m2之方式予以曝光。接著,使用2·38質量% 之氫氧化四甲基銨水溶液,在2 3 〇c下浸漬顯像3分鐘。接 者’以所得圖形尺寸之最小尺寸作爲解像度。 -49 - 201001075 [表2] 表2 被膜形成性 熱衝擊性(循環) 電絕緣性(Ω.αη) 解像性(") 實施例 2 〇 2000 lxlO12 5 3 Δ 2000 lx 1012 5 4 〇 2000 lx 1012 5 5 〇 2000 lx ΙΟ11 5 比較例 1 〇 2000 lx 1012 5 2 X 2000 lx ΙΟ12 5 3 〇 1500 lx ΙΟ11 5 4 〇 1000 lx ΙΟ10 5 【圖式簡單說明】 圖1爲顯示設於基板上之孔部之槪略剖面圖。 圖2爲說明本發明之被膜形成方法之槪略剖面圖。 圖3爲說明具有本發明之絕緣性被膜之構造物之製造 方法之一例之槪略剖面圖。 圖4爲說明本發明之電子零件之構成要素(構件3 ) 之製造方法之槪略剖面圖。 圖5爲說明構成本發明之電子零件之構件3,之槪略 剖面圖。 圖6爲說明本發明之電子零件之構成要素(構件3,, )之槪略剖面圖。 圖7爲說明本發明電子零件之例之槪略剖面圖。 ® 8舄說明圖5之構件3 ’其他製造方法之槪略剖面 圖。 圖9爲顯示實施例中所用之被膜形成前之矽基板之孔 -50- 201001075 部剖斷面圖之立體圖片。 圖1 〇爲顯示實施例1中獲得之貼附被膜之矽基板之 孔部剖斷面圖之立體圖片。 圖Π爲顯示形成有被膜之孔部剖面之圖片。 圖1 2爲顯示形成有被膜之孔部剖面之圖片。 圖1 3爲顯示形成被膜之孔部剖面之圖片。 圖1 4爲熱衝擊性評價用基材之剖面圖。 圖1 5爲熱衝擊性之評價用基材之模式圖。 【主要元件符號說明】 1 :貼附被膜之基板 1 1 :基板 1 1 1 :孔部 1 1 3 :溶劑 1 15 :塗膜 1 1 6 :樹脂組成物及溶劑之混合物 1 1 7 :孔部內壁面之被膜 1 1 8 :孔部底面之被膜 1 1 9 :基板表面之被膜 1 28 :孔部底面之被膜曝光部份 1 29 :基板表面之被膜曝光部份 2及2 ’ :具有絕緣性被膜之構造物 2 1 7 :孔部內壁面之絕緣性被膜(硬化膜) 2 1 8 :孔部底面之絕緣性被膜(硬化膜) -51 - 201001075 2 1 9 :基板表面之絕緣性被膜(硬化膜) 2 2 :貫通孔 23a及23b :銅膜(薄片層) 24 :絕緣性光阻被膜 26 :金屬銅充塡部 3,3 ’及3 ” :構件 3 1 :上側構件 3 1 1 :電極部(導電材料充塡部) 3 1 1 a及3 1 1 b :貫通電極(導電材料充塡部) 313、 313a 及 313b:電極墊 3 4 :絕緣層 4 :電子零件 41:中介插件(Interposer) 42 :擋塊 4 3 :擋塊 6 :層合基板 61 :基板 621、622 及 623:被膜 62 5 :絕緣性被膜 6 3 :導電材層 6 3 5 :電極墊料 66 :導電材料充塡部 7 :貼附被膜之基板 8 :層合構造物 -52- 201001075 9 :基材 9 1 :銅箔 9 2 :基板
Claims (1)
- 201001075 七、申請專利範圍: 1 · 一種具有絕緣性被膜之構造物之製造方法,其特 徵爲具備下列步驟: 於具有開口部面積爲25〜10,ΟΟΟ/im2,深度爲10〜200 且長寬比(aSpect rati〇)爲1〜10之孔部之基板上塗 佈溶劑之溶劑塗佈步驟, 將含有下列所示(A )〜(D )之正型感光性樹脂組成 物,以使該正型感光性樹脂組成物與上述孔部內之上述溶 劑接觸之方式,塗佈於上述基板上之樹脂組成物塗佈步驟 ,及 使塗膜乾燥,於上述孔部之內壁面及底面之中之至少 該內壁面上形成含上述樹脂成分之被膜之步驟, 使於上述基板表面上形成之被膜之特定區域曝光,且 使用鹼性溶液處理’使形成於上述孔部內壁面之被膜殘留 之表底面側被膜去除之步驟,及 加熱殘留於上述孔部內壁面上之被膜之加熱硬化步驟 j (A )鹼可溶性樹脂、 (B )醌二疊氮化合物、 (C )無機粒子、 (D )溶劑。 2 ·如申請專利範圍第1項之具有絕緣性被膜之構造 物之製造方法’其中上述正型感光性樹脂組成物更含有, 含有(E )具有經烷基醚化之胺基之化合物(E 1 )及脂肪 -54- 201001075 族聚縮水甘油醚(E2 )之交聯劑。 3. 如申請專利範圍第1或2項之具有絕緣性被膜之 構造物之製造方法,其中上述正型感光性樹脂組成物更含 有(F )交聯聚合物粒子。 4. 一種具備如申請專利範圍第1至3項中任一項之 具有絕緣性被膜之貫通孔之構造物之製造方法’其更具備 自具有上述絕緣性被膜之構造物中不具有上述孔部之面硏 磨基板之硏磨步驟。 5. 一種具有絕緣性被膜之構造物,其特徵爲係由申 請專利範圍第1至4項中任一項之方法獲得。 6. 一種電子零件,其特徵爲,具備含有構造物與電 極部的構件,所述構造物爲具備含有以申請專利範圍第4 項之方法獲得之具有絕緣性被膜之貫通孔,所述電極部爲 於該構造物之至少貫通孔內充塡導電材料而成。 7. 一種正型感光性樹脂組成物,其爲於具備下列步 驟之具有絕緣性被膜之構造物之製造方法中所使用之正型 感光性樹脂組成物: 於具有開口部面積爲25~ 1 0,000 #m2,深度爲10〜200 v m且長寬比爲1 ~ 1 〇之孔部之基板上塗佈溶劑之溶劑塗 佈步驟, 將正型感光性樹脂組成物以使該正型感光性樹脂組成 物與上述孔部內之上述溶劑接觸之方式,塗佈於上述基板 上之樹脂組成物塗佈步驟,及 使塗膜乾燥,於上述孔部之內壁面及底面之至少該內 -55- 201001075 壁面上形成含上述樹脂成分之被膜之步驟, 使於上述基板之表面上形成之被膜之特定區域曝光, 且使用鹼性溶液處理’使形成於上述孔部內壁面之被膜殘 留之表底面側被膜去除之步驟,及 加熱殘留於上述孔部內壁面上之被膜之加熱硬化步驟 ϊ 該正型感光性樹脂組成物之特徵爲含有: (A )鹼可溶性樹脂,(B )醌二疊氮化合物,(C ) 無機粒子,及(D )溶劑。 8 .如申請專利範圍第7項之正型感光性樹脂組成物 ,其更含有含(E )具有經烷基醚化胺基之化合物(E 1 ) 及脂肪族聚縮水甘油醚(E 2 )之交聯劑。 9.如申請專利範圍第7或8項之正型感光性樹脂組 成物,其更含有(F )交聯聚合物粒子。 -56-
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Cited By (5)
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