JP2746031B2 - 液状レジスト組成物 - Google Patents
液状レジスト組成物Info
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- JP2746031B2 JP2746031B2 JP4333271A JP33327192A JP2746031B2 JP 2746031 B2 JP2746031 B2 JP 2746031B2 JP 4333271 A JP4333271 A JP 4333271A JP 33327192 A JP33327192 A JP 33327192A JP 2746031 B2 JP2746031 B2 JP 2746031B2
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- solvent
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成分としてアルカリ可
溶性樹脂、感光剤、及び溶媒を含有する液状レジスト組
成物に関し、例えば、プリント配線板の回路形成の際に
用いる液状レジスト組成物に関する。
溶性樹脂、感光剤、及び溶媒を含有する液状レジスト組
成物に関し、例えば、プリント配線板の回路形成の際に
用いる液状レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器に用いられる、スルホールを有
するプリント配線板の高密度化に伴い、微細な回路形成
や微細な回路を保護するため、ドライフィルムレジスト
が用いられているが、このドライフィルムレジストは、
プリント配線板の基体に熱圧着するため、解像性、スル
ホールの上端のカバー性、密着性、およびキズ、凹部の
カバー性に問題がある。このため、近年は液状のレジス
ト組成物に移行しつつある。
するプリント配線板の高密度化に伴い、微細な回路形成
や微細な回路を保護するため、ドライフィルムレジスト
が用いられているが、このドライフィルムレジストは、
プリント配線板の基体に熱圧着するため、解像性、スル
ホールの上端のカバー性、密着性、およびキズ、凹部の
カバー性に問題がある。このため、近年は液状のレジス
ト組成物に移行しつつある。
【０００３】従来の液状レジスト組成物は、シリカ微粉
末等の無機微粉末の添加により、非ニュートン性を付与
している。この液状レジスト組成物は、上記無機微粉末
を多量に添加して、スルホール上端の角部のレジストが
流れ落ちることなく、レジスト被膜を形成するスルホー
ルのカバー性に優れる反面、解像性の低下が問題となっ
ている。換言すると、上記無機物の微粉末が多量に存在
すると、露光時にレジスト塗膜内での光の散乱が大きく
なり、レジスト像の鮮明度、いわゆる解像性が低下す
る。微細な回路形成、及びスルホールの信頼性のため、
上記解像性とスルホールのカバー性が良好な液状のレジ
スト組成物が求められる。
末等の無機微粉末の添加により、非ニュートン性を付与
している。この液状レジスト組成物は、上記無機微粉末
を多量に添加して、スルホール上端の角部のレジストが
流れ落ちることなく、レジスト被膜を形成するスルホー
ルのカバー性に優れる反面、解像性の低下が問題となっ
ている。換言すると、上記無機物の微粉末が多量に存在
すると、露光時にレジスト塗膜内での光の散乱が大きく
なり、レジスト像の鮮明度、いわゆる解像性が低下す
る。微細な回路形成、及びスルホールの信頼性のため、
上記解像性とスルホールのカバー性が良好な液状のレジ
スト組成物が求められる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題を
解決するためになされたもので、その目的とするところ
は、解像性であるレジスト像の鮮明度と、スルホール上
端の角部のレジスト被膜のカバー性が良好な液状レジス
ト組成物を提供することにある。
解決するためになされたもので、その目的とするところ
は、解像性であるレジスト像の鮮明度と、スルホール上
端の角部のレジスト被膜のカバー性が良好な液状レジス
ト組成物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト組成物
は、成分としてアルカリ可溶性樹脂、感光剤、及び溶
媒を含有し、さらにチクソ剤Ａと、このチクソ剤Ａと異
なるチクソ剤Ｂを含有する液状レジスト組成物であっ
て、上記チクソ剤Ａは、上記溶媒に全体として１０重
量％含有させた分散液が、剪断速度４Ｓ-1における見か
け粘度で、２００ｃｐｓ未満となるメチル化処理したシ
リカ微粉末であり、上記チクソ剤Ｂは、上記溶媒に全
体として１０重量％含有させた分散液が、剪断速度４Ｓ
-1における見かけ粘度で、２００ｃｐｓ以上となるシリ
コーンオイルで表面処理したシリカ微粉末であり、さら
に、上記チクソ剤ＡとＢの総量が、チクソ剤ＡとＢを
除いた上記液状レジスト組成物の固形量に対して６〜２
０重量％で、上記チクソ剤Ｂの量が、上記チクソ剤Ａ
とＢの総量に対して２０〜６０重量％で含まれているこ
とを特徴とする。
は、成分としてアルカリ可溶性樹脂、感光剤、及び溶
媒を含有し、さらにチクソ剤Ａと、このチクソ剤Ａと異
なるチクソ剤Ｂを含有する液状レジスト組成物であっ
て、上記チクソ剤Ａは、上記溶媒に全体として１０重
量％含有させた分散液が、剪断速度４Ｓ-1における見か
け粘度で、２００ｃｐｓ未満となるメチル化処理したシ
リカ微粉末であり、上記チクソ剤Ｂは、上記溶媒に全
体として１０重量％含有させた分散液が、剪断速度４Ｓ
-1における見かけ粘度で、２００ｃｐｓ以上となるシリ
コーンオイルで表面処理したシリカ微粉末であり、さら
に、上記チクソ剤ＡとＢの総量が、チクソ剤ＡとＢを
除いた上記液状レジスト組成物の固形量に対して６〜２
０重量％で、上記チクソ剤Ｂの量が、上記チクソ剤Ａ
とＢの総量に対して２０〜６０重量％で含まれているこ
とを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明の液状レジスト組成物は、チクソ剤Ａと
Ｂを含有し、さらに、上記チクソ剤ＡとＢの総量が、チ
クソ剤ＡとＢを除いた液状レジスト組成物の固形量に対
して６〜２０重量％（以下％と記す）に制限し、且つ、
チクソ剤Ｂの量が、上記チクソ剤ＡとＢの総量に対して
２０〜６０％に制限することにより、レジスト像の鮮明
度と、スルホール上端の角部に形成されるレジスト被膜
のカバー性は共に良好になる。上記範囲を外れると、レ
ジスト像の鮮明度を指標する解像性が低下し、同時に、
スルホール上端の角部のレジストが流れ落ち被膜が十分
に形成されない。
Ｂを含有し、さらに、上記チクソ剤ＡとＢの総量が、チ
クソ剤ＡとＢを除いた液状レジスト組成物の固形量に対
して６〜２０重量％（以下％と記す）に制限し、且つ、
チクソ剤Ｂの量が、上記チクソ剤ＡとＢの総量に対して
２０〜６０％に制限することにより、レジスト像の鮮明
度と、スルホール上端の角部に形成されるレジスト被膜
のカバー性は共に良好になる。上記範囲を外れると、レ
ジスト像の鮮明度を指標する解像性が低下し、同時に、
スルホール上端の角部のレジストが流れ落ち被膜が十分
に形成されない。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
レジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂、感光剤、溶
媒、及び無機微粉末から成る複数のチクソ剤で構成され
る。
レジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂、感光剤、溶
媒、及び無機微粉末から成る複数のチクソ剤で構成され
る。
【０００８】上記アルカリ可溶性樹脂としては、アルデ
ヒド類又はケトン類とフェノール性水酸基を有する化合
物の縮合で得られるノボラック型の樹脂が挙げられる。
上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒ
ド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、フェニ
ルアセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアル
デヒド、Ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベン
ズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−メチ
ルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ
−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、α−フェニルプロピル
アルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、クロト
ンアルデヒド、アクロレイン、フルフラール等が挙げら
れ、上記ケトン類としては、例えばアセトン、エチルメ
チルケトン等が挙げられる。
ヒド類又はケトン類とフェノール性水酸基を有する化合
物の縮合で得られるノボラック型の樹脂が挙げられる。
上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒ
ド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、フェニ
ルアセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアル
デヒド、Ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベン
ズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−メチ
ルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ
−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、α−フェニルプロピル
アルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、クロト
ンアルデヒド、アクロレイン、フルフラール等が挙げら
れ、上記ケトン類としては、例えばアセトン、エチルメ
チルケトン等が挙げられる。
【０００９】上記フェノール性水酸基を有する化合物と
しては、例えばフェノール、Ｏ−クレゾール、ｍ−クレ
ゾール、ｐ−クレゾール、２，３ーキシレノール、２，
４ーキシレノール、２，５ーキシレノール、３，４ーキ
シレノール、３，５ーキシレノール、Ｏ−エチルフェノ
ール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、
Ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブ
チルフェノール、Ｏ−メトキシフェノール、ｍ−メトキ
シフェノール、ｐ−メトキシフェノール、２，３，４ー
トリメチルフェノール、２，３，５ートリメチルフェノ
ール、Ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノー
ル、ｐ−フェニルフェノール、ヒドロキノン、カテコー
ル、レゾールシノール、２−メチルレゾールシノール、
ピロガロール、５−クロロピロガロール、５−メトキシ
ピロガロール、５−メチルピロガロール、５−エチルピ
ロガロール、５−ブチルピロガロール、５−オクチルピ
ロガロール、１−ナフトール、２−ナフトール、２−メ
チル−１−ナフトール、３−メチル−１−ナフトール、
４−メチル−１−ナフトール、６−メチル−１−ナフト
ール、７−メチル−１−ナフトール、１−メチル−２−
ナフトール、１，２−ジヒドロキシナフタリン、１，３
−ジヒドロキシナフタリン、１，４−ジヒドロキシナフ
タリン、１，５−ジヒドロキシナフタリン、１，６−ジ
ヒドロキシナフタリン、１，７−ジヒドロキシナフタリ
ン、２，３−ジヒドロキシナフタリン、２，６−ジヒド
ロキシナフタリン、２，７−ジヒドロキシナフタリン、
１，２，３−トリヒドロキシナフタリン、１，２，４−
トリヒドロキシナフタリン、１，４，５−トリヒドロキ
シナフタリン、１，６，７−トリヒドロキシナフタリン
等が挙げられる。特に、アルデヒド類、ケトン類として
は、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセト
ン、フェノール性水酸基を有する化合物としては、フェ
ノール、Ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、ピロガロールが好ましい。
しては、例えばフェノール、Ｏ−クレゾール、ｍ−クレ
ゾール、ｐ−クレゾール、２，３ーキシレノール、２，
４ーキシレノール、２，５ーキシレノール、３，４ーキ
シレノール、３，５ーキシレノール、Ｏ−エチルフェノ
ール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、
Ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブ
チルフェノール、Ｏ−メトキシフェノール、ｍ−メトキ
シフェノール、ｐ−メトキシフェノール、２，３，４ー
トリメチルフェノール、２，３，５ートリメチルフェノ
ール、Ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノー
ル、ｐ−フェニルフェノール、ヒドロキノン、カテコー
ル、レゾールシノール、２−メチルレゾールシノール、
ピロガロール、５−クロロピロガロール、５−メトキシ
ピロガロール、５−メチルピロガロール、５−エチルピ
ロガロール、５−ブチルピロガロール、５−オクチルピ
ロガロール、１−ナフトール、２−ナフトール、２−メ
チル−１−ナフトール、３−メチル−１−ナフトール、
４−メチル−１−ナフトール、６−メチル−１−ナフト
ール、７−メチル−１−ナフトール、１−メチル−２−
ナフトール、１，２−ジヒドロキシナフタリン、１，３
−ジヒドロキシナフタリン、１，４−ジヒドロキシナフ
タリン、１，５−ジヒドロキシナフタリン、１，６−ジ
ヒドロキシナフタリン、１，７−ジヒドロキシナフタリ
ン、２，３−ジヒドロキシナフタリン、２，６−ジヒド
ロキシナフタリン、２，７−ジヒドロキシナフタリン、
１，２，３−トリヒドロキシナフタリン、１，２，４−
トリヒドロキシナフタリン、１，４，５−トリヒドロキ
シナフタリン、１，６，７−トリヒドロキシナフタリン
等が挙げられる。特に、アルデヒド類、ケトン類として
は、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセト
ン、フェノール性水酸基を有する化合物としては、フェ
ノール、Ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、ピロガロールが好ましい。
【００１０】上記感光剤は、感光成分とバラスト成分か
ら構成される。上記感光成分としては、１，２−ナフト
キノンジアジト−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノ
ンジアジト−５−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジ
アジト−４−カルボン酸、１，２−ナフトキノンジアジ
ト−５−カルボン酸等のナフトキノンジアジト類が挙げ
られ、上記バラスト成分としては、２，４−ジヒドロキ
シベンゾフェノン、４，４, −ジヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，
４, −トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４
, −テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２, ，３，
４，４, −ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
３, ，４，４, ，５, −ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、２−ヒドロキシ−３，４−ジアセトキシベンゾフェ
ノン、２，３，４−トリヒドロキシアセトフェノン等の
ポリヒドロキシベンゾフェノン類、ポリヒドロキシアセ
トフェノン類が挙げられる。特に、感光成分として１，
２−ナフトキノンジアジト−５−スルホン酸を初めとす
るナフトキノンジアジトスルホン酸類と、バラスト成分
として２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンを初
めとするトリヒドロキシベンゾフェノン類のエステル化
物との組合せが好ましく、なかでも、エステル置換量が
１．０〜３．０が好ましい。
ら構成される。上記感光成分としては、１，２−ナフト
キノンジアジト−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノ
ンジアジト−５−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジ
アジト−４−カルボン酸、１，２−ナフトキノンジアジ
ト−５−カルボン酸等のナフトキノンジアジト類が挙げ
られ、上記バラスト成分としては、２，４−ジヒドロキ
シベンゾフェノン、４，４, −ジヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，
４, −トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４
, −テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２, ，３，
４，４, −ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
３, ，４，４, ，５, −ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、２−ヒドロキシ−３，４−ジアセトキシベンゾフェ
ノン、２，３，４−トリヒドロキシアセトフェノン等の
ポリヒドロキシベンゾフェノン類、ポリヒドロキシアセ
トフェノン類が挙げられる。特に、感光成分として１，
２−ナフトキノンジアジト−５−スルホン酸を初めとす
るナフトキノンジアジトスルホン酸類と、バラスト成分
として２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンを初
めとするトリヒドロキシベンゾフェノン類のエステル化
物との組合せが好ましく、なかでも、エステル置換量が
１．０〜３．０が好ましい。
【００１１】上記溶媒は、上記アルカリ可溶性樹脂の溶
媒として働き、７０〜１２０℃の低沸点溶媒と、これよ
り高沸点の高沸点溶媒を共存する系が好ましい。低沸点
溶媒のみでは、塗膜形成の際、気泡を生じやすく、高沸
点溶媒のみでは乾燥が遅く、液だれが生じやすい。上記
溶媒は、例えば酢酸エチル／ジアセトンアルコール、酢
酸エチル／乳酸エチル、テトラヒドロフラン／エチルセ
ルソルブアセテート等が挙げられる。
媒として働き、７０〜１２０℃の低沸点溶媒と、これよ
り高沸点の高沸点溶媒を共存する系が好ましい。低沸点
溶媒のみでは、塗膜形成の際、気泡を生じやすく、高沸
点溶媒のみでは乾燥が遅く、液だれが生じやすい。上記
溶媒は、例えば酢酸エチル／ジアセトンアルコール、酢
酸エチル／乳酸エチル、テトラヒドロフラン／エチルセ
ルソルブアセテート等が挙げられる。
【００１２】本発明の液状レジスト組成物は、チクソ剤
Ａと、チクソ剤Ａと異なるチクソ剤Ｂを必須成分として
含有する。
Ａと、チクソ剤Ａと異なるチクソ剤Ｂを必須成分として
含有する。
【００１３】上記チクソ剤Ａは、上記アルカリ可溶性樹
脂の溶媒にこの溶媒とチクソ剤Ａとの全量に対して１０
重量％添加した場合、剪断速度４Ｓ-1の見かけ粘度が２
００ｃｐｓ未満となる表面をメチル化処理を施したシリ
カ微粉末であり、好ましくは上記粘度が１５０ｃｐｓ以
下のメチル化処理したシリカ微粉末が適している。チク
ソ剤Ａは分子間引力が弱くネットワーク構造を構成しに
くいため、少量の添加量では粘度の上昇が少ない。上記
チクソ剤Ａは、露光時の光の散乱を小さくし、レジスト
像を鮮明にし解像性を悪化させることがない。
脂の溶媒にこの溶媒とチクソ剤Ａとの全量に対して１０
重量％添加した場合、剪断速度４Ｓ-1の見かけ粘度が２
００ｃｐｓ未満となる表面をメチル化処理を施したシリ
カ微粉末であり、好ましくは上記粘度が１５０ｃｐｓ以
下のメチル化処理したシリカ微粉末が適している。チク
ソ剤Ａは分子間引力が弱くネットワーク構造を構成しに
くいため、少量の添加量では粘度の上昇が少ない。上記
チクソ剤Ａは、露光時の光の散乱を小さくし、レジスト
像を鮮明にし解像性を悪化させることがない。
【００１４】上記チクソ剤Ｂは、上記アルカリ可溶性樹
脂の溶媒にこの溶媒とチクソ剤Ｂとの全量に対して１０
重量％添加した場合、剪断速度４Ｓ-1の見かけ粘度が２
００ｃｐｓ以上となるシリコーンオイルで表面処理した
シリカ微粉末であり、好ましくは上記粘度が１０００ｃ
ｐｓ以上のシリコーンオイルで表面処理したシリカ微粉
末が適している。チクソ剤Ｂは分子間引力が強くネット
ワーク構造を構成しやすく、少量の添加量で大きな増粘
効果を示し、スルホール上端の角部に形成されるレジス
トのカバー性を良好にすると同時に光散乱が減少する。
シリコーンオイルで表面処理を施したシリカ微粉末はジ
アセトンアルコールの溶媒に対し、増粘効果が大きい点
で有効である。
脂の溶媒にこの溶媒とチクソ剤Ｂとの全量に対して１０
重量％添加した場合、剪断速度４Ｓ-1の見かけ粘度が２
００ｃｐｓ以上となるシリコーンオイルで表面処理した
シリカ微粉末であり、好ましくは上記粘度が１０００ｃ
ｐｓ以上のシリコーンオイルで表面処理したシリカ微粉
末が適している。チクソ剤Ｂは分子間引力が強くネット
ワーク構造を構成しやすく、少量の添加量で大きな増粘
効果を示し、スルホール上端の角部に形成されるレジス
トのカバー性を良好にすると同時に光散乱が減少する。
シリコーンオイルで表面処理を施したシリカ微粉末はジ
アセトンアルコールの溶媒に対し、増粘効果が大きい点
で有効である。
【００１５】このチクソ剤Ａ及びＢの配合割合は、チク
ソ剤Ａ及びＢを除いたレジスト組成物の固形分に対し、
チクソ剤Ａ及びＢの総和で６〜２０％に制限され、特に
６〜１２％が好ましい。すなわち、６％未満であると、
スルホール上端に形成されるレジストのカバー性が劣化
し、２０％を越えると解像性が低下する。
ソ剤Ａ及びＢを除いたレジスト組成物の固形分に対し、
チクソ剤Ａ及びＢの総和で６〜２０％に制限され、特に
６〜１２％が好ましい。すなわち、６％未満であると、
スルホール上端に形成されるレジストのカバー性が劣化
し、２０％を越えると解像性が低下する。
【００１６】又、チクソ剤Ａ及びＢの総和に対する、チ
クソ剤Ｂの混合比率は２０〜６０％に制限され、特に３
０〜５０％が好ましい。すなわち、上記チクソ剤Ｂの割
合が２０％未満であると、スルホール上端に形成される
レジストのカバー性が劣化し、チクソ剤Ｂの割合が６０
％を越えると解像性が低下する。
クソ剤Ｂの混合比率は２０〜６０％に制限され、特に３
０〜５０％が好ましい。すなわち、上記チクソ剤Ｂの割
合が２０％未満であると、スルホール上端に形成される
レジストのカバー性が劣化し、チクソ剤Ｂの割合が６０
％を越えると解像性が低下する。
【００１７】上記チクソ剤Ａ及びＢの併用により、所望
の非ニュートン性が得られ、スルホール上端に形成され
るレジストのカバー性と解像性が良好となる。シリコー
ンオイルで表面処理したシリカ微粉末と、メチル化処理
したシリカ微粉末を併用すると、液上のレジスト組成物
として所望の非ニュートン粘性を付与する量は、メチル
化処理したシリカ微粉末の単独使用より少量で解像性が
向上し、シリコーンオイルで表面処理したシリカ微粉末
の単独使用で見られる表面平滑の低下は起こらない。
の非ニュートン性が得られ、スルホール上端に形成され
るレジストのカバー性と解像性が良好となる。シリコー
ンオイルで表面処理したシリカ微粉末と、メチル化処理
したシリカ微粉末を併用すると、液上のレジスト組成物
として所望の非ニュートン粘性を付与する量は、メチル
化処理したシリカ微粉末の単独使用より少量で解像性が
向上し、シリコーンオイルで表面処理したシリカ微粉末
の単独使用で見られる表面平滑の低下は起こらない。
【００１８】本発明のレジスト組成物には、上述の材料
以外に必要に応じて熱重合の禁止剤、レベリング剤、消
泡剤、スリップ剤、難燃化剤等が適宜成分として含有す
ることを妨げない。
以外に必要に応じて熱重合の禁止剤、レベリング剤、消
泡剤、スリップ剤、難燃化剤等が適宜成分として含有す
ることを妨げない。
【００１９】本発明のレジスト組成物は、例えば、２５
℃における剪断速度３０Ｓ-1以上の場合の見かけ粘度が
２００ｃｐｓ以下に、剪断速度５Ｓ-1以下の場合の見か
け粘度が２５０ｃｐｓになり、非ニュートン性が付与さ
れる。
℃における剪断速度３０Ｓ-1以上の場合の見かけ粘度が
２００ｃｐｓ以下に、剪断速度５Ｓ-1以下の場合の見か
け粘度が２５０ｃｐｓになり、非ニュートン性が付与さ
れる。
【００２０】
実施例１〜１３、比較例１〜１３ （レジスト原液Ａ）アルカリ可溶性樹脂としてクレゾー
ルノボラック樹脂（住友ベークライト株式会社製、ＰＲ
−５１７６７）８０重量部（以下部と記す）、感光剤と
してトリヒドロキシベンゾフェノンｏ−ナフトキノンジ
アジドスルフォン酸エステル（東洋合成工業株式会社
製、ＮＴ−１５４）２０部を酢酸エチル３部、ジアセト
ンアルコール７部の割合で混合した溶媒に溶解して、固
形分３０％のレジスト原液Ａを得た。
ルノボラック樹脂（住友ベークライト株式会社製、ＰＲ
−５１７６７）８０重量部（以下部と記す）、感光剤と
してトリヒドロキシベンゾフェノンｏ−ナフトキノンジ
アジドスルフォン酸エステル（東洋合成工業株式会社
製、ＮＴ−１５４）２０部を酢酸エチル３部、ジアセト
ンアルコール７部の割合で混合した溶媒に溶解して、固
形分３０％のレジスト原液Ａを得た。
【００２１】（レジスト原液Ｂ）アルカリ可溶性樹脂と
してクレゾールノボラック樹脂（三菱油化株式会社製、
ＲＥＳＩＮ−ＸＭ）１００部、感光剤としてトリヒドロ
キシベンゾフェノンｏ−ナフトキノンジアジドスルフォ
ン酸エステル（東洋合成工業株式会社製、ＮＴ−２０
０）２０部を酢酸エチル３部、乳酸エチル７部の割合で
混合した溶媒に溶解して、固形分３０％のレジスト原液
Ｂを得た。
してクレゾールノボラック樹脂（三菱油化株式会社製、
ＲＥＳＩＮ−ＸＭ）１００部、感光剤としてトリヒドロ
キシベンゾフェノンｏ−ナフトキノンジアジドスルフォ
ン酸エステル（東洋合成工業株式会社製、ＮＴ−２０
０）２０部を酢酸エチル３部、乳酸エチル７部の割合で
混合した溶媒に溶解して、固形分３０％のレジスト原液
Ｂを得た。
【００２２】（レジスト原液Ｃ）アルカリ可溶性樹脂と
してクレゾールノボラック樹脂（群栄化学株式会社製、
ＰＳＦ−２８０３）８０部、感光剤としてトリヒドロキ
シベンゾフェノンｏ−ナフトキノンジアジドスルフォン
酸エステル（東洋合成工業株式会社製、ＮＴ−３００）
２０部をテトラヒドロフラン３部、エチルセルソルブア
セテート７部の割合で混合した溶媒に溶解して、固形分
３０％のレジスト原液Ｃを得た。
してクレゾールノボラック樹脂（群栄化学株式会社製、
ＰＳＦ−２８０３）８０部、感光剤としてトリヒドロキ
シベンゾフェノンｏ−ナフトキノンジアジドスルフォン
酸エステル（東洋合成工業株式会社製、ＮＴ−３００）
２０部をテトラヒドロフラン３部、エチルセルソルブア
セテート７部の割合で混合した溶媒に溶解して、固形分
３０％のレジスト原液Ｃを得た。
【００２３】上記レジスト原液Ａ、Ｂ、Ｃを用い、無機
微粉末チクソ剤Ａとして、２５℃のジアセトンアルコー
ルの溶媒に全体として１０％添加した場合、剪断速度４
Ｓ-1の粘度が１０１ｃｐｓのシリカ微粉末１（日本アエ
ロジル株式会社製、Ｒ−９７２）を用い、無機微粉末チ
クソ剤Ｂとして、上記剪断速度４Ｓ-1の粘度が５３６３
ｃｐｓのシリカ微粉末２（日本アエロジル株式会社製、
Ｒ−２０２）、上記剪断速度４Ｓ-1の粘度が１５０６ｃ
ｐｓのシリカ微粉末３（日本アエロジル株式会社製、＃
３８０）、及び、上記剪断速度４Ｓ-1の粘度が１８５０
０ｃｐｓのシリカ微粉末４（キャボット株式会社製、Ｔ
Ｓ−７２０）の３種のシリカ微粉末を用いた。
微粉末チクソ剤Ａとして、２５℃のジアセトンアルコー
ルの溶媒に全体として１０％添加した場合、剪断速度４
Ｓ-1の粘度が１０１ｃｐｓのシリカ微粉末１（日本アエ
ロジル株式会社製、Ｒ−９７２）を用い、無機微粉末チ
クソ剤Ｂとして、上記剪断速度４Ｓ-1の粘度が５３６３
ｃｐｓのシリカ微粉末２（日本アエロジル株式会社製、
Ｒ−２０２）、上記剪断速度４Ｓ-1の粘度が１５０６ｃ
ｐｓのシリカ微粉末３（日本アエロジル株式会社製、＃
３８０）、及び、上記剪断速度４Ｓ-1の粘度が１８５０
０ｃｐｓのシリカ微粉末４（キャボット株式会社製、Ｔ
Ｓ−７２０）の３種のシリカ微粉末を用いた。
【００２４】それぞれ下表１、２に示す無機微粉末チク
ソ剤を混合し、本発明の実施例及び比較例に係る液状レ
ジスト組成物を得た。なお、無機微粉末チクソ剤Ａ及び
Ｂの配合割合は、チクソ剤Ａ及びＢを除いたレジスト組
成物の固形分に対しての割合である。
ソ剤を混合し、本発明の実施例及び比較例に係る液状レ
ジスト組成物を得た。なお、無機微粉末チクソ剤Ａ及び
Ｂの配合割合は、チクソ剤Ａ及びＢを除いたレジスト組
成物の固形分に対しての割合である。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】得られた実施例１〜１３、及び比較例１〜
１３の液状レジスト組成物の特性として、スルホールの
カバー性、解像性、表面性状を評価した。
１３の液状レジスト組成物の特性として、スルホールの
カバー性、解像性、表面性状を評価した。
【００２８】上記評価は次の通り行った。直径０．９ｍ
ｍのスルホールにメッキを施した、厚さ１．６ｍｍのガ
ラスエポキシ銅張り基板を、実施例、比較例に係る液状
レジスト組成物に浸漬し、一定速度で引上げた後、９０
℃３０分乾燥した。レジストの被膜の厚みは平面部で８
〜１０μｍであった。この基板のスルホールのたて断面
を顕微鏡で観察し、スルホール上端の角部のレジストの
カバー性を評価した。上記カバー性の評価は図１に示す
如く、スルホール上端の角部（２）にレジスト被膜
（１）が２μｍ以上形成されていれば良、図２に示す如
く角部（２）のレジスト被膜（１）の形成が２μｍ未満
は否とした。
ｍのスルホールにメッキを施した、厚さ１．６ｍｍのガ
ラスエポキシ銅張り基板を、実施例、比較例に係る液状
レジスト組成物に浸漬し、一定速度で引上げた後、９０
℃３０分乾燥した。レジストの被膜の厚みは平面部で８
〜１０μｍであった。この基板のスルホールのたて断面
を顕微鏡で観察し、スルホール上端の角部のレジストの
カバー性を評価した。上記カバー性の評価は図１に示す
如く、スルホール上端の角部（２）にレジスト被膜
（１）が２μｍ以上形成されていれば良、図２に示す如
く角部（２）のレジスト被膜（１）の形成が２μｍ未満
は否とした。
【００２９】前述の基板に、フォトマスクとしてウグラ
検査カイル（日本ディストビュタ：コーハン株式会社製
のフォトマスク）のマイクロライン部を重ね、超高圧水
銀灯で露光後、２．０％のメタ珪酸ソーダ水溶液で現像
を行った。現像後、得られたレジスト像をＳＥＭで観察
し、ライン間のスペースのうちレジストの抜けた最も狭
いスペースを測定した。
検査カイル（日本ディストビュタ：コーハン株式会社製
のフォトマスク）のマイクロライン部を重ね、超高圧水
銀灯で露光後、２．０％のメタ珪酸ソーダ水溶液で現像
を行った。現像後、得られたレジスト像をＳＥＭで観察
し、ライン間のスペースのうちレジストの抜けた最も狭
いスペースを測定した。
【００３０】上記表面性状は、前述の基板の表面を、触
針式表面粗さ計で測定し、表面の粗さが２μｍ未満を
良、２μｍ以上を否と判定した。
針式表面粗さ計で測定し、表面の粗さが２μｍ未満を
良、２μｍ以上を否と判定した。
【００３１】スルホールカバー性、解像性、表面性状の
評価結果は下表３、４に示したとおり、実施例はスルホ
ールカバー性、解像性、表面性状いずれも良好であっ
た。
評価結果は下表３、４に示したとおり、実施例はスルホ
ールカバー性、解像性、表面性状いずれも良好であっ
た。
【００３２】
【表３】
【００３３】
【表４】
【００３４】
【発明の効果】本発明により、解像性、スルホールカバ
ー性、表面性状の良好なレジスト被膜を与えるレジスト
組成物が得られ、微細な回路形成、及びスルホール信頼
性の高いプリント配線板が得られる。
ー性、表面性状の良好なレジスト被膜を与えるレジスト
組成物が得られ、微細な回路形成、及びスルホール信頼
性の高いプリント配線板が得られる。
【図１】スルホールの角部でのレジスト被膜の形態を示
す概略図である。
す概略図である。
【図２】スルホールの角部でのレジスト被膜の別の形態
を示す概略図である。
を示す概略図である。
１ レジスト被膜 ２ 角部
フロントページの続き (72)発明者 小寺 孝兵 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−218049（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−261253（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 成分としてアルカリ可溶性樹脂、感光剤、及び溶媒を
含有し、さらにチクソ剤Ａと、このチクソ剤Ａと異なる
チクソ剤Ｂを含有する液状レジスト組成物であって、 上記チクソ剤Ａは、上記溶媒に全体として１０重量％
含有させた分散液が、剪断速度４Ｓ-1における見かけ粘
度で、２００ｃｐｓ未満となるメチル化処理したシリカ
微粉末であり、 上記チクソ剤Ｂは、上記溶媒に全体として１０重量％
含有させた分散液が、剪断速度４Ｓ-1における見かけ粘
度で、２００ｃｐｓ以上となるシリコーンオイルで表面
処理したシリカ微粉末であり、さらに、 上記チクソ剤ＡとＢの総量が、チクソ剤ＡとＢを除い
た上記液状レジスト組成物の固形量に対して６〜２０重
量％で、 上記チクソ剤Ｂの量が、上記チクソ剤ＡとＢの総量に
対して２０〜６０重量％で含まれていることを特徴とす
る液状レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4333271A JP2746031B2 (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 液状レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4333271A JP2746031B2 (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 液状レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180499A JPH06180499A (ja) | 1994-06-28 |
| JP2746031B2 true JP2746031B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=18264232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4333271A Expired - Lifetime JP2746031B2 (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 液状レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2746031B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009133924A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Jsr Corp | 被膜形成方法及びそれに用いるポジ型感光性樹脂組成物 |
| WO2008123049A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Jsr Corporation | 被膜形成方法及びそれに用いる樹脂組成物、絶縁膜を有する構造体及びその製造方法並びに電子部品 |
| JP5246259B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2013-07-24 | Ｊｓｒ株式会社 | 絶縁性被膜を有する構造体及びその製造方法、ポジ型感光性樹脂組成物並びに電子部品 |
| JP2012185463A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-27 | Sekisui Chem Co Ltd | 感光性組成物の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63261253A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
| JPH04218049A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-08-07 | Matsushita Electric Works Ltd | レジスト組成物 |
-
1992
- 1992-12-14 JP JP4333271A patent/JP2746031B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06180499A (ja) | 1994-06-28 |
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