TW201000598A - Phosphor and method for manufacturing the same, and light-emitting device and display device using phosphor - Google Patents

Description

201000598 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種螢光體，特別係關於一種以 (81*]_3{’；63>〇381〇5為母材、含有銪（£11)作為活化劑，並發出 撥色螢光之螢光體與其製造方法、以及使用營光體之發光 裝置及顯示裝置。 【先前技術】 料來’開發—種以可有效發出藍色域波長帶之光的氮 ㈣為基f之類型的藍色LED(light emitting di()de，發光 二極體），並得到廣泛使用。並且有藉由以下構成來發出 白光之發光裝置（白色LED)，上述構成係組合了該藍色 LED、以及受到由其發出之藍色域波長帶之光激發而發出 κ色螢光的貝色螢光體者。白色led由於具有很寬波長區 域之光譜形狀，因此考慮了可見度曲線之亮度較高，因而 使=於以订動電話或與攝錄像機配套之顯示裝置為代表的

V 光予裝置。又，白色LED可代替先前之小型燈或榮光燈等 而用於液晶顯示器中之背光源等。再者，作為黃色肇光 體，例如使用（Y，Gd)3(A1，Ga)5〇i2:Ce。 在將藍色LED與黃色螢光體組合而得白色咖之方式 中，所存在的問題是由於紅光不足而導致紅色區域之演色 ^父低1此，藉由藍色域波長帶之光激發而發出紅色榮 積極/光體或色勞光之撥色螢光體的開發亦較 开:成二：’具有6〇0 —上之發光波長的紅色螢光體， /成、”、…構必須要求較高之共價鍵率，因此結晶之選擇 I37789.doc 201000598 多數為硫化物、 性較少，作為所報告之紅色螢光體之例 氮化物。 有以下幾種 關於包含鹼土金屬之矽酸鹽的橙色螢光體 報告。 、 在題為螢光體以及應用其之溫度感測器 述專利文獻1中，有如下記載。 構成專利文獻1之發明之螢光體的母材為驗土金屬之石夕 酸鹽’係其通式以Mx(Si〇n)y表示者。於該通式中，η表示3 以上之整數，較佳為3以上、5以下。即，作為較佳的石夕 酸，可列舉三氧化石夕（Si〇3)、四氧化石夕⑶⑹或五氧化石夕 (Si〇5) °其原因為可形成較佳的結晶結構來作為營光體 母材。 _ 於通式中，M表示1種或2種以上鹼土金屬。作為驗土金 屬，可列舉：鎂（Mg)、鈣（Ca)、鏍（Sr)、鋇（Ba)、鐳（以）。 該等鹼土金屬中，就可形成較佳的結晶結構來作為營光體 之母材方面而言，較佳為Sj^Ba。作為鹼土金屬之乂亦^ 特別地表示為（Bai_aSra)。此時，表示混晶比之&為 1。又，於通式中，x&y分別表示1以上之整數。: X根據η及y來確定。而且，通式中y=1時，較佳為。 即，其表示在將母材所含之鹼土金屬與矽酸以莫耳數進行 比較時’驗土金屬與矽酸相同、或多於其。其理由為可邢 成較佳的結晶結構來作為螢光體之母材。 作為滿足上述條件之鹼土金屬之矽酸鹽，具體可列舉.

Ba3Si05、Sr3Si〇5、（BaraSrahSiOs、Ba2Si04、a_BaSi〇3。 137789.doc 201000598 :玄等之中，Ba3Si05、Sr3Si05、（Ba丨—aSra)3Si05之結晶結構 為正方晶的CssCoCls型結構。 螢光體係以上述驗土金屬之矽酸鹽為母材，含有鑭系之 離子作為活化劑者，係其通式以La:Mx(si〇n)y表示者。再 • 者’通式中La表示鑭系。該鑭系為銪（Eu)或鈽（Ce)之任— .種。並且，於螢光體中，若為Eu，則以Eu2+之形式含有， 若為Ce ’則以Ce之形式含有等。該等Eu或Ce以形成氧化 r ..物之狀態，即若為Eu，則以Eu2〇3之形式，若為Ce，則以 Ce〇2之形式添加於母材中。此時，至於添加之比例，將作 為鹼土金屬之Μ設為丨原子，相對於此，較佳為鑭系為 0.001〜0.2原子％。若未滿請！原子％，則發光強度下降， 而热法獲得充分之明度，又若超過0.2原子❶/。，則有可能產 生稱為濃度消光之光之消失現象。 作^螢光體，具體可列舉：Eu2 + :Ba3Si〇5、π:Β_〇5 .Sr3Si05 , Ce3 + :Sr3Si05 ^ Eu2+：(Ba, ,aSra)3 Si〇5 ^ 1 Ce3 ：(Bai'aSra)3Si05 ^ Eu2+:Ba2Si04 > Ce3+：Ba2Si04 > Eu2+：BaSi03 、Ce3 + :BaSi03。 又，後述專利文獻2、專利文獻3中有關於螢光體^4丨〇5 之5己载’題為「撥色榮光體」之後述專利文獻2中有如下 記載。 專利文獻2之發明之橙色螢光體之特徵為：具有以通式 (h.x’EuASih(其t，〇<χ$〇 1〇 =表示之單一相之結晶結 構，且表現出在580 nm附近具有峰值之检色高亮度發光。 在煅燒溫度為1300。。以上之溫度、高於ΐ3〇〇。。之溫度下 137789.doc 201000598 進行锻燒時’可獲得登錄在JCPDS(Joint Committee on

Powder Diffraction Standards)卡號 26-984 中的 Sr3Si05 之粉 末X射線繞射圖案所顯示之單一相之結晶結構的螢光體， 該螢光體表現出在580 nm附近具有峰值之橙色高亮度發 光。 至於s亥橙色螢光體，具有SqSiO5之結晶結構，並且具有 以Eu置換Sr之一部分來作為活化劑的結構。作為Eu之置換 比例’為多於Sr之原子量的〇%、且1〇%以下。其原因在 於，若Eu被置換則不會發光，若超過丨〇%被置換，則由於 濃度消光或生成複相等，藉由紫外〜可見區域之光激發而 表現不出高發光亮度。 又，於後述非專利文獻i中，以Ba2+濃度之函數之形式 §己載 Sr3Si05:Eu樣品（（Sr2.93_x,Bax)Si05:EU〇.07(x=〇.〇、〇.05、 °"10 〇.2))之螢光光譜，並記載有：隨著Ba2+濃度增加， 光譜整體向長波長側偏移，且峰值波長自57〇 11111向585 nm 偏移，以及右Ba濃度增加超過〇 5 m〇1，則生成BaSi4〇9 之第2相。 進而，於後述非專利文獻2中記載有：若Sr3Si〇5主晶格 中之如2 +離子增大，則可實測到發光波長向長波長側偏 移，於（Sri.x，Bax)3Si〇5:EU2+中，將Ba 濃度設定為 〇 m〇1%、 20 mol%、40 m〇i%、6〇 m〇1%、8〇 _1% 時之卩乙光譜中， &2+處被20则1%之如2+置換時，發光帶向長波長側偏移， 即發生紅移，若仏濃度超過mol。/。，則發光帶向短波長 側偏移。 137789.doc 201000598 [專利文獻1]日本專利特開2005-68269號公報（段落〇〇 l〇〜 0014) [專利文獻2]日本專利特開2006-36943號公報（段落〇〇 12〜 0014 、 0019〜0020) .[專利文獻3]曰本專利特開2007-227928號公報（段落 0017 、 0027 、圖 4) [非專利文獻 1] J. K. Park et al, "Embodiment of the warm white - light - emitting diodes by using a Ba2+ codoped Sr3Si05:Eu phosphor”，Appl. Phys. Lett.，88, 0435 1 1-1 〜-3 (2006)(圖1、04351 1-1右攔第12列〜0435 1 1-2右欄第15列） [非專利文獻2] H. S. Jang, W. B. Im and D· Y. Jeon: "Luminescent properties of (Sr1.x,Mx)3Si05:Eu2+ (M = Ca, Ba) phosphore for white emitting light source using blue/near UV LEDs Proc. IDW/AD' 05 (2005) pp. 539 - pp. 542) (Figure3, Figure4, Abstract, Results and discussion, - Conclusion) 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 在組合有藍色LED與黃色螢光體之白色LED中，由於紅 •光不足而導致紅色區域之演色性低。為了改善該演色性， 而期望開發一種吸收藍色域波長帶之光（4〇〇 nm〜480 nm範 圍之光）而發出橙色〜紅色螢光的螢光體。具有600 nm以上 之發光波長的紅色螢光體有硫化物螢光體、氮化物螢光 體。在硫化物螢光體之合成中必需H2S氣體，在氮化物之 137789.doc 201000598 合成中要求高溫、高壓下之煅燒，而必需昂貴的高溫高壓 般燒爐，並且必需煩雜的合成製程，從而製造成本變高。 :’在氮化物螢光體之合成中’必須使用對水分不穩定的 氮化物來作為起始原料，因此必須在套手工作箱内對原料 進行乾式混合，並且在合成時要求細緻的處理。 於非專利文獻1中記載有螢光體⑻2.93.x，Bax)Si〇5:Eu。。7 (Χ4〇、〇·〇5、（Μ〇、0·2)，並且記載有：若 Sr3Si〇5:E_ ^Ba2+濃度變大，則發光之峰值波長自57〇咖向585⑽偏 移’並且不會向其以上長波長偏移；以及若Ba2 +濃度超過 0-5 mol，則形成BaSi4〇9。 於非專利文獻1所1己載之⑸2.93-x，Bax)Si〇5:Eu"7中，若 假定如㈣位置進行置換，則螢光體之母材表示為（Sr2.93.x,

Bax+〇 〇7)Si〇5。此時，甚'中 / !、 Λ Τ 右0又疋04=0.2、（2)χ=〇·5，則螢光 !4^##^^^(l)(Sr,73,Ba0.27)Si〇5 . (2)(Sr2.43,Ba0,7)SiO5 〇 此處，若將（1)及（2)之母材表示為（Srix,Bax)3si〇5，則⑴ 之母材中河27/3 = 〇.()9，⑺之母材中㈣57/3 = 〇 19。 於非專利文獻1中雖記載有具有7 m〇1〇/<Eu作為活化劑 的（Sr2 93.X，BaX)3Si〇5:Eu〇.07’ Μ有 7 mol〇/。以外之濃度的 Eu之榮光體並未記載。峰值波長（發光中心波長）超過⑻ 腿之發光體並未記載’又，將營光體之母材表示為（Sri.x’

BaX)3Sl05時，以心·1之叫·我)3⑽為母材、以如為 活化劑之勞光體亦未記載。進而，在同樣地表示母材時， 以G0.2之（Sr】-x，Bax)3Si〇5為母材、以如為活化劑之螢光 體亦未記載。 137789.doc 201000598 又，於非專利文獻2中揭示有使Eu濃度變化為〇 5 m〇1%、i.O mol%、u mol%、2.〇 m〇1%、3 〇 咖1% 時藉由 405 nm激發之Sr3Si〇5:Eu\PL光講，並記載有若Eu濃度 增大，則發光波長向長波長側偏移。又，記載有：在將以 濃度設為 0 mol%、20 mol%、40 mol%、6〇 m〇1%、80 mol〇/〇之（Sr 丨 _x，Bax)3Si〇5:Eu2+之 PL光譜中，仏濃度為 2〇 mol%時，發光帶向長波長側偏移，若如濃度超過2〇 mol%，則發光帶向短波長側偏移。 但是’於非專利文獻2中’將螢光體之母材表示為 (Sr 丨-x，Bax)3Si05時，以 xgo.i 之（sri.x，Bax)3Si〇5為母材、以 超過3 mol。/。之Eu或6 mol%以上之Eu為活化劑、峰值波長 (發光中心波長）超過600 nm之螢光體，則並未記載。 本發明係為了解決如上所述之課題而成者，其目的在於 提供一種以1>χ2 0.1之（Sru’BaASiOs為母材、含有銪 (Eu)作為活化劑，並發出橙色螢光之螢光體與其製造方 法、以及使用螢光體之發光裝置及顯示裝置。 [解決問題之技術手段] 即’本發明係關於一種以1>χ^0.1之（Sri-x,Bax)3Si05為 母材、含有鎖（Eu)作為活化劑’並藉由Sr、Ba及Eu之組成 比而使發光中心波長為600 nm以上的螢光體。 又，本發明係關於一種螢光體之製造方法，該螢光體係 以（Sr卜x，Bax)3Si〇5為母材、含有Eu作為活化劑，並藉由 Sr、Ba及Eu之組成比而使發光中心波長為600 nm以上者， 上述製造方法具有以下步驟：以l>xg 0.1時m〇l比為Sr : 137789.doc 201000598

Ba : Si=3(l-x) : 3x : 1，且Eu 之m〇l 數相對於 Sr、Ba 及 Eu 之總mol數之比為0.02以上、0.08以下的方式，來製備分別 含有Sr、Ba、Si及Eu之化合物的混合物之步驟；以及在 13 00°C以上、1700°C以下之溫度下對上述混合物進行锻燒 之步驟。 又，本發明係關於一種使用上述螢光體之發光展置。 又，本發明係關於一種具有使用上述螢光體之發光裝置 作為照射顯示部之光源的顯示裝置。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種螢光體，其由於以 (Sn-^BaxkSiOs為母材、含有Eu作為活化劑，並藉由Sr、 Ba及Eu之組成比而使發光中心波長為6〇〇 nm以上，而可發 出橙色螢光，並改善紅色區域之演色性。 又，根據本發明，可提供一種螢光體之製造方法，其具 有以下步驟：以l>xg 0·1時m〇l比為Sr : Ba : Si=3(l-x): 3x: 1，且Eu之mol數相對於心、BaAEu之總m〇1數之比為 0.02以上、0.08以下的方式，來製備分別含有Sr、Ba、^ 及Eu之化合物的混合物之步驟，以及在13〇〇&c以上、 1 700°C以下之溫度下對上述混合物進行煅燒之步驟；因此 可製造以（Sn-^BaASiO5為母材、含有Eu作為活化劑，並 藉由Sr、Ba及Eu之組成比而使發光中心波長為6〇〇 nm以 上，务出栓色螢光，而改善紅色區域之演色性的螢光體。 上述比為0·02以上、〇·08以下之情形的發光強度與上述比 為0 · 1時的發光強度相比達到約丨.8倍〜約2倍之發光強度。 137789.doc ，10· 201000598 又’根據本發明’可提供一種由於使用上述螢光體而可 提高演色性之發光裝置。 又’根據本發明’可提供一種由於具有使用上述螢光體 之發光裝置作為照射顯示部之光源而可提高演色性的顯示 裝置。 【實施方式】 在本發明之螢光體中，較佳為0 2之構成。根據該構 成 了貫現使發光中心波長為600 nm以上的螢光體，並可 提高紅色區域之演色性，特別是在\$〇.5時，可實現螢光 強度大於發出黃色螢光之黃色YAG螢光體（(Yi 5，Gdi 5) (Al2，Ga3)〇12:Ce)、且發光中心波長為6〇6⑽以上、並可提 局紅色區域之演色性的螢光體。在0.52 xg 0_1時，^!^ >〇33〇381〇5:£11螢光體之螢光強度為上述黃色¥八(5螢光體的 約1.07倍〜約1.2〇倍。 又’較佳為0 · 8 2 X之構成。根據該構成，可實現發光中 心波長為600 nm以上、並可提高紅色區域之演色性的螢光 體，特別是在xSO.5時’可使螢光強度大於上述黃色γΑ(} 螢光體。在〇.5gxg〇.l時，（Sr丨-x，Bax)3Si05:Eu螢光體之螢 光強度為上述黃色YAG螢光體的約1.07倍〜約1.20倍。 又較佳為〇. 5 2 X之構成。根據該構成，可提供螢光強 度超過上述黃色YAG螢光體而較大、且發光中心波長為 600 nm以上、並可提高紅色區域之演色性的螢光體。在 〇.5gxg〇.i時，（Sri_x，Bax)3Si05:Eu螢光體之螢光強度為上 述黃色YAG螢光體的約1.07倍〜約1.2〇倍。 137789.doc -11 - 201000598 又，較佳為上述活化劑之遭译炎 蜊炙/晨度為2 m〇1%以上、8 m〇l% 以下之構成。根據該構成，可眚 X T貫現與上述活化劑之濃度為 10 mol%之發光強度相比而為的】 叩兩約1.8倍〜約2倍的發光強度、 且營光強度較南、並可提高红ρ 门、巴h域之演色性的螢光體。 又’較佳為上述活化劑之濃度為6 m〇1%以上、8 _ι% 以下之構成。根據該構成，可實現與上述活化劑之濃度為 10 mol%之發光強度相比而為約19倍〜約2倍的發光強度、 且螢光強度更咼、並可提高紅色區域之演色性的螢光體。 又，較佳為藉由藍光激發而發出螢光之構成。根據該構 成，可藉由發出上述藍光之發光元件來激發螢光體，並且 可構成自發光體所激發出之橙色螢光、與上述藍光之混色 而發出白光的發光裝置，進而，可實現使用該發光裝置作 為照射顯示部之光源的顯示元件。此處，「藍光」係指 「藍色域波長帶之光」’係指4〇〇 nm〜480 nm之範圍内之 光（以下相同）。 又，較佳為以下構成，即，以1>χ 2 〇.丨時m〇i比為Sr :

Ba : Si=3(l-x) : 3x : 1 ’ 且 Eu之 mol數相對於 Sr、Ba及 Eu 之總mol數之比為0.02以上、0.08以下的方式，將分別含有 Sr、Ba、Si及Eu之化合物進行混合，再將所得混合物在 13 00°C以上、1700°C以下之溫度下進行煅燒而合成。根據 該構成，在1>χ2〇_1、上述比為0.02以上、〇.〇8以下時， 可實現與上述比為0_ 1時的發光強度相比而為約1.8倍〜約2 倍的發光強度、螢光強度較高、且發出發光中心波長為 600 nm以上之撥色螢光、並可改善紅色區域之演色性的螢 137789.doc -12 - 201000598 光體。 在本發明之螢光體之製造方法中，較佳為x-0.2之構 成。根據該構成，可提供發光中心波長為6〇〇 _以上、並 可提咼紅色區域之演色性的螢光體之製造方法，特別是在 x_ 0.5 0^-可&供螢光強度高於上述黃色yag螢光體、且 發光中心波長為606 nm以上、並可提高紅色區域之演色性 的螢光體之製造方法。在说以謂，（Sri x，Bax)3Si〇5:Eu 螢光體之螢光強度為上述黃色YAG螢光體的約丨〇7倍〜約 1_20 倍。 又，杈佳為0.82 X之構成。根據該構成，可提供發光中 心波長為600 nm以上、並可提高紅色區域之演色性的螢光 體之製造方法，特別是在〇.5時，可提供螢光強度大於 上述黃色YAG螢光體的螢光體之製造方法。在〇.5^χ2〇ι 時，（Sn^BaASiOyEu螢光體之螢光強度為上述黃色yag 螢光體的約1.07倍〜約1.20倍。 又，較佳為0·52 X之構成。根據該構成，可提供螢光強 度超過上述黃色YAG螢光體而較大、且發光中心波長為 600 nm以上、並可提高紅色區域之演色性的螢光體之製造 方法。在0.52xg0.1時，（SrbhBaxhSiO^Eu螢光體之螢光 強度為上述黃色YAG螢光體的約ι·〇7倍〜約12〇彳立。 又’較佳為上述活化劑之浪度為2 mol%以上、8 mol0/〇 以下之構成。根據遠構成’可提供與上述活化劑之濃度為 10 mol%之發光強度相比而為約1·8倍〜約2倍的發光強度、 且螢光強度較咼、並可k南红色區域之演色性的營光體之 137789.doc •13· 201000598 製造方法。 又，較佳為上述活化劑之濃度為6 m〇1%以上、8爪〇^ 以下之構成。根據該構成，可提供與上述活化劑之濃产為。 !〇 之發光強度相比而為約19倍〜約2倍的發光強=、 且螢光強度更高、並可提高紅色區域之演色性的螢光： 製造方法。 又’較佳為藉由藍光激發而發出榮光之構成。根據該構 成，可提供以下螢光體之製造方法，該發光體可藉由發出 上述藍光之發光元件來激發，並可構成自勞光體所激發出 之橙色螢光、與上述藍光之混色而發出白光的發光裝置， 進而，可實現使用該發光裝置來作為照射顯示部之光源的 顯示元件，並可提高紅色區域之演色性。 在本發明之發光裝置中，較佳為藉由發出藍光之發光元 件來激發上述勞光體之構成。根據該構成，可實現以下發 光裝置，其係藉由自上述發光元件所發出之藍光來激發上 述螢光體從而發出撥 出也色螢光’並且該橙色螢光與上述藍光 混色而發出可改善演色性之白光。 在本發明之顯示裝置中，較佳為藉由發出藍光之發Μ 件來激發上述螢光體之構成。根據該構成，可實現因具有 y發光裝置而可增強紅色區域之光的顯示裝置，該發光 裝置係藉由自上述發光元件所發出之藍光來激發上述螢光 體從而發出撥色螢光，並且該撥色螢光與上述藍光混色而 發出可改善演色性之白光。 般〜為以（SrNx，Bax)3Si〇5為母材、含有如作為活化 137789.doc -14· 201000598 劑之五氧化石夕系螢光體藉由藍光激發之螢光光譜特性，會 因Sr、Ba、Eu之組成比而發生較大變化。即，認為螢光光 譜之寬度、發光中心波長、最大螢光強度不僅因Sr、^之 濃度組成比、而且亦會因Eu之濃度組成比而發生變化。 本發明中，研究了上述五氧化矽系螢光體之螢光光譜特 性因Sr、Ba、Eu之濃度組成比而發生之變化。結果發現： 藉由Sr、Ba及Eu之組成比，可獲得具有以下螢光光譜之螢 光體，該螢光光譜係在橙色域波長帶中具有最大螢光強度 且發光中心波長為600 nm以上，最大螢光強度較大，並且 包含黃色域波長帶〜紅色域波長帶且具有較寬分布，藉由 使用該螢光體可改善紅色區域之演色性。 基於本發明之螢光體’以1>?^〇1之（81<14,8、）381〇5為 母材、含有Eu作為活化劑’藉由Sr、Ba及Eu之組成比而使 發光中心波長為600 nm以上，藉由4〇〇 nm〜480 nm之藍色 域波長帶之光（藍光）激發’而以較高螢光強度發出發光中 心波長為600 nm以上的橙色螢光，並可改善紅色區域之演 色性。更佳為xg 0.2。較佳為0.82 X，更佳為〇 5^χ。 活化劑之濃度較佳為2 mol%以上、8 m〇i%以下，更佳 為 6 mol%以上、8 mol%以下。在〇.5gxg〇」時，（Srn,

Bax)3Si〇5:Eu螢光體之螢光強度為黃色YAG營光體 (Yi.sGduXAlhGaJObCe 的約 ι·〇7 倍〜約 1.2〇倍。又，在 /舌化劑之濃度為2 mol°/〇以上、8 mol%以下時，與活化劑之 濃度為10 mol%之發光強度相比而為約18倍〜約2倍的發光 強度，在活化劑之濃度為6 mol%以上、8 mol%以下時，與 137789.doc •15- 201000598 活化劑之濃度為1 0 mol%之發光強度相比而為約丨9倍〜約2 倍的發光強度。 基於本發明之螢光體，係以如下方式，即1>χ^ 〇1時金 屬元素Sr、Ba、Si之mol比（或原子數比）為Sr : Ba : Si = 3(l-x) : 3x : 1，且Eu之mol數NEu(或原子數）相對於Sr、 Ba及Eu之總mol數Ντ(或螢光體之化學式中之總原子數=3) 之比（比=(NEu/NT))(mol比或原子數比）為〇 〇2以上、〇 〇8以 下，更佳為0.06以上、0_08以下的方式，稱量分別含有 Sr、Ba、Si及Eu之化合物而合成。再者，&、、^^分 別為 Sr、Ba、Eu之mol數，NT=NSr+NBa+NEu=3。 在上述比為0_02以上、0.08以下時，與上述比為〇丨時之 發光強度相比而為約1 · 8倍〜約2倍的發光強度，在上述比 為〇·〇6以上、〇.08以下時，與上述比為〇1時之發光強度相 比而為約1.9倍〜約2倍的發光強度。 即，以之（Sri_x，Bax)3Si〇5為母材、含有恥作為 活化劑，且Eu濃度（m〇l%或原子％)為2%以上、8%以下 (〇.02S(NEu/Nt)S〇.08) ’ 更佳為6%以上、8%以下（〇 〇6$ (^/叫以训丨的方式^量分別含有^以^及^之 化合物的粉末，進行混合粉碎而製備混合物。 藉由將該混合物在1300。(：以上、l70〇tu下之溫度下進 行舞X燒而合成螢光體。為了獲得具有所需組成之螢光體， 混合物較佳為在含有4%(體積％)以下之氫氣的惰性氣體 中、1600。(：下進行煅燒。 再者，分別含有Sr、Ba、Si及以之化合物代表性的是氧 137789.doc -16 - 201000598 化物、碳酸鹽、草酸鹽等，但並不限定於此，亦可為其他 無機鹽、或有機鹽等有機化合物。 又’在基於本發明之螢光體之製造方法，係藉由Sr、Ba 及Eu之組成比而使發光中心波長為6〇〇 ηίη以上，並以如下 方式’即l>xg 0.1時金屬元素Sr、Ba及Si之mol比（或原子 數比）為 Sr : Ba : Si=3(l-x) : 3x : 1，且 Eu之 mol 數 NEu(或 原子數）相對於Sr、Ba及Eu之總mol數NT(NT=3)(或螢光體 之化學式中之總原子數）之比（比=(NEu/NT))(m〇i比或原子數 比）為0.02以上、〇·〇8以下’更佳為〇 〇6以上、〇 〇8以下的 方式’來製備上述混合物，並進行锻燒而合成螢光體。 即’瑩光體之製造方法具有以下步驟：以Eu濃度（m〇1〇/〇 或原子％)為2%以上、8%以下、更佳為6%以上、以下之 方式，稱量分別含有Sr、Ba、Si及Eu之化合物，然後進行 混合粉碎而製備混合物的原料製備步驟，以及將上述混合 物在1300°C以上、1700。(：以下之溫度下進行煅燒的煅燒步 驟；從而藉由Sr、Ba及Eu之組成比而使發光中心波長為 600 nm以上。 在锻燒步驟中，較佳為在含有4%(體積％)以下之氫氣的 惰性氣體中、1600°C下將上述混合物煅燒4小時。結果可 製造以（Sn.^BaASiO5為母材、含有Eu作為活化劑、以較 高螢光強度發出發光中心波長為600 nm以上的橙色螢光、 並可改善紅色區域之演色性的螢光體。 藉由以上所說明之製造方法而得之螢光體的發光強度， 與Eu濃度為2%以上、8%以下時、Eu濃度為1 〇%時之發光 137789.doc -17- 201000598

強度相比，而或彡A 而為約1.8倍〜約2倍的發光強度，與Eu濃度為 6% 以上、go乂 乂下時、Eu濃度為1〇%時之發光強度相比， 而為約1.9倍〜約2倍的發光強度。 —p* ， 面參照圖式一面對本發明之實施形態進行詳細 說明。 ^ 實施形態 ;本七月之螢光體係藉由400 nm〜480 nm之藍色域波 長π之光而萆發，而發光中心波長為600 nm以上的螢光 "" 之（Sri.x，Bax)3Si〇5為母材、含有Eu作為活 化劑，較佳為χ^0.2。更佳為0.8gx，尤其佳為〇.5^χ。 在O.Sgxgo」時，（Srix,Bax)3Si〇5:Eu螢光體之螢光強度為 黃色 YAG螢光體（Yi 5，Gdi 5)(Al2,Ga3)〇i2:Ce的約} 〇7倍〜約 1.20倍 ° 又’基於本發明之螢光體可較佳地用於發光裝置及顯示 裝置’特別是可較佳地用於白色LED等發光裝置、使用白 色LED等發光裝置之液晶裝置等顯示裝置。 在以下的說明中，將以（Sri-x，Bax)3Si05(l>xg 〇.1)為母 材、含有Eu作為活化劑之螢光體表示為（Sri x,Bax)3Si〇5:Eu， x表不母材組成。EU濃度係以Eu2m〇1數Neu(或原子數）相 對於Sr、Ba、Eu之總mol數NT(NT=3)(或螢光體之化學式中 之總原子數=3)之比（比=(NEu/NT))(mol%或原子％)來表示。 特別是在明確表示構成螢光體之元素的組成時，表示為 (Sra，Bab)SiO5:Euc(a>0、b>0、c>0、a+b+c=3) 〇 圖13係在本發明之實施形態中說明使用基於本發明之榮 137789.doc -18- 201000598 光體的白色發光裝置（發光裝置、白色LED)之剖面圖。 如圖13所示，白色發光裝置10係在設置於套管（casing) 11上之反射杯的底部配置有InGaN系藍色LED 14，藍色 LED 14經由接線（b〇nding wire)15與端子電極連接。再 .纟，反射杯係以有具備反射面之凹部，藉由反射而提高發 光之扣向J·生之方式構成。又，端子電極13與未圖示之外部 電源連接。 f , 藉由例如於透明環氧樹脂令分散有基於本發明之橙色螢 光體而成的成形（moldingyp 16來密封藍色led 14。再 者，視需要可在成形部16以及套fu上面設置用以調整發 光之發散角的透鏡。 橙色螢光體藉由自藍色LED 14發出之藍色域波長帶之光 激發而發出橙色螢光。該橙色螢光與自藍色LED 14發出之 藍色域波長帶之光混合而使白色發光裝置1〇發出白光。自 組合有發出黃色螢光之YAG螢光體與藍色LED而成之先前 (的白色發光裝置所發出之白光中’紅色區域之光的成分較 少’紅色區域之演色性較低。 自組合有基於本發明之橙色螢光體與藍色led而成之白 色發光裝置所發出之白光中，來自藍色LED之藍色域波長 帶之光與來自橙色螢光體之橙色螢光混色，因此可提高紅 色區域之光的成分，並可改善演色性。又，可將此種白色 發光裝置較佳地用作液晶電視之背光源。 進而，亦可將基於本發明之橙色螢光體與發出黃色螢光 之YAG螢光體加以混合後使用。即，亦可將基於本發明之 • J9- 137789.doc 201000598 橙色螢光體與發出黃色螢光之YAG螢光體加以混合後分散 於構成圖13所示之成形部16的樹脂 '例如透明環氧樹脂 中。藉此’可進一步提高紅色區域之光的成分，並可進— 步改善演色性，而可實現色溫度較低之白色發光裝置。 又’藉由將此種白色發光裝置用作液晶電視之背光源，而 可實現呈現更鮮盤之紅色區域之光的液晶電視。 實施例 圖1係說明本發明之實施例中（81'1_)0；63>〇38丨〇5:丑11螢光體 (母材組成χ=0·0、0.25、0.5、0_75、1.0)之螢光光譜圖。 於圖1中，橫軸表示波長（nm)，縱軸表示相對螢光強 度’（a)係x=l.〇之Ba3Si05:Eu螢光體之螢光光譜，係 乂=0.75之（31'〇.2533。.75)38丨05$11螢光體之螢光光譜，（(：）係 x=0.5之（SrG.5，BaQ.5)3Si05:Eu螢光體之螢光光譜，（d)係 乂=0.25之（81*。.7533().25)381〇5丨11螢光體之螢光光譜，〇)係 χ=0·0之SoSiOrEu螢光體之螢光光譜，⑴係YAG螢光體之 螢光光譜。YAG螢光體係黃色YAG螢光體。 此處’黃色YAG螢光體係構成母體之元素之比為丫： Gd=l : 1、A1 : Ga=2 : 3 的（Y，Gd)3(Al,Ga)5012:Ce(使用市 售品）、（丫丨.5,〇(11.5)(八12,0&3)0丨2:€6。再者，於圖1中，各 螢光體之Eu濃度為8 mol%，（a)〜(e)之螢光體的合成方法於 後闡述（參照關於圖3、圖5之說明）。 於圖1中’激發波長為450 nm，如圖1之下部所示， (a)〜(f)之各螢光光譜之最大峰值波長（發光中心波長）為： (a)595 nm、（b)602 nm、（c)610 nm、（d)608 nm、（e)588 137789.doc -20· 201000598 nm、（f)565 nm。再者，使用將激發光源設為XeiJ〇BIN YVON之測定系統Florog 3來測定螢光光譜。 X’（bk(Sr0.25，Ba0.75)3SiO5:Eu、（ck(Sr05，Ba0.5)3SiO5:Eu 、⑷之（Sr0.75，Ba0.25)3Si〇5:Eu的各螢光光譜之發光中心波 長λ為λ 2 600 nm，位於橙色域波長帶内，螢光光譜包含黃 色域波長帶以及紅色域波長帶之波長成分，且較寬。 圖2係說明本發明之實施例中（81>1^，；0^)38丨〇5:;^螢光體 之母材組成X與螢光特性之關係的圖，係整理圖丨所示之結 果的圖。 圖2(A)表示螢光光譜之最大峰值波長（發光中心波長）與 母材組成X之關係，圖2(B)表示螢光光譜之相對螢光強度 與母材組成X之關係。該相對螢光強度係以相對值來表 示，以使不同螢光體之螢光強度可相互進行比較，可將任 一螢光體之最大強度作為基準。 如圖2(A)所示，（Sri-x,Bax)3Si〇5:EU螢光體之螢光光譜之 峰值波長（發光中心波長从，隨著其母材組成χ=〇 〇增加 而自588 nm向長波長侧偏移，在^約〇.4〇時其偏移量達到 最大’最大峰值波長約610 nm。進而’隨著X增大接近 x=i.〇而發光波長自最大峰值波長向低波長側偏移，在 χ=1·0時λ=595 nm。 母材組成X在時，（Srix，Bax)3Si〇5:Euf光體之 3：光光睹之發光中心波長λ ’與Ba3Si〇5:Eu螢光體、 SoSiOyEu螢光體之任一螢光光譜的發光中心波長相比位 於長波長側’且λ>595 nm，最大為610rim。在〇〇>γ>ηι 137789.doc 201000598 時’榮光光譜之發光中心波長λ為600 nm，最大為61 〇 nm °又’在0.62g xg 0.2時，螢光光譜之發光中心波長λ 為 G 606 nm，最大為 61〇 nm。 如圖2(B)所示，（Srix，Bax)3Si〇5:Eu螢光體之相對螢光強 度隨著其母材組成父自χ=〇 〇增加而增大，在χ=〇·25時達到 最大°進而隨著X增大接近χ= 1.0而相對螢光強度減小，且 (Ba3Sl〇5:El^光體之相對螢光強度）<(Sr3Si05:Eu螢光體之 相對營光強度）。在x=〇 25時’（Sri x，Bax)3Si〇5:Eu螢光體 之營光強度為黃色YAG螢光體（Yi 5,Gdi 5)(Al2，Ga3)〇i2:Ce 的約1.20倍。 在（81'1->〇]8〜）3 8丨05:£11螢光體之母材組成乂為〇.52?^〇.1 時’螢光光譜之相對螢光強度為大於Ba3Si〇5:Eu螢光體、 SrjiOrEu螢光體之任一者，且大於上述黃色YAG螢光體 之相對螢光強度（以虛線表示。）之值。即，在〇 〇」 時’登光光譜之發光中心波長人為6〇〇 nm，但螢光光譜 之相對螢光強度為超過Ba3Si〇5:Eu螢光體、Sr3Si〇5:Ei^ 光體、上述黃色YAG螢光體之任一者的較大之值。 又，在0.5 g xg 〇.2時，螢光光譜之發光中心波長人為 λ^ 606 nm’相對螢光強度為超過上述黃色yag螢光體的 較大之值。在OJgxgO.i時，光體之 螢光強度為上述黃色YAG螢光體的約丨〇7倍〜約i 2〇倍。 如以上所§兒明，藉由Sr、Ba之組成比，可獲得具有以下 螢光光譜之螢光體，該螢光光譜在橙色域波長帶之6〇〇 nm 以上具有發光中心波長，包含黃色域波長帶〜紅色域波長 137789.doc 201000598 π且具有較寬的分布。藉由使用該螢光體而可改善紅色區 域之演色性。 繼而’對（So-bBa^siC^Eu螢光體之螢光強度的活化劑 漢度依賴性（Eu濃度依賴性）進行說明。 圖3係說明本發明之實施例中合成改變了活化劑濃度（Eu 浪度）之（Sr丨_x，Bax)3Si〇5:Eu螢光體（母材組成x=〇.5)時之原 料調合量的圖。 f ' 合成如具有x=0·5之母材組成（Sn-^Ba^SiOs，金屬元素

Sr Ba、Si之化學計量比（組成比）（m〇i比或原子數比）為

Sr : Ba : Si = 1.5 : 1,5 : 1，Eu濃度為2、4、6、8、10 m〇l〇/。 的（Sr〇.5，Ba〇.5)3Si05:Eu螢光體。 如圖3所示’作為分別含有Sr、Ba、Si&Eu之化合物， 使用碳酸鳃、碳酸鋇、二氧化矽、氧化銪，稱量該等各粉 末進行調合而製成混合物。碳酸锶、碳酸鋇、二氧化矽、 氧化銪係使用市售品（高純度化學）。 (, 再者’作為活化劑別在與母材（Sro.^BauLSiOs之Sr及Ba 之位置相當的位置進行置換者，如合成（Sr。5,BaQ 5)2 94Si〇5:

Eu〇.〇6、（Sr0.5,Ba〇.5)2 88Si05:Eu〇.12、（Sr〇.5，Ba〇.5)2 82Si05:Eu0.18 (Sr〇.5jBa〇.5)2 76Si〇5：Eu〇.24 ' (Sr〇.5>Ba〇.5)2 70Si〇5：Eu〇.30 » 稱量各粉末進行調合。 圖4係說明本發明之實施例中…^加士以^:如螢光體 (母材組成χ=〇·5)之Eu濃度與相對發光強度之關係的圖。 於圖4中，橫軸表示Eu濃度（mol%)，縱軸表示激發波長 450 nm之相對發光強度（螢光光譜強度之最大值）。使用上 137789.doc •23· 201000598 述圖1所示之螢光光譜之測定時所使用的激發光源以及螢 光分光計（spectrometer)，測定螢光光譜之最大峰值波長 (發光中心波長）時螢光體之相對發光強度。如圖4所示， Eu濃度自2 mol%至8 mol%中，相對發光強度缓慢增加， 與Eu濃度為10 mol%時之發光強度相比變化為約i.8倍〜約2 倍的發光強度，若超過8 mol%則相對發光強度急速變小。 因此，就以上所說明之螢光光譜強度之最大值的Eu之組 成比的依賴性而言，較佳為Eu濃度為2 m〇1%以上、8 mol%以下，更佳為Eu濃度為6 m〇l°/〇以上、8 m〇l°/。以下。 在Eu濃度為6 mol%以上、8 mol%以下時，與Eu濃度為1〇 mol。/。時之發光強度相比而為約19倍〜約2倍的發光強度。 繼而’對（Sr^x’BaxhSiOyEu瑩光體之合成方法進行說 明。合成 Eu 濃度為 8 mol%、χ=〇.〇 ' 0.25、〇.5、〇 75、1 〇 之（Sn-nBaJsSiO^Eu 螢光體。 圖5係說明本發明之實施例中合成 光體（母材組成x = 0.25、0.5、〇.75、Eu=8 m〇1%)時之原料 調合量的圖。 合成如以（Sri_x，Bax)3Si05為母材，金屬元素Sr、Ba、以 之mol比（或原子數比）為Sr : Ba : Si=3(1_x) : 3χ : 1，如濃 度為 8 m〇l%的母材組成χ=0_25、〇·5、〇 75之（Sri x Bax)3Si〇咖 螢光體。 如圖5所示’作為分別含有Sr、Ba、Si&Eu之化合物， 使用碳酸锶、碳酸鋇、二氧化矽、氧化銪，稱量該等各粉 末進行調合混合而製成混合物。碳酸锶、碳酸鋇、二氧化 137789.doc -24- 201000598 矽、氧化銪係使用市售品（高純度化學）。 再者’作為活化劑如在與母材（Srix,Bax)3Si〇52S]^Ba 之位置相當的位置進行置換者，如合成Ba2.76Si05:EuG.24' (Sr〇.21,Ba〇.71)3Si〇5：Eu〇.24 > (Sr〇.46,Ba〇.46)3Si〇5：Eu〇.24 ' (Sr〇.71，Ba〇.21)3Si〇5:Eu()24、Sr2 76Si〇5:EU()24，稱量各粉末 進行调合。再者，於圖5中’用以合成Ba2.76SiO5:Eu0.24、 SrrMSiOyEuo.24之原料調合量省略而未表示。 以（Srbx’Ba^SiO5為母材、含有Eu作為活化劑之螢光體 以如下方式合成。自以圖3及圖5所示之方式秤量並調合之 混合物取出20 g，將其放入5〇0 mL之聚乙烯瓶（polybin) 中’於其中分別加入乙醇200 mL、5Φ之氧化鍅珠200 g， 以50 rpm旋轉而進行3〇分鐘之球磨機混合。將球磨機混合 物吸引過濾再於80°c下乾燥3小時。 對經乾燥之混合物以1 L/min之流量流通追蹤氣體 (homing gas)(含有4%(體積％)以下之氫氣的惰性氣體（例如 氬氣、氮氣）），並以300°C /min之升溫速度進行升溫，在上 述追縱氣體環境下，於1 600°C下進行4小時煅燒。將所得 锻燒物粉碎，使用藉由Ni濾器、銅（Cu)Ka線（波長0.1541 nm)之理學製X射線繞射裝置（RADIII)，測定以下所說明之 圖6〜圖1〇中所示的粉末X射線繞射圖形。 圖6係§兒明本發明之實施例中具有χ= 1 . 〇之母材組成 Ba3Si〇5:Eu的螢光體之實測X射線繞射圖形之主要部分的 圖。 圖7係說明本發明之實施例中藉由圖5所示之原料調合而 137789.doc •25- 201000598 σ成具有x 0.75之母材組成（Sr〇25,Ba〇:士si〇5:Eu的營光 體之貫測X射線繞射圖形之主要部分的圖。 圖8係說明本發明之實施例中藉由圖5所示之原料調合而 合成、具有X=〇.5之母材組成（Sro.sBao.ASiOyEu的螢光體 之貫測X射線繞射圖形之主要部分的圖。 圖9係說明本發明之實施例中藉由圖5所示之原料調合而 合成、具有x=0.25之母材組成（Sr〇75，Ba〇25)3Si〇5:Eu的螢光 體之實測X射線繞射圖形之主要部分的圖。 圖10係說明本發明之實施例中具有χ=〇〇之母材組成 Sr3Si〇5:Eu的螢光體之實測X射線繞射圖形之主要部分的 圖。 圖6〜圖1 0中’橫轴表示繞射角2 Θ (單位：。），縱軸表示相 對繞射強度。分別使用圖6〜圖10中所示之X射線繞射圖 形，確定（Sn+BaOsSiO^Eu螢光體為正方晶系，以如下方 式求得晶格常數a以及c。再者’以下，繞射角20之單位為 度(。）。 根據圖6，在BasSiCV.Eu螢光體中，使用繞射角 20=28.45((h,k,1)=(2,1,1)) 、20=29.15((h,k,1)=(2,0,2))、 2e=31.8〇((h，k，l)=(〇,〇,4))、20=34.7〇((11，1^1)=(2,2,〇))之繞射 峰值，而獲得 a=7_3〇2 nm、c=l 1 ·24 nm。 根據圖7’在（81*0_25’8&0.75)38丨〇5:£11營光體中，使用繞射 角 2e=28.65((h，k，l)=(2，l，l))、20=29.4o((h，k，l)=(2,〇,2))、 2e=32.05((h，k,l)=(〇,〇,4))之繞射峰值’而獲得 a=7 25 _、 c=l 1.13 nm 〇 137789.doc -26- 201000598 根據圖8 ’在（Sr0.5，Ba0.5)3Si〇5:Eu螢光體中，使用繞射角 20=29.35((h，k，l)=(2，l，i))、2e=30.05((h，k,1)=(2,0,2))、2Θ= 32.60((h，k，l)=(〇,〇,4))之繞射峰值，而獲得3=7〇8 nm、 c=10.96 nm。 根據圖9，在（8!'0 75,830.25)38丨〇5:丑11螢光體中，使用繞射 角 29=29.60((h，k，l) = (2，l,l))、20=3〇.25((h，k，l)=(2,〇,2))、 20=32.75((11九1)=(〇,〇,4))之繞射峰值，而獲得&=7.〇211„1、 c=10.94 nm。 根據圖10，在SoSiOyEu螢光體中，使用繞射角 20=29.9〇((h,k,1)=(2,1,1)) 、 2Θ=3 0.6〇((h,k,l)=(25052))、 20=33.3〇((11九1)=(〇,〇,4))之繞射峰值，而獲得3=6.95譲、 c=10_76 nm。 圖11係說明本發明之實施例中（8]*1_){，；6&>()38丨05圯11螢光體 之母材組成χ(χ=0_0、〇·5、1_0)與實測X射線繞射圖形（主要 部分）之關係的圖。 圖1 1係重疊表示圖6(Ba3Si05:Eu螢光體）、圖8((Sr〇 5, Ba0.5)3SiO5:Eu螢光體）、圖10(Sr3SiO5:Eu螢光體）中分別所 示之繞射角（2Θ)27。〜34。中實測X射線繞射圖形的圖。圖丄j 中’ §己5虎〇、△、口分別表示源自Ba3Si05:Eu螢光體、 (Sr〇.5，Ba〇.5)3Si05:Eu螢光體、Sr3Si05:Eu螢光體之繞射峰 值。 根據圖11可知’（Sr〇.5，Ba〇.5)3Si〇5:Eu螢光體之繞射峰值 存在於SrsSiOyEu螢光體之繞射峰值與BasSiOyEu螢光體 之繞射峰值之間。因此可認為，維加（Vegard)定律成立， 137789.doc -27· 201000598 並可&成具有所需組成比、Sr: Ba=l : ^的螢光體。 圖12係說明本發明之實施例中根據實測χ射線繞射圖形 而求付的晶格常數、與（Sr〗 x,Bax)3Si〇5:Eu榮光體之母 材組成咖=〇.〇、0.25、05、〇75、1〇)之關係的圖。 圖12係將之前所求得的晶格常數（單位：nm)a及c相對於 (Sn-x，Bax)3Si〇5:Eu螢光體之母材組成χ而繪製的圖。如圖 12所不’各繪製點位於以圖中虛線所示之直線附近，晶格 韦數a以及c相對於母材組成χ分別幾乎成直線變化。因此 可'^為’維加定律成立，並可合成具有所需母材組成χ之 (Sri_x,Bax)3Si05:Eu螢光體。 以上對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限 疋於上述貫施形態’基於本發明之技術思想可進行各種變 形。 [產業上之可利用性] 如以上所說明’根據本發明，可提供發出發光中心波長 為600 nm以上的撥色螢光之螢光體，並可改善發光裝置及 顯示裝置之演色性。 【圖式簡單說明】 圖1係說明本發明之實施例中（Sri x，Bax)3Si〇5:Eu螢光體 之螢光光譜的圖； 圖2(A)、圖2⑺）同樣係說明（Sn-hBaASiO^Eu螢光體之 組成X與螢光特性之關係的圖； 圖3同樣係說明合成改變了 Eu濃度之（Sri_x，Bax)3Si05:Eu 螢光體（χ=0·5)時之原料調合量的圖； 137789.doc • 28 - 201000598 圖4同樣係說明（sri_x，Bax)3si〇5:Eu螢光體（χ=〇·5)之以濃 度與發光強度之關係的圖； 圖5同樣係說明合成（Sri，x,Ba^3Si〇5:Eu螢光體伽 mol%，χ=〇·25、〇.5、〇.75)時之原料調合量的圖； 圖ό同樣係說明BasSiOyEu螢光體之實測X射線繞射圖形 之主要部分的圖； 圖7同樣係說明（Sr〇.25，Ba0.75)3Si〇5:Eu螢光體之實測X射 線繞射圖形之主要部分的圖； 圖8同樣係說明（81*〇.5，：63().5)38丨〇5:£11螢光體之實測又射線 繞射圖形之主要部分的圖； 圖9同樣係說明（sr〇 75，Ba〇.25)3Si〇5:Eu螢光體之實測X射 線繞射圖形之主要部分的圖； 圖10同樣係說明Sr3Si〇5:Eu螢光體之實測X射線繞射圖 形之主要部分的圖； 圖11同樣係說明（Sri.x，Bax)3Si〇5 :Eu榮光體之組成X與實 測X射線繞射圖形（主要部分）之關係的圖； 圖12同樣係說明根據實測X射線繞射圖形所求得的晶格 常數與（81'1^，；63){)38丨05:£11螢光體之組成父之關係的圖；及 圖13係說明本發明之實施形態中之白色發光裝置的钊面 圖。 【主要元件符號說明】 10 白色發光裝置 11 套管 13 端子電極 137789.doc -29- 201000598 14 藍色LED 15 接線 16 成形部 137789.doc -30-

Claims (1)

1. 201000598 七、申請專利範圍·· ，Bax)3Si〇5 為母 Ba以及Eu之組 1. 一種螢光體，其係以1>χ^ 〇丨之 材、含有銪（Eu)作為活化劑，並藉由Sr 成比而使發光中心波長為600 nm以上者 2. 如请求項1之螢光體，其中〇 2。 3. 如請求項1之螢光體，其中〇.8^χ。 4. 如請求項1之螢光體，其中〇.5$ χ。 5. 如 請求項1之螢光體， 其中上述活化劑之濃度 為 2 mol% 以 上、8 mol%以下。 6. 如 請求項1之螢光體， 其中上述活化劑之濃度 為 6 mol% 以 上、8 mol%以下。 7. 如 請求項1之螢光體， 其係藉由藍光激發而發出螢光。 8. 如 請求項1之螢光體 ，其係藉由以下方式 合成：以 1>χ2 0.1 時 mol 比為 Sr : Ba : Si=3(l-x) : 3x : 1，且 Eu之 mol數相對於Sr、Ba及Eu之總mol數之比為〇.〇2以上、 0.08以下的方式’將分別含有§r、^江、Si及Eu之化合物 混合，再將所得混合物在1 3 0 〇 °C以上、1 7 0 0 °C以下之溫 度下進行煅燒。 9. 一種螢光體之製造方法，該螢光體係以（sri_x,Bax)3Si〇5 為母材、含有Eu作為活化劑，並藉由Sr、Ba及Eu之組成 比而使發光中心波長為600 nm以上者，上述製造方法具 有以下步驟：以1>χ2 0.1時mol比為Sr : Ba : Si=3(l-x): 3x : 1，且Eu之mol數相對於Sr、Ba及Eu之總mol數之比 為0.02以上、0.08以下的方式，來製備分別含有Sr、 137789.doc 201000598 Si及Eu之化合物的混合物之步驟，以及 在13〇〇°c以上、17啊以下之溫度下對上述混合 行煅燒之步驟。 其中xg 0.2。 其中〇. 8 g X。 其中0.5 g X。 1其中上述活化劑之濃 其中上述活化劑之濃 其中螢光體藉由藍光 10. 如請求項9之螢光體之製造方法， 11. 如請求項9之螢光體之製造方法， 12. 如請求項9之螢光體之製造方法， 13·如請求項9之螢光體之製造方法 度為2 mol%以上、8 m〇i%以下。 14·如請求項9之螢光體之製造方法 度為6 m〇1%以上、8 m〇1%以下。 I5·如請求項9之螢光體之製造方法 激發而發出螢光。 %體種發光裝置，其使用如請求項⑴中任—項之榮光 17·=:16之發光裝置’其中上述勞光體係藉由發出藍 先之叙光元件而被激發。 1 -種顯示裝置，其具有使用如請求項⑴中任一項之營 光體的發光裝置作為照射顯示部之光源。 19.如請求項j 8之顯示裝置， 其中上返營光體係藉由發出藍 先之發光元件而被激發。 137789.doc