JP2010534755A - 熱安定性の酸窒化物蛍光体及びこの種の蛍光体を有する光源 - Google Patents

Abstract

酸窒化物の種類からなる新規の種類の蛍光体は、バッチ化学量論ＭＯ−ＳｉＯ₂−Ｓｉ₃Ｎ₄を有する。この場合、Ｍは特にＢａである。前記蛍光体は、バッチ化学量論ＭＯ−ＳｉＯ₂−Ｓｉ₃Ｎ₄から製造され、公知の蛍光体ＭＳｉ₂Ｏ₂Ｎ₂：Ｄと比べて高い酸素含有量を有し、その際、ＭＯはＭの酸化物化合物である。公知の化合物と比較してこの変更されたバッチ化学量論により多くの特性の改善が達成される。

Description

本発明は、請求項１の上位概念による、熱安定性の蛍光体、有利に光源に使用するための熱安定性の蛍光体から出発する。本発明は、請求項１の上位概念によるＳｉｏｎの種類からなる高効率の蛍光体に関する。更に、本発明は、前記蛍光体を用いて製造された光源及びこの種の蛍光体の製造方法に関する。

背景技術
EP-A 1 413 618は、酸窒化物（Oxinitride）の種類からなりかつ組成ＭＳｉ₂Ｏ₂Ｎ₂：Ｅｕを有する蛍光体を開示している。この場合、Ｍは有利にＣａ、Ｂａ又はＳｒであり、付活剤Ｚは有利にＥｕである。これを、本願明細書ではSionとする。この蛍光体は、ＵＶ及び青色スペクトル領域で良好に励起することができる。前記蛍光体は、ＬＥＤのような光源のために適している。

発明の開示
本発明の課題は、有利に緑色で発光する狭帯域の熱安定性の蛍光体を提供することであった。この場合、前記蛍光体は、ＵＶ−ＬＥＤ及び青色ＬＥＤと共に使用するために特に適しているべきである。しかしながら、他の適用も排除されない。

前記課題は、請求項１の特徴部によって解決される。

特に有利な実施態様は引用形式請求項に示されている。

今まで公知の系は、窒化物の場合では、極めて高い効率及び熱安定性により優れている。ただし、今のところまだ、５２５〜５３５ｎｍでピーク波長を有する有効な狭帯域で発光する系は公知でなかった。緑色オルトケイ酸塩及びチオガレートは、確かに狭帯域で発光しかつ室温で極めて有効でもあるが、極めて悪い温度挙動を有する。つまり、この発光効率ＬＥは、温度の上昇と共に極めて著しく低下する（一般に、２２５℃でＬＥ＜１０％である）。もちろん、このルミネッセンスの熱安定性は前記窒化物の場合よりも悪い。更に、短波長の発光は、所定の適用において、特により高い視覚的効率を達成するために望ましい。

多くの適用のため、例えばＬＣＤバックライトにおいて又はＲＰＴＶ（リアプロジェクションテレビ）のために、青色又は近ＵＶで励起可能な、５２５〜５３５ｎｍのピーク波長を有する極めて熱安定性の蛍光体が必要とされる。この波長は、通常のカラーフィルタに理想的に適合にかつ良好な演色を可能にする。良好な熱安定性が必要である、それというのも前記蛍光体は高出力で高いチップ温度により及び高い放射束で蛍光体粒中に生じる熱により著しく加熱されることがあるためである。この場合、２００℃までの温度が生じることがある。

前記の第２の加熱メカニズムの原因は、いわゆるストークスシフト、つまり吸収された光子と放射される光子との間のエネルギー差であり、このエネルギー差は蛍光体中で熱に変換される。

今までには、高い温度でも、有利に少なくとも１２５℃、特に少なくとも１７５℃でも高い効率を有し、室温での効率の少なくとも８０％、特に少なくとも９０％の効率を有する公知の狭帯域の緑色蛍光体は一つも存在していない。狭帯域とは、最大で７０ｎｍのＦＷＨＭを意味する。緑色蛍光体とは、ピーク波長が５２０〜５４０ｎｍの範囲内にあり、特に５２５〜５３５ｎｍの範囲内にある蛍光体を意味する。

全く新規の蛍光体はＢａＯ−ＳｉＯ₂−Ｓｉ₃Ｎ₄相系で見出された。この蛍光体は、公知のＢａＳｉ₂Ｏ₂Ｎ₂とは本質的に高い酸素含有量により異なり、公知のケイ酸塩、例えばＢａ₂ＳｉＯ₄、ＢＡＳｉ₂Ｏ₅及びＢａＳｉＯ₃とは母体格子中での窒素の有意な割合により異なる。この新規の相は、全ての公知のケイ酸塩及びＳｉＯＮとは異なるＸＲＤ反射パターンを示す。後者は、前記新規化合物の高い対称性を推測させる。このバッチ化学量論は、有利に実施例においてＢａ₉Ｓｉ₂₁Ｏ₃₆Ｎ₁₀により記載することができる。

Ｂａを置き換える付活剤Ｄは、この場合、有利にＥｕ単独であるか、又はＹｂと一緒に用いられる。Ｙｂの割合は、Ｄの１０Ｍｏｌ％より高くはなく、有利に１〜５％の割合の範囲内にあるのが好ましい。

この新規の種類の蛍光体は、公知の緑色蛍光体、例えば（Ｓｒ，Ｂａ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ（オルトケイ酸塩）又はＳｒＧａ₂（Ｓ，Ｓｅ）₄：Ｅｕ（チオガレート型）と比べて著しく改善された熱安定性を有する。前記特徴について最良で得られたオルトケイ酸塩は１７５℃でも、その室温の効率の２５〜３０％を有するだけであるが、前記の新規の化合物はこの場合８０〜９０％であり、従ってこれは技術的ブレークスルーを意味する。

この新規の種類の蛍光体は、極めて良好な熱安定性及び化学安定性を示す。前記蛍光体は、例えば白色ＬＥＤ、カラーオンデマンド（ＣＯＤ）ＲＰＴＶ／ＴＶバックライトＬＥＤ及び電灯、例えば蛍光灯のために極めて良好に使用することができる。

更に、前記の新規の種類の蛍光体のための製造方法も挙げられる。

図面の簡単な説明
次に、実施例に基づき本発明を詳細に説明する。

熱による消光についての新規の種類の蛍光体の効率の安定性を示す。 新規の種類の蛍光体のＸＲＤ反射を示す。 Ｂａに代えて２％Ｅｕを有する出発材料のＢａＣＯ₃−ＳｉＮ_4/3−ＳｉＯ₂の系の状態図に関する概要を示す。 多様なＥｕ濃度についてのバッチ化学量論Ｂａ_2-xＥｕ_xＳｉ₅Ｏ₉Ｎ₂の場合の発光スペクトルを示す。 バッチ化学量論Ｂａ_2-x-yＳｒ_yＥｕ_xＳｉ_4.6Ｏ_9.2Ｎ_1.8での発光スペクトルを示す。 多様なバッチ化学量論での発光スペクトルを示す。 ４００ｎｍの励起での付活剤濃度の関数として粉末輝度を示す。 ４６０ｎｍの励起での付活剤濃度の関数として粉末輝度を示す。 多様なＥｕ濃度での新規Ｂａ−ＳｉＯＮの励起性を示す。 多様なバッチ混合物についての新規Ｂａ−ＳｉＯＮの励起性を示す。 緑色光用の光源の原理構造を示す。 白色光用の光源の原理構造を示す。 放電ランプの原理構造を示す。 蛍光体（Ｂａ_0.95Ｔｂ_0.05）₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂のＴｂ³⁺ドープされた試料の発光スペクトルを示す。 蛍光体（Ｂａ_0.98Ｃｅ_0.02）₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂のＣｅ³⁺ドープされた試料の発光スペクトルを示す。 蛍光体（Ｂａ_0.98Ｃｅ_0.02）₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂のＣｅ³⁺ドープされた試料の励起スペクトルを示す。 単独のＥｕドープ及びＹｂとの共ドープの場合の粉末輝度の比較を示す。 多様なバッチ化学量論についての粉末輝度の比較を示す。 持続時間の関数としての粉末輝度の比較を示す。 融剤添加剤の関数としての粉末輝度を示す。 特に適当な蛍光体を表示してＢａに代えて２％Ｅｕを有する出発材料のＢａＣＯ₃−ＳｉＮ_4/3−ＳｉＯ₂の系の状態図に関する概要を示す。

発明の有利な実施形態
図１は、熱による消光についての効率の安定性を示す。新たに見出された蛍光体相は、他の公知の全ての狭帯域で約５２５〜５３５ｎｍで発光する、大抵はＥｕ2+で付活された系と比べて、発光の優れた熱安定性を有する。図１は、本発明によるＢａ−ＳｉＯＮ相と、最良の先行技術である類似の発光を有するＳｒＢａ−オルトシリケートとの間の比較を示す。

この具体的な新規の種類の蛍光体は、ＢａＳｉ_2.3Ｏ_4.3Ｎ_0.9：Ｅｕ（２％）＝Ｂａ₂Ｓｉ_4.6Ｏ_8.6Ｎ_1.8：Ｅｕ（２％）である。この製造は次に詳細に記載される。

出発材料のＢａＣＯ₃ １１．７８４ｇ、ＳｉＯ₂ ６．１０２ｇ、Ｓｉ₃Ｎ₄ １．９００ｇ及びＥｕ₂Ｏ₃ ０．２１４ｇを、場合により通常の融剤を添加しながら、数時間、特に２〜８時間均質化した。

このバッチ混合物を、蓋を備えたＡｌ₂Ｏ₃るつぼ中で、還元条件下で、有利にフォーミングガス下で、約１２００〜１４００℃で数時間、特に３〜１０時間強熱した。還元条件とは、不活性ガス、有利にＨ₂の添加下のＮ₂の使用を意味する。フォーミングガスに関するＨ₂の割合は、この場合、０〜２０％（境界値は含まれる）であり、例えばＨ₂ ４％が使用される。

この強熱ケーキは、通常のように粉砕され、この蛍光体粉末を次で場合により還元条件（フォーミングガス）下で８５０〜１４５０℃で第２の強熱にさらす。フォーミングガスに関するＨ₂の割合は、この場合、０〜２０％（境界値は含まれる）であり、例えばＨ₂ ４％が使用される。

第２の実施例の場合には、この製造方法は同様であるが、目標化学量論Ｂａ₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂に対して次の秤量の出発材料を選択した：
ＢａＣＯ₃ １１．４７３ｇ、ＳｉＯ₂ ６．２３８ｇ、Ｓｉ₃Ｎ₄ ２．０８１ｇ及びＥｕ₂Ｏ₃ ０．２０９ｇ。

第３の実施例の場合には、この製造方法は同様であるが、有利な目標化学量論Ｂａ₉Ｓｉ₂₁Ｏ₃₆Ｎ₁₀に対して次の秤量の出発材料を選択した：
ＢａＣＯ₃ １１．８６４ｇ、ＳｉＯ₂ ５．５２９ｇ、Ｓｉ₃Ｎ₄ ２．３９１ｇ及びＥｕ₂Ｏ₃ ０．２１６ｇ。

典型的な融剤、例えばフッ化物、塩化物又は酸化物の使用が有利である（表１参照）。具体的な実施例は、ＢａＦ₂又はＢａＣｌ₂並びに表１で更に試験された化合物である。

このバッチ化学量論は、生成物化学量論とは一致しないが、おおよその手掛かりとして使用される。例示的に、バッチ化学量論ＢａＳｉ_2.3Ｏ_4.3Ｎ_0.9は、元素分析により、ほぼ生成物化学量論Ｂａ₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂の蛍光体を生じさせる。ここで記載されているような生成物化学量論の添え字は、一般に、Ｂａについての添え字を固定点とした場合に、１０％まで正確である。

表１

図２は、新規の種類の蛍光体のＸＲＤ反射を示す。最良の場合に、ａ＝７．５０９４（１）Å及びｃ＝６．４７５３（１）Å、格子体積Ｖ＝３１６．２３ųを有する三方晶又は六方晶の空間群を有する新規の層のＸＲＤ反射が記載される。可能な組成の体積増加の考慮下でのバリウム位置の矛盾のない記載は、空間群Ｐ３又はＰ−３である。

表２は、格子面間隔ｄ_hklを有する反射の位置を有する反射及び評価されたピーク強度を示す。前記格子面間隔における誤差は±２％までであることができる。

表２：反射位置及び強度

図３は、Ｂａに代えて２％Ｅｕを有する出発材料のＢａＣＯ₃−ＳｉＮ_4/3−ＳｉＯ₂の系の状態図に関する概要を示す。

この系中での２つの最も重要な既に公知の蛍光体相は次のものである：
−青緑ＢａＳｉ₂Ｏ₂Ｎ₂：Ｅｕ並びに青緑Ｂａ₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ。この両方は、矢印により示されている。両方の系は、本発明による蛍光体よりも明らかに悪い温度挙動を示す。この円は、新規の相の特に高い効率の範囲を表す。ほぼ又は完全に純相の新規の種類の蛍光体は黒丸で表され、他の相との混合相は斜線で塗った丸で表され、他の相だけは白色の丸で表される。この他の相は、バッチ化学量論に応じて、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂａオルトケイ酸塩、ＳｉＯ₂、Ｂａ₂Ｓｉ₅Ｎ₈、Ｂａ−ＳｉＯ₃、ＢａＳｉ₂Ｏ₅、ＢａＯ、Ｂａ₃ＳｉＯ₅並びにＢａ₂Ｓｉ₃Ｏ₈である。新規の種類の相について有利な結果は、例えば次の頂点を有する正方形内にあるバッチ化学量論を提供する：
（１） ＳｉＯ₂：ＳｉＮ_4/3：ＢａＣＯ₃＝０．５２５：０．２５：０．２２５（Ｂａ_1.8Ｓｉ_6.2Ｏ_10.2Ｎ_2.67に相当）；
（２） ＳｉＯ₂：ＳｉＮ_4/3：ＢａＣＯ₃＝０．４２５：０．２５：０．３２５（Ｂａ_2.6Ｓｉ_5.4Ｏ_9.4Ｎ_2.67に相当）；
（３） ＳｉＯ₂：ＳｉＮ_4/3：ＢａＣＯ₃＝０．４７５：０．１５：０．３７５（Ｂａ₃Ｓｉ₅Ｏ_10.6Ｎ_1.6に相当）；
（４） ＳｉＯ₂：ＳｉＮ_4/3：ＢａＣＯ₃＝０．５７５：０．１５：０．２７５（Ｂａ_2.2Ｓｉ_5.8Ｏ_11.4Ｎ_1.6に相当）。

この新規の種類の相組成は、バッチ混合物においてＢａＣＯ₃：ＳｉＯ₂比が１：１．５〜１：２の間にある場合に特に純相により優れている。これに、次いでＳｉＮ_4/3が混合される。全体で、このＳｉＮ_4/3の割合は、少なくとも１５％であり、最大で５５％であるのが好ましい。最良の試料は、ＳｉＮ_4/3 ２０〜３０％で生じる。

図３は、前記相空間のスクリーニングを示し、その際、蛍光体効率、色度座標及び２％Ｅｕ付活剤濃度（Ｂａ位置の置換）で４００ｎｍでの励起についての主要発光波長が記載されている。

この新規の相は、２％Ｅｕのドーピングで、一般にほぼλdom＝５３７±３ｎｍで発光する。全ての他の公知の単独のＥｕドープされたＢａ−ケイ酸塩及びＢａ−ＳｉＯＮは明らかにより短波長で発光する。このために、Ｂａ−オルトケイ酸塩だけを蛍光する化合物として示す試料ＢＰ１２８／０７を参照する。この蛍光体ＢａＳｉ₂Ｏ₂Ｎ₂：Ｅｕ（約５００ｎｍ）は、選択された合成条件で、特にこの低い温度ではまず全く生じない。

表４ａ／４ｂは、多様なＥｕ濃度について及び４００又は４６０ｎｍの励起波長についての選択されたバッチ化学量論（高い相純度）の効率を示す。

第２の強熱（添え字「ａ」を有する試料）は、一般に結晶度が改善され、かつ前記試料の効率は高められる。４６０ｎｍの励起では、一般にいくらか高いＥｕ濃度が有利である。これは、励起スペクトルの調査の際の所見と一致する。

図４は、ｘ＝０．０２〜ｘ＝０．２の範囲内の多様なＥｕ濃度についてのバッチ化学量論Ｂａ_2-xＥｕ_xＳｉ₅Ｏ₉Ｎ₂での発光スペクトルを示す。これは、Ｍ １、５及び１０Ｍｏｌ％に相当する。しかしながら、Ｅｕのより高い濃度も可能である。

図５は、一定のｘ＝０．０４（２％Ｅｕ）、ｙ＝０又は＝０．４８（Ｂａに代えてＳｒ約２５％）についてのバッチ化学量論Ｂａ_2-x-yＳｒ_yＥｕ_xＳｉ_4.6Ｏ_9.2Ｎ_1.8での発光スペクトルを示す。期待されたように、Ｓｒのようなより小さなイオンの組み込みは、短波長の発光を生じる。より小さなイオンは、周囲の格子原子とのより強い相互作用を引き起こし、これはまた長波長へのシフトを生じる。この発光は、ここでは具体的に、５２３ｎｍから５４３ｎｍまでの約２０ｎｍ分がシフトする、つまり新規の種類の蛍光体は、対応する適用に容易に適合させることができる。

図６は、３種の異なるバッチ化学量論での発光波長を示す。化学分析により決定された相に近いバッチ化学量論、例えばＢａ₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂では、その都度、Ｅｕドープされた蛍光体の極めて類似の主要発光波長が生じる。

図７は、４００ｎｍの励起波長での付活剤濃度の関数としての相対的粉末輝度を示す。この有利なＥｕ濃度は、Ｅｕ５〜１５％である。

図８は、４６０ｎｍの励起波長での付活剤濃度の関数としての相対的粉末輝度を示す。この有利なＥｕ濃度は、Ｅｕ５〜１５Ｍｏｌ％である。この粉末輝度は、放射される光子の数と入射される光子の数との割合についての尺度である。

図９は、多様なＥｕ濃度についての新規Ｂａ−ＳｉＯＮ（ここではバッチ化学量論Ｂａ_2-xＥｕ_xＳｉ_4.6Ｏ_8.6Ｎ_1.8）の励起性を示す。この蛍光体は、約２５０〜４７０ｎｍの広いスペクトル領域で良好に励起可能である。

図１０は、新規Ｂａ−ＳｉＯＮ（この場合：３種の異なるバッチ混合物）の励起性を示す。正確なバッチ化学量論とは相対的に無関係に、その都度、記載されたバッチ化学量論について類似の励起スペクトルが生じる。２％のＥｕ割合を有する試料Ｂａ₃Ｓｉ₆Ｏ₁₂Ｎ₂において、わずかな異質相の割合により前記スペクトルの軽度な変形が生じる。

本発明による蛍光体は、他のＵＶ光源又は青色光源、例えば分子線放射体（Molekularstrahler）（例えば、Ｉｎ放電ランプ）、青色ＯＬＥＤとの関連において、又は、青色ＥＬ−蛍光体と組み合わせて使用することもできる。

前記蛍光体は、色安定性の効率的なＬＥＤ又は変換型ＬＥＤをベースとするＬＥＤモジュールの製造を可能にする。他の適用分野は、良好な演色を有するＬＥＤ、カラーオンデマンドＬＥＤ又は白色ＯＬＥＤである。更に、この新規蛍光体は、慣用のランプ、特に蛍光灯でも、さらにＣＲＴ、ＰＤＰ、ＦＥＤなどの電子機器のためにも適用できる。

緑色光のための光源の構造は図１１に明確に示されている。この光源は、例えば４０５ｎｍのＵＶにおいてピーク発光波長を有するＩｎＧａＮタイプのチップ１を有する半導体素子であり、前記半導体素子は、光不透過性のベースハウジング８内の凹設部９の範囲内に埋め込まれている。前記チップ１は、ボンディングワイヤ１４を介して、第１のコネクタ３と接続されていて、かつ第２の電気的コネクタ２と直接接続されている。前記凹設部９は注型材料５で充填されていて、前記注型材料は主成分としてシリコーン樹脂（８０〜９０質量％）及び蛍光体顔料６（一般に２０質量％より少ない）を含有する。前記凹設部は壁１７を有し、前記壁は、前記チップ１又は前記顔料６からの一次放射線及び二次放射線のためのリフレクターとして用いられる。ＵＶ−ＬＥＤの一次放射線は、蛍光体により完全に緑色に変換される。この使用された蛍光体は、上記のＢａ−ＳｉｏｎのＢａ₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂：Ｅｕである。

従って、ＵＶ放射源により励起され、赤色、緑色及び青色で発光する３種の蛍光体を使用することで、同様に白色効用の光源を実現することもできる。この緑色蛍光体は、新規の種類のＢａ−ＳｉｏｎのＢａ₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂：Ｅｕであり、赤色蛍光体は例えばＣａ₅Ａｌ₄Ｓｉ₈Ｎ₁₈：Ｅｕ又はニトリドシリケート（Ｃａ，Ｓｒ）₂Ｓｉ₅Ｎ₈：Ｅｕであり、青色蛍光体は例えばアルミン酸塩蛍光体又はリン酸塩蛍光体、例えばＢＡＭ：Ｅｕ又はＳＣＡＰ：Ｅｕ等である。

白色光のための他の光源の構造は図１２に明確に示されている。この光源は、例えば４６０ｎｍのピーク発光波長を有するＩｎＧａＮタイプの青色に発光するチップ１１を備えたＬＥＤタイプの半導体素子１６である。この半導体素子１６は、側壁１５及びカバー１９を備えた光不透過性ベースハウジング１８内に組み込まれている。前記チップは２種の蛍光体用の一次光源である。第１の蛍光体１４は、オキシニトリドシリケートのＢａ2Ｓｉ5Ｏ9Ｎ2：Ｅｕ（１０％）であり、これは前記チップ１３の一次放射線を部分的に変換して、ピーク発光５３０ｎｍの緑色の放射線にする。第２の蛍光体は、新規の種類のニトリドシリケート（Ｃａ，Ｓｒ，Ｍｇ）₅Ａｌ₄Ｓｉ₈Ｎ₁₈：Ｅｕであり、前記チップ１３の一次放射線を部分的に変換して、ピーク発光６３０〜６６０ｎｍの赤色放射線にする。

発光変換型ＬＥＤのために長波長の一次光源（４５０〜４６５ｎｍ）を使用する特別な利点は、この場合、ケーシング及び樹脂又は蛍光体の劣化及び分解の問題が回避されるので、長い寿命が達成されることである。

他の実施例の場合に、白色ＲＧＢ発光変換型ＬＥＤ用の一次光源として、ＵＶ−ＬＥＤ（約３８０ｎｍ）を使用し、その際、ここではケーシング及び樹脂又は蛍光体の劣化及び分解の問題は、ケーシング材料の入念な選択、ＵＶ耐性樹脂成分の添加のような付加的な公知の措置によりできる限り十分に回避しなければならない。この解決策の多大な利点は、発光色の低い視野角依存性及び高い色安定性である。

図１３は、水銀不含のガス充填物２１（図式化された）を有する低圧放電ランプ２０を示し、これは、インジウム化合物及び緩衝ガスをWO 02/10374と同様に含有し、その際、層２２はＢａ−Ｓｉｏｎからなる。通常は、蛍光灯の場合には、いわゆるトリプルバンド蛍光体が使用される。このために、青色蛍光体及び赤色蛍光体が混合されている。良好に適しているのは、ＢＡＭ：Ｅｕ又はＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇並びに赤色ニトリドシリケート（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）₂Ｓｉ₅Ｎ₈：Ｅｕである。

この蛍光体系は一方でインジウム放射線に適合されている、それというのも前記放射線は、ＵＶスペクトル領域並びに青色スペクトル領域の本質的な成分を有し、前記の２つの成分は同様に良好に吸収されるためである。この混合物は、通常の蛍光灯用にも適している。同様に、US 4 810 938から自体公知のような高圧ベースのインジウムランプにおける適用も可能である。緑色改善も可能である。この場合、前記ランプは、金属ハロゲン化物充填物を有する通常の放電容器を有する。前記放射線は外側管上の蛍光体層上に当たり、前記層が一次放射線の一部を緑色の放射成分に変換する。前記蛍光体層は、Ｂａ−Ｓｉｏｎ：Ｅｕからなる。この技術は、原則として、例えばUS-B 6 958 575に記載されている。

更なる情報は、次の表４ａ及び４ｂに含まれている。表４ａは、４００ｎｍの波長での励起に関する。表４ｂは、４６０ｎｍの波長での励起に関する。両方の表は、多様な実施例についての秤量化学量論、付活剤の濃度、色度座標成分ｘ及びｙ、主要波長、相対的量子効率Ｑ．Ｅ．及びパーセントで示す相対的輝度を示す。

他の実施例は、少なくとも１つのセットの３種の赤色、緑色及び青色に発光するＬＥＤからなるＬＥＤモジュールである。このＲＧＢモジュールは、ＬＣＤディスプレー又はＰＲＴＶ装置の励起のために使用される。この緑色ＬＥＤは一次ＵＶ発光ｐｃ−ＬＥＤ（蛍光体変換型ＬＥＤ）であり、前記ＬＥＤは新規の種類の緑色Ｂａ−Ｓｉｏｎを用いて緑色放射線に変換する。このＵＶ−ＬＥＤのピーク波長は、特に４００ｎｍである。前記モジュールの運転時の温度は、容易に２００℃に上昇し、これは熱安定性の蛍光体が問題なく克服する。

基本的に、Ｓｉは少なくとも部分的にＧｅにより、有利に２０Ｍｏｌ％まで置き換えられていることもできる。しかしながら完全に置き換えられていることも可能である。

Ｂａ及び／又はＳｒだけの代わりに、付加的にＣａ及び／又はＭｇ及び／又はＺｎ及び／又はＣｕもカチオンＭの構成成分であることもできる。有利にこの割合は、前記カチオンＭの３０Ｍｏｌ％より高くはない。

Ｅｕ及び／又はＣｅだけの代わりに、前記の新規の蛍光体はＭｎ又はＹｂで付加的に共ドープ（kodotieren）されていてもよい。良好な結果は、Ｅｕ、Ｙｂの共ドーピングが提供する。更に、付活剤としてＴｂ3+を使用することもでき、単独で又は他の付活剤と組み合わせて使用することもできる。Ｃｅを用いたドーピングにより、ＵＶ励起、特に公知のＨｇ−ライン２５４ｎｍでの励起の際に、ＵＶ〜青色発光する蛍光体を生じ、純粋なＴｂバリエーションは同様のＵＶ励起の際に緑色に発光する。

図１４は、２５４ｎｍでの深ＵＶでの励起の際の蛍光体（Ｂａ_0.95Ｔｂ_0.05）₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂のＴｂ³⁺ドープされた試料の発光スペクトルを示す。このＴｂ³⁺ドープされた試料は、Ｔｂ³⁺発光の場合によく観察される典型的な線形放射を示す。この蛍光体は、式Ｂａ₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂：（Ｔｂ，Ｃｅ）のように、更にＣｅで敏感化することができる。この蛍光体の場合には、励起性がより長波長となる傾向があり、単独のＣｅドープされた試料により似てくる。

図１５は、３３８ｎｍでの励起についてのＣｅドープされた試料（Ｂａ_0.98Ｃｅ_0.02）₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂の発光スペクトルを示す。この実施例は青紫に発光する。図１６は、同じ試料の励起スペクトルを示し、その際この発光は３７８ｎｍで観察された。

表５中では、タイプＢａ₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂：Ｄ（その際、ドーピングＤ＝Ｅｕ、又はＤ＝Ｃｅ、又はＤ＝Ｔｂ並びにＤ＝（Ｅｕ，Ｍｎ）及びＤ＝（Ｅｕ，Ｃｅ））の多様にドープされた蛍光体が対比されている。それぞれの色度座標成分ｘ及びｙが記載されている。この場合、Ｅｕドープされた実施例を対照として用いる。それと比較して、（Ｅｕ，Ｃｅ）共ドープされた試料は色度座標のシフトは示さない、それというのもこのＣｅバンドは３７０〜４００ｎｍの範囲内の励起の際に明らかとならないためである。

このＣｅドープされた試料は青紫に発光する。このＴｂドープされた試料は、緑色の線形放射を示す。共ドープとしてのＭｎ²⁺のＥｕ²⁺への組み込みは少量で可能である。Ｃｅドープされた蛍光体及びＣｅ，Ｔｂ共ドープされた蛍光体は、蛍光灯のため又は他のＵＶ光源、例えば遠ＵＶで励起しかつ例えば３帯域混合を使用するエキシマ放射体のためにも適している。この新規のＣｅドープされたＳｉｏｎ蛍光体及びＣｅ，Ｔｂ共ドープされたＳｉｏｎ蛍光体を用いて、従って、近ＵＶ用の又は約３８０〜３９０ｎｍでピーク発光を有する光源を実現することができる。この場合、前記Ｓｉｏｎは唯一の蛍光体である。２５０〜３７５ｎｍの範囲内で良好に可能である励起は、特に２９０〜３４０ｎｍの範囲内で効率的に行われる。

一般に、特にＴｂ³⁺ドープされた実施例及びＣｅ³⁺ドープされた実施例の効率は、これに少量のＬｉ⁺及び／又はＮａ⁺が組み込まれ、これは電荷補償に利用される場合に最適化される。この付加的な正の電荷は、一般に、１価のイオン、例えばＬｉ又はＮａによって導入することができ、その他には、さらにＢａ／Ｓｉ比のわずかな変更又はＯ／Ｎ比のわずかな変更を行うことができる。

この新規の熱安定性の蛍光体の特性は、Ｍ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系から由来し、カチオンＭを有し、その際、ＭはＢａ又はＳｒにより単独で又は混合した形で表されるか、又はさらにＣａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｕのグループからなる少なくとも１つの他の元素と組み合わされていてもよく、その際、前記蛍光体はＥｕ又はＴｂにより単独で、又は混合した形で、場合によりＭｎと共ドープされた形で付活されていて、その際、前記付活剤Ｄは前記カチオンを部分的に置き換えることが重要である。前記蛍光体は、公知の蛍光体のＭＳｉ₂Ｏ₂Ｎ₂と比べて高められた酸素含有量を有するバッチ化学量論ＭＯ−ＳｉＯ₂−Ｓｉ₃Ｎ₄から製造されているため、前記蛍光体は主に組成ａＭＯ×ｂＳｉＯ₂×ｃＳｉ₃Ｎ₄を有する。従って、その化学量論は、主に式Ｍ_aＳｉ_b+3cＯ_a+2bＮ_4cに従う。

この場合、ａ、ｂ、ｃは整数である必要はない。前記蛍光体は、この場合、比Ｏ：Ｍ＞１であり、かつ比Ｏ：Ｓｉ＞２であることを特徴とする。

ａ、ｂ及びｃの間の関係が、ｂ：ｃ＝４．８〜８．０及び／又はａ：ｃ＝３．５〜５．５であることが通用するように維持される蛍光体は特に良好な結果を示す。有利に、ｂ：ｃは５〜６の範囲内であり及び／又はａ：ｃは３．５〜４の範囲内にある。

この観点で特に優れた蛍光体は、バッチ化学量論Ｂａ₉Ｓｉ₂₁Ｏ₃₆Ｎ₁₀又は他にはＢａ₃Ｓｉ₇Ｏ₁₂Ｎ_3.3を有する。この蛍光体は、上記の製造方法によって特に高い相純度で製造することができ、かつ優れた効率を示す。

図１７は、バッチ化学量論Ｂａ₃Ｓｉ₇Ｏ₁₂Ｎ_3.33：Ｄを有する蛍光体の粉末輝度の比較を示し、その際、Ｂａの割合に対してＤ＝１０％Ｅｕを有する試料を、同じ種類の試料であるがこの場合Ｄ＝９．７５％Ｅｕ＋０．２５％Ｙｂが選択されたことが異なる試料と比較した。図１７は、Ｙｂの添加が、単独のＥｕドープと比較して粉末輝度を約３％高めることを示す。

図１８は、バッチ化学量論Ｂａ₃Ｓｉ₇Ｏ₁₂Ｎ_3.33を有するＥｕドープされた蛍光体タイプの粉末輝度と、バッチ化学量論Ｂａ₃Ｓｉ₆Ｏ₁₂Ｎ₂を有する蛍光体タイプの粉末輝度との比較を示す。この場合、製造条件を同じように変えて、それによりモデル１〜７が得られた。製造条件とは無関係に、バッチ化学量論Ｂａ₃Ｓｉ₇Ｏ₁₂Ｎ_3.33を有する蛍光体の粉末輝度は、バッチ化学量論Ｂａ₃Ｓｉ₆Ｏ₁₂Ｎ₂による秤量をベースとする蛍光体の粉末輝度よりも常に高く、具体的には約２〜２８％高い。バッチ化学量論Ｂａ₃Ｓｉ₇Ｏ₁₂Ｎ_3.33を有する前記試料のＸ線構造分析により、前記試料は全ての試験した試料の最小の線幅（最小の平均微小歪み（geringste mittlere Mikroverzerrung））を有するという結果が生じる。この表示は、ａ＝７．５０９４（１）Å及びｃ＝６．４７５３（１）Å、格子体積Ｖ＝３１６．２３ųを有する三方晶又は六方晶の空間群を示す。可能な組成の体積増加の考慮下でのバリウム位置の矛盾のない記載は、空間群Ｐ３又はＰ−３である。この蛍光体は、電気的中性の考慮下でX線写真による特性決定から、理想的組成Ｂａ_2.5Ｓｉ₆Ｏ_11.5Ｎ₂を示す。それに対して、バッチ化学量論Ｂａ₃Ｓｉ₆Ｏ₁₂Ｎ₂として選択することにより製造した組成Ｂａ₃Ｓｉ₆Ｏ₁₂Ｎ₂を有する蛍光体を試験する場合、最終生成物として主に、より小さな格子定数ａ及びｃを有する相並びに異質相ＢａＳｉ₂Ｏ₅の有意な割合が生じる、表３も参照。一般に、化学量論Ｍ_2.5Ｓｉ₆Ｏ_11.5Ｎ₂を有するタイプの蛍光体（その際、Ｍ＝Ｂａ単独又５０Ｍｏｌ％より多い優勢である）は、優れた特性を示す。この場合、Ｅｕ又は（Ｅｕ，Ｙｂ）又はＣｅのドーピングが有利である。

図１９は、高い温度での持続時間の関数としての粉末輝度を示す。この強熱での持続時間は時間で示されている。強熱での１３００℃の温度は、約５〜８時間の範囲内の最適持続時間を示す。良好な結果は、４〜１０時間の期間に達成される。

図２０は、粉末輝度に関する融剤の影響を示す。融剤を用いて、粉末輝度の向上が達成され、この向上は融剤に応じて約２〜３０％である。特に、塩化物、とりわけＢａ及びＳｒ、及び炭酸塩、とりわけＬｉが適している。前記バッチ化学量論において、前記融剤の有利な割合は０．０１〜５質量％であり、特に０．１〜３質量％の値の範囲が適している。

図２１は、図３に示したのと同様の状態図を示す。この場合、特に高い効率及び相純度を示すバッチ化学量論は、Ｂａ₂Ｓｉ_4.6Ｏ_8.6Ｎ_1.8及びＢａ₂Ｓｉ₅Ｏ₉Ｎ₂及びＢａ₃Ｓｉ₇Ｏ₁₂Ｎ_3.3である。これらは、全て、ＳｉＮ_4/3割合が２０〜３０％である帯域中にある。有利に、このバッチ化学量論は、書き込まれた四角形内にあり、この四角形は更に６５〜７５％のＳｉＯ₂割合の境界線を有する。それに対して、モデルＢａ₃Ｓｉ₆Ｏ₁₂Ｎ₂は、約１７％のＳｉＮ_4/3割合であり、明らかに悪い相純度及び効率を有する。バッチＢａ₃Ｓｉ₇Ｏ₁₂Ｎ_3.3の化学量論には、比ＢａＣＯ₃：ＳｉＯ₂が約１：１．５であることが通用する。ＳｉＮ_4/3の割合は、約２５％である。この不正確性は、大抵はＥｕ₂Ｏ₃を介して導入されるＥｕのドーピング含有量に関する。強熱されたバッチ化学量論のＢａ₃Ｓｉ₇Ｏ₁₂Ｎ_3.3（Ｎ：Ｏ＝１：３．６）の質量スペクトル分析は、Ｂａ₃Ｓｉ₆Ｏ₁₂Ｎ₂（Ｎ：Ｏ＝１：６）と比べて高い窒素割合が確認された。図２１からの化合物は、Ｂａについて２％Ｅｕを有する蛍光体として解釈され、つまり例えばＭ＝（Ｂａ_0.98Ｅｕ_0.02）がＭ₃Ｓｉ₇Ｏ₁₂Ｎ_3.3中のカチオンＭとして解釈される。

表６ａ中には、主にＳｉＮ_4/3の割合が２０〜３０％の範囲内の異なるバッチ化学量論の多様な蛍光体についての構造の特性値を示す。ドーピング含有量は、Ｅｕ２Ｍｏｌ％である。格子定数ａ及びｃ並びに異質相が記載されている。

表６ｂは、多様な実施例について、秤量化学量論、効率、色度座標成分ｘ及びｙ、主要波長及び相対的量子効率Ｑ．Ｅ．（パーセントで示し、かつ４００ｎｍの励起波長に対する）を示す。ドーピング含有量は、Ｅｕ２Ｍｏｌ％である。

表３

表４ａ

表４ｂ

表５

Claims (17)

1. カチオンＭ及び付活剤Ｄを有し、ＭはＢａ又はＳｒにより単独又は混合した形で表され、かつ場合により付加的にＣａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｕのグループからなる少なくとも１つの他の元素と組み合わされているＭ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系からなり、Ｅｕ又はＣｅ又はＴｂにより単独で又は混合した形で、場合によりＭｎ又はＹｂと共ドープされた形で付活されていて、前記付活剤ＤがカチオンＭを部分的に置き換えているＭ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系からなる熱安定性蛍光体において、前記蛍光体は、バッチ化学量論ＭＯ−ＳｉＯ₂−ＳｉＮ_4/3から製造されていて、公知の蛍光体のＭＳｉ₂Ｏ₂Ｎ₂：Ｄと比べて高い酸素含有量を有し、その際、ＭＯはＭの酸化物化合物であることを特徴とする、熱安定性蛍光体。
2. ＭＯの割合が、化合物ＭＣＯ₃を介して導入されていることを特徴とする、請求項１記載の蛍光体。
3. ＭはＢａ単独又は優勢である、つまり５０％より多いことを特徴である、請求項１記載の蛍光体。
4. バッチ混合物の比ＭＣＯ₃：ＳｉＯ₂は１：１．５〜１：２（境界値を含める）であることを特徴とする、請求項２記載の蛍光体。
5. 系ＭＣＯ₃−ＳｉＯ₂−ＳｉＮ_4/3中のバッチ混合物のＳｉＮ_4/3割合は、少なくとも１５％であり、かつ特に高くても５５％であることを特徴とする、請求項４記載の蛍光体。
6. 前記ＳｉＮ_4/3割合は、少なくとも２０％であり、特に高くても３０％であることを特徴とする、請求項５記載の蛍光体。
7. 前記蛍光体自体は、化学量論Ｍ_2.5Ｓｉ₆Ｏ_11.5Ｎ₂を有し、その際、特にＭはＢａ単独であるか又は５０Ｍｏｌ％より多い優勢であることを特徴とする、請求項１記載の蛍光体。
8. 前記蛍光体は主に化学量論Ｍ_aＳｉ_b+3cＯ_a+2bＮ_4cを有し、その際、特にｂ：ｃ＝４．８〜８．０及び／又はａ：ｃ＝３．５〜５．５であることを特徴とする、請求項１記載の蛍光体。
9. ｂ：ｃは５〜６の範囲内にあり、同時にａ：ｃは３．５〜４の範囲内にあることを特徴とする、請求項８記載の蛍光体。
10. 請求項１から９までのいずれか１項に記載の蛍光体を有する光源。
11. 前記光源はＬＥＤであることを特徴とする、請求項１０記載の光源。
12. 請求項１から９までのいずれか１項記載の蛍光体の製造方法において、次の方法工程：
    ａ） 物質ＭＣＯ₃、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄及び付活剤物質の前駆体、特にＤの酸化物、有利にＥｕ₂Ｏ₃を単独で又はＹｂ酸化物と組み合わせた形で、数時間、特に２〜６時間にわたり均質化する工程；
    ｂ） １：１．５〜１：２のＭＯ：ＳｉＯ₂の比率（限界値を含める）の考慮下で前記物質を混合する工程；
    ｃ） 前記バッチ混合物を、還元条件下で、１２００〜１４００℃の温度で、数時間、特に４〜１０時間、第１の強熱する工程；
    ｄ） 場合により、前記強熱ケークを粉砕する工程；
    ｅ） 場合により、還元条件下で、８５０〜１４５０℃の温度で、第２の強熱する工程；
    を特徴とする、蛍光体の製造方法。
13. ＭＯの割合が、化合物ＭＣＯ₃を介して導入されていることを特徴とする、請求項１２記載の方法。
14. バッチ混合物の比率ＭＣＯ₃：ＳｉＯ₂は１：１．５〜１：２（境界値を含める）であることを特徴とする、請求項１３記載の方法。
15. 前記系のＭＣＯ₃−ＳｉＯ₂−ＳｉＮ_4/3としての表示中のバッチ混合物のＳｉＮ_4/3割合は、少なくとも１５％であり、かつ特に高くても５５％であることを特徴とする、請求項１４記載の方法。
16. 前記ＳｉＮ_4/3割合は高くても３０％であることを特徴とする、請求項１５記載の方法。
17. 融剤、有利に塩化物又は炭酸塩を、融剤なしのバッチ化学量論に対して、高くても５質量％の割合で使用することを特徴とする、請求項１１記載の方法。

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