200950577 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種顯示裝置，其具有一包括複數個子元 件之顯示元件。 【先前技術】 近年來’隨著顯示裝置替換液晶顯示器，一種使用有機 發光元件之有機EL顯示器已付諸於實際使用。因為有機 EL顯示器係自發射，故與液晶顯示器或類似者相比其係具 有一較大視角。此外，有機EL顯示器具有對甚至一高畫 質、高速視訊信號之足夠回應性。 在相關技術之有機發光元件中，係有一種改進顯示效能 之方法。一共振器結構係引入，且在一發光層中產生之光 係藉由改進經發射色彩之色彩純度、改進光發射效率或類 似者來控制。（例如，參考國際公告案w〇 〇1/39554小 冊;）。 此一有機EL顯示器包括一驅動元件，其係例如基於一影 像信號驅動一有機發光元件之薄膜電晶體。在此一有機虹 顯不器巾’係有其中一短路(例如)由於在製造程序期間或 類似者混合的-異物發生在一驅動元件之一源極電極與一 汲極電極之間的情況。此可導致一亮點缺陷發生在對岸於 短路之有機發光元件中。自然地，當具有此亮點缺陷之有 機發光元件的數目增加時，亮度非均句性變得顯著，且係 難以顯不南晝質影像。 為了此原因’已提出—種裝置，其中複數個子元件構成 137423.doc 200950577 一有機發光元件，且降τ 士从μ 7 示了有缺心子元件以外（ 件的階度係藉由-配置在夂不。“ 猶)子70 之電路料校正紐射階度 化74號）。 4日本未審&專利公告案第2007- . 【發明内容】 •右Γ、Γ雜在日本未審定專利公告案第2〇〇7_41574號中，係 以致敕個=分地校正子元件之階度’且電路組態係複雜 Φ 裝置之大小減少可能受干擾的情況。此外，近些 日子❹冑素佔用之一區域已減少以獲得更高晝質之 影像或圖像，著此趨向，在彼此緊鄰之驅動元件之間， 2有電極間之-短路由於一混合異物或類似者而增加的趨 向。因此，需要一適合一且古鲂古 、口八有較冋畫質之影像顯示的有機 肛顯示器’且在製造程序期間幾乎不產生缺陷。 鑑於上文，係需要提供一種能在製造程序期間展現更有 利顯示效能而不減少產出率（yieldrate)的顯示裝置。 ❹才艮據本發明之一具體實施例，係提供一種顯示裝置，盆 包括：一顯示元件，其包括複數個子元件’該複數個子元 件刀別連接至保持電容；複數個寫入電晶體，其孫配置分 别對f於該複數個子元件’且將一影像信號寫入至該等保 持電容；及複數個驅動電晶體，其分別基於透過該複數個 寫入電晶體寫入的該影像信號驅動該等子元件。本文中， 2複數個寫入電晶體、該複數個驅動電晶體或其兩者係沿 =極-沒極對準方向對準，其中該等寫入電晶體及驅動 電曰曰體中之各電晶體之一汲極電極及一源極電極係對準， 137423.doc 200950577 及該等寫入電晶體、該等驅動電晶體或其兩者係配置以致 -對電晶體中之没極電極或源極電極係彼此緊鄰，該對電 晶體係該等寫入電晶體或該等驅動電晶體之一對，且係彼 此緊鄰。 在根據本發明之具體實施例的顯示裝置中，該複數個寫 入電晶體、該複數個驅動電晶體或其兩者係沿一源極-汲 極對準方向對準，其中該等寫入電晶體及驅動電晶體中之 各電晶體之一汲極電極及一源極電極係對準，及該等寫入 電晶體、該等驅動電晶體或其兩者係配置以致一對電晶體 中之沒極電極或源極電極係彼此緊鄰，該對電晶體係該等 寫入電晶體或該等驅動電晶體之一對，且係彼此緊鄰。因 此，由於藉由製造程序期間或類似者經混合之一導電異物 造成之彼此緊鄰的該等寫入電晶體或彼此緊鄰的該等驅動 電晶體間之-短路的-半暗點缺陷或一亮點缺陷幾乎不發 生。明確言之’因為不同類型的電極係配置彼此相對遠 離’藉由經混合的導電異物造成之短路的可能性減少。尤 其係’當相同類型之電極具有彼此相等的電位時，即使導 電異物係混合在相同類型之電極間，寫入電晶體及驅動電 =異常操作亦係罕見。因此，即使顯示裝置高度整合亦 了預期改進產出率。 在根據本發明之具體實施例的顯示裝置中，一顯示元件 =複數個子元件’且對應於該複數個子元件，係分別配 個寫入電晶體及複數個驅動電晶體。因此，即使在 其中一缺陷發生在該等子元件之一部分中的情況中，該等 137423.doc 200950577 子元件整體係藉由調整及利用除了有缺陷子元件以外之正 常子元件而防止一暗點。此外，在一對彼此緊鄰之寫入電 晶體與一對彼此緊鄰之驅動電晶體中，相同類型之電極係 配置地比不同類型電極更接近《因此，可抑制一半暗點缺 陷或一亮點缺陷的發生。因此，可展現更有利顯示效能而 不減少製造程序期間之產出率。 自以下說明將更完整明白本發明之其他及進一步目的、 特徵及優點。 _ 【實施方式】 本發明之較佳具體實施例現將參考附圖詳細說明。 圖1說明一使用根據本發明之具體實施例的一有機發光 元件的顯示裝置之組態。此顯示裝置係用作一超薄有機發 光彩色顯示裝置或類似者。在該顯示裝置中，一顯示區 110係形成在一基板111上。在基板111上的顯示區n0之周 邊上’形成用作一影像顯示之驅動器的（例如）一信號線驅 ❹ 動電路120、一掃描線驅動電路130及一電源供應線驅動電 路 140。 在顯示區110中，複數個有機發光元件i〇(1〇R、10(}及 10B)係二維地配置在一矩陣中，且形成一驅動有機發光元 件10之像素驅動電路150。在像素驅動電路15〇中，複數個 信號線120A(120A1至120Am)係配置在一行方向中，且複 數個掃描線130A(130A1至l30An)及複數個電源供應線 140A(140A1至140ΑΠ)係配置在一列方向中。在各信號線 120A與各掃描線130A之間的各相交處，有機發光元件 137423.doc 200950577 1 OR、10G及1 OB之任一者係對應於該相交而配置。各信號 線120A係連接至信號線驅動電路12〇，各掃描線13〇A係連 接至掃描線驅動電路13〇 ’且各電源供應線14〇a係連接至 電源供應線驅動電路140。 信號線驅動電路120根據自一信號供應源（未在圖中顯 示）供應之焭度資訊透過信號線120A供應一用於影像信號 的心號電壓至選定有機發光元件1 〇R、1 〇G或1 〇B。 掃描線驅動電路130係組態具有一移位電阻器或類似 者’其與一輸入時脈脈衝同步按順序偏移一開始脈衝。在 寫入一影像信號至有機發光元件1 OR、1 0G及1 0B之各者的 時間處，掃描線驅動電路130逐線地掃描有機發光元件 1 〇R、10G及10B，及供應掃描信號至序列中之各掃描線 130A。 電源供應線驅動電路14 0係組態具有一移位電阻器或類 似者’其與一輸入時脈脈衝同步按順序偏移一開始脈衝。 藉由知描線驅動電路130與逐線地掃描同步，電源供應線 驅動電路140適當地供應彼此不同之一第一電位及一第二 電位之一至各電源供應線140A。因而，驅動電晶體dr 1至 DR4中之一導電狀態或一非導電狀態（稍後討論）被選定。 圖2 §兒明像素驅動電路1 5 〇之一範例。像素驅動電路15 〇 係—包括驅動電晶體DR1至DR4及寫入電晶體WR1至 WR4 ’及驅動電晶體DR1至DR4與寫入電晶體WR1至WR4 間之電容器（保持電容）Csl至Cs4的主動驅動電路。有機發 光元件10R(或10G或10B)包括複數個部分發光區1〇1至 137423.doc 200950577 104。部分發光區1〇1至1〇4係在電源供應…嫩與共同電 源供應線（GND)之間分別串聯連接至驅動電晶體腕至 DR4M區動電晶體贿至刪及寫入電晶體咖至刪經 組態具有-典型薄膜電晶體（TFT)。所之結構係不明確地 • P艮制’及可為-倒轉交錯結構(所謂底部閘極類型)或一交 錯結構（頂部閘極類型）。此外，較佳係驅動電晶體DRI至 DR4及寫人電晶體㈣至術具有例如彼此相等的電容之 參數。 在寫入電晶體侧至_中，（例如）各沒極電極係連接 至信號線120A，且係供應一來自信號線驅動電路12〇的影 隸號。寫入電晶體WR1至WR4之各閘極電極係連接至掃 祂線130A，且係供應一來自掃描線驅動電路之掃描信 號。此外，寫入電晶體WR1至WR4之源極電極係分別連接 至驅動電晶體DR1至DR4的閘極電極。 在驅動電晶體聰至刪中，（例如）各沒極電極係連接 〇 纟電源供應線14GA，且電位係藉由電源供應線驅動電路 1 〇»又定為第一電位或第二電位。驅動電晶體 各源極電極係分別連接至部分發光區101、102、103或104 的一末端。在具體實施例中，雖然描述其中一有機發光元 件10R(或10G或10B)包括四個部分發光區1〇1至1〇4之情 況’但該數目不受限於四個。任何數目係可任意地選擇， 只要其係兩個或兩個以上。 保持電容Csl至Cs4係分別形成在驅動電晶體以^丨至^^斗 的閘極電極（寫入電晶體WR1至WR4的源極電極）與驅動電 137423.doc 200950577 晶體DR1至DR4的源極電極之間。 囷3說明顯示區π 〇之一平面組態的範例。在顯示區1 ^ 〇 中’有機發光元件10R、10G及10B係成整體依序形成在一 矩陣中。明確言之，一金屬層17係設於一晶格圖案中，且 有機發光元件10R、10G及10B之部分發光區1〇1至1〇4係依 序配置在藉由金屬層17分開的區中。有機發光元件10R中 之部分發光區101至104產生紅色光，有機發光元件10〇中 之部分發光區101至104產生綠色光，且有機發光元件1〇B 中之部分發光區101至104產生藍色光。此外，彼此相鄰之 有機發光元件10R、10G及10B的組合構成一像素。在圖3 以虛線指示之一環形區AR1及一島型區AR2係電連接至金 屬層17及一第二電極層16(稍後將描述）的區。一金屬層 25(稍後將描述）及一金屬層26(稍後將描述）係配置在一低 於金屬層1 7的層層級中。儘管圖3說明其中係總共十個有 機發光元件l〇R(l〇G及10B)(2行χ5列）之情況，但數目不受 限於此》 其次，參考圖4至7’將描述配置在基底丨丨上之有機發光 疋件10R ' 10G及10Β的詳細組態。除了有機層15(稍後將 描述）之組態部分地不同以外，有機發光元件1〇R、1〇(3及 10B具有彼此類似的組態。下文中，為了共同部分的描 述’有機發光元件10R將用作一代表範例。 圖4及5說明圖3中顯示的有機發光元件1〇R(或1〇G或1〇B) 及像素驅動電路150之一主要部分的斷面組態.為了更詳 述，圖4係沿圖3中顯示之線iv-iv的斷面圖，且圖5係沿圖 137423.doc •10· 200950577 3中顯示之線V-V的斷面圖。圖6說明一包括圖3顯示的有機 發光元件10R(或10G或10B)中之一第一電極層13(補後將描 述）之層層級的平面組態。 在有機發光元件10R(或10G或10B)中，部分發光區101至 104配置在基底11上。部分發光區1 〇丨至1 〇4係其中光發射 產生之部分。在部分發光區1〇1至1〇4之各者中，一絕緣層 12、成為一陽極電極的第一電極層13、包括稱後將描述之 一發光層15C的有機層15及成為一陰極電極的第二電極層 16將會依此次序自基底U側堆疊^在其間，第一電極層13 及有機層15係分開地提供用於部分發光區至的各 者，且第二電極層16係提供共同用於部分發光區1〇1至 104 °在部分發光區101至104上，一保護膜18及一密封基 板19係依序配置。在部分發光區101至104中，第一電極層 13作用為一反射層，且第二電極層丨6作用為一半透射反射 層。使用第一電極層13及第二電極層16，在發光層15C中 產生的光係多重反射。 即’部分發光區101至104具有一共振器結構，其中一在 第一電極層13之發光層15C侧上的末端面係視為一第一末 端面P1，一在第二電極層16之發光層15C側上的末端面係 視為一第二末端面P2,且一有機層15係視為一共振器，且 因此於發光層15C中產生之光係共振且自第二末端面p2側 取出。以此一共振器結構，發光層1 5 C中產生之光係多重 反射，且產生如一種窄頻濾波器的動作。因而，可能減少 待取出之光的光譜之一半寬度且改進色彩純度。自密封基 137423.doc •11- 200950577 板19側進入的自然光係亦用多重反射變小。藉由額外地使 用一延遲板或一偏光板（未在圖中顯示），部分發光區1〇1至 104中之自然光的反射比可極度地減少。 較佳係絕緣層12之一表面具有一明顯地高平面性。絕緣 層12具有一精細連接孔丨24，其係在對應於部分發光區1〇1 至104之各者的一區之一部分中（參考圖4及6)。此外，絕緣 層12係在對應於區AR1之一位置中具有一連接孔丨25，及 在對應於區AR2的一位置中具有一連接孔126(參考圖4及 5)。因為精細連接孔124及類似者係形成在絕緣層12中， 較佳係絕緣層12由具有高圖案精度之材料製成。明確言 之，例如聚醯亞胺之有機材料係適合。 第一電極層13亦作用為一反射層。為了增加光發射效 率，較佳係第一電極層13由具有儘可能高之反射比的材料 製成。第一電極13具有（例如）1〇〇奈米或更多及1〇〇〇奈米或 更少的厚度’且係由如銀（Ag)、铭（A1)、路（Cr)、鈦（Ti)、 鐵（Fe)、姑（Co)、鎳（Ni)、鉬（Mo)、銅（Cu)、鈕（Ta)、鎢 (W)、翻（Pt)、鈥（Nd)及金（Au)之金屬元素的單物質或其合 金裝成。第一電極層13覆盍對應於絕緣層12中的部分發光 區101至104之一區，並且填充連接孔124。此導致第一電 極層13係導電至驅動電晶體DR1至DR4(驅動電晶體〇111至 DR4中之金屬層216S1至216S4)，其中連接孔124在中間。 在介於第一電極層13之各者間的一間隙中，配置一（例 如）由如聚醯亞胺之有機材料製成的開口定義絕緣層24。 開口定義絕緣層24填充該間隙，且覆蓋第一電極層13之周 137423.doc -12· 200950577 =的:末端面及-頂部表面。開口^義絕緣層_持介於 Γ電極層13與第二電極層I6之間的絕緣性質，及適當地 ”分發光區101至104中之各發光區成為—所需形狀。開 口疋義絕緣層24包括分別對應於部分發光區101至104之四 個開口24K。即，光係自開口24K發射。
有機層15覆蓋與第—電極層13之頂部表面中的開口地 分開之一區而無一間隙。如圖7顯示，(例如)有機層Η具有 —其中-電洞注入層15Α、一電洞運輸層15β、一發光層 15C及f;子運輸層15D係自第一電極層η側依此次序堆 疊之组態。然而’在其間視需要可提供除了發光層BC以 外的層。圓7係圖4及5中顯示之有機層15的一部分之放大 斷面圖。 及用作一防止洩漏 電洞注入層15A增加電洞注入效率 之緩衝層。電洞運輸層15B增加至發光層15c之電洞運輸 效率。在發光層15C中，-電洞及一電子之復合藉由施加 電場發生，且因而產生光。電子運輸層15D增加至發光層 15C的電子運輸效率。在電子運輸層15〇與第二電極層η 之間，可提供一LiF、LhO或類似者之電子注入層（未在圖 中顯示）。 有機層15之組態取決於一來自有機發光元件1〇R、i〇g 或10B之各者的發射光之色彩。有機發光元件1〇R中之電 洞注入層15A具有（例如）5奈米或更多及3〇〇奈米或更少的 厚度，且係由4,4’，4"-三（3曱基笨基苯胺）三苯胺（m_ MTDATA)或 4,4’，4”-二（2 萘基苯胺）三苯胺（2_TNATA)製 137423.doc -13- 200950577 成有機發光7G件l〇R中之電洞運輸層15B具有（例如奈 米或更多及300奈米或更少的厚度，且係由雙萘基）_N_ 苯基]聯苯胺（a~NPD)製成。有機發光元件10R中之發光層 15C具有（例如）1〇奈米或更多及1〇〇奈米或更少的厚度且 係藉由將體積百分比4〇之2,6_雙[4_[N_(4甲氧苯基）_n_苯基 ]苯乙烯胺]萘-1，5_二碳化腈（BSN_BCN)混合至8_經喹仙 錯η物（Alq3)中來組態。有機發光元件1 中之電子運輸層 15D具有（例如）5奈米或更多及3〇〇奈米或更少的厚度且 係由Alq3製成。 有機發光元件1 〇 G中之電洞注入層15 A具有（例如）5奈米 或更多及300奈米或更少的厚度，且係*m MTDATA或2_ TNATA製成。有機發光元件咖中之電洞運輸層⑽具有 (例如）5奈米或更多及3〇〇奈米或更少的厚度，且係由& NPD製成。有機發光元件1〇G中之發光層i5c具有⑽如川 奈米或更多及100奈求或更少的厚度，且係由將體積百分 比3之香豆素6混合至Alq3中而組態。有機發光元件中 之電子運輸層15D具有（例如）5奈米或更多及3〇〇奈米或更 少的厚度，且係由Alq3製成。 有機發光元件l〇B中之電洞注入層15A具有（例如0奈米 或更多及300奈米或更少的厚度’且係由m 或^ TNATA製成。有機發光元件1〇B中之電洞運輸層ΐ5β具有 (例如）5奈米或更多及3〇〇奈米或更少的厚度，且係/由& NPD製成。有機發光元件1〇B中之發光層15(：具有（例如川 奈米或更多及UK)奈来或更少的厚度，且係由螺[環剛 137423.doc 14 200950577 成。有機發光元件1 〇B中之電子運輸層15D具有（例如）5奈 米或更多及300奈米或更少的厚度，且係由Aiq3製成。 第二電極層16具有（例如）5奈米或更多及50奈米或更少 的厚度，且係由如鋁（A1)、鎂（Mg)、鈣（Ca)或鈉（Na)之金 屬元素的單物質或其合金製成。尤其係，鎮及銀的合金 (MgAg合金），或鋁（A1)及鋰（Li)的合金（AlLi合金）係較佳。 第二電極層16係（例如）提供共同用於所有有機發光元件 φ 10R、10G及10B ’且面對有機發光元件10R、10G及10B之 各者中的第一電極層13。此外，第二電極層16不僅覆蓋有 機層15 ’而亦覆蓋開口定義絕緣層24。 金屬層17圍繞部分發光區1〇1至1〇4，及作用為一補償成 為一主要電極之第二電極層16中的電壓降之輔助電極層。 金屬層17係（例如）較佳由具有高導電率及係與第一電極層 13相同之類型的金屬材料製成。針對開口比的改進，金屬 層17較佳係具有儘可能小的一寬度（佔用區域儘可能小）。 〇 此外，金屬層17覆蓋在區AR1中之連接孔125及區AR2中的 連接孔126的至少一内壁。在區AR1及AR2中，金屬層丨7係 用第二電極層16覆蓋。因此，第二電極層16係電連接至金 屬層17。 在其中無金屬層17之情況中，由於根據自一電源（未在 圖中顯示）至有機發光元件1〇尺、1〇G及1〇B之各距離的電 壓降’連接至共同電源供應線GND(參考圖2)的第二電極 層16之電位在有機發光元件10R、10G與10B之間沒有變得 一致’且此可能造成一明顯變動。第二電極層16之電位的 137423.doc •15· 200950577 此一變動並非較佳，因為此可能為顯示區11〇中亮度非均 勻性的原因。即使在其中顯示裝置具有大螢幕之情況中， 金屬層17作用以使自電源至第二電極層16之電壓降減至最 少，且抑制此亮度非均勻性之產生。 如圖4及5中顯示，有機發光元件1〇R(或1〇(}或1〇…進一 步包括覆蓋第二電極層16之氮化矽（SiNx)或類似者的保護 膜18，及在保護膜18上配置之密封基板19。密封基板^協 同保護膜18、一黏著層（未在圖中顯示）及類似者密封部分 發光區101至104，且密封基板19係由例如透射在部分發光 區101至104中產生之光的透明玻璃之材料製成。 其次，參考圖4、5及8，將描述基底1丨之詳細組態。在 基底11中，一包括像素驅動電路15〇的像素驅動電路形成 層112係配置在玻璃、矽（Si)、晶圓、樹脂或類似者之基板 111上。圖8係說明配置在像素驅動電路形成層U2中之像 素驅動電路150的平面組態之示意圖，及對應於圖6中顯示 之有機發光元件10R(或10G或10B)的平面組態圖。沿圖8中 顯示之線IV-IV的斷面對應於圖4。沿圖8中顯示之線ν-V的 斷面對應於圖5。 其次’將描述像素驅動電路150的詳細組態。在像素驅 動電路形成層112中，係配置彼此平行延伸的掃描線130A 及電源供應線140A，及在一正交於掃描線130A及電源供 應線140A之方向中延伸的信號線12〇A。此外，在像素驅動 電路形成層112中，寫入電晶體WR1至WR4及驅動電晶體 DR1至DR4係沿信號線120A的延伸方向彼此平行地配置。在 137423.doc -16- 200950577 寫入電晶體WR1至WR4及驅動電晶體0尺1至1)114之各者中 的汲極電極及源極電極係沿信號線丨2〇A之延伸方向對準。 在基板ill的表面上，用作驅動電晶體〇111至]0114中之閘 極電極的金屬層211G1至211G4,用作寫入電晶體WR1至 WR4中的閘極電極之金屬層221〇1至221G4(圖8)，及信號 線120A(圖8)係配置成為一第一層層級中之金屬層。金屬 層211〇1至211〇4及221〇1至221〇4，及信號線12〇八係用氮 化石夕、氧化矽或類似者之閘極絕緣膜212覆蓋。金屬層 221G1至221G4係彼此連接，及構成一整合式金屬膜。 在驅動電晶體DR1至DR4中，例如非晶矽之一半導體薄 膜的通道層213係配置在對應於金屬層211G1至211G4之各 者的一區中。在通道層213上’一具有絕緣性質之通道保 護膜214係配置以致佔用一係通道層213的中間區之通道 £。在通道保護膜214之兩側上’係配置例如η型非晶碎之 η型半導體的η型半導體層215D1至215D4及η型半導體層 215S1至215S4。此等η型半導體層215D1至215D4及η型半 導體層215S1至215S4係藉由通道保護膜214彼此分開，且η 型半導體層215D1至215D4及η型半導體層215S1至215S4之 末端面係用其間之通道區彼此隔開。此外，係汲極電極之 金屬層216D1至216D4及係源極電極之金屬層216S1至 216S4係配置成為第二層層級中之金屬層，及分別覆蓋η型 半導體層215D1至215D4及η型半導體層215S1至215S4。金 屬層216D1至216D4具有彼此相等之電位，且金屬層216S1 至216S4具有彼此相等之電位。 137423.doc •17· 200950577 同樣地，在禽入電晶體WR1至WR4中，一例如非晶石夕及 精細晶矽之半導體薄膜的通道層（未在圖中顯示）係配置在 對應於閘極絕緣膜212上的金屬層221G1至221G4之各者的 一區中。在通道層上，係配置一具有絕緣性質之通道保護 膜（未在圖中顯示），及佔用一係通道層之中間區的通道 區。在通道保護膜之兩側上，係配置例如η型非晶石夕之11型 半導體的一對η型半導體層（未在圖中顯示）。該對^型半導 體層係用通道保護膜彼此分開，且該對η型半導體層之末 端面係用其間之通道區彼此隔開。此外，係j；及極電極之金 屬層226D1至226〇4及係源極電極的金屬層226S1至226S4 係&供作為第二層層級中的金屬層，及覆蓋該對η型半導 體層。金屬層226D1至226D4具有彼此相等之電位，且金 屬層226S1至226S4具有彼此相等的電位。 成為第二層層級中之金屬層的金屬層216〇1至2161)4及 226D1至 226D4，及金屬層 216S1至 216S4及 226S1 至 226S4 具有其中（例如）一鈦（Ti)層、一鋁（Α1)層及一鈦層係依此次 序堆叠之組態。除了此等金屬層以外，金屬層25及26、掃 描線130A及電源供應線140A(圖8)係提供作為第二層層級 中的金屬層。金屬層25係環型，且金屬層26係該平面組態 中之島型。金屬層25及26兩者係與第二層層級中的其他金 屬層電絕緣。總之，第二層層級中之金屬層係用氮化矽或 類似者之一鈍化膜217覆蓋。本文中，雖然描述具有一倒 轉交錯結構（所謂底部閘極類型）之驅動電晶體DR1至DR4 及寫入電晶體WR1至WR4，但此等可具有一交錯結構（所 137423.doc -18- 200950577 謂頂部閘極類型）。若係待配置在除了掃描線13〇A及電源 供應線140A之相交以外的一區中，則信號線12〇A可配置 在第二層層級中。 彼此緊鄰之寫入電晶體WR1至WR4的任何對中及彼此緊 鄰之驅動電晶體DR1至DR4之任何對中的汲極電極或源極 電極係彼此緊鄰。尤其係’本文中’相對於正交於汲極電 極及源極電極之對準方向的相同軸（即信號線12〇a的延伸 方向），彼此緊鄰之該對電晶體中之汲極電極係線對稱地 配置’且彼此緊鄰之該對電晶體中的源極電極係線對稱地 配置。例如，寫入電晶體WR1中的金屬層226D1與金屬層 226S1，及寫入電晶體WR2中的金屬層226D2與金屬層 226S2係沿掃描線130A相對於一軸CX1對稱地配置。寫入 電晶體WR2中的金屬層226D2與金屬層226S2，及寫入電晶 體WR3中的金屬層226D3與金屬層226S3係沿掃描線130A 相對於一軸CX2對稱地配置。此外，寫入電晶體WR3中的 參 金屬層226D3與金屬層226S3，且寫入電晶體WR4中的金屬 層226D4與金屬層226S4係沿掃描線130A相對於一軸CX3對 稱地配置。對於此一組態，在寫入電晶體WR1至WR4之各 •者中’藉由在金屬層226D1至226D4與金屬層226S1至 226S4之間的一混合異物或類似者造成的短路之可能性係 減少。同樣地，在寫入電晶體WR1至WR4間，藉由一混合 異物或類似者造成的短路之可能性係減少。尤其係，在彼 此最靠近地配置之寫入電晶體WR1及寫入電晶體WR2中， 金屬層226D1與金屬層226S1之間的距離以及金屬層226D2 137423.doc •19- 200950577 與金屬層226S2之間的距離，係設定大於金屬層226S1與金 屬層226S2之間的距離。同樣地，在彼此最靠近地配置之 寫入電晶體WR3及寫入電晶體WR4中，金屬層226〇3與金 屬層220S3之間的距離以及金屬層226E>4與金屬層22684之 間的距離，係設定大於金屬層226S3與金屬層22684之間的 距離。對於此一配置，可能減少藉由寫入電晶體至 WR4佔用的區域，同時抑制藉由一混合異物或類似者造成 之短路的產生。驅動電晶體DR1至DR4間之位置關係相同 於以上所述寫入電晶體WR1至WR4間之關係。以此一組態 獲得之操作效應（藉由一混合異物或類似者造成之短路的 可能性係減少）亦係與寫入電晶體WR1至WR4之情況中的 效應相同。 該顯示裝置係（例如）如以下所述製成。下文中，—種根 據具體貫施例製造顯示裝置的方法將參考圖4、$、8、 9A、9B、l〇A、10B ' 11A及11B描述。一種製造有機發光 元件10R、10G及10B之方法亦將在下文中描述。圖9A、 9B、10A、10B、11A及11B說明依處理次序製造顯示装置 的方法’及對應於圊4及5之斷面圖。 在以上所述材料的基板1U上，形成包括像素驅動電路 150的像素驅動電路形成層112。明確言之，一金屬膜係藉 由（例如）濺鍍形成在基板上^丨上。接著，金屬膜係（例如） 藉由微影#刻方法、乾式蝕刻或濕式蝕刻圖案化。因而， 如圖8、9A及9B顯示，成為第一層層級中之金屬層的金屬 層211G1至211G4及221G1至221G4，及信號線12〇A(參考 137423.doc •20- 200950577 圖8)係形成在基板111上。其次，整個表面係用閘極絕緣 膜212覆蓋。在閘極絕緣膜212上，以預定形狀依如下次序 形成：成為第二層層級中之金屬層的通道層、通道保護 膜、η型半導體層及金屬層216D1至216D4與226D1至 226D4，及金屬層 216S1 至 216S4與 226S1 至 226S4。因而， 係獲得驅動電晶體DR1至DR4與寫入電晶體WR1至WR4。 在其中形成精細晶石夕之通道層的情況中，較佳係沈積非 晶矽之一半導體薄膜，且接著雷射光係照射至該半導體薄 膜，以致非晶矽係結晶化成為具有奈米量級大小之晶粒。 在該情況下，較佳係雷射光在沿正交於驅動電晶體DR1至 DR4及寫入電晶體WR1至WR4之配置方向的方向（即掃描線 13 0Α的延伸方向）掃描時照射。此係因為以此一操作，驅 動電晶體DR1至DR4間及寫入電晶體WR1至WR4間之结晶 化程度的非均勻性幾乎不發生，且此導致顯示特性之退化 幾乎不發生。另一方面，當雷射光沿驅動電晶體DR1至 DR4及寫入電晶體WR1至WR4之配置方向（即信號線120Α 的延伸方向）掃描時，不便利發生如下。明確言之，在所 獲得精細晶矽中之結晶化程度的非均勻性可能發生在其中 雷射光自汲極電極（金屬層216D1至216D4及226D1至 226D4)側掃描之情況，及其中雷射光自源極電極（金屬層 216S1至216S4及226S1至226S4)側掃描的情況之間。因 此，如以上描述，較佳係雷射光之掃描方向係設定成為正 交於汲極電極及源極電極之配置方向的方向。 使用金屬層216D1至216D4及226D1至226D4與金屬層 137423.doc -21 - 200950577 216S1至216S4及226S1至2MS4的形成，形成金屬層25及 26、掃描線130A及電源供應線140A。即，金屬層25及 26、掃描線130A及電源供應線140A亦係第二層層級中的 金屬層。此時，金屬層221G1至221G4及掃描線130A係連 接，金屬層226D1至226D4及信號線120A係連接，且金屬 層226S1至226S4及金屬層211G1至221G4係連接。接著， 藉由用鈍化膜217覆蓋整體’完成像素驅動電路15〇。 如圖10A及10B中顯示，在形成像素驅動電路15〇後，形 成絕緣層1 2。明確言之，為了平坦化絕緣層丨2之表面，含 有（例如）聚醯亞胺作為主要成分之光敏樹脂係在整個表面 上施加’且執行曝光及顯影。此時，到達金屬層216 s 1至 216S4的頂部表面之連接孔124，到達金屬層乃的頂部表面 之連接孔125，且在某些位置中形成到達金屬層％的頂部 表面之連接孔126。接著，視需要要燃燒絕緣層12。 在形成連接孔124與126及絕緣層12中之連接孔125(如圖 10A及10B中顯示）後，形 及金屬層17。明破言之， 形成以上所述材料之第一電極層j 3 ，由第一電極層13及金屬層17的構 成材料製成之金屬膜係（例如）藉由濺鍍而沈積在整個表面 上。之後，藉由使用一預定遮罩形成一選擇性地覆蓋金屬 膜之光阻圖案（未在圖中顯示）。 罩來蝕刻金屬獏中的之曝露區， 及金屬層17。此時，第一電極） 藉由使用光阻圖案作為遮
，故第 137423.doc -22- 200950577 一電極層13的頂部表面亦具有較優異之平面性。 金屬層17覆盍連接孔126及連接孔125的至少内壁。需要 金屬層17係與第一電極層13同時形成，及由與第一電極層 13相同的材料製成。 • 丨次，如圖UA&11B顯示，形成開口定義絕緣層24。 . 開口定義絕緣層24填充在第一電極層13與金屬層17之間， 及覆蓋第-電極層13周邊之末端面及頂部表面。由以上所 _ 冑預定材料製成及具有-預定厚度的電洞注人層15A、電 洞運輸層15B、發光層15C及電子運輸層15〇係（例如）係藉 由蒸鍛方法依此次序堆疊，且覆蓋第一電極層13中未用開 口定義絕緣層24覆蓋的一區。因而，形成有機層15。此 外，形成第二電極層16，其面對第一電極層13且其間具有 有機層15及覆蓋金屬層17的整個表面。因而，完成部分發 光區101至104完成。在依此方法形成之部分發光區ι〇ι至 104中，因為絕緣層12之表面具有明顯的高平面性，在第 φ 一電極層13之發光層15C側上的末端面P1，及第二電極層 16之發光層15C側上的末端面P2被平坦化，且有機層以之 厚度中的變動變得明顯較小。 此後，形成覆蓋部分發光區101至1〇4之以上所述材料的 保護膜18。最後，黏著層係在保護膜18上形成，且保護膜 18及密封基板19係用其間之黏著層黏著。因而，完成該顯 示裝置。 在依此方法獲得的顯示裝置中，掃描信號係透過寫入電 曰日體WR1至WR4中之閘極電極（金屬層mGi至22i G4)自掃 137423.doc -23- 200950577 描線驅動電路130供應至各像素，且來自信號線驅動電路 120的影像信號係透過寫入電晶體WR1至WR4留存在保持 電容Csl至Cs4中。同時，電源供應線驅動電路140藉由掃 描線驅動電路130與逐線掃描同步將高於第二電位之第一 電位供應至各電源供應線140A。因而，係選擇驅動電晶體 DR1至DR4的導電狀態。一驅動電流Id係注入至有機發光 元件10R、10G及10B的各者，且光發射係藉由一電洞及一 電子的復合產生。此光係於第一電極層13與第二電極層16 之間多重反射，且透射第二電極層16、保護膜18及密封基 板19。接著，光被取出。 如以上描述，在具體實施例中，部分發光區101至104係 提供用於有機發光元件l〇R、10G及10B的各者，且寫入電 晶體WR1至WR4及驅動電晶體DR1至DR4係提供對應於部 分發光區101至104的各者。因此，即使在其中一缺陷在部 分發光區101至104的一部分中發生之情況中，部分發光區 101至104整體係藉由調整及利用除了有缺陷者以外之正常 部分發光區101至104而防止一暗點。 此外，寫入電晶體WR1至WR4中之金屬層226D1至 226D4及金屬層226S1至226S4具有彼此相等之電位，且金 屬層226S1與金屬層226S2之間的距離，係設定小於金屬層 226S1與金屬層226D1之間的距離並且小於屬層226S2與金 屬層226D2之間的距離。或者，金屬層226S3與金屬層 226S4之間的距離係設定小於金屬層226S3與金屬層226D3 之間距離與金屬層226S4與金屬層226D4之間的距離。因 137423.doc -24- 200950577 此，半暗點缺陷之發生被抑制。尤其係，在寫入電晶體 WR1至WR4中彼此緊鄰的該對寫入電晶體中，相對於正交 於仏唬線120A之延伸方向的相同軸，金屬層226di至 226D4及金屬層226S1至226S4係對稱地配置。因而，係達 到高位準的整合。 同樣地’驅動電晶體DRi至DR4中之金屬層216D1至 216D4及金屬層216S1至216S4具有彼此相等之電位，且金 ❹ 屬層216S1與金屬層216S2之間的距離，係設定小於金屬層 210S1與金屬層216D1之間的距離並且小於金屬層216S2與 金屬層216D2之間的距離。或者，金屬層21683與金屬層 216S4之間的距離係設定小於金屬層21683與金屬層之以⑴ 之間的距離並且小於金屬層216S4與金屬層216]〇4之間的距 離。因此，一亮點缺陷之發生被抑制。尤其係，在驅動電 晶體DR1至DR4中彼此緊鄰的該對驅動電晶體中，相對於 正交於k號線120Α之延伸方向的相同軸，金屬層2161)1至 ❹ 216D4及金屬層216S1至216S4係對稱地配置。因而，係達 到高位準的整合。 此外’所有金屬層226D1至226D4，金屬層226S1至 226S4，金屬層216D1至216D4，及金屬層21631至21684係 配置在相同層層級中。因此，係實現較易製造及更緊密組 態。 上文中，雖然本發明係用具體實施例描述，但其不受限 於該具體實施例且可進行各種修改。例如，在具體實施例 中，雖然例如光敏樹脂之有機材料係舉例成為用於絕緣層 137423.doc •25- 200950577 12之材料’且描述使用該材料的製造方法’但其不受限於 該方法°例如’絕緣層12可用例如氧化石夕（si〇2)及氮化石夕 (Sl3N4)之無機材料組態。在該情況下，（例如）在一絕緣膜 ，藉由（例如）蒸艘方法或類似者形成在基底η上後，用預 疋遮罩藉由如氖氣飯刻之乾式姓刻及離子束银刻形成連接 孔 124。 在具體實施例中，第—電極層13、有機層15及第二電極 層16係以此次序堆疊在基底η上，且光係自第：電極層16 U取出然:而，亦可月色第二電極層16、有機層^及第一電 ^ 極層Π係以此次序自基底u側堆疊，且光係自基如側取 出0 在具體實施例中，（例如）雖然係描述其中第一電極層Η 係用作—陽極電極，且第二電極層16係用作-陰極電極之 情況’亦可能第一電極層13係用作一陰極電極，而第二電 極層16係用作-陽極電極。即使在此情況下，亦可能第二 電極層16、有機層15及第—電極層13係以此次序自基底^ 上之基底11側堆疊，且光係自基底〗丨側取出。
在具體實施例中，㈣有機發光元件10R、10G及應之 層組態係明確地描述如上，但不需要始終包括所有層，且 可進-步包括其他層。例如，在第一電極層13與有機層15 之間，可提供氧化鉻（111)(〇2〇3)、ITO(氧化銦錫：銦（In) 及錫（Sn)之氧化物混合膜）或類似者之一電洞注入薄膜層。 在具體實施例中，雖然描述一主動矩陣顯示裝置的情 況，但本發明亦可應用於—被動矩陣顯示裝置。用於驅動 J37423.doc -26- 200950577 主動矩陣之像素驅動電路的組態不受限於在具體實施例中 所描述的組態，且可視需要新增一電容器及一電晶體。在 該情況下，根據像素驅動電路中的改變，除了以上所述信 號線驅動電路12〇、掃描線驅動電路別及電源供應線驅動 電路14〇以外，可新增一必要驅動電路。 . 此外，在具體實施例中，雖然描述其中寫人電晶體及驅 動電晶體兩者係沿一方向對準之情 j耵早之If况，但僅寫入電晶體及 〇 驅動電晶體之一類型可沿本發明中的一方向對稱地配置。 然而，在有機發光元件之情況下，係需要供應具有預定量 值或更多的電流至部分發光區之各者以獲得高光發射效 率。因此’為了減少電阻，由驅動電晶體中之沒極電極及 源極電極佔用的區域係需要維持某些程度。此外，為了延 伸藉由發光區之各者佔用的區域及改進開口比不可避免 地藉由驅動電晶體中的沒極電極及源極電極佔用之區域係 進一步延伸。另一方面，在寫入電晶體中，如在驅動電晶 • 體中之大電流係不需要。即使藉由沒極電極及源極電極佔 用之區域減少，光發射效率及開口比中之改進幾乎不受干 擾。由於此-原因，較佳係減少藉由寫入電晶體佔用的區 •域以改進光發射效率及開口比。然而，減少藉由寫入電晶 ，㈣用的區域可導致增加藉由—混合異物或類似者所致之 在電極間產生短路之危險。因此，在有機發光元件之情況 下，需要至少驅動電晶體係沿—方向對準，且驅動電晶體 中彼此緊鄰之汲極電極及源極電極係沿該方向彼此對稱地 配置。 137423.doc -27- 200950577 此外，在具體實施例中，雖然有機發光元件係舉例說明 及描述為顯示元件，但本發明不受限於此。例如，本發明 亦可應用於例如液晶顯示元件的其他顯示元件。 本申請案包含與於2008年4月30日向日本專利局申請的 曰本優先權專利申請案JP 2〇〇8_1 18891中揭示者相關之標 的，其全部内容藉由引用方式併入本文。 熟習此項技術者應瞭解，可取決於設計需求及其他因素 © 進行各種修改、組合、子組合與變更，只要其係在隨附申 請專利範圍或其等效内容之範_内。 【圖式簡單說明】 圖1係說明一根據本發明之第一且I*杳# 7 I ϋ ^ 具體實細*例的顯示裝置 之整個組態的示意圖； 圖2係一說明圖1中顯示的像素驅動電路之範例的視圖； 圖3係一說明圖1中顯示的顯示區之組態的平面圖； 圖4係一說明圖1中顯示的顯千ρ 幻”、、員不區之主要部分之組態的斷 面圖； ❹ 圖5係一說明圖1中顯示的顯示區 土要部分之組態的另 一斷面圖； 圖6係一說明圖3中顯示的有撼恭龙__ 1 的有機發先几件之組態的放大平 面圖； 圖7係一說明圖4及5中顯示的有機層的放大斷面圖； 圖8係一說明圖4及5顯示的像音媒私 像素驅動電路形成層之組離 的平面圖； ^ 圖9Α及9Β係說明圖1所示的翱梦 叼.‘、'貝不裝置之製造方法中的— 137423.doc •28- 200950577 步驟之斷面圖； 圖10A及10B係說明圖9A及9B其猞夕 ^ 炙—步驟的斷面圖； 圖11A及11B係說明圖10A及10B其後 — 圖
步驟的斷 有機發光元件 有機發光元件 有機發光元件 基底 絕緣層 第一電極層 有機層 電洞注入層 電洞運輸層 發光層 電子運輸層 第二電極層 金屬層 保護膜 密封基板 開口定義絕緣層 開口 【主要元件符號說明】 10B 10G 10R 11 12 13
15 15A 15B 15C 15D 16 17
18 19 24 24K 25 金屬層 26 金屬層 137423.doc •29· 200950577 101 部分發光區 102 部分發光區 103 部分發光區 104 部分發光區 110 顯不區 111 基板 112 像素驅動電路形成層 120 信號線驅動電路 120Al-120Am 信號線 124 精細連接孔 125 連接孔 126 連接孔 130 掃描線驅動電路 130A(130Al-130An) 掃描線 140 電源供應線驅動電路 140A(140Al-140An) 電源供應線 150 像素驅動電路 211G1-211G4 閘極電極/金屬層 212 閘極絕緣膜 213 通道層 214 通道保護膜 215D1-215D4 η型半導體層 215S1-215S4 η型半導體層 216D1-216D4 汲極電極/金屬層 137423.doc -30- 200950577 216S1-216S4 源極電極/金屬層 217 純化膜 221G1-221G4 閘極電極/金屬層 226D1-226D4 汲極電極/金屬層 226S1-226S4 源極電極/金屬層 AR1 環形區 AR2 島型區 Csl-Cs4 電容器/保持電容 DR1-DR4 驅動電晶體 GND 共同電源供應線 PI 第一末端面 P2 第二末端面 WR1-WR4 寫入電晶體
137423.doc -31-