TW200949874A

TW200949874A - Dielectric ceramic and multilayer ceramic capacitor

Info

Publication number: TW200949874A
Application number: TW98110148A
Authority: TW
Inventors: Yusuke Azuma; Youichi Yamazaki; Masaaki Nagoya
Original assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2008-05-28
Filing date: 2009-03-27
Publication date: 2009-12-01
Also published as: JP5241328B2; TWI416561B; WO2009145001A1; JP2009286648A

Description

200949874 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】务月係關於一種藉由以鈦酸鋇為主成分之結晶粒子所 . 成之介電陶瓷、及將該介電陶瓷用作介電體層之積層陶瓷電容器。【先前技術】料來’針對倾電子電路之絲度化之電子零件之小型化 _的要求較高’從而積層陶究電容器之小型化、大容量化得到急速推進。與此相伴，積層陶瓷電容器中之每一層之介電體層之薄層化不斷發展，從而尋求一種即便薄層化亦可維持電容器之可靠性之介電陶竟。尤其是，為了實現高額定電壓中所使用之中耐壓用電容器之小型化、大容量化，而對介電陶兗要求非常高之可靠性。先鈿，專利文獻1、2中揭示有一種介電陶瓷，其作為構成積層陶究電谷器之介電體屠用之介電陶竟，靜電電容之溫度變化(以下，稱作介電f數之溫度變化)滿足eia規格之 • X7R特吐(_55〜125C ’介電常數之變化率為土ls%以内），並且、欲實現絕緣電阻之南溫負載試驗中之壽命特性之提高。專利文獻1巾所揭示之介電喊，係於作為構成該介電陶莞之、’口 B0粒子之主成分的鈦酸鋇中含有鎂、稀土類元素(RE)及釩等並於X射線繞射圖中，形成(2〇〇)面之繞射線與(〇⑽)面之繞射線4分重豐而為寬幅之繞射線的結晶構造(所謂核殼構 098110148 3 200949874 造）’藉此實現絕緣破壞電壓或絕緣電阻之高溫負载試驗中之壽命特性之改善。又專利文獻2中所揭示之介電陶瓷，係藉由將固溶於鈦酸鎖中之叙之價數調整為接近4價之範圍’-方面抑制存在於結曰曰粒子中之電子之移動，一方面抑制釩向鈦酸鋇之過剩之擴散或#1化合物之析出’從而形成具有殼相之核殼構造，該殼相於

結曰曰粒子中具有釩之適度濃度梯度，藉此實現高溫負載試驗中之壽命特性之提高。人然而，上述專利文獻1、2中所揭示之介電陶瓷，雖然為高 ;丨電係數，且介電常數之溫度變化滿足EIA規格之X7R特性 (二5〜125°C，介電常數之變化率為±15%以内），但是存在介電 =大之問題。又’於施加之電祕之情科，雜獲得高絕、'曰、阻’但存在當使施加之電壓增加時絕緣電阻之降低變大之問題。

;I括該二”電喊作為介電體層之積層陶甍電容器情形恤咖赂_薄層化之難以滿足尚^負载試驗中之壽命特性。 [專利文獻1]日本專利特開平Μ2·5號公報 [專利文獻2]林專利特開2__347799號公【發明内容】 (發明所欲解決之問題）其為南介電係本發明之主要目的在於提供一種介電陶:是 098110148 4 200949874 數’且介電損耗小，介電常數之溫度變化滿足EIA規格之x7R 特性，即便於施加之電壓低之情形時亦可獲得高絕緣電阻，同時使電壓增加時之絕緣電阻之降低較小。本發明之其他目的在於提供-種包括此種介電陶兗作為介電體層且高溫負載試驗 ' 中之壽命特性優異之積層陶瓷電容器。 (解決問題之手段）本發明之介電H包含以鈦酸鋇為主成分之結晶粒子、及碜存在於該結晶粒子間之晶界相’相對於構成上 ⑽莫耳，而含有以仰5_〇心.3莫耳之^= 換算為0〜0.1莫耳之鎂，以Mn0換算為〇〜〇 5莫耳之錳以 RE2〇3換算為0.5〜L5莫耳之自在乙、鋼、鈦及斜中選擇之i種稀土類元素㈣。進❿，該介電陶纽χ射線繞射圖中，表示正方晶系之鈦酸鋇之(004)面之繞射強度大於表示立方晶系之鈦酸頷之_)面之繞射強度，且上述結晶粒子之平均粒徑為

Ο 0.21 〜0.28 #m。 I 尤其理想的是，上述鎂以Mg0換算為〇莫 .—制換為㈣耳。又是，上述:= • 餘對於構成上述鈦酸鋇之鋇100莫耳，進而含有以Tb4〇7換算為0.3莫耳以下之試。進而’上述介電陶兗中，較理想的是’相對於構成上述鈦酸鋇之鋇100莫耳，進而含有以Yb2〇3換算為〇 3〜〇 7莫耳之鏡。本發明之積層陶究電容器係由上述介電陶究所構成之介電 098110148 5 200949874 體層與内部電極層之積層體而構成。再者，將稀土類元素設為RE，係基於週期表中之稀土類元素之英文表述(Rare earth)者。又，本發明中，釔係包含於稀土 ' 類元素中。 ' (發明效果）根據本發明之介電陶瓷，相對於鈦酸鋇，分別以既定之比例而3有叙、鎮、稀土類兀素及猛，同時，且於介電陶竞之X ❹射線繞射圖中，使鈦酸鋇之表示正方晶系之(004)面之繞射強度大於鈦酸鋇之表示立方晶系之(〇〇4)面之繞射強度，進而，將該些結晶粒子之平均粒徑設為既定之範圍。藉此，為高介電係數，且介電損耗小，介電常數之溫度變化亦可滿足mA規格之X7R特性。又，可獲得即便於施加之電壓低之情形時亦可獲得高絕緣電阻，同時使電壓增加時之絕緣電阻之降低小(絕緣電阻之電壓依存性小)之介電陶瓷。 ❿ 又，本發明之介電陶瓷中，當將鎂之含量設為以MgO換算為〇莫耳，為南介電係數且介電損耗小，介電常數之溫度變化可滿足EIA規格之X7R特性，同時即便於施加之電壓低之情形時亦獲得更高之絕緣電阻，且絕緣電阻之電壓依存性更，J、〇本發明之介電陶瓷中’當將錳之含量設為以MnO換算為〇莫耳時’可獲得絕緣電阻之電壓依存性小之介電陶冑，同時可進一步降低介電損耗。 098110148 200949874 本發明之介制竟中’相料構成鈦_之鋇莫耳，進而含有以Tb4〇7換算為0.3莫耳以下之試，從而可進一步提高介電陶瓷之絕緣性。 ' 本發明之介電喊中，相對於構成鈦酸鋇之鋇綱莫耳，進而含有以Yb2〇3換算為0.3〜〇7苴且夕給〜丄 •冥耳之镱’從而可減小锻燒溫度發生變化時之介電陶竟之介電常數之變化。因此，即便使用爐=溫度存在不均之大麵燒爐亦可降低介電常數之不均而 ❹ 提面良率。根據本發明之積層陶兗電容器，藉由使用上述之介電陶究作為介電體層’為高介電係數且低介電損耗，介電常數之溫度變化可滿足EIA規格之X7R特性，即便使介電體層薄層化亦可確保高絕緣性，因此高溫負載試驗中之壽命特性優異。【實施方式】本發明之介電陶瓷係藉由以鈦酸鋇為主成分之結晶粒子而 ❹構成該相對於構成鈦酸鋇之鋇100莫耳，而含有以v2〇5換算為0.05〜0.3莫耳之釩，以Mg0換算為〇〜〇1莫耳之鎂，以 Mn〇換算為〇〜〇.5莫耳之錳，以re2〇3換算為〇 5〜丨5莫耳之自釔、鏑、鈥及铒中選擇之丨種稀土類元素。進而，本發明之；丨電陶竞於又射線繞射圖中，表示正方晶系之鈦酸鋇之(〇〇4) 面之繞射強度大於表示立方晶系之鈦酸鋇之(〇〇4)面之繞射強度，結晶粒子之平均粒徑為〇21〜〇28 #m。根據本發明，將介電陶瓷設為上述組成，進行調製，以使構 098110148 7 200949874 成該介電陶之結晶粒子之結晶構造達到上述χ射線繞射圖之繞射強度之關係，而使結晶粒子之平均粒徑處於上述範圍。藉此，獲得介電陶兗’其介電常數為35〇〇以上，介電損耗為 15%以下’介電常數之溫度變化滿足ΕΙΑ規格之χ7^性，同時每單位厚度(1 #m)所施加之直流電壓之值自3.15 V/ym 變化為12.5 V//Zm為止時之絕緣電阻為5χ1〇8Ω以上，且3,15 V//zm之絕緣電阻與12 5v///m之絕緣電阻之差小至仏⑽ ❿ Ω以下。本發明之介電陶瓷係以鈦酸鋇作為主成分，相對於構成該鈦酸鋇之鎖100莫耳，而含有以νΛ換算為〇.05〜0.3莫耳之釩’以MgO換算為〇〜〇]莫耳之鎂，以Mn〇換算為〇〜〇 5 莫耳之猛，以呜〇3換算為〇㈠5莫耳之自釔、銷、欽及铒中選擇之1種稀土類元素(RE)。即，於相對於構成鈦酸鋇之鋇10()莫耳，釩之含量以v2〇5 參換算少於0·〇5莫耳之情形時，每單位厚度(1㈣所施加之直流電壓之值自3.15 v///m變化為12.5 V//zm為止時之絕緣電阻之降低增大’於將此種介電陶瓷作為介電體層之積層陶瓷電容器中有高溫負載壽命降低之虞。於相對於構成鈦酸鋇之鎖·莫耳，上述稀土類元素㈣ X RE2〇3換舁少於〇 5莫耳之情形時，每單位厚度（1 所轭加之直流電壓之值設為12 5 V/Vm時的絕緣電阻達到15χ 10 Ώ以下，與將直流電壓之值設為3μ 時之絕緣電阻 098110148 8 200949874 之值相比較，絕緣電阻之降低增大。當相對於構成鈦酸鋇之鋇1〇〇莫耳，鈒之含量以v处換算多於〇·3莫耳時，每單位厚度(1㈣所施加之直流電壓之值 e又為3.15 乂/_及12.5 v///m時之絕緣電阻均低於於相對於構成敛酸鋇之鋇100莫耳，上述稀土類元素㈣之含量以RE2〇3換算多於！ 5莫耳，或者猛之含量以·〇換算夕於0·5莫耳之情形時，上述任一情況下介電常數均低於 ❹ 3500。、於相對於構成鈦酸鋇之鋇1〇〇莫耳，鎮之含量以Mg〇換算多於0,1莫耳之情形時，介電常數之溫度變化不滿足EIA規格之X7特丨生，又，與每單位厚度(1 “m)所施加之直流電壓之值設定為3.15 V///m時之絕緣電阻相比較，設定為12 5 % m時之絕緣電阻之降低增大，從而高溫貞載試驗巾之壽命特性降低。 ❿ X本發明之介電喊巾，較理想的是，於以鈦_作為主成为，相對於構成該鈦酸鋇之鋇100莫耳，而含有以乂2〇5換算為0.〇5〜〇·3莫耳之鈒，以〇換算為〇 5莫耳以下之龜，以re2o3換算為〇5〜15莫耳之自記、銷、鈥及餌十選擇之稀土類兀素之情形時，鎮以MgO換算為〇莫耳。藉由將介電陶瓷設為此種組成，而可獲得如下介電陶瓷，即，田將介電體層之每單位厚度(1 //m)所施加之直流電壓之 5 V/# m及12.5 V/// m而進行測定時’為顯示絕緣 098110148 9 200949874 電、'曰力之傾向（正之變化)之高絕緣性且介電損耗小。為於本發明之介電喊中，較理想的是，於以鈦酸鋇作施一 π ’相對於構成驗酸鋇之鋇莫耳，而含有以 ^异為G.G5〜0.3莫耳之鈒，以RE2〇3換算為Q 5〜1 5莫耳之換1 二鏑、錢射選擇之稀土類元素之情形時，鎂以Mg〇、:為0莫耳，同時結以制換算為〇莫耳。藉由設為上述、且成’而可進—步降低介電陶竞之介電損耗。

彳明如MgG鮮為〇莫耳或者如MnQ換算為〇、係扣實貝不含有鎮或鐘’例如，於介電陶究之ICp分析中，係指各成分為檢麻限町(G.5 #g/g以下)之情形。然而’稀土類元素之中，纪、鋼、鈥及铒固溶於則咖寺難以生成異相，可獲得高絕緣性，因此可較佳地制。其令考慮到提高介電喊之介電常數之理由，更佳為心又，本發明之介電陶統了上述組成之外，較理想的是，相對於構成鈦酸鋇之鋇刚莫耳，進而於以Tb4〇7換算為〇 3莫耳以下之翻时械。當_含扣婦為Μ莫耳以下之朗’可提高介電喊之絕緣電阻，对將上述介電陶兗適用於積相電容H之介電體層時可進—步提載試驗中之壽命特性。其中，若錢之含量以邮趟多於皿^ 莫耳’則有介電喊之介電常數降低之虞，@此較佳為於〇 3 莫耳以下之範圍内含有錢。其中，為了藉由含有朗獲得充分之效果，較佳為含有0.05莫耳以上之铽。刀 098110148 10 200949874 進而’本發明之介電陶瓷除了上述組成之外，較理想的是，相對於構成鈦酸鋇之鋇1〇〇莫耳，進而於以Yb2〇3換算為〇 3 〜0.7莫耳之範圍内含有镱。藉由於以Yb2〇3換算為0 3莫耳以上之範圍内含有镱，即便鍛燒溫度變化約35°C亦可抑制介電常數之變化，從而即便使用大型煅燒爐亦可降低介電常數之不均而提高良率。又，可將X7R特性所要求之125Ϊ時之絕緣電阻提南至5χ1〇6 β以上。其中，當多於〇 7莫耳時有高溫負 ❹載试驗中之哥命特性降低之虞，因此較佳為於〇7莫耳以下之範圍内含有鏡。再者，對於本發明之介電陶瓷而言，只要處於可維持所需之介電特性之範圍内’則亦可於介電陶竟中以Q5〜2質量％之比例含有玻璃成分或其他添加成分作為用以提高燒結性之助劑。又，本發明之介電_中，重要的是結晶粒子之平均粒徑為〇·21 〇·28 #m。即’其原因在於’於結晶粒子之平均粒徑小於〇.21 _之情形時’介電常數低於3500,於平均粒徑大於〇·28 /zm之情形時，雖时電常數增高但介電損耗大於抓。此處’結晶粒子之平均轉储由如下步驟而求出，即，將對介_€之剖面進行研磨(離子研磨）而成之研磨面在穿透電子顯微鏡中所映出之影像取入至電腦中，於其晝面上晝出對對角線上所存在之結晶粒子之輪扉進行:像處 "边子之面積’並計算出置換為具有與該Φ積相同之面積之圓時的直徑，根據所算出之結晶粒子約50個平均值而 098110148 200949874 求得結晶粒子之平均粒徑。進而’本發明之介電陶瓷中，重要的是’於X射線繞射圖中’表示正方晶系之鈦酸鋇之(004)面之繞射強度大於表示立方晶系之鈦酸鎖之(〇〇4)面之繞射強度。 •此處’對本發明之介電陶瓷之結晶構造進行進一步詳細說明’對於本發明之介電陶瓷而言，即便釩固溶於結晶粒子中，亦幾乎藉由接近表示正方晶系之單相的結晶相所佔據。 ® 圖1(a)係表示下述之實施例之表1〜3中的作為本發明之介電陶瓷之試料No.1-4之X射線繞射圖，圖1(b)係該表丨〜3中之比較例之作為介電陶瓷之試料Ν〇1·27之χ射線繞射圖。此處’專利文獻1及專利文獻2中所分別記載之習知之介電陶变，其結晶構造為核殼構造’且相當於圖1(的之χ射線繞射圖。即’於以紐鋇作為域分且藉由具有核殼觀之結晶粒子參而構成的介電陶究中，鈦酸鋇之表示正方晶系之陶面及陶面之間所出現的鈦酸鋇之表示立方晶系之⑽4)面(((^面、陶面重疊)之繞射強度’大於鈦酸鋇之表示正方晶系之陶面之繞射強度。又，藉由顯不核殼構造之結晶粒子而構成之介電喊，只要係以X射線繞侧觀察，附晴於正訂叔結晶相，立方晶1結晶相之比例更多，因此結晶之異向性減小。因此，X 侧中，_)面之繞射線朝低角度側位移，同時(_ 098110148 12 200949874 面之繞射線朝高角度侧位移，兩繞射線以彼此至少一部分重疊之方式而形成寬幅之繞射線。此種介電陶瓷’係成形為於以鈦酸鋇為主成分之粉末中添加混合鎂或稀土類元素等氧化物粉末者，然後藉由還原煅燒而形 . 成，於該情形時，具有核殼構造之結晶粒子中，核部之鎂或稀土類元素等成分之固溶量少，因此於結晶粒子之内部，成為含有較多之氧空位等缺陷之狀態，因此，認為於施加直流電壓之 ❹ 情形時，結晶粒子之内部中，氧空位等容易成為運送電荷之載子，從而會使介電陶瓷之絕緣性降低。與此相對，本發明之介電陶瓷如圖1(a)所示，於介電陶瓷之 X射線繞射圖中，鈦酸鋇之表示正方晶系之(〇〇4)面之繞射強度，大於鈦酸鋇之表示立方晶系之(〇〇4)面之繞射強度。即，本發明之介電陶瓷，如圖1(a)所示，鈦酸鋇之表示正方晶系之(004)面(2 0 = 100。附近)與(4〇〇)面(2 0 = 1〇1。附近)之X 參射線繞射峰值明確地顯現出，鈦酸鋇之表示正方晶系之該些 (004)面及(400)面之間所顯現的鈦酸鋇之表示立方晶系之(〇〇4) 面（(040)面、（400)面重疊)之繞射強度，小於鈦酸鋇之表示正方 • 晶系之(004)面之繞射強度。本發明之介電陶瓷中，尤其是將鈦酸鋇之表示正方晶系之 (004)面之繞射強度設為Ixt ’將鈦酸鋇之表示立方晶系之(〇〇4) 面之繞射強度設為Ixc時’較理想的是，ixt/ixc比為1 4以上。當Ixt/Ixc比為1.4以上時’正方晶系之結晶相之比例增多，有 098110148 13 200949874 可能提高介電常數。此種本發明之介電喊，即便含有财形成正方晶系之大致均一之結晶相，因此，此種結晶粒子中遍及整體地固溶有鈒或其他添加成分。因此，認為於結晶粒子之内部，氧空位等缺陷之生成得到抑制且運送電荷之載子較少，從而能夠抑制施加直流電壓時之介電陶瓷之絕緣性之降低。即’對於本發明之介_以之Μ麵言，於鈦部位取代 ❷歸德原子與氧空位電荷結合，從而生成缺陷對，藉此被電性中和。因此’降低對施加電場之傳導之幫助，從而即便存在氧空位’因其移動度降低，故認為會妨礙高溫負賴驗中之絕緣電阻之降低。繼而’對製造本發明之介電陶究之方法進行說明。首先，作為原料粉末，準備純度為99%以上之鈦酸鎖粉末(以下稱作ΒΤ 粉末），作為添加成分，準備v2〇5粉末與_粉末，進而， © Y2〇3粉末、Dy2〇3粉末、H〇2〇3粉末及Εγ2〇3粉末中之至少i 種稀土類元素之氧化物粉末及MnC〇3粉末。再者，於介電陶 £中含有作為稀土類元素之狀情形時，係、使用Tb4〇7粉末作為稀土類元素之氧化物。又，於介電陶竞中含有作為第3稀土類元素之狀情科，係額Yb2()3粉末料稀域元素之氧化物。私m ’尤佳為0.15〜0.17 V功以上時’結晶粒子達 BT粉末之平均粒徑為〇 13〜〇 17 #m。當BT粉末之平均粒徑為0.13 098110148 14 200949874 ==時可抑制燒結時之粒成長，因此具有提高介電 *數_降低介電損耗之優點。二:面當BT粉末之平均粒徑為〇.17 _以下時，可鎮稀土類70素及鐘等添加劑固溶於結晶粒子之内 4 ’又’如後述般，具有將锻燒前後之自bt 之粒成長之比率提高至既定之範圍為止的優點。、、、口曰曰粒子關於作為添加劑之γ2〇3粉末、Dy2Q3粉末、Η。办粉末及 =2〇3如末令之至少！種稀土類元素之氧化物粉末，乃办粉末、¥粉末、v2〇5粉末、Mg〇粉末、及Mnc〇3粉末較佳為使用平均粒徑與BT粉末等介電體粉末之平均粒徑同等者或者其以下者。參繼而，將該些原料粉末，相對於構成BT粉末之鋇觸莫耳，以V2〇5粉末為0·05〜0 3莫耳，Mg〇粉末為〇〜」莫耳， MnC〇3粉末為〇〜〇.5莫耳’自γ㈣末、¥粉末為〇3 粉末及私〇3粉末中選擇之稀土類元素以RE2〇3換算為〇5〜 1.5莫耳之_進行娜’製作既定雜之成频，對該成形體進行脫脂後，於還原環境中進行锻燒。再者，於製造本發明之介電喊時，只魏於可維持所需之介電特性之範圍内，則亦可添加玻璃粉末作為燒結助劑，關於其添加量’當將作為主要原料粉末之BT粉末之合計量設為刚質量份時，可為0.5〜2質量份。關於鍛燒溫度，於使用玻璃粉末等燒結助劑之情形時，考慮 098110148 200949874 到控制向BT粉末之添加劑之固溶與結晶粒子之粒成長之理由，較佳為1050〜115(TC。另一方面，於不使用玻璃粉末等燒結助劑而利用熱壓法等加壓锻燒之情形時，可進行未滿丨 °〇之溫度之燒結。

本發明中，為了獲得上述介電陶瓷，係使用微粒之Βτ粉末，並於该BT粉末中添加既定量之上述添加劑，以上述溫度進行煅燒，藉此使得包含各種添加劑之BT粉末之平均粒徑於煅燒刖後達到1.4〜2.2倍左右。藉由進行煅燒，以使煅燒後之結晶粒子之平均粒徑達到包含釩或其他添加劑之67粉末之平均粒徑之1.4〜2.2倍’從而結晶粒子遍及整體地固溶有釩或其他添加成分，其結果，結晶粒子之⑽形錢空位等缺陷之生成得到抑制、運送電荷之載子較少之狀態。又，本發日种，於域後再次於弱還原環境中進行轨處理。該熱處理係為了對還原環境中之锻燒時被還原的介電陶究進行再氧化，以恢復職時㈣原崎低之絕緣電阻而進行，考慮到抑制結晶粒子之進—步粒成長之同時提高再氧化量之理由，熱處理之溫度較佳為900〜1100¾。圖2係表示本發明之積層喊電容器之例之剖發明之積層㈣電容器，係於電容器本體1G之兩端部電=4者。餘器本錢係錄個介電體層5與内部電極替積層之積層體而構成。而且，重要的是，介電體層5 ”糟上述本發明之介電㈣而形成。再者，圖2中係簡化表 098110148 16 200949874 示介電體層5與内部電極層7之積層之狀態，而本發明之積層陶竞電容器中，形成有由介電體層$與内部電極層7積層為數百層之積層體。根據此種本發明之積層陶竟電容器，可獲得如下積層陶莞電谷裔，即，藉由使用上述介電陶究作為介電體層5，而為高介電係數且低介電損耗，又，介電常數之溫度變化狀eia規格 ❹ 之X7R街生’從而即便使介電體層5薄層化亦可確保高絕緣性，且:溫負載試驗中之壽命特性優異。根據本發明之介電陶竞’因實現了高介電係數且低介電損耗，因此，例如，可降低電容科之能量損耗，藉此具有提高可輸人輸出高容篁之電何之電容器之功能的優點。此處，將介電體層5之厚度設為3 _以下、尤轉為 ”以下對於將積層_電容器小型高容量化方面較佳。進而本發明中，為了實現靜電容量之不職容量溫麟性之轉定化，杈理想的是將介電體層5之厚度設為〜以上。制部電極層7之材料，考慮到即便高積狀亦可抑之方面，較理想的是鎳(Ni)或銅(Cu)等卑金屬，其考慮到實現與本發明之介電體層1之同時锻燒之方面，更理想的是鎳(Ni；)。 ^ 外部電極4係對例如Cu或&與奶之合金膏燒附而形繼而，對積層喊餘器之製造綠騎朗。於上原料私末中添加專用之有機媒劑而調製陶莞漿料，其次，對陶 098110148 200949874 兗漿料利用到刀成形法或生片。該情形時，陶究生佈=薄片成形法形成陶曼高容量化之薄層化、唯持^ a’考慮到用以使介電體層之 μ化維持兩絕緣性方面繼而，對所獲得之陶兗生片 4 4 βτη〇部電極圖案。形成内部電_面上印刷而形成矩形狀之内湖邛電極圖案之導體膏該些之合金粉末。权佳馮CU或者將形成有内部電極圖案之 φ 上下，以上下層達到相同片數豐最所需片數，並於其極圖案之陶究生片，從而形成/式而重疊數片未形成内部電 , 成4片積層體。於該情形時，薄片積層體中之内部電極_係於長度方向上各錯開半個圖宰。 / 繼而，將薄片積層體以格子狀切斷，使得内部電_案之端部露出之方式而形成電容器本體餿成形體。藉由此種積層方法，月匕以於切斷後之電容器本體成形體之端面交替露出内部電極圖案之方式而形成。參繼而，於對電容器本體成形體進行脫脂之後，藉由進行鱼上述介電陶餘同之锻燒條件及弱還原環境中之熱處理而電容器本體。於該電容器本體之相對向之端部，塗佈外部電極膏並進行燒製從而形成外部電極4。又，亦可於該外部電極4之表面形成鍍敷膜以提高封裝性。 [實施例] 以下，列舉實關對本發明進行詳細說明，但本發明並不受 098110148 200949874 以下之實施例之限定。 [實施例1] 首先，作為原料粉末，準備BT粉末、Mg〇粉末、Υ203粉末、Dy203粉末、Ηο2〇3粉末、Er203粉末、Tb407粉末(第2稀土類元素）、MnC03粉末及V205粉末，將該些各種粉末按照表 1所示之比例進行混合。該些原料粉末係使用純度為99.9% 者。再者’ BT粉末之平均粒徑示於表！中。MgO粉末、γ2〇3 粉末、Dy203粉末、Ho2〇3粉末、Er203粉末、Tb407粉末、MnC〇3 粉末及V2〇5粉末係使用平均粒徑為〇丨者。；BT粉末之

Ba/Ti比设為1。燒結助劑係使用si〇2 = 55、BaO = 20、CaO = 15、1^0= 1〇(莫耳％)組成之玻璃粉末。玻璃粉末之添加量相對於BT粉末1〇〇質量份而設為1質量份。繼而’㈣原料粉末係使用直徑為5麵之球狀氧化錯，添

加作為溶叙與乙狀混合溶舰進㈣式齡而成。於濕式混合之粉末中添加聚乙烯醇縮丁越樹脂及甲苯與乙醇之混合溶媒’並·直徑為5麵之球狀氧化錯進鄕式混合而調製出陶料，藉由刮刀成形法而製作厚度為2.5 之陶瓷生片。繼而雜之心Γ喊生狀上表㈣献細Ni為主成分々 " 電極_。内部電極圖案中所使用之辦客，f 之BT粉^^m末’_共如用於生> 相對於Nl粉末湖質量份而添加質量份彻 098110148 19 200949874 而成者。繼而，積層印刷有内部電極圖案之喊生片細片，並於其上下表面分別積層未印刷有内部電極圖案之陶瓷生片2〇片， ··使用壓製機並於溫度_、壓力1〇7Pa、時間為1〇分鐘之條 ’件下，進行總括積層，切斷為既定之尺寸而形成積層成形體。將該積層成形體以10°c/h之升溫速度進行加熱並於大氣中以30CTC進行脫黏合劑處理，繼而，以3〇(rc/h之升溫速度進 ®行加熱，並於氫氣-氮氣中以uirc锻燒2小時。之後，降溫直至UKKTC為止，於氮氣環境中實施4小時之加熱處理(再氧化處理），冷卻後製作電容器本體。該電容器本體之大小為 0.95x0.48x0.48 mm3，介電體層之厚度為2 "m，内部電極層之1層之有效面積為0.3 mm2。再者，所謂有效面積，係指以於電容器本體之不同端面上分別露出之方式而於積層方向上父替形成之内部電極層彼此之重疊部分的面積。 ⑩ 繼而，對經崎之電容ϋ本體進行滚筒研磨後，於電容器本

體之兩端部塗佈包含Cu粉末與玻璃之外部電極膏，以咖。C •進行燒附而形成外部電極。之後，使用電解滾筒機於該外部電極之表面依久進行见鑛敷及s續敷，從而製作積層陶究電容器。繼而’對該些積層陶兗電容器進行以下之評估。評估中均係將試料數設為10個，並求出其平均值。介電常數係於温度^ C、頻率i.〇kHz、測定電壓！ Vrms之測定條件下測定出靜電 098110148 20 200949874 電容，根據所獲得之靜電電容並根據介電體層之厚度、内部電極層之有效面積及真空之介電係數進行換算而求出。介電損耗係於與靜電電容相同之條件下進行測定。又，介電常數之溫度特性係於溫度_55〜125t:之範圍内測定出靜電電容而求出。絕 '緣電阻係於直流電壓為⑶V/㈣及12.5 v/㈣之條件下評估。絕緣電阻係讀取施加直流電壓丨分鐘後之值。 ❹ 高溫負載試驗係於溫度l7(rc、施加電壓3〇 v〇5 v/_之條件下進行。高溫負載試驗中之試料數設為各試料為2〇個。結晶粒子之平均粒徑係將經研磨（離子研磨）之研磨面在穿透電子顯微鏡中所映出之影像取入至電腦中，直至達到藉透電子顯微鏡可觀察介電陶究之剖面之狀態為止’於料面上對…之結晶粒子之輪廓進行影像，並算出置換為相同面積之圓時之直 Φ =’出經舁出之結晶粒子約5〇個平均值。又，對介電體粉末之粒成長之比例進行評估。 '刀作為積層喊電容器之試料之組成分析係藉由光分析而:’感應峨幻分析或原子吸酸納混合溶融而成者溶解於鹽酸令，ϋ吏棚酸與碳升去、素進订疋性分析，其次，將特定之久素，以將標準液稀釋而成者作光分析進行定詈#。干、7寸精由icp發光分進仃疋里化。又，以各元素之價數作為週縣所示之價 m110148 200949874 數而求出氧量。調合組成與煅燒溫度分別示於表1中，介電陶瓷中之各元素之氧化物換算之組成示於表2中，特性之結果示於表3中。此 ‘處，於介電陶瓷之ICP分析中，將各成分為檢測極限以下(0.5 • //g/g以下）之情形設為0莫耳。

098110148 22 200949874 [表i] 試料 No. BT粉末 MgO MnC〇3 ν2〇5 稀土類元素第2稀土類元素煅燒溫度 °r 平均粒徑 (Tb4o7) /zm 莫耳莫耳莫耳種類莫耳莫耳 *1-1 0.15 0 0 0.1 Y2〇3 1 0.2 1105 *1-2 0.1 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-3 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-4 0.13 0 .0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-5 0.17 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-6 0.15 0.02 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-7 0.15 0.05 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-8 0.15 0.1 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1115 *1-9 0.15 0.15 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-10 0.15 0 0.2 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-11 0.15 0 0.5 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1115 *1-12 0.15 0 0.7 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1115 *1-13 0.15 0 0 0 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-14 0.15 0 0 0.05 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-15 0.15 0 0 0.15 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-16 0.15 0 0 0.2 Υ2〇3 1 0.2 1115 1-17 0.15 0 0 0.3 Υ2〇3 1 0.2 1115 *1-18 0.15 0 0 0.4 Υ2〇3 1 0.2 1115 *1-19 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 0 0.2 1115 1-20 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 0.5 0.2 1115 1-21 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1.5 0.2 1115 *1-22 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 2 0.2 1115 1-23 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0 1115 1-24 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.1 1115 1-25 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.3 1115 1-26 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.4 1115 *1-27 0.2 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0 1115 1-28 0.15 0 0 0.1 Dy2〇3 1 0.2 1115 1-29 0.15 0 0 0.1 Η〇2〇3 1 0.2 1115 1-30 0.15 0 0 0.1 Εγ2〇3 1 0.2 1115 氺記號表示本發明之範圍外之試料。

23 098110148 200949874 [表2]

試料No. MgO MnO V2〇5 稀土類元素第2稀土類元素(Tb407) 莫耳莫耳莫耳種類莫耳莫耳 *1-1 0 0 0.1 Y必 1 0.2 *1-2 0 0 0.1 Y2〇3 1 0.2 1-3 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1-4 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1-5 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1-6 0.02 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1-7 0.05 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1-8 0.1 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 *1-9 0.15 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1-10 0 0.2 0.1 Υ2〇3 1 0.2 1-11 0 0.5 0.1 Υ2〇3 1 0.2 *1-12 0 0.7 0.1 Υ2〇3 1 0.2 *1-13 0 0 0 Υ2〇3 1 0.2 1-14 0 0 0.05 Υ2〇3 1 0.2 1-15 0 0 0.15 Υ2〇3 1 0.2 1-16 0 0 0.2 Υ2〇3 1 0.2 1-17 0 0 0.3 Υ2〇3 1 0.2 *1-18 0 0 0.4 Υ2〇3 1 0.2 *1-19 0 0 0.1 Υ2〇3 0 0.2 1-20 0 0 0.1 Υ2〇3 0.5 0.2 1-21 0 0 0.1 Υ2〇3 1.5 0.2 *1-22 0 0 0.1 Υ2〇3 2 0.2 1-23 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0 1-24 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.1 1-25 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.3 1-26 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.4 *1-27 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0 1-28 0 0 0.1 Dy2〇3 1 0.2 1-29 0 0 0.1 Η〇2〇3 1 0.2 1-30 0 0 0.1 Εγ2〇3 1 0.2 *記號表示本發明之範圍外之試料。 098110148 24 200949874 [表3] 試料 No. 結晶粒子之平均粒徑粒成長率 X射線繞射圖之強度比較** 介電常數 (25°〇介電損耗 (25°〇絕緣電卿介電常數之溫度特性高溫負載試^ 下之壽命掩 (170°c ' 30 V) (3.15 V/^m) (12.5V///m) (12.5 V//m) βτη % — — % Ω(室溫） Ω(室溫） Ω(125°〇 X7R*** 小時 *1-1 0.19 127 1.3 3410 10.3 5.0E+08 5.0E+08 5.0Ε+05 〇 ~ 68 *1-2 0.3 300 1.6 3670 11.9 5.2E+08 5.4E+08 6.1Ε+05 X 72 1-3 0.21 140 1.4 3550 10.3 5.2E+08 5.4E+08 5.7Ε+05 〇 72 1-4 0.27 208 1.5 3660 10.6 5.2E+08 5.4E+08 4.9Ε+05 〇 73 1-5 0.25 147 1.4 3560 10.5 5.2E+08 5.4E+08 5.3Ε+05 〇 66 1-6 0.24 160 1.4 3580 10.8 5.2E+08 5.1E+08 5.4Ε+05 〇 72 1-7 0.24 160 1.4 3580 10.9 5.2E+08 5.1E+08 5.6Ε+05 〇 72 1-8 0.23 153 1.4 3560 11.0 5.3E+08 5.1E+08 5.5Ε+05 〇 72 *1-9 0.24 160 1.4 3570 11.0 5.2E+08 1.0E+08 5.7Ε+05 X 55 1-10 0.24 160 1.4 3580 10.7 5.2E+08 5.4E+08 5.7Ε+05 〇 72 1-11 0.23 153 1.3 3530 10.7 5.3E+08 5.5E+08 5.4Ε+05 〇 72 *1-12 0.23 153 1.3 2780 11.3 5.4E+08 5.6E+08 5.6Ε+05 〇 72 *1-13 0.22 147 1.3 3590 10.6 5.4E+08 9.7E+07 1.2Ε+07 〇 8 1-14 0.24 160 1.4 3580 10.6 5.3E+08 5.4E+08 3.2Ε+06 〇 72 1-15 0.24 160 r ι·4 3580 10.6 5.2E+08 5.3E+08 2.6Ε+05 〇 73 1-16 0.24 160 1.3 3570 10.6 5.2E+08 5.3E+08 8.6Ε+04 〇 75 1-17 0.25 167 1.4 3560 10.6 5.1E+08 5.2E+08 5.3Ε+04 〇 76 *1-18 0.26 173 1.4 3550 11.2 5.0E+07 5.1E+07 1.6Ε+04 〇 77 *1-19 0.27 180 1.4 3570 11.2 4.0E+08 1.5E+08 5.6Ε+05 〇 36 1-20 0.24 160 1.4 3580 10.6 5.2E+08 5.4E+08 5.4Ε+05 〇 72 1-21 0.23 153 1.3 3540 10.6 5.2E+08 5.4E+08 5.5Ε+05 〇 73 *1-22 0.22 147 1.3 2780 10.5 5.6E+08 5.7E+08 5.6Ε+05 〇 74 1-23 0.24 160 1.4 3600 10.6 5.0E+08 5.1E+08 5.4Ε+05 〇 60 1-24 0.24 160 1.4 3590 10.6 5.2E+08 5.4E+08 5.6Ε+05 〇 71 1-25 0.24 160 1.4 3560 10.6 5.2E+08 5.4E+08 5.5Ε+05 〇 73 1-26 0.27 180 1.4 3510 10.6 5.1E+08 5.3E+08 5.7Ε+05 〇 74 *1-27 0.25 125 0.6 3280 12.0 5.1E+08 1.0E+08 5.4Ε+05 〇 5 1-28 0.26 173 1.4 3590 10.5 5.2E+08 5.4E+08 5.5Ε+05 〇 72 1-29 0.26 173 1.4 3590 10.5 5.2E+08 5.4E+08 5.6Ε+05 〇 72 1-30 0.26 173 1.4 3590 10.5 5.2E+08 5.4E+08 5.6Ε+05 〇 72 氺記號表示本發明之範圍外之試料。 * * .將表不正方晶系之(〇〇4)面之繞射強度設為ixt、將表示立方晶系之_)面之繞射強度設為恤時之Ixt/Ixc比 .Ixt/Ixc比大於1之值係表示正方晶系之(〇〇4)面之繞射強度大於表示立方晶系之(〇〇4)面之繞射強度之情形。 .Ixt/Ixc =小於1之值係表示正方晶系之(〇〇4)面之繞射強度小於表示立方晶系之(〇〇4)面之繞射強度之情形。 * * *、〇 :滿足X7R之情形，χ :不滿足X7R之情形。 ##絕緣電阻係以尾數部與指數部之間加入E之指數表述而表示。 098110148 25 200949874 根據表卜3之結果可知，本發明之試㈣。㈣、介電常數為細以上，介電損耗為15%町，介電常數之溫度變化滿足ΕΙΑ規格之观特性。又，可獲得每單位厚如㈣所施加之直流缝之值設為3 15 ν/仰及12 $ ο 時的絕緣電阻之降低較小(表3中，以尾數部與指數部之間加入E之指數表述而絲。），絕緣電阻之電壓依存性更小之介電陶兗。又，高溫負載試驗中之壽命特性於赋、Μ W m之條件下為6G小時以上。該些顺以鈦酸難為主成分，相對於構成鈦酸鋇之鋇100莫耳，而含有以v2〇5換算為〇〇5 〜〇.3莫耳之銳，以Mg〇換算為〇〜〇.1莫耳之鎮，以Mn0 換算為0〜0.5莫耳之盆，以肪2〇3換算為〇 w $莫耳之自記、鋼、鈥及铒中選擇之1種稀土類元素㈣，於介電陶究之X射線繞射财’表示正方晶系之鈦酸鋇之(⑻4)面之繞射強度大於表示立方晶系之鈦酸鋇之(〇〇4)面之繞射強度，且姓晶粒子之平均粒徑為G.21〜0.28㈣。又，試料N。·1·3〜卜5、_ 1七、1·14〜Η7、U〜⑽、 1-23〜1-26、l-Hw中，介電損耗可達到ι〇 7%以下，又，可獲得高絕雜之介電_，其施加之錢電壓齡出於體層之每單位厚度(1 em)3 15 v/帅與M 之間绝緣電阻增加之傾向（正之變化）。該些試料係以鈦酸鋇作為主分，相對於構成該鈦酸鋇之鋇100莫耳，而含有以乂处換算 098110148 26 200949874 為〇.〇5〜=莫耳之鈒，以Mn〇換算為〇〜〇 $莫耳之龜以吸〇3換算為（^5〜〗5莫耳之自紀、鏑、鈥及斜中選擇之稀土類το素(RE) ’絲以Mg〇換算為G莫耳。又以鈦@夂鋇作為主成分，相對於構成該鈦酸鎖之銷刚 ^耳而3有以V2〇5換异為〇」〜〇 3莫耳之飢，以肪2〇3換算為〇·5〜1.5莫耳之自紀、鏑、鈥及财選擇之稀土類元素 (RE)’而鎮以Mg〇換算為G莫耳及錳以MnO換算為〇莫耳之

No.1-3^ 1-5 > M4^ My > 1.2〇, ^

❹ 1-28 〜1-30中，可使介電損耗降低為1〇 6%以下。又，相對於構成鈦酸鎖之鋇1〇〇莫耳，而僅以本發明所規定之量含核、駐類元素、鎮驗，且含有以Tb4〇7鮮為〇〇5 〇.3 莫耳之錢之試料 ν〇·ι_3〜1-8、M〇、ι_ιι、ι_ΐ4〜M7、 1 20 1-21、1-23〜1-26、1-28〜1-30中，與不含有铽之試料 Νο.1-23相比較，可提高介電陶瓷之絕緣電阻，並於將上述之介電陶究適用於積層陶竟電容器之介電體層時進—步提高高溫負載試驗中之壽命特性。與此相對’本發明之範圍外之試料No.Μ、1-2、1-9、M2、 1_13、1-18、1-19、ι_22、1-27 中’介電常數低於 moo，或者介電吊數之溫度變化不滿足ΕΙΑ規格之X7R特性，或者絕緣電阻於每單位厚度(1 #m)所施加之直流電壓之值測定為12.5 V/#m時低於ι〇8β，高溫負載試驗之壽命特性為8 小時以下。 [實施例2] 098110148 27 200949874 繼而，於實施例1中所示之作為本發明之試料之各組成中，進而添加以Yb203換算為0.35莫耳之镱，利用與實施例1相同之方法製作試料並進行評估(試料N 〇. 2 -1〜2 - 21)。 • 又，相對於實施例1之試料No. 1-3，添加以Yb203換算為0 ' 〜0.9莫耳之镱，將烺燒溫度設為1150°C，而利用與實施例1 相同之方法製作試料並進行評估(試料No.2-22〜2-28)。調合組成與煅燒溫度分別示於表4中，介電陶瓷中之各元素 ❹ 之氧化物換算之組成示於表5中，特性之結果示於表6中。 098110148 28 200949874 [表4] 試料 No. BT粉末 MgO MnC03 V2〇5 第1稀土類元素第2稀土類元素(Tb4〇7) 第3稀土類元素(Yb203) 锻燒溫度平均粒徑 /zm 莫耳莫耳莫耳種類莫耳莫耳莫耳 °C 2-1 0.15 0 0 0.1 Y2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-2 0.13 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-3 0.17 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-4 0.15 0.02 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-5 0.15 0.05 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-6 0.15 0.1 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-7 0.15 0 0.2 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-8 0.15 0 0.5 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-9 0.15 0 0 0.05 Υ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-10 0.15 0 0 0.15 Υ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-11 0.15 0 0 0.2 Υ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-12 0.15 0 0 0.3 Υ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-13 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 0.5 0.2 0.35 1115 2-14 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1.5 0.2 0.35 1115 2-15 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0 0.35 1115 2-16 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.1 0.35 1115 2-17 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.3 0.35 1115 2-18 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.4 0.35 1115 2-19 0.15 0 0 0.1 Dy2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-20 0.15 0 0 0.1 Η〇2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-21 0.15 0 0 0.1 Εγ2〇3 1 0.2 0.35 1115 2-22 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0 1150 2-23 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.2 1150 2-24 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.3 1150 2-25 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.5 1150 2-26 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.6 1150 2-27 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.7 1150 2-28 0.15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.9 1150 29 098110148 200949874 [表5] 試料No. MgO MnO V2〇5 第1稀土類元素第2稀土類元素 (Tb4〇7) 第3稀土類元素 (Yb2〇3) 莫耳莫耳莫耳種類莫耳莫耳莫耳 2-1 0 0 0.1 Y2〇3 1 0.2 0.35 2-2 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 2-3 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 2-4 0.02 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 2-5 0.05 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 2-6 0.1 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 2-7 0 0.2 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 2-8 0 0.5 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.35 2-9 0 0 0.05 Υ2〇3 1 0.2 0.35 2-10 0 0 0.15 Υ2〇3 1 0.2 0.35 2-11 0 0 0.2 Υ2〇3 1 0.2 0.35 2-12 0 0 0.3 Υ2〇3 1 0.2 0.35 2-13 0 0 0.1 Υ2〇3 0.5 0.2 0.35 2-14 0 0 0.1 Υ2〇3 1.5 0.2 0.35 2-15 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0 0.35 2-16 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.1 0.35 2-17 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.3 0.35 2-18 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.4 0.35 2-19 0 0 0.1 Dy2〇3 1 0.2 0.35 2-20 0 0 0.1 Η〇2〇3 1 0.2 0.35 2-21 0 0 0.1 Er2〇3 1 0.2 0.35 2-22 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0 2-23 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.2 2-24 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.3 2-25 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.5 2-26 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.6 2-27 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.7 2-28 0 0 0.1 Υ2〇3 1 0.2 0.9 30 098110148 200949874[表6]

謝斗 No. 結晶粒子之平均粒徑粒成長率 X射線繞射圏之酸fcbfe** 介電錄 (25°〇介電雛 (25°〇鱗電賴介電雜之财特1·生南溫負載驗下之#^#1·生 (170〇C'30V) (3.15V/㈣ (125V//zni) (125V/㈣ μτη % — — % Ω(室溫） β(室溫） Ω(125〇〇 X7R*** 小時— 2-1 0.21 140 1.4 3550 10.3 5.2Ε+08 5.4Ε+08 2.7Ε+07 〇 71 — 2-2 0.27 208 1.5 3660 10.6 5.2Ε+08 5.4Ε+08 2.9Ε+07 〇 73 2-3 0.25 147 1.4 3560 10.5 5.2Ε+08 5.4Ε+08 3.0Ε+07 〇 65 2-4 0.24 160 1.4 3580 10.8 5.2Ε+08 5.1Ε+08 2.4Ε+07 〇 71 ~ 2-5 0.24 160 1.4 3580 10.9 5.2Ε+08 5.1Ε+08 2.9Ε+07 〇 71 2-6 0.23 153 1.4 3560 11.0 5.3Ε+08 5.1Ε+08 2.5Ε+07 〇 72 2-7 0.24 160 1.4 3580 10.7 5.2Ε+08 5.4Ε+08 2.7Ε+07 〇 71 2-8 0.23 153 1.3 3550 10.7 5.3Ε+08 5.5Ε+08 2.8Ε+07 〇 71 2-9 0.24 160 1.4 3580 10.6 5.3Ε+08 5.4Ε+08 3.1Ε+07 〇 71 2-10 0.24 160 1.4 3580 10.6 5.2Ε+08 5.3Ε+08 1.2Ε+07 〇 72 2-11 0.24 160 1.3 3570 10.6 5.2Ε+08 5.3Ε+08 9.2Ε+06 〇 74 2-12 0.25 167 1.4 3560 10.6 5.1Ε+08 5.2Ε+08 6.1Ε+06 〇 75 2-13 0.24 160 1.4 3580 10.6 5.2Ε+08 5.4Ε+08 2.6Ε+07 〇 71 2-14 0.23 153 1.3 3560 10.6 5.2Ε+08 5.4Ε+08 2.9Ε+07 〇 72 2-15 0.24 160 1.4 3600 10.6 5.0Ε+08 5.1Ε+08 2.7Ε+07 〇 59 2-16 0.24 160 1.4 3590 10.6 5.2Ε+08 5.4Ε+08 2.5Ε+07 〇 70 2-17 0.24 160 1.4 3560 10.6 5.2Ε+08 5.4Ε+08 2.4Ε+07 〇 72 2-18 0.27 180 1.4 3490 10.6 5.1Ε+08 5.3Ε+08 2.7Ε+07 〇 73 2-19 0.26 173 1.4 3590 10.5 5.2Ε+08 5.4Ε+08 2.8Ε+07 〇 71 2-20 0.26 173 1.4 3590 10.5 5.2Ε+08 5.4Ε+08 2.9Ε+07 〇 71 2-21 0.26 173 1.4 3590 10.5 5.2Ε+08 5.4Ε+08 2.7Ε+07 〇 71 2-22 0.27 180 1.7 4180 12.0 5.2Ε+08 5.4Ε+08 1.2Ε+06 〇 71 2-23 0.26 173 1.7 4150 12.3 5.2Ε+08 5.4Ε+08 4.6Ε+06 〇 68 2-24 0.25 167 1.6 3680 12.5 5.2Ε+08 5.4Ε+08 2.1Ε+07 〇 67 2-25 0.24 160 1.6 3680 12.8 5.2Ε+08 5.4Ε+08 4.5Ε+07 〇 63 2-26 0.24 160 1.6 3680 12.9 5.2Ε+08 5.4Ε+08 5.1Ε+07 〇 60 2-27 0.24 160 1.6 3680 14.0 5.2Ε+08 5.4Ε+08 5.8Ε+07 〇 45 2-28 0.23 153 1.6 3620 15.0 5.2Ε+08 5.4Ε+08 6.3Ε+07 〇 32 * * :將表示正方晶系之(004)面之繞射強度設為Ixt、將表示立方晶系之(004)面之繞射強度設為Ixc時之Ixt/Ixc比。 • Ixt/Ixc比大於1之值係表示正方晶系之(004)面之繞射強度大於表示立方晶系之(〇〇4)面之繞射強度之情形。 • Ixt/Ixc比小於1之值係表示正方晶系之(004)面之繞射強度小於表示立方晶系之(〇〇4)面之繞射強度之情形。 * * *、〇：滿足X7R之情形，X :不滿足X7R之情形。 ##絕緣電阻係以尾數部與指數部之間加入E之指數表述而表示。 098110148 31 200949874 根據表4〜6之結果可知，於會 ^丄於實施例1中所示之作為本發明之試料之各組成中，進而含有以 3㈣Yb203鮮為α35莫之試料，任一者之斗〜之試料相同之特性。打獲付與不含有镱之組成又’相對於實施例！之試料Ν 換算為0〜0.9莫耳之鏡，以1Wc3 _ ’添㈣ _ U5GC之溫度城製作而成之試 ❹ 料 8中’含有以㈣換算為0.3〜〇·7莫耳之鋒之試料Ν〇·2-24〜2·27，與試料Ν〇 Μ之介電常數之差較^ 為130以下，與镱之含量為〇.2莫耳以下之試料(試料Ν〇2_22、 2-23)相比較，介電常數相對於锻燒溫度之變化較小，⑵。c時之_電㈣較高’為2·1χ1〇7 Ω以上。又，與含有以γ峨換二為0.9莫1之镱之試料Ν〇.2_28相比較，高溫負載試驗中之哥命特性較高，為45小時以上。 ❹ 以上’對本發明之介電陶竞及積層陶究電容器進行了詳細說明’本發明之範圍並不受該些說明所限制，於不破壞本發明之主旨之範圍内可進行適當變更或改善。 Χ 【圖式簡單說明】圖1⑻係表示實施例中之作為本發明之介電喊之試料 No.M的Χ射線繞射圖，圖1(b)係表示實施例中之比較例之作為介電陶竟之試料NcU-27之X射線繞射圖。圖2係表示本發明之積層陶瓷電容器之例之剖面示意圖。【主要元件符號說明】心 098110148 32 200949874 4 外部電極 5 介電體層 7 内部電極層 10 電容器本體

098110148 33

Claims

200949874 七、申請專利範圍： 1.一種介電陶瓷，其係包含以鈦酸鋇為主成分之結晶粒子、及存在於該結晶粒子間之晶界相者，其特徵在於：相對於構成上述鈦酸鋇之鋇100莫耳，含有以ν2〇5換算為〇·05〜〇·3莫耳之鈒’以MgO換算為〇〜〇.1莫耳之鎮，以Μη〇換算為0〜0.5莫耳之錳，以RE2〇3換算為〇5〜〗5莫耳之自釔、鏑、鈥及餌中選擇之丨種稀土類元素(RE)，並且，於X射線繞射圖中，表示正方晶系之鈦酸鋇之(004)面之繞射強度係大於表示立方晶系之鈦酸鋇之(〇〇4)面之繞射強度，且上述結晶粒子之平均粒徑為〇 21〜〇 28从瓜。 2.如申請專利範圍第1項之介電陶瓷，其中，上述鎂以Mg〇換算為0莫耳。 3·如申請專利範圍第2項之介電喊，其中，上述鐘以Mn〇換算為0莫耳。 Ο 4.如申請專利範圍第1項之介電陶瓷，其中，相對於構成上述鈦酸鋇之鋇削莫耳，進而含有以Tb4〇7換算為g 下之铽。 ·夭吁Μ 5·如申請專利範圍第丨項之介電陶竟，其中，㈣述鈦酸鋇之鋇⑽莫耳，進而含有以為〇3換算為、耳之镱。 .υ./莫 6· 一種積層喊電容器，其特徵在於，由申請專利範圍第1 至5項中任—項之介電陶韻構成之介電體層與内部電極声之積層體而構成。 ”日 098110148 34