TW200947152A - Pellicle - Google Patents

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film
aluminum
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Toru Shirasaki
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Shinetsu Chemical Co
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Description

200947152 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 【_1】 製造LSI、超LSI等半導體裝置時用來當作防鹿哭姑f關： Ϊ ίΐίϋ 1 係it種 防巧膜纽件，特別係關於-種在 的微影 件 ?中且使用在20一以下的紫外線曝光中的微影;:以膜組 【先前技術】 【0002】 以往在LSI、超LSI等轉體裝置或是液晶顯 造中，係用光照射半導體晶圓或液晶用原板以製 ，，使光反射，故除了會使轉印的圖案變形、使邊緣變收 產品的性能惡化或降低製造成品^ 彳置从日日顯示板等 【0003】 Ο =此’該等作業通常是在無塵室内進行，然、而即 要經常保持曝光原板清_是相當_，故吾ζί ，曝先原板表面貼合透光性良好的防護薄膜組件作為防以 防護s上異於曝光原板的表面上，而係附著於 薄膜上曝财會^==鮮_摘圖案，防護 【0004】 曰 素等物質;:係用透光性良好的破化纖維素、酷酸纖維 薄膜的良、、容棋，嚴ί然後在防護薄膜組件框架的上部塗佈防護 、' 將防護薄膜風乾接合於防護薄膜組件框架的上 200947152 照專利文獻υ，或者是用丙歸酸樹脂或環氧樹 参照專利文獻2、專敎獻3、專利文獻4)， 料框架的下部設置由聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯酯 黏著制物㈣構成祕著層以及保護該 【0005】 漸使長漸提高’且為τ實現該解析度’逐 分子雷射光Unmt # 準 ❹ 難確光的光能量很大’ f知纖維素系薄膜材料很 ===耐紐。因此，在&F準分子雷射之㈣膜材料換 [0006] 苴;長時間使用，則會在表面上析出異物，使圖案劣化。 體氣體成份發生反應而在光罩表面上形成固 ❹ 活性化狀生成故在曝光中該等物質會吸咖^ 【0007】 離；有在機進=:=^^^^ 或氨，若該這轉劑殘留在光罩表而f先f洗淨步驟係使用硫酸 的曝光步驟======= (參照 4 200947152 【0008】 使用ϊ組件’—般而言防護薄膜組件框架係 黑色氧i铭處理二經:某種陽極氧化處理，例如 以外_，職氧歧种便钱㈣I·;;减理愤用植 .酸ίϊί„的防護薄膜組件植架，會在氧皮铭層 置成殘留的酸成份，在防護薄膜婦貼人到光 【0=，可能會使光罩上產生累積性異物 ❹ =處為=;物=子^ f 2文獻1】a本特開昭财搬3號 iff文獻3】3本特公昭63.27707號公報 鲁 文獻5】日本特開_偏1號公報 【發明内容】 [發明所欲解決的問題] 【0011] 【0012】 本發明之㈣___料，防麟料雜架僅實施 200947152 ，成型加工’或是在成型加工之後僅實施過研磨加工，且係使用 未著色的鋁或是鋁合金所製成的。 [對照先前技術之功效] 【0013】 _若依本發明之防護薄膜組件，由於不會實施像黑色氧皮鋁處 理這種^帶來作為累積性異物成因的酸成份或離子的處理，並使 用僅實施過成型加工且未著色的鋁合金或是在成型加工之後僅實 ，，研磨表面處理且未著色的鋁合金製作防護薄膜組件框架，故 能提供一種框架表面不會含有該等酸或氨的離子成份而非常乾淨 的防護薄膜組件。
【實施方式】 【0014】 入發明人發現，只要不要對鋁製防護薄膜組件框架實施會使其 含有離子的表面處理，就能防止上述不良情況發生。 /、 如亡所，，現有的防護薄膜組件框架，都會對鋁框架表面實 ，，種陽極氧化處理’例如黑色氧皮纟g處理。在氧皮㉝層中會殘 理時所使用的酸成份，而且在氧皮銘層中也會有黑色 的氨成份。當防護薄膜組件裝設到光罩上並長期間使用時， 遠專成份會使光罩表面產生累積性異物。 【0015】 然而 ，若以該等未經過黑色氧皮鋁處理且未著色的鋁作為 ，對其實施成型加工，或是，在成型加工之後僅對防護 轉實施研絲面處理’則在框架表社就不會含有談 夂或㈣軒成份，這樣就能提供—乾淨祕護薄膜^ 加 件 【實施例】 【0016】 以下揭示本發明的實施例。 〔實施例1〕 6 200947152 將CytopCTX-S (旭硝子（股）製）溶解於全氟三丁美 滴在砍晶圓上，用旋塗法以83^m的 速，使魏在晶圓上擴散。接著置於室溫下二 使”乾無，紐制18(TC使其徹底乾燥，如是便製得均勺的薄 膜。對其塗佈接合劑，並將其貼合於鋁框 專 便製得防護薄膜。 按者將4膜剝離， • 贿製作料尺寸149mmxl22mmx5.8mm的防難膜组侔裉 架。該防護薄膜組件框架僅經過成型加工且未著 #膜、、且件杧 【0017】 ❹ 在該防護薄膜組件框架的—端面上塗佈光罩㈣ 一端面上塗佈薄膜接合劑。之後在薄膜接合劑該側貼!1從銘= =防護_，並切除框架外周圍的薄膜，如是便完^防護薄膜 的J完放入聚丙烯製的袋子中，並注入_ 的純水，讓防濩溥膜組件完全浸潰在純水中。 後以8(TC加熱1小時。用離子層析儀分析抽；^果 到硫=8子1或是其他酸離子。而且也沒 〔比較例1〕 將cyt〇pCTX_s (旭硝子（股）製）轉於全氣 製得5%溶液，再將該溶液滴在石夕晶圓上 ^ 土女中& 速度讓晶11旋轉，使溶液在關上擴散。接著置 使其乾無’然後再以18(TC使其乾燥，如是便製得均皿刀= 其塗佈接合劑，並將其貼合於鋁框上，接著 _胁溥膜對 防護薄膜。 ⑬轉麵娜，便製得 以銘製作出外尺寸149mmx122mmx5 8mm的防 架。薄膜組件框架經過黑色氧皮_表面處理。'牛框 在該防護薄膜組件框架的—端面上塗佈 200947152 下的防護薄膜’並切除框架外周圍的薄膜，如是便完成防護薄膜 組件。 將完成的防護薄膜組件放入聚丙烯製的袋子中，並注入100ml 的純水，讓防護薄膜組件完全浸潰在純水中。將袋子熱密封，然 後以80°C加熱1小時。用離子層析儀分析抽樣水，結果檢測到硫 • 酸離子為〇.lPPm，氨離子亦為0_lppm。 【圖式簡單說明】 (無） ❹ .【主要元件符號說明】 (無）

Claims (1)

  1. 200947152 七、申請專利範圍： 1、一種防護薄膜組件，使用於半導體微影中，其特徵為：防護薄 膜組件框架僅實施過成型加工，或是在成型加工之後僅實施過研 磨加工，且係使用未著色的鋁或是鋁合金所製成的。 八、圖式： (無） ❹
    9
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