JPH06222551A - 離型性成膜用基板およびペリクル膜の製造方法 - Google Patents
離型性成膜用基板およびペリクル膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH06222551A JPH06222551A JP3134593A JP3134593A JPH06222551A JP H06222551 A JPH06222551 A JP H06222551A JP 3134593 A JP3134593 A JP 3134593A JP 3134593 A JP3134593 A JP 3134593A JP H06222551 A JPH06222551 A JP H06222551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- pellicle
- coated
- pellicle film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Moulding By Coating Moulds (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明はこの上に成膜された膜体を容易に
剥離できるようにした離型性成膜用基板およびこの基板
を使用して傷やしわのないペリクル膜を製造するペリク
ル膜の製造方法の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明の離型性成膜用基板は、その表面を
非晶質フッ素樹脂でコーティングしてなることを特徴と
するものであり、このペリクル膜の製造方法はこのよう
に処理された離型性成膜用基板を用いてここにペリクル
膜を成膜し、剥離することを特徴とするものである。
剥離できるようにした離型性成膜用基板およびこの基板
を使用して傷やしわのないペリクル膜を製造するペリク
ル膜の製造方法の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明の離型性成膜用基板は、その表面を
非晶質フッ素樹脂でコーティングしてなることを特徴と
するものであり、このペリクル膜の製造方法はこのよう
に処理された離型性成膜用基板を用いてここにペリクル
膜を成膜し、剥離することを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は離型性成膜用基板、特に
はＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるいは液晶表示
板を製造する際のゴミよけとして使用されるペリクル膜
の製造方法に有用とされる離型性成膜用基板、およびこ
れを用いたペリクル膜の製造方法に関するものである。
はＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるいは液晶表示
板を製造する際のゴミよけとして使用されるペリクル膜
の製造方法に有用とされる離型性成膜用基板、およびこ
れを用いたペリクル膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体デバイス
あるいは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェ
ハーあるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを
作成するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミ
が付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲
げてしまうため、転写したパターニングが変形したり、
エッジががさついたものとなるほか、寸法、品質、外観
などが損なわれるという問題があった。このため、これ
らの作業は通常クリーンルームで行なわれているが、こ
のクリーンルーム内でも露光原版を常に清浄に保つこと
が難しいので、これには露光原版の表面にゴミよけのた
めの露光用の光をよく通過させるペリクルを貼着する方
式が取られている。
あるいは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェ
ハーあるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを
作成するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミ
が付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲
げてしまうため、転写したパターニングが変形したり、
エッジががさついたものとなるほか、寸法、品質、外観
などが損なわれるという問題があった。このため、これ
らの作業は通常クリーンルームで行なわれているが、こ
のクリーンルーム内でも露光原版を常に清浄に保つこと
が難しいので、これには露光原版の表面にゴミよけのた
めの露光用の光をよく通過させるペリクルを貼着する方
式が取られている。
【０００３】しかして、このペリクルはプラスチック製
または金属製のフレーム開口面に有機薄膜を設けたもの
であり、この有機薄膜は通常成膜用基板の表面にスピン
コーターを用いて 0.5〜3.0 μｍ程度の厚みになるよう
に成膜し、その後成膜した有機薄膜を成膜用基板より剥
離することによって得られる。この剥離は基板の端部の
膜をカッターなどで切断し、その切断部から膜を引張り
ながら徐々に剥離するという方法で行なわれているが、
この場合には基板と膜の界面に水のような膜自身を溶解
しないような液体を注いで剥離をスムーズに行なうこと
が行なわれている。
または金属製のフレーム開口面に有機薄膜を設けたもの
であり、この有機薄膜は通常成膜用基板の表面にスピン
コーターを用いて 0.5〜3.0 μｍ程度の厚みになるよう
に成膜し、その後成膜した有機薄膜を成膜用基板より剥
離することによって得られる。この剥離は基板の端部の
膜をカッターなどで切断し、その切断部から膜を引張り
ながら徐々に剥離するという方法で行なわれているが、
この場合には基板と膜の界面に水のような膜自身を溶解
しないような液体を注いで剥離をスムーズに行なうこと
が行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この場合、成膜用基板
材料としては表面が平滑な板状のものが用いられてお
り、これは一般には青板ガラス、パイレックスガラス、
合成石英、シリコン板（シリコンウェハー）などとされ
ており、この有機薄膜は一般にセルロース系高分子やフ
ッ素高分子が用いられているのであるが、この有機薄膜
は引張強度が小さいために剥離中にキズが発生して破れ
たり、しわが発生し易いという問題点があり、一度成膜
に用いた基板はこれを二度、三度成膜に用いると、膜の
剥離性が顕著に悪化するという問題点がある。
材料としては表面が平滑な板状のものが用いられてお
り、これは一般には青板ガラス、パイレックスガラス、
合成石英、シリコン板（シリコンウェハー）などとされ
ており、この有機薄膜は一般にセルロース系高分子やフ
ッ素高分子が用いられているのであるが、この有機薄膜
は引張強度が小さいために剥離中にキズが発生して破れ
たり、しわが発生し易いという問題点があり、一度成膜
に用いた基板はこれを二度、三度成膜に用いると、膜の
剥離性が顕著に悪化するという問題点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決した離型性成膜用基板およびペリクル
膜の製造方法に関するもので、この離型性成膜用基板は
表面を非晶質フッ素系樹脂でコーティングしてなること
を特徴とするものであり、このペリクル膜の製造方法は
この非晶質フッ素樹脂をコーティングした成膜用基板を
用いてペリクル膜を成膜し、剥離することを特徴とする
ものである。
利、問題点を解決した離型性成膜用基板およびペリクル
膜の製造方法に関するもので、この離型性成膜用基板は
表面を非晶質フッ素系樹脂でコーティングしてなること
を特徴とするものであり、このペリクル膜の製造方法は
この非晶質フッ素樹脂をコーティングした成膜用基板を
用いてペリクル膜を成膜し、剥離することを特徴とする
ものである。
【０００６】すなわち、本発明者らはペリクル膜の製造
方法におけるペリクル膜の剥離方法を改善すべく種々検
討した結果、ペリクル膜を成膜させる成形用基板の表面
を予め非晶質フッ素樹脂をコーティングしたものとする
と、この基板が離型性のすぐれたものとなるので、この
基板に成膜させた有機薄膜を容易に剥離することがで
き、得られるペリクル膜を傷やしわのないものとするこ
とができることを見出して本発明を完成させた。以下に
これをさらに詳述する。
方法におけるペリクル膜の剥離方法を改善すべく種々検
討した結果、ペリクル膜を成膜させる成形用基板の表面
を予め非晶質フッ素樹脂をコーティングしたものとする
と、この基板が離型性のすぐれたものとなるので、この
基板に成膜させた有機薄膜を容易に剥離することがで
き、得られるペリクル膜を傷やしわのないものとするこ
とができることを見出して本発明を完成させた。以下に
これをさらに詳述する。
【０００７】
【作用】本発明は離型性成膜用基板およびペリクル膜の
製造方法に関するものであり、この離型性成膜用基板は
表面を非晶質フッ素樹脂でコーティングしてなることを
特徴とするものであり、このペリクル膜の製造方法は表
面を非晶質フッ素樹脂でコーティングした成膜用基板を
用いてペリクル膜を成膜し、剥離することを特徴とする
ものであるが、これによればこの成膜用基板に有機薄膜
を成膜し、剥離するとこの基板がすぐれた離型性をもつ
ものとなるので、有機薄膜の基板からの剥離が容易に行
なうことができ、目的とするペリクル膜を傷やしわのな
いものとして得ることができるという有利性が与えられ
る。
製造方法に関するものであり、この離型性成膜用基板は
表面を非晶質フッ素樹脂でコーティングしてなることを
特徴とするものであり、このペリクル膜の製造方法は表
面を非晶質フッ素樹脂でコーティングした成膜用基板を
用いてペリクル膜を成膜し、剥離することを特徴とする
ものであるが、これによればこの成膜用基板に有機薄膜
を成膜し、剥離するとこの基板がすぐれた離型性をもつ
ものとなるので、有機薄膜の基板からの剥離が容易に行
なうことができ、目的とするペリクル膜を傷やしわのな
いものとして得ることができるという有利性が与えられ
る。
【０００８】本発明はペリクル膜を成膜するための離型
性成膜用基板に関するものであるが、この成膜用基板は
シリコンウェハーなどで代表されるシリコン板、青色ガ
ラス、パイレックスガラスなどのガラス板、合成石英
板、SiC やAl2O3 などのセラミックス板、ステンレス
板、アルミニウム、銅などの金属板、アクリル樹脂、ポ
リカーボネート樹脂などのプラスチック板などからなる
ものとすればよいが、これらはこの成膜面に均一な有機
薄膜を得るためにはその表面が鏡面であるものとするこ
とがよい。
性成膜用基板に関するものであるが、この成膜用基板は
シリコンウェハーなどで代表されるシリコン板、青色ガ
ラス、パイレックスガラスなどのガラス板、合成石英
板、SiC やAl2O3 などのセラミックス板、ステンレス
板、アルミニウム、銅などの金属板、アクリル樹脂、ポ
リカーボネート樹脂などのプラスチック板などからなる
ものとすればよいが、これらはこの成膜面に均一な有機
薄膜を得るためにはその表面が鏡面であるものとするこ
とがよい。
【０００９】本発明の離型性成膜用基板はこれらの成膜
用基板の表面を非晶質フッ素樹脂でコーティングするこ
とによって得ることができるが、ここに使用する非晶質
フッ素樹脂としては市販されているサイトップ［旭硝子
（株）製商品名］、テフロンＡＦ［米国デュポン社製商
品名］などが例示される。これらの非晶質フッ素樹脂に
よる成膜用基板の処理はこれらの樹脂を 0.1〜５％程度
の濃度になるように溶解し、この溶液を用いて基板の表
面にスピンコーターやロールコーターでコーティングを
行えばよい。
用基板の表面を非晶質フッ素樹脂でコーティングするこ
とによって得ることができるが、ここに使用する非晶質
フッ素樹脂としては市販されているサイトップ［旭硝子
（株）製商品名］、テフロンＡＦ［米国デュポン社製商
品名］などが例示される。これらの非晶質フッ素樹脂に
よる成膜用基板の処理はこれらの樹脂を 0.1〜５％程度
の濃度になるように溶解し、この溶液を用いて基板の表
面にスピンコーターやロールコーターでコーティングを
行えばよい。
【００１０】この非晶質フッ素樹脂膜はこのコーティン
グ後、溶剤を乾燥除去することによって得ることができ
るが、得られた樹脂膜はその厚みが 0.001μｍ未満では
この上に成膜されるニトロセルロースなどの有機薄膜の
離型性が不充分となり、1.0μｍより厚くてもそれ以上
の離型性向上は望めず、むしろ平滑な層を得ることが困
難となるために、これはその厚さが 0.001〜 1.0μｍの
範囲、好ましくは0.01〜0.3 μｍのものとすることがよ
い。
グ後、溶剤を乾燥除去することによって得ることができ
るが、得られた樹脂膜はその厚みが 0.001μｍ未満では
この上に成膜されるニトロセルロースなどの有機薄膜の
離型性が不充分となり、1.0μｍより厚くてもそれ以上
の離型性向上は望めず、むしろ平滑な層を得ることが困
難となるために、これはその厚さが 0.001〜 1.0μｍの
範囲、好ましくは0.01〜0.3 μｍのものとすることがよ
い。
【００１１】この離型性成膜用基板を用いたペリクル膜
の製造は、上記した方法で非晶質フッ素樹脂をコーティ
ングした離型性成膜用基板の表面に有機薄膜材としての
例えばニトロセルロース溶解液をスピンコーターやロー
ルコーターなどを用いてコーティングし、溶剤を乾燥除
去して厚さ 0.5〜3.0 μｍのニトロセルロース膜を作
り、この基板の縁の部分の膜をカッターで切断し、この
剥離面に必要に応じて水を注いでこの膜を基板から剥離
すればよい。
の製造は、上記した方法で非晶質フッ素樹脂をコーティ
ングした離型性成膜用基板の表面に有機薄膜材としての
例えばニトロセルロース溶解液をスピンコーターやロー
ルコーターなどを用いてコーティングし、溶剤を乾燥除
去して厚さ 0.5〜3.0 μｍのニトロセルロース膜を作
り、この基板の縁の部分の膜をカッターで切断し、この
剥離面に必要に応じて水を注いでこの膜を基板から剥離
すればよい。
【００１２】この場合には、ここに使用した成膜用基板
が予め非晶質フッ素樹脂のコーティングで剥離性のすぐ
れたものとされているので、このニトロセルロースから
なるペリクル膜は非常に容易に剥離することができ、し
たがってこのペリクル膜には傷がついたり、しわのよる
こともなくなるという有利性が与えられるし、こによれ
ばニトロセルロースの剥離を５回〜10回以上繰り返して
行なうと、従来法では剥離性が急激に低下し、場合によ
っては剥離が不可能となるのであるが、本発明による剥
離性成膜用基板を用いて行えば数十回の繰り返しでも基
板の剥離性が殆ど低下しないという有利性が与えられ
る。
が予め非晶質フッ素樹脂のコーティングで剥離性のすぐ
れたものとされているので、このニトロセルロースから
なるペリクル膜は非常に容易に剥離することができ、し
たがってこのペリクル膜には傷がついたり、しわのよる
こともなくなるという有利性が与えられるし、こによれ
ばニトロセルロースの剥離を５回〜10回以上繰り返して
行なうと、従来法では剥離性が急激に低下し、場合によ
っては剥離が不可能となるのであるが、本発明による剥
離性成膜用基板を用いて行えば数十回の繰り返しでも基
板の剥離性が殆ど低下しないという有利性が与えられ
る。
【００１３】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１ 非晶質フッ素樹脂としてのサイトップ・CTX-809S［旭硝
子（株）製商品名］をその溶媒・CTsolv 180［旭硝子
（株）製商品名］を用いて２％濃度のサイトップ溶液と
した。ついで、このサイトップ溶液を成膜用基板として
の直径８インチφで厚みが 0.8mmのＳｉウェハーにスピ
ンコーターを用いて2,000rpm、30秒でコーティングした
のち、クリーンオーブンを用いて 150℃で15分間乾燥
し、この膜の厚みをエリプリメーターで測定したとこ
ろ、これは0.11μｍであった。
子（株）製商品名］をその溶媒・CTsolv 180［旭硝子
（株）製商品名］を用いて２％濃度のサイトップ溶液と
した。ついで、このサイトップ溶液を成膜用基板として
の直径８インチφで厚みが 0.8mmのＳｉウェハーにスピ
ンコーターを用いて2,000rpm、30秒でコーティングした
のち、クリーンオーブンを用いて 150℃で15分間乾燥
し、この膜の厚みをエリプリメーターで測定したとこ
ろ、これは0.11μｍであった。
【００１４】つぎにこのサイトップで表面処理された基
板にＩＰＡ湿綿、同成分70％のニトロセルロース・ＲＳ
−１［ダイセル化学工業（株）製商品名］64g 、メチル
エチルケトン 146g 、酢酸ｎ−ブチル 120g 、トルエン
120g からなるニトロセルロース処理液をスピンコータ
ーを用いて 750rpm 、10秒でコーティングし、室温で24
時間乾燥させたのち、エリプリメーターでこのニトロセ
ルロース膜の厚みを測定したところ、これは0.85μｍで
あった。
板にＩＰＡ湿綿、同成分70％のニトロセルロース・ＲＳ
−１［ダイセル化学工業（株）製商品名］64g 、メチル
エチルケトン 146g 、酢酸ｎ−ブチル 120g 、トルエン
120g からなるニトロセルロース処理液をスピンコータ
ーを用いて 750rpm 、10秒でコーティングし、室温で24
時間乾燥させたのち、エリプリメーターでこのニトロセ
ルロース膜の厚みを測定したところ、これは0.85μｍで
あった。
【００１５】また、ニトロセルロース膜のＳｉウェハー
からの剥離性を調べる目的で、Ｓｉウェハーの外周部の
ニトロセルロース膜をカッターで切断し、この切断部の
端部をピンセットでつまみ、10mm／秒の速度で剥離を行
なったところ、これは容易に剥離することができ、この
方法で同一の基板を用いてニトロセルロース膜の成膜お
よび剥離を30回繰り返したところ、剥離性の低下は殆ど
認められず、いずれも容易に剥離することができた。
からの剥離性を調べる目的で、Ｓｉウェハーの外周部の
ニトロセルロース膜をカッターで切断し、この切断部の
端部をピンセットでつまみ、10mm／秒の速度で剥離を行
なったところ、これは容易に剥離することができ、この
方法で同一の基板を用いてニトロセルロース膜の成膜お
よび剥離を30回繰り返したところ、剥離性の低下は殆ど
認められず、いずれも容易に剥離することができた。
【００１６】実施例２ 非晶質フッ素樹脂としてテフロンＡＦ 1,600［米国デュ
ポン社製商品名］を用いたほかは実施例１と同様の方法
で非晶質フッ素樹脂をコーティングしたＳｉウェハーを
作ったところ、厚さが0.08μｍのテフロンＡＦの膜をも
つ離型性成形用基板が得られたので、この基板に実施例
１と同じ方法でニトロセルロースのペリクル膜を成膜
し、剥離したところ、これは容易に剥離することができ
た。また、このニトロセルロースの成膜、剥離を同一の
基板を用いて30回繰り返したところ、この場合も剥離性
の低下は殆ど認められず、いずれも容易に剥離すること
ができた。
ポン社製商品名］を用いたほかは実施例１と同様の方法
で非晶質フッ素樹脂をコーティングしたＳｉウェハーを
作ったところ、厚さが0.08μｍのテフロンＡＦの膜をも
つ離型性成形用基板が得られたので、この基板に実施例
１と同じ方法でニトロセルロースのペリクル膜を成膜
し、剥離したところ、これは容易に剥離することができ
た。また、このニトロセルロースの成膜、剥離を同一の
基板を用いて30回繰り返したところ、この場合も剥離性
の低下は殆ど認められず、いずれも容易に剥離すること
ができた。
【００１７】比較例 非晶質フッ素樹脂のコーティングを行なわなかった直径
８インチ、厚さ 0.8mmのウェハーを成膜用基板として使
用したほかは実施例１と同様の方法で、これにニトロセ
ルロースペリクル膜を形成させ、剥離したところ、この
場合には剥離が不充分であるために膜にスジが発生した
り、部分的に破れるという問題が発生した。そのため、
これについては剥離部分に水を注いだところ、比較的容
易に剥離することができたが、このニトロセルロースの
成膜および剥離を５回繰り返したところ、この基板は剥
離性が劣化し、水を注いでも剥離ができないようになっ
た。
８インチ、厚さ 0.8mmのウェハーを成膜用基板として使
用したほかは実施例１と同様の方法で、これにニトロセ
ルロースペリクル膜を形成させ、剥離したところ、この
場合には剥離が不充分であるために膜にスジが発生した
り、部分的に破れるという問題が発生した。そのため、
これについては剥離部分に水を注いだところ、比較的容
易に剥離することができたが、このニトロセルロースの
成膜および剥離を５回繰り返したところ、この基板は剥
離性が劣化し、水を注いでも剥離ができないようになっ
た。
【００１８】
【発明の効果】本発明は離型性成膜用基板およびペリク
ル膜の製造方法に関するものであり、前記したようにこ
の離型用成膜用基板は表面を非晶質フッ素樹脂でコーテ
ィングしてなることを特徴とするものであり、このペリ
クル膜の製造方法はこのように処理された離型性成膜用
基板を用いてペリクル膜を成膜し、剥離することを特徴
とするものであるが、これによればこの離型性成膜用基
板が非晶質フッ素樹脂のコーティングで離型性のすぐれ
たものとなるので、この基板に成膜されたペリクル膜は
成膜後に容易に基板から剥離することができ、したがっ
て傷やしわのないものを容易に得ることができるという
有利性が与えられる。
ル膜の製造方法に関するものであり、前記したようにこ
の離型用成膜用基板は表面を非晶質フッ素樹脂でコーテ
ィングしてなることを特徴とするものであり、このペリ
クル膜の製造方法はこのように処理された離型性成膜用
基板を用いてペリクル膜を成膜し、剥離することを特徴
とするものであるが、これによればこの離型性成膜用基
板が非晶質フッ素樹脂のコーティングで離型性のすぐれ
たものとなるので、この基板に成膜されたペリクル膜は
成膜後に容易に基板から剥離することができ、したがっ
て傷やしわのないものを容易に得ることができるという
有利性が与えられる。
フロントページの続き (72)発明者 樫田 周 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 久保田 芳宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】表面を非晶質フッ素樹脂でコーティングし
てなることを特徴とする離型性成膜用基板。 - 【請求項２】請求項１に記載した離型性成膜用基板を用
いてペリクル膜を成膜し、剥離することを特徴とするペ
リクル膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3134593A JPH06222551A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | 離型性成膜用基板およびペリクル膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3134593A JPH06222551A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | 離型性成膜用基板およびペリクル膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06222551A true JPH06222551A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12328645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3134593A Pending JPH06222551A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | 離型性成膜用基板およびペリクル膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06222551A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
| JP2006305924A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | ポリビニルアルコール系フィルムの製造方法、およびポリビニルアルコール系フィルム |
| US7416820B2 (en) | 2007-01-31 | 2008-08-26 | International Business Machines Corporation | Pellicle film optimized for immersion lithography systems with NA>1 |
| JP2022522210A (ja) * | 2019-03-05 | 2022-04-14 | キヤノン株式会社 | ガス透過性スーパーストレート及びその使用方法 |
-
1993
- 1993-01-27 JP JP3134593A patent/JPH06222551A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
| JP2006305924A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | ポリビニルアルコール系フィルムの製造方法、およびポリビニルアルコール系フィルム |
| US7416820B2 (en) | 2007-01-31 | 2008-08-26 | International Business Machines Corporation | Pellicle film optimized for immersion lithography systems with NA>1 |
| JP2022522210A (ja) * | 2019-03-05 | 2022-04-14 | キヤノン株式会社 | ガス透過性スーパーストレート及びその使用方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4931717B2 (ja) | リソグラフィー用ペリクルの製造方法 | |
| JPS6325932B2 (ja) | ||
| JP2004157229A (ja) | リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法 | |
| JPH0667409A (ja) | リソグラフィー用ペリクル | |
| JPH06222551A (ja) | 離型性成膜用基板およびペリクル膜の製造方法 | |
| JP2000296529A (ja) | 流延製膜方法 | |
| JP2790946B2 (ja) | ペリクル膜の製造方法 | |
| JP2010211021A (ja) | ペリクル | |
| KR101902262B1 (ko) | 수지 증착 코팅층을 구비한 펠리클 프레임 | |
| JP2011095661A (ja) | ペリクル | |
| JP6875964B2 (ja) | 透明導電性フィルム用の長尺のハードコートフィルムの製造方法 | |
| JP3429897B2 (ja) | ペリクルの製造方法 | |
| JP2938696B2 (ja) | ペリクルの製造方法 | |
| JP3449180B2 (ja) | ペリクル | |
| JPH06175357A (ja) | 成膜用基板 | |
| JP4319757B2 (ja) | ペリクルの製造方法 | |
| JP2857561B2 (ja) | ペリクル | |
| KR20100116105A (ko) | 이형 막을 구비한 기판을 이용한 펠리클 막의 제조방법 | |
| JP3429898B2 (ja) | ペリクルの製造方法 | |
| JP2938692B2 (ja) | ペリクルの製造方法 | |
| JPH08292552A (ja) | ペリクル膜の製造方法 | |
| JP2938709B2 (ja) | 半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法 | |
| JP3429869B2 (ja) | ペリクルの製造方法 | |
| JPH0264A (ja) | フォトマスクカバーの製造方法 | |
| JP2006163215A (ja) | ペリクル膜の製造方法 |